WO2017110112A1 - 磁気記録媒体用ガラス基板、磁気記録媒体、磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び磁気記録媒体用ガラス基板製造装置 - Google Patents

磁気記録媒体用ガラス基板、磁気記録媒体、磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び磁気記録媒体用ガラス基板製造装置 Download PDF

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WO2017110112A1
WO2017110112A1 PCT/JP2016/064653 JP2016064653W WO2017110112A1 WO 2017110112 A1 WO2017110112 A1 WO 2017110112A1 JP 2016064653 W JP2016064653 W JP 2016064653W WO 2017110112 A1 WO2017110112 A1 WO 2017110112A1
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WO
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outer peripheral
glass substrate
inner peripheral
peripheral end
end surface
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PCT/JP2016/064653
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Inventor
正文 伊藤
尚明 宮本
Original Assignee
旭硝子株式会社
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/739Magnetic recording media substrates
    • G11B5/73911Inorganic substrates
    • G11B5/73921Glass or ceramic substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C19/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers

Definitions

  • the present invention relates to a glass substrate for a magnetic recording medium, a magnetic recording medium, a method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium, and an apparatus for producing a glass substrate for a magnetic recording medium.
  • the glass substrate for a magnetic recording medium has a donut shape having a concentric opening at the center, and the outer peripheral end surface and the inner peripheral end surface are a side surface portion that is substantially perpendicular to the main surface, and the side surface portion and the main surface. And a chamfered portion provided between the two.
  • Patent Document 1 for the purpose of providing a glass substrate for a magnetic recording medium with high mounting reliability, a chamfered portion is formed between the main surface and the side surface, and the main surface and the surface.
  • a method for manufacturing a glass substrate for a magnetic recording medium is disclosed in which a curved surface having a radius of 0.003 mm or more and less than 0.2 mm is formed between at least one of a portion between a chamfered portion and between a side surface and a chamfered portion.
  • a step of processing from a glass base plate into a donut shape for example, a step of processing from a glass base plate into a donut shape, a chamfering step of forming the above-mentioned chamfered portion on the end surface, a main surface polishing step of polishing the main surface, and polishing the end surface It is processed into a desired shape by performing an end face polishing process or the like.
  • an object of one aspect of the present invention is to provide a glass substrate for a magnetic recording medium in which fine wrinkles between a main surface and an outer peripheral chamfered portion are suppressed.
  • a glass substrate for a magnetic recording medium having a donut shape and having a pair of main surfaces, an outer peripheral end surface, and an inner peripheral end surface, the outer peripheral end surface is It has an outer peripheral side part and a pair of outer peripheral chamfered parts, When the chamfer width of at least one outer peripheral chamfered portion of the pair of outer peripheral chamfered portions is measured at a plurality of measurement points, the difference between the maximum value and the minimum value is 10 ⁇ m or less.
  • a glass substrate is provided.
  • the glass substrate for a magnetic recording medium of the present invention it is possible to provide a glass substrate for a magnetic recording medium that suppresses fine wrinkles between the main surface and the outer peripheral chamfered portion.
  • FIG. 1A and FIG. 1B are explanatory diagrams of a glass substrate for a magnetic recording medium according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of a glass substrate manufacturing apparatus for a magnetic recording medium according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a flowchart of a method for manufacturing a glass substrate for a magnetic recording medium according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a flowchart of a method for manufacturing a glass substrate for a magnetic recording medium according to an embodiment of the present invention.
  • the glass substrate for a magnetic recording medium of the present embodiment is a glass substrate for a magnetic recording medium having a donut shape and having a pair of main surfaces, an outer peripheral end surface, and an inner peripheral end surface, and the outer peripheral end surface is an outer peripheral side surface. And a pair of outer peripheral chamfers. And when the chamfering width of at least one outer peripheral chamfered portion of the pair of outer peripheral chamfered portions is measured at a plurality of measurement points, the difference between the maximum value and the minimum value of the measured value can be 10 ⁇ m or less. .
  • FIG. 1A schematically shows a perspective sectional view of a glass substrate for a magnetic recording medium according to the present embodiment.
  • FIG. 1A is a perspective cross-sectional view including a cross section in a plane that passes through the center of the glass substrate 10 for magnetic recording medium and is perpendicular to the main surfaces 121 and 122. That is, FIG. 1A shows a half of the glass substrate for a magnetic recording medium of this embodiment and a cross-sectional view.
  • FIG. 1B is a view for explaining the chamfering width of the glass substrate for magnetic recording medium of the present embodiment, and schematically shows a top view of the glass substrate for magnetic recording medium of the present embodiment. Show. In the figure, the chamfer width is shown larger than the actual width.
  • the glass substrate 10 for magnetic recording medium has a circular outer periphery, and a circular opening (central opening) so as to be concentric with the outer periphery in the central portion.
  • Part) 11 having a disk shape, that is, a donut shape.
  • the upper and lower surfaces are main surfaces 121 and 122.
  • the glass substrate 10 for magnetic recording media has the outer peripheral end surface 13 located in an outer periphery, and the inner peripheral end surface 14 located in an inner periphery.
  • the outer peripheral end surface 13 and the inner peripheral end surface 14 can have chamfered portions on the main surfaces 121 and 122 side, respectively. That is, the outer peripheral end surface 13 and the inner peripheral end surface 14 can each have a pair of chamfered portions. Specifically, the outer peripheral end surface 13 can have outer peripheral chamfered portions 131 and 133, and the inner peripheral end surface 14 can have inner peripheral chamfered portions 141 and 143, respectively.
  • a side surface portion can be formed between the chamfered portions, the outer peripheral end surface 13 can have the outer peripheral side surface portion 132, and the inner peripheral end surface 14 can have the inner peripheral side surface portion 142.
  • the outer peripheral side surface portion 132 and the inner peripheral side surface portion 142 can be formed so as to be substantially perpendicular to the main surfaces 121 and 122, respectively.
  • the outer peripheral end surface 13 can include the outer peripheral side surface portion 132 and the outer peripheral chamfered portions 131 and 133
  • the inner peripheral end surface 14 can include the inner peripheral side surface portion 142 and the inner peripheral chamfered portions 141 and 143.
  • the size of the glass substrate for magnetic recording media of the present embodiment is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the specifications of the glass substrate for magnetic recording media.
  • the diameter of the glass substrate for magnetic recording media of the present embodiment can be set to a size according to specifications required for the glass substrate for magnetic recording media, such as 48 mm, 65 mm, or 95 mm.
  • the diameter of the glass substrate for a magnetic recording medium of the present embodiment is preferably 65 mm or more, for which demand is increasing in recent years.
  • fine wrinkles are formed between the main surface and the end surface, for example, between the main surface 121 and the outer peripheral chamfer 131. May occur. Even in the vicinity of the outer peripheral end face, the size of the wrinkles is fine, and the recording density is increasing, and the magnetic recording medium in which writing is performed up to the vicinity of the outer peripheral end face may cause errors depending on the density of the wrinkles. Become. Accordingly, there has been a demand for suppressing the occurrence of such fine wrinkles in a glass substrate for a magnetic recording medium. Therefore, first, the inventors of the present invention examined the cause of such fine wrinkles.
  • the main surface polishing step is usually performed after the chamfering step of forming a chamfered portion on the end surface of the glass substrate that is shaped into a donut shape.
  • the chamfering width of the outer peripheral chamfered part is measured at an arbitrary point and if it is within the allowable range, it is used as the acceptable product for the main surface polishing process.
  • the main surface of the glass substrate is usually polished using a double-side polishing apparatus. Specifically, in a state where the polishing pad is pressed against both main surfaces of the glass substrate set in the double-side polishing apparatus, while supplying the polishing slurry between the glass substrate and the polishing pad, the glass substrate and the polishing are supplied. This can be done by rotating the pad.
  • the present inventors have found that there is a correlation between the fine wrinkles between the main surface and the outer peripheral chamfered portion and the variation in the width of the outer peripheral chamfered portion. More specifically, the inventors of the present invention have found that a slight variation in the chamfer width of the chamfered portion, which has not been a problem in the past, may occur between the main surface and the chamfered portion in the subsequent main surface polishing step. Has been found to cause fine wrinkles.
  • the amount of the slurry entering the surface becomes unstable because the slurry is accumulated in the portion where the chamfer width is large. It is presumed to cause wrinkles due to large grains in the inside, or to prevent rotation of the glass substrate for magnetic recording medium in the double-side polishing apparatus.
  • the glass substrate for a magnetic recording medium of the present embodiment has a maximum value and a minimum value when the chamfer width of at least one outer peripheral chamfered portion of the pair of outer peripheral chamfered portions is measured at a plurality of measurement points.
  • the difference from the value is preferably 10 ⁇ m or less.
  • the difference between the maximum value and the minimum value is more preferably 8 ⁇ m or less, and preferably 5 ⁇ m or less. Further preferred.
  • the difference between the maximum value and the minimum value when measuring the chamfer width of at least one outer peripheral chamfer at a plurality of measurement points is 10 ⁇ m or less.
  • the magnetic recording medium glass substrate 10 can have a pair of outer peripheral chamfered portions 131 and 133.
  • the glass substrate for magnetic recording medium has a pair of outer peripheral chamfered portions, as described above, when the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion is measured at a plurality of measurement points, the measured value is measured. It is preferable that the difference between the maximum value and the minimum value satisfies the above range. That is, for example, for one outer peripheral chamfer 131, the difference between the maximum value and the minimum value when the chamfer width is measured at a plurality of arbitrary measurement points selected along the outer periphery may be 10 ⁇ m or less. preferable.
  • the measured value of the chamfered width at each outer peripheral chamfered portion when the chamfered width is measured at a plurality of arbitrary measurement points selected along the outer periphery at each outer peripheral chamfered portion. More preferably, the difference between the maximum value and the minimum value satisfies the above range.
  • both the glass substrate having a donut shape on which the outer peripheral chamfered portion is provided for the main surface polishing step and the glass substrate for magnetic recording medium subjected to various polishing steps and the like have a chamfer width of at least one outer peripheral chamfered portion. It is preferable that the difference between the maximum value and the minimum value of the measurement values measured at a plurality of measurement points satisfies the above range.
  • the chamfered width of the outer peripheral chamfered portion means the length of the chamfered portion in the horizontal direction, that is, the length in the direction parallel to the main surface, and in FIGS. 1 (A) and 1 (B) The length is shown as L OD .
  • the chamfering width L OD of the outer peripheral chamfered portion is measured on a line passing through the center O of the magnetic recording medium glass substrate 10 as shown in FIG.
  • the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion may be measured at a plurality of measurement points along the outer periphery of the magnetic recording medium glass substrate as described above, that is, for example, at two or more points. It is not limited. However, it is preferable to select the number of measurement points within a range that does not impair the productivity so that the variation in chamfer width can be sufficiently evaluated.
  • the number of measurement points when measuring the chamfer width is, for example, preferably 4 points or more, and more preferably 20 points or more.
  • the number of measurement points when measuring the chamfer width is preferably 360 points or less, and more preferably 180 points or less.
  • the number of measurement points here means the number of measurement points when measuring the chamfer width of one outer peripheral chamfer.
  • the distance between measurement points when measuring the chamfer width is preferably constant.
  • the angle formed by one measurement point, the center of the glass substrate for magnetic recording media, and the measurement point adjacent to the one measurement point is a value obtained by dividing 360 ° by the number of measurement points. It is preferable.
  • the length of the chamfering width L OD of the outer peripheral chamfered portion is not particularly limited, and can be selected according to specifications required for the glass substrate for a magnetic recording medium. However, if the chamfering width L OD of the outer peripheral chamfered portion is too long, the area of the main surface may be reduced. For this reason, it is preferable that the chamfering width L OD of the outer peripheral chamfered portion is 200 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the chamfer width L OD of the peripheral chamfered portion is not particularly limited, it can be, for example, 50 ⁇ m or more.
  • the glass substrate for magnetic recording media it is particularly required to reduce fine wrinkles between the main surface and the outer peripheral chamfered portion, but also reduce fine wrinkles between the main surface and the inner peripheral chamfered portion.
  • the occurrence of errors can be suppressed when the magnetic recording medium is used.
  • the fine wrinkles between the main surface and the inner peripheral chamfered portion according to the study of the inventors of the present invention, for the same reason as the fine wrinkles between the main surface and the outer peripheral chamfered portion. It is thought that it has occurred.
  • the glass substrate for a magnetic recording medium of the present embodiment has an inner peripheral end surface having an inner peripheral side surface portion and a pair of inner peripheral chamfered portions, and at least one of the pair of inner peripheral chamfered portions.
  • the difference between the maximum value and the minimum value is preferably 10 ⁇ m or less.
  • the difference between the maximum value and the minimum value is more preferably 8 ⁇ m or less, and 5 ⁇ m or less. Is more preferable.
  • the difference between the maximum value and the minimum value of the measured value is 10 ⁇ m or less.
  • the magnetic recording medium glass substrate 10 can have a pair of inner peripheral chamfers 141 and 143.
  • the glass substrate for magnetic recording media has a pair of inner peripheral chamfered portions
  • the chamfer width of the inner peripheral chamfered portion is measured at a plurality of measurement points with respect to at least one inner peripheral chamfered portion as described above.
  • the difference between the maximum value and the minimum value of the measured values preferably satisfies the above range. That is, for example, for one inner peripheral chamfer 141, the difference between the maximum value and the minimum value when the chamfer width is measured at a plurality of measurement points selected along the inner periphery is 10 ⁇ m or less. It is preferable.
  • each inner peripheral chamfered portion when the chamfered width is measured at a plurality of measurement points selected along the inner periphery in each inner peripheral chamfered portion. More preferably, the difference between the maximum value and the minimum value of the measured values satisfies the above range.
  • both the glass substrate having a donut shape in which the inner peripheral chamfered portion used for the main surface polishing step and the glass substrate for magnetic recording medium subjected to various polishing steps are chamfered at least one of the inner peripheral chamfered portions. It is preferable that the difference between the maximum value and the minimum value when the width is measured at a plurality of measurement points satisfies the above range.
  • the chamfered width of the inner peripheral chamfered portion means the length of the chamfered portion in the horizontal direction, that is, the length parallel to the main surface, and is shown in FIGS. 1 (A) and 1 (B). Is the length indicated as L ID . Note that the chamfering width L ID of the inner peripheral chamfered portion is also measured on a line passing through the center O of the glass substrate 10 for magnetic recording medium, as shown in FIG.
  • the number of measurement points of the chamfer width of the inner peripheral chamfered portion may be a plurality of measurement points, that is, two or more as in the case of measurement of the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion. It is not limited. However, it is preferable to select the number of measurement points within a range that does not impair the productivity so that the variation in chamfer width can be sufficiently evaluated.
  • the number of measurement points when measuring the chamfer width is, for example, preferably 4 points or more, and more preferably 20 points or more.
  • the number of measurement points when measuring the chamfer width is preferably 360 points or less, and more preferably 180 points or less.
  • the number of measurement points here means the number of measurement points when measuring the chamfer width of one inner peripheral chamfer.
  • the distance between measurement points when measuring the chamfer width is preferably constant.
  • the angle formed by one measurement point, the center of the glass substrate for magnetic recording media, and the measurement point adjacent to the one measurement point is a value obtained by dividing 360 ° by the number of measurement points. It is preferable.
  • the length of the chamfering width L ID of the inner peripheral chamfered portion is not particularly limited, and can be selected according to specifications required for the glass substrate for a magnetic recording medium. However, if the chamfering width L ID of the inner peripheral chamfered portion is too long, the area of the main surface may be reduced. For this reason, it is preferable that the chamfering width L ID of the inner peripheral chamfered portion is 200 ⁇ m or less.
  • the lower limit value of the chamfering width L ID of the inner peripheral chamfered portion is not particularly limited, but may be, for example, 50 ⁇ m or more.
  • the difference between the maximum value and the minimum value when the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion is measured at a plurality of measurement points is suppressed. .
  • the glass substrate for magnetic recording media of this embodiment can be manufactured. For this reason, some description is abbreviate
  • the method for manufacturing a glass substrate for a magnetic recording medium according to the present embodiment can include the following steps.
  • a glass substrate for trial grinding having a donut shape, a pair of main surfaces, an outer peripheral end surface, and an inner peripheral end surface, and grind the outer peripheral end surface of the test grinding glass substrate with an outer peripheral end surface grinding wheel, A trial grinding process for forming a pair of outer peripheral chamfers.
  • a glass substrate having a donut shape and having a pair of main surfaces, an outer peripheral end surface, and an inner peripheral end surface is prepared.
  • the outer peripheral end surface grinding wheel is used to An outer peripheral chamfering step of forming a pair of outer peripheral chamfered portions on the outer peripheral end surface.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a chamfered portion forming apparatus capable of forming a chamfered portion on an outer peripheral end surface and an inner peripheral end surface, which is a glass substrate manufacturing apparatus for a magnetic recording medium.
  • the chamfered portion forming apparatus 20 can include a table 22 that holds a glass substrate 21 having a donut shape that forms an outer peripheral chamfered portion, and an outer peripheral end surface grinding wheel 23. Moreover, it can also have the grindstone 24 for inner peripheral end surface grinding.
  • the outer peripheral end surface of the glass substrate 21 having a donut shape placed and held on the table 22 can be chamfered by grinding with the outer peripheral end surface grinding wheel 23.
  • the inner peripheral end surface of the glass substrate 21 having a donut shape placed and held on the table 22 can be chamfered by grinding with the inner peripheral end surface grinding wheel 24.
  • the table 22 can adsorb and hold the glass substrate 21 having a donut shape placed on the upper surface.
  • the table 22 is rotatably provided, and the glass substrate 21 having a donut shape to be held can be rotated by rotating the table 22.
  • the glass substrate 21 having a donut shape is not limited to the method of being held only by the table 22.
  • a cylindrical upper holder may be provided on the upper portion of the table 22 so as to face the table 22, and a glass substrate 21 having a donut shape may be sandwiched and fixed between the table 22 and the upper holder. it can.
  • the outer peripheral end surface grinding wheel 23 has a substantially cylindrical shape, and the center axis can be provided so as to be substantially orthogonal to the main surface of the glass substrate 21 having a donut shape.
  • Abrasive grains are fixed to the outer peripheral surface of the outer peripheral end surface grinding wheel 23, and a plurality of annular groove-shaped grinding surfaces 231 orthogonal to the central axis can be provided along the central axis direction.
  • the outer peripheral end grinding wheel 23 is rotatably provided with the central axis as the rotation axis R, and has an outer periphery in the direction of the block arrow 23A that is the rotation axis direction and in the direction of the block arrow 23B that is orthogonal to the rotation axis direction.
  • the end face grinding wheel moving means 232 is provided so as to be movable.
  • the outer peripheral end surface grinding wheel 23 moves to a position where any one of the grinding surfaces 231 comes into contact with the outer peripheral end surface of the glass substrate 21 having a donut shape, and rotates around the outer periphery of the glass substrate 21 having a donut shape rotating together with the table 22.
  • the end face can be ground and chamfered.
  • the annular groove-shaped grinding surface 231 passes through the central axis of the outer peripheral end surface grinding wheel 23 and has a cross-sectional shape parallel to the central axis to the shape of the outer peripheral end surface after chamfering the glass substrate 21 having a donut shape. It can have a corresponding shape.
  • the inner peripheral edge grinding wheel 24 has a substantially cylindrical shape, and can be provided so that the central axis is substantially orthogonal to the main surface of the glass substrate 21 having a donut shape.
