KR102221009B1 - 탄성파 장치, 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 - Google Patents
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- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 106
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000577 adipose tissue Anatomy 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- -1 terite Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02669—Edge reflection structures, i.e. resonating structures without metallic reflectors, e.g. Bleustein-Gulyaev-Shimizu [BGS], shear horizontal [SH], shear transverse [ST], Love waves devices
- H03H9/02677—Edge reflection structures, i.e. resonating structures without metallic reflectors, e.g. Bleustein-Gulyaev-Shimizu [BGS], shear horizontal [SH], shear transverse [ST], Love waves devices having specially shaped edges, e.g. stepped, U-shaped edges
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Abstract
탄성파 장치(1)는 압전기판(11)과, 압전기판(11)에 마련된 IDT 전극(5)을 포함한다. IDT 전극(5)은, 탄성파 전파 방향(D1)으로 연장되는 버스바 전극(7a, 7c(혹은 7b, 7d))과, 버스바 전극(7a, 7c(혹은 7b, 7d))에 접속되며 탄성파 전파 방향(D1)의 직교 방향(D2)으로 연장되는 복수개의 전극지(8a(혹은 8b))를 가지고 있다. 압전기판(11)은, 탄성파 전파 방향(D1)을 따라 형성된 홈(10C, 10D)을 가지며, 홈(10C(혹은 10D))은, 직교 방향(D2)에서 버스바 전극(7a, 7c(혹은 7b, 7d))으로부터 보아, 복수개의 전극지(8a(혹은 8b))가 형성되어 있는 측과 반대 측에 마련되어 있다.
Description
본 발명은 IDT(InterDigital Transducer) 전극을 가지는 탄성파 장치, 이 탄성파 장치를 가지는 프론트 엔드 회로 및 통신 장치에 관한 것이다.
종래, 공진자나 대역 필터로서 탄성파 장치가 널리 이용되고 있다.
이 탄성파 장치의 일례로서, 특허문헌 1에는 서로 대향하는 한 쌍의 단면(端面)으로 탄성파를 반사하는 단면 반사형 탄성파 장치가 개시되어 있다. 특허문헌 1의 탄성파 장치에서는 탄성파 전파 방향에서, IDT 전극의 양 외측에 홈을 마련함으로써 대향하는 한 쌍의 단면을 형성하고 있다. 그리고 이 한 쌍의 단면을 이용하여 탄성파를 반사함으로써, 탄성파 전파 방향으로 전파하는 탄성파를 탄성파 장치 내에 가두고 있다.
그러나 특허문헌 1에 나타내는 탄성파 장치에서는 탄성파 전파 방향으로 전파하는 탄성파를 반사하여 가둘 수는 있지만, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파를 가둘 수 없어, 탄성파가 탄성파 장치의 외부로 누설된다는 문제가 있다.
따라서 본 발명은 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있는 탄성파 장치 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 한 양태에 따른 탄성파 장치는, 압전기판과, 압전기판에 마련된 IDT 전극을 포함하는 탄성파 장치로서, IDT 전극은, 탄성파 전파 방향으로 연장되는 버스바(busbar) 전극과, 버스바 전극에 접속되며 탄성파 전파 방향의 직교 방향으로 연장되는 복수개의 전극지(電極指)를 가지며, 압전기판은, 탄성파 전파 방향을 따라 형성된 적어도 1 이상의 홈을 가지며, 적어도 1 이상의 홈은, 직교 방향에서 버스바 전극으로부터 보아, 복수개의 전극지가 형성되어 있는 측과 반대 측에 마련되어 있다.
이와 같이, 탄성파 장치는 탄성파 전파 방향을 따라 형성된 홈을 가지고 있으므로, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파를 홈을 이용하여 반사할 수 있다. 이로써, 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 적어도 1 이상의 홈은 복수개의 홈으로 구성되고, 복수개의 홈은 직교 방향으로 서로 대향하고 있어도 된다.
이에 의하면, 탄성파 장치는 직교 방향으로 서로 대향하는 복수개의 홈을 가지고 있으므로, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파를 홈을 이용하여 반사하여, 복수개의 홈 사이에 가둘 수 있다. 이로써, 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 압전기판은, 지지 기판과, 지지 기판 상에 위치하는 압전층과, 지지 기판과 압전층 사이에 마련된 중간층을 가지며, IDT 전극은 압전층 상에 마련되고, 적어도 1 이상의 홈은 압전층으로부터 중간층의 적어도 일부에 이르기까지 형성되어 있어도 된다.
이에 의하면, 압전층, 및 중간층의 적어도 일부를 전파하는 탄성파를 홈을 이용하여 반사할 수 있다. 이로써, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 압전기판은, 지지 기판과, 지지 기판 상에 위치하는 압전층과, 지지 기판과 압전층 사이에 마련된 중간층을 가지며, IDT 전극은 압전층 상에 마련되고, 적어도 1 이상의 홈은 압전층에는 형성되지 않고, 중간층의 적어도 일부에 형성되어 있어도 된다.
이에 의하면, 중간층의 적어도 일부를 전파하는 탄성파를 홈을 이용하여 반사할 수 있다. 이로써, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 탄성파 장치의 중간층은 입계(粒界; grain boundary)를 가지고 있어도 된다.
예를 들면, 중간층을 전파하는 탄성파의 일부가 입계에 의해 산란되고, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 탄성파가 전파하는 경우이어도, 본 발명의 탄성파 장치는 탄성파 전파 방향을 따라 형성된 홈을 가지고 있으므로, 상기 탄성파를 반사할 수 있다. 이로써, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 중간층은 압전층에 접해 있어도 된다.
이로써, 압전층을 전파하는 탄성파의 에너지가 두께 방향으로 누설되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 중간층이 입계를 가지고 있는 경우에는 압전층에 접하는 중간층을 전파하는 탄성파의 일부가 산란되고, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 탄성파가 전파하는 경우이어도, 본 발명의 탄성파 장치는 탄성파 전파 방향의 직교 방향으로 서로 대향하는 홈을 가지고 있으므로, 상기 탄성파를 반사할 수 있다. 이로써, 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 중간층은 1 또는 복수개의 SiO2층을 포함하고 있어도 된다.
예를 들면, SiO2층을 전파하는 탄성파의 일부가 산란되고, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 탄성파가 전파되는 경우이어도, 본 발명의 탄성파 장치는 탄성파 전파 방향을 따라 형성된 홈을 가지고 있으므로, 상기 탄성파를 반사시킬 수 있다. 이로써, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 중간층은, 압전층을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 저속이고, 지지 기판은, 압전층을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 고속이어도 된다.
이에 의하면, 압전층으로부터 중간층으로 전파한 탄성파를, 지지 기판과 중간층의 계면으로 반사하여, 압전층으로 되돌아오게 할 수 있다. 이로써, 탄성파 에너지를 압전층 내에 효율적으로 가둘 수 있다.
또한, 중간층은, 압전층을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 저속인 저음속막과, 압전층을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 고속인 고음속막을 가지며, 저음속막은 압전층과 지지 기판 사이에 마련되고, 고음속막은 저음속막과 지지 기판 사이에 마련되어 있어도 된다.
이에 의하면, 압전층으로부터 저음속막으로 전파한 탄성파를 고음속막과 저음속막의 계면으로 반사하여, 압전층으로 되돌아오게 할 수 있다. 이로써, 탄성파 에너지를 압전층 내에 효율적으로 가둘 수 있다.
또한, 중간층은, 저음향 임피던스층, 및 저음향 임피던스층보다도 음향 임피던스가 높은 고음향 임피던스층 각각이 적어도 한 층 이상 적층되어 있고, 저음향 임피던스층의 적어도 한 층은 고음향 임피던스층보다도 압전층 측에 마련되어 있어도 된다.
이에 의하면, 압전층으로부터 중간층으로 전파한 탄성파를 저음향 임피던스층과 고음향 임피던스층의 계면으로 반사하여, 압전층으로 되돌아오게 할 수 있다. 이로써, 탄성파 에너지를 압전층 내에 효율적으로 가둘 수 있다.
또한, 적어도 1 이상의 홈은 압전층으로부터 중간층을 거쳐 지지 기판의 일부에 이르기까지 형성되어 있다.
이와 같이, 홈을 지지 기판의 일부에 이르기까지 형성함으로써, 압전층 및 중간층을 전파하는 탄성파를 홈을 이용하여 반사할 수 있다. 이로써, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 압전기판에는 IDT 전극에 접속하는 입출력 배선이 마련되고, 적어도 1 이상의 홈은 입출력 배선과 다른 위치에 마련되어 있어도 된다.
이에 의하면, 입출력 배선의 부설에 의한 배선 로스(loss)를 억제하면서, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파를 홈을 이용하여 반사할 수 있다. 이로써, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 압전기판에는 IDT 전극에 접속하는 입출력 배선이 마련되고, 입출력 배선은 홈을 우회하여 형성되어 있어도 된다.
이에 의하면, 홈의 길이를 길게 할 수 있고, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파를 넓은 범위로 반사할 수 있다. 이로써, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
더욱이, 압전기판은 직교 방향을 따라 형성된 적어도 1 이상의 홈을 가지며, 직교 방향으로 형성된 적어도 1 이상의 홈은, 탄성파 전파 방향에서, 복수개의 전극지의 가장 바깥에 위치하는 전극지보다도 외측에 마련되어 있어도 된다.
