WO2017094537A1 - 半導体チップ及び電子機器 - Google Patents

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WO2017094537A1
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film
image sensor
cut film
cut
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佐々木　直人
大岡　豊
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ソニー株式会社
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Definitions

  • the present technology relates to a semiconductor chip and an electronic device, and particularly relates to a semiconductor chip and an electronic device including an imaging element.
  • a metal complex material such as a copper complex is used for the coating type IRCF, but this material is easily deteriorated by oxidation.
  • Patent Document 1 it is assumed that outside air enters from an adhesive portion provided in the periphery of the image sensor to bond the image sensor and the glass substrate, and the IRCF is oxidized. As a result, the light shielding performance of the IRCF is lowered, and the optical characteristics of the semiconductor chip are deteriorated.
  • the present technology has been made in view of such a situation, and is intended to suppress deterioration of optical characteristics of a semiconductor chip including an imaging element.
  • the present technology makes it possible to reduce the size of a semiconductor chip.
  • a semiconductor chip includes an imaging element, a transparent protection member that protects the imaging element, an IR cut film that is disposed between a light receiving surface of the imaging element and the protection member, , A bonding layer for bonding the IR cut film and the protective member, and a protective film for covering side surfaces of the IR cut film and the bonding layer.
  • the protective film may further cover at least a part of the side surface of the image sensor.
  • the IR cut film and the bonding layer may be an adhesive IR cut film having adhesiveness, and the imaging element and the protective member may be bonded via the adhesive IR cut film.
  • a plurality of IR cut filters having different wavelength bands to be shielded can be laminated.
  • the metal solder having a melting point of 150 degrees or less can be provided on the surface to be soldered of the semiconductor chip.
  • a reflective IR cut film can be formed on at least one surface of the protective member.
  • the IR cut film can be a coating type.
  • An electronic apparatus includes an imaging element, a transparent protection member that protects the imaging element, an IR cut film that is disposed between a light receiving surface of the imaging element and the protection member, A semiconductor chip including a bonding layer that bonds the IR cut film and the protective member, a protective film that covers side surfaces of the IR cut film and the bonding layer, and a signal processing circuit that processes a signal from the imaging device With.
  • a semiconductor chip includes an imaging element, a transparent protection member that protects the imaging element, and an IR cut film disposed inside the protection member.
  • An electronic apparatus includes an imaging element, a transparent protection member that protects the imaging element, a semiconductor chip that includes an IR cut film disposed inside the protection member, and the imaging And a signal processing circuit for processing a signal from the element.
  • a semiconductor chip includes an image sensor and a transparent resin film that is applied to a light receiving surface side of the image sensor and protects the image sensor.
  • the thickness of the resin film can be less than 200 ⁇ m.
  • An IR cut film can be disposed on the resin film.
  • An antireflection film can be disposed on the IR cut film.
  • the side surfaces of the resin film and the IR cut film can be further surrounded by the antireflection film.
  • a diffraction grating can be formed on the surface of the resin film.
  • the diffraction grating can be provided with a slit-shaped light shielding film.
  • a transparent film having a refractive index smaller than that of the material of the on-chip lens can be disposed on the on-chip lens of the image sensor.
  • An electronic apparatus includes a semiconductor chip including an imaging element, a transparent resin film that is applied to a light receiving surface side of the imaging element and protects the imaging element, and a signal from the imaging element And a signal processing circuit for processing.
  • the IR cut film is surrounded by the imaging element, the protection member, and the protection film.
  • the IR cut film is surrounded by a protective member.
  • the light receiving surface of the image sensor is protected by a protective film.
  • the present technology it is possible to suppress the deterioration of the optical characteristics of the semiconductor chip including the image sensor.
  • the semiconductor chip can be reduced in size.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a first modification of the semiconductor chip in FIG. 1.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a second modification of the semiconductor chip in FIG. 1.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a third modification of the semiconductor chip in FIG. 1.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a fourth modification of the semiconductor chip in FIG. 1.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a fifth modification of the semiconductor chip in FIG. 1.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a sixth modification of the semiconductor chip in FIG. 1.
  • It is sectional drawing which shows typically the structural example of the semiconductor chip which concerns on the 2nd Embodiment of this technique. It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor chip of FIG. It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor chip of FIG. It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor chip of FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a first modification of the semiconductor chip in FIG. 10. It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor chip of FIG. FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a second modification of the semiconductor chip in FIG. 10.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a third modification of the semiconductor chip in FIG. 10.
  • FIG. 18 is a diagram for explaining a method for manufacturing the semiconductor chip of FIG. 17.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a fourth modification of the semiconductor chip in FIG. 10.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a fifth modification of the semiconductor chip in FIG. 10.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a sixth modification of the semiconductor chip in FIG. 10.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a seventh modification of the semiconductor chip in FIG. 10. It is a block diagram showing an example of composition of an embodiment of an imaging device to which this art is applied. It is a figure which shows the usage example of an image sensor.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of the semiconductor chip 10a according to the first embodiment of the present technology.
  • the light incident side of the semiconductor chip 10a is defined as the upper side of the semiconductor chip 10a, and the side opposite to the light incident side is defined as the lower side of the semiconductor chip 10a.
  • the surface of the image sensor 11 on which light is incident is referred to as a light receiving surface, and the surface opposite to the light receiving surface is referred to as a bottom surface. The same applies to other semiconductor chips described later.
  • the semiconductor chip 10a is a semiconductor chip having a CSP (Chip Size Package) structure, and an image sensor 11, an IR cut film 12, a bonding layer 13, and a glass 14 are laminated in order from the bottom.
  • CSP Chip Size Package
  • the type of the image sensor 11 is not particularly limited.
  • the image sensor 11 may be a front side illumination type or a back side illumination type.
  • the image sensor 11 may be a CMOS image sensor, a CCD image sensor, or another type of image sensor.
  • the IR cut film 12 is made of, for example, a coating type IR cut filter made of a metal complex material such as a copper complex.
  • the IR cut film 12 reduces the infrared light component contained in the incident light, and suppresses the incidence of the infrared light to the image sensor 11.
  • Glass 14 is provided to protect the image sensor 11.
  • the IR cut film 12 and the glass 14 are bonded via the bonding layer 13.
  • the bonding layer 13 is made of, for example, a transparent sealing resin or an adhesive.
  • the areas of the image sensor 11, the IR cut film 12, and the bonding layer 13 are slightly smaller than the glass 14, and the side surfaces of the image sensor 11, the IR cut film 12, and the bonding layer 13 are smaller than the side surfaces of the glass 14. Arranged inside. Then, the side surfaces of the image sensor 11, the IR cut film 12, and the bonding layer 13 are covered with the protective film 15, and the positions of the side surfaces of the glass 14 and the outer surface of the protective film 15 substantially coincide.
  • the protective film 15 is made of, for example, SiN (silicon nitride), SiON (silicon oxynitride film), or a metal such as aluminum or titanium.
  • a plurality of solder balls 16 are provided on the bottom surface of the image sensor 11, which is a surface on which the semiconductor chip 10a is soldered to a substrate or the like.
  • solder ball 16 for example, a general lead-tin alloy is used.
  • the IR cut film 12 is laminated on the light receiving surface side of the image sensor 11.
  • the IR cut film 12 is formed, for example, by applying an IR cut filter to the upper surface of the image sensor 11 using a spin coating method and forming a film. Then, the IR cut film 12 is cured with heat of about 150 ° C.
  • the IR cut film 12 is a coating film, particles can be controlled, and as a result, the yield is improved. Further, since the IR cut film 12 is not formed on the glass 14, polishing for removing scratches is possible. Further, since the IR cut film 12 is not formed on the glass 14, the semiconductor chip 10a can be reduced in height by polishing and thinning the glass 14 in the final process.
  • step 2 the IR cut film 12 and the glass 14 are joined.
  • the bonding layer 13 is formed by applying a seal resin to the upper surface of the IR cut film 12 using a spin coating method and forming a film.
  • the bonding layer 13 is cured, and the IR cut film 12 and the glass 14 are bonded.
  • step 3 the silicon substrate (not shown) of the image sensor 11 is thinned, and an RDL (redistribution layer) (not shown) is formed.
  • a groove 31 for forming the protective film 15 is formed.
  • the grooves 31 are formed in the outer peripheral portions of the image sensor 11, the IR cut film 12, and the bonding layer 13 along the scribe line of the image sensor 11 using a dry etching method.
  • the groove 31 may be formed using a dicer or a laser instead of the dry etching method.
  • a protective film 15 is formed.
  • the protective film 15 is formed by depositing a nitride film in the groove 31 using plasma nitride (P—SiN). The surface of the formed protective film 15 is flattened by etch back.
  • step 6 the solder balls 16 are formed on the bottom surface of the image sensor 11, and the manufacturing process of the semiconductor chip 10a is completed.
  • the IR cut film 12 is disposed in a region surrounded by the image sensor 11, the glass 14, and the protective film 15. Accordingly, intrusion of outside air to the periphery of the IR cut film 12 is prevented, and the IR cut film 12 is prevented from being oxidized and the optical characteristics of the semiconductor chip 10a being deteriorated.
