WO2020026397A1 - 半導体モジュール - Google Patents

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mold resin
terminals
terminal
wiring
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謙介 竹内
政行 船越
崇志 長尾
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三菱電機株式会社
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Definitions

  • the present application relates to a semiconductor module.
  • a plurality of terminals such as a plus (+) power terminal, a minus (-) power terminal, an output (load) terminal, and a control signal terminal are arranged, and a plurality of semiconductor switching elements are provided inside. And so on, are connected to each terminal, and are entirely molded with resin.
  • each terminal and land are formed of a copper plate made of the same material, and are entirely resin-molded.
  • a semiconductor switching element is mounted on the copper plate, and the terminals are extended.
  • the copper plate is connected to, for example, a frame that forms an outer frame, and it is essential to ensure the flatness of the copper plate.
  • a step of mounting a semiconductor switching element on a copper plate a step of performing molding with a resin after performing a wire bonding process, and finally connecting an unnecessary outer peripheral frame and each of the unnecessary outer frames.
  • the problem is that it is difficult to ensure flatness due to stress on the copper plate in each step, and it is difficult to prevent the warpage or distortion of the copper plate because the copper plate is stressed in each step because it is completed by the step of cutting unnecessary portions was there.
  • the present application discloses a technique for solving the above-described problem, and provides a semiconductor module having a semiconductor switching element that can prevent warpage or distortion and improve reliability.
  • the purpose is to:
  • a semiconductor module disclosed in the present application includes: a base configuring a plurality of terminals or wirings; a semiconductor switching element mounted on a mounting portion of the terminal; and a mold resin sealing the semiconductor switching element.
  • a wide portion having a width larger than that of the terminal or the wiring is formed at a part of the terminal or the wiring at an outer peripheral end portion of the molding resin, and the wide portion is formed on an outer periphery of the molding resin. It is embedded and fixed inside the mold resin while extending from the side end toward the inside.
  • a wide portion having a width larger than that of the terminal or the wiring is formed at a part of the terminal or the wiring at the outer peripheral end of the molding resin, and the wide portion is formed by molding. Since the resin is embedded and fixed inside the mold resin while extending from the outer peripheral end to the inside, it is possible to obtain a semiconductor module capable of preventing warpage or distortion and improving reliability. it can.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a semiconductor module according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing an internal configuration of the semiconductor module according to the first embodiment.
  • FIG. 15 is a plan view showing an internal configuration of a semiconductor module according to a second embodiment.
  • FIG. 14 is a plan view showing an internal configuration of a semiconductor module according to a third embodiment.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a semiconductor module according to the first embodiment.
  • the semiconductor module 1 includes at least a plurality of semiconductor switching elements T1 to T4.
  • FIG. 1 shows an H-bridge circuit for driving a motor 2.
  • the semiconductor module 1 includes a motor 2, a plus (+) power supply 3, and a ground 4.
  • circles indicate small-signal terminals C1, C2, C3, C4, C5, and C6, and double circles indicate large-current terminals B1, B2, G1, G2, M1, and M2.
  • the semiconductor switching elements T1 to T4 are, for example, field effect transistors (FETs). As shown in FIG.
  • the semiconductor module 1 forms a bridge circuit with four FETs, and a small-signal terminal C5, a small-signal terminal C6, a large-current terminal M1, and a large-current terminal at intermediate connection positions of the upper and lower arms.
  • the motor 2 is connected to the terminal M2.
  • the small signal terminals C1, C2, C3, and C4 are control signal terminals for driving the gate of the FET, and the small signal terminals C5 and C6 are voltage monitoring terminals of the motor 2.
  • the large current terminal B1 and the large current terminal B2 are connected to a positive (+) power supply 3, and the large current terminal G1 and the large current terminal G2 are connected to the ground 4.
  • Output terminals to the motor 2 are a large current terminal M1 and a large current terminal M2.
  • FIG. 2 is a plan view showing the internal configuration of the semiconductor module according to the first embodiment, in which the circuit configuration shown in FIG. 1 is formed as a semiconductor module 1a.
  • the frame 10 has a plate-like base 10a made of, for example, copper or a copper alloy, and the semiconductor switching elements T1 to T4 are mounted on the base 10a.
  • the semiconductor switching element T1 is mounted on the mounting portion 21 formed integrally with the large current terminal B1. Further, the semiconductor switching element T2 is mounted on the mounting section 21 formed integrally with the small signal terminal C6.
