WO2020080539A1

WO2020080539A1 - 光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュール

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Publication number: WO2020080539A1
Application number: PCT/JP2019/041184
Authority: WO
Inventors: 明彦北川; 将山▲崎▼
Original assignee: 京セラ株式会社
Priority date: 2018-10-19
Filing date: 2019-10-18
Publication date: 2020-04-23
Also published as: EP3869639A4; EP3869639A1; JPWO2020080539A1; US20210359492A1; CN112868147A; JP7150044B2

Abstract

光素子から光学部品に加わる発熱の影響を低減できる光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュールを提供する。光素子搭載用パッケージ（１０１）及び電子装置（１００）は、光素子（１０２）が搭載可能な第１搭載部（１１３ａ）並びに光学部品（１０３）が搭載可能な第２搭載部（１１３ｂ）を含んだ凹部（１１１）を有する基体（１１０）を備える。基体（１１０）は、第１搭載部（１１３ａ）を挟んで第２搭載部（１１３ｂ）の反対側に位置する放熱部（１２０）を、更に有する。

Description

光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュール

　本開示は、光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュールに関する。

　以前より、ＴＯ（Transistor Outline）－ＣＡＮ型の半導体レーザー装置がある（例えば特開平６－２７５９２０号公報を参照）。

　本開示の光素子搭載用パッケージは、
　光素子が搭載可能な第１搭載部並びに光学部品が搭載可能な第２搭載部を含んだ凹部を有する基体を備え、
　前記基体は、
　前記第１搭載部を挟んで前記第２搭載部の反対側に位置する放熱部を、更に有する。

　本開示の電子装置は、上記の光素子搭載用パッケージと、
　前記第１搭載部に搭載された光素子と、
　前記第２搭載部に搭載された光学部品と、
　前記光素子搭載用パッケージに接合された蓋体と、
　を備える構成が採用される。

　本開示の電子モジュールは、上記の電子装置と、
　前記電子装置が搭載されたモジュール用基板と、
　を備える構成が採用される。

　本開示によれば、光素子から光学部品に加わる発熱の影響を低減できる光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュールを提供することができる。

実施形態１に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す縦断面図である。実施形態１に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す平面図である。実施形態１に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置の放熱作用を説明する図である。実施形態２に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す断面図である。実施形態２に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す平面図である。実施形態３に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す縦断面図である。実施形態３に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す平面図である。実施形態３に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置の放熱作用を説明する図である。実施形態４に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す縦断面図である。実施形態４に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す平面図である。実施形態５に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す縦断面図である。実施形態５に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す平面図である。実施形態６に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す縦断面図である。実施形態６に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す平面図である。実施形態７に係る光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュールを示す縦断面図である。実施形態８に係る光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュールを示す縦断面図である。実施形態に係る電子モジュールの第１例を示す縦断面図である。実施形態に係る電子モジュールの第２例の縦断面図である。実施形態に係る電子モジュールの第２例の光素子搭載用パッケージの下面図である。実施形態に係る電子モジュールの第３例の縦断面図である。実施形態に係る電子モジュールの第３例の光素子搭載用パッケージの左側面図である。実施形態９に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す縦断面図である。実施形態９に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す平面図である。実施形態９に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置の放熱作用を説明する図である。実施形態１０に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す縦断面図である。実施形態１０に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す平面図である。実施形態１０の光素子搭載用パッケージ及び電子装置の変形例を示す平面図である。実施形態１１に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す縦断面図である。実施形態１１に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す平面図である。実施形態１１の光素子搭載用パッケージ及び電子装置の変形例を示す平面図である。実施形態１２に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す縦断面図である。実施形態１２に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す平面図である。実施形態の電子モジュールの第１例を示す縦断面である。実施形態の電子モジュールの第２例を示す縦断面である。実施形態の電子モジュールの第３例を示す縦断面である。

　以下、本開示の各実施形態について図面を参照して詳細に説明する。

　（実施形態１）
　図１Ａ及び図１Ｂは、実施形態１に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示し、図１Ａは縦断面図、図１Ｂは平面図である。以下、図面に示したＸＹＺの直交三軸の方向を用いて光素子搭載用パッケージ１０１の各方向を表わすときがある。Ｚ方向は、光素子搭載用パッケージ１０１に設けられた凹部１１１の深さ方向に相当する。また、Ｚ方向を下方、Ｚ方向の逆方を上方、Ｘ軸に沿った方向を前後方向、Ｙ軸に沿った方向を左右方向として、上下、高低、前後及び左右を表わす場合がある。明細書で言う前後左右上下は、電子装置が電子モジュールに組み込まれたときの前後左右上下とは異なっていてもよい。

　＜光素子搭載用パッケージ＞
　実施形態１の光素子搭載用パッケージ１０１は、表面実装型のパッケージであり、凹部１１１及び放熱部１２０を有する基体１１０と、外部と電気的に接続される配線導体１３０ａ、１３０ｂとを備える。

　基体１１０は、上面（第１面）１１０ａと、その反対側の下面（第２面）１１０ｂと、上面１１０ａに開口した凹部１１１とを有する。基体１１０の上面１１０ａには、蓋体１０５が接続可能な封止部１１６が含まれる。基体１１０は、セラミックなどの絶縁体であり、その内部に、凹部１１１内の電極１１４ａ、１１４ｂと、外面の配線導体１３０ａ、１３０ｂとを電気的に結ぶ配線を有してもよい。

　凹部１１１は、側壁の内面と、内底面とに囲まれ、上方が開口している。側壁には、Ｘ方向の一方と他方に配置される前側壁部１１２ａ及び後側壁部１１２ｃと、Ｙ方向の一方と他方に配置される左側壁部１１２ｂ及び右側壁部１１２ｄとが含まれる。内底面には、電気的に駆動される光素子（レーザーダイオードなど）１０２が搭載される第１搭載部１１３ａと、光学部品（ミラーなど）１０３が搭載される第２搭載部１１３ｂと、電極部１１３ｃとが含まれる。第１搭載部１１３ａと第２搭載部１１３ｂとは、Ｚ方向に見たときにＹ方向の位置が互いに異なる。電極部１１３ｃは、特に限定されないが、第１搭載部１１３ａを挟んで第２搭載部１１３ｂの反対側に位置する。電極部１１３ｃには、光素子１０２と電気的に接続される電極１１４ａ、１１４ｂが設けられる。

　基体１１０は、第１搭載部１１３ａを挟んで第２搭載部１１３ｂの反対側の位置に放熱部１２０を有する。ここで、放熱部１２０とは、図１Ａに示すような断面において、第１搭載部１１３ａ側の側壁において、第１搭載部１１３ａ側の内壁から第２搭載部１１３ｂ側の右側壁部１１２ｄの厚み（Ｙ方向の長さ）を超える部分のことである。図１Ａにおいては、第１搭載部１１３ａ側の側壁において、右側壁部１１２ｄの厚みに相当する部分を左側壁部１１２ｂとして示し、右側壁部１１２ｄの厚みを超える部分を、放熱部１２０と示している。

　封止部１１６は、基体１１０の上面１１０ａの一部の領域であり、凹部１１１の開口の周りを環状に囲む。封止部１１６には、蓋体１０５の周縁部が例えば接合剤を介して接合される。実施形態１において、封止部１１６の左端は、放熱部１２０の上面に重なっていてもよい。

　放熱部１２０は、第１搭載部１１３ａの熱を基体１１０の外側へ導くことができ、放熱部１２０を有さない構成と比較して、第１搭載部１１３ａから第２搭載部１１３ｂへ伝導される熱が軽減される。放熱部１２０は、第１搭載部１１３ａを挟んで第２搭載部１１３ｂの反対側の部位において、第２搭載部１１３ｂから第１搭載部１１３ａを向く方向（Ｙ方向）に、基体１１０の左側壁部１１２ｂから突出していると言える。そのため、以下の記載においては、放熱部１２０を突出体１２０と記載する場合がある。

　突出体１２０は、より詳細には、基体１１０の左側壁部（第１側壁部に相当）１１２ｂと一体化され、左側壁部１１２ｂから左方に突出している。左側壁部１１２ｂは、凹部１１１の左内側面から、規定の壁厚と、壁厚の設計バラツキとを加えた厚み（例えば規定の壁厚＋１２０％）の部分に相当する。凹部１１１の左内側面から、左側壁部１１２ｂの壁厚以上に左方に張り出した部分が突出体１２０である。上記の規定の壁厚とは、例えば光素子搭載用パッケージ１０１に要求される耐荷重まで屈しない最低限の厚みに、余裕分の厚みが付加された厚みであってもよい。規定の壁厚は、前側壁部１１２ａ、後側壁部１１２ｃ及び右側壁部１１２ｄにおいて、外界との仕切りとしてのみ機能する部分のうち、最も厚みの小さい壁厚と見なしてもよい。

　突出体１２０は、次の突出量を有する。すなわち、突出体１２０及び左側壁部１１２ｂを合せた部分の最大の厚みＬ１（図１Ｂ）が、側壁のうち最も厚みの小さい壁厚Ｌ２（図１Ｂ）の２倍以上となる突出量である。言い換えれば、左側壁部１１２ｂの内面から突出体１２０の突出側の面までの最大の厚みＬ１は、前側壁部１１２ａ、後側壁部１１２ｃ及び右側壁部１１２ｄのうち最小の壁厚Ｌ２の２倍以上である。

