WO2020130101A1 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

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insulating material
material layer
layer
wiring
wiring board
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PCT/JP2019/049935
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正也 鳥羽
蔵渕　和彦
増子　崇
一行 満倉
慎一郎 安部
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日立化成株式会社
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    • H05K3/0032—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material

Definitions

  • the present disclosure relates to a wiring board and a manufacturing method thereof.
  • a connection method called package-on-package is widely adopted in smartphones and tablet terminals.
  • Package-on-package is a method of connecting different packages on a package by flip-chip mounting (see Non-Patent Documents 1 and 2).
  • a packaging technique using an organic substrate having high-density wiring organic interposer
  • a fan-out type packaging technique having a through mold via (TMV) FO-WLP
  • silicon or A packaging technology using a glass interposer, a packaging technology using a through silicon via (TSV), and a packaging technology using a chip embedded in a substrate for inter-chip transmission have been proposed.
  • TSV through silicon via
  • TSV through silicon via
  • a packaging technology using a chip embedded in a substrate for inter-chip transmission have been proposed.
  • a fine wiring layer is required for high density conduction (see Patent Document 2).
  • TMV Through Mold Via
  • ECTC Electronic Components and Technology Conference
  • eWLB-PoP Embedded Wafer Level PoP
  • the seed layer is formed by electroless plating after the treatment with the desmear treatment liquid.
  • the seed layer is a metal layer formed in the manufacturing process of the wiring board and is also called a power feeding layer. That is, a conductive portion is formed on the surface of the seed layer by supplying power to the seed layer. A part of the seed layer constitutes a metal wiring together with the conductive portion.
  • the surface of the insulating material layer is roughened by performing a wet desmear treatment. By making the surface of the insulating material layer appropriately rough, the adhesion between the seed layer and the insulating material layer is improved by the anchor effect.
  • the present disclosure has been made in view of the above problems, and provides a wiring board that has excellent adhesion between an insulating material layer and metal wiring and has a small transmission loss at high frequencies, and a manufacturing method thereof.
  • a method of manufacturing a wiring board (A) a step of adsorbing a catalyst for electroless plating on the first insulating material layer, (B) a step of forming a metal layer on the surface of the first insulating material layer by electroless plating, (C) a step of forming a resist having an opening for forming a wiring pattern on the surface of the metal layer, (D) forming a conductive portion on the surface of the metal layer exposed from the resist by electroplating,
  • the arithmetic mean roughness Ra of the surface of the first insulating material layer is 100 nm or less
  • the nickel content of the metal layer is 0.25 to 20 mass %.
  • the nickel content of the metal layer (corresponding to the seed layer) is 0.25% by mass or more, so that the surface of the first insulating material layer is sufficiently flat (arithmetic mean roughness). Ra: 100 nm or less), it is possible to secure sufficient adhesion between the insulating material layer and the metal wiring. This is presumed to be that nickel contained in the metal layer in contact with the first insulating material layer contributes to the improvement in adhesion. On the other hand, since the nickel content of the metal layer is 20% by mass or less and the surface of the first insulating material layer is sufficiently flat, the high frequency transmission loss can be sufficiently reduced.
  • the metal layer containing a predetermined amount of nickel can be formed by using, for example, an electroless copper nickel phosphorus plating solution.
  • the surface of the first insulating material layer is preferably flat, the surface of the first insulating material layer is roughened by the desmear treatment liquid before the step (a) is performed. It is better not to carry out the chemical treatment.
  • the modified region having pores communicating from the surface of the first insulating material layer to the inside is the first insulating material layer. It is preferably formed on the surface layer.
  • Such a modified region is formed from the group consisting of ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, ozone water treatment, corona discharge treatment, and plasma treatment on the surface of the first insulating material layer before performing step (a). It may be formed by performing at least one selected modification treatment.
  • the step (d) of removing the resist, and the step (f) of removing the metal layer exposed by the removal of the resist and the catalyst between the metal layer and the first insulating material layer are removed.
  • the method may further include a step, and (g) a step of forming the second insulating material layer so as to cover the metal wiring remaining on the first insulating material layer and the metal wiring formed by the conductive portion, in this order. ..
  • a wiring board covers a first insulating material layer having a surface with an arithmetic average roughness Ra of 100 nm or less, a metal wiring provided on the surface of the first insulating material layer, and the metal wiring. And a second insulating material layer provided in such a manner that the metal wiring is composed of a metal layer in contact with the surface of the first insulating material layer, and a conductive portion laminated on the surface of the metal layer,
  • the nickel content of the metal layer is 0.25 to 20 mass %.
  • the nickel content of the metal layer is 0.25% by mass or more, the surface of the first insulating material layer is sufficiently flat (arithmetic mean roughness Ra: 100 nm or less). , Has sufficient adhesion between the insulating material and the metal wiring.
  • the nickel content of the metal layer is 20% by mass or less and the surface of the first insulating material layer is sufficiently flat, the high frequency transmission loss is sufficiently small.
  • the nickel content of the metal layer may be, for example, 3 to 20% by mass or 0.25 to 3% by mass.
  • the first insulating material layer may be composed of a cured product of a thermosetting resin composition or may be composed of a cured product of a photosensitive resin composition.
  • a wiring board having excellent adhesion between the insulating material layer and the metal wiring and having a small high-frequency transmission loss, and a manufacturing method thereof.
  • FIG. 1A to 1D are cross-sectional views schematically showing a manufacturing process of a wiring board according to an embodiment of the present disclosure.
  • 2A to 2C are cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the wiring board according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a wiring board provided with microstrip wiring produced for evaluating high-frequency transmission loss in Examples and Comparative Examples.
  • the term “layer” includes not only the structure of the shape formed on the entire surface but also the structure of the shape partially formed when observed as a plan view.
  • FIG. 2C are cross-sectional views schematically showing a manufacturing process of a wiring board.
  • the wiring board 10 schematically shown in FIG. 2C is particularly suitable in a form in which miniaturization and multi-pinning are required, and particularly in a package form in which an interposer for mounting different types of chips together is required. It is suitable. More specifically, in the manufacturing method according to the present embodiment, the distance between the pins is 200 ⁇ m or less (for example, 30 to 100 ⁇ m in the case of finer), and the number of pins is 500 or more (in the case of finer, Is suitable in a package form of, for example, 1000 to 10000 pieces.
  • the desmear treatment liquid is applied to the first insulating material layer 1. Even if the surface is not roughened, the metal wiring 4 has excellent adhesion to the first insulating material layer 1. Therefore, it is possible to form fine wiring on the surface of the first insulating material layer 1, and it is possible to sufficiently reduce high-frequency transmission loss.
  • the wiring board 10 is roughly manufactured by the following steps. (1) A step of forming the first insulating material layer 1 on the support substrate S. (2) A step of forming the seed layer 2 (metal layer) on the surface of the first insulating material layer 1. (3) A step of forming the wiring portion 3 (conductive portion) on the seed layer 2. (4) A step of forming the second insulating material layer 5 so as to cover the metal wiring 4.
  • the first insulating material layer 1 is formed on the support substrate S (FIG. 1A).
  • the support substrate S is not particularly limited, but is a silicon plate, a glass plate, a SUS (stainless steel) plate, a glass cloth-containing substrate, a semiconductor element-containing sealing resin, or the like, and a substrate having high rigidity is preferable.
  • the conductive layer Sa is formed on the surface on the side where the first insulating material layer 1 is formed.
  • a substrate on which the conductive layer Sa is not formed, or a substrate having wirings and/or pads on the surface instead of the conductive layer Sa may be used.
  • the thickness of the support substrate S is preferably in the range of 0.2 mm to 2.0 mm. If it is thinner than 0.2 mm, it becomes difficult to handle, while if it is thicker than 2.0 mm, the material cost tends to increase.
  • the support substrate S may have a wafer shape or a panel shape. The size is not particularly limited, but a wafer having a diameter of 200 mm, a diameter of 300 mm or a diameter of 450 mm, or a rectangular panel having one side of 300 to 700 mm is preferably used.
  • the material forming the first insulating material layer 1 may be a photosensitive resin material or a thermosetting resin material.
  • these insulating materials include liquid or film-shaped ones, and film-shaped insulating materials are preferable from the viewpoint of film thickness flatness and cost.
  • the insulating material preferably contains a filler having an average particle diameter of 500 nm or less (more preferably 50 to 200 nm) from the viewpoint that fine wiring can be formed.
  • the filler content of the insulating material is preferably 0 to 70 parts by mass and more preferably 10 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the insulating material excluding the filler.
  • the laminating step is preferably performed at a temperature as low as possible, and it is preferable to use an insulating film that can be laminated at 40 to 120°C.
  • An insulating film that can be laminated at a temperature below 40°C has a strong tack at room temperature (about 25°C) and tends to have poor handleability.
  • warpage occurs after lamination. Tends to be large.
  • the thermal expansion coefficient of the first insulating material layer 1 after curing is preferably 80 ⁇ 10 ⁇ 6 /K (Kelvin) or less from the viewpoint of suppressing warpage, and 70 ⁇ 10 ⁇ 6 in terms of high reliability. It is more preferable that it is /K or less. Further, it is preferably 20 ⁇ 10 ⁇ 6 /K or more in terms of stress relaxation of the insulating material and obtaining a high-definition pattern.
  • the thickness of the first insulating material layer 1 is preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 5 ⁇ m or less, and further preferably 3 ⁇ m or less. From the viewpoint of insulation reliability, the thickness of the first insulating material layer 1 is preferably 0.5 ⁇ m or more.
  • an opening (not shown) reaching the conductive layer Sa may be provided in the first insulating material layer 1.
  • the opening may be provided by photolithography, for example.
  • the opening may be provided by laser processing, for example.
  • the surface of the first insulating material layer 1 is preferably as flat as possible. That is, the arithmetic mean roughness Ra of the surface of the first insulating material layer 1 is 100 nm or less, preferably 80 nm or less, and more preferably 55 nm or less.
  • the lower limit of the arithmetic mean roughness Ra of the surface of the first insulating material layer 1 is, for example, 5 nm, and may be 10 nm or 20 nm.
  • the arithmetic mean roughness Ra can be measured using a laser microscope.
  • the following method may be used to obtain the arithmetic average roughness Ra of the surface of the first insulating layer 1 from the cross section of the laminated body including the first insulating layer 1. That is, the difference (Rz value) between the convex portion and the concave portion is measured from the surfaces of a plurality of samples for which the value of the arithmetic average roughness Ra is known. A calibration curve is created based on the measured Rz value and the known Ra value. The difference (Rz value) between the convex portion and the concave portion of the cross section of the first insulating layer 1 for which the arithmetic mean roughness Ra should be obtained is measured, and the arithmetic mean roughness Ra can be obtained from the measured value and the calibration curve.
  • a seed layer 2 is formed on the surface of the first insulating material layer 1 by electroless plating containing at least copper (FIG. 1B).
  • the surface of the first insulating material layer 1 is preferably as flat as possible, the surface of the first insulating material layer 1 is roughened with a desmear treatment liquid before the seed layer 2 is formed. It is better not to carry out.
  • a modified region (not shown) having holes communicating from the surface of the first insulating material layer 1 to the inside is formed on the surface layer of the first insulating material layer 1. It is preferably formed.
  • the catalyst By adsorbing the catalyst for electroless plating on the first insulating material layer 1 in which the reformed region is formed, the catalyst enters the pores of the reformed region.
  • the electroless plating formed in the pores of the modified region plays a role like a plant root, and the first insulating material layer 1 and the seed layer 2 are It is presumed that it will contribute to the improvement of the adhesiveness.
  • Such a modified region is selected from the group consisting of irradiation of active energy rays, ozone water treatment, corona discharge treatment, and plasma treatment on the surface of the first insulating material layer 1 before forming the seed layer 2.
  • the active energy ray may be one that does not excessively roughen the surface of the first insulating material layer 1, and examples thereof include ultraviolet rays, electron rays, ⁇ rays, ⁇ rays and ⁇ rays.
  • the arithmetic average roughness Ra of the surface of the first insulating material layer 1 can be maintained at 100 nm or less.
