WO2017154234A1 - 蒸着マスク、蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法 - Google Patents

蒸着マスク、蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法 Download PDF

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光志 西田
克彦 岸本
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鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
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Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition mask, a vapor deposition apparatus, a vapor deposition method, and a method for manufacturing an organic EL display apparatus used when vapor-depositing an organic layer of an organic EL display apparatus. More specifically, the present invention relates to a vapor deposition mask, a vapor deposition apparatus, a vapor deposition method, and a method for manufacturing an organic EL display device using the vapor deposition method, in which the vapor deposition mask can be easily attached and detached during vapor deposition.
  • an organic layer is laminated for each pixel on a device substrate on which a switch element such as a TFT is formed on a support substrate. Since this organic layer is sensitive to moisture and cannot be etched, a vapor deposition mask is arranged on the device substrate, and an organic material is vapor-deposited through the vapor deposition mask, so that only a necessary pixel has a necessary organic layer. Laminated. Conventionally, a metal mask has been used as the vapor deposition mask, but in recent years, a resin film has been used as a mask material in place of the metal mask in order to form a vapor deposition mask having a finer pattern of openings. From the viewpoint of maintaining the mechanical strength, a composite type deposition mask in which a metal layer is provided on a part of one surface tends to be used.
  • the magnetic material is applied to the metal support layer of the metal mask or the composite type vapor deposition mask or a frame (frame body) formed around the metal mask.
  • the substrate is fixed by a so-called magnetic chuck method in which a permanent magnet or an electromagnet and an evaporation mask are adsorbed by sandwiching an apparatus substrate on which an organic material is laminated (see, for example, Patent Document 1), and the apparatus substrate and the evaporation mask.
  • the vapor deposition material such as an organic material is sublimated and the vapor deposition material that has passed through the vapor deposition mask is deposited on the apparatus substrate.
  • Patent Document 1 in order to facilitate separation of the vapor deposition mask, a protrusion is formed on the vapor deposition mask so that the entire surface is not in close contact with the vapor deposition substrate on the electromagnet side. It is disclosed.
  • a gap is formed between the vapor deposition mask and the vapor deposition substrate, there is a problem that vapor deposition with an accurate dimension cannot be performed on the vapor deposition substrate.
  • an organic EL display device is formed, there is a problem that an organic EL display device with excellent display quality cannot be obtained.
  • the present invention has been made to solve such problems, and a vapor deposition method and vapor deposition that can uniformly and reliably perform the separation of the vapor deposition mask after vapor deposition of the vapor deposition material.
  • An object is to provide a mask and a vapor deposition apparatus.
  • Another object of the present invention is to provide a method for producing an organic EL display device having excellent display quality by using the above vapor deposition method and vapor deposition mask.
  • the vapor deposition method of the present invention comprises a step of forming a vapor deposition mask having a metal layer made of a ferromagnetic material at least partially, a step of magnetizing the metal layer by applying a magnetic field to the metal layer of the vapor deposition mask, After aligning the vapor deposition substrate and the vapor deposition mask, the step of adsorbing the electromagnet and the vapor deposition mask with the vapor deposition substrate interposed therebetween, disposing the vapor deposition source on the side facing the vapor deposition mask, and from the vapor deposition source to the vapor deposition material Vaporizing and depositing a vapor deposition material on the vapor deposition substrate, and separating the electromagnet and the vapor deposition substrate from the vapor deposition mask by generating a magnetic field that causes the electromagnet to repel the vapor deposition mask.
  • the vapor deposition apparatus includes an electromagnet, a substrate holder provided so as to hold a deposition substrate on one magnetic pole side of the electromagnet, and an opposite side of the electromagnet of the deposition substrate held by the substrate holder.
  • a vapor deposition mask provided; and a vapor deposition source provided to face the vapor deposition mask and vaporizing a vapor deposition material, the vapor deposition mask having a metal layer made of a ferromagnetic material, and the metal possessed by the vapor deposition mask
  • a control circuit capable of magnetizing the layer is connected to the electromagnet.
  • the vapor deposition mask of the present invention is a vapor deposition mask for forming a laminated film at a predetermined location on the surface of a substrate, and has a metal layer made of a ferromagnetic material at least partially, and the metal layer is on one surface of a resin film. By being partially formed, a composite mask is formed, and the metal layer is magnetized in a certain direction to have residual magnetization.
  • the method for producing an organic EL display device of the present invention is a method for producing an organic EL display device by laminating an organic layer on a device substrate, wherein the device substrate has at least a TFT and a first electrode formed on a support substrate.
  • the method includes depositing an organic material on the first electrode by using the above-described vapor deposition method to form a laminated film of an organic layer and forming a second electrode on the laminated film.
  • the metal layer (metal support layer) of the vapor deposition mask is made of a ferromagnetic material and magnetized, the vapor deposition mask is attracted by the magnetic chuck together with the vapor deposition substrate.
  • the deposition mask is always magnetized in a certain direction, so that a uniform magnetic field in the opposite direction is applied uniformly by the electromagnet to ensure separation of the deposition mask and the substrate to be deposited. Is done.
  • the vapor deposition time in the manufacturing process is always stable and the separation does not take time, so that the work can be continued with a stable process work time (so-called tact time).
  • tact time a stable process work time
  • unnecessary adsorption is suppressed by weakening the magnetic field of the electromagnet, facilitating fine movement of the deposition substrate, and easy alignment with the deposition mask. Can do.
  • the electromagnet provided in the vapor deposition apparatus has a control circuit that can magnetize the metal layer of the vapor deposition mask. Can be easily magnetized before or after alignment. In addition, when it magnetizes before aligning in the piled-up state, the attracting force can also be weakened by generating a magnetic field opposite to the magnetic field direction of the magnetization at the time of alignment.
  • the metal layer of the vapor deposition mask is already magnetized in a certain direction, it is easy to generate the opposite magnetic field by the electromagnet of the vapor deposition apparatus, Can be separated.
  • the magnetization direction of the vapor deposition mask is constant, the opposite magnetic field is always constant, and can be reliably separated in a short time.
  • the vapor deposition mask is always magnetized in a certain direction, when separating the vapor deposition mask and the electromagnet after vapor deposition, a magnetic field in the direction opposite to the magnetization direction is applied. It is easily separated by performing the separation work while generating. Therefore, the vapor deposition process can be performed in a fixed time in any case, the vapor deposition process can be completed in a stable time, and cost reduction can be easily achieved.
  • the vapor deposition method of the present invention is a metal layer at least partly made of a ferromagnetic material, as shown in FIG. 1 for a process diagram of one embodiment and FIGS. 2A to 2B for schematic views for vapor deposition.
  • the magnetization of a vapor deposition mask may be performed after the vapor deposition mask 1 is aligned with a vapor deposition substrate.
  • the electromagnet 3 and the vapor deposition mask 1 may be attracted by passing a current that generates a magnetic field that attracts the vapor deposition mask 1 to the electromagnet 3, or the electromagnet 3 has a magnetic core 31.
  • the current may be set to 0 (off) so that the magnetic core 31 and the magnetized vapor deposition mask 1 are attracted to each other.
  • the present invention has at least a metal layer (metal support layer 12) on the vapor deposition mask 1, uses a ferromagnetic material for the metal support layer 12, and deposits it while adsorbing it to the magnetic chuck by magnetizing.
  • the electromagnet 3 and the vapor deposition mask 1 are easily separated by generating a magnetic field opposite to the magnetization direction of the vapor deposition mask 1 with the electromagnet 3.
  • the metal support layer 12 is not magnetized or is magnetized in either direction. It is not constant.
  • the state of magnetization of the magnetic material of the vapor deposition mask varies, and if a magnetic field is uniformly generated by an electromagnet, it may be easily repelled and separated from the magnetic field of the vapor deposition mask.
  • the magnetic material of the vapor deposition mask is not magnetized, the attractive force acts on the contrary.
  • the state of magnetization of the vapor deposition mask and the magnetic field generated by the electromagnets strengthen each other, a strong attractive force is obtained. Therefore, even if a uniform magnetic field is generated in the electromagnet, the separation is not always easy. In each case, changing the direction of the current of the electromagnet takes time. For this reason, even if an electromagnet is used for the magnetic chuck, uniform processing cannot be performed for each deposition mask used.
  • a vapor deposition mask 1 having a metal layer (metal support layer 12) made of a ferromagnetic material at least partially is formed (S1).
  • the vapor deposition mask 1 may be a metal mask, but in the example shown in FIG. 2B, a composite vapor deposition mask 1 having a structure in which a metal support layer 12 is laminated on a resin film 11 is illustrated.
  • electronic components have been miniaturized, and it is difficult to form a fine pattern of openings 11a with a metal mask. Therefore, a fine pattern of openings 11a is formed with a resin film 11 that is relatively easy to finely process.
  • the resin film 11 alone is likely to warp or bend, so that the composite deposition mask 1 is formed by laminating a metal support layer 12 having an opening 12 a that is slightly larger than the opening 11 a of the resin film 11.
  • the vapor deposition mask of the present invention is characterized in that the metal support layer 12 is made of a ferromagnetic material and is magnetized so as to be magnetized in a certain direction.
  • the metal support layer 12 may be provided on the resin film 11 by a method such as sputtering, vacuum deposition, or electrolytic plating, or a metal foil may be attached.
  • the resin film 11 may be laminated by applying and curing a liquid resin on the metal foil.
  • the resin film 11 preferably has a small difference in linear expansion coefficient from the vapor deposition substrate 2, but is not particularly limited.
  • polyimide (PI) resin polyethylene naphthalate (PEN) resin, polyethylene terephthalate (PET) resin, cycloolefin polymer (COP) resin, cyclic olefin copolymer (COC) resin, polycarbonate (PC) resin, polyamide resin, polyamideimide resin , Polyester resin, polyethylene resin, polyvinyl alcohol resin, polypropylene resin, polystyrene resin, polyacrylonitrile resin, ethylene vinyl acetate copolymer resin, ethylene-vinyl alcohol copolymer resin, ethylene-methacrylic acid copolymer resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin Cellophane, ionomer resin and the like can be used.
  • PI polyimide
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PET polyethylene terephthalate
  • Polyimide resin is preferable because a linear expansion coefficient can be adjusted by conditions such as a temperature rise profile during the heat treatment when a precursor solution is applied and a heat treatment is performed to form a resin film.
  • the thickness of the resin film 11 is about several ⁇ m to several tens of ⁇ m, for example, about 5 ⁇ m or more and about 10 ⁇ m or less.
