CN113396241A - 布线基板及其制造方法 - Google Patents

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增子崇
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Abstract

本发明所涉及的布线基板具备：具有算术平均粗糙度Ra为100nm以下的表面的第1绝缘材料层；设置于第1绝缘材料层的表面上的金属布线；及以覆盖金属布线的方式设置的第2绝缘材料层，上述金属布线由与第1绝缘材料层的表面接触的金属层和层叠于金属层的表面上的导电部构成，金属层的镍含有率为0.25～20质量％。

Description

布线基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种布线基板及其制造方法。
背景技术
以半导体封装的高密度化及高性能化为目的，提出了将不同性能的半导体元件(以下，根据情况称为“芯片”。)混载于一个封装中的实施方式。从成本的观点考虑，芯片之间的高密度互连(Interconnect)技术的重要性正在增加(参考专利文献1)。
在智能手机及平板终端中，广泛采用被称为叠层封装(Package-on-Package)的连接方法。叠层封装为通过倒装芯片安装将不同的封装连接于封装上的方法(参考非专利文献1、2)。另外，作为用于以高密度安装的方式，提出了使用具有高密度布线的有机基板的封装技术(有机中介层(interposer))、具有通模通孔(TMV)的扇出型的封装技术(FO-WLP)、使用硅或玻璃中介层的封装技术、使用硅穿孔(TSV)的封装技术、将埋入基板中的芯片用于芯片间传输的封装技术等。尤其，在有机中介层及FO-WLP中，当并列搭载芯片彼此时，为了使其以高密度导通，需要微细布线层(参考专利文献2)。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-318519号公报
专利文献2：美国专利申请公开第2001/0221071号说明书
非专利文献
非专利文献1：Application of Through Mold Via(TMV)as PoP Base Package,Electronic Components and Technology Conference(ECTC),2008
非专利文献2：Advanced Low Profile PoP Solution with Embedded WaferLevel PoP(eWLB-PoP)Technology,ECTC,2012
发明内容
发明要解决的技术课题
在专利文献1中所记载的技术中，在进行基于除胶渣(desmear)处理液的处理之后，通过无电解镀敷来形成籽晶层(seed layer)。籽晶层为在布线基板的制造过程中形成的金属层，也被称为供电层。即，通过向籽晶层供电来在籽晶层的表面上形成导电部。籽晶层的一部分与导电部一同构成金属布线。在专利文献1中所记载的技术中，通过进行湿式除胶渣处理来使绝缘材料层的表面粗糙化。通过将绝缘材料层的表面设为适当粗糙的状态，由于锚固效应，籽晶层与绝缘材料层的密合性提高。
近年来，半导体元件趋于小型化，对布线基板也要求微细化。如上所述，为了获得锚固效应而将绝缘材料层的表面粗糙化，则难以在其上形成微细的布线图案(尤其，L/S(线/间距)为10/10μm以下)。近年来，对布线基板还要求减少高频带中的传输损耗。如上所述，若将绝缘材料层的表面粗糙化，则由于趋肤效应，传输损耗变大。即，布线基板的制造方法的课题在于，确保绝缘材料层与金属布线的密合性，同时减少高频的传输损耗。
本发明是鉴于上述课题而完成的，其提供一种绝缘材料层与金属布线的密合性优异且高频的传输损耗小的布线基板及其制造方法。
用于解决技术课题的手段
本发明的一侧面所涉及的布线基板的制造方法，其依次包括：
(a)使无电解镀敷用催化剂吸附于第1绝缘材料层的工序；
(b)通过无电解镀敷在第1绝缘材料层的表面上形成金属层的工序；
(c)将具有布线图案形成用开口部的抗蚀剂形成于金属层的表面上的工序；及
(d)通过电解镀敷在金属层的表面的从所述抗蚀剂露出的区域形成导电部的工序，
第1绝缘材料层的表面的算术平均粗糙度Ra为100nm以下，
金属层的镍含有率为0.25～20质量％。
根据本发明人等的研究，通过金属层(相当于上述籽晶层)的镍含有率为0.25质量％以上，尽管第1绝缘材料层的表面充分平坦(算术平均粗糙度Ra：100nm以下)，但能够确保绝缘材料层与金属布线的充分的密合性。推测与第1绝缘材料层接触的金属层中所含的镍有助于提高密合性。另一方面，通过金属层的镍含有率为20质量％以下且第1绝缘材料层的表面充分平坦，能够充分减小高频的传输损耗。含有规定量的镍的金属层例如能够使用无电解铜镍磷镀敷液来形成。
如上所述，在本发明中，优选第1绝缘材料层的表面平坦，因此在实施(a)工序之前，不对第1绝缘材料层的表面实施基于除胶渣处理液的粗糙化处理为较佳。根据本发明人等的研究，优选虽然第1绝缘材料层的表面未被粗糙化，但在第1绝缘材料层的表层形成有具有从第1绝缘材料层的表面连通到内部的空孔的改性区域。这种改性区域可以在实施(a)工序之前，通过对第1绝缘材料层的表面进行选自由紫外线照射、电子束照射、臭氧水处理、电晕放电处理及等离子体处理组成的组中的至少一种改性处理来形成。
上述制造方法可以在(d)工序之后还依次包括(e)去除抗蚀剂的工序、(f)去除由于抗蚀剂的去除而露出的金属层及该金属层与第1绝缘材料层之间的催化剂的工序、(g)以覆盖由残留于第1绝缘材料层上的金属层和导电部构成的金属布线的方式形成第2绝缘材料层的工序。
本发明的一侧面所涉及的布线基板具备：具有算术平均粗糙度Ra为100nm以下的表面的第1绝缘材料层；设置于第1绝缘材料层的表面上的金属布线；及以覆盖金属布线的方式设置的第2绝缘材料层，上述金属布线由与第1绝缘材料层的表面接触的金属层和层叠于金属层的表面上的导电部构成，金属层的镍含有率为0.25～20质量％。
上述布线基板通过金属层的镍含有率为0.25质量％以上，尽管第1绝缘材料层的表面充分平坦(算术平均粗糙度Ra：100nm以下)，但具有绝缘材料与金属布线的充分的密合性。另一方面，通过金属层的镍含有率为20质量％以下且第1绝缘材料层的表面充分平坦，高频的传输损耗充分小。金属层的镍含有率例如可以为3～20质量％，也可以为0.25～3质量％。
第1绝缘材料层可以由热固性树脂组合物的固化物组成，也可以由感光性树脂组合物的固化物组成。
发明效果
根据本发明，可提供一种绝缘材料层与金属布线的密合性优异且高频的传输损耗小的布线基板及其制造方法。
附图说明
图1(a)～图1(d)是示意性地表示本发明的一实施方式所涉及的布线基板的制造过程的剖视图。
图2(a)～图2(c)是示意性地表示本发明的一实施方式所涉及的布线基板的制造过程的剖视图。
图3是示意性地表示在实施例及比较例中为了评价高频的传输损耗而制作出的具备微波传输带布线的布线基板的剖视图。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的实施方式进行详细说明。在以下的说明中，对相同或相当部分标注相同符号，并省略重复说明。并且，除非另有特别指定，否则上下左右等位置关系基于附图所示的位置关系。另外，附图的尺寸比率并不限于图示的比率。