  • the seed layer 2 is formed through the following steps. First, the surface of the first insulating material layer 1 is washed with a pretreatment liquid.
  • the pretreatment liquid may be a commercially available alkaline pretreatment liquid containing sodium hydroxide or potassium hydroxide. The concentration of sodium hydroxide or potassium hydroxide is carried out between 1 and 30% by weight.
  • the immersion time in the pretreatment liquid is carried out for 1 to 60 minutes.
  • the immersion temperature in the pretreatment liquid is carried out between 25 and 80°C.
  • After the pretreatment, in order to remove the excess pretreatment liquid it may be washed with city water, pure water, ultrapure water or an organic solvent.
  • immersion cleaning is performed with an acidic aqueous solution.
  • the acidic aqueous solution may be an aqueous sulfuric acid solution, the concentration is 1 to 20% by mass, and the immersion time is 1 to 60 minutes.
  • it may be washed with city water, pure water, ultrapure water or an organic solvent.
  • palladium which serves as a catalyst for electroless plating, is attached to the surface of the first insulating material layer 1 after immersion cleaning.
  • Palladium may be a commercially available palladium-tin colloidal solution, an aqueous solution containing palladium ions, a palladium ion suspension or the like, but an aqueous solution containing palladium ions that is effectively adsorbed to the modified layer is preferable.
  • the temperature of the aqueous solution containing palladium ions is 25 to 80° C., and the immersion time for adsorption is 1 to 60 minutes. After adsorbing the palladium ions, washing with city water, pure water, ultrapure water or an organic solvent may be performed in order to remove excess palladium ions.
  • the reagent that activates the palladium ion may be a commercially available activator (activation treatment liquid).
  • activator treatment liquid The temperature of the activator soaked for activating the palladium ions is 25 to 80° C., and the time for soaking is 1 to 60 minutes. After activating the palladium ions, in order to remove an excess activator, you may wash with city water, pure water, ultrapure water or an organic solvent.
  • the seed layer 2 is formed by electroless plating on the surface of the first insulating material layer 1.
  • the seed layer 2 becomes a power supply layer for the electrolytic plating performed in the step (3).
  • the thickness of the seed layer 2 is preferably 20 to 200 nm, more preferably 40 to 200 nm, further preferably 60 to 200 nm.
  • the nickel content of the seed layer 2 is 0.25 to 20% by mass, and may be, for example, 3 to 20% by mass or 0.25 to 3% by mass.
  • the nickel content of the seed layer 2 can be set, for example, by adjusting the nickel content of the electroless plating solution.
  • the nickel content of the seed layer 2 is 0.25 mass% or more, sufficient adhesion can be ensured between the first insulating material layer 1 and the seed layer 2, while it is 20 mass% or less. Thus, it is possible to sufficiently reduce the high frequency transmission loss.
  • electroless plating examples include electroless pure copper plating (copper purity 99 mass% or more), electroless copper nickel phosphorus plating (nickel content: 1 to 10 mass%, phosphorus content: 1 to 13 mass%) and the like.
  • the electroless copper nickel phosphorus plating solution may be a commercially available plating solution.
  • an electroless copper nickel phosphorus plating solution manufactured by JCU Co., Ltd., trade name “AISL-570” can be mentioned.
  • the electroless copper nickel phosphorus plating is carried out in an electroless copper nickel phosphorus plating solution at 60 to 90°C.
  • An electroless copper plating solution having a nickel content of 0.1 to 1 mass% may be used for forming the seed layer 2.
  • Examples of commercially available products of such plating solutions include electroless copper plating solutions (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., product names "Copper Solution Print Gantt MV TP1", “Stabilizer Print Gantt MV TP1", “Basic Print Gantt MV TP1", “ Moderator Print Gantt MV TP1", “Reducer Cu”).
  • Electroless copper plating is carried out in an electroless copper plating solution at 20°C to 50°C.
  • heat curing annealing: age hardening treatment by heating
  • the heat curing temperature is preferably 80 to 200°C. In order to further accelerate the reactivity, 120 to 200° C. is more preferable, and heating at 120 to 180° C. is further preferable.
  • the heat curing time is preferably 5 to 60 minutes, more preferably 10 to 60 minutes, still more preferably 20 to 60 minutes.
  • a wiring forming resist R is patterned on the surface of the seed layer 2 (see FIG. 1C).
  • a commercially available resist may be used, and for example, a negative film-shaped photosensitive resist (Photec RY-5107UT, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) can be used.
  • the resist pattern may be provided with an opening for wiring formation and other openings as required. That is, a resist film is formed by using a roll laminator, then a photo tool having a pattern formed thereon is brought into close contact, exposure is performed by using an exposure machine, and then spray development is performed with an aqueous sodium carbonate solution to form a resist pattern. Can be formed.
  • a positive type photosensitive resist may be used instead of the negative type.
  • Electrolytic copper plating is performed by supplying power to the seed layer 2 to form the wiring part 3 (see FIG. 1(d)).
  • the thickness of the wiring portion 3 is preferably 1 to 10 ⁇ m, more preferably 3 to 10 ⁇ m, and further preferably 5 to 10 ⁇ m.
  • the wiring forming resist R is peeled off (see FIG. 2(a)).
  • the stripping of the wiring forming resist R may be performed using a commercially available stripping solution.
  • the seed layer 2 exposed by the peeling of the wiring forming resist R is removed (see FIG. 2B).
  • the metal wiring 4 including the seed layer 2 remaining on the surface of the first insulating material layer 1 and the wiring portion 3 is formed.
  • the paradigm remaining under the seed layer 2 may be removed.
  • etching solution a commercially available removing solution
  • specific examples thereof include acidic etching solutions (BB-20, PJ-10, SAC-700W3C manufactured by JCU Co., Ltd.). ..
  • a second insulating material layer 5 is formed so as to cover the metal wiring 4 (see FIG. 2C).
  • the material forming the second insulating material layer 5 may be the same as or different from the first insulating material layer.
  • the wiring board and the method for manufacturing the wiring board have been described above, but the present invention is not necessarily limited to the above-described embodiments, and may be appropriately modified without departing from the spirit of the invention.
  • the method of manufacturing a wiring board having one wiring layer has been illustrated, but a seed layer is provided on the surface of the wiring layer.
  • a wiring board having a plurality of wiring layers may be manufactured by repeating the steps and the series of steps (3) and (4).
  • a photosensitive resin film for an insulating material layer was produced as follows. First, a photosensitive resin composition was prepared using the following components. Photoreactive resin containing carboxyl group and ethylenically unsaturated group: acid-modified cresol novolac epoxy acrylate (CCR-1219H, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name) 50 parts by mass : 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide (Darocur TPO, BASF Japan Ltd., trade name) and ethanone, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazole -3-yl]-, 1-(o-acetyloxime) (Irgacure OXE-02, manufactured by BASF Japan Ltd., trade name) 5 parts by mass
  • Thermosetting agent component Biphenol type epoxy resin (YX-4000, Mitsubishi Chemical) (Trade name, manufactured
  • the inorganic filler component was blended in an amount of 10 parts by volume with respect to 100 parts by volume of the resin content.
  • the particle size distribution was measured and it was confirmed that the maximum particle size was 1 ⁇ m or less.
  • a solution of the above photosensitive resin composition was applied onto the surface of a polyethylene terephthalate film (manufactured by Teijin Ltd., trade name: G2-16, thickness: 16 ⁇ m).
  • the coating film was dried at 100° C. for about 10 minutes using a hot air convection dryer. As a result, a photosensitive resin film having a thickness of 10 ⁇ m was obtained.
  • a glass cloth-containing substrate (size: 200 mm square, thickness 1.5 mm) having a copper layer (thickness 20 ⁇ m) formed on its surface was prepared.
  • the photosensitive resin film was laminated to form a first insulating material layer on the surface of the copper layer of the supporting substrate. Specifically, first, a photosensitive resin film was placed on the surface of the copper layer of the supporting substrate. Then, pressing was performed using a press type vacuum laminator (MVLP-500, manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.). The pressing conditions were a hot plate temperature of 80° C., a vacuuming time of 20 seconds, a laminating pressing time of 60 seconds, an atmospheric pressure of 4 kPa or less, and a pressure bonding pressure of 0.4 MPa.
  • MVLP-500 press type vacuum laminator
  • the photosensitive resin film (first insulating material layer) after pressing was subjected to an exposure treatment and a development treatment to provide an opening portion reaching the copper layer of the supporting substrate.
  • the exposure was carried out in the state where a phototool having a pattern was brought into close contact with the first insulating material layer.
  • An i-line stepper exposure machine product name: S6CK type exposure machine, lens: ASC3 (Ck), manufactured by Therma Precision Co., Ltd.
  • spray development was carried out for 45 seconds with a 1% by mass sodium carbonate aqueous solution at 30° C. to provide an opening.
  • the first insulating material layer was irradiated with ultraviolet rays using an ultraviolet ray irradiation device (SSP-16, Sen Special Light Source Co., Ltd., ultraviolet main wavelength: 254 nm). Thereby, the surface of the first insulating material layer was modified.
  • the distance from the ultraviolet lamp to the surface of the first insulating material layer was 40 mm, and the ultraviolet irradiation time was 30 seconds.
  • a seed layer was formed on the surface of the first insulating material layer by electroless copper plating. That is, first, as an alkaline cleaning, it was immersed in an aqueous solution of 110 mL/L of an alkaline cleaner (manufactured by JCU, trade name: EC-B) at 50° C. for 5 minutes, and then immersed in pure water for 1 minute. Then, as a conditioner, a mixture of a conditioning liquid (manufactured by JCU, trade name: PB-200) and EC-B (PB-200 concentration: 70 mL/L, EC-B concentration: 2 mL/L) was used. It was dipped at 50° C.
  • an alkaline cleaner manufactured by JCU, trade name: EC-B
  • a soft etching solution manufactured by JCU, trade name: PB-2278
  • PB-228 concentration: 100 g/L, sulfuric acid concentration: 50 mL/L were added to 30 It was dipped in the water at 2° C. for 2 minutes and then in pure water for 1 minute.
  • a desmut it was immersed in 10% sulfuric acid at room temperature for 1 minute.
  • a liquid mixture of catalyzing reagent 1 (manufactured by JCU, trade name: PC-BA), catalyzing reagent 2 (manufactured by JCU, trade name: PB-333) and EC-B ( PC-BA concentration: 5 g/L, PB-333 concentration: 40 mL/L, EC-B concentration: 9 mL/L) were immersed at 60° C. for 5 minutes, and then immersed in pure water for 1 minute.
  • electroless copper plating a mixture of electroless copper-nickel-phosphorus plating solution (manufactured by JCU, trade name: AISL-570B, AISL-570C, AISL-570MU) and PC-BA (AISL-570B concentration) : 70 mL/L, AISL-570C concentration: 24 mL/L, AISL-570MU concentration: 50 mL/L, PC-BA concentration: 13 g/L) at 60° C. for 7 minutes, and then soaked in pure water for 1 minute. Then, it was dried on a hot plate at 85° C. for 5 minutes. Next, thermal annealing was performed in an oven at 180° C. for 1 hour.
  • the wiring forming resist was exposed using an i-line stepper exposure machine (product name: S6CK type exposure machine, lens: ASC3 (Ck), manufactured by Therma Precision Co., Ltd.).
  • the exposure amount was 140 mJ/cm 2 and the focus was -15 ⁇ m.
  • the film was allowed to stand for 1 day, the protective film of the wiring forming resist was peeled off, and the film was developed using a spray developing machine (AD-3000, manufactured by Mikasa Co., Ltd.).
  • the developing solution was 1.0% aqueous sodium carbonate solution, the developing temperature was 30° C., and the spray pressure was 0.14 MPa.
  • the resist for wiring formation was peeled off using a spray developing machine (AD-3000, manufactured by Mikasa Co., Ltd.).
  • the peeling liquid was a 2.38% TMAH aqueous solution, the peeling temperature was 40° C., and the spray pressure was 0.2 MPa.
