WO2018096783A1 - 弾性波装置、フロントエンド回路および通信装置 - Google Patents

弾性波装置、フロントエンド回路および通信装置 Download PDF

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諭卓 岸本
木村　哲也
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device having an IDT (InterDigital Transducer) electrode, a front-end circuit having the elastic wave device, and a communication device.
  • IDT InterDigital Transducer
  • Patent Document 1 discloses an end surface reflection type elastic wave device that reflects elastic waves at a pair of end surfaces facing each other.
  • a pair of opposing end surfaces is formed by providing grooves on both outer sides of the IDT electrode in the elastic wave propagation direction.
  • the elastic wave propagating in the elastic wave propagation direction is confined in the elastic wave device by reflecting the elastic wave using the pair of end faces.
  • an object of the present invention is to provide an elastic wave device or the like that can suppress the leakage of an elastic wave propagating in a direction different from the elastic wave propagation direction to the outside.
  • An elastic wave device is an elastic wave device including a piezoelectric substrate and an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, and the IDT electrode includes a bus bar electrode extending in the elastic wave propagation direction, and a bus bar.
  • a plurality of electrode fingers connected to the electrodes and extending in a direction perpendicular to the elastic wave propagation direction, and the piezoelectric substrate has at least one groove formed along the elastic wave propagation direction, and at least one or more grooves These grooves are provided on the side opposite to the side on which the plurality of electrode fingers are formed when viewed from the bus bar electrode in the orthogonal direction.
  • the elastic wave device since the elastic wave device has a groove formed along the elastic wave propagation direction, the elastic wave propagating in a direction different from the elastic wave propagation direction can be reflected using the groove. . Thereby, it can suppress that an elastic wave leaks outside.
  • At least one or more grooves may be composed of a plurality of grooves, and the plurality of grooves may be opposed to each other in the orthogonal direction.
  • the elastic wave device since the elastic wave device has a plurality of grooves facing each other in the orthogonal direction, the elastic wave propagating in a direction different from the elastic wave propagation direction is reflected using the grooves, and the plurality of grooves Can be trapped in between. Thereby, it can suppress that an elastic wave leaks outside.
  • the piezoelectric substrate includes a support substrate, a piezoelectric layer positioned on the support substrate, and an intermediate layer provided between the support substrate and the piezoelectric layer, and the IDT electrode is provided on the piezoelectric layer.
  • the at least one groove may be formed from the piezoelectric layer to at least a part of the intermediate layer.
  • the elastic wave propagating through at least a part of the piezoelectric layer and the intermediate layer can be reflected using the groove. Therefore, it can suppress that the elastic wave which propagates in the direction different from an elastic wave propagation direction leaks outside.
  • the piezoelectric substrate includes a support substrate, a piezoelectric layer positioned on the support substrate, and an intermediate layer provided between the support substrate and the piezoelectric layer, and the IDT electrode is provided on the piezoelectric layer.
  • the at least one groove may not be formed in the piezoelectric layer but may be formed in at least a part of the intermediate layer.
  • the elastic wave propagating through at least a part of the intermediate layer can be reflected using the groove. Therefore, it can suppress that the elastic wave which propagates in the direction different from an elastic wave propagation direction leaks outside.
  • the intermediate layer of the acoustic wave device may have a grain boundary.
  • the elastic wave device of the present invention Therefore, the elastic wave can be reflected. Thereby, it can suppress that the elastic wave which propagates in the direction different from an elastic wave propagation direction leaks outside.
  • the intermediate layer may be in contact with the piezoelectric layer.
  • the intermediate layer has a grain boundary
  • a part of the elastic wave propagating through the intermediate layer in contact with the piezoelectric layer is scattered, and the elastic wave propagates in a direction different from the elastic wave propagation direction.
  • the elastic wave device of the present invention since the elastic wave device of the present invention has grooves facing each other in the direction orthogonal to the elastic wave propagation direction, the elastic wave can be reflected. Thereby, it can suppress that an elastic wave leaks outside.
  • the intermediate layer may include one or a plurality of SiO 2 layers.
  • the elastic wave device of the present invention Since it has the groove
  • the intermediate layer has a lower bulk wave sound velocity than the elastic wave sound velocity propagating through the piezoelectric layer
  • the support substrate has a higher bulk wave sound velocity than the elastic wave sound velocity propagated through the piezoelectric layer. There may be.
  • the elastic wave propagated from the piezoelectric layer to the intermediate layer can be reflected at the interface between the support substrate and the intermediate layer and returned to the piezoelectric layer.
  • elastic wave energy can be efficiently confined in the piezoelectric layer.
  • the intermediate layer has a low sound velocity film that propagates the bulk wave at a lower speed than the elastic wave sound velocity that propagates through the piezoelectric layer, and a bulk wave that propagates at a higher speed than the elastic wave sound velocity that propagates through the piezoelectric layer.
  • the low sound velocity film may be provided between the piezoelectric layer and the support substrate, and the high sound velocity film may be provided between the low sound velocity film and the support substrate.
  • the elastic wave propagated from the piezoelectric layer to the low sound velocity film can be reflected at the interface between the high sound velocity film and the low sound velocity film and returned to the piezoelectric layer.
  • elastic wave energy can be efficiently confined in the piezoelectric layer.
  • the intermediate layer includes at least one low acoustic impedance layer and at least one high acoustic impedance layer having an acoustic impedance higher than that of the low acoustic impedance layer, and at least one of the low acoustic impedance layers includes: It may be provided closer to the piezoelectric layer than the high acoustic impedance layer.
  • the elastic wave propagated from the piezoelectric layer to the intermediate layer can be reflected at the interface between the low acoustic impedance layer and the high acoustic impedance layer and returned to the piezoelectric layer.
  • elastic wave energy can be efficiently confined in the piezoelectric layer.
  • At least one or more grooves are formed from the piezoelectric layer through the intermediate layer to a part of the support substrate.
  • the elastic wave propagating through the piezoelectric layer and the intermediate layer can be reflected using the groove. Thereby, it can suppress that the elastic wave which propagates in the direction different from an elastic wave propagation direction leaks outside.
  • the piezoelectric substrate may be provided with input / output wirings connected to the IDT electrodes, and at least one or more grooves may be provided at positions different from the input / output wirings.
  • the elastic wave propagating in the direction different from the elastic wave propagation direction can be reflected by using the groove while suppressing the wiring loss due to the routing of the input / output wiring. Thereby, it can suppress that the elastic wave which propagates in the direction different from an elastic wave propagation direction leaks outside.
  • the input / output wiring connected to the IDT electrode may be provided on the piezoelectric substrate, and the input / output wiring may be formed around the groove.
  • the length of the groove can be increased, and the elastic wave propagating in a direction different from the elastic wave propagation direction can be reflected in a wide range. Thereby, it can suppress that the elastic wave which propagates in the direction different from an elastic wave propagation direction leaks outside.
  • the piezoelectric substrate has at least one or more grooves formed along the orthogonal direction, and the at least one or more grooves formed in the orthogonal direction are the outermost of the plurality of electrode fingers in the elastic wave propagation direction. It may be provided outside the electrode fingers located at the center.
  • the elastic wave device since the elastic wave device has the grooves formed along the orthogonal direction, the elastic wave propagating in the elastic wave propagation direction can be reflected by the side surface of the groove. Thereby, it can suppress that the elastic wave which propagates in the direction different from an elastic wave propagation direction leaks outside.
  • At least one or more grooves formed along the orthogonal direction may be composed of a plurality of grooves, and the plurality of grooves may be opposed to each other in the elastic wave propagation direction.
  • the elastic wave device since the elastic wave device has a plurality of grooves facing each other in the elastic wave propagation direction, the elastic wave propagating in the elastic wave propagation direction is reflected using the grooves, and the plurality of grooves Can be trapped in between. Thereby, it can suppress that the elastic wave which propagates in the direction different from an elastic wave propagation direction leaks outside.
  • the IDT electrode may be surrounded by a plurality of grooves formed along the elastic wave propagation direction and a plurality of grooves formed along the orthogonal direction.
  • omnidirectional elastic waves along the principal surface of the piezoelectric layer can be reflected by the grooves and confined in the region surrounded by the plurality of grooves. Thereby, it can suppress that the elastic wave which propagates in the direction different from an elastic wave propagation direction leaks outside.
  • a front end circuit includes the elastic wave device.
  • a communication device includes a signal processing circuit that processes a high-frequency signal and the front-end circuit.
  • leakage of elastic waves propagating in a direction different from the elastic wave propagation direction in an elastic wave device, a high-frequency front-end circuit, or a communication device can be suppressed.
  • FIG. 1 is a perspective view of an acoustic wave device according to Embodiment 1.
  • FIG. 2A is a plan view of the acoustic wave device according to Embodiment 1.
  • FIG. 2B is a cut front view showing a cut surface when the elastic wave device of FIG. 2A is cut along the line IIB-IIB.
  • 2C is a cut-away side view showing a cut surface when the elastic wave device of FIG. 2A is cut along the line IIC-IIC.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a state in which an elastic wave propagates through an intermediate layer of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a cut side view of the acoustic wave device according to the first modification of the first embodiment.
  • FIG. 5 is a cut side view of the elastic wave device according to the second modification of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a plan view of the acoustic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 7A is a plan view of the acoustic wave device according to Embodiment 3.
  • FIG. 7B is a plan view of an acoustic wave device according to a modification of the third embodiment.
  • FIG. 8 is a cut side view of the acoustic wave device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 9 is a cut side view of the acoustic wave device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 10 is a circuit configuration diagram showing a front-end circuit and a communication device according to the sixth embodiment.
  • FIG. 11 is a cut side view of an elastic wave device according to another embodiment.
  • FIG. 12 is a cut side view of an elastic wave device according to another embodiment.
  • FIG. 1 is a perspective view of an acoustic wave device 1 according to Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 2A is a plan view of the acoustic wave device 1.
  • 2B is a cut front view showing a cut surface when the elastic wave device 1 of FIG. 2A is cut along the line IIB-IIB.
  • 2C is a cut-away side view showing a cut surface when the elastic wave device 1 of FIG. 2A is cut along the line IIC-IIC.
  • the elastic wave device 1 has a pair of end faces 1a and 1b facing each other in the elastic wave propagation direction D1.
  • the acoustic wave device 1 has a pair of end faces 1c and 1d that face each other in the direction D2 orthogonal to the acoustic wave propagation direction D1.
  • the elastic wave device 1 is an end surface reflection type elastic wave device that reflects surface acoustic waves using the end surfaces 1a to 1d.
  • the acoustic wave device 1 includes a piezoelectric substrate 11 and an IDT electrode 5 having comb-like electrodes 6a, 6b, 6c, and 6d provided on the piezoelectric substrate 11.
  • the piezoelectric substrate 11 includes a support substrate 2, an intermediate layer 3 provided on the support substrate 2, and a piezoelectric layer 4 provided on the intermediate layer 3.
  • the IDT electrode 5 is provided on the piezoelectric layer 4.
  • the support substrate 2 has one main surface 2a and the other main surface 2b facing each other.
  • the support substrate 2 is formed of a material having a bulk wave sound velocity that propagates faster than the acoustic wave sound velocity that propagates through the piezoelectric layer 4.
  • Examples of the material of the support substrate 2 include a semiconductor such as Si, sapphire, LiTaO 3 (hereinafter referred to as “LT”), LiNbO 3 (hereinafter referred to as “LN”), glass, and the like. These materials may be used alone or in combination.
  • the intermediate layer 3 is provided on the one main surface 2 a of the support substrate 2.
  • the intermediate layer 3 is located immediately below the piezoelectric layer 4 described later and is in contact with the piezoelectric layer 4. Since the intermediate layer 3 is in contact with the piezoelectric layer, the energy of the elastic wave propagating through the piezoelectric layer 4 can be prevented from leaking in the thickness direction.
  • the intermediate layer 3 is made of a material whose bulk wave sound velocity is lower than the acoustic wave sound velocity propagating through the piezoelectric layer 4.
  • the intermediate layer 3 is formed of, for example, a polycrystalline, amorphous, or uniaxially oriented film, and has crystal grains G1 and grain boundaries G2 (see FIG. 3).
  • the intermediate layer 3 is formed of a SiO 2 layer.
  • silicon nitride, aluminum nitride, or the like can be used in addition to SiO 2 . These may be used alone or in combination. Further, from the viewpoint of improving the adhesion with the support substrate 2, it is desirable to use SiO 2 as a material constituting the intermediate layer 3.
  • the intermediate layer 3 may have a multilayer structure in which a plurality of layers are stacked. In that case, it is desirable that the layer located closest to the support substrate 2 in the stacking direction is made of SiO 2 . Furthermore, the intermediate layer 3 may have the intermediate layer 3 that is patterned only directly under the region where the elastic wave propagates (for example, the region where the IDT electrode 5 and the reflector exist). Further, the intermediate layer 3 may be formed outside the region where the elastic wave propagates (for example, the region outside the IDT electrode 5). That is, the intermediate layer 3 shown in FIGS. 2B and 2C may not have the same structure in the plane. In this case, the intermediate layer 3 formed immediately below the wave propagation region is preferably the appropriate material described above, and the intermediate layer 3 formed outside the elastic wave propagation region is an arbitrary material. Good.
  • the piezoelectric layer 4 is provided on the intermediate layer 3.
  • the piezoelectric layer 4 is a thin film, and the thickness of the piezoelectric layer 4 is preferably 1 ⁇ , for example, where ⁇ is the wavelength of the elastic wave. In that case, the elastic wave can be further excited.
