WO2020121372A1 - 撮像装置の製造方法および撮像装置 - Google Patents

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Abstract

撮像装置9の製造方法は、撮像部30およびスペーサ40を作製する作製工程S10と、撮像部30のカバーガラス20の厚さD20さおよびスペーサ40の厚さD40を測定する厚さ測定工程S20と、撮像部30を厚さD20に応じて複数の第1のグループ1A、1B、1Cに分類する第1の分類工程S30と、スペーサ40を厚さD40に応じて複数の第2のグループ2A、2B、2Cに分類する第2の分類工程S40と、厚さD20と厚さD40との合計値Gが所定範囲内となるように、第1のグループ1A、1B、1Cのいずれかと、第2のグループ2A、2B、2Cのいずれかと、の組み合わせを選択する選択工程S50と、選択された組み合わせの第1のグループの撮像部30と第2のグループのスペーサ40とを積層することによって積層体35を作製する積層工程S60と、を具備する。

Description

撮像装置の製造方法および撮像装置
 本発明は、複数の光学素子が積層された光学部と、スペーサと、透明板および撮像素子を含む撮像部と、が積層された撮像装置の製造方法に関する。
 撮像装置の撮像部は、受光部を保護するカバーガラスが受光面に配設されている撮像素子を有する。撮像部は、光学部によって撮像素子の受光面に集光された被写体像を電気信号に変換する。
 光学部とカバーガラスとの間には、スペーサが配設されている。スペーサは、光路長を長くするためだけでなく、光路長を調整するために用いられている。すなわち、カバーガラスの厚さは一定ではない。良い光学特性の撮像装置を得るためには、カバーガラスの厚さに応じた厚さのスペーサを配設する必要があった。このためには、スペーサの厚さとカバーガラスの厚さとの合計値をもとにスペーサが選択される。
 複数の撮像装置を製造する場合に、複数の撮像部および複数のスペーサの中から、光学部の光路長にあった最適な厚さの組み合わせの撮像部およびスペーサを選択することは容易ではない。さらに、撮像装置に用いることのできないスペーサまたは撮像部が残ってしまい、目標数の撮像装置が製造できないおそれがあった。
 日本国特開2012-18993号公報には、光学部を効率良く製造する方法として、ウエハレベル積層体からなる光学部が開示されている。ウエハレベル光学部は、それぞれが複数の光学素子を含む複数の光学ウエハが積層された積層光学ウエハを切断することによって作製される。ウエハレベル光学部は、積層ウエハ毎に、光路長(焦点距離)が異なることがある。
 複数の撮像装置を製造する場合に、複数の撮像部、複数のスペーサおよび複数の光学部の中から、最適な組み合わせを選択することは、更に容易ではない。
特開2012-18993号公報
 本発明の実施形態は、製造が容易で光学特性の良い撮像装置の製造方法、製造が容易で光学特性の良い撮像装置の製造方法によって製造された撮像装置を提供することを目的とする。
 本発明の実施形態の撮像装置の製造方法は、受光面に透明板が配設された複数の撮像部、および、光路長を調整する複数のスペーサを作製する作製工程と、前記透明板のそれぞれの厚さ、および、前記複数のスペーサのそれぞれの厚さを測定する厚さ測定工程と、前記複数の撮像部を、前記透明板の厚さに応じて複数の第1のグループに分類する第1の分類工程と、前記複数のスペーサを、厚さに応じて複数の第2のグループに分類する第2の分類工程と、それぞれの前記透明板の厚さとそれぞれの前記スペーサの厚さとの合計値が、入射面と前記入射面に対向する出射面とを有し複数の光学素子が積層されている光学部の前記出射面から合焦面までの長さである合焦長を中心とする所定範囲内となるように、前記複数の第1のグループのいずれかと、前記複数の第2のグループのいずれかと、の組み合わせを選択する選択工程と、前記選択工程において選択された組み合わせの前記第1のグループの撮像部と前記第2のグループのスペーサとを積層することによって積層体を作製する積層工程と、を具備する。
 本発明の実施形態の撮像装置は、受光面に透明板が配設された複数の撮像部、および、光路長を調整する複数のスペーサを作製する作製工程と、前記透明板のそれぞれの厚さ、および、前記複数のスペーサのそれぞれの厚さを測定する厚さ測定工程と、前記複数の撮像部を、前記透明板の厚さに応じて複数の第1のグループに分類する第1の分類工程と、前記複数のスペーサを、厚さに応じて複数の第2のグループに分類する第2の分類工程と、それぞれの前記透明板の厚さとそれぞれの前記スペーサの厚さとの合計値が、入射面と前記入射面に対向する出射面とを有し複数の光学素子が積層されている光学部の前記出射面から合焦面までの長さである合焦長を中心とする所定範囲内となるように、前記複数の第1のグループのいずれかと、前記複数の第2のグループのいずれかと、の組み合わせを選択する選択工程と、前記選択工程において選択された組み合わせの前記第1のグループの撮像部と前記第2のグループのスペーサとを積層することによって積層体を作製する積層工程と、を具備する製造方法によって製造される。
