WO2018054610A1 - Infrarot-strahler - Google Patents

Infrarot-strahler Download PDF

Info

Publication number
WO2018054610A1
WO2018054610A1 PCT/EP2017/070670 EP2017070670W WO2018054610A1 WO 2018054610 A1 WO2018054610 A1 WO 2018054610A1 EP 2017070670 W EP2017070670 W EP 2017070670W WO 2018054610 A1 WO2018054610 A1 WO 2018054610A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
infrared
infrared radiator
radiator according
cladding tube
carrier plate
Prior art date
Application number
PCT/EP2017/070670
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Holger Zissing
Michael Honig
Lotta Gaab
Jürgen Weber
Original Assignee
Heraeus Noblelight Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Noblelight Gmbh filed Critical Heraeus Noblelight Gmbh
Priority to KR1020197010105A priority Critical patent/KR102294826B1/ko
Priority to EP17758460.4A priority patent/EP3516680A1/de
Priority to JP2019511986A priority patent/JP6714772B2/ja
Priority to CN201780058102.0A priority patent/CN109844902B/zh
Priority to US16/330,822 priority patent/US10707067B2/en
Publication of WO2018054610A1 publication Critical patent/WO2018054610A1/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01KELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
    • H01K1/00Details
    • H01K1/02Incandescent bodies
    • H01K1/04Incandescent bodies characterised by the material thereof
    • H01K1/10Bodies of metal or carbon combined with other substance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01KELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
    • H01K1/00Details
    • H01K1/02Incandescent bodies
    • H01K1/14Incandescent bodies characterised by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01KELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
    • H01K1/00Details
    • H01K1/18Mountings or supports for the incandescent body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01KELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
    • H01K1/00Details
    • H01K1/18Mountings or supports for the incandescent body
    • H01K1/20Mountings or supports for the incandescent body characterised by the material thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01KELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
    • H01K3/00Apparatus or processes adapted to the manufacture, installing, removal, or maintenance of incandescent lamps or parts thereof
    • H01K3/02Manufacture of incandescent bodies
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033Heating devices using lamps
    • H05B3/0038Heating devices using lamps for industrial applications

