WO2019069871A1 - 波長変換部材および光源モジュール - Google Patents

波長変換部材および光源モジュール Download PDF

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雄壮 前野
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株式会社小糸製作所
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    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Definitions

  • the present disclosure relates to a wavelength conversion member and a light source module.
  • a light emitting device which obtains white light by wavelength conversion with a wavelength conversion member containing a phosphor material, using an LED (Light Emitting Diode) or a semiconductor laser as a light source.
  • LED Light Emitting Diode
  • a semiconductor laser as a light source.
  • primary light such as blue light or ultraviolet light is emitted from the light source and irradiated to the wavelength conversion member, and the phosphor contained in the wavelength conversion member is excited by the primary light to generate secondary light such as yellow light Light is emitted, and the primary light and the secondary light are mixed to emit white light to the outside.
  • Patent Document 1 proposes a vehicular lamp using a semiconductor laser as a light source.
  • a semiconductor laser is used as a light source, primary light having a large output and a narrow wavelength width can be obtained, but the directivity is very strong and the region irradiated with the light is small. Therefore, compared with the case where an LED is used as a light source, a very small area of the wavelength conversion member is irradiated with a large output primary light to emit white light, and a light emitting device having high directivity can be obtained.
  • Patent Document 2 includes an optical member in which a light diffuse reflection member is adjacent to the periphery of a wavelength conversion member, and primary light from a semiconductor laser is irradiated to the wavelength conversion member, and a secondary directed from the side surface of the wavelength conversion member to the outside An optical semiconductor light emitting device is described that reflects light at a light diffuse reflector.
  • a light diffuse reflection member is adjacent to the periphery of a wavelength conversion member, and primary light from a semiconductor laser is irradiated to the wavelength conversion member, and a secondary directed from the side surface of the wavelength conversion member to the outside
  • An optical semiconductor light emitting device is described that reflects light at a light diffuse reflector.
  • the primary light irradiated to the wavelength conversion member and scattered and the wavelength-converted secondary light among the primary light irradiated to the wavelength conversion member and scattered and the wavelength-converted secondary light, light traveling from the side to the outside is returned to the direction of the wavelength conversion member again, so the utilization efficiency of the primary light And the directivity of
  • FIG. 7A is a cross-sectional view schematically showing the structure of a conventional optical member, and shows an example using a resin as a light diffusive reflection member.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view schematically showing the structure of a conventional optical member, and shows an example using ceramics as a light diffusive reflection member.
  • the conventional optical member is provided with the wavelength conversion member 1 and the light diffusive reflection member 2, and the light diffusive reflection member 2 is arrange
  • grains 4 of high refractive index are disperse
  • the ceramic material 5 is used as the light diffusive reflection member 2, and the polycrystalline grain boundary and the bubble 6 are contained in the inside of the ceramic material 5.
  • the primary light and the secondary light are scattered and reflected by the difference in refractive index between the resin 3 and the light scattering particle 4 and the difference in refractive index between the ceramic material 5 and the bubble 6.
  • Japan JP 2012-221633 gazette Japan JP 2015-023215 gazette
  • the resin 3 shown in FIG. 7A the resin 3 is deteriorated due to the irradiation of the primary light which is the light of short wavelength, or the resin 3 due to the heat accompanying the wavelength conversion in the wavelength conversion member 1 Deterioration of the resin 3 was a problem, and it was difficult to improve the durability of the resin 3.
  • the density of the sintered body of ceramic material 5 is high, and the density of air bubbles 6 contained in ceramic material 5 is low. There are fewer interfaces that can be scattered, and it is difficult to improve the reflectance.
  • this indication aims at providing a wavelength conversion member and a light source module provided with the light reflection part which can reflect primary light and secondary light favorably while being excellent in endurance.
  • the wavelength conversion member of this indication is arranged adjacent to the wavelength conversion part which carries out wavelength conversion of the primary light of a predetermined wavelength, and emits secondary light, and is arranged adjacent to the wavelength conversion part.
  • a light reflecting portion for reflecting light and the secondary light is provided, and the light reflecting portion is made of a ceramic sintered body in which SiO 2 and TiO 2 are composited.
  • the light reflection portion disposed adjacent to the wavelength conversion portion is formed of a ceramic sintered body in which SiO 2 and TiO 2 are complexed, durability is excellent. The primary light and the secondary light can be well reflected.
  • the light reflecting portion contains TiO 2 in a range of 20% by volume or more and 80% by volume or less.
  • the average particle diameter of a material having a small volume% in the light reflecting portion is 10 ⁇ m or less.
  • the entire side surface of the wavelength conversion unit is in contact with the light reflection unit.
  • the light source module of this indication is equipped with the semiconductor light emitting element which irradiates the said primary light with respect to the wavelength conversion member as described in any one of the said, and the said wavelength conversion member.
  • the wavelength conversion member of the present disclosure is disposed adjacent to the wavelength conversion unit, which converts the primary light of a predetermined wavelength and emits secondary light, and
  • the light reflection part which reflects the said primary light and the said secondary light is provided, and the said light reflection part is comprised with the ceramic sintered compact containing 10 to 50 volume% of closed pores.
  • a wavelength conversion member and a light source module that are provided with a light reflection portion that is excellent in durability and that can appropriately reflect primary light and secondary light.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a light source module 10 in the present embodiment.