  • the palladium catalyst was immersed in a FL aqueous solution (manufactured by JCU, Inc., FL-A: 500 mL/L, FL-B: 40 mL/L) at 50° C. for 1 minute. Then, it was immersed in pure water at 25° C. for 5 minutes and dried on a hot plate at 80° C. for 5 minutes. Through these steps, the wiring board according to Example 1 was obtained.
  • a FL aqueous solution manufactured by JCU, Inc., FL-A: 500 mL/L, FL-B: 40 mL/L
  • step (2) a seed layer was formed on the surface of the insulating material layer using an electroless copper-nickel-phosphorus plating solution in which the nickel concentration was higher than that in Example 1. That is, first, as an alkaline cleaning, it was immersed in an aqueous solution of 110 mL/L of an alkaline cleaner (manufactured by JCU, trade name: EC-B) at 50° C. for 5 minutes, and then immersed in pure water for 1 minute.
  • an alkaline cleaner manufactured by JCU, trade name: EC-B
  • a conditioner a mixture of a conditioning liquid (manufactured by JCU, trade name: PB-200) and EC-B (PB-200 concentration: 70 mL/L, EC-B concentration: 2 mL/L) was used. It was dipped at 50° C. for 5 minutes and then dipped in pure water for 1 minute.
  • a soft etching solution manufactured by JCU, trade name: PB-2278 and a mixed solution of 98% sulfuric acid (PB-228 concentration: 100 g/L, sulfuric acid concentration: 50 mL/L) were added to 30 It was dipped in the water at 2° C. for 2 minutes and then in pure water for 1 minute.
  • electroless copper-nickel-phosphorus plating solution manufactured by JCU, trade name: AISL-570B, AISL-570C, AISL-570MU), PC-BA, and nickel sulfate hexahydrate were used.
  • PC-BA concentration 13 g/L
  • nickel sulfate hexahydrate concentration 1 g /L
  • step (2) a seed layer was formed on the surface of the insulating material layer using an electroless copper-nickel-phosphorus plating solution in which the nickel concentration was higher than that in Example 2. That is, first, as an alkaline cleaning, it was immersed in an aqueous solution of 110 mL/L of an alkaline cleaner (manufactured by JCU, trade name: EC-B) at 50° C. for 5 minutes, and then immersed in pure water for 1 minute.
  • an alkaline cleaner manufactured by JCU, trade name: EC-B
  • a conditioner a mixture of a conditioning liquid (manufactured by JCU, trade name: PB-200) and EC-B (PB-200 concentration: 70 mL/L, EC-B concentration: 2 mL/L) was used. It was dipped at 50° C. for 5 minutes and then dipped in pure water for 1 minute.
  • a soft etching solution manufactured by JCU, trade name: PB-2278 and a mixed solution of 98% sulfuric acid (PB-228 concentration: 100 g/L, sulfuric acid concentration: 50 mL/L) were added to 30 Immersion was performed for 2 minutes at 0° C., and then for 1 minute in pure water.
  • accelerator reagent manufactured by JCU, trade name: PC-66H
  • PC-BA concentration 5 g/L
  • electroless copper plating electroless copper-nickel-phosphorus plating solution (manufactured by JCU, trade name: AISL-570B, AISL-570C, AISL-570MU), PC-BA, and nickel sulfate hexahydrate were used.
  • step (2) a seed layer was formed on the surface of the insulating material layer using an electroless copper plating solution. That is, first, as an alkaline cleaning, an aqueous solution prepared by adjusting an alkaline cleaner (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name: Cleaner Seculigant 902) to 40 mL/L and sodium hydroxide to 20 mL/L at 60° C. for 5 minutes. It was dipped and then dipped in pure water for 1 minute. Next, for neutralization, the plate was immersed in 10 mL/L of an aqueous sulfuric acid solution at 25° C. for 2 minutes, and then immersed in pure water for 1 minute.
  • an alkaline cleaner manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name: Cleaner Seculigant 902
  • the conditioning liquid (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name: Pre-dip Neogant B) was immersed in an aqueous solution prepared so as to be 20 mL/L and sulfuric acid to be 1 mL/L at 25° C. for 1 minute. ..
  • an aqueous solution prepared so that a catalyzing reagent (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name: Activator Neogant 834) is 40 mL/L, boric acid is 5 g/L, and sodium hydroxide is 4 g/L.
  • Activator Neogant 834 an aqueous solution prepared so that a catalyzing reagent (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name: Activator Neogant 834) is 40 mL/L, boric acid is 5 g/L, and sodium hydroxide is 4 g/L.
  • the accelerator reagent manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., product name: Reducer Neogant WA
  • an electroless copper plating solution (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., product name: Basic Print Gantt MV TP1) is 140 mL/L, and an electroless copper plating solution (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., product name: Copper solution Print Gantt MV TP1 is 85 mL/L, electroless copper plating solution (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., product name: Moderator Print Gantt MV TP1) is 3 mL/L, electroless copper plating solution (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., Product name: Stabilizer Print Gantt MV TP1) is 0.6 mL/L, electroless copper plating solution (manufactured by Atotech Japan Co., product name: Reducer Cu) is 16 mL/L, sodium hydroxide is 0.5 g/L The thus prepared aqueous solution was immersed at 30° C. for
  • thermosetting resin film for the first insulating material layer was produced as follows. First, a thermosetting resin composition was prepared using the following components. -Epoxy resin: Biphenyl aralkyl type epoxy resin, product name NC-3000H (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 70 parts by mass-Curing agent: 30 parts by mass of curing agent A synthesized as follows-Inorganic filler component: average particle Silica coupling treatment with vinyl silane, diameter 50 nm. The inorganic filler component was added in an amount of 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin content.
  • a dynamic light scattering type nanotrack particle size distribution meter “UPA-EX150” (manufactured by Nikkiso Co., Ltd.) and a laser diffraction scattering type microtrack particle size distribution meter “MT-3100” (manufactured by Nikkiso Co., Ltd.) were used. The particle size distribution was measured and it was confirmed that the maximum particle size was 1 ⁇ m or less.
  • thermosetting resin composition was applied onto the surface of a polyethylene terephthalate film (manufactured by Teijin Ltd., trade name: G2-16, thickness: 16 ⁇ m). It was dried at 100° C. for about 10 minutes using a hot air convection dryer. Thereby, a thermosetting resin film having a thickness of 10 ⁇ m was obtained.
  • thermosetting resin film was laminated to form a first insulating material layer on the surface of the copper layer of the wiring board. Specifically, first, a thermosetting resin film was placed on the surface of the copper layer of the supporting substrate. Then, pressing was performed using a press type vacuum laminator (MVLP-500, manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.).
  • the press conditions were a press hot plate temperature of 70° C., a vacuuming time of 20 seconds, a laminating press time of 40 seconds, an atmospheric pressure of 4 kPa or less, and a pressure bonding pressure of 0.5 MPa. Then, additional pressing was performed using a pressing machine. As for the press conditions, the temperature was raised to 220° C. during the pressing time of 0 to 60 minutes, maintained at 220° C. during the pressing time of 60 to 190 minutes, and lowered to 25° C. during the pressing time of 190 to 220 minutes. The press pressure was 2.0 MPa and the pressure was 4 kPa.
  • thermosetting resin film first insulating material layer
  • a laser processing machine product name: LC-2K21, manufactured by Via Mechanics
  • the via processing conditions were an aperture diameter of 6.5 mm, an output of 6.3 W, a pulse pitch of 20 ⁇ m ⁇ 3 times, and a burst mode.
  • the first insulating material layer was irradiated with ultraviolet rays using an ultraviolet ray irradiation device (SSP-16, Sen Special Light Source Co., Ltd., ultraviolet main wavelength: 254 nm). Thereby, the surface of the first insulating material layer was modified.
  • the distance from the ultraviolet lamp to the surface of the first insulating material layer was 40 mm, and the ultraviolet irradiation time was 30 seconds.
  • a seed layer was formed on the surface of the first insulating material layer by electroless copper plating. That is, first, as an alkaline cleaning, an aqueous solution prepared by adjusting an alkaline cleaner (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name: Cleaner Seculigant 902) to 40 mL/L and sodium hydroxide to 20 mL/L at 60° C. for 5 minutes. It was dipped and then dipped in pure water for 1 minute. Next, for neutralization, the plate was immersed in 10 mL/L of an aqueous sulfuric acid solution at 25° C. for 2 minutes, and then immersed in pure water for 1 minute.
  • an alkaline cleaner manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name: Cleaner Seculigant 902
  • the conditioning liquid (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name: Pre-dip Neogant B) was immersed in an aqueous solution prepared so as to be 20 mL/L and sulfuric acid to be 1 mL/L at 25° C. for 1 minute. ..
  • an aqueous solution prepared so that a catalyzing reagent (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name: Activator Neogant 834) is 40 mL/L, boric acid is 5 g/L, and sodium hydroxide is 4 g/L.
  • Activator Neogant 834 an aqueous solution prepared so that a catalyzing reagent (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name: Activator Neogant 834) is 40 mL/L, boric acid is 5 g/L, and sodium hydroxide is 4 g/L.
  • the accelerator reagent manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., product name: Reducer Neogant WA
  • an electroless copper plating solution (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., product name: Basic Print Gantt MV TP1) is 140 mL/L, and an electroless copper plating solution (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., product name: Copper solution Print Gantt MV TP1 is 85 mL/L, electroless copper plating solution (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., product name: Moderator Print Gantt MV TP1) is 3 mL/L, electroless copper plating solution (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., Product name: Stabilizer Print Gantt MV TP1) is 0.6 mL/L, electroless copper plating solution (Atotech Japan Co., product name: Reducer Cu) is 16 mL/L, sodium hydroxide is 0.5 g/L The thus prepared aqueous solution was immersed at 30° C.
  • step (2) a seed layer was formed on the surface of the first insulating material layer using an electroless copper nickel phosphorus plating solution. That is, first, as an alkaline cleaning, it was immersed in an aqueous solution of 110 mL/L of an alkaline cleaner (manufactured by JCU, trade name: EC-B) at 50° C. for 5 minutes, and then immersed in pure water for 1 minute. Then, as a conditioner, a mixture of a conditioning liquid (manufactured by JCU, trade name: PB-200) and EC-B (PB-200 concentration: 70 mL/L, EC-B concentration: 2 mL/L) was used.
  • a conditioning liquid manufactured by JCU, trade name: PB-200
  • EC-B PB-200 concentration: 70 mL/L, EC-B concentration: 2 mL/L
  • a liquid mixture of catalyzing reagent 1 (manufactured by JCU, trade name: PC-BA), catalyzing reagent 2 (manufactured by JCU, trade name: PB-333) and EC-B ( PC-BA concentration: 5 g/L, PB-333 concentration: 40 mL/L, EC-B concentration: 9 mL/L) were immersed at 60° C. for 5 minutes, and then immersed in pure water for 1 minute.
  • electroless copper-nickel-phosphorus plating solution manufactured by JCU, trade name: AISL-570B, AISL-570C, AISL-570MU), PC-BA, and nickel sulfate hexahydrate were used.
  • PC-BA concentration 13 g/L
  • nickel sulfate hexahydrate concentration 1 g /L
  • Example 8 A wiring board was produced in the same manner as in Example 7 except that the electroless copper-nickel-phosphorus plating solution in which the nickel concentration was higher than that in Example 7 was used in the step (2).
  • step (1c) the surface of the first insulating material layer is modified (roughened) using a chemical solution used for desmear treatment instead of performing ultraviolet irradiation, and an electroless copper-nickel-phosphorus plating solution Instead of the above, a wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that a seed layer was formed using an electroless pure copper plating solution.
  • the treatment with the chemical solution used for desmear treatment was carried out as follows. First, for swelling treatment, it was immersed in 40 mL/L of Swera (manufactured by Atotech, trade name: Cleaner Seculigant 902) at 70° C. for 5 minutes. Then, it was immersed in pure water for 1 minute. Then, for roughening treatment, it was immersed in 40 mL/L of Desmear liquid (manufactured by Atotech, trade name: Compact CP) at 70° C. for 10 minutes. Then, it was immersed in pure water for 1 minute. Then, it was immersed in pure water at 25° C. for 5 minutes and dried on a hot plate at 80° C. for 5 minutes.
