JP6375015B1 - 有機電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 54
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 235
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 157
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 132
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 58
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 25
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 25
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 14
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 14
- 239000002585 base Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 Chemical class C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentamine Chemical class CNC(C)CC1CCCC1 HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【課題】生産性の向上を図りながら、封止性能の低下を防止可能な有機電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】一形態に係る有機電子デバイスの製造方法は、可撓性を有する支持基板16において仮想的に設定され、少なくとも一つの角部を有する複数のデバイス形成領域DAのそれぞれに、第1電極層18と、有機層を含むデバイス機能部20と、第2電極層22とを順に積層したデバイス基板12を製造するデバイス基板製造工程S01と、封止基材24と封止基材に積層された接着層26とを含む封止部材14を、デバイス形成領域の角部c1〜c4に封止部材が配置されないように、接着層を介してデバイス基板の第2電極層側に貼合する貼合工程S02と、封止部材が貼合されたデバイス基板を、デバイス形成領域毎に個片化して有機電子デバイス10を得る個片化工程S03と、を備える。【選択図】図6
Description
本発明は、有機電子デバイスの製造方法に関する。
有機電子デバイスは、通常、第1電極層、有機層を含むデバイス機能部及び第2電極が支持基板上に順次積層されることで構成されたデバイス基板と、上記有機層の劣化防止のためにデバイス基板に貼合された封止部材とを備える。このような有機電子デバイスを効率的に製造するために、例えば特許文献1の技術を適用することが考えられる。すなわち、複数の製造すべき有機電子デバイスが一体化された母材シートをまず製造する。その後、母材シートに含まれる有機電子デバイス毎に裁断して、製造すべき有機電子デバイスを得る。このような方法では、一度の製造工程を実施することで、複数の有機電子デバイスが製造され得る。
複数の製造すべき有機電子デバイスが一体化された母材シートを製造する場合、個別のデバイス基板に対応する領域に亘って封止部材を貼合すれば、封止部材の貼合工程に要する時間を短縮可能である。しかしながら、母材シートから各有機電子デバイスを個片化すると、有機電子デバイスの角部に封止部材が存在する。そのため、例えば、角部から有機電子デバイスが落下すると、角部では落下により衝撃が集中し易いため、封止部材が変形したり又は剥がれたりして、封止性能が低下するという問題が生じる。
そこで、本発明は、生産性の向上を図りながら、封止性能の低下を防止可能な有機電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一側面に係る有機電子デバイスの製造方法は、可撓性を有する支持基板において仮想的に設定され、少なくとも一つの角部を有する複数のデバイス形成領域のそれぞれに、第1電極層と、有機層を含むデバイス機能部と、第2電極層とを順に積層したデバイス基板を製造するデバイス基板製造工程と、封止基材と上記封止基材に積層された接着層とを含む封止部材を、上記デバイス形成領域の角部に上記封止部材が配置されないように、上記接着層を介して上記デバイス基板の上記第2電極層側に貼合する貼合工程と、上記封止部材が貼合された上記デバイス基板を、上記デバイス形成領域毎に個片化して有機電子デバイスを得る個片化工程と、を備える。
上記製造方法では、デバイス基板製造工程、貼合工程及び個片化工程を一度実施することで、複数の有機電子デバイスを得られるので、生産性の向上が図れる。貼合工程では、上記デバイス形成領域の角部に上記封止部材が配置されないように、上記接着層を介して上記デバイス基板に封止部材を貼合する。そのため、個片化工程で得られた有機電子デバイスの角部には、封止部材は存在しない。よって、製造された有機電子デバイスが、仮に角部から落下しても角部近傍で封止部材が剥がれたり、変形したりしにくいので、有機電子デバイスの封止性能の低下を抑制できる。
上記個片化工程では、上記デバイス形成領域の形状に対応した形状の裁断刃で、上記封止部材が貼合された上記デバイス基板を上記デバイス形成領域毎に裁断してもよい。この場合、上記貼合工程を経た上記デバイス基板から上記デバイス形成領域を効率的に分離できるので、有機電子デバイスの生産性がより向上する。
上記封止基材は金属箔であってもよい。金属箔を使用することで、デバイス機能部が有する有機層への水分浸入をより防止できる。ところで、例えば、上記裁断刃で、上記貼合工程を経た上記デバイス基板を上記デバイス形成領域毎に裁断する形態では、デバイス形成領域の角部に力が集中しやすい。そのため、仮に、デバイス形成領域の角部に、封止基材が金属箔である封止部材が存在すると、裁断刃で裁断する際に金属箔が変形して、第1電極層及び第2電極層が金属箔を介して短絡するおそれがある。これに対して、本発明に係る上記有機電子デバイスの製造方法の貼合工程では、上記デバイス形成領域の角部に上記封止部材が配置されないように、上記接着層を介して上記デバイス基板に封止部材を貼合する。そのため、上述したような短絡を防止できている。
上記個片化工程では、上記封止部材が貼合された上記デバイス基板の上記封止部材側から上記支持基板側に裁断刃を進行させてもよい。この場合、裁断刃の進行によって接着層が支持基板側に押圧されるので、個片化工程で封止部材がデバイス基板から剥がれることを防止できる。
上記封止部材は、上記デバイス形成領域の上記角部と対向する位置に開口部を有してもよい。この場合、貼合工程で、開口部を、上記デバイス形成領域の上記角部に対して位置合わせすることで、デバイス形成領域の上記角部の部分に封止部材を配置せずに、デバイス基板に封止部材を貼合できる。
上記支持基板は、一方向に延在しており、上記複数のデバイス形成領域は、上記支持基板の上記一方向に沿って配置されており、上記貼合工程では、上記支持基板の延在方向に直交する方向の長さが上記デバイス形成領域の長さより短い上記封止部材を、上記デバイス基板に貼合してもよい。この場合、例えば、デバイス形成領域の角部に封止部材を配置するために、封止部材に開口部を形成するなどの加工が不要であるため、封止部材を準備し易い。
本発明によれば、生産性の向上を図りながら、封止性能の低下を防止可能な有機電子デバイスの製造方法を提供できる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。説明中、「上」、「下」等の方向を示す語は、図面に示された状態に基づいた便宜的な語である。
図1及び図2に示したように、本実施形態の有機ELデバイス(有機電子デバイス)の製造方法によって製造される有機ELデバイス10は、デバイス基板12と、封止部材14とを備える。有機ELデバイス10は、例えば照明に使用される有機EL照明パネルである。図1では、封止部材14を明示するために、封止部材14にハッチングを付している。図2は、図1のII−II線に沿った断面図であり、図2のハッチングは各構成要素の断面を示すためのものである。