이와 같이, 탄성파 장치는 직교 방향을 따라 형성된 홈을 가지고 있으므로, 탄성파 전파 방향으로 전파하는 탄성파를 홈의 측면으로 반사할 수 있다. 이로써, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 직교 방향을 따라 형성된 적어도 1 이상의 홈은 복수개의 홈으로 구성되고, 상기 복수개의 홈은 탄성파 전파 방향으로 서로 대향하고 있어도 된다.
이에 의하면, 탄성파 장치는, 탄성파 전파 방향으로 서로 대향하는 복수개의 홈을 가지고 있으므로, 탄성파 전파 방향으로 전파하는 탄성파를 홈을 이용하여 반사하여, 복수개의 홈 사이에 가둘 수 있다. 이로써, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, IDT 전극은, 탄성파 전파 방향을 따라 형성된 복수개의 홈과, 직교 방향을 따라 형성된 복수개의 홈에 의해 둘러싸여 있어도 된다.
이로써, 압전층의 주면(主面)을 따르는 전방위의 탄성파를 홈을 이용하여 반사하여, 복수개의 홈으로 둘러싸인 영역 내에 가둘 수 있다. 이로써, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 한 양태에 따른 프론트 엔드 회로는 상기 탄성파 장치를 포함한다.
이로써, 탄성파의 누설이 억제된 프론트 엔드 회로를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 한 양태에 따른 통신 장치는 고주파 신호를 처리하는 신호 처리 회로와 상기 프론트 엔드 회로를 포함한다.
이로써, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파의 누설이 억제된 통신 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 의하면, 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로, 또는 통신 장치에서의 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파의 외부로의 누설을 억제할 수 있다.
도 1은 실시형태 1에 따른 탄성파 장치의 사시도이다.
도 2a는 실시형태 1에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 탄성파 장치를 IIB-IIB선으로 절단한 경우의 절단면을 나타내는 절단 정면도이다.
도 2c는 도 2a의 탄성파 장치를 IIC-IIC선으로 절단한 경우의 절단면을 나타내는 절단 측면도이다.
도 3은 실시형태 1에 따른 탄성파 장치의 중간층을 탄성파가 전파하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 4는 실시형태 1의 변형예 1에 따른 탄성파 장치의 절단 측면도이다.
도 5는 실시형태 1의 변형예 2에 따른 탄성파 장치의 절단 측면도이다.
도 6은 실시형태 2에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 7a는 실시형태 3에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 7b는 실시형태 3의 변형예에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 8은 실시형태 4에 따른 탄성파 장치의 절단 측면도이다.
도 9는 실시형태 5에 따른 탄성파 장치의 절단 측면도이다.
도 10은 실시형태 6에 따른 프론트 엔드 회로 및 통신 장치를 나타내는 회로 구성도이다.
도 11은 그 밖의 형태에서의 탄성파 장치의 절단 측면도이다.
도 12는 그 밖의 형태에서의 탄성파 장치의 절단 측면도이다.
도 2a는 실시형태 1에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 탄성파 장치를 IIB-IIB선으로 절단한 경우의 절단면을 나타내는 절단 정면도이다.
도 2c는 도 2a의 탄성파 장치를 IIC-IIC선으로 절단한 경우의 절단면을 나타내는 절단 측면도이다.
도 3은 실시형태 1에 따른 탄성파 장치의 중간층을 탄성파가 전파하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 4는 실시형태 1의 변형예 1에 따른 탄성파 장치의 절단 측면도이다.
도 5는 실시형태 1의 변형예 2에 따른 탄성파 장치의 절단 측면도이다.
도 6은 실시형태 2에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 7a는 실시형태 3에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 7b는 실시형태 3의 변형예에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 8은 실시형태 4에 따른 탄성파 장치의 절단 측면도이다.
도 9는 실시형태 5에 따른 탄성파 장치의 절단 측면도이다.
도 10은 실시형태 6에 따른 프론트 엔드 회로 및 통신 장치를 나타내는 회로 구성도이다.
도 11은 그 밖의 형태에서의 탄성파 장치의 절단 측면도이다.
도 12는 그 밖의 형태에서의 탄성파 장치의 절단 측면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해, 실시형태 및 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 한편, 이하에서 설명하는 실시형태는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시형태에서 나타나는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정하는 주지는 아니다. 이하의 실시형태에서의 구성 요소 중 독립 청구항에 기재되어 있지 않은 구성 요소에 대해서는 임의의 구성 요소로서 설명된다. 또한, 도면에 나타나는 구성 요소의 크기 또는 크기의 비는 반드시 엄밀하지 않다.
(실시형태 1)
[1-1. 탄성파 장치의 구성]
도 1은 실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)의 사시도이다. 도 2a는 탄성파 장치(1)의 평면도이다. 도 2b는 도 2a의 탄성파 장치(1)를 IIB-IIB선으로 절단한 경우의 절단면을 나타내는 절단 정면도이다. 도 2c는 도 2a의 탄성파 장치(1)를 IIC-IIC선으로 절단한 경우의 절단면을 나타내는 절단 측면도이다.
탄성파 장치(1)는, 도 1, 도 2a 및 도 2b에 나타내는 바와 같이, 탄성파 전파 방향(D1)으로 서로 대향하는 한 쌍의 단면(1a, 1b)을 가진다. 또한, 탄성파 장치(1)는, 도 1, 도 2a 및 도 2c에 나타내는 바와 같이, 탄성파 전파 방향(D1)의 직교 방향(D2)으로 서로 대향하는 한 쌍의 단면(1c, 1d)을 가진다. 탄성파 장치(1)는 단면(1a~1d)을 이용하여 탄성표면파를 반사시키는 단면 반사형 탄성파 장치이다.
탄성파 장치(1)는, 압전기판(11)과, 압전기판(11)에 마련된 빗살 형상 전극(6a, 6b, 6c, 6d)을 가지는 IDT 전극(5)을 포함한다. 압전기판(11)은, 지지 기판(2)과, 지지 기판(2) 상에 마련된 중간층(3)과, 중간층(3) 상에 마련된 압전층(4)에 의해 구성된다. IDT 전극(5)은 압전층(4) 상에 마련되어 있다.
지지 기판(2)은, 도 2b 및 도 2c에 나타내는 바와 같이, 서로 대향하는 한쪽 주면(2a) 및 다른 쪽 주면(2b)을 가진다. 지지 기판(2)은, 압전층(4)을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 고속이 되는 재료에 의해 형성된다. 지지 기판(2)의 재료로는 예를 들면, Si 등의 반도체, 사파이어, LiTaO3(이하, "LT"라고 칭함), LiNbO3(이하, "LN"이라고 칭함), 유리 등을 들 수 있다. 이들 재료는 단독으로 사용해도 되고, 복수개를 병용해도 된다.
중간층(3)은 지지 기판(2)의 한쪽 주면(2a) 상에 마련되어 있다. 또한, 중간층(3)은 후술하는 압전층(4)의 바로 아래에 위치하고, 압전층(4)에 접해 있다. 중간층(3)이 압전층에 접해 있음으로써, 압전층(4)을 전파하는 탄성파의 에너지가 두께 방향으로 누설되는 것을 방지할 수 있다.
중간층(3)은, 압전층(4)을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 저속이 되는 재료에 의해 형성된다. 중간층(3)은 예를 들면, 다결정, 아몰퍼스(amorphous) 또는 일축배향된 막에 의해 형성되고, 결정 입자(G1) 및 입계(G2)를 가지고 있다(도 3 참조).
구체적으로는, 중간층(3)은 SiO2층에 의해 형성되어 있다. 물론, 중간층(3)을 형성하는 재료로는 SiO2 외에, 질화규소, 질화알루미늄 등을 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 복수개를 병용해도 된다. 또한, 지지 기판(2)과의 밀착성을 높이는 관점에서는 중간층(3)을 구성하는 재료로 SiO2를 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 중간층(3)은 복수개의 층이 적층된 다층 구조를 가지고 있어도 된다. 그 경우에는, 적층 방향에서, 지지 기판(2)에 가장 가깝게 위치하는 층이, SiO2에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 더욱이, 중간층(3)은 탄성파가 전파하는 영역(예를 들면, IDT 전극(5)이나 반사기가 존재하는 영역)의 바로 아래에만 패터닝된 중간층(3)이 있어도 된다. 그리고 탄성파의 전파하는 영역 외(예를 들면, IDT 전극(5)의 외측의 영역)에 형성된 중간층(3)으로 이루어지는 것이어도 된다. 즉, 도 2b, 2c에 나타내는 중간층(3)은 면 내에서 동일 구조를 취하고 있지 않아도 된다. 이 경우, 파를 전파하는 영역 바로 아래에 형성된 중간층(3)은 위에 서술한 적절한 재료인 것이 바람직하고, 탄성파를 전파하는 영역 외에 형성된 중간층(3)은 임의의 재료이어도 된다.
압전층(4)은 중간층(3) 상에 마련되어 있다. 압전층(4)은 박막(薄膜) 형상이며, 압전층(4)의 두께는, 탄성파의 파장을 λ로 한 경우에 예를 들면, 두께 1λ인 것이 바람직하다. 그 경우, 탄성파를 보다 여진(勵振)시킬 수 있다.
