WO2017199734A1 - 積層フィルタ - Google Patents

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博志 増田
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    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
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    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/075—Ladder networks, e.g. electric wave filters

Definitions

  • the present invention relates to a multilayer filter including an LC resonator.
  • Patent Document 1 discloses a multilayer low-pass filter including an LC parallel resonator and an LC series resonator.
  • the output terminal of the first inductor is connected to the input terminal of the second inductor.
  • the first capacitor is connected in parallel to the first inductor.
  • the second capacitor is connected in parallel to the second inductor.
  • the third capacitor connects the output terminal of the first inductor and the input terminal of the second inductor to the ground conductor layer.
  • the fourth capacitor connects the input end of the first inductor and the ground conductor layer.
  • the fifth capacitor connects the output terminal of the second inductor and the ground conductor layer.
  • the conductive portion having an inductance component connects the ground conductor layer and the ground terminal.
  • the multilayer low-pass filter disclosed in Japanese Patent Laying-Open No. 2009-182376 has first and second inductors included in the LC parallel resonator and an inductance component included in the LC series resonator.
  • the dielectric layer on which the conductive portion is formed is close to one side of the laminated structure.
  • the dielectric layers on which the first and second capacitors included in the LC parallel resonator and the third to fifth capacitors included in the LC series resonator are formed depend on the other side of the multilayer structure. Therefore, the first inductor, the second inductor, and the conductive portion are arranged close to each other and are magnetically coupled.
  • mutual inductance may occur between the respective inductors.
  • the difference between the characteristics of the low-pass filter assumed from the circuit diagram designed to obtain the desired characteristics and the characteristics of the low-pass filter consisting of the actual laminated structure may be larger than expected.
  • an additional inductor or capacitor is required, for example, to ensure impedance matching or attenuation.
  • the size of the multilayer low-pass filter may increase, or the manufacturing cost may increase.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and its purpose is to deviate the characteristics of the multilayer filter from the desired characteristics while suppressing an increase in the size of the multilayer filter and an increase in manufacturing cost. Is to suppress this.
  • a multilayer filter is a multilayer filter formed of a plurality of dielectric layers.
  • the multilayer filter includes an LC parallel resonator and an LC series resonator.
  • the LC parallel resonator includes a first inductor and a first capacitor.
  • the LC series resonator includes a second inductor and a second capacitor.
  • the plurality of dielectric layers include a first inductor layer, a second inductor layer, and a capacitor layer. In the first inductor layer, the first inductor is formed.
  • the second inductor layer is formed with a second inductor.
  • the capacitor layer includes a capacitor layer in which a first capacitor and a second capacitor are formed. The capacitor layer is disposed between the first inductor layer and the second inductor layer.
  • the multilayer filter of the present invention by disposing the capacitor layer between the first inductor layer and the second inductor layer and separating the first inductor layer and the second inductor layer, the two are magnetically coupled. Suppress. As a result, it is possible to suppress a deviation from specific desired characteristics of the multilayer filter while suppressing an increase in the size of the multilayer filter and an increase in manufacturing cost.
  • FIG. 3 is a circuit diagram of a low-pass filter that is an example of the multilayer filter according to Embodiment 1.
  • FIG. It is an external appearance perspective view of the low pass filter of FIG. It is a disassembled perspective view which shows the laminated structure of the low pass filter of FIG. It is a figure which shows the positional relationship of each layer when the low-pass filter shown by FIG. 3 is seen from the side. It is a figure which shows the simulation result of the attenuation
  • damping characteristic of the low-pass filter shown by FIG. 6 is an exploded perspective view showing a laminated structure of a low-pass filter that is an example of a laminated filter according to Embodiment 2.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a perspective view of the low-pass filter shown in FIG. 3 and the low-pass filter shown in FIG. It is a figure which shows the simulation result of the attenuation characteristic of the low pass filter shown by FIG.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a low-pass filter 1 that is an example of the multilayer filter according to the first embodiment.
  • the low-pass filter 1 includes an input / output terminal P1, which is a first terminal, an input / output terminal P2, which is a second terminal, an LC parallel resonator LC1, and an LC series resonator LC2. .
  • LC parallel resonator LC1 includes a first inductor L1 and a first capacitor C1.
  • the first inductor L1 is connected between the input / output terminal P1 and the input / output terminal P2.
  • the first capacitor C1 is connected in parallel to the first inductor L1 between the input / output terminal P1 and the input / output terminal P2.
  • LC series resonator LC2 includes a second inductor L2, a second capacitor C2, and a third capacitor C3.
  • the second inductor is connected to the ground electrode GND whose one end is a ground point.
  • the second capacitor C2 is connected between the input / output terminal P1 and the other end of the second inductor L2.
  • the third capacitor C3 is connected between the input / output terminal P2 and the other end of the second inductor L2.
  • the number of sets of inductors and capacitors in the low-pass filter 1 is one in the LC parallel resonator LC1 (first inductor L1 and first capacitor C1), and two in the LC series resonator LC2 (second inductor L2 and A second capacitor C2, and a second inductor L2 and a third capacitor C3). That is, the low pass filter 1 is a third order low pass filter. When comparing the low-pass filter 1 and the third-order low-pass filter with respect to the insertion loss, the power loss is reduced by the smaller number of inductors or capacitors through which the signal passes. small.
  • FIG. 2 is an external perspective view of the low-pass filter 1 of FIG.
  • the low-pass filter 1 has a rectangular parallelepiped shape, for example.
  • surfaces perpendicular to the stacking direction are defined as a bottom surface BF and a top surface UF.
  • Input / output terminals P1 and P2 and a ground electrode GND are formed on the bottom surface BF.
  • the input / output terminals P1 and P2 and the ground electrode GND are, for example, LGA (Land Grid Array) terminals in which planar electrodes are arranged in a grid pattern on the bottom surface BF.
  • LGA Land Grid Array
  • FIG. 3 is an exploded perspective view showing a laminated structure of the low-pass filter 1 of FIG.
  • the low-pass filter 1 is a multilayer filter formed from a plurality of dielectric layers.
  • the low-pass filter 1 includes dielectric layers Lyr100 to Lyr110 as a plurality of dielectric layers. The layers are stacked in the Z-axis direction in this order, with Lyr100 as the bottom surface BF side and Lyr110 as the top surface UF side.
  • Line electrodes 101 to 103 are formed on the dielectric layer Lyr100.
  • the line electrode 101 is connected to the input / output terminal P1 by the via electrode V111.
  • the line electrode 102 is connected to the ground electrode GND by a via electrode V112.
  • the line electrode 103 is connected to the input / output terminal P2 by the via electrode V113.
  • the line electrode 102 forms a second inductor L2.
  • the dielectric layer Lyr100 corresponds to the second inductor layer of the present invention.
  • a capacitor electrode 111 is formed on the dielectric layer Lyr101.
  • the capacitor electrode 111 is connected to the line electrode 102 by a via electrode V121.