  • a ferromagnetic material is used, and for example, Fe, Co, Ni or an alloy thereof, a MnAl alloy, SmCo that is an intermetallic compound, or the like can be used.
  • the thickness of the metal support layer 12 is 5 ⁇ m or more and about 30 ⁇ m or less.
  • Invar Fe and Ni alloy
  • the metal support layer 12 is formed on one surface of the resin film 11 by a method such as electrolytic plating, vacuum deposition, or sputtering, and the periphery of the region where the opening 11a of the resin film 11 is formed is removed by etching or the like.
  • a film by a method (in the case of electrolytic plating, film formation is performed by electrolytic plating after forming a pattern with a resist film), an opening 12a that is slightly larger than the opening 11a of the resin film 11 is formed (see FIG. 2B).
  • the opening 12 a may be formed after a metal foil made of a ferromagnetic material is attached to the resin film 11.
  • a resin film 11 is formed by applying and curing a liquid resin on a metal foil made of a ferromagnetic material, and then opening 12a is formed by etching or the like on the metal foil. It may be a layer 12.
  • An opening 11a is formed in the resin film 11 by laser light irradiation.
  • the opening 11a is formed on the metal support layer 12 side of the resin film 11 on which the metal support layer 12 (not shown in FIG. 4A, see FIG. 2B) is formed.
  • the processing stage 45 are arranged on the processing stage 45 and irradiated with laser light through a laser mask 41 having a pattern of a desired opening 41a matched to the pattern of the opening 11a of the vapor deposition mask 1 and an optical lens 42 for converging the light.
  • the pattern of the opening 41a of the laser mask 41 is reduced and transferred to form the opening 11a.
  • the laser beam irradiation device and the resin film 11 are relatively moved by the stepper, and the pattern of the opening 11a is sequentially formed in the large resin film 11.
  • the optical lens 42 is not always necessary, but is effective in increasing the irradiation energy density of the processed surface.
  • the optical lens 42 is disposed downstream of the laser mask 41 in the traveling direction of the laser light (resin film 11 side) and condenses the laser light.
  • the energy density is 100 ⁇ , but one side of the transfer pattern of the laser mask 41 has a 1/10 scale.
  • the conditions for laser light irradiation vary depending on the material and thickness of the resin film 11 to be processed, the size and shape of the opening 11a to be processed, and generally, the pulse frequency of the laser light is 1 Hz or more. 60 Hz or less, the pulse width is 3 nanoseconds (nsec) or more and 15 nanoseconds or less, and the energy density of the laser beam on the irradiated surface per pulse is 0.01 J / cm 2 or more and 1 J / Cm 2 or less.
  • the wavelength is 355 nm (third harmonic of YAG laser).
  • laser beam, pulse frequency of 60 Hz, 15 nsec or less pulse width is not more than 3 nsec, energy density of the laser beam on the irradiated surface is not more 0.01 J / cm 2 or more per pulse 1 J / cm 2 or less, shot
  • the resin film 11 made of polyimide is irradiated under the condition that the number (number of pulses to be irradiated) is 50 or more and 200 or less, for example, 100 shots.
  • the irradiated laser beam is not limited to the YAG laser. Any laser having a wavelength that can be absorbed by the resin may be used. Therefore, another laser beam such as an excimer laser or a He—Cd laser may be used.
  • the irradiation conditions change when the laser light source changes or the resin material changes. Under the above-mentioned conditions, when 100 shots of irradiation are performed to form the opening pattern, a complete through-hole is opened in a 10 ⁇ m-thick polyimide film.
  • the opening 11a of the resin film 11 and the opening 12a of the metal support layer 12 are tapered so as to taper toward the deposition target substrate 2 side.
  • the reason for forming the tapered shape is that the vapor deposition material sublimated from the vapor deposition source 5 (see FIG. 2A) has a fan-shaped vapor deposition beam (deposition source 5 having a constant angle ⁇ spread determined by the shape of the crucible of the vapor deposition source 5.
  • 2A becomes a linear deposition source extending in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 2A, so-called linear source, so that the deposition target substrate 2 (see FIGS. 2A to 2B) is not obstructed by the deposition particles on the side edge of the beam.
  • the laser mask 41 is configured such that the transmittance of the laser beam is different between the central portion and the peripheral portion of the opening portion 41a.
  • the above-described laser mask 41 is formed as follows, for example.
  • a light-shielding thin film 41b made of chromium or the like is formed on a transparent substrate that transmits laser light such as a quartz glass plate.
  • the opening part 41a is formed by patterning the light shielding thin film 41b. Therefore, the transmittance can be changed by forming the light-shielding thin film 41b in a spot manner as conceptually shown in FIG. 4C, for example.
  • the opening 41a is depicted as being separated from the first portion 41a1, the second portion 41a2, and the third portion 41a3 for convenience, but such a division is not necessary.
  • the first portion 41a1 transmits 100% because the light shielding thin film 41b is not formed at all.
  • the light shielding thin film 41b is sparsely formed, and the area thereof is formed to be about 20%.
  • the transmittance of the second portion 41a2 is 80%.
  • the third portion 41a3 is formed so that the amount of the light shielding thin film 41b is about 50% in terms of area.
  • the transmittance of the third portion 41a3 is about 50%.
  • the first portion 41a1, the second portion 41a2, and the third portion 41a3 are divided and described, and the light shielding thin film 41b is formed in a dispersed manner. Since the transfer resolution of laser light is about 2 ⁇ m, for example, a 2 ⁇ m square is equally divided into 5 parts vertically and horizontally, and the light-shielding thin film 41b is formed in a part of 25 segments in total, thereby transmitting the laser light transmittance. Can be adjusted. By making the transmittance continuously decrease toward the periphery, the tapered opening 11a can be formed.
  • the resin film 11 is separated from the processing stage 45, tension is applied (stretched), and a frame (frame body) (not shown) is pasted around.
  • This frame may be welded around the metal support layer 12 by laser welding or the like, or may be bonded by a fully curable adhesive that does not generate gas during vapor deposition.
  • the laser aperture may be formed after the frame is attached, and this frame is not essential. Thereby, the vapor deposition mask 1 is produced.
  • the metal support layer 12 is magnetized by applying a magnetic field to the metal support layer (metal layer) 12 of the vapor deposition mask 1 (S2).
  • a magnetic field As shown in the magnetization curve of FIG. 3B, for example, when the external magnetic field H increases, the intensity of magnetization (magnetic flux density) M of the ferromagnetic material also increases. However, the magnetization intensity M hardly increases above a certain external magnetic field H, and becomes saturation magnetization M1. Even if the external magnetic field H is subsequently reduced to zero, a constant magnetization M2 appears. This is called residual magnetization (residual magnetic flux density). When this residual magnetization occurs, it acts as a magnet.
  • the electromagnet 3 is formed by winding an electric wire around the magnetic core 31 to form the electromagnetic coil 32.
  • a direct current is passed through the electromagnetic coil 32 of the electromagnet 3
  • a magnetic field H is generated according to the right-handed screw law.
  • the ferromagnetic body 7 is placed in the magnetic field H, magnetization according to the magnitude of the magnetic field H is induced as described above.
  • the residual magnetization M2 remains in the ferromagnetic body 7 even if the magnetic field H is set to zero.
  • the magnitude of the magnetic field H is determined by the product N ⁇ A of the number N of turns of the electromagnetic coil 32 and the magnitude A of the flowing current.
  • a larger magnetomotive force N ⁇ A can be obtained as the number of turns N of the electromagnetic coil 32 is increased and as the current A is increased. Since it does not relate to the time during which the current flows, it suffices if a large current flows instantaneously. For example, a large current can be obtained by flowing the electric charge stored in the capacitor all at once. That is, as a magnetizing apparatus, a control circuit including such a capacitor and a discharge switch may be connected to the electromagnetic coil 32 of the electromagnet 3.
  • the saturation magnetization of the magnetic material or the size of the remanent magnetization is not a problem. Therefore, it is only necessary to magnetize (magnetize) a normal ferromagnetic material such as iron or nickel to the extent that residual magnetization remains.
  • the deposition mask 1 is adsorbed to the electromagnet 3 with the deposition target substrate 2 interposed therebetween (S3). That is, the vapor deposition mask 1 is placed on the mask holder 15 as schematically shown in FIG. 2A. Then, the deposition substrate 2 brought in by a robot arm (not shown) is placed on the substrate holder 29, and the substrate holder 29 is lowered, so that the deposition substrate 2 and the deposition mask 1 are almost in contact with each other, that is, the substrate to be deposited. Alignment alignment marks formed on the vapor deposition substrate 2 and the vapor deposition mask 1 are brought close to each other until they can be observed simultaneously with an imaging device (not shown).
  • the touch plate 6 on which the electromagnet 3 is placed lowers the support frame 61 so that it is superimposed on the deposition target substrate 2.
  • the deposition substrate 2 and the deposition mask 1 are aligned, and after the alignment, the deposition substrate 2 is lowered until it completely contacts the deposition mask 1.
  • a current that weakens the attractive force or cancels the attractive force is supplied to the electromagnetic coil 32 so that the electromagnet 3 and the vapor deposition mask 1 are not attracted unnecessarily.
  • a magnetic field that completely repels is applied, a positional shift is likely to occur when the vapor deposition mask 1 is attracted after alignment.
  • the alignment of the deposition substrate 2 and the deposition mask 1 is performed by observing the alignment marks formed on the deposition substrate 2 and the deposition mask 1 with an imaging device, while the deposition substrate 2 is deposited on the deposition mask 2. It is performed by moving relative to 1.
  • the current of the electromagnetic coil 32 is reduced to 0 or a current in the direction of suction is applied to attract and attract the electromagnet 3 and the vapor deposition mask 1 with a strong suction force. .
  • the electromagnet 3 When the electromagnet 3 has the magnetic core 31, it is attracted between the magnetic core 31 and the metal support layer 12 made of a ferromagnetic material of the vapor deposition mask 1 without passing an electric current through the electromagnetic coil 32, but does not have the magnetic core 31. In this case, the magnetic coil 32 is attracted with a strong suction force by passing a current in a direction to suck the vapor deposition mask 1.
  • the metal support layer 12 of the vapor deposition mask 1 when the metal support layer 12 of the vapor deposition mask 1 is not yet magnetized, a large current is applied to the electromagnetic coil 32 at the time when the alignment is performed, so that the metal support layer 12 made of a ferromagnetic material is formed. It can be magnetized and can be adsorbed as it is.
