WO2017191800A1

WO2017191800A1 - 面発光装置およびその製造方法

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Publication number: WO2017191800A1
Application number: PCT/JP2017/016709
Authority: WO
Inventors: 正利米山; 司八木; 竜平砂山; 賢嗣平岩
Original assignee: コニカミノルタ株式会社
Priority date: 2016-05-06
Filing date: 2017-04-27
Publication date: 2017-11-09
Also published as: JPWO2017191800A1

Abstract

この面発光装置（１００）において、第１電極層（３）は、側部において封止層（９）よりも側方に向けてその表面が露出する第１電極表面露出領域（３ａ）が設けられ、第３電極層（１１）は、第１電極表面露出領域（３ａ）において、第１電極層（３）と電気的に接続されている。この構成により、非発光領域の幅を狭くすることを可能にする構成を備える面発光装置およびその製造方法の提供が可能となる。

Description

面発光装置およびその製造方法

　本発明は、面発光パネルを用いた面発光装置の構造、およびその製造方法に関する。

　近年、有機ＥＬ（Orgａnic　Electroluminescence）素子（面発光パネル）を利用した面発光装置が提案されている。このような面発光装置は、国際公開第２０１３／０４２５３３号（特許文献１）および特開２０１４－１９７４８８号公報（特許文献２）等に開示されている。

　特許文献１に開示される面発光装置においては、封止層の外側の電極と封止金属シートとが接続手段を介して直接接続される構成が採用されている。特許文献２に開示される面発光装置においては、透光性を有した基板の一方の主面上に有機ＥＬ素子を積層し、その上に有機ＥＬ素子を封止する封止層が形成され、そらにその上に給電用金属層と背着層が設けられた構成が採用されている。

国際公開第２０１３／０４２５３３号特開２０１４－１９７４８８号公報

　一般的に面発光装置においては、面発光パネルの発光領域外に電極を構成し、そこから外部配線と接続する。この構成に場合には、取出し電極が設けられる領域は非発光領域となる。さらに外部配線との接続のために取出し電極は幅広となり非発光領域が大きくなる。

　特許文献１に開示される構成においては、取出し電極を発光部裏面に設けているが、封止層外側部において別途接続手段を設けて裏面金属シートに接続しているため、非発光部幅が広くなる。

　特許文献２に開示される構成においては、封止層の外側に透明電極分離溝を構成するため、非発光領域の幅が広くなる。具体的には、封止層の端部において、給電用連通溝として封止層貫通部が設けられているため、非発光領域の幅が広い。

　したがって、本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、非発光領域の幅を狭くすることを可能にする構成を備える面発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

　本発明の一側面を反映した面発光装置は、透明な支持基板と、上記支持基板の上に設けられた第１電極層と、上記第１電極層の上に設けられた発光層と、上記発光層の上に設けられた第２電極層と、上記第２電極層の上に設けられた封止層と、上記封止層の上に設けられ、上記第１電極層と電気的に接続される第３電極層と、を備え、上記第１電極層は、側部において上記封止層よりも側方に向けてその表面が露出する第１電極表面露出領域が設けられ、上記第３電極層は、上記第１電極表面露出領域において、上記第１電極層と電気的に接続されている。

　本発明の一側面を反映した面発光装置の製造方法は、透明な支持基板の上に所定形状の第１電極層を形成する工程と、上記第１電極層の上に所定形状の発光層を形成する工程と、上記発光層の上に所定形状の第２電極層を形成する工程と、上記第２電極層の上に封止層を形成する工程と、上記封止層の上に、上記第１電極層と電気的に接続される第３電極層を形成する工程と、を備える。

　この面発光装置およびその製造方法によれば、非発光領域の幅を狭くすることを可能にする構成を備える面発光装置およびその製造方法を提供することを可能とする。

実施の形態１における面発光装置の平面図である。図１中のＩＩ－ＩＩ線矢視に沿った模式断面図である。実施の形態１における面発光装置の他の形態の構造を示す模式縦断面図である。実施の形態１における面発光装置の他の形態の構造を示す縦断面図である。実施の形態１における面発光装置を並べて配置した場合の部分拡大断面図である。実施の形態２の実施例１におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第１図である。実施の形態２の実施例１におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第２図である。実施の形態２の実施例１におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第３図である。実施の形態２の実施例１におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第４図である。実施の形態２の実施例２におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第１図である。実施の形態２の実施例２におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第２図である。実施の形態２の実施例２におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第３図である。実施の形態２の実施例２におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第４図である。実施の形態２の実施例３におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第１図である。実施の形態２の実施例３におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第２図である。実施の形態２の実施例３におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第３図である。実施の形態２の実施例３におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第４図である。