  • the light source module 10 includes a stem 11, a light emitting element 12, a side wall 13, a top surface 14, and a wavelength conversion member 20.
  • primary light is emitted from the light emitting element 12 to the wavelength conversion member 20 as indicated by arrows in the drawing, and mixed with secondary light wavelength-converted by the wavelength conversion member 20, and white light is indicated by arrows in the drawing. It is emitted outside as shown.
  • FIG. 1 shows a so-called CAN type package as the light source module 10, the present invention is not limited to the CAN type package and packages for various semiconductor lasers can be used.
  • the stem 11 is a member on which the light emitting element 12 is mounted and the side wall 13 is fixed.
  • the stem 11 includes a lead pin (not shown) and the like, and power is supplied to the light emitting element 12 from the outside, and a heat sink and the like are provided to transmit heat generated in the light emitting element 12 to the outside.
  • the material which comprises the stem 11 is not specifically limited, Metals, such as copper with favorable heat dissipation, are desirable.
  • the light emitting element 12 is a semiconductor laser which is supplied with power and oscillates a laser beam.
  • the material constituting the light emitting element 12 is not particularly limited, but when irradiating blue light or ultraviolet light as primary light, a nitride-based semiconductor is used, and the resonator structure or electrode structure of the light emitting element 12 or current narrowing
  • the element structure such as the structure is also not particularly limited, and an appropriate structure can be adopted to obtain the required emission intensity and oscillation wavelength.
  • a semiconductor laser is used as the light emitting element 12 for emitting primary light, but the element is not limited to the semiconductor laser as long as the element emits primary light wavelength-converted by the wavelength conversion member 20. Or organic EL.
  • the side wall 13 is a cylindrical member provided upright on the stem 11, and is disposed on the stem 11 so as to surround the light emitting element 12.
  • the top surface 14 is a flat member disposed on the side wall 13 so as to cover the light emitting element 12, and an opening is provided at the center to fix the wavelength conversion member 20.
  • the material which comprises the side wall 13 and the top surface 14 is not limited, In order to transmit the heat which generate
  • FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view schematically showing the structure of the wavelength conversion member 20 in the present embodiment.
  • the wavelength conversion member 20 is a sintered body in which the wavelength conversion portion 21 and the light reflection portion 22 are in contact with each other and integrally formed.
  • the wavelength conversion member 20 is fixed to the opening of the side wall 13 and functions as a light extraction portion from the light source module 10.
  • the wavelength conversion unit 21 is a portion containing a phosphor material that emits secondary light by being excited by primary light emitted from the light emitting element 12, and the white light is mixed with the primary light and the secondary light to the outside. Irradiate.
  • white light is irradiated by mixing the primary light and the secondary light, but a plurality of phosphor materials are provided to emit secondary light of a plurality of colors and the white light is mixed by mixing the secondary lights. Irradiation may be performed.
  • white light has been shown as the light to be irradiated, other monochromatic light may be used, and a color other than white in which a plurality of colors are mixed may be used.
  • the size of the wavelength conversion unit 21 is larger than the area irradiated with the primary light from the light emitting element 12 as long as the wavelength of the primary light can be appropriately converted to the secondary light. It is about 1 to several mm.
  • the phosphor material contained in the wavelength conversion portion 21 is preferably a ceramic phosphor so as to be co-sintered with the light reflection portion 22.
  • a ceramic phosphor obtained by sintering a ceramic base made of Y 3 Al 5 O 12 , that is, YAG (Yttrium Alminum Garnet) powder is most preferable.
  • a sintered body formed integrally with the light reflection portion 22 as the wavelength conversion portion 21 is shown, but it may be formed separately and combined with the light reflection portion 22. It may be a structure in which body particles are dispersed.
  • the light reflecting portion 22 is a member that holds the wavelength converting portion 21 in contact with the entire side surface around the wavelength converting portion 21 and is made of a ceramic sintered body in which SiO 2 and TiO 2 are complexed.
  • the light reflecting portion 22 is preferably formed integrally with the wavelength conversion portion 21 and sintered simultaneously, but may be formed separately and combined with the wavelength conversion portion 21.
  • the light reflecting portion 22 has a structure in which the TiO 2 phase 24 is three-dimensionally intertwined in the SiO 2 phase 23.
  • the SiO 2 phase 23 is a phase in contact with the wavelength conversion portion 21 and continuously formed over the entire area of the light reflection portion 22, and the TiO 2 phase 24 is entangled three-dimensionally inside.
  • SiO 2 phase 23 inside the TiO 2 phase 24 is a three-dimensionally entangled structure It is also good.
  • the refractive index of the SiO 2 phase 23 contained in the light reflecting portion 22 is about 1.4, and the refractive index of the TiO 2 phase 24 is about 2.5 to 2.7. Therefore, the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase are included.
  • the refractive index difference of 24 is about 1.1 to 1.3.
  • the ratio of the TiO 2 phase 24 contained in the light reflecting portion 22 is preferably in the range of 20% by volume to 80% by volume.
  • the proportion of TiO 2 phase 24 is less than 20% by volume or exceeds 80% by volume, the composition of SiO 2 phase 23 and TiO 2 phase 24 becomes insufficient, and the area of the interface having a difference in refractive index decreases. Therefore, it becomes difficult to obtain sufficient reflectance.
