WO2019171773A1 - Fpc一体型静電容量スイッチおよびその製造方法 - Google Patents

Fpc一体型静電容量スイッチおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2019171773A1
WO2019171773A1 PCT/JP2019/001196 JP2019001196W WO2019171773A1 WO 2019171773 A1 WO2019171773 A1 WO 2019171773A1 JP 2019001196 W JP2019001196 W JP 2019001196W WO 2019171773 A1 WO2019171773 A1 WO 2019171773A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
main surface
photoresist
shielding
wirings
electromagnetic wave
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/001196
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
西村 剛
健太 植田
真矢 河村
Original Assignee
Nissha株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissha株式会社 filed Critical Nissha株式会社
Priority to KR1020207004788A priority Critical patent/KR102367643B1/ko
Priority to CN201980012572.2A priority patent/CN111699463A/zh
Publication of WO2019171773A1 publication Critical patent/WO2019171773A1/ja
Priority to US16/780,927 priority patent/US10951211B2/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H36/00Switches actuated by change of magnetic field or of electric field, e.g. by change of relative position of magnet and switch, by shielding
    • GPHYSICS
    • G04HOROLOGY
    • G04GELECTRONIC TIME-PIECES
    • G04G21/00Input or output devices integrated in time-pieces
    • G04G21/08Touch switches specially adapted for time-pieces
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04164Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/96Touch switches
    • H03K17/962Capacitive touch switches
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0274Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0277Bendability or stretchability details
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/118Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits specially for flexible printed circuits, e.g. using folded portions
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/027Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04107Shielding in digitiser, i.e. guard or shielding arrangements, mostly for capacitive touchscreens, e.g. driven shields, driven grounds
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/94Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00 characterised by the way in which the control signal is generated
    • H03K2217/96Touch switches
    • H03K2217/9607Capacitive touch switches
    • H03K2217/960755Constructional details of capacitive touch and proximity switches
    • H03K2217/960765Details of shielding arrangements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/05Flexible printed circuits [FPCs]
    • H05K2201/052Branched
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07Electric details
    • H05K2201/0707Shielding
    • H05K2201/0715Shielding provided by an outer layer of PCB
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09218Conductive traces
    • H05K2201/09236Parallel layout
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10121Optical component, e.g. opto-electronic component
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10151Sensor

Definitions

  • the present invention relates to an FPC-integrated capacitance switch used for a wristwatch, an in-vehicle device, and the like, and a manufacturing method thereof.
  • a conventional electrostatic capacity switch includes a bendable transparent film base material, a plurality of transparent electrodes formed in a region other than the peripheral portion of one side of the film base material, and a plurality of transparent electrodes.
  • the peripheral edge of the film base is partially extended to be a bendable extension connecting piece, and a plurality of electrode wires (wiring lines) are extended on one side of the extension connecting piece.
  • a so-called FPC-integrated capacitance switch that forms the FPC portion is also disclosed.
  • an electromagnetic wave shield made of a transparent conductive film on the surface opposite to the surface on which the transparent electrode is formed of the film base for the purpose of reducing harmful noise that causes malfunction from the display device. May be formed.
  • a pair of electromagnetic shielding wires connected to the electromagnetic shielding are formed to extend to the extended connection piece.
  • an object of the present invention is to provide an FPC-integrated capacitance switch that has high electrical reliability at the time of bending use in the FPC portion and can realize high density wiring, and a method for manufacturing the same. .
  • the FPC integrated capacitance switch of the present invention is A transparent flexible substrate made of a resin film and having a sensor part and a tail part extending from an edge of the sensor part; A plurality of electrodes formed on the first main surface of the transparent flexible substrate and in the sensor unit; A plurality of first wirings for electrodes that are electrically connected to the plurality of electrodes and extended to an edge adjacent to the tail portion; A plurality of second wirings for electrodes made of a photoresist containing conductive particles, electrically connected to the plurality of first wirings for electrodes and formed in parallel in the tail portion; An electromagnetic wave shield formed on the second main surface opposite to the first main surface of the transparent flexible substrate, and overlapping with the region including the plurality of electrodes in plan view; A pair of first wirings for electromagnetic shielding formed electrically connected to the electromagnetic shielding and extending to an edge adjacent to the tail portion; From a photoresist containing conductive particles that is electrically connected to the pair of electromagnetic shielding wires and is disposed outside the region including the plurality
  • the plurality of second electrode wirings and the pair of second electromagnetic shielding wirings formed in the tail portion are both made of a photoresist containing conductive particles. For this reason, the wiring of the FPC portion is not disconnected even when it is bent, and the electrical reliability is high. Moreover, since a wiring pattern can be obtained by exposing and developing a film made of a photoresist containing conductive particles, it is possible to increase the density of the plurality of second wirings for electrodes.
  • the inventors of the present invention have the following new problem because the exposure and development of the photoresist film containing conductive particles is the process of forming the wiring of the FPC portion in the process of the present invention. I noticed. That is, when a film made of a photoresist containing conductive particles formed on one side of a transparent flexible substrate is exposed, light is transmitted to a film made of a photoresist containing conductive particles formed on the opposite side of the transparent flexible substrate. Will reach and be exposed. Therefore, the same wiring pattern as the plurality of electrode second wirings is also formed on the back side through the transparent flexible substrate (hereinafter referred to as show-through).
  • Crimping is used as a method of bending the FPC portion of the capacitance switch and connecting it to a circuit board or the like.
  • the transparent flexible base material is pushed into the gap of the show-through pattern due to the pressing force at the time of crimping, thereby causing undulation.
  • the crimping in the wavy state may cause breakage or disconnection in the plurality of second wirings for electrodes.
  • the present inventors overlap with a region including the plurality of second electrode wirings in a plan view on the second main surface of the transparent flexible base material and in the tail portion.
  • the present inventors overlap with a region including the plurality of second electrode wirings in a plan view on the second main surface of the transparent flexible base material and in the tail portion.
  • This configuration can prevent the show-through pattern of the plurality of electrode second wirings from being formed. Specifically, after forming an electromagnetic wave shield side mask including a light shielding metal film on the second main surface of the transparent flexible substrate, from a photoresist including conductive particles for forming a pair of electromagnetic wave shielding wirings A film is formed. Therefore, the exposure for forming a plurality of second electrode wirings to be performed later does not reach the portion of the film where the electromagnetic wave shield side mask exists, and no show-through pattern is formed. As a result, the electrical reliability is high without disconnection even during crimping.
  • the electromagnetic wave shield side mask is divided, and the pair of electromagnetic wave shield second wirings are separated and overlapped on the surface of the divided electromagnetic wave shield side mask opposite to the transparent flexible substrate side. It may be.
  • the electromagnetic wave shielding mask may be further electrically connected to the pair of first electromagnetic shielding wires or may be independent of the pair of electromagnetic shielding first wires.
  • the pair of electromagnetic shielding second wirings is non-overlapping on the electromagnetic shielding side mask, and further, the pair of electromagnetic shieldings in a plan view on the first main surface of the transparent flexible substrate and in the tail portion. You may make it provide a pair of electrode side mask containing the light-shielding metal film formed so that it might overlap with the 2nd wiring for use.
  • the electrical reliability can be further improved.
  • the pair of second electromagnetic shielding wires does not overlap with the electromagnetic shielding mask, even if a crack occurs in the electromagnetic shielding mask, the crack does not affect the electromagnetic shielding second wiring. Further, it is possible to prevent the show-through pattern of the pair of second electromagnetic wave shielding wirings from being formed. Specifically, after forming an electrode-side mask including a light-shielding metal film on the first main surface of the transparent flexible substrate, a photoresist including conductive particles for forming a plurality of second wirings for electrodes A film is formed.
  • the exposure for forming a pair of electromagnetic shielding second wirings to be performed later does not reach the portion of the film where the electrode side mask exists, and no show-through pattern is formed.
  • a show-through pattern is not formed on the first main surface 1a side on either the first main surface or the second main surface of the transparent flexible base material.
  • the stacking materials are equal only by the stacking order being different. That is, no difference in thickness occurs.
  • the waist portions of both ends become strong and the center portion becomes easy to twist.
  • the show-through pattern of the pair of second electromagnetic shielding wires is not formed, there is no twist.
  • the sensor unit may have a view area and a frame area surrounding the view area, and the electrode, the first electrode wiring, and the electromagnetic wave shield may be transparent on the view area.
  • the conductive particles contained in the second electrode wiring and the second electromagnetic shielding wiring may be metal powder, a core material surface covered with a conductive layer, carbon, or graphite.
  • the light shielding metal film of the electromagnetic wave shielding side mask may be made of any of copper, silver, tin, aluminum, or nickel.
  • a plurality of terminal portions formed on the first main surface of the transparent flexible substrate and at the end of the tail portion are further provided, and the plurality of second wirings for electrodes are electrically formed on the terminal portions. It may be connected.
  • the manufacturing method of the FPC integrated type capacitive switch is as follows. [1] A transparent flexible base material comprising a resin film and having a sensor portion and a tail portion extending from an edge of the sensor portion in a plane, and a first main surface of the transparent film base material and A step of sequentially laminating a transparent conductive film, a light-shielding metal film and a first photoresist on the second main surface opposite to the first main surface; [2] The first photoresist on the first main surface side is partially exposed, developed and patterned into a shape corresponding to the plurality of electrodes and the plurality of first wirings for electrodes; Partially exposing the first photoresist on the surface side, developing and patterning it into a shape corresponding to the electromagnetic wave shield, the pair of first electromagnetic wave shield wires and the electromagnetic wave shield side mask; [3] Etching the exposed transparent conductive film and the light-shielding metal film; [4] a step of removing the first photoresist after etching;
  • the plurality of first electrode wirings outside the view area and the pair of first electromagnetic wave shielding wirings are formed as a laminate of a transparent conductive film and a light-shielding metal film, so that the wiring is sufficiently low. It becomes resistance. As a result, a sufficient reaction speed with respect to the input operation and a sufficiently suppressed current consumption are obtained.
  • the electromagnetic wave shield side mask is patterned from the same transparent conductive film and light-shielding metal film laminate, a separate process for forming the electromagnetic wave shield side mask is unnecessary.
  • the FPC-integrated capacitance switch has the electrode-side mask
  • the first photoresist (70) on the first main surface side is partially exposed and developed.
  • patterning of the shape corresponding to the pair of electrode-side masks is also formed.
  • the FPC portion has high electrical reliability when being bent or crimped, and can realize high density wiring.
  • the partial expanded sectional view which shows the AA line cross section of FIG. The partial expanded sectional view which shows the manufacturing process of the electrostatic capacitance switch in 1st embodiment.
  • the schematic diagram which shows the manufacturing process of the electrostatic capacitance switch in 1st embodiment. The schematic diagram which shows the manufacturing process of the electrostatic capacitance switch in 1st embodiment.
  • the schematic diagram which shows the manufacturing process of the electrostatic capacitance switch in 1st embodiment The schematic diagram which shows the manufacturing process of the electrostatic capacitance switch in 1st embodiment.
  • the schematic diagram which shows the manufacturing process of the electrostatic capacitance switch in 1st embodiment The schematic diagram which shows the manufacturing process of the electrostatic capacitance switch in 1st embodiment.
  • the schematic diagram which shows the manufacturing process of the electrostatic capacitance switch in 1st embodiment The schematic diagram which shows the FPC integrated electrostatic capacitance switch in 2nd embodiment.
