WO2022045088A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2022045088A1
WO2022045088A1 PCT/JP2021/030877 JP2021030877W WO2022045088A1 WO 2022045088 A1 WO2022045088 A1 WO 2022045088A1 JP 2021030877 W JP2021030877 W JP 2021030877W WO 2022045088 A1 WO2022045088 A1 WO 2022045088A1
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electrode
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elastic wave
wave device
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哲也 木村
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
    • H03H9/02031—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of ceramic

Definitions

  • the present disclosure relates to an elastic wave device having a piezoelectric layer containing lithium niobate or lithium tantalate.
  • Patent Document 1 describes an elastic wave device.
  • spurious may easily deteriorate the resonance characteristics of the elastic wave device.
  • the present disclosure has been made in view of the above, and an object of the present disclosure is to provide an elastic wave device that suppresses deterioration of resonance characteristics.
  • the elastic wave device has a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface and in a first direction with respect to the first main surface.
  • a plurality of electrodes including at least one pair of electrodes facing each other in a second direction intersecting the first direction and adjacently provided on the first main surface. At least three or more of the plurality of electrodes are arranged in the second direction, the plurality of electrodes include at least two electrodes having different film thicknesses, and the plurality of electrodes have a thickness. Includes at least two adjacent electrodes that are the same.
  • the elastic wave device is a second main surface that is opposite to the first main surface and the first main surface and is in the first direction with respect to the first main surface.
  • a piezoelectric layer having a At least three or more of the plurality of electrodes are arranged in the second direction, and the plurality of electrodes include at least three electrodes having different film thicknesses.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1A along line II-II.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining a Lamb wave propagating in the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining the bulk wave of the thickness slip primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of the bulk wave in the thickness slip primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1A along line
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 6 shows d / 2p as a resonator in the elastic wave apparatus of the first embodiment, where p is the center-to-center distance or the average distance between the centers of adjacent electrodes and d is the average thickness of the piezoelectric layer. It is explanatory drawing which shows the relationship with the specific band of.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes is provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a modification of the first embodiment, and is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1A along the line II-II.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of a portion of FIG.
  • FIG. 10A is an explanatory diagram for explaining the relationship between the spurious and the frequency of the first embodiment.
  • FIG. 10B is an explanatory diagram for explaining the relationship between the spurious of the comparative example and the frequency.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1B along the IX-IX line in the second embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1B along the IX-IX line in the third embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1B along the IX-IX line in the fourth embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1B along the IX-IX line in the fifth embodiment.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1B along the IX-IX line in the fifth embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an elastic wave device of the first embodiment.
  • FIG. 1B is a plan view showing the electrode structure of the first embodiment.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has a piezoelectric layer 2 made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric layer 2 may be made of LiTaO 3 .
  • the cut angle of LiNbO 3 and LiTaO 3 is Z-cut in the first embodiment.
  • the cut angle of LiNbO 3 or LiTaO 3 may be a rotary Y cut or an X cut. Propagation directions of Y propagation and X propagation ⁇ 30 ° are preferable.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 is not particularly limited, but is preferably 50 nm or more and 1000 nm or less in order to effectively excite the thickness slip primary mode.
  • the piezoelectric layer 2 has a first main surface 2a facing each other in the Z direction and a second main surface 2b.
  • the electrode 3 and the electrode 4 are provided on the first main surface 2a.
  • the electrode 3 is an example of the "first electrode”
  • the electrode 4 is an example of the "second electrode”.
  • a plurality of electrodes 3 are connected to the first bus bar 5.
  • the plurality of electrodes 4 are connected to the second bus bar 6.
  • the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4 are interleaved with each other.
  • the electrode 3 and the electrode 4 have a rectangular shape and have a length direction.
  • the electrode 3 and the electrode 4 adjacent to the electrode 3 face each other in a direction orthogonal to the length direction.
  • the length direction of the electrode 3 and the electrode 4 and the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the electrode 4 are all directions intersecting with each other in the thickness direction of the piezoelectric layer 2. Therefore, it can be said that the electrode 3 and the electrode 4 adjacent to the electrode 3 face each other in a direction intersecting with each other in the thickness direction of the piezoelectric layer 2.
  • the thickness direction of the piezoelectric layer 2 is the Z direction (or the first direction)
  • the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the electrode 4 is the X direction (or the second direction)
  • the electrode 3 and the electrode The length direction of 4 may be described as the Y direction (or the third direction).
  • the length directions of the electrodes 3 and 4 may be replaced with the directions orthogonal to the length directions of the electrodes 3 and 4 shown in FIGS. 1A and 1B. That is, in FIGS. 1A and 1B, the electrodes 3 and 4 may be extended in the direction in which the first bus bar 5 and the second bus bar 6 are extended. In that case, the first bus bar 5 and the second bus bar 6 extend in the direction in which the electrodes 3 and 4 extend in FIGS. 1A and 1B. Then, a plurality of pairs of structures in which the electrode 3 connected to one potential and the electrode 4 connected to the other potential are adjacent to each other are provided in a direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4. ing.
  • the case where the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other does not mean that the electrode 3 and the electrode 4 are arranged so as to be in direct contact with each other, but that the electrode 3 and the electrode 4 are arranged so as to be spaced apart from each other. Point to. Further, when the electrode 3 and the electrode 4 are adjacent to each other, the electrode connected to the hot electrode or the ground electrode, including the other electrode 3 and the electrode 4, is not arranged between the electrode 3 and the electrode 4. This logarithm does not have to be an integer pair, and may be 1.5 pairs, 2.5 pairs, or the like.
  • the distance between the centers between the electrode 3 and the electrode 4, that is, the pitch is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the center-to-center distance between the electrode 3 and the electrode 4 is the center of the width dimension of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the electrode 4 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 4. It is the distance connecting the center of the width dimension of.
  • the electrodes 3 and 4 when there are a plurality of at least one of the electrodes 3 and 4 (when the electrodes 3 and 4 are a pair of electrodes and there are 1.5 or more pairs of electrodes), the electrodes 3 and 4
  • the center-to-center distance refers to the average value of the center-to-center distances of 1.5 pairs or more of the electrodes 3, the adjacent electrodes 3 and the electrodes 4.
  • the width of the electrode 3 and the electrode 4, that is, the dimensions of the electrode 3 and the electrode 4 in the facing direction are preferably in the range of 150 nm or more and 1000 nm or less.
  • the center-to-center distance between the electrode 3 and the electrode 4 is a direction orthogonal to the center of the dimension (width dimension) of the electrode 3 in the direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the length direction of the electrode 4. It is the distance connected to the center of the dimension (width dimension) of the electrode 4 in.
  • the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 is the direction orthogonal to the polarization direction of the piezoelectric layer 2. This does not apply when a piezoelectric material having another cut angle is used as the piezoelectric layer 2.
  • “orthogonal” is not limited to the case of being strictly orthogonal, and is substantially orthogonal (the angle formed by the direction orthogonal to the length direction of the electrodes 3 and 4 and the polarization direction is, for example, 90 ° ⁇ 10 °). ) May be.
  • a support member 8 is laminated on the second main surface 2b side of the piezoelectric layer 2 via an intermediate layer 7.
  • the intermediate layer 7 and the support member 8 have a frame-like shape and have openings 7a and 8a as shown in FIG. As a result, the cavity 9 (air gap) 9 is formed.
  • the cavity 9 is provided so as not to interfere with the vibration of the excitation region C of the piezoelectric layer 2. Therefore, the support member 8 is laminated on the second main surface 2b via the intermediate layer 7 at a position where the support member 8 does not overlap with the portion where the at least one pair of electrodes 3 and the electrodes 4 are provided.
  • the intermediate layer 7 may not be provided. Therefore, the support member 8 may be directly or indirectly laminated on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the intermediate layer 7 is an insulating layer and is made of silicon oxide.
  • the intermediate layer 7 can be formed of an appropriate insulating material such as silicon nitride or alumina in addition to silicon oxide.
  • the support member 8 is also called a support substrate and is formed of Si.
  • the plane orientation of Si on the surface of the piezoelectric layer 2 side may be (100), (110), or (111).
  • high resistance Si having a resistivity of 4 k ⁇ or more is desirable.
  • the support member 8 can also be configured by using an appropriate insulating material or semiconductor material.
  • the material of the support member 8 include piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and crystal, alumina, magnesia, sapphire, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mulite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, and semiconductors such as gallium nitride can be used.
  • the plurality of electrodes 3, the electrodes 4, the first bus bar 5, and the second bus bar 6 are made of an appropriate metal or alloy such as an Al or AlCu alloy.
  • the electrode 3, the electrode 4, the first bus bar 5, and the second bus bar 6 have a structure in which an Al film is laminated on a Ti film. An adhesive layer other than the Ti film may be used.