　本発明に基づいた各実施の形態における面発光装置について、以下、図を参照しながら説明する。以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。各実施の形態における構成を適宜組み合わせて用いることは当初から予定されていることである。

　（実施の形態１：面発光装置１００）
　図１から図５を参照して、本実施の形態における面発光装置１００の構成について説明する。図１は、面発光装置１００の平面図、図２は、図１中のＩＩ－ＩＩ線矢視に沿った模式断面図、図３は、他の形態の面発光装置１００の構造を示す模式縦断面図、図４は、他の形態の面発光装置１００の構造を示す縦断面図、図５は、面発光装置１００を並べて配置した場合の部分拡大断面図である。

　図１および図２を参照して、透明な支持基板１の上には、第１電極層として透明部材を用いたアノード電極層３が設けられている。アノード電極層３の上には、発光層として有機ＥＬ層５が設けられている。有機ＥＬ層５の上には、第２電極層としてカソード電極層７が設けられている。カソード電極層７には、透明部材を用いてもよいし、非透明部材を用いてもよい。

　本実施の形態における面発光装置１００においては、有機ＥＬ層５が存在する領域を発光領域と称し、有機ＥＬ層５が存在しない領域を非発光領域と称する。

　カソード電極層７の上には封止層９が設けられている。アノード電極層３、有機ＥＬ層５、および、カソード電極層７に封止層９を覆い被せることにより、湿度、酸素などによる劣化を防止する。

　封止層９の上には、アノード電極層３と電気的に接続される第３電極層１１が設けられている。さらに、封止層９の上には、カソード電極層７と電気的に接続される第４電極層１３が設けられている。封止層９の上において、第３電極層１１と第４電極層１３とを電気的に絶縁する絶縁分離層２５が設けられている。

　アノード電極層３は、側部（図示の右側）において封止層９よりも側方に向けてその表面が露出するアノード電極層表面露出領域３ａが設けられている。第３電極層１１は、アノード電極層表面露出領域３ａにおいて、アノード電極層３と電気的に接続されている。第３電極層１１は、封止層９の上に位置する領域１１Ａと、封止層９の側部に位置しアノード電極層表面露出領域３ａに接続される領域１１Ｂとは同一の材料である。

　カソード電極層７は、側部（図示の左側）において封止層９よりも側方に向けてその表面が露出するカソード電極層表面露出領域７ａが設けられている。第４電極層１３は、カソード電極層表面露出領域７ａにおいて、カソード電極層７と電気的に接続されている。第４電極層１３は、封止層９の上に位置する領域１３Ａと、封止層９の側部に位置しカソード電極層表面露出領域７ａに接続される領域とは同一の材料である。

　カソード電極層７は、有機ＥＬ層５の上に設けられた領域７Ａは透明であっても不透明であってもよいが、側部において有機ＥＬ層５よりも側方において支持基板１の上に設けられた領域７Ｂは透明であるとよい。有機ＥＬ層５から出射された光が、領域７Ｂが透明であることにより、非発光領域Ｒ３の輝度を向上させることができるからである。

　各層（第１電極層のアノード電極層３、第２電極層のカソード電極層７、封止層９）の端部は、図２、図３の模式図においては角があるように示されているが、実際は図４の断面図に示すように徐々に薄くなり、端部では角がない形状である。第３電極層１１、第４電極層１３についても、実際は端部に向けて丸みを帯びた形状となり、略同じ層の厚さで接続が可能となっている。