  • the schematic diagram which shows the FPC integrated electrostatic capacitance switch in 3rd embodiment The schematic diagram which shows the manufacturing process of the electrostatic capacitance switch in 3rd embodiment.
  • the schematic diagram which shows the manufacturing process of the electrostatic capacitance switch in 3rd embodiment The schematic diagram which shows the manufacturing process of the electrostatic capacitance switch in 3rd embodiment.
  • the schematic diagram which shows the manufacturing process of the electrostatic capacitance switch in 3rd embodiment The schematic diagram which shows the manufacturing process of the electrostatic capacitance switch in 3rd embodiment.
  • the partial expanded sectional view which shows the tail part of the FPC integrated electrostatic capacity switch obtained when there is no electromagnetic wave shield side mask in a tail part The partial expanded sectional view which shows the exposure state in case there exists an electrode side mask in 3rd embodiment.
  • the partial expanded sectional view which shows the tail part of the FPC integrated capacitance switch obtained when there is no electrode side mask in 3rd embodiment The partial expanded sectional view which shows the tail part of the FPC integrated capacitance switch obtained when there is no electrode side mask in 3rd embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an FPC integrated capacitance switch in the first embodiment.
  • 2 is a partial cross-sectional view showing a cross section taken along line AA of FIG.
  • (a), (b) in the drawing has shown the figure seen from the 1st main surface 1a side of the transparent flexible base material 1, and the 2nd main surface 1b side, respectively.
  • what is enclosed in parentheses in the reference numerals in the figure indicates the outermost surface layer exposed in the schematic diagram.
  • the FPC-integrated capacitance switch 5 includes a transparent flexible substrate 1, a plurality of electrodes 2 formed on the first main surface 1 a of the transparent flexible substrate 1, a plurality of first electrode wires 21, and a plurality of electrodes.
  • the electromagnetic shield 3 formed on the second wiring 22 and the second main surface 1b opposite to the first main surface 1a of the transparent flexible substrate 1, the pair of electromagnetic shielding first wires 31, the electromagnetic shielding side And a mask 33 and a pair of electromagnetic shielding second wirings 32.
  • the transparent flexible base material 1 includes a sensor unit 11 that is a base material of a capacitance switch body and a tail part 12 that is a base material of an FPC portion extending from the edge of the sensor unit 11.
  • a sensor unit 11 that is a base material of a capacitance switch body
  • a tail part 12 that is a base material of an FPC portion extending from the edge of the sensor unit 11.
  • the shape of the sensor unit 11 is not limited to the rectangle shown in FIG. 1, but other forms, for example, a circle, a square, a triangle, a polygon, depending on the application of the FPC integrated capacitance switch 5 It may be.
  • the transparent flexible substrate 1 is made of a resin film.
  • a resin film There is no particular limitation as long as it is a flexible material having a transmittance of 90% or more.
  • a film such as oriented PS (BOPS) or a laminate thereof is used.
  • it may be polyethylene terephthalate (PET), polyimide (PI), polycarbonate (PC), triacetyl cellulose (TAC) film or the like.
  • the transparent flexible substrate 1 may be a single layer or a laminate of two or more layers.
  • the thickness of the transparent flexible base material 1 is normally 20 micrometers or more by the single thickness of each film, and the total thickness of each film is 500 micrometers or less. If the single thickness is less than 20 ⁇ m, handling during film production is difficult, and if the total thickness exceeds 500 ⁇ m, the translucency and flexibility are lowered.
  • a plurality of electrodes 2 made of a transparent conductive film 50 is formed in a rectangular view area 111 defined in the sensor unit 11 in the first main surface 1 a of the transparent flexible substrate 1. Is formed.
  • the plurality of electrodes 2 constitutes the detection electrode of the capacitance switch, and each of them is square and arranged in a matrix of 4 ⁇ 4 vertically and horizontally.
  • the transparent conductive film 50 includes a metal oxide film such as tin oxide, indium oxide, antimony oxide, zinc oxide, cadmium oxide, or indium tin oxide (ITO), or a composite film mainly composed of these metal oxides. Is mentioned. These may be formed by a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like. The film is formed with a thickness of about several tens to several hundreds of nanometers, and is easily etched together with the light-shielding metal film 60 in a solution such as ferric chloride, but the light-shielding metal film 60 such as hydrogen peroxide solution in an acidic atmosphere. It must be not easily etched with an etchant. And it is preferable to show a light transmittance of 80% or more and a surface resistance value of several m ⁇ to several hundred ⁇ .
  • a metal oxide film such as tin oxide, indium oxide, antimony oxide, zinc oxide, cadmium oxide, or in
  • the sensor unit 11 is electrically connected to the plurality of electrodes 2 and extends to the edge adjacent to the tail unit 12.
  • a plurality of first electrode wirings 21 aggregated are formed.
  • the first electrode wiring 21 is made of the same transparent conductive film 50 as the electrode 2 in the view area 111 partitioned in the sensor unit 11.
  • the plurality of first electrode wirings 21 are formed from the transparent flexible substrate 1 side in the remaining frame area 112 surrounding the view area 111 in the sensor unit 11. It is a laminated body in which a transparent conductive film 50 and a light-shielding metal film 60 are sequentially laminated.
  • the transparent conductive film 50 of the first electrode wiring 21 is formed integrally with the electrode 2. That is, since the material is the same as that of the electrode 2, description of the material is omitted.
  • the portion formed outside the view area 111 in the first electrode wiring 21 does not need to be transparent. Therefore, a light-shielding metal film 60 made of a material having higher conductivity than the transparent conductive film 50 and good light-shielding property can be laminated on the transparent conductive film 50. By laminating the light-shielding metal film 60 having a higher conductivity than the transparent conductive film 50, the first electrode wiring 21 outside the view area 111 has a sufficiently low resistance. As a result, a sufficient reaction speed with respect to the input operation and a sufficiently suppressed current consumption are obtained.
  • Examples of the light-shielding metal film 60 include single metal films such as copper, silver, tin, aluminum, and nickel, and alloys or compounds thereof. Copper is particularly preferable. These may be formed by a metal foil lamination method, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like.
  • the thickness is 20 to 1000 nm, and more preferably 30 nm or more. More preferably, the thickness is 100 to 500 nm. This is because if the thickness is 100 nm or more, a highly conductive light-shielding metal film 60 is obtained, and if the thickness is 500 nm or less, the light-shielding metal film 60 that is easy to handle and excellent in workability is obtained.
  • a plurality of first electrode wirings 21 and a plurality of first electrode wirings 21 are provided on a belt-shaped tail portion 12 extending from the edge of the sensor portion 11 in the first main surface 1 a of the transparent flexible substrate 1.
  • a plurality of second electrode wirings 22 that are electrically connected are formed.
  • the plurality of second electrode wirings 22 constitute the wiring of the FPC portion, and are arranged in parallel in parallel.
  • the electrode second wiring 22 is made of a third photoresist 80 containing conductive particles.
  • the second electrode wiring 22 made of the third photoresist 80 is patterned through exposure and development in the manufacturing process of the capacitance switch 5. Therefore, it is possible to realize a narrower wiring width and a narrower gap between wirings, that is, higher density than a printed pattern generally used for FPC wiring.
  • the third photoresist 80 is based on a photosensitive resin having excellent flexibility, and is hard to be disconnected during bending, and has high electrical reliability.
  • the base of the third photoresist 80 is composed of a photosensitive resin that can be exposed with a carbon arc lamp, a mercury vapor arc lamp, an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a xenon lamp or the like and developed with an alkaline aqueous solution described later.
  • the conductive particles contained in the third photoresist 80 include metal powders such as silver, gold, copper, nickel, platinum, and palladium, inorganic insulators such as alumina and glass as a core material, polyethylene, polystyrene, and divinylbenzene. Examples include organic polymers such as those whose core material surface is coated with a conductive layer such as gold or nickel, carbon, and graphite. Silver powder is particularly preferable.
  • the shape of the conductive particles may be a flake shape, a spherical shape, a short fiber shape, or the like.
  • the method for forming the second wiring 22 for electrodes includes not only general-purpose printing methods such as gravure, screen and offset, but also various coater methods, coating and dipping methods, and various methods such as dry film resist (DFR) lamination. After the entire surface is formed, exposure and development may be performed for patterning. Among these, a laminate of a dry film resist is more preferable. Unlike a liquid resist, a dry film resist is processed to have a uniform film thickness in advance, so that the film thickness does not become non-uniform or does not cause film loss. Further, since there is no need for drying time of the organic solvent, it does not transfer when wound up due to poor drying.
  • DFR dry film resist
  • the thickness of the second electrode wiring 22 is preferably 2 to 10 ⁇ m. More preferably, it is 3 to 5 ⁇ m. If the thickness is 3 ⁇ m or more, the electrode second wiring 22 having a sufficiently low conductivity to be used as the wiring is obtained, and if it is 5 ⁇ m or less, the electrode second wiring 22 having excellent bending resistance is obtained. It is.
  • Electromagnetic wave shield> As shown in FIG.1 (b), it overlaps with the area
  • the electromagnetic wave shield 3 made of the transparent conductive film 50 is formed. The electromagnetic wave shield 3 reduces harmful noise that causes a malfunction from the display device.
  • the transparent conductive film 50 of the electromagnetic wave shield 3 is the same material as the electrode 2, description of the material is omitted.
  • the electromagnetic shielding first wiring 31 is a laminate in which a transparent conductive film 50 and a light shielding metal film 60 are sequentially laminated from the transparent flexible substrate 1 side. Since the transparent conductive film 50 and the light-shielding metal film 60 of the first electromagnetic shielding wire 31 are the same material as the laminated body portion of the electrode first wiring 21, description of the material is omitted.
  • Electromagnetic wave shield side mask 33 including a light shielding metal film is formed.
  • the electromagnetic wave shield side mask 33 is a laminated body in which the transparent conductive film 50 and the light shielding metal film 60 are sequentially laminated from the transparent flexible substrate 1 side, and is divided in plan view. Further, the transparent conductive film 50 and the light shielding metal film 60 of the electromagnetic wave shielding mask 33 are formed integrally with the electromagnetic wave shielding first wiring 31. Since the electromagnetic wave shield side mask 33 is made of the same material as the electromagnetic wave shielding first wiring 31, description of the material is omitted.
  • the electromagnetic wave shield side mask 33 including the light shielding metal film is for preventing the show-through pattern 34 of the plurality of electrode second wirings 22 from being formed in the manufacturing process of the capacitance switch 5. More specifically, after forming the electromagnetic wave shielding side mask 33 including the light shielding metal film on the second main surface 1b of the transparent flexible base material 1, the conductive material for forming a pair of electromagnetic wave shielding wirings 31 described later. A film made of the third photoresist 80 containing conductive particles is formed. Therefore, as shown in FIG. 16, the exposure 200 for forming the plurality of second electrode wirings 22 to be performed later does not reach the portion of the film where the electromagnetic wave shielding mask 33 is present, and the show-through pattern 34 Is not formed. As a result, the electrical reliability is high without disconnection even during crimping. In the drawing, the darkened portion 80a is a hardened portion.
  • a pair of electromagnetic wave shielding wires 31 is provided on the belt-like tail portion 12 extending from the edge of the sensor portion 11 in the first main surface 1 a of the transparent flexible substrate 1.