  • an AC voltage is applied between the plurality of electrodes 3 and the plurality of electrodes 4. More specifically, an AC voltage is applied between the first bus bar 5 and the second bus bar 6. As a result, it is possible to obtain resonance characteristics using the bulk wave of the thickness slip primary mode excited in the piezoelectric layer 2.
  • the thickness of the piezoelectric layer 2 when the thickness of the piezoelectric layer 2 is d, the distance between the centers of the plurality of pairs of electrodes 3, the adjacent electrodes 3 of the electrodes 4, and the electrodes 4 is p, d / p is It is said to be 0.5 or less. Therefore, the bulk wave in the thickness slip primary mode is effectively excited, and good resonance characteristics can be obtained. More preferably, d / p is 0.24 or less, in which case even better resonance characteristics can be obtained.
  • the electrodes 3 and 4 are 1.5 pairs.
  • the distance p between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4 is the average distance between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has the above configuration, the Q value is unlikely to decrease even if the logarithm of the electrodes 3 and 4 is reduced in order to reduce the size. This is because it is a resonator that does not require reflectors on both sides and has little propagation loss. Further, the reason why the above reflector is not required is that the bulk wave of the thickness slip primary mode is used.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining a Lamb wave propagating in the piezoelectric layer of the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view for explaining the bulk wave of the thickness slip primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the amplitude direction of the bulk wave in the thickness slip primary mode propagating through the piezoelectric layer of the first embodiment.
  • FIG. 3A is an elastic wave device as described in Patent Document 1, in which a ram wave propagates in a piezoelectric layer.
  • the wave propagates in the piezoelectric layer 201 as indicated by an arrow.
  • the piezoelectric layer 201 has a first main surface 201a and a second main surface 201b, and the thickness direction connecting the first main surface 201a and the second main surface 201b is the Z direction. ..
  • the X direction is the direction in which the electrode fingers of the IDT electrodes are lined up.
  • the wave propagates in the X direction as shown in the figure.
  • the piezoelectric layer 201 vibrates as a whole because it is a plate wave, the wave propagates in the X direction, so reflectors are arranged on both sides to obtain resonance characteristics. Therefore, a wave propagation loss occurs, and the Q value decreases when the size is reduced, that is, when the logarithm of the electrode fingers is reduced.
  • the wave is generated by the first main surface 2a and the second main surface 2a of the piezoelectric layer 2. It propagates substantially in the direction connecting the surface 2b, that is, in the Z direction, and resonates. That is, the X-direction component of the wave is significantly smaller than the Z-direction component. And since the resonance characteristic is obtained by the propagation of the wave in the Z direction, the reflector is not required. Therefore, there is no propagation loss when propagating to the reflector. Therefore, even if the logarithm of the electrode pair consisting of the electrodes 3 and 4 is reduced in order to promote miniaturization, the Q value is unlikely to decrease.
  • the amplitude directions of the bulk waves in the thickness slip primary mode are the first region 451 included in the excitation region C (see FIG. 1B) of the piezoelectric layer 2 and the first region 451 included in the excitation region C.
  • FIG. 4 schematically shows a bulk wave when a voltage at which the electrode 4 has a higher potential than that of the electrode 3 is applied between the electrode 3 and the electrode 4.
  • the first region 451 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 orthogonal to the thickness direction of the piezoelectric layer 2 and dividing the piezoelectric layer 2 into two, and the first main surface 2a.
  • the second region 452 is a region of the excitation region C between the virtual plane VP1 and the second main surface 2b.
  • the elastic wave device 1 At least one pair of electrodes consisting of the electrode 3 and the electrode 4 is arranged, but since the wave is not propagated in the X direction, the logarithm of the electrode pair consisting of the electrode 3 and the electrode 4 Does not necessarily have to be multiple pairs. That is, it is only necessary to provide at least one pair of electrodes.
  • the electrode 3 is an electrode connected to a hot potential
  • the electrode 4 is an electrode connected to a ground potential.
  • the electrode 3 may be connected to the ground potential and the electrode 4 may be connected to the hot potential.
  • at least one pair of electrodes is an electrode connected to a hot potential or an electrode connected to a ground potential as described above, and is not provided with a floating electrode.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of the resonance characteristics of the elastic wave device of the first embodiment.
  • the design parameters of the elastic wave device 1 obtained with the resonance characteristics shown in FIG. 5 are as follows.
  • Piezoelectric layer 2 LiNbO 3 with Euler angles (0 °, 0 °, 90 °) Thickness of piezoelectric layer 2: 400 nm.
  • Excitation region C (see FIG. 1B) length: 40 ⁇ m
  • Intermediate layer 7 1 ⁇ m thick silicon oxide film.
  • Support member 8 Si.
  • the excitation region C (see FIG. 1B) is a region where the electrode 3 and the electrode 4 overlap when viewed in the X direction orthogonal to the length direction of the electrode 3 and the electrode 4.
  • the length of the excitation region C is a dimension along the length direction of the electrodes 3 and 4 of the excitation region C.
  • the distance between the electrodes of the electrode pair consisting of the electrodes 3 and 4 is the same for the plurality of pairs. That is, the electrodes 3 and 4 are arranged at equal pitches.
  • d / p is 0.5 or less, more preferably 0.24. It is as follows. This will be described with reference to FIG.
  • FIG. 6 shows d / 2p as a resonator in the elastic wave apparatus of the first embodiment, where p is the center-to-center distance or the average distance between the centers of adjacent electrodes and d is the average thickness of the piezoelectric layer. It is explanatory drawing which shows the relationship with the specific band of.
  • the ratio band is less than 5% even if d / p is adjusted.
  • the specific band can be set to 5% or more by changing d / p within that range. That is, a resonator having a high coupling coefficient can be constructed.
  • the specific band can be increased to 7% or more.
  • d / p is adjusted within this range, a resonator having a wider specific band can be obtained, and a resonator having a higher coupling coefficient can be realized. Therefore, as in the second invention of the present application, by setting d / p to 0.5 or less, it is possible to construct a resonator having a high coupling coefficient using the bulk wave of the thickness slip primary mode. I understand.
  • At least one pair of electrodes may be one pair, and in the case of a pair of electrodes, p is the distance between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4. In the case of 1.5 pairs or more of electrodes, the average distance between the centers of the adjacent electrodes 3 and 4 may be p.
  • the thickness d of the piezoelectric layer if the piezoelectric layer 2 has a thickness variation, a value obtained by averaging the thickness may be adopted.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example in which a pair of electrodes is provided in the elastic wave device of the first embodiment.
  • a pair of electrodes having an electrode 3 and an electrode 4 is provided on the first main surface 2a of the piezoelectric layer 2.
  • K in FIG. 7 is an intersection width.
  • the logarithm of the electrodes may be one pair. Even in this case, if the d / p is 0.5 or less, the bulk wave in the thickness slip primary mode can be effectively excited.
  • FIG. 8 is a modified example of the first embodiment, and is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1A along the line II-II.
  • the acoustic multilayer film 42 is laminated on the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2.
  • the acoustic multilayer film 42 has a laminated structure of low acoustic impedance layers 42a, 42c, 42e having a relatively low acoustic impedance and high acoustic impedance layers 42b, 42d having a relatively high acoustic impedance.
  • the bulk wave in the thickness slip primary mode can be confined in the piezoelectric layer 2 without using the cavity 9 in the elastic wave device 1. Even in the elastic wave device 41, by setting the d / p to 0.5 or less, resonance characteristics based on the bulk wave in the thickness slip primary mode can be obtained.
  • the number of layers of the low acoustic impedance layers 42a, 42c, 42e and the high acoustic impedance layers 42b, 42d is not particularly limited. It is sufficient that at least one high acoustic impedance layer 42b, 42d is arranged on the side farther from the piezoelectric layer 2 than the low acoustic impedance layers 42a, 42c, 42e.
  • the low acoustic impedance layers 42a, 42c, 42e and the high acoustic impedance layers 42b, 42d can be made of an appropriate material as long as the relationship of the acoustic impedance is satisfied.
  • the material of the low acoustic impedance layers 42a, 42c, 42e silicon oxide, silicon nitride, or the like can be mentioned.
  • examples of the material of the high acoustic impedance layers 42b and 42d include alumina, silicon nitride, and metal.
  • the elastic wave devices 1, 31, and 41 use bulk waves in the thickness slip primary mode. Further, in the elastic wave devices 1, 31, and 41, the first electrode 3 and the second electrode 4 are adjacent electrodes, the thickness of the piezoelectric layer is d, and the distance between the centers of the first electrode and the second electrode is set. When p, d / p is 0.5 or less. As a result, the Q value can be increased even if the elastic wave device is miniaturized.
  • the piezoelectric layer 2 is formed of lithium niobate or lithium tantalate.
  • the first main surface 2a or the second main surface 2b of the piezoelectric layer 2 has a first electrode 3 and a second electrode 4 facing each other in a direction intersecting with each other in the thickness direction of the piezoelectric layer 2. It is desirable to cover the electrode 3 and the second electrode 4 with a protective film.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1B along the IX-IX line in the first embodiment.