当在本说明书的记载及权利要求中利用“左”、“右”、“正面”、“背面”、“上”、“下”、“上方”、“下方”等术语时，它们旨在说明，而并不一定表示永远处于该相对位置。并且，“层”这一词除了包含以俯视图观察时形成于整个面的形状的结构以外，还包含形成于一部分的形状的结构。
图1(a)～图1(d)及图2(a)～图2(c)是示意性地表示布线基板的制造过程的剖视图。图2(c)中示意性地表示的布线基板10尤其适合于要求微细化及多引脚化的方式，且尤其适合于需要用于混载不同种类的芯片的中介层的封装方式。更具体而言，本实施方式所涉及的制造方法适合于引脚的间隔为200μm以下(更微细时例如为30～100μm)且引脚的根数为500根以上(更微细时例如为1000～10000根)的封装方式。
通过金属布线4中的与第1绝缘材料层1接触的一侧的区域(籽晶层2)的镍含有率为0.25～20质量％，即使不对第1绝缘材料层1实施基于除胶渣处理液的表面粗糙化，金属布线4也会具有对第1绝缘材料层1的优异的密合性。因此，能够在第1绝缘材料层1的表面上形成微细布线，并且能够充分减少高频的传输损耗。
布线基板10大致经过以下的工序来制造。
(1)在支撑基板S上形成第1绝缘材料层1的工序。
(2)在第1绝缘材料层1的表面形成籽晶层2(金属层)的工序。
(3)在籽晶层2上形成布线部3(导电部)的工序。
(4)以覆盖金属布线4的方式形成第2绝缘材料层5的工序。
＜(1)在支撑基板上形成第1绝缘材料层的工序＞
在支撑基板S上形成第1绝缘材料层1(图1(a))。支撑基板S并不受特别限定，为硅板、玻璃板、SUS(不锈钢)板、放入有玻璃布的基板、放入有半导体元件的密封树脂等，优选为高刚性的基板。图1(a)所示的支撑基板S在形成第1绝缘材料层1的一侧的表面形成有导电层Sa。作为支撑基板S，可以使用未形成有导电层Sa的基板，或在表面上代替导电层Sa而具有布线和/或焊盘(pad)的基板。
支撑基板S的厚度优选在0.2mm至2.0mm的范围内。当薄于0.2mm时，处理变得困难，另一方面，当厚于2.0mm时，材料费趋于变高。支撑基板S可以为晶圆状，也可以为面板状。尺寸并不受特别限定，可以优选使用直径200mm、直径300mm或直径450mm的晶圆，或一边为300～700mm的矩形面板。
构成第1绝缘材料层1的材料可以为感光性树脂材料，也可以为热固性树脂材料。作为这些绝缘材料，可以举出液态或膜状的绝缘材料，从膜厚平坦性和成本的观点考虑，优选膜状的绝缘材料。并且，在能够形成微细的布线的观点上，绝缘材料优选含有平均粒径500nm以下(更优选50～200nm)的填料(填充材料)。相对于除填料以外的绝缘材料的质量100质量份，绝缘材料的填料含量优选0～70质量份，更优选10～50质量份。
当使用膜状的绝缘材料时，其层压工序优选尽量在低温下实施，优选采用能够在40～120℃下层压的绝缘膜。能够层压的温度低于40℃的绝缘膜在常温(约25℃)下的粘性强，操作性趋于恶化，在该温度超出120℃的感光性绝缘膜的情况下，层压之后翘曲趋于变大。
从抑制翘曲的观点考虑，第1绝缘材料层1的固化后的热膨胀系数优选为80×10-6/K(开尔文)以下，在可获得高可靠性的观点上，更优选为70×10-6/K以下。并且，在绝缘材料的应力松弛性、可获得高精细的图案的观点上，优选为20×10-6/K以上。第1绝缘材料层1的厚度优选为10μm以下，更优选为5μm以下，进一步优选为3μm以下。并且，从绝缘可靠性的观点考虑，第1绝缘材料层1的厚度优选为0.5μm以上。
根据布线基板10的用途或方式，例如可以将到达导电层Sa的开口部(未图示)设置于第1绝缘材料层1。当由感光性树脂组合物形成第1绝缘材料层1时，例如通过光刻法设置开口部即可。当由热固性树脂组合物形成第1绝缘材料层1时，例如通过激光加工设置开口部即可。
从减少高频的传输损耗的观点考虑，第1绝缘材料层1的表面优选尽量平坦。即，第1绝缘材料层1的表面的算术平均粗糙度Ra为100nm以下，优选为80nm以下，更优选为55nm以下。第1绝缘材料层1的表面的算术平均粗糙度Ra的下限值例如为5nm，也可以为10nm或20nm。算术平均粗糙度Ra能够使用激光显微镜来测定。为了从包含第1绝缘层1的层叠体的截面求出第1绝缘层1的表面的算术平均粗糙度Ra，采用以下的方法即可。即，从已知算术平均粗糙度Ra的值的多个试样的面测定凸部与凹部之差(Rz值)。根据所测定出的Rz值及已知的Ra值制作校准曲线。测定应求出算术平均粗糙度Ra的第1绝缘层1的截面的凸部与凹部之差(Rz值)，根据该测定值及校准曲线，能够求出算术平均粗糙度Ra。
＜(2)在第1绝缘材料层的表面形成籽晶层的工序＞
通过至少含有铜的无电解镀敷在第1绝缘材料层1的表面形成籽晶层2(图1(b))。如上所述，第1绝缘材料层1的表面优选尽量平坦，因此在形成籽晶层2之前，不对第1绝缘材料层1的表面实施基于除胶渣处理液的粗糙化处理为较佳。优选虽然第1绝缘材料层1的表面未被粗糙化，但在第1绝缘材料层1的表层形成有具有从第1绝缘材料层1的表面连通到内部的空孔的改性区域(未图示)。
通过使无电解镀敷用催化剂吸附于形成有改性区域的第1绝缘材料层1，成为催化剂进入到改性区域的空孔中的状态。若在该状态下通过无电解镀敷来形成籽晶层2，则形成于改性区域的空孔内的无电解镀敷发挥像植物的根似的作用，推测有助于提高第1绝缘材料层1与籽晶层2的密合性。这种改性区域能够通过在形成籽晶层2之前对第1绝缘材料层1的表面进行选自由活性能量射线的照射、臭氧水处理、电晕放电处理及等离子体处理组成的组中的至少一种改性处理来形成。作为活性能量射线，只要不使第1绝缘材料层1的表面过度粗糙即可，例如可以举出紫外线、电子束、α射线、β射线及γ射线。通过调整活性能量射线的照射量及强度，能够将第1绝缘材料层1的表面的算术平均粗糙度Ra维持在100nm以下。
籽晶层2经过以下的步骤来形成。首先，用预处理液清洗第1绝缘材料层1的表面。预处理液可以为含有氢氧化钠或氢氧化钾的市售的碱性预处理液。在氢氧化钠或氢氧化钾的浓度为1～30质量％下实施。在预处理液中的浸渍时间为1～60分钟下实施。在预处理液中的浸渍温度为25～80℃下实施。在进行预处理之后，为了去除过量的预处理液，可以用自来水、纯水、超纯水或有机溶剂进行清洗。
在去除预处理液之后，为了从第1绝缘材料层1的表面去除碱离子，在酸性水溶液中浸渍清洗。酸性水溶液可以为硫酸水溶液，在浓度为1～20质量％、浸渍时间为1～60分钟下实施。为了去除酸性水溶液，可以用自来水、纯水、超纯水或有机溶剂进行清洗。
接着，使作为无电解镀敷的催化剂的钯附着于浸渍清洗后的第1绝缘材料层1的表面。钯可以为市售的钯-锡胶体溶液、含有钯离子的水溶液、钯离子悬浮液等，但优选含有有效地吸附于改性层的钯离子的水溶液。在浸渍于含有钯离子的水溶液时，在含有钯离子的水溶液的温度为25～80℃、用于吸附的浸渍时间为1～60分钟下实施。在吸附钯离子之后，为了去除过量的钯离子，可以用自来水、纯水、超纯水或有机溶剂进行清洗。
在吸附钯离子之后，进行用于使钯离子作为催化剂发挥作用的活化。使钯离子活化的试剂可以为市售的活化剂(活化处理液)。在为了使钯离子活化而浸渍的活化剂的温度为25～80℃、为了活化而浸渍的时间为1～60分钟下实施。在钯离子活化之后，为了去除过量的活化剂，可以用自来水、纯水、超纯水或有机溶剂进行清洗。
