WO2019074130A1

WO2019074130A1 - 電子部品および電子部品モジュール

Info

Publication number: WO2019074130A1
Application number: PCT/JP2018/038365
Authority: WO
Inventors: 岳利田中; 光生長田; 昌彦有村
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2017-10-13
Filing date: 2018-10-15
Publication date: 2019-04-18
Anticipated expiration: 2020-04-13
Also published as: CN111213214A; JP7220743B2; CN111213214B; US11923128B2; JP2023055832A; US11545299B2; US20230107689A1; JP2021132232A; US20240161972A1; CN115881427A; US12387873B2; US20210193380A1; US20250336598A1; DE112018004478T5; DE112018004478B4; JP7564263B2; JPWO2019074130A1

Abstract

電子部品は、絶縁層と、前記絶縁層内に形成された低電圧導体パターンと、前記低電圧導体パターンと上下方向に対向するように、前記絶縁層内に形成された高電圧導体パターンと、平面視において前記低電圧導体パターンよりも外側に張り出すように、前記絶縁層内において前記高電圧導体パターンに沿って形成された導電性の耐圧保持構造と、を含む。

Description

電子部品および電子部品モジュール

　本発明は、電子部品および電子部品モジュールに関する。

　たとえばパワーエレクトロニクスの分野において、互いに対向配置された一対のコイルを有するトランスの開発が進められている。特許文献１は、一対のインダクタを有するトランスを開示している。一方のインダクタは、中心軸を回転軸として１８０°回転して他方のインダクタに対向配置されている。

特開２０１３－１１５１３１号公報

　絶縁層を挟んで互いに対向する低電圧導体パターンおよび高電圧導体パターンを含む電子部品では、低電圧導体パターンおよび高電圧導体パターンの間の領域に電界が形成される。この電界は、高電圧導体パターン側に集中する傾向がある。このような電界集中の発生は、耐圧を向上させる上での弊害になり得る。

　そこで、本発明の一実施形態は、高電圧導体パターンに対する電界集中を緩和し、耐圧を向上できる電子部品および電子部品モジュールを提供する。

　本発明の一実施形態は、絶縁層と、前記絶縁層内に形成された低電圧導体パターンと、前記低電圧導体パターンと上下方向に対向するように、前記絶縁層内に形成された高電圧導体パターンと、平面視において前記低電圧導体パターンよりも外側に張り出すように、前記絶縁層内において前記高電圧導体パターンに沿って形成された導電性の耐圧保持構造と、を含む、電子部品を提供する。

　この電子部品によれば、導電性の耐圧保持構造によって高電圧導体パターンに対する電界集中を緩和できる。これにより、耐圧を向上できる電子部品を提供できる。

　本発明の一実施形態は、絶縁層と、前記絶縁層内に形成された低電圧導体パターンと、前記低電圧導体パターンと上下方向に対向するように、前記絶縁層内に形成された高電圧導体パターンと、前記絶縁層の上に形成され、前記低電圧導体パターンに電気的に接続された低電圧パッドと、平面視において前記低電圧パッドから間隔を空けて前記絶縁層の上に形成され、前記高電圧導体パターンに電気的に接続された高電圧パッドと、平面視において前記高電圧パッドの周縁に沿うように、前記絶縁層内に形成された導電性のパッド側耐圧保持構造と、を含む、電子部品を提供する。

　この電子部品によれば、導電性のパッド側耐圧保持構造によって高電圧パッドに対する電界集中を緩和できる。これにより、耐圧を向上できる電子部品を提供できる。

　本発明の一実施形態は、第１絶縁破壊強度を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層内に形成された低電圧導体パターンと、前記低電圧導体パターンと上下方向に対向するように、前記第１絶縁層内に形成された高電圧導体パターンと、前記第１絶縁層内において前記第１絶縁層の表面に沿う方向に前記高電圧導体パターンから間隔を空けて形成され、前記低電圧導体パターンに電気的に接続され、前記高電圧導体パターンとの間で前記第１絶縁破壊強度以下の第１値を有する電界を形成する低電圧配線と、前記第１絶縁層内において前記高電圧導体パターンおよび前記低電圧配線の間の領域に介在し、前記低電圧配線との間で、前記第１絶縁破壊強度以下でかつ前記第１値以上の第２値を有する電界を形成する導電性の電界増強構造と、前記第１絶縁層の上に形成され、前記第１絶縁破壊強度以下の第２絶縁破壊強度を有する第２絶縁層と、を含む、電子部品を提供する。

　電界増強構造が形成されていない場合について考える。この場合、高電圧導体パターンは、低電圧導体パターンに対して第２絶縁層に近い位置に形成されている。そのため、高電圧導体パターンに集中した電界は、第２絶縁層に対する負荷にもなる。したがって、高電圧導体パターンの電界強度が第２絶縁層の第２絶縁破壊強度を超える場合、第２絶縁層で絶縁破壊が生じる可能性がある。

　これに対して、この電子部品では、第１絶縁層内において高電圧導体パターンおよび低電圧配線の間の領域に、導電性の電界増強構造が形成されている。これにより、高電圧導体パターンおよび低電圧配線の間の電界は、実質的には、電界増強構造および低電圧配線の間の距離に支配される。

　これにより、高電圧導体パターンに対する電界集中を緩和できる。しかも、低電圧導体パターンおよび高電圧導体パターンの間に形成される電界を、導電性の電界増強構造によって遮蔽することもできる。

　したがって、第２絶縁破壊強度を超える第１絶縁破壊強度を有する第１絶縁層において電界強度を増加させることができる一方で、第１絶縁破壊強度以下の第２絶縁破壊強度を有する第２絶縁層における電界強度を低減させることができる。つまり、電子部品では、絶縁破壊強度が大きい第１絶縁層側の電界強度を敢えて増加させることによって、絶縁破壊強度の低い第２絶縁層側の電界強度を低減させることができる。

　これにより、第２絶縁層において、高電圧導体パターンに対する電界集中に起因する絶縁破壊を抑制できる。よって、耐圧を向上できる電子部品を提供できる。

　本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。

図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品が組み込まれた電子部品モジュールの平面図である。図２は、前記電子部品モジュールの接続形態および各部の電位を示す図である。図３は、前記電子部品の平面構造を説明するための図である。図４は、前記電子部品の下コイルの平面構造を説明するための図である。図５は、前記電子部品の上コイルの平面構造を説明するための図である。図６は、図３のVI－VI線に沿う断面図である。図７は、図３のVII－VII線に沿う断面図である。図８は、前記電子部品の比較形態の構成を示す断面図である。図９は、図８のIX－IX線に沿う断面図である。図１０は、本発明の比較形態に係る電子部品の平均絶縁破壊電圧および本発明の第１実施形態に係る電子部品の平均絶縁破壊電圧を比較したグラフである。図１１は、本発明の比較形態に係る電子部品の絶縁破壊電圧のバラツキおよび本発明の第１実施形態に係る電子部品の絶縁破壊電圧のバラツキを比較したグラフである。図１２は、本発明の第２実施形態に係る電子部品の上コイルの平面構造を説明するための図である。図１３は、図１２に示す領域XIIIの拡大図である。図１４は、図１３に示す領域XIVの拡大図である。図１５は、図１３に示す領域XVの拡大図である。図１６は、図１２に示すXVI-XVI線に沿う断面図である。図１７は、図１２に示すXVII-XVII線に沿う断面図である。図１８は、第１耐圧保持構造の張り出し量と電界強度との関係をシミュレーションにより求めたグラフである。図１９は、第２ダミー導体パターンの個数と電界強度との関係をシミュレーションにより求めたグラフである。図２０は、本発明の参考例に係る電子部品の平均絶縁破壊電圧および本発明の第２実施形態に係る電子部品の平均絶縁破壊電圧を比較したグラフである。図２１は、図１６に対応する部分の図であり、本発明の第３実施形態に係る電子部品の断面図である。図２２は、図１４に対応する部分の図であり、本発明の第４実施形態に係る電子部品の第１上コイル側の平面構造を説明するための図である。図２３は、図２２に示す電子部品のサンプルの上コイルを示す平面図である。図２４は、図２２に示す電子部品のサンプルの上コイルを示す平面図である。図２５は、図２２に示す電子部品のサンプルの上コイルを示す平面図である。図２６は、図２３に示すサンプル、図２４に示すサンプル、および、図２５に示すサンプルの電界強度の測定結果を示すグラフである。図２７は、本発明の参考例に係る電子部品の平均絶縁破壊電圧、図２３に示すサンプルの平均絶縁破壊電圧、図２４に示すサンプルの平均絶縁破壊電圧、および、図２５に示すサンプルの平均絶縁破壊電圧を比較したグラフである。図２８は、本発明の第５実施形態に係る電子部品を説明するための断面図である。図２９は、図２８に示す電子部品の効果を説明するための図である。図３０は、図２８に示す電子部品の効果を説明するための図である。図３１は、本発明の第６実施形態に係る電子部品の平面構造を説明するための図である。図３２は、図３１に示す電子部品の低電圧側キャパシタ導体膜の平面構造を説明するための図である。図３３は、図３１に示す電子部品の高電圧側キャパシタ導体膜の平面構造を説明するための図である。図３４は、図３１に示すXXXIV-XXXIV線に沿う断面図である。図３５は、本発明の第７実施形態に係る電子部品を説明するための断面図である。図３６は、樹脂膜のパターンに関する変形例を示す図である。図３７は、樹脂膜のパターンに関する変形例を示す図である。図３８は、変形例に係る電子部品モジュールの平面図である。

　図１は本発明の第１実施形態に係る電子部品が組み込まれた電子部品モジュール１の平面図である。図１では、内部構造の明瞭化のため電子部品モジュール１の中央部を透視して示している。

　高電圧コイルに電気的に接続された高電圧パッドと、低電圧コイルに電気的に接続された低電圧パッドとが、電子部品の表面において横方向に離れて配置されることがある。

　通常、低電圧パッド－高電圧パッド間の距離は、充分な耐圧を確保する観点から、トランスの高電圧コイル－低電圧コイル間の距離に比べて数十倍以上に設定される。そのため、低電圧パッド－高電圧パッド間の領域を利用して耐圧を向上させる点については、現在に至るまで充分な検討がなされていない。

　そこで、この形態では、低電圧パッド－高電圧パッド間の領域に着目して、耐圧を向上できる電子部品および電子部品モジュールを提供する。

　電子部品モジュール１のパッケージタイプは、ＳＯＰ（Small Outline Package）である。電子部品モジュール１のパッケージタイプとしては、ＳＯＰに限らず、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-lead Package）等の種々のタイプが採用され得る。

　電子部品モジュール１は、複数のチップが、１パッケージ化されたパワーモジュールである。樹脂パッケージ２と、複数のリード３と、複数のチップ類４とを含む。

　樹脂パッケージ２は、たとえばエポキシ樹脂を用いて四角（正方形）板状に形成されている。複数のリード３は、この形態では、樹脂パッケージ２の互いに対向する一対の端面を介して、樹脂パッケージ２の内外に跨って設けられている。

　複数のチップ類４は、低電圧素子の一例としてのコントローラチップ５（コントローラＩＣ）と、電子部品６と、高電圧素子の一例としてのドライバチップ７（ドライバＩＣ）とを含む。電子部品６は、この形態では、変圧器を含むトランスチップである。各チップ５～７は、四角（長方形）板状に形成されている。

　コントローラチップ５のサイズおよびドライバチップ７のサイズは、ほぼ等しくてもよい。電子部品６のサイズは、コントローラチップ５およびドライバチップ７よりも小さくてもよい。

　電子部品６は、樹脂パッケージ２のほぼ中央部に配置されている。コントローラチップ５およびドライバチップ７は、それぞれ、電子部品６に対して一方のリード３側およびその反対のリード３側に配置されている。

　コントローラチップ５およびドライバチップ７は、それらの間に電子部品６を挟むように配置されている。コントローラチップ５およびドライバチップ７は、それぞれ、複数のリード３に隣り合っている。

　コントローラチップ５および電子部品６は共通の第１ダイパッド８上に配置されている。ドライバチップ７は、第１ダイパッド８から間隔を空けて設けられた第２ダイパッド９上に配置されている。

　コントローラチップ５の表面には、複数のパッド１０および複数のパッド１１が形成されている。複数のパッド１０は、コントローラチップ５のリード３に近い側の長辺に沿って配列されている。複数のパッド１０は、ボンディングワイヤ１２によってリード３に接続されている。

　複数のパッド１１は、コントローラチップ５のリード３の反対側（電子部品６に近い側）の長辺に沿って配列されている。

　電子部品６の表面には、複数の低電圧パッド１３および複数の高電圧パッド１４が形成されている。複数の低電圧パッド１３は、電子部品６のコントローラチップ５に近い側の長辺に沿って配列されている。複数の低電圧パッド１３は、ボンディングワイヤ１５によってコントローラチップ５のパッド１１に接続されている。

　この形態では、コントローラチップ５のパッド１１が電子部品６の一次側に接続されている。複数の高電圧パッド１４は、電子部品６の幅方向中央部において電子部品６の長辺に沿って配列されている。

　ドライバチップ７の表面には、複数のパッド１６および複数のパッド１７が形成されている。複数のパッド１６は、ドライバチップ７の電子部品６に近い側の長辺に沿って配列されている。複数のパッド１６は、ボンディングワイヤ１８によって電子部品６の高電圧パッド１４に接続されている。

　この形態では、ドライバチップ７のパッド１６が電子部品６の二次側に接続されている。複数のパッド１７は、ドライバチップ７の電子部品６の反対側（リード３に近い側）の長辺に沿って配列されている。複数のパッド１７は、ボンディングワイヤ１９によってリード３に接続されている。

　図１で示した各チップ５～７のパッド類の配置形態は一例に過ぎず、パッケージタイプやチップ類４の配置形態に応じて適宜変更できる。

　図２は、図１の電子部品モジュール１の接続形態および各部の電位を示す図である。

　図２に示すように、電子部品モジュール１では電子部品６において、一次側（低圧側）の下コイル２０と、二次側（高圧側）の上コイル２１とが上下方向に間隔を空けて対向している。

　下コイル２０は、低電圧コイル（低電圧導体パターン）の一例として形成されている。上コイル２１は、高電圧コイル（高電圧導体パターン）の一例として形成されている。下コイル２０および上コイル２１は、それぞれ、螺旋状に形成されている。

　下コイル２０および上コイル２１の磁気結合によって変圧器（後述する第１変圧器３０１および第２変圧器３０２）が形成されている。コントローラチップ５およびドライバチップ７は、変圧器（下コイル２０および上コイル２１）により直流絶縁されている。また、コントローラチップ５およびドライバチップ７は、変圧器（下コイル２０および上コイル２１）により交流接続されている。

　下コイル２０の内側コイルエンド２２（渦巻きの内側末端）および外側コイルエンド９２（渦巻きの外側末端）には、それぞれ、低電圧配線２４および低電圧配線９３が接続されている。低電圧配線２４，９３の末端は、低電圧パッド１３として露出している。

　上コイル２１の内側コイルエンド２３および外側コイルエンド９４には、それぞれ、高電圧配線２５（内側コイルエンド配線）および高電圧配線９５（外側コイルエンド配線）が接続されている。高電圧配線２５，９５の末端は、高電圧パッド１４として露出している。

　コントローラチップ５は、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を含む。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２は、それぞれ、配線９０，９１の導通・遮断を行うスイッチング素子である。

　トランジスタＴｒ１は、或るパッド１０と或るパッド１１とを接続する配線９０の途中に設けられている。トランジスタＴｒ２は、他のパッド１０と他のパッド１１とを接続する配線９１の途中に設けられている。

　配線９０側のパッド１０，１１は、それぞれ、ボンディングワイヤ１２，１５を通じて入力電圧および外側コイルエンド９２側の低電圧パッド１３に接続されている。配線９１側のパッド１０，１１は、それぞれ、ボンディングワイヤ１２，１５を通じて接地電圧および内側コイルエンド２２側の低電圧パッド１３に接続されている。

　第１印加状態（Ｔｒ１：ＯＮ、Ｔｒ２：ＯＦＦ）と第２印加状態（Ｔｒ１：ＯＦＦ、Ｔｒ２：ＯＮ）が交互に繰り返されるようにコントローラチップ５を制御することによって、電子部品６の下コイル２０に周期的なパルス電圧が発生する。たとえば、図２では、基準電圧＝０Ｖ（接地電圧）に対して５Ｖのパルス電圧が下コイル２０で発生する。

　電子部品６では、直流信号が下コイル２０と上コイル２１との間で遮断されつつ、電磁誘導によって、下コイル２０で発生したパルス電圧に基づく交流信号のみが選択的に高圧側（上コイル２１）に伝達される。

　伝達される交流信号は、下コイル２０と上コイル２１との間の変圧比に応じて昇圧される。伝達される交流信号は、ボンディングワイヤ１８を通じて、ドライバチップ７に出力される。たとえば、図２では、５Ｖのパルス電圧が１５Ｖまで昇圧された後、基準電圧が１２００Ｖに設定されたドライバチップ７に出力される。

　ドライバチップ７は、入力された１５Ｖのパルス電圧をＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴ（たとえば、ソース－ドレイン間電圧＝１２００Ｖ）のゲート電極（図示せず）に印加することによって、当該ＭＯＳＦＥＴのスイッチング動作を行う。

　図２で示した具体的な電圧値は、電子部品モジュール１の動作を説明するために用いた一例に過ぎない。ドライバチップ７（ＨＶ領域）の基準電圧は１２００Ｖを超える値であってもよい。

　図３は、図１の電子部品６の平面構造を説明するための図である。図４は、電子部品６の下コイル２０が配置された層の平面構造を説明するための図である。図５は、電子部品６の上コイル２１が配置された層の平面構造を説明するための図である。

　図６は、電子部品６の断面図（図３のVI－VI線に沿う断面図）である。図７は、電子部品６の断面図（図３のVII－VII線に沿う断面図）である。図６および図７では、明瞭化のために、金属部分のみをハッチングで示している。

