WO2019172440A1 - 窒化ホウ素粉末、窒化ホウ素粉末の製造方法、及び化粧料 - Google Patents

窒化ホウ素粉末、窒化ホウ素粉末の製造方法、及び化粧料 Download PDF

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Definitions

  • Hexagonal boron nitride has a layered structure similar to graphite and is excellent in properties such as slipperiness, thermal conductivity, insulation, chemical stability, and thermal shock resistance. Utilizing these characteristics, hexagonal boron nitride is applied to cosmetic raw materials (also called cosmetic raw materials), solid lubricants and mold release agents, resin and rubber fillers, and heat-resistant insulating sintered bodies. Has been.
  • the eluted boron amount of the boron nitride powder may be 20 ppm or less per gram.
  • MIU average friction coefficient
  • MMD change in average friction coefficient
  • the maximum temperature when firing the mixed powder is preferably a temperature in the range of 600 ° C. to 1300 ° C., more preferably in the range of 800 to 1200 ° C., under the first firing conditions.
  • the maximum temperature in the first firing condition is set to 600 ° C. or more, the conversion from the mixed powder to the low crystal hexagonal boron nitride can be promoted, and the unreacted starting material (for example, containing boron) in the mixed powder can be promoted. The amount of compound etc.) can be reduced.
  • the maximum temperature in the first firing condition to 600 ° C.
  • the maximum temperature in the first firing condition By setting the maximum temperature in the first firing condition to 1300 ° C. or lower, it is possible to suppress reduction of oxides such as B 2 O 3 and sintering aids that contribute to the formation of hexagonal boron nitride, Growth and crystallization can be promoted, and the slipperiness of the resulting boron nitride powder can be improved.
  • the maximum temperature in 1st baking conditions 1300 degrees C or less, the increase in the amount of boron elution of a boron nitride powder can be suppressed, and it can be made more suitable with a cosmetic raw material.
  • the diluted liquid for solid-liquid separation after washing water having an electric conductivity of 1 mS / m or less can be used from the viewpoint of avoiding secondary contamination of impurities.
  • the amount of diluting liquid used for solid-liquid separation should be small from the viewpoint of cost and waste liquid treatment, but if it is too small, impurities, etc. remain in the hexagonal boron nitride powder, so that it is diluted with respect to 1 kg of boron nitride.
  • the amount of liquid is, for example, preferably 300 times or less, more preferably 250 times or less, and still more preferably 200 times or less.
  • the content of the boron nitride powder in the cosmetic may be, for example, 0.1 to 70% by mass based on the total amount of the cosmetic.
