JP2013500579A - 封止光電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
【解決手段】封止光電子デバイスは、第１のバリア層と、第１のバリア層と結合するように構成され、共に側面を画成する基板及びエレクトロルミネセンス素子を備えるエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス素子が、基板上に配設された第１の電極と、第２の電極と、それらの間に配設された光電活性層とを備えている、エレクトロルミネセンスデバイスと、エレクトロルミネセンスデバイスと結合するように構成された第２のバリア層と、第１のバリア層と第２のバリア層の間に配置されてそれらと接触し、少なくともエレクトロルミネセンスデバイスの側面と結合してエレクトロルミネセンスデバイスを第１のバリア層と第２のバリア層の間に封止するように構成された接着剤と、第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第１の導電領域であって、第１の電極と電気的に結合し、第２の電極及び第２の導電領域から電気的に絶縁されている第１の導電領域と、第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第２の導電領域であって、第２の電極と電気的に結合し、第１の電極及び第１の導電領域から電気的に絶縁されている第２の導電領域とを含む。封止光電子デバイスの製造方法も提供する。
【選択図】図１
【解決手段】封止光電子デバイスは、第１のバリア層と、第１のバリア層と結合するように構成され、共に側面を画成する基板及びエレクトロルミネセンス素子を備えるエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス素子が、基板上に配設された第１の電極と、第２の電極と、それらの間に配設された光電活性層とを備えている、エレクトロルミネセンスデバイスと、エレクトロルミネセンスデバイスと結合するように構成された第２のバリア層と、第１のバリア層と第２のバリア層の間に配置されてそれらと接触し、少なくともエレクトロルミネセンスデバイスの側面と結合してエレクトロルミネセンスデバイスを第１のバリア層と第２のバリア層の間に封止するように構成された接着剤と、第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第１の導電領域であって、第１の電極と電気的に結合し、第２の電極及び第２の導電領域から電気的に絶縁されている第１の導電領域と、第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第２の導電領域であって、第２の電極と電気的に結合し、第１の電極及び第１の導電領域から電気的に絶縁されている第２の導電領域とを含む。封止光電子デバイスの製造方法も提供する。
【選択図】図１
Description
本発明は、一般に封止構造及び封止構造の製造方法に関する。特に、本発明は、封止光電子デバイス及び封止光電子デバイスの製造方法に関する。
光電子デバイス、例えば有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）は、一般に、ガラス又はシリコンなどの基板上に複数の薄膜層を形成してなる。有機発光固体の発光層及び任意構成要素としての隣接半導体層は、カソードとアノードの間に挟まれるように配置される。半導体層は、正孔注入層又は電子注入層のいずれでもよい。発光層は、多数の有機蛍光固体又は有機リン光固体から選択すればよく、複数の部分層から形成してもよいが、単一の混合層から形成してもよい。
アノードとカソードの間に電位差が印加されると、電子は、カソードから任意構成要素としての電子注入層に移動し、最終的に有機材料からなる層に流入する。同時に、正孔は、アノードから任意構成要素としての正孔注入層へ移動し、最終的に同じ有機発光層に流入する。正孔及び電子は、有機材料の層で合流すると結合して光子を発生する。光子の波長は、光子が発生する有機材料の材料特性に依存し、選択される有機材料の種類、選択されるドーパントの種類又は当技術分野で公知の他の技術によって、ＯＬＥＤから放射される光の色を調整できる。
通常のＯＬＥＤにおいて、放射光が通過できるようにするために、アノード又はカソードのいずれか一方は透明である。ＯＬＥＤの両面から光を放射できることが望ましい場合、アノード及びカソードの双方が透明であってもよい。
ＯＬＥＤは、起動電圧が低いこと、応答時間が短いこと、輝度が高いこと、可視度が高いこと及び製造処理が複雑でないことなどの幾つかの有益な特徴を有する。従って、ＯＬＥＤは、ディスプレイ及び一般的な照明に適用するのに有望な技術である。
しかし、今日に至るまでＯＬＥＤの開発は大幅に進められてきたにもかかわらず、さらなる問題が依然として解決されないままになっている。例えば、ＯＬＥＤは長期安定性に関連する難題に直面し続けている。ＯＬＥＤの普及を妨げている問題点の１つは、デバイス及び場合によっては電極を構成している有機ポリマー又は分子の小さい材料が周囲環境の影響を受けやすいことである。特に、水分及び／又は酸素が存在するところでデバイスの性能が劣化することは周知である。
さらに、ＯＬＥＤなどの封止光電子デバイスの間を電気的に接続することが望ましいだろう。従って、光電子デバイスの新たな改善された封止構造及びその製造方法が必要とされる。
１つの態様では、本発明は、（ａ）第１のバリア層と、（ｂ）第１のバリア層と結合するように構成され、共に側面を画成する基板及びエレクトロルミネセンス素子を備えるエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス素子が、基板上に配設された第１の電極と、第２の電極と、それらの間に配設された光電活性層とを備えている、エレクトロルミネセンスデバイスと、（ｃ）エレクトロルミネセンスデバイスと結合するように構成された第２のバリア層と、（ｄ）第１のバリア層と第２のバリア層の間に配置され、少なくともエレクトロルミネセンスデバイスの側面と結合してエレクトロルミネセンスデバイスを第１のバリア層と第２のバリア層の間に封止するように構成された接着剤と、（ｅ）第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第１の導電領域であって、第１の電極と電気的に結合し、第２の電極及び第２の導電領域から電気的に絶縁されている第１の導電領域と、（ｆ）第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第２の導電領域であって、第２の電極と電気的に結合し、第１の電極及び第１の導電領域から電気的に絶縁されている第２の導電領域とを備える封止光電子デバイスに関する。