  • a slight current is passed through the electromagnetic coil 32 to generate a weak magnetic field, so that it can be lightly attracted and aligned.
  • the electromagnet 3 can be used to magnetize the metal support layer 12. Even in this case, when the electromagnet 3 has the magnetic core 31, even if the current of the electromagnet 3 is set to 0 after magnetization, an attractive force acts between the magnetic core 31 and the metal support layer 12, and the electromagnet 3 is turned off. The deposition process can be continued.
  • the vapor deposition source 5 is disposed on the side facing the vapor deposition mask 1, and the vapor deposition material 54 is vaporized from the vapor deposition source 5, thereby depositing the vapor deposition material on the deposition target substrate 2 (S4). ).
  • the vapor deposition source 5 may be a line type vapor deposition source 5 formed so as to be arranged in a line such as a crucible, so-called linear source, but is not limited thereto. When a linear source is used as the vapor deposition source 5, the large vapor deposition substrate 2 is vapor-deposited collectively by scanning in the left-right direction in FIG. 2A.
  • the vapor deposition material in the crucible is sublimated and scattered, and adheres to a predetermined location of the vapor deposition substrate 2 through the opening 11 a of the vapor deposition mask 1.
  • a plurality of types of vapor deposition masks in which the openings 11a are formed in some pixels are formed, and the vapor deposition masks are replaced to form an organic layer by a plurality of vapor deposition operations.
  • the electromagnet 3 and the deposition substrate 2 are separated from the deposition mask 1 by generating a magnetic field that repels the deposition mask 1 in the electromagnet 3 (flowing a current in a direction opposite to the direction of the current during magnetization) (S5). ). That is, when magnetizing in step S2, a current having a polarity opposite to that shown in FIG. 2A is caused to flow in step S5, whereby the electromagnet 3 and the vapor deposition mask 1 are repelled. As a result, the electromagnet 3 and the deposition substrate 2 are easily separated from the deposition mask 1.
  • step S2 is completed in the flowchart shown in FIG.
  • the metal support layer can be demagnetized.
  • the hysteresis curve shown in FIG. 3B is drawn, so it is difficult to set the residual magnetization M2 to zero. It can be demagnetized by exposing it to an alternating electromagnetic field and gradually reducing the alternating current.
  • the demagnetization control circuit includes a circuit for passing an alternating current through the electromagnetic coil 32 and an adjusting mechanism such as a slidac that gradually reduces the alternating current.
  • An adjustment circuit for applying AC power to the electromagnetic coil 32 of the electromagnet 3 and its magnitude is connected to the electromagnet as a demagnetization control circuit.
  • the vapor deposition apparatus can hold the vapor deposition substrate 2 via the touch panel 6 on the one magnetic pole side of the electromagnet 3 and the electromagnet 3 placed on the touch plate 6.
  • a substrate holder 29 provided, a vapor deposition mask 1 provided on the opposite side to the electromagnet 3 of the substrate 2 to be deposited held by the substrate holder 29, and a vapor deposition source provided to face the vapor deposition mask 1 and vaporize the vapor deposition material 5.
  • the vapor deposition mask 1 has a metal layer made of a ferromagnetic material (metal support layer 12: see FIG.
  • the electromagnet 3 has a control circuit (not shown) that can magnetize the metal support layer 12 included in the vapor deposition mask 1. is doing.
  • the vapor deposition mask 1 is placed on the mask holder 15, and the substrate holder 29 and the touch plate 6 are lifted upward.
  • the deposition substrate 2 transported by a robot arm (not shown) is placed on the substrate holder 29, and the substrate holder 29 is lowered so that the deposition substrate 2 is brought into contact with the deposition mask 1 and further supported.
  • the touch plate 6 is overlapped with the deposition target substrate 2.
  • the touch plate 6 is provided for cooling the deposition target substrate 2 and the deposition mask 1 by flattening the deposition target substrate 2 and circulating cooling water therein, although not shown.
  • the touch plate 6 has a material and a thickness determined to make the in-plane distribution of the magnetic field uniform on the deposition mask surface.
  • an electromagnetic coil 32 is wound around a magnetic core 31 made of an iron core or the like.
  • the size of the vapor deposition mask 1 is about 1.5 m ⁇ 1.8 m. Therefore, the electromagnet having the magnetic core 31 of about 20 cm square shown in FIG. In FIG. 2A, the horizontal direction is reduced and the number of electromagnets is reduced.
  • terminals 32a and 32b are individually formed so that the electromagnets on both sides can independently apply current, the electromagnets in the center are connected in series, and terminals 32a and 32b are connected to both ends thereof. The structure is formed.
  • the vapor deposition mask 1 and the deposition substrate 2 are separated from the peripheral portion. Can then be separated towards the center. If the initial separation is easily performed, the central portion can be easily separated.
  • the substrate to be vapor-deposited is made of a film, it is easy to peel off from the end, especially when manufacturing by roll-to-roll.
  • the applied current is made different only at the peripheral portion and the central portion, but the electromagnet at the central portion is further divided to change the generated magnetic field, and from the peripheral portion toward the central portion. A gradation magnetic field that gradually changes the applied magnetic field can be obtained. By doing so, it is possible to easily separate the deposition target substrate 2 and the deposition mask 1 from each other while ensuring the holding.
  • the periphery of each electromagnet is fixed with a resin 33 such as silicone rubber, silicone resin, or epoxy resin.
  • a resin 33 such as silicone rubber, silicone resin, or epoxy resin.
  • the resin 33 is not necessarily required, it is possible to fix individual electromagnets, and handling becomes easy.
  • the cooling device instead of being hardened by the resin 33, it is possible to improve the ventilation and to cool by air cooling. That is, the cooling device means a device capable of such air cooling or water cooling. When a large amount of current is continuously supplied, heat may be generated. In such a case, it is preferable to cool by air cooling or water cooling.
  • a substrate holder 29 and a mask holder 15 are provided in the vapor deposition apparatus.
  • the substrate holder 29 is connected to a driving device (not shown) so that the peripheral portion of the deposition target substrate 2 is held by a plurality of hook-shaped arms and can be moved up and down.
  • the deposition substrate 2 carried into the deposition apparatus by the robot arm is received by the hook-shaped arm, and the substrate holder 29 is lowered until the deposition substrate 2 comes close to the deposition mask 1.
  • An imaging device (not shown) is also provided so that alignment can be performed.
  • the touch plate 6 is supported by a support frame 61 and includes a drive device that lowers the touch plate 6 until it contacts the deposition target substrate 2.
  • the deposition target substrate 2 By lowering the touch plate 6, the deposition target substrate 2 is flattened.
  • a fine movement device that moves the deposition target substrate 2 relative to the deposition mask 1 while imaging the alignment marks formed on the deposition mask 1 and the deposition target substrate 2 is also provided.
  • Current adjusting means is also provided for generating a magnetic field in a direction in which the attractive force is weakened or canceled so as not to unnecessarily attract the vapor deposition mask 1 by the electromagnet 3 during alignment.
  • the entire apparatus shown in FIG. 2A is also provided with an apparatus for putting the inside of the chamber into a vacuum.
  • the vapor deposition mask 1 has a frame 14 formed around it, and the frame 14 is placed on the mask holder 15. As described above, the vapor deposition mask 1 has a structure as shown in FIG. 2B with details of an example. An attractive force acts between the magnetized magnetic pole of the metal support layer 12 and the magnetic core 31 of the electromagnet 3 and is attracted with the deposition substrate 2 interposed therebetween.
  • the vapor deposition source 5 may be a variety of vapor deposition sources such as dot, line, and plane.
  • a linear type vapor deposition source 5 in which crucibles are arranged in a line (in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 2A).
  • vapor deposition is performed on the entire surface.
  • the vapor deposition source 5 radiates the vapor deposition material so that the side edge of the cross-sectional shape of the radiation beam of the vapor deposition material determined by the shape of the crucible has a cross-sectional fan shape having a certain angle ⁇ .
  • the metal support layer 12 and the resin film 11 are arranged so that even the vapor deposition particles on the side wall side of the fan-shaped cross-sectional shape reach a predetermined place on the deposition target substrate 2 without being blocked by the metal support layer 12 or the resin film 11.
  • the opening 12a and the opening 11a are tapered. As long as the opening 12a of the metal support layer 12 is formed large, it does not have to be tapered.
  • the vapor deposition mask of the present invention has at least a metal support layer (metal layer) made of a ferromagnetic material, and the metal support layer 12 is partially formed on one surface of the resin film 11.
  • the composite vapor deposition mask 1 is obtained, and the metal support layer 12 is magnetized in a certain direction and has residual magnetization.
  • the organic EL display device is manufactured by the above-described method on a device substrate 21 in which a TFT, a planarizing film, and a first electrode (for example, anode) 22 (not shown) are formed on a support substrate (not shown).
  • the vapor deposition mask 1 is aligned and overlapped, and the organic material 51 is vapor-deposited to form a laminated film 25 of organic layers.
  • the second electrode 26 (cathode) is formed on the laminated film 25.
  • a switch element such as a TFT is formed for each RGB sub-pixel of each pixel on a support substrate such as a glass plate
  • the first electrode 22 connected to the switch element includes: On the planarizing film, it is formed by a combination of a metal film such as Ag or APC and an ITO film.
  • insulating banks 23 made of SiO 2, acrylic resin, polyimide resin, or the like are formed between the sub-pixels.
  • the vapor deposition mask 1 is aligned and fixed on the insulating bank 23 of the device substrate 21. As shown in FIG.
  • the fixing is performed by, for example, attracting the electromagnet 3 provided on the side opposite to the vapor deposition surface of the device substrate 21.
  • the metal support layer 12 of the vapor deposition mask 1 is magnetized, it is attracted to the magnetic core 31 of the electromagnet 3.
  • the electromagnet 3 does not have the magnetic core 31, it is attracted by passing a current that generates a magnetic field in the same direction as the case of magnetization in the electromagnetic coil 32.
  • the current in this case may be a current that is small enough to generate a magnetic field. In this state, the position of the first electrode 22 of the device substrate 21 and the opening 11a of the vapor deposition mask 1 are aligned.
  • the openings 11 a of the vapor deposition mask 1 are formed smaller than the interval between the surfaces of the insulating banks 23.
  • the side wall of the insulating bank 23 is prevented from depositing an organic material as much as possible to prevent a decrease in luminous efficiency.
  • the organic material 51 is emitted from the vapor deposition source (crucible) 5 in the vapor deposition apparatus, and the organic substrate 51 is organically formed on only the portion where the opening 11a of the vapor deposition mask 1 is formed.