  • a suitable blending amount of the above-described hexagonal boron nitride powder in the cosmetic is 0.1 to 70% by mass.
  • the obtained hexagonal boron nitride (before pulverization) was pulverized with a jet mill (trade name: STJ-200, manufactured by Seishin Enterprise Co., Ltd.) to obtain hexagonal boron nitride powder.
  • a jet mill (trade name: STJ-200, manufactured by Seishin Enterprise Co., Ltd.) to obtain hexagonal boron nitride powder.
  • hexagonal boron nitride was supplied into the mill at a feed rate of 10 kg / hour, and processing was performed at a pulverization pressure of 0.7 MPa, and the pulverized hexagonal boron nitride powder was recovered from the bag filter.

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Abstract

本開示は、一次粒子及び一次粒子の凝集粒子の少なくとも一方の粒子を含み、溶出ホウ素量が１ｇあたり２０ｐｐｍ以下であり、平均粒子径が２．５～７．０μｍであり、３６μｍ以上の粒子径を有する前記粒子の含有量が１０．０体積％以下である、窒化ホウ素粉末を提供する。

Description

窒化ホウ素粉末、窒化ホウ素粉末の製造方法、及び化粧料
　本開示は、窒化ホウ素粉末、窒化ホウ素粉末の製造方法、及び窒化ホウ素粉末を含有する化粧料に関する。
　六方晶窒化ホウ素は黒鉛と類似の層状構造を有し、滑り性、熱伝導性、絶縁性、化学的安定性、耐熱衝撃性などの特性に優れる。六方晶窒化ホウ素は、これらの特性を活かして、化粧料原料（化粧品原料ともいう）、固体潤滑剤や離型剤、樹脂やゴムの充填材、耐熱性を有する絶縁性焼結体などに応用されている。
　例えば、特許文献１には、化粧料用の窒化ホウ素粉末が提案されている。化粧料に、六方晶窒化ホウ素粉末を配合する目的は、例えば、滑り性、伸び性、及び光沢性等を付与することである。特に、滑り性の改良は化粧料にとって重要な因子である。六方晶窒化ホウ素粉末の滑り性は、同様の機能を有するタルク粉末及びマイカ粉末に比べて優れている。
　しかし、化粧料にとって、滑り性が高いほど触感が良いとは一義的にいえない。例えば、「しっとり」や「ぬめり」といった触感を有する化粧料に窒化ホウ素粉末を配合し滑り性を向上させた場合、滑り性を高めすぎると、「しっとり」や「ぬめり」といった触感が失われてしまう。化粧料としては、適度な滑り性を保ちつつ、触感を兼ね備えることである。しかし、適度な滑り性と、触感とを同時に満足させる化粧料を製造するために有用な窒化ホウ素粉末は見いだされていない。
　化粧料の滑り性を数値化する方法として、ＭＩＵ（平均摩擦係数）がある。ＭＩＵは、値が小さいほど化粧料が滑り性に優れることを示す。また、化粧料のざらつきを数値化する方法として、ＭＭＤ（平均摩擦係数の変動）がある。ＭＭＤは、値が小さいほど化粧料のざらつきが小さいことを示す。
　同じ物質であっても、粒子径等の形状が異なれば、触感が異なることが知られている（例えば、非特許文献１）。そこで、化粧料の触感を調整する方法として、窒化ホウ素を粉砕処理等し粒子径を調整した窒化ホウ素粉末を化粧料原料に用いることで、化粧料の滑り性やざらつきを制御する方法が考えられる。しかし、窒化ホウ素は、粉砕されることによって発生する新たな粒子表面から、肌に刺激性のある溶出ホウ素（水に対して可溶なホウ素化合物）が発生するという問題がある。
　化粧料の原料については、安全性、衛生性の観点から、医薬部外品原料規格２００６にその規格が定められている。上記規格では、窒化ホウ素について、所定の手順で窒化ホウ素を水に接触させた際に、許容できる溶出ホウ素量を、窒化ホウ素１ｇに対して２０μｇ以下（すなわち、１ｇあたり２０ｐｐｍ以下）と規定している。溶出ホウ素量が上記範囲を超えるような窒化ホウ素を化粧料原料とした場合、得られる化粧料は肌への刺激性が高く、望ましくない。上述のように、単に、窒化ホウ素を粉砕処理等することによって粒子径を調整する方法は、溶出ホウ素量の増加を招き得る。そのため、得られる窒化ホウ素粉末が化粧料原料として望ましくない場合がある。
　溶出ホウ素は、窒化ホウ素を製造する際に残存した原料、及び焼結助剤に含まれていたり、溶出ホウ素量測定中における、窒化ホウ素の加水分解によって発生したりする。溶出ホウ素を低減する手段が様々に開示されてきた。特許文献２には、六方晶窒化ホウ素を低級アルコールやアセトン等の水可溶性有機溶媒若しくはその水溶液、または界面活性剤水溶液中で攪拌洗浄し、低温かつ低酸素雰囲気下で乾燥する方法が開示されている。
特開２０１５－１４０３３７公報 特開昭６３－３３３１２号公報
渡辺信一，「触感覚による粒子群の認識と言語評価」，精密工学会誌，２００５年，ｖｏｌ．７１，Ｎｏ．１１，ｐ．１４２１
　滑り性を適度に維持しつつ、「しっとり」や「ぬめり」といった触感に優れる化粧料を提供するための、窒化ホウ素粉末があれば有用である。
　本開示は、化粧料原料に適する窒化ホウ素粉末、及び当該窒化ホウ素粉末を製造する方法を提供することを目的とする。本開示はまた、適度な滑り性を有しつつ、肌への刺激性が低減された化粧料を提供することを目的とする。
　本開示の一側面は、一次粒子及び一次粒子の凝集粒子の少なくとも一方の粒子を含み、溶出ホウ素量が１ｇあたり２０ｐｐｍ以下であり、平均粒子径が２．５～７．０μｍであり、３６μｍ以上の粒子径を有する上記粒子の含有量が１０．０体積％以下である、窒化ホウ素粉末を提供する。