  • the piezoelectric layer 4 has one main surface 4a and the other main surface 4b facing each other.
  • the other main surface 4b of the piezoelectric layer 4 is located on the intermediate layer 3 side.
  • the piezoelectric layer 4 is made of LT. But as a material which comprises the piezoelectric layer 4, other piezoelectric single crystals, such as LN, may be used, and piezoelectric ceramics may be used.
  • the IDT electrode 5 is provided on the one main surface 4 a of the piezoelectric layer 4.
  • the elastic wave device 1 uses a surface acoustic wave mainly composed of an SH wave as an elastic wave excited by the IDT electrode 5.
  • the most excited wave may be an elastic wave including a plate wave such as an SH wave or a Lamb wave (S0 mode, S1 mode, A1 mode, A0 mode).
  • the plate wave referred to here is a general term for various waves excited by a piezoelectric thin plate having a film thickness of about 1 ⁇ or less, where the wavelength of the excited plate wave is 1 ⁇ .
  • the following “plate wave” has the same meaning.
  • Each of the comb-like electrodes 6a and 6b has bus bar electrodes 7a and 7b extending in the elastic wave propagation direction D1, and a plurality of electrode fingers 8a and 8b extending in the orthogonal direction D2.
  • Each of the comb-like electrodes 6c and 6d has bus bar electrodes 7c and 7d extending in the elastic wave propagation direction D1, and a plurality of electrode fingers 8a and 8b extending in the orthogonal direction D2.
  • the plurality of electrode fingers 8a are connected to the bus bar electrodes 7a and 7c, and the plurality of electrode fingers 8b are connected to the bus bar electrodes 7b and 7d.
  • the plurality of electrode fingers 8a and the plurality of electrode fingers 8b are interleaved with each other.
  • the width of the electrode fingers 8a and 8b at both ends located at the outermost (outermost) side in the elastic wave propagation direction D1 is ⁇ / 8.
  • the width of the electrode fingers 8a and 8b at the central portion different from the electrode fingers 8a and 8b at both ends is ⁇ / 4.
  • the material constituting the IDT electrode 5 examples include an appropriate metal or alloy such as Cu, Ni, Ni—Cr alloy, Al—Cu alloy, Ti, Al, and Pt. These may be used alone or in combination. Further, the IDT electrode 5 may be constituted by a laminated metal film formed by laminating a plurality of metal films. An SiO 2 film as a temperature adjustment film may be provided on one main surface 4 a of the piezoelectric layer 4 so as to cover the IDT electrode 5.
  • the bus bar electrodes 7a to 7d may be formed thicker than the electrode fingers 8a and 8b.
  • the piezoelectric substrate 11 is provided with input / output wirings 9 a and 9 b that are connected to the IDT electrode 5 and supply power to the IDT electrode 5. Specifically, the input / output wiring 9a is connected to the bus bar electrode 7b of the comb-like electrode 6b, and the input / output wiring 9b is connected to the bus bar electrode 7c of the comb-like electrode 6c.
  • the piezoelectric substrate 11 is provided with a plurality of grooves 10A and 10B and a plurality of grooves 10C and 10D.
  • Each of the grooves 10A and 10B is formed along the orthogonal direction D2, and is opposed to the elastic wave propagation direction D1.
  • Each of the grooves 10C and 10D is formed along the elastic wave propagation direction D1, and is opposed to the orthogonal direction D2.
  • the grooves 10A to 10D are provided so as to surround the outside of the IDT electrode 5.
  • Outer groove substrate portions 11A, 11B, 11C, and 11D are formed on the outer sides of the grooves 10A to 10D, respectively.
  • Each of the grooves 10A and 10B is provided outside the electrode fingers 8a and 8b located at the outermost positions of the plurality of electrode fingers 8a and 8b in the elastic wave propagation direction D1.
  • Each of the grooves 10A and 10B is adjacent to the outermost electrode fingers 8a and 8b when the elastic wave device 1 is viewed in plan (when viewed from a direction perpendicular to the main surface 4a). .
  • the groove 10C is provided on the opposite side (minus side in the orthogonal direction D2) to the side where the plurality of electrode fingers 8a are formed when viewed from the bus bar electrodes 7a and 7c in the orthogonal direction D2.
  • the groove 10C is formed in parallel to the bus bar electrodes 7a and 7c at a predetermined distance i1 from the bus bar electrodes 7a and 7c when seen in a plan view. Further, the groove 10C is divided into two in the longitudinal direction, and is provided at a position different from the input / output wiring 9b so as to avoid the input / output wiring 9b.
  • the groove 10C may be formed longer than the total length of the bus bar electrodes 7a and 7c.
  • the groove 10D is provided in the orthogonal direction D2 on the side opposite to the side where the plurality of electrode fingers 8b are formed as viewed from the bus bar electrodes 7b, 7d (plus side in the orthogonal direction D2).
  • the groove 10D is formed in parallel to the bus bar electrodes 7b and 7d at a predetermined distance i2 from the bus bar electrodes 7b and 7d when seen in a plan view.
  • the groove 10D is divided into two in the longitudinal direction, and is provided at a position different from the input / output wiring 9a so as to avoid the input / output wiring 9a.
  • the groove 10D may be formed longer than the total length of the bus bar electrodes 7b and 7d.
  • each of the grooves 10A to 10D is formed from the piezoelectric layer 4 to a part of the intermediate layer 3. Specifically, each of the grooves 10A to 10D has both side surfaces 10a and a bottom portion 10b. The bottom portion 10b does not reach the support substrate 2, and one of the other main surface 4b of the piezoelectric layer 4 and one of the support substrates 2 is provided. It is located between the main surface 2a.
  • the side surface 10a located near the outermost electrode finger 8b among the both side surfaces 10a of the groove 10A becomes the end surface 1a, and the outermost side of the both side surfaces 10a of the groove 10B.
  • the side surface 10a located near the electrode finger 8a becomes the end surface 1b.
  • the side surface 10a located near the bus bar electrodes 7a and 7c among the both side surfaces 10a of the groove 10C becomes the end surface 1c, and the side surface 10a of the groove 10D is near the bus bar electrodes 7b and 7d.
  • the side surface 10a located at 1 is the end surface 1d.
  • the end faces 1a and 1b facing each other can reflect the elastic wave propagating in the elastic wave propagation direction D1 and confine it between the end faces 1a and 1b.
  • the end faces 1c and 1d facing each other can reflect and confine the elastic wave propagating in a direction different from the elastic wave propagation direction D1 (for example, the orthogonal direction D2) between the end faces 1c and 1d.
  • the IDT electrode 5 is surrounded by the end faces 1a to 1d, and the omnidirectional acoustic waves along the one main surface 4a of the piezoelectric layer 4 are reflected by the end faces 1a to 1d, and the end faces 1a to 1d are reflected. It can be confined in the region surrounded by 1d.
  • the angle between the one main surface 4a and the end surface 1a (the angle formed on the groove 10A side) and the angle between the one main surface 4a and the end surface 1b (the angle formed on the groove 10B side) are each 70. It is desirable that the angle is not less than 90 degrees and not more than 90 degrees.
  • the angle between the one main surface 4a and the end surface 1c (the angle formed on the groove 10C side) and the angle between the one main surface 4a and the end surface 1d (the angle formed on the groove 10D side) are 70 respectively. It is desirable that the angle is not less than 90 degrees and not more than 90 degrees.
  • the elastic wave device 1 As a manufacturing method of the elastic wave device 1, for example, it can be manufactured by the following method. First, a laminated body in which the support substrate 2, the intermediate layer 3, the piezoelectric layer 4, and the IDT electrode 5 are laminated in this order is formed. Next, a part of the piezoelectric layer 4 and the intermediate layer 3 constituting the laminate is removed by etching. By this etching, grooves 10A to 10D are formed. As the etching method, it is desirable to perform etching by ICP-RIE method. When etching by the ICP-RIE method, the grooves 10A to 10D can be manufactured with high accuracy.
  • the elastic wave device 1 includes a piezoelectric substrate 11 and an IDT electrode 5 provided on the piezoelectric substrate 11.
  • the IDT electrode 5 is connected to the bus bar electrodes 7a, 7c (or 7b, 7d) extending in the elastic wave propagation direction D1 and the bus bar electrodes 7a, 7c (or 7b, 7d) in the orthogonal direction D2 of the elastic wave propagation direction D1. It has a plurality of electrode fingers 8a (or 8b) extending.
  • the piezoelectric substrate 11 has at least one or more grooves 10C, 10D formed along the elastic wave propagation direction D1, and each of the grooves 10C (or 10D) is a bus bar electrode 7a, 7c (or 7b) in the orthogonal direction D2. 7d), it is provided on the side opposite to the side where the plurality of electrode fingers 8a (or 8b) are formed.
  • the elastic wave propagating in a direction different from the elastic wave propagation direction D1 is transmitted to the side surfaces of the grooves 10C and 10D.
  • 10a end faces 1c and 1d
  • the elastic wave apparatus 1 it can suppress that the elastic wave which propagates in the direction different from an elastic wave propagation direction leaks outside.
  • the grooves 10C and 10D are not necessarily formed in the piezoelectric substrate 11 in a plurality.
  • the elastic wave device 1 has an effect of reflecting and returning an elastic wave propagating in a direction different from the elastic wave propagation direction D1 by having at least one groove.
  • the piezoelectric substrate 11 of the acoustic wave device 1 includes a support substrate 2, a piezoelectric layer 4 positioned on the support substrate 2, and an intermediate layer 3 provided between the support substrate 2 and the piezoelectric layer 4.
  • the IDT electrode 5 is provided on the piezoelectric layer 4.
  • Each of the grooves 10 ⁇ / b> C and 10 ⁇ / b> D is formed from the piezoelectric layer 4 to at least a part of the intermediate layer 3.
  • the grooves 10C and 10D are formed in at least a part of the piezoelectric layer 4 and the intermediate layer 3, so that the piezoelectric layer 4 and the intermediate layer 3 are compared with the case where the groove is provided only in the piezoelectric layer 4. Can be reflected by the grooves 10C and 10D. Thereby, it can suppress that the elastic wave which propagates in the direction different from an elastic wave propagation direction leaks outside.
  • the grooves 10 ⁇ / b> C and 10 ⁇ / b> D are not limited to a part in the thickness direction of the intermediate layer 3, and may be formed to a depth penetrating the intermediate layer 3.
  • the elastic wave device 1 of the present embodiment has a direction different from the elastic wave propagation direction even when the intermediate layer 3 is formed by the crystal grains G1 and the grain boundaries G2. Leakage of propagating elastic waves can be suppressed. For example, even when a part of the elastic wave propagating through the intermediate layer 3 is scattered by the grain boundary G2 and the elastic wave is propagated in a direction different from the elastic wave propagation direction D1, the elastic wave device 1 is provided with the grooves 10C, Since it has 10D, the said elastic wave can be reflected using the grooves 10C and 10D, and the elastic wave energy can be confined between the grooves 10C and 10D.
  • the IDT electrode 5 of the elastic wave device 1 is surrounded by a plurality of grooves 10C and 10D formed along the elastic wave propagation direction D1 and a plurality of grooves 10A and 10B formed along the orthogonal direction D2. It is.
  • the elastic wave device 1 has a structure in which the grooves 10A to 10D do not reach the other main surface 2b of the support substrate 2 and are not divided. That is, the acoustic wave device 1 has the outer groove substrate portions 11A, 11B, 11C, and 11D on the outer sides of the grooves 10A to 10D.
  • the out-groove substrate portions 11A to 11D are in contact with the piezoelectric substrate 11 and are made of the same material as the piezoelectric substrate 11. For example, when the piezoelectric substrate 11 is used as a mounting substrate, other elements and circuit portions can be provided on the out-groove substrate portions 11A to 11D.
  • this acoustic wave device 1 it is not necessary to reconnect with other elements and circuit parts, and electrical connection can be simplified. Further, since other elements and circuit portions can be provided on the out-of-groove substrate portions 11A to 11D, the electronic component on which the acoustic wave device 1 is mounted can be reduced in size.
  • [1-3. Modification 1] 4 is a cut-away side view of an elastic wave device 1A according to Modification 1 of Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a cut-away side view of an elastic wave device 1A according to Modification 1 of Embodiment 1.
  • the end surface 1c formed by the groove 10C is formed so as to be close to the bus bar electrodes 7a and 7c and flush with the side surfaces of the bus bar electrodes 7a and 7c.
  • the end face 1d formed by the groove 10D is formed so as to be close to the bus bar electrodes 7b and 7d and flush with the side surfaces of the bus bar electrodes 7b and 7d.
  • the acoustic wave device 1A can be reduced in size. Further, since the elastic wave propagating in a direction different from the elastic wave propagation direction D1 can be reflected at a position close to the bus bar electrodes 7a to 7d, the elastic wave can be efficiently confined.
  • FIG. 5 is a cut side view of elastic wave device 1B according to Modification 2 of Embodiment 1.
  • FIG. 5 is a cut side view of elastic wave device 1B according to Modification 2 of Embodiment 1.
  • each of the grooves 10C and 10D is formed from the piezoelectric layer 4 through the intermediate layer 3 to a part of the support substrate 2.
  • the grooves 10 ⁇ / b> C and 10 ⁇ / b> D are formed from the one main surface 4 a of the piezoelectric layer 4 to the depth between the one main surface 2 a and the other main surface 2 b of the support substrate 2.