　配線導体１３０ａ、１３０ｂは、特に限定されないが、基体１１０の下面１１０ｂに設けられ、凹部１１１内の電極１１４ａ、１１４ｂと電気的に接続されている。配線導体１３０ａ、１３０ｂの全部又は一部が突出体１２０の下面に位置してもよい。

　＜電子装置＞
　実施形態１の電子装置１００は、図１に示すように、光素子搭載用パッケージ１０１と、光素子１０２と、光学部品１０３と、蓋体１０５と、サブマウント１０６とを有する。

　光素子１０２は、例えばレーザーダイオードであり、サブマウント１０６を介して、基体１１０の第１搭載部１１３ａに搭載される。サブマウント１０６は、光素子１０２と第１搭載部１１３ａとの間に介在する台であり、省略されてもよい。サブマウント１０６は、光素子１０２で発生した熱を拡散させる作用、光素子１０２の光軸の高さを上げる作用、並びに、光素子１０２と基体１１０との熱膨張の差に起因して光素子１０２に生じる応力を緩和する作用を及ぼす。さらに、サブマウント１０６は、光素子１０２の電極と基体１１０の電極１１４ａとの間の電気配線を有する。光素子１０２は、右方の光学部品１０３に向けてレーザー光を出射する向きに搭載される。光素子１０２の２つの電極は、それぞれボンディングワイヤ等の接続部材Ｗ１、Ｗ２を介して電極１１４ａ、１１４ｂにそれぞれ電気的に接続されている。

　光学部品１０３は、例えばミラーであり、基体１１０の第２搭載部１１３ｂに搭載され、基体１１０の上面１１０ａに対して傾斜した反射面１０３ａを有する。光学部品１０３は、光素子１０２から右方へ出射されたレーザー光を、反射面１０３ａにより上方へ反射する。光学部品１０３は、例えばガラス、樹脂又は金属板に反射膜が形成されて構成される。光学部品１０３は、熱により特性が変化する性質を有していていもよい。

　蓋体１０５は、透光性を有する板状の部材であり、その周縁部が接合剤を介して基体１１０の封止部１１６に接合される。蓋体１０５は、凹部１１１を封止する。蓋体１０５は、熱により特性が変化する性質を有していてもよい。実施形態１において、蓋体１０５は突出体１２０の上方まで張り出してもよいし、突出体１２０の上面と蓋体１０５の一部とが接合剤を介して接合されてもよい。

　＜動作説明＞
　図２は、実施形態１に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置の放熱作用を説明する図である。

　電子装置１００の配線導体１３０ａ、１３０ｂを介して光素子１０２に電圧が入力されると、光素子１０２が駆動する。光素子１０２が駆動されると、光素子からレーザー光が出射され、光学部品１０３で反射されかつ蓋体１０５を通過し、電子装置１００の外部へ出射される。

　光素子１０２が駆動すると、光素子１０２が発熱し、熱の大部分は、サブマウント１０６を介して（サブマウント１０６が省略していれば直接に）第１搭載部１１３ａから基体１１０の底部に拡散される。また、熱の一部は、接続部材Ｗ１、Ｗ２と電極部１１３ｃとを介して基体１１０の底部に拡散される。

　光素子搭載用パッケージ１０１は、突出体１２０があることで、第１搭載部１１３ａの左方に大きな熱容量が確保される。このため、第１搭載部１１３ａから基体１１０の底部に拡散された熱は、図２に矢印で示すように、突出体１２０の方へ多く拡散し、拡散後、突出体１２０から電子装置１００の外部へ放出される。つまり、突出体１２０が無い場合と比較して、熱が、基体１１０の底部から第２搭載部１１３ｂを介して光学部品１０３に伝導されてしまうことが抑制される。

　以上のように、実施形態１の光素子搭載用パッケージ１０１及び電子装置１００によれば、基体１１０に光素子１０２と光学部品１０３とが搭載される凹部１１１が設けられることで、表面実装型のパッケージ及び電子装置１００が実現される。表面実装型の光素子搭載用パッケージ１０１及び電子装置１００によれば、これらの外面がモジュール用基板と面同士で接合されることから、小型でも高い放熱性が実現される。さらに、実施形態１の光素子搭載用パッケージ１０１及び電子装置１００によれば、第１搭載部１１３ａの左方に突出体１２０があることで、上述したように、光素子１０２の熱が光学部品１０３に伝導されてしまうことを抑制できる。したがって、光素子１０２からの発熱量が増大しても、光素子１０２の熱が速やかに放出されて、熱により光素子１０２自体の光学的な特性が劣化するといったことが抑制される。さらに、光素子１０２から光学部品１０３に熱が伝わって光学部品１０３が変形し、電子装置１００の光学的な特性が劣化することを抑制できる。これらにより、安定した光学的な特性を維持できる。

　（実施形態２）
　図３Ａ及び図３Ｂは、実施形態２に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示し、図３Ａは縦断面図、図３Ｂは平面図である。

　実施形態２の光素子搭載用パッケージ１０１Ａ及び電子装置１００Ａは、主に、蓋体１０５が搭載される封止部１１６Ａと突出体１２０との位置関係が、実施形態１と異なる。同様の構成要素については、実施形態１と同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。

　光素子搭載用パッケージ１０１Ａは、凹部１１１と封止部１１６Ａと突出体１２０とを有する基体１１０を備える。

　封止部１１６Ａは、突出体１２０の上方に張り出すことなく、基体１１０の上面１１０ａに位置する。封止部１１６Ａは、接合剤又は蓋体１０５が載せられる範囲にメッキがなされることで、あるいは、マーキングがされることで、その位置が識別されてもよい。あるいは、封止部１１６Ａは、仕様書等に、接合剤又は蓋体１０５が載せられる範囲が示されることで、その位置が識別されてもよい。

　突出体１２０は、実施形態１と同様に、左側壁部１１２ｂから左方に突出している。突出体１２０は、Ｚ方向に見て、封止部１１６Ａの外方に位置する。実施形態２の突出体１２０は、実施形態１の突出体１２０の突出量の条件を満たしていてもよいし、満たしていなくてもよい。

　電子装置１００Ａは、光素子搭載用パッケージ１０１Ａと、光素子１０２と、光学部品１０３と、蓋体１０５と、サブマウント１０６とを備える。蓋体１０５は封止部１１６Ａに接合されている。Ｚ方向に見たとき、蓋体１０５と突出体１２０とは離間している。

　以上のように、実施形態２の光素子搭載用パッケージ１０１Ａ及び電子装置１００Ａによれば、実施形態１と同様に、高い放熱性と、光素子１０２から光学部品１０３へ伝わる熱量を低減できるという効果が得られる。さらに、実施形態２では、蓋体１０５が突出体１２０から離間しているので、光素子１０２の熱が、突出体１２０を介して蓋体１０５に伝導されてしまうことを低減できる。よって、蓋体１０５が熱の影響を受けて、光学的な特性が劣化してしまうことを抑制できる。

　（実施形態３）
　図４Ａ及び図４Ｂは、実施形態３に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示し、図４Ａは縦断面図、図４Ｂは平面図である。

　実施形態３の光素子搭載用パッケージ１０１Ｂ及び電子装置１００Ｂは、主に、電極部１１３Ｂｃの構成が、実施形態１、２と異なる。実施形態１、２と同様の構成については、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。

　光素子搭載用パッケージ１０１Ｂは、凹部１１１、封止部１１６Ａ及び突出体１２０を有する基体１１０Ｂと、配線導体１３０ａ、１３０ａとを備える。

　凹部１１１には、第１搭載部１１３ａを挟んで第２搭載部１１３ｂの反対側に位置する段部１１３ｄが含まれる。段部１１３ｄは、第１搭載部１１３ａよりも高く、封止部１１６Ａを含む上面１１０ａより低い。段部１１３ｄの上面の領域が電極部１１３Ｂｃに相当し、電極部１１３Ｂｃに電極１１４ａ、１１４ｂが設けられている。

　実施形態３に係る電子装置１００Ｂは、光素子搭載用パッケージ１０１Ｂと、光素子１０２と、光学部品１０３と、蓋体１０５と、サブマウント１０６とを備える。光素子１０２又はサブマウント１０６は、段部１１３ｄと、同程度の高さを有する。光素子１０２の電極は、ボンディングワイヤ等の接続部材Ｗ１、Ｗ２を介して段部１１３ｄの電極１１４ａ、１１４ｂと電気的に接続される。

　＜動作説明＞
　図５は、実施形態３に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置の放熱作用を説明する図である。

　光素子１０２が発熱すると、熱の一部は、サブマウント１０６を介して（サブマウント１０６が省略していれば直接に）第１搭載部１１３ａから基体１１０Ｂの底部に拡散される。また、熱の一部は、接続部材Ｗ１、Ｗ２と電極部１１３Ｂｃとを介して基体１１０Ｂの段部１１３ｄに拡散される。一方、基体１１０Ｂは左側に熱容量の大きな突出体１２０を含むことで、段部１１３ｄと基体１１０Ｂの底部に拡散された熱は、突出体１２０へ多く伝導され、第２搭載部１１３ｂの方へ伝導する量が低減される。したがって、光素子１０２の熱が光学部品１０３に伝導させてしまうことが低減される。

