WO2019039258A1 - 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置 - Google Patents

電子部品搭載用パッケージおよび電子装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2019039258A1
WO2019039258A1 PCT/JP2018/029486 JP2018029486W WO2019039258A1 WO 2019039258 A1 WO2019039258 A1 WO 2019039258A1 JP 2018029486 W JP2018029486 W JP 2018029486W WO 2019039258 A1 WO2019039258 A1 WO 2019039258A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
heat sink
electronic component
component mounting
crystal grain
package
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/029486
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
乙丸　秀和
Original Assignee
京セラ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京セラ株式会社 filed Critical 京セラ株式会社
Priority to EP18847430.8A priority Critical patent/EP3675161A4/en
Priority to US16/641,499 priority patent/US20210134687A1/en
Priority to JP2019538047A priority patent/JPWO2019039258A1/ja
Publication of WO2019039258A1 publication Critical patent/WO2019039258A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/045—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads having an insulating passage through the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/047—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being parallel to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H01L2924/15155—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device the shape of the recess being other than a cuboid
    • H01L2924/15156—Side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/162—Disposition
    • H01L2924/16251—Connecting to an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. cap-to-substrate

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component mounting package for mounting an electronic component and an electronic apparatus using the same.
  • a heat dissipation plate made of a metal material and having a mounting region of the electronic component on the upper surface, and a frame disposed so as to surround the mounting region
  • An electronic component mounting package including a body is used.
  • the frame and the heat sink are joined by a bonding material.
  • the frame is disposed around the raised portion by raising the center of the heat dissipation plate (flange).
  • the electronic component mounting package of the present disclosure includes a heat sink, an insulating member, a bonding material, and a partial connection terminal.
  • the heat sink has a first portion including a mounting area on which the electronic component is mounted, and a second portion thinner than the first portion, and is made of a metal material.
  • the crystal grain size of the metal crystal of the second portion in the thickness direction is smaller than the crystal grain size of the metal crystal of the first portion.
  • the insulating member is made of a ceramic material disposed on the second portion of the heat sink.
  • the bonding material bonds the second portion and the insulating member.
  • the external connection terminal is electrically insulated from the heat sink by the insulating member.
  • An electronic device includes the above-described package for mounting an electronic component, an electronic component mounted in the mounting area, and a connection member electrically connecting the electronic component and the external connection terminal.
  • the electronic component mounting package and the electronic device are in a virtual XYZ space and mounted on the XY plane. Further, in the present embodiment, the Z-axis direction is the vertical direction.
  • FIG. 1 is a perspective view of the electronic component mounting package of the present embodiment as viewed from above.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the electronic component mounting package as viewed from above.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the electronic component mounting package.
  • the electronic component mounting package 1 of the present embodiment has a heat dissipation plate 6 having a mounting area 5 for the electronic component 12 at the center and a frame shape disposed on the heat dissipation plate 6 so as to surround the mounting area 5. It extends outward of the frame 7 provided on the upper surface of the insulating member (hereinafter referred to as “frame”) 7, the bonding material 8 for bonding the heat sink 6 and the frame 7, and the upper surface of the frame 7. And the lead terminal 9 are included.
  • frame insulating member
  • the heat sink 6 is made of a metal material, and has a first portion 61 including the mounting area 5 and a second portion 62 thinner than the first portion 61.
  • the heat dissipation plate 6 may be, for example, a rectangular shape or a disk shape in plan view, and in the case of a rectangular shape, one side may be 5 to 50 mm, and in the case of a disk shape, the diameter is 5 It is ⁇ 50 mm.
  • the heat sink 6 has a rectangular shape.
  • the thickness of the first portion 61 in the vertical direction is, for example, 0.5 to 2 mm.
  • the thickness in the vertical direction of the second portion 62 is, for example, 0.1 to 0.5 mm. It is sufficient that the heat sink 6 has two portions having different thicknesses.
  • first portion 61 having a rectangular shape and the second portion 62 having a rectangular shape are adjacent to each other so as to share one side.
  • the first portion 61 may have a rectangular shape
  • the second portion 62 may be adjacent to the first portion 61 across the rectangular first portion 61.
  • the first portion 61 is rectangular and located at the center of the heat sink 6, and the second portion 62 is located so as to surround the first portion 61.
  • the outer shape is also rectangular.
  • the frame 7 is disposed in the thin second portion 62 and surrounds the first portion 61.
  • the heat sink 6 diffuses the heat generated by the electronic component 12 mounted in the mounting area 5 and conducts it to, for example, the back surface side of the heat sink 6, and radiates it to the air or to another cooling body.
  • the heat sink 6 be as thick as the first portion 61.
  • the bondability with the frame 7 is taken into consideration, it is better for the second portion 62 to be thinner as it can suppress warpage and the like.
  • the first portion 61 and the second portion 62 having different thicknesses are combined in consideration of both the heat dissipation property and the bonding property.