　第３電極層１１の封止層９の上に位置する領域１１Ａの上には、導電性接着剤層１５を介在して電気的に接続される第２封止金属層２１が設けられている。第２封止金属層２１は、有機ＥＬ層５への湿度、酸素などの侵入を阻止する。第２封止金属層２１の上には、絶縁層２３が設けられている。なお、第２封止金属層２１には、取出電極２１ａ（図１、図９参照）が設けられている。

　第４電極層１３の封止層９の上に位置する領域１３Ａの上には、導電性接着剤層１５を介在して電気的に接続される第１封止金属層１７が設けられている。第１封止金属層１７は、有機ＥＬ層５への湿度、酸素などの侵入を阻止する。第１封止金属層１７の上には、絶縁層１９が設けられている。なお、第１封止金属層１７には、取出電極１７ａ（図１、図８参照）が設けられている。

　カソード電極層７、封止層９、第３電極層１１、および、第４電極層１３に透明部材を用いた場合には、導電性接着剤層１５には、導電性のフィラー（光拡散部材）を分散させるとよい。これにより、導電性接着剤層１５において光を拡散させることができる。

　第１封止金属層１７および第２封止金属層２１は、絶縁分離層２５により電気的に絶縁されている。第４電極層１３の領域１３Ａの上方においては、第１封止金属層１７と第２封止金属層２１とは、絶縁層１９により電気的に絶縁されている。第４電極層１３の領域１３Ａの上方において第１封止金属層１７と第２封止金属層２１とが重なり合うことで、有機ＥＬ層５への湿度、酸素などの侵入を効果的に阻止することができる。

　上記構成におては、アノード電極層３とカソード電極層７とを反転させて用いることもできる。

　図１に示す構成においては、第３電極層１１と第４電極層１３との分離に絶縁分離層２５を設ける構成を示したが、図２に示すように、絶縁分離層２５を設けず、空隙２５Ａにより絶縁機能を発揮させるようにしてもよい。

　（支持基板１）
　本実施の形態に用いられる透明な支持基板１として望ましい材料について説明する。均一な面発光および高効率な面発光を実現するためには、支持基板１の透過率が高い方が望ましい。

　透明な支持基板１としては、たとえば、樹脂基板、樹脂フィルム等が好適に挙げられるが、生産性の観点並びに軽量性及び柔軟性といった性能の観点から、透明樹脂フィルムを用いることが好ましい。透明樹脂フィルムとは、ＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１：１９９７（プラスチック－透明材料の全光線透過率の試験方法）に準拠した方法で測定した可視光波長領域における全光線透過率が５０％以上のものをいう。

　好ましく用いることができる透明樹脂フィルムには特に制限はなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することができる。かかる透明樹脂フィルムとしては、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）樹脂フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ（登録商標））樹脂フィルム、ポリサルホン（ＰＳＦ）樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）樹脂フィルム、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）樹脂フィルム等を挙げることができる。

　（アノード電極層３）
　有機ＥＬ層５に用いるアノード電極層３としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましい。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の導電性光透過性材料が挙げられる。ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ）等非晶質で光透過性の導電膜を作成可能な材料を用いてもよい。

　アノード電極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式製膜法を用いることもできる。

　アノード電極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で選ばれる。

　（有機ＥＬ層５）
　有機ＥＬ層５は、少なくとも発光層を含むものであれば構成可能となっており、発光層以外に例えば、正孔輸送層、電子輸送層および陰極バッファー層（電子注入層）等を含む。有機ＥＬ層５に電流を流すことにより、発光層内の発光材料が発光する。

　（カソード電極層７）
　カソード電極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。

　これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、たとえば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。カソード電極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作成することができる。また、カソード電極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ以上５μｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で選ばれる。

　なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ層５の陽極または陰極のいずれか一方は、光透過性となるよう構成される。

　（封止層９）
　封止層９として、バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、たとえば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに、バリア膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

　バリア膜の形成方法については特に限定はなく、たとえば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ－イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４－６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

　（第３電極層１１と第４電極層１３）
　第３電極層１１および第４電極層１３には、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。

　これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、たとえば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。電極層はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作成することができる。また、電極層としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ以上５μｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で選ばれる。

