JP7318746B2 - 弾性波装置 - Google Patents
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Description
本発明は、弾性波装置に関する。
従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置においては、圧電部材上にＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極が設けられている。圧電部材は、シリコン含有基板と圧電体層との積層体である。
下記の特許文献２に開示されている弾性波装置においては、圧電基板上にＩＤＴ電極が設けられている。ＩＤＴ電極は、複数の電極指及び複数のダミー電極指を有する。複数の電極指及び複数のダミー電極指は、ギャップを介して対向し合っている。電極指とダミー電極指との電位差により、上記ギャップ付近には電場が生じる。
特許文献１における圧電部材上に、特許文献２におけるＩＤＴ電極を設けることにより、弾性波装置を構成した場合には、上記ギャップ付近において生じた電界が、圧電体層だけではなく、シリコン含有基板にも到達するおそれがある。半導体基板であるシリコン含有基板を電界が通過する場合には、該シリコン含有基板から非線形応答が生じることによって、弾性波装置の線形性が劣化することがある。
本発明の目的は、半導体支持部材を有し、線形性が劣化し難い、弾性波装置を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置は、主面を有する半導体支持部材と、前記半導体支持部材の前記主面上に直接的または間接的に設けられている圧電体層と、前記圧電体層の一方主面上に設けられているＩＤＴ電極とを備え、前記ＩＤＴ電極が、対向し合う第１のバスバー及び第２のバスバーと、前記第１のバスバーに一方端が接続されている複数の第１の電極指と、前記第２のバスバーに一方端が接続されており、かつ前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指とを有し、かつ前記第１のバスバーと前記複数の第２の電極指との間及び前記第２のバスバーと前記複数の第１の電極指との間に位置している複数のギャップとを有し、前記半導体支持部材における、平面視において前記ギャップと重なる部分の少なくとも一部に、空洞部が設けられており、前記半導体支持部材における、平面視において前記ＩＤＴ電極と重なる部分の少なくとも一部に、前記空洞部が設けられておらず、前記空洞部が前記圧電体層側に開口している。
本発明によれば、半導体支持部材を有し、線形性が劣化し難い、弾性波装置を提供することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。なお、図１は、図２中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。
図１に示すように、弾性波装置１は半導体支持基板２を有する。半導体支持基板２は、本発明における半導体支持部材である。半導体支持基板２は主面２ａを有する。本実施形態においては、半導体支持基板２はシリコン基板である。もっとも、これに限定されず、本発明における半導体支持部材は、適宜の半導体を含んでいればよい。半導体支持部材に用いられる半導体としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素またはインジウムリンなどを挙げることができる。
半導体支持基板２の主面２ａ上には圧電体層３が設けられている。圧電体層３は第１の主面３ａ及び第２の主面３ｂを有する。第１の主面３ａ及び第２の主面３ｂは対向し合っている。第１の主面３ａ及び第２の主面３ｂのうち、第２の主面３ｂが半導体支持基板２側に位置する。他方、第１の主面３ａが、本発明における圧電体層３の一方主面である。圧電体層３に用いられる圧電体は特に限定されない。圧電体層３は、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛及び水晶のうちの少なくとも１種の材料を含んでいてもよい。
本実施形態においては、半導体支持基板２の主面２ａ上に圧電体層３が直接的に設けられている。もっとも、半導体支持基板２の主面２ａ上に、圧電体層３が他の層を介して間接的に設けられていてもよい。