  • Abrasive grains are fixed to the outer peripheral surface of the inner peripheral end face grinding grindstone 24, and a plurality of annular groove-shaped grinding surfaces 241 orthogonal to the central axis can be provided along the central axis direction.
  • the inner peripheral end face grinding wheel 24 is rotatably provided with the central axis as the rotation axis R, and in the direction of the block arrow 24A that is the rotation axis direction and the direction of the block arrow 24B that is the direction orthogonal to the rotation axis direction.
  • the inner peripheral end face grinding wheel moving means 242 is provided so as to be movable.
  • the grinding wheel 24 for inner peripheral end surface grinding moves to a position where any one of the grinding surfaces 241 contacts the inner peripheral end surface of the glass substrate 21 having a donut shape, rotates, and rotates with the table 22.
  • Chamfering can be performed by grinding the inner peripheral end face of the steel.
  • the annular groove-shaped grinding surface 241 passes through the central axis of the inner peripheral end surface grinding wheel 24 and has a cross section parallel to the central axis of the inner peripheral end surface after chamfering the glass substrate 21 having a donut shape. It can have a shape corresponding to the shape.
  • the chamfered part forming apparatus 20 can have various members as necessary in addition to the above-described members, and can include, for example, a grinding fluid supply nozzle 25 that supplies a grinding fluid.
  • the grinding liquid supply nozzle 25 can supply, for example, a grinding liquid between the glass substrate 21 having a donut shape, the outer peripheral end surface grinding wheel 23, and the inner peripheral end surface grinding wheel 24.
  • grindstone position control means 26 for controlling the position of each grindstone by controlling the outer peripheral end face grinding grindstone moving means 232 and the inner peripheral end face grinding grindstone moving means 242 described above.
  • the outer peripheral end face grinding grindstone 23 and the inner peripheral end face grinding grindstone 24 do not interfere with the conveyance path of the doughnut-shaped glass substrate when the glass substrate 21 having the donut shape is carried in and out of the table 22. It can be moved to a different location than during grinding. For this reason, the grindstone position control means 26 can also have a memory
  • the difference between the maximum value and the minimum value when the chamfer width of at least one outer peripheral chamfer is measured at a plurality of measurement points is 10 ⁇ m or less. It is possible to produce a glass substrate for a magnetic recording medium.
  • the outer peripheral chamfering step It is preferable that the glass substrate 21 having a donut shape and the outer peripheral edge grinding wheel 23 are appropriately arranged.
  • the method for manufacturing the glass substrate for a magnetic recording medium of the present embodiment can be carried out according to the flowchart shown in FIG.
  • the trial grinding step S31 can be performed before the outer peripheral chamfering step is performed.
  • a glass substrate for trial grinding having a donut shape and having a pair of main surfaces, an outer peripheral end surface, and an inner peripheral end surface is used in the outer peripheral chamfering step.
  • the glass substrate for trial grinding has the same size, shape, and material as the glass substrate used for an outer peripheral chamfering process in order to manufacture the glass substrate for magnetic recording media.
  • a chamfered portion can also be formed on the inner peripheral end surface. For this reason, in trial grinding process S31, when forming an outer peripheral chamfered part, an inner peripheral chamfered part can also be formed. Since the method for forming the outer peripheral chamfered portion and the inner peripheral chamfered portion by the chamfered portion forming apparatus 20 has already been described, the description thereof is omitted here.
  • the distribution of the chamfer width of at least one outer peripheral chamfered portion of the pair of outer peripheral chamfered portions of the obtained glass substrate for trial grinding can be evaluated.
  • the means for evaluating the chamfer width at this time is not particularly limited, and may be any means that can measure the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion at a plurality of measurement points, for example.
  • the outer peripheral chamfering is performed on one main surface side and the other main surface side, respectively.
  • a part can be provided and it can have a pair of peripheral chamfers.
  • the glass substrate for trial grinding has a pair of outer peripheral chamfered portions, the pair of outer peripheral chamfered portions are simultaneously formed by the outer peripheral end surface grinding grindstone, and therefore the distribution of the chamfer widths is almost the same.
  • the chamfer width of at least one outer peripheral chamfered portion may be measured at a plurality of measurement points as described above. That is, for example, for one outer peripheral chamfer, the chamfer width can be measured at a plurality of arbitrary measurement points selected along the outer periphery. In particular, in order to more accurately measure the distribution of the chamfer width, it is more preferable to measure the chamfer width at any of a plurality of measurement points selected along the outer periphery of each of the outer peripheral chamfered portions.
  • the number of measurement points for measuring the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion is not particularly limited.
  • the number of measurement points is preferably four or more, and more than twenty. More preferably.
  • the number of measurement points for measuring the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion is preferably 360 points or less, and more preferably 180 points or less.
  • the number of measurement points here means the number of measurement points when measuring the chamfer width of one outer peripheral chamfer.
  • the distance between the measurement points is preferably constant.
  • the angle formed by one measurement point, the center of the glass substrate for trial grinding, and the measurement point adjacent to the one measurement point is a value obtained by dividing 360 ° by the number of measurement points. Preferably it is.
  • the position of the outer peripheral end surface grinding wheel 23 can be corrected based on the evaluation result in the outer peripheral chamfered portion evaluation step S32.
  • the outer peripheral edge grinding wheel 23 is different from the outer peripheral chamfering step so as not to interfere with the conveyance path of the glass substrate 21 having a donut shape when the glass substrate 21 having a donut shape is carried in and out of the table 22. Moved to position. For this reason, in the outer peripheral end face grinding wheel position correcting step S33, an appropriate position of the outer peripheral end face grinding wheel in the outer peripheral chamfering step is calculated, and the result, that is, the position information of the appropriate position of the end face grinding grindstone is stored in the storage means. It can be memorized.
  • outer peripheral edge grinding wheel position correcting step S33 first, from the evaluation result in the outer peripheral chamfered portion evaluation step S32, for example, position information of an appropriate position is calculated for the vertical position of the outer peripheral edge grinding wheel 23 in the outer peripheral chamfering step S35. can do.
  • the vertical direction here means a direction perpendicular to the main surface of the glass substrate 21 having a donut shape held on the table 22.
  • the position information of the appropriate position in the vertical direction of the outer peripheral end surface grinding wheel 23 in the outer peripheral chamfering step S35 is the maximum value of the measured value when the chamfer width of at least one outer peripheral chamfered portion is measured at a plurality of measurement points. It is preferable to calculate so that the difference between the value and the minimum value is 10 ⁇ m or less. In particular, the calculation is more preferably 8 ⁇ m or less, and further preferably 5 ⁇ m or less.
  • the calculated position information of the appropriate position of the outer peripheral end face grinding wheel is updated as the appropriate position of the outer peripheral end face grinding wheel in the outer peripheral chamfering step S35, for example, storage means provided inside or outside the grindstone position control means 26 Can be memorized.
  • the grindstone position control means 26 moves the outer peripheral end face grinding grindstone 23 by the outer peripheral end face grinding grindstone moving means 232 based on the updated position information, thereby performing chamfering. it can.
  • the present invention is not limited to such a form.
  • an appropriate angle of the rotation axis R of the outer peripheral end face grinding grindstone 23 in the outer peripheral chamfering step S35 is calculated and stored. The angle information may be stored.
  • the grindstone position control means 26 uses the outer peripheral end face grinding grindstone moving means 232 based on the position information and / or angle information stored in the storage means.
  • the chamfering can be performed by moving.
  • a table position correcting step S33 ′ for correcting the position of the table 22 can be performed.
  • the table position correction step S33 ′ for example, an appropriate position of the table 22 and / or an appropriate angle of the rotating shaft in the outer peripheral chamfering step S35 can be calculated from the evaluation result in the outer peripheral chamfered portion evaluation step S32.
  • the calculated appropriate position of the table 22 and / or the appropriate angle of the rotation axis is updated as information on the appropriate position of the table 22 and / or the angle of the rotation axis in the outer peripheral chamfering step S35, and table position control (not shown) is performed.
  • the table 22 can be moved by a table moving means (not shown) based on the updated position information or the like to perform chamfering.
  • the outer peripheral end surface grinding wheel position checking step S34 may be performed.
  • the outer peripheral end surface grinding wheel position confirmation step S34 a pair of outer peripheral chamfered portions can be formed on the glass substrate for confirmation, for example, in the same manner as the aforementioned trial grinding step S31 and outer peripheral chamfered portion evaluation step S32. Then, the chamfer width of at least one of the outer peripheral chamfers is measured at a plurality of measurement points, and the difference between the maximum value and the minimum value of the measurement values can be evaluated.
  • the position of the outer peripheral end surface grinding wheel 23 and / or the table 22 and / or the angle of the rotating shaft is changed to the outer peripheral end surface grinding wheel position correcting step. It can be implemented in a state corrected based on the position information and angle information calculated in S33 and / or the table position correction step S33 ′.
  • the glass substrate of the same size, shape, and material as the glass substrate for trial grinding mentioned above, for example can be used.
  • the position of the grindstone 23 for grinding the outer peripheral end face after the correction with respect to the glass substrate 21 having a donut shape on the table 22 is appropriate. That is, if the difference between the maximum value and the minimum value of the chamfered width of the measured peripheral chamfered portion is within a predetermined range, the peripheral end surface grinding for the glass substrate 21 having a donut shape on the table 22 is performed. It can be confirmed that the corrected position of the grinding wheel 23 is appropriate.
  • the grinding can be performed again from the trial grinding step S31.
  • the outer peripheral chamfering step S35 can be performed without performing the outer peripheral end surface grinding wheel position confirmation step S34.
  • the outer peripheral chamfering step S35 can be performed.
  • the glass substrate 21 having a donut shape is placed on the table 22, calculated in the outer peripheral end surface grinding wheel position correcting step S33, and stored in the storage means included in the grinding wheel position control means 26 and the like. Based on the information and / or the angle information, the outer peripheral end surface grinding wheel 23 can be moved. Then, the table 22 and the outer peripheral end surface grinding wheel 23 are rotated along the rotation axis in a state where the outer peripheral end surface of the glass substrate 21 having a donut shape is in contact with the grinding surface 231 of the outer peripheral end surface grinding wheel 23. Then, chamfering can be performed.
  • the table position correction step S33 ′ When the table position correction step S33 ′ is performed as described above, the table position and / or the rotation axis angle calculated in the table position correction step S33 ′ are set before chamfering.
  • the table 22 can also be moved.
  • the outer peripheral chamfering step can be carried out after correcting the glass substrate having a donut shape to be used for the outer peripheral chamfering step and the outer peripheral end surface grinding grindstone so as to have an appropriate arrangement.
  • the glass for the magnetic recording medium in which the difference between the maximum value and the minimum value of the measured value when measuring the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion at a plurality of measurement points, that is, the variation in the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion is suppressed.
  • a substrate can be obtained.
  • the steps from the trial grinding step S31 to the grinding wheel position correcting step S33 for outer peripheral end surface grinding are performed every time the outer peripheral chamfered portion of the glass substrate for magnetic recording medium is formed. do not have to.
  • the trial grinding step S31 for example, when the manufactured glass substrate for magnetic recording medium is evaluated, when the variation in the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion becomes large, or when the manufacturing conditions are changed, the magnetic recording medium It can be carried out at the start of operation of the glass substrate manufacturing apparatus.
  • the maximum value of the measured value when measuring the chamfer width of at least one inner peripheral chamfered portion at a plurality of measurement points among the pair of inner peripheral chamfered portions is also preferably 10 ⁇ m or less.
  • the glass substrate 21 having a donut shape to be provided and the inner peripheral edge grinding wheel 24 are appropriately arranged.
  • the method for manufacturing the glass substrate for a magnetic recording medium of the present embodiment can be carried out according to the flowchart shown in FIG.
  • the inner peripheral end face of the glass substrate for trial grinding can be further ground with an inner peripheral end face grinding grindstone to form a pair of inner peripheral chamfered portions. And it can also have the following processes further.
  • a glass substrate for trial grinding having a donut shape and having a pair of main surfaces, an outer peripheral end surface, and an inner peripheral end surface is used in the outer peripheral chamfering step.
  • an inner peripheral chamfered portion can be formed.
  • the glass substrate for trial grinding has the same size, shape, and material as the glass substrate used for an outer peripheral chamfering process and an inner peripheral chamfering process in order to manufacture the glass substrate for magnetic recording media.
  • the obtained glass substrate for trial grinding is the outer peripheral chamfered portion evaluation step S32 described above and the inner peripheral chamfered portion described in detail below. It can supply to evaluation process S42.
  • the distribution of the chamfer width of the inner peripheral chamfered portion of the obtained glass substrate for trial grinding can be evaluated.
  • the means for evaluating the chamfer width at this time is not particularly limited, and for example, any means that can measure the chamfer width of at least one inner peripheral chamfer at a plurality of measurement points may be used.
  • the inner circumference is provided on one main surface side and the other main surface side, respectively.
  • a chamfered portion can be provided, and a pair of inner peripheral chamfered portions can be provided.
  • the pair of inner peripheral chamfered portions are simultaneously formed by the inner peripheral end surface grinding grindstone, and therefore the distribution of the chamfer width is substantially the same.
  • the chamfer width of at least one inner peripheral chamfer may be measured at a plurality of measurement points as described above. That is, for example, for one inner peripheral chamfer, the chamfer width can be measured at a plurality of arbitrary measurement points selected along the inner periphery. In particular, in order to measure the distribution of chamfer width more accurately, it is more possible to measure the chamfer width at any of a plurality of measurement points selected along the inner circumference in each inner chamfered portion for both inner chamfered portions. preferable.
  • the number of measurement points for measuring the chamfer width of the inner peripheral chamfered portion is not particularly limited.
  • the number of measurement points is preferably 4 points or more, and 20 points. More preferably.
  • the number of measurement points for measuring the chamfer width of the inner peripheral chamfer is preferably 360 points or less, and more preferably 180 points or less.
  • the number of measurement points here means the number of measurement points when measuring the chamfer width of one inner peripheral chamfer.
  • the distance between measurement points is constant.
  • the angle formed by one measurement point, the center of the glass substrate for trial grinding, and the measurement point adjacent to the one measurement point is a value obtained by dividing 360 ° by the number of measurement points. Preferably it is.
  • the position of the inner peripheral end face grinding wheel 24 can be corrected based on the evaluation result in the inner peripheral chamfered portion evaluation step S42.
  • the inner peripheral end face grinding grindstone 24 does not interfere with the conveyance path of the glass substrate 21 having the donut shape when the glass substrate 21 having the donut shape is carried in and out of the table 22. It has moved to a different position. For this reason, in the inner peripheral end face grinding wheel position correcting step S43, an appropriate position of the inner peripheral end face grinding wheel in the inner peripheral chamfering step is calculated, and as a result, that is, an appropriate position of the inner peripheral end face grinding wheel is calculated.
  • the position information is stored in the storage means.
  • an appropriate position is calculated for the vertical position of the inner peripheral edge grinding wheel 24 in the inner circumferential chamfering step S45 from the evaluation result in the inner circumferential chamfer evaluation step S42. can do.
  • the vertical direction here means a direction perpendicular to the main surface of the glass substrate 21 having a donut shape held on the table 22.
  • the position information of the appropriate position in the vertical direction of the inner peripheral end face grinding wheel 24 in the inner peripheral chamfering step S35 is measured when the chamfer width of at least one inner peripheral chamfered portion is measured at a plurality of measurement points. It is preferable that the difference between the maximum value and the minimum value be selected so as to be 10 ⁇ m or less. In particular, the selection is more preferably 8 ⁇ m or less, and further preferably 5 ⁇ m or less.
  • the calculated information on the appropriate position of the inner peripheral end face grinding wheel is updated as the appropriate position of the inner peripheral end face grinding grindstone 24 in the inner peripheral chamfering step S45, and provided, for example, inside or outside the grindstone position control means 26. Can be stored in the storage means. Then, in the inner peripheral chamfering step S45 described later, the inner peripheral end face grinding grindstone 24 can be moved by the inner peripheral end face grinding grindstone moving means 242 to perform chamfering based on the updated position information.
  • an appropriate vertical position of the inner peripheral edge grinding wheel 24 in the inner circumferential chamfering step S45 is calculated from the evaluation result in the inner circumferential chamfer evaluation step S42.
  • the present invention is not limited to such an embodiment.
  • an appropriate angle of the rotation axis of the inner peripheral end face grinding grindstone 24 in the inner peripheral chamfering step S45 is calculated. The angle information may be stored in the storage means.
  • the grindstone position control means 26 uses the inner peripheral end face grinding grindstone 24 based on the position information and / or angle information stored in the storage means. Chamfering can be performed by moving the moving means 242.
  • a table position correcting step S43 ′ for correcting the position of the table 22 may be performed.
  • the table position correction step S43 ′ for example, an appropriate position of the table 22 and / or an appropriate inclination of the rotating shaft in the inner peripheral chamfering step S45 can be calculated from the evaluation result in the inner peripheral chamfer evaluation step S42.
  • the calculated appropriate position of the table 22 and / or the appropriate inclination of the rotation axis is updated as information on the appropriate position of the table 22 and / or the angle of the rotation axis in the inner peripheral chamfering step S45, and the table position (not shown) You may memorize
  • the chamfering can be performed by moving the table 22 by a table moving means (not shown) based on the updated position information and the like.
  • the table position correcting step S33 ′ when the table position correcting step S33 ′ is performed for the outer peripheral chamfering step S35, it is preferable to perform the inner peripheral end grinding grinding wheel position correcting step S43 so as to correspond to the corrected table position.
  • the table position correcting step S43 ′ is performed for the inner peripheral chamfering step S45, it is preferable to perform the outer peripheral end surface grinding wheel position correcting step S33 so as to correspond to the corrected table position.
  • an inner peripheral end surface grinding wheel position checking step S44 can be performed.
  • the inner peripheral end face grinding wheel position confirmation step S44 for example, a pair of inner peripheral chamfered portions is first formed on the glass substrate for confirmation, as in the above-described trial grinding step S31 and inner peripheral chamfered portion evaluation step S42. it can. Then, the chamfer width of at least one of the inner peripheral chamfers is measured at a plurality of measurement points, and the difference between the maximum value and the minimum value of the measurement values can be evaluated.
  • the position of the inner peripheral end surface grinding wheel 24 and / or the table 22 and / or the angle of the rotating shaft is changed to the inner peripheral end surface grinding wheel.
  • the correction can be performed in a corrected state based on the position information and the angle information calculated in the position correction step S43 and / or the table position correction step S43 ′.
  • the glass substrate of the same size, shape, and material as the glass substrate for trial grinding mentioned above, for example can be used.
  • the grinding can be performed again from the trial grinding step S31.
  • the inner peripheral chamfering step S45 can be performed without performing the inner peripheral end face grinding wheel position confirmation step S44. Further, when the outer peripheral end surface grinding wheel position confirmation step S34 is performed, the inner peripheral end surface grinding wheel position confirmation step S44 can be simultaneously performed using the same confirmation glass substrate.
  • the inner peripheral chamfering step S45 can be performed.
  • the glass substrate 21 having a donut shape is placed on the table 22, calculated in the inner peripheral edge grinding grinding wheel position correcting step S43, and stored in the storage means included in the grinding wheel position control means 26 or the like.
  • the inner peripheral edge grinding wheel 24 can be moved.
  • the table 22 and the inner peripheral end surface grinding wheel 24 are moved along the rotation axis in a state where the inner peripheral end surface of the glass substrate 21 having a donut shape is in contact with the grinding surface 241 of the inner peripheral end surface grinding wheel 24.