　（第１封止金属層１７／第２封止金属層２１）
　第１封止金属層１７、および、第２封止金属層２１は、導電性を有している。たとえば、金属板や金属箔が挙げられ、金属箔が好ましい。金属箔としては、たとえば、銅箔、アルミニウム箔、金箔、黄銅箔、ニッケル箔、チタン箔、銅合金箔、ステンレス箔、スズ箔、高ニッケル合金箔等が挙げられる。これらの各種の金属箔の中で特に好ましい金属箔としては、アルミニウム箔である。

　金属箔の作成方法としては、主に圧延等が挙げられ、金属箔とは当該圧延で形成された金属の箔を指すが、ポリマーフィルム上にスパッタや蒸着等で形成された金属薄膜や導電性ペースト等の流動性電極材料から形成された導電膜であってもよい。

　ポリマーフィルムの材料としては、たとえば、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリアミド系樹脂、エチレン－ビニルアルコール共重合体系樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体系樹脂、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体系樹脂、セロハン系樹脂、ビニロン系樹脂、塩化ビニリデン系樹脂等が挙げられる。ポリプロピレン系樹脂、ナイロン系樹脂等の樹脂は、延伸されていてもよく、さらに塩化ビニリデン系樹脂をコートされていてもよい。また、ポリエチレン系樹脂は、低密度あるいは高密度のものも用いることができる。

　金属箔の片面にポリマーフィルムを積層する方法としては、一般に使用されているラミネート機を使用することができる。ラミネートを行う際には、接着剤としてはポリウレタン系、ポリエステル系、エポキシ系、アクリル系等の接着剤を用いることができる。必要に応じて硬化剤を併用してもよい。ホットメルトラミネーション法やエクストルージョンラミネート法及び共押出しラミネーション法も使用できるがドライラミネート方式が好ましい。

　また、金属箔をスパッタや蒸着等で形成したり、導電性ペースト等の流動性電極材料から形成したりする場合は、ポリマーフィルムを基材として金属箔を成膜してもよい。

　なお、このようなポリマーフィルムを基材とした金属箔の外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。保護膜、保護板としては、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。

　（製造方法）
　次に、図１に示す面発光装置１００の製造方法の概略工程について説明する。透明な支持基板１の上に所定形状のアノード電極層３が形成される。次に、アノード電極層３の上に所定形状の有機ＥＬ層５が形成される。図示において、アノード電極層３の左側端部は、有機ＥＬ層５が覆い被さり、有機ＥＬ層５は支持基板１の表面に達している。一方、アノード電極層３の右側端部は、有機ＥＬ層５よりも外側に延び、アノード電極層表面露出領域３ａが形成される状態となる。

　次に、有機ＥＬ層５の上に有機ＥＬ層５を覆うように所定形状のカソード電極層７を形成する。カソード電極層７は、図示において、左側端部は、支持基板１の上に達するように延びて形成されている。カソード電極層７の右側端部は、有機ＥＬ層５の一部を露出させて、カソード電極層表面露出領域７ａが形成される状態となる。

　次に、カソード電極層７の上に封止層９を形成する。図示において、封止層９は、左側端部は、カソード電極層７の一部を露出させるようにして、カソード電極層７を覆うように形成される。封止層９は、右側端部は、カソード電極層７および有機ＥＬ層５を覆い、アノード電極層３の一部を露出させるようにして、アノード電極層３を覆うように形成される。

　次に、封止層９の上に、アノード電極層３のアノード電極層表面露出領域３ａと電気的に接続される第３電極層１１と、カソード電極層７のカソード電極層表面露出領域７ａと電気的に接続される第４電極層１３とを、ＣＶＤ法等を用いて同時に形成する。予め封止層９の上に絶縁分離層２５を設けておくことで、第３電極層１１と第４電極層１３とを容易に分離することができる。絶縁分離層２５を設けない場合においても、フォトリソグラフィ技術を用いて、電極層を形成した後に第３電極層１１と第４電極層１３とに分離することもできる。

　この製造工程により、第３電極層１１は、封止層９の上に位置する領域１１Ａと、封止層９の側部に位置しアノード電極層表面露出領域３ａに接続される領域１１Ｂとが、同一の材料を用いて形成される。同様に、第４電極層１３は、封止層９の上に位置する領域１３Ａと、封止層９の側部に位置しカソード電極層表面露出領域７ａに接続される領域１３Ｂとが、同一の材料を用いて形成される。

