WO2019064409A1

WO2019064409A1 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置

Info

Publication number: WO2019064409A1
Application number: PCT/JP2017/035168
Authority: WO
Inventors: 達岡部; 信介齋田; 遼佑郡司; 博己谷山; 市川　伸治; 芳浩仲田; 浩治神村; 彬井上
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2017-09-28
Filing date: 2017-09-28
Publication date: 2019-04-04
Also published as: CN111149431A; CN111149431B; US20200119123A1; US10741635B2

Abstract

端子部に接続する配線と、画素電極とが短絡する可能性の低減を目的として、平坦化膜（２１）の端部と交差して、表示領域（ＤＡ）から額縁領域（ＮＡ）へと延伸する第１引き回し配線（４５）と、前記第１引き回し配線（４５）よりも上層における、第２電極（２５）の周囲に形成された第１バンク（２３ａ）に接触し、前記第１バンク（２３ａ）と交差して端子部へと延伸する第２引き回し配線（４４）と、前記平坦化膜（２１）の端部と前記第１バンク（２３ａ）との間において、前記第１引き回し配線（４５）と前記第２引き回し配線（４４）とが接続する第１配線コンタクト部（４２）とを備えた表示デバイス（２）を提供する。

Description

表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置

　本発明は、発光素子を備えた表示デバイスに関する。

　特許文献１には、複数の有機ＥＬ素子からなる発光領域と、当該発光領域の周囲に隣接する非発光領域とを有し、非発光領域に、発光領域を囲み、樹脂の濡れ広がりを規制する凹凸構造を備えた有機ＥＬ発光装置が開示されている。

日本国公開特許公報「特開２０１１－１４６３２３号（２０１１年７月２８日公開）」

　表示を行う領域に隣接する周囲の額縁領域において、樹脂の濡れ広がりを規制する凹凸構造等の構造を設ける場合、当該構造よりも周囲側に端子部を形成する必要がある。端子部まで引き回される配線の直上に構造を形成し、次いで発光領域における電極の形成を行うと、高さの変化の大きい当該構造の周囲において、電極のパターン残りが発生する場合がある。電極のパターン残りと端子部につながる配線とが接触することにより、想定しない短絡が発生し、歩留まりの低下につながる。

　上記課題を解決するために、本願の表示デバイスは、複数のＴＦＴを含むＴＦＴ層と、前記ＴＦＴのそれぞれと接続する画素電極と、前記画素電極よりも上層のカバー膜とを含む、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層と、該発光素子層よりも上層の封止層とを備えた表示デバイスであって、発光領域の周囲に隣接する額縁領域において、前記封止層の濡れ広がりを規制し、前記発光領域を囲うバンクと、該バンクよりも周囲側の端子部と、該端子部と接続する配線とをさらに備え、前記バンクは、前記カバー膜と同層であり、前記配線と接触し、前記端子部と前記配線の少なくとも一部とは、前記ＴＦＴ層のソース配線と同層である。

　また、上記課題を解決するために、本願の表示デバイスの製造方法は、複数のＴＦＴを含むＴＦＴ層と、前記ＴＦＴのそれぞれと接続する画素電極と、前記画素電極よりも上層のカバー膜とを含む、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層と、該発光素子層よりも上層の封止層とを下層から順に形成する表示デバイスの製造方法であって、発光領域の周囲に隣接する額縁領域における、端子部と該端子部と接続する配線の少なくとも一部とを、前記ＴＦＴのソース配線と共に形成する端子部形成工程と、前記額縁領域における、前記配線と接触し、前記封止層の濡れ広がりを規制し、前記発光領域を囲うバンクを、前記カバー膜と共に形成するバンク形成工程とを備える。

　また、上記課題を解決するために、本願の表示デバイスの製造装置は、複数のＴＦＴを含むＴＦＴ層と、前記ＴＦＴのそれぞれと接続する画素電極と、前記画素電極よりも上層のカバー膜とを含む、前記ＴＦＴ層よりも上層の発光素子層と、該発光素子層よりも上層の封止層とを成膜する成膜装置を備えた表示デバイスの製造装置であって、前記成膜装置は、発光領域の周囲に隣接する額縁領域において、前記封止層の濡れ広がりを規制し、前記発光領域を囲うバンクと、該バンクよりも周囲側の端子部と、該端子部と接続する配線とを成膜し、前記バンクは、前記カバー膜と同層であり、前記配線と接触し、前記端子部と前記配線の少なくとも一部とは、前記ＴＦＴ層のソース配線と同層である。

　上記構成によれば、端子部に接続する配線と、画素電極との短絡の可能性の低減可能な表示デバイスを提供できる。

実施形態１に係る表示デバイスの額縁領域における、第１バンクおよび第２バンクの周囲を示す断面図である。実施形態１に係る表示デバイスの発光領域における断面図である。実施形態１に係る表示デバイスの上面図である。実施形態１に係る表示デバイスの製造方法を示すフローチャートである。実施形態１に係る表示デバイスの製造方法における、ＴＦＴ層の形成と発光素子層の形成とをより詳細に示すフローチャートである。実施形態１に係る表示デバイスの製造方法を説明するための工程断面図である。実施形態１に係る表示デバイスの製造方法を説明するための別の工程断面図である。変形例に係る表示デバイスの上面図である。変形例に係る表示デバイスの上面図、および、額縁領域における第１バンクおよび第２バンクの周囲を示す断面図である。実施形態２に係る表示デバイスの額縁領域における、第１バンクおよび第２バンクの周囲を示す断面図である。実施形態２に係る表示デバイスにおける、バンクの幅と焼成前後におけるバンクの高さの変化との関係を説明するためのグラフである。比較形態に係る表示デバイスの額縁領域における、第１バンクおよび第２バンクの周囲を示す断面図である。他の比較形態に係る表示デバイスの上面図である。各実施形態に係る表示デバイスの製造装置を示すブロック図である。

