WO2018003283A1 - 弾性波装置及び電子部品 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave device in which an acoustic wave element is surrounded by a resin structure and an electronic component having the acoustic wave device.
  • an acoustic wave element is mounted on a mounting substrate.
  • the IDT electrode formation surface of the acoustic wave element is opposed to the upper surface of the mounting substrate with a gap.
  • a sealing resin layer is provided so as to cover the surface and the side surface opposite to the IDT electrode formation surface of the acoustic wave element.
  • the sealing resin layer has first to third sealing resin layers. The first sealing resin layer has the lowest elastic modulus and covers the surface and the side surface opposite to the IDT electrode formation surface of the acoustic wave element.
  • the second sealing resin layer has the highest elastic modulus and is laminated on the outside of the first sealing resin layer.
  • the third sealing resin layer has a higher elastic modulus than the first sealing resin layer, and a lower elastic modulus than the second sealing resin layer.
  • the third sealing resin layer is laminated on the outside of the second sealing resin layer.
  • an elastic wave element is covered with a first sealing resin layer having a low elastic modulus. For this reason, when an external force or a thermal shock is applied, the acoustic wave element moves, which may cause a disconnection of the wiring.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device and an electronic component in which even if an external force or a thermal shock is applied, an elastic wave element is difficult to move and a frequency characteristic is hardly changed.
  • An elastic wave device includes an elastic wave element substrate having an IDT electrode forming surface and an IDT electrode provided on the IDT electrode forming surface, and first and second opposing each other.
  • the body has a high elastic modulus resin portion having a relatively high elastic modulus and a low elastic modulus resin portion having a relatively low elastic modulus, and the low elastic modulus resin portion is formed on a side surface of the elastic wave element substrate.
  • the IDT electrode forming surface side is provided in a region that does not reach the surface opposite to the IDT electrode forming surface, and is in contact with the side surface of the acoustic wave element substrate in the resin structure.
  • the remaining resin portion of the portion is the high modulus resin It is.
  • the IDT electrode formation surface of the acoustic wave element substrate and the first main surface of the resin structure are flush with each other. In this case, even if the wiring straddling the IDT electrode forming surface and the first main surface of the resin structure is provided, no stress concentration occurs because there is no bent portion in the wiring, and the wiring is disconnected. Is even less likely to occur.
  • the IDT electrode formation surface of the acoustic wave element substrate is not flush with the first main surface of the resin structure.
  • the resin structure has a through electrode penetrating from the first main surface toward the second main surface, and the first main surface.
  • a first electrode is provided on the surface and connected to the through electrode, and the first electrode is electrically connected to the acoustic wave element.
  • the resin structure includes a plurality of second electrodes provided on the second main surface and connected to the through electrodes.
  • a plurality of the first electrodes are provided on the first main surface, and the density of the plurality of second electrodes is lower than the density of the plurality of first electrodes.
  • electrical connection to the outside can be easily performed using the plurality of second electrodes on the second main surface side of the resin structure.
  • the low elastic modulus resin portion is provided so as to reach the IDT electrode forming surface of the elastic wave element substrate.
  • the IDT electrode formation surface of the acoustic wave element is connected to the first electrode and from the first main surface of the resin structure.
  • a wiring electrode is further provided.
  • the wiring electrode is provided so as to reach the low elastic modulus resin portion reaching the IDT electrode forming surface.
  • thermal stress is concentrated at the boundary between the resin structure and the acoustic wave element, but if a wiring is directly present at the boundary, the stress is also directly applied to the wiring. On the other hand, if the low elastic modulus resin portion exists between them, the thermal stress applied to the wiring is alleviated. Therefore, disconnection of the wiring electrode is less likely to occur.
  • the acoustic wave element substrate is a piezoelectric substrate.
  • the elastic wave element substrate is provided on the piezoelectric thin film and one surface of the piezoelectric thin film, and propagates more than the elastic wave propagating through the piezoelectric thin film.
  • a high sound speed member having a high sound speed of the bulk wave.
  • a bulk wave is provided between the high acoustic velocity member and the piezoelectric thin film and propagates more than the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric thin film.
  • a low sound speed member having a low sound speed is further provided.
  • an electronic component laminated on the second main surface of the resin structure is further provided.
  • An electronic component according to the present invention includes a mounting substrate having a mounting surface, and an acoustic wave device configured according to the present invention mounted on the mounting surface of the mounting substrate.
  • the present invention it is possible to provide an elastic wave device and an electronic component in which even if an external force or a thermal shock is applied, the elastic wave element hardly moves and the frequency characteristic hardly changes.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A to FIG. 2C are front sectional views for explaining a manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 3A and FIG. 3B are front sectional views for explaining a manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 4A to FIG. 4C are front sectional views for explaining a manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a front sectional view for explaining a manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7A and FIG. 7B are plan views schematically showing electrode structures of the first main surface and the second main surface of the resin structure.
  • FIG. 8 is a front cross-sectional view of an electronic component according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a front sectional view of an electronic component according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a front sectional view for explaining a modification of the acoustic wave element substrate in the acoustic wave device of the present invention.
  • FIG. 12 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a front sectional view showing an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the elastic wave device 1 includes a plate-like elastic wave element 2 and a resin structure 3.
  • the acoustic wave element 2 has an acoustic wave element substrate 4.
  • the acoustic wave element substrate 4 is made of a piezoelectric body.
  • the piezoelectric body to be used is not particularly limited, and piezoelectric single crystals such as LiNbO 3 and LiTaO 3 or piezoelectric ceramics can be used.
  • the acoustic wave element substrate 4 has an IDT electrode forming surface 5.
  • An IDT electrode 6 is provided on the IDT electrode formation surface 5.