  • the average particle diameter on a volume percent of the smaller material occupying in the light reflecting portion 22 is 10 ⁇ m or less. When the average particle diameter is larger than 10 ⁇ m, it is difficult to obtain a sufficient reflectance because the area of the interface having the refractive index difference is reduced.
  • the light reflecting portion 22 is formed of a ceramic sintered body in which the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase 24 are composited, the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase 24 are entangled three-dimensionally.
  • the area of the interface between the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase 24 becomes large, and the primary light and the secondary light can be well reflected.
  • the light reflecting portion 22 is a ceramic sintered body, it is possible to improve the resistance to heat and light as compared with the prior art using a resin and a light scattering agent.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the light source module 30 in the present embodiment.
  • the light source module 30 includes a stem 11, a light emitting element 12, and a wavelength conversion member 20.
  • primary light is emitted from the light emitting element 12 to the wavelength conversion member 20, mixed with secondary light wavelength-converted by the wavelength conversion member 20, and white light is emitted to the outside.
  • the wavelength conversion member 20 has the wavelength conversion portion 21 and the light reflection portion 22 in contact with each other, and the light reflection portion 22 is a ceramic sintered body in which the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase 24 are composited. It is configured.
  • FIG. 2 shows an example in which the side surface of the wavelength conversion unit 21 is in contact with the light reflection unit 22 and the bottom surface is in contact with the stem 11, a recess is formed in the light reflection unit 22 and the wavelength conversion unit 21 is embedded in the recess. It may be a structure.
  • the light emitting element 12 is disposed on the exposed surface side of the wavelength conversion unit 21 and emits primary light toward the wavelength conversion unit 21.
  • the primary light incident on the wavelength conversion unit 21 is wavelength-converted by the phosphor material and is extracted from the exposed surface to the outside.
  • the light reflecting portion 22 is formed of the ceramic sintered body in which the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase 24 are composited, the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase 24 are entangled three-dimensionally.
  • the area of the interface between the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase 24 becomes large, and the primary light and the secondary light can be well reflected.
  • the light reflecting portion 22 is a ceramic sintered body, it is possible to improve the resistance to heat and light as compared with the prior art using a resin and a light scattering agent.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the light source module 40 in the present embodiment.
  • the light source module 40 of the present embodiment includes a stem 11, a light emitting element 12, and a wavelength conversion member 20, and uses an LED that emits surface light as the light emitting element 12.
  • the plurality of light emitting elements 12 are mounted on the stem 11, the wavelength conversion member 20 is disposed above the light emitting element 12, and the wavelength conversion unit 21 covers the light emitting position of the light emitting element 12. It is done. Air gaps 41 are provided on side surfaces of the plurality of light emitting elements 12. In such a light source module 40, primary light is emitted from the light emitting element 12 to the wavelength conversion member 20, mixed with secondary light wavelength-converted by the wavelength conversion member 20, and white light is emitted to the outside.
  • the light reflecting portion 22 is formed of the ceramic sintered body in which the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase 24 are composited, the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase 24 are entangled three-dimensionally.
  • the area of the interface between the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase 24 becomes large, and the primary light and the secondary light can be well reflected.
  • the light reflecting portion 22 is a ceramic sintered body, it is possible to improve the resistance to heat and light as compared with the prior art using a resin and a light scattering agent.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the light source module 50 in the present embodiment.
  • the light source module 50 includes the stem 11, the light emitting element 12, and the wavelength conversion member 20, and uses an LED that emits surface light as the light emitting element 12.
  • the plurality of light emitting elements 12 are mounted on the stem 11, the wavelength converting member 20 is disposed above the light emitting element 12, and the wavelength converting unit 21 covers the light emitting position of the light emitting element 12. It is done.
  • the side surfaces of the plurality of light emitting elements 12 are filled with a reflective resin 51.
  • primary light is emitted from the light emitting element 12 to the wavelength conversion member 20, mixed with secondary light wavelength-converted by the wavelength conversion member 20, and white light is emitted to the outside.
  • the reflective resin 51 is a member in which light scattering particles are dispersed in a resin material, and light is reflected by the difference in refractive index between the resin and the light scattering particles.
  • the resin material which comprises the reflection resin 51 is not limited, For example, an epoxy resin and a silicone resin can be used.
  • the material constituting the light-scattering particles is not limited, for example TiO 2, Al 2 O 3, SiO 2, ZrO 2 and the like.
  • the primary light emitted from the side surface of the light emitting element 12 is reflected by the reflecting resin 51 and returns toward the light emitting element 12.
  • the light is extracted from the upper surface side of the light source and enters the wavelength conversion unit 21.
  • the primary light emitted from the light emitting element 12 can efficiently reach the wavelength conversion unit 21 and can be wavelength-converted into secondary light.
  • the light reflecting portion 22 is formed of a ceramic sintered body in which the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase 24 are composited, the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase 24 are three-dimensionally
  • the entangled structure makes the area of the interface between the SiO 2 phase 23 and the TiO 2 phase 24 large, so that the primary light and the secondary light can be well reflected.
  • the light reflecting portion 22 is a ceramic sintered body, it is possible to improve the resistance to heat and light as compared with the prior art using a resin and a light scattering agent.