　　〔実施形態１〕
　以下においては、「同層」とは同一プロセスにて同材料で形成されていることを意味する。また、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。また、本明細書においては、表示デバイスの下層から上層へ向かう方向を上方とする。

　図３は、本実施形態に係る表示デバイス２の上面図である。図１は、図３におけるＡＡ線矢視断面図であり、図２は、図３におけるＢＢ線矢視断面図である。

　本実施形態に係る表示デバイス２は、図３に示すように、発光領域ＤＡと、当該発光領域ＤＡの周囲に隣接する額縁領域ＮＡとを有する。図２を参照して、本実施形態に係る表示デバイス２を詳細に説明する。

　図２に示すように、本実施形態に係る表示デバイス２は、下層から順に、支持基板１０と、樹脂層１２と、バリア層３と、ＴＦＴ層４と、発光素子層５と、封止層６と、上面フィルム３９とを備える。

　支持基板１０、例えばガラス基板であってもよい。樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。

　バリア層３は、表示デバイスの使用時に、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４、発光素子層５に浸透することを防ぐ層である。バリア層３は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　ＴＦＴ層４は、下層から順に、半導体層１５と、第１無機層１６（ゲート絶縁膜）と、ゲート電極ＧＥ（第１配線）と、第２無機層１８と、容量配線ＣＥと、第３無機層２０と、ソース配線ＳＨ（第２配線）と、平坦化膜２１（層間絶縁膜）とを含む。半導体層１５と、第１無機層１６と、ゲート電極ＧＥとを含むように、薄層トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒが構成される。

　半導体層１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図２においては、半導体層１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造であってもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。

　ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、またはソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含んでいてもよい。また、ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、またはソース配線ＳＨは、上述の金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。特に本実施形態においては、ゲート電極ＧＥはＭｏを含み、ソース配線ＳＨはＡｌを含む。

　第１無機層１６、第２無機層１８、および第３無機層２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、下層から順に、画素電極２２（第１電極、例えばアノード）と、画素電極２２のエッジを覆うカバー膜２３と、発光層２４と、上部電極（第２電極、例えばカソード）２５とを含む。発光素子層５は、サブピクセルＳＰごとに、島状の画素電極２２、島状の発光層２４、および上部電極２５を含む発光素子（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード）と、これを駆動するサブ画素回路とが設けられる。

　カバー膜２３は有機絶縁膜であり、例えば、ポリイミド、アクリル等の感光性有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィ法によってパターニングすることにより形成される。カバー膜２３は、複数のサブピクセルＳＰごとに開口を備える。

　発光層２４は、例えば、下層側から順に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、サブピクセルＳＰごとに島状に形成される。正孔輸送層および電子輸送層は、サブピクセルＳＰごとに島状に形成されていてもよく、複数のサブピクセルＳＰの共通層としてベタ状に形成されていてもよい。

　画素電極２２は、複数のサブピクセルＳＰごとに島状に形成され、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。上部電極２５は、複数のサブピクセルＳＰの共通層としてベタ状に形成され、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透光性の導電材によって構成することができる。

　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、画素電極２２および上部電極２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。上部電極２５が透光性を有し、画素電極２２が光反射性を有するため、発光層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。

　封止層６は、上部電極２５よりも上層の無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機封止膜２７と、有機封止膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含み、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防ぐ。無機封止膜２６・２８は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　上面フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する機能フィルムであってもよい。

　図１は、図３のＡＡ線矢視断面図を示し、本実施形態に係る表示デバイス２の発光領域ＤＡの周囲に隣接する額縁領域ＮＡにおける、バンクの周辺を示している。

　図１および図３に示すように、表示デバイス２は、額縁領域ＮＡにおいて、第１バンク２３ａと、第２バンク２３ｂと、端子部４０とを備える。

　第１バンク２３ａは、上部電極２５の周囲を囲う位置に、枠状に形成される。第２バンク２３ｂは、第１バンク２３ａの周囲に、枠状に形成される。第１バンク２３ａと第２バンク２３ｂとは、カバー膜２３と同層である。第１バンク２３ａと第２バンク２３ｂとは、上層の封止層６の有機封止膜２７の塗布による、有機封止膜２７の濡れ広がりを規制する。

　端子部４０は、第２バンク２３ｂの周囲に形成される。端子部４０は、額縁領域ＮＡまで延長して形成された、ソース配線ＳＨと同層の引き回し配線４４（第２引き回し配線）と接続し、端外部からの信号を表示領域ＤＡに入力する。引き回し配線４４は、第３無機層２０上を発光領域ＤＡの方向に、平坦化膜２１の手前まで延伸する。このため、引き回し配線４４は、第１バンク２３ａと第２バンク２３ｂとに接触しつつ、第１バンク２３ａおよび第２バンク２３ｂと交差する。