  • the acoustic wave element substrate 4 has a surface 7 that faces the IDT electrode formation surface 5 and side surfaces 8 a and 8 b that connect the IDT electrode formation surface 5 and the surface 7. Although not clearly shown in FIG. 1, the acoustic wave element substrate 4 has a rectangular planar shape. Therefore, the acoustic wave element substrate 4 has another set of side surfaces in addition to the opposing side surfaces 8a and 8b.
  • the resin structure 3 has first and second main surfaces 3a and 3b facing each other.
  • the resin structure 3 has a plate shape. But the resin structure 3 may have shapes other than plate shape.
  • the acoustic wave element 2 is embedded in the resin structure 3 so that at least a part of the IDT electrode formation surface 5 is exposed. In the present embodiment, the IDT electrode formation surface 5 is flush with the first main surface 3a.
  • the resin structure 3 has a high elastic modulus resin portion 3c having a relatively high elastic modulus and a low elastic modulus resin portion 3d having a relatively low elastic modulus.
  • the elastic modulus mainly means Young's modulus.
  • the low elastic modulus resin portion 3 d is provided so as to be in contact with part of the side surfaces 8 a and 8 b of the acoustic wave element substrate 4. More specifically, the low elastic modulus resin portion 3d extends downward from the end portions 8a1 and 8b1 of the side surfaces 8a and 8b on the IDT electrode forming surface side in the side surfaces 8a and 8b, provided that the side surfaces 8a and 8b and the surface 7 It is provided in a region that does not reach the edge formed by.
  • the low elastic modulus resin portion 3d does not reach the surface 7 on the opposite side of the IDT electrode formation surface 5 from the end portions 8a1 and 8b1 on the IDT electrode formation surface side on the side surfaces 8a and 8b of the acoustic wave element substrate 4. Since the remaining resin portion of the resin structure 3 in contact with the side surfaces 8a and 8b of the elastic wave element substrate 4 is the high elastic modulus resin portion 3c, external force and heat Even if an impact is applied, the elastic wave device 1 can be provided in which the elastic wave element 2 hardly moves and the frequency characteristics hardly change.
  • the length from the end portions 8a1 and 8b1 of the side surfaces 8a and 8b on the IDT electrode forming surface side to the lower end of the low elastic modulus resin portion 3d is x.
  • the height dimension of the side surfaces 8a and 8b that is, the distance between the IDT electrode forming surface 5 and the surface 7 is y
  • x ⁇ y preferably x is (1/2) or less of y. It is desirable that This is because the force for detaching the acoustic wave element substrate 4 from the resin structure 3 may rapidly decrease when the side coverage with the high elastic modulus resin portion 3c exceeds 1/2.
  • a low elastic modulus resin portion is provided so as to come into contact with the side surface even in another set of side surfaces not shown.
  • the resin portion other than the portion where the low elastic modulus resin portion 3d is provided is the above-described high elastic modulus resin portion 3c.
  • the low elastic modulus resin portion 3d is made of an appropriate resin having a lower elastic modulus than the high elastic modulus resin portion 3c.
  • a resin a material mainly composed of one of polyimide, polybenzoxazole, silicone resin, polyimide amide, and polyurethane is preferably used.
  • the high elastic modulus resin portion 3c is made of an appropriate resin material having a higher elastic modulus than the low elastic modulus resin portion 3d.
  • a resin material a synthetic resin such as an epoxy resin, or a material mainly composed of an inorganic material mixed with a resin can be used.
  • the high elastic modulus resin portion 3c has an elastic modulus of 5 GPa or more. In that case, in the acoustic wave device 1, the acoustic wave element 2 can be more reliably protected.
  • the elastic modulus of the low elastic modulus resin portion 3d is preferably 3 Gpa or less. In that case, it is possible to more effectively suppress deterioration of the characteristics of the acoustic wave device 2 due to externally applied stress. The disconnection etc. which are mentioned later are hard to produce further.
  • the above elastic modulus is a value specified by a mechanical test method.
  • the first electrode 10 is provided on the first main surface 3 a of the resin structure 3.
  • a via electrode 11 as a through electrode is provided in the resin structure 3 so as to be electrically connected to the first electrode 10.
  • the via electrode 11 penetrates the resin structure 3 from the first main surface 3a toward the second main surface 3b.
  • a second electrode 13 is provided on the second main surface 3b. The second electrode 13 is provided to electrically connect the acoustic wave device 1 to the outside.
  • a wiring electrode 14 is provided so as to be electrically connected to the first electrode 10.
  • the wiring electrode 14 is electrically connected to the IDT electrode 6 at a portion not shown.
  • the low elastic modulus resin portion 3d extends over the first main surface 3a and the IDT electrode formation surface 5 beyond the end portions 8a1 and 8b1 of the side surfaces 8a and 8b on the IDT electrode formation surface side. Has reached.
  • the film-like portion 3d1 reaching the first main surface 3a and the IDT electrode formation surface 5 is provided so as to straddle the first main surface 3a and the IDT electrode formation surface 5.
  • the wiring electrode 14 reaches the IDT electrode formation surface 5 through the film-like portion 3d1.
  • the characteristics of the acoustic wave element 2 fluctuate due to the piezoelectric effect.
  • the energy of the surface acoustic wave excited by the IDT electrode 6 is concentrated in the vicinity of the IDT electrode formation surface 5. Therefore, the side surfaces 8a and 8b of the acoustic wave element substrate 4 are provided in regions that do not reach the surface 7 on the opposite side of the IDT electrode formation surface 5 from the end portions 8a1 and 8b1 on the IDT electrode formation surface side.
  • the elastic modulus resin portion 3d can effectively suppress fluctuations in frequency characteristics due to external force or thermal shock. Therefore, in the acoustic wave device 1, even when an external force or a thermal shock is applied, the frequency characteristics are hardly changed.
  • the wiring electrode 14 passes over the film-like portion 3d1 of the low elastic modulus resin portion 3d and reaches the IDT electrode forming surface 5. Therefore, even if the external force as described above is applied, or even if distortion is applied due to a difference in linear expansion coefficient between the resin structure 3 and the acoustic wave element substrate 4 due to thermal stress, disconnection in the wiring electrode 14 is unlikely to occur. .