압전층(4)은 서로 대향하는 한쪽 주면(4a) 및 다른 쪽 주면(4b)을 가지고 있다. 압전층(4)의 다른 쪽 주면(4b)은 중간층(3) 측에 위치하고 있다. 압전층(4)은 LT에 의해 구성되어 있다. 물론, 압전층(4)을 구성하는 재료로는, LN 등의 다른 압전 단결정을 사용해도 되고, 압전 세라믹스를 사용해도 된다.
IDT 전극(5)은 압전층(4)의 한쪽 주면(4a) 상에 마련되어 있다. 탄성파 장치(1)는, IDT 전극(5)에 의해 여진되는 탄성파로서, SH파를 주성분으로 하는 탄성표면파를 이용하고 있다. 물론 여진되는 파는 SH파 또는 램파(lamb wave)(S0 모드, S1 모드, A1 모드, A0 모드) 등의 판파(板波)를 포함하는 탄성파이면 된다. 여기서 말하는 판파란, 여진되는 판파의 파장을 1λ로 한 경우에, 막 두께 1λ정도 이하의 압전 박판에 여진되는 다양한 파를 총칭하고 있다. 이하의 "판파"도 동일한 의미이다.
도 1 및 도 2a에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(5)의 일부인 한 쌍의 빗살 형상 전극(6a, 6b)은 서로 대향하고 있다. 또한, IDT 전극(5)의 일부인 한 쌍의 빗살 형상 전극(6c, 6d)은 서로 대향하고 있다. 빗살 형상 전극(6a, 6b) 각각은, 탄성파 전파 방향(D1)으로 연장되는 버스바 전극(7a, 7b)과, 직교 방향(D2)으로 연장되는 복수개의 전극지(8a, 8b)를 가지고 있다. 빗살 형상 전극(6c, 6d) 각각은, 탄성파 전파 방향(D1)으로 연장되는 버스바 전극(7c, 7d)과, 직교 방향(D2)으로 연장되는 복수개의 전극지(8a, 8b)를 가지고 있다. 복수개의 전극지(8a)는 버스바 전극(7a, 7c)에 접속되어 있고, 복수개의 전극지(8b)는 버스바 전극(7b, 7d)에 접속되어 있다. 복수개의 전극지(8a)와 복수개의 전극지(8b)는 서로 사이에 삽입되어 있다. 복수개의 전극지(8a, 8b) 중 탄성파 전파 방향(D1)의 가장 바깥(가장 외측)에 위치하는 양 단부의 전극지(8a, 8b)의 폭은 λ/8이다. 양 단부의 전극지(8a, 8b)와 다른 중앙부의 전극지(8a, 8b)의 폭은 λ/4이다.
IDT 전극(5)을 구성하는 재료로는 예를 들면, Cu, Ni, Ni-Cr 합금, Al-Cu 합금, Ti, Al, Pt 등의 적절한 금속 또는 합금을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 복수개를 병용해도 된다. 또한, IDT 전극(5)은, 복수개의 금속막을 적층하여 이루어지는 적층 금속막에 의해 구성되어 있어도 된다. 한편, 압전층(4)의 한쪽 주면(4a) 상에, IDT 전극(5)을 덮도록 온도 조정막으로서의 SiO2막이 마련되어도 된다. 버스바 전극(7a~7d)의 두께는 전극지(8a, 8b)의 두께보다도 두껍게 형성되어 있어도 된다.
압전기판(11)에는, IDT 전극(5)에 접속되고, IDT 전극(5)에 전력을 공급하는 입출력 배선(9a, 9b)이 마련되어 있다. 구체적으로는, 입출력 배선(9a)은 빗살 형상 전극(6b)의 버스바 전극(7b)에 접속되고, 입출력 배선(9b)은 빗살 형상 전극(6c)의 버스바 전극(7c)에 접속되어 있다.
본 실시형태의 탄성파 장치(1)에서는, 도 1 및 도 2a에 나타내는 바와 같이, 압전기판(11)에 복수개의 홈(10A, 10B) 및 복수개의 홈(10C, 10D)이 마련되어 있다.
홈(10A, 10B) 각각은 직교 방향(D2)을 따라 형성되고, 탄성파 전파 방향(D1)으로 서로 대향하고 있다. 홈(10C, 10D) 각각은 탄성파 전파 방향(D1)을 따라 형성되고, 직교 방향(D2)으로 서로 대향하고 있다. 홈(10A~10D)은 IDT 전극(5)의 외측을 둘러싸도록 마련되어 있다. 홈(10A~10D) 각각의 외측에는 홈 외측 기판부(groove outside substrate portion)(11A, 11B, 11C, 11D)가 형성되어 있다.
홈(10A, 10B) 각각은, 탄성파 전파 방향(D1)에서, 복수개의 전극지(8a, 8b)의 가장 바깥에 위치하는 전극지(8a, 8b)보다도 외측에 마련되어 있다. 또한, 홈(10A, 10B) 각각은, 탄성파 장치(1)를 평면에서 본 경우(한쪽 주면(4a)에 수직인 방향에서 본 경우)에, 가장 바깥에 위치하는 전극지(8a, 8b)와 인접해 있다.
홈(10C)은, 직교 방향(D2)에서 버스바 전극(7a, 7c)으로부터 보아, 복수개의 전극지(8a)가 형성되어 있는 측과 반대 측(직교 방향(D2)의 마이너스 측)에 마련되어 있다. 홈(10C)은, 평면에서 본 경우에, 버스바 전극(7a, 7c)으로부터 소정 거리(i1) 떨어져, 버스바 전극(7a, 7c)에 평행하게 형성되어 있다. 또한, 홈(10C)은 긴 쪽 방향으로 둘로 나뉘어, 입출력 배선(9b)을 피하도록 입출력 배선(9b)과 다른 위치에 마련되어 있다. 홈(10C)은 버스바 전극(7a, 7c)의 합계 길이보다도 길게 형성되어 있어도 된다.
홈(10D)은, 직교 방향(D2)에서, 버스바 전극(7b, 7d)으로부터 보아, 복수개의 전극지(8b)가 형성되어 있는 측과 반대 측(직교 방향(D2)의 플러스 측)에 마련되어 있다. 홈(10D)은, 평면에서 본 경우에, 버스바 전극(7b, 7d)으로부터 소정 거리(i2) 떨어져, 버스바 전극(7b, 7d)에 평행하게 형성되어 있다. 소정 거리(i1 및 i2)는 동일하고, 예를 들면 i1=i2=λ/8이다. 또한, 홈(10D)은 긴 쪽 방향으로 둘로 나뉘어, 입출력 배선(9a)을 피하도록 입출력 배선(9a)과 다른 위치에 마련되어 있다. 홈(10D)은 버스바 전극(7b, 7d)의 합계 길이보다도 길게 형성되어 있어도 된다.
또한, 도 2b 및 도 2c에 나타내는 바와 같이, 홈(10A~10D) 각각은 압전층(4)으로부터 중간층(3)의 일부에 이르기까지 형성되어 있다. 구체적으로는, 홈(10A~10D) 각각은 양 측면(10a) 및 바닥부(10b)를 가지며, 바닥부(10b)는 지지 기판(2)에 도달해 있지 않고, 압전층(4)의 다른 쪽 주면(4b)과 지지 기판(2)의 한쪽 주면(2a) 사이에 위치하고 있다.
본 실시형태의 탄성파 장치(1)에서는, 홈(10A)의 양 측면(10a) 중 가장 바깥의 전극지(8b)의 가까이에 위치하는 측면(10a)이 단면(1a)이 되고, 홈(10B)의 양 측면(10a) 중 가장 바깥의 전극지(8a)의 가까이에 위치하는 측면(10a)이 단면(1b)이 된다. 또한, 탄성파 장치(1)에서는, 홈(10C)의 양 측면(10a) 중 버스바 전극(7a, 7c)의 가까이에 위치하는 측면(10a)이 단면(1c)이 되고, 홈(10D)의 양 측면(10a) 중 버스바 전극(7b, 7d)의 가까이에 위치하는 측면(10a)이 단면(1d)이 된다. 서로 대향하는 단면(1a, 1b)은, 탄성파 전파 방향(D1)으로 전파하는 탄성파를 반사하여 단면(1a, 1b) 사이에 가둘 수 있다. 서로 대향하는 단면(1c, 1d)은, 탄성파 전파 방향(D1)과 다른 방향(예를 들면 직교 방향(D2))으로 전파하는 탄성파를 반사하여 단면(1c, 1d) 사이에 가둘 수 있다. 또한, 탄성파 장치(1)에서는, IDT 전극(5)이 단면(1a~1d)에 의해 둘러싸여 있고, 압전층(4)의 한쪽 주면(4a)을 따르는 전방위의 탄성파를 단면(1a~1d)으로 반사하여, 단면(1a~1d)으로 둘러싸이는 영역 내에 가둘 수 있다.
한편, 한쪽 주면(4a)과 단면(1a)의 각도(홈(10A) 측에 형성되는 각도), 및 한쪽 주면(4a)과 단면(1b)의 각도(홈(10B) 측에 형성되는 각도)는, 각각 70도 이상 90도 이하인 것이 바람직하다. 또한, 한쪽 주면(4a)과 단면(1c)의 각도(홈(10C) 측에 형성되는 각도), 및 한쪽 주면(4a)과 단면(1d)의 각도(홈(10D) 측에 형성되는 각도)는, 각각 70도 이상 90도 이하인 것이 바람직하다. 이 구조에 의해, 단면(1a~1d)으로 둘러싸이는 영역 내에 탄성파를 효과적으로 가둘 수 있다.