Definitions

  • the invention relates to an infrared radiator having a cladding tube made of quartz glass, which surrounds a Bankfilament as infrared radiation emitting element which is connected via current feedthroughs with an electrical connection outside the cladding tube.
  • Infrared emitters in the sense of the invention show a two- or three-dimensional emission characteristic; They are used for example for polymerizing plastics or for curing paints or for drying paints on a heating material, but also for the thermal treatment of semiconductor wafers in the semiconductor or photovoltaic industry.
  • Known infrared emitters have within the cladding tube made of glass a helical resistance wire or a resistance band as a heating conductor or heating filament.
  • the wire or ribbon has no or no substantial contact with the cladding tube.
  • the heat transfer from the resistance wire to the cladding tube is essentially by thermal radiation.
  • the heating conductor also called Bankfilament, is used as a current flowing through filament, filament or incandescent filament in incandescent lamps, in infrared radiators or in ovens and is usually in elongated form as a smooth or twisted around its longitudinal axis or coiled band.
  • Carbon filament-based heating filaments show good mechanical stability combined with relatively high electrical resistance and allow comparatively rapid temperature changes.
  • an electrical resistance element of a resistance material forms the actual infrared radiation emitting element of the emitter.
  • the cladding tube of quartz glass is substantially transparent to infrared radiation, so that the radiation emitted by the resistance element radiation is transmitted to the material to be heated without large radiation losses.
  • the electrical resistance of the heating filament particular attention is paid to the electrical resistance of the heating filament. On the one hand, this should be constant over time, even under load, and on the other hand, it should be as high as possible in order to be able to operate short filament lengths with standard voltages (for example 230 V).
  • the nominal electrical resistance is basically adjustable by the cross section and in particular by the thickness of the band.
  • the reduction of the strip thickness are limited because of the mechanical strength and a predetermined minimum life. This limitation is particularly noticeable when the heating filament is subjected to high mechanical load during use, such as with long irradiation lengths of 1 m or more.
  • An infrared radiator with a band-shaped carbon Walkerfilament is known for example from DE 100 29 437 A1.
  • the coiled carbon ribbon is spaced from the wall of the cladding tube of quartz glass and disposed along the central axis thereof.
  • At the ends of the carbon tape contacts are provided with terminal lugs, which are passed through a pinch region of the cladding tube to external electrical connections.
  • the interior of the cladding tube is evacuated during assembly to avoid changes in resistance of the heating element by oxidation.
  • the power density of the carbon emitter is relatively high due to the large surface area of the coiled carbon tape as compared to infrared emitters having metallic heating elements. In this respect, they are in principle also suitable for applications in which the radiator lengths are limited to less than one meter.
  • the coiled band the radiation characteristic is not quite homogeneous, but has areas with higher power density (so-called hot spots) and with lower power density (cold spots). This must be taken into account in their use, in particular for surface radiators, as a higher homogeneity of the radiation is achieved by greater distance from the irradiation.
  • the measure comes at the expense of the efficiency of the
  • An infrared heater with a Kanthal helix is known, for example, from US Pat. No. 3,699,309.
  • the Kanthal helix is located in a cladding made of glass and is based on a cylindrical rod with a semicircular cross section made of a ceramic fiber material (AI2O3-S1O2).
  • This support is intended to avoid "hot spots" of the Kanthal helix, with the disadvantage that the radiation area of the infrared radiator is no longer radially 360 ° corresponding to the circumference of the cladding tube, but reduced by the area of the support rod that is in contact with the Kanthal-Wendel is.
  • the present invention is therefore an object of the invention to provide an infrared emitter, which has a high radiation power per unit area, and in particular has such a high surface resistivity, that even with short irradiation lengths of 1 m and less with a standard industrial electrical voltage of 230 V, and which is characterized by a long service life.
  • Heating filament comprises a support plate having a surface made of an electrically insulating material, wherein the surface is covered with a conductor track from a heat flow generating material at the material.
  • the present invention is based on the idea of specifying an infrared radiator in a cladding tube made of quartz glass, in which a carrier plate having a surface made of an electrically insulating material represents the heating filament.
  • the carrier plate is either itself by an electrically insulating Material formed so that their entire surface is electrically insulating.
  • This carrier plate is excited by means of a at least one side applied to the surface of the carrier plate trace, which generates heat during current flow, excited radiation in the infrared spectral range to emit.
  • thermal properties of the support plate give an absorption in the infrared spectral range, which is the wavelength range between 780 nm and 1 mm.
  • the heated part of the carrier plate of the conductor plate forms the actual, infrared radiation emitting element.
  • only subregions of the surface may be formed electrically insulating, for example, by an electrically insulating material which is applied in the form of a surface layer on the support plate.
  • the conductor track occupies only the electrically insulated area of the surface or of the surface layer.
  • the radiation characteristic of the carrier plate can be locally optimized as an infrared radiation emitting element. Due to the fact that the printed conductor in combination with the carrier plate is in direct contact with its surface, a particularly compact infrared emitter is obtained. Due to the compact design of the infrared radiation
  • the resistance element here in the form of the conductor, for heating another component, the here is referred to as a "substrate” or “carrier plate".
  • substrate or carrier plate
  • Heat transfer but it can also be based on convection and or heat radiation.
  • the embodiment facilitates with a Cladding tube, the installation and, if necessary, the maintenance of the spotlight.
  • a preferred embodiment of the infrared radiator according to the invention is that the material of the conductor track, which occupies the carrier plate, is a non-noble metal.
  • the material of the conductor track of a non-precious metal is characterized by a high specific electrical resistance in a small area, which leads to high temperature even at relatively low current flow.
  • the conductor material made of non-precious metal is considerably less expensive, without sacrificing its electrical properties.
  • the carrier plate with the heat conductor applied thereon is incorporated in a cladding tube made of quartz glass, whereby the life of the conductor is extended by a corrosive attack, be it on a chemical and / or mechanical basis, the conductor is avoided by local environmental conditions.
  • Conductors made of non-precious metals or non-precious metal alloys are particularly sensitive to this corrosive attack.
  • the material of the conductor track contains one or more elements from the group consisting of tungsten (W), molybdenum (Mo), silicon carbide (SiC), molyd ribbon silicide (M0S12), chromium silicide (CrsSi), polysilicon (Si), aluminum (AI), tantalum ( Ta), copper (Cu) and high temperature resistant steel.
  • Conductor materials of this type have a square resistance (also called the sheet resistivity) in the range of 50 to about 100 ohms / D. Due to their respective electrical and thermal properties, materials of this group fulfill their function for thermal excitation of the carrier plate of the invention
  • Infrared radiator and are also inexpensive to produce.
  • the carrier plate is formed from at least two layers of material.
  • the support plate may be formed by a base material layer and a surface material layer, wherein the two material layers may differ from each other in their electrical resistance, or with the same electrical resistance have different radiation emissivity. This allows the optical and thermal properties of the carrier plate as infrared radiation
  • this advantageous embodiment is not limited to a two-layer system in a stack one above the other.
  • the material layers can also be arranged adjacent or next to one another.
  • the material of the carrier plate it has proven useful if this comprises a composite material which is formed by a matrix component and by an additional component in the form of a semiconductor material.
  • the material of the carrier plate is thermally excitable and comprises a composite material, which is formed by a matrix component and a semiconductor material as an additional component.
  • the optical and thermal properties of the carrier plate result in absorption in the infrared spectral range.
  • Suitable matrix components are oxidic or nitridic materials in which a semiconductor material is incorporated as an additional component.
  • the matrix component is quartz glass and preferably has a chemical purity of at least 99.99% S1O2 and a cristobalite content of at most 1%. Quartz glass has the advantages already mentioned above of a good
  • a low cristobalite content of the matrix of 1% or less ensures a low devitrification tendency and thus a low risk of cracking during use. This also high demands on particle freedom, purity and inertness is sufficient, as they often exist in semiconductor manufacturing processes.
  • the heat absorption of the carrier plate material depends on the proportion of
  • the weight fraction of the additional component should therefore preferably at least 0.1%.
  • a high weight fraction of the additional component should therefore preferably at least 0.1%.
  • the weight fraction of the weight fraction of the additional component is preferably in the range between 0.1% and 5%.
  • Additional component a semiconductor material in elemental form, preferably elemental silicon.
  • a semiconductor has a valence band and a conduction band which may be separated by a forbidden zone of width up to ⁇ ⁇ 3 eV.