  • the mounting process of the semiconductor switching elements T1 to T4 and the connection between the semiconductor switching elements T1 to T4 and each wiring are performed with the frame 10 left. Inside the frame 10, which is the outer frame, large current terminals G1, B1, M1, M2, B2, and G2 are arranged on the lower side in the figure, and small signal terminals C2, C6, C1, and C2 on the upper side in the figure. C3, C5, and C4 are arranged in order.
  • the large-current terminals G1, B1, M1, M2, B2, and G2 are energized by about 100 A at the maximum.
  • the small signal terminal is energized by several mA or less.
  • the H-bridge circuit has FETs connected in series to the upper and lower arms, and is constituted by a pair. Therefore, the arrangement in FIG. Therefore, only one of the arrangement and connection will be described.
  • the base 10 a of the copper plate extends from the large current terminal B 1 to the inside of the semiconductor module 1 a, and the FET as the semiconductor switching element T 1 is mounted on the mounting section 21.
  • the small signal terminal C1 is connected to the gate (not shown) of the FET which is the semiconductor switching element T1 by wire bonding.
  • the copper plate base 10a is directly connected to the drain (not shown) of the FET which is the semiconductor switching element T1, while the source (not shown) is electrically wired by a jumper J1.
  • the jumper wire J1 is formed in a copper plate shape similarly to the copper plate base 10a, and is excellent not only in flowing a large current but also in heat conductivity.
  • the jumper wire J1 is connected to another base 10a, which is connected to a large current terminal M1 which is an output terminal to the motor 2.
  • the other (upper side in the figure) is connected to the base 10a of the FET which is the semiconductor switching element T2 of the lower arm.
  • the FET which is the semiconductor switching element T2 has the gate connected to the small signal terminal C2 by wire bonding, and the source connected to the large current terminal G1 which is the ground wiring via the jumper wire J2. It is connected.
  • the semiconductor module 1a according to the first embodiment is configured such that the semiconductor switching elements T1, T2, T3, T4, the base 10a, the jumpers J1, J2, etc. are arranged and connected. Is molded and sealed with resin at the position of the outer shape. Thereafter, the unnecessary frame 10 is cut along the dashed line 100 in the drawing to complete the semiconductor module 1a.
  • large-current terminals G1 and G2 which are ground wiring constituted by a base 10a, are arranged on the left and right sides in the figure of the semiconductor module 1a.
  • the base 10a that is, the large-current terminal G1 which is a ground wiring.
  • G2 are provided with wide portions G10, G20. Specifically, the wide portions G10 and G20 are formed at the outer peripheral end of the mold resin 20. The wide portions G10 and G20 are formed wider than the wiring width corresponding to the amount of current flowing through the large current terminals G1 and G2, which are ground wirings.
  • the large current terminals G1 and G2 are energized, for example, at a maximum of about 100A.
  • the wide portions G10 and G20 are wider than the widths of the large current terminals G1 and G2, which are ground wirings, but are made of the same material as the base 10a. And the only difference is the width.
  • the base 10a is a copper plate, and the bases 10a are supported by the wide portions G10 and G20 until they are molded with resin, so that warping or distortion of the base 10a can be suppressed.
  • each base 10a may be deviated by the process of mounting the FETs, which are the semiconductor switching elements T1 and T2, the process of wire bonding, and the process of mounting the jumper wires J1 and J2.
  • the semiconductor module 1a according to the first embodiment has a structure in which the frame 10, which is the outer frame, is supported by a large number of arms of each base 10a, so that warpage or distortion of the frame 10 can be suppressed.
  • the wide portions G10, G20 which are metal plates, extend from the outer peripheral end of the mold resin 20 toward the inside at the left and right ends of the mold resin 20. Since they are embedded and fixed inside the mold resin 20, they serve as reinforcing materials.
  • the wide portions G10 and G20 are formed so as to protrude from the outer shape of the mold resin 20, thereby exhibiting a further reinforcing effect. Further, in the wide portions G10 and G20, electricity flows from the current to the large current terminals G1 and G2, which are the ground lines shown in FIG.
  • the wide portions G10 and G20 are wirings extending upward in the drawing from the arrangement position of the FET, which is the semiconductor switching element T2, and extend along one side of the mold resin 20.
