WO2019026656A1

WO2019026656A1 - 回路装置、及び温度検出システム

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Publication number: WO2019026656A1
Application number: PCT/JP2018/027413
Authority: WO
Inventors: 慎也中野; 善隆石川; 賢二小泉; 力大森; 森本　直久
Original assignee: 三洋電機株式会社; パナソニック株式会社
Priority date: 2017-08-04
Filing date: 2018-07-23
Publication date: 2019-02-07
Also published as: JPWO2019026656A1; JP7186703B2; CN110998264A; US20210126333A1; US11592340B2; CN110998264B

Abstract

温度検出素子（Ｔ１）のノイズ耐性を低コストで簡単に高めるために、対象物（２）の温度を検出するための温度検出素子（Ｔ１）と、外部信号線（２０ｓ）と外部信号グランド線（２０ｓｇ）を介して接続される回路装置（１０）は、外部信号線（２０ｓ）と外部信号グランド線（２０ｓｇ）が接続されるコネクタ（１３）と、コネクタ（１３）を介して外部信号線（２０ｓ）に接続される内部信号線（１２ｓ）と、コネクタ（１３）を介して外部信号グランド線（２０ｓｇ）に接続される内部信号グランド線（１２ｓｇ）と、内部信号線（１２ｓ）と内部信号グランド線（１２ｓｇ）に接続され、対象物（２）の温度を検出する制御回路（１１）と、コネクタ（１３）から見て、内部信号線（１２ｓ）の最前段および内部信号グランド線（１２ｓｇ）の最前段の少なくとも一方に挿入される高周波フィルタ（Ｂ１、Ｂ２）とを備える。

Description

回路装置、及び温度検出システム

　本発明は、対象物の温度を検出するための回路装置、及び温度検出システムに関する。

　対象物の温度を検出する際、サーミスタを使用することが多い。サーミスタ素子は対象物の表面または近傍に設置され、ワイヤーハーネスを介して回路基板に接続される。例えば対象物が電池の場合、サーミスタで検出される温度は、高温異常または低温異常の検出に使用されるだけでなく、ＳＯＣ（State Of Charge)、ＳＯＨ（State Of Health)または内部抵抗算出時の温度補正にも使用される。従って、サーミスタの検出値には高い精度が要求される。サーミスタの検出精度を向上させるにはノイズ耐性を高めることが重要となる。

　ノイズ耐性を測定するためにＥＭＣ（Electro-Magnetic Compatibility）試験が行われる。ＥＭＣ試験では、試験品に外部から強力なノイズ（一般的には、シャーシグランドを基準としたコモンモードノイズ）が印加され、サーミスタの検出値が変動するか試験される。サーミスタの検出値が変動した場合において、サーミスタを固定抵抗に付け替えると検出値の変動が収まる場合がある。この場合、基板側の検出回路がノイズによって誤検知しているのではなく、サーミスタ側にノイズが侵入し、サーミスタの抵抗値が下がることで検出値の変動が生じていることになる。サーミスタは高周波電流が流れると発熱し、抵抗値が下がる特性を持つ。外部から印加されたノイズに起因する高周波電流がサーミスタ素子に流れ込むと、サーミスタ素子が発熱し、サーミスタ素子の抵抗値が下がる。

　サーミスタのノイズ対策として、サーミスタ素子の直近にノイズフィルタを設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、量産されているサーミスタの電装品内部に部品を追加したり、ワイヤーハーネスの途中に部品を設けるのはコスト増を招く。

特開２００９－８４３１号公報

　上述したサーミスタの検出値の変動問題に関して、これまで回路基板の外に不具合箇所があることから、基板内の対策では改善できないと考えられてきた。これまでの対策は、サーミスタ素子に接続されるハーネスの引き回しを変え、ハーネスのアンテナ特性を調整するというものが中心であった。この方法は試行錯誤の連続となることが多く、対策期間の長期化の原因となっていた。