  • Capacitor electrodes 121 and 122 are formed on the dielectric layer Lyr102.
  • the capacitor electrode 121 is connected to the line electrode 101 by a via electrode V131.
  • the capacitor electrode 122 is connected to the line electrode 103 by a via electrode V132.
  • Capacitor electrodes 111 and 121 form a second capacitor C2.
  • Capacitor electrodes 111 and 122 form a third capacitor C3.
  • a capacitor electrode 131 is formed on the dielectric layer Lyr103.
  • Capacitor electrodes 141 and 142 are formed on the dielectric layer Lyr104.
  • the capacitor electrode 141 is connected to the capacitor electrode 121 by a via electrode V131.
  • the capacitor electrode 142 is connected to the capacitor electrode 122 by a via electrode V132.
  • a capacitor electrode 151 is formed on the dielectric layer Lyr105. Capacitor electrodes 131, 141, 142, and 151 form a first capacitor C1.
  • the dielectric layers Lyr101 to Lyr105 correspond to the capacitor layer of the present invention.
  • a line electrode 161 is formed on the dielectric layer Lyr106. The line electrode 161 is connected to the capacitor electrode 141 by the via electrode V131.
  • a line electrode 171 is formed on the dielectric layer Lyr107. The line electrode 171 is connected to the line electrode 161 by via electrodes V131 and V141.
  • a line electrode 181 is formed on the dielectric layer Lyr108. The line electrode 181 is connected to the line electrode 171 by a via electrode V141. The line electrode 181 is connected to the capacitor electrode 142 by the via electrode V132.
  • a line electrode 191 is formed on the dielectric layer Lyr109. The line electrode 191 is connected to the line electrode 181 by via electrodes V141 and V132.
  • the line electrodes 161, 171, 181, and 191 form a first inductor L1.
  • the dielectric layers Lyr106 to Lyr109 correspond to the first inductor layer of the present invention.
  • the line electrodes 161 and 171 included in the first inductor L1 have the same shape and substantially overlap in the stacking direction. The same applies to the line electrodes 181 and 191 included in the first inductor L1.
  • the volume (or cross-sectional area) through which current flows increases.
  • the magnetic flux generated from the first inductor L1 is increased, and the effective inductance of the LC parallel resonator is improved.
  • the Q value of the low-pass filter 1 can be improved.
  • first inductor L1 and the second inductor L2 are formed in adjacent dielectric layers, they are magnetically coupled to each other, and there is a possibility that mutual inductance occurs in addition to the inductance of the first inductor L1 and the inductance of the second inductor L2. is there. Therefore, it is assumed that there is a divergence between the characteristics assumed from the circuit diagram of the low-pass filter 1 shown in FIG. 1 designed to obtain a desired characteristic and the characteristics of the low-pass filter 1 having the laminated structure shown in FIG. Can be larger. In that case, for example, an additional inductor or capacitor is required to ensure impedance matching or attenuation. As a result, there is a possibility that the size of the low-pass filter 1 becomes large or the manufacturing cost increases.
  • the capacitor layer is disposed between the first inductor layer and the second inductor layer.
  • the first inductor layer and the second inductor layer can be separated. Therefore, magnetic coupling between the first inductor formed in the first inductor layer and the second inductor formed in the second inductor layer can be suppressed. As a result, it is possible to prevent a characteristic such as characteristic impedance or attenuation characteristic from deviating from a desired characteristic without adding an inductor or a coil.
  • FIG. 4 is a diagram showing the positional relationship of each layer when the low-pass filter 1 shown in FIG. 3 is viewed from the side surface SF.
  • the capacitor layer (the layer in which the first capacitor C1, the second capacitor C2, and the third capacitor C3 are formed) is the first inductor layer (the layer in which the first inductor L1 is formed).
  • the second inductor layer (the layer in which the second inductor L2 is formed).
  • FIG. 5 is a diagram showing a simulation result of the attenuation characteristic of the low-pass filter 1 shown in FIG.
  • the frequency Fc1 is a cut-off frequency at which the attenuation (dB) decreases by a predetermined value (for example, 3 dB).
  • Point AP11 represents the attenuation pole of the LC parallel resonator LC1.
  • Point AP12 represents the attenuation pole of the LC series resonator LC2. As shown in FIG.
  • an attenuation of about ⁇ 38 dB is realized at the attenuation pole AP11 (around 5.2 GHz), and an attenuation of about ⁇ 32 dB at the attenuation pole AP12 (around 5.8 GHz). The amount is realized.
  • the capacitor layer is disposed between the first inductor layer and the second inductor layer, and the first inductor layer and the second inductor layer are separated from each other, whereby both are magnetic. Suppresses binding. As a result, it is possible to suppress the characteristics of the multilayer filter from deviating from desired characteristics while suppressing an increase in the size of the multilayer filter and an increase in manufacturing cost.
  • the distance D11 between the first inductor layer and the capacitor layer is larger than the distance D12 between the second inductor layer and the capacitor layer. Even when the distance D11 is smaller than the distance D12, it is possible to suppress the characteristics of the multilayer filter from deviating from desired characteristics while suppressing an increase in the size of the multilayer filter and an increase in manufacturing cost.
  • the Q value of the LC resonator increases as the effective inductance of the inductor included in the LC resonator increases, and decreases as the resistance component of the inductor increases.
  • the effective inductance of the first inductor L1 decreases.
  • the resistance component of the first inductor L1 hardly changes. Therefore, when the magnetic flux generated in the first inductor L1 is obstructed by an electrode such as a capacitor electrode included in the capacitor layer, the Q value of the LC1 of the first LC parallel resonator is lowered.
  • the magnetic flux generated by the first inductor L1 is applied to the capacitor layer as in the first embodiment.
  • the attenuation amount of the LC series resonator LC2 is brought close to the attenuation pole of the LC parallel resonator LC1 to realize the attenuation amount.
  • it is necessary to balance both the Q values so that one of the Q values does not deteriorate too much.
  • the distance between the first inductor layer and the capacitor layer is substantially equal to the distance between the second inductor layer and the capacitor layer.
  • the Q value of the LC parallel resonator LC1 and the Q value of the LC series resonator LC2 can be balanced.
  • a desired attenuation desired to be realized by the low-pass filter can be ensured.
  • substantially equal is not only the case where the two are completely coincident with each other, but the error from the distance when they are completely equal is, for example, due to accuracy problems in manufacturing or manufacturing variations. This includes cases where there is a degree.
  • FIGS. 3, 4, and 5 of the first embodiment are replaced with FIGS. 6, 7, and 9 of the second embodiment, respectively. Since other configurations are the same, the description will not be repeated.
  • FIG. 6 is an exploded perspective view showing a laminated structure of the low-pass filter 2 which is an example of the laminated filter according to the second embodiment.
  • the low-pass filter 2 is a multilayer filter formed from a plurality of dielectric layers.