　図３～図５を参照して、電子部品６は、第１変圧器３０１および第２変圧器３０２を含む。第１変圧器３０１および第２変圧器３０２は、電子部品６の長手方向に沿って間隔を空けて形成されている。図３～図５の紙面では、第１変圧器３０１が上側に示されており、第２変圧器３０２が下側に示されている。

　第１変圧器３０１は、後述するように、互いに対向する一組の下コイル２０および上コイル２１を２つ含む。第２変圧器３０２も同様に、互いに対向する一組の下コイル２０および上コイル２１を２つ含む。

　図６および図７に示すように、半導体基板２６と、半導体基板２６上に形成された絶縁層積層構造２７とを含む。半導体基板２６としては、Ｓｉ（シリコン）基板、ＳｉＣ（炭化珪素）基板等を適用できる。

　半導体基板２６によって、電子部品６が半導体装置として形成されている。したがって、電子部品６を含む電子部品モジュール１は、半導体モジュールとして形成されている。

　絶縁層積層構造２７は、半導体基板２６の表面から順に積層された複数（図６および図７では１２層）の絶縁層２８からなる。複数の絶縁層２８は、半導体基板２６の表面に接する最下層の絶縁層２８を除いて、それぞれ、下層のエッチングストッパ膜２９と、上層の層間絶縁膜３０との積層構造からなる。

　最下層の絶縁層２８は、層間絶縁膜３０のみからなる。エッチングストッパ膜２９としては、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜等が使用されてもよい。層間絶縁膜３０としては、ＳｉＯ_２膜が使用されてもよい。

　下コイル２０および上コイル２１は、絶縁層積層構造２７において互いに異なる絶縁層２８に形成されている。下コイル２０および上コイル２１は、一層以上の絶縁層２８を挟んで互いに対向している。

　この形態では、下コイル２０は、半導体基板２６から４層目の絶縁層２８に形成されている。上コイル２１は、下コイル２０との間に６層の絶縁層２８を挟んで、１１層目の絶縁層２８に形成されている。

　図３～図５に示すように、下コイル２０および上コイル２１は、それぞれ、中央に平面視楕円形の内方領域３１，３２が区画されるように、その内方領域３１，３２の周囲を取り囲む楕円環状の領域に形成されている。

　上コイル２１は、その上面が絶縁層２８の上面と面一になるように形成されている。これにより、上コイル２１は、側面、上面および下面において、互いに異なる絶縁層２８に接している。

　具体的には、上コイル２１が埋め込まれた絶縁層２８は、エッチングストッパ膜２９および層間絶縁膜３０が上コイル２１の側面に接している。上コイル２１が埋め込まれた絶縁層２８の上側に形成された絶縁層２８は、下層のエッチングストッパ膜２９のみが上コイル２１の上面に接している。下側の絶縁層２８は、上層の層間絶縁膜３０のみが上コイル２１の下面に接している。

　ここでは説明を省略するが、下コイル２０も上コイル２１と同様に、その上面が絶縁層２８の上面と面一になるように形成されている。

　図３，図６および図７に示すように、絶縁層積層構造２７の表面（最上層の絶縁層２８の層間絶縁膜３０上）には、高電圧導電層の一例としての高電圧パッド層８８および低電圧導電層の一例としての低電圧パッド層８９が形成されている。

　これらを一体で覆うように、表面絶縁膜の一例としての保護膜７５およびパッシベーション膜７６が、絶縁層積層構造２７の全面に順に積層されている。これらの膜７５，７６には、パッド開口７９，７８が形成されている。パッド開口７９，７８は、高電圧パッド層８８および低電圧パッド層８９を、それぞれ、高電圧パッド１４および低電圧パッド１３として露出させている。

　高電圧パッド１４は、絶縁層積層構造２７の積層方向に沿って電子部品６を上方から見た平面視において、上コイル２１が配置された中央の高電圧領域（ＨＶ領域）３６に配置されている。

　ここで、高電圧領域３６は、上コイル２１が埋め込まれた絶縁層２８における、上コイル２１および上コイル２１と同電位の配線が形成された領域、およびそれら形成領域の周辺部を含む。

　この形態では、図３および図５に示すように、上コイル２１が電子部品６の長手方向に間隔を空けて２つずつペアで合計４つ形成されている。各ペアの上コイル２１の内方領域３２および隣り合う上コイル２１間には、それぞれ、内側コイルエンド配線３７および外側コイルエンド配線９６が形成されている。

　各上コイル２１のペアでは、一方の上コイル２１および他方の上コイル２１が、その間の共通の外側コイルエンド配線９６によって互いに電気的に接続されている。これら両方の上コイル２１、その間の外側コイルエンド配線９６および各上コイル２１内の内側コイルエンド配線３７は全て同電位となっている。

　絶縁層２８では、各上コイル２１の内方領域３２および各上コイル２１のペアにおける上コイル２１間の領域も、上コイル２１、内側コイルエンド配線３７もしくは外側コイルエンド配線９６からの電界が及ぶ範囲内として、高電圧領域３６に含まれている。

　高電圧領域３６の中で、図３および図５の平面視において、各上コイル２１と重複する領域および各上コイル２１の内方領域３２が、高電圧コイルの形成領域の一例である。

　高電圧領域３６の中で、高電圧コイルの形成領域以外の領域が、上コイル２１の外側のコイル外方領域８５である。高電圧コイルの形成領域以外の領域は、たとえば、各上コイル２１のペアにおける上コイル２１間の領域（コイル間領域５０）や各上コイル２１の周縁に沿う領域（コイル周縁領域９９）を含む。

　下コイル２０（低電圧コイル）が配置された領域は、平面視では高電圧領域３６に一致するが、上コイル２１（高電圧コイル）から複数の絶縁層２８によって隔離されている。下コイル２０（低電圧コイル）が配置された領域は、上コイル２１からの電界の影響がほとんど及ばないので、この実施形態で言う高電圧領域３６に含まれるものではない。

　高電圧パッド１４は、図３に示すように、各上コイル２１の内方領域３２の上方および各上コイル２１のペアにおけるコイル間領域５０の上方に一つずつ、合計６個配置されている。

　高電圧パッド１４を、その配置形態によって分類することによって、高電圧パッド１４は、第１パッド３３および第２パッド３４を含んでいてもよい。

　第１パッド３３は、各上コイル２１の内方領域３２の上方に配置されている。第１パッド３３は、絶縁層積層構造２７の厚さ方向（積層方向）において当該内方領域３２に対向する。第２パッド３４は、各コイル間領域５０の上方に配置されている。第２パッド３４は、絶縁層積層構造２７の厚さ方向（積層方向）において当該コイル間領域５０に対向する。

　図３、図５および図６に示すように、第１パッド３３は、上コイル２１と同一の絶縁層２８に埋め込まれた内側コイルエンド配線３７に、ビア３８を介して接続されている。

　図３、図５および図７に示すように、第２パッド３４は、同様の構造によって、上コイル２１と同一の絶縁層２８に埋め込まれた外側コイルエンド配線９６にビア３５を介して接続されている。

　これにより、上コイル２１に伝達された交流信号を、内側コイルエンド配線３７およびビア３８、ならびに、外側コイルエンド配線９６およびビア３５を介して、高電圧パッド１４から出力できる。

　内側コイルエンド配線３７およびそれに接続されたビア３８、ならびに外側コイルエンド配線９６およびそれに接続されたビア３５を合わせたものが、それぞれ、図２の高電圧配線２５および高電圧配線９５となる。

　絶縁層積層構造２７には、高電圧領域３６とは電気的に切り離された低電位の領域（ＬＶ領域）として、低電圧領域４６（図６および図７）、外側低電圧領域４７（図３～図７）および中間領域４８（図３～図７）が設定されている。

　低電圧領域４６は、下コイル２０が埋め込まれた絶縁層２８における、下コイル２０および下コイル２０と同電位の配線が形成された領域、および、それら形成領域の周辺部を含んでいる。低電圧領域４６は、下コイル２０と上コイル２１との関係と同様に、一層以上の絶縁層２８を挟んで高電圧領域３６に対向している。

　下コイル２０は、この形態では、図４に示すように、上コイル２１と対向する位置、すなわち、電子部品６の長手方向に間隔を空けて２つずつペアで合計４つ形成されている。各ペアの下コイル２０の内方領域３１および隣り合う下コイル２０間には、それぞれ、内側コイルエンド配線４９および外側コイルエンド配線９７が形成されている。

　各ペアでは、一方の下コイル２０および他方の下コイル２０が、その間の共通の外側コイルエンド配線９７によって互いに電気的に接続されている。これら両方の下コイル２０、その間の外側コイルエンド配線９７および各下コイル２０内の内側コイルエンド配線４９は全て同電位となっている。

　絶縁層２８では、各下コイル２０の内方領域３１および各ペアにおける下コイル２０間の領域も、下コイル２０、内側コイルエンド配線４９もしくは外側コイルエンド配線９７からの電界が及ぶ範囲内として、低電圧領域４６に含まれている。内側コイルエンド配線４９は、図５に示すように、平面視において高電圧側の内側コイルエンド配線３７からずれた位置に配置されている。

　外側低電圧領域４７は、図３～図５に示すように、高電圧領域３６および低電圧領域４６を取り囲むように設定されている。中間領域４８は、高電圧領域３６および低電圧領域４６と外側低電圧領域４７との間に設定されている。

　図３，図６および図７に示すように、低電圧パッド１３は、外側低電圧領域４７において絶縁層積層構造２７の表面（最上層の絶縁層２８の層間絶縁膜３０上）に形成されている。

　図６および図７に示すように、外側低電圧領域４７は、第１スペースの一例としての第１領域３９および第２スペースの一例としての第２領域４０を含む。

　第１領域３９は、高電圧パッド１４を挟んで一方側（紙面左側）の領域である。第２領域４０は、高電圧パッド１４を挟んで他方側（紙面右側）の領域である。低電圧パッド１３は、第１領域３９に選択的に偏って形成されている。

　低電圧パッド１３は、この形態では、第１領域３９において、電子部品６の長手方向に互いに間隔を空けて６個設けられた高電圧パッド１４のそれぞれの側方に一つずつ、合計６個配置されている。

　各低電圧パッド１３は、絶縁層積層構造２７内を引き回された低電圧配線２４，９３によって、下コイル２０に接続されている。低電圧配線２４は、貫通配線５１と、引き出し配線５２とを含む。

　貫通配線５１は、外側低電圧領域４７において各低電圧パッド１３から少なくとも下コイル２０が形成された絶縁層２８を貫通して、下コイル２０よりも下方の絶縁層２８に達する柱状に形成されている。

　より具体的には、貫通配線５１は、低電圧層配線５３，５４（低電圧配線）、および、ビア５５，５６，５７を含む。低電圧層配線５３，５４は、それぞれ、上コイル２１および下コイル２０と同一の絶縁層２８に島状（四角形状）に埋め込まれている。

　複数のビア５５は、低電圧層配線５３，５４の間を接続している。ビア５６は、上側の低電圧層配線５３と低電圧パッド１３とを接続している。ビア５７は、下側の低電圧層配線５４と引き出し配線５２とを接続している。

　引き出し配線５２は、低電圧領域４６から、下コイル２０よりも下方の絶縁層２８を介して外側低電圧領域４７に引き出された線状に形成されている。

　引き出し配線５２は、より具体的には、内側コイルエンド配線４９と、引き出し層配線５８と、ビア５９とを含む。引き出し層配線５８は、下コイル２０よりも下方の絶縁層２８に線状に埋め込まれている。引き出し層配線５８は、下コイル２０の下方を横切っている。

　ビア５９は、引き出し層配線５８と内側コイルエンド配線４９とを接続している。引き出し層配線５８は、ビア８６を介して半導体基板２６に接続されている。これにより、低電圧配線２４は、基板電圧（たとえば接地電圧）に固定される。

　詳細は省略するが、低電圧配線９３も、低電圧配線２４と同様に、貫通配線４３（図７）と、引き出し配線９８（図３～図５）とを含む配線によって構成されている。

　以上の構成により、複数の低電圧パッド１３のうち、高電圧パッド１４の第１パッド３３の側方に配置された第１パッド４１は、図３～図６に示すように、貫通配線５１および引き出し配線５２を介して、下コイル２０の内側コイルエンド配線４９に接続されている。

　図３～図６に示すように、高電圧パッド１４の第２パッド３４の側方に配置された第２パッド４２は、貫通配線４３および引き出し配線９８を介して、下コイル２０の外側コイルエンド配線９７に接続されている。これにより、低電圧パッド１３に入力された信号を、貫通配線５１，４３および引き出し配線５２，９８を介して下コイル２０に伝達できる。

　絶縁層積層構造２７には、低電圧配線２４，９３よりもさらに外側にシールド層６９が形成されている。このシールド層６９は、外部からデバイス内に水分が入ったり、端面のクラックが内部に広がったりすることを防止する。

　シールド層６９は、図３～図７に示すように、電子部品６の端面に沿って壁状に形成されている。シールド層６９の底部において半導体基板２６に接続されている。これにより、シールド層６９は、基板電圧（たとえば接地電圧）に固定される。

　より具体的には、シールド層６９は、図６および図７に示すように、それぞれ、上コイル２１、下コイル２０および引き出し層配線５８と同一の絶縁層２８に埋め込まれたシールド層配線７０～７２と、それらの間を接続する複数のビア７３と、最下層のシールド層配線７２と半導体基板２６とを接続するビア７４とを含む。

　さらに、絶縁層積層構造２７上において、保護膜７５およびパッシベーション膜７６の上には、樹脂膜７７が形成されている。樹脂膜７７は、この形態では、高電圧領域３６の全体を一体で覆うように、パッシベーション膜７６上に選択的に形成されている。

　つまり、樹脂膜７７は、図３の平面視において、各上コイル２１と重複する領域、各上コイル２１の内方領域３２、コイル間領域５０およびコイル周縁領域９９を覆っている。これにより、平面視において、高電圧パッド１４の第１パッド３３および第２パッド３４の両方ともに、それらの周囲全周が樹脂膜７７で覆われている。

　樹脂膜７７において高電圧パッド１４を露出させる開口がパッド開口７９に一致している。これにより、樹脂膜７７は、高電圧パッド１４の第１パッド３３および第２パッド３４の周縁に乗り上がったオーバーラップ部４４，４５を有している。

　保護膜７５は、たとえばＳｉＯ_２からなり、１５０ｎｍ程度の厚さを有している。パッシベーション膜７６は、たとえばＳｉＮからなり、１０００ｎｍ程度の厚さを有している。樹脂膜７７は、たとえばポリイミドからなり、４０００ｎｍ程度の厚さを有している。

　電子部品６の各部の詳細について、以下に説明を加える。

　図２で説明したように、電子部品６の下コイル２０と上コイル２１との間には、大きな電位差（たとえば、１２００Ｖ程度）が生じる。下コイル２０と上コイル２１との間に配置される絶縁層２８は、それらの間の電位差による絶縁破壊を生じない耐圧を実現可能な厚さを有している。

　そこで、この形態では、図６に示すように、絶縁層２８を、コイル間に複数層（たとえば６層）介在させている。絶縁層２８は、３００ｎｍ程度のエッチングストッパ膜２９および２１００ｎｍ程度の層間絶縁膜３０の積層構造からなる。絶縁層２８のトータルの厚さＬ２を１２．０μｍ以上１６．８μｍ以下にすることによって、下コイル２０と上コイル２１との間の縦方向のＤＣ絶縁を実現している。

　下コイル２０と上コイル２１と間の絶縁層２８のトータル厚さＬ２に比べて、高電圧パッド１４と低電圧パッド１３との距離Ｌ１の方が大きい。たとえば、距離Ｌ１は１００μｍ以上４５０μｍ以下が一般的であり、厚さＬ２との比（距離Ｌ１／厚さＬ２）で表せば、６／１以上４０／１以下となる。

　図８は、本発明の比較形態に係る電子部品６の構成を示す断面図である。図９は、図８のIX－IX線に沿う断面図である。図８および図９に示すように、比較形態に係る電子部品６では、樹脂膜７７は、高電圧パッド１４の第２パッド３４の周囲を露出させている。

　図１０は、本発明の比較形態に係る電子部品の平均絶縁破壊電圧および本発明の第１実施形態に係る電子部品６の平均絶縁破壊電圧を比較したグラフである。図１０において、縦軸は平均絶縁破壊電圧［ｋＶｒｍｓ］を表している。

　図１０を参照して、第１実施形態に係る電子部品６の平均絶縁破壊電圧は、比較形態に係る電子部品６の平均絶縁破壊電圧に対して７．５％だけ増加した。このことから、樹脂膜７７によって第２パッド３４の周囲を覆うことにより、平均絶縁破壊電圧を向上できることが分かった。

　図１１は、本発明の比較形態に係る電子部品６の絶縁破壊電圧のバラツキおよび本発明の第１実施形態に係る電子部品６の絶縁破壊電圧のバラツキを比較したグラフである。図１１において、縦軸は平均絶縁破壊電圧のバラツキを表している。

　図１１を参照して、第１実施形態に係る電子部品６の絶縁破壊電圧のバラツキは、比較形態に係る電子部品６の絶縁破壊電圧のバラツキに対して２７．９％だけ減少した。このことから、樹脂膜７７によって第２パッド３４の周囲を覆うことにより、絶縁破壊電圧のバラツキを抑制できることが分かった。

　図１２は、本発明の第２実施形態に係る電子部品１０１の上コイル２１の平面構造を説明するための図である。この形態では、電子部品６の構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。

　同一のまたは略同一と見なせる平面上（以下、単に「共通の平面上」という。）に低電圧部および高電圧部がレイアウトされた電子部品の場合、高電圧部は、低電圧部との間において電界を形成する。そのため、比較的高い電界が、高電圧部に集中する傾向がある。

　たとえば、互いに対向する低電圧コイルおよび高電圧コイルによって一つの変圧器が構成された電子部品の場合、高電圧コイルは、低電圧コイルとの間において電界を形成する。そのため、比較的高い電界が、高電圧コイルに集中する傾向がある。このような電界集中の発生は、耐圧を向上させる上での弊害になることがある。

　そこで、この形態では、上記のような電界集中を緩和し、耐圧を向上できる電子部品を提供する。

　以下では、第１変圧器３０１および第２変圧器３０２の内、第１変圧器３０１側の構造を例にとって説明する。第２変圧器３０２側の構造は、第１変圧器３０１側の構造と同様であるので、同一の参照符号を付して説明を省略する。