圧電体層３の第１の主面３ａ上にはＩＤＴ電極４が設けられている。ＩＤＴ電極４に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。圧電体層３の第１の主面３ａ上におけるＩＤＴ電極４の弾性波伝搬方向両側には、一対の反射器５Ａ及び反射器５Ｂが設けられている。本実施形態の弾性波装置１は弾性波共振子である。より具体的には、弾性波装置１は弾性表面波共振子である。もっとも、本発明に係る弾性波装置は弾性波共振子には限定されず、複数の弾性波共振子を有するフィルタ装置や、該フィルタ装置を含むマルチプレクサなどであってもよい。
ＩＤＴ電極４は、第１のバスバー６、第２のバスバー７、複数の第１の電極指８及び複数の第２の電極指９を有する。第１のバスバー６及び第２のバスバー７は対向し合っている。複数の第１の電極指８の一方端は、第１のバスバー６にそれぞれ接続されている。複数の第２の電極指９の一方端は、第２のバスバー７にそれぞれ接続されている。複数の第１の電極指８と複数の第２の電極指９とは互いに間挿し合っている。ここで、弾性波伝搬方向をＸ方向とする。図２に示すように、ＩＤＴ電極４をＸ方向から見たときに、第１の電極指８及び第２の電極指９が重なっている部分は交叉領域Ａである。交叉領域Ａにおいて弾性波が励振される。
ＩＤＴ電極４は、複数の第１のギャップＧ１と複数の第２のギャップＧ２とを有する。第１のギャップＧ１は、第１のバスバー６と第２の電極指９との間に位置している。第２のギャップＧ２は、第２のバスバー７と第１の電極指８との間に位置している。より具体的には、本実施形態では、第１のバスバー６と第２の電極指９の先端とが、第１のギャップＧ１を介して対向している。第２のバスバー７と第１の電極指８の先端とが、第２のギャップＧ２を介して対向している。第１の電極指８及び第２の電極指９が延びる方向をＹ方向としたときに、複数の第１のギャップＧ１は、複数の第２の電極指９のＹ方向の延長線上に位置している。複数の第２のギャップＧ２は、複数の第１の電極指８のＹ方向の延長線上に位置している。
図３は、図２中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。
半導体支持基板２は凹部２Ａ及び凹部２Ｂを有する。凹部２Ａ及び凹部２Ｂは、本発明における空洞部である。凹部２Ａ及び凹部２Ｂは圧電体層３側に開口している。凹部２Ａ及び凹部２Ｂは、圧電体層３により封止されている。図２及び図３に示すように、凹部２Ａは、半導体支持基板２における、平面視において第１のギャップＧ１と重なる部分に設けられている。本明細書において平面視とは、図１や図３の上方から見る方向をいう。以下においては、特に断りがない場合には、平面視において、空洞部あるいは凹部などがＩＤＴ電極の部分と重なっていることまたは重なっていないことを、単に重なっているまたは重なっていないと記載することがある。
図２に示すように、平面視において、凹部２Ａは、Ｘ方向に延びる帯状の形状を有する。より具体的には、凹部２Ａは、平面視において、複数の第１のギャップＧ１の全体と重なっており、第１の電極指８の一部、第２の電極指９の先端付近及び第１のバスバー６の一部とも重なっている。凹部２Ａは、ＩＤＴ電極４の上記以外の部分とは重なっていない。
一方で、凹部２Ｂは、半導体支持基板２における、平面視において第２のギャップＧ２と重なる部分に設けられている。より具体的には、凹部２Ｂは、平面視において、複数の第２のギャップＧ２の全体と重なっており、第２の電極指９の一部、第１の電極指８の先端付近及び第２のバスバー７の一部とも重なっている。凹部２Ｂは、ＩＤＴ電極４の上記以外の部分とは重なっていない。
なお、半導体支持基板２には、凹部２Ａ及び凹部２Ｂのうち少なくとも一方が設けられていればよい。凹部２Ａ及び凹部２Ｂの形状は帯状に限定されない。凹部２Ａは、平面視において、少なくとも１つの第１のギャップＧ１の、少なくとも一部と重なっていればよい。あるいは、半導体支持基板２において、複数の凹部２ＡがＸ方向に沿って並んでいてもよい。同様に、凹部２Ｂは、平面視において、少なくとも１つの第２のギャップＧ２の、少なくとも一部と重なっていればよい。複数の凹部２ＢがＸ方向に沿って並んでいてもよい。
半導体支持基板２は半導体部２Ｃを有する。半導体部２Ｃは、半導体支持基板２における半導体により構成されている部分である。なお、弾性波装置１においては、半導体部２Ｃは、半導体支持基板２における凹部２Ａ及び凹部２Ｂ以外の部分である。