  • the low-pass filter 2 includes dielectric layers Lyr200 to Lyr209 as a plurality of dielectric layers. The layers are stacked in the Z-axis direction in this order, with Lyr 200 as the bottom surface BF side and Lyr 209 as the top surface UF side.
  • Line electrodes 201 to 203 are formed on the dielectric layer Lyr200.
  • the line electrode 201 is connected to the input / output terminal P1 by the via electrode V211.
  • the line electrode 202 is connected to the ground electrode GND by a via electrode V212.
  • the line electrode 203 is connected to the input / output terminal P2 by the via electrode V213.
  • Line electrodes 211 to 213 are formed on the dielectric layer Lyr201.
  • the line electrode 211 is connected to the line electrode 201 by via electrodes V211 and V221.
  • the line electrode 212 is connected to the line electrode 202 by via electrodes V212 and V222.
  • the line electrode 213 is connected to the line electrode 203 by via electrodes V213 and V223.
  • the line electrodes 202 and 212 form a second inductor L2. Dielectric layers Lyr200 and 201 correspond to the second inductor layer of the present invention.
  • a capacitor electrode 221 is formed on the dielectric layer Lyr202.
  • the capacitor electrode 221 is connected to the line electrode 212 by a via electrode V222.
  • Capacitor electrodes 231 and 232 are formed on the dielectric layer Lyr203.
  • the capacitor electrode 231 is connected to the line electrode 211 by a via electrode V221.
  • the capacitor electrode 232 is connected to the line electrode 213 by a via electrode V223.
  • Capacitor electrodes 221 and 231 form a second capacitor C2.
  • Capacitor electrodes 221 and 232 form a third capacitor C3.
  • a capacitor electrode 241 is formed on the dielectric layer Lyr204.
  • the capacitor electrodes 231, 232, and 241 form a first capacitor C1.
  • the dielectric layers Lyr202 to Lyr204 correspond to the capacitor layer of the present invention.
  • the Lyr 202 to Lyr 204 are preferably fired (co-fire) simultaneously with the capacitor electrodes 221, 231, 232, and 241.
  • the dielectric constant of the capacitor layer can be increased, and the capacitor layer can be made thinner. it can.
  • the distance between the first inductor layer and the capacitor layer and the distance between the second inductor layer and the capacitor layer can be further increased.
  • a line electrode 251 is formed on the dielectric layer Lyr205.
  • the line electrode 251 is connected to the capacitor electrode 232 by the via electrode V223.
  • a line electrode 261 is formed on the dielectric layer Lyr206.
  • the line electrode 261 is connected to the line electrode 251 by via electrodes V231 and V223.
  • a line electrode 271 is formed on the dielectric layer Lyr207.
  • the line electrode 271 is connected to the capacitor electrode 231 by the via electrode V221.
  • the line electrode 271 is connected to the line electrode 261 by a via electrode V231.
  • a line electrode 281 is formed on the dielectric layer Lyr208.
  • the line electrode 281 is connected to the line electrode 271 by via electrodes V221 and V231.
  • the line electrodes 251, 261, 271, and 281 form the first inductor L 1.
  • the dielectric layers Lyr205 to Lyr208 correspond to the first inductor layer of the present invention.
  • the line electrodes 251 and 261 included in the first inductor L1 have the same shape and substantially overlap in the stacking direction. The same applies to the line electrodes 271 and 281 included in the first inductor L1. The same applies to the line electrodes 202 and 212 included in the second inductor L2.
  • the volume (or cross-sectional area) through which current flows increases, the magnetic flux generated from the first inductor L1 increases, and the effective inductance of the LC parallel resonator increases.
  • the magnetic flux generated from the second inductor L2 increases, and the effective inductance of the LC series resonator increases.
  • the Q value of the low-pass filter 2 can be improved.
  • FIG. 7 is a diagram showing the positional relationship of each layer when the low-pass filter 2 shown in FIG. 6 is viewed from the side.
  • the capacitor layer (the layer in which the first capacitor C1, the second capacitor C2, and the third capacitor C3 are formed) is the first inductor layer (the layer in which the first inductor L1 is formed).
  • the second inductor layer (the layer in which the second inductor L2 is formed).
  • the distance D21 between the first inductor layer and the capacitor layer is substantially equal to the distance D22 between the second inductor layer and the capacitor layer.
  • the distance D21 between the first inductor layer and the capacitor layer, the distance D22 between the second inductor layer and the capacitor layer, and the distance D23 between the second inductor layer and the ground electrode GND are as follows. Almost equal.
  • the distance D23 between the second inductor layer and the ground electrode GND substantially equal to the distances D21 and D22, the second inductor layer and the ground electrode GND can be separated. It is possible to suppress the magnetic flux generated from the second inductor L2 from being hindered by the ground electrode GND, and to suppress heat generation due to the generation of eddy current. As a result, the insertion loss of the low-pass filter 2 can be reduced, and the Q value of the low-pass filter 2 can be further improved.
  • the magnetic flux generated from the first inductor L1 is not disturbed by the capacitor electrode included in the capacitor layer as the distance between the first inductor layer and the capacitor layer is increased.
  • FIG. 8 is a diagram showing perspective views of the low-pass filter 1 shown in FIG. 3 and the low-pass filter 2 shown in FIG. 6 when viewed from the upper surface UF in the stacking direction.
  • the low pass filter 1 which is an example of the multilayer filter according to the first embodiment is included in the plurality of capacitors formed in the capacitor layer in the stacking direction of the plurality of dielectric layers. Capacitor electrodes 111, 131, 141, and 151 almost block the air core portion AC1 of the first inductor L1.
  • the low pass filter 2 which is an example of the multilayer filter according to the second embodiment, a plurality of capacitors formed in the capacitor layer in the stacking direction of the plurality of dielectric layers.
  • the capacitor formed in the capacitor layer is disposed so as not to block the air core portion AC2 of the first inductor L1.
  • the plurality of capacitors formed in the capacitor layer are desirably arranged so as not to overlap with the air core part AC2 of the first inductor L1. The same applies to the air core part of the second inductor L2.
  • the magnetic flux generated from the first inductor L1 and the second inductor L2 is not hindered by the capacitor electrodes included in the capacitor layer than in the first embodiment. ing.
  • FIG. 9 is a diagram showing a simulation result of the attenuation characteristic of the low-pass filter 2 shown in FIG.
  • the frequency Fc2 is a cutoff frequency.
  • a point AP21 indicates an attenuation pole due to the LC parallel resonator LC1.
  • a point AP22 indicates an attenuation pole due to the LC series resonator LC2.
  • an attenuation of about ⁇ 48 dB is realized at the attenuation pole AP21 (near 5.4 GHz), and an attenuation of about ⁇ 46 dB at the attenuation pole AP22 (near 6.1 GHz). The amount is realized.
  • the second embodiment realizes a larger attenuation in both the attenuation pole by the LC parallel resonator LC1 and the attenuation pole by the LC series resonator LC2.