  • a pair of electromagnetic wave shielding second wirings 32 is formed when the third photoresist 80 containing conductive particles and electrically connected to each other is formed.
  • the plurality of pairs of second electromagnetic shielding wires 32 constitute the wiring of the FPC portion, and are disposed outside the region including the plurality of electrode second wires 22 in a plan view. That is, the division of the electromagnetic wave shield side mask 33 is to prevent the pair of electromagnetic wave shield second arrangements 32 from being short-circuited by overlapping with the electromagnetic wave shield side mask 33.
  • the electromagnetic shielding second wiring 32 is made of the same material as that of the electrode second wiring 22, so the description of the material is omitted.
  • FIG. 3 is a partial enlarged cross-sectional view showing a manufacturing process of the capacitance switch in the first embodiment.
  • 4 to 12 are schematic views showing the manufacturing process of the capacitance switch in the first embodiment.
  • (A), (b) in the drawing has shown the figure seen from the 1st main surface 1a side and the 2nd main surface 1b side of the transparent flexible base material 1, respectively.
  • what is enclosed in parentheses in the reference numerals in the figure indicates the outermost surface layer exposed in the schematic diagram.
  • a transparent flexible substrate made of a resin film and having a sensor unit 11 and a tail unit 12 extending from the edge of the sensor unit 11 in the surface and having a size larger than that of the capacitance switch 5.
  • a raw material 100 is prepared.
  • a transparent conductive film 50, a light-shielding metal film 60, and a first photoresist 70 are respectively formed on the first main surface 100a and the second main surface 100b opposite to the first main surface 100a of the transparent film base material 100. Are sequentially stacked (see FIGS. 3 and 4).
  • the transparent conductive film 50, the light-shielding metal film 60, and the first photoresist 70 are formed on the entire surface of the transparent film base material 100 in this lamination step.
  • the transparent flexible base material 100 the same material as the transparent flexible base material 1 of the electrostatic capacitance switch 5 mentioned above can be used.
  • the materials and forming methods described above are also used for forming the transparent conductive film 50, the light-shielding metal film 60, and the first photoresist 70.
  • the transparent film base material 100 may be prepared with a sheet
  • First exposure / development step Thereafter, as shown in FIG. 5, the first photoresist 70 on the first main surface 100a side is partially exposed and developed to develop the plurality of electrodes 2 and the plurality of electrodes described above.
  • the first wiring 21 is patterned into a shape corresponding to the first wiring 21.
  • the first photoresist 70 on the second main surface 100b side is partially exposed and developed to have a shape corresponding to the electromagnetic wave shield 3, the pair of electromagnetic wave shield first wires 31 and the electromagnetic wave shield side mask 33. Pattern.
  • Exposure is a process of curing the exposed area of the first photoresist 70 and reducing the solubility in the developer. Examples of the exposure method include digital exposure and analog exposure.
  • the development is a process of forming a pattern of the photosensitive conductive layer 6 by curing the exposed area and then removing the uncured area using a developer.
  • the developer is not particularly limited, and examples thereof include alkali metal or alkaline earth metal hydroxides or carbonates, hydrogen carbonate salts, aqueous ammonia, and aqueous quaternary ammonium salts.
  • the developer may be used in combination with a surfactant, an antifoaming agent, an organic base, etc. Further, the developer may be an aqueous developer obtained by mixing water or an alkaline aqueous solution and an organic solvent. It may be alone.
  • the exposed transparent conductive film 50 and light shielding metal film 60 are etched.
  • the transparent conductive film 50 on both sides and the light-shielding metal film 60 are patterned in the same pattern as the pattern of the first photoresist 70 on both sides.
  • the pattern constituting the plurality of first electrode wirings 21 in the frame area 112 is based on the photolithography technique, it can be formed with sufficiently high definition as compared with the case of being formed by screen printing of silver paste. .
  • the first photoresist 70 can be exposed at the same time on the front and back sides, and can be manufactured with very high productivity.
  • the etchant one that etches both the transparent conductive film 50 and the light-shielding metal film 60 is appropriately selected from known ones such as ferric chloride solution.
  • ferric chloride solution when the transparent conductive film 50 and the light shielding metal film 60 are an ITO film and a copper film, a ferric chloride solution can be used as an etching solution.
  • second photoresist 71 is formed on each of the first main surface 100a side and the second main surface 100b side after the first photoresist 70 is peeled off. .
  • the second photoresist 71 is formed on the entire surface of the transparent film base material 100 using the same material as the first photoresist 70.
  • Second exposure / development step Thereafter, as shown in FIG. 9, the second photoresist 71 on the first main surface 100a side is partially exposed and developed to shield the light-shielding metal film in the view area 111 described above. 60 is exposed. Further, the second photoresist 71 on the second main surface 100b side is partially exposed and developed to expose the electromagnetic wave shield 3.
  • the second photoresist 71 since the light-shielding metal film 60 is provided, the second photoresist 71 can be exposed at the same time on the front and back sides, and can be manufactured with very high productivity.
  • a material that etches only the light-shielding metal film 60 is appropriately selected from known materials such as hydrogen peroxide solution in an acidic atmosphere.
  • a hydrogen peroxide solution or the like in an acidic atmosphere can be used as an etching solution.
  • the electromagnetic wave shield side mask 33 including the light shielding metal film is provided, the exposure for forming the plurality of electrode second wirings 22 does not reach the third photoresist 80 on the second main surface 100b side, and the plurality of electrodes are used.
  • the show-through pattern 34 of the second wiring 22 is not formed (see FIGS. 21 and 22).
  • the darkened portion 80a is a hardened portion. If there is no electromagnetic wave shield side mask 33 including a light shielding metal film in the tail portion 12, as shown in FIG.
  • the exposure 200 to the third photoresist 80 on the one surface side is performed on the other surface side. It reaches the third photoresist 80, and an extra cured portion is formed.
  • a show-through pattern 90 of the plurality of electrode second wirings 22 as shown in FIG. 24 is formed.
  • the transparent flexible base material 100 is punched into the shape of the transparent flexible base material 1 having the sensor portion 11 and the tail portion 12, and the FPC integrated capacitance switch 5 shown in FIG. obtain.
  • a known means can be used to remove the transparent flexible base material 100. Examples of the mechanical punching method include flat punching with a Thomson blade and cylindrical punching with a die cut roll. As an optical punching method, a CO2 laser cutter can be raised.
  • the plurality of electrode second wirings 22 and the pair of electromagnetic wave shielding second wirings 32 formed in the tail portion 12 are both made of conductive particles.
  • the third photoresist 80 is included. For this reason, the wiring of the FPC portion is not disconnected even when it is bent, and the electrical reliability is high.
  • a wiring pattern is obtained by exposing and developing a film made of the third photoresist 80 containing conductive particles, it is possible to increase the density of the plurality of second wirings 22 for electrodes.
  • the electromagnetic wave shield side mask 33 including the light shielding metal film 60 on the second main surface 1b of the transparent flexible substrate 1 conductive particles for forming the pair of electromagnetic wave shielding second wirings 32 are provided. Since the film made of the third photoresist 80 is formed, in the portion where the electromagnetic wave shield side mask 33 is present, the exposure for forming the plurality of electrode second wirings 22 is performed on the second main surface 1b side. The third photoresist 80 is not reached, and the show-through pattern is not formed. As a result, the electrical reliability is high without disconnection even during crimping.
  • the electromagnetic wave shield-side mask 33 has been described with respect to the FPC-integrated capacitance switch 5 in which the electromagnetic wave shield-side mask 33 is electrically connected to the pair of first electromagnetic wave shield wires 31. It is not limited to that embodiment.
  • the electromagnetic wave shielding mask 33 may be independent of the pair of first electromagnetic wave shielding wires 31.
  • FIG. 14 Since other points are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted.
  • a pair of 2nd wiring 32 for electromagnetic wave shields has overlapped on the surface on the opposite side to the transparent flexible base material 1 side of the divided electromagnetic wave shield side mask 33, and overlapped.
  • the FPC-integrated capacitance switch 5 has been described, the present invention is not limited to the embodiment.
  • the pair of electromagnetic shielding second wirings 32 may be formed so as not to overlap with the electromagnetic shielding mask 33 but to be spaced apart in parallel on both sides of the electromagnetic shielding mask 33. When comprised in this way, even if the electromagnetic wave shield side mask 33 is not divided
  • a pair of electrode-side masks 34 including a light-shielding metal film formed so as to overlap with the pair of electromagnetic shielding second wirings 32 in a plan view is provided (see FIG. 15).
  • the width of the electrode side mask 34 is the same as that of the second electromagnetic shielding wire 32 or wider than the second electromagnetic shielding wire 32.
  • the electrode-side mask 34 including a light-shielding metal film on the first main surface 1a of the transparent flexible substrate 1 conductive particles for forming a plurality of electrode second wirings 32 are provided. A film made of a photoresist including the film is formed. Therefore, in the portion of the film where the electrode-side mask 34 is present, the exposure for forming the pair of second electromagnetic shielding wires 32 to be performed later does not reach, and no show-through pattern is formed (see FIG. 25).
  • a show-through pattern is not formed on either the first main surface 1a or the second main surface 1b of the transparent flexible substrate 1, and therefore a plurality of second wirings 22 for electrodes and a pair of second wirings 32 for electromagnetic shielding.
  • the laminated materials are equal only by the different lamination order (see FIG. 26). That is, no difference in thickness occurs.
  • the thickness of both ends sandwiching the region (center portion) including the plurality of second electrode wirings 22 of the tail portion 12 is increased by the show-through pattern 90 of the pair of second electromagnetic shielding wires 32 (see FIGS. 27 and 28). ), The waist at both ends becomes stronger and the center becomes easier to twist (in FIGS.
  • the thicknesses of the electromagnetic wave shield side mask 33 and the electromagnetic wave shield second wiring 32 are drawn equally, This is to make the layer configuration easy to understand.
  • the electromagnetic shielding second wiring 32 has a numerical value smaller by about one digit). However, if the show-through pattern 90 of the pair of electromagnetic shielding second wirings 32 is not formed as described above, there is no twist.
  • Capacitance switch manufacturing method The manufacturing method of the capacitance switch of the third embodiment will be described with reference to the drawings.
  • First lamination step The same as in the first embodiment (see FIG. 4).
  • First exposure / development step When the first photoresist 70 on the first main surface 100a side is partially exposed and developed, it corresponds to the plurality of electrodes 2 and the plurality of electrode first wirings 21. In addition to the shape patterning, the shape corresponding to the pair of electrode-side masks 34 is also changed to be patterned (see FIG. 16). Others are the same as in the first embodiment.
  • First etching process The same as that of the first embodiment except that the electrode-side mask 34 is formed based on the change in the previous process (see FIG. 17).
  • First resist stripping step The same as in the first embodiment (see FIG. 18).
  • Second lamination step The same as in the first embodiment (see FIG. 8).
  • Second exposure / development step The same as in the first embodiment (see FIG. 9).
  • Second etching step The same as in the first embodiment (see FIG. 10).
  • Resist stripping step The same as in the first embodiment (see FIG. 19).
  • the sensor unit 11 has the view area 111, and the electrode 2, the first electrode wiring 21, and the electromagnetic wave shield 3 have been described as transparent on the view area 111, but these are opaque materials without providing the view area 111. May be formed.