  • a material 51 is deposited, and an organic layer laminated film 25 is formed on the first electrode 22 of a desired subpixel.
  • the openings 11 a of the vapor deposition mask 1 are formed to be smaller than the distance between the surfaces of the insulating banks 23, so that the organic material 51 is hardly deposited on the side walls of the insulating banks 23.
  • FIGS. 5A to 5B the organic layer laminated film 25 is deposited almost only on the first electrode 22.
  • This vapor deposition step is sequentially performed on each sub-pixel by replacing the vapor deposition mask 1.
  • a vapor deposition mask in which the same material is vapor-deposited on a plurality of subpixels at the same time is used.
  • a magnetic field that cancels the magnetization of the metal support layer 12 of the vapor deposition mask 1 is generated by an electromagnet 3 (see FIG. 2A) not shown in FIG. 5A.
  • the electromagnet 3 and the device substrate 21 can be easily separated from the vapor deposition mask 1.
  • it is set by carrying out in the same manner as the first step described above.
  • the organic layer laminated film 25 is simply shown as one layer, but actually, the organic layer laminated film 25 is formed of a plurality of laminated films made of different materials.
  • a hole injection layer made of a material with good ionization energy consistency that improves hole injection may be provided.
  • a hole transport layer capable of improving the stable transport of holes and confining electrons (energy barrier) in the light emitting layer is formed of, for example, an amine material.
  • a light emitting layer selected on the basis of the light emission wavelength is formed by doping Alq 3 with red or green organic fluorescent material for red, green, for example.
  • a DSA organic material As the blue material, a DSA organic material is used. On the light emitting layer, an electron transport layer that further improves the electron injection property and stably transports electrons is formed of Alq 3 or the like. By laminating each of these layers by several tens of nanometers, an organic layer laminated film 25 is formed. An electron injection layer that improves electron injection properties such as LiF and Liq may be provided between the organic layer and the metal electrode.
  • an organic layer made of a material corresponding to each color of RGB is deposited on the light emitting layer.
  • the hole transport layer, the electron transport layer, and the like are preferably deposited separately using a material suitable for the light emitting layer if the light emitting performance is important.
  • two or three colors of RGB are laminated with the same material.
  • an evaporation mask in which an opening is formed in the common subpixel is formed.
  • each of the organic layers can be vapor-deposited continuously using one vapor deposition mask 1 for the R sub-pixel, or a common organic layer for RGB is deposited.
  • the organic layer of each sub-pixel is vapor-deposited up to the lower side of the common layer, and the vapor-deposition mask 1 in which RGB openings are formed at the common organic layer is used for all pixels at once. An organic layer is deposited.
  • the deposition mask 1 is easily separated by applying a magnetic field that repels the deposition mask 1 as described above.
  • An electrode (for example, a cathode) 26 is formed on the entire surface.
  • the example shown in FIG. 5B is a top emission type and emits light from the upper side. Therefore, the second electrode 26 is formed of a translucent material, for example, a thin Mg—Ag eutectic film. .
  • Al or the like can be used.
  • the second electrode 26 is a metal having a small work function, for example, Mg, K, Li, Al, etc. can be used.
  • a protective film 27 made of, for example, Si 3 N 4 is formed on the surface of the second electrode 26.
  • the entirety is sealed by a sealing layer made of glass, resin film, or the like (not shown), and the organic layer laminated film 25 is configured not to absorb moisture. Further, the organic layer can be made as common as possible, and a color filter can be provided on the surface side.
  • This vapor deposition mask 1 can be used repeatedly. Therefore, the vapor deposition mask 1 once magnetized can be used as it is without being magnetized again. However, since the organic material 51 is laminated on the surface of the vapor deposition mask 1 facing the vapor deposition source, it is necessary to clean the deposited organic material 51 when the thickness of the organic material 51 is about 1 ⁇ m. If the vapor deposition mask 1 is magnetized during cleaning, the vapor deposition mask 1 may be damaged by attracting particles made of a magnetic material in the cleaning liquid, or particles such as dust in the air may be adsorbed. . In that case, the degree of magnetization can be weakened by applying a demagnetizing or reverse magnetic field before cleaning. The deposition mask 1 can be cleaned using, for example, an organic solvent.

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Abstract