本実施形態の特徴は以下の構成を有することにある。１）凹部２Ａまたは凹部２Ｂが、半導体支持基板２における、平面視において第１のギャップＧ１または第２のギャップＧ２と重なる部分の少なくとも一部に設けられていること。２）半導体支持基板２における、平面視においてＩＤＴ電極４と重なる部分の少なくとも一部に、凹部２Ａ及び凹部２Ｂが設けられていないこと。それによって、半導体支持基板２を有する弾性波装置１において、線形性が劣化し難い。加えて、機械的強度の劣化を抑制することができる。これらの詳細を、本実施形態と比較例とを比較することにより、以下において説明する。なお、比較例は、半導体支持基板が凹部を有しない点において第１の実施形態と異なる。
図４は、比較例における、第１のギャップ付近に生じる電界を模式的に示す断面図である。図５は、第１の実施形態における、第１のギャップ付近に生じる電界を模式的に示す断面図である。
図４に示す第１のバスバー６と第２の電極指９とは、互いに異なる電位に接続される。そのため、第１のギャップＧ１において電界Ｅが生じる。電界Ｅは、圧電体層３だけでなく、半導体支持基板１０２にも到達する。このように、電界Ｅが半導体支持基板１０２を通過するため、半導体支持基板１０２から非線形応答が生じることによって、弾性波装置の線形性が劣化することがある。
これに対して、図５に示すように、本実施形態では、半導体支持基板２における、平面視において第１のギャップＧ１と重なる部分に凹部２Ａが設けられている。そのため、電界Ｅは凹部２Ａを通過することとなる。これにより、半導体部２Ｃを通過する電界Ｅの電気力線の本数は少なくなる。第２のギャップＧ２側においても同様である。よって、半導体支持基板２から生じる非線形応答は抑制される。従って、弾性波装置１において線形性が劣化し難い。
加えて、本実施形態においては、半導体支持基板２における、平面視においてＩＤＴ電極４と重なる部分の少なくとも一部に、凹部２Ａ及び凹部２Ｂが設けられていない。よって、圧電体層３を半導体支持基板２により、好適に支持することができる。さらに、圧電体層３に凹部を設けるなどの加工をせずして、上記のように線形性の劣化を抑制することができる。従って、弾性波装置１の機械的強度の劣化を抑制することができる。
なお、圧電体層３には凹部が設けられていてもよい。この場合においても、圧電体層３を半導体支持基板２により好適に支持することができ、弾性波装置１の機械的強度の劣化を抑制することができる。もっとも、圧電体層３には凹部が設けられていないことが好ましい。それによって、圧電体層３が破損し難い。
本実施形態のように、平面視において、第１のギャップＧ１のＹ方向における中央と凹部２Ａとが重なっていることが好ましい。図５に示すように、第１のギャップＧ１において生じる電界Ｅは、第１のギャップＧ１の上記中央において最も半導体支持基板２側に到達する。そのため、第１のギャップＧ１の上記中央に重なる位置に凹部２Ａが設けられていることによって、電界Ｅが半導体部２Ｃを通過することを効果的に抑制することができる。従って、弾性波装置１における線形性の劣化を効果的に抑制することができる。
同様に、平面視において、第２のギャップＧ２のＹ方向における中央と凹部２Ｂとが重なっていることが好ましい。
図３に示すように、第１のギャップＧ１及び第２のギャップＧ２のＹ方向に沿う長さをＷとし、半導体支持基板２の主面２ａから圧電体層３の第１の主面３ａまでの距離をｈとしたときに、ｈ＜Ｗであることが好ましい。なお、長さＷは、複数の第１のギャップＧ１及び複数の第２のギャップＧ２のＹ方向に沿う長さのうち、最長の長さとする。電界Ｅは、圧電体層３の厚み方向において、電界Ｅが生じたギャップから、該ギャップの長さＷの値に相当する距離以内に特に到達し易い。そのため、ｈ＜Ｗである場合には、第１のギャップＧ１または第２のギャップＧ２において生じる電界Ｅが、半導体支持基板２に特に到達し易い。このような場合においても、弾性波装置１の半導体支持基板２には凹部２Ａ及び凹部２Ｂが設けられているため、電界Ｅは凹部２Ａまたは凹部２Ｂを通過することとなる。よって、電界Ｅが半導体部２Ｃを通過することを抑制することができる。従って、ｈ＜Ｗである場合に、本発明は特に好適である。
本実施形態においては、距離ｈの値は、圧電体層３の厚みの値と同じである。もっとも、半導体支持基板２と圧電体層３との間に他の層が設けられている場合には、距離ｈの値は、該他の層の厚みを含む値となる。
空洞部としての凹部２Ａ及び凹部２ＢのＹ方向に沿う長さをＬとしたときに、Ｗ≦Ｌであることが好ましい。この場合には、電界Ｅが発生する位置にばらつきが生じた場合においても、電界Ｅが半導体部２Ｃを通過することをより確実に抑制することができる。従って、弾性波装置１における線形性の劣化をより確実に抑制することができる。