  • the elastic wave device 1B according to the modified example 2 since the grooves 10C and 10D are formed up to a part of the support substrate 2, distortion due to temperature change can be reduced. Moreover, when the elastic wave has oozed out to the support substrate 2, the confinement efficiency of the elastic wave can be further improved by bringing the grooves 10C and 10D to a part of the support substrate 2.
  • the intermediate layer 3 may be configured by the low sonic velocity film 34, and the support substrate 2 may be configured by the high sonic velocity support substrate.
  • the low sound velocity film is a film in which the propagating bulk wave sound velocity is lower than the elastic wave sound velocity propagating through the piezoelectric layer 4.
  • the high sound velocity support substrate is a support substrate in which the propagating bulk wave sound velocity is higher than the elastic wave sound velocity propagating through the piezoelectric layer 4.
  • a low sound velocity film having a relatively low sound velocity is laminated on a high sound velocity support substrate, and a piezoelectric layer 4 is laminated on the low sound velocity film.
  • the intermediate layer 3 may be patterned with a low sound velocity film in a region in which an elastic wave propagates (for example, just below a region where the IDT electrode 5 and the reflector are present).
  • An appropriate material for example, SiO 2
  • SiO 2 may be formed outside the region where the elastic wave propagates (for example, outside the region outside the IDT electrode 5).
  • an appropriate material may be formed between the intermediate layer 3 and the high acoustic velocity support substrate.
  • the above high-sonic support substrate has a function of confining elastic wave energy in the high-sonic support substrate. That is, the elastic wave energy can be confined in a region above the upper side of the high sound velocity support substrate (region including the piezoelectric layer and the low sound velocity film).
  • the low acoustic velocity film is made of silicon oxide, glass, silicon oxynitride, tantalum oxide, a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide, or a material mainly composed of the above materials.
  • High-speed support substrates include aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, quartz and other piezoelectric materials, alumina, zirconia, cordierite, mullite, steatite, forte It consists of any of various ceramics such as stellite, magnesia diamond, a material mainly composed of each of the above materials, and a material mainly composed of a mixture of the above materials.
  • the grooves 10A to 10D are formed from one main surface 4a of the piezoelectric layer 4 through the low acoustic velocity film to a part of the high acoustic velocity support substrate.
  • the elastic wave energy is a region above the upper side of the high sound velocity support substrate (region including the piezoelectric layer 4 and the low sound velocity film). Therefore, it is desirable that the grooves 10A to 10D are formed up to a part of the high sound velocity support substrate.
  • the piezoelectric layer 4 and the intermediate layer 3 are removed by etching.
  • a part of the support substrate 2 is removed by dicing to form the grooves 10C and 10D.
  • the grooves 10 ⁇ / b> C and 10 ⁇ / b> D extending from the piezoelectric layer 4 to a part of the support substrate 2 can be formed.
  • FIG. 6 is a plan view of the acoustic wave device 1C according to the second embodiment.
  • two IDT electrodes 5 and 5t are arranged side by side in the orthogonal direction D2. Then, grooves 10A, 10B, 10C, and 10D are formed corresponding to one IDT electrode 5, and grooves 10At, 10Bt, 10Ct, and 10Dt are formed corresponding to the other IDT electrode 5t.
  • the configuration of the other IDT electrode 5t is substantially the same as that of the IDT electrode 5 of the first embodiment, and redundant description is omitted.
  • the configuration of each of the grooves 10At, 10Bt, 10Ct, and 10Dt corresponding to the other IDT electrode 5t is substantially the same as the grooves 10A, 10B, 10C, and 10D of the first embodiment, and redundant description is omitted.
  • the IDT electrodes 5 and 5t are connected in series via the input / output wiring 9a.
  • the comb-like electrode 6b of the IDT electrode 5 and the comb-like electrode 6c of the IDT electrode 5t are connected by the input / output wiring 9a.
  • an input / output wiring 9 b is connected to the comb-like electrode 6 c of the IDT electrode 5.
  • the input / output wiring 9c is connected to the comb-like electrode 6b of the IDT electrode 5t.
  • the groove 10Ct is provided so as to avoid the input / output wiring 9a
  • the groove 10Dt is provided so as to avoid the input / output wiring 9c. That is, the grooves 10Ct and 10Dt are provided at positions different from the input / output wirings 9a and 9c.
  • the elastic wave device 1C includes a piezoelectric substrate 11, and an IDT electrode 5 and an IDT electrode 5t provided on the piezoelectric substrate 11.
  • the IDT electrodes 5 and 5t are connected to the bus bar electrodes 7a and 7c (or 7b and 7d) extending in the elastic wave propagation direction D1 and the bus bar electrodes 7a and 7c (or 7b and 7d) and are orthogonal to the elastic wave propagation direction D1. It has a plurality of electrode fingers 8a (or 8b) extending in D2.
  • the piezoelectric substrate 11 has a plurality of grooves 10C, 10D and a plurality of grooves 10Ct, 10Dt formed along the elastic wave propagation direction D1, and each of the plurality of grooves 10C (or 10D, 10Ct, 10Dt) In the orthogonal direction D2, when viewed from the bus bar electrodes 7a, 7c (or 7b, 7d), they are provided on the side opposite to the side where the plurality of electrode fingers 8a (or 8b) are formed.
  • the grooves 10C, 10D, 10Ct, and 10Dt are provided corresponding to the IDT electrodes 5 and 5t, respectively, so that they are different from the elastic wave propagation direction D1.
  • the elastic wave propagating in the direction can be reflected by the end faces 1c and 1d of the grooves 10C and 10D or the end faces 1c and 1d of the grooves 10Ct and 10Dt, and can be confined between the grooves 10C and 10D or between the grooves 10Ct and 10Dt. Thereby, it can suppress that an elastic wave leaks outside.
  • FIG. 7A is a plan view of elastic wave device 1D according to Embodiment 3.
  • FIG. 7A is a plan view of elastic wave device 1D according to Embodiment 3.
  • the input / output wiring 9a is formed around the groove 10D.
  • the configurations of the IDT electrodes 5 and 5t in the acoustic wave device 1D are substantially the same as those in the second embodiment, and a duplicate description is omitted.
  • this acoustic wave device 1D there is one groove 10D located between one IDT electrode 5 and the other IDT electrode 5t, and the groove 10D is shared by the IDT electrode 5 and the IDT electrode 5t.
  • the comb-like electrode 6b of the IDT electrode 5 and the comb-like electrode 6c of the IDT electrode 5t are connected by an input / output wiring 9a.
  • the input / output wiring 9a is formed so as to avoid the groove 10D.
  • the elastic wave device 1D has a plurality of grooves 10C, 10D, and 10Dt formed along the elastic wave propagation direction D1, and each of the plurality of grooves 10C (or 10D, 10Dt) is orthogonal.
  • the direction D2 when viewed from the bus bar electrodes 7a, 7c (or 7b, 7d), they are provided on the side opposite to the side where the plurality of electrode fingers 8a (or 8b) are formed.
  • the two IDT electrodes 5 and 5t are provided, by providing the grooves 10C, 10D, and 10Dt corresponding to the IDT electrodes 5 and 5t, respectively, in a direction different from the elastic wave propagation direction D1.
  • the propagating elastic wave can be reflected by the end faces 1c, 1d of the grooves 10C, 10D or the end faces 1c, 1d of the grooves 10D, 10Dt and confined between the grooves 10C, 10D or between the grooves 10D, 10Dt. Thereby, it can suppress that an elastic wave leaks outside.
  • FIG. 7B is a plan view of an elastic wave device 1E according to a modification of the third embodiment.
  • the input / output wiring is led out from the bus bar electrode and formed around the grooves 10C, 10D, and 10Dt.
  • Each of the grooves 10C, 10D, and 10Dt is formed by a single groove.
  • the input / output wiring 9b is drawn out from the bus bar electrode 7a of the IDT electrode 5 so as to bypass the groove 10C.
  • the input / output wiring 9a is drawn from the bus bar electrode 7c of the IDT electrode 5t, bypasses the groove 10D, and is connected to the bus bar electrode 7d of the IDT electrode 5.
  • the input / output wiring 9c bypasses the groove 10Dt and is connected to the bus bar electrode 7b of the IDT electrode 5t.
  • the grooves 10C, 10D, and 10Dt are provided corresponding to the IDT electrodes 5 and 5t, respectively, so that the elastic wave propagating in a direction different from the elastic wave propagation direction D1 is transmitted to the grooves 10C and 10D. Can be confined between the grooves 10C and 10D or between the grooves 10D and 10Dt. Thereby, it can suppress that an elastic wave leaks outside.
  • the groove 10D between the IDT electrodes 5 and 5t as one, the dimension in the orthogonal direction D2 of the elastic wave device 1E can be reduced, and the elastic wave device 1E can be downsized.
  • FIG. 8 is a cut side view of elastic wave device 1F according to the fourth embodiment. This cut side view is a side view when the elastic wave device 1F is cut at the same position as the cut surface shown in FIG. 2C.
  • the intermediate layer 3 is constituted by a high sonic film 33 and a low sonic film 34. Specifically, a high sound velocity film 33 having a relatively high sound velocity is laminated on the support substrate 2, and a low sound velocity film 34 having a relatively low sound velocity is laminated on the high sound velocity film 33. A piezoelectric layer 4 is laminated.
  • the high sound velocity film 33 and the low sound velocity film 34 may be patterned in a region where the elastic wave propagates (for example, just below the region where the IDT electrode 5 and the reflector exist).
  • An appropriate material, for example, SiO 2 may be formed outside the region where the elastic wave propagates (for example, outside the region outside the IDT electrode 5). Further, an appropriate material may be formed between the intermediate layer 3 and the support substrate 2.
  • the high sound velocity film 33 has a function of confining the elastic wave in the portion where the piezoelectric layer 4 and the low sound velocity film 34 are laminated so that the elastic wave does not leak below the high sound velocity film 33.
  • the high acoustic velocity film 33 is made of, for example, aluminum nitride.
  • aluminum nitride aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride, DLC film or diamond, a medium containing these materials as a main component, and a mixture of these materials as main components.
  • Various high sound speed materials such as a medium to be used can be used.
  • the high acoustic velocity film 33 is thicker, more than 0.1 times the wavelength ⁇ of the acoustic wave. It is desirable that it is 5 times or more.
  • the low sound velocity film 34 is made of silicon oxide.
  • the material constituting the low acoustic velocity film 34 an appropriate material having a bulk acoustic wave velocity lower than that of the bulk wave propagating through the piezoelectric layer 4 can be used.
  • a medium containing the above material as a main component such as silicon oxide, glass, silicon oxynitride, tantalum oxide, or a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide can be used.
  • the high sound velocity film 33 refers to a film in which the acoustic velocity of the bulk wave in the high sound velocity film 33 is higher than that of the surface wave or boundary wave that propagates through the piezoelectric layer 4.
  • the low sound velocity film 34 is a film in which the sound velocity of the bulk wave in the low sound velocity film 34 is lower than the bulk wave propagating through the piezoelectric layer 4.
  • the grooves 10A to 10D are formed from one main surface 4a of the piezoelectric layer 4 through the low sound velocity film 34 to a part of the high sound velocity film 33.
  • the intermediate layer 3 has a structure in which the low sound velocity film 34 is laminated on the high sound velocity film 33 as in the present embodiment, it is desirable that the grooves 10A to 10D are formed up to a part of the high sound velocity film 33.
  • the elastic wave propagated from the piezoelectric layer 4 to the low sound velocity film 34 is converted to the high sound velocity film 33. It can be reflected at the interface with the low acoustic velocity film 34 and returned to the piezoelectric layer 4. Thereby, elastic wave energy can be efficiently confined in the piezoelectric layer 4.
  • FIG. 9 is a cut-away side view of the elastic wave device 1G according to the fifth embodiment. This cut side view is a side view when the elastic wave device 1F is cut at the same position as the cut surface shown in FIG. 2C.
  • the intermediate layer 3 is an acoustic reflection layer having a plurality of acoustic impedance layers.
  • the intermediate layer 3 includes low acoustic impedance layers 42a, 42c, 42e, and 42g, and high acoustic impedance layers 42b, 42d, and 42f.
  • the low acoustic impedance layers 42a, 42c, 42e, and 42g and the high acoustic impedance layers 42b, 42d, and 42f are patterned in the region where the elastic wave propagates (for example, just below the region where the IDT electrode 5 and the reflector exist).
  • An appropriate material for example, SiO 2 may be formed outside the region where the elastic wave propagates (for example, the region outside the IDT electrode 5). Further, an appropriate material may be formed between the intermediate layer 3 and the support substrate 2.
  • the acoustic impedance of the high acoustic impedance layers 42b, 42d, and 42f is higher than that of the low acoustic impedance layers 42a, 42c, 42e, and 42g.
  • the low acoustic impedance layer 42a is laminated on the one principal surface 2a of the support substrate 2, and the high acoustic impedance layers 42b, 42d, and 42f and the low acoustic impedance layers 42c, 42e, and 42g are formed thereon. Are alternately arranged in the stacking direction.
  • the elastic wave propagated from the piezoelectric layer 4 to the intermediate layer 3 is reflected at the interfaces of the high acoustic impedance layers 42b, 42d, and 42f, which are the upper surfaces of the low acoustic impedance layers 42a, 42c, and 42e, and returned to the piezoelectric layer 4. be able to. Thereby, elastic wave energy can be efficiently confined in the piezoelectric layer 4.