蒸着材料の蒸着後に、蒸着マスクの分離を画一的に、かつ、確実に短時間で行うことができる蒸着方法、蒸着マスクおよび蒸着装置を提供する。少なくとも一部に強磁性体からなる金属層(金属支持層)を有する蒸着マスク(1)を形成する工程(S1)と、蒸着マスク(1)の金属層に電磁界を印加することにより金属層を着磁する工程(S2)と、被蒸着基板(2)と蒸着マスク(1)とを位置合せした後、電磁石(3)に蒸着マスク(1)を、間に被蒸着基板(2)を挟んで吸着させる工程(S3)と、蒸着マスク(1)と対向する側に蒸着源(5)を配置し、蒸着源(5)から蒸着材料を気化させて蒸着材料を被蒸着基板(2)に堆積する工程(S4)と、電磁石(3)に蒸着マスク(1)を反発させる磁界を発生させることにより電磁石(3)及び被蒸着基板(2)を蒸着マスク(1)から分離する工程(S5)とを含んでいる。

Description

蒸着マスク、蒸着装置、蒸着方法及び有機EL表示装置の製造方法
 本発明は、有機EL表示装置の有機層を蒸着する際などに用いられる蒸着マスク、蒸着装置、蒸着方法及び有機EL表示装置の製造方法に関する。さらに詳しくは、蒸着時の蒸着マスクの着脱を容易に行うことができる蒸着マスク、蒸着装置、蒸着方法、およびその蒸着方法を用いた有機EL表示装置の製造方法に関する。
 有機EL表示装置が製造される場合、例えば支持基板上にTFT等のスイッチ素子が形成された装置基板上に有機層が画素ごとに対応して積層される。この有機層は水分に弱くエッチングをすることができないため、装置基板上に蒸着マスクが配置され、その蒸着マスクを介して有機材料が蒸着されることにより、必要な画素のみに必要な有機層が積層される。その蒸着マスクとして、従来メタルマスクが用いられていたが、近年より精細な開口部のパターンを有する蒸着マスクを形成するため、メタルマスクに代って樹脂フィルムがマスク材料として用いられ、その樹脂フィルムの機械的強度を維持する観点から一面の一部に金属層が設けられる複合型の蒸着マスクが用いられる傾向にある。
 この蒸着マスクを用いて、例えば有機EL表示装置用の有機材料を蒸着する場合、例えば前述のメタルマスクまたは複合型の蒸着マスクの金属支持層もしくはその周囲に形成されるフレーム(枠体)に磁性体を用い、有機材料が積層される装置基板を挟んで永久磁石または電磁石と蒸着マスクとを吸着させる、いわゆる磁気チャックの方法で固定される(例えば特許文献1参照)と共に、装置基板と蒸着マスクとを位置合せしてから有機材料などの蒸着材料を昇華させて、蒸着マスクを通過した蒸着材料が装置基板上に堆積される。
特開2013-253323号公報
 前述のように、磁気チャックを用いて装置基板及び蒸着マスクを吸着する方法では、吸着力が強すぎる場合には、蒸着が終った後で、磁気チャックから蒸着マスクを分離する際にスムーズに分離することができなくなる。まれに蒸着マスクが磁気チャックから分離困難な場合が発生すると、全体の製造ラインがストップし、大きな支障が生じる。また、磁石に電磁石を用いて蒸着マスクの磁化を打ち消そうとしても蒸着マスクの磁化の程度によっては、逆に強い吸着力が働き分離しにくくなる場合があり、多数の装置基板に連続的に蒸着をする場合に、画一的な操作で蒸着マスクを短時間で分離することができないという問題がある。
 また、上記特許文献1では、蒸着マスクの分離を容易にできるようにするため、蒸着マスクに突起部を形成することにより、電磁石側の被蒸着基板との間で、全面で密着しない構造にすることが開示されている。しかし、蒸着マスクと被蒸着基板との間に間隙部が形成されると、被蒸着基板への正確な寸法での蒸着を行うことができないという問題がある。その結果、有機EL表示装置が形成される場合、表示品位の優れた有機EL表示装置が得られないという問題がある。上述した分離のし難さのみならず、装置基板と蒸着マスクとの位置合せをする場合に、永久磁石で蒸着マスクが強く吸着されると、装置基板と蒸着マスクとの正確な位置合せをし難いという問題がある。
 本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、蒸着材料の蒸着後に、蒸着マスクの分離を画一的に、かつ、確実に短時間で行うことができる蒸着方法、蒸着マスクおよび蒸着装置を提供することを目的とする。
 本発明の他の目的は、上記蒸着方法及び蒸着マスクを用いることにより、表示品位の優れた有機EL表示装置の製造方法を提供することにある。
 本発明の蒸着方法は、少なくとも一部に強磁性体からなる金属層を有する蒸着マスクを形成する工程、前記蒸着マスクの金属層に磁界を印加することにより前記金属層を着磁する工程、被蒸着基板と蒸着マスクとを位置合せした後、電磁石と蒸着マスクを、間に被蒸着基板を挟んで吸着させる工程、前記蒸着マスクと対向する側に蒸着源を配置し、前記蒸着源から蒸着材料を気化させて蒸着材料を前記被蒸着基板に堆積する工程、及び前記電磁石に前記蒸着マスクを反発させる磁界を発生させることにより前記電磁石及び被蒸着基板を前記蒸着マスクから分離する工程を含むことを特徴とする。
 本発明の蒸着装置は、電磁石と、前記電磁石の一方の磁極側に被蒸着基板を保持できるように設けられる基板ホルダーと、前記基板ホルダーにより保持される前記被蒸着基板の前記電磁石と反対側に設けられる蒸着マスクと、前記蒸着マスクと対向するように設けられ、蒸着材料を気化させる蒸着源とを有し、前記蒸着マスクが強磁性体からなる金属層を有し、前記蒸着マスクが有する金属層を着磁できる制御回路が前記電磁石に接続されている。
 本発明の蒸着マスクは、基板表面の所定場所に積層膜を形成するための蒸着マスクであって、少なくとも一部に強磁性体からなる金属層を有し、前記金属層が樹脂フィルムの一面に部分的に形成されることにより複合マスクとされ、前記金属層が一定方向に磁化されて残留磁化を有している。
 本発明の有機EL表示装置の製造方法は、装置基板上に有機層を積層して有機EL表示装置を製造する方法であって、支持基板上にTFTおよび第1電極を少なくとも形成した前記装置基板上に上記の蒸着方法を用いて前記第1電極上に有機材料を蒸着することで有機層の積層膜を形成し、前記積層膜上に第2電極を形成することを含んでいる。
 本発明の蒸着方法によれば、蒸着マスクの金属層(金属支持層)が強磁性体からなり、着磁されているので、被蒸着基板と共に蒸着マスクが磁気チャックにより吸引されて蒸着が行われても、その蒸着後に、蒸着マスクの磁化方向と反対向きの磁界が発生するように磁気チャックの電流方向を制御することにより、簡単に分離することができる。すなわち、蒸着マスクには、常に一定方向の磁化が形成されているので、電磁石によりその反対向きの一定の磁界が画一的に印加されることにより、蒸着マスクと被蒸着基板とが確実に分離される。その結果、製造工程内の蒸着時間が常に安定し、分離に時間がかかることがなくなるので、安定した工程作業時間(いわゆるタクトタイム)で作業を続けることができる。また、被蒸着基板と蒸着マスクとの位置合せをする場合でも、電磁石の磁界を弱めることにより不必要な吸着を抑制し、被蒸着基板の微動が容易になり、簡単に蒸着マスクとの位置合せをすることができる。
 また、本発明の蒸着装置によれば、蒸着装置内に設けられる電磁石が、蒸着マスクの金属層を着磁できる制御回路を有しているので、蒸着装置に被蒸着基板と共に蒸着マスクを位置合せする前に、又は位置合せをした後に、簡単に着磁をすることができる。なお、重ねた状態で位置合せをする前に着磁をした場合は、位置合せの際に電磁石にその着磁の磁界方向と相反する磁界を発生させることで吸着力を弱めることもできる。
 また、本発明の蒸着マスクによれば、蒸着マスクの金属層が既に一定方向に磁化されているので、蒸着装置の電磁石により相反する磁界を発生させることにより、容易に蒸着マスクと被蒸着基板とを分離することができる。この場合、蒸着マスクの磁化の方向が一定になっているので、相反する磁界も常に一定であり、短時間で、かつ、確実に分離することができる。
 また、本発明の有機EL表示装置の製造方法によれば、蒸着マスクが常に一定方向に磁化されているので、蒸着後に蒸着マスクと電磁石とを分離する際に磁化の向きと反対方向の磁界を発生させながら分離作業をすることにより、簡単に分離される。そのため、いかなる場合でも一定の時間で蒸着工程を行うことができ、安定した時間で蒸着工程を終らせることができ、コストダウンを達成しやすい。
本発明の蒸着方法のフローチャートである。 本発明の蒸着方法で蒸着する概略断面図である。 図2Aの蒸着マスクの部分を拡大した断面の説明図である。 電磁石で強磁性体を着磁する場合の説明図である。 強磁性体の磁化の状態を説明する図である。 レーザ光の照射により蒸着マスクの開口部を形成する際の説明図である。 レーザ光の照射により蒸着マスクの開口部を形成する際の説明図である。 レーザ光の照射により蒸着マスクの開口部を形成する際の説明図である。 本発明の有機EL表示装置の製造方法による蒸着の際の説明図である。 本発明の有機EL表示装置の製造方法で有機層を積層する工程の説明図である。
 つぎに、図面を参照しながら本発明の蒸着方法、蒸着装置、及び蒸着マスクが説明される。本発明の蒸着方法は、その一実施形態の工程図が図1に、蒸着の際の概略図が図2A~2Bにそれぞれ示されているように、少なくとも一部に強磁性体からなる金属層(金属支持層)12を有する蒸着マスク1を形成する工程(S1)と、蒸着マスク1の金属層12に電磁界を印加することにより金属層12を着磁する工程(S2)と、被蒸着基板2と蒸着マスク1とを位置合せした後、電磁石3に蒸着マスク1を、間に被蒸着基板2を挟んで吸着させる工程(S3)と、蒸着マスク1と対向する側に蒸着源5を配置し、蒸着源5から蒸着材料を気化させて蒸着材料を被蒸着基板2に堆積する工程(S4)と、電磁石3に蒸着マスク1を反発させる磁界を発生させることにより電磁石3及び被蒸着基板2を蒸着マスク1から分離する工程(S5)とを含んでいる。なお、各工程は、この順番に行う必要はなく、例えば蒸着マスクの着磁は、蒸着マスク1が被蒸着基板と位置合せされた後に、行われてもよい。また、電磁石3と蒸着マスク1との吸着は、電磁石3に蒸着マスク1を吸引する磁界を発生させるような電流を流してもよいし、電磁石3が磁心31を有しており、電磁石3の電流を0(オフ)にして、磁心31と磁化された蒸着マスク1とが互いに吸引するようにされてもよい。
 すなわち、本発明は、蒸着マスク1に少なくとも金属層(金属支持層12)を有し、その金属支持層12に強磁性体を用い、磁化させることにより磁気チャックと吸着させながら蒸着し、蒸着の完了後には、電磁石3で蒸着マスク1の磁化方向と相反する磁界を発生させることにより、容易に電磁石3と蒸着マスク1とを分離することに特徴がある。換言すると、金属支持層12に磁性体が用いられていても、予め着磁されていないと、その金属支持層12は磁化されていないか、磁化されているとしても、どちら向きに磁化されているのかが一定していない。すなわち、多くの蒸着マスクの中では蒸着マスクの磁性体の磁化の状態は区々であり、一様に電磁石で磁界を発生させると、蒸着マスクの磁界と反発して分離しやすくなる場合もあるが、蒸着マスクの磁性体が磁化されていないと、逆に吸引力が働く。また、蒸着マスクの磁化の状態と電磁石により発生する磁界が強め合う場合には、却って強い吸引力になる。従って、電磁石に一様の磁界を発生させても、常に分離しやすくなるとは限らない。個々の場合で、電磁石の電流の向きを変えると、時間がかかることになる。そのため、磁気チャックに電磁石を用いたとしても、用いられる蒸着マスク毎によって画一的な処理を行うことができない。
