WO2019172121A1 - 発光素子ユニット - Google Patents

発光素子ユニット Download PDF

Info

Publication number
WO2019172121A1
WO2019172121A1 PCT/JP2019/008109 JP2019008109W WO2019172121A1 WO 2019172121 A1 WO2019172121 A1 WO 2019172121A1 JP 2019008109 W JP2019008109 W JP 2019008109W WO 2019172121 A1 WO2019172121 A1 WO 2019172121A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
electrode
layer
emitting element
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2019/008109
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
朋芳 市川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to KR1020207024933A priority Critical patent/KR102795816B1/ko
Priority to CN201980015710.2A priority patent/CN111819909B/zh
Priority to JP2020504986A priority patent/JP7261220B2/ja
Priority to KR1020257011521A priority patent/KR20250053986A/ko
Priority to US16/970,280 priority patent/US11362306B2/en
Priority to DE112019001178.2T priority patent/DE112019001178T5/de
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Publication of WO2019172121A1 publication Critical patent/WO2019172121A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US17/745,306 priority patent/US12041813B2/en
Priority to JP2022107996A priority patent/JP7356545B2/ja
Priority to JP2022198911A priority patent/JP7509860B2/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit

Definitions

  • the present disclosure relates to a light emitting element unit.
  • a red light emitting element, a green light emitting element, and a blue light emitting element are often manufactured by a mask vapor deposition process. That is, the RGB coating structure is realized.
  • a “white method” structure is adopted in which three light-emitting layers of a red light-emitting layer, a green light-emitting layer, and a blue light-emitting layer are stacked over all pixels, and each light emitting element emits white light.
  • the light emitting element is provided with a color filter. And the white light radiate
  • the white method since the white light emitted from the light emitting element is color-separated by the color filter, light absorption (loss) in the color filter is large, and the luminous efficiency is reduced to 1/3 or less compared to the RGB color separation method. There is a problem that it falls.
  • a reflective film is provided on the light emitting element, and a microcavity (resonator structure) is formed between the transparent electrode provided on the light emitting element and the reflective film.
  • a red light emitting device that selectively emits red light is obtained by optimizing a microcavity related to red light emission.
  • a green light emitting element that selectively emits green light is provided, and by optimizing the microcavity for blue light emission, blue light is selectively used.
  • a technique for providing a blue light emitting element that emits light is well known from, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-278257. However, with this technique, although the light extraction efficiency is improved, there is a problem that the light emission efficiency and the color purity are lower than those of the RGB color separation method.
  • an object of the present disclosure is to provide a light-emitting element unit having a configuration and a structure that can achieve high luminous efficiency and color purity.
  • the light emitting element unit for achieving the above object is composed of three light emitting elements,
  • the first light emitting element includes a first a electrode, a first organic layer including a first light emitting layer, a second a electrode, a second organic layer including a second light emitting layer, and a third organic layer including a third light emitting layer.
  • the second light emitting device is formed by laminating a first organic layer, a first b electrode, a second organic layer, a second b electrode, and a third organic layer
  • the third light emitting element is formed by laminating a first organic layer, a second organic layer, a first c electrode, a third organic layer, and a second c electrode.
  • the light emitting element unit according to the second aspect of the present disclosure for achieving the above object is composed of three light emitting elements, The first light emitting element and the second light emitting element are juxtaposed.
  • the first light emitting element includes a first a electrode, a first organic layer including a first light emitting layer, and a second a electrode, and the second light emitting element includes a first b.
  • the third light emitting element is formed by laminating a first organic layer, a first c electrode, a third organic layer including a third light emitting layer, and a second c electrode,
  • a first color filter is disposed on the light emitting side of the first light emitting element,
  • a second color filter is disposed on the light emitting side of the second light emitting element.
  • the light emitting element unit according to the third aspect of the present disclosure for achieving the above object is composed of three light emitting elements,
  • the first light emitting element is formed by laminating a first a electrode, a first organic layer including a first light emitting layer, and a second a electrode
  • the second light emitting element is formed by laminating a first organic layer, a first b electrode, a second organic layer including a second light emitting layer, and a second b electrode.
  • the third light emitting element is formed by laminating a first organic layer, a second organic layer, a first c electrode, a third organic layer including a third light emitting layer, and a second c electrode.
  • the light emitting element unit for achieving the above object is: It is composed of a plurality of light emitting elements having a laminated structure in which organic layers including a plurality of light emitting layers are laminated, Each light emitting element is composed of a first electrode, an organic layer of any one of a plurality of organic layers, and a second electrode.
  • the 1st electrode which comprises each light emitting element does not overlap between light emitting elements.
  • FIG. 1A and 1B are conceptual diagrams of a light emitting element unit of Example 1.
  • FIG. 2A and 2B are conceptual diagrams of Modification Example (1) and Modification Example (2) of the light-emitting element unit of Example 1.
  • FIG. 3A and 3B are conceptual diagrams of the light-emitting element unit of Example 2 and its modification (1).
  • 4A, 4B, and 4C are conceptual diagrams of Modification Example (2), Modification Example (3), and Modification Example (4) of the light-emitting element unit of Example 2.
  • FIG. 5A and 5B are conceptual diagrams of the light-emitting element unit of Example 3 and its modification example (1).
  • 6A and 6B are conceptual diagrams of Modification Example (2) and Modification Example (3) of the light emitting element unit of Example 3.
  • FIG. 7 is a conceptual diagram of a modification (4) of the light-emitting element unit of Example 3.
  • FIG. 8 is a schematic partial cross-sectional view of the light-emitting element unit of Example 1.
  • FIG. 9 is a schematic partial cross-sectional view of Modification Example (1) of the light emitting element unit of Example 1.
  • FIG. 10A, 10B, 10C, and 10D are diagrams for explaining the arrangement state of the first electrode and the contact hole portion in the light emitting element unit of Example 1.
  • FIG. FIG. 11 is a schematic partial cross-sectional view of the light-emitting element unit of Example 2.
  • FIG. 12 is a schematic partial cross-sectional view of Modification Example (1) of the light-emitting element unit of Example 2.
  • FIG. 13 is a schematic partial cross-sectional view of Modification Example (2) of the light emitting element unit of Example 2.
  • FIG. 14 is a schematic partial cross-sectional view of Modification Example (3) of the light emitting element unit of Example 2.
  • FIG. 15 is a schematic partial cross-sectional view of the light-emitting element unit of Example 3.
  • FIG. 16 is a schematic partial cross-sectional view of Modification Example (1) of the light-emitting element unit of Example 3.
  • FIG. 17 is a schematic partial cross-sectional view of Modification Example (2) of the light emitting element unit of Example 3.
  • FIG. 18 is a schematic partial cross-sectional view of Modification Example (3) of the light-emitting element unit of Example 3.
  • FIG. 19A and 19B are schematic end views of the first substrate and the like for explaining the method for manufacturing the light emitting element unit of Example 1.
  • FIG. 20A and 20B are schematic end views of the first substrate and the like for explaining the method for manufacturing the light-emitting element unit of Example 1, following FIG. 19B.
  • FIG. 21 is a schematic end view of the first substrate and the like for explaining the manufacturing method of the light-emitting element unit of Example 1 following FIG. 20B.
  • FIG. 22 is a schematic end view of the first substrate and the like for explaining the manufacturing method of the light emitting element unit of Example 1 following FIG.
  • FIG. 23 is a schematic end view of the first substrate and the like for explaining the manufacturing method of the light-emitting element unit of Example 1 following FIG.
  • FIG. 21 is a schematic end view of the first substrate and the like for explaining the method for manufacturing the light-emitting element unit of Example 1, following FIG. 19B.
  • FIG. 21 is a schematic end view of the first substrate and the like for explaining the manufacturing
  • FIG. 24 is a schematic end view of the first substrate and the like for explaining the manufacturing method of the light-emitting element unit of Example 1 following FIG.
  • FIG. 25 is a schematic end view of the first substrate and the like for explaining the manufacturing method of the light emitting element unit of Example 1 following FIG.
  • FIG. 26 is a schematic end view of the first substrate and the like for explaining the manufacturing method of the light-emitting element unit of Example 1 following FIG. 27A and 27B illustrate an example in which the display device according to the present disclosure is applied to an interchangeable lens single-lens reflex digital still camera.
  • FIG. 27A is a front view of the digital still camera
  • FIG. 27B is a rear view thereof.
  • FIG. 28 is an external view of a head mounted display showing an example in which the display device according to the present disclosure is applied to a head mounted display.
  • Example 1 (light emitting element unit according to the first aspect and the fourth aspect of the present disclosure) 3.
  • Example 2 (light emitting element unit according to second aspect and fourth aspect of present disclosure) 4).
  • Example 3 (light emitting element unit according to third and fourth aspects of the present disclosure) 5.
  • the second a electrode, the second b electrode, and the second c electrode may be configured by a common second electrode.
  • the same potential can be applied to the second a electrode, the second b electrode, and the second c electrode.
  • the second a electrode, the second b electrode, and the second c electrode are, for example, a laminate of a transparent conductive layer and a semi-transmissive conductive layer. It can be made into the form which has a structure.
  • the transparent conductive layer may be an upper layer (that is, located on the second substrate side), the semi-transmissive conductive layer may be a lower layer (that is, may be located on the first substrate side), or the transparent conductive layer may be The lower layer may be a semi-transmissive conductive layer.
  • the transparent conductive layer can be made of an oxide of indium and zinc (IZO), and the semi-transmissive conductive layer can be made of an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag).
  • the semi-transmissive conductive layer may have a laminated structure.
  • the upper layer (layer located on the second substrate side) is made of an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag), and the lower layer (first substrate side) It is also possible to construct the layer located in (Ca) from calcium (Ca).
  • the second a electrode, the second b electrode, and the second c electrode in the light emitting element unit according to the third aspect of the present disclosure may have a laminated structure of a transparent conductive layer and a semi-transmissive conductive layer, as described above.
  • the semi-transparent conductive layer may have a laminated structure
  • the second c electrode may be a semi-transmissive conductive layer, specifically, a semi-transmissive conductive layer made of magnesium (Mg) and silver (Ag). Also good.
  • the material of the second electrode constituting the light emitting element may be changed depending on the light emitting element, and the structure having the second a electrode and the second b electrode and the first The structure of the 2c electrode may be different.
  • the interface between the first b electrode and the second organic layer or the first b interface formed by the second light reflecting layer, and the second b interface formed by the interface between the second b electrode and the second organic layer In the second light emitting device, the interface between the first b electrode and the second organic layer or the first b interface formed by the second light reflecting layer, and the second b interface formed by the interface between the second b electrode and the second organic layer.
  • each light emitting element preferably has a resonator structure.
  • the same can be applied to the third light emitting element in the light emitting element unit according to the second aspect of the present disclosure, or the light emitting element unit according to the third aspect of the present disclosure, and the fourth aspect of the present disclosure.
  • the light emitted from the light emitting layer is resonated, and a part of the light is emitted from the second electrode.
  • the distance from the maximum light emission position of the first light emitting layer to the 1a interface is L 1A
  • the optical distance is OL 1A
  • the distance from the maximum light emission position of the first light emitting layer to the 2a interface is L 2A
  • the optical distance is OL 2A.
  • M 1A and m 2A are integers, the following formula (A-1), formula (A-2), formula (A-3) and formula (A-4) are satisfied,
  • the distance from the maximum light emitting position of the second light emitting layer to the 1b interface is L 1B
  • the optical distance is OL 1B
  • the distance from the maximum light emitting position of the second light emitting layer to the 2b interface is L 2B
  • the optical distance is OL 2B.
  • M 1B and m 2B are integers, the following formulas (B-1), (B-2), (B-3) and (B-4) are satisfied,
  • the distance from the maximum light emission position of the third light emitting layer to the 1c interface is L 1C
  • the optical distance is OL 1C
  • the distance from the maximum light emission position of the third light emitting layer to the 2c interface is L 2C
  • the optical distance is OL 2C.
  • m 1C and m 2C are integers, the following formula (C-1), formula (C-2), formula (C-3) and formula (C-4) may be satisfied. it can.
  • phase change occurs in the reflected light.
  • the phase change ⁇ AB of the light reflected at the reflection interface composed of the layer ⁇ and the layer ⁇ is the complex refractive index (n A , k A ) of the layer ⁇ and the complex refractive index (n B , k of the layer ⁇ ).
  • B can be measured and calculated based on these values (see, for example, Principles of Optics, Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS)).
  • the refractive index of the light emitting layer or the organic layer can be measured using a spectroscopic ellipsometry measuring apparatus.
  • the distance L 1 from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the first interface refers to the actual distance (physical distance) from the maximum light emitting position of the light emitting layer to the first interface, and is the second distance from the maximum light emitting position of the light emitting layer.
  • the distance L 2 to the interface refer to the actual distance (physical distance) from the maximum light emission position of the light-emitting layer and the second interface.
  • the optical distance is also called an optical path length, and generally indicates n ⁇ L when a light beam passes through a medium having a refractive index n by a distance L. The same applies to the following.
  • the average refractive index n ave is the sum of the products of the refractive index and thickness of each layer constituting the organic layer (or organic layer and interlayer insulating layer), and the organic layer (or organic layer and interlayer insulating layer). ) Divided by the thickness.
  • the same potential may be applied to the second a electrode and the second b electrode, and further, the second a electrode, the second b electrode, and the second c.
  • the electrodes can be configured to be given the same potential.
  • the third organic layer is formed on (or above) the second a electrode and the second b electrode. Also good.
  • the second organic layer may be formed on (or above) the second a electrode.
  • the light-emitting element units according to the first to fourth aspects of the present disclosure including the various preferable embodiments described above may be collectively referred to as “light-emitting element units and the like of the present disclosure”.
  • a light-emitting element constituting the disclosed light-emitting element unit or the like may be referred to as “light-emitting element or the like of the present disclosure”.
  • the arrangement of pixels (or subpixels) is not limited.
  • a stripe arrangement, a diagonal arrangement, a delta arrangement, or a rectangle arrangement can be given.
  • the arrangement of pixels (or subpixels) is not limited, but a stripe arrangement is exemplified. be able to.
  • the red organic EL light-emitting element has a structure in which, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a red light-emitting layer, and an electron transport layer are sequentially stacked from the first electrode side.
  • a hole injection layer a hole transport layer
  • a red light-emitting layer when an electric field is applied, a part of holes injected from the first electrode through the hole injection layer and the hole transport layer and from the second electrode through the electron transport layer are injected. Recombination with some of the electrons generates red light.
  • the red light emitting layer includes, for example, at least one of a red light emitting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and a charge transporting material.
  • the red light emitting material may be fluorescent or phosphorescent.
  • the red light emitting layer generates red light using the organic EL phenomenon.
  • 4,4-bis (2, It consists of 2-diphenylbinine) biphenyl (DPVBi) mixed with 30% by mass of 2,6-bis [(4′-methoxydiphenylamino) styryl] -1,5-dicyanonaphthalene (BSN).
  • DPVBi 2-diphenylbinine biphenyl
  • BSN 2,6-bis [(4′-methoxydiphenylamino) styryl] -1,5-dicyanonaphthalene
  • the green organic EL light emitting element has a structure in which, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a green light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially stacked from the first electrode side.
  • a hole injection layer a hole transport layer, a green light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially stacked from the first electrode side.
  • the green light emitting layer when an electric field is applied, a part of holes injected from the first electrode through the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting separation layer, and an electron transport layer from the second electrode are formed. Recombination with some of the electrons injected through the light generates green light.
  • the green light emitting layer includes, for example, at least one of a green light emitting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and a charge transporting material.
  • the green light emitting material may be fluorescent or phosphorescent.
  • the green light emitting layer generates green light using an organic EL phenomenon. For example,
  • the blue organic EL light emitting element has a structure in which, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a blue light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially stacked from the first electrode side.
  • a hole injection layer for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a blue light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially stacked from the first electrode side.
  • the blue light emitting layer when an electric field is applied, a part of the holes injected from the first electrode through the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting separation layer, and the electron transport layer from the second electrode are formed. Recombination with some of the electrons injected through the light generates blue light.
  • the blue light emitting layer includes, for example, at least one of a blue light emitting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and a charge transporting material.
  • the blue light-emitting material may be fluorescent or phosphorescent.
  • the blue light-emitting layer generates blue light using the organic EL phenomenon.
  • 4,4′-bis is added to DPVBi. It consists of 2.5% by mass of [2- ⁇ 4- (N, N-diphenylamino) phenyl ⁇ vinyl] biphenyl (DPAVBi).
  • the hole injection layer is for injecting holes into the hole transport layer, and is made of, for example, a hexaazatriphenylene (HAT) derivative.
  • the hole transport layer transports holes injected from the hole injection layer to the light emitting layer.
  • m-MTDATA 4,4 ′, 4 ′′ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine
  • ⁇ NPD ⁇ -naphthylphenyldiamine
  • the electron transport layer transports electrons to the light-emitting layer.
  • the electron transport layer includes at least one layer and may include an electron transport layer doped with an alkali metal or an alkaline earth metal.
  • an electron transport layer doped with an alkali metal or an alkaline earth metal as a host material, for example, BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Alq3, butofenanthroline (BPhen), etc.
  • An electron injection layer may be provided between the electron transport layer and the second electrode.
  • the electron injection layer is for enhancing electron injection from the cathode electrode, and is made of, for example, lithium fluoride (LiF).
  • the materials constituting each layer are examples, and are not limited to these materials.
  • the light emitting layer may be comprised from the blue light emitting layer and the yellow light emitting layer, and may be comprised from the blue light emitting layer and the orange light emitting layer.
  • the thickness of the hole injection layer may be 1 nm to 20 nm
  • the thickness of the hole transport layer may be 10 nm to 200 nm
  • the thickness of the light emitting layer may be 5 nm to 50 nm
  • the thickness of the electron transport layer may be 10 nm to 200 nm.
  • the first light emitting element can be formed of a red light emitting element (red organic EL light emitting element), and the second light emitting element can be a green light emitting element.
  • Green organic EL light emitting element can be comprised, and a 3rd light emitting element can be comprised from a blue light emitting element (blue organic EL light emitting element).
  • the first light emitting element and the second light emitting element can be composed of yellow light emitting elements (yellow organic EL light emitting elements), or orange light emitting elements (orange light emitting elements).
  • Organic EL light emitting device can be formed of a red light emitting element (red organic EL light emitting element), and the second light emitting element can be a green light emitting element.
  • Green organic EL light emitting element can be comprised
  • a 3rd light emitting element can be comprised from a blue light emitting element (blue organic EL light emitting element).
  • the first light emitting element and the second light emitting element can be
  • the first color filter may be a filter that selectively passes red
  • the second color filter may be a filter that selectively passes green.
  • a 3rd light emitting element from a blue light emitting element (blue organic EL light emitting element).
  • the first electrode when the first electrode functions as an anode electrode, for example, platinum (Pt), gold (Au), silver (Ag), High work function metal or alloy such as chromium (Cr), tungsten (W), nickel (Ni), copper (Cu), iron (Fe), cobalt (Co), tantalum (Ta) (for example, silver as a main component) , Ag—Pd—Cu alloys and Al—Nd alloys containing 0.3% by mass to 1% by mass of palladium (Pd) and 0.3% by mass to 1% by mass of copper (Cu). Can do.
  • platinum platinum
  • Au gold
  • silver Ag
  • High work function metal or alloy such as chromium (Cr), tungsten (W), nickel (Ni), copper (Cu), iron (Fe), cobalt (Co), tantalum (Ta) (for example, silver as a main component) , Ag—Pd—Cu alloys and Al—Nd alloys containing 0.3% by mass to 1% by mass of palladium
  • an appropriate hole injection layer is provided to inject holes.
  • the thickness of the first electrode include 0.1 ⁇ m to 1 ⁇ m.
  • it has excellent hole injection characteristics such as indium and tin oxide (ITO) and indium and zinc oxide (IZO) on a highly light reflective reflective film such as a dielectric multilayer film or aluminum (Al). It is also possible to have a structure in which transparent conductive materials are laminated.
  • the first electrode when the first electrode functions as a cathode electrode, it is desirable that the first electrode is made of a conductive material having a small work function value and a high light reflectance. It can also be used as a cathode electrode by improving electron injection properties by providing an appropriate electron injection layer.
  • the second electrode functions as a cathode electrode as a material constituting the second electrode (semi-light transmissive material or light transmissive material), it transmits luminescent light and efficiently emits electrons to the luminescent layer. It is desirable to use a conductive material having a small work function so that it can be injected.
  • the laminated structure of the layer comprised from these materials lower layer: calcium (Ca), barium (Ba), lithium (Li), cesium (Cs), indium (In), magnesium (Mg), silver (Ag) / Upper layer: magnesium (Mg), silver (Ag) or an alloy thereof.
  • the thickness of the second electrode include 3 nm to 50 nm, preferably 4 nm to 20 nm, and more preferably 6 nm to 12 nm.
  • the second electrode is laminated from the organic layer side with the material layer described above and a so-called transparent electrode made of, for example, ITO or IZO (for example, a thickness of 3 ⁇ 10 ⁇ 8 m to 1 ⁇ 10 ⁇ 6 m). It can also be a structure. In the case of a stacked structure, the thickness of the material layer described above can be reduced to 1 nm to 4 nm. It is also possible to configure with only a transparent electrode. On the other hand, when the second electrode functions as an anode electrode, it is desirable that the second electrode is made of a conductive material that transmits luminescent light and has a high work function value.
  • bus electrode made of a low-resistance material such as aluminum, aluminum alloy, silver, silver alloy, copper, copper alloy, gold, or gold alloy is provided for the second electrode. Resistance may be achieved.
  • an electron beam evaporation method for example, an electron beam evaporation method, a hot filament evaporation method, an evaporation method including a vacuum evaporation method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method (CVD method), an MOCVD method, an ion Combination of plating method and etching method;
  • Various printing methods such as screen printing method, inkjet printing method, metal mask printing method; plating method (electroplating method and electroless plating method); lift-off method; laser ablation method; sol-gel The law etc. can be mentioned.
  • a film forming method with particularly low energy of film forming particles such as a vacuum evaporation method or a film forming method such as an MOCVD method is used.
  • the formation is preferable from the viewpoint of preventing damage to the organic layer.
  • a non-light emitting pixel or non-light emitting sub-pixel
  • a dark spot is generated due to generation of a leak current.
  • the second electrode may not be patterned.
  • aluminum, aluminum alloy for example, Al—Nd or Al—Cu
  • Al / Ti laminated structure Al—Cu / Ti laminated structure
  • Cr chromium
  • silver Alg
  • silver Alloys eg, Ag—Pd—Cu, Ag—Sm—Cu
  • platinum (Pt) gold (Au), and tungsten (W)
  • electron beam evaporation, hot filament evaporation, vacuum It can be formed by vapor deposition including sputtering, sputtering, CVD or ion plating; plating (electroplating or electroless plating); lift-off; laser ablation; sol-gel.
  • the organic layer includes, for example, a light emitting layer made of an organic light emitting material.
  • the organic layer has, for example, a stacked structure of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, It can be composed of a laminated structure of a hole transport layer and a light emitting layer that also serves as an electron transport layer, a laminated structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • a physical vapor deposition method such as a vacuum deposition method
  • a printing method such as a screen printing method or an ink jet printing method
  • the laser transfer method and various coating methods include separating the organic layer on the laser absorption layer by irradiating the layered structure of the layers with a laser and transferring the organic layer.
  • the light emitting layer and the organic layer may be formed on the entire surface without patterning as desired.
  • the plurality of light emitting elements are formed on the first substrate.
  • a high strain point glass substrate soda glass (Na 2 O ⁇ CaO ⁇ SiO 2 ) substrate, borosilicate glass (Na 2 O ⁇ B 2 O 3 ⁇ SiO 2 ).
  • the materials constituting the first substrate and the second substrate may be the same or different. However, in the case of the top emission type in which light is emitted through the second substrate, the second substrate is required to be transparent to the light emitted from the light emitting element, and the first substrate is In the bottom emission type from which light is emitted, the first substrate is required to be transparent to the light emitted from the light emitting element.
  • the color filter may be provided on the second substrate side or may be provided on the first substrate side.
  • the color filter provided on the first substrate side is also called OCCF (on-chip color filter).
  • the color filter may be made of a known material. Specifically, the color filter is made of a resin to which a colorant composed of a desired pigment or dye is added. The light transmittance is adjusted to be high in the wavelength range of the color and low in the other wavelength ranges.
  • the light shielding layer may be provided on the second substrate side, or may be provided on the first substrate side.
  • a light shielding material constituting the light shielding layer light such as titanium (Ti), chromium (Cr), tungsten (W), tantalum (Ta), aluminum (Al), or MoSi 2 can be shielded. Materials can be mentioned.
  • the light shielding layer can be formed by an electron beam evaporation method, a hot filament evaporation method, an evaporation method including a vacuum evaporation method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, or the like.
  • the black matrix layer may be provided on the second substrate side or may be provided on the first substrate side.
  • the black matrix layer is made of, for example, a black resin film (specifically, for example, a black polyimide resin) having an optical density of 1 or more mixed with a black colorant, or using interference of a thin film. It consists of a thin film filter.
  • the thin film filter is formed, for example, by stacking two or more thin films made of metal, metal nitride, or metal oxide, and attenuates light by utilizing interference of the thin film.
  • Specific examples of the thin film filter include one in which Cr and chromium oxide (III) (Cr 2 O 3 ) are alternately laminated.
  • the first electrode is provided, for example, on the interlayer insulating layer, or is provided above the interlayer insulating layer.