  • Low acoustic impedance layers 42a, 42c, 42e, 42 g is constituted by SiO 2.
  • the low acoustic impedance layers 42a, 42c, 42e, and 42g may be made of SiO 2 or Al. These may be used alone or in combination.
  • the high acoustic impedance layers 42b, 42d, and 42f are made of SiN. However, the high acoustic impedance layers 42b, 42d, and 42f may be made of W, Pt, LT, Al 2 O 3 , Ta 2 O 5 , LN, AlN, ZnO, or the like. These may be used alone or in combination.
  • the layer located closest to the support substrate 2 in the stacking direction is formed of SiO 2 that is the low acoustic impedance layer 42a. Therefore, in the acoustic wave device 1G, the adhesion between the intermediate layer 3 and the support substrate 2 is enhanced.
  • the acoustic wave device 1G has the grooves 10C and 10D. Therefore, an elastic wave propagating in a direction different from the elastic wave propagation direction D1 can be reflected and confined between the grooves 10C and 10D.
  • the grooves 10A to 10D are formed from one main surface 4a of the piezoelectric layer 4 to a part of the low acoustic impedance layer 42a. This is because the elastic wave propagated from the piezoelectric layer 4 to the intermediate layer 3 is reflected by the interfaces of the high acoustic impedance layers 42b, 42d, and 42f, which are the upper surfaces of the low acoustic impedance layers 42a, 42c, and 42e. This is because it is not necessary to extend the groove to the support substrate 2 because it can be returned.
  • the intermediate layer 3 has a multilayer structure as in the present embodiment, it is desirable that the grooves 10A to 10D are formed up to a part of the layer located closest to the support substrate 2 in the stacking direction.
  • the grooves 10A to 10D may be formed from one main surface 4a of the piezoelectric layer 4 to between the one main surface 2a and the other main surface 2b of the support substrate 2.
  • the intermediate layer 3, and the support substrate 2 are different from each other, distortion due to temperature change is likely to occur due to the difference in the linear expansion coefficient among the materials. By being formed, strain due to temperature change can be reduced.
  • the number of laminated low acoustic impedance layers and high acoustic impedance layers is not particularly limited. Further, the low acoustic impedance layer and the high acoustic impedance layer may not be alternately arranged in the stacking direction. However, from the viewpoint of increasing the confinement efficiency of elastic waves in the piezoelectric layer 4, at least one of the low acoustic impedance layers is provided closer to the piezoelectric layer 4 than at least one of the high acoustic impedance layers. Is desirable.
  • FIG. 10 is a circuit configuration diagram showing the front-end circuit 108 and the communication device 109 according to the sixth embodiment.
  • the first filter 111 and the second filter 112 include the elastic wave device 1 according to the first embodiment.
  • an LNA Low Noise
  • Amplifier 103 is provided in order to switch the connection state with the antenna element 102.
  • a multiport switch 105 is provided between the first filter 111 and the antenna common terminal 115 and between the second filter 112 and the antenna common terminal 115.
  • the multi-port switch 105 is a switch that can be turned ON / OFF at the same time.
  • the first filter 111 is a reception filter.
  • the present invention is not limited to this, and the first filter 111 including the elastic wave device 1 may be a transmission filter.
  • the communication device 109 capable of transmitting and receiving can be configured.
  • each filter constituting the front end circuit 108 and the communication device 109 is not limited to a surface acoustic wave filter, and may be a boundary acoustic wave filter. Also by this, the effect similar to the effect which the elastic wave apparatus 1 etc. which concern on the said embodiment has is show
  • the acoustic wave devices 1 to 1G, the front end circuit 108, and the communication device 109 according to the present invention have been described based on the embodiments and the modified examples.
  • the present invention is limited to the above-described embodiments and modified examples. It is not something.
  • Other embodiments realized by combining arbitrary components in the above-described embodiments and modifications, and various modifications conceived by those skilled in the art without departing from the gist of the present invention to the above-described embodiments. Variations obtained and various devices incorporating the acoustic wave device according to the present invention are also included in the present invention.
  • FIG. 11 is a cut side view of an elastic wave device 1H according to another embodiment. This cut side view is a side view when the elastic wave device 1H is cut at the same position as the cut surface shown in FIG. 2B.
  • each of the grooves 10A and 10B is formed only in the intermediate layer 3. Specifically, the grooves 10 ⁇ / b> A and 10 ⁇ / b> B are not formed in the piezoelectric layer 4 but are formed in a part of the intermediate layer 3.
  • grooves 10A and 10B are formed in the intermediate layer 3 of the piezoelectric substrate 11, and an elastic wave propagating in the elastic wave propagation direction D1 is reflected using the end face 1a of the groove 10A and the end face 1b of the groove 10B. The elastic wave is confined between the groove 10A and the groove 10B.
  • wiring can be easily routed, and a reflector can be installed on the piezoelectric substrate 11. Moreover, it becomes possible to arrange
  • the intermediate layer 3 can be sealed with the piezoelectric layer 4, for example, when the intermediate layer 3 is formed of SiO 2 , deterioration of the intermediate layer 3 can be suppressed.
  • the grooves 10A and 10B only need to be formed in at least a part of the intermediate layer 3.
  • FIG. 12 is a cut side view of the elastic wave device 1I according to another embodiment. This cut side view is a side view when the elastic wave device 1I is cut at the same position as the cut surface shown in FIG. 2C.
  • each of the grooves 10 ⁇ / b> C and 10 ⁇ / b> D is formed only in the intermediate layer 3. Specifically, the grooves 10 ⁇ / b> C and 10 ⁇ / b> D are not formed in the piezoelectric layer 4 but are formed in a part of the intermediate layer 3.
  • grooves 10C and 10D are formed in the intermediate layer 3 of the piezoelectric substrate 11, and the end face 1c of the groove 10C and the end face 1d of the groove 10D are used in a direction (for example, orthogonal direction) different from the acoustic wave propagation direction D1.
  • the elastic wave propagating to D2) is reflected, and the elastic wave is confined between the groove 10C and the groove 10D.
  • the intermediate layer 3 can be sealed with the piezoelectric layer 4, for example, when the intermediate layer 3 is formed of SiO 2 , deterioration of the intermediate layer 3 can be suppressed.
  • the grooves 10 ⁇ / b> C and 10 ⁇ / b> D may be formed in at least a part of the intermediate layer 3.
  • the piezoelectric substrate 11 includes the piezoelectric layer 4, the support substrate 2, and the intermediate layer 3.
