WO2018221575A1 - 下層膜形成用材料、レジスト下層膜、レジスト下層膜の製造方法および積層体 - Google Patents

下層膜形成用材料、レジスト下層膜、レジスト下層膜の製造方法および積層体 Download PDF

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井上　浩二
小田　隆志
啓介 川島
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三井化学株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a material for forming an underlayer film, a resist underlayer film, a method for producing a resist underlayer film, and a laminate.
  • a multilayer resist process is used to obtain a high degree of integration.
  • a resist underlayer film is first formed on a substrate using a material for forming an underlayer film, then a resist layer is formed on the upper surface side of the resist underlayer film, and a resist pattern is formed through baking and exposure. Form. Subsequently, a desired pattern can be obtained by transferring the resist pattern to the resist underlayer film by etching and transferring the resist underlayer film pattern to the substrate.
  • a substrate not only a flat substrate, but also a substrate having a concavo-convex structure in which a large circuit shape is preliminarily formed in order to form a more complicated circuit, a circuit shape having a large size size is further processed.
  • a multi-patterning method for forming a fine circuit has been introduced in the most advanced circuit formation process.
  • the embedding property in the concavo-convex portion of the substrate having a concavo-convex structure, the flatness of the surface on which the resist is applied, optical characteristics such as an appropriate refractive index and extinction coefficient, Characteristics such as good etching resistance are required.
  • a fine pattern is formed by multi-patterning by a multilayer resist method using a substrate having a plurality of types of trenches, particularly trenches having different aspect ratios, that is, a substrate having a finer concavo-convex structure.
  • the resist layer formed as the uppermost layer is required to have high flatness in order to accurately transfer the pattern on the reticle.
  • the thickness of the resist layer has been reduced in order to avoid pattern collapse in the resist development process, so that the resist layer is more strongly affected by the flatness of the lower layer film. It is becoming.
  • the resist underlayer film formed on the substrate having a surface structure that is generally difficult for the resin to penetrate as described above is required to have these trenches sufficiently buried and to have high flatness.
  • produce a volatile component (outgas) is preferable. According to the study by the present inventors, it has been found that it is difficult to realize a material that does not generate a volatile component while satisfying the flatness requirement in the conventional resist underlayer film forming material. .
  • a method of forming and combining a plurality of uneven layers is known.
  • a method of forming an intermediate layer on the lower layer film for the purpose of smoothing the uneven layer and further forming a new resist layer thereon can be exemplified.
  • the intermediate layer is formed by a spin coating method or the like, if the solvent is selected incorrectly, the lower layer film and the intermediate layer cause intermixing. It has also been found that the interfacial strength with the layer may decrease or the smoothness of the lower layer film may be lost.
  • the first invention of the present invention has been made in view of the above circumstances, and for forming an underlayer film that can realize a resist underlayer film that satisfies sufficient optical characteristics and etching resistance, has excellent flatness, and suppresses the amount of volatile matter generated.
  • the material is provided.
  • the first invention of the present invention is a substrate having a complicated shape, which is excellent in embedding in a concavo-convex structure, satisfies a sufficient optical property and etching resistance, has excellent flatness, and suppresses generation of volatile matter.
  • the present invention provides a material for forming an underlayer film that can be formed thereon.
  • the second invention of the present invention has been made in view of the above circumstances, and for forming an underlayer film capable of realizing a laminate having excellent adhesion and excellent flatness without causing intermixing between the intermediate layer and the resist underlayer film.
  • the material is provided.
  • the following material for forming an underlayer film, a resist underlayer film, a method for producing a resist underlayer film, and a laminate are provided.
  • An underlayer film forming material for forming a resist underlayer film used in a multilayer resist process A cyclic olefin polymer having a repeating structural unit [A] represented by the following general formula (1) and a repeating structural unit [B] represented by the following general formula (2): A material for forming an underlayer film, wherein a molar ratio [A] / [B] of the structural unit [A] to the structural unit [B] in the cyclic olefin polymer is 5/95 or more and 95/5 or less.
  • R 1 to R 4 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, carbon An aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms, an aryloxyalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a dialkylaminocarbonyl group having 3 to 10 carbon atoms An aryloxycarbonyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkylarylaminocarbonyl group having 8 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonylalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, an alkoxycarbonylaryl group having 8 to 30 carbon atoms, and 8 to 8 carbon atoms 20 aryloxycarbonylalkyl groups, alkoxyalkyloxycarbon
  • G ′ A material for forming an underlayer film having a temperature at which an intersection of a curve and a loss elastic modulus (G ′′) curve is 40 ° C. or more and 200 ° C. or less.
  • a lower layer film in which the amount of volatile components in the cyclic olefin polymer measured by the following method 1 is 0.0% by mass or more and 1.0% by mass or less when the total amount of the cyclic olefin polymer is 100% by mass.
  • Forming material. Method 1: Dissolving the above cyclic olefin polymer in tetrahydrofuran to prepare a solution having a solid content of 20% by mass, weighing the resulting solution in an aluminum pan, and then heating at 200 ° C.
  • the tetrahydrofuran is removed and then cooled to room temperature to solidify the cyclic olefin polymer, and the cyclic olefin polymer is heated at a temperature range of 30 to 300 ° C. and a heating rate of 10 ° C./min in a nitrogen atmosphere.
  • the amount of volatile components generated in the cyclic olefin polymer is calculated from the weight loss in the range of 100 to 250 ° C.) [6]
  • the material for lower layer film formation whose polystyrene conversion weight average molecular weight (Mw) of the said cyclic olefin polymer measured using a gel permeation chromatography is 1000-20000.
  • Method 2 A coat film made of the above cyclic olefin polymer having a thickness of 250 nm is formed on a silicon wafer, and the refractive index (n value) of the obtained coat film at a wavelength of 193 nm is expressed by the refractive index (n Value)) [8]
  • a refractive index (n value) at a wavelength of 193 nm of the material for forming an underlayer film measured by the following method 2 is 1.5 or more and 2.0 or less.
  • Method 2 A coat film having a thickness of 250 nm made of the material for forming the lower layer film is formed on a silicon wafer, and the refractive index (n value) at a wavelength of 193 nm of the obtained coat film is determined as described above for the material for forming the lower layer film. (Refractive index (n value)) [9]
  • the underlayer film forming material according to any one of [1] to [8] above A material for forming an underlayer film, wherein the extinction coefficient (k value) of the cyclic olefin polymer measured by the following method 3 is 0.0001 or more and 0.5 or less.
  • Method 3 A coat film made of the above cyclic olefin polymer having a thickness of 250 nm is formed on a silicon wafer, and the extinction coefficient (k value) of the obtained coat film is calculated as the extinction coefficient (k value) of the above cyclic olefin polymer. )) [10]
  • the material for forming an underlayer film, wherein the extinction coefficient (k value) of the material for forming an underlayer film measured by the following method 3 is 0.0001 or more and 0.5 or less.
  • Method 3 A coat film having a thickness of 250 nm made of the lower film forming material is formed on a silicon wafer, and the extinction coefficient (k value) of the obtained coat film is determined as the extinction coefficient of the lower film forming material.
  • Coefficient (k value) [11]
  • An underlayer film forming material for forming a resist underlayer film used in a multilayer resist process A membrane material comprising a cyclic olefin polymer; The cyclic olefin polymer itself can be dissolved in an organic solvent at a concentration of at least 0.01% by mass to 50% by mass, The underlayer film forming material characterized in that the film ratio of the cyclic olefin polymer measured by the following method 4 satisfies 50% or more and 100% or less.
  • Method 4 A coat film having a thickness ( ⁇ ) of 200 to 500 nm is formed on a silicon wafer, and the resulting coat film is then treated at 200 ° C. for 10 minutes.
  • An underlayer film forming material for forming a resist underlayer film used in a multilayer resist process Including a cyclic olefin polymer, A material for forming an underlayer film satisfying a remaining film ratio of the material for forming an underlayer film of 50% or more and 100% or less as measured by the following method 4.
  • the cyclic olefin polymer has a repeating structural unit [A] represented by the following general formula (1) and a repeating structural unit [B] represented by the following general formula (2).
  • R 1 to R 4 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, carbon An aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms, an aryloxyalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a dialkylaminocarbonyl group having 3 to 10 carbon atoms An aryloxycarbonyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkylarylaminocarbonyl group having 8 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonylalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, an alkoxycarbonylaryl group having 8 to 30 carbon atoms, and 8 to 8 carbon atoms 20 aryloxycarbonylalkyl groups, alkoxyalkyloxycarbon
  • Method 2 A coat film made of the above cyclic olefin polymer having a thickness of 250 nm is formed on a silicon wafer, and the refractive index (n value) of the obtained coat film at a wavelength of 193 nm is expressed by the refractive index (n Value)) [19]
  • a material for forming an underlayer film, wherein a refractive index (n value) at a wavelength of 193 nm of the material for forming an underlayer film measured by the following method 2 is 1.5 or more and 2.0 or less.
  • Method 2 A coat film having a thickness of 250 nm made of the material for forming the lower layer film is formed on a silicon wafer, and the refractive index (n value) at a wavelength of 193 nm of the obtained coat film is determined as described above for the material for forming the lower layer film.
  • Refractive index (n value) [20]
  • Method 3 A coat film made of the above cyclic olefin polymer having a thickness of 250 nm is formed on a silicon wafer, and the extinction coefficient (k value) of the obtained coat film is calculated as the extinction coefficient (k value) of the above cyclic olefin polymer. )) [21]
  • the material for forming an underlayer film according to any one of the above [14] to [19] The material for forming an underlayer film, wherein the extinction coefficient (k value) of the material for forming an underlayer film measured by the following method 3 is 0.0001 or more and 0.5 or less.
  • Method 3 A coat film having a thickness of 250 nm made of the lower film forming material is formed on a silicon wafer, and the extinction coefficient (k value) of the obtained coat film is determined as the extinction coefficient of the lower film forming material.
  • Coefficient (k value) [22]
  • a method for producing a resist underlayer film comprising a step of forming a coating film containing the material for forming an underlayer film according to any one of [1] to [24] on a substrate.
  • a method for forming a resist underlayer film further comprising a step of heating the coating film.
  • a laminate comprising: [29] In the laminate according to the above [28], A laminate in which the flatness ( ⁇ FT) calculated by the following formula on the surface ( ⁇ ) of the resist underlayer film opposite to the substrate is 0% or more and 5% or less.
  • the film thickness of the resist underlayer film is measured at any 10 positions on the surface ( ⁇ ) opposite to the substrate of the resist underlayer film, and the average value thereof is defined as Hav) [31]
  • the substrate has an uneven structure on at least one surface
  • the resist underlayer film is formed on the uneven structure
  • the concavo-convex structure has a height of 5 nm or more and 500 nm or less, and a laminate having an interval between convexities of 1 nm or more and 10 mm or less.
  • the first aspect of the present invention it is possible to provide an underlayer film forming material that can realize a resist underlayer film that satisfies sufficient optical characteristics and etching resistance, is excellent in flatness, and suppresses the generation amount of volatile matter. Further, since the material for forming the lower layer film of the first invention of the present invention is excellent in embeddability in the concavo-convex structure, according to the present invention, it is excellent in embedment in the concavo-convex structure, satisfying sufficient optical characteristics and etching resistance and flatness It is possible to form a resist underlayer film that is excellent in the amount of volatile matter and is suppressed on a substrate having a complicated shape. In addition, according to the second invention, it is possible to provide an underlayer film forming material capable of realizing a laminate having excellent adhesion and excellent flatness without causing intermixing between the intermediate layer and the resist underlayer film.
  • FIG. 3 is a diagram showing a storage elastic modulus (G ′) curve, a loss elastic modulus (G ′′) curve, and their intersections in the solid viscoelasticity measurement of the polymer 1 described in Example 1. It is a schematic diagram for demonstrating the thickness of the resist lower layer film in the laminated body of embodiment which concerns on this invention, the height of a concavo-convex structure, and the space
  • the underlayer film forming material according to the present embodiment is an underlayer film forming material for forming a resist underlayer film used in a multilayer resist process, and is a repeating structural unit represented by the following general formula (1) [A And a cyclic olefin polymer having a repeating structural unit [B] represented by the following general formula (2), the molar ratio of the structural unit [A] to the structural unit [B] in the cyclic olefin polymer [A] / [B] is 5/95 or more and 95/5 or less.
  • the material for forming a lower layer film according to the present embodiment is a material for forming a layer disposed between a resist layer and a substrate (preferably a substrate having an uneven structure) in a semiconductor device manufacturing process.
  • the layer disposed between the resist layer and the substrate is usually referred to as a resist underlayer film based on a resist layer made of a resist material that transfers a mask pattern by a photolithography process.
  • the surface of the substrate in contact with the resist underlayer film is, for example, a silica (SiO 2 ) film, a SiCN film, a SiOC film in which silica (SiO 2 ) is doped with carbon (C), a methylsiloxane organic film (SOG), a few A state in which a film is formed of a low dielectric material such as a silica insulating film in which minute pores of nm or less are uniformly distributed may be used.
  • the material for forming an underlayer film according to the present embodiment has a cyclic olefin polymer having a repeating structural unit [A] represented by the following general formula (1) and a repeating structural unit [B] represented by the following general formula (2)
  • A a repeating structural unit represented by the following general formula (1)
  • B a repeating structural unit represented by the following general formula (2)
  • the content of is preferably 50% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 70% by mass or more and 100% by mass or less, and more preferably 80% by mass when the entire lower layer film-forming material is 100% by mass. % To 100% by mass, more preferably 90% to 100% by mass. In the case of the cyclic olefin polymer in the second invention described later, the same range is preferable.
  • the molar ratio [A] / [B] between the structural unit [A] and the structural unit [B] in the cyclic olefin polymer is 5/95 or more and 95/5 or less, preferably 7/93 or more and 93/7. It is below, More preferably, it is 10/90 or more and 90/10 or less, More preferably, it is the range of 15/85 or more and 85/15 or less. If the composition of the cyclic olefin polymer is within the above range, the present inventors have a suitable density of elements such as oxygen and sulfur in the polymer main chain, and the substrate interface when embedding the concavo-convex structure of the substrate.
  • the interaction with the substrate due to the presence of elements such as oxygen and sulfur in the main chain of the cyclic olefin polymer may be a driving force for the cyclic olefin polymer to enter the fine uneven structure.
  • the material for forming the lower layer film according to the present embodiment is particularly suitably used for forming the lower layer film that is formed on the concavo-convex structure of the substrate having the concavo-convex structure and fills the concave portion in the concavo-convex structure. Can do.
  • the repeating structural unit [A] represented by the general formula (1) and the repeating structural unit [B] represented by the general formula (2) are represented by the following formulae.
  • the dotted line of the main chain portion means one covalent bond constituting the double bond, or the double bond is hydrogenated to form a double bond Is a state in which one covalent bond constituting is lost.
  • R 1 to R 4 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, carbon An aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms, an aryloxyalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms (preferably 2 to 10 carbon atoms), carbon Dialkylaminocarbonyl group having 3 to 10 carbon atoms, aryloxycarbonyl group having 7 to 20 carbon atoms, alkylarylaminocarbonyl group having 8 to 20 carbon atoms, alkoxycarbonyl having 3 to 30 carbon atoms (preferably 3 to 20 carbon atoms) Alkyl group, alkoxycarbonylaryl group having 8 to 30 carbon atoms, aryloxycarbonylalkyl group having 8 to
  • R 5 to R 8 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, carbon An aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms, an aryloxyalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms (preferably 2 to 10 carbon atoms), carbon Dialkylaminocarbonyl group having 3 to 10 carbon atoms, aryloxycarbonyl group having 7 to 20 carbon atoms, alkylarylaminocarbonyl group having 8 to 20 carbon atoms, alkoxycarbonyl having 3 to 30 carbon atoms (preferably 3 to 20 carbon atoms) Alkyl group, alkoxycarbonylaryl group having 8 to 30 carbon atoms, aryloxycarbonylalkyl group having 8 to
  • Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in R 1 to R 4 of the general formula (1) include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, tert- Examples thereof include a butyl group, an n-pentyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group.
  • Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include phenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, biphenyl group, phenol group and the like.
  • Examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, an n-butoxy group, a tert-butoxy group, an n-pentoxy group, and a cyclopentoxy group.
  • Examples of the aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms include phenyloxy group, naphthyloxy group, anthracenyloxy group, o-tolyloxy group, m-tolyloxy group, p-tolyloxy group, 4-oxy-1 , 1′-biphenyl group, 4-hydroxyphenyloxy group and the like.
  • Examples of the alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms include methoxymethyl group, methoxyethyl group, ethoxymethyl group, ethoxyethyl group, n-propoxymethyl group, isopropoxymethyl group, n-butoxymethyl group, isobutoxy group.
  • Examples thereof include a methyl group, a tert-butoxymethyl group, a cyclopentyloxymethyl group, a cyclohexyloxymethyl group, and a cyclooctyloxymethyl group.
  • Examples of the aryloxyalkyl group having 7 to 20 carbon atoms include phenyloxymethyl group, naphthyloxymethyl group, anthracenyloxymethyl group, o-tolyloxymethyl group, m-tolyloxymethyl group, and p-tolyloxy group.
  • a methyl group, a 4-oxy-1,1′-biphenylmethyl group, a 4-hydroxyphenyloxymethyl group and the like can be mentioned.
  • alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms examples include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, isobutoxycarbonyl group, tert-butoxycarbonyl group, n-pentyloxy Carbonyl group, cyclopentyloxycarbonyl group, n-hexyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, 3-methylbutoxycarbonyl group, 2-methylpentoxycarbonyl group, 3-methylpentoxycarbonyl group, 4-methylpentoxycarbonyl group 1-ethylcyclopentyloxycarbonyl group, 1-methylcyclohexyloxycarbonyl group, norbornyloxycarbonyl group, adamantyloxycarbonyl group and the like.
  • dialkylaminocarbonyl group having 3 to 10 carbon atoms examples include dimethylaminocarbonyl group, diethylaminocarbonyl group, ethylmethylaminocarbonyl group, methylbutylaminocarbonyl group, butylethylaminocarbonyl group, cyclohexylmethylaminocarbonyl group and the like. It is done.
  • Examples of the aryloxycarbonyl group having 7 to 20 carbon atoms include phenoxycarbonyl group, benzyloxycarbonyl group, 4-methylphenoxycarbonyl group, 3,4-dimethylphenoxycarbonyl group, 1-naphthoxycarbonyl group, 2- A naphthoxycarbonyl group, a 1-anthracenoxycarbonyl group, etc. are mentioned.
  • Examples of the alkylarylaminocarbonyl group having 8 to 20 carbon atoms include methylphenylaminocarbonyl group, ethylphenylaminocarbonyl group, butylphenylaminocarbonyl group, cyclohexylphenylaminocarbonyl group and the like.
  • alkoxycarbonylalkyl group having 3 to 30 carbon atoms examples include methoxycarbonylmethyl group, methoxycarbonylethyl group, ethoxycarbonylmethyl group, ethoxycarbonylethyl group, n-propoxycarbonylmethyl group, i-propoxycarbonylmethyl group, n -Butoxycarbonylmethyl group, tert-butoxycarbonylmethyl group, n-pentyloxycarbonylmethyl group, cyclopentyloxycarbonylmethyl group, n-hexyloxycarbonylmethyl group, cyclohexyloxycarbonylmethyl group, n-octyloxycarbonylmethyl group, cyclo Examples include octyloxycarbonylmethyl group, 1-ethylcyclopentyloxycarbonylmethyl group, 1-methylcyclohexyloxycarbonylmethyl group and the like.
  • alkoxycarbonylaryl group having 8 to 30 carbon atoms examples include methoxycarbonylphenyl group, methoxycarbonyl-o-tolyl group, methoxycarbonyl-m-tolyl group, methoxycarbonyl-p-tolyl group, methoxycarbonylxylyl group, Methoxycarbonyl- ⁇ -naphthyl group, methoxycarbonyl- ⁇ -naphthyl group, ethoxycarbonylphenyl group, propoxycarbonylphenyl group, butoxycarbonylphenyl group, ethoxycarbonylphenyl group, n-propoxycarbonylphenyl group, i-propoxycarbonylphenyl group, n-butoxycarbonylphenyl group, tert-butoxycarbonylphenyl group, n-pentyloxycarbonylphenyl group, cyclopentyloxycarbonylphenyl group, n-hexy
  • aryloxycarbonylalkyl group having 8 to 20 carbon atoms examples include phenoxycarbonylmethyl group, benzyloxycarbonylmethyl group, 4-methylphenoxycarbonylmethyl group, 3,4-dimethylphenoxycarbonylmethyl group, 1-naphthoxycarbonyl Examples thereof include a methyl group, 2-naphthoxycarbonylmethyl group, 1-anthracenoxycarbonylmethyl group and the like.
  • alkoxyalkyloxycarbonyl group having 3 to 20 carbon atoms examples include methoxymethyloxycarbonyl group, ethoxymethyloxycarbonyl group, n-propoxymethyloxycarbonyl group, isopropoxymethyloxycarbonyl group, and n-butoxymethyloxycarbonyl group.
  • alkoxycarbonylalkyloxycarbonyl group having 4 to 30 carbon atoms examples include methoxycarbonylmethyloxycarbonyl group, ethoxycarbonylmethyloxycarbonyl group, n-propoxycarbonylmethyloxycarbonyl group, isopropoxycarbonylmethyloxycarbonyl group, n- Butoxycarbonylmethyloxycarbonyl group, tert-butoxycarbonylmethyloxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonylmethyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonylmethyloxycarbonyl group, cyclooctyloxycarbonylmethyloxycarbonyl group, norbornyloxycarbonylmethyloxycarbonyl group, 1-methylcyclopentyloxycarbonylmethyloxycarbonyl group, 1-ethyl Clopentyloxycarbonylmethyloxycarbonyl group, 1-methylcyclohexyloxycarbonylmethyloxycarbonyl group, 1-methylnorbornyloxycarbonylmethyloxycarbonyl
  • R 1 to R 4 may form a ring structure, specifically, at least two of R 1 to R 4 are bonded independently, and at that time, —C—, —O— , —NR 9 — may be bonded.
  • examples thereof include a cyclic alkyl structure, a cyclic ester structure, a cyclic acid anhydride structure, a cyclic amide structure, and a cyclic imide structure.
  • R 1 to R 4 When at least two of R 1 to R 4 form a cyclic alkyl structure via a —C— bond, examples thereof include cyclopentyl, cyclohexyl, cyclopentyl and the like.
  • examples thereof include cyclopentyl, cyclohexyl, cyclopentyl and the like.
  • a cyclic ester structure via a —O— bond examples include a maleic anhydride structure.
  • alkyl group having 1 to 10 carbon atoms examples include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, tert-butyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, n -Pentyl group, 1-methylpentyl group, 1-ethylbutyl group, 2-methylhexyl group, 2-ethylhexyl group, 4-methylheptyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclooctyl group and the like.
  • Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include phenyl, naphthyl, anthracenyl, o-tolyl, m-tolyl, p-tolyl, biphenyl, phenol and the like.
  • R 1 to R 4 in the general formula (1) an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an alkoxycarbonylalkyl group, an alkoxycarbonylaryl group, an alkoxyalkyloxycarbonyl group, an alkoxycarbonylalkyloxycarbonyl group, A ⁇ -butyrolactone ring, maleic anhydride, and a maleimide ring are preferred.
  • X 1 means a structure derived from an element selected from oxygen and sulfur.
  • a structure derived from oxygen is preferred.
  • the lower film material the X 1 is according to the present embodiment comprises a cyclic olefin polymer having repeating structural units [B] represented by the general formula (2) satisfying the provisions of the above, the unevenness of the substrate It is considered that appropriate adhesion with the substrate interface when embedding the structure can be exhibited, generation of voids and the like can be suppressed, and good embedding can be realized while maintaining high flatness.
  • the interaction with the substrate due to the presence of elements such as oxygen and sulfur in the main chain of the cyclic olefin polymer may be a driving force for the cyclic olefin polymer to enter the fine uneven structure. I guess.
  • the cyclic olefin polymer according to the present embodiment may include two or more kinds of structural units in which at least one of R 1 to R 4 in the repeating structural unit [A] represented by the general formula (1) is different from each other.
  • hept-2-ene poly (5- (4-methylphenoxycarbonylmethyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (3,4-dimethylphenoxy) Carbonylmethyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (1-naphthoxycarbonylmethyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5 -(2-Naphoxycarbonylmethyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (1-anthracenoxycarbonylmethyl) -bicyclo [2.
  • hept-2-ene poly (5- (2-norbornyl-2-propoxycarbonylmethyloxycarbonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (4 -Ethyl-tetracyclo [6.2.1.1 3, 6 . 0 2,7 ] -Dodecan-4-yloxycarbonylmethyloxycarbonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (2- (tetracyclo [6.2.1.1]). 3, 6 .
  • R 1 ⁇ R 4 Are bonded to each other to form a ring structure
  • examples of the cyclic alkyl structure include poly (1,4,4a, 5,6,7,8,8a-octahydro-1,4-methano-naphthalene).
  • examples of the cyclic ester structure capable of forming a lactone ring include poly (4-oxy-tricyclo [5.2.1.0] as a ⁇ -butyrolactone structure. 2,6 ] -8-decen-3-one), a poly (4-oxy-tricyclo [6.2.1.0] as a ⁇ -valerolactone structure.
  • the cyclic acid anhydride structure includes, for example, poly (4-oxy-tricyclo [5.2.1.0]. 2,6 -8-decene-3,5-dione), and examples of the cyclic amide structure capable of forming a lactam ring include, for example, ⁇ -lactam, poly (4-methyl-4-aza-tricyclo [5.2.1].
  • poly 5-methoxycarbonyl-bicyclo [2.2] .1] hept-2-ene
  • poly poly (5-ethoxycarbonyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene)
  • poly (5- (n-propoxycarbonyl) -bicyclo [2.2.1].
  • hept-2-ene poly (5- (1- (1-methylcyclohexyloxy) ethoxycarbonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (1 -(1-ethylcyclohexyloxy) ethoxycarbonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (1- (1-methylnorbornyloxy) ethoxycarbonyl) -bicyclo [2.
  • hept-2-ene poly (5- (1- (1-ethylnorbornyloxy) ethoxycarbonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), Li (5- (1- (1-ethoxypropyloxy) ethoxycarbonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (1- (1-ethoxy-1-methylethyloxy) ) Ethoxycarbonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (1- (tetrahydrofuran-2-yloxy) ethoxycarbonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene) Ene), poly (5- (1- (tetrahydropyran-2-yloxy) ethoxycarbonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (1- (1-adamantyloxy)) Ethoxycarbonyl) -bicyclo [
  • hept-2-ene poly (5- (4- (1-methylcyclopentyloxycarbonyl) phenyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (4 -(1-ethylcyclopentyloxycarbonyl) phenyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (4- (1-methylcyclohexyloxycarbonyl) phenyl) -bicyclo [2.2 .1] hept-2-ene), poly (5- (4- (1-ethylcyclohexyloxycarbonyl) phenyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene ), Poly (5- (tert-butoxycarbonylphenyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (n-pentyloxycarbonylnaphthyl) -bicyclo [2.2.1].
  • R 1 ⁇ R 4 Are bonded to each other to form a ring structure
  • examples of the cyclic alkyl structure include poly (1,4,4a, 5,6,7,8,8a, 9,9a, 10,10a-dodecahydro- 1,4: 9,10-dimethano-anthracene) and the like
  • examples of the cyclic ester structure capable of forming a lactone ring include poly (4-oxy-pentacyclo [9.2.1.1] as a ⁇ -butyrolactone structure. 1,7 . 0 2,6 . 0 8,13 ] -10-pentadecene-3-one), poly (4-oxy-pentacyclo [10.2.1.1] as the ⁇ -valerolactone structure 1,8 .
  • the cyclic acid anhydride structure includes, for example, poly (4-oxy-pentacyclo [9.2.1.1]. 1,7 . 0 2,6 . 0 8,13 -10-pentadecene-3,5-dione), and examples of the cyclic amide structure capable of forming a lactam ring include, for example, ⁇ -lactam, poly (4-methyl-4-aza-pentacyclo [9.2.1]. .1 1,7 . 0 2,6 .
  • cyclic imide structure capable of forming a maleimide ring examples include poly (4-methyl-4-aza-pentacyclo [9.2.1.1]. 1,7 . 0 2,6 .
  • the general formula (1) according to the present embodiment is used.
  • R 5 to R 8 have the same meanings as R 1 to R 4 in the general formula (1), and R 5 to R 8 may form a ring structure. Specifically, each of R 5 to R 8 may be independently or at least two may be bonded via a —C—, —O—, or —NR 9 — bond. Examples thereof include a cyclic alkyl structure, a cyclic ester structure, a cyclic acid anhydride structure, a cyclic amide structure, and a cyclic imide structure.
  • the cyclic olefin polymer according to this embodiment may include two or more types of structural units in which at least one of R 5 to R 8 in the repeating structural unit [B] represented by the general formula (2) is different from each other.
  • R 5 ⁇ R 8 When at least one of them is an alkoxycarbonyl group, poly (5-methoxycarbonyl-7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5-ethoxycarbonyl-7-oxy-bicyclo) [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (n-propoxycarbonyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (n -Butoxycarbonyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5-isobutoxycarbonyl-7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene) , Poly (5- (tert-butoxycarbonyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (n-pentyloxycarbonyl) -7-oxy-bicyclo [2 .2 1] hept-2-ene), poly (5- (2-methyl-2-
  • R 5 ⁇ R 8 Are bonded to each other to form a ring structure
  • examples of the cyclic alkyl structure include poly (1,4,4a, 5,6,7,8,8a-octahydro-1,4-epoxy-naphthalene)
  • examples of the cyclic ester structure capable of forming a lactone ring include poly (4,10-dioxy-tricyclo [5.2.1.0] as a ⁇ -butyrolactone structure. 2,6 ] -8-decen-3-one), a ⁇ -valerolactone structure, poly (4,10-dioxy-tricyclo [6.2.1.0].
  • 2,7 -9-undecen-3-one examples include poly (4,10-dioxy-tricyclo [5.2.1.0].
  • 2,6 -8-decene-3,5-dione examples include ⁇ -lactams such as poly (4-methyl-4-aza-10-oxy-tricyclo [5 .2.1.0 2,6 -8-decen-3-one), poly (4-ethyl-4-aza-10-oxy-tricyclo [5.2.1.0) 2,6 -8-decen-3-one), poly (4- (n-propyl) -4-aza-10-oxy-tricyclo [5.2.1.0].
  • Hept-2-ene poly (5- (n-pentyloxycarbonylphenyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (3- (2- Methyl-2-butoxycarbonyl) phenyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (3- (2,3-dimethyl-2-butoxycarbonyl) phenyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (3- (2-cyclopentyl-2-propoxycarbonyl) phenyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.
  • Hept-2-ene poly (5- (4- (1-ethylcyclohexyloxycarbonyl) phenyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5-methoxy) Carbonylnaphthyl-7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5-ethoxycarbonylnaphthyl-7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (n-propoxycarbonylnaphthyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (i-propoxycarbonylnaphthyl) -7-oxy-bicyclo [2.
  • hept-2-ene poly (5- (n-butoxycarbonylnaphthyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (tert-butoxy) Carbonylphenyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (n-pentyloxycarbonylnaphthyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept- 2-ene), poly (5- (5- (2-methyl-2-butoxycarbonyl) naphthyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (5 -(2,3-dimethyl-2-butoxycarbonyl) naphthyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene), poly (5- (5-(2,3-dimethyl-2-butoxycarbonyl) naphthyl) -7-oxy-bicyclo [2.2.1] h
  • 2,6 -8-decen-3-one poly (4,10-dioxy-tricyclo [5.2.1.0] 2,6 -8-decene-3,5-dione), poly (4-methyl-4-aza-10-oxy-tricyclo [5.2.1.0] 2,6 -8-decene-3,5-dione), poly (4-ethyl-4-aza-10-oxy-tricyclo [5.2.1.0] 2,6 ] -8-decene-3,5-dione), poly (4- (n-propyl) -4-aza-10-oxy-tricyclo [5.2.1.0].
  • R 5 ⁇ R 8 Are bonded to each other to form a ring structure
  • examples of the cyclic alkyl structure include poly (1,4,4a, 5,6,7,8,8a, 9,9a, 10,10a-dodecahydro- 1,4: 9,10-diepoxy-naphthalene) and the like.
  • examples of the cyclic ester structure capable of forming a lactone ring include poly (4,14,15-trioxy-pentacyclo [9.2] as a ⁇ -butyrolactone structure. 1.1 1,7 . 0 2,6 .
  • cyclic acid anhydride structure examples include poly (4,14,15-trioxy-pentacyclo [9.2.1.1]. 1,7 . 0 2,6 .
  • ⁇ -lactams such as poly (4-methyl-4-aza-14,15-dioxy-pentacyclo). [9.2.1.1 1,7 . 0 2,6 . 0 8,13 ] -10-pentadecene-3-one), poly (4-ethyl-4-aza-14,15-dioxy-pentacyclo [9.2.1.1] 1,7 . 0 2,6 .
  • cyclic imide structure capable of forming a maleimide ring examples include poly (4-methyl-4-aza-14,15-dioxy-pentacyclo [9.2.1]. .1 1,7 . 0 2,6 .
  • poly (8- (9- (1-methylcyclohexyloxycarbonyl) -tetracyclo [6.2.1.1] 3, 6 . 0 2,7 ] -Dodecan-4-yloxycarbonyl) -11,12-dioxy-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7, 10 ] -3-dodecene) is preferred.
  • poly (8- (9- (1-methylcyclohexyloxycarbonyl) -tetracyclo [6.2.1.1] 3, 6 . 0 2,7 ] -Dodecan-4-yloxycarbonyl) -11,12-dioxy-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7, 10 ] -3-dodecene) is more preferred.
  • the cyclic olefin polymer according to this embodiment is obtained by polymerizing a cyclic olefin monomer represented by the following general formula (3) and a cyclic olefin monomer represented by the following general formula (4) by ring-opening metathesis polymerization. Can be obtained.
  • R 1 to R 4 and n have the same meaning as in the general formula (1).
  • the cyclic olefin monomer according to this embodiment may include two or more types of structural units in which at least one of R 1 to R 4 in the structural unit represented by the general formula (3) is different from each other.
  • R 5 to R 8 , X 1 and n are as defined in the general formula (2).
  • the cyclic olefin monomer according to this embodiment may include two or more types of structural units in which at least one of R 5 to R 8 in the structural unit represented by the general formula (4) is different from each other.
  • the catalyst used when polymerizing the cyclic olefin polymer according to the present embodiment is not particularly limited as long as it is a catalyst capable of ring-opening metathesis polymerization of the cyclic olefin monomer.
  • a catalyst capable of ring-opening metathesis polymerization of the cyclic olefin monomer for example, molybdenum (Mo), tungsten (W), An organic transition metal alkylidene complex catalyst such as ruthenium (Ru); a ring-opening metathesis catalyst based on a combination of an organic transition metal complex and a Lewis acid as a co-catalyst, and the like, preferably molybdenum (Mo), tungsten (W), An organic transition metal alkylidene complex catalyst such as ruthenium (Ru) is used.
  • a highly polar cyclic olefin monomer containing a hetero atom can be copolymerized.
  • an organic transition metal alkylidene complex such as molybdenum (Mo), tungsten (W), or ruthenium (Ru) is used as a ring-opening metathesis polymerization catalyst, a highly polar cyclic olefin monomer can be efficiently copolymerized.
  • the ring-opening metathesis polymerization catalyst of the organic transition metal alkylidene complex for example, W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OBu t) 2, W (N-2,6 -Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OCMe 2 CF 3) 2, W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OCMe (CF 3) 2) 2 , W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) (OBu t) 2, W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) ( OCMe 2 CF 3) 2, W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) (OCMe (CF 3) 2) 2, W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph ) (OCMe (
  • Tungsten-based such as alkylidene catalyst
  • Examples of the polymerization catalyst metal component when polymerizing the cyclic olefin polymer according to the present embodiment include transition metals such as molybdenum, tungsten, rhenium, iridium, tantalum, ruthenium, vanadium, titanium, palladium, and rhodium. Preferred are molybdenum, tungsten, ruthenium and rhodium, and more preferred are molybdenum and tungsten.
  • the molar ratio of the ring-opening metathesis polymerization catalyst of the cyclic olefin monomer and the organic transition metal alkylidene complex is, for example, 10 equivalents to 50000 equivalents, preferably 50 equivalents, per mole of the ring-opening metathesis polymerization catalyst. -30000 equivalents, more preferably 100 equivalents to 20000 equivalents.
  • the polymerization reaction may be performed without a solvent or may be performed using a solvent.
  • the solvent include ethers such as tetrahydrofuran, diethyl ether, dibutyl ether, dimethoxyethane, and dioxane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, and ethylbenzene; aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, and heptane; Aliphatic cyclic hydrocarbons such as pentane, cyclohexane, methylcyclohexane, dimethylcyclohexane and decalin; halogenated hydrocarbons such as methylene dichloride, dichloroethane, dichloroethylene, tetrachloroethane, chlorobenzene and trichlorobenzene; esters such as methyl acetate and ethyl acetate Can be mentioned.
  • the polymerization reaction may be performed in the presence of a chain transfer agent such as olefins and dienes.
  • chain transfer agents such as olefins and dienes.
  • olefins used as chain transfer agents include ⁇ -olefins such as ethylene, propylene, butene, pentene, hexene, and octene; silicon-containing materials such as vinyltrimethylsilane, allyltrimethylsilane, allyltriethylsilane, and allyltriisopropylsilane.
  • dienes include non-conjugated dienes such as 1,4-pentadiene, 1,5-hexadiene, and 1,6-heptadiene.
  • Each chain transfer agent may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the chain transfer agent used is preferably in the range of 0.001 to 1000 equivalents, more preferably 0.01 to 100 equivalents with respect to 1 mol of the cyclic olefin monomer.
  • the chain transfer agent is preferably in the range of 0.1 equivalent to 2000 equivalents, more preferably 1 equivalent to 1000 equivalents per mole of the ring-opening metathesis polymerization catalyst. By arbitrarily setting these ratios, the molecular weight can be adjusted.
  • the monomer concentration in the polymerization reaction is not particularly limited because it varies depending on the reactivity of the cyclic olefin monomer and the solubility in the polymerization solvent, but the concentration of the cyclic olefin monomer relative to 1 kg of the solvent is, for example, 0.001 kg / kg to 3 kg / kg.
  • the range is preferably 0.01 kg / kg to 2 kg / kg, more preferably 0.02 kg / kg to 1 kg / kg.
  • the reaction temperature is not particularly limited because it varies depending on the type and amount of the cyclic olefin monomer and the ring-opening metathesis catalyst, but is, for example, ⁇ 30 ° C. to 150 ° C., preferably 0 ° C. to 120 ° C., more preferably 15 ° C. to 100 ° C. It is.
  • the reaction time is, for example, 1 minute to 10 hours, preferably 5 minutes to 8 hours, more preferably 10 minutes to 6 hours.
  • the reaction can be stopped with aldehydes such as butyraldehyde, ketones such as acetone, alcohols such as methanol, and the like to obtain a cyclic olefin polymer solution.
  • the polymerization rate of the cyclic olefin monomer is preferably 90% or more, more preferably from the viewpoint of reducing the amount of unpolymerized monomer in the obtained cyclic olefin polymer and further suppressing the generation of volatile components (outgas). Is 95% or more, more preferably 100%.
  • the method for obtaining the polymer from the obtained solution of the cyclic olefin polymer is not particularly limited.
  • examples thereof include a method of precipitating a polymer by the above method or a method of evaporating and removing a solvent from a reaction solution by heating or the like.
  • the cyclic olefin polymer represented by the general formulas (1) and (2) of the present embodiment may be in a form in which the double bond of the main chain is hydrogenated (also referred to as hydrogenation).
  • the glass transition temperature of a polymer is lowered
  • the temperature at the intersection of the loss elastic modulus (G ′′) curve can be adjusted to an appropriate range, and even better heat melt fluidity can be expressed.
  • the hydrogenation rate in the hydrogenation reaction at this time is preferably 0.1 to 100 mol%, more preferably 1.0 to 95 mol%, and still more preferably 5 to 90 mol%.
  • the catalyst for hydrogenating the double bond part of the main chain of the polymer obtained by ring-opening metathesis polymerization can be either a homogeneous metal complex catalyst or a heterogeneous metal supported catalyst as long as it can be hydrogenated. There may be.