  • An interlayer insulating layer is provided between the first light emitting element and the second light emitting element, and also between the second light emitting element and the third light emitting element.
  • the light emitting element driving unit formed on the first substrate is covered with an insulating layer, and an interlayer insulating layer is formed on the insulating layer.
  • the light emitting element driving unit is composed of one or a plurality of thin film transistors (TFTs), and the TFT and the first electrode are electrically connected via a contact plug provided in the interlayer insulating layer.
  • the gate electrode can be formed from, for example, a metal such as aluminum (Al), polysilicon, or the like.
  • the gate insulating film is provided on the entire surface of the first substrate so as to cover the gate electrode.
  • the gate insulating film can be formed from, for example, silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN), or the like.
  • the semiconductor layer is made of, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, oxide semiconductor, or the like, and may be formed on the gate insulating film.
  • a source / drain region is constituted by a partial region of the semiconductor layer.
  • a region of the semiconductor layer between the drain region and the source region and above the gate electrode corresponds to a channel formation region.
  • a bottom gate type thin film transistor is provided on the first substrate.
  • the light-emitting element driver is not limited to a bottom-gate thin film transistor, and may be a top-gate thin film transistor.
  • Interlayer insulating layer or insulating layer, and constituent materials of insulating film are SiO 2 , NSG (non-doped silicate glass), BPSG (boron phosphorus silicate glass), PSG, BSG, AsSG, SbSG, PbSG, SOG (spin-on) Glass), LTO (Low Temperature Oxide, low temperature CVD-SiO 2 ), low melting point glass, glass paste and other SiO x materials (materials constituting silicon oxide films); SiN materials including SiON materials; SiOC; SiOF SiCN can be mentioned.
  • inorganic insulating materials such as (Nb 2 O 5 ), tin oxide (SnO 2 ), and vanadium oxide (VO x ).
  • fluorocarbon cycloperfluorocarbon polymer
  • benzocyclobutene cyclic fluororesin
  • polytetrafluoroethylene amorphous tetrafluoroethylene
  • polyaryl ether fluoride Aryl ether
  • fluorinated polyimide amorphous carbon
  • parylene polyparaxylylene
  • fluorinated fullerene a coating type low dielectric constant interlayer insulating film material
  • Flare Honeywell Electronic Materials Co. quotient
  • PAE polyallyl ether
  • the interlayer insulating layer, the insulating layer, and the insulating film may be formed by various CVD methods, various coating methods, various PVD methods including a sputtering method and a vacuum deposition method, various printing methods such as a screen printing method, a plating method, an electrodeposition method, It can be formed based on a known method such as an immersion method or a sol-gel method.
  • the interlayer insulating layer needs to be made of a material transparent to the light from the light emitting element,
  • the light emitting element driving unit needs to be formed so as not to block light from the light emitting element.
  • the bottom emission type it is also possible to provide a light emitting element driving unit above the first electrode.
  • the protective film is less affected by the formation of the protective film, particularly by a film forming method such as a vacuum vapor deposition method with a small energy of film forming particles or a film forming method such as a CVD method or a MOCVD method. This is preferable.
  • the film forming temperature is set to room temperature, and further, in order to prevent the protective film from peeling off, the protective film is used under the condition that the stress of the protective film is minimized. It is desirable to form a film.
  • the protective film is preferably formed without exposing the already formed electrode to the atmosphere, whereby the organic layer can be prevented from being deteriorated by moisture or oxygen in the atmosphere.
  • the protective film is preferably made of a material that transmits light generated in the organic layer, for example, 80% or more.
  • the protective film is an inorganic amorphous insulating material, for example, The following materials can be exemplified. Since such an inorganic amorphous insulating material does not generate grains, it has low water permeability and constitutes a good protective film.
  • amorphous silicon ⁇ -Si
  • ⁇ -SiC amorphous silicon carbide
  • ⁇ -SiC amorphous silicon nitride
  • ⁇ -Si 1-x N x amorphous silicon oxide
  • ⁇ -Si 1-y O y amorphous carbon
  • ⁇ -C amorphous oxide / silicon nitride
  • Al 2 O 3 amorphous oxide / silicon nitride
  • TiO 2 amorphous oxide / silicon nitride
  • the thickness of the protective film include 1 ⁇ m to 8 ⁇ m, but are not limited to these values.
  • the protective film may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO.
  • the first substrate and the second substrate can be bonded (sealed) with an adhesive layer (sealing layer).
  • Thermosetting adhesives such as acrylic adhesives, epoxy adhesives, urethane adhesives, silicone adhesives, cyanoacrylate adhesives, and UV curable adhesives are used as materials for the adhesive layer (sealing layer).
  • An agent can be mentioned.
  • a second substrate is disposed above the second electrode, and the protective film described above is provided between the first electrode and the second substrate from the first electrode side. And it can be set as the form by which the contact bonding layer is formed.
  • examples of the display device include an organic electroluminescence display device (abbreviated as an organic EL display device), and the organic EL display device is a color display organic EL display.
  • an organic EL display device is a color display organic EL display.
  • each of the organic EL elements constituting the organic EL display device constitutes a sub-pixel as described above.
  • one pixel is composed of, for example, three types of subpixels: a red light emitting subpixel that emits red light, a green light emitting subpixel that emits green light, and a blue light emitting subpixel that emits blue light. .
  • the number of organic EL elements constituting the organic EL display device is N ⁇ M
  • the number of pixels is (N ⁇ M) / 3.
  • an ultraviolet absorbing layer, a contamination prevention layer, a hard coat layer, an antistatic layer may be formed, or a protective member (for example, a cover glass) may be provided.
  • the organic EL display device can be used as a monitor device constituting a personal computer, for example, and is a monitor device incorporated in a television receiver, a mobile phone, a PDA (personal digital assistant, personal digital assistant), or a game machine.
  • the present invention can be applied to an electronic view finder (EVF) or a head mounted display (HMD).
  • EDF electronic view finder
  • HMD head mounted display
  • electronic papers such as electronic books and electronic newspapers, bulletin boards such as signboards, posters, and blackboards, rewritable paper that replaces printer paper, display units for home appliances, card display units such as point cards, images in electronic advertisements and electronic POPs
  • a display device can be configured.
  • a lighting device can be configured from the light emitting element unit and the like of the present disclosure, and examples of the lighting device include various lighting devices including a backlight device for a liquid crystal display device and a planar light source device.
  • a head-mounted display is, for example, (A) a frame to be worn on the observer's head; and (B) an image display device attached to the frame; With The image display device (A) a display device according to the present disclosure, and (B) an optical device that receives and emits light emitted from the display device according to the present disclosure; With The optical device (B-1) A light guide plate that emits light incident from the display device according to the present disclosure toward the observer after propagating inside by total reflection; (B-2) First deflecting means (for example, comprising a volume hologram diffraction grating film) for deflecting the light incident on the light guide plate so that the light incident on the light guide plate is totally reflected inside the light guide plate ,as well as, (B-3) Second deflection means for deflecting the light propagated in the light guide plate by total reflection a plurality of times in order to emit the light propagated in the light guide plate by total reflection from the light guide plate (for example, Volume hologram dif
  • Example 1 relates to a light emitting element unit according to the first and fourth aspects of the present disclosure.
  • FIG. 1B shows a conceptual diagram of the light-emitting element unit of Example 1
  • FIG. 8 shows a schematic partial cross-sectional view of the light-emitting element unit of Example 1
  • a schematic plan view is shown in FIG. 10A.
  • the light emitting element unit of Example 1 will be described according to the light emitting element unit according to the first aspect of the present disclosure. It is composed of three light emitting elements 10 (10a, 10b, 10c),
  • the first light emitting device 10a includes a first a electrode 21a, a first organic layer 23a including a first light emitting layer, a second a electrode 22a, a second organic layer 23b including a second light emitting layer, and a third light emitting layer including a third light emitting layer.
  • 3 organic layers 23c are laminated
  • the second light emitting device 10b is formed by laminating a first organic layer 23a, a first b electrode 21b, a second organic layer 23b, a second b electrode 22b, and a third organic layer 23c.
  • the third light emitting device 10c is formed by stacking a first organic layer 23a, a second organic layer 23b, a first c electrode 21c, a third organic layer 23c, and a second c electrode 22c.
  • Each light emitting element 10 (10a, 10b, 10c) includes a first electrode 21 (21a, 21b, 21c), one organic layer of the plurality of organic layers 23 (23a, 23b, 23c), and It consists of the second electrode 22 (22a, 22b, 22c),
  • the 1st electrode 21 (21a, 21b, 21c) which comprises each light emitting element 10 (10a, 10b, 10c) does not overlap between light emitting elements. That is, the orthogonal projection images (orthogonal projection images on the first substrate) of the first electrodes 21 (21a, 21b, 21c) do not overlap each other.
  • the first light-emitting element 10a is composed of a red light-emitting element (red organic EL light-emitting element), and the second light-emitting element 10b is green light-emitting element.
  • the third light emitting element 10c is composed of a blue light emitting element (blue organic EL light emitting element).
  • the organic EL display device according to Example 1 or Example 2 to Example 3 described later has such light emitting element units arranged in a two-dimensional matrix.
  • the first electrode 21 (21a, 21b, 21c), the organic layer 23 (23a, 23b, 23c) and the second electrode 22 (22a, 22b, 22c) are stacked in this order.
  • Light from the light emitting layer is emitted to the outside via the second substrate 42. That is, the display device of Example 1 is a top emission type display device.
  • the organic EL display device is a high-definition display device that is applied to, for example, an electronic viewfinder (EVF) or a head-mounted display (HMD). Alternatively, it is a large organic EL display device such as a television receiver.
  • the number of pixels is, for example, 1920 ⁇ 1080, one light emitting element 10 constitutes one subpixel, and the light emitting element (specifically, organic EL element) 10 is three times the number of pixels.
  • the number of light emitting element units is equal to the number of pixels.
  • the first electrode 21 (21a, 21b, 21c) is used as an anode electrode
  • the second electrode 22 (22a, 22b, 22c) is used as a cathode electrode.
  • the first electrode 21 is made of a light reflecting material, specifically, an Al—Nd alloy.
  • the second electrode 22 has a laminated structure of a transparent conductive layer and a semi-transmissive conductive layer.
  • the transparent conductive layer is made of IZO
  • the semi-transmissive conductive layer is made of magnesium (Mg) and silver (Ag). Made of alloy.
  • the semi-transmissive conductive layer may have a laminated structure.
  • the upper layer (layer located on the second substrate side) is made of an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag), and the lower layer (positioned on the first substrate side).
  • the layer can be composed of calcium (Ca).
  • the second electrode 22 is represented by one layer in the drawing.
  • the first electrode 21 is formed based on a combination of a vacuum deposition method and an etching method.
  • the second electrode 22 is formed by a film forming method in which the energy of the film forming particles is small, such as vacuum deposition, and is not patterned (see the conceptual diagram in FIG. 1B). As shown in FIG. 1A, a conceptual diagram may be partially patterned.
  • the organic EL element driving unit for driving the first light emitting element 10a is composed of a TFT, which includes a gate electrode 51a and a gate insulating film 52. , A silicon layer (semiconductor layer) 53, a channel formation region 54a provided in the silicon layer 53, and a source / drain region 55a. The portion of the silicon layer 53 located between the source / drain regions 55a and above the gate electrode 51a corresponds to the channel formation region 54a.
  • the organic EL element driving unit for driving the second light emitting element 10b is also composed of a TFT, and this TFT includes a gate electrode 51b, a gate insulating film 52, a silicon layer 53, and a channel formation region provided in the silicon layer 53. 54b and source / drain regions 55b.
  • the portion of the silicon layer 53 located between the source / drain regions 55b and above the gate electrode 51b corresponds to the channel formation region 54b.
  • the organic EL element driving unit for driving the third light emitting element 10c is also composed of a TFT, which is a channel forming region provided in the gate electrode 51c, the gate insulating film 52, the silicon layer 53, and the silicon layer 53. 54c and a source / drain region 55c.
  • the portion of the silicon layer 53 located between the source / drain regions 55c and above the gate electrode 51c corresponds to the channel formation region 54c.
  • the TFT is a bottom gate type, but may be a top gate type.
  • the gate electrode of the TFT is connected to a scanning circuit (not shown).
  • one TFT is shown for one organic EL element driving unit.
  • the organic EL element driving unit is covered with an insulating layer 43.
  • the first a electrode 21a constituting the first light emitting element 10a is formed on the interlayer insulating layer 31 provided on the insulating layer 43, and is one source of the TFT for driving the first light emitting element 10a. / Is connected to the drain region 55a through a contact hole portion 56a formed in the insulating layer 43.
  • An interlayer insulating layer 32 having an opening is formed so as to surround the first a electrode 21a.
  • the interlayer insulating layer 32 extends from the first a electrode 21a exposed at the bottom of the opening to the interlayer insulating layer 32 and includes a first light emitting layer.
  • One organic layer 23a is formed. Furthermore, a second a electrode 22a is formed on the first organic layer 23a.
  • the first organic layer 23a and the second a electrode 22a are so-called solid films that are not patterned.
  • a second organic layer 23b including a second light emitting layer and a third organic layer 23c including a third light emitting layer are stacked above the second a electrode 22a.
  • An interlayer insulating layer 33 is formed on the second a electrode 22a.
  • the first b electrode 21b constituting the second light emitting element 10b is formed on the interlayer insulating layer 34 provided on the interlayer insulating layer 33, and one of the TFTs for driving the second light emitting element 10b is formed.
  • the source / drain region 55 b is connected to the insulating layer 43 and the contact hole portions 56 b and 57 b formed in the interlayer insulating layers 31, 32 and 33.
  • An insulating film 59A is formed on part of the inner surfaces of the contact hole portions 57b and 57c so that the contact hole portions 57b and 57c and the second-a electrode 22a are not short-circuited.
  • An interlayer insulating layer 35 having an opening is formed so as to surround the first b electrode 21b.
  • the interlayer insulating layer 35 extends from the first b electrode 21b exposed at the bottom of the opening to the interlayer insulating layer 35 and includes a second light emitting layer.
  • Two organic layers 23b are formed.
  • a second b electrode 22b is formed on the second organic layer 23b.
  • the second organic layer 23b and the second b electrode 22b are so-called solid films that are not patterned.
  • a third organic layer 23c including a third light emitting layer is stacked above the second b electrode 22b.
  • the first organic layer 23a including the first light emitting layer is located below the first b electrode 21b.
  • An interlayer insulating layer 36 is formed on the second b electrode 22b.
  • the first c electrode 21c constituting the third light emitting element 10c is formed on an interlayer insulating layer 37 provided on the interlayer insulating layer 36, and one of TFTs for driving the third light emitting element 10c is formed.
  • the source / drain region 55c is connected to the insulating layer 43 and contact holes 56c, 57c, and 58c formed in the interlayer insulating layers 31, 32, 33, 34, 35, and 36.
  • An insulating film 59B is formed on a part of the inner surface of the contact hole portion 58c so that the contact hole portion 58c and the second b electrode 22b are not short-circuited.
  • An interlayer insulating layer 38 having an opening is formed so as to surround the first c electrode 21c, and extends over the interlayer insulating layer 38 from the first c electrode 21c exposed at the bottom of the opening, and includes a third light emitting layer.
  • Three organic layers 23c are formed.
  • a second c electrode 22c is formed on the third organic layer 23c.
  • the third organic layer 23c and the second c electrode 22c are so-called solid films that are not patterned.
  • the second organic layer 23b including the second light emitting layer and the first organic layer 23a including the first light emitting layer are located below the first c electrode 21c.
  • the 2a electrode 22a, the 2b electrode 22b, and the 2c electrode 22c are connected, for example, in the outer peripheral region of the organic EL display device (not shown). A potential is applied.
  • the interface between the first a electrode 21a and the first organic layer 23a or the first a interface formed by the first light reflecting layer 25a and the interface between the second a electrode 22a and the first organic layer 23a Resonate the light emitted from the first light emitting layer between the configured 2a interface and emit a part thereof from the 2a electrode 22a.
  • the third light emitting device 10c Resonate the light emitted from the second light emitting layer with the configured second b interface, and emit a part of the light from the second b electrode 22b.
  • the light emitted from the third light emitting layer is resonated with the configured second c interface, and a part of the light is emitted from the second c electrode 22c.
  • each light emitting element has a resonator structure.
  • the distance from the maximum light emission position of the first light emitting layer to the 1a interface is L 1A
  • the optical distance is OL 1A
  • the distance from the maximum light emission position of the first light emitting layer to the 2a interface is L 2A
  • the optical distance is OL 2A.
  • M 1A and m 2A are integers, the following formula (A-1), formula (A-2), formula (A-3) and formula (A-4) are satisfied
  • the distance from the maximum light emitting position of the second light emitting layer to the 1b interface is L 1B
  • the optical distance is OL 1B
  • the distance from the maximum light emitting position of the second light emitting layer to the 2b interface is L 2B
  • the optical distance is OL 2B.
  • M 1B and m 2B are integers, the following formulas (B-1), (B-2), (B-3) and (B-4) are satisfied,
  • the distance from the maximum light emission position of the third light emitting layer to the 1c interface is L 1C
  • the optical distance is OL 1C
  • the distance from the maximum light emission position of the third light emitting layer to the 2c interface is L 2C
  • the optical distance is OL 2C.
  • m 1C and m 2C are integers, the following expressions (C-1), (C-2), (C-3), and (C-4) are satisfied.
  • ⁇ A the maximum peak wavelength of the spectrum of light generated in the first light emitting layer (or a desired wavelength in the light generated in the first light emitting layer)
  • ⁇ 1A Phase shift amount of light reflected by the 1a interface (unit: radians)
  • -2 ⁇ ⁇ 1A ⁇ 0 ⁇ 2A Phase shift amount of light reflected by the 2a interface (unit: radians)
  • -2 ⁇ ⁇ 2A ⁇ 0 ⁇ B the maximum peak wavelength of the spectrum of light generated in the second light emitting layer (or a desired wavelength in the light generated in the second light emitting layer)
  • ⁇ 1B Phase shift amount of light reflected at the 1b interface (unit: radians)
  • -2 ⁇ ⁇ 1B ⁇ 0 ⁇ 2B Phase shift amount of light reflected by the 2b interface (unit: radians)
  • -2 ⁇ ⁇ 2B ⁇ 0 ⁇ C the maximum peak wavelength of the spectrum of light generated in the third light emitting
  • the 1a interface is composed of the interface between the 1a electrode 21a and the first organic layer 23a
  • the 2a interface is composed of the 1b electrode 21b
  • the interface is composed of the interface with the second organic layer 23b
  • the interface 3a is composed of the interface between the first c electrode 21c and the third organic layer 23c.
  • FIG. 2B [Modification (2) of Example 1
  • FIG. 7 [Modification (4) of Example 3]
  • the first light reflecting layer 25a is formed in the interlayer insulating layer 31 below the first a electrode 21a, and the interlayer below the first b electrode 21b is formed.
  • the second light reflecting layer 25b is formed on the insulating layer 34
  • the third light reflecting layer 25c is formed on the interlayer insulating layer 37 below the first c electrode 21c
  • the first a interface is constituted by the first light reflecting layer 25a.
  • the 2a interface is composed of the second light reflecting layer 25b
  • the 3a interface is composed of the third light reflecting layer 25c. It may form.
  • the third light reflecting layer 25c is formed in the interlayer insulating layer 37 below the first c electrode 21c, and the first light interface is reflected by the first light.
  • the layer 25a may be configured, the 2a interface may be configured from the second light reflecting layer 25b, and the 3a interface may be configured from the third light reflecting layer 25c.
  • the first light reflection layer 25a, the second light reflection layer 25b, and the third light reflection layer 25c can be composed of, for example, an aluminum (Al) layer, and the first a electrode 21a, the first b electrode 21b, and the first c electrode 21c. May be made of a transparent conductive material.
  • the first substrate 41 is made of a silicon substrate, non-alkali glass or quartz glass
  • the second substrate 42 is made of alkali-free glass or quartz glass.
  • a protective film 44 made of SiN is formed on the second c electrode 22c, and the first substrate 41 and the second substrate 42 are bonded (bonded) by an adhesive layer (sealing layer) not shown. ing).
  • a region of the second substrate 42 corresponding between the first light emitting element 10a and the second light emitting element 10b, a region of the second substrate 42 corresponding between the first light emitting element 10a and the third light emitting element 10c, a second The black matrix layer BM may be formed in the region of the second substrate 42 corresponding to between the light emitting element 10b and the third light emitting element 10c.
  • FIGS. 19A, 19B, 20A, 20B, 21, 22, 23, 24, 25, and 26, are schematic partial end views of the first substrate and the like. A method for manufacturing the light-emitting element unit and the organic EL display device of Example 1 will be described.
  • the first substrate 41 is prepared, and an organic EL element including TFTs for driving the first light emitting element 10a, the second light emitting element 10b, and the third light emitting element 10c on the first substrate 41 by a known method.
  • a drive unit is provided, and then an insulating layer 43 is formed on the entire surface by a known method.
  • Step-110A Specifically, a hole is formed in the insulating layer 43 by laser etching, and one of the source / drain regions 55a, 55b, and 55c is exposed at the bottom of the hole. Then, a conductive material film is formed on the insulating layer 43 including the inside of the hole, and the conductive material film is patterned to form contact hole portions 56a, 56b, and 56c. Next, an interlayer insulating layer 31 is formed on the entire surface by a well-known method, and a recess in which the contact hole portion 56a is exposed is formed in the interlayer insulating layer 31 above the contact hole portion 56a (see FIG. 19A).
  • a conductive material film for forming the first a electrode 21a is formed on the interlayer insulating layer 31 including the recesses, and the first material 21a is formed by patterning the conductive material film.
  • the first a electrode 21a and one source / drain region 55a are electrically connected by a contact hole portion 56a.
  • an interlayer insulating layer 32 made of silicon oxynitride (SiON) is formed based on a sputtering method or a CVD method, and an opening is formed in the interlayer insulating layer 32 based on a photolithography method and an etching technique.
  • the 1a electrode 21a is exposed at the bottom of the opening.
  • Step-110D Thereafter, the hole injection layer, the hole transport layer, the red light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer are formed in this order, for example, by vapor deposition, over the interlayer insulating layer 32 from the first a electrode 21a.
  • the organic layer 23a can be obtained.
  • the second a electrode 22a is formed on the entire surface by, eg, vapor deposition (see FIG. 19B). Then, in order to prevent a short circuit between the contact hole portions 57b and 57c described below and the second electrode 22a, an insulating film 59A is formed (see FIG. 20A), and then an interlayer insulating layer 33 made of SiN is formed, for example. It is formed on the entire surface by the CVD method.
  • Step-120A Specifically, holes are formed in the interlayer insulating layer 33, the insulating film 59A, and the interlayer insulating layers 32 and 31 by laser etching, and the contact holes 56b and 56c are exposed at the bottoms of the holes. Then, a conductive material film is formed on the interlayer insulating layer 33 including the inside of the hole, and the conductive material film is patterned to form contact hole portions 57b and 57c (see FIG. 20B).
  • the interlayer insulating layer 34 is formed on the entire surface by a well-known method, and a recess in which the contact hole portion 57b is exposed is formed in the interlayer insulating layer 34 above the contact hole portion 57b. Then, a conductive material film for forming the first b electrode 21b is formed on the interlayer insulating layer 34 including the recesses, and the first b electrode 21b is formed by patterning the conductive material film (see FIG. 21). . The first b electrode 21b and one source / drain region 55b are electrically connected by contact hole portions 57b and 56b.
  • an interlayer insulating layer 35 made of silicon oxynitride (SiON) is formed based on a sputtering method or a CVD method, and an opening is formed in the interlayer insulating layer 35 based on a photolithography method and an etching technique.
  • the first b electrode 21b is exposed at the bottom of the opening.
  • Step-120D Thereafter, a hole injection layer, a hole transport layer, a green light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are formed in this order from the first b electrode 21b onto the interlayer insulating layer 35, for example, by a vapor deposition method.
  • the organic layer 23b can be obtained.
  • the second b electrode 22b is formed on the entire surface by, eg, vapor deposition (see FIG. 22). Then, in order to prevent the occurrence of a short circuit between the contact hole 58c and the second b electrode 22b described below, an insulating film 59B is formed (see FIG. 23). Next, an interlayer insulating layer 36 made of SiN is formed on the entire surface by, eg, CVD (see FIG. 24).
  • Step-130A Specifically, a hole is formed in the interlayer insulating layer 36, the insulating film 59B, and the interlayer insulating layers 35 and 34 by a laser etching method, and the contact hole 57c is exposed at the bottom of the hole. Then, a conductive material film is formed on the interlayer insulating layer 36 including the inside of the hole, and the conductive material film is patterned to form the contact hole portion 58c.
  • Step-130B an interlayer insulating layer 37 is formed on the entire surface by a well-known method, and a recess in which the contact hole portion 58c is exposed is formed in the interlayer insulating layer 37 above the contact hole portion 58c. Then, a conductive material film for forming the first c electrode 21c is formed on the interlayer insulating layer 37 including the recesses, and the conductive material film is patterned to form the first c electrode 21c (see FIG. 25). .
  • the first c electrode 21c and one source / drain region 55c are electrically connected by contact hole portions 58c, 57c, and 56c.
  • an interlayer insulating layer 38 made of silicon oxynitride (SiON) is formed based on a sputtering method or a CVD method, and an opening is formed in the interlayer insulating layer 38 based on a photolithography method and an etching technique.
  • the first c electrode 21c is exposed at the bottom of the opening.
  • Step-130D Thereafter, a hole injection layer, a hole transport layer, a blue light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are formed in this order, for example, by vapor deposition, over the interlayer insulating layer 37 from the first c electrode 21c. 3 organic layers 23c can be obtained.
  • the second c electrode 22c is formed on the entire surface by, eg, vapor deposition (see FIG. 26).
  • Step-140 Thereafter, a protective film 44 made of SiN is formed on the entire surface, and then the first substrate 41 and the second substrate 42 are bonded (bonded) to each other with an adhesive layer (sealing layer) not shown. As described above, the organic EL display device can be completed.
  • each light emitting element is formed by laminating a first organic layer, a second organic layer, and a third organic layer, that is, using an evaporation mask for the organic layer. Since it is possible to perform evaporation without masking, it is not necessary to align the mask as in the RGB coating structure, and it is difficult to apply a microdisplay such as an organic EL display device having a fine pixel pitch or a mask for evaporation. It facilitates the manufacture of various display devices such as large displays such as EL display devices.
  • the first light-emitting element has a first light-emitting portion including a first a electrode, a first organic layer, and a second a electrode
  • the second light-emitting element includes a first b electrode, a second organic layer, and a second b electrode.
  • the third light emitting element has a third light emitting unit composed of a first c electrode, a third organic layer, and a second c electrode, and each of the light emitting units has a microcavity (resonator structure). Since each of the light emitting elements can be optimized, the first electrode constituting each light emitting element has a light emitting portion of the first electrode, the organic layer, and the second electrode that do not overlap between the light emitting elements. Therefore, since the microcavity (resonator structure) can be optimized in each light emitting section, the light extraction efficiency can be improved, and high light emission efficiency and color purity can be achieved. .