なお、この場合には、凹部２Ａは、平面視において、複数の第１のギャップＧ１の全部の部分と重なっていることが好ましい。同様に、凹部２Ｂは、平面視において、複数の第２のギャップＧ２の全部の部分と重なっていることが好ましい。それによって、電界Ｅが半導体部２Ｃを通過することをより一層確実に抑制することができる。
空洞部としての凹部２Ａ及び凹部２Ｂの、半導体支持基板２の厚み方向に沿う寸法をｄとしたときに、ｄ≧Ｗ－ｈであることが好ましい。この場合には、ｄ＋ｈ≧Ｗとなるため、凹部２Ａ及び凹部２Ｂの底部に、電界Ｅが到達し難い。よって、弾性波装置１における線形性の劣化を効果的に抑制することができる。
本実施形態のように、半導体支持基板２における、平面視においてＩＤＴ電極４の中央部と重なる部分に、凹部２Ａ及び凹部２Ｂが設けられていないことが好ましい。具体的には、ＩＤＴ電極４の交叉領域ＡのＹ方向における中央部と、半導体支持基板２とが平面視して重なる、半導体支持基板２の部分に、凹部２Ａ及び凹部２Ｂが設けられていないことが好ましい。この場合には、半導体支持基板２により、圧電体層３及びＩＤＴ電極４をより確実に支持することができる。よって、弾性波装置１の機械的強度の劣化を効果的に抑制することができる。加えて、ＩＤＴ電極４は中央部において最も励振するため、該中央部において熱が最も発生し易い。本実施形態においては、該中央部を半導体支持基板２により支持しているため、半導体支持基板２側から効率的に放熱することができる。従って、弾性波装置１がより一層破損し難い。
図２に示すように、平面視において、凹部２Ａ及び凹部２Ｂと交叉領域Ａとが重なっている部分の面積は、交叉領域Ａの面積の半分以下であることが好ましい。それによって、弾性波装置１の機械的強度の劣化をより確実に抑制することができ、かつ放熱性を高めることができる。
圧電体層３の厚みをｈｐとし、ＩＤＴ電極４の電極指ピッチをｐとしたときに、ｈｐ≦２ｐであることが好ましい。なお、電極指ピッチは、複数の第１の電極指８、又は、複数の第２の電極指９のうち、隣り合う電極指の中心間距離をいう。ｈｐ≦２ｐである場合には、Ｑ値を高めることができる。さらに、弾性波装置１が利用するメインモードの電気機械結合係数を大きくすることができる。
本実施形態においては、平面視において、第１のギャップＧ１と重なっている凹部２Ａと、第２のギャップＧ２と重なっている凹部２Ｂが別個に設けられている。なお、半導体支持基板２には、平面視において、第１のギャップＧ１及び第２のギャップＧ２の双方と重なっている凹部が設けられていてもよい。
図６は、第１の実施形態の変形例に係る弾性波装置の平面図である。
本変形例は、半導体支持基板１２における凹部１２Ａ及び凹部１２Ｂの構成が、第１の実施形態と異なる。より具体的には、凹部１２Ａ及び凹部１２Ｂは、平面視において、第１のバスバー６の一部及び第２のバスバー７の一部の双方と重なっている。凹部１２Ａは、平面視において、第１のギャップＧ１及び第２のギャップＧ２の双方と重なっている。他方、凹部１２Ｂは、第１のギャップＧ１及び第２のギャップＧ２のうちの一方のみと重なっている。半導体支持基板１２においては、複数の凹部１２Ａ及び複数の凹部１２Ｂが、Ｘ方向に沿って交互に並んでいる。凹部１２Ａ及び凹部１２Ｂの間においては、半導体支持基板１２は、圧電体層３を支持している。
本変形例においても、第１の実施形態と同様に、半導体支持基板１２を有する弾性波装置１１において線形性が劣化し難く、かつ機械的強度の劣化を抑制することができる。
なお、半導体支持基板１２においては、凹部１２Ａ及び凹部１２Ｂの配置は上記に限定されない。例えば、複数の凹部１２ＡのみがＸ方向に沿って並んでいてもよい。あるいは、複数の凹部１２ＢのみがＸ方向に沿って並んでいてもよい。平面視において、凹部１２Ａ及び凹部１２Ｂは、第１のバスバー６または第２のバスバー７と重なっていなくともよい。凹部１２Ａは、第１のギャップＧ１の少なくとも一部及び第２のギャップＧ２の少なくとも一部と重なっていてもよい。凹部１２Ｂは、第１のギャップＧ１及び第２のギャップＧ２のうちの一方の、少なくとも一部と重なっていてもよい。
弾性波装置１１においては、凹部１２Ａは、平面視において、１つの第１のギャップＧ１及び１つの第２のギャップＧ２と重なっている。もっとも、凹部１２Ａは、平面視において、１つ以上の第１のギャップＧ１及び１つ以上の第２のギャップＧ２と重なっていてもよい。