第1実施形態の撮像装置の斜視図である。 第1実施形態の撮像装置の図1のII-II線に沿った断面図である。 第1実施形態の撮像装置の製造方法のフローチャートである。 第1実施形態の撮像装置の製造方法の第1の分類工程を説明するための図である。 第1実施形態の撮像装置の製造方法の第2の分類工程を説明するための図である。 第1実施形態の変形例1の撮像装置の断面図である。 第1実施形態の変形例1の撮像装置の製造方法のフローチャートである。 第1実施形態の変形例1の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 第1実施形態の変形例1の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 第1実施形態の変形例1の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 第1実施形態の変形例1の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 第1実施形態の変形例1の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。 第1実施形態の変形例2の撮像装置の断面図である。 第2実施形態の撮像装置の製造方法の第3の分類工程を説明するための図である。
<第1実施形態>
 図1および図2に示す様に、本実施形態の撮像装置9は、撮像部30とスペーサ40と光学部50とを具備する。
 なお、以下の説明において、各実施の形態に基づく図面は、模式的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、夫々の部分の厚さの比率および相対角度などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。また、一部の構成要素の図示および符号の付与を省略する場合がある。
 撮像部30は、撮像素子10とカバーガラス20とを含む。撮像素子10は、受光面10SAと受光面に対向する裏面10SBとを有する。受光面10SAには、CCDまたはCMOS受光回路からなる受光部11が形成されている。裏面10SBには受光部11と接続された外部電極12が配設されている。撮像素子10は、表面照射型イメージセンサまたは裏面照射型イメージセンサのいずれでもよい。受光面10SAには透明接着剤(不図示)を用いて、受光部11を保護する透明板であるカバーガラス20が配設されている。なお、透明板は、ポリカーボネート等からなる樹脂板でもよい。
 光路長を調整するためのスペーサ40は、光路領域が空間となっている金属、樹脂、またはシリコン等からなるが、透明板であってもよい。スペーサ40は光軸Oに直交する断面が額縁形状で、光路はスペーサ40によって密閉されている。しかし、スペーサは光軸Oに直交する断面がL字形またはU字形であってもよいし、平行する2つの壁であってもよい。
 光学部50は、スペーサ40に撮像部30が積層された積層体35のスペーサ40に、例えば、接着剤(不図示)を用いて固定されている。
 光学部50は、入射面50SAと前記入射面50SAに対向する出射面50SBとを有し、第1の光学素子51、第2の光学素子52および第3の光学素子53が積層された積層体である。光学部50が集光した被写体像は、出射面50SBから合焦長L50だけ離れた位置にある合焦面50SSに結像される。撮像素子10の受光面10SAと合焦面50SSとが一致する状態の撮像装置9は、光学特性が良い。
 光学部50は、積層ウエハの切断により作製されるウエハレベル光学部である。同じ積層ウエハから作製された光学部50の合焦長L50は略同じである。なお、第1の光学素子51、第2の光学素子52および第3の光学素子53は、いずれも光軸直交方向の断面の外形が四角形で外寸が同じである。そして、複数の光学素子51~53は光軸Oが一致するように積層されている。光学部50の構成は例示であり、光学素子の種類、および数等の構成は仕様に応じて設定される。
 後述するように、複数の撮像装置9を作製する場合に、複数の撮像部30のそれぞれのカバーガラス20の厚さD20は、製造誤差によって一定ではない。カバーガラス20の厚さD20には、例えば、±10%の誤差がある。すなわち、カバーガラス20の厚さD20の仕様値が300μmの場合、複数のカバーガラス20の厚さD20は、270μm~330μmである。
 一方、スペーサ40の厚さD40は、製造条件によって設定可能である。例えば、スペーサ40の厚さD40は、50μm~110μmである。
 カバーガラス20の厚さD20とスペーサ40の厚さD40との合計値Gが、合焦長L50を中心とする所定の仕様(例えば±20μm)となるように、複数の撮像部30のいずれかと、複数のスペーサ40のいずれかと、が選択され、積層される。