  • a heterogeneous metal-supported catalyst that can easily separate the catalyst is preferable, for example, activated carbon supported palladium, alumina supported palladium, activated carbon supported rhodium, alumina supported rhodium, activated carbon supported ruthenium, alumina supported ruthenium, and the like. Can be mentioned. These catalysts may be used alone or in combination of two or more.
  • the solvent used for hydrogenation is not particularly limited as long as it dissolves the polymer and the solvent itself is not hydrogenated.
  • ethers such as tetrahydrofuran, diethyl ether, dibutyl ether, dimethoxyethane, and dioxane
  • Aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and ethylbenzene
  • aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane and heptane
  • aliphatic cyclic hydrocarbons such as cyclopentane, cyclohexane, methylcyclohexane, dimethylcyclohexane and decalin
  • Halogenated hydrocarbons such as dichloroethylene, tetrachloroethane, chlorobenzene and trichlorobenzene
  • esters such as methyl acetate and ethyl
  • the hydrogen pressure is preferably from normal pressure to 10 MPa, more preferably from 0.5 to 8 MPa, and particularly preferably from 2 to 5 MPa.
  • the reaction temperature is preferably 0 to 200 ° C., more preferably room temperature to 150 ° C., and particularly preferably 50 to 100 ° C.
  • the mode of carrying out the hydrogenation reaction is not particularly limited, and examples thereof include a method in which the catalyst is dispersed or dissolved in a solvent, a method in which the catalyst is packed in a column and the polymer solution is circulated as a stationary phase, and the like. Can be mentioned.
  • the hydrogenation treatment of the olefin portion of the main chain can be carried out by polymerizing the polymer solution before the hydrogenation treatment in a poor solvent and isolating the polymer, then dissolving it in the solvent again and performing the hydrogenation treatment.
  • the hydrogenation treatment may be performed with the above hydrogenation catalyst without isolating the polymer from the solution, and there is no particular limitation.
  • the method for obtaining the polymer from the polymer solution in the case of preferably using a heterogeneous metal supported catalyst such as activated carbon supported rhodium or activated carbon supported ruthenium after hydrogenation is not particularly limited.
  • the polymer when the hydrogenation reaction is performed using a heterogeneous metal-supported catalyst, the polymer can be obtained by the above-described method after the synthesis solution is filtered to separate the metal-supported catalyst.
  • the solution obtained by roughly removing the catalyst component may be filtered and the polymer may be obtained by the method described above.
  • the opening of the filtration filter is preferably 10 ⁇ m to 0.05 ⁇ m, particularly preferably 10 ⁇ m to 0.10 ⁇ m, more preferably 5 ⁇ m to 0.10 ⁇ m. It is.
  • the weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC) at a sample concentration of 3.0 to 9.0 mg / ml is preferably 1000 to It is 20000, more preferably 1500 to 19000, and still more preferably 2000 to 18000.
  • GPC gel permeation chromatography
  • the molecular weight distribution (Mw / Mn), which is the ratio of the weight average molecular weight (Mw) to the number average molecular weight (Mn) when the molecular weight (Mw) is in the above range, is preferably 1.3 to 5.0. More preferably 1.3 to 4.0, and still more preferably 1.3 to 3.0.
  • the intersection of the storage elastic modulus (G ′) curve and the loss elastic modulus (G ′′) curve can be used as a scale indicating a change in rheology of a substance (also referred to as a resin).
  • a substance also referred to as a resin.
  • the substance in the temperature rising process up to the intersection, the substance exhibits properties as an elastic body, and the resin does not flow. Then, when the substance is heated to a higher temperature through the intersection, the resin exhibits characteristics as a viscous fluid and the resin flows. That is, in order to bury the uneven surface of the substrate in a more uniform state while further suppressing defects such as voids, it is preferable to exhibit appropriate fluidity.
  • the intersection of the storage elastic modulus (G ′) curve and the loss elastic modulus (G ′′) curve is preferably 40 to 200 ° C., more preferably 40 ° C.
  • the temperature is in the range of ⁇ 195 ° C., more preferably in the range of 40 ° C. to 190 ° C.
  • the cyclic olefin polymer or the material for forming the lower layer film according to the present embodiment under the heating conditions of 200 to 250 ° C. usually used in the semiconductor device manufacturing process, Appropriate fluidity required to embed the uneven structure on the substrate surface more uniformly can be exhibited.
  • the lower limit value of the intersection of the storage elastic modulus (G ′) curve and the loss elastic modulus (G ′′) curve is still more preferably 80 ° C. or higher, still more preferably 90 ° C. or higher, particularly preferably 100 ° C. That's it.
  • the upper limit of the intersection of the storage elastic modulus (G ′) curve and the loss elastic modulus (G ′′) curve is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 195 ° C. or lower, particularly preferably 190 ° C. or lower. It is.
  • the solid viscoelasticity of the cyclic olefin polymer or the lower layer film-forming material according to the present embodiment is measured using a rheometer in a shearing mode under a nitrogen atmosphere, at a measurement temperature range of 30 to 300 ° C. (or 50 to 250 ° C.), It can be measured under conditions of a temperature rising rate of 3 ° C./min and a frequency of 1 Hz.
  • the cyclic olefin polymer or the lower layer film forming material according to the present embodiment is used as a viscous fluid.
  • the resin flows and the resin flows, and the uneven surface of the substrate can be embedded in a more uniform state while suppressing defects such as voids.
  • the intersection of the storage elastic modulus (G ′) curve and the loss elastic modulus (G ′′) curve is equal to or more than the lower limit, the fluidity of the cyclic olefin polymer or the lower layer film forming material according to the present embodiment is suppressed.
  • the shrinkage on the uneven surface of the substrate can be further suppressed, and the uneven surface of the substrate can be embedded in a more uniform state while suppressing defects such as voids.
  • the amount of volatile components generated in the cyclic olefin polymer according to the present embodiment is preferably 0.0% by mass or more and 1.0% by mass or less, and more preferably 0.8%. It is 0 to 0.7% by mass, more preferably 0.0 to 0.5% by mass, and particularly preferably 0.0 to 0.1% by mass.
  • Method 1 The cyclic olefin polymer according to the present embodiment is dissolved in tetrahydrofuran to prepare a solution having a solid content (or polymer concentration) of 20% by mass. Then, the mixture is heated at 200 ° C. for 3 minutes to remove tetrahydrofuran, and then cooled to room temperature to solidify the cyclic olefin polymer, and in a nitrogen atmosphere, a temperature range of 30 to 300 ° C.
  • the cyclic olefin polymer is heated at a rate, and the generation amount of the volatile component in the cyclic olefin polymer is calculated from the weight reduction rate in the range of 100 to 250 ° C.
  • the cyclic olefin polymer or the material for forming the lower layer film according to the present embodiment is any one of the organic solvents (preferably propylene glycol-1-monomethyl ether- 2-cycloacetate polymer (PGMEA)), which is preferably soluble at least in a concentration of 0.01% by mass or more and 50% by mass or less, and is measured by the following method 4.
  • the remaining film ratio of the lower layer film forming material is preferably 50% or more and 100% or less, more preferably 60% or more and 100% or less.
  • Method 4 A coating film having a thickness ( ⁇ ) of 200 nm or more and 500 nm or less made of the cyclic olefin polymer or the lower layer film forming material according to the present embodiment is formed on a silicon wafer. Next, the obtained coating film is treated at 200 ° C. for 10 minutes. Next, at least one organic solvent selected from the group consisting of alcohol solvents, ether solvents, ketone solvents, amide solvents, ester solvents and hydrocarbon solvents (preferably propylene glycol-1-monomethyl ether-2) -Dip in acetate (PGMEA) for 10 minutes at 23 ° C and then dry at 150 ° C for 3 minutes to remove residual solvent in the coating film.
  • PGMEA propylene glycol-1-monomethyl ether-2
  • the alcohol solvent include aliphatic monoalcohol solvents having 1 to 18 carbon atoms such as 4-methyl-2-pentanol and n-hexanol; alicyclic monoalcohols having 3 to 18 carbon atoms such as cyclohexanol.
  • examples thereof include polyhydric alcohol solvents having 2 to 18 carbon atoms such as 1,2-propylene glycol; polyhydric alcohol partial ether solvents having 3 to 19 carbon atoms such as propylene glycol monomethyl ether.
  • ether solvents include dialkyl ether solvents such as diethyl ether, dipropyl ether, and dibutyl ether; cyclic ether solvents such as tetrahydrofuran and tetrahydropyran; and aromatic ring-containing ether solvents such as diphenyl ether and anisole.
  • ketone solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-iso-butyl ketone, 2-heptanone, ethyl-n-butyl ketone, and methyl-n-hexyl ketone.
  • Chain ketone solvents such as di-iso-butylketone and trimethylnonanone; cyclic ketone solvents such as cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone, cyclooctanone and methylcyclohexanone; 2,4-pentanedione, acetonyl Acetone, acetophenone, etc. are mentioned.
  • amide solvent examples include cyclic amide solvents such as N, N′-dimethylimidazolidinone and N-methylpyrrolidone; N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, Examples thereof include chain amide solvents such as N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, and N-methylpropionamide.
  • ester solvents include monocarboxylic acid ester solvents such as n-butyl acetate and ethyl lactate; polyhydric alcohol carboxylate solvents such as propylene glycol acetate; propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate Polyhydric alcohol partial ether carboxylate solvent such as polyhydric alcohol partial alkyl ether acetate; Polyhydric carboxylic acid diester solvent such as diethyl oxalate; Lactone solvent such as ⁇ -butyrolactone and ⁇ -valerolactone; Diethyl carbonate, ethylene And carbonate solvents such as carbonate and propylene carbonate.
  • monocarboxylic acid ester solvents such as n-butyl acetate and ethyl lactate
  • polyhydric alcohol carboxylate solvents such as propylene glycol acetate
  • Polyhydric alcohol partial ether carboxylate solvent such as polyhydr
  • hydrocarbon solvent examples include linear or branched hydrocarbons having 5 to 10 carbon atoms, alicyclic hydrocarbons having 5 to 12 carbon atoms, aromatic hydrocarbons having 6 to 18 carbon atoms, and the like. It is done. Some or all of the hydrogen atoms on the alicyclic hydrocarbon ring and aromatic hydrocarbon ring may be substituted with a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Among these, considering the adaptability to the process and the like, at least one kind selected from the group consisting of alcohol solvents and ester solvents is preferable.
  • the alcohol solvent examples include propylene glycol monomethyl ether (PGME) and propylene glycol monopropyl ether (PGPE).
  • ester solvent propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate (PGMEA). These solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • PPGMEA propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate
  • the organic solvent any one of at least one organic solvent selected from the group consisting of alcohol solvents, ether solvents, ketone solvents, amide solvents, ester solvents, and hydrocarbon solvents is used.
  • the remaining film ratio should be within the above range when propylene glycol is used, and the remaining film ratio is within the above range when propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate (PGMEA)) is used as the organic solvent. It is preferable to become.
  • PGMEA propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate
  • the glass transition temperature of the cyclic olefin polymer according to this embodiment by differential scanning calorimetry is preferably 40 to 220 ° C., more preferably 40 to 200 ° C., and further preferably 40 to 180 ° C. Further, the glass transition temperature by differential scanning calorimetry of the cyclic olefin polymer according to this embodiment is preferably 40 ° C. or higher, more preferably 50 ° C. or higher, further preferably 60 ° C. or higher, even more preferably 70 ° C. or higher, and Preferably it is 220 degrees C or less, More preferably, it is 200 degrees C or less, More preferably, it is 180 degrees C or less. When the glass transition temperature is within the above range, the temperature at the intersection of the storage elastic modulus (G ′) curve and the loss elastic modulus (G ′′) curve can be easily adjusted to the above range.
  • the flatness of the resist underlayer film is evaluated by, for example, a method based on SEM observation of a sample obtained by filling the uneven surface of the substrate by forming a coating film by spin coating and cutting out a cross section of the sample after baking.
  • the following flatness ( ⁇ FT) can be used as a scale indicating the degree of fluctuation of the atmospheric surface.
  • ten heights from the concave bottom surface to the atmospheric surface (surface ( ⁇ ) described later) in the concave-convex structure of the substrate are measured, and the average value (H av ) is defined as the film thickness.
  • FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the film thickness 4 of the resist underlayer film 2, the height 5 of the concavo-convex structure 7, and the interval 6 between the concavo-convex portions of the concavo-convex structure 7 in the laminate 10 according to the embodiment of the present invention. is there.
  • the substrate 1 has the concavo-convex structure 7
  • the height from the bottom surface of the recess to the surface ( ⁇ ) 3 is the film thickness 4 of the resist underlayer film 2
  • the substrate 1 has no concavo-convex structure 7.
  • the height from the surface of the substrate 1 to the surface ( ⁇ ) 3 is the film thickness 4 of the resist underlayer film 2.
  • the flatness ( ⁇ FT) at this time is preferably 0 to 5%, more preferably 0 to 3%, and still more preferably 0 to 1%.
  • the thickness of the resist layer can be made even more uniform regardless of the presence or absence of the intermediate layer, and a desired pattern can be obtained with good reproducibility in lithography.
  • the evaluation of the film thickness difference in the dense pattern of the resist underlayer film uses, for example, a method based on SEM observation of a sample obtained by filling a concavo-convex surface of a substrate by spin coating method and cutting out a cross section of the sample after baking It is done. In this case, as shown in FIG.
  • the ratio [a / (a + b)] of the convex-convex width to the pattern pitch width is ⁇ , and the values of ⁇ , ⁇ 1 and ⁇ 2 for the pattern regions having different convex-convex width and convex width on the same substrate are set as ⁇ .
  • Ask. A case where the absolute value of the difference between ⁇ 1 and ⁇ 2 is in a range of 0 ⁇
  • the film thickness difference at the switching portion of the density pattern is the average value of 10 film thicknesses measured from the bottom surface of the recess to the atmospheric surface in each pattern area in the pattern area on the same substrate where the value of ⁇ is different.
  • the average value H 3 of H 1 and H 2 , H 1 and H 2 is obtained, and the absolute value
  • / H 3 ⁇ 100 (%) is taken as a measure of flatness ( ⁇ FT).
  • a 1 / (a 1 + b 1 ) ⁇ 1
  • a 2 / (a 2 + b 2 ) ⁇ 2
  • H 1 and H 2 are respectively in the above ⁇ 1 and ⁇ 2 regions.
  • the average film thickness from the bottom surface of the recess to the air surface is
  • / H 3 ⁇ 100 (%) ⁇ FT.
  • the flatness ( ⁇ FT) at this time is preferably 0 to 5%, more preferably 0 to 3%, and still more preferably 0 to 1%. Thereby, the thickness of the resist layer can be made even more uniform regardless of the presence or absence of the intermediate layer, and a desired pattern can be obtained with good reproducibility in lithography.
  • the reflection of light causes irregular reflection particularly at a step portion, and the irregularly reflected light is incident on the resist layer again from the lower layer film.
  • the transfer accuracy is deteriorated by the acid generated when light enters the resist layer, which should be an unexposed portion.
  • the lower layer film In order to prevent deterioration of pattern roughness and transfer accuracy caused by standing waves and irregular reflection from the lower layer film to the resist layer, the lower layer film needs to have a function as an antireflection film. . Practically, it is said that the reflectance from the lower layer film into the resist film needs to be suppressed to 1% or less.
  • n value the refractive index of the cyclic olefin polymer or material for forming a lower layer film according to this embodiment measured by the following method 2 with respect to the wavelength of 193 nm and the cyclic olefin polymer or the lower layer film according to this embodiment measured by the following method 3
  • the extinction coefficient (k value) of the forming material is preferably such that the n value is 1.5 to 2.0, the k value is 0.0001 to 0.5, and more preferably the n value is 1.55 to 1.95.
  • the k value is 0.0001 to 0.4, more preferably the n value is 1.6 to 1.9, and the k value is controlled to be 0.0001 to 0.3.
  • the reflectance to 1% can be 1% or less.
  • the antireflection film is preferably flat from the viewpoint of exhibiting antireflection performance. In the present embodiment, the surface of the base film can be made flat, which is preferable in forming an antireflection film.
  • Method 2 A 250 nm thick coat film made of a cyclic olefin polymer or a lower layer film-forming material is formed on a silicon wafer, and the refractive index (n value) at a wavelength of 193 nm of the obtained coat film is formed as a cyclic olefin polymer or lower layer film. The refractive index (n value) of the material for use.
  • Method 3 A 250 nm thick coat film made of a cyclic olefin polymer or a lower layer film-forming material is formed on a silicon wafer, and the extinction coefficient (k value) of the obtained coat film is determined as a cyclic olefin polymer or a lower layer film-forming material. Extinction coefficient (k value).
  • the film thickness of the lower layer film used at this time (when using a substrate without a concavo-convex structure, measure the distance from the top of the substrate to the surface of the lower layer film at any ten locations, and when using a substrate having a concavo-convex structure
  • the average value H av (measurement of the distance from the bottom surface of the concave-convex surface of the concave-convex surface of the substrate to the surface of the lower-layer film) (here, at any 10 positions on the surface ( ⁇ ) opposite to the substrate of the resist lower-layer film)
  • the film thickness of the resist underlayer film is measured, and the average value thereof is H av ), preferably 5 to 1000 nm, more preferably 5 to 800 nm, still more preferably 5 to 600 nm, still more preferably 5 to 500 nm, even more preferably 7 ⁇ 450 nm, even more there range of preferably 10 ⁇ 400 nm, the lower limit value of the average value H a
  • the material for forming the lower layer film according to the present embodiment is prepared by, for example, dissolving or dispersing the cyclic olefin polymer according to the present embodiment in an organic solvent and, if necessary, passing through a filter with pores corresponding to the desired pattern size. By removing the varnish, it is possible to obtain a varnish-like material for forming a lower layer film that is suitable for coating on a substrate.
  • the organic solvent used in this case is not particularly limited as long as it is a solvent capable of dissolving or dispersing the cyclic olefin polymer according to the present embodiment.
  • the organic solvent include alcohol solvents, ether solvents, ketone solvents, amide solvents, ester solvents, hydrocarbon solvents, and the like.
  • the alcohol solvent examples include aliphatic monoalcohol solvents having 1 to 18 carbon atoms such as 4-methyl-2-pentanol and n-hexanol; alicyclic monoalcohols having 3 to 18 carbon atoms such as cyclohexanol.
  • examples thereof include polyhydric alcohol solvents having 2 to 18 carbon atoms such as 1,2-propylene glycol; polyhydric alcohol partial ether solvents having 3 to 19 carbon atoms such as propylene glycol monomethyl ether.
  • ether solvents include dialkyl ether solvents such as diethyl ether, dipropyl ether, and dibutyl ether; cyclic ether solvents such as tetrahydrofuran and tetrahydropyran; and aromatic ring-containing ether solvents such as diphenyl ether and anisole. .
  • ketone solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-iso-butyl ketone, 2-heptanone, ethyl-n-butyl ketone, and methyl-n-hexyl ketone.
  • Chain ketone solvents such as di-iso-butylketone and trimethylnonanone; cyclic ketone solvents such as cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone, cyclooctanone and methylcyclohexanone; 2,4-pentanedione, acetonyl Acetone, acetophenone, etc. are mentioned.
  • amide solvent examples include cyclic amide solvents such as N, N′-dimethylimidazolidinone and N-methylpyrrolidone; N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, Examples thereof include chain amide solvents such as N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, and N-methylpropionamide.
  • ester solvents include monocarboxylic acid ester solvents such as n-butyl acetate and ethyl lactate; polyhydric alcohol carboxylate solvents such as propylene glycol acetate; and polyhydric alcohol partial alkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether acetate.
  • Polyhydric alcohol partial ether carboxylate solvents such as acetate; polycarboxylic acid diester solvents such as diethyl oxalate; lactone solvents such as ⁇ -butyrolactone and ⁇ -valerolactone; diethyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate, etc. Examples include carbonate solvents.
  • hydrocarbon solvent examples include linear or branched hydrocarbons having 5 to 10 carbon atoms, alicyclic hydrocarbons having 5 to 12 carbon atoms, aromatic hydrocarbons having 6 to 18 carbon atoms, and the like. It is done. Some or all of the hydrogen atoms on the alicyclic hydrocarbon ring and aromatic hydrocarbon ring may be substituted with a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
  • the material for forming the lower layer film according to this embodiment may contain one or more solvents.
  • the concentration of the cyclic olefin polymer is preferably 0.01 to 50.0% by mass, more preferably 0.1 to 45.0% by mass, Preferably, the content is 1.0 to 40.0% by mass.
  • the concentration of the cyclic olefin polymer can be selected in consideration of the solubility of the polymer, the adaptability to the filtration process, the film forming property, the thickness as the lower layer film, and the like.
  • acrylic resin epoxy resin, styrene resin, hydroxystyrene resin, hydroxynaphthylene resin, silicone, silicone, epoxy resin, styrene resin, hydroxystyrene resin, silicone for the purpose of adjusting the physical properties of the lower layer film such as etching resistance and optical properties.
  • Resin such as resin: If the above resin is combined with a polymerization initiator, monomer constituting the resin; thermosetting monomer; polymer material; oxide of metal such as zirconium, hafnium, ruthenium, titanium, etc. You may mix with the material for lower layer film formation which concerns on a form.
  • the effect of the present invention is achieved for the purpose of suppressing intermixing between the intermediate layer and the resist underlayer film.
  • the lower layer film-forming material according to this embodiment may contain a crosslinking agent as long as it is not impaired.
  • the use of a crosslinking agent may have a significant effect on reaction shrinkage during curing. For example, if the pattern of irregularities is irregular, if there are too many crosslinking agents, the effect of shrinkage may not be negligible if the structure has a long convexity and convexity, and flatness may be reduced.
  • the content of the crosslinking agent in the material for forming the lower layer film according to the present embodiment is small.
  • the total content of the polymer components contained in the lower layer film-forming material is 100 parts by mass, it is preferably less than 5 parts by mass, more preferably less than 3 parts by mass, and even more preferably less than 1 part by mass.
  • polyfunctional epoxy compounds examples include 1,7-octadiene diepoxide, limonene dioxide, 4-vinylcyclohexene dioxide, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexanecarboxylate, (3,4-epoxycyclohexyl) adipate, (3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl) methyl-3,4-epoxy-6-methylcyclohexanecarboxylate, ethylene 1,2-di (3,4-epoxycyclohexane Carboxylic acid) ester, 3 ′, 4′-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, bis (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate
  • polyfunctional oxetane compound examples include bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, 1,2-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)] ethane, 1,3-bis [(3 -Ethyl-3-oxetanylmethoxy)] propane, 1,3-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)]-2,2-dimethyl-propane, 1,4-bis (3-ethyl-3-oxetanyl) Methoxy) butane, 1,6-bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) hexane, 1,4-bis [(3-methyl-3-oxetanyl) methoxy] benzene, 1,3-bis [(3-methyl -3-Oxetanyl) methoxy] benzene, 1,4-bis ⁇ [(3-methyl-3-oxetanyl
  • the varnish-like lower layer film-forming material prepared by the above method is filtered through a filter.
  • polymer insoluble matter, gel, foreign matter, and the like can be removed from the varnish-like material for forming the lower layer film, and a uniform layer as the lower layer film can be formed between the resist film layer and the substrate surface.
  • the opening of the filtration filter is preferably 1 ⁇ m to 0.001 ⁇ m, more preferably 0.5 ⁇ m to 0.001 ⁇ m, and still more preferably 0.1 ⁇ m to 0.001 ⁇ m.
  • the filtration process may be performed by a multi-stage process in which varnish is sent from a filter having a large pore size to a small filter, or may be performed by a single process in which varnish is directly sent to a filter having a small pore size.
  • the filter material include organic materials such as polytetrafluoroethylene (PTFE), polypropylene (PP), polyethersulfone (PES), and cellulose; inorganic materials such as glass fiber and metal; Can be selected in consideration of varnish characteristics, process adaptability, and the like.
  • examples of the method for sending the varnish to the filter include a method using a pressure difference, a method for sending the varnish to the filter by a mechanical drive via a screw, and the like.
  • the filtration temperature can be selected within the range considering filter performance, solution viscosity, and polymer solubility, and is preferably ⁇ 10 to 200 ° C., more preferably 0 ° C. to 150 ° C., and further preferably room temperature to 100 ° C. If there is no variation of the composition such as precipitation or gelation of dissolved components, thermal decomposition by heating, etc., varnish characteristics, process adaptability, etc. can be selected.
  • the resist underlayer film according to this embodiment can be formed using the underlayer film forming material according to this embodiment.
  • the method for producing a resist underlayer film according to this embodiment includes a step of forming a coating film containing the material for forming an underlayer film according to this embodiment on the substrate (hereinafter also referred to as “coating film forming step”). Moreover, you may further include the process (henceforth a "baking process") which heats the said coating film as needed.
  • the underlayer film forming material according to the present embodiment since the underlayer film forming material according to the present embodiment is used, sufficient optical characteristics and etching resistance are satisfied, and the flatness is excellent. A suppressed resist underlayer film can be obtained.
  • the material for forming the lower layer film according to the present embodiment is excellent in embedding with respect to a substrate having a complicated shape
  • a substrate having a step or a plurality of types of trenches A resist underlayer film that satisfies sufficient optical characteristics and etching resistance, has excellent flatness, and suppresses the amount of volatile components generated can be produced on a substrate having a complicated shape such as a substrate having the above.
  • this invention is not limited by these.
  • a coating film containing the lower layer film forming material according to the present embodiment is formed on the substrate using the lower layer film forming material according to the present embodiment.
  • the substrate include a silicon wafer, an aluminum wafer, and a nickel wafer.
  • An uneven structure may be provided on the surface of the substrate.
  • the concavo-convex structure includes, for example, a silica (SiO 2 ) film, a SiCN film, a SiOC film in which silica (SiO 2 ) is doped with carbon (C), a methylsiloxane organic film (SOG), and a minute void of several nm or less.
  • a state in which a film is formed of a low dielectric material such as a silica insulating film in which the holes are uniformly distributed may be used.
  • a substrate having a step, a substrate having a plurality of types of trenches, and the like can be suitably used as the substrate. Even if a substrate is used, a resist underlayer film having excellent flatness can be formed.
  • the substrate having the plurality of types of trenches for example, substrates having different aspect ratios can be preferably used.
  • the aspect ratio may be a mixture of various values.
  • the ratio between the maximum value and the minimum value of the aspect ratio is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 25. More preferably, it is 1-20.
  • the method for applying the material for forming the lower layer film according to the present embodiment to the substrate is not particularly limited.
  • the varnish described above using a method such as spin coating, solution casting coating, roll coating, slit coating, or inkjet coating.
  • a method of applying a material for forming an underlayer film on a substrate As the film thickness from the bottom of the recess to the atmosphere surface of the resist underlayer film formed at this time, the above-mentioned average value Hav is preferably in the range of 5 to 2000 nm, more preferably 7 to 1000 nm, still more preferably 10 to 500 nm. is there.
  • the preferable lower limit of a film thickness is 15 nm or more.
  • the coating film formed in the coating film forming step is heated (fired).
  • the method for firing the coating film include a heating method.
  • the heating temperature is preferably 100 ° C. to 400 ° C., more preferably 150 ° C. to 300 ° C., and further preferably 180 ° C. to 250 ° C.
  • the heating time is preferably 5 seconds to 60 minutes, more preferably 10 seconds to 10 minutes, and even more preferably 30 seconds to 3 minutes.
  • the atmosphere in the heating include air; in an inert gas such as nitrogen gas and argon gas; and the like.
  • heating is performed for the purpose of removing the solvent in the coating film, and the coating film is flowed by subsequent heating to embed the coating film in the uneven structure of the substrate;
  • Examples include a mode in which heating is performed for the purpose of eliminating the leaving group, and the coating film is flowed by subsequent heating to embed the coating film in the concavo-convex structure of the substrate.
  • a multi-stage process in which the temperature is raised stepwise may be used.
  • the average value H av of the resist underlayer film formed is preferably 5 to 1000 nm, more preferably 5 to 800 nm, still more preferably 5 to 600 nm, still more preferably 5 to 500 nm, and even more preferably 7
  • the lower limit value of the average value H av of the resist underlayer film is preferably 5 nm or more, more preferably 7 nm or more, further preferably 10 nm or more, and the upper limit.
  • the value is preferably 1000 nm or less, more preferably 800 nm or less, still more preferably 600 nm or less, even more preferably 500 nm or less, even more preferably 450 nm or less, and even more preferably 400 nm or less.
  • the resist underlayer film according to this embodiment can be used as a process member for pattern formation by photolithography, for example.
  • the laminate according to this embodiment includes a substrate (a) and a resist underlayer film (b) including the underlayer film forming material according to this embodiment formed on one surface of the substrate (a).
  • a structure in which the substrate (a) and the resist underlayer film (b) are in contact with each other is preferable.
  • the resist underlayer film (b) and the manufacturing method thereof are the same as the resist underlayer film and the manufacturing method of the resist underlayer film according to the above-described embodiment, description thereof is omitted here.
  • FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the film thickness 4 of the resist underlayer film 2, the height 5 of the concavo-convex structure 7, and the interval 6 between the concavo-convex portions of the concavo-convex structure 7 in the laminate 10 according to the embodiment of the present invention.
  • the substrate (a) may have a structure having a flat surface, but preferably has a height in the range of 5 to 500 nm, more preferably 7 to 450 nm, still more preferably 10 to 400 nm on one or both sides.
  • the concavo-convex structure is preferable.
  • the above-mentioned height means the height 5 of the concavo-convex structure 7 shown in FIG. 2.
  • the height 5 of the concavo-convex structure 7 can be arbitrarily measured at 10 points, and the average value thereof can be adopted. .
  • the interval between the convexities in the concavo-convex structure is preferably 1 nm or more and 10 mm or less.
  • the lower limit of the spacing between the convex and concave portions in the concavo-convex structure is more preferably 3 nm or more, further preferably 5 nm or more, and particularly preferably 10 nm or more.
  • the interval between the convexes and convexes in the concavo-convex structure means the interval 6 between the convexes and convexes in the concavo-convex structure 7 shown in FIG.
  • the upper limit of the interval between the convex and concave portions in the concavo-convex structure is more preferably 5 mm or less, further preferably 1 mm or less, and particularly preferably 0.5 mm or less.
  • the thickness of the substrate (a) is preferably 0.01 to 10,000 ⁇ m.
  • the lower limit value of the thickness of the substrate (a) is more preferably 0.03 ⁇ m or more, further preferably 0.05 ⁇ m or more, and particularly preferably 0.10 ⁇ m or more.
  • the upper limit value of the thickness of the substrate (a) is more preferably 5000 ⁇ m or less, further preferably 3000 ⁇ m or less, and particularly preferably 1000 ⁇ m or less.
  • the flatness ( ⁇ FT) calculated by the following formula on the surface ( ⁇ ) of the resist underlayer film (b) opposite to the substrate (a) is preferably 0 to 5%, More preferably, it is 0 to 3%, and still more preferably 0 to 1%.
  • Flatness ( ⁇ FT) [(H max ⁇ H min ) / H av ] ⁇ 100 (%)
  • the film thickness of the resist underlayer film (b) is measured at any 10 positions on the surface ( ⁇ ), the average value thereof is H av, and the maximum value of the film thickness of the resist underlayer film (b) is H and max, the minimum value of the film thickness of the resist underlayer film (b) and H min.
  • the pattern forming method includes, for example, a step of forming a resist pattern on the upper surface side of the resist underlayer film according to the present embodiment (hereinafter also referred to as “resist pattern forming step”), and masking the resist pattern. And a step of sequentially etching the resist underlayer film and the substrate (hereinafter also referred to as “etching step”).
  • an intermediate layer is formed on the upper surface side of the resist underlayer film, a resist pattern is formed on the upper surface side of the intermediate layer, and in the etching step, Further, it may be a step of etching the intermediate layer.
  • the present embodiment has sufficient optical characteristics and etching resistance and excellent flatness, intermixing with the intermediate layer is suppressed, and the amount of volatile matter generated is also suppressed. Since such a resist underlayer film is used, a good pattern can be formed.
  • resist pattern formation process In this step, a resist pattern is formed on the upper surface side of the resist underlayer film.
  • An intermediate layer may be formed on the upper surface side of the resist underlayer film, and a resist pattern may be formed on the upper surface side of the intermediate layer.
  • the intermediate layer is a layer having these functions in order to supplement the functions of the resist underlayer film and / or the resist film, or to provide the functions that they do not have in resist pattern formation or the like.
  • an antireflection film also referred to as an antireflection layer
  • the antireflection function of the resist underlayer film can be supplemented.
  • the hard mask layer is formed as an intermediate layer, the influence on the resist underlayer film in the development process, for example, when using an alkali developer is suppressed, and / or the lower layer film of this embodiment is etched and then the lower layer Insufficient etching resistance of the resist pattern forming layer when etching a substrate made of silicon, aluminum, nickel or the like can be compensated.
  • the intermediate layer formed on the lower layer film of the present embodiment may be configured to include either or both of the antireflection layer and the hard mask layer, and the layer configuration is the lower layer of the present embodiment.
  • An antireflection layer or a hard mask layer may be formed immediately above the film. It is preferably selected in consideration of the characteristics of the resist material, processed substrate, and other materials, and productivity.
  • the intermediate layer can be formed of an organic compound or an inorganic oxide. Examples of the organic compound include DUV-42, DUV-44, ARC-28, ARC-29 (all manufactured by Brewer Science), AR-3, AR-19 (all manufactured by Rohm and Haas). ) And the like.
  • the inorganic oxide for example, NFC SOG series (manufactured by JSR), polysiloxane, titanium oxide, alumina oxide, tungsten oxide, etc. formed by a CVD method can be used.
  • the method for forming the intermediate layer is not particularly limited, and examples thereof include a coating method and a CVD method. Among these, a coating method is preferable. When the coating method is used, the intermediate layer can be formed continuously after forming the resist underlayer film.
  • the thickness of the intermediate layer is not particularly limited and is appropriately selected depending on the function required for the intermediate layer, but is preferably 1 nm to 5 ⁇ m, more preferably 5 nm to 3 ⁇ m, and still more preferably 10 nm to 0.3 ⁇ m. It is a range. Examples of a method for forming a resist pattern on the upper surface side of the resist underlayer film or the intermediate layer include a method using photolithography. This method will be specifically described below, but the present invention is not limited thereto.
  • the method using photolithography is, for example, using a resist composition, forming a resist film on the upper surface side of the resist underlayer film (hereinafter also referred to as “resist film forming process”), and exposing the resist film (hereinafter referred to as “resist film formation process”). , Also referred to as “exposure step”), and a step of developing the exposed resist film (hereinafter also referred to as “development step”).
  • a resist composition is used to form a resist film on the upper surface side of the resist underlayer film. Specifically, after applying the resist composition so that the resulting resist film has a predetermined thickness, the solvent in the coating film is volatilized by pre-baking to form a resist film.
  • the resist composition examples include a positive or negative chemically amplified resist composition containing a photoacid generator; a positive resist composition comprising an alkali-soluble resin and a quinonediazide-based photosensitizer; Negative resist composition comprising an agent; and the like.
  • the solid content concentration of the resist composition is preferably in the range of 0.1% by mass to 50% by mass, more preferably 0.5% by mass to 50% by mass, and still more preferably 1.0% by mass to 50% by mass. Yes, it can be selected within an appropriate range in consideration of the target film thickness and productivity.
  • the resist composition is preferably prepared by filtering with a filter having a pore size of about 0.1 ⁇ m.
  • a commercially available resist composition can be used as it is.
  • the coating method of the resist composition is not particularly limited, and for example, it can be performed by a method such as spin coating, cast coating, roll coating or the like.
  • the pre-baking temperature is appropriately selected according to the type of resist composition used and the like, but is preferably 30 ° C. to 200 ° C., more preferably 50 ° C. to 150 ° C.
  • the resist film formed in the resist film forming step is exposed. This exposure is performed, for example, via a predetermined mask pattern and, if necessary, an immersion liquid.
  • the exposure light depending on the type of photoacid generator used in the resist composition, for example, electromagnetic waves such as visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-rays, ⁇ -rays; electron beams, molecular beams, ion beams, Although appropriately selected from particle beams such as ⁇ rays, far ultraviolet rays are preferable, and KrF excimer laser light (248 nm), ArF excimer laser light (193 nm), F2 excimer laser light (wavelength 157 nm), Kr2 excimer laser light ( Wavelength 147 nm), ArKr excimer laser light (wavelength 134 nm), and extreme ultraviolet light (wavelength 13 nm, etc.) are more preferable, and ArF excimer laser light is more preferable.
  • post-baking can be performed in order to improve the resolution, pattern profile, developability, etc. of the resist pattern to be formed.
  • the post-baking temperature is appropriately adjusted according to the type of resist composition used, but is preferably 50 ° C. to 200 ° C., more preferably 70 ° C. to 150 ° C.
  • the resist film exposed in the exposure step is developed.
  • the developer used for the development is appropriately selected according to the type of resist composition used.
  • alkali development for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethanol Amine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, choline, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo [4.3.
  • the intermediate layer is formed by performing the intermediate layer forming step, the influence of these alkaline aqueous solutions on the resist underlayer film can be suppressed.
  • An appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as alcohols such as methanol and ethanol, and a surfactant can be added to these alkaline aqueous solutions.
  • the developing solution containing an organic solvent can also be used.
  • the organic solvent include esters, ketones, ethers, alcohols, amides, hydrocarbons and the like.
  • the solvent used in the organic solvent development is appropriately selected according to the characteristics of the resist underlayer film.
  • a predetermined resist pattern is formed by developing using the developer, washing, and drying.
  • a method using a nanoimprint method, a method using a self-organizing composition, or the like can also be used as a method for performing the resist pattern forming step.
  • the etching may be dry etching or wet etching.
  • the dry etching can be performed using a known dry etching apparatus.
  • the source gas for dry etching is not particularly limited because it depends on the elemental composition of the object to be etched.
  • a gas containing oxygen atoms such as O 2 , CO, and CO 2 ; He, N 2 ,
  • An inert gas such as Ar; a chlorine-based gas such as Cl 2 or BCl 3 ; a fluorine-based gas such as CHF 3 or CF 4 ; a gas such as H 2 or NH 3
  • these gases can also be mixed and used.
  • the removal method may be a dry method or a wet method using a solvent or the like, and is preferably selected in consideration of physical properties of the material and process adaptability, and a dry and wet method may be used in combination.
  • a dry etching apparatus used in the above etching process can be used. Therefore, when shifting from the etching process to the removal process of the lower layer film material, there is no need to change the production line, and the dry method is preferably used from the viewpoint of productivity.
  • the gas source when using the dry etching apparatus in the removal process of the lower layer film material is preferably selected according to the elemental composition of the object to be etched, for example, a gas containing oxygen atoms such as O 2 , CO, CO 2 ; Inert gas such as N 2 , Ar; Chlorine gas such as Cl 2 and BCl 3 ; Fluorine gas such as CHF 3 and CF 4 ; H 2 and NH 3 gas, etc. It is more suitably selected according to the low dielectric material coated on the substrate surface and the substrate material. Two or more kinds of these gases can be mixed and used.
  • the underlayer film forming material according to the present embodiment is an underlayer film forming material for forming a resist underlayer film used in a multilayer resist process, includes a cyclic olefin polymer, and is measured by the following method 4.
  • the residual film ratio of the material for forming the lower layer film is 50% or more and 100% or less, preferably 60% or more and 100% or less.
  • the lower limit value of the remaining film ratio of the lower layer film forming material is more preferably 70% or more.
  • the upper limit value of the remaining film ratio of the lower layer film forming material is more preferably 99% or less, and even more preferably 98% or less.
  • the lower layer film forming material according to the present embodiment is a lower layer film forming material for forming a resist lower layer film used in a multilayer resist process, and is a film material containing a cyclic olefin polymer.
  • the olefin polymer itself can be dissolved in an organic solvent at a concentration of at least 0.01% by mass to 50% by mass, and the remaining film ratio of the cyclic olefin polymer measured by the following method 4 in the membrane. Is 50% or more and 100% or less, preferably 60% or more and 100% or less.
  • the lower limit of the remaining film ratio of the cyclic olefin polymer is more preferably 70% or more.
