WO2019208224A1 - 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法 - Google Patents

放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法 Download PDF

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Definitions

  • the present disclosure relates to a radiation detector, a method for manufacturing the radiation detector, and an image processing method.
  • the following radiation detector may be used. That is, a wiring board, a plurality of image sensors mounted on the wiring board, a plurality of fiber optic plates respectively fixed on the plurality of image sensors, a scintillator layer provided on the plurality of fiber optic plates, It is a radiation detector provided with.
  • Patent Document 1 describes an X-ray image sensor in which adjacent fiber optic plates are brought into contact with each other at a corner on the light incident surface side.
  • the present disclosure is intended to provide a radiation detector, a method for manufacturing a radiation detector, and an image processing method that can acquire a radiation image over a wide range with high accuracy.
  • a radiation detector includes a wiring board, a first image sensor and a second image sensor adjacent to each other on the wiring board, and a first fiber adjacent to each other on the first image sensor and the second image sensor.
  • the first fiber optic plate has a first light incident surface and a first light output. And a first side surface connecting the first light incident surface and the first light exit surface, the first light incident region of the first light incident surface and the first light of the first light exit surface.
  • the second fiber optic plate can be guided to and from the emission region, and the second fiber optic plate has a second light incident surface, a second light output surface, and a second light incident. And a second side surface connecting the second light exit surface, and can guide light between the second light entrance region of the second light entrance surface and the second light exit region of the second light exit surface.
  • the one side on the second light incident region side in the first light incident region and the one side on the first light incident region side in the second light incident region are in contact with each other, and the first light emitting region is
  • the first light receiving area of the first image sensor is positioned on the second light receiving area of the second image sensor.
  • the side surface and one side surface of the second side surface on the first fiber optic plate side are in a shape along each other and are in contact with each other.
  • the scintillator layer when radiation is incident on the scintillator layer, light is generated in the scintillator layer. Then, the light incident on the first fiber optic plate from the scintillator layer is guided from the first light incident region to the first light emitting region, and is incident on the first light receiving region of the first image sensor. On the other hand, light incident on the second fiber optic plate from the scintillator layer is guided from the second light incident region to the second light emitting region, and is incident on the second light receiving region of the second image sensor.
  • the one side on the second light incident region side in the first light incident region and the one side on the first light incident region side in the second light incident region are in contact with each other.
  • the light generated in the scintillator layer is detected by the first image sensor and the second image sensor in a continuous state. Further, one side surface of the first side surface on the second fiber optic plate side and one side surface of the second side surface on the first fiber optic plate side are in a shape along each other and are in contact with each other. Therefore, it is difficult for a position shift to occur between the first light incident surface of the first fiber optic plate and the second light incident surface of the second fiber optic plate. Therefore, according to this radiation detector, a radiographic image can be acquired in a wide range with high accuracy.
  • the distance between the one side on the second light emitting region side in the first light emitting region and the one side on the first light emitting region side in the second light emitting region is equal to that in the first light receiving region.
  • the one side of the second light receiving region is larger than the distance between the one side of the second light receiving region and the one side of the first light receiving region in the second light receiving region, and the one side of the second light emitting region in the first light emitting region is the second in the first light receiving region.
  • the first fiber optic plate and the second fiber optic plate are guided by the first fiber optic plate and the second fiber optic plate, respectively, while relaxing the positioning accuracy of the first fiber optic plate and the second fiber optic plate with respect to the first image sensor and the second image sensor.
  • the emitted light can be reliably detected by the first image sensor and the second image sensor.
  • the radiation detector of one side of this indication is further provided with the storage part provided in the wiring board, and the storage part is the 2nd light reception in the 1st light emission area side and the 1st light reception area side.
  • the first shift amount from one side of the region side and the second shift amount between the one side of the second light emitting region on the first light emitting region side and the one side of the second light receiving region on the first light receiving region side are stored. May be. According to this configuration, one continuous radiation image can be generated based on the first shift amount and the second shift amount.
  • the outer edges of the first light incident surface and the second light incident surface that are continuous with each other, and the outer edges of the first light output surface and the second light output surface that are continuous with each other are the wiring board.
  • the first light receiving region and the second light receiving region may be included.
  • the first fiber optic plate and the second fiber optic plate are sufficiently thick on the radiation incident side of the first light receiving region and the second light receiving region (that is, the first light incident surface and the first light emitting surface). The thickness corresponding to the distance to the surface and the thickness corresponding to the distance between the second light incident surface and the second light emitting surface), and thus depending on the radiation of the first light receiving region and the second light receiving region. Deterioration can be suppressed.
  • the first image sensor includes a first circuit region adjacent to the first light receiving region
  • the second image sensor includes a second circuit region adjacent to the second light receiving region.
  • the outer edges of the first and second light incident surfaces that are continuous with each other and the outer edges of the first and second light emission surfaces that are continuous with each other are viewed from the thickness direction of the wiring board.
  • a first light receiving region, a first circuit region, a second light receiving region, and a second circuit region may be included.
  • the first fiber optic plate and the second fiber optic plate are sufficiently thick on the radiation incident side of the first light receiving region, the first circuit region, the second light receiving region, and the second circuit region (that is, The thickness corresponding to the distance between the first light incident surface and the first light exit surface and the thickness corresponding to the distance between the second light incident surface and the second light exit surface). Deterioration due to radiation in the light receiving region, the first circuit region, the second light receiving region, and the second circuit region can be suppressed.
  • the manufacturing method of the radiation detector of one side of this indication is a manufacturing method of the radiation detector mentioned above, Comprising: One side of the 2nd fiber optic plate side in the 1st side, and the 1st fiber optic plate side in the 2nd side Obtaining a first fiber optic plate and a second fiber optic plate bonded to each other on one side, and after obtaining the first light incident surface of the first fiber optic plate and the second fiber optic plate of the second fiber optic plate. After the step of polishing the two light incident surfaces and the step of polishing, a scintillator layer is formed on the first fiber optic plate and the second fiber optic plate, and the first image sensor and the second mounted on the wiring board are formed. On the image sensor, the first fiber optic And a step of bonding the over preparative and second fiber optic plate, the.
  • a step of obtaining a first fiber optic plate and a second fiber optic plate joined together, a first light incident surface of the first fiber optic plate, and a second of the second fiber optic plate are obtained.
  • polishing the light incident surface the first light incident surface of the first fiber optic plate and the second light incident surface of the second fiber optic plate can be easily and reliably flush with each other.
  • a scintillator layer is formed on the first fiber optic plate and the second fiber optic plate, and then the first mounted on the wiring board.
  • the first fiber optic plate and the second fiber optic plate may be bonded on the first image sensor and the second image sensor.
  • the scintillator layer formed on the first fiber optic plate and the second fiber optic plate can be performed before joining the relatively expensive first image sensor and second image sensor, for example, the scintillator layer
  • the first image sensor and the second image sensor are not wasted, and as a result, an increase in manufacturing cost can be suppressed.
  • the scintillator layer may be formed of CsI.
  • the scintillator layer is formed on the first fiber optic plate and the second fiber optic plate in advance, the first image sensor, the second image sensor, and the wiring board are damaged due to the corrosiveness of CsI. Can be suppressed.
  • the first fiber optic plate and the second fiber optic plate are formed on the first image sensor and the second image sensor mounted on the wiring board.
  • a scintillator layer may be formed on the first fiber optic plate and the second fiber optic plate. In this case, since the scintillator layer having a lower strength than other members is formed last, it is possible to suppress the scintillator layer from being damaged.
  • the first light incident surface of the first fiber optic plate and the second light incident surface of the second fiber optic plate are polished, and the first light incident surface is polished.
  • the first light exit surface of the fiber optic plate and the second light exit surface of the second fiber optic plate may be polished.
  • the first light emitting region of the first fiber optic plate and the first image sensor first.
  • the distance between the light receiving region and the distance between the second light emitting region of the second fiber optic plate and the second light receiving region of the second image sensor can be made uniform. Therefore, in this case, it is possible to more reliably manufacture a radiation detector that can accurately acquire a radiological image over a wide range.
  • the manufacturing method of the radiation detector of one side of this indication is a manufacturing method of the above-mentioned radiation detector, and forms a scintillator layer on the 1st fiber optic plate and the 2nd fiber optic plate, and is on a wiring board.
  • the stored first deviation amount and second deviation amount are stored. Based on this, it is possible to manufacture a radiation detector that can accurately generate one radiation image.
  • An image processing method is an image processing method using the radiation detector described above, and includes a side on the second light emitting region side in the first light emitting region and a second light receiving region in the first light receiving region. Obtaining a first shift amount with respect to one side and a second shift amount between one side on the first light emitting region side in the second light emitting region and one side on the first light receiving region side in the second light receiving region; The first electrical signal output from the first image sensor via the wiring board after the obtaining step, the second electrical signal output from the second image sensor via the wiring board, and the first deviation Generating one radiation image based on the amount and the second shift amount.
  • radiographic images can be acquired with a wide range and with high accuracy.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a radiation detector according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the radiation detector along the line II-II shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the radiation detector along the line III-III shown in FIG.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing the radiation detector according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a method of manufacturing the radiation detector according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a method of manufacturing the radiation detector according to the embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining a method of manufacturing the radiation detector according to the embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining an image processing method according to an embodiment.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a radiation detector according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the radiation detector along the line II-II shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-section
  • FIG. 9 is a diagram for explaining an image processing method according to an embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining an image processing method according to an embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining a modification of the radiation detector.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining a modification of the radiation detector.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining a modification of the radiation detector.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a modification of the radiation detector.
  • the radiation detector 1 includes a wiring board 2, a first image sensor 3 and a second image sensor 4, a first FOP (first fiber optic plate) 5 and a second FOP (fiber).
  • An optical plate) 6 a scintillator layer 7, a protective layer 8, and a housing 9.
  • the wiring board 2 has a front surface 2a and a back surface 2b facing each other.
  • one direction parallel to the front surface 2a and the back surface 2b is the X-axis direction
  • a direction parallel to the front surface 2a and the back surface 2b and parallel to the X-axis direction is the Y-axis direction
  • the front surface 2a and the back surface 2b face each other (wiring board)
  • the first image sensor 3 and the second image sensor 4 are adjacent to each other on the wiring board 2. More specifically, the first image sensor 3 and the second image sensor 4 are mounted on the surface 2a of the wiring board 2 and are adjacent to each other in the X-axis direction.
  • the first image sensor 3 is configured by providing a first light receiving region 31 and first circuit regions 32 and 33 on a first semiconductor substrate 30.
  • the first image sensor 3 is a solid-state image sensor such as a CCD / CMOS, for example.
  • the first light receiving region 31 includes a plurality of pixels that perform photoelectric conversion.
  • the first circuit regions 32 and 33 are signal readout circuits such as shift registers.
  • the first light receiving region 31 is provided on the surface 30 a of the first semiconductor substrate 30 opposite to the wiring substrate 2.
  • the first light receiving region 31 has, for example, a rectangular shape having a pair of sides perpendicular to the X-axis direction and a pair of sides perpendicular to the Y-axis direction.
  • Each of the first circuit areas 32 and 33 is adjacent to the first light receiving area 31. More specifically, the first circuit region 32 is provided on the second image sensor 4 side with respect to the first light receiving region 31.
  • the first circuit region 33 is provided on one side in the Y-axis direction with respect to the first light receiving region 31.
  • the first circuit regions 32 and 33 are electrically connected to the wiring board 2 by wires 11.
  • the second image sensor 4 is configured by providing a second light receiving region 41 and second circuit regions 42 and 43 (see FIG. 3) on the second semiconductor substrate 40.
  • the second image sensor 4 is a solid-state image sensor such as a CCD / CMOS, for example.
  • the second light receiving region 41 includes a plurality of pixels that perform photoelectric conversion.
  • the second circuit regions 42 and 43 are signal readout circuits such as shift registers.
  • the second light receiving region 41 is provided on the surface 40 a of the second semiconductor substrate 40 opposite to the wiring substrate 2.
  • the second light receiving region 41 has, for example, a rectangular shape having a pair of sides perpendicular to the X-axis direction and a pair of sides perpendicular to the Y-axis direction.
  • Each of the second circuit areas 42 and 43 is adjacent to the second light receiving area 41. More specifically, the second circuit region 42 is provided on the side opposite to the first image sensor 3 with respect to the second light receiving region 41.