  • FIG. 2A A conceptual diagram of a modification (1) of the light emitting element unit of Example 1 is shown in FIG. 2A, and a schematic partial cross-sectional view is shown in FIG. 9, and the second a electrode 22 a, the second b electrode 22 b, and the second c electrode 22c can also be comprised from the common 2nd electrode 22.
  • FIG. The material constituting the portion of the second electrode 22 connecting the second a electrode 22a and the second b electrode 22b and the portion of the second electrode 22 connecting the second b electrode 22b and the second c electrode 22c is the second electrode
  • the same material as that constituting the 22a, the second b electrode 22b, and the second c electrode 22c may be used, or a different material may be used.
  • contact hole portions 56a, 57b, and 58c were formed adjacent to the first a electrode 21a, the first b electrode 21b, and the first c electrode 21c.
  • the formation of the contact hole portion is not limited to this.
  • the contact hole portions 56a, 57b, and 58c are provided under the first a electrode 21a, the first b electrode 21b, and the first c electrode 21c. May be formed.
  • the contact holes 66, 67, and 68 are interposed.
  • Each of the light emitting element units may be connected to the organic EL element driving unit via the contact hole 69 as shown in FIG. 10D. The same applies to Examples 2 to 3 described below.
  • Example 2 relates to a light emitting element unit according to the second aspect and the fourth aspect of the present disclosure.
  • a conceptual diagram of the light emitting element unit of Example 2 is shown in FIG. 3A, and a schematic partial sectional view of the light emitting element unit of Example 2 is shown in FIG. 11.
  • the light emitting element unit of Example 2 is composed of three light emitting elements 10 (10a, 10b, 10c), The first light emitting element 10a and the second light emitting element 10b are juxtaposed, and the first light emitting element 10a includes a first a electrode 21a, a first organic layer 23d including a first light emitting layer, and a second a electrode 22a.
  • the light emitting element 10b includes a first b electrode 21b, a first organic layer 23d, and a second b electrode 22b.
  • the third light emitting element 10c is formed by laminating a first organic layer 23d, a first c electrode 21c, a third organic layer 23c including a third light emitting layer, and a second c electrode 22c.
  • a first color filter 24a is disposed on the light emitting side of the first light emitting element 10a.
  • a second color filter 24b is disposed on the light emitting side of the second light emitting element 10b.
  • the second a electrode 22a and the second b electrode 22b are common, and may be hereinafter referred to as “common second electrode 22d”.
  • Each light emitting element 10 (10a, 10b, 10c) includes a first electrode 21 (21a, 21b, 21c), one organic layer among the plurality of organic layers 23 (23d, 23d, 23c), and It consists of the second electrode 22 (22a, 22b, 22c),
  • the first electrodes 21 (21a, 21b, 21c) constituting each light emitting element 10 (10a, 10b, 10c) do not overlap between the light emitting elements, that is, the positive electrodes of the first electrodes 21 (21a, 21b, 21c).
  • the projected images orthographic images projected onto the first substrate 41) do not overlap each other.
  • the first light emitting element 10a and the second light emitting element 10b can be composed of yellow light emitting elements (yellow organic EL light emitting elements), or orange light emitting elements (orange organic EL light emitting elements). Element). That is, the organic layer 23d emits yellow light or orange light.
  • the first color filter 24a may be a filter that selectively passes red
  • the second color filter 24b may be a filter that selectively passes green.
  • the third light emitting element 10c may be composed of a blue light emitting element (blue organic EL light emitting element), and the organic layer 23c emits blue light.
  • a black matrix layer BM may be provided between the color filters.
  • the first a electrode 21a constituting the first light emitting element 10a is formed on the interlayer insulating layer 31 provided on the insulating layer 43, and is one source of the TFT for driving the first light emitting element 10a. / Is connected to the drain region 55a through a contact hole portion 56a formed in the insulating layer 43.
  • the first a electrode 21a constituting the second light emitting element 10b is also formed on the interlayer insulating layer 31 provided on the insulating layer 43, and is one source of the TFT for driving the second light emitting element 10b. / Is connected to the drain region 55b through a contact hole portion 56b formed in the insulating layer 43.
  • An interlayer insulating layer 32 having an opening is formed so as to surround the first a electrode 21a and the first b electrode 21b, and the interlayer insulating layer 32 is formed on the first a electrode 21a and the first b electrode 21b exposed at the bottom of the opening.
  • a first organic layer 23d including the first light emitting layer is formed on the top.
  • a common second electrode 22d is formed on the first organic layer 23d.
  • the first organic layer 23d and the common second electrode 22d are so-called solid films that are not patterned.
  • a third organic layer 23c including a third light emitting layer is stacked above the common second electrode 22d located in a region other than the region of the first light emitting element 10a and the region of the second light emitting element 10b.
  • An interlayer insulating layer 33 is formed on the common second electrode 22d.
  • the first c electrode 21c constituting the third light emitting element 10c is formed on the interlayer insulating layer 34 provided on the interlayer insulating layer 33, and one of the TFTs for driving the third light emitting element 10c is formed.
  • the source / drain region 55c is connected to the insulating layer 43 and the contact hole portions 56c and 57c formed in the interlayer insulating layers 31, 32, 33 and 34.
  • An insulating film 59A is formed on a part of the inner surface of the contact hole portion 57c so that the contact hole portion 57c and the common second electrode 22d are not short-circuited.
  • An interlayer insulating layer 35 having an opening is formed so as to surround the first c electrode 21c, and extends over the interlayer insulating layer 35 from the first c electrode 21c exposed at the bottom of the opening and includes a third light emitting layer.
  • Three organic layers 23c are formed.
  • a second c electrode 22c is formed on the third organic layer 23c.
  • the third organic layer 23c and the second c electrode 22c are patterned.
  • the common second electrode 22d and the second c electrode 22c are connected, for example, in an outer peripheral region of an organic EL display device (not shown) and are given the same potential. It is done.
  • the light emitting element unit and the organic EL display device of Example 2 can be substantially the same as the manufacturing method of the light emitting element unit and the organic EL display device described in Example 1, detailed description thereof is omitted. .
  • the first light emitting element and the second light emitting element are composed of the first organic layer
  • the third light emitting element is composed of the first organic layer and the third organic layer laminated. That is, since the organic layer can be deposited without using a deposition mask, mask alignment such as an RGB coating structure is unnecessary, and a micro display such as an organic EL display device having a fine pixel pitch.
  • various display devices such as a large display such as a large organic EL display device to which a vapor deposition mask is difficult to apply can be easily manufactured.
  • the third light emitting element has a third light emitting unit including the first c electrode, the third organic layer, and the second c electrode, and the microcavity (resonator structure) can be optimized in the third light emitting unit. Therefore, the light extraction efficiency can be improved, and high light emission efficiency and color purity can be achieved. In addition, since two types of color filters are sufficient, the fall of luminous efficiency can be decreased more.
  • FIG. 3B the conceptual diagram of the modification (1) of the light emitting element unit of Example 2 is shown in FIG. 3B, and the schematic partial sectional view is shown in FIG. 12, the region of the first light emitting element 10a and the second light emission.
  • a third organic layer 23c including a third light emitting layer may be stacked above the common second electrode 22d located in the region of the element 10b.
  • the second a electrode 22a and the second b electrode 22b The same potential can be applied, and further, the same potential can be applied to the second a electrode 22a, the second b electrode 22b, and the second c electrode 22c.
  • the second a electrode 22 a, the second b electrode 22 b, and the second c electrode 22 c can be configured from a common second electrode 22.
  • the material constituting the second electrode 22 connecting the second a electrode 22a, the second b electrode 22b, and the second c electrode 22c is the same as the material constituting the second a electrode 22a, the second b electrode 22b, and the second c electrode 22c.
  • the same material may be sufficient and a different material may be sufficient.
  • FIG. 4B the conceptual diagram of the modification (3) which is a modification of the modification (1) and modification (2) of the light emitting element unit of Example 2 is shown in FIG. 4B, and a schematic partial sectional view is shown.
  • a third organic layer 23c including a third light emitting layer is stacked above the second a electrode 22a and the second b electrode 22b located in the region of the first light emitting element 10a and the region of the second light emitting element 10b. May be.
  • Example 3 relates to a light emitting element unit according to the third and fourth aspects of the present disclosure.
  • a conceptual diagram of the light emitting element unit of Example 3 is shown in FIG. 5A, and a schematic partial sectional view of the light emitting element unit of Example 3 is shown in FIG.
  • the light emitting element unit of Example 3 is composed of three light emitting elements 10 (10a, 10b, 10c),
  • the first light emitting element 10a is formed by laminating a first a electrode 21a, a first organic layer 23a including a first light emitting layer, and a second a electrode 22a.
  • the second light emitting element 10b is formed by laminating a first organic layer 23a, a first b electrode 21b, a second organic layer 23b including a second light emitting layer, and a second b electrode 22b.
  • the third light emitting device 10c includes a first organic layer 23a, a second organic layer 23b, a first c electrode 21c, a third organic layer 23c including a third light emitting layer, and a second c electrode 22c.
  • Each light emitting element 10 (10a, 10b, 10c) includes a first electrode 21 (21a, 21b, 21c), one organic layer of the plurality of organic layers 23 (23a, 23b, 23c), and It consists of the second electrode 22 (22a, 22b, 22c),
  • the 1st electrode 21 (21a, 21b, 21c) which comprises each light emitting element 10 (10a, 10b, 10c) does not overlap between light emitting elements. That is, the orthogonal projection images of the first electrodes 21 (21a, 21b, 21c) (orthogonal projection images on the first substrate 41) do not overlap each other.
  • the first a electrode 21a constituting the first light emitting element 10a is formed on the interlayer insulating layer 31 provided on the insulating layer 43, and is one source of the TFT for driving the first light emitting element 10a. / Is connected to the drain region 55a through a contact hole portion 56a formed in the insulating layer 43.
  • An interlayer insulating layer 32 having an opening is formed so as to surround the first a electrode 21a.
  • the interlayer insulating layer 32 extends from the first a electrode 21a exposed at the bottom of the opening to the interlayer insulating layer 32 and includes a first light emitting layer.
  • One organic layer 23a is formed. Furthermore, a second a electrode 22a is formed on the first organic layer 23a.
  • the first organic layer 23a and the second a electrode 22a are so-called solid films that are not patterned. Note that the second organic layer 23b including the second light emitting layer and the third organic layer 23c including the third light emitting layer are not provided above the second a electrode 22a.
  • An interlayer insulating layer 33 is formed on part of the second a electrode 22a.
  • the first b electrode 21b constituting the second light emitting element 10b is formed on the interlayer insulating layer 34 provided on the interlayer insulating layer 33, and one of the TFTs for driving the second light emitting element 10b is formed.
  • the source / drain region 55 b is connected to the insulating layer 43 and the contact hole portions 56 b and 57 b formed in the interlayer insulating layers 31, 32 and 33.
  • An insulating film 59A is formed on part of the inner surfaces of the contact hole portions 57b and 57c so that the contact hole portions 57b and 57c and the second-a electrode 22a are not short-circuited.
  • An interlayer insulating layer 35 having an opening is formed so as to surround the first b electrode 21b.
  • the interlayer insulating layer 35 extends from the first b electrode 21b exposed at the bottom of the opening to the interlayer insulating layer 35 and includes a second light emitting layer.
  • Two organic layers 23b are formed.
  • a second b electrode 22b is formed on the second organic layer 23b.
  • the second organic layer 23b and the second b electrode 22b are patterned.
  • the third organic layer 23c including the third light emitting layer is not provided above the second b electrode 22b.
  • the first organic layer 23a including the first light emitting layer is located below the first b electrode 21b.
  • An interlayer insulating layer 36 is formed on part of the second b electrode 22b.
  • the first c electrode 21c constituting the third light emitting element 10c is formed on an interlayer insulating layer 37 provided on the interlayer insulating layer 36, and one of TFTs for driving the third light emitting element 10c is formed.
  • the source / drain region 55c is connected to the insulating layer 43 and contact holes 56c, 57c, and 58c formed in the interlayer insulating layers 31, 32, 33, 34, 35, and 36.
  • An insulating film 59B is formed on a part of the inner surface of the contact hole portion 58c so that the contact hole portion 58c and the second b electrode 22b are not short-circuited.
  • An interlayer insulating layer 38 having an opening is formed so as to surround the first c electrode 21c, and extends over the interlayer insulating layer 38 from the first c electrode 21c exposed at the bottom of the opening, and includes a third light emitting layer.
  • Three organic layers 23c are formed.
  • a second c electrode 22c is formed on the third organic layer 23c.
  • the third organic layer 23c and the second c electrode 22c are patterned. Below the first c electrode 21c, the second organic layer 23b including the second light emitting layer and the first organic layer 23a including the first light emitting layer are located.
  • the 2a electrode 22a, the 2b electrode 22b, and the 2c electrode 22c are connected, for example, in an outer peripheral region of an organic EL display device (not shown), The same potential is applied.
  • the light emitting element unit and the organic EL display device of Example 3 can be substantially the same as the manufacturing method of the light emitting element unit and the organic EL display device described in Example 1, detailed description thereof is omitted. .
  • the organic layer can be deposited without using a deposition mask, mask alignment such as the RGB coating structure is unnecessary, and the fine layer is fine.
  • Various display devices such as a micro display such as an organic EL display device having a pixel pitch and a large display such as a large organic EL display device to which a deposition mask is difficult to be applied are easily manufactured.
  • the first light-emitting element has a first light-emitting portion including a first a electrode, a first organic layer, and a second a electrode
  • the second light-emitting element includes a first b electrode, a second organic layer, and a second b electrode.
  • the third light emitting element has a third light emitting unit composed of a first c electrode, a third organic layer, and a second c electrode, and each of the light emitting units has a microcavity (resonator structure). Since optimization can be achieved, light extraction efficiency can be improved, and high light emission efficiency and color purity can be achieved.
  • FIG. 5B the conceptual diagram of the modification (1) of the light emitting element unit of Example 3 is shown in FIG. 5B, and a schematic partial cross-sectional view is shown in FIG. 16 above (or above) the second a electrode 22a.
  • a second organic layer 23b may be formed. That is, the second organic layer 23b including the second light emitting layer may be stacked above the second a electrode 22a located in the region of the first light emitting element 10a.
  • FIG. 6A the conceptual diagram of the modification (2) of the light emitting element unit of Example 3 is shown in FIG. 6A
  • a schematic partial sectional view is shown in FIG. 17, and the modification of the light emitting element unit of Example 3 is also shown.
  • a conceptual diagram of the modification (3) of the example (1) and the modification (2) is shown in FIG. 6B, and a schematic partial cross-sectional view is shown in FIG. 18, so that the second a electrode 22a, the second b electrode 22b, The second c electrode 22c can also be composed of a common second electrode 22.
  • the material constituting the portion of the second electrode 22 connecting the second a electrode 22a and the second b electrode 22b and the portion of the second electrode 22 connecting the second b electrode 22b and the second c electrode 22c is the second electrode
  • the same material as that constituting the 22a, the second b electrode 22b, and the second c electrode 22c may be used, or a different material may be used.
  • Example 1 and Example 3 (first light-emitting element, second light-emitting element, third light-emitting element) is configured from (red light-emitting element, green light-emitting element, blue light-emitting element).
  • the first organic layer, the second organic layer, and the third organic layer may be patterned in a band shape as desired.
  • a light shielding layer is provided between the light emitting elements. May be. That is, a groove portion may be formed between the light emitting elements and the light emitting element, and the groove portion may be filled with a light shielding material to form a light shielding layer.
  • Providing a light shielding layer in this manner can reduce the rate at which light emitted from a certain light emitting element enters the adjacent light emitting element, resulting in color mixing, and the chromaticity of the entire pixel deviating from the desired chromaticity. It is possible to suppress the occurrence of such a phenomenon.
  • the black matrix layer BM may be provided with a light shielding property.
  • the display device can be applied to an interchangeable lens single-lens reflex digital still camera.
  • a front view of the digital still camera is shown in FIG. 27A, and a rear view is shown in FIG. 27B.
  • This interchangeable lens single-lens reflex digital still camera has, for example, an interchangeable photographic lens unit (interchangeable lens) 212 on the front right side of the camera body (camera body) 211, and is held by the photographer on the front left side.
  • a grip portion 213 is provided.
  • a monitor 214 is provided at the approximate center of the back surface of the camera body 211.
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 215 is provided on the monitor 214.
  • the photographer can look into the electronic viewfinder 215 and visually determine the subject's optical image guided from the photographing lens unit 212 to determine the composition.
  • the display device according to the present disclosure can be used as the electronic viewfinder 215.
  • the display device according to the present disclosure can be applied to a head mounted display.
  • the head mounted display 300 includes a transmission type head mounted display having a main body portion 301, an arm portion 302, and a lens barrel 303.
  • the main body 301 is connected to the arm 302 and the glasses 310.
  • the end of the main body 301 in the long side direction is attached to the arm 302.
  • one side of the side surface of the main body 301 is connected to the glasses 310 via a connection member (not shown).
  • the main body 301 may be directly attached to the head of a human body.
  • the main body 301 incorporates a control board and a display unit for controlling the operation of the head mounted display 300.
  • the arm portion 302 supports the lens barrel 303 with respect to the main body portion 301 by connecting the main body portion 301 and the lens barrel 303. Specifically, the arm portion 302 is coupled to the end portion of the main body portion 301 and the end portion of the lens barrel 303, thereby fixing the lens barrel 303 to the main body portion 301.
  • the arm unit 302 includes a signal line for communicating data related to an image provided from the main body unit 301 to the lens barrel 303.
  • the lens barrel 303 projects the image light provided from the main body 301 via the arm 302 through the lens 311 of the glasses 310 toward the eyes of the user wearing the head mounted display 300.
  • the display device according to the present disclosure can be used as a display unit built in the main body unit 301.
  • first embodiment consists of three light emitting elements,
  • the first light emitting element includes a first a electrode, a first organic layer including a first light emitting layer, a second a electrode, a second organic layer including a second light emitting layer, and a third organic layer including a third light emitting layer.
  • the second light emitting device is formed by laminating a first organic layer, a first b electrode, a second organic layer, a second b electrode, and a third organic layer
  • the third light emitting element is a light emitting element unit in which a first organic layer, a second organic layer, a first c electrode, a third organic layer, and a second c electrode are stacked.
  • [A03] The light emitting element unit according to [A01] or [A02], wherein the same potential is applied to the second a electrode, the second b electrode, and the second c electrode.
  • [A04] The light emitting element unit according to any one of [A01] to [A03], in which each of the second a electrode, the second b electrode, and the second c electrode has a stacked structure of a transparent conductive layer and a semi-transmissive conductive layer.
  • [A05] The light-emitting element unit according to [A04], wherein the transparent conductive layer is made of an oxide of indium and zinc (IZO).
  • the first light-emitting element is configured by the interface between the first electrode and the first organic layer or the first light interface formed by the first light reflection layer, and the interface between the second electrode and the first organic layer. Resonate the light emitted from the first light emitting layer with the 2a interface, and emit a part of the light from the 2a electrode.
  • the interface between the first c electrode and the third organic layer or the first c interface configured by the third light reflecting layer, and the second c interface configured by the interface between the second c electrode and the third organic layer The light emitting element unit according to any one of [A01] to [A06], in which the light emitted from the third light emitting layer is resonated with each other and a part thereof is emitted from the second c electrode.
  • the distance from the maximum light emitting position of the first light emitting layer to the 1a interface is L 1A
  • the optical distance is OL 1A
  • the distance from the maximum light emitting position of the first light emitting layer to the 2a interface is L 2A
  • the optical distance is
  • OL 2A and m 1A and m 2A are integers, the following formula (A-1), formula (A-2), formula (A-3) and formula (A-4) are satisfied
  • the distance from the maximum light emitting position of the second light emitting layer to the 1b interface is L 1B
  • the optical distance is OL 1B
  • the distance from the maximum light emitting position of the second light emitting layer to the 2b interface is L 2B
  • the optical distance is OL 2B.
  • M 1B and m 2B are integers, the following formulas (B-1), (B-2), (B-3) and (B-4) are satisfied,
  • the distance from the maximum light emission position of the third light emitting layer to the 1c interface is L 1C
  • the optical distance is OL 1C
  • the distance from the maximum light emission position of the third light emitting layer to the 2c interface is L 2C
  • the optical distance is OL 2C.
  • m 1C and m 2C are integers, the following formula (C-1), formula (C-2), formula (C-3) and formula (C-4) are satisfied [A07] Light emitting element unit.
  • the third light emitting element is formed by laminating a first organic layer, a first c electrode, a third organic layer including a third light emitting layer, and a second c electrode,
  • a first color filter is disposed on the light emitting side of the first light emitting element
  • [B03] The light emitting element unit according to [B01] or [B02], in which the same potential is applied to the second a electrode, the second b electrode, and the second c electrode.
  • [B04] The light emitting element unit according to any one of [B1] to [B03], in which each of the second a electrode and the second b electrode has a stacked structure of a transparent conductive layer and a semi-transmissive conductive layer.
  • [B05] The light-emitting element unit according to [B04], in which the transparent conductive layer is made of an oxide of indium and zinc (IZO).
  • the interface is configured by an interface between the first c electrode and the third organic layer or a first c interface configured by the third light reflecting layer, and an interface between the second c electrode and the third organic layer.
  • the light emitting element unit according to any one of [B01] to [B06], in which light emitted from the third light emitting layer is resonated with the second c interface, and a part thereof is emitted from the second c electrode.
  • ⁇ C the maximum peak wavelength of the spectrum of light generated in the third light emitting layer (or a desired wavelength of the light generated in the third light emitting layer)
  • ⁇ 1C Phase shift amount of light reflected by the 1c interface (unit: radians)
  • -2 ⁇ ⁇ 1C ⁇ 0 ⁇ 2C Phase shift amount of light reflected by the 2c interface (unit: radians)
  • -2 ⁇ ⁇ 2C ⁇ 0 ⁇ 2C Phase shift amount of light reflected by the 2c interface (unit: radians)
  • -2 ⁇ ⁇ 1C ⁇ 0 ⁇ 2C Phase shift amount of light reflected by the 2c interface (unit: radians)
  • -2 ⁇ ⁇ 2C ⁇ 0 ⁇ 2C Phase shift amount of light reflected by the 2c interface (unit: radians)
  • -2 ⁇ ⁇ 2C ⁇ 0 ⁇ 2C Phase shift amount of light reflected by the 2c interface (unit: radians)
  • the first light emitting element is formed by laminating a first a electrode, a first organic layer including a first light emitting layer, and a second a electrode
  • the second light emitting element is formed by laminating a first organic layer, a first b electrode, a second organic layer including a second light emitting layer, and a second b electrode.
  • the third light emitting element is a light emitting element unit in which a first organic layer, a second organic layer, a first c electrode, a third organic layer including a third light emitting layer, and a second c electrode are stacked.
  • [C02] The light emitting element unit according to [C01], in which the second a electrode, the second b electrode, and the second c electrode are configured by a common second electrode.
  • [C03] The light emitting element unit according to [C01] or [C02], in which the same potential is applied to the second a electrode, the second b electrode, and the second c electrode.
  • each of the second a electrode, the second b electrode, and the second c electrode has a stacked structure of a transparent conductive layer and a semi-transmissive conductive layer.
  • the transparent conductive layer is made of an oxide of indium and zinc (IZO).
  • IZO oxide of indium and zinc
  • the transflective conductive layer is made of an alloy of magnesium and silver.
  • the first light-emitting element is configured by an interface between the first a electrode and the first organic layer or a first a interface formed by the first light reflecting layer, and an interface between the second a electrode and the first organic layer. Resonate the light emitted from the first light emitting layer with the 2a interface, and emit a part of the light from the 2a electrode.
  • the interface between the first b electrode and the second organic layer or the first b interface formed by the second light reflecting layer, and the second b interface formed by the interface between the second b electrode and the second organic layer is configured by an interface between the first a electrode and the first organic layer or a first a interface formed by the first light reflecting layer, and an interface between the second a electrode and the first organic layer.
  • the interface between the first c electrode and the third organic layer or the first c interface configured by the third light reflecting layer, and the second c interface configured by the interface between the second c electrode and the third organic layer In the third light emitting device, the interface between the first c electrode and the third organic layer or the first c interface configured by the third light reflecting layer, and the second c interface configured by the interface between the second c electrode and the third organic layer.
  • the light emitting element unit according to any one of [C01] to [C06], in which the light emitted from the third light emitting layer is resonated between the first light emitting layer and a part of the light emitted from the second light emitting electrode.
  • the distance from the maximum light emission position of the first light emitting layer to the 1a interface is L 1A
  • the optical distance is OL 1A
  • the distance from the maximum light emission position of the first light emitting layer to the 2a interface is L 2A
  • the optical distance is
  • OL 2A and m 1A and m 2A are integers, the following formula (A-1), formula (A-2), formula (A-3) and formula (A-4) are satisfied
  • the distance from the maximum light emitting position of the second light emitting layer to the 1b interface is L 1B
  • the optical distance is OL 1B
  • the distance from the maximum light emitting position of the second light emitting layer to the 2b interface is L 2B
  • the optical distance is OL 2B.
  • M 1B and m 2B are integers, the following formulas (B-1), (B-2), (B-3) and (B-4) are satisfied,
  • the distance from the maximum light emission position of the third light emitting layer to the 1c interface is L 1C
  • the optical distance is OL 1C
  • the distance from the maximum light emission position of the third light emitting layer to the 2c interface is L 2C
  • the optical distance is OL 2C.
  • M 1C and m 2C are integers, and the following formula (C-1), formula (C-2), formula (C-3) and formula (C-4) are satisfied [C07] Light emitting element unit.
  • the 1st electrode which comprises each light emitting element is a light emitting element unit which does not overlap between light emitting elements.
  • Organic electroluminescence display device An organic electroluminescence display device in which the light-emitting element units according to any one of [A01] to [D01] are arranged in a two-dimensional matrix.
  • Display device A display device in which the light-emitting element units according to any one of [A01] to [D01] are arranged in a two-dimensional matrix.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)