  • a high elastic modulus resin portion 3 c exists in the lower part of the side surfaces 8 a and 8 b of the acoustic wave element substrate 4 and around the surface 7. Therefore, the elastic wave element 2 can be reliably protected from external thermal shock and external force. In addition, since the elastic wave element 2 is embedded in the resin structure 3, the size can be reduced.
  • FIG. 1 An example of a method for manufacturing the acoustic wave device 1 will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (c) to 5.
  • FIG. 2 (a) to 2 (c) to 5 An example of a method for manufacturing the acoustic wave device 1 will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (c) to 5.
  • FIG. 2 (a) to 2 (c) to 5 An example of a method for manufacturing the acoustic wave device 1 will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (c) to 5.
  • a resist layer 22 is formed on the support substrate 21.
  • a metal film 23 is formed on the resist layer 22.
  • a metal layer 11A to be the via electrode 11 is provided on the metal film 23 by photolithography or the like.
  • a temporarily fixed resin layer 24 is provided.
  • the elastic wave element substrate 4 is press-fitted onto the temporarily fixed resin layer 24.
  • the elastic wave element 2 is press-fitted so that the IDT electrode formation surface 5 becomes the lower surface.
  • a high elastic modulus resin portion 3 c is formed so as to cover the acoustic wave element substrate 4.
  • the high elastic modulus resin portion 3c is polished to expose the metal layer 11A.
  • the support substrate 21 is peeled off together with the resist layer 22.
  • the high elastic modulus resin portion 3c and the via electrode 11 positioned in the high elastic modulus resin portion 3c are formed.
  • the temporarily fixed resin layer 24 is removed using a solvent.
  • a low elastic modulus resin portion 3d is formed.
  • an IDT electrode 6, a first electrode 10, a second electrode 13, and a wiring electrode 14 are provided. In this way, the elastic wave device 1 of the first embodiment can be obtained.
  • FIG. 6 is a front sectional view of the acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • the elastic wave device 31 includes an elastic wave element 2, an electronic component 32, and a resin structure 3.
  • the acoustic wave element 2 is configured in the same manner as the acoustic wave element 2 of the first embodiment. Accordingly, the same parts are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the electronic component 32 is an electronic component different from the acoustic wave element 2.
  • the resin structure 3 includes a low elastic modulus resin portion 3d and a high elastic modulus resin portion 3c.
  • the low elastic modulus resin portion 3 d reaches not only a part of the side surfaces 8 a and 8 b of the acoustic wave element substrate 4 but also the IDT electrode formation surface 5. Also in the present embodiment, since the resin structure 3 includes the low elastic modulus resin portion 3d and the high elastic modulus resin portion 3c, the characteristics are hardly changed when an external force is applied, as in the first embodiment. In addition, disconnection of the wiring electrode 14 and the like is difficult to occur. Furthermore, the acoustic wave element 2 can be reliably protected from the outside by the presence of the high elastic modulus resin portion 3c.
  • the other electronic component 32 is also provided in the resin structure 3, it is possible to reduce the size of the composite component including the acoustic wave element 2 and the electronic component 32. Also in the electronic component 32, the low elastic modulus resin portion 3d is provided so as to contact a part of the side surface. Therefore, even in the electronic component 32, disconnection of the wiring electrode is difficult to occur.
  • an active element such as a semiconductor device or a passive element such as a capacitor can be used.
  • the characteristic change due to the external force hardly occurs, but the disconnection or the like can be effectively suppressed by the presence of the low elastic modulus resin portion 3d.
  • FIG. 7A and 7B are plan views schematically showing the electrode structure of the first main surface 3a and the second main surface 3b of the resin structure 3.
  • FIG. 7A a plurality of first electrodes 10, 10, 10 are provided on one short side and the other short side of the first main surface 3a, respectively.
  • the first electrodes 10, 10, 10 on one short side are electrically connected to the acoustic wave element 2.
  • the other first electrode 10, 10, 10 on the other short side is electrically connected to the electronic component 32.
  • the first electrode 10 is electrically connected to the second electrode 13 through the via electrode 11.
  • the terminal electrode 13 ⁇ / b> A having a larger area than the second electrode 13 is connected to the second electrode 13.
  • the terminal electrode 13A is provided at a position overlapping the acoustic wave element 2 and the electronic component 32 in the vertical direction. Therefore, the elastic wave device 31 can be easily electrically connected to the outside using the terminal electrode 13A having a relatively large area.
  • the electrode density on the second main surface 3b side is lower than the electrode density on the first main surface 3a. Therefore, the large terminal electrode 13A as described above can be easily formed.
  • FIG. 8 is a front sectional view of an electronic component according to the third embodiment of the present invention.
  • the acoustic wave device 31 of the second embodiment is mounted on the mounting surface of the mounting substrate 42.
  • the elastic wave device 31 may be mounted on the mounting surface of the mounting substrate 42.
  • FIG. 9 is a front sectional view of an electronic component according to the fourth embodiment of the present invention.
  • an electronic component 52 is further stacked on the electronic component 41 of the third embodiment.
  • the electronic component 52 may be an acoustic wave device, an active element such as a semiconductor device, or a passive component such as a capacitor or an inductor.
  • the electronic component 52 is stacked on the elastic wave device 31 using a plurality of bumps 53.
  • the mounting substrate 42 may be omitted. That is, in the present invention, a structure in which the electronic component 52 is stacked on the elastic wave device 31 described above may be used.
  • FIG. 10 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • the thickness of the acoustic wave element substrate 4 of the acoustic wave element 2A is increased. That is, the IDT electrode formation surface 5 protrudes outward in the thickness direction from the first main surface 3 a of the resin structure 3.