　上記窒化ホウ素粉末は、凝集粒子及び粒子径の比較的大きな一次粒子の含有量が低く、また、平均粒子径が所定の範囲であり、溶出ホウ素量も低いことから、化粧料原料として有用である。
　上記窒化ホウ素粉末は、比表面積が３．０～１２．０ｍ２／ｇであってもよい。
　上記窒化ホウ素粉末は、摩擦感テスターで測定される平均摩擦係数が０．７～１．２であってもよい。
　上記窒化ホウ素粉末は、摩擦感テスターで測定される平均摩擦係数の変動が０．０１５以下であってもよい。
　上記窒化ホウ素粉末は、窒化ホウ素の一次粒子におけるアスペクト比が８～２３であってもよい。
　本開示の一側面は、第一の窒化ホウ素及び焼結助剤を含有する原料粉末を１６００～１９００℃の条件で焼成することによって上記第一の窒化ホウ素よりも結晶化度の高い第二の窒化ホウ素を得る工程と、上記第二の窒化ホウ素を粉砕して粉砕物を得る工程と、有機溶媒、酸性物質を含有する水溶液、及び有機溶媒を含有する水溶液からなる群から選択される少なくとも１種によって、上記粉砕物を洗浄して窒化ホウ素粉末を得る工程と、を有し、上記焼結助剤の含有量が、上記原料粉末中の上記第一の窒化ホウ素１００質量部に対して、０．９～２０質量部である、窒化ホウ素粉末の製造方法を提供する。
　上記製造方法は、結晶化度の高い第二の窒化ホウ素を粉砕した後に、所定の溶液によって洗浄する工程を有することから、溶出ホウ素量が低減された窒化ホウ素粉末を製造することができる。かかる窒化ホウ素粉末は化粧料原料として有用である。
　上記製造方法において、上記窒化ホウ素粉末の溶出ホウ素量が１ｇあたり２０ｐｐｍ以下であってよい。
　上記製造方法において、上記窒化ホウ素粉末は、一次粒子及び一次粒子の凝集粒子の少なくとも一方の粒子を含み、平均粒子径が２．５～７．０μｍであり、かつ３６μｍ以上の粒子径を有する上記粒子の含有量が１０．０体積％以下であってよい。
　上記製造方法において、前記窒化ホウ素粉末は、比表面積が３．０～１２．０ｍ２／ｇであってよい。
　本開示の一側面は、上述の窒化ホウ素粉末を含有する、化粧料を提供する。
　上記化粧料は、上述の窒化ホウ素粉末を含有することから、適度な滑り性を有しつつ、皮膚刺激性が低減されている。
　本発明者らは、ある粒径領域を有する窒化ホウ素粉末が相応の滑り性を保ちつつ、「しっとり」や「ぬめり」といった触感を有することを見出した。すなわち、本開示の一側面は、３６μｍ以上の一次粒子、又は凝集粒子の含有量が１０．０体積％以下、比表面積が３．０～１２．０ｍ２／ｇ、平均粒子径が２．５～７．０μｍ、溶出ホウ素量が２０ｐｐｍ以下であることを特徴とする六方晶窒化ホウ素粉末を提供する。また本開示の一側面は、摩擦感テスターで測定されたＭＩＵ(平均摩擦係数)の値が０．７～１．２、ＭＭＤ(平均摩擦係数の変動)の値が０．０１５以下であることを特徴とする六方晶窒化ホウ素粉末を提供する。更にまた本開示の一側面は、アスペクト比が８～２３であることを特徴とする六方晶窒化ホウ素粉末を提供する。
　本開示によれば、化粧料原料に適する窒化ホウ素粉末、及び当該窒化ホウ素粉末を製造する方法を提供することができる。本開示によればまた、適度な滑り性を有しつつ、肌への刺激性が低減された化粧料を提供することができる。
　本開示によれば、「しっとり」や「ぬめり」といった触感を呈し、化粧料原料として有用な窒化ホウ素を提供することができる。本開示によれば、更に該窒化ホウ素粉末を含有する優れた化粧料を提供することができる。
　以下、本開示の実施形態について説明する。ただし、以下の実施形態は、本開示を説明するための例示であり、本開示を以下の内容に限定する趣旨ではない。
　本開示の窒化ホウ素粉末は、溶出ホウ素量が１ｇあたり２０ｐｐｍ以下であり、化粧料原料として有用である。すなわち、溶出ホウ素量が１ｇあたり２０ｐｐｍ以下である窒化ホウ素粉末は、化粧料用窒化ホウ素粉末ということもできる。窒化ホウ素の結晶構造は、立方晶、六方晶等があるが、滑り性に優れる観点から、好ましくは六方晶である。
＜窒化ホウ素粉末＞
　窒化ホウ素粉末の一実施形態は、一次粒子及び一次粒子の凝集粒子の少なくとも一方の粒子を含み、溶出ホウ素量が１ｇあたり２０ｐｐｍ以下であり、平均粒子径が２．５～７．０μｍであり、３６μｍ以上の粒子径を有する前記粒子の含有量が１０．０体積％以下である。
　本開示に係る窒化ホウ素粉末は、例えば、３６μｍ以上の一次粒子、又は凝集粒子の含有量が１０．０体積％以下、比表面積が３．０～１２．０ｍ２／ｇ、平均粒子径が２．５～７μｍであり、摩擦感テスターで測定されたＭＩＵの値が０．７～１．２、ＭＭＤの値が０．０１５以下であってもよい。
　以下に、本開示に係る六方晶窒化ホウ素粉末を実施するためのより詳しい説明を示す。
＜溶出ホウ素量＞
　窒化ホウ素粉末の溶出ホウ素量は、窒化ホウ素粉末１ｇあたり２０ｐｐｍ以下である。窒化ホウ素粉末の溶出ホウ素量は、窒化ホウ素粉末１ｇあたり、例えば、１８ｐｐｍ以下であってよく、１５ｐｐｍ以下であってよく、又は１０ｐｐｍ以下であってよい。窒化ホウ素粉末の溶出ホウ素量を低減することで、皮膚への刺激を低減することができ、化粧料原料としてより有用である。本明細書において「溶出ホウ素量」とは、医薬部外品原料規格２００６に準拠して測定される値を意味する。
＜平均粒子径＞
　窒化ホウ素粉末の平均粒子径は２．５～７．０μｍである。窒化ホウ素粉末の平均粒子径は、好ましくは３．０～６．０μｍであり、更に好ましくは４．０～５．０μｍである。窒化ホウ素粉末の平均粒子径が２．５μｍ未満では滑り性が不十分となる。窒化ホウ素粉末の平均粒子径が７．０μｍを超えると滑り性が高すぎるため、化粧料の「しっとり」や「ぬめり」といった触感が損なわれ得る。窒化ホウ素粉末の平均粒子径が７．０μｍを超えると、窒化ホウ素粉末の外観上のぎらつきが強くなるため、化粧料原料としては好ましくなくなる。
　本明細書における「平均粒子径」は、レーザー回折散乱法による粒度分布測定に基づいて測定される値を意味し、体積基準の累積粒度分布における累積値が５０％の粒子径である。一般に平均粒子径は測定方法により変わる可能性があり、本明細書では、２００ｍＬの水に、６０ｍｇの窒化ホウ素粉末及び２ｍＬのヘキサメタリン酸水溶液（濃度：２０質量％）を加え、ホモジナイザーによって、３００Ｗの出力で１８０秒間分散処理させて分散液を調製し、当該分散液を測定対象として、粒度分布測定器によって計測した値である。