　また、額縁領域ＮＡには、ゲート電極ＤＥと同層の引き回し配線４５（第１引き回し配線）が形成され、第１配線コンタクト部４１において、引き回し配線４４と接続する。第１配線コンタクト部４１は、平坦化膜２１よりも周囲側、かつ第１バンク２３ａよりも内部側に形成されている。端子４０に接続される引き回し配線は、第１配線コンタクト部４１において、引き回し配線４４から引き回し配線４５に迂回する。このため、引き回し配線４４・４５は、平坦化膜２１と離れ、接触しない。

　また、平坦化膜２１は、表示領域ＤＡの外縁において、上部電極２５と電気的に接続する、ＴＦＴの導電層が形成されている。当該導電層は、図１に示すように、ソース配線ＳＨと同層であってもよい。上部電極２５と導電層とは、平坦化膜２１およびカバー膜２３に形成されたスリット４７を介して電気的に接続されている。

　さらに、引き回し配線４５は、第１配線コンタクト部４１から、平坦化膜２１の端部および導電層と交差して表示領域へ延伸する。そして、引き回し配線４５は、第２配線コンタクト部４６を介して、引き回し配線４４と接続する。第２配線コンタクト部４６は、表示領域ＤＡと導電層との間に形成されている。表示領域ＤＡにおける引き回し配線４４は、各ＴＦＴに接続される。

　また、第２バンク２３ｂと交差して端子部４０へと延伸する引き回し配線４４は、端子部４０に接続される間に、第１バンク２３ａと第２バンク２３ｂとの少なくとも一方と再度重畳する位置に形成される。例えば、図３に示すように、第２バンク２３ｂよりも周囲側に形成された引き回し配線４４は、表示領域ＤＡの角の近傍において、端子部４０に接続される間に、第１バンク２３ａと第２バンク２３ｂとの少なくとも一方と交差し、接触している。

　図４および図５のフローチャートを参照し、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法について詳細に説明する。

　はじめに、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス基板）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、樹脂層１２の上層にバリア層３を形成する（ステップＳ２）。

　次いで、バリア層３の上層にＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、トップエミッション型の発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ４）。ステップＳ３およびＳ４について、図６および図７の工程断面図と併せて、さらに詳細に説明する。なお、図６および図７は、ステップＳ３およびステップＳ４における、図１と対応する位置の構成を示す図である。

　ステップＳ３においては、はじめに、バリア層３の上層に半導体層１５と第１無機層１６とを、下層から順に形成する（ステップＳ３－１）。次いで、ゲート電極ＧＥを形成する（ステップＳ３－２）。この際に、図６の（ａ）に示すように、端子部と接続される引き回し配線４５を、ゲート電極ＧＥと同層に形成する。

　次いで、第２無機層１８と容量配線ＣＥと第３無機層２０とを、下層から順に形成する（ステップＳ３－３）。このため、図６の（ｂ）に示すように、額縁領域ＮＡにおけるゲート電極ＧＥの上層に、第２無機層１８と第３無機層２０とが形成される。

　次いで、図６の（ｃ）に示すように、額縁領域ＮＡにおけるゲート電極ＧＥの上層において、第２無機層１８と第３無機層２０とに開口を形成し、第１コンタクトホール４２と第２コンタクトホール４８とを形成する（ステップＳ３－４）。第１コンタクトホール４２と第２コンタクトホール４８とは、半導体層１５とソース配線ＳＨとのコンタクト、および容量配線ＣＥとソース配線ＳＨとのコンタクトを形成するためのコンタクトホールと併せて形成されてもよい。

　次いで、ソース配線ＳＨを形成する（ステップＳ３－５）。この際、図６の（ｄ）に示すように、引き回し配線４４を、ソース配線ＳＨと同層に形成する。また、引き回し配線４４は、第１コンタクトホール４２と第２コンタクトホール４８とにおいても形成する。これにより、図６の（ｄ）に示すように、額縁領域ＮＡにおいて、引き回し配線４４と引き回し配線４５とは、第１配線コンタクト部４１および第２配線コンタクト部４６において接続される。なお、ステップＳ３－５において、ＴＦＴの導電層を、ソース配線ＳＨと同層に形成してもよい。

　次いで、平坦化膜２１を形成し（ステップＳ３－６）、ＴＦＴ層４の形成を完了する。なお、図７の（ａ）に示すように、平坦化膜２１の最端部が、額縁領域ＮＡ側における、導電層と引き回し配線４４との間に位置するように、平坦化膜２１を形成し、平坦化膜２１を、額縁領域ＮＡにおける引き回し配線４４から離して形成する。

　次いで、ステップＳ４に移行し、画素電極２２を形成する（ステップＳ４－１）。この際、画素電極２２は、額縁領域ＮＡにおける引き回し配線４４上にも一旦形成されるが、スパッタリングを使用したパターニングにより、引き回し配線４４上からは除去される。

　次いで、カバー膜２３を形成する（ステップＳ４－２）。この際、図７の（ｂ）に示すように、第１バンク２３ａと第２バンク２３ｂとを、カバー膜２３の形成と併せて、端子部４０に接続する引き回し配線４４の直上を含む位置に形成する。次いで、発光層２４と上部電極２５とを、下層から順に形成し（ステップＳ４－３）、発光素子層５の形成を完了する。上部電極２５の形成の際には、平坦化膜２１の端部における、平坦化膜２１とカバー膜２３とにスリット４７を形成し、上部電極２５とＴＦＴの導電層とを接続してもよい。