  • the piezoelectric substrate 11 is not limited thereto, and the piezoelectric substrate 11 is integrally formed, for example, formed of a piezoelectric ceramic material. Also good.
  • the pair of grooves 10A and 10B are provided outside the IDT electrode 5, but the present invention is not limited to this, and a pair of reflectors may be provided in place of the grooves 10A and 10B.
  • the elastic wave device has the grooves 10C and 10D facing each other in the orthogonal direction D2, and therefore leakage of elastic waves in a direction different from the elastic wave propagation direction D1 can be suppressed.
  • the acoustic wave device having the grooves 10C and 10D can be downsized, for example, as compared to a case where a pair of reflectors are provided outside the IDT electrode 5 in the orthogonal direction D2.
  • the IDT electrodes 5 of the acoustic wave devices 1 to 1G in the present embodiment may be a longitudinally coupled type, a laterally coupled type, or a transversal type.
  • the input / output wirings 9a to 9c on the piezoelectric substrate are connected to the IDT electrodes 5 and 5t.
  • the present invention is not limited to this. Good.
  • the acoustic wave device 1 may have a configuration in which the piezoelectric thin film does not have a groove (end face) and only the intermediate layer has a groove (end face).
  • the intermediate layer refers to a layer (including a plurality of layers) from the layer immediately below the piezoelectric thin film to the support substrate. Also in this case, the elastic wave existing in the intermediate layer can be reflected by the groove (end face) of the intermediate layer, and the elastic wave confinement efficiency can be improved.
  • the elastic wave device of the present invention is widely used in various electronic devices and communication devices.
  • Examples of the electronic device include a sensor.
  • Examples of the communication device include a duplexer including the elastic wave device of the present invention, a communication module device including a PA, an LNA, and a switch, a mobile communication device including the communication module device, a healthcare communication device, and the like.
  • Examples of mobile communication devices include mobile phones, smartphones, car navigation systems, and the like.
  • Examples of health care communication devices include a weight scale and a body fat scale.
  • Health care communication devices and mobile communication devices include an antenna, an RF module, an LSI, a display, an input unit, a power source, and the like.

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Abstract

弾性波装置（１）は、圧電基板（１１）と、圧電基板（１１）に設けられたＩＤＴ電極（５）と、を備える。ＩＤＴ電極（５）は、弾性波伝搬方向（Ｄ１）に延びるバスバー電極（７ａ、７ｃ（あるいは７ｂ、７ｄ））と、バスバー電極（７ａ、７ｃ（あるいは７ｂ、７ｄ））に接続されて弾性波伝搬方向（Ｄ１）の直交方向（Ｄ２）に延びる複数の電極指（８ａ（あるいは８ｂ））とを有している。圧電基板（１１）は、弾性波伝搬方向（Ｄ１）に沿って形成された溝（１０Ｃ、１０Ｄ）を有し、溝（１０Ｃ（あるいは１０Ｄ））は、直交方向（Ｄ２）においてバスバー電極（７ａ、７ｃ（あるいは７ｂ、７ｄ））から見て、複数の電極指（８ａ（あるいは８ｂ））が形成されている側と反対側に設けられている。

Description

弾性波装置、フロントエンド回路および通信装置
　本発明は、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極を有する弾性波装置、この弾性波装置を有するフロントエンド回路および通信装置に関する。
　従来、共振子や帯域フィルタとして弾性波装置が広く用いられている。
　この弾性波装置の一例として、特許文献１には、互いに対向する一対の端面で弾性波を反射する端面反射型の弾性波装置が開示されている。特許文献１の弾性波装置では、弾性波伝搬方向において、ＩＤＴ電極の両外側に溝を設けることで、対向する一対の端面を形成している。そして、この一対の端面を用いて弾性波を反射することで、弾性波伝搬方向に伝搬する弾性波を弾性波装置内に閉じ込めている。
国際公開第２００５／０５０８３６号
　しかしながら、特許文献１に示す弾性波装置では、弾性波伝搬方向に伝搬する弾性波を反射し閉じ込めることはできるが、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波を閉じ込めることができず、弾性波が弾性波装置の外部に漏洩するという問題がある。
　そこで本発明は、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる弾性波装置等を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板に設けられたＩＤＴ電極と、を備える弾性波装置であって、ＩＤＴ電極は、弾性波伝搬方向に延びるバスバー電極と、バスバー電極に接続されて弾性波伝搬方向の直交方向に延びる複数の電極指とを有し、圧電基板は、弾性波伝搬方向に沿って形成された、少なくとも１以上の溝を有し、少なくとも１以上の溝は、直交方向においてバスバー電極から見て、複数の電極指が形成されている側と反対側に設けられている。
　このように、弾性波装置は、弾性波伝搬方向に沿って形成された溝を有しているので、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波を、溝を用いて反射することができる。これにより、弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　また、少なくとも１以上の溝は、複数の溝で構成され、複数の溝は、直交方向に互いに対向していてもよい。
　これによれば、弾性波装置は、直交方向に互いに対向する複数の溝を有しているので、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波を、溝を用いて反射し、複数の溝の間に閉じ込めることができる。これにより、弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　また、圧電基板は、支持基板と、支持基板上に位置する圧電層と、支持基板と圧電層との間に設けられた中間層と、を有し、ＩＤＴ電極は、圧電層上に設けられ、少なくとも１以上の溝は、圧電層から中間層の少なくとも一部に至るまで形成されていてもよい。
　これによれば、圧電層、および、中間層の少なくとも一部を伝搬する弾性波を、溝を用いて反射することができる。これにより、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　また、圧電基板は、支持基板と、支持基板上に位置する圧電層と、支持基板と圧電層との間に設けられた中間層と、を有し、ＩＤＴ電極は、圧電層上に設けられ、少なくとも１以上の溝は、圧電層には形成されず、中間層の少なくとも一部に形成されていてもよい。
　これによれば、中間層の少なくとも一部を伝搬する弾性波を、溝を用いて反射することができる。これにより、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　また、弾性波装置の中間層は、粒界を有していてもよい。
　例えば、中間層を伝搬する弾性波の一部が粒界によって散乱し、弾性波伝搬方向と異なる方向に弾性波が伝搬する場合であっても、本発明の弾性波装置は、弾性波伝搬方向に沿って形成された溝を有しているので、上記弾性波を反射することができる。これにより、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　また、中間層は、圧電層に接していてもよい。
　これによって、圧電層を伝搬する弾性波のエネルギーが、厚み方向に漏洩するのを防止することができる。
　また、中間層が粒界を有している場合には、圧電層に接する中間層を伝搬する弾性波の一部が散乱し、弾性波伝搬方向と異なる方向に弾性波が伝搬する場合であっても、本発明の弾性波装置は、弾性波伝搬方向の直交方向に互いに対向する溝を有しているので、上記弾性波を反射することができる。これにより、弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　また、中間層は、１または複数のＳｉＯ２層を含んでいてもよい。
　例えば、ＳｉＯ２層を伝搬する弾性波の一部が散乱し、弾性波伝搬方向と異なる方向に弾性波が伝搬される場合であっても、本発明の弾性波装置は、弾性波伝搬方向に沿って形成された溝を有しているので、上記弾性波を反射することができる。これにより、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　また、中間層は、圧電層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速であり、支持基板は、圧電層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速であってもよい。
　これによれば、圧電層から中間層に伝搬した弾性波を、支持基板と中間層との界面で反射し、圧電層に戻すことができる。これにより、弾性波エネルギーを圧電層内に効率的に閉じ込めることができる。
　また、中間層は、圧電層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、圧電層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速膜とを有し、低音速膜は、圧電層と支持基板との間に設けられ、高音速膜は、低音速膜と支持基板との間に設けられていてもよい。
　これによれば、圧電層から低音速膜に伝搬した弾性波を、高音速膜と低音速膜との界面で反射し、圧電層に戻すことができる。これにより、弾性波エネルギーを圧電層内に効率的に閉じ込めることができる。
　また、中間層は、低音響インピーダンス層、および、低音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層のそれぞれが、少なくとも１層以上積層されており、低音響インピーダンス層の少なくとも１層は、高音響インピーダンス層よりも圧電層側に設けられていてもよい。
　これによれば、圧電層から中間層に伝搬した弾性波を、低音響インピーダンス層と高音響インピーダンス層との界面で反射し、圧電層に戻すことができる。これにより、弾性波エネルギーを圧電層内に効率的に閉じ込めることができる。
　また、少なくとも１以上の溝は、圧電層から中間層を経て支持基板の一部に至るまで形成されている。
　このように、溝を支持基板の一部に至るまで形成することで、圧電層および中間層を伝搬する弾性波を、溝を用いて反射することができる。これにより、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　また、圧電基板には、ＩＤＴ電極に接続する入出力配線が設けられ、少なくとも１以上の溝は、入出力配線と異なる位置に設けられていてもよい。
　これによれば、入出力配線の引き回しによる配線ロスを抑制しつつ、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波を、溝を用いて反射することができる。これにより、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　また、圧電基板には、ＩＤＴ電極に接続する入出力配線が設けられ、入出力配線は、溝を迂回して形成されていてもよい。
　これによれば、溝の長さを長くすることができ、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波を、広い範囲で反射することができる。これにより、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　さらに、圧電基板は、直交方向に沿って形成された、少なくとも１以上の溝を有し、直交方向に形成された少なくとも１以上の溝は、弾性波伝搬方向において、複数の電極指の最外に位置する電極指よりも外側に設けられていてもよい。
　このように、弾性波装置は、直交方向に沿って形成された溝を有しているので、弾性波伝搬方向に伝搬する弾性波を、溝の側面で反射することができる。これにより、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　また、直交方向に沿って形成された少なくとも１以上の溝は、複数の溝で構成され、当該複数の溝は、弾性波伝搬方向に互いに対向していてもよい。
　これによれば、弾性波装置は、弾性波伝搬方向に互いに対向する複数の溝を有しているので、弾性波伝搬方向に伝搬する弾性波を、溝を用いて反射し、複数の溝の間に閉じ込めることができる。これにより、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　また、ＩＤＴ電極は、弾性波伝搬方向に沿って形成された複数の溝と、直交方向に沿って形成された複数の溝と、によって囲まれていてもよい。
　これにより、圧電層の主面に沿う全方位の弾性波を、溝を用いて反射し、複数の溝で囲まれた領域内に閉じ込めることができる。これにより、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　また、本発明の一態様に係るフロントエンド回路は、上記弾性波装置を備える。
　これにより、弾性波の漏洩が抑制されたフロントエンド回路を提供することができる。
　また、本発明の一態様に係る通信装置は、高周波信号を処理する信号処理回路と、上記フロントエンド回路と、を備える。