接着，通过对第1绝缘材料层1的表面的无电解镀敷来形成籽晶层2。籽晶层2成为用于在工序(3)中实施的电解镀敷的供电层。籽晶层2的厚度优选20～200nm，更优选40～200nm，进一步优选60～200nm。
籽晶层2的镍含有率为0.25～20质量％，例如也可以为3～20质量％或0.25～3质量％。籽晶层2的镍含有率例如能够通过调整无电解镀敷液的镍含有率来设定。通过籽晶层2的镍含有率为0.25质量％以上，能够对第1绝缘材料层1与籽晶层2充分确保密合性，另一方面，通过为20质量％以下，能够充分减小高频的传输损耗。
作为无电解镀敷，可以举出无电解纯铜镀敷(铜的纯度为99质量％以上)、无电解铜镍磷镀敷(镍含有率：1～10质量％、磷含量：1～13质量％)等。无电解铜镍磷镀敷液可以为市售的镀敷液。作为该镀敷液的市售品，例如可以举出无电解铜镍磷镀敷液(JCUCORPORATION制造，商品名“AISL-570”)。无电解铜镍磷镀敷在60～90℃的无电解铜镍磷镀敷液中实施。
也可以将镍含有率为0.1～1质量％的无电解铜镀敷液用于籽晶层2的形成。作为该镀敷液的市售品，例如可以举出无电解铜镀敷液(Atotech Japan K.K.制造，商品名“Copper Solution Printganth MV TP1”、“Stabilizer Printganth MV TP1”、“BasicPrintganth MV TP1”、“Moderator Printganth MV TP1”、“Reducer Cu”)。无电解铜镀敷在20℃～50℃的无电解铜镀敷液中实施。
在无电解镀敷之后，为了去除过量的镀敷液，可以用自来水、纯水、超纯水或有机溶剂进行清洗。并且，在无电解镀敷之后，为了提高籽晶层2与第1绝缘材料层1的密合力，可以进行热固化(退火：基于加热的时效固化处理)。优选在热固化温度80～200℃下进行加热。为了进一步加快反应性，更优选为120～200℃，进一步优选在120～180℃下进行加热。热固化时间优选5～60分钟，更优选10～60分钟，进一步优选20～60分钟。
＜(3)在籽晶层上形成布线部的工序＞
在籽晶层2的表面上将布线形成用抗蚀剂R图案化(参考图1(c))。作为布线形成用抗蚀剂R，使用市售的抗蚀剂即可，例如可以使用负型膜状的感光性抗蚀剂(HitachiChemical Co.,Ltd.制造，Photec RY-5107UT)。抗蚀剂图案可以设置有布线形成用开口部和根据需要设置的其他开口部。即，使用辊式层压机使抗蚀剂成膜，接着，使形成有图案的光工具(photo tool)密合，并使用曝光机进行曝光，接着，用碳酸钠水溶液进行喷雾显影，由此能够形成抗蚀剂图案。另外，也可以代替负型而使用正型的感光性抗蚀剂。
通过向籽晶层2供电来实施电解铜镀敷，从而形成布线部3(参考图1(d))。布线部3的厚度优选1～10μm，更优选3～10μm，进一步优选5～10μm。
在电解铜镀敷之后，剥离布线形成用抗蚀剂R(参考图2(a))。布线形成用抗蚀剂R的剥离使用市售的剥离液来进行即可。去除由于布线形成用抗蚀剂R的剥离而露出的籽晶层2(参考图2(b))。由此，形成由残留于第1绝缘材料层1的表面上的籽晶层2和布线部3构成的金属布线4。在去除籽晶层2的同时，可以去除残留于籽晶层2下的钯。这些去除使用市售的去除液(蚀刻液)来进行即可，作为具体例，可以举出酸性的蚀刻液(JCU CORPORATI ON制造，BB-20、PJ-10、SAC-700W3C)。
＜(4)以覆盖金属布线的方式形成第2绝缘材料层的工序＞
以覆盖金属布线4的方式形成第2绝缘材料层5(参考图2(c))。作为构成第2绝缘材料层5的材料，可以与第1绝缘材料层相同，也可以不同。
以上，对布线基板及其制造方法进行了说明，但本发明并不一定限定于上述的实施方式，可以在不脱离其宗旨的范围内适当进行变更。例如，在上述实施方式中，例示出了具有一层布线层(包括金属布线4和第2绝缘材料层5的层)的布线基板的制造方法，但也可以通过反复进行在布线层的表面上设置籽晶层的工序和上述(3)及(4)的一连串工序来制造具有多个布线层的布线基板。
实施例
通过以下的实施例对本发明进行进一步详细的说明，但本发明并不限定于这些例子。
(实施例1)
＜感光性树脂膜的制作＞
以如下方式制作出绝缘材料层用感光性树脂膜。首先，使用以下的成分制备出感光性树脂组合物。
·含有羧基和烯属不饱和基团的光反应性树脂：酸改性的甲酚酚醛清漆型环氧丙烯酸酯(CCR-1219H，Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造，商品名)50质量份
·光聚合引发剂成分：2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦(Darocur TPO，BASF Japan Ltd.制造，商品名)及乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]-，1-(o-乙酰肟)(IRGACURE OXE-02，BASF Japan Ltd.制造，商品名)5质量份
·热固化剂成分：联苯酚型环氧树脂(YX-4000，Mitsubishi Chemical Corporation制造，商品名)10质量份
·无机填料成分：平均粒径：50nm，用乙烯基硅烷进行硅烷偶联处理而得到的无机填料。以相对于树脂成分100体积份成为10体积份的方式配合了无机填料成分。另外，使用动态散射光式Nanotrac粒度分布计“UPA-EX150”(Nikkiso Co.,Ltd.制造)及激光衍射散射式Microtrac粒度分布计“MT-3100”(Nikkiso Co.,Ltd.制造)测定无机填料的粒度分布，确认到最大粒径为1μm以下。
将上述感光性树脂组合物的溶液涂布于聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(TEIJINLIMITED.制造，商品名：G2-16，厚度：16μm)的表面上。使用热风对流式干燥机，将涂膜在100℃下干燥了约10分钟。由此，获得了厚度10μm的感光性树脂膜。
＜具有微细布线的布线层的形成＞
作为支撑基板，准备了在表面形成有铜层(厚度20μm)的放入有玻璃布的基板(尺寸：200mm见方，厚度1.5mm)。
·工序(1a)
为了在上述支撑基板的铜层的表面形成第1绝缘材料层，层压了上述感光性树脂膜。详细而言，首先，在支撑基板的铜层的表面载置了感光性树脂膜。接着，使用加压式真空层压机(MVLP-500，MEIKI CO.,LTD.制造)进行了加压。加压条件设为加压热板温度80℃、抽真空时间20秒、层压加压时间60秒、气压4kPa以下、压接压力0.4MPa。
·工序(1b)
通过对加压后的感光性树脂膜(第1绝缘材料层)实施曝光处理及显影处理来设置了到达支撑基板的铜层的开口部。曝光在将形成有图案的光工具密合于第1绝缘材料层上的状态下实施。使用i射线步进曝光机(产品名：S6CK型曝光机，透镜：ASC3(Ck)，CERMAPRECISION INC.制造)以30mJ/cm2的能量进行了曝光。接着，在30℃的1质量％碳酸钠水溶液中进行45秒钟喷雾显影来设置了开口部。接着，使用掩模曝光机(EXM-1201型曝光机，ORCMANUFACTURING CO.,LTD.制造，紫外线主波长：365nm)以2000mJ/cm2的能量对显影后的第1绝缘材料层的表面进行了后UV曝光。接着，在清洁烘箱中在170℃下进行了1小时的热固化。