  • the upper limit value of the remaining film ratio of the cyclic olefin polymer is more preferably 99% or less, and even more preferably 98% or less. If the remaining film ratio is too low, there may be a problem due to mixing with the intermediate layer as described above. On the other hand, when the remaining film ratio is slightly less than 100%, the polymer forming the intermediate layer and the base film may be moderately entangled to increase the peel strength.
  • Method 4 A coat film having a thickness ( ⁇ ) of 200 nm to 500 nm made of a cyclic olefin polymer according to the present embodiment is formed on a silicon wafer. Next, the obtained coating film is treated at 200 ° C. for 10 minutes.
  • the inventors of the present invention have made extensive studies in order to achieve the above problems. As a result, it has been found that if the resist underlayer film has a low affinity for the solvent used for forming the intermediate layer, the resist underlayer film and the intermediate layer can be prevented from causing intermixing. The present inventors have further studied based on the above findings. As a result, by using a material for forming a lower layer film or a cyclic olefin polymer in which the remaining film ratio when immersed in propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate measured by the method 4 is within the above range, It has been found for the first time that the resist underlayer film can be effectively dissolved and the resist underlayer film and the intermediate layer can be mixed more than necessary.
  • the intermediate film is formed on the resist underlayer film when the residual film ratio of the material for forming the underlayer film or the cyclic olefin polymer according to the present embodiment measured by the method 4 is equal to or more than the above lower limit value, It is possible to prevent the lower layer film from being dissolved and the resist lower layer film and the intermediate layer from being mixed more than necessary. As a result, the adhesiveness between the intermediate layer and the resist lower layer film is excellent and flat. An excellent laminate can be realized.
  • the cyclic olefin polymer used in the second invention is not particularly limited as long as it is a polymer that dissolves in an organic solvent at room temperature to 50 ° C., preferably at room temperature.
  • the organic solvent is a solvent selected from the group consisting of alcohol solvents, ether solvents, ketone solvents, amide solvents, ester solvents, and cyclic hydrocarbon solvents. More preferred are alcohol solvents, ether solvents, ketone solvents, amide solvents and ester solvents, and more preferred are ether solvents, ketone solvents, amide solvents and ester solvents. Particularly preferred is a solvent having a polyether monoester structure.
  • cyclic olefin polymer of the second invention include a cyclic olefin polymer having a norbornane skeleton or a tetracyclododecane skeleton. Moreover, it is preferable that the substituent which has a hetero atom which is contained in said organic solvent is included.
  • substituent containing a hetero atom examples include an alkoxy group, aryloxy group, alkoxyalkyl group, aryloxyalkyl group, alkoxycarbonyl group, dialkylaminocarbonyl group, aryloxycarbonyl group, alkylarylaminocarbonyl group, alkoxycarbonylalkyl group, Preferred examples include an alkoxycarbonylaryl group, an aryloxycarbonylalkyl group, an alkoxyalkyloxycarbonyl group, and an alkoxycarbonylalkyloxycarbonyl group. Particularly preferred substituents are ester groups as described above.
  • cyclic olefin polymer used in the second invention is a cyclic olefin polymer having the structural unit [A] and the structural unit [B] disclosed in the first invention. Preferred conditions such as the ratio of these structural units are the same as those ranges disclosed in the first invention.
  • a method for forming a film using the lower layer film forming material according to the present embodiment a known method can be used.
  • a preferred example is a spin coating method.
  • the solvent for forming the polymer solution used for spin coating include the above-mentioned spin coating solvents.
  • Particularly preferable examples include polyether esters such as PGMEA, polyethers, ketones, alcohols and esters.
  • an embodiment including a solvent having a cyclic structure may be preferable.
  • it is a cyclic ketone compound such as cycloalkanone, preferably cyclohexanone.
  • the lower layer film forming material according to this embodiment is desirably processed at a high temperature for a predetermined time. Specific temperature conditions include a range of 100 to 400 ° C. A preferred lower limit is 150 ° C. or higher, more preferably 180 ° C. or higher. On the other hand, a preferable upper limit is 300 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower. As the reason for this, the present inventors consider as follows.
  • the film formed using the cyclic olefin polymer having a polar group according to the present embodiment undergoes a heat treatment, and the entire heated portion undergoes a change in polarity relatively uniformly. There is a pattern. It is thought that the change in polarity greatly changes the solubility in the solvent, that is, it becomes difficult to dissolve in the organic solvent. The present inventors consider that this may be due to alteration of the polar group of the cyclic olefin polymer according to this embodiment. The possibility of having a pseudo-crosslinking or a crosslinked structure is also considered.
  • the effect is large, that is, a preferable mode.
  • a more specific description will be given below.
  • the repeating structural unit [B] represented by the general formula (2) can cause cleavage of an ether group or a thioether group by heating to change the polarity of the molecule.
  • At least one of R 1 to R 8 is an alkoxycarbonyl group, an alkoxycarbonylalkyl group, an alkoxycarbonylaryl group, an alkoxycarbonylalkyloxycarbonyl group, preferably a tertiary carbon bonded to form an ester group
  • a carboxyl group is generated by heating, and the molecular polarity is further increased. It can be expected to change greatly. Since the aspect of the present invention has such a feature, it is considered that a sufficiently high intermixing effect can be exhibited even if the content of the crosslinking agent is lowered as described above.
  • the material for forming a lower layer film according to the present embodiment is a material for forming a layer disposed between an intermediate layer and a substrate (preferably a substrate having an uneven structure) in a semiconductor device manufacturing process.
  • the layer disposed between the intermediate layer and the substrate is usually called a resist underlayer film based on a resist layer made of a resist material to which a mask pattern is transferred by a photolithography process.
  • the surface of the substrate in contact with the resist underlayer film is, for example, a silica (SiO 2 ) film, a SiCN film, a SiOC film in which silica (SiO 2 ) is doped with carbon (C), a methylsiloxane organic film (SOG), a few A state in which a film is formed of a low dielectric material such as a silica insulating film in which minute pores of nm or less are uniformly distributed may be used.
  • the intermediate layer is a layer having these functions in order to supplement the functions of the resist underlayer film and / or the resist film, or to provide the functions that they do not have in resist pattern formation or the like.
  • an antireflection film also referred to as an antireflection layer
  • the antireflection function of the resist underlayer film can be supplemented.
  • the hard mask layer is formed as an intermediate layer, the influence on the resist underlayer film in the development process, for example, when using an alkali developer is suppressed, and / or the lower layer film of this embodiment is etched and then the lower layer Insufficient etching resistance of the resist pattern forming layer when etching a substrate made of silicon, aluminum, nickel or the like can be compensated.
  • the intermediate layer formed on the lower layer film of the present embodiment may be configured to include either or both of the antireflection layer and the hard mask layer, and the layer configuration is the lower layer of the present embodiment.
  • An antireflection layer or a hard mask layer may be formed immediately above the film. It is preferably selected in consideration of the characteristics of the resist material, processed substrate, and other materials, and productivity.
  • the intermediate layer can be formed of an organic compound or an inorganic oxide. Examples of the organic compound include DUV-42, DUV-44, ARC-28, ARC-29 (all manufactured by Brewer Science), AR-3, AR-19 (all manufactured by Rohm and Haas). ) And the like.
  • the inorganic oxide for example, NFC SOG series (manufactured by JSR), polysiloxane, titanium oxide, alumina oxide, tungsten oxide, etc. formed by a CVD method can be used.
  • the method for forming the intermediate layer is preferably a coating method.
  • the intermediate layer can be formed continuously after forming the resist underlayer film.
  • the solvent used when forming the intermediate layer using the coating method for example, those exemplified as the solvent for the spin coating solution are preferable, and among them, polyether such as PGMEA, polyether ester, etc. are preferable examples. Can be mentioned.
  • the thickness of the intermediate layer is not particularly limited and is appropriately selected depending on the function required for the intermediate layer, but is preferably 1 nm to 5 ⁇ m, more preferably 5 nm to 3 ⁇ m, and still more preferably 10 nm to 0.3 ⁇ m. It is a range.
  • the same cyclic olefin polymer as the first invention can be used as described above. Therefore, detailed description is omitted.
  • the resist underlayer film, the resist underlayer film forming method and the pattern forming method according to the present embodiment conform to the resist underlayer film, the resist underlayer film forming method and the pattern forming method according to the first invention. Therefore, detailed description is omitted.
  • Detector RI-2031 and 875-UV manufactured by JASCO Corporation or Model 270 manufactured by Viscotec, serial connection column: Shodex K-806M, 804, 803, 802.5, column temperature: 40 ° C., flow rate: 1.0 ml / min Sample concentration: 3.0-9.0 mg / ml.
  • a coat film made of a cyclic olefin polymer and having a thickness ( ⁇ ) nm was formed on a silicon wafer.
  • the obtained coating film was treated at 200 ° C. for 10 minutes or 30 minutes.
  • the coat film was cut out in a size of 20 mm ⁇ 10 mm.
  • PGMEA propylene glycol monomethyl ether
  • the obtained solution was prepared, and 2.5 mL of the obtained solution was spin-coated on a 4-inch silicon wafer.
  • Substrate-formed substrate for evaluation of embedding A silicon substrate having a size of 3 cm ⁇ 3 cm in which a line and space pattern having a height of 200 nm, a convex portion width of 40 to 150 nm, and a convex-convex width of 40 to 150 nm was formed on the substrate surface was used.
  • Substrate B A silicon substrate having a size of 3 cm ⁇ 3 cm in which a line and space pattern having a height of 200 nm, a convex portion width of 40 nm to 1000 ⁇ m, and a convex-convex width of 40 nm to 1000 ⁇ m was formed on the substrate surface.
  • n value and k value Using a spectroscopic ellipsometer GES5E manufactured by Nippon Semilab Co., Ltd., using a measurement sample having a size of 20 mm ⁇ 20 mm coated on a silicon wafer with a thickness of 250 nm in an environment of temperature: 23 to 25 ° C. and humidity: 50 to 55%. Any three points were measured. From the measurement results, a refractive index (n value) and an extinction coefficient (k value) of 193 nm were calculated, and an n value and a k value were obtained from an average value of three points.
  • the measurement sample was produced by the following method.
  • a PGMEA solution in which the cyclic olefin polymer of this embodiment was dissolved at 10% by mass was prepared, and the obtained solution was spin-coated on a 4-inch silicon wafer. Subsequently, it baked for 3 minutes at 200 degreeC in nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the sample was cut out in a size of 20 mm ⁇ 20 mm to obtain a sample for measurement.
  • the resist underlayer film according to the present embodiment was formed on a silicon substrate having a size of 3 cm ⁇ 3 cm in which a line and space pattern having a height of 200 nm, a convex width of 100 nm, and a convex-convex width of 100 nm was formed on the substrate surface.
  • a sample in which a resist underlayer film was formed on the concavo-convex surface of the silicon substrate was divided, and one of the sample pieces was used for cross-sectional observation before ashing and observed by SEM. It was carried out in the following manner ashing characteristics evaluation by O 2 etching using the other sample piece of the sample piece.
  • the same plasma processing apparatus as that used in the plasma etching characteristic evaluation was used. First, a sample was put in the chamber, the pressure in the chamber was reduced to 1 Pa or less, then, O 2 gas was introduced into the chamber at 30 sccm, and the pressure in the chamber was maintained at 7 Pa. Thereafter, plasma discharge was performed by applying 13.56 MHz high frequency power, and plasma etching was performed. The plasma etching process was performed for 60 seconds. After the above plasma etching treatment, cross-sectional observation after ashing was performed by SEM, and SEM observation images before and after plasma etching were compared to evaluate ashing characteristics.
  • a PGMEA / cyclohexanone 5/5 solution in which the cyclic olefin polymer of the present embodiment was dissolved at 10% by mass in a silicon wafer having a size of 30 mm ⁇ 30 mm in an environment of temperature: 23 to 25 ° C. and humidity: 50 to 55%,
  • the film was spin-coated at a thickness of 250 nm under the conditions of 1000 rpm and 10 sec, and baked at 200 ° C. for 1 minute in a nitrogen atmosphere.
  • a PGMEA solution in which titanium isopropoxide was dissolved at 10% by mass was spin-coated at 1000 rpm for 10 seconds, and fired at 200 ° C. for 1 minute in a nitrogen atmosphere to produce a sample for evaluation. Observed with TEM.
  • Example 1 In a 5 L autoclave equipped with a magnetic stirrer under a nitrogen atmosphere, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10] -3-dodecene to 320g (2mol), 4,10- dioxy having a structural unit [B] - tricyclo [5.2.1.0 2, 6]-8-decene-3-one 304 g (2 mol) and 21 g (0.25 mol) of 1,5-hexadiene were dissolved in 3.4 kg of tetrahydrofuran (hereinafter referred to as THF) and stirred.
  • THF tetrahydrofuran
  • a cyclic olefin polymer was precipitated from the obtained ring-opening metathesis polymer solution using methanol, and dried under reduced pressure at 80 ° C. to obtain a white powder solid (Polymer 1).
  • the glass transition temperature of polymer 1 was 151 ° C.
  • the generation amount of the volatile component of the polymer 1 was 0.0 mass%.
  • the temperature indicating the intersection of the storage elastic modulus (G ′) curve and the loss elastic modulus (G ′′) curve calculated from the solid viscoelasticity measurement results of polymer 1 was 173 ° C. (see FIG. 1).
  • PGMEA propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate
  • CH cyclohexanone
  • PGMEA / cyclohexanone 5/5
  • a line and space pattern having a height of 200 nm, a convex width of 40 to 150 nm, and a convex-convex width of 40 to 150 nm was formed on the substrate surface at 1000 rpm for 10 seconds. It apply
  • the refractive index (n value) of Polymer 1 measured with an ellipsometer was 1.66, and the extinction coefficient (k value) was 0.08.
  • the polymer 1 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Furthermore, the thickness (H av ) of the layer of polymer 1 averaged by measuring the distance from the bottom of the recess to the atmospheric surface at 10 points is 300 nm, the maximum height (H max ) is 301 nm, and the minimum height (H min ) was 300 nm, and the flatness ( ⁇ FT) was 0.3%.
  • Example 2 white powder solid
  • the glass transition temperature of polymer 2 was 150 ° C.
  • the generation amount of the volatile component of the polymer 2 was 0.0 mass%.
  • the temperature indicating the intersection of the storage elastic modulus (G ′) curve and the loss elastic modulus (G ′′) curve calculated from the solid viscoelasticity measurement results of the polymer 2 was 167 ° C.
  • the polymer 2 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Furthermore, all the measured values obtained by measuring the distance from the bottom surface of the recess to the atmospheric surface were 299 nm, and the flatness ( ⁇ FT) was 0.0%.
  • Example 3 A monomer having the structural unit [A] is converted into 8- (1-ethylcyclopentyloxycarbonyl) -tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 4.1 kg of a ring-opening metathesis polymer solution was obtained in the same manner as in Example 1, except that the amount was changed to 1 7,10 ] -3-dodecene.
  • Example 3 a white powder solid
  • the glass transition temperature of polymer 3 was 130 ° C.
  • the generation amount of the volatile component of the polymer 3 was 0.0 mass%.
  • the temperature indicating the intersection of the storage elastic modulus (G ′) curve and the loss elastic modulus (G ′′) curve calculated from the results of solid viscoelasticity measurement of polymer 3 was 151 ° C.
  • the polymer 3 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Further, the thickness of the layer of polymer 3 averaged by measuring the distance from the bottom of the recess to the atmospheric surface at 10 points is 302 nm, the maximum height (H max ) is 303 nm, and the minimum height (H min ) is 301 nm. Yes, the flatness ( ⁇ FT) was 0.7%.
  • Example 4 8-methoxycarbonyl-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 437 g (2 mol) of 1 7,10 ] -3-dodecene, 4-phenyl-4-aza-10-oxy-tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] -8-decene having the structural unit [B] -3,5-dione (121 g, 0.5 mol) and 1,5-hexadiene (21 g, 0.25 mol) were dissolved in 3.7 kg of THF, and the ring-opening metathesis polymer solution was added in the same manner as in Example 1. 2 kg was obtained.
  • the generation amount of the volatile component of the polymer 4 was 0.0 mass%.
  • the temperature indicating the intersection of the storage elastic modulus (G ′) curve and the loss elastic modulus (G ′′) curve calculated from the results of the solid viscoelasticity measurement of polymer 4 was 190 ° C.
  • Example 2 a sample in which the polymer 4 was coated on the concavo-convex surface of the silicon substrate A was produced in the same manner as in Example 1.
  • the refractive index (n value) of the polymer 4 measured with an ellipsometer was 1.71, and the extinction coefficient (k value) was 0.09.
  • the polymer 4 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Furthermore, the thickness of the polymer 4 layer averaged by measuring the distance from the bottom surface of the recess to the air surface at 10 points is 310 nm, the maximum height (H max ) is 311 nm, and the minimum height (H min ) is 309 nm. Yes, the flatness ( ⁇ FT) was 0.6%.
  • Example 5 3.7 kg of the ring-opening metathesis polymer solution was obtained in the same manner as in Example 1 except that the monomer having the structural unit [A] was changed to bicyclo [2.2.1] hept-2-ene.
  • the glass transition temperature of polymer 5 was 72 ° C.
  • the generation amount of the volatile component of the polymer 5 was 0.0 mass%.
  • the temperature which shows the intersection of the storage elastic modulus (G ') curve calculated from the result of the solid viscoelasticity measurement of the polymer 5 and a loss elastic modulus (G ") curve was 84 degreeC.
  • the polymer 5 was uniformly embedded in a groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Furthermore, all the measured values obtained by measuring the distance from the bottom of the recess to the atmospheric surface were 315 nm and the flatness ( ⁇ FT1) was 0.0%.
  • the glass transition temperature of polymer 6 was 56 ° C. Moreover, the generation amount of the volatile component of the polymer 6 was 0.0 mass%. Moreover, the temperature which shows the intersection of the storage elastic modulus (G ') curve calculated from the result of the solid viscoelasticity measurement of the polymer 6 and a loss elastic modulus (G ") curve was 76 degreeC.
  • G ' storage elastic modulus
  • G " loss elastic modulus
  • the polymer 6 was uniformly embedded in a groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Furthermore, any measured value obtained by measuring 10 points from the bottom surface of the recess to the air surface was 311 nm, and the flatness ( ⁇ FT1) was 0.0%.
  • the glass transition temperature of polymer 7 was 58 ° C. Moreover, the generation amount of the volatile component of the polymer 7 was 0.0 mass%. The temperature indicating the intersection of the storage elastic modulus (G ′) curve and the loss elastic modulus (G ′′) curve calculated from the results of the solid viscoelasticity measurement of the polymer 7 was 81 ° C. Next, a sample in which the uneven surface of the silicon substrate A was coated with the polymer 7 was produced in the same manner as in Example 1. The refractive index (n value) of the polymer 7 measured with an ellipsometer was 1.78, and the extinction coefficient (k value) was 0.01.
  • the polymer 7 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Furthermore, any measured value obtained by measuring 10 points from the bottom surface of the recess to the atmospheric surface was 305 nm, and the flatness ( ⁇ FT1) was 0.0%.
  • the polymer 8 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convexities without any defects such as voids. Further, the thickness of the polymer 8 layer averaged by measuring 10 points from the bottom surface of the concave portion to the atmospheric surface is 310 nm, the maximum height (H max ) is 311 nm, and the minimum height (H min ) is 309 nm. Yes, the flatness ( ⁇ FT) was 0.6%.
  • Example 2 a white powder solid (polymer 9).
  • the glass transition temperature of polymer 9 was 45 ° C.
  • the generation amount of the volatile component of the polymer 9 was 0.0 mass%.
  • the temperature which shows the intersection of the storage elastic modulus (G ') curve and loss elastic modulus (G ") curve computed from the result of the solid viscoelasticity measurement of the polymer 9 was 50 degreeC.
  • a sample in which the polymer 9 was coated on the uneven surface of the silicon substrate A was produced in the same manner as in Example 1.
  • the refractive index (n value) of the polymer 9 measured with an ellipsometer was 1.64, and the extinction coefficient (k value) was 0.01.
  • the polymer 9 was uniformly embedded in a groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Furthermore, all the measured values obtained by measuring the distance from the bottom of the recess to the atmospheric surface were 316 nm and the flatness ( ⁇ FT) was 0.0%.
  • Example 10 75 g (0.8 mol) of bicyclo [2.2.1] hept-2-ene having the structural unit [A] and 4,10-dioxy-tricyclo [5.2.1.0] having the structural unit [B] 3.8 kg of a ring-opening metathesis polymer solution was obtained in the same manner as in Example 1 except that 2,6 ] -8-decen-3-one was changed to 487 g (3.2 mol).
  • Example 10 white powder solid
  • the glass transition temperature of polymer 10 was 68 ° C.
  • the generation amount of the volatile component of the polymer 10 was 0.0 mass%.
  • the temperature which shows the intersection of the storage elastic modulus (G ') curve and loss elastic modulus (G ") curve computed from the result of the solid viscoelasticity measurement of the polymer 10 was 82 degreeC.
  • a sample in which the polymer 10 was coated on the concavo-convex surface of the silicon substrate A was produced in the same manner as in Example 1.
  • the refractive index (n value) of the polymer 10 measured with an ellipsometer was 1.67, and the extinction coefficient (k value) was 0.02.
  • the polymer 10 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids.
  • any measured value obtained by measuring 10 points from the bottom surface of the recess to the atmospheric surface was 320 nm, and the flatness ( ⁇ FT) was 0.0%.
  • the film was applied to the surface of a silicon substrate A on which a line & space pattern having a height of 200 nm, a convex portion width of 40 to 150 nm, and a convex-convex width of 40 to 150 nm was formed. Then, it heated at 200 degreeC for 3 minute (s) in nitrogen atmosphere.
  • the polymer 5 was uniformly embedded in a groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Furthermore, all the measured values obtained by measuring 10 points from the bottom surface of the recess to the air surface were 208 nm, and the flatness ( ⁇ FT) was 0.0%.
  • the film was applied to the surface of a silicon substrate A on which a line & space pattern having a height of 200 nm, a convex width of 40 to 150 nm, and a convex-convex width of 40 to 150 nm was formed. Then, it heated at 200 degreeC for 3 minute (s) in nitrogen atmosphere.
  • the polymer 5 was uniformly embedded in a groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Furthermore, any measured value obtained by measuring the distance from the bottom of the concave portion to the atmospheric surface at 10 points was 1622 nm, and the flatness ( ⁇ FT) was 0.0%.
  • Example 13 10% by mass of the polymer 8 obtained in Example 8 and 3 ′, 4′-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate (EEC) as a crosslinking agent were dissolved at a concentration of 0.3% by mass.
  • EEC 4′-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate
  • the refractive index (n value) measured with an ellipsometer was 1.67, and the extinction coefficient (k value) was 0.02.
  • the temperature at which the cyclic olefin polymer undergoes a polarity change is known to be sufficiently higher than the temperature at the intersection of G ′ and G ′′, formation of a lower layer film comprising the cyclic olefin polymer and a crosslinking agent
  • the temperature at the intersection of G ′ and G ′′ of the material may be regarded as a similar value.
  • the thickness of the layer of the polymer 8 averaged by measuring the distance from the bottom surface of the recess to the air surface at 10 points is 313 nm
  • the maximum height (H max ) is 313 nm
  • the minimum height (H min ) is 312 nm.
  • the flatness ( ⁇ FT) was 0.3%.
  • the thickness of the H 1 layer obtained by averaging 10 distances from the bottom surface of the concave portion of the polymer 5 to the atmospheric surface is 306 nm
  • the thickness of the H 2 layer is 306 nm
  • the flatness ( ⁇ FT) is 0. 0%.
  • the thickness of the H 1 layer averaged by measuring 10 points from the bottom surface of the concave portion of the polymer 8 to the air surface is 301 nm
  • the thickness of the H 2 layer is 302 nm
  • the flatness ( ⁇ FT) is 0.3%.
  • the thickness of the H 1 layer averaged by measuring the distance from the bottom surface of the concave portion of the polymer 9 to the air surface at 10 points was 298 nm
  • the thickness of the H 2 layer was 298 nm
  • the flatness ( ⁇ FT) was 0.0%.
  • SiO 2 [tetraethoxysilane (TEOS) formed on the surface of the silicon wafer is used as a raw material and fired on the surface of the silicon wafer. ] was used as a target substance, and then the etching resistance was evaluated by the value of [SiO 2 (nm / sec) / each sample (nm / sec)]. The value of [SiO 2 (nm / sec) / the sample (nm / sec)] is the better the higher etching resistance.
  • Polymer 1 is 4.5
  • Polymer 2 is 5.0
  • Polymer 3 is 5.0
  • Polymer 4 is 5.5
  • Polymer 5 is 4.5
  • Polymer 6 is 5.
  • polymer 7 is 5.0
  • polymer 8 is 5.0
  • polymer 9 is 5.0
  • polymer 9 is 4.5
  • both polymers are high relative to SiO 2 It showed etching resistance.
  • each sample was divided, and one of them was subjected to SEM observation before ashing, and the other was ashed by dry etching for 60 seconds in an O 2 gas atmosphere.
  • SEM observation after ashing was performed. From comparison of SEM observation images before and after ashing, ashing was removed on the substrate without any polymer residue in any of Polymer 1, Polymer 2, Polymer 3 and Polymer 4.
  • ashing characteristics were evaluated in the same manner as described above using a siloxane resin whose substituent on Si was propoxymethacrylate.
  • a polymer residue was confirmed on the substrate by SEM observation, and the etching time was 180 seconds. Even if it was extended, it could not be removed without polymer residue.
  • the same void was generated also in the area where the width between the convexities was 40 nm.
  • the thickness of the H 1 layer averaged by measuring the distance from the bottom surface of the recess to the air surface at 10 points is 250 nm
  • the thickness of the H 2 layer is 264 nm
  • the flatness ( ⁇ FT) is 11.2%. there were.
  • the atmospheric surface was distorted.
  • Example 17 In a 5 L autoclave equipped with a magnetic stirrer under a nitrogen atmosphere, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10] -3-dodecene to 320g (2mol), 4,10- dioxy having a structural unit [B] - tricyclo [5.2.1.0 2, 6]-8-decene-3-one 304 g (2 mol) and 1,5-hexadiene were dissolved in 21 g (0.25 mol) of tetrahydrofuran (hereinafter referred to as THF) 3.4 kg and stirred.
  • THF tetrahydrofuran
  • a cyclic olefin polymer was precipitated from the obtained ring-opening metathesis polymer solution using methanol, and dried under reduced pressure at 80 ° C. to obtain a white powder solid (polymer 14).
  • the glass transition temperature of the polymer 14 was 151 ° C.
  • PGMEA propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate
  • CH cyclohexanone
  • the polymer 14 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convexities without any defects such as voids. Further, the thickness of the polymer 14 layer averaged by measuring the distance from the bottom of the recess to the atmospheric surface at 10 points is 300 nm, the maximum height (H max ) is 301 nm, and the minimum height (H min ) is 300 nm. Yes, the flatness ( ⁇ FT) was 0.3%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 14 obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 94%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 14 obtained by heating for 30 minutes at 200 degreeC in nitrogen atmosphere was 98%.
  • Example 17 a sample in which the uneven surface of the silicon substrate A was coated with the polymer 15 was produced.
  • the refractive index (n value) of the polymer 15 measured with an ellipsometer was 1.66, and the extinction coefficient (k value) was 0.04.
  • the polymer 15 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Furthermore, all the measured values obtained by measuring the distance from the bottom surface of the recess to the atmospheric surface were 299 nm, and the flatness ( ⁇ FT) was 0.0%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 15 obtained by heating at 200 degreeC for 30 minute (s) in nitrogen atmosphere was 93%.
  • Example 19 A monomer having the structural unit [A] is converted into 8- (1-ethylcyclopentyloxycarbonyl) -tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 4.1 kg of a ring-opening metathesis polymer solution was obtained in the same manner as in Example 17, except that the amount was changed to 1 7,10 ] -3-dodecene.
  • Example 17 white powder solid (polymer 16).
  • the glass transition temperature of polymer 16 was 130 ° C.
  • a sample in which the uneven surface of the silicon substrate A was coated with the polymer 16 was produced.
  • the refractive index (n value) of the polymer 16 measured with an ellipsometer was 1.68, and the extinction coefficient (k value) was 0.02.
  • the polymer 16 was uniformly embedded in a groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Further, the thickness of the polymer 16 layer averaged by measuring the distance from the bottom surface of the recess to the atmospheric surface at 10 points is 302 nm, the maximum height (H max ) is 303 nm, and the minimum height (H min ) is 301 nm. Yes, the flatness ( ⁇ FT) was 0.7%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 16 obtained by heating at 200 degreeC for 30 minute (s) in nitrogen atmosphere was 96%.
  • the glass transition temperature of polymer 17 was 91 ° C. Moreover, the generation amount of the volatile component of the polymer 17 was 0.0 mass%. Moreover, the temperature which shows the intersection of the storage elastic modulus (G ') curve and loss elastic modulus (G ") curve computed from the result of the solid viscoelasticity measurement of the polymer 17 was 112 degreeC. Next, a sample in which the polymer 17 was coated on the concavo-convex surface of the silicon substrate A was produced in the same manner as in Example 17. The refractive index (n value) of the polymer 17 measured by ellipsometer was 1.66, and the extinction coefficient (k value) was 0.02.
  • the polymer 17 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Further, the thickness of the polymer 17 layer averaged by measuring the distance from the bottom surface of the recess to the atmospheric surface at 10 points is 310 nm, the maximum height (H max ) is 311 nm, and the minimum height (H min ) is 309 nm. Yes, the flatness ( ⁇ FT) was 0.6%.
  • Reference information When the above-mentioned intermediate stage film was immersed in PGMEA as it was, the remaining film rate was 0.5%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME of the polymer 17 obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 66%.
  • the remaining film rate with respect to PGME of the polymer 17 obtained by heating at 200 degreeC for 30 minute (s) in nitrogen atmosphere was 92%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 17 obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 69%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 17 obtained by heating at 200 degreeC for 30 minute (s) in nitrogen atmosphere was 92%.
  • Example 21 3.7 kg of a ring-opening metathesis polymer solution was obtained in the same manner as in Example 17, except that the monomer having the structural unit [A] was changed to bicyclo [2.2.1] hept-2-ene.
  • the glass transition temperature of polymer 18 was 72 ° C.
  • the generation amount of the volatile component of the polymer 18 was 0.0 mass%.
  • the temperature indicating the intersection of the storage elastic modulus (G ′) curve and the loss elastic modulus (G ′′) curve calculated from the solid viscoelasticity measurement results of the polymer 18 was 84 ° C.
  • Example 17 a sample in which the uneven surface of the silicon substrate A was coated with the polymer 18 was produced.
  • the refractive index (n value) of the polymer 18 measured with an ellipsometer was 1.68, and the extinction coefficient (k value) was 0.01.
  • the polymer 18 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids.
  • the thickness of the layer of the polymer 18 averaged by measuring 10 points from the bottom surface of the recess to the atmospheric surface is 262 nm
  • the maximum height (H max ) is 262 nm
  • the minimum height (H min ) is 262 nm.
  • the flatness ( ⁇ FT) was 0.0%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME of the polymer 18 obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 96%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME of the polymer 18 obtained by heating for 30 minutes at 200 degreeC in nitrogen atmosphere was 99%.
  • Reference information: The film ratio in the case where the film in the intermediate stage was immersed in PGME without being treated at 200 ° C. was 1.8%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 18 obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 71%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 18 obtained by heating at 200 degreeC for 30 minute (s) in nitrogen atmosphere was 99%.
  • the glass transition temperature of polymer 19 was 56 ° C. Moreover, the generation amount of the volatile component of the polymer 19 was 0.0 mass%. Moreover, the temperature which shows the intersection of the storage elastic modulus (G ') curve calculated from the result of the solid viscoelasticity measurement of the polymer 19 and a loss elastic modulus (G ") curve was 76 degreeC. Next, a sample in which the uneven surface of the silicon substrate A was coated with the polymer 19 was produced in the same manner as in Example 17. The refractive index (n value) of the polymer 19 measured with an ellipsometer was 1.78, and the extinction coefficient (k value) was 0.02.
  • the polymer 19 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Further, the thickness of the layer of the polymer 19 averaged by measuring the distance from the bottom surface of the recess to the air surface at 10 points is 264 nm, the maximum height (H max ) is 266 nm, and the minimum height (H min ) is 264 nm. Yes, the flatness ( ⁇ FT) was 0.8%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME of the polymer 19 obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 71%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME of the polymer 19 obtained by heating at 200 degreeC for 30 minute (s) in nitrogen atmosphere was 95%.
  • Reference information: The film ratio at the time when the film in the intermediate stage was immersed in PGME without being treated at 200 ° C. was 2.2%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 19 obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 76%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 19 obtained by heating at 200 degreeC for 30 minute (s) in nitrogen atmosphere was 95%.
  • the glass transition temperature of polymer 20 was 58 ° C. Moreover, the generation amount of the volatile component of the polymer 20 was 0.0 mass%. Moreover, the temperature which shows the intersection of the storage elastic modulus (G ') curve and loss elastic modulus (G ") curve computed from the result of the solid viscoelasticity measurement of the polymer 20 was 81 degreeC. Next, a sample in which the uneven surface of the silicon substrate A was coated with the polymer 20 was produced in the same manner as in Example 17. The refractive index (n value) of the polymer 20 measured with an ellipsometer was 1.78, and the extinction coefficient (k value) was 0.01.
  • the polymer 20 was uniformly embedded in a groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convex and convex portions without defects such as voids. Furthermore, the thickness of the layer of the polymer 20 averaged by measuring 10 points from the bottom surface of the recess to the atmospheric surface is 263 nm, the maximum height (H max ) is 264 nm, and the minimum height (H min ) is 262 nm. Yes, the flatness ( ⁇ FT) was 0.8%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME of the polymer 20 obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 100%.
  • the remaining film rate with respect to PGME of the polymer 20 obtained by heating for 30 minutes at 200 degreeC in nitrogen atmosphere was 100%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 20 obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 98%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 20 obtained by heating for 30 minutes at 200 degreeC in nitrogen atmosphere was 100%.
  • the polymer 21 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convexities without any defects such as voids. Further, the thickness of the polymer 21 layer averaged by measuring the distance from the bottom surface of the recess to the air surface at 10 points is 273 nm, the maximum height (H max ) is 273 nm, and the minimum height (H min ) is 273 nm.
  • the flatness ( ⁇ FT) was 0.0%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 21 obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 76%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 21 obtained by heating at 200 degreeC for 30 minute (s) in nitrogen atmosphere was 94%.
  • Example 25 75 g (0.8 mol) of bicyclo [2.2.1] hept-2-ene having the structural unit [A] and 4,10-dioxy-tricyclo [5.2.1.0] having the structural unit [B] 3.8 kg of a ring-opening metathesis polymer solution was obtained in the same manner as in Example 17, except that 2,6 ] -8-decen-3-one was changed to 487 g (3.2 mol).
  • the polymer 22 was uniformly embedded in the groove having a narrow line width of 40 nm (height 200 nm) between the convexities without any defects such as voids. Furthermore, any measured value obtained by measuring 10 points from the bottom surface of the recess to the atmospheric surface was 260 nm, and the flatness ( ⁇ FT) was 0.0%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME of the polymer 22 obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 98%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME of the polymer 22 obtained by heating at 200 degreeC for 30 minute (s) in nitrogen atmosphere was 100%.
  • Reference information: The film ratio in the case where the film in the intermediate stage was immersed in PGME without being treated at 200 ° C. was 26%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 22 obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 97%.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) of the polymer 22 obtained by heating at 200 degreeC for 30 minute (s) in nitrogen atmosphere was 100%.
  • Example 26 10% by mass of the polymer 17 obtained in Example 20 and 3 ′, 4′-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate (EEC) as a crosslinking agent were dissolved at a concentration of 0.3% by mass.
  • EEC 4′-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate
  • the refractive index (n value) measured with an ellipsometer was 1.67, and the extinction coefficient (k value) was 0.02.
  • the temperature at which the cyclic olefin polymer undergoes a polarity change is known to be sufficiently higher than 112 ° C., which is the temperature at the intersection of G ′ and G ′′
  • the cyclic olefin polymer and the crosslinking agent are used.
  • the temperature at the intersection of G ′ and G ′′ of the lower layer film forming material may be regarded as a similar value.
  • the thickness of the layer of the polymer 8 averaged by measuring the distance from the bottom surface of the recess to the air surface at 10 points is 313 nm
  • the maximum height (H max ) is 313 nm
  • the minimum height (H min ) is 312 nm.
  • the flatness ( ⁇ FT) was 0.3%.
  • membrane obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 95%.
  • membrane obtained by heating at 200 degreeC and 30 minute (s) in nitrogen atmosphere was 100%.
  • membrane obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 94%.
  • membrane obtained by heating at 200 degreeC for 30 minute (s) in nitrogen atmosphere was 100%.
  • membrane obtained by heating at 200 degreeC for 10 minute (s) in nitrogen atmosphere was 94%.
  • membrane obtained by heating at 200 degreeC and 30 minute (s) in nitrogen atmosphere was 100%.
  • PHS polyhydroxystyrene
  • the residual film rate of PHS obtained by heating at 200 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere was 0.6%, and no appearance of insolubility in PGMEA was observed in any heating time.
  • the residual film ratio with respect to PGME was 0.1% of PHS only dried at 80 ° C. under reduced pressure for 5 hours.
  • the PHS obtained by heating at 200 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere was 0.4%.
  • PHS obtained by heating at 200 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere was 0.5%, and no appearance of insolubility in PGME was observed in any heating time.
  • the residual film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) was 0.1% of PHS only dried at 80 degreeC under pressure reduction for 5 hours.
  • the PHS obtained by heating at 200 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere was 0.4%.
  • PHS obtained by heating at 200 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere was 0.5%, and no insolubilization with respect to PGME / PGMEA (7/3) was observed in any heating time.
  • the remaining film ratio with respect to PGME was 25% of the polymer 23 only dried at 80 degreeC under pressure reduction for 5 hours.
  • the polymer 23 obtained by heating at 200 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere was 27%.
  • the polymer 23 obtained by heating at 200 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere was 28%, and no appearance of insolubility in PGME was observed in any heating time.
  • the remaining film ratio with respect to PGME / PGMEA (7/3) was 33% of the polymer 23 only dried at 80 degreeC under pressure reduction for 5 hours. Polymer 23 obtained by heating at 200 ° C.
  • a silicon wafer was spin coated. Subsequently, it heated at 200 degreeC and 1 minute in nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, a PGMEA solution in which titanium tetraisopropoxide was further dissolved at a concentration of 10% by mass was spin-coated on this wafer at 1000 rpm for 10 sec. Then, 200 ° C. under a nitrogen atmosphere, and heated for 1 minute to obtain a wafer was overcoated with TiO 2 on the layer of polymer 18. As a result of cross-sectional observation by TEM, the interface between the polymer 18 and TiO 2 was clear and flat.
  • Example 28 A wafer in which TiO 2 was overcoated on the layer of the polymer 19 was obtained in the same manner as in Example 27 except that the polymer 18 was changed to the polymer 19 obtained in Example 22. As a result of cross-sectional observation by TEM, the interface between the polymer 19 and TiO 2 was clear and flat. A cross-sectional photograph is shown in FIG.
  • the material for forming a lower layer film according to the first aspect of the present invention can provide a resist lower layer film that satisfies sufficient optical characteristics and etching resistance, is excellent in flatness, and suppresses generation of volatile matter.
  • a highly integrated semiconductor circuit can be obtained in the semiconductor device manufacturing process.
  • the material for forming the lower layer film of the second invention of the present invention can realize a laminate having excellent flatness as well as excellent adhesion between the intermediate layer and the resist lower layer film.
  • a highly integrated semiconductor circuit can be obtained in the semiconductor device manufacturing process.
  • the present invention includes the following aspects.
  • An underlayer film forming material for forming a resist underlayer film used in a multilayer resist process A cyclic olefin polymer having a repeating structural unit [A] represented by the following general formula (1) and a repeating structural unit [B] represented by the following general formula (2): A material for forming an underlayer film, wherein a molar ratio [A] / [B] of the structural unit [A] to the structural unit [B] in the cyclic olefin polymer is 5/95 or more and 95/5 or less.