 要するに、従来の蒸着マスクでは、金属層に、たとえ磁性体が用いられていても、その磁化の状況が区々であり、永久磁石で吸着する場合、吸着力に差が出てくるし、磁気チャックに電磁石を用いて逆方向の磁界を発生させて、蒸着マスクを分離しようとしても、逆方向の磁界が画一的に定まらないため、分離するのに時間がかかったり、分離の際にマスクを変形させたりしやすいという問題があった。しかし、本発明では、蒸着マスクの磁化が常に一定方向になっているため、逆方向の磁界を画一的に印加することができ、短時間で、簡単に蒸着マスクを分離することができる。そのため、大量生産をする場合でも、一定の短いタクトタイムで蒸着作業をすることができる。本発明の蒸着方法が、具体例によりさらに詳細に説明される。
 まず、少なくとも一部に強磁性体からなる金属層(金属支持層12)を有する蒸着マスク1が形成される(S1)。この蒸着マスク1は、メタルマスクでもよいが、図2Bに示される例では、樹脂フィルム11に金属支持層12が積層された構造の複合型蒸着マスク1が例示されている。近年電子部品の微細化が進み、メタルマスクでは、精細な開口部11aのパターンを形成しにくいため、微細加工が比較的容易な樹脂フィルム11で精細な開口部11aのパターンが形成されている。一方、樹脂フィルム11だけでは反りや撓みなどが生じやすいので、樹脂フィルム11の開口部11aよりひと回り大きい開口12aを有する金属支持層12が積層された複合型の蒸着マスク1にされている。本発明の蒸着マスクは、この金属支持層12が強磁性体からなり、一定方向の磁化になるように着磁がされていることに特徴がある。樹脂フィルム11と金属支持層12とは、例えば樹脂フィルム11上に金属支持層12がスパッタリング、真空蒸着、電解めっきなどの方法により設けられてもよいし、金属箔が貼り付けられてもよい。また、逆に、金属箔上に液状の樹脂を塗布して硬化させることにより樹脂フィルム11が積層されてもよい。
 樹脂フィルム11としては、被蒸着基板2との線膨張係数の差が小さいことが好ましいが、特に限定されない。例えばポリイミド(PI)樹脂、ポリエチレンナフタレート(PEN)樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂、シクロオレフィンポリマー(COP)樹脂、環状オレフィンコポリマー(COC)樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニルコポリマー樹脂、エチレン-ビニルアルコールコポリマー樹脂、エチレン-メタクリル酸コポリマー樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂などを使用することができる。ポリイミド樹脂は、前駆体溶液を塗布し、加熱処理を行って樹脂フィルムを形成させる場合、その加熱処理の際の昇温のプロファイルなどの条件により、線膨張係数を調整することができるので好ましいが、これに限定されるものではない。樹脂フィルム11の厚さは数μm~数十μm程度、例えば5μm以上であって10μm以下程度である。
 金属支持層12としては、強磁性体が用いられ、例えばFe、Co、Ni又はこれらの合金、MnAl合金、金属間化合物であるSmCoなどが用いられ得る。金属支持層12の厚さは、5μm以上であって30μm以下程度に形成される。被蒸着基板2との線膨張率の差が小さいことが好ましく、熱による膨張が殆どないことから、インバー(FeとNiの合金)が特に好ましい。
 金属支持層12は、例えば樹脂フィルム11の一面に電解めっき、真空蒸着、スパッタリングなどの方法により成膜され、樹脂フィルム11の開口部11aの形成領域の周囲がエッチングなどにより除去されるか、リフトオフ法により成膜(電解めっきの場合には、レジスト膜でパターンの形成後に電解めっきで成膜)することにより、樹脂フィルム11の開口部11aよりひと回り大きい開口12aが形成される(図2B参照)。又は、強磁性体からなる金属箔が樹脂フィルム11に貼り付けられてから開口12aが形成されてもよい。又は、強磁性体からなる金属箔上に液状樹脂が塗布されて硬化することにより樹脂フィルム11が形成され、その後に金属箔にエッチングなどが施されることにより開口12aが形成されて、金属支持層12とされてもよい。
 この樹脂フィルム11に、開口部11aがレーザ光の照射により形成される。この開口部11aの形成は、例えば図4Aに示されるように、金属支持層12(図4Aには図示されていない、図2B参照)が形成された樹脂フィルム11の金属支持層12側を上にして加工ステージ45上に配置し、蒸着マスク1の開口部11aのパターンに合せた所望の開口部41aのパターンを有するレーザ用マスク41と光を収束する光学レンズ42を介してレーザ光が照射されることにより、レーザ用マスク41の開口部41aのパターンが縮小して転写されて開口部11aが形成される。このレーザ光照射装置と樹脂フィルム11とが相対的にステッパにより移動して、大きな樹脂フィルム11に開口部11aのパターンが順次形成される。光学レンズ42は必ずしも必要ではないが、加工面の照射エネルギー密度を高くする際に有効である。この場合、光学レンズ42は、レーザ用マスク41よりもレーザ光の進行方向の下流側(樹脂フィルム11側)に配置され、レーザ光を集光させる。例えば、10倍の光学レンズ42が使用された場合は、エネルギー密度は100倍になるが、レーザ用マスク41の転写パターンの一辺は10分の1のスケールとなる。このレーザ光の照射により、レーザ用マスク41の開口部41aを透過したレーザ光が樹脂フィルム11の一部を昇華させる。その結果、レーザ光が照射されたレーザ用マスク41の開口部41aのパターンに合せて、そのパターンと同じ、あるいは縮小された開口部11aの微細パターンが樹脂フィルム11に形成される。この際、図4Aには図示しない金属支持層12は、樹脂フィルム11の開口部11aよりもひと回り大きい開口12a(図2B参照)が形成されているので、レーザ光が遮断されることはない。
 レーザ光照射の条件は、加工される樹脂フィルム11の材料、厚さ、加工される開口部11aの大きさや形状などにより異なるが、一般的には、レーザ光のパルス周波数が、1Hz以上であって60Hz以下であり、パルス幅が3ナノ秒(nsec)以上であって15ナノ秒以下であり、1パルス当たりの照射面におけるレーザ光のエネルギー密度が0.01J/cm2以上であって1J/cm2以下の条件で行われる。
 有機EL表示装置の有機層を蒸着する際の蒸着マスク1とするため、例えば60μm角の開口が60μm程度の間隔でマトリクス状に形成される場合、波長が355nm(YAGレーザの3倍波)のレーザ光が、60Hzのパルス周波数、パルス幅が3nsec以上であって15nsec以下、照射面でのレーザ光のエネルギー密度が1パルス当たり0.01J/cm2以上であって1J/cm2以下、ショット数(照射するパルスの数)が50以上であって200以下、例えば100ショットの条件で、ポリイミドからなる樹脂フィルム11に照射される。
 しかし、照射されるレーザ光は、YAGレーザには限定されない。樹脂が吸収し得る波長のレーザであればよい。従って、エキシマレーザ、He-Cdレーザなど、他のレーザ光が用いられてもよい。勿論、レーザ光源が変ったり、樹脂材料が変ったりすると、照射条件が変ることは言うまでもない。前述の条件で、開口部のパターンを形成するのに、100ショットの照射が行われると、10μm厚のポリイミド膜に完全な貫通孔が開く。
 なお、図2Bでは、樹脂フィルム11の開口部11aと金属支持層12の開口12aが被蒸着基板2側へ向かって先細りするようなテーパ形状になっている。テーパ状に形成する理由は、蒸着源5(図2A参照)から昇華する蒸着材料が蒸着源5のるつぼの形状により定まる一定の角度θの広がりを有する断面形状が扇状の蒸着ビーム(蒸着源5は図2Aの紙面と垂直方向に延びるライン状の蒸着源、いわゆるリニアソース)になるため、そのビームの側縁の蒸着粒子でも遮られることなく、被蒸着基板2(図2A~2B参照)の所望の場所に被着するようにするためである。この樹脂フィルム11の開口部11aをテーパ形状にするため、レーザ用マスク41は、その開口部41aの中心部と周縁部とでレーザ光の透過率を異ならせるようにしている。
 すなわち、前述のレーザ用マスク41は、例えば次のように形成されている。図4Bに示されるように、石英ガラス板などのレーザ光を透過させる透明基板に、クロムなどの遮光薄膜41bが形成される。そして、その遮光薄膜41bがパターニングされることにより開口部41aが形成されている。そのため、この遮光薄膜41bが、例えば図4Cに概念的に示されるように、スポット的に形成されることにより透過率が変えられ得る。図4Cでは、開口部41aが第1部分41a1、第2部分41a2、第3部分41a3と便宜的に区切って描かれているがそのような区分はしなくてよい。そして、この第1部分41a1は、遮光薄膜41bが全く形成されていないので、100%透過する。第2部分41a2は、遮光薄膜41bがまばらに形成され、その面積が20%程度に形成されている。その結果、この第2部分41a2は、透過率が80%になる。さらに、第3部分41a3は、遮光薄膜41bの量が面積的に50%程度になるように形成されている。その結果、この第3部分41a3の透過率は50%程度になる。この周端縁に向かっての透過率の変化が急激になるようにレーザ用マスク41が形成されることにより、開口部11aのテーパ角度は大きくなり(垂直に近付き)、透過率の変化が緩やかになるように形成されることにより、開口部11aのテーパ角度は小さくなる(水平に近付く)。
 この例では、説明を分かりやすくするため、第1部分41a1、第2部分41a2、第3部分41a3に分割して説明し、遮光薄膜41bが分散して形成された図になっているが、実際には、レーザ光の転写分解能が2μm程度であるため、例えば2μm角が縦横5等分され、全部で25個のセグメントの一部に遮光薄膜41bが形成されることにより、レーザ光の透過率を調整することができる。この透過率が連続的に周縁に行くほど小さくなるようにすることにより、テーパ状の開口部11aが形成され得る。
 このように開口部11aが形成されたら、樹脂フィルム11を加工ステージ45から分離して張力を付与(架張)し、周囲に図示しないフレーム(枠体)が貼り付けられる。このフレームは金属支持層12の周囲でレーザ溶接などにより溶接されてもよいし、蒸着時にガスを発生しないような完全硬化性の接着剤などにより接着されてもよい。なお、フレームの貼り付け後にレーザ開口を形成してもよいし、このフレームは必須でもない。これにより、蒸着マスク1が作製される。
 次に、蒸着マスク1の金属支持層(金属層)12に磁界を印加することにより金属支持層12が着磁される(S2)。強磁性体は、例えば図3Bの磁化曲線に示されるように、外部磁界Hが大きくなると、その磁化の強さ(磁束密度)Mも大きくなる。しかし、一定の外部磁界H以上では磁化の強さMは殆ど増えず、飽和磁化M1になる。また、その後外部磁界Hが0にされても、一定の磁化M2が現れる。これが、残留磁化(残留磁束密度)と呼ばれる。この残留磁化が生じることにより、磁石としての作用をする。
 例えば図3Aに示されるように、磁心31の周囲に電線を巻回して電磁コイル32が形成されることにより、電磁石3が形成されている。この電磁石3の電磁コイル32に直流電流が流されると、右ネジの法則により磁界Hが発生する。その磁界H内に強磁性体7が置かれると、前述のように、磁界Hの大きさに応じた磁化が誘起される。そして、飽和磁化に到達するような磁界Hが印加されると、磁界Hが0にされても、残留磁化M2が強磁性体7に残る。この磁界Hの大きさは、電磁コイル32の巻き数Nと流れる電流の大きさAの積N×Aで定まる。従って、電磁コイル32の巻き数Nを多くするほど、また電流Aを大きくするほど大きな起磁力N×Aを得ることができる。電流を流す時間には関係しないため、瞬間的に大電流が流れればよく、例えばコンデンサに蓄電した電荷を一気に流すことにより大電流を得ることができる。すなわち、着磁装置としては、このようなコンデンサと放電用のスイッチを含む制御回路が電磁石3の電磁コイル32に接続されればよい。