　これにより、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波の漏洩が抑制された通信装置を提供することができる。
　本発明によれば、弾性波装置、高周波フロントエンド回路、または通信装置における弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波の外部への漏洩を抑制することができる。
図１は、実施の形態１に係る弾性波装置の斜視図である。 図２Ａ、実施の形態１に係る弾性波装置の平面図である。 図２Ｂは、図２Ａの弾性波装置をＩＩＢ－ＩＩＢ線で切断した場合の切断面を示す切断正面図である。 図２Ｃは、図２Ａの弾性波装置をＩＩＣ－ＩＩＣ線で切断した場合の切断面を示す切断側面図である。 図３は、実施の形態１に係る弾性波装置の中間層を弾性波が伝搬する様子を示す図である。 図４は、実施の形態１の変形例１に係る弾性波装置の切断側面図である。 図５は、実施の形態１の変形例２に係る弾性波装置の切断側面図である。 図６は、実施の形態２に係る弾性波装置の平面図である。 図７Ａは、実施の形態３に係る弾性波装置の平面図である。 図７Ｂは、実施の形態３の変形例に係る弾性波装置の平面図である。 図８は、実施の形態４に係る弾性波装置の切断側面図である。 図９は、実施の形態５に係る弾性波装置の切断側面図である。 図１０は、実施の形態６に係るフロントエンド回路および通信装置を示す回路構成図である。 図１１は、その他の形態における弾性波装置の切断側面図である。 図１２は、その他の形態における弾性波装置の切断側面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、実施の形態および図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
　（実施の形態１）
　［１－１．弾性波装置の構成］
　図１は、実施の形態１に係る弾性波装置１の斜視図である。図２Ａは、弾性波装置１の平面図である。図２Ｂは、図２Ａの弾性波装置１をＩＩＢ－ＩＩＢ線で切断した場合の切断面を示す切断正面図である。図２Ｃは、図２Ａの弾性波装置１をＩＩＣ－ＩＩＣ線で切断した場合の切断面を示す切断側面図である。
　弾性波装置１は、図１、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、弾性波伝搬方向Ｄ１に互いに対向する一対の端面１ａ、１ｂを有する。また、弾性波装置１は、図１、図２Ａおよび図２Ｃに示すように、弾性波伝搬方向Ｄ１の直交方向Ｄ２に互いに対向する一対の端面１ｃ、１ｄを有する。弾性波装置１は、端面１ａ～１ｄを用いて弾性表面波を反射させる端面反射型の弾性波装置である。
　弾性波装置１は、圧電基板１１と、圧電基板１１に設けられた櫛歯状電極６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄを有するＩＤＴ電極５とを備える。圧電基板１１は、支持基板２と、支持基板２上に設けられた中間層３と、中間層３上に設けられた圧電層４とによって構成される。ＩＤＴ電極５は、圧電層４上に設けられている。
　支持基板２は、図２Ｂおよび図２Ｃに示すように、互いに対向する一方主面２ａおよび他方主面２ｂを有する。支持基板２は、圧電層４を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速となる材料によって形成される。支持基板２の材料としては、例えば、Ｓｉなどの半導体、サファイア、ＬｉＴａＯ３（以下、「ＬＴ」と称する）、ＬｉＮｂＯ３（以下、「ＬＮ」と称する）、ガラスなどが挙げられる。これらの材料は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。
　中間層３は、支持基板２の一方主面２ａ上に設けられている。また、中間層３は、後述する圧電層４の直下に位置し、圧電層４に接している。中間層３が圧電層に接していることで、圧電層４を伝搬する弾性波のエネルギーが、厚み方向に漏洩するのを防止することができる。
　中間層３は、圧電層４を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速となる材料によって形成される。中間層３は、例えば、多結晶、アモルファスまたは一軸配向された膜により形成され、結晶粒子Ｇ１および粒界Ｇ２を有している（図３参照）。
　具体的には、中間層３はＳｉＯ２層により形成されている。もっとも、中間層３を形成する材料としては、ＳｉＯ２の他に、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどを用いることができる。これらは、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。また、支持基板２との密着性を高める観点からは、中間層３を構成する材料として、ＳｉＯ２を用いることが望ましい。
　なお、中間層３は、複数の層が積層された多層構造を有していてもよい。その場合には、積層方向において、最も支持基板２側に位置する層が、ＳｉＯ２により構成されることが望ましい。さらに、中間層３は弾性波が伝搬する領域（例えば、ＩＤＴ電極５や反射器が存在する領域）の直下のみにパターニングされた中間層３があってもよい。そして、弾性波の伝搬する領域外（例えば、ＩＤＴ電極５の外側の領域）に形成された中間層３からなるものであってもよい。すなわち図２Ｂ、２Ｃに示す中間層３は面内で同一の構造を取っていなくても良い。この場合、波を伝搬する領域直下に形成された中間層３は上に述べた適宜の材料であることが好ましく、弾性波を伝搬する領域外に形成された中間層３は任意の材料であって良い。
　圧電層４は、中間層３上に設けられている。圧電層４は薄膜状であり、圧電層４の厚みは、弾性波の波長をλとした場合に、例えば、厚み１λであることが望ましい。その場合、弾性波をより励振させることができる。
　圧電層４は、互いに対向する一方主面４ａおよび他方主面４ｂを有している。圧電層４の他方主面４ｂは、中間層３側に位置している。圧電層４は、ＬＴにより構成されている。もっとも、圧電層４を構成する材料としては、ＬＮなどの他の圧電単結晶を用いてもよいし、圧電セラミックスを用いてもよい。
　ＩＤＴ電極５は、圧電層４の一方主面４ａ上に設けられている。弾性波装置１は、ＩＤＴ電極５により励振される弾性波として、ＳＨ波を主成分とする弾性表面波を利用している。もっとも励振される波は、ＳＨ波またはラム波（Ｓ０モード、Ｓ１モード、Ａ１モード、Ａ０モード）などの板波を含む弾性波であれば良い。ここで言う板波とは、励振される板波の波長を１λとした場合に、膜厚１λ程度以下の圧電薄板に励振される種々の波を総称している。以下の「板波」も同様の意味である。
　図１および図２Ａに示すように、ＩＤＴ電極５の一部である一対の櫛歯状電極６ａ、６ｂは互いに対向している。また、ＩＤＴ電極５の一部である一対の櫛歯状電極６ｃ、６ｄは互いに対向している。櫛歯状電極６ａ、６ｂのそれぞれは、弾性波伝搬方向Ｄ１に延びるバスバー電極７ａ、７ｂと、直交方向Ｄ２に延びる複数の電極指８ａ、８ｂとを有している。櫛歯状電極６ｃ、６ｄのそれぞれは、弾性波伝搬方向Ｄ１に延びるバスバー電極７ｃ、７ｄと、直交方向Ｄ２に延びる複数の電極指８ａ、８ｂとを有している。複数の電極指８ａは、バスバー電極７ａ、７ｃに接続されており、複数の電極指８ｂは、バスバー電極７ｂ、７ｄに接続されている。複数の電極指８ａと複数の電極指８ｂとは、互いに間挿し合っている。複数の電極指８ａ、８ｂのうち、弾性波伝搬方向Ｄ１の最外（最も外側）に位置する両端部の電極指８ａ、８ｂの幅は、λ／８である。両端部の電極指８ａ、８ｂと異なる中央部の電極指８ａ、８ｂの幅は、λ／４である。
　ＩＤＴ電極５を構成する材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｉ－Ｃｒ合金、Ａｌ－Ｃｕ合金、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｔなどの適宜の金属または合金が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。また、ＩＤＴ電極５は、複数の金属膜を積層してなる積層金属膜により構成されていてもよい。なお、圧電層４の一方主面４ａ上に、ＩＤＴ電極５を覆うように温度調整膜としてのＳｉＯ２膜が設けられてもよい。バスバー電極７ａ～７ｄの厚みは、電極指８ａ、８ｂの厚みよりも厚く形成されていてもよい。
　圧電基板１１には、ＩＤＴ電極５に接続され、ＩＤＴ電極５に電力を供給する入出力配線９ａ、９ｂが設けられている。具体的には、入出力配線９ａは櫛歯状電極６ｂのバスバー電極７ｂに接続され、入出力配線９ｂは櫛歯状電極６ｃのバスバー電極７ｃに接続されている。
　本実施の形態の弾性波装置１では、図１および図２Ａに示すように、圧電基板１１に複数の溝１０Ａ、１０Ｂ、および、複数の溝１０Ｃ、１０Ｄが設けられている。
　溝１０Ａ、１０Ｂのそれぞれは、直交方向Ｄ２に沿って形成され、弾性波伝搬方向Ｄ１に互いに対向している。溝１０Ｃ、１０Ｄのそれぞれは、弾性波伝搬方向Ｄ１に沿って形成され、直交方向Ｄ２に互いに対向している。溝１０Ａ～１０Ｄは、ＩＤＴ電極５の外側を囲むように設けられている。溝１０Ａ～１０Ｄのそれぞれの外側には、溝外基板部１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄが形成されている。
　溝１０Ａ、１０Ｂのそれぞれは、弾性波伝搬方向Ｄ１において、複数の電極指８ａ、８ｂの最外に位置する電極指８ａ、８ｂよりも外側に設けられている。また、溝１０Ａ、１０Ｂのそれぞれは、弾性波装置１を平面視した場合（一方主面４ａに垂直な方向から見た場合）に、最外に位置する電極指８ａ、８ｂと隣接している。
　溝１０Ｃは、直交方向Ｄ２においてバスバー電極７ａ、７ｃから見て、複数の電極指８ａが形成されている側と反対側（直交方向Ｄ２のマイナス側）に設けられている。溝１０Ｃは、平面視した場合に、バスバー電極７ａ、７ｃから所定距離ｉ１離れ、バスバー電極７ａ、７ｃに平行に形成されている。また、溝１０Ｃは、長手方向に２つに分けられ、入出力配線９ｂを避けるように入出力配線９ｂと異なる位置に設けられている。溝１０Ｃは、バスバー電極７ａ、７ｃの合計の長さよりも長く形成されていてもよい。
　溝１０Ｄは、直交方向Ｄ２において、バスバー電極７ｂ、７ｄから見て、複数の電極指８ｂが形成されている側と反対側（直交方向Ｄ２のプラス側）に設けられている。溝１０Ｄは、平面視した場合に、バスバー電極７ｂ、７ｄから所定距離ｉ２離れ、バスバー電極７ｂ、７ｄに平行に形成されている。所定距離ｉ１およびｉ２は等しく、例えばｉ１＝ｉ２＝λ／８である。また、溝１０Ｄは、長手方向に２つに分けられ、入出力配線９ａを避けるように入出力配線９ａと異なる位置に設けられている。溝１０Ｄは、バスバー電極７ｂ、７ｄの合計の長さよりも長く形成されていてもよい。
　また、図２Ｂおよび図２Ｃに示すように、溝１０Ａ～１０Ｄのそれぞれは、圧電層４から中間層３の一部に至るまで形成されている。具体的には、溝１０Ａ～１０Ｄのそれぞれは、両側面１０ａおよび底部１０ｂを有し、底部１０ｂは支持基板２に到達しておらず、圧電層４の他方主面４ｂと支持基板２の一方主面２ａとの間に位置している。
　本実施の形態の弾性波装置１では、溝１０Ａの両側面１０ａのうち、最外の電極指８ｂの近くに位置する側面１０ａが端面１ａとなり、溝１０Ｂの両側面１０ａのうち、最外の電極指８ａの近くに位置する側面１０ａが端面１ｂとなる。また、弾性波装置１では、溝１０Ｃの両側面１０ａのうち、バスバー電極７ａ、７ｃの近くに位置する側面１０ａが端面１ｃとなり、溝１０Ｄの両側面１０ａのうち、バスバー電極７ｂ、７ｄの近くに位置する側面１０ａが端面１ｄとなる。互いに対向する端面１ａ、１ｂは、弾性波伝搬方向Ｄ１に伝搬する弾性波を反射して端面１ａ、１ｂ間に閉じ込めることができる。互いに対向する端面１ｃ、１ｄは、弾性波伝搬方向Ｄ１と異なる方向（例えば直交方向Ｄ２）に伝搬する弾性波を反射して端面１ｃ、１ｄ間に閉じ込めることができる。また、弾性波装置１では、ＩＤＴ電極５が端面１ａ～１ｄによって囲まれており、圧電層４の一方主面４ａに沿う全方位の弾性波を、端面１ａ～１ｄで反射し、端面１ａ～１ｄにて囲まれる領域内に閉じ込めることができる。
　なお、一方主面４ａと端面１ａとの角度（溝１０Ａ側に形成される角度）、および、一方主面４ａと端面１ｂとの角度（溝１０Ｂ側に形成される角度）は、それぞれ、７０度以上９０度以下であることが望ましい。また、一方主面４ａと端面１ｃとの角度（溝１０Ｃ側に形成される角度）、および、一方主面４ａと端面１ｄとの角度（溝１０Ｄ側に形成される角度）は、それぞれ、７０度以上９０度以下であることが望ましい。この構造により、端面１ａ～１ｄで囲まれる領域内に、弾性波を効果的に閉じ込めることができる。
　弾性波装置１の製造方法としては、例えば、以下に示す方法により製造することができる。まず、支持基板２、中間層３、圧電層４およびＩＤＴ電極５がこの順に積層された積層体を形成する。次に、上記積層体を構成する圧電層４および中間層３の一部をエッチングで除去する。このエッチングによって、溝１０Ａ～１０Ｄを形成する。上記エッチングの手法としては、ＩＣＰ－ＲＩＥ法によりエッチングすることが望ましい。ＩＣＰ－ＲＩＥ法によりエッチングする場合、溝１０Ａ～１０Ｄを高精度に作製することができる。
　［１－２．効果等］
　本実施の形態に係る弾性波装置１は、圧電基板１１と、圧電基板１１に設けられたＩＤＴ電極５と、を備える。ＩＤＴ電極５は、弾性波伝搬方向Ｄ１に延びるバスバー電極７ａ、７ｃ（あるいは７ｂ、７ｄ）と、バスバー電極７ａ、７ｃ（あるいは７ｂ、７ｄ）に接続されて弾性波伝搬方向Ｄ１の直交方向Ｄ２に延びる複数の電極指８ａ（あるいは８ｂ）とを有している。圧電基板１１は、弾性波伝搬方向Ｄ１に沿って形成された少なくとも１以上の溝１０Ｃ、１０Ｄを有し、溝１０Ｃ（あるいは１０Ｄ）のそれぞれは、直交方向Ｄ２においてバスバー電極７ａ、７ｃ（あるいは７ｂ、７ｄ）から見て、複数の電極指８ａ（あるいは８ｂ）が形成されている側と反対側に設けられている。
　このように、圧電基板１１に、弾性波伝搬方向Ｄ１に沿って形成された溝１０Ｃ、１０Ｄを設けることで、弾性波伝搬方向Ｄ１と異なる方向に伝搬する弾性波を、溝１０Ｃ、１０Ｄの側面１０ａ（端面１ｃ、１ｄ）で反射させ、溝１０Ｃ、１０Ｄ間に閉じ込めることができる。これにより、弾性波装置１において、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　なお、溝１０Ｃ、１０Ｄは、圧電基板１１に必ずしも複数形成されている必要はない。弾性波装置１は、少なくとも１つ以上の溝を有することで、弾性波伝搬方向Ｄ１と異なる方向に伝搬する弾性波を反射して戻す効果を有する。
　また、弾性波装置１の圧電基板１１は、支持基板２と、支持基板２上に位置する圧電層４と、支持基板２と圧電層４との間に設けられた中間層３と、を有しており、ＩＤＴ電極５は、圧電層４上に設けられている。そして、溝１０Ｃ、１０Ｄのそれぞれは、圧電層４から中間層３の少なくとも一部に至るまで形成されている。
　このように、溝１０Ｃ、１０Ｄを、圧電層４、および、中間層３の少なくとも１部に形成することで、圧電層４のみに溝を設けた場合に比べて、圧電層４および中間層３を伝搬する弾性波を溝１０Ｃ、１０Ｄで反射することができる。これにより、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。なお、溝１０Ｃ、１０Ｄは、中間層３の厚み方向の一部に限られず、中間層３を貫通する深さまで形成されていてもよい。
　また、本実施の形態の弾性波装置１は、図３に示すように、中間層３が結晶粒子Ｇ１および粒界Ｇ２によって形成されている場合であっても、弾性波伝搬方向と異なる方向に伝搬する弾性波の漏洩を抑制することができる。例えば、中間層３を伝搬する弾性波の一部が粒界Ｇ２によって散乱し、弾性波伝搬方向Ｄ１と異なる方向に弾性波が伝搬される場合であっても、弾性波装置１は溝１０Ｃ、１０Ｄを有しているので、溝１０Ｃ、１０Ｄを用いて上記弾性波を反射し、溝１０Ｃ、１０Ｄ間に弾性波エネルギーを閉じ込めることができる。
　また、弾性波装置１のＩＤＴ電極５は、弾性波伝搬方向Ｄ１に沿って形成された複数の溝１０Ｃ、１０Ｄと、直交方向Ｄ２に沿って形成された複数の溝１０Ａ、１０Ｂと、によって囲まれている。
　これにより、圧電層４の一方主面４ａに沿う全方位の弾性波が、溝１０Ａ～１０Ｄの側面で反射され、弾性波の漏洩を抑制することができる。