 後述するように、撮像装置9の製造方法は、厚さに応じたグループに分類する分類工程を有する。このため、撮像装置9は、製造が容易であり、かつ光学特性が良い。
<撮像装置の製造方法>
 図3に示すフローチャートに沿って、本実施形態の撮像装置の製造方法を説明する。
<ステップS10>撮像部およびスペーサ作製工程
 図示しないが、撮像部30は、複数の受光部11等が形成された撮像ウエハの受光面に、ガラスウエハが接着された接合ウエハの切断によって作製される。接合ウエハは、ガラスウエハを接着後に、ガラスウエハの研磨加工が行われる。このため、研磨条件等によって、接合ウエハ毎に、撮像部30のカバーガラス20の厚さD20は異なる。
 一方、スペーサ40は、例えば、金属または樹脂をサポート板の主面に配設したり、シリコンウエハを加工したりして作製される。スペーサ40の厚さは作製条件によって設定される。
 なお、ステップS10は、個片化されている撮像部30等を購入する撮像部およびスペーサ準備工程であってもよい。
<ステップS20>厚さ測定工程
 複数の撮像部30のカバーガラス20(透明板)の厚さD20および複数のスペーサ40の厚さD40が測定される。全ての撮像部30およびスペーサ40の厚さを測定する必要はない。例えば、同じ接合ウエハの個片化によって作製された複数の撮像部30は同じ厚さのカバーガラス20を含む。このため、接合ウエハ毎に、少なくとも1つのカバーガラス20の厚さD20が測定される。なお、撮像素子10の厚さが一定で、かつ、既知の場合には、撮像部30の厚さを測定することで、カバーガラス20の厚さD20を算出してもよい。
<ステップS30>第1の分類工程
 図4に示すように、複数の撮像部30が、カバーガラス20の厚さD20に応じて3つの第1のグループ1A、1B、1Cに分類される。
 第1のグループ1A、1B、1Cにおけるカバーガラス20の厚さD20は、例えば、次の範囲である。
 第1のグループ1A;270μm≦D20<290μm
 第1のグループ1B;290μm≦D20<310μm
 第1のグループ1C;310μm≦D20<330μm
<ステップS40>第2の分類工程
 図5に示すように、複数のスペーサ40が、厚さD40に応じて3つの第2のグループ2A、2B、2Cに分類される。
 第2のグループ2A、2B、2Cにおけるスペーサ40の厚さD40は、例えば、次の範囲である。
 第2のグループ2A;50μm≦D40<70μm
 第2のグループ2B;70μm≦D40<90μm
 第2のグループ2C;90μm≦D40<110μm
 なお、第1の分類工程S30と第2の分類工程S40との順序は逆でもよいし、並行して行われてもよい。
<ステップS50>選択工程
 カバーガラス20の厚さD20とスペーサ40の厚さD40との合計値Gが、合焦長L50を中心とする所定範囲内(例えば、380μmの合焦長L50に対して±20μm)になるように、複数の第1のグループ1A~1Cのいずれかのグループと、複数の第2のグループ2A~2Cのいずれかのグループと、の組み合わせが選択される。
 組み合わせの一例を以下に示す。
 組み合わせ1;第1のグループ1Aと第2のグループ2C:360μm≦G<400μm
 組み合わせ2;第1のグループ1Bと第2のグループ2B:360μm≦G<400μm
 組み合わせ3;第1のグループ1Cと第2のグループ2A:360μm≦G<400μm
<ステップS60>積層工程(スタッキング工程)
 選択された組み合わせの第1のグループの撮像部と第2のグループのスペーサとが積層され、積層体35が作製される。さらに、積層体35のスペーサ40に光学部50が配設され、撮像装置9が完成する。
 撮像装置9の製造方法は、厚さに応じたグループに分類する第1の分類工程S30および第2の分類工程S40を有するため、製造が容易であり、かつ、撮像装置9は、光学特性が良い。
 なお、第1の分類工程S30および第2の分類工程S40におけるグループ数は、特に制限はないが、3以上20以下が好ましい。グループ数が3以上であれば、光学特性の良い仕様の撮像装置9を作製できる。グループ数が20以下であれば、分類作業が容易である。なお、第1の分類工程S30におけるグループ数と第2の分類工程S40におけるグループ数とは異なっていてもよい。
 なお、撮像装置9が、本製造方法で製造されたことは、従来技術との相違に係る構造又は特性を特定する文言を見いだすことができず、かつ、かかる構造又は特性を測定に基づき解析し特定することも不可能であることは言うまでもない。
<第1実施形態の変形例1>
 本変形例の撮像装置9Aおよび撮像装置9Aの製造方法は、撮像装置9および撮像装置9の製造方法と類似しているので同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
 図6に示すように、撮像装置9Aは、撮像部30の側面が樹脂60によって覆われることによって保護されているため、取り扱いが容易である。
<撮像装置9Aの製造方法>
 図7に示すフローチャートに沿って、撮像装置9Aの製造方法を説明する。
<ステップS10>撮像部およびスペーサ作製工程