  • the film thicknesses of the electrodes 3 and 4 shown in FIG. 9 are shown enlarged from the actual film thickness difference for easy understanding.
  • the film thickness of the electrode 3 and the electrode 4 shown in FIG. 2 is one of the film thickness ft1, the film thickness ft2, the film thickness ft3, the film thickness ft4, and the film thickness ft5, as shown in FIG. be.
  • the electrode 50 will be described.
  • the difference between the film thickness ft1 and the film thickness ft2 is, for example, 10 nm.
  • the difference between the film thickness ft2 and the film thickness ft3 is, for example, 10 nm.
  • the difference between the film thickness ft3 and the film thickness ft4 is, for example, 10 nm.
  • the difference between the film thickness ft4 and the film thickness ft5 is, for example, 10 nm.
  • the film thickness ft1 is 580 nm
  • the film thickness ft2 is 590 nm
  • the film thickness ft3 is 600 nm
  • the film thickness ft4 is 610 nm
  • the film thickness ft5 is 620 nm.
  • the number of electrodes 50 sandwiched between electrodes 50 having the same film thickness ft1 in the X direction is seven.
  • the number of electrodes 50 sandwiched between the electrodes 50 having the same film thickness ft2 in the X direction is seven.
  • the number of electrodes 50 sandwiched between the electrodes 50 having the same film thickness ft3 in the X direction is seven.
  • the number of electrodes 50 sandwiched between the electrodes 50 having the same film thickness ft4 in the X direction is seven.
  • the number of electrodes 50 sandwiched between the electrodes 50 having the same film thickness ft5 in the X direction is seven.
  • the number of electrodes 50 having a film thickness different from that of the electrodes 50 sandwiched between the same electrodes 50 arranged in the X direction is constant.
  • the electrodes 50 having the same film thickness include a case where the film thickness of one electrode 50 is within ⁇ 5% of the film thickness of the other electrode 50.
  • the electrode 50 has a film thickness ft1, a film thickness ft2, a film thickness ft3, a film thickness ft4, a film thickness ft5, a film thickness ft4, a film thickness ft3, a film thickness ft2, and a film thickness ft1 in order of the X direction. They are arranged in the X direction as a combination. This combination of film thickness is repeated in the X direction. As described above, the electrodes 50 arranged in the X direction have regularity in the combination of film thicknesses. For example, the electrodes 50 having a film thickness of ft1 are periodically arranged every eight in the X direction.
  • FIG. 10A is an explanatory diagram for explaining the relationship between the spurious and the frequency of the first embodiment.
  • the conditions for the simulation of Example 1BL of the first embodiment are as follows, and the evaluation results are shown in FIG. 10A.
  • Center-to-center distance (pitch) between electrode 3 and electrode 4 4.2 ⁇ m
  • Piezoelectric layer 2 LiNbO 3 with Euler angles (0 °, 127.5 °, 0 °)
  • Piezoelectric layer film thickness 0.5um Material of electrode 3 and electrode 4: Al Center-to-center distance (pitch) between electrode 3 and electrode 4: 3.14 ⁇ m
  • Electrode line width of electrode 3 and electrode 4 1.26 ⁇ m Gap width between the first bus bar and the electrode 4 and gap width between the second bus bar and the electrode 3: 1.90 ⁇ m
  • Logarithm of electrodes 20 pairs (41)
  • the film thickness of the electrode 3 and the electrode 4 When the film thickness ft1 is 580 nm, the film thickness ft2 is 590 n
  • FIG. 10B is an explanatory diagram for explaining the relationship between the spurious of the comparative example and the frequency.
  • the simulation conditions of Comparative Example RL are as follows, and the evaluation results are shown in FIG. 10B.
  • Piezoelectric layer 2 LiNbO 3 with Euler angles (0 °, 127.5 °, 0 °)
  • Piezoelectric layer film thickness 0.5um Material of electrode 3 and electrode 4: Al
  • Electrode line width of electrode 3 and electrode 4 1.26 ⁇ m Gap width between the first bus bar and the electrode 4 and gap width between the second bus bar and the electrode 3: 1.90 ⁇ m
  • Logarithm of electrodes 20 pairs (41) Film thickness of all electrodes 3 and 4: 600 nm
  • FIGS. 10A and 10B show resonance characteristics when the frequency is taken on the horizontal axis and the phase is taken on the vertical axis.
  • the same frequency as the spurious of Comparative Example RL appearing in FIG. 10B is confirmed in FIG. 10A, it can be seen that the intensity of the spurious at the position indicated by the arrow is suppressed.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1B along the IX-IX line in the second embodiment.
  • the film thicknesses of the electrode 3 and the electrode 4 shown in FIG. 11 are shown enlarged from the actual film thickness difference for easy understanding.
  • the film thickness of the electrode 3 and the electrode 4 shown in FIG. 11 is any one of the film thickness ft1, the film thickness ft2, the film thickness ft3, and the film thickness ft4.
  • the film thicknesses of the electrode 3 and the electrode 4 satisfy the relationship of ft1 ⁇ ft2 ⁇ ft3 ⁇ ft4.
  • the film thickness difference between the film thickness ft1 and the film thickness ft2 is smaller than the film thickness difference between the film thickness ft2 and the film thickness ft3.
  • the film thickness difference between the adjacent electrodes 3 and 4 is different.
  • the three electrodes 3, the electrode 4, and the electrode 3 arranged in the X direction have different film thicknesses.
  • the number of electrodes 50 sandwiched between electrodes 50 having the same film thickness ft1 in the X direction is four.
  • the number of electrodes 50 sandwiched between the electrodes 50 having the same film thickness ft2 in the X direction is four.
  • the number of electrodes 50 sandwiched between the electrodes 50 having the same film thickness ft3 in the X direction is one or four.
  • the number of electrodes 50 sandwiched between the electrodes 50 having the same film thickness ft4 in the X direction is four.
  • the number of electrodes 50 having a film thickness different from that of the electrodes 50 sandwiched between the same electrodes 50 arranged in the X direction has regularity.
  • the electrodes 50 having the same film thickness include a case where the film thickness of one electrode 50 is within ⁇ 5% of the film thickness of the other electrode 50.
  • the electrodes 50 are arranged in the X direction in order of the film thickness ft1, the film thickness ft2, the film thickness ft3, the film thickness ft4, the film thickness ft3, and the film thickness ft1 as one film thickness combination. This combination of film thickness is repeated in the X direction. As described above, the electrodes 50 arranged in the X direction have regularity in the combination of film thicknesses. For example, the electrodes 50 having a film thickness of ft1 are periodically arranged every five in the X direction.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1B along the IX-IX line in the third embodiment.
  • the film thicknesses of the electrodes 3 and 4 shown in FIG. 12 are shown enlarged from the actual film thickness difference for easy understanding.
  • each of the film thicknesses of the electrode 3 and the electrode 4 shown in FIG. 12 is one of the film thickness ft1, the film thickness ft2, and the film thickness ft3.
  • the film thicknesses of the electrode 3 and the electrode 4 satisfy the relationship of ft1 ⁇ ft2 ⁇ ft3.
  • the film thickness difference between the film thickness ft1 and the film thickness ft2 is the same as the film thickness difference between the film thickness ft2 and the film thickness ft3.
  • the film thickness difference between the adjacent electrodes 3 and 4 is the same.
  • the three electrodes 3, the electrode 4, and the electrode 3 arranged in the X direction have different film thicknesses.
  • the number of electrodes 50 sandwiched between electrodes 50 having the same film thickness ft1 in the X direction is three.
  • the number of electrodes 50 sandwiched between the electrodes 50 having the same film thickness ft2 in the X direction is three.
  • the number of electrodes 50 sandwiched between the electrodes 50 having the same film thickness ft3 in the X direction is three.
  • the number of electrodes 50 having a film thickness different from that of the electrodes 50 sandwiched between the same electrodes 50 arranged in the X direction is constant.
  • the electrodes 50 having the same film thickness include a case where the film thickness of one electrode 50 is within ⁇ 5% of the film thickness of the other electrode 50.
  • the electrodes 50 are arranged in the X direction in order of the film thickness ft1, the film thickness ft2, the film thickness ft3, the film thickness ft2, and the film thickness ft1 as one film thickness combination. This combination of film thickness is repeated in the X direction. As described above, the electrodes 50 arranged in the X direction have regularity in the combination of film thicknesses. For example, the electrodes 50 having a film thickness of ft1 are periodically arranged every four in the X direction.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1B along the IX-IX line in the fourth embodiment.
  • the film thicknesses of the electrode 3 and the electrode 4 shown in FIG. 13 are shown enlarged from the actual film thickness difference for easy understanding.
  • each of the film thicknesses of the electrode 3 and the electrode 4 shown in FIG. 13 is either a film thickness ft1 or a film thickness ft2.
  • the elastic wave device of the fourth embodiment includes at least two electrodes 50 having different film thicknesses, and has a region in which the electrodes 50 adjacent to each other in the X direction have the same film thickness.