　以上のように、実施形態３の光素子搭載用パッケージ１０１Ｂ及び電子装置１００Ｂによれば、実施形態１と同様に、高い放熱性と、光素子１０２から光学部品１０３へ伝わる熱量を低減できるという効果が得られる。さらに、実施形態３では、接続部材Ｗ１、Ｗ１から熱が伝わる電極部１１３Ｂｃが段部１１３ｄの上に設けられている。よって、電極部１１３Ｂｃから第２搭載部１１３ｂへ熱が伝導してしまうことをより低減できる。したがって、光素子１０２の発熱量が大きくても、熱により光素子１０２及び光学部品１０３の光学的な特性が劣化するといったことをより抑制することができる。

　（実施形態４）
　図６Ａ及び図６Ｂは、実施形態４に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示し、図６Ａは縦断面図、図６Ｂは平面図である。

　実施形態４の光素子搭載用パッケージ１０１Ｃ及び電子装置１００Ｃは、主に、配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂの配置が、実施形態３と異なる。実施形態３と同様の構成については、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。

　光素子搭載用パッケージ１０１Ｃは、凹部１１１、封止部１１６Ａ及び突出体１２０を有する基体１１０Ｂと、配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃａとを備える。

　配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂは、面状又は板状の導体であり、突出体１２０の上面に設けられている。配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂは、凹部１１１内の電極１１４ａ、１１４ｂと電気的に接続された導体であってもよいし、電流を流さないダミーの配線導体であってもよい。配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂがダミーの配線導体の場合、基体１１０Ｂの他の部位の外面に、別の配線導体が設けられ、これらに凹部１１１内の電極１１４ａ、１１４ｂが電気的に接続されていてもよい。

　封止部１１６Ａは、配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂよりも右方に設けられ、配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂと重ならない。

　電子装置１００Ｃは、光素子搭載用パッケージ１０１Ｃと、光素子１０２と、光学部品１０３と、蓋体１０５と、サブマウント１０６とを備える。蓋体１０５は封止部１１６Ａに接合されている。Ｚ方向に見たとき、蓋体１０５と配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂとは重ならない。

　以上のように、実施形態４の光素子搭載用パッケージ１０１Ｃ及び電子装置１００Ｃによれば、実施形態１と同様に、高い放熱性と、光素子１０２から光学部品１０３へ伝わる熱量を低減できるという効果が得られる。さらに、実施形態４では、突出体１２０に配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂが設けられていることで、突出体１２０に伝導された熱を、配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂから外部へ効率的に放出でき、突出体１２０に熱が蓄積されてしまうことを抑制できる。例えば、配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂがモジュール用基板の接続パッドに接合されれば、モジュール用基板へ熱を放出でき、配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂにヒートシンクが接合されれば、ヒートシンクへ熱を放出できる。また、配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂに何も接続されなくても、放射等により熱を効率的に放出できる。よって、光素子１０２及び光学部品１０３に対する光素子１０２の発熱の影響がより低減され、電子装置１００Ｃの光学的な特性をより安定的に維持できる。

　（実施形態５）
　図７Ａ及び図７Ｂは、実施形態５に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示し、図７Ａは縦断面図、図７Ｂは平面図である。

　実施形態５の光素子搭載用パッケージ１０１Ｄ及び電子装置１００Ｄは、基体１１０Ｄ及び基体１１０Ｄに含まれる突出体１２０Ｄの一部の素材を変更したところが、実施形態３と異なる。実施形態３と同様の構成要素については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

　光素子搭載用パッケージ１０１Ｄは、凹部１１１、封止部１１６Ａ及び突出体１２０Ｄを有する基体１１０Ｄと、配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃａとを備える。

　基体１１０Ｄは、高放熱材料である例えば銅、アルミなどの金属もしくはこれらを主成分とする合金から構成される金属部１１０Ｄａ、１２０Ｄａと、セラミックなどの絶縁体から構成される絶縁部１１０Ｄｂ、１２０Ｄｂとを有する。金属部１１０Ｄａ、１２０Ｄａは、基体１１０Ｄ及び基体１１０Ｄに含まれる突出体１２０Ｄの下部を占める。金属部１１０Ｄａ、１２０Ｄａより上方を絶縁部１１０Ｄｂ、１２０Ｄｂが占める。金属部１１０Ｄａ、１２０Ｄａは凹部１１１の内底面の高さから下方を占め、第１搭載部１１３ａ及び第２搭載部１１３ｂは、搭載面に金属部分が露出していてもよく、更に表面がめっきされていてもよい。基体１１０Ｄのその他の形態は、実施形態３と同様である。

　電子装置１００Ｄは、光素子搭載用パッケージ１０１Ｄと、光素子１０２と、光学部品１０３と、蓋体１０５と、サブマウント１０６とを有する。光素子１０２は、サブマウント１０６を介して、金属部分が露出した第１搭載部１１３ａに搭載される。光学部品１０３は、金属部分が露出した第２搭載部１１３ｂに搭載される。なお、第１搭載部１１３ａ及び第２搭載部１１３ｂの表面にめっきを有していてもよい。

　以上のように、実施形態５の光素子搭載用パッケージ１０１Ｄ及び電子装置１００Ｄによれば、実施形態１と同様に、高い放熱性と、光素子１０２から光学部品１０３へ伝わる熱量を低減できるという効果が得られる。さらに、実施形態５では、金属部１１０Ｄａ、１２０Ｄａによって、基体１１０Ｄ及び基体１１０Ｄに含まれる突出体１２０Ｄの熱容量と放熱量が増す。したがって、光素子１０２の発熱に起因する、電子装置１００Ｄの全体の温度上昇が抑制される。よって、光素子１０２及び光学部品１０３に対する光素子１０２の発熱の影響がより低減され、光学的な特性をより安定的に維持できる。

　（実施形態６）
　図８Ａ及び図８Ｂは、実施形態６に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示し、図８Ａは縦断面図、図８Ｂは平面図である。

　実施形態６の光素子搭載用パッケージ１０１Ｅ及び電子装置１００Ｅは、第２搭載部１１３Ｅｂの形態と、基体１１０Ｅ及び基体１１０Ｅに含まれる突出体１２０Ｅの一部の素材を変更したところが、実施形態３と異なる。同様の構成要素については、実施形態３と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

　光素子搭載用パッケージ１０１Ｅは、凹部１１１、封止部１１６Ａ及び突出体１２０Ｅを有する基体１１０Ｅと、配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂとを備える。凹部１１１には、光学部品１０３Ｅが搭載される第２搭載部１１３Ｅｂが含まれる。第２搭載部１１３Ｅｂは、第１搭載部１１３ａより離れるほど、基体１１０Ｅの上面１１０ａに近づくように傾斜している。

　基体１１０Ｅは、高放熱材料である例えば銅、アルミなどの金属もしくはこれらを主成分とする合金から構成される金属部１１０Ｅａ、１２０Ｅａと、セラミックなどの絶縁体から構成される絶縁部１１０Ｅｂ、１２０Ｅｂとを有する。金属部１１０Ｅａ、１２０Ｅａは、基体１１０Ｅ及び基体１１０Ｅに含まれる突出体１２０Ｅの下部を占める。金属部１１０Ｅａ、１２０Ｅａより上方を絶縁部１１０Ｅｂ、１２０Ｅｂが占める。金属部１１０Ｅａ、１２０Ｅａは、第２搭載部１１３Ｅｂの傾斜の上端で、かつ、段部１１３ｄの上面より低い位置から、下方の部分を占める。

　電子装置１００Ｅは、光素子搭載用パッケージ１０１Ｅと、光素子１０２と、光学部品１０３Ｅと、蓋体１０５と、サブマウント１０６とを有する。光学部品１０３Ｅは、板状のミラーであり、光素子１０２から右方に出射されたレーザー光を上方に反射する。光学部品１０３Ｅは、例えばガラス、樹脂又は金属板に反射膜が形成されて構成される。光素子１０２は、サブマウント１０６を介して、金属部分が露出した第１搭載部１１３ａに搭載される。光学部品１０３Ｅは、金属部分が露出した第２搭載部１１３Ｅｂに搭載される。なお、第１搭載部１１３ａ及び第２搭載部１１３Ｅｂの表面にめっきを有していてもよい。

　以上のように、実施形態６の光素子搭載用パッケージ１０１Ｅ及び電子装置１００Ｅによれば、実施形態１と同様に、高い放熱性と、光素子１０２から光学部品１０３Ｅへ伝わる熱量を低減できるという効果が得られる。さらに、実施形態６では、光学部品１０３Ｅを小型化し、電子装置１００ＥのＹ方向の寸法の縮小を図れるという効果が得られる。光学部品１０３Ｅを小型化した場合、光学部品１０３Ｅへの熱の拡散量が比較的に少なくても、光学部品１０３Ｅの温度変化は大きくなる。しかし、実施形態６の構成によれば、金属部１１０Ｅａ、１２０Ｅａによって、基体１１０Ｅ及び基体１１０Ｅに含まれる突出体１２０Ｅの熱容量と放熱量が増す。よって、光素子１０２の発熱に起因した電子装置１００Ｅの全体の温度上昇が抑制され、光学部品１０３Ｅへの熱の拡散量をより低減できる。したがって、光学部品１０３Ｅを小型化しても、光学的な特性を安定的に維持できる。

　（実施形態７）
　図９は、実施形態７に係る光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュールを示す縦断面図である。

　実施形態７の光素子搭載用パッケージ１０１Ｆ及び電子装置１００Ｆは、突出体１２０Ｆの形態が異なるところが、主に実施形態３と異なる。同一の構成要素については、実施形態３と同一符号を付して詳細な説明を省略する。