  • the IDT electrode formation surface 5 and the first main surface 3a may not be flush with each other but may be separated from each other by a step.
  • the IDT electrode forming surface 5 and the first main surface 3a are preferably flush with each other. In that case, even if a wiring straddling the IDT electrode formation surface 5 and the first main surface 3a of the resin structure 3 is provided, stress concentration does not occur because there is no bent portion in the wiring. Wiring breakage is less likely to occur.
  • the IDT electrode forming surface 5 may be located at a position indicated by a dashed line A in FIG. In this case, the IDT electrode formation surface 5 is located on the inner side in the thickness direction of the resin structure 3 than the first main surface 3a. Even in such a case, the same effect as the elastic wave device 1 of the first embodiment can be obtained by the presence of the low elastic modulus resin portion 3d and the high elastic modulus resin portion 3c. That is, it is difficult for the characteristics to change when an external force is applied. In addition, the acoustic wave element 2A can be reliably protected from the outside.
  • the acoustic wave elements 2 and 2A have the acoustic wave element substrate 4 made of a piezoelectric body.
  • the low sound velocity layer 72 and the high sound velocity layer 73 may be laminated.
  • the low acoustic velocity layer 72 is made of a material having a lower acoustic velocity of the bulk wave propagating than the elastic wave propagating through the piezoelectric thin film 71.
  • the high sound velocity layer 73 is made of a material in which the sound velocity of the propagating bulk wave is higher than that of the elastic wave propagating through the piezoelectric thin film 71.
  • a laminated body in which low acoustic impedance layers and high acoustic impedance layers are alternately laminated may be laminated on the piezoelectric thin film 71.
  • the electrical characteristics may fluctuate due to the piezoelectric effect. There is. Therefore, by using the resin structure having the low modulus resin portion and the high modulus resin portion of the present invention, the same effects as those of the first to fifth embodiments can be obtained.
  • FIG. 12 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • the low elastic modulus resin portion 3 d is provided so as to be in contact with the upper end portion of the side surface of the elastic wave element substrate 4.
  • the low elastic modulus resin portion 3d is exposed on the upper surface of the resin structure 3, and is provided so as to extend from the upper surface of the high elastic modulus resin portion 3c to the upper surface of the acoustic wave element substrate 4.
  • the low elastic modulus resin portion 3d is provided on the side surface of the acoustic wave element substrate 4 in a region that does not reach the opposite surface from the end portion on the IDT electrode formation surface 5 side.
  • the high elastic modulus resin portion 3 c is in contact with the remaining portion of the side surface of the elastic wave element substrate 4. Therefore, in the sixth embodiment, the same effect as in the first to fifth embodiments can be obtained.