  • the FPC integrated capacitance switch of the present invention is mounted on wristwatches, in-vehicle devices, portable small terminals, electronic paper, computer displays, small game machines, cash dispenser display surfaces, ticket vending machines, etc. It can be preferably used as a capacitance switch.
  • Electrode 1 Transparent flexible substrate 1a, 100a: 1st main surface 1b, 100b: 2nd main surface 2: Electrode 3: Electromagnetic wave shield 11: Sensor part 12: Tail part 21: 1st wiring for electrodes 22: 2nd for electrodes Wiring 31: Electromagnetic shielding first wiring 32: Electromagnetic shielding second wiring 33: Electromagnetic shielding side mask 34: Electrode side mask 50: Transparent conductive film 60: Light-shielding metal film 70: First photoresist 71: Second photo Resist 80: Third photoresist (including conductive particles) 80a: cured portion 90: show-through pattern 111: view area 112: frame area 100: transparent flexible base material 200: exposure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Manufacture Of Switches (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

【課題】 FPC部分において、屈曲使用時における電気的信頼性が高く、かつ、配線の高密度化を実現できるFPC一体型静電容量スイッチおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 センサ部11とテール部12とを有する透明フレキシブル基材1と、 透明フレキシブル基材1の第一主面1a上で、かつセンサ部11内に形成された複数の電極2と、複数の電極用第一配線21と、テール部12内に並列に配置して形成された、導電性粒子を含むフォトレジストからなる複数の電極用第二配線22と、 透明フレキシブル基材1の第二主面1b上で、かつ平面視で複数の電極2を含む領域と重複するように形成された電磁波シールド3と、一対の電磁波シールド用第一配線31と、テール部12内に平面視で複数の電極用第二配線22を含む領域より外側に配置して形成された、導電性粒子を含むフォトレジストからなる一対の電磁波シールド用第二配線32と、 透明フレキシブル基材1の第二主面1b上で、かつ前記テール部12内に平面視で複数の電極用第二配線22を含む領域と重複するように形成された、遮光性金属膜を含む電磁波シールド側マスク33と、を備える。

Description

FPC一体型静電容量スイッチおよびその製造方法
 本発明は、腕時計や車載機器等に使用されるFPC一体型静電容量スイッチおよびその製造方法に関する。
 従来の静電容量スイッチは、例えば特許文献1に示すように、屈曲可能な透明のフィルム基材と、このフィルム基材の片面の周縁部以外の領域に形成される複数の透明電極と、複数の透明電極と接続して形成される複数の電極用配線(配線ライン)とを備え、腕時計や車載機器等の表示装置上に設置され、複数の透明電極に指が選択的に接近する場合にこれらの間にキャパシタを形成し、静電容量の変化を検出する。
 また、上記特許文献1には、フィルム基材の周縁部を部分的に延ばして屈曲可能な延長接続片とするとともに、この延長接続片の片面に複数の電極用配線(配線ライン)を伸ばしてFPC部分を形成する、いわゆるFPC一体型静電容量スイッチも開示されている。静電容量スイッチ本体とFPC部分のフィルム基材を一体とすることで、別途FPCを用意して接続することが不要となり、部品点数の削減を図ることができる。
 また、静電容量スイッチにおいては、表示装置からの誤動作を引き起こす有害なノイズを削減する目的で、フィルム基材の透明電極の形成された面とは反対側の面に透明導電膜からなる電磁波シールドが形成されこともある。この場合、電磁波シールドと接続された一対の電磁波シールド用配線が延長接続片まで伸ばして形成されることとなる。
特開2014-160558号公報
  ところで、静電容量スイッチの使用される製品を小型化するためには、静電容量スイッチのFPC部分を折り曲げて回路基板等に接続させる必要がある。また、FPC部分自体を小型化するためには、FPC部分の電極用配線を高密度化、すなわち配線幅を細く、配線間の隙間を狭くする必要もある。
 したがって、本発明の目的は、FPC部分において、屈曲使用時における電気的信頼性が高く、かつ、配線の高密度化を実現できるFPC一体型静電容量スイッチおよびその製造方法を提供することにある。
 以下に、課題を解決するための手段として複数の態様を説明する。これら態様は、必要に応じて任意に組み合せることができる。
 本発明のFPC一体型静電容量スイッチは、
 樹脂フィルムからなり、センサ部と前記センサ部の縁から延在するテール部とを有する透明フレキシブル基材と、
 前記透明フレキシブル基材の第一主面上で、かつ前記センサ部内に形成された複数の電極と、
 前記複数の電極と電気的に接続され、前記テール部と隣接する縁まで延長されて集約形成された複数の電極用第一配線と、
 前記複数の電極用第一配線と電気的に接続され、前記テール部内に並列に配置して形成された、導電性粒子を含むフォトレジストからなる複数の電極用第二配線と、
 前記透明フレキシブル基材の前記第一主面とは反対面である第二主面上で、かつ平面視で前記複数の電極を含む領域と重複するように形成された電磁波シールドと、
 前記電磁波シールドと電気的に接続され、前記テール部と隣接する縁まで延長されて形成された一対の電磁波シールド用第一配線と、
 前記一対の電磁波シールド用配線と電気的に接続され、前記テール部内に平面視で前記複数の電極用第二配線を含む領域より外側に配置して形成された、導電性粒子を含むフォトレジストからなる一対の電磁波シールド用第二配線と、を備える。
 このFPC一体型静電容量スイッチでは、テール部内に形成された複数の電極用第二配線および一対の電磁波シールド用第二配線が、ともに導電性粒子を含むフォトレジストからなる。そのため、FPC部分の配線が屈曲使用時においても断線せず、電気的信頼性が高い。また、導電性粒子を含むフォトレジストからなる膜を露光、現像することにより配線パターンが得られるため、複数の電極用第二配線の高密度化が可能である。
 また、本発明者らは、本発明過程おいて、導電性粒子を含むフォトレジストからなる膜の露光、現像が、FPC部分の配線の形成工程であるが故に、以下の新たな課題を生ずることに気付いた。
 すなわち、透明フレキシブル基材の片面に形成された導電性粒子を含むフォトレジストからなる膜を露光すると、透明フレキシブル基材の反対面に形成された導電性粒子を含むフォトレジストからなる膜まで、光が到達して露光してしまう。そのため、複数の電極用第二配線と同じ配線パターンが、透明フレキシブル基材を介して裏側にも形成される(以下、裏写りという)。
 静電容量スイッチのFPC部分を折り曲げて回路基板等に接続させる方法としては、圧着が用いられる。ところが、複数の電極用第二配線の裏写りパターンが存在していると、圧着時の押圧力が裏写りパターンの隙間に透明フレキシブル基材が押し込まれて波打ちが生じることがわかった。この波打ち状態での圧着は、複数の電極用第二配線に破損、断線を生じさせる懼れがある。
 そこで、本発明者らは、上記の構成要素に加え、前記透明フレキシブル基材の第二主面上で、かつ前記テール部内に平面視で前記複数の電極用第二配線を含む領域と重複するように形成された、遮光性金属膜を含む電磁波シールド側マスクを備える構成とした。
 このように構成することで、複数の電極用第二配線の裏写りパターンが形成されるのを防ぐことができる。具体的には、透明フレキシブル基材の第二主面上に遮光性金属膜を含む電磁波シールド側マスクを形成した後に、一対の電磁波シールド用配線を形成するための導電性粒子を含むフォトレジストからなる膜を形成する。したがって、この膜の電磁波シールド側マスクが存在する部分には、後に行なわれる複数の電極用第二配線を形成するための露光が届かず、裏写りパターンは形成されない。その結果、圧着時においても断線せず、電気的信頼性が高い。
 また、前記電磁波シールド側マスクが分割されており、分割された前記電磁波シールド側マスクの前記透明フレキシブル基材側とは反対側の面に、前記一対の電磁波シールド用第二配線が分かれて重複していてもよい。この場合、さらに電磁波シールド側マスクが、一対の電磁波シールド用第一配線に電気的に接続されていてもよいし、一対の電磁波シールド用第一配線から独立していてもよい。
 また、前記電磁波シールド側マスクに前記一対の電磁波シールド用第二配線が非重複であり、さらに、前記透明フレキシブル基材の第一主面上で、かつテール部内に平面視で前記一対の電磁波シールド用第二配線と重複するように形成された、遮光性金属膜を含む一対の電極側マスクを備えるようにしてもよい。
 このように構成することで、さらに電気的信頼性を向上させることができる。
 まず、一対の電磁波シールド用第二配線は電磁波シールド側マスクと非重複であるため、万が一に電磁波シールド側マスクにクラックが生じた場合でも、そのクラックが電磁波シールド用第二配線に影響しない。
 また、一対の電磁波シールド用第二配線の裏写りパターンが形成されるのを防ぐことができる。具体的には、透明フレキシブル基材の第一主面上に遮光性金属膜を含む電極側マスクを形成した後に、複数の電極用第二配線を形成するための導電性粒子を含むフォトレジストからなる膜を形成する。したがって、この膜の電極側マスクが存在する部分には、後に行なわれる一対の電磁波シールド用第二配線を形成するための露光が届かず、裏写りパターンは形成されない。
 その結果、透明フレキシブル基材の第一主面および第二主面のいずれにも裏写りパターンが第一主面1a側に形成されないため、複数の電極用第二配線および一対の電磁波シールド用第二配線の形成領域では、積層順が異なるだけで積層材料が等しくなる。すなわち厚みの差が生じない。テール部の複数の電極用第二配線を含む領域(中央部)を挟む両端部の厚みが裏写りパターンによって厚くなると、両端部の腰が強くなり、中央部がヨレ易くなる。しかし、一対の電磁波シールド用第二配線の裏写りパターンが形成されなければ、ヨレない。
 さらに、前記センサ部がビューエリアと前記ビューエリアを囲う額縁エリアとを有し、前記ビューエリア上において前記電極、前記電極用第一配線および前記電磁波シールドは透明であってもよい。
 前記電極用第二配線および前記電磁波シールド用第二配線に含まれる前記導電性粒子は、金属粉末、核材表面を導電層で被覆したもの、カーボンまたはグラファイトのいずれかであってもよい。また、前記電磁波シールド側マスクの前記遮光性金属膜は、銅、銀、錫、アルミニウムまたはニッケルのいずれかからなってもよい。
 前記透明フレキシブル基材の第一主面上で、かつ前記テール部の端部に形成された、複数の端子部をさらに備え、前記端子部上に前記複数の電極用第二配線が電気的に接続されていてもよい。
 上記のFPC一体型静電容量スイッチの製造方法は、
 〔1〕 樹脂フィルムからなり、センサ部と前記センサ部の縁から延在するテール部とを面内に有する透明フレキシブル基材原反を用い、前記透明フィルム基材原反の第一主面および前記第一主面と反対面である第二主面に、それぞれ透明導電膜、遮光性金属膜および第一フォトレジストを順次積層する工程と、
 〔2〕 前記第一主面側の前記第一フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記複数の電極および前記複数の電極用第一配線に対応する形状にパターニングし、前記第二主面側の前記第一フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記電磁波シールド、前記一対の電磁波シールド用第一配線および前記電磁波シールド側マスクに対応する形状にパターニングする工程と、
 〔3〕 露出した前記透明導電膜および前記遮光性金属膜をエッチングする工程と、
 〔4〕 エッチング後の前記第一フォトレジストを剥離する工程と、
 〔5〕 前記第一フォトレジスト剥離後の前記第一主面側および前記第二主面側に、それぞれ第二フォトレジストを形成する工程と、
 〔6〕 前記第一主面側の前記第二フォトレジストを部分的に露光し、現像してビューエリアの前記遮光性金属膜を露出させ、前記第二主面側の前記第二フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記電磁波シールドを露出させる工程と、