  • the heat sink 6 is opposite to the surface 61b of the first portion 61 opposite to the surface 61a on which the mounting region 5 is located and the surface 62a of the second portion 62 on which the frame 7 is disposed. It is flush with the side surface 62b. That is, the back surface of the heat sink 6 has no step and is flat. Since the back surface of the heat sink 6 contacts another cooling body such as an aluminum casing to promote heat radiation, the back surface of the heat sink 6 is made flush to enlarge the contact area with the cooling body and radiate heat. Efficiency can be improved.
  • the crystal grain size in the heat sink thickness direction of the metal crystal of the second portion 62 is smaller than the crystal grain size in the heat sink thickness direction of the metal crystal of the first portion 61.
  • the smaller the grain size the higher the mechanical strength. That is, the strength of the second portion 62 having a smaller crystal grain size in the thickness direction of the heat sink is higher than that of the first portion 61.
  • by joining the frame 7 to the second portion 62 whose strength has been improved by paying attention to the crystal structure it is possible to improve the bonding strength between the heat sink 6 and the frame 7 which is an insulating member. it can.
  • the metal material constituting the heat sink 6 is a material excellent in thermal conductivity, for example, a metal material such as copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au) or an alloy of these. be able to.
  • a metal material such as copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au) or an alloy of these. be able to.
  • copper is used in consideration of thermal conductivity, processability, cost and the like.
  • pure copper may be used, and various copper alloys containing copper as a main component may be used.
  • a measuring method of measuring the crystal grain size of the metal crystal is, for example, a method of directly measuring the crystal grain size from a cross-sectional image when cut parallel to the thickness direction, EBSD (Electron Back Scatter Diffraction pattern) Known methods such as methods can be used.
  • the cross-sectional image processes the cross section of the heat sink 6 using FIB (focused ion beam), and a SIM (scanning ion microscope) is used to acquire a SIM image as a cross-sectional image.
  • FIB focused ion beam
  • SIM scanning ion microscope
  • EBSD method acquires the reflection diffraction pattern obtained from the surface of a metal sample by SEM (scanning electron microscope), and can measure crystal orientation etc. from this pattern, crystal orientation map of metal surface (cross section), crystal Grain boundary maps, grain distribution maps, etc. can be obtained.
  • the crystal grain diameter in the heat sink thickness direction can be obtained in each portion. If the obtained crystal grain size is compared, the crystal grain size in the heat sink thickness direction of the metal crystal of the second portion 62 is smaller than the crystal grain size in the heat sink thickness direction of the metal crystal of the first portion 61 You can check that.
  • the crystal grain diameter in the heat sink thickness direction of the metal crystal of the second portion 62 is smaller than the crystal grain diameter in the heat sink thickness direction of the metal crystal of the first portion 61.
  • the crystal grain size in the heat sink thickness direction is r1 and the crystal grain size in the heat sink thickness direction of the second portion 62 is r2, it suffices to satisfy r2 ⁇ r1.
  • the crystal grain size r2 of the second portion 62 may be smaller than the crystal grain size r1 of the first portion 61.
  • the ratio (r2 / r1) of the crystal grain size r2 to the crystal grain size r1 is 0. It may be 05 to 0.5.
  • the crystal grain sizes r1 and r2 are calculated as follows.
  • the second portion 62 of the heat sink 6 made of a metal material and the frame 7 made of a ceramic material are bonded by a bonding material 8.
  • the bonding material 8 can be used as long as it can bond a metal material such as a brazing material and a ceramic material.
  • a silver based brazing material such as silver brazing or AgCuSn alloy brazing is used as the bonding material 8.
  • the silver of this brazing material diffuses into the copper of the heat sink 6 to form an Ag—Cu alloy.
  • the resulting Ag-Cu alloy has brittleness, and when the Ag-Cu alloy portion in the surface layer of the heat sink 6 spreads, peeling or fracture easily occurs in the alloy portion, resulting in a decrease in bonding strength. Become.
  • the rate of diffusion of other metal elements in the metal is faster at grain boundaries than in grains, and grain boundaries can be regarded as diffusion paths for other metal elements.
  • the second portion 62 of the heat sink 6 has a small crystal grain size in the thickness direction of the heat sink as described above, so the diffusion path is substantially elongated in the second portion 62, and the copper of the heat sink 6 is Diffusing silver tends to stay in shallower locations.
  • the spread of the Ag—Cu alloy portion in the second portion 62 can be suppressed, and a decrease in bonding strength can be suppressed.
  • the heat sink 6 should just form the 1st part 61 and the 2nd part 62 from which thickness differs by giving at least 1 processing of press processing and rolling processing.
  • metal processing methods such as punching, cutting, etching and polishing may be used in combination.
  • the copper plate may first be punched into the outer shape of the heat sink 6, and then the peripheral edge portion may be pressed or rolled to form the thin second portion 62.
  • the metal crystal in the second portion 62 is plastically deformed by partial pressing or rolling, and the crystal grain diameter of the second portion 62 in the thickness direction of the heat sink is equal to the heat sink thickness of the metal crystal in the first portion 61 It can be smaller than the crystal grain size in the direction.
  • a portion (rough surface portion) having a large surface roughness is formed on one side in the thickness direction on the outer peripheral end face.
  • the softened bonding material 8 flows outward by the rough surface when the frame 7 and the heat dissipation plate 6 are joined.