別の態様では、本発明は、封止光電子デバイスの製造方法であって、（ａ）第１のバリア層を用意する工程と、（ｂ）第１のバリア層と結合するように構成され、共に側面を画成する基板及びエレクトロルミネセンス素子を備えるエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス素子が、基板上に配設された第１の電極と、第２の電極と、それらの間に配設された光電活性層とを備える、エレクトロルミネセンスデバイスを用意する工程と、（ｃ）エレクトロルミネセンスデバイスと結合するように構成された第２のバリア層を用意する工程と、（ｄ）第１のバリア層と第２のバリア層の間に配置され、少なくともエレクトロルミネセンスデバイスの側面と結合してエレクトロルミネセンスデバイスを第１のバリア層と第２のバリア層の間に封止するように構成された接着剤を用意する工程と、（ｅ）第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第１の導電領域であって、第１の電極と電気的に結合し、第２の電極及び第２の導電領域から電気的に絶縁されている第１の導電領域を用意する工程と、（ｆ）第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第２の導電領域であって、第２の電極と電気的に結合し、第１の電極及び第１の導電領域から電気的に絶縁されている第２の導電領域を用意する工程とを含む方法に関する。
別の態様では、本発明は、（ａ）第１のバリア層と、（ｂ）第１のバリア層と結合するように構成され、共に側面を画成する基板及びエレクトロルミネセンス素子を備えるエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス素子が、基板上に配設された第１の電極と、第２の電極と、それらの間に配設された光電活性層とを備えている、エレクトロルミネセンスデバイスと、（ｃ）エレクトロルミネセンスデバイスと結合するように構成された第２のバリア層と、（ｄ）第１のバリア層と第２のバリア層の間に配置され、少なくとも前記側面と結合してエレクトロルミネセンスデバイスを第１のバリア層と第２のバリア層の間に封止するように構成された接着剤と、（ｅ）第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する導電領域であって、エレクトロルミネセンスデバイスの第１の電極及び第２の電極の一方の電極と電気的に結合し、他方の電極から電気的に絶縁されている導電領域とを備える封止光電子デバイスに関する。
本発明の上記の態様、特徴及び利点並びに他の態様、特徴及び利点は、添付の図面と関連させて以下の詳細な説明を参照することによりさらに明らかになるだろう。図中、同一の図中符号は同一の部分を示す。
本発明の第１の実施形態に係る封止光電子デバイスを示す概略展開図。
図１の封止光電子デバイスを示す概略実装図。
図２の封止光電子デバイスを示す概略平面図。
本発明の第２の実施形態に係る封止光電子デバイスを示す概略実装図。
本発明の第３の実施形態に係る封止光電子デバイスを示す概略実装図。
本発明の第４の実施形態に係る光電子デバイスを示す概略実装図。
本発明の第５の実施形態に係る光電子デバイスを示す概略実装図。
本発明の第６の実施形態に係る光電子デバイスを示す概略実装図。
本発明の第７の実施形態に係る２つの光電子デバイスを示す概略実装図。
本発明の第８の実施形態に係る３つの光電子デバイスを示す概略平面図。
添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。図中、同一の図中符号は同一の部分を示す。以下の説明において、開示内容を無用に詳細に説明するのを避けるために、公知の機能又は構成は詳細には説明されない。特に指示のない限り、単数形は複数形を含む。
図１〜図３は、それぞれ、本発明の第１の実施形態に係る封止光電子デバイス１０を示す概略展開図、概略実装図及び概略平面図である。図１〜図３に示すように、光電子デバイス１０は、第１のバリア層１２と、第１のバリア層１２と結合するように構成され、共に側面１４４を画成する基板１４０及びエレクトロルミネセンス素子１４２を備えるエレクトロルミネセンスデバイス１４とを備える。エレクトロルミネセンス素子１４２は、基板１４０上に配設された第１の電極１４６と、第２の電極１４８と、第１の電極１４６と第２の電極１４８の間に配設された光電活性層１４１とを備える。第２のバリア層１６は、エレクトロルミネセンスデバイス１４と結合するように構成される。接着剤１８は、第１のバリア層１２と第２のバリア層１６の間に配置され、少なくともエレクトロルミネセンスデバイス１４の側面１４４と結合してエレクトロルミネセンスデバイス１４を第１のバリア層１２と第２のバリア層１６の間に封止するように構成される。第１の導電領域１１は、第１のバリア層１２上に設けられ、第１のバリア層１２と第２のバリア層１６の間に位置し、第１の電極１４６と電気的に結合し、第２の電極１４８及び第２の導電領域１３から電気的に絶縁されるように構成される。第２の導電領域１３は、第１のバリア層１２上に設けられ、第１のバリア層１２と第２のバリア層１６の間に位置し、第２の電極１４８と電気的に結合し、第１の電極１４６及び第１の導電領域１１から電気的に絶縁されるように構成される。
例示した実施形態では、第１の電極１４６及び第２の電極１４８の上に２つの導電性素子１５が配置され、導電性素子１５の上に導電性材料２２を設けて、第１の電極１４６を対応する第１の導電領域１１と対面接触で電気的に接続し、第２の電極１４８を対応する第２の導電領域１３と対面接触で電気的に接続する。けがき線２１は、第１の電極１４６と第２の電極１４８とを電気的に絶縁する。けがき線２１は電気導電性ではなく、レーザーを使用して刻印されるか、機械的に刻印されるか又は化学的エッチングにより刻印された空隙である。或いは、けがき線２１の代わりに絶縁体を用いてもよい。他の実施形態では、第１の電極１４６と第２の電極１４８の間に電気的短絡が起こらないように層の境界が位置決めされるので、空隙又は絶縁体は不要である。例えば、光電活性層１４１でその空隙を充填できるだろう。例示した実施形態では、第２の接着剤層１７は第１のバリア層１２上に直接配設され、第１の導電領域１１及び第２の導電領域１３は第２の接着剤層１７上に直接配設される。第２の接着剤層１７は、第１の導電領域１１及び第２の導電領域１３を第１のバリア層１２から電気的に絶縁する。第２の電極１４８を第１の導電領域１１及び第２の導電領域１３から電気的に絶縁するために、第２の電極１４８上に第１の保護層１９が配設される。第３の接着剤層２０は、基板１４０と第２のバリア層１６の間に配設される。
図１〜図３に示すように、一例では、特に限定されないが、第１のバリア層１２及び第２のバリア層１６は互いに平行に配設してもよい。接着剤１８は、エレクトロルミネセンスデバイス１４を密封するために第１のバリア層１２と第２のバリア層１６の間に配置され、第１のバリア層１２及び第２のバリア層１６を接続してもよい。例示した実施形態では、側面１４４は、エレクトロルミネセンス素子１４２の第１の側面１４００及び基板１４０の第２の側面１４２０を含む。幾つかの例では、特に限定されないが、接着剤１８は、側面１４００及び／又は側面１４２０を密封するために少なくとも第１の側面１４００及び第２の側面１４２０のうち１つ以上に適切な幅で結合してもよい。一例では、エレクトロルミネセンスデバイス１４を酸素及び水分などの環境危険要素から密封するために、接着剤１８は、第３の接着剤層２０、第１の導電領域１１及び第２の導電領域１３と協働するように第１の側面１４００及び第２の側面１４２０の双方に配設してもよい。