탄성파 장치(1)의 제조 방법으로는 예를 들면, 이하에 나타내는 방법에 의해 제조할 수 있다. 우선, 지지 기판(2), 중간층(3), 압전층(4) 및 IDT 전극(5)이 이 순서로 적층된 적층체를 형성한다. 다음으로, 상기 적층체를 구성하는 압전층(4) 및 중간층(3)의 일부를 에칭으로 제거한다. 이 에칭에 의해, 홈(10A~10D)을 형성한다. 상기 에칭의 수법으로는 ICP-RIE법에 의해 에칭하는 것이 바람직하다. ICP-RIE법에 의해 에칭하는 경우, 홈(10A~10D)을 고정밀도로 제작할 수 있다.
[1-2. 효과 등]
본 실시형태에 따른 탄성파 장치(1)는, 압전기판(11)과, 압전기판(11)에 마련된 IDT 전극(5)을 포함한다. IDT 전극(5)은, 탄성파 전파 방향(D1)으로 연장되는 버스바 전극(7a, 7c(혹은 7b, 7d))과, 버스바 전극(7a, 7c(혹은 7b, 7d))에 접속되며 탄성파 전파 방향(D1)의 직교 방향(D2)으로 연장되는 복수개의 전극지(8a(혹은 8b))를 가지고 있다. 압전기판(11)은, 탄성파 전파 방향(D1)을 따라 형성된 적어도 1 이상의 홈(10C, 10D)을 가지며, 홈(10C(혹은 10D)) 각각은, 직교 방향(D2)에서 버스바 전극(7a, 7c(혹은 7b, 7d))으로부터 보아, 복수개의 전극지(8a(혹은 8b))가 형성되어 있는 측과 반대 측에 마련되어 있다.
이와 같이, 압전기판(11)에, 탄성파 전파 방향(D1)을 따라 형성된 홈(10C, 10D)을 마련함으로써, 탄성파 전파 방향(D1)과 다른 방향으로 전파하는 탄성파를 홈(10C, 10D)의 측면(10a)(단면(1c, 1d))으로 반사시켜, 홈(10C, 10D) 사이에 가둘 수 있다. 이로써, 탄성파 장치(1)에서, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
한편, 홈(10C, 10D)은 압전기판(11)에 반드시 복수개 형성되어 있을 필요는 없다. 탄성파 장치(1)는, 적어도 하나 이상의 홈을 가짐으로써, 탄성파 전파 방향(D1)과 다른 방향으로 전파하는 탄성파를 반사하여 되돌아오게 하는 효과를 가진다.
또한, 탄성파 장치(1)의 압전기판(11)은, 지지 기판(2)과, 지지 기판(2) 상에 위치하는 압전층(4)과, 지지 기판(2)과 압전층(4) 사이에 마련된 중간층(3)을 가지고 있고, IDT 전극(5)은 압전층(4) 상에 마련되어 있다. 그리고 홈(10C, 10D) 각각은 압전층(4)으로부터 중간층(3)의 적어도 일부에 이르기까지 형성되어 있다.
이와 같이, 홈(10C, 10D)을 압전층(4), 및 중간층(3)의 적어도 일부에 형성함으로써 압전층(4)에만 홈을 마련한 경우에 비해, 압전층(4) 및 중간층(3)을 전파하는 탄성파를 홈(10C, 10D)으로 반사할 수 있다. 이로써, 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다. 한편, 홈(10C, 10D)은, 중간층(3)의 두께 방향의 일부에 한정되지 않고, 중간층(3)을 관통하는 깊이까지 형성되어 있어도 된다.
또한, 본 실시형태의 탄성파 장치(1)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 중간층(3)이 결정 입자(G1) 및 입계(G2)에 의해 형성되어 있는 경우이어도 탄성파 전파 방향과 다른 방향으로 전파하는 탄성파의 누설을 억제할 수 있다. 예를 들면, 중간층(3)을 전파하는 탄성파의 일부가 입계(G2)에 의해 산란되어, 탄성파 전파 방향(D1)과 다른 방향으로 탄성파가 전파되는 경우이어도 탄성파 장치(1)는 홈(10C, 10D)을 가지고 있으므로, 홈(10C, 10D)을 이용하여 상기 탄성파를 반사하여, 홈(10C, 10D) 사이에 탄성파 에너지를 가둘 수 있다.
또한, 탄성파 장치(1)의 IDT 전극(5)은, 탄성파 전파 방향(D1)을 따라 형성된 복수개의 홈(10C, 10D)과, 직교 방향(D2)을 따라 형성된 복수개의 홈(10A, 10B)에 의해 둘러싸여 있다.
이로써, 압전층(4)의 한쪽 주면(4a)을 따르는 전방위의 탄성파가 홈(10A~10D)의 측면으로 반사되어, 탄성파의 누설을 억제할 수 있다.
또한, 탄성파 장치(1)는, 홈(10A~10D)이 지지 기판(2)의 다른 쪽 주면(2b)까지 도달하지 않고, 분단되어 있지 않은 구조로 되어 있다. 즉, 탄성파 장치(1)는 홈(10A~10D) 각각의 외측에 홈 외측 기판부(11A, 11B, 11C, 11D)를 가지고 있다. 홈 외측 기판부(11A~11D)는, 압전기판(11)에 접하고, 압전기판(11)과 동일한 재료에 의해 구성되어 있다. 예를 들면, 압전기판(11)이 실장 기판으로 이용되는 경우, 홈 외측 기판부(11A~11D) 상에 다른 소자나 회로 부분을 마련할 수 있다. 그 때문에, 이 탄성파 장치(1)에서는 다른 소자나 회로 부분과 재접속을 할 필요가 없어, 전기적 접속을 간략화할 수 있다. 또한, 홈 외측 기판부(11A~11D) 상에 다른 소자나 회로 부분을 마련할 수 있기 때문에, 탄성파 장치(1)가 탑재되는 전자 부품을 소형화할 수 있다.
[1-3. 변형예 1]
도 4는 실시형태 1의 변형예 1에 따른 탄성파 장치(1A)의 절단 측면도이다.
변형예 1의 탄성파 장치(1A)에서는 홈(10C)에 의해 형성되는 단면(1c)이 버스바 전극(7a, 7c)에 근접하고, 버스바 전극(7a, 7c)의 측면과 같은 높이가 되도록 형성되어 있다. 또한, 홈(10D)에 의해 형성되는 단면(1d)이 버스바 전극(7b, 7d)에 근접하고, 버스바 전극(7b, 7d)의 측면과 같은 높이가 되도록 형성되어 있다.
이와 같이, 홈(10C, 10D)을 버스바 전극(7a~7d)에 근접시켜 마련함으로써, 탄성파 장치(1A)를 소형화할 수 있다. 또한, 탄성파 전파 방향(D1)과 다른 방향으로 전파하는 탄성파를 버스바 전극(7a~7d)에 가까운 위치에서 반사할 수 있으므로, 탄성파를 효율적으로 가둘 수 있다.
[1-4. 변형예 2]
도 5는 실시형태 1의 변형예 2에 따른 탄성파 장치(1B)의 절단 측면도이다.
변형예 2의 탄성파 장치(1B)에서는 홈(10C, 10D) 각각이 압전층(4)으로부터 중간층(3)을 거쳐 지지 기판(2)의 일부에 이르기까지 형성되어 있다. 구체적으로는 홈(10C, 10D)이 압전층(4)의 한쪽 주면(4a)으로부터 지지 기판(2)의 한쪽 주면(2a)과 다른 쪽 주면(2b) 사이에 이르는 깊이까지 형성되어 있다.
예를 들면, 압전층(4), 중간층(3) 및 지지 기판(2)의 재질이 각각 다른 경우, 각 재질의 선팽창 계수의 차이에 의해, 온도변화에 의한 일그러짐이 생기기 쉬워진다. 그에 반해, 변형예 2의 탄성파 장치(1B)에서는, 지지 기판(2)의 일부에 이르기까지 홈(10C, 10D)이 형성되어 있으므로, 온도변화에 의한 일그러짐을 작게 할 수 있다. 또한, 탄성파가 지지 기판(2)으로 새어 나오고 있는 경우는, 홈(10C, 10D)을 지지 기판(2)의 일부에 이르게 함으로써, 보다 탄성파의 가둠 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 탄성파 장치(1B)에서는 중간층(3)이 저음속막(34)에 의해 구성되고, 지지 기판(2)이 고음속 지지 기판으로 구성되어 있어도 된다.
저음속막이란, 압전층(4)을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 저속인 막이다. 고음속 지지 기판이란, 압전층(4)을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 고속인 지지 기판이다.
구체적으로는, 고음속 지지 기판 상에 음속이 상대적으로 낮은 저음속막이 적층되고, 이 저음속막 상에 압전층(4)이 적층되어 있다. 중간층(3)은, 탄성파가 전파하는 영역(예를 들면 IDT 전극(5)이나 반사기가 존재하는 영역 바로 아래만)에 저음속막이 패터닝되어 있어도 된다. 그리고 탄성파가 전파하는 영역 외(예를 들면 IDT 전극(5)의 외측의 영역)에는, 적절한 재료(예를 들면 SiO2)가 형성되어 있는 것이어도 된다. 또한, 중간층(3)과 고음속 지지 기판 사이에 적절한 재료가 형성되어 있어도 된다.