  • the conductivity of a semiconductor depends on how many electrons can pass the forbidden zone and enter the conduction band from the valence band. Basically, only a few can be at room temperature
  • Electrons skip the forbidden zone and enter the conduction band, so that a semiconductor usually has only a low conductivity at room temperature.
  • the degree of conductivity of a semiconductor depends substantially on its temperature. As the temperature of the semiconductor material increases, so does the likelihood that sufficient energy will be available to lift an electron from the valence band into the conduction band. Therefore, in semiconductors, the conductivity increases with increasing temperature. Semiconductor materials therefore exhibit good electrical conductivity at sufficiently high temperatures.
  • the finely divided areas of the semiconductor phase act on the one hand in the matrix as optical defects and cause the material of the support plate - depending on the thickness - at room temperature visually black or gray-blackish.
  • the impurities also affect the overall heat absorption of the material of the carrier plate. This is essentially due to the
  • the spectral emissivity ⁇ of the material of the carrier plate is at least 0.6 at a temperature of 600 ° C for wavelengths between 2 ⁇ and 8 ⁇ .
  • the spectral absorption coefficient ⁇ and the spectral emissivity ⁇ of a real body correspond to the thermal one
  • the semiconductor component thus results in that the substrate material
  • the semiconductor material and in particular the preferably used, elemental silicon therefore cause a blackening of the glassy matrix material, namely at room temperature, but also at elevated temperature above, for example, 600 ° C. This results in a good emission characteristic in the sense of a broadband, high emission at high
  • the semiconductor material preferably the elemental silicon, forms a self-dispersed Si phase dispersed in the matrix.
  • This may contain a plurality of semimetals or metals (metals, however, up to a maximum of 50% by weight, better still not more than 20% by weight, based on the proportion by weight of
  • the carrier plate material shows no open
  • Carrier plate arrives.
  • the carrier plate material is coated with a conductor, which is preferably designed as a baked thick-film layer.
  • Such thick film layers are produced from resistance pastes by means of screen printing or metal-containing ink by means of inkjet printing and then baked at high temperature.
  • the high absorption capacity of the carrier plate material allows a homogenous radiation even with comparatively low conductor track occupancy density of the heating surface. A low occupancy is thereby
  • Track sections 1 mm or more, preferably 2 mm or more. A large distance between the conductor sections avoids flashovers, which can occur especially when operating at high voltages under vacuum.
  • the conductor runs, for example, in a spiral or
  • the carrier plate with the conductor track deposited thereon in the cladding tube under vacuum or under a protective gas atmosphere containing one or more gases from the series nitrogen, argon, xenon, krypton or deuterium.
  • the infrared radiator according to the invention is particularly suitable for vacuum operation, but a protective gas atmosphere surrounding the carrier plate in the quartz glass cladding tube is sufficient in individual cases to avoid oxidative changes of the conductor track material.
  • a plurality of conductor tracks are applied to a carrier plate, which are each individually electrically controlled.
  • the radiation power of the carrier plate can be adjusted by a suitable choice of the distances between adjacent conductor track sections. In this case, portions of the support plate are heated to different degrees, so that these infrared radiation with different
  • Emit irradiances Emit irradiances.
  • a variation of the voltage applied to the respective tracks or operating voltages also allows a simple and quick adjustment of the temperature distribution in the carrier plate.
  • an advantageous embodiment of the invention is that a plurality of carrier plates are arranged with conductor tracks in a cladding tube, wherein the carrier plates are each electrically controlled individually.
  • Embodiment of the invention allows adapted to the geometry of the heater radiator variants. So can in a single cladding tube through
  • Coating of opaque, highly reflective quartz glass has.
  • Such a coating reflects the infrared radiation of Schufilaments and thus improves the efficiency of the infrared radiation with respect to the Schugut.
  • the coating also called reflector layer, consists of opaque quartz glass and has a mean layer thickness of 1, 1 mm. It is characterized by crack-free and high density of about 2.15 g / cm 3 and it is thermally stable to temperatures above 1 100 ° C.
  • the coating preferably covers an angle section of 330 ° of the circumference of the cladding tube and thus leaves an elongated portion in strip form of the cladding tube free and transparent to the infrared radiation.
  • Figure 1 shows a schematic representation of the infrared emitter installed in
  • Figure 2 shows a cross section through a cladding tube with an inventive
  • FIG. 1 shows a first embodiment of an infrared emitter according to the invention, to which the reference numeral 100 is assigned in total, installed in a cladding tube 101 made of quartz glass.
  • the cladding tube 101 has a longitudinal axis L.
  • FIG. 1 shows the infrared radiator 100 in a partial view with a carrier plate 102, a conductor track 103 and two contacting regions 104a, 104b for electrical contacting of the conductor track 103.
  • the thin wires 105a, 105b have on a length of 5 mm length of spring wire windings 15a, 15b, to compensate for a thermal expansion of the wires at high operating temperatures.
  • connection socket 108 contact wires 109a, 109b are led outwards, which are likewise welded together with the contact surfaces 106a, 106b in the
  • Pinching 107 are connected.
  • a negative pressure vacuum
  • inert gas a non-oxidizing atmosphere in the interior of the cladding tube, so that the tracks 103 are protected from oxidation of non-noble metal.
  • the carrier plate 102 comprises a composite material with a matrix component in the form of quartz glass.
  • a phase of elemental silicon in the form of non-spherical regions is homogeneously distributed.
  • the matrix is visually translucent to transparent. It shows under microscopic observation no open pores and possibly closed pores with maximum dimensions of on average less than 10 ⁇ .
  • a phase of elemental silicon in the form of non-spherical regions is homogeneously distributed. Their weight content is 5%.
  • the maximum dimensions of the silicon phase regions are on average (median value) in the range of about 1 ⁇ to 10 ⁇ .
  • the composite material is gas-tight, has a density of 2.19 g / cm 3 and is stable in air up to a temperature of about 1150 ° C.
  • embedded silicon phase contributes to the overall opacity of the composite material and has an impact on the optical and thermal properties of the composite material. This shows at high temperatures a high absorption of heat radiation and a high emissivity.
  • Carrier plate 102 appears black and has a length l of 100 mm, a width b of 15 mm and a thickness of 2 mm.
  • the measured on the composite material of the support plate 102 emissivity in the wavelength range of 2 ⁇ to about 4 ⁇ depends on the temperature. The higher the temperature, the higher the emission. At 600 ° C, the normal emissivity in the wavelength range from 2 ⁇ to 4 ⁇ above 0.6. At 1 .000 ° C, the normal emissivity in the entire wavelength range between 2 ⁇ and 8 ⁇ is above 0.75.
  • the conductor 103 is meander-shaped.
  • Conductor 103 comprises substantially non-noble metals such as tungsten and molybdenum or polysilicon, wherein the conductor has been applied with a corresponding layout by means of a screen-printable paste on the support plate 102 and baked.
  • the support plate 102 comprises a material of a dark gray to black appearing ceramic of silicon nitride (Si3N 4 ) or silicon carbide (SiC).
  • Si3N 4 silicon nitride
  • SiC silicon carbide
  • dark brown or dark gray appearing glass ceramic (for example, NEXTREMA ® ) is suitable as a carrier plate material; also carrier plates made of glassy carbon, such as plates made of the material SIGRADUR ® .
  • Another alternative material for the backing plate 102 is a polyimide plastic that can be heated to a temperature up to 400 ° C. Especially for
  • a carrier plate of a polyimide film having a low thermal mass is favorable. Also in this polyimide film as a support plate 102 conductor tracks 103 are applied from non-noble metal. The installation in a cladding made of quartz glass, a operation under non-oxidizing atmosphere is possible.
  • FIG. 2 shows a cross section perpendicular to the longitudinal axis L of the cladding tube 101 with the infrared radiator arranged therein.
  • a reflector layer 200 of quartz glass applied covering 330 ° of the circumference. The result is a so-called slot radiator with a narrow, elongated open space on the cladding tube, which transmits the infrared radiation emitted by the carrier plate.
  • FIG. 3 shows the power spectrum of an infrared emitter according to the invention (curve A) in comparison to an infrared emitter with a Kanthal helix (curve B).
  • the support plate of the infrared radiator according to the invention is in this case of a composite material with a matrix component in the form of quartz glass and a homogeneously distributed phase of elemental
  • the conductor material in this case is tungsten.
  • the temperature of the trace on the carrier plate of this IR radiator is set to 1000 ° C.
  • the comparison radiator with a Kanthal coil is also operated at a temperature of about 1000 ° C. It turns out that the infrared emitter according to the invention in the wavelength range from 1 .500 nm to about 5,000 nm at the maximum of the curve A has an approximately 25% greater power than the comparative emitter, shown with curve B.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Infrarot-Strahler, der ein Hüllrohr aus Quarzglas aufweist, das ein Heizfilament als Infrarotstrahlung emittierendes Element umschließt, das über Stromdurchführungen mit einem elektrischen Anschluss außerhalb des Hüllrohres verbunden ist. Zur Verbesserung hinsichtlich Standzeit und Leistungsdichte wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass das Heizfilament eine Trägerplatte mit einer Oberfläche aus einem elektrisch isolierenden Material umfasst, wobei die Oberfläche mit einer Leiterbahn aus einem bei Stromdurchfluss Wärme erzeugenden Werkstoff belegt ist.