  • the second circuit region 43 is provided on one side in the Y-axis direction with respect to the second light receiving region 41.
  • Each of the second circuit regions 42 and 43 is electrically connected to the wiring board 2 by the wire 11.
  • the first FOP 5 and the second FOP 6 are adjacent to each other on the first image sensor 3 and the second image sensor 4. More specifically, the first FOP 5 and the second FOP 6 are solidified with an adhesive or the like on the surface 30a of the first semiconductor substrate 30 and the surface 40a of the second semiconductor substrate 40, and are adjacent to each other in the X-axis direction.
  • the first FOP 5 has a first light incident surface 51, a first light emitting surface 52, and a first side surface 53.
  • the first light incident surface 51 is a surface on the opposite side to the first image sensor 3.
  • the first light exit surface 52 is a surface on the first image sensor 3 side.
  • the first side surface 53 is a surface connecting the first light incident surface 51 and the first light emitting surface 52.
  • the first FOP 5 has, for example, a rectangular plate shape having a pair of side surfaces perpendicular to the X-axis direction and a pair of side surfaces perpendicular to the Y-axis direction as the first side surface 53.
  • Each of the plurality of optical fibers constituting the first FOP 5 includes the first light incident surface 51 and the first light exit so that the light exit end is located on the opposite side of the second FOP 6 in the X-axis direction with respect to the light entrance end.
  • Each surface 52 is inclined at an angle of, for example, 67 °.
  • an optical fiber having a light incident end located on the first light incident surface 51 and a light exit end located on the first light exit surface 52 is guided from the first light incident surface 51 to the first light exit surface 52. It is an optical fiber capable of light.
  • the first light incident area 54 is formed on the first light incident surface 51 by the light incident ends of the plurality of light guideable optical fibers, and the first light incident end 54 is formed by the light output ends of the plurality of light guideable optical fibers.
  • a first light emission region 55 is formed on the one light emission surface 52. That is, in the first FOP 5, light can be guided between the first light incident region 54 of the first light incident surface 51 and the first light emitting region 55 of the first light emitting surface 52.
  • Each of the first light incident region 54 and the first light emitting region 55 has, for example, a rectangular shape having a pair of sides perpendicular to the X-axis direction and a pair of sides perpendicular to the Y-axis direction.
  • the second FOP 6 has a second light incident surface 61, a second light emitting surface 62, and a second side surface 63.
  • the second light incident surface 61 is a surface on the opposite side to the second image sensor 4.
  • the second light exit surface 62 is a surface on the second image sensor 4 side.
  • the second side surface 63 is a surface connecting the second light incident surface 61 and the second light emitting surface 62.
  • the second FOP 6 has, for example, a rectangular plate shape having a pair of side surfaces perpendicular to the X-axis direction and a pair of side surfaces perpendicular to the Y-axis direction as the second side surface 63.
  • Each of the plurality of optical fibers constituting the second FOP 6 includes the second light incident surface 61 and the second light exit so that the light exit end is located on the opposite side to the first FOP 5 in the X-axis direction with respect to the light entrance end.
  • Each of the surfaces 62 is inclined with an angle of, for example, 67 °.
  • an optical fiber having a light incident end located on the second light incident surface 61 and a light exit end located on the second light exit surface 62 is guided from the second light incident surface 61 to the second light exit surface 62. It is an optical fiber capable of light.
  • the second light incident area 64 is formed on the second light incident surface 61 by the light incident ends of the plurality of light guideable optical fibers, and the second light incident end 64 is formed by the light output ends of the plurality of light guideable optical fibers.
  • a second light emission region 65 is formed on the two light emission surface 62. That is, in the second FOP 6, light can be guided between the second light incident region 64 of the second light incident surface 61 and the second light output region 65 of the second light output surface 62.
  • Each of the second light incident region 64 and the second light emitting region 65 has, for example, a rectangular shape having a pair of sides perpendicular to the X-axis direction and a pair of sides perpendicular to the Y-axis direction.
  • the one side 54a on the second light incident region 64 side in the first light incident region 54 and the one side 64a on the first light incident region 54 side in the second light incident region 64 are in contact with each other (line contact).
  • the first light emitting area 55 is located on the first light receiving area 31 of the first image sensor 3.
  • the one side 55a on the second light emitting region 65 side in the first light emitting region 55 is located on one side 31a on the second light receiving region 41 side in the first light receiving region 31 or inside the one side 31a.
  • the second light emitting area 65 is located on the second light receiving area 41 of the second image sensor 4.
  • the one side 65a on the first light emitting region 55 side in the second light emitting region 65 is located on the one side 41a on the first light receiving region 31 side in the second light receiving region 41 or on the inner side of the one side 41a.
  • the distance between one side 55 a of the first light emitting region 55 and one side 65 a of the second light emitting region 65 is greater than the distance between one side 31 a of the first light receiving region 31 and one side 41 a of the second light receiving region 41.
  • the outer edge of the first light receiving region 31 includes the outer edge of the first light emitting region 55
  • the outer edge of the second light receiving region 41 is the second light emitting region 65. Includes the outer edge.
  • the first FOP 5 when each of the plurality of optical fibers constituting the first FOP 5 is inclined so that the light exit end is located on the opposite side of the second FOP 6 in the X-axis direction with respect to the light entrance end, the first FOP 5
  • the angle (inclination angle) formed by each of the plurality of optical fibers forming the first light incident surface 51 and the first light emitting surface 52 is ⁇ 1.
  • the second FOP 6 is An angle (inclination angle) formed by each of the plurality of optical fibers constituting the second light incident surface 61 and the second light emitting surface 62 is ⁇ 2.
  • the first FOP5 is set so as to satisfy D1> D2, that is, T (1 / tan ⁇ 1 + 1 / tan ⁇ 2)> D2. It is only necessary to determine the inclination angle ⁇ 1 of the plurality of optical fibers constituting the optical fiber and the inclination angle ⁇ 2 of the plurality of optical fibers constituting the second FOP6.
  • the outer edges E1 of the first light incident surface 51 and the second light incident surface 61 that are continuous with each other are, when viewed from the Z-axis direction, the first light receiving region 31, the first circuit region 32, 33, a second light receiving area 41 and second circuit areas 42 and 43.
  • the outer edges E2 of the first light emitting surface 52 and the second light emitting surface 62 that are continuous with each other, when viewed from the Z-axis direction, are the first light receiving region 31, the first circuit regions 32 and 33, and the second light receiving surface.
  • a region 41 and second circuit regions 42 and 43 are included.
  • casing 9 is abbreviate
  • the one side surface 53 a on the second FOP 6 side in the first side surface 53 of the first FOP 5 and the one side surface 63 a on the first FOP 5 side in the second side surface 63 of the second FOP 6 are shaped along each other. Are in contact with each other (surface contact).
  • the first FOP 5 and the second FOP 6 are joined to each other by an adhesive or the like on one side surface 53a and one side surface 63a that are in contact with each other.
  • the first light incident surface 51 and the second light incident surface 61 are located on the same plane (for example, a plane perpendicular to the Z axis),
  • the light emitting surface 52 and the second light emitting surface 62 are located on the same plane (for example, a plane perpendicular to the Z axis).
  • the scintillator layer 7 is provided on the first FOP 5 and the second FOP 6. More specifically, the scintillator layer 7 is formed on the first light incident surface 51 of the first FOP 5 and the second light incident surface 61 of the second FOP 6 so as to cover the first light incident region 54 and the second light incident region 64. ing.
  • the scintillator layer 7 is formed of, for example, CsI, GOS or the like, and generates light in response to the incidence of radiation.
  • the protective layer 8 covers the surface of the scintillator layer 7 except for the surface in contact with the first FOP 5 and the second FOP 6.
  • the protective layer 8 is made of, for example, parylene, and protects the scintillator layer 7 from moisture and the like.
  • the housing 9 accommodates the wiring board 2, the first image sensor 3, the second image sensor 4, the first FOP 5, the second FOP 6, the scintillator layer 7, and the protective layer 8.
  • the housing 9 is made of, for example, plastic, and protects the wiring board 2, the first image sensor 3, the second image sensor 4, the first FOP 5, the second FOP 6, the scintillator layer 7, and the protective layer 8 from an external force or the like. Transmitting radiation.
  • the wiring board 2 is provided with a storage unit 21 and an electrode pad 22.
  • the storage unit 21 is configured by a memory, for example.
  • a cable 23 extending to the outside via the wall portion of the housing 9 is connected to the electrode pad 22.
  • the cable 23 is used for input / output of electrical signals to / from the wiring board 2, power supply, and the like.
  • the storage unit 21 includes a first shift amount between the one side 55a of the first light emitting region 55 of the first FOP5 and the one side 31a of the first light receiving region 31 of the first image sensor 3, and the second light emitting region 65 of the second FOP6.
  • the second shift amount between the one side 65a and the one side 41a of the second light receiving region 41 of the second image sensor 4 is stored.
  • the storage unit 21 stores the first deviation amount as zero.
  • the storage unit 21 stores the second shift amount as zero.
  • an FOP block 10 is prepared.
  • the plurality of optical fibers constituting the FOP block 10 extend in a direction perpendicular to the main surface 10 a of the FOP block 10.
  • the FOP block 10 is cut at a surface inclined at an angle of 23 ° with the main surface 10a, for example, and as shown in FIG. 4B, the rectangular parallelepiped first FOP block 50 and second FOP block Get block 60.
  • each of the plurality of optical fibers constituting the first FOP block 50 has an angle of, for example, 67 ° with the first main surface 50a of the first FOP block 50. It is inclined in the state that made.
  • each of the plurality of optical fibers constituting the second FOP block 60 is inclined at an angle of, for example, 67 ° with the second main surface 60a of the second FOP block 60.
  • the plurality of optical fibers constituting the first FOP block 50 and the plurality of optical fibers constituting the second FOP block 60 are the first main surface 50 a and the second main surface.
  • the first FOP block 50 and the second FOP block 60 are joined to each other with an adhesive or the like so as to be separated from each other as the distance from 60a increases.
  • the first FOP block 50 and the second FOP block 60 joined to each other are perpendicular to and parallel to the first main surface 50a and the second main surface 60a. Cut to obtain a plurality of first FOPs 5 and second FOPs 6 joined to each other as shown in FIG.
  • the above is the process of obtaining the first FOP 5 and the second FOP 6 joined to each other on the one side surface 53a of the first side surface 53 and the one side surface 63a of the second side surface 63.
  • first light incident surface 51 of the first FOP 5 and the second light incident surface 61 of the second FOP 6 are polished, and the first light emitting surface 52 of the first FOP 5 and the second light emitting surface 62 of the second FOP 6 are polished ( Polishing step). Accordingly, the first light incident surface 51 and the second light incident surface 61 are flush with each other, and the first light emitting surface 52 and the second light emitting surface 62 are flush with each other.
  • the first light incident surface 51 and the second light incident surface 61 may be polished, and then the first light output surface 52 and the second light output surface 62 may be polished, or the first light output surface may be polished. 52 and the second light emitting surface 62 may be polished, and then the first light incident surface 51 and the second light incident surface 61 may be polished.
  • the first image sensor 3 and the second image sensor 4 are mounted on the wiring board 2 on which the storage unit 21 and the electrode pads 22 are provided.
  • the scintillator layer 7 is formed on the first FOP 5 and the second FOP 6 so as to cover the first light incident region 54 of the first FOP 5 and the second light incident region 64 of the second FOP 6.
  • the scintillator layer 7 is formed on the first FOP 5 and the second FOP 6 by vapor-depositing a scintillator material on the first FOP 5 and the second FOP 6.
  • the protective layer 8 is formed so as to cover the surface of the scintillator layer 7 excluding the surface in contact with the first FOP 5 and the second FOP 6.
  • a first FOP 5 in which a scintillator layer 7 and a protective layer 8 are provided on the first image sensor 3 and the second image sensor 4 mounted on the wiring board 2 and
  • the second FOP 6 is joined with an adhesive or the like (step of forming and joining).
  • the first light emitting area 55 of the first FOP 5 is positioned on the first light receiving area 31 of the first image sensor 3
  • the second light emitting area 65 of the second FOP 6 is the second light receiving area 41 of the second image sensor 4. Positioning is performed so that it is located above.