　また、ハーネスのアンテナ特性の調整ができない場合は、ハーネスにフェライトコア等の高価な外付け部品を使う必要があり、大きなコスト増の原因となっていた。また、サーミスタハーネスの引き回しを変更するには、システムを一度分解し、引き回しを変更する必要があり、評価を行うだけでも非常に時間がかかっていた。また、検証した効果も、ハーネスの引き回しによるもののため、製造ばらつきによって影響を受け、試作終盤に不具合を再発させるリスクがあった。なお、以上の議論はサーミスタの代わりに、熱電対などの他の温度検出素子を使用する場合にも当てはまる。

　本発明はこうした状況に鑑みなされたものであり、その目的は、温度検出素子のノイズ耐性を低コストで簡単に高めることができる技術を提供することにある。

　上記課題を解決するために、本発明のある態様の回路装置は、対象物の温度を検出するための温度検出素子と、外部信号線と外部信号グランド線を介して接続される回路装置であって、前記外部信号線と前記外部信号グランド線が接続されるコネクタと、前記コネクタを介して前記外部信号線に接続される内部信号線と、前記コネクタを介して前記外部信号グランド線に接続される内部信号グランド線と、前記内部信号線と前記内部信号グランド線に接続され、前記対象物の温度を検出する制御回路と、前記コネクタから見て、前記内部信号線の最前段および前記内部信号グランド線の最前段の少なくとも一方に挿入される高周波フィルタと、を備える。

　なお、以上の構成要素の任意の組み合わせ、本発明の表現を方法、装置、システムなどの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。

　本発明によれば、温度検出素子のノイズ耐性を低コストで簡単に高めることができる。

本発明の実施の形態に係る温度検出システムの構成を示す図である。図２（ａ）、（ｂ）は、回路装置の内部信号線と内部信号グランド線間の電気力線と、外部信号線と外部信号グランド線間の電気力線を模式的に描いた図である。図３（ａ）、（ｂ）は、コモンモードノイズがノーマルモードノイズに変換される原理を説明するための図である。本発明の変形例１に係る温度検出システムの構成を示す図である。本発明の変形例２に係る温度検出システムの構成を示す図である。本発明の変形例３に係る温度検出システムの構成を示す図である。本発明の変形例４に係る温度検出システムの構成を示す図である。本発明の変形例５に係る温度検出システムの構成を示す図である。

　図１は、本発明の実施の形態に係る温度検出システム１の構成を示す図である。温度検出システム１は、回路装置１０とサーミスタ素子Ｔ１を備え、対象物２の温度を検出するためのシステムである。サーミスタ素子Ｔ１は、対象物２の表面または近傍に設置される。対象物２は本実施の形態では、車両に搭載される駆動用電池（トラクションバッテリ）を想定する。駆動用電池は、複数の電池セルが直列または直並列接続されて構成される。電池セルには、リチウムイオン電池やニッケル水素電池を使用することができる。

　サーミスタ素子Ｔ１と回路装置１０は、外部信号線２０ｓと外部信号グランド線２０ｓｇを介して接続される。外部信号線２０ｓと外部信号グランド線２０ｓｇはワイヤーハーネスで構成される。当該ワイヤーハーネスの一端はサーミスタ素子Ｔ１の両端に接続され、当該ワイヤーハーネスの他端は回路装置１０のコネクタ１３に接続される。当該ワイヤーハーネスの他端にはオス型のコネクタが装着されており、回路装置１０のメス型のコネクタ１３に嵌合されて接続される。

　駆動用電池、サーミスタ素子Ｔ１、外部信号線２０ｓ、外部信号グランド線２０ｓｇ、及び回路装置１０は、外装ボックスにそれぞれ絶縁された状態で収納される。外装ボックスは、金属などの導電性の筐体で構成されており、車両内の所定の箇所に固定される。当該導電性の筐体がシャーシグランド３０ｇになっている。