Description

Infrarot-Strahler Beschreibung
Die Erfindung betrifft einen Infrarot-Strahler, der ein Hüllrohr aus Quarzglas aufweist, das ein Heizfilament als Infrarotstrahlung emittierendes Element umschließt, das über Stromdurchführungen mit einem elektrischen Anschluss außerhalb des Hüllrohres verbunden ist.
Infrarot-Strahler im Sinne der Erfindung zeigen eine zwei- oder dreidimensionale Abstrahlcharakteristik; sie werden beispielsweise zum Polymerisieren von Kunststoffen oder zum Aushärten von Lacken oder zum Trocknen von Farben auf einem Heizgut eingesetzt, aber auch zur thermischen Behandlung von Halbleiter- Scheiben in der Halbleiter- oder Photovoltaik-Industrie.
Stand der Technik
Bekannte Infrarot-Strahler weisen innerhalb des Hüllrohrs aus Glas einen wendeiförmigen Widerstandsdraht oder ein Widerstandsband als Heizleiter oder Heizfilament auf. Der Draht oder das Band haben keinen oder keinen wesent- liehen Kontakt zum Hüllrohr. Die Wärmeübertragung vom Widerstandsdraht zum Hüllrohr erfolgt im Wesentlichen durch Wärmestrahlung. Der Heizleiter, auch Heizfilament genannt, wird als von Strom durchflossener Glühfaden, Glühdraht oder Glühwendel in Glühlampen, in Infrarotstrahlern oder in Öfen eingesetzt und liegt in der Regel in lang gestreckter Form als glattes oder um seine Längsachse verdrilltes oder gewendeltes Band vor. Auf Carbonfasern basierende Heizfila- mente zeigen eine gute mechanische Stabilität bei gleichzeitig relativ hohem elektrischem Widerstand und sie lassen vergleichsweise schnelle Temperaturwechsel zu.
Bei Infrarot-Strahlern dieser Art bildet ein elektrisches Widerstandselement aus einem Widerstandsmaterial das eigentliche Infrarotstrahlung emittierende Element des Strahlers. Das Hüllrohr aus Quarzglas ist für Infrarotstrahlung im Wesentlichen durchlässig, so dass die vom Widerstandselement emittierte Strahlung ohne große Strahlungsverluste auf das Heizgut übertragen wird. Hinsichtlich der elektrischen Eigenschaften liegt ein besonderes Augenmerk auf dem elektrischen Widerstand des Heizfilaments. Dieser soll einerseits auch unter Last zeitlich konstant sein, und er soll andererseits möglichst hoch sein, um auch kurze Heizfilament-Längen mit üblichen Spannungen (beispielsweise 230 V) betreiben zu können.
Bei einem bandförmigen Heizfilament ist der nominale elektrische Widerstand grundsätzlich durch den Querschnitt und insbesondere durch die Dicke des Bandes einstellbar. Der Verringerung der Banddicke sind wegen der mechanischen Festigkeit und einer vorgegebenen Mindest-Lebensdauer jedoch Grenzen gesetzt. Diese Begrenzung macht sich insbesondere dann bemerkbar, wenn das Heizfilament im Einsatz mechanisch hoch belastet wird, wie etwa bei langen Bestrahlungslängen von 1 m oder mehr.
Ein Infrarot-Strahler mit einem bandförmigen Carbon-Heizfilament ist beispielsweise aus DE 100 29 437 A1 bekannt. Das gewendelte Carbon-Band ist von der Wand des Hüllrohres aus Quarzglas beabstandet und entlang dessen zentraler Achse angeordnet. An den Enden des Carbon-Bandes sind Kontaktierungen mit Anschlussfahnen vorgesehen, die durch einen Quetschungsbereich des Hüllrohres hindurch zu äußeren elektrischen Anschlüssen geführt sind. Das Innere des Hüllrohres wird bei der Montage zur Vermeidung von Widerstandsänderungen des Heizelementes durch Oxidation evakuiert. Die Leistungsdichte des Carbon- Strahlers ist durch die große Oberfläche des gewendelten Carbon-Bandes im Vergleich zu Infrarot-Strahlern, die metallische Heizelemente aufweisen, relativ hoch. Insofern sind sie prinzipiell auch für Anwendungen geeignet, bei denen die Strahlerlängen auf weniger als einem Meter begrenzt sind. Problematisch ist allerdings, dass durch das gewendelte Band die Abstrahlcharakteristik nicht ganz homogen ist, sondern Bereiche mit höherer Leistungsdichte (sogenannte Hot- Spots) und mit geringerer Leistungsdichte (Cold-Spots) aufweist. Dies muss bei ihrem Einsatz insbesondere für Flächenstrahler berücksichtigt werden, indem durch größeren Abstand vom Bestrahlungsgut eine höhere Homogenität der Abstrahlung erzielt wird. Die Maßnahme geht jedoch auf Kosten der Effizienz des
Strahlers. Neben den Infrarot-Strahlern mit einem Carbon-Heizfilament sind auch Strahler mit sogenannten Kanthal®-Heizelementen bekannt. Sie zeigen ein breitbandiges Infrarotspektrum und werden typischerweise bei Temperaturen von bis zu 1000°C betrieben. Die Nachteile hinsichtlich mangelnder Homogenität in der Abstrahl- Charakteristik ist ähnlich der für Strahler mit Carbon-Heizfilament geschildert.
Ein Infrarot-Heizer mit einer Kanthal-Wendel ist beispielsweise aus US 3 699 309 bekannt. Die Kanthal-Wendel befindet sich in einem Hüllrohr aus Glas und stützt sich auf einen zylindrischen Stab mit Halbrund-Querschnitt aus einem keramischen Fasermaterial (AI2O3-S1O2) ab. Durch diese Abstützung sollen„hot spots" der Kanthal-Wendel vermieden werden. Nachteilig ist dabei dass der Abstrahlbereich des Infrarot-Strahlers nicht mehr radial 360° entsprechend dem Umfang des Hüllrohrs erfolgt, sondern vermindert um den Bereich des Stützstabes, der in Kontakt mit der Kanthal-Wendel ist.
Technische Aufgabe
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Infrarot- Strahler anzugeben, der eine hohe Strahlungsleistung pro Flächeneinheit aufweist, und insbesondere der einen so hohen spezifischen Flächenwiderstand hat, dass er auch bei kurzen Bestrahlungslängen von 1 m und weniger mit einer industriell üblichen elektrischen Spannung von 230 V betrieben werden kann, und der dabei sich durch eine lange Standzeit auszeichnet.
Allgemeine Beschreibung der Erfindung
Die oben genannte Aufgabe wird ausgehend von einem Infrarot-Strahler der eingangs genannten Gattung erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass das
Heizfilament eine Trägerplatte mit einer Oberfläche aus einem elektrisch isolierenden Material umfasst, wobei die Oberfläche mit einer Leiterbahn aus einem bei Stromdurchfluss Wärme erzeugenden Werkstoff belegt ist.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Idee zugrunde, einen Infrarot-Strahler in einem Hüllrohr aus Quarzglas anzugeben, bei dem eine Trägerplatte mit einer Oberfläche aus einem elektrisch isolierenden Material das Heizfilament darstellt. Die Trägerplatte wird dabei entweder selbst von einem elektrisch isolierenden Material gebildet, so dass ihre gesamte Oberfläche elektrisch isolierend ist. Diese Trägerplatte wird mittels einer mindestens einseitig auf der Oberfläche der Trägerplatte aufgebrachte Leiterbahn, die bei Stromfluss Wärme erzeugt, angeregt Strahlung im infraroten Spektralbereich zu emittieren. Die optischen und
thermischen Eigenschaften der Trägerplatte ergeben eine Absorption im infraroten Spektralbereich, das ist der Wellenlängenbereich zwischen 780 nm und 1 mm. Somit bildet der von der Leiterbahn erwärmte Teil der Trägerplatte das eigentliche, Infrarotstrahlung emittierende Element.
Alternativ können auch nur Teilbereiche der Oberfläche elektrisch isolierend ausgebildet sein, beispielsweise durch ein elektrisch isolierendes Material, das in Form einer Oberflächenschicht auf die Trägerplatte aufgetragen ist. In diesem Fall belegt die Leiterbahn nur den elektrisch isolierten Bereich der Oberfläche bzw. der Oberflächenschicht. Auf diese Weise kann die Abstrahlcharakteristik der Trägerplatte als Infrarotstrahlung emittierendes Element lokal optimiert werden. Dadurch, dass die Leiterbahn im Verbund mit der Trägerplatte in unmittelbarem Kontakt mit dessen Oberfläche steht, wird ein besonders kompakter Infrarot- Strahler erhalten. Durch die kompakte Bauweise des Infrarotstrahlung
emittierenden Elementes, ist es möglich eine lokal gezielte Bestrahlung kleiner Flächen mit hoher Strahlungsdichte vorzunehmen. Im Gegensatz zu Infrarot-Strahlern nach dem Stand der Technik, bei denen ein elektrisches Widerstandselement aus einem Widerstandsmaterial das eigentliche Heizfilament des Strahlers bildet, dient bei erfindungsgemäßen Infrarot-Strahlern das Widerstandselement, hier in Form der Leiterbahn, zur Erwärmung eines anderen Bauteils, das hier als„Substrat" oder„Trägerplatte" bezeichnet wird. Der Wärmetransport von der Leiterbahn zur Trägerplatte erfolgt in erster Linie durch
Wärmeleitung; er kann aber auch auf Konvektion und oder Wärmestrahlung beruhen.
Durch den Einbau in ein Hüllrohr ist der erfindungsgemäße Infrarot-Strahler bei seinem Einsatz von Einflüssen aus seiner Umgebung wie etwa einer oxidierenden Atmosphäre geschützt. Es ergibt sich eine hohe Strahlungsleistung bei relativ gleichmäßiger Abstrahlcharakteristik, die im Wesentlichen unabhängig von
Umwelteinflüssen ist. Darüber hinaus erleichtert die Ausführungsform mit einem Hüllrohr die Montage und gegebenenfalls auch die Wartung des Strahlers.
Eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Infrarot-Strahlers besteht darin, dass der Werkstoff der Leiterbahn, die die Trägerplatte belegt, ein Nicht-Edelmetall ist.
Der Werkstoff der Leiterbahn aus einem Nicht-Edelmetall zeichnet sich durch einen hohen spezifischen, elektrischen Widerstand auf kleiner Fläche aus, was schon bei relativ geringem Stromfluss zu hohen Temperatur führt. Im Gegensatz zu Leiterbahnen mit hohen Anteilen an Edelmetallen, beispielsweise an Platin, Gold oder Silber ist der Leiterbahn-Werkstoff aus Nicht-Edelmetall wesentlich kostengünstiger, ohne dass dadurch Einbußen in seinen elektrischen Eigenschaften einhergingen.
Die Trägerplatte mit dem darauf aufgebrachten Heizleiter ist in ein Hüllrohr aus Quarzglas eingebaut, wodurch die Lebensdauer der Leiterbahn verlängert wird, indem ein korrosiver Angriff, sei es auf chemischer und/oder mechanischer Basis, der Leiterbahn durch lokale Umweltbedingungen vermieden wird. Leiterbahnen aus Nicht-Edelmetallen oder Nicht-Edelmetalllegierungen sind in Bezug auf diesen korrosiven Angriff besonders empfindlich.
