WO2019171504A1 - 電子部品用仮保護フィルム - Google Patents

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諭 藪下
佐久間　和則
池谷　卓二
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日立化成株式会社
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    • H01L2224/11—Manufacturing methods

Definitions

  • the present invention relates to a temporary protective film for an electronic component that is used to protect an external connection terminal or the like of an electronic component while an electromagnetic wave shielding film covering the outer surface of the main body of the electronic component is formed by sputtering.
  • an electromagnetic shielding film that covers the outer surface of the electronic components may be formed by sputtering.
  • a semiconductor package having an external connection terminal provided on the back surface it is necessary to form an electromagnetic wave shielding film in a state where the external connection terminal is protected so that the electromagnetic wave shielding film is not formed around the external connection terminal.
  • the method for example, there are a method of covering the external connection terminal with a frame and a method of attaching an adhesive tape covering the external connection terminal to the back surface of the semiconductor package (Non-patent Document 1).
  • the electromagnetic wave shielding film can be formed at a lower cost than the method using a frame or the like.
  • the height of the external connection terminal is large, so a gap is formed between the back surface of the semiconductor package and the adhesive tape, and the electromagnetic shielding film extends to the back surface. In some cases, it wraps around.
  • an object of one aspect of the present invention is to form, by sputtering, an electromagnetic wave shielding film that covers an outer surface of a main body portion of an electronic component including a main body portion having a connection surface and an external connection terminal provided on the connection surface.
  • the electromagnetic wave shielding film is prevented from entering the connection surface while suppressing contamination of the connection surface and the external connection terminal.
  • One aspect of the present invention is that while forming an electromagnetic shielding film covering the outer surface of the main body of an electronic component comprising a main body having a connection surface and an external connection terminal provided on the connection surface by the sputtering method,
  • the present invention relates to a temporary protective film for electronic parts used for protecting a connection surface and the external connection terminal.
  • the temporary protective film for electronic parts is provided on a first resin layer having a melting point of 100 ° C. or lower and the first resin layer, and is capable of elastic deformation and / or plastic deformation at 100 ° C. And a resin layer.
  • the connection surface and the external connection terminal are protected with the temporary protective film to suppress the electromagnetic shielding film from entering the connection surface, and the connection surface and the external connection terminal are contaminated. Can be suppressed.
  • the temporary protective film is heated to a predetermined temperature of 100 ° C. or lower and not lower than the melting point of the first resin layer, the connection surface of the electronic component is pressed against the second resin layer of the temporary protective film, The second resin layer is elastically deformed and / or plastically deformed, and the first resin layer flows, so that the external connection terminals are easily embedded in the temporary protective film.
  • the second resin layer in contact with the embedded external connection terminal has a certain degree of cohesion so as to maintain a state in which elastic deformation and / or plastic deformation is possible even at 100 ° C. It peels easily from the external connection unit, and the residue after peeling hardly contaminates them.
  • an electromagnetic wave shielding film that covers the outer surface of the main body portion of an electronic component that includes a main body portion having a connection surface and an external connection terminal provided on the connection surface is formed by sputtering.
  • the temporary protective film according to one aspect of the present invention is not easily deformed around the electronic component when the electronic component is held.
  • the temporary protective film around the electronic component is locally deformed, a part of the side surface of the electronic component is shielded by the deformed temporary protective film, so that a portion where the electromagnetic wave shielding film is not formed may occur.
  • the temporary protective film which concerns on one side of this invention is excellent also in the point which does not produce such a problem easily.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a temporary protective film.
  • a temporary protective film 1 shown in FIG. 1 includes a first resin layer 3, a second resin layer 5 provided on the first resin layer 3, and two base materials 11 and 12.
  • a laminate including the first resin layer 3 and the second resin layer 5 is provided between the two base materials 11 and 12.
  • the temporary protective film 1 is formed by sputtering to form an electromagnetic shielding film that covers the outer surface of the main body of the electronic component that includes a main body having a connection surface and an external connection terminal provided on the connection surface, the external connection terminal By holding the electronic component while embedding, it is used to protect the connection surface of the electronic component and the external connection terminal. Details of the method of manufacturing the electronic component using the temporary protective film 1 will be described later.
  • the first resin layer 3 has a melting point of 100 ° C. or lower.
  • the 1st resin layer 3 will be in the state which has high fluidity
  • the high fluidity of the first resin layer 3 facilitates embedding of the external connection terminals in the temporary protective film. If heating temperature is 100 degrees C or less, since it can heat by cheap methods, such as steam, there is a big industrial merit.
  • the melting point of the first resin layer 3 may be 95 ° C. or lower, or 90 ° C. or lower.
  • fusing point of the 1st resin layer 3 is not restrict
  • the melting point of the first resin layer 3 can be measured, for example, by differential scanning calorimetry of a sample collected from the first resin layer 3. In that case, in the DSC thermogram obtained by differential scanning calorimetry, the temperature at the peak top of the endothermic peak accompanying the melting of the first resin layer 3 can be set as the melting point.