상기의 고음속 지지 기판은 탄성파 에너지를 고음속 지지 기판 중에 가두는 기능을 가지고 있다. 즉, 탄성파 에너지는 고음속 지지 기판의 상방보다도 상측의 영역(압전층 및 저음속막까지 포함하는 영역)에 가두는 것이 가능해진다.
저음속막으로는, 산화규소, 유리, 산질화규소, 산화탄탈, 산화규소에 불소 또는 탄소 또는 붕소를 첨가한 화합물, 또는 상기 각 재료를 주성분으로 하는 재료 중 어느 하나로 이루어진다.
고음속 지지 기판으로는, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 실리콘, 사파이어, 리튬탄탈레이트, 리튬니오베이트, 수정 등의 압전체, 알루미나, 지르코니아, 코디에라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포스테라이트 등의 각종 세라믹, 마그네시아 다이아몬드, 또는 상기 각 재료를 주성분으로 하는 재료, 상기 각 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 재료 중 어느 하나로 이루어진다.
탄성파 장치(1B)에서, 홈(10A~10D)은, 압전층(4)의 한쪽 주면(4a)으로부터 저음속막을 거쳐, 고음속 지지 기판의 일부에 이르기까지 형성되어 있다. 본 실시형태와 같이 중간층(3)이 저음속막으로 구성된 구조인 경우, 탄성파 에너지는 고음속 지지 기판의 상방보다도 상측의 영역(압전층(4) 및 저음속막까지 포함하는 영역)에 갇혀 있으므로, 홈(10A~10D)은 고음속 지지 기판의 일부에까지 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 탄성파 장치(1B)에서의 홈(10C, 10D)의 형성 방법으로는, 우선, 에칭에 의해 압전층(4) 및 중간층(3)에서의, 홈(10C, 10D)에 대응하는 부분을 제거한다. 다음으로, 다이싱에 의해 지지 기판(2)의 일부에서의, 홈(10C, 10D)에 대응하는 부분을 제거하고, 홈(10C, 10D)을 형성한다. 이로써, 압전층(4)으로부터 지지 기판(2)의 일부까지 이르는 홈(10C, 10D)을 형성할 수 있다.
(실시형태 2)
도 6은 실시형태 2에 따른 탄성파 장치(1C)의 평면도이다.
탄성파 장치(1C)는, IDT 전극(5, 5t)이 직교 방향(D2)으로 2개 나란히 배치되어 있다. 그리고 한쪽의 IDT 전극(5)에 대응하여 홈(10A, 10B, 10C, 10D)이 형성되고, 다른 한쪽의 IDT 전극(5t)에 대응하여 홈(10At, 10Bt, 10Ct, 10Dt)이 형성되어 있다.
다른 한쪽의 IDT 전극(5t)의 구성은 실시형태 1의 IDT 전극(5)과 거의 동일한 구성이며, 중복되는 설명을 생략한다. 또한, 다른 한쪽의 IDT 전극(5t)에 대응하는 홈(10At, 10Bt, 10Ct, 10Dt) 각각의 구성은 실시형태 1의 홈(10A, 10B, 10C, 10D)과 거의 동일하며, 중복되는 설명을 생략한다.
이 탄성파 장치(1C)에서는 IDT 전극(5, 5t)이 입출력 배선(9a)을 통해 직렬로 접속되어 있다. 구체적으로는, IDT 전극(5)의 빗살 형상 전극(6b)과 IDT 전극(5t)의 빗살 형상 전극(6c)이 입출력 배선(9a)에 의해 접속되어 있다. 또한, IDT 전극(5)의 빗살 형상 전극(6c)에 입출력 배선(9b)이 접속되어 있다. IDT 전극(5t)의 빗살 형상 전극(6b)에 입출력 배선(9c)이 접속되어 있다. 홈(10Ct)은 입출력 배선(9a)을 피하도록, 홈(10Dt)은 입출력 배선(9c)을 피하도록 마련되어 있다. 즉, 홈(10Ct, 10Dt) 각각은 입출력 배선(9a, 9c)과 다른 위치에 마련되어 있다.
본 실시형태에 따른 탄성파 장치(1C)는, 압전기판(11)과, 압전기판(11)에 마련된 IDT 전극(5) 및 IDT 전극(5t)을 포함한다. IDT 전극(5, 5t)은, 탄성파 전파 방향(D1)으로 연장되는 버스바 전극(7a, 7c(혹은 7b, 7d))과, 버스바 전극(7a, 7c(혹은 7b, 7d))에 접속되며 탄성파 전파 방향(D1)의 직교 방향(D2)으로 연장되는 복수개의 전극지(8a(혹은 8b))를 가지고 있다. 압전기판(11)은, 탄성파 전파 방향(D1)을 따라 형성된 복수개의 홈(10C, 10D), 및 복수개의 홈(10Ct, 10Dt)을 가지며, 복수개의 홈(10C, 10D(혹은 10Ct, 10Dt)) 각각은, 직교 방향(D2)에서 버스바 전극(7a, 7c(혹은 7b, 7d))으로부터 보아, 복수개의 전극지(8a(혹은 8b))가 형성되어 있는 측과 반대 측에 마련되어 있다.
이와 같이, 2개의 IDT 전극(5, 5t)을 가지는 경우이어도 IDT 전극(5, 5t) 각각에 대응하여 홈(10C, 10D, 10Ct, 10Dt)을 마련함으로써, 탄성파 전파 방향(D1)과 다른 방향으로 전파하는 탄성파를 홈(10C, 10D)의 단면(1c, 1d), 또는 홈(10Ct, 10Dt)의 단면(1c, 1d)으로 반사하여, 홈(10C, 10D) 사이 또는 홈(10Ct, 10Dt) 사이에 가둘 수 있다. 이로써, 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
(실시형태 3)
도 7a는 실시형태 3에 따른 탄성파 장치(1D)의 평면도이다.
탄성파 장치(1D)에서는 입출력 배선(9a)이 홈(10D)을 우회하여 형성되어 있다. 탄성파 장치(1D)에서의 IDT 전극(5, 5t)의 구성은 실시형태 2와 거의 동일하여, 중복되는 설명을 생략한다.
이 탄성파 장치(1D)에서는 한쪽의 IDT 전극(5)과 다른 한쪽의 IDT 전극(5t) 사이에 위치하는 홈(10D)이 1개이며, 홈(10D)이 IDT 전극(5)과 IDT 전극(5t)으로 겸용되고 있다. 그리고 IDT 전극(5)의 빗살 형상 전극(6b)과 IDT 전극(5t)의 빗살 형상 전극(6c)이 입출력 배선(9a)에 의해 접속되어 있다. 입출력 배선(9a)은 홈(10D)을 피하도록 형성되어 있다.
본 실시형태에 따른 탄성파 장치(1D)는 탄성파 전파 방향(D1)을 따라 형성된 복수개의 홈(10C, 10D, 10Dt)을 가지며, 복수개의 홈(10C, 10D(혹은 10D, 10Dt)) 각각은, 직교 방향(D2)에서 버스바 전극(7a, 7c(혹은 7b, 7d))으로부터 보아, 복수개의 전극지(8a(혹은 8b))가 형성되어 있는 측과 반대 측에 마련되어 있다.
이와 같이, 2개의 IDT 전극(5, 5t)을 가지는 경우이어도 IDT 전극(5, 5t) 각각에 대응하여 홈(10C, 10D, 10Dt)을 마련함으로써, 탄성파 전파 방향(D1)과 다른 방향으로 전파하는 탄성파를 홈(10C, 10D)의 단면(1c, 1d), 또는 홈(10D, 10Dt)의 단면(1c, 1d)으로 반사하여, 홈(10C, 10D) 사이 또는 홈(10D, 10Dt) 사이에 가둘 수 있다. 이로써, 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
도 7b는 실시형태 3의 변형예에 따른 탄성파 장치(1E)의 평면도이다.
변형예의 탄성파 장치(1E)에서는 입출력 배선이 버스바 전극으로부터 인출되고, 홈(10C, 10D, 10Dt)을 우회하여 형성되어 있다. 홈(10C, 10D, 10Dt) 각각은 1개의 홈에 의해 형성되어 있다.
구체적으로는, 입출력 배선(9b)은 IDT 전극(5)의 버스바 전극(7a)으로부터 인출되고, 홈(10C)을 우회하도록 형성되어 있다. 입출력 배선(9a)은 IDT 전극(5t)의 버스바 전극(7c)으로부터 인출되고, 홈(10D)을 우회하여, IDT 전극(5)의 버스바 전극(7d)에 접속되어 있다. 입출력 배선(9c)은 홈(10Dt)을 우회하여, IDT 전극(5t)의 버스바 전극(7b)에 접속되어 있다.
변형예의 탄성파 장치(1E)에서는 IDT 전극(5, 5t) 각각에 대응하여 홈(10C, 10D, 10Dt)을 마련함으로써, 탄성파 전파 방향(D1)과 다른 방향으로 전파하는 탄성파를 홈(10C, 10D) 각각의 단면(1c, 1d), 또는 홈(10D, 10Dt) 각각의 단면(1c, 1d)으로 반사하여, 홈(10C, 10D) 사이 또는 홈(10D, 10Dt) 사이에 가둘 수 있다. 이로써, 탄성파가 외부로 누설되는 것을 억제할 수 있다.