　また、以下では、説明の便宜上、必要に応じて、２つの上コイル２１の内の一方の上コイル２１を第１上コイル２１Ａといい、他方の上コイル２１を第２上コイル２１Ｂという。単に上コイル２１Ａ，２１Ｂというときは、第１上コイル２１Ａおよび第２上コイル２１Ｂの両方が含まれるものとする。

　また、以下では、第１上コイル２１Ａおよび第２上コイル２１Ｂの対向方向を「第１方向Ａ」といい、第１方向Ａに交差する交差方向を「第２方向Ｂ」という。第２方向Ｂは、より具体的には、第１方向Ａに直交する直交方向である。

　図１２を参照して、電子部品１０１は、この形態では、変圧器を含むトランスチップである。電子部品１０１は、導電性の耐圧保持構造１０２を含む。耐圧保持構造１０２は、低電圧側の部材および高電圧側の部材の間の領域に形成されている。低電圧側の部材は、たとえば、基準電位やグランド電位に固定される低電圧パッド１３やシールド層６９等を含む。

　高電圧側の部材は、たとえば高電圧パッド１４や上コイル２１Ａ，２１等を含む。耐圧保持構造１０２は、低電圧側の部材および高電圧側の部材の間の領域に形成される電界に起因する耐圧劣化を抑制する。

　耐圧保持構造１０２は、より具体的には、高電圧側の第１耐圧保持構造１０３および低電圧側の第２耐圧保持構造１０４を含む。図１２では、第１耐圧保持構造１０３および第２耐圧保持構造１０４が簡略化して示されている。

　第１耐圧保持構造１０３は、上コイル２１Ａ，２１Ｂに沿って形成されている。第１耐圧保持構造１０３は、他の領域から上コイル２１Ａ，２１Ｂを区画するように、上コイル２１Ａ，２１Ｂを取り囲んでいる。

　第１耐圧保持構造１０３は、より具体的には、上コイル２１Ａ，２１Ｂ、および、上コイル２１Ａ，２１Ｂの間に形成された外側コイルエンド配線９６を一括して取り囲んでいる。つまり、第１耐圧保持構造１０３は、平面視においてリング状（楕円リング状）に形成されている。

　第２耐圧保持構造１０４は、平面視で上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび低電圧層配線５３（低電圧パッド１３）の間の領域に形成されている。第２耐圧保持構造１０４は、第１方向Ａに沿ってライン状に延びている。

　第２耐圧保持構造１０４は、平面視において複数の低電圧層配線５３（低電圧パッド１３）に沿って形成されている。これにより、第２耐圧保持構造１０４は、平面視において低電圧パッド１３の外郭よりも外側に張り出している。

　第２耐圧保持構造１０４は、複数の低電圧パッド１３を横切るように、第１方向Ａに沿ってライン状に延びている。これにより、第２耐圧保持構造１０４は、上コイル２１Ａ，２１Ｂから複数の低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）をそれぞれ区画している。

　以下、図１３～図１７を参照して、耐圧保持構造１０２の構造についてより具体的に説明する。図１３は、図１２に示す領域XIIIの拡大図である。図１４は、図１３に示す領域XIVの拡大図である。図１５は、図１３に示す領域XVの拡大図である。図１６は、図１２に示すXVI-XVI線に沿う断面図である。図１７は、図１２に示すXVII-XVII線に沿う断面図である。

　図１３では、説明の便宜上、上コイル２１Ａ，２１Ｂの外郭が太線によって示されている。上コイル２１Ａ，２１Ｂの外郭は、それぞれ、上コイル２１Ａ，２１Ｂの最外周を形成する１巻き分の螺旋パターン１０５の外周縁によって形成されている。

　図１４では、説明の便宜上、下コイル２０の外郭が破線によって示されている。下コイル２０の外郭は、下コイル２０の最外周を形成する１巻き分の螺旋パターンの外周縁によって形成されている。また、図１４では、説明の便宜上、高電圧パッド１４の第１パッド３３および第２パッド３４が、破線によってそれぞれ示されている。

　図１３および図１４を参照して、上コイル２１Ａ，２１Ｂは、内側コイルエンド２２、外側コイルエンド９４および螺旋パターン１０５をそれぞれ含む。

　上コイル２１Ａ，２１Ｂの内側コイルエンド２２は、平面視において下コイル２０の外郭によって取り囲まれた領域内にそれぞれ形成されている。上コイル２１Ａ，２１Ｂの外側コイルエンド９４は、平面視において下コイル２０の外郭によって取り囲まれた領域外の領域にそれぞれ形成されている。上コイル２１Ａ，２１Ｂの螺旋パターン１０５は、内側コイルエンド２２から外側コイルエンド９４に向けて外巻きに、それぞれ巻回されている。

　螺旋パターン１０５の巻回数は、５以上３０以下（たとえば１５）であってもよい。螺旋パターン１０５の幅は、０．５μｍ以上５μｍ以下であってもよい。螺旋パターン１０５の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。螺旋パターン１０５の幅は、螺旋方向に直交する方向の幅で定義される。

　螺旋パターン１０５の巻回ピッチＰＴＬは、０．１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。螺旋パターン１０５の巻回ピッチＰＴＬは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。螺旋パターン１０５の巻回ピッチＰＴＬは、螺旋方向に直交する方向に隣り合う２つの螺旋パターン１０５の間の距離によって定義される。

　上コイル２１Ａ，２１Ｂの内側コイルエンド２２は、内側接続部１０６を介して内側コイルエンド配線３７にそれぞれ接続されている。内側接続部１０６は、内側コイルエンド配線３７から内側コイルエンド２２に向けてそれぞれ引き出されている。

　上コイル２１Ａ，２１Ｂの外側コイルエンド９４は、外側接続部１０７を介して外側コイルエンド配線９６にそれぞれ接続されている。外側接続部１０７は、外側コイルエンド配線９６から外側コイルエンド９４に向けてそれぞれ引き出されている。

　下コイル２０の構造は、第１実施形態において説明した通り、上コイル２１Ａ，２１Ｂの構造と略同様である。下コイル２０についての具体的な説明は省略する。

　図１３、図１４および図１７を参照して、第１耐圧保持構造１０３は、上コイル２１Ａ，２１Ｂと同一の絶縁層２８（層間絶縁膜３０）内に形成されている。第１耐圧保持構造１０３は、上コイル２１Ａ，２１Ｂと共通の工程を経て形成されている。したがって、第１耐圧保持構造１０３は、上コイル２１Ａ，２１Ｂと共通の電極層によって形成されている。

　第１耐圧保持構造１０３は、平面視において下コイル２０の外郭（図１４の破線参照）よりも外側に張り出すように、上コイル２１Ａ，２１Ｂの外郭に沿って形成されている。第１耐圧保持構造１０３は、さらに、平面視において第２パッド３４の外郭（図１４の破線参照）よりも外側に張り出すように、第２パッド３４の外郭に沿って形成されている。

　第１耐圧保持構造１０３は、上コイル２１Ａ，２１Ｂ、および、上コイル２１Ａ，２１Ｂの間に形成された外側コイルエンド配線９６を一括して取り囲んでいる。つまり、第１耐圧保持構造１０３は、平面視においてリング状（楕円リング状）に形成されている。第１耐圧保持構造１０３は、上コイル２１Ａ，２１Ｂ、および、上コイル２１Ａ，２１Ｂの間に形成された外側コイルエンド配線９６を他の領域から区画している。

　第１耐圧保持構造１０３は、より具体的には、複数（たとえば６個）の第１ダミー導体パターン１０８の集合体によって形成された第１ダミー導体パターン群１０９を含む。図１６および図１７では、第１ダミー導体パターン群１０９の一部が省略して示されている。複数の第１ダミー導体パターン１０８は、それぞれ、上コイル２１Ａ，２１Ｂの螺旋パターン１０５に対して不連続なパターンを有している。

　複数の第１ダミー導体パターン１０８は、上コイル２１Ａ，２１Ｂから離れる方向に沿って間隔を空けて形成されている。各第１ダミー導体パターン１０８は、上コイル２１Ａ，２１Ｂ、および、上コイル２１Ａ，２１Ｂの間に形成された外側コイルエンド配線９６を一括して取り囲んでいる。つまり、各第１ダミー導体パターン１０８は、平面視においてリング状（楕円リング状）に形成されている。

　第１ダミー導体パターン１０８の幅は、０．５μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１ダミー導体パターン１０８の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。第１ダミー導体パターン１０８の幅は、螺旋パターン１０５の幅と等しくてもよい。第１ダミー導体パターン１０８の幅は、第１ダミー導体パターン１０８が延びる方向に直交する方向の幅で定義される。

　この形態では、各第１ダミー導体パターン１０８は、電極層が存在しない開放部１１０を含む。各第１ダミー導体パターン１０８の開放部１１０は、絶縁層２８（層間絶縁膜３０）の一部によって形成されている。これにより、各第１ダミー導体パターン１０８は有端状に形成されている。

　第１ダミー導体パターン群１０９は、上コイル２１Ａ，２１Ｂ側に位置する内側の第１ダミー導体パターン１０８、内側の第１ダミー導体パターン１０８に対して上コイル２１Ａ，２１Ｂとは反対側に位置する外側の第１ダミー導体パターン１０８を含む。

　外側の第１ダミー導体パターン１０８は、内側の第１ダミー導体パターン１０８の開放部１１０を外側から閉塞するように延びている。外側の第１ダミー導体パターン１０８の開放部１１０は、内側の第１ダミー導体パターン１０８の開放部１１０とは異なる領域に形成されている。

　開放部１１０により、第１ダミー導体パターン１０８を含む開放回路が形成されている。つまり、開放部１１０は、電流経路が第１ダミー導体パターン１０８に形成されることを防止する。

　これにより、第１ダミー導体パターン１０８に起因するノイズの発生が抑制される。むろん、複数の第１ダミー導体パターン１０８のうちの少なくとも１つまたは全部は、無端状であってもよい。

　各第１ダミー導体パターン１０８は、第１ダミー接続部１１１を介して外側コイルエンド配線９６に接続されている。これにより、各第１ダミー導体パターン１０８は、上コイル２１Ａ，２１Ｂの外側コイルエンド９４と同電位に固定されている。

　第１ダミー接続部１１１は、外側コイルエンド配線９６から任意の方向に沿って引き出されている。第１ダミー接続部１１１は、外側接続部１０７とは異なる領域から引き出されていてもよい。第１ダミー接続部１１１は、この形態では、外側接続部１０７とは異なる領域から第２方向Ｂに沿って引き出されている。

　第１耐圧保持構造１０３は、第１近接領域１１２、第２近接領域１１３、第１接続領域１１４および第２接続領域１１５を含む。第１近接領域１１２、第２近接領域１１３、第１接続領域１１４および第２接続領域１１５は、それぞれ、第１ダミー導体パターン群１０９によって形成されている。

　第１近接領域１１２は、第１上コイル２１Ａに近接し、第１上コイル２１Ａの外郭に沿ってＵ字状に延びている。第１近接領域１１２は、第１上コイル２１Ａを三方向から挟み込んでいる。第１近接領域１１２は、低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）およびシールド層６９から、第１上コイル２１Ａを区画している。

　第２近接領域１１３は、第２上コイル２１Ｂに近接し、第２上コイル２１Ｂの外郭に沿ってＵ字状に延びている。第２近接領域１１３は、第２上コイル２１Ｂを三方向から挟み込んでいる。第２近接領域１１３は、低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）およびシールド層６９から第２上コイル２１Ｂを区画している。

　第１接続領域１１４は、外側コイルエンド配線９６に対して低電圧パッド１３側の領域において、第１方向Ａに沿って延びるライン状に形成されている。第１接続領域１１４は、第１近接領域１１２の一端および第２近接領域１１３の一端を接続している。第１接続領域１１４は、低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）から上コイル２１Ａ，２１Ｂの一部および外側コイルエンド配線９６を区画している。

　第１接続領域１１４は、より具体的には、外側コイルエンド配線９６に対して低電圧パッド１３側の領域において、第２パッド３４の外郭（図１４の破線参照）に沿って形成されている。

　第１接続領域１１４に含まれる複数の第１ダミー導体パターン１０８は、第２パッド３４から離れる方向に沿って間隔を空けて形成されている。第２パッド３４から離れる方向は、第２方向Ｂである。

　第２接続領域１１５は、外側コイルエンド配線９６に対して第１接続領域１１４とは反対側の領域において、第１方向Ａに沿って延びるライン状に形成されている。第２接続領域１１５は、第１近接領域１１２の他端および第２近接領域１１３の他端を接続している。第２接続領域１１５は、シールド層６９から上コイル２１Ａ，２１Ｂの一部および外側コイルエンド配線９６を区画している。

　第２接続領域１１５は、より具体的には、外側コイルエンド配線９６に対して第１接続領域１１４とは反対側の領域において、第２パッド３４の外郭（図１４の破線参照）に沿って形成されている。

　第２接続領域１１５に含まれる複数の第１ダミー導体パターン１０８は、第２パッド３４から離れる方向に沿って間隔を空けて形成されている。第２パッド３４から離れる方向は、第２方向Ｂである。

　第１近接領域１１２および第２近接領域１１３に含まれる複数の第１ダミー導体パターン１０８は、それぞれ第１ピッチＰＴ１で形成されている。複数の第１ダミー導体パターン１０８の第１ピッチＰＴ１は、螺旋パターン１０５の巻回ピッチＰＴＬと等しくてもよい（ＰＴ１＝ＰＴＬ）。

　第１ピッチＰＴ１は、上コイル２１Ａ，２１Ｂに最も近接する第１ダミー導体パターン１０８および上コイル２１Ａ，２１Ｂの間の距離、ならびに、互いに隣り合う２つの第１ダミー導体パターン１０８の間の距離によって定義される。

　第１接続領域１１４および第２接続領域１１５に含まれる複数の第１ダミー導体パターン１０８は、それぞれ、第２ピッチＰＴａ，ＰＴｂ，ＰＴｃ，ＰＴｄ，ＰＴｅ，ＰＴｆで形成されている。

　第２ピッチＰＴａは、第２パッド３４に最も近接する第１ダミー導体パターン１０８および第２パッド３４の間の第２方向Ｂに沿う距離によって定義される。第２ピッチＰＴｂ～ＰＴｆは、それぞれ互いに隣り合う２つの第１ダミー導体パターン１０８の間の第２方向Ｂに沿う距離によって定義される。

　第２ピッチＰＴａ～ＰＴｆは、それぞれ、第１ピッチＰＴ１とは異なる値を取り得る（ＰＴａ～ＰＴｆ≠ＰＴ１）。第２ピッチＰＴａ～ＰＴｆは、１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。第２ピッチＰＴａ～ＰＴｆは、１μｍ以上５０μｍ以下の範囲で種々の値を取り得る。第２ピッチＰＴａ～ＰＴｆの各値については、後に詳述する。

　第１近接領域１１２および第２近接領域１１３において、下コイル２０の外郭に対する第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１は、０μｍを超えて１００μｍ以下であってもよい（０μｍ＜Ｚ１≦１００μｍ）。張り出し量Ｚ１は、第１ダミー導体パターン１０８の個数や第１ピッチＰＴ１の値を変更することにより調整されてもよい。

　電子部品１０１が５０００Ｖ以上の耐圧を有する場合の一つの形態例は以下の通りである。絶縁層２８は、８ＭＶ／ｃｍ以上１０ＭＶ／ｃｍ以下の絶縁破壊強度を有していてもよい。

　絶縁層２８は、ＳｉＯ_２またはＳｉＮのうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。この場合、張り出し量Ｚ１は、１０μｍ以上であることが好ましい。より具体的には、張り出し量Ｚ１は、２０μ以上であることがさらに好ましい。

　張り出し量Ｚ１は、第１近接領域１１２および第２近接領域１１３において、下コイル２０の外郭および第１耐圧保持構造１０３の最外周を形成する第１ダミー導体パターン１０８の外周縁の間の距離によって定義される。

　樹脂パッケージ２は、０．１以上０．３ＭＶ／ｃｍ以下の絶縁破壊強度を有していてもよい。樹脂パッケージ２は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはポリベンゾオキサゾール樹脂のうちの少なくとも一つのモールド樹脂を含んでいてもよい。「絶縁破壊強度」は、絶縁破壊が引き起こされることなく印加可能な電界強度の最大値によって定義される（以下、同じ）。

　第１耐圧保持構造１０３の第１近接領域１１２は、第１上コイル２１Ａ側で耐圧の低下を抑制する第１コイル側耐圧保持構造１１６を形成している。第１コイル側耐圧保持構造１１６は、より具体的には、第１上コイル２１Ａおよび低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）の間に形成される電界に起因する耐圧の低下を抑制する。また、第１コイル側耐圧保持構造１１６は、第１上コイル２１Ａおよびシールド層６９の間に形成される電界に起因する耐圧の低下を抑制する。

　第１耐圧保持構造１０３の第２近接領域１１３は、第２上コイル２１Ｂ側で耐圧の低下を抑制する第２コイル側耐圧保持構造１１７を形成している。第２コイル側耐圧保持構造１１７は、より具体的には、第２上コイル２１Ｂおよび低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）の間に形成される電界に起因する耐圧の低下を抑制する。また、第２コイル側耐圧保持構造１１７は、第２上コイル２１Ｂおよびシールド層６９の間に形成される電界に起因する耐圧の低下を抑制する。

　第１耐圧保持構造１０３の第１接続領域１１４は、第２パッド３４側で耐圧の低下を抑制する第１パッド側耐圧保持構造１１８を形成している。第１パッド側耐圧保持構造１１８は、より具体的には、外側コイルエンド配線９６および低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）の間に形成される電界に起因する耐圧の低下を抑制する。また、第１パッド側耐圧保持構造１１８は、第２パッド３４およびシールド層６９の間に形成される電界に起因する耐圧の低下を抑制する。