  • FIG. 6 is a partially enlarged cross-sectional view schematically showing the structure of the wavelength conversion member 60 in the present embodiment.
  • the wavelength conversion member 60 of the present embodiment is a sintered body in which the wavelength conversion portion 61 and the light reflection portion 62 are in contact with each other and integrally formed.
  • the wavelength conversion unit 61 is a portion containing a phosphor material that emits secondary light by being excited by primary light emitted from the light emitting element 12, and the white light is mixed with the primary light and the secondary light to the outside. Irradiate.
  • a sintered body formed integrally with the light reflection portion 62 as the wavelength conversion portion 61 is shown, but it may be formed separately and combined with the light reflection portion 62, and It may be a structure in which body particles are dispersed.
  • the light reflecting portion 62 is a member that contacts the entire side surface around the wavelength converting portion 61 and holds the wavelength converting portion 61, and is made of a ceramic sintered body.
  • the light reflecting portion 62 is preferably formed integrally with the wavelength conversion portion 61 and sintered simultaneously, but may be formed separately and combined with the wavelength conversion portion 61.
  • the ceramic material constituting the light reflecting portion 62 is not limited, but preferably the light absorbing end is 400 nm or less and does not absorb visible light, for example, TiO 2 , Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO 2 , Y 2 O 3 , YAG, etc.
  • the light reflecting portion 62 includes a large number of closed pores 64 in the ceramic phase 63. Since the closed pore 64 is a bubble not containing a ceramic material, the refractive index is low, and the refractive index difference with the ceramic phase 63 is large. Therefore, light incident on the light reflecting portion 62 is well scattered and reflected at the interface between the ceramic phase 63 and the closed pores 64, and the light reflecting portion 62 becomes a white region as a whole. As a result, the light reflecting portion 62 can prevent light leakage in the lateral direction, and the light is returned in the direction of the wavelength converting portion 61 and taken out from the wavelength converting portion 61 as shown by the arrows in FIG.
  • the ratio of the closed pores 64 in the light reflecting portion 62 is preferably in the range of 10% by volume to 50% by volume. If the closed pores 64 are less than 10% by volume, it is difficult to increase the reflectance because the area of the interface between the ceramic phase 63 and the closed pores 64 is small. In addition, when the closed pores 64 are more than 50% by volume, it is difficult to maintain the mechanical strength of the light reflecting portion 62.
  • the ceramic phase 63 having an absorption end of light of 400 nm or less is used that includes 10% by volume or more and 50% by volume or less of closed pores 64.
  • the area of the interface between the ceramic phase 63 and the closed pores 64 is increased, and the primary light and the secondary light can be well reflected.