  • Swera manufactured by Atotech, trade name: Cleaner Seculigant 902
  • Desmear liquid manufactured by Atotech, trade name: Compact CP
  • step (2) a seed layer was formed on the surface of the first insulating material layer by using an electroless nickel plating solution instead of the electroless copper nickel phosphorus plating solution used in Example 1. That is, first, as an alkali cleaning, it was immersed in a 40 mL/L aqueous solution of an alkali cleaner (manufactured by JCU, trade name: ES-100) at 40° C. for 2 minutes, and then immersed in pure water for 1 minute. Next, as a conditioner, it was immersed in a 70 mL/L aqueous solution of a conditioning liquid (manufactured by JCU, trade name: ES-200) at 50° C.
  • an alkali cleaning it was immersed in a 40 mL/L aqueous solution of an alkali cleaner (manufactured by JCU, trade name: ES-100) at 40° C. for 2 minutes, and then immersed in pure water for 1 minute.
  • a conditioner it was immersed in a 70
  • a catalyzer it was immersed in a 100 mL/L aqueous solution of a catalyzing reagent (manufactured by JCU, trade name: ES-300) at 50° C. for 2 minutes, and then immersed in pure water for 1 minute.
  • an electroless nickel plating solution manufactured by JCU, trade name: ES-500M, ES-500B, ES-500C, ES-500D
  • a mixed solution of ammonia water and sulfuric acid ES-500M concentration: 45 mL/ L, ES-500B concentration: 30 mL/L, ES-500C concentration: 45 mL/L, ES-500D concentration: 40 mL/L, ammonia water concentration: 24 mL/L, sulfuric acid concentration: 1 mL/L
  • thermal annealing was performed in an oven at 180° C. for 1 hour. Subsequent steps were the same as in Example 1 to produce a wiring board.
  • step (2) a seed layer was formed on the surface of the first insulating material layer using an electroless copper plating solution in which the nickel concentration was higher than that in Example 3. That is, first, as an alkaline cleaning, it was immersed in an aqueous solution of 110 mL/L of an alkaline cleaner (manufactured by JCU, trade name: EC-B) at 50° C. for 5 minutes, and then immersed in pure water for 1 minute. Then, as a conditioner, a mixture of a conditioning liquid (manufactured by JCU, trade name: PB-200) and EC-B (PB-200 concentration: 70 mL/L, EC-B concentration: 2 mL/L) was used.
  • a conditioning liquid manufactured by JCU, trade name: PB-200
  • EC-B PB-200 concentration: 70 mL/L, EC-B concentration: 2 mL/L
  • a liquid mixture of catalyzing reagent 1 (manufactured by JCU, trade name: PC-BA), catalyzing reagent 2 (manufactured by JCU, trade name: PB-333) and EC-B ( PC-BA concentration: 5 g/L, PB-333 concentration: 40 mL/L, EC-B concentration: 9 mL/L) were immersed at 60° C. for 5 minutes, and then immersed in pure water for 1 minute.
  • electroless copper plating a mixture of electroless copper plating solution (manufactured by JCU, trade name: AISL-570B, AISL-570C, AISL-570MU), PC-BA, and nickel sulfate hexahydrate is mixed.
  • Liquid (AISL-570B concentration: 70 mL/L, AISL-570C concentration: 24 mL/L, AISL-570MU concentration: 50 mL/L, PC-BA concentration: 13 g/L, nickel sulfate hexahydrate concentration: 20 g/L )
  • Liquid ALSL-570B concentration: 70 mL/L
  • AISL-570C concentration 24 mL/L
  • AISL-570MU concentration 50 mL/L
  • PC-BA concentration 13 g/L
  • nickel sulfate hexahydrate concentration 20 g/L
  • step (2) an electroless nickel plating solution was used in place of the electroless copper plating solution used in Example 5 to form a seed layer on the surface of the first insulating material layer.
  • a wiring board was produced in the same manner as.
  • Comparative Example 7 A wiring board was produced in the same manner as in Comparative Example 3 except that a thermosetting resin film was used instead of the photosensitive resin film for forming the first insulating material layer.
  • Ni content of seed layer The Ni content (mass %) of the seed layer according to each of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 7 was converted into a mass ratio by performing EDX analysis using a scanning electron microscope (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). I asked. The results are shown in Table 1.
  • Comparative Examples 2, 3, 6, and 7 were also excellent in wiring formability.
  • Comparative Example 1 in which the seed layer was formed by electroless pure copper plating according to the conventional method, wire collapse or wire peeling occurred even when the surface of the insulating material layer was roughened by desmear treatment. The wire collapse or the wire peeling became more remarkable as the L/S became finer, and Comparative Example 1 had a problem in the wire formability.
  • the wiring board 20 is a wiring board having microstrip wiring. That is, the wiring board 20 is provided on the support substrate S having the conductive layer Sa (copper layer) on the surface, the insulating material layer 11 provided on the surface of the support substrate S, and the surface of the insulating material layer 11.
  • the seed layer 12 is used as a power feeding layer when forming the ground layer 13.
  • the seed layer 17 is used as a power feeding layer when forming the signal layer 18.
  • the insulating material layer 11 was formed using the same photosensitive resin film as in Example 1.
  • the signal layer 18 had a thickness of 4 ⁇ m, a width of 20 ⁇ m, and a length of 10 mm.
  • a wiring board according to Example 11 was manufactured through the steps of forming the seed layers 12 and 17 in the same manner as in Example 1.
  • Example 12 to 20 Wiring boards according to Examples 12 to 20 were produced in the same manner as in Example 11 except that the seed layers 12 and 17 were respectively formed by the same method as in Examples 2 to 10.
  • Comparative Examples 8 to 14 Wiring boards according to Comparative Examples 8 to 14 were manufactured in the same manner as in Example 11 except that the seed layers 12 and 17 were formed by the same method as in Comparative Examples 1 to 7, respectively.
  • the transmission loss of the microstrip wirings of Examples 11 to 20 and Comparative Examples 8 to 14 was measured using a vector network analyzer (manufactured by Hewlett Packard). The characteristic impedance was 50 ⁇ . “A” when the transmission loss is 0 to 1 dB/cm or less when the frequency is 10 GHz, 20 GHz, 30 GHz, 40 GHz and 50 GHz, “B” when the transmission loss is 1 to 2 dB/cm, and “B” when the transmission loss is 2 dB/cm or more. “C”. Table 3 shows the evaluation results.
  • a wiring board having excellent adhesion between the insulating material layer and the metal wiring and having a small high-frequency transmission loss, and a manufacturing method thereof.
  • SYMBOLS 1... 1st insulating material layer, 2... seed layer (metal layer), 3... wiring part (conductive part), 4... metal wiring, 5... 2nd insulating material layer, 10, 20... wiring board, 11, 16... Insulating material layer, 12, 17... Seed layer, 13... Ground layer, 15... Conductor part, 18... Signal layer, S... Support substrate, Sa... Conductive layer

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Abstract

本開示に係る配線基板は、算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下の表面を有する第１絶縁材料層と、第１絶縁材料層の表面上に設けられた金属配線と、金属配線を覆うように設けられた第２絶縁材料層とを備え、上記金属配線は、第１絶縁材料層の表面と接する金属層と、金属層の表面上に積層された導電部とによって構成されており、金属層のニッケル含有率が０．２５～２０質量％である。