  • first FOP 5 and the second FOP 6 may be joined on the first image sensor 3 and the second image sensor 4 mounted on the wiring board 2, and then the scintillator layer 7 may be formed on the first FOP 5 and the second FOP 6.
  • the scintillator layer 7 is a film type
  • the first FOP 5 and the second FOP 6 are joined on the first image sensor 3 and the second image sensor 4, and then the scintillator layer 7 is placed on the first FOP 5 and the second FOP 6. By sticking, the scintillator layer 7 can be formed on the first FOP 5 and the second FOP 6.
  • the wiring substrate 2, the first image sensor 3, the second image sensor 4, the first FOP 5, the second FOP 6, the scintillator layer 7, and the protective layer 8 are accommodated in a housing 9, and the wiring substrate
  • the cable 23 connected to the second electrode pad 22 is pulled out through the wall portion of the housing 9.
  • the cable 23 is connected to the image processing apparatus, and a radiation image is acquired for a reference prepared in advance.
  • a radiation image is acquired for a reference prepared in advance.
  • the one side 55 a of the first light emitting region 55 of the first FOP 5 is located inside the one side 31 a of the first light receiving region 31 of the first image sensor 3, one side 55 a of the first light emitting region 55.
  • a region in which the pixel value is missing in the radiation image for the reference is generated by the amount of the first deviation between the first light receiving region 31 and the one side 31a of the first light receiving region 31.
  • one side 65a of the second light emitting region 65 of the second FOP 6 is located inside the one side 41a of the second light receiving region 41 of the second image sensor 4, one side 65a of the second light emitting region 65.
  • a region in which the pixel value is missing in the radiation image for the reference is generated by the amount of the second deviation between the first light receiving region 41 and the one side 41a of the second light receiving region 41. Therefore, the first shift amount and the second shift amount are measured based on the radiographic image for the reference (measurement step).
  • the first shift amount and the second shift amount are stored (stored) in the storage unit 21 provided on the wiring board 2.
  • the first deviation amount is zero.
  • the one side 65a of the second light emitting region 65 is located on the one side 41a of the second light receiving region 41, the second deviation amount is zero.
  • the radiation detector 1 is obtained.
  • the cable 23 is connected to the image processing apparatus.
  • a signal transmission unit may be provided on the wiring board 2 to connect the wiring board 2 and the image processing apparatus wirelessly.
  • the image processing apparatus acquires the first shift amount and the second shift amount from the storage unit 21 via the cable 23 (acquisition step).
  • the housing 9 is placed in the oral cavity, and an X-ray transmission image in the oral cavity is captured.
  • the image processing apparatus acquires the first electric signal output from the first image sensor 3 and the second electric signal output from the second image sensor 4 via the wiring board 2 and the cable 23.
  • the image processing apparatus generates one X-ray transmission image based on the first electric signal and the second electric signal, and the first shift amount and the second shift amount (generation step).
  • the image processing apparatus when the image processing apparatus generates one X-ray transmission image without considering the first shift amount and the second shift amount, as shown in FIG. 8, the image A1 based on the first electric signal and A gap (region where pixel values are missing) is formed between the image A2 based on the second electric signal. As shown in FIG. 9, the gap corresponds to the first deviation amount S1 and the second deviation amount S2. Therefore, the image processing apparatus deletes the gap in consideration of the first deviation amount S1 and the second deviation amount S2, and as shown in FIG. 10, the image A1 based on the first electric signal without passing through the gap. And an image A2 based on the second electric signal are combined to generate one X-ray transmission image A10. [Action and effect]
  • the radiation detector 1 when radiation (for example, X-rays) enters the scintillator layer 7, light is generated in the scintillator layer 7. Then, the light incident on the first FOP 5 from the scintillator layer 7 is guided from the first light incident region 54 to the first light emitting region 55 and enters the first light receiving region 31 of the first image sensor 3. On the other hand, the light incident on the second FOP 6 from the scintillator layer 7 is guided from the second light incident region 64 to the second light emitting region 65 and enters the second light receiving region 41 of the second image sensor 4.
  • radiation for example, X-rays
  • the one side 54 a on the second light incident region 64 side in the first light incident region 54 and the one side 64 a on the first light incident region 54 side in the second light incident region 64 are in contact with each other. Therefore, the light generated in the scintillator layer 7 is detected by the first image sensor 3 and the second image sensor 4 in a continuous state.
  • the one side surface 53a on the second FOP 6 side in the first side surface 53 and the one side surface 63a on the first FOP 5 side in the second side surface 63 have shapes that are in line with each other and are in contact with each other. For this reason, it is difficult for a positional deviation to occur between the first light incident surface 51 of the first FOP 5 and the second light incident surface 61 of the second FOP 6. Therefore, according to the radiation detector 1, a radiographic image can be acquired with high accuracy over a wide range.
  • the distance between the one side 55 a on the second light emitting region 65 side in the first light emitting region 55 and the one side 65 a on the first light emitting region 55 side in the second light emitting region 65 is the first.
  • the distance is larger than the distance between one side 31 a on the second light receiving region 41 side in the light receiving region 31 and one side 41 a on the first light receiving region 31 side in the second light receiving region 41.
  • the one side 55a on the second light emitting region 65 side in the first light emitting region 55 is located on one side 31a on the second light receiving region 41 side in the first light receiving region 31 or on the inner side of the one side 31a
  • One side 65a of the second light emitting region 65 on the first light emitting region 55 side is located on one side 41a on the first light receiving region 31 side of the second light receiving region 41 or on the inner side of the one side 41a.
  • the storage unit 21 provided on the wiring board 2 has one side 55 a on the second light emitting region 65 side in the first light emitting region 55 and the second light receiving region 41 side in the first light receiving region 31. And a second shift between the one side 65a on the first light emitting region 55 side in the second light emitting region 65 and the one side 41a on the first light receiving region 31 side in the second light receiving region 41. I remember the amount. With this configuration, one continuous radiation image can be generated based on the first shift amount and the second shift amount.
  • the radiation detector 1 when the outer edges E1 of the first light incident surface 51 and the second light incident surface 61 that are continuous with each other are viewed from the Z-axis direction, the first light receiving region 31, the first circuit region 32, 33, a second light receiving region 41, and second circuit regions 42 and 43 (hereinafter referred to as “first light receiving region 31 etc.”).
  • the outer edges E2 of the first light emission surface 52 and the second light emission surface 62 that are continuous with each other include the first light receiving region 31 and the like when viewed from the Z-axis direction.
  • the first FOP 5 and the second FOP 6 have a sufficient thickness (that is, a thickness corresponding to the distance between the first light incident surface 51 and the first light emitting surface 52) on the radiation incident side of the first light receiving region 31 and the like.
  • a thickness corresponding to the distance between the second light incident surface 61 and the second light emitting surface 62), the deterioration of the first light receiving region 31 and the like due to radiation can be suppressed.
  • each of the plurality of optical fibers constituting the first FOP 5 is inclined at an angle other than 90 ° with the first light receiving region 31 of the first image sensor 3, and the second FOP 6 Are inclined at an angle other than 90 ° with the second light receiving region 41 of the second image sensor 4.
  • the deterioration of the second light receiving region 41 due to radiation can be suppressed as compared with the case where each of the plurality of optical fibers constituting the second FOP 6 forms an angle of 90 ° with the second light receiving region 41.
  • each of the plurality of optical fibers is inclined, so that the degree of deterioration of the first light receiving region 31 due to radiation and the deterioration of the second light receiving region 41 due to radiation are reduced. The difference is less likely to occur, and the difference between the output value from the first light receiving region 31 and the output value from the second light receiving region 41 due to the difference in the degree of deterioration due to radiation is less likely to occur.
  • the process of acquiring 1st FOP5 and 2nd FOP6 joined mutually The process of grind
  • the first light incident surface 51 of the first FOP 5 and the second light incident surface 61 of the second FOP 6 can be easily and reliably flush with each other.
  • the scintillator layer 7 is formed by vapor deposition through the step of forming the scintillator layer 7 with the first light incident surface 51 and the second light incident surface 61 being flush with each other, or Even when the scintillator layer 7 is formed by pasting, it is possible to prevent the scintillator layer 7 from being distorted. Therefore, according to the manufacturing method of the radiation detector 1, the radiation detector 1 which can acquire a radiographic image accurately in a wide range can be manufactured reliably.
  • the scintillator layer 7 is formed on the first FOP 5 and the second FOP 6, and then, on the first image sensor 3 and the second image sensor 4 mounted on the wiring board 2, The first FOP 5 and the second FOP 6 are joined.
  • the scintillator layer 7 formed on the first FOP 5 and the second FOP 6 can be inspected before the relatively expensive first image sensor 3 and the second image sensor 4 are joined. If there is, the first image sensor 3 and the second image sensor 4 are not wasted, and as a result, an increase in manufacturing cost can be suppressed.
  • the scintillator layer 7 is formed of CsI.
  • the scintillator layer 7 is formed on the first FOP 5 and the second FOP 6 in advance, the first image sensor 3, the second image sensor 4, and the wiring board 2 are damaged due to the corrosiveness of CsI. Can be suppressed.
  • the first light incident surface 51 of the first FOP 5 and the second light incident surface 61 of the second FOP 6 are polished, and the first light emitting surface 52 of the first FOP 5 and The second light exit surface 62 of the second FOP 6 is polished.
  • the first light emitting region 55 of the first FOP 5 and the first light receiving region 31 of the first image sensor 3 are connected.
  • the distance and the distance between the second light emitting region 65 of the second FOP 6 and the second light receiving region 41 of the second image sensor 4 can be made uniform. Therefore, in this case, it is possible to more reliably manufacture the radiation detector 1 that can acquire a radiological image over a wide range with high accuracy.
  • the radiation detector 1 capable of accurately generating one radiation image based on the amount can be manufactured.
  • the present disclosure is not limited to the embodiment described above.
  • the one side 54a of the first light incident region 54 and the one side 64a of the second light incident region 64 are in contact with each other (line contact).
  • a shape other than a rectangular shape for example, a polygonal shape other than a rectangular shape
  • an optical fiber that cannot be guided partially exists along one side 54 a of the first light incident region 54.
  • an optical fiber that cannot be guided may partially exist along one side 64a of the second light incident region 64.
  • Each of the first FOP 5 and the second FOP 6 has a rectangular shape as long as the one side surface 53a of the first side surface 53 and the one side surface 63a of the second side surface 63 are in a shape along each other and are in contact with each other (surface contact). It may have a shape other than a plate shape (for example, a polygonal plate shape other than a rectangular plate shape). As an example, the one side surface 53a and the one side surface 63a may be inclined with respect to the first light incident surface 51 and the second light incident surface 61 at an angle other than 90 °.
  • one side 54a of the first light incident region 54 and one side 64a of the second light incident region 64 are in contact with each other (line contact), and one side surface 53a of the first side surface 53 and one side surface 63a of the second side surface 63 are along each other.
  • 11 and a plurality of optical fibers that constitute the first FOP 5 (or a plurality of optical fibers that constitute the second FOP 6), as shown in FIG. 11A. ) May extend in a direction perpendicular to the first light incident surface 51 and the second light incident surface 61.
  • one side 54a of the first light incident region 54 and one side 64a of the second light incident region 64 are in contact with each other (line contact), and one side surface 53a of the first side surface 53 and one side surface 63a of the second side surface 63 are along each other.
  • the length of the first FOP 5 and the length of the second FOP 6 in the X-axis direction are different from each other as long as they satisfy the condition that they have different shapes and contact with each other (surface contact). May be. If the same condition is satisfied, as shown in FIG. 12A, the length of the first FOP 5 and the length of the second FOP 6 in the Y-axis direction may be different from each other. If the same condition is satisfied, as shown in FIG. 12B, the first FOP 5 and the second FOP 6 may be arranged so as to be shifted from each other in the Y-axis direction.
  • the radiation detector 1 further includes a third FOP 13 having a third light incident surface 131, a third light emitting surface 132, and a third side surface 133, and the first FOP5, the second FOP6, and the third FOP13. May be arranged in series. Also in the configuration shown in FIG. 13, in FOPs adjacent to each other, one side on the other light incident region side in one light incident region and one side on the other light incident region side in the other light incident region are in contact with each other (line contact). And satisfying the condition that one side surface of the other FOP side surface of one FOP and one side surface of the other FOP side surface of the other FOP are in a shape along each other and contact each other (surface contact). Yes.