＜３６μｍ以上の一次粒子、又は凝集粒子の含有量＞
　窒化ホウ素粉末は、一次粒子及び一次粒子の凝集粒子の少なくとも一方の粒子を含み、３６μｍ以上の粒子径を有する上記粒子（例えば、粒子径が３６μｍ以上の一次粒子、粒子径が３６μｍ以上の凝集粒子等）の含有量が１０．０体積％以下である。窒化ホウ素粉末における、３６μｍ以上の粒子径を有する上記粒子の含有量は１０．０体積％以下であることで、窒化ホウ素粉末が優れた滑り性を有し、当該窒化ホウ素粉末を含有する化粧料のざらつきを十分に低減することができる。窒化ホウ素粉末における、３６μｍ以上の粒子径を有する上記粒子の含有量は、例えば、６．０体積％以下、５．０体積％以下、４．０体積％以下、３．０体積％以下、１．５体積％以下、１．０体積％以下、又は０．５体積％以下であってよい。窒化ホウ素粉末における、３６μｍ以上の粒子径を有する上記粒子の含有量が上記範囲内であることによって、窒化ホウ素粉末の「しっとり」や「ぬめり」といった触感を向上させることができる。なお、製造のしやすさ等を考慮すると、上記含有量は０．００１体積％以上、又は０．０１体積％以上であってよい。
　化粧料における皮膚への必要な加圧力範囲において、滑り性を保ちつつ、「しっとり」や「ぬめり」といった触感に優れる六方晶窒化ホウ素粉末を合成する方法について鋭意検討した結果、六方晶窒化ホウ素の粉末に含まれる３６μｍ以上の一次粒子、又は凝集粒子の含有量が１０．０体積％以下とすることで、触感に優れる六方晶窒化ホウ素粉末とすることができることを見出した。六方晶窒化ホウ素の粉末に含まれる３６μｍ以上の一次粒子、又は凝集粒子の含有量は、１０．０体積％以下であり、好ましくは５．０体積％以下、更に好ましくは１．０体積％以下である。六方晶窒化ホウ素粉末における３６μｍ以上の一次粒子、又は凝集粒子の含有量が１０．０体積％を超えると、六方晶窒化ホウ素粉末を塗布する際の滑り性にばらつきがあり、塗布された六方晶窒化ホウ素粉末の膜に凹凸が発生し得る。すなわち、六方晶窒化ホウ素粉末における３６μｍ以上の一次粒子、又は凝集粒子の含有量が１０．０体積％を超えると、ＭＭＤが増加し、結果的に「ざらつき」が増し、化粧料原料として相応しくない。
　本開示において、３６μｍ以上の粒子径を有する上記粒子、並びに、３６μｍ以上の一次粒子、又は凝集粒子の含有量は、レーザー回折散乱法による粒度分布測定に基づいて測定される値を意味する。例えば、粒子径が３６μｍ以上の一次粒子の含有量は、体積基準の累積粒度分布において粒子径が３６μｍを超える一次粒子の体積割合である。具体的には、２００ｍＬの水に、６０ｍｇの窒化ホウ素粉末及び２ｍＬのヘキサメタリン酸水溶液（濃度：２０質量％）を加えて混合液を調製し、当該混合液を測定対象として、粒度分布測定器によって、累積粒度分布を計測し、含有量を決定することができる。なお、上記混合液は、超音波分散処理等を実施せずに粒度分布測定に供する。ここで、超音波分散処理を実施しない理由は、超音波分散処理を行うと、窒化ホウ素粉末に含まれる粗粉が超音波によって粉砕されてしまうため、窒化ホウ素粉末中の３６μｍ以上の粒子径を有する上記粒子の含有量、窒化ホウ素粉末中の３６μｍ以上の一次粒子、又は凝集粒子の含有量を正確に測定できなくなるためである。
＜比表面積＞
　窒化ホウ素の比表面積は、好ましくは３．０～１２．０ｍ２／ｇであり、より好ましくは４．０～１０．０ｍ２／ｇである。窒化ホウ素の比表面積を３．０ｍ２／ｇ以上とすることによって、隠ぺい力（カバー力）に優れる。窒化ホウ素の比表面積を３．０ｍ２／ｇ以上とすることによって、滑り性を適度なものとし、「しっとり」や「ぬめり」といった触感の低下を抑制することができる。また窒化ホウ素の比表面積を３．０ｍ２／ｇ以上とすることによって、窒化ホウ素粉末の外観上のぎらつきを抑制し、化粧料原料としてより好適なものとすることができる。窒化ホウ素の比表面積を１２．０ｍ２／ｇ以下とすることによって、塗りのび性（伸展性）及び隠ぺい力の低下を抑制することができ、また溶出ホウ素量の増加を抑制することができる。
　本明細書における「比表面積」は、一般に市販されているガス吸着現象を利用した測定装置を用い、ＢＥＴ１点法によって算出される値を意味する。
＜アスペクト比＞
　六方晶窒化ホウ素の一次粒子は、いわゆる「鱗片形状」の粒子である。六方晶窒化ホウ素の一次粒子のアスペクト比は、好ましくは８～２３であり、より好ましくは８～２０である。六方晶窒化ホウ素の一次粒子のアスペクト比を８以上とすることによって、六方晶窒化ホウ素の一次粒子の厚さを十分に薄いものとし、滑り性をより向上させることができ、かつ隠ぺい力（カバー力）にも優れたものとすることができる。六方晶窒化ホウ素の一次粒子のアスペクト比を２３以下とすることによって、六方晶窒化ホウ素の一次粒子の厚さを適度なものとし、一次粒子が割れたり、欠けたりすることを抑制することができ、溶出ホウ素量の増加をより抑制することができる。
　一次粒子のアスペクト比は、粒子の最も長い箇所（長径）と短い箇所（短径）の比率（（長径）／（短径））で表わされる。六方晶窒化ホウ素の一次粒子はいわゆる「鱗片形状」の粒子であるから、鱗片粒子の厚さが最も短い箇所（短径）となる。本明細書における「アスペクト比」は、六方晶窒化ホウ素の一次粒子の断面写真画像から粒子長径と粒子厚みとを実測して算出して得られる値を意味する。すなわち、六方晶窒化ホウ素の一次粒子のアスペクト比は、六方晶窒化ホウ素の一次粒子の（長径）／（厚さ）比で表される。
　六方晶窒化ホウ素のような「鱗片形状」の粒子においてアスペクト比を測定する際、例えば、電子顕微鏡によって撮影された粒子画像をそのまま解析する方法では誤差が生じ易く（例えば、一次粒子が傾いていると誤差が生じる）、正確な測定が困難である。そこで、本明細書における六方晶窒化ホウ素のアスペクト比の測定は以下に示す方法に準拠して行う。３ｇの窒化ホウ素粉末をプレス成型機（例えば、株式会社リガク製、商品名：ＢＲＥ－３２）を用いて、５ＭＰａの圧力で円盤状（直径：３０ｍｍφ）に成型し、得られた成型体を樹脂（例えば、ＧＡＴＡＮ社製、商品名：Ｇ２エポキシ）を用いて包埋後に、圧力をかけた方向と並行方向に断面ミリング加工を行うことで、窒化ホウ素粒子の断面が露出した試料を調製する。プレス成型によって窒化ホウ素の一次粒子が一方向に配向するため、一次粒子の傾きによる測定誤差を抑えられる。この断面を走査型電子顕微鏡（例えば、日本電子株式会社製、商品名：ＪＳＭ－６０１０ＬＡ）によって撮影し、得られた粒子像を画像解析ソフトウェア（例えば、株式会社マウンテック製、商品名：Ｍａｃ－Ｖｉｅｗ）に取り込む。次いで、得られた写真から矩形粒子の長辺（粒子長径に相当）と短辺（粒子厚み、粒子短径に相当）を測定し長径短径比(長径／短径)を算出した。測定は、任意に選択した１００個の一次粒子に対して行う。得られた長径短径比に基づいて累積分布を作成し、累積分布の９５％に相当する長径短径比を求め、これをアスペクト比とする。