  • the protective film 15 does not necessarily need to cover the entire side surface of the image sensor 11, and may cover only the upper part of the side surface of the image sensor 11, for example.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a semiconductor chip 10b which is a first modification of the semiconductor chip according to the first embodiment.
  • the semiconductor chip 10b is different from the semiconductor chip 10a of FIG. 1 in that the IR cut film 12 has a two-layer structure of a short IR cut film 51 and a long IR cut film 52.
  • the short IR cut film 51 and the long IR cut film 52 have different wavelength bands (light blocking bands) for blocking infrared light.
  • the light shielding band of the short IR cut film 51 covers a band whose wavelength is shorter than that of the long IR cut film 52
  • the light shielding band of the long IR cut film 52 covers a band whose wavelength is longer than that of the short IR cut film 51.
  • the light shielding band of the short IR cut film 51 and the light shielding band of the long IR cut film 52 may partially overlap.
  • the light shielding performance is improved by laminating the IR cut films having different light shielding bands and dividing the wavelength band for light shielding.
  • IR cut films may be stacked, and the light shielding band may be further divided.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a semiconductor chip 10c which is a second modification of the semiconductor chip according to the first embodiment.
  • the semiconductor chip 10c is different from the semiconductor chip 10b of FIG. 4 in that solder balls 61 are formed instead of the solder balls 16.
  • the solder ball 61 is made of, for example, metallic solder having a low melting point (for example, 150 ° C. or less) such as SnBi, SnBiAg, SnIn, or In.
  • the short IR cut film 51 and the long IR cut film 52 are generally vulnerable to heat and may not be able to withstand the heat in the reflow process.
  • the temperature of the reflow process can be lowered by using the solder ball 61 as compared with the case where the solder ball 16 made of a general lead-tin alloy is used.
  • the short IR cut film 51 and the long IR cut film 52 are prevented from being damaged in the reflow process.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a semiconductor chip 10d which is a third modification of the semiconductor chip according to the first embodiment.
  • the semiconductor chip 10d is different from the semiconductor chip 10a of FIG. 4 in that reflective IR cut films 101 and 102 are formed on the upper and lower surfaces of the glass.
  • the reflective IR cut films 101 and 102 are, for example, reflective IR cut filters in which inorganic films are stacked.
  • the reflective IR cut films 101 and 102 are provided, for example, when the IR cut film 12 alone cannot satisfy desired optical characteristics.
  • only one of the reflective IR cut films 101 and 102 may be provided.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a semiconductor chip 10e which is a fourth modification of the semiconductor chip according to the first embodiment.
  • the semiconductor chip 10e is different from the semiconductor chip 10a of FIG. 1 in that an adhesive IR cut film 121 is formed instead of the IR cut film 12 and the bonding layer 13.
  • the adhesive IR cut film 121 is made of, for example, an IR cut filter having adhesiveness, and has a function of shielding the infrared light and bonding the image sensor 11 and the glass 14.
  • a material obtained by mixing a metal complex material such as a copper complex used for an IR cut filter and a material used for a seal resin is used.
  • the semiconductor chip 10e can be thinned by adopting the single-layer structure of the adhesive IR cut film 121 instead of the two-layer structure of the IR cut film 12 and the bonding layer 13.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a semiconductor chip 10f which is a fifth modification of the semiconductor chip according to the first embodiment.
  • the semiconductor chip 10f is different from the semiconductor chip 10a of FIG. 1 in that an image sensor 141 and a protective film 142 are provided instead of the image sensor 11 and the protective film 15.
  • the area of the image sensor 141 is different from that of the image sensor 11 of the semiconductor chip 10a. Specifically, the area of the image sensor 141 substantially matches the area of the glass 14.
  • the protective film 142 has a rib structure. Specifically, the protective film 142 is formed on the light receiving surface of the image sensor 141 so as to cover the side surfaces of the IR cut film 12 and the bonding layer 13 along the outer periphery of the image sensor 141.
  • the IR cut film 12 is disposed in a region surrounded by the image sensor 11, the glass 14, and the protective film 142. Accordingly, it is prevented that the outside air enters the periphery of the IR cut film 12 to oxidize the IR cut film 12 and deteriorate the optical characteristics of the semiconductor chip 10f.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a semiconductor chip 10g which is a sixth modified example of the semiconductor chip according to the first embodiment.
  • the semiconductor chip 10g is different from the semiconductor chip 10f in FIG. 8 in place of the IR cut film 12, the bonding layer 13, the glass 14, and the protective film 142, the bonding layer 201, the protective member 202, the IR cut film 203, The difference is that the bonding layer 204 is provided.
  • the protection member 202 includes transparent glass 202a and glass 202b.
  • the image sensor 141 and the glass 202a are bonded via the bonding layer 201.
  • the bonding layer 201 for example, the same material as that of the bonding layer 13 in FIG. 1 is used.
  • a planar groove whose periphery is surrounded by the side surface of the glass 202a is formed on the upper surface of the glass 202a opposite to the light receiving surface side of the image sensor 141.
  • the IR cut film 203 and the bonding layer 204 are stacked in the groove.
  • the IR cut film 203 for example, the same material as that of the IR cut film 12 of FIG. 1 is used.
  • the IR cut film 203 is formed in the groove by, for example, application or coating.
  • a material similar to that of the bonding layer 201 is used for the bonding layer 204.
  • the groove of the glass 202a is sealed with the glass 202b. Further, the IR cut film 203 and the glass 202b are bonded by the bonding layer 204, and the position of the glass 202b is fixed.
  • the IR cut film 203 is disposed inside the protective member 202 made of the glass 202a and the glass 202b. Therefore, it is prevented that the outside air enters the periphery of the IR cut film 203 and the IR cut film 12 is oxidized and the optical characteristics of the semiconductor chip 10f are deteriorated.
  • the solder ball 61 may be used instead of the solder ball 16.
  • the semiconductor chip 10d, the semiconductor chip 10f, and the semiconductor chip 10g may have a two-layer structure of a short IR cut film and a long IR cut film.
  • a protective member made of a transparent material other than glass may be used instead of the glass 14, the glass 202a, and the glass 202b.
  • a transparent material such as a transparent resin or a heat-resistant transparent plastic may be used.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of the semiconductor chip 300a according to the second embodiment of the present technology.
  • the transparent resin film 306 is laminated on the light receiving surface side where the on-chip lens 301A and the color filter 301B of the image sensor 301 are formed, and the semiconductor substrate 302 is laminated on the bottom surface side.
  • RDL (redistribution layer) 304 a and 304 b are formed so as to penetrate the semiconductor substrate 302. A part of the lower surface of the RDL 304a and RDL 304b is covered with the solder resist 304, and solder balls 305a and 305b are formed in portions not covered with the solder resist 304.
  • the image sensor 301 is electrically connected to an external substrate or the like via the solder balls 305a and 305b and the RDL 304a and RDL 304b.
  • the kind of the image sensor 301 is not particularly limited as in the case of the image sensor 11 of the semiconductor chip 10a of FIG.
  • an inorganic film such as a SiN film is used.
  • solder resist 304 for example, a resin material is used.
  • solder balls 305a and 305b for example, the same material as the solder ball 16 of the semiconductor chip 10a in FIG. 1 or the solder ball 61 of the semiconductor chip 10c in FIG. 5 is used.
  • a transparent acrylic resin is used for the transparent resin film 306, and the transparent resin film 306 is provided to protect the image sensor 11.
  • step 1 the image sensor 301 is manufactured.
  • step 2 the temporary bonding resin 401 is formed so as to surround the periphery of the portion where the on-chip lens 301A and the color filter 301B are formed along the outer periphery of the light receiving surface of the image sensor 301. Then, the glass substrate 402 is bonded to the light receiving surface of the image sensor 301 via the temporary bonding resin 401. The glass substrate 402 protects the light receiving surface of the image sensor 301.
  • step 3 the semiconductor substrate 302 is bonded to the bottom surface of the image sensor 301.
  • a through hole is formed in the semiconductor substrate 302, and RDLs 303a and 303b are formed through the through hole.
  • a solder resist 304 is formed so as to cover the lower surfaces of the RDLs 303a and 303b except for the portions where the solder balls 305a and 305b are formed.
  • solder balls 305a and 305b are formed in portions of the RDL 303a and 303b that are not covered with the solder resist 304.
  • a laminate tape 353 is bonded to the surfaces of the solder resist 304 and the solder balls 305a and 305b.
  • the thickness of the laminate tape 353 is, for example, about 400 ⁇ m to 500 ⁇ m.
  • the laminate tape 403 flattens the lower surface of the wafer and increases the thickness of the wafer.
  • step 5 the temporary bonding resin 401 and the glass substrate 402 are peeled off.
  • the thickness and strength of the wafer are ensured by the laminate tape 403, even if the temporary bonding resin 401 and the glass substrate 402 are peeled off, the occurrence of distortion and bending of the wafer is prevented.
  • a transparent resin film 306 is formed on the light receiving surface of the image sensor 301.
  • the transparent resin film 306 is formed by applying an acrylic resin to the light receiving surface of the image sensor 301 using a spin coating method and forming a film.