 〔7〕 露出した前記遮光性金属膜のみをエッチングする工程と、
 〔8〕 エッチング後の前記第二フォトレジストを剥離する工程と、
 〔9〕 前記第二フォトレジスト剥離後の前記第一主面側および前記第二主面側に、それぞれ導電性粒子を含む第三フォトレジストを形成する工程と、
 〔10〕 前記第一主面側の前記第三フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記複数の電極用第二配線の形状にパターニングし、前記第二主面側の前記第三フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記一対の電磁波シールド用第二配線の形状にパターニングする工程と、
 〔11〕 最後に前記透明フレキシブル基材原反を、前記センサ部および前記テール部を有する透明フレキシブル基材の形状に打ち抜く工程と、
を備える。
 この製造方法では、さらに、ビューエリア外の複数の電極用第一配線および前記一対の電磁波シールド用第一配線を透明導電膜と遮光性金属膜の積層体とすることによって、配線は十分に低抵抗となる。これにより、入力操作に対する十分な反応速度、十分に抑制された消費電流となる。しかも、電磁波シールド側マスクも同じ透明導電膜と遮光性金属膜の積層体からパターニングするため、電磁波シールド側マスク形成のための工程が別途不要である。
 なお、FPC一体型静電容量スイッチが前記電極側マスクを有する場合には、前記工程〔2〕において、前記第一主面側の前記第一フォトレジスト(70)を部分的に露光し、現像する際に、前記複数の電極および前記複数の電極用第一配線(21)に対応する形状のパターニングに加えて、前記一対の電極側マスクに対応する形状のパターニングも形成することとなる。
 本発明のPC一体型静電容量スイッチでは、FPC部分において、屈曲使用時や圧着時における電気的信頼性が高く、かつ、配線の高密度化を実現できる。
第一実施形態におけるFPC一体型静電容量スイッチを示す模式図。 図1のAA線断面を示す部分拡大断面図。 第一実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す部分拡大断面図。 第一実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第一実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第一実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第一実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第一実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第一実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第一実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第一実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第一実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第一実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第二実施形態におけるFPC一体型静電容量スイッチを示す模式図。 第三実施形態におけるFPC一体型静電容量スイッチを示す模式図。 第三実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第三実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第三実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第三実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 第三実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図。 テール部内に電磁波シールド側マスクが有る場合の露光状態を示す部分拡大断面図。 テール部内に電磁波シールド側マスクが無い場合に得られるFPC一体型静電容量スイッチのテール部を示す部分拡大断面図。 テール部内に電磁波シールド側マスクが無い場合の露光状態を示す部分拡大模式図。 テール部内に電磁波シールド側マスクが無い場合に得られるFPC一体型静電容量スイッチのテール部を示す部分拡大断面図。 第三実施形態で電極側マスクが有る場合の露光状態を示す部分拡大断面図。 第三実施形態で電極側マスクが有る場合に得られるFPC一体型静電容量スイッチのテール部を示す部分拡大断面図。 第三実施形態で電極側マスクが無い場合の露光状態を示す部分拡大模式図。 第三実施形態で電極側マスクが無い場合に得られるFPC一体型静電容量スイッチのテール部を示す部分拡大断面図。
 以下、実施形態について、図面を参照しながら説明する。しかし、本発明は以下に具体的に示される実施形態に限定されるものではない。
1.第一実施形態
(FPC一体型静電容量スイッチ)
 図1は、第一実施形態におけるFPC一体型静電容量スイッチを示す模式図である。また、図2は、図1のAA線断面を示す部分断面図である。なお、図面中における(a)、(b)はそれぞれ透明フレキシブル基材1の第一主面1a側、第二主面1b側からみた見た図を示している。また、図中の符号のうち丸括弧で囲んだものは、模式図において露出している最表面の層を示している。
 FPC一体型静電容量スイッチ5は、透明フレキシブル基材1と、透明フレキシブル基材1の第一主面1aに形成された複数の電極2、複数の電極用第一配線21および複数の電極用第二配線22と、透明フレキシブル基材1の第一主面1aとは反対面である第二主面1b上に形成された電磁波シールド3、一対の電磁波シールド用第一配線31、電磁波シールド側マスク33および一対の電磁波シールド用第二配線32と、を備えている。
<透明フレキシブル基材>
 透明フレキシブル基材1は、図1に示すように、静電容量スイッチ本体の基材であるセンサ部11と、センサ部11の縁から延在するFPC部分の基材であるテール部12とを有している。センサ部11の形状は、センサ部11の形状は、図1に示す長方形以外に、FPC一体型静電容量スイッチ5の用途に応じて、その他の形態、例えば、円形、正方形、三角形、多角形であってもよい。
 また、透明フレキシブル基材1は、樹脂フィルムからなる。90%以上の透過率をもつフレキシブルな材料であれば特に制限はなく、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、環状オレフィンコポリマー(COC)、トリアセチルセルロース(Triacetylcellulose;TAC)フィルム、ポリビニルアルコール(Polyvinyl alcohol;PVA)フィルム、ポリイミド(Polyimide;PI)フィルム、ポリスチレン(Polystyrene;PS)、又は二軸延伸ポリスチレン(biaxially oriented PS;BOPS)などのフィルム、又はそれらの積層体などが用いられる。好ましくは、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリイミド(PI)、ポリカーボネート(PC)、トリアセチルセルロース(TAC)フィルムなどであってもよい。
 また、透明フレキシブル基材1は、単一層又は2層以上の貼合された積層体であってもよい。また、透明フレキシブル基材1の厚みは、通常、各フィルムの単独厚で20μm以上、各フィルムの合計厚が500μm以下とされている。単独厚が20μmに満たないとフィルム製造時のハンドリングが難しく、合計厚が500μmを超えると透光性やフレキシブル性が低下するからである。
<電極>
 図1(a)に示すように、透明フレキシブル基材1の第一主面1aのうち、センサ部11内に区画された長方形のビューエリア111においては、透明導電膜50からなる複数の電極2が形成されている。複数の電極2は、静電容量スイッチの検出電極を構成するものであり、各々が正方形状で、縦横4×4に行列配置されている。
 透明導電膜50としては、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化カドミウム、若しくは、インジウムチンオキサイド(ITO)などの金属酸化物膜、又は、これらの金属酸化物を主体とする複合膜が挙げられる。これらは、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などで形成するとよい。厚みは数十から数百nm程度で形成され、塩化第二鉄などの溶液では遮光性金属膜60とともに容易にエッチングされるが、酸性雰囲気下での過酸化水素水など遮光性金属膜60のエッチング液では容易にエッチングされないことが必要である。そして、80%以上の光線透過率、数mΩから数百Ωの表面抵抗値を示すことが好ましい。
<電極用第一配線>
 図1(a)に示すように、透明フレキシブル基材1の第一主面1aのうち、センサ部11においては、複数の電極2と電気的に接続され、テール部12と隣接する縁まで延長されて集約された複数の電極用第一配線21が形成されている。
 電極用第一配線21は、図1(a)に示すように、センサ部11内に区画されたビューエリア111においては、電極2と同じ透明導電膜50からなる。また、複数の電極用第一配線21は、図1(a)および図2に示すように、センサ部11内のビューエリア111を取り囲む残りの額縁エリア112においては、透明フレキシブル基材1側から透明導電膜50、遮光性金属膜60が順次積層された積層体である。
 電極用第一配線21の透明導電膜50は、電極2とは一体的に形成されるものである。すなわち、電極2と同じ材料であるから、材料についての説明は省略する。
 電極用第一配線21のうちビューエリア111外に形成される部分は、透明である必要はない。そのため、透明導電膜50の上に、透明導電膜50より導電率が高く、かつ、遮光性の良い材料からなる遮光性金属膜60を積層することができる。
 透明導電膜50よりも導電率が高い遮光性金属膜60を積層するによって、ビューエリア111外の電極用第一配線21は十分に低抵抗となる。これにより、入力操作に対する十分な反応速度、十分に抑制された消費電流となる。
 遮光性金属膜60としては、銅、銀、錫、アルミニウム、ニッケルなどの単一の金属膜やそれらの合金または化合物などが挙げられる。とくに銅が好ましい。これらは、金属箔ラミネート法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などで形成するとよい。厚みは、20~1000nmで形成され、より好ましくは30nm以上である。さらに好ましくは、100~500nmにするとよい。厚み100nm以上であれば、高い導電性の遮光性金属膜60が得られ、厚み500nm以下であれば、取り扱いやすく加工性に優れた遮光性金属膜60が得られるからである。
<電極用第二配線>
 図1(a)に示すように、透明フレキシブル基材1の第一主面1aのうち、センサ部11の縁から延在する帯状のテール部12には、複数の電極用第一配線21と電気的に接続された、複数の電極用第二配線22が形成されている。複数の電極用第二配線22は、FPC部分の配線を構成するものであり、平行に並列に配置されている。
 電極用第二配線22は、図1(a)に示すように、導電性粒子を含む第三フォトレジスト80からなる。
 第三フォトレジスト80からなる電極用第二配線22は、静電容量スイッチ5の製造工程において、露光、現像を経てパターン化されたものである。そのため、一般にFPC配線に使用される印刷パターンよりも配線幅を細く、配線間の隙間を狭くすること、すなわち高密度化を実現できる。
 また、この第三フォトレジスト80は、屈曲性に優れた感光性樹脂をベースとしており、屈曲使用時において断線しにくく、電気的信頼性が高い。
 第三フォトレジスト80のベースとしては、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等で露光し、後述するアルカリ性水溶液等で現像が可能な感光性樹脂で構成する。
 第三フォトレジスト80に含有させる導電性粒子としては、銀、金、銅、ニッケル、白金、パラジウムなどの金属粉末のほか、核材としてアルミナ、ガラスなどの無機絶縁体やポリエチレン、ポリスチレン、ジビニルベンゼンなどの有機高分子などを用い、核材表面を金、ニッケルなどの導電層で被覆したもの、カーボン、グラファイトなどが挙げられる。とくに銀粉末が好ましい。また、導電性粒子の形状は、フレーク状、球状、短繊維状などの形状のものを用いることができる。
 電極用第二配線22の形成方法は、グラビア、スクリーン、オフセットなどの汎用の印刷法のほか、各種コーターによる方法、塗装、ディッピングなどの方法、ドライフィルムレジスト(DFR)のラミネートなどの各種方法により全面形成した後に、露光・現像してパターニングするとよい。中でもドライフィルムレジストのラミネートがより好ましい。
 ドライフィルムレジストは、液状レジストと異なり、予め均一な膜厚に加工されているため、膜厚が不均一になったり、膜減りを起こしたりすることが無い。また、有機溶剤の乾燥時間も必要無いので、乾燥不良が原因で、巻き取った際に転移することがない。
 電極用第二配線22の厚みは、2~10μmとするのが好ましい。より好ましくは、3~5μmである。厚み3μm以上であれば、配線として用いるのに十分に低い導電率を持つ電極用第二配線22が得られ、5μm以下であれば耐屈曲性に優れた電極用第二配線22が得られるからである。