　回路装置１０は、基板上に種々の電子部品を搭載した電子回路である。本実施の形態では、回路装置１０の電源は、車両内の補機バッテリから供給される。一般的に補機バッテリには、１２Ｖ出力の鉛電池が使用される。回路装置１０はマイクロコントローラ１１を備える。マイクロコントローラ１１の電源端子には、補機バッテリから供給される電圧（例えば、１２Ｖ）をレギュレータ（不図示）で降圧した制御電源電圧（例えば、３～５Ｖ）が印加される。

　マイクロコントローラ１１のアナログ入力ポートと、コネクタ１３の外部信号線２０ｓが接続された端子との間が内部信号線１２ｓで接続される。内部信号線１２ｓは、ストリップライン又はマイクロストリップラインで構成される。マイクロコントローラ１１のグランド端子と、コネクタ１３の外部信号グランド線２０ｓｇが接続された端子との間が内部信号グランド線１２ｓｇで接続される。内部信号グランド線１２ｓｇは、グランドプレーンで構成される。内部信号グランド線１２ｓｇは、補機バッテリのマイナス配線に接続され、基板のグランド電位になっている。

　内部信号線１２ｓは、第２抵抗Ｒ２を介して制御電源電圧にプルアップされている。マイクロコントローラ１１のアナログ入力ポートから見て最前段にローパスフィルタが接続される。具体的にはマイクロコントローラ１１のアナログ入力ポートに第１抵抗Ｒ１が接続され、当該アナログ入力ポートと内部信号グランド線１２ｓｇとの間に第１コンデンサＣ１が接続される。なお、上記実施形態では、マイクロコントローラ１１のアナログ入力ポートから見て最前段にローパスフィルタが接続される構成となっているが、ローパスフィルタは必ずしも設けなくてもよい。

　マイクロコントローラ１１から見て上記ローパスフィルタの次段に、π型フィルタが接続される。π型フィルタは、内部信号線１２ｓに挿入された第１インダクタＬ１の前後に、第２コンデンサＣ２と第３コンデンサＣ３を並列に接続した構成である。さらにπ型フィルタの次段に第４コンデンサＣ４を並列に接続して、ノイズの減衰効果を強化している。π型フィルタは入力側のインピーダンスと出力側のインピーダンスがともに高い場合に適したフィルタである。なお、上記実施形態では、マイクロコントローラ１１から見て上記ローパスフィルタの次段に、π型フィルタが接続される構成となっているが、π型フィルタは必ずしも設けなくてもよい。

　以下、第１チップビーズＢ１及び第２チップビーズＢ２が接続される前の状態を考える。上述のようにサーミスタ素子Ｔ１は、高周波電流が流れることにより発熱し、抵抗値が下がる特性を持つ。ＥＭＣ試験では、シャーシグランド３０ｇを基準としたコモンモードノイズが試験品に印加される。コモンモードノイズ自体はサーミスタ素子Ｔ１に電位差を与えないため、それ自体が問題を起こすことはない。ただし、基板とハーネス等、構造上の違いによって、特性インピーダンスが不連続となる箇所が生じた場合、コモンモードノイズがノーマルモードノイズに変換され、外部信号線２０ｓと外部信号グランド線２０ｓｇ間に電位差が発生し、高周波電流がサーミスタ素子Ｔ１に流れる。

　図２（ａ）、（ｂ）は、回路装置１０の内部信号線１２ｓと内部信号グランド線１２ｓｇ間の電気力線と、外部信号線２０ｓと外部信号グランド線２０ｓｇ間の電気力線を模式的に描いた図である。上述のように本実施の形態では、内部信号線１２ｓはストリップライン又はマイクロストリップラインで構成され、内部信号グランド線１２ｓｇはグランドプレーンで構成される。一方、外部信号線２０ｓ及び外部信号グランド線２０ｓｇは、平行２線またはツイスト線のワイヤーハーネスで構成される。このように基板の内と外で配線の物理的な構造が異なる。即ち、配線間の金属的な結合状態が異なる。従って、内部信号線１２ｓと内部信号グランド線１２ｓｇ間の特性インピーダンスＺ１と、外部信号線２０ｓと外部信号グランド線２０ｓｇ間の特性インピーダンスＺ２にも差異が生じる。