  • the third FOP 13 is provided on the third image sensor 12 having the third light receiving region 121.
  • a plurality of optical fibers constituting the second FOP 6 disposed between the first FOP 5 and the third FOP 13 extend in a direction perpendicular to the second light incident surface 61.
  • the radiation detector 1 includes a third FOP 13 having a third light incident surface 131, a third light emitting surface 132, and a third side surface 133, a fourth light incident surface 141, and a third light.
  • a fourth FOP 14 having an emission surface (not shown) and a fourth side surface 143, and the first FOP 5, the second FOP 6, the third FOP 13, and the fourth FOP 14 may be arranged in a matrix.
  • in FOPs adjacent to each other one side on the other light incident region side in one light incident region and one side on the other light incident region side in the other light incident region are in contact with each other (line contact).
  • the third FOP 13 is provided on the third image sensor 12 having the third light receiving region 121
  • the fourth FOP 14 is provided on the fourth image sensor (not shown) having the fourth light receiving region.
  • the outer edge E1 of the first light incident surface 51 and the second light incident surface 61 that are continuous with each other, and the outer edge E2 of the first light output surface 52 and the second light output surface 62 that are continuous with each other are viewed from the Z-axis direction. In this case, it is sufficient that at least the first light receiving region 31 and the second light receiving region 41 are included. Even in that case, it is possible to suppress at least deterioration of the first light receiving region 31 and the second light receiving region 41 due to radiation.
  • At least the first light incident surface 51 and the second light incident surface 61 may be polished for the first FOP 5 and the second FOP 6 joined to each other. Even in this case, since the scintillator layer 7 can be formed on the first FOP 5 and the second FOP 6 with the first light incident surface 51 and the second light incident surface 61 being flush with each other, the scintillator layer 7 is distorted. Can be suppressed.
  • the first FOP 5 and the second FOP 6 are bonded onto the first image sensor 3 and the second image sensor 4 mounted on the wiring board 2, and then the first FOP 5 and the second FOP 6 are bonded.
  • a scintillator layer 7 may be formed on the first FOP 5 and the second FOP 6. In this case, since the scintillator layer 7 having a lower strength than other members is formed last, it is possible to suppress the scintillator layer 7 from being damaged.
  • the first deviation amount and the second deviation amount may not be stored in the storage unit 21 provided in the wiring board 2.
  • the image processing apparatus reads the first deviation amount and the second deviation amount separately stored in the storage unit, thereby the first deviation amount and the second deviation amount.
  • the shift amount is acquired (acquisition step), and the image processing apparatus generates one X-ray transmission image based on the first electrical signal and the second electrical signal, and the first shift amount and the second shift amount. It may also be performed (generating step).
  • a gap generated between the image based on the first electrical signal and the image based on the second electrical signal By extracting (a region where the pixel value is missing) based on the pixel value, the first shift amount and the second shift amount are acquired (step of acquiring), and the image processing apparatus receives the first electric signal and the second electric signal.
  • One X-ray transmission image may be generated based on the signal and the first shift amount and the second shift amount (generating step).
  • the scintillator layer 7 is formed on the first FOP 5 and the second FOP 6, and the first FOP 5 and the second FPS 5 are mounted on the first image sensor 3 and the second image sensor 4 mounted on the wiring board 2.
  • 2FOP6 is joined (step of forming and joining), and then the first shift amount and the second shift amount are measured (measurement step), and then the first portion is stored in the storage unit 21 provided on the wiring board 2.
  • the shift amount and the second shift amount may be stored (step of storing). In that case, it is not essential to prepare the first FOP 5 and the second FOP 6 joined in advance and to polish the first light incident surface 51 of the first FOP 5 and the second light incident surface 61 of the second FOP 6.
  • the second fiber optic plate is capable of connecting the second light incident surface, the second light emitting surface, and the second light incident surface and the second light emitting surface.
  • 2 side surfaces can be guided between the second light incident area of the second light incident surface and the second light output area of the second light output surface, and the second light incident area in the first light incident area.
  • One side of the two light incident region side and one side of the second light incident region side of the first light incident region are in contact with each other, and the first light emitting region is on the first light receiving region of the first image sensor.
  • the second light emitting area is located on the second light receiving area of the second image sensor, and the following is intended for a radiation detector (referred to as “another form of radiation detector”). Such a method can be realized.
  • another method of manufacturing a radiation detector includes: a first image sensor and a first image sensor mounted on a wiring board and having a scintillator layer formed on a first fiber optic plate and a second fiber optic plate; The step of bonding the first fiber optic plate and the second fiber optic plate on the two image sensors, the step of measuring the first shift amount and the second shift amount after the forming and bonding steps, and the step of measuring And a step of storing the first shift amount and the second shift amount in a storage unit provided on the wiring board, ”a radiation detector manufacturing method”.
  • the first deviation amount and the second deviation amount specific to each radiation detector are stored in the storage unit.
  • a radiation detector capable of accurately generating one radiation image based on the two deviation amounts can be manufactured.
  • the one side of the first light emitting region on the second light emitting region side and the second light receiving region side of the first light receiving region Acquiring a first shift amount from one side and a second shift amount between one side of the second light emitting region on the first light emitting region side and one side of the second light receiving region on the first light receiving region side; After the step, the first electric signal output from the first image sensor via the wiring board, the second electric signal output from the second image sensor via the wiring board, and the first shift amount and And a step of generating one radiation image based on the second shift amount.
  • the image processing method of this other aspect since the first shift amount and the second shift amount specific to each radiation detector are acquired, based on the acquired first shift amount and second shift amount.