別の態様では、封止光電子デバイス１０の製造方法は、第１のバリア層１２を用意する工程と、第１のバリア層１２と結合するように構成され、共に側面１４４を画成する基板１４０及びエレクトロルミネセンス素子１４２を備えるエレクトロルミネセンスデバイス１４であって、エレクトロルミネセンス素子１４２が、基板１４０上に配設された第１の電極１４６と、第２の電極１４８と、第１の電極１４６と第２の電極１４８の間に配設された光電活性層１４１とを備えるエレクトロルミネセンスデバイス１４を用意する工程と、エレクトロルミネセンスデバイス１４と結合するように構成された第２のバリア層１６を用意する工程と、第１のバリア層と第２のバリア層の間に配置され、少なくともエレクトロルミネセンスデバイス１４の側面１４４と結合してエレクトロルミネセンスデバイス１４を第１のバリア層と第２のバリア層の間に封止するように構成された接着剤１８を用意する工程と、第１のバリア層１２上に設けられ、第１のバリア層１２と第２のバリア層１６の間に位置し、第１の電極１４６と電気的に結合し、第２の電極１４８及び第２の導電領域１３から電気的に絶縁されるように構成された第１の導電領域１１を用意する工程と、第１のバリア層１２上に設けられ、第１のバリア層１２と第２のバリア層１６の間に位置し、第２の電極１４８と電気的に結合し、第１の電極１４６及び第１の導電領域１１から電気的に絶縁されるように構成された第２の導電領域１３を用意する工程とを含む。
製造又は実装は、積層処理によって達成し得る。導電領域１１及び１３は、第１のバリア層１２上に蒸着される。密封接着剤２０は第２のバリア層１６上に蒸着される。第１のバリア層、ＯＬＥＤデバイス及び第２のバリアはすべて相対的に位置が整合するように位置決めされる。積層は、真空中又は制御された雰囲気の中で適切な熱及び圧力を適切な時間加えることにより実行される。処理はバッチ処理でもよいが、連続ロールツーロール処理でもよい。図３の矢印２６は、連続ロールツーロール処理におけるウェブの移動方向を示す。
図４は、本発明の第２の実施形態に係る封止光電子デバイス１００の概略実装図である。図１〜図４において、同一の図中符号は同様の素子を示す。封止光電子デバイス１００は、第１のバリア層１２が基板１４０上に配設され、第１の電極１４６及び第２の電極１４８の導電性素子１５が第１の導電領域１１及び第２の導電領域１３と、対面接触での電気的接続ではなく、ワイヤ２７を介して電気的に接続されている点以外は、封止光電子デバイス１０と同様である。第１のバリア層１２は透明である。第４の接着剤層２８は、基板１４０と第１の導電領域１１及び第２の導電領域１３との間に配設される。第３の保護層２３は第２の電極１４８上に配設される。第５の接着剤層２９は第３の保護層２３上に配設される。
図５は、本発明の第３の実施形態に係る封止光電子デバイス２００の概略実装図である。封止光電子デバイス２００は、第２のバリア層１６が基板１４０と第１の電極１４６の間に配設される点以外は、封止光電子デバイス１０と同様である。従って、第２のバリア層１６は基板１４０と一体であり、薄型の封止光電子デバイスが望まれる幾つかの用途に適合するように、光電子デバイス２００の総厚を減少させることができる。
図６は、本発明の第４の実施形態に係る封止光電子デバイス３００の概略実装図である。封止光電子デバイス３００は、第２の保護層２４が第１の保護層１９上に配設される点以外は、封止光電子デバイス２００と同様である。第２の保護層２４は、適切な接着剤（図示せず）で第１の保護層１９に接合させたアルミニウム箔であってもよい。
図７は、本発明の第５の実施形態に係る封止光電子デバイス４００の概略実装図である。封止光電子デバイス４００は、第２の電極層１４８と第２の接着剤層１７の間に第６の接着剤層２５が配置される点以外は、封止光電子デバイス３００と同様である。第６の接着剤層２５は、第２の電極１４８と第２の接着剤層１７の間に直接配設してもよいが、実施形態によっては、第２の電極１４８と第１の保護層１９及び第２の保護層２４のうちいずれかの保護層（図示せず）の間に直接配設してもよい。
図８は、封止光電子デバイス５００の第１のバリア層１２が不透明金属膜であり、導電性材料２２を介して第２の電極１４８と直接電気的に接続する本発明の第６の実施形態を示す。本実施形態では、導電性材料２２を介して第１の電極１４６と電気的に接続する導電領域１１はただ１つしかない。第２のバリア層１６は透明である。封止光電子デバイス５００は、本発明の趣旨からまったく逸脱することなく変形し得る。例えば、第２の電極１４８ではなく、第１の電極１４６が第１のバリア層１２と直接電気的に接続し、第１の電極１４６ではなく、第２の電極１４８が導電領域１３（図８には図示せず）と電気的に接続してもよい。
図１〜図７において、第１のバリア層１２と第２のバリア層１６の間にただ１つのエレクトロルミネセンスデバイス１４しか示していないが、第１のバリア層１２と第２のバリア層１６の間に複数のエレクトロルミネセンスデバイス１４及びそれに対応する構造（例えば、第１の導電領域１１及び第２の導電領域１３）が存在していてもよい。例えば複数のエレクトロルミネセンスデバイス１４は、隣接するエレクトロルミネセンスデバイスが第１の導電領域１１及び第２の導電領域１３のうち一方又は双方を共有し、第１の導電領域１１及び第２の導電領域１３のうち幾つかが外部からアクセスできるように配列してもよい。
図９は、本発明の第７の実施形態に係る直列に電気的に接続された２つの光電子デバイス６００、７００の概略実装図である。光電子デバイス６００の第１の電極１４６及び隣接する光電子デバイス７００の第３の電極１５０は、光電子デバイス６００、７００の間の共通する内部導電領域１１ａと電気的に接続する。光電子デバイス６００、７００の外側面にある導電領域１１、１３は外部からアクセスできる。或いは、他の実施形態では、光電子デバイス６００、７００の外側面にある導電領域１１、１３は、内部導電領域１１ａが光電子デバイス６００、７００と接続するのと同様に他の光電子デバイス（図示せず）と電気的に接続する。幾つかの実施形態では、光電子デバイス６００の第１の電極１４６及び光電子デバイス７００の第４の電極１５２は、同一の極性を有してもよい。例えば、電極１４６及び１５２は共にアノードであってもよい。光電子デバイス６００の第２の電極１４８及び光電子デバイス７００の第３の電極１５０は、同一の極性を有してもよい。例えば、電極１４８及び１５０は共にカソードであってもよい。
図１０は、本発明の第８の実施形態に係る並列に電気的に接続された３つの光電子デバイス８００、９００、１０００の概略平面図である。光電子デバイス８００、９００、１０００の第１の電極（図中符号なし）は共通導電領域１１に接続され、光電子デバイス８００、９００、１０００の第２の電極（図中符号なし）は共通導電領域１３に接続される。他の実施形態では、２つの光電子デバイス又は４つ以上の光電子デバイスが並列に接続してもよい。
本発明の実施形態では、エレクトロルミネセンスデバイス１４は「ＯＬＥＤ」（有機発光ダイオード）又は「ＰＬＥＤ」（ポリマー発光ダイオード）であってもよい。当技術分野で公知の通り、光電活性層１４１は、光を放射するためにアノード及びカソードと協働する単一の層又は２つ以上の部分層であってもよい。アノード及びカソードは、光電活性層１４１の中へキャリア、すなわち、正孔及び電子を注入し、光電活性層１４１において、それらのキャリアは再結合して励起分子、すなわち、励起子を形成する。励起子は、分子又は励起子が崩壊するときに光を放射する。分子により放射される光の色は、分子又は励起子の励起状態と接地状態とのエネルギー差によって決まる。幾つかの例では、特に限定されないが、光電活性層は約５０〜５００ｎｍの厚さを有してもよく、各電極は約１００〜１０００ｎｍの厚さを有してもよい。