  • a meniscus is formed near the rough surface. The formation of the meniscus on the bonding material 8 improves the stress relaxation characteristics of the bonding material 8 and improves the bonding reliability between the frame 7 and the heat sink 6.
  • softened solder is present at the time of joining the heat sink 6 and another cooling body such as an aluminum housing.
  • the rough surface portion prevents outward flow and a meniscus is formed in the vicinity of the rough surface portion.
  • the formation of the meniscus in the solder improves the stress relaxation characteristics of the solder and improves the bonding reliability between the heat sink 6 and the cooling body.
  • Frame 7 is made of alumina (Al 2 O 3) sintered material, aluminum nitride (AlN) sintered material, mullite (3Al 2 O 3 ⁇ 2SiO 2 ) sintered material, ceramic material such as glass ceramics It is an insulating member, and is selected from the material which the thermal expansion coefficient of the heat sink 6 and a thermal expansion coefficient approximate.
  • the frame 7 is made of an alumina (Al 2 O 3 ) sintered body.
  • the frame 7 is made of, for example, an alumina sintered body, an organic binder and solvent suitable for raw material powders such as alumina, silicon oxide (SiO 2 ), magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), etc.
  • a plasticizer, dispersant, etc. to make a slurry.
  • a ceramic green sheet (ceramic green sheet) is formed from a slurry by adopting a doctor blade method or a calender roll method, and thereafter, the ceramic green sheet is appropriately punched and a plurality of ceramic green sheets are laminated. And firing at a temperature of about 1600.degree.
  • the lead terminals 9 are strip-like external connection terminals made of a metal such as copper, copper alloy, iron-nickel-cobalt, iron-nickel, etc., and extend in the longitudinal direction so as to extend outward of the frame 7. One end is joined to the frame 7.
  • the lead terminals 9 may be provided on the top surface of the frame 7 as in the present embodiment as long as they are electrically insulated from the heat sink 6 by the frame 7, or may penetrate through the frame 7. Good.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the electronic component mounting package of another embodiment.
  • the electronic component mounting package 1 ⁇ / b> A of the present embodiment further includes a lid 10.
  • a lid 10 In order to protect the electronic components to be mounted, by providing the lid 10, airtightness and water tightness in the package (a space surrounded by the frame 7, the heat sink 6 and the lid 10) are secured.
  • the material of the lid 10 is not particularly limited, and in addition to a ceramic material, a glass material, a resin material, and the like, these materials may be composited.
  • the lid 10 may have any shape as long as it is configured to store the electronic component in the package, and may be, for example, a flat plate-like member, and a member having a concave inner surface. It may be other shapes.
  • the lid 10 is joined to the upper surface of the frame 7.
  • the bonding material for bonding the lid 10 and the frame 7 may be appropriately selected according to the material of the lid 10.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the electronic device.
  • the electronic device 11 of the present embodiment is a connection for electrically connecting the electronic component mounting packages 1 and 1A, the electronic component 12 such as a semiconductor element mounted in the mounting region 5, and the electronic component 12 and the lead terminal 9. And a bonding wire 13 which is a member.
  • the electronic device 11 mounts the desired electronic component 12 in the mounting area 5 of the electronic component mounting package 1 or 1A described above, and the mounted electronic component 12 and the lead terminal 9 are bonded wires 13. Can be obtained by electrical connection. Furthermore, the electronic component 12 and the heat sink 6 may be electrically connected by the bonding wire 13.
  • the electronic device 11 may further fix the heat sink 6 to the surface of a cooling body such as an aluminum block.
  • the heat generated by the electronic component 12 may be transferred to the heat sink 6, and further transferred from the cooling body to the heat dissipation from the cooling body or to another cooling body.
  • a bonding material such as solder may be used to fix the heat sink 6 (electronic component mounting packages 1 and 1A) and the cooling body.
  • An electronic component mounting package was produced in the same configuration as that of the embodiment shown in FIGS.
  • the heat sink 6 prepares a 1 mm thick copper plate which has been stamped into a rectangular shape (20 mm long ⁇ 10 mm wide) in advance, and presses its outer periphery (width 2 mm) to a thickness of 0.2 mm to a thickness of 1 mm.
  • a central portion is a first portion 61, and an outer peripheral portion surrounding this is a second portion 62.
  • the frame 7 made of an alumina (Al 2 O 3 ) sintered body was bonded to the second portion 62 using a silver solder as the bonding material 8. Further, lead terminals 9 were joined to the frame 7 to obtain an electronic component mounting package.
  • FIG. 6A is a cross-sectional SIM image of a first portion of the heat sink
  • FIG. 6B is a cross-sectional SIM image of a second portion of the heat sink.
  • cross section processing conditions are set to 40 kV and 4 to 78 nA using a focused ion beam processing and observation apparatus (FB-2100 type manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), cross section observation conditions are 3000 times magnification Went as.
  • the crystal grain size in the heat sink thickness direction of the second portion 62 is smaller than the crystal grain size in the heat sink thickness direction of the first portion 61.
  • the ratio (r2 / r1) of the crystal grain size r2 to the crystal grain size r1 in this example was 0.21.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本発明は、信頼性が向上した電子部品搭載用パッケージおよび電子装置に関する。電子部品搭載用パッケージ１は、中央部に電子部品１２の搭載領域５を有する放熱板６と、その搭載領域５を取り囲むように、放熱板６上に配設された枠体７と、放熱板６と枠体７とを接合する接合材８と、枠体７の上面に設けられた、枠体７の外方に向かって延びるリード端子９とを含んでいる。放熱板６は、金属材料からなり、搭載領域５を含む第１部分６１と、第１部分６１よりも厚さが薄い第２部分６２とを有し、第２部分６２の金属結晶の放熱板厚さ方向の結晶粒径が、第１部分６１の金属結晶の放熱板厚さ方向の結晶粒径よりも小さい。