以下において、本実施形態に係る弾性波装置１の製造方法の一例を説明する。
図７（ａ）～図７（ｄ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
図７（ａ）に示すように、半導体支持基板２Ｘを用意する。次に、半導体支持基板２Ｘの主面２ａに、図７（ｂ）に示すように、凹部２Ａ及び凹部２Ｂを形成する。凹部２Ａ及び凹部２Ｂは、例えば、ドライエッチング法などにより形成することができる。これにより、本実施形態における半導体支持基板２を得る。
次に、図７（ｃ）に示すように、半導体支持基板２の主面２ａ上に、圧電体層３Ｘを積層する。次に、圧電体層３Ｘの表面３ｃを研磨する。これにより、圧電体層３Ｘの厚みを調整することにより、図７（ｄ）に示すように、本実施形態における圧電体層３を得る。上記の厚みの調整により、メインモードを好適に励振することができる。
次に、圧電体層３の第１の主面３ａ上に、図１に示したＩＤＴ電極４、反射器５Ａ及び反射器５Ｂを形成する。ＩＤＴ電極４、反射器５Ａ及び反射器５Ｂは、例えば、フォトリソグラフィ法などにより形成することができる。
図８は、第２の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
本実施形態は、ＩＤＴ電極２４が複数の第１のダミー電極指２８及び複数の第２のダミー電極指２９を有する点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
複数の第１のダミー電極指２８の一方端は、第１のバスバー６にそれぞれ接続されている。複数の第２のダミー電極指２９の一方端は、第２のバスバー７にそれぞれ接続されている。本実施形態においては、第１のダミー電極指２８と第２の電極指９の先端とが、第１のギャップＧ１を介して対向している。第２のダミー電極指２９と第１の電極指８とが、第２のギャップＧ２を介して対向している。
本実施形態においても、凹部２Ａは、平面視において複数の第１のギャップＧ１と重なっている。凹部２Ｂは、平面視において複数の第２のギャップＧ２と重なっている。よって、第１の実施形態と同様に、第１のギャップＧ１及び第２のギャップＧ２において生じる電界Ｅが、半導体部２Ｃを通過することを効果的に抑制することができる。従って、半導体支持基板２を有する弾性波装置において、線形性が劣化し難い。加えて、半導体支持基板２により圧電体層３が好適に支持されているため、機械的強度の劣化が生じ難い。
図９は、第３の実施形態に係る弾性波装置の、図２中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面に相当する部分の断面図である。
本実施形態は、凹部２Ａ内及び凹部２Ｂ内に絶縁体３３が配置されている点において第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
図９に示すように、凹部２Ａ内及び凹部２Ｂ内の全体に絶縁体３３が充填されている。もっとも、凹部２Ａ及び凹部２Ｂの少なくとも一部に絶縁体３３が配置されていてもよい。絶縁体３３としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化タンタル、アモルファス窒化アルミニウム、リン酸シリケートガラス（ＰＳＧ）、ボロシリケートガラス（ＢＳＧ）またはポリマーなどを用いることができる。ＩＤＴ電極４における第１のギャップＧ１または第２のギャップＧ２において生じる電界Ｅが絶縁体３３を通過したとしても、絶縁体３３においては非線形応答は生じ難い。
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、半導体支持基板２を有する弾性波装置において、線形性が劣化し難い。加えて、凹部２Ａ内及び凹部２Ｂ内に配置された絶縁体３３により圧電体層３を支持することができるため、機械的強度の劣化が生じ難い。
図１０は、第４の実施形態に係る弾性波装置の、図２中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面に相当する部分の断面図である。
本実施形態は、弾性波装置４１が中間層４４を有する点において、第１の実施形態と異なる。中間層４４は、半導体支持基板２と圧電体層３との間に設けられている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置４１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