　第１耐圧保持構造１０３の第２接続領域１１５は、第２パッド３４側で耐圧の低下を抑制する第２パッド側耐圧保持構造１１９を形成している。第２パッド側耐圧保持構造１１９は、より具体的には、第２パッド３４およびシールド層６９の間に形成される電界に起因する耐圧の低下を抑制する。

　図１３、図１５および図１７を参照して、第２耐圧保持構造１０４は、上コイル２１Ａ，２１Ｂと同一の絶縁層２８（層間絶縁膜３０）内に形成されている。第２耐圧保持構造１０４は、上コイル２１Ａ，２１Ｂと共通の工程を経て形成されている。したがって、第２耐圧保持構造１０４は、上コイル２１Ａ，２１Ｂと共通の電極層によって形成されている。

　第２耐圧保持構造１０４は、複数（たとえば３個）の第２ダミー導体パターン１２１の集合体によって形成された第２ダミー導体パターン群１２２を含む。図１６および図１７では、第２ダミー導体パターン群１２２の一部が省略して示されている。複数の第２ダミー導体パターン１２１は、それぞれ、上コイル２１Ａ，２１Ｂの螺旋パターン１０５に対して不連続なパターンを有している。

　複数の第２ダミー導体パターン１２１は、それぞれ、第１方向Ａに沿って延びるライン状のパターンを含む。複数の第２ダミー導体パターン１２１は、第２方向Ｂに沿って互いに間隔を空けて配列されている。

　第２ダミー導体パターン１２１の幅は、０．５μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２ダミー導体パターン１２１の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。第２ダミー導体パターン１２１の幅は、螺旋パターン１０５の幅と等しくてもよい。

　第２ダミー導体パターン１２１の幅は、第１ダミー導体パターン１０８の幅と等しくてもよい。第２ダミー導体パターン１２１の幅は、第２ダミー導体パターン１２１が延びる方向に直交する方向の幅で定義される。第２ダミー導体パターン１２１が延びる方向に直交する方向は、第２方向Ｂである。

　複数の第２ダミー導体パターン１２１は、それぞれ第３ピッチＰＴ３で形成されている。第３ピッチＰＴ３は、螺旋パターン１０５の巻回ピッチＰＴＬと等しくてもよい（ＰＴ３＝ＰＴＬ）。

　第３ピッチＰＴ３は、低電圧パッド１３に最も近接する第２ダミー導体パターン１２１および低電圧パッド１３の間の距離、ならびに、互いに隣り合う２つの第２ダミー導体パターン１２１の間の距離によって定義される。

　各第２ダミー導体パターン１２１は、有端状に形成されている。これにより、第２ダミー導体パターン１２１を含む開放回路が形成されている。つまり、開放回路は、第２ダミー導体パターン１２１に電流経路が形成されることを防止する。

　これにより、第２ダミー導体パターン１２１に起因するノイズの発生が抑制される。むろん、複数の第２ダミー導体パターン１２１のうちの少なくとも１つまたは全部は、無端状であってもよい。

　各第２ダミー導体パターン１２１は、第２ダミー接続部１２３を介して低電圧層配線５３に接続されている。これにより、各第２ダミー導体パターン１２１は、低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）と同電位に固定されている。

　第２ダミー接続部１２３は、任意の低電圧層配線５３から上コイル２１Ａ，２１Ｂ側の領域に向けて引き出されている。第２ダミー接続部１２３は、この形態では、下コイル２０の外側コイルエンド配線９７に対応する低電圧層配線５３から引き出されている。

　第２ダミー接続部１２３は、この形態では、第２方向Ｂに沿ってライン状に引き出されている。１つまたは複数の第２ダミー接続部１２３が、１つまたは複数の低電圧層配線５３から引き出されていてもよい。

　第２耐圧保持構造１０４の張り出し量Ｚ２は、０μｍを超えて５０μｍ以下であってもよい（０μｍ＜Ｚ２≦５０μｍ）。第２耐圧保持構造１０４の張り出し量Ｚ２は、第２方向Ｂに関して、低電圧パッド１３の外郭と、上コイル２１Ａ，２１Ｂに最も近接する第２ダミー導体パターン１２１の上コイル２１Ａ，２１Ｂ側の周縁との間の距離によって定義される。

　第２耐圧保持構造１０４は、第１上コイル２１Ａおよび低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）の間に形成される電界に起因する耐圧の低下を抑制する。また、第２耐圧保持構造１０４は、第２上コイル２１Ｂおよび低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）の間に形成される電界に起因する耐圧の低下を抑制する。また、第２耐圧保持構造１０４は、第２パッド３４および低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）の間に形成される電界に起因する耐圧の低下を抑制する。

　次に、耐圧保持構造１０２および電界強度の関係、ならびに、耐圧保持構造１０２および絶縁破壊耐量の関係について具体的に説明する。電界強度には、電界強度のピーク値が含まれるものとする。

　以下では、第１コイル側耐圧保持構造１１６を例にとって説明するが、第２コイル側耐圧保持構造１１７に対しても同様の説明が成り立つ。したがって、第１コイル側耐圧保持構造１１６に関する説明は第２コイル側耐圧保持構造１１７に関する説明に準用されるものとし、第２コイル側耐圧保持構造１１７に関する説明については省略する。

　また、以下では、第１パッド側耐圧保持構造１１８を例にとって説明するが、第２パッド側耐圧保持構造１１９に対しても同様の説明が成り立つ。したがって、第１パッド側耐圧保持構造１１８に関する説明は第２パッド側耐圧保持構造１１９に関する説明に準用されるものとし、第２パッド側耐圧保持構造１１９に関する説明については省略する。

　第１コイル側耐圧保持構造１１６において、第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１と電界強度との関係を調べるため、下記の表１に示される通り、６つのサンプルＡ１，Ｂ１，Ｃ１，Ｄ１，Ｅ１，Ｆ１が用意された。

　サンプルＡ１は、参考例に係る電子部品である。参考例に係る電子部品は、耐圧保持構造１０２を備えていない点を除き、本実施形態に係る電子部品１０１と同様の構造を有している。参考例に係る電子部品の構造については、説明を省略する（以下において同じ）。

　サンプルＢ１は、第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１が１０μｍに設定された電子部品１０１である。サンプルＣ１は、第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１が２０μｍに設定された電子部品１０１である。

　サンプルＤ１は、第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１が３０μｍに設定された電子部品１０１である。サンプルＥ１は、第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１が４０μｍに設定された電子部品１０１である。サンプルＦ１は、第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１が５０μｍに設定された電子部品１０１である。

　図１８は、第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１と電界強度との関係をシミュレーションにより求めたグラフである。図１８において、縦軸は電界強度［ｋＶ／ｍｍ］を表し、横軸は第１耐圧保持構造１０３およびシールド層６９の間の距離［μｍ］を表している。

　以下では、上コイル２１Ａ，２１Ｂの外郭（最外周縁）を単に「上コイル端」という。また、第１耐圧保持構造１０３の外郭（最外周縁）を単に「第１耐圧保持構造端」という。また、シールド層６９の内郭（内周縁）を単に「シールド層端」という。

　図１８には、第１曲線ＬＮ１、第２曲線ＬＮ２、第３曲線ＬＮ３、第４曲線ＬＮ４、第５曲線ＬＮ５および第６曲線ＬＮ６が示されている。

　第１曲線ＬＮ１は、サンプルＡ１のシミュレーション結果を示している。第２曲線ＬＮ２は、サンプルＢ１のシミュレーション結果を示している。第３曲線ＬＮ３は、サンプルＣ１のシミュレーション結果を示している。

　第４曲線ＬＮ４は、サンプルＤ１のシミュレーション結果を示している。第５曲線ＬＮ５は、サンプルＥ１のシミュレーション結果を示している。第６曲線ＬＮ６は、サンプルＦ１のシミュレーション結果を示している。

　第１曲線ＬＮ１を参照して、サンプルＡ１の上コイル端側の電界強度は、５６ｋＶ／ｍｍであった。第２曲線ＬＮ２を参照して、サンプルＢ１の第１耐圧保持構造端の電界強度は、３４ｋＶ／ｍｍであった。第３曲線ＬＮ３を参照して、サンプルＣ１の第１耐圧保持構造端の電界強度は、２８ｋＶ／ｍｍであった。

　第４曲線ＬＮ４を参照して、サンプルＤ１の第１耐圧保持構造端の電界強度は、２８ｋＶ／ｍｍであった。第５曲線ＬＮ５を参照して、サンプルＥ１の第１耐圧保持構造端の電界強度は、２８ｋＶ／ｍｍであった。第６曲線ＬＮ６を参照して、サンプルＦ１の第１耐圧保持構造端の電界強度は、２８ｋＶ／ｍｍであった。

　このように、サンプルＡ１の上コイル端の電界強度は、サンプルＢ１～Ｆ１の電界強度よりも高かった。つまり、第１耐圧保持構造１０３を有さないサンプルＡ１では、上コイル端に対する電界集中が顕著であった。その一方で、第１耐圧保持構造１０３をそれぞれ有するサンプルＢ１～Ｆ１では、上コイル端に対する電界集中が緩和されていることが分かった。

　第１曲線ＬＮ１を参照して、サンプルＡ１のシールド層端の電界強度は、２０ｋＶ／ｍｍであった。第２曲線ＬＮ２を参照して、サンプルＢ１のシールド層端の電界強度は、２４ｋＶ／ｍｍであった。第３曲線ＬＮ３を参照して、サンプルＣ１のシールド層端の電界強度は、２６ｋＶ／ｍｍであった。

　第４曲線ＬＮ４を参照して、サンプルＤ１のシールド層端の電界強度は、２８ｋＶ／ｍｍであった。第５曲線ＬＮ５を参照して、サンプルＥ１のシールド層端の電界強度は、２９ｋＶ／ｍｍであった。第６曲線ＬＮ６を参照して、サンプルＦ１のシールド層端の電界強度は、３０ｋＶ／ｍｍであった。

　シールド層端の電界強度は、第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１の増加に比例するように増加した。これは、電界強度が距離に反比例する物理法則に適う結果である。

　以上のように、第１曲線ＬＮ１～第６曲線ＬＮ６より、第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１を零にしない限り（つまり、張り出し量Ｚ１＞０）、上コイル端に対する電界集中が緩和されることが分かった。その一方で、第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１が２０μｍを超えると、第１耐圧保持構造端の電界強度は、２８ｋＶ／ｍｍ程度に落ち着いた。

　つまり、第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１が或る値（ここでは２０μｍ）を超えると、第１耐圧保持構造１０３側の電界強度が、第１耐圧保持構造端およびシールド層端の間の距離に支配されることが分かった。これは、シールド層端の電界強度が高まった理由の一つでもある。

　図１８の結果を以下にまとめる。第１耐圧保持構造１０３（第１コイル側耐圧保持構造１１６）を設けることが好ましい。これにより、上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび下コイル２０の間に形成される電界の終端を、上コイル２１Ａ，２１Ｂ側から第１耐圧保持構造１０３側に移行させることができる。

　また、第１耐圧保持構造１０３は、上コイル２１Ａ，２１Ｂの外郭から外側に向かって張り出している。したがって、下コイル２０および上コイル２１Ａ，２１Ｂの間で形成される電界を第１耐圧保持構造１０３によって遮蔽できる。これにより、上コイル２１Ａ，２１Ｂの端部に回り込むように電界が形成されることを抑制できる。

　その結果、上コイル２１Ａ，２１Ｂに対する電界集中を緩和できる。より具体的には、上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび低電圧パッド１３の間の領域において、上コイル端（第１耐圧保持構造端）に対する電界集中を緩和できる。また、上コイル２１Ａ，２１Ｂおよびシールド層６９の間の領域において、上コイル端（第１耐圧保持構造端）に対する電界集中を緩和できる。

　第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１は、０μｍを超えることが好ましい。「張り出し量Ｚ１が０μｍを超える」とは、第１ダミー導体パターン１０８を形成することと同義である。

　第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１は、１０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。この場合、第１耐圧保持構造端の電界強度が３４ｋＶ／ｍｍ以下になり、上コイル端に対する電界集中を緩和できる。また、この場合、第１耐圧保持構造端の電界強度およびシールド層端の電界強度の間の差の絶対値が、１５ｋＶ／ｍｍ以下になる。

　第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１は、２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。この場合、第１耐圧保持構造端の電界強度が、３０μｍ以下になり、上コイル端に対する電界集中を緩和できる。また、この場合、第１耐圧保持構造端の電界強度およびシールド層端の電界強度の間の差の絶対値が、５ｋＶ／ｍｍ以下になる。

　第２耐圧保持構造１０４と電界強度との関係を調べるため、下記の表２に示される通り、４つのサンプルＡ２，Ｂ２，Ｃ２，Ｄ２が用意された。

　サンプルＡ２は、参考例に係る電子部品である。サンプルＢ２は、３個の第２ダミー導体パターン１２１を含む電子部品１０１である。サンプルＣ２は、６個の第２ダミー導体パターン１２１を含む電子部品１０１である。サンプルＤ２は、１２個の第２ダミー導体パターン１２１を含む電子部品１０１である。

　図１９は、第２ダミー導体パターン１２１の個数と電界強度との関係をシミュレーションにより求めたグラフである。図１９において、縦軸は電界強度［ｋＶ／ｍｍ］を表し、横軸は第２ダミー導体パターン１２１の個数［ｐｃｓ］を表している。

　以下では、低電圧パッド１３の上コイル２１Ａ，２１Ｂ側の周縁を単に「低電圧パッド端」という。また、第２耐圧保持構造１０４の上コイル２１Ａ，２１Ｂ側の周縁を単に「第２耐圧保持構造端」という。

　図１９には、第１プロット点Ｐ１、第２プロット点Ｐ２、第３プロット点Ｐ３および第４プロット点Ｐ４が示されている。

　第１プロット点Ｐ１は、サンプルＡ２において、低電圧パッド端の電界強度を示している。第２プロット点Ｐ２は、サンプルＢ２において、第２耐圧保持構造端の電界強度を示している。

　第３プロット点Ｐ３は、サンプルＣ２において、第２耐圧保持構造端の電界強度を示している。第４プロット点Ｐ４は、サンプルＤ２において、第２耐圧保持構造端の電界強度を示している。

　第１プロット点Ｐ１を参照して、サンプルＡ２において、低電圧パッド端の電界強度は、４５ｋＶ／ｍｍであった。第２プロット点Ｐ２を参照して、サンプルＢ２において、第２耐圧保持構造端の電界強度は、３０ｋＶ／ｍｍであった。

　第３プロット点Ｐ３を参照して、サンプルＣ２において、第２耐圧保持構造端の電界強度は、３５ｋＶ／ｍｍであった。第４プロット点Ｐ４を参照して、サンプルＤ２において、第２耐圧保持構造端の電界強度は、３８ｋＶ／ｍｍであった。

　このように、サンプルＡ２の低電圧パッド端の電界強度は、サンプルＢ２～Ｄ２の第２耐圧保持構造端の電界強度よりも高かった。つまり、第２耐圧保持構造端を有さないサンプルＡ２では、低電圧パッド端に対する電界集中が顕著であった。その一方で、第２耐圧保持構造端をそれぞれ有するサンプルＢ２～Ｄ２では、低電圧パッド端に対する電界集中が緩和されていることが分かった。

　図示は省略するが、サンプルＢ２において、上コイル端の電界強度は、２５ｋＶ／ｍｍであった。図示は省略するが、サンプルＣ２において、上コイル端の電界強度は、３０ｋＶ／ｍｍであった。図示は省略するが、サンプルＤ２において、上コイル端の電界強度は、３１ｋＶ／ｍｍであった。

　上コイル端の電界強度は、第２ダミー導体パターン１２１の個数の増加に比例するように増加した。これは、電界強度が距離に反比例する物理法則に適う結果である。

　以上のように、第２耐圧保持構造１０４を形成することによって、低電圧パッド１３に対する電界集中が緩和されることが分かった。その一方で、低電圧パッド１３に対する電界集中の抑制効果は、第２ダミー導体パターン１２１の個数の増加によって高まるとは限らないことが分かった。

　図１９の結果を以下にまとめる。第２耐圧保持構造１０４を形成することが好ましい。これにより、低電圧パッド１３および上コイル２１Ａ，２１Ｂの間の領域において、低電圧パッド端（第２耐圧保持領域端）に対する電界集中を緩和できる。また、低電圧パッド１３および第２パッド３４の間の領域において、低電圧パッド端（第２耐圧保持領域端）に対する電界集中を緩和できる。

　第２耐圧保持構造１０４の張り出し量Ｚ２は、０μｍを超えることが好ましい。「張り出し量Ｚ２が０μｍを超える」とは、実質的に、第２ダミー導体パターン１２１を形成することと同義である。

　第２ダミー導体パターン１２１の個数は、１２個以下であってもよい。この場合、第２耐圧保持構造１０４の張り出し量Ｚ２は、０μｍを超えて５０μｍ以下であってもよい。この場合、第２耐圧保持構造１０４に対する電界強度は３５ｋＶ／ｍｍ以下となり、低電圧パッド端（第２耐圧保持領域端）に対する電界集中を緩和できる。この場合、第２耐圧保持構造端の電界強度および上コイル端の電界強度の間の差の絶対値が、１０ｋＶ／ｍｍ以下であってもよい。

　第２ダミー導体パターン１２１の個数は、６個以下であってもよい。この場合、第２耐圧保持構造１０４の張り出し量Ｚ２は、０μｍを超えて２５μｍ以下であってもよい。この場合、低電圧パッド端に対する電界強度は３５ｋＶ／ｍｍ以下となり、低電圧パッド端（第２耐圧保持領域端）に対する電界集中を緩和できる。この場合、第２耐圧保持構造端の電界強度および上コイル端の電界強度の間の差の絶対値が、５ｋＶ／ｍｍ以下であってもよい。

　第２ダミー導体パターン１２１の個数は、３個以下であってもよい。この場合、第２耐圧保持構造１０４の張り出し量Ｚ２は、０μｍを超えて１０μｍ以下であってもよい。この場合、低電圧パッド端に対する電界強度は、３０ｋＶ／ｍｍ以下となり、低電圧パッド端（第２耐圧保持領域端）に対する電界集中を緩和できる。この場合、第２耐圧保持構造端の電界強度および上コイル端の電界強度の間の差の絶対値が、５ｋＶ／ｍｍ以下であってもよい。