  • the light reflecting portion 62 is a ceramic sintered body, it is possible to improve the resistance to heat and light as compared with the prior art using a resin and a light scattering agent.

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Abstract

所定波長の一次光を波長変換して二次光を出射する波長変換部（２１）と、波長変換部（２１）に隣接して配置され、一次光および二次光を反射する光反射部（２２）を備え、光反射部（２２）はＳｉＯ２相（２３）とＴｉＯ２相（２４）を複合化したセラミクス焼結体で構成されている波長変換部材（２０）。

Description

波長変換部材および光源モジュール
　本開示は、波長変換部材および光源モジュールに関する。
　ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）や半導体レーザを光源として、蛍光体材料を含有した波長変換部材で波長変換して白色光を得る発光装置が用いられている。これらの発光装置では、光源から青色光や紫外光などの一次光を発光して波長変換部材に照射し、波長変換部材に含有された蛍光体が一次光により励起されて黄色光などの二次光を発光し、一次光と二次光が混色して白色光が外部に照射される。
　特許文献１には、半導体レーザを光源として用いた車両用灯具が提案されている。光源として半導体レーザを用いると、大出力で波長幅の狭い一次光を得られるが、指向性が非常に強く光が照射される領域が小さいという特徴がある。したがって、光源としてＬＥＤを用いる場合と比較すると、波長変換部材の極めて小さい領域に大出力の一次光が照射されて白色光を出射し、指向性が高い発光装置が得られる。
　特許文献２には、波長変換部材の周囲に光拡散反射部材を隣接させた光学部材を備え、半導体レーザからの一次光を波長変換部材に照射し、波長変換部材の側面から外部に向かう二次光を光拡散反射部材で反射する光半導体発光装置が記載されている。この従来技術では、波長変換部材に照射されて散乱された一次光と波長変換された二次光のうち、側方から外部に向かう光を再び波長変換部材方向に戻すため、一次光の利用効率と二次光の指向性をさらに高めることができる。
　図７Ａは従来の光学部材の構造を模式的に示す断面図であり、光拡散反射部材として樹脂を用いた例を示している。図７Ｂは従来の光学部材の構造を模式的に示す断面図であり、光拡散反射部材としてセラミクスを用いた例を示している。図７Ａ及び図７Ｂに示すように、従来の光学部材は、波長変換部材１と、光拡散反射部材２とを備え、波長変換部材１の周囲に隣接して光拡散反射部材２が配置されている。図７Ａに示した例では、光拡散反射部材２として低屈折率の樹脂３中に高屈折率の光散乱粒子４が分散されている。図７Ｂに示した例では、光拡散反射部材２としてセラミクス材料５が用いられており、セラミクス材料５の内部には多結晶粒界と気泡６が含まれている。これらの従来技術では、樹脂３と光散乱粒子４の屈折率差や、セラミクス材料５と気泡６の屈折率差で一次光および二次光を散乱反射している。
日本国特開２０１２－２２１６３３号公報 日本国特開２０１５－０２３２１５号公報
　しかし、図７Ａに示した樹脂３を用いた従来技術では、短波長の光である一次光が照射されることによる樹脂３の劣化や、波長変換部材１での波長変換に伴う熱による樹脂３の劣化が問題となり、樹脂３の耐久性を向上することが困難であった。また、図７Ｂに示したセラミクス材料５を用いた従来技術では、セラミクス材料５の焼結体の密度が高く、セラミクス材料５中に含まれる気泡６の密度が低いため、屈折率差で光を散乱できる界面が少なくなり、反射率を向上させることが困難であった。
　そこで本開示は、耐久性に優れるとともに良好に一次光と二次光を反射できる光反射部を備えた波長変換部材および光源モジュールを提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、本開示の波長変換部材は、所定波長の一次光を波長変換して二次光を出射する波長変換部と、前記波長変換部に隣接して配置され、前記一次光および前記二次光を反射する光反射部を備え、前記光反射部は、ＳｉＯ２とＴｉＯ２を複合化したセラミクス焼結体で構成されている。
　このような本開示の波長変換部材では、波長変換部に隣接して配置された光反射部が、ＳｉＯ２とＴｉＯ２を複合化したセラミクス焼結体で構成されているため、耐久性に優れるとともに良好に一次光と二次光を反射することができる。
　また、本開示の一態様では、前記光反射部には、ＴｉＯ２が２０体積％以上８０体積％以下の範囲で含まれている。
　また、本開示の一態様では、前記ＳｉＯ２または前記ＴｉＯ２のうち、前記光反射部において占める体積％の小さい材料の平均粒径が１０μｍ以下である。
　また、本開示の一態様では、前記波長変換部の側面全体が、前記光反射部に接触している。
　また、上記課題を解決するために、本開示の光源モジュールは、上記何れか一つに記載の波長変換部材と、前記波長変換部材に対して前記一次光を照射する半導体発光素子を備える。
　また、上記課題を解決するために、本開示の波長変換部材は、所定波長の一次光を波長変換して二次光を出射する波長変換部と、前記波長変換部に隣接して配置され、前記一次光および前記二次光を反射する光反射部を備え、前記光反射部は、１０体積％以上５０体積％以下の閉気孔を含むセラミクス焼結体で構成されている。
　本開示では、耐久性に優れるとともに良好に一次光と二次光を反射できる光反射部を備えた波長変換部材および光源モジュールを提供することができる。
第１実施形態における光源モジュール１０を示す模式断面図である。 第１実施形態における波長変換部材２０の構造を模式的に示す部分拡大断面図である。 第２実施形態における光源モジュール３０を示す模式断面図である。 第３実施形態における光源モジュール４０を示す模式断面図である。 第４実施形態における光源モジュール５０を示す模式断面図である。 第５実施形態における波長変換部材６０の構造を模式的に示す部分拡大断面図である。 従来の光学部材の構造を模式的に示す断面図であり、光拡散反射部材として樹脂を用いた例を示している。 従来の光学部材の構造を模式的に示す断面図であり、光拡散反射部材としてセラミクスを用いた例を示している。
　（第１実施形態）
　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付すものとし、適宜重複した説明は省略する。図１は、本実施形態における光源モジュール１０を示す模式断面図である。
　光源モジュール１０は、ステム１１と、発光素子１２と、側壁１３と、天面１４と、波長変換部材２０とを備える。光源モジュール１０では、発光素子１２から図中矢印で示すように一次光が波長変換部材２０に照射され、波長変換部材２０で波長変換された二次光と混色して白色光が図中矢印で示すように外部に出射される。図１では光源モジュール１０として所謂ＣＡＮ型パッケージのものを示したが、ＣＡＮ型パッケージに限定されず各種半導体レーザ用のパッケージを用いることができる。