幾つかの例では、特に限定されないが、基板１４０はガラス、金属箔、プラスチック又はポリマー材料から形成してもよい。プラスチック又はポリマー材料は、可撓性デバイスを製造するのに有用だろう。そのような材料は、ポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）、ポリ（ブチレンテレフタレート）（ＰＢＴ）、ポリ（エチレンナフタレート）（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリスルホン（ＰＳＯ）、ポリ（ｐ‐フェニレンエーテルスルホン）（ＰＥＳ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ（塩化ビニル）（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）及びポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）などでもよい。さらに、基板として使用可能な他の材料が採用し得る。
幾つかの実施形態では、第１の電極１４６はアノードとして機能してもよく、第２の電極１４８はカソードとして機能してもよい。アノードは透明基板１４０に成膜された酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含み、カソードはアルミニウムから形成される。これはボトムエミッション型構成と呼ばれる。第２のバリア層１６は透明であり、第１のバリア層１２は不透明でも、透明でもよい。他の実施形態では、光電子デバイスはトップエミッション型構成（図示せず）として構成されてもよく、当業者が容易になし得る。すなわち、その場合、第１の電極１４６はカソードとして機能してもよく、第２の電極１４８はアノードとして機能してもよい。従って、種々の用途に応じて、基板１４０、第１のバリア層１２及び第２のバリア層１６は不透明でもよいし、透明であってもよい。トップエミッション型構成及びボトムエミッション型構成の双方において、導電領域１１、１１ａ及び１３は、光電活性層からの光の放射を阻止しないように構成される。
本発明の実施形態では、相対的に低い電圧によってカソードからの電子の放射が起こるように、カソードは一般に小さい仕事関数値を有する材料から形成し得る。幾つかの実施形態では、カソードは、アルミニウム以外に、カルシウム、或いは銀、マグネシウム又はマグネシウム／銀合金などの金属から形成し得る。或いは、電子注入を改善するために、カソードを２層で構成してもよい。カソードは、ＬｉＦ又はＮａＦのいずれかの薄い内側層とそれに続くアルミニウム又は銀の厚い外側層から形成してもよいし、或いはカルシウムの薄い内側層とそれに続くアルミニウム又は銀の厚い外側層から形成してもよい。
一般にアノードは、高い作業関数値を有する材料から形成してもよい。幾つかの実施形態では、有機発光層で発生された光がルミネセンスデバイス１０から伝播できるように、アノードは透明であってもよい。幾つかの例では、アノードは、ＩＴＯ以外に、酸化物、ニッケル又は金から形成してもよく、蒸着又はスパッタリングなどの従来の気相成長技術で形成し得る。
接着剤は同一の材料であってもよい。接着剤を塗工するために、分注、スクリーン印刷及び密着印刷などの種々の技術を用いてもよい。本発明の実施形態では、接着剤は熱可塑性でも熱硬化性でもよく、約５０μｍ以下、約２５μｍ以下又は約１２μｍ以下の薄さとし得る。従って、封止構造は、水分及び／又は酸素の侵入を防止するための長い側方経路を形成してもよい。一例では、接着剤の厚さは５０μｍであると仮定すると、第１の側面又は第２の側面におけるシール幅は１０ｍｍとし得る。これからわかるように、幅と厚さの比が大きいので、側方経路からの水分侵入は難しくなるだろう。要求される種々の条件に応じて、封止構造の寸法は適切に変更し得る。
接着剤は、例えば、電気絶縁性であり、低価格、広い面積での処理しやすさ並びに透明度、水分透過率の低さ及び高い接着力を考慮して選択されてもよく、水分及び／又は酸素がＯＬＥＤデバイス１４に到達するのを阻止するために水分及び／又は酸素を吸収する力を有してもよい。幾つかの例では、特に限定されないが、接着剤は、エポキシ、アクリルウレタン、シリコーン、ゴム、ビニル又はポリオレフィンなどのポリマー材料から形成してもよい。
保護層は、電気絶縁性被膜であってもよく、有機材料又は無機材料から形成してもよい。保護層の保護材料の例は、エポキシ又はウレタンなどの熱硬化性材料並びにオレフィン、アミン及びアクリルなどの熱可塑性材料を含むが、これらに限定されない。それらの材料は、積層又は被覆などで塗工した後に硬化してもよい。他の例では、材料は、第２相充填材を含んでもよく、これは有機材料又はシリカなどの無機材料のいずれでもよい。
本発明の実施形態では、第１のバリア層１２及び第２のバリア層１６は、エレクトロルミネセンス素子１４２の領域の中への水分及び酸素の拡散を防止するように構成してもよい。幾つかの例では、特に限定されないが、第１のバリア層１２及び第２のバリア層１６は、それぞれ連続する層であり、有機材料、無機材料又は金属箔などの材料から形成してもよい。有機材料は、炭素、水素、酸素、イオウ、窒素及び／又はケイ素などを含んでもよい。無機材料は、酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物、酸窒化物、酸炭化物又はこれらの組合せを含んでもよい。金属箔は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）又はクロム（Ｃｒ）などを含んでもよい。
或いは、第１のバリア層１２及び第２のバリア層１６は混成有機／無機材料などから形成してもよい。有機材料は、アクリル酸塩、エポキシ、エポキシアミン、キシレン、シロキサン、シリコーンなどを含んでもよい。一例では、第２のバリア層１６は、ガラス、プラスチック、或いは基板１４０の材料と同様にＰＥＴ、ＰＢＴ、ＰＥＮ、ＰＣ、ＰＩ、ＰＳＯ、ＰＥＳ、ＰＥ、ＰＰ、ＰＶＣ、ＰＳ及びＰＭＭＡなどのポリマー材料から形成してもよい。第１のバリア層１２は、Ａｌ、Ａｇ又はＣｒなどの反射材料から形成してもよい。他の例では、第１のバリア層１２は、反射材料の被膜を有する材料から形成してもよい。例えば、ガラス、プラスチック又はポリマー材料が金属で被覆してもよい。反射被膜を有する第１のバリア層１２は、ほぼ透明な可撓性基板１４０から放出されるあらゆる放射を反射し、反射された放射を可撓性基板１４０に向けて誘導することにより、この方向に放射される放射の総量を増加させることができる。ある特定の実施形態では、第１のバリア層１２は、酸素及び水分などの反応性環境要素をエレクトロルミネセンス素子１４２の中への拡散を防止するための材料を含むという利点を有してもよい。例示した実施形態では、第２のバリア層１６は可撓性であり、ＰＥＴから形成され、第１のバリア層１２は反射アルミニウム箔から形成される。
第１の導電領域１１、１１ａ及び第２の導電領域１３は、第１のバリア層１２上にプリントされ、幾つかの実施形態では第２の接着剤層１７上にプリントされた電気回路の一部である。幾つかの実施形態では、第１のバリア層１２は非導電性であり、導電領域１１、１１ａ及び１３は、第１のバリア層１２上に直接プリントされ、第２の接着剤層１７は省略される。第１の導電領域１１、１１ａ及び第２の導電領域１３は互いに電気的に絶縁され、少なくともそのうち幾つかの導電領域は、例えば、別の封止光電子デバイスなどの外部素子と電気的に接続可能であるように外部からアクセスできる。
典型的な実施形態により開示内容を例示し、説明したが、本発明の趣旨からまったく逸脱することなく種々の変形及び代替を実施可能であるので、示される詳細に本発明を限定することは意図されない。従って、本明細書における開示内容のその他の変形及びその均等物は、日常的な実験作業以上のものを使用することなく当業者には明らかであり、そのような変形及び均等物は、添付の特許請求の範囲により定義される本開示内容の趣旨及び範囲の中にすべて含まれると考えられる。