  • R 1 to R 4 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, carbon An aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms, an aryloxyalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a dialkylaminocarbonyl group having 3 to 10 carbon atoms An aryloxycarbonyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkylarylaminocarbonyl group having 8 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonylalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, an alkoxycarbonylaryl group having 8 to 30 carbon atoms, and 8 to 8 carbon atoms 20 aryloxycarbonylalkyl groups, alkoxyalkyloxycarbon
  • the tetrahydrofuran is removed and then cooled to room temperature to solidify the cyclic olefin polymer, and the cyclic olefin polymer is heated at a temperature range of 30 to 300 ° C. and a heating rate of 10 ° C./min in a nitrogen atmosphere.
  • the amount of the volatile component generated in the cyclic olefin polymer is calculated from the weight loss in the range of 100 to 250 ° C.) 4). 1.
  • 1. To 3. In the material for forming an underlayer film according to any one of The material for lower layer film formation whose polystyrene conversion weight average molecular weight (Mw) of the said cyclic olefin polymer measured using gel permeation chromatography is 1000-20000.
  • Method 3 A coat film made of the cyclic olefin polymer having a thickness of 250 nm is formed on a silicon wafer, and the extinction coefficient (k value) of the obtained coat film is determined as the extinction coefficient (k value) of the cyclic olefin polymer. )) 7). 1. To 6.
  • An underlayer film forming material for forming a resist underlayer film used in a multilayer resist process A membrane material comprising a cyclic olefin polymer; The cyclic olefin polymer itself can be dissolved in an organic solvent at a concentration of at least 0.01% by mass to 50% by mass, A material for forming a lower layer film, wherein the remaining film ratio of the cyclic olefin polymer is 50% or more and 100% or less as measured by the following method 4 in the film.
  • Method 4 A coat film having a thickness ( ⁇ ) of 200 to 500 nm is formed on a silicon wafer, and the resulting coat film is then treated at 200 ° C. for 10 minutes.
  • the cyclic olefin polymer has a repeating structural unit [A] represented by the following general formula (1) and a repeating structural unit [B] represented by the following general formula (2).
  • a material for forming an underlayer film wherein a molar ratio [A] / [B] of the structural unit [A] to the structural unit [B] in the cyclic olefin polymer is 5/95 or more and 95/5 or less.
  • R 1 to R 4 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, carbon An aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms, an aryloxyalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms, and a dialkylaminocarbonyl group having 3 to 10 carbon atoms An aryloxycarbonyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkylarylaminocarbonyl group having 8 to 20 carbon atoms, an alkoxycarbonylalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, an alkoxycarbonylaryl group having 8 to 30 carbon atoms, and 8 to 8 carbon atoms 20 aryloxycarbonylalkyl groups, alkoxyalkyloxycarbon
  • Method 2 A coat film made of the above cyclic olefin polymer having a thickness of 250 nm is formed on a silicon wafer, and the refractive index (n value) of the obtained coat film at a wavelength of 193 nm is expressed by the refractive index (n Value)) 12 8).
  • n Value refractive index
  • Method 3 A coat film made of the above cyclic olefin polymer having a thickness of 250 nm is formed on a silicon wafer, and the extinction coefficient (k value) of the obtained coat film is calculated as the extinction coefficient (k value) of the above cyclic olefin polymer. )) 13. 8).
  • a resist underlayer film comprising the underlayer film forming material according to any one of the above. 15. 1. Thru 13. A method for producing a resist underlayer film comprising a step of forming a coating film containing the material for forming an underlayer film according to any one of the above on a substrate. 16. 15. In the method for producing a resist underlayer film according to claim 1, A method for forming a resist underlayer film further comprising a step of heating the coating film. 17. A substrate, Formed on one side of the substrate; Thru 13. A resist underlayer film containing the material for forming an underlayer film according to any one of A laminate comprising: 18. 17.
  • the film thickness of the resist underlayer film is measured at any 10 positions on the surface ( ⁇ ) opposite to the substrate of the resist underlayer film, and the average value thereof is defined as H av ) 20. 17.
  • Thru 19 In the laminate according to any one of The substrate has an uneven structure on at least one surface, The resist underlayer film is formed on the uneven structure,
  • the concavo-convex structure has a height of 5 nm or more and 500 nm or less, and a laminate having an interval between convexities of 1 nm or more and 10 mm or less.

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Abstract

本発明の下層膜形成用材料は、多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、下記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］および下記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］を有する環状オレフィンポリマーを含み、上記環状オレフィンポリマーにおける上記構造単位［Ａ］と上記構造単位［Ｂ］とのモル比［Ａ］／［Ｂ］が５／９５以上９５／５以下である。

Description

下層膜形成用材料、レジスト下層膜、レジスト下層膜の製造方法および積層体
　本発明は、下層膜形成用材料、レジスト下層膜、レジスト下層膜の製造方法および積層体に関する。
　半導体デバイスの製造では、高い集積度を得るために多層レジストプロセスが用いられている。このプロセスでは、一般的に、まず基板上に下層膜形成用材料を用いてレジスト下層膜を形成し、次いで、レジスト下層膜の上面側にレジスト層を形成し、焼成、露光を経てレジストパターンを形成する。つづいて、エッチングにより上記レジストパターンをレジスト下層膜に転写し、レジスト下層膜パターンを基板に転写することにより所望のパターンを得ることができる。
　基板としては平坦な形状の基板だけでなく、より複雑な回路の形成を行うために予備的に大きな回路形状を形成した凹凸構造を有する基板を用い、寸法サイズが大きな回路形状をさらに加工して、微細な回路を形成するマルチパターンニング法が最先端の回路形成プロセスでは導入されている。
　かかる多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜には、凹凸構造を有する基板の凹凸部への埋め込み性、レジストを塗布する側の表面の平坦性、適度な屈折率や消衰係数等の光学特性、良好なエッチング耐性等の特性が要求される。
　近年、集積度をより高めるためにパターンの微細化がさらに進んでいる。この微細化に対応すべく、下層膜形成用材料に用いられる化合物等の構造や官能基等について種々の検討が行われている（例えば、特許文献１参照）。
　一方で、高い集積度を得るためのパターン形成の微細化において、現在主流のＡｒＦエキシマレーザーを用いるリソグラフィー工程では半導体基板からの乱反射や定在波の影響が大きな問題となっている。この問題を解決すべく、下層膜に求められる機能の一部として、反射防止機能を付与した材料が広く検討されている。当該反射防止機能を下層膜に付与する形態としては、例えば、ある種の材料で基板表面の凹凸構造を埋め込み、平坦性を持たせた層の上に反射防止膜（ＢＡＲＣ：Ｂｏｔｔｏｍ　Ａｎｔｉ－Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　Ｃｏａｔｉｎｇ）を設ける形態や、基板表面の凹凸構造を埋め込む材料自身に反射防止機能を付与する形態等が検討されている。
　特に、前者の反射防止膜の形成材料については、その使用の容易さ等から、吸光部位を有するポリマー等からなる有機反射防止膜について数多くの検討が行われている。例えば、特許文献２には、上層に形成するレジスト膜とのインターミキシングがなく、ＡｒＦエキシマレーザーを用いて露光する場合、所望の光学定数（屈折率、消衰係数）が得られ、かつレジスト膜に対して大きなドライエッチング速度の選択比が得られる、レジスト下層膜（反射防止膜）が開示されている。
特開２００４－１７７６６８号公報 国際公開第２００９／００８４４６号
　最近では、複数種のトレンチ、特に互いに異なるアスペクト比を有するトレンチを有する基板、すなわち、より微細な凹凸構造を有する基板を用いて、多層レジスト法によるマルチパターニングで微細パターンを形成する場合が増えてきている。このような場合、最上層に形成されるレジスト層はレチクル上のパターンを正確に転写するために高度な平坦性が要求される。近年のパターン微細化の流れの中で、レジスト現像工程におけるパターン倒れを避けるためにレジスト層の膜厚は薄膜化されてきており、レジスト層は下層膜の平坦性の影響をより一層強く受けるようになってきている。したがって、上記のような一般的に樹脂が侵入し難い表面構造の基板上に形成されるレジスト下層膜は、これらのトレンチを十分に埋め込んだものであると共に高い平坦性を有することが要求される。さらには、塗布後のベーク工程において、揮発成分（アウトガス）を発生しない材料が好ましいと考えられる。
　本発明者らの検討によれば、従来のレジスト下層膜形成用材料では、平坦性の要求を満足させつつ、揮発成分を発生しない材料を実現することは困難な傾向にあることが分かってきた。
　一方、さらなる微細加工技術である、ＥＵＶ（極端紫外線の略称、波長１３．５ｎｍ）露光を採用したリソグラフィーでは、基板からの反射はないものの、特に、従来の埋め込み性に加えて、ＥＵＶ光の高エネルギー線露光用レジスト下層膜を形成する材料の揮発成分（アウトガス）発生が大きな問題となる可能性がある。
　また、露光する光の波長以下のライン幅で回路図を描く場合、複数の凹凸層を形成し、組み合わせる方法が知られている。このような態様を実現するには、上記凹凸層の平滑化を目的とする下層膜上に中間層を形成し、さらにその上に新たなレジスト層を形成する方法を例示できる。
　本発明者らの検討によると、例えばこの中間層をスピンコート法等で形成する場合、溶媒の選択を誤ると、下層膜と中間層がインターミキシングを起こしてしまい、その結果、下層膜と中間層との界面強度が低下したり、下層膜の平滑性が失われたりする場合があることも分かってきた。
　本件第一発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、十分な光学特性およびエッチング耐性を満たすとともに平坦性に優れ、揮発分の発生量も抑制されたレジスト下層膜を実現できる下層膜形成用材料を提供するものである。
　また、本件第一発明は、凹凸構造への埋め込み性に優れ、十分な光学特性およびエッチング耐性を満たすとともに平坦性に優れ、揮発分の発生量も抑制されたレジスト下層膜を複雑な形状の基板上に形成できる下層膜形成用材料を提供するものである。
　また、本件第二発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、中間層とレジスト下層膜とのインターミキシングを起こさず密着性に優れるとともに平坦性に優れた積層体を実現できる下層膜形成用材料を提供するものである。
　本発明によれば、以下に示す下層膜形成用材料、レジスト下層膜、レジスト下層膜の製造方法および積層体が提供される。
［１］
　多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、
　下記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］および下記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］を有する環状オレフィンポリマーを含み、
　上記環状オレフィンポリマーにおける上記構造単位［Ａ］と上記構造単位［Ｂ］とのモル比［Ａ］／［Ｂ］が５／９５以上９５／５以下である下層膜形成用材料。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 （上記一般式（１）中、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基、から選ばれ、Ｒ１～Ｒ４は互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 （上記一般式（２）中、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基から選ばれ、Ｒ５～Ｒ８が互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表し、Ｘ１は－Ｏ－または－Ｓ－を表す。）
［２］
　上記［１］に記載の下層膜形成用材料において、
　レオメータを用いて、窒素雰囲気下、ずりモード、測定温度範囲３０～３００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で測定される上記環状オレフィンポリマーの固体粘弾性における、貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度が４０℃以上２００℃以下である下層膜形成用材料。
［３］
　上記［１］に記載の下層膜形成用材料において、
　レオメータを用いて、窒素雰囲気下、ずりモード、測定温度範囲３０～３００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で測定される上記下層膜形成用材料の固体粘弾性における、貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度が４０℃以上２００℃以下である下層膜形成用材料。
［４］
　上記［２］または［３］に記載の下層膜形成用材料において、
　上記固体粘弾性における、貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度が８０℃以上２００℃以下である下層膜形成用材料。
［５］
　上記［１］乃至［４］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法１により測定される上記環状オレフィンポリマー中の揮発成分の発生量が、上記環状オレフィンポリマーの全体を１００質量％としたとき、０．０質量％以上１．０質量％以下である下層膜形成用材料。
（方法１：上記環状オレフィンポリマーをテトラヒドロフランに溶解して固形分濃度が２０質量％の溶液を作製し、得られた溶液をアルミ皿に計量し、次いで、窒素気流下、２００℃で３分間加熱してテトラヒドロフランを除去し、次いで、室温まで冷却して上記環状オレフィンポリマーを固化し、窒素雰囲気下で、３０～３００℃の温度範囲、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で上記環状オレフィンポリマーを加熱し、１００～２５０℃の範囲における重量減少量から、上記環状オレフィンポリマー中の上記揮発成分の発生量を算出する）
［６］
　上記［１］乃至［５］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーを用いて測定される上記環状オレフィンポリマーのポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００以上２００００以下である下層膜形成用材料。
［７］
　上記［１］乃至［６］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法２により測定される上記環状オレフィンポリマーの波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）が１．５以上２．０以下である下層膜形成用材料。
（方法２：上記環状オレフィンポリマーからなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた上記コート膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）を上記環状オレフィンポリマーの上記屈折率（ｎ値）とする）
［８］
　上記［１］乃至［６］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法２により測定される上記下層膜形成用材料の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）が１．５以上２．０以下である下層膜形成用材料。
（方法２：上記下層膜形成用材料からなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた上記コート膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）を上記下層膜形成用材料の上記屈折率（ｎ値）とする）
［９］
　上記［１］乃至［８］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法３により測定される上記環状オレフィンポリマーの消衰係数（ｋ値）が０．０００１以上０．５以下である下層膜形成用材料。
（方法３：上記環状オレフィンポリマーからなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた上記コート膜の消衰係数（ｋ値）を上記環状オレフィンポリマーの上記消衰係数（ｋ値）とする）
［１０］
　上記［１］乃至［８］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法３により測定される上記下層膜形成用材料の消衰係数（ｋ値）が０．０００１以上０．５以下である下層膜形成用材料。
（方法３：上記下層膜形成用材料からなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた上記コート膜の消衰係数（ｋ値）を上記下層膜形成用材料の上記消衰係数（ｋ値）とする）
［１１］
　上記［１］乃至［１０］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　凹凸構造を有する基板の上記凹凸構造上に形成され、かつ、上記凹凸構造における凹部を埋めるための下層膜に用いられる下層膜形成用材料。
［１２］
　上記［１］乃至［１１］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　上記下層膜形成用材料に含まれるポリマー成分の全含有量を１００質量部としたとき、上記下層膜形成用材料中の架橋剤の含有量が５質量部未満である下層膜形成用材料。
［１３］
　上記［１］乃至［１２］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　上記下層膜形成用材料中の上記環状オレフィンポリマーの含有量が、上記下層膜形成用材料の全体を１００質量％としたとき、５０質量％以上１００質量％以下である下層膜形成用材料。
［１４］
　多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、
　環状オレフィンポリマーを含む膜の材料であり、
　上記環状オレフィンポリマー自身は、有機溶媒に少なくとも０．０１質量％以上５０質量％以下のいずれかの濃度で溶解可能であり、
　上記膜において、下記方法４により測定される、上記環状オレフィンポリマーの残膜率が５０％以上１００％以下を満たすことを特徴とする下層膜形成用材料。
（方法４：上記環状オレフィンポリマーからなる厚さ（α）が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のコート膜をシリコンウェハー上に形成する。次いで、得られた上記コート膜を２００℃で１０分間処理する。次いで、プロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセテートに２３℃で１０分間浸漬し、次いで、１５０℃で３分間の条件で乾燥し、上記コート膜中の残存溶媒を除去する。次いで、上記残存溶媒を除去した上記コート膜の厚さ（β）を測定し、残膜率（＝β／α×１００）（％）を算出する。
［１５］
　多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、
　環状オレフィンポリマーを含み、
　下記方法４により測定される、上記下層膜形成用材料の残膜率が５０％以上１００％以下を満たす下層膜形成用材料。
（方法４：上記下層膜形成用材料からなる厚さ（α）が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のコート膜をシリコンウェハー上に形成する。次いで、得られた上記コート膜を２００℃で１０分間処理する。次いで、プロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセテートに２３℃で１０分間浸漬し、次いで、１５０℃で３分間の条件で乾燥し、上記コート膜中の残存溶媒を除去する。次いで、上記残存溶媒を除去した上記コート膜の厚さ（β）を測定し、残膜率（＝β／α×１００）（％）を算出する。
［１６］
　上記［１４］または［１５］に記載の下層膜形成用材料において、
　上記環状オレフィンポリマーは、下記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］および下記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］を有し、
　上記環状オレフィンポリマーにおける上記構造単位［Ａ］と上記構造単位［Ｂ］とのモル比［Ａ］／［Ｂ］が５／９５以上９５／５以下である下層膜形成用材料。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 （上記一般式（１）中、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基、から選ばれ、Ｒ１～Ｒ４は互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 （上記一般式（２）中、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基から選ばれ、Ｒ５～Ｒ８が互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表し、Ｘ１は－Ｏ－または－Ｓ－を表す。）
［１７］
　上記［１４］乃至［１６］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーを用いて測定される上記環状オレフィンポリマーのポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００以上２００００以下である下層膜形成用材料。
［１８］
　上記［１４］乃至［１７］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法２により測定される上記環状オレフィンポリマーの波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）が１．５以上２．０以下である下層膜形成用材料。
（方法２：上記環状オレフィンポリマーからなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた上記コート膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）を上記環状オレフィンポリマーの上記屈折率（ｎ値）とする）
［１９］
　上記［１４］乃至［１７］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法２により測定される上記下層膜形成用材料の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）が１．５以上２．０以下である下層膜形成用材料。
（方法２：上記下層膜形成用材料からなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた上記コート膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）を上記下層膜形成用材料の上記屈折率（ｎ値）とする）
［２０］
　上記［１４］乃至［１９］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法３により測定される上記環状オレフィンポリマーの消衰係数（ｋ値）が０．０００１以上０．５以下である下層膜形成用材料。
（方法３：上記環状オレフィンポリマーからなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた上記コート膜の消衰係数（ｋ値）を上記環状オレフィンポリマーの上記消衰係数（ｋ値）とする）
［２１］
　上記［１４］乃至［１９］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法３により測定される上記下層膜形成用材料の消衰係数（ｋ値）が０．０００１以上０．５以下である下層膜形成用材料。
（方法３：上記下層膜形成用材料からなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた上記コート膜の消衰係数（ｋ値）を上記下層膜形成用材料の上記消衰係数（ｋ値）とする）
［２２］
　上記［１４］乃至［２１］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　凹凸構造を有する基板の上記凹凸構造上に形成され、かつ、上記凹凸構造における凹部を埋めるための下層膜に用いられる下層膜形成用材料。
［２３］
　上記［１４］乃至［２２］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　上記下層膜形成用材料に含まれるポリマー成分の全含有量を１００質量部としたとき、上記下層膜形成用材料中の架橋剤の含有量が５質量部未満である下層膜形成用材料。
［２４］
　上記［１４］乃至［２３］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　上記下層膜形成用材料中の上記環状オレフィンポリマーの含有量が、上記下層膜形成用材料の全体を１００質量％としたとき、５０質量％以上１００質量％以下である下層膜形成用材料。
［２５］
　上記［１］乃至［２４］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料を含むレジスト下層膜。
［２６］
　上記［１］乃至［２４］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料を含む塗膜を基板上に形成する工程を含むレジスト下層膜の製造方法。
［２７］
　上記［２６］に記載のレジスト下層膜の製造方法において、
　上記塗膜を加熱する工程をさらに含むレジスト下層膜の形成方法。
［２８］
　基板と、
　上記基板の一方の面に形成された、上記［１］乃至［２４］のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料を含むレジスト下層膜と、
を備える積層体。
［２９］
　上記［２８］に記載の積層体において、
　上記レジスト下層膜の上記基板とは反対側の表面（α）における下記式により算出される平坦度（△ＦＴ）が０％以上５％以下である積層体。
　平坦度（ΔＦＴ）＝［（Ｈｍａｘ―Ｈｍｉｎ）／Ｈａｖ］×１００（％）
（ここで、上記表面（α）の任意の１０カ所において、上記レジスト下層膜の膜厚を測定し、それらの平均値をＨａｖとし、上記レジスト下層膜の膜厚の最大値をＨｍａｘとし、上記レジスト下層膜の膜厚の最小値をＨｍｉｎとする）
［３０］
　上記［２８］または［２９］に記載の積層体において、
　上記レジスト下層膜の膜厚の平均値Ｈａｖが５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である積層体。（ここで、上記レジスト下層膜の上記基板とは反対側の表面（α）の任意の１０カ所において、上記レジスト下層膜の膜厚を測定し、それらの平均値をＨａｖとする）
［３１］
　上記［２８］乃至［３０］のいずれか一つに記載の積層体において、
　上記基板は少なくとも一方の表面に凹凸構造を有し、
　上記凹凸構造上に上記レジスト下層膜が形成されており、
　上記凹凸構造は、高さが５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、凸凸間の間隔が１ｎｍ以上１０ｍｍ以下である積層体。
　本件第一発明によれば、十分な光学特性およびエッチング耐性を満たすとともに平坦性に優れ、揮発分の発生量も抑制されたレジスト下層膜を実現できる下層膜形成用材料を提供することができる。
　また、本件第一発明の下層膜形成用材料は凹凸構造への埋め込み性に優れるため、本発明によれば、凹凸構造への埋め込み性に優れ、十分な光学特性およびエッチング耐性を満たすとともに平坦性に優れ、揮発分の発生量も抑制されたレジスト下層膜を複雑な形状の基板上に形成することができる。
　また、本件第二発明によれば、中間層とレジスト下層膜がインターミキシングを起こさず、密着性に優れるとともに平坦性に優れた積層体を実現できる下層膜形成用材料を提供することができる。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施例１に記載のポリマー１の固体粘弾性測定における貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線、損失弾性率（Ｇ’’）曲線、およびそれらの交点を示す図である。 本発明に係る実施形態の積層体におけるレジスト下層膜の厚み、凹凸構造の高さおよび凹凸構造の凸凸間の間隔を説明するための模式図である。 本発明に係る実施形態の凸凸間の間隔や凸部の高さ、凸部幅が不均一な凹凸構造を説明するための模式図である。 実施例２８に記載のポリマー１９とＴｉＯ２を重ね塗りしたウェハーの断面ＴＥＭ写真である。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、数値範囲の「Ａ～Ｂ」は特に断りがなければ、Ａ以上Ｂ以下を表す。
［第一発明］
　以下、第一発明に係る実施形態について説明する。
＜下層膜形成用材料＞
　本実施形態に係る下層膜形成用材料は、多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、下記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］および下記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］を有する環状オレフィンポリマーを含み、上記環状オレフィンポリマーにおける構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］とのモル比［Ａ］／［Ｂ］が５／９５以上９５／５以下である。
　本実施形態に係る下層膜形成用材料とは、半導体デバイスの製造工程において、レジスト層と、基板（好ましくは凹凸構造を有する基板）との間に配置する層を形成するための材料である。レジスト層と基板との間に配置する層は、通常、フォトリソグラフィープロセスでマスクのパターンを転写するレジスト材料からなるレジスト層を基準にレジスト下層膜と呼ばれる。上記基板のレジスト下層膜と接する表面は、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）膜、ＳｉＣＮ膜、シリカ（ＳｉＯ２）にカーボン（Ｃ）をドープしたＳｉＯＣ膜や、メチルシロキサン系有機膜（ＳＯＧ）、数ｎｍ以下の微小な空孔が均一に分布したシリカ絶縁膜等の低誘電材料で被膜を形成した状態であってもよい。
　本実施形態に係る下層膜形成用材料が、下記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］および下記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］を有する環状オレフィンポリマーを含むことで、十分な光学特性およびエッチング耐性を満たすとともに平坦性に優れ、加熱による揮発分の発生量も抑制されたレジスト下層膜を形成することができる。すなわち、本実施形態に係る下層膜形成用材料は、レジスト下層膜の形成に好適に用いることができる。
　本実施形態に係る下層膜形成用材料において、下記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］および下記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］を有する環状オレフィンポリマーの含有量は、下層膜形成用材料の全体を１００質量％としたとき、５０質量％以上１００質量％以下であること好ましく、７０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることがさらに好ましく、９０質量％以上１００質量％以下であることが特に好ましい。
　後述の第二発明における環状オレフィンポリマーの場合も同様の範囲であることが好ましい。
　上記環状オレフィンポリマーにおける上記構造単位［Ａ］と上記構造単位［Ｂ］とのモル比［Ａ］／［Ｂ］は５／９５以上９５／５以下であり、好ましくは７／９３以上９３／７以下であり、より好ましくは１０／９０以上９０／１０以下であり、さらに好ましくは１５／８５以上８５／１５以下の範囲である。
　本発明者らは、環状オレフィンポリマーの組成が上記範囲内であれば、ポリマー主鎖の酸素や硫黄等の元素の密度が好適な範囲になり、基板の凹凸構造を埋め込む際の基板界面との適度な密着性を発現でき、ボイド等の発生を抑制でき、高い平坦性を維持しながら良好な状態の埋め込み性を実現できると考えている。また、環状オレフィンポリマーの主鎖に酸素や硫黄等の元素が存在することによる基板との相互作用は、環状オレフィンポリマーが微細な凹凸構造に侵入するためのドライビングフォースとなっている可能性があるとも推測している。
　すなわち、本実施形態に係る下層膜形成用材料は、凹凸構造を有する基板の凹凸構造上に形成され、かつ、上記凹凸構造における凹部を埋めるための下層膜を形成するために特に好適に用いることができる。
　上記［Ａ］／［Ｂ］が上記範囲の上下限の範囲外である場合、例えば、凹凸基板への塗布、ベーク後の冷却過程において基板界面との密着性が発現せず、材料が収縮してボイド等の不具合を生じる場合がある。
　本実施形態において一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］と一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］とは次式で表される。ここで、下記一般式（１）および一般式（２）において、主鎖部分の点線は、二重結合を構成する一つの共有結合を意味する、あるいは二重結合が水素化されて二重結合を構成する一つの共有結合が消失した状態を意味する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
（上記一般式（１）中、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０（好ましくは炭素数２～１０）のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０（好ましくは炭素数３～２０）のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０（好ましくは炭素数４～２０）のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基、から選ばれ、Ｒ１～Ｒ４は互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
（上記一般式（２）中、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０（好ましくは炭素数２～１０）のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０（好ましくは炭素数３～２０）のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０（好ましくは炭素数４～２０）のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基から選ばれ、Ｒ５～Ｒ８が互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表し、Ｘ１は－Ｏ－または－Ｓ－を表す。）
　上記一般式（１）のＲ１～Ｒ４における炭素原子数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。炭素原子数が６～２０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ｏ－トリル基、ｍ－トリル基、ｐ－トリル基、ビフェニル基、フェノ－ル基等が挙げられる。炭素素原子数１～１０のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ｎ－ペントキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロオクチルオキシ基等が挙げられる。炭素原子数が６～２０のアリールオキシ基としては、例えば、フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、ｏ－トリルオキシ基、ｍ－トリルオキシ基、ｐ－トリルオキシ基、４－オキシ－１，１’－ビフェニル基、４－ヒドロキシフェニルオキシ基等が挙げられる。炭素原子数２～１０のアルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、ｎ－プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ｎ－ブトキシメチル基、イソブトキシメチル基、ｔｅｒｔ－ブトキシメチル基、シクロペンチルオキシメチル基、シクロヘキシルオキシメチル基、シクロオクチルオキシメチル基等が挙げられる。炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基としては、例えば、フェニルオキシメチル基、ナフチルオキシメチル基、アントラセニルオキシメチル基、ｏ－トリルオキシメチル基、ｍ－トリルオキシメチル基、ｐ－トリルオキシメチル基、４－オキシ－１，１’－ビフェニルメチル基、４－ヒドロキシフェニルオキシメチル基等が挙げられる。炭素原子数２～２０のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ－プロポキシカルボニル基、ｎ－ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、ｎ－ペンチルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、ｎ－ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、３－メチルブトキシカルボニル基、２－メチルペントキシカルボニル基、３－メチルペントキシカルボニル基、４－メチルペントキシカルボニル基、１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル基、ノルボルニルオキシカルボニル基、アダマンチルオキシカルボニル基等が挙げられる。炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基としては、例えば、ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、エチルメチルアミノカルボニル基、メチルブチルアミノカルボニル基、ブチルエチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルメチルアミノカルボニル基等が挙げられる。炭素原子数７～２０のアリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェノキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、４－メチルフェノキシカルボニル基、３、４－ジメチルフェノキシカルボニル基、１－ナフトキシカルボニル基、２－ナフトキシカルボニル基、１－アントラセノキシカルボニル基等が挙げられる。炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基としては、例えば、メチルフェニルアミノカルボニル基、エチルフェニルアミノカルボニル基、ブチルフェニルアミノカルボニル基、シクロヘキシルフェニルアミノカルボニル基等が挙げられる。炭素数３～３０のアルコキシカルボニルアルキル基としては、例えば、メトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルエチル基、ｎ－プロポキシカルボニルメチル基、ｉ－プロポキシカルボニルメチル基、ｎ－ブトキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチル基、ｎ－ペンチルオキシカルボニルメチル基、シクロペンチルオキシカルボニルメチル基、ｎ－ヘキシルオキシカルボニルメチル基、シクロヘキシルオキシカルボニルメチル基、ｎ－オクチルオキシカルボニルメチル基、シクロオクチルオキシカルボニルメチル基、１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチル基等が挙げられる。炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基としては、例えば、メトキシカルボニルフェニル基、メトキシカルボニル－ｏ－トリル基、メトキシカルボニル－ｍ－トリル基、メトキシカルボニル－ｐ－トリル基、メトキシカルボニルキシリル基、メトキシカルボニル－α－ナフチル基、メトキシカルボニル－β－ナフチル基、エトキシカルボニルフェニル基、プロポキシカルボニルフェニル基、ブトキシカルボニルフェニル基、エトキシカルボニルフェニル基、ｎ－プロポキシカルボニルフェニル基、ｉ－プロポキシカルボニルフェニル基、ｎ－ブトキシカルボニルフェニル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル基、ｎ－ペンチルオキシカルボニルフェニル基、シクロペンチルオキシカルボニルフェニル基、ｎ－ヘキシルオキシカルボニルフェニル基、シクロヘキシルオキシカルボニルフェニル基、ｎ－オクチルオキシカルボニルフェニル基、シクロオクチルオキシカルボニルフェニル基、１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルフェニル基、１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルフェニル基、メトキシカルボニルナフチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルフナフチル基、ｎ－プロポキシカルボニルナフチル基、ｉ－プロポキシカルボニルナフチル基、ｎ－ブトキシカルボニルナフチル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルナフチル基、ｎ－ペンチルオキシカルボニルナフチル基、シクロペンチルオキシカルボニルナフチル基、ｎ－ヘキシルオキシカルボニルナフチル基、シクロヘキシルオキシカルボニルナフチル基、ｎ－オクチルオキシカルボニルナフチル基、シクロオクチルオキシカルボニルナフチル基、１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルナフチル基、１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルナフチル基等が挙げられる。炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基としては、例えば、フェノキシカルボニルメチル基、ベンジルオキシカルボニルメチル基、４－メチルフェノキシカルボニルメチル基、３、４－ジメチルフェノキシカルボニルメチル基、１－ナフトキシカルボニルメチル基、２－ナフトキシカルボニルメチル基、１－アントラセノキシカルボニルメチル基等が挙げられる。炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基としては、例えば、メトキシメチルオキシカルボニル基、エトキシメチルオキシカルボニル基、ｎ－プロポキシメチルオキシカルボニル基、イソプロポキシメチルオキシカルボニル基、ｎ－ブトキシメチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ－ブトキシメチルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル基、シクロオクチルオキシメチルオキシカルボニル基、ノルボニルオキシメチルオキシカルボニル基、１－メチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル基、１－エチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル基、１－メチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル基、１－メチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル基、１－エチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル基、１－エトキシプロピルオキシメチルオキシカルボニル基、１－エトキシ－１－メチルエチルオキシメチルオキシカルボニル基、テトラヒドロフラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル基、テトラヒドロピラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル基、１－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル基、２－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル基等が挙げられる。炭素数４～３０のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、エトキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、ｎ－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、ｎ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、シクロオクチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、ノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、１－メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、１－メチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、１－エチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、１－エトキシプロピルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、１－エトキシ－１－メチルエチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、テトラヒドロフラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、テトラヒドロピラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、１－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基、２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル基等が挙げられる。
　さらに、Ｒ１～Ｒ４は環構造を形成してもよく、具体的にはＲ１～Ｒ４のうちそれぞれ独立に、または、少なくとも２つが結合し、その際、－Ｃ－、－Ｏ－、－ＮＲ９－結合を介してもよい。例えば、環状アルキル構造、環状エステル構造、環状酸無水物構造、環状アミド構造、環状イミド構造等が挙げられる。
　Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも２つが－Ｃ－の結合を介して環状アルキル構造を形成する場合、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロペンチル等が挙げられる。－Ｏ－の結合を介して環状エステル構造を形成する場合、γ－ブチロラクトン、δ－バレロラクトン等が挙げられる。環状酸無水物構造の場合、無水マレイン酸構造等が挙げられる。－ＮＲ９－の結合を介してラクタム環を形成する場合、γ－ラクタム、δ－ラクタム等が挙げられ、これらラクタム環や環状イミド構造であるマレイミド環を形成する場合、窒素原子上のＲ９としては、例えば、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基等が挙げられる。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、１－メチルブチル基、２－メチルブチル基、ｎ－ペンチル基、１－メチルペンチル基、１－エチルブチル基、２－メチルヘキシル基、２－エチルヘキシル基、４－メチルヘプチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。炭素数６～２０のアリール基としては、例えば、フェニル、ナフチル、アントラセニル、ｏ－トリル、ｍ－トリル、ｐ－トリル、ビフェニル、フェノ－ル等が挙げられる。
　これらの中でも、上記一般式（１）のＲ１～Ｒ４としてはアルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルコキシカルボニルアリール基、アルコキシアルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基、γ－ブチロラクトン環、無水マレイン酸、マレイミド環が好ましい。
　また、Ｘ１は、酸素および硫黄から選ばれる元素由来の構造を意味する。好ましくは酸素由来の構造である。前述の通り、このＸ１が上記の規定を満たす一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］を有する環状オレフィンポリマーを含む本実施形態に係る下層膜形成用材料は、基板の凹凸構造を埋め込む際の基板界面との適度な密着性を発現でき、ボイド等の発生を抑制でき、高い平坦性を維持しながら良好な状態の埋め込み性を実現できると考えている。また、環状オレフィンポリマーの主鎖に酸素や硫黄等の元素が存在することによる基板との相互作用は、環状オレフィンポリマーが微細な凹凸構造に侵入するためのドライビングフォースとなっている可能性があるとも推測している。
　本実施形態に係る環状オレフィンポリマーは、一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］におけるＲ１～Ｒ４の少なくとも１つが互いに異なる二種類以上の構造単位を含んでいてもよい。
　本実施形態に係る上記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］において、ｎ＝０である環状オレフィンポリマーの例としては、Ｒ１～Ｒ４が全て水素の場合は、ポリ（ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルキル基の場合は、ポリ（５－メチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロピル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロピル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアリール基の場合は、ポリ（５－フェニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ナフチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－アントラセニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｏ－トリル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｍ－トリル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｐ－トリル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ビフェニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－ヒドロキシフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシ基の場合は、ポリ（５－メトキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシ）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロポキシ）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシ）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシ）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペントキシ）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアリールオキシ基の場合は、ポリ（５－フェニルオキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ナフチルオキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－アントラセニルオキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｏ－トリルオキシ）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｍ－トリルオキシ）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｐ－トリルオキシ）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－オキシ－１，１‘－ビフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、（５－（４－ヒドロキシフェニルオキシ）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシアルキル基の場合、ポリ（５－メトキシメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－メトキシエチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシエチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソプロポキシメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソブトキシメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアリールオキシアルキル基の場合は、ポリ（５－フェニルオキシメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ナフチルオキシメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－アントラセニルオキシメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｏ－トリルオキシメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｍ－トリルオキシメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｐ－トリルオキシメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－オキシ－１，１‘－ビフェニルメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－ヒドロキシフェニルオキシメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシカルボニル基の場合は、ポリ（５－メトキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソブトキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３，３－トリメチル－２－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３，４－ジメチル－３－ヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチルブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチルペントキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチルペントキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチルペントキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチル－３－ヘプチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロペンチルエトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロオクチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロオクチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，７，７－トリメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－７，７－ジメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－メチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－エチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがジアルキルアミノカルボニル基の場合は、ポリ（５－ジメチルアミノカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ジエチルアミノカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エチルメチルアミノカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－メチ
ルブチルアミノカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ブチルエチルアミノカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルメチルアミノカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアリールオキシカルボニル基の場合は、ポリ（５－フェノキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ベンジルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチルフェノキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３、４－ジメチルフェノキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－ナフトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ナフトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アントラセノキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルキルアリールアミノカルボニル基の場合は、ポリ（５－メチルフェニルアミノカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エチルフェニルアミノカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ブチルフェニルアミノカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルフェニルアミノカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシカルボニルアルキル基の場合は、ポリ（５－メトキシカルボニルメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－メトキシカルボニルエチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルエチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニルメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロポキシカルボニルメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）メチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）メチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシカルボニルメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ヘキシルオキシカルボニルメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシカルボニルメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－オクチルオキシカルボニルメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシカルボニルメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）メチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）メチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）メチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）メチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）メチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）メチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシカルボニルアリール基の場合は、ポリ（５－メトキシカルボニルフェニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルフェニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロポキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－メトキシカルボニルナフチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルナフチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニルナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロポキシカルボニルナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアリールオキシカルボニルアルキル基の場合は、ポリ（５－フェノキシカルボニルメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ベンジルオキシカルボニルメチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチルフェノキシカルボニルメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３、４－ジメチルフェノキシカルボニルメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－ナフトキシカルボニルメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ナフトキシカルボニルメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アントラセノキシカルボニルメチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシアルキルオキシカルボニル基の場合は、ポリ（５－メトキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソプロポキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ノルボニルオキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシプロピルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［
２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロフラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロピラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メトキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｎ－プロポキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－イソプロポキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｎ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｔｅｒｔ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロオクチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシプロピルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（テトラヒドロフラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（テトラヒドロピラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基の場合は、ポリ（５－メトキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－シクロヘキシル－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシプロピルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロフラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロピラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－　アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－イソプロピル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（１－アダマンチル）－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－アダマンチル）－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５，６－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（６－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－デカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（９－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（９－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられる。
　Ｒ１～Ｒ４は互いに結合して環構造を形成している場合、環状アルキル構造としては、例えば、ポリ（１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ－オクタヒドロ－１，４－メタノ－ナフタレン）等が挙げられ、ラクトン環を形成できる環状エステル構造としては、例えばγ－ブチロラクトン構造として、ポリ（４－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、δ－バレロラクトン構造として、ポリ（４－オキシ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）等が挙げられ、環状酸無水物構造としては、例えば、ポリ（４－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）が挙げられ、ラクタム環を形成できる環状アミド構造としては、例えばγ－ラクタムとして、ポリ（４－メチル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、またδ－ラクタムとして、ポリ（４－メチル－４－アザ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）等が挙げられ、マレイミド環を形成できる環状イミド構造としては、例えば、ポリ（４－メチル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）等が挙げられる。
　これらの中でも、本実施形態に係る上記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］において、ｎ＝０である環状オレフィンポリマーとしては、ポリ（５－メトキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソブトキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３，３－トリメチル－２－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３，４－ジメチル－３－ヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチルブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチルペントキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチルペントキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチルペントキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチル－３－ヘプチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロペンチルエトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロオクチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロオクチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，７，７－トリメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－７，７－ジメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－メチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－エチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－メトキシカルボニルフェニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルフェニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロポキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－メトキシカルボニルナフチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルナフチル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニルナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロポキシカルボニルナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－フェノキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ベンジルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチルフェノキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３、４－ジメチルフェノキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－ナフトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ナフトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アントラセノキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－メトキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソプロポキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル
－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ノルボニルオキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシプロピルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロフラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロピラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メトキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｎ－プロポキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－イソプロポキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｎ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｔｅｒｔ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロオクチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシプロピルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（テトラヒドロフラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（テトラヒドロピラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－シクロヘキシル－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシプロピルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロフラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロピラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－　アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－イソプロピル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（１－アダマンチル）－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－アダマンチル）－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５，６－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン
）、ポリ（５－（６－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－デカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（９－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（９－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）が好ましい。
　これらの中でも、塗布液を調製する際の溶剤（ＰＧＭＥＡ）溶解性を向上させる観点、塗布後の環状オレフィンポリマーの極性をより大きく変化させる観点から、本実施形態に係る上記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］において、ｎ＝０である環状オレフィンポリマー－としては、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、、ポリ（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３，３－トリメチル－２－ブトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３，４－ジメチル－３－ヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチル－３－ヘプチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロペンチルエトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロオクチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロオクチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，７，７－トリメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－７，７－ジメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－メチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－エチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メトキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｎ－プロポキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－イソプロポキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｎ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｔｅｒｔ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロオクチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシプロピルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（テトラヒドロフラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（テトラヒドロピラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プ
ロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－シクロヘキシル－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）エトキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－イソプロピル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（１－アダマンチル）－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－アダマンチル）－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５，６－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（６－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－デカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（９－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（９－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）がさらに好ましい。
　さらに本実施形態に係る上記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］において、Ｒ１～Ｒ４が互いに結合して環構造を形成している場合、ｎ＝０である環状オレフィンポリマーとして、ポリ（４－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－メチル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）が好ましい。
　本実施形態に係る上記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］において、ｎ＝１である環状オレフィンポリマーの例としては、Ｒ１～Ｒ４が全て水素の場合は、ポリ（テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルキル基の場合は、ポリ（８－メチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロピル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロピル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアリール基の場合は、ポリ（８－フェニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ナフチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－アントラセニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｏ－トリル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｍ－トリル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｐ－トリル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ビフェニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－ヒドロキシフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシ基の場合は、ポリ（８－メトキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシ）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロポキシ）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシ）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシ）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペントキシ）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアリールオキシ基の場合は、ポリ（８－フェニルオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ナフチルオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－アントラセニルオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｏ－トリルオキシ）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｍ－トリルオキシ）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｐ－トリルオキシ）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－オキシ－１，１‘－ビフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、（８－（４－ヒドロキシフェニルオキシ）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシアルキル基の場合、ポリ（８－メトキシメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－メトキシエチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシエチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソプロポキシメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソブトキシメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアリールオキシアルキル基場合は、ポリ（８－フェニルオキシメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ナフチルオキシメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－アントラセニルオキシメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｏ－トリルオキシメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｍ－トリルオキシメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｐ－トリルオキシメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－オキシ－１，１‘－ビフェニルメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－ヒドロキシフェニルオキシメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシカルボニル基の場合は、ポリ（８－メトキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソブトキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３，３－トリメチル－２－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３，４－ジメチル－３－ヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチルブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチルペントキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３
－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチルペントキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチルペントキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチル－３－ヘプチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロペンチルエトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロオクチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロオクチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，７，７－トリメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－７，７－ジメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－メチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－エチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがジアルキルアミノカルボニル基の場合は、ポリ（８－ジメチルアミノカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ジエチルアミノカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エチルメチルアミノカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－メチルブチルアミノカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ブチルエチルアミノカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルメチルアミノカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアリールオキシカルボニル基の場合は、ポリ（８－フェノキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ベンジルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチルフェノキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３、４－ジメチルフェノキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－ナフトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ナフトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アントラセノキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルキルアリールアミノカルボニル基の場合は、ポリ（８－メチルフェニルアミノカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エチルフェニルアミノカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ブチルフェニルアミノカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルフェニルアミノカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシカルボニルアルキル基の場合は、ポリ（８－メトキシカルボニルメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－メトキシカルボニルエチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルエチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニルメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロポキシカルボニルメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）メチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）メチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシカルボニルメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ヘキシルオキシカルボニルメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシカルボニルメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－オクチルオキシカルボニルメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシカルボニルメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）メチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）メチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）メチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）メチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）メチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）メチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ１
～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシカルボニルアリール基の場合は、ポリ（８－メトキシカルボニルフェニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルフェニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロポキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－メトキシカルボニルナフチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルナフチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニルナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロポキシカルボニルナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアリールオキシカルボニルアルキル基の場合は、ポリ（８－フェノキシカルボニルメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ベンジルオキシカルボニルメチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチルフェノキシカルボニルメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３、４－ジメチルフェノキシカルボニルメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－ナフトキシカルボニルメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ナフトキシカルボニルメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アントラセノキシカルボニルメチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシアルキルオキシカルボニル基の場合は、ポリ（８－メトキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソプロポキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ノルボニルオキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシプロピルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロフラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロピラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メトキシ）エト
キシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｎ－プロポキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－イソプロポキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｎ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｔｅｒｔ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロオクチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシプロピルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（テトラヒドロフラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（テトラヒドロピラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも一つがアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基の場合は、ポリ（８－メトキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－シクロヘキシル－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシプロピルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロフラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロピラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－メチル－２－アダマ
ンチルオキシカルボニル）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－イソプロピル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（１－アダマンチル）－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－アダマンチル）－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５，６－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（６－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－デカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（９－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（９－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられる。
　Ｒ１～Ｒ４は互いに結合して環構造を形成している場合、環状アルキル構造としては、例えば、ポリ（１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ，９，９ａ，１０，１０ａ－ドデカヒドロ－１，４：９，１０－ジメタノ－アントラセン）等が挙げられ、ラクトン環を形成できる環状エステル構造としては、例えばγ－ブチロラクトン構造として、ポリ（４－オキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、δ－バレロラクトン構造としてポリ（４－オキシ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）等が挙げられ、環状酸無水物構造としては、例えば、ポリ（４－オキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３,５－ジオン）が挙げられ、ラクタム環を形成できる環状アミド構造としては、例えばγ－ラクタムとして、ポリ（４－メチル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、またδ－ラクタムとして、ポリ（４－メチル－４－アザ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）等が挙げられ、マレイミド環を形成できる環状イミド構造としては、例えば、ポリ（４－メチル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）等が挙げられる。
　これらの中でも、本実施形態に係る上記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］において、ｎ＝１である環状オレフィンポリマーとしては、ポリ（８－メトキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソブトキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３，３－トリメチル－２－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３，４－ジメチル－３－ヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチルブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチルペントキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチルペントキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチルペントキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチル－３－ヘプチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロペンチルエトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロオクチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロオクチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，７，７－トリメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－７，７－ジメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－メチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－エチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－メトキシカルボニルフェニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルフェニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロポキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－メチルシクロペン
チルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－メトキシカルボニルナフチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルナフチル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニルナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロポキシカルボニルナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－フェノキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ベンジルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチルフェノキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３、４－ジメチルフェノキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－ナフトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ナフトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アントラセノキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－メトキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソプロポキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ノルボニルオキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシプロピルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロフラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロピラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メトキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｎ－プロポキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－イソプロポキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｎ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｔｅｒｔ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロオクチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシプロピルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（テトラヒドロフラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（テトラヒドロピラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－アダマンチルオ
キシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－シクロヘキシル－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシプロピルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロフラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロピラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－　アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－イソプロピル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（１－アダマンチル）－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－アダマンチル）－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５，６－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（６－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－デカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（９－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（９－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）が好ましい。
　これらの中でも、塗布液を調製する際の溶剤（ＰＧＭＥＡ）溶解性を向上させる観点、塗布後の環状オレフィンポリマーの極性をより大きく変化させる観点から、本実施形態に係る上記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］において、ｎ＝０である環状オレフィンポリマーとしては、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、、ポリ（８－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３，３－トリメチル－２－ブトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３，４－ジメチル－３－ヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチル－３－ヘプチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロペンチルエトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロオクチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロオクチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，７，７－トリメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－７，７－ジメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－メチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－エチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロ
ペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メトキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｎ－プロポキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－イソプロポキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｎ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｔｅｒｔ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロオクチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシプロピルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（テトラヒドロフラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（テトラヒドロピラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－シクロヘキシル－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）エトキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－イソプロピル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（１－アダマンチル）－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－アダマンチル）－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５，６－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロヘキ
シルオキシカルボニル）－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（６－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－デカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（９－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（９－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）がさらに好ましい。
　さらに本実施形態に係る上記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］において、Ｒ１～Ｒ４が互いに結合して環構造を形成している場合、ｎ＝１である環状オレフィンポリマーとして、ポリ（４－オキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－オキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３,５－ジオン）、ポリ（４－メチル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）が好ましい。
　上記一般式（２）においてＲ５～Ｒ８は、上記の一般式（１）のＲ１～Ｒ４と同義であり、また、Ｒ５～Ｒ８は環構造を形成してもよく、具体的にはＲ５～Ｒ８のうちそれぞれ独立に、または、少なくとも２つが結合し、その際、－Ｃ－、－Ｏ－、－ＮＲ９－結合を介してもよい。例えば、環状アルキル構造、環状エステル構造、環状酸無水物構造、環状アミド構造、環状イミド構造等が挙げられる。
　本実施形態に係る環状オレフィンポリマーは、一般式（２）で表される繰り返し構造単位［Ｂ］におけるＲ５～Ｒ８の少なくとも１つが互いに異なる二種類以上の構造単位を含んでいてもよい。
　本実施形態に係る上記一般式（２）で表される繰り返し構造単位［Ｂ］において、ｎ＝０である環状オレフィンポリマーの例としては、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルキル基の場合は、ポリ（５－メチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロピル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロピル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアリール基の場合は、ポリ（５－フェニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ナフチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－アントラセニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｏ－トリル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｍ－トリル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｐ－トリル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ビフェニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－ヒドロキシフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルコキシ基の場合は、ポリ（５－メトキシ－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシ－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシ）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロポキシ）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシ）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシ）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペントキシ）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシ－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシ－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシ－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアリールオキシ基の場合は、ポリ（５－フェニルオキシ－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ナフチルオキシ－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－アントラセニルオキシ－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｏ－トリルオキシ）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｍ－トリルオキシ）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｐ－トリルオキシ）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－オキシ－１，１‘－ビフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、（５－（４－ヒドロキシフェニルオキシ）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルコキシアルキル基の場合、ポリ（５－メトキシメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－メトキシエチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシエチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソプロポキシメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソブトキシメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアリールオキシアルキル基の場合は、ポリ（５－フェニルオキシメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ナフチルオキシメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－アントラセニルオキシメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｏ－トリルオキシメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｍ－トリルオキシメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｐ－トリルオキシメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－オキシ－１，１‘－ビフェニルメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－ヒドロキシフェニルオキシメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルコキシカルボニル基の場合は、ポリ（５－メトキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソブトキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３，３－トリメチル－２－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３，４－ジメチル－３－ヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチルブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチルペントキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチルペントキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチルペントキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチル－３－ヘプチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロペンチルエトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロオクチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロオクチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，７，７－トリメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エ
ン）、ポリ（５－（２－エチル－７，７－ジメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－メチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－エチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがジアルキルアミノカルボニル基の場合は、（５－ジメチルアミノカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ジエチルアミノカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エチルメチルアミノカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－メチルブチルアミノカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ブチルエチルアミノカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルメチルアミノカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアリールオキシカルボニル基の場合は、ポリ（５－フェノキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ベンジルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチルフェノキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３、４－ジメチルフェノキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－ナフトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ナフトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アントラセノキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルキルアリールアミノカルボニル基の場合は、ポリ（５－メチルフェニルアミノカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エチルフェニルアミノカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ブチルフェニルアミノカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルフェニルアミノカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルコキシカルボニルアルキル基の場合は、ポリ（５－メトキシカルボニルメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－メトキシカルボニルエチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルエチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニルメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロポキシカルボニルメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）メチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）メチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシカルボニルメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ヘキシルオキシカルボニルメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシカルボニルメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－オクチルオキシカルボニルメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシカルボニルメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）メチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）メチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）メチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）メチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）メチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）メチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも一つがアルコキシカルボニルアリール基の場合は、ポリ（５－メトキシカルボニルフェニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルフェニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロポキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－メトキシカルボニルナフチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルナフチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニルナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロポキシカルボニルナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアリールオキシカルボニルアルキル基の場合は、ポリ（５－フェノキシカルボニルメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ベンジルオキシカルボニルメチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチルフェノキシカルボニルメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３、４－ジメチルフェノキシカルボニルメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－ナフ
トキシカルボニルメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ナフトキシカルボニルメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アントラセノキシカルボニルメチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルコキシアルキルオキシカルボニル基の場合は、ポリ（５－メトキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソプロポキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ノルボニルオキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシプロピルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロフラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロピラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メトキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｎ－プロポキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－イソプロポキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｎ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｔｅｒｔ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロオクチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシプロピルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（テトラヒドロフラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（テトラヒドロピラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基の場合は、ポリ（５－メトキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－シクロヘキシル－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシプロピルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロフラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロピラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）エトキシカルボニル）－７－オキシ－
ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－イソプロピル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（１－アダマンチル）－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－アダマンチル）－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５，６－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（６－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－デカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（９－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（９－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）等が挙げられる。
　Ｒ５～Ｒ８が互いに結合して環構造を形成している場合、環状アルキル構造としては、例えば、ポリ（１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ－オクタヒドロ－１，４－エポキシ－ナフタレン）等が挙げられ、ラクトン環を形成できる環状エステル構造としては、例えばγ－ブチロラクトン構造として、ポリ（４，１０－ジオキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、δ－バレロラクトン構造として、ポリ（４，１０－ジオキシ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）等が挙げられ、環状酸無水物構造としては、例えば、ポリ（４，１０－ジオキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）が挙げられ、ラクタム環を形成できる環状アミド構造としては、例えばγ－ラクタムとして、ポリ（４－メチル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、またδ－ラクタムとして、ポリ（４－メチル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［６．２．１．０２，７］－９－ウンデセン－３－オン）等が挙げられ、マレイミド環を形成できる環状イミド構造としては、例えば、ポリ（４－メチル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）等が挙げられる。
　これらの中でも、本実施形態に係る上記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］において、ｎ＝０である環状オレフィンポリマーとしては、ポリ（５－メトキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソブトキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３，３－トリメチル－２－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３，４－ジメチル－３－ヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチルブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチルペントキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチルペントキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチルペントキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチル－３－ヘプチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロペンチルエトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロオクチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロオクチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，７，７－トリメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－７，７－ジメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－メチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－エチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－メトキシカルボニルフェニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルフェニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロポキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－メトキシカルボニルナフチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシカルボニルナフチル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシカルボニルナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｉ－プロポキシカルボニルナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－フェノキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ベンジルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシク
ロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチルフェノキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３、４－ジメチルフェノキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－ナフトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ナフトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アントラセノキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）ポリ（５－メトキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－エトキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－プロポキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－イソプロポキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ノルボニルオキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシプロピルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロフラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロピラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メトキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｎ－プロポキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－イソプロポキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｎ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｔｅｒｔ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロオクチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシプロピルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（テトラヒドロフラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（テトラヒドロピラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－シクロヘキシル－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－シクロオクチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－ノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシプロピルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロフラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－テトラヒドロピラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－　アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－
オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－イソプロピル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（１－アダマンチル）－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－アダマンチル）－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５，６－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（６－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－デカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（９－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（９－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）が好ましい。
　これらの中でも、塗布液を調製する際の溶剤（ＰＧＭＥＡ）溶解性を向上させる観点、塗布後の環状オレフィンポリマーの極性をより大きく変化させる観点から、本実施形態に係る上記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］において、ｎ＝０である環状オレフィンポリマ－としては、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、、ポリ（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，３，３－トリメチル－２－ブトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３，４－ジメチル－３－ヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－メチル－３－ヘプチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロペンチルエトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロオクチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロオクチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－アダマンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２，７，７－トリメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－７，７－ジメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－メチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－エチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－メチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メトキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｎ－プロポキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－イソプロポキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｎ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ｔｅｒｔ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－シクロオクチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－ノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニ
ル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシプロピルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（テトラヒドロフラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（テトラヒドロピラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロペンチル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－シクロヘキシル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－シクロヘキシル－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１，１－ジシクロヘキシルプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）エトキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－イソプロピル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（２－（１－アダマンチル）－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－アダマンチル）－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（５，６－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（６－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－デカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（９－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）、ポリ（５－（９－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－７－オキシ－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）がさらに好ましい。
　さらに本実施形態に係る上記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］において、Ｒ５～Ｒ８が互いに結合して環構造を形成している場合、ｎ＝０である環状オレフィンポリマーとして、ポリ（４，１０－ジオキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オン）、ポリ（４，１０－ジオキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－メチル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン）が好ましい。