　光素子搭載用パッケージ１０１Ｆは、凹部１１１、封止部１１６Ａ及び突出体１２０Ｆを有する基体１１０Ｂと、配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂとを備える。突出体１２０Ｆは、左側壁部１１２ｂから左方に突出している。突出体１２０Ｆと左側壁部１１２ｂとの間には、段差Ｄ１が設けられている。段差Ｄ１は、基体１０１Ｂの上面１１０ａに位置し、突出体１２０Ｆの上面が、突出体１２０Ｆ以外の部分の上面よりも低い。なお、突出体１２０Ｆの前面と基体１１０Ｂの突出体１２０Ｆ以外の部分の前面との間、突出体１２０Ｆの後面と基体１１０Ｂの突出体１２０Ｆ以外の部分の後面との間にも、同様の段差が設けられていてもよい。

　配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂは、段差Ｄ１だけ低い突出体１２０Ｆの上面に設けられている。

　電子装置１００Ｆは、光素子搭載用パッケージ１０１Ｆと、光素子１０２と、光学部品１０３と、蓋体１０５と、サブマウント１０６とを有する。

　実施形態７の光素子搭載用パッケージ１０１Ｆ及び電子装置１００Ｆによれば、実施形態３の作用効果に加えて、モジュール用基板２１０に電子装置１００Ｆを実装する際、段差Ｄ１を利用して、蓋体から出射される光を遮蔽しないように、電子装置１００Ｆを容易に位置決めできるという利点がある。

　（実施形態８）
　図１０は、実施形態８に係る光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュールを示す縦断面図である。

　実施形態８の光素子搭載用パッケージ１０１Ｇ及び電子装置１００Ｇは、突出体１２０Ｇの形態が異なるところが、主に実施形態３と異なる。同一の構成要素については、実施形態３と同一符号を付して詳細な説明を省略する。

　光素子搭載用パッケージ１０１Ｇは、凹部１１１、封止部１１６Ａ及び突出体１２０Ｇを有する基体１１０Ｂと、配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂとを備える。突出体１２０Ｇは、左側壁部１１２ｂから左方に突出している。突出体１２０Ｇと左側壁部１１２ｂとの接続部には、段差Ｄ２が設けられている。段差Ｄ２は、基体１１０Ｂの上面１１０ａに位置し、突出体１２０Ｇの上面が、突出体１２０Ｇ以外の部分の上面よりも高い。なお、突出体１２０Ｇの前面と基体１１０Ｂの突出体１２０Ｇ以外の部分の前面との間、突出体１２０Ｇの後面と基体１１０Ｂの突出体１２０Ｇ以外の部分の後面との間にも、同様の段差が設けられていてもよい。

　配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂは、段差Ｄ２だけ高い突出体１２０Ｇの上面に設けられている。

　電子装置１００Ｇは、光素子搭載用パッケージ１０１Ｇと、光素子１０２と、光学部品１０３と、蓋体１０５と、サブマウント１０６とを有する。

　実施形態８の光素子搭載用パッケージ１０１Ｇ及び電子装置１００Ｇによれば、実施形態３の作用効果に加えて、モジュール用基板２１０に電子装置１００Ｇを実装する際、段差Ｄ２を利用して、基板面と電子装置１００Ｇとの間隔を広げることができる。よって、例えば、蓋体１０５が基板面に接触してしまうことを防止して、電子装置１００Ｇの実装の信頼性を高めることができる。

　（電子モジュール）
　＜第１例＞
　図１１は、実施形態に係る電子モジュールの第１例を示す縦断面図である。

　図１１の電子モジュール２００は、実施形態４の電子装置１００Ｃと、モジュール用基板２１０とを備える。モジュール用基板２１０には、電子装置１００Ｃ以外の電子装置、電子素子、電気素子などが実装されていてもよい。

　電子装置１００Ｃは、その上面がモジュール用基板２１０の板面に対向する向きで、モジュール用基板２１０に実装される。モジュール用基板２１０は、光を出力する貫通孔２１２を有し、貫通孔２１２に蓋体１０５の上面部が位置する。配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂは、モジュール用基板２１０の接続パッド２１５ａ、２１５ｂに半田等の接合材２２０を介して接合される。

　図１１の電子装置１００Ｃは、さらに、下面にダミーの配線導体１３１が設けられている。電子モジュール２００は、さらに、配線導体１３１に半田等の接合材２２２を介して接続されたヒートシンク２３０を有する。

　第１例の電子モジュール２００において電子装置１００Ｃは、突出体１２０Ｄ～１２０Ｇの上面上にダミーでない配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂが設けられた実施形態５～７の電子装置１００Ｄ～１００Ｇに変更可能である。

　実施形態５、６の電子装置１００Ｄ、１００Ｅが適用された場合、下部が金属なので、下面にはダミーの配線導体１３１を設けず、基体１１０Ｄ、１１０Ｅ及び基体１１０Ｄ、１１０Ｅに含まれる突出体１２０Ｄ、１２０Ｅの下面に接合材２２２を介してヒートシンク２３０が接合されてもよい。

　実施形態７の電子装置１００Ｆが適用された場合、図９に示したように、モジュール用基板２１０の貫通孔２１２には、蓋体１０５及び基体１１０Ｂの上端部が位置する。この構成によれば、電子装置１００Ｆを実装する際、電子装置１００Ｆの上部を貫通孔２１２に挿入して、電子装置１００Ｆを容易に位置決めできるという効果が奏される。

　実施形態８の電子装置１００Ｇが適用された場合、図１０に示したように、モジュール用基板２１０の貫通孔２１２に、蓋体１０５が進入しない高さで、電子装置１００Ｇが実装される。この構成によれば、蓋体１０５がモジュール用基板２１０と接触することを抑制でき、実装の信頼性を向上できる。また、貫通孔２１２を蓋体１０５より小さくすることができる。

　＜第２例＞
　図１２Ａ及び図１２Ｂは、実施形態に係る電子モジュールの第２例を示すもので、図１２Ａは縦断面図、図１２Ｂは光素子搭載用パッケージの下面図である。

　図１２Ａの電子モジュール２００Ｌは、実施形態３の電子装置１００Ｂと、モジュール用基板２１０Ｌとを備える。

　電子装置１００Ｂは、下面がモジュール用基板２１０Ｌの板面に対向する向きで、モジュール用基板２１０Ｌに実装される。電子装置１００Ｂの配線導体１３０ａ、１３０ｂは、モジュール用基板２１０Ｌの接続パッド２１５ａ、２１５ｂに半田等の接合材２２４を介して接合されている。

　電子装置１００Ｂは、図１２Ｂに示すように、下面に、更に、ダミーの配線導体１３０ｃが設けられていてもよい。そして、ダミーの配線導体１３０ｃは、モジュール用基板２１０Ｌのグラウンド等の接続パッド２１５ｃに半田等の接合材２２４を介して接合されていてもよい。

　第２例の電子モジュール２００Ｌにおいて電子装置１００Ｂは、配線導体１３０ａ、１３０ｂを下面に有する実施形態１、２の電子装置１００、１００Ａに変更可能である。また、実施形態４、７、８の電子装置１００Ｃ、１００Ｆ、１００Ｇにおいても、突出体１２０、１２０Ｆ、１２０Ｇの上面の配線導体１３０Ｃａ、１３０Ｃｂがダミーであるなど、光素子１０２に電気的に接続された配線導体１３０ａ、１３０ｂが下面にあれば、電子装置１００Ｂに替えて適用可能である。

　＜第３例＞
　図１３Ａ及び図１３Ｂは、実施形態に係る電子モジュールの第３例を示すもので、図１３Ａは縦断面図、図１３Ｂは光素子搭載用パッケージの左側面図である。

　図１３Ａの電子モジュール２００Ｍは、実施形態３の電子装置１００Ｂと、モジュール用基板２１０Ｍとを備える。ただし、図１３Ｂに示すように、電子装置１００Ｂにおいて、光素子１０２と電気的に接続される配線導体１３０ａ、１３０ｂは、突出体１２０の左端面に設けられている。

　電子装置１００Ｂは、突出体１２０の左端面がモジュール用基板２１０Ｍの板面に対向する向きで、モジュール用基板２１０Ｍに実装される。電子装置１００Ｂの配線導体１３０ａ、１３０ｂは、モジュール用基板２１０Ｍの接続パッド２１５ａ、２１５ｂに半田等の接合材２２４を介して接合されている。

　第３例の電子モジュール２００Ｍにおいて電子装置１００Ｂは、実施形態１、２、４～８の電子装置１００、１００Ａ、１００Ｃ～１００Ｇに変更可能である。ただし、実施形態１、２、４～８の電子装置１００、１００Ａ、１００Ｃ～１００Ｇにおいても、光素子１０２と電気的に接続された配線導体１３０ａ、１３０ｂが、左端面に設けられている構成に限られる。

　以上のような電子モジュール２００、２００Ｌ、２００Ｍによれば、光学的な特性の安定した光モジュールを提供できる。

　＜光素子搭載用パッケージの製造方法１＞
　以下、実施形態１の光素子搭載用パッケージ１０１についての製造方法を示す。実施形態２～４、７、８の光素子搭載用パッケージ１０１Ａ～１０１Ｃ、１０１Ｆ、１０１Ｇについても、同様の製造方法を適用できる。