　また、弾性波装置１は、溝１０Ａ～１０Ｄが支持基板２の他方主面２ｂまで到達せず、分断されていない構造となっている。すなわち、弾性波装置１は、溝１０Ａ～１０Ｄのそれぞれの外側に、溝外基板部１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄを有している。溝外基板部１１Ａ～１１Ｄは、圧電基板１１に接し、圧電基板１１と同じ材料により構成されている。例えば、圧電基板１１が実装基板として用いられる場合、溝外基板部１１Ａ～１１Ｄ上に他の素子や、回路部分を設けることができる。そのため、この弾性波装置１では、他の素子や回路部分と再接続をする必要がなく、電気的接続を簡略化することができる。また、溝外基板部１１Ａ～１１Ｄ上に、他の素子や、回路部分を設けることができるため、弾性波装置１が搭載される電子部品を小型化することができる。
　［１－３．変形例１］
　図４は、実施の形態１の変形例１に係る弾性波装置１Ａの切断側面図である。
　変形例１の弾性波装置１Ａでは、溝１０Ｃによって形成される端面１ｃが、バスバー電極７ａ、７ｃに近接し、バスバー電極７ａ、７ｃの側面と面一となるように形成されている。また、溝１０Ｄによって形成される端面１ｄが、バスバー電極７ｂ、７ｄに近接し、バスバー電極７ｂ、７ｄの側面と面一となるように形成されている。
　このように、溝１０Ｃ、１０Ｄをバスバー電極７ａ～７ｄに近接して設けることで、弾性波装置１Ａを小型化することができる。また、弾性波伝搬方向Ｄ１と異なる方向に伝搬する弾性波をバスバー電極７ａ～７ｄに近い位置で反射することができるので、弾性波を効率よく閉じ込めることができる。
　［１－４．変形例２］
　図５は、実施の形態１の変形例２に係る弾性波装置１Ｂの切断側面図である。
　変形例２の弾性波装置１Ｂでは、溝１０Ｃ、１０Ｄのそれぞれが、圧電層４から中間層３を経て支持基板２の一部に至るまで形成されている。具体的には、溝１０Ｃ、１０Ｄが、圧電層４の一方主面４ａから、支持基板２の一方主面２ａと他方主面２ｂの間に至る深さまで形成されている。
　例えば、圧電層４、中間層３および支持基板２の材質がそれぞれ異なる場合、各材質の線膨張係数の違いにより、温度変化によるひずみが生じやすくなる。それに対し、変形例２の弾性波装置１Ｂでは、支持基板２の一部に至るまで溝１０Ｃ、１０Ｄが形成されているので、温度変化によるひずみを小さくすることができる。また、弾性波が支持基板２にしみ出している場合は、溝１０Ｃ、１０Ｄを支持基板２の一部に至らせることで、より弾性波の閉じ込め効率を向上することができる。
　なお、弾性波装置１Ｂでは、中間層３が低音速膜３４によって構成され、支持基板２が高音速支持基板で構成されていてもよい。
　低音速膜とは、圧電層４を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速でいる膜である。高音速支持基板とは、圧電層４を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である支持基板である。
　具体的には、高音速支持基板上に音速が相対的に低い低音速膜が積層され、この低音速膜上に圧電層４が積層されている。中間層３は、弾性波が伝搬する領域（例えばＩＤＴ電極５や反射器が存在する領域直下のみ）に低音速膜がパターニングされていてもよい。そして、弾性波が伝搬する領域外（例えばＩＤＴ電極５の外側の領域外）には、適宜の材料（例えばＳｉＯ２）が形成されているものであってもよい。また、中間層３と高音速支持基板の間に適宜の材料が形成されていても良い。
　上記の高音速支持基板は、弾性波エネルギーを高音速支持基板中に閉じ込める機能を有している。つまり、弾性波エネルギーは、高音速支持基板の上方よりも上側の領域（圧電層及び低音速膜まで含む領域）に閉じ込めることが可能となる。
　低音速膜としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素または炭素またはホウ素を加えた化合物、または、上記各材料を主成分とする材料のいずれかからなる。
　高音速支持基板としては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチュウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシアダイヤモンド、または、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料のいずれかからなる。
　弾性波装置１Ｂにおいて、溝１０Ａ～１０Ｄは、圧電層４の一方主面４ａから低音速膜を経て、高音速支持基板の一部に至るまで形成されている。本実施の形態のように中間層３が低音速膜で構成された構造である場合、弾性波エネルギーは高音速支持基板の上方よりも上側の領域（圧電層４および低音速膜まで含む領域）に閉じ込められているので、溝１０Ａ～１０Ｄは高音速支持基板の一部にまで形成されることが望ましい。
　なお、弾性波装置１Ｂにおける溝１０Ｃ、１０Ｄの形成方法としては、まず、エッチングにより圧電層４および中間層３を除去する。次に、ダイシングにより支持基板２の一部を除去し、溝１０Ｃ、１０Ｄを形成する。これにより、圧電層４から支持基板２の一部までに至る溝１０Ｃ、１０Ｄを形成することができる。
　（実施の形態２）
　図６は、実施の形態２に係る弾性波装置１Ｃの平面図である。
　弾性波装置１Ｃは、ＩＤＴ電極５、５ｔが直交方向Ｄ２に２つ並んで配置されている。そして、一方のＩＤＴ電極５に対応して溝１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄが形成され、もう一方のＩＤＴ電極５ｔに対応して溝１０Ａｔ、１０Ｂｔ、１０Ｃｔ、１０Ｄｔが形成されている。
　もう一方のＩＤＴ電極５ｔの構成は、実施の形態１のＩＤＴ電極５とほぼ同じ構成であり、重複する説明を省略する。また、もう一方のＩＤＴ電極５ｔに対応する溝１０Ａｔ、１０Ｂｔ、１０Ｃｔ、１０Ｄｔのそれぞれの構成は、実施の形態１の溝１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄとほぼ同じであり、重複する説明を省略する。
　この弾性波装置１Ｃでは、ＩＤＴ電極５、５ｔが入出力配線９ａを介して直列に接続されている。具体的には、ＩＤＴ電極５の櫛歯状電極６ｂと、ＩＤＴ電極５ｔの櫛歯状電極６ｃとが、入出力配線９ａによって接続されている。また、ＩＤＴ電極５の櫛歯状電極６ｃに入出力配線９ｂが接続されている。ＩＤＴ電極５ｔの櫛歯状電極６ｂに入出力配線９ｃが接続されている。溝１０Ｃｔは入出力配線９ａを避けるように、溝１０Ｄｔは入出力配線９ｃを避けるように設けられている。すなわち、溝１０Ｃｔ、１０Ｄｔのそれぞれは、入出力配線９ａ、９ｃと異なる位置に設けられている。
　本実施の形態に係る弾性波装置１Ｃは、圧電基板１１と、圧電基板１１に設けられたＩＤＴ電極５およびＩＤＴ電極５ｔと、を備える。ＩＤＴ電極５、５ｔは、弾性波伝搬方向Ｄ１に延びるバスバー電極７ａ、７ｃ（あるいは７ｂ、７ｄ）と、バスバー電極７ａ、７ｃ（あるいは７ｂ、７ｄ）に接続されて弾性波伝搬方向Ｄ１の直交方向Ｄ２に延びる複数の電極指８ａ（あるいは８ｂ）とを有している。圧電基板１１は、弾性波伝搬方向Ｄ１に沿って形成された複数の溝１０Ｃ、１０Ｄ、および、複数の溝１０Ｃｔ、１０Ｄｔを有し、複数の溝１０Ｃ（あるいは１０Ｄ、１０Ｃｔ、１０Ｄｔ）のそれぞれは、直交方向Ｄ２においてバスバー電極７ａ、７ｃ（あるいは７ｂ、７ｄ）から見て、複数の電極指８ａ（あるいは８ｂ）が形成されている側と反対側に設けられている。
　このように、２つのＩＤＴ電極５、５ｔを有する場合であっても、ＩＤＴ電極５、５ｔのそれぞれに対応して溝１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｃｔ、１０Ｄｔを設けることで、弾性波伝搬方向Ｄ１と異なる方向に伝搬する弾性波を、溝１０Ｃ、１０Ｄの端面１ｃ、１ｄ、または、溝１０Ｃｔ、１０Ｄｔの端面１ｃ、１ｄで反射し、溝１０Ｃ、１０Ｄ間または溝１０Ｃｔ、１０Ｄｔ間に閉じ込めることができる。これにより、弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　（実施の形態３）
　図７Ａは、実施の形態３に係る弾性波装置１Ｄの平面図である。
　弾性波装置１Ｄでは、入出力配線９ａが溝１０Ｄを迂回して形成されている。弾性波装置１ＤにおけるＩＤＴ電極５、５ｔの構成は、実施の形態２とほぼ同じであり、重複する説明を省略する。
　この弾性波装置１Ｄでは、一方のＩＤＴ電極５ともう一方のＩＤＴ電極５ｔの間に位置する溝１０Ｄが１本であり、溝１０ＤがＩＤＴ電極５とＩＤＴ電極５ｔとで兼用されている。そして、ＩＤＴ電極５の櫛歯状電極６ｂと、ＩＤＴ電極５ｔの櫛歯状電極６ｃとが、入出力配線９ａによって接続されている。入出力配線９ａは、溝１０Ｄを避けるように形成されている。
　本実施の形態に係る弾性波装置１Ｄは、弾性波伝搬方向Ｄ１に沿って形成された複数の溝１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｄｔを有し、複数の溝１０Ｃ（あるいは１０Ｄ、１０Ｄｔ）のそれぞれは、直交方向Ｄ２においてバスバー電極７ａ、７ｃ（あるいは７ｂ、７ｄ）から見て、複数の電極指８ａ（あるいは８ｂ）が形成されている側と反対側に設けられている。
　このように、２つのＩＤＴ電極５、５ｔを有する場合であっても、ＩＤＴ電極５、５ｔのそれぞれに対応して溝１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｄｔを設けることで、弾性波伝搬方向Ｄ１と異なる方向に伝搬する弾性波を、溝１０Ｃ、１０Ｄの端面１ｃ、１ｄ、または、溝１０Ｄ、１０Ｄｔの端面１ｃ、１ｄで反射し、溝１０Ｃ、１０Ｄ間または溝１０Ｄ、１０Ｄｔ間に閉じ込めることができる。これにより、弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　図７Ｂは、実施の形態３の変形例に係る弾性波装置１Ｅの平面図である。
　変形例の弾性波装置１Ｅでは、入出力配線がバスバー電極から引き出され、溝１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｄｔを迂回して形成されている。溝１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｄｔのそれぞれは、一本の溝により形成されている。
　具体的には、入出力配線９ｂは、ＩＤＴ電極５のバスバー電極７ａから引き出され、溝１０Ｃを迂回するように形成されている。入出力配線９ａは、ＩＤＴ電極５ｔのバスバー電極７ｃから引き出され、溝１０Ｄを迂回し、ＩＤＴ電極５のバスバー電極７ｄに接続されている。入出力配線９ｃは、溝１０Ｄｔを迂回し、ＩＤＴ電極５ｔのバスバー電極７ｂに接続されている。
　変形例の弾性波装置１Ｅでは、ＩＤＴ電極５、５ｔのそれぞれに対応して溝１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｄｔを設けることで、弾性波伝搬方向Ｄ１と異なる方向に伝搬する弾性波を、溝１０Ｃ、１０Ｄのそれぞれの端面１ｃ、１ｄ、または、溝１０Ｄ、１０Ｄｔのそれぞれの端面１ｃ、１ｄで反射し、溝１０Ｃ、１０Ｄ間または溝１０Ｄ、１０Ｄｔ間に閉じ込めることができる。これにより、弾性波が外部に漏洩することを抑制することができる。
　また、ＩＤＴ電極５、５ｔ間の溝１０Ｄを兼用して１本とすることで、弾性波装置１Ｅの直交方向Ｄ２の寸法を小さくすることができ、弾性波装置１Ｅを小型化することができる。
　（実施の形態４）
　図８は、実施の形態４に係る弾性波装置１Ｆの切断側面図である。この切断側面図は、図２Ｃで示す切断面と同じ位置で弾性波装置１Ｆを切断した場合の側面図である。
　図８に示すように、弾性波装置１Ｆでは、中間層３が、高音速膜３３および低音速膜３４によって構成されている。具体的には、支持基板２上に音速が相対的に高い高音速膜３３が積層され、高音速膜３３上に音速が相対的に低い低音速膜３４が積層され、低音速膜３４上に圧電層４が積層されている。中間層３は、弾性波が伝搬する領域（例えばＩＤＴ電極５や反射器が存在する領域直下のみ）に高音速膜３３と低音速膜３４がパターニングされていてもよい。そして、弾性波が伝搬する領域外（例えばＩＤＴ電極５の外側の領域外）には、適宜の材料、例えばＳｉＯ２が形成されているものであってもよい。また、中間層３と支持基板２の間に適宜の材料が形成されていても良い。
　高音速膜３３は、弾性波が高音速膜３３より下側に漏れないように、弾性波を圧電層４および低音速膜３４が積層されている部分に閉じ込める機能を有している。高音速膜３３は、例えば窒化アルミニウムからなる。もっとも、上記弾性波を閉じ込め得る限り、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜またはダイヤモンド、これらの材料を主成分とする媒質、これらの材料の混合物を主成分とする媒質等のさまざまな高音速材料を用いることができる。弾性波を圧電層４および低音速膜３４が積層されている部分に閉じ込めるには、高音速膜３３の膜厚は厚いほど望ましく、弾性波の波長λの０．１倍以上、さらには１．５倍以上であることが望ましい。
　低音速膜３４は酸化ケイ素からなる。もっとも、低音速膜３４を構成する材料としては圧電層４を伝搬するバルク波よりも低音速のバルク波音速を有する適宜の材料を用いることができる。このような材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素を加えた化合物など、上記材料を主成分とした媒質を用いることができる。
　なお、高音速膜３３とは、圧電層４を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、高音速膜３３中のバルク波の音速が高速となる膜をいうものとする。また、低音速膜３４とは、圧電層４を伝搬するバルク波よりも、低音速膜３４中のバルク波の音速が低速となる膜をいうものとする。
　弾性波装置１Ｆにおいて、溝１０Ａ～１０Ｄは、圧電層４の一方主面４ａから低音速膜３４を経て、高音速膜３３の一部に至るまで形成されている。本実施の形態のように中間層３が高音速膜３３に低音速膜３４を積層した構造である場合、溝１０Ａ～１０Ｄは高音速膜３３の一部にまで形成されることが望ましい。
　このように、圧電基板１１を、圧電層４、低音速膜３４、および、高音速膜３３で形成することで、圧電層４から低音速膜３４に伝搬した弾性波を、高音速膜３３と低音速膜３４との界面で反射し、圧電層４に戻すことができる。これにより、弾性波エネルギーを圧電層４内に効率的に閉じ込めることができる。
　（実施の形態５）
　図９は、実施の形態５に係る弾性波装置１Ｇの切断側面図である。この切断側面図は、図２Ｃで示す切断面と同じ位置で弾性波装置１Ｆを切断した場合の側面図である。
　図９に示すように、弾性波装置１Ｇでは、中間層３が複数の音響インピーダンス層を有する音響反射層となっている。具体的には、中間層３は、低音響インピーダンス層４２ａ、４２ｃ、４２ｅ、４２ｇと、高音響インピーダンス層４２ｂ、４２ｄ、４２ｆとを有する。中間層３は、弾性波が伝搬する領域（例えばＩＤＴ電極５や反射器が存在する領域直下のみ）に低音響インピーダンス層４２ａ、４２ｃ、４２ｅ、４２ｇと高音響インピーダンス層４２ｂ、４２ｄ、４２ｆがパターニングされている。そして、弾性波が伝搬する領域外（例えば、ＩＤＴ電極５の外側の領域）には適宜の材料、例えばＳｉＯ２が形成されているものであってもよい。また、中間層３と支持基板２の間に適宜の材料が形成されていても良い。
　高音響インピーダンス層４２ｂ、４２ｄ、４２ｆの音響インピーダンスは、低音響インピーダンス層４２ａ、４２ｃ、４２ｅ、４２ｇの音響インピーダンスよりも高い。弾性波装置１Ｇでは、支持基板２の一方主面２ａ上に、低音響インピーダンス層４２ａが積層され、その上に、高音響インピーダンス層４２ｂ、４２ｄ、４２ｆと、低音響インピーダンス層４２ｃ、４２ｅ、４２ｇとが、積層方向において交互に配置されている。
　そのため、圧電層４から中間層３に伝搬した弾性波を、低音響インピーダンス層４２ａ、４２ｃ、４２ｅの上方表面である高音響インピーダンス層４２ｂ、４２ｄ、４２ｆの界面で反射させ、圧電層４に戻すことができる。これにより、弾性波エネルギーを圧電層４内に効率的に閉じ込めることができる。
　低音響インピーダンス層４２ａ、４２ｃ、４２ｅ、４２ｇは、ＳｉＯ２により構成されている。もっとも、低音響インピーダンス層４２ａ、４２ｃ、４２ｅ、４２ｇは、ＳｉＯ２やＡｌなどにより構成されていてもよい。これらは、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。
　高音響インピーダンス層４２ｂ、４２ｄ、４２ｆは、ＳｉＮにより構成されている。もっとも、高音響インピーダンス層４２ｂ、４２ｄ、４２ｆは、Ｗ、Ｐｔ、ＬＴ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＬＮ、ＡｌＮまたはＺｎＯなどにより構成されていてもよい。これらは、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。