１０ 封止光電子デバイス
１１ 第１の導電領域
１１ａ 内部導電領域
１２ 第１のバリア層
１３ 第２の導電領域
１４ エレクトロルミネセンスデバイス
１５ 導電素子
１６ 第２のバリア層
１７ 第２の接着剤層
１８ 接着剤
１９ 第１の保護層
２０ 第３の接着剤層
２１ けがき線
２２ 導電性材料
２３ 第３の保護層
２４ 第２の保護層
２５ 第６の接着剤層
２６ 矢印
２７ ワイヤ
２８ 第４の接着剤層
２９ 第５の接着剤層
１００ 封止光電子デバイス
１４０ 基板
１４１ 光電活性層
１４２ エレクトロルミネセンス素子
１４４ 側面
１４６ 第１の電極
１４８ 第２の電極
１５０ 第３の電極
１５２ 第４の電極
２００ 封止光電子デバイス
３００ 封止光電子デバイス
４００ 封止光電子デバイス
５００ 封止光電子デバイス
６００ 光電子デバイス
７００ 光電子デバイス
８００ 光電子デバイス
９００ 光電子デバイス
１０００ 光電子デバイス
１４００ 第１の側面
１４２０ 第２の側面
１１ 第１の導電領域
１１ａ 内部導電領域
１２ 第１のバリア層
１３ 第２の導電領域
１４ エレクトロルミネセンスデバイス
１５ 導電素子
１６ 第２のバリア層
１７ 第２の接着剤層
１８ 接着剤
１９ 第１の保護層
２０ 第３の接着剤層
２１ けがき線
２２ 導電性材料
２３ 第３の保護層
２４ 第２の保護層
２５ 第６の接着剤層
２６ 矢印
２７ ワイヤ
２８ 第４の接着剤層
２９ 第５の接着剤層
１００ 封止光電子デバイス
１４０ 基板
１４１ 光電活性層
１４２ エレクトロルミネセンス素子
１４４ 側面
１４６ 第１の電極
１４８ 第２の電極
１５０ 第３の電極
１５２ 第４の電極
２００ 封止光電子デバイス
３００ 封止光電子デバイス
４００ 封止光電子デバイス
５００ 封止光電子デバイス
６００ 光電子デバイス
７００ 光電子デバイス
８００ 光電子デバイス
９００ 光電子デバイス
１０００ 光電子デバイス
１４００ 第１の側面
１４２０ 第２の側面
Claims (24)
- 第１のバリア層と、
第１のバリア層と結合するように構成され、共に側面を画成する基板及びエレクトロルミネセンス素子を備えるエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス素子が、基板上に配設された第１の電極と、第２の電極と、それらの間に配設された光電活性層とを備えている、エレクトロルミネセンスデバイスと、
エレクトロルミネセンスデバイスと結合するように構成された第２のバリア層と、
第１のバリア層と第２のバリア層の間に配置され、少なくともエレクトロルミネセンスデバイスの側面と結合してエレクトロルミネセンスデバイスを第１のバリア層と第２のバリア層の間に封止するように構成された接着剤と、
第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第１の導電領域であって、第１の電極と電気的に結合し、第２の電極及び第２の導電領域から電気的に絶縁されている第１の導電領域と、
第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第２の導電領域であって、第２の電極と電気的に結合し、第１の電極及び第１の導電領域から電気的に絶縁されている第２の導電領域と
を備える封止光電子デバイス。 - 第１の電極及び第２の電極に配置された２つの導電性素子をさらに備える、請求項１記載の封止光電子デバイス。
- 第１の電極及び第２の電極が、それぞれ対応する第１の導電領域及び第２の導電領域と対面接触で電気的に接続する、請求項２記載の封止光電子デバイス。
- 第１のバリア層上に直接設けられた第２の接着剤層をさらに備えており、第１の導電領域及び第２の導電領域が第２の接着剤層上に直接配設される、請求項３記載の封止光電子デバイス。
- 第２の電極を第１の導電領域及び第２の導電領域から電気的に絶縁するために第２の電極上に配設された第１の保護層をさらに備える、請求項４記載の封止光電子デバイス。
- 第１の保護層上に配設された第２の保護層をさらに備える、請求項５記載の封止光電子デバイス。
- 第２のバリア層が透明である、請求項６記載の封止光電子デバイス。
- 基板と第２のバリア層の間に設けられた第３の接着剤層をさらに備える、請求項７記載の封止光電子デバイス。
- 第２のバリア層が基板と第１の電極の間に配設される、請求項７記載の封止光電子デバイス。
- 第１のバリア層が基板上に配設され、エレクトロルミネセンスデバイスが第１の導電領域と第２の導電領域とをワイヤを介して電気的に接続するための２つの導電性素子を備える、請求項１記載の封止光電子デバイス。
- 第１のバリア層が透明である、請求項１０記載の封止光電子デバイス。
- 第２のバリア層上に直接設けられた第４の接着剤層と、第４の接着剤層と第２の電極の間に配設された第３の保護層とをさらに備える、請求項１１記載の封止光電子デバイス。
- 第１のバリア層及び第２のバリア層が各々連続している、請求項１記載の封止光電子デバイス。
- 前記接着剤が電気絶縁性である、請求項１記載の封止光電子デバイス。
- 第１の導電領域及び第２の導電領域が、第１のバリア層上にプリントされた電気回路の一部である、請求項１記載の封止光電子デバイス。
- 第２のエレクトロルミネセンスデバイスをさらに備える、請求項１記載の封止光電子デバイス。
- 第１の導電領域及び第２の導電領域が外部からアクセスできる、請求項１記載の封止光電子デバイス。
- 封止光電子デバイスの製造方法であって、
第１のバリア層を用意する工程と、
第１のバリア層と結合するように構成され、共に側面を画成する基板及びエレクトロルミネセンス素子を備えるエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス素子が、基板上に配設された第１の電極と、第２の電極と、それらの間に配設された光電活性層とを備える、エレクトロルミネセンスデバイスを用意する工程と、
エレクトロルミネセンスデバイスと結合するように構成された第２のバリア層を用意する工程と、
第１のバリア層と第２のバリア層の間に配置されてそれらと接触し、少なくともエレクトロルミネセンスデバイスの側面と結合してエレクトロルミネセンスデバイスを第１のバリア層と第２のバリア層の間に封止するように構成された接着剤を用意する工程と、
第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第１の導電領域であって、第１の電極と電気的に結合し、第２の電極及び第２の導電領域から電気的に絶縁されている第１の導電領域を用意する工程と、
第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第２の導電領域であって、第２の電極と電気的に結合し、第１の電極及び第１の導電領域から電気的に絶縁されている第２の導電領域を用意する工程と
を含む方法。 - 第１の電極上及び第２の電極上に２つの導電性素子を設けることを含む、請求項１８記載の方法。
- 第１の導電領域及び第２の導電領域が、第１のバリア層上にプリントされた電気回路の一部である、請求項１８記載の方法。
- 第１のバリア層と、