　次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。この際、封止層６の有機封止膜２７の形成において、有機封止膜２７の濡れ広がりを、第１バンク２３ａと第２バンク２３ｂとが規制する。ステップＳ５において、額縁領域ＮＡにおける露出したソース配線ＳＨが、端子部４０を形成し、端子部形成工程が完了する。

　次いで、封止層６上に上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ６）。次いで、支持基板１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６、上面フィルム３９を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ７）。次いで、端子部４０に電子回路基板（例えば、ＩＣチップ）をマウントし、表示デバイス２とする（ステップＳ８）。

　なお、本実施形態においては、硬質の支持基板１０を備えた表示デバイス２の製造方法について説明を行った。しかし、一部工程を追加することにより、フレキシブルな表示デバイス２を製造することが可能である。例えば、ステップＳ６に次いで、支持基板１０越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射して、支持基板１０および樹脂層１２間の結合力を低下させ、支持基板１０を樹脂層１２から剥離する。次いで、樹脂層１２の下面に下面フィルムを貼り付ける。その後、ステップＳ７に移行することにより、フレキシブルな表示デバイス２が得られる。

　フレキシブルな表示デバイス２は、図８に示すように、額縁領域ＮＡにおいて、折り曲げ部Ｆを備えていてもよい。図８に示す表示デバイス２は、折り曲げ部Ｆにおいて、上層を山に折り曲げられることにより、端子部４０から周囲側を、表示デバイス２の内側に折り返すことができる。これにより、表示デバイス２の上面における額縁領域ＮＡを減らすことができるため、狭額縁化につながる。折り曲げ部Ｆと交差する配線は、引き回し配線４４と同層であってもよい。

　本実施形態に係る表示デバイス２は、第１バンク２３ａと第２バンク２３ｂとが形成される前に、画素電極２２が形成される。このため、額縁領域ＮＡにおける引き回し配線４４上においては、第１バンク２３ａおよび第２バンク２３ｂのような、大きな凹凸形状を有する構造が無い状態において、画素電極２２の形成が行われる。これにより、第１バンク２３ａと第２バンク２３ｂとに、画素電極２２のパターン残りが発生することが低減される。したがって、画素電極２２のパターン残りと引き回し配線４４とが短絡する可能性が低減され、表示デバイス２の歩留まりが向上する。

　また、一般に、平坦化膜２１の膜厚は、１．５～２．５μｍであるため、平坦化膜２１の端部には画素電極２２のパターン残りが発生する可能性がある。しかし、本実施形態において、額縁領域ＮＡにおける引き回し配線４４・４５は、画素電極２２よりも前に形成される平坦化膜２１に接触しない。このため、平坦化膜２１に画素電極２２のパターン残りが発生したとしても、引き回し配線４４・４５と接触しないため、画素電極２２と引き回し配線４４・４５との短絡の可能性がさらに低減される。

　平坦化膜２１が形成される位置においては、端子部４０に接続される配線は、第１配線コンタクト部４１を介して、引き回し配線４４から引き回し配線４５に迂回されている。しかし、端子部４０に接続される配線のうち、ゲート電極ＧＥと同層である引き回し配線４５が使用されているのは一部のみである。このため、ソース配線ＳＨよりも抵抗の高いゲート電極ＧＥと同層である配線をより少なくすることが可能である。したがって、端子部４０および端子部４０に接続される配線の抵抗を下げることができる。

　さらに、表示領域ＤＡの角の近傍において、引き回し配線４４が第１バンク２３ａまたは第２バンク２３ｂと接触しないように、配線を迂回させる必要がない。このため、額縁領域ＮＡにおける引き回し配線４４の設計の自由度が高まり、表示領域ＤＡの角の近傍において、引き回し配線４４の密集を防止し、互いの短絡の可能性を低減できる。

　本実施形態に係る表示デバイス２の変形例を、図９を参照して説明する。なお、図９の（ａ）と図９の（ｂ）とは、本変形例に係る表示デバイス２における、図１と図３とに対応する位置の構成をそれぞれ示す図である。

　変形例における表示デバイス２においては、図９の（ａ）に示すように、平坦化膜２１の端部を覆う、カバー膜２３ｅをさらに備える。カバー膜２３ｅは、図９の（ｂ）に示すように、上部電極２５を囲う位置に形成される。カバー膜２３ｅは、カバー膜２３の形成とともに形成されてもよい。

　　〔実施形態２〕
　図１０は、本実施形態に係る表示デバイス２を示す断面図である。本実施形態に係る表示デバイス２は、第１バンク２３ａと第２バンク２３ｂとの代わりに、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとが形成されている点においてのみ、前実施形態に係る表示デバイス２と構成が異なっている。なお、図１０は、本実施形態に係る表示デバイス２における、図１と対応する位置の構成を示す図である。

　前実施形態における第１バンク２３ａと第２バンク２３ｂと異なり、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとは、異なる形状を有している。具体的には、図１０に示すように、第１バンク２３ｃのバンク幅よりも、第２バンク２３ｄのバンク幅は大きい。さらに、第１バンク２３ｃの高さよりも、第２バンク２３ｄの高さは高い。ここで、バンク幅とは、形成されたバンクの下面の最大幅を指し、高さとは、バンクの下面から上面までの最大距離を指す。