  • the resin 20 has a structure resistant to warping or distortion.
  • the mold resin 20a is provided.
  • the warpage and distortion of the base 10a can be suppressed from the beginning of the manufacturing process even after completion. Further, since this can be achieved by widening a part of the necessary wiring base 10a without adding another member for this reinforcement, it is advantageous in terms of cost and workability.
  • FIG. FIG. 3 is a plan view showing the internal configuration of the semiconductor module according to the second embodiment.
  • the semiconductor module 1b is a completed product, and is a perspective view of the inside of the semiconductor module 1b molded with resin.
  • wide portions G11 are provided at large current terminals G1 and G2, which are ground wirings constituted by a base 10b.
  • a semicircular recess 11 is provided at the center of the side end of the mold resin 20. Therefore, an equivalent recess 11a is provided in the wide portion G11.
  • the semiconductor module 1b generates heat due to the semiconductor switching elements T1 to T4. For example, it is necessary to transfer heat from the back surface of the base 10b (the reverse surface opposite to the mounting surface of the semiconductor switching element) to a heat sink or the like in order to improve heat dissipation. . In such a case, it is necessary to bring the semiconductor module 1b into close contact with a heat sink (not shown), and the semiconductor module 1b can be fixed using the concave portions 11 and 11a. When a fixing member, for example, a screw is tightened, the wide portion G11 plays a role of reinforcement. Note that the recess 11 and the recess 11a may be holes.
  • the wide portion G11 is a wiring integrated with the large current terminals G1 and G2, which are ground wirings.
  • the wide portion G11 is provided on a ground wiring disposed adjacent to the small signal terminals C2 and C4 or the large current terminals B1 and B2.
  • the wide portion G11 is formed to protrude from the vertical direction of the mold resin 20. Since the protruding portion is a connection portion with the frame 10 (see FIG. 2), the protruding portion is formed so as to protrude from the mold resin 20 and further contributes to prevention of warpage or distortion of the frame 10. Further, the wide portion G11 can be formed to protrude in the left-right direction of the mold resin 20.
  • the semiconductor module 1b of the second embodiment there is an effect of further contributing to the improvement of the heat dissipation as compared with the case where the wide portion G11 protrudes in the left-right direction of the mold resin 20.
  • the semiconductor module 1b of the second embodiment there is an effect that the recess 11a or the hole is provided in the wide portion G11, and the semiconductor module 1b can be easily fixed. Further, by forming the wide portion G11 so as to protrude from the outer periphery of the mold resin 20, warpage or distortion can be prevented, and heat dissipation can be improved.
  • FIG. 4 is a plan view showing the internal configuration of the semiconductor module according to the third embodiment.
  • the circuit of the semiconductor module 1c of the third embodiment is the same H-bridge circuit as that of FIG. 1, and the semiconductor switching elements T1 to T4, the jumpers J1, J2, and the like are also the same.
  • Wirings 12 and 13 are provided on both left and right sides, which are outer peripheral ends of the mold resin 20 of the semiconductor module 1c.
  • the wirings 12 and 13 are the same copper plate as the base 10c, and the wide portions G12 and G13 are formed integrally with the wirings 12 and 13, respectively.
  • the wirings 12 and 13 are, for example, signal lines or power supply lines, and have a role of connecting to other components via the semiconductor module 1c.
  • the terminals are formed to extend in the vertical direction in the drawing.
  • the semiconductor module 1c of the third embodiment since the wirings 12 and 13 are provided on both sides of the outer peripheral end of the mold resin 20, unnecessary portions are cut from the frame 10 (see FIG. 2) which is an outer frame. Since the frame 10 and the mold resin 20 are supported up to this point, warpage or distortion of the frame 10 or the mold resin 20 until the product is completed as the semiconductor module 1c is prevented. Therefore, according to the semiconductor module 1c according to the third embodiment, the protrusions 14a, 14b, 14c, and 14d are arranged for connection with the frame 10.
  • the entire apparatus using such a semiconductor module 1c includes components such as a CPU and an interface unit in addition to the semiconductor module 1c, and a power supply system or a signal line is connected to these components via the semiconductor module 1c.
  • electrical wiring other than the bridge circuit is necessary.
  • the wiring 12 , 13 can be used to reduce a part of the external wiring.
  • the wide portions G12 and G13 are arranged in a pair on the left and right, only one of them may be provided.