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Abstract

外力や熱衝撃が加わったとしても、弾性波素子が移動し難く、周波数特性の変化が生じ難い、弾性波装置を提供する。　板状の弾性波素子２と樹脂構造体３とを備える弾性波装置１。樹脂構造体３が、相対的に弾性率が高い高弾性率樹脂部３ｃと、相対的に弾性率が低い低弾性率樹脂部３ｄとを有する。弾性波素子基板４の側面８ａ，８ｂにおいて、ＩＤＴ電極形成面側の端部８ａ１，８ｂ１から、ＩＤＴ電極形成面５の反対側の面７には至らない領域に、低弾性率樹脂部３ｄが設けられており、樹脂構造体３の弾性波素子基板４の側面に接触している部分のうち残りの樹脂部分が高弾性率樹脂部３ｃである。

Description

弾性波装置及び電子部品
　本発明は、樹脂構造体により弾性波素子が囲まれている弾性波装置及び該弾性波装置を有する電子部品に関する。
　従来、弾性波素子のＩＤＴ電極形成面を除く部分を樹脂で封止した構造が知られている。下記の特許文献１に記載の弾性波装置では、弾性波素子が実装基板上に実装されている。弾性波素子のＩＤＴ電極形成面が実装基板の上面と隙間を隔てて対向されている。弾性波素子のＩＤＴ電極形成面とは反対側の面及び側面を覆うように、封止樹脂層が設けられている。特許文献１では、封止樹脂層が、第１～第３の封止樹脂層を有している。第１の封止樹脂層は、弾性率が最も低く、弾性波素子のＩＤＴ電極形成面とは反対側の面及び側面を被覆している。第２の封止樹脂層は、最も弾性率が高く、第１の封止樹脂層の外側に積層されている。第３の封止樹脂層は、第１の封止樹脂層よりも弾性率が高く、第２の封止樹脂層よりも弾性率が低い。第３の封止樹脂層は、第２の封止樹脂層の外側に積層されている。
特開２００６－２４５９８９号公報
　特許文献１に記載の弾性波装置では、弾性波素子が低弾性率の第１の封止樹脂層により覆われている。そのため、外力や熱衝撃が加わると、弾性波素子が移動し、それによって配線の断線などが生じるおそれがあった。
　他方、弾性波素子の外力による移動を抑制するには、弾性波素子に直接接触する封止樹脂層を、高弾性率の封止樹脂で形成することが考えられる。しかしながら、その場合には、外力が加わると、弾性波素子に大きな応力が加わる。そのため、弾性波素子の圧電体が歪み、弾性波素子の周波数特性が変化するという問題が生じる。
　本発明の目的は、外力や熱衝撃が加わったとしても、弾性波素子が移動し難く、周波数特性の変化が生じ難い、弾性波装置及び電子部品を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、ＩＤＴ電極形成面を有する弾性波素子基板と、前記ＩＤＴ電極形成面に設けられたＩＤＴ電極とを有する、弾性波素子と、対向し合う第１及び第２の主面を有し、前記第１の主面側において、前記ＩＤＴ電極形成面の少なくとも一部が露出するように、前記弾性波素子が埋め込まれている樹脂構造体と、を備え、前記樹脂構造体が、相対的に弾性率が高い高弾性率樹脂部と、相対的に弾性率が低い低弾性率樹脂部とを有し、前記低弾性率樹脂部は、前記弾性波素子基板の側面において、前記ＩＤＴ電極形成面側の端部から、前記ＩＤＴ電極形成面の反対側の面には至らない領域に設けられており、前記樹脂構造体における前記弾性波素子基板の側面に接触している部分のうち残りの樹脂部分が前記高弾性率樹脂部である。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記弾性波素子基板の前記ＩＤＴ電極形成面と、前記樹脂構造体の前記第１の主面とが面一とされている。この場合には、ＩＤＴ電極形成面と、樹脂構造体の第１の主面とに跨る配線が設けられていたとしても、配線に屈曲部が存在しないため応力集中が起こらず、該配線の断線がより一層生じ難い。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記弾性波素子基板の前記ＩＤＴ電極形成面が、前記樹脂構造体の前記第１の主面と面一ではない。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記樹脂構造体が、前記第１の主面から前記第２の主面に向かって貫通している貫通電極と、前記第１の主面に設けられており、前記貫通電極に接続されている第１の電極を有し、前記第１の電極が、前記弾性波素子に電気的に接続されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記樹脂構造体が、前記第２の主面に設けられており、前記貫通電極に接続されている複数の第２の電極を備え、前記第１の電極が、前記第１の主面に複数設けられており、前記複数の第１の電極の密度よりも、前記複数の第２の電極の密度が低くされている。この場合には、樹脂構造体の第２の主面側の複数の第２の電極を利用して、外部と電気的接続を容易に行うことができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記低弾性率樹脂部が、前記弾性波素子基板の前記ＩＤＴ電極形成面上に至るように設けられている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１の電極に接続されており、前記樹脂構造体の前記第１の主面上から前記弾性波素子の前記ＩＤＴ電極形成面に至る配線電極がさらに備えられている。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記配線電極が前記ＩＤＴ電極形成面に至っている前記低弾性率樹脂部上に至るように設けられている。　　
　一般的に、樹脂構造体と弾性波素子との境界部に熱応力が集中するが、その部分に直接配線が存在していると、その応力も直接配線に加わる。これに対して、低弾性率樹脂部が間に存在していると配線に加わる熱応力が緩和される。従って、配線電極の断線がより一層生じ難い。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記弾性波素子基板が、圧電基板である。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記弾性波素子基板が、圧電薄膜と、前記圧電薄膜の一方面に設けられており、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波よりも伝搬するバルク波の音速が高速である、高音速部材とを有する。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記高音速部材と、前記圧電薄膜との間に設けられており、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である、低音速部材がさらに備えられている。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記樹脂構造体の前記第２の主面上に積層された電子部品がさらに備えられている。
　本発明に係る電子部品は、実装面を有する実装基板と、前記実装基板の前記実装面上に実装された本発明に従って構成された弾性波装置とを備える。