＜ＭＩＵ(平均摩擦係数)、ＭＭＤ(平均摩擦係数の変動)＞
　化粧料の滑り性を数値化する方法として、ＭＩＵ（平均摩擦係数）がある。ＭＩＵは、値が小さいほど化粧料が滑り性に優れることを示す。また、化粧料のざらつきを数値化する方法として、ＭＭＤ（平均摩擦係数の変動）がある。ＭＭＤは、値が小さいほど化粧料のざらつきが小さいことを示す。
　窒化ホウ素粉末のＭＩＵは、好ましくは０．７～１.２であり、より好ましくは０．８～１．１である。窒化ホウ素粉末のＭＩＵが１．２以下とすることで、窒化ホウ素の滑り性をより向上させることができる。窒化ホウ素粉末のＭＩＵが０．７以上とすることで、窒化ホウ素の「しっとり」や「ぬめり」といった触感を向上させることができる。
　窒化ホウ素粉末のＭＭＤは、好ましくは０．０１５以下であり、より好ましくは０．０１０以下である。窒化ホウ素粉末のＭＭＤを０．０１５以下とすることで、得られる化粧料のざらつきを抑制することができ、得られる化粧料の使用感を向上させることができる。なお、製造のしやすさ等を考慮すると、窒化ホウ素粉末のＭＭＤは０．００００１以上、又は０．０００１以上であってよい。
　上記窒化ホウ素粉末は、ＭＩＵ（平均摩擦係数）の値が０．７～１．２、ＭＭＤ（平均摩擦係数の変動）の値が０．０１５以下であってもよい。
　本明細書における「ＭＩＵ（平均摩擦係数）」及び「ＭＭＤ（平均摩擦係数の変動）」は、摩擦感テスター（カトーテック株式会社製、商品名：ＫＥＳ－ＳＥ）を用いて測定した無次限数である。具体的には、肌に見立てた人工皮革（出光テクノファイン株式会社製、商品名：サプラーレ　ＰＢＺ１３００１　ＢＫ）上に、０．８ｇの窒化ホウ素粉末を載せて、その上に上記摩擦感テスターのセンサー部（１０ｍｍ角シリコン）を当て、ＭＩＵ及びＭＭＤを計測することができる。摩擦感テスターの測定条件は、感度：Ｈ、試験台移動速度：１ｍｍ／秒、静荷重：２５ｇｆを設定する。計測は、５回行い、得られた３～５回目の平均値を、窒化ホウ素粉末のＭＩＵ、及びＭＭＤとする。
＜窒化ホウ素粉末の製造方法＞
　窒化ホウ素粉末の製造方法の一実施形態は、第一の窒化ホウ素及び焼結助剤を含有する原料粉末を１６００～１９００℃の条件で焼成することによって上記第一の窒化ホウ素よりも結晶化度の高い第二の窒化ホウ素を得る工程（以下、焼成工程ともいう）と、上記第二の窒化ホウ素を粉砕して粉砕物を得る工程（以下、粉砕工程ともいう）と、有機溶媒、酸性物質を含有する水溶液、及び有機溶媒を含有する水溶液からなる群から選択される少なくとも１種によって、上記粉砕物を洗浄して窒化ホウ素粉末を得る工程（以下、洗浄工程ともいう）と、を有する。上記焼結助剤の含有量が、上記原料粉末中の上記第一の窒化ホウ素１００質量部に対して、０．９～２０質量部である、窒化ホウ素粉末の製造方法である。
　本明細書において、結晶化度が低いことは「低結晶性」ともいう。すなわち、上記第一の窒化ホウ素は、低結晶性窒化ホウ素ということもできる。本明細書における「結晶化度」は、広角Ｘ線散乱法によって測定される値を意味する。より具体的には、第一の窒化ホウ素又は第二の窒化ホウ素を対象として、広角Ｘ線散乱測定を行い、測定結果からデータ解析用ソフトを用いて１次元プロファイル（回折データ）を作成する。そして、解説データをもとに、下記式から結晶化度（％）を算出した。
　結晶化度（％）＝［結晶領域を示すピーク面積／（結晶領域を示すピーク面積＋非晶領域を示すピーク面積）］×１００
　焼成工程における温度は、１６００～１９００℃であるが、好ましくは１７００～１９００℃であり、より好ましくは１７００～１８００℃である。焼成工程における温度を１６００℃以上とすることで、第一の窒化ホウ素における結晶化度を向上させ、より結晶化度の高い第二の窒化ホウ素を調製することができる。第二の窒化ホウ素の結晶化度を高めることで、得られる窒化ホウ素粉末の滑り性がより向上すると共に、溶出ホウ素量の増加を抑制することができるため、化粧料原料により好適なものにできる。焼成工程における温度を１９００℃以下とすることで、第二の窒化ホウ素の結晶化度を適度なものとすることができ、得られる窒化ホウ素粉末の外観のぎらつきを抑制し、化粧料原料により好適なものにできる。
　焼成工程は、不活性ガス雰囲気、又はアンモニアガス雰囲気の下で行ってもよい。不活性ガス雰囲気は、例えば、窒素、ヘリウム、及びアルゴン等を挙げることができる。
　上記製造方法において、上記窒化ホウ素粉末の溶出ホウ素量が１ｇあたり２０ｐｐｍ以下であってよい。上記製造方法において、上記窒化ホウ素粉末は、一次粒子及び一次粒子の凝集粒子の少なくとも一方の粒子を含み、平均粒子径が２．５～７．０μｍであり、かつ３６μｍ以上の粒子径を有する上記粒子の含有量が１０．０体積％以下であってよい。上記製造方法において、前記窒化ホウ素粉末は、比表面積が３．０～１２．０ｍ２／ｇであってよい。
　六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法の一実施形態としては、例えば、低結晶性六方晶窒化ホウ素の粉末と０．９～２０質量部の焼結助剤粉末を含む混合粉末を最高温度１６００～１９００℃の焼成条件で焼成することにより六方晶窒化ホウ素を得る工程と、得られた上記六方晶窒化ホウ素をジェットミル又はグローミルで粉砕し、酸性物質を含む水溶液、有機溶媒、有機溶媒と水との混合液の少なくともいずれか一つで洗浄する工程を含み、上述の六方晶窒化ホウ素粉末を製造する、製造方法が挙げられる。
　上記窒化ホウ素粉末の製造方法は、上記第一の窒化ホウ素を含有する原料粉末の焼成工程に代えて、第一の窒化ホウ素を調製する工程及び第二の窒化ホウ素を調製する工程を有してもよい。また上記六方晶ホウ素粉末の製造方法は、低結晶性六方晶窒化ホウ素粉末の焼成によって六方晶窒化ホウ素を得る工程に代えて、低結晶性六方晶窒化ホウ素を調製する工程及び六方晶窒化ホウ素を得る工程を有してもよい。
