JP7424741B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
(I)支持基板S上に第1絶縁材料層1を形成する工程。
(II)第1絶縁材料層1に第1開口部H1を形成する工程。
(III)第1絶縁材料層1の第1開口部H1を含む表面Fを改質する工程。
(IV)改質された第1絶縁材料層1の表面Fに、無電解ニッケルめっきにより第1シード層S1を形成する工程。
(V)第1シード層S1上に、無電解銅めっきにより第2シード層S2を形成する工程。
(VI)第1開口部H1に連通する開口部R1と、第2シード層S2に至る凹部R2とを有する配線形成用レジストRを第2シード層S2上に形成する工程。
(VII)電解めっきにより、第1開口部H1及び開口部R1、並びに、凹部R2に導電材料を充填する工程。
(VIII)レジストRをはく離する工程。
(IX)レジストRのはく離によって露出した領域の第1シード層S1及び第2シード層S2を除去する工程。
工程(I)は、支持基板S上に第1絶縁材料層1を形成する工程である(図1(a))。支持基板Sは、特に限定されないが、シリコン板、ガラス板、SUS板、ガラスクロス入り基板、半導体素子入り封止樹脂等であり、高剛性からなる基板が好適である。図1(a)に示したとおり、支持基板Sは絶縁材料層を形成する側の表面に導電層Saが形成されたものであってもよい。支持基板Sは、導電層Saの代わりに配線及び/又はパッドを表面に有するものであってもよい。
工程(II)は、第1絶縁材料層1の表面に第1開口部H1を形成する工程である(図1(b))。本実施形態において、第1開口部H1とは、第1絶縁材料層1の表面に対して、第1絶縁材料層1の厚さ方向に開口し、支持基板Sの表面(導電層Saの表面)にまで至る凹んだ部位をいい、この開口部位の内壁(側面及び底面等)を含む。第1開口部H1は、図1(b)に示すように、支持基板Sの表面にまで至るように形成されていること、すなわち、第1絶縁材料層1からなる側面と、支持基板Sの表面からなる底面とによって構成されていることが好ましい。第1開口部H1の開口形状は、円形又は楕円形であることが好ましく、この場合の開口サイズは直径5~50μm(より微細な場合には直径5~10μm)の円の面積に相当する程度であってもよい。
工程(III)は、第1絶縁材料層1の第1開口部H1を含む表面Fを改質する工程である(図1(c))。工程(IV)に先立ち、第1絶縁材料層1の表面を改質によってナノレベルに粗化することで、第1絶縁材料層1と第1シード層S1の優れた密着性と、その後に形成される微細配線の優れた形成性とを両立することができる。
工程(IV)は、改質された第1絶縁材料層1の第1開口部H1を含む表面Fに、無電解銅めっきにより第1シード層S1を形成する工程である(図1(d))。本実施形態においては、まず、無電解銅めっきの触媒となるパラジウムを第1絶縁材料層1の第1開口部H1を含む表面に吸着させるため、第1絶縁材料層1の第1開口部H1を含む表面を前処理液で洗浄する。前処理液は水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを含む市販のアルカリ性前処理液でよい。水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムの濃度は1%~30%の間で実施される。前処理液への浸漬時間は1分~60分の間で実施される。前処理液への浸漬温度は25℃~80℃の間で実施される。前処理した後、余分な前処理液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
工程(V)は、第1シード層S1上に、無電解銅めっきにより第2シード層S2を形成する工程である(図1(e))。この第2シード層S2は、この後の工程で導電材料からなる導通部C1及び配線C2を形成するために行う電解めっき(例えば、電解銅めっき)のシード層(電解めっきのための給電層)を第1シード層S1とともに構成する。
工程(VI)は、第1開口部H1に連通する開口部R1と、第2シード層S2に至る凹部R2とを有する配線形成用レジストRを第2シード層S2上に形成する工程である(図2(a))。図2(a)に示すように、第2開口部H2は第1開口部H1が形成されている位置に形成される。これにより、内壁が第2シード層S2で覆われている第1開口部H1と、これに連通する第2開口部H2とによって構成される貫通孔Hが支持基板S上に形成される。
工程(VII)は、電解めっきにより、第1開口部H1及び開口部R1、並びに、凹部R2に導電材料を充填する工程である(図2(b))。具体的には、第1シード層S1及び第2シード層S2をシード層として、例えば、電解銅めっきを実施する。これにより、貫通孔(第1開口部H1及び開口部R1)及び凹部R2内に導電材料(銅含有材料)が充填され、導通部C1及び配線C2がそれぞれ形成される。配線C2の厚さは1~10μmが好ましく、3~10μmがより好ましく、5~10μmが更に好ましい。
工程(VIII)は、第2シード層S2上から、配線形成用レジストRをはく離する工程である(図2(c))。配線形成用レジストRのはく離は、市販のはく離液を使用して行えばよい。
工程(IX)は、レジストRのはく離によって露出した領域の第1シード層S1及び第2シード層S2を除去する工程である(図2(d))。これらのシード層の除去とともに、シード層の下に残存しているパラジムを除去してもよい。これらの除去は、市販の除去液(エッチング液)を使用して行えばよく、具体例として、酸性のエッチング液(株式会社JCU製、BB-20、PJ-10、SAC-700W3C)が挙げられる。
Claims (6)
- 支持基板上に単層の第1絶縁材料層のみを形成する工程(I)と、
前記第1絶縁材料層に第1開口部を形成する工程(II)と、
前記第1絶縁材料層の前記第1開口部を含む表面を改質する工程(III)と、
改質された前記第1絶縁材料層の前記表面に、無電解ニッケルめっきにより第1シード層を形成する工程(IV)と、
前記第1シード層上に、無電解銅めっきにより第2シード層を形成する工程(V)と、
前記第1開口部に連通する開口部と、前記第2シード層に至る凹部とを有する配線形成用レジストを前記第2シード層上に形成する工程(VI)と、
電解めっきにより、前記第1開口部及び前記開口部、並びに、前記凹部に導電材料を充填する工程(VII)と、
前記レジストをはく離する工程(VIII)と、
前記レジストのはく離によって露出した領域の前記第1シード層及び前記第2シード層を除去する工程(IX)と、
を含み、
前記工程(II)は、前記第1開口部の形成に伴って生じた前記第1絶縁材料層の残渣を、酸素プラズマ処理、アルゴンプラズマ処理及び窒素プラズマ処理からなる群から選ばれる少なくとも一種の処理によって除去することを含む、配線基板の製造方法。 - 前記工程(IX)後、
前記導電材料を覆うように、単層の第2絶縁材料層のみを前記第1絶縁材料層上に形成する工程(X)と、
第2絶縁材料層に前記第1開口部に連通する第2開口部を形成する工程(XI)と、
を更に含む、請求項1に記載の配線基板の製造方法。 - 前記工程(XI)後、前記第2絶縁材料層に対して前記工程(III)から前記工程(XI)までの一連の工程を1回以上繰り返すことによって、多層化された配線層を形成する、請求項2に記載の配線基板の製造方法。
- 前記第1絶縁材料層及び前記第2絶縁材料層はいずれも感光性樹脂材料からなり、
前記工程(II)における前記第1開口部及び前記工程(XI)における前記第2開口部はいずれも露光及び現像によって形成される、請求項2又は3に記載の配線基板の製造方法。 - 前記工程(II)で形成される前記第1開口部は、5~50μmの開口径を有する、請求項1~4のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記導電材料からなる複数本の配線を並行するように形成し、当該配線のライン幅が2~10μmであり且つスペース幅が2~10μmである、請求項1~5のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
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