　次に、第４電極層１３の領域１３Ａ、および、第３電極層１１の領域１１Ａの上に導電性接着剤層１５が形成される。次に、第４電極層１３の領域１３Ａの上において、第１封止金属層１７、および、絶縁層１９が形成される。次に、第３電極層１１の領域１１Ａの上、および、絶縁層１９の上に第２封止金属層２１が形成される。次に、第２封止金属層２１の上に絶縁層２３が形成される。第１封止金属層１７を形成する際には、取出電極１７ａ（図８参照）も同時に形成される。第２封止金属層２１を形成する際には、取出電極２１ａ（図９参照）も同時に形成される。

　なお、図２に示す断面構造においては、絶縁層２３の表面に段差が生じている。たとえば、第３電極層１１の膜厚さを第４電極層１３に対して厚く成膜するようにすることで、絶縁層２３の表面に段差を生じさせないようにすることも可能である。

　以上、本実施の形態における面発光装置１００によれば、第３電極層１１は、封止層９の上に位置する領域１１Ａと、封止層９の側部に位置しアノード電極層表面露出領域３ａに接続される領域１１Ｂとが、同一の材料を用いて形成されている。その結果、アノード電極層３のアノード電極層表面露出領域３ａと第３電極層１１の重ね合せの部分の幅（Ｓ）は、約０．５ｍｍ程度で接続可能となり、面発光装置１００におけるアノード電極側の非発光領域Ｒ１の幅を１．５ｍｍ～３ｍｍ程度に狭くすることができる。

　同様に、第４電極層１３は、封止層９の上に位置する領域１３Ａと、封止層９の側部に位置しカソード電極層表面露出領域７ａに接続される領域１３Ｂとが、同一の材料を用いて形成されている。その結果、カソード電極層７のカソード電極層表面露出領域７ａと第４電極層１３の重ね合せの部分の幅（Ｓ）は、約０．１ｍｍ程度、加工精度を考慮すると望ましくは約０．５ｍｍ程度で電気的に接続可能となり、面発光装置１００におけるカソード電極側の非発光領域Ｒ１の幅を１．５ｍｍ～３ｍｍ程度に狭くすることができる。

　また、第３電極層１１と第２封止金属層２１とは、第３電極層１１の領域１１Ａの上において接触面積を大きくした状態で電気的に接合できることから、接続部における信頼性を安定させることができる。同様に、第４電極層１３と第１封止金属層１７とは、第４電極層１３の領域１３Ａの上において接触面積を大きくした状態で電気的に接合できることから、接続部における信頼性を安定させることができる。

　さらに、本実施の形態においては、カソード電極層７の支持基板１の上に設けられた領域７Ｂを透明にすることで、非発光領域Ｒ３の輝度を向上させることができる。さらに、図５に示すように、複数の面発光装置１００を並べて配置した場合においても、隣接する面発光装置１００から出射される光を領域７Ｂから出射させることが可能となる。その結果、複数の面発光装置１００を並べて配置した場合においても、非発光領域Ｒ３の輝度を向上させることができる。

　なお、本実施の形態では、アノード電極層３と第３電極層１１との電気的接合、および、カソード電極層７と第４電極層１３との電気的接合において、上記したように同様の構成を採用した場合について説明しているが、アノード電極層３と第３電極層１１との電気的接合、または、カソード電極層７と第４電極層１３との電気的接合のいずれか一方に本実施の形態の構成を採用してもよい。

　（実施の形態２：アノード電極層３とカソード電極層７との配置パターン）
　次に、アノード電極層３とカソード電極層７との配置パターンについて、以下実施例として各種のパターンについて説明する。なお、以下に示す各種配置パターンは、上記した実施の形態１に示す面発光装置１００に適用することが好ましいが、上記した実施の形態１に示す面発光装置１００以外の構成を有する面発光装置に対しても有効に適用することが可能である。よって、上記した実施の形態１に示す面発光装置１００の構成に限定して適用されるものでない。

　（実施例１：２辺２極給電）
　図６から図９を参照して、実施例１におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンについて説明する。図６から図９は、アノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第１図から第４図である。この実施例１は、上記実施の形態１に示した面発光装置１００に構成に対応している。