Abstract

発光素子ユニットは、３つの発光素子から構成されており、第１発光素子１０ａは、第１ａ電極２１ａ、第１発光層を含む第１有機層２３ａ、第２ａ電極２２ａ、第２発光層を含む第２有機層２３ｂ、及び、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが積層されて成り、第２発光素子１０ｂは、第１有機層２３ａ、第１ｂ電極２１ｂ、第２有機層２３ｂ、第２ｂ電極２２ｂ、及び、第３有機層２３ｃが積層されて成り、第３発光素子１０ｃは、第１有機層２３ａ、第２有機層２３ｂ、第１ｃ電極２１ｃ、第３有機層２３ｃ、及び、第２ｃ電極２２ｃが積層されて成る。

Description

発光素子ユニット
　本開示は、発光素子ユニットに関する。
　近年、モニタ装置等の直視型ディスプレイのみならず、数ミクロンの画素ピッチが要求される超小型ディスプレイ（マイクロディスプレイ）にまで、有機エレクトロルミネッセンス現象（有機ＥＬ現象）を利用して画像を表示する有機ＥＬ表示装置が適用されつつある。そして、有機ＥＬ表示装置にあっては、効率良く光を取り出す技術の開発が強く求められている。光取り出し効率が低いと、有機ＥＬ素子における実際の発光量を有効に活用していないことになり、消費電力等の点で大きな損失を生じる原因となるからである。
　従来の直視型有機ＥＬ表示装置にあっては、屡々、マスク蒸着プロセスによって、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子を製造する。即ち、ＲＧＢ塗り分け構造を実現している。しかしながら、微細な画素ピッチを有する有機ＥＬ表示装置においてＲＧＢ塗り分け構造を採用することは、マスク位置合わせの精度等に起因して困難である。従って、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の３層の発光層を全画素に亙り積層して、各発光素子において白色光を出射させる「白色方式」の構造が採用されており、各発光素子にはカラーフィルタが設けられている。そして、発光素子から出射された白色光をカラーフィルタを通過させることで、赤色光、緑色光あるいは青色光を得ている。
特開２００６－２７８２５７号公報
　しかしながら白色方式では、発光素子から出射される白色光をカラーフィルタで色分解するため、カラーフィルタでの光の吸収（ロス）が大きく、ＲＧＢ塗り分け方式に比べて１／３以下まで発光効率が低下するといった問題がある。これに対して、発光素子に反射膜を設け、発光素子に設けられた透明電極と反射膜との間でマイクロキャビティ（共振器構造）を形成する。そして、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の３層の発光層を有する発光素子において、赤色発光に関するマイクロキャビティの最適化を図ることで、赤色光を選択的に出射する赤色発光素子を設け、同様に、緑色発光に関するマイクロキャビティの最適化を図ることで、緑色光を選択的に出射する緑色発光素子を設け、青色発光に関するマイクロキャビティの最適化を図ることで、青色光を選択的に出射する青色発光素子を設ける技術が、例えば、特開２００６－２７８２５７号公報から周知である。しかしながら、この技術にあっては、光取り出し効率は改善されるものの、ＲＧＢ塗り分け方式に比べて発光効率や色純度が低いという問題がある。
　従って、本開示の目的は、高い発光効率、色純度を達成し得る構成、構造の発光素子ユニットを提供することにある。
　上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る発光素子ユニットは、３つの発光素子から構成されており、
　第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層、第２ａ電極、第２発光層を含む第２有機層、及び、第３発光層を含む第３有機層が積層されて成り、
　第２発光素子は、第１有機層、第１ｂ電極、第２有機層、第２ｂ電極、及び、第３有機層が積層されて成り、
　第３発光素子は、第１有機層、第２有機層、第１ｃ電極、第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成る。
　上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットは、３つの発光素子から構成されており、
　第１発光素子及び第２発光素子は並置されており、第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層及び第２ａ電極から成り、第２発光素子は、第１ｂ電極、第１有機層及び第２ｂ電極から成り、
　第３発光素子は、第１有機層、第１ｃ電極、第３発光層を含む第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成り、
　第１発光素子の光出射側には第１カラーフィルタが配設されており、
　第２発光素子の光出射側には第２カラーフィルタが配設されている。
　上記の目的を達成するための本開示の第３の態様に係る発光素子ユニットは、３つの発光素子から構成されており、
　第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層、及び、第２ａ電極が積層されて成り、
　第２発光素子は、第１有機層、第１ｂ電極、第２発光層を含む第２有機層、及び、第２ｂ電極が積層されて成り、
　第３発光素子は、第１有機層、第２有機層、第１ｃ電極、第３発光層を含む第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成る。
　上記の目的を達成するための本開示の第４の態様に係る発光素子ユニットは、
　複数の発光層を含む有機層が積層された積層構造を有する発光素子の複数から構成されており、
　各発光素子は、第１電極、複数の有機層の内のいずれか１層の有機層、及び、第２電極から構成されており、
　各発光素子を構成する第１電極は、発光素子の間で重なり合っていない。
図１Ａ及び図１Ｂは、実施例１の発光素子ユニットの概念図である。 図２Ａ及び図２Ｂは、実施例１の発光素子ユニットの変形例（１）及び変形例（２）の概念図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、実施例２の発光素子ユニット及びその変形例（１）の概念図である。 図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃは、実施例２の発光素子ユニットの変形例（２）、変形例（３）及び変形例（４）の概念図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、実施例３の発光素子ユニット及びその変形例（１）の概念図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、実施例３の発光素子ユニットの変形例（２）及び変形例（３）の概念図である。 図７は、実施例３の発光素子ユニットの変形例（４）の概念図である。 図８は、実施例１の発光素子ユニットの模式的な一部断面図である。 図９は、実施例１の発光素子ユニットの変形例（１）の模式的な一部断面図である。 図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃ及び図１０Ｄは、実施例１の発光素子ユニットにおける第１電極及びコンタクトホール部の配置状態を説明するための図である。 図１１は、実施例２の発光素子ユニットの模式的な一部断面図である。 図１２は、実施例２の発光素子ユニットの変形例（１）の模式的な一部断面図である。 図１３は、実施例２の発光素子ユニットの変形例（２）の模式的な一部断面図である。 図１４は、実施例２の発光素子ユニットの変形例（３）の模式的な一部断面図である。 図１５は、実施例３の発光素子ユニットの模式的な一部断面図である。 図１６は、実施例３の発光素子ユニットの変形例（１）の模式的な一部断面図である。 図１７は、実施例３の発光素子ユニットの変形例（２）の模式的な一部断面図である。 図１８は、実施例３の発光素子ユニットの変形例（３）の模式的な一部断面図である。 図１９Ａ及び図１９Ｂは、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２０Ａ及び図２０Ｂは、図１９Ｂに引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２１は、図２０Ｂに引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２２は、図２１に引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２３は、図２２に引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２４は、図２３に引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２５は、図２４に引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２６は、図２５に引き続き、実施例１の発光素子ユニットの製造方法を説明するための第１基板等の模式的な端面図である。 図２７Ａ及び図２７Ｂは、本開示における表示装置をレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラに適用した例を示し、デジタルスチルカメラの正面図を図２７Ａに、背面図を図２７Ｂに示す。 図２８は、本開示における表示装置をヘッドマウントディスプレイに適用した例を示すヘッドマウントディスプレイの外観図である。
　以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様～第４の態様に係る発光素子ユニット、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様、第４の態様に係る発光素子ユニット）
３．実施例２（本開示の第２の態様、第４の態様に係る発光素子ユニット）
４．実施例３（本開示の第３の態様、第４の態様に係る発光素子ユニット）
５．その他
〈本開示の第１の態様～第４の態様に係る発光素子ユニット、全般に関する説明〉
　本開示の第１の態様に係る発光素子ユニットにおいて、第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、共通の第２電極から構成されている形態とすることができる。
　上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子ユニットにおいて、第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極には、同じ電位が与えられる形態とすることができる。
　以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子ユニットにおいて、第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、例えば、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有する形態とすることができる。尚、透明導電層を上層とし（即ち、第２基板側に位置し）、半透過導電層を下層としてもよいし（即ち、第１基板側に位置させてもよいし）、透明導電層を下層とし、半透過導電層を上層としてもよい。そして、この場合、例えば、透明導電層はインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）から成り、半透過導電層はマグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）の合金から成る形態とすることができる。更には、半透過導電層を積層構造としてもよく、この場合、上層（第２基板側に位置する層）をマグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）の合金から構成し、下層（第１基板側に位置する層）をカルシウム（Ｃａ）から構成することもできる。本開示の第３の態様に係る発光素子ユニットにおける第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極、並びに、本開示の第４の態様に係る発光素子ユニットにおける第２電極においても、同様とすることができる。また、本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおける第２ａ電極及び第２ｂ電極は、上述したと同様に、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有していてもよく、場合によっては、更に、半透過導電層を積層構造としてもよく、また、第２ｃ電極は、半透過導電層、具体的には、マグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）から成る半透過導電層としてもよい。即ち、本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおいて、発光素子を構成する第２電極の材料を発光素子に依って変えてもよいし、第２ａ電極及び第２ｂ電極の有する構造と第２ｃ電極の有する構造とを異ならせてもよい。
　更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る発光素子ユニットにあっては、
　第１発光素子において、第１ａ電極と第１有機層との界面又は第１光反射層によって構成された第１ａ界面と、第２ａ電極と第１有機層との界面によって構成された第２ａ界面との間で、第１発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ａ電極から出射させ、
　第２発光素子において、第１ｂ電極と第２有機層との界面又は第２光反射層によって構成された第１ｂ界面と、第２ｂ電極と第２有機層との界面によって構成された第２ｂ界面との間で、第２発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｂ電極から出射させ、
　第３発光素子において、第１ｃ電極と第３有機層との界面又は第３光反射層によって構成された第１ｃ界面と、第２ｃ電極と第３有機層との界面によって構成された第２ｃ界面との間で、第３発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｃ電極から出射させる形態とすることができる。即ち、各発光素子は共振器構造を有することが好ましい。
　本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおける第３発光素子、あるいは又、本開示の第３の態様に係る発光素子ユニットにおいても同様とすることができるし、本開示の第４の態様に係る発光素子ユニットにあっては、第１電極と有機層との界面又は光反射層によって構成された第１界面と、第２電極と有機層との界面によって構成された第２界面との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２電極から出射させる形態とすることができる。
　そして、この場合、具体的には、
　第１発光層の最大発光位置から第１ａ界面までの距離をＬ1A、光学距離をＯＬ1A、第１発光層の最大発光位置から第２ａ界面までの距離をＬ2A、光学距離をＯＬ2Aとし、ｍ1A及びｍ2Aを整数としたとき、以下の式（Ａ－１）、式（Ａ－２）、式（Ａ－３）及び式（Ａ－４）を満たしており、
　第２発光層の最大発光位置から第１ｂ界面までの距離をＬ1B、光学距離をＯＬ1B、第２発光層の最大発光位置から第２ｂ界面までの距離をＬ2B、光学距離をＯＬ2Bとし、ｍ1B及びｍ2Bを整数としたとき、以下の式（Ｂ－１）、式（Ｂ－２）、式（Ｂ－３）及び式（Ｂ－４）を満たしており、
　第３発光層の最大発光位置から第１ｃ界面までの距離をＬ1C、光学距離をＯＬ1C、第３発光層の最大発光位置から第２ｃ界面までの距離をＬ2C、光学距離をＯＬ2Cとし、ｍ1C及びｍ2Cを整数としたとき、以下の式（Ｃ－１）、式（Ｃ－２）、式（Ｃ－３）及び式（Ｃ－４）を満たしている形態とすることができる。
０．７｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝≦２×ＯＬ1A／λA≦１．２｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝　　　　　 （Ａ－１）
０．７｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝≦２×ＯＬ2A／λA≦１．２｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝　　　　　 （Ａ－２）
Ｌ1A＜Ｌ2A　　（Ａ－３）
ｍ1A＜ｍ2A　　（Ａ－４）
０．７｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝≦２×ＯＬ1B／λB≦１．２｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝　　　　　 （Ｂ－１）
０．７｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝≦２×ＯＬ2B／λB≦１．２｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝　　　　　 （Ｂ－２）
Ｌ1B＜Ｌ2B　　（Ｂ－３）
ｍ1B＜ｍ2B　　（Ｂ－４）
０．７｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝≦２×ＯＬ1C／λC≦１．２｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝　　　　　 （Ｃ－１）
０．７｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝≦２×ＯＬ2C／λC≦１．２｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝　　　　　 （Ｃ－２）
Ｌ1C＜Ｌ2C　　（Ｃ－３）
ｍ1C＜ｍ2C　　（Ｃ－４）
ここで、
λA ：第１発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第１発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1A：第１ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ1A≦０
Φ2A：第２ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ2A≦０
λB ：第２発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第２発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1B：第１ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ1B≦０
Φ2B：第２ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ2B≦０
λC ：第３発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第３発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1C：第１ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ1C≦０
Φ2C：第２ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ2C≦０
である。
　更には、この場合、ｍ1A＝０，ｍ2A＝１，ｍ1B＝０，ｍ2B＝１，ｍ1C＝０，ｍ2C＝１であることが好ましい。
　一般に、透明な材料から成る層αと層βとによって構成される反射界面では、入射した光の一部が通過し、残りは反射される。従って、反射光に位相変化（位相シフト）が生じる。層αと層βによって構成される反射界面で反射される際の光の位相変化φABは、層αの複素屈折率（ｎA，ｋA）と層βの複素屈折率（ｎB，ｋB）とを測定し、これらの値に基づき計算を行うことで求めることができる（例えば、Principles of Optics, Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS) 等を参照）。発光層や有機層の屈折率は、分光エリプソメトリー測定装置を用いて測定可能である。
　発光層の最大発光位置から第１界面までの距離Ｌ1とは、発光層の最大発光位置から第１界面までの実際の距離（物理的距離）を指し、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離Ｌ2とは、発光層の最大発光位置から第２界面までの実際の距離（物理的距離）を指す。また、光学距離とは、光路長とも呼ばれ、一般に、屈折率ｎの媒質中を距離Ｌだけ光線が通過したときのｎ×Ｌを指す。以下においても、同様である。従って、平均屈折率をｎaveとしたとき、
ＯＬ1＝Ｌ1×ｎave
ＯＬ2＝Ｌ2×ｎave
の関係がある。ここで、平均屈折率ｎaveとは、有機層（あるいは、有機層及び層間絶縁層）を構成する各層の屈折率と厚さの積を合計し、有機層（あるいは、有機層及び層間絶縁層）の厚さで除したものである。
　本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおいて、第２ａ電極及び第２ｂ電極には、同じ電位が与えられる形態とすることができるし、更には、第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極には、同じ電位が与えられる形態とすることができる。
　本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおける第１発光素子及び第２発光素子にあっては、第２ａ電極及び第２ｂ電極の上（あるいは上方）に第３有機層が形成されていてもよい。
　本開示の第３の態様に係る発光素子ユニットにおける第１発光素子にあっては、第２ａ電極の上（あるいは上方）に第２有機層が形成されていてもよい。
　以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様～第４の態様に係る発光素子ユニットを、総称して、『本開示の発光素子ユニット等』と呼ぶ場合があるし、本開示の発光素子ユニット等を構成する発光素子を、便宜上、『本開示の発光素子等』と呼ぶ場合がある。
　本開示の発光素子ユニット等において、１つの発光素子によって１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列、又は、レクタングル配列を挙げることができる。また、複数の発光素子が集合して１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列を挙げることができる。
　赤色有機ＥＬ発光素子は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層及び電子輸送層が第１電極側から順次積層された構造を有する。赤色発光層にあっては、電界が加えられることにより、第１電極からホール注入層及びホール輸送層を介して注入されたホールの一部と、第２電極から電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、赤色光が発生する。赤色発光層は、例えば、赤色発光材料、ホール輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよく、例えば、赤色発光層は、有機ＥＬ現象を利用して赤色光を発生させるものであり、例えば、４，４－ビス（２，２－ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６－ビス［（４’－メトキシジフェニルアミノ）スチリル］－１，５－ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０質量％混合したものから成る。
　緑色有機ＥＬ発光素子は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、緑色発光層及び電子輸送層が第１電極側から順次積層された構造を有する。緑色発光層にあっては、電界が加えられることにより、第１電極からホール注入層、ホール輸送層及び発光分離層を介して注入されたホールの一部と、第２電極から電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、緑色光が発生する。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料、ホール輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよく、例えば、緑色発光層は、有機ＥＬ現象を利用して緑色光を発生させるものであり、例えば、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５質量％混合したものから成る。
　青色有機ＥＬ発光素子は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、青色発光層及び電子輸送層が第１電極側から順次積層された構造を有する。青色発光層にあっては、電界が加えられることにより、第１電極からホール注入層、ホール輸送層及び発光分離層を介して注入されたホールの一部と、第２電極から電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、青色光が発生する。青色発光層は、例えば、青色発光材料、ホール輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよく、例えば、青色発光層は、有機ＥＬ現象を利用して青色光を発生させるものであり、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４’－ビス［２－｛４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５質量％混合したものから成る。
　ホール注入層は、ホール輸送層にホール（正孔）を注入するものであり、例えば、ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）誘導体から成る。ホール輸送層は、ホール注入層から注入されたホールを発光層へ輸送するものであり、例えば、４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）や、α－ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）から成る。
　電子輸送層は、電子を発光層へ輸送するものであり、例えば、８－ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、バトフェナントロリン（BPhen）から成る。電子輸送層は、少なくとも１層以上から成り、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属をドープした電子輸送層を含んでもよい。アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属をドープした電子輸送層において、ホスト材料として、例えば、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Ａｌｑ３、バトフェナントロリン（BPhen）等を挙げることができるし、ドーパント材料として、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属若しくはマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属を挙げることができる。そして、ホスト材料とドーパント材料とを共蒸着することで、例えば０．５質量％乃至１５質量％ドーパント材料がドープされた電子輸送層を得ることができる。
　電子輸送層と第２電極との間に電子注入層を設けてもよい。電子注入層は、カソード電極からの電子注入を高めるためのものであり、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等から構成される。
　但し、各層を構成する材料は例示であり、これらの材料に限定するものではない。また、例えば、発光層は、青色発光層と黄色発光層から構成されていてもよいし、青色発光層と橙色発光層から構成されていてもよい。ホール注入層の厚さとして１ｎｍ乃至２０ｎｍ、ホール輸送層の厚さとして１０ｎｍ乃至２００ｎｍ、発光層の厚さとして５ｎｍ乃至５０ｎｍ、電子輸送層の厚さとして１０ｎｍ乃至２００ｎｍを挙げることができる。
　本開示の第１の態様あるいは第３の態様に係る発光素子ユニットにおいて、第１発光素子を赤色発光素子（赤色有機ＥＬ発光素子）から構成することができるし、第２発光素子を緑色発光素子（緑色有機ＥＬ発光素子）から構成することができるし、第３発光素子を青色発光素子（青色有機ＥＬ発光素子）から構成することができる。本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおいて、第１発光素子及び第２発光素子を黄色発光素子（黄色有機ＥＬ発光素子）から構成することができるし、あるいは又、橙色発光素子（橙色有機ＥＬ発光素子）から構成することができる。そして、この場合、第１カラーフィルタは赤色を選択的に通過させるフィルタとすればよいし、第２カラーフィルタは緑色を選択的に通過させるフィルタとすればよい。また、第３発光素子は青色発光素子（青色有機ＥＬ発光素子）から構成すればよい。
　本開示の発光素子等において、第１電極を構成する材料（光反射材料）として、第１電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属あるいは合金（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％乃至１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と、０．３質量％乃至１質量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金や、Ａｌ－Ｎｄ合金）を挙げることができる。更には、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。第１電極の厚さとして、０．１μｍ乃至１μｍを例示することができる。あるいは又、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）といった光反射性の高い反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、第１電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。