　図３（ａ）、（ｂ）は、コモンモードノイズがノーマルモードノイズに変換される原理を説明するための図である。図３（ａ）に示すように、内部信号線１２ｓとシャーシグランド３０ｇ間のノイズＶＣ１と、内部信号グランド線１２ｓｇとシャーシグランド３０ｇ間のノイズＶＣ２は本来、コモンモードノイズになり、サーミスタ素子Ｔ１の検出信号に影響を与えないはずである。

　しかしながら上記配線構造の違いにより、コネクタ１３の近傍で、内部信号線１２ｓと内部信号グランド線１２ｓｇ間の特性インピーダンスＺ１と、外部信号線２０ｓと外部信号グランド線２０ｓｇ間の特性インピーダンスＺ２に差異が発生する。これにより図３（ｂ）に示すように、コモンモードノイズ（ＶＣ１、ＶＣ２）がノーマルモードノイズ（ＶＮ）に変換される。このノーマルモードノイズ（ＶＮ）により、サーミスタ素子Ｔ１に高周波電流が流れ、サーミスタ素子Ｔ１が自己発熱し、抵抗値が下がる。これによりサーミスタ素子Ｔ１の両端電圧が低下し、検出値に誤差が発生する。

　上記図１では、ノーマルモードノイズ（ＶＮ）による高周波電流がサーミスタ素子Ｔ１に流れ込むことを抑制するため、コネクタ１３から見て、内部信号線１２ｓの最前段および内部信号グランド線１２ｓｇの最前段にそれぞれ、第１チップビーズＢ１および第２チップビーズＢ２を挿入している。チップビーズ（フェライトビーズ）は、インダクタと抵抗の性質を合わせ持つ素子であり、低周波領域ではインダクタ特性が強くなり、高周波領域では抵抗特性が強くなる。従って、直流成分および低周波成分を減衰させずに高周波ノイズを除去することができる。

　第１チップビーズＢ１および第２チップビーズＢ２は、コネクタ１３の近傍に配置されることが好ましい。コモンモードノイズからノーマルモードノイズへの変換はコネクタ１３の近傍で発生するため、チップビーズＢ１、Ｂ２をコネクタ１３に近い位置に配置するほど、ノイズ低減効果が大きくなる。また、第１チップビーズＢ１および第２チップビーズＢ２には、広帯域タイプのビーズを使用することが好ましい。幅広い周波数を試験するＥＭＣ試験では、広帯域タイプのビーズを使った方が広い周波数帯域で安定したノイズ低減効果を得ることができる。

　なお、上記実施形態では、内部信号線１２ｓの構成として、ストリップライン又はマイクロストリップラインを例示しているが、必ずしもこの構成に限る必要はない。内部信号線１２ｓと内部信号グランド線１２ｓｇ間の特性インピーダンスの差異が生じるような構成であれば、内部信号線１２ｓの最前段および内部信号グランド線１２ｓｇの最前段にそれぞれ、第１チップビーズＢ１および第２チップビーズＢ２を挿入することで、ノイズ低減効果を得ることができる。

　図４は、本発明の変形例１に係る温度検出システム１の構成を示す図である。図１に示した回路構成では内部信号線１２ｓと内部信号グランド線１２ｓｇの両方に、第１チップビーズＢ１及び第２チップビーズＢ２を挿入する例を説明した。この点、片方だけに挿入した場合でも、一定の効果が得られる。図４では内部信号線１２ｓ側だけにチップビーズＢ１を挿入する例を示しているが、内部信号グランド線１２ｓｇ側だけにチップビーズＢ２を挿入してもよい。どちら側に挿入しても、図３（ｂ）に示したような、コネクタ１３の近傍で発生するノイズ電流がサーミスタ素子Ｔ１に流れ込むことを抑制する効果が得られる。