  • the capacitor layer is disposed between the first inductor layer and the second inductor layer, and the first inductor layer and the second inductor layer are separated from each other, whereby both are magnetic. Suppresses binding. As a result, it is possible to suppress the characteristics of the multilayer filter from deviating from desired characteristics while suppressing an increase in the size of the multilayer filter and an increase in manufacturing cost.
  • each of the LC parallel resonator and the LC series resonator is The deterioration of the Q value can be suppressed in a well-balanced manner, and as a result, the Q value of the entire low-pass filter can be improved as compared with the first embodiment. As a result, a desired attenuation can be realized in the multilayer filter according to the second embodiment.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract

積層フィルタのサイズの大型化よび製造コストの増加を抑制しながら、積層フィルタの特性が所望の特性から乖離することを抑制する。本発明の一実施形態による積層フィルタ（１）は、ＬＣ並列共振器と、ＬＣ直列共振器とを備える。ＬＣ並列共振器は、第１インダクタ（Ｌ１）および第１コンデンサ（Ｃ１）を含む。ＬＣ直列共振器は、第２インダクタ（Ｌ２）および第２コンデンサ（Ｃ２）を含む。複数の誘電体層は、第１インダクタ層と、第２インダクタ層と、コンデンサ層とを含む。第１インダクタ層は、第１インダクタ（Ｌ１）が形成されている。第２インダクタ層は、第２インダクタ（Ｌ２）が形成されている。コンデンサ層は、第１コンデンサ（Ｃ１）および第２コンデンサ（Ｃ２）が形成されている。コンデンサ層は、第１インダクタ層および第２インダクタ層の間に配置されている。

Description

積層フィルタ
　この発明は、ＬＣ共振器を備える積層フィルタに関する。
　従来から、ＬＣ共振器を備える積層フィルタが知られている。たとえば、特開２００９－１８２３７６号公報（特許文献１）には、ＬＣ並列共振器およびＬＣ直列共振器を備える積層型ローパスフィルタが開示されている。特開２００９－１８２３７６号公報（特許文献１）のＬＣ並列共振器において、第１のインダクタの出力端は、第２のインダクタの入力端に接続されている。第１のキャパシタは、第１のインダクタに対して並列に接続されている。第２のキャパシタは、第２のインダクタに対して並列に接続されている。直列共振器において、第３のキャパシタは、第１のインダクタの出力端および第２のインダクタの入力端と、グランド用導体層とを接続している。第４のキャパシタは、第１のインダクタの入力端とグランド用導体層とを接続している。第５のキャパシタは、第２のインダクタの出力端とグランド用導体層とを接続している。インダクタンス成分を有する導電部は、グランド用導体層とグランド用端子とを接続している。このような構成により、ローパスフィルタの阻止帯域中に存在する特定の狭い周波数帯域における減衰量を特に大きくすることが可能になる。
特開２００９－１８２３７６号公報
　特開２００９－１８２３７６号公報（特許文献１）に開示されている積層型ローパスフィルタにおいて、ＬＣ並列共振器に含まれる第１および第２のインダクタ、並びにＬＣ直列共振器に含まれるインダクタンス成分を有する導電部が形成されている誘電体層は積層構造の一方の側に寄っている。一方、ＬＣ並列共振器に含まれる第１および第２のキャパシタ、並びにＬＣ直列共振器に含まれる第３～第５のキャパシタが形成されている誘電体層は積層構造の他方の側によっている。そのため、第１のインダクタ、第２のインダクタ、および導電部が近接配置され、それぞれが磁気結合する。その結果、第１のインダクタのインダクタンス、第２のインダクタのインダクタンス、および導電部のインダクタンスに加えて、それぞれのインダクタ間において、相互インダクタンスが生じる可能性がある。相互インダクタンスが生じると、所望の特性が得られるように設計された回路図から想定されるローパスフィルタの特性と、実際の積層構造からなるローパスフィルタの特性との乖離が想定よりも大きくなる可能性がある。特性のずれが大きくなると、たとえばインピーダンス整合あるいは減衰量の確保のために、追加のインダクタあるいはコンデンサが必要になる。その結果、積層型ローパスフィルタのサイズが大きくなったり、製造コストが増加したりするおそれがある。
　本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は積層フィルタのサイズの大型化よび製造コストの増加を抑制しながら、積層フィルタの特性が所望の特性から乖離するのを抑制することである。
　本発明の一実施形態による積層フィルタは、複数の誘電体層から形成された積層フィルタである。積層フィルタは、ＬＣ並列共振器と、ＬＣ直列共振器とを備える。ＬＣ並列共振器は、第１インダクタおよび第１コンデンサを含む。ＬＣ直列共振器は、第２インダクタおよび第２コンデンサを含む。複数の誘電体層は、第１インダクタ層と、第２インダクタ層と、コンデンサ層とを含む。第１インダクタ層は、第１インダクタが形成されている。第２インダクタ層は、第２インダクタが形成されている。コンデンサ層は、第１コンデンサおよび第２コンデンサが形成されているコンデンサ層とを含む。コンデンサ層は、第１インダクタ層および第２インダクタ層の間に配置されている。
　本発明に係る積層フィルタによれば、コンデンサ層を第１インダクタ層および第２インダクタ層の間に配置して第１インダクタ層と第２インダクタ層とを離すことにより、両者が磁気結合することを抑制する。その結果、積層フィルタのサイズの大型化および製造コストの増加を抑制しながら、積層フィルタの特定の所望の特性からの乖離を抑制することができる。