  • One radiation image can be generated with high accuracy.

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Abstract

放射線検出器は、配線基板と、第１イメージセンサ及び第２イメージセンサと、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートと、シンチレータ層と、を備える。第１ファイバオプティックプレートは、第１光入射領域と第１光出射領域との間において導光可能である。第２ファイバオプティックプレートは、第２光入射領域と第２光出射領域との間において導光可能である。第１光入射領域における第２光入射領域側の一辺、及び、第２光入射領域における第１光入射領域側の一辺は、互いに接触している。第１光出射領域は、第１イメージセンサの第１受光領域上に位置している。第２光出射領域は、第２イメージセンサの第２受光領域上に位置している。第１側面における第２ファイバオプティックプレート側の一側面、及び、第２側面における第１ファイバオプティックプレート側の一側面は、互いに沿った形状を呈しており、互いに接触している。

Description

放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法
　本開示は、放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法に関する。
　例えば口腔内のＸ線透過画像を広範囲で取得するために、次のような放射線検出器が用いられる場合がある。すなわち、配線基板と、配線基板上に実装された複数のイメージセンサと、複数のイメージセンサ上にそれぞれ固定された複数のファイバオプティックプレートと、複数のファイバオプティックプレート上に設けられたシンチレータ層と、を備える放射線検出器である。そのような放射線検出器として、特許文献１には、隣り合うファイバオプティックプレート同士が光入射面側の角部において接触させられたＸ線画像センサが記載されている。
特開平８－２１１１５５号公報
　しかしながら、特許文献１に記載のＸ線画像センサでは、一方のファイバオプティックプレートの光入射面と他方のファイバオプティックプレートの光入射面との間に位置ずれが生じ易く、その位置ずれに起因してＸ線透過画像を精度良く取得できないおそれがある。
　本開示は、放射線画像を広範囲で精度良く取得できる放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法を提供することを目的とする。
　本開示の一側面の放射線検出器は、配線基板と、配線基板上において互いに隣り合う第１イメージセンサ及び第２イメージセンサと、第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上において互いに隣り合う第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートと、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に設けられたシンチレータ層と、を備え、第１ファイバオプティックプレートは、第１光入射面、第１光出射面、及び、第１光入射面と第１光出射面とを結ぶ第１側面を有し、第１光入射面のうちの第１光入射領域と第１光出射面のうちの第１光出射領域との間において導光可能であり、第２ファイバオプティックプレートは、第２光入射面、第２光出射面、及び、第２光入射面と第２光出射面とを結ぶ第２側面を有し、第２光入射面のうちの第２光入射領域と第２光出射面のうちの第２光出射領域との間において導光可能であり、第１光入射領域における第２光入射領域側の一辺、及び、第２光入射領域における第１光入射領域側の一辺は、互いに接触しており、第１光出射領域は、第１イメージセンサの第１受光領域上に位置しており、第２光出射領域は、第２イメージセンサの第２受光領域上に位置しており、第１側面における第２ファイバオプティックプレート側の一側面、及び、第２側面における第１ファイバオプティックプレート側の一側面は、互いに沿った形状を呈しており、互いに接触している。
　この放射線検出器では、放射線がシンチレータ層に入射すると、シンチレータ層で光が発生する。そして、シンチレータ層から第１ファイバオプティックプレートに入射した光は、第１光入射領域から第１光出射領域に導光され、第１イメージセンサの第１受光領域に入射する。一方、シンチレータ層から第２ファイバオプティックプレートに入射した光は、第２光入射領域から第２光出射領域に導光され、第２イメージセンサの第２受光領域に入射する。ここで、第１光入射領域における第２光入射領域側の一辺、及び、第２光入射領域における第１光入射領域側の一辺は、互いに接触している。そのため、シンチレータ層で発生した光が連続した状態で第１イメージセンサ及び第２イメージセンサによって検出される。また、第１側面における第２ファイバオプティックプレート側の一側面、及び、第２側面における第１ファイバオプティックプレート側の一側面は、互いに沿った形状を呈しており、互いに接触している。そのため、第１ファイバオプティックプレートの第１光入射面と第２ファイバオプティックプレートの第２光入射面との間に位置ずれが生じ難い。よって、この放射線検出器によれば、放射線画像を広範囲で精度良く取得できる。
　本開示の一側面の放射線検出器では、第１光出射領域における第２光出射領域側の一辺と第２光出射領域における第１光出射領域側の一辺との距離は、第１受光領域における第２受光領域側の一辺と第２受光領域における第１受光領域側の一辺との距離よりも大きく、第１光出射領域における第２光出射領域側の一辺は、第１受光領域における第２受光領域側の一辺上又は当該一辺よりも内側に位置しており、第２光出射領域における第１光出射領域側の一辺は、第２受光領域における第１受光領域側の一辺上又は当該一辺よりも内側に位置していてもよい。この構成によれば、第１イメージセンサ及び第２イメージセンサに対する第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートの位置決め精度を緩和しつつ、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートのそれぞれによって導光された光を第１イメージセンサ及び第２イメージセンサにおいて確実に検出できる。
　本開示の一側面の放射線検出器は、配線基板に設けられた記憶部を更に備え、記憶部は、第１光出射領域における第２光出射領域側の一辺と第１受光領域における第２受光領域側の一辺との第１ずれ量、及び、第２光出射領域における第１光出射領域側の一辺と第２受光領域における第１受光領域側の一辺との第２ずれ量を記憶していてもよい。この構成によれば、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、連続した１枚の放射線画像を生成できる。
　本開示の一側面の放射線検出器では、互いに連続する第１光入射面及び第２光入射面の外縁、並びに、互いに連続する第１光出射面及び第２光出射面の外縁は、配線基板の厚さ方向から見た場合に、第１受光領域及び第２受光領域を含んでいてもよい。この構成によれば、第１受光領域及び第２受光領域の放射線入射側に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートが十分な厚さ（すなわち、第１光入射面と第１光出射面との距離に相当する厚さ、第２光入射面と第２光出射面との距離に相当する厚さ）で存在することになるため、第１受光領域及び第２受光領域の放射線による劣化を抑制できる。
　本開示の一側面の放射線検出器では、第１イメージセンサは、第１受光領域と隣り合う第１回路領域を有し、第２イメージセンサは、第２受光領域と隣り合う第２回路領域を有し、互いに連続する第１光入射面及び第２光入射面の外縁、並びに、互いに連続する第１光出射面及び第２光出射面の外縁は、配線基板の厚さ方向から見た場合に、第１受光領域、第１回路領域、第２受光領域及び第２回路領域を含んでいてもよい。この構成によれば、第１受光領域、第１回路領域、第２受光領域及び第２回路領域の放射線入射側に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートが十分な厚さ（すなわち、第１光入射面と第１光出射面との距離に相当する厚さ、第２光入射面と第２光出射面との距離に相当する厚さ）で存在することになるため、第１受光領域、第１回路領域、第２受光領域及び第２回路領域の放射線による劣化を抑制できる。
　本開示の一側面の放射線検出器の製造方法は、上述した放射線検出器の製造方法であって、第１側面における第２ファイバオプティックプレート側の一側面及び第２側面における第１ファイバオプティックプレート側の一側面において互いに接合された第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを取得する工程と、取得する工程の後に、第１ファイバオプティックプレートの第１光入射面及び第２ファイバオプティックプレートの第２光入射面を研磨する工程と、研磨する工程の後に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に、シンチレータ層を形成すると共に、配線基板に実装された第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを接合する工程と、を備える。
　この放射線検出器の製造方法では、互いに接合された第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを取得する工程と、第１ファイバオプティックプレートの第１光入射面及び第２ファイバオプティックプレートの第２光入射面を研磨する工程と、を経ることで、第１ファイバオプティックプレートの第１光入射面及び第２ファイバオプティックプレートの第２光入射面を容易に且つ確実に面一にできる。しかも、第１光入射面及び第２光入射面が面一にされた状態で、シンチレータ層を形成する工程を経ることで、シンチレータ層に歪み等が生じるのを抑制できる。よって、この放射線検出器の製造方法によれば、放射線画像を広範囲で精度良く取得可能な放射線検出器を確実に製造できる。
　本開示の一側面の放射線検出器の製造方法では、接合する工程においては、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に、シンチレータ層を形成し、その後に、配線基板に実装された第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを接合してもよい。この場合、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に形成されたシンチレータ層の検査を、比較的高価な第１イメージセンサ及び第２イメージセンサとの接合前に実施できるため、例えばシンチレータ層に不良があった場合に、第１イメージセンサ及び第２イメージセンサが無駄にならず、その結果、製造コストの上昇を抑制できる。
　本開示の一側面の放射線検出器の製造方法では、シンチレータ層は、ＣｓＩによって形成されていてもよい。ここでは、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に、予めシンチレータ層を形成するため、ＣｓＩが有する腐食性に起因して第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ並びに配線基板にダメージが生じるのを抑制できる。
　本開示の一側面の放射線検出器の製造方法では、接合する工程においては、配線基板に実装された第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを接合し、その後に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に、シンチレータ層を形成してもよい。この場合、その他の部材に比べて強度の低いシンチレータ層が最後に形成されるため、シンチレータ層にダメージが生じるのを抑制できる。
　本開示の一側面の放射線検出器の製造方法では、研磨する工程においては、第１ファイバオプティックプレートの第１光入射面及び第２ファイバオプティックプレートの第２光入射面を研磨すると共に、第１ファイバオプティックプレートの第１光出射面及び第２ファイバオプティックプレートの第２光出射面を研磨してもよい。この場合、第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上に第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを接合する工程において、第１ファイバオプティックプレートの第１光出射領域と第１イメージセンサの第１受光領域との距離、及び、第２ファイバオプティックプレートの第２光出射領域と第２イメージセンサの第２受光領域との距離を均一にできる。よって、この場合、放射線画像を広範囲で精度良く取得可能な放射線検出器をより確実に製造できる。
　本開示の一側面の放射線検出器の製造方法は、上述した放射線検出器の製造方法であって、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に、シンチレータ層を形成すると共に、配線基板に実装された第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを接合する工程と、形成すると共に接合する工程の後に、第１ずれ量及び第２ずれ量を測定する工程と、測定する工程の後に、配線基板に設けられた記憶部に、第１ずれ量及び第２ずれ量を記憶させる工程と、を備える。
　この放射線検出器の製造方法によれば、個々の放射線検出器に固有の第１ずれ量及び第２ずれ量が記憶部に記憶されるため、記憶された第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて１枚の放射線画像を精度良く生成可能な放射線検出器を製造できる。
　本開示の一側面の画像処理方法は、上述した放射線検出器を用いた画像処理方法であって、第１光出射領域における第２光出射領域側の一辺と第１受光領域における第２受光領域側の一辺との第１ずれ量、及び、第２光出射領域における第１光出射領域側の一辺と第２受光領域における第１受光領域側の一辺との第２ずれ量を取得する工程と、取得する工程の後に、配線基板を介して第１イメージセンサから出力された第１電気信号、及び、配線基板を介して第２イメージセンサから出力された第２電気信号、並びに、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、１枚の放射線画像を生成する工程と、を備える。
　この画像処理方法によれば、個々の放射線検出器に固有の第１ずれ量及び第２ずれ量が取得されるため、取得された第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて１枚の放射線画像を精度良く生成できる。
　本開示によれば、放射線画像を広範囲で精度良く取得できる。
図１は、一実施形態の放射線検出器の断面図である。 図２は、図１に示されるII－II線に沿っての放射線検出器の断面図である。 図３は、図１に示されるIII－III線に沿っての放射線検出器の断面図である。 図４は、一実施形態の放射線検出器の製造方法を説明するための図である。 図５は、一実施形態の放射線検出器の製造方法を説明するための図である。 図６は、一実施形態の放射線検出器の製造方法を説明するための図である。 図７は、一実施形態の放射線検出器の製造方法を説明するための図である。 図８は、一実施形態の画像処理方法を説明するための図である。 図９は、一実施形態の画像処理方法を説明するための図である。 図１０は、一実施形態の画像処理方法を説明するための図である。 図１１は、放射線検出器の変形例を説明するための図である。 図１２は、放射線検出器の変形例を説明するための図である。 図１３は、放射線検出器の変形例を説明するための図である。 図１４は、放射線検出器の変形例を説明するための図である。
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
［放射線検出器の構成］
　図１及び図２に示されるように、放射線検出器１は、配線基板２と、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４と、第１ＦＯＰ（第１ファイバオプティックプレート）５及び第２ＦＯＰ（ファイバオプティックプレート）６と、シンチレータ層７と、保護層８と、筐体９と、を備えている。配線基板２は、互いに対向する表面２ａ及び裏面２ｂを有している。以下、表面２ａ及び裏面２ｂに平行な一方向をＸ軸方向、表面２ａ及び裏面２ｂに平行且つＸ軸方向に平行な方向をＹ軸方向、表面２ａ及び裏面２ｂが互いに対向する方向（配線基板２の厚さ方向）をＺ軸方向として、各構成について詳細に説明する。