　本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法は、ステップＳ４－２を除いて、前実施形態に係る表示デバイス２の製造方法と同一であってもよい。本実施形態においては、ステップＳ４－２において、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとを形成する。

　ステップＳ４－２において、はじめに、カバー膜２３の材料である有機材料を、有機材料の高さが略均一になるように塗布する。ついで、第１バンク２３ｃのバンク幅よりも、第２バンク２３ｄのバンク幅が大きくなるように、有機材料のパターニングを行う。次いで、有機材料のベークを行い、カバー膜２３、第１バンク２３ｃ、および第２バンク２３ｄを形成する。

　ここで、上述のベークにより、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとの高さが、加熱による有機材料の変形により変化する。図１１は、ベークによる、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとの高さの変化と、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとのバンク幅との関係を示すグラフである。

　図１１において、点線にて示す高さは、ステップＳ４－２において塗布される有機材料の膜厚である。また、実線にて示す高さは、ベーク後のバンクの高さを、ベーク前のバンク幅ごとに示すである。図１１に示すように、バンクのバンク幅が、おおよそ７～４０μｍの場合、有機材料の塗布直後における高さから、ベーク後の高さは高くなっている。

　ここで、例えば、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとのバンク幅を、図１０に示す、第１バンクと第２バンクとのバンク幅にてそれぞれ形成する。この場合、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとの、ベーク前後の高さの変化はそれぞれ異なる。

　例えば、本実施形態においては、第１バンク２３ｃのバンク幅を１０μｍ、第２バンク２３ｄのバンク幅を１５μｍとする。この場合、図１０に示すように、ベーク処理によって、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとの高さは、より高くなる方向に変化し、第１バンク２３ｃの高さよりも、第２バンク２３ｄの高さが高くなる。これにより、図９に示す、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとがそれぞれ得られる。

　本実施形態に係る表示デバイス２は、第１バンク２３ｃのバンク幅よりも、第２バンク２３ｄのバンク幅が広い。さらに、第１バンク２３ｃの高さよりも、第２バンク２３ｄの高さが高い。このため、第１バンク２３ｃを超えて濡れ広がる封止層６の有機封止膜２７を、第２バンク２３ｄがより効果的に規制する。

　さらに、本実施形態においては、フォトリソグラフィ後のベーク処理によって、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとの高さを異ならせる。また、ベーク処理による変形を利用することにより、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとの高さの差を、０．５～１．５μｍ程度設けることができる。

　このため、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとの高さを異ならせるために、複数回のフォトリソグラフィを行ったり、グレートーンマスクを使用してフォトリソグラフィを行ったりする必要がない。したがって、バンク形成をより簡素に行える。また、本実施形態においては、複数回フォトリソグラフィを行ったり、グレートーンマスクを使用してフォトリソグラフィを行ったりするよりも、使用する有機材料を低減して、バンク形成工程を行える。

　第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとは、封止層６の濡れ広がりを低減する効果を奏するために、２．５μｍ以上の高さがあればよい。このようなバンクを、一回の塗布とパターニングによって形成するためには、比較的厚く材料を塗布する必要がある。このため、バンク高さを高くするために、塗布する材料の膜厚を厚くすると、同層に形成されるカバー膜２３も厚くなり得る。したがって、カバー膜２３におけるコンタクトホール径が小さくなる等の不良が発生し、表示領域ＤＡにおける構成を作成できない可能性がある。

　本実施形態においては、ベーク処理による変形を利用することにより、バンクの高さを塗布膜厚の１．５倍程度にすることができる。したがって、表示領域ＤＡにおけるカバー膜２３の膜厚をある程度抑えつつ、第１バンク２３ｃと第２バンク２３ｄとの膜厚を厚くすることができる。

　図１２は、比較形態に係る表示デバイスをそれぞれ示す図である。図１２に示す比較形態に係る表示デバイスは、第１配線コンタクト部４１が、カバー膜２３の内側に形成される点において、前述の実施形態に係る表示デバイス２と構成が異なっている。また、比較形態に係る表示デバイスは、第２バンク２３の下層に、平坦化膜２１と同層の第２バンク２１ｂを備える点においても、前述の実施形態に係る表示デバイス２と構成が異なっている。なお、図１２は、比較形態に係る表示デバイスにおける、図１と対応する位置の構成を示す図である。

　比較形態に係る表示デバイスにおいては、第１配線コンタクト部４１が、カバー膜２３の内側に形成されるため、引き回し配線４４が平坦化膜２１と接触する。平坦化膜２１は画素電極２２が形成される前に形成される。このため、平坦化膜２１には画素電極２２のパターン残り２２ｅが発生する可能性がある。

　また、比較形態において、第２バンク２３ｂの下層には、平坦化膜２１と同層である第２バンク２１ｂが形成されている。このため、画素電極２２が形成される前に、第２バンク２１ｂが形成されることにより、第２バンク２１ｂには、画素電極２２のパターン残り２２ｅが発生する可能性がある。

　したがって、パターン残り２２ｅと、引き回し配線４４とが接触する可能性がある。パターン残り２２ｅが引き回し配線４４と接触することにより、画素電極２２と端子部４０との想定しない短絡が発生し、歩留まりの低下につながる。

　他の比較形態に係る表示デバイスとして、図１３に示す表示デバイスが挙げられる。図１３に示す表示デバイスは、図１２に示す表示デバイスと比較して、第１配線コンタクト部４１が、第２バンク２１ｂ・２３ｂよりも周囲側に形成されている点において異なる。