·工序(1c)
使用紫外线照射装置(SSP-16，SEN LIGHTS CORPORATION制造，紫外线主波长：254nm)向第1绝缘材料层照射了紫外线。由此，对第1绝缘材料层的表面进行了改性。从紫外线灯至第1绝缘材料层的表面为止的距离设为40mm，紫外线照射时间设为30秒。
·工序(2)
通过无电解铜镀敷在第1绝缘材料层的表面形成了籽晶层。即，首先，作为碱清洁，在碱清洁剂(JCU CORPORATION制造，商品名：EC-B)的110mL/L水溶液中在50℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为调理剂，在调理液(JCU CORPORATION制造，商品名：PB-200)与EC-B的混合液(PB-200浓度：70mL/L、EC-B浓度：2mL/L)中在50℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为软蚀刻，在软蚀刻液(JCU CORPOR ATION制造，商品名：PB-228)与98％硫酸的混合液(PB-228浓度：100g/L、硫酸浓度：50mL/L)中在30℃下浸渍2分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为除垢，在10％硫酸中在室温下浸渍了1分钟。接着，作为催化剂，在催化用试剂1(JCU CORPORATION制造，商品名：PC-BA)、催化用试剂2(JCU CORPORATION制造，商品名：PB-333)及EC-B的混合液(PC-BA浓度：5g/L、PB-333浓度：40mL/L、EC-B浓度：9mL/L)中在60℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为促进剂(accelerator)，在促进剂用试剂(JCU CORPORATION制造，商品名：PC-66H)与PC-BA的混合液(PC-66H浓度：10mL/L、PC-BA浓度：5g/L)中在30℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。
接着，作为无电解铜镀敷，在无电解铜镍磷镀敷液(JCU CORPORATION制造，商品名：AISL-570B、AISL-570C、AISL-570MU)与PC-BA的混合液(AISL-570B浓度：70mL/L、AISL-570C浓度：24mL/L、AISL-570MU浓度：50mL/L、PC-BA浓度：13g/L)中在60℃下浸渍7分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。然后，在85℃的加热板上干燥了5分钟。接着，在180℃的烘箱中热退火了1小时。
·工序(3a)
使用真空层压机(Nichigo-Morton Co.,Ltd.制造，V-160)，在形成有无电解铜膜的200mm×200mm的基板上真空层压了布线形成用抗蚀剂(日立化成株式会社制、RY-5107UT)。层压温度设为110℃，层压时间设为60秒，层压压力设为0.5MPa。
在真空层压之后，放置1天，使用i射线步进曝光机(产品名：S6CK型曝光机，透镜：ASC3(Ck)，CERMA PRECISION INC.制造)对布线形成用抗蚀剂进行了曝光。曝光量设为140mJ/cm2，焦点设为-15μm。在曝光之后，放置1天，剥离布线形成用抗蚀剂的保护膜，并使用喷雾显影机(MIKASA CO.,LTD.制造，AD-3000)进行了显影。显影液设为1.0％碳酸钠水溶液，显影温度设为30℃，喷雾压力设为0.14MPa。由此，将用于形成以下的L/S(线/间距)的布线的抗蚀剂图案形成于籽晶层上。
·L/S＝10μm/10μm(布线的数量：10根)
·L/S＝7μm/7μm(布线的数量：10根)
·L/S＝5μm/5μm(布线的数量：10根)
·L/S＝3μm/3μm(布线的数量：10根)
·L/S＝2μm/2μm(布线的数量：10根)
·工序(3b)
作为清洁剂，在(OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制造，商品名：ICP CleanS-135)的100mL/L水溶液中在50℃下浸渍1分钟，在纯水中在50℃下浸渍1分钟，在纯水中在25℃下浸渍1分钟，在10％硫酸水溶液中在25℃下浸渍了1分钟。接着，在向硫酸铜5水合物的120g/L、96％硫酸220g/L的水溶液7.3L中加入0.25mL的盐酸、10mL的OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO.,LTD.制造的商品名：TOP LUCINA GT-3、1mL的OKUNO CHEMICAL INDUSTRIESCO.,LTD.制造的商品名：TOP LUCINA GT-2而成的水溶液中，在25℃、电流密度1.5A/dm2、10分钟的条件下实施了电解镀敷。然后，在纯水中在25℃下浸渍5分钟，并在80℃的加热板上干燥了5分钟。
·工序(3c)
使用喷雾显影机(MIKASA CO.,LTD.制造，AD-3000)剥离了布线形成用抗蚀剂。剥离液设为2.38％TMAH水溶液，剥离温度设为40℃，喷雾压力设为0.2MPa。
·工序(3d)
去除了作为籽晶层的无电解铜及钯催化剂。作为无电解Cu的蚀刻，在蚀刻液(JCUCORPORATION制造，SAC-700W3C)、98％硫酸、35％过氧化氢水及硫酸铜·5水合物的水溶液(SAC-700W3C浓度：5容量％、硫酸浓度：4容量％、过氧化氢浓度：5容量％、硫酸铜·5水合物浓度：30g/L)中在35℃下浸渍了1分钟。接着，作为钯催化剂的去除，在FL水溶液(JCUCORPORAT ION制造，FL-A：500mL/L、FL-B：40mL/L)中在50℃下浸渍了1分钟。然后，在纯水中在25℃下浸渍5分钟，并在80℃的加热板上干燥了5分钟。经过这些工序获得了实施例1所涉及的布线基板。
(实施例2)
在工序(2)中，使用与实施例1相比提高了镍浓度的状态的无电解铜镍磷镀敷液在绝缘材料层的表面形成了籽晶层。即，首先，作为碱清洁，在碱清洁剂(JCU CORPORATION制造，商品名：EC-B)的110mL/L水溶液中在50℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为调理剂，在调理液(JCU CORPORATION制造，商品名：PB-200)与EC-B的混合液(PB-200浓度：70mL/L、EC-B浓度：2mL/L)中在50℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为软蚀刻，在软蚀刻液(JCU CORPORATION制造，商品名：PB-228)与98％硫酸的混合液(PB-228浓度：100g/L、硫酸浓度：50mL/L)中在30℃下浸渍2分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为除垢，在10％硫酸中在室温下浸渍了1分钟。接着，作为催化剂，在催化用试剂1(JCU CORPORATION制造，商品名：PC-BA)、催化用试剂2(JCU CORPORATION制造，商品名：PB-333)及EC-B的混合液(PC-BA浓度：5g/L、PB-333浓度：40mL/L、EC-B浓度：9mL/L)中在60℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为促进剂(accelerator)，在促进剂用试剂(JCU CORPORATION制造，商品名：PC-66H)与PC-BA的混合液(PC-66H浓度：10mL/L、PC-BA浓度：5g/L)中在30℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。