　一方、第２電極を構成する材料（半光透過材料あるいは光透過材料）として、第２電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、発光層に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ－Ａｇ合金）］、マグネシウム－カルシウムとの合金（Ｍｇ－Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）の合金（Ａｌ－Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ－Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝２：１～３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１～１０：１を例示することができる。そして、これらの材料から構成された層の積層構造（下層：カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）／上層：マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）あるいはそれらの合金）とすることもできる。第２電極の厚さとして、３ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。あるいは又、第２電極を、有機層側から、上述した材料層と、例えばＩＴＯやＩＺＯから成る所謂透明電極（例えば、厚さ３×１０-8ｍ乃至１×１０-6ｍ）との積層構造とすることもできる。積層構造とした場合、上述した材料層の厚さを１ｎｍ乃至４ｎｍと薄くすることもできる。また、透明電極のみで構成することも可能である。一方、第２電極をアノード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。
　また、第２電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、第２電極全体として低抵抗化を図ってもよい。
　第１電極や第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第１電極や第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。また、有機層の形成からこれらの電極の形成までを大気に暴露することなく実行することが、大気中の水分による有機層の劣化を防止するといった観点から好ましい。第２電極はパターニングしなくともよい。
　光反射層を構成する材料として、アルミニウム、アルミニウム合金（例えば、Ａｌ－ＮｄやＡｌ－Ｃｕ）、Ａｌ／Ｔｉ積層構造、Ａｌ－Ｃｕ／Ｔｉ積層構造、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、銀合金（例えば、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｓｍ－Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）を挙げることができ、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等によって形成することができる。
　有機層は、例えば、有機発光材料から成る発光層を備えているが、具体的には、前述したとおり、有機層は、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。発光層や有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。発光層や有機層を、所望に応じて、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。
　本開示の発光素子ユニット等にあっては、複数の発光素子は第１基板上に形成されている。ここで、第１基板として、あるいは又、第２基板として、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）基板、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）基板、無アルカリガラス、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）を挙げることができる。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。但し、第２基板を介して光が出射される上面発光型にあっては、第２基板は、発光素子が出射する光に対して透明であることが要求されるし、第１基板を介して光が出射される下面発光型にあっては、第１基板は、発光素子が出射する光に対して透明であることが要求される。
　本開示の第２の態様に係る発光素子ユニットにおいて、カラーフィルタは、第２基板側に備えられていてもよいし、第１基板側に備えられていてもよい。第１基板側に備えられたカラーフィルタは、ＯＣＣＦ（オン・チップ・カラーフィルタ）とも呼ばれる。カラーフィルタは周知の材料から構成すればよく、具体的には、カラーフィルタは、所望の顔料や染料から成る着色剤を添加した樹脂によって構成されており、顔料や染料を選択することにより、目的とする色の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。遮光層が、第２基板側に備えられていてもよいし、第１基板側に備えられていてもよい。遮光層を構成する遮光材料として、具体的には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ＭｏＳｉ2等の光を遮光することができる材料を挙げることができる。遮光層は、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法等によって形成することができる。ブラックマトリクス層が、第２基板側に備えられていてもよいし、第１基板側に備えられていてもよい。ブラックマトリクス層は、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド系樹脂）から成り、あるいは又、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタから構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物あるいは金属酸化物から成る薄膜を２層以上積層して成り、薄膜の干渉を利用して光を減衰させる。薄膜フィルタとして、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものを挙げることができる。
　上面発光型において、第１電極は、例えば、層間絶縁層上に設けられており、あるいは又、層間絶縁層の上方に設けられている。第１発光素子と第２発光素子との間、第２発光素子と第３発光素子との間にも、層間絶縁層が設けられている。第１基板上に形成された発光素子駆動部は絶縁層によって覆われており、絶縁層の上に層間絶縁層が形成されている。
　発光素子駆動部は、１又は複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されており、ＴＦＴと第１電極とは、層間絶縁層に設けられたコンタクトプラグを介して電気的に接続されている。ゲート電極は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、ポリシリコン等から形成することができる。ゲート絶縁膜は、ゲート電極を覆うように第１基板の全面に設けられる。ゲート絶縁膜は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）等から形成することができる。半導体層は、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、酸化物半導体等から成り、ゲート絶縁膜上に形成すればよい。半導体層の一部の領域によってソース／ドレイン領域が構成される。ドレイン領域とソース領域との間であってゲート電極の上方の半導体層の領域は、チャネル形成領域に相当する。これにより、第１基板上には、ボトムゲート型の薄膜トランジスタが設けられる。但し、発光素子駆動部は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタに限定されず、トップゲート型の薄膜トランジスタとすることもできる。
　層間絶縁層あるいは絶縁層、絶縁膜の構成材料として、ＳｉＯ2、ＮＳＧ（ノンドープ・シリケート・ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウ素・リン・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｂＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide、低温ＣＶＤ－ＳｉＯ2）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯX系材料（シリコン系酸化膜を構成する材料）；ＳｉＯＮ系材料を含むＳｉＮ系材料；ＳｉＯＣ；ＳｉＯＦ；ＳｉＣＮを挙げることができる。あるいは又、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化クロム（ＣｒＯx）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化バナジウム（ＶＯx）といった無機絶縁材料を挙げることができる。あるいは又、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂といった各種樹脂や、ＳｉＯＣＨ、有機ＳＯＧ、フッ素系樹脂といった低誘電率絶縁材料（例えば、誘電率ｋ（＝ε／ε0）が例えば３．５以下の材料であり、具体的には、例えば、フルオロカーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、ベンゾシクロブテン、環状フッ素系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アモルファステトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、パリレン（ポリパラキシリレン）、フッ化フラーレン）を挙げることができるし、Ｓｉｌｋ（The Dow Chemical Co. の商標であり、塗布型低誘電率層間絶縁膜材料）、Ｆｌａｒｅ（Honeywell Electronic Materials Co. の商標であり、ポリアリルエーテル（ＰＡＥ）系材料）を例示することもできる。そして、これらを、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。場合によっては、層間絶縁層や絶縁層、絶縁膜は、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。発光素子からの光が層間絶縁層を通過するような構成、構造の下面発光型にあっては、層間絶縁層は、発光素子からの光に対して透明な材料から構成する必要があるし、発光素子駆動部は発光素子からの光を遮らないように形成する必要がある。下面発光型にあっては、第１電極の上方に発光素子駆動部を設けることも可能である。
　有機層の上方には、有機層への水分の到達防止を目的として、絶縁性あるいは導電性の保護膜を設けることが好ましい。保護膜は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは又、ＣＶＤ法やＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、下地に対して及ぼす影響を小さくすることができるので好ましい。あるいは又、有機層の劣化による輝度の低下を防止するために、成膜温度を常温に設定し、更には、保護膜の剥がれを防止するために保護膜のストレスが最小になる条件で保護膜を成膜することが望ましい。また、保護膜の形成は、既に形成されている電極を大気に暴露することなく形成することが好ましく、これによって、大気中の水分や酸素による有機層の劣化を防止することができる。更には、上面発光型である場合、保護膜は、有機層で発生した光を例えば８０％以上、透過する材料から構成することが望ましく、具体的には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えば、以下に示す材料を例示することができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを生成しないため、透水性が低く、良好な保護膜を構成する。具体的には、保護膜を構成する材料として、発光層で発光した光に対して透明であり、緻密で、水分を透過させない材料を用いることが好ましく、より具体的には、例えば、アモルファスシリコン（α－Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α－ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α－Ｓｉ1-xＮx）、アモルファス酸化シリコン（α－Ｓｉ1-yＯy）、アモルファスカーボン（α－Ｃ）、アモルファス酸化・窒化シリコン（α－ＳｉＯＮ）、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2を挙げることができる。保護膜の厚さとして、１μｍ乃至８μｍを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。尚、保護膜を導電材料から構成する場合、保護膜を、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料から構成すればよい。
　第１基板と第２基板とは、接着層（封止層）によって接着（封止）することができる。接着層（封止層）を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。尚、下面発光型の有機ＥＬ表示装置にあっても、第２電極の上方に第２基板を配し、第１電極と第２基板の間には、第１電極側から、上述した保護膜及び接着層が形成されている形態とすることができる。
　本開示の発光素子ユニット等から表示装置を構成する場合、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置と略称する）を挙げることができ、有機ＥＬ表示装置をカラー表示の有機ＥＬ表示装置としたとき、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子のそれぞれによって、上述したとおり、副画素が構成される。ここで、１画素は、例えば、赤色光を発光する赤色発光副画素、緑色光を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。従って、この場合、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の数をＮ×Ｍ個とした場合、画素数は（Ｎ×Ｍ）／３である。表示装置の光を出射する最外面（具体的には、第２基板の外面）には、紫外線吸収層、汚染防止層、ハードコート層、帯電防止層を形成してもよいし、保護部材（例えば、カバーガラス）を配してもよい。有機ＥＬ表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータを構成するモニタ装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal Digital Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニタ装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダ（Electronic View Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display，ＨＭＤ）に適用することができる。あるいは又、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰにおける画像表示装置を構成することができる。また、本開示の発光素子ユニット等から照明装置を構成することもでき、照明装置として、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む各種照明装置を挙げることができる。頭部装着型ディスプレイは、例えば、
　（イ）観察者の頭部に装着されるフレーム、及び、
　（ロ）フレームに取り付けられた画像表示装置、
を備えており、
　画像表示装置は、
　（Ａ）本開示における表示装置、及び、
　（Ｂ）本開示における表示装置から出射された光が入射され、出射される光学装置、
を備えており、
　光学装置は、
　（Ｂ－１）本開示における表示装置から入射された光が内部を全反射により伝播した後、観察者に向けて出射される導光板、
　（Ｂ－２）導光板に入射された光が導光板の内部で全反射されるように、導光板に入射された光を偏向させる第１偏向手段（例えば、体積ホログラム回折格子膜から成る）、及び、
　（Ｂ－３）導光板の内部を全反射により伝播した光を導光板から出射させるために、導光板の内部を全反射により伝播した光を複数回に亙り偏向させる第２偏向手段（例えば、体積ホログラム回折格子膜から成る）、
から成る。
　実施例１は、本開示の第１の態様及び第４の態様に係る発光素子ユニットに関する。実施例１の発光素子ユニットの概念図を図１Ｂに示し、実施例１の発光素子ユニットの模式的な一部断面図を図８に示し、実施例１の発光素子ユニットにおける第１電極等の模式的な平面図を図１０Ａに示す。
　実施例１の発光素子ユニットは、本開示の第１の態様に係る発光素子ユニットに則って説明すると、
　３つの発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）から構成されており、
　第１発光素子１０ａは、第１ａ電極２１ａ、第１発光層を含む第１有機層２３ａ、第２ａ電極２２ａ、第２発光層を含む第２有機層２３ｂ、及び、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが積層されて成り、
　第２発光素子１０ｂは、第１有機層２３ａ、第１ｂ電極２１ｂ、第２有機層２３ｂ、第２ｂ電極２２ｂ、及び、第３有機層２３ｃが積層されて成り、
　第３発光素子１０ｃは、第１有機層２３ａ、第２有機層２３ｂ、第１ｃ電極２１ｃ、第３有機層２３ｃ、及び、第２ｃ電極２２ｃが積層されて成る。
　また、実施例１の発光素子ユニットは、本開示の第４の態様に係る発光素子ユニットに則って説明すると、
　複数の発光層を含む有機層２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ）が積層された積層構造を有する発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）の複数から構成されており、
　各発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）は、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）、複数の有機層２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ）の内のいずれか１層の有機層、及び、第２電極２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）から構成されており、
　各発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）を構成する第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）は、発光素子の間で重なり合っていない。即ち、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）の正射影像（第１基板への正射影像）は互いに重なり合っていない。
　尚、実施例１あるいは後述する実施例３の発光素子ユニットにおいて、具体的には、第１発光素子１０ａは赤色発光素子（赤色有機ＥＬ発光素子）から構成され、第２発光素子１０ｂは緑色発光素子（緑色有機ＥＬ発光素子）から構成され、第３発光素子１０ｃは青色発光素子（青色有機ＥＬ発光素子）から構成されている。
　そして、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例３における有機ＥＬ表示装置は、このような発光素子ユニットが２次元マトリクス状に配列されて成る。第１基板４１の上方に、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）、有機層２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ）及び第２電極２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）が、この順に積層されている。発光層からの光は、第２基板４２を経由して外部に出射される。即ち、実施例１の表示装置は、上面発光型の表示装置である。
　実施例１あるいは後述する実施例２～実施例３における有機ＥＬ表示装置は、例えば、電子ビューファインダ（ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（ＨＭＤ）に適用される、高精細表示装置である。あるいは又、例えば、テレビジョン受像機といった大型の有機ＥＬ表示装置である。画素数は、例えば１９２０×１０８０であり、１つの発光素子１０は１つの副画素を構成し、発光素子（具体的には有機ＥＬ素子）１０は画素数の３倍である。発光素子ユニットの数は画素数と等しい。
　実施例１あるいは後述する実施例２～実施例３においては、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）をアノード電極として用い、第２電極２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）をカソード電極として用いる。第１電極２１は、光反射材料、具体的には、Ａｌ－Ｎｄ合金から成る。第２電極２２は、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有し、具体的には、透明導電層はＩＺＯから成り、半透過導電層はマグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）の合金から成る。半透過導電層を積層構造としてもよく、この場合、上層（第２基板側に位置する層）をマグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）の合金から構成し、下層（第１基板側に位置する層）をカルシウム（Ｃａ）から構成することができる。尚、第２電極２２を図面では１層で表す。第１電極２１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき形成されている。また、第２電極２２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されており、パターニングはされていないが（図１Ｂの概念図を参照）、場合によっては、概念図を図１Ａに示すように、一部がパターニングされていてもよい。
　実施例１あるいは後述する実施例２～実施例３において、第１発光素子１０ａを駆動するための有機ＥＬ素子駆動部はＴＦＴから構成されており、このＴＦＴは、ゲート電極５１ａ、ゲート絶縁膜５２、シリコン層（半導体層）５３、シリコン層５３に設けられたチャネル形成領域５４ａ及びソース／ドレイン領域５５ａから成る。ソース／ドレイン領域５５ａの間であって、ゲート電極５１ａの上方に位置するシリコン層５３の部分が、チャネル形成領域５４ａに相当する。第２発光素子１０ｂを駆動するための有機ＥＬ素子駆動部もＴＦＴから構成されており、このＴＦＴは、ゲート電極５１ｂ、ゲート絶縁膜５２、シリコン層５３、シリコン層５３に設けられたチャネル形成領域５４ｂ及びソース／ドレイン領域５５ｂから成る。ソース／ドレイン領域５５ｂの間であって、ゲート電極５１ｂの上方に位置するシリコン層５３の部分が、チャネル形成領域５４ｂに相当する。第３発光素子１０ｃを駆動するための有機ＥＬ素子駆動部もＴＦＴから構成されており、このＴＦＴは、ゲート電極５１ｃ、ゲート絶縁膜５２、シリコン層５３、シリコン層５３に設けられたチャネル形成領域５４ｃ及びソース／ドレイン領域５５ｃから成る。ソース／ドレイン領域５５ｃの間であって、ゲート電極５１ｃの上方に位置するシリコン層５３の部分が、チャネル形成領域５４ｃに相当する。
　尚、図示した例にあっては、ＴＦＴをボトムゲート型としたが、トップゲート型であってもよい。ＴＦＴのゲート電極は、走査回路（図示せず）に接続されている。図面においては、１つの有機ＥＬ素子駆動部につき、１つのＴＦＴを図示した。有機ＥＬ素子駆動部は絶縁層４３によって覆われている。
　第１発光素子１０ａを構成する第１ａ電極２１ａは、絶縁層４３の上に設けられた層間絶縁層３１の上に形成されており、第１発光素子１０ａを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ａと、絶縁層４３に形成されたコンタクトホール部５６ａを介して接続されている。第１ａ電極２１ａを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３２が形成されており、開口部の底部に露出した第１ａ電極２１ａ上から層間絶縁層３２上に亙り、第１発光層を含む第１有機層２３ａが形成されている。更には、第１有機層２３ａの上に、第２ａ電極２２ａが形成されている。第１有機層２３ａ及び第２ａ電極２２ａは、パターニングされていない、所謂ベタ膜である。尚、第２ａ電極２２ａの上方には、第２発光層を含む第２有機層２３ｂ、及び、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが積層されている。また、第２ａ電極２２ａの上には、層間絶縁層３３が形成されている。
　第２発光素子１０ｂを構成する第１ｂ電極２１ｂは、層間絶縁層３３の上に設けられた層間絶縁層３４の上に形成されており、第２発光素子１０ｂを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ｂと、絶縁層４３、層間絶縁層３１，３２，３３に形成されたコンタクトホール部５６ｂ，５７ｂを介して接続されている。コンタクトホール部５７ｂ，５７ｃと第２ａ電極２２ａとが短絡しないように絶縁膜５９Ａがコンタクトホール部５７ｂ，５７ｃの内面の一部に形成されている。第１ｂ電極２１ｂを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３５が形成されており、開口部の底部に露出した第１ｂ電極２１ｂ上から層間絶縁層３５上に亙り、第２発光層を含む第２有機層２３ｂが形成されている。更には、第２有機層２３ｂの上に、第２ｂ電極２２ｂが形成されている。第２有機層２３ｂ及び第２ｂ電極２２ｂは、パターニングされていない、所謂ベタ膜である。尚、第２ｂ電極２２ｂの上方には、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが積層されている。また、第１ｂ電極２１ｂの下方には、第１発光層を含む第１有機層２３ａが位置している。第２ｂ電極２２ｂの上には、層間絶縁層３６が形成されている。
　第３発光素子１０ｃを構成する第１ｃ電極２１ｃは、層間絶縁層３６の上に設けられた層間絶縁層３７の上に形成されており、第３発光素子１０ｃを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ｃと、絶縁層４３、層間絶縁層３１，３２，３３，３４，３５，３６に形成されたコンタクトホール部５６ｃ，５７ｃ，５８ｃを介して接続されている。コンタクトホール部５８ｃと第２ｂ電極２２ｂとが短絡しないように絶縁膜５９Ｂがコンタクトホール部５８ｃの内面の一部に形成されている。第１ｃ電極２１ｃを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３８が形成されており、開口部の底部に露出した第１ｃ電極２１ｃ上から層間絶縁層３８上に亙り、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが形成されている。更には、第３有機層２３ｃの上に、第２ｃ電極２２ｃが形成されている。第３有機層２３ｃ及び第２ｃ電極２２ｃは、パターニングされていない、所謂ベタ膜である。第１ｃ電極２１ｃの下方には、第２発光層を含む第２有機層２３ｂ及び第１発光層を含む第１有機層２３ａが位置している。
　実施例１の発光素子ユニットにおいて、限定するものではないが、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃは、例えば、図示しない有機ＥＬ表示装置の外周領域で接続されており、同じ電位が与えられる。
　そして、実施例１あるいは実施例３の発光素子ユニットにあっては、
　第１発光素子１０ａにおいて、第１ａ電極２１ａと第１有機層２３ａとの界面又は第１光反射層２５ａによって構成された第１ａ界面と、第２ａ電極２２ａと第１有機層２３ａとの界面によって構成された第２ａ界面との間で、第１発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ａ電極２２ａから出射させ、
　第２発光素子１０ｂにおいて、第１ｂ電極２１ｂと第２有機層２３ｂとの界面又は第２光反射層２５ｂによって構成された第１ｂ界面と、第２ｂ電極２２ｂと第２有機層２３ｂとの界面によって構成された第２ｂ界面との間で、第２発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｂ電極２２ｂから出射させ、
　第３発光素子１０ｃにおいて、第１ｃ電極２１ｃと第３有機層２３ｃとの界面又は第３光反射層２５ｃによって構成された第１ｃ界面と、第２ｃ電極２２ｃと第３有機層２３ｃとの界面によって構成された第２ｃ界面との間で、第３発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｃ電極２２ｃから出射させる。尚、後述する実施例２にあっては、第３発光素子１０ｃにおいて、第１ｃ電極２１ｃと第３有機層２３ｃとの界面又は第３光反射層２５ｃによって構成された第１ｃ界面と、第２ｃ電極２２ｃと第３有機層２３ｃとの界面によって構成された第２ｃ界面との間で、第３発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｃ電極２２ｃから出射させる。即ち、各発光素子は共振器構造を有する。図１Ａ、図１Ｂ、後述する図２Ｂ、図３Ａ、図４Ｃ、図５Ａ、図７において、共振器構造を白抜きの矢印で示す。