  • the film thickness of one of the adjacent electrodes 3 is within ⁇ 5% of the film thickness of the other electrode 4. Including some cases.
  • the plurality of electrodes 50 are arranged in the X direction as a combination of two electrodes 50 having the same film thickness ft1 in the X direction and three electrodes 50 having the same film thickness ft1 in the X direction. This combination of film thickness is repeated in the X direction. As described above, the electrodes 50 arranged in the X direction have regularity in the combination of film thicknesses.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1B along the IX-IX line in the fifth embodiment.
  • the film thicknesses of the electrode 3 and the electrode 4 shown in FIG. 14 are shown enlarged from the actual film thickness difference for easy understanding.
  • the film thickness of the electrode 3 and the electrode 4 shown in FIG. 13 is any one of the film thickness ft1, the film thickness ft2, the film thickness ft3, the film thickness ft4, the film thickness ft5, and the film thickness ft6.
  • the film thicknesses of the electrode 3 and the electrode 4 satisfy the relationship of ft1 ⁇ ft2 ⁇ ft3 ⁇ ft4 ⁇ ft5 ⁇ ft6.
  • the film thickness difference between the film thickness ft1 and the film thickness ft2 is smaller than the film thickness difference between the film thickness ft2 and the film thickness ft3.
  • the elastic wave device of the fifth embodiment includes at least six electrodes 50 having different film thicknesses, and has a region where the film thickness ft1 of the electrodes 50 adjacent to each other in the X direction is the same.
  • the film thickness of one of the adjacent electrodes 3 is within ⁇ 5% of the film thickness of the other electrode 4. Including some cases.
  • the elastic wave device of the fifth embodiment includes a region in which at least three electrodes 50 having different film thicknesses are lined up in the X direction.
  • the film thickness of the electrodes 50 arranged in the X direction is random. As described above, there is no regularity in the film thickness of the electrodes 50 arranged in the X direction.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 1B along the IX-IX line in the sixth embodiment.
  • the film thicknesses of the electrode 3 and the electrode 4 shown in FIG. 15 are shown enlarged from the actual film thickness difference for easy understanding.
  • each of the film thicknesses of the electrode 3 and the electrode 4 shown in FIG. 15 is either a film thickness ft1 or a film thickness ft2.
  • the elastic wave device of the fifth embodiment includes at least two electrodes 50 having different film thicknesses, and has a region in which the electrodes 50 adjacent to each other in the X direction have the same film thickness.
  • the film thickness of one of the adjacent electrodes 3 is within ⁇ 5% of the film thickness of the other electrode 4. Including some cases.
  • the plurality of electrodes 50 are arranged in the X direction as a combination of two electrodes 50 having the same film thickness ft1 in the X direction and three electrodes 50 having the same film thickness ft1 in the X direction. This combination of film thickness is repeated in the X direction. As described above, the electrodes 50 arranged in the X direction have regularity in the combination of film thicknesses.
  • the elastic wave device of the sixth embodiment includes a region in which at least two electrodes 50 having different film thicknesses are lined up in the X direction.
  • the film thickness of the electrodes 50 arranged in the X direction is random. As described above, there is no regularity in the film thickness of the electrodes 50 arranged in the X direction.
  • the elastic wave device is a second main surface that is opposite to the first main surface 2a and the first main surface 2a and is in the Z direction with respect to the first main surface 2a.
  • a plurality of electrodes including at least one pair of electrodes 3 and electrodes 4 facing each other in the X direction intersecting the Z direction and adjacent to each other on the first main surface 2a with the piezoelectric layer 2 having the surface 2b. 50 and.
  • the second embodiment, the third embodiment, and the fifth embodiment and in the X direction, at least three or more of the plurality of electrodes 50 are arranged, and the plurality of electrodes are arranged.
  • 50 includes at least three electrodes having different film thicknesses.
  • the resonance frequency and the antiresonance frequency are less likely to be affected.
  • spurious is reduced and deterioration of resonance characteristics can be suppressed.
  • At least three electrodes 3 with different film thicknesses have the same polarity. At least three electrodes 4 having different film thicknesses have the same polarity. This reduces spurious emissions and makes it possible to suppress deterioration of resonance characteristics.
  • the plurality of electrodes 50 have at least two different film thicknesses. Includes electrodes.