  • wide portions G12 and G13 can be arranged between the bridge circuits.
  • the base 10c having the wide portions G12 and G13 arranged with a length corresponding to the inside of the semiconductor module 1c may be used.
  • the terminals arranged adjacent to the small signal terminals (C1 to C6) are smaller than the small signal terminals (C1 to C6).
  • the terminals arranged adjacent to the large current terminals may be terminals that are thinner than the large current terminals.
  • the base 10c may be a structure in which the base 10c is branched from a part of the wiring inside the semiconductor module 1c and has a terminal at one end. Whatever type, if the inside of the semiconductor module 1c is wider than the width of the terminal, it can be applied to various lines.
  • the wirings 12 and 13 having the wide portions G12 and G13 can prevent the mold resin 20 and the base 10c from warping or distortion.
  • the heat of the mold resin 20 is transmitted through the wirings 12 and 13, so that the heat dissipation can be improved.
  • such wide portions G12 and G13 can be arranged not only at both ends of the semiconductor module 1c but also at the center.

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Abstract

反りまたは歪みを防止し信頼性を向上させることが可能な半導体モジュール（１）を得る。半導体モジュール（１）は、複数の端子（Ｃ１－Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｍ１、Ｍ２）または配線（Ｇ１、Ｇ２）を構成しているベース（１０ａ）と、端子（Ｃ１－Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｍ１、Ｍ２）の搭載部（２１）に装着された半導体スイッチング素子（Ｔ１－Ｔ４）と、半導体スイッチング素子（Ｔ１－Ｔ４）を封止するモールド樹脂（２０）と、を備え、モールド樹脂（２０）の外周側端部には、端子（Ｃ１－Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｍ１、Ｍ２）または配線（Ｇ１、Ｇ２）の一部に端子（Ｃ１－Ｃ６、Ｂ１、Ｂ２、Ｍ１、Ｍ２）または配線（Ｇ１、Ｇ２）よりも大きい幅を有する幅広部（Ｇ１０、Ｇ２０）が形成されており、幅広部（Ｇ１０、Ｇ２０）は、モールド樹脂（２０）の外周側端部から内部へ向かって延在した状態でモールド樹脂（２０）の内部に埋め込まれて固定されたものである。

Description

半導体モジュール
　本願は、半導体モジュールに関するものである。
　従来の半導体モジュールは、プラス（＋）の電源端子、マイナス（－）の電源端子、出力（負荷）端子、制御信号端子等の複数の端子が配列されており、内部には複数の半導体スイッチング素子等々が配置され各端子と接続されており全体を樹脂によりモールドされていた。
特許第５２０１１７１号公報
　例えば、特許文献１に開示された従来の半導体モジュールの内部構造では、各端子、及びランドは同一材料である銅板で形成されており、全体を樹脂モールドされている。また、銅板には半導体スイッチング素子が装着されており、端子は延出されている。また、半導体モジュールの形成工程において、銅板は、例えば外枠をなすフレームに接続されており、銅板の平面度の確保は必須である。