Description

配線基板及びその製造方法
　本開示は、配線基板及びその製造方法に関する。
　半導体パッケージの高密度化及び高性能化を目的に、異なる性能の半導体素子（以下、場合により「チップ」という。）を一つのパッケージに混載する実装形態が提案されている。コストの観点から、チップ間の高密度インターコネクト技術の重要度が増している（特許文献１参照）。
　スマートフォン及びタブレット端末において、パッケージ・オン・パッケージと称される接続方法が広く採用されている。パッケージ・オン・パッケージは、パッケージ上に異なるパッケージをフリップチップ実装によって接続する方法である（非特許文献１，２参照）。更に高密度で実装するための形態として、高密度配線を有する有機基板を用いたパッケージ技術（有機インターポーザ）、スルーモールドビア（ＴＭＶ）を有するファンアウト型のパッケージ技術（ＦＯ－ＷＬＰ）、シリコン又はガラスインターポーザを用いたパッケージ技術、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を用いたパッケージ技術、基板に埋め込まれたチップをチップ間伝送に用いるパッケージ技術などが提案されている。特に有機インターポーザ及びＦＯ－ＷＬＰにおいて、チップ同士を並列して搭載する場合には、高密度で導通させるために微細配線層が必要となる（特許文献２参照）。
特開２００３－３１８５１９号公報 米国特許出願公開第２００１／０２２１０７１号明細書
Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｍｏｌｄ　Ｖｉａ（ＴＭＶ）　ａｓ　ＰｏＰ　Ｂａｓｅ　Ｐａｃｋａｇｅ，　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＥＣＴＣ），２００８ Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｌｏｗ　Ｐｒｏｆｉｌｅ　ＰｏＰ　Ｓｏｌｕｔｉｏｎ　ｗｉｔｈ　Ｅｍｂｅｄｄｅｄ　Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　ＰｏＰ（ｅＷＬＢ－ＰｏＰ）Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＥＣＴＣ，２０１２
　特許文献１に記載の技術では、デスミア処理液による処理後、無電解めっきによってシード層が形成される。シード層は、配線基板の製造過程において形成される金属層であり、給電層とも称される。すなわち、シード層に給電することによってシード層の表面上に導電部が形成される。シード層の一部は、導電部とともに金属配線を構成する。特許文献１に記載の技術では、湿式デスミア処理を行うことにより、絶縁材料層の表面を粗化している。絶縁材料層の表面を適度に粗い状態とすることで、アンカー効果によって、シード層と絶縁材料層との密着性が向上する。
　近年、半導体素子は小型化傾向にあり、配線基板も微細化が求められている。上記のようにアンカー効果を得るために絶縁材料層の表面を粗くすると、その上に微細な配線パターン（特に、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）が１０／１０μｍ以下）を形成することが困難となる。近年、配線基板は高周波帯における伝送損失の低減も求められている。上記のように、絶縁材料層の表面を粗くすると、表皮効果により伝送損失が大きくなる。つまり、配線基板の製造方法において、絶縁材料層と金属配線との密着性を担保しつつ、高周波の伝送損失を低減することが課題である。
　本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、絶縁材料層と金属配線の密着性に優れ且つ高周波の伝送損失が小さい配線基板及びその製造方法を提供する。
　本開示の一側面に係る配線基板の製造方法は、
（ａ）第１絶縁材料層に無電解めっき用の触媒を吸着させる工程と、
（ｂ）第１絶縁材料層の表面上に無電解めっきによって金属層を形成する工程と、
（ｃ）配線パターン形成用の開口部を有するレジストを金属層の表面上に形成する工程と、
（ｄ）金属層の表面であって前記レジストから露出している領域に、電解めっきによって導電部を形成する工程と、
をこの順序で含み、第１絶縁材料層の表面の算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下であり、金属層のニッケル含有率が０．２５～２０質量％である。
　本発明者らの検討によると、金属層（上記シード層に相当）のニッケル含有率が０．２５質量％以上であることで、第１絶縁材料層の表面が十分に平坦（算術平均粗さＲａ：１００ｎｍ以下）であるにも拘わらず、絶縁材料層と金属配線との十分な密着性を担保できる。これは、第１絶縁材料層に接する金属層に含まれるニッケルが密着性向上に寄与していると推察される。他方、金属層のニッケル含有率が２０質量％以下であり且つ第１絶縁材料層の表面が十分に平坦であることで高周波の伝送損失を十分に小さくできる。所定量のニッケルを含有する金属層は、例えば、無電解銅ニッケルリンめっき液を用いて形成することができる。
　上記のとおり、本開示においては、第１絶縁材料層の表面は平坦であることが好ましいため、（ａ）工程を実施する前に、第１絶縁材料層の表面に対してデスミア処理液による粗化処理を実施しない方がよい。本発明者らの検討によると、第１絶縁材料層の表面は粗化されていないものの、第１絶縁材料層の表面から内部に連通する空孔を有する改質領域が第１絶縁材料層の表層に形成されていることが好ましい。このような改質領域は、（ａ）工程を実施する前に、第１絶縁材料層の表面に対して、紫外線照射、電子線照射、オゾン水処理、コロナ放電処理及びプラズマ処理からなる群から選ばれる少なくとも一種の改質処理をすることによって形成してもよい。
　上記製造方法は、（ｄ）工程後に、（ｅ）レジストを除去する工程と、（ｆ）レジストの除去によって露出した金属層及び当該金属層と第１絶縁材料層との間の触媒を除去する工程と、（ｇ）第１絶縁材料層上に残存する金属層と、導電部とによって構成される金属配線を覆うように第２絶縁材料層を形成する工程とをこの順序で更に含んでもよい。
　本開示の一側面に係る配線基板は、算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下の表面を有する第１絶縁材料層と、第１絶縁材料層の表面上に設けられた金属配線と、金属配線を覆うように設けられた第２絶縁材料層とを備え、上記金属配線は、第１絶縁材料層の表面と接する金属層と、金属層の表面上に積層された導電部とによって構成されており、金属層のニッケル含有率が０．２５～２０質量％である。
　上記配線基板は、金属層のニッケル含有率が０．２５質量％以上であることで、第１絶縁材料層の表面が十分に平坦（算術平均粗さＲａ：１００ｎｍ以下）であるにも拘わらず、絶縁材料と金属配線との十分な密着性を有する。他方、金属層のニッケル含有率が２０質量％以下であり且つ第１絶縁材料層の表面が十分に平坦であることで高周波の伝送損失を十分に小さい。金属層のニッケル含有率は、例えば、３～２０質量％であってもよいし、０．２５～３質量％であってもよい。
　第１絶縁材料層は、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるものであってもよいし、感光性樹脂組成物の硬化物からなるものであってもよい。
　本開示によれば、絶縁材料層と金属配線の密着性に優れ且つ高周波の伝送損失が小さい配線基板及びその製造方法が提供される。
図１（ａ）～図１（ｄ）は本開示の一実施形態に係る配線基板の製造過程を模式的に示す断面図である。 図２（ａ）～図２（ｃ）は本開示の一実施形態に係る配線基板の製造過程を模式的に示す断面図である。 実施例及び比較例において高周波の伝送損失を評価するために作製したマイクロストリップ配線を備える配線基板を模式的に示す断面図である。
　以下、図面を参照しながら本開示の実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
　本明細書の記載及び請求項において「左」、「右」、「正面」、「裏面」、「上」、「下」、「上方」、「下方」等の用語が利用されている場合、これらは、説明を意図したものであり、必ずしも永久にこの相対位置である、という意味ではない。また、「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。
　図１（ａ）～図１（ｄ）及び図２（ａ）～図２（ｃ）は、配線基板の製造過程を模式的に示す断面図である。図２（ｃ）に模式的に示される配線基板１０は、微細化及び多ピン化が必要とされる形態において特に好適であり、特に、異種チップを混載するためのインターポーザが必要なパッケージ形態において好適である。より具体的には、本実施形態に係る製造方法は、ピンの間隔が２００μｍ以下（より微細な場合には例えば３０～１００μｍ）であり、且つピンの本数が５００本以上（より微細な場合には例えば１０００～１００００本）のパッケージ形態において好適である。
　金属配線４における第１絶縁材料層１と接する側の領域（シード層２）のニッケル含有率が０．２５～２０質量％であることで、第１絶縁材料層１に対してデスミア処理液による表面粗化を施さなくても、金属配線４が第１絶縁材料層１に対する優れた密着性を有している。このため、第１絶縁材料層１の表面上に、微細配線を形成することが可能であるとともに、高周波の伝送損失を十分に低減することができる。
　配線基板１０は、大きく分けて以下の工程を経て製造される。
（１）支持基板Ｓ上に第１絶縁材料層１を形成する工程。
（２）第１絶縁材料層１の表面にシード層２（金属層）を形成する工程。
（３）シード層２上に配線部３（導電部）を形成する工程。
（４）金属配線４を覆うように第２絶縁材料層５を形成する工程。
＜（１）支持基板上に第１絶縁材料層を形成する工程＞
　支持基板Ｓ上に第１絶縁材料層１を形成する（図１（ａ））。支持基板Ｓは、特に限定されないが、シリコン板、ガラス板、ＳＵＳ（ステンレス鋼）板、ガラスクロス入り基板、半導体素子入り封止樹脂等であり、高剛性からなる基板が好適である。図１（ａ）に示す支持基板Ｓは、第１絶縁材料層１が形成される側の表面に導電層Ｓａが形成されている。支持基板Ｓとして、導電層Ｓａが形成されていないもの、あるいは、導電層Ｓａの代わりに配線及び／又はパッドを表面に有するものを使用してもよい。
　支持基板Ｓの厚さは０．２ｍｍから２．０ｍｍの範囲であることが好ましい。０．２ｍｍより薄い場合はハンドリングが困難になる一方、２．０ｍｍより厚い場合は材料費が高くなる傾向にある。支持基板Ｓはウェハ状でもパネル状でも構わない。サイズは特に限定されないが、直径２００ｍｍ、直径３００ｍｍ又は直径４５０ｍｍのウェハ、あるいは、一辺が３００～７００ｍｍの矩形パネルが好ましく用いられる。
　第１絶縁材料層１を構成する材料は、感光性樹脂材料であっても熱硬化性樹脂材料であってもよい。これらの絶縁材料としては、液状又はフィルム状のものが挙げられ、膜厚平坦性とコストの観点からフィルム状の絶縁材料が好ましい。また、微細な配線を形成できる点で、絶縁材料は平均粒径５００ｎｍ以下（より好ましくは５０～２００ｎｍ）のフィラー（充填材）を含有することが好ましい。絶縁材料のフィラー含有量は、フィラーを除く絶縁材料の質量１００質量部に対して０～７０質量部が好ましく、１０～５０質量部がより好ましい。
　フィルム状の絶縁材料を使用する場合、そのラミネート工程はなるべく低温で実施することが好ましく、４０～１２０℃でラミネート可能な絶縁フィルムを採用することが好ましい。ラミネート可能な温度が４０℃を下回る絶縁フィルムは常温（約２５℃）でのタックが強く、取り扱い性が悪化する傾向があり、その温度が１２０℃を上回る感光性絶縁フィルムの場合はラミネート後に反りが大きくなる傾向がある。
　第１絶縁材料層１の硬化後の熱膨張係数は、反り抑制の観点から８０×１０－６／Ｋ（ケルビン）以下であることが好ましく、高信頼性が得られる点で７０×１０－６／Ｋ以下であることがより好ましい。また、絶縁材料の応力緩和性、高精細なパターンが得られる点で２０×１０－６／Ｋ以上であることが好ましい。第１絶縁材料層１の厚さは、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以下であることが更に好ましい。また、絶縁信頼性の観点から第１絶縁材料層１の厚さは０．５μｍ以上であることが好ましい。
　配線基板１０の用途又は態様に応じて、例えば、導電層Ｓａに至る開口部（不図示）を第１絶縁材料層１に設けてもよい。感光性樹脂組成物によって第１絶縁材料層１が形成される場合、例えば、フォトリソグラフィによって開口部を設ければよい。熱硬化性樹脂組成物によって第１絶縁材料層１が形成される場合、例えば、レーザー加工によって開口部を設ければよい。
　高周波の伝送損失を低減する観点から、第１絶縁材料層１の表面はなるべく平坦であることが好ましい。すなわち、第１絶縁材料層１の表面の算術平均粗さＲａは１００ｎｍ以下であり、好ましくは８０ｎｍ以下であり、より好ましくは５５ｎｍ以下である。第１絶縁材料層１の表面の算術平均粗さＲａの下限値は、例えば、５ｎｍであり、１０ｎｍ又は２０ｎｍであってもよい。算術平均粗さＲａはレーザー顕微鏡を使用して測定することができる。第１絶縁層１を含む積層体の断面から第１絶縁層１の表面の算術平均粗さＲａを求めるには以下の手法を採用すればよい。すなわち、算術平均粗さＲａの値が判っている複数の試料の面から凸部と凹部の差（Ｒｚ値）を測定する。測定されたＲｚ値及び既知のＲａ値に基づいて検量線を作成する。算術平均粗さＲａを求めるべき第１絶縁層１の断面の凸部と凹部の差（Ｒｚ値）を測定し、この測定値及び検量線から算術平均粗さＲａを求めることができる。
＜（２）第１絶縁材料層の表面にシード層を形成する工程＞
　第１絶縁材料層１の表面に、少なくとも銅を含む無電解めっきによりシード層２を形成する（図１（ｂ））。上記のとおり、第１絶縁材料層１の表面はなるべく平坦であることが好ましいことから、シード層２を形成する前に、第１絶縁材料層１の表面に対してデスミア処理液による粗化処理を実施しない方がよい。第１絶縁材料層１の表面は粗化されていないものの、第１絶縁材料層１の表面から内部に連通する空孔を有する改質領域（不図示）が第１絶縁材料層１の表層に形成されていることが好ましい。
　改質領域が形成された第１絶縁材料層１に対して無電解めっき用の触媒を吸着させることで、改質領域の空孔に触媒が入り込んだ状態となる。この状態で無電解めっきによってシード層２を形成すると、改質領域の空孔内に形成される無電解めっきが植物の根のような役割を果たし、第１絶縁材料層１とシード層２との密着性向上に寄与すると推察される。このような改質領域は、シード層２を形成する前に、第１絶縁材料層１の表面に対して、活性エネルギー線の照射、オゾン水処理、コロナ放電処理及びプラズマ処理からなる群から選ばれる少なくとも一種の改質処理をすることによって形成し得る。活性エネルギー線としては、第１絶縁材料層１の表面を過度に粗くするものでなければよく、例えば、紫外線、電子線、α線、β線及びγ線が挙げられる。活性エネルギー線の照射量及び強度を調整することで、第１絶縁材料層１の表面の算術平均粗さＲａを１００ｎｍ以下に維持できる。
　シード層２は以下のステップを経て形成される。まず、第１絶縁材料層１の表面を前処理液で洗浄する。前処理液は水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを含む市販のアルカリ性前処理液でよい。水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムの濃度は１～３０質量％の間で実施される。前処理液への浸漬時間は１～６０分の間で実施される。前処理液への浸漬温度は２５～８０℃の間で実施される。前処理した後、余分な前処理液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
　前処理液除去後、第１絶縁材料層１の表面からアルカリイオンを除去するために、酸性水溶液で浸漬洗浄する。酸性水溶液は硫酸水溶液でよく、濃度は１～２０質量％、浸漬時間は１～６０分の間で実施される。酸性水溶液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