  • the temperature rising rate of differential scanning calorimetry for measuring the melting point is, for example, 5 ° C./min.
  • the first resin layer 3 typically contains a polymer material as a main component, and the melting point of the polymer material as the main component can often be regarded as the melting point of the first resin layer 3.
  • the content of the polymer material in the first resin layer 3 may be 50 mass% or more, 75 mass% or more, or 95 mass% or more based on the mass of the first resin layer 3, and may be 100 mass%. % Or less.
  • the polymer material contained as the main component in the first resin layer 3 can be selected from those having a melting point of 100 ° C. or lower. Examples thereof include polybutadiene, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ionomer, and ethylene-methyl methacrylate copolymer (EMMA). Although the melting point of EVA varies depending on the copolymerization ratio of vinyl acetate, EVA having a melting point of 100 ° C. or lower can be used as the main component of the first resin layer 3.
  • the first resin layer 3 may further contain other components in addition to the polymer material.
  • other components include resins such as polyethylene, polypropylene, synthetic rubber, and natural rubber, and plasticizers such as diisononyl adipate and 2-ethylhexyl adipate.
  • the second resin layer 5 is a layer capable of elastic deformation and / or plastic deformation at 100 ° C. In other words, the second resin layer 5 does not exhibit fluidity at 100 ° C., and maintains the shape of the layer as a whole even when deformed by receiving an external force. It can also be said that the second resin layer 5 is solid at 100 ° C., and “solid” in this case is used as a term including a viscoelastic body. When the 2nd resin layer 5 has melting
  • the second resin layer 5 may have pressure sensitive adhesiveness. When the second resin layer 5 has pressure-sensitive adhesiveness, the electronic component is particularly easily held in a state where the external connection terminal is embedded.
  • the second resin layer 5 may contain at least one polymer material selected from natural rubber, synthetic rubber, and ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) as a main component. Natural rubber and synthetic rubber may be cross-linked or vulcanized within a range in which the elastic deformability that can follow the deformation is maintained.
  • EVA ethylene-vinyl acetate copolymer
  • the synthetic rubber may be a thermoplastic elastomer.
  • the thermoplastic elastomer tends to form a layer capable of elastic deformation and / or plastic deformation at 100 ° C.
  • thermoplastic elastomers include styrene thermoplastic elastomer (styrene-isoprene block copolymer (SIS)), hydrogenated styrene thermoplastic elastomer (styrene-ethylenebutylene-styrene block copolymer (SEBS)), and An acrylic thermoplastic elastomer is mentioned.
  • the content of these polymer materials in the second resin layer 5 is 50% by mass, 60% by mass, 70% by mass, 80% by mass, or 90% by mass based on the mass of the second resin layer 5. % Or more, or 100 mass% or less.
  • the second resin layer 5 may further contain a tackifier.
  • the second resin layer 5 containing a tackifier usually has pressure sensitive adhesiveness.
  • tackifiers include petroleum resins, terpene phenol resins, terpene resins, alicyclic saturated hydrogen resins, ⁇ -pinene polymers, hydrogenated rosins, and hydrogenated rosin esters.
  • the thickness of the first resin layer may be larger than the thickness of the second resin layer. Thereby, a temporary protective film tends to hold
  • the thickness of the first resin layer 3 may be 50 ⁇ m or more, or 70 ⁇ m or more, and may be 500 ⁇ m or less, or 400 ⁇ m or less.
  • the thickness of the second resin layer 5 may be 1 ⁇ m or more, 2 ⁇ m or more, or 3 ⁇ m or more, and may be 20 ⁇ m or less, 10 ⁇ m or less, or 8 ⁇ m or less.
  • the base materials 11 and 12 may be resin films such as a polyethylene terephthalate film.
  • the surface of the base material 12 in contact with the second resin layer 5 may be subjected to a release treatment.
  • the thickness of the substrates 11 and 12 is not particularly limited, but may be 10 to 200 ⁇ m.
  • the temporary protective film 1 includes, for example, a step of applying a coating liquid containing a polymer material on the substrate 11, drying the coating film to form the first resin layer 3, and a coating containing the polymer material.
  • a method comprising a step of applying a liquid on the substrate 12, drying the coating film to form the second resin layer 5, and a step of bonding the first resin layer 3 and the second resin layer 5 together.
  • the 1st resin layer 3 and the 2nd resin layer 5 are bonded together, heating and pressurizing as needed.
  • FIGS. 2 to 4 are cross-sectional views showing one embodiment of a method for producing an electronic component having an electromagnetic wave shielding film using the temporary protective film described above.
  • the method according to the embodiment shown in FIGS. 2 to 4 includes a main body 20 having a connection surface S and an electronic component 2 having an external connection terminal 25 provided on the connection surface S, and a second protection film 1.