또한, IDT 전극(5, 5t) 사이의 홈(10D)을 겸용하여 1개로 함으로써, 탄성파 장치(1E)의 직교 방향(D2)의 치수를 작게 할 수 있고, 탄성파 장치(1E)를 소형화할 수 있다.
(실시형태 4)
도 8은 실시형태 4에 따른 탄성파 장치(1F)의 절단 측면도이다. 이 절단 측면도는 도 2c에서 나타내는 절단면과 동일한 위치에서 탄성파 장치(1F)를 절단한 경우의 측면도이다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 탄성파 장치(1F)에서는 중간층(3)이 고음속막(33) 및 저음속막(34)에 의해 구성되어 있다. 구체적으로는, 지지 기판(2) 상에 음속이 상대적으로 높은 고음속막(33)이 적층되고, 고음속막(33) 상에 음속이 상대적으로 낮은 저음속막(34)이 적층되며, 저음속막(34) 상에 압전층(4)이 적층되어 있다. 중간층(3)은 탄성파가 전파하는 영역(예를 들면 IDT 전극(5)이나 반사기가 존재하는 영역 바로 아래만)에 고음속막(33)과 저음속막(34)이 패터닝되어 있어도 된다. 그리고 탄성파가 전파하는 영역 외(예를 들면 IDT 전극(5)의 외측의 영역)에는 적절한 재료, 예를 들면 SiO2가 형성되어 있는 것이어도 된다. 또한, 중간층(3)과 지지 기판(2) 사이에 적절한 재료가 형성되어 있어도 된다.
고음속막(33)은, 탄성파가 고음속막(33)보다 하측으로 누설되지 않도록, 탄성파를 압전층(4) 및 저음속막(34)이 적층되어 있는 부분에 가두는 기능을 가지고 있다. 고음속막(33)은, 예를 들면 질화알루미늄으로 이루어진다. 물론, 상기 탄성파를 가둘 수 있는 한, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 산질화규소, DLC막 또는 다이아몬드, 이들 재료를 주성분으로 하는 매질, 이들 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 매질 등의 다양한 고음속 재료를 사용할 수 있다. 탄성파를 압전층(4) 및 저음속막(34)이 적층되어 있는 부분에 가두기 위해서는 고음속막(33)의 막 두께는 두꺼울수록 바람직하고, 탄성파의 파장 λ의 0.1배 이상, 더욱이 1.5배 이상인 것이 바람직하다.
저음속막(34)은 산화규소로 이루어진다. 물론, 저음속막(34)을 구성하는 재료로는 압전층(4)을 전파하는 벌크파보다도 저음속의 벌크파 음속을 가지는 적절한 재료를 사용할 수 있다. 이와 같은 재료로는, 산화규소, 유리, 산질화규소, 산화탄탈, 또한 산화규소에 불소나 탄소나 붕소를 첨가한 화합물 등, 상기 재료를 주성분으로 한 매질을 사용할 수 있다.
한편, 고음속막(33)이란, 압전층(4)을 전파하는 표면파나 경계파의 탄성파보다도, 고음속막(33) 중의 벌크파의 음속이 고속이 되는 막을 말하는 것으로 한다. 또한, 저음속막(34)이란, 압전층(4)을 전파하는 벌크파보다도, 저음속막(34) 중의 벌크파의 음속이 저속이 되는 막을 말하는 것으로 한다.
탄성파 장치(1F)에서, 홈(10A~10D)은 압전층(4)의 한쪽 주면(4a)으로부터 저음속막(34)을 거쳐, 고음속막(33)의 일부에 이르기까지 형성되어 있다. 본 실시형태와 같이 중간층(3)이 고음속막(33)에 저음속막(34)을 적층한 구조인 경우, 홈(10A~10D)은 고음속막(33)의 일부에까지 형성되는 것이 바람직하다.
이와 같이, 압전기판(11)을 압전층(4), 저음속막(34), 고음속막(33), 및 지지 기판(2)으로 형성함으로써, 압전층(4)으로부터 저음속막(34)으로 전파한 탄성파를 고음속막(33)과 저음속막(34)의 계면으로 반사하여, 압전층(4)으로 되돌아가게 할 수 있다. 이로써, 탄성파 에너지를 압전층(4) 내에 효율적으로 가둘 수 있다.
(실시형태 5)
도 9는 실시형태 5에 따른 탄성파 장치(1G)의 절단 측면도이다. 이 절단 측면도는 도 2c에서 나타내는 절단면과 동일한 위치에서 탄성파 장치(1G)를 절단한 경우의 측면도이다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 탄성파 장치(1G)에서는 중간층(3)이 복수개의 음향 임피던스층을 가지는 음향 반사층으로 되어 있다. 구체적으로는, 중간층(3)은 저음향 임피던스층(42a, 42c, 42e, 42g)과 고음향 임피던스층(42b, 42d, 42f)을 가진다. 중간층(3)은 탄성파가 전파하는 영역(예를 들면 IDT 전극(5)이나 반사기가 존재하는 영역 바로 아래만)에 저음향 임피던스층(42a, 42c, 42e, 42g)과 고음향 임피던스층(42b, 42d, 42f)이 패터닝되어 있다. 그리고 탄성파가 전파하는 영역 외(예를 들면, IDT 전극(5)의 외측의 영역)에는 적절한 재료, 예를 들면 SiO2가 형성되어 있는 것이어도 된다. 또한, 중간층(3)과 지지 기판(2) 사이에 적절한 재료가 형성되어 있어도 된다.
고음향 임피던스층(42b, 42d, 42f)의 음향 임피던스는 저음향 임피던스층(42a, 42c, 42e, 42g)의 음향 임피던스보다도 높다. 탄성파 장치(1G)에서는 지지 기판(2)의 한쪽 주면(2a) 상에 저음향 임피던스층(42a)이 적층되고, 그 위에, 고음향 임피던스층(42b, 42d, 42f)과 저음향 임피던스층(42c, 42e, 42g)이 적층 방향에서 교대로 배치되어 있다.
그 때문에, 압전층(4)으로부터 중간층(3)으로 전파한 탄성파를, 저음향 임피던스층(42a, 42c, 42e)의 상방 표면인 고음향 임피던스층(42b, 42d, 42f)의 계면으로 반사시켜, 압전층(4)으로 되돌아오게 할 수 있다. 이로써, 탄성파 에너지를 압전층(4) 내에 효율적으로 가둘 수 있다.
저음향 임피던스층(42a, 42c, 42e, 42g)은 SiO2에 의해 구성되어 있다. 물론, 저음향 임피던스층(42a, 42c, 42e, 42g)은 Al 등에 의해 구성되어 있어도 된다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 복수개를 병용해도 된다.
고음향 임피던스층(42b, 42d, 42f)은 SiN에 의해 구성되어 있다. 물론, 고음향 임피던스층(42b, 42d, 42f)은 W, Pt, LT, Al2O3, Ta2O5, LN, AlN 또는 ZnO 등에 의해 구성되어 있어도 된다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 복수개를 병용해도 된다.
탄성파 장치(1G)에서, 적층 방향에서 지지 기판(2)에 가장 가깝게 위치하는 층은 저음향 임피던스층(42a)인 SiO2에 의해 형성되어 있다. 그 때문에, 탄성파 장치(1G)에서는 중간층(3)과 지지 기판(2)의 밀착성이 높아져 있다.
또한, 예를 들면, 지지 기판(2)에 가장 가깝게 위치하는 저음향 임피던스층(42a)이, 결정 입자(G1) 및 입계(G2)를 가지는 SiO2로 형성되어 있는 경우이어도 탄성파 장치(1G)는 홈(10C, 10D)을 가지고 있으므로, 탄성파 전파 방향(D1)과 다른 방향으로 전파하는 탄성파를 반사하여, 홈(10C, 10D) 사이에 가둘 수 있다.
또한, 탄성파 장치(1G)에서는, 홈(10A~10D)은 압전층(4)의 한쪽 주면(4a)으로부터 저음향 임피던스층(42a)의 일부에 이르기까지 형성되어 있다. 왜냐하면, 압전층(4)으로부터 중간층(3)으로 전파한 탄성파를, 저음향 임피던스층(42a, 42c, 42e)의 상방 표면인 고음향 임피던스층(42b, 42d, 42f)의 계면으로 반사시켜, 압전층(4)으로 되돌아가게 할 수 있으므로, 지지 기판(2)까지 홈을 이르게 할 필요는 없기 때문이다.
본 실시형태와 같이 중간층(3)이 다층 구조인 경우, 적층 방향의 지지 기판(2)에 가장 가깝게 위치하는 층의 일부에까지 홈(10A~10D)이 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 탄성파 장치(1G)에서는, 홈(10A~10D)이 압전층(4)의 한쪽 주면(4a)으로부터 지지 기판(2)의 한쪽 주면(2a)과 다른 쪽 주면(2b) 사이에 이르기까지 형성되어 있어도 된다. 압전층(4), 중간층(3) 및 지지 기판(2)의 재질이 각각 다른 경우, 각 재질에서의 선팽창 계수의 차이에 의해, 온도변화에 의한 일그러짐이 생기기 쉬워지는데, 지지 기판(2)의 일부까지 홈(10A~10D)이 형성됨으로써, 온도변화에 의한 일그러짐을 작게 할 수 있다.