Vorteilhafterweise enthält der Werkstoff der Leiterbahn eines oder mehrere Elemente aus der Gruppe Wolfram (W), Molybdän (Mo), Siliziumcarbid (SiC), Molydbändisilicid (M0S12), Chromsilicid (CrsSi), Polysilizium (Si), Aluminium (AI), Tantal (Ta), Kupfer (Cu) und hochtemperaturfester Stahl. Leiterbahnwerkstoffe dieser Art weisen einen Quadratwiderstand (auch spezifischer Flächenwiderstand genannt) im Bereich von 50 bis etwa 100 Ohm/D auf. Werkstoffe dieser Gruppe erfüllen aufgrund ihrer jeweiligen elektrischen und thermischen Eigenschaften ihre Funktion zur thermischen Anregung der Trägerplatte des erfindungsgemäßen
Infrarotstrahlers und sind darüber hinaus kostengünstig herstellbar.
Es hat sich weiterhin bewährt, wenn die Trägerplatte aus mindestens zwei Materialschichten gebildet ist. Dabei kann die Trägerplatte von einer Basis- Materialschicht und einer Oberflächen-Materialschicht gebildet werden, wobei sich die beiden Materialschichten in ihrem elektrischen Widerstand voneinander unterscheiden können, oder bei gleichem elektrischem Widerstand eine unterschiedliche Strahlungsemissivität aufweisen. Hierdurch können die optischen und thermischen Eigenschaften der Trägerplatte als Infrarotstrahlung
emittierendes Element - und damit ihre Abstrahlcharakteristik auf ihren Einsatz hin optimiert werden. Diese vorteilhafte Ausführungsform ist selbstverständlich nicht auf ein Zweischichtsystem in einem Stapel übereinander liegend beschränkt. Ebenso können die Materialschichten auch benachbart oder nebeneinander angeordnet sein.
Hinsichtlich des Materials der Trägerplatte hat es sich bewährt, wenn dieses einen Komposit-Werkstoff umfasst, der von einer Matrixkomponente sowie von einer Zusatzkomponente in Form eines Halbleitermaterials gebildet wird.
Das Material der Trägerplatte ist thermisch anregbar und umfasst einen Komposit- Werkstoff, der von einer Matrixkomponente und einem Halbleitermaterial als Zusatzkomponente gebildet wird. Die optischen und thermischen Eigenschaften der Trägerplatte ergeben eine Absorption im infraroten Spektralbereich. Als Matrixkomponente kommen oxidische oder nitridische Werkstoffe in Frage, in denen als Zusatzkomponente ein Halbleitermaterial eingelagert ist.
In diesem Zusammenhang ist es vorteilhaft, wenn die Matrixkomponente Quarzglas ist und vorzugsweise eine chemische Reinheit von mindestens 99,99% S1O2 und einen Cristobalitgehalt von höchstens 1 % besitzt. Quarzglas besitzt die weiter oben bereits genannten Vorteile einer gute
Korrosions-, Temperatur- und Temperaturwechselbeständigkeit und es steht in hoher Reinheit zur Verfügung. Daher bietet es sich auch bei Hochtemperatur- Heizprozessen mit Temperaturen bis zu 1 100 °C als Substrat- oder Trägerplattenmaterial an. Eine Kühlung ist nicht erforderlich. Durch einen niedrigen Cristobalitgehalt der Matrix von 1 % oder weniger wird eine geringe Entglasungsneigung und damit eine geringe Rissbildungsgefahr beim Einsatz gewährleistet. Damit wird auch hohen Anforderungen an Partikelfreiheit, Reinheit und Inertheit genügt, wie sie häufig bei Halbleiterfertigungsprozessen bestehen. Die Wärmeabsorption des Trägerplatten-Materials hängt vom Anteil der
Zusatzkomponente ab. Der Gewichtsanteil der Zusatzkomponente sollte daher vorzugsweise mindestens 0,1 % betragen. Andererseits kann ein hoher
Volumenanteil der Zusatzkomponente die chemischen und mechanischen
Eigenschaften der Matrix beeinträchtigen. Im Hinblick darauf liegt der Gewichtsanteil der Gewichtsanteil der Zusatzkomponente bevorzugt im Bereich zwischen 0,1 % und 5 %.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform des Infrarotstrahlers enthält die
Zusatzkomponente ein Halbleitermaterial in elementarer Form, vorzugsweise elementares Silizium.
Ein Halbleiter weist ein Valenzband und ein Leitungsband auf, die durch eine verbotene Zone mit einer Breite von bis zu ΔΕ « 3 eV voneinander getrennt sein können. Die Leitfähigkeit eines Halbleiters hängt davon ab, wie viele Elektronen die verbotene Zone überspringen und aus dem Valenzband in das Leitungsband gelangen können. Grundsätzlich können bei Raumtemperatur nur wenige
Elektronen die verbotene Zone überspringen und ins Leitungsband gelangen, so dass ein Halbleiter bei Raumtemperatur in der Regel nur eine geringe Leitfähigkeit aufweist. Das Ausmaß der Leitfähigkeit eines Halbleiters hängt aber wesentlich von dessen Temperatur ab. Steigt die Temperatur des Halbleitermaterials, steigt damit auch die Wahrscheinlichkeit, dass genügend Energie zur Verfügung steht, um ein Elektron aus dem Valenzband in das Leitungsband anzuheben. Daher nimmt bei Halbleitern die Leitfähigkeit mit steigender Temperatur zu. Halbleiter- Materialien zeigen bei ausreichend hohen Temperaturen daher eine gute elektrische Leitfähigkeit.
Die feinteiligen Bereiche der Halbleiter-Phase wirken in der Matrix einerseits als optische Störstellen und führen dazu, dass das Material der Trägerplatte - je nach Dicke - bei Raumtemperatur visuell schwarz oder grau-schwärzlich erscheint.
Andererseits haben die Störstellen auch Auswirkungen auf die Wärmeabsorption des Materials der Trägerplatte insgesamt. Dies ist im Wesentlichen auf die
Eigenschaften der fein verteilten Phasen aus dem elementar vorliegenden
Halbleiter zurückzuführen, wonach zum einen die Energie zwischen Valenzband und Leitungsband (Bandlückenenergie) mit der Temperatur abnimmt und zum anderen bei ausreichend hoher Aktivierungsenergie Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband gehoben werden, was mit einem deutlichen Anstieg des Absorptionskoeffizienten einhergeht. Die thermisch aktivierte Besetzung des Leitungsbandes führt dazu, dass das Halbleitermaterial bei Raumtemperatur für bestimmte Wellenlängen (wie etwa ab 1000 nm) in gewissem Umfang transparent sein kann und bei hohen Temperaturen undurchsichtig wird. Mit steigender Temperatur der Trägerplatte können daher Absorption und Emissionsgrad sprungartig zunehmen. Dieser Effekt hängt unter anderem von Struktur
(amorph/kristallin) und Dotierung des Halbleiters ab. Reines Silizium zeigt beispielsweise ab etwa 600 °C eine merkliche Emissionszunahme, die etwa ab etwa 1000 °C eine Sättigung erreicht. Der spektrale Emissionsgrad ε des Materials der Trägerplatte liegt bei mindestens 0,6 bei einer Temperatur von 600 °C für Wellenlängen zwischen 2 μιτι und 8 μιτι.
Laut Kirchhoff schem Strahlungsgesetz entsprechen spektraler Absorptionsgrad αλ und spektraler Emissionsgrad ελ eines realen Körpers im thermischen
Gleichgewicht einander. αλ = ελ (1)
Die Halbleiterkomponente führt somit dazu, dass der Substrat-Werkstoff
Infrarotstrahlung emittiert. Der spektrale Emissionsgrad ελ lässt sich bei bekannten gerichtet-hemisphärischen spektralen Reflexionsgrad Rgh und Transmissionsgrad Tgh wie folgt berechnen: ελ = 1-Rgh - Tgh (2)
Unter dem„spektralen Emissionsgrad" wird hierbei der„spektrale normale
Emissionsgrad" verstanden. Dieser wird anhand eines Messprinzips ermittelt, das unter der Bezeichnung„Black-Body Boundary Conditions" (BBC) bekannt ist und veröffentlicht ist in„DETERMIN ING THE TRANSMITTANCE AND EMITTANCE OF TRANSPARENT AND SEMITRANSPARENT MATERIALS AT ELEVATED
TEMPERATURES"; J. Manara, M. Keller, D. Kraus, M. Arduini-Schuster; 5th European Thermal-Sciences Conference, The Netherlands (2008).
Das Halbleitermaterial und insbesondere das vorzugsweise eingesetzte, elementare Silizium bewirken daher eine Schwarzfärbung des glasigen Matrix- Werkstoffs und zwar bei Raumtemperatur, aber auch bei erhöhter Temperatur oberhalb von beispielsweise 600 °C. Dadurch wird eine gute Abstrahlungs- charakteristik im Sinne einer breitbandigen, hohen Emission bei hohen
Temperaturen erreicht. Das Halbleitermaterial, bevorzugt das elementare Silizium, bildet dabei eine in der Matrix dispergierte, eigene Si-Phase. Diese kann mehrere Halbmetalle oder Metalle enthalten (Metalle jedoch maximal bis zu 50 Gew.-%, besser nicht mehr als 20 Gew.-%; bezogen auf den Gewichtsanteil der
Zusatzkomponente). Dabei zeigt das Trägerplatten-Material keine offene
Porosität, sondern allenfalls eine geschlossene Porosität von weniger als 0,5 % und eine spezifische Dichte von mindestens 2,19 g/cm3. Er ist daher für
Infrarotstrahler geeignet, bei denen es auf Reinheit oder Gasdichtheit der
Trägerplatte ankommt.
Für den Einsatz als Infrarotstrahlung emittierender Werkstoff für einen
Infrarotstrahler gemäß vorliegender Erfindung wird das Trägerplatten-Material mit einer Leiterbahn belegt, die bevorzugt als eingebrannte Dickfilmschicht ausgeführt ist.
Derartige Dickfilmschichten werden aus Widerstandspasten mittels Siebdruck oder aus metallhaltiger Tinte mittels Tintenstrahldruck erzeugt und anschließend bei hoher Temperatur eingebrannt.
Im Hinblick auf eine möglichst homogene Temperaturverteilung hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn die Leiterbahn als Linienmuster ausgeführt ist, das eine
Fläche der Trägerplatte so bedeckt, dass zwischen benachbarten Leiterbahn- Abschnitten ein Zwischenraum von mindestens 1 mm, bevorzugt mindestens 2 mm verbleibt.
Das hohe Absorptionsvermögen des Trägerplatten-Materials ermöglicht auch bei vergleichsweise geringer Leiterbahn-Belegungsdichte der Heizfläche eine homogene Abstrahlung. Eine geringe Belegungsdichte ist dadurch
gekennzeichnet ist, dass der minimale Abstand zwischen benachbarten
Leiterbahn-Abschnitten 1 mm oder mehr, bevorzugt 2 mm oder mehr beträgt. Ein großer Abstand zwischen den Leiterbahnabschnitten vermeidet Überschläge, die insbesondere beim Betrieb mit hohen Spannungen unter Vakuum auftreten können. Die Leiterbahn verläuft beispielsweise in einem spiral- oder