　本実施形態に係る上記一般式（２）で表される繰り返し構造単位［Ｂ］において、ｎ＝１である環状オレフィンポリマーの例としては、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルキル基の場合は、ポリ（８－メチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロピル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロピル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアリール基の場合は、ポリ（８－フェニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ナフチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－アントラセニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｏ－トリル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｍ－トリル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｐ－トリル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ビフェニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－ヒドロキシフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルコキシ基の場合は、ポリ（８－メトキシ－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシ－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシ）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロポキシ）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシ）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシ）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペントキシ）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシ－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシ－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシ－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアリールオキシ基の場合は、ポリ（８－フェニルオキシ－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ナフチルオキシ－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－アントラセニルオキシ－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｏ－トリルオキシ）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｍ－トリルオキシ）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｐ－トリルオキシ）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－オキシ－１，１‘－ビフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、（８－（４－ヒドロキシフェニルオキシ）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルコキシアルキル基の場合、ポリ（８－メトキシメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－メトキシエチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシエチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソプロポキシメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソブトキシメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアリールオキシアルキル基の場合は、ポリ（８－フェニルオキシメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ナフチルオキシメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－アントラセニルオキシメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｏ－トリルオキシメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｍ－トリルオキシメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｐ－トリルオキシメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－オキシ－１，１‘－ビフェニルメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－ヒドロキシフェニルオキシメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルコキシカルボニル基の場合は、ポリ（８－メトキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソブトキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキ
シ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３，３－トリメチル－２－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３，４－ジメチル－３－ヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチルブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチルペントキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチルペントキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチルペントキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチル－３－ヘプチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロペンチルエトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロオクチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロオクチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，７，７－トリメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－７，７－ジメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－メチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－エチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがジアルキルアミノカルボニル基の場合は、（５－ジメチルアミノカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（５－ジエチルアミノカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（５－エチルメチルアミノカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（５－メチルブチルアミノカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（５－ブチルエチルアミノカルボニル１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（５－シクロヘキシルメチルアミノカルボニル１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアリールオキシカルボニル基の場合は、ポリ（８－フェノキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ベンジルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチルフェノキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３、４－ジメチルフェノキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－ナフトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ナフトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アントラセノキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルキルアリールアミノカルボニル基の場合は、ポリ（５－メチルフェニルアミノカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（５－エチルフェニルアミノカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（５－ブチルフェニルアミノカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（５－シクロヘキシルフェニルアミノカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルコキシカルボニルアルキル基の場合は、ポリ（８－メトキシカルボニルメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－メトキシカルボニルエチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルエチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］
－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニルメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロポキシカルボニルメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）メチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）メチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシカルボニルメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ヘキシルオキシカルボニルメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシカルボニルメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－オクチルオキシカルボニルメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシカルボニルメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）メチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）メチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）メチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）メチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）メチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）メチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも一つがアルコキシカルボニルアリール基の場合は、ポリ（８－メトキシカルボニルフェニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルフェニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロポキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－メトキシカルボニルナフチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルナフチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニルナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロポキシカルボニルナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアリールオキシカルボニルアルキル基の場合は、ポリ（８－フェノキシカルボニルメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ベンジルオキシカルボニルメチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチルフェノキシカルボニルメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３
、４－ジメチルフェノキシカルボニルメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－ナフトキシカルボニルメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ナフトキシカルボニルメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アントラセノキシカルボニルメチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルコキシアルキルオキシカルボニル基の場合は、ポリ（８－メトキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソプロポキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ノルボニルオキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシプロピルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロフラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロピラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メトキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｎ－プロポキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－イソプロポキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｎ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｔｅｒｔ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロオクチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシプロピルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（テトラヒドロフラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（テトラヒドロピラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられ、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つがアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基の場合は、ポリ（８－メトキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポ
リ（８－（２－シクロヘキシル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－シクロヘキシル－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシプロピルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロフラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロピラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－イソプロピル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（１－アダマンチル）－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－アダマンチル）－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５，６－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（６－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－デカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（９－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（９－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）等が挙げられる。
　Ｒ５～Ｒ８は互いに結合して環構造を形成している場合、環状アルキル構造としては、例えば、ポリ（１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ，９，９ａ，１０，１０ａ－ドデカヒドロ－１，４：９，１０－ジエポキシ－ナフタレン）等が挙げられ、ラクトン環を形成できる環状エステル構造としては、例えばγ－ブチロラクトン構造として、ポリ（４，１４，１５－トリオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、δ－バレロラクトン構造として、ポリ（４，１５，１６－トリオキシ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）等が挙げられ、環状酸無水物構造としては、例えば、ポリ（４，１４，１５－トリオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）が挙げられ、ラクタム環を形成できる環状アミド構造としては、例えばγ－ラクタムとして、ポリ（４－メチル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、またδ－ラクタムとして、ポリ（４－メチル－４－アザ－１５，１６－ジオキシ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－１５，１６－ジオキシ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－１５，１６－ジオキシ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－１５，１６－ジオキシ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－１５，１６－ジオキシ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－１５，１６－ジオキシ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－１５，１６－ジオキシ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－１５，１６－ジオキシ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－１５，１６－ジオキシ－ペンタシクロ［１０．２．１．１１，８．０２，７．０９，１４］－１１－ヘキサデセン－３－オン）等が挙げられ、マレイミド環を形成できる環状イミド構造として、例えば、ポリ（４－メチル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）等が挙げられる。
　これらの中でも、本実施形態に係る上記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］において、ｎ＝１である環状オレフィンポリマーとしては、ポリ（８－メトキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソブトキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３，３－トリメチル－２－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３，４－ジメチル－３－ヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチルブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチルペントキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチルペントキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチルペントキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチル－３－ヘプチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロペンチルエトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロオクチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロオクチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，７，７－トリメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－７，７－ジメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－メチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－エチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－メトキシカルボニルフェニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルフェニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロポキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、
ポリ（８－（３－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－メトキシカルボニルナフチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシカルボニルナフチル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシカルボニルナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｉ－プロポキシカルボニルナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－フェノキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ベンジルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチルフェノキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３、４－ジメチルフェノキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－ナフトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ナフトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アントラセノキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－メトキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－エトキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－プロポキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－イソプロポキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ノルボニルオキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルノルボニルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシプロピルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロフラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロピラン－２－イルオキシメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－アダマンチルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メトキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｎ－プロポキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－イソプロポキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｎ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－１
１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｔｅｒｔ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロオクチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシプロピルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（テトラヒドロフラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（テトラヒドロピラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－シクロヘキシル－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－シクロオクチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－ノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルノルボニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシプロピルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロフラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－テトラヒドロピラン－２－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５
．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－イソプロピル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（１－アダマンチル）－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－アダマンチル）－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５，６－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（６－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－デカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（９－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（９－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）が好ましい。
　これらの中でも、塗布液を調製する際の溶剤（ＰＧＭＥＡ）溶解性を向上させる観点、塗布後の環状オレフィンポリマーの極性をより大きく変化させる観点から、本実施形態に係る上記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］において、ｎ＝１である環状オレフィンポリマ－としては、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－３－メチル－３－ペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、、ポリ（８－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，３，３－トリメチル－２－ブトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３，４－ジメチル－３－ヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－メチル－３－ヘプチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロペンチルエトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロオクチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロオクチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－アダマンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルデカヒドロナフタレン－１－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチルデカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２，７，７－トリメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－７，７－ジメチル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－メチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－エチル－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－メチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）フェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルフェニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｎ－ペンチルオキシカルボニルナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－メチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２，３－ジメチル－２－ブトキシカルボニル）ナフチル
）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）ナフチル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メトキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｎ－プロポキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－イソプロポキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｎ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ｔｅｒｔ－ブトキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－シクロオクチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－ノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルシクロペンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルシクロヘキシルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エチルノルボニルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシプロピルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－エトキシ－１－メチルエチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（テトラヒドロフラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（テトラヒドロピラン－２－イルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－アダマンチルオキシ）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロペンチル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－シクロヘキシル－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－シクロヘキシル－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－シクロヘキシル－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－ノルボルニルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－ノルボルニル－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（４－エチル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルエトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１，１－ジシクロヘキシルプロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）プロポキシカルボ
ニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）－２－プロポキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（２－メチル－２－アダマンチルオキシカルボニル）エトキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－エチル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－イソプロピル－２－アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（１－アダマンチル）－２－プロポキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（２－（１－アダマンチル）－２－ブトキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－アダマンチル）－３－ペンチルオキシカルボニルメチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（３－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－１－シクロペンチルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５，５－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（５，６－ジ（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－２－ノルボルニルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（１－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－オクタヒドロ－４，７－メタノ－インデン－５－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（６－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－デカヒドロナフタレン－２－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（９－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）、ポリ（８－（９－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］－ドデカン－４－イルオキシカルボニル）－１１，１２－ジオキシ－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン）がさらに好ましい。
　さらに本実施形態に係る上記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］において、Ｒ５～Ｒ８が互いに結合して環構造を形成している場合、ｎ＝１である環状オレフィンポリマーとして、ポリ（４，１４，１５－トリオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３－オン）、ポリ（４，１４，１５－トリオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－メチル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－エチル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－プロピル）－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（ｎ－ブチル）－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（１－メチルブチル）－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロペンチル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－シクロヘキシル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－フェニル－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）、ポリ（４－（４－ヒドロキシフェニル）－４－アザ－１４，１５－ジオキシ－ペンタシクロ［９．２．１．１１，７．０２，６．０８，１３］－１０－ペンタデセン－３，５－ジオン）が好ましい。
　本実施形態に係る環状オレフィンポリマーは、例えば、以下に示す下記一般式（３）で表される環状オレフィンモノマーと下記一般式（４）で表される環状オレフィンモノマーとを開環メタセシス重合により重合することにより得ることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 　上記一般式（３）中、Ｒ１～Ｒ４およびｎは上記一般式（１）と同義である。
　本実施形態に係る環状オレフィンモノマーは、一般式（３）で表される構造単位におけるＲ１～Ｒ４の少なくとも１つが互いに異なる二種類以上の構造単位を含んでいてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 　上記一般式（４）中、Ｒ５～Ｒ８、Ｘ１およびｎは上記一般式（２）と同義である。
　本実施形態に係る環状オレフィンモノマーは、一般式（４）で表される構造単位におけるＲ５～Ｒ８の少なくとも１つが互いに異なる二種類以上の構造単位を含んでいてもよい。
　本実施形態に係る環状オレフィンポリマーを重合する際に使用される触媒は、上記環状オレフィンモノマーを開環メタセシス重合できる触媒であれば特に限定されないが、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）等の有機遷移金属アルキリデン錯体触媒；有機遷移金属錯体と、助触媒としてのルイス酸との組合せによる開環メタセシス触媒等が挙げられ、好ましくはモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）等の有機遷移金属アルキリデン錯体触媒が用いられる。
　本実施形態では、特に、ヘテロ原子を含有する、極性の高い環状オレフィンモノマーを共重合できる。例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）等の有機遷移金属アルキリデン錯体を開環メタセシス重合触媒に使用した場合に極性の高い環状オレフィンモノマーを効率よく共重合することができる。
　上記有機遷移金属アルキリデン錯体の開環メタセシス重合触媒としては、例えば、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＢｕｔ）（ＯＢｕｔ）２、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＢｕｔ）（ＯＣＭｅ２ＣＦ３）２、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＢｕｔ）（ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＢｕｔ）２、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣＭｅ２ＣＦ３）２、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣ（ＣＦ３）３）２、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣ（ＣＦ３）３）２（式中のＰｒｉはｉｓｏ－プロピル基、Ｂｕｔはｔｅｒｔ－ブチル基、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基を表す。）等のタングステン系アルキリデン触媒；Ｗ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＨＣＭｅＰｈ）（ＯＢｕｔ）２（ＰＭｅ３）、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＨＣＭｅ２）（ＯＢｕｔ）２（ＰＭｅ３）、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＨＣＰｈ２）（ＯＢｕｔ）２（ＰＭｅ３）、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＨＣＭｅＰｈ）（ＯＣＭｅ２（ＣＦ３））２（ＰＭｅ３）、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＨＣＭｅ２）（ＯＣＭｅ２（ＣＦ３））２（ＰＭｅ３）、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＨＣＰｈ２）（ＯＣＭｅ２（ＣＦ３））２（ＰＭｅ３）、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＨＣＭｅ２）（ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２（ＰＭｅ３）、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＨＣＭｅ２）（ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２（ＰＭｅ３）、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＨＣＰｈ２）（ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２（ＰＭｅ３）、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＨＣＭｅＰｈ）（ＯＣＭｅ２（ＣＦ３））２（ＰＭｅ３）、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＨＣＭｅＰｈ）（ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２（ＰＭｅ３）、Ｗ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＨＣＭｅＰｈ）（ＯＰｈ）２（ＰＭｅ３）、（式中のＰｒｉはｉｓｏ－プロピル基、Ｂｕｔはｔｅｒｔ－ブチル基、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基を表す。）等のタングステン系アルキリデン触媒；Ｍｏ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＢｕｔ）（ＯＢｕｔ）２、Ｍｏ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＢｕｔ）（ＯＣＭｅ２ＣＦ３）２、Ｍｏ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＢｕｔ）（ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２、Ｍｏ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＢｕｔ）（ＯＣ（ＣＦ３）３）２、Ｍｏ（Ｎ－２，６－ Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＢｕｔ）２、Ｍｏ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣＭｅ２ＣＦ３）２、Ｍｏ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２、Ｍｏ（Ｎ－２，６－Ｐｒｉ ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣ（ＣＦ３）３）２、Ｍｏ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＢｕｔ）２、Ｍｏ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣＭｅ２ＣＦ３）２、Ｍｏ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２、Ｍｏ（Ｎ－２，６－Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣ（ＣＦ３）３）２（式中のＰｒｉはｉｓｏ－プロピル基、Ｂｕｔはｔｅｒｔ－ブチル基、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基を表す。）等のモリブデン系アルキリデン触媒；Ｒｕ（Ｐ（Ｃ６Ｈ１１）３）２（ＣＨＰｈ）Ｃｌ２（式中のＰｈはフェニル基を表す。）等のルテニウム系アルキリデン触媒等が挙げられる。上記開環メタセシス重合触媒は、単独で使用してもよいし、２種以上を併用して使用してもよい。
　本実施形態に係る環状オレフィンポリマーを重合する際の重合触媒金属成分としては、例えば、モリブデン、タングステン、レニウム、イリジウム、タンタル、ルテニウム、バナジウム、チタン、パラジウム、ロジウム等の遷移金属が挙げられる。好ましくはモリブデン、タングステン、ルテニウム、ロジウムであり、より好ましくはモリブデン、タングステンである。
　重合反応において環状オレフィンモノマーと有機遷移金属アルキリデン錯体の開環メタセシス重合触媒のモル比は、環状オレフィンモノマーが開環メタセシス重合触媒１モルに対して例えば１０当量～５００００当量であり、好ましくは５０当量～３００００当量、より好ましくは１００当量～２００００当量である。
　重合反応は、無溶媒でおこなってもよいし、溶媒を使用しておこなってもよい。溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素；ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、デカリン等の脂肪族環状炭化水素；メチレンジクロライド、ジクロロエタン、ジクロロエチレン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル等が挙げられる。これらの溶媒は１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよい。
　また、重合反応は、オレフィン類やジエン類等の連鎖移動剤共存下で行ってもよい。連鎖移動剤として用いられるオレフィン類としては、例えば、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、オクテン等のα－オレフィン；ビニルトリメチルシラン、アリルトリメチルシラン、アリルトリエチルシラン、アリルトリイソプロピルシラン等のケイ素含有オレフィン等が挙げられる。また、ジエン類としては、例えば、１、４－ペンタジエン、１、５－ヘキサジエン、１、６－ヘプタジエン等の非共役系ジエンが挙げられる。連鎖移動剤はそれぞれ単独で使用してもよいし、２種類以上を併用してもよい。
　共存させる連鎖移動剤の使用量は、環状オレフィンモノマー１モルに対して連鎖移動剤が、好ましくは０．００１当量～１０００当量、より好ましくは０．０１当量～１００当量の範囲である。また、連鎖移動剤が、開環メタセシス重合触媒１モルに対して、好ましくは０．１当量～２０００当量、より好ましくは１当量～１０００当量の範囲である。これら量比を任意に設定することにより、分子量の大きさを調整することができる。
　重合反応におけるモノマー濃度は、環状オレフィンモノマーの反応性や重合溶媒ヘの溶解性等によっても異なるため特に限定されないが、溶媒１ｋｇに対する環状オレフィンモノマーの濃度は、例えば０．００１ｋｇ／ｋｇ～３ｋｇ／ｋｇ、好ましくは０．０１ｋｇ／ｋｇ～２ｋｇ／ｋｇ、さらに好ましくは０．０２ｋｇ／ｋｇ～１ｋｇ／ｋｇの範囲である。反応温度は、環状オレフィンモノマーおよび開環メタセシス触媒の種類や量等によって異なるため特に限定されないが、例えば、－３０℃～１５０℃、好ましくは０℃～１２０℃、さらに好ましくは１５℃～１００℃である。反応時間は、例えば、１分～１０時間、好ましくは５分～８時間、さらに好ましくは１０分～６時間である。
　重合反応後、ブチルアルデヒド等のアルデヒド類、アセトン等のケトン類、メタノール等のアルコール類等で反応を停止し、環状オレフィンポリマー溶液を得ることができる。その際、環状オレフィンモノマーの重合率は、得られる環状オレフィンポリマー中の未重合モノマーの量を減らし、揮発成分（アウトガス）の発生をより抑制する観点から、好ましくは９０％以上であり、より好ましくは９５％以上であり、さらに好ましくは１００％である。
　さらに、得られた環状オレフィンポリマーの溶液からポリマーを取得する方法は、特に制限はないが、例えば、撹拌下の貧溶剤に反応溶液を排出する方法、反応溶液中にスチームを吹き込むスチームストリッピング等の方法によってポリマーを析出させる方法、または、反応溶液から溶剤を加熱等によって蒸発除去する方法等が挙げられる。
　また、本実施形態の一般式（１）および（２）で表される環状オレフィンポリマーは主鎖の二重結合を水添（水素化ともいう）した形態であってもよい。これにより、主鎖の二重結合によりポリマー鎖の運動を制限している束縛をとき、例えば、ポリマーのガラス転移温度を低下させ、後述するレオメータで測定した際の貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点の温度を適切な範囲に調整し、より一層良好な加熱溶融流動性を発現させることができる。その結果、ボイド等の欠陥がより一層抑制され、平坦性により一層優れ、より一層良好な状態の埋め込み性を発現した下層膜を形成することができる。
　この際の水素化反応における水添率は好ましくは０．１～１００モル％であり、より好ましくは１．０～９５モル％、さらに好ましくは５～９０モル％である。
　開環メタセシス重合で得られたポリマーの主鎖の二重結合部を水素添加するための触媒は、水素添加できる触媒であれば、均一系金属錯体触媒でも不均一系の金属担持触媒のいずれであってもよい。この中で好ましくは、触媒を容易に分離できる不均一系金属担持触媒が好適であり、例えば、活性炭担持パラジウム、アルミナ担持パラジウム、活性炭担持ロジウム、アルミナ担持ロジウム、活性炭担持ルテニウム、アルミナ担持ルテニウム等が挙げられる。これらの触媒は、単独で用いてもよく、または二種類以上を組合せて使用することもできる。
　水素添加に用いられる溶剤としては、ポリマーを溶解し、かつ、溶剤自身が水素添加されないものであれば特に制限はなく、例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素；ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、デカリン等の脂肪族環状炭化水素；メチレンジクロライド、ジクロロエタン、ジクロロエチレン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル等が挙げられる。これらの溶剤は１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよい。また、好ましくは上記した重合反応で選ばれる溶剤と同種の溶剤を用いることで、溶剤置換工程を要せず生産性に適した工程を適用することができる。
　上記の主鎖のオレフィン部の水素添加反応は、水素圧力が常圧～１０ＭＰａであることが好ましく、０．５～８ＭＰａであることがより好ましく、２～５ＭＰａであることが特に好ましい。また、反応温度は、０～２００℃の温度であることが好ましく、室温～１５０℃であることがより好ましく、５０～１００℃であることが特に好ましい。水素添加反応の実施様式は、特に制限はないが、例えば、触媒を溶剤中に分散または溶解して行う方法、触媒をカラム等に充填し、固定相としてポリマー溶液を流通させて行う方法等が挙げられる。
　さらに、主鎖のオレフィン部の水素添加処理は、水素添加処理前のポリマーの重合溶液を貧溶剤に析出させポリマーを単離した後に、再度溶剤に溶解して水素添加処理を行なっても、重合溶液からポリマーを単離することなく、上記の水添触媒で水素添加処理を行なってもよく、特に制限はない。
　水素添加後、特に、活性炭担持ロジウム、活性炭担持ルテニウム等の不均一系金属担持触媒を好ましく用いる場合のポリマー溶液からポリマーを取得する方法は、特に制限はないが、例えば、ろ過、遠心分離、デカンテーション等の方法で触媒を含有しないポリマー溶液を取得し、撹拌下の貧溶剤に反応溶液を排出する方法、反応溶液中にスチームを吹き込むスチームストリッピング等の方法によってポリマーを析出させる方法、または、反応溶液から溶剤を加熱等によって蒸発除去する方法等が挙げられる。
　また、不均一系金属担持触媒を利用して水素添加反応を実施した場合は、合成液をろ過して金属担持触媒をろ別した後に、上記した方法でポリマーを取得することもできる。好ましくは、半導体デバイス製造工程で使用される特に金属を含まないポリマー溶液を得るためには、触媒成分を粗取りした溶液をろ過し、上記した方法でポリマーを取得してもよい。特に、触媒成分を精密ろ過することが、好適であり、ろ過フィルターの目開きは、好ましくは、１０μｍ～０．０５μｍ、特に好ましくは、１０μｍ～０．１０μｍ、さらに好ましくは、５μｍ～０．１０μｍである。
　本実施形態に係る環状オレフィンポリマーにおいて、例えば試料濃度３．０～９．０ｍｇ／ｍｌでゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定したポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が、好ましくは１０００～２００００であり、より好ましくは１５００～１９０００であり、さらに好ましくは２０００～１８０００である。重量平均分子量（Ｍｗ）を上記範囲とすることにより、基板の凹凸構造の表面に本実施形態に係る下層膜形成用材料を塗布した後のベーク工程における、通常の半導体デバイス製造工程で適応される２００～２５０℃の加熱において、より一層良好な加熱溶融流動性を発現することができる。その結果、ボイド等の欠陥がより一層抑制され、平坦性により一層優れ、より一層良好な状態の埋め込み性を発現した下層膜を形成することができる。
　また、上記範囲の分子量（Ｍｗ）とする際の重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比である分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．３～５．０であり、より好ましくは１．３～４．０であり、さらに好ましくは１．３～３．０である。分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を上記範囲とすることにより、ベーク工程での加熱に対して溶融ムラをより一層抑制でき、樹脂はより一層均一に溶融する。その結果、ボイド等の欠陥がより一層抑制され、平坦性により一層優れ、より一層良好な状態の埋め込み性を発現した下層膜を形成することができる。
　ここでの加熱による溶融流動性を示す尺度として、例えば、本実施形態に係る環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料の固体粘弾性測定における貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度を用いることができる（図１参照）。
　貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点は、物質（樹脂ともいう）のレオロジーの変化を示す尺度として用いることができる。通常、交点に至るまでの昇温過程では物質は弾性体としての特性を示し、樹脂は流動しない。そして、交点を経てさらに高温へ物質を加熱することで粘性流体としての特性を示し樹脂は流動する。つまり、基板の凹凸表面をボイド等の欠陥をより抑制しながら、より一層均一な状態で埋め込むためには、適度な流動性を示すことが好ましい。すなわち、本実施形態に係る環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料において、貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点が好ましくは４０～２００℃、より好ましくは４０～１９５℃、さらに好ましくは４０～１９０℃の範囲であると、半導体デバイス製造工程で通常用いられる２００～２５０℃の加熱条件において、本実施形態に係る環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料は、基板表面の凹凸構造を、より一層均一に埋め込むために必要な適度な流動性を示すことができる。
　貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点の下限値は、さらにより好ましくは８０℃以上であり、さらにより好ましくは９０℃以上であり、特に好ましくは１００℃以上である。また、貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点の上限値は、好ましくは２００℃以下であり、より好ましくは１９５℃以下であり、特に好ましくは１９０℃以下である。
　ここで、本実施形態に係る環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料の固体粘弾性は、レオメータを用いて、窒素雰囲気下、ずりモード、測定温度範囲３０～３００℃（あるいは５０～２５０℃）、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で測定することができる。
　すなわち、貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点が上記上限値以下であると、本実施形態に係る環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料は粘性流体としての特性を示し樹脂は流動し、ボイド等の欠陥をより抑制しながら、基板の凹凸表面をより一層均一な状態で埋め込むことができる。
　また、貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点が上記下限値以上であると、本実施形態に係る環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料の流動性を抑制でき、その結果、基板の凹凸表面での引けをより一層抑制でき、ボイド等の欠陥をより抑制しながら、基板の凹凸表面をより一層均一な状態で埋め込むことができる。
　また、下記方法１により測定される、本実施形態に係る環状オレフィンポリマー中の揮発成分の発生量は、好ましくは０．０質量％以上１．０質量％以下％であり、より好ましくは０．０質量％以上０．７質量％以下、さらに好ましくは０．０質量％以上０．５質量％以下、特に好ましくは０．０質量％以上０．１質量％以下である。
　これにより、加熱溶融時のポリマーの分解に伴う揮発成分（アウトガス）の発生を抑制できるので、より一層平坦性に優れたレジスト下層膜を形成することができる。
　すなわち、上層に設ける中間層やレジスト層に用いる材料とのインターミキシングを抑制でき、ボイド等の発生を抑制でき、より一層良好な状態の埋め込み性で、平坦性により一層優れたレジスト下層膜を形成することができる。
　方法１：本実施形態に係る環状オレフィンポリマーをテトラヒドロフランに溶解して固形分濃度（あるいはポリマー濃度）が２０質量％の溶液を作製し、得られた溶液をアルミ皿に計量し、次いで、窒素気流下、２００℃で３分間加熱してテトラヒドロフランを除去し、次いで、室温まで冷却して上記環状オレフィンポリマーを固化し、窒素雰囲気下で、３０～３００℃の温度範囲、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で上記環状オレフィンポリマーを加熱し、１００～２５０℃の範囲における重量減少率から、上記環状オレフィンポリマー中の上記揮発成分の発生量を算出する。
　また、本実施形態に係る環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料は、後述する、ワニス状の下層膜形成用材料の調製で使用する有機溶媒のいずれか（好ましくはプロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセテート（ＰＧＭＥＡ））に、少なくとも０．０１質量％以上５０質量％以下のいずれかの濃度で溶解可能であることが好ましく、下記方法４により測定される、本実施形態に係る環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料の残膜率が好ましくは５０％以上１００％以下、より好ましくは６０％以上１００％以下である。
　方法４：本実施形態に係る環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料からなる厚さ（α）が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のコート膜をシリコンウェハー上に形成する。次いで、得られたコート膜を２００℃で１０分間処理する。次いで、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒および炭化水素系溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種類の有機溶媒（好ましくはプロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセテート（ＰＧＭＥＡ））に２３℃で１０分間浸漬し、次いで、１５０℃で３分間の条件で乾燥し、コート膜中の残存溶媒を除去する。次いで、残存溶媒を除去したコート膜の厚さ（β）を測定し、残膜率（＝β／α×１００）（％）を算出する。
　アルコール系溶媒としては、例えば、４－メチル－２－ペンタノール、ｎ－ヘキサノール等の炭素数１～１８の脂肪族モノアルコール系溶媒；シクロヘキサノール等の炭素数３～１８の脂環式モノアルコール系溶媒；１，２－プロピレングリコール等の炭素数２～１８の多価アルコール系溶媒；プロピレングリコールモノメチルエーテル等の炭素数３～１９の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。
　エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のジアルキルエーテル系溶媒；テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒；ジフェニルエーテル、アニソール等の芳香環含有エーテル系溶媒等が挙げられる。
　ケトン系溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル－ｎ－プロピルケトン、メチル－ｎ－ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル－ｉｓｏ－ブチルケトン、２－ヘプタノン、エチル－ｎ－ブチルケトン、メチル－ｎ－ヘキシルケトン、ジ－ｉｓｏ－ブチルケトン、トリメチルノナノン等の鎖状ケトン系溶媒；シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒；２，４－ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
　アミド系溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ－メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒；Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒等が挙げられる。
　エステル系溶媒としては、例えば、酢酸ｎ－ブチル、乳酸エチル等のモノカルボン酸エステル系溶媒；酢酸プロピレングリコール等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒；プロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセテート等の多価アルコール部分アルキルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒；シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒；γ－ブチロラクトン、δ－バレロラクトン等のラクトン系溶媒；ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒等が挙げられる。
　炭化水素系溶媒としては、例えば、炭素数５～１０の直鎖状または分岐鎖状炭化水素、炭素数５～１２の脂環式炭化水素、炭素数６～１８の芳香族炭化水素等が挙げられる。脂環式炭化水素および芳香族炭化水素の環上の水素原子の一部または全部は、炭素数１～５の直鎖状または分岐鎖状アルキル基によって置換されていてもよい。
　これらの中でも、プロセスへの適応性等を考慮するとアルコール系溶媒およびエステル系溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種類であることが好ましい。アルコール系溶媒としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＧＰＥ）等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えばプロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセテート（ＰＧＭＥＡ）が挙げられる。これらの溶媒は単独でも２種類以上混合して使用してもよい。
　本実施形態に係る環状オレフィンポリマーの残膜率が上記下限値以上であると、レジスト下層膜上に中間層を形成する場合、インターミキシングを抑制することができ、その結果、中間層とレジスト下層膜との密着性に優れるとともに平坦性に優れた積層体を実現することができる。
　ここで、有機溶媒として、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒および炭化水素系溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種類の有機溶媒のうち、いずれかの溶媒を用いた場合に、上記残膜率が上記範囲内になればよく、有機溶媒としてプロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセテート（ＰＧＭＥＡ））を用いたときに残膜率が上記範囲内になることが好ましい。
　本実施形態に係る環状オレフィンポリマーの示差走査熱量分析によるガラス転移温度は好ましくは４０～２２０℃であり、より好ましくは４０～２００℃であり、さらに好ましくは４０～１８０℃である。また、本実施形態に係る環状オレフィンポリマーの示差走査熱量分析によるガラス転移温度は、好ましくは４０℃以上、より好ましくは５０℃以上、さらに好ましくは６０℃以上、さらにより好ましくは７０℃以上、そして好ましくは２２０℃以下、より好ましくは２００℃以下、さらに好ましくは１８０℃以下である。ガラス転移温度が上記範囲であると、上記した貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点の温度を上記した範囲に調整しやすくなる。
　また、レジスト下層膜の平坦性の評価は、例えば、スピンコート法による塗膜形成で基板の凹凸表面を埋め、焼成後のサンプルの断面を切り出したサンプルのＳＥＭ観察による方法が用いられる。この場合、好ましくは大気面の揺らぎの程度を示す尺度として、以下の平坦度（ΔＦＴ）を用いることができる。まず、基板の凹凸構造のうち凹部底面から大気面（後述する表面（α））までの高さを１０点測定し平均値（Ｈａｖ）を膜厚とする。次いで、揺らぎの膜厚の最大値（Ｈｍａｘ）と最小値（Ｈｍｉｎ）を計測した結果から、最大値と最小値の差（Ｈｍａｘ―Ｈｍｉｎ）を膜厚の平均値で除した値［（Ｈｍａｘ―Ｈｍｉｎ）／Ｈａｖ］×１００（％）を平坦度（ΔＦＴ）の尺度とする。ただし、基板に凹凸構造がないときは、上記の「凹部底面から大気面までの高さ」を「基板表面から大気面までの高さ」に置き換えればよい。
　図２は、本発明に係る実施形態の積層体１０におけるレジスト下層膜２の膜厚４、凹凸構造７の高さ５および凹凸構造７の凸凸間の間隔６を説明するための模式図である。図２に示すように、基板１に凹凸構造７がある場合は、凹部底面から表面（α）３までの高さがレジスト下層膜２の膜厚４となり、基板１に凹凸構造７がない場合は、基板１の表面から表面（α）３までの高さがレジスト下層膜２の膜厚４となる。
　この際の平坦度（ΔＦＴ）は、好ましくは０～５％、より好ましくは０～３％、さらに好ましくは０～１％である。これにより、中間層の有無に関わらずレジスト層の厚みをより一層均一にでき、リソグラフィーにおいて所望のパターンを再現性良く得ることができる。
　また、レジスト下層膜の疎密パターンにおける膜厚差の評価は、例えば、スピンコート法による塗膜形成で基板の凹凸表面を埋め、焼成後のサンプルの断面を切り出したサンプルのＳＥＭ観察による方法が用いられる。この場合、疎密パターンの切り替わり部とは、図３－２に示すように、基板上の凹凸構造のうち凸凸間幅（凹幅）＝ａ、凸幅＝ｂとしたとき、ａ＋ｂで表されるパターンピッチ幅に対する凸凸間幅の割合［ａ／（ａ＋ｂ）］をαとし、同一基板上の凸凸間幅と凸幅の異なるパターン領域のそれぞれのαの値、α１およびα２を求める。そのα１とα２の差の絶対値が、０＜｜α１－α２｜＜１の範囲にある場合を疎密パターンの切り替わり部とする。疎密パターンの切り替わり部における膜厚差とは、上記αの値が異なる同一基板上のパターン領域において、それぞれのパターン領域で凹部底面から大気面までの膜厚を１０点測定し、それぞれの平均値Ｈ１とＨ２、Ｈ１とＨ２の平均値Ｈ３を求め、２つのパターン領域の凹部底面から大気面までの平均膜厚の差の絶対値｜Ｈ１－Ｈ２｜をＨ３で除した値｜Ｈ１－Ｈ２｜／Ｈ３×１００（％）を平坦度（ΔＦＴ）の尺度とする。
　図３－２において、ａ１／（ａ１＋ｂ１）＝α１、ａ２／（ａ２＋ｂ２）＝α２、Ｈ１とＨ２は上記のα１とα２の領域におけるそれぞれの凹部底面から大気面までの平均膜厚であり、｜Ｈ１－Ｈ２｜／Ｈ３×１００（％）＝ΔＦＴである。
　この際の平坦度（ΔＦＴ）は、好ましくは０～５％、より好ましくは０～３％、さらに好ましくは０～１％である。これにより、中間層の有無に関わらずレジスト層の厚みをより一層均一にでき、リソグラフィーにおいて所望のパターンを再現性良く得ることができる。
　下層膜の上方に形成したレジスト材料からなる層に、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを光源にしてフォトマスクのパターンを転写するＡｒＦフォトリソグラフィー工程では、レジスト層から下層膜を通過した光が、半導体基板表面で反射し、再度、下層膜から上方のレジスト層に入射することがある。所謂、定在波の影響で光干渉が生じ、レジスト内部で発生する酸の濃度が不均一になることでパターンのラフネスが悪化する場合がある。また、複数種のトレンチ、特に互いに異なるアスペクト比のトレンチを有する基板を用いた場合、光の反射は特に段差部分で乱反射を引き起こし、乱反射した光が再度、下層膜からレジスト層に入射することで、本来、未露光部であるべきレジスト層内部に光が入射し発生した酸により転写精度を悪化させてしまう現象が生じることがある。
　これらの下層膜からレジスト層への定在波や乱反射に起因して起こる、パターンのラフネス悪化や転写精度悪化を防止するためには、下層膜に反射防止膜としての機能を持たせる必要がある。実用的には、下層膜からレジスト膜内への反射率を１％以下に抑える必要があるとされている。
　反射防止膜としての機能を発現させる具体的な方法としては、下層膜形成用材料の光学定数を制御する方法が知られている。
　下記方法２により測定される本実施形態に係る環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料の波長１９３ｎｍに対する屈折率（ｎ値）および下記方法３により測定される本実施形態に係る環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料の消衰係数（ｋ値）は、好ましくはｎ値が１．５～２．０、ｋ値が０．０００１～０．５、より好ましくはｎ値が１．５５～１．９５、ｋ値が０．０００１～０．４、さらに好ましくはｎ値が１．６～１．９、ｋ値が０．０００１～０．３の範囲に制御されることで、下層膜からレジスト層への反射率を１％以下とすることができる。また、上記反射防止膜は平坦な形状であることが反射防止性能を発揮させる観点で好ましい。本実施形態であれば、上記下地膜表面を平坦な構造とすることができるので、反射防止膜を形成させるうえでも好ましい。
　方法２：環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料からなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られたコート膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）を環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料の屈折率（ｎ値）とする。
　方法３：環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料からなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られたコート膜の消衰係数（ｋ値）を環状オレフィンポリマーまたは下層膜形成用材料の消衰係数（ｋ値）とする。
　また、この際に用いられる下層膜の膜厚（凹凸構造がない基板を用いるときは任意の十カ所において基板の上部から下層膜の表面まで距離を測定し、凹凸構造を有する基板を用いる場合は基板の凹凸表面の凹部底面から下層膜の表面までの距離を測定する）の平均値Ｈａｖ（ここで、レジスト下層膜の基板とは反対側の表面（α）の任意の１０カ所において、上記レジスト下層膜の膜厚を測定し、それらの平均値をＨａｖとする）は、好ましくは５～１０００ｎｍ、より好ましくは５～８００ｎｍ、さらに好ましくは５～６００ｎｍ、さらにより好ましくは５～５００ｎｍ、さらにより好ましくは７～４５０ｎｍ、さらにより好ましくは１０～４００ｎｍの範囲あり、レジスト下層膜の膜厚の平均値Ｈａｖの下限値は好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは７ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上であり、上限値は好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、さらに好ましくは６００ｎｍ以下、さらにより好ましくは５００ｎｍ以下、さらにより好ましくは４５０ｎｍ以下、さらにより好ましくは４００ｎｍ以下である。上記したｎ値とｋ値の範囲、および下層膜の厚みの範囲内である場合、ＡｒＦフォトリソグラフィー工程において、フォトマスクのパターンをラフネス無く、精度良く転写した加工基板を得ることができる。
＜ワニス状の下層膜形成用材料の調製＞
　本実施形態に係る下層膜形成用材料は、例えば、本実施形態に係る環状オレフィンポリマーを有機溶媒に溶解または分散させ、必要に応じて、所望のパターンのサイズに応じた細孔のフィルターを通して異物を除去することにより、基板上に塗布するのに好適なワニス状の下層膜形成用材料とすることができる。
　この際に用いる有機溶媒としては、本実施形態に係る環状オレフィンポリマーを、溶解または分散可能な溶媒であれば特に限定されない。
　有機溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒等が挙げられる。
　アルコール系溶媒としては、例えば、４－メチル－２－ペンタノール、ｎ－ヘキサノール等の炭素数１～１８の脂肪族モノアルコール系溶媒；シクロヘキサノール等の炭素数３～１８の脂環式モノアルコール系溶媒；１，２－プロピレングリコール等の炭素数２～１８の多価アルコール系溶媒；プロピレングリコールモノメチルエーテル等の炭素数３～１９の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。
　エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のジアルキルエーテル系溶媒；テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒；ジフェニルエーテル、アニソール等の芳香環含有エーテル系溶媒等が挙げられる。
　ケトン系溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル－ｎ－プロピルケトン、メチル－ｎ－ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル－ｉｓｏ－ブチルケトン、２－ヘプタノン、エチル－ｎ－ブチルケトン、メチル－ｎ－ヘキシルケトン、ジ－ｉｓｏ－ブチルケトン、トリメチルノナノン等の鎖状ケトン系溶媒；シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒；２，４－ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
　アミド系溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ－メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒；Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒等が挙げられる。