　図６を参照して、一方の側辺に沿ってアノード電極層３のアノード電極層表面露出領域３ａが設けられ、対向する他方の側辺に沿ってカソード電極層７のカソード電極層表面露出領域７ａが設けられている。

　アノード電極層３およびカソード電極層７は、封止層９によって上面が覆われ、アノード電極層表面露出領域３ａおよびカソード電極層表面露出領域７ａのみが、封止層９から露出している。

　図７を参照して、アノード電極層表面露出領域３ａに電気的に接続される第３電極層１１と、カソード電極層表面露出領域７ａに電気的に接続される第４電極層１３とが、面方向において電気的に２分割された状態で、封止層９の上に形成されている。

　図８を参照して、第４電極層１３の上面に第１封止金属層１７を形成する。第１封止金属層１７の一辺には取出電極１７ａが設けられている。図９を参照して、第２封止金属層２１の上面に絶縁層１９を形成した後に、全面に第２封止金属層２１が設けられている。第２封止金属層２１の一辺には取出電極２１ａが設けられている。その後、第２封止金属層２１の全面に絶縁層２３が設けられる。

　第２封止金属層２１には側辺部から取り出される取出電極２１ａを設け、第１封止金属層１７には側辺部から取り出される取出電極１７ａを設ける場合について説明したが、側辺部から取出電極を引き出すことが困難な場合には、平面視において、第３電極層１１に通じる第１コンタクトホールＣＨ１、および、第４電極層１３に通じる第２コンタクトホールＣＨ２を設け、これらのコンタクトホールを通じて、接続電極を設けるようにしてもよい。

　（実施例２：２辺４極給電）
　図１０から図１３を参照して、実施例２におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンについて説明する。図１０から図１３は、アノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第１図から第４図である。

　図１０を参照して、一方の側辺に沿ってアノード電極層３のアノード電極層表面露出領域３ａ、および、カソード電極層７のカソード電極層表面露出領域７ａが設けられている。対向する他方の側辺に沿っても、アノード電極層３のアノード電極層表面露出領域３ａ、および、カソード電極層７のカソード電極層表面露出領域７ａが設けられている。

　図１１を参照して、両辺において露出するアノード電極層表面露出領域３ａに電気的に接続される第３電極層１１と、両辺において露出するカソード電極層表面露出領域７ａに電気的に接続される第４電極層１３とが、面方向において電気的にそれぞれ分割された状態で、封止層９の上に形成されている。

　図１２に、第３電極層１１の上面に形成される第２封止金属層２１の形態を示す。対角線上に配置された２つの第３電極層１１を電気的に接続するために、アルファベットのＺ字の形状を有している。第１封止金属層１７の一辺には取出電極１７ａが設けられている。図１３を参照して、第１封止金属層１７の上面に絶縁層１９を形成した後に、全面に第２封止金属層２１が設けられている。第２封止金属層２１の一辺には取出電極２１ａが設けられている。その後、第２封止金属層２１の全面に絶縁層２３が設けられる。

　（実施例３：４辺給電）
　図１４から図１７を参照して、実施例３におけるアノード電極層とカソード電極層との配置パターンについて説明する。図１４から図１７は、アノード電極層とカソード電極層との配置パターンを示す第１図から第４図である。

　図１４を参照して、４つの各辺のそれぞれに、アノード電極層３のアノード電極層表面露出領域３ａ、および、カソード電極層７のカソード電極層表面露出領域７ａが設けられている。本実施例では、各辺において中央にアノード電極層表面露出領域３ａが設けられ、このアノード電極層表面露出領域３ａを挟むようにカソード電極層表面露出領域７ａが設けられている。

　図１５を参照して、各辺において露出するアノード電極層表面露出領域３ａに電気的に接続される第３電極層１１と、各辺において露出するカソード電極層表面露出領域７ａに電気的に接続される第４電極層１３とが、面方向において電気的にそれぞれ分割された状態で、封止層９の上に形成されている。