mäanderförmigen Linienmuster. Um einen möglichen korrosiven Angriff auf den Werkstoff der Leiterbahn zu reduzieren, wird es bevorzugt die Trägerplatte mit der darauf aufgebrachten Leiterbahn in dem Hüllrohr unter Vakuum oder unter einer Schutzgasatmosphäre zu halten, die eines oder mehrere Gase aus der Reihe Stickstoff, Argon, Xenon, Krypton oder Deuterium umfasst.
Der erfindungsgemäße Infrarotstrahler ist für den Vakuumbetrieb besonders geeignet, eine die Trägerplatte umgebende Schutzgasatmosphäre im Quarzglas- Hüllrohr ist aber zur Vermeidung von oxidativen Veränderungen des Leiterbahn- Werkstoffes auch im Einzelfall ausreichend. Bei einer bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Infrarot-Strahlers ist vorgesehen, dass mehrere Leiterbahnen auf einer Trägerplatte aufgebracht sind, die jeweils individuell elektrisch ansteuerbar sind.
Das Vorsehen mehrerer Leiterbahnen ermöglicht eine individuelle Ansteuerung und eine Anpassung der mit dem Infrarot-Strahler erreichbaren
Bestrahlungsstärke. Einerseits kann durch geeignete Wahl der Abstände benachbarter Leitungsbahn-Abschnitte die Strahlungsleistung der Trägerplatte eingestellt werden. Hierbei werden Abschnitte der Trägerplatte unterschiedlich stark erwärmt, so dass diese Infrarot-Strahlung mit unterschiedlichen
Bestrahlungsstärken emittieren. Eine Variation der an den jeweiligen Leiterbahnen anliegenden Betriebsspannungen bzw. Betriebsströme ermöglicht auch eine einfache und schnelle Anpassung der Temperaturverteilung in der Trägerplatte.
Darüber hinaus besteht eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung darin, dass mehrere Trägerplatten mit Leiterbahnen in einem Hüllrohr angeordnet sind, wobei die Trägerplatten jeweils individuell elektrisch ansteuerbar sind. Diese
Ausführungsform der Erfindung ermöglicht an die Geometrie des Heizgutes angepasste Strahlervarianten. So kann in einem einzigen Hüllrohr durch
aneinander Reihung von mehreren Trägerplatten beispielsweise ein
Flächenstrahler realisiert werden, der in einzelnen Teilbereichen durch individuelle Ansteuerung der Trägerplatten unterschiedliche Strahlungsintensität aufweist. Es hat sich weiterhin bewährt, wenn das Hüllrohr in Teilbereichen eine
Beschichtung aus opakem, hoch reflektivem Quarzglas aufweist. Insbesondere ist es zum Ausbilden eines Schlitzstrahlers vorteilhaft, wenn die Beschichtung auf dem Umfang des Hüllrohrs in einem Winkelabschnitt von 180° bis 330° aufgetragen ist. Eine derartige Beschichtung reflektiert die Infrarot-Strahlung des Heizfilaments und verbessert damit die Effizienz der Infrarot-Strahlung in Bezug auf das Heizgut. Die Beschichtung, auch Reflektorschicht genannt, besteht aus opakem Quarzglas und hat eine mittlere Schichtdicke um 1 ,1 mm. Sie zeichnet sich durch Rissfreiheit und eine hohe Dichte von etwa 2,15 g/cm3 aus und sie ist bis Temperaturen oberhalb von 1 100 °C thermisch beständig. Die Beschichtung bedeckt bevorzugt einen Winkelabschnitt von 330° des Umfangs des Hüllrohrs und läßt somit einen länglichen Teilbereich in Streifenform des Hüllrohrs frei und transparent für die Infrarot-Strahlung. Dieser Aufbau ermöglicht in einfacher Weise die Herstellung eines sogenannten Schlitzstrahlers.
Ausführungsbeispiele
Im Folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert. Dabei zeigt
Figur 1 in schematischer Darstellung den Infrarot-Strahler eingebaut in
einem Hüllrohr aus Quarzglas in einer Teilansicht,
Figur 2 einen Querschnitt durch ein Hüllrohr mit einem erfindungsgemäßen
Infrarot-Strahler, und Figur 3 ein Diagramm mit der Abstrahlcharakteristik des erfindungsgemäßen
Infrarot-Strahlers im Vergleich zu einem herkömmlichen Strahler mit Kanthal-Wendel
Figur 1 zeigt eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Infrarot- Strahlers, dem insgesamt die Bezugsziffer 100 zugeordnet ist, eingebaut in einem Hüllrohr 101 aus Quarzglas. Das Hüllrohr 101 hat eine Längsachse L. Figur 1 zeigt den Infrarot-Strahler 100 in einer Teilansicht mit einer Trägerplatte 102, einer Leiterbahn 103 und zwei Kontaktierungsbereichen 104a, 104b zur elektrischen Kontaktierung der Leiterbahn 103.
Auf den Kontaktierungsbereichen 104a, 104b sind dünne Drähte 105a, 105b aufgeschweißt, die zu Kontaktflächen 106a, 106b in der Quetschung 107 im
Anschluss-Sockel 108 des Hüllrohres 101 führen. Die dünnen Drähte 105a, 105b weisen auf einem Längenabschnitt von 5 mm Federdrahtwicklungen 1 15a, 1 15b auf, um eine thermische Längenausdehnung der Drähte bei hohen Betriebstemperaturen auszugleichen.
Im Anschluss-Sockel 108 sind Kontaktdrähte 109a, 109b nach außen geführt, die ebenfalls durch Anschweißen mit den Kontaktflächen 106a, 106b in der
Quetschung 107 verbunden sind.
Im Innern des Hüllrohres 101 herrscht Unterdruck (Vakuum), oder es wird mit einem Inertgas eine nicht-oxidierende Atmosphäre im Innern des Hüllrohrs geschaffen, so dass die Leiterbahnen 103 aus Nicht-Edelmetall vor Oxidation geschützt sind.
Die Trägerplatte 102 umfasst einen Komposit-Werkstoff mit einer Matrixkomponente in Form von Quarzglas. In die Matrixkomponente ist eine Phase aus elementarem Silizium in Form nicht-sphärischer Bereiche homogen verteilt. Die Matrix wirkt visuell transluzent bis transparent. Sie zeigt bei mikroskopischer Betrachtung keine offenen Poren und allenfalls geschlossene Poren mit maximalen Abmessungen von im Mittel weniger als 10 μιτι. In der Matrix ist eine Phase aus elementarem Silizium in Form nicht-sphärischer Bereiche homogen verteilt. Deren Gewichtsanteil beträgt 5 %. Die maximalen Abmessungen der Silizium-Phasenbereiche liegen im Mittel (Medianwert) im Bereich von etwa 1 μιτι bis 10 μιτι. Der Komposit-Werkstoff ist gasdicht, er hat eine Dichte von 2,19 g/cm3 und er ist an Luft bis zu einer Temperatur von etwa 1 150 °C stabil. Die
eingelagerte Silizium-Phase trägt einerseits zur Opazität des Komposit-Werkstoffs insgesamt bei und sie hat Auswirkungen auf die optischen und thermischen Eigenschaften des Komposit-Werkstoffs. Dieser zeigt bei hohen Temperaturen eine hohe Absorption von Wärmestrahlung und einen hohen Emissionsgrad. Die
Trägerplatte 102 erscheint schwarz und hat eine Länge I von 100 mm, eine Breite b von 15 mm und eine Dicke von 2 mm.
Der am Komposit-Werkstoff der Trägerplatte 102 gemessene Emissionsgrad im Wellenlängenbereich von 2 μιτι bis etwa 4 μιτι hängt von der Temperatur ab. Je höher die Temperatur ist, umso höher ist die Emission. Bei 600 °C liegt der normale Emissionsgrad im Wellenlängenbereich von 2 μιτι bis 4 μιτι oberhalb von 0,6. Bei 1 .000 °C liegt der normale Emissionsgrad im gesamten Wellenlängenbereich zwischen 2 μιτι und 8 μιτι oberhalb von 0,75.
Die Leiterbahn 103 ist mäanderförmig ausgebildet. Der Werkstoff für die
Leiterbahn 103 umfasst im Wesentlichen Nicht-Edelmetalle wie etwa Wolfram und Molybdän oder auch Polysilizium, wobei die Leiterbahn mit einem entsprechenden Layout mittels einer siebdruckfähigen Paste auf die Trägerplatte 102 aufgebracht und eingebrannt wurde.
Bei einer alternativen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Infrarotstrahlers umfasst die Trägerplatte 102 ein Material aus einer dunkelgrau bis schwarz erscheinenden Keramik aus Siliziumnitrid (Si3N4) oder aus Siliziumkarbid (SiC). Bei einer Trägerplatte mit einer Basis-Materialschicht aus SiC ist an der
Oberfläche eine Oberflächenschicht aus S1O2 aufgebracht, die elektrisch isolierend ist gegenüber den metallischen Leiterbahnen.
Auch dunkelbraun oder dunkelgrau erscheinende Glaskeramik (beispielsweise NEXTREMA®) ist als Trägerplattenmaterial geeignet; ebenso Trägerplatten aus Glaskohlenstoff, wie etwa Platten aus dem Werkstoff SIGRADUR® .
Ein weiteres Alternativ-Material für die Trägerplatte 102 ist ein Polyinnid-Kunststoff, der auf eine Temperatur bis zu 400°C erwärmt werden kann. Gerade für
Anwendungen, bei denen eine besonders schnelle Einschaltzeit (wenige
Sekunden) erforderlich sind, ist eine Trägerplatte aus einer Polyimid-Folie mit einer geringen thermischen Masse günstig. Auch bei dieser Polyimid-Folie als Trägerplatte 102 sind Leiterbahnen 103 aus Nicht-Edelmetall aufgebracht. Durch den Einbau in ein Hüllrohr aus Quarzglas ist ein Betrieb unter nicht-oxidierender Atmosphäre möglich.
Figur 2 zeigt einen Querschnitt senkrecht zur Längsachse L des Hüllrohres 101 mit dem darin angeordneten Infrarot-Strahler. Auf der Außenumfangsfläche des Hüllrohres 101 ist auf einer Länge, die der Länge der Trägerplatte 102 entspricht, eine Reflektorschicht 200 aus Quarzglas aufgebracht, die 330° des Umfangs abdeckt. Es ergibt sich ein sogenannter Schlitzstrahler mit einer schmalen, länglichen Freifläche am Hüllrohr, die die von der Trägerplatte emittierte Infrarot-
Strahlung nach außen durchlässt. Figur 3 zeigt das Leistungsspektrum eines erfindungsgemäßen Infrarot-Strahlers (Kurve A) im Vergleich zu einem Infrarot-Strahler mit einer Kanthal-Wendel (Kurve B). Die Trägerplatte des erfindungsgemäßen Infrarot-Strahlers wird in diesem Fall von einem Komposit-Werkstoff aus mit einer Matrix-komponente in Form von Quarzglas und einer darin homogen verteilten Phase aus elementarem
Siliziumgebildet, wie er oben näher beschrieben ist. Das Leiterbahnmaterial ist in diesem Fall Wolfram. Die Temperatur der Leiterbahn auf der Trägerplatte dieses IR-Strahlers wird auf 1000°C eingestellt. Der Vergleichsstrahler mit einer Kanthal- Wendel wird ebenfalls bei einer Temperatur von etwa 1000°C betrieben. Es zeigt sich, dass der erfindungsgemäße Infrarot-Strahler im Wellenlängenbereich 1 .500 nm bis etwa 5.000 nm im Maximum der Kurve A eine um etwa 25 % größere Leistung hat als der Vergleichsstrahler, dargestellt mit Kurve B.