　第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４は、配線基板２上において互いに隣り合っている。より詳細には、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４は、配線基板２の表面２ａに実装されており、Ｘ軸方向において互いに隣り合っている。
　第１イメージセンサ３は、第１半導体基板３０に第１受光領域３１及び第１回路領域３２，３３が設けられることで構成されている。第１イメージセンサ３は、例えば、ＣＣＤ／ＣＭＯＳ等の固体撮像素子である。第１受光領域３１は、光電変換を行う複数の画素によって構成されている。第１回路領域３２，３３は、シフトレジスタ等の信号読出し回路である。
　第１受光領域３１は、第１半導体基板３０における配線基板２とは反対側の表面３０ａに設けられている。第１受光領域３１は、Ｚ軸方向から見た場合に、例えば、Ｘ軸方向に垂直な一対の辺及びＹ軸方向に垂直な一対の辺を有する矩形状を呈している。各第１回路領域３２，３３は、第１受光領域３１と隣り合っている。より詳細には、第１回路領域３２は、第１受光領域３１に対して第２イメージセンサ４側に設けられている。第１回路領域３３は、第１受光領域３１に対してＹ軸方向における一方の側に設けられている。各第１回路領域３２，３３は、ワイヤ１１によって配線基板２と電気的に接続されている。
　第２イメージセンサ４は、第２半導体基板４０に第２受光領域４１及び第２回路領域４２，４３（図３参照）が設けられることで構成されている。第２イメージセンサ４は、例えば、ＣＣＤ／ＣＭＯＳ等の固体撮像素子である。第２受光領域４１は、光電変換を行う複数の画素によって構成されている。第２回路領域４２，４３は、シフトレジスタ等の信号読出し回路である。
　第２受光領域４１は、第２半導体基板４０における配線基板２とは反対側の表面４０ａに設けられている。第２受光領域４１は、Ｚ軸方向から見た場合に、例えば、Ｘ軸方向に垂直な一対の辺及びＹ軸方向に垂直な一対の辺を有する矩形状を呈している。各第２回路領域４２，４３は、第２受光領域４１と隣り合っている。より詳細には、第２回路領域４２は、第２受光領域４１に対して第１イメージセンサ３とは反対側に設けられている。第２回路領域４３は、第２受光領域４１に対してＹ軸方向における一方の側に設けられている。各第２回路領域４２，４３は、ワイヤ１１によって配線基板２と電気的に接続されている。
　第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６は、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上において互いに隣り合っている。より詳細には、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６は、第１半導体基板３０の表面３０ａ及び第２半導体基板４０の表面４０ａに接着剤等によって固体されており、Ｘ軸方向において互いに隣り合っている。
　第１ＦＯＰ５は、第１光入射面５１、第１光出射面５２及び第１側面５３を有している。第１光入射面５１は、第１イメージセンサ３とは反対側の面である。第１光出射面５２は、第１イメージセンサ３側の面である。第１側面５３は、第１光入射面５１と第１光出射面５２とを結ぶ面である。第１ＦＯＰ５は、例えば、Ｘ軸方向に垂直な一対の側面及びＹ軸方向に垂直な一対の側面を第１側面５３として有する矩形板状を呈している。
　第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバのそれぞれは、光入射端に対して光出射端がＸ軸方向において第２ＦＯＰ６とは反対側に位置するように、第１光入射面５１及び第１光出射面５２のそれぞれと例えば６７°の角度を成した状態で傾斜している。第１ＦＯＰ５では、光入射端が第１光入射面５１に位置し且つ光出射端が第１光出射面５２に位置する光ファイバが、第１光入射面５１から第１光出射面５２に導光可能な光ファイバである。第１ＦＯＰ５では、導光可能な複数の光ファイバの光入射端によって第１光入射面５１に第１光入射領域５４が形成されており、導光可能な複数の光ファイバの光出射端によって第１光出射面５２に第１光出射領域５５が形成されている。つまり、第１ＦＯＰ５では、第１光入射面５１のうちの第１光入射領域５４と第１光出射面５２のうちの第１光出射領域５５との間において導光可能である。第１光入射領域５４及び第１光出射領域５５のそれぞれは、例えば、Ｘ軸方向に垂直な一対の辺及びＹ軸方向に垂直な一対の辺を有する矩形状を呈している。
　第２ＦＯＰ６は、第２光入射面６１、第２光出射面６２及び第２側面６３を有している。第２光入射面６１は、第２イメージセンサ４とは反対側の面である。第２光出射面６２は、第２イメージセンサ４側の面である。第２側面６３は、第２光入射面６１と第２光出射面６２とを結ぶ面である。第２ＦＯＰ６は、例えば、Ｘ軸方向に垂直な一対の側面及びＹ軸方向に垂直な一対の側面を第２側面６３として有する矩形板状を呈している。
　第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバのそれぞれは、光入射端に対して光出射端がＸ軸方向において第１ＦＯＰ５とは反対側に位置するように、第２光入射面６１及び第２光出射面６２のそれぞれと例えば６７°の角度を成した状態で傾斜している。第２ＦＯＰ６では、光入射端が第２光入射面６１に位置し且つ光出射端が第２光出射面６２に位置する光ファイバが、第２光入射面６１から第２光出射面６２に導光可能な光ファイバである。第２ＦＯＰ６では、導光可能な複数の光ファイバの光入射端によって第２光入射面６１に第２光入射領域６４が形成されており、導光可能な複数の光ファイバの光出射端によって第２光出射面６２に第２光出射領域６５が形成されている。つまり、第２ＦＯＰ６では、第２光入射面６１のうちの第２光入射領域６４と第２光出射面６２のうちの第２光出射領域６５との間において導光可能である。第２光入射領域６４及び第２光出射領域６５のそれぞれは、例えば、Ｘ軸方向に垂直な一対の辺及びＹ軸方向に垂直な一対の辺を有する矩形状を呈している。
　第１光入射領域５４における第２光入射領域６４側の一辺５４ａ、及び、第２光入射領域６４における第１光入射領域５４側の一辺６４ａは、互いに接触（線接触）している。第１光出射領域５５は、第１イメージセンサ３の第１受光領域３１上に位置している。第１光出射領域５５における第２光出射領域６５側の一辺５５ａは、第１受光領域３１における第２受光領域４１側の一辺３１ａ上又は当該一辺３１ａよりも内側に位置している。第２光出射領域６５は、第２イメージセンサ４の第２受光領域４１上に位置している。第２光出射領域６５における第１光出射領域５５側の一辺６５ａは、第２受光領域４１における第１受光領域３１側の一辺４１ａ上又は当該一辺４１ａよりも内側に位置している。第１光出射領域５５の一辺５５ａと第２光出射領域６５の一辺６５ａとの距離は、第１受光領域３１の一辺３１ａと第２受光領域４１の一辺４１ａとの距離よりも大きい。ここでは、Ｚ軸方向から見た場合に、第１受光領域３１の外縁は、第１光出射領域５５の外縁を含んでおり、第２受光領域４１の外縁は、第２光出射領域６５の外縁を含んでいる。
　ここで、第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバのそれぞれが、光入射端に対して光出射端がＸ軸方向において第２ＦＯＰ６とは反対側に位置するように傾斜している場合に、第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバのそれぞれが、第１光入射面５１及び第１光出射面５２のそれぞれと成す角度（傾斜角度）をθ１とする。また、第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバのそれぞれが、光入射端に対して光出射端がＸ軸方向において第１ＦＯＰ５とは反対側に位置するように傾斜している場合に、第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバのそれぞれが、第２光入射面６１及び第２光出射面６２のそれぞれと成す角度（傾斜角度）をθ２とする。更に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６のそれぞれの厚さをＴとする。この場合、第１光出射領域５５の一辺５５ａと第２光出射領域６５の一辺６５ａとの距離をＤ１とすると、Ｄ１＝Ｔ（１／tanθ１＋１／tanθ２）と表わされる。したがって、第１受光領域３１の一辺３１ａと第２受光領域４１の一辺４１ａとの距離をＤ２とすると、Ｄ１＞Ｄ２、すなわち、Ｔ（１／tanθ１＋１／tanθ２）＞Ｄ２を満たすように、第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバの傾斜角度θ１、及び第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバの傾斜角度θ２を決定すればよい。
　図３に示されるように、互いに連続する第１光入射面５１及び第２光入射面６１の外縁Ｅ１は、Ｚ軸方向から見た場合に、第１受光領域３１、第１回路領域３２，３３、第２受光領域４１及び第２回路領域４２，４３を含んでいる。同様に、互いに連続する第１光出射面５２及び第２光出射面６２の外縁Ｅ２は、Ｚ軸方向から見た場合に、第１受光領域３１、第１回路領域３２，３３、第２受光領域４１及び第２回路領域４２，４３を含んでいる。なお、図３では、筐体９の図示が省略されている。
　図１及び図２に示されるように、第１ＦＯＰ５の第１側面５３における第２ＦＯＰ６側の一側面５３ａ、及び、第２ＦＯＰ６の第２側面６３における第１ＦＯＰ５側の一側面６３ａは、互いに沿った形状を呈しており、互いに接触（面接触）している。第１ＦＯＰ５と第２ＦＯＰ６とは、互いに接触する一側面５３ａ及び一側面６３ａにおいて、接着剤等によって互いに接合されている。第１ＦＯＰ５と第２ＦＯＰ６とが互いに接合された状態において、第１光入射面５１及び第２光入射面６１は、同一平面（例えば、Ｚ軸に垂直な平面）上に位置しており、第１光出射面５２及び第２光出射面６２は、同一平面（例えば、Ｚ軸に垂直な平面）上に位置している。
　シンチレータ層７は、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上に設けられている。より詳細には、シンチレータ層７は、第１光入射領域５４及び第２光入射領域６４を覆うように、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１及び第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１に形成されている。シンチレータ層７は、例えば、ＣｓＩ、ＧＯＳ等によって形成されており、放射線の入射に応じて光を発生する。
　保護層８は、シンチレータ層７の表面のうち、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６と接触する表面を除く表面を覆っている。保護層８は、例えば、パリレン等によって形成されており、シンチレータ層７を湿気等から保護する。
　筐体９は、配線基板２、第１イメージセンサ３、第２イメージセンサ４、第１ＦＯＰ５、第２ＦＯＰ６、シンチレータ層７及び保護層８を収容している。筐体９は、例えば、プラスチックによって形成されており、配線基板２、第１イメージセンサ３、第２イメージセンサ４、第１ＦＯＰ５、第２ＦＯＰ６、シンチレータ層７及び保護層８を外力等から保護しつつ、放射線を透過させる。
　配線基板２には、記憶部２１及び電極パッド２２が設けられている。記憶部２１は、例えばメモリによって構成されている。電極パッド２２には、筐体９の壁部を介して外部に延在するケーブル２３が接続されている。ケーブル２３は、配線基板２に対する電気信号号の入出力、電力の供給等に用いられる。
　記憶部２１は、第１ＦＯＰ５の第１光出射領域５５の一辺５５ａと第１イメージセンサ３の第１受光領域３１の一辺３１ａとの第１ずれ量、及び、第２ＦＯＰ６の第２光出射領域６５の一辺６５ａと第２イメージセンサ４の第２受光領域４１の一辺４１ａとの第２ずれ量を記憶している。第１光出射領域５５の一辺５５ａが第１受光領域３１の一辺３１ａ上に位置している場合には、記憶部２１は、第１ずれ量を０と記憶している。第２光出射領域６５の一辺６５ａが第２受光領域４１の一辺４１ａ上に位置している場合には、記憶部２１は、第２ずれ量を０と記憶している。
［放射線検出器の製造方法］
　上述した放射線検出器１の製造方法について説明する。まず、図４の（ａ）に示されるように、ＦＯＰブロック１０を用意する。図４の（ａ）に二点鎖線で模式的に示されるように、ＦＯＰブロック１０を構成する複数の光ファイバは、ＦＯＰブロック１０の主面１０ａに垂直な方向に延在している。続いて、主面１０ａと例えば２３°の角度を成した状態で傾斜する面でＦＯＰブロック１０を切断し、図４の（ｂ）に示されるように、直方体状の第１ＦＯＰブロック５０及び第２ＦＯＰブロック６０を得る。図４の（ｂ）に二点鎖線で模式的に示されるように、第１ＦＯＰブロック５０を構成する複数の光ファイバのそれぞれは、第１ＦＯＰブロック５０の第１主面５０ａと例えば６７°の角度を成した状態で傾斜している。同様に、第２ＦＯＰブロック６０を構成する複数の光ファイバのそれぞれは、第２ＦＯＰブロック６０の第２主面６０ａと例えば６７°の角度を成した状態で傾斜している。
　続いて、図５の（ａ）に示されるように、第１ＦＯＰブロック５０を構成する複数の光ファイバと第２ＦＯＰブロック６０を構成する複数の光ファイバとが第１主面５０ａ及び第２主面６０ａから離れるほど互いに離れるように、第１ＦＯＰブロック５０と第２ＦＯＰブロック６０とを接着剤等によって互いに接合する。続いて、図５の（ｂ）に示されるように、互いに接合された第１ＦＯＰブロック５０及び第２ＦＯＰブロック６０を、第１主面５０ａ及び第２主面６０ａに垂直な面及び平行な面で切断し、図５の（ｃ）に示されるように、互いに接合された第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を複数得る。以上が、第１側面５３の一側面５３ａ及び第２側面６３の一側面６３ａにおいて互いに接合された第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を取得する工程である。
　続いて、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１及び第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１を研磨すると共に、第１ＦＯＰ５の第１光出射面５２及び第２ＦＯＰ６の第２光出射面６２を研磨する（研磨する工程）。これにより、第１光入射面５１及び第２光入射面６１を面一にすると共に、第１光出射面５２及び第２光出射面６２を面一にする。なお、第１光入射面５１及び第２光入射面６１を研磨し、その後に、第１光出射面５２及び第２光出射面６２を研磨してもよいし、或いは、第１光出射面５２及び第２光出射面６２を研磨し、その後に、第１光入射面５１及び第２光入射面６１を研磨してもよい。
　その一方で、図６の（ａ）に示されるように、記憶部２１及び電極パッド２２が設けられた配線基板２に第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４を実装する。また、図６の（ｂ）に示されるように、第１ＦＯＰ５の第１光入射領域５４及び第２ＦＯＰ６の第２光入射領域６４を覆うように、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を形成する（形成すると共に接合する工程）。ここでは、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ材料を蒸着することで、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を形成する。続いて、図７の（ａ）に示されるように、シンチレータ層７の表面のうち、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６と接触する表面を除く表面を覆うように、保護層８を形成する。