　第１パッド側耐圧保持構造１１８と電界強度との関係を調べるため、下記の表３に示される通り、３つのサンプルＡ３，Ｂ３，Ｃ３が用意された。３つのサンプルＡ３，Ｂ３，Ｃ３では、第２ピッチＰＴａ～ＰＴｆ（図１４も併せて参照）が、それぞれ、下記の表３に示される通りの値に設定されている。

　以下では、第２パッド３４の低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）側の端部を単に「第２パッド端」という。また、第１パッド側耐圧保持構造１１８（第１耐圧保持構造１０３）の低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）側の端部を単に「第１パッド側耐圧保持構造端」という。

　ここでは、サンプルＡ３～Ｃ３について、第１パッド側耐圧保持構造端（第２パッド端）の電界強度が求められた。表３では、参考例に係る電子部品の第２パッド端の電界強度も示されている。

　サンプルＡ３において、第１パッド側耐圧保持構造端の電界強度は、２５ｋＶ／ｍｍであった。サンプルＢ３において、第１パッド側耐圧保持構造端の電界強度は、９ｋＶ／ｍｍであった。サンプルＣ３において、第１パッド側耐圧保持構造端の電界強度は、５ｋＶ／ｍｍであった。

　このことから、第２ピッチＰＴａ～ＰＴｆの合計値が略等しく設定されている場合であっても、第２ピッチＰＴａ～ＰＴｆの値を異ならせることによって、第２パッド端の電界強度が変化することが分かった。

　特に、サンプルＢ３およびサンプルＣ３のように、第２ピッチＰＴａを１０μｍ以下に設定することにより、第２パッド端の電界強度を適切に緩和できることが分かった。

　表３の結果を以下にまとめる。第２パッド３４に沿って第１パッド側耐圧保持構造１１８（第１耐圧保持構造１０３）を形成することが好ましい。これにより、第２パッド端に対する電界集中を緩和できる。

　第２パッド３４に最近接する第１ダミー導体パターン１０８と第２パッド３４との間の第２ピッチＰＴａは、第２ピッチＰＴｂ～ＰＴｆ以下であることが好ましい。これにより、上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび下コイル２０の間に形成される電界の終端を、第２パッド端から最近接の第１ダミー導体パターン１０８に移行させることができる。よって、第２パッド端に対する電界強度を適切に緩和できる。

　また、第２ピッチＰＴａは、上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび下コイル２０の間の縦方向距離Ｌ２以下（ＰＴａ≦Ｌ２）であることが好ましい。縦方向距離Ｌ２は、下コイル２０および上コイル２１の間の絶縁層２８のトータル厚さＬ２である。

　第２パッド３４に最近接する第２ピッチＰＴａは、１０μｍ以下（ＰＴａ≦１０μｍ）であることが好ましい。これにより、第１パッド側耐圧保持構造端の電界強度が、１０ｋＶ/ｍｍ以下になり、第２パッド端の電界強度を効果的に低減できる。

　第１パッド側耐圧保持構造１１８の第２ピッチＰＴａ～ＰＴｆについては、必ずしも、上記表３の値に設定される必要はない。第２パッド３４および低電圧パッド１３の間において緩和すべき電界強度に基づいて、種々の値が、第１パッド側耐圧保持構造１１８の第２ピッチＰＴａ～ＰＴｆに設定されてもよい。

　第２パッド側耐圧保持構造１１９の第２ピッチＰＴａ～ＰＴｆについては、必ずしも、第１パッド側耐圧保持構造１１８の第２ピッチＰＴａ～ＰＴｆと同一に設定される必要はない。第２パッド３４およびシールド層６９の間において緩和すべき電界強度に基づいて、種々の値が、第２パッド側耐圧保持構造１１９の第２ピッチＰＴａ～ＰＴｆに設定されてもよい。

　図２０は、本発明の参考例に係る電子部品の平均絶縁破壊電圧および電子部品１０１の平均絶縁破壊電圧を比較したグラフである。図２０において、縦軸は平均絶縁破壊電圧［ｋＶｒｍｓ］を表している。

　図２０を参照して、電子部品１０１の平均絶縁破壊電圧は、参考例に係る電子部品の平均絶縁破壊電圧に対して６．２％だけ増加した。このことから、耐圧保持構造１０２により、平均絶縁破壊電圧を向上できることが分かった。

　以上のように、電子部品１０１によれば、耐圧保持構造１０２によって各部材に対する電界集中を緩和できる。よって、絶縁破壊耐量を向上できる電子部品１０１を提供できる。

　図２１は、図１６に対応する部分の図であり、本発明の第３実施形態に係る電子部品１３１の断面図である。この形態では、電子部品１０１の構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。

　図２１を参照して、電子部品１３１は、樹脂膜７７を含む（図３等も併せて参照）。樹脂膜７７は、この形態では、平面視において第１耐圧保持構造１０３に重なっている。樹脂膜７７は、より具体的には、第１耐圧保持構造１０３の全域を覆っている。

　したがって、平面視において樹脂膜７７の外周縁によって取り囲まれた領域内に、上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび第１耐圧保持構造１０３が収まっている。

　樹脂膜７７は、絶縁層積層構造２７の一部の表面を被覆していてもよい。樹脂膜７７は、絶縁層積層構造２７の表面全域を被覆していてもよい。

　以上、電子部品１３１によれば、第２実施形態において述べた効果に加えて、第１実施形態において述べた効果と同様な効果を奏することができる。

　図２２は、図１４に対応する部分の図であり、本発明の第４実施形態に係る電子部品１４１の第１上コイル２１Ａ側の平面構造を説明するための図である。この形態では、電子部品１０１の構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。

　電子部品１４１において、上コイル２１Ａ，２１Ｂの螺旋パターン１０５は、第１螺旋パターン１４２および第２螺旋パターン１４３をそれぞれ含む。第１螺旋パターン１４２は、平面視において下コイル２０と対向する領域において、外巻に引き回されている。

　第２螺旋パターン１４３は、平面視において下コイル２０外の領域において、第１螺旋パターン１４２から連続的に外巻きに引き回されている。第２螺旋パターン１４３は、外側コイルエンド配線９６に接続されている。

　第１耐圧保持構造１０３は、第２螺旋パターン１４３を含むことができる。つまり、第１コイル側耐圧保持構造１１６および第２コイル側耐圧保持構造１１７は、それぞれ、第２螺旋パターン１４３を含むことができる。

　この形態では、張り出し量Ｚ１に代えて、下コイル２０の外郭に対する第２螺旋パターン１４３および第１耐圧保持構造１０３のトータル張り出し量Ｚ４が適用される。トータル張り出し量Ｚ４は、０μｍを超えて１００μｍ以下であってもよい。

　トータル張り出し量Ｚ４は、下コイル２０の外郭に対する第２螺旋パターン１４３の張り出し量Ｚ３と、第２螺旋パターン１４３の外郭（上コイル２１Ａ，２１Ｂの外郭）に対する第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１との和（＝Ｚ３＋Ｚ１）によって定義される。

　トータル張り出し量Ｚ４は、第２螺旋パターン１４３の巻回数や巻回ピッチＰＴＬを変更することにより調整されてもよい。トータル張り出し量Ｚ４は、第１ダミー導体パターン１０８の個数や第１ピッチＰＴ１の値を変更することにより調整されてもよい。

　次に、第２螺旋パターン１４３および電界強度の関係について説明する。ここでは、第２螺旋パターン１４３および電界強度の関係を調べるため、図２３、図２４および図２５に示される３つのサンプルＡ４，Ｂ４，Ｃ４が用意された。

　図２３は、図２２に示す電子部品１４１のサンプルＡ４の上コイル２１（上コイル２１Ａ，２１Ｂ）を示す平面図である。図２４は、図２２に示す電子部品１４１のサンプルＢ４の上コイル２１（上コイル２１Ａ，２１Ｂ）を示す平面図である。図２５は、図２２に示す電子部品１４１のサンプルＣ４の上コイル２１（上コイル２１Ａ，２１Ｂ）を示す平面図である。

　図２３、図２４および図２５では、説明の便宜上、上コイル２１を楕円環状で示し、下コイル２０の外郭を破線によって示している。下コイル２０の構造は、巻回数が異なる点を除いて上コイル２１Ａ，２１Ｂの構造と同様であるので、図２３、図２４および図２５では、具体的な説明を省略する。

　また、図２３、図２４および図２５では、第２螺旋パターン１４３および電界強度の関係を調べるため、第１耐圧保持構造１０３は形成されていない。つまり、第１耐圧保持構造１０３の張り出し量Ｚ１は零（張り出し量Ｚ１＝０）である。

　図２３を参照して、サンプルＡ４では、下コイル２０の巻回数が１３である。一方、上コイル２１Ａ，２１Ｂにおいて、第１螺旋パターン１４２の巻回数は１３であり、第２螺旋パターン１４３の巻回数は２である。トータル張り出し量Ｚ４は、８μｍ以上１３μｍ以下（ここでは、１０μｍ程度）である。

　図２４を参照して、サンプルＢ４では、下コイル２０の巻回数が１０である。一方、上コイル２１Ａ，２１Ｂにおいて、第１螺旋パターン１４２の巻回数は１０であり、第２螺旋パターン１４３の巻回数は５である。トータル張り出し量Ｚ４は、１７μｍ以上２３μｍ以下（ここでは、２０μｍ程度）である。

　図２５を参照して、サンプルＣ４では、下コイル２０の巻回数が７である。一方、上コイル２１Ａ，２１Ｂにおいて、第１螺旋パターン１４２の巻回数は７であり、第２螺旋パターン１４３の巻回数は８である。トータル張り出し量Ｚ４は、２７μｍ以上３３μｍ以下（ここでは、３０μｍ程度）である。

　図２６は、サンプルＡ４、サンプルＢ４およびサンプルＣ４の電界強度の測定結果を示すグラフである。図２６において、縦軸は電界強度［ｋＶ／ｍｍ］であり、横軸はトータル張り出し量Ｚ４［μｍ］である。

　図２６には、第１プロット点Ｐ１１、第２プロット点Ｐ１２、第３プロット点Ｐ１３および第４プロット点Ｐ１４が示されている。

　第１プロット点Ｐ１１は、参考例に係る電子部品の上コイル端の電界強度を示している。第２プロット点Ｐ１２は、サンプルＡ４の第２螺旋パターン１４３の端部の電界強度を示している。

　第３プロット点Ｐ１３は、サンプルＢ４の第２螺旋パターン１４３の端部の電界強度を示している。第４プロット点Ｐ１４は、サンプルＣ４の第２螺旋パターン１４３の端部の電界強度を示している。

　第１プロット点Ｐ１１を参照して、参考例に係る電子部品において、上コイル端の電界強度は、６６ｋＶ／ｍｍであった。

　第２プロット点Ｐ１２を参照して、サンプルＡ４の第２螺旋パターン１４３の端部の電界強度は、３０ｋＶ／ｍｍ以上３５ｋＶ／ｍｍ以下であった。

　第３プロット点Ｐ１３を参照して、サンプルＢ４の第２螺旋パターン１４３の端部の電界強度は、２５ｋＶ／ｍｍ以上３０ｋＶ／ｍｍ以下であった。

　第４プロット点Ｐ１４を参照して、サンプルＣ４の第２螺旋パターン１４３の端部の電界強度は、２５ｋＶ／ｍｍ以上３０ｋＶ／ｍｍ以下であった。

　このように、参考例に係る電子部品の上コイル端の電界強度は、３つのサンプルＡ４，Ｂ４，Ｃ４の各電界強度よりも高かった。つまり、第２螺旋パターン１４３を有さない参考例に係る電子部品では、上コイル端に対する電界集中が顕著であった。その一方で、第２螺旋パターン１４３をそれぞれ有する３つのサンプルＡ４，Ｂ４，Ｃ４では、第２螺旋パターン１４３により、電界集中が緩和されることが分かった。

　以上より、トータル張り出し量Ｚ４を零にしない限り、上コイル端に対する電界集中が緩和されることが分かった。

　図２７は、本発明の参考例に係る電子部品の平均絶縁破壊電圧、図２３に示すサンプルＡ４の平均絶縁破壊電圧、図２４に示すサンプルＢ４の平均絶縁破壊電圧、および、図２５に示すサンプルＣ４の平均絶縁破壊電圧を比較したグラフである。図２７において、縦軸は平均絶縁破壊電圧［ｋＶｒｍｓ］を表している。

　図２７を参照して、サンプルＡ４の平均絶縁破壊電圧は、参考例に係る電子部品の平均絶縁破壊電圧に対して６．５％だけ増加した。サンプルＢ４の平均絶縁破壊電圧は、参考例に係る電子部品の平均絶縁破壊電圧に対して９．７％だけ増加した。

　サンプルＣ４の平均絶縁破壊電圧は、参考例に係る電子部品の平均絶縁破壊電圧に対して１０．０％だけ増加した。

　このことから、トータル張り出し量Ｚ４を増加させることにより、平均絶縁破壊電圧を増加させること、つまり、絶縁破壊耐量を向上できることが分かった。

　図２６および図２７の結果を以下にまとめる。第１コイル側耐圧保持構造１１６および第２コイル側耐圧保持構造１１７は、それぞれ、上コイル２１Ａ，２１Ｂの第２螺旋パターン１４３を含むことができる。電界強度は距離に反比例するため、緩和すべき電界強度に応じて、第１耐圧保持構造１０３および／または第２螺旋パターン１４３を設けることが好ましい。

　これにより、第２螺旋パターン１４３および低電圧パッド１３の間の領域において、第２螺旋パターン１４３に対する電界集中を緩和できる。また、第２螺旋パターン１４３およびシールド層６９の間の領域において、第２螺旋パターン１４３に対する電界集中を緩和できる。

　トータル張り出し量Ｚ４は、５μｍ以上１１μｍ以下であってもよい。この場合、第２螺旋パターン１４３の端部の電界強度が、３０ｋＶ／ｍｍ以上３５ｋＶ／ｍｍ以下になる。

　トータル張り出し量Ｚ４は、１７μｍ以上２３μｍ以下であることが好ましい。この場合、第２螺旋パターン１４３の端部の電界強度が、２５ｋＶ／ｍｍ以上３０ｋＶ／ｍｍ以下になる。

　トータル張り出し量Ｚ４は、２７μｍ以上３３μｍ以下であることが好ましい。この場合、第２螺旋パターン１４３の端部の電界強度が、２５ｋＶ／ｍｍ以上３０ｋＶ／ｍｍ以下になる。

　以上のように、電子部品１４１によれば、第２実施形態において述べた効果とほぼ同様の効果を奏することができる。

　この形態では、トータル張り出し量Ｚ４を調整するに当たり、下コイル２０の線幅およびピッチ幅ならびに上コイル２１の線幅およびピッチ幅がそれぞれ互いに等しい、という条件の下で、上コイル２１の巻回数を下コイル２０の巻回数よりも多くした。

　しかしながら、トータル張り出し量Ｚ４を調整するに当たり、上コイル２１の線幅、ピッチ幅および巻回数の少なくとも１つを変更してもよい。また、トータル張り出し量Ｚ４を調整するに当たり、下コイル２０の線幅、ピッチ幅および巻回数の少なくとも１つを変更してもよい。

　さらに、下コイル２０の各条件および上コイル２１の各条件が、それぞれ変更されてもよい。一つの形態例では、下コイル２０の巻回数および上コイル２１の巻回数が同一の値に設定される一方で、上コイル２１の線幅が下コイル２０の線幅よりも大きい値に設定されてもよい。

　他の形態例では、下コイル２０の線幅および巻回数、ならびに、上コイル２１の線幅および巻回数がそれぞれ同一の値に設定されている一方で、上コイル２１のピッチ幅が下コイル２０のピッチ幅よりも大きい値に設定されてもよい。

　むろん、トータル張り出し量Ｚ４を増加させるに当たり、上コイル２１の巻き数、線幅、ピッチ幅のうちの少なくとも２つが、下コイル２０のものよりも大きい値に設定されてもよい。

　図２８は、本発明の第５実施形態に係る電子部品１５１を説明するための断面図である。この形態では、電子部品１０１の構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。

　電子部品１５１は、第１絶縁層としての絶縁層積層構造２７の上の領域を被覆する第２絶縁層１５２を含む。第２絶縁層１５２は、保護膜７５、パッシベーション膜７６、樹脂膜７７等を一括して被覆している。

　絶縁層積層構造２７は、前述したように、エッチングストッパ膜２９および層間絶縁膜３０を含む。エッチングストッパ膜２９は、たとえば、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜等を含む。層間絶縁膜３０は、たとえば、ＳｉＯ_２膜を含む。

　したがって、絶縁層積層構造２７は、５．０ＭＶ／ｃｍ以上の第１絶縁破壊強度Ｓ１を有している。絶縁層積層構造２７の第１絶縁破壊強度Ｓ１は、８．０ＭＶ／ｃｍ以上１５ＭＶ／ｃｍ以下であることが好ましい。

　絶縁層積層構造２７は、第１絶縁破壊強度Ｓ１が５．０ＭＶ／ｃｍ以上であれば、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮおよびＳｉＯ_２以外の絶縁材料からなる絶縁膜を含んでいてもよい。８．０ＭＶ／ｃｍ以上１０ＭＶ／ｃｍ以下の第１絶縁破壊強度Ｓ１を有する絶縁体（ＳｉＯ_２やＳｉＮ等）が、絶縁層積層構造２７として選択されてもよい。

　第２絶縁層１５２は、第１絶縁破壊強度Ｓ１以下の第２絶縁破壊強度Ｓ２（Ｓ２≦Ｓ１）を有している。第２絶縁破壊強度Ｓ２は、より具体的には、第１絶縁破壊強度Ｓ１未満（Ｓ２＜Ｓ１）である。

　第２絶縁層１５２の第２絶縁破壊強度Ｓ２は、０．１ＭＶ／ｃｍ以上０．５ＭＶ／ｃｍ以下であってもよい。０．１ＭＶ／ｃｍ以上０．３ＭＶ／ｃｍ以下の第２絶縁破壊強度Ｓ２を有する樹脂（エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等）が、第２絶縁層１５２として選択されてもよい。