  • the step of attaching the electronic component 2 to the temporary protective film 1 in a state in which the external connection terminal 25 is embedded in the temporary protective film 1 (FIG. 2)
  • the electronic component 2 is held inside a metal frame 7 provided on the second resin layer 5.
  • the main body 20 of the electronic component 2 has two main surfaces facing each other, and one of them is a connection surface S. Even when the electronic component 2 and the surface of the temporary protective film 1 on the second resin layer 5 side are bonded together, the temporary protective film 1 is heated to a temperature not lower than the melting point of the first resin layer 3 and not higher than 100 ° C. Good. This heating temperature may be 60 ° C. or higher, 70 ° C. or higher, or 90 ° C. or lower.
  • the pressure and time for bonding the temporary protective film 1 and the surface of the temporary protective film 1 on the second resin layer 5 side are such that the first resin layer 3 and the second resin layer 5 are deformed and the external connection terminals 25 is embedded in these.
  • the height of the external connection terminal 25 from the connection surface S may be 50 to 300 ⁇ m.
  • the electronic component 2 may be a semiconductor package, and in particular, may be a ball grid array type semiconductor package in which the external connection terminals 25 are bumps.
  • the connection surface S of the semiconductor package may be referred to as the back surface of the semiconductor package by those skilled in the art.
  • the material for forming the electromagnetic shielding film 30 may be any material that exhibits electromagnetic shielding properties, and may be, for example, silver, copper, nickel, aluminum, or a combination thereof.
  • the thickness of the electromagnetic wave shielding film 30 may be 3 to 50 ⁇ m, for example.
  • the conditions for film formation by sputtering can be set within a normal range. After the film formation, the electronic component 2 having the electromagnetic wave shielding film 30 is pulled out from the temporary protective film 1.
  • Example 1 Preparation of temporary protective film (Example 1) A coating liquid containing polybutadiene (melting point: 71 ° C., JSR RB810 (trade name), manufactured by JSR Corporation) was prepared and applied to a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 ⁇ m. The coating film was dried to form a first resin layer containing polybutadiene having a thickness of 100 ⁇ m on the PET film.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the first resin layer and the second resin layer were bonded together by heat lamination at 80 ° C. to prepare a temporary protective film having a two-layer resin layer.
  • Example 2 Hydrogenated styrene-based thermoplastic elastomer (styrene-ethylenebutylene-styrene block copolymer (SEBS), Kraton G1657 (trade name), manufactured by Kraton Polymer Co., Ltd.) and a petroleum resin (Alcon P-125 (trade name)) Arakawa Chemical Industries, Ltd.)
  • SEBS styrene-ethylenebutylene-styrene block copolymer
  • Kraton G1657 trade name
  • Alcon P-125 (trade name) Arakawa Chemical Industries, Ltd.)
  • a resin layer having a two-layer structure was formed in the same manner as in Example 1 except that a second resin layer containing SEBS was formed using a coating solution containing 30 parts by mass.
  • a temporary protective film was prepared.
  • Example 1 The laminated body which consists of the 1st resin layer and PET film which were produced in Example 1 was used as a temporary protective film.
  • the produced temporary protective film was evaluated by the following method. In the case of the temporary protective films of Examples 1 and 2, one PET film was peeled off, and the semiconductor package was bonded to the exposed second resin layer.
  • the semiconductor package similar to the above was pressed against each temporary protective film, and the semiconductor package was held on the temporary protective film by embedding bumps of the semiconductor package in the temporary protective film. In that state, an electromagnetic wave shielding film covering the outer surface of the semiconductor package was formed by sputtering. Thereafter, the semiconductor package is peeled from the temporary protective film, the side surface portion of the semiconductor package is observed, and based on the width of the portion where the electromagnetic wave shielding film is not formed on the side surface portion of the semiconductor package, The degree of deformation was determined. When the temporary protective film holds the semiconductor package, the temporary protective film may be locally deformed so as to scoop up the side surface of the semiconductor package.
  • the electromagnetic wave shielding film is not formed on the portion shielded by the deformed temporary protective film.
  • OK The width of the portion where the electromagnetic wave shielding film is not formed in the side surface portion of the semiconductor package is less than 20 ⁇ m.
  • NG The width of the portion where the electromagnetic wave shielding film is not formed in the side surface portion of the semiconductor package is 20 ⁇ m or more.
  • the temporary protective film of the example having a two-layered resin layer of the first resin layer / second resin layer, the wraparound of the electromagnetic shielding film to the back of the package is suppressed.
  • the electromagnetic wave shielding film can be appropriately formed by sputtering, and contamination in the semiconductor package peeled off from the temporary protective film is suppressed.