　続いて、図７の（ｂ）に示されるように、配線基板２に実装された第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に、シンチレータ層７及び保護層８が設けられた第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接着剤等によって接合する（形成すると共に接合する工程）。このとき、第１ＦＯＰ５の第１光出射領域５５が第１イメージセンサ３の第１受光領域３１上に位置し且つ第２ＦＯＰ６の第２光出射領域６５が第２イメージセンサ４の第２受光領域４１上に位置するように、位置決めを実施する。なお、配線基板２に実装された第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接合し、その後に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を形成してもよい。例えば、シンチレータ層７がフィルムタイプである場合には、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接合し、その後に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を貼り付けることで、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を形成できる。
　続いて、図１に示されるように、配線基板２、第１イメージセンサ３、第２イメージセンサ４、第１ＦＯＰ５、第２ＦＯＰ６、シンチレータ層７及び保護層８を筐体９に収容し、配線基板２の電極パッド２２に接続されたケーブル２３を、筐体９の壁部を介して外部に引き出す。
　続いて、ケーブル２３を画像処理装置に接続し、予め用意されたリファレンスについて放射線画像を取得する。ここで、第１ＦＯＰ５の第１光出射領域５５の一辺５５ａが第１イメージセンサ３の第１受光領域３１の一辺３１ａの内側に位置している場合には、第１光出射領域５５の一辺５５ａと第１受光領域３１の一辺３１ａとの第１ずれ量の分だけ、リファレンスについての放射線画像に画素値が欠落した領域が発生する。同様に、第２ＦＯＰ６の第２光出射領域６５の一辺６５ａが第２イメージセンサ４の第２受光領域４１の一辺４１ａの内側に位置している場合には、第２光出射領域６５の一辺６５ａと第２受光領域４１の一辺４１ａとの第２ずれ量の分だけ、リファレンスについての放射線画像に画素値が欠落した領域が発生する。そこで、リファレンスについての放射線画像に基づいて、第１ずれ量及び第２ずれ量を測定する（測定する工程）。
　続いて、配線基板２に設けられた記憶部２１に、第１ずれ量及び第２ずれ量を記憶させる（記憶させる工程）。なお、第１光出射領域５５の一辺５５ａが第１受光領域３１の一辺３１ａ上に位置している場合には、第１ずれ量は０である。同様に、第２光出射領域６５の一辺６５ａが第２受光領域４１の一辺４１ａ上に位置している場合には、第２ずれ量は０である。以上により、放射線検出器１が得られる。
［画像処理方法］
　上述した放射線検出器１を用いた画像処理方法について説明する。ここでは、放射線画像として口腔内のＸ線透過画像を取得する場合について説明する。
　まず、ケーブル２３を画像処理装置に接続する。なお、配線基板２に信号送信部を設け、配線基板２と画像処理装置とを無線で接続してもよい。続いて、画像処理装置が、第１ずれ量及び第２ずれ量を、ケーブル２３を介して記憶部２１から取得する（取得する工程）。続いて、筐体９を口腔内に配置し、口腔内のＸ線透過像の撮像を実施する。続いて、画像処理装置が、第１イメージセンサ３から出力された第１電気信号、及び、第２イメージセンサ４から出力された第２電気信号を、配線基板２及びケーブル２３を介して取得する。続いて、画像処理装置が、第１電気信号及び第２電気信号、並びに、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、１枚のＸ線透過画像を生成する（生成する工程）。
　より詳細には、画像処理装置が第１ずれ量及び第２ずれ量を考慮せずに１枚のＸ線透過画像を生成すると、図８に示されるように、第１電気信号基づく画像Ａ１と第２電気信号に基づく画像Ａ２との間に隙間（画素値が欠落した領域）が形成される。図９に示されるように、当該隙間は、第１ずれ量Ｓ１及び第２ずれ量Ｓ２に相当する。そこで、画像処理装置は、第１ずれ量Ｓ１及び第２ずれ量Ｓ２を考慮して当該隙間を消去することで、図１０に示されるように、隙間を介さずに第１電気信号基づく画像Ａ１と第２電気信号に基づく画像Ａ２とが結合された１枚のＸ線透過画像Ａ１０を生成する。
［作用及び効果］
　以上説明したように、放射線検出器１では、放射線（例えば、Ｘ線）がシンチレータ層７に入射すると、シンチレータ層７で光が発生する。そして、シンチレータ層７から第１ＦＯＰ５に入射した光は、第１光入射領域５４から第１光出射領域５５に導光され、第１イメージセンサ３の第１受光領域３１に入射する。一方、シンチレータ層７から第２ＦＯＰ６に入射した光は、第２光入射領域６４から第２光出射領域６５に導光され、第２イメージセンサ４の第２受光領域４１に入射する。ここで、第１光入射領域５４における第２光入射領域６４側の一辺５４ａ、及び、第２光入射領域６４における第１光入射領域５４側の一辺６４ａは、互いに接触している。そのため、シンチレータ層７で発生した光が連続した状態で第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４によって検出される。また、第１側面５３における第２ＦＯＰ６側の一側面５３ａ、及び、第２側面６３における第１ＦＯＰ５側の一側面６３ａは、互いに沿った形状を呈しており、互いに接触している。そのため、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１と第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１との間に位置ずれが生じ難い。よって、放射線検出器１によれば、放射線画像を広範囲で精度良く取得できる。
　また、放射線検出器１では、第１光出射領域５５における第２光出射領域６５側の一辺５５ａと第２光出射領域６５における第１光出射領域５５側の一辺６５ａとの距離が、第１受光領域３１における第２受光領域４１側の一辺３１ａと第２受光領域４１における第１受光領域３１側の一辺４１ａとの距離よりも大きい。そして、第１光出射領域５５における第２光出射領域６５側の一辺５５ａが、第１受光領域３１における第２受光領域４１側の一辺３１ａ上又は当該一辺３１ａよりも内側に位置しており、第２光出射領域６５における第１光出射領域５５側の一辺６５ａが、第２受光領域４１における第１受光領域３１側の一辺４１ａ上又は当該一辺４１ａよりも内側に位置していている。この構成により、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４に対する第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６の位置決め精度を緩和しつつ、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６のそれぞれによって導光された光を第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４において確実に検出できる。
　また、放射線検出器１は、配線基板２に設けられた記憶部２１が、第１光出射領域５５における第２光出射領域６５側の一辺５５ａと第１受光領域３１における第２受光領域４１側の一辺３１ａとの第１ずれ量、及び、第２光出射領域６５における第１光出射領域５５側の一辺６５ａと第２受光領域４１における第１受光領域３１側の一辺４１ａとの第２ずれ量を記憶している。この構成により、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、連続した１枚の放射線画像を生成できる。
　また、放射線検出器１では、互いに連続する第１光入射面５１及び第２光入射面６１の外縁Ｅ１が、Ｚ軸方向から見た場合に、第１受光領域３１、第１回路領域３２，３３、第２受光領域４１及び第２回路領域４２，４３（以下、「第１受光領域３１等」という）を含んでいる。同様に、互いに連続する第１光出射面５２及び第２光出射面６２の外縁Ｅ２が、Ｚ軸方向から見た場合に、第１受光領域３１等を含んでいる。この構成により、第１受光領域３１等の放射線入射側に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６が十分な厚さ（すなわち、第１光入射面５１と第１光出射面５２との距離に相当する厚さ、第２光入射面６１と第２光出射面６２との距離に相当する厚さ）で存在することになるため、第１受光領域３１等の放射線による劣化を抑制できる。
　また、放射線検出器１では、第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバのそれぞれが、第１イメージセンサ３の第１受光領域３１と９０°以外の角度を成した状態で傾斜しており、第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバのそれぞれが、第２イメージセンサ４の第２受光領域４１と９０°以外の角度を成した状態で傾斜している。この構成により、例えば、第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバのそれぞれが第１受光領域３１と９０°の角度を成している場合に比べ、第１受光領域３１の放射線による劣化を抑制できる。同様に、例えば、第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバのそれぞれが第２受光領域４１と９０°の角度を成している場合に比べ、第２受光領域４１の放射線による劣化を抑制できる。しかも、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６の両方において、それらを構成する複数の光ファイバのそれぞれが傾斜しているため、第１受光領域３１の放射線による劣化の度合いと第２受光領域４１の放射線による劣化の度合いとに差が生じ難くなり、第１受光領域３１からの出力値と第２受光領域４１からの出力値とに、放射線による劣化の度合いの差に起因する差が生じ難くなる。
　また、放射線検出器１の製造方法では、互いに接合された第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を取得する工程と、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１及び第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１を研磨する工程と、を経ることで、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１及び第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１を容易に且つ確実に面一にできる。しかも、第１光入射面５１及び第２光入射面６１が面一にされた状態で、シンチレータ層７を形成する工程を経ることで、蒸着によってシンチレータ層７を形成する場合にも、或いは、貼り付けによってシンチレータ層７を形成する場合にも、シンチレータ層７に歪み等が生じるのを抑制できる。よって、放射線検出器１の製造方法によれば、放射線画像を広範囲で精度良く取得可能な放射線検出器１を確実に製造できる。
　また、放射線検出器１の製造方法では、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上に、シンチレータ層７を形成し、その後に、配線基板２に実装された第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接合する。この場合、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上に形成されたシンチレータ層７の検査を、比較的高価な第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４との接合前に実施できるため、例えばシンチレータ層７に不良があった場合に、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４が無駄にならず、その結果、製造コストの上昇を抑制できる。
　また、放射線検出器１の製造方法では、シンチレータ層７がＣｓＩによって形成されている。ここでは、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上に、予めシンチレータ層７を形成するため、ＣｓＩが有する腐食性に起因して第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４並びに配線基板２にダメージが生じるのを抑制できる。
　また、放射線検出器１の製造方法では、研磨する工程において、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１及び第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１を研磨すると共に、第１ＦＯＰ５の第１光出射面５２及び第２ＦＯＰ６の第２光出射面６２を研磨する。この場合、第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接合する工程において、第１ＦＯＰ５の第１光出射領域５５と第１イメージセンサ３の第１受光領域３１との距離、及び、第２ＦＯＰ６の第２光出射領域６５と第２イメージセンサ４の第２受光領域４１との距離を均一にできる。よって、この場合、放射線画像を広範囲で精度良く取得可能な放射線検出器１をより確実に製造できる。
　また、放射線検出器１の製造方法では、個々の放射線検出器１に固有の第１ずれ量及び第２ずれ量が記憶部２１に記憶されるため、記憶された第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて１枚の放射線画像を精度良く生成可能な放射線検出器１を製造できる。
　また、放射線検出器１を用いた画像処理方法では、個々の放射線検出器１に固有の第１ずれ量及び第２ずれ量が取得されるため、取得された第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて１枚の放射線画像を精度良く生成できる。
［変形例］
　本開示は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、第１ＦＯＰ５の第１光入射領域５４及び第２ＦＯＰ６の第２光入射領域６４のそれぞれは、第１光入射領域５４の一辺５４ａ及び第２光入射領域６４の一辺６４ａが互いに接触（線接触）していれば、矩形状以外の形状（例えば、矩形状以外の多角形状）を呈していてもよい。なお、第１光入射領域５４の一辺５４ａに沿って、導光可能でない光ファイバ（例えば、光入射端の一部が欠損した光ファイバ）が部分的に存在する場合もある。同様に、第２光入射領域６４の一辺６４ａに沿って、導光可能でない光ファイバ（例えば、光入射端の一部が欠損した光ファイバ）が部分的に存在する場合もある。
　また、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６のそれぞれは、第１側面５３の一側面５３ａ及び第２側面６３の一側面６３ａが互いに沿った形状を呈しており且つ互いに接触（面接触）していれば、矩形板状以外の形状（例えば、矩形板状以外の多角形板状）を呈していてもよい。一例として、一側面５３ａ及び一側面６３ａが第１光入射面５１及び第２光入射面６１に対して９０°以外の角度で傾斜していてもよい。
　また、第１光入射領域５４の一辺５４ａ及び第２光入射領域６４の一辺６４ａが互いに接触（線接触）し、第１側面５３の一側面５３ａ及び第２側面６３の一側面６３ａが互いに沿った形状を呈し且つ互いに接触（面接触）するとの条件を満たせば、図１１の（ａ）に示されるように、第１ＦＯＰ５を構成する複数の光ファイバ（又は第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバ）は、第１光入射面５１及び第２光入射面６１に垂直な方向に延在していてもよい。
　また、第１光入射領域５４の一辺５４ａ及び第２光入射領域６４の一辺６４ａが互いに接触（線接触）し、第１側面５３の一側面５３ａ及び第２側面６３の一側面６３ａが互いに沿った形状を呈し且つ互いに接触（面接触）するとの条件を満たせば、図１１の（ｂ）に示されるように、Ｘ軸方向における第１ＦＯＰ５の長さ及び第２ＦＯＰ６の長さは、互いに異なっていてもよい。また、同条件を満たせば、図１２の（ａ）に示されるように、Ｙ軸方向における第１ＦＯＰ５の長さ及び第２ＦＯＰ６の長さは、互いに異なっていてもよい。また、同条件を満たせば、図１２の（ｂ）に示されるように、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６は、Ｙ軸方向において互いにずれた状態で配置されていてもよい。