  • the thickness of the transparent resin film 306 is, for example, less than 200 ⁇ m, and more desirably 150 ⁇ m or less. More specifically, the thickness of the transparent resin film 306 is, for example, in the range of about 50 ⁇ m to 150 ⁇ m.
  • step 7 after the laminate tape 403 is peeled off, the wafer is separated into pieces, thereby completing the semiconductor chip 300a.
  • the laminate tape 403 may be peeled after the wafers are separated into individual pieces according to the shipping form or the like.
  • steps may be performed by, for example, one manufacturer, or may be performed by a plurality of manufacturers.
  • steps up to step 6 and step 7 may be performed by another manufacturer.
  • the semiconductor chip 300a can be made thinner and smaller than when glass is used.
  • the transparent resin film 306 thinner, it is possible to prevent the transparent resin film 306 from becoming a noise component with respect to an optical signal in a wavelength range other than 400 to 700 nm, which is human visibility.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a semiconductor chip 300b which is a first modification of the semiconductor chip according to the second embodiment.
  • the semiconductor chip 300b is different from the semiconductor chip 300a of FIG. 10 in that an IR cut film 307 is laminated on the transparent resin film 306.
  • the IR cut film 307 for example, the same material as the IR cut film 12 of the semiconductor chip 10a of FIG. 1 is used. Further, the thickness of the IR cut film 307 is set to 100 ⁇ m or less, for example.
  • Step 8 an IR cut filter is applied to the surface of the transparent resin film 306 using a spin coat method, and the IR cut filter is formed. A film 307 is formed.
  • the semiconductor chip 300b is completed by dividing the wafer into individual pieces.
  • the IR cut film 307 may be formed after the step 6 in FIG.
  • the semiconductor chip 300b can be miniaturized and the optical characteristics can be improved.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a semiconductor chip 300c which is a second modification of the semiconductor chip according to the second embodiment.
  • the semiconductor chip 300c is different from the semiconductor chip 300b of FIG. 14 in that an antireflection film 308 is laminated on the IR cut film 307.
  • the antireflection film 308 for example, a SiO 2 film, a SiON film, or a nitride film is used. Further, the thickness of the antireflection film 308 is, for example, 0.1 ⁇ m or less.
  • the antireflection film 308 is formed by using, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or a spin coating method after the IR cut film 307 is formed in Step 8 of FIG. 15 described above.
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • spin coating method after the IR cut film 307 is formed in Step 8 of FIG. 15 described above.
  • the optical characteristics can be further improved.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a semiconductor chip 300d which is a third modification of the semiconductor chip according to the second embodiment.
  • the semiconductor chip 300d is different from the semiconductor chip 300c in FIG. 16 in that an antireflection film 309 is formed instead of the antireflection film 308.
  • the antireflection film 309 covers not only the upper surface of the IR cut film 307 but also the side surfaces of the transparent resin film 306 and the IR cut film 307 and covers the upper part of the side surface of the image sensor 301. Moreover, the thickness of the antireflection film 309 is, for example, 0.1 ⁇ m or less.
  • the antireflection film 309 also has a function of a protective film, and prevents moisture and outside air from entering the light receiving surface of the image sensor 301 and the IR cut film 307 and its surroundings. Thereby, deterioration of the image sensor 301 and the IR cut film 307 due to moisture, oxidation, or the like is suppressed, and the reliability of the semiconductor chip 300d is improved.
  • step 9 the wafer is singulated.
  • step 10 an antireflection film 309 is formed.
  • the formation method of the antireflection film 309 is not particularly limited.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a semiconductor chip 300e which is a fourth modification of the semiconductor chip according to the second embodiment.
  • the semiconductor chip 300e differs from the semiconductor chip 300a of FIG. 10 in that a diffraction grating is formed on the upper surface of the transparent resin film 306. Specifically, a diffraction grating is formed on the upper surface of the transparent resin film 306 by periodically forming grooves having an inverted triangle cross section at a predetermined interval.
  • the diffraction grating is formed by, for example, an imprint method after step 6 or step 7 in FIG.
  • the transparent resin film 306 can function as a polarizing filter.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a semiconductor chip 300f which is a fifth modification of the semiconductor chip according to the second embodiment.
  • the semiconductor chip 300f differs from the semiconductor chip 300e in FIG. 19 in that a slit-shaped light shielding film 310 is formed on the upper surface of the transparent resin film 306.
  • the light shielding film 310 is formed by embedding a metal or the like in a groove forming a diffraction grating of the transparent resin film 306.
  • the material of the light shielding film 310 may be any material that blocks light.
  • the light shielding film 310 is made of a metal material such as Al, Ti, Ta, W, or Cu, or a nitride film thereof.
  • the light shielding film 310 made of metal or the like (for example, Al) is formed on the upper surface of the transparent resin film 306 by using, for example, sputtering. It is formed.
  • the entire surface of the light shielding film 310 is scraped until the upper end between the grooves of the transparent resin film 306 is exposed, whereby the slit-shaped light shielding film 310 is formed.
  • the function of the polarizing filter of the semiconductor chip 300e is enhanced by the light shielding film 310.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a semiconductor chip 300g which is a sixth modification of the semiconductor chip according to the second embodiment.
  • the semiconductor chip 300g differs from the semiconductor chip 300f in FIG. 20 in that an IR cut film 307 and an antireflection film 309 are formed on the transparent resin film 306, as in the semiconductor chip 300d in FIG. .
  • the semiconductor chip 300g is different from the semiconductor chip 300d in that a slit-shaped light shielding film 310 is formed on the upper surface of the transparent resin film 306.
  • the IR cut film 307 and the antireflection film 309 improve the optical characteristics and reliability of the semiconductor chip 300f in the same manner as the semiconductor chip 300c in FIG. 16 and the semiconductor chip 300d in FIG.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a semiconductor chip 300h which is a seventh modification of the semiconductor chip according to the second embodiment.
  • the semiconductor chip 300h is different from the semiconductor chip 300a of FIG. 10 in that a low refractive film 311 is formed on the on-chip lens 301A.
  • the low refractive film 311 is made of a transparent resin film having a refractive index smaller than that of the on-chip lens 301A.
  • the low refractive film 311 has a function of condensing incident light on each microlens of the on-chip lens 301A. As a result, the sensitivity of the image sensor 301 is improved.
  • the low refractive film 311 is formed before the transparent resin film 306 is formed, for example, between step 5 in FIG. 12 and step 6 in FIG.
  • the antireflection film 308 of the semiconductor chip 300c can be used instead of the antireflection film 309, or the antireflection film can be deleted.
  • the low refractive film 311 of the semiconductor chip 300h may be provided.
  • the semiconductor chip of each embodiment described above includes various electronic devices such as an imaging system such as a digital still camera and a digital video camera, a mobile phone having an imaging function, or other devices having an imaging function. Can be applied to.
  • an imaging system such as a digital still camera and a digital video camera
  • a mobile phone having an imaging function or other devices having an imaging function. Can be applied to.
  • FIG. 23 is a block diagram illustrating a configuration example of an imaging device mounted on an electronic device.
  • the imaging apparatus 500 includes an optical system 501, an imaging element 502, a signal processing circuit 503, a monitor 504, and a memory 505, and can capture still images and moving images.
  • the optical system 501 includes one or a plurality of lenses, guides image light (incident light) from a subject to the image sensor 502, and forms an image on a light receiving surface (sensor unit) of the image sensor 502.
  • the semiconductor chip of each embodiment described above is applied.
  • electrons are accumulated for a certain period according to an image formed on the light receiving surface via the optical system 501. Then, a signal corresponding to the electrons accumulated in the image sensor 502 is supplied to the signal processing circuit 503.
  • the signal processing circuit 503 performs various types of signal processing on the signal output from the image sensor 502.
  • An image (image data) obtained by performing signal processing by the signal processing circuit 503 is supplied to the monitor 504 and displayed, or supplied to the memory 505 and stored (recorded).
  • the image quality and reliability of the imaging apparatus 500 can be improved or the imaging apparatus 500 can be downsized by applying the semiconductor chip of each of the above-described embodiments. it can.
  • FIG. 24 is a diagram illustrating a usage example in which the image sensor mounted on the semiconductor chip described above is used.
  • the image sensor described above can be used in various cases for sensing light such as visible light, infrared light, ultraviolet light, and X-ray as follows.
  • Devices for taking images for viewing such as digital cameras and mobile devices with camera functions
  • Devices used for traffic such as in-vehicle sensors that capture the back, surroundings, and interiors of vehicles, surveillance cameras that monitor traveling vehicles and roads, and ranging sensors that measure distances between vehicles, etc.
  • Equipment used for home appliances such as TVs, refrigerators, air conditioners, etc. to take pictures and operate the equipment according to the gestures ⁇ Endoscopes, equipment that performs blood vessel photography by receiving infrared light, etc.