  • SYMBOLS 1 Temporary protective film, 2 ... Electronic component, 3 ... 1st resin layer, 5 ... 2nd resin layer, 7 ... Metal frame, 11, 12 ... Base material, 20 ... Main-body part, 25 ... External connection terminal, 30 ... Electromagnetic wave shielding film, S ... Connection surface.

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Abstract

接続面を有する本体部と接続面上に設けられた外部接続端子とを備える電子部品の本体部の外表面を覆う電磁波シールド膜をスパッタ法により形成する間、接続面及び外部接続端子を保護するために用いられる、電子部品用仮保護フィルムが開示される。この仮保護フィルムは、１００℃以下の融点を有する第一の樹脂層と、第一の樹脂層上に設けられ、１００℃において弾性変形及び／又は塑性変形が可能な第二の樹脂層とを備える。

Description

電子部品用仮保護フィルム
　本発明は、電子部品の本体部外表面を覆う電磁波シールド膜をスパッタ法により形成する間、電子部品の外部接続端子等を保護するために用いられる、電子部品用仮保護フィルムに関する。
　半導体デバイス等の電子部品による電磁干渉（ＥＭＩ）を抑制するために、電子部品の外表面を覆う電磁波シールド膜をスパッタ法により形成することがある。裏面に設けられた外部接続端子を有する半導体パッケージの場合、外部接続端子及びその周囲に電磁波シールド膜が形成されないように、外部接続端子を保護した状態で電磁波シールド膜を形成する必要がある。その方法としては、例えば、外部接続端子を枠体で覆う方法、及び、外部接続端子を覆う粘着テープを半導体パッケージの裏面に貼り付ける方法がある（非特許文献１）。
東芝レビュー、７１巻、６号、２０１６年１２月、ｐ．１６－１９、インターネット<https://www.toshiba.co.jp/tech/review/2016/06/71_06pdf/a05.pdf>
　スパッタ法による成膜の間、外部接続端子を粘着テープで保護する方法によれば、一般に、枠体を用いる方法等と比較して安価に電磁波シールド膜を形成できる。ところが、外部接続端子の高さが大きいと、外部接続端子が粘着テープに完全には埋め込まれないために、半導体パッケージの裏面と粘着テープとの間に隙間が生じて、電磁波シールド膜が裏面まで回り込んで形成されることがあった。柔軟性の高い粘着テープを用い、そこに外部接続端子を完全に埋め込むことにより、電磁波シールド膜の裏面への回り込みが抑制されることが期待される。ところが、柔軟性の高い粘着テープを用いると、成膜後、粘着テープから半導体パッケージを剥離したときに、外部接続端子が粘着テープの残渣のために汚染され易いことが明らかとなった。このような問題は、例えば外部接続端子として高さ５０～３００μｍ程度のバンプを有するボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）型の半導体パッケージの場合に特に顕著である。
　そこで、本発明の一側面の目的は、接続面を有する本体部と接続面上に設けられた外部接続端子とを備える電子部品の本体部の外表面を覆う電磁波シールド膜をスパッタ法により形成する場合において、接続面及び外部接続端子の汚染を抑制しながら、電磁波シールド膜の接続面への回り込みを抑制することにある。
　本発明の一側面は、接続面を有する本体部と前記接続面上に設けられた外部接続端子とを備える電子部品の本体部の外表面を覆う電磁波シールド膜をスパッタ法により形成する間、前記接続面及び前記外部接続端子を保護するために用いられる、電子部品用仮保護フィルムに関する。当該電子部品用仮保護フィルムは、１００℃以下の融点を有する第一の樹脂層と、前記第一の樹脂層上に設けられ、１００℃において弾性変形及び／又は塑性変形が可能な第二の樹脂層とを備える。
　スパッタ法によって電磁波シールド膜を形成する間、上記仮保護フィルムで接続面及び外部接続端子を保護することにより、電磁波シールド膜の接続面への回り込みを抑制し、しかも接続面及び外部接続端子の汚染を抑制することができる。例えば、上記仮保護フィルムを第一の樹脂層の融点以上で１００℃以下の所定の温度に加熱しながら、電子部品の接続面を仮保護フィルムの第二の樹脂層に向けて押し当てると、第二の樹脂層が弾性変形及び／又は塑性変形するとともに第一の樹脂層が流動して、外部接続端子が容易に仮保護フィルムに埋め込まれる。加えて、埋め込まれた外部接続端子が接する第二の樹脂層は、１００℃においても弾性変形及び／又は塑性変形が可能な状態を維持するような、ある程度高い凝集性を有するため、接続面及び外部接続単位から容易に剥離し、剥離後の残渣がこれらを汚染し難い。