有機ELデバイス10は、4つの角部C1,C2,C3,C4を有する。有機ELデバイス10の平面視形状(デバイス基板12の厚さ方向からみた形状)は、図1に示したような正方形に限定されず、矩形でもよい。角部C1〜C4のそれぞれは若干丸まっていてもよい。
以下では、断らない限り、ボトムエミッション型の有機ELデバイス10を説明する。しかしながら、有機ELデバイス10は、トップエミッション型のデバイスでもよい。説明の便宜のため、図1に示した互いに直交するX方向及びY方向を使用する場合もある。X方向及びY方向は、デバイス基板12の厚さ方向に直交する。
[デバイス基板]
デバイス基板12は、支持基板16と、支持基板16上に順に設けられた陽極層(第1電極層)18、有機EL部(有機層を含むデバイス機能部)20及び陰極層(第2電極層)22と、を有する。陽極層18、有機EL部20及び陰極層22は、有機ELデバイス10の本体部である。したがって、デバイス基板12は、支持基板16上に本体部が設けられた本体部付き支持基板に相当する。
デバイス基板12は、支持基板16と、支持基板16上に順に設けられた陽極層(第1電極層)18、有機EL部(有機層を含むデバイス機能部)20及び陰極層(第2電極層)22と、を有する。陽極層18、有機EL部20及び陰極層22は、有機ELデバイス10の本体部である。したがって、デバイス基板12は、支持基板16上に本体部が設けられた本体部付き支持基板に相当する。
(支持基板)
支持基板16は、可視光(波長400nm〜800nmの光)に対して透光性を有するとともに、可撓性を有する。可撓性とは、基板(本実施形態では支持基板16)に所定の力を加えても剪断したり破断したりすることがなく、基板を撓めることが可能な性質である。支持基板16はフィルム状を呈し得る。支持基板16は、例えば、プラスチックフィルムである。支持基板16の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン(PES);ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂;ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂;ポリアミド樹脂;ポリカーボネート樹脂;ポリスチレン樹脂;ポリビニルアルコール樹脂;エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物;ポリアクリロニトリル樹脂;アセタール樹脂;ポリイミド樹脂;エポキシ樹脂等を含む。
支持基板16は、可視光(波長400nm〜800nmの光)に対して透光性を有するとともに、可撓性を有する。可撓性とは、基板(本実施形態では支持基板16)に所定の力を加えても剪断したり破断したりすることがなく、基板を撓めることが可能な性質である。支持基板16はフィルム状を呈し得る。支持基板16は、例えば、プラスチックフィルムである。支持基板16の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン(PES);ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂;ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂;ポリアミド樹脂;ポリカーボネート樹脂;ポリスチレン樹脂;ポリビニルアルコール樹脂;エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物;ポリアクリロニトリル樹脂;アセタール樹脂;ポリイミド樹脂;エポキシ樹脂等を含む。
支持基板16の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、又はポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、又はポリエチレンナフタレートがより好ましい。これらの樹脂は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
支持基板16の厚さは、例えば、30μm以上500μm以下である。支持基板16が樹脂製の場合は、ロールツーロール方式で連続搬送する際の基板ヨレ、シワ、及び伸びを防止する観点から45μm以上、可撓性の観点から125μm以下が好ましい。
支持基板16の一方の面16a(図2参照)上には、水分バリア機能を有するバリア層が配置されていてもよい。バリア層は、ガスバリア機能を有してもよい。ボトムエミッション型の有機ELデバイス10において、支持基板16の一方の面16aと反対側の面は、発光面として機能する。
(陽極層)
陽極層18は、支持基板16の一方の面16a上に配置されている。本実施形態において、陽極層18は、T字状を呈しており、支持基板16の中央部に位置する第1領域18Aと、支持基板16の縁部に沿って延在する第2領域18Bとを有する。図1に示したように、Y方向において、第1領域18Aの長さは支持基板16の長さより短い。X方向において、陽極層18の長さ(第1領域18A及び第2領域18Bの長さの合計)は、支持基板16の長さより短い。第2領域18Bは、第1領域18Aに一体的に繋がっている。Y方向において、第2領域18Bの長さは支持基板16の長さと実質的に同じである。Y方向において、第2領域18Bの一方の端部は角部C1近傍に位置しており、他方の端部は角部C4近傍に位置する。
陽極層18は、支持基板16の一方の面16a上に配置されている。本実施形態において、陽極層18は、T字状を呈しており、支持基板16の中央部に位置する第1領域18Aと、支持基板16の縁部に沿って延在する第2領域18Bとを有する。図1に示したように、Y方向において、第1領域18Aの長さは支持基板16の長さより短い。X方向において、陽極層18の長さ(第1領域18A及び第2領域18Bの長さの合計)は、支持基板16の長さより短い。第2領域18Bは、第1領域18Aに一体的に繋がっている。Y方向において、第2領域18Bの長さは支持基板16の長さと実質的に同じである。Y方向において、第2領域18Bの一方の端部は角部C1近傍に位置しており、他方の端部は角部C4近傍に位置する。
陽極層18には、透光性を有する電極層が用いられる。透光性を有する電極層としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。
陽極層18として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。陽極層18は、導電体(例えば金属)がネットワーク状(メッシュ状を含む)に配置されたネットワーク構造を有してもよい。
陽極層18の厚さは、光透過性、電気伝導度等を考慮して決定し得る。陽極層18の厚さは、通常、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜200nmである。
(有機EL部)
有機EL部20は、陽極層18及び陰極層22に印加された電圧に応じて、電荷の移動及び電荷の再結合などの有機ELデバイス10の発光に寄与する機能部である。有機EL部20は、陽極層18上に配置されている。有機EL部20は、陽極層18の第2領域18B側を露出するように陽極層18を覆っている。図1では、有機EL部20は、第2領域18Bと、第1領域18Aのうち第2領域18B側の一部を露出し、他の部分を覆うように配置されている。
有機EL部20は、陽極層18及び陰極層22に印加された電圧に応じて、電荷の移動及び電荷の再結合などの有機ELデバイス10の発光に寄与する機能部である。有機EL部20は、陽極層18上に配置されている。有機EL部20は、陽極層18の第2領域18B側を露出するように陽極層18を覆っている。図1では、有機EL部20は、第2領域18Bと、第1領域18Aのうち第2領域18B側の一部を露出し、他の部分を覆うように配置されている。
有機EL部20は発光層を有する。発光層は、光(可視光を含む)を発する機能を有する機能層である。発光層は、通常、主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する有機物、又はこの有機物とこれを補助するドーパント材料とから構成される。従って、発光層は有機層である。ドーパント材料は、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。上記有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。発光層の厚さは、例えば約2nm〜200nmである。