  • Equipment used for medical and health care ⁇ Security equipment such as security surveillance cameras and personal authentication cameras ⁇ Skin measuring instrument for photographing skin and scalp photography Such as a microscope to do beauty Equipment used for sports-Equipment used for sports such as action cameras and wearable cameras for sports applications-Used for agriculture such as cameras for monitoring the condition of fields and crops apparatus
  • the system means a set of a plurality of components (devices, modules (parts), etc.), and it does not matter whether all the components are in the same housing. Accordingly, a plurality of devices housed in separate housings and connected via a network and a single device housing a plurality of modules in one housing are all systems. .
  • the present technology can take the following configurations.
  • An image sensor An image sensor; A transparent protective member for protecting the image sensor; An IR cut film disposed between the light receiving surface of the image sensor and the protective member; A bonding layer for bonding the IR cut film and the protective member; A semiconductor chip comprising: the IR cut film; and a protective film covering side surfaces of the bonding layer.
  • the IR cut film and the bonding layer are made of an adhesive IR cut film having adhesiveness, The semiconductor chip according to (1) or (2), wherein the imaging element and the protective member are bonded via the adhesive IR cut film.
  • the IR cut film includes a plurality of films having different wavelength bands for shielding light.
  • a metal solder having a melting point of 150 degrees or less is provided on a surface to be soldered of the semiconductor chip.
  • a reflective IR cut film is formed on at least one surface of the protective member.
  • the IR cut film is a coating type.
  • the protective member is A first member in which a planar groove in which the IR cut film is disposed is formed on a surface opposite to a light receiving surface side of the imaging element; A second member for sealing the groove, The semiconductor chip according to (9), further including a bonding layer that bonds the IR cut film and the second member.
  • the semiconductor chip according to (15), wherein the antireflection film further surrounds side surfaces of the resin film and the IR cut film.
  • the said diffraction grating is equipped with a slit-shaped light shielding film.

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Abstract

本技術は、撮像素子を備える半導体チップの光学特性の劣化を抑制することができるようにする半導体チップ及び電子機器に関する。 半導体チップは、撮像素子と、前記撮像素子を保護する透明な保護部材と、前記撮像素子の受光面と前記保護部材との間に配置されているＩＲカット膜と、前記ＩＲカット膜と前記保護部材とを接合する接合層と、前記ＩＲカット膜及び前記接合層の側面を覆う保護膜とを備える。本技術は、例えば、撮像素子用の半導体チップに適用することができる。

Description

半導体チップ及び電子機器
　本技術は、半導体チップ及び電子機器に関し、特に、撮像素子を備える半導体チップ及び電子機器に関する。
　従来、撮像素子を備える半導体チップにおいて、撮像素子と撮像素子を保護するガラス基板との間に塗布型のＩＲカットフィルタ（ＩＲＣＦ）を形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１４－１３０３４４号公報
　塗布型のＩＲＣＦには、一般的に銅錯体等の金属錯体材料が用いられるが、この材料は酸化により劣化しやすい。しかし、特許文献１に記載の発明では、撮像素子とガラス基板を接着するために撮像素子の周辺に設けられた接着剤の部分から外気が侵入し、ＩＲＣＦが酸化することが想定される。その結果、ＩＲＣＦの遮光性能が低下し、半導体チップの光学特性が劣化する。
　また、ガラス基板には、一般的に２００μｍ以上の厚さのものが使用されるため、半導体チップの小型化を阻害する要因になっている。
　本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、撮像素子を備える半導体チップの光学特性の劣化を抑制できるようにするものである。
　また、本技術は、半導体チップの小型化を実現できるようにするものである。
　本技術の第１の側面の半導体チップは、撮像素子と、前記撮像素子を保護する透明な保護部材と、前記撮像素子の受光面と前記保護部材との間に配置されているＩＲカット膜と、前記ＩＲカット膜と前記保護部材とを接合する接合層と、前記ＩＲカット膜及び前記接合層の側面を覆う保護膜とを備える。
　前記保護膜を、さらに前記撮像素子の側面の少なくとも一部を覆うようにすることができる。
　前記ＩＲカット膜と前記接合層を、接着性を有する接着型ＩＲカット膜とし、前記撮像素子と前記保護部材とが前記接着型ＩＲカット膜を介して接合させることができる。
　前記ＩＲカット膜においては、遮光する波長帯域が異なる複数のＩＲカットフィルタを積層させることができる。
　前記半導体チップのはんだ付けされる面に、融点が１５０度以下の金属製のはんだを設けることができる。
　前記保護部材の少なくとも一方の面に、反射型のＩＲカット膜を形成することができる。
　前記ＩＲカット膜を、塗布型にすることができる。
　本技術の第２の側面の電子機器は、撮像素子と、前記撮像素子を保護する透明な保護部材と、前記撮像素子の受光面と前記保護部材との間に配置されているＩＲカット膜と、前記ＩＲカット膜と前記保護部材とを接合する接合層と、前記ＩＲカット膜及び前記接合層の側面を覆う保護膜とを備える半導体チップと、前記撮像素子からの信号を処理する信号処理回路とを備える。
　本技術の第３の側面の半導体チップは、撮像素子と、前記撮像素子を保護する透明な保護部材と、前記保護部材の内部に配置されているＩＲカット膜とを備える。
　前記保護部材に、前記ＩＲカット膜が配置される平面状の溝が、前記撮像素子の受光面側と反対側の面に形成されている第１部材と、前記溝を封止する第２部材とを設け、前記ＩＲカット膜と前記第２部材とを接合する接合層をさらに設けることができる。
　本技術の第４の側面の電子機器は、撮像素子と、前記撮像素子を保護する透明な保護部材と、前記保護部材の内部に配置されているＩＲカット膜とを備える半導体チップと、前記撮像素子からの信号を処理する信号処理回路とを備える。
　本技術の第５の側面の半導体チップは、撮像素子と、前記撮像素子の受光面側に塗布され、前記撮像素子を保護する透明な樹脂膜とを備える。
　前記樹脂膜の厚さを２００μｍ未満にすることができる。
　前記樹脂膜の上にＩＲカット膜を配置することができる。
　前記ＩＲカット膜の上に反射防止膜を配置することができる。
　前記反射防止膜に、さらに前記樹脂膜及び前記ＩＲカット膜の側面を囲ませることができる。
　前記樹脂膜の表面に回折格子を形成することができる。