　しかしながら、前述した特許文献１に開示された半導体モジュールにおいては、半導体スイッチング素子を銅板に装着する工程、ワイヤボンディング処理をした後に樹脂によりモールドを行う工程、最後に不要な外周フレームおよびそれぞれに接続されている不要部分をカットする工程により完成するため、各工程において銅板にストレスがかかることにより、平面度を確保することが困難であり、銅板の反りまたは歪みを防止することが困難であるという課題があった。
　本願は、上述のような課題を解決するための技術を開示するものであり、半導体スイッチング素子を有する半導体モジュールにおいて、反りまたは歪みを防止し信頼性を向上させることが可能な半導体モジュールを提供することを目的とする。
　本願に開示される半導体モジュールは、複数の端子または配線を構成しているベースと、前記端子の搭載部に装着された半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子を封止するモールド樹脂と、を備え、前記モールド樹脂の外周側端部には、前記端子または前記配線の一部に前記端子または前記配線よりも大きい幅を有する幅広部が形成されており、前記幅広部は、前記モールド樹脂の外周側端部から内部へ向かって延在した状態で前記モールド樹脂の内部に埋め込まれて固定されたものである。
　本願に開示される半導体モジュールによれば、モールド樹脂の外周側端部には、端子または配線の一部に端子または配線よりも大きい幅を有する幅広部が形成されており、幅広部は、モールド樹脂の外周側端部から内部へ向かって延在した状態でモールド樹脂の内部に埋め込まれて固定されたので、反りまたは歪みを防止し信頼性を向上させることが可能な半導体モジュールを得ることができる。
実施の形態１による半導体モジュールを示す回路図である。 実施の形態１による半導体モジュールの内部構成を示す平面図である。 実施の形態２による半導体モジュールの内部構成を示す平面図である。 実施の形態３による半導体モジュールの内部構成を示す平面図である。
　以下、図面に基づいて実施の形態１による半導体モジュールについて説明する。
　なお、各図面中において、同一符号は同一あるいは相当のものであることを示す。
実施の形態１．
　図１は、実施の形態１による半導体モジュールを示す回路図である。半導体モジュール１は、複数の半導体スイッチング素子Ｔ１～Ｔ４を少なくとも内蔵している。図１は、モータ２を駆動するＨブリッジ回路を示しており、半導体モジュール１は、モータ２、プラス（＋）電源３、グランド４を備えている。図１において、丸印は、小信号用端子Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６を示しており、二重丸印は大電流用端子Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｍ１、Ｍ２を示している。半導体スイッチング素子Ｔ１～Ｔ４は、例えば電界効果トランジスタ（Field effect transistor:ＦＥＴ）である。図１に示すように、半導体モジュール１は４個のＦＥＴによりブリッジ回路を構成し、上下アームの中間接続位置である小信号用端子Ｃ５、小信号用端子Ｃ６、大電流用端子Ｍ１、大電流用端子Ｍ２にはモータ２が接続される。
　また、小信号用端子Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４は、ＦＥＴのゲート駆動用制御信号端子であり、小信号用端子Ｃ５、Ｃ６はモータ２の電圧モニタ端子である。大電流用端子Ｂ１および大電流用端子Ｂ２は、プラス（＋）の電源３に、大電流用端子Ｇ１、大電流用端子Ｇ２はグランド４にそれぞれ接続される。モータ２への出力端子は、大電流用端子Ｍ１、大電流用端子Ｍ２である。
　図２は、実施の形態１による半導体モジュールの内部構成を示す平面図であり、図１に示した回路構成を半導体モジュール１ａとして形成したものである。また、図２は半導体モジュール１ａの未完成状態を示しており、モールド樹脂２０の外形を破線で示し、樹脂によりモールドを行う前の状態を示している。フレーム１０は、例えば銅または銅合金の板状のベース１０ａをなしており、このベース１０ａの上に半導体スイッチング素子Ｔ１～Ｔ４が装着される。