　第２絶縁層１５２は、この形態では、樹脂層からなる。樹脂層は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはポリベンゾオキサゾール樹脂のうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。樹脂層は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはポリベンゾオキサゾール樹脂のうちの少なくとも一つを含むモールド樹脂によって形成されていてもよい。

　第２絶縁層１５２がモールド樹脂を含む場合、第２絶縁層１５２は、電子部品モジュール１における樹脂パッケージ２（図１参照）の一部によって形成されていてもよい。つまり、電子部品１５１は、樹脂パッケージ２の内部に配置された状態において、樹脂パッケージ２において絶縁層積層構造２７の上の領域を被覆する部分を含んでいてもよい。

　このような形態は、樹脂膜７７の有無による違いは存在しているが、第２実施形態に係る電子部品１０１や、第３実施形態に係る電子部品１３１や、第４実施形態に係る電子部品１４１が樹脂パッケージ２の内部に配置された形態と実質的に同一である。

　上コイル２１Ａ，２１Ｂは、低電圧層配線５３との間で第１絶縁破壊強度Ｓ１以下の第１値Ｒ１（Ｒ１≦Ｓ１）を有する電界を形成する。第１値Ｒ１は、より具体的には、第１絶縁破壊強度Ｓ１未満（Ｒ１＜Ｓ１）である。

　第１耐圧保持構造１０３は、低電圧層配線５３との間で、第１値Ｒ１以上第１絶縁破壊強度Ｓ１以下の第２値Ｒ２（Ｒ≦＜Ｒ２≦Ｓ１）を有する電界を形成する。第２値Ｒ２は、より具体的には、第１値Ｒ１を超え第１絶縁破壊強度Ｓ１未満（Ｒ１＜Ｒ２＜Ｓ１）である。

　第１耐圧保持構造１０３は、上コイル２１Ａ，２１Ｂへの電界集中を緩和しながら、距離の短縮によって、上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび低電圧層配線５３の間の電界を高めている。

　第２耐圧保持構造１０４は、第１耐圧保持構造１０３との間で、第２値Ｒ２以上第１絶縁破壊強度Ｓ１以下の第３値Ｒ３（Ｒ２≦Ｒ３≦Ｓ１）を有する電界を形成する。第３値Ｒ３は、より具体的には、第２値Ｒ２を超え第１絶縁破壊強度Ｓ１未満（Ｒ２＜Ｒ３＜Ｓ１）である。

　第２耐圧保持構造１０４は、低電圧層配線５３への電界集中を緩和しながら、距離の短縮によって、上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび低電圧層配線５３の間の電界を高めている。

　高電圧パッド１４は、低電圧パッド１３との間で第２絶縁破壊強度Ｓ２以下の第４値Ｒ４（Ｒ４≦Ｓ２）を有する電界を形成する。第４値Ｒ４は、より具体的には、第２絶縁破壊強度Ｓ２未満（Ｒ４＜Ｓ２）である。

　上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび低電圧層配線５３の間の電界は、実質的には、第１耐圧保持構造１０３および第２耐圧保持構造１０４の間の距離に支配される。同様に、上コイル２１Ａ，２１Ｂおよびシールド層６９の間の電界は、実質的には、第１耐圧保持構造１０３およびシールド層６９の間の距離に支配される。

　これにより、第１耐圧保持構造１０３は、上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび低電圧層配線５３の間の電界や、上コイル２１Ａ，２１Ｂおよびシールド層６９の間の電界を高める第１電界増強構造として機能している。また、第２耐圧保持構造１０４は、上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび低電圧層配線５３の間の電界を高める第２電界増強構造として機能している。

　より具体的には、第１耐圧保持構造１０３の第１近接領域１１２は、第１上コイル２１Ａおよびシールド層６９の間の電界を高める第１コイル側電界増強構造を形成している。また、第１耐圧保持構造１０３の第１近接領域１１２は、第１上コイル２１Ａおよびシールド層６９の間の電界を高める第１コイル側電界増強構造を形成している。

　第１耐圧保持構造１０３の第２近接領域１１３は、第２上コイル２１Ｂおよび低電圧層配線５３の間の電界を高める第２コイル側電界増強構造を形成している。また、第１耐圧保持構造１０３の第２近接領域１１３は、第２上コイル２１Ｂおよびシールド層６９の間の電界を高める第２コイル側電界増強構造を形成している。

　第１耐圧保持構造１０３の第１接続領域１１４は、第２パッド３４および低電圧層配線５３の間の電界を高める第１パッド側電界増強構造を形成している。また、第１耐圧保持構造１０３の第１接続領域１１４は、第２パッド３４およびシールド層６９の間の電界を高める第１パッド側電界増強構造を形成している。

　第１耐圧保持構造１０３の第２接続領域１１５は、第２パッド３４およびシールド層６９の電界を高める第２パッド側電界増強構造を形成している。

　図２９は、図２８に示す電子部品１５１の効果を説明するための図である。図３０は、図２８に示す電子部品１５１の効果を説明するための図である。図２９および図３０では、説明の便宜上、下コイル２０、上コイル２１、耐圧保持構造１０２、その他の構造を簡略化して示している。

　本実施形態に係る電子部品１５１では、第１絶縁破壊強度Ｓ１を有する絶縁層積層構造２７内に上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび下コイル２０が形成されている。

　図２９を参照して、第２実施形態において述べたように、耐圧保持構造１０２が形成されていない場合、上コイル端に電界が集中する。とりわけ、上コイル２１Ａ，２１Ｂの平面視面積が下コイル２０の平面視面積以下である場合には、絶縁層積層構造２７および第２絶縁層１５２の間の境界領域を超えて上コイル端の上側に電界が回り込むため、上コイル端に電界が集中し易い。

　上コイル端の電界強度が第２絶縁層１５２の第２絶縁破壊強度Ｓ２を超える場合、第２絶縁層１５２で絶縁破壊が生じる可能性がある。

　これに対して、図３０を参照して、第１耐圧保持構造１０３（耐圧保持構造１０２）が形成されている場合、第２実施形態において述べたように、上コイル端等に対する電界集中が緩和される。

　第１耐圧保持構造１０３は、上コイル２１Ａ，２１Ｂの外郭から外側に向かって張り出しているため、下コイル２０および上コイル２１Ａ，２１Ｂの間で形成される電界を遮蔽できる。これにより、電界が絶縁層積層構造２７および第２絶縁層１５２の間の境界領域を超えることが、抑制される。

　しかも、第２耐圧保持構造１０４（耐圧保持構造１０２）が、低電圧パッド１３の外郭から上コイル２１Ａ，２１Ｂ側に向かって張り出している。これにより、上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび低電圧層配線５３の間の電界は、実質的には、第１耐圧保持構造１０３および第２耐圧保持構造１０４の間の距離に支配される。

　したがって、第２絶縁破壊強度Ｓ２以上の第１絶縁破壊強度Ｓ１（Ｓ１≧Ｓ２）を有する絶縁層積層構造２７において電界強度が増加する一方で、第１絶縁破壊強度Ｓ１以下の第２絶縁破壊強度Ｓ２（Ｓ２≦Ｓ１）を有する第２絶縁層１５２において電界強度が低下する。

　電子部品１５１では、絶縁破壊強度が高い絶縁層積層構造２７側の電界強度を敢えて増加させることによって、絶縁破壊強度の低い第２絶縁層１５２側の電界強度を低減させている。これにより、電界集中に起因する第２絶縁層１５２の絶縁破壊を抑制できる。その結果、絶縁破壊耐量を向上できる電子部品１５１を提供できる。

　図３１は、本発明の第６実施形態に係る電子部品１６１の平面構造を説明するための図である。図３２は、図３１に示す電子部品１６１の低電圧側キャパシタ導体膜１６２の平面構造を説明するための図である。

　図３３は、図３１に示す電子部品１６１の高電圧側キャパシタ導体膜１６３の平面構造を説明するための図である。図３４は、図３１に示すXXXIV-XXXIV線に沿う断面図である。以下では、電子部品１０１の構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。

　図３１～図３４を参照して、電子部品１６１では、下コイル２０および上コイル２１、内側コイルエンド配線３７および外側コイルエンド配線９６、ならびに、内側コイルエンド配線４９および外側コイルエンド配線９７は、形成されていない。

　電子部品１６１では、下コイル２０、内側コイルエンド配線４９および外側コイルエンド配線９７に代えて低電圧側キャパシタ導体膜１６２が形成されている。また、上コイル２１、内側コイルエンド配線３７および外側コイルエンド配線９６に代えて、高電圧側キャパシタ導体膜１６３が形成されている。

　低電圧側キャパシタ導体膜１６２は、低電圧導体パターンの一例として形成されている。高電圧側キャパシタ導体膜１６３は、高電圧導体パターンの一例として形成されている。低電圧側キャパシタ導体膜１６２および高電圧側キャパシタ導体膜１６３は、下コイル２０および上コイル２１を形成するためのマスクパターンを変更するだけで形成できる。

　この形態では、２つの低電圧側キャパシタ導体膜１６２が第１方向Ａに沿って間隔を空けて形成されている。また、２つの高電圧側キャパシタ導体膜１６３が第１方向Ａに沿って間隔を空けて形成されている。

　各高電圧側キャパシタ導体膜１６３は、少なくとも一つの絶縁層２８を挟んで、低電圧側キャパシタ導体膜１６２とそれぞれ対向している。高電圧側キャパシタ導体膜１６３および低電圧側キャパシタ導体膜１６２の間の縦方向距離Ｌ２は、１２．０μｍ以上１６．８μｍ以下であってもよい。縦方向距離Ｌ２は、高電圧側キャパシタ導体膜１６３および低電圧側キャパシタ導体膜１６２の間の絶縁層２８のトータル厚さＬ２である。

　第１方向Ａの一方側において互いに対向する低電圧側キャパシタ導体膜１６２および高電圧側キャパシタ導体膜１６３によって第１キャパシタンス１６４が形成されている。第１方向Ａの他方側において互いに対向する低電圧側キャパシタ導体膜１６２および高電圧側キャパシタ導体膜１６３によって第２キャパシタンス１６５が形成されている。

　第１キャパシタンス１６４側の構造および第２キャパシタンス１６５側の構造は、ほぼ同様である。以下では、第１キャパシタンス１６４側の構造を例にとって説明し、第２キャパシタンス１６５側の構造については、第１キャパシタンス１６４側の構造と同一の符号を付して説明を省略する。

　第１キャパシタンス１６４において、低電圧側キャパシタ導体膜１６２および高電圧側キャパシタ導体膜１６３は、それぞれ、平板状に形成されている。低電圧側キャパシタ導体膜１６２および高電圧側キャパシタ導体膜１６３は、この形態では、平面視において楕円形状に形成されている。

　低電圧側キャパシタ導体膜１６２および高電圧側キャパシタ導体膜１６３の平面形状は任意であり、楕円形状に限定されない。したがって、低電圧側キャパシタ導体膜１６２および高電圧側キャパシタ導体膜１６３は、それぞれ、平面視において円形状や多角形状（たとえば四角形状）に形成されていてもよい。

　低電圧側キャパシタ導体膜１６２は、貫通配線５１および引き出し配線５２を介して低電圧パッド１３に電気的に接続されている。高電圧側キャパシタ導体膜１６３は、ビア３８を介して高電圧パッド１４に電気的に接続されている。

　低電圧パッド１３は、この形態では、平面視において高電圧側キャパシタ導体膜１６３外の領域に形成されている。高電圧パッド１４は、この形態では、平面視において高電圧側キャパシタ導体膜１６３に対向する領域に形成されている。

　電子部品１６１は、電子部品１０１と同様に、導電性の耐圧保持構造１０２を含む。耐圧保持構造１０２は、低電圧側の部材および高電圧側の部材の間の領域に形成されている。低電圧側の部材は、たとえば、基準電位やグランド電位に固定される低電圧パッド１３やシールド層６９等を含む。

　高電圧側の部材は、たとえば高電圧パッド１４や高電圧側キャパシタ導体膜１６３等を含む。耐圧保持構造１０２は、低電圧側の部材および高電圧側の部材の間の領域に形成される電界に起因する耐圧劣化を抑制する。耐圧保持構造１０２は、高電圧側の第１耐圧保持構造１０３および低電圧側の第２耐圧保持構造１０４を含む。

　第１耐圧保持構造１０３は、この形態では、平面視において低電圧側キャパシタ導体膜１６２の外郭よりも外側に張り出すように、低電圧側キャパシタ導体膜１６２の外郭に沿って形成されている。第１耐圧保持構造１０３は、他の領域から高電圧側キャパシタ導体膜１６３を区画するように、高電圧側キャパシタ導体膜１６３を取り囲んでいる。

　第１耐圧保持構造１０３は、高電圧側キャパシタ導体膜１６３と同電位に形成されている。第１耐圧保持構造１０３は、この形態では、平面視においてリング状（楕円リング状）に形成された一枚の第１ダミー導体パターン１０８を含む。

　第１ダミー導体パターン１０８は、シールド層を形成している。第１ダミー導体パターン１０８は、この形態では、高電圧側キャパシタ導体膜１６３の外周縁と一体的に形成されている。

　第１ダミー導体パターン１０８が一枚からなる点を除いて、第１耐圧保持構造１０３（第１ダミー導体パターン１０８）の構成は電子部品１０１に係る第１耐圧保持構造１０３（第１ダミー導体パターン１０８）と同様である。第１耐圧保持構造１０３（第１ダミー導体パターン１０８）についての具体的な説明は省略する。

　第２耐圧保持構造１０４は、平面視で高電圧側キャパシタ導体膜１６３および低電圧層配線５３（低電圧パッド１３）の間の領域に形成されている。第２耐圧保持構造１０４は、第１方向Ａに沿ってライン状に延びている。

　第２耐圧保持構造１０４は、平面視において複数の低電圧層配線５３（低電圧パッド１３）に沿って形成されている。第２耐圧保持構造１０４は、複数の低電圧パッド１３を横切るように、第１方向Ａに沿ってライン状に延びている。これにより、第２耐圧保持構造１０４は、上コイル２１Ａ，２１Ｂから複数の低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）をそれぞれ区画している。

　第２耐圧保持構造１０４は、この形態では、一枚の第２ダミー導体パターン１２１を含む。第２ダミー導体パターン１２１は、シールド層を形成している。第２耐圧保持構造１０４は、電子部品１０１と同様に、複数の第２ダミー導体パターン１２１の集合体によって形成された第２ダミー導体パターン群１２２を含んでいてもよい。

　第２耐圧保持構造１０４（第２ダミー導体パターン１２１）の構成は電子部品１０１に係る第２耐圧保持構造１０４（第２ダミー導体パターン１２１）と同様である。第２耐圧保持構造１０４（第２ダミー導体パターン１２１）についての具体的な説明は省略する。

　以上、電子部品１６１のように、低電圧側キャパシタ導体膜１６２および高電圧側キャパシタ導体膜１６３を含む場合であっても、電子部品１０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。

　電子部品１６１は、電子部品１０１と同様に、絶縁層積層構造２７の上の領域を被覆する第２絶縁層１５２を含んでいてもよい（図２８も併せて参照）。この場合、図２９および図３０において述べた効果と同様の効果を奏することができる。

　電子部品１６１は、電子部品６や電子部品１３１と同様に、樹脂膜７７を含んでいてもよい（図３等も併せて参照）。樹脂膜７７は、平面視において第１耐圧保持構造１０３に重なっていてもよい。樹脂膜７７は、第１耐圧保持構造１０３の全域を覆っていてもよい。

　平面視において樹脂膜７７の外周縁によって取り囲まれた領域内に、高電圧側キャパシタ導体膜１６３および第１耐圧保持構造１０３が収まっていてもよい。樹脂膜７７は、絶縁層積層構造２７の一部の表面を被覆していてもよい。樹脂膜７７は、絶縁層積層構造２７の表面全域を被覆していてもよい。この場合、電子部品６や電子部品１３１に対して述べた効果と同様な効果を奏することができる。

　図３４は、本発明の第７実施形態に係る電子部品１７１を説明するための断面図である。以下では、電子部品１６１の構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。

　電子部品１７１では、第１耐圧保持構造１０３が、高電圧側キャパシタ導体膜１６３から間隔を空けて形成されている。第１耐圧保持構造１０３は、高電圧側キャパシタ導体膜１６３と同電位に形成されている。

　第１耐圧保持構造１０３は、接続配線（図示せず）を介して、高電圧側キャパシタ導体膜１６３に接続されていてもよい。接続配線は、第１耐圧保持構造１０３および高電圧側キャパシタ導体膜１６３と同一の層に形成されていてもよい。接続配線は、第１耐圧保持構造１０３および高電圧側キャパシタ導体膜１６３とは異なる層に形成されていてもよい。

　第１耐圧保持構造１０３は、高電圧側キャパシタ導体膜１６３から間隔を空けて形成された第１ダミー導体パターン１０８を含む。第１耐圧保持構造１０３は、電子部品１０１と同様に、複数の第１ダミー導体パターン１０８の集合体によって形成された第１ダミー導体パターン群１０９を含んでいてもよい。

　第１耐圧保持構造１０３（第１ダミー導体パターン群１０９）の構成は電子部品１０１に係る第１耐圧保持構造１０３（第１ダミー導体パターン群１０９）と同様である。第１耐圧保持構造１０３（第１ダミー導体パターン群１０９）についての具体的な説明は省略する。

　以上、電子部品１７１のように、低電圧側キャパシタ導体膜１６２および高電圧側キャパシタ導体膜１６３を含む場合であっても、電子部品１０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。

　電子部品１７１は、電子部品１５１と同様に、絶縁層積層構造２７の上の領域を被覆する第２絶縁層１５２を含んでいてもよい（図２８も併せて参照）。この場合、図２９および図３０において述べた効果と同様の効果を奏することができる。

　電子部品１７１は、電子部品６や電子部品１３１と同様に、樹脂膜７７を含んでいてもよい（図３等も併せて参照）。樹脂膜７７は、平面視において第１耐圧保持構造１０３に重なっていてもよい。樹脂膜７７は、第１耐圧保持構造１０３の全域を覆っていてもよい。