実施の形態１に係る積層フィルタの一例であるローパスフィルタの回路図である。 図１のローパスフィルタの外観斜視図である。 図１のローパスフィルタの積層構造を示す分解斜視図である。 図３に示されるローパスフィルタを側面から見たときの各層の位置関係を示す図である。 図３に示されるローパスフィルタの減衰特性のシミュレーション結果を示す図である。 実施の形態２に係る積層フィルタの一例であるローパスフィルタの積層構造を示す分解斜視図である。 図６に示されるローパスフィルタを側面から見たときの各層の位置関係を示す図である。 図３に示されるローパスフィルタおよび図６に示されるローパスフィルタを上面ＵＦから積層方向に見た場合のそれぞれの透視図を併せて示す図である。 図６に示されるローパスフィルタの減衰特性のシミュレーション結果を示す図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
　［実施の形態１］
　図１は、実施の形態１に係る積層フィルタの一例であるローパスフィルタ１の回路図である。図１に示されるように、ローパスフィルタ１は、第１端子である入出力端子Ｐ１と、第２端子である入出力端子Ｐ２と、ＬＣ並列共振器ＬＣ１と、ＬＣ直列共振器ＬＣ２とを備える。
　ＬＣ並列共振器ＬＣ１は、第１インダクタＬ１および第１コンデンサＣ１を含む。第１インダクタＬ１は、入出力端子Ｐ１および入出力端子Ｐ２の間に接続されている。第１コンデンサＣ１は、入出力端子Ｐ１および入出力端子Ｐ２の間で第１インダクタＬ１に対して並列に接続されている。
　ＬＣ直列共振器ＬＣ２は、第２インダクタＬ２、第２コンデンサＣ２、および第３コンデンサＣ３を含む。第２インダクタは、一方端が接地点である接地電極ＧＮＤに接続されている。第２コンデンサＣ２は、入出力端子Ｐ１と第２インダクタＬ２の他方端との間に接続されている。第３コンデンサＣ３は、入出力端子Ｐ２と第２インダクタＬ２の他方端との間に接続されている。
　ローパスフィルタ１におけるインダクタとコンデンサとの組の数は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１において１つ（第１インダクタＬ１と第１コンデンサＣ１）であり、ＬＣ直列共振器ＬＣ２において２つ（第２インダクタＬ２と第２コンデンサＣ２、および第２インダクタＬ２と第３コンデンサＣ３）である。すなわち、ローパスフィルタ１は３次のローパスフィルタである。挿入損失について、ローパスフィルタ１と３次より大きいローパスフィルタとを比較すると、信号が通過するインダクタあるいはコンデンサの数が少ない分だけ電力の損失が低減されるため、ローパスフィルタ１の挿入損失の方が小さい。
　図２は、図１のローパスフィルタ１の外観斜視図である。図２に示されるように、ローパスフィルタ１はたとえば直方体状である。ローパスフィルタ１の面に関して、積層方向に垂直な面を底面ＢＦおよび上面ＵＦとする。底面ＢＦには、入出力端子Ｐ１、Ｐ２、および接地電極ＧＮＤが形成されている。入出力端子Ｐ１、Ｐ２、および接地電極ＧＮＤは、たとえば底面ＢＦに平面電極が格子状に配置されたＬＧＡ（Land　Grid　Array）端子である。
　図３は、図１のローパスフィルタ１の積層構造を示す分解斜視図である。ローパスフィルタ１は、複数の誘電体層から形成された積層フィルタである。ローパスフィルタ１は、複数の誘電体層として誘電体層Ｌｙｒ１００～Ｌｙｒ１１０を備える。Ｌｙｒ１００を底面ＢＦ側、Ｌｙｒ１１０を上面ＵＦ側として、この順にＺ軸方向に積層されている。
　誘電体層Ｌｙｒ１００には、線路電極１０１～１０３が形成されている。線路電極１０１はビア電極Ｖ１１１によって入出力端子Ｐ１に接続されている。線路電極１０２はビア電極Ｖ１１２によって接地電極ＧＮＤに接続されている。線路電極１０３はビア電極Ｖ１１３によって入出力端子Ｐ２に接続されている。線路電極１０２は第２インダクタＬ２を形成している。誘電体層Ｌｙｒ１００は本発明の第２インダクタ層に対応する。
　誘電体層Ｌｙｒ１０１にはキャパシタ電極１１１が形成されている。キャパシタ電極１１１はビア電極Ｖ１２１によって線路電極１０２に接続されている。誘電体層Ｌｙｒ１０２にはキャパシタ電極１２１および１２２が形成されている。キャパシタ電極１２１はビア電極Ｖ１３１によって線路電極１０１に接続されている。キャパシタ電極１２２はビア電極Ｖ１３２によって線路電極１０３に接続されている。キャパシタ電極１１１および１２１は第２コンデンサＣ２を形成している。キャパシタ電極１１１および１２２は第３コンデンサＣ３を形成している。
　誘電体層Ｌｙｒ１０３にはキャパシタ電極１３１が形成されている。誘電体層Ｌｙｒ１０４にはキャパシタ電極１４１および１４２が形成されている。キャパシタ電極１４１はビア電極Ｖ１３１によってキャパシタ電極１２１に接続されている。キャパシタ電極１４２はビア電極Ｖ１３２によってキャパシタ電極１２２に接続されている。誘電体層Ｌｙｒ１０５にはキャパシタ電極１５１が形成されている。キャパシタ電極１３１、１４１、１４２、および１５１は第１コンデンサＣ１を形成している。
　誘電体層Ｌｙｒ１０１～Ｌｙｒ１０５は本発明のコンデンサ層に対応する。
　誘電体層Ｌｙｒ１０６には線路電極１６１が形成されている。線路電極１６１はビア電極Ｖ１３１によってキャパシタ電極１４１に接続されている。誘電体層Ｌｙｒ１０７には線路電極１７１が形成されている。線路電極１７１はビア電極Ｖ１３１およびＶ１４１によって線路電極１６１に接続されている。誘電体層Ｌｙｒ１０８には線路電極１８１が形成されている。線路電極１８１はビア電極Ｖ１４１によって線路電極１７１に接続されている。線路電極１８１はビア電極Ｖ１３２によってキャパシタ電極１４２に接続されている。誘電体層Ｌｙｒ１０９には線路電極１９１が形成されている。線路電極１９１はビア電極Ｖ１４１およびＶ１３２によって線路電極１８１に接続されている。線路電極１６１、１７１、１８１、および１９１は第１インダクタＬ１を形成している。誘電体層Ｌｙｒ１０６～Ｌｙｒ１０９は本発明の第１インダクタ層に対応する。
　第１インダクタＬ１に含まれる線路電極１６１および１７１は同形状であり、積層方向において略重なっている。第１インダクタＬ１に含まれる線路電極１８１および１９１についても同様である。このような形状および配置とすることにより、電流が流れる体積（あるいは断面積）が増える。また、第１インダクタＬ１から発生する磁束が大きくなり、ＬＣ並列共振器の実効インダクタンスが向上する。その結果、ローパスフィルタ１のＱ値を向上させることができる。
　第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２を近接する誘電体層に形成した場合、それぞれが磁気結合し、第１インダクタＬ１のインダクタンスおよび第２インダクタＬ２のインダクタンスに加えて、相互インダクタンスが生じる可能性がある。そのため、所望の特性が得られるように設計された図１に示されるローパスフィルタ１の回路図から想定される特性と、図３に示される積層構造からなるローパスフィルタ１の特性との乖離が想定よりも大きくなる可能性がある。その場合、たとえばインピーダンス整合あるいは減衰量の確保のために追加のインダクタあるいはコンデンサが必要になる。その結果、ローパスフィルタ１のサイズが大きくなったり、製造コストが増加したりするおそれがある。