　図５は、本発明の変形例２に係る温度検出システム１の構成を示す図である。図６は、本発明の変形例３に係る温度検出システム１の構成を示す図である。図１、図４に示した回路構成では、コネクタ１３の近傍で発生するノイズ電流を抑制する高周波フィルタとしてチップビーズを使用する例を説明した。この点、チップビーズの代わりにダンピング抵抗を使用してもよい。ダンピング抵抗は抵抗値が低い抵抗であり、電流を抑制する効果がある。ただし、チップビーズと異なり、直流成分および低周波成分の電流にも抑制効果が働く。

　図５では内部信号線１２ｓと内部信号グランド線１２ｓｇの両方に、第１ダンピング抵抗Ｒｄ１及び第２ダンピング抵抗Ｒｄ２をそれぞれ挿入している。図６では、内部信号線１２ｓ側だけにダンピング抵抗Ｒｄ１を挿入する例を示している。なお、内部信号グランド線１２ｓｇ側だけにダンピング抵抗Ｒｄ２を挿入してもよい。

　図７は、本発明の変形例４に係る温度検出システム１の構成を示す図である。変形例４では、回路装置１０内のコネクタ１３の近傍にチップビーズ又はダンピング抵抗を挿入する代わりに、サーミスタ素子Ｔ１と並列に第５コンデンサＣ５を接続する。第５コンデンサＣ５はサーミスタ素子Ｔ１内に封入される。第５コンデンサＣ５をサーミスタ素子Ｔ１側に追加することにより、コネクタ１３の近傍で発生するノイズ電流が第５コンデンサＣ５を介して、サーミスタ素子Ｔ１をバイパスすることができる。

　図８は、本発明の変形例５に係る温度検出システム１の構成を示す図である。変形例５では、回路装置１０内のコネクタ１３の近傍に第１チップビーズＢ１及び第２チップビーズＢ２を挿入しつつ、サーミスタ素子Ｔ１と並列に第５コンデンサＣ５を接続する。なお回路装置１０側の構成は、図４－図６に示した変形例１－３の構成であってもよい。

　以上説明したように本実施の形態によれば、コネクタ１３の近傍にチップビーズ又はダンピング抵抗を挿入することにより、サーミスタ素子Ｔ１のノイズ耐性を低コストで簡単に高めることができる。サーミスタ素子Ｔ１のノイズ対策としては、サーミスタ素子の両端子の直近にインダクタを設けることも考えられる（例えば、上記特許文献１参照）。しかしながら、量産されているサーミスタの電装品内部に部品を追加したり、ハーネスの途中に部品を設けるのはコスト増を招く。上記図１、図４－図６の構成では、基板内の追加部品のみで済むため、より安価にノイズ低減効果を得ることができる。

　また、サーミスタ素子の両端子の直近にインダクタを設ける構成では、電装品内部の実装エリアが小さい箇所に２個の部品を追加する必要がある。これに対して、上記図７、図８の構成では、１個のコンデンサの追加により同等の効果が得られるため、より安価にノイズ低減効果を得ることができる。

　以上、本発明を実施の形態をもとに説明した。実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。

　上述の実施の形態では回路装置１０において、マイクロコントローラ１１とコネクタ１３間にローパスフィルタとπ型フィルタを接続する例を説明した。この点、ローパスフィルタを省略することも可能である。またπ型フィルタの代わりに、ＬＣフィルタなどの他の種類のフィルタを接続してもよい。

　また上述の実施の形態では、対象物２として駆動用電池の温度を検出する例を想定したが、カーエアコンのコンプレッサ等、他の発熱源の温度検出にも適用可能である。またサーミスタの代わりに熱電対を使用してもよい。