한편, 본 실시형태에서는 저음향 임피던스층 및 고음향 임피던스층의 적층 수는 특별히 한정되지 않는다. 또한, 저음향 임피던스층과 고음향 임피던스층이 적층 방향에서 교대로 배치되어 있지 않아도 된다. 물론, 압전층(4) 내에서의 탄성파의 가둠 효율을 높이는 관점에서는, 저음향 임피던스층 중 적어도 한 층이 고음향 임피던스층 중 적어도 한 층보다 압전층(4) 측에 마련되어 있는 것이 바람직하다.
(실시형태 6)
도 10은 실시형태 6에 따른 프론트 엔드 회로(108) 및 통신 장치(109)를 나타내는 회로 구성도이다.
이 프론트 엔드 회로(108) 및 통신 장치(109)에서는 제1 필터(111) 및 제2 필터(112)에 실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)가 포함되어 있다.
도 10에 나타내는 프론트 엔드 회로(108) 및 통신 장치(109)에서는 입력된 신호를 증폭시키기 위해, 제1 단자(116)와 RFIC(104) 사이, 및 제2 단자(117)와 RFIC(104) 사이에 각각 LNA(Low Noise Amplifier)(103)가 마련되어 있다. 또한, 안테나 소자(102)와의 접속 상태를 전환하기 위해, 제1 필터(111)와 안테나 공통 단자(115) 사이, 및 제2 필터(112)와 안테나 공통 단자(115) 사이에 멀티포트 스위치(105)가 마련되어 있다. 멀티포트 스위치(105)는, 동시에 ON/OFF할 수 있는 스위치이며, 제1 필터(111)가 안테나 공통 단자(115)에 접속되어 있을 때, 즉, 제1 필터(111)가 신호 처리를 하고 있는 경우에 제2 필터(112)도 안테나 공통 단자(115)에 접속되도록 할 수 있다.
이와 같은 회로 구성을 가지는 프론트 엔드 회로(108) 및 통신 장치(109)에서도 상기 실시형태와 마찬가지로, 탄성파의 누설을 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는 제1 필터(111)를 수신 필터로 하고 있는데, 그에 한정되지 않고, 탄성파 장치(1)를 포함하는 제1 필터(111)를 송신 필터로 해도 된다. 예를 들면, 송신 필터인 제1 필터(111)와 RFIC(104) 사이에 위치하는 LNA(103)를 PA(Power Amplifier)로 전환함으로써, 송수신 가능한 통신 장치(109)를 구성할 수 있다.
또한, 프론트 엔드 회로(108) 및 통신 장치(109)를 구성하는 각 필터는 탄성표면파 필터에 한정되지 않고, 탄성경계파 필터이어도 된다. 이로써도, 상기 실시형태에 따른 탄성파 장치(1) 등이 가지는 효과와 동일한 효과가 발휘된다.
(그 밖의 형태)
이상, 본 발명에 따른 탄성파 장치(1~1G), 프론트 엔드 회로(108) 및 통신 장치(109)에 대해, 실시형태 및 변형예에 기초하여 설명했는데, 본 발명은 상기 실시형태 및 변형예에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시형태 및 변형예에서의 임의의 구성 요소를 조합하여 실현되는 다른 실시형태나, 상기 실시형태에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해내는 각종 변형을 실시하여 얻어지는 변형예나, 본 발명에 따른 탄성파 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
도 11은 그 밖의 형태에 따른 탄성파 장치(1H)의 절단 측면도이다. 이 절단 측면도는, 도 2b에서 나타내는 절단면과 동일한 위치에서 탄성파 장치(1H)를 절단한 경우의 측면도이다.
탄성파 장치(1H)에서는 홈(10A, 10B) 각각이 중간층(3)에만 형성되어 있다. 구체적으로는, 홈(10A, 10B)이 압전층(4)에는 형성되지 않고, 중간층(3)의 일부에 형성되어 있다. 이 탄성파 장치(1H)에서는, 압전기판(11)의 중간층(3)에 홈(10A, 10B)이 형성되고, 홈(10A)의 단면(1a) 및 홈(10B)의 단면(1b)을 이용하여, 탄성파 전파 방향(D1)으로 전파하는 탄성파를 반사하여, 탄성파를 홈(10A)과 홈(10B) 사이에 가두고 있다.
이 구조에 의하면, 배선의 부설이 용이해지고, 또한 압전기판(11) 상에 반사기를 설치하는 것이 가능해진다. 또한, IDT 전극(5)의 내측에 홈(10A, 10B)을 배치하는 것이 가능해져, 가둠 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 압전층(4)으로 중간층(3)을 밀봉할 수 있으므로, 예를 들면, 중간층(3)이 SiO2로 형성되어 있는 경우, 중간층(3)의 열화를 억제할 수 있다. 한편, 홈(10A, 10B)은 중간층(3)의 적어도 일부에 형성되어 있으면 된다.
도 12는 그 밖의 형태에 따른 탄성파 장치(1I)의 절단 측면도이다. 이 절단 측면도는, 도 2c에서 나타내는 절단면과 동일한 위치에서 탄성파 장치(1I)를 절단한 경우의 측면도이다.
탄성파 장치(1I)에서는 홈(10C, 10D) 각각이 중간층(3)에만 형성되어 있다. 구체적으로는, 홈(10C, 10D)이 압전층(4)에는 형성되지 않고, 중간층(3)의 일부에 형성되어 있다. 이 탄성파 장치(1I)에서는, 압전기판(11)의 중간층(3)에 홈(10C, 10D)이 형성되고, 홈(10C)의 단면(1c) 및 홈(10D)의 단면(1d)을 이용하여, 탄성파 전파 방향(D1)과 다른 방향(예를 들면 직교 방향(D2))으로 전파하는 탄성파를 반사하여, 탄성파를 홈(10C)과 홈(10D) 사이에 가두고 있다.
이 구조에 의하면, 배선의 부설이 용이해지고, 또한, 압전기판(11) 상에 반사기를 설치하는 것이 가능해진다. 또한, IDT 전극(5)의 내측에 홈(10C, 10D)을 배치하는 것이 가능해져, 가둠 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 압전층(4)으로 중간층(3)을 밀봉할 수 있으므로, 예를 들면, 중간층(3)이 SiO2로 형성되어 있는 경우, 중간층(3)의 열화를 억제할 수 있다. 한편, 홈(10C, 10D)은 중간층(3)의 적어도 일부에 형성되어 있으면 된다.
또한, 실시형태 1에서는 압전기판(11)을 압전층(4), 지지 기판(2) 및 중간층(3)으로 구성하고 있는데, 그에 한정되지 않고, 압전기판(11)을 일체물로 하고, 예를 들면 압전 세라믹 재료로 형성해도 된다.
또한, 실시형태 1에서는 한 쌍의 홈(10A, 10B)을 IDT 전극(5)의 외측에 마련하고 있는데, 그에 한정되지 않고, 홈(10A, 10B)으로 치환하여 한 쌍의 반사기를 마련해도 된다. 그 경우이어도, 탄성파 장치는 직교 방향(D2)으로 서로 대향하는 홈(10C, 10D)을 가지고 있으므로, 탄성파 전파 방향(D1)과 다른 방향의 탄성파의 누설을 억제할 수 있다. 또한, 홈(10C, 10D)을 가지는 탄성파 장치는, 예를 들면 직교 방향(D2)에서 IDT 전극(5)의 외측에 한 쌍의 반사기를 마련한 경우에 비해, 탄성파 장치를 소형화하는 것이 가능하다.
본 실시형태에서의 탄성파 장치(1~1G)의 IDT 전극(5)은 종결합형이어도 되고, 횡결합형이어도 되며, 트랜스버설(transversal)형이어도 된다.
본 실시형태에서는 압전기판 상의 입출력 배선(9a~9c)을 IDT 전극(5, 5t)에 접속하고 있는데, 그에 한정되지 않고, 본딩 와이어(bonding wire)를 입출력 배선으로 하여 IDT 전극(5, 5t)에 접속해도 된다.
또한, 본 실시형태의 탄성파 장치(1)는 압전박막에 홈(단면)이 없고, 중간층에만 홈(단면)을 가지는 형태이어도 된다. 중간층이란, 압전박막 바로 아래의 층으로부터 지지 기판에 이르기까지의 층(복수층 포함함)을 가리킨다. 이 경우도 중간층에 존재하는 탄성파를 중간층의 홈(단면)으로 반사시킬 수 있어, 탄성파 가둠 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 탄성파 장치는 다양한 전자기기나 통신기기에 널리 이용된다. 전자기기로는 예를 들면, 센서가 있다. 통신기기로는 예를 들면, 본 발명의 탄성파 장치를 포함하는 듀플렉서, PA, LNA, 스위치를 포함하는 통신 모듈 기기, 그 통신 모듈 기기를 포함하는 이동체 통신기기나 헬스케어 통신기기 등이 있다. 이동체 통신기기로는 휴대전화, 스마트폰, 카 네비게이션(car navigation) 등이 있다. 헬스케어 통신기기로는 체중계나 체지방계 등이 있다. 헬스케어 통신기기나 이동체 통신기기는 안테나, RF 모듈, LSI, 디스플레이, 입력부, 전원 등을 포함하고 있다.