　そこで実施の形態１では、コンデンサ層を第１インダクタ層および第２インダクタ層の間に配置する。このような構成により、第１インダクタ層および第２インダクタ層を離すことができる。そのため、第１インダクタ層に形成されている第１インダクタおよび第２インダクタ層に形成されている第２インダクタが磁気結合することを抑制することができる。その結果、インダクタあるいはコイルを追加することなく、たとえば特性インピーダンスあるいは減衰特性のような特性が所望の特性から乖離することを抑制することができる。
　図４は、図３に示されるローパスフィルタ１を側面ＳＦから見たときの各層の位置関係を示す図である。図４に示されるように、コンデンサ層（第１コンデンサＣ１、第２コンデンサＣ２、および第３コンデンサＣ３が形成されている層）は、第１インダクタ層（第１インダクタＬ１が形成されている層）および第２インダクタ層（第２インダクタＬ２が形成されている層）の間に配置されている。
　図５は、図３に示されるローパスフィルタ１の減衰特性のシミュレーション結果を示す図である。図５において、周波数Ｆｃ１は減衰量（ｄＢ）が所定の値（たとえば３ｄＢ）低下するカットオフ周波数である。点ＡＰ１１はＬＣ並列共振器ＬＣ１の減衰極を示す。点ＡＰ１２はＬＣ直列共振器ＬＣ２の減衰極を示す。図５に示されるように、実施の形態１においては、減衰極ＡＰ１１（５．２ＧＨｚ付近）において－３８ｄＢ程度の減衰量が実現され、減衰極ＡＰ１２（５．８ＧＨｚ付近）において－３２ｄＢ程度の減衰量が実現されている。
　以上、実施の形態１に係る積層フィルタによれば、コンデンサ層を第１インダクタ層および第２インダクタ層の間に配置して第１インダクタ層と第２インダクタ層とを離すことにより、両者が磁気結合することを抑制する。その結果、積層フィルタのサイズの大型化および製造コストの増加を抑制しながら、積層フィルタの特性が所望の特性から乖離することを抑制することができる。
　なお、実施の形態１では、図４に示されるように、第１インダクタ層とコンデンサ層との距離Ｄ１１は、第２インダクタ層とコンデンサ層との距離Ｄ１２よりも大きい。距離Ｄ１１が距離Ｄ１２よりも小さい場合でも積層フィルタのサイズの大型化および製造コストの増加を抑制しながら、積層フィルタの特性が所望の特性から乖離するのを抑制することができる。
　［実施の形態２］
　実施の形態１においては、図４に示されるように第１インダクタ層とコンデンサ層との距離Ｄ１１が、第２インダクタ層とコンデンサ層との距離Ｄ１２よりも大きい場合について説明した。実施の形態１においてこのような構成としているのは、第１インダクタ層に形成されている第１インダクタＬ１を含むＬＣ並列共振器ＬＣ１のＱ値を向上させるためである。一般に、ＬＣ共振器においてＱ値が大きくなるほど、減衰量が大きくなるとともに、挿入損失が小さくなることが知られている。
　ＬＣ共振器のＱ値は、ＬＣ共振器に含まれるインダクタの実効インダクタンスが大きくなるほど大きくなり、当該インダクタの抵抗成分が大きくなるほど小さくなる。第１インダクタＬ１に生じた磁束がコンデンサ層に含まれるキャパシタ電極などの電極に妨げられた場合、第１インダクタＬ１の実効インダクタンスが減少する。一方、第１インダクタＬ１の長さに変化はないから第１インダクタＬ１の抵抗成分はほとんど変化しない。したがって、第１インダクタＬ１に生じた磁束がコンデンサ層に含まれるキャパシタ電極などの電極に妨げられると、第１ＬＣ並列共振器のＬＣ１のＱ値が低下してしまう。また、第１インダクタＬ１に生じた磁束が電極に遮られると、当該電極に渦電流が生じて熱（渦電流損）が発生する。その結果、ＬＣ並列共振器ＬＣ１の挿入損失が増加して、Ｑ値が低下してしまう。
　ローパスフィルタによって実現したい減衰量がカットオフ周波数近傍に減衰極をもつＬＣ並列共振器ＬＣ１によって実現することができる場合、実施の形態１のように、第１インダクタＬ１が発生する磁束がコンデンサ層に含まれるキャパシタ電極などの電極によって妨げられるのを抑制するために、コンデンサ層を第２インダクタ層に寄せることが好ましい。
　しかし、ローパスフィルタによって実現したい減衰量がＬＣ並列共振器ＬＣ１によって実現することが困難な場合、ＬＣ直列共振器ＬＣ２の減衰極をＬＣ並列共振器ＬＣ１の減衰極に近づけて当該減衰量を実現する必要がある。この場合、いずれかのＱ値が悪くなり過ぎないように、両者のＱ値のバランスをとる必要がある。
　そこで、実施の形態２においては、第１インダクタ層とコンデンサ層との距離が、第２インダクタ層とコンデンサ層との距離と略等しくする場合について説明する。このような構成により、ＬＣ並列共振器ＬＣ１のＱ値およびＬＣ直列共振器ＬＣ２のＱ値のバランスをとることができる。その結果、ローパスフィルタによって実現したい所望の減衰量を確保することができる。なお、「略等しい」とは、両者が完全に一致している場合だけではなく、たとえば、製造における精度の問題、あるいは製造ばらつきなどの理由で、完全に等しい場合の距離からの誤差が１０％程度ある場合も含む。
　実施の形態２と実施の形態１との違いは、ローパスフィルタの積層構造である。すなわち、実施の形態１の図３、図４、および図５が、実施の形態２の図６、図７、および図９にそれぞれ置き換わる。それ以外の構成については同様であるため説明を繰り返さない。
　図６は、実施の形態２に係る積層フィルタの一例であるローパスフィルタ２の積層構造を示す分解斜視図である。ローパスフィルタ２は、複数の誘電体層から形成された積層フィルタである。ローパスフィルタ２は、複数の誘電体層として誘電体層Ｌｙｒ２００～Ｌｙｒ２０９を備える。Ｌｙｒ２００を底面ＢＦ側、Ｌｙｒ２０９を上面ＵＦ側として、この順にＺ軸方向に積層されている。
　誘電体層Ｌｙｒ２００には線路電極２０１～２０３が形成されている。線路電極２０１はビア電極Ｖ２１１によって入出力端子Ｐ１に接続されている。線路電極２０２はビア電極Ｖ２１２によって接地電極ＧＮＤに接続されている。線路電極２０３はビア電極Ｖ２１３によって入出力端子Ｐ２に接続されている。誘電体層Ｌｙｒ２０１には線路電極２１１～２１３が形成されている。線路電極２１１はビア電極Ｖ２１１およびＶ２２１によって線路電極２０１に接続されている。線路電極２１２はビア電極Ｖ２１２およびＶ２２２によって線路電極２０２に接続されている。線路電極２１３はビア電極Ｖ２１３およびＶ２２３によって線路電極２０３に接続されている。線路電極２０２および２１２は第２インダクタＬ２を形成している。誘電体層Ｌｙｒ２００および２０１は本発明の第２インダクタ層に対応する。
　誘電体層Ｌｙｒ２０２にはキャパシタ電極２２１が形成されている。キャパシタ電極２２１はビア電極Ｖ２２２によって線路電極２１２に接続されている。誘電体層Ｌｙｒ２０３にはキャパシタ電極２３１および２３２が形成されている。キャパシタ電極２３１はビア電極Ｖ２２１によって線路電極２１１に接続されている。キャパシタ電極２３２はビア電極Ｖ２２３によって線路電極２１３に接続されている。キャパシタ電極２２１および２３１は第２コンデンサＣ２を形成している。キャパシタ電極２２１および２３２は第３コンデンサＣ３を形成している。誘電体層Ｌｙｒ２０４にはキャパシタ電極２４１が形成されている。キャパシタ電極２３１、２３２、および２４１は第１コンデンサＣ１を形成している。誘電体層Ｌｙｒ２０２～Ｌｙｒ２０４は本発明のコンデンサ層に対応する。