 撮像部30の作製方法は、撮像装置9の製造方法と同じである。
 一方、図8Aに示すように、スペーサ40はサポート板70の主面70SAにおいて作製される。例えば、サポート板70は剥離層71と基体72とを有する。剥離層71は、例えば、加熱処理、または、紫外線照射によって粘着力が無くなる。
 スペーサ40は、モールド樹脂、フォトレジストのパターニング、めっき膜の成膜、または、シリコン基板のエッチング等によって配設される。
 1つのサポート板70に厚さD40の異なる複数のスペーサ40を配設してもよいし、サポート板70毎に、異なる厚さD40のスペーサ40を配設してもよい。
 ステップS20(厚さ測定工程)、ステップS30(第1の分類工程)、ステップS40(第2の分類工程)、およびステップS50(選択工程)は、撮像装置9の製造方法と、ほぼ同じである。
 なお、1枚のサポート板70に配設された複数のスペーサ40は、同じ条件において作製されると、厚さD40が略同じであることが多い。しかし、サポート板70に配設される複数のスペーサ40の作製条件を変えることによって、厚さD40の異なる複数のスペーサ40を1枚のサポート板70に配設できる。例えば、電気めっき膜の成膜によって複数のスペーサ40を作製する場合には、電流密度分布によって、スペーサ40は厚さD40が変化する。サポート板70の外周部は電流密度が高いため、外周部には厚さD40の厚いスペーサ40が作製される。一方、電流密度が低いサポート板70の中央部には厚さD40の薄いスペーサ40が作製される。
 または、撮像装置9Aの製造方法においては、複数のサポート板70に、それぞれ複数のスペーサ40が配設される。複数のサポート板70におけるスペーサ配設条件を変えることによって、スペーサ40の厚さD40が異なる複数のスペーサ40が作製される。そして、例えば、ステップS50(選択工程)においては、複数のサポート板70の中から、最適のサポート板70が選択される。
<ステップS60>積層工程
 撮像装置9Aの製造方法では、ステップS60(積層工程)において、サポート板70の主面70SAに配設された、選択された組み合わせの複数のスペーサ40に、選択された組み合わせの複数の撮像部30が、積層される。
 例えば、図8Bに示すように、第1のグループ1Cの複数の撮像部30のそれぞれが、第2のグループ2Aの複数のスペーサ40のそれぞれに、積層された状態において接着されることで積層体35が作製される。
<ステップS70>樹脂配設工程
 図8Cに示すように、積層工程S60の後に、サポート板70の主面70SAに配設された複数の積層体35の周囲に樹脂60が配設される。例えば、紫外線硬化型のエポキシ樹脂が配設され、紫外線照射処理が行われる。
<ステップS80>切断工程
 図8Dに示すように、樹脂60によって一体化された複数の積層体35は、樹脂60を切断することによって個片化される。
 図8Eに示すように、例えば、加熱処理によって剥離層71が粘着力を消失するため、積層体35がサポート板70から分離される分離工程が行われる。サポート板70は、積層体35を容易に分離できれば、剥離層71を有していなくともよい。
 なお、切断工程S80の前に分離工程がおこなわれてもよい。
 撮像装置9の製造方法では、サポート板70の主面70SAに配設された複数のスペーサ40のそれぞれに、撮像部30が積層されることによって積層体35が作製されるため、複数の積層体35を容易に作製できる。また、製造中の複数の撮像部30は樹脂60によって一体化されているため、取り扱いが容易である。
<第1実施形態の変形例2>
 本変形例の撮像装置9Bおよび撮像装置9Bの製造方法は、撮像装置9Aおよび撮像装置9Aの製造方法と類似しているので同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
 図9に示すように、撮像装置9Bでは、積層体35Bが第2の透明板であるガラス板70Bを含む。
 ガラス板70Bは、切断工程S80において切断されたサポート板が分離されずに、積層体35に含まれている。ガラス板70Bは、光軸直交方向の寸法が、樹脂60およびスペーサ40と同じである。
 すなわち、サポート板70がガラス板のような透明板の場合には、分離工程は不要でもよい。撮像装置9Bの製造方法では、切断工程S80において、サポート板70も切断される。切断されたサポート板70は光路長を調整するスペーサとしての機能を有するガラス板70Bと見なすことができる。
 なお、選択工程S50において、ガラス板70Bがスペーサの一部としてみなされることは言うまでも無い。すなわち、スペーサ40の厚さとガラス板70Bの厚さとの合計値が、スペーサの厚さD40と見なされる。
 撮像装置9Bは、分離工程が不要であるので撮像装置9Aよりも製造が容易である。
<第2実施形態>
 本実施形態の撮像装置9Cおよび撮像装置9Cの製造方法は、撮像装置9および撮像装置9の製造方法と類似しているので同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