Description

電子部品搭載用パッケージおよび電子装置
　本発明は、電子部品を搭載するための電子部品搭載用パッケージおよびこれを用いた電子装置に関するものである。
　従来から、電子部品を搭載するための電子部品搭載用パッケージとして、金属材料からなり、上面に電子部品の搭載領域を有している放熱板と、その搭載領域を取り囲むように配置されている枠体とを含む電子部品搭載用パッケージが用いられている。
　このような電子部品搭載用パッケージにおいては、枠体と放熱板とを接合材によって接合している。特許文献１記載の半導体パッケージは、放熱板（フランジ）の中央を高くして高くなった部分の周りに枠体を配置している。
特表２００６－５１６３６１号公報
　本開示の電子部品搭載用パッケージは、放熱板と、絶縁部材と、接合材と、部接続端子と、を備える。放熱板は、電子部品が搭載される搭載領域を含む第１部分と、前記第１部分よりも厚さが薄い第２部分とを有しており、金属材料からなる。また放熱板は、その厚さ方向における、前記第２部分の金属結晶の結晶粒径が、前記第１部分の金属結晶の結晶粒径よりも小さい。絶縁部材は、前記放熱板の前記第２部分に配設された、セラミック材料からなる。接合材は、前記第２部分と前記絶縁部材とを接合する。外部接続端子は、前記絶縁部材によって前記放熱板と電気的に絶縁されている。
　本開示の電子装置は、上記の電子部品搭載用パッケージと、前記搭載領域に搭載された電子部品と、前記電子部品と前記外部接続端子とを電気的に接続する接続部材と、を備える。
　本発明の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
本実施形態の電子部品搭載用パッケージを上方から見た斜視図である。 電子部品搭載用パッケージを上方から見た分解斜視図である。 電子部品搭載用パッケージの断面図である。 他の実施形態の電子部品搭載用パッケージの断面図である。 電子装置の断面図である。 放熱板の第１部分の断面ＳＩＭ画像である。 放熱板の第２部分の断面ＳＩＭ画像である。
　以下、本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。図面において、電子部品搭載用パッケージおよび電子装置は、仮想のＸＹＺ空間内にあって、ＸＹ平面上に載置されている。また、本実施形態では、Ｚ軸方向を上下方向としている。
　図１は、本実施形態の電子部品搭載用パッケージを上方から見た斜視図である。図２は、電子部品搭載用パッケージを上方から見た分解斜視図である。図３は、電子部品搭載用パッケージの断面図である。本実施形態の電子部品搭載用パッケージ１は、中央部に電子部品１２の搭載領域５を有する放熱板６と、その搭載領域５を取り囲むように、放熱板６上に配設された枠状の絶縁部材（以下、「枠体」という）７と、放熱板６と枠体７とを接合する接合材８と、枠体７の上面に設けられた、枠体７の外方に向かって延びるリード端子９とを含んでいる。
　放熱板６は、金属材料からなり、搭載領域５を含む第１部分６１と、第１部分６１よりも厚さが薄い第２部分６２とを有している。放熱板６は、例えば、平面視して矩形状または円板状などであってもよく、矩形状であれば、一辺が５～５０ｍｍであればよく、円板状であれば、直径が５～５０ｍｍである。本実施形態では、放熱板６は、矩形状である。なお、第１部分６１の上下方向の厚みは、例えば０．５～２ｍｍである。第２部分６２の上下方向の厚みは、例えば０．１～０．５ｍｍである。放熱板６が、厚さの異なる２つの部分を有していればよく、例えば、矩形状の第１部分６１と矩形状の第２部分６２とが一辺を共有するように隣接して、段差を有する形状であってもよく、矩形状の第１部分６１とこれを挟んで両側に第２部分６２が隣接するような形状であってもよい。本実施形態では、第１部分６１は、矩形状で、放熱板６の中央に位置し、第２部分６２は、第１部分６１を外囲するように位置しており、放熱板６全体の外形も矩形状である。