　Ｌｙｒ２０２～Ｌｙｒ２０４は、キャパシタ電極２２１、２３１、２３２、および２４１と同時に焼成（コファイア：ｃｏ－ｆｉｒｅ）されることが望ましい。Ｌｙｒ２０２～Ｌｙｒ２０４と、キャパシタ電極２２１、２３１、２３２、および２４１とを同時に焼成して圧縮することにより、コンデンサ層の誘電率をより高くすることができるとともに、コンデンサ層をより薄い層とすることができる。その結果、第１インダクタ層とコンデンサ層との距離、および第２インダクタ層とコンデンサ層との距離をより大きくすることができる。
　誘電体層Ｌｙｒ２０５には線路電極２５１が形成されている。線路電極２５１はビア電極Ｖ２２３によってキャパシタ電極２３２に接続されている。誘電体層Ｌｙｒ２０６には線路電極２６１が形成されている。線路電極２６１はビア電極Ｖ２３１およびＶ２２３によって線路電極２５１に接続されている。誘電体層Ｌｙｒ２０７には線路電極２７１が形成されている。線路電極２７１はビア電極Ｖ２２１によってキャパシタ電極２３１に接続されている。線路電極２７１はビア電極Ｖ２３１によって線路電極２６１に接続されている。誘電体層Ｌｙｒ２０８には線路電極２８１が形成されている。線路電極２８１はビア電極Ｖ２２１およびＶ２３１によって線路電極２７１に接続されている。線路電極２５１、２６１、２７１、および２８１は第１インダクタＬ１を形成している。誘電体層Ｌｙｒ２０５～Ｌｙｒ２０８は本発明の第１インダクタ層に対応する。
　第１インダクタＬ１に含まれる線路電極２５１および２６１は同形状であり、積層方向において略重なっている。第１インダクタＬ１に含まれる線路電極２７１および２８１に関しても同様である。また、第２インダクタＬ２に含まれる線路電極２０２および２１２に関しても同様である。このような形状および配置とすることにより、電流が流れる体積（あるいは断面積）が増えて第１インダクタＬ１から発生する磁束が大きくなり、ＬＣ並列共振器の実効インダクタンスが大きくなる。同様に、第２インダクタＬ２から発生する磁束が大きくなり、ＬＣ直列共振器の実効インダクタンスが大きくなる。その結果、ローパスフィルタ２のＱ値を向上させることができる。
　図７は、図６に示されるローパスフィルタ２を側面から見たときの各層の位置関係を示す図である。図７に示されるように、コンデンサ層（第１コンデンサＣ１、第２コンデンサＣ２、および第３コンデンサＣ３が形成されている層）は、第１インダクタ層（第１インダクタＬ１が形成されている層）および第２インダクタ層（第２インダクタＬ２が形成されている層）の間に配置されている。さらに、実施の形態２においては、第１インダクタ層とコンデンサ層との距離Ｄ２１が、第２インダクタ層とコンデンサ層との距離Ｄ２２と略等しい。また、実施の形態２においては、第１インダクタ層とコンデンサ層との距離Ｄ２１、第２インダクタ層とコンデンサ層との距離Ｄ２２、および第２インダクタ層と接地電極ＧＮＤとの距離Ｄ２３との距離が略等しい。このように第２インダクタ層と接地電極ＧＮＤとの距離Ｄ２３を、距離Ｄ２１およびＤ２２と略等しくすることにより、第２インダクタ層と接地電極ＧＮＤとを離すことができる。第２インダクタＬ２から発生する磁束が接地電極ＧＮＤによって妨げられるのを抑制し、渦電流の発生による発熱を抑制することができる。その結果、ローパスフィルタ２の挿入損失を低減し、ローパスフィルタ２のＱ値をさらに改善することができる。
　第１インダクタＬ１から発生する磁束は、第１インダクタ層とコンデンサ層との距離を大きくするほど、コンデンサ層に含まれるキャパシタ電極などによって妨げられなくなる。第２インダクタＬ２から発生する磁束についても同様である。さらに、インダクタの空芯部にキャパシタ電極などができるだけ重ならないようにすることによっても、インダクタから発生する磁束がキャパシタ電極などによって妨げられることを抑制することができる。
　図８は、図３に示されるローパスフィルタ１および図６に示されるローパスフィルタ２を上面ＵＦから積層方向に見た場合のそれぞれの透視図を併せて示す図である。図８（ａ）に示されるように、実施の形態１に係る積層フィルタの一例であるローパスフィルタ１では、複数の誘電体層の積層方向において、コンデンサ層に形成されている複数のコンデンサに含まれるキャパシタ電極１１１、１３１、１４１、および１５１は、第１インダクタＬ１の空芯部ＡＣ１をほとんど塞いでいる。
　一方、図８（ｂ）に示されるように、実施の形態２に係る積層フィルタの一例であるローパスフィルタ２では、複数の誘電体層の積層方向において、コンデンサ層に形成されている複数のコンデンサに含まれるキャパシタ電極２４１の一部が第１インダクタＬ１の空芯部ＡＣ２に重なっているものの、コンデンサ層に形成されているコンデンサは第１インダクタＬ１の空芯部ＡＣ２を塞がないように配置されている。好ましくは、コンデンサ層に形成されている複数のコンデンサは、第１インダクタＬ１の空芯部ＡＣ２に重ならないように配置されることが望ましい。第２インダクタＬ２の空芯部についても同様である。
　実施の形態２においては、このようにキャパシタ電極を配置することにより、実施の形態１よりも第１インダクタＬ１および第２インダクタＬ２から発生する磁束がコンデンサ層に含まれるキャパシタ電極などによって妨げられなくなっている。
　図９は、図６に示されるローパスフィルタ２の減衰特性のシミュレーション結果を示す図である。図９において、周波数Ｆｃ２はカットオフ周波数である。点ＡＰ２１はＬＣ並列共振器ＬＣ１による減衰極を示す。点ＡＰ２２はＬＣ直列共振器ＬＣ２による減衰極を示す。図９に示されるように、実施の形態２においては、減衰極ＡＰ２１（５．４ＧＨｚ付近）において－４８ｄＢ程度の減衰量が実現され、減衰極ＡＰ２２（６．１ＧＨｚ付近）において－４６ｄＢ程度の減衰量が実現されている。実施の形態１における図５と比較すると、ＬＣ並列共振器ＬＣ１による減衰極およびＬＣ直列共振器ＬＣ２による減衰極のいずれにおいても実施の形態２の方が大きな減衰量を実現している。
　以上、実施の形態２に係る積層フィルタによれば、コンデンサ層を第１インダクタ層および第２インダクタ層の間に配置して第１インダクタ層と第２インダクタ層とを離すことにより、両者が磁気結合することを抑制する。その結果、積層フィルタのサイズの大型化および製造コストの増加を抑制しながら、積層フィルタの特性が所望の特性から乖離することを抑制することができる。
　さらに、実施の形態２によれば、第１インダクタ層とコンデンサ層との距離を、第２インダクタ層とコンデンサ層との距離と略等しくすることにより、ＬＣ並列共振器およびＬＣ直列共振器それぞれのＱ値の劣化をバランスよく抑えることができ、その結果ローパスフィルタ全体としてのＱ値を実施の形態１よりも改善することができる。その結果、実施の形態２に係る積層フィルタにおいて所望の減衰量を実現することができる。