接着，作为无电解铜镀敷，在无电解铜镍磷镀敷液(JCU CORPORATION制造，商品名：AISL-570B、AISL-570C、AISL-570MU)、PC-BA及硫酸镍·六水合物的混合液(AISL-570B浓度：70mL/L、AISL-570C浓度：24mL/L、AISL-570MU浓度：50mL/L、PC-BA浓度：13g/L、硫酸镍·六水合物浓度：1g/L)中在60℃下浸渍7分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。然后，在85℃的加热板上干燥了5分钟。接着，在180℃的烘箱中热退火了1小时。其后的工序以与实施例1相同相同的方式进行来制作出布线基板。
(实施例3)
在工序(2)中，使用与实施例2相比提高了镍浓度的状态的无电解铜镍磷镀敷液在绝缘材料层的表面形成了籽晶层。即，首先，作为碱清洁，在碱清洁剂(JCU CORPORATION制造，商品名：EC-B)的110mL/L水溶液中在50℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为调理剂，在调理液(JCU CORPORATION制造，商品名：PB-200)与EC-B的混合液(PB-200浓度：70mL/L、EC-B浓度：2mL/L)中在50℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为软蚀刻，在软蚀刻液(JCU CORPORATION制造，商品名：PB-228)与98％硫酸的混合液(PB-228浓度：100g/L、硫酸浓度：50mL/L)中在30℃下浸渍2分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为除垢，在10％硫酸中在室温下浸渍了1分钟。接着，作为催化剂，在催化用试剂1(JCU CORPORATION制造，商品名：PC-BA)、催化用试剂2(JCU CORPORATION制造，商品名：PB-333)及EC-B的混合液(PC-BA浓度：5g/L、PB-333浓度：40mL/L、EC-B浓度：9mL/L)中在60℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为促进剂(accelerator)，在促进剂用试剂(JCU CORPORATION制造，商品名：PC-66H)与PC-BA的混合液(PC-66H浓度：10mL/L、PC-BA浓度：5g/L)中在30℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为无电解铜镀敷，在无电解铜镍磷镀敷液(JCU CORPORATION制造，商品名：AISL-570B、AISL-570C、AISL-570MU)、PC-BA及硫酸镍·六水合物的混合液(AISL-570B浓度：70mL/L、AISL-570C浓度：24mL/L、AISL-570MU浓度：50mL/L、PC-BA浓度：13g/L、硫酸镍·六水合物浓度：5g/L)中在60℃下浸渍7分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。然后，在85℃的加热板上干燥了5分钟。接着，在180℃的烘箱中热退火了1小时。其后的工序以与实施例1相同相同的方式进行来制作出布线基板。
(实施例4)
在工序(2)中，使用无电解铜镀敷液在绝缘材料层的表面形成了籽晶层。即，首先，作为碱清洁，在制备成碱清洁剂(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Cleaner Seculiganth902)为40mL/L及氢氧化钠为20mL/L的水溶液中在60℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为中和，在硫酸水溶液10mL/L中在25℃下浸渍2分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为预浸渍，在制备成调理液(Atotech Japan K.K.制造，商品名：PredeepNeoganth B)为20mL/L及硫酸为1mL/L的水溶液中在25℃下浸渍了1分钟。接着，作为催化剂，在制备成催化用试剂(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Activator Neoganth 834)为40mL/L、硼酸为5g/L、氢氧化钠为4g/L的水溶液中在35℃下浸渍10分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为促进剂，在制备成促进剂用试剂(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Reducer Neoganth WA)为5mL/L、硼酸为5g/L的水溶液中在30℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。
接着，作为无电解铜镀敷，在制备成无电解铜镀敷液(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Basic Printganth MV TP1)为140mL/L、无电解铜镀敷液(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Copper Solution Printganth MV TP1)为85mL/L、无电解铜镀敷液(AtotechJapan K.K.制造，商品名：Moderator Printganth MV TP1)为3mL/L、无电解铜镀敷液(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Stabilizer Printganth MV TP1)为0.6mL/L、无电解铜镀敷液(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Reducer Cu)为16mL/L、氢氧化钠为0.5g/L的水溶液中在30℃下浸渍10分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。然后，在85℃的加热板上干燥了5分钟。接着，在180℃的烘箱中热退火了1小时。
(实施例5)
＜热固性树脂膜的制作＞
以如下方式制作出第1绝缘材料层用热固性树脂膜。首先，使用以下的成分制备出热固性树脂组合物。