　前記回折格子は、スリット状の遮光膜を設けることができる。
　前記撮像素子のオンチップレンズの上に、前記オンチップレンズの材質より屈折率が小さい透明な膜を配置することができる。
　本技術の第６の側面の電子機器は、撮像素子と、前記撮像素子の受光面側に塗布され、前記撮像素子を保護する透明な樹脂膜とを備える半導体チップと、前記撮像素子からの信号を処理する信号処理回路とを備える。
　本技術の第１又は第２の側面においては、ＩＲカット膜が、撮像素子、保護部材、及び、保護膜により囲まれる。
　本技術の第３又は第４の側面においては、ＩＲカット膜が、保護部材により囲まれる。
　本技術の第５又は第６の側面においては、撮像素子の受光面が保護膜により保護される。
　本技術の第１乃至第４の側面によれば、撮像素子を備える半導体チップの光学特性の劣化を抑制することができる。
　本技術の第５又は第６の側面によれば、半導体チップの小型化を実現することができる。
　なお、本明細書に記載された効果は、あくまで例示であり、本技術の効果は、本明細書に記載された効果に限定されるものではなく、付加的な効果があってもよい。
本技術の第１の実施の形態に係る半導体チップの構成例を模式的に示す断面図である。 図１の半導体チップの製造方法を説明するための図である。 図１の半導体チップの製造方法を説明するための図である。 図１の半導体チップの第１の変形例を模式的に示す断面図である。 図１の半導体チップの第２の変形例を模式的に示す断面図である。 図１の半導体チップの第３の変形例を模式的に示す断面図である。 図１の半導体チップの第４の変形例を模式的に示す断面図である。 図１の半導体チップの第５の変形例を模式的に示す断面図である。 図１の半導体チップの第６の変形例を模式的に示す断面図である。 本技術の第２の実施の形態に係る半導体チップの構成例を模式的に示す断面図である。 図１０の半導体チップの製造方法を説明するための図である。 図１０の半導体チップの製造方法を説明するための図である。 図１０の半導体チップの製造方法を説明するための図である。 図１０の半導体チップの第１の変形例を模式的に示す断面図である。 図１４の半導体チップの製造方法を説明するための図である。 図１０の半導体チップの第２の変形例を模式的に示す断面図である。 図１０の半導体チップの第３の変形例を模式的に示す断面図である。 図１７の半導体チップの製造方法を説明するための図である。 図１０の半導体チップの第４の変形例を模式的に示す断面図である。 図１０の半導体チップの第５の変形例を模式的に示す断面図である。 図１０の半導体チップの第６の変形例を模式的に示す断面図である。 図１０の半導体チップの第７の変形例を模式的に示す断面図である。 本技術を適用した撮像装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。 イメージセンサの使用例を示す図である。
　以下、本技術を実施するための形態（以下実施の形態とする）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
　１．第１の実施の形態
　２．第１の実施の形態の変形例
　３．第２の実施の形態
　４．第２の実施の形態の変形例
　５．適用例
＜１．第１の実施の形態＞
｛半導体チップの構成例｝
　図１は、本技術の第１の実施の形態に係る半導体チップ１０ａの構成例を模式的に示す断面図である。
　なお、以下、半導体チップ１０ａの光が入射する側を半導体チップ１０ａの上側とし、光が入射する側と反対側を半導体チップ１０ａの下側とする。また、以下、イメージセンサ１１の光が入射する側の面を受光面と称し、受光面と反対側の面を底面と称する。これは、後述する他の半導体チップについても同様である。
　半導体チップ１０ａは、ＣＳＰ（Chip Size Package）構造の半導体チップであり、イメージセンサ１１、ＩＲカット膜１２、接合層１３、ガラス１４が、下から順に積層されている。
　イメージセンサ１１の種類は特に限定されない。例えば、イメージセンサ１１は、表面照射型でも裏面照射型でもよい。また、例えば、イメージセンサ１１は、ＣＭＯＳイメージセンサ、ＣＣＤイメージセンサ、又は、他の方式のイメージセンサのいずれでもよい。
　ＩＲカット膜１２は、例えば、銅錯体等の金属錯体材料でできた塗布型のＩＲカットフィルタからなる。ＩＲカット膜１２は、入射光に含まれる赤外光成分を低減し、イメージセンサ１１への赤外光の入射を抑制する。
　ガラス１４は、イメージセンサ１１を保護するために設けられる。
　ＩＲカット膜１２とガラス１４は、接合層１３を介して接合される。接合層１３は、例えば、透明なシール樹脂や接着剤からなる。
　ここで、イメージセンサ１１、ＩＲカット膜１２、及び、接合層１３の面積が、ガラス１４より少し小さく、イメージセンサ１１、ＩＲカット膜１２、及び、接合層１３の側面が、ガラス１４の側面より内側に配置されている。そして、イメージセンサ１１、ＩＲカット膜１２、及び、接合層１３の側面が、保護膜１５により覆われ、ガラス１４の側面と保護膜１５の外面の位置が、ほぼ一致する。保護膜１５は、例えば、ＳｉＮ（シリコンナイトライド）、ＳｉＯＮ（シリコン酸窒化膜）、又は、アルミニウム、チタン等のメタルからなる。
　半導体チップ１０ａを基板等にはんだ付けされる面であるイメージセンサ１１の底面には、複数のはんだボール１６が設けられている。はんだボール１６には、例えば、一般的な鉛とスズの合金が用いられる。
｛半導体チップ１０ａの製造方法｝
　次に、図２及び図３を参照して、半導体チップ１０ａの製造方法について簡単に説明する。
　まず、工程１において、ＩＲカット膜１２がイメージセンサ１１の受光面側に積層される。ＩＲカット膜１２は、例えば、スピンコート法を用いてイメージセンサ１１の上面にＩＲカットフィルタを塗布し、成膜することにより形成される。そして、約１５０℃の熱でＩＲカット膜１２がキュアされる。
　ここで、ＩＲカット膜１２は塗布膜なので、パーティクルのコントロールが可能であり、その結果歩留まりが向上する。また、ＩＲカット膜１２をガラス１４上に成膜しないので、傷除去の研磨が可能である。さらに、ＩＲカット膜１２をガラス１４上に成膜しないのでガラス１４を最終工程で研磨して薄くすることにより、半導体チップ１０ａの低背化が可能である。
　工程２において、ＩＲカット膜１２とガラス１４が接合される。例えば、スピンコート法を用いてＩＲカット膜１２の上面にシール樹脂を塗布し、成膜することにより、接合層１３が形成される。次に、接合層１３の上面にガラス１４が貼り合わされた後、接合層１３がキュアされ、ＩＲカット膜１２とガラス１４が接合される。
　工程３において、イメージセンサ１１のシリコン基板（不図示）が薄化され、さらに図示せぬＲＤＬ（再配線層）が形成される。
　工程４において、保護膜１５を形成するための溝３１が形成される。例えば、ドライエッチング法を用いて、イメージセンサ１１のスクライブラインに沿って、イメージセンサ１１、ＩＲカット膜１２、及び、接合層１３の外周部に溝３１が形成される。なお、ドライエッチング法の代わりに、ダイサーやレーザを用いて溝３１を形成するようにしてもよい。
　工程５において、保護膜１５が形成される。例えば、プラズマナイトライド（Ｐ－ＳｉＮ）を用いて、溝３１内にナイトライド膜を堆積させることにより、保護膜１５が形成される。形成された保護膜１５は、エッチバックにより表面が平坦化される。
　工程６において、イメージセンサ１１の底面にはんだボール１６が形成され、半導体チップ１０ａの製造工程が終了する。
　以上のように、半導体チップ１０ａでは、ＩＲカット膜１２が、イメージセンサ１１、ガラス１４、及び、保護膜１５により囲まれた領域内に配置されている。従って、ＩＲカット膜１２の周辺への外気の侵入が防止され、ＩＲカット膜１２が酸化し、半導体チップ１０ａの光学特性が劣化するのが防止される。
　なお、保護膜１５は、必ずしもイメージセンサ１１の側面全体を覆う必要はなく、例えば、イメージセンサ１１の側面の上部のみを覆うようにしてもよい。
＜２．第１の実施の形態の変形例＞
｛第１の変形例｝
　図４は、第１の実施の形態に係る半導体チップの第１の変形例である半導体チップ１０ｂの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ１０ｂは、図１の半導体チップ１０ａと比較して、ＩＲカット膜１２の部分が、短ＩＲカット膜５１及び長ＩＲカット膜５２の２層構造になっている点が異なる。
　短ＩＲカット膜５１と長ＩＲカット膜５２は、赤外光を遮光する波長帯域（遮光帯域）が異なる。短ＩＲカット膜５１の遮光帯域は、長ＩＲカット膜５２より波長が短い帯域をカバーし、長ＩＲカット膜５２の遮光帯域は、短ＩＲカット膜５１より波長が長い帯域をカバーする。なお、短ＩＲカット膜５１の遮光帯域と長ＩＲカット膜５２の遮光帯域が一部重なっていてもよい。
　このように、遮光帯域が異なるＩＲカット膜を積層し、遮光する波長帯域を分けることにより、遮光性能が向上する。
　なお、例えば、ＩＲカット膜を３層以上積層し、さらに遮光帯域を分けるようにしてもよい。
｛第２の変形例｝
　図５は、第１の実施の形態に係る半導体チップの第２の変形例である半導体チップ１０ｃの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ１０ｃは、図４の半導体チップ１０ｂと比較して、はんだボール１６の代わりにはんだボール６１が形成されている点が異なる。
　はんだボール６１には、例えば、ＳｎＢｉ、ＳｎＢｉＡｇ、ＳｎＩｎ、Ｉｎ等の低融点（例えば、１５０℃以下）の金属性のはんだが用いられる。
　短ＩＲカット膜５１及び長ＩＲカット膜５２は、一般的に熱に弱く、リフロー工程における熱に耐えられない可能性がある。一方、はんだボール６１を用いることにより、一般的な鉛とスズの合金からなるはんだボール１６を用いた場合と比較して、リフロー工程の温度を下げることができる。その結果、リフロー工程において、短ＩＲカット膜５１及び長ＩＲカット膜５２が損傷することが防止される。
｛第３の変形例｝