　枠体７は、厚さが薄い第２部分６２に配設され、第１部分６１を取り囲んでいる。放熱板６は、搭載領域５に搭載される電子部品１２で発生した熱を拡散させ、例えば放熱板６の裏面側にまで伝導させて、空気中にまたはさらに別の冷却体へと放熱させる。放熱性、熱伝導性を考慮すれば、放熱板６は、第１部分６１のように厚さが厚いほうが良い。一方、枠体７との接合性を考慮すれば、第２部分６２のように厚さが薄いほうが、反りなどを抑制できるので良い。本実施形態の放熱板６は、放熱性と接合性の両者を考慮して、厚さが異なる第１部分６１と第２部分６２とを組合わせている。
　本実施形態では、放熱板６は、第１部分６１の、搭載領域５が位置する面６１ａとは反対側の面６１ｂと第２部分６２の枠体７が配設される面６２ａとは反対側の面６２ｂとが面一である。すなわち、放熱板６の裏面には段差が無く、平坦である。放熱板６の裏面は、アルミニウム筐体など別の冷却体などと接触して放熱を促進させるので、放熱板６の裏面を面一とすることにより、冷却体との接触面積を大きくして放熱効率を向上させることができる。
　本実施形態の放熱板６は、第２部分６２の金属結晶の放熱板厚さ方向の結晶粒径が、第１部分６１の金属結晶の放熱板厚さ方向の結晶粒径よりも小さい。金属材料においては、結晶粒径が小さいほど機械的強度が高い。すなわち、放熱板厚さ方向の結晶粒径が小さい第２部分６２のほうが、第１部分６１よりも強度が高い。本実施形態は、結晶構造に着目して強度が向上された第２部分６２に枠体７を接合することで、放熱板６と絶縁部材である枠体７との接合強度を向上させることができる。
　放熱板６を構成する金属材料は、熱伝導性に優れた材料、例えば銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），金（Ａｕ）等の金属材料またはこれらの合金などを使用することができる。本実施形態では、熱伝導性、加工性、コスト性などを考慮して銅を用いている。銅としては、純銅を用いてもよく、銅を主成分とする各種の銅合金を用いてもよい。
　放熱板６において、金属結晶の結晶粒径を測定する測定方法は、たとえば、厚さ方向に平行に切断したときの断面画像から結晶粒径を直接測定する方法、ＥＢＳＤ（Electron Back Scatter Diffraction pattern）法などの公知の方法を用いることができる。断面画像は、ＦＩＢ（集束イオンビーム）を用いて放熱板６の断面加工を行い、ＳＩＭ（走査イオン顕微鏡）を用いて断面画像としてＳＩＭ画像を取得する。取得したＳＩＭ画像では、異なる結晶配向が可視化されるので、結晶粒を確認することができ、画像処理などによって放熱板厚さ方向の結晶粒径が得られる。またＥＢＳＤ法は、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）によって金属試料の表面から得られる反射回折パターンを取得し、このパターンから結晶方位などを測定することができ、金属表面（断面）の結晶方位マップ、結晶粒界マップ、結晶粒分布マップなどが得られる。放熱板６の第１部分６１および第２部分６２それぞれにおいて、厚さ方向に平行な切断面を測定すれば、それぞれの部分における放熱板厚さ方向の結晶粒径が得られる。得られた結晶粒径を比較すれば、第２部分６２の金属結晶の放熱板厚さ方向の結晶粒径が、第１部分６１の金属結晶の放熱板厚さ方向の結晶粒径よりも小さいことを確認することができる。
　ここで、第２部分６２の金属結晶の放熱板厚さ方向の結晶粒径が、第１部分６１の金属結晶の放熱板厚さ方向の結晶粒径よりも小さいとは、第１部分６１の放熱板厚さ方向の結晶粒径をｒ１とし、第２部分６２の放熱板厚さ方向の結晶粒径をｒ２としたとき、ｒ２＜ｒ１であればよい。また、第２部分６２の結晶粒径ｒ２が、第１部分６１の結晶粒径ｒ１よりも小さければよく、例えば、結晶粒径ｒ１に対する結晶粒径ｒ２の比率（ｒ２／ｒ１）が、０．０５～０．５であればよい。なお、結晶粒径ｒ１、ｒ２は、次のように算出する。上記の測定方法によって、一つの断面領域（縦５０μｍ×横５０μｍ）において、放熱板厚さ方向の結晶粒径（断面画像における厚さ方向の最大長さ）を２０個測定し、その算術平均値を求め、一断面あたりの平均粒径とする。５個の断面領域において同様に、一断面あたりの平均粒径を算出し、さらにこれらの算術平均値を求める。これを第１部分６１と第２部分６２とでそれぞれ行い、結晶粒径ｒ１、ｒ２とする。