　具体的には、大電流用端子Ｂ１と一体的に形成された搭載部２１に半導体スイッチング素子Ｔ１が装着される。また、小信号用端子Ｃ６と一体的に形成された搭載部２１に半導体スイッチング素子Ｔ２が装着される。実施の形態１の半導体モジュール１ａによれば、フレーム１０を残した状態で半導体スイッチング素子Ｔ１～Ｔ４の装着工程、半導体スイッチング素子Ｔ１～Ｔ４と各配線との接続をおこなう。また、外枠であるフレーム１０の内側において、図中下側に大電流用端子Ｇ１、Ｂ１、Ｍ１、Ｍ２、Ｂ２、Ｇ２が配列され、図中上側に小信号用端子Ｃ２、Ｃ６、Ｃ１、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ４が順に配列されている。大電流用端子Ｇ１、Ｂ１、Ｍ１、Ｍ２、Ｂ２、Ｇ２は、最大で１００Ａ程度通電する。また小信号用端子は、数ｍＡ以下通電する。
　図１に示すように、Ｈブリッジ回路は上下アームに直列にＦＥＴが接続され、これが対で構成されているので、図２における配置も左右同様な配置、つまりミラー配置となっている。そのため、配置、接続については、一方についてのみ説明する。
　図２に示すように、大電流用端子Ｂ１から銅板のベース１０ａは、半導体モジュール１ａの内部へ伸びており、半導体スイッチング素子Ｔ１であるＦＥＴが搭載部２１に装着されている。半導体スイッチング素子Ｔ１であるＦＥＴのゲート（図示なし）には、ワイヤボンドにより小信号用端子Ｃ１が接続されている。銅板のベース１０ａは、半導体スイッチング素子Ｔ１であるＦＥＴのドレイン（図示なし）と直接接続され、一方ソース（図示なし）はジャンパ線Ｊ１により電気的に配線されている。このジャンパ線Ｊ１も銅板のベース１０ａと同様に銅板状で形成され大電流を流すのみならず、伝熱性にも優れている。
　ジャンパ線Ｊ１の一方（図中下側）は、別のベース１０ａと接続され、これはモータ２への出力用端子である大電流用端子Ｍ１へと接続されている。他方（図中上側）は下アームの半導体スイッチング素子Ｔ２であるＦＥＴのベース１０ａへ接続されている。半導体スイッチング素子Ｔ２であるＦＥＴも半導体スイッチング素子Ｔ１であるＦＥＴと同様に、ゲートにはワイヤボンディングで小信号用端子Ｃ２へ、ソースはジャンパ線Ｊ２を介してグランド配線である大電流用端子Ｇ１に接続されている。
　以上のように、実施の形態１による半導体モジュール１ａは、半導体スイッチング素子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、ベース１０ａ、ジャンパ線Ｊ１、Ｊ２等々を配置して接続した後、破線で示したモールド樹脂２０の外形の位置で樹脂によりモールドされて封止される。その後、不要なフレーム１０を図中一点鎖線のフレーム切断線１００に沿って切断し、半導体モジュール１ａが完成する。
　ここで、半導体モジュール１ａの図中左右両側は、ベース１０ａにより構成されたグランド配線である大電流用端子Ｇ１、Ｇ２が配置されており、このベース１０ａ、つまりグランド配線である大電流用端子Ｇ１、Ｇ２の一部に幅広部Ｇ１０、Ｇ２０が設けられている。具体的に幅広部Ｇ１０、Ｇ２０は、モールド樹脂２０の外周側端部に形成されている。この幅広部Ｇ１０、Ｇ２０は、グランド配線である大電流用端子Ｇ１、Ｇ２に流れる電流量に対応した配線幅よりも幅広に形成されている。大電流用端子Ｇ１、Ｇ２は、例えば最大で１００Ａ程度通電する。つまり、幅広部Ｇ１０、Ｇ２０は、グランド配線である大電流用端子Ｇ１、Ｇ２の幅よりも広いが、ベース１０ａと同一材料であるため、例えば厚みはグランド配線である大電流用端子Ｇ１、Ｇ２と同一で、幅のみが異なる。このベース１０ａは銅板であり、この幅広部Ｇ１０、Ｇ２０によりベース１０ａは樹脂によりモールドされるまで支持されるので、ベース１０ａの反りまたは歪み等を抑制することが可能である。
　特に、半導体スイッチング素子Ｔ１、Ｔ２であるＦＥＴを装着する工程、ワイヤボンディングする工程、ジャンパ線Ｊ１、Ｊ２の装着工程により、各ベース１０ａの平面度がずれてくる可能性がある。実施の形態１による半導体モジュール１ａにおいては、外枠であるフレーム１０を各ベース１０ａの多数の腕部で支持している構造となっているので、フレーム１０の反りまたは歪みを抑制できる。またモールド後の不要フレ－ム切断時においてもモールド樹脂２０の左右両端には金属板である幅広部Ｇ１０、Ｇ２０が、モールド樹脂２０の外周側端部から内部へ向かって延在した状態で、モールド樹脂２０内部に埋め込まれて固定された構成となっているのでそれらが補強材となっている。
　また幅広部Ｇ１０、Ｇ２０の一部は、モールド樹脂２０の外形よりも突出して形成されており、より補強の効果を奏する。さらに幅広部Ｇ１０、Ｇ２０は、電流的には図２に示したグランド配線である大電流用端子Ｇ１、Ｇ２へ電気が流れる。幅広部Ｇ１０、Ｇ２０は、半導体スイッチング素子Ｔ２であるＦＥＴの配置位置よりも図中上側に延在した配線となっており、モールド樹脂２０の一辺に沿うように伸びているので、フレーム１０またはモールド樹脂２０の反りまたは歪みに強い構造となっている。