主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する発光性材料である有機物としては、例えば以下の色素系材料、金属錯体系材料及び高分子系材料が挙げられる。
(色素系材料)
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などが挙げられる。
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などが挙げられる。
(金属錯体系材料)
金属錯体系材料としては、例えばTb、Eu、Dyなどの希土類金属、又はAl、Zn、Be、Ir、Ptなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体が挙げられ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などが挙げられる。
金属錯体系材料としては、例えばTb、Eu、Dyなどの希土類金属、又はAl、Zn、Be、Ir、Ptなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体が挙げられ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などが挙げられる。
(高分子系材料)
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
(ドーパント材料)
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどが挙げられる。
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどが挙げられる。
有機EL部20は、発光層の他、種々の機能層を有してもよい。陽極層18と発光層との間に配置される機能層の例は、正孔注入層、正孔輸送層などである。陰極層22と発光層との間に配置される機能層の例は、電子注入層、電子輸送層などである。正孔注入層は、陽極層18から発光層への正孔注入効率を向上させる機能を有する機能層である。正孔輸送層は、陽極層18、正孔注入層又は正孔輸送層のうち陽極層18により近い部分から発光層への正孔注入効率を向上させる機能を有する機能層である。電子輸送層は、陰極層22、電子注入層又は電子輸送層のうち陰極層22により近い部分から発光層への電子注入効率を向上させる機能を有する機能層である。電子注入層は、陰極層22から発光層への電子注入効率を向上させる機能を有する機能層である。
有機EL部20の層構成の例を以下に示す。下記層構成の例では、陽極層18と陰極層22と各種機能層の配置関係を示すために、陽極層及び陰極層も括弧書きで記載している。
(a)(陽極層)/発光層/(陰極層)
(b)(陽極層)/正孔注入層/発光層/(陰極層)
(c)(陽極層)/正孔注入層/発光層/電子注入層/(陰極層)
(d)(陽極層)/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
(e)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/(陰極層)
(f)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/(陰極層)
(g)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
(h)(陽極層)/発光層/電子注入層/(陰極層)
(i)(陽極層)/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
記号「/」は、記号「/」の両側の層同士が接合していることを意味している。
(a)(陽極層)/発光層/(陰極層)
(b)(陽極層)/正孔注入層/発光層/(陰極層)
(c)(陽極層)/正孔注入層/発光層/電子注入層/(陰極層)
(d)(陽極層)/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
(e)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/(陰極層)
(f)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/(陰極層)
(g)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
(h)(陽極層)/発光層/電子注入層/(陰極層)
(i)(陽極層)/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
記号「/」は、記号「/」の両側の層同士が接合していることを意味している。
有機EL部20が有する発光層以外の機能層(例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層など)の材料には公知の材料が用いられ得る。有機EL部20が有する機能層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、電気伝導度、耐久性等を考慮して設定される。電子注入層は、陰極層22の一部でもよい。
(陰極層)
陰極層22は、陽極層18と接触しないように有機EL部20上に配置されている。本実施形態では、陰極層22は、角部C2,C3それぞれの近傍にも設けられている。陰極層22は、2層以上が積層された積層構造を有してもよい。図1の形態に基づいて、陰極層22の配置状態の例を具体的に説明する。
陰極層22は、陽極層18と接触しないように有機EL部20上に配置されている。本実施形態では、陰極層22は、角部C2,C3それぞれの近傍にも設けられている。陰極層22は、2層以上が積層された積層構造を有してもよい。図1の形態に基づいて、陰極層22の配置状態の例を具体的に説明する。
Y方向において、陰極層22の長さは支持基板16の長さと同じである。X方向において、陰極層22は、陰極層22の一方の縁部(陽極層18が有する第2領域18B側の、陰極層22の縁部)の位置より支持基板16における図1中右側の縁部(陽極層18の第1領域18A側に位置する縁部)の位置まで設けられている。よって、陰極層22の一部は、支持基板16の一方の面16aに接している。図1では、陰極層22の上記一方の縁部(図1中左側の縁部)の位置は、有機EL部20の対応する縁部の位置と同じである。ただし、陰極層22の上記一方の縁部の位置は、有機EL部20の対応する縁部より内側(図1中右側)に位置してもよい。
有機EL部20からの光を陰極層22で反射させて陽極層18側に届けるために、陰極層22の材料は、有機EL部20からの光に対して反射率の高い材料が好ましい。陰極層22の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第13族金属等が用いられる。具体的には、陰極層22の材料としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの2種以上の合金、上記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
陰極層22としては、例えば、導電性金属酸化物や、導電性有機物等からなる透明導電性電極が用いられてもよい。導電性金属酸化物としては、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、IZO等が挙げられ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等が挙げられる。
陰極層22の厚さは、電気伝導度、耐久性等を考慮して設定される。陰極層22の厚さは、通常、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。
[封止部材]
封止部材14は、有機ELデバイス10において最上部に配置されている。封止部材14は、図2に示したように、金属箔(封止基材)24と、接着層26と、樹脂フィルム28とを有する。本実施形態では、封止部材14が樹脂フィルム28を有する形態を説明するが、封止部材14は、金属箔24と接着層26とを有していればよい。
封止部材14は、有機ELデバイス10において最上部に配置されている。封止部材14は、図2に示したように、金属箔(封止基材)24と、接着層26と、樹脂フィルム28とを有する。本実施形態では、封止部材14が樹脂フィルム28を有する形態を説明するが、封止部材14は、金属箔24と接着層26とを有していればよい。