  • Chamfering can be performed by rotating.
  • the table position correction step S43 ′ When the table position correction step S43 ′ is performed as described above, the table position and / or the rotation axis angle calculated in the table position correction step S43 ′ is set before the chamfering is performed.
  • the table 22 can also be moved.
  • the inner peripheral chamfering step can be performed.
  • the magnetic recording medium in which the difference between the maximum value and the minimum value of the measured value when the chamfered width of the inner peripheral chamfered portion is measured at a plurality of measurement points, that is, the variation in the chamfered width of the inner peripheral chamfered portion is suppressed.
  • a glass substrate can be obtained.
  • the process from the trial grinding step S31 to the grinding wheel position correcting step S43 for inner peripheral end surface grinding There is no need to implement.
  • the trial grinding step S31 for example, when the manufactured glass substrate for magnetic recording medium is evaluated, when the variation of the chamfer width of the inner peripheral chamfered portion becomes large, or when manufacturing conditions are changed, magnetic recording is performed. It can be implemented at the start of operation of the medium glass substrate manufacturing apparatus.
  • outer peripheral chamfering step S35 and the inner peripheral chamfering step S45 can be performed simultaneously by, for example, the chamfered portion forming apparatus 20 shown in FIG.
  • the inner peripheral end face grinding grindstone has a donut shape to be used for the inner peripheral chamfering step.
  • the position can be corrected so as to be appropriately arranged with respect to the glass substrate.
  • the inner peripheral chamfered portion of the obtained glass substrate for a magnetic recording medium can suppress variation in the chamfer width.
  • it can suppress that a fine wrinkle generate
  • the method for manufacturing the glass substrate for a magnetic recording medium of the present embodiment is not limited to the steps described so far, and can include, for example, the following steps 1 to 5.
  • Step 1 A shape imparting step of processing from a glass base plate into a disc-shaped glass substrate having a circular hole in the center.
  • Step 2 A chamfering step for chamfering the inner surface and the outer edge of the glass substrate.
  • Step 3 An end surface polishing step for polishing the end surfaces (the inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface) of the glass substrate.
  • Step 4) A main surface polishing step for polishing the main surface of the glass substrate.
  • Step 5 A cleaning / drying step of cleaning and drying the glass substrate.
  • the main surface polishing step may be performed before the shape imparting step. Further, each step is not limited to one time, and can be performed any number of times according to the required glass substrate specifications.
  • the main surface polishing step may be performed after the shape imparting step, and then the chamfering step and the end surface polishing step may be performed, and then the main surface polishing step may be performed again.
  • the outer peripheral chamfered portion when the outer peripheral chamfered portion is formed in the chamfering step, the variation in the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion can be suppressed. For this reason, even when it uses for a main surface grinding
  • the shape imparting step of (Step 1) is a glass-shaped glass plate formed by a float method, a fusion method, a press molding method, a down draw method or a redraw method.
  • the substrate is processed.
  • the glass base plate used may be amorphous glass, crystallized glass, or tempered glass having a tempered layer on the surface layer of the glass substrate.
  • the chamfering step can include the above-described trial grinding step S31 to outer peripheral chamfering step S35 performed according to the flowchart shown in FIG. By carrying out the chamfering step, the outer peripheral end face of the glass substrate can be chamfered.
  • the chamfering step may further include the above-described trial grinding step S31 to the inner peripheral chamfering step S45 performed in accordance with the flowchart shown in FIG.
  • the inner peripheral end surface of the glass substrate can also be chamfered.
  • the end surface (side surface portion and chamfered portion) of the glass substrate can be subjected to end surface polishing.
  • a double-side polishing apparatus supplies polishing liquid to the main surface of the glass substrate having a donut shape, and the upper and lower main surfaces of the glass substrate having a donut shape can be simultaneously polished.
  • the main surface polishing step may be only primary polishing, may be primary polishing and secondary polishing, or may be tertiary polishing after secondary polishing.
  • wrapping of the main surface for example, loose abrasive wrap, fixed abrasive wrap, etc.
  • glass substrate cleaning inter-process cleaning
  • glass substrate surface etching inter-process etching
  • the main surface lapping is a broad surface main surface polishing.
  • the cleaning / drying step of (Step 5) is a step of cleaning and drying the polished glass substrate.
  • a specific cleaning method is not particularly limited. For example, cleaning can be performed by scrub cleaning using a detergent, ultrasonic cleaning in a state immersed in a detergent solution, ultrasonic cleaning in a state immersed in pure water, or the like. Moreover, it does not specifically limit about the drying method, For example, it can dry with isopropyl alcohol vapor
  • glass substrate cleaning inter-process cleaning
  • glass substrate surface etching inter-process etching
  • the reinforcing step for example, chemical strengthening step
  • polishing processes are performed before or after the polishing step mentioned in steps 3 and 4, Or you may implement between grinding
  • the glass substrate for a magnetic recording medium obtained by the manufacturing method including the above steps can be used as a magnetic recording medium by further performing a step of forming a thin film such as a magnetic layer on the main surface.
  • a trial grinding step is performed in advance in the chamfering step, and the outer peripheral end surface grinding wheel is applied to the glass substrate having a donut shape to be used for the outer peripheral chamfering step.
  • the position can be corrected for proper placement. For this reason, the outer peripheral chamfered part of the glass substrate for magnetic recording media obtained can suppress variation in the chamfer width.
  • Glass substrate manufacturing equipment for magnetic recording media Next, a configuration example of the glass substrate manufacturing apparatus for a magnetic recording medium according to the present embodiment will be described.
  • the glass substrate manufacturing apparatus for a magnetic recording medium according to the present embodiment can include an outer peripheral end surface grinding wheel and a grinding wheel position control means.
  • the grindstone for outer peripheral end surface grinding has a donut shape, and can form a pair of outer peripheral chamfered portions on the outer peripheral end surface of the glass substrate having a pair of main surfaces, an outer peripheral end surface, and an inner peripheral end surface.
  • the grinding wheel position control means forms a pair of outer peripheral chamfered portions on the glass substrate for trial grinding having the same shape as the glass substrate by an outer peripheral end surface grinding grindstone, and at least one outer periphery of the pair of outer peripheral chamfered portions. Based on the distribution of the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion when the chamfered width of the chamfered portion is measured at a plurality of measurement points, the position of the outer peripheral end surface grinding wheel can be controlled.
  • the glass substrate manufacturing apparatus for a magnetic recording medium of the present embodiment is, for example, the glass substrate manufacturing apparatus for a magnetic recording medium shown in FIG. 2, and particularly a chamfered part forming apparatus 20 capable of forming a chamfered part on the outer peripheral end surface; It can be configured similarly.
  • the chamfered portion forming apparatus 20 which is a glass substrate manufacturing apparatus for a magnetic recording medium of the present embodiment, includes a table 22 that holds a glass substrate 21 having a donut shape that forms an outer peripheral chamfered portion, and an outer peripheral edge grinding wheel 23. Can have. Further, when a chamfered portion is formed on the inner peripheral end face at the same time, an inner peripheral end face grinding grindstone 24 can be provided.
  • the outer peripheral end grinding wheel 23 is rotatably provided with the central axis as the rotation axis R, and has an outer periphery in the direction of the block arrow 23A that is the rotation axis direction and in the direction of the block arrow 23B that is orthogonal to the rotation axis direction.
  • the end face grinding wheel moving means 232 is provided so as to be movable.
  • a grindstone position control means 26 is connected to the outer peripheral end face grinding grindstone moving means 232, and the outer peripheral end face grinding grindstone 23 can be moved and rotated in accordance with a command from the grindstone position control means 26. .
  • the grindstone position control means 26 forms a pair of outer peripheral chamfered portions on the glass substrate for trial grinding with the outer peripheral end surface grinding grindstone 23, and measures a plurality of chamfer widths of at least one outer peripheral chamfered portion of the pair of outer peripheral chamfered portions.
  • the position of the outer peripheral end face grinding wheel can be controlled based on the distribution of the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion when measured by a point.
  • the trial grinding step S31, the outer peripheral chamfered portion evaluation step S32, and the outer peripheral end surface grinding grindstone position correcting step S33 are performed in the same manner as in the above-described method for manufacturing the glass substrate for magnetic recording medium. Can be kept.
  • the position information of the appropriate position of the outer peripheral end surface grinding wheel 23 and / or the angle information of the rotating shaft in the outer peripheral chamfering step S35 calculated in the outer peripheral end surface grinding wheel position correcting step S33 is used as the inner position of the grindstone position control means 26. Or the like can be stored in a storage means.
  • the outer peripheral end surface grinding is performed by the outer peripheral end surface grinding grindstone moving unit 232 based on the position information and / or the angle information stored in the storage unit.
  • the grindstone 23 is moved.
  • the outer peripheral chamfering step S35 can be performed by rotating the table 22 and the outer peripheral end face grinding grindstone 23.
  • the glass substrate manufacturing apparatus for a magnetic recording medium of the present embodiment has a table moving means (not shown) that moves and controls the position of the table 22, and a table position control means that controls the table moving means. Can also be included.
  • the table position correcting step S33 ′ can be performed, and an appropriate position of the table 22 and / or an appropriate inclination of the rotating shaft in the outer peripheral chamfering step S35 can be calculated from the evaluation result of the outer peripheral chamfered portion evaluating step S32. Further, it can be stored in storage means provided in the table position control means or the like.
  • the table 22 is moved to the predetermined position and / or the rotation axis of the table 22 by the table moving means based on the information stored in the storage means provided in the table position control means or the like. Can be moved at a predetermined angle. Further, as described above, the outer peripheral end surface grinding wheel 23 can be moved to a predetermined position by the outer peripheral end surface grinding wheel moving means 232.
  • the outer peripheral chamfering step S35 can be performed by rotating the table 22 and the outer peripheral end surface grinding wheel 23.
  • the glass substrate manufacturing apparatus for a magnetic recording medium of the present embodiment described above when the outer peripheral chamfered portion is formed on the outer peripheral end surface of the glass substrate having a donut shape placed on the table, the doughnut shape is formed.
  • the glass substrate and the outer peripheral end surface grinding wheel can be arranged at appropriate positions. For this reason, the glass substrate for magnetic recording media which suppressed the dispersion
  • the glass substrate manufacturing apparatus for a magnetic recording medium according to the present embodiment can further have an inner peripheral edge grinding wheel 24 as described above.
  • the grinding wheel for inner peripheral end face grinding has a donut shape and forms a pair of inner peripheral chamfered portions on the inner peripheral end face of the glass substrate having a pair of main surfaces, an outer peripheral end face, and an inner peripheral end face. Can do.
  • the grinding wheel position control means forms a pair of inner peripheral chamfered portions with a grinding wheel for inner peripheral end surface grinding on a glass substrate for trial grinding having the same shape as the glass substrate, and at least of the pair of inner peripheral chamfered portions. Based on the distribution of the chamfer width of the inner peripheral chamfered portion when the chamfered width of one inner peripheral chamfered portion is measured at a plurality of measurement points, the position of the inner peripheral end face grinding grindstone can be controlled.
  • the inner peripheral end face grinding wheel 24 is rotatably provided with the central axis as the rotation axis R, and in the direction of the block arrow 24A that is the rotation axis direction and the direction of the block arrow 24B that is the direction orthogonal to the rotation axis direction.
  • the inner peripheral end face grinding wheel moving means 242 is provided so as to be movable.
  • a grindstone position control means 26 is connected to the inner peripheral end face grinding grindstone moving means 242, and the inner peripheral end face grinding grindstone 24 is moved and rotated in accordance with a command from the grindstone position control means 26. Can do.
  • the grindstone position control means 26 forms a pair of inner peripheral chamfered portions on the glass substrate for trial grinding with an inner peripheral end face grinding grindstone, and sets the chamfer width of at least one inner peripheral chamfered portion of the pair of inner peripheral chamfered portions.
  • the position of the grindstone for inner peripheral end face grinding can be controlled based on the distribution of the chamfer width of the inner peripheral chamfered portion when measured at a plurality of measurement points.
  • a trial grinding step S31, an inner peripheral chamfered portion evaluation step S42, and an inner peripheral end face grinding grindstone position correcting step S43 are performed in advance.
  • the position information of the appropriate position of the grinding wheel for inner peripheral end face grinding in the inner peripheral chamfering step S45 and / or the angle information of the rotating shaft calculated in the grinding wheel position correction process S43 for inner peripheral end face grinding is used as the grinding wheel position control means.
  • 26 can be stored in storage means provided in the interior of the apparatus.
  • the inner peripheral end surface grinding grindstone moving means 242 uses the inner peripheral end surface grinding grindstone moving means 242 based on the position information and / or angle information stored in the storage means.
  • the peripheral edge grinding wheel 24 is moved.
  • the inner peripheral chamfering step S45 can be performed by rotating the table 22 and the inner peripheral end face grinding wheel 24.
  • the glass substrate having a donut shape and the grinding wheel for inner peripheral end face grinding can be arranged at appropriate positions. For this reason, the glass substrate for magnetic recording media which suppressed the dispersion
  • the glass substrate manufacturing apparatus for a magnetic recording medium includes a table moving unit (not shown) that controls the position of the table 22, and a table position control unit that controls the table moving unit. You can also.
  • the table position correction step S43 ′ is performed, and an appropriate position of the table 22 and / or an appropriate inclination of the rotating shaft in the inner peripheral chamfering step S45 is calculated from the evaluation result of the inner peripheral chamfer evaluation step S42. it can. Further, it can be stored in storage means provided in the table position control means or the like.
  • the table 22 is moved to a predetermined position and / or rotated by the table moving means based on the information stored in the storage means provided in the table position control means or the like.
  • the shaft is moved to a predetermined angle.
  • the inner peripheral end face grinding grindstone moving means 242 moves the inner peripheral end face grinding grindstone 24 to a predetermined position.
  • the inner peripheral chamfering step S45 can be performed by rotating the table 22 and the inner peripheral end face grinding wheel 24.
  • the glass substrate having the donut shape and an inner peripheral end face grinding grindstone are appropriately combined. Can be placed in position. For this reason, the glass substrate for magnetic recording media which suppressed the dispersion
  • Magnetic recording medium Next, a configuration example of the magnetic recording medium of this embodiment will be described.
  • the magnetic recording medium of the present embodiment can include the above-described glass substrate for a magnetic recording medium.
  • the configuration of the magnetic recording medium of the present embodiment is not limited as long as it includes the glass substrate for magnetic recording medium described above.
  • a magnetic layer is formed on the surface of the glass substrate for magnetic recording medium.
  • a protective layer is formed on the surface of the glass substrate for magnetic recording medium.
  • a protective layer is formed on the surface of the glass substrate for magnetic recording medium.
  • a protective layer is formed on the surface of the glass substrate for magnetic recording medium.
  • a protective layer is formed on the surface of the glass substrate for magnetic recording medium.
  • a lubricating layer is formed on the surface of the glass substrate for magnetic recording medium.
  • the magnetic recording medium includes a horizontal magnetic recording method and a vertical magnetic recording method.
  • a specific manufacturing method will be described below by taking the perpendicular magnetic recording method as an example.
  • the magnetic recording medium can have a magnetic layer, a protective layer, and a lubricating layer on the surface of the magnetic recording medium glass substrate as described above.
  • a soft magnetic underlayer made of a soft magnetic material that plays a role of circulating a recording magnetic field from a magnetic head is generally provided.
  • a soft magnetic underlayer, a nonmagnetic intermediate layer, a perpendicular recording magnetic layer, a protective layer, and a lubricating layer can be stacked in this order from the surface of the magnetic recording medium glass substrate.
  • soft magnetic underlayer for example, CoNiFe, FeCoB, CoCuFe, NiFe, FeAlSi, FeTaN, FeN, FeTaC, CoFeB, CoZrN, etc. can be used.
  • the nonmagnetic intermediate layer is made of Ru, Ru alloy or the like. This nonmagnetic intermediate layer has a function for facilitating the epitaxial growth of the perpendicular recording magnetic layer and a function for breaking the magnetic exchange coupling between the soft magnetic underlayer and the perpendicular recording magnetic layer.
  • the perpendicular recording magnetic layer is a magnetic film having an easy axis of magnetization oriented in a direction perpendicular to the substrate surface, and can contain at least Co and Pt.
  • a well-isolated fine particle structure (granular structure) is preferable. Specifically, an oxide (SiO 2 , SiO, Cr 2 O 3 , CoO, Ta 2 O 3 , TiO 2, etc.), Cr, B, Cu, Ta, Zr or the like added to a CoPt alloy or the like Should be used.
  • the soft magnetic underlayer, nonmagnetic intermediate layer, and perpendicular recording magnetic layer described so far can be continuously manufactured by an in-line sputtering method, a DC magnetron sputtering method, or the like.
  • the protective layer is provided to prevent corrosion of the perpendicular recording magnetic layer and to prevent damage to the surface of the medium even when the magnetic head comes into contact with the medium, and is provided on the perpendicular recording magnetic layer.
  • a material containing C, ZrO 2 , SiO 2 or the like can be used as the protective layer.
  • an in-line sputtering method for example, an in-line sputtering method, a CVD method, a spin coating method, or the like can be used.
  • a lubricating layer is formed on the surface of the protective layer in order to reduce friction between the magnetic head and the recording medium (magnetic disk).
  • the lubricating layer for example, perfluoropolyether, fluorinated alcohol, fluorinated carboxylic acid, or the like can be used.
  • the lubricating layer can be formed by a dip method, a spray method, or the like.
  • the magnetic recording medium of the present embodiment described above includes the above-described glass substrate for magnetic recording medium. That is, a glass substrate for a magnetic recording medium with few fine wrinkles is used between the main surface and the peripheral chamfered portion. For this reason, it is possible to suppress the occurrence of errors even when incorporated in a magnetic recording device such as a hard disk drive.
  • the measurement points are determined so that the central angle of the sector formed by the adjacent measurement point and the center of the glass substrate for magnetic recording medium is 5.625 ° in each of the outer peripheral chamfered portion and the inner peripheral chamfered portion.
  • the chamfer width is measured for each measurement point. That is, the chamfer width is measured at 64 measurement points for each of the outer peripheral chamfered portion and the inner peripheral chamfered portion.
  • the glass substrate for trial grinding, the glass substrate for confirmation, and the glass substrate for magnetic recording media produced in the following examples and comparative examples have an outer peripheral chamfered portion, One inner chamfered portion is formed on each of the upper and lower portions.
  • the outer peripheral chamfered portion and the inner peripheral chamfered portion have a distribution of the chamfer width, respectively.
  • the upper and lower chamfers are the same.
  • the distribution of the chamfer width is measured for one of the upper and lower chamfered portions of the outer peripheral chamfered portion and the inner peripheral chamfered portion.
  • the glass substrate for confirmation, and the glass substrate for magnetic recording medium produced in the following examples and comparative examples are the outer chamfered portion and the inner peripheral chamfered portion, one of the two chamfered portions of the upper and lower chamfered portions. The difference between the maximum value and the minimum value of the chamfer width is calculated.
  • a plurality of glass substrates for magnetic recording media were produced under the same conditions, and the chamfering width was measured as described above for any five sheets. Then, the difference between the maximum value and the minimum value is calculated from the measurement result of the chamfer width for each glass substrate for magnetic recording medium, and the measured value of the chamfer width of the measured five glass substrates for magnetic recording medium
  • Table 1 shows the largest value (maximum value) of the difference between the maximum value and the minimum value. Table 1 also shows the standard deviation and the average value of the difference between the maximum value and the minimum value of the measured values of the chamfer width of the five glass substrates for magnetic recording media.