　以上のように、実施の形態１による半導体モジュール１ａによれば、半導体モジュール１ａのベース１０ａの両端部、つまりモールド樹脂２０の外周側端部に幅広部Ｇ１０、Ｇ２０を設けることにより、モールド樹脂２０、ベース１０ａの反り、歪みを製造工程の最初から完成後も抑制することが可能である。さらに、この補強のために別部材を追加することもなく、必要な配線の一部のベース１０ａを幅広くすることで成し遂げられるので、コスト的にも、工作的にも有利である。
実施の形態２．
　図３は、実施の形態２による半導体モジュールの内部構成を示す平面図である。図３に示すように、半導体モジュール１ｂにおける回路は、図１と同一であるので、内蔵された半導体スイッチング素子Ｔ１～Ｔ４、ジャンパ線Ｊ１、Ｊ２も同一である。また半導体モジュール１ｂは完成品であり、樹脂によりモールドされた半導体モジュール１ｂの内部の透視図としている。図中左右両端には、ベース１０ｂから構成されたグランド配線である大電流用端子Ｇ１、Ｇ２に幅広部Ｇ１１が設けられている。モールド樹脂２０の側端部の中央部には、半円形の凹部１１が設けられている。そのため、幅広部Ｇ１１にも同等な凹部１１ａを設けている。半導体モジュール１ｂは、半導体スイッチング素子Ｔ１～Ｔ４により発熱があり、例えば放熱性向上のためベース１０ｂの裏面（半導体スイッチング素子の装着面と逆の裏面）から放熱用ヒートシンク他で伝熱させる必要がある。このような場合、半導体モジュール１ｂをヒートシンク（図示せず）に密着させる必要があり、この凹部１１、１１ａを用いて固定することが可能である。固定部材、例えばネジ締めを行う場合にこの幅広部Ｇ１１が補強の役目を担うことになる。なお、凹部１１、凹部１１ａは穴部であってもよい。
　また、図３に示すように、幅広部Ｇ１１はグランド配線である大電流用端子Ｇ１、Ｇ２と一体となった配線である。また、幅広部Ｇ１１は、小信号用端子Ｃ２、Ｃ４または大電流用端子Ｂ１、Ｂ２と隣接して配置されたグランド配線に設けられている。この幅広部Ｇ１１が、モールド樹脂２０の上下方向より突出して形成されている。この突出部分は、フレーム１０（図２参照）との接続部分であるので、モールド樹脂２０より突出して形成されたことで、フレーム１０の反りまたは歪みの防止にさらに寄与している。また、モールド樹脂２０の左右方向に幅広部Ｇ１１を突出して形成することも可能である。実施の形態２の半導体モジュール１ｂによれば、モールド樹脂２０の左右方向に幅広部Ｇ１１を突出して形成するより、放熱性向上にさらに寄与する効果を有する。
　以上のように、実施の形態２による半導体モジュール１ｂによれば、幅広部Ｇ１１に凹部１１ａ、又は穴部を設け、半導体モジュール１ｂの固定を容易にできる効果がある。さらに、モールド樹脂２０の外周よりも幅広部Ｇ１１を突出して形成することにより、反りまたは歪みの防止となり、また放熱性を向上させることも可能となる。
実施の形態３．
　図４は、実施の形態３による半導体モジュールの内部構成を示す平面図である。図４に示すように、実施の形態３の半導体モジュール１ｃの回路は図１と同一のＨブリッジ回路であり、半導体スイッチング素子Ｔ１～Ｔ４、ジャンパ線Ｊ１、Ｊ２等も同一である。半導体モジュール１ｃのモールド樹脂２０の外周側端部である左右両側には、配線１２、１３が設置されている。この配線１２、１３は、ベース１０ｃと同様の銅板であり、かつ幅広部Ｇ１２、Ｇ１３が配線１２、１３とそれぞれ一体となって形成されている。配線１２、１３は、例えば、信号ラインまたは電源系ラインをなしており、半導体モジュール１ｃを介して他の部品と接続するための役割をなしている。そのため、図中上下方向に端子が延在されて形成されている。実施の形態３の半導体モジュール１ｃによれば、モールド樹脂２０の外周側端部の両側に配線１２、１３を備えたことで、外枠であるフレーム１０（図２参照）から不要部分を切断するまでフレーム１０、モールド樹脂２０を支持しているので、半導体モジュール１ｃとして製品が完成するまでのフレーム１０またはモールド樹脂２０の反りまたは歪みの防止となる。そのため、実施の形態３による半導体モジュール１ｃによれば、フレーム１０との接続のために凸部１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄが配置されている。
　このような半導体モジュール１ｃを使用した全体の装置には、この半導体モジュール１ｃの他に部品、例えばＣＰＵ、インターフェース部等々を備えており、これらに電源系、又は信号ラインをこの半導体モジュール１ｃを介して接続することに使用できる。つまり、図４の配線１２、１３は、図中上下方向に端子が他のブリッジ回路と同様に伸びている。半導体モジュール１ｃの周囲に配置された他の電子部品との接続を考えると、ブリッジ回路以外の電気的配線が必要であり、特に半導体モジュール１ｃの図中上下方向に部品を配置すると、この配線１２、１３を利用することで外部配線の一部を削減することができる。なお、幅広部Ｇ１２、Ｇ１３は左右の対で配置したが、一方のみであってもよい。