　金属材料からなる放熱板６の第２部分６２と、セラミック材料からなる枠体７とは、接合材８によって接合される。接合材８は、ろう材など金属材料とセラミック材料とを接合できるものであれば、用いることができる。また、例えば放熱板６が、銅からなる場合は、接合材８には、銀ろう、ＡｇＣｕＳｎ合金ろうなどの銀系のろう材が用いられる。このろう材の銀は、放熱板６の銅中に拡散して、Ａｇ－Ｃｕ合金が生じる。生じたＡｇ－Ｃｕ合金は、脆弱性を有しており、放熱板６表層におけるＡｇ－Ｃｕ合金部分が広がると合金部分で容易に剥離や断裂などが発生し、接合強度の低下を招くことになる。
　金属中の他金属元素の拡散速度は、結晶粒内よりも結晶粒界のほうが速く、結晶粒界を他金属元素の拡散経路とみなすことができる。放熱板６の第２部分６２は、上記のように放熱板厚さ方向の結晶粒径が小さいので、第２部分６２では、実質的に拡散経路が長くなっており、放熱板６の銅中に拡散する銀は、より浅い位置で留まり易くなる。このように第２部分６２でのＡｇ－Ｃｕ合金部分の広がりが抑えられ、接合強度の低下を抑制することができる。
　放熱板６は、プレス加工および圧延加工のうち少なくとも１つの加工を施すことによって、厚さの異なる第１部分６１と第２部分６２を形成すればよい。また、打ち抜き加工、切削加工、エッチング加工および研磨加工等の金属加工法を併用してもよい。例えば、まず銅板を放熱板６の外形形状に打ち抜き、その後周縁部をプレスまたは圧延して、厚さの薄い第２部分６２を形成すればよい。部分的なプレス加工または圧延加工により、第２部分６２における金属結晶を塑性変形させて、第２部分６２の放熱板厚さ方向の結晶粒径を第１部分６１における金属結晶の放熱板厚さ方向の結晶粒径よりも小さくすることができる。
　打ち抜き後には、外周端面において、厚み方向一方側に表面粗さの大きい部分（粗面部分）が生じる。第２部分６２の枠体７が配設される面６２ａ側に粗面部分がある場合、枠体７と放熱板６との接合時に、軟化した接合材８が粗面部分によって外方へ流れ出すことが抑制され粗面部分付近にメニスカスが形成される。接合材８にメニスカスが形成されることで、接合材８の応力緩和特性が向上し、枠体７と放熱板６との接合信頼性が向上する。第２部分６２の枠体７が配設される面６２ａと反対側の面６２ｂに粗面部分がある場合、放熱板６とアルミニウム筐体など別の冷却体との接合時に、軟化したはんだが粗面部分によって外方へ流れ出すことが抑制され粗面部分付近にメニスカスが形成される。はんだにメニスカスが形成されることで、はんだの応力緩和特性が向上し、放熱板６と冷却体との接合信頼性が向上する。
　枠体７は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体，ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミック材料から成る絶縁部材であり、放熱板６の熱膨張係数と熱膨張係数が近似する材料から選ばれる。本実施形態では、枠体７はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体から成っている。
　枠体７は、例えば、アルミナ質焼結体から成る場合であれば、アルミナ，酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤，可塑剤，分散剤等を混合添加して泥漿状となす。泥漿からドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる後に、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに、このセラミックグリーンシートを複数枚積層し、約１６００℃の温度で焼成することによって作製される。