　窒化ホウ素粉末の製造方法の例としては、ホウ素を含む化合物の粉末及び窒素を含む化合物の粉末（以下、ホウ素を含む化合物と窒素を含む化合物とを併せて「出発原料」ということもある）と、アルカリ金属化合物及び／又はアルカリ土類金属などの焼成時における出発原料の六方晶窒化ホウ素への変換を促進する焼結助剤の粉末と、を含有する混合粉末を、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性雰囲気下、及び／又はアンモニア雰囲気下で６００～１３００℃の条件（第一焼成条件）で焼成して低結晶性六方晶窒化ホウ素を得る工程と、得られた低結晶性六方晶窒化ホウ素を更に、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性雰囲気下、及び／又はアンモニア雰囲気下で１５００～２２００℃の条件（第二焼成条件）で焼成して六方晶窒化ホウ素を得る工程と、得られた六方晶窒化ホウ素を洗浄液で洗浄することによる不純物除去処理を加えてから乾燥する工程と、を含む製造方法が挙げられる。上記混合粉末は、本開示の目的を逸脱しない範囲において、必要に応じて、出発原料及び焼結助剤以外のその他の成分を含有してもよい。その他の成分としては、例えば、単体及び化合物等が挙げられる。ここで、焼結助剤は、混合粉末に配合してもよいし、低結晶性六方晶窒化ホウ素に配合してもよい。
　ホウ素を含む化合物としては、例えば、ホウ酸、酸化ホウ素、及びホウ砂等を含むことが好ましく、ホウ酸を含むことがより好ましい。窒素を含む化合物としては、例えば、シアンジアミド、メラミン、尿素等を含むことが好ましく、メラミンを含むことがより好ましい。
　出発原料中に含まれるホウ素原子と窒素原子のモル比率は、必ずしも５：５に固定する必要はない。ホウ素原子と窒素原子のモル比率を、反応性や収率に応じて、好ましくは２：８～８：２の範囲で、さらに好ましくは３：７～７：３の範囲で適宜変えることが可能である。なお、第一の窒化ホウ素、又は低結晶性六方晶窒化ホウ素を製造するための出発原料として用いる各種化合物等は一種類に限定する必要はなく、複数種類の化合物等を同時に使用することもできる。
　焼結助剤としては、好ましくは、リチウム、ナトリウム、及びカリウム等のアルカリ金属の酸化物又は炭酸塩、並びに、カルシウム、及びストロンチウム等のアルカリ土類金属の酸化物又は炭酸塩などを挙げることができる。焼結助剤の含有量は、混合粉末中の窒化ホウ素１００質量部、第一の窒化ホウ素１００質量部又は低結晶性六方晶窒化ホウ素１００重量部に対して、好ましくは０．９質量部以上２０．０質量部以下である。なお、焼結助剤として用いる各種化合物等は一種類に限定する必要はなく、複数種類の化合物等を同時に使用することもできる。
　上述の原料粉末は、第一の窒化ホウ素及び焼結助剤の他にその他の成分を含有してもよい。また、上述の混合粉末は、出発原料及び焼結助剤以外のその他の成分を含んでもよい。上記その他の成分としては、例えば、単体及び化合物等が挙げられる。上記単体及び上記化合物は、より具体的には、炭素等の還元性物質を挙げることができる。
　上記混合粉末を焼成するときの最高温度は、第一焼成条件では、好ましくは６００℃～１３００℃の範囲の温度であり、より好ましくは８００～１２００℃の範囲である。第一焼成条件における最高温度を６００℃以上とすることで、混合粉末から低結晶六方晶窒化ホウ素への変換を促進することができ、混合粉末における、未反応の出発原料（例えば、ホウ素を含む化合物等）の量を低減することができる。第一焼成条件における最高温度を６００℃以上とすることで、粒成長及び結晶化が促進され、得られる窒化ホウ素粉末の滑り性をより向上させることができ、化粧料原料により好適なものにできる。第一焼成条件における最高温度を１３００℃以下とすることで、六方晶窒化ホウ素を形成させることに寄与するＢ２Ｏ３等の酸化物及び焼結助剤等が減少することを抑制し、粒成長及び結晶化を促進することができ、得られる窒化ホウ素粉末の滑り性を向上させることができる。第一焼成条件における最高温度を１３００℃以下とすることで、窒化ホウ素粉末の溶出ホウ素量の増加を抑制することができ、化粧料原料により好適なものにできる。
　上記低結晶性六方晶窒化ホウ素を焼成するときの最高温度は、第二焼成条件では、好ましくは１６００～１９００℃の範囲の温度であり、より好ましくは１７００～１８００℃の範囲の温度である。焼成温度の最高値が１６００℃未満であると、低結晶性六方晶窒化ホウ素から六方晶窒化ホウ素への変換が進み難くなるため粒成長や結晶化が抑制され、滑り性の低下、溶出ホウ素量の増加のため化粧料用原料として相応しくない。焼成温度の最高値が１９００℃を超えると、六方晶窒化ホウ素の結晶成長が進みすぎ、化粧料原材料として使用した場合に外観のぎらつきが強まるため、実用上好ましくない。
　六方晶窒化ホウ素粉末の焼成温度は一定に保持しても、連続的または不連続的に変化させてもよい。昇温時の昇温速度及び冷却時の冷却速度にも制限はない。
　第一焼成条件の下では、焼成時間が短すぎると、低結晶六方晶窒化ホウ素への変換が進み難くなり、出発原料（例えば、ホウ素を含む化合物等）の残留量が増加して、結果として、粒成長や結晶化が抑制され得る。そのため、上記混合粉末を焼成する時間（焼成時間）は、好ましくは０．５時間以上であり、より好ましくは１時間以上である。
　第二焼成条件の下では、焼成時間が短すぎると焼成が不十分となり、粒成長や結晶化が抑制され得る。そのため、上記低結晶性六方晶窒化ホウ素を焼成する時間は、好ましくは２時間以上であり、より好ましくは４時間以上である。
　上記混合粉末及び低結晶六方晶窒化ホウ素等を収納する容器及び焼成する装置類（例えば、加熱装置等）については特に制限はない。上記容器には、例えば、六方晶窒化ホウ素製の容器を用いることができる。上記加熱装置には、例えば、電気ヒータを用いた焼成炉を用いることができる。
　上述の六方晶ホウ素粉末の製造方法は、混合粉末の調製から混合粉末の焼成が終了するまでの間に、本開示の目的を逸脱しない範囲内で、加熱、冷却、加湿、乾燥、及び洗浄の操作を加える工程を更に有してもよい。
