JP7447801B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(a)樹脂組成物からなる絶縁層に活性エネルギー線を照射する工程と、
(b)絶縁層に無電解めっき用の触媒を吸着させる工程と、
(c)絶縁層の表面上に無電解めっきによって金属層を形成する工程と、
をこの順序で含み、(a)工程において、活性エネルギー線の照射によって絶縁層の表面から深さ方向に20nm以上の厚さを有し且つ絶縁層の表面から連通する空孔を有する改質領域を形成する。
(1)支持基板S上に第1絶縁層1を形成する工程。
(2)第1絶縁層1の表面に活性エネルギー線を照射する工程。
(3)第1絶縁層1の表面にシード層2(金属層)を形成する工程。
(4)シード層2上に配線部3(導電部)を形成する工程。
(5)金属配線4を覆うように第2絶縁層5を形成する工程。
支持基板S上に第1絶縁層1を形成する(図1(a))。支持基板Sは、特に限定されないが、シリコン板、ガラス板、SUS(ステンレス鋼)板、ガラスクロス入り基板、半導体素子入り封止樹脂等であり、高剛性からなる基板が好適である。図1(a)に示す支持基板Sは、第1絶縁層1が形成される側の表面に導電層Saが形成されている。支持基板Sとして、導電層Saが形成されていないもの、あるいは、導電層Saの代わりに配線及び/又はパッドを表面に有するものを使用してもよい。
第1絶縁層1の表面にシード層2を形成するに先立ち、第1絶縁層1の表面に活性エネルギー線を照射し、第1絶縁層1の表面に改質領域(図3(d)~図(f)参照)を形成する。改質領域は、第1絶縁層1の表面から深さ方向に20nm以上の厚さを有する。改質領域は、第1絶縁層1の表面から連通する空孔を有する。
第1絶縁層1の表面に、少なくとも銅を含む無電解めっきによりシード層2を形成する(図1(b))。シード層2は以下のステップを経て形成される。まず、第1絶縁層1の表面を前処理液で洗浄する。前処理液は水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを含む市販のアルカリ性前処理液でよい。水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムの濃度は1~30質量%の間で実施される。前処理液への浸漬時間は1~60分の間で実施される。前処理液への浸漬温度は25~80℃の間で実施される。前処理した後、余分な前処理液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
シード層2の表面上に配線形成用レジストRをパターニングする(図1(c)参照)。配線形成用レジストRとして、市販のレジストを使用すればよく、例えば、ネガ型フィルム状の感光性レジスト(日立化成株式会社製、Photec RY-5107UT)を用いることができる。レジストパターンは、配線形成用の開口部と、必要に応じてその他の開口部とが設けられたものであってもよい。すなわち、ロールラミネータを用いてレジストを成膜し、次いで、パターンを形成したフォトツールを密着させ、露光機を使用して露光を行い、次いで、炭酸ナトリウム水溶液で、スプレー現像を行うことによってレジストパターンを形成することができる。なお、ネガ型の代わりにポジ型の感光性レジストを用いてもよい。
金属配線4を覆うように第2絶縁層5を形成する(図2(c)参照)。第2絶縁層5を構成する材料として第1絶縁層と同じでもよいし、異なっていてもよい。
<感光性樹脂フィルムの作製>
絶縁層用の感光性樹脂フィルムを以下のようにして作製した。まず、以下の成分を使用して感光性樹脂組成物を調製した。
・カルボキシル基とエチレン性不飽和基とを含有する光反応性樹脂:酸変性したクレゾールノボラック型エポキシアクリレート(CCR-1219H、日本化薬株式会社製、商品名) 50質量部
・光重合開始剤成分:2,4,6-トリメチルベンゾイル-ジフェニル-フォスフィンオキサイド(ダロキュアTPO、BASFジャパン株式会社製、商品名)及びエタノン,1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-,1-(o-アセチルオキシム)(イルガキュアOXE-02、BASFジャパン株式会社製、商品名) 5質量部
・熱硬化剤成分:ビフェノール型エポキシ樹脂(YX-4000、三菱ケミカル株式会社製、商品名) 10質量部
・無機フィラー成分:平均粒径:50nm、ビニルシランでシランカップリング処理したもの。無機フィラー成分は、樹脂分100体積部に対し、10体積部になるように配合した。なお、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「UPA-EX150」(日機装株式会社製)及びレーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「MT-3100」(日機装株式会社製)を用いて無機フィラーの粒度分布を測定し、最大粒径が1μm以下であることを確認した。
支持基板として、表面に銅層(厚さ20μm)が形成されたガラスクロス入り基板(サイズ:200mm角、厚さ1.5mm)を準備した。
上記支持基板の銅層の表面に第1絶縁層を形成するため、上記感光性樹脂フィルムをラミネートした。詳細には、まず、支持基板の銅層の表面に感光性樹脂フィルムを載置した。次いで、プレス式真空ラミネータ(MVLP-500、株式会社名機製作所製)を用いてプレスした。プレス条件は、プレス熱板温度80℃、真空引き時間20秒、ラミネートプレス時間60秒、気圧4kPa以下、圧着圧力0.4MPaとした。