　本発明によれば、外力や熱衝撃が加わったとしても、弾性波素子の移動が生じ難く、周波数特性の変化が生じ難い、弾性波装置及び電子部品を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図２（ａ）～図２（ｃ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造工程を説明するための各正面断面図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１の実施形態の弾性波装置の製造工程を説明するための各正面断面図である。 図４（ａ）～図４（ｃ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造工程を説明するための各正面断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造工程を説明するための正面断面図である。 図６は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、樹脂構造体の第１の主面及び第２の主面の電極構造を模式的に示す各平面図である。 図８は、本発明の第３の実施形態に係る電子部品の正面断面図である。 図９は、本発明の第４の実施形態に係る電子部品の正面断面図である。 図１０は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図１１は、本発明の弾性波装置における弾性波素子基板の変形例を説明するための正面断面図である。 図１２は、本発明の第６の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置を示す正面断面図である。弾性波装置１は、板状の弾性波素子２と、樹脂構造体３とを備える。弾性波素子２は、弾性波素子基板４を有する。本実施形態では、弾性波素子基板４は、圧電体からなる。使用する圧電体は特に限定されず、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶、または圧電セラミックスを用いることができる。
　弾性波素子基板４は、ＩＤＴ電極形成面５を有する。ＩＤＴ電極形成面５上に、ＩＤＴ電極６が設けられている。
　弾性波素子基板４は、ＩＤＴ電極形成面５と対向する面７と、ＩＤＴ電極形成面５と面７とを結ぶ側面８ａ，８ｂとを有する。図１では明瞭ではないが、弾性波素子基板４は矩形の平面形状を有している。従って、弾性波素子基板４は、対向し合う側面８ａ，８ｂの他に、他の１組の側面を有する。
　樹脂構造体３は、対向し合う第１及び第２の主面３ａ，３ｂを有する。本実施形態では、樹脂構造体３は、板状の形状を有している。もっとも、樹脂構造体３は、板状以外の形状を有していてもよい。弾性波素子２は、ＩＤＴ電極形成面５の少なくとも一部を露出するようにして、樹脂構造体３に埋め込まれている。本実施形態では、ＩＤＴ電極形成面５が、第１の主面３ａと面一とされている。
　樹脂構造体３は、相対的に弾性率が高い高弾性率樹脂部３ｃと、相対的に弾性率が低い低弾性率樹脂部３ｄとを有する。なお、弾性率とは、主としてヤング率を意味している。低弾性率樹脂部３ｄは、弾性波素子基板４の側面８ａ，８ｂの一部に接するように設けられている。より具体的には、低弾性率樹脂部３ｄは、側面８ａ，８ｂにおいて、側面８ａ，８ｂのＩＤＴ電極形成面側の端部８ａ１，８ｂ１から下方に延び、但し、側面８ａ，８ｂと面７とのなす端縁には至らない領域に設けられている。
　すなわち、低弾性率樹脂部３ｄが、弾性波素子基板４の側面８ａ，８ｂにおいて、ＩＤＴ電極形成面側の端部８ａ１，８ｂ１から、ＩＤＴ電極形成面５の反対側の面７には至らない領域に設けられており、樹脂構造体３における弾性波素子基板４の側面８ａ，８ｂに接触している部分のうちの残りの樹脂部分が高弾性率樹脂部３ｃであることにより、外力や熱衝撃が加わったとしても、弾性波素子２の移動が生じ難く、周波数特性の変化が生じ難い、弾性波装置１を提供することができる。
　低弾性率樹脂部３ｄにおいて、側面８ａ，８ｂのＩＤＴ電極形成面側の端部８ａ１，８ｂ１から、低弾性率樹脂部３ｄの下端までの長さをｘとする。側面８ａ，８ｂの高さ方向寸法、すなわち、ＩＤＴ電極形成面５と面７との距離をｙとしたとき、ｘ＜ｙであればよく、好ましくは、ｘはｙの（１／２）以下であることが望ましい。なぜならば、樹脂構造体３から、弾性波素子基板４を離脱させる力は、高弾性率樹脂部３ｃによる側面被覆率が１／２を超えると、急激に低下することがあるからである。
　図１では図示されていないが、図示されていない他の一組の側面においても、側面に接触するように低弾性率樹脂部が設けられている。
　樹脂構造体３において、上記低弾性率樹脂部３ｄが設けられている部分以外の樹脂部分は、前述した高弾性率樹脂部３ｃである。
　本実施形態では、低弾性率樹脂部３ｄは、高弾性率樹脂部３ｃよりも弾性率が低い適宜の樹脂からなる。このような樹脂としては、好ましくは、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、シリコーン樹脂、ポリイミドアミド及びポリウレタンのうち１種を主体とする材料が用いられる。
　高弾性率樹脂部３ｃは、低弾性率樹脂部３ｄよりも弾性率が高い適宜の樹脂材料からなる。このような樹脂材料としては、エポキシ樹脂などの合成樹脂、または樹脂に無機材料を配合してなるものを主体とする材料を用いることができる。
　なお、主体とするとは、体積比率で５０％以上含有されていることを意味する。
　好ましくは、上記高弾性率樹脂部３ｃの弾性率は、５ＧＰａ以上であることが望ましい。その場合には、弾性波装置１において、弾性波素子２をより一層確実に保護することができる。
　また、好ましくは、上記低弾性率樹脂部３ｄの弾性率は、３Ｇｐａ以下であることが望ましい。その場合には、外部から加わった応力による弾性波素子２の特性の劣化をより効果的に抑制することができる。後述する断線等もより一層生じ難い。
　なお、上記弾性率は機械的試験法により特定された値である。
　樹脂構造体３の第１の主面３ａには、第１の電極１０が設けられている。第１の電極１０に電気的に接続されるように、貫通電極としてのビア電極１１が樹脂構造体３内に設けられている。ビア電極１１は、第１の主面３ａから第２の主面３ｂに向かって、樹脂構造体３を貫通している。第２の主面３ｂ上に、第２の電極１３が設けられている。第２の電極１３は、弾性波装置１を外部と電気的に接続するために設けられている。
　第１の電極１０に電気的に接続されるように、配線電極１４が設けられている。配線電極１４は、図示されていない部分で、ＩＤＴ電極６と電気的に接続されている。
　ところで、本実施形態では、低弾性率樹脂部３ｄは、側面８ａ，８ｂのＩＤＴ電極形成面側の端部８ａ１，８ｂ１を越えて、第１の主面３ａ上及びＩＤＴ電極形成面５上に至っている。この第１の主面３ａ及びＩＤＴ電極形成面５上に至っている膜状部分３ｄ１は、第１の主面３ａと、ＩＤＴ電極形成面５とを跨ぐように設けられている。配線電極１４は、上記膜状部分３ｄ１上を経て、ＩＤＴ電極形成面５上に至っている。