　また、放射線検出器１は、図１３に示されるように、第３光入射面１３１、第３光出射面１３２及び第３側面１３３を有する第３ＦＯＰ１３を更に備え、第１ＦＯＰ５、第２ＦＯＰ６及び第３ＦＯＰ１３が直列に配置されていてもよい。図１３に示される構成においても、互いに隣り合うＦＯＰにおいて、一方の光入射領域における他方の光入射領域側の一辺及び他方の光入射領域における一方の光入射領域側の一辺が互いに接触（線接触）し、一方のＦＯＰの側面における他方のＦＯＰ側の一側面及び他方のＦＯＰの側面における一方のＦＯＰ側の一側面が互いに沿った形状を呈し且つ互いに接触（面接触）するとの条件を満たしている。なお、第３ＦＯＰ１３は、第３受光領域１２１を有する第３イメージセンサ１２上に設けられている。また、第１ＦＯＰ５と第３ＦＯＰ１３との間に配置された第２ＦＯＰ６を構成する複数の光ファイバは、第２光入射面６１に垂直な方向に延在している。
　また、放射線検出器１は、図１４に示されるように、第３光入射面１３１、第３光出射面１３２及び第３側面１３３を有する第３ＦＯＰ１３と、第４光入射面１４１、第３光出射面（図示省略）及び第４側面１４３を有する第４ＦＯＰ１４と、を更に備え、第１ＦＯＰ５、第２ＦＯＰ６、第３ＦＯＰ１３及び第４ＦＯＰ１４がマトリックス状に配置されていてもよい。図１４に示される構成においても、互いに隣り合うＦＯＰにおいて、一方の光入射領域における他方の光入射領域側の一辺及び他方の光入射領域における一方の光入射領域側の一辺が互いに接触（線接触）し、一方のＦＯＰの側面における他方のＦＯＰ側の一側面及び他方のＦＯＰの側面における一方のＦＯＰ側の一側面が互いに沿った形状を呈し且つ互いに接触（面接触）するとの条件を満たしている。なお、第３ＦＯＰ１３は、第３受光領域１２１を有する第３イメージセンサ１２上に設けられており、第４ＦＯＰ１４は、第４受光領域を有する第４イメージセンサ（図示省略）上に設けられている。
　また、互いに連続する第１光入射面５１及び第２光入射面６１の外縁Ｅ１、並びに、互いに連続する第１光出射面５２及び第２光出射面６２の外縁Ｅ２は、Ｚ軸方向から見た場合に、少なくとも第１受光領域３１及び第２受光領域４１を含んでいればよい。その場合にも、少なくとも第１受光領域３１及び第２受光領域４１の放射線による劣化を抑制できる。
　また、放射線検出器１の製造方法では、互いに接合された第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６について、少なくとも第１光入射面５１及び第２光入射面６１を研磨すればよい。その場合にも、第１光入射面５１及び第２光入射面６１が面一にされた状態で第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を形成できるので、シンチレータ層７に歪み等が生じるのを抑制できる。
　また、放射線検出器１の製造方法では、接合する工程において、配線基板２に実装された第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接合し、その後に、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上に、シンチレータ層７を形成してもよい。この場合、その他の部材に比べて強度の低いシンチレータ層７が最後に形成されるため、シンチレータ層７にダメージが生じるのを抑制できる。
　また、放射線検出器１の製造方法では、配線基板２に設けられた記憶部２１に、第１ずれ量及び第２ずれ量を記憶させなくてもよい。その場合、放射線検出器１を用いた画像処理方法では、例えば、画像処理装置が、その記憶部に別途記憶した第１ずれ量及び第２ずれ量を読み出すことで、第１ずれ量及び第２ずれ量を取得し（取得する工程）、画像処理装置が、第１電気信号及び第２電気信号、並びに、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、１枚のＸ線透過画像を生成してもよい（生成する工程）。また、画像処理装置が、第１ずれ量及び第２ずれ量を考慮せずに生成したＸ線透過画像において、第１電気信号基づく画像と第２電気信号に基づく画像との間に発生する隙間（画素値が欠落した領域）を画素値に基づいて抽出することで、第１ずれ量及び第２ずれ量を取得し（取得する工程）、画像処理装置が、第１電気信号及び第２電気信号、並びに、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、１枚のＸ線透過画像を生成してもよい（生成する工程）。
　また、放射線検出器１の製造方法では、第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６上にシンチレータ層７を形成すると共に、配線基板２に実装された第１イメージセンサ３及び第２イメージセンサ４上に第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を接合し（形成すると共に接合する工程）、その後に、第１ずれ量及び第２ずれ量を測定し（測定する工程）、その後に、配線基板２に設けられた記憶部２１に第１ずれ量及び第２ずれ量を記憶させてもよい（記憶させる工程）。その場合、互いに接合された第１ＦＯＰ５及び第２ＦＯＰ６を予め用意すること、及び、第１ＦＯＰ５の第１光入射面５１及び第２ＦＯＰ６の第２光入射面６１を研磨することは、必須ではない。
　なお、「配線基板と、配線基板上において互いに隣り合う第１イメージセンサ及び第２イメージセンサと、第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上において互いに隣り合う第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートと、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に設けられたシンチレータ層と、を備え、第１ファイバオプティックプレートは、第１光入射面、第１光出射面、及び、第１光入射面と第２光出射面とを結ぶ第１側面を有し、第１光入射面のうちの第１光入射領域と第１光出射面のうちの第１光出射領域との間において導光可能であり、第２ファイバオプティックプレートは、第２光入射面、第２光出射面、及び、第２光入射面と第２光出射面とを結ぶ第２側面を有し、第２光入射面のうちの第２光入射領域と第２光出射面のうちの第２光出射領域との間において導光可能であり、第１光入射領域における第２光入射領域側の一辺、及び、第２光入射領域における第１光入射領域側の一辺は、互いに接触しており、第１光出射領域は、第１イメージセンサの第１受光領域上に位置しており、第２光出射領域は、第２イメージセンサの第２受光領域上に位置している、放射線検出器」（「他の形態の放射線検出器」という）を対象として、次のような方法が実現され得る。
　すなわち、他の形態の放射線検出器の製造方法であって、「第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレート上に、シンチレータ層を形成すると共に、配線基板に実装された第１イメージセンサ及び第２イメージセンサ上に、第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートを接合する工程と、形成すると共に接合する工程の後に、第１ずれ量及び第２ずれ量を測定する工程と、測定する工程の後に、配線基板に設けられた記憶部に、第１ずれ量及び第２ずれ量を記憶させる工程と、を備える、放射線検出器の製造方法」である。
　この他の形態の放射線検出器の製造方法によれば、個々の放射線検出器に固有の第１ずれ量及び第２ずれ量が記憶部に記憶されるため、記憶された第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて１枚の放射線画像を精度良く生成可能な放射線検出器を製造できる。
　また、他の形態の放射線検出器を用いた他の形態の画像処理方法であって、「第１光出射領域における第２光出射領域側の一辺と第１受光領域における第２受光領域側の一辺との第１ずれ量、及び、第２光出射領域における第１光出射領域側の一辺と第２受光領域における第１受光領域側の一辺との第２ずれ量を取得する工程と、取得する工程の後に、配線基板を介して第１イメージセンサから出力された第１電気信号、及び、配線基板を介して第２イメージセンサから出力された第２電気信号、並びに、第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて、１枚の放射線画像を生成する工程と、を備える、画像処理方法」である。
　この他の形態の画像処理方法によれば、個々の放射線検出器に固有の第１ずれ量及び第２ずれ量が取得されるため、取得された第１ずれ量及び第２ずれ量に基づいて１枚の放射線画像を精度良く生成できる。
　１…放射線検出器、２…配線基板、３…第１イメージセンサ、４…第２イメージセンサ、５…第１ＦＯＰ（第１ファイバオプティックプレート）、６…第２ＦＯＰ（第２ファイバオプティックプレート）、７…シンチレータ層、２１…記憶部、３１…第１受光領域、３１ａ…一辺、３２，３３…第１回路領域、４１…第２受光領域、４１ａ…一辺、４２，４３…第２回路領域、５１…第１光入射面、５２…第１光出射面、５３…第１側面、５３ａ…一側面、５４…第１光入射領域、５４ａ…一辺、５５…第１光出射領域、５５ａ…一辺、６１…第２光入射面、６２…第２光出射面、６３…第２側面、６３ａ…一側面、６４…第２光入射領域、６４ａ…一辺、６５…第２光出射領域、６５ａ…一辺。

Claims (12)

  1. 　配線基板と、
    　前記配線基板上において互いに隣り合う第１イメージセンサ及び第２イメージセンサと、
    　前記第１イメージセンサ及び前記第２イメージセンサ上において互いに隣り合う第１ファイバオプティックプレート及び第２ファイバオプティックプレートと、
    　前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレート上に設けられたシンチレータ層と、を備え、
    　前記第１ファイバオプティックプレートは、第１光入射面、第１光出射面、及び、第１光入射面と前記第１光出射面とを結ぶ第１側面を有し、前記第１光入射面のうちの第１光入射領域と前記第１光出射面のうちの第１光出射領域との間において導光可能であり、
    　前記第２ファイバオプティックプレートは、第２光入射面、第２光出射面、及び、第２光入射面と前記第２光出射面とを結ぶ第２側面を有し、前記第２光入射面のうちの第２光入射領域と前記第２光出射面のうちの第２光出射領域との間において導光可能であり、
    　前記第１光入射領域における前記第２光入射領域側の一辺、及び、前記第２光入射領域における前記第１光入射領域側の一辺は、互いに接触しており、
    　前記第１光出射領域は、前記第１イメージセンサの第１受光領域上に位置しており、
    　前記第２光出射領域は、前記第２イメージセンサの第２受光領域上に位置しており、
    　前記第１側面における前記第２ファイバオプティックプレート側の一側面、及び、前記第２側面における前記第１ファイバオプティックプレート側の一側面は、互いに沿った形状を呈しており、互いに接触している、放射線検出器。
  2. 　前記第１光出射領域における前記第２光出射領域側の一辺と前記第２光出射領域における前記第１光出射領域側の一辺との距離は、前記第１受光領域における前記第２受光領域側の一辺と前記第２受光領域における前記第１受光領域側の一辺との距離よりも大きく、
    　前記第１光出射領域における前記第２光出射領域側の前記一辺は、前記第１受光領域における前記第２受光領域側の前記一辺上又は当該一辺よりも内側に位置しており、
    　前記第２光出射領域における前記第１光出射領域側の前記一辺は、前記第２受光領域における前記第１受光領域側の前記一辺上又は当該一辺よりも内側に位置している、請求項１に記載の放射線検出器。
  3. 　前記配線基板に設けられた記憶部を更に備え、
    　前記記憶部は、前記第１光出射領域における前記第２光出射領域側の前記一辺と前記第１受光領域における前記第２受光領域側の前記一辺との第１ずれ量、及び、前記第２光出射領域における前記第１光出射領域側の前記一辺と前記第２受光領域における前記第１受光領域側の前記一辺との第２ずれ量を記憶している、請求項２に記載の放射線検出器。
  4. 　互いに連続する前記第１光入射面及び前記第２光入射面の外縁、並びに、互いに連続する前記第１光出射面及び前記第２光出射面の外縁は、前記配線基板の厚さ方向から見た場合に、前記第１受光領域及び前記第２受光領域を含んでいる、請求項１～３のいずれか一項に記載の放射線検出器。
  5. 　前記第１イメージセンサは、前記第１受光領域と隣り合う第１回路領域を有し、
    　前記第２イメージセンサは、前記第２受光領域と隣り合う第２回路領域を有し、
    　互いに連続する前記第１光入射面及び前記第２光入射面の前記外縁、並びに、互いに連続する前記第１光出射面及び前記第２光出射面の前記外縁は、前記配線基板の厚さ方向から見た場合に、前記第１受光領域、前記第１回路領域、前記第２受光領域及び前記第２回路領域を含んでいる、請求項４に記載の放射線検出器。
  6. 　請求項１～５のいずれか一項に記載の放射線検出器の製造方法であって、
    　前記第１側面における前記第２ファイバオプティックプレート側の前記一側面及び前記第２側面における前記第１ファイバオプティックプレート側の前記一側面において互いに接合された前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレートを取得する工程と、
    　前記取得する工程の後に、前記第１ファイバオプティックプレートの前記第１光入射面及び前記第２ファイバオプティックプレートの前記第２光入射面を研磨する工程と、
    　前記研磨する工程の後に、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレート上に、前記シンチレータ層を形成すると共に、前記配線基板に実装された前記第１イメージセンサ及び前記第２イメージセンサ上に、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレートを接合する工程と、を備える、放射線検出器の製造方法。
  7. 　前記接合する工程においては、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレート上に、前記シンチレータ層を形成し、その後に、前記配線基板に実装された前記第１イメージセンサ及び前記第２イメージセンサ上に、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレートを接合する、請求項６に記載の放射線検出器の製造方法。
  8. 　前記シンチレータ層は、ＣｓＩによって形成されている、請求項７に記載の放射線検出器の製造方法。
  9. 　前記接合する工程においては、前記配線基板に実装された前記第１イメージセンサ及び前記第２イメージセンサ上に、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレートを接合し、その後に、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレート上に、前記シンチレータ層を形成する、請求項６に記載の放射線検出器の製造方法。
  10. 　前記研磨する工程においては、前記第１ファイバオプティックプレートの前記第１光入射面及び前記第２ファイバオプティックプレートの前記第２光入射面を研磨すると共に、前記第１ファイバオプティックプレートの前記第１光出射面及び前記第２ファイバオプティックプレートの前記第２光出射面を研磨する、請求項６～９のいずれか一項に記載の放射線検出器の製造方法。
  11. 　請求項３に記載の放射線検出器の製造方法であって、
    　前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレート上に、前記シンチレータ層を形成すると共に、前記配線基板に実装された前記第１イメージセンサ及び前記第２イメージセンサ上に、前記第１ファイバオプティックプレート及び前記第２ファイバオプティックプレートを接合する工程と、
    　前記形成すると共に接合する工程の後に、前記第１ずれ量及び前記第２ずれ量を測定する工程と、
    　前記測定する工程の後に、前記配線基板に設けられた前記記憶部に、前記第１ずれ量及び前記第２ずれ量を記憶させる工程と、を備える、放射線検出器の製造方法。
  12. 　請求項２に記載の放射線検出器を用いた画像処理方法であって、
    　前記第１光出射領域における前記第２光出射領域側の前記一辺と前記第１受光領域における前記第２受光領域側の前記一辺との第１ずれ量、及び、前記第２光出射領域における前記第１光出射領域側の前記一辺と前記第２受光領域における前記第１受光領域側の前記一辺との第２ずれ量を取得する工程と、
    　前記取得する工程の後に、前記配線基板を介して前記第１イメージセンサから出力された第１電気信号、及び、前記配線基板を介して前記第２イメージセンサから出力された第２電気信号、並びに、前記第１ずれ量及び前記第２ずれ量に基づいて、１枚の放射線画像を生成する工程と、を備える、画像処理方法。
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