  • the plurality of electrodes 50 have the same film thickness and include at least two adjacent electrodes 50.
  • the plurality of electrodes 50 may have the same film thickness and include at least two adjacent electrodes 50.
  • the resonance frequency and the antiresonance frequency are less likely to be affected.
  • spurious is reduced and deterioration of resonance characteristics can be suppressed.
  • At least two electrodes 3 with different film thicknesses have the same polarity. At least two electrodes 4 having different film thicknesses have the same polarity. This reduces spurious emissions and makes it possible to suppress deterioration of resonance characteristics.
  • first electrode 3 and the second electrode 4 are adjacent electrodes 50 and the thickness of the piezoelectric layer is d and the distance between the centers of the first electrode and the second electrode is p, d / p is It is said to be 0.5 or less.
  • the elastic wave device can be miniaturized and the Q value can be increased.
  • the film thickness of the electrodes 50 arranged in the X direction has regularity. This makes it easier to move the frequency of a specific spurious or change the intensity of a specific spurious by making the regularity different.
  • the number of electrodes 50 having a film thickness different from that of the electrodes 50 sandwiched between the electrodes 50 having the same film thickness in the X direction is constant.

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Abstract

共振特性の劣化を抑制する弾性波装置を提供する。弾性波装置は、圧電層と、第１方向に交差する第２方向において対向し、第１の主面の上に隣り合って設けられた少なくとも１対の電極を含む複数の電極と、を備える。第２方向に、複数の電極のうち、少なくとも３つ以上の電極が並んでいる。そして、複数の電極は、膜厚の異なる少なくとも２つの電極を含む。複数の電極は、膜厚が同じであって、隣り合う２つの電極を少なくとも含む。又は第２方向に、少なくとも３つ以上の電極が並んでおり、複数の電極は、膜厚の異なる少なくとも３つの電極を含む。

Description

弾性波装置
　本開示は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを含む圧電層を有する弾性波装置に関する。
　特許文献１には、弾性波装置が記載されている。
特開２０１２－２５７０１９号公報
　弾性波装置では、スプリアスにより、弾性波装置の共振特性が劣化しやすくなる可能性がある。
　本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、共振特性の劣化を抑制する弾性波装置を提供することを目的とする。
　一態様に係る弾性波装置は、第１の主面と、前記第１の主面の反対側であって、かつ前記第１の主面に対して第１方向にある第２の主面とを有する圧電層と、前記第１方向に交差する第２方向において対向し、前記第１の主面の上に隣り合って設けられた少なくとも１対の電極を含む複数の電極と、を備え、前記第２方向に、前記複数の電極のうち、少なくとも３つ以上の電極が並んでおり、前記複数の電極は、膜厚の異なる少なくとも２つの電極を含み、前記複数の電極は、膜厚が同じであって、隣り合う２つの電極を少なくとも含む。
　他の態様に係る弾性波装置は、第１の主面と、前記第１の主面の反対側であって、かつ前記第１の主面に対して第１方向にある第２の主面とを有する圧電層と、前記第１方向に交差する第２方向において対向し、前記第１の主面の上に隣り合って設けられた少なくとも１対の電極を含む複数の電極と、を備え、前記第２方向に、前記複数の電極のうち、少なくとも３つ以上の電極が並んでおり、前記複数の電極は、膜厚の異なる少なくとも３つの電極を含む。
　本開示によれば、共振特性の劣化を抑制することが可能となる。
図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。 図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。 図２は、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。 図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。 図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。 図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。 図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。 図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。 図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。 図８は、第１実施形態の変形例であって、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。 図９は、第１実施形態において、図１ＢのＩＸ－ＩＸ線に沿う部分の断面図である。 図１０Ａは、第１実施形態のスプリアスと周波数との関係を説明するための説明図である。 図１０Ｂは、比較例のスプリアスと周波数との関係を説明するための説明図である。 図１１は、第２実施形態において、図１ＢのＩＸ－ＩＸ線に沿う部分の断面図である。 図１２は、第３実施形態において、図１ＢのＩＸ－ＩＸ線に沿う部分の断面図である。 図１３は、第４実施形態において、図１ＢのＩＸ－ＩＸ線に沿う部分の断面図である。 図１４は、第５実施形態において、図１ＢのＩＸ－ＩＸ線に沿う部分の断面図である。 図１５は、第５実施形態において、図１ＢのＩＸ－ＩＸ線に沿う部分の断面図である。
　以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本開示が限定されるものではない。なお、本開示に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能である変形例や第２実施の形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
（第１実施形態）
　図１Ａは、第１実施形態の弾性波装置を示す斜視図である。図１Ｂは、第１実施形態の電極構造を示す平面図である。
　第１実施形態の弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電層２を有する。圧電層２は、ＬｉＴａＯ３からなるものであってもよい。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、第１実施形態では、Ｚカットである。ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のカット角は、回転ＹカットやＸカットであってもよい。好ましくは、Ｙ伝搬及びＸ伝搬±３０°の伝搬方位が好ましい。
　圧電層２の厚みは、特に限定されないが、厚み滑り１次モードを効果的に励振するには、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下が好ましい。
　圧電層２は、Ｚ方向に対向し合う第１の主面２ａと、第２の主面２ｂとを有する。第１の主面２ａ上に、電極３及び電極４が設けられている。
　ここで電極３が「第１電極」の一例であり、電極４が「第２電極」の一例である。図１Ａ及び図１Ｂでは、複数の電極３が、第１のバスバー５に接続されている。複数の電極４は、第２のバスバー６に接続されている。複数の電極３及び複数の電極４は、互いに間挿し合っている。
　電極３及び電極４は、矩形形状を有し、長さ方向を有する。この長さ方向と直交する方向において、電極３と、電極３と隣接する電極４とが対向している。電極３、電極４の長さ方向、及び、電極３、電極４の長さ方向と直交する方向はいずれも、圧電層２の厚み方向に交差する方向である。このため、電極３と、電極３と隣接する電極４とは、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向しているともいえる。以下の説明では、圧電層２の厚み方向をＺ方向（又は第１方向）とし、電極３、電極４の長さ方向と直交する方向をＸ方向（又は第２方向）とし、電極３、電極４の長さ方向をＹ方向（又は第３方向）として、説明することがある。
　また、電極３、電極４の長さ方向が図１Ａ及び図１Ｂに示す電極３、電極４の長さ方向に直交する方向と入れ替わっても良い。すなわち、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、第１のバスバー５及び第２のバスバー６が延びている方向に電極３、電極４を延ばしてもよい。その場合、第１のバスバー５及び第２のバスバー６は、図１Ａ及び図１Ｂにおいて電極３、電極４が延びている方向に延びることとなる。そして、一方電位に接続される電極３と、他方電位に接続される電極４とが隣り合う１対の構造が、上記電極３、電極４の長さ方向と直交する方向に、複数対設けられている。
　ここで電極３と電極４とが隣り合うとは、電極３と電極４とが直接接触するように配置されている場合ではなく、電極３と電極４とが間隔を介して配置されている場合を指す。また、電極３と電極４とが隣り合う場合、電極３と電極４との間には、他の電極３、電極４を含む、ホット電極やグラウンド電極に接続される電極は配置されない。この対数は、整数対である必要はなく、１．５対や２．５対などであってもよい。