　本発明の一側面によれば、接続面を有する本体部と接続面上に設けられた外部接続端子とを備える電子部品の本体部の外表面を覆う電磁波シールド膜をスパッタ法により形成する場合において、接続面及び外部接続端子の汚染を抑制しながら、電磁波シールド膜の接続面への回り込みを抑制することができる。
　本発明の一側面に係る仮保護フィルムは、電子部品を保持したときに電子部品の周囲で変形し難い。電子部品周囲の仮保護フィルムが局所的に変形すると、電子部品の側面の一部が変形した仮保護フィルムによって遮蔽されるために、電磁波シールド膜が形成されない部分が生じることがある。本発明の一側面に係る仮保護フィルムは、そのような問題を生じ難い点でも優れる。
仮保護フィルムの一実施形態を示す断面図である。 電磁波シールド膜を有する電子部品を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。 電磁波シールド膜を有する電子部品を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。 電磁波シールド膜を有する電子部品を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。
　以下、必要により図面を参照しつつ、本発明のいくつかの実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
　図１は、仮保護フィルムの一実施形態を示す断面図である。図１に示す仮保護フィルム１は、第一の樹脂層３と、第一の樹脂層３上に設けられた第二の樹脂層５と、２枚の基材１１，１２とを備える。第一の樹脂層３及び第二の樹脂層５を含む積層体が、２枚の基材１１，１２の間に設けられている。
　仮保護フィルム１は、接続面を有する本体部と接続面上に設けられた外部接続端子とを備える電子部品の本体部の外表面を覆う電磁波シールド膜をスパッタ法により形成する間、外部接続端子を埋め込みながら電子部品を保持することにより、電子部品の接続面及び外部接続端子を保護するために用いられる。仮保護フィルム１を用いた電子部品の製造方法の詳細については後述される。
　第一の樹脂層３は、１００℃以下の融点を有する。第一の樹脂層３は、その融点以上の比較的低い温度に加熱することにより、高い流動性を有する状態となる。第一の樹脂層３の高い流動性は、外部接続端子の仮保護フィルムへの埋め込みを容易にする。加熱温度が１００℃以下であれば、スチーム等の安価な方法による加熱が可能であるため、工業的に大きなメリットがある。より低温での外部接続端子の埋め込み性の観点から、第一の樹脂層３の融点は、９５℃以下、又は９０℃以下であってもよい。第一の樹脂層３の融点の下限は、特に制限されないが、例えば２５℃以上、４０℃以上、又は５０℃以上であってもよい。
　第一の樹脂層３の融点は、例えば、第一の樹脂層３から採取した試料の示差走査熱量分析により測定することができる。その場合、示差走査熱量分析によって得られたＤＳＣサーモグラムにおいて、第一の樹脂層３の融解にともなう吸熱ピークのピークトップの温度を、融点とすることができる。融点を測定するための示差走査熱量分析の昇温速度は、例えば５℃／分である。
　第一の樹脂層３は、典型的には高分子材料を主成分として含んでおり、主成分としての高分子材料の融点を第一の樹脂層３の融点とみなせることが多い。第一の樹脂層３における高分子材料の含有量は、第一の樹脂層３の質量を基準として、５０質量％以上、７５質量％以上、又は９５質量％以上であってもよく、１００質量％以下であってもよい。
　第一の樹脂層３に主成分として含まれる高分子材料は、１００℃以下の融点を有するものから選択することができる。その例としては、ポリブタジエン、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー、及びエチレン－メチルメタクリレート共重合体（ＥＭＭＡ）が挙げられる。ＥＶＡの融点は酢酸ビニルの共重合比等に応じて変動するが、融点１００℃以下のＥＶＡを第一の樹脂層３の主成分として用いることができる。
　第一の樹脂層３は、上記高分子材料に加えて、他の成分を更に含んでいてもよい。他の成分の例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、合成ゴム、及び天然ゴム等の樹脂、ジイソノニルアジペート、及び２－エチルヘキシルアジペート等の可塑剤が挙げられる。
　第二の樹脂層５は、１００℃において弾性変形及び／又は塑性変形が可能な層である。言い換えると、第二の樹脂層５は、１００℃において、流動性を示さず、外力を受けて変形したときにも全体として層としての形態を維持する。第二の樹脂層５が１００℃において固体であるということもでき、この場合の「固体」は、粘弾性体も含む用語として用いられる。第二の樹脂層５が融点を有する場合、その値が１００℃を超えていてもよい。第二の樹脂層５は、感圧接着性を有していてもよい。第二の樹脂層５が感圧接着性を有すると、外部接続端子を埋め込んだ状態で電子部品が特に保持され易い。