金属箔24は、水分バリア機能を有するバリア層として機能する。金属箔24は、ガスバリア機能を有してもよい。金属箔としては、バリア性の観点から、銅箔、アルミニウム箔、ステンレス箔が好ましい。金属箔24の厚さとしては、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると10μm〜50μmが好ましい。
接着層26は、金属箔24の一方の面に積層されており、金属箔24を、デバイス基板12に貼合させるために用いられる。
接着層26は、具体的には、光硬化性若しくは熱硬化性のアクリレート樹脂、光硬化性若しくは熱硬化性のエポキシ樹脂、又は、光硬化性若しくは熱硬化性のポリイミド樹脂から構成される。その他一般に使用されるインパルスシーラーで融着可能な樹脂フィルム、例えばエチレン酢酸ビニルコポリマー(EVA)、ポリプロピレン(PP)フィルム、ポリエチレン(PE)フィルム、ポリブタジエン(PB)フィルム等の熱融着性フィルムを使用できる。酢酸ビニル系、ポリビニルアルコール系、アクリル系、ポリエチレン系、エポキシ系、セルロース系、シクロヘキサン環含有飽和炭化水素樹脂、スチレン−イソブチレン変性樹脂等の熱可塑性樹脂も使用できる。接着層26には、粘着性により簡易取り付けが可能な感圧性接着剤(PSA)も使用できる。感圧性接着剤(PSA)とは、短時間圧力を加えるだけで他部材の表面に接着する性質を有するものである。
接着層26に吸湿性の微粒子が含まれていてもよい。吸湿性の微粒子としては、例えば、水分と常温で化学反応を起こす金属酸化物、水分を物理吸着するゼオライトが挙げられる。
接着層26の厚さは、好ましくは1μm〜100μm、より好ましくは5μm〜60μm、さらに好ましくは10μm〜30μmである。接着層26の含有水分量は、好ましくは、300ppm以下(重量基準)である。
樹脂フィルム28は、金属箔24の他方の面(接着層26に接する面と反対側の面)上に積層されている。樹脂フィルム28の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリイミド(PI)などが挙げられる。
封止部材14は、支持基板16の厚さ方向からみた場合、図1及び図2に示したように、有機EL部20を覆う一方、角部C1,C2,C3,C4を覆わずに露出させる形状を有する。換言すれば、封止部材14は、支持基板16の平面視形状と同じ形状を有する封止部材から、その封止部材の角部の部分を面取りした形状を有する。これにより、角部C1及び角部C4近傍では陽極層18が封止部材14から露出し、角部C2及び角部C3近傍では陰極層22が封止部材14から露出する。陽極層18及び陰極層22のうち、封止部材14から露出した部分は、陽極層18及び陰極層22を外部接続するための外部接続領域として使用され得る。
次に、図3に示した長尺の支持基板16を用いて有機ELデバイス10を製造する形態を説明する。本明細書において、長尺の基板とは、一方向(延在方向)に延在しており、その延在方向の長さが、延在方向に直交する方向(幅方向)の長さよりも長い基板を指す。図3では、図1のX方向及びY方向に対応するX方向及びY方向を示している。図5〜図7及び図11でも同様である。
長尺の支持基板16を用いて有機ELデバイス10を製造する場合、支持基板16に複数のデバイス形成領域DAを仮想的に設定する。デバイス形成領域DAの形状及び大きさは、図1に示した製造すべき有機ELデバイス10の形状及び大きさに対応する。デバイス形成領域DAの大きさは、製品サイズとし得る。各デバイス形成領域DAの角部c1,c2,c3,c4は、有機ELデバイス10の角部C1,C2,C3,C4に対応する。デバイス形成領域DAの角部は、支持基板16の厚さ方向から見た場合において、デバイス形成領域DAの形状の頂部を含み、頂部にも封止部材が配置された有機ELデバイスを落下させた際に、封止性能を低下させるほどの上記封止部材の変形が生じ得る荷重(衝撃)が、与えられ得る領域である。ここで、頂部とは、頂点を含む部位、または頂点周辺を丸く成形した領域(角丸)を含む部位である。角部の広さは、封止部材の材質によって適宜設定される。
長尺の支持基板16の延在方向に沿って配列された複数のデバイス形成領域DAをデバイス形成領域列と称した場合、図3では、支持基板16の幅方向(延在方向に直交する方向)に対してデバイス形成領域列を2つ設定した場合を例示している。支持基板16の幅方向に対するデバイス形成領域列の数は、1つでもよいし、3つ以上でもよい。
有機ELデバイスの製造方法は、図4に示したように、デバイス基板製造工程S01と、貼合工程S02と、個片化工程S03と、を備える。以下、断らない限り、ロールツーロール方式を利用して有機ELデバイスの製造方法を説明する。この場合、デバイス基板製造工程S01、貼合工程S02及び個片化工程S03は、長尺の支持基板16をその長手方向に搬送しながら実施される。
[デバイス基板製造工程]
デバイス基板製造工程S01は、陽極層形成工程、有機EL部形成工程及び陰極層形成工程を有する。デバイス基板製造工程S01では、上記工程を順に実施することで、図5に示したように、各デバイス形成領域DA上に、陽極層18、有機EL部20及び陰極層22が順に積層された長尺のデバイス基板12を製造する。図5では、陰極層22を明示するために、陰極層22にハッチングを付している。
デバイス基板製造工程S01は、陽極層形成工程、有機EL部形成工程及び陰極層形成工程を有する。デバイス基板製造工程S01では、上記工程を順に実施することで、図5に示したように、各デバイス形成領域DA上に、陽極層18、有機EL部20及び陰極層22が順に積層された長尺のデバイス基板12を製造する。図5では、陰極層22を明示するために、陰極層22にハッチングを付している。
(陽極層形成工程)
陽極層形成工程では、各デバイス形成領域DAに陽極層18を形成する。陽極層18の形状及びデバイス形成領域DA内での配置状態は、図1を利用して説明した場合と同様である。陽極層18は、ドライ成膜法、メッキ法、塗布法などにより形成され得る。ドライ成膜法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、CVD法などが挙げられる。塗布法としては、例えば、インクジェット印刷法、スリットコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法及びノズル印刷法等が挙げられる。塗布法で陽極層18を形成する場合、上記複数の例のうちインクジェット印刷法が好ましい。
陽極層形成工程では、各デバイス形成領域DAに陽極層18を形成する。陽極層18の形状及びデバイス形成領域DA内での配置状態は、図1を利用して説明した場合と同様である。陽極層18は、ドライ成膜法、メッキ法、塗布法などにより形成され得る。ドライ成膜法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、CVD法などが挙げられる。塗布法としては、例えば、インクジェット印刷法、スリットコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法及びノズル印刷法等が挙げられる。塗布法で陽極層18を形成する場合、上記複数の例のうちインクジェット印刷法が好ましい。
(有機EL部形成工程)
有機EL部形成工程では、各デバイス形成領域DAの陽極層18上に有機EL部20を形成する。有機EL部20の形状及びデバイス形成領域DA内での配置状態は、図1を利用して説明した場合と同様である。有機EL部20の形成方法の例は、陽極層18の場合と同様である。長尺の支持基板16を搬送しながら有機EL部20を形成する場合、インクジェット印刷法を利用して有機EL部20を形成することが好ましい。有機EL部20が、複数の機能層の積層体である場合、陽極層18側の機能層から順に形成すればよい。
有機EL部形成工程では、各デバイス形成領域DAの陽極層18上に有機EL部20を形成する。有機EL部20の形状及びデバイス形成領域DA内での配置状態は、図1を利用して説明した場合と同様である。有機EL部20の形成方法の例は、陽極層18の場合と同様である。長尺の支持基板16を搬送しながら有機EL部20を形成する場合、インクジェット印刷法を利用して有機EL部20を形成することが好ましい。有機EL部20が、複数の機能層の積層体である場合、陽極層18側の機能層から順に形成すればよい。
(陰極層形成工程)