　ステム１１は、発光素子１２を搭載して側壁１３が固定される部材である。ステム１１は、図示しないリードピンなどを備えて、外部から発光素子１２に電力が供給されるとともに、ヒートシンクなどを備えて、発光素子１２で発生した熱を外部に伝える。ステム１１を構成する材料は特に限定されないが、放熱性が良好な銅などの金属が望ましい。
　発光素子１２は、電力が供給されてレーザ光を発振する半導体レーザである。発光素子１２を構成する材料は特に限定されないが、一次光として青色光や紫外光を照射する場合には窒化物系半導体が用いられる、また、発光素子１２の共振器構造や電極構造、電流狭窄構造などの素子構造も特に限定されず、必要な発光強度と発振波長を得るために適切な構造を採用することができる。本実施形態では一次光を発光する発光素子１２として半導体レーザを用いるものを示したが、波長変換部材２０で波長変換される一次光を出射する素子であれば半導体レーザに限定されず、発光ダイオードや有機ＥＬなどであってもよい。
　側壁１３は、ステム１１上に立設された筒状の部材であり、ステム１１上で発光素子１２の周囲を囲んで配置されている。天面１４は側壁１３上で発光素子１２を覆って配置された平板状部材であり、中央には開口部が設けられて波長変換部材２０が固定されている。側壁１３および天面１４を構成する材料は限定されないが、波長変換部材２０で発生した熱をステム１１に良好に伝えるためには熱伝導性に優れた金属材料が好ましい。
　図２は、本実施形態における波長変換部材２０の構造を模式的に示す部分拡大断面図である。図２に示すように波長変換部材２０は、波長変換部２１と光反射部２２とが互いに接触して一体に成形された焼結体である。波長変換部材２０は側壁１３の開口部に固定されて光源モジュール１０からの光取り出し部として機能している。
　波長変換部２１は、発光素子１２から照射される一次光により励起されて二次光を発する蛍光体材料を含有する部分であり、一次光と二次光とが混色して白色光を外部に照射する。ここでは一次光と二次光の混色で白色光を照射する例を示したが、複数の蛍光体材料を備えて複数色の二次光を発光して二次光同士の混色によって白色光を照射する構成としてもよい。また、照射する光として白色光の例を示したが、その他の単色光であってもよく、複数色を混色した白色以外の色であってもよい。
　波長変換部２１のサイズは、発光素子１２からの一次光が照射される領域よりも大きく、一次光を適切に二次光に波長変換できればよく、例えば厚さ数百μｍ程度で直径が０．１～数ｍｍ程度である。波長変換部２１に含有される蛍光体材料は、光反射部２２と同時焼結するためセラミクス蛍光体であることが好ましい。具体的材料としては、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、すなわちＹＡＧ(Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ)粉末を用いて作成されたセラミクス素地を焼結して得られるセラミクス蛍光体が最も好ましい。ＹＡＧ焼結体を波長変換部２１として用いることで、一次光の青色光を波長変換して二次光の黄色光を出射し、一次光と二次光の混色により白色を得られる。
　本実施形態では、波長変換部２１として光反射部２２と一体に成形した焼結体の例を示したが、光反射部２２と別体に成形して組み合わせる構成としてもよく、樹脂中に蛍光体粒子を分散した構造であってもよい。
　光反射部２２は、波長変換部２１の周囲で側面全体に接触して波長変換部２１を保持する部材であり、ＳｉＯ２とＴｉＯ２を複合化したセラミクス焼結体で構成されている。光反射部２２は、波長変換部２１と一体に成形されて同時に焼結されることが好ましいが、波長変換部２１とは別体に成形して組み合わせる構成としてもよい。
　図２に示すように光反射部２２は、ＳｉＯ２相２３の内部でＴｉＯ２相２４が３次元的に絡み合った構造を有している。ＳｉＯ２相２３は、波長変換部２１と接触して光反射部２２の全域にわたって連続的に形成されている相であり、内部にＴｉＯ２相２４が３次元的に絡み合っている。図２では、ＳｉＯ２相２３の内部でＴｉＯ２相２４が３次元的に絡み合った構造を示したが、ＴｉＯ２相２４の内部でＳｉＯ２相２３が３次元的に絡み合った構造であってもよい。
　光反射部２２に含まれるＳｉＯ２相２３の屈折率は１．４程度であり、ＴｉＯ２相２４の屈折率は２．５～２．７程度であるから、ＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４の屈折率差は１．１～１．３程度となる。このようにＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４の屈折率差を大きくすると、図２中に矢印で示したように、波長変換部２１から光反射部２２方向に進む光は、３次元的に絡み合ったＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４の界面で反射される。これにより、光反射部２２は全体として白色の領域となり、横方向への光漏れを防止でき、光は波長変換部２１方向に戻されて波長変換部２１から外部に取り出される。
　光反射部２２に含まれるＴｉＯ２相２４の比率は、２０体積％以上８０体積％以下の範囲が好ましい。ＴｉＯ２相２４の比率が２０体積％未満または８０体積％を超えると、ＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４との複合化が不十分になり、屈折率差をもった界面の面積が小さくなるため十分な反射率を得ることが困難になる。また、光反射部２２に含まれるＳｉＯ２相２３またはＴｉＯ２相２４のうち、光反射部２２において占める体積％の小さいほうの材料の平均粒径が１０μｍ以下であることが好ましい。平均粒径を１０μｍより大きくすると、屈折率差をもった界面の面積が小さくなるため十分な反射率を得ることが困難になる。
　本実施形態では、光反射部２２をＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４を複合化したセラミクス焼結体で構成していることから、ＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４が３次元的に絡み合った構造によりＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４の界面の面積が大きくなり、良好に一次光と二次光を反射することができる。また、光反射部２２はセラミクス焼結体であることから、樹脂と光散乱剤を用いた従来技術よりも熱や光に対する耐久性を向上させることができる。
　（第２実施形態）
　次に、本開示の第２実施形態について図３を用いて説明する。第１実施形態と重複する内容は説明を省略する。図３は、本実施形態における光源モジュール３０を示す模式断面図である。
　光源モジュール３０は、ステム１１と、発光素子１２と、波長変換部材２０とを備える。光源モジュール３０では、発光素子１２から一次光が波長変換部材２０に照射され、波長変換部材２０で波長変換された二次光と混色して白色光が外部に出射される。
　本実施形態でも、波長変換部材２０は波長変換部２１と光反射部２２とが互いに接触しており、光反射部２２はＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４を複合化したセラミクス焼結体で構成されている。図２では、波長変換部２１の側面が光反射部２２に接触し底面がステム１１に接触した例を示したが、光反射部２２に凹部を形成して凹部内に波長変換部２１を埋め込んだ構造であってもよい。