　この場合、引き回し配線４４とパターン残り２２ｅとが接触する可能性が低減されるが、第１配線コンタクト部４１と第２配線コンタクト部４６との距離が長くなり、引き回し配線４５の長さが長くなる。このため、引き回し配線４４よりも引き回し配線４５の抵抗が高いことから、端子部４０に接続される配線の抵抗が高くなる。

　さらに、バンクよりも外周に引き出された引き回し配線４４が、バンクと接触することを防がなければならないため、表示領域ＤＡの角の近傍において、バンクを回避するように、引き回し配線４４を迂回させる必要がある。このため、配線の設計の自由度が狭まり、表示領域ＤＡの角の近傍において、引き回し配線４４が密集し、互いに短絡する可能性が高まる。

　図１４は、上述の各実施形態における表示デバイス２の製造工程において使用される、表示デバイスの製造装置５０を示すブロック図である。

　表示デバイスの製造装置５０は、コントローラ５２と成膜装置５４とを備える。コントローラ５２は、成膜装置５４を制御してもよい。成膜装置５４は、表示デバイス２の各層の成膜を実行してもよい。

　　〔まとめ〕
　態様１の表示デバイスは、下層から順に、第１配線、無機層、第２配線、平坦化膜、第１電極、カバー膜、発光層、第２電極および封止層を備えた表示デバイスであって、表示領域と該表示領域を囲む額縁領域とを備え、前記額縁領域において、端外部からの信号を前記表示領域に入力する端子部を端部に備え、前記表示領域において、複数の画素を備え、複数の画素のそれぞれに前記第１電極を備え、前記カバー膜はそれぞれの前記第１電極において開口を備え、複数の前記画素において、共通の前記第２電極を備え、前記カバー膜と同層の第１バンクが前記第２電極を囲い、前記表示領域から前記端子部へと電気的に接続される引き回し配線は、前記第１配線と同層の第１引き回し配線と、前記第２配線と同層の第２引き回し配線とを備え、前記第１引き回し配線は、前記平坦化膜の端部と交差して、前記表示領域から前記額縁領域へと延伸し、前記平坦化膜の端部と前記第１バンクとの間において、第１配線コンタクト部を介して前記第２引き回し配線と接続し、該第２引き回し配線は、前記第１バンクと接触し、前記第１バンクと交差して前記端子部へと延伸する。

　態様２においては、前記カバー膜と同層の第２バンクを備え、該第２バンクは、前記第１バンクを囲み、前記第２引き回し配線は、第２バンクと接触し、第２バンクと交差して前記端子部へと延伸する。

　態様３においては、前記第２バンクの高さは、前記第１バンクの高さよりも高い。

　態様４においては、前記第２バンクのバンク幅は、前記第１バンクのバンク幅よりも広い。

　態様５においては、前記第２バンクと交差して前記端子部へと延伸する前記第２引き回し配線は、前記端子部に接続される間に、前記第１バンクと前記第２バンクとの少なくとも一方と重畳する。

　態様６においては、前記表示領域の外縁に、前記平坦化膜および前記カバー膜に形成されたスリットを備え、前記第２電極は、前記スリットを介し前記第２配線と同層の導電層と電気的に接続し、前記第１引き回し配線は、導電層と交差して前記表示領域へと延伸し、前記表示領域と前記導電層との間において、第２配線コンタクト部を介して前記第２引き回し配線と接続する。

　態様７においては、前記額縁領域において、前記表示領域と前記端子部との間に折り曲げ部をさらに備え、前記折り曲げ部を交差する配線は前記第２引き回し配線と同層である。

　態様８の表示デバイスの製造方法は、下層から順に、第１配線、無機層、第２配線、平坦化膜、第１電極、カバー膜、発光層、第２電極および封止層を備えた表示デバイスの製造方法であって、第１配線と第１引き回し配線とを形成する第１配線形成工程と、第１コンタクトホールを前記無機層に形成するコンタクトホール形成工程と、前記第２配線と第２引き回し配線とを形成する第２配線形成工程と、表示領域において、複数の画素のそれぞれに前記第１電極を形成する第１電極形成工程と、複数の前記画素のそれぞれにおいて開口を備えた前記カバー膜と、第１バンクとを形成するカバー膜形成工程と、前記第２電極を、複数の前記画素に共通して形成する第２電極形成工程とを備え、前記第１コンタクトホールを、前記平坦化膜の端部と前記第１バンクとの間に形成し、前記第１コンタクトホールにおいて、前記第１引き回し配線と、前記第２引き回し配線とを接続し、前記第１バンクが前記第２電極を囲い、前記第１引き回し配線は、前記平坦化膜の端部と交差して、前記表示領域から該表示領域を囲う額縁領域へと延伸し、前記第２引き回し配線は、前記第１バンクと接触し、前記第１バンクと交差して、前記額縁領域の端部において、端外部からの信号を前記表示領域に入力する端子部に接続される。

　態様９においては、前記カバー膜形成工程において、第２バンクをさらに形成し、該第２バンクは、前記第１バンクを囲み、前記第２引き回し配線は、第２バンクと接触し、第２バンクと交差して前記端子部へと延伸する。