陰極層形成工程では、有機EL部20上に陰極層22を形成する。具体的には、図5に示したように、デバイス形成領域列毎に、各デバイス形成領域DA内で陰極層22が図1に示した配置状態となるように、支持基板16の延在方向に延びたストライプ状の陰極層22を形成する。換言すれば、陰極層22を、デバイス形成領域列を構成する複数のデバイス形成領域DAに亘って形成する。陰極層22の形成方法の例は、陽極層18の場合と同様である。
陰極層形成工程では、有機EL部20上に陰極層22を形成する。具体的には、図5に示したように、デバイス形成領域列毎に、各デバイス形成領域DA内で陰極層22が図1に示した配置状態となるように、支持基板16の延在方向に延びたストライプ状の陰極層22を形成する。換言すれば、陰極層22を、デバイス形成領域列を構成する複数のデバイス形成領域DAに亘って形成する。陰極層22の形成方法の例は、陽極層18の場合と同様である。
図5に示した形態では、X方向における陰極層22の一方の縁部(図1において陽極層18が有する第2領域18B側の、陰極層22の縁部)の位置は、有機EL部20の対応する縁部の位置と同じ位置である。陰極層形成工程で形成する陰極層22のうち上記一方の縁部と反対側の他方の縁部の位置は、デバイス形成領域DAの対応する縁部の位置と同じでもよいし、図5に示したように、デバイス形成領域DAの対応する縁部より外側に位置してもよい。また、陰極層22は、X方向において隣に位置するデバイス形成領域DAに形成された有機EL部20の一方の縁部(図1において陽極層18が有する第2領域18B側の、有機EL部20の縁部)を覆わなければ、X方向において隣に位置するデバイス形成領域DAに形成された陽極層18が有する第2領域18Bの少なくとも一部を覆うように形成してもよい。
ストライプ状の陰極層22を形成する場合、陰極層形成工程に要する時間の短縮を図り易いので、有機ELデバイス10の生産性が向上する。
[貼合工程]
貼合工程S02では、デバイス基板製造工程S01で製造した長尺のデバイス基板12上に、接着層26を介して長尺の封止部材14をデバイス基板12の陰極層22側から貼合する。貼合工程S02で使用する封止部材14は、図6に示したように、デバイス形成領域DAの角部c1,c2,c3,c4と対向する位置に開口部14aが形成された封止部材である。このような封止部材14は、例えば、長尺の金属箔24の一方の面及び他方の面に接着層26及び樹脂フィルム28が設けられた積層体を形成した後に、その積層体に孔空け加工を施すことによって作製され得る。開口部14aの形状は、図6では、図1の有機ELデバイス10に対応させて菱形としているが、デバイス形成領域DAの角部c1〜c4の位置に封止部材14が配置されないように(換言すれば、デバイス基板12のうち角部c1〜c4の部分が露出するように)形成されていれば、その形状は限定されない。例えば、図7に示したように、開口部14aの形状は円形でもよい。また、開口部14aの大きさは、開口部14aによって角部c1〜c4が露出され、且つ、封止部材14のうち開口部14a以外の部分にデバイス基板12の有機EL部20を覆う領域を確保できる大きさであれば、限定されない。
貼合工程S02では、デバイス基板製造工程S01で製造した長尺のデバイス基板12上に、接着層26を介して長尺の封止部材14をデバイス基板12の陰極層22側から貼合する。貼合工程S02で使用する封止部材14は、図6に示したように、デバイス形成領域DAの角部c1,c2,c3,c4と対向する位置に開口部14aが形成された封止部材である。このような封止部材14は、例えば、長尺の金属箔24の一方の面及び他方の面に接着層26及び樹脂フィルム28が設けられた積層体を形成した後に、その積層体に孔空け加工を施すことによって作製され得る。開口部14aの形状は、図6では、図1の有機ELデバイス10に対応させて菱形としているが、デバイス形成領域DAの角部c1〜c4の位置に封止部材14が配置されないように(換言すれば、デバイス基板12のうち角部c1〜c4の部分が露出するように)形成されていれば、その形状は限定されない。例えば、図7に示したように、開口部14aの形状は円形でもよい。また、開口部14aの大きさは、開口部14aによって角部c1〜c4が露出され、且つ、封止部材14のうち開口部14a以外の部分にデバイス基板12の有機EL部20を覆う領域を確保できる大きさであれば、限定されない。
図6及び図7では、封止部材14にハッチングを付して封止部材14を明示している。図6及び図7では、デバイス形成領域DAの角部c1〜c4と封止部材14との関係を理解し易くするために、デバイス基板12が備える陽極層18、有機EL部20及び陰極層22の図示を省略している。
貼合工程S02では、開口部14aを有する封止部材14と、デバイス基板12とをそれぞれ長手方向に搬送しながら、デバイス基板12が有する陰極層22と接着層26とが対向するとともに、開口部14aがデバイス形成領域DAの角部c1〜c4上に位置するように、デバイス基板12と封止部材14とを位置合わせして重ねる。その状態で、デバイス基板12及び封止部材14を加熱及び加圧することでそれらを貼合する。例えば、対を為す2つの加熱ローラの間に、デバイス基板12と封止部材14とを送りこみ、2つの加熱ローラで、それらを加熱及び加圧すればよい。
上記貼合工程S02を経ることで、デバイス形成領域DA毎に、図1に示した有機ELデバイス10が形成される。よって、封止部材14が貼合されたデバイス基板12を母材シート30とも称す。母材シート30は長尺であり、製造すべき有機ELデバイス10を複数含む。
[個片化工程]
個片化工程S03では、貼合工程S02を経て得られた母材シート30(封止部材14が貼合されたデバイス基板12)を、デバイス形成領域DAの外縁(境界)を裁断線としてデバイス形成領域DA毎に裁断し、互いに独立した複数の有機ELデバイス10を得る。
個片化工程S03では、貼合工程S02を経て得られた母材シート30(封止部材14が貼合されたデバイス基板12)を、デバイス形成領域DAの外縁(境界)を裁断線としてデバイス形成領域DA毎に裁断し、互いに独立した複数の有機ELデバイス10を得る。
本実施形態の個片化工程S03では、図8に示した裁断刃32を備えた裁断機を用いる。具体的には、母材シート30のデバイス形成領域DAの部分を裁断刃32で打ち抜くことで母材シート30をデバイス形成領域DA毎に裁断する。図8の(a)部は、裁断刃32の外形を模式的に示す斜視図であり、(b)部は、(a)部のVIIIb―VIIIb線に沿った断面図である。打ち抜き加工に使用する裁断刃32は、図8の(a)部に示したように、デバイス形成領域DAの形状に対応した形状を呈し、裁断時にデバイス形成領域DAの角部c1〜c4に接する角部を有する。裁断刃32は、デバイス形成領域DAを打ち抜けるように、裁断刃32の進行方向からみた場合の形状がデバイス形成領域DAの形状と実質的に同じ形状を有していればよい。本実施形態では、デバイス形成領域DAは、正方形又は矩形といった四角形状であることから、裁断刃32は図8に示したように、枠状を呈する。
個片化工程S03では、裁断刃32を、封止部材14が貼合されたデバイス基板12に封止部材14側から支持基板16側に進行させて、デバイス形成領域DAの部分を裁断してもよい。この際、母材シート30の撓みを抑制する観点から、デバイス基板12は、支持体(ステージ)で支持されていることが好ましい。封止部材14が貼合されたデバイス基板12を確実に裁断しながら、支持体及び裁断刃32の損傷防止を図るために、支持体には、裁断刃32を受ける孔部が形成されていることが好ましい。
上記有機ELデバイスの製造方法では、長尺の支持基板16に複数のデバイス形成領域DAを設定し、各デバイス形成領域DAに有機ELデバイス10を形成する。その後、複数の有機ELデバイス10を分離している。そのため、図4に示したデバイス基板製造工程S01〜個片化工程S03を一度実施することで複数の有機ELデバイス10が得られる。よって、有機ELデバイス10の生産性が向上する。
上記有機ELデバイスの製造方法では、図1に示したように、平面視形状において、角部C1,C2,C3,C4近傍に封止部材14が配置されていない有機ELデバイス10が製造され得る。
仮に、角部C1〜C4近傍に封止部材が配置されていると、有機ELデバイスが角部C1〜C4の何れかから落下した際、衝撃によって封止部材が有する封止基材が変形したり、封止部材がデバイス基板から剥がれたりする場合がある。これは、落下時の衝撃が角部C1〜C4では集中し易いからである。封止基材が変形したり、封止部材がデバイス基板から剥がれたりすると、封止性能が低下するおそれがある。更に、例えば封止基材が金属箔のように、変形すると元に戻りにくい性質を有していると、例えば製造した有機ELデバイスを他の装置に組み込んだり、所定の場所に設置したりする際に施工性が低下する。