　エステル系溶媒としては、例えば、酢酸ｎ－ブチル、乳酸エチル等のモノカルボン酸エステル系溶媒；酢酸プロピレングリコール等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒；酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル等の多価アルコール部分アルキルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒；シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒；γ－ブチロラクトン、δ－バレロラクトン等のラクトン系溶媒；ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒等が挙げられる。
　炭化水素系溶媒としては、例えば、炭素数５～１０の直鎖状または分岐鎖状炭化水素、炭素数５～１２の脂環式炭化水素、炭素数６～１８の芳香族炭化水素等が挙げられる。脂環式炭化水素および芳香族炭化水素の環上の水素原子の一部または全部は、炭素数１～５の直鎖状または分岐鎖状アルキル基によって置換されていてもよい。
　これらの中から、塗工時の溶媒の揮発速度、プロセスへの適応性、生産性等を考慮して選択され、好ましくはアルコール系溶媒、鎖状ケトン系溶媒、環状ケトン系溶媒、鎖状エーテル系溶媒、環状エーテル系溶媒、エステル系溶媒等の含酸素溶媒が選択される。本実施形態に係る下層膜形成用材料は溶媒を１種またはは２種以上含んでいてもよい。
　また、本実施形態に係るワニス状の下層膜形成用材料において、環状オレフィンポリマーの濃度は、好ましくは０．０１～５０．０質量％、より好ましくは０．１～４５．０質量％、さらに好ましくは１．０～４０．０質量％である。環状オレフィンポリマーの濃度は、ポリマーの溶解性、ろ過プロセスへの適応性、製膜性、下層膜としての厚み等を考慮して選択することができる。
　さらに、エッチング耐性、光学特性等の下層膜としての材料物性を調整する目的で、本発明の効果を損なわない範囲で、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ヒドロキシナフチレン樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂：上記樹脂と重合開始剤との組み合わせであれば上記樹脂を構成するモノマー；熱硬化系のモノマー；ポリマー材料；ジルコニウム、ハフ二ウム、ルテニウム、チタニウム等金属の酸化物を本実施形態に係る下層膜形成用材料に混合してもよい。
　さらに、レジスト層とレジスト下層膜、あるいはレジスト層とレジスト下層膜の間に中間層を設ける場合には中間層とレジスト下層膜との間でのインターミキシングを抑制する目的で、本発明の効果を損なわない範囲で、本実施形態に係る下層膜形成用材料は架橋剤を含んでもよい。一方で、架橋剤の使用は硬化時の反応収縮の影響が顕著になることが有る。例えば、凹凸のパターンが不規則な場合、架橋剤が多すぎると凸凸間が長い構造であると収縮の影響が無視できなくなる場合が有り、平坦性が低下する可能性が有る。そのための本実施形態に係る下層膜形成用材料中の架橋剤の含有量は、少ない方が好ましい。その観点から、下層膜形成用材料に含まれるポリマー成分の全含有量を１００質量部としたとき、５質量部未満が好ましく、３質量部未満がより好ましく、１質量部未満がさらに好ましい。
　架橋剤としては多官能のエポキシ化合物、オキセタン化合物等が好適に用いられるが、これらの化合物に特に制限されるものではない。
　多官能のエポキシ化合物としては、例えば、１，７－オクタジエンジエポキシド、リモネンジオキサイド、４－ビニルシクロヘキセンジオキサイド、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル－３’，４’－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ジ（３，４－エポキシシクロヘキシル）アジペート、（３，４－エポキシ－６－メチルシクロヘキシル）メチル－３，４－エポキシ－６－メチルシクロヘキサンカルボキシレート、エチレン１，２－ジ（３，４－エポキシシクロヘキサンカルボン酸）エステル、３’，４’－エポキシシクロヘエキシルメチル－３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス（3，4-エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ｏ－、ｍ－、ｐ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、多価アルコールのポリグリシジルエーテル、３，４－エポキシシクロヘキセニルメチル－３’，４’－エポキシシクロヘキセンカルボキシレートといった脂環式エポキシ樹脂あるいは水添ビスフェノールＡのグリシジルエーテル等のエポキシ化合物等が挙げられる。
　多官能のオキセタン化合物としては、例えば、ビス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、１，２－ビス［（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）］エタン、１，３－ビス［（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）］プロパン、１，３－ビス［（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）］－２，２－ジメチル－プロパン、１，４－ビス（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）ブタン、１，６－ビス（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）ヘキサン、１，４－ビス［（３－メチル－３－オキセタニル）メトキシ］ベンゼン、１，３－ビス［（３－メチル－３－オキセタニル）メトキシ］ベンゼン、１，４－ビス｛［（３－メチル－３－オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン、１，４－ビス｛［（３－メチル－３－オキセタニル）メトキシ］メチル｝シクロヘキサン、４，４’－ビス｛［（３－メチル－３－オキセタニル）メトキシ］メチル｝ビフェニル、４，４’－ビス｛［（３－メチル－３－オキセタニル）メトキシ］メチル｝ビシクロヘキサン、２，３－ビス［（３－メチル－３－オキセタニル）メトキシ］ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２，５－ビス［（３－メチル－３－オキセタニル）メトキシ］ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２，６－ビス［（３－メチル－３－オキセタニル）メトキシ］ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、１，４－ビス［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ］ベンゼン、１，３－ビス［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ］ベンゼン、１，４－ビス｛［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン、１，４－ビス｛［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ］メチル｝シクロヘキサン、４，４’－ビス｛［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ］メチル｝ビフェニル、４，４'－ビス｛［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ］メチル｝ビシクロヘキサン、２，３－ビス［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ］ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２，５－ビス［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ］ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２，６－ビス［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ］ビシクロ［２．２．１］ヘプタン等が挙げられる。また、これらの架橋剤は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　次いで、上記した方法で調製したワニス状の下層膜形成用材料を、フィルターを通過させてろ過する。これによって、ワニス状の下層膜形成用材料からポリマー不溶分やゲル、異物等を除去でき、下層膜として均一な層をレジスト膜層と基板表面の間に形成することができる。
　ろ過フィルターの目開きは、好ましくは１μｍ～０．００１μｍ、より好ましくは０．５μｍ～０．００１μｍ、さらに好ましくは０．１μｍ～０．００１μｍである。ろ過のプロセスは、孔径の大きなフィルターから小さなフィルターへワニスを送る多段プロセスでおこなってもよいし、孔径の小さなフィルターへワニスを直接送る単一プロセスでおこなってもよい。フィルターの材質は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、セルロース等の有機材料；ガラス繊維、金属等の無機材料；等が挙げられ、下層膜としての機能に影響を及ぼさなければ、ワニス特性、プロセス適応性等を考慮して選択することができる。
　また、ワニスをフィルターへ送る方法としては、例えば、圧力差を利用する方法、スクリュー等を介して機械的な駆動によってワニスをフィルターへ送液する方法等が挙げられる。さらに、ろ過の温度は、フィルター性能、溶液粘度、ポリマーの溶解性を考慮した範囲で選択でき、好ましくは－１０～２００℃、より好ましくは０℃～１５０℃、さらに好ましくは室温～１００℃の範囲であり、溶解成分等の析出またはゲル化、加熱による熱分解等の組成物の変異がなければ、ワニス特性やプロセス適応性等を考慮して選択することができる。
＜レジスト下層膜およびレジスト下層膜の製造方法＞
　本実施形態に係るレジスト下層膜は、本実施形態に係る下層膜形成用材料を用いて形成することができる。
　本実施形態に係るレジスト下層膜の製造方法は、本実施形態に係る下層膜形成用材料を含む塗膜を基板上に形成する工程（以下、「塗膜形成工程」ともいう）を含む。
　また、必要に応じて、上記塗膜を加熱する工程（以下、「焼成工程」ともいう）をさらに含んでもよい。
　本実施形態に係るレジスト下層膜の製造方法によれば、本実施形態に係る下層膜形成用材料を用いるため、十分な光学特性およびエッチング耐性を満たすとともに平坦性に優れ、揮発分の発生量も抑制されたレジスト下層膜を得ることができる。
　また、本実施形態に係る下層膜形成用材料は複雑な形状の基板に対する埋め込み性に優れるため、本実施形態に係るレジスト下層膜の製造方法によれば、段差を有する基板や、複数種のトレンチを有する基板等の複雑な形状の基板上に、十分な光学特性およびエッチング耐性を満たすとともに平坦性に優れ、揮発分の発生量も抑制されたレジスト下層膜を作製することができる。
　以下、各工程について説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
［塗膜形成工程］
　本工程では、本実施形態に係る下層膜形成用材料を用いて、基板上に本実施形態に係る下層膜形成用材料を含む塗膜を形成する。
　上記基板としては、例えば、シリコンウェハー、アルミニウムウェハー、ニッケルウェハー等が挙げられる。上記基板の表面には凹凸構造が付与されていてもよい。上記凹凸構造は、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）膜、ＳｉＣＮ膜、シリカ（ＳｉＯ２）にカーボン（Ｃ）をドープしたＳｉＯＣ膜や、メチルシロキサン系有機膜（ＳＯＧ）、数ｎｍ以下の微小な空孔が均一に分布したシリカ絶縁膜等の低誘電材料で被膜を形成した状態であってもよい。上記したように、本実施形態に係るレジスト下層膜の形成方法では、上記基板として、段差を有する基板や複数種のトレンチを有する基板等も好適に用いることができ、このような複雑な形状の基板を用いたとしても平坦性に優れるレジスト下層膜を形成することができる。
　上記複数種のトレンチを有する基板としては、例えば、互いに異なるアスペクト比を有する基板も好適に用いることができる。上記アスペクト比は、種々の値が混在したものを用いることができ、例えば、基板のトレンチにおいて、アスペクト比における最大値と最小値の比としては、好ましくは１～３０、より好ましくは１～２５、さらに好ましくは１～２０である。
　本実施形態に係る下層膜形成用材料を基板へ塗布する方法は特に限定されず、例えば、スピンコート、溶液流延塗布、ロール塗布、スリットコート、インクジェット塗布等の方法を用いて、前述したワニス状の下層膜形成用材料を基板へ塗布する方法等が挙げられる。この際に形成されるレジスト下層膜の凹部底から大気面までの膜厚としては、前述した平均値Ｈａｖが好ましくは５～２０００ｎｍ、より好ましくは７～１０００ｎｍ、さらに好ましくは１０～５００ｎｍの範囲である。また、膜厚の好ましい下限値は１５ｎｍ以上である。
［焼成工程］
　本工程においては、上記塗膜形成工程において形成した塗膜を加熱（焼成）する。この塗膜を焼成する方法としては、例えば、加熱する方法等が挙げられる。この加熱の温度は、好ましくは１００℃～４００℃、より好ましくは１５０℃～３００℃、さらに好ましくは１８０℃～２５０℃である。加熱時間は好ましくは５秒～６０分、より好ましくは１０秒～１０分、さらに好ましくは３０秒～３分である。上記加熱における雰囲気としては、例えば、空気中；窒素ガス中、アルゴンガス中等の不活性ガス中；等が挙げられる。
　また、本工程における加熱様式としては、例えば、塗膜中の溶剤を除去する目的で加熱し、その後の加熱で塗膜を流動させ基板の凹凸構造に塗膜を埋め込む態様；本発明の効果を損なわない範囲で機能を補うために混合した熱硬化系材料等の異種物質を硬化させ、その後の加熱で塗膜を流動させ基板の凹凸構造に塗膜を埋め込む態様；下層膜形成用材料の脱離基を脱離させる目的で加熱し、その後の加熱で塗膜を流動させ基板の凹凸構造に塗膜を埋め込む態様；等が挙げられる。
　焼成工程の加熱は、段階的に温度を上げる多段プロセスを用いてもよい。
　形成されるレジスト下層膜の膜厚の平均値Ｈａｖとしては、好ましくは５～１０００ｎｍ、より好ましくは５～８００ｎｍ、さらに好ましくは５～６００ｎｍ、さらにより好ましくは５～５００ｎｍ、さらにより好ましくは７～４５０ｎｍ、さらにより好ましくは１０～４００ｎｍの範囲であり、レジスト下層膜の膜厚の平均値Ｈａｖの下限値は好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは７ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上であり、上限値は好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、さらに好ましくは６００ｎｍ以下、さらにより好ましくは５００ｎｍ以下、さらにより好ましくは４５０ｎｍ以下、さらにより好ましくは４００ｎｍ以下である。
　本実施形態に係るレジスト下層膜は、例えば、フォトリソグラフィーによるパターン形成のための工程部材として用いることができる。
＜積層体＞
　本実施形態に係る積層体は、基板（ａ）と、基板（ａ）の一方の面に形成された本実施形態に係る下層膜形成用材料を含むレジスト下層膜（ｂ）と、を備える。
　基板（ａ）とレジスト下層膜（ｂ）とが接触する構造であることが好ましい。
　ここで、レジスト下層膜（ｂ）およびその製造方法は、前述した本実施形態に係るレジスト下層膜およびレジスト下層膜の製造方法と同様のため、ここでの説明は省略する。
　図２は、本発明に係る実施形態の積層体１０におけるレジスト下層膜２の膜厚４、凹凸構造７の高さ５および凹凸構造７の凸凸間の間隔６を説明するための模式図である。
　基板（ａ）は、平坦な表面を持つ構造であってもよいが、その片面または両面に、好ましくは５～５００ｎｍ、より好ましくは７～４５０ｎｍ、さらに好ましくは１０～４００ｎｍの範囲の高さを有する凹凸構造であることが好ましい。
　ここで、上記高さは、図２に示す凹凸構造７の高さ５を意味し、例えば、凹凸構造７の高さ５を任意に１０点測定し、それらの平均値を採用することができる。
　また、上記凹凸構造における凸凸間の間隔は、好ましくは１ｎｍ以上１０ｍｍ以下である。上記凹凸構造における凸凸間の間隔の下限値は３ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることがさらに好ましく、１０ｎｍ以上であることが特に好ましい。
　ここで、上記凹凸構造における凸凸間の間隔は、図２に示す凹凸構造７における凸凸間の間隔６を意味し、凹凸構造７における凸凸間の間隔６を任意に１０点測定し、それらの平均値を採用することができる。
　また、上記凹凸構造における凸凸間の間隔の上限値は５ｍｍ以下であることがより好ましく、１ｍｍ以下あることがさらに好ましく、０．５ｍｍ以下であることが特に好ましい。
　基板（ａ）が上記のような凹凸構造を有する場合にレジスト下層膜（ｂ）の効果がより顕著に発現する傾向があるので好ましい。
　基板（ａ）の厚さは０．０１～１００００μｍであることが好ましい。基板（ａ）の厚さの下限値は０．０３μｍ以上であることがより好ましく、０．０５μｍ以上であることがさらに好ましく、０．１０μｍ以上であることが特に好ましい。
　基板（ａ）の厚さの上限値は５０００μｍ以下であることがより好ましく、３０００μｍ以下であることがさらに好ましく、１０００μｍ以下であることが特に好ましい。
　本実施形態に係る積層体において、レジスト下層膜（ｂ）の基板（ａ）とは反対側の表面（α）における下記式により算出される平坦度（△ＦＴ）が好ましくは０～５％、より好ましくは０～３％、さらに好ましくは０～１％である。
　平坦度（ΔＦＴ）＝［（Ｈｍａｘ―Ｈｍｉｎ）／Ｈａｖ］×１００（％）
　ここで、表面（α）の任意の１０カ所において、レジスト下層膜（ｂ）の膜厚を測定し、それらの平均値をＨａｖとし、レジスト下層膜（ｂ）の膜厚の最大値をＨｍａｘとし、レジスト下層膜（ｂ）の膜厚の最小値をＨｍｉｎとする。
　これにより、中間層の有無に関わらずレジスト層の厚みをより一層均一にでき、リソグラフィーにおいて所望のパターンを再現性良く得ることができる。
＜パターン形成方法＞
　本実施形態に係るパターン形成方法は、例えば、本実施形態に係るレジスト下層膜の上面側に、レジストパターンを形成する工程（以下、「レジストパターン形成工程」ともいう）と、上記レジストパターンをマスクとし、上記レジスト下層膜および基板を順次エッチングする工程（以下、「エッチング工程」ともいう）とを備える。
　また、本実施形態に係るパターン形成方法は、上記レジストパターン形成工程において、上記レジスト下層膜の上面側に中間層を形成し、この中間層の上面側にレジストパターンを形成し、上記エッチング工程において、さらに中間層をエッチングする工程であってもよい。
　本実施形態に係るパターン形成方法によれば、十分な光学特性およびエッチング耐性を満たすとともに平坦性に優れ、中間層とのインターミキシングが抑制され、揮発分の発生量も抑制された本実施形態に係るレジスト下層膜を用いるので、良好なパターンを形成することができる。
　以下、各工程について説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
［レジストパターン形成工程］
　本工程においては、上記レジスト下層膜の上面側にレジストパターンを形成する。上記レジスト下層膜の上面側に中間層を形成し、この中間層の上面側にレジストパターンを形成してもよい。
　上記中間層は、レジストパターン形成等において、レジスト下層膜および／またはレジスト膜が有する機能を補い、またはこれらが有していない機能を付与するためにこれらの機能を有する層のことである。例えば、反射防止膜（反射防止層ともいう）を中間層として形成した場合、レジスト下層膜の反射防止機能を補うことができる。また、ハードマスク層を中間層として形成した場合、現像工程の例えば、アルカリ現像液を使用する際のレジスト下層膜に対する影響を抑制し、および／または、本実施形態の下層膜をエッチング後、下層のシリコン、アルミニウム、ニッケル等からなる基板をエッチングする際のレジストパターン形成層のエッチング耐性不足を補うことができる。
　さらには、本実施形態の下層膜の上に形成する中間層は、反射防止層とハードマスク層の何れか、または両方を備えた構成であってもよく、層構成は、本実施形態の下層膜の直上には反射防止層を形成しても、ハードマスク層を形成してもよい。レジスト材料、加工基板等の材料の特性や、生産性を考慮して好適に選ばれる。
　上記中間層は、有機化合物や無機酸化物により形成することができる。上記有機化合物としては、例えば、ＤＵＶ－４２、ＤＵＶ－４４、ＡＲＣ－２８、ＡＲＣ－２９（何れも、Ｂｒｅｗｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）や、ＡＲ－３、ＡＲ－１９（何れも、ロームアンドハース社製）等が挙げられる。また、上記無機酸化物としては、例えば、ＮＦＣ ＳＯＧシリーズ（ＪＳＲ社製）、ＣＶＤ法により形成されるポリシロキサン、酸化チタン、酸化アルミナ、酸化タングステン等を用いることができる。
　上記中間層を形成する方法は特に限定されないが、例えば、塗布法やＣＶＤ法等が挙げられる。これらの中で、塗布法が好ましい。塗布法を用いた場合、レジスト下層膜を形成後、中間層を連続して形成することができる。 
　また、中間層の膜厚は特に限定されず、中間層に求められる機能に応じて適宜選択されるが、好ましくは１ｎｍ～５μｍ、より好ましくは５ｎｍ～３μｍ、さらに好ましくは１０ｎｍ～０．３μｍの範囲である。 
　上記レジスト下層膜または中間層の上面側にレジストパターンを形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィーを用いる方法等が挙げられる。この方法について、以下、具体的に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
　フォトリソグラフィーを用いる方法は、例えばレジスト組成物を用い、上記レジスト下層膜の上面側にレジスト膜を形成する工程（以下、「レジスト膜形成工程」ともいう）、上記レジスト膜を露光する工程（以下、「露光工程」ともいう）、および上記露光されたレジスト膜を現像する工程（以下、「現像工程」ともいう）を有する。
（レジスト膜形成工程） 
　本工程では、レジスト組成物を用い、レジスト下層膜の上面側にレジスト膜を形成する。具体的には、得られるレジスト膜が所定の膜厚となるようにレジスト組成物を塗布した後、プリベークすることによって塗膜中の溶媒を揮発させ、レジスト膜が形成される。 
　レジスト組成物としては、例えば、光酸発生剤を含有するポジ型またはネガ型の化学増幅型レジスト組成物；アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド系感光剤とからなるポジ型レジスト組成物；アルカリ可溶性樹脂と架橋剤とからなるネガ型レジスト組成物；等が挙げられる。
　上記レジスト組成物の固形分濃度は、好ましくは０．１質量％～５０質量％、より好ましくは０．５質量％～５０質量％、さらに好ましくは１．０質量％～５０質量％の範囲であり、対象とする膜厚や、生産性を考慮して適切な範囲で選択することができる。
　また、上記レジスト組成物は、孔径０．１μｍ程度のフィルターでろ過して調製されることが好ましい。なお、この工程では、市販のレジスト組成物をそのまま使用することもできる。レジスト組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、スピンコート、流延塗布、ロール塗布等の方法で実施することができる。
　また、プリベークの温度は、使用されるレジスト組成物の種類等に応じて適宜選択されるが、３０℃～２００℃が好ましく、５０℃～１５０℃がより好ましい。
（露光工程）
　本工程では、上記レジスト膜形成工程で形成されたレジスト膜を露光する。この露光は、例えば、所定のマスクパターンおよび必要に応じて液浸液を介して行われる。
　露光光としては、レジスト組成物に使用される光酸発生剤の種類に応じて、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、γ線等の電磁波；電子線、分子線、イオンビーム、α線等の粒子線等から適切に選択されるが、遠紫外線が好ましく、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー光（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２エキシマレーザー光（波長１４７ｎｍ）、ＡｒＫｒエキシマレーザー光（波長１３４ｎｍ）、極紫外線（波長１３ｎｍ等）がより好ましく、ＡｒＦエキシマレーザー光がさらに好ましい。
　上記露光後に、形成されるレジストパターンの解像度、パターンプロファイル、現像性等を向上させるため、ポストベークを行うことができる。このポストベークの温度は、使用されるレジスト組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、５０℃～２００℃が好ましく、７０℃～１５０℃がより好ましい。
（現像工程）
　本工程では、上記露光工程で露光されたレジスト膜を現像する。 
　上記現像に用いられる現像液としては、使用されるレジスト組成物の種類に応じて適宜選択される。アルカリ現像の場合、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］－５－ノネン等のアルカリ性水溶液等が挙げられる。なお、上記中間層形成工程を行い中間層を形成しておくと、これらのアルカリ性水溶液のレジスト下層膜に対する影響を抑制することができる。
　これらのアルカリ性水溶液には、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類等の水溶性有機溶媒や、界面活性剤を適量添加することもできる。
　また、現像液としては、有機溶媒を含有する現像液を用いることもできる。この有機溶媒としては、例えば、エステル類、ケトン類、エーテル類、アルコール類、アミド類、炭化水素類等が挙げられる。有機溶媒現像で使用する溶媒は、レジスト下層膜の特性に応じて適時選ばれる。
　上記現像液を用いて現像した後、洗浄し、乾燥することによって、所定のレジストパターンが形成される。
　また、上記レジストパターン形成工程を行う方法として、上述のフォトリソグラフィーを用いる方法以外にも、ナノインプリント法を用いる方法、自己組織化組成物を用いる方法等も用いることができる。
［エッチング工程］
　本工程においては、上記レジストパターンをマスクとし、上記レジスト下層膜および基板を順次エッチングする。これにより、基板にパターンが形成される。なお、中間層を形成した場合は、さらに中間層もエッチングする。
　上記エッチングは、ドライエッチングでもよいし、ウェットエッチングでもよい。上記ドライエッチングは、公知のドライエッチング装置を用いて行うことができる。また、ドライエッチングをする際のソースガスとしては、被エッチング物の元素組成にもよるため特に限定されないが、例えば、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２等の酸素原子を含むガス；Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガス；Ｃｌ２、ＢＣｌ３等の塩素系ガス；ＣＨＦ３、ＣＦ４等のフッ素系ガス；Ｈ２、ＮＨ３のガス等を使用することができる。なお、これらのガスは混合して用いることもできる。
［基板パターン形成後の下層膜材料の除去工程］
　本工程では、上記エッチング工程により基板にレジストパターンを転写・形成後に、不要となったレジスト下層膜を除去する。
　除去方法は、ドライ法でもよいし、溶剤等を用いるウェット法でもよく、材料の物性やプロセス適応性を考慮して好適に選ばれ、ドライとウェットの方法を併用して用いても良い。
　ドライ法の場合、上記エッチング工程で用いられるドライエッチング装置を使用することができる。従って、エッチング工程から下層膜材料の除去工程に移行する際、製造ラインを変更する必要性がなく、生産性の観点からドライ法が好ましく用いられる。
　下層膜材料の除去工程においてドライエッチング装置を使用する際のガスソースとしては、被エッチング物の元素組成により好適に選ばれ、例えば、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２等の酸素原子を含むガス；Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガス；Ｃｌ２、ＢＣｌ３等の塩素系ガス；ＣＨＦ３、ＣＦ４等のフッ素系ガス；Ｈ２、ＮＨ３のガス等を使用することができ、上述の基板表面を皮膜した低誘電材料や、基板材料に応じてより好適に選ばれる。これらのガスは２種類以上を混合して用いることもできる。
［第二発明］
　以下、第二発明に係る実施形態について説明する。
＜下層膜形成用材料＞
　本実施形態に係る下層膜形成用材料は、多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、環状オレフィンポリマーを含み、下記方法４により測定される、前記下層膜形成用材料の残膜率が５０％以上１００％以下、好ましくは６０％以上１００％以下である。上記下層膜形成用材料の残膜率の下限値は７０％以上がより好ましい。一方で、上記下層膜形成用材料の残膜率の上限値は９９％以下がより好ましく、９８％以下がさらに好ましい。残膜率が低すぎると上記した通り、中間層との混合などによる不具合が起こる場合がある。一方で、残膜率が１００％を少々下回る場合は、中間層と下地膜を形成する重合体の適度な絡み合いが生じて、剥離強度を高められる場合がある。
　方法４：本実施形態に係る下層膜形成用材料からなる厚さ（α）が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のコート膜をシリコンウェハー上に形成する。次いで、得られたコート膜を２００℃で１０分間処理する。次いで、プロピレングリコール―１－モノメチルエーテル－２－アセテートに２３℃で１０分間浸漬し、次いで、１５０℃で３分間の条件で乾燥し、コート膜中の残存溶媒を除去する。次いで、残存溶媒を除去したコート膜の厚さ（β）を測定し、残膜率（＝β／α×１００）（％）を算出する。
　また、本実施形態に係る下層膜形成用材料は、多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、環状オレフィンポリマーを含む膜の材料であり、上記環状オレフィンポリマー自身は、有機溶媒に少なくとも０．０１質量％以上５０質量％以下のいずれかの濃度で溶解可能であり、上記膜において、下記方法４により測定される、上記環状オレフィンポリマーの残膜率が５０％以上１００％以下、好ましくは６０％以上１００％以下である。上記環状オレフィンポリマーの残膜率の下限値は７０％以上がより好ましい。一方で、上記環状オレフィンポリマーの残膜率の上限値は９９％以下がより好ましく、９８％以下がさらに好ましい。残膜率が低すぎると上記した通り、中間層との混合などによる不具合が起こる場合がある。一方で、残膜率が１００％を少々下回る場合は、中間層と下地膜を形成する重合体の適度な絡み合いが生じて、剥離強度を高められる場合がある。
　方法４：本実施形態に係る環状オレフィンポリマーからなる厚さ（α）が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のコート膜をシリコンウェハー上に形成する。次いで、得られたコート膜を２００℃で１０分間処理する。次いで、プロピレングリコール―１－モノメチルエーテル－２－アセテートに２３℃で１０分間浸漬し、次いで、１５０℃で３分間の条件で乾燥し、コート膜中の残存溶媒を除去する。次いで、残存溶媒を除去したコート膜の厚さ（β）を測定し、残膜率（＝β／α×１００）（％）を算出する。
　上記の中で、剥離した膜を高温処理する条件としては、２００℃で３０分間処理することが更に好ましい。
　この方法４による残膜率は、膜の溶媒に対する溶解性を示している。数値が大であるほど溶解し難い傾向がある。
　前述したように、露光する光の波長以下のライン幅で回路図を描く場合、複数の凹凸層を形成し、組み合わせる方法が知られている。このような態様を実現するには、上記凹凸層の平滑化を目的とするレジスト下層膜上に中間層を形成し、さらにその上に新たなレジスト層を形成する方法を例示できる。
　本発明者らの検討によると、例えばこの中間層をスピンコート法等で形成する場合、溶媒の選択を誤ると、レジスト下層膜と中間層がインターミキシングを起こしてしまい、その結果、下層膜と中間層との界面強度が低下したり、下層膜の平滑性が失われたりする場合があることも分かってきた。
　本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、レジスト下層膜が中間層形成に用いる溶媒に対して親和性が低ければ、レジスト下層膜と中間層がインターミキシングを起こしてしまうことを抑制できることを知見した。
　本発明者らは、上記知見をもとにさらに検討を重ねた。その結果、上記方法４で測定される、プロピレングリコール―１－モノメチルエーテル－２－アセテートに浸漬したときの残膜率が上記範囲内である下層膜形成用材料または環状オレフィンポリマーを用いることにより、レジスト下層膜が溶解したり、レジスト下層膜と中間層が必要以上に混合状態になったりしてしまうことを効果的に抑制できることを初めて見出した。
　すなわち、上記方法４で測定される、本実施形態に係る下層膜形成用材料または環状オレフィンポリマーの残膜率が上記下限値以上であると、レジスト下層膜上に中間層を形成する場合、レジスト下層膜が溶解したり、レジスト下層膜と中間層が必要以上に混合状態になったりすることを抑制することができ、その結果、中間層とレジスト下層膜との密着性に優れるとともに平坦性に優れた積層体を実現することができる。
　第二発明に用いられる環状オレフィンポリマーは、室温～５０℃、好ましくは室温で有機溶媒に溶解する重合体であれば特に制限されない。有機溶媒として好ましいのは、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒および環状炭化水素系溶媒からなる群から選ばれる溶媒である。より好ましいのはアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒であり、更に好ましくはエーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒である。特に好ましいのは、ポリエーテルモノエステル構造を有する溶媒である。
　第二発明の環状オレフィンポリマーとしてより具体的には、ノルボルナン骨格やテトラシクロドデカン骨格を有する環状オレフィンポリマーを好ましい例として挙げることができる。また、上記の有機溶媒に含まれるようなヘテロ原子を有する置換基を含むことが好ましい。ヘテロ原子を含む置換基としては例えばアルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシアルキル基、アリールオキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルアリールアミノカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルコキシカルボニルアリール基、アリールオキシカルボニルアルキル基、アルコキシアルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基等を好ましい例として挙げる事ができる。特に好ましい置換基としては上記のようなエステル基である。
　第二発明に用いられる環状オレフィンポリマーとして、他の好ましい具体例としては、上記第一発明で開示された構造単位［Ａ］と構造単位[Ｂ]とを有する環状オレフィンポリマーである。それら構造単位の比率などの好ましい諸条件は、第１発明で開示したそれら範囲と同様である。
　本実施形態に係る下層膜形成用材料を用いて、膜を形成する方法としては、公知の方法を用いることができる。好ましい具体例としては、スピンコート法を挙げることができる。スピンコートに用いられるポリマー溶液を形成する溶媒は、上記のスピンコート用溶媒を例示することができる。特に好ましいのは上記のＰＧＭＥＡの様なポリエーテルエステルやポリエーテル、ケトン、アルコール、エステル等を例示することができる。溶解度や成膜後の乾燥工程を考慮すると、環状構造を有する溶媒を含む態様が好ましい場合がある。具体的にはシクロアルカノンの様な環状ケトン化合物であり、好ましくはシクロヘキサノンが挙げられる。
　本実施形態に係る下層膜形成用材料は、高温で所定の時間処理することが望ましい。具体的な温度条件としては、１００～４００℃の範囲を例示できる。好ましい下限値は１５０℃以上、更に好ましくは１８０℃以上である。一方、好ましい上限値は３００℃以下、より好ましくは２５０℃以下である。この理由として、本発明者らは以下の様に考察している。
　本発明者らの検討によれば、本実施形態に係る極性基を有する環状オレフィンポリマーを用いて形成した膜は、加熱処理により、加熱した箇所全体が、比較的均一に極性の変化が起こることがある模様である。この極性の変化により、溶媒への溶解度が大きく変化する、即ち、上記の有機溶媒に溶け難くなるのではないかと考えている。これは本実施形態に係る環状オレフィンポリマーの極性基の変質によるものであろうと本発明者らは考えている。疑似架橋や架橋構造を取っている可能性も考えられる。その中でも、例えば、上記一般式（２）の構造を含む構成の場合、その効果が大きい、即ち好ましい態様である。以下、もう少し具体的に説明する。
　本実施形態に係る環状オレフィンポリマーを含む膜の極性を変化させるためには一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］を１種類以上含むことが重要な場合がある。一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］が加熱によりエーテル基、チオエーテル基の開裂を起こし、分子の極性を変化させることができる。
　他の態様としては、Ｒ１～Ｒ８のうち少なくとも一つがアルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルコキシカルボニルアリール基、アルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基、好ましくは３級炭素が結合してエステル基を形成するアルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルコキシカルボニルアリール基、アルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基、またはアルコキシアルキルオキシカルボニル基を１種類以上含むことで、加熱によりカルボキシル基が生成して、分子の極性をより大きく変化させることが期待できる。
　本発明の態様は、この様な特徴を有しているので、前述の通り、架橋剤の含有率を低くしても十分に高い耐インターミキシング効果を発現させることが出来ると考えられる。
　本実施形態に係る下層膜形成用材料とは、半導体デバイスの製造工程において、中間層と、基板（好ましくは凹凸構造を有する基板）との間に配置する層を形成するための材料である。中間層と基板との間に配置する層は、通常、フォトリソグラフィープロセスでマスクのパターンを転写するレジスト材料からなるレジスト層を基準にレジスト下層膜と呼ばれる。上記基板のレジスト下層膜と接する表面は、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）膜、ＳｉＣＮ膜、シリカ（ＳｉＯ２）にカーボン（Ｃ）をドープしたＳｉＯＣ膜や、メチルシロキサン系有機膜（ＳＯＧ）、数ｎｍ以下の微小な空孔が均一に分布したシリカ絶縁膜等の低誘電材料で被膜を形成した状態であってもよい。
　上記中間層は、レジストパターン形成等において、レジスト下層膜および／またはレジスト膜が有する機能を補い、またはこれらが有していない機能を付与するためにこれらの機能を有する層のことである。例えば、反射防止膜（反射防止層ともいう）を中間層として形成した場合、レジスト下層膜の反射防止機能を補うことができる。また、ハードマスク層を中間層として形成した場合、現像工程の例えば、アルカリ現像液を使用する際のレジスト下層膜に対する影響を抑制し、および／または、本実施形態の下層膜をエッチング後、下層のシリコン、アルミニウム、ニッケル等からなる基板をエッチングする際のレジストパターン形成層のエッチング耐性不足を補うことができる。
　さらには、本実施形態の下層膜の上に形成する中間層は、反射防止層とハードマスク層の何れか、または両方を備えた構成であってもよく、層構成は、本実施形態の下層膜の直上には反射防止層を形成しても、ハードマスク層を形成してもよい。レジスト材料、加工基板等の材料の特性や、生産性を考慮して好適に選ばれる。
　上記中間層は、有機化合物や無機酸化物により形成することができる。上記有機化合物としては、例えば、ＤＵＶ－４２、ＤＵＶ－４４、ＡＲＣ－２８、ＡＲＣ－２９（何れも、Ｂｒｅｗｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）や、ＡＲ－３、ＡＲ－１９（何れも、ロームアンドハース社製）等が挙げられる。また、上記無機酸化物としては、例えば、ＮＦＣ ＳＯＧシリーズ（ＪＳＲ社製）、ＣＶＤ法により形成されるポリシロキサン、酸化チタン、酸化アルミナ、酸化タングステン等を用いることができる。
　上記中間層を形成する方法は塗布法が好ましい。塗布法を用いた場合、レジスト下層膜を形成後、中間層を連続して形成することができる。
　塗布法を用いて中間層を形成する際に用いる溶媒としては、例えば、上記スピンコート液用の溶媒として例示したものが好ましく、それらの中でもＰＧＭＥＡ等のポリエーテルやポリエーテルエステル等を好ましい例として挙げられる。
　また、中間層の膜厚は特に限定されず、中間層に求められる機能に応じて適宜選択されるが、好ましくは１ｎｍ～５μｍ、より好ましくは５ｎｍ～３μｍ、さらに好ましくは１０ｎｍ～０．３μｍの範囲である。
　本実施形態に係る下層膜形成用材料に係る好ましい環状オレフィンポリマーは、上記の通り第一発明に係る環状オレフィンポリマーと同様のものを用いることができる。そのため、詳細な説明は省略する。
　本実施形態に係るレジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法およびパターン形成方法は、第一発明に係るレジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、パターン形成方法に準じている。そのため、詳細な説明は省略する。
　以上、本件各発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
　また、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
　なお、当然ながら、上述した本件各発明は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。
　以下、本実施形態を、実施例・比較例を参照して詳細に説明する。本実施形態は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
　実施例・比較例におけるポリマーに関する分析法、埋め込み性および平坦性の評価は以下の方法により実施した。
［重量平均分子量（Ｍｗ）および分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）］
　下記の条件でゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を使用して、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）またはトリフルオロトルエン（ＴＦＴ）に溶解したポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定し、ポリスチレンスタンダードによって分子量を較正して算出した。
　検出器：日本分光社製ＲＩ－２０３１および８７５－ＵＶまたはＶｉｓｃｏｔｅｃ社製Ｍｏｄｅｌ２７０、直列連結カラム：Ｓｈｏｄｅｘ　Ｋ－８０６Ｍ、８０４、８０３、８０２．５、カラム温度：４０℃、流量：１．０ｍｌ／分、試料濃度：３．０～９．０ｍｇ／ｍｌ。
［水素添加率測定］
　ポリマー試料を重水素化クロロホルムに溶解し、２７０ＭＨｚ、1Ｈ－ＮＭＲスペクトルのケミカルシフトδ＝５．０～７．０ｐｐｍ範囲で二重結合炭素の水素に帰属するピークの積分値で測定した。
［ガラス転移温度］
　島津製作所社製ＤＳＣ－５０を用い、測定試料を窒素雰囲下で１０℃／分の昇温速度で加熱し測定した。
［揮発成分の評価方法］
　濃度が２０質量％のポリマーのＴＨＦ溶液を直径５ｍｍのアルミ皿に３０ｍｇ～５０ｍｇの重量で計量し、窒素気流下で２００℃で３分間焼成してＴＨＦを除去した。次いで、室温まで冷却して重量（Ｗ０）を測定した。樹脂が固化した状態のサンプルを用いて、窒素雰囲気下で島津製作所社製ＴＧＡ－６０を用い、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で３０～３００℃まで試料を加熱して、温度の上昇とともに重量を連続的に測定し、温度対重量のチャートを得た。このうち、１００～２５０℃の範囲での重量減少量（Ｗ１）をチャートから読み取り、下式により揮発成分の発生量を算出した。
　揮発成分の発生量（質量％）＝Ｗ１／Ｗ０×１００
［固体粘弾性測定］
　アントンパール社製ＭＣＲ３０２（レオメータ）を使用して、窒素雰囲気下、ずりモードで測定温度範囲３０～３００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で測定した。より具体的には、以下の方法により測定した。
　はじめに、本実施形態の環状オレフィンポリマーの白色粉末粉（１０ｍｇ）を、予め２３０℃に加熱した直径８ｍｍの平行円盤の中心に置いた。次いで、円盤で挟み窒素雰囲気下で溶融させ、一度、３０℃まで冷却した。その後、周波数１Ｈｚのずりモードで上記の昇温速度によりサンプルを３００℃まで加熱した。
　得られた加熱温度と貯蔵弾性率（Ｇ’）、および損失弾性率（Ｇ’’）の関係をプロットしたグラフを作製し、貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線との交点の温度を確認した。（図１参照）
［残膜率測定］
　環状オレフィンポリマーからなる厚さ（α）ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成した。次いで、得られたコート膜を、２００℃で１０分間、もしくは３０分間処理した。室温へ冷却後、コート膜を２０ｍｍ×１０ｍｍのサイズで切り出した。この膜を有機溶媒（プロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）またはＰＧＭＥとＰＧＭＥＡの質量比がＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ＝７／３の混合溶媒）に２３℃で１０分間浸漬し、次いで、１５０℃で３分間の条件で乾燥し、コート膜中の残存溶媒を除去した。次いで、残存溶媒を除去したコート膜の厚さ（β）を測定し、残膜率（＝β／α×１００）（％）を算出した。
　ここで、コート膜は以下の方法により作製した。
　本実施形態の環状オレフィンポリマーを１０質量％で有機溶媒（プロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセテート（ＰＧＭＥＡ）と、シクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液）に溶解した溶液を調製し、得られた溶液２．５ｍＬを４インチのシリコンウェハーにスピンコートした。次いで、窒素雰囲気下１２０℃で１分間乾燥し、次いで、８０℃で５時間真空乾燥した。次いで、室温へ冷却後、サンプルを２０ｍｍ×２０ｍｍのサイズで切り出し、コート膜とした。
［埋め込み性評価のための表面凹凸構造形成基板］
　基板Ａ：基板表面に高さ２００ｎｍ、凸部幅４０～１５０ｎｍ、凸凸間幅４０～１５０ｎｍのライン＆スペースパターンが形成された、サイズが３ｃｍ×３ｃｍのシリコン製基板を使用した。
　基板Ｂ：基板表面に高さ２００ｎｍ、凸部幅４０ｎｍ～１０００μｍ、凸凸間幅４０ｎｍ～１０００μｍのライン＆スペースパターンが形成された、サイズが３ｃｍ×３ｃｍのシリコン製基板を使用した。
［埋め込み性評価］
　焼成工程までを実施し、上記シリコン製基板の凹凸表面上にレジスト下層膜を形成したサンプルを割り、断面観察用の面出しを実施した。その後、日本分光社製走査型電子顕微鏡ＪＳＭ－６７０１Ｆ（以下、ＳＥＭと表記する。）を使用して、凸凸間幅が４０ｎｍの基板Ａ断面またはａ１＝９００μｍ、ｂ１＝１０００ｎｍ、ａ２＝４０ｎｍ、ｂ２＝１０００ｎｍの基板Ｂ断面を観察して埋め込み性を評価した。
［平坦性の評価］
　上記の埋め込み性を評価した基板Ａ断面のうち凸幅４０ｎｍ、凸凸間幅１２０ｎｍのエリアの凹部底面から大気面までの高さを１０点計測し、平均値をＨａｖとした。次いで、１０点計測した高さのうち最大高さ（Ｈｍａｘ）と最小高さ（Ｈｍｉｎ）のそれぞれの値から以下の式により、平坦性の指標を示す平坦度を算出した。
　平坦度（ΔＦＴ）＝［（Ｈｍａｘ―Ｈｍｉｎ）／Ｈａｖ］×１００（％）
　また、上記の埋め込み性を評価した基板Ｂ断面のうち、ａ１＝９００μｍ、ｂ１＝９００μｍ、ａ２＝４０ｎｍ、ｂ２＝１２０ｎｍのエリアのそれぞれのパターン領域で凹部底面から大気面までの膜厚を１０点測定し、それぞれの平均値Ｈ１（ａ１＝９００μｍ、ｂ１＝９００μｍ）とＨ２（ａ２＝４０ｎｍ、ｂ２＝１２０ｎｍ）、Ｈ１とＨ２の平均値Ｈ３を求め、以下の式により、平坦性の指標を示す平坦度を算出した。
　平坦度（ΔＦＴ）＝｜Ｈ１－Ｈ２｜／Ｈ３×１００（％）
［ｎ値とｋ値の測定］
　日本セミラボ株社製分光エリプソメーターＧＥＳ５Ｅを使用して、温度：２３～２５℃、湿度：５０～５５％の環境で、シリコンウェハーに２５０ｎｍの厚みでコートした２０ｍｍ×２０ｍｍのサイズの測定サンプルを用いて任意の３点を測定した。測定結果から、１９３ｎｍの屈折率（ｎ値）と消衰係数（ｋ値）を算出し３点の平均値からｎ値およびｋ値をそれぞれ求めた。
　ここで、測定サンプルは以下の方法により作製した。
　本実施形態の環状オレフィンポリマーを１０質量％で溶解したＰＧＭＥＡ溶液を調製し、得られた溶液を４インチのシリコンウェハーにスピンコートした。次いで、窒素雰囲気下２００℃で３分間焼成した。室温へ冷却後、サンプルを２０ｍｍ×２０ｍｍのサイズで切り出し測定用のサンプルとした。
［プラズマエッチング特性評価］
　アルバック社製ＲＩＨ１５１５Ｚ　並行平板型プラズマ処理装置を用いた。まず、チャンバー内にサンプルを入れ、チャンバー内を１Ｐａ以下に減圧し、次いで、チャンバー内にＣＨＦ３ガスを３０ｓｃｃｍで導入し、チャンバ内の圧力を７Ｐａに保持した後、１３．５６ＭＨｚ高周波電力を印加してプラズマ放電を行い、プラズマエッチング処理した。プラズマエッチング処理は３０秒間、６０秒間および９０秒間実施した。
［エッチングレートの測定方法］
　日本セミラボ（株）社製分光エリプソメーターＧＥＳ５Ｅを使用して、エッチング後の基板の表面の膜厚を３点測定し、平均値から膜厚を算出した。次いで、エッチング前後の膜厚から、エッチングによる膜厚の減少量を算出し、横軸に時間（ｓｅｃ）、縦軸に減少膜厚量（ｎｍ）をプロットした。得られたグラフの傾きから、エッチングレート（ｎｍ／ｓｅｃ）を算出した。
［Ｏ２エッチングによるアッシング特性評価］
　基板表面に高さ２００ｎｍ、凸部幅１００ｎｍ、凸凸間幅１００ｎｍのライン＆スペースパターンが形成されたサイズが３ｃｍ×３ｃｍのシリコン製基板上に、本実施形態に係るレジスト下層膜を形成した。
　上記シリコン製基板の凹凸表面上にレジスト下層膜を形成したサンプルを割り、その内の片方のサンプル片をアッシング前の断面観察用としＳＥＭにより観察を行った。
　上記サンプル片のもう片方のサンプル片を使用してＯ２エッチングによるアッシング特性評価を以下の方法で実施した。
　アッシング特性評価は、上記プラズマエッチング特性評価で使用したものと同じプラズマ処理装置を用いた。まず、チャンバー内にサンプルを入れ、チャンバー内を１Ｐａ以下に減圧し、次いで、チャンバー内にＯ２ガスを３０ｓｃｃｍで導入し、チャンバー内の圧力を７Ｐａに保持した。その後、１３．５６ＭＨｚ高周波電力を印加してプラズマ放電を行い、プラズマエッチング処理した。プラズマエッチング処理は６０秒間実施した。
　上記のプラズマエッチング処理後、アッシング後の断面観察をＳＥＭにより行い、プラズマエッチング前後のＳＥＭ観察像を比較しアッシング特性を評価した。
［中間層形成］
　温度：２３～２５℃、湿度：５０～５５％の環境で、３０ｍｍ×３０ｍｍのサイズのシリコンウェハーに本実施形態の環状オレフィンポリマーを１０質量％で溶解したＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５溶液を、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、２５０ｎｍの厚みでスピンコートし、窒素雰囲気下２００℃で１分間焼成した。室温へ冷却後、チタンイソプロポキシドを１０質量％で溶解したＰＧＭＥＡ溶液を１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件でスピンコートし、窒素雰囲気下２００℃で１分間焼成して評価用のサンプルを作製し、断面をＴＥＭで観察した。
［実施例１］
　窒素雰囲気下、磁気攪拌装置を備えた５Ｌのオートクレーブ内で、構造単位［Ａ］を有するテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセンを３２０ｇ（２ｍｏｌ）、構造単位［Ｂ］を有する４，１０－ジオキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オンを３０４ｇ（２ｍｏｌ）、および１，５－ヘキサジエンを２１ｇ（０．２５ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと記す）３．４ｋｇに溶解し攪拌を行った。
　これに開環メタセシス重合触媒としてＭｏ（Ｎ－２，６－Ｐｒi ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２を６１２ｍｇ（０．８ｍｍｏｌ）加え、６０℃で３時間反応させた。その後、ｎ－ブチルアルデヒド１７３ｍｇ（２．４ｍｍｏｌ）を加えて冷却して、開環メタセシス重合体溶液４．０ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝５７００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．６１、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、メタノールを用いて、得られた開環メタセシス重合体溶液から環状オレフィンポリマーを析出し、８０℃で減圧乾燥することにより白色粉末固体（ポリマー１）を得た。
　ポリマー１のガラス転移温度は１５１℃であった。
　また、ポリマー１の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー１の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は１７３℃であった（図１参照）。
　次いで、得られたポリマー１を１０質量％の濃度で溶解したプロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセテート（以下、ＰＧＭＥＡと表記する。）と、シクロヘキサノン（以下、ＣＨとも呼ぶ。）の質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、基板表面に高さ２００ｎｍ、凸部幅４０～１５０ｎｍ、凸凸間幅４０～１５０ｎｍのライン＆スペースパターンを形成したシリコン基板Ａ表面に塗布した。その後、窒素雰囲気下で２００℃、３分間加熱した。
　エリプソメーターで測定したポリマー１の屈折率（ｎ値）は１．６６であり、消衰係数（ｋ値）は０．０８であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー１は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したポリマー１の層の厚み（Ｈａｖ）は３００ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は３０１ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は３００ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．３％であった。
［実施例２］
　構造単位［Ａ］を有するモノマーを８－メトキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセンに変更した以外は、実施例１と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液２．５ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝６３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５０、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー２）を得た。
　ポリマー２のガラス転移温度は１５０℃であった。
　また、ポリマー２の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー２の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は１６７℃であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー２をコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー２の屈折率（ｎ値）は１．６６であり、消衰係数（ｋ値）は０．０４であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー２は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測した何れの計測値も２９９ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．０％であった。
［実施例３］
　構造単位［Ａ］を有するモノマーを８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセンに変更した以外は、実施例１と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液４．１ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝７２００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５０、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー３）を得た。
　ポリマー３のガラス転移温度は１３０℃であった。
　また、ポリマー３の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー３の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は１５１℃であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー３をコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー３の屈折率（ｎ値）は１．６８であり、消衰係数（ｋ値）は０．０２であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー３は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したポリマー３の層の厚みは３０２ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は３０３ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は３０１ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．７％であった。
［実施例４］
　構造単位［Ａ］を有する８－メトキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセン４３７ｇ（２ｍｏｌ）、構造単位［Ｂ］を有する４－フェニル－４－アザ－１０－オキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３，５－ジオン１２１ｇ（０．５ｍｏｌ）、および１，５－ヘキサジエン２１ｇ（０．２５ｍｏｌ）をＴＨＦ３．７ｋｇに溶解し、実施例１と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液４．２ｋｇを得た。
　次いで、得られた開環メタセシス重合体溶液に、水素添加触媒として含水率５０．７％の５％Ｒｈカーボン１１．４ｇ（乾燥質量５．６ｇ）を加え、水素圧５ＭＰａ、１００℃で１２時間水素添加反応を行った。得られたポリマーは、水素添加率＝１００モル％、Ｍｗ＝７８００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５７、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝８０／２０であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー４）を得た。
　ポリマー４のガラス転移温度は１７２℃であった。
　また、ポリマー４の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー４の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は１９０℃であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー４をコ－トしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー４の屈折率（ｎ値）は１．７１であり、消衰係数（ｋ値）は０．０９であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー４は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したポリマー４の層の厚みは３１０ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は３１１ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は３０９ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．６％であった。
［実施例５］
　構造単位［Ａ］を有するモノマーをビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エンに変更した以外は、実施例１と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液３．７ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝６８００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．８４、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー５）を得た。
　ポリマー５のガラス転移温度は７２℃であった。
　また、ポリマー５の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー５の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は８４℃であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー５をコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー５の屈折率（ｎ値）は１．６８であり、消衰係数（ｋ値）は０．０１であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー５は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測した何れの計測値も３１５ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ１）は０．０％であった。
［実施例６］
　構造単位［Ａ］を有するモノマーを５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）に変更した以外は、実施例１と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液４．０ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝５６００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９２、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー６）を得た。
　ポリマー６のガラス転移温度は５６℃であった。
　また、ポリマー６の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー６の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は７６℃であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー６をコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー６の屈折率（ｎ値）は１．７８であり、消衰係数（ｋ値）は０．０２であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面観察した結果、ポリマー６は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測した何れの計測値も３１１ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ１）は０．０％であった。
［実施例７］
　構造単位［Ａ］を有するモノマーを５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）に変更した以外は、実施例１と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液４．０ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝７３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１７、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー７）を得た。
　ポリマー７のガラス転移温度は５８℃であった。
　また、ポリマー７の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー７の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は８１℃であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー７をコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー７の屈折率（ｎ値）は１．７８であり、消衰係数（ｋ値）は０．０１であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー７は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測した何れの計測値も３０５ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ１）は０．０％であった。
［実施例８］
　実施例３と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液４．１ｋｇを得た。次いで、得られた開環メタセシス重合体溶液に、水素添加触媒として含水率５０．７％の５％Ｒｈカーボン１１．４ｇ（乾燥質量５．６ｇ）を加え、水素圧５ＭＰａ、１００℃で１２時間水素添加反応を行った。得られたポリマーは、水素添加率＝１００モル％、Ｍｗ＝９６００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．０７、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー８）を得た。
　ポリマー８のガラス転移温度は９１℃であった。
　また、ポリマー８の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー８の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は１１２℃であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー８をコ－トしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー８の屈折率（ｎ値）は１．６６であり、消衰係数（ｋ値）は０．０２であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面観察した結果、ポリマー８は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したポリマー８の層の厚みは３１０ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は３１１ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は３０９ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．６％であった。
［実施例９］
　実施例５と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液３．７ｋｇを得た。次いで、得られた開環メタセシス重合体溶液に、水素添加触媒として含水率５０．７％の５％Ｒｈカーボン１１．４ｇ（乾燥質量５．６ｇ）を加え、水素圧５ＭＰａ、１００℃で１２時間水素添加反応を行った。得られたポリマーは、水素添加率＝１００モル％、Ｍｗ＝１０４００、Ｍｗ／Ｍｎ＝３．１８、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー９）を得た。
　ポリマー９のガラス転移温度は４５℃であった。
　また、ポリマー９の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー９の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は５０℃であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー９をコ－トしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー９の屈折率（ｎ値）は１．６４であり、消衰係数（ｋ値）は０．０１であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面観察した結果、ポリマー９は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測した何れの計測値も３１６ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．０％であった。
［実施例１０］
　構造単位［Ａ］を有するビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エンを７５ｇ（０．８ｍｏｌ）、構造単位［Ｂ］を有する４，１０－ジオキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オンを４８７ｇ（３．２ｍｏｌ）に変更した以外は、実施例１と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液３．８ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝５９００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．３２、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝２０／８０であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー１０）を得た。
　ポリマー１０のガラス転移温度は６８℃であった。
　また、ポリマー１０の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー１０の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は８２℃であった。
　次いで、実施例１と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー１０をコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー１０の屈折率（ｎ値）は１．６７であり、消衰係数（ｋ値）は０．０２であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー１０は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測した何れの計測値も３２０ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．０％であった。
［実施例１１］
　実施例５で得られたポリマー５を７質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡと、シクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、基板表面に高さ２００ｎｍ、凸部幅４０～１５０ｎｍ、凸凸間幅４０～１５０ｎｍのライン＆スペースパターンを形成したシリコン基板Ａ表面に塗布した。その後、窒素雰囲気下で２００℃、３分間加熱した。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー５は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測した何れの計測値も２０８ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．０％であった。
［実施例１２］
　実施例５で得られたポリマー５を２０質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡと、シクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、６００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、基板表面に高さ２００ｎｍ、凸部幅４０～１５０ｎｍ、凸凸間幅４０～１５０ｎｍのライン＆スペースパターンを形成したシリコン基板Ａ表面に塗布した。その後、窒素雰囲気下で２００℃、３分間加熱した。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー５は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測した何れの計測値も１６２２ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．０％であった。
［実施例１３］
　実施例８で得られたポリマー８を１０質量％と、架橋剤として３’，４’－エポキシシクロヘキシルメチル－３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（ＥＥＣ）を０．３質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡと、シクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、実施例１と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定した屈折率（ｎ値）は１．６７であり、消衰係数（ｋ値）は０．０２であった。
　上記の環状オレフィンポリマーが極性変化を起す温度は、Ｇ’とＧ’’の交点の温度に比して十分に高いことが分かっているので、上記環状オレフィンポリマーと架橋剤とからなる下層膜形成用材料のＧ’とＧ’’の交点の温度も同様の値であるとみなして構わない。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したポリマー８の層の厚みは３１３ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は３１３ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は３１２ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．３％であった。
［実施例１４～１６］
　実施例５で得られたポリマー５、実施例８で得られたポリマー８、実施例９で得られたポリマー９を実施例１と同様な方法で、上記のシリコン基板Ｂの凹凸面にコ－トしたサンプルを作製した。
　ＳＥＭにより基板Ｂの断面を観察した結果、ポリマー５、ポリマー８、ポリマー９はいずれもａ１＝９００μｍ、ｂ１＝９００μｍ、ａ２＝４０ｎｍ、ｂ２＝１２０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、ポリマー５の凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したＨ１層の厚みは３０６ｎｍであり、Ｈ２層の厚みは３０６ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．０％であった。
　ポリマー８の凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したＨ１層の厚みは３０１ｎｍであり、Ｈ２層の厚みは３０２ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．３％であった。
　ポリマー９の凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したＨ１層の厚みは２９８ｎｍであり、Ｈ２層の厚みは２９８ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．０％であった。
［プラズマエッチング耐性の評価］
　実施例１～実施例１０で合成したポリマー１～ポリマー１０をそれぞれ１０質量％で溶解したＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう調製した溶液をシリコンウェハーに塗布し、２００℃で３分間焼成した。次いで、それぞれのサンプルをＣＨＦ３ガス雰囲気下で３０秒間、６０秒間および９０秒間ドライエッチングした。エッチング前後の膜厚から、エッチングによる膜厚の減少量を算出し、横軸に時間（ｓｅｃ）、縦軸に減少膜厚量（ｎｍ）をプロットした。得られたグラフの傾きから各サンプルのエッチングレート（ｎｍ／ｓｅｃ）を算出した。
　シリコンウェハー表面に形成したＳｉＯ２［テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料とし、シリコンウェハー表面に焼成して形成させる。］を対象物質としてエッチングレートを測定し、次いで、［ＳｉＯ２（ｎｍ／ｓｅｃ）／各サンプル（ｎｍ／ｓｅｃ）］の値によりエッチング耐性を評価した。［ＳｉＯ２（ｎｍ／ｓｅｃ）／各サンプル（ｎｍ／ｓｅｃ）］の値が高いほどエッチング耐性に優れることを意味する。
　ポリマー１が４．５であり、ポリマー２が５．０であり、ポリマー３が５．０であり、ポリマー４が５．５であり、ポリマー５が４．５であり、ポリマー６が５．０であり、ポリマー７が５．０であり、ポリマー８が５．０であり、ポリマー９が５．０であり、ポリマー９が４．５であり、いずれのポリマーもＳｉＯ２に対して高いエッチング耐性を示した。
［Ｏ２エッチングによるアッシング性の評価］