プレス後の感光性樹脂フィルム(第1絶縁層)に露光処理及び現像処理を施すことによって、支持基板の銅層にまで至る開口部を設けた。露光は、パターンを形成したフォトツールを第1絶縁層の上に密着させた状態で実施した。i線ステッパー露光機(製品名:S6CK型露光機、レンズ:ASC3(Ck)、株式会社サーマプレシジョン製)を使用して、30mJ/cm2のエネルギー量で露光した。次いで、30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液で、45秒間スプレー現像を行い、開口部を設けた。次いで、現像後の第1絶縁層の表面にマスク露光機(EXM-1201型露光機、株式会社オーク製作所製、紫外線主波長:365nm)を使用して、2000mJ/cm2のエネルギー量でポストUV露光した。次いで、クリーンオーブンで170℃、1時間の熱硬化を行った。
紫外線照射装置(SSP-16、セン特殊光源株式会社製、紫外線主波長:254nm)を用いて第1絶縁層に紫外線を照射した。紫外線の照射量は、185mJ/cm2とした。これにより、第1絶縁層の表面を改質した。紫外線ランプから第1絶縁層の表面までの距離は40mm、紫外線照時間は30秒とした。紫外線照射後の絶縁層表面の算術平均粗さRaをレーザー顕微鏡(オリンパス株式会社製)を用いて測定した。表1に結果を示す。
無電解銅めっきにより、第1絶縁層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー(株式会社JCU製、商品名:EC-B)の110mL/L水溶液に50℃で5分間浸漬し、その後純水に1分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液(株式会社JCU製、商品名:PB-200)とEC-Bとの混合液(PB-200濃度:70mL/L、EC-B濃度:2mL/L)に50℃で5分間浸漬し、その後純水に1分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液(株式会社JCU製、商品名:PB-228)と98%硫酸との混合液(PB-228濃度:100g/L、硫酸濃度:50mL/L)に30℃で2分間浸漬し、その後純水に1分間浸漬した。次に、デスマットとして、10%硫酸に室温で1分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬1(株式会社JCU製、商品名:PC-BA)とキャタライズ用試薬2(株式会社JCU製、商品名:PB-333)とEC-Bとの混合液(PC-BA濃度:5g/L、PB-333濃度:40mL/L、EC-B濃度:9mL/L)に60℃で5分間浸漬し、その後純水に1分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬(株式会社JCU製、商品名:PC-66H)とPC-BAとの混合液(PC-66H濃度:10mL/L、PC-BA濃度:5g/L)に30℃で5分間浸漬し、その後純水に1分間浸漬した。
工程(2)における紫外線(主波長:254nm)の照射量を185mJ/cm2とする代わりに、46mJ/cm2としたことの他は、実施例1と同様にして積層体を得た。紫外線照射後の絶縁層表面の算術平均粗さRaの測定値を表1に示す。
工程(2)における紫外線(主波長:254nm)の照射量を185mJ/cm2とする代わりに、26mJ/cm2としたことの他は、実施例1と同様にして積層体を得た。紫外線照射後の絶縁層表面の算術平均粗さRaの測定値を表1に示す。
工程(2)における紫外線(主波長:254nm)の照射量を185mJ/cm2とする代わりに、4mJ/cm2としたことの他は、実施例1と同様にして積層体を得た。紫外線照射後の絶縁層表面の算術平均粗さRaの測定値を表1に示す。
工程(2)を実施しなかったこと、すなわち、絶縁層に対して紫外線を照射しなかったことの他は、実施例1と同様にして積層体を得た。紫外線が照射されていない絶縁層表面の算術平均粗さRaの測定値を表1に示す。
実施例1~4及び比較例1に係る積層体の断面を拡大して観察し、改質領域の厚さを測定した。この測定には以下の二種類の装置を使用した。
・走査型透過電子顕微鏡(STEM):HD-2700(株式会社日立ハイテクノロジーズ製)
・エネルギー分散型蛍光X線分析装置(EDX):Octane T Ultra W 100mm2 SDD(株式会社日立ハイテクノロジーズ製)
実施例1~4及び比較例1に係る積層体における絶縁層とシード層の密着性を90°ピール強度を測定することによって評価した。卓上ピール試験機EZ-SX(島津製作所製)を使用した。以下の条件で測定を行った。表1に結果を示す。
・試験片幅:10mm
・ピール速度:10mm/分
(実施例5)
高周波の伝送損失を評価するため、図5に示す配線基板20と同様の構成の配線基板を作製した。配線基板20は、マイクロストリップ配線を有する配線基板である。すなわち、配線基板20は、表面に導電層Sa(銅層)を有する支持基板Sと、支持基板Sの表面上に設けられた絶縁層11と、絶縁層11の表面上に設けられたシード層12と、シード層12の表面上に設けられたグランド層13(導体部)と、グランド層13の表面上に設けられた導体部15及び絶縁層16と、絶縁層16の表面上に設けられたシード層17及びシグナル層18(導体部)とによって構成されている。シード層12は、グランド層13を形成する際に給電層として使用される。シード層17は、シグナル層18を形成する際に給電層として使用される。配線基板を作製するにあたり、絶縁層11は実施例1と同じ感光性樹脂フィルムを用いて形成した。シグナル層18は、厚さ4μm、幅20μm、長さ10mmとした。シード層12,17を実施例1と同様の方法でそれぞれ形成する工程を経て実施例5に係る配線基板を作製した。
シード層12,17を以下の方法でそれぞれ形成したことの他は実施例5と同様にして比較例2に係る配線基板を作製した。すなわち、工程(1c)において、紫外線照射を実施する代わりに、デスミア処理に使用する薬液を用いて絶縁層の表面を改質(粗面化)したことの他は実施例1と同様にしてシード層12,17を形成した。デスミア処理に使用する薬液による処理は以下のように実施した。まず、膨潤処理のため、スウェラ(Atotech社製、商品名:クリーナーセキュリガント902)40mL/Lに70℃で5分間浸漬した。その後純水に1分間浸漬した。次いで、粗化処理のため、デスミア液(Atotech社製、商品名:コンパクトCP)40mL/Lに70℃で10分間浸漬した。その後純水に1分間浸漬した。その後、純水に25℃で5分間浸漬し、80℃のホットプレートで5分間乾燥させた。比較例2に係る絶縁層表面の算術平均粗さRaは411nmであった。