  • the outer periphery (inner side) in the chamfering step when producing the glass substrate for a magnetic recording medium from the distribution of the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion and the inner peripheral chamfered portion measured for the confirmation glass substrate.
  • the runout of the grinding wheel for end face grinding is calculated.
  • the vertical direction is the direction perpendicular to the main surface of the glass substrate having a donut shape subjected to grinding
  • the horizontal direction is the main surface of the glass substrate having a donut shape subjected to grinding. Means the direction parallel to.
  • the outer peripheral fine wrinkle occurrence rate means the occurrence rate of the glass substrate for magnetic recording medium including fine wrinkles between the main surface and the outer peripheral chamfered portion
  • the inner peripheral fine wrinkle occurrence rate Means the occurrence rate of a glass substrate for a magnetic recording medium including minute wrinkles between the main surface and the inner peripheral chamfered portion.
  • a glass substrate for a magnetic recording medium including a minute wrinkle between the main surface and the inner peripheral chamfered portion is used. Evaluate as defective.
  • the glass substrate for a magnetic recording medium including the minute wrinkles between the main surface and the outer peripheral chamfered portion is regarded as defective. evaluate.
  • the fine wrinkle occurrence rate was evaluated using a disk surface inspection device (manufactured by Hitachi High-Tech Fine Systems, Inc., model number: NS7000) that is usually used in the inspection of the glass substrate for magnetic recording media. .
  • a disk surface inspection device manufactured by Hitachi High-Tech Fine Systems, Inc., model number: NS7000
  • the wrinkles in question are fine, it is difficult to distinguish between noise and wrinkles. For this reason, the above-mentioned light scattering type surface observation machine is used.
  • Example 1 A glass substrate for a magnetic recording medium is produced according to the following procedure.
  • a glass base plate mainly composed of SiO 2 formed by a float method has a circular hole in the center. Processing into a glass substrate having a donut shape.
  • Chamfering is performed so that a glass substrate for a magnetic recording medium having a chamfering width of 0.15 mm and a chamfering angle of 45 ° is obtained between the inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface of the glass substrate having the donut shape.
  • the chamfering process is performed using the chamfered portion forming apparatus 20 which is the glass substrate manufacturing apparatus for a magnetic recording medium shown in FIG.
  • the chamfering process will be specifically described below.
  • a glass substrate for trial grinding having the same size, shape and material as the glass substrate having the donut shape described above is prepared.
  • the outer peripheral end face grinding grindstone 23 and the inner peripheral end face grinding grindstone 24 are moved by the outer peripheral end face grinding grindstone moving means 232 and the inner peripheral end face grinding grindstone moving means 242 according to a command from the grindstone position control means 26.
  • the outer peripheral end surface and the inner peripheral end surface of the glass substrate for trial grinding are moved so as to come into contact with the grinding surface 231 of the outer peripheral end surface grinding wheel 23 and the grinding surface 241 of the inner peripheral end surface grinding wheel 24, respectively. Yes.
  • Outer peripheral chamfered portion evaluation step S32, inner peripheral chamfered portion evaluation step S42 Based on the evaluation results of the outer peripheral chamfered portion evaluation step S32 and the inner peripheral chamfered portion evaluation step S42, the upper and lower sides of the outer peripheral end face grinding grindstone 23 in the outer peripheral chamfering step S35 and the inner peripheral end face grinding grindstone 24 in the inner peripheral chamfered step S45. An appropriate position is calculated for the direction position.
  • the chamfer widths of the outer peripheral chamfered portion and the inner peripheral chamfered portion are calculated.
  • the difference between the maximum value and the minimum value of the measured values is calculated to be 5 ⁇ m or less.
  • the angle of the rotation axis of the outer peripheral end face grinding grindstone 23 in the outer peripheral chamfering step S35 and the angle of the rotation axis of the inner peripheral end face grinding grindstone 24 in the inner peripheral chamfering step S45 are calculated together with appropriate angles.
  • the above-described vertical position means a direction perpendicular to the main surface of the glass substrate having a donut shape held on the table 22.
  • the appropriate angle of the rotation axis of the outer peripheral end face grinding wheel 23 and the inner peripheral end face grinding wheel 24 is that each wheel is rotated and viewed along a direction perpendicular to the main surface of the glass substrate having a donut shape. Means an angle at which eccentricity can be suppressed.
  • the calculated information about the vertical position of the outer peripheral end face grinding wheel 23 and the inner peripheral end face grinding grindstone 24 and the appropriate angle of the rotation axis is stored in a storage means (not shown) of the grindstone position control means 26. .
  • Outer peripheral end grinding wheel position correcting step S33, inner peripheral end grinding wheel position correcting step S43 Next, in order to confirm whether the calculated vertical position of the outer peripheral end face grinding wheel 23 and the inner peripheral end face grinding wheel 24 and the angle of the rotating shaft are appropriate, the outer end face grinding is performed.
  • a grindstone position confirmation process (S34) and a grindstone position confirmation process (S44) for inner peripheral end face grinding are performed.
  • a glass substrate for confirmation of the same size, shape, and material as the glass substrate for trial grinding is placed on the table 22, and is adsorbed and held by the table 22. Then, in accordance with a command from the grindstone position control means 26, the outer peripheral end face grinding grindstone 23 and the inner peripheral end face grinding grindstone 24 are changed by the outer peripheral end face grinding grindstone moving means 232 and the inner peripheral end face grinding grindstone moving means 242. The position is moved based on the stored position and the information on the angle of the rotation axis. Next, the table 22, the outer peripheral end face grinding grindstone 23, and the inner peripheral end face grinding grindstone 24 are rotated to form the outer peripheral chamfered portion and the inner peripheral chamfered portion on the confirmation glass substrate.
  • an outer peripheral chamfering step (S35) and an inner peripheral chamfering step (S45) are performed.
  • the glass substrate 21 having the above-described donut shape is placed on the table 22, and is adsorbed and held.
  • the outer peripheral end face grinding grindstone 23 and the inner peripheral end face grinding grindstone 24 are moved by the outer peripheral end face grinding grindstone moving means 232 and the inner peripheral end face grinding grindstone moving means 242.
  • the upper and lower sides of the outer peripheral end face grinding grindstone 23 and the inner peripheral end face grinding grindstone 24 stored in the storage means in the outer peripheral end face grinding grindstone position correcting process S33 and the inner peripheral end face grinding grindstone position correcting process S43 described above. It moves so that it may become the position of a direction, and the angle of a rotating shaft.
  • the table 22, the outer peripheral end face grinding grindstone 23, and the inner peripheral end face grinding grindstone 24 are rotated to form the outer peripheral chamfered portion and the inner peripheral chamfered portion of the glass substrate 21 having a donut shape.
  • the grinding liquid is supplied from the grinding liquid supply nozzle 25 to the glass substrate 21 having a donut shape, the outer peripheral end surface grinding wheel 23, and the inner peripheral end surface grinding wheel 24. Supply continues in the meantime.
  • 5000 glass substrates for a magnetic recording medium are manufactured.
  • information stored in the storage means included in the grindstone position control means 26 is used to Only the chamfering process and the inner peripheral chamfering process are repeated. That is, in the chamfering process for the second and subsequent glass substrates, the trial grinding process S31 to the outer peripheral end face grinding wheel position correcting process S33 and the inner peripheral end face grinding wheel position correcting process S43 are not performed.
  • the main surface and end face are ground and polished according to the following procedure.
  • the upper and lower main surfaces of the obtained glass substrate are lapped using alumina abrasive grains.
  • the primary main surface grinding step is performed by a 16B type double-side polishing apparatus using a cast iron surface plate and a grinding liquid containing alumina abrasive grains as a polishing tool.
  • the abrasive grains are washed and removed from the glass substrate after the primary main surface grinding step.
  • the outer peripheral side surface portion and the outer peripheral chamfered portion of the glass substrate are polished with a polishing brush and a polishing liquid containing cerium oxide abrasive grains, and a work-affected layer (such as a scratch) on the outer peripheral side surface and the outer peripheral chamfered portion is polished.
  • the outer peripheral end face is polished so as to be a mirror surface. (Outer peripheral edge polishing process)
  • the abrasive grains are washed and removed from the glass substrate after the outer peripheral end face polishing step.
  • the inner peripheral side surface portion and the inner peripheral chamfered portion of the glass substrate for magnetic recording medium are polished with a polishing liquid containing a polishing brush and cerium oxide abrasive grains, and the inner peripheral side surface portion and the inner peripheral surface are polished.
  • the process-affected layer (scratches, etc.) in the chamfered portion is removed, and the inner peripheral end surface is polished so as to be a mirror surface. (Inner end face polishing process)
  • the abrasive grains are washed and removed from the glass substrate after the inner peripheral end surface is polished.
  • the secondary main surface grinding step is performed by a 16B double-side polishing apparatus using a fixed abrasive tool containing diamond abrasive grains having an average particle diameter of 4 ⁇ m and a grinding fluid containing a surfactant.
  • the abrasive grains are washed and removed from the glass substrate after the completion of the secondary grinding process.
  • the upper and lower main surfaces are polished by a 16B double-side polishing apparatus using a polishing liquid containing a soft urethane polishing pad (suede polishing pad) and a cerium oxide abrasive as a polishing tool.
  • a polishing liquid containing cerium oxide abrasive grains a polishing liquid composition containing cerium oxide having an average particle diameter (hereinafter abbreviated as average particle diameter) of about 1.0 ⁇ m is used.
  • the upper and lower main surfaces are polished in a total thickness of 30 ⁇ m in the plate thickness direction.
  • the glass substrate is cleaned and removed of cerium oxide abrasive grains.
  • a secondary main surface polishing step is performed on both main surfaces of the cleaned glass substrate (secondary main surface polishing step).
  • a polishing pad containing a soft urethane polishing pad and a colloidal silica abrasive having an average particle diameter of 20 nm is used as a polishing tool by a 16B type double-side polishing apparatus.
  • the colloidal silica abrasive is washed and removed from the glass substrate after the completion of the secondary main surface polishing step.
  • the glass substrate that has been subjected to the secondary main surface polishing step is sequentially subjected to scrub cleaning, ultrasonic cleaning in a state of immersion in a detergent solution, and ultrasonic cleaning in a state of immersion in pure water (precision cleaning), and isopropyl alcohol Dry with steam. (Washing / drying process)
  • the difference between the maximum value and the minimum value of the chamfered width of the outer peripheral chamfered portion and the chamfered width of the inner peripheral chamfered portion of the glass substrate for magnetic recording medium obtained by the above procedure is evaluated by the above method. .
  • the obtained glass substrate for a magnetic recording medium is evaluated for the fine wrinkle generation rate between the main surface and the inner peripheral chamfered portion and between the main surface and the outer peripheral chamfered portion.
  • Table 1 shows the evaluation results for the outer peripheral portion
  • Table 2 shows the evaluation results for the inner peripheral portion
  • Example 2 and Example 3 In Examples 2 and 3, the maximum value and the minimum value of the measured values of the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion and the inner peripheral chamfered portion in the outer peripheral end surface grinding wheel position correcting step S33 and the inner peripheral end surface grinding wheel position correcting step S43.
  • the appropriate positions in the vertical direction of the outer peripheral end face grinding grindstone 23 and the inner peripheral end face grinding grindstone 24 in the outer peripheral chamfering step and the inner peripheral chamfering step are calculated so that the difference between them is within a predetermined range. .
  • the difference between the maximum value and the minimum value of the measured value of the chamfer width is 8 ⁇ m or less in Example 2, and 10 ⁇ m or less in Example 3.
  • Appropriate vertical positions of the end grinding wheel 23 and the inner peripheral end grinding wheel 24 are calculated.
  • Example 3 the angle of the rotation axis of the outer peripheral end face grinding grindstone 23 in the outer peripheral chamfering step S35 and the appropriate angle of the rotation axis of the inner peripheral end face grinding grindstone 24 in the inner peripheral chamfering step S45 are calculated. Not done.
  • Example 3 the inclination of the rotating shaft is not controlled for both end face grinding wheels. And about the grindstone which is not controlling about the inclination of a rotating shaft, it adjusted so that the main surface of the glass substrate 21 which has the donut shape on the table 22 at the time of grindstone attachment and the rotating shaft of the grindstone for end surface grinding might become perpendicular
  • Example 1 a glass substrate for a magnetic recording medium was produced and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Tables 1 and 2.
  • Tables 1 and 2 [Comparative Examples 1 and 2]
  • the grinding wheel position correcting step S43, the outer peripheral end surface grinding wheel position confirmation step S34, and the inner peripheral end surface grinding wheel position confirmation step S44 are not performed.
  • the outer peripheral end face grinding grindstone 23 and the inner peripheral end face grinding grindstone 24 are used with their positions adjusted when the grindstone is mounted, and only the outer peripheral chamfering process S35 and the inner peripheral chamfering process S45 are performed. ing.
  • the same correlation can be confirmed between the difference between the maximum value and the minimum value of the chamfer width measurement value of the inner peripheral chamfered portion and the incidence of minute wrinkles between the main surface and the inner peripheral chamfered portion. And it can confirm that the fine wrinkle generation rate between a main surface and an internal peripheral chamfering part can be suppressed by making the difference of the measured value of the chamfering width of an internal peripheral chamfering part into 10 micrometers or less. .
  • Example 3 the difference between the maximum value and the minimum value of the measured value of the chamfer width of the outer peripheral chamfered portion can be confirmed to be 10 ⁇ m or less as described above.
  • Example 3 before chamfering the glass substrate for a magnetic recording medium, the position of the inner peripheral end face grinding wheel 24 in the vertical direction and the first and second embodiments in which the vertical position control and the wheel axis tilt control are performed.
  • the difference between the maximum value and the minimum value of the measured value of the chamfer width of the inner peripheral chamfered portion is 10 ⁇ m or less as described above.