　実施例１、実施例２、実施例３および実施例４で合成したポリマー１、ポリマー２、ポリマー３およびポリマー４をそれぞれ１０質量％で溶解したＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５０／５０となるよう調整した溶液を基板表面に高さ２００ｎｍ、凸部幅１００ｎｍ、凸凸間幅１００ｎｍのライン＆スペースパターンを形成したシリコン基板表面に塗布し、窒素雰囲気下２００℃で３分間焼成した。次いで、それぞれのサンプルを割り、その内の片方を用いてアッシング前のＳＥＭ観察を行い、もう片方を用いてＯ２ガス雰囲気下で６０秒間ドライエッチングしてアッシングした。次いで、アッシング後のＳＥＭ観察を行った。
　アッシング前後のＳＥＭ観察像の比較から、ポリマー１、ポリマー２、ポリマー３およびポリマー４の何れにおいても基板上にポリマー残渣なくアッシング除去されていた。
　比較としてＳｉ上の置換基がプロポキシメタクリレートであるシロキサン樹脂を用いて、上記と同様な方法でアッシング特性評価を実施したところ、ＳＥＭ観察で基板上にポリマー残渣が確認され、さらにエッチング時間を１８０秒まで伸ばしてもポリマー残渣なく除去することはできなかった。
［比較例１］
　固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度が２５５℃であるノボラック樹脂ＫＡ１１６５（ＤＩＣ社製）を１０質量％で溶解したシクロヘキサノン溶液を調製し、実施例１と同様な方法でシリコン基板の凹凸表面にスピンコートし、２００℃で３分間焼成した。
　次いで、ＳＥＭにより断面観察した結果、凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対して凹部エッジの部分にボイドを生じ、凸凸間の幅が１００ｎｍのエリアにも同様なボイドを生じていた。また、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化した厚みは３００ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は３１７ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は２８５ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は１０．７％であり大気面には歪みを生じていた。
［比較例２］
　メチルメタクリレートを１０質量％で溶解したシクロヘキサノン溶液に光重合開始剤として２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタン－１－オンをメチルメタクリレートに対して２質量％溶解した溶液を調製した。
　次いで実施例１と同様な方法で、上記のシリコン基板Ｂの凹凸面に上記溶液をコートしたサンプルを作製した。
　次いで、１０００ｍＪ／ｃｍ２の照射量でＵＶ照射して塗布膜を硬化させた。
　次いで、ＳＥＭにより断面観察した結果、ａ１＝９００μｍ、ｂ１＝９００μｍ、ａ２＝４０ｎｍ、ｂ２＝１２０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対して凸凸間の幅が９００μｍのエリアにボイドを生じ、凸凸間の幅が４０ｎｍのエリアにも同様なボイドを生じていた。また、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したＨ１層の厚みは２５０ｎｍであり、Ｈ２層の厚みは２６４ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は１１．２％であった。また大気面には歪みを生じていた。
　以上の結果を表１および表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
［実施例１７］
　窒素雰囲気下、磁気攪拌装置を備えた５Ｌのオートクレーブ内で、構造単位［Ａ］を有するテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセンを３２０ｇ（２ｍｏｌ）、構造単位［Ｂ］を有する４，１０－ジオキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オンを３０４ｇ（２ｍｏｌ）、および１，５－ヘキサジエンを２１ｇ（０．２５ｍｏｌ）テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと記す）３．４ｋｇに溶解し攪拌を行った。
　これに開環メタセシス重合触媒としてＭｏ（Ｎ－２，６－Ｐｒi ２Ｃ６Ｈ３）（ＣＨＣＭｅ２Ｐｈ）（ＯＣＭｅ（ＣＦ３）２）２を６１２ｍｇ（０．８ｍｍｏｌ）加え、６０℃で３時間反応させた。その後、ｎ－ブチルアルデヒド１７３ｍｇ（２．４ｍｍｏｌ）を加えて冷却して、開環メタセシス重合体溶液４．０ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝５７００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．６１、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、メタノールを用いて、得られた開環メタセシス重合体溶液から環状オレフィンポリマーを析出し、８０℃で減圧乾燥することにより白色粉末固体（ポリマー１４）を得た。
　ポリマー１４のガラス転移温度は１５１℃であった。
　次いで、得られたポリマー１４を１０質量％の濃度で溶解したプロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセテート（以下、ＰＧＭＥＡと表記する。）と、シクロヘキサノン（以下、ＣＨとも呼ぶ。）の質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、基板表面に高さ２００ｎｍ、凸部幅４０～１５０ｎｍ、凸凸間幅４０～１５０ｎｍのライン＆スペースパターンを形成したシリコン基板表面Ａに塗布した。その後、窒素雰囲気下で２００℃、３分間加熱した。
　エリプソメーターで測定したポリマー１４の屈折率（ｎ値）は１．６６であり、消衰係数（ｋ値）は０．０８であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー１４は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したポリマー１４の層の厚みは３００ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は３０１ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は３００ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．３％であった。
　得られたポリマー１４を１０質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡとシクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、４インチのシリコンウェハーにスピンコートした。次いで、減圧下８０℃で５時間乾燥した（中間段階）。
　次いで、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１４のＰＧＭＥＡに対する残膜率は８８％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１４のＰＧＭＥＡに対する残膜率は９６％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥＡに浸漬させた場合の残膜率は９％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１４のＰＧＭＥに対する残膜率は９９％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１４のＰＧＭＥに対する残膜率は９９％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥに浸漬させた場合の残膜率は２．４％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１４のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は９４％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１４のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は９８％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に浸漬させた場合の残膜率は３．７％であった。
［実施例１８］
　構造単位［Ａ］を有するモノマーを８－メトキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセンに変更した以外は、実施例１７と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液２．５ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝６３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５０、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー１５）を得た。
　ポリマー１５のガラス転移温度は１５０℃であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー１５をコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー１５の屈折率（ｎ値）は１．６６であり、消衰係数（ｋ値）は０．０４であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー１５は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測した何れの計測値も２９９ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．０％であった。
　得られたポリマー１５を１０質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡとシクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、４インチのシリコンウェハーにスピンコートした。次いで、減圧下８０℃で５時間乾燥した（中間段階）。
　次いで、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１５のＰＧＭＥＡに対する残膜率は５８％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１５のＰＧＭＥＡに対する残膜率は９２％であった。
　参考情報：上記中間段階の膜をそのままＰＧＭＥＡに浸漬させた場合、残膜率は０．３％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１５のＰＧＭＥに対する残膜率は６０％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１５のＰＧＭＥに対する残膜率は９４％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥに浸漬させた場合の残膜率は０．３％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１５のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は６０％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１５のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は９３％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に浸漬させた場合の残膜率は０．３％であった。
［実施例１９］
　構造単位［Ａ］を有するモノマーを８－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセンに変更した以外は、実施例１７と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液４．１ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝７２００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５０、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー１６）を得た。
　ポリマー１６のガラス転移温度は１３０℃であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー１６をコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー１６の屈折率（ｎ値）は１．６８であり、消衰係数（ｋ値）は０．０２であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー１６は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したポリマー１６の層の厚みは３０２ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は３０３ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は３０１ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．７％であった。
　得られたポリマー１６を１０質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡとシクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、４インチのシリコンウェハーにスピンコートした。次いで、減圧下８０℃で５時間乾燥した（中間段階）。
　次いで、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１６のＰＧＭＥＡに対する残膜率は９７％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１６のＰＧＭＥＡに対する残膜率は９８％であった。
　参考情報：上記中間段階の膜をそのままＰＧＭＥＡに浸漬させた場合、残膜率は０．３％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１６のＰＧＭＥに対する残膜率は８１％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１６のＰＧＭＥに対する残膜率は９５％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥに浸漬させた場合の残膜率は０．３％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１６のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は８８％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１６のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は９６％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に浸漬させた場合の残膜率は０．３％であった。
［実施例２０］
　実施例１９と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液４．１ｋｇを得た。次いで、得られた開環メタセシス重合体溶液に、水素添加触媒として含水率５０．７％の５％Ｒｈカーボン１１．４ｇ（乾燥質量５．６ｇ）を加え、水素圧５ＭＰａ、１００℃で１２時間水素添加反応を行った。得られたポリマーは、水素添加率＝１００モル％、Ｍｗ＝７８００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５７、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー１７）を得た。
　ポリマー１７のガラス転移温度は９１℃であった。
　また、ポリマー１７の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー１７の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は１１２℃であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー１７をコ－トしたサンプルを作製した。
　エリプソメ－タ－で測定したポリマー１７の屈折率（ｎ値）は１．６６であり、消衰係数（ｋ値）は０．０２であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー１７は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したポリマー１７の層の厚みは３１０ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は３１１ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は３０９ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．６％であった。
　得られたポリマー１７を１０質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡとシクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、４インチのシリコンウェハーにスピンコートした。次いで、減圧下８０℃で５時間乾燥した（中間段階）。
　次いで、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１７のＰＧＭＥＡに対する残膜率は７５％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１７のＰＧＭＥＡに対する残膜率は９３％であった。
　参考情報：上記中間段階の膜をそのままＰＧＭＥＡに浸漬させた場合、残膜率は０．５％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１７のＰＧＭＥに対する残膜率は６６％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１７のＰＧＭＥに対する残膜率は９２％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥに浸漬させた場合の残膜率は０．２％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１７のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は６９％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１７のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は９２％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に浸漬させた場合の残膜率は０．３％であった。
［実施例２１］
　構造単位［Ａ］を有するモノマーをビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エンに変更した以外は、実施例１７と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液３．７ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝６８００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．８４、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー１８）を得た。
　ポリマー１８のガラス転移温度は７２℃であった。
　また、ポリマー１８の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー１８の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は８４℃であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー１８をコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー１８の屈折率（ｎ値）は１．６８であり、消衰係数（ｋ値）は０．０１であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面観察した結果、ポリマー１８は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したポリマー１８の層の厚みは２６２ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は２６２ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は２６２ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．０％であった。
　得られたポリマー１８を１０質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡとシクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、４インチのシリコンウェハーにスピンコートした。次いで、減圧下８０℃で５時間乾燥した（中間段階）。
　次いで、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１８のＰＧＭＥＡに対する残膜率は９９％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１８のＰＧＭＥＡに対する残膜率は９９％であった。
　参考情報：上記中間段階の膜をそのままＰＧＭＥＡに浸漬させた場合、残膜率は３０％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１８のＰＧＭＥに対する残膜率は９６％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１８のＰＧＭＥに対する残膜率は９９％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥに浸漬させた場合の残膜率は１．８％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１８のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は７１％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１８のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は９９％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に浸漬させた場合の残膜率は９．４％であった。
［実施例２２］
　構造単位［Ａ］を有するモノマーを５－（１－エチルシクロペンチルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）に変更した以外は、実施例１７と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液４．０ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝５６００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９２、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー１９）を得た。
　ポリマー１９のガラス転移温度は５６℃であった。
　また、ポリマー１９の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー１９の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は７６℃であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー１９をコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー１９の屈折率（ｎ値）は１．７８であり、消衰係数（ｋ値）は０．０２であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー１９は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したポリマー１９の層の厚みは２６４ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は２６６ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は２６４ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．８％であった。
　得られたポリマー１９を１０質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡとシクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、４インチのシリコンウェハーにスピンコートした。次いで、減圧下８０℃で５時間乾燥した（中間段階）。
　次いで、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１９のＰＧＭＥＡに対する残膜率は９９％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１９のＰＧＭＥＡに対する残膜率は１００％であった。
　参考情報：上記中間段階の膜をそのままＰＧＭＥＡに浸漬させた場合、残膜率は３．０％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１９のＰＧＭＥに対する残膜率は７１％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１９のＰＧＭＥに対する残膜率は９５％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥに浸漬させた場合の残膜率は２．２％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー１９のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は７６％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー１９のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は９５％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に浸漬させた場合の残膜率は２．５％であった。
［実施例２３］
　構造単位［Ａ］を有するモノマーを５－（１－メチルシクロヘキシルオキシカルボニル）－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン）に変更した以外は、実施例１７と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液４．０ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝７３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１７、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー２０）を得た。
　ポリマー２０のガラス転移温度は５８℃であった。
　また、ポリマー２０の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー２０の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は８１℃であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー２０をコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー２０の屈折率（ｎ値）は１．７８であり、消衰係数（ｋ値）は０．０１であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面を観察した結果、ポリマー２０は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したポリマー２０の層の厚みは２６３ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は２６４ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は２６２ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．８％であった。
　得られたポリマー２０を１０質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡとシクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、４インチのシリコンウェハーにスピンコートした。次いで、減圧下８０℃で５時間乾燥した（中間段階）。
　次いで、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー２０のＰＧＭＥＡに対する残膜率は１００％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー２０のＰＧＭＥＡに対する残膜率は１００％であった。
　参考情報：上記中間段階の膜をそのままＰＧＭＥＡに浸漬させた場合、残膜率は１０％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー２０のＰＧＭＥに対する残膜率は１００％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー２０のＰＧＭＥに対する残膜率は１００％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥに浸漬させた場合の残膜率は１０％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー２０のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は９８％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー２０のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は１００％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に浸漬させた場合の残膜率は１０％であった。
［実施例２４］
　実施例２１と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液３．７ｋｇを得た。次いで、得られた開環メタセシス重合体溶液に、水素添加触媒として含水率５０．７％の５％Ｒｈカーボン１１．４ｇ（乾燥質量５．６ｇ）を加え、水素圧５ＭＰａ、１００℃で１２時間水素添加反応を行った。得られたポリマーは、水素添加率＝１００モル％、Ｍｗ＝１０４００、Ｍｗ／Ｍｎ＝３．１８、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝５０／５０であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー２１）を得た。
　ポリマー２１のガラス転移温度は４５℃であった。
　また、ポリマー２１の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー２１の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は５０℃であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にポリマー２１をコ－トしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー２１の屈折率（ｎ値）は１．６６であり、消衰係数（ｋ値）は０．０２であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面観察した結果、ポリマー２１は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したポリマー２１の層の厚みは２７３ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は２７３ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は２７３ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．０％であった。
　得られたポリマー２１を１０質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡとシクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、４インチのシリコンウェハーにスピンコートした。次いで、減圧下８０℃で５時間乾燥した（中間段階）。
　次いで、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー２１のＰＧＭＥＡに対する残膜率は７９％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー２１のＰＧＭＥＡに対する残膜率は９７％であった。
　参考情報：上記中間段階の膜をそのままＰＧＭＥＡに浸漬させた場合、残膜率は０．８％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー２１のＰＧＭＥに対する残膜率は７４％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー２１のＰＧＭＥに対する残膜率は９３％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥに浸漬させた場合の残膜率は６．２％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー２１のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は７６％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー２１のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は９４％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に浸漬させた場合の残膜率は６．０％であった。
［実施例２５］
構造単位［Ａ］を有するビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エンを７５ｇ（０．８ｍｏｌ）、構造単位［Ｂ］を有する４，１０－ジオキシ－トリシクロ［５．２．１．０２，６］－８－デセン－３－オンを４８７ｇ（３．２ｍｏｌ）に変更した以外は、実施例１７と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液３．８ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝５９００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．３２、１ＨＮＭＲで解析した構造単位［Ａ］と構造単位［Ｂ］のモル比は［Ａ］／［Ｂ］＝２０／８０であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー２２）を得た。
　ポリマー２２のガラス転移温度は６８℃であった。
　また、ポリマー２２の揮発成分の発生量は０．０質量％であった。
　また、ポリマー２２の固体粘弾性測定の結果から算出される貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度は８２℃であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で、上記のシリコン基板Aの凹凸面にポリマー２２をコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定したポリマー２２の屈折率（ｎ値）は１．６７であり、消衰係数（ｋ値）は０．０２であった。
　ＳＥＭにより基板Ａの断面観察した結果、ポリマー２２は凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測した何れの計測値も２６０ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．０％であった。
　得られたポリマー２２を１０質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡとシクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、４インチのシリコンウェハーにスピンコートした。次いで、減圧下８０℃で５時間乾燥した（中間段階）。
　次いで、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー２２のＰＧＭＥＡに対する残膜率は９９％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー２０のＰＧＭＥＡに対する残膜率は１００％であった。
　参考情報：上記中間段階の膜をそのままＰＧＭＥＡに浸漬させた場合、残膜率は３１％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー２２のＰＧＭＥに対する残膜率は９８％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー２２のＰＧＭＥに対する残膜率は１００％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥに浸漬させた場合の残膜率は２６％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー２２のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は９７％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー２２のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は１００％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に浸漬させた場合の残膜率は２７％であった。
［実施例２６］
　実施例２０で得られたポリマー１７を１０質量％と、架橋剤として３’，４’－エポキシシクロヘキシルメチル－３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（ＥＥＣ）を０．３質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡと、シクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、実施例１７と同様な方法で、上記のシリコン基板Ａの凹凸面にコートしたサンプルを作製した。
　エリプソメーターで測定した屈折率（ｎ値）は１．６７であり、消衰係数（ｋ値）は０．０２であった。
　上記の環状オレフィンポリマーが極性変化を起す温度は、Ｇ’とＧ’’の交点の温度である１１２℃に比して十分に高いことが分かっているので、上記環状オレフィンポリマーと架橋剤とからなる下層膜形成用材料のＧ’とＧ’’の交点の温度も同様の値であるとみなして構わない。
　ＳＥＭにより基板Aの断面観察した結果、凸凸間の狭線幅４０ｎｍ（高さ２００ｎｍ）の溝に対してボイド等の欠陥無く均一に埋め込まれていた。さらに、凹部底面から大気面までの距離を１０点計測して平均化したポリマー８の層の厚みは３１３ｎｍであり、最大高さ（Ｈｍａｘ）は３１３ｎｍ、最小高さ（Ｈｍｉｎ）は３１２ｎｍであり、平坦度（ΔＦＴ）は０．３％であった。
　得られたポリマー１７を１０質量％と、架橋剤として３’，４’－エポキシシクロヘキシルメチル ３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（ＥＥＣ）を０．３質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡと、シクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、４インチのシリコンウェハーにスピンコートした。次いで、減圧下８０℃で５時間乾燥した（中間段階）。
　次いで、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られた膜のＰＧＭＥＡに対する残膜率は９５％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られた膜のＰＧＭＥＡに対する残膜率は１００％であった。
　参考情報：上記中間段階の膜をそのままＰＧＭＥＡに浸漬させた場合、残膜率は０．５％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られた膜のＰＧＭＥに対する残膜率は９４％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られた膜のＰＧＭＥに対する残膜率は１００％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥに浸漬させた場合の残膜率は０．２％であった。
　また、窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られた膜のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は９４％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られた膜のＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は１００％であった。
　参考情報：上記中間段階での膜を２００℃で処理せずにＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に浸漬させた場合の残膜率は０．３％であった。
［比較例３］
　ポリヒドロキシスチレン（以下、ＰＨＳと表記する。Ｐｏｌｙｓｃｉｅｎｃｅｓ，Ｉｎｃ．　Ｍｗ＝５３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．４８）を使用した以外は実施例１７と同様にして１０質量％で溶解したＰＧＭＥＡ溶液を調製し、４インチのシリコンウェハーにスピンコートし、２００℃で１０分間焼成した。
　実施例１７と同様にして残膜率を評価した結果、ＰＧＭＥＡに対する残膜率は減圧下８０℃で５時間乾燥しただけのＰＨＳの残膜率は０．２％であった。窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたＰＨＳの残膜率は０．４％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたＰＨＳの残膜率は０．６％であり、何れの加熱時間においてもＰＧＭＥＡに対して不溶化する様子は観察されなかった。
　また、ＰＧＭＥに対する残膜率は減圧下８０℃で５時間乾燥しただけのＰＨＳは０．１％であった。窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたＰＨＳは０．４％であった。窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたＰＨＳは０．５％であり、何れの加熱時間においてもＰＧＭＥに対して不溶化する様子は観察されなかった。また、ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は減圧下８０℃で５時間乾燥しただけのＰＨＳは０．１％であった。窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたＰＨＳは０．４％であった。窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたＰＨＳは０．５％であり、何れの加熱時間においてもＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対して不溶化する様子は観察されなかった。
［比較例４］
　構造単位［Ａ］を有するモノマーを５，５，６－トリフルオロ－６－（トリフルオロメチル）－ビシクロ８－［２．２．１］ヘプト－２－エンに変更し、構造単位［Ｂ］を有するモノマーを使用しなかった以外は、実施例１７と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液４．１ｋｇを得た。
　次いで、得られた開環メタセシス重合体溶液に、水素添加触媒として含水率５２．０％の５％Ｐｄカーボン５１．７ｇ（乾燥質量２４．８ｇ）を加え、水素圧８．５ＭＰａ、１３０℃で２０時間水素添加反応を行った。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝９３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．７６であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー２３）を得た。
　実施例１７と同様にして残膜率を評価した結果、ＰＧＭＥＡに対する残膜率は減圧下８０℃で５時間乾燥しただけのポリマー２３の残膜率は０．３％であった。窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー２３の残膜率は０．５％であった。また、窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー２３の残膜率は０．８％であり、何れの加熱時間においてもＰＧＭＥＡに対して不溶化する様子は観察されなかった。
　また、ＰＧＭＥに対する残膜率は減圧下８０℃で５時間乾燥しただけのポリマー２３は２５％であった。窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー２３は２７％であった。窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー２３は２８％であり、何れの加熱時間においてもＰＧＭＥに対して不溶化する様子は観察されなかった。また、ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率は減圧下８０℃で５時間乾燥しただけのポリマー２３は３３％であった。窒素雰囲気下で２００℃、１０分加熱して得られたポリマー２３は３５％であった。窒素雰囲気下で２００℃、３０分加熱して得られたポリマー２３は３５％であり、何れの加熱時間においてもＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対して不溶化する様子は観察されなかった。
［比較例５］
　構造単位［Ａ］を有するモノマーをテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］－３－ドデセンに変更し、構造単位［Ｂ］を有するモノマーを使用しなかった以外は、実施例１７と同様な方法で、開環メタセシス重合体溶液４．２ｋｇを得た。得られたポリマーは、重合率＝１００％、Ｍｗ＝６８００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５５であった。
　次いで、実施例１７と同様な方法で析出、乾燥して白色粉末固体（ポリマー２４）を得た。
　減圧下８０℃で５時間乾燥しただけのポリマー２４の残膜率は、ＰＧＭＥＡに浸漬すると膨潤と思われる現象で白化したためエリプソメーターで測定できなかった。窒素雰囲気下で２００℃、１０分または３０分加熱して得られたポリマー２４の残膜率も同様に白化したためエリプソメーターで測定できなかった。ＰＧＭＥ、ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ（７／３）に対する残膜率もＰＧＭＥＡと同様に、浸漬すると膨潤と思われる現象で白化したためエリプソメーターで測定できなかった。
　以上の残膜率の結果を表３および表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
［実施例２７］
　実施例２１で得られたポリマー１８を１０質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡとシクロヘキサノンの質量比がＰＧＭＥＡ／シクロヘキサノン＝５／５となるよう溶液を調製し、１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、３０ｍｍ角のシリコンウェハーにスピンコートした。次いで、窒素雰囲気下で２００℃、１分加熱した。室温に冷却後さらにチタンテトライソプロポキシドを１０質量％の濃度で溶解したＰＧＭＥＡ溶液を１０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件で、このウェハー上にスピンコートした。次いで、窒素雰囲気下で２００℃、１分加熱して、ポリマー１８の層の上にＴｉＯ２を重ね塗りしたウェハーを得た。
　ＴＥＭにより断面観察した結果、ポリマー１８とＴｉＯ２の界面は明瞭かつ平坦であった。
［実施例２８］
　ポリマー１８を実施例２２で得られたポリマー１９に変更した以外は、実施例２７と同様にしてポリマー１９の層の上にＴｉＯ２を重ね塗りしたウェハーを得た。
　ＴＥＭにより断面観察した結果、ポリマー１９とＴｉＯ２の界面は明瞭かつ平坦であった。断面写真を図４に示す。
［比較例６］
　ポリマー１８をポリヒドロキシスチレン（ＰＨＳ）に変更した以外は、実施例２７と同様にしてＰＨＳの層の上にＴｉＯ２を重ね塗りしたウェハーを得た。
　ＴＥＭにより断面観察した結果、ＰＨＳとＴｉＯ２の間に明瞭な界面は存在せず、チタンテトライソプロポキシドのＰＧＭＥＡ溶液をスピンコートした際にＰＨＳが溶解して完全に混ざったと考えられる。
　以上の結果から、本発明における材料をレジスト下層膜として使用した場合、凹凸があるウェハー表面を平坦にすることが可能であり、なおかつ中間層またはレジスト層をレジスト下層膜の上にスピンコートで形成する際に、まったくインターミキシングを起こさないことがわかる。
　本件第一発明の下層膜形成用材料は、十分な光学特性およびエッチング耐性を満たすとともに平坦性に優れ、揮発分の発生量も抑制されたレジスト下層膜を提供することができる。これにより、半導体デバイス製造工程において、高い集積度の半導体回路を得ることができる。
　本件第二発明の下層膜形成用材料は、中間層とレジスト下層膜との密着性に優れるとともに平坦性に優れた積層体を実現できる。これにより、半導体デバイス製造工程において、高い集積度の半導体回路を得ることができる。
　この出願は、２０１７年５月３１日に出願された日本出願特願２０１７－１０８５０６号および２０１７年１０月６日に出願された日本出願特願２０１７－１９６２６０号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
　本発明は、以下の態様を含む。
１．
　多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、
　下記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］および下記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］を有する環状オレフィンポリマーを含み、
　前記環状オレフィンポリマーにおける前記構造単位［Ａ］と前記構造単位［Ｂ］とのモル比［Ａ］／［Ｂ］が５／９５以上９５／５以下である下層膜形成用材料。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 （上記一般式（１）中、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基、から選ばれ、Ｒ１～Ｒ４は互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 （上記一般式（２）中、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基から選ばれ、Ｒ５～Ｒ８が互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表し、Ｘ１は－Ｏ－または－Ｓ－を表す。）
２．
　１．に記載の下層膜形成用材料において、
　レオメータを用いて、窒素雰囲気下、ずりモード、測定温度範囲５０～２５０℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で測定される前記環状オレフィンポリマーの固体粘弾性における、貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度が８０℃以上２００℃以下である下層膜形成用材料。
３．
　１．または２．に記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法１により測定される前記環状オレフィンポリマー中の揮発成分の発生量が、前記環状オレフィンポリマーの全体を１００質量％としたとき、０．０質量％以上１．０質量％以下である下層膜形成用材料。
（方法１：前記環状オレフィンポリマーをテトラヒドロフランに溶解してポリマー濃度が２０質量％の溶液を作製し、得られた溶液をアルミ皿に計量し、次いで、窒素気流下、２００℃で３分間加熱してテトラヒドロフランを除去し、次いで、室温まで冷却して前記環状オレフィンポリマーを固化し、窒素雰囲気下で、３０～３００℃の温度範囲、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で前記環状オレフィンポリマーを加熱し、１００～２５０℃の範囲における重量減少量から、前記環状オレフィンポリマー中の前記揮発成分の発生量を算出する）
４．
　１．乃至３．のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーを用いて測定される前記環状オレフィンポリマーのポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００以上２００００以下である下層膜形成用材料。
５．
　１．乃至４．のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法２により測定される前記環状オレフィンポリマーの波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）が１．５以上２．０以下である下層膜形成用材料。
（方法２：前記環状オレフィンポリマーからなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた前記コート膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）を前記環状オレフィンポリマーの前記屈折率（ｎ値）とする）
６．
　１．乃至５．のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法３により測定される前記環状オレフィンポリマーの消衰係数（ｋ値）が０．０００１以上０．５以下である下層膜形成用材料。
（方法３：前記環状オレフィンポリマーからなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた前記コート膜の消衰係数（ｋ値）を前記環状オレフィンポリマーの前記消衰係数（ｋ値）とする）
７．
　１．乃至６．のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　凹凸構造を有する基板の前記凹凸構造上に形成され、かつ、前記凹凸構造における凹部を埋めるための下層膜に用いられる下層膜形成用材料。
８．
　多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、
　環状オレフィンポリマーを含む膜の材料であり、
　上記環状オレフィンポリマー自身は、有機溶媒に少なくとも０．０１質量％以上５０質量％以下の濃度で溶解可能であり、
　前記膜において、下記方法４により測定される、上記環状オレフィンポリマーの残膜率が５０％以上１００％以下を満たすことを特徴とする下層膜形成用材料。
（方法４：上記環状オレフィンポリマーからなる厚さ（α）が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のコート膜をシリコンウェハー上に形成する。次いで、得られた上記コート膜を２００℃で１０分間処理する。次いで、有機溶媒（プロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセテート（ＰＧＭＥＡ））に２３℃で１０分間浸漬し、次いで、１５０℃で３分間の条件で乾燥し、上記コート膜中の残存溶媒を除去する。次いで、上記残存溶媒を除去した上記コート膜の厚さ（β）を測定し、残膜率（＝β／α×１００）（％）を算出する。
９．
　８．に記載の下層膜形成用材料において、
　上記環状オレフィンポリマーは、下記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］および下記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］を有し、
　上記環状オレフィンポリマーにおける上記構造単位［Ａ］と上記構造単位［Ｂ］とのモル比［Ａ］／［Ｂ］が５／９５以上９５／５以下である下層膜形成用材料。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 （上記一般式（１）中、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基、から選ばれ、Ｒ１～Ｒ４は互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 （上記一般式（２）中、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基から選ばれ、Ｒ５～Ｒ８が互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表し、Ｘ１は－Ｏ－または－Ｓ－を表す。）
１０．
　８．または９．に記載の下層膜形成用材料において、
　ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーを用いて測定される上記環状オレフィンポリマーのポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００以上２００００以下である下層膜形成用材料。
１１．
　８．乃至１０．のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法２により測定される上記環状オレフィンポリマーの波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）が１．５以上２．０以下である下層膜形成用材料。
（方法２：上記環状オレフィンポリマーからなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた上記コート膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）を上記環状オレフィンポリマーの上記屈折率（ｎ値）とする）
１２．
　８．乃至１１．のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　下記方法３により測定される上記環状オレフィンポリマーの消衰係数（ｋ値）が０．０００１以上０．５以下である下層膜形成用材料。
（方法３：上記環状オレフィンポリマーからなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた上記コート膜の消衰係数（ｋ値）を上記環状オレフィンポリマーの上記消衰係数（ｋ値）とする）
１３．
　８．乃至１２．のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料において、
　凹凸構造を有する基板の上記凹凸構造上に形成され、かつ、上記凹凸構造における凹部を埋めるための下層膜に用いられる下層膜形成用材料。
１４．
　１．乃至１３．のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料を含むレジスト下層膜。
１５．
　１．乃至１３．のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料を含む塗膜を基板上に形成する工程を含むレジスト下層膜の製造方法。
１６．
　１５．に記載のレジスト下層膜の製造方法において、
　上記塗膜を加熱する工程をさらに含むレジスト下層膜の形成方法。
１７．
　基板と、
　上記基板の一方の面に形成された、１．乃至１３．のいずれか一つに記載の下層膜形成用材料を含むレジスト下層膜と、
を備える積層体。
１８．
　１７．に記載の積層体において、
　上記レジスト下層膜の上記基板とは反対側の表面（α）における下記式により算出される平坦度（△ＦＴ）が０％以上５％以下である積層体。
　平坦度（ΔＦＴ）＝［（Ｈｍａｘ―Ｈｍｉｎ）／Ｈａｖ］×１００（％）
（ここで、上記表面（α）の任意の１０カ所において、上記レジスト下層膜の膜厚を測定し、それらの平均値をＨａｖとし、上記レジスト下層膜の膜厚の最大値をＨｍａｘとし、上記レジスト下層膜の膜厚の最小値をＨｍｉｎとする）
１９．
　１７．または１８．に記載の積層体において、
　上記レジスト下層膜の膜厚の平均値Ｈａｖが５ｎｍ以上５００ｎｍ以下である積層体。
（ここで、上記レジスト下層膜の上記基板とは反対側の表面（α）の任意の１０カ所において、上記レジスト下層膜の膜厚を測定し、それらの平均値をＨａｖとする）
２０．
　１７．乃至１９．のいずれか一つに記載の積層体において、
　上記基板は少なくとも一方の表面に凹凸構造を有し、
　上記凹凸構造上に上記レジスト下層膜が形成されており、
　上記凹凸構造は、高さが５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、凸凸間の間隔が１ｎｍ以上１０ｍｍ以下である積層体。

Claims (31)

  1. 　多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、
    　下記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］および下記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］を有する環状オレフィンポリマーを含み、
    　前記環状オレフィンポリマーにおける前記構造単位［Ａ］と前記構造単位［Ｂ］とのモル比［Ａ］／［Ｂ］が５／９５以上９５／５以下である下層膜形成用材料。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （前記一般式（１）中、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基、から選ばれ、Ｒ１～Ｒ４は互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （前記一般式（２）中、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基から選ばれ、Ｒ５～Ｒ８が互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表し、Ｘ１は－Ｏ－または－Ｓ－を表す。）
  2. 　請求項１に記載の下層膜形成用材料において、
    　レオメータを用いて、窒素雰囲気下、ずりモード、測定温度範囲３０～３００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で測定される前記環状オレフィンポリマーの固体粘弾性における、貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度が４０℃以上２００℃以下である下層膜形成用材料。
  3. 　請求項１に記載の下層膜形成用材料において、
    　レオメータを用いて、窒素雰囲気下、ずりモード、測定温度範囲３０～３００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で測定される前記下層膜形成用材料の固体粘弾性における、貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度が４０℃以上２００℃以下である下層膜形成用材料。
  4. 　請求項２または３に記載の下層膜形成用材料において、
    　前記固体粘弾性における、貯蔵弾性率（Ｇ’）曲線と損失弾性率（Ｇ’’）曲線の交点を示す温度が８０℃以上２００℃以下である下層膜形成用材料
  5. 　請求項１乃至４のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　下記方法１により測定される前記環状オレフィンポリマー中の揮発成分の発生量が、前記環状オレフィンポリマーの全体を１００質量％としたとき、０．０質量％以上１．０質量％以下である下層膜形成用材料。
    （方法１：前記環状オレフィンポリマーをテトラヒドロフランに溶解して固形分濃度が２０質量％の溶液を作製し、得られた溶液をアルミ皿に計量し、次いで、窒素気流下、２００℃で３分間加熱してテトラヒドロフランを除去し、次いで、室温まで冷却して前記環状オレフィンポリマーを固化し、窒素雰囲気下で、３０～３００℃の温度範囲、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で前記環状オレフィンポリマーを加熱し、１００～２５０℃の範囲における重量減少量から、前記環状オレフィンポリマー中の前記揮発成分の発生量を算出する）
  6. 　請求項１乃至５のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーを用いて測定される前記環状オレフィンポリマーのポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００以上２００００以下である下層膜形成用材料。
  7. 　請求項１乃至６のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　下記方法２により測定される前記環状オレフィンポリマーの波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）が１．５以上２．０以下である下層膜形成用材料。
    （方法２：前記環状オレフィンポリマーからなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた前記コート膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）を前記環状オレフィンポリマーの前記屈折率（ｎ値）とする）
  8. 　請求項１乃至６のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　下記方法２により測定される前記下層膜形成用材料の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）が１．５以上２．０以下である下層膜形成用材料。
    （方法２：前記下層膜形成用材料からなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた前記コート膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）を前記下層膜形成用材料の前記屈折率（ｎ値）とする）
  9. 　請求項１乃至８のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　下記方法３により測定される前記環状オレフィンポリマーの消衰係数（ｋ値）が０．０００１以上０．５以下である下層膜形成用材料。
    （方法３：前記環状オレフィンポリマーからなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた前記コート膜の消衰係数（ｋ値）を前記環状オレフィンポリマーの前記消衰係数（ｋ値）とする）
  10. 　請求項１乃至８のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　下記方法３により測定される前記下層膜形成用材料の消衰係数（ｋ値）が０．０００１以上０．５以下である下層膜形成用材料。
    （方法３：前記下層膜形成用材料からなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた前記コート膜の消衰係数（ｋ値）を前記下層膜形成用材料の前記消衰係数（ｋ値）とする）
  11. 　請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　凹凸構造を有する基板の前記凹凸構造上に形成され、かつ、前記凹凸構造における凹部を埋めるための下層膜に用いられる下層膜形成用材料。
  12. 　請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　前記下層膜形成用材料に含まれるポリマー成分の全含有量を１００質量部としたとき、前記下層膜形成用材料中の架橋剤の含有量が５質量部未満である下層膜形成用材料。
  13. 　請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　前記下層膜形成用材料中の前記環状オレフィンポリマーの含有量が、前記下層膜形成用材料の全体を１００質量％としたとき、５０質量％以上１００質量％以下である下層膜形成用材料。
  14. 　多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、
    　環状オレフィンポリマーを含む膜の材料であり、
    　前記環状オレフィンポリマー自身は、有機溶媒に少なくとも０．０１質量％以上５０質量％以下のいずれかの濃度で溶解可能であり、
    　前記膜において、下記方法４により測定される、前記環状オレフィンポリマーの残膜率が５０％以上１００％以下を満たすことを特徴とする下層膜形成用材料。
    （方法４：前記環状オレフィンポリマーからなる厚さ（α）が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のコート膜をシリコンウェハー上に形成する。次いで、得られた前記コート膜を２００℃で１０分間処理する。次いで、プロピレングリコール―１－モノメチルエーテル－２－アセテートに２３℃で１０分間浸漬し、次いで、１５０℃で３分間の条件で乾燥し、前記コート膜中の残存溶媒を除去する。次いで、前記残存溶媒を除去した前記コート膜の厚さ（β）を測定し、残膜率（＝β／α×１００）（％）を算出する。
  15. 　多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、
    　環状オレフィンポリマーを含み、
    　下記方法４により測定される、前記下層膜形成用材料の残膜率が５０％以上１００％以下を満たす下層膜形成用材料。
    （方法４：前記下層膜形成用材料からなる厚さ（α）が２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下のコート膜をシリコンウェハー上に形成する。次いで、得られた前記コート膜を２００℃で１０分間処理する。次いで、プロピレングリコール―１－モノメチルエーテル－２－アセテートに２３℃で１０分間浸漬し、次いで、１５０℃で３分間の条件で乾燥し、前記コート膜中の残存溶媒を除去する。次いで、前記残存溶媒を除去した前記コート膜の厚さ（β）を測定し、残膜率（＝β／α×１００）（％）を算出する。
  16. 　請求項１４または１５に記載の下層膜形成用材料において、
    　前記環状オレフィンポリマーは、下記一般式（１）で表される繰返し構造単位［Ａ］および下記一般式（２）で表される繰返し構造単位［Ｂ］を有し、
    　前記環状オレフィンポリマーにおける前記構造単位［Ａ］と前記構造単位［Ｂ］とのモル比［Ａ］／［Ｂ］が５／９５以上９５／５以下である下層膜形成用材料。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （前記一般式（１）中、Ｒ１～Ｒ４のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基、から選ばれ、Ｒ１～Ｒ４は互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     （前記一般式（２）中、Ｒ５～Ｒ８のうち少なくとも１つが、水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数６～２０のアリールオキシ基、炭素数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素数７～２０のアリールオキシアルキル基、炭素数２～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数３～１０のジアルキルアミノカルボニル基、炭素数７～２０のアリールオキシカルボニル基、炭素数８～２０のアルキルアリールアミノカルボニル基、炭素数３～３０のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数８～３０のアルコキシカルボニルアリール基、炭素数８～２０のアリールオキシカルボニルアルキル基、炭素数３～２０のアルコキシアルキルオキシカルボニル基および炭素数４～３０のアルコキシカルボニルアルキルオキシカルボニル基から選ばれ、Ｒ５～Ｒ８が互いに結合して環構造を形成していてもよく、ｎは０～２の整数を表し、Ｘ１は－Ｏ－または－Ｓ－を表す。）
  17. 　請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーを用いて測定される前記環状オレフィンポリマーのポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００以上２００００以下である下層膜形成用材料。
  18. 　請求項１４乃至１７のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　下記方法２により測定される前記環状オレフィンポリマーの波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）が１．５以上２．０以下である下層膜形成用材料。
    （方法２：前記環状オレフィンポリマーからなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた前記コート膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）を前記環状オレフィンポリマーの前記屈折率（ｎ値）とする）
  19. 　請求項１４乃至１７のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　下記方法２により測定される前記下層膜形成用材料の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）が１．５以上２．０以下である下層膜形成用材料。
    （方法２：前記下層膜形成用材料からなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた前記コート膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率（ｎ値）を前記下層膜形成用材料の前記屈折率（ｎ値）とする）
  20. 　請求項１４乃至１９のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　下記方法３により測定される前記環状オレフィンポリマーの消衰係数（ｋ値）が０．０００１以上０．５以下である下層膜形成用材料。
    （方法３：前記環状オレフィンポリマーからなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた前記コート膜の消衰係数（ｋ値）を前記環状オレフィンポリマーの前記消衰係数（ｋ値）とする）
  21. 　請求項１４乃至１９のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　下記方法３により測定される前記下層膜形成用材料の消衰係数（ｋ値）が０．０００１以上０．５以下である下層膜形成用材料。
    （方法３：前記下層膜形成用材料からなる厚み２５０ｎｍのコート膜をシリコンウェハー上に形成し、得られた前記コート膜の消衰係数（ｋ値）を前記下層膜形成用材料の前記消衰係数（ｋ値）とする）
  22. 　請求項１４乃至２１のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　凹凸構造を有する基板の前記凹凸構造上に形成され、かつ、前記凹凸構造における凹部を埋めるための下層膜に用いられる下層膜形成用材料。
  23. 　請求項１４乃至２２のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　前記下層膜形成用材料に含まれるポリマー成分の全含有量を１００質量部としたとき、前記下層膜形成用材料中の架橋剤の含有量が５質量部未満である下層膜形成用材料。
  24. 　請求項１４乃至２３のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料において、
    　前記下層膜形成用材料中の前記環状オレフィンポリマーの含有量が、前記下層膜形成用材料の全体を１００質量％としたとき、５０質量％以上１００質量％以下である下層膜形成用材料。
  25. 　請求項１乃至２４のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料を含むレジスト下層膜。
  26. 　請求項１乃至２４のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料を含む塗膜を基板上に形成
    する工程を含むレジスト下層膜の製造方法。
  27. 　請求項２６に記載のレジスト下層膜の製造方法において、
    　前記塗膜を加熱する工程をさらに含むレジスト下層膜の形成方法。
  28. 　基板と、
    　前記基板の一方の面に形成された、請求項１乃至２４のいずれか一項に記載の下層膜形成用材料を含むレジスト下層膜と、
    を備える積層体。
  29. 　請求項２８に記載の積層体において、
    　前記レジスト下層膜の前記基板とは反対側の表面（α）における下記式により算出される平坦度（△ＦＴ）が０％以上５％以下である積層体。
    　平坦度（ΔＦＴ）＝［（Ｈｍａｘ―Ｈｍｉｎ）／Ｈａｖ］×１００（％）
    （ここで、前記表面（α）の任意の１０カ所において、前記レジスト下層膜の膜厚を測定し、それらの平均値をＨａｖとし、前記レジスト下層膜の膜厚の最大値をＨｍａｘとし、前記レジスト下層膜の膜厚の最小値をＨｍｉｎとする）
  30. 　請求項２８または２９に記載の積層体において、
    　前記レジスト下層膜の膜厚の平均値Ｈａｖが５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である積層体。（ここで、前記レジスト下層膜の前記基板とは反対側の表面（α）の任意の１０カ所において、前記レジスト下層膜の膜厚を測定し、それらの平均値をＨａｖとする）
  31. 　請求項２８乃至３０のいずれか一項に記載の積層体において、
    　前記基板は少なくとも一方の表面に凹凸構造を有し、
    　前記凹凸構造上に前記レジスト下層膜が形成されており、
    　前記凹凸構造は、高さが５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、凸凸間の間隔が１ｎｍ以上１０ｍｍ以下である積層体。
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