中間層４４の材料としては、例えば、酸化ケイ素や酸化テルルなどを挙げることができる。中間層４４は、絶縁体層であることが好ましい。この場合には、ＩＤＴ電極４における第１のギャップＧ１または第２のギャップＧ２において生じる電界Ｅが中間層４４を通過したとしても、中間層４４において非線形応答は生じ難い。
弾性波装置４１においては、中間層４４は酸化ケイ素を含む。それによって、弾性波装置４１における周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を小さくすることができるため、周波数温度特性を改善することができる。
ここで、本実施形態においては、上記距離ｈは、圧電体層３の厚みｈＰ及び中間層４４の厚みの合計である。中間層４４の厚みをｈＭとしたときに、ｈ＝ｈＰ＋ｈＭである。この場合においても、上述したように、ｈ＜Ｗであることが好ましく、ｄ≧Ｗ－ｈであることが好ましい。
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、半導体支持基板２を有する弾性波装置４１において線形性が劣化し難く、かつ機械的強度の劣化が生じ難い。
なお、例えば、第３の実施形態と同様に凹部２Ａまたは凹部２Ｂに絶縁体３３を配置する場合には、絶縁体３３及び中間層４４には、同じ材料が用いられてもよい。
図１１は、第５の実施形態に係る弾性波装置の、図２中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面に相当する部分の断面図である。
本実施形態は、半導体支持部材５２が、支持基板５６及び半導体層５７の積層体である点、並びに空洞部が貫通孔５７Ａ及び貫通孔５７Ｂである点において、第１の実施形態と異なる。支持基板５６上に半導体層５７が設けられている。半導体支持部材５２の主面としての、半導体層５７の主面５７ａ上に圧電体層３が設けられている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
貫通孔５７Ａ及び貫通孔５７Ｂは、半導体層５７に設けられている貫通孔である。本実施形態における貫通孔５７Ａ及び貫通孔５７Ｂとしての空洞部も、他の実施形態と同様に、圧電体層３側に開口している。なお、貫通孔５７Ａ及び貫通孔５７Ｂの一方端は支持基板５６により封止されており、他方端は圧電体層３により封止されている。
貫通孔５７Ａ及び貫通孔５７Ｂは、平面視において帯状の形状を有する。貫通孔５７Ａは、平面視において、複数の第１のギャップＧ１と重なっている。貫通孔５７Ｂは、平面視において、複数の第２のギャップＧ２と重なっている。もっとも、貫通孔５７Ａ及び貫通孔５７Ｂの形状は、上記凹部２Ａ及び凹部２Ｂと同様に、特に限定されない。
本実施形態においては、支持基板５６には凹部は設けられていない。なお、支持基板５６には、例えば、半導体層５７の貫通孔５７Ａまたは貫通孔５７Ｂと連続している凹部が設けられていてもよい。
半導体層５７に用いられる半導体としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素またはインジウムリンなどを挙げることができる。
支持基板５６の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、サファイア、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素またはインジウムリンなどの半導体または樹脂などを用いることができる。
半導体支持部材５２を用意するに際しては、例えば、支持基板５６上に半導体層を積層する。次に、半導体層に貫通孔５７Ａ及び貫通孔５７Ｂを形成することにより、本実施形態の半導体層５７を得ればよい。貫通孔５７Ａ及び貫通孔５７Ｂは、例えば、レーザー光の照射により形成することができる。もっとも、貫通孔５７Ａ及び貫通孔５７Ｂは、機械的な研削やエッチング法などにより形成してもよい。なお、あらかじめ貫通孔５７Ａ及び貫通孔５７Ｂを有する半導体層５７を形成した後に、該半導体層５７と支持基板５６とを積層してもよい。
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、半導体支持部材５２を有する弾性波装置において線形性が劣化し難く、かつ機械的強度の劣化が生じ難い。
１…弾性波装置
２…半導体支持基板
２Ａ，２Ｂ…凹部
２Ｃ…半導体部
２Ｘ…半導体支持基板