　以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

　第１実施形態では、樹脂膜７７は、高電圧パッド１４の第２パッド３４の両方の周囲全周を覆っていた。しかし、樹脂膜７７は、図３６に示すように、第２パッド３４の、低電圧パッド１３が配置された第１領域３９側のみを選択的に覆っていてもよい。

　この場合、樹脂膜７７は、第１パッド３３の周囲において、平面視で上コイル２１を全体的に覆うように形成されていることが好ましい。

　たとえば、電子部品６を封止する樹脂パッケージ２にフィラーが含有されている場合、上コイル２１が樹脂膜７７で覆われていなければ、封止時にフィラーによって上コイル２１がダメージを受けるおそれがある（フィラーアタック）。しかし、上コイル２１が全体的に樹脂膜７７で覆われていれば、フィラーアタック等の不具合を抑制できる。この構造は、第２～第７実施形態にも適用できる。

　第１実施形態では、樹脂膜７７は、第２パッド３４の周縁にオーバーラップするように形成されていた。しかし、図３７に示すように、樹脂膜７７は、第２パッド３４の周縁にオーバーラップしていなくてもよい。

　この場合、樹脂膜７７は、第２パッド３４を露出させるために、パッド開口７９よりも大きな径を有する開口６０を有していてもよい。この構造は、第２～第７実施形態にも適用できる。

　第１～第５実施形態において、下コイル２０の厚さは、上コイル２１の厚さ以上であってもよい。下コイル２０の厚さは、上コイル２１の厚さ以下であってもよい。

　第１～第５実施形態において、下コイル２０は、金、銀、銅、アルミニウム、チタン、窒化チタンまたはタングステンのうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。上コイル２１は、金、銀、銅、アルミニウム、チタン、窒化チタンまたはタングステンのうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。下コイル２０および上コイル２１は、コストや量産性の観点から、銅やアルミニウムを含むことが好ましい。

　第１～第５実施形態において、下コイル２０の螺旋パターンの幅は、上コイル２１Ａ，２１Ｂの螺旋パターン１０５の幅以下であってもよい。むろん、下コイル２０の螺旋パターンの幅は、上コイル２１Ａ，２１Ｂの螺旋パターン１０５の幅以上であってもよい。

　第２～第５実施形態において、第１変圧器３０１側の第１耐圧保持構造１０３および第２変圧器３０２側の第１耐圧保持構造１０３は一体的に形成されていてもよい。

　この場合、第１変圧器３０１側の上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび外側コイルエンド配線９６、ならびに、第２変圧器３０２側の上コイル２１Ａ，２１Ｂおよび外側コイルエンド配線９６は、第１耐圧保持構造１０３によって一括して取り囲まれていてもよい。

　第２～第５実施形態において、第１変圧器３０１側の第２耐圧保持構造１０４および第２変圧器３０２側の第２耐圧保持構造１０４は一体的に形成されていてもよい。

　この場合、第２耐圧保持構造１０４は、第１変圧器３０１側の低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）、ならびに、第２変圧器３０２側の低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）に沿って連続的に延びるように形成されていてもよい。

　第２～第５実施形態において、第１近接領域１１２、第２近接領域１１３、第１接続領域１１４および第２接続領域１１５は、それぞれ別体として形成されていてもよい。第１近接領域１１２、第２近接領域１１３、第１接続領域１１４および第２接続領域１１５は、互いに独立した第１ダミー導体パターン群１０９をそれぞれ含んでいてもよい。

　第２～第５実施形態において、耐圧保持構造１０２は、上コイル２１Ａ，２１Ｂとは異なる層に形成されていてもよい。

　第２～第５実施形態において、第１耐圧保持構造１０３および第２耐圧保持構造１０４は、それぞれ異なる層に形成されていてもよい。

　たとえば、第１耐圧保持構造１０３が上コイル２１Ａ，２１Ｂよりも上層に形成されている一方で、第２耐圧保持構造１０４が上コイル２１Ａ，２１Ｂよりも下層に形成されていてもよい。

　これとは反対に、第１耐圧保持構造１０３が上コイル２１Ａ，２１Ｂよりも下層に形成されている一方で、第２耐圧保持構造１０４が上コイル２１Ａ，２１Ｂよりも上層に形成されていてもよい。

　第２～第５実施形態において、第１耐圧保持構造１０３は、複数の第１ダミー導体パターン１０８に代えて、一枚の幅広のシールド層を含んでいてもよい。シールド層は、張り出し量Ｚ１を有していてもよい。このような構造によっても、各実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。

　第２～第５実施形態において、複数の第１ダミー導体パターン１０８は、互いに異なる層に形成されていてもよい。たとえば、任意の３つの第１ダミー導体パターン１０８を上コイル２１Ａ，２１Ｂと同一の層に形成し、他の３つの第１ダミー導体パターン１０８を１つ下の層に形成してもよい。

　また、たとえば、任意の２つの第１ダミー導体パターン１０８を上コイル２１Ａ，２１Ｂと同一の層に形成し、他の２つの第１ダミー導体パターン１０８を上コイル２１Ａ，２１Ｂの１つ下の層に形成し、さらに他の２つの第１ダミー導体パターン１０８を上コイル２１Ａ，２１Ｂの１つ上の層に形成してもよい。

　第２～第５実施形態において、第２耐圧保持構造１０４は、複数の第２ダミー導体パターン１２１に代えて、一枚の幅広のシールド層を含んでいてもよい。シールド層は、張り出し量Ｚ２を有していてもよい。このような構造によっても、各実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。

　第２～第５実施形態において、複数の第２ダミー導体パターン１２１は、互いに異なる層に形成されていてもよい。たとえば、任意の１つの第２ダミー導体パターン１２１を上コイル２１Ａ，２１Ｂと同一の層に形成し、他の２つの第２ダミー導体パターン１２１を１つ下の層に形成してもよい。

　また、たとえば、任意の１つの第２ダミー導体パターン１２１を上コイル２１Ａ，２１Ｂと同一の層に形成し、他の１つの第２ダミー導体パターン１２１を上コイル２１Ａ，２１Ｂの１つ下の層に形成し、さらに他の１つの第２ダミー導体パターン１２１を上コイル２１Ａ，２１Ｂの１つ上の層に形成してもよい。

　第２～第５実施形態において、第２ダミー導体パターン群１２２は、第２方向Ｂに沿って上コイル２１Ａ，２１Ｂとは反対側に延びる第２ダミー導体パターン１２１を含んでいてもよい。

　第６～第７実施形態において、低電圧側キャパシタ導体膜１６２の厚さは、高電圧側キャパシタ導体膜１６３の厚さ以上であってもよい。低電圧側キャパシタ導体膜１６２の厚さは、高電圧側キャパシタ導体膜１６３の厚さ以下であってもよい。

　第６～第７実施形態において、低電圧側キャパシタ導体膜１６２は、金、銀、銅、アルミニウム、チタン、窒化チタンまたはタングステンのうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　高電圧側キャパシタ導体膜１６３は、金、銀、銅、アルミニウム、チタン、窒化チタンまたはタングステンのうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。低電圧側キャパシタ導体膜１６２および高電圧側キャパシタ導体膜１６３は、コストや量産性の観点から、銅やアルミニウムを含むことが好ましい。

　第６～第７実施形態において、第１キャパシタンス１６４側の第１耐圧保持構造１０３および第２キャパシタンス１６５側の第１耐圧保持構造１０３は一体的に形成されていてもよい。

　この場合、第１キャパシタンス１６４側の高電圧側キャパシタ導体膜１６３、および、第２キャパシタンス１６５側の高電圧側キャパシタ導体膜１６３は、第１耐圧保持構造１０３によって一括して取り囲まれていてもよい。

　第６～第７実施形態において、第１キャパシタンス１６４側の第２耐圧保持構造１０４および第２キャパシタンス１６５側の第２耐圧保持構造１０４は一体的に形成されていてもよい。

　この場合、第２耐圧保持構造１０４は、第１キャパシタンス１６４側の低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）、ならびに、第２キャパシタンス１６５側の低電圧パッド１３（低電圧層配線５３）に沿って連続的に延びるように形成されていてもよい。

　第６～第７実施形態において、耐圧保持構造１０２は、高電圧側キャパシタ導体膜１６３とは異なる層に形成されていてもよい。

　第６～第７実施形態において、第１耐圧保持構造１０３および第２耐圧保持構造１０４は、それぞれ異なる層に形成されていてもよい。たとえば、第１耐圧保持構造１０３が高電圧側キャパシタ導体膜１６３よりも上層に形成されている一方で、第２耐圧保持構造１０４が高電圧側キャパシタ導体膜１６３よりも下層に形成されていてもよい。

　これとは反対に、第１耐圧保持構造１０３が高電圧側キャパシタ導体膜１６３よりも下層に形成されている一方で、第２耐圧保持構造１０４が高電圧側キャパシタ導体膜１６３よりも上層に形成されていてもよい。

　第７実施形態において、複数（たとえば６個）の第１ダミー導体パターン１０８が形成されている場合、複数の第１ダミー導体パターン１０８は、互いに異なる層に形成されていてもよい。

　たとえば、任意の３つの第１ダミー導体パターン１０８を高電圧側キャパシタ導体膜１６３と同一の層に形成し、他の３つの第１ダミー導体パターン１０８を１つ下の層に形成してもよい。

　また、たとえば、任意の２つの第１ダミー導体パターン１０８を高電圧側キャパシタ導体膜１６３と同一の層に形成し、他の２つの第１ダミー導体パターン１０８を高電圧側キャパシタ導体膜１６３の１つ下の層に形成し、さらに他の２つの第１ダミー導体パターン１０８を高電圧側キャパシタ導体膜１６３の１つ上の層に形成してもよい。

　第６～第７実施形態において、複数（たとえば３個）の第２ダミー導体パターン１２１が形成されている場合、複数の第２ダミー導体パターン１２１は、互いに異なる層に形成されていてもよい。

　たとえば、任意の１つの第２ダミー導体パターン１２１を高電圧側キャパシタ導体膜１６３と同一の層に形成し、他の２つの高電圧側キャパシタ導体膜１６３を１つ下の層に形成してもよい。

　また、たとえば、任意の１つの第２ダミー導体パターン１２１を高電圧側キャパシタ導体膜１６３と同一の層に形成し、他の１つの第２ダミー導体パターン１２１を高電圧側キャパシタ導体膜１６３の１つ下の層に形成し、さらに他の１つの第２ダミー導体パターン１２１を高電圧側キャパシタ導体膜１６３の１つ上の層に形成してもよい。

　第６～第７実施形態において、第２ダミー導体パターン群１２２は、第２方向Ｂに沿って高電圧側キャパシタ導体膜１６３とは反対側に延びる第２ダミー導体パターン１２１を含んでいてもよい。

　第２～第７実施形態において、第２ダミー導体パターン群１２２は、平面視において１つまたは複数の低電圧パッド１３を取り囲むように形成されていてもよい。この場合、第２ダミー導体パターン群１２２に含まれる第２ダミー導体パターン１２１は、第１ダミー導体パターン１０８と同様に、開放部１１０を有する有端状に形成されていてもよい。

　図３８は、変形例に係る電子部品モジュール２０１の平面図である。本変形例では、電子部品モジュール１の構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。

　第１実施形態に係る電子部品モジュール１では、コントローラチップ５、電子部品６およびドライバチップ７が、それぞれ別体チップとして形成されている。

　これに対して、本変形例に係る電子部品モジュール２０１では、電子部品１０１の機能の一部が、コントローラチップ５およびドライバチップ７にそれぞれ組み込まれている。

　より具体的には、電子部品１０１の第１変圧器３０１が、コントローラチップ５に組み込まれており、電子部品１０１の第２変圧器３０２が、ドライバチップ７に組み込まれている。これにより、コントローラチップ５およびドライバチップ７が、それぞれ、電子部品としても形成されている。

　コントローラチップ５の第１変圧器３０１に係る３つの高電圧パッド１４は、高電圧用ワイヤ３０３を介して、ドライバチップ７に設けられた３つの高電圧パッド３０４にそれぞれ接続されている。コントローラチップ５の第１変圧器３０１は、グランド端子として使用される任意の低電圧用のリード３（任意の低電圧用のパッド１０）にも電気的に接続されている。

　ドライバチップ７の第２変圧器３０２に係る３つの高電圧パッド１４は、高電圧用ワイヤ３０５を介して、コントローラチップ５に設けられた３つの高電圧パッド３０６にそれぞれ接続されている。ドライバチップ７の第２変圧器３０２は、グランド端子として使用される任意の低電圧用のリード３（任意の低電圧用のパッド１７）にも電気的に接続されている。

　電子部品１０１の第１変圧器３０１が、コントローラチップ５に組み込まれた場合、コントローラチップ５の配線材料を利用して、第１変圧器３０１が作り込まれる。したがって、第１変圧器３０１に含まれる下コイル２０、上コイル２１、下コイル２０および上コイル２１を接続する配線部材等は、コントローラチップ５の配線材料と同一になる。

　たとえば、コントローラチップ５の配線材料が銅である場合、下コイル２０、上コイル２１、下コイル２０および上コイル２１を接続する配線部材等は、銅によって形成される。電子部品１０１の配線材料が銅およびアルミニウムを含む場合、下コイル２０、上コイル２１、下コイル２０および上コイル２１を接続する配線部材等は、銅および／またはアルミニウムによって形成される。

　下コイル２０がアルミニウムで形成されている一方で、上コイル２１が銅によって形成されていてもよい。下コイル２０が銅で形成されている一方で、上コイル２１がアルミニウムによって形成されていてもよい。

　電子部品１０１の第２変圧器３０２が、ドライバチップ７に組み込まれた場合、ドライバチップ７の配線材料を利用して、第２変圧器３０２が作り込まれる。したがって、第２変圧器３０２に含まれる下コイル２０、上コイル２１、下コイル２０および上コイル２１を接続する配線部材等は、ドライバチップ７の配線材料と同一になる。

　たとえば、ドライバチップ７の配線材料が銅である場合、下コイル２０、上コイル２１、下コイル２０および上コイル２１を接続する配線部材等は、銅によって形成される。電子部品１０１の配線材料が銅およびアルミニウムを含む場合、下コイル２０、上コイル２１、下コイル２０および上コイル２１を接続する配線部材等は、銅および／またはアルミニウムによって形成される。

　本変形例では、第１実施形態に係る第１変圧器３０１がコントローラチップ５に組み込まれた例について説明した。しかし、第２～第４実施形態に係る耐圧保持構造１０２を備えた第１変圧器３０１が、コントローラチップ５に組み込まれてもよい。

　第３実施形態に係る耐圧保持構造１０２を備えた第１変圧器３０１がコントローラチップ５に組み込まれた場合、コントローラチップ５において、コントローラＩＣが作り込まれた素子形成面のほぼ全域が、樹脂膜７７によって被覆されていてもよい。

　本変形例では、第１実施形態に係る第２変圧器３０２がドライバチップ７に組み込まれた例について説明した。しかし、第２～第４実施形態に係る耐圧保持構造１０２を備えた第１変圧器３０１が、ドライバチップ７に組み込まれてもよい。

　第３実施形態に係る耐圧保持構造１０２を備えた第２変圧器３０２がドライバチップ７に組み込まれた場合、ドライバチップ７において、ドライバＩＣが作り込まれた素子形成面のほぼ全域が、樹脂膜７７によって被覆されていてもよい。

　以下、この明細書および図面から抽出される特徴の例を以下に示す。

　［項１］絶縁層と、前記絶縁層内に形成された低電圧コイルと、前記低電圧コイルと上下方向に対向するように、前記絶縁層内に形成された高電圧コイルと、前記絶縁層の厚さ方向において前記高電圧コイルの形成領域と対向するように配置された第１パッド、および、前記厚さ方向において前記高電圧コイルの形成領域を避けるように配置された第２パッドを含み、前記絶縁層の上において前記高電圧コイルに電気的に接続された高電圧パッドと、前記絶縁層の上において前記低電圧コイルに電気的に接続された低電圧パッドと、前記第１パッドの周囲および前記第２パッドの周囲を覆うように、前記絶縁層の上に選択的に形成された樹脂膜と、を含む、電子部品。

　この構成によれば、高電圧パッドの第１パッドおよび第２パッドの両方の周囲が樹脂膜で覆われているため、高電圧パッド－低電圧パッド間の耐圧を向上できる。

　［項２］前記絶縁層の上には、前記高電圧パッドを挟んで両側に第１スペースおよび第２スペースが形成されており、前記低電圧パッドは、前記第１スペースに選択的に形成されており、前記樹脂膜は、少なくとも前記第２パッドの前記第１スペース側の周囲および前記第１パッドを覆っている、項１に記載の電子部品。

　［項３］前記樹脂膜は、前記第２パッドの前記第２スペース側の周囲および前記第１パッドを覆っている、項２に記載の電子部品。

　［項４］前記樹脂膜は、前記第１パッドの周囲および前記第２パッドの周囲を全周に亘って覆っている、項３に記載の電子部品。

　［項５］前記樹脂膜は、前記第１パッドの周囲および前記第２パッドの周囲を一体的に覆っている、項１～４のいずれか一項に記載の電子部品。

　［項６］前記絶縁層の上に形成された高電圧導電層と、前記高電圧導電層から間隔を空けて前記絶縁層の上に形成された低電圧導電層と、前記高電圧導電層および前記低電圧導電層を一体で覆うように前記絶縁層の上に形成され、前記高電圧導電層の一部を前記高電圧パッドとして露出させる高電圧側パッド開口、および、前記低電圧導電層の一部を前記低電圧パッドとして露出させる低電圧側パッド開口を有する表面絶縁膜とを含み、前記樹脂膜は、前記表面絶縁膜の上に形成されている、項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。

　［項７］前記樹脂膜は、前記高電圧側パッド開口の周囲で、前記第１パッドを区画するように前記高電圧導電層にオーバーラップしており、かつ、前記高電圧側パッド開口の周囲で、前記第２パッドを区画するように前記高電圧導電層にオーバーラップしている、項６に記載の電子部品。