　具体的には、
　第１発光層の最大発光位置から第１ａ界面までの距離をＬ1A、光学距離をＯＬ1A、第１発光層の最大発光位置から第２ａ界面までの距離をＬ2A、光学距離をＯＬ2Aとし、ｍ1A及びｍ2Aを整数としたとき、以下の式（Ａ－１）、式（Ａ－２）、式（Ａ－３）及び式（Ａ－４）を満たしており、
　第２発光層の最大発光位置から第１ｂ界面までの距離をＬ1B、光学距離をＯＬ1B、第２発光層の最大発光位置から第２ｂ界面までの距離をＬ2B、光学距離をＯＬ2Bとし、ｍ1B及びｍ2Bを整数としたとき、以下の式（Ｂ－１）、式（Ｂ－２）、式（Ｂ－３）及び式（Ｂ－４）を満たしており、
　第３発光層の最大発光位置から第１ｃ界面までの距離をＬ1C、光学距離をＯＬ1C、第３発光層の最大発光位置から第２ｃ界面までの距離をＬ2C、光学距離をＯＬ2Cとし、ｍ1C及びｍ2Cを整数としたとき、以下の式（Ｃ－１）、式（Ｃ－２）、式（Ｃ－３）及び式（Ｃ－４）を満たしている。
０．７｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝≦２×ＯＬ1A／λA≦１．２｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝　　　　　 （Ａ－１）
０．７｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝≦２×ＯＬ2A／λA≦１．２｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝　　　　　 （Ａ－２）
Ｌ1A＜Ｌ2A　　（Ａ－３）
ｍ1A＜ｍ2A　　（Ａ－４）
０．７｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝≦２×ＯＬ1B／λB≦１．２｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝　　　　　 （Ｂ－１）
０．７｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝≦２×ＯＬ2B／λB≦１．２｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝　　　　　 （Ｂ－２）
Ｌ1B＜Ｌ2B　　（Ｂ－３）
ｍ1B＜ｍ2B　　（Ｂ－４）
０．７｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝≦２×ＯＬ1C／λC≦１．２｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝　　　　　 （Ｃ－１）
０．７｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝≦２×ＯＬ2C／λC≦１．２｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝　　　　　 （Ｃ－２）
Ｌ1C＜Ｌ2C　　（Ｃ－３）
ｍ1C＜ｍ2C　　（Ｃ－４）
ここで、
λA ：第１発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第１発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1A：第１ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ1A≦０
Φ2A：第２ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ2A≦０
λB ：第２発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第２発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1B：第１ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ1B≦０
Φ2B：第２ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ2B≦０
λC ：第３発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第３発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1C：第１ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ1C≦０
Φ2C：第２ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ2C≦０
である。
　そして、この場合、限定するものではないが、ｍ1A＝０，ｍ2A＝１，ｍ1B＝０，ｍ2B＝１，ｍ1C＝０，ｍ2C＝１である。
　尚、図１Ａ、図１Ｂ、図５Ａ（実施例３）に示す例では、第１ａ界面を第１ａ電極２１ａと第１有機層２３ａとの界面から構成し、第２ａ界面を第１ｂ電極２１ｂと第２有機層２３ｂとの界面から構成し、第３ａ界面を第１ｃ電極２１ｃと第３有機層２３ｃとの界面から構成したが、代替的に、図２Ｂ［実施例１の変形例（２）］、図７［実施例３の変形例（４）］に示すように、第１ａ電極２１ａの下方の層間絶縁層３１に第１光反射層２５ａを形成し、第１ｂ電極２１ｂの下方の層間絶縁層３４に第２光反射層２５ｂを形成し、第１ｃ電極２１ｃの下方の層間絶縁層３７に第３光反射層２５ｃを形成し、第１ａ界面を第１光反射層２５ａから構成し、第２ａ界面を第２光反射層２５ｂから構成し、第３ａ界面を第３光反射層２５ｃから構成してもよい。また、図４Ｃ（実施例２の変形例（４））に示すように、第１ｃ電極２１ｃの下方の層間絶縁層３７に第３光反射層２５ｃを形成し、第１ａ界面を第１光反射層２５ａから構成し、第２ａ界面を第２光反射層２５ｂから構成し、第３ａ界面を第３光反射層２５ｃから構成してもよい。第１光反射層２５ａ、２光反射層２５ｂ、第３光反射層２５ｃは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）層から構成することができるし、第１ａ電極２１ａ、第１ｂ電極２１ｂ、第１ｃ電極２１ｃは、透明導電材料から構成すればよい。
　実施例１あるいは後述する実施例２～実施例３において、第１基板４１はシリコン基板、無アルカリガラスあるいは石英ガラスから構成されており、第２基板４２は、無アルカリガラスあるいは石英ガラスから構成されている。第２ｃ電極２２ｃの上には、ＳｉＮから成る保護膜４４が形成されており、第１基板４１と第２基板４２とは、図示しない接着層（封止層）によって接着されている（貼り合わされている）。第１発光素子１０ａと第２発光素子１０ｂとの間に対応する第２基板４２の領域、第１発光素子１０ａと第３発光素子１０ｃとの間に対応する第２基板４２の領域、第２発光素子１０ｂと第３発光素子１０ｃとの間に対応する第２基板４２の領域に、ブラックマトリクス層ＢＭを形成してもよい。
　以下、第１基板等の模式的な一部端面図である、図１９Ａ、図１９Ｂ、図２０Ａ、図２０Ｂ、図２１、図２２、図２３、図２４、図２５及び図２６を参照して、実施例１の発光素子ユニット、有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する。
　　［工程－１００］
　先ず、第１基板４１を準備し、第１基板４１上に、周知の方法で、第１発光素子１０ａ、第２発光素子１０ｂ及び第３発光素子１０ｃを駆動するためのＴＦＴを含む有機ＥＬ素子駆動部を設け、次いで、全面に絶縁層４３を周知の方法で形成する。
　　［工程－１１０］
　その後、第１発光素子１０ａを形成する。
　　［工程－１１０Ａ］
　具体的には、レーザエッチング法によって、絶縁層４３に孔部を形成し、孔部の底部に一方のソース／ドレイン領域５５ａ，５５ｂ，５５ｃを露出させる。そして、孔部内を含む絶縁層４３の上に導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、コンタクトホール部５６ａ，５６ｂ，５６ｃを形成する。次いで、全面に層間絶縁層３１を周知の方法で形成し、コンタクトホール部５６ａの上方の層間絶縁層３１に、コンタクトホール部５６ａが露出した凹部を形成する（図１９Ａ参照）。
　　［工程－１１０ｃ］
　次いで、凹部を含む層間絶縁層３１の上に、第１ａ電極２１ａを形成するための導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、第１ａ電極２１ａを形成する。第１ａ電極２１ａと一方のソース／ドレイン領域５５ａは、コンタクトホール部５６ａによって電気的に接続されている。
　　［工程－１１０Ｃ］
　次に、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）から成る層間絶縁層３２をスパッタリング法やＣＶＤ法に基づき形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチング技術に基づき層間絶縁層３２に開口部を形成する。開口部の底部に第１ａ電極２１ａが露出している。
　　［工程－１１０Ｄ］
　その後、第１ａ電極２１ａから層間絶縁層３２の上に亙り、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、電子輸送層、電子注入層を、この順に、例えば、蒸着法によって形成し、第１有機層２３ａを得ることができる。
　　［工程－１１０Ｅ］
　次いで、全面に、第２ａ電極２２ａを、例えば、蒸着法によって形成する（図１９Ｂ参照）。そして、次に述べるコンタクトホール部５７ｂ，５７ｃと第２ａ電極２２ａとの間の短絡発生を防止するために、絶縁膜５９Ａを形成した後（図２０Ａ参照）、ＳｉＮから成る層間絶縁層３３を例えばＣＶＤ法によって全面に形成する。
　　［工程－１１０］
　次に、第２発光素子１０ｂを形成する。
　　［工程－１２０Ａ］
　具体的には、レーザエッチング法によって、層間絶縁層３３、絶縁膜５９Ａ、層間絶縁層３２，３１に孔部を形成し、孔部の底部にコンタクトホール部５６ｂ，５６ｃを露出させる。そして、孔部内を含む層間絶縁層３３の上に導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、コンタクトホール部５７ｂ，５７ｃを形成する（図２０Ｂ参照）。
　　［工程－１２０Ｂ］
　次いで、全面に層間絶縁層３４を周知の方法で形成し、コンタクトホール部５７ｂの上方の層間絶縁層３４に、コンタクトホール部５７ｂが露出した凹部を形成する。そして、凹部を含む層間絶縁層３４の上に、第１ｂ電極２１ｂを形成するための導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、第１ｂ電極２１ｂを形成する（図２１参照）。第１ｂ電極２１ｂと一方のソース／ドレイン領域５５ｂは、コンタクトホール部５７ｂ，５６ｂによって電気的に接続されている。
　　［工程－１２０Ｃ］
　次に、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）から成る層間絶縁層３５をスパッタリング法やＣＶＤ法に基づき形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチング技術に基づき層間絶縁層３５に開口部を形成する。開口部の底部に第１ｂ電極２１ｂが露出している。
　　［工程－１２０Ｄ］
　その後、第１ｂ電極２１ｂから層間絶縁層３５の上に亙り、ホール注入層、ホール輸送層、緑色発光層、電子輸送層、電子注入層を、この順に、例えば、蒸着法によって形成し、第２有機層２３ｂを得ることができる。
　　［工程－１２０Ｅ］
　次いで、全面に、第２ｂ電極２２ｂを、例えば、蒸着法によって形成する（図２２参照）。そして、次に述べるコンタクトホール部５８ｃと第２ｂ電極２２ｂとの間の短絡発生を防止するために、絶縁膜５９Ｂを形成する（図２３参照）。次に、ＳｉＮから成る層間絶縁層３６を例えばＣＶＤ法によって全面に形成する（図２４参照）。
　　［工程－１３０］
　次に、第３発光素子１０ｃを形成する。
　　［工程－１３０Ａ］
　具体的には、レーザエッチング法によって、層間絶縁層３６、絶縁膜５９Ｂ、層間絶縁層３５，３４に孔部を形成し、孔部の底部にコンタクトホール部５７ｃを露出させる。そして、孔部内を含む層間絶縁層３６の上に導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、コンタクトホール部５８ｃを形成する。
　　［工程－１３０Ｂ］
　次いで、全面に層間絶縁層３７を周知の方法で形成し、コンタクトホール部５８ｃの上方の層間絶縁層３７に、コンタクトホール部５８ｃが露出した凹部を形成する。そして、凹部を含む層間絶縁層３７の上に、第１ｃ電極２１ｃを形成するための導電材料膜を形成し、導電材料膜をパターニングすることで、第１ｃ電極２１ｃを形成する（図２５参照）。第１ｃ電極２１ｃと一方のソース／ドレイン領域５５ｃは、コンタクトホール部５８ｃ，５７ｃ，５６ｃによって電気的に接続されている。
　　［工程－１３０Ｃ］
　次に、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）から成る層間絶縁層３８をスパッタリング法やＣＶＤ法に基づき形成し、フォトリソグラフィ法及びエッチング技術に基づき層間絶縁層３８に開口部を形成する。開口部の底部に第１ｃ電極２１ｃが露出している。
　　［工程－１３０Ｄ］
　その後、第１ｃ電極２１ｃから層間絶縁層３７の上に亙り、をホール注入層、ホール輸送層、青色発光層、電子輸送層、電子注入層を、この順に、例えば、蒸着法によって形成し、第３有機層２３ｃを得ることができる。
　　［工程－１３０Ｅ］
　次いで、全面に、第２ｃ電極２２ｃを、例えば、蒸着法によって形成する（図２６参照）。
　　［工程－１４０］
　その後、全面にＳｉＮから成る保護膜４４を形成し、次いで、第１基板４１と第２基板４２とを、図示しない接着層（封止層）によって接着する（貼り合わせる）。以上により、有機ＥＬ表示装置を完成することができる。
　以上に説明した実施例１の発光素子ユニットにおいて、各発光素子は、第１有機層、第２有機層及び第３有機層が積層されて成るので、即ち、有機層を蒸着用マスクを用いること無く蒸着することが可能であるため、ＲＧＢ塗り分け構造のようなマスク位置合わせが不要であり、微細な画素ピッチを有する有機ＥＬ表示装置といったマイクロディスプレイや、蒸着用マスクが適用し難い大型の有機ＥＬ表示装置といった大型ディスプレイ等、各種表示装置の製造を容易とする。しかも、第１発光素子は、第１ａ電極、第１有機層及び第２ａ電極から成る第１発光部を有し、第２発光素子は、第１ｂ電極、第２有機層及び第２ｂ電極から成る第２発光部を有し、第３発光素子は、第１ｃ電極、第３有機層及び第２ｃ電極から成る第３発光部を有し、各発光部のそれぞれにおいてマイクロキャビティ（共振器構造）の最適化を図ることができるので、あるいは又、各発光素子は、各発光素子を構成する第１電極が発光素子の間で重なり合っていない第１電極、有機層及び第２電極の発光部を有するので、各発光部のそれぞれにおいてマイクロキャビティ（共振器構造）の最適化を図ることができるので、光取り出し効率の向上を図ることができ、しかも、高い発光効率、色純度を達成することができる。
　実施例１の発光素子ユニットの変形例（１）の概念図を図２Ａに示し、模式的な一部断面図を図９に示すように、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃを、共通の第２電極２２から構成することもできる。尚、第２ａ電極２２ａと第２ｂ電極２２ｂとを結ぶ第２電極２２の部分、及び、第２ｂ電極２２ｂと第２ｃ電極２２ｃとを結ぶ第２電極２２の部分を構成する材料は、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃを構成する材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
　上述した実施例１にあっては、図１０Ａに示すように、第１ａ電極２１ａ、第１ｂ電極２１ｂ、第１ｃ電極２１ｃに隣接して、コンタクトホール部５６ａ，５７ｂ，５８ｃを形成した。但し、コンタクトホール部の形成はこれに限定するものではなく、例えば、図１０Ｂに示すように、第１ａ電極２１ａ、第１ｂ電極２１ｂ、第１ｃ電極２１ｃの下にコンタクトホール部５６ａ，５７ｂ，５８ｃを形成してもよい。また、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ、第２ｃ電極２２ｃを、図示しない有機ＥＬ表示装置の外周領域で接続する代わりに、図１０Ｃに示すように、コンタクトホール部６６，６７，６８を介して有機ＥＬ素子駆動部に個別に接続してもよいし、図１０Ｄに示すように、コンタクトホール部６９を介して、発光素子ユニット毎に、有機ＥＬ素子駆動部に接続してもよい。以下に説明する実施例２～実施例３においても同様とすることができる。
　実施例２は、本開示の第２の態様及び第４の態様に係る発光素子ユニットに関する。実施例２の発光素子ユニットの概念図を図３Ａに示し、実施例２の発光素子ユニットの模式的な一部断面図を図１１に示す。
　実施例２の発光素子ユニットは、３つの発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）から構成されており、
　第１発光素子１０ａ及び第２発光素子１０ｂは並置されており、第１発光素子１０ａは、第１ａ電極２１ａ、第１発光層を含む第１有機層２３ｄ及び第２ａ電極２２ａから成り、第２発光素子１０ｂは、第１ｂ電極２１ｂ、第１有機層２３ｄ及び第２ｂ電極２２ｂから成り、
　第３発光素子１０ｃは、第１有機層２３ｄ、第１ｃ電極２１ｃ、第３発光層を含む第３有機層２３ｃ、及び、第２ｃ電極２２ｃが積層されて成り、
　第１発光素子１０ａの光出射側には第１カラーフィルタ２４ａが配設されており、
　第２発光素子１０ｂの光出射側には第２カラーフィルタ２４ｂが配設されている。
　ここで、第２ａ電極２２ａと第２ｂ電極２２ｂとは共通であり、以下、『共通第２電極２２ｄ』と表現する場合がある。
　また、実施例２の発光素子ユニットは、本開示の第４の態様に係る発光素子ユニットに則って説明すると、
　複数の発光層を含む有機層２３（２３ｄ，２３ｄ，２３ｃ）が積層された積層構造を有する発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）の複数から構成されており、
　各発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）は、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）、複数の有機層２３（２３ｄ，２３ｄ，２３ｃ）の内のいずれか１層の有機層、及び、第２電極２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）から構成されており、
　各発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）を構成する第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃは、発光素子の間で重なり合っていない。即ち、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）の正射影像（第１基板４１への正射影像）は互いに重なり合っていない。
　実施例２の発光素子ユニットにおいて、第１発光素子１０ａ及び第２発光素子１０ｂを黄色発光素子（黄色有機ＥＬ発光素子）から構成することができるし、あるいは又、橙色発光素子（橙色有機ＥＬ発光素子）から構成することができる。即ち、有機層２３ｄは黄色光あるいは橙色光を出射する。そして、この場合、第１カラーフィルタ２４ａは赤色を選択的に通過させるフィルタとすればよいし、第２カラーフィルタ２４ｂは緑色を選択的に通過させるフィルタとすればよい。また、第３発光素子１０ｃは青色発光素子（青色有機ＥＬ発光素子）から構成すればよいし、有機層２３ｃは青色光を出射する。カラーフィルタとカラーフィルタとの間に、ブラックマトリクス層ＢＭを備えていてもよい。
　第１発光素子１０ａを構成する第１ａ電極２１ａは、絶縁層４３の上に設けられた層間絶縁層３１の上に形成されており、第１発光素子１０ａを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ａと、絶縁層４３に形成されたコンタクトホール部５６ａを介して接続されている。第２発光素子１０ｂを構成する第１ａ電極２１ａも、絶縁層４３の上に設けられた層間絶縁層３１の上に形成されており、第２発光素子１０ｂを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ｂと、絶縁層４３に形成されたコンタクトホール部５６ｂを介して接続されている。第１ａ電極２１ａ及び第１ｂ電極２１ｂを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３２が形成されており、開口部の底部に露出した第１ａ電極２１ａ及び第１ｂ電極２１ｂの上から層間絶縁層３２上に亙り、第１発光層を含む第１有機層２３ｄが形成されている。更には、第１有機層２３ｄの上に、共通第２電極２２ｄが形成されている。第１有機層２３ｄ及び共通第２電極２２ｄは、パターニングされていない、所謂ベタ膜である。尚、第１発光素子１０ａの領域及び第２発光素子１０ｂの領域以外の領域に位置する共通第２電極２２ｄの上方に、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが積層されている。また、共通第２電極２２ｄの上には、層間絶縁層３３が形成されている。
　第３発光素子１０ｃを構成する第１ｃ電極２１ｃは、層間絶縁層３３の上に設けられた層間絶縁層３４の上に形成されており、第３発光素子１０ｃを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ｃと、絶縁層４３、層間絶縁層３１，３２，３３，３４に形成されたコンタクトホール部５６ｃ，５７ｃを介して接続されている。コンタクトホール部５７ｃと共通第２電極２２ｄとが短絡しないように絶縁膜５９Ａがコンタクトホール部５７ｃの内面の一部に形成されている。第１ｃ電極２１ｃを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３５が形成されており、開口部の底部に露出した第１ｃ電極２１ｃ上から層間絶縁層３５上に亙り、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが形成されている。更には、第３有機層２３ｃの上に、第２ｃ電極２２ｃが形成されている。第３有機層２３ｃ及び第２ｃ電極２２ｃは、パターニングされている。
　実施例２の発光素子ユニットにおいても、限定するものではないが、共通第２電極２２ｄ及び第２ｃ電極２２ｃは、例えば、図示しない有機ＥＬ表示装置の外周領域で接続されており、同じ電位が与えられる。
　実施例２の発光素子ユニット、有機ＥＬ表示装置は、実施例１において説明した発光素子ユニット、有機ＥＬ表示装置の製造方法と、実質的に同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　以上に説明した実施例２の発光素子ユニットにおいて、第１発光素子及び第２発光素子は第１有機層から成り、第３発光素子は第１有機層及び第３有機層が積層されて成るので、即ち、有機層を蒸着用マスクを用いること無く蒸着することが可能であるため、ＲＧＢ塗り分け構造のようなマスク位置合わせが不要であり、微細な画素ピッチを有する有機ＥＬ表示装置といったマイクロディスプレイや、蒸着用マスクが適用し難い大型の有機ＥＬ表示装置といった大型ディスプレイ等、各種表示装置の製造を容易とする。しかも、第１発光素子と第２発光素子とは第１有機層を共有しているので、第１発光素子及び第２発光素子の構造の簡素化を図ることができ、製造が容易である。また、第３発光素子は、第１ｃ電極、第３有機層及び第２ｃ電極から成る第３発光部を有し、第３発光部においてマイクロキャビティ（共振器構造）の最適化を図ることができるので、光取り出し効率の向上を図ることができ、しかも、高い発光効率、色純度を達成することができる。尚、カラーフィルタは２種類でよいので、発光効率の低下をより少なくすることができる。
　尚、実施例２の発光素子ユニットの変形例（１）の概念図を図３Ｂに示し、模式的な一部断面図を図１２に示すように、第１発光素子１０ａの領域及び第２発光素子１０ｂの領域に位置する共通第２電極２２ｄの上方に、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが積層されていてもよい。
　また、実施例２の発光素子ユニットの変形例（２）の概念図を図４Ａに示し、模式的な一部断面図を図１３に示すように、第２ａ電極２２ａ及び第２ｂ電極２２ｂには、同じ電位が与えられる形態とすることができるし、更には、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃには、同じ電位が与えられる形態とすることができる。具体的には、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃを、共通の第２電極２２から構成することもできる。尚、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂと第２ｃ電極２２ｃとを結ぶ第２電極２２の部分を構成する材料は、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃを構成する材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
　更には、実施例２の発光素子ユニットの変形例（１）及び変形例（２）の変形例である変形例（３）の概念図を図４Ｂに示し、模式的な一部断面図を図１４に示すように、第１発光素子１０ａの領域及び第２発光素子１０ｂの領域に位置する第２ａ電極２２ａ及び第２ｂ電極２２ｂの上方に、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが積層されていてもよい。
　実施例３は、本開示の第３の態様及び第４の態様に係る発光素子ユニットに関する。実施例３の発光素子ユニットの概念図を図５Ａに示し、実施例３の発光素子ユニットの模式的な一部断面図を図１５に示す。
　実施例３の発光素子ユニットは、３つの発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）から構成されており、
　第１発光素子１０ａは、第１ａ電極２１ａ、第１発光層を含む第１有機層２３ａ、及び、第２ａ電極２２ａが積層されて成り、
　第２発光素子１０ｂは、第１有機層２３ａ、第１ｂ電極２１ｂ、第２発光層を含む第２有機層２３ｂ、及び、第２ｂ電極２２ｂが積層されて成り、
　第３発光素子１０ｃは、第１有機層２３ａ、第２有機層２３ｂ、第１ｃ電極２１ｃ、第３発光層を含む第３有機層２３ｃ、及び、第２ｃ電極２２ｃが積層されて成る。
　また、実施例３の発光素子ユニットは、本開示の第４の態様に係る発光素子ユニットに則って説明すると、
　複数の発光層を含む有機層２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ）が積層された積層構造を有する発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）の複数から構成されており、
　各発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）は、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）、複数の有機層２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ）の内のいずれか１層の有機層、及び、第２電極２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）から構成されており、
　各発光素子１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）を構成する第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）は、発光素子の間で重なり合っていない。即ち、第１電極２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）の正射影像（第１基板４１への正射影像）は互いに重なり合っていない。
　第１発光素子１０ａを構成する第１ａ電極２１ａは、絶縁層４３の上に設けられた層間絶縁層３１の上に形成されており、第１発光素子１０ａを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ａと、絶縁層４３に形成されたコンタクトホール部５６ａを介して接続されている。第１ａ電極２１ａを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３２が形成されており、開口部の底部に露出した第１ａ電極２１ａ上から層間絶縁層３２上に亙り、第１発光層を含む第１有機層２３ａが形成されている。更には、第１有機層２３ａの上に、第２ａ電極２２ａが形成されている。第１有機層２３ａ及び第２ａ電極２２ａは、パターニングされていない、所謂ベタ膜である。尚、第２ａ電極２２ａの上方には、第２発光層を含む第２有機層２３ｂ、及び、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが設けられていない。また、第２ａ電極２２ａの一部の上には、層間絶縁層３３が形成されている。
　第２発光素子１０ｂを構成する第１ｂ電極２１ｂは、層間絶縁層３３の上に設けられた層間絶縁層３４の上に形成されており、第２発光素子１０ｂを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ｂと、絶縁層４３、層間絶縁層３１，３２，３３に形成されたコンタクトホール部５６ｂ，５７ｂを介して接続されている。コンタクトホール部５７ｂ，５７ｃと第２ａ電極２２ａとが短絡しないように絶縁膜５９Ａがコンタクトホール部５７ｂ，５７ｃの内面の一部に形成されている。第１ｂ電極２１ｂを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３５が形成されており、開口部の底部に露出した第１ｂ電極２１ｂ上から層間絶縁層３５上に亙り、第２発光層を含む第２有機層２３ｂが形成されている。更には、第２有機層２３ｂの上に、第２ｂ電極２２ｂが形成されている。第２有機層２３ｂ及び第２ｂ電極２２ｂは、パターニングされている。第２ｂ電極２２ｂの上方には、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが設けられていない。また、第１ｂ電極２１ｂの下方には、第１発光層を含む第１有機層２３ａが位置している。第２ｂ電極２２ｂの一部の上には、層間絶縁層３６が形成されている。