　弾性波装置１Ｇにおいて、積層方向において最も支持基板２側に位置する層は、低音響インピーダンス層４２ａであるＳｉＯ２によって形成されている。そのため、弾性波装置１Ｇでは、中間層３と、支持基板２との密着性が高められている。
　また、例えば、最も支持基板２側に位置する低音響インピーダンス層４２ａが、結晶粒子Ｇ１および粒界Ｇ２を有するＳｉＯ２で形成されている場合であっても、弾性波装置１Ｇは溝１０Ｃ、１０Ｄを有しているので、弾性波伝搬方向Ｄ１と異なる方向に伝搬する弾性波を反射し、溝１０Ｃ、１０Ｄ間に閉じ込めることができる。
　また、弾性波装置１Ｇでは、溝１０Ａ～１０Ｄは、圧電層４の一方主面４ａから、低音響インピーダンス層４２ａの一部に至るまで形成されている。なぜならば、圧電層４から中間層３に伝搬した弾性波を、低音響インピーダンス層４２ａ、４２ｃ、４２ｅの上方表面である高音響インピーダンス層４２ｂ、４２ｄ、４２ｆの界面で反射させ、圧電層４に戻すことができるので、支持基板２まで溝を至らせる必要はないからである。
　本実施の形態のように中間層３が多層構造である場合、積層方向の最も支持基板２側に位置する層の一部にまで溝１０Ａ～１０Ｄが形成されることが望ましい。
　なお、弾性波装置１Ｇでは、溝１０Ａ～１０Ｄが、圧電層４の一方主面４ａから、支持基板２の一方主面２ａと他方主面２ｂとの間に至るまで形成されていてもよい。圧電層４、中間層３および支持基板２の材質がそれぞれ異なる場合、各材質における線膨張係数の違いによって、温度変化によるひずみが生じやすくなるが、支持基板２の一部まで溝１０Ａ～１０Ｄが形成されることで、温度変化によるひずみを小さくすることができる。
　なお、本実施の形態においては、低音響インピーダンス層および高音響インピーダンス層の積層数は特に限定されない。また、低音響インピーダンス層と、高音響インピーダンス層とが、積層方向において交互に配置されていなくてもよい。もっとも、圧電層４内における弾性波の閉じ込め効率を高める観点からは、低音響インピーダンス層のうち少なくとも１層が、高音響インピーダンス層のうち少なくとも１層より、圧電層４側に設けられていることが望ましい。
　（実施の形態６）
　図１０は、実施の形態６に係るフロントエンド回路１０８および通信装置１０９を示す回路構成図である。
　このフロントエンド回路１０８および通信装置１０９では、第１フィルタ１１１および第２フィルタ１１２に、実施の形態１に係る弾性波装置１が含まれている。
　図１０に示すフロントエンド回路１０８および通信装置１０９では、入力された信号を増幅するため、第１端子１１６とＲＦＩＣ１０４との間、および、第２端子１１７とＲＦＩＣ１０４との間にそれぞれＬＮＡ（Ｌｏｗ　Ｎｏｉｓｅ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）１０３が設けられている。また、アンテナ素子１０２との接続状態を切り替えるため、第１フィルタ１１１とアンテナ共通端子１１５との間、および、第２フィルタ１１２とアンテナ共通端子１１５との間にマルチポートスイッチ１０５が設けられている。マルチポートスイッチ１０５は、同時にＯＮ／ＯＦＦすることができるスイッチであり、第１フィルタ１１１がアンテナ共通端子１１５に接続されているとき、すなわち、第１フィルタ１１１が信号処理をしている場合に、第２フィルタ１１２もアンテナ共通端子１１５に接続されるようにすることができる。
　このような回路構成を有するフロントエンド回路１０８および通信装置１０９においても上記実施の形態と同様に、弾性波の漏洩を抑制することができる。
　また、上記実施の形態では、第１フィルタ１１１を受信フィルタとしているが、それに限られず、弾性波装置１を含む第１フィルタ１１１を送信フィルタとしてもよい。例えば、送信フィルタである第１フィルタ１１１とＲＦＩＣ１０４との間に位置するＬＮＡ１０３をＰＡ（Ｐｏｗｅｒ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）に置き換えることで、送受信可能な通信装置１０９を構成することができる。
　また、フロントエンド回路１０８および通信装置１０９を構成する各フィルタは、弾性表面波フィルタに限られず、弾性境界波フィルタであってもよい。これによっても、上記実施の形態に係る弾性波装置１等が有する効果と同様の効果が奏される。
　（その他の形態）
　以上、本発明に係る弾性波装置１～１Ｇ、フロントエンド回路１０８および通信装置１０９について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る弾性波装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　図１１は、その他の形態に係る弾性波装置１Ｈの切断側面図である。この切断側面図は、図２Ｂで示す切断面と同じ位置で弾性波装置１Ｈを切断した場合の側面図である。
　弾性波装置１Ｈでは、溝１０Ａ、１０Ｂのそれぞれが、中間層３のみに形成されている。具体的には、溝１０Ａ、１０Ｂが、圧電層４には形成されず、中間層３の一部に形成されている。この弾性波装置１Ｈでは、圧電基板１１の中間層３に溝１０Ａ、１０Ｂが形成され、溝１０Ａの端面１ａおよび溝１０Ｂの端面１ｂを用いて、弾性波伝搬方向Ｄ１に伝搬する弾性波を反射し、弾性波を溝１０Ａと溝１０Ｂとの間に閉じ込めている。
　この構造によれば、配線の引き回しが容易になり、また、圧電基板１１上に反射器を設置することが可能となる。また、ＩＤＴ電極５の内側に溝１０Ａ、１０Ｂを配置することが可能となり、閉じ込め効率を向上させることができる。また、圧電層４で中間層３を封止できるので、例えば、中間層３がＳｉＯ２で形成されている場合、中間層３の劣化を抑制することができる。なお、溝１０Ａ、１０Ｂは、中間層３の少なくとも一部に形成されていればよい。
　図１２は、その他の形態に係る弾性波装置１Ｉの切断側面図である。この切断側面図は、図２Ｃで示す切断面と同じ位置で弾性波装置１Ｉを切断した場合の側面図である。
　弾性波装置１Ｉでは、溝１０Ｃ、１０Ｄのそれぞれが、中間層３のみに形成されている。具体的には、溝１０Ｃ、１０Ｄが、圧電層４には形成されず、中間層３の一部に形成されている。この弾性波装置１Ｉでは、圧電基板１１の中間層３に溝１０Ｃ、１０Ｄが形成され、溝１０Ｃの端面１ｃおよび溝１０Ｄの端面１ｄを用いて、弾性波伝搬方向Ｄ１と異なる方向（例えば直交方向Ｄ２）に伝搬する弾性波を反射し、弾性波を溝１０Ｃと溝１０Ｄとの間に閉じ込めている。
　この構造によれば、配線の引き回しが容易になり、また、圧電基板１１上に反射器を設置することが可能となる。また、ＩＤＴ電極５の内側に溝１０Ｃ、１０Ｃを配置することが可能となり、閉じ込め効率を向上させることができる。また、圧電層４で中間層３を封止できるので、例えば、中間層３がＳｉＯ２で形成されている場合、中間層３の劣化を抑制することができる。なお、溝１０Ｃ、１０Ｄは、中間層３の少なくとも一部に形成されていればよい。
　また、実施の形態１では、圧電基板１１を圧電層４、支持基板２および中間層３で構成しているが、それに限られず、圧電基板１１を一体物とし、例えば圧電セラミック材料で形成してもよい。
　また、実施の形態１では、一対の溝１０Ａ、１０Ｂを、ＩＤＴ電極５の外側に設けているが、それに限られず、溝１０Ａ，１０Ｂに置き換えて一対の反射器を設けてもよい。その場合であっても、弾性波装置は、直交方向Ｄ２に互いに対向する溝１０Ｃ、１０Ｄを有しているので、弾性波伝搬方向Ｄ１と異なる方向の弾性波の漏洩を抑制することができる。また、溝１０Ｃ、１０Ｄを有する弾性波装置は、例えば直交方向Ｄ２においてＩＤＴ電極５の外側に一対の反射器を設けた場合に比べて、弾性波装置を小型化することが可能である。
　本実施の形態における弾性波装置１～１ＧのＩＤＴ電極５は、縦結合型でもよいし、横結合型でもよいし、トランスバーサル型でもよい。
　本実施の形態では、圧電基板上の入出力配線９ａ～９ｃをＩＤＴ電極５、５ｔに接続しているが、それに限られず、ボンディングワイヤを入出力配線としてＩＤＴ電極５、５ｔに接続してもよい。
　また、本実施の形態の弾性波装置１は、圧電薄膜に溝（端面）が無く、中間層だけに溝（端面）を有する形態であっても良い。中間層とは圧電薄膜直下の層から支持基板に至るまでの層（複数層含む）を指す。この場合も、中間層に存在する弾性波を、中間層の溝（端面）で反射させることができ、弾性波閉じ込め効率を向上することができる。
　本発明の弾性波装置は、さまざまな電子機器や通信機器に広く用いられる。電子機器としては、例えば、センサーがある。通信機器としては、例えば、本発明の弾性波装置を含むデュプレクサ、ＰＡ、ＬＮＡ、スイッチを含む通信モジュール機器、その通信モジュール機器を含む移動体通信機器やヘルスケア通信機器等がある。移動体通信機器としては、携帯電話、スマートフォン、カーナビ等がある。ヘルスケア通信機器としては、体重計や体脂肪計等がある。ヘルスケア通信機器や移動体通信機器は、アンテナ、ＲＦモジュール、ＬＳＩ、ディスプレイ、入力部、電源等を備えている。
　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、１Ｉ　弾性波装置
　１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ　端面
　２　　　支持基板
　２ａ　　支持基板の一方主面
　２ｂ　　支持基板の他方主面
　３　　　中間層
　４　　　圧電層
　４ａ　　圧電層の一方主面
　４ｂ　　圧電層の他方主面
　５、５ｔ　ＩＤＴ電極
　６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ　櫛歯状電極
　７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ　バスバー電極
　８ａ、８ｂ　電極指
　９ａ、９ｂ、９ｃ　入出力配線
　１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ａｔ、１０Ｂｔ、１０Ｃｔ、１０Ｄｔ　溝
　１０ａ　　溝の側面
　１０ｂ　　溝の底部
　１１　　　圧電基板
　１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ　溝外基板部
　３３　高音速膜
　３４　低音速膜
　４２ａ、４２ｃ、４２ｅ、４２ｇ　低音響インピーダンス層
　４２ｂ、４２ｄ、４２ｆ　高音響インピーダンス層
　１０２　アンテナ素子
　１０３　ＬＮＡ
　１０４　ＲＦＩＣ
　１０５　スイッチ
　１０８　フロントエンド回路
　１０９　通信装置
　１１１、１１２　フィルタ
　１１５、１１６、１１７　端子
　Ｄ１　　弾性波伝搬方向
　Ｄ２　　直交方向
　Ｇ１　　結晶粒子
　Ｇ２　　粒界
　ｉ１、ｉ２　所定距離

Claims (18)

  1. 　圧電基板と、前記圧電基板に設けられたＩＤＴ電極と、を備える弾性波装置であって、
    　前記ＩＤＴ電極は、弾性波伝搬方向に延びるバスバー電極と、前記バスバー電極に接続されて前記弾性波伝搬方向の直交方向に延びる複数の電極指とを有し、
    　前記圧電基板は、前記弾性波伝搬方向に沿って形成された、少なくとも１以上の溝を有し、
    　前記少なくとも１以上の溝は、前記直交方向において前記バスバー電極から見て、前記複数の電極指が形成されている側と反対側に設けられている、
    　弾性波装置。
  2. 　前記少なくとも１以上の溝は、複数の溝で構成され、
    　前記複数の溝は、前記直交方向に互いに対向している、
    　請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記圧電基板は、支持基板と、前記支持基板上に位置する圧電層と、前記支持基板と前記圧電層との間に設けられた中間層と、を有し、
    　前記ＩＤＴ電極は、前記圧電層上に設けられ、
    　前記少なくとも１以上の溝は、前記圧電層から前記中間層の少なくとも一部に至るまで形成されている、
    　請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記圧電基板は、支持基板と、前記支持基板上に位置する圧電層と、前記支持基板と前記圧電層との間に設けられた中間層と、を有し、
    　前記ＩＤＴ電極は、前記圧電層上に設けられ、
    　前記少なくとも１以上の溝は、前記圧電層には形成されず、前記中間層の少なくとも一部に形成されている、
    　請求項１または２に記載の弾性波装置。
  5. 　前記中間層は、粒界を有している、
    　請求項３または４に記載の弾性波装置。
  6. 　前記中間層は、前記圧電層に接している、
    　請求項３～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記中間層は、１または複数のＳｉＯ２層を含む、
    　請求項３～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記中間層は、前記圧電層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速であり、
    　前記支持基板は、前記圧電層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である、
    　請求項３～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記中間層は、前記圧電層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、前記圧電層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速膜とを有し、
    　前記低音速膜は、前記圧電層と前記支持基板との間に設けられ、
    　前記高音速膜は、前記低音速膜と前記支持基板との間に設けられている、
    　請求項３～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記中間層は、低音響インピーダンス層、および、前記低音響インピーダンス層よりも音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層のそれぞれが、少なくとも１層以上積層されており、
    　前記低音響インピーダンス層の少なくとも１層は、前記高音響インピーダンス層よりも前記圧電層側に設けられている、
    　請求項３～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記少なくとも１以上の溝は、前記圧電層から前記中間層を経て前記支持基板の一部に至るまで形成されている、
    　請求項８～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　前記圧電基板には、前記ＩＤＴ電極に接続する入出力配線が設けられ、
    　前記少なくとも１以上の溝は、前記入出力配線と異なる位置に設けられている、
    　請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記圧電基板には、前記ＩＤＴ電極に接続する入出力配線が設けられ、
    　前記入出力配線は、前記溝を迂回して形成されている、
    　請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  14. 　さらに、
    　前記圧電基板は、前記直交方向に沿って形成された、少なくとも１以上の溝を有し、
    　前記直交方向に形成された少なくとも１以上の溝は、前記弾性波伝搬方向において、前記複数の電極指の最外に位置する電極指よりも外側に設けられている、
    　請求項１～１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  15. 　前記直交方向に沿って形成された少なくとも１以上の溝は、複数の溝で構成され、
    　当該複数の溝は、前記弾性波伝搬方向に互いに対向している、
    　請求項１４に記載の弾性波装置。
  16. 　前記ＩＤＴ電極は、前記弾性波伝搬方向に沿って形成された複数の前記溝と、前記直交方向に沿って形成された複数の前記溝と、によって囲まれている、
    　請求項１５に記載の弾性波装置。
  17. 　請求項１～１６のいずれか１項に記載の弾性波装置を備える、
    　フロントエンド回路。
  18. 　請求項１７に記載のフロントエンド回路と、
    　高周波信号を処理する信号処理回路と、
    　を備える通信装置。
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