　発光素子１２は、波長変換部２１の露出面側に配置されており、一次光を波長変換部２１に向けて照射する。波長変換部２１に入射した一次光は、蛍光体材料により波長変換されて露出面から外部に取り出される。
　本実施形態でも、光反射部２２をＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４を複合化したセラミクス焼結体で構成していることから、ＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４が３次元的に絡み合った構造によりＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４の界面の面積が大きくなり、良好に一次光と二次光を反射することができる。また、光反射部２２はセラミクス焼結体であることから、樹脂と光散乱剤を用いた従来技術よりも熱や光に対する耐久性を向上させることができる。
　（第３実施形態）
　次に、本開示の第３実施形態について図４を用いて説明する。第１実施形態と重複する内容は説明を省略する。図４は、本実施形態における光源モジュール４０を示す模式断面図である。
　本実施形態の光源モジュール４０は、ステム１１と、発光素子１２と、波長変換部材２０とを備え、発光素子１２として面発光するＬＥＤを用いている。また、光源モジュール４０はステム１１上に複数の発光素子１２が搭載され、発光素子１２の上部に波長変換部材２０が配置されて、波長変換部２１が発光素子１２の光出射位置を覆う構成とされている。複数の発光素子１２の側面には空隙４１が設けられている。このような光源モジュール４０では、発光素子１２から一次光が波長変換部材２０に照射され、波長変換部材２０で波長変換された二次光と混色して白色光が外部に出射される。
　本実施形態でも、光反射部２２をＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４を複合化したセラミクス焼結体で構成していることから、ＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４が３次元的に絡み合った構造によりＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４の界面の面積が大きくなり、良好に一次光と二次光を反射することができる。また、光反射部２２はセラミクス焼結体であることから、樹脂と光散乱剤を用いた従来技術よりも熱や光に対する耐久性を向上させることができる。
　（第４実施形態）
　次に、本開示の第４実施形態について図５を用いて説明する。第３実施形態と重複する内容は説明を省略する。図５は、本実施形態における光源モジュール５０を示す模式断面図である。
　本実施形態の光源モジュール５０は、ステム１１と、発光素子１２と、波長変換部材２０とを備え、発光素子１２として面発光するＬＥＤを用いている。また、光源モジュール５０はステム１１上に複数の発光素子１２が搭載され、発光素子１２の上部に波長変換部材２０が配置されて、波長変換部２１が発光素子１２の光出射位置を覆う構成とされている。複数の発光素子１２の側面には反射樹脂５１が充填されている。光源モジュール５０では、発光素子１２から一次光が波長変換部材２０に照射され、波長変換部材２０で波長変換された二次光と混色して白色光が外部に出射される。
　反射樹脂５１は、樹脂材料中に光散乱粒子が分散され、樹脂と光散乱粒子の屈折率差により光を反射する部材である。反射樹脂５１を構成する樹脂材料は限定されず、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂を用いることができる。また、光散乱粒子を構成する材料も限定されず、例えばＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２等が挙げられる。
　本実施形態では、発光素子１２の側面を反射樹脂５１で充填していることから、発光素子１２の側面から出射した一次光は反射樹脂５１で反射されて発光素子１２方向に戻り、発光素子１２の上面側から取り出されて波長変換部２１に入射する。これにより、発光素子１２から出射した一次光を効率良く波長変換部２１に到達させて二次光に波長変換することができる。
　また本実施形態でも、光反射部２２をＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４を複合化したセラミクス焼結体で構成していることから、ＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４が３次元的に絡み合った構造によりＳｉＯ２相２３とＴｉＯ２相２４の界面の面積が大きくなり、良好に一次光と二次光を反射することができる。また、光反射部２２はセラミクス焼結体であることから、樹脂と光散乱剤を用いた従来技術よりも熱や光に対する耐久性を向上させることができる。
　（第５実施形態）
　次に、本開示の第５実施形態について図６を用いて説明する。第１実施形態と重複する内容は説明を省略する。図６は、本実施形態における波長変換部材６０の構造を模式的に示す部分拡大断面図である。図６に示すように本実施形態の波長変換部材６０は、波長変換部６１と光反射部６２とが互いに接触して一体に成形された焼結体である。
　波長変換部６１は、発光素子１２から照射される一次光により励起されて二次光を発する蛍光体材料を含有する部分であり、一次光と二次光とが混色して白色光を外部に照射する。本実施形態では、波長変換部６１として光反射部６２と一体に成形した焼結体の例を示したが、光反射部６２と別体に成形して組み合わせる構成としてもよく、樹脂中に蛍光体粒子を分散した構造であってもよい。
　光反射部６２は、波長変換部６１の周囲で側面全体に接触して波長変換部６１を保持する部材であり、セラミクス焼結体で構成されている。光反射部６２は、波長変換部６１と一体に成形されて同時に焼結されることが好ましいが、波長変換部６１とは別体に成形して組み合わせる構成としてもよい。光反射部６２を構成するセラミクス材料は限定されないが、光の吸収端が４００ｎｍ以下で可視光を吸収しないものが好ましく、例えばＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，Ｙ２Ｏ３，ＹＡＧ等が挙げられる。
　図６に示すように、光反射部６２はセラミクス相６３中に閉気孔６４を多数含んでいる。閉気孔６４はセラミクス材料を含まない気泡であるため屈折率が低く、セラミクス相６３との屈折率差が大きい。そのため、光反射部６２に入射した光はセラミクス相６３と閉気孔６４との界面で良好に散乱反射し、光反射部６２は全体として白色の領域となる。これにより、光反射部６２は横方向への光漏れを防止でき、図６に矢印で示すように、光は波長変換部６１方向に戻されて波長変換部６１から外部に取り出される。
　また、光反射部６２中における閉気孔６４の比率は、１０体積％以上５０体積％以下の範囲であることが好ましい。閉気孔６４が１０体積％未満である場合には、セラミクス相６３と閉気孔６４の界面の面積が少ないため反射率を高めることが困難である。また、閉気孔６４が５０体積％より多い場合には、光反射部６２の機械的強度を保つことが困難になる。