　第３発光素子１０ｃを構成する第１ｃ電極２１ｃは、層間絶縁層３６の上に設けられた層間絶縁層３７の上に形成されており、第３発光素子１０ｃを駆動するためのＴＦＴの一方のソース／ドレイン領域５５ｃと、絶縁層４３、層間絶縁層３１，３２，３３，３４，３５，３６に形成されたコンタクトホール部５６ｃ，５７ｃ，５８ｃを介して接続されている。コンタクトホール部５８ｃと第２ｂ電極２２ｂとが短絡しないように絶縁膜５９Ｂがコンタクトホール部５８ｃの内面の一部に形成されている。第１ｃ電極２１ｃを取り囲むように開口部を有する層間絶縁層３８が形成されており、開口部の底部に露出した第１ｃ電極２１ｃ上から層間絶縁層３８上に亙り、第３発光層を含む第３有機層２３ｃが形成されている。更には、第３有機層２３ｃの上に、第２ｃ電極２２ｃが形成されている。第３有機層２３ｃ及び第２ｃ電極２２ｃは、パターニングされている。第１ｃ電極２１ｃの下方には、第２発光層を含む第２有機層２３ｂ及び第１発光層を含む第１有機層２３ａが位置している。
　実施例３の発光素子ユニットにおいても、限定するものではないが、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃは、例えば、図示しない有機ＥＬ表示装置の外周領域で接続されており、同じ電位が与えられる。
　実施例３の発光素子ユニット、有機ＥＬ表示装置は、実施例１において説明した発光素子ユニット、有機ＥＬ表示装置の製造方法と、実質的に同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　以上に説明した実施例３の発光素子ユニットにおいても、有機層を蒸着用マスクを用いること無く蒸着することが可能であるため、ＲＧＢ塗り分け構造のようなマスク位置合わせは不要であり、微細な画素ピッチを有する有機ＥＬ表示装置といったマイクロディスプレイや、蒸着用マスクが適用し難い大型の有機ＥＬ表示装置といった大型ディスプレイ等、各種表示装置の製造を容易とする。しかも、第１発光素子は、第１ａ電極、第１有機層及び第２ａ電極から成る第１発光部を有し、第２発光素子は、第１ｂ電極、第２有機層及び第２ｂ電極から成る第２発光部を有し、第３発光素子は、第１ｃ電極、第３有機層及び第２ｃ電極から成る第３発光部を有し、各発光部のそれぞれにおいてマイクロキャビティ（共振器構造）の最適化を図ることができるので、光取り出し効率の向上を図ることができ、しかも、高い発光効率、色純度を達成することができる。
　尚、実施例３の発光素子ユニットの変形例（１）の概念図を図５Ｂに示し、模式的な一部断面図を図１６に示すように、第２ａ電極２２ａの上（あるいは上方）に第２有機層２３ｂが形成されていてもよい。即ち、第１発光素子１０ａの領域の領域に位置する第２ａ電極２２ａの上方に、第２発光層を含む第２有機層２３ｂが積層されていてもよい。
　また、実施例３の発光素子ユニットの変形例（２）の概念図を図６Ａに示し、模式的な一部断面図を図１７に示すように、また、実施例３の発光素子ユニットの変形例（１）及び変形例（２）の変形例（３）の概念図を図６Ｂに示し、模式的な一部断面図を図１８に示すように、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃを、共通の第２電極２２から構成することもできる。尚、第２ａ電極２２ａと第２ｂ電極２２ｂとを結ぶ第２電極２２の部分、及び、第２ｂ電極２２ｂと第２ｃ電極２２ｃとを結ぶ第２電極２２の部分を構成する材料は、第２ａ電極２２ａ、第２ｂ電極２２ｂ及び第２ｃ電極２２ｃを構成する材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
　以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した発光素子ユニット、発光素子、有機ＥＬ表示装置の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。実施例１、実施例３においては、（第１発光素子，第２発光素子，第３発光素子）を、（赤色発光素子，緑色発光素子，青色発光素子）から構成したが、代替的に、（赤色発光素子，青色発光素子，緑色発光素子）、（緑色発光素子，赤色発光素子，青色発光素子）、（緑色発光素子，青色発光素子，赤色発光素子）、（青色発光素子，赤色発光素子，緑色発光素子）、（青色発光素子，緑色発光素子，赤色発光素子）の組合せとすることもできる。第１有機層、第２有機層及び第３有機層を、所望に応じて、例えば、帯状にパターニングしてもよい。
　或る発光素子に隣接した発光素子に、或る発光素子から出射した光が侵入し、光学的クロストークが発生することを防止するために、発光素子と発光素子との間に遮光層を設けてもよい。即ち、発光素子と発光素子との間に溝部を形成し、この溝部を遮光材料で埋め込んで遮光層を形成してもよい。このように遮光層を設ければ、或る発光素子から出射した光が隣接発光素子に侵入する割合を低減させることができ、混色が発生し、画素全体の色度が所望の色度からずれてしまうといった現象の発生を抑制することができる。そして、混色を防止することができるので、画素を単色発光させたときの色純度が増加し、色度点が深くなる。それ故、色域が広くなり、表示装置の色表現の幅が広がる。あるいは又、ブラックマトリクス層ＢＭに遮光性を付与してもよい。
　本開示における表示装置をレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラに適用することができる。デジタルスチルカメラの正面図を図２７Ａに示し、背面図を図２７Ｂに示す。このレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。そして、カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ２１４が設けられている。モニタ２１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ２１５を覗くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。このような構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、電子ビューファインダ２１５として本開示における表示装置を用いることができる。
　あるいは又、本開示における表示装置をヘッドマウントディスプレイに適用することができる。図２８に外観図を示すように、ヘッドマウントディスプレイ３００は、本体部３０１、アーム部３０２及び鏡筒３０３を有する透過式ヘッドマウントディスプレイから構成されている。本体部３０１は、アーム部３０２及び眼鏡３１０と接続されている。具体的には、本体部３０１の長辺方向の端部はアーム部３０２に取り付けられている。また、本体部３０１の側面の一方側は、接続部材（図示せず）を介して眼鏡３１０に連結されている。尚、本体部３０１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。本体部３０１は、ヘッドマウントディスプレイ３００の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部３０２は、本体部３０１と鏡筒３０３とを連結させることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を支える。具体的には、アーム部３０２は、本体部３０１の端部及び鏡筒３０３の端部と結合されることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を固定する。また、アーム部３０２は、本体部３０１から鏡筒３０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。鏡筒３０３は、本体部３０１からアーム部３０２を経由して提供される画像光を、眼鏡３１０のレンズ３１１を透して、ヘッドマウントディスプレイ３００を装着するユーザの目に向かって投射する。上記の構成のヘッドマウントディスプレイ３００において、本体部３０１に内蔵される表示部として、本開示における表示装置を用いることができる。
　尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《発光素子ユニット：第１の態様》
　３つの発光素子から構成されており、
　第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層、第２ａ電極、第２発光層を含む第２有機層、及び、第３発光層を含む第３有機層が積層されて成り、
　第２発光素子は、第１有機層、第１ｂ電極、第２有機層、第２ｂ電極、及び、第３有機層が積層されて成り、
　第３発光素子は、第１有機層、第２有機層、第１ｃ電極、第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成る発光素子ユニット。
［Ａ０２］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、共通の第２電極から構成されている［Ａ０１］に記載の発光素子ユニット。
［Ａ０３］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極には、同じ電位が与えられる［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の発光素子ユニット。
［Ａ０４］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有する［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ａ０５］透明導電層は、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）から成る［Ａ０４］に記載の発光素子ユニット。
［Ａ０６］半透過導電層は、マグネシウム及び銀の合金から成る［Ａ０４］又は［Ａ０５］に記載の発光素子ユニット。
［Ａ０７］第１発光素子において、第１ａ電極と第１有機層との界面又は第１光反射層によって構成された第１ａ界面と、第２ａ電極と第１有機層との界面によって構成された第２ａ界面との間で、第１発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ａ電極から出射させ、
　第２発光素子において、第１ｂ電極と第２有機層との界面又は第２光反射層によって構成された第１ｂ界面と、第２ｂ電極と第２有機層との界面によって構成された第２ｂ界面との間で、第２発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｂ電極から出射させ、
　第３発光素子において、第１ｃ電極と第３有機層との界面又は第３光反射層によって構成された第１ｃ界面と、第２ｃ電極と第３有機層との界面によって構成された第２ｃ界面との間で、第３発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｃ電極から出射させる［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ａ０８］第１発光層の最大発光位置から第１ａ界面までの距離をＬ1A、光学距離をＯＬ1A、第１発光層の最大発光位置から第２ａ界面までの距離をＬ2A、光学距離をＯＬ2Aとし、ｍ1A及びｍ2Aを整数としたとき、以下の式（Ａ－１）、式（Ａ－２）、式（Ａ－３）及び式（Ａ－４）を満たしており、
　第２発光層の最大発光位置から第１ｂ界面までの距離をＬ1B、光学距離をＯＬ1B、第２発光層の最大発光位置から第２ｂ界面までの距離をＬ2B、光学距離をＯＬ2Bとし、ｍ1B及びｍ2Bを整数としたとき、以下の式（Ｂ－１）、式（Ｂ－２）、式（Ｂ－３）及び式（Ｂ－４）を満たしており、
　第３発光層の最大発光位置から第１ｃ界面までの距離をＬ1C、光学距離をＯＬ1C、第３発光層の最大発光位置から第２ｃ界面までの距離をＬ2C、光学距離をＯＬ2Cとし、ｍ1C及びｍ2Cを整数としたとき、以下の式（Ｃ－１）、式（Ｃ－２）、式（Ｃ－３）及び式（Ｃ－４）を満たしている［Ａ０７］に記載の発光素子ユニット。
０．７｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝≦２×ＯＬ1A／λA≦１．２｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝　　　　　 （Ａ－１）
０．７｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝≦２×ＯＬ2A／λA≦１．２｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝　　　　　 （Ａ－２）
Ｌ1A＜Ｌ2A　　（Ａ－３）
ｍ1A＜ｍ2A　　（Ａ－４）
０．７｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝≦２×ＯＬ1B／λB≦１．２｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝　　　　　 （Ｂ－１）
０．７｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝≦２×ＯＬ2B／λB≦１．２｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝　　　　　 （Ｂ－２）
Ｌ1B＜Ｌ2B　　（Ｂ－３）
ｍ1B＜ｍ2B　　（Ｂ－４）
０．７｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝≦２×ＯＬ1C／λC≦１．２｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝　　　　　 （Ｃ－１）
０．７｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝≦２×ＯＬ2C／λC≦１．２｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝　　　　　 （Ｃ－２）
Ｌ1C＜Ｌ2C　　（Ｃ－３）
ｍ1C＜ｍ2C　　（Ｃ－４）
ここで、
λA ：第１発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第１発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1A：第１ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ1A≦０
Φ2A：第２ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ2A≦０
λB ：第２発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第２発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1B：第１ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ1B≦０
Φ2B：第２ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ2B≦０
λC ：第３発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第３発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1C：第１ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ1C≦０
Φ2C：第２ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ2C≦０
である。
［Ａ０９］ｍ1A＝０，ｍ2A＝１，ｍ1B＝０，ｍ2B＝１，ｍ1C＝０，ｍ2C＝１である［Ａ０８］に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０１］《発光素子ユニット：第２の態様》
　３つの発光素子から構成されており、
　第１発光素子及び第２発光素子は並置されており、第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層及び第２ａ電極から成り、第２発光素子は、第１ｂ電極、第１有機層及び第２ｂ電極から成り、
　第３発光素子は、第１有機層、第１ｃ電極、第３発光層を含む第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成り、
　第１発光素子の光出射側には第１カラーフィルタが配設されており、
　第２発光素子の光出射側には第２カラーフィルタが配設されている発光素子ユニット。
［Ｂ０２］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、共通の第２電極から構成されている［Ｂ０１］に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０３］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極には、同じ電位が与えられる［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０４］第２ａ電極及び第２ｂ電極は、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有する［Ｂ１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０５］透明導電層は、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）から成る［Ｂ０４］に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０６］半透過導電層は、マグネシウム及び銀の合金から成る［Ｂ０４］又は［Ｂ０５］に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０７］第２ｃ電極は、マグネシウム及び銀の合金から成る［Ｂ１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０８］第２ａ電極及び第２ｂ電極の有する構造と、第２ｃ電極の有する構造とは異なっている［Ｂ１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ０９］第３発光素子において、第１ｃ電極と第３有機層との界面又は第３光反射層によって構成された第１ｃ界面と、第２ｃ電極と第３有機層との界面によって構成された第２ｃ界面との間で、第３発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｃ電極から出射させる［Ｂ０１］乃至［Ｂ０６］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ｂ１０］第３発光層の最大発光位置から第１ｃ界面までの距離をＬ1C、光学距離をＯＬ1C、第３発光層の最大発光位置から第２ｃ界面までの距離をＬ2C、光学距離をＯＬ2Cとし、ｍ1C及びｍ2Cを整数としたとき、以下の式（Ｃ－１）、式（Ｃ－２）、式（Ｃ－３）及び式（Ｃ－４）を満たしている［Ｂ０９］に記載の発光素子ユニット。
０．７｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝≦２×ＯＬ1C／λC≦１．２｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝　　　　　 （Ｃ－１）
０．７｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝≦２×ＯＬ2C／λC≦１．２｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝　　　　　 （Ｃ－２）
Ｌ1C＜Ｌ2C　　（Ｃ－３）
ｍ1C＜ｍ2C　　（Ｃ－４）
ここで、
λC ：第３発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第３発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1C：第１ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ1C≦０
Φ2C：第２ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ2C≦０
である。
［Ｂ１１］ｍ1C＝０，ｍ2C＝１である［Ｂ１０］に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０１］《発光素子ユニット：第３の態様》
　３つの発光素子から構成されており、
　第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層、及び、第２ａ電極が積層されて成り、
　第２発光素子は、第１有機層、第１ｂ電極、第２発光層を含む第２有機層、及び、第２ｂ電極が積層されて成り、
　第３発光素子は、第１有機層、第２有機層、第１ｃ電極、第３発光層を含む第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成る発光素子ユニット。
［Ｃ０２］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、共通の第２電極から構成されている［Ｃ０１］に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０３］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極には、同じ電位が与えられる［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０４］第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有する［Ｃ０１］乃至［Ｃ０３］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０５］透明導電層は、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）から成る［Ｃ０４］に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０６］半透過導電層は、マグネシウム及び銀の合金から成る［Ｃ０４］又は［Ｃ０５］に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０７］第１発光素子において、第１ａ電極と第１有機層との界面又は第１光反射層によって構成された第１ａ界面と、第２ａ電極と第１有機層との界面によって構成された第２ａ界面との間で、第１発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ａ電極から出射させ、
　第２発光素子において、第１ｂ電極と第２有機層との界面又は第２光反射層によって構成された第１ｂ界面と、第２ｂ電極と第２有機層との界面によって構成された第２ｂ界面との間で、第２発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｂ電極から出射させ、
　第３発光素子において、第１ｃ電極と第３有機層との界面又は第３光反射層によって構成された第１ｃ界面と、第２ｃ電極と第３有機層との界面によって構成された第２ｃ界面との間で、第３発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｃ電極から出射させる［Ｃ０１］乃至［Ｃ０６］のいずれか１項に記載の発光素子ユニット。
［Ｃ０８］第１発光層の最大発光位置から第１ａ界面までの距離をＬ1A、光学距離をＯＬ1A、第１発光層の最大発光位置から第２ａ界面までの距離をＬ2A、光学距離をＯＬ2Aとし、ｍ1A及びｍ2Aを整数としたとき、以下の式（Ａ－１）、式（Ａ－２）、式（Ａ－３）及び式（Ａ－４）を満たしており、
　第２発光層の最大発光位置から第１ｂ界面までの距離をＬ1B、光学距離をＯＬ1B、第２発光層の最大発光位置から第２ｂ界面までの距離をＬ2B、光学距離をＯＬ2Bとし、ｍ1B及びｍ2Bを整数としたとき、以下の式（Ｂ－１）、式（Ｂ－２）、式（Ｂ－３）及び式（Ｂ－４）を満たしており、
　第３発光層の最大発光位置から第１ｃ界面までの距離をＬ1C、光学距離をＯＬ1C、第３発光層の最大発光位置から第２ｃ界面までの距離をＬ2C、光学距離をＯＬ2Cとし、ｍ1C及びｍ2Cを整数としたとき、以下の式（Ｃ－１）、式（Ｃ－２）、式（Ｃ－３）及び式（Ｃ－４）を満たしている［Ｃ０７］に記載の発光素子ユニット。
０．７｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝≦２×ＯＬ1A／λA≦１．２｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝　　　　　 （Ａ－１）
０．７｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝≦２×ＯＬ2A／λA≦１．２｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝　　　　　 （Ａ－２）
Ｌ1A＜Ｌ2A　　（Ａ－３）
ｍ1A＜ｍ2A　　（Ａ－４）
０．７｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝≦２×ＯＬ1B／λB≦１．２｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝　　　　　 （Ｂ－１）
０．７｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝≦２×ＯＬ2B／λB≦１．２｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝　　　　　 （Ｂ－２）
Ｌ1B＜Ｌ2B　　（Ｂ－３）
ｍ1B＜ｍ2B　　（Ｂ－４）
０．７｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝≦２×ＯＬ1C／λC≦１．２｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝　　　　　 （Ｃ－１）
０．７｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝≦２×ＯＬ2C／λC≦１．２｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝　　　　　 （Ｃ－２）
Ｌ1C＜Ｌ2C　　（Ｃ－３）
ｍ1C＜ｍ2C　　（Ｃ－４）
ここで、
λA ：第１発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第１発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1A：第１ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ1A≦０
Φ2A：第２ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ2A≦０
λB ：第２発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第２発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1B：第１ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ1B≦０
Φ2B：第２ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ2B≦０
λC ：第３発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第３発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1C：第１ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ1C≦０
Φ2C：第２ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
　　　但し、－２π＜Φ2C≦０
である。
［Ｃ０９］ｍ1A＝０，ｍ2A＝１，ｍ1B＝０，ｍ2B＝１，ｍ1C＝０，ｍ2C＝１である［Ｃ０８］に記載の発光素子ユニット。
［Ｄ０１］《発光素子ユニット：第４の態様》
　複数の発光層を含む有機層が積層された積層構造を有する発光素子の複数から構成されており、
　各発光素子は、第１電極、複数の有機層の内のいずれか１層の有機層、及び、第２電極から構成されており、
　各発光素子を構成する第１電極は、発光素子の間で重なり合っていない発光素子ユニット。
［Ｅ０１］《有機エレクトロルミネッセンス表示装置》
　［Ａ０１］乃至［Ｄ０１］のいずれか１項に記載の発光素子ユニットが２次元マトリクス状に配列されて成る有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
［Ｅ０２］《表示装置》
　［Ａ０１］乃至［Ｄ０１］のいずれか１項に記載の発光素子ユニットが２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置。
１０（１０ａ，１０ｂ，１０ｃ）・・・発光素子、１０ａ・・・第１発光素子、１０ｂ・・・第２発光素子、１０ｃ・・・第３発光素子、２１ａ・・・第１ａ電極、２１ｂ・・・第１ｂ電極、２１ｃ・・・第１ｃ電極、２２ａ・・・第２ａ電極、２２ｂ・・・第２ｂ電極、２２ｃ・・・第２ｃ電極、２２ｄ・・・共通第２電極（第２ａ電極及び第２ｂ電極）、２３ａ・・・第１発光層を含む第１有機層、２３ｂ・・・第２発光層を含む第２有機層、２３ｃ・・・第３発光層を含む第３有機層、２３ｄ・・・第１有機層及び第２有機層、２４ａ，２４ｂ・・・カラーフィルタ、２５ａ，２５ｂ，２５ｃ・・・光反射層、ＢＭ・・・ブラックマトリクス層、３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，３８・・・層間絶縁層、４１・・・第１基板、４２・・・第２基板、４３・・・絶縁層、４４・・・保護膜、５１ａ，５１ｂ，５１ｃ・・・ゲート電極、５２・・・ゲート絶縁膜、５３・・・シリコン層（半導体層）、５４ａ，５４ｂ，５４ｃ・・・チャネル形成領域、５５ａ，５５ｂ，５５ｃ・・・ソース／ドレイン領域、５６ａ，５６ｂ，５６ｃ，５７ｂ，５７ｃ，５８ｃ、６６，６７，６８，６９・・・コンタクトホール部、５９Ａ，５９Ｂ・・・絶縁膜