第１のバリア層と結合するように構成され、共に側面を画成する基板及びエレクトロルミネセンス素子を備えるエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス素子が、基板上に配設された第１の電極と、第２の電極と、それらの間に配設された光電活性層とを備えている、エレクトロルミネセンスデバイスと、
エレクトロルミネセンスデバイスと結合するように構成された第２のバリア層と、
第１のバリア層と第２のバリア層の間に配置され、少なくとも前記側面と結合してエレクトロルミネセンスデバイスを第１のバリア層と第２のバリア層の間に封止するように構成された接着剤と、
第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する導電領域であって、エレクトロルミネセンスデバイスの第１の電極及び第２の電極の一方の電極と電気的に結合し、他方の電極から電気的に絶縁されている導電領域と
を備える封止光電子デバイス。 - エレクトロルミネセンスデバイスに隣接して構成され、第１の電極及び第２の電極の一方の電極に隣接する第３の電極を備える第２のエレクトロルミネセンスデバイスが存在していて、第３の電極と第１の電極及び第２の電極の前記一方の電極とが導電領域に電気的に接続されている、請求項２１記載の封止光電子デバイス。
- 第３の電極が、第１の電極及び第２の電極の前記一方の電極と極性が異なる、請求項２２記載の封止光電子デバイス。
- 第３の電極が、第１の電極及び第２の電極の前記一方の電極と極性が同一である、請求項２２記載の封止光電子デバイス。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015185241A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 東芝ライテック株式会社 | 発光パネル及び照明器具 |
| JP2016510874A (ja) * | 2013-03-08 | 2016-04-11 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品を測定および最適化する方法および装置 |
| JP2016110858A (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | コニカミノルタ株式会社 | 面発光モジュール |
| WO2017191800A1 (ja) * | 2016-05-06 | 2017-11-09 | コニカミノルタ株式会社 | 面発光装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010023550B4 (de) * | 2010-06-03 | 2015-02-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Beleuchtungselement |
| US8785220B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-07-22 | Koninklijke Philips N.V. | Organic electroluminescent device |
| WO2012073650A1 (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | 株式会社カネカ | 有機ｅｌ装置 |
| KR20120065136A (ko) | 2010-12-10 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치와 이의 제조 방법 및 이의 제조 설비 |
| KR101771162B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2017-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101769068B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2017-08-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20120066352A (ko) * | 2010-12-14 | 2012-06-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US8692457B2 (en) | 2010-12-20 | 2014-04-08 | General Electric Company | Large area light emitting electrical package with current spreading bus |
| CN103247610B (zh) * | 2012-02-10 | 2016-08-24 | 英特赛尔美国有限公司 | 光电子器件和制造光电子器件的方法 |
| DE102012205625A1 (de) | 2012-04-05 | 2013-10-10 | Ledon Oled Lighting Gmbh & Co. Kg | Lichtabgabevorrichtung mit einem OLED-Element |
| TW201417363A (zh) * | 2012-10-19 | 2014-05-01 | Ultimate Image Corp | 有機發光二極體照明裝置 |
| BE1024011B1 (fr) * | 2012-11-29 | 2017-10-27 | Agc Glass Europe | Dispositif organique électronique ou optoélectronique laminé |
| JP2014150197A (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-21 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明器具 |
| DE102013113190A1 (de) * | 2013-11-28 | 2015-05-28 | Osram Oled Gmbh | Elektronisches Bauteil |
| US10712454B2 (en) | 2014-07-25 | 2020-07-14 | General Electric Company | X-ray detectors supported on a substrate having a metal barrier |
| US9513380B2 (en) | 2014-07-25 | 2016-12-06 | General Electric Company | X-ray detectors supported on a substrate having a surrounding metal barrier |
| EP2993713B1 (en) * | 2014-09-08 | 2019-11-20 | OLEDWorks GmbH | Lamp comprising two organic light emitting diodes |
| CN107615883B (zh) * | 2015-06-15 | 2020-08-25 | 住友化学株式会社 | 有机el元件的制造方法 |