　弾性波素子２では、圧電体からなる弾性波素子基板４に外力が加わると、圧電効果により弾性波素子２の特性が変動する。また、弾性波素子２では、ＩＤＴ電極６により励振される弾性表面波のエネルギーは、ＩＤＴ電極形成面５の近傍に集中している。従って、弾性波素子基板４の側面８ａ，８ｂにおいて、ＩＤＴ電極形成面側の端部８ａ１，８ｂ１から、ＩＤＴ電極形成面５の反対側の面７には至らない領域に設けられている、低弾性率樹脂部３ｄにより、外力や熱衝撃による周波数特性の変動を効果的に抑制することができる。よって、弾性波装置１では、外力や熱衝撃が加わったとしても、周波数特性が変化し難い。
　加えて、配線電極１４は、上記低弾性率樹脂部３ｄの膜状部分３ｄ１上を通り、ＩＤＴ電極形成面５に至っている。従って、上記のような外力が加わったとしても、また熱応力により樹脂構造体３と、弾性波素子基板４との線膨張係数差により歪みが加わったとしても、配線電極１４における断線も生じ難い。
　さらに、弾性波素子基板４の側面８ａ，８ｂの下方部分及び面７の周囲には、高弾性率樹脂部３ｃが存在している。そのため、外部からの熱衝撃や外力から、弾性波素子２を確実に保護することができる。加えて、上記樹脂構造体３内に、弾性波素子２が埋め込まれた構造を有するため、小型化も図り得る。
　図２（ａ）～図２（ｃ）～図５を参照して、弾性波装置１の製造方法の一例を説明する。
　図２（ａ）に示すように、支持基板２１上に、レジスト層２２を形成する。次に、図２（ｂ）に示すように、レジスト層２２上に、金属膜２３を形成する。金属膜２３上に、フォトリソグラフィーなどにより、ビア電極１１となる金属層１１Ａを設ける。しかる後、図２（ｃ）に示すように、仮固定樹脂層２４を設ける。この仮固定樹脂層２４としては、レジスト材などを用いることができる。仮固定樹脂層２４上に、弾性波素子基板４を圧入する。なお、弾性波素子基板４の圧入に際しては、ＩＤＴ電極形成面５が下面となるように弾性波素子２を圧入する。次に、図３（ａ）に示すように、弾性波素子基板４を覆うように、高弾性率樹脂部３ｃを形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、高弾性率樹脂部３ｃを研磨し、金属層１１Ａを露出させる。
　しかる後、レジスト層２２とともに、支持基板２１を剥離する。このようにして、図４（ａ）に示すように、高弾性率樹脂部３ｃ及び高弾性率樹脂部３ｃ内に位置しているビア電極１１が形成される。しかる後、図４（ｂ）に示すように、溶剤を用いて仮固定樹脂層２４を除去する。次に図４（ｃ）に示すように、低弾性率樹脂部３ｄを形成する。
　次に、図５に示すように、ＩＤＴ電極６、第１の電極１０、第２の電極１３、及び配線電極１４を設ける。このようにして、第１の実施形態の弾性波装置１を得ることができる。
　図６は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。弾性波装置３１は、弾性波素子２と、電子部品３２と、樹脂構造体３とを備える。弾性波素子２は、第１の実施形態の弾性波素子２と同様に構成されている。従って、同一部分については同一の参照番号を付することによりその説明を省略する。
　電子部品３２は、弾性波素子２とは異なる電子部品である。樹脂構造体３は、第１の実施形態と同様に、低弾性率樹脂部３ｄと、高弾性率樹脂部３ｃとを有する。
　もっとも、本実施形態では、低弾性率樹脂部３ｄは、弾性波素子基板４の側面８ａ，８ｂの一部だけでなく、ＩＤＴ電極形成面５上にも至っている。本実施形態においても、樹脂構造体３が低弾性率樹脂部３ｄと高弾性率樹脂部３ｃとを有するため、第１の実施形態と同様に、外力が加わった場合の特性の変動が生じ難く、配線電極１４等の断線も生じ難い。さらに、外部から弾性波素子２を高弾性率樹脂部３ｃの存在により確実に保護することができる。加えて、他の電子部品３２もまた、樹脂構造体３内に設けられているため、このような弾性波素子２と電子部品３２とを有する複合部品の小型化を図ることができる。また、電子部品３２においても、低弾性率樹脂部３ｄが側面の一部に接触するように設けられている。そのため、電子部品３２においても、配線電極の断線等が生じ難い。
　電子部品３２としては、半導体装置などの能動素子や、コンデンサなどの受動素子を用いることができる。これらの電子部品の場合には、弾性波素子２と異なり、外力による特性の変動が生じ難いものの、低弾性率樹脂部３ｄの存在により、断線等を効果的に抑制することができる。
　図７（ａ）及び図７（ｂ）は、樹脂構造体３の第１の主面３ａ及び第２の主面３ｂの電極構造を模式的に示す各平面図である。図７（ａ）に示すように、第１の主面３ａの一方の短辺側及び他方の短辺側に、それぞれ、複数の第１の電極１０，１０，１０が設けられている。一方の短辺側の第１の電極１０，１０，１０は、弾性波素子２に電気的に接続されている。他方の短辺側の第１の電極１０，１０，１０は、上記電子部品３２に電気的に接続されている。
　第１の電極１０は、ビア電極１１を介して、第２の電極１３に電気的に接続されている。図７（ｂ）に示すように、第２の電極１３に、第２の電極１３よりも大きな面積の端子電極１３Ａが接続されている。端子電極１３Ａは、弾性波素子２や電子部品３２の上下方向において重なる位置に設けられている。従って、比較的大きな面積の端子電極１３Ａを用いて、弾性波装置３１を外部と容易に電気的に接続することができる。また、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、第１の主面３ａ上における電極の密度に比べて、第２の主面３ｂ側における電極の密度が低められている。従って、上記のような大きな端子電極１３Ａを容易に形成することができる。
　図８は、本発明の第３の実施形態に係る電子部品の正面断面図である。第３の実施形態の電子部品４１では、第２の実施形態の弾性波装置３１が、実装基板４２の実装面上に実装されている。このように、本発明に係る弾性波装置では、実装基板４２の実装面上に、弾性波装置３１が実装されていてもよい。
　図９は、本発明の第４の実施形態に係る電子部品の正面断面図である。
　本実施形態の電子部品５１では、第３の実施形態の電子部品４１上に、さらに電子部品５２が積層されている。電子部品５２は弾性波装置であってもよく、半導体装置などの能動素子であってもよく、コンデンサやインダクタなどの受動部品であってもよい。電子部品５２は、複数のバンプ５３を用いて、弾性波装置３１上に積層されている。
　また、図９に示す電子部品５１において、実装基板４２が省略されてもよい。すなわち、本発明においては、前述した弾性波装置３１上に電子部品５２が積層されている構造であってもよい。
　図１０は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。弾性波装置６１では、弾性波素子２Ａの弾性波素子基板４の厚みが厚くされている。すなわち、ＩＤＴ電極形成面５が、樹脂構造体３の第１の主面３ａよりも厚み方向外側に突出している。このように、ＩＤＴ電極形成面５と、第１の主面３ａとが面一ではなく、段差を隔てられていてもよい。
　もっとも、ＩＤＴ電極形成面５と、第１の主面３ａとは面一であることが好ましい。その場合には、ＩＤＴ電極形成面５と、樹脂構造体３の第１の主面３ａとに跨る配線が設けられていたとしても、配線に屈曲部が存在しないため応力集中が起こらず、該配線の断線がより一層生じ難い。