　今回開示された各実施の形態は、矛盾しない範囲で適宜組み合わせて実施することも予定されている。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１，２　ローパスフィルタ、１０１～１０３，１６１，１７１，１８１，１９１，２０１～２０３，２１１～２１３，２５１，２６１，２７１，２８１　線路電極、Ｌｙｒ１００～Ｌｙｒ１１０，Ｌｙｒ２００～Ｌｙｒ２０９　誘電体層、１１１，１２１，１２２，１３１，１４１，１４２，１５１，２２１，２３１，２３２，２４１　キャパシタ電極、ＡＣ１，ＡＣ２　空芯部、Ｃ１　第１コンデンサ、Ｃ２　第２コンデンサ、Ｃ３　第３コンデンサ、ＧＮＤ　接地電極、Ｌ１　第１インダクタ、Ｌ２　第２インダクタ、ＬＣ１　ＬＣ並列共振器、ＬＣ２　ＬＣ直列共振器、Ｐ１，Ｐ２　入出力端子、Ｖ１１１～Ｖ１１３，Ｖ１２１，Ｖ１３１，Ｖ１３２，Ｖ１４１，Ｖ２１１～Ｖ２１３，Ｖ２２１～Ｖ２２３，Ｖ２３１　ビア電極。

Claims (6)

  1. 　複数の誘電体層から形成された積層フィルタであって、
    　第１インダクタおよび第１コンデンサを含むＬＣ並列共振器と、
    　第２インダクタおよび第２コンデンサを含むＬＣ直列共振器とを備え、
    　前記複数の誘電体層は、
    　前記第１インダクタが形成されている第１インダクタ層と、
    　前記第２インダクタが形成されている第２インダクタ層と、
    　前記第１コンデンサおよび前記第２コンデンサが形成されているコンデンサ層とを含み、
    　前記コンデンサ層は、前記第１インダクタ層および前記第２インダクタ層の間に配置されている、積層フィルタ。
  2. 　前記積層フィルタは、第１端子および第２端子をさらに備え、
    　前記ＬＣ直列共振器は、第３コンデンサをさらに含み、
    　前記第１インダクタは、前記第１端子および前記第２端子の間に接続されており、
    　前記第１コンデンサは、前記第１端子および前記第２端子の間で前記第１インダクタに対して並列に接続されており、
    　前記第２インダクタは、一方端が接地点に接続されており、
    　前記第２コンデンサは、前記第１端子と前記第２インダクタの他方端との間に接続されており、
    　前記第３コンデンサは、前記第２端子と前記第２インダクタの他方端との間に接続されている、請求項１に記載の積層フィルタ。
  3. 　前記第１インダクタ層と前記コンデンサ層との距離は、前記第２インダクタ層と前記コンデンサ層との距離と異なる、請求項１または請求項２に記載の積層フィルタ。
  4. 　前記第１インダクタ層と前記コンデンサ層との距離は、前記第２インダクタ層と前記コンデンサ層との距離と略等しい、請求項１または請求項２に記載の積層フィルタ。
  5. 　前記第２インダクタ層と前記コンデンサ層との距離は、前記第２インダクタ層と接地点との距離と略等しい、請求項４に記載の積層フィルタ。
  6. 　前記複数の誘電体層の積層方向において、前記コンデンサ層に形成されている複数のコンデンサは、前記第１インダクタの空芯部を塞がないように配置されている、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の積層フィルタ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109714079A (zh) * 2019-03-07 2019-05-03 上海希形科技有限公司 电力线载波通信抗干扰电路
WO2023149240A1 (ja) * 2022-02-04 2023-08-10 株式会社村田製作所 電子部品
WO2023157666A1 (ja) * 2022-02-16 2023-08-24 株式会社村田製作所 インダクタ、およびインダクタを備えた電子部品

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07193452A (ja) * 1993-12-25 1995-07-28 Murata Mfg Co Ltd フィルタ回路
JPH11103229A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Tdk Corp 高周波部品およびその製造方法
JP2002204136A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Soshin Electric Co Ltd 積層型ローパスフィルタ
JP2008147709A (ja) * 2005-02-25 2008-06-26 Murata Mfg Co Ltd Ｌｃフィルタ
JP2009182377A (ja) * 2008-01-29 2009-08-13 Tdk Corp 積層型ローパスフィルタ
JP2015111799A (ja) * 2013-10-30 2015-06-18 株式会社村田製作所 電子部品
JP2015111784A (ja) * 2013-12-06 2015-06-18 株式会社村田製作所 積層帯域除去フィルタ
WO2016152205A1 (ja) * 2015-03-24 2016-09-29 株式会社村田製作所 ローパスフィルタ

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07193452A (ja) * 1993-12-25 1995-07-28 Murata Mfg Co Ltd フィルタ回路
JPH11103229A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Tdk Corp 高周波部品およびその製造方法
JP2002204136A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Soshin Electric Co Ltd 積層型ローパスフィルタ
JP2008147709A (ja) * 2005-02-25 2008-06-26 Murata Mfg Co Ltd Ｌｃフィルタ
JP2009182377A (ja) * 2008-01-29 2009-08-13 Tdk Corp 積層型ローパスフィルタ
JP2015111799A (ja) * 2013-10-30 2015-06-18 株式会社村田製作所 電子部品
JP2015111784A (ja) * 2013-12-06 2015-06-18 株式会社村田製作所 積層帯域除去フィルタ
WO2016152205A1 (ja) * 2015-03-24 2016-09-29 株式会社村田製作所 ローパスフィルタ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109714079A (zh) * 2019-03-07 2019-05-03 上海希形科技有限公司 电力线载波通信抗干扰电路
CN109714079B (zh) * 2019-03-07 2024-01-30 上海希形科技有限公司 电力线载波通信抗干扰电路
WO2023149240A1 (ja) * 2022-02-04 2023-08-10 株式会社村田製作所 電子部品
WO2023157666A1 (ja) * 2022-02-16 2023-08-24 株式会社村田製作所 インダクタ、およびインダクタを備えた電子部品

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