　上記第二の窒化ホウ素、及び上記六方晶窒化ホウ素は、一般的にはブロック状の固形物の状態で取り出されるため、これを粉砕する。粉砕することによって、平均粒子径等を調整することができる。例えば、上記第二の窒化ホウ素又は上記六方晶窒化ホウ素を粉砕することによって、３６μｍ以上の一次粒子、又は凝集粒子の含有量を１０．０体積％以下に低減させ、平均粒子径が２．５～７．０μｍである六方晶窒化ホウ素粉末を得ることができる。粉砕機の一例を挙げれば、グローミル、ジェットミルがある。粉砕機、粉砕条件によっては得られた六方晶窒化ホウ素が微細化してしまい、上述の溶出ホウ素量が２０ｐｐｍを超えてしまう恐れがある。例えば、上記第二の窒化ホウ素又は上記六方晶窒化ホウ素を粉砕する際に、ジェットミルを用いる場合には、フィード量を多くし、粉砕圧を適度に低い条件とすることができる。上述のような条件設定によって、得られる窒化ホウ素の粉末の平均粒子径を適度なものとし、溶出ホウ素量の上昇を抑制することもできる。また、上述の窒化ホウ素粉末の製造方法等においては、後述する洗浄工程によって溶出ホウ素量の低減が可能である。
　粉砕した六方晶窒化ホウ素の粉末中には、六方晶窒化ホウ素以外の不純物や水可溶性ホウ素化合物（以降、まとめて「不純物等」という）が含まれている可能性がある。そのため、洗浄液を用いた洗浄によって不純物等を除去してから固液分離して乾燥し、最終的に本開示の六方晶窒化ホウ素粉末を得ることができる。
　ここでいう洗浄液とは、酸性物質を含む水溶液、有機溶媒、有機溶媒と水との混合液のいずれかであることが望ましい。酸性物質としては、例えば、塩酸、及び硝酸等の無機酸を挙げることができる。有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール及びアセトン等の水溶性の有機溶媒を好ましく使用することができる。
　洗浄後の固液分離の希釈液には、不純物の二次的な混入を避ける観点から、電気伝導度が１ｍＳ／ｍ以下の水を使用することができる。固液分離の希釈液の使用量は、コスト、及び廃液処理の観点から少ない方がよいが、少なすぎると六方晶窒化ホウ素粉末中に不純物等が残存するため、窒化ホウ素１ｋｇに対しての希釈液量は、例えば、好ましくは３００倍以下であり、より好ましくは２５０倍以下であり、更に好ましくは２００倍以下である。
　洗浄終了後、固液分離してから乾燥する場合、固液分離の方法にも特に限定はなく、例えば、デカンテーション、吸引ろ過機、加圧ろ過機、回転式ろ過機、沈降分離機又はそれらの組み合わせた装置を用いることができる。
　固液分離後の六方晶窒化ホウ素粉末の乾燥方法にも特に制限はない。使用できる乾燥装置の一例を示せば、棚式乾燥機、流動層乾燥機、噴霧乾燥機、回転型乾燥機、ベルト式乾燥機又はそれらの組み合わせである。乾燥機内の雰囲気温度は、好ましくは３０～３００℃であり、より好ましくは３０～２００℃である。
　洗浄、固液分離、及び乾燥は、それぞれ１回ずつ実施してもよいし、同じ方法又は異なる方法を組み合わせて複数回ずつ実施しても構わない。
＜窒化ホウ素粉末を含有する化粧料、六方晶窒化ホウ素粉末を含有する化粧料＞
　上述の窒化ホウ素粉末及び六方晶窒化ホウ素粉末は、化粧料用に好適であり、化粧料原料に用いることができる。化粧料の一実施形態は、上述の窒化ホウ素粉末を含有する。
　本開示は別の一側面において、上述の六方晶窒化ホウ素粉末を含有する化粧料である。化粧料の一例を示せば、ファンデーション（パウダーファンデーション、リキッドファンデーション、クリームファンデーション）、フェイスパウダー、ポイントメイク、アイシャドー、アイライナー、マニュキュア、口紅、頬紅、及びマスカラ等が挙げられる。本開示の化粧料は、上述の化粧料中でも、ファンデーション、及びアイシャドーに特に良く適合する。
　化粧料における上述の窒化ホウ素粉末の含有量は、例えば、化粧料全量を基準として、０．１～７０質量％であってよい。上述の六方晶窒化ホウ素粉末の化粧料への好適な配合割合量は、０．１～７０質量％である。
　以上、幾つかの実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に何ら限定されるものではない。また、上述した実施形態についての説明内容は、互いに適用することができる。
　以下、本開示を実施例、及び比較例を挙げて更に具体的に説明する。また、実施例のまとめを表１に、比較例を表２に示す。ただし、本開示は、下記の実施例に限定されるものではない。
＜実施例１＞
　出発原料として、ホウ酸粉末（関東化学株式会社製、純度：９９．８質量％以上）２００ｇ、及びメラミン粉末（富士フイルム和光純薬株式会社製、純度：９９．０質量％以上）１８０ｇをそれぞれ秤量し、アルミナ製乳鉢を用いて１０分間混合した。作製した粉末混合物（混合粉末）を恒温恒湿機（ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製、商品名：ＡＧＸ－２２５）に入れ、温度：８０℃、相対湿度：９５％で１時間加湿し、その後、１２０℃で１時間乾燥した。
　上記乾燥後の粉末混合物を六方晶窒化ホウ素製の容器（内容積：１．４Ｌ）に入れ、当該容器を、炉室内容積が１６Ｌである電気炉（東海高熱工業株式会社製、商品名：ＴＶ－２００）内に配置した。そして、炉室内へ窒素ガスを１６Ｌ／分（２５℃における体積）の流量で供給しながら、１０℃／分の昇温速度で室温から昇温し、１０００℃で２時間保持した。その後、加熱を止めて自然冷却させ、炉室内の温度が１００℃以下まで下がった時点で電気炉を開放して、低結晶性窒化ホウ素（粉砕前）を回収した。
　得られた低結晶性六方晶窒化ホウ素の粉末１００質量部に対して、炭酸ナトリウム（富士フイルム和光純薬株式会社製、純度：９９．５質量％以上）１０質量部を配合してアルミナ製乳鉢を用いて１０分間混合し、さらに上述の電気炉内に配置した。そして、炉室内への窒素ガスを１６Ｌ／分（２５℃における体積）の流量で供給しながら、１０℃／分の昇温速度で昇温し、焼成温度の最高値である１７５０℃まで到達させてから４時間温度を保持した（焼成工程）。その後、加熱を止めて自然冷却させ、温度が１００℃以下まで下がった時点で電気炉を開放して、六方晶窒化ホウ素（粉砕前）を回収した。
　得られた六方晶窒化ホウ素（粉砕前）をジェットミル（株式会社セイシン企業製、商品名：ＳＴＪ－２００）で粉砕し、六方晶窒化ホウ素の粉末を得た。ジェットミルは、１０ｋｇ／時間のフィード量で六方晶窒化ホウ素をミル内に供給し、０．７ＭＰａの粉砕圧で処理を行い、バグフィルターから粉砕した六方晶窒化ホウ素粉末を回収した。
