WO2020108143A1 - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板、显示面板及显示装置,阵列基板包括衬底基板(1),衬底基板(1)具有显示区域和包围显示区域的非显示区域,显示区域包括沿第一方向(Y)延伸的多条信号线(2);非显示区域包括至少三条修复引线(3),以及与各修复引线(3)一一对应相连的焊接端子(4),各信号线(2)与至少一条修复引线(3)在衬底基板(1)上的正投影存在交叠区域(C)。通过设置与信号线(2)在衬底基板(1)上的正投影存在交叠区域(C)的修复引线(3),在信号线(2)出现断路时,利用激光将修复引线(3)熔融,使发生断路的信号线(2)连通,不会影响显示面板正常显示,由此实现信号线(2)的修复功能;并且通过设置至少三条修复引线(3),能够提高修复信号线(2)的数量,有利于提高显示良率。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求在2018年11月28日提交中国专利局、申请号为201821979286.2、申请名称为“一种阵列基板、显示面板及显示装置”的中国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等优点,在当前的平板显示器市场中占据了主导地位,广泛应用于台式电脑、笔记本电脑、个人数字助理、手机、电视、监视器等领域。对于TFT-LCD来说,阵列基板的结构及其制造工艺决定了TFT-LCD的产品性能、成品率和价格。
在TFT-LCD的显示面板(Panel)的生产中,阵列基板的阵列(Array)工艺阶段由于各种原因(如过刻,或者存在异物(Particle)等原因),会使阵列基板上的数据线(Data Line)和/或栅极线(Gate Line)出现断路(即Open不良)。阵列基板成盒后切割(Cell Cut)工艺也可能会对Panel边缘(Lead)区域划伤,从而造成Data Line或Gate Line的Lead部分出现Open不良。
因此,本领域技术人员亟需提出一种能够有效解决Data Line或Gate Line的Lead部分出现Open不良的问题的方案。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,用以解决现有 技术中Data Line或Gate Line的Lead部分出现Open不良的问题。
因此,本申请实施例提供了一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板具有显示区域和包围所述显示区域的非显示区域,所述显示区域包括沿第一方向延伸的多条信号线;
所述非显示区域包括至少三条修复引线,以及与各所述修复引线一一对应相连的焊接端子,各所述信号线与至少一条所述修复引线在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域。
可选地,在具体实施时,各所述修复引线包括沿第二方向延伸的部分,所述第二方向和所述第一方向交叉设置;
所述信号线与所述修复引线的沿第二方向延伸的部分在所述衬底基板上的正投影存在所述交叠区域。
可选地,在具体实施时,每一所述修复引线包括一条第一子修复线和多条第二子修复线;
每一所述修复引线中,所述第一子修复线与所述焊接端子相连,各所述第二子修复线与所述第一子修复线在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域,且各所述第二子修复线包括沿第二方向延伸的部分;
在本申请实施例提供的上述阵列基板中,所述信号线分为多组;各组所述信号线与至少一条所述第二子修复线的沿第二方向延伸的部分绝缘搭接。
可选地,在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,所述第二子修复线与其它至少一条所述修复引线的第一子修复线在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域。
可选地,在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,所述第二子修复线与全部所述修复引线的第一子修复线在所述衬底基板上的正投影均存在交叠区域。
可选地,在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,至少一组所述信号线与至少两条所述第二子修复线绝缘搭接。
可选地,在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,与同 一组所述信号线绝缘搭接的所述第二子修复线属于同一所述修复引线;或者,与同一组所述信号线绝缘搭接的所述第二子修复线属于不同所述修复引线。
可选地,在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,所述第一子修复线与所述第二子修复线之间的交叠区域采用电连接或采用绝缘搭接。
可选地,在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,在所述第一子修复线与所述第二子修复线之间的交叠区域采用电连接时,所述第一子修复线与所述第二子修复线位于同一膜层;
在所述第一子修复线与所述第二子修复线之间的交叠区域采用绝缘搭接时,所述第一子修复线与所述第二子修复线位于不同膜层。
可选地,在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,所述焊接端子和所述第一子修复线位于同一膜层,所述第二子修复线和所述信号线位于不同膜层。
可选地,在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,每组所述信号线的数量相同。
可选地,在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,所述信号线包括栅线或数据线。
相应地,本申请实施例还提供了一种显示面板,包括本申请实施例提供的上述任一阵列基板。
相应地,本申请实施例还提供了一种显示装置,包括本申请实施例提供的上述显示面板。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;