　本実施形態では、光反射部６２として光の吸収端が４００ｎｍ以下のセラミクス相６３中に、１０体積％以上５０体積％以下の閉気孔６４が含まれるものを用いている。これによりセラミクス相６３と閉気孔６４の界面の面積が大きくなり、良好に一次光と二次光を反射することができる。また、光反射部６２はセラミクス焼結体であることから、樹脂と光散乱剤を用いた従来技術よりも熱や光に対する耐久性を向上させることができる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
　本出願は、２０１７年１０月２日に出願された日本国特許出願（特願２０１７－１９２５３７号）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。 

Claims (6)

  1. 　所定波長の一次光を波長変換して二次光を出射する波長変換部と、
    　前記波長変換部に隣接して配置され、前記一次光および前記二次光を反射する光反射部を備え、
    　前記光反射部は、ＳｉＯ２とＴｉＯ２を複合化したセラミクス焼結体で構成されている波長変換部材。
  2. 　請求項１に記載の波長変換部材であって、
    　前記光反射部には、ＴｉＯ２が２０体積％以上８０体積％以下の範囲で含まれている波長変換部材。
  3. 　請求項１または請求項２に記載の波長変換部材であって、
    　前記ＳｉＯ２または前記ＴｉＯ２のうち、前記光反射部において占める体積％の小さい材料の平均粒径が１０μｍ以下である波長変換部材。
  4. 　請求項１から請求項３の何れか一項に記載の波長変換部材であって、
    　前記波長変換部の側面全体が、前記光反射部に接触している波長変換部材。
  5. 　請求項１から請求項４の何れか一項に記載の波長変換部材と、
    　前記波長変換部材に対して前記一次光を照射する半導体発光素子を備える光源モジュール。
  6. 　所定波長の一次光を波長変換して二次光を出射する波長変換部と、
    　前記波長変換部に隣接して配置され、前記一次光および前記二次光を反射する光反射部を備え、
    　前記光反射部は、１０体積％以上５０体積％以下の閉気孔を含むセラミクス焼結体で構成されている、波長変換部材。 
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113924395A (zh) 2019-03-29 2022-01-11 住友建机株式会社 沥青滚平机
JP7372522B2 (ja) * 2019-08-22 2023-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2023002851A (ja) * 2019-11-12 2023-01-11 シャープ株式会社 波長変換素子、蛍光ホイール、光源装置、車両用前照灯具及び投影装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156604A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
WO2013183693A1 (ja) * 2012-06-07 2013-12-12 株式会社Ｓｔｅｑ Ｌｅｄ照明モジュールおよびｌｅｄ照明装置
JP2016018921A (ja) * 2014-07-09 2016-02-01 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
WO2016125611A1 (ja) * 2015-02-03 2016-08-11 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いた発光デバイス

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100337337C (zh) * 2003-07-18 2007-09-12 财团法人工业技术研究院 全方向反射镜及由其制造的发光装置
CN103059634A (zh) * 2013-01-15 2013-04-24 雅安百图高新材料有限公司 二氧化钛二氧化硅复合氧化物粉体及其制备方法
JP6129649B2 (ja) * 2013-06-04 2017-05-17 株式会社Ｇｂｒｙ アップコンバージョン蛍光体及びその製造方法
WO2015063077A1 (en) * 2013-10-29 2015-05-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength conversion element, method of making, and light-emitting semiconductor component having same
JP6438648B2 (ja) * 2013-11-15 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
US9806240B2 (en) * 2014-03-10 2017-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element, method for producing a wavelength conversion element and method for producing a light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element
DE102015113692A1 (de) * 2014-09-11 2016-03-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wellenlängen-Umwandlungs-Element, Licht-emittierende Vorrichtung, Projektor und Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängen-Umwandlungs-Elements
CN106896632A (zh) * 2015-12-03 2017-06-27 精工爱普生株式会社 荧光体、波长转换元件、光源装置和投影仪

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156604A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
WO2013183693A1 (ja) * 2012-06-07 2013-12-12 株式会社Ｓｔｅｑ Ｌｅｄ照明モジュールおよびｌｅｄ照明装置
JP2016018921A (ja) * 2014-07-09 2016-02-01 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
WO2016125611A1 (ja) * 2015-02-03 2016-08-11 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いた発光デバイス

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