　態様１０においては、前記カバー膜形成工程において、前記第２バンクを、前記第１バンクよりも周囲側に、前記第１バンクよりも高さを高く形成する。

　態様１１においては、前記カバー膜形成工程において、フォトリソグラフィ後のベーク処理によって、前記第１バンクと前記第２バンクとの高さを異ならせる。

　態様１２においては、前記カバー膜形成工程において、前記第２バンクを、前記第１バンクよりもバンク幅を広く形成する。

　態様１３においては、前記第２配線形成工程において、前記第２バンクと交差して前記端子部へと延伸する前記第２引き回し配線を、前記端子部に接続される間に、前記第１バンクと前記第２バンクとの少なくとも一方と重畳する位置に形成する。

　態様１４においては、前記カバー膜形成工程において、前記表示領域の外縁に、前記平坦化膜および前記カバー膜に形成されたスリットを形成し、前記第２電極形成工程において、前記第２電極を、前記スリットを介し前記第２配線と同層の導電層と電気的に接続させ、前記コンタクトホール形成工程において、前記表示領域と前記導電層との間に、第２コンタクトホールを前記無機層に形成し前記第１引き回し配線は、導電層と交差して前記表示領域へと延伸し、第２コンタクトホールにおいて、前記第１引き回し配線と前記第２引き回し配線とが接続する。

　態様１５においては、前記額縁領域において、前記表示領域と前記端子部との間に折り曲げ部をさらに形成する折り曲げ部形成工程を備え、前記第２配線形成工程において、前記折り曲げ部を交差する配線を、前記第２引き回し配線と同層に形成する。

　態様１６の表示デバイスの製造装置は、下層から順に、第１配線、無機層、第２配線、平坦化膜、第１電極、カバー膜、発光層、第２電極および封止層を形成する成膜装置を備えた表示デバイスの製造装置であって、表示領域と該表示領域を囲む額縁領域とを備え、前記額縁領域は、端外部からの信号を前記表示領域に入力する端子部を端部に備え、前記表示領域は、複数の画素を備え、複数の画素のそれぞれに前記第１電極が形成され、前記カバー膜はそれぞれの前記第１電極において開口を備え、前記第２電極は、複数の前記画素において共通に形成され、前記カバー膜と同層の第１バンクが前記第２電極を囲い、前記表示領域から前記端子部へと電気的に接続される引き回し配線は、前記第１配線と同層の第１引き回し配線と、前記第２配線と同層の第２引き回し配線とを備え、前記第１引き回し配線は、前記平坦化膜の端部と交差して、前記表示領域から前記額縁領域へと延伸し、前記平坦化膜の端部と前記第１バンクとの間において、第１配線コンタクト部を介して前記第２引き回し配線に繋ぎかえられ、該第２引き回し配線は、前記第１バンクと接触し、前記第１バンクと交差して前記端子部へと延伸する。

　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

２　　　　　　　　表示デバイス
６　　　　　　　　封止層
１６、１８、２０　無機層
２１　　　　　　　平坦化膜
２２　　　　　　　画素電極（第１電極）
２３　　　　　　　カバー膜
２３ａ、２３ｃ　　第１バンク
２３ｂ、２３ｄ　　第２バンク
２４　　　　　　　発光層
２５　　　　　　　上部電極（第２電極）
４０　　　　　　　端子部
４１、４６　　　　配線コンタクト部
４２、４８　　　　第１コンタクトホール
４４、４５　　　　引き回し配線
４７　　　　　　　スリット
５０　　　　　　　表示デバイスの製造装置
ＤＡ　　　　　　　発光領域
ＮＡ　　　　　　　額縁領域
ＳＨ　　　　　　　ソース配線（第２配線）
ＧＥ　　　　　　　ゲート電極（第１配線）
Ｆ　　　　　　　　折り曲げ部