Claims

Patentansprüche
Infrarot-Strahler, der ein Hüllrohr (101 ) aus Quarzglas aufweist, das ein Heizfilament als Infrarotstrahlung emittierendes Element umschließt, das über Stromdurchführungen mit einem elektrischen Anschluss außerhalb des Hüllrohres verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass das
Heizfilament eine Trägerplatte (102) mit einer Oberfläche aus einem elektrisch isolierenden Material umfasst, wobei die Oberfläche mit einer Leiterbahn (103) aus einem bei Stromdurchfluss Wärme erzeugenden Werkstoff belegt ist.
2. Infrarot-Strahler nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der
Werkstoff der Leiterbahn (103) ein Nicht-Edelmetall ist.
Infrarot-Strahler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Werkstoff der Leiterbahn (103) eines oder mehrere Elemente aus der Gruppe Wolfram (W), Molybdän (Mo), Siliziumcarbid (SiC),
Molydbändisilicid (M0S12), Chromsilicid (CrsSi), Aluminium (AI), Tantal (Ta), Polysilizium (Si), Kupfer (Cu) und hochtemperaturfester Stahl enthält.
Infrarot-Strahler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte (102) aus mindestens zwei
Materialschichten gebildet ist.
Infrarot-Strahler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte (102) einen Komposit-Werkstoff umfasst, der von einer Matrixkomponente sowie von einer
Zusatzkomponente in Form eines Halbleitermaterials gebildet wird. 6. Infrarotstrahler nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Matrixkomponente Quarzglas ist und vorzugsweise eine chemische Reinheit von mindestens 99,99% S1O2 und einen Cristobalitgehalt von höchstens 1 % besitzt.
7. Infrarot-Strahler nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die
Zusatzkomponente ein Halbleitermaterial in elementarer Form enthält, vorzugsweise elementares Silizium.
8. Infrarot-Strahler nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die
Zusatzkomponente in einer Art und Menge vorhanden ist, die in der Trägerplatte (102) bei einer Temperatur von 600 °C einen spektralen
Emissionsgrad ε von mindestens 0,6 für Wellenlängen zwischen 2 und 8 μιτι bewirkt.
9. Infrarot-Strahler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte (102) eine geschlossene Porosität von weniger als 0,5 % und eine spezifische Dichte von mindestens 2,19 g/cm3 aufweist.
10. Infrarot-Strahler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Leiterbahnen (103) auf einer Trägerplatte (102) aufgebracht sind, die jeweils individuell elektrisch ansteuerbar sind. 1 1 . Infrarot-Strahler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Trägerplatten (102) mit Leiterbahnen (103) in einem Hüllrohr (101 ) angeordnet sind, wobei die Trägerplatten (102) jeweils individuell elektrisch ansteuerbar sind. 12. Infrarot-Strahler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte (102) mit den darauf aufgebrachten Leiterbahnen (103) in dem Hüllrohr (101 ) unter Vakuum oder unter einer Schutzgasatmosphäre gehalten ist, die eines oder mehrere Gase aus der Reihe Stickstoff, Argon, Xenon, Krypton oder Deuterium umfasst.
13. Infrarot-Strahler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahnen (103) als eingebrannte
Dickfilmschicht ausgeführt sind.
14. Infrarot-Strahler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Hüllrohr (101 ) in Teilbereichen eine
Beschichtung (200) aus opakem, hoch reflektivem Quarzglas aufweist.
15. Infrarot-Strahler nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (200) auf dem Umfang des Hüllrohrs (101 ) in einem
Winkelabschnitt von 180° bis 330° aufgetragen ist.
PCT/EP2017/070670 2016-09-22 2017-08-15 Infrarot-strahler WO2018054610A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020197010105A KR102294826B1 (ko) 2016-09-22 2017-08-15 적외선 방사 소자
EP17758460.4A EP3516680A1 (de) 2016-09-22 2017-08-15 Infrarot-strahler
JP2019511986A JP6714772B2 (ja) 2016-09-22 2017-08-15 赤外線エミッター
CN201780058102.0A CN109844902B (zh) 2016-09-22 2017-08-15 红外辐射器
US16/330,822 US10707067B2 (en) 2016-09-22 2017-08-15 Infrared radiating element

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016117857 2016-09-22
DE102016117857.8 2016-09-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018054610A1 true WO2018054610A1 (de) 2018-03-29

Family

ID=59738304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2017/070670 WO2018054610A1 (de) 2016-09-22 2017-08-15 Infrarot-strahler

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10707067B2 (de)
EP (1) EP3516680A1 (de)
JP (1) JP6714772B2 (de)
KR (1) KR102294826B1 (de)
CN (1) CN109844902B (de)
TW (1) TWI651842B (de)
WO (1) WO2018054610A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018125609A1 (de) * 2018-10-16 2020-04-16 Surteco Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Befestigen einer Kantenleiste

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10522251B2 (en) 2016-07-08 2019-12-31 International Business Machines Corporation Infrared detectors and thermal tags for real-time activity monitoring
US10376186B2 (en) * 2016-10-18 2019-08-13 International Business Machines Corporation Thermal tags for real-time activity monitoring and methods for fabricating the same
GB2560033A (en) * 2017-02-28 2018-08-29 Rolls Royce Plc Apparatus and methods for providing thermal energy to an article
EP3863371A1 (de) * 2020-02-07 2021-08-11 Infineon Technologies AG Ir-strahler mit glasdeckel
CN111795752B (zh) * 2020-07-28 2022-01-28 洛阳银燕科技有限公司 一种精密小型黑体辐射源及其制备方法
DE102022111985A1 (de) * 2022-05-12 2023-11-16 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarot-Strahler mit einer auf eine Reflektorschicht aus Metall aufgebrachten emissiven Schicht und Verwendung der emissiven Schicht

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT231023B (de) * 1960-11-14 1964-01-10 Jean Michel Elektrisches Heizelement und Verfahren zu seiner Herstellung
FR1400035A (fr) * 1964-06-30 1965-05-21 Heraeus Schott Quarzschmelze Radiateur infra-rouge
US3699309A (en) 1970-12-03 1972-10-17 Richard H Eck Directional infrared heating element
DE9115714U1 (de) * 1991-12-18 1992-02-20 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh, 8000 Muenchen, De
CN1068696A (zh) * 1992-07-16 1993-02-03 山东大学 电热膜贴花纸的制作方法及应用
US6037574A (en) * 1997-11-06 2000-03-14 Watlow Electric Manufacturing Quartz substrate heater
DE10029437A1 (de) 2000-06-21 2002-01-10 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler
US20020096984A1 (en) * 2000-11-30 2002-07-25 Masanori Konishi Infrared lamp, method of manufacturing the same, and heating apparatus using the infrared lamp
KR20060025506A (ko) * 2004-09-16 2006-03-21 임동기 온열 치료기용 세라믹 발열체
DE102006062166A1 (de) * 2006-12-22 2008-06-26 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quarzglas-Bauteil mit Reflektorschicht sowie Verfahren zur Herstellung desselben
EP2963995A1 (de) * 2014-07-03 2016-01-06 United Technologies Corporation Heizkreislaufanordnung und verfahren zur herstellung