　図１６に、第３電極層１１の上面に形成される第１封止金属層１７の形態を示す。十字状に配置された４つの第３電極層１１を電気的に接続するために、十字の形状を有している。第１封止金属層１７の一辺には取出電極１７ａが設けられている。図１７を参照して、第１封止金属層１７の上面に絶縁層１９を形成した後に、全面に第２封止金属層２１が設けられている。第２封止金属層２１の一辺には取出電極２１ａが設けられている。その後、第２封止金属層２１の全面に絶縁層２３が設けられる。

　以上、本実施の形態における面発光装置は、透明な支持基板と、上記支持基板の上に設けられた第１電極層と、上記第１電極層の上に設けられた発光層と、上記発光層の上に設けられた第２電極層と、上記第２電極層の上に設けられた封止層と、上記封止層の上に設けられ、上記第１電極層と電気的に接続される第３電極層と、を備え、上記第１電極層は、側部において上記封止層よりも側方に向けてその表面が露出する第１電極表面露出領域が設けられ、上記第３電極層は、上記第１電極表面露出領域において、上記第１電極層と電気的に接続されている。

　他の側面においては、上記第３電極層は、上記封止層の上に位置する領域と、上記封止層の側部に位置し上記第１電極表面露出領域に接続される領域とが、同一の材料である。

　他の側面においては、上記封止層の上に設けられ、上記第２電極層と電気的に接続される第４電極層をさらに備える。

　他の側面においては、上記第２電極層は、側部において上記封止層よりも側方に向けてその表面が露出する第２電極表面露出領域が設けられ、上記第４電極層は、上記第２電極表面露出領域において、上記第２電極層と電気的に接続されている。

　他の側面においては、上記第４電極層は、上記封止層の上に位置する領域と、上記封止層の側部に位置し上記第２電極表面露出領域に接続される領域とが、同一の材料である。

　他の側面においては、上記第４電極層の上に、上記第４電極層に電気的に接続される第１封止金属層をさらに備える。

　他の側面においては、上記第１封止金属層の上に、第２取出電極をさらに備える。他の側面においては、上記第１電極層および上記第３電極層は透明である。

　他の形態においては、上記第３電極層の上に、上記第３電極層に電気的に接続される第２封止金属層をさらに備える。

　他の形態においては、上記第１封止金属層の上に、第１取出電極をさらに備える。他の形態においては、上記第２電極層は、上記発光層の上に設けられた領域は不透明であり、側部において上記発光層よりも側方において上記支持基板の上に設けられた領域は透明である。

　以上、本実施の形態における面発光装置の製造方法は、透明な支持基板の上に所定形状の第１電極層を形成する工程と、上記第１電極層の上に所定形状の発光層を形成する工程と、上記発光層の上に所定形状の第２電極層を形成する工程と、上記第２電極層の上に封止層を形成する工程と、上記封止層の上に、上記第１電極層と電気的に接続される第３電極層を形成する工程と、を備える。

　上記第１電極層は、側部において上記封止層よりも側方に向けてその表面が露出する第１電極表面露出領域が形成されており、上記第３電極層は、上記第１電極表面露出領域において、上記第１電極層と電気的に接続するように形成されている。

　他の形態においては、上記第３電極層は、上記封止層の上に位置する領域と、上記封止層の側部に位置し上記第１電極表面露出領域に接続される領域とが、同一の材料を用いて形成されている。

　他の形態においては、上記封止層の上に、上記第２電極層と電気的に接続される第４電極層を形成する工程とをさらに含む。

　他の形態においては、上記第２電極層は、側部において上記封止層よりも側方に向けてその表面が露出する第２電極表面露出領域が形成されており、上記第４電極層は、上記第２電極表面露出領域において、上記第２電極層と電気的に接続するように形成されている。

　他の形態においては、上記第４電極層は、上記封止層の上に位置する領域と、上記封止層の側部に位置し上記第２電極表面露出領域に接続される領域とが、同一の材料を用いて形成されている。

　以上、本発明の各実施の形態における面発光装置について説明したが、今回開示された実施の形態および実施例は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。したがって、本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および、範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