　リード端子９は、銅，銅合金，鉄－ニッケル－コバルト，鉄－ニッケル等の金属から成る短冊状の外部接続端子であり、枠体７の外方に向かって延びるように、その長手方向の一端部が枠体７に接合される。リード端子９は、枠体７によって放熱板６と電気的に絶縁されていればよく、本実施形態のように枠体７の上面に設けてもよいし、枠体７を貫通していてもよい。
　図４は、他の実施形態の電子部品搭載用パッケージの断面図である。本実施形態の電子部品搭載用パッケージ１Ａは、さらに蓋体１０を備えている。搭載しようとする電子部品を保護するために、蓋体１０を備えることで、パッケージ内（枠体７と放熱板６と蓋体１０とで囲まれる空間）の気密性、水密性を確保することができる。蓋体１０の材料は、特に限定されず、セラミック材料、ガラス材料または樹脂材料などの他、これらの材料を複合させてもよい。
　蓋体１０は、電子部品をパッケージ内に収納できるように構成されていれば、どのような形状であってもよく、たとえば、平坦な板状の部材であってもよく、内面が凹状の部材であってもよく、その他の形状であってもよい。蓋体１０は、枠体７の上面に接合される。蓋体１０と枠体７とを接合する接合材は、蓋体１０の材料に応じて適宜選択すればよい。
　図５は、電子装置の断面図である。本実施形態の電子装置１１は、電子部品搭載用パッケージ１，１Ａと、搭載領域５に搭載された半導体素子等の電子部品１２と、電子部品１２とリード端子９とを電気的に接続する接続部材であるボンディングワイヤ１３とを備える。
　本実施形態の電子装置１１は、上記の電子部品搭載用パッケージ１，１Ａにおける搭載領域５に、所望の電子部品１２を搭載し、搭載された電子部品１２とリード端子９とを、ボンディングワイヤ１３によって電気的に接続することにより得られる。さらに、ボンディングワイヤ１３によって、電子部品１２と放熱板６とが電気的に接続された構成であってもよい。
　電子装置１１は、さらに、放熱板６をアルミニウムブロックなどの冷却体表面に固定してもよい。電子部品１２で発生した熱は、放熱板６を伝熱し、さらに冷却体を伝熱して冷却体から放熱またはさらに他の冷却体に伝熱させてもよい。放熱板６（電子部品搭載用パッケージ１，１Ａ）と、冷却体との固定は、前述のようにはんだなどの接合材を用いればよい。
（実施例）
　図１～３に示す実施形態と同様の構成で電子部品搭載用パッケージを作製した。放熱板６は、予め矩形状（縦２０ｍｍ×横１０ｍｍ）に打ち抜き加工した厚さ１ｍｍの銅板を準備し、その外周（幅２ｍｍ）を厚さ０．２ｍｍにプレス加工して、厚さ１ｍｍの中央部分を第１部分６１とし、これを外囲する外周部分を第２部分６２とした。第２部分６２に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体から成る枠体７を、接合材８として銀ろうを用いて接合した。さらに、枠体７にリード端子９を接合して電子部品搭載用パッケージを得た。
　放熱板６の第１部分６１および第２部分６２のそれぞれについて、ＦＩＢを用いて断面加工し、ＳＩＭ画像を得た。図６Ａは、放熱板の第１部分の断面ＳＩＭ画像であり、図６Ｂは、放熱板の第２部分の断面ＳＩＭ画像である。断面加工およびＳＩＭ画像の取得は、集束イオンビーム加工観察装置（株式会社日立ハイテクノロジーズ製　ＦＢ－２１００型）を用いて、断面加工条件を４０ｋＶ、４～７８ｎＡとし、断面観察条件を、倍率３０００倍として行った。
　得られたＳＩＭ画像からわかるように、第２部分６２の放熱板厚さ方向における結晶粒径は、第１部分６１の放熱板厚さ方向における結晶粒径よりも小さい。本実施例における結晶粒径ｒ１に対する結晶粒径ｒ２の比率（ｒ２／ｒ１）は、０．２１であった。
　本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本発明の範囲内のものである。
　１，１Ａ　電子部品搭載用パッケージ
　５　　　搭載領域
　６　　　放熱板
　７　　　枠体
　８　　　接合材
　９　　　リード端子
　１０　　蓋体
　１１　　電子装置
　１２　　電子部品
　１３　　ボンディングワイヤ
　６１　　第１部分
　６２　　第２部分