 撮像装置9Cの構成は、図1および図2に示した撮像装置9の構成と同じである。
 すでに説明したように、同じ積層ウエハの切断によって作製された光学部50の合焦長L50は略同じである。しかし、異なる積層ウエハの切断によって作製された光学部50の合焦長L50は、異なることがある。
 本製造方法は、図10に示すように、合焦長L50が異なる複数の光学部50を、合焦長L50に応じて、複数の第3のグループ3A~3Dに分類する第3の分類工程(ステップS45:不図示)を更に具備する。第3の分類工程S45と第1の分類工程S30と第2の分類工程S40との順序は任意であり、並行して行われてもよい。
 第3のグループ3A、3B、3C、3Dにおける光学部50の合焦長L50は、例えば、次の範囲である。
 第3のグループ3A;360μm≦L50<370μm
 第3のグループ3B;370μm≦L50<380μm
 第3のグループ3C;380μm≦L50<390μm
 第3のグループ3D;390μm≦L50<400μm
 選択工程S50において、合計値Gが、光学部50の合焦長L50となるように、複数の第1のグループ1のいずれかのグループと、前記複数の第2のグループ2のいずれかのグループと、前記複数の第3のグループ3のいずれかのグループと、の組み合わせが選択される。
 そして、積層工程S60において、選択された組み合わせの、第1のグループの撮像部30と第2のグループのスペーサ40と第3のグループの光学部50とが積層される。
 例えば、第1のグループ1Aに分類された撮像部30の数が少ない場合であっても、第2のグループ2Bのスペーサ40との厚さの合計値Gが、第3のグループ3A~3Dのいずれかの合焦長L50の範囲内であれば、所望の光学特性の撮像装置を作製できる。すなわち撮像装置9Cの製造方法は、製造効率が良く、低コストである。
 第3の分類工程におけるグループ数は、特に制限はないが、3以上20以下が好ましい。グループ数が3以上であれば、所望の光学特性の撮像装置の作製が容易である。グループ数が20以下であれば、分類作業が容易である。また、第1の分類工程S30におけるグループ数と第2の分類工程S40におけるグループ数と第3の分類工程S45におけるグループ数とは異なっていてもよい。
 なお、撮像装置9Cの製造方法においても、撮像装置9Aと同じように、樹脂60が配設され切断されてもよいし、さらに、撮像装置9Bと同じように透明板をサポート板として用いてもよいことは言うまでも無い。
 撮像装置9、9A-9Cは、例えば受光面10SAが5mm角以下と超小型であるため、内視鏡に用いることによって、低侵襲であり高品質の画像を表示する内視鏡を提供することができる。なお、内視鏡は硬性鏡であってもよいし、軟性鏡であってもよいし、その用途は医療用でも工業用でもよい。
 本発明は上述した実施形態等に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等ができる。
9、9A-9C・・・撮像装置
10・・・撮像素子
10SA・・・受光面
10SB・・・裏面
11・・・受光部
12・・・外部電極
20・・・カバーガラス
20・・・スペーサ
30・・・撮像部
35・・・積層体
40・・・スペーサ
50・・・光学部
50SA・・・入射面
50SB・・・出射面
50SS・・・合焦面
51・・・第1の光学素子
52・・・第2の光学素子
53・・・第3の光学素子
60・・・樹脂
70・・・サポート板
70SA・・・主面
71・・・剥離層
72・・・基体

Claims (6)

  1.  受光面に透明板が配設された複数の撮像部、および、光路長を調整する複数のスペーサを作製する作製工程と、
     前記透明板のそれぞれの厚さ、および、前記複数のスペーサのそれぞれの厚さを測定する厚さ測定工程と、
     前記複数の撮像部を、前記透明板の厚さに応じて複数の第1のグループに分類する第1の分類工程と、
     前記複数のスペーサを、厚さに応じて複数の第2のグループに分類する第2の分類工程と、
     それぞれの前記透明板の厚さとそれぞれの前記スペーサの厚さとの合計値が、入射面と前記入射面に対向する出射面とを有し複数の光学素子が積層されている光学部の前記出射面から合焦面までの長さである合焦長を中心とする所定範囲内となるように、前記複数の第1のグループのいずれかと、前記複数の第2のグループのいずれかと、の組み合わせを選択する選択工程と、
     前記選択工程において選択された組み合わせの前記第1のグループの撮像部と前記第2のグループのスペーサとを積層することによって積層体を作製する積層工程と、を具備することを特徴とする撮像装置の製造方法。
  2.  前記合焦長が異なる複数の光学部を、それぞれの前記合焦長に応じて複数の第3のグループに分類する第3の分類工程を更に具備し、
     前記選択工程において、前記合計値が、前記所定範囲内となるように、前記複数の第1のグループのいずれかと、前記複数の第2のグループのいずれかと、前記複数の第3のグループのいずれかと、の組み合わせが選択され、