上記有機ELデバイスの製造方法で製造される有機ELデバイス10では、角部C1,C2,C3,C4近傍が封止部材14で覆われていない。そのため、前述したような、金属箔24の変形、封止部材14のデバイス基板12からの剥がれ等が生じにくいので、封止性能の低下を抑制できる。更に、有機ELデバイス10が角部C1〜C4の何れかから落下した際、封止部材14ではなく支持基板16の角部が衝撃を受ける。支持基板16は可撓性を有するため損傷しにくいとともに、落下時に一時的に変形しても元に戻りやすい。そのため、有機ELデバイス10の上記施工性の低下も抑制できる。
本実施形態の個片化工程S03では、図8に示したように、角部を有する裁断刃32を使用して、有機ELデバイス10を母材シート30から分離する。この場合、裁断刃32を母材シート30に一度進入させることで、有機ELデバイス10を母材シート30から分離できるので、個片化工程S03を効率的に実施できる。特に、個片化工程S03を、デバイス基板12を搬送しながら実施する際、搬送速度の低下を抑制できるので、個片化工程S03の効率化を図り易い。
図8に示した裁断刃32を使用する際、仮に、デバイス形成領域DAの角部c1,c2,c3,c4の部分に封止部材14が存在していると、封止部材14が有する金属箔24を介して有機ELデバイスの陽極層と陰極層とが短絡する場合がある。これは、裁断刃32の角部に力が集中し易いことから、裁断時に封止部材14の金属箔24が変形し、陽極層及び陰極層に接するためと考えられる。
これに対して、上記製造方法では、角部C1,C2,C3,C4近傍に封止部材14が配置されていない有機ELデバイス10を製造するため、貼合工程S02では、図5に示したように、デバイス形成領域DAの角部c1〜c4の部分と対向する領域に開口部14aが形成された封止部材14をデバイス基板12に貼合する。そのため、図8に示した裁断刃32を使用したとしても、封止部材14の金属箔24を介した陽極層18及び陰極層22の短絡を防止できる。その結果、有機ELデバイス10の製造歩留まりの向上を図れる。この点を検証した検証実験を説明する。
検証実験では、図9に破線で示したようなシート34を作製した。シート34は、次の構成を有する積層体であった。
PETフィルム/アルミニウム箔/粘着層/銅スパッタ膜/PENフィルム
記号「/」は、記号「/」の両側の層同士が接合していることを意味している。
PETフィルム/アルミニウム箔/粘着層/銅スパッタ膜/PENフィルム
記号「/」は、記号「/」の両側の層同士が接合していることを意味している。
PETフィルムは、封止部材14の樹脂フィルム28のモデルである。PETフィルムフィルの厚さは38μmであった。アルミニウム箔は、封止部材14の金属箔24のモデルである。アルミニウム箔の厚さは30μmであった。粘着層は、粘着剤からなり封止部材14の接着層26のモデルである。粘着層の厚さは26μmであった。銅スパッタ膜は電極層のモデルであり、例えば、陰極層22のモデルである。PENフィルムは、銅スパッタ膜の支持フィルムである。PENフィルムの厚さは、100μmであった。
シート34を、図8に示したような角部を有する裁断刃32を備えた裁断機で裁断し、図9において実線で示した裁断部材36をシート34から分離した。裁断部材36の平面視形状は、正方形であった。裁断部材36が有するアルミニウム箔と、銅スパッタ膜との導通検査を実施したところ、それらは導通していた。
次に、裁断部材36を得るためにシート34の裁断に使用した裁断機に、裁断部材36を裁断刃32に対して45度回転させた状態でセットし、裁断部材36を裁断刃32で裁断した。これにより、裁断部材36を、裁断刃32の角部以外の部分で裁断し、図10に示したように、裁断部材36の角部がカットされた裁断部材38を得た。図10では、説明のために、裁断部材36を破線で示している。裁断部材38に対して、裁断部材36に実施した導通検査を実施したところ、アルミニウム箔と、銅スパッタ膜とは導通していなかった。
上記検証実験の結果より、裁断部材36の角部でアルミニウム箔と銅スパッタ膜とが接触し、それらの間に導通が生じていたことが理解される。
したがって、貼合工程S02で封止部材14をデバイス基板12に貼合した際、封止部材14がデバイス形成領域DAの角部c1〜c4を覆っていると、裁断刃32による裁断で得られた有機ELデバイスの角部において金属箔24と陽極層及び陰極層とが接触し、陽極層と陰極層とが金属箔24を介して短絡する可能性があることが理解され得る。更に、角部c1〜c4近傍を封止部材14で覆わなければ、金属箔24と、陽極層18及び陰極層22との接触が防止されるので、金属箔24を介した陽極層18と陰極層22の短絡を抑制可能であることが検証できた。
個片化工程S03において、裁断刃32を封止部材14側から進行させる形態では、裁断刃32の進入に伴って接着層26がデバイス基板12側に押圧される。よって、個片化工程S03で封止部材14がデバイス基板12から剥がれることを防止できる。
特に、接着層26に用いられる接着剤が、圧力が加えられることにより接着するとともに、接着後も硬化せずに柔軟性を有する感圧性接着剤である場合、裁断刃32が進入するときの圧力により感圧性接着剤が封止部材14とデバイス基板12とを接着するとともに、裁断刃32が退避するときに金属箔24と感圧性接着剤とが剥離することを抑制できる。
本発明は、例示した種々の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
貼合工程S02では、図6及び図7に示したように、開口部14aを有する封止部材14を使用した。しかしながら、封止部材14は、デバイス形成領域DAの角部c1〜c4に封止部材14が配置されないようにデバイス基板12に貼合できればよい。
例えば、図11に示したように、デバイス形成領域DAの幅(延在方向に直交する方向の長さ)より短く、有機EL部20の幅より長い幅を有しており且つ開口部が形成されていない長尺の封止部材14を、デバイス形成領域列毎に貼合してもよい。この場合、封止部材14に開口部14aを形成しなくてもよいので、封止部材14の作製が容易であるとともに、封止部材14のデバイス基板12への位置合わせも容易である。図11では、図6及び図7の場合と同様に、封止部材14にハッチングを付して封止部材14を明示しているとともに、デバイス基板12が備える陽極層18、有機EL部20及び陰極層22の図示を省略している。
封止基材は金属箔の他、例えば、透明なプラスチックフィルムの表面若しくは裏面又はその両面にバリア機能層を形成したバリアフィルム、或いはフレキシブル性を有する薄膜ガラス、プラスチックフィルム上にバリア性を有する金属を積層させたフィルムでもよい。
個片化工程では、貼合工程を経たデバイス形成基板からデバイス形成領域を分離できればよい。例えば、デバイス形成領域の外縁(境界)を裁断線として、その裁断線に沿って枠状ではなく、薄板状(又はナイフ状)の裁断刃を移動させながらデバイス形成領域を個片化してもよい。或いは、レーザ加工を用いて個片化工程を実施してもよい。
陽極層及び陰極層の形状は例示した形態に限定されない。例えば、陽極層及び陰極層は、有機ELデバイスの角部近傍に配置されないような形状を有してもよい。この場合でも、有機ELデバイスの角部に封止部材が配置されないことで、角部から落下した場合の封止部材の剥がれ等の不都合を抑制できる。
有機ELデバイスの製造方法で使用する支持基板は、長尺の支持基板でなくてもよく、枚葉の支持基板であってもよい。デバイス基板製造工程では、陽極層が予め形成された支持基板を準備すれば、デバイス基板製造工程は、陽極層形成工程を有しなくてもよい。
第1電極層として陽極層を例示し、第2電極層として陰極層を例示したが、第1電極層が陰極層であり、第2電極層が陽極層であってもよい。すなわち、陰極層が支持基板(可撓性基板)側に配置されていてもよい。
有機ELデバイス(及びデバイス形成領域)の形状は、正方形、矩形などといった四角形に限定されず、少なくとも一つの角部を有する形状で有ればよい。
上記実施形態では、有機電子デバイスの一例である有機ELデバイスの製造方法を説明したが、本発明は、有機ELデバイスの他、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機センサー、有機薄膜太陽電池等の有機物を材料として用いた有機電子デバイスの製造方法にも適用できる。