　電極３と電極４との間の中心間距離すなわちピッチは、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲が好ましい。また、電極３と電極４との間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の幅寸法の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の幅寸法の中心とを結んだ距離となる。
　さらに、電極３、電極４の少なくとも一方が複数本ある場合（電極３、電極４を一対の電極組とした場合に、１．５対以上の電極組がある場合）、電極３、電極４の中心間距離は、１．５対以上の電極３、電極４のうち隣り合う電極３、電極４それぞれの中心間距離の平均値を指す。
　また、電極３、電極４の幅、すなわち電極３、電極４の対向方向の寸法は、１５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲が好ましい。なお、電極３と電極４との間の中心間距離とは、電極３の長さ方向と直交する方向における電極３の寸法（幅寸法）の中心と、電極４の長さ方向と直交する方向における電極４の寸法（幅寸法）の中心とを結んだ距離となる。
　また、第１実施形態では、Ｚカットの圧電層を用いているため、電極３、電極４の長さ方向と直交する方向は、圧電層２の分極方向に直交する方向となる。圧電層２として他のカット角の圧電体を用いた場合には、この限りでない。ここにおいて、「直交」とは、厳密に直交する場合のみに限定されず、略直交（電極３、電極４の長さ方向と直交する方向と分極方向とのなす角度が例えば９０°±１０°）でもよい。
　圧電層２の第２の主面２ｂ側には、中間層７を介して支持部材８が積層されている。中間層７及び支持部材８は、枠状の形状を有し、図２に示すように、開口部７ａ、８ａを有する。それによって、空洞部（エアギャップ）９が形成されている。
　空洞部９は、圧電層２の励振領域Ｃの振動を妨げないために設けられている。従って、上記支持部材８は、少なくとも１対の電極３、電極４が設けられている部分と重ならない位置において、第２の主面２ｂに中間層７を介して積層されている。なお、中間層７は設けられずともよい。従って、支持部材８は、圧電層２の第２の主面２ｂに直接または間接に積層され得る。
　中間層７は、絶縁層であり、酸化ケイ素で形成されている。もっとも、中間層７は、酸化ケイ素の他、酸窒化ケイ素、アルミナなどの適宜の絶縁性材料で形成することができる。
　支持部材８は、支持基板ともいい、Ｓｉにより形成されている。Ｓｉの圧電層２側の面における面方位は（１００）や（１１０）であってもよく、（１１１）であってもよい。好ましくは、抵抗率４ｋΩ以上の高抵抗のＳｉが望ましい。もっとも、支持部材８についても適宜の絶縁性材料や半導体材料を用いて構成することができる。支持部材８の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、サファイア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体などを用いることができる。
　上記複数の電極３、電極４及び第１のバスバー５、第２のバスバー６は、Ａｌ、ＡｌＣｕ合金などの適宜の金属もしくは合金からなる。第１実施形態では、電極３、電極４及び第１のバスバー５、第２のバスバー６は、Ｔｉ膜上にＡｌ膜を積層した構造を有する。なお、Ｔｉ膜以外の密着層を用いてもよい。
　駆動に際しては、複数の電極３と、複数の電極４との間に交流電圧を印加する。より具体的には、第１のバスバー５と第２のバスバー６との間に交流電圧を印加する。それによって、圧電層２において励振される厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、共振特性を得ることが可能とされている。
　また、弾性波装置１では、圧電層２の厚みをｄ、複数対の電極３、電極４のうちいずれかの隣り合う電極３、電極４の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐは０．５以下とされている。そのため、上記厚み滑り１次モードのバルク波が効果的に励振され、良好な共振特性を得ることができる。より好ましくは、ｄ／ｐは０．２４以下であり、その場合には、より一層良好な共振特性を得ることができる。
　なお、第１実施形態のように電極３、電極４の少なくとも一方が複数本ある場合、すなわち、電極３、電極４を１対の電極組とした場合に電極３、電極４が１．５対以上ある場合、隣り合う電極３、電極４の中心間距離ｐは、各隣り合う電極３、電極４の中心間距離の平均距離となる。
　第１実施形態の弾性波装置１では、上記構成を備えるため、小型化を図ろうとして、電極３、電極４の対数を小さくしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。これは、両側に反射器を必要としない共振器であり、伝搬ロスが少ないためである。また、上記反射器を必要としないのは、厚み滑り１次モードのバルク波を利用していることによる。
　図３Ａは、比較例の圧電層を伝播するラム波を説明するための模式的な断面図である。図３Ｂは、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波を説明するための模式的な断面図である。図４は、第１実施形態の圧電層を伝播する厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向を説明するための模式的な断面図である。
　図３Ａでは、特許文献１に記載のような弾性波装置であり、圧電層をラム波が伝搬する。図３Ａに示すように、圧電層２０１中を矢印で示すように波が伝搬する。ここで、圧電層２０１には、第１の主面２０１ａと、第２の主面２０１ｂとがあり、第１の主面２０１ａと第２の主面２０１ｂとを結ぶ厚み方向がＺ方向である。Ｘ方向は、ＩＤＴ電極の電極指が並んでいる方向である。図３Ａに示すように、ラム波では、波が図示のように、Ｘ方向に伝搬していく。板波であるため、圧電層２０１が全体として振動するものの、波はＸ方向に伝搬するため、両側に反射器を配置して、共振特性を得ている。そのため、波の伝搬ロスが生じ、小型化を図った場合、すなわち電極指の対数を少なくした場合、Ｑ値が低下する。
　これに対して、図３Ｂに示すように、第１実施形態の弾性波装置では、振動変位は厚み滑り方向であるから、波は、圧電層２の第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを結ぶ方向、すなわちＺ方向にほぼ伝搬し、共振する。すなわち、波のＸ方向成分がＺ方向成分に比べて著しく小さい。そして、このＺ方向の波の伝搬により共振特性が得られるため、反射器を必要としない。よって、反射器に伝搬する際の伝搬損失は生じない。従って、小型化を進めようとして、電極３、電極４からなる電極対の対数を減らしたとしても、Ｑ値の低下が生じ難い。
　なお、厚み滑り１次モードのバルク波の振幅方向は、図４に示すように、圧電層２の励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）に含まれる第１領域４５１と、励振領域Ｃに含まれる第２領域４５２とで逆になる。図４では、電極３と電極４との間に、電極４が電極３よりも高電位となる電圧が印加された場合のバルク波を模式的に示してある。第１領域４５１は、励振領域Ｃのうち、圧電層２の厚み方向に直交し圧電層２を２分する仮想平面ＶＰ１と、第１の主面２ａとの間の領域である。第２領域４５２は、励振領域Ｃのうち、仮想平面ＶＰ１と、第２の主面２ｂとの間の領域である。
　弾性波装置１では、電極３と電極４とからなる少なくとも１対の電極が配置されているが、Ｘ方向に波を伝搬させるものではないため、この電極３、電極４からなる電極対の対数は複数対ある必要は必ずしもない。すなわち、少なくとも１対の電極が設けられてさえおればよい。
　例えば、上記電極３がホット電位に接続される電極であり、電極４がグラウンド電位に接続される電極である。もっとも、電極３がグラウンド電位に、電極４がホット電位に接続されてもよい。第１実施形態では、少なくとも１対の電極は、上記のように、ホット電位に接続される電極またはグラウンド電位に接続される電極であり、浮き電極は設けられていない。
　図５は、第１実施形態の弾性波装置の共振特性の例を示す説明図である。なお、図５に示す共振特性を得た弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。
　圧電層２：オイラー角（０°，０°，９０°）のＬｉＮｂＯ３
　圧電層２の厚み：４００ｎｍ。
　励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）の長さ：４０μｍ
　電極３、電極４からなる電極の対数：２１対
　電極３と電極４との間の中心間距離（ピッチ）：３μｍ
　電極３、電極４の幅：５００ｎｍ
　ｄ／ｐ：０．１３３
　中間層７：１μｍの厚みの酸化ケイ素膜。
　支持部材８：Ｓｉ。
　なお、励振領域Ｃ（図１Ｂ参照）とは、電極３と電極４の長さ方向と直交するＸ方向に視たときに、電極３と電極４とが重なっている領域である。励振領域Ｃの長さとは、励振領域Ｃの電極３、電極４の長さ方向に沿う寸法である。
　第１実施形態では、電極３、電極４からなる電極対の電極間距離は、複数対において全て等しくした。すなわち、電極３と電極４とを等ピッチで配置した。
　図５から明らかなように、反射器を有しないにもかかわらず、比帯域が１２．５％である良好な共振特性が得られている。
　ところで、上記圧電層２の厚みをｄ、電極３と電極４との電極の中心間距離をｐとした場合、第１実施形態では、ｄ／ｐは０．５以下、より好ましくは０．２４以下である。これを、図６を参照して説明する。
　図５に示した共振特性を得た弾性波装置と同様に、但しｄ／２ｐを変化させ、複数の弾性波装置を得た。図６は、第１実施形態の弾性波装置において、隣り合う電極の中心間距離または中心間距離の平均距離をｐ、圧電層の平均厚みをｄとした場合、ｄ／２ｐと、共振子としての比帯域との関係を示す説明図である。
　図６に示すように、ｄ／２ｐが０．２５を超えると、すなわちｄ／ｐ＞０．５では、ｄ／ｐを調整しても、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／２ｐ≦０．２５、すなわちｄ／ｐ≦０．５の場合には、その範囲内でｄ／ｐを変化させれば、比帯域を５％以上とすることができ、すなわち高い結合係数を有する共振子を構成することができる。また、ｄ／２ｐが０．１２以下の場合、すなわちｄ／ｐが０．２４以下の場合には、比帯域を７％以上と高めることができる。加えて、ｄ／ｐをこの範囲内で調整すれば、より一層比帯域の広い共振子を得ることができ、より一層高い結合係数を有する共振子を実現することができる。従って、本願の第２の発明のように、ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、上記厚み滑り１次モードのバルク波を利用した、高い結合係数を有する共振子を構成し得ることがわかる。
　なお、少なくとも１対の電極は、１対でもよく、上記ｐは、１対の電極の場合、隣り合う電極３、電極４の中心間距離とする。また、１．５対以上の電極の場合には、隣り合う電極３、電極４の中心間距離の平均距離をｐとすればよい。