　第二の樹脂層５は、天然ゴム、合成ゴム、及びエチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）から選ばれる少なくとも１種の高分子材料を主成分として含んでいてもよい。天然ゴム及び合成ゴムは、変形に追従可能な程度の弾性変形性が維持される範囲で、架橋又は加硫されていてもよい。
　合成ゴムは、熱可塑性エラストマーであってもよい。熱可塑性エラストマーは、１００℃において弾性変形及び／又は塑性変形可能な層を形成し易い。熱可塑性エラストマーの例としては、スチレン系熱可塑性エラストマー（スチレン－イソプレンブロック共重合体（ＳＩＳ））、水素添加スチレン系熱可塑性エラストマー（スチレン－エチレンブチレン－スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ））、及びアクリル系熱可塑性エラストマーが挙げられる。
　第二の樹脂層５におけるこれら高分子材料の含有量は、第二の樹脂層５の質量を基準として、５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％、又は９０質量％以上であってもよく、１００質量％以下であってもよい。
　第二の樹脂層５は、粘着付与剤を更に含んでいてもよい。粘着付与剤を含む第二の樹脂層５は、通常、感圧接着性を有する。粘着付与剤の例としては、石油樹脂、テルペンフェノール樹脂、テルペン樹脂、脂環族飽和水素樹脂、β－ピネン重合体、水素添加ロジン、及び水素添加ロジンエステルが挙げられる。
　第一の樹脂層の厚さが、第二の樹脂層の厚さよりも大きくてもよい。これにより、仮保護フィルムが、外部接続端子を埋め込んだ状態で電子部品を保持し易い。同様の観点から、第一の樹脂層の厚さがＴ１で、第二の樹脂層の厚さがＴ２であるとき、Ｔ１／Ｔ２は５以上、又は１０以上であってもよく、１００以下、又は８０以下であってもよい。
　第一の樹脂層３の厚さは、５０μｍ以上、又は７０μｍ以上であってもよく、５００μｍ以下、又は４００μｍ以下であってもよい。第二の樹脂層５の厚さは、１μｍ以上、２μｍ以上又は３μｍ以上であってもよく、２０μｍ以下、１０μｍ以下、又は８μｍ以下であってもよい。
　基材１１，１２は、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム等の樹脂フィルムであってもよい。第二の樹脂層５と接する基材１２の表面は、離型処理が施されていてもよい。基材１１，１２の厚さは、特に制限されないが、１０～２００μｍであってもよい。
　仮保護フィルム１は、例えば、高分子材料を含む塗工液を基材１１上に塗布し、塗膜を乾燥させて第一の樹脂層３を形成する工程と、高分子材料を含む塗工液を基材１２上に塗布し、塗膜を乾燥させて第二の樹脂層５を形成する工程と、第一の樹脂層３と第二の樹脂層５とを貼り合わせる工程とを含む方法により、製造することができる。第一の樹脂層３と第二の樹脂層５とは、必要により加熱及び加圧しながら貼り合わせられる。
　図２、図３及び図４は、以上説明した仮保護フィルムを用いて電磁波シールド膜を有する電子部品を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。図２～４に示される実施形態に係る方法は、接続面Ｓを有する本体部２０及び接続面Ｓ上に設けられた外部接続端子２５を有する電子部品２と、仮保護フィルム１の第二の樹脂層５側の表面とを貼り合わせ、それにより外部接続端子２５が仮保護フィルム１に埋め込まれた状態で仮保護フィルム１に電子部品２を保持させる工程（図２）と、電子部品２の本体部２０の外表面のうち仮保護フィルム１で覆われていない部分を覆う電磁波シールド膜３０をスパッタ法により形成する工程（図３）と、本体部２０及び外部接続端子２５を、本体部２０の外表面を覆う電磁波シールド膜３０とともに仮保護フィルム１から剥離して、本体部２０、外部接続端子２５及び電磁波シールド膜３０を有する電子部品２を得る工程（図４）とを含む。
　電子部品２は、第二の樹脂層５上に設けられた金属枠７の内側に保持される。電子部品２の本体部２０は、互いに対向する２つの主面を有しており、それらのうち一方が接続面Ｓである。電子部品２と仮保護フィルム１の第二の樹脂層５側の表面とを貼り合わせる時に、仮保護フィルム１を、第一の樹脂層３の融点以上で１００℃以下の温度に加熱してもよい。この加熱温度は、６０℃以上、又は７０℃以上であってもよく、９０℃以下であってもよい。仮保護フィルム１と仮保護フィルム１の第二の樹脂層５側の表面とを貼り合わせるための圧力及び時間は、第一の樹脂層３及び第二の樹脂層５が変形して外部接続端子２５がこれらに埋め込まれるように、制御される。
　外部接続端子２５の接続面Ｓからの高さは、５０～３００μｍであってもよい。電子部品２は、半導体パッケージであってもよく、特に、外部接続端子２５がバンプである、ボール・グリッド・アレイ型の半導体パッケージであってもよい。半導体パッケージの接続面Ｓは、当業者によって半導体パッケージの裏面と称されることがある。