　［項８］前記高電圧コイルの形成領域は、前記高電圧コイルで囲まれたコイル内方領域を含み、前記第１パッドは、前記厚さ方向において前記コイル内方領域と対向しており、前記第２パッドは、前記厚さ方向において、前記高電圧コイルの外側のコイル外方領域と対向している、項１～７のいずれか一項に記載の電子部品。

　［項９］前記樹脂膜は、ポリイミドを含む、項１～８のいずれか一項に記載の電子部品。

　［項１０］前記樹脂膜は、３０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下の厚さを有している、項１～９のいずれか一項に記載の電子部品。

　［項１１］前記高電圧パッドおよび前記低電圧パッドの横方向距離Ｌ１は、前記高電圧コイルおよび前記低電圧コイルの縦方向距離Ｌ２よりも大きい、項１～１０のいずれか一項に記載の電子部品。

　［項１２］前記横方向距離Ｌ１は、１００μｍ以上４５０μｍ以下であり、前記縦方向距離Ｌ２は、１２．０μｍ以上１６．８μｍ以下である、項１１に記載の電子部品。

　［項１３］平面視において前記低電圧コイルよりも外側に張り出すように、前記絶縁層内において前記高電圧コイルに沿って形成された導電性の耐圧保持構造をさらに含む、項１～１２のいずれか一項に記載の電子部品。

　［項１４］前記耐圧保持構造は、前記高電圧コイルの螺旋パターンとは不連続なパターンで前記高電圧コイルに沿って延びるダミーパターンを含む、項１３に記載の電子部品。

　［項１５］前記ダミーパターンは、有端状である、項１４に記載の電子部品。

　［項１６］前記高電圧コイルは、内側末端および外側末端を含み、前記ダミーパターンは、前記高電圧コイルの前記外側末端と同電位に固定されている、項１４または１５に記載の電子部品。

　［項１７］前記高電圧コイルの前記内側末端は、平面視において前記低電圧コイルの内側の領域に位置しており、前記高電圧コイルの前記外側末端は、平面視において前記低電圧コイルの外側の領域に位置しており、前記ダミーパターンは、前記高電圧コイルの前記外側末端から引き出されている、項１６に記載の電子部品。

　［項１８］平面視において前記高電圧パッドの前記第２パッドの周縁に沿うように、前記絶縁層内に形成された導電性のパッド側耐圧保持構造をさらに含む、項１～１２のいずれか一項に記載の電子部品。

　［項１９］前記パッド側耐圧保持構造は、平面視において前記高電圧コイルの螺旋パターンとは不連続なパターンで前記第２パッドの周縁に沿って延びるパッド側ダミーパターンを含む、項１８に記載の電子部品。

　［項２０］前記パッド側耐圧保持構造は、前記第２パッドから離れる方向に沿って間隔を空けて形成された複数の前記パッド側ダミーパターンを含む、項１９に記載の電子部品。

　［項２１］前記第２パッドに最も近接する前記パッド側ダミーパターンおよび前記第２パッドの間の距離は、前記高電圧コイルおよび前記低電圧コイルの間の縦方向距離以下である、項１９に記載の電子部品。

　［項２２］前記絶縁層内において前記高電圧コイルに沿って形成され、平面視において前記低電圧コイルよりも外側に張り出した導電性のコイル側耐圧保持構造をさらに含む、項１８～２１のいずれか一項に記載の電子部品。

　［項２３］前記コイル側耐圧保持構造は、前記パッド側耐圧保持構造と同電位に固定されている、項２２に記載の電子部品。

　［項２４］前記絶縁層内において前記絶縁層の表面に沿う方向に前記高電圧コイルから間隔を空けて形成され、前記低電圧コイルに電気的に接続され、前記高電圧コイルとの間で前記絶縁層の絶縁破壊強度以下の第１値を有する電界を形成する低電圧配線と、前記絶縁層内において前記高電圧コイルおよび前記低電圧配線の間の領域に介在し、前記低電圧配線との間で、前記絶縁層の絶縁破壊強度以下でかつ前記第１値以上の第２値を有する電界を形成する導電性の電界増強構造と、前記高電圧パッドおよび前記低電圧パッドを被覆するように、前記絶縁層の上に形成され、前記絶縁層の絶縁破壊強度以下の絶縁破壊強度を有する第２絶縁層と、を含む、項１～１２のいずれか一項に記載の電子部品。

　［項２５］前記電界増強構造は、前記高電圧コイルと同電位に固定され、かつ、前記高電圧コイルに沿って形成された導電性の高電圧側ダミーパターンを含む、項２４に記載の電子部品。

　［項２６］前記電界増強構造は、前記低電圧配線と同電位に固定され、かつ、前記低電圧配線に沿って形成された導電性の低電圧側ダミーパターンを含む、項２４または２５に記載の電子部品。

　［項２７］前記絶縁層の絶縁破壊強度は、５．０ＭＶ／ｃｍ以上であり、前記第２絶縁層の絶縁破壊強度は、１．０ＭＶ／ｃｍ以上である、項２４～２６のいずれか一項に記載の電子部品。

　［項２８］前記第２絶縁層は、樹脂層からなる、項２４～２７のいずれか一項に記載の電子部品。

　［項２９］前記樹脂層は、モールド樹脂を含む、項２８に記載の電子部品。

　［項３０］項１～２９のいずれか一項に記載の電子部品と、前記電子部品を封止する樹脂パッケージと、を含む、電子部品モジュール。

　［項３１］前記電子部品の前記低電圧コイルに電気的に接続された低電圧素子と、前記電子部品の前記高電圧コイルに電気的に接続された高電圧素子と、をさらに含み、前記樹脂パッケージは、前記電子部品、前記低電圧素子および前記高電圧素子を一括して封止している、項３０に記載の電子部品モジュール。

　この出願は、２０１７年１０月１３日に日本国特許庁に提出された特願２０１７－１９９８７７号に基づく優先権を主張しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。

　本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。

　１　　　電子部品モジュール
　２　　　樹脂パッケージ
　５　　　コントローラチップ
　６　　　電子部品
　７　　　ドライバチップ
　１３　　低電圧パッド
　１４　　高電圧パッド
　２０　　下コイル（低電圧導体パターン）
　２１　　上コイル（高電圧導体パターン）
　２７　　絶縁層積層構造
　２８　　絶縁層（第１絶縁層）
　３２　　（上コイルの）内方領域
　３３　　第１パッド
　３４　　第２パッド
　３９　　第１領域
　４０　　第２領域
　４４　　オーバーラップ部
　４５　　オーバーラップ部
　５０　　コイル間領域
　７５　　保護膜
　７６　　パッシベーション膜
　７７　　樹脂膜
　７８　　パッド開口
　７９　　パッド開口
　８８　　高電圧パッド層
　８９　　低電圧パッド層
　９９　　コイル周縁領域
　１０１　電子部品
　１０２　耐圧保持構造
　１０３　第１耐圧保持構造
　１０４　第２耐圧保持構造
　１０８　第１ダミー導体パターン
　１１６　第１コイル側耐圧保持構造
　１１７　第２コイル側耐圧保持構造
　１１８　第１パッド側耐圧保持構造
　１１９　第２パッド側耐圧保持構造
　１３１　電子部品
　１４１　電子部品
　１４２　第１螺旋パターン
　１４３　第２螺旋パターン
　１５１　電子部品
　１５２　第２絶縁層　１６１　電子部品
　１６２　低電圧側キャパシタ導体膜（低電圧導体パターン）
　１６３　高電圧側キャパシタ導体膜（高電圧導体パターン）
　１６４　第１キャパシタンス
　１６５　第２キャパシタンス
　１７１　電子部品
　２０１　電子部品モジュール

Claims

　絶縁層と、
　前記絶縁層内に形成された低電圧導体パターンと、
　前記低電圧導体パターンと上下方向に対向するように、前記絶縁層内に形成された高電圧導体パターンと、
　平面視において前記低電圧導体パターンよりも外側に張り出すように、前記絶縁層内において前記高電圧導体パターンに沿って形成された導電性の耐圧保持構造と、を含む、電子部品。
　前記低電圧導体パターンは、螺旋状の低電圧コイルを含み、
　前記高電圧導体パターンは、螺旋状の高電圧コイルを含み、
　前記低電圧コイルおよび前記高電圧コイルによって変圧器が形成されている、請求項１に記載の電子部品。
　前記耐圧保持構造は、前記高電圧コイルの螺旋パターンに対して不連続なパターンで前記高電圧コイルに沿って延びるダミー導体パターンを含む、請求項２に記載の電子部品。
　前記ダミー導体パターンは、有端状である、請求項３に記載の電子部品。
　前記高電圧コイルは、内側末端および外側末端を含み、
　前記ダミー導体パターンは、前記高電圧コイルの前記外側末端と同電位に固定されている、請求項３または４に記載の電子部品。
　前記高電圧コイルの前記内側末端は、平面視において前記低電圧コイルの内側の領域に位置しており、
　前記高電圧コイルの前記外側末端は、平面視において前記低電圧コイルの外側の領域に位置しており、
　前記ダミー導体パターンは、前記高電圧コイルの前記外側末端から引き出されている、請求項５に記載の電子部品。
　前記耐圧保持構造は、前記高電圧コイルから離れる方向に沿って間隔を空けて形成された複数の前記ダミー導体パターンを含む、請求項３～６のいずれか一項に記載の電子部品。
　前記高電圧コイルは、平面視で前記低電圧コイルと対向する領域において、外巻の第１螺旋領域、および、平面視で前記低電圧コイル外の領域において、前記第１螺旋領域から連続的に外巻きの第２螺旋領域を含み、
　前記耐圧保持構造は、前記高電圧コイルの前記第２螺旋領域を含む、請求項２～７のいずれか一項に記載の電子部品。
　前記高電圧コイルの第１巻回数は、前記低電圧コイルの第２巻回数よりも大きい、請求項２～７のいずれか一項に記載の電子部品。
　前記第１巻回数および前記第２巻回数の間の差は、５以上である、請求項９に記載の電子部品。
　前記低電圧導体パターンは、平板状の低電圧側キャパシタ導体膜を含み、
　前記高電圧導体パターンは、平板状の高電圧側キャパシタ導体膜を含み、
　前記低電圧側キャパシタ導体膜および前記高電圧側キャパシタ導体膜によってキャパシタンスが形成されている、請求項１に記載の電子部品。
　前記耐圧保持構造は、前記高電圧導体パターンに沿って延び、前記高電圧導体パターンと同電位に固定されたダミー導体パターンを含む、請求項１１に記載の電子部品。
　前記ダミー導体パターンは、前記高電圧導体パターンと一体的に形成されている、請求項１２に記載の電子部品。
　前記ダミー導体パターンは、前記高電圧導体パターンから間隔を空けて形成されている、請求項１２に記載の電子部品。
　絶縁層と、
　前記絶縁層内に形成された低電圧導体パターンと、
　前記低電圧導体パターンと上下方向に対向するように、前記絶縁層内に形成された高電圧導体パターンと、
　前記絶縁層の上に形成され、前記低電圧導体パターンに電気的に接続された低電圧パッドと、
　平面視において前記低電圧パッドから間隔を空けて前記絶縁層の上に形成され、前記高電圧導体パターンに電気的に接続された高電圧パッドと、
　平面視において前記高電圧パッドの周縁に沿うように、前記絶縁層内に形成された導電性のパッド側耐圧保持構造と、を含む、電子部品。
　前記低電圧導体パターンは、螺旋状の低電圧コイルを含み、
　前記高電圧導体パターンは、螺旋状の高電圧コイルを含み、
　前記低電圧コイルおよび前記高電圧コイルによって変圧器が形成されている、請求項１５に記載の電子部品。
　前記パッド側耐圧保持構造は、平面視において前記高電圧コイルの螺旋パターンに対して不連続なパターンで前記高電圧パッドの周縁に沿って延びるパッド側ダミー導体パターンを含む、請求項１６に記載の電子部品。
　前記パッド側耐圧保持構造は、前記高電圧パッドから離れる方向に沿って間隔を空けて形成された複数の前記パッド側ダミー導体パターンを含む、請求項１７に記載の電子部品。
　前記高電圧パッドに最も近接する前記パッド側ダミー導体パターンおよび前記高電圧パッドの間の距離は、前記高電圧導体パターンおよび前記低電圧導体パターンの間の縦方向距離以下である、請求項１８に記載の電子部品。
　前記絶縁層内において前記高電圧導体パターンに沿って形成され、平面視において前記低電圧導体パターンよりも外側に張り出した導電性のコイル側耐圧保持構造をさらに含む、請求項１８または１９に記載の電子部品。
　前記コイル側耐圧保持構造は、前記高電圧コイルの螺旋パターンに対して不連続なパターンで前記高電圧コイルに沿って引き回され、前記パッド側ダミー導体パターンと同電位に固定されたコイル側ダミー導体パターンを含む、請求項２０に記載の電子部品。
　前記コイル側ダミー導体パターンは、前記パッド側ダミー導体パターンと一体的に形成されている、請求項２１に記載の電子部品。
　前記高電圧コイルは、平面視において前記低電圧コイルの内側の領域に位置する内側末端、および、平面視において前記低電圧コイルの外側の領域に位置する外側末端を有しており、
　前記高電圧パッドは、前記高電圧コイルの前記外側末端に電気的に接続されるように、前記高電圧コイルの前記外側末端の直上に配置されており、
　前記パッド側耐圧保持構造は、前記絶縁層内において、前記高電圧コイルの前記外側末端に沿うように形成されている、請求項１６～２２のいずれか一項に記載の電子部品。
　前記低電圧導体パターンは、平板状の低電圧側キャパシタ導体膜を含み、
　前記高電圧導体パターンは、平板状の高電圧側キャパシタ導体膜を含み、
　前記低電圧側キャパシタ導体膜および前記高電圧側キャパシタ導体膜によってキャパシタンスが形成されている、請求項１５に記載の電子部品。
　平面視において前記低電圧導体パターンよりも外側に張り出すように、前記絶縁層内において前記高電圧導体パターンに沿って延び、前記高電圧導体パターンと同電位に固定された導電性のキャパシタンス側耐圧保持構造を含む、請求項２４に記載の電子部品。
　前記キャパシタンス側耐圧保持構造は、前記高電圧導体パターンと一体的に形成されたキャパシタンス側ダミー導体パターンを含む、請求項２５に記載の電子部品。
　前記キャパシタンス側耐圧保持構造は、前記高電圧導体パターンから間隔を空けて形成されたキャパシタンス側ダミー導体パターンを含む、請求項２５に記載の電子部品。
　第１絶縁破壊強度を有する第１絶縁層と、
　前記第１絶縁層内に形成された低電圧導体パターンと、
　前記低電圧導体パターンと上下方向に対向するように、前記第１絶縁層内に形成された高電圧導体パターンと、
　前記第１絶縁層内において前記第１絶縁層の表面に沿う方向に前記高電圧導体パターンから間隔を空けて形成され、前記低電圧導体パターンに電気的に接続され、前記高電圧導体パターンとの間で前記第１絶縁破壊強度以下の第１値を有する電界を形成する低電圧配線と、
　前記第１絶縁層内において前記高電圧導体パターンおよび前記低電圧配線の間の領域に介在し、前記低電圧配線との間で、前記第１絶縁破壊強度以下でかつ前記第１値以上の第２値を有する電界を形成する導電性の電界増強構造と、
　前記第１絶縁層の上に形成され、前記第１絶縁破壊強度以下の第２絶縁破壊強度を有する第２絶縁層と、を含む、電子部品。
　前記電界増強構造は、前記高電圧導体パターンと同電位に固定され、かつ、前記高電圧導体パターンに沿って形成された導電性の高電圧側ダミー導体パターンを含む、請求項２８に記載の電子部品。
　前記電界増強構造は、前記低電圧配線と同電位に固定され、かつ、前記低電圧配線に沿って形成された導電性の低電圧側ダミー導体パターンを含む、請求項２８または２９に記載の電子部品。
　前記第１絶縁層および前記第２絶縁層の間の領域に介在し、前記低電圧配線に電気的に接続された低電圧パッドと、
　前記第１絶縁層および前記第２絶縁層の間の領域に前記低電圧パッドから間隔を空けて介在し、前記高電圧導体パターンに電気的に接続され、前記低電圧パッドとの間で前記第２絶縁破壊強度以下の電界を形成する高電圧パッドと、をさらに含む、請求項２８～３０のいずれか一項に記載の電子部品。
　前記第１絶縁層の前記第１絶縁破壊強度は、５．０ＭＶ／ｃｍ以上であり、前記第２絶縁層の前記第２絶縁破壊強度は、１．０ＭＶ／ｃｍ以上である、請求項２８～３１のいずれか一項に記載の電子部品。
　前記第２絶縁層は、樹脂層からなる、請求項２８～３２のいずれか一項に記載の電子部品。
　前記樹脂層は、モールド樹脂を含む、請求項３３に記載の電子部品。
　前記第１絶縁層および前記第２絶縁層の間に介在するパッシベーション膜をさらに含む、請求項２８～３４のいずれか一項に記載の電子部品。
　前記低電圧導体パターンは、螺旋状の低電圧コイルを含み、
　前記高電圧導体パターンは、螺旋状の高電圧コイルを含み、
　前記低電圧コイルおよび前記高電圧コイルによって変圧器が形成されている、請求項２８～３５のいずれか一項に記載の電子部品。
　前記低電圧導体パターンは、平板状の低電圧側キャパシタ導体膜を含み、
　前記高電圧導体パターンは、平板状の高電圧側キャパシタ導体膜を含み、
　前記低電圧側キャパシタ導体膜および前記高電圧側キャパシタ導体膜によってキャパシタンスが形成されている、請求項２８～３５のいずれか一項に記載の電子部品。
　請求項１～３７のいずれか一項に記載の電子部品と、前記電子部品を封止する樹脂パッケージと、を含む、電子部品モジュール。
　前記電子部品の前記低電圧導体パターンに電気的に接続された低電圧素子と、前記電子部品の前記高電圧導体パターンに電気的に接続された高電圧素子と、をさらに含み、前記樹脂パッケージは、前記電子部品、前記低電圧素子および前記高電圧素子を一括して封止している、請求項３８に記載の電子部品モジュール。