Claims (6)

  1. 　電子部品が搭載される搭載領域を含む第１部分と、前記第１部分よりも厚さが薄い第２部分とを有する、金属材料からなる放熱板であって、放熱板厚さ方向における、前記第２部分の金属結晶の結晶粒径が、前記第１部分の金属結晶の結晶粒径よりも小さい放熱板と、
    　前記放熱板の前記第２部分に配設された、セラミック材料からなる絶縁部材と、
    　前記第２部分と前記絶縁部材とを接合する接合材と、
    　前記絶縁部材によって前記放熱板と電気的に絶縁された外部接続端子と、を備える電子部品搭載用パッケージ。
  2. 　前記放熱板は、前記第１部分の、前記搭載領域が位置する面とは反対側の面と前記第２部分の前記絶縁部材が配設された面とは反対側の面とが面一である、請求項１に記載の電子部品搭載用パッケージ。
  3. 　前記金属材料が、銅である、請求項１または２に記載の電子部品搭載用パッケージ。
  4. 　前記第１部分は、前記放熱板の中央に位置し、前記第２部分は、前記第１部分を外囲するように位置し、
    　前記絶縁部材は、枠状である、請求項１～３のいずれか１つに記載の電子部品搭載用パッケージ。
  5. 　枠状の前記絶縁部材を覆う蓋部材をさらに備える、請求項４に記載の電子部品搭載用パッケージ。
  6. 　請求項１～５のいずれか１つに記載の電子部品搭載用パッケージと、
    　前記搭載領域に搭載された電子部品と、
    　前記電子部品と前記外部接続端子とを電気的に接続する接続部材と、を備える電子装置。
PCT/JP2018/029486 2017-08-25 2018-08-06 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置 WO2019039258A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18847430.8A EP3675161A4 (en) 2017-08-25 2018-08-06 HOUSING FOR ASSEMBLING ELECTRONIC COMPONENTS AND ELECTRONIC DEVICE
US16/641,499 US20210134687A1 (en) 2017-08-25 2018-08-06 Electronic component mounting package and electronic device
JP2019538047A JPWO2019039258A1 (ja) 2017-08-25 2018-08-06 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-162838 2017-08-25
JP2017162838 2017-08-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019039258A1 true WO2019039258A1 (ja) 2019-02-28

Family

ID=65438703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/029486 WO2019039258A1 (ja) 2017-08-25 2018-08-06 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210134687A1 (ja)
EP (1) EP3675161A4 (ja)
JP (1) JPWO2019039258A1 (ja)
WO (1) WO2019039258A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110161726A (zh) * 2019-05-15 2019-08-23 上海硅酸盐研究所中试基地 一种桥式晶体散热块

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7444814B2 (ja) * 2021-04-27 2024-03-06 Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 パッケージ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6450438U (ja) * 1987-09-24 1989-03-29
JP2005276985A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置用放熱板の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3493833B2 (ja) * 1995-10-09 2004-02-03 住友電気工業株式会社 半導体素子搭載用プラスチックパッケージおよびその製造方法
JP2001168250A (ja) * 1999-12-10 2001-06-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体用絶縁基板およびそれを用いた半導体装置並びに該基板の製造方法
TW461064B (en) * 2000-12-26 2001-10-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Thin-type semiconductor device having heat sink structure
JP2004235262A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP2006041287A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Kyocera Corp 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2009277794A (ja) * 2008-05-13 2009-11-26 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 半導体素子収納用パッケージ
JP5271886B2 (ja) * 2009-12-08 2013-08-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6450438U (ja) * 1987-09-24 1989-03-29
JP2005276985A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置用放熱板の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3675161A4

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110161726A (zh) * 2019-05-15 2019-08-23 上海硅酸盐研究所中试基地 一种桥式晶体散热块
CN110161726B (zh) * 2019-05-15 2022-07-12 上海硅酸盐研究所中试基地 一种桥式晶体散热块

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019039258A1 (ja) 2020-09-17
US20210134687A1 (en) 2021-05-06
EP3675161A1 (en) 2020-07-01
EP3675161A4 (en) 2021-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8242387B2 (en) Electronic component storing package and electronic apparatus
WO2019039258A1 (ja) 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置
JP7008239B2 (ja) 絶縁回路基板及びその製造方法
CN109075159A (zh) 半导体装置及其制造方法
JP7008236B2 (ja) パワーモジュール用基板及びその製造方法
JP4227610B2 (ja) 放熱基体の製造方法
JP7067114B2 (ja) 絶縁回路基板及びその製造方法
US11195776B2 (en) Power module substrate and power module
JP6983119B2 (ja) 放熱板、半導体パッケージおよび半導体装置
JP4459031B2 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2004288949A (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
US10943854B2 (en) Semiconductor package and semiconductor apparatus for use with high-frequency signals and improved heat dissipation
JP2003068954A (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP7145054B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JPH0547953A (ja) 半導体装置用パツケージ
JP2008159975A (ja) 半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法
JP2000077583A (ja) 電子部品用パッケージおよびその製造方法
JP2004221328A (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
WO2018216412A1 (ja) パワーモジュール用基板およびパワーモジュール
JP2004221478A (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP2006041287A (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2012221971A (ja) 放熱板及びこれを用いる高放熱型半導体素子収納用パッケージ
JP2004363520A (ja) 高周波用パッケージ及びその製造方法
JP2019041086A (ja) 半導体パッケージおよび半導体装置
JP2005340560A (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18847430

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019538047

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018847430

Country of ref document: EP

Effective date: 20200325