Claims

　下層から順に、第１配線、無機層、第２配線、平坦化膜、第１電極、カバー膜、発光層、第２電極および封止層を備えた表示デバイスであって、
　表示領域と該表示領域を囲む額縁領域とを備え、
　前記額縁領域において、端外部からの信号を前記表示領域に入力する端子部を端部に備え、
　前記表示領域において、複数の画素を備え、複数の画素のそれぞれに前記第１電極を備え、前記カバー膜はそれぞれの前記第１電極において開口を備え、複数の前記画素において、共通の前記第２電極を備え、
　前記カバー膜と同層の第１バンクが前記第２電極を囲い、
　前記表示領域から前記端子部へと電気的に接続される引き回し配線は、前記第１配線と同層の第１引き回し配線と、前記第２配線と同層の第２引き回し配線とを備え、
　前記第１引き回し配線は、前記平坦化膜の端部と交差して、前記表示領域から前記額縁領域へと延伸し、前記平坦化膜の端部と前記第１バンクとの間において、第１配線コンタクト部を介して前記第２引き回し配線と接続し、該第２引き回し配線は、前記第１バンクと接触し、前記第１バンクと交差して前記端子部へと延伸する表示デバイス。
　前記カバー膜と同層の第２バンクを備え、該第２バンクは、前記第１バンクを囲み、前記第２引き回し配線は、第２バンクと接触し、第２バンクと交差して前記端子部へと延伸する請求項１に記載の表示デバイス。
　前記第２バンクの高さは、前記第１バンクの高さよりも高い請求項２に記載の表示デバイス。
　前記第２バンクのバンク幅は、前記第１バンクのバンク幅よりも広い請求項２または３に記載の表示デバイス。
　前記第２バンクと交差して前記端子部へと延伸する前記第２引き回し配線は、前記端子部に接続される間に、前記第１バンクと前記第２バンクとの少なくとも一方と重畳する請求項２から４の何れか１項に記載の表示デバイス。
　前記表示領域の外縁に、前記平坦化膜および前記カバー膜に形成されたスリットを備え、前記第２電極は、前記スリットを介し前記第２配線と同層の導電層と電気的に接続し、
　前記第１引き回し配線は、導電層と交差して前記表示領域へと延伸し、前記表示領域と前記導電層との間において、第２配線コンタクト部を介して前記第２引き回し配線と接続する請求項１から５の何れか１項に記載の表示デバイス。
　前記額縁領域において、前記表示領域と前記端子部との間に折り曲げ部をさらに備え、前記折り曲げ部を交差する配線は前記第２引き回し配線と同層である請求項１から６の何れか１項に記載の表示デバイス。
　下層から順に、第１配線、無機層、第２配線、平坦化膜、第１電極、カバー膜、発光層、第２電極および封止層を備えた表示デバイスの製造方法であって、
　第１配線と第１引き回し配線とを形成する第１配線形成工程と、
　第１コンタクトホールを前記無機層に形成するコンタクトホール形成工程と、
　前記第２配線と第２引き回し配線とを形成する第２配線形成工程と、
　表示領域において、複数の画素のそれぞれに前記第１電極を形成する第１電極形成工程と、
　複数の前記画素のそれぞれにおいて開口を備えた前記カバー膜と、第１バンクとを形成するカバー膜形成工程と、
　前記第２電極を、複数の前記画素に共通して形成する第２電極形成工程とを備え、
　前記第１コンタクトホールを、前記平坦化膜の端部と前記第１バンクとの間に形成し、前記第１コンタクトホールにおいて、前記第１引き回し配線と、前記第２引き回し配線とを接続し、
　前記第１バンクが前記第２電極を囲い、
　前記第１引き回し配線は、前記平坦化膜の端部と交差して、前記表示領域から該表示領域を囲う額縁領域へと延伸し、
　前記第２引き回し配線は、前記第１バンクと接触し、前記第１バンクと交差して、前記額縁領域の端部において、端外部からの信号を前記表示領域に入力する端子部に接続される表示デバイスの製造方法。
　前記カバー膜形成工程において、第２バンクをさらに形成し、該第２バンクは、前記第１バンクを囲み、前記第２引き回し配線は、第２バンクと接触し、第２バンクと交差して前記端子部へと延伸する請求項８に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記カバー膜形成工程において、前記第２バンクを、前記第１バンクよりも周囲側に、前記第１バンクよりも高さを高く形成する請求項９に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記カバー膜形成工程において、フォトリソグラフィ後のベーク処理によって、前記第１バンクと前記第２バンクとの高さを異ならせる請求項１０に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記カバー膜形成工程において、前記第２バンクを、前記第１バンクよりもバンク幅を広く形成する請求項９から１１の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記第２配線形成工程において、前記第２バンクと交差して前記端子部へと延伸する前記第２引き回し配線を、前記端子部に接続される間に、前記第１バンクと前記第２バンクとの少なくとも一方と重畳する位置に形成する請求項９から１２の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記カバー膜形成工程において、前記表示領域の外縁に、前記平坦化膜および前記カバー膜に形成されたスリットを形成し、
　前記第２電極形成工程において、前記第２電極を、前記スリットを介し前記第２配線と同層の導電層と電気的に接続させ、
　前記コンタクトホール形成工程において、前記表示領域と前記導電層との間に、第２コンタクトホールを前記無機層に形成し
　前記第１引き回し配線は、導電層と交差して前記表示領域へと延伸し、
　第２コンタクトホールにおいて、前記第１引き回し配線と前記第２引き回し配線とが接続する請求項８から１３の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　前記額縁領域において、前記表示領域と前記端子部との間に折り曲げ部をさらに形成する折り曲げ部形成工程を備え、前記第２配線形成工程において、前記折り曲げ部を交差する配線を、前記第２引き回し配線と同層に形成する請求項８から１４の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　下層から順に、第１配線、無機層、第２配線、平坦化膜、第１電極、カバー膜、発光層、第２電極および封止層を形成する成膜装置を備えた表示デバイスの製造装置であって、
　表示領域と該表示領域を囲む額縁領域とを備え、
　前記額縁領域は、端外部からの信号を前記表示領域に入力する端子部を端部に備え、
　前記表示領域は、複数の画素を備え、複数の画素のそれぞれに前記第１電極が形成され、前記カバー膜はそれぞれの前記第１電極において開口を備え、前記第２電極は、複数の前記画素において共通に形成され、
　前記カバー膜と同層の第１バンクが前記第２電極を囲い、
　前記表示領域から前記端子部へと電気的に接続される引き回し配線は、前記第１配線と同層の第１引き回し配線と、前記第２配線と同層の第２引き回し配線とを備え、
　前記第１引き回し配線は、前記平坦化膜の端部と交差して、前記表示領域から前記額縁領域へと延伸し、前記平坦化膜の端部と前記第１バンクとの間において、第１配線コンタクト部を介して前記第２引き回し配線に繋ぎかえられ、該第２引き回し配線は、前記第１バンクと接触し、前記第１バンクと交差して前記端子部へと延伸する表示デバイスの製造装置。