10…有機ELデバイス(有機電子デバイス)、12…デバイス基板、14…封止部材、16…支持基板、18…陽極層(第1電極層)、20…有機EL部(有機層を含むデバイス機能部)、22…陰極層(第2電極層)、24…金属箔(封止基材)、26…接着層、32…裁断刃、c1,c2,c3,c4…角部、DA…デバイス形成領域。
Claims (2)
- 可撓性を有する支持基板において仮想的に設定され、少なくとも一つの角部を有する複数のデバイス形成領域のそれぞれに、第1電極層と、有機層を含むデバイス機能部と、第2電極層とを順に積層したデバイス基板を製造するデバイス基板製造工程と、
封止基材と前記封止基材に積層された接着層とを含む封止部材を、前記デバイス形成領域の前記角部に前記封止部材が配置されないように、前記接着層を介して前記デバイス基板の前記第2電極層側に貼合する貼合工程と、
前記封止部材が貼合された前記デバイス基板を、前記デバイス形成領域毎に個片化して有機電子デバイスを得る個片化工程と、
を備え、
前記封止基材は金属箔であり、
前記個片化工程では、前記デバイス形成領域の形状に対応した形状の裁断刃で、前記封止部材が貼合された前記デバイス基板を前記デバイス形成領域毎に裁断し、
前記個片化工程では、前記封止部材が貼合された前記デバイス基板の前記封止部材側から前記支持基板側に裁断刃を進行させ、
前記支持基板は、一方向に延在しており、
前記複数のデバイス形成領域は、前記支持基板の前記一方向に沿って配置されており、
前記貼合工程では、前記支持基板の前記一方向に直交する方向の長さが前記デバイス形成領域の長さより短い前記封止部材を、前記デバイス基板に貼合する、
有機電子デバイスの製造方法。 - 前記封止部材は、前記デバイス形成領域の前記角部と対向する位置に開口部を有する、
請求項1に記載の有機電子デバイスの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017086106A JP6375015B1 (ja) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | 有機電子デバイスの製造方法 |
US16/608,538 US11108028B2 (en) | 2017-04-25 | 2018-04-20 | Manufacturing method for organic electronic device |
EP18791974.1A EP3618575A4 (en) | 2017-04-25 | 2018-04-20 | MANUFACTURING PROCESS OF AN ORGANIC ELECTRONIC DEVICE |
CN201880027785.8A CN110574494A (zh) | 2017-04-25 | 2018-04-20 | 有机电子器件的制造方法 |
PCT/JP2018/016322 WO2018198978A1 (ja) | 2017-04-25 | 2018-04-20 | 有機電子デバイスの製造方法 |
KR1020197033785A KR20200005559A (ko) | 2017-04-25 | 2018-04-20 | 유기 전자 디바이스의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017086106A JP6375015B1 (ja) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | 有機電子デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6375015B1 true JP6375015B1 (ja) | 2018-08-15 |
JP2018185927A JP2018185927A (ja) | 2018-11-22 |
Family
ID=63165866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017086106A Active JP6375015B1 (ja) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | 有機電子デバイスの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11108028B2 (ja) |
EP (1) | EP3618575A4 (ja) |
JP (1) | JP6375015B1 (ja) |
KR (1) | KR20200005559A (ja) |
CN (1) | CN110574494A (ja) |
WO (1) | WO2018198978A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021176955A1 (ja) * | 2020-03-05 | 2021-09-10 | パイオニア株式会社 | 発光装置及び封止部 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008077854A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
JP2013137999A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-07-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 封止体、発光装置、電子機器及び照明装置 |
WO2015016082A1 (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、製造装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2015185479A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2015215952A (ja) * | 2014-05-07 | 2015-12-03 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2016078915A1 (de) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | Osram Oled Gmbh | Organische leuchtdiode, organisches leuchtmodul und verfahren zur herstellung einer organischen leuchtdiode |
JP2016149223A (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5852480A (en) | 1994-03-30 | 1998-12-22 | Nec Corporation | LCD panel having a plurality of shunt buses |
JP2713211B2 (ja) | 1994-03-30 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 液晶表示パネル |
JP3288880B2 (ja) | 1995-02-10 | 2002-06-04 | 株式会社日立製作所 | 画像表示素子基板の製造方法及びその装置 |
JPH1062735A (ja) | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置 |
WO2000054323A1 (fr) * | 1999-03-11 | 2000-09-14 | Seiko Epson Corporation | Substrat de cablage flexible, bande porte-puce, dispositif a semiconducteur de type bandes, dispositif a semiconducteur, procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur, carte de circuit imprime, et appareil electronique |
US6579422B1 (en) | 1999-07-07 | 2003-06-17 | Sony Corporation | Method and apparatus for manufacturing flexible organic EL display |