　また、図１０に一点鎖線Ａで示す位置に、ＩＤＴ電極形成面５が位置していてもよい。その場合には、ＩＤＴ電極形成面５が、第１の主面３ａよりも、樹脂構造体３の厚み方向において内側に位置していることになる。このような場合であっても、低弾性率樹脂部３ｄ及び高弾性率樹脂部３ｃの存在により、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の効果を得ることができる。すなわち、外力が加わった場合の特性の変動が生じ難い。また、外部に対して弾性波素子２Ａを確実に保護することができる。
　上述してきた実施形態では、弾性波素子２，２Ａは、圧電体からなる弾性波素子基板４を有していたが、図１１に示す変形例の弾性波素子基板４Ａのように、圧電薄膜７１に低音速層７２及び高音速層７３が積層されている構造を有していてもよい。低音速層７２は、圧電薄膜７１を伝搬する弾性波よりも伝搬するバルク波の音速が低い材料からなる。高音速層７３は、圧電薄膜７１を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高速である材料からなる。
　なお、より多くの低音速層及び高音速層が、交互にさらに積層されていてもよい。
　また、圧電薄膜７１に、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層とが交互に積層されている積層体が積層されていてもよい。
　このように、圧電薄膜７１を用いた弾性波素子基板４Ａにおいても、前述した圧電体からなる弾性波素子基板４の場合と同様に、外力が加わると、圧電効果により電気的特性が変動するおそれがある。従って、本発明の低弾性率樹脂部及び高弾性率樹脂部を有する樹脂構造体を用いることにより、第１～第５の実施形態と同様の効果を得ることができる。
　図１２は、本発明の第６の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。弾性波装置８１では、低弾性率樹脂部３ｄが、弾性波素子基板４の側面の上端側部分に接するように設けられている。もっとも、低弾性率樹脂部３ｄは、樹脂構造体３の上面に露出しており、高弾性率樹脂部３ｃの上面から、弾性波素子基板４の上面に至るように設けられている。この場合においても、低弾性率樹脂部３ｄが、弾性波素子基板４の側面において、ＩＤＴ電極形成面５側の端部から、反対側の面に至らない領域に設けられている。そして、弾性波素子基板４の側面の残りの部分に、高弾性率樹脂部３ｃが接している。従って、第６の実施形態において、第１～第５の実施形態と同様の効果を得ることができる。
１…弾性波装置
２，２Ａ…弾性波素子
３…樹脂構造体
３ａ，３ｂ…第１，第２の主面
３ｃ…高弾性率樹脂部
３ｄ…低弾性率樹脂部
３ｄ１…膜状部分
４，４Ａ…弾性波素子基板
５…ＩＤＴ電極形成面
６…ＩＤＴ電極
７…面
８ａ，８ｂ…側面
８ａ１，８ｂ１…端部
１０…第１の電極
１１…ビア電極
１１Ａ…金属層
１３…第２の電極
１３Ａ…端子電極
１４…配線電極
２１…支持基板
２２…レジスト層
２３…金属膜
２４…仮固定樹脂層
３１，６１，８１…弾性波装置
３２…電子部品
４１…電子部品
４２…実装基板
５１，５２…電子部品
５３…バンプ
７１…圧電薄膜
７２…低音速層
７３…高音速層

Claims (13)

  1. 　ＩＤＴ電極形成面を有する弾性波素子基板と、前記ＩＤＴ電極形成面に設けられたＩＤＴ電極とを有する、弾性波素子と、
    　対向し合う第１及び第２の主面を有し、前記第１の主面側において前記ＩＤＴ電極形成面の少なくとも一部が露出するように、前記弾性波素子が埋め込まれている樹脂構造体と、を備え、
    　前記樹脂構造体が、相対的に弾性率が高い高弾性率樹脂部と、相対的に弾性率が低い低弾性率樹脂部とを有し、
    　前記低弾性率樹脂部は、前記弾性波素子基板の側面において、前記ＩＤＴ電極形成面側の端部から、前記ＩＤＴ電極形成面の反対側の面には至らない領域に、設けられており、
    　前記樹脂構造体における前記弾性波素子基板の側面に接触している部分のうち残りの樹脂部分が前記高弾性率樹脂部である、弾性波装置。
  2. 　前記弾性波素子基板の前記ＩＤＴ電極形成面と、前記樹脂構造体の前記第１の主面とが面一とされている、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記弾性波素子基板の前記ＩＤＴ電極形成面が、前記樹脂構造体の前記第１の主面と面一ではない、請求項１に記載の弾性波装置。
  4. 　前記樹脂構造体が、
    　前記第１の主面から前記第２の主面に向かって貫通している貫通電極と、
    　前記第１の主面に設けられており、前記貫通電極に接続されている第１の電極を有し、
    　前記第１の電極が、前記弾性波素子に電気的に接続されている、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記樹脂構造体が、前記第２の主面に設けられており、前記貫通電極に接続されている複数の第２の電極を備え、
    　前記第１の電極が、前記第１の主面に複数設けられており、
    　前記複数の第１の電極の密度よりも、前記複数の第２の電極の密度が低くされている、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記低弾性率樹脂部が、前記弾性波素子基板の前記ＩＤＴ電極形成面上に至るように設けられている、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記第１の電極に接続されており、前記樹脂構造体の前記第１の主面上から前記弾性波素子の前記ＩＤＴ電極形成面に至る配線電極をさらに備える、請求項４に記載の弾性波装置。
  8. 　前記配線電極が前記ＩＤＴ電極形成面に至っている前記低弾性率樹脂部上に至るように設けられている、請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　前記弾性波素子基板が、圧電基板である、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記弾性波素子基板が、圧電薄膜と、前記圧電薄膜の一方面に設けられており、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波よりも伝搬するバルク波の音速が高速である、高音速部材とを有する、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記高音速部材と、前記圧電薄膜との間に設けられており、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である、低音速部材をさらに備える、請求項１０に記載の弾性波装置。
  12. 　前記樹脂構造体の前記第２の主面上に積層された電子部品をさらに備える、請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　実装面を有する実装基板と、
    　前記実装基板の前記実装面上に実装された請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
    を備える、電子部品。
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