·环氧树脂：联苯基芳烷基型环氧树脂，产品名NC-3000H(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造)70质量份
·固化剂：以如下方式合成的固化剂A 30质量份
·无机填料成分：平均粒径为50nm，用乙烯基硅烷进行硅烷偶联处理而得到的无机填料。以相对于树脂成分100质量份成为30质量份的方式配合了无机填料成分。另外，使用动态散射光式Nanotrac粒度分布计“UPA-EX150”(Nikkiso Co.,Ltd.制造)及激光衍射散射式Microtrac粒度分布计“MT-3100”(Nikkiso Co.,Ltd.制造)测定无机填料的粒度分布，确认到最大粒径为1μm以下。
＜固化剂A的合成＞
准备了具备温度计、搅拌装置及具有回流冷却管的水分测定器的反应容器(容积：2升)。向该反应容器中放入以下的成分，使其在140℃下反应了5小时。
·双(4-氨基苯基)砜：26.40g
·2,2′-双[4-(4-马来酰亚胺苯氧基)苯基]丙烷：484.50g
·对氨基苯甲酸：29.10g
·二甲基乙酰胺：360.00g
由此，获得了在分子主链中具有砜基且具有酸性取代基和不饱和N-取代马来酰亚胺基的固化剂A的溶液。
将上述热固性树脂组合物的溶液涂布于聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(TEIJINLIMITED.制造，商品名：G2-16，厚度：16μm)的表面上。使用热风对流式干燥机，将其在100℃下干燥了约10分钟。由此，获得了厚度10μm的热固性树脂膜。
＜具有微细布线的布线层的形成＞
作为支撑基板，准备了在表面形成有铜层(厚度20μm)的放入有玻璃布的基板(尺寸：200mm见方，厚度1.5mm)。
·工序(1a)
为了在上述布线基板的铜层的表面形成第1绝缘材料层，层压了上述热固性树脂膜。详细而言，首先，在支撑基板的铜层的表面载置了热固性树脂膜。接着，使用加压式真空层压机(MVLP-500，MEIKI CO.,LTD.制造)进行了加压。加压条件设为加压热板温度70℃、抽真空时间20秒、层压加压时间40秒、气压4kPa以下、压接压力0.5MPa。接着，使用加压机进行了追加加压。加压条件设为在加压时间0～60分钟之间升温至220℃，在加压时间60～190分钟之间维持220℃，在加压时间190～220分钟之间升温至25℃。加压压力设为2.0MPa，气压设为4kPa。
·工序(1b)
使用激光加工机(产品名：LC-2K21，Via Mechanics,Ltd.制造)，对加压后的热固性树脂膜(第1绝缘材料层)实施通孔加工，由此设置了到达至支撑基板的铜层的开口部。通孔加工条件设为孔径直径6.5mm、输出6.3W、脉冲间距20μm×3次、突发模式(burst mode)。
·工序(1c)
使用紫外线照射装置(SSP-16，SEN LIGHTS CORPORATION制造，紫外线主波长：254nm)向第1绝缘材料层照射了紫外线。由此，对第1绝缘材料层的表面进行了改性。从紫外线灯至第1绝缘材料层的表面为止的距离设为40mm，紫外线照射时间设为30秒。
·工序(2)
通过无电解铜镀敷在第1绝缘材料层的表面形成了籽晶层。即，首先，作为碱清洁，在制备成碱清洁剂(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Cleaner Seculiganth 902)为40mL/L及氢氧化钠为20mL/L的水溶液中在60℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为中和，在硫酸水溶液10mL/L中在25℃下浸渍2分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为预浸渍，在制备成调理液(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Predeep NeoganthB)为20mL/L及硫酸为1mL/L的水溶液中在25℃下浸渍了1分钟。接着，作为催化剂，在制备成催化用试剂(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Activator Neoganth834)为40mL/L、硼酸为5g/L、氢氧化钠为4g/L的水溶液中在35℃下浸渍10分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为促进剂，在制备成促进剂用试剂(Atotech Japan K.K.制造，商品名：ReducerNeoganth WA)为5mL/L、硼酸为5g/L的水溶液中在30℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。
接着，作为无电解铜镀敷，在制备成无电解铜镀敷液(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Basic Printganth MV TP1)为140mL/L、无电解铜镀敷液(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Copper Solution Printganth MV TP1)为85mL/L、无电解铜镀敷液(AtotechJapan K.K.制造，商品名：Moderator Printganth MV TP1)为3mL/L、无电解铜镀敷液(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Stabilizer Printganth MV TP1)为0.6mL/L、无电解铜镀敷液(Atotech Japan K.K.制造，商品名：Reducer Cu)为16mL/L、氢氧化钠为0.5g/L的水溶液中在30℃下浸渍10分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。然后，在85℃的加热板上干燥了5分钟。接着，在180℃的烘箱中热退火了1小时。其后的工序以与实施例1相同相同的方式进行来制作出布线基板。
(实施例6、7)
在工序(2)中，使用无电解铜镍磷镀敷液在第1绝缘材料层的表面形成了籽晶层。即，首先，作为碱清洁，在碱清洁剂(JCU CORPORATION制造，商品名：EC-B)的110mL/L水溶液中在50℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为调理剂，在调理液(JCUCORPORATION制造，商品名：PB-200)与EC-B的混合液(PB-200浓度：70mL/L、EC-B浓度：2mL/L)中在50℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为软蚀刻，在软蚀刻液(JCUCORPORATION制造，商品名：PB-228)与98％硫酸的混合液(PB-228浓度：100g/L、硫酸浓度：50mL/L)中在30℃下浸渍2分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为除垢，在10％硫酸中在室温下浸渍了1分钟。接着，作为催化剂，在催化用试剂1(JCU CORPORATION制造，商品名：PC-BA)、催化用试剂2(JCU CORPORATION制造，商品名：PB-333)及EC-B的混合液(PC-BA浓度：5g/L、PB-333浓度：40mL/L、EC-B浓度：9mL/L)中在60℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为促进剂(accelerator)，在促进剂用试剂(JCU CORPORATION制造，商品名：PC-66H)与PC-BA的混合液(PC-66H浓度：10mL/L、PC-BA浓度：5g/L)中在30℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。