　上述のように粉砕して得られた六方晶窒化ホウ素の粉末中に含まれる不純物等を除くため、六方晶窒化ホウ素４０ｋｇに対して、６７質量％希硝酸を２０Ｌ、水を３９０Ｌの割合で混合し、室温で６０分間、攪拌し洗浄した。その後、連続加圧ろ過装置（株式会社広島メタル＆マシナリー製、商品名：ＲＦ－２．５）によって固液分離し、完全に固液分離が完了する前に、六方晶窒化ホウ素１ｋｇに対して２７５倍の水を更に加えて希釈した。その後、固液分離を完了させた。固液分離した後の粉末は、乾燥機によって、１７０℃で１２時間乾燥し、実施例１の六方晶窒化ホウ素粉末（窒化ホウ素粉末）を得た。
＜実施例２～５、比較例１＞
　ジェットミルのフィード量及び粉砕圧を、表１及び表２に記載のフィード量及び粉砕圧に変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例２～５、及び比較例１の六方晶窒化ホウ素粉末を作製した。
＜実施例６～７、比較例２～３＞
　低結晶性六方晶窒化ホウ素１００質量部に対する焼結助剤の質量割合を表１及び表２に記載の割合に変更（焼結助剤の含有量を変更）したこと以外は実施例１と同様にして、実施例６～７、及び比較例２～３の六方晶窒化ホウ素粉末を作製した。
＜実施例８～９、比較例４～５＞
　焼成温度の最高値を１７５０℃から、表１及び表２に記載の温度に変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例８～９、及び比較例４～５の六方晶窒化ホウ素粉末を作製した。
＜実施例１０～１１、比較例６～７＞
　粉砕条件又は洗浄条件を表１及び表２に記載の条件に変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例１０～１１、及び比較例６～７の六方晶窒化ホウ素粉末を作製した。
　実施例１０では、粉砕して得られた六方晶窒化ホウ素４０ｋｇに対して、エタノールを１０Ｌ、水を３９０Ｌの割合で混合し、室温で６０分間、攪拌し洗浄した後、連続加圧ろ過装置によって固液分離し、六方晶窒化ホウ素１ｋｇに対し２７５倍の水で希釈し、さらに洗浄した。洗浄し、固液分離した後の粉末を７０℃で１２時間乾燥して、六方晶窒化ホウ素粉末を得た。
　実施例１１では、粉砕装置としてグローミル（株式会社セイシン企業製、商品名：ＳＴＪ－２００）を用いて、間隙：５μｍ、回転数：１２００ｒｐｍの条件で、六方晶窒化ホウ素（粉砕前）を粉砕し、実施例１と同様にして洗浄、及び乾燥して六方晶窒化ホウ素粉末を得た。
　比較例７では、六方晶窒化ホウ素（粉砕前）４０ｋｇに対して、水を３９０Ｌの割合で混合し、室温で６０分間、攪拌し洗浄した。その後、連続加圧ろ過装置によって固液分離し、六方晶窒化ホウ素１ｋｇに対して、２７５倍の水を加えて希釈し、さらに洗浄した。洗浄し、固液分離した後の粉末を７０℃で１２時間乾燥して、六方晶窒化ホウ素粉末を得た。
＜六方晶窒化ホウ素粉末（窒化ホウ素粉末）の平均粒子径、３６μｍ以上の粒子の含有量、比表面積、及び一次粒子のアスペクト比の測定＞
　実施例１～１１及び比較例１～７で得られた六方晶窒化ホウ素粉末について、平均粒子径、３６μｍ以上の粒子の含有量（表１及び表２では「３６μｍ以上の粒子量」と記載）、比表面積、及び一次粒子のアスペクト比（表１及び表２では「アスペクト比」と記載）の測定を行った。
＜六方晶窒化ホウ素粉末（窒化ホウ素粉末）の評価＞
　実施例１～１１及び比較例１～７で得られた六方晶窒化ホウ素粉末について、溶出ホウ素量、ＭＩＵ（平均摩擦係数）及びＭＭＤ（平均摩擦係数の変動）の評価を行った。結果を表１及び表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　本開示によれば、従来に比べて化粧料として必要な加圧力範囲において「しっとり」や「ぬめり」といった触感に優れた六方晶窒化ホウ素粉末、及び該六方晶窒化ホウ素粉末を含む化粧料を提供し得る。本開示の窒化ホウ素粉末は、ファンデーション、アイシャドー等の化粧料の原料として好適に用いられる。

Claims (10)

  1. 　一次粒子及び一次粒子の凝集粒子の少なくとも一方の粒子を含み、
    　溶出ホウ素量が１ｇあたり２０ｐｐｍ以下であり、
    　平均粒子径が２．５～７．０μｍであり、
    　３６μｍ以上の粒子径を有する前記粒子の含有量が１０．０体積％以下である、窒化ホウ素粉末。
  2. 　比表面積が３．０～１２．０ｍ２／ｇである、請求項１に記載の窒化ホウ素粉末。
  3. 　摩擦感テスターで測定される平均摩擦係数が０．７～１．２である、請求項１又は２に記載の窒化ホウ素粉末。
  4. 　摩擦感テスターで測定される平均摩擦係数の変動が０．０１５以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載の窒化ホウ素粉末。
  5. 　前記一次粒子のアスペクト比が８～２３である、請求項１～４のいずれか一項に記載の窒化ホウ素粉末。
  6. 　第一の窒化ホウ素及び焼結助剤を含有する原料粉末を１６００～１９００℃の条件で焼成することによって前記第一の窒化ホウ素よりも結晶化度の高い第二の窒化ホウ素を得る工程と、
    　前記第二の窒化ホウ素を粉砕して粉砕物を得る工程と、
    　有機溶媒、酸性物質を含有する水溶液、及び有機溶媒を含有する水溶液からなる群から選択される少なくとも１種によって、前記粉砕物を洗浄して窒化ホウ素粉末を得る工程と、を有し、
    　前記焼結助剤の含有量が、前記原料粉末中の前記第一の窒化ホウ素１００質量部に対して、０．９～２０質量部である、窒化ホウ素粉末の製造方法。
  7. 　前記窒化ホウ素粉末の溶出ホウ素量が１ｇあたり２０ｐｐｍ以下である、請求項６に記載の窒化ホウ素粉末の製造方法。
  8. 　前記窒化ホウ素粉末は、一次粒子及び一次粒子の凝集粒子の少なくとも一方の粒子を含み、平均粒子径が２．５～７．０μｍであり、かつ３６μｍ以上の粒子径を有する前記粒子の含有量が１０．０体積％以下である、請求項６又は７に記載の窒化ホウ素粉末の製造方法。
  9. 　前記窒化ホウ素粉末は、比表面積が３．０～１２．０ｍ２／ｇである、請求項６又は７に記載の製造方法。
  10. 　請求項１～５のいずれか一項に記載の窒化ホウ素粉末を含有する、化粧料。
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