　１　支持基板、３　アノード電極層、３ａ　アノード電極層表面露出領域、５　有機ＥＬ層（発光層）、７　カソード電極層、７ａ　カソード電極層表面露出領域、９　封止層、１１　第３電極層、１３　第４電極層、１５　導電性接着剤層、１７　第１封止金属層、１７ａ，２１ａ　取出電極、１９，２３　絶縁層、２１　第２封止金属層、２５　絶縁分離層、１００　面発光装置、ＣＨ１　第１コンタクトホール、ＣＨ２　第２コンタクトホール。

Claims

　透明な支持基板と、
　前記支持基板の上に設けられた第１電極層と、
　前記第１電極層の上に設けられた発光層と、
　前記発光層の上に設けられた第２電極層と、
　前記第２電極層の上に設けられた封止層と、
　前記封止層の上に設けられ、前記第１電極層と電気的に接続される第３電極層と、を備え、
　前記第１電極層は、側部において前記封止層よりも側方に向けてその表面が露出する第１電極表面露出領域が設けられ、
　前記第３電極層は、前記第１電極表面露出領域において、前記第１電極層と電気的に接続されている、面発光装置。
　前記第３電極層は、前記封止層の上に位置する領域と、前記封止層の側部に位置し前記第１電極表面露出領域に接続される領域とが、同一の材料である、請求項１に記載の面発光装置。
　前記封止層の上に設けられ、前記第２電極層と電気的に接続される第４電極層をさらに備える、請求項１または請求項２に記載の面発光装置。
　前記第２電極層は、側部において前記封止層よりも側方に向けてその表面が露出する第２電極表面露出領域が設けられ、
　前記第４電極層は、前記第２電極表面露出領域において、前記第２電極層と電気的に接続されている、請求項３に記載の面発光装置。
　前記第４電極層は、前記封止層の上に位置する領域と、前記封止層の側部に位置し前記第２電極表面露出領域に接続される領域とが、同一の材料である、請求項４に記載の面発光装置。
　前記第４電極層の上に、前記第４電極層に電気的に接続される第１封止金属層をさらに備える、請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の面発光装置。
　前記第１封止金属層の上に、第２取出電極をさらに備える、請求項６に記載の面発光装置。
　前記第１電極層および前記第３電極層は透明である、請求項１から請求項７のいずれかに記載の面発光装置。
　前記第３電極層の上に、前記第３電極層に電気的に接続される第２封止金属層をさらに備える、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の面発光装置。
　前記第２封止金属層の上に、第１取出電極をさらに備える、請求項９に記載の面発光装置。
　前記第２電極層は、前記発光層の上に設けられた領域は不透明であり、
　側部において前記発光層よりも側方において前記支持基板の上に設けられた領域は透明である、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の面発光装置。
　透明な支持基板の上に所定形状の第１電極層を形成する工程と、
　前記第１電極層の上に所定形状の発光層を形成する工程と、
　前記発光層の上に所定形状の第２電極層を形成する工程と、
　前記第２電極層の上に封止層を形成する工程と、
　前記封止層の上に、前記第１電極層と電気的に接続される第３電極層を形成する工程と、
を備え、
　前記第１電極層は、側部において前記封止層よりも側方に向けてその表面が露出する第１電極表面露出領域が形成されており、
　前記第３電極層は、前記第１電極表面露出領域において、前記第１電極層と電気的に接続するように形成されている、
面発光装置の製造方法。
　前記第３電極層は、前記封止層の上に位置する領域と、前記封止層の側部に位置し前記第１電極表面露出領域に接続される領域とが、同一の材料を用いて形成されている、請求項１２に記載の面発光装置の製造方法。
　前記封止層の上に、前記第２電極層と電気的に接続される第４電極層を形成する工程とをさらに含む、請求項１２または請求項１３に記載の面発光装置の製造方法。
　前記第２電極層は、側部において前記封止層よりも側方に向けてその表面が露出する第２電極表面露出領域が形成されており、
　前記第４電極層は、前記第２電極表面露出領域において、前記第２電極層と電気的に接続するように形成されている、請求項１４に記載の面発光装置の製造方法。
　前記第４電極層は、前記封止層の上に位置する領域と、前記封止層の側部に位置し前記第２電極表面露出領域に接続される領域とが、同一の材料を用いて形成されている、請求項１５に記載の面発光装置の製造方法。