接着，作为无电解铜镀敷，在无电解铜镍磷镀敷液(JCU CORPORATION制造，商品名：AISL-570B、AISL-570C、AISL-570MU)、PC-BA及硫酸镍·六水合物的混合液(AISL-570B浓度：70mL/L、AISL-570C浓度：24mL/L、AISL-570MU浓度：50mL/L、PC-BA浓度：13g/L、硫酸镍·六水合物浓度：1g/L)中在60℃下浸渍7分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。然后，在85℃的加热板上干燥了5分钟。接着，在180℃的烘箱中热退火了1小时。其后的工序以与实施例4、5相同的方式进行来制作出布线基板。
(实施例8～10)
在工序(2)中，使用了与实施例7相比提高了镍浓度的状态的无电解铜镍磷镀敷液，除此以外，以与实施例7相同的方式制作出布线基板。
(比较例1)
在工序(1c)中，代替实施紫外线照射而使用用于除胶渣处理的试剂对第1绝缘材料层的表面进行改性(表面粗糙化)及代替无电解铜镍磷镀敷液而使用无电解纯铜镀敷液来形成了籽晶层，除此以外，以与实施例1相同的方式获得了布线基板。
如以下那样实施了基于用于除胶渣处理的试剂的处理。首先，为了溶胀处理，在Swella(Atotech公司制造，商品名：Cleaner Seculiganth 902)40mL/L中在70℃下浸渍了5分钟。然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，为了粗糙化处理，在除胶渣液(Atotech公司制造，商品名：Compact CP)40mL/L中在70℃下浸渍了10分钟。然后在纯水中浸渍了1分钟。然后，在纯水中在25℃下浸渍5分钟，并在80℃的加热板上干燥了5分钟。
(比较例2)
在工序(2)中，代替在实施例1中所使用的无电解铜镍磷镀敷液而使用无电解镍镀敷液在第1绝缘材料层的表面形成了籽晶层。即，首先，作为碱清洁，在碱清洁剂(JCUCORPORATION制造，商品名：ES-100)的40mL/L水溶液中在40℃下浸渍2分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为调理剂，在调理液(JCU CORPORATION制造，商品名：ES-200)的70mL/L水溶液中在50℃下浸渍2分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为催化剂，在催化用试剂(JCU CORPORATION制造，商品名：ES-300)的100mL/L水溶液中在50℃下浸渍2分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为促进剂，在促进剂用试剂1(JCU CORPORATION制造，商品名：ES-400A)与促进剂用试剂2(JCU CORPORATION制造，商品名：ES-400B)的混合液(ES-400A浓度：10mL/L、ES-400B浓度：14g/L)中在35℃下浸渍2分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。
接着，在无电解镍镀敷液(JCU CORPORATION制造，商品名：ES-500M、ES-500B、ES-500C、ES-500D)、氨水及硫酸的混合液(ES-500M浓度：45mL/L、ES-500B浓度：30mL/L、ES-500C浓度：45mL/L、ES-500D浓度：40mL/L、氨水浓度：24mL/L、硫酸浓度：1mL/L)中在38℃下浸渍7分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。然后，在85℃的加热板上干燥了5分钟。接着，在180℃的烘箱中热退火了1小时。其后的工序以与实施例1相同相同的方式进行来制作出布线基板。
(比较例3)
在工序(2)中，使用与实施例3相比提高了镍浓度的状态的无电解铜镀敷液在第1绝缘材料层的表面形成了籽晶层。即，首先，作为碱清洁，在碱清洁剂(JCU CORPORATION制造，商品名：EC-B)的110mL/L水溶液中在50℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为调理剂，在调理液(JCU CORPORATION制造，商品名：PB-200)与EC-B的混合液(PB-200浓度：70mL/L、EC-B浓度：2mL/L)中在50℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为软蚀刻，在软蚀刻液(JCU CORPORATION制造，商品名：PB-228)与98％硫酸的混合液(PB-228浓度：100g/L、硫酸浓度：50mL/L)中在30℃下浸渍2分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为除垢，在10％硫酸中在室温下浸渍了1分钟。接着，作为催化剂，在催化用试剂1(JCU CORPORATION制造，商品名：PC-BA)、催化用试剂2(JCU CORPORATION制造，商品名：PB-333)及EC-B的混合液(PC-BA浓度：5g/L、PB-333浓度：40mL/L、EC-B浓度：9mL/L)中在60℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。接着，作为促进剂(accelerator)，在促进剂用试剂(JCU CORPORATION制造，商品名：PC-66H)与PC-BA的混合液(PC-66H浓度：10mL/L、PC-BA浓度：5g/L)中在30℃下浸渍5分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。
接着，作为无电解铜镀敷，在无电解铜镀敷液(JCU CORPORATION制造，商品名：AISL-570B、AISL-570C、AISL-570MU)、PC-BA及硫酸镍·六水合物的混合液(AISL-570B浓度：70mL/L、AISL-570C浓度：24mL/L、AISL-570MU浓度：50mL/L、PC-BA浓度：13g/L、硫酸镍·六水合物浓度：20g/L)中在60℃下浸渍7分钟，然后在纯水中浸渍了1分钟。然后，在85℃的加热板上干燥了5分钟。接着，在180℃的烘箱中热退火了1小时。其后的工序以与实施例1相同相同的方式进行来制作出布线基板。
(比较例4、5)
在工序(1c)中，代替实施紫外线照射而使用用于除胶渣处理的试剂对第1绝缘材料层的表面进行了改性(表面粗糙化)，除此以外，以与实施例4、5相同的方式获得了布线基板。