　突出体１２０を含む基体１１０は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス）、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体又はガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。基体１１０の主成分が酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）である酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、Ａｌ_２Ｏ_３の粉末に焼結助材としてシリカ（ＳｉＯ_２）、マグネシア（ＭｇＯ）、カルシア（ＣａＯ）等の粉末を添加し、さらに適当なバインダー、溶剤及び可塑剤を添加し、次にこれらの混合物を混錬してスラリー状となす。その後、従来周知のドクターブレード法等の成形方法によって多数個取り用のセラミックグリーンシートを得る。

　このセラミックグリーンシートを用いて、以下の［１］～［５］の工程により光素子搭載用パッケージ１０１が作製される。

　［１］凹部１１１となる部位の打ち抜き金型を用いた打ち抜き工程。なお、封止部１１６を含む基体１１０の上面１１０ａは、セラミックグリーンシートに治具等を押し当てることにより形成してもよい。

　［２］基体１１０に電極１１４ａ、１１４ｂ、配線導体１３０ａ、１３０ｂをそれぞれ形成するための導体ペーストの印刷塗布及び充填工程。

　［３］各絶縁層となるセラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層体を作製する工程、又は［１］の工程を省き、凹部１１１及び突出体１２０を有する基体１１０の形状に成形可能な金型を用いてセラミックグリーンシートを加圧し、成型体を作製する工程。

　［４］このセラミックグリーンシート積層体を約１５００～１８００℃の温度で焼成して、電極１１４ａ、１１４ｂ、配線導体１３０ａ、１３０ｂを含む基体１１０が複数配列された多数個取り基板を得る工程。

　［５］焼成して得られた多数個取り基板に光素子搭載用パッケージ１０１の外縁となる箇所に沿って分割溝を形成しておき、この分割溝に沿って破断させて分割する、又はスライシング法等により光素子搭載用パッケージ１０１の外縁となる箇所に沿って切断する工程。

　なお、分割溝は、焼成後にスライシング装置により多数個取り基板の厚みより小さく切り込むことによって形成することができるが、多数個取り基板用のセラミックグリーンシート積層体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置によりセラミックグリーンシート積層体の厚みより小さく切り込んだりすることにより形成してもよい。

　また、上述の［２］の工程において、配線導体１３０ａ、１３０ｂは、基体１１０用のセラミックグリーンシートに導体ペーストをスクリーン印刷法等によって所定形状で印刷して、基体１１０用のセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、複数の基体１１０のそれぞれの所定位置に形成される。セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通する内部の配線は、導体ペーストを印刷することによってセラミックグリーンシートに形成した貫通孔を充填しておけばよい。このような導体ペーストは、タングステン、モリブデン、マンガン、銀又は銅等の金属粉末に適当な溶剤及びバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、導体ペーストは、基体１１０との接合強度を高めるために、ガラス、セラミックスを含んでいても構わない。

　また、電極１１４ａ、１１４ｂ及び配線導体１３０ａ、１３０ｂの露出した表面に、厚さ０．５～５μｍのニッケルめっき層及び厚さ０．１～３μｍの金めっき層を順次被着させるか、又は厚さ１～１０μｍのニッケルめっき層及び０．１～１μｍの銀めっき層を順次被着させるのがよい。これによって、電極１１４ａ、１１４ｂ及び配線導体１３０ａ、１３０ｂが腐食することを効果的に抑制できるとともに、電極１１４ａ、１１４ｂと接続部材Ｗ１、Ｗ２との接合、並びに、配線導体１３０ａ、１３０ｂとモジュール用基板２１０の接続パッド２１５ａ、２１５ｂとの接合を強固にできる。

　＜光素子搭載用パッケージの製造方法２＞
　次に、実施形態５、６の光素子搭載用パッケージ１０１Ｄ、１０１Ｅについての製造方法を示す。この製造方法は、突出体１２０Ｄ、１２０Ｅを含む基体１１０Ｄ、１１０Ｅに金属部１１０Ｄａ、１１０Ｅａ、１２０Ｄａ、１２０Ｅａが含まれるところが、上記製造方法と異なる。

　基体１１０Ｄ、１１０Ｅの絶縁部１１０Ｄｂ、１１０Ｅｂ、１２０Ｄｂ、１２０Ｅｂは、上述した製造方法１と同様の方法で作製する。

　一方、基体１１０Ｄ、１１０Ｅの金属部１１０Ｄａ、１１０Ｅａ、１２０Ｄａ、１２０Ｅａは、高放熱材料である銅又はアルミもしくはこれらを主成分とする合金をプレス成形等の周知の技術で作製する。

　これらの後、絶縁部１１０Ｄｂ、１１０Ｅｂ、１２０Ｄｂ、１２０Ｅｂと、金属部１１０Ｄａ、１１０Ｅａ、１２０Ｄａ、１２０Ｅａとを、ロウ付け等により接合することで、光素子搭載用パッケージ１０１Ｄ、１０１Ｅが製造される。

　（実施形態９）
　図１４Ａ及び図１４Ａは、実施形態９に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示し、図１４Ａは縦断面図、図１４Ｂは平面図である。以下、図面に示したＸＹＺの直交三軸の方向を用いて光素子搭載用パッケージ３０１の各方向を表わすときがある。Ｚ方向は、光素子搭載用パッケージ３０１に設けられた凹部３１１の深さ方向に相当する。また、Ｚ方向を下方、Ｚ方向の逆方を上方、Ｘ軸に沿った方向を前後方向、Ｙ軸に沿った方向を左右方向として、上下、高低、前後及び左右を表わす場合がある。明細書で言う前後左右上下は、電子装置が電子モジュールに組み込まれたときの前後左右上下とは異なっていてもよい。

　＜光素子搭載用パッケージ＞
　実施形態９の光素子搭載用パッケージ３０１は、表面実装型のパッケージであり、凹部３１１を有する基体３１０と、基体３１０の外面に設けられた配線導体３３０ａ、３３０ｂとを備える。

　基体３１０は、上側の第１主面３１０ａと、その反対側の第２主面３１０ｂと、第１主面３１０ａに開口した凹部３１１とを有する。第１主面３１０ａの全部又は一部は、蓋体３０５が接合される封止面として機能する。基体３１０は、セラミックなどの絶縁体であり、その内部には、凹部３１１内の電極３１４ａ、３１４ｂと、外面の配線導体３３０ａ、３３０ｂとを電気的に結ぶ導体を有してもよい。

　凹部３１１は、側壁の内面と、内底面とに囲まれ、上方が開口している。凹部３１１の内底面には、第１内底面３１６ａと、第１内底面３１６ａよりも高い第１段部３１６ｂと、第１段部３１６ｂよりも高い第２段部３１６ｃとが含まれる。第１内底面３１６ａ、第１段部３１６ｂ及び第２段部３１６ｃは、この順でＹ軸方向に並ぶ。すなわち、第２段部３１６ｃは、第１段部３１６ｂを挟んで第１内底面３１６ａの反対側に位置する。凹部３１１の開口と、第１内底面３１６ａ、第１段部３１６ｂ及び第２段部３１６ｃとに交差する縦断面（例えばＹ－Ｚ平面に沿った断面）において、第２段部３１６ｃは凹部３１１の内側面に接続（「連続」と言い換えてもよい）する。

　凹部３１１は、さらに、光素子（レーザーダイオードなど）３０２が搭載される第１搭載部３１３ａと、光学部品（ミラーなど）３０３が搭載される第２搭載部３１３ｂと、サブマウント３０６が搭載される第３搭載部３１３ｃと、光素子３０２と電気的に接続される電極３１４ａ、３１４ｂとを有する。

　基体３１０において、第２段部３１６ｃを含めて第２段部３１６ｃから左方の部分（図１４Ａ及び図１４Ｂの一点鎖線より左方の部分）が放熱部３２０である。放熱部３２０は、第１搭載部３１３ａの熱を基体３１０の外側へ効率的に導くことができ、第１搭載部３１３ａから第２搭載部３１３ｂへ伝導される熱を軽減する。

　第２搭載部３１３ｂは、第１内底面３１６ａ上に位置する。第１搭載部３１３ａ及び第３搭載部３１３ｃは、第１段部３１６ｂ上に位置する。第３搭載部３１３ｃには、第１搭載部３１３ａが含まれ、第１搭載部３１３ａよりも第２段部３１６ｃに近くまで延びた広がりを有する。光素子３０２と第１搭載部３１３ａとの間にはサブマウント３０６が介在され、光素子３０２はサブマウント３０６を介して第１搭載部３１３ａに搭載される。なお、光素子３０２が直接に第１搭載部３１３ａに搭載されてもよい。第１搭載部３１３ａは、光素子３０２をＺ方向に沿って凹部３１１の内底面に投影させた領域に相当する。電極３１４ａ、３１４ｂは、第２段部３１６ｃ上に配置及び固定される。

　配線導体３３０ａ、３３０ｂは、面状又は板状の導体であり、本実施形態では特に限定されないが、基体３１０の第２主面３１０ｂに設けられている。配線導体３３０ａ、３３０ｂは、基体３１０内部に通された導体を介して、凹部３１１内の電極３１４ａ、３１４ｂと電気的に接続されている。図１４Ａの例では、紙面の手前側と奥側とに２つの配線導体３３０ａ、３３０ｂが配置されている。

　＜電子装置＞
　実施形態９の電子装置３００は、図１４に示すように、光素子搭載用パッケージ３０１と、光素子３０２と、光学部品３０３と、蓋体３０５と、サブマウント３０６とを有する。