 本発明では、蒸着マスク1と電磁石3とが吸着する程度の残留磁化があればよいため、磁性体の飽和磁化とか、残留磁化の大きさはあまり問題にならない。従って、通常の鉄やニッケルなどの強磁性体が、残留磁化が残る程度に磁化(着磁)されればよい。
 次に、被蒸着基板2と蒸着マスク1とを位置合せした後、電磁石3に蒸着マスク1を、間に被蒸着基板2を挟んで吸着させる(S3)。すなわち、図2Aに概略的に示されるように、マスクホルダー15上に蒸着マスク1が設置される。そして、図示しないロボットアームで持ち込まれた被蒸着基板2が基板ホルダー29上に載置され、基板ホルダー29が下げられることにより、被蒸着基板2と蒸着マスク1とがほぼ接する程度、すなわち、被蒸着基板2と蒸着マスク1それぞれに形成された位置合せ用のアライメントマークを、図示しない撮像装置で同時に観察できるまで近付ける。さらに、電磁石3が載せられたタッチプレート6が支持フレーム61を下げることにより、被蒸着基板2と重ね合される。この状態で被蒸着基板2と蒸着マスク1との位置合せが行われ、位置合せ後に被蒸着基板2は蒸着マスク1に完全に接するまで下降させる。位置合せの際、電磁石3と蒸着マスク1とが不必要に吸着しないように、吸引力を弱める、あるいは吸引力を打ち消すような電流を電磁コイル32に流すのが好ましい。完全に反発するような磁界を印加すると、位置合せ後に蒸着マスク1を吸引した際に位置ずれを起こしやすい。
 前述の被蒸着基板2と蒸着マスク1との位置合せは、被蒸着基板2と蒸着マスク1それぞれに形成された位置合せ用のアライメントマークを撮像装置で観察しながら、被蒸着基板2を蒸着マスク1に対して相対的に移動させることにより行われる。この方法により、蒸着マスク1の開口部11aと被蒸着基板2の蒸着する場所(例えば後述される有機EL表示装置の場合、装置基板の第1電極のパターン)とを一致させることができる。位置合せされた後は、電磁コイル32の電流を0にするか、吸引する向きの電流を流すことにより、電磁石3と蒸着マスク1との間で強い吸引力により引き付けあい、しっかりと固定される。電磁石3が磁心31を有する場合は、電磁コイル32に電流を流さなくても、磁心31と蒸着マスク1の強磁性体からなる金属支持層12との間で吸引するが、磁心31を有しない場合には、電磁コイル32に蒸着マスク1を吸引する向きの電流を流すことにより、強い吸引力で吸着する。なお、蒸着マスク1の金属支持層12がまだ磁化されていない場合には、この位置合せがされた時点で電磁コイル32に大きな電流を印加することにより、強磁性体からなる金属支持層12を磁化させることができ、そのまま吸着させることができる。なお、金属支持層12がまだ磁化されていない場合、電磁コイル32に僅かな電流を流して、弱い磁界を発生させることにより、軽く吸着させて位置合せをすることもできる。
 従って、必ずしも、被蒸着基板2などと重ね合せる前に蒸着マスク1を着磁する必要はなく、被蒸着基板2及び蒸着マスク1を電磁石3の磁極面に保持しながら位置合せをした後に、電磁石3を用いて金属支持層12の着磁をすることもできる。この場合でも、電磁石3が磁心31を有する場合には、着磁後は電磁石3の電流を0にしても、磁心31と金属支持層12との間で吸引力が働き、電磁石3をオフにして蒸着作業を続けることができる。
 その後、図2Aに示されるように、蒸着マスク1と対向する側に蒸着源5を配置し、蒸着源5から蒸着材料54を気化させることで蒸着材料が被蒸着基板2に堆積される(S4)。この蒸着源5は、るつぼなどか線状に並べて形成されたライン型の蒸着源5、いわゆるリニアソースが用いられるが、これには限定されない。蒸着源5としてリニアソースが用いられる場合、図2Aの左右方向に走査することにより、大きな被蒸着基板2にまとめて蒸着される。すなわち、蒸着源5を加熱することにより、るつぼ内の蒸着材料が昇華して、飛散し、蒸着マスク1の開口部11aを通って被蒸着基板2の所定の場所に被着する。例えば有機EL表示装置を作製する場合、開口部11aが一部の画素に形成された蒸着マスクが複数種類形成され、その蒸着マスクが取り換えられて複数回の蒸着作業で有機層が形成される。
 その後、電磁石3に蒸着マスク1を反発する磁界を発生させる(着磁のときの電流の向きと反対方向の電流を流す)ことにより電磁石3及び被蒸着基板2を蒸着マスク1から分離する(S5)。すなわち、ステップS2における着磁の際に図2Aに示されるような極性を生じさせる電流とは反対向きの電流を、ステップS5において流すことにより、電磁石3と蒸着マスク1とが反発する。その結果、容易に電磁石3及び被蒸着基板2と蒸着マスク1とが分離される。この際、着磁するほど大きな磁界を印加する必要はないため、着磁装置のような高電流を発生させる回路は必要がなく、電磁コイル32に着磁の際と反対方向の電流を流すだけで分離することができる。そのため、蒸着マスク1の磁化が完全に消去されるのではなく、残留磁化と反対方向の磁界が印加されるだけであるため、電磁石3の電流が0にされれば、残留磁化M2は殆どそのまま残留する。その結果、その蒸着マスクを別の蒸着で使用する場合、既に磁化された状態になっている。従って、この蒸着マスクを次の蒸着に使用する場合には、図1に示されるフローチャートのうち、ステップS2まで終了していることになる。
 このように、蒸着マスク1が磁化されたままでも何ら問題ないが、蒸着マスク1を洗浄する場合に塵埃などのパーティクルを吸着しやすいという問題がある場合には、前述の蒸着マスク1を反発させる磁界を印加する際に、金属支持層を消磁することもできる。この消磁をするには、前述の図3Bに示されるヒステリシス曲線を描くため、残留磁化M2を0にするのは難しい。交流電磁界に晒して、交流電流を徐々に減らすことにより消磁することができる。すなわち、消磁用の制御回路としては、電磁コイル32に交流電流を流す回路とその交流電流を徐々に小さくするスライダックなどの調整機構により構成される。電磁石3の電磁コイル32に交流電力の印加とその大きさの調整回路が消磁用の制御回路として電磁石に接続される。
 本発明の蒸着装置は、図2Aに示されるように、タッチプレート6上に載置される電磁石3と、電磁石3の一方の磁極側にタッチパネル6を介して被蒸着基板2を保持できるように設けられる基板ホルダー29と、基板ホルダー29により保持される被蒸着基板2の電磁石3と反対側に設けられる蒸着マスク1と、蒸着マスク1と対向するように設けられ、蒸着材料を気化させる蒸着源5とを有している。そして、蒸着マスク1が強磁性体からなる金属層(金属支持層12:図2B参照)を有し、電磁石3は、蒸着マスク1が有する金属支持層12を着磁できる図示しない制御回路を有している。蒸着マスク1は、マスクホルダー15上に載置されており、基板ホルダー29およびタッチプレート6はそれぞれ上に持ち上げられるようになっている。そして、図示しないロボットアームにより運搬された被蒸着基板2が基板ホルダー29上に載せられ、基板ホルダー29が下げられることにより、被蒸着基板2が蒸着マスク1と接触するように下げられ、さらに支持フレーム61を下げることにより、タッチプレート6が被蒸着基板2と重ね合される。なお、タッチプレート6は、被蒸着基板2を平坦にすると共に、図示されていないが内部に冷却水を循環させることにより、被蒸着基板2及び蒸着マスク1を冷却するために設けられている。このタッチプレート6は、蒸着マスク面での磁界の面内分布を均一にするために材質や厚さが定められる。
 電磁石3は、図3Aに概略図が示されるように、鉄心などからなる磁心31の周囲に電磁コイル32が巻回されている。図2Aに示される構造は、例えば蒸着マスク1の大きさが、1.5m×1.8m程度の大きさになるので、図3Aに示される20cm角程度の磁心31を有する電磁石が、蒸着マスク1の大きさに合せて複数個並べて配置されたイメージである(図2Aでは、横方向が縮尺され、電磁石の数が少なく描かれている)。図2Aに示される例では、両サイドの電磁石は独立して電流を印加できるように端子32a、32bが個別に形成され、中心部の電磁石は直列に接続され、その両端部に端子32a、32bが形成された構造になっている。これは、反発力を印加するときに、中心部と周縁部とで反発力を変えられるようにすることを意図したものであるが、全ての電磁石が直列に接続されてもよい。また、反発力を中心部と周縁部とで異ならせる場合でも、電流を変えないでコイルの巻き数を変えることもできる。その場合、全ての電磁石を直列に接続することができる。また、この複数の電磁石の接続は、着磁のときは全ての電磁石の接続を直列にし、蒸着マスク1の脱着のとき個別接続にすることもできる。
 前述のように、電磁石3の吸引力をその中心部と周縁部とで異ならせることにより、例えば周縁部の反発力を大きくすれば、周縁部からの蒸着マスク1と被蒸着基板2との分離が容易になり、その後中心部に向かって分離することができる。最初の分離が容易に行われれば、中心部の分離も容易に行われる。例えば被蒸着基板がフィルムからなる場合、特にロール-トゥ-ロールで製造する場合に端から剥しやすくなり都合がよい。図2Aに示される例では、周縁部と中心部だけで印加電流を異ならせるようになっているが、中心部の電磁石をさらに分割して発生磁界を異ならせ、周縁部から中心部に向かって、徐々に印加磁界を異ならせるグラデーション磁界にすることもできる。そうすることにより、被蒸着基板2や蒸着マスク1の保持を確実にしながら、相互の分離を容易に行うことができる。
 図2Aに示される例では、個々の電磁石の周囲がシリコーンゴム、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂33で固定されている。この樹脂33は必ずしも必要ではないが、個々の電磁石を固定することができ、取り扱いが容易になる。しかし、樹脂33で固めるのではなく、風通しをよくして空冷で冷却することができるようにすることができる。すなわち、冷却装置としては、このような空冷又は水冷することができる装置を意味する。連続して電流が多く流される場合には、発熱する可能性があり、そのような場合は、空冷又は水冷で冷却することが好ましい。
 図2Aに示されるように、蒸着装置には基板ホルダー29及びマスクホルダー15が設けられている。この基板ホルダー29は、複数のフック状のアームで被蒸着基板2の周縁部を保持し、上下に昇降できるように図示しない駆動装置に接続されている。ロボットアームにより蒸着装置内に搬入された被蒸着基板2をフック状のアームで受け取り、被蒸着基板2が蒸着マスク1に近接するまで基板ホルダー29が下降する。そして位置合せを行えるように図示しない撮像装置も設けられている。タッチプレート6は支持フレーム61により支持され、タッチプレート6を被蒸着基板2と接するまで下降させる駆動装置も備えている。タッチプレート6が下降されることにより、被蒸着基板2が平坦にされる。位置合せの際には、蒸着マスク1と被蒸着基板2それぞれに形成されたアライメントマークを撮像しながら、被蒸着基板2を蒸着マスク1に対して相対的に移動させる微動装置も備えている。位置合せ中に電磁石3により蒸着マスク1を不必要に吸着させないように、吸引力を弱める、あるいは打ち消す方向の磁界を発生させるための電流調整手段も備えている。なお、図示されていないが、図2Aに示される装置の全体は、チャンバー内に入れられ、内部を真空にする装置も備えられている。
 蒸着マスク1は、前述のように、その周囲にフレーム(枠体)14が形成されており、そのフレーム14が、マスクホルダー15上に載置される。蒸着マスク1は、前述のように、図2Bに一例の詳細が示されるような構造になっている。この金属支持層12の磁化された磁極と電磁石3の磁心31との間で吸引力が働き、被蒸着基板2を挟んで吸着される。