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Abstract

本発明は主表面と外周面取り部との間の微細な疵を抑制した磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。本発明はドーナツ形状を有し、一対の主表面と、外周端面と、内周端面と、を有する磁気記録媒体用ガラス基板であって、前記外周端面は外周側面部と一対の外周面取り部とを有し、前記一対の外周面取り部のうち、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合に、測定値の最大値と、最小値との差が10μm以下である磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。

Description

磁気記録媒体用ガラス基板、磁気記録媒体、磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び磁気記録媒体用ガラス基板製造装置
 本発明は、磁気記録媒体用ガラス基板、磁気記録媒体、磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び磁気記録媒体用ガラス基板製造装置に関する。
 磁気ディスク記録装置等に用いられる磁気記録媒体用基板としては、従来、アルミニウム合金基板が使用されてきた。しかしながら、近年、高記録密度化の要求に伴い、アルミニウム合金基板に比べて硬く、平坦性や平滑性に優れるガラス基板が主流となってきている。
 磁気記録媒体用ガラス基板は、中央部に同心円状の開口部を有するドーナツ形状を有しており、外周端面や内周端面は、主表面と略垂直な側面部と、側面部と主表面との間に設けられた面取り部とを有している。
 そして、磁気記録媒体用ガラス基板の外周端面に設けられる外周面取り部や、内周端面に設けられる内周面取り部の形状については従来から各種検討がなされている。
 例えば特許文献1には、装着信頼性の高い磁気記録媒体用ガラス基板を提供することを目的として、主表面と側面との間に面取りによる面取部が形成されているとともに、主表面と面取部との間及び側面と面取部との間のうち少なくとも一方に半径0.003mm以上0.2mm未満の曲面が形成された磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法が開示されている。
 磁気記録媒体用ガラス基板を製造する場合、例えばガラス素板からドーナツ形状に加工する工程や、端面に上述の面取り部を形成する面取り工程、主表面を研磨する主表面研磨工程、端面を研磨する端面研磨工程等を行い所望の形状に加工されている。
 そして、端面に面取り部を形成する面取り工程の後、主表面研磨工程を実施した場合に、主表面と、外周面取り部との間に微細な疵が生じ、得られる磁気記録媒体用ガラス基板に係る疵が含まれている場合があった。係る疵は微細なため従来は問題とされていなかった。
日本国特許第4184384号公報
 しかしながら、近年は磁気記録媒体の高記録密度化が図られ、記録するデータの1ビット当たりの占有面積は小さくなっている。また、磁気記録媒体の外周端面近傍まで情報が書き込まれるようになっている。
 このため、疵のサイズが微細であり、外周端面の近傍であっても、高記録密度化が進み、また外周端面近傍まで書き込みがなされる磁気記録媒体では、疵の密集度等によってはエラー発生の原因となる。従って、磁気記録媒体用ガラス基板において、主表面と外周面取り部との間の微細な疵を低減、抑制することが求められている。
 上記従来技術が有する問題に鑑み、本発明の一側面では主表面と外周面取り部との間の微細な疵を抑制した磁気記録媒体用ガラス基板を提供することを目的とする。
 上記課題を解決するため本発明の一側面では、ドーナツ形状を有し、一対の主表面と、外周端面と、内周端面と、を有する磁気記録媒体用ガラス基板であって、前記外周端面は外周側面部と一対の外周面取り部とを有し、
 前記一対の外周面取り部のうち、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合に、測定値の最大値と、最小値との差が10μm以下である磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。
 本発明の磁気記録媒体用ガラス基板の一側面によれば、主表面と外周面取り部との間の微細な疵を抑制した磁気記録媒体用ガラス基板を提供することができる。
図1(A)および図1(B)は本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用ガラス基板の説明図である。 図2は本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用ガラス基板製造装置の説明図である。 図3は本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法のフロー図である。 図4は本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法のフロー図である。
 以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
(磁気記録媒体用ガラス基板)
 本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の一構成例について説明を行う。
 本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板は、ドーナツ形状を有し、一対の主表面と、外周端面と、内周端面と、を有する磁気記録媒体用ガラス基板であって、外周端面は外周側面部と一対の外周面取り部とを有することができる。そして、一対の外周面取り部のうち、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合に、測定値の最大値と、最小値との差を10μm以下とすることができる。
 まず、図1を用いて本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の構造について説明する。
 図1(A)は本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の斜視断面図を模式的に示している。図1(A)は磁気記録媒体用ガラス基板10の中心を通り、主表面121、122と垂直な面における断面を含む斜視断面図となっている。すなわち、図1(A)では本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の半分と、断面図とをあわせて示している。
 また、図1(B)は、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の面取り幅を説明するために示した図であり、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の上面図を模式的に示している。なお、図中面取り幅を実際よりも大きくして示している。
 図1(A)、図1(B)から把握されるように、磁気記録媒体用ガラス基板10は外周が円形であり、中央部には外周と同心円となるように円形の開口部(中央開口部)11が設けられた円板形状、すなわちドーナツ形状を有している。
 そして、上下の面が主表面121、122となっている。また、磁気記録媒体用ガラス基板10は外周に位置する外周端面13と、内周に位置する内周端面14と、を有している。
 外周端面13、及び内周端面14は主表面121、122側にそれぞれ面取り部を有することができる。すなわち、外周端面13、及び内周端面14は、それぞれ一対の面取り部を有することができる。具体的には外周端面13は外周面取り部131、133を、内周端面14は内周面取り部141、143をそれぞれ有することができる。
 また、面取り部間には側面部を形成することができ、外周端面13は外周側面部132を、内周端面14は内周側面部142をそれぞれ有することができる。外周側面部132、及び内周側面部142はそれぞれ主表面121、122と略垂直になるように形成できる。
 以上のように、外周端面13は外周側面部132と、外周面取り部131、133とを含み、内周端面14は内周側面部142と内周面取り部141、143とを含むことができる。
 なお、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板のサイズは特に限定されるものではないく、磁気記録媒体用ガラス基板の仕様にあわせて任意に選択することができる。本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の直径は例えば48mm、65mm、または95mm等の磁気記録媒体用ガラス基板に要求される仕様に応じたサイズとすることができる。特に、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の直径は、近年需要が高まっている65mm以上であることが好ましい。
 既述のように、磁気記録媒体用ガラス基板の主表面を研磨する主表面研磨工程において、主表面と、端面との間、例えば主表面121と、外周面取り部131との間に微細な疵が生じる場合があった。疵のサイズが微細であり、外周端面の近傍であっても、高記録密度化が進み、また外周端面近傍まで書き込みがなされる磁気記録媒体では、疵の密集度等によってはエラー発生の原因となる。従って、磁気記録媒体用ガラス基板において、係る微細な疵の発生を抑制することが求められていた。そこでまず、本発明の発明者らは係る微細な疵が生じる原因について検討を行った。
 主表面研磨工程は通常、ドーナツ形状に形状付与されたガラス基板の端面に面取り部を形成する面取り工程の後に実施する。面取り工程では、従来は例えば外周面取り部について任意の1点で面取り幅を測定し許容範囲内にあれば合格品として、主表面研磨工程に供していた。
 そして、ガラス基板の主表面の研磨は、通常、両面研磨装置を用いて実施される。具体的には、両面研磨装置にセットしたガラス基板の両主表面にそれぞれ、研磨パッドを押し当てた状態で、ガラス基板と、研磨パッドとの間に研磨スラリーを供給しながら、ガラス基板及び研磨パッドを回転させて実施できる。
 上述のように、従来は例えば外周面取り部について、面取り幅が適切になるように面取りできているかは、外周面取り部について1点で測定するのみで合格品であるかを判定しており、そのばらつきについては特に着目されていなかった。しかし、本発明者らは前記の主表面と外周面取り部との間の微細な疵と、外周面取り部の幅のばらつきに相関があることを見出した。より具体的には、本発明の発明者らは、従来は問題にされなかったような面取り部の面取り幅のわずかなばらつきが、その後の主表面研磨工程において、主表面と面取り部との間に微細な疵を生じる原因となっていることを見出した。
 これは、本発明の発明者らの検討によれば、面取り部の面取り幅のばらつきが大きいと、面取り幅の大きい部分に研磨スラリーが溜まってスラリーが表面に入り込む量が不安定になり、スラリー中の大きな粒により疵を生じたり、両面研磨装置内での磁気記録媒体用ガラス基板の自転を妨げる等するためと推認される。
 そこで、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板は、一対の外周面取り部のうち、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合に、測定値の最大値と、最小値との差が10μm以下であることが好ましい。特に、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合に、測定値の最大値と、最小値との差は8μm以下であることがより好ましく、5μm以下であることがさらに好ましい。
 本発明の発明者らの検討によると、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合の測定値の最大値と、最小値との差を10μm以下とすることで、主表面研磨工程後に、特に微細な疵の発生の抑制が求められる主表面と外周面取り部との間に微細な疵が発生することを抑制できる。このため、高記録密度化が進んだ磁気記録媒体に用いる磁気記録媒体用ガラス基板の歩留まりを向上させることができ、生産性を高めることができる。また、磁気記録媒体とした場合にエラーの発生率を抑制できる。
 なお、既述のように磁気記録媒体用ガラス基板10は、一対の外周面取り部131、133を有することができる。
 このように磁気記録媒体用ガラス基板が一対の外周面取り部を有する場合、上述のように少なくとも一方の外周面取り部について、外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合に、測定値の最大値と、最小値との差が上記範囲を満たすことが好ましい。すなわち、例えば一方の外周面取り部131について、外周に沿って選択した任意の複数の測定点で面取り幅を測定した場合の測定値の最大値と、最小値との差が10μm以下であることが好ましい。
 これは、一対の外周面取り部は、外周端面研削用砥石により同時に形成されており、同じ磁気記録媒体用ガラス基板に含まれる、一対の外周面取り部の面取り幅の最大値と、最小値との差は通常同程度になるためである。
 特に、両方の外周面取り部131、133について、各外周面取り部において、外周に沿って選択した任意の複数の測定点で面取り幅を測定した場合の、各外周面取り部における、面取り幅の測定値の最大値と、最小値との差が上記範囲を満たすことがより好ましい。
 また、面取り工程後、さらに主表面研磨工程等の各種研磨工程等を実施しても、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合の、測定値の最大値と、最小値との差は殆ど変化しない。このため、主表面研磨工程に供する外周面取り部を形成したドーナツ形状を有するガラス基板、及びさらに各種研磨工程等を施した磁気記録媒体用ガラス基板は共に、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した際の、測定値の最大値と、最小値との差が上記範囲を満たすことが好ましい。
 ここで、外周面取り部の面取り幅とは、面取り部の水平方向の長さ、すなわち主表面と平行な方向の長さを意味しており、図1(A)、図1(B)中にLODとして示した長さとなる。なお、外周面取り部の面取り幅LODは、図1(B)中に示したように、磁気記録媒体用ガラス基板10の中心Oを通る線上で測定することになる。
 外周面取り部の面取り幅の測定は、上述のように磁気記録媒体用ガラス基板の外周に沿って複数の測定点、すなわち例えば2点以上で測定すればよく、具体的な測定点の数は特に限定されるものではない。ただし、面取り幅のばらつきが十分に評価できるように、生産性を損なわない範囲で測定点の数を選択することが好ましい。
 面取り幅を測定する際の測定点の数は、例えば4点以上であることが好ましく、20点以上であることがより好ましい。
 ただし、生産性の観点から面取り幅を測定する際の測定点の数は、360点以下であることが好ましく、180点以下であることがより好ましい。
 なお、ここでの測定点の数とは、1つの外周面取り部の面取り幅を測定する際の測定点の数を意味している。
 面取り幅を測定する際の測定点間の距離は一定であることが好ましい。このため、例えば一の測定点と、磁気記録媒体用ガラス基板の中心と、上記一の測定点に隣接する測定点とで形成する角度は、360°を測定点の数で除した値となっていることが好ましい。
 外周面取り部の面取り幅LODの長さは特に限定されるものではなく、磁気記録媒体用ガラス基板に要求される仕様に応じて選択することができる。ただし、外周面取り部の面取り幅LODの長さが長くなりすぎると、主表面の面積が狭くなる恐れがある。このため、外周面取り部の面取り幅LODは200μm以下であることが好ましい。外周面取り部の面取り幅LODの下限値は特に限定されないが、例えば50μm以上とすることができる。
 磁気記録媒体用ガラス基板においては、特に主表面と外周面取り部との間の微細な疵を低減することが求められるが、主表面と内周面取り部との間についても微細な疵を低減することで磁気記録媒体とした際にエラーの発生を抑制できる。そして、主表面と、内周面取り部との間の微細な疵についても、本発明の発明者らの検討によれば、主表面と外周面取り部との間の微細な疵と同様の理由で生じていると考えられる。
 このため、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板は、内周端面が、内周側面部と、一対の内周面取り部とを有し、一対の内周面取り部のうち、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合に、測定値の最大値と、最小値との差が10μm以下であることが好ましい。なお、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合に、測定値の最大値と、最小値との差は8μm以下であることがより好ましく、5μm以下であることがさらに好ましい。
 本発明の発明者らの検討によれば、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合に、測定値の最大値と、最小値との差を10μm以下とすることで、主表面研磨工程後に主表面と内周面取り部との間に微細な疵が発生することを抑制できる。このため、高記録密度化が進んだ磁気記録媒体に用いる磁気記録媒体用ガラス基板の歩留まりを向上させることができ、生産性を高めることができるからである。また、磁気記録媒体とした場合にエラーの発生率を抑制できるからである。
 なお、既述のように磁気記録媒体用ガラス基板10は、一対の内周面取り部141、143を有することができる。
 このように磁気記録媒体用ガラス基板が一対の内周面取り部を有する場合、上述のように少なくとも一方の内周面取り部について、内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合に、測定値の最大値と、最小値との差が上記範囲を満たすことが好ましい。すなわち、例えば一方の内周面取り部141について、内周に沿って選択した任意の複数の測定点で面取り幅を測定した場合の測定値の最大値と、最小値との差が10μm以下であることが好ましい。
 これは、一対の内周面取り部は、内周端面研削用砥石により同時に形成されており、同じ磁気記録媒体用ガラス基板に含まれる、一対の内周面取り部の面取り幅の最大値と、最小値との差は通常同程度になるためである。
 特に、両方の内周面取り部141、143について、各内周面取り部において内周に沿って選択した任意の複数の測定点で面取り幅を測定した場合の、各内周面取り部における面取り幅の測定値の最大値と、最小値との差が上記範囲を満たすことがより好ましい。
 また、面取り工程後、さらに主表面研磨工程等の各種研磨工程等を実施しても、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合の、測定値の最大値と、最小値との差は殆ど変化しない。このため、主表面研磨工程に供する内周面取り部を形成したドーナツ形状を有するガラス基板、及びさらに各種研磨工程等を施した磁気記録媒体用ガラス基板は共に、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した際の測定値の最大値と、最小値との差が上記範囲を満たすことが好ましい。
 ここで、内周面取り部の面取り幅とは、面取り部の水平方向の長さ、すなわち主表面と平行な方向な長さを意味しており、図1(A)、図1(B)中にLIDとして示した長さとなる。なお、内周面取り部の面取り幅LIDについても、図1(B)中に示したように、磁気記録媒体用ガラス基板10の中心Oを通る線上で測定することになる。
 内周面取り部の面取り幅の測定点の数は、外周面取り部の面取り幅の測定の場合と同様に複数の測定点、すなわち2点以上であればよく、具体的な測定点の数は特に限定されるものではない。ただし、面取り幅のばらつきが十分に評価できるように、生産性を損なわない範囲で測定点の数を選択することが好ましい。
 面取り幅を測定する際の測定点の数は、例えば4点以上であることが好ましく、20点以上であることがより好ましい。
 ただし、生産性の観点から面取り幅を測定する際の測定点の数は、360点以下であることが好ましく、180点以下であることがより好ましい。
 なお、ここでの測定点の数とは、1つの内周面取り部の面取り幅を測定する際の測定点の数を意味している。
 面取り幅を測定する際の測定点間の距離は一定であることが好ましい。このため、例えば一の測定点と、磁気記録媒体用ガラス基板の中心と、上記一の測定点に隣接する測定点とで形成する角度は、360°を測定点の数で除した値となっていることが好ましい。
 内周面取り部の面取り幅LIDの長さは特に限定されるものではなく、磁気記録媒体用ガラス基板に要求される仕様に応じて選択することができる。ただし、内周面取り部の面取り幅LIDの長さが長くなりすぎると、主表面の面積が狭くなる恐れがある。このため、内周面取り部の面取り幅LIDは200μm以下であることが好ましい。内周面取り部の面取り幅LIDの下限値は特に限定されないが、例えば50μm以上とすることができる。
 以上に説明した本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板においては、外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合の測定値の最大値と、最小値との差が抑制されている。このため、主表面研磨工程に供した際に主表面と外周面取り部との間に微細な疵が発生することを抑制でき、主表面と外周面取り部との間の微細な疵を抑制した磁気記録媒体用ガラス基板とすることができる。
[磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法]
 次に、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法の一構成例について説明する。
 なお、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法によれば、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を製造することができる。このため、磁気記録媒体用ガラス基板において説明した内容と重複する部分については一部記載を省略する。
 本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は以下の工程を有することができる。
 ドーナツ形状を有し、一対の主表面と、外周端面と、内周端面と、を有する試し研削用ガラス基板を用意し、外周端面研削用砥石により試し研削用ガラス基板の外周端面を研削し、一対の外周面取り部を形成する試し研削工程。
 試し研削用ガラス基板の、一対の外周面取り部のうち、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定する外周面取り部評価工程。
 外周面取り部評価工程の結果に基づいて、外周端面研削用砥石の位置を補正する外周端面研削用砥石位置補正工程。
 ドーナツ形状を有し、一対の主表面と、外周端面と、内周端面と、を有するガラス基板を用意し、外周端面研削用砥石位置補正工程の後に、外周端面研削用砥石により、ガラス基板の外周端面に一対の外周面取り部を形成する外周面取り工程。
 ここでまず、試し研削工程、及び外周面取り工程で、試し研削用ガラス基板やガラス基板の外周端面に外周面取り部を形成する際に用いることができる、磁気記録媒体用ガラス基板製造装置の構成例について、図2を用いて説明する。
 図2は磁気記録媒体用ガラス基板製造装置であって、特に外周端面、及び内周端面に面取り部を形成することができる面取り部形成装置を模式的に示したものである。
 図2に示したように面取り部形成装置20は、外周面取り部を形成するドーナツ形状を有するガラス基板21を保持するテーブル22、外周端面研削用砥石23を有することができる。また、内周端面研削用砥石24を有することもできる。
 そして、テーブル22に載置、保持されるドーナツ形状を有するガラス基板21の外周端面を、外周端面研削用砥石23で研削して面取りを行うことができる。また、テーブル22に載置、保持されるドーナツ形状を有するガラス基板21の内周端面について、内周端面研削用砥石24で研削して面取りを行うこともできる。