　光素子３０２は、レーザーダイオード等であり、例えば電気的に駆動されて発熱する性質を有していてもよい。光素子３０２は、サブマウント３０６を介して、基体３１０の第１搭載部３１３ａに搭載される。光素子３０２は、レーザー光の出射部を右方に向けて搭載され、光学部品３０３にレーザー光を出射する。光素子３０２の２つの電極は、それぞれボンディングワイヤ等の接続部材Ｗ１、Ｗ２を介して電極３１４ａ、３１４ｂにそれぞれ電気的に接続されている。接続部材Ｗ１、Ｗ２の一方（図１４では接続部材Ｗ１）又は両方は、サブマウント３０６に設けられた電気配線を介して、光素子３０２の一方の電極に電気的に接続されてもよい。

　サブマウント３０６は、光素子３０２と第１搭載部３１３ａとの間に介在する台であり、第３搭載部３１３ｃに搭載される。サブマウント３０６は省略されてもよい。サブマウント３０６は、光素子３０２で発生した熱を拡散させる作用、光素子３０２の光軸の高さを上げる作用、並びに、光素子３０２と基体３１０との熱膨張の差に起因して光素子３０２に生じる応力を緩和する作用を及ぼす。さらに、サブマウント３０６は、光素子３０２の電極（例えば接地電極）と電気的に接続される電気配線を有していてもよい。

　光学部品３０３は、例えばミラーであり、基体３１０の第２搭載部３１３ｂに搭載され、基体３１０の第１主面３１０ａに対して傾斜した反射面３０３ａを有する。光学部品３０３は、光素子３０２から右方へ出射されたレーザー光を、反射面３０３ａにより上方へ反射する。光学部品３０３は、例えばガラス、樹脂又は金属板に反射膜が形成されて構成される。光学部品３０３は、熱により特性が変化する性質を有していていもよい。

　蓋体３０５は、透光性を有する板状の部材であり、その周縁部が接合剤を介して基体３１０の第１主面３１０ａに接合される。蓋体３０５は、凹部３１１の開口の周囲の全周にわたって接合され、凹部３１１を封止する。

　＜動作説明＞
　図１５は、実施形態９に係る光素子搭載用バッケージ及び電子装置の放熱作用を説明する図である。図１５中、実線の矢印で熱の流れを示す。

　電子装置３００が駆動されると、電子装置３００の配線導体３３０ａ、３３０ｂを介して光素子３０２に電圧が入力され、光素子３０２が駆動する。光素子３０２が駆動されると、光素子からレーザー光が出射され、出射されたレーザー光が光学部品３０３で反射されかつ蓋体３０５を通過し、電子装置３００の外部へ出射される。

　光素子３０２が駆動すると、光素子３０２が発熱し、熱の一部は、サブマウント３０６を介して第３搭載部３１３ｃから（サブマウント３０６が省略されていれば直接に第１搭載部３１３ａから）第１段部３１６ｂに拡散される。また、熱の一部は、接続部材Ｗ１、Ｗ２と電極３１４ａ、３１４ｂとを介して基体３１０の第２段部３１６ｃに拡散される。

　基体３１０の底部において、第１搭載部３１３ａ、第３搭載部３１３ｃ及び電極３１４ａ、３１４ｂの下方は、第１段部３１６ｂ及び第２段部３１６ｃの厚みがある分、第２搭載部３１３ｂの下方よりも、熱容量が大きい。このため、第１段部３１６ｂと第２段部３１６ｃに拡散された熱は、図１５に矢印で示すように、左方へ多く拡散する。すなわち、第１段部３１６ｂ及び第２段部３１６ｃが無い場合と比較して、熱が右方へ拡散し、第２搭載部３１３ｂを介して光学部品３０３に伝導されてしまうことが低減される。

　＜実施形態効果＞
　以上のように、実施形態９の光素子搭載用パッケージ３０１及び電子装置３００によれば、凹部３１１を有する基体３１０を備え、凹部３１１は、光素子３０２が搭載される第１搭載部３１３ａと、光学部品３０３が搭載される第２搭載部３１３ｂとを含む。この構成により、表面実装型の光素子搭載用パッケージ３０１及び電子装置３００が実現される。表面実装型の光素子搭載用パッケージ３０１及び電子装置３００は、その外面がモジュール用基板と面同士で接合されることから、小型でも高い放熱性が実現される。

　さらに、実施形態９の光素子搭載用パッケージ３０１及び電子装置３００によれば、凹部３１１は、光学部品３０３が搭載される（第２搭載部３１３ｂが位置する）第１内底面３１６ａを有する。加えて、凹部３１１は、第１内底面３１６ａよりも高くかつ光素子３０２が搭載される（第１搭載部３１３ａが位置する）第１段部３１６ｂと、第１段部３１６ｂよりも高くかつ電極３１４ａ、３１４ｂが配置される第２段部３１６ｃとを含む。そして、図１４Ａに示したような縦断面において、第２段部３１６ｃは第１段部３１６ｂを挟んで第１内底面３１６ａの反対側に位置しかつ第２段部３１６ｃは凹部３１１の内側面に接続されている。そして、この構成により、前述したように、光素子３０２で発生された熱が光学部品３０３に伝わることを低減できる。したがって、光素子３０２からの発熱量が増大しても、光素子３０２からの熱によって光学部品３０３に例えば熱変形などの劣化が生じることを抑制でき、光学部品３０３の安定した光学的特性が得られる。よって、安定的に光学的な特性を維持できる。

　（実施形態１０）
　図１６Ａ及び図１６Ａは、実施形態１０に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示し、図１６Ａは縦断面図、図１６Ｂは平面図である。実施形態１０の光素子搭載用パッケージ３０１Ａは、表面実装型のパッケージであり、凹部３１１を有する基体３１０と、基体３１０の外面に設けられた配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂ及び実装導体３３０Ａｃとを備える。実施形態１０の電子装置３００Ａは、光素子搭載用パッケージ３０１Ａと、これに搭載された光素子３０２及び光学部品３０３と、凹部３１１を封止する蓋体３０５とを備える。

　実施形態１０は、主に、配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂ及び実装導体３３０Ａｃの構成が、主に、実施形態９と異なる。実施形態９と同様の構成要素については、同一符号を付して詳細な説明を省略する。

　配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂ及び実装導体３３０Ａｃは、面状又は板状の導体であり、基体３１０の第２主面３１０ｂに設けられている。配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂは、凹部３１１内の電極３１４ａ、３１４ｂと電気的に接続されている。実装導体３３０Ａｃは、電子装置３００Ａがモジュール用基板に実装される際に、モジュール用基板のグラウンドの接続パッドなどに接合され、電子装置３００Ａの接合強度及び接合の安定性を向上させる。実装導体３３０Ａｃは、ダミーの配線導体と呼んでもよい。実装導体３３０Ａｃは、電極３１４ａ、３１４ｂの何れかと電気的に接続されていなくてもよいし、電極３１４ａ、３１４ｂのうちのグラウンド電極と電気的に接続されていてもよい。

　２つの配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂは、Ｘ方向に配列され、２つの配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂをひとまとめに見たときのＸ方向の幅は、凹部３１１の幅よりも大きいが、これに限定されず、凹部３１１の幅よりも小さくてもよい。実装導体３３０Ａｃは、Ｘ方向において、凹部３１１の幅よりも広い幅を有しているが、これに限定されず凹部３１１の幅よりも小さくてもよい。

　＜配線導体及び実装導体の配置＞
　配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂは、図１６Ｂに示すように、Ｚ方向に見た透視平面において、第２段部３１６ｃの一部（全部であってもよい）、及び、電極３１４ａ、３１４ｂの一部（全部であってもよい）と重なっている。

　実装導体３３０Ａｃは、配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂと離間し、配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂよりも右方に配置されている。実装導体３３０Ａｃは、図１６Ｂに示すように、Ｚ方向に見た透視平面において、第１内底面３１６ａ及び第２搭載部３１３ｂの全部（一部でもよい）、並びに、第１段部３１６ｂ、第１搭載部３１３ａ及び第３搭載部３１３ｃの一部（全部でもよい）と重なっている。

　＜実施形態効果＞
　以上のように、実施形態１０の光素子搭載用パッケージ３０１Ａ及び電子装置３００Ａによれば、実施形態９と同様の構成により、光素子３０２で発生した熱が、光学部品３０３に伝わること低減できる。よって、光素子３０２からの熱の影響で光学的な特性が劣化することを抑制できる。

　さらに、実施形態１０では、Ｚ方向に見た透視平面で、配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂが、第２段部３１６ｃ及び電極３１４ａ、３１４ｂと重なっている。したがって、電極３１４ａ、３１４ｂから配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂまでの熱の伝導経路が短くなる。光素子３０２から接続部材Ｗ１、Ｗ２を介して第２段部３１６ｃに伝わった熱は、基体３１０の底部で拡散される。しかし、配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂまでの経路が短いことで、拡散された熱の多くを配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂに伝導させ、パッケージ外部へ放出することができる。したがって、光素子３０２で発生された熱が、光学部品３０３に伝わることがより低減され、光素子３０２で発生された熱の影響で光学的な特性が劣化することをより抑制できる。

　さらに、実施形態１０では、実装導体３３０Ａｃが、Ｚ方向に見た透視平面で、第１内底面３１６ａ及び第２搭載部３１３ｂと重なっている。このため、光素子３０２から基体３１０の底部を伝わって第１内底面３１６ａの下に拡散された熱は、その一部が実装導体３３０Ａｃを介してパッケージ外部へ放出される。よって、光学部品３０３へ伝導される熱をより低減できる。したがって、光素子３０２で発生された熱の影響で光学的な特性が劣化することをより抑制できる。