　続いて、無電解めっきの触媒となるパラジウムを、浸漬洗浄後の第１絶縁材料層１の表面に付着させる。パラジウムは、市販のパラジウム－スズコロイド溶液、パラジウムイオンを含む水溶液、パラジウムイオン懸濁液等でよいが、改質層に効果的に吸着するパラジウムイオンを含む水溶液が好ましい。パラジウムイオンを含む水溶液に浸漬する際、パラジウムイオンを含む水溶液の温度は、２５～８０℃、吸着させるための浸漬時間は１～６０分の間で実施される。パラジウムイオンを吸着させた後、余分なパラジウムイオンを除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
　パラジウムイオン吸着後、パラジウムイオンを触媒として作用させるための活性化を行う。パラジウムイオンを活性化させる試薬は市販の活性化剤（活性化処理液）でよい。パラジウムイオンを活性化させるために浸漬する活性化剤の温度は、２５～８０℃、活性化させるために浸漬する時間は１～６０分の間で実施される。パラジウムイオンの活性化後、余分な活性化剤を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
　続いて、第１絶縁材料層１の表面に対する無電解めっきによってシード層２を形成する。シード層２は、工程（３）で実施される電解めっきのための給電層となる。シード層２の厚さは、２０～２００ｎｍが好ましく、４０～２００ｎｍがより好ましく、６０～２００ｎｍが更に好ましい。
　シード層２のニッケル含有率は、０．２５～２０質量％であり、例えば、３～２０質量％又は０．２５～３質量％であってもよい。シード層２のニッケル含有率は、例えば、無電解めっき液のニッケル含有率を調整することで設定することができる。シード層２のニッケル含有率が０．２５質量％以上であることで、第１絶縁材料層１とシード層２に密着性を十分に確保することができ、他方、２０質量％以下であることで、高周波の伝送損失を十分に小さくするこができる。
　無電解めっきとしては、無電解純銅めっき（銅の純度９９質量％以上）、無電解銅ニッケルリンめっき（ニッケル含有率：１～１０質量％、リン含有量：１～１３質量％）等が挙げられる。無電解銅ニッケルリンめっき液は市販のめっき液でよい。かかるめっき液の市販品として、例えば、無電解銅ニッケルリンめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名「ＡＩＳＬ－５７０」）を挙げることができる。無電解銅ニッケルリンめっきは、６０～９０℃の無電解銅ニッケルリンめっき液中で実施される。
　ニッケル含有率が０．１～１質量％の無電解銅めっき液をシード層２の形成に使用してもよい。かかるめっき液の市販品として、例えば、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名「カッパーソリューション　プリントガントＭＶ　ＴＰ１」、「スタビライザー　プリントガントＭＶ　ＴＰ１」、「ベーシック　プリントガントＭＶ　ＴＰ１」、「モデレーター　プリントガント　ＭＶ　ＴＰ１」、「リデューサーＣｕ」）が挙げられる。無電解銅めっきは、２０℃～５０℃の無電解銅めっき液中で実施される。
　無電解めっき後、余分なめっき液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。また、無電解めっき後、シード層２と第１絶縁材料層１との密着力を高めるため、熱硬化（アニーリング：加熱による時効硬化処理）を行ってもよい。熱硬化温度は、８０～２００℃で加熱することが好ましい。より反応性を早めるために１２０～２００℃がより好ましく、１２０～１８０℃で加熱することが更に好ましい。熱硬化時間は５～６０分が好ましく、１０～６０分がより好ましく、２０～６０分が更に好ましい。
＜（３）シード層上に配線部を形成する工程＞
　シード層２の表面上に配線形成用レジストＲをパターニングする（図１（ｃ）参照）。配線形成用レジストＲとして、市販のレジストを使用すればよく、例えば、ネガ型フィルム状の感光性レジスト（日立化成株式会社製、Ｐｈｏｔｅｃ　ＲＹ－５１０７ＵＴ）を用いることができる。レジストパターンは、配線形成用の開口部と、必要に応じてその他の開口部とが設けられたものであってもよい。すなわち、ロールラミネータを用いてレジストを成膜し、次いで、パターンを形成したフォトツールを密着させ、露光機を使用して露光を行い、次いで、炭酸ナトリウム水溶液で、スプレー現像を行うことによってレジストパターンを形成することができる。なお、ネガ型の代わりにポジ型の感光性レジストを用いてもよい。
　シード層２に給電することによって電解銅めっきを実施し、配線部３を形成する（図１（ｄ）参照）。配線部３の厚さは１～１０μｍが好ましく、３～１０μｍがより好ましく、５～１０μｍが更に好ましい。
　電解銅めっき後、配線形成用レジストＲをはく離する（図２（ａ）参照）。配線形成用レジストＲのはく離は、市販のはく離液を使用して行えばよい。配線形成用レジストＲのはく離によって露出したシード層２を除去する（図２（ｂ）参照）。これにより、第１絶縁材料層１の表面上に残存するシード層２と、配線部３とによって構成される金属配線４が形成される。シード層２の除去とともに、シード層２の下に残存しているパラジムを除去してもよい。これらの除去は、市販の除去液（エッチング液）を使用して行えばよく、具体例として、酸性のエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、ＢＢ－２０、ＰＪ－１０、ＳＡＣ－７００Ｗ３Ｃ）が挙げられる。
＜（４）金属配線を覆うように第２絶縁材料層を形成する工程＞
　金属配線４を覆うように第２絶縁材料層５を形成する（図２（ｃ）参照）。第２絶縁材料層５を構成する材料として第１絶縁材料層と同じでもよいし、異なっていてもよい。
　以上、配線基板及びその製造方法について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。例えば、上記実施形態においては、一層の配線層（金属配線４と第２絶縁材料層５とを含む層）を有する配線基板の製造方法を例示したが、配線層の表面上にシード層を設ける工程と、上記（３）及び（４）の一連工程を繰り返すことで、複数の配線層を有する配線基板を製造してもよい。
　本開示について以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
（実施例１）
＜感光性樹脂フィルムの作製＞
　絶縁材料層用の感光性樹脂フィルムを以下のようにして作製した。まず、以下の成分を使用して感光性樹脂組成物を調製した。
・カルボキシル基とエチレン性不飽和基とを含有する光反応性樹脂：酸変性したクレゾールノボラック型エポキシアクリレート（ＣＣＲ－１２１９Ｈ、日本化薬株式会社製、商品名）　５０質量部
・光重合開始剤成分：２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニル－フォスフィンオキサイド（ダロキュアＴＰＯ、ＢＡＳＦジャパン株式会社製、商品名）及びエタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（ｏ－アセチルオキシム）（イルガキュアＯＸＥ－０２、ＢＡＳＦジャパン株式会社製、商品名）　５質量部
・熱硬化剤成分：ビフェノール型エポキシ樹脂（ＹＸ－４０００、三菱ケミカル株式会社製、商品名）　１０質量部
・無機フィラー成分：平均粒径：５０ｎｍ、ビニルシランでシランカップリング処理したもの。無機フィラー成分は、樹脂分１００体積部に対し、１０体積部になるように配合した。なお、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「ＵＰＡ－ＥＸ１５０」（日機装株式会社製）及びレーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「ＭＴ－３１００」（日機装株式会社製）を用いて無機フィラーの粒度分布を測定し、最大粒径が１μｍ以下であることを確認した。
　上記感光性樹脂組成物の溶液をポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人株式会社製、商品名：Ｇ２－１６、厚さ：１６μｍ）の表面上に塗布した。塗膜を熱風対流式乾燥機を用いて１００℃で約１０分間乾燥した。これにより、厚さ１０μｍの感光性樹脂フィルムを得た。
＜微細配線を有する配線層の形成＞
　支持基板として、表面に銅層（厚さ２０μｍ）が形成されたガラスクロス入り基板（サイズ：２００ｍｍ角、厚さ１．５ｍｍ）を準備した。
・工程（１ａ）
　上記支持基板の銅層の表面に第１絶縁材料層を形成するため、上記感光性樹脂フィルムをラミネートした。詳細には、まず、支持基板の銅層の表面に感光性樹脂フィルムを載置した。次いで、プレス式真空ラミネータ（ＭＶＬＰ－５００、株式会社名機製作所製）を用いてプレスした。プレス条件は、プレス熱板温度８０℃、真空引き時間２０秒、ラミネートプレス時間６０秒、気圧４ｋＰａ以下、圧着圧力０．４ＭＰａとした。
・工程（１ｂ）
　プレス後の感光性樹脂フィルム（第１絶縁材料層）に露光処理及び現像処理を施すことによって、支持基板の銅層にまで至る開口部を設けた。露光は、パターンを形成したフォトツールを第１絶縁材料層の上に密着させた状態で実施した。i線ステッパー露光機（製品名：Ｓ６ＣＫ型露光機、レンズ：ＡＳＣ３（Ｃｋ）、株式会社サーマプレシジョン製）を使用して、３０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量で露光した。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、４５秒間スプレー現像を行い、開口部を設けた。次いで、現像後の第１絶縁材料層の表面にマスク露光機（ＥＸＭ－１２０１型露光機、株式会社オーク製作所製、紫外線主波長：３６５ｎｍ）を使用して、２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量でポストＵＶ露光した。次いで、クリーンオーブンで１７０℃、１時間の熱硬化を行った。
・工程（１ｃ）
　紫外線照射装置（ＳＳＰ－１６、セン特殊光源株式会社製、紫外線主波長：２５４ｎｍ）を用いて、第１絶縁材料層に紫外線を照射した。これにより、第１絶縁材料層の表面を改質した。紫外線ランプから第１絶縁材料層の表面までの距離は４０ｍｍ、紫外線照時間は３０秒とした。
・工程（２）
　無電解銅めっきにより、第１絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＣ－Ｂ）の１１０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－２００）とＥＣ－Ｂとの混合液（ＰＢ－２００濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ－Ｂ濃度：２ｍＬ／Ｌ）に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－２２８）と９８％硫酸との混合液（ＰＢ－２２８濃度：１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度：５０ｍＬ／Ｌ）に３０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、デスマットとして、１０％硫酸に室温で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ－ＢＡ）とキャタライズ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－３３３）とＥＣ－Ｂとの混合液（ＰＣ－ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ、ＰＢ－３３３濃度：４０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ－Ｂ濃度：９ｍＬ／Ｌ）に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ－６６Ｈ）とＰＣ－ＢＡとの混合液（ＰＣ－６６Ｈ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ－ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。
　次に、無電解銅めっきとして、無電解銅ニッケルリンめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＡＩＳＬ－５７０Ｂ、ＡＩＳＬ－５７０Ｃ、ＡＩＳＬ－５７０ＭＵ）とＰＣ－ＢＡとの混合液（ＡＩＳＬ－５７０Ｂ濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ－５７０Ｃ濃度：２４ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ－５７０ＭＵ濃度：５０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ－ＢＡ濃度：１３ｇ／Ｌ）に６０℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。
・工程（３ａ）
　真空ラミネータ（ニチゴー・モートン株式会社製、Ｖ－１６０）を用いて、無電解銅が成膜された２００ｍｍ×２００ｍｍの基板の上に、配線形成用レジスト（日立化成株式会社製、ＲＹ－５１０７ＵＴ）を真空ラミネートした。ラミネート温度は１１０℃、ラミネート時間は６０秒、ラミネート圧力は０．５ＭＰａとした。
　真空ラミネート後、１日放置し、i線ステッパー露光機（製品名：Ｓ６ＣＫ型露光機、レンズ：ＡＳＣ３（Ｃｋ）、株式会社サーマプレシジョン製）を用いて、配線形成用レジストを露光した。露光量は１４０ｍＪ／ｃｍ２、フォーカスは－１５μｍとした。露光後、１日放置し、配線形成用レジストの保護フィルムをはく離し、スプレー現像機（ミカサ株式会社製、ＡＤ－３０００）を用いて現像した。現像液は１．０％炭酸ナトリウム水溶液、現像温度は３０℃、スプレー圧は０．１４ＭＰａとした。これにより、以下のＬ／Ｓ（ライン／スペース）の配線を形成するためのレジストパターンをシード層上に形成した。
・Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝７μｍ／７μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝２μｍ／２μｍ（配線の数：１０本）
・工程（３ｂ）
　クリーナーとして（奥野製薬工業株式会社製、商品名：ＩＣＰクリーンＳ－１３５）の１００ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で１分間浸漬し、純水に５０℃で１分間浸漬、純水に２５℃で１分間浸漬し、１０％硫酸水溶液に２５℃で1分間浸漬した。次に、硫酸銅５水和物の１２０ｇ／Ｌ、９６％硫酸２２０ｇ／Ｌの水溶液７．３Ｌに、塩酸を０．２５ｍＬ、奥野製薬工業株式会社製の商品名：トップルチナＧＴ－３を１０ｍＬ、奥野製薬工業株式会社製の商品名：トップルチナＧＴ－２を１ｍＬ加えた水溶液に、２５℃で電流密度を１．５Ａ／ｄｍ２で１０分間の条件で電解めっきを施した。その後、純水に２５℃で５分間浸漬し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
・工程（３ｃ）
　スプレー現像機（ミカサ株式会社製、ＡＤ－３０００）を用いて、配線形成用レジストをはく離した。はく離液は２．３８％ＴＭＡＨ水溶液、はく離温度は４０℃、スプレー圧力は０．２ＭＰａとした。
・工程（３ｄ）
　シード層である無電解銅及びパラジウム触媒を除去した。無電解Ｃｕのエッチングとして、エッチング液（株式会社ＪＣＵ製、ＳＡＣ－７００Ｗ３Ｃ）と９８％硫酸と３５％過酸化水素水と硫酸銅・５水和物との水溶液（ＳＡＣ－７００Ｗ３Ｃ濃度：５容量％、硫酸濃度：４容量％、過酸化水素濃度：５容量％、硫酸銅・５水和物濃度：３０ｇ／Ｌ）に３５℃で１分間浸漬した。次に、パラジウム触媒の除去としてＦＬ水溶液（株式会社ＪＣＵ製、ＦＬ－Ａ：５００ｍＬ／Ｌ、ＦＬ－Ｂ：４０ｍＬ／Ｌ）に５０℃で１分間浸漬した。その後、純水に２５℃で５分間浸漬し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥させた。これらの工程を経て実施例１に係る配線基板を得た。
（実施例２）