　図６は、第１の実施の形態に係る半導体チップの第３の変形例である半導体チップ１０ｄの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ１０ｄは、図４の半導体チップ１０ａと比較して、ガラス１４の上面と下面に反射型ＩＲカット膜１０１及び１０２が形成されている点が異なる。
　反射型ＩＲカット膜１０１及び１０２は、例えば、無機膜が積層された反射型のＩＲカットフィルタからなる。反射型ＩＲカット膜１０１及び１０２は、例えば、ＩＲカット膜１２のみでは、所望の光学特性を満足できない場合に設けられる。
　なお、例えば、反射型ＩＲカット膜１０１及び１０２の一方のみを設けるようにしてもよい。
｛第４の変形例｝
　図７は、第１の実施の形態に係る半導体チップの第４の変形例である半導体チップ１０ｅの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ１０ｅは、図１の半導体チップ１０ａと比較して、ＩＲカット膜１２及び接合層１３の代わりに、接着型ＩＲカット膜１２１が形成されている点が異なる。
　接着型ＩＲカット膜１２１は、例えば、接着性を有するＩＲカットフィルタからなり、赤外光の遮光を行うとともに、イメージセンサ１１とガラス１４を接合する機能も有する。接着型ＩＲカット膜１２１には、例えば、ＩＲカットフィルタに用いられる銅錯体等の金属錯体材料とシール樹脂に用いられる材料とを混ぜた材料が用いられる。
　このように、ＩＲカット膜１２及び接合層１３の２層構造の代わりに、接着型ＩＲカット膜１２１の１層構造とすることにより、半導体チップ１０ｅを薄型化することができる。
｛第５の変形例｝
　図８は、第１の実施の形態に係る半導体チップの第５の変形例である半導体チップ１０ｆの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ１０ｆは、図１の半導体チップ１０ａと比較して、イメージセンサ１１及び保護膜１５の代わりに、イメージセンサ１４１及び保護膜１４２が設けられている点が異なる。
　イメージセンサ１４１は、半導体チップ１０ａのイメージセンサ１１と比較して面積が異なる。具体的には、イメージセンサ１４１の面積は、ガラス１４の面積とほぼ一致する。
　保護膜１４２は、リブ構造を有している。具体的には、保護膜１４２は、イメージセンサ１４１の受光面において、イメージセンサ１４１の外周に沿って、ＩＲカット膜１２及び接合層１３の側面を覆うように形成されている。
　このように、半導体チップ１０ｆでは、ＩＲカット膜１２が、イメージセンサ１１、ガラス１４、及び、保護膜１４２により囲まれた領域内に配置されている。従って、ＩＲカット膜１２の周辺に外気が侵入することにより、ＩＲカット膜１２が酸化し、半導体チップ１０ｆの光学特性が劣化するのが防止される。
｛第６の変形例｝
　図９は、第１の実施の形態に係る半導体チップの第６の変形例である半導体チップ１０ｇの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ１０ｇは、図８の半導体チップ１０ｆと比較して、ＩＲカット膜１２、接合層１３、ガラス１４、及び、保護膜１４２の代わりに、接合層２０１、保護部材２０２、ＩＲカット膜２０３、及び、接合層２０４が設けられている点が異なる。保護部材２０２は、透明なガラス２０２ａ及びガラス２０２ｂを備える。
　イメージセンサ１４１とガラス２０２ａとは、接合層２０１を介して接合されている。接合層２０１には、例えば、図１の接合層１３と同様の材料が用いられる。
　ガラス２０２ａのイメージセンサ１４１の受光面側と反対側の上面には、周囲がガラス２０２ａの側面で囲まれた平面状の溝が形成されている。そして、その溝の中に、ＩＲカット膜２０３及び接合層２０４が積層されている。ＩＲカット膜２０３には、例えば、図１のＩＲカット膜１２と同様の材料が用いられる。また、ＩＲカット膜２０３は、例えば、塗布又はコーティングにより溝の中に形成される。接合層２０４には、例えば、接合層２０１と同様の材料が用いられる。
　そして、ガラス２０２ａの溝がガラス２０２ｂにより封止される。また、接合層２０４により、ＩＲカット膜２０３とガラス２０２ｂが接合され、ガラス２０２ｂの位置が固定される。
　このように、半導体チップ１０ｇでは、ＩＲカット膜２０３が、ガラス２０２ａ及びガラス２０２ｂからなる保護部材２０２の内部に配置されている。従って、ＩＲカット膜２０３の周辺に外気が侵入することにより、ＩＲカット膜１２が酸化し、半導体チップ１０ｆの光学特性が劣化するのが防止される。
｛その他の変形例｝
　以上の実施の形態及び変形例は、可能な範囲で組み合わせることが可能である。
　例えば、半導体チップ１０ａ、半導体チップ１０ｄ、半導体チップ１０ｅ、半導体チップ１０ｆ、及び、半導体チップ１０ｇにおいて、はんだボール１６の代わりにはんだボール６１を用いるようにしてもよい。
　また、例えば、半導体チップ１０ｄ、半導体チップ１０ｆ、及び、半導体チップ１０ｇにおいて、短ＩＲカット膜及び長ＩＲカット膜の２層構造にしてもよい。
　さらに、ガラス１４、ガラス２０２ａ、ガラス２０２ｂの代わりに、ガラス以外の透明な材料からなる保護部材を用いるようにしてもよい。例えば、透明な樹脂、耐熱性のある透明なプラスチック等の材料を用いるようにしてもよい。
＜３．第２の実施の形態＞
｛半導体チップの構成例｝
　図１０は、本技術の第２の実施の形態に係る半導体チップ３００ａの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ３００ａでは、イメージセンサ３０１のオンチップレンズ３０１Ａ及びカラーフィルタ３０１Ｂが形成されている受光面側に透明樹脂膜３０６が積層され、底面側に半導体基板３０２が積層されている。また、半導体基板３０２を貫通するようにＲＤＬ（再配線層）３０４ａ及び３０４ｂが形成されている。ＲＤＬ３０４ａ及びＲＤＬ３０４ｂの下面の一部は、ソルダレジスト３０４により覆われ、ソルダレジスト３０４で覆われていない部分に、はんだボール３０５ａ及び３０５ｂが形成されている。そして、イメージセンサ３０１は、はんだボール３０５ａ及び３０５ｂ、並びに、ＲＤＬ３０４ａ及びＲＤＬ３０４ｂを介して、外部の基板等と電気的に接続される。
　イメージセンサ３０１は、図１の半導体チップ１０ａのイメージセンサ１１と同様に種類は特に限定されない。オンチップレンズ３０１Ａには、例えば、ＳｉＮ膜等の無機膜が用いられる。
　ソルダレジスト３０４には、例えば、樹脂材料が用いられる。
　はんだボール３０５ａ及び３０５ｂには、例えば、図１の半導体チップ１０ａのはんだボール１６、又は、図５の半導体チップ１０ｃのはんだボール６１と同様の材料が用いられる。
　透明樹脂膜３０６には、例えば、透明なアクリル系の樹脂が用いられ、透明樹脂膜３０６は、イメージセンサ１１を保護するために設けられる。
｛半導体チップ３００ａの製造方法｝
　次に、図１１乃至図１３を参照して、半導体チップ３００ａの製造方法について説明する。なお、図１１乃至図１３では、複数の半導体チップ３００ａが配列されたウエハのうち１つの半導体チップ３００ａの部分のみを抜き出して図示している。
　まず、工程１において、イメージセンサ３０１が製造される。
　工程２において、イメージセンサ３０１の受光面の外周に沿って、オンチップレンズ３０１Ａ及びカラーフィルタ３０１Ｂが形成されている部分の周囲を囲むように、仮接合樹脂４０１が形成される。そして、ガラス基板４０２が、仮接合樹脂４０１を介して、イメージセンサ３０１の受光面に接合される。このガラス基板４０２により、イメージセンサ３０１の受光面が保護される。
　工程３において、イメージセンサ３０１の底面に、半導体基板３０２が接合される。次に、半導体基板３０２に貫通孔が形成され、貫通孔を介してＲＤＬ３０３ａ及び３０３ｂが形成される。次に、はんだボール３０５ａ及び３０５ｂが形成される部分を除いて、ＲＤＬ３０３ａ及び３０３ｂの下面を覆うようにソルダレジスト３０４が形成される。次に、ＲＤＬ３０３ａ及び３０３ｂのソルダレジスト３０４で覆われていない部分に、はんだボール３０５ａ及び３０５ｂが形成される。
　工程４において、ソルダレジスト３０４、並びに、はんだボール３０５ａ及び３０５ｂの表面に、ラミネートテープ３５３が貼り合わされる。ラミネートテープ３５３の厚さは、例えば、４００μｍから５００μｍ程度とされる。このラミネートテープ４０３により、ウエハの下面が平坦化されるとともに、ウエハの厚みが増す。
　工程５において、仮接合樹脂４０１及びガラス基板４０２が剥離される。ここで、ラミネートテープ４０３によりウエハの厚み及び強度が確保されるため、仮接合樹脂４０１及びガラス基板４０２が剥離されても、ウエハの歪みや撓みの発生が防止される。
　工程６において、イメージセンサ３０１の受光面に透明樹脂膜３０６が形成される。例えば、スピンコート法を用いてイメージセンサ３０１の受光面にアクリル系の樹脂を塗布し、成膜することにより、透明樹脂膜３０６が形成される。透明樹脂膜３０６の厚みは、例えば、２００μｍ未満とされ、より望ましくは１５０μｍ以下とされる。より具体的には、透明樹脂膜３０６の厚みは、例えば、約５０μｍから１５０μｍの範囲内とされる。
　工程７において、ラミネートテープ４０３を剥離した後、ウエハを個片化することにより、半導体チップ３００ａが完成する。なお、出荷形態等に応じて、ウエハを個片化した後に、ラミネートテープ４０３を剥離するようにしてもよい。
　なお、以上の工程を、例えば１つの製造者が行うようにしてもよいし、複数の製造者が分担して行うようにしてもよい。例えば、工程６までの工程と工程７とを別の製造者が行うようにしてもよい。
　以上のように、イメージセンサ３０１の保護用に塗布型の透明樹脂膜３０６を用いることにより、ガラスを用いた場合と比べて、半導体チップ３００ａを薄くし、小型化することができる。
　また、透明樹脂膜３０６を薄くすることによって、透明樹脂膜３０６が、人の視感度である４００乃至７００ｎｍ以外の波長域の光信号に対してノイズ成分となることを防止することができる。
＜４．第２の実施の形態の変形例＞
｛第１の変形例｝