<電磁波シールド>
 図1(b)に示すように、透明フレキシブル基材1の第一主面1aとは反対面である第二主面1b上で、かつ平面視で複数の電極2を含む領域と重複するように、透明導電膜50からなる電磁波シールド3が形成されている。電磁波シールド3は、表示装置からの誤動作を引き起こす有害なノイズを削減するものである。
 電磁波シールド3の透明導電膜50は、電極2と同じ材料であるから、材料についての説明は省略する。
<電磁波シールド用第一配線>
 また、図1(b)に示すように、透明フレキシブル基材1の第二主面1bのセンサ部11には、電磁波シールド(3)と電気的に接続され、テール部12と隣接する縁まで延長された一対の電磁波シールド用第一配線31が形成されている。
 電磁波シールド用第一配線31は、図1(b)に示すように、透明フレキシブル基材1側から透明導電膜50、遮光性金属膜60が順次積層された積層体である。電磁波シールド用第一配線31の透明導電膜50および遮光性金属膜60は、電極用第一配線21の積層体部分と同じ材料であるから、材料についての説明は省略する。
<電磁波シールド側マスク>
 また、図1(b)に示すように、透明フレキシブル基材1の第二主面1bのテール部12には、平面視で複数の電極用第二配線22を含む領域と重複するように、遮光性金属膜を含む電磁波シールド側マスク33が形成されている。
 本実施形態においては、電磁波シールド側マスク33は、透明フレキシブル基材1側から透明導電膜50、遮光性金属膜60が順次積層された積層体であり、平面視で分割されている。また、電磁波シールド側マスク33の透明導電膜50および遮光性金属膜60は、電磁波シールド用第一配線31とは一体的に形成されている。電磁波シールド側マスク33は、電磁波シールド用第一配線31と同じ材料であるから、材料についての説明は省略する。
 遮光性金属膜を含む電磁波シールド側マスク33は、静電容量スイッチ5の製造過程における、複数の電極用第二配線22の裏写りパターン34が形成されるのを防ぐためのものである。
 より具体的には、透明フレキシブル基材1の第二主面1b上に遮光性金属膜を含む電磁波シールド側マスク33を形成した後に、後述する一対の電磁波シールド用配線31を形成するための導電性粒子を含む第三フォトレジスト80からなる膜を形成する。したがって、図16に示すように、この膜の電磁波シールド側マスク33が存在する部分には、後に行なわれる複数の電極用第二配線22を形成するための露光200が届かず、裏写りパターン34は形成されない。その結果、圧着時においても断線せず、電気的信頼性が高い。図中、濃くなっている部分80aは硬化部分である。
<電磁波シールド用第二配線>
 また、図1(b)に示すように、透明フレキシブル基材1の第一主面1aのうち、センサ部11の縁から延在する帯状のテール部12には、一対の電磁波シールド用配線31と電気的に接続された、導電性粒子を含む第三フォトレジスト80からなると一対の電磁波シールド用第二配線32が形成されている。
 複数の一対の電磁波シールド用第二配線32は、FPC部分の配線を構成するものであり、平面視で複数の電極用第二配線22を含む領域より外側に配置されている。
 つまり、電磁波シールド側マスク33の分割は、電磁波シールド側マスク33と重複で一対の電磁波シールド用第二配32を短絡させないためである。
 電磁波シールド用第二配線32は、電極用第二配線22と同じ材料であるから、材料についての説明は省略する。
(静電容量スイッチの製造方法)
 図を用いて、本発明の静電容量スイッチの製造方法を説明する。
 図3は、第一実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す部分拡大断面図である。図4~12は、第一実施形態における静電容量スイッチの製造工程を示す模式図である。図面中における(a)、(b)はそれぞれ透明フレキシブル基材1の第一主面1a側、第二主面1b側からみた見た図を示している。また、図中の符号のうち丸括弧で囲んだものは、模式図において露出している最表面の層を示している。
〔1〕第一積層工程
 まず、樹脂フィルムからなり、センサ部11とセンサ部11の縁から延在するテール部12とを面内に有する、静電容量スイッチ5よりもサイズの大きな透明フレキシブル基材原反100を用意する。
 この透明フィルム基材原反100の第一主面100aおよび前記第一主面100aと反対面である第二主面100bに、それぞれ透明導電膜50、遮光性金属膜60および第一フォトレジスト70を順次積層する(図3および図4参照)。透明導電膜50、遮光性金属膜60および第一フォトレジスト70は、本積層工程においては、透明フィルム基材原反100に対して全面的に形成されている。
 透明フレキシブル基材原反100については、前述した静電容量スイッチ5の透明フレキシブル基材1と同じ材料を用いることができる。また、透明導電膜50、遮光性金属膜60および第一フォトレジスト70の形成についても、前述した材料および形成方法が用いられる。
 なお、透明フィルム基材原反100は、枚葉で準備されてもよいし、ロールに巻き取られた状態で準備されてもよい。透明フィルム基材原反100がロールに巻き取られた状態で準備される場合、ロールから巻き出して供給される透明フィルム基材原反100に対して、本積層工程およびそれ以降の工程が連続して、あるいは途中で何度か一旦巻き取りながら、施されていくことになる。
〔2〕第一露光・現像工程
 その後、図5に示すように、第一主面100a側の第一フォトレジスト70を部分的に露光し、現像して前述の複数の電極2および複数の電極用第一配線21に対応する形状にパターニングする。また、第二主面100b側の第一フォトレジスト70を部分的に露光し、現像して前述の電磁波シールド3、一対の電磁波シールド用第一配線31および電磁波シールド側マスク33に対応する形状にパターニングする。
 露光は、第一フォトレジスト70の露光領域を硬化させ、現像液に対して溶解性を低下させる処理である。露光方法としては、デジタル露光、アナログ露光等が挙げられる。
 現像は、露光領域を硬化させた後、現像液を用いて未硬化領域を除去することにより、感光性導電層6のパターンを形成する処理である。
 現像液としては、特に制限はなく、例えば、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物若しくは炭酸塩、炭酸水素塩、アンモニア水、4級アンモニウム塩の水溶液などが好適に挙げられる。現像液は、界面活性剤、消泡剤、有機塩基(などと併用してもよい。また、現像液は、水又はアルカリ水溶液と有機溶剤を混合した水系現像液であってもよく、有機溶剤単独であってもよい。
〔3〕第一エッチング工程
 次に、図6に示すように、露出した透明導電膜50および遮光性金属膜60をエッチングする。
 これにより、両面の透明導電膜50、遮光性金属膜60が、両面の第一フォトレジスト70のパターンと同一のパターンにパターニングされる。とくに額縁エリア112において複数の電極用第一配線21を構成するパターンは、フォトリソグラフィー技術によるため、銀ペーストのスクリーン印刷にて形成される場合と比べて、十分に高精細に形成することができる。
 なお、本実施形態では、遮光性金属膜60を有するため、第一フォトレジスト70を表裏同時に露光ができ、非常に生産性よく製造できる。
 エッチング液としては、塩化第二鉄溶液などの公知のものから、透明導電膜50および遮光性金属膜60を両方ともエッチングするものが適宜選択して用いられる。例えば、透明導電膜50および遮光性金属膜60がITO膜と銅膜の場合、塩化第二鉄溶液をエッチング液として用いることができる。
〔4〕第一レジスト剥離工程
 次に、図7に示すように、両面の第一フォトレジスト70を剥離する。
 これによって、第一フォトレジスト70で覆われていた部分の遮光性金属膜60が、両面で露出するようになる。
 剥離液としては、公知のものから第一フォトレジスト70のみ剥離するものを適宜選択して使用する。
〔5〕第二積層工程
 次に、図8に示すように、第一フォトレジスト70剥離後の前記第一主面100a側および第二主面100b側に、それぞれ第二フォトレジスト71を形成する。
 第二フォトレジスト71は、第一フォトレジスト70と同様の材料を用い、透明フィルム基材原反100に対して全面的に形成されている。
〔6〕第二露光・現像工程
 その後、図9に示すように、第一主面100a側の第二フォトレジスト71を部分的に露光し、現像して前述のビューエリア111の遮光性金属膜60を露出させる。また、第二主面100b側の第二フォトレジスト71を部分的に露光し、現像して電磁波シールド3を露出させる。
 なお、本実施形態では、遮光性金属膜60を有するため、第二フォトレジスト71を表裏同時に露光ができ、非常に生産性よく製造できる。
 露光、現像の詳細については、パターン以外は前述の第一露光・現像工程と同様であるので、説明を省略する。
〔7〕第二エッチング工程
 次に、図10に示すように、露出した遮光性金属膜60のみをエッチングする。
 これにより、ビューエリア111は透明導電膜50となり、静電容量スイッチ5の背後に図示しない表示装置を配置した場合、表示画面を透視することができる。
 エッチング液としては、酸性雰囲気下での過酸化水素水など公知のもののうちから、遮光性金属膜60のみをエッチングするものが適宜選択して用いられる。例えば、透明導電膜50および遮光性金属膜60がITO膜と銅膜の場合、酸性雰囲気下での過酸化水素水などをエッチング液として用いることができる。
〔8〕レジスト剥離工程
 次に、図11に示すように、エッチング後の第二フォトレジスト71を剥離する。
 これによって、第二フォトレジスト71で覆われていた部分の遮光性金属膜60が、両面で露出するようになる。
 剥離液としては、公知のものから第二フォトレジスト71のみ剥離するものを適宜選択して使用する。
〔9〕第三積層工程
 次に、図12に示すように、第二フォトレジスト71剥離後の第一主面100a側および第二主面100b側に、それぞれ導電性粒子を含む第三フォトレジスト80を形成する。
 第三フォトレジスト80の形成についても、前述した静電容量スイッチ5の材料および形成方法と同じである。
〔10〕第三露光・現像工程
 その後、図13に示すように、第一主面100a側の第三フォトレジスト80を部分的に露光し、現像して複数の電極用第二配線22の形状にパターニングし、第二主面100b側の第三フォトレジスト80を部分的に露光200し、現像して一対の電磁波シールド用第二配線32の形状にパターニングする。
 本第三露光・現像工程は、第三フォトレジスト80が導電性粒子を含むので、露光・現像後、第三フォトレジスト80自体が導電性パターンとなる。この点で第一および第二露光・現像工程と異なる。
 また、前述のように、透明フレキシブル基材1の第二主面1b上で、かつテール部12内に平面視で複数の電極用第二配線22を含む領域と重複するように形成された、遮光性金属膜を含む電磁波シールド側マスク33を有するため、複数の電極用第二配線22を形成するための露光が第二主面100b側の第三フォトレジスト80に届かず、複数の電極用第二配線22の裏写りパターン34は形成されない(図21、図22参照)。図中、濃くなっている部分80aは硬化部分である。
 なお、テール部12内に遮光性金属膜を含む電磁波シールド側マスク33が無い場合には、図23に示すように、一方面側の第三フォトレジスト80への露光200が、他方面側の第三フォトレジスト80に届いてしまい、余計な硬化部分ができる。これを現像すると、図24に示すような、複数の電極用第二配線22の裏写りパターン90が形成されてしまう。
 露光、現像の詳細については、上記のこと以外は前述の第一および第二露光・現像工程と同様であるので、説明を省略する。
〔11〕打ち抜き工程
 最後に、透明フレキシブル基材原反100を、センサ部11およびテール部12を有する透明フレキシブル基材1の形状に打ち抜いて、図1に示すFPC一体型静電容量スイッチ5を得る。
 透明フレキシブル基材原反100のうち抜きには、公知の手段を用いることが出来る。
 機械式打ち抜き方法としては、例えば、トムソン刃による平抜き、ダイカットロールによる円筒抜きが挙げられる。光学式打ち抜き方法としては、CO2レーザーカッターを上げることができる。
 以上のようにして得られるFPC一体型静電容量スイッチ5は、テール部12内に形成された複数の電極用第二配線22および一対の電磁波シールド用第二配線32が、ともに導電性粒子を含む第三フォトレジスト80からなる。そのため、FPC部分の配線が屈曲使用時においても断線せず、電気的信頼性が高い。また、導電性粒子を含む第三フォトレジスト80からなる膜を露光、現像することにより配線パターンが得られるため、複数の電極用第二配線22の高密度化が可能である。
 また、透明フレキシブル基材1の第二主面1b上に遮光性金属膜60を含む電磁波シールド側マスク33を形成した後に、一対の電磁波シールド用第二配線32を形成するための導電性粒子を含む第三フォトレジスト80からなる膜を形成するので、電磁波シールド側マスク33が存在する部分においては、後に行なわれる複数の電極用第二配線22を形成するための露光が第二主面1b側の第三フォトレジスト80に届かず、裏写りパターンは形成されない。その結果、圧着時においても断線せず、電気的信頼性が高い。
2.第二実施形態
 第一実施形態では、電磁波シールド側マスク33が、一対の電磁波シールド用第一配線31に電気的に接続されているFPC一体型静電容量スイッチ5を説明したが、本発明はその実施形態に限定されない。
 例えば、図14に示すように、電磁波シールド側マスク33が、一対の電磁波シールド用第一配線31から独立していてもよい。