图2为本申请另一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;
图3为本申请另一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;
图4为本申请另一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的,技术方案和优点更加清楚,下面结合附图,对本申请实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各层薄膜厚度和形状不反映阵列基板的真实比例,目的只是示意说明本申请内容。
本申请实施例提供的阵列基板,如图1至图4所示,包括衬底基板1,衬底基板1具有显示区域和包围显示区域的非显示区域,图1至图4中仅示意出了部分显示区域和部分非显示区域,显示区域包括沿第一方向Y延伸的多条信号线2;
非显示区域包括至少三条修复引线3,以及与各修复引线3一一对应相连的焊接端子4,各信号线2与至少一条修复引线3在衬底基板1上的正投影存在交叠区域C。
本申请实施例提供的阵列基板包括衬底基板,衬底基板具有显示区域非显示区域,显示区域包括多条信号线;非显示区域包括至少三条修复引线,以及与各修复引线一一对应相连的焊接端子,各信号线与至少一条修复引线在衬底基板上的正投影存在交叠区域。本申请通过设置与信号线在衬底基板上的正投影存在交叠区域的修复引线,在信号线出现断路时,利用激光将修复引线熔融,使发生断路的信号线连通,不会影响显示面板正常显示,由此实现信号线的修复功能;并且本申请通过设置至少三条修复引线,能够提高修复信号线的数量,从而有利于提高显示良率。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,各修复引线3包括沿第二方向X延伸的部分,该第二方向X和第一方向Y交叉设置;具体的,信号线2与所述修复引线3的沿第二方向X延伸的部分在衬底基板1上的正投影存在交叠区域。
本申请实施例提供的阵列基板中,将信号线2与修复引线3沿第二方向X 延伸的部分交叠,有利于缩短修复引线3的长度,减小修复引线3的占地面积,提高修复引线3之间的间距、减小发生短路的概率,可以大大方便修复引线3的布置。
可选的,第一方向Y和第二方向X可以垂直,如图1至图4所示,第一方向Y垂直于衬底基板1的一侧边缘,第二方向X与该边缘平行;即,信号线2垂直于衬底基板1的一个边缘,并与修复引线3中平行于该边缘的部分相交叠。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,图1至图4中的非显示区域均以包括部分沿第二方向X延伸的两条修复引线3为例进行示意说明,但在实际应用中,本申请实施例提供的阵列基板的非显示区域均包括部分沿第二方向X延伸的至少三条修复引线3,其它各修复引线3的结构以及与信号线2之间的关系均与图1至图4中示意出的两条修复引线3的结构相同,在此不做赘述。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,如图1至图4所示,信号线2分为多组信号线;
每一修复引线3包括一条第一子修复线31和多条第二子修复线32;
每一修复引线3中,第一子修复线31与焊接端子4一一对应相连,第一子修复线31与各第二子修复线32在衬底基板1上的正投影存在交叠区域D;
各组信号线2与至少一条第二子修复线32绝缘搭接。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,图1至图4中均以6组信号线、每组包括4条信号线为例进行示意说明,当然具体实施时,可以将阵列基板上的所有信号线划分为多组,每一组的数量根据实际需要进行设定。具体地,如图1和图2所示,每组信号线2仅与一条第二子修复线32绝缘搭接,这样某一组信号线2中出现断路时,可以利用激光将与该组信号线2搭接的第二子修复线32熔融,使发生断路的信号线2连通,实现信号线2的修复功能;由于信号线2与第二子修复线32是绝缘搭接的,因此在信号线2正常时,绝缘搭接的第二子修复线32不会影响显示面板的正常显示功 能。如图3所示,各组信号线2与多条第二子修复线32绝缘搭接,这样在信号线2出现断路的位置较多时,可以通过激光熔融多条第二子修复线32,同时进行多个位置的修复,或在信号线2出现一个位置断路时,可以通过多条第二子修复线32对信号线2的一个断路位置进行修复,这样可以提高信号线2的修复良率。
具体的,例如,本申请实施例提供的阵列基板,可以包括8条修复引线,各修复引线包括15条第二修复线,每条第二修复线搭接48条数据线,这样,则可以对应FHD1920系列产品的数据线修复保障。
需要说明的是,绝缘搭接是指信号线与第二子修复线之间不是电连接,而是通过在信号线与第二子修复线之间设置绝缘层来实现交叠,即只搭接不接触;只有在需要信号线修复的时候,才利用激光熔融绝缘搭接部分以实现电连接,在不需要进行信号线修复时,绝缘搭接不影响正常显示功能。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,如图1至图3所示,第二子修复线32与其它至少一条修复引线3的第一子修复线31在衬底基板1上的正投影存在交叠区域D,‘其它至少一条修复引线’,是指除了该第二子修复线所属的修复引线之外的修复引线。具体地,如图1所示,第二子修复线32仅与一条修复引线3的第一子修复线31在衬底基板1上的正投影存在交叠区域D,这样在信号线2出现断路时,利用激光熔融第二子修复线32与第一子修复线31的交叠区域D,以及第二子修复线32与信号线的交叠区域C,使发生断路的信号线2连通,实现信号线2的修复功能;如图2所示,第二子修复线32与多条修复引线3的第一子修复线31在衬底基板1上的正投影均存在交叠区域D,这样在信号线2出现断路时,可以利用多条第一子修复线31同时对断路的信号线2进行修复,这样可以提高信号线2的修复良率;当然具体实施时,如图3所示,也可以部分第二子修复线32与多条修复引线3的第一子修复线31在衬底基板1上的正投影均存在交叠区域D,部分第二子修复线32仅与一条修复引线3的第一子修复线31在衬底基板1上的正投影存在交叠区域D,在此不做限定。