　なお、実施の形態は、以下の項目によって特定されてもよい。

［項目１］
　対象物（２）の温度を検出するための温度検出素子（Ｔ１）と、外部信号線（２０ｓ）と外部信号グランド線（２０ｓｇ）を介して接続される回路装置（１０）であって、
　前記外部信号線（２０ｓ）と前記外部信号グランド線（２０ｓｇ）が接続されるコネクタ（１３）と、
　前記コネクタ（１３）を介して前記外部信号線（２０ｓ）に接続される内部信号線（１２ｓ）と、
　前記コネクタ（１３）を介して前記外部信号グランド線（２０ｓｇ）に接続される内部信号グランド線（１２ｓｇ）と、
　前記内部信号線（１２ｓ）と前記内部信号グランド線（１２ｓｇ）に接続され、前記対象物（２）の温度を検出する制御回路（１１）と、
　前記コネクタ（１３）から見て、前記内部信号線（１２ｓ）の最前段および前記内部信号グランド線（１２ｓｇ）の最前段の少なくとも一方に挿入される高周波フィルタ（Ｂ１ and/or Ｂ２）と、
　を備えることを特徴とする回路装置（１０）。
　これによれば、コネクタ（１３）の近傍で発生する高周波ノイズ電流を抑制することができる。
［項目２］
　前記高周波フィルタ（Ｂ１ and/or Ｂ２）は、前記コネクタ（１３）の近傍に配置されることを特徴とする項目１に記載の回路装置（１０）。
　これによれば、コネクタ（１３）の近傍でコモンモードノイズからノーマルモードノイズに変換されるノイズを効果的に抑制することができる。
［項目３］
　前記高周波フィルタ（Ｂ１ and/or Ｂ２）は、チップビーズ（Ｂ１ and/or Ｂ２）であることを特徴とする項目１または２に記載の回路装置（１０）。
　これによれば、直流成分および低周波成分を減衰させずに高周波ノイズを抑制することができる。
［項目４］
　前記高周波フィルタ（Ｒｄ１ and/or Ｒｄ２）は、ダンピング抵抗（Ｒｄ１ and/or Ｒｄ２）であることを特徴とする項目１または２に記載の回路装置（１０）。
　これによれば、より低コストで高周波ノイズを抑制することができる。
［項目５］
　前記外部信号線（２０ｓ）および前記外部信号グランド線（２０ｓｇ）は、ワイヤーハーネスで構成され、
　前記内部信号線（１２ｓ）は、ストリップライン又はマイクロストリップラインで構成され、
　前記内部信号グランド線（１２ｓｇ）は、グランドプレーンで構成される、
　ことを特徴とする項目１から４のいずれかに記載の回路装置（１０）。
　これによれば、回路装置（１０）と対象物（２）の配置を柔軟に調整できるとともに、基板の動作を安定化させることができる。
［項目６］
　対象物（２）の温度を検出するための温度検出素子（Ｔ１）と、
　前記温度検出素子（Ｔ１）の一端に接続される外部信号線（２０ｓ）と、
　前記温度検出素子（Ｔ１）の他端に接続される外部信号グランド線（２０ｓｇ）と、
　前記温度検出素子（Ｔ１）と、前記外部信号線（２０ｓ）と前記外部信号グランド線（２０ｓｇ）を介して接続される回路装置（１０）と、を備え、
　前記回路装置（１０）は、
　前記外部信号線（２０ｓ）と前記外部信号グランド線（２０ｓｇ）が接続されるコネクタ（１３）と、
　前記コネクタ（１３）を介して前記外部信号線（２０ｓ）に接続される内部信号線（１２ｓ）と、
　前記コネクタ（１３）を介して前記外部信号グランド線（２０ｓｇ）に接続される内部信号グランド線（１２ｓｇ）と、
　前記内部信号線（１２ｓ）と前記内部信号グランド線（１２ｓｇ）に接続され、前記対象物（２）の温度を検出する制御回路（１１）と、
　前記コネクタ（１３）から見て、前記内部信号線（１２ｓ）の最前段および前記内部信号グランド線（１２ｓｇ）の最前段の少なくとも一方に挿入される高周波フィルタ（Ｂ１ and/or Ｂ２）と、を含む、
　ことを特徴とする温度検出システム（１）。
　これによれば、コネクタ（１３）の近傍で発生する高周波ノイズ電流が抑制された、温度検出システム（１）を構築することができる。
［項目７］
　前記温度検出素子（Ｔ１）と並列接続されたコンデンサ（Ｃ５）をさらに備えることを特徴とする項目６に記載の温度検出システム（１）。
　これによれば、温度検出素子（Ｔ１）に侵入する高周波ノイズをコンデンサ（Ｃ５）でバイパスさせることができる。