　＜変形例＞
　なお、配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂ及び実装導体３３０Ａｃの各配置は、図１６Ｂの具体的な例に限定されない。例えば、配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂは、Ｚ方向に見た透視平面において、第１段部３１６ｂ、第１搭載部３１３ａ、第３搭載部３１３ｃ、第１内底面３１６ａ及び第２搭載部３１３ｂの一部と重なっていてもよいし、重なっていなくてもよい。このような配置であっても、上述した実施形態１０と同様の作用効果が奏される。

　図１７は、実施形態１０の変形例に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す平面図である。図１６Ｂの配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂ及び実装導体３３０Ａｃは、図１７の配線導体３３０Ｂａ、３３０Ｂｂ及び実装導体３３０Ｂｃに置き換えてもよい。

　図１７の光素子搭載用パッケージ３０１Ｂ及び電子装置３００Ｂは、２つの配線導体３３０Ｂａ、３３０ＢｂがＹ方向に配列された一例である。この配列において、一方の配線導体３３０Ｂａは、Ｚ方向に見た透視平面において、第２段部３１６ｃの全部（一部であってもよい）と、電極３１４ａ、３１４ｂの全部（一部であってもよい）と重なっている。配線導体３３０Ｂａ、３３０Ｂｂの各々は、Ｘ方向において、凹部３１１の幅よりも広い幅を有しているが、これに限定されず、凹部３１１の幅よりも小さくてもよい。実装導体３３０Ｂｃは、２つの配線導体３３０Ｂａ、３３０Ｂｂの間に設けられている。実装導体３３０Ｂｃは、Ｚ方向に見た透視平面において、第１内底面３１６ａ及び第２搭載部３１３ｂの一部（全部でもよい）と重なっている。さらに、実装導体３３０Ｂｃは、同透視平面において、第１段部３１６ｂ、第１搭載部３１３ａ及び第３搭載部３１３ｃの一部（全部でもよい）と重なっている。図１７の構成においても、上述した実施形態１０と同様の作用効果が奏される。

　さらに、図１７の構成においても、一方の配線導体３３０Ｂａは、Ｚ方向に見た透視平面において、第１段部３１６ｂ、第１搭載部３１３ａ、第３搭載部３１３ｃ、第１内底面３１６ａ及び第２搭載部３１３ｂの一部と重なっていてもよいし、重なっていなくてもよい。他方の配線導体３３０Ｂｂは、同透視平面において、第１段部３１６ｂ、第１搭載部３１３ａ、第３搭載部３１３ｃ、第１内底面３１６ａ及び第２搭載部３１３ｂの一部と重なっていてもよいし、重なっていなくてもよい。実装導体３３０Ｂｃは、同透視平面において、第１段部３１６ｂ、第１搭載部３１３ａ及び第３搭載部３１３ｃと重なっていなくてもよい。このような、配置においても、上述した実施形態１０と同様の作用効果が奏される。

　（実施形態１１）
　図１８Ａ及び図１８Ａは、実施形態１１に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示し、図１８Ａは縦断面図、図１８Ｂは平面図である。実施形態１１の光素子搭載用パッケージ３０１Ｃは、表面実装型のパッケージであり、凹部３１１を有する基体３１０と、基体３１０の第２主面３１０ｂに設けられた配線導体３３０Ｃａ、３３０Ｃｂ及び実装導体３３０Ｃｃとを備える。実施形態１１の電子装置３００Ｃは、光素子搭載用パッケージ３０１Ｃと、これに搭載された光素子３０２及び光学部品３０３と、凹部３１１を封止する蓋体３０５とを備える。

　実施形態１１は、主に、配線導体３３０Ｃａ、３３０Ｃｂ及び実装導体３３０Ｃｃとの配置が実施形態１０と異なる。実施形態１０と同様の構成要素については、同一符号を付して詳細な説明を省略する。配線導体３３０Ｃａ、３３０Ｃｂ及び実装導体３３０Ｃｃは、Ｙ方向における配置以外の構成は、実施形態１０の配線導体３３０Ａａ、３３０Ａｂ及び実装導体３３０Ａｃと同様である。

　＜配線導体及び実装導体の配置＞
　配線導体３３０Ｃａ、３３０Ｃｂは、図１８Ｂに示すように、Ｚ方向に見た透視平面において、第１段部３１６ｂの一部（全部であってもよい）及び第３搭載部３１３ｃの一部（全部であってもよい）と重なっている。さらに、配線導体３３０Ｃａ、３３０Ｃｂは、同透視平面において、第２段部３１６ｃの一部（全部であってもよい）及び電極３１４ａ、３１４ｂの一部（全部であってもよい）と重なっている。

　実装導体３３０Ｃｃは、図１８Ｂに示すように、Ｚ方向に見た透視平面において、第１内底面３１６ａの一部（全部であってもよい）及び第２搭載部３１３ｂの一部（全部であってもよい）と重なっている。

　＜実施形態効果＞
　以上のように、実施形態１１の光素子搭載用パッケージ３０１Ｃ及び電子装置３００Ｃによれば、実施形態９と同様の構成により、光素子３０２で発生した熱が、光学部品３０３に伝わることを低減でき、よって、熱の影響で光学的な特性が劣化することを抑制できる。

　さらに、実施形態１１では、Ｚ方向に見た透視平面で、配線導体３３０Ｃａ、３３０Ｃｂが、第１段部３１６ｂ及び第３搭載部３１３ｃと重なっている。したがって、第３搭載部３１３ｃから配線導体３３０Ｃａ、３３０Ｃｂまでの経路が短くなる。光素子３０２からサブマウント３０６を介して第１段部３１６ｂに伝わった熱は、基体３１０の底部で拡散される。しかし、配線導体３３０Ｃａ、３３０Ｃｂまでの経路が短いことで、拡散された熱の多くを配線導体３３０Ｃａ、３３０Ｃｂに伝導させ、パッケージ外部へ放出することができる。したがって、光素子３０２で発生された熱が、光学部品３０３に伝わることがより低減され、光素子３０２で発生された熱の影響で光学的な特性が劣化することをより抑制できる。

　さらに、実施形態１１では、実装導体３３０Ｃｃが、Ｚ方向に見た透視平面で、第１内底面３１６ａ及び第２搭載部３１３ｂと重なっている。このため、光素子３０２から基体３１０の底部を伝わって第１内底面３１６ａの下に拡散された熱は、その一部が実装導体３３０Ｃｃを介してパッケージ外部へ放出される。よって、光学部品３０３へ伝導される熱をより低減できる。したがって、光素子３０２で発生された熱の影響で光学的な特性が劣化することをより抑制できる。

　＜変形例＞
　なお、配線導体３３０Ｃａ、３３０Ｃｂ及び実装導体３３０Ｃｃの各配置は、図１８Ｂの具体的な例に限定されない。例えば、配線導体３３０Ｃａ、３３０Ｃｂは、Ｚ方向に見た透視平面において、第２段部３１６ｃ及び電極３１４ａ、３１４ｂと重なっていなくてもよい。配線導体３３０Ｃａ、３３０Ｃｂは、同透視平面において、第１内底面３１６ａ及び第２搭載部３１３ｂの一部と重なっていてもよいし、重なっていなくてもよい。実装導体３３０Ｃｃは、第１段部３１６ｂ、第１搭載部３１３ａ及び第３搭載部３１３ｃの一部と重なっていてもよい。このような配置であっても、上述した実施形態１１と同様の作用効果が奏される。

　図１９は、実施形態１１の変形例に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示す平面図である。図１８Ｂの配線導体３３０Ｃａ、３３０Ｃｂ及び実装導体３３０Ｃｃは、図１９の配線導体３３０Ｄａ、３３０Ｄｂ及び実装導体３３０Ｄｃに置き換えてもよい。

　図１９の光素子搭載用パッケージ３０１Ｄ及び電子装置３００Ｄは、２つの配線導体３３０Ｄａ、３３０ＤｂがＹ方向に配列された一例である。この配列において、一方の配線導体３３０Ｄａは、Ｚ方向に見た透視平面において、第１段部３１６ｂ及び第３搭載部３１３ｃの一部（全部であってもよい）と重なっている。配線導体３３０Ｄａは、同透視平面において、第２段部３１６ｃの全部（一部であってもよい）及び電極３１４ａ、３１４ｂの全部（一部であってもよい）と重なっている。実装導体３３０Ｄｃは、２つの配線導体３３０Ｄａ、３３０Ｄｂの間に設けられている。実装導体３３０Ｄｃは、Ｚ方向に見た透視平面において、同透視平面において、第１内底面３１６ａの一部（全部であってもよい）及び第２搭載部３１３ｂの全部（一部でもよい）と重なっている。図１９の構成においても、上述した実施形態１１と同様の作用効果が奏される。

　さらに、図１９の構成においても、配線導体３３０Ｄａ、３３０Ｄｂは、Ｚ方向に見た透視平面において、第２段部３１６ｃ及び電極３１４ａ、３１４ｂと重なっていなくてもよい。実装導体３３０Ｄｃは、第１段部３１６ｂ、第１搭載部３１３ａ及び第３搭載部３１３ｃと重なっていなくてもよい。このような配置であっても、上述した実施形態１１と同様の作用効果が奏される。