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57148765A (en) 1981-03-10 1982-09-14 Minolta Camera Co Ltd Ac corona charging method
JPS57148765U (de) * 1981-03-13 1982-09-18
JPS6292562A (ja) 1985-10-17 1987-04-28 Fujitsu Ltd アンサ−バツクト−ン発生方式
JPH0425808Y2 (de) * 1985-11-29 1992-06-22
JPH04129189A (ja) 1990-09-19 1992-04-30 Hitachi Ltd セラミックヒータ
JP3230793B2 (ja) * 1995-01-24 2001-11-19 富士電機株式会社 セラミックス発熱体
JPH0945295A (ja) 1995-07-27 1997-02-14 Toshiba Lighting & Technol Corp 白熱電球およびこれを用いた反射形照明装置ならびに車両用前照灯
JP3205230B2 (ja) * 1995-08-31 2001-09-04 株式会社島津製作所 赤外光源
JP2000058237A (ja) * 1998-06-05 2000-02-25 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミックヒ―タ及びそれを用いた酸素センサ
JP2003045622A (ja) 2001-07-31 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 赤外線電球、その発熱体及び同発熱体の製造方法
DE10137928A1 (de) 2001-08-07 2003-03-06 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarot-Strahler mit einem Zwillings-Hüllrohr
JP2004273453A (ja) 2003-03-04 2004-09-30 Heraeus Noblelight Gmbh 赤外線放射エレメントおよびその使用
JP2006302719A (ja) 2005-04-21 2006-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射膜を有する赤外線電球及びその製造方法
DE102005058819B4 (de) 2005-10-13 2009-04-30 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Beschichtung eines Bauteils aus hochkieselsäurehaltigem Glas, mit einer SiO2-haltigen, glasigen Schicht versehenes Bauteil, sowie Verwendung des Bauteils
JP2007194033A (ja) 2006-01-18 2007-08-02 Oshino Denki Seisakusho:Kk 薄膜フィラメントを用いた白熱光源及びその製造方法
DE602006009501D1 (de) * 2006-07-20 2009-11-12 Flowil Int Lighting Glühlampe
DE102008063677B4 (de) 2008-12-19 2012-10-04 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler und Verwendung des Infrarotstrahlers in einer Prozesskammer
DE102013105959B4 (de) 2013-06-07 2019-06-19 Heraeus Noblelight Gmbh Betriebsverfahren und Vorrichtung zur Bestrahlung eines Substrats
US9957431B2 (en) * 2013-11-11 2018-05-01 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Composite material, heat-absorbing component, and method for producing the composite material
DE102014105769B4 (de) 2014-01-28 2015-10-15 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler mit gleitgelagertem Heizfilament
DE102015119763A1 (de) * 2015-11-16 2017-05-18 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Infrarotstrahler
CN205335222U (zh) * 2016-02-03 2016-06-22 德清县升星照明电器有限公司 一种红外线灯泡的热辐射结构
DE102016113815A1 (de) * 2016-07-27 2018-02-01 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotflächenstrahler und Verfahren zur Herstellung des Infrarotflächenstrahlers
JP6292562B1 (ja) 2016-10-14 2018-03-14 亀久夫 常田 水平認識装置の設置装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT231023B (de) * 1960-11-14 1964-01-10 Jean Michel Elektrisches Heizelement und Verfahren zu seiner Herstellung
FR1400035A (fr) * 1964-06-30 1965-05-21 Heraeus Schott Quarzschmelze Radiateur infra-rouge
US3699309A (en) 1970-12-03 1972-10-17 Richard H Eck Directional infrared heating element
DE9115714U1 (de) * 1991-12-18 1992-02-20 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh, 8000 Muenchen, De
CN1068696A (zh) * 1992-07-16 1993-02-03 山东大学 电热膜贴花纸的制作方法及应用
US6037574A (en) * 1997-11-06 2000-03-14 Watlow Electric Manufacturing Quartz substrate heater
DE10029437A1 (de) 2000-06-21 2002-01-10 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarotstrahler
US20020096984A1 (en) * 2000-11-30 2002-07-25 Masanori Konishi Infrared lamp, method of manufacturing the same, and heating apparatus using the infrared lamp
KR20060025506A (ko) * 2004-09-16 2006-03-21 임동기 온열 치료기용 세라믹 발열체
DE102006062166A1 (de) * 2006-12-22 2008-06-26 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Quarzglas-Bauteil mit Reflektorschicht sowie Verfahren zur Herstellung desselben
EP2963995A1 (de) * 2014-07-03 2016-01-06 United Technologies Corporation Heizkreislaufanordnung und verfahren zur herstellung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J. MANARA; M. KELLER; D. KRAUS; M. ARDUINI-SCHUSTER: "DETERMINING THE TRANSMITTANCE AND EMITTANCE OF TRANSPARENT AND SEMITRANSPARENT MATERIALS AT ELEVATED TEMPERATURES", EUROPEAN THERMAL-SCIENCES CONFERENCE, 2008

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018125609A1 (de) * 2018-10-16 2020-04-16 Surteco Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Befestigen einer Kantenleiste
DE102018125609B4 (de) 2018-10-16 2021-11-25 Surteco Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Befestigen einer Kantenleiste

Also Published As

Publication number Publication date
CN109844902A (zh) 2019-06-04
US20190206671A1 (en) 2019-07-04
TW201814892A (zh) 2018-04-16
EP3516680A1 (de) 2019-07-31
KR20190052050A (ko) 2019-05-15
CN109844902B (zh) 2021-03-30
US10707067B2 (en) 2020-07-07
KR102294826B1 (ko) 2021-08-27
JP6714772B2 (ja) 2020-06-24
TWI651842B (zh) 2019-02-21
JP2019528558A (ja) 2019-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3516680A1 (de) Infrarot-strahler
WO2017174266A1 (de) Infrarot-erwärmungseinheit
DE10201617B4 (de) Amalgamdotierter Quecksilberniederdruck-UV-Strahler
DE4411871A1 (de) Elektrisch modulierbare thermische Strahlungsquelle und Verfahren zur Herstellung derselben
EP3491886A1 (de) Infrarotflächenstrahler und verfahren zur herstellung des infrarotflächenstrahlers
EP1206794A1 (de) Lichtquelle und verfahren zur herstellung einer lichtquelle
DE1615291B2 (de) Elektrische heizvorrichtung
DE102016120536A1 (de) Infrarotstrahler
DE102012103662B3 (de) Dünnschicht-Infrarotstrahlungsquelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102016111234B4 (de) Vorrichtung für die thermische Behandlung eines Substrats sowie Trägerhorde und Substrat-Trägerelement dafür
DE1589024B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Heizdrahtes fur eine Glühkathode
EP3491887A1 (de) Mikroheizleiter
DE19812188C1 (de) Elektrisch betreibbarer, stabförmiger Infrarotstrahler
DE19615243C1 (de) Elektrisch betreibbarer, stabförmiger Infrarotstrahler
WO2011020728A1 (de) Infrarotstrahler
EP3115698B1 (de) Kochfeld
DE10309561B4 (de) Elektrisches Heizelement für einen Infrarotstrahler, Infrarotstrahler und seine Verwendung
DE19843059C2 (de) Verfahren zum Temperieren einer Halogenlampe, Temperierelement und dessen Verwendung
DE102006020580A1 (de) Halogenglühlampe mit carbidhaltigem Leuchtkörper
DE102022111985A1 (de) Infrarot-Strahler mit einer auf eine Reflektorschicht aus Metall aufgebrachten emissiven Schicht und Verwendung der emissiven Schicht
DE2023749C2 (de) Elektrisches Widerstandselement zur Verwendung bei hohen Temperaturen
DE102017112611A1 (de) Infrarotstrahler und Verfahren für dessen Herstellung
DE19831484A1 (de) Infrarotstrahlungsquelle für einen Gasanalysator
DE2321516C3 (de) Indirekt geheizte Kathode
DE102012014831A1 (de) Infrarotvorrichtung und -verfahren

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17758460

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019511986

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197010105

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017758460

Country of ref document: EP

Effective date: 20190423