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,如图2所示,第二子修复线32与全部修复引线3的第一子修复线31在衬底基板1上的正投影均存在交叠区域D,这样在信号线2出现断路时,可以利用全部的第一子修复线31同时对断路的信号线2进行修复,这样可以大大提高信号线2的修复良率。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,如图3所示,至少有一组信号线2与至少两条第二子修复线32绝缘搭接。这样当上述一组信号线2中的信号线出现断路时,可以通过至少两条第二子修复线32对同一组的信号线进行修复,进一步提高信号线2的修复良率。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,如图4所示,与同一组信号线2绝缘搭接的第二子修复线32可以属于同一修复引线3;或者,与同一组信号线2绝缘搭接的第二子修复线32也可以属于不同修复引线3。具体地,如图4所示,左侧三组信号线2中,与同一组信号线2绝缘搭接的第二子修复线32全部属于同一修复引线3;右侧三组信号线2中,与同一组信号线2绝缘搭接的第二子修复线32属于不同修复引线3,如右侧每组信号线2中沿第一方向Y上,最上面一条第二子修复线32属于同一修复引线3,下面三条第二子修复线32属于不同的修复引线3。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,如图3所示,与同一组信号线2绝缘搭接的第二子修复线32中,至少部分第二子修复线32可以与其它至少一条修复引线3的第一子修复线31在衬底基板1上的正投影存在交叠区域D,‘其它至少一条修复引线’,是指除了该第二子修复线所属的修复引线之外的修复引线。当然,具体实施时,也可以是与同一组信号线2绝缘搭接的全部第二子修复线32与其它至少一条修复引线3的第一子修复线31在衬底基板1上的正投影存在交叠区域D。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,如图1-4所示,第一子修复线31与第二子修复线32之间的交叠区域D可以采用电连接或采用绝缘搭接。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,如图1-4所示,在第一子修复线31与第二子修复线32之间的交叠区域D采用电连接时,第一子修复线31与第二子修复线32可以位于同一膜层;这样可以通过一次构图工艺制备第一子修复线31与第二子修复线32;在第一子修复线31与第二子修复线32之间的交叠区域D采用绝缘搭接时,第一子修复线31与第二子修复线32可以位于不同膜层。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,如图1-4所示,焊接端子4和第一子修复线31位于同一膜层,这样可以通过一次构图工艺制备焊接端子4和第一子修复线31;第二子修复线32和信号线2位于不同膜层,具体地,第二子修复线32和信号线2之间设置绝缘层。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,如图1-4所示,为了统一制作工艺,每组信号线2的数量相同。当然,每组信号线2的数量也可以不相同,在此不做限定。
在具体实施时,在本申请实施例提供的上述阵列基板中,信号线可以包括栅线或数据线。如图1-4所示,本申请实施例中是以数据线为例进行说明的,当然也可以是栅线,栅线的修复原理与数据线的修复原理相同,在此不做赘述。
基于同一申请构思,本申请实施例还提供了一种显示面板,包括本申请实施例提供的上述任一种阵列基板。该显示面板解决问题的原理与前述阵列基板相似,因此该显示面板的实施可以参见前述阵列基板的实施,重复之处在此不再赘述。
基于同一申请构思,本申请实施例还提供了一种显示装置,包括本申请实施例提供的上述显示面板。该显示装置解决问题的原理与前述显示面板相似,因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施,重复之处在此不再赘述。
本申请实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置,该阵列基板包括衬底基板,衬底基板具有显示区域和包围显示区域的非显示区域,显示区域 包括沿第一方向延伸的多条信号线;非显示区域包括至少三条修复引线,以及与各修复引线一一对应相连的焊接端子,各信号线与至少一条修复引线在衬底基板上的正投影存在交叠区域。本申请通过设置与信号线在衬底基板上的正投影存在交叠区域的修复引线,在信号线出现断路时,利用激光将修复引线熔融,使发生断路的信号线连通,不会影响显示面板正常显示,由此实现信号线的修复功能;并且本申请通过设置至少三条修复引线,能够提高修复信号线的数量,从而有利于提高显示良率。
显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

  1. 一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板具有显示区域和包围所述显示区域的非显示区域,所述显示区域包括沿第一方向延伸的多条信号线;
    所述非显示区域包括至少三条修复引线,以及与各所述修复引线一一对应相连的焊接端子,各所述信号线与至少一条所述修复引线在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域。
  2. 如权利要求1所述的阵列基板,其中,各所述修复引线包括沿第二方向延伸的部分,所述第二方向和所述第一方向交叉设置;
    所述信号线与所述修复引线的沿第二方向延伸的部分在所述衬底基板上的正投影存在所述交叠区域。
  3. 如权利要求2所述的阵列基板,其中,
    每一所述修复引线包括一条第一子修复线和多条第二子修复线;
    每一所述修复引线中,所述第一子修复线与所述焊接端子相连,各所述第二子修复线与所述第一子修复线在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域,且各所述第二子修复线包括沿第二方向延伸的部分;
    所述信号线分为多组;各组所述信号线与至少一条所述第二子修复线的沿第二方向延伸的部分绝缘搭接。