　図１４は、第２の実施の形態に係る半導体チップの第１の変形例である半導体チップ３００ｂの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ３００ｂを、図１０の半導体チップ３００ａと比較すると、透明樹脂膜３０６の上にＩＲカット膜３０７が積層されている点が異なる。
　ＩＲカット膜３０７には、例えば、図１の半導体チップ１０ａのＩＲカット膜１２と同様の材料が用いられる。また、ＩＲカット膜３０７の厚みは、例えば、１００μｍ以下とされる。
　次に、図１５を参照して、半導体チップ３００ｂの製造方法について説明する。
　例えば、図１３の工程７でラミネートテープ４０３が剥離された後、工程８において、スピンコート法を用いて、ＩＲカットフィルタを透明樹脂膜３０６の表面に塗布し、成膜することにより、ＩＲカット膜３０７が形成される。なお、オンチップレンズ３０１Ａ及びカラーフィルタ３０１Ｂ等の耐熱性を考慮して、２００℃未満のキュアプロセスにより、ＩＲカット膜３０７を成膜することが望ましい。そして、ウエハを個片化することにより、半導体チップ３００ｂが完成する。
　なお、図１３の工程６の後、ラミネートテープ４０３の剥離前に、ＩＲカット膜３０７を形成するようにしてもよい。
　以上のように、透明樹脂膜３０６とＩＲカット膜３０７を連続形成することにより、半導体チップ３００ｂを小型化するとともに、光学特性を向上させることができる。
｛第２の変形例｝
　図１６は、第２の実施の形態に係る半導体チップの第２の変形例である半導体チップ３００ｃの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ３００ｃを、図１４の半導体チップ３００ｂと比較すると、ＩＲカット膜３０７の上に反射防止膜３０８が積層されている点が異なる。
　反射防止膜３０８には、例えば、ＳｉＯ２膜、ＳｉＯＮ膜、又は、窒化膜が用いられる。また、反射防止膜３０８の厚みは、例えば、０．１μｍ以下とされる。
　反射防止膜３０８は、例えば、上述した図１５の工程８でＩＲカット膜３０７が形成された後、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法又はスピンコート法を用いて成膜される。
　このように、半導体チップ３００ｃでは、反射防止膜３０８を設けることにより、さらに光学特性を向上させることができる。
｛第３の変形例｝
　図１７は、第２の実施の形態に係る半導体チップの第３の変形例である半導体チップ３００ｄの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ３００ｄは、図１６の半導体チップ３００ｃと比較して、反射防止膜３０８の代わりに、反射防止膜３０９が形成されている点が異なる。
　反射防止膜３０９は、ＩＲカット膜３０７の上面だけでなく、透明樹脂膜３０６及びＩＲカット膜３０７の側面を全て覆い、イメージセンサ３０１の側面の上部を覆っている。また、反射防止膜３０９の厚みは、例えば、０．１μｍ以下とされる。
　この反射防止膜３０９は、保護膜の機能も有し、イメージセンサ３０１の受光面及びＩＲカット膜３０７周辺への水分及び外気の侵入を防止する。これにより、水分や酸化等によるイメージセンサ３０１及びＩＲカット膜３０７の劣化が抑制され、半導体チップ３００ｄの信頼性が向上する。
　次に、図１８を参照して、半導体チップ３００ｄの製造方法について説明する。
　例えば、図１３の工程８の後、工程９において、ウエハが個片化される。
　工程１０において、反射防止膜３０９が形成される。反射防止膜３０９の形成方法は、特に限定されるものではない。
｛第４の変形例｝
　図１９は、第２の実施の形態に係る半導体チップの第４の変形例である半導体チップ３００ｅの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ３００ｅは、図１０の半導体チップ３００ａと比較して、透明樹脂膜３０６の上面に回折格子が形成されている点が異なる。具体的には、透明樹脂膜３０６の上面に、断面が逆三角形の溝を所定の間隔で周期的に形成することにより、回折格子が形成されている。
　この回折格子は、例えば、図１３の工程６又は工程７の後に、インプリント法により形成される。
　これにより、透明樹脂膜３０６を偏光フィルタとして機能させることができる。
｛第５の変形例｝
　図２０は、第２の実施の形態に係る半導体チップの第５の変形例である半導体チップ３００ｆの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ３００ｆは、図１９の半導体チップ３００ｅと比較して、透明樹脂膜３０６の上面に、スリット状の遮光膜３１０が形成されている点が異なる。遮光膜３１０は、透明樹脂膜３０６の回折格子を形成する溝にメタル等を埋め込むことにより形成される。また、遮光膜３１０の材料は、光を遮断するものであればよい。例えば、遮光膜３１０には、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ等のメタル材料、又は、それらの窒化膜が用いられる。
　ここで、遮光膜３１０の製造方法の例について説明する。
　例えば、図１９に示される透明樹脂膜３０６の上面に回折格子が形成された後、例えば、スパッタ法を用いて、メタル等（例えば、Ａｌ）からなる遮光膜３１０が透明樹脂膜３０６の上面に形成される。次に、例えば、エッチバック法を用いて、遮光膜３１０の全面を透明樹脂膜３０６の溝と溝の間の上端が露出するまで削ることにより、スリット状の遮光膜３１０が形成される。
　この遮光膜３１０により、半導体チップ３００ｅの偏光フィルタの機能が強化される。
｛第６の変形例｝
　図２１は、第２の実施の形態に係る半導体チップの第６の変形例である半導体チップ３００ｇの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ３００ｇは、図２０の半導体チップ３００ｆと比較して、図１７の半導体チップ３００ｄと同様に、透明樹脂膜３０６の上にＩＲカット膜３０７及び反射防止膜３０９が形成されている点が異なる。換言すれば、半導体チップ３００ｇは、半導体チップ３００ｄと比較して、透明樹脂膜３０６の上面にスリット状の遮光膜３１０が形成されている点が異なる。
　ＩＲカット膜３０７及び反射防止膜３０９により、上述した図１６の半導体チップ３００ｃ及び図１７の半導体チップ３００ｄと同様に、半導体チップ３００ｆの光学特性及び信頼性が向上する。
｛第７の変形例｝
　図２２は、第２の実施の形態に係る半導体チップの第７の変形例である半導体チップ３００ｈの構成例を模式的に示す断面図である。
　半導体チップ３００ｈは、図１０の半導体チップ３００ａと比較して、オンチップレンズ３０１Ａの上に低屈折膜３１１が形成されている点が異なる。
　低屈折膜３１１は、オンチップレンズ３０１Ａより屈折率が小さい透明な樹脂膜からなる。低屈折膜３１１は、入射光をオンチップレンズ３０１Ａの各マイクロレンズに集光させる作用があり、その結果、イメージセンサ３０１の感度が向上する。
　低屈折膜３１１は、例えば、図１２の工程５と図１３の工程６との間において、透明樹脂膜３０６が形成される前に形成される。
｛その他の変形例｝
　以上の実施の形態及び変形例は、可能な範囲で組み合わせることが可能である。
　例えば、半導体チップ３００ｇにおいて、反射防止膜３０９の代わりに、半導体チップ３００ｃの反射防止膜３０８を用いたり、反射防止膜を削除したりすることが可能である。
　また、例えば、半導体チップ３００ｂ乃至３００ｇにおいて、半導体チップ３００ｈの低屈折膜３１１を設けるようにしてもよい。
＜５．適用例＞
｛電子機器への適用例｝
　なお、上述した各実施の形態の半導体チップは、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、又は、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
　図２３は、電子機器に搭載される撮像装置の構成例を示すブロック図である。
　図２３に示すように、撮像装置５００は、光学系５０１、撮像素子５０２、信号処理回路５０３、モニタ５０４、及び、メモリ５０５を備え、静止画像及び動画像を撮像可能である。
　光学系５０１は、１枚又は複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの像光（入射光）を撮像素子５０２に導き、撮像素子５０２の受光面（センサ部）に結像させる。
　撮像素子５０２としては、上述した各実施の形態の半導体チップが適用される。撮像素子５０２には、光学系５０１を介して受光面に結像される像に応じて、一定期間、電子が蓄積される。そして、撮像素子５０２に蓄積された電子に応じた信号が信号処理回路５０３に供給される。
　信号処理回路５０３は、撮像素子５０２から出力された信号に対して各種の信号処理を施す。信号処理回路５０３が信号処理を施すことにより得られた画像（画像データ）は、モニタ５０４に供給されて表示されたり、メモリ５０５に供給されて記憶（記録）されたりする。
　このように構成されている撮像装置５００では、上述した各実施の形態の半導体チップを適用することで、撮像装置５００の画質や信頼性を向上させたり、撮像装置５００を小型化したりすることができる。
｛イメージセンサの使用例｝
　図２４は、上述の半導体チップに搭載されたイメージセンサを使用する使用例を示す図である。
　上述したイメージセンサは、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
　・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
　・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
　・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
　・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
　・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