(比较例6)
在工序(2)中，代替在实施例5中所使用的无电解铜镀敷液而使用无电解镍镀敷液在第1绝缘材料层的表面形成了籽晶层，除此以外，以与实施例5相同的方式制作出布线基板。
(比较例7)
在第1绝缘材料层的形成中，代替感光性树脂膜而使用了热固性树脂膜，除此以外，以与比较例3相同的方式制作出布线基板。
＜绝缘材料层的表面的算术平均粗糙度Ra的测定＞
使用激光显微镜(Olympus Corporation制造)测定了实施例1～10及比较例1～7所涉及的第1绝缘材料层的表面的算术平均粗糙度Ra。在表1中示出结果。
＜籽晶层的Ni含有率＞
使用扫描电子显微镜(Hitachi High-Technologies Corporation制造)进行EDX分析，换算为质量比率来求出了实施例1～10及比较例1～7所涉及的籽晶层的Ni含有率(质量％)。在表1中示出结果。
[表1]
Figure BDA0003188504490000221
＜布线形成性的评价＞
制作分别具有各10个L/S为10μm/10μm、7μm/7μm、5μm/5μm、3μm/3μm及2μm/2μm的布线图案的布线基板，并进行了布线形成性的评价。在各布线图案10个之中，将发生了布线倒塌或布线剥离的个数为0个的情况设为“A”，将1～2个的情况设为“B”，将3个以上的情况设为“C”。在表2中示出评价结果。
[表2]
Figure BDA0003188504490000231
如表2所示，可知在实施例1～10中，即使布线图案(L/S)微细，也完全观察不到布线倒塌或布线剥离，在微细布线中具有优异的布线形成性。并且，关于比较例2、3、6、7，布线成形性同样优异。相对于此，比较例1为按照以往方法通过无电解纯铜镀敷形成了籽晶层的布线基板，但即使进行基于除胶渣处理的绝缘材料层的表面粗糙化，也发生了布线倒塌或布线剥离。布线倒塌或布线剥离随着L/S变微细而变得明显，比较例1在布线形成性方面存在问题。
＜微波传输带布线的形成＞
(实施例11)
为了评价高频的传输损耗，制作出与图3所示的布线基板20相同的结构的布线基板。布线基板20为具有微波传输带布线的布线基板。即，布线基板20由如下构成：在表面具有导电层Sa(铜层)的支撑基板S、设置于支撑基板S的表面上的绝缘材料层11、设置于绝缘材料层11的表面上的籽晶层12、设置于籽晶层12的表面上的接地层13(导体部)、设置于接地层13的表面上的导体部15及绝缘材料层16、设置于绝缘材料层16的表面上的籽晶层17及信号层18(导体部)。籽晶层12在形成接地层13时用作供电层。籽晶层17在形成信号层18时用作供电层。当制作布线基板时，使用与实施例1相同的感光性树脂膜形成了绝缘材料层11。信号层18设为厚度4μm、宽度20μm、长度10mm。经过利用与实施例1相同的方法分别形成籽晶层12、17的工序，制作出实施例11所涉及的布线基板。
(实施例12～20)
利用与实施例2～10相同的方法分别形成了籽晶层12、17，除此以外，以与实施例11相同的方式分别制作出实施例12～20所涉及的布线基板。
(比较例8～14)
利用与比较例1～7相同的方法分别形成了籽晶层12、17，除此以外，以与实施例11相同的方式分别制作出比较例8～14所涉及的布线基板。
＜传输损耗的测定＞
对于实施例11～20及比较例8～14所涉及的微波传输带布线，使用矢量网络分析仪(Hewlett-Packard Company制造)测定了传输损耗。特性阻抗设为50Ω。将频率为10GHz、20GHz、30GHz、40GHz及50GHz时的传输损耗为0～1dB/cm以下的情况设为“A”，将1～2dB/cm的情况设为“B”，将2dB/cm以上的情况设为“C”。在表3中示出评价结果。
[表3]
Figure BDA0003188504490000251
如表3所示，确认到实施例11～20的传输损耗低，传输性优异。相对于此，如表2所示，比较例8、11、12在布线形成性方面存在问题，因此传输损耗增大。并且，比较例9、10、13、14由于籽晶层中所含的镍的含有率高，因此由于其影响而高频的传输损耗增大。由表3可知，籽晶层中所含的镍含有率越高，传输损耗的增大越明显。
产业上的可利用性
根据本发明，可提供一种绝缘材料层与金属布线的密合性优异且高频的传输损耗小的布线基板及其制造方法。
符号说明
1-第1绝缘材料层，2-籽晶层(金属层)，3-布线部(导电部)，4-金属布线，5-第2绝缘材料层，10、20-布线基板，11、16-绝缘材料层，12、17-籽晶层，13-接地层，15-导体部，18-信号层，S-支撑基板，Sa-导电层。

Claims (10)

1.一种布线基板的制造方法，其依次包括：
(a)使无电解镀敷用催化剂吸附于第1绝缘材料层的工序；
(b)通过无电解镀敷在所述第1绝缘材料层的表面上形成金属层的工序；
(c)将具有布线图案形成用开口部的抗蚀剂形成于所述金属层的表面上的工序；及
(d)通过电解镀敷在所述金属层的表面的从所述抗蚀剂露出的区域形成导电部的工序，
所述第1绝缘材料层的所述表面的算术平均粗糙度Ra为100nm以下，
所述金属层的镍含有率为0.25～20质量％。
2.根据权利要求1所述的布线基板的制造方法，其中，
在(b)工序中，使用无电解铜镍磷镀敷液形成所述金属层。
3.根据权利要求1或2所述的布线基板的制造方法，其中，
在实施(a)工序之前，不对所述第1绝缘材料层的表面进行基于除胶渣处理液的粗糙化处理。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的布线基板的制造方法，其中，
在实施(a)工序之前，还包括对所述第1绝缘材料层的表面进行选自由紫外线照射、电子束照射、臭氧水处理、电晕放电处理及等离子体处理组成的组中的至少一种改性处理的工序。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的布线基板的制造方法，其还依次包括：
(e)去除所述抗蚀剂的工序；
(f)去除由于所述抗蚀剂的去除而露出的所述金属层及该金属层与所述第1绝缘材料层之间的所述催化剂的工序；及
(g)以覆盖金属布线的方式形成第2绝缘材料层的工序，所述金属布线由残留于所述第1绝缘材料层上的所述金属层和所述导电部构成。
6.一种布线基板，其具备：
具有算术平均粗糙度Ra为100nm以下的表面的第1绝缘材料层；
设置于所述第1绝缘材料层的所述表面上的金属布线；及
以覆盖所述金属布线的方式设置的第2绝缘材料层，
所述金属布线由与所述第1绝缘材料层的所述表面接触的金属层和层叠于所述金属层的表面上的导电部构成，
所述金属层的镍含有率为0.25～20质量％。
7.根据权利要求6所述的布线基板，其中，
所述金属层的镍含有率为3～20质量％。
8.根据权利要求6所述的布线基板，其中，
所述金属层的镍含有率为0.25～3质量％。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的布线基板，其中，
所述第1绝缘材料层由热固性树脂组合物的固化物组成。
10.根据权利要求6至8中任一项所述的布线基板，其中，
所述第1绝缘材料层由感光性树脂组合物的固化物组成。
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