　電磁波シールド膜３０を形成する材料は、電磁波シールド性を発現するものであればよく、例えば銀、銅、ニッケル、アルミニウム又はこれらの組み合わせであってもよい。電磁波シールド膜３０の厚さは、例えば３～５０μｍであってもよい。スパッタ法による成膜の条件は、通常の範囲で設定することができる。成膜後、電磁波シールド膜３０を有する電子部品２が仮保護フィルム１から引き抜かれる。
　以下、実施例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
１．仮保護フィルムの作製
（実施例１）
　ポリブタジエン（融点：７１℃、ＪＳＲ　ＲＢ８１０（商品名）、ＪＳＲ株式会社製）を含む塗工液を準備し、これを厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに塗布した。塗膜を乾燥させて、ポリブタジエンを含む厚さ１００μｍの第一の樹脂層をＰＥＴフィルム上に形成した。
　天然ゴム（メガポリ３０（商品名）、GREEN HPSP(M)SDN BHD製）１００質量部と、テルペン樹脂（ＹＳレジンＰＸ－１１５０Ｎ（商品名）、ヤスハラケミカル株式会社製）３０質量部と、架橋剤（ポリイソシアネート、コロネートＬ３８ＥＴ（商品名）、東ソー株式会社製）３質量部とを含む塗工液を準備し、これを厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムのシリコーンで表面処理された表面に塗布した。塗膜を乾燥させて、天然ゴムを含む厚さ５μｍの第二の樹脂層をＰＥＴフィルム上に形成した。
　第一の樹脂層と第二の樹脂層を、８０℃の加熱ラミネートによって貼り合わせて、２層構成の樹脂層を有する仮保護フィルムを作製した。
（実施例２）
　水素添加スチレン系熱可塑性エラストマー（スチレン－エチレンブチレン－スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、クレイトンＧ１６５７（商品名）、クレイトンポリマー社製）１００質量部と、石油樹脂（アルコンＰ－１２５（商品名）、荒川化学工業株式会社製）３０質量部とを含む塗工液を用いてＳＥＢＳを含む第二の樹脂層を形成したことの他は実施例１と同様にして、２層構成の樹脂層を有する仮保護フィルムを作製した。
（比較例１）
　実施例１で作製した第一の樹脂層及びＰＥＴフィルムからなる積層体を、仮保護フィルムとして用いた。
（比較例２）
　水素添加スチレン系熱可塑性エラストマー（スチレン－エチレンブチレン－スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、クレイトンＧ１６５７（商品名）、クレイトンポリマー社製）１００質量部と、石油樹脂（アルコンＰ－１２５（商品名）、荒川化学工業株式会社製）３０質量部とを含む塗工液を準備し、これを厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに塗工した。塗膜を乾燥させて、ＳＥＢＳを含む厚さ７５μｍの樹脂層をＰＥＴフィルム上に形成した。形成された樹脂層及びＰＥＴフィルムからなる積層体を仮保護フィルムとして用いた。
（比較例３）
　天然ゴム（メガポリ３０（商品名）、GREEN HPSP(M)SDN BHD製）１００質量部と、テルペン樹脂（ＹＳレジンＰＸ－１１５０Ｎ（商品名）、ヤスハラケミカル株式会社製）３０質量部と、架橋剤（ポリイソシアネート、コロネートＬ３８ＥＴ（商品名）、東ソー株式会社製）３質量部とを含む塗工液を準備し、これを厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムのシリコーンで表面処理された表面に塗工した。塗膜を乾燥させて、天然ゴムを含む厚さ７５μｍの樹脂層をＰＥＴフィルム上に形成した。形成された樹脂層及びＰＥＴフィルムからなる積層体を仮保護フィルムとして用いた。
（比較例４）
　水素添加スチレン系熱可塑性エラストマー（スチレン－エチレンブチレン－スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、クレイトンＧ１６５７（商品名）、クレイトンポリマー社製）１００質量部と、石油樹脂（アルコンＰ－１２５（商品名）、荒川化学工業株式会社製）３０質量部と、パラフィンワックス（Ｈｉ－Ｍｉｃ１０４５（商品名）、日本精蝋株式会社製）５０質量部とを含む塗工液を準備し、これを厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに塗工した。塗膜を乾燥させて、ＳＥＢＳを含む厚さ７５μｍの樹脂層をＰＥＴフィルム上に形成した。形成された樹脂層及びＰＥＴフィルムからなる積層体を仮保護フィルムとして用いた。
２．評価
　作製した仮保護フィルムを以下の方法で評価した。実施例１及び２の仮保護フィルムの場合、一方のＰＥＴフィルムを剥離し、露出した第二の樹脂層に半導体パッケージを貼り合わせた。