　さらにブリッジ回路同士の間に幅広部Ｇ１２、Ｇ１３を配置することもできる。実施の形態３においては、半導体モジュール１ｃの内部相当の長さで配置された幅広部Ｇ１２、Ｇ１３を有するベース１０ｃであればよい。また、この幅広部Ｇ１２、Ｇ１３を有するベース１０ｃが電源系のラインである場合、小信号用端子（Ｃ１～Ｃ６）に隣接して配列された端子は、小信号用端子（Ｃ１～Ｃ６）よりは幅広い端子である方が望ましい。逆に信号ラインとして使用される場合は、大電流用端子に隣接して配列された端子は、大電流用端子よりも細い端子であってもよい。また、半導体モジュール１ｃの内部の配線の一部から分岐したベース１０ｃであり、その一方端に端子を有する構造であってもよい。どのようなタイプであっても、半導体モジュール１ｃの内部が端子の幅よりも広ければ多様なラインに適用できる。
　実施の形態３による半導体モジュール１ｃによれば、幅広部Ｇ１２、Ｇ１３を有する配線１２、１３により、モールド樹脂２０、ベース１０ｃの反りまたは歪みを防止できる。また、この配線１２、１３には発熱部品の装着がなく、モールド樹脂２０の熱をこの配線１２、１３を介して伝熱させることにより、放熱性を向上させることも可能である。また、このような幅広部Ｇ１２、Ｇ１３は、半導体モジュール１ｃの両端への配置のみならず、中央に配置することも可能である。
　本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、１つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
　従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
　１、１ａ、１ｂ、１ｃ　半導体モジュール、２　モータ、３　電源、４　グランド、１０　フレーム、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ　ベース、１１　凹部、１１ａ　凹部、１２、１３　配線、１４ａ～１４ｄ　凸部、２０　モールド樹脂、２１　搭載部、１００　フレーム切断線、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６　小信号用端子、Ｂ１、Ｂ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｍ１、Ｍ２　大電流用端子、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４　半導体スイッチング素子、Ｇ１０、Ｇ１１、Ｇ１２、Ｇ１３、Ｇ２０　幅広部、Ｊ１、Ｊ２　ジャンパ線

Claims (6)

  1. 　複数の端子または配線を構成しているベースと、
    　前記端子の搭載部に装着された半導体スイッチング素子と、
    　前記半導体スイッチング素子を封止するモールド樹脂と、を備え、
    　前記モールド樹脂の外周側端部には、前記端子または前記配線の一部に前記端子または前記配線よりも大きい幅を有する幅広部が形成されており、
    　前記幅広部は、前記モールド樹脂の外周側端部から内部へ向かって延在した状態で前記モールド樹脂の内部に埋め込まれて固定されたことを特徴とする半導体モジュール。
  2. 　前記幅広部は、前記端子または前記配線に流れる電流量に対応した配線幅よりも広く形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
  3. 　前記幅広部および前記モールド樹脂の一部に凹部または穴部を設けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体モジュール。
  4. 　前記幅広部の一部は、前記モールド樹脂の外形側面から突出して形成されたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
  5. 　前記複数の端子は、小信号用端子と前記小信号用端子よりも大きい電流を通電する大電流用端子であり、前記幅広部は、前記小信号用端子または前記大電流用端子と隣接して配置されたグランド配線に設けられたことを特徴する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
  6. 　前記幅広部は、前記モールド樹脂の一辺に沿って延在しており、前記モールド樹脂の外周側端部の両端部に配置されたことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
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