 このように構成した場合、一対の電磁波シールド用第一配線31と電磁波シールド側マスク33とで別の材料を用いることができるというメリットがある。
 その他の点については、第一実施形態と同様であるので、説明を省略する。
3.第三実施形態
 また、第一実施形態では、分割された電磁波シールド側マスク33の透明フレキシブル基材1側とは反対側の面に、一対の電磁波シールド用第二配線32が分かれて重複しているFPC一体型静電容量スイッチ5を説明したが、本発明はその実施形態に限定されない。
 例えば、図15に示すように、一対の電磁波シールド用第二配線32が電磁波シールド側マスク33に重複せず、電磁波シールド側マスク33の両側に平行に離間して形成されていてもよい。
 このように構成した場合、電磁波シールド側マスク33を分割しなくても(図15参照)、一対の電磁波シールド用第二配32が短絡するおそれがない。そのため、電磁波シールド側マスク33間の隙間にも第三フォトレジスト80からなるパターンが形成されないので、圧着時の波打ちをより確実に防止できる。
 また、一対の電磁波シールド用第二配線32が電磁波シールド側マスク33と非重複であるため、万が一に電磁波シールド側マスク33にクラックが生じた場合でも、そのクラックが電磁波シールド用第二配線32に影響しない。
 なお、第三実施形態のように一対の電磁波シールド用第二配線32と電磁波シールド側マスク33とを非重複とする場合、透明フレキシブル基材1の第一主面1a上で、かつテール部12内に平面視で一対の電磁波シールド用第二配線32と重複するように形成された、遮光性金属膜を含む一対の電極側マスク34を備えるようにするのが好ましい(図15参照)。この電極側マスク34の幅は、電磁波シールド用第二配線32と同じか、又は電磁波シールド用第二配線32より広く形成される。
 このように構成することで、一対の電磁波シールド用第二配線32の裏写りパターンが第一主面1a側に形成されるのを防ぐことができる。具体的には、透明フレキシブル基材1の第一主面1a上に遮光性金属膜を含む電極側マスク34を形成した後に、複数の電極用第二配線32を形成するための導電性粒子を含むフォトレジストからなる膜を形成する。したがって、この膜の電極側マスク34が存在する部分には、後に行なわれる一対の電磁波シールド用第二配線32を形成するための露光が届かず、裏写りパターンは形成されない(図25参照)。
 その結果、透明フレキシブル基材1の第一主面1aおよび第二主面1bのいずれにも裏写りパターンが形成されないため、複数の電極用第二配線22および一対の電磁波シールド用第二配線32の形成領域では、積層順が異なるだけで積層材料が等しくなる(図26参照)。すなわち厚みの差が生じない。
 テール部12の複数の電極用第二配線22を含む領域(中央部)を挟む両端部の厚みが一対の電磁波シールド用第二配線32の裏写りパターン90によって厚くなると(図27、図28参照)、両端部の腰が強くなり、中央部がヨレ易くなる(図27、図28中、電磁波シールド側マスク33と電磁波シールド用第二配線32の厚みが同等に描かれているが、これは層構成がわかりやすくするためであり、実際には前述のように電磁波シールド用第二配線32の方が1桁程度数値が小さい)。しかし、上記したように一対の電磁波シールド用第二配線32の裏写りパターン90が形成されなければ、ヨレない。
 その他の点については、第一実施形態と同様であるので、説明を省略する。
(静電容量スイッチの製造方法)
 図を用いて、第三実施形態の静電容量スイッチの製造方法を説明する。
〔1〕第一積層工程
 第一実施形態と同様である(図4参照)。
〔2〕第一露光・現像工程
 第一主面100a側の前記第一フォトレジスト70を部分的に露光し、現像する際に、複数の電極2および複数の電極用第一配線21に対応する形状のパターニングに加えて、一対の電極側マスク34に対応する形状のパターニングもするように変更する(図16参照)。
 その他は、第一実施形態と同様である。
〔3〕第一エッチング工程
 前工程の変更に基づき電極側マスク34が形成される以外、第一実施形態と同様である(図17参照)。
〔4〕第一レジスト剥離工程
 第一実施形態と同様である(図18参照)。
〔5〕第二積層工程
 第一実施形態と同様である(図8参照)。
〔6〕第二露光・現像工程
 第一実施形態と同様である(図9参照)。
〔7〕第二エッチング工程
 第一実施形態と同様である(図10参照)。
〔8〕レジスト剥離工程
 第一実施形態と同様である(図19参照)。
〔9〕第三積層工程
 第一実施形態と同様である(図12参照)。
〔10〕第三露光・現像工程
 電極側マスク34が存在する部分に、一対の電磁波シールド用第二配線32を形成するための露光が届かず、裏写りパターンは形成されないこと以外は、第一実施形態と同様である(図20参照)。
〔11〕打ち抜き工程
 第一実施形態と同様である(図15参照)。
4.他の実施形態
 以上、本発明の複数の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。特に、本明細書に書かれた複数の実施形態および変形例は必要に応じて任意に組み合せ可能である。
 例えば、センサ部11がビューエリア111を有し、ビューエリア111上において電極2、電極用第一配線21および電磁波シールド3は透明と説明したが、ビューエリア111を設けずにこれらを不透明な材料で形成してもよい。
 本発明のFPC一体型静電容量スイッチは、腕時計、車載機器のほか、携帯用小型端末、電子ペーパー、コンピュータディスプレイ、小型ゲーム機、現金自動支払機の表示面、乗車券自動販売機などに装着される静電容量スイッチとして好ましく使用することができる。
1       :透明フレキシブル基材
1a,100a :第一主面
1b,100b :第二主面
2       :電極
3       :電磁波シールド
11      :センサ部
12      :テール部
21      :電極用第一配線
22      :電極用第二配線
31      :電磁波シールド用第一配線
32      :電磁波シールド用第二配線
33      :電磁波シールド側マスク
34      :電極側マスク
50      :透明導電膜
60      :遮光性金属膜
70      :第一フォトレジスト
71      :第二フォトレジスト
80      :第三フォトレジスト(導電性粒子含む)
80a     :硬化部分
90      :裏写りパターン
111     :ビューエリア
112     :額縁エリア
100     :透明フレキシブル基材原反
200     :露光

Claims (10)

  1.  樹脂フィルムからなり、センサ部と前記センサ部の縁から延在するテール部とを有する透明フレキシブル基材と、
     前記透明フレキシブル基材の第一主面上で、かつ前記センサ部内に形成された複数の電極と、
     前記複数の電極と電気的に接続され、前記テール部と隣接する縁まで延長されて集約形成された複数の電極用第一配線と、
     前記複数の電極用第一配線と電気的に接続され、前記テール部内に並列に配置して形成された、導電性粒子を含むフォトレジストからなる複数の電極用第二配線と、
     前記透明フレキシブル基材の前記第一主面とは反対面である第二主面上で、かつ平面視で前記複数の電極を含む領域と重複するように形成された電磁波シールドと、
     前記電磁波シールドと電気的に接続され、前記テール部と隣接する縁まで延長されて形成された一対の電磁波シールド用第一配線と、
     前記一対の電磁波シールド用配線と電気的に接続され、前記テール部内に平面視で前記複数の電極用第二配線を含む領域より外側に配置して形成された、導電性粒子を含むフォトレジストからなる一対の電磁波シールド用第二配線と、
     前記透明フレキシブル基材の第二主面上で、かつ前記テール部内に平面視で前記複数の電極用第二配線を含む領域と重複するように形成された、遮光性金属膜を含む電磁波シールド側マスクと、
    を備えたFPC一体型静電容量スイッチ。
  2.  前記電磁波シールド側マスクが分割されており、分割された前記電磁波シールド側マスクの前記透明フレキシブル基材側とは反対側の面に、前記一対の電磁波シールド用第二配線が分かれて重複している請求項1記載のFPC一体型静電容量スイッチ。
  3.  前記電磁波シールド側マスクが、前記一対の電磁波シールド用第一配線に電気的に接続されている請求項2記載のFPC一体型静電容量スイッチ。
  4.  前記電磁波シールド側マスクが、前記一対の電磁波シールド用第一配線から独立している請求項2記載のFPC一体型静電容量スイッチ。
  5.  前記電磁波シールド側マスクに前記一対の電磁波シールド用第二配線が非重複であり、
     さらに、前記透明フレキシブル基材の第一主面上で、かつ前記テール部内に平面視で前記一対の電磁波シールド用第二配線と重複するように形成された、遮光性金属膜を含む一対の電極側マスクを備える請求項1記載のFPC一体型静電容量スイッチ。
  6.  前記センサ部がビューエリアと前記ビューエリアを囲う額縁エリアとを有し、前記ビューエリア上において前記電極、前記電極用第一配線および前記電磁波シールドは透明である請求項1~5記載のFPC一体型静電容量スイッチ。
  7.  前記電極用第二配線および前記電磁波シールド用第二配線に含まれる前記導電性粒子が、金属粉末、核材表面を導電層で被覆したもの、カーボンまたはグラファイトのいずれかである請求項1~6記載のFPC一体型静電容量スイッチ。
  8.  前記電磁波シールド側マスクの前記遮光性金属膜が、銅、銀、錫、アルミニウムまたはニッケルのいずれかからなる請求項1~7記載のFPC一体型静電容量スイッチ。
  9.  請求項1に記載のFPC一体型静電容量スイッチの製造方法であって、
     〔1〕 樹脂フィルムからなり、センサ部と前記センサ部の縁から延在するテール部とを面内に有する透明フレキシブル基材原反を用い、前記透明フィルム基材原反の第一主面および前記第一主面と反対面である第二主面に、それぞれ透明導電膜、遮光性金属膜および第一フォトレジストを順次積層する工程と、
     〔2〕 前記第一主面側の前記第一フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記複数の電極および前記複数の電極用第一配線に対応する形状にパターニングし、前記第二主面側の前記第一フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記電磁波シールド、前記一対の電磁波シールド用第一配線および前記電磁波シールド側マスクに対応する形状にパターニングする工程と、
     〔3〕 露出した前記透明導電膜および前記遮光性金属膜をエッチングする工程と、
     〔4〕 エッチング後の前記第一フォトレジストを剥離する工程と、
     〔5〕 前記第一フォトレジスト剥離後の前記第一主面側および前記第二主面側に、それぞれ第二フォトレジストを形成する工程と、
     〔6〕 前記第一主面側の前記第二フォトレジストを部分的に露光し、現像してビューエリアの前記遮光性金属膜を露出させ、前記第二主面側の前記第二フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記電磁波シールドを露出させる工程と、
     〔7〕 露出した前記遮光性金属膜のみをエッチングする工程と、
     〔8〕 エッチング後の前記第二フォトレジストを剥離する工程と、
     〔9〕 前記第二フォトレジスト剥離後の前記第一主面側および前記第二主面側に、それぞれ導電性粒子を含む第三フォトレジストを形成する工程と、
     〔10〕 前記第一主面側の前記第三フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記複数の電極用第二配線の形状にパターニングし、前記第二主面側の前記第三フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記一対の電磁波シールド用第二配線の形状にパターニングする工程と、
     〔11〕 最後に前記透明フレキシブル基材原反を、前記センサ部および前記テール部を有する透明フレキシブル基材の形状に打ち抜く工程と、
    を備える。
  10.  請求項5に記載のFPC一体型静電容量スイッチの製造方法であって、
     〔1〕 樹脂フィルムからなり、センサ部と前記センサ部の縁から延在するテール部とを面内に有する透明フレキシブル基材原反を用い、前記透明フィルム基材原反の第一主面および前記第一主面と反対面である第二主面に、それぞれ透明導電膜、遮光性金属膜および第一フォトレジストを順次積層する工程と、
     〔2〕 前記第一主面側の前記第一フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記複数の電極、前記複数の電極用第一配線および前記一対の電極側マスクに対応する形状にパターニングし、前記第二主面側の前記第一フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記電磁波シールド、前記一対の電磁波シールド用第一配線および前記電磁波シールド側マスクに対応する形状にパターニングする工程と、
     〔3〕 露出した前記透明導電膜および前記遮光性金属膜をエッチングする工程と、
     〔4〕 エッチング後の前記第一フォトレジストを剥離する工程と、
     〔5〕 前記第一フォトレジスト剥離後の前記第一主面側および前記第二主面側に、それぞれ第二フォトレジストを形成する工程と、