 テーブル22は、上面に載置されるドーナツ形状を有するガラス基板21を吸着して保持することができる。テーブル22は、回転可能に設けられており、テーブル22が回転することで、保持するドーナツ形状を有するガラス基板21も回転させることができる。
 なお、ドーナツ形状を有するガラス基板21は、テーブル22のみにより保持される方法に限定されるものではない。例えば、テーブル22の上部に、円筒状の上側ホルダをテーブル22に対向するように設け、テーブル22と上側ホルダとの間でドーナツ形状を有するガラス基板21を挟み込んで固定するように構成することもできる。
 外周端面研削用砥石23は、略円柱状の形状を有し、中心軸がドーナツ形状を有するガラス基板21の主表面に対して略直交するように設けることができる。外周端面研削用砥石23の外周面には砥粒が固定されており、中心軸に直交する円環溝状の研削面231を中心軸方向に沿って複数設けることができる。
 外周端面研削用砥石23は、中心軸を回転軸Rとして回転可能に設けられると共に、回転軸方向であるブロック矢印23Aの方向、及び回転軸方向に直交する方向であるブロック矢印23Bの方向に外周端面研削用砥石移動手段232により移動可能に設けられる。
 外周端面研削用砥石23は、何れかの研削面231がドーナツ形状を有するガラス基板21の外周端面に接触する位置に移動して回転し、テーブル22と共に回転するドーナツ形状を有するガラス基板21の外周端面を研削して面取りを行うことができる。このため、円環溝状の研削面231は、外周端面研削用砥石23の中心軸を通り、該中心軸と平行な断面において、ドーナツ形状を有するガラス基板21の面取り後の外周端面の形状に対応した形状を有することができる。
 内周端面研削用砥石24は、略円柱状の形状を有し、中心軸がドーナツ形状を有するガラス基板21の主表面に対して略直交するように設けることができる。内周端面研削用砥石24の外周面には砥粒が固定されており、中心軸に直交する円環溝状の研削面241を中心軸方向にそって複数設けることができる。
 内周端面研削用砥石24は、中心軸を回転軸Rとして回転可能に設けられると共に、回転軸方向であるブロック矢印24Aの方向、及び回転軸方向に直交する方向であるブロック矢印24Bの方向に内周端面研削用砥石移動手段242により移動可能に設けられる。内周端面研削用砥石24は、何れかの研削面241がドーナツ形状を有するガラス基板21の内周端面に接触する位置に移動して回転し、テーブル22と共に回転するドーナツ形状を有するガラス基板21の内周端面を研削して面取りを行うことができる。このため、円環溝状の研削面241は、内周端面研削用砥石24の中心軸を通り、該中心軸と平行な断面において、ドーナツ形状を有するガラス基板21の面取り後の内周端面の形状に対応した形状を有することができる。
 なお、面取り部形成装置20は、上述の部材以外にも必要に応じて各種部材を有することができ、例えば研削液を供給する研削液供給ノズル25を有することができる。研削液供給ノズル25は、例えば研削液をドーナツ形状を有するガラス基板21と、外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24との間に供給することができる。
 また、既述の外周端面研削用砥石移動手段232や、内周端面研削用砥石移動手段242を制御し、各砥石の位置を制御する砥石位置制御手段26等を有することができる。
 なお、外周端面研削用砥石23や、内周端面研削用砥石24は、テーブル22上にドーナツ形状を有するガラス基板21を搬出入する際、ドーナツ形状を有するガラス基板の搬送経路に干渉しない様、研削時とは異なる場所に移動できる。このため、砥石位置制御手段26は、その内部、または外部に、外周端面研削用砥石23や、内周端面研削用砥石24の位置情報等を記憶させておく記憶手段を有することもできる。
 本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法においては、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合の測定値の最大値と、最小値との差が10μm以下である磁気記録媒体用ガラス基板を製造することができる。
 そして、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合の測定値の最大値と、最小値との差を10μm以下とするため、外周面取り工程を行う際、外周面取り工程に供するドーナツ形状を有するガラス基板21と、外周端面研削用砥石23とが適切な配置になっていることが好ましい。
 そこで本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、図3に示すフローチャートに従って実施することができる。
 まず、外周面取り工程を実施する前に試し研削工程S31を実施できる。試し研削工程S31では、ドーナツ形状を有し、一対の主表面と、外周端面と、内周端面とを有する試し研削用ガラス基板を用い、外周面取り工程でも用いる、例えば上述の面取り部形成装置20を用いて、一対の外周面取り部を形成できる。
 なお、試し研削用ガラス基板は、磁気記録媒体用ガラス基板を製造するために外周面取り工程に供するガラス基板と同じサイズ、形状、材質を有することが好ましい。
 また、図1(A)を用いて説明したように、磁気記録媒体用ガラス基板においては、内周端面にも面取り部を形成することができる。このため、試し研削工程S31では、外周面取り部を形成する際にあわせて内周面取り部も形成することができる。面取り部形成装置20により外周面取り部や、内周面取り部を形成する方法について既に説明したので、ここでは説明を省略する。
 次いで、外周面取り部評価工程S32として、得られた試し研削用ガラス基板の一対の外周面取り部のうち、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅の分布を評価することができる。この際の面取り幅の評価手段については特に限定されるものではなく、例えば外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定できる手段であればよい。
 なお、試し研削用ガラス基板についても、図1(A)を用いて説明した磁気記録媒体用ガラス基板の場合と同様に、一方の主表面側と、他方の主表面側と、にそれぞれ外周面取り部を設けることができ、一対の外周面取り部を有することができる。しかし、試し研削用ガラス基板が、一対の外周面取り部を有する場合、該一対の外周面取り部は外周端面研削用砥石により同時に形成されているため、その面取り幅の分布はほぼ同じになる。
 このため、外周面取り部評価工程では、上述のように少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅について複数の測定点で測定すればよい。すなわち、例えば一方の外周面取り部について、外周に沿って選択した任意の複数の測定点で面取り幅を測定できる。特に、より正確に面取り幅の分布を測定するため、両方の外周面取り部について、各外周面取り部において外周に沿って選択した任意の複数の測定点で面取り幅を測定することがより好ましい。
 外周面取り部評価工程S32において、外周面取り部の面取り幅を測定する測定点の数は特に限定されるものではないが、例えば測定点の数は4点以上であることが好ましく、20点以上であることがより好ましい。
 ただし、生産性の観点から外周面取り部の面取り幅を測定する測定点の数は360点以下であることが好ましく、180点以下であることがより好ましい。
 なお、ここでの測定点の数とは、1つの外周面取り部の面取り幅を測定する際の測定点の数を意味している。
 また、測定点間の距離は一定であることが好ましい。このため、例えば一の測定点と、試し研削用ガラス基板の中心と、上記一の測定点に隣接する測定点とで形成する角度は、360°を測定点の数で除した値となっていることが好ましい。
 次いで、外周端面研削用砥石位置補正工程S33において、上記外周面取り部評価工程S32での評価結果に基づいて外周端面研削用砥石23の位置の補正を実施できる。
 なお、外周端面研削用砥石23は、テーブル22上にドーナツ形状を有するガラス基板21を搬出入する際、ドーナツ形状を有するガラス基板21の搬送経路と干渉しないように、外周面取り工程時とは異なる位置に移動している。このため、外周端面研削用砥石位置補正工程S33では、外周面取り工程における外周端面研削用砥石の適切な位置を算出し、その結果、すなわち端面研削用砥石の適切な位置の位置情報を記憶手段に記憶させておくことができる。
 外周端面研削用砥石位置補正工程S33では、まず外周面取り部評価工程S32での評価結果から、例えば外周面取り工程S35における外周端面研削用砥石23の上下方向の位置について適切な位置の位置情報を算出することができる。
 これは、ドーナツ形状を有するガラス基板21に対する、外周端面研削用砥石23の上下方向の位置、具体的には研削面231の上下方向の位置のずれが、外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した際の測定値の最大値と最小値との差が大きくなる主な原因だからである。
 なお、ここでの上下方向とは、テーブル22上に保持されたドーナツ形状を有するガラス基板21の主表面と垂直な方向を意味する。
 また、外周面取り工程S35における外周端面研削用砥石23の上下方向の適切な位置の位置情報は、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した際に、測定値の最大値と最小値との差が10μm以下になるように算出することが好ましい。特に、8μm以下となるように算出することがより好ましく、5μm以下となるように算出することがさらに好ましい。
 算出した外周端面研削用砥石の適切な位置の位置情報を外周面取り工程S35における外周端面研削用砥石の適切な位置として更新して、例えば砥石位置制御手段26の内部、または外部に設けた記憶手段に記憶させることができる。そして、後述する外周面取り工程S35において、砥石位置制御手段26は、外周端面研削用砥石23を、更新した位置情報に基づいて、外周端面研削用砥石移動手段232により移動させ、面取りを行うことができる。
 なお、外周端面研削用砥石位置補正工程S33において、外周面取り部評価工程S32での評価結果から、外周面取り工程S35における外周端面研削用砥石23の上下方向の適切な位置を算出し、記憶させる例について説明したが、係る形態に限定されない。外周面取り工程S35における外周端面研削用砥石23の上下方向の適切な位置に加えて、または替えて外周面取り工程S35における外周端面研削用砥石23の回転軸Rの適切な角度を算出し、記憶手段に該角度情報を記憶させてもよい。
 この場合、後述する外周面取り工程S35において、砥石位置制御手段26は、外周端面研削用砥石23を、記憶手段に記憶した位置情報および/または角度情報に基づいて、外周端面研削用砥石移動手段232により移動させ、面取りを行うことができる。
 また、図3に示したように、外周端面研削用砥石位置補正工程S33に加えて、または替えて、テーブル22の位置を補正するテーブル位置補正工程S33´を実施することもできる。テーブル位置補正工程S33´では、例えば外周面取り部評価工程S32での評価結果から、外周面取り工程S35におけるテーブル22の適切な位置および/または回転軸の適切な角度を算出することができる。
 そして、テーブル22の位置が適切な位置となるように、および/またはテーブル22の回転軸が適切な角度となるように補正することができる。
 なお、算出したテーブル22の適切な位置および/または回転軸の適切な角度を外周面取り工程S35におけるテーブル22の適切な位置および/または回転軸の角度の情報として更新して、図示しないテーブル位置制御手段等が有する記憶手段に記憶させてもよい。そして、外周面取り工程S35において、更新した位置情報等に基づいて、テーブル22を図示しないテーブル移動手段により移動させ、面取りを行うこともできる。
 外周端面研削用砥石位置補正工程S33、および/またはテーブル位置補正工程S33´を終了後は、例えば外周端面研削用砥石位置確認工程S34を実施することもできる。外周端面研削用砥石位置確認工程S34では、例えば既述の試し研削工程S31、及び外周面取り部評価工程S32と同様に、確認用ガラス基板に一対の外周面取り部を形成することができる。そして、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定し、測定値の最大値と、最小値との差を評価できる。
 なお、本工程で確認用ガラス基板に外周面取り部を形成する際は、外周端面研削用砥石23および/またはテーブル22の、位置および/または回転軸の角度を、外周端面研削用砥石位置補正工程S33および/またはテーブル位置補正工程S33´で算出した位置情報や角度情報に基づいて補正した状態で実施できる。また、確認用ガラス基板としては、例えば既述の試し研削用ガラス基板と同様のサイズ、形状、材質のガラス基板を用いることができる。
 そして、その結果から、テーブル22上のドーナツ形状を有するガラス基板21に対する、補正後の外周端面研削用砥石23の位置が適切であるか確認できる。すなわち、測定を行った外周面取り部の面取り幅の、測定値の最大値と、最小値との差が所定の範囲内であれば、テーブル22上のドーナツ形状を有するガラス基板21に対する外周端面研削用砥石23の補正後の位置が適切であると確認できる。
 ドーナツ形状を有するガラス基板に対する外周端面研削用砥石23の位置が適切でない場合、再度試し研削工程S31から実施できる。
 なお、図3中破線で示したように、外周端面研削用砥石位置確認工程S34を実施せずに、外周面取り工程S35を実施することもできる。
 次いで、外周面取り工程S35を実施することができる。
 外周面取り工程S35では、テーブル22上にドーナツ形状を有するガラス基板21を載置し、外周端面研削用砥石位置補正工程S33で算出し、砥石位置制御手段26等が有する記憶手段に記憶させた位置情報および/または角度情報に基づいて外周端面研削用砥石23を移動させることができる。そして、ドーナツ形状を有するガラス基板21の外周端面と、外周端面研削用砥石23の研削面231とが接触した状態で、テーブル22、及び外周端面研削用砥石23を回転軸に沿って回転させることで、面取りを行うことができる。
 なお、既述のようにテーブル位置補正工程S33´を実施した場合には、面取りを実施する前に、テーブル位置補正工程S33´で算出したテーブルの位置および/または回転軸の角度となるようにテーブル22を移動させることもできる。
 このようにして、外周面取り工程に供するドーナツ形状を有するガラス基板と、外周端面研削用砥石とが、適切な配置となるように補正した後で、外周面取り工程を実施することができる。これにより、外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合の測定値の最大値と、最小値との差、すなわち、外周面取り部の面取り幅のばらつきを抑制した磁気記録媒体用ガラス基板を得ることができる。
 なお、複数枚の磁気記録媒体用ガラス基板を製造する場合、磁気記録媒体用ガラス基板の外周面取り部を形成する度に試し研削工程S31から外周端面研削用砥石位置補正工程S33までの工程を実施する必要はない。試し研削工程S31等は、例えば、製造した磁気記録媒体用ガラス基板について評価を行った際に、外周面取り部の面取り幅のばらつきが大きくなった場合や、製造条件を変更する場合、磁気記録媒体用ガラス基板製造装置の運転開始時等に実施できる。
 このため、一旦試し研削工程S31から外周端面研削用砥石位置補正工程S33までの工程、及び必要に応じて外周端面研削用砥石位置確認工程S34等を実施した後は、外周面取り工程S35のみを繰り返し実施することができる。
 また、既述の磁気記録媒体用ガラス基板においては、一対の内周面取り部のうち、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合の測定値の最大値と、最小値との差についても10μm以下であることが好ましい。
 少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合の測定値の最大値と、最小値との差を10μm以下とするため、内周面取り工程において、内周面取り工程に供するドーナツ形状を有するガラス基板21と、内周端面研削用砥石24とが適切な配置になっていることが好ましい。
 そこで本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、図4に示すフローチャートに従って実施することができる。
 まず、上述の試し研削工程において、さらに内周端面研削用砥石により試し研削用ガラス基板の内周端面を研削し、一対の内周面取り部を形成することができる。そして、さらに以下の工程を有することもできる。
 試し研削工程後、試し研削用ガラス基板の一対の内周面取り部のうち、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定する内周面取り部評価工程。
 内周面取り部評価工程の結果に基づいて、内周端面を研削するための内周端面研削用砥石の位置を補正する内周端面研削用砥石位置補正工程。
 内周端面研削用砥石位置補正工程の後に、内周端面研削用砥石により、ガラス基板の内周端面に一対の内周面取り部を形成する内周面取り工程。
 試し研削工程S31では、ドーナツ形状を有し、一対の主表面と、外周端面と、内周端面とを有する試し研削用ガラス基板を用い、外周面取り工程でも用いる、例えば上述の面取り部形成装置20を用いて、外周面取り部に加えて内周面取り部を形成できる。
 なお、試し研削用ガラス基板は、磁気記録媒体用ガラス基板を製造するために外周面取り工程、内周面取り工程に供するガラス基板と同じサイズ、形状、材質を有することが好ましい。
 試し研削工程S31において、外周面取り部、及び内周面取り部を形成した場合、得られた試し研削用ガラス基板は、既述の外周面取り部評価工程S32、及び以下に詳述する内周面取り部評価工程S42に供給することができる。
 次いで、内周面取り部評価工程S42として、得られた試し研削用ガラス基板の内周面取り部の面取り幅の分布を評価することができる。この際の面取り幅の評価手段については特に限定されるものではなく、例えば少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定できる手段であればよい。
 なお、試し研削用ガラス基板についても、図1(A)を用いて説明した磁気記録媒体用ガラス基板の場合と同様に、一方の主表面側と、他方の主表面側と、にそれぞれ内周面取り部を設けることができ、一対の内周面取り部を有することができる。しかし、試し研削用ガラス基板が、一対の内周面取り部を有する場合、該一対の内周面取り部は内周端面研削用砥石により同時に形成されているため、その面取り幅の分布はほぼ同じになる。
 このため、内周面取り部評価工程では、上述のように少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅について複数の測定点で測定すればよい。すなわち、例えば一方の内周面取り部について、内周に沿って選択した任意の複数の測定点で面取り幅を測定できる。特に、より正確に面取り幅の分布を測定するため、両方の内周面取り部について、各内周面取り部において内周に沿って選択した任意の複数の測定点で面取り幅を測定することがより好ましい。
 内周面取り部評価工程S42において、内周面取り部の面取り幅を測定する測定点の数は特に限定されるものではないが、例えば測定点の数は4点以上であることが好ましく、20点以上であることがより好ましい。
 ただし、生産性の観点から、内周面取り部の面取り幅を測定する測定点の数は360点以下であることが好ましく、180点以下であることがより好ましい。
 なお、ここでの測定点の数とは、1つの内周面取り部の面取り幅を測定する際の測定点の数を意味している。
 測定点間の距離は一定であることが好ましい。このため、例えば一の測定点と、試し研削用ガラス基板の中心と、上記一の測定点に隣接する測定点とで形成する角度は、360°を測定点の数で除した値となっていることが好ましい。
 次いで、内周端面研削用砥石位置補正工程S43において、上記内周面取り部評価工程S42での評価結果に基づいて内周端面研削用砥石24の位置の補正を実施できる。
 なお、内周端面研削用砥石24は、テーブル22にドーナツ形状を有するガラス基板21を搬出入する際、ドーナツ形状を有するガラス基板21の搬送経路と干渉しないように、内周面取り工程時とは異なる位置に移動している。このため、内周端面研削用砥石位置補正工程S43においては、内周面取り工程における内周端面研削用砥石の適切な位置を算出し、その結果、すなわち内周端面研削用砥石の適切な位置の位置情報を記憶手段に記憶させておくことになる。
 内周端面研削用砥石位置補正工程S43では、まず内周面取り部評価工程S42での評価結果から、内周面取り工程S45における内周端面研削用砥石24の上下方向の位置について適切な位置を算出することができる。
 これは、ドーナツ形状を有するガラス基板21に対する、内周端面研削用砥石24の上下方向の位置、具体的には研削面241の上下方向の位置のずれが、内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した際の測定値の最大値と、最小値との差が大きくなる主な原因だからである。
 なお、ここでの上下方向とは、テーブル22上に保持されたドーナツ形状を有するガラス基板21の主表面と垂直な方向を意味する。
 また、内周面取り工程S35における内周端面研削用砥石24の上下方向の適切な位置の位置情報は、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した際に、測定値の最大値と最小値との差が10μm以下になるように選択することが好ましい。特に、8μm以下となるように選択することがより好ましく、5μm以下となるように選択することがさらに好ましい。
 算出した内周端面研削用砥石の適切な位置の情報を内周面取り工程S45における内周端面研削用砥石24の適切な位置として更新して、例えば砥石位置制御手段26の内部、または外部に設けた記憶手段に記憶させることができる。そして、後述する内周面取り工程S45においては、内周端面研削用砥石24を更新した位置情報に基づいて、内周端面研削用砥石移動手段242により移動させ、面取りを行うことができる。
 なお、内周端面研削用砥石位置補正工程S43において、内周面取り部評価工程S42での評価結果から、内周面取り工程S45における内周端面研削用砥石24の上下方向の適切な位置を算出し、記憶させる例について説明したが、係る形態に限定されない。内周面取り工程S45における内周端面研削用砥石24の上下方向の適切な位置に加えて、または替えて、内周面取り工程S45における内周端面研削用砥石24の回転軸の適切な角度を算出し、記憶手段に該角度情報を記憶させてもよい。
 この場合、後述する内周面取り工程S45において、砥石位置制御手段26は、内周端面研削用砥石24を、記憶手段に記憶した位置情報および/または角度情報に基づいて、内周端面研削用砥石移動手段242により移動させ、面取りを行うことができる。
 また、図4に示したように、内周端面研削用砥石位置補正工程S43に加えて、または替えて、テーブル22の位置を補正するテーブル位置補正工程S43´を実施することもできる。テーブル位置補正工程S43´では、例えば内周面取り部評価工程S42での評価結果から、内周面取り工程S45におけるテーブル22の適切な位置および/または回転軸の適切な傾きを算出することができる。
 そして、テーブル22の位置が適切な位置となるように、および/またはテーブル22の回転軸が適切な角度となるように補正することができる。
 なお、算出したテーブル22の適切な位置および/または回転軸の適切な傾きを内周面取り工程S45におけるテーブル22の適切な位置および/または回転軸の角度の情報として更新して、図示しないテーブル位置制御手段等が有する記憶手段に記憶させてもよい。そして、内周面取り工程S45においては、更新した位置情報等に基づいて、テーブル22を図示しないテーブル移動手段により移動させ、面取りを行うこともできる。
 ただし、外周面取り工程S35のためのテーブル位置補正工程S33´と、内周面取り工程S45のためのテーブル位置補正工程S43´とは、実施する場合、いずれか一方のみを実施することが好ましい。これは、テーブル位置についての制御内容が一致しない恐れがあるからである。