　また、圧電層の厚みｄについても、圧電層２が厚みばらつきを有する場合、その厚みを平均化した値を採用すればよい。
　図７は、第１実施形態の弾性波装置において、１対の電極が設けられている例を示す平面図である。弾性波装置３１では、圧電層２の第１の主面２ａ上において、電極３と電極４とを有する１対の電極が設けられている。なお、図７中のＫが交差幅となる。前述したように、本開示の弾性波装置では、電極の対数は１対であってもよい。この場合においても、上記ｄ／ｐが０．５以下であれば、厚み滑り１次モードのバルク波を効果的に励振することができる。
　図８は、第１実施形態の変形例であって、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線に沿う部分の断面図である。弾性波装置４１では、圧電層２の第２の主面２ｂに音響多層膜４２が積層されている。音響多層膜４２は、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層４２ａ、４２ｃ、４２ｅと、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層４２ｂ、４２ｄとの積層構造を有する。音響多層膜４２を用いた場合、弾性波装置１における空洞部９を用いずとも、厚み滑り１次モードのバルク波を圧電層２内に閉じ込めることができる。弾性波装置４１においても、上記ｄ／ｐを０．５以下とすることにより、厚み滑り１次モードのバルク波に基づく共振特性を得ることができる。なお、音響多層膜４２においては、その低音響インピーダンス層４２ａ、４２ｃ、４２ｅ及び高音響インピーダンス層４２ｂ、４２ｄの積層数は特に限定されない。低音響インピーダンス層４２ａ、４２ｃ、４２ｅよりも、少なくとも１層の高音響インピーダンス層４２ｂ、４２ｄが圧電層２から遠い側に配置されておりさえすればよい。
　上記低音響インピーダンス層４２ａ、４２ｃ、４２ｅ及び高音響インピーダンス層４２ｂ、４２ｄは、上記音響インピーダンスの関係を満たす限り、適宜の材料で構成することができる。例えば、低音響インピーダンス層４２ａ、４２ｃ、４２ｅの材料としては、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素などを挙げることができる。また、高音響インピーダンス層４２ｂ、４２ｄの材料としては、アルミナ、窒化ケイ素または金属などを挙げることができる。
　以上説明したように、弾性波装置１、３１、４１では、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。また、弾性波装置１、３１、４１では、第１の電極３及び第２の電極４は隣り合う電極同士であり、圧電層の厚みをｄ、第１電極及び第２電極の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。これにより、弾性波装置が小型化しても、Ｑ値を高めることができる。
　弾性波装置１、３１、４１では、圧電層２がニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムで形成されている。圧電層２の第１の主面２ａ又は第２の主面２ｂには、圧電層２の厚み方向に交差する方向において対向する第１の電極３及び第２の電極４があり、第１の電極３及び第２の電極４の上を保護膜で覆うことが望ましい。
　図９は、第１実施形態において、図１ＢのＩＸ－ＩＸ線に沿う部分の断面図である。図９に示す電極３及び電極４の膜厚は、理解を容易にするため、実際の膜厚差よりも拡大して記載されている。第１実施形態において、図２に示す電極３及び電極４の膜厚は、図９に示すように、膜厚ｆｔ１、膜厚ｆｔ２、膜厚ｆｔ３、膜厚ｆｔ４、膜厚ｆｔ５のいずれかである。以下の説明では、電極３及び電極４を区別しない場合、電極５０として説明する。膜厚ｆｔ１と、膜厚ｆｔ２との差は、例えば、１０ｎｍである。膜厚ｆｔ２と、膜厚ｆｔ３との差は、例えば、１０ｎｍである。膜厚ｆｔ３と、膜厚ｆｔ４との差は、例えば、１０ｎｍである。膜厚ｆｔ４と、膜厚ｆｔ５との差は、例えば、１０ｎｍである。膜厚ｆｔ１が５８０ｎｍである場合、膜厚ｆｔ２が５９０ｎｍであり、膜厚ｆｔ３が６００ｎｍであり、膜厚ｆｔ４が６１０ｎｍであり、膜厚ｆｔ５が６２０ｎｍである。
　Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ１の電極５０同士で挟む電極５０の数は、７つである。Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ２の電極５０同士で挟む電極５０の数は、７つである。Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ３の電極５０同士で挟む電極５０の数は、７つである。Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ４の電極５０同士で挟む電極５０の数は、７つである。Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ５の電極５０同士で挟む電極５０の数は、７つである。このように、Ｘ方向に並ぶ同じ電極５０同士で挟む、この電極５０同士とは異なる膜厚の電極５０の数は、一定である。なお、膜厚が同じ電極５０には、一方の電極５０の膜厚が、他方の電極５０の膜厚の±５％以内の膜厚である場合も含む。
　電極５０は、Ｘ方向に順に、膜厚ｆｔ１、膜厚ｆｔ２、膜厚ｆｔ３、膜厚ｆｔ４、膜厚ｆｔ５、膜厚ｆｔ４、膜厚ｆｔ３、膜厚ｆｔ２、膜厚ｆｔ１を１つの膜厚の組み合わせとしてＸ方向に並べられている。この膜厚の組み合わせは、Ｘ方向に繰り返される。このように、Ｘ方向に並ぶ電極５０は、膜厚の組み合わせに規則性がある。例えば、膜厚ｆｔ１の電極５０は、Ｘ方向の８つ毎に周期的に配置されている。
　図１０Ａは、第１実施形態のスプリアスと周波数との関係を説明するための説明図である。第１実施形態の実施例１ＢＬのシミュレーションの条件は以下の通りであり、評価結果が図１０Ａに示されている。
　電極３と電極４との間の中心間距離（ピッチ）：４．２μｍ
　圧電層２：オイラー角（０°，１２７．５°，０°）のＬｉＮｂＯ３
　圧電層の膜厚：０．５ｕｍ
　電極３及び電極４の材料：Ａｌ
　電極３と電極４との間の中心間距離（ピッチ）：３．１４μｍ
　電極３及び電極４の各電極線幅：１．２６μｍ
　第１のバスバーと電極４との間のギャップ幅及び第２のバスバーと電極３との間のギャップ幅：１．９０μｍ
　電極対数：２０対（４１本）
　電極３及び電極４の膜厚：膜厚ｆｔ１が５８０ｎｍである場合、膜厚ｆｔ２が５９０ｎｍであり、膜厚ｆｔ３が６００ｎｍであり、膜厚ｆｔ４が６１０ｎｍであり、膜厚ｆｔ５が６２０ｎｍである。図９に示す膜厚の組み合わせで、電極３及び電極４が並べられている。
　図１０Ｂは、比較例のスプリアスと周波数との関係を説明するための説明図である。
　比較例ＲＬのシミュレーションの条件は以下の通りであり、評価結果が図１０Ｂに示されている。
　電極３と電極４との間の中心間距離（ピッチ）：４．２μｍ
　圧電層２：オイラー角（０°，１２７．５°，０°）のＬｉＮｂＯ３
　圧電層の膜厚：０．５ｕｍ
　電極３及び電極４の材料：Ａｌ
　電極３と電極４との間の中心間距離（ピッチ）：３．１４μｍ
　電極３及び電極４の各電極線幅：１．２６μｍ
　第１のバスバーと電極４との間のギャップ幅及び第２のバスバーと電極３との間のギャップ幅：１．９０μｍ
　電極対数：２０対（４１本）
　全ての電極３及び電極４の膜厚：６００ｎｍ
　図１０Ａ及び図１０Ｂには、横軸に周波数をとり、縦軸に位相をとった場合の共振特性が示されている。図１０Ｂに現れていた比較例ＲＬのスプリアスと同じ周波数を図１０Ａで確認すると、矢印で示す位置のスプリアスの強度が抑制されていることが分かる。
（第２実施形態）
　図１１は、第２実施形態において、図１ＢのＩＸ－ＩＸ線に沿う部分の断面図である。図１１に示す電極３及び電極４の膜厚は、理解を容易にするため、実際の膜厚差よりも拡大して記載されている。第２実施形態において、図１１に示す電極３及び電極４の各膜厚は、膜厚ｆｔ１、膜厚ｆｔ２、膜厚ｆｔ３、膜厚ｆｔ４のいずれかである。
　電極３及び電極４の各膜厚は、ｆｔ１＜ｆｔ２＜ｆｔ３＜ｆｔ４の関係を満たしている。膜厚ｆｔ１と膜厚ｆｔ２との膜厚差は、膜厚ｆｔ２と膜厚ｆｔ３との膜厚差よりも小さい。第２実施形態では、隣り合う電極３と電極４との膜厚差が異なる。そして、Ｘ方向に並んだ３つの電極３、電極４、電極３は、膜厚が異なる。
　Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ１の電極５０同士で挟む電極５０の数は、４つである。Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ２の電極５０同士で挟む電極５０の数は、４つである。Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ３の電極５０同士で挟む電極５０の数は、１つ又は４つである。Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ４の電極５０同士で挟む電極５０の数は、４つである。このように、Ｘ方向に並ぶ同じ電極５０同士で挟む、この電極５０同士とは異なる膜厚の電極５０の数には、規則性がある。なお、膜厚が同じ電極５０には、一方の電極５０の膜厚が、他方の電極５０の膜厚の±５％以内の膜厚である場合も含む。
　電極５０は、Ｘ方向に順に、膜厚ｆｔ１、膜厚ｆｔ２、膜厚ｆｔ３、膜厚ｆｔ４、膜厚ｆｔ３、膜厚ｆｔ１を１つの膜厚の組み合わせとしてＸ方向に並べられている。この膜厚の組み合わせは、Ｘ方向に繰り返される。このように、Ｘ方向に並ぶ電極５０は、膜厚の組み合わせに規則性がある。例えば、膜厚ｆｔ１の電極５０は、Ｘ方向の５つ毎に周期的に配置されている。
（第３実施形態）
　図１２は、第３実施形態において、図１ＢのＩＸ－ＩＸ線に沿う部分の断面図である。図１２に示す電極３及び電極４の膜厚は、理解を容易にするため、実際の膜厚差よりも拡大して記載されている。第３実施形態において、図１２に示す電極３及び電極４の各膜厚は、膜厚ｆｔ１、膜厚ｆｔ２、膜厚ｆｔ３のいずれかである。
　電極３及び電極４の各膜厚は、ｆｔ１＜ｆｔ２＜ｆｔ３の関係を満たしている。膜厚ｆｔ１と膜厚ｆｔ２との膜厚差は、膜厚ｆｔ２と膜厚ｆｔ３との膜厚差と同じである。第３実施形態では、隣り合う電極３と電極４との膜厚差が同じである。そして、Ｘ方向に並んだ３つの電極３、電極４、電極３は、膜厚が異なる。
　Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ１の電極５０同士で挟む電極５０の数は、３つである。Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ２の電極５０同士で挟む電極５０の数は、３つである。Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ３の電極５０同士で挟む電極５０の数は、３つである。このように、Ｘ方向に並ぶ同じ電極５０同士で挟む、この電極５０同士とは異なる膜厚の電極５０の数は、一定である。なお、膜厚が同じ電極５０には、一方の電極５０の膜厚が、他方の電極５０の膜厚の±５％以内の膜厚である場合も含む。