　・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
　・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
　・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
　なお、本明細書において、システムとは、複数の構成要素（装置、モジュール（部品）等）の集合を意味し、すべての構成要素が同一筐体中にあるか否かは問わない。したがって、別個の筐体に収納され、ネットワークを介して接続されている複数の装置、及び、１つの筐体の中に複数のモジュールが収納されている１つの装置は、いずれも、システムである。
　また、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
　さらに、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、他の効果があってもよい。
　また、例えば、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
　撮像素子と、
　前記撮像素子を保護する透明な保護部材と、
　前記撮像素子の受光面と前記保護部材との間に配置されているＩＲカット膜と、
　前記ＩＲカット膜と前記保護部材とを接合する接合層と、
　前記ＩＲカット膜及び前記接合層の側面を覆う保護膜と
　を備える半導体チップ。
（２）
　前記保護膜は、さらに前記撮像素子の側面の少なくとも一部を覆う
　前記（１）に記載の半導体チップ。
（３）
　前記ＩＲカット膜と前記接合層は、接着性を有する接着型ＩＲカット膜からなり、
　前記撮像素子と前記保護部材とが前記接着型ＩＲカット膜を介して接合されている
　前記（１）又は（２）に記載の半導体チップ。
（４）
　前記ＩＲカット膜においては、遮光する波長帯域が異なる複数の膜が積層されている
　前記（１）又は（２）に記載の半導体チップ。
（５）
　前記半導体チップのはんだ付けされる面に、融点が１５０度以下の金属製のはんだが設けられている
　前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の半導体チップ。
（６）
　前記保護部材の少なくとも一方の面に、反射型のＩＲカット膜が形成されている
　前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の半導体チップ。
（７）
　前記ＩＲカット膜は、塗布型である
　前記（１）乃至（６）のいずれかに記載の半導体チップ。
（８）
　　撮像素子と、
　　前記撮像素子を保護する透明な保護部材と、
　　前記撮像素子の受光面と前記保護部材との間に配置されているＩＲカット膜と、
　　前記ＩＲカット膜と前記保護部材とを接合する接合層と、
　　前記ＩＲカット膜及び前記接合層の側面を覆う保護膜と
　を備える半導体チップと、
　前記撮像素子からの信号を処理する信号処理回路と
　を備える電子機器。
（９）
　撮像素子と、
　前記撮像素子を保護する透明な保護部材と、
　前記保護部材の内部に配置されているＩＲカット膜と
　を備える半導体チップ。
（１０）
　前記保護部材は、
　　前記ＩＲカット膜が配置される平面状の溝が、前記撮像素子の受光面側と反対側の面に形成されている第１部材と、
　　前記溝を封止する第２部材と
　を備え、
　前記ＩＲカット膜と前記第２部材とを接合する接合層を
　さらに備える前記（９）に記載の半導体チップ。
（１１）
　　撮像素子と、
　　前記撮像素子を保護する透明な保護部材と、
　　前記保護部材の内部に配置されているＩＲカット膜と
　を備える半導体チップと、
　前記撮像素子からの信号を処理する信号処理回路と
　を備える電子機器。
（１２）
　撮像素子と、
　前記撮像素子の受光面側に塗布され、前記撮像素子を保護する透明な樹脂膜と
　を備える半導体チップ。
（１３）
　前記樹脂膜の厚さは２００μｍ未満である
　前記（１２）に記載の半導体チップ。
（１４）
　前記樹脂膜の上にＩＲカット膜が配置されている
　前記（１２）又は（１３）に記載の半導体チップ。
（１５）
　前記ＩＲカット膜の上に反射防止膜が配置されている
　前記（１４）に記載の半導体チップ。
（１６）
　前記反射防止膜が、さらに前記樹脂膜及び前記ＩＲカット膜の側面を囲んでいる
　前記（１５）に記載の半導体チップ。
（１７）
　前記樹脂膜の表面に回折格子が形成されている
　前記（１２）乃至（１６）のいずれかに記載の半導体チップ。
（１８）
　前記回折格子は、スリット状の遮光膜を備える
　前記（１７）に記載の半導体チップ。
（１９）
　前記撮像素子のオンチップレンズの上に、前記オンチップレンズの材質より屈折率が小さい透明な膜が配置されている
　前記（１２）乃至（１８）のいずれかに記載の半導体チップ。
（２０）
　　撮像素子と、
　　前記撮像素子の受光面側に塗布され、前記撮像素子を保護する透明な樹脂膜と
　を備える半導体チップと、
　前記撮像素子からの信号を処理する信号処理回路と
　を備える電子機器。
　１０ａ乃至１０ｇ　半導体チップ，　１１　イメージセンサ，　１２　ＩＲカット膜，　１３　接合層,　１４　ガラス，　１５　保護膜，　１６　はんだボール，　５１　短ＩＲカット膜，　５２　長ＩＲカット膜，　６１　はんだボール，　１０１，１０２　反射型ＩＲカット膜，　１２１　接着型ＩＲカット膜,　１４１　イメージセンサ，　１４２　保護膜，　２０２　保護部材，　２０２ａ，２０２ｂ　ガラス，　２０３　ＩＲカット膜，　２０４　接合層，　３００ａ乃至３００ｈ　半導体チップ,　３０１　イメージセンサ，　３０１Ａ　オンチップレンズ，　３０１Ｂ　カラーフィルタ，　３０６　透明樹脂膜，　３０７　ＩＲカット膜,　３０８，３０９　反射防止膜,　３１０　遮光膜，　４０１　仮接合樹脂,　４０２　ガラス基板，　４０３　ラミネートテープ，　５００　撮像装置，　５０２　撮像素子，　５０３　信号処理回路

Claims (20)

  1. 　撮像素子と、
    　前記撮像素子を保護する透明な保護部材と、
    　前記撮像素子の受光面と前記保護部材との間に配置されているＩＲカット膜と、
    　前記ＩＲカット膜と前記保護部材とを接合する接合層と、
    　前記ＩＲカット膜及び前記接合層の側面を覆う保護膜と
    　を備える半導体チップ。
  2. 　前記保護膜は、さらに前記撮像素子の側面の少なくとも一部を覆う
    　請求項１に記載の半導体チップ。
  3. 　前記ＩＲカット膜と前記接合層は、接着性を有する接着型ＩＲカット膜からなり、
    　前記撮像素子と前記保護部材とが前記接着型ＩＲカット膜を介して接合されている
    　請求項１に記載の半導体チップ。
  4. 　前記ＩＲカット膜においては、遮光する波長帯域が異なる複数の膜が積層されている
    　請求項１に記載の半導体チップ。
  5. 　前記半導体チップのはんだ付けされる面に、融点が１５０度以下の金属製のはんだが設けられている
    　請求項１に記載の半導体チップ。
  6. 　前記保護部材の少なくとも一方の面に、反射型のＩＲカット膜が形成されている
    　請求項１に記載の半導体チップ。
  7. 　前記ＩＲカット膜は、塗布型である
    　請求項１に記載の半導体チップ。
  8. 　　撮像素子と、
    　　前記撮像素子を保護する透明な保護部材と、
    　　前記撮像素子の受光面と前記保護部材との間に配置されているＩＲカット膜と、
    　　前記ＩＲカット膜と前記保護部材とを接合する接合層と、
    　　前記ＩＲカット膜及び前記接合層の側面を覆う保護膜と
    　を備える半導体チップと、
    　前記撮像素子からの信号を処理する信号処理回路と
    　を備える電子機器。
  9. 　撮像素子と、
    　前記撮像素子を保護する透明な保護部材と、
    　前記保護部材の内部に配置されているＩＲカット膜と
    　を備える半導体チップ。
  10. 　前記保護部材は、
    　　前記ＩＲカット膜が配置される平面状の溝が、前記撮像素子の受光面側と反対側の面に形成されている第１部材と、
    　　前記溝を封止する第２部材と
    　を備え、
    　前記ＩＲカット膜と前記第２部材とを接合する接合層を
    　さらに備える請求項９に記載の半導体チップ。
  11. 　　撮像素子と、
    　　前記撮像素子を保護する透明な保護部材と、
    　　前記保護部材の内部に配置されているＩＲカット膜と
    　を備える半導体チップと、
    　前記撮像素子からの信号を処理する信号処理回路と
    　を備える電子機器。
  12. 　撮像素子と、
    　前記撮像素子の受光面側に塗布され、前記撮像素子を保護する透明な樹脂膜と
    　を備える半導体チップ。
  13. 　前記樹脂膜の厚さは２００μｍ未満である
    　請求項１２に記載の半導体チップ。
  14. 　前記樹脂膜の上にＩＲカット膜が配置されている
    　請求項１２に記載の半導体チップ。
  15. 　前記ＩＲカット膜の上に反射防止膜が配置されている
    　請求項１４に記載の半導体チップ。
  16. 　前記反射防止膜が、さらに前記樹脂膜及び前記ＩＲカット膜の側面を囲んでいる
    　請求項１５に記載の半導体チップ。
  17. 　前記樹脂膜の表面に回折格子が形成されている
    　請求項１２に記載の半導体チップ。
  18. 　前記回折格子は、スリット状の遮光膜を備える
    　請求項１７に記載の半導体チップ。
  19. 　前記撮像素子のオンチップレンズの上に、前記オンチップレンズの材質より屈折率が小さい透明な膜が配置されている
    　請求項１２に記載の半導体チップ。
  20. 　　撮像素子と、
    　　前記撮像素子の受光面側に塗布され、前記撮像素子を保護する透明な樹脂膜と
    　を備える半導体チップと、
    　前記撮像素子からの信号を処理する信号処理回路と
    　を備える電子機器。
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