JP2003133068A (ja) | 2001-10-25 | 2003-05-09 | Nec Corp | 発光表示装置の製造方法およびそれを適用した発光表示装置の製造装置 |
JP4628154B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-02-09 | 三井金属鉱業株式会社 | フレキシブルプリント配線基板、および半導体装置 |
JP2006278213A (ja) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス用基板、電子デバイス、電子デバイスの製造方法および電子機器 |
JP5055711B2 (ja) | 2005-04-14 | 2012-10-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機el素子の製造方法、有機el素子 |
US20090091245A1 (en) | 2005-05-04 | 2009-04-09 | Otb Group B.V. | Method for manufacturing an oled, an intermediate product for manufacturing an oled, as well as an oled |
JP4793075B2 (ja) | 2006-04-21 | 2011-10-12 | パナソニック電工株式会社 | 照明装置 |
JP2011040336A (ja) | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロニクスパネルの製造方法 |
WO2011070841A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
US9082736B2 (en) | 2010-03-05 | 2015-07-14 | Pioneer Corporation | Organic EL panel and method of manufacturing the same |
EP2536251A4 (en) | 2010-04-28 | 2016-11-16 | Nec Lighting Ltd | ORGANIC ELECTROLUMINESCENE ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
WO2013042532A1 (ja) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
JP2014075253A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Nitto Denko Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
JP2014112525A (ja) * | 2012-10-29 | 2014-06-19 | Nitto Denko Corp | ロールツーロール方式を用いた有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
KR101522167B1 (ko) | 2013-02-20 | 2015-05-21 | 주식회사 엘지화학 | 높은 재단 효율성으로 직사각형 단위체들을 제조하는 방법 |
JP2015216072A (ja) | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el装置及びその製造方法 |
JPWO2016136008A1 (ja) | 2015-02-24 | 2017-11-30 | コニカミノルタ株式会社 | 有機発光素子 |
WO2016178370A1 (ja) | 2015-05-07 | 2016-11-10 | コニカミノルタ株式会社 | 薄膜電子デバイスの製造方法 |
JP6471623B2 (ja) | 2015-06-18 | 2019-02-20 | コニカミノルタ株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP6053221B1 (ja) | 2015-10-20 | 2016-12-27 | 住友化学株式会社 | 有機el素子及びその製造方法 |
US20190198807A1 (en) * | 2017-12-25 | 2019-06-27 | Industrial Technology Research Institute | Barrier film and barrier structure including the same |
-
2017
- 2017-04-25 JP JP2017086106A patent/JP6375015B1/ja active Active
-
2018
- 2018-04-20 KR KR1020197033785A patent/KR20200005559A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-04-20 WO PCT/JP2018/016322 patent/WO2018198978A1/ja unknown
- 2018-04-20 EP EP18791974.1A patent/EP3618575A4/en not_active Withdrawn
- 2018-04-20 CN CN201880027785.8A patent/CN110574494A/zh active Pending
- 2018-04-20 US US16/608,538 patent/US11108028B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008077854A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
JP2013137999A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-07-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 封止体、発光装置、電子機器及び照明装置 |
WO2015016082A1 (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、製造装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2015185479A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2015215952A (ja) * | 2014-05-07 | 2015-12-03 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2016078915A1 (de) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | Osram Oled Gmbh | Organische leuchtdiode, organisches leuchtmodul und verfahren zur herstellung einer organischen leuchtdiode |
JP2016149223A (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018185927A (ja) | 2018-11-22 |
EP3618575A1 (en) | 2020-03-04 |
CN110574494A (zh) | 2019-12-13 |
WO2018198978A1 (ja) | 2018-11-01 |
EP3618575A4 (en) | 2021-01-20 |
US11108028B2 (en) | 2021-08-31 |
US20210111381A1 (en) | 2021-04-15 |
KR20200005559A (ko) | 2020-01-15 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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