 そして、例えば外周面取り工程S35のためにテーブル位置補正工程S33´を実施した場合は、補正後のテーブル位置に対応するように、内周端面研削用砥石位置補正工程S43を実施することが好ましい。また、内周面取り工程S45のためにテーブル位置補正工程S43´を実施した場合は、補正後のテーブル位置に対応するように外周端面研削用砥石位置補正工程S33を実施することが好ましい。
 内周端面研削用砥石位置補正工程S43、および/またはテーブル位置補正工程S43´を終了後は、例えば内周端面研削用砥石位置確認工程S44を実施することもできる。内周端面研削用砥石位置確認工程S44では、例えば既述の試し研削工程S31、及び内周面取り部評価工程S42と同様に、まず確認用ガラス基板に一対の内周面取り部を形成することができる。そして、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定し、測定値の最大値と、最小値との差を評価できる。
 なお、本工程で確認用ガラス基板に内周面取り部を形成する際は、内周端面研削用砥石24および/またはテーブル22の、位置および/または回転軸の角度を、内周端面研削用砥石位置補正工程S43および/またはテーブル位置補正工程S43´で算出した位置情報や角度情報に基づいて補正した状態で実施できる。また、確認用ガラス基板としては、例えば既述の試し研削用ガラス基板と同様のサイズ、形状、材質のガラス基板を用いることができる。
 そして、その結果から、テーブル22上のドーナツ形状を有するガラス基板に対する、補正後の内周端面研削用砥石24の位置が適切であるか確認できる。すなわち、測定を行った内周面取り部の面取り幅の、測定値の最大値と、最小値との差が所定の範囲内であれば、テーブル22上のドーナツ形状を有するガラス基板21に対する内周端面研削用砥石24の補正後の位置が適切であると確認できる。
 ドーナツ形状を有するガラス基板に対する内周端面研削用砥石24の位置が適切でない場合、再度試し研削工程S31から実施できる。
 なお、図4中破線で示したように、内周端面研削用砥石位置確認工程S44を実施せずに、内周面取り工程S45を実施することもできる。また、外周端面研削用砥石位置確認工程S34を実施する場合には、同じ確認用ガラス基板を用いて、同時に内周端面研削用砥石位置確認工程S44工程を実施することもできる。
 次いで、内周面取り工程S45を実施することができる。
 内周面取り工程S45では、テーブル22上にドーナツ形状を有するガラス基板21を載置し、内周端面研削用砥石位置補正工程S43で算出し、砥石位置制御手段26等が有する記憶手段に記憶させた位置情報および/または角度情報に基づいて、内周端面研削用砥石24を移動させることができる。そして、ドーナツ形状を有するガラス基板21の内周端面と、内周端面研削用砥石24の研削面241とが接触した状態で、テーブル22、及び内周端面研削用砥石24を回転軸に沿って回転させることで、面取りを行うことができる。
 なお、既述のようにテーブル位置補正工程S43´を実施した場合には、面取りを実施する前に、テーブル位置補正工程S43´で算出したテーブルの位置および/または回転軸の角度となるようにテーブル22を移動させることもできる。
 このようにして、内周面取り工程に供するドーナツ形状を有するガラス基板と、内周端面研削用砥石とが、適切な配置となるように補正した後で、内周面取り工程を実施することができる。これにより、内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合の測定値の最大値と、最小値との差、すなわち、内周面取り部の面取り幅のばらつきを抑制した磁気記録媒体用ガラス基板を得ることができる。
 なお、複数枚の磁気記録媒体用ガラス基板を製造する場合、磁気記録媒体用ガラス基板の内周面取り部を形成する度に試し研削工程S31から内周端面研削用砥石位置補正工程S43までの工程を実施する必要はない。試し研削工程S31等は、例えば、製造した磁気記録媒体用ガラス基板について評価を行った際に、内周面取り部の面取り幅のばらつきが大きくなった場合や、製造条件を変更する場合、磁気記録媒体用ガラス基板製造装置の運転開始時等に実施できる。
 このため、一旦試し研削工程S31から内周端面研削用砥石位置補正工程S43までの工程、及び必要に応じて内周端面研削用砥石位置確認工程S44等を実施した後は、内周面取り工程S45のみを繰り返し実施することができる。
 なお、外周面取り工程S35と、内周面取り工程S45とは、例えば図2に示した面取り部形成装置20により、同時に実施することができる。
 このように、面取り工程が図4に示したフロー図に従って、既述の試し研削工程S31から内周面取り工程S45を含む場合、内周端面研削用砥石が、内周面取り工程に供するドーナツ形状を有するガラス基板に対して適切な配置となるように、位置を補正できる。このため、得られる磁気記録媒体用ガラス基板の内周面取り部は、その面取り幅のばらつきを抑制することができる。そして、内周面取り工程後、主表面研磨工程に供した場合に得られる磁気記録媒体用ガラス基板について、主表面と内周面取り部との間に微細な疵が発生することを抑制できる。
 本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、ここまで説明した工程に限定されるものではなく、例えば以下の工程1~工程5を含むことができる。
(工程1)ガラス素板から、中央部に円孔を有する円板形状のガラス基板に加工する形状付与工程。
(工程2)ガラス基板の内周と外周の端面部分の面取りを行う面取り工程。
(工程3)ガラス基板の端面(内周端面及び外周端面)を研磨する端面研磨工程。
(工程4)ガラス基板の主表面を研磨する主表面研磨工程。
(工程5)ガラス基板を洗浄して乾燥する洗浄・乾燥工程。
 上記工程は記載した順番に行う必要はなく、例えば、形状付与工程の前に主表面研磨工程を行ってもよい。また、各工程は1回ずつに限定されるものではなく、要求されるガラス基板の仕様等に応じて任意の回数実施することができる。例えば、形状付与工程後に主表面研磨工程を行い、その後に面取り工程と端面研磨工程を行った後、再度主表面研磨工程を実施することもできる。
 ただし、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法においては、面取り工程で外周面取り部を形成した場合に、その外周面取り部の面取り幅のばらつきを抑制できる。このため、主表面研磨工程に供した場合でも、主表面と外周面取り部との間に微細な疵が生じることを抑制できる。従って、(工程2)の面取り工程を実施した後、少なくとも一回(工程4)の主表面研磨工程を実施することが好ましい。
 ここで、(工程1)の形状付与工程は、フロート法、フュージョン法、プレス成形法、ダウンドロー法またはリドロー法で成形されたガラス素板を、中央部に円孔を有する円板形状のガラス基板に加工するものである。なお、用いるガラス素板は、アモルファスガラスでもよく、結晶化ガラスでもよく、ガラス基板の表層に強化層を有する強化ガラスでもよい。
 (工程2)の面取り工程は、図3に示したフロー図に従って実施する既述の試し研削工程S31から外周面取り工程S35を含むことができる。面取り工程を実施することで、ガラス基板の外周端面の面取りを行うことができる。
 (工程2)の面取り工程はさらに、図4に示したフロー図に従って実施する既述の試し研削工程S31から内周面取り工程S45を含んでいてもよい。この場合、(工程2)の面取り工程では、ガラス基板の内周端面の面取りも行うこともできる。
 (工程3)の端面研磨工程は、ガラス基板の端面(側面部と面取り部)を端面研磨することができる。
 (工程4)の主表面研磨工程では、例えば両面研磨装置により、ドーナツ形状を有するガラス基板の主表面に研磨液が供給され、ドーナツ形状を有するガラス基板の上下主表面を同時に研磨できる。主表面研磨工程は、1次研磨のみでもよく、1次研磨及び2次研磨を行うものでもよく、2次研磨の後に3次研磨を行うものでもよい。
 なお、(工程4)の主表面研磨工程の前に、主表面のラップ(例えば遊離砥粒ラップ、固定砥粒ラップ等)が実施されてもよい。また、各工程間にガラス基板の洗浄(工程間洗浄)やガラス基板表面のエッチング(工程間エッチング)を実施してもよい。ここで、主表面のラップとは、広義の主表面研磨である。
 (工程5)の洗浄・乾燥工程は、研磨後のガラス基板を洗浄し、乾燥する工程である。具体的な洗浄方法は特に限定されるものではない。例えば、洗剤を用いたスクラブ洗浄、洗剤溶液に浸漬した状態での超音波洗浄、純水に浸漬した状態での超音波洗浄等により洗浄を行うことができる。また、乾燥方法についても特に限定されるものではなく、例えば、イソプロピルアルコール蒸気にて乾燥することができる。
 さらに、上記各工程間にガラス基板の洗浄(工程間洗浄)やガラス基板表面のエッチング(工程間エッチング)を実施してもよい。また、ガラス基板に高い機械的強度が求められる場合、ガラス基板の表層に強化層を形成する強化工程(例えば、化学強化工程)を工程3、4で挙げた研磨工程前、または研磨工程後、あるいは研磨工程間で実施してもよい。
 そして、上記各工程を含む製造方法により得られた磁気記録媒体用ガラス基板は主表面上に磁性層などの薄膜を形成する工程をさらに行うことによって、磁気記録媒体とすることができる。
 本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法によれば、面取り工程において、予め試し研削工程を実施し、外周端面研削用砥石が、外周面取り工程に供するドーナツ形状を有するガラス基板に対して適切な配置となるように、その位置を補正できる。このため、得られる磁気記録媒体用ガラス基板の外周面取り部は、その面取り幅のばらつきを抑制することができる。
 そして、外周面取り工程後、主表面研磨工程に供した場合に得られる磁気記録媒体用ガラス基板について、主表面と外周面取り部との間に微細な疵が発生することを抑制できる。
[磁気記録媒体用ガラス基板製造装置]
 次に、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板製造装置の一構成例について説明する。
 なお、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板製造装置について、既に説明した点については一部省略する。また、以下に説明する中で、既述の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法と重複する部分についても一部説明を省略する。
 本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板製造装置は、外周端面研削用砥石、および砥石位置制御手段を有することができる。
 なお、外周端面研削用砥石は、ドーナツ形状を有し、一対の主表面と、外周端面と、内周端面と、を有するガラス基板の外周端面に一対の外周面取り部を形成することができる。
 また、砥石位置制御手段は、上記ガラス基板と同じ形状を有する試し研削用ガラス基板に、外周端面研削用砥石により一対の外周面取り部を形成し、一対の外周面取り部のうち、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した際の、外周面取り部の面取り幅の分布に基いて、外周端面研削用砥石の位置を制御することができる。
 本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板製造装置は、例えば図2に示した磁気記録媒体用ガラス基板製造装置であって、特に外周端面に面取り部を形成することができる面取り部形成装置20と同様に構成することができる。
 すなわち、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板製造装置である、面取り部形成装置20は、外周面取り部を形成するドーナツ形状を有するガラス基板21を保持するテーブル22、外周端面研削用砥石23を有することができる。また、同時に内周端面に面取り部を形成する場合には、内周端面研削用砥石24を有することもできる。
 外周端面研削用砥石23は、中心軸を回転軸Rとして回転可能に設けられると共に、回転軸方向であるブロック矢印23Aの方向、及び回転軸方向に直交する方向であるブロック矢印23Bの方向に外周端面研削用砥石移動手段232により移動可能に設けられる。
 また、外周端面研削用砥石移動手段232には、砥石位置制御手段26が接続されており、砥石位置制御手段26からの指令に応じて外周端面研削用砥石23を移動し、回転させることができる。
 砥石位置制御手段26は、試し研削用ガラス基板に外周端面研削用砥石23により一対の外周面取り部を形成し、一対の外周面取り部のうち、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した際の、外周面取り部の面取り幅の分布に基いて外周端面研削用砥石の位置を制御できる。
 具体的には、例えば既述の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法の場合と同様にして、予め、試し研削工程S31、外周面取り部評価工程S32、外周端面研削用砥石位置補正工程S33を実施しておくことができる。この際、外周端面研削用砥石位置補正工程S33で算出した、外周面取り工程S35における外周端面研削用砥石23の適切な位置の位置情報および/または回転軸の角度情報を、砥石位置制御手段26内部等に設けた記憶手段に記憶させておくことができる。
 そして、ドーナツ形状を有するガラス基板21の外周面取り工程S35を実施する際には、記憶手段に記憶された位置情報および/または角度情報に基づいて、外周端面研削用砥石移動手段232により外周端面研削用砥石23を移動させる。次いで、テーブル22、及び外周端面研削用砥石23を回転させることで、外周面取り工程S35を実施できる。
 また、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板製造装置は、砥石位置制御手段26以外に、テーブル22の位置を移動、制御する図示しないテーブル移動手段や、テーブル移動手段を制御するテーブル位置制御手段を有することもできる。この場合、テーブル位置補正工程S33´を実施し、外周面取り部評価工程S32の評価結果から外周面取り工程S35におけるテーブル22の適切な位置および/または回転軸の適切な傾きを算出することができる。さらに、テーブル位置制御手段等に設けた記憶手段に記憶させることができる。
 そして、外周面取り工程S35を実施する際には、テーブル位置制御手段等に設けた記憶手段に記憶された情報に基づいて、テーブル移動手段によりテーブル22を所定の位置および/またはテーブル22の回転軸を所定の角度となるように移動させることができる。また、既述のように外周端面研削用砥石移動手段232により外周端面研削用砥石23を所定の位置まで移動させることができる。
 次いで、テーブル22、及び外周端面研削用砥石23を回転させることで、外周面取り工程S35を実施できる。
 以上に説明した本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板製造装置によれば、テーブル上に載置されたドーナツ形状を有するガラス基板の外周端面に外周面取り部を形成する際、該ドーナツ形状を有するガラス基板と、外周端面研削用砥石とを適切な位置に配置できる。このため、外周面取り部の面取り幅のばらつきを抑制した磁気記録媒体用ガラス基板を製造することができる。
 また、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板製造装置は、既述のようにさらに内周端面研削用砥石24を有することもできる。
 なお、内周端面研削用砥石は、ドーナツ形状を有し、一対の主表面と、外周端面と、内周端面と、を有するガラス基板の内周端面に一対の内周面取り部を形成することができる。
 また、砥石位置制御手段は、上記ガラス基板と同じ形状を有する試し研削用ガラス基板に、内周端面研削用砥石により一対の内周面取り部を形成し、一対の内周面取り部のうち、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した際の、内周面取り部の面取り幅の分布に基いて、内周端面研削用砥石の位置を制御することができる。
 内周端面研削用砥石24は、中心軸を回転軸Rとして回転可能に設けられると共に、回転軸方向であるブロック矢印24Aの方向、及び回転軸方向に直交する方向であるブロック矢印24Bの方向に内周端面研削用砥石移動手段242により移動可能に設けられる。
 また、内周端面研削用砥石移動手段242には、砥石位置制御手段26が接続されており、砥石位置制御手段26からの指令に応じて内周端面研削用砥石24を移動し、回転させることができる。
 砥石位置制御手段26は、試し研削用ガラス基板に内周端面研削用砥石により一対の内周面取り部を形成し、一対の内周面取り部のうち、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した際の、内周面取り部の面取り幅の分布に基いて内周端面研削用砥石の位置を制御できる。
 具体的には、例えば既述の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法の場合と同様にして、予め、試し研削工程S31、内周面取り部評価工程S42、内周端面研削用砥石位置補正工程S43を実施しておくことができる。この際、内周端面研削用砥石位置補正工程S43で算出した、内周面取り工程S45における内周端面研削用砥石の適切な位置の位置情報および/または回転軸の角度情報を、砥石位置制御手段26内部等に設けた記憶手段に記憶させておくことができる。
 そして、ドーナツ形状を有するガラス基板21の内周面取り工程S45を実施する際には、記憶手段に記憶された位置情報および/または角度情報に基づいて、内周端面研削用砥石移動手段242により内周端面研削用砥石24を移動させる。次いで、テーブル22、及び内周端面研削用砥石24を回転させることで、内周面取り工程S45を実施できる。
 このように、上記内周端面研削用砥石と、砥石位置制御手段とを備えることでテーブル上に載置されたドーナツ形状を有するガラス基板の内周端面に内周面取り部を形成する際、該ドーナツ形状を有するガラス基板と、内周端面研削用砥石とを適切な位置に配置できる。このため、内周面取り部の面取り幅のばらつきを抑制した磁気記録媒体用ガラス基板を製造することもできる。
 また、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板製造装置は、砥石位置制御手段26以外に、テーブル22の位置を制御する図示しないテーブル移動手段や、テーブル移動手段を制御するテーブル位置制御手段を有することもできる。この場合、テーブル位置補正工程S43´を実施し、内周面取り部評価工程S42の評価結果から内周面取り工程S45におけるテーブル22の適切な位置および/または回転軸の適切な傾きを算出することができる。さらに、テーブル位置制御手段等に設けた記憶手段に記憶させることができる。
 そして、内周面取り工程S45を実施する際には、テーブル位置制御手段等に設けた記憶手段に記憶された情報に基づいて、テーブル移動手段によりテーブル22を所定の位置および/またはテーブル22の回転軸を所定の角度となるように移動させる。また、既述のように内周端面研削用砥石移動手段242により内周端面研削用砥石24を所定の位置まで移動させる。
 次いで、テーブル22、及び内周端面研削用砥石24を回転させることで、内周面取り工程S45を実施できる。
 この場合も、テーブル上に載置されたドーナツ形状を有するガラス基板の内周端面に内周面取り部を形成する際、該ドーナツ形状を有するガラス基板と、内周端面研削用砥石とを適切な位置に配置できる。このため、内周面取り部の面取り幅のばらつきを抑制した磁気記録媒体用ガラス基板を製造することもできる。
[磁気記録媒体]
 次に、本実施形態の磁気記録媒体の一構成例について説明する。
 本実施形態の磁気記録媒体は、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を含むことができる。
 本実施形態の磁気記録媒体は、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を含むものであれば、その構成については限定されるものではないが、例えば、磁気記録媒体用ガラス基板の表面に磁性層、保護層、潤滑層を備えたものが挙げられる。
 なお、磁気記録媒体には水平磁気記録方式、垂直磁気記録方式があるが、ここでは垂直磁気記録方式の場合を例に、具体的な製造方法について以下に説明する。
 磁気記録媒体は、上述のように磁気記録媒体用ガラス基板の表面に磁性層、保護層、潤滑層を有することができる。そして、垂直磁気記録方式の場合、磁気ヘッドからの記録磁界を環流させる役割を果たす軟磁性材料からなる軟磁性下地層を配するのが一般的である。このため、磁気記録媒体用ガラス基板表面から順に、例えば、軟磁性下地層、非磁性中間層、垂直記録用磁性層、保護層、潤滑層のように積層することができる。
 各層について以下に説明する。
 軟磁性下地層としては例えば、CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoFeB、CoZrN等が使用できる。
 そして、非磁性中間層は、Ru、Ru合金等から構成される。この非磁性中間層は垂直記録用磁性層のエピタキシャル成長を容易にするための機能、及び軟磁性下地層と垂直記録用磁性層との間での磁気交換結合を断つ機能を有する。
 垂直記録用磁性層は、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた磁性膜であり、少なくともCo、Ptを含むことができる。そして、高い固有媒体ノイズの原因となる粒間交換結合を低減するため、良好に隔離された微粒子構造(グラニュラー構造)とするのが良い。具体的には、CoPt系合金などに酸化物(SiO、SiO、Cr、CoO、Ta、TiO等)や、Cr、B、Cu、Ta、Zrなどを添加したものを用いるのがよい。
 ここまで説明した軟磁性下地層、非磁性中間層、垂直記録用磁性層はインラインスパッタ法、DCマグネトロンスパッタ法などで連続的に製造することができる。
 次いで、保護層は垂直記録用磁性層の腐食を防ぎ、かつ、磁気ヘッドが媒体に接触した場合でも媒体表面の損傷を防ぐために設けられたものであり、垂直記録用磁性層の上に設けられる。保護層としてはC、ZrO、SiOなどを含む材料を用いることができる。
 その形成方法としては、例えばインラインスパッタ法、CVD法、スピンコート法などを用いることができる。
 保護層の表面には磁気ヘッドと記録媒体(磁気ディスク)との摩擦を低減するために、潤滑層を形成する。潤滑層は、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。潤滑層についてはディップ法、スプレー法などで形成することができる。
 以上に説明した本実施形態の磁気記録媒体は、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を含んでいる。すなわち、主表面と外周面取り部との間に微細な疵の少ない磁気記録媒体用ガラス基板を用いている。このため、ハードディスクドライブ等の磁気記録装置に組み込んで使用した場合でもエラーの発生を抑制することが可能になる。
 以下に具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
 まず、以下の実施例、比較例における、磁気記録媒体用ガラス基板の評価方法について説明する。
 (1)面取り幅、外周(内周)端面研削用砥石の取付振れ
 以下の実施例、比較例で作製する試し研削用ガラス基板、確認用ガラス基板及び磁気記録媒体用ガラス基板の外周面取り部、及び内周面取り部について、画像寸法測定器・投影機(株式会社キーエンス社製 型式:IM6120)を用いて面取り幅を測定する。
 測定に当たっては、外周面取り部、内周面取り部それぞれにおいて、隣接する測定点と、磁気記録媒体用ガラス基板の中心とで形成する扇形の中心角が5.625°となるように測定点を定め、該測定点毎に面取り幅の測定を行う。すなわち外周面取り部、内周面取り部それぞれについて、64点の測定点で面取り幅の測定を実施する。