     前記積層工程において、選択された組み合わせの、前記第1のグループの撮像部と前記第2のグループのスペーサと前記第3のグループの光学部とが積層されることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置の製造方法。
  3.  前記作製工程において、前記複数のスペーサが、サポート板の主面に配設され、
     前記積層工程において、前記サポート板の前記主面に配設された、前記選択された組み合わせの複数の前記スペーサに、前記選択された組み合わせの複数の前記撮像部が積層されることによって前記積層体が作製されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の撮像装置の製造方法。
  4.  前記積層工程の後に、
     前記サポート板の前記主面に配設された複数の前記積層体の周囲に樹脂を配設する樹脂配設工程と、
     一体化された複数の前記積層体を、前記樹脂を切断することによって、個片化する切断工程と、を更に具備することを特徴とする請求項3に記載の撮像装置の製造方法。
  5.  前記サポート板が第2の透明板であり、
     前記切断工程において、前記サポート板も切断されることを特徴とする請求項4に記載の撮像装置の製造方法。
  6.  請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法により、作製されたことを特徴とする撮像装置。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321827A (ja) * 1997-05-16 1998-12-04 Sony Corp 撮像装置及びカメラ
WO2010074743A1 (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Tessera North America, Inc. Focus compensation for thin cameras
JP2010181643A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Toshiba Corp 撮像装置及び撮像レンズ
WO2017094537A1 (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 ソニー株式会社 半導体チップ及び電子機器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0997889A (ja) 1995-09-29 1997-04-08 S I I R D Center:Kk 電子装置
TWI289365B (en) 2005-09-29 2007-11-01 Visera Technologies Co Ltd Wafer scale image module
TWI267208B (en) * 2006-01-18 2006-11-21 Visera Technologies Co Ltd Image sensor module
JP4891214B2 (ja) 2007-12-13 2012-03-07 シャープ株式会社 電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュール、センサウエハモジュール、センサモジュール、レンズアレイ板、センサモジュールの製造方法および電子情報機器
US8885257B2 (en) * 2009-10-20 2014-11-11 Flir Systems Trading Belgium Bvba Focus compensation for optical elements and applications thereof
JP2012018993A (ja) 2010-07-06 2012-01-26 Toshiba Corp カメラモジュールおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321827A (ja) * 1997-05-16 1998-12-04 Sony Corp 撮像装置及びカメラ
WO2010074743A1 (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Tessera North America, Inc. Focus compensation for thin cameras
JP2010181643A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Toshiba Corp 撮像装置及び撮像レンズ
WO2017094537A1 (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 ソニー株式会社 半導体チップ及び電子機器

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