 蒸着源5は、点状、線状、面状など、種々の蒸着源が用いられ得るが、例えばるつぼが線状に並べて形成されたリニア型の蒸着源5(図2Aの紙面と垂直方向に延びている)が、例えば紙面の左端から右端まで操作されることにより、全面に蒸着が行われる。この蒸着源5は、前述のように、るつぼの形状により定まる蒸着材料の放射ビームの断面形状の側縁が、一定角度θを有する断面扇形の形状で、蒸着材料を放射する。この扇形の断面形状の一番側壁側の蒸着粒子でも、金属支持層12や樹脂フィルム11に遮られることなく、被蒸着基板2の所定の場所に届くように、金属支持層12および樹脂フィルム11の開口12aおよび開口部11aがテーパ状に形成されている。金属支持層12の開口12aが大きく形成されればテーパ状でなくてもよい。
 本発明の蒸着マスクは、前述のように、少なくとも一部に強磁性体からなる金属支持層(金属層)を有し、金属支持層12が樹脂フィルム11の一面に部分的に形成されることにより複合の蒸着マスク1とされ、金属支持層12が一定方向に磁化されて残留磁化を有している。
 次に、本発明の蒸着方法を用いて有機EL表示装置を製造する方法が説明される。蒸着方法以外の製造方法は、周知の方法で行えるため、本発明の蒸着方法により有機層を積層する方法を主として、図5A~5Bを参照しながら説明する。
 本発明の有機EL表示装置の製造方法は、図示しない支持基板上に図示しないTFT、平坦化膜及び第1電極(例えば陽極)22が形成された装置基板21上に前述の方法により製造された蒸着マスク1を位置合せして重ね合せ、有機材料51が蒸着されることにより有機層の積層膜25が形成される。そして、積層膜25上に第2電極26(陰極)が形成される。
 装置基板21は、図示されていないが、例えばガラス板などの支持基板に、各画素のRGBサブ画素ごとにTFTなどのスイッチ素子が形成され、そのスイッチ素子に接続された第1電極22が、平坦化膜上に、AgあるいはAPCなどの金属膜と、ITO膜との組み合わせにより形成されている。サブ画素間には、図5A~5Bに示されるように、サブ画素間を区分するSiO2又はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などからなる絶縁バンク23が形成されている。このような装置基板21の絶縁バンク23上に、前述の蒸着マスク1が位置合せして固定される。この固定は、前述の図2Aに示されるように、例えば装置基板21の蒸着面と反対側に設けられる電磁石3などにより、吸着することにより固定される。前述のように、蒸着マスク1の金属支持層12が磁化されているので、電磁石3の磁心31との間で吸着される。電磁石3が磁心31を有しない場合、電磁コイル32に着磁の場合と同じ方向の磁界を発生させる電流を流すことにより吸着される。この場合の電流は磁界を発生させ得る程度の少ない電流で構わない。この状態で、装置基板21の第1電極22の位置と蒸着マスク1の開口部11aとを位置合せする。なお、蒸着マスク1の開口部11aは絶縁バンク23の表面の間隔よりも小さく形成されている。絶縁バンク23の側壁には有機材料ができるだけ被着しないようにし、発光効率の低下の防止が図られている。
 この状態で、図5Aに示されるように、蒸着装置内で蒸着源(るつぼ)5から有機材料51が放射され、蒸着マスク1の開口部11aが形成された部分のみの装置基板21上に有機材料51が蒸着され、所望のサブ画素の第1電極22上に有機層の積層膜25が形成される。前述のように、蒸着マスク1の開口部11aは、絶縁バンク23の表面の間隔より小さく形成されているので、絶縁バンク23の側壁には有機材料51は堆積されにくくなっている。その結果、図5A~5Bに示されるように、ほぼ、第1電極22上のみに有機層の積層膜25が堆積される。この蒸着工程が、順次蒸着マスク1が交換され、各サブ画素に行われる。複数のサブ画素に同時に同じ材料が蒸着される蒸着マスクが用いられる場合もある。このような蒸着マスク1が交換される場合には、図5Aには図示されていない電磁石3(図2A参照)により蒸着マスク1の金属支持層12の磁化を打ち消すような磁界を発生させることにより、電磁石3および装置基板21と蒸着マスク1とを容易に分離することができる。新たな蒸着マスク1をセットするには、前述の最初の工程と同様に行うことにより、セットされる。
 図5A~5Bでは、有機層の積層膜25が簡単に1層で示されているが、実際には、有機層の積層膜25は、異なる材料からなる複数層の積層膜で形成される。例えば陽極22に接する層として、正孔の注入性を向上させるイオン化エネルギーの整合性の良い材料からなる正孔注入層が設けられる場合がある。この正孔注入層上に、正孔の安定な輸送を向上させると共に、発光層への電子の閉じ込め(エネルギー障壁)が可能な正孔輸送層が、例えばアミン系材料により形成される。さらに、その上に発光波長に応じて選択される発光層が、例えば赤色、緑色に対してはAlq3に赤色又は緑色の有機物蛍光材料がドーピングされて形成される。また、青色系の材料としては、DSA系の有機材料が用いられる。発光層の上には、さらに電子の注入性を向上させると共に、電子を安定に輸送する電子輸送層が、Alq3などにより形成される。これらの各層がそれぞれ数十nm程度ずつ積層されることにより有機層の積層膜25が形成されている。なお、この有機層と金属電極との間にLiFやLiqなどの電子の注入性を向上させる電子注入層が設けられることもある。
 有機層の積層膜25のうち、発光層は、RGBの各色に応じた材料の有機層が堆積される。また、正孔輸送層、電子輸送層などは、発光性能を重視すれば、発光層に適した材料で別々に堆積されることが好ましい。しかし、材料コストの面を勘案して、RGBの2色又は3色に共通して同じ材料で積層される場合もある。2色以上のサブ画素で共通する材料が積層される場合には、共通するサブ画素に開口が形成された蒸着マスクが形成される。個々のサブ画素で蒸着層が異なる場合には、例えばRのサブ画素で1つの蒸着マスク1を用いて、各有機層を連続して蒸着することができるし、RGBで共通の有機層が堆積される場合には、その共通層の下側まで、各サブ画素の有機層の蒸着がなされ、共通の有機層のところで、RGBに開口が形成された蒸着マスク1を用いて一度に全画素の有機層の蒸着がなされる。
 そして、全ての有機層の積層膜25及びLiF層などの電子注入層の形成が終了したら、前述のように、蒸着マスク1を反発させる磁界の印加により蒸着マスク1は容易に分離され、第2電極(例えば陰極)26が全面に形成される。図5Bに示される例は、トップエミッション型で、上側から光を出す方式になっているので、第2電極26は透光性の材料、例えば、薄膜のMg-Ag共晶膜により形成される。その他にAlなどが用いられ得る。なお、装置基板21側から光が放射されるボトムエミッション型の場合には、第1電極22にITO、In34などが用いられ、第2電極26としては、仕事関数の小さい金属、例えばMg、K、Li、Alなどが用いられ得る。この第2電極26の表面には、例えばSi34などからなる保護膜27が形成される。なお、この全体は、図示しないガラス、樹脂フィルムなどからなるシール層により封止され、有機層の積層膜25が水分を吸収しないように構成される。また、有機層はできるだけ共通化し、その表面側にカラーフィルタを設ける構造にすることもできる。
 この蒸着マスク1は繰り返し使用することができる。そのため、一度着磁された蒸着マスク1は、改めて着磁することなく、そのまま使用することができる。しかし、蒸着マスク1の蒸着源に相対する面には有機材料51が積層されるため、堆積する有機材料51の厚さは1μm程度になると洗浄する必要がある。洗浄の際に蒸着マスク1が磁化されていると、洗浄液中の磁性体からなるパーティクルを吸引して蒸着マスク1を破損したり、空気中の塵埃などのパーティクルを吸着したりする可能性がある。その場合には、洗浄の前に消磁または逆方向の磁界を印加して、磁化の程度を弱くすることもできる。なお、蒸着マスク1の洗浄は、例えば有機溶剤を用いて行うことができる。
 1   蒸着マスク
 2   被蒸着基板
 3   電磁石
 5   蒸着源
 6   タッチプレート
 7   磁性体
 11  樹脂フィルム
 11a 開口部
 12  金属支持層
 12a 開口
 14  フレーム
 15  マスクホルダー
 21  装置基板
 22  第1電極
 23  バンク
 25  積層膜
 26  第2電極
 27  保護膜
 29  基板ホルダー
 31  磁心
 32  電磁コイル
 33  樹脂
 41  レーザ用マスク
 41a 開口部
 41b 遮光膜
 42  光学レンズ
 45  加工ステージ
 61  支持フレーム

Claims (12)

  1. 少なくとも一部に強磁性体からなる金属層を有する蒸着マスクを形成する工程、
    前記蒸着マスクの金属層に磁界を印加することにより前記金属層を着磁する工程、
    被蒸着基板と蒸着マスクとを位置合せした後、電磁石と蒸着マスクを、間に被蒸着基板を挟んで吸着させる工程、
    前記蒸着マスクと対向する側に蒸着源を配置し、前記蒸着源から蒸着材料を気化させて蒸着材料を前記被蒸着基板に堆積する工程、及び
    前記電磁石に前記蒸着マスクを反発させる磁界を発生させることにより前記電磁石及び被蒸着基板を前記蒸着マスクから分離する工程
    を含むことを特徴とする蒸着方法。
  2. 前記蒸着マスクの金属層の着磁を、前記電磁石により行う請求項1記載の蒸着方法。
  3. 前記電磁石を前記蒸着マスクの1個に対して複数個配置し、前記蒸着マスクから分離する工程で、前記蒸着マスクの周縁部と中心部とで反発力を異ならせる請求項1又は2記載の蒸着方法。
  4. 前記反発力が、前記蒸着マスクの周縁部から中央部に向かって徐々に変化するように形成されてなる請求項3記載の蒸着方法。
  5. 前記蒸着マスクから前記被蒸着基板が除去された後に、前記蒸着マスクの磁化を消磁する請求項1~4のいずれか1項に記載の蒸着方法。
  6. 前記電磁石を冷却しながら前記電磁石を動作させる請求項1~5のいずれか1項に記載の蒸着方法。
  7. 電磁石と、前記電磁石の一方の磁極側に被蒸着基板を保持できるように設けられる基板ホルダーと、前記基板ホルダーにより保持される前記被蒸着基板の前記電磁石と反対側に設けられる蒸着マスクと、前記蒸着マスクと対向するように設けられ、蒸着材料を気化させる蒸着源とを有し、前記蒸着マスクが強磁性体からなる金属層を有し、前記蒸着マスクが有する金属層を着磁できる制御回路が前記電磁石に接続されている蒸着装置。
  8. 前記金属層の残留磁化を消磁できる制御回路が前記電磁石に接続されている請求項7記載の蒸着装置。
  9. 前記電磁石が1個の前記蒸着マスクに対して複数個で形成され、前記複数個の電磁石のうち、少なくとも1個は独立して発生磁界の強度を調整する制御回路を有する請求項7又は8記載の蒸着装置。
  10. 前記電磁石を冷却する冷却装置が前記電磁石の近傍に設けられてなる請求項7~9のいずれか1項に記載の蒸着装置。
  11. 基板表面の所定場所に積層膜を形成するための蒸着マスクであって、少なくとも一部に強磁性体からなる金属層を有し、前記金属層が樹脂フィルムの一面に部分的に形成されることにより複合マスクとされ、前記金属層が一定方向に磁化されて残留磁化を有する蒸着マスク。
  12. 装置基板上に有機層を積層して有機EL表示装置を製造する方法であって、
    支持基板上にTFTおよび第1電極を少なくとも形成した前記装置基板上に請求項1~6のいずれか1項に記載の蒸着方法を用いて前記第1電極上に有機材料を蒸着することで有機層の積層膜を形成し、前記積層膜上に第2電極を形成することを含む有機EL表示装置の製造方法。
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