　電極５０は、Ｘ方向に順に、膜厚ｆｔ１、膜厚ｆｔ２、膜厚ｆｔ３、膜厚ｆｔ２、膜厚ｆｔ１を１つの膜厚の組み合わせとしてＸ方向に並べられている。この膜厚の組み合わせは、Ｘ方向に繰り返される。このように、Ｘ方向に並ぶ電極５０は、膜厚の組み合わせに規則性がある。例えば、膜厚ｆｔ１の電極５０は、Ｘ方向の４つ毎に周期的に配置されている。
（第４実施形態）
　図１３は、第４実施形態において、図１ＢのＩＸ－ＩＸ線に沿う部分の断面図である。図１３に示す電極３及び電極４の膜厚は、理解を容易にするため、実際の膜厚差よりも拡大して記載されている。第４実施形態において、図１３に示す電極３及び電極４の各膜厚は、膜厚ｆｔ１、膜厚ｆｔ２のいずれかである。
　電極３及び電極４の各膜厚は、ｆｔ１＜ｆｔ２の関係を満たしている。第４実施形態の弾性波装置は、少なくとも膜厚の異なる２つの電極５０を含み、かつ、Ｘ方向に隣り合う電極５０同士の膜厚が同じ領域がある。なお、隣り合う電極３、電極４同士の膜厚が同じ場合には、隣り合う電極のうち、一方の電極３の膜厚が、他方の電極４の膜厚の±５％以内の膜厚である場合も含む。
　複数の電極５０は、Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ１の電極５０が２つ並び、Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ１の電極５０が３つ並ぶ膜厚の組み合わせとしてＸ方向に並べられている。この膜厚の組み合わせは、Ｘ方向に繰り返される。このように、Ｘ方向に並ぶ電極５０は、膜厚の組み合わせに規則性がある。
（第５実施形態）
　図１４は、第５実施形態において、図１ＢのＩＸ－ＩＸ線に沿う部分の断面図である。図１４に示す電極３及び電極４の膜厚は、理解を容易にするため、実際の膜厚差よりも拡大して記載されている。第５実施形態において、図１３に示す電極３及び電極４の各膜厚は、膜厚ｆｔ１、膜厚ｆｔ２、膜厚ｆｔ３、膜厚ｆｔ４、膜厚ｆｔ５、膜厚ｆｔ６のいずれかである。
　電極３及び電極４の各膜厚は、ｆｔ１＜ｆｔ２＜ｆｔ３＜ｆｔ４＜ｆｔ５＜ｆｔ６の関係を満たしている。膜厚ｆｔ１と膜厚ｆｔ２との膜厚差は、膜厚ｆｔ２と膜厚ｆｔ３との膜厚差よりも小さい。第５実施形態では、隣り合う電極３と電極４との膜厚差が異なる領域がある。
　第５施形態の弾性波装置は、少なくとも膜厚の異なる６つの電極５０を含み、かつ、Ｘ方向に隣り合う電極５０同士の膜厚ｆｔ１が同じ領域がある。なお、隣り合う電極３、電極４同士の膜厚が同じ場合には、隣り合う電極のうち、一方の電極３の膜厚が、他方の電極４の膜厚の±５％以内の膜厚である場合も含む。
　第５実施形態の弾性波装置は、Ｘ方向に、膜厚の異なる少なくとも３つの電極５０が並ぶ領域を含む。Ｘ方向に並ぶ電極５０の膜厚は、ランダムである。このように、Ｘ方向に並ぶ電極５０の膜厚には、規則性がない。
（第６実施形態）
　図１５は、第６実施形態において、図１ＢのＩＸ－ＩＸ線に沿う部分の断面図である。図１５に示す電極３及び電極４の膜厚は、理解を容易にするため、実際の膜厚差よりも拡大して記載されている。第６実施形態において、図１５に示す電極３及び電極４の各膜厚は、膜厚ｆｔ１、膜厚ｆｔ２のいずれかである。
　電極３及び電極４の各膜厚は、ｆｔ１＜ｆｔ２の関係を満たしている。第５実施形態の弾性波装置は、少なくとも膜厚の異なる２つの電極５０を含み、かつ、Ｘ方向に隣り合う電極５０同士の膜厚が同じ領域がある。なお、隣り合う電極３、電極４同士の膜厚が同じ場合には、隣り合う電極のうち、一方の電極３の膜厚が、他方の電極４の膜厚の±５％以内の膜厚である場合も含む。
　複数の電極５０は、Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ１の電極５０が２つ並び、Ｘ方向に同じ膜厚ｆｔ１の電極５０が３つ並ぶ膜厚の組み合わせとしてＸ方向に並べられている。この膜厚の組み合わせは、Ｘ方向に繰り返される。このように、Ｘ方向に並ぶ電極５０は、膜厚の組み合わせに規則性がある。
　第６実施形態の弾性波装置は、Ｘ方向に、膜厚の異なる少なくとも２つの電極５０が並ぶ領域を含む。Ｘ方向に並ぶ電極５０の膜厚は、ランダムである。このように、Ｘ方向に並ぶ電極５０の膜厚には、規則性がない。
　以上説明したように、弾性波装置は、第１の主面２ａと、第１の主面２ａの反対側であって、かつ第１の主面２ａに対してＺ方向にある第２の主面２ｂとを有する圧電層２と、Ｚ方向に交差するＸ方向において対向し、第１の主面２ａの上に隣り合って設けられた少なくとも１対の電極３、電極４を含む複数の電極５０と、を備える。
　第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態、第５実施形態のように、そして、Ｘ方向に、複数の電極５０のうち、少なくとも３つ以上の電極が並んでおり、複数の電極５０は、膜厚の異なる少なくとも３つの電極を含む。
　これにより、電極５０の膜厚を異ならせても、共振周波数や反共振周波数に影響を与えにくい。一方、電極５０の膜厚を異ならせると、スプリアスが低減され、共振特性の劣化を抑制することが可能となる。
　膜厚の異なる少なくとも３つの電極３は、同じ極性である。膜厚の異なる少なくとも３つの電極４は、同じ極性である。これにより、スプリアスが低減され、共振特性の劣化を抑制することが可能となる。
　第４実施形態、第６実施形態のように、そして、Ｘ方向に、複数の電極５０のうち、少なくとも３つ以上の電極が並んでおり、複数の電極５０は、膜厚が異なる少なくとも２つの電極を含む。複数の電極５０は、膜厚が同じであって、隣り合う２つの電極５０を少なくとも含む。第５実施形態のように、複数の電極５０は、膜厚が同じであって、隣り合う２つの電極５０を少なくとも含んでもよい。
　これにより、電極５０の膜厚を異ならせても、共振周波数や反共振周波数に影響を与えにくい。一方、電極５０の膜厚を異ならせると、スプリアスが低減され、共振特性の劣化を抑制することが可能となる。
　膜厚の異なる少なくとも２つの電極３は、同じ極性である。膜厚の異なる少なくとも２つの電極４は、同じ極性である。これにより、スプリアスが低減され、共振特性の劣化を抑制することが可能となる。
　弾性波装置１、３１、４１では、厚み滑り１次モードのバルク波が利用されている。これにより、結合係数が高まり、良好な共振特性が得られる弾性波装置を提供することができる。
　また、第１の電極３及び第２の電極４は隣り合う電極５０同士であり、圧電層の厚みをｄ、第１電極及び第２電極の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下とされている。これにより、弾性波装置を小型化でき、かつＱ値を高めることができる。
　望ましい態様として、Ｘ方向に並ぶ電極５０の膜厚には、規則性がある。これにより、規則性を異ならせることで、特定のスプリアスの周波数を移動させ、又は特定のスプリアスの強度を変更させやすくなる。
　望ましい態様として、Ｘ方向に同じ膜厚の電極５０同士で挟む、この電極５０同士とは異なる膜厚の電極５０の数は、一定である。これにより、Ｘ方向に同じ膜厚の電極５０同士で挟む電極５０の数を異ならせることで、特定のスプリアスの周波数を移動させ、又は特定のスプリアスの強度を変更させやすくなる。
　望ましい態様として、Ｘ方向に並ぶ電極５０の膜厚には、規則性がない。これにより、特定の周波数に大きなスプリアスが発生するのを抑制することができる。
　なお、上記した実施の形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本開示を限定して解釈するためのものではない。本開示は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本開示にはその等価物も含まれる。
１、３１、４１　弾性波装置
２　圧電層
２ａ　第１の主面
２ｂ　第２の主面
３　電極（第１の電極）
４　電極（第２の電極）
５　第１のバスバー
６　第２のバスバー
７　中間層
７ａ　開口部
８　支持部材
８ａ　開口部
９　空洞部
４２　音響多層膜
４２ａ　低音響インピーダンス層
４２ｂ　高音響インピーダンス層
４２ｃ　低音響インピーダンス層
４２ｄ　高音響インピーダンス層
４２ｅ　低音響インピーダンス層
５０　電極
２０１　圧電層
２０１ａ　第１の主面
２０１ｂ　第２の主面
４５１　第１領域
４５２　第２領域
Ｃ　励振領域
ＶＰ１　仮想平面
Ｙ　回転
ｄ　厚み
ｆｔ１、ｆｔ２、ｆｔ３、ｆｔ４、ｆｔ５、ｆｔ６　膜厚
ｐ　中心間距離

Claims (10)

  1. 　第１の主面と、前記第１の主面の反対側であって、かつ前記第１の主面に対して第１方向にある第２の主面とを有する圧電層と、
    　前記第１方向に交差する第２方向において対向し、前記第１の主面の上に隣り合って設けられた少なくとも１対の電極を含む複数の電極と、を備え、
    　前記第２方向に、前記複数の電極のうち、少なくとも３つ以上の電極が並んでおり、
    　前記複数の電極は、膜厚の異なる少なくとも２つの電極を含み、
    　前記複数の電極は、膜厚が同じであって、隣り合う２つの電極を少なくとも含む、弾性波装置。
  2. 　請求項１に記載の弾性波装置であって、
    　前記膜厚の異なる少なくとも２つの電極は、同じ極性である、弾性波装置。
  3. 　第１の主面と、前記第１の主面の反対側であって、かつ前記第１の主面に対して第１方向にある第２の主面とを有する圧電層と、
    　前記第１方向に交差する第２方向において対向し、前記第１の主面の上に隣り合って設けられた少なくとも１対の電極を含む複数の電極と、を備え、
    　前記第２方向に、前記複数の電極のうち、少なくとも３つ以上の電極が並んでおり、
    　前記複数の電極は、膜厚の異なる少なくとも３つの電極を含む、弾性波装置。
  4. 　請求項２に記載の弾性波装置であって、
    　前記膜厚の異なる少なくとも３つの電極は、同じ極性である、弾性波装置。
  5. 　請求項３または４に記載の弾性波装置であって、
    　前記複数の電極は、膜厚が同じであって、隣り合う２つの電極を少なくとも含む、弾性波装置。
  6. 　請求項１から５のいずれか１項に記載の弾性波装置であって、
    　前記圧電層は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含み、
    　厚み滑り１次モードのバルク波を利用する、弾性波装置。
  7. 　請求項１から５のいずれか１項に記載の弾性波装置であって、
    　前記圧電層は、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムを含み、
    　前記圧電層の平均厚みをｄ、隣り合う電極の中心間距離をｐとして、ｄ／ｐが０．５以下である、弾性波装置。
  8. 　前記第２方向に並ぶ電極の膜厚には、規則性がある、請求項１から７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記第２方向に同じ膜厚の電極同士で挟む当該電極同士とは異なる膜厚の電極の数は、一定である、請求項１から７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記第２方向に並ぶ電極の膜厚には、規則性がない、請求項１から７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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