（埋込保持性）
　仮保護フィルムを８０℃に加熱しながら、評価用のＢＧＡ型の半導体パッケージ（バンプ高さ：５０μｍ）を、各仮保護フィルムに押し当てて、半導体パッケージのバンプを仮保護フィルムに埋め込むことにより、仮保護フィルムに半導体パッケージを保持させた。その状態で２４時間放置後、半導体パッケージの仮保護フィルムからの浮き上がり及び剥離性を確認して、以下の基準で埋込保持性を判定した。
ＯＫ：半導体パッケージのバンプが埋め込まれた状態が維持され、且つ、半導体パッケージを容易に剥離可能である。
ＮＧ：半導体パッケージのバンプが仮保護フィルムから浮き上がる。又は、半導体パッケージを容易に剥離できない。
（裏面回り込み）
　上記と同様の半導体パッケージを、各仮保護フィルムに押し当てて、半導体パッケージのバンプを仮保護フィルムに埋め込んだ。その状態で、半導体パッケージの外表面を覆う電磁波シールド膜を、スパッタ法により形成した。その後、半導体パッケージを仮保護フィルムから剥離し、半導体パッケージの裏面を観察して、裏面側に回り込んで形成された電磁波シールド膜の有無を確認した。以下の基準で裏面回り込みの状態を判定した。
ＯＫ：半導体パッケージの裏面に電磁波シールド膜が形成されていない、又は、半導体パッケージの裏面に形成された電磁波シールド膜の幅が、裏面端部から１００μｍ未満である。
ＮＧ：半導体パッケージの裏面に形成された電磁波シールド膜の幅が、裏面端部から１００μｍ以上である。
（仮保護フィルムの這い上がり）
　上記と同様の半導体パッケージを、各仮保護フィルムに押し当てて、半導体パッケージのバンプを仮保護フィルムに埋め込むことにより、仮保護フィルムに半導体パッケージを保持させた。その状態で、半導体パッケージの外表面を覆う電磁波シールド膜をスパッタ法により形成した。その後、半導体パッケージを仮保護フィルムから剥離し、半導体パッケージの側面部を観察して、半導体パッケージ側面部における電磁波シールド膜が形成されていない部分の幅に基づいて、以下の基準により仮保護フィルムの変形の程度を判定した。仮保護フィルムが半導体パッケージを保持したときに、仮保護フィルムが半導体パッケージの側面部を這い上がるように局所的に変形することがある。変形した仮保護フィルムによって遮蔽された部分には電磁波シールド膜が形成されないと考えられる。
ＯＫ：半導体パッケージの側面部において、電磁波シールド膜が形成されていない部分の幅が２０μｍ未満である。
ＮＧ：半導体パッケージの側面部において、電磁波シールド膜が形成されていない部分の幅が２０μｍ以上である。
（汚染性）
　上記と同様の半導体パッケージを、各仮保護フィルムに押し当てて、半導体パッケージのバンプを仮保護フィルムに埋め込むことにより、仮保護フィルムに半導体パッケージを保持させた。その状態で、半導体パッケージの外表面を覆う電磁波シールド膜をスパッタ法により形成した。その後、半導体パッケージを仮保護フィルムから剥離し、半導体パッケージ裏面のバンプ及びその周辺を走査型電子顕微鏡で観察した。以下の基準で汚染性を判定した。
ＯＫ：バンプ及びその周辺に仮保護フィルムの残渣が見られない。
ＮＧ：バンプ又はその周辺に仮保護フィルムの残渣が見られる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示されるように、第一の樹脂層／第二の樹脂層の二層構成の樹脂層を有する実施例の仮保護フィルムを用いることで、電磁波シールド膜のパッケージ裏面への回り込みを抑制しながら、スパッタ法によって電磁波シールド膜を適切に形成可能であり、しかも仮保護フィルムから剥離した半導体パッケージにおける汚染も抑制されることが確認された。
　１…仮保護フィルム、２…電子部品、３…第一の樹脂層、５…第二の樹脂層、７…金属枠、１１，１２…基材、２０…本体部、２５…外部接続端子、３０…電磁波シールド膜、Ｓ…接続面。

Claims (4)

  1. 　接続面を有する本体部と前記接続面上に設けられた外部接続端子とを備える電子部品の前記本体部の外表面を覆う電磁波シールド膜をスパッタ法により形成する間、前記接続面及び前記外部接続端子を保護するために用いられる、電子部品用仮保護フィルムであって、
    　１００℃以下の融点を有する第一の樹脂層と、
    　前記第一の樹脂層上に設けられ、１００℃において弾性変形及び／又は塑性変形が可能な第二の樹脂層と、
    を備える、電子部品用仮保護フィルム。
  2. 　前記第一の樹脂層の厚さが、前記第二の樹脂層の厚さよりも大きい、請求項１に記載の電子部品用仮保護フィルム。
  3. 　前記第二の樹脂層が、天然ゴム、合成ゴム、又はエチレン－酢酸ビニル共重合体を含む、請求項１又は２に記載の電子部品用仮保護フィルム。
  4. 　前記電子部品がボール・グリッド・アレイ型の半導体パッケージである、請求項１～３のいずれか一項に記載の電子部品用仮保護フィルム。
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