実施例5及び比較例2に係るマイクロストリップ配線について、ベクトルネットワークアナライザ(ヒューレットパッカード社製)を用いて、高周波(周波数50GHz)の伝送損失を測定した。特性インピーダンスは50Ωとした。比較例2の伝送損失に対して実施例5では伝送損失が22%低減された。
Claims (11)
- (a)樹脂組成物からなる絶縁層に活性エネルギー線を照射する工程と、
(b)前記絶縁層に無電解めっき用の触媒を吸着させる工程と、
(c)前記絶縁層の表面上に無電解めっきによって金属層を形成する工程と、
をこの順序で含み、
(a)工程において、前記活性エネルギー線の照射によって前記絶縁層の表面から深さ方向に20nm以上であり且つ200nm以下の厚さを有し且つ前記絶縁層の表面から連通する空孔を有する改質領域を形成する、配線基板の製造方法。 - (c)工程において、無電解銅めっき液を用いて前記金属層を形成する、請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- (c)工程において、無電解銅ニッケルリンめっき液を用いて前記金属層を形成する、請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- 前記活性エネルギー線が波長254nm以下の紫外線である、請求項1~3のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- (c)工程後において、前記絶縁層の前記表面のうち前記改質領域が形成されている表面の算術平均粗さRaが100nm以下である、請求項1~4のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記金属層のニッケル含有率が0.25~20質量%である、請求項1~5のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 樹脂組成物からなる絶縁層と、
前記絶縁層の表面上に設けられた金属配線と、
を備え、
前記絶縁層が前記表面から深さ方向に厚さ20nm以上であり且つ200nm以下の改質領域を有し、
前記改質領域には前記金属配線に含まれる銅が分散している、配線基板。 - 前記金属配線の一部が無電解めっきによって形成されたものであり、
前記改質領域には、無電解めっき用の触媒が分散している、請求項7に記載の配線基板。 - 前記絶縁層の前記表面のうち前記改質領域が形成されている表面の平均粗さRaが100nm以下である、請求項7又は8に記載の配線基板。
- 前記樹脂組成物が熱硬化性樹脂組成物の硬化物である、請求項7~9のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記樹脂組成物が感光性樹脂組成物の硬化物である、請求項7~10のいずれか一項に記載の配線基板。
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WO2023136084A1 (ja) * | 2022-01-11 | 2023-07-20 | 太陽ホールディングス株式会社 | 基板上における樹脂硬化物の製造方法 |
WO2023161984A1 (ja) * | 2022-02-22 | 2023-08-31 | 株式会社レゾナック | 配線基板用コア基板及びその製造方法、並びに、配線基板及びその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP0060294B1 (en) * | 1980-09-15 | 1985-12-27 | Shipley Company Inc. | Electroless alloy plating |
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JP3527694B2 (ja) * | 2000-08-11 | 2004-05-17 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
JP3941573B2 (ja) | 2002-04-24 | 2007-07-04 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル両面基板の製造方法 |
JP2005005319A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Toyota Motor Corp | 配線形成方法および配線基板 |
JP2005347424A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多層配線板及びその製造方法 |
JP4624217B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2011-02-02 | 日本メクトロン株式会社 | 回路基板の製造方法 |
JP2009010276A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | C Uyemura & Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
CN101472407B (zh) * | 2007-12-25 | 2012-01-25 | 日本特殊陶业株式会社 | 布线基板及其制造方法 |
JP5628496B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-11-19 | 三共化成株式会社 | 三次元成形回路部品の製造方法 |
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