　工程（２）において、実施例１に比べてニッケル濃度を高くした状態の無電解銅ニッケルリンめっき液を用いて、絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＣ－Ｂ）の１１０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－２００）とＥＣ－Ｂとの混合液（ＰＢ－２００濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ－Ｂ濃度：２ｍＬ／Ｌ）に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－２２８）と９８％硫酸との混合液（ＰＢ－２２８濃度：１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度：５０ｍＬ／Ｌ）に３０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、デスマットとして、１０％硫酸に室温で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ－ＢＡ）とキャタライズ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－３３３）とＥＣ－Ｂとの混合液（ＰＣ－ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ、ＰＢ－３３３濃度：４０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ－Ｂ濃度：９ｍＬ／Ｌ）に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ－６６Ｈ）とＰＣ－ＢＡとの混合液（ＰＣ－６６Ｈ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ－ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。
　次に、無電解銅めっきとして、無電解銅ニッケルリンめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＡＩＳＬ－５７０Ｂ、ＡＩＳＬ－５７０Ｃ、ＡＩＳＬ－５７０ＭＵ）とＰＣ－ＢＡと硫酸ニッケル・六水和物との混合液（ＡＩＳＬ－５７０Ｂ濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ－５７０Ｃ濃度：２４ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ－５７０ＭＵ濃度：５０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ－ＢＡ濃度：１３ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル・六水和物濃度：１ｇ／Ｌ）に６０℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。その後の工程は実施例１と同様にして配線基板を作製した。
（実施例３）
　工程（２）において、実施例２に比べてニッケル濃度を高くした状態の無電解銅ニッケルリンめっき液を用いて、絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＣ－Ｂ）の１１０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－２００）とＥＣ－Ｂとの混合液（ＰＢ－２００濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ－Ｂ濃度：２ｍＬ／Ｌ）に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－２２８）と９８％硫酸との混合液（ＰＢ－２２８濃度：１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度：５０ｍＬ／Ｌ）に３０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、デスマットとして、１０％硫酸に室温で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ－ＢＡ）とキャタライズ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－３３３）とＥＣ－Ｂとの混合液（ＰＣ－ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ、ＰＢ－３３３濃度：４０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ－Ｂ濃度：９ｍＬ／Ｌ）に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ－６６Ｈ）とＰＣ－ＢＡとの混合液（ＰＣ－６６Ｈ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ－ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、無電解銅めっきとして、無電解銅ニッケルリンめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＡＩＳＬ－５７０Ｂ、ＡＩＳＬ－５７０Ｃ、ＡＩＳＬ－５７０ＭＵ）とＰＣ－ＢＡと硫酸ニッケル・六水和物との混合液（ＡＩＳＬ－５７０Ｂ濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ－５７０Ｃ濃度：２４ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ－５７０ＭＵ濃度：５０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ－ＢＡ濃度：１３ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル・六水和物濃度：５ｇ／Ｌ）に６０℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。その後の工程は実施例１と同様にして配線基板を作製した。
（実施例４）
　工程（２）において、無電解銅めっき液を用いて、絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（アトテックジャパン株式会社製、商品名：クリーナーセキュリガント９０２）が４０ｍＬ／Ｌ及び水酸化ナトリウムが２０ｍＬ／Ｌとなるように調製した水溶液に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、中和として、硫酸水溶液１０ｍＬ／Ｌに２５℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、プリディップとして、コンディショニング液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：プリディップネオガントＢ）が２０ｍＬ／Ｌ及び硫酸が１ｍＬ／Ｌとなるように調製した水溶液に２５℃で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬（アトテックジャパン株式会社製、商品名：アクチベータネオガント８３４）が４０ｍＬ／Ｌ、ホウ酸が５ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウムが４ｇ／Ｌとなるように調製した水溶液に３５℃で１０分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（アトテックジャパン株式会社製、商品名：リデューサネオガントＷＡ）が５ｍＬ／Ｌ、ホウ酸が５ｇ／Ｌとなるように調製した水溶液に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。
　次に、無電解銅めっきとして、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：ベーシック　プリントガント　ＭＶ　ＴＰ１）が１４０ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：カッパーソリューション　プリントガント　ＭＶ　ＴＰ１）が８５ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：モデレーター　プリントガント　ＭＶ　ＴＰ１）が３ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：スタビライザー　プリントガント　ＭＶ　ＴＰ１）が０．６ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：リデューサーＣｕ）が１６ｍＬ／Ｌ、水酸化ナトリウムが０．５ｇ／Ｌとなるように調製した水溶液に３０℃で１０分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。
（実施例５）
＜熱硬化性樹脂フィルムの作製＞
　第１絶縁材料層用の熱硬化性樹脂フィルムを以下のようにして作製した。まず、以下の成分を使用して熱硬化性樹脂組成物を調製した。
・エポキシ樹脂：ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、製品名ＮＣ－３０００Ｈ（日本化薬株式会社製）　７０質量部
・硬化剤：以下のようにして合成した硬化剤Ａ　３０質量部
・無機フィラー成分：平均粒径が５０ｎｍ、ビニルシランでシランカップリング処理したもの。無機フィラー成分は、樹脂分１００質量部に対し、３０質量部になるように配合した。なお、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「ＵＰＡ－ＥＸ１５０」（日機装株式会社製）及びレーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「ＭＴ－３１００」（日機装株式会社製）を用いて無機フィラーの粒度分布を測定し、最大粒径が１μｍ以下となっていることを確認した。
＜硬化剤Ａの合成＞
　温度計、攪拌装置及び還流冷却管を有する水分定量器を備える反応容器（容積：２リットル）を準備した。この反応容器に以下の成分を入れ、１４０℃で５時間反応させた。
・ビス（４－アミノフェニル）スルホン：２６．４０ｇ
・２，２´－ビス［４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン：４８４．５０ｇ
・ｐ－アミノ安息香酸：２９．１０ｇ
・ジメチルアセトアミド：３６０．００ｇ
　これにより、分子主鎖中にスルホン基を有し、酸性置換基と不飽和Ｎ－置換マレイミド基を有する硬化剤Ａの溶液を得た。
　上記熱硬化性樹脂組成物の溶液をポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人株式会社製、商品名：Ｇ２－１６、厚さ：１６μｍ）の表面上に塗布した。それを熱風対流式乾燥機を用いて１００℃で約１０分間乾燥した。これにより、厚さ１０μｍの熱硬化性樹脂フィルムを得た。
＜微細配線を有する配線層の形成＞
　支持基板として、表面に銅層（厚さ２０μｍ）が形成されたガラスクロス入り基板（サイズ：２００ｍｍ角、厚さ１．５ｍｍ）を準備した。
・工程（１ａ）
　上記配線基板の銅層の表面に第１絶縁材料層を形成するため、上記熱硬化性樹脂フィルムをラミネートした。詳細には、まず、支持基板の銅層の表面に熱硬化性樹脂フィルムを載置した。次いで、プレス式真空ラミネータ（ＭＶＬＰ－５００、株式会社名機製作所製）を用いてプレスした。プレス条件は、プレス熱板温度７０℃、真空引き時間２０秒、ラミネートプレス時間４０秒、気圧４ｋＰａ以下、圧着圧力０．５ＭＰａとした。次いで、プレス機を用いて、追加プレスを行った。プレス条件は、プレス時間０～６０分の間で２２０℃まで昇温、プレス時間６０～１９０分の間で２２０℃維持、プレス時間１９０～２２０分の間で２５℃まで降温した。プレス圧力２．０ＭＰａ、気圧４ｋＰａとした。
・工程（１ｂ）
　プレス後の熱硬化性樹脂フィルム（第１絶縁材料層）にレーザー加工機（製品名：ＬＣ－２Ｋ２１、ビアメカニクス製）を用いて、ビア加工を施すことによって、支持基板の銅層にまで至る開口部を設けた。ビア加工条件は、アパーチャー径の直径６．５ｍｍ、出力６．３Ｗ、パルスピッチ２０μｍ×３回、バーストモードとした。
・工程（１ｃ）
　紫外線照射装置（ＳＳＰ－１６、セン特殊光源株式会社製、紫外線主波長：２５４ｎｍ）を用いて、第１絶縁材料層に紫外線を照射した。これにより、第１絶縁材料層の表面を改質した。紫外線ランプから第１絶縁材料層の表面までの距離は４０ｍｍ、紫外線照時間は３０秒とした。
・工程（２）
　無電解銅めっきにより、第１絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（アトテックジャパン株式会社製、商品名：クリーナーセキュリガント９０２）が４０ｍＬ／Ｌ及び水酸化ナトリウムが２０ｍＬ／Ｌとなるように調製した水溶液に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、中和として、硫酸水溶液１０ｍＬ／Ｌに２５℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、プリディップとして、コンディショニング液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：プリディップネオガントＢ）が２０ｍＬ／Ｌ及び硫酸が１ｍＬ／Ｌとなるように調製した水溶液に２５℃で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬（アトテックジャパン株式会社製、商品名：アクチベータネオガント８３４）が４０ｍＬ／Ｌ、ホウ酸が５ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウムが４ｇ／Ｌとなるように調製した水溶液に３５℃で１０分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（アトテックジャパン株式会社製、商品名：リデューサネオガントＷＡ）が５ｍＬ／Ｌ、ホウ酸が５ｇ／Ｌとなるように調製した水溶液に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。
　次に、無電解銅めっきとして、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：ベーシック　プリントガント　ＭＶ　ＴＰ1）が１４０ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：カッパーソリューション　プリントガント　ＭＶ　ＴＰ1）が８５ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：モデレーター　プリントガント　ＭＶ　ＴＰ1）が３ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：スタビライザー　プリントガント　ＭＶ　ＴＰ1）が０．６ｍＬ／Ｌ、無電解銅めっき液（アトテックジャパン株式会社製、商品名：リデューサーＣｕ）が１６ｍＬ／Ｌ、水酸化ナトリウムが０．５ｇ／Ｌとなるように調製した水溶液に３０℃で１０分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。その後の工程は実施例１と同様にして配線基板を作製した。
（実施例６，７）
　工程（２）において、無電解銅ニッケルリンめっき液を用いて、第１絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＣ－Ｂ）の１１０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－２００）とＥＣ－Ｂとの混合液（ＰＢ－２００濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ－Ｂ濃度：２ｍＬ／Ｌ）に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－２２８）と９８％硫酸との混合液（ＰＢ－２２８濃度：１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度：５０ｍＬ／Ｌ）に３０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、デスマットとして、１０％硫酸に室温で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ－ＢＡ）とキャタライズ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－３３３）とＥＣ－Ｂとの混合液（ＰＣ－ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ、ＰＢ－３３３濃度：４０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ－Ｂ濃度：９ｍＬ／Ｌ）に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ－６６Ｈ）とＰＣ－ＢＡとの混合液（ＰＣ－６６Ｈ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ－ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。