  4. 如权利要求3所述的阵列基板,其中,所述第二子修复线与其它至少一条所述修复引线的第一子修复线在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域。
  5. 如权利要求4所述的阵列基板,其中,所述第二子修复线与全部所述修复引线的第一子修复线在所述衬底基板上的正投影均存在交叠区域。
  6. 如权利要求3所述的阵列基板,其中,至少一组所述信号线与至少两条所述第二子修复线绝缘搭接。
  7. 如权利要求6所述的阵列基板,其中,与同一组所述信号线绝缘搭接的所述第二子修复线属于同一所述修复引线;或者,与同一组所述信号线绝缘搭接的所述第二子修复线属于不同所述修复引线。
  8. 如权利要求3所述的阵列基板,其中,所述第一子修复线与所述第二子修复线之间的交叠区域采用电连接或采用绝缘搭接。
  9. 如权利要求8所述的阵列基板,其中,在所述第一子修复线与所述第二子修复线之间的交叠区域采用电连接时,所述第一子修复线与所述第二子修复线位于同一膜层;
    在所述第一子修复线与所述第二子修复线之间的交叠区域采用绝缘搭接时,所述第一子修复线与所述第二子修复线位于不同膜层。
  10. 如权利要求3所述的阵列基板,其中,所述焊接端子和所述第一子修复线位于同一膜层,所述第二子修复线和所述信号线位于不同膜层。
  11. 如权利要求3-10任一项所述的阵列基板,其中,每组所述信号线的数量相同。
  12. 如权利要求1-10任一项所述的阵列基板,其中,所述信号线包括栅线或数据线。
  13. 一种显示面板,包括如权利要求1-12任一项所述的阵列基板。
  14. 一种显示装置,包括如权利要求13所述的显示面板。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN208937877U (zh) * 2018-11-28 2019-06-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN114488635A (zh) * 2020-11-13 2022-05-13 上海和辉光电股份有限公司 一种断线修复方法以及显示面板
CN113777836B (zh) * 2021-09-10 2023-10-31 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010005221A (ko) * 1999-06-30 2001-01-15 윤종용 수리선을 가지는 액정 표시 장치 및 그 수리 방법
CN101216643A (zh) * 2007-12-26 2008-07-09 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置阵列基板、其修补方法及液晶显示装置
CN101644838A (zh) * 2009-09-03 2010-02-10 上海广电光电子有限公司 液晶面板修复线结构
CN103869513A (zh) * 2014-03-31 2014-06-18 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板及其线修复方法
US20150054165A1 (en) * 2013-08-21 2015-02-26 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and liquid crystal display including the same
CN105044948A (zh) * 2015-09-10 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其修复方法、显示面板
CN208937877U (zh) * 2018-11-28 2019-06-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100580392B1 (ko) * 1998-12-14 2006-11-30 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP4583052B2 (ja) * 2004-03-03 2010-11-17 株式会社 日立ディスプレイズ アクティブマトリクス型表示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010005221A (ko) * 1999-06-30 2001-01-15 윤종용 수리선을 가지는 액정 표시 장치 및 그 수리 방법
CN101216643A (zh) * 2007-12-26 2008-07-09 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置阵列基板、其修补方法及液晶显示装置
CN101644838A (zh) * 2009-09-03 2010-02-10 上海广电光电子有限公司 液晶面板修复线结构
US20150054165A1 (en) * 2013-08-21 2015-02-26 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and liquid crystal display including the same
CN103869513A (zh) * 2014-03-31 2014-06-18 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板及其线修复方法
CN105044948A (zh) * 2015-09-10 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其修复方法、显示面板
CN208937877U (zh) * 2018-11-28 2019-06-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

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