 なお、図1(A)を用いて説明したように、試し研削用ガラス基板、確認用ガラス基板、及び以下の実施例、比較例で作製する磁気記録媒体用ガラス基板には、外周面取り部、および内周面取り部が、上下にそれぞれ1つずつ形成されている。しかし、試し研削用ガラス基板、確認用ガラス基板、及び以下の実施例、比較例で作製する磁気記録媒体用ガラス基板においては、外周面取り部、および内周面取り部は、それぞれ面取り幅の分布が上下2つの面取り部で同じになっている。
 このため、試し研削用ガラス基板については、外周面取り部、内周面取り部について、それぞれ上下2つの面取り部のうち、一方の面取り部について面取り幅の分布の測定を実施している。
 また、確認用ガラス基板、及び以下の実施例、比較例で作製する磁気記録媒体用ガラス基板は、外周面取り部、内周面取り部について、それぞれ上下2つの面取り部のうち、一方の面取り部の面取り幅についての、測定値の最大値と最小値との差を算出している。
 以下の各実施例、比較例では、同じ条件で磁気記録媒体用ガラス基板を複数枚作製し、任意の5枚について上述のようにして面取り幅を測定した。そして、それぞれの磁気記録媒体用ガラス基板についての面取り幅の測定結果から最大値と、最小値との差を算出し、測定した5枚の磁気記録媒体用ガラス基板のうちの面取り幅の測定値の最大値と最小値との差の最も大きい値(最大値)を表1に示す。また、測定した5枚の磁気記録媒体用ガラス基板の、面取り幅の測定値の最大値と最小値との差の標準偏差、及び平均値もあわせて表1に示す。
 また、各実施例、比較例では、確認用ガラス基板について測定した外周面取り部、及び内周面取り部の面取り幅の分布から、磁気記録媒体用ガラス基板を作製する際の面取り工程における外周(内周)端面研削用砥石の取付振れの算出を行っている。なお、表1、表2中の垂直方向とは、研削に供したドーナツ形状を有するガラス基板の主表面と垂直な方向を、水平方向とは研削に供したドーナツ形状を有するガラス基板の主表面と平行な方向を意味する。
(2)微小疵発生率
 以下の実施例、比較例で作製した磁気記録媒体用ガラス基板について、光散乱方式表面観察機(KLA Tencor社製:OSA Candela7100)を用いて、主表面と内周面取り部との間、及び主表面と外周面取り部との間について微小な疵の発生の有無について評価を行っている。
 各実施例、比較例では、同じ条件で5000枚の磁気記録媒体用ガラス基板を作製しており、同じ条件で作製した基板全数、もしくは不良が5枚になるまで基板を測定し、測定した磁気記録媒体用ガラス基板中の不良製品の発生率を微小疵発生率として算出している。
 表1、表2中、外周部微小疵発生率が、主表面と外周面取り部との間に微小な疵を含む磁気記録媒体用ガラス基板の発生率を意味し、内周部微小疵発生率が、主表面と内周面取り部との間に微小な疵を含む磁気記録媒体用ガラス基板の発生率を意味する。
 なお、主表面と内周面取り部との間の微小な疵の発生について評価している場合には、主表面と内周面取り部との間に微小な疵を含む磁気記録媒体用ガラス基板を不良として評価する。
 また、主表面と外周面取り部との間の微小な疵の発生について評価している場合には、主表面と外周面取り部との間に微小な疵を含む磁気記録媒体用ガラス基板について不良として評価する。
 すなわち、例えば主表面と内周面取り部との間の微小な疵の発生についての評価において、不良とされたガラス基板でも、主表面と外周面取り部との間に微小な疵の発生が無ければ、主表面と外周面取り部との間の微小な疵の発生の評価においては良品と評価される。
 なお、当初、微小疵発生率は、磁気記録媒体用ガラス基板の製造工程での検査で通常用いられるディスク表面検査装置(株式会社日立ハイテクファインシステムズ社製 型番:NS7000)を用いて評価を行った。しかし、問題となる疵が微細なため、ノイズと疵との識別とが困難であった。このため、上述の光散乱方式表面観察機を用いている。
 次に、各実施例、比較例における磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法について説明する。
[実施例1]
 以下の手順で磁気記録媒体用ガラス基板の作製を行う。
 外径65mm、内径20mm、板厚0.635mmの磁気記録媒体用ガラス基板が得られるように、フロート法で成形されたSiOを主成分とするガラス素板を、中央部に円孔を有するドーナツ形状を有するガラス基板に加工する。(形状付与工程)
 このドーナツ形状を有するガラス基板の内周端面と外周端面を、面取り幅0.15mm、面取り角度45°の磁気記録媒体用ガラス基板が得られるように面取り加工を行う。(面取り工程)
 なお、面取り加工は、図2に示した磁気記録媒体用ガラス基板製造装置である面取り部形成装置20を用いて実施している。
 面取り加工について以下に具体的に説明する。
 まず、上述のドーナツ形状を有するガラス基板と同様のサイズ、形状、材質の試し研削用ガラス基板を用意する。
 そして、試し研削用ガラス基板をテーブル22上に載置し、テーブル22により吸着、保持する。
 次いで、砥石位置制御手段26からの指令により、外周端面研削用砥石移動手段232、及び内周端面研削用砥石移動手段242により、外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24を移動させる。この際、試し研削用ガラス基板の外周端面、及び内周端面が、それぞれ外周端面研削用砥石23の研削面231、及び内周端面研削用砥石24の研削面241に接触するように移動させている。
 そして、テーブル22、外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24を回転させることで、試し研削用ガラス基板に一対の外周面取り部、及び一対の内周面取り部を形成する。(試し研削工程S31)
 試し研削用ガラス基板に外周面取り部、及び内周面取り部を形成した後、既述の面取り幅についての評価、すなわち面取り幅の分布についての評価を実施する。(外周面取り部評価工程S32、内周面取り部評価工程S42)
 外周面取り部評価工程S32、及び内周面取り部評価工程S42の評価結果に基づいて、外周面取り工程S35における外周端面研削用砥石23、及び内周面取り工程S45における内周端面研削用砥石24の上下方向の位置について適切な位置の算出を行う。
 なお、外周面取り工程、内周面取り工程における外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24の上下方向の適切な位置を算出するに当たっては、外周面取り部、内周面取り部の面取り幅の測定値の最大値と、最小値との差が5μm以下となるように算出している。
 また、外周面取り工程S35における外周端面研削用砥石23の回転軸の角度、及び内周面取り工程S45における内周端面研削用砥石24の回転軸の角度について適切な角度をあわせて算出している。
 ここで、上述の上下方向の位置とは、テーブル22上に保持されたドーナツ形状を有するガラス基板の主表面と垂直な方向を意味する。また、外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24の回転軸の適切な角度とは、各砥石を回転させ、ドーナツ形状を有するガラス基板の主表面と垂直な方向に沿って見た際に、偏心を抑制できる角度を意味する。
 算出した、外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24の上下方向の位置、及び回転軸の適切な角度についての情報は、砥石位置制御手段26が有する図示しない記憶手段に記憶させる。(外周端面研削用砥石位置補正工程S33、内周端面研削用砥石位置補正工程S43)
 次に、算出、記憶させている、外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24の上下方向の位置、及び回転軸の角度が適切であるかを確認するため、外周端面研削用砥石位置確認工程(S34)、及び内周端面研削用砥石位置確認工程(S44)を実施する。
 具体的には、テーブル22上に試し研削用ガラス基板と同様のサイズ、形状、材質の確認用ガラス基板を載置し、テーブル22により吸着、保持する。そして、砥石位置制御手段26からの指令により、外周端面研削用砥石移動手段232、及び内周端面研削用砥石移動手段242により、外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24を、記憶させている位置、及び回転軸の角度の情報に基づいて、移動させる。次いで、テーブル22、外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24を回転させ、確認用ガラス基板に外周面取り部、及び内周面取り部を形成する。
 そして、確認用ガラス基板に一対の外周面取り部、及び一対の内周面取り部を形成した後、既述の面取り幅についての評価を実施し、外周面取り部、及び内周面取り部が、共に面取り幅の測定値の最大値と、最小値との差が5μm以下であることを確認する。
 次いで、外周面取り工程(S35)、及び内周面取り工程(S45)を実施する。
 具体的にはまず、テーブル22に既述のドーナツ形状を有するガラス基板21を載置し、吸着、保持する。
 そして、砥石位置制御手段26からの指令により、外周端面研削用砥石移動手段232、及び内周端面研削用砥石移動手段242により、外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24を移動させる。この際、上述の外周端面研削用砥石位置補正工程S33、及び内周端面研削用砥石位置補正工程S43で、記憶手段に保存した外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24の上下方向の位置、及び回転軸の角度となるように移動させる。
 次いで、テーブル22、外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24を回転させ、ドーナツ形状を有するガラス基板21の外周面取り部、及び内周面取り部を形成する。
 なお、いずれのガラス基板についても面取りを行っている間、研削液供給ノズル25から研削液をドーナツ形状を有するガラス基板21と、外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24との間に供給を継続して実施している。
 また、本実施例では5000枚の磁気記録媒体用ガラス基板を作製しているが、2枚目以降の面取り加工工程では、砥石位置制御手段26が有する記憶手段に保存された情報を用い、外周面取り工程、及び内周面取り工程のみを繰り返し実施している。すなわち、2枚目以降のガラス基板についての面取り加工工程では、試し研削工程S31から外周端面研削用砥石位置補正工程S33、内周端面研削用砥石位置補正工程S43までは実施していない。
 面取り加工後、以下の手順により主表面や、端面の研削、研磨等を実施する。
 アルミナ砥粒を用いて、得られたガラス基板の上下主表面をラッピング加工を行う。(一次主表面研削工程)
 一次主表面研削工程は、研磨具として鋳鉄製定盤と、アルミナ砥粒を含有する研削液を用いて、16B型両面研磨装置により実施する。
 また、一次主表面研削工程後のガラス基板について、砥粒を洗浄、除去する。
 次に、ガラス基板の外周側面部、および外周面取り部を、研磨ブラシ、および酸化セリウム砥粒を含有する研磨液を用いて研磨し、外周側面と外周面取り部の加工変質層(傷など)を除去し、鏡面となるように外周端面を研磨加工する。(外周端面研磨工程)
 外周端面研磨工程終了後のガラス基板について、砥粒を洗浄、除去する。
 外周端面研磨後、磁気記録媒体用ガラス基板の内周側面部、および内周面取り部を、研磨ブラシ、および酸化セリウム砥粒を含有する研磨液を用いて研磨し、内周側面部と内周面取り部の加工変質層(傷など)を除去し、鏡面となるように内周端面を研磨加工する。(内周端面研磨工程)
 内周端面研磨後のガラス基板について、砥粒を洗浄、除去する。
 次いで、ガラス基板の上下主表面をラッピング加工する。(二次主表面研削工程)
 二次主表面研削工程は、平均粒径4μmのダイヤモンド砥粒を含有する固定砥粒工具と、界面活性剤を含有する研削液とを用いて、16B型両面研磨装置により実施する。
 また、二次研削工程終了後のガラス基板について、砥粒を洗浄、除去する。
 次に、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッド(スエード系研磨パッド)、および酸化セリウム砥粒を含有する研磨液を用いて、16B型両面研磨装置により上下主表面を研磨する。(一次主表面研磨工程)
 なお、酸化セリウム砥粒を含有する研磨液としては、平均粒子直径(以下、平均粒径と略す)が約1.0μmの酸化セリウムを含有した研磨液組成物を用いている。
 また、一次主表面研磨工程では、上下両主表面を板厚方向で合計30μmの研磨を行っている。
 一次主表面研磨工程終了後、ガラス基板について酸化セリウム砥粒の洗浄、除去を行う。
 一次主表面研磨工程終了後、洗浄したガラス基板の両主表面について、二次主表面研磨工程を実施する(二次主表面研磨工程)。
 二次主表面研磨工程では、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッド、および平均粒径が20nmのコロイダルシリカ砥粒を含有する研磨液を用いて、16B型両面研磨装置により実施している。
 二次主表面研磨工程終了後のガラス基板について、コロイダルシリカ砥粒を洗浄、除去する。
 二次主表面研磨工程を行ったガラス基板は、スクラブ洗浄、洗剤溶液に浸漬した状態での超音波洗浄、純水に浸漬した状態での超音波洗浄、を順次行い(精密洗浄)、イソプロピルアルコール蒸気にて乾燥する。(洗浄・乾燥工程)
 以上の手順により得られた磁気記録媒体用ガラス基板の外周面取り部の面取り幅、及び内周面取り部の面取り幅の測定値の最大値と最小値との差について、上述の方法により評価を行う。
 また、得られた磁気記録媒体用ガラス基板について、主表面と内周面取り部との間、及び主表面と外周面取り部との間における微小疵発生率についてそれぞれ評価を行う。
 評価結果を表1、表2に示す。
 なお、表1は外周側部分についての、表2は内周側部分についての評価結果となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
[実施例2、実施例3]
 実施例2、3では、外周端面研削用砥石位置補正工程S33、内周端面研削用砥石位置補正工程S43で、外周面取り部、内周面取り部の面取り幅の測定値の最大値と、最小値との差が所定の範囲となるように、外周面取り工程、内周面取り工程における外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24の上下方向の適切な位置の算出を実施している。具体的には、外周面取り部、および内周面取り部について、面取り幅の測定値の最大値と最小値との差が実施例2は8μm以下、実施例3は10μm以下となるように、外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24の上下方向の適切な位置を算出している。
 そして、実施例3においては、外周面取り工程S35における外周端面研削用砥石23の回転軸の角度、及び内周面取り工程S45における内周端面研削用砥石24の回転軸の適切な角度の算出を実施していない。
 すなわち、実施例3では両方の端面研削用砥石について、回転軸の傾きに関しては制御していない。そして、回転軸の傾きについて制御していない砥石については、砥石取付け時にテーブル22上のドーナツ形状を有するガラス基板21の主表面と、端面研削用砥石の回転軸とが垂直になるように調整した状態で用いている。
 以上の点以外は、実施例1と同様にして磁気記録媒体用ガラス基板を作製し、評価した。結果を表1、表2に示す。
[比較例1、2]
 面取り工程において、各比較例の磁気記録媒体用ガラス基板製造時に試し研削工程S31、外周面取り部評価工程S32、内周面取り部評価工程S42、外周端面研削用砥石位置補正工程S33、内周端面研削用砥石位置補正工程S43、外周端面研削用砥石位置確認工程S34、及び内周端面研削用砥石位置確認工程S44を実施していない。すなわち、面取り工程においては、外周端面研削用砥石23、及び内周端面研削用砥石24について、砥石取付け時に位置を調整した状態で用い、外周面取り工程S35、及び内周面取り工程S45のみを実施している。
 それ以外の点は実施例1と同様にして磁気記録媒体用ガラス基板を作製し、評価を行っている。結果を表1、表2に示す。
 なお、実施例1~3、比較例1、2において、一部のガラス基板について、面取り工程直後にも外周面取り部、及び内周面取り部の、面取り幅の測定値の最大値と、最小値との差を、洗浄・乾燥工程後に得られた磁気記録媒体用ガラス基板の場合と同様にして測定、算出している。その結果、面取り工程直後と、面取り工程後、洗浄・乾燥工程まで実施した後とで、外周面取り部、及び内周面取り部の、面取り幅の測定値の最大値と、最小値との差に変化が見られないことを確認している。
 表1、表2に示した結果によると、外周面取り部の面取り幅の測定値の最大値と最小値との差が10μm以下である実施例1~実施例3では、外周部の微小疵発生率が1.5%以下と非常に小さくなっていることを確認できる。
 これに対して、外周面取り部の面取り幅の測定値の最大値と最小値との差が10μmを超えている比較例1、比較例2では、外周部の微小疵発生率がそれぞれ1.5%を超え、非常に高くなっていることを確認できる。
 以上の結果から、外周面取り部の面取り幅の測定値の最大値と最小値との差と、主表面と外周面取り部との間の微小疵発生率との間には相関があることを確認できる。そして、外周面取り部の面取り幅の測定値の最大値と最小値との差を10μm以下とすることで、主表面と外周面取り部との間の微小疵発生率を抑制できることを確認できる。
 また、内周面取り部の面取り幅の測定値の最大値と最小値との差と、主表面と内周面取り部との間の微小疵の発生率との間でも同様の相関が確認できる。そして、内周面取り部の面取り幅の測定値の最大値と最小値との差を10μm以下とすることで、主表面と内周面取り部との間の微小疵発生率を抑制できることを確認できる。
 そして、磁気記録媒体用ガラス基板の面取りを行う前に、外周端面研削用砥石23について、上下方向の位置制御ならびに砥石軸傾き制御を実施している実施例1、2と上下方向の位置制御を実施している実施例3は、上述のように外周面取り部の面取り幅の測定値の最大値と最小値との差を10μm以下にできることを確認できる。
 これに対して、上下方向の位置制御ならびに砥石軸傾き制御を実施していない比較例1、2においては外周面取り部の測定値の最大値と最小値との差は10μmを大きく超えることを確認できる。
 なお、比較例1の磁気記録媒体用ガラス基板を製造した後、続けて比較例2の磁気記録媒体用ガラス基板を作製している。このため、外周端面研削用砥石や、内周端面研削用砥石の適切な位置からのずれが大きくなり、比較例1と、比較例2とでの結果に差異を生じているものと考えられる。
 また、磁気記録媒体用ガラス基板の面取りを行う前に、内周端面研削用砥石24についても、上下方向の位置制御ならびに砥石軸傾き制御を実施している実施例1、2と上下方向の位置制御を実施している実施例3については、上述のように内周面取り部の面取り幅の測定値の最大値と最小値との差が10μm以下になることを確認できる。
 これに対して、上下方向の位置制御ならびに砥石軸傾き制御を実施していない比較例1、2においては、内周面取り部の面取り幅の測定値の最大値と最小値との差が10μmを大きく超えることを確認できる。
 本発明を特定の態様を参照して詳細に説明したが、本発明の精神と範囲を離れることなく様々な変更および修正が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお、本出願は、2015年12月22日付けで出願された日本特許出願(特願2015-250560)および2016年4月28日付けで出願された日本特許出願(特願2016-90306)に基づいており、その全体が引用により援用される。また、ここに引用されるすべての参照は全体として取り込まれる。
10      磁気記録媒体用ガラス基板
121、122 主表面
13      外周端面
131、133 外周面取り部
132     外周側面部
14      内周端面
141、143 内周面取り部
142     内周側面部
23      外周端面研削用砥石
24      内周端面研削用砥石
26      砥石位置制御手段

Claims (7)

  1.  ドーナツ形状を有し、一対の主表面と、外周端面と、内周端面と、を有する磁気記録媒体用ガラス基板であって、前記外周端面は外周側面部と一対の外周面取り部とを有し、
     前記一対の外周面取り部のうち、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合に、測定値の最大値と、最小値との差が10μm以下である磁気記録媒体用ガラス基板。
  2.  前記内周端面は、内周側面部と、一対の内周面取り部とを有し、
     前記一対の内周面取り部のうち、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した場合に、測定値の最大値と、最小値との差が10μm以下である請求項1に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
  3.  請求項1または2に記載の磁気記録媒体用ガラス基板を含む磁気記録媒体。
  4.  ドーナツ形状を有し、一対の主表面と、外周端面と、内周端面と、を有する試し研削用ガラス基板を用意し、外周端面研削用砥石により前記試し研削用ガラス基板の外周端面を研削し、一対の外周面取り部を形成する試し研削工程と、
     前記試し研削用ガラス基板の、前記一対の外周面取り部のうち、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定する外周面取り部評価工程と、
     前記外周面取り部評価工程の結果に基づいて、前記外周端面研削用砥石の位置を補正する外周端面研削用砥石位置補正工程と、
     ドーナツ形状を有し、一対の主表面と、外周端面と、内周端面と、を有するガラス基板を用意し、前記外周端面研削用砥石位置補正工程の後に、前記外周端面研削用砥石により、前記ガラス基板の外周端面に一対の外周面取り部を形成する外周面取り工程と、を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
  5.  前記試し研削工程において、さらに内周端面研削用砥石により前記試し研削用ガラス基板の内周端面を研削し、一対の内周面取り部を形成し、
     前記試し研削工程後、前記試し研削用ガラス基板の前記一対の内周面取り部のうち、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定する内周面取り部評価工程と、
     前記内周面取り部評価工程の結果に基づいて、前記内周端面研削用砥石の位置を補正する内周端面研削用砥石位置補正工程と、
     前記内周端面研削用砥石位置補正工程の後に、前記内周端面研削用砥石により、前記ガラス基板の内周端面に一対の内周面取り部を形成する内周面取り工程と、を有する請求項4に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
  6.  ドーナツ形状を有し、一対の主表面と、外周端面と、内周端面と、を有するガラス基板の前記外周端面に一対の外周面取り部を形成するための外周端面研削用砥石と、
     前記ガラス基板と同じ形状を有する試し研削用ガラス基板に、前記外周端面研削用砥石により一対の外周面取り部を形成し、前記一対の外周面取り部のうち、少なくとも一方の外周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した際の、前記外周面取り部の面取り幅の分布に基いて前記外周端面研削用砥石の位置を制御する砥石位置制御手段と、を有する磁気記録媒体用ガラス基板製造装置。
  7.  前記ガラス基板の前記内周端面に一対の内周面取り部を形成するための内周端面研削用砥石をさらに有し、
     前記砥石位置制御手段はさらに、前記試し研削用ガラス基板に、前記内周端面研削用砥石により一対の内周面取り部を形成し、前記一対の内周面取り部のうち、少なくとも一方の内周面取り部の面取り幅を複数の測定点で測定した際の、前記内周面取り部の面取り幅の分布に基いて、前記内周端面研削用砥石の位置を制御する、請求項6に記載の磁気記録媒体用ガラス基板製造装置。
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