　次に、無電解銅めっきとして、無電解銅ニッケルリンめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＡＩＳＬ－５７０Ｂ、ＡＩＳＬ－５７０Ｃ、ＡＩＳＬ－５７０ＭＵ）とＰＣ－ＢＡと硫酸ニッケル・六水和物との混合液（ＡＩＳＬ－５７０Ｂ濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ－５７０Ｃ濃度：２４ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ－５７０ＭＵ濃度：５０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ－ＢＡ濃度：１３ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル・六水和物濃度：１ｇ／Ｌ）に６０℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。その後の工程は実施例４，５と同様にして配線基板を作製した。
（実施例８～１０）
　工程（２）において、実施例７に比べてニッケル濃度を高くした状態の無電解銅ニッケルリンめっき液を用いたことの他は、実施例７と同様にして配線基板を作製した。
（比較例１）
　工程（１ｃ）において、紫外線照射を実施する代わりに、デスミア処理に使用する薬液を用いて第１絶縁材料層の表面を改質（粗面化）したこと、及び、無電解銅ニッケルリンめっき液に代えて、無電解純銅めっき液を使用してシード層を形成したことの他は実施例１と同様にして配線基板を得た。
　デスミア処理に使用する薬液による処理は以下のように実施した。まず、膨潤処理のため、スウェラ（Ａｔｏｔｅｃｈ社製、商品名：クリーナーセキュリガント９０２）４０ｍＬ／Ｌに７０℃で５分間浸漬した。その後純水に１分間浸漬した。次いで、粗化処理のため、デスミア液（Ａｔｏｔｅｃｈ社製、商品名：コンパクトＣＰ）４０ｍＬ／Ｌに７０℃で１０分間浸漬した。その後純水に１分間浸漬した。その後、純水に２５℃で５分間浸漬し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
（比較例２）
　工程（２）において、実施例1で使用した無電解銅ニッケルリンめっき液に代えて、無電解ニッケルめっき液を用いて第１絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＳ－１００）の４０ｍＬ／Ｌ水溶液に４０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＳ－２００）の７０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＳ－３００）の１００ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＳ－４００Ａ）とアクセラレータ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＳ－４００Ｂ）との混合液（ＥＳ－４００Ａ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＥＳ－４００Ｂ濃度：１４ｇ／Ｌ）に３５℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。
　次に、無電解ニッケルめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＳ－５００Ｍ、ＥＳ－５００Ｂ、ＥＳ－５００Ｃ、ＥＳ－５００Ｄ）とアンモニア水と硫酸との混合液（ＥＳ－５００Ｍ濃度：４５ｍＬ／Ｌ、ＥＳ－５００Ｂ濃度：３０ｍＬ／Ｌ、ＥＳ－５００Ｃ濃度：４５ｍＬ／Ｌ、ＥＳ－５００Ｄ濃度：４０ｍＬ／Ｌ、アンモニア水濃度：２４ｍＬ／Ｌ、硫酸濃度：１ｍＬ／Ｌ）に３８℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。その後の工程は実施例１と同様にして配線基板を作製した。
（比較例３）
　工程（２）において、実施例３に比べてニッケル濃度を高くした状態の無電解銅めっき液を用いて第１絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＣ－Ｂ）の１１０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－２００）とＥＣ－Ｂとの混合液（ＰＢ－２００濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ－Ｂ濃度：２ｍＬ／Ｌ）に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－２２８）と９８％硫酸との混合液（ＰＢ－２２８濃度：１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度：５０ｍＬ／Ｌ）に３０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、デスマットとして、１０％硫酸に室温で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ－ＢＡ）とキャタライズ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ－３３３）とＥＣ－Ｂとの混合液（ＰＣ－ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ、ＰＢ－３３３濃度：４０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ－Ｂ濃度：９ｍＬ／Ｌ）に６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ－６６Ｈ）とＰＣ－ＢＡとの混合液（ＰＣ－６６Ｈ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ－ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。
　次に、無電解銅めっきとして、無電解銅めっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＡＩＳＬ－５７０Ｂ、ＡＩＳＬ－５７０Ｃ、ＡＩＳＬ－５７０ＭＵ）とＰＣ－ＢＡと硫酸ニッケル・六水和物との混合液（ＡＩＳＬ－５７０Ｂ濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ－５７０Ｃ濃度：２４ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ－５７０ＭＵ濃度：５０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ－ＢＡ濃度：１３ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル・六水和物濃度：２０ｇ／Ｌ）に６０℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。その後の工程は実施例１と同様にして配線基板を作製した。
（比較例４，５）
　工程（１ｃ）において、紫外線照射を実施する代わりに、デスミア処理に使用する薬液を用いて第１絶縁材料層の表面を改質（粗面化）したことの他は実施例４，５と同様にして配線基板を得た。
（比較例６）
　工程（２）において、実施例５で使用した無電解銅めっき液に代えて、無電解ニッケルめっき液を用いて第１絶縁材料層の表面にシード層を形成したことの他は、実施例５と同様にして配線基板を作製した。
（比較例７）
　第１絶縁材料層の形成に感光性樹脂フィルムの代わりに、熱硬化性樹脂フィルムを使用したことの他は、比較例３と同様にして配線基板を作製した。
＜絶縁材料層表面の算術平均粗さＲａの測定＞
　実施例１～１０及び比較例１～７に係る第１絶縁材料層の表面の算術平均粗さＲａをレーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製）を用いて測定した。表１に結果を示す。
＜シード層のＮｉ含有率＞
　実施例１～１０及び比較例１～７に係るシード層のＮｉ含有率（質量％）は、走査電子顕微鏡（株式会社日立ハイテクノロジーズ製）を用いてＥＤＸ分析を行い、質量比率に換算して求めた。表１に結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
＜配線形成性の評価＞
　Ｌ／Ｓが１０μｍ／１０μｍ、７μｍ／７μｍ、５μｍ／５μｍ、３μｍ／３μｍ及び２μｍ／２μｍの配線パターンをそれぞれ１０個ずつ有する配線基板を作製し、配線形成性の評価を行った。各配線パターンの１０個のうち、配線倒れ又は配線はく離が発生しているものが０個の場合を「Ａ」とし、１～２個の場合を「Ｂ」とし、３個以上の場合を「Ｃ」とした。表２に評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示すように、実施例１～１０は、配線パターン（Ｌ／Ｓ）が微細になっても配線倒れ又は配線はく離が全くみられず、微細配線において優れた配線形成性を有することが分かる。また、比較例２,３，６，７についても、同様に配線成形性に優れていた。それに対して、比較例１は、従来方法に従って無電解純銅めっきによってシード層を形成したものであるが、デスミア処理による絶縁材料層の表面粗化を行っても配線倒れ又は配線はく離が発生した。配線倒れ又は配線はく離は、Ｌ／Ｓが微細になるに伴って顕著になっており、比較例１は配線形成性の点で問題があった。
＜マイクロストリップ配線の形成＞
（実施例１１）
　高周波の伝送損失を評価するため、図３に示す配線基板２０と同様の構成の配線基板を作製した。配線基板２０は、マイクロストリップ配線を有する配線基板である。すなわち、配線基板２０は、表面に導電層Ｓａ（銅層）を有する支持基板Ｓと、支持基板Ｓの表面上に設けられた絶縁材料層１１と、絶縁材料層１１の表面上に設けられたシード層１２と、シード層１２の表面上に設けられたグランド層１３（導体部）と、グランド層１３の表面上に設けられた導体部１５及び絶縁材料層１６と、絶縁材料層１６の表面上に設けられたシード層１７及びシグナル層１８（導体部）とによって構成されている。シード層１２は、グランド層１３を形成する際に給電層として使用される。シード層１７は、シグナル層１８を形成する際に給電層として使用される。配線基板を作製するにあたり、絶縁材料層１１は実施例１と同じ感光性樹脂フィルムを用いて形成した。シグナル層１８は、厚さ４μｍ、幅２０μｍ、長さ１０ｍｍとした。シード層１２，１７を実施例１と同様の方法でそれぞれ形成する工程を経て実施例１１に係る配線基板を作製した。
（実施例１２～２０）
　シード層１２，１７を実施例２～１０と同様の方法でそれぞれ形成したことの他は実施例１１と同様にして実施例１２～２０に係る配線基板をそれぞれ作製した。
（比較例８～１４）
　シード層１２，１７を比較例１～７と同様の方法でそれぞれ形成したことの他は実施例１１と同様にして比較例８～１４に係る配線基板をそれぞれ作製した。
＜伝送損失の測定＞
　実施例１１～２０及び比較例８～１４に係るマイクロストリップ配線について、ベクトルネットワークアナライザ（ヒューレットパッカード社製）を用いて伝送損失を測定した。特性インピーダンスは５０Ωとした。周波数が１０ＧＨｚ、２０ＧＨｚ、３０ＧＨｚ、４０ＧＨｚ及び５０ＧＨｚのときの伝送損失が０～１ｄＢ／ｃｍ以下の場合を「Ａ」、１～２ｄＢ／ｃｍの場合を「Ｂ」、２ｄＢ／ｃｍ以上の場合を「Ｃ」とした。表３に評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表３に示すように、実施例１１～２０は伝送損失が低く、伝送性に優れることが確認された。それに対して、比較例８，１１，１２は、表２に示すように配線形成性の点で問題があるため、伝送損失が大きくなった。また、比較例９，１０，１３，１４は、シード層に含まれるニッケルの含有率が高いため、その影響により高周波の伝送損失が大きくなった。伝送損失の増大は、シード層に含まれるニッケル含有率が高いなるほど顕著になることが表３から分かる。
　本開示によれば、絶縁材料層と金属配線の密着性に優れ且つ高周波の伝送損失が小さい配線基板及びその製造方法が提供される。
１…第１絶縁材料層、２…シード層（金属層）、３…配線部（導電部）、４…金属配線、５…第２絶縁材料層、１０，２０…配線基板、１１，１６…絶縁材料層、１２，１７…シード層、１３…グランド層、１５…導体部、１８…シグナル層、Ｓ…支持基板、Ｓａ…導電層

Claims (10)

  1. （ａ）第１絶縁材料層に無電解めっき用の触媒を吸着させる工程と、
    （ｂ）前記第１絶縁材料層の表面上に無電解めっきによって金属層を形成する工程と、
    （ｃ）配線パターン形成用の開口部を有するレジストを前記金属層の表面上に形成する工程と、
    （ｄ）前記金属層の表面であって前記レジストから露出している領域に、電解めっきによって導電部を形成する工程と、
    をこの順序で含み、
    　前記第１絶縁材料層の前記表面の算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下であり、
    　前記金属層のニッケル含有率が０．２５～２０質量％である、配線基板の製造方法。
  2. 　（ｂ）工程において、無電解銅ニッケルリンめっき液を用いて前記金属層を形成する、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
  3. 　（ａ）工程を実施する前に、前記第１絶縁材料層の表面をデスミア処理液による粗化処理を実施しない、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
  4. 　（ａ）工程を実施する前に、前記第１絶縁材料層の表面に対して、紫外線照射、電子線照射、オゾン水処理、コロナ放電処理及びプラズマ処理からなる群から選ばれる少なくとも一種の改質処理をする工程を更に含む請求項１～３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
  5. （ｅ）前記レジストを除去する工程と、
    （ｆ）前記レジストの除去によって露出した前記金属層及び当該金属層と前記第１絶縁材料層との間の前記触媒を除去する工程と、
    （ｇ）前記第１絶縁材料層上に残存する前記金属層と、前記導電部とによって構成される金属配線を覆うように第２絶縁材料層を形成する工程と、
    をこの順序で更に含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
  6. 　算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以下の表面を有する第１絶縁材料層と、
    　前記第１絶縁材料層の前記表面上に設けられた金属配線と、
    　前記金属配線を覆うように設けられた第２絶縁材料層と、
    を備え、
    　前記金属配線は、前記第１絶縁材料層の前記表面と接する金属層と、前記金属層の表面上に積層された導電部とによって構成されており、
    　前記金属層のニッケル含有率が０．２５～２０質量％である、配線基板。
  7. 　前記金属層のニッケル含有率が３～２０質量％である、請求項６に記載の配線基板。
  8. 　前記金属層のニッケル含有率が０．２５～３質量％である、請求項６に記載の配線基板。
  9. 　前記第１絶縁材料層が熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる、請求項６～８のいずれか一項に記載の配線基板。
  10. 　前記第１絶縁材料層が感光性樹脂組成物の硬化物からなる、請求項６～８のいずれか一項に記載の配線基板。
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