1, 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G, 1H, 1I: 탄성파 장치
1a, 1b, 1c, 1d: 단면
2: 지지 기판
2a: 지지 기판의 한쪽 주면
2b: 지지 기판의 다른 쪽 주면
3: 중간층
4: 압전층
4a: 압전층의 한쪽 주면
4b: 압전층의 다른 쪽 주면
5, 5t: IDT 전극
6a, 6b, 6c, 6d: 빗살 형상 전극
7a, 7b, 7c, 7d: 버스바 전극
8a, 8b: 전극지
9a, 9b, 9c: 입출력 배선
10A, 10B, 10C, 10D, 10At, 10Bt, 10Ct, 10Dt: 홈
10a: 홈의 측면
10b: 홈의 바닥부
11: 압전기판
11A, 11B, 11C, 11D: 홈 외측 기판부
33: 고음속막
34: 저음속막
42a, 42c, 42e, 42g: 저음향 임피던스층
42b, 42d, 42f: 고음향 임피던스층
102: 안테나 소자
103: LNA
104: RFIC
105: 스위치
108: 프론트 엔드 회로
109: 통신 장치
111, 112: 필터
115, 116, 117: 단자
D1: 탄성파 전파 방향
D2: 직교 방향
G1: 결정 입자
G2: 입계
i1, i2: 소정 거리
1a, 1b, 1c, 1d: 단면
2: 지지 기판
2a: 지지 기판의 한쪽 주면
2b: 지지 기판의 다른 쪽 주면
3: 중간층
4: 압전층
4a: 압전층의 한쪽 주면
4b: 압전층의 다른 쪽 주면
5, 5t: IDT 전극
6a, 6b, 6c, 6d: 빗살 형상 전극
7a, 7b, 7c, 7d: 버스바 전극
8a, 8b: 전극지
9a, 9b, 9c: 입출력 배선
10A, 10B, 10C, 10D, 10At, 10Bt, 10Ct, 10Dt: 홈
10a: 홈의 측면
10b: 홈의 바닥부
11: 압전기판
11A, 11B, 11C, 11D: 홈 외측 기판부
33: 고음속막
34: 저음속막
42a, 42c, 42e, 42g: 저음향 임피던스층
42b, 42d, 42f: 고음향 임피던스층
102: 안테나 소자
103: LNA
104: RFIC
105: 스위치
108: 프론트 엔드 회로
109: 통신 장치
111, 112: 필터
115, 116, 117: 단자
D1: 탄성파 전파 방향
D2: 직교 방향
G1: 결정 입자
G2: 입계
i1, i2: 소정 거리
Claims (18)
- 압전기판과, 상기 압전기판에 마련된 IDT 전극을 포함하는 탄성파 장치로서,
상기 IDT 전극은, 탄성파 전파 방향으로 연장되는 버스바(busbar) 전극과, 상기 버스바 전극에 접속되며 상기 탄성파 전파 방향의 직교 방향으로 연장되는 복수개의 전극지(電極指)를 가지며,
상기 압전기판은, 상기 탄성파 전파 방향을 따라 형성된 적어도 1 이상의 홈을 가지며,
상기 적어도 1 이상의 홈은, 상기 직교 방향에서 상기 버스바 전극으로부터 보아, 상기 복수개의 전극지가 형성되어 있는 측과 반대 측에 마련되어 있고,
상기 압전기판은, 지지 기판과, 상기 지지 기판 상에 위치하는 압전층과, 상기 지지 기판과 상기 압전층 사이에 마련된 중간층을 가지며,
상기 IDT 전극은 상기 압전층 상에 마련되고,
상기 적어도 1 이상의 홈은 상기 압전층으로부터 상기 중간층의 적어도 일부에 이르기까지 형성되어 있는, 탄성파 장치. - 제1항에 있어서,
상기 적어도 1 이상의 홈은 복수개의 홈으로 구성되고,
상기 복수개의 홈은 상기 직교 방향으로 서로 대향하고 있는, 탄성파 장치. - 삭제
- 압전기판과, 상기 압전기판에 마련된 IDT 전극을 포함하는 탄성파 장치로서,
상기 IDT 전극은, 탄성파 전파 방향으로 연장되는 버스바 전극과, 상기 버스바 전극에 접속되며 상기 탄성파 전파 방향의 직교 방향으로 연장되는 복수개의 전극지를 가지며,
상기 압전기판은, 상기 탄성파 전파 방향을 따라 형성된 적어도 1 이상의 홈을 가지며,
상기 적어도 1 이상의 홈은, 상기 직교 방향에서 상기 버스바 전극으로부터 보아, 상기 복수개의 전극지가 형성되어 있는 측과 반대 측에 마련되어 있고,
상기 압전기판은, 지지 기판과, 상기 지지 기판 상에 위치하는 압전층과, 상기 지지 기판과 상기 압전층 사이에 마련된 중간층을 가지며,
상기 IDT 전극은 상기 압전층 상에 마련되고,
상기 적어도 1 이상의 홈은 상기 압전층에는 형성되지 않고, 상기 중간층의 적어도 일부에 형성되어 있는, 탄성파 장치. - 제1항에 있어서,
상기 중간층은 입계(粒界; grain boundary)를 가지고 있는, 탄성파 장치. - 제1항에 있어서,
상기 중간층은 상기 압전층에 접해 있는, 탄성파 장치. - 제1항에 있어서,
상기 중간층은 1 또는 복수개의 SiO2층을 포함하는, 탄성파 장치. - 제1항에 있어서,
상기 중간층은, 상기 압전층을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 저속이고,
상기 지지 기판은, 상기 압전층을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 고속인, 탄성파 장치. - 제1항에 있어서,
상기 중간층은, 상기 압전층을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 저속인 저음속막과, 상기 압전층을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 고속인 고음속막을 가지며,
상기 저음속막은 상기 압전층과 상기 지지 기판 사이에 마련되고,
상기 고음속막은 상기 저음속막과 상기 지지 기판 사이에 마련되어 있는, 탄성파 장치. - 제1항에 있어서,
상기 중간층은, 저음향 임피던스층, 및 상기 저음향 임피던스층보다도 음향 임피던스가 높은 고음향 임피던스층 각각이, 적어도 한 층 이상 적층되어 있고,
상기 저음향 임피던스층의 적어도 한 층은, 상기 고음향 임피던스층보다도 상기 압전층 측에 마련되어 있는, 탄성파 장치. - 제8항에 있어서,
상기 적어도 1 이상의 홈은 상기 압전층으로부터 상기 중간층을 거쳐 상기 지지 기판의 일부에 이르기까지 형성되어 있는, 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 압전기판에는 상기 IDT 전극에 접속하는 입출력 배선이 마련되고,
상기 적어도 1 이상의 홈은 상기 입출력 배선과 다른 위치에 마련되어 있는, 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 압전기판에는 상기 IDT 전극에 접속하는 입출력 배선이 마련되고,
상기 입출력 배선은 상기 홈을 우회하여 형성되어 있는, 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 압전기판은, 상기 직교 방향을 따라 형성된 적어도 1 이상의 홈을 가지며,
상기 직교 방향으로 형성된 적어도 1 이상의 홈은, 상기 탄성파 전파 방향에서, 상기 복수개의 전극지의 가장 바깥에 위치하는 전극지보다도 외측에 마련되어 있는, 탄성파 장치. - 제14항에 있어서,
상기 직교 방향을 따라 형성된 적어도 1 이상의 홈은 복수개의 홈으로 구성되고,
상기 복수개의 홈은 상기 탄성파 전파 방향으로 서로 대향하고 있는, 탄성파 장치. - 제15항에 있어서,
상기 IDT 전극은, 상기 탄성파 전파 방향을 따라 형성된 복수개의 상기 홈과, 상기 직교 방향을 따라 형성된 복수개의 상기 홈에 의해 둘러싸여 있는, 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 기재된 탄성파 장치를 포함하는, 프론트 엔드 회로.
- 제17항에 기재된 프론트 엔드 회로와,
고주파 신호를 처리하는 신호 처리 회로를 포함하는 통신 장치.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2016-227322 | 2016-11-22 | ||
| JP2016227322 | 2016-11-22 | ||
| PCT/JP2017/035180 WO2018096783A1 (ja) | 2016-11-22 | 2017-09-28 | 弾性波装置、フロントエンド回路および通信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190039773A KR20190039773A (ko) | 2019-04-15 |
| KR102221009B1 true KR102221009B1 (ko) | 2021-02-26 |
Family
ID=62194884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197007422A KR102221009B1 (ko) | 2016-11-22 | 2017-09-28 | 탄성파 장치, 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10879870B2 (ko) |
| KR (1) | KR102221009B1 (ko) |
| CN (1) | CN110024286B (ko) |
| WO (1) | WO2018096783A1 (ko) |
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| EP3830956A2 (en) * | 2018-07-27 | 2021-06-09 | Frec|N|Sys | Resonant cavity surface acoustic wave (saw) filters |
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-
2017
- 2017-09-28 CN CN201780071709.2A patent/CN110024286B/zh active Active
- 2017-09-28 KR KR1020197007422A patent/KR102221009B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-28 WO PCT/JP2017/035180 patent/WO2018096783A1/ja active Application Filing
-
2019
- 2019-04-05 US US16/375,871 patent/US10879870B2/en active Active
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| WO2012086441A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110024286B (zh) | 2024-02-06 |
| WO2018096783A1 (ja) | 2018-05-31 |
| KR20190039773A (ko) | 2019-04-15 |
| CN110024286A (zh) | 2019-07-16 |
| US20190238114A1 (en) | 2019-08-01 |
| US10879870B2 (en) | 2020-12-29 |
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