| KR101804553B1 (ko) * | 2017-08-16 | 2017-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN111542942A (zh) | 2018-01-09 | 2020-08-14 | Oled工厂有限责任公司 | 超薄oled照明面板 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03201389A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Tosoh Corp | Ｅｌパネル |
| WO2004036960A1 (ja) * | 2002-10-16 | 2004-04-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| JP2006222071A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
| WO2006100868A1 (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機化合物層の形成方法、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子 |
| JP2007311277A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子 |
| JP2008066216A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器 |
| JP2008508673A (ja) * | 2004-07-27 | 2008-03-21 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機光−電子装置用積層相互接続 |
| JP2008293787A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Rohm Co Ltd | Ｅｌ素子 |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757127A (en) * | 1994-06-10 | 1998-05-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means |
| JPH09148066A (ja) | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Pioneer Electron Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US5693956A (en) | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
| US6268695B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6465953B1 (en) | 2000-06-12 | 2002-10-15 | General Electric Company | Plastic substrates with improved barrier properties for devices sensitive to water and/or oxygen, such as organic electroluminescent devices |
| DE60027021T2 (de) | 2000-09-06 | 2006-08-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verkapselung für oled-bauelemente |
| US6692610B2 (en) | 2001-07-26 | 2004-02-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oled packaging |
| TW519853B (en) | 2001-10-17 | 2003-02-01 | Chi Mei Electronic Corp | Organic electro-luminescent display and its packaging method |
| TWI271833B (en) | 2001-12-10 | 2007-01-21 | Delta Optoelectronics Inc | Packaging structure of display device and method thereof |
| US6835950B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Universal Display Corporation | Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer |
| US6949389B2 (en) | 2002-05-02 | 2005-09-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation for organic light emitting diodes devices |
| US7049757B2 (en) | 2002-08-05 | 2006-05-23 | General Electric Company | Series connected OLED structure and fabrication method |
| US7034470B2 (en) | 2002-08-07 | 2006-04-25 | Eastman Kodak Company | Serially connecting OLED devices for area illumination |
| US7015640B2 (en) | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
| US20050212419A1 (en) | 2004-03-23 | 2005-09-29 | Eastman Kodak Company | Encapsulating oled devices |
| US7225823B1 (en) * | 2004-03-23 | 2007-06-05 | Ransom Robert M | Collapsible enclosure with 3-dimensional trim elements |
| US7205718B2 (en) | 2004-06-24 | 2007-04-17 | Eastman Kodak Company | OLED display having thermally conductive adhesive |
| US7033850B2 (en) | 2004-06-30 | 2006-04-25 | Eastman Kodak Company | Roll-to-sheet manufacture of OLED materials |
| US20060093795A1 (en) | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Eastman Kodak Company | Polymeric substrate having a desiccant layer |