２ａ…主面
３，３Ｘ…圧電体層
３ａ，３ｂ…第１，第２の主面
３ｃ…表面
４…ＩＤＴ電極
５Ａ，５Ｂ…反射器
６，７…第１，第２のバスバー
８，９…第１，第２の電極指
１１…弾性波装置
１２…半導体支持基板
１２Ａ，１２Ｂ…凹部
２４…ＩＤＴ電極
２８，２９…第１，第２のダミー電極指
３３…絶縁体
４１…弾性波装置
４４…中間層
５２…半導体支持部材
５６…支持基板
５７…半導体層
５７Ａ，５７Ｂ…貫通孔
５７ａ…主面
１０２…半導体支持基板
Ａ…交叉領域
Ｅ…電界
Ｇ１，Ｇ２…第１，第２のギャップ
２…半導体支持基板
２Ａ，２Ｂ…凹部
２Ｃ…半導体部
２Ｘ…半導体支持基板
２ａ…主面
３，３Ｘ…圧電体層
３ａ，３ｂ…第１，第２の主面
３ｃ…表面
４…ＩＤＴ電極
５Ａ，５Ｂ…反射器
６，７…第１，第２のバスバー
８，９…第１，第２の電極指
１１…弾性波装置
１２…半導体支持基板
１２Ａ，１２Ｂ…凹部
２４…ＩＤＴ電極
２８，２９…第１，第２のダミー電極指
３３…絶縁体
４１…弾性波装置
４４…中間層
５２…半導体支持部材
５６…支持基板
５７…半導体層
５７Ａ，５７Ｂ…貫通孔
５７ａ…主面
１０２…半導体支持基板
Ａ…交叉領域
Ｅ…電界
Ｇ１，Ｇ２…第１，第２のギャップ
Claims (16)
- 主面を有する半導体支持部材と、
前記半導体支持部材の前記主面上に直接的または間接的に設けられている圧電体層と、
前記圧電体層の一方主面上に設けられているＩＤＴ電極と、
を備え、
前記ＩＤＴ電極が、対向し合う第１のバスバー及び第２のバスバーと、前記第１のバスバーに一方端が接続されている複数の第１の電極指と、前記第２のバスバーに一方端が接続されており、かつ前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指と、を有し、かつ前記第１のバスバーと前記複数の第２の電極指との間及び前記第２のバスバーと前記複数の第１の電極指との間に位置している複数のギャップと、を有し、
前記半導体支持部材における、平面視において前記ギャップと重なる部分の少なくとも一部に、空洞部が設けられており、前記半導体支持部材における、平面視において前記ＩＤＴ電極と重なる部分の少なくとも一部に、前記空洞部が設けられておらず、
前記空洞部が前記圧電体層側に開口している、弾性波装置。 - 前記第１のバスバーと前記第２の電極指の先端とが、前記複数のギャップのうちの一部のギャップを介して対向しており、前記第２のバスバーと前記第１の電極指の先端とが、前記複数のギャップのうちの他の一部のギャップを介して対向しており、
前記複数のギャップが、前記複数の第１の電極指または前記複数の第２の電極指の、前記第１の電極指及び前記第２の電極指が延びる方向の延長線上に位置している、請求項１に記載の弾性波装置。 - 前記ＩＤＴ電極が、前記第１のバスバーに一方端が接続されている複数の第１のダミー電極指と、前記第２のバスバーに一方端が接続されている複数の第２のダミー電極指と、を有し、
前記第１のダミー電極指と前記第２の電極指の先端とが、前記複数のギャップのうちの一部のギャップを介して対向しており、前記第２のダミー電極指と前記第１の電極指の先端とが、前記複数のギャップのうちの他の一部のギャップを介して対向しており、
前記複数のギャップが、前記複数の第１の電極指または前記複数の第２の電極指の、前記第１の電極指及び前記第２の電極指が延びる方向の延長線上に位置している、請求項１に記載の弾性波装置。 - 少なくとも１つの前記ギャップの、前記第１の電極指及び前記第２の電極指が延びる方向における中央と、前記空洞部とが、平面視において重なっている、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記ギャップの、前記第１の電極指及び前記第２の電極指が延びる方向に沿う長さをＷとし、前記半導体支持部材の前記主面から前記圧電体層の前記一方主面までの距離をｈとしたときに、ｈ＜Ｗである、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記ギャップの、前記第１の電極指及び前記第２の電極指が延びる方向に沿う長さをＷとし、前記空洞部の、前記第１の電極指及び前記第２の電極指が延びる方向に沿う長さをＬとしたときに、Ｗ≦Ｌである、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記ギャップの、前記第１の電極指及び前記第２の電極指が延びる方向に沿う長さをＷとし、前記半導体支持部材の前記主面から前記圧電体層の前記一方主面までの距離をｈとし、前記空洞部の、前記半導体支持部材の厚み方向に沿う寸法をｄとしたときに、ｄ≧Ｗ－ｈである、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記半導体支持部材における、平面視において前記ＩＤＴ電極の中央部と重なる部分に、前記空洞部が設けられていない、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記空洞部の少なくとも一部に絶縁体が配置されている、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチをｐとし、前記圧電体層の厚みをｈＰとしたときに、ｈＰ≦２ｐである、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記半導体支持部材と前記圧電体層との間に設けられている中間層をさらに備える、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記中間層が酸化ケイ素を含む、請求項１１に記載の弾性波装置。
- 前記半導体支持部材が半導体支持基板である、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記半導体支持部材が、支持基板と、前記支持基板上に設けられている半導体層と、を有する、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記半導体支持部材がシリコンを含む、請求項１～１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電体層がタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛及び水晶のうちの少なくとも１種の材料を含む、請求項１～１５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012257019A (ja) | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置 |
| JP2014110457A (ja) | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Kyocera Corp | 弾性波素子、分波器および通信モジュール |
| WO2015005267A1 (ja) | 2013-07-08 | 2015-01-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2016052129A1 (ja) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| WO2018096783A1 (ja) | 2016-11-22 | 2018-05-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、フロントエンド回路および通信装置 |
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012257019A (ja) | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置 |
| JP2014110457A (ja) | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Kyocera Corp | 弾性波素子、分波器および通信モジュール |
| WO2015005267A1 (ja) | 2013-07-08 | 2015-01-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2016052129A1 (ja) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| WO2018096783A1 (ja) | 2016-11-22 | 2018-05-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、フロントエンド回路および通信装置 |
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