     〔6〕 前記第一主面側の前記第二フォトレジストを部分的に露光し、現像してビューエリアの前記遮光性金属膜を露出させ、前記第二主面側の前記第二フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記電磁波シールドを露出させる工程と、
     〔7〕 露出した前記遮光性金属膜のみをエッチングする工程と、
     〔8〕 エッチング後の前記第二フォトレジストを剥離する工程と、
     〔9〕 前記第二フォトレジスト剥離後の前記第一主面側および前記第二主面側に、それぞれ導電性粒子を含む第三フォトレジストを形成する工程と、
     〔10〕 前記第一主面側の前記第三フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記複数の電極用第二配線の形状にパターニングし、前記第二主面側の前記第三フォトレジストを部分的に露光し、現像して前記一対の電磁波シールド用第二配線の形状にパターニングする工程と、
     〔11〕 最後に前記透明フレキシブル基材原反を、前記センサ部および前記テール部を有する透明フレキシブル基材の形状に打ち抜く工程と、
    を備える。
PCT/JP2019/001196 2018-03-09 2019-01-17 Fpc一体型静電容量スイッチおよびその製造方法 WO2019171773A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020207004788A KR102367643B1 (ko) 2018-03-09 2019-01-17 Fpc 일체형 정전 용량 스위치 및 그 제조 방법
CN201980012572.2A CN111699463A (zh) 2018-03-09 2019-01-17 Fpc一体型静电电容开关及其制造方法
US16/780,927 US10951211B2 (en) 2018-03-09 2020-02-04 FPC integrated capacitance switch and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018042530A JP6576498B2 (ja) 2018-03-09 2018-03-09 Fpc一体型静電容量スイッチおよびその製造方法
JP2018-042530 2018-03-09

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/780,927 Continuation US10951211B2 (en) 2018-03-09 2020-02-04 FPC integrated capacitance switch and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019171773A1 true WO2019171773A1 (ja) 2019-09-12

Family

ID=67845966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/001196 WO2019171773A1 (ja) 2018-03-09 2019-01-17 Fpc一体型静電容量スイッチおよびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10951211B2 (ja)
JP (1) JP6576498B2 (ja)
KR (1) KR102367643B1 (ja)
CN (1) CN111699463A (ja)
TW (1) TW201939560A (ja)
WO (1) WO2019171773A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI699279B (zh) * 2018-10-22 2020-07-21 長興材料工業股份有限公司 電磁波屏蔽膜及其製備方法與用途
WO2020211085A1 (zh) * 2019-04-19 2020-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示屏及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010086498A (ja) * 2008-10-03 2010-04-15 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2012008621A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Nissha Printing Co Ltd 防錆性に優れた両面透明導電膜シートとその製造方法
JP2013149392A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Mitsubishi Rayon Co Ltd 導電膜の製造方法
JP2013214173A (ja) * 2012-03-31 2013-10-17 Nissha Printing Co Ltd 静電容量方式のフィルムセンサーとこれを用いたセンサーモジュール及びカバーモジュール
JP2014160558A (ja) * 2013-02-19 2014-09-04 Shin Etsu Polymer Co Ltd 静電容量スイッチ及びその製造方法
JP2015215735A (ja) * 2014-05-09 2015-12-03 アルプス電気株式会社 入力装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4143253A (en) * 1977-04-25 1979-03-06 Amp Incorporated Optically clear membrane switch
US4484038A (en) * 1982-12-01 1984-11-20 Dorman-Bogdonoff Corp. Membrane touch panel having improved conductor construction
US4920343A (en) * 1988-09-30 1990-04-24 Honeywell Inc. Capacitive keyswitch membrane with self contained sense-to-ground capacitance
TW200532171A (en) * 2003-11-12 2005-10-01 Elo Touchsystems Inc Acoustic wave contact detecting apparatus
US7439962B2 (en) * 2005-06-01 2008-10-21 Synaptics Incorporated Touch pad with flexible substrate
US20080202251A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Iee International Electronics & Engineering S.A. Capacitive pressure sensor
JP2010003849A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Fujifilm Corp 電磁波検出素子
JP5337061B2 (ja) * 2009-02-20 2013-11-06 セイコーインスツル株式会社 タッチパネル及びこれを備える表示装置
KR101307296B1 (ko) * 2010-06-22 2013-09-11 니폰샤신인사츠가부시키가이샤 방청성이 우수한 협소 프레임 터치 입력 시트와 그 제조 방법
JP5224203B1 (ja) * 2012-07-11 2013-07-03 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサ、タッチパネル装置および表示装置
JP2015015304A (ja) * 2013-07-03 2015-01-22 信越ポリマー株式会社 電磁波シールドフィルム、電磁波シールドフィルム付きフレキシブルプリント配線板、電子機器およびそれらの製造方法
WO2015147323A1 (ja) * 2014-03-28 2015-10-01 ポリマテック・ジャパン株式会社 タッチセンサ
CN106575180A (zh) * 2014-09-11 2017-04-19 富士胶片株式会社 层叠构造体、触摸面板、带触摸面板的显示装置及其制造方法
KR20160114510A (ko) * 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010086498A (ja) * 2008-10-03 2010-04-15 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2012008621A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Nissha Printing Co Ltd 防錆性に優れた両面透明導電膜シートとその製造方法
JP2013149392A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Mitsubishi Rayon Co Ltd 導電膜の製造方法
JP2013214173A (ja) * 2012-03-31 2013-10-17 Nissha Printing Co Ltd 静電容量方式のフィルムセンサーとこれを用いたセンサーモジュール及びカバーモジュール
JP2014160558A (ja) * 2013-02-19 2014-09-04 Shin Etsu Polymer Co Ltd 静電容量スイッチ及びその製造方法
JP2015215735A (ja) * 2014-05-09 2015-12-03 アルプス電気株式会社 入力装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20200177181A1 (en) 2020-06-04
US10951211B2 (en) 2021-03-16
JP6576498B2 (ja) 2019-09-18
KR102367643B1 (ko) 2022-02-28
JP2019159513A (ja) 2019-09-19
KR20200128647A (ko) 2020-11-16
CN111699463A (zh) 2020-09-22
TW201939560A (zh) 2019-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9383846B2 (en) Touch sensor and touch sensor manufacturing method
JP4601710B1 (ja) 狭額縁タッチ入力シートとその製造方法
KR101153128B1 (ko) 터치 패널
KR102052165B1 (ko) 터치스크린 패널의 제조방법
KR100968221B1 (ko) 터치스크린 패널 및 그 제조 방법
JP5892419B2 (ja) タッチパネルセンサ
JP5383991B2 (ja) 静電容量センサとその製造方法
KR101743335B1 (ko) 터치 패널 부재 및 그 제조 방법
CN106909258B (zh) 一种触摸屏功能片引线的结构及其制作方法
KR20130016376A (ko) 방청성이 우수한 협소 프레임 터치 입력 시트와 그 제조 방법
JP4855536B1 (ja) 防錆性に優れたタッチ入力シートの製造方法
JP6576498B2 (ja) Fpc一体型静電容量スイッチおよびその製造方法
US20210064185A1 (en) Touch substrate, method for manufacturing same, and touch device
JP2011129272A (ja) 両面透明導電膜シートとその製造方法
JP2014029682A (ja) タッチパネル
JP5105499B2 (ja) 透明電極フィルム
CN111722742A (zh) 透明导电膜及其制备方法
JP7212854B2 (ja) 導電性パターン基板及び導電性パターン基板の製造方法
KR101551859B1 (ko) 금속 레이어를 에칭 레지스트로 이용하는 에칭 방법
JP6129611B2 (ja) タッチパネルの製造方法
JP6202370B2 (ja) タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサを備える入出力装置およびタッチパネルセンサの製造方法
JP6676450B2 (ja) タッチセンサ及びタッチセンサの製造方法
CN212781960U (zh) 触控面板及触控装置
KR101496246B1 (ko) 투명 전도성 감광필름을 이용한 터치 패널 및 제조 방법
JP2016133937A (ja) 静電容量式センサの製造方法、静電容量式センサ、感光型導電性シート、タッチパネル及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19763986

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19763986

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1