| US7307278B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-12-11 | General Electric Company | Organic electronic devices having two dimensional series interconnections |
| TWI253879B (en) | 2005-02-02 | 2006-04-21 | Au Optronics Corp | Encapsulation structure of organic electroluminescence device |
| JP5208521B2 (ja) | 2005-02-16 | 2013-06-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｏｌｅｄ装置 |
| US7541671B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-06-02 | General Electric Company | Organic electronic devices having external barrier layer |
| US20060278965A1 (en) | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Foust Donald F | Hermetically sealed package and methods of making the same |
| JP2009503777A (ja) | 2005-07-27 | 2009-01-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 駆動回路が一体化された封止部を有する照明装置 |
| US20070172971A1 (en) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Eastman Kodak Company | Desiccant sealing arrangement for OLED devices |
| US20070281089A1 (en) | 2006-06-05 | 2007-12-06 | General Electric Company | Systems and methods for roll-to-roll atomic layer deposition on continuously fed objects |
| FR2904508B1 (fr) | 2006-07-28 | 2014-08-22 | Saint Gobain | Dispositif electroluminescent encapsule |
| US20080048556A1 (en) | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Stephan Lvovich Logunov | Method for hermetically sealing an OLED display |
| JP4864796B2 (ja) | 2007-03-30 | 2012-02-01 | 富士フイルム株式会社 | 有機ｅｌパネル及び有機ｅｌパネルの製造方法 |
-
2009
- 2009-07-28 US US12/510,463 patent/US8102119B2/en active Active
-
2010
- 2010-06-28 CN CN201080045746.4A patent/CN102576820B/zh active Active
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03201389A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Tosoh Corp | Ｅｌパネル |
| WO2004036960A1 (ja) * | 2002-10-16 | 2004-04-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| JP2008508673A (ja) * | 2004-07-27 | 2008-03-21 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機光−電子装置用積層相互接続 |
| JP2006222071A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
| WO2006100868A1 (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機化合物層の形成方法、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子 |
| JP2007311277A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子 |
| JP2008066216A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器 |
| JP2008293787A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Rohm Co Ltd | Ｅｌ素子 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016510874A (ja) * | 2013-03-08 | 2016-04-11 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品を測定および最適化する方法および装置 |
| US10132855B2 (en) | 2013-03-08 | 2018-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method and device for measuring and optimizing an optoelectronic component |
| JP2015185241A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 東芝ライテック株式会社 | 発光パネル及び照明器具 |
| JP2016110858A (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | コニカミノルタ株式会社 | 面発光モジュール |
| WO2017191800A1 (ja) * | 2016-05-06 | 2017-11-09 | コニカミノルタ株式会社 | 面発光装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2011016923A1 (en) | 2011-02-10 |
| US20100148665A1 (en) | 2010-06-17 |
| EP2460205A1 (en) | 2012-06-06 |
| CN102576820A (zh) | 2012-07-11 |
| KR101727344B1 (ko) | 2017-04-14 |
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