Claims (13)

  1. 　３つの発光素子から構成されており、
    　第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層、第２ａ電極、第２発光層を含む第２有機層、及び、第３発光層を含む第３有機層が積層されて成り、
    　第２発光素子は、第１有機層、第１ｂ電極、第２有機層、第２ｂ電極、及び、第３有機層が積層されて成り、
    　第３発光素子は、第１有機層、第２有機層、第１ｃ電極、第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成る発光素子ユニット。
  2. 　第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、共通の第２電極から構成されている請求項１に記載の発光素子ユニット。
  3. 　第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極には、同じ電位が与えられる請求項１に記載の発光素子ユニット。
  4. 　第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極は、透明導電層と半透過導電層との積層構造を有する請求項１に記載の発光素子ユニット。
  5. 　透明導電層は、インジウムと亜鉛の酸化物から成る請求項４に記載の発光素子ユニット。
  6. 　半透過導電層は、マグネシウム及び銀の合金から成る請求項４に記載の発光素子ユニット。
  7. 　第１発光素子において、第１ａ電極と第１有機層との界面又は第１光反射層によって構成された第１ａ界面と、第２ａ電極と第１有機層との界面によって構成された第２ａ界面との間で、第１発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ａ電極から出射させ、
    　第２発光素子において、第１ｂ電極と第２有機層との界面又は第２光反射層によって構成された第１ｂ界面と、第２ｂ電極と第２有機層との界面によって構成された第２ｂ界面との間で、第２発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｂ電極から出射させ、
    　第３発光素子において、第１ｃ電極と第３有機層との界面又は第３光反射層によって構成された第１ｃ界面と、第２ｃ電極と第３有機層との界面によって構成された第２ｃ界面との間で、第３発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２ｃ電極から出射させる請求項１に記載の発光素子ユニット。
  8. 　第１発光層の最大発光位置から第１ａ界面までの距離をＬ1A、光学距離をＯＬ1A、第１発光層の最大発光位置から第２ａ界面までの距離をＬ2A、光学距離をＯＬ2Aとし、ｍ1A及びｍ2Aを整数としたとき、以下の式（Ａ－１）、式（Ａ－２）、式（Ａ－３）及び式（Ａ－４）を満たしており、
    　第２発光層の最大発光位置から第１ｂ界面までの距離をＬ1B、光学距離をＯＬ1B、第２発光層の最大発光位置から第２ｂ界面までの距離をＬ2B、光学距離をＯＬ2Bとし、ｍ1B及びｍ2Bを整数としたとき、以下の式（Ｂ－１）、式（Ｂ－２）、式（Ｂ－３）及び式（Ｂ－４）を満たしており、
    　第３発光層の最大発光位置から第１ｃ界面までの距離をＬ1C、光学距離をＯＬ1C、第３発光層の最大発光位置から第２ｃ界面までの距離をＬ2C、光学距離をＯＬ2Cとし、ｍ1C及びｍ2Cを整数としたとき、以下の式（Ｃ－１）、式（Ｃ－２）、式（Ｃ－３）及び式（Ｃ－４）を満たしている請求項７に記載の発光素子ユニット。
    ０．７｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝≦２×ＯＬ1A／λA≦１．２｛－Φ1A／（２π）＋ｍ1A｝　　　　　 （Ａ－１）
    ０．７｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝≦２×ＯＬ2A／λA≦１．２｛－Φ2A／（２π）＋ｍ2A｝　　　　　 （Ａ－２）
    Ｌ1A＜Ｌ2A　　（Ａ－３）
    ｍ1A＜ｍ2A　　（Ａ－４）
    ０．７｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝≦２×ＯＬ1B／λB≦１．２｛－Φ1B／（２π）＋ｍ1B｝　　　　　 （Ｂ－１）
    ０．７｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝≦２×ＯＬ2B／λB≦１．２｛－Φ2B／（２π）＋ｍ2B｝　　　　　 （Ｂ－２）
    Ｌ1B＜Ｌ2B　　（Ｂ－３）
    ｍ1B＜ｍ2B　　（Ｂ－４）
    ０．７｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝≦２×ＯＬ1C／λC≦１．２｛－Φ1C／（２π）＋ｍ1C｝　　　　　 （Ｃ－１）
    ０．７｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝≦２×ＯＬ2C／λC≦１．２｛－Φ2C／（２π）＋ｍ2C｝　　　　　 （Ｃ－２）
    Ｌ1C＜Ｌ2C　　（Ｃ－３）
    ｍ1C＜ｍ2C　　（Ｃ－４）
    ここで、
    λA ：第１発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第１発光層で発生した光の内の所望の波長）
    Φ1A：第１ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
    　　　但し、－２π＜Φ1A≦０
    Φ2A：第２ａ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
    　　　但し、－２π＜Φ2A≦０
    λB ：第２発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第２発光層で発生した光の内の所望の波長）
    Φ1B：第１ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
    　　　但し、－２π＜Φ1B≦０
    Φ2B：第２ｂ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
    　　　但し、－２π＜Φ2B≦０
    λC ：第３発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、第３発光層で発生した光の内の所望の波長）
    Φ1C：第１ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
    　　　但し、－２π＜Φ1C≦０
    Φ2C：第２ｃ界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）
    　　　但し、－２π＜Φ2C≦０
    である。
  9. ｍ1A＝０，ｍ2A＝１，ｍ1B＝０，ｍ2B＝１，ｍ1C＝０，ｍ2C＝１である請求項８に記載の発光素子ユニット。
  10. 　３つの発光素子から構成されており、
    　第１発光素子及び第２発光素子は並置されており、第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層及び第２ａ電極から成り、第２発光素子は、第１ｂ電極、第１有機層及び第２ｂ電極から成り、
    　第３発光素子は、第１有機層、第１ｃ電極、第３発光層を含む第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成り、
    　第１発光素子の光出射側には第１カラーフィルタが配設されており、
    　第２発光素子の光出射側には第２カラーフィルタが配設されている発光素子ユニット。
  11. 　第２ａ電極、第２ｂ電極及び第２ｃ電極には、同じ電位が与えられる請求項１０に記載の発光素子ユニット。
  12. 　３つの発光素子から構成されており、
    　第１発光素子は、第１ａ電極、第１発光層を含む第１有機層、及び、第２ａ電極が積層されて成り、
    　第２発光素子は、第１有機層、第１ｂ電極、第２発光層を含む第２有機層、及び、第２ｂ電極が積層されて成り、
    　第３発光素子は、第１有機層、第２有機層、第１ｃ電極、第３発光層を含む第３有機層、及び、第２ｃ電極が積層されて成る発光素子ユニット。
  13. 　複数の発光層を含む有機層が積層された積層構造を有する発光素子の複数から構成されており、
    　各発光素子は、第１電極、複数の有機層の内のいずれか１層の有機層、及び、第２電極から構成されており、
    　各発光素子を構成する第１電極は、発光素子の間で重なり合っていない発光素子ユニット。
PCT/JP2019/008109 2018-03-06 2019-03-01 発光素子ユニット Ceased WO2019172121A1 (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201980015710.2A CN111819909B (zh) 2018-03-06 2019-03-01 发光元件单元
JP2020504986A JP7261220B2 (ja) 2018-03-06 2019-03-01 表示デバイス
KR1020257011521A KR20250053986A (ko) 2018-03-06 2019-03-01 발광 소자 유닛
US16/970,280 US11362306B2 (en) 2018-03-06 2019-03-01 Light emitting element unit
DE112019001178.2T DE112019001178T5 (de) 2018-03-06 2019-03-01 Lichtemissionselementeinheit
KR1020207024933A KR102795816B1 (ko) 2018-03-06 2019-03-01 발광 소자 유닛
US17/745,306 US12041813B2 (en) 2018-03-06 2022-05-16 Light emitting element unit including varying distance between drive element gate electrodes and light emitting portions
JP2022107996A JP7356545B2 (ja) 2018-03-06 2022-07-04 表示デバイス
JP2022198911A JP7509860B2 (ja) 2018-03-06 2022-12-13 発光素子ユニット

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018039598 2018-03-06
JP2018-039598 2018-03-06

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/970,280 A-371-Of-International US11362306B2 (en) 2018-03-06 2019-03-01 Light emitting element unit
US17/745,306 Continuation US12041813B2 (en) 2018-03-06 2022-05-16 Light emitting element unit including varying distance between drive element gate electrodes and light emitting portions

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019172121A1 true WO2019172121A1 (ja) 2019-09-12

Family

ID=67846053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/008109 Ceased WO2019172121A1 (ja) 2018-03-06 2019-03-01 発光素子ユニット

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11362306B2 (ja)
JP (3) JP7261220B2 (ja)
KR (2) KR20250053986A (ja)
CN (1) CN111819909B (ja)
DE (1) DE112019001178T5 (ja)
WO (1) WO2019172121A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230000891U (ko) * 2021-10-27 2023-05-04 김진성 보조 투명 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 언더 디스플레이 카메라

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102676592B1 (ko) * 2019-01-18 2024-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110854302B (zh) * 2019-10-31 2021-02-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
KR102670023B1 (ko) * 2020-03-04 2024-05-27 주식회사 디비하이텍 유기발광 표시장치 및 제조방법
JP7176552B2 (ja) * 2020-08-31 2022-11-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009049135A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Sony Corp 表示装置
JP2010056075A (ja) * 2008-07-29 2010-03-11 Sony Corp 発光素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US20130341659A1 (en) * 2012-06-22 2013-12-26 Industrial Technology Research Institute Display panel
US20170104035A1 (en) * 2015-10-08 2017-04-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device, organic light emitting display device having the same, and method of manufacturing the same

Family Cites Families (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5424560A (en) * 1994-05-31 1995-06-13 Motorola, Inc. Integrated multicolor organic led array
US5707745A (en) * 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
KR100513439B1 (ko) * 1996-12-23 2005-09-08 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 광 반사 구조체를 보유한 발광 장치
US5917280A (en) * 1997-02-03 1999-06-29 The Trustees Of Princeton University Stacked organic light emitting devices
US5953587A (en) * 1997-11-24 1999-09-14 The Trustees Of Princeton University Method for deposition and patterning of organic thin film
JPH11312585A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP4182467B2 (ja) * 2001-12-27 2008-11-19 セイコーエプソン株式会社 回路基板、電気光学装置及び電子機器
JP4378767B2 (ja) * 2002-09-26 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
US7973319B2 (en) * 2003-09-19 2011-07-05 Sony Corporation Display unit, method of manufacturing same, organic light emitting unit, and method of manufacturing same
KR100635056B1 (ko) * 2004-02-19 2006-10-16 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 제조방법
KR100721554B1 (ko) * 2004-07-22 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP2006278257A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Sony Corp 有機発光装置およびその製造方法
JP4507964B2 (ja) 2005-04-15 2010-07-21 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
JP4677822B2 (ja) * 2005-04-22 2011-04-27 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP2007012359A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
US7327081B2 (en) * 2005-08-31 2008-02-05 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Stacked organic electroluminescent device and method for manufacturing thereof
JP4462155B2 (ja) * 2005-09-27 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器
JP5147320B2 (ja) * 2006-07-21 2013-02-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7498603B2 (en) * 2006-12-06 2009-03-03 General Electric Company Color tunable illumination source and method for controlled illumination
KR101429933B1 (ko) * 2007-07-03 2014-08-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2009064703A (ja) 2007-09-07 2009-03-26 Sony Corp 有機発光表示装置
US8063552B2 (en) * 2007-10-22 2011-11-22 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
KR101458905B1 (ko) * 2008-02-12 2014-11-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5522991B2 (ja) * 2008-07-11 2014-06-18 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置
KR101582937B1 (ko) * 2008-12-02 2016-01-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20100071539A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5463882B2 (ja) * 2009-12-01 2014-04-09 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法
JP5759760B2 (ja) * 2011-03-16 2015-08-05 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
TWI562424B (en) * 2011-03-25 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting panel, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting panel
JP5644677B2 (ja) * 2011-05-31 2014-12-24 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置
KR101825642B1 (ko) * 2011-08-18 2018-02-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101407309B1 (ko) * 2011-11-15 2014-06-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
TW201324761A (zh) * 2011-12-08 2013-06-16 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板之畫素結構
KR20230015519A (ko) * 2012-10-30 2023-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 패널, 디스플레이 장치, 및 발광 패널을 제작하는 방법
KR102037850B1 (ko) * 2013-02-27 2019-10-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102178256B1 (ko) * 2013-03-27 2020-11-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP6263337B2 (ja) * 2013-05-31 2018-01-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR102090709B1 (ko) * 2013-05-31 2020-03-19 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 표시 장치
KR102053443B1 (ko) * 2013-10-23 2019-12-06 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
KR102320578B1 (ko) * 2014-04-25 2021-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP2016048602A (ja) * 2014-08-27 2016-04-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102226726B1 (ko) * 2014-09-30 2021-03-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
JP6629505B2 (ja) * 2014-11-18 2020-01-15 株式会社Ｊｏｌｅｄ 発光素子およびそれを備えた表示装置
JP6358946B2 (ja) * 2014-12-18 2018-07-18 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102369674B1 (ko) * 2015-02-17 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치, 및 이를 포함하는 전자 기기
JP2016195070A (ja) 2015-04-01 2016-11-17 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器
JP2017027872A (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 ソニー株式会社 表示装置
JP6601047B2 (ja) 2015-08-07 2019-11-06 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法、並びに、表示装置
JP2017062884A (ja) 2015-09-24 2017-03-30 ソニー株式会社 表示装置及び発光装置
JP2017062941A (ja) 2015-09-25 2017-03-30 ソニー株式会社 表示装置及びその製造方法
KR102626853B1 (ko) * 2015-10-30 2024-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10170521B2 (en) * 2015-12-30 2019-01-01 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device
US10797113B2 (en) * 2016-01-25 2020-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device with layered electrode structures
JP2017174553A (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108885848B (zh) * 2016-03-31 2021-05-04 索尼公司 显示装置和电子设备
US10256277B2 (en) * 2016-04-11 2019-04-09 Abl Ip Holding Llc Luminaire utilizing a transparent organic light emitting device display
US10141377B2 (en) * 2016-07-29 2018-11-27 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
WO2018061987A1 (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
KR102758804B1 (ko) * 2016-10-31 2025-01-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 영역들을 포함하는 디스플레이 장치
KR102642304B1 (ko) * 2016-11-28 2024-02-28 삼성전자주식회사 광전자 소자 및 전자 장치
KR102656795B1 (ko) * 2016-11-30 2024-04-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
KR102611794B1 (ko) * 2016-11-30 2023-12-07 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
US10330993B2 (en) * 2016-12-23 2019-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR102783429B1 (ko) * 2017-01-25 2025-03-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109216329B (zh) * 2017-07-07 2020-09-08 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微型led显示面板及其制备方法
KR102513769B1 (ko) * 2018-11-29 2023-03-23 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009049135A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Sony Corp 表示装置
JP2010056075A (ja) * 2008-07-29 2010-03-11 Sony Corp 発光素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US20130341659A1 (en) * 2012-06-22 2013-12-26 Industrial Technology Research Institute Display panel
US20170104035A1 (en) * 2015-10-08 2017-04-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device, organic light emitting display device having the same, and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230000891U (ko) * 2021-10-27 2023-05-04 김진성 보조 투명 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 언더 디스플레이 카메라
KR200497443Y1 (ko) * 2021-10-27 2023-11-09 김진성 보조 투명 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 언더 디스플레이 카메라

Also Published As

Publication number Publication date
US12041813B2 (en) 2024-07-16
CN111819909B (zh) 2025-01-17
JP7509860B2 (ja) 2024-07-02
US20230006176A1 (en) 2023-01-05
JP2023036701A (ja) 2023-03-14
JP2022128510A (ja) 2022-09-01
JP7261220B2 (ja) 2023-04-19
KR20200127184A (ko) 2020-11-10
KR102795816B1 (ko) 2025-04-16
CN111819909A (zh) 2020-10-23
DE112019001178T5 (de) 2020-12-10
JPWO2019172121A1 (ja) 2021-04-08
JP7356545B2 (ja) 2023-10-04
US20210143367A1 (en) 2021-05-13
US11362306B2 (en) 2022-06-14
KR20250053986A (ko) 2025-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7444070B2 (ja) 表示装置
CN113383610B (zh) 发光元件和显示装置
JP7057147B2 (ja) 発光素子及び表示装置
US12366685B2 (en) Light emitting element, display device, and method for manufacturing display device
US12041813B2 (en) Light emitting element unit including varying distance between drive element gate electrodes and light emitting portions
JP6844620B2 (ja) 表示装置
CN107852788B (zh) 发光元件、用于制造其的方法及显示装置
WO2021261262A1 (ja) 表示装置
WO2017051622A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
JP7525403B2 (ja) 表示装置
WO2022102434A1 (ja) 表示装置
CN114641864A (zh) 显示装置
WO2020110944A1 (ja) 発光素子、表示装置及び電子機器
WO2022030332A1 (ja) 発光素子及び表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19763392

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020504986

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20207024933

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19763392

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 201980015710.2

Country of ref document: CN

WWD Wipo information: divisional of initial pct application

Ref document number: 1020257011521

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020257011521

Country of ref document: KR