　（実施形態１２）
　図２０Ａ及び図２０Ａは、実施形態１２に係る光素子搭載用パッケージ及び電子装置を示し、図２０Ａは縦断面図、図２０Ｂは平面図である。実施形態１２の光素子搭載用パッケージ３０１Ｅは、表面実装型のパッケージであり、凹部３１１を有する基体３１０と、基体３１０の側面３１０ｃに設けられた配線導体３３０Ｅａ、３３０Ｅｂとを備える。実施形態１１の電子装置３００Ｅは、光素子搭載用パッケージ３０１Ｅと、これに搭載された光素子３０２及び光学部品３０３と、凹部３１１を封止する蓋体３０５とを備える。実施形態１２において実施形態１０、１１と同様の構成要素については、同一符号を付して詳細な説明を省略する。

　実施形態１２は、主に、配線導体３３０Ｅａ、３３０Ｅｂが基体３１０の側面３１０ｃに設けられているところが、実施形態１０、１１と異なる。配線導体３３０Ｅａ、３３０Ｅｂは、面状又は板状の導体である。側面３１０ｃは、本発明に係る第１外側面の一例に相当する。側面３１０ｃは、第２段部３１６ｃを挟んで第１段部３１６ｂの反対側に位置する。なお、実施形態１２の電子装置３００Ｅにおいても、第２主面３１０ｂに実装導体を有していてもよい。側面３１０ｃの配線導体を実装導体とし、第２主面３１０ｂに配線導体又はこれらと実装導体を有していてもよい。実装導体はヒートシンクと接合されてもよい。

　実施形態１２の光素子搭載用パッケージ３０１Ｅ及び電子装置３００Ｅによれば、光素子３０２で発生し、第１段部３１６ｂ及び第２段部３１６ｃを介して左方に拡散した熱を、側面３１０ｃの配線導体３３０Ｅａ、３３０Ｅｂからパッケージ外部へ効率的に放出できる。したがって、光素子３０２から光学部品３０３へ伝導される熱をより低減でき、光素子３０２で発生された熱の影響で光学的な特性が劣化することをより抑制できる。

　（電子モジュール）
　図２１は、実施形態に係る電子モジュールの第１例を示す縦断面である。図２２は、実施形態に係る電子モジュールの第２例を示す縦断面である。図２３は、実施形態に係る電子モジュールの第３例を示す縦断面である。図２１及び図２２は、実施形態１０の電子装置３００Ａを採用した例を示し、図２３は、実施形態１２の電子装置３００Ｅを採用した例を示す。

　本実施形態の電子モジュール５００は、電子装置３００（又は電子装置３００Ａ～３００Ｅ）と、モジュール用基板５１０とを備える。モジュール用基板５１０は接続パッド５１５ａ、５１５ｂを有する。接続パッド５１５ａ、５１５ｂには、電子装置３００（又は電子装置３００Ａ～３００Ｅ）の配線導体３３０ａ、３３０ｂ（３３０Ａａ～３３０Ｅａ、３３０Ａｂ～３３０Ｅｂ）が半田等の接合材５２０を介して接合される。図２１において、紙面の手前側と奥側とに２つの接続パッド５１５ａ、５１５ｂが配置されている。

　実装導体３３０Ａｃ～３３０Ｄｃを有する電子装置３００Ａ～３００Ｄであれば、図２１に示すように、実装導体３３０Ａｃ～３３０Ｄｃは、モジュール用基板５１０の接続パッド５１５ｃに接合材５２０を介して接合されてもよい。あるいは、図２２に示すように、実装導体３３０Ａｃ～３３０Ｄｃは、モジュール用基板５１０の金属基板部５１０ｃに接合材５２０を介して接合されてもよい。

　側面３１０ｃに配線導体３３０Ｅａ、３３０Ｅｂを有する電子装置３００Ｅであれば、図２３に示すように、側面３１０ｃが基板面に対向する向きで、電子装置３００Ｅがモジュール用基板５１０に実装されてもよい。すなわち、配線導体３３０Ｅａ、３３０Ｅｂが半田等の接合材５２０を介してモジュール用基板５１０の接続パッド５１５ａ、５１５ｂに接合される。このような実装方法によれば、電子装置３００Ｅから基板面に沿った方向に光出力を行うことができる。

　本実施形態の電子モジュール５００によれば、光素子３０２からの発熱量が増大しても、光素子３０２から光学部品３０３に伝わる熱量を低減でき、安定的に光学的な特性を維持できる

　上記実施形態の光素子搭載用パッケージ３０１、３０１Ａ～３０１Ｅは、上述した光素子搭載用パッケージの製造方法１と同様の方法で製造できる。

　以上、本開示の実施形態について説明した。しかし、上記の各実施形態は一例に過ぎない。例えば、上記実施形態では、光素子としてレーザーダイオードを適用し、光学部品としてミラーを適用した構成を一例にとって説明した。しかし、光素子としては、例えば発光部と共振器とが別体にされた半導体レーザー素子、半導体以外のレーザー素子、発光ダイオードのようなレーザー以外の光を出射する素子など、様々に変更可能である。また、光学部品としては、ミラーに限定されず、様々な光学部品が適用されてもよい。本実施形態の説明は、全ての局面において例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。本開示は、相互に矛盾しない限り、適宜、組み合わせ、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。そして、例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。

　本開示は光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュールに利用できる。

Claims

　光素子が搭載可能な第１搭載部並びに光学部品が搭載可能な第２搭載部を含んだ凹部を有する基体を備え、
　前記基体は、
　前記第１搭載部を挟んで前記第２搭載部の反対側に位置する放熱部を、更に有する光素子搭載用パッケージ。
　前記基体は、蓋体が接続される封止部を更に有し、
　前記凹部の深さ方向に見て、前記放熱部は前記封止部よりも外方に位置する、
　請求項１記載の光素子搭載用パッケージ。
　前記凹部の開口側を上方として、
　前記放熱部の上面上に配置された配線導体を備える、
　請求項１又は請求項２に記載の光素子搭載用パッケージ。
　前記放熱部と前記基体における前記放熱部以外の部分との間に段差を有する、
　請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の光素子搭載用パッケージ。
　前記凹部の開口側を上方として、
　前記凹部は、
　前記第１搭載部を挟んで前記第２搭載部の反対側に位置し、前記第１搭載部よりも高い段部を含む、
　請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の光素子搭載用パッケージ。
　前記光素子と電気的に接続される電極を備え、
　前記電極が前記段部上に配置される、
　請求項５記載の光素子搭載用パッケージ。
　前記凹部の開口側を上方として、
　前記放熱部の底面に配置された配線導体を備える、
　請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の光素子搭載用パッケージ。
　前記放熱部の前記凹部とは反対側の面上に配置された配線導体を更に備える、
　請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の光素子搭載用パッケージ。
　前記凹部の開口側を上方として、
　前記放熱部の下部が金属であり、
　前記放熱部の上部が絶縁体である、
　請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の光素子搭載用パッケージ。
　前記第２搭載部が前記封止部に対して傾斜している、
　請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の光素子搭載用パッケージ。
　記凹部の側壁のうち前記第１搭載部を挟んで前記第２搭載部の反対側に位置する第１側壁部の内面から前記放熱部の突出側の面までの最大の厚みは、前記凹部の側壁のうち前記第１側壁部を除く部分の最小の壁厚の２倍以上である、
　請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の光素子搭載用パッケージ。
　前記基体は、第１主面を有し、
　前記凹部は、前記第１主面に開口しかつ前記光素子と電気的に接続される電極を更に含み、
　前記凹部は、
　第１内底面と、
　前記第１内底面よりも前記第１主面の高さに近い第１段部と、
　前記放熱部に含まれ、前記第１段部よりも前記第１主面の高さに近く、前記第１段部を挟んで前記第１内底面の反対側に位置しかつ前記凹部の内側面に接続する第２段部と、
　を有し、
　前記第２搭載部が前記第１内底面上に位置し、
　前記第１搭載部が前記第１段部上に位置し、
　前記電極が前記第２段部上に位置する、
　請求項１記載の光素子搭載用パッケージ。
　前記基体は、前記第１主面の反対側に位置する第２主面を有し、
　前記光素子搭載用パッケージは、更に、前記電極と電気的に接続されかつ前記第２主面に配置された配線導体を備え、
　前記凹部の深さ方向に見た透視平面において前記配線導体と前記第２段部と前記電極とが重なる、
　請求項１２記載の光素子搭載用パッケージ。
　前記基体は、前記第１主面の反対側に位置する第２主面を有し、
　前記光素子搭載用パッケージは、更に、前記電極と電気的に接続されかつ前記第２主面に配置された配線導体を備え、
　前記凹部は、前記第１段部上に位置し、前記光素子と前記第１搭載部との間に介在されるサブマウントが搭載される第３搭載部を更に含み、
　前記凹部の深さ方向に見た透視平面において前記配線導体と前記第３搭載部とが重なる、
　請求項１２に記載の光素子搭載用パッケージ。
　前記基体の第１外側面に配置された配線導体を更に備え、
　前記第１外側面は、前記第２段部を挟んで前記第１段部の反対側に位置する、
　請求項１２に記載の光素子搭載用パッケージ。
　請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載された光素子搭載用パッケージと、
　前記第１搭載部に搭載された光素子と、
　前記第２搭載部に搭載された光学部品と、
　前記光素子搭載用パッケージに接合される蓋体と、
　を備える電子装置。
　請求項１６に記載の電子装置と、
　前記電子装置が搭載されたモジュール用基板と、
　を備えることを特徴とする電子モジュール。