　１　温度検出システム、　２　対象物、　Ｔ１　サーミスタ素子、　１０　回路装置、　１１　マイクロコントローラ、　１２ｓ　内部信号線、　１２ｓｇ　内部信号グランド線、　１３　コネクタ、　２０ｓ　外部信号線、　２０ｓｇ　外部信号グランド線、　３０ｇ　シャーシグランド、　Ｒ１　第１抵抗、　Ｒ２　第２抵抗、　Ｃ１　第１コンデンサ、　Ｃ２　第２コンデンサ、　Ｃ３　第３コンデンサ、　Ｃ４　第４コンデンサ、　Ｃ５　第５コンデンサ、　Ｌ１　第１インダクタ、　Ｂ１　第１チップビーズ、　Ｂ２　第２チップビーズ、　Ｒｄ１　第１ダンピング抵抗、　Ｒｄ２　第２ダンピング抵抗。

Claims

　対象物の温度を検出するための温度検出素子と、外部信号線と外部信号グランド線を介して接続される回路装置であって、
　前記外部信号線と前記外部信号グランド線が接続されるコネクタと、
　前記コネクタを介して前記外部信号線に接続される内部信号線と、
　前記コネクタを介して前記外部信号グランド線に接続される内部信号グランド線と、
　前記内部信号線と前記内部信号グランド線に接続され、前記対象物の温度を検出する制御回路と、
　前記コネクタから見て、前記内部信号線の最前段および前記内部信号グランド線の最前段の少なくとも一方に挿入される高周波フィルタと、
　を備えることを特徴とする回路装置。
　前記高周波フィルタは、前記コネクタの近傍に配置されることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
　前記高周波フィルタは、チップビーズであることを特徴とする請求項１または２に記載の回路装置。
　前記高周波フィルタは、ダンピング抵抗であることを特徴とする請求項１または２に記載の回路装置。
　前記外部信号線および前記外部信号グランド線は、ワイヤーハーネスで構成され、
　前記内部信号線は、ストリップライン又はマイクロストリップラインで構成され、
　前記内部信号グランド線は、グランドプレーンで構成される、
　ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の回路装置。
　対象物の温度を検出するための温度検出素子と、
　前記温度検出素子の一端に接続される外部信号線と、
　前記温度検出素子の他端に接続される外部信号グランド線と、
　前記温度検出素子と、前記外部信号線と前記外部信号グランド線を介して接続される回路装置と、を備え、
　前記回路装置は、
　前記外部信号線と前記外部信号グランド線が接続されるコネクタと、
　前記コネクタを介して前記外部信号線に接続される内部信号線と、
　前記コネクタを介して前記外部信号グランド線に接続される内部信号グランド線と、
　前記内部信号線と前記内部信号グランド線に接続され、前記対象物の温度を検出する制御回路と、
　前記コネクタから見て、前記内部信号線の最前段および前記内部信号グランド線の最前段の少なくとも一方に挿入される高周波フィルタと、を含む、
　ことを特徴とする温度検出システム。
　前記温度検出素子と並列接続されたコンデンサをさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の温度検出システム。