JPH0997889A

JPH0997889A - 電子装置

Info

Publication number: JPH0997889A
Application number: JP7254137A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Takeuchi; 均竹内; Masaaki Bandai; 雅昭万代
Original assignee: S I I R D CENTER KK
Current assignee: S I I R D CENTER KK
Priority date: 1995-09-29
Filing date: 1995-09-29
Publication date: 1997-04-08

Abstract

(57)【要約】【課題】複数チップ実装型半導体イメージセンサ装置
において、より精度が良く、信頼性が高く、多くの情報
が得られ、かつ剛性が高い構造を実現する。【解決手段】複数チップ実装型半導体イメージセンサ
装置ユニットを複数個、互いに定められた位置関係でス
ペーサを用いて固定する。１回の入力信号（光または放
射線）が、複数の半導体イメージセンサチップを通過
し、同時に複数系統の出力信号が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ、半導体
イメージセンサ装置等の複数の半導体チップで構成され
る電子装置に関する。その一例として取り上げる半導体
イメージセンサ装置は、可視領域や赤外また紫外の光は
もとより、特にはＸ線や放射線および荷電粒子の測定に
用いられるものに適用され、フォトダイオード、フォト
ダイオードアレイ、フォトセンサ、マイクロストリップ
センサ、両面マイクロストリップセンサ、放射線セン
サ、半導体フォトセンサ、半導体撮像装置等と称される
半導体集積回路装置をさす。ここで、このような光や放
射線を受けて信号を出すことを、検出すると称し、検出
する部位を受光面領域と称する。さらにその配列された
もので検出した信号を２次元的な情報（イメージ）とし
て取り出す装置をイメージセンサ装置と称する。これら
の装置は、１個のセンサチップだけでその機能を果たす
場合もあるが、本発明でとりあげるのは、複数個のセン
サチップを機械的・電気的に一体のものにして、この一
体になったもの全体で半導体イメージセンサ装置として
機能させるような構造のものについてである。以下、上
述のようなものを複数チップ実装型半導体イメージセン
サ装置と称する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの様な分野の技術としては、図
１９に示すような技術が知られている。同様の技術は特
開平６−３０２７９２によって開示されている。図１９
は従来の半導体イメージセンサ装置の一例を示す斜視図
である。半導体イメージセンサチップ１が４個正確な位
置関係で並んで、お互いの間をシリコンやガラス等に配
線が施された接続チップ４を用いて機械的に固定すると
ともに電気的に接続し、さらに、これら４個の半導体イ
メージセンサチップ１の両脇に、これらの４個のセンサ
チップの制御や情報の取り出しを行うための半導体駆動
チップ２がフェイスダウン実装された駆動基板３が２枚
レイアウトさており、これも接続チップ４で半導体イメ
ージセンサチップ１と機械的に固定するとともに電気的
に接続されている。さらに装置全体の剛性を向上するた
めに補強板２１を両サイドに取り付けている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の複数チ
ップ実装型半導体イメージセンサ装置では、次のような
問題点がある。（１）半導体イメージセンサチップの受光面領域に不感
帯が発生した場合、不感帯領域からの有効な情報の取り
出しは不可能となってしまう。（２）各半導体イメージセンサチップ間の位置関係にバ
ラツキがあると正確な座標位置の測定が困難になる。（３）各半導体イメージセンサチップ間の感度にバラツ
キがあると正確な入射線（光線、放射線、荷電粒子等）
の大きさの測定が困難になる。（４）半導体イメージセンサチップへの入射線の傾き
や、変化量の測定は困難である。（５）剛性を確保するために専用の補強部材が必要であ
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、従来例から補強板を除いたものと同様
である複数チップ実装型半導体イメージセンサユニット
（以下半導体イメージセンサユニットと称する）を複数
個、互いに定められた位置関係で固定するように複数チ
ップ実装型半導体イメージセンサ装置を構成する。

【０００５】これにより、１回の入射線（光線、放射
線、荷電粒子等）が、複数の半導体イメージセンサチッ
プを通過することになり、同時に複数系統の出力信号が
得られ、より精度が良く、より信頼性が高く、より多く
の情報を入手できるようになる。

【０００６】また、複数の半導体イメージセンサユニッ
トを固定すると、単体の半導体イメージセンサユニット
よりもはるかに大きな剛性が得られる。半導体イメージ
センサユニット間の定められた位置関係での固定にはス
ペーサと接着剤を用い、スペーサには必要に応じて補
強、放熱、外部フレームへの取り付け、の機能も持た
せ、形状、材質も最適のものを選択する。

【０００７】

【作用】上記のように構成された複数チップ実装型半導
体イメージセンサ装置においては、以下のような作用が
得られる。（１）一つの半導体イメージセンサユニットの受光面領
域の一部または全体が不感帯となった場合でも、他の半
導体イメージセンサユニットの対応する部分が正常に動
作していれば、複数チップ実装型半導体イメージセンサ
装置としての不感帯の発生を防げる。（２）各半導体イメージセンサチップの位置関係や感度
にバラツキがある場合、複数の半導体イメージセンサユ
ニットからの各出力信号を統計手法等を用い、相互補正
することにより、ユニット単体での測定より、誤差が少
なくなる。（３）片面のみ受光面エリアの半導体イメージセンサチ
ップを使用した場合でも、各半導体イメージセンサユニ
ットで、センスラインの方向の異なる半導体イメージセ
ンサチップを使用することにより、平面座標情報を得る
ことが出来る。（４）各半導体イメージセンサユニットからの入射線の
座標データの変化量から、入射角度を求めることが出来
る。（５）同様に各半導体イメージセンサユニットからの入
射量データの変化量から、入射線のエネルギーの減衰率
を求めることも可能になる。（６）複数の半導体イメージセンサユニットをお互いに
固定することにより、断面２次モーメントが大きくな
り、単体のときに比べ高い剛性が得られる。従って、余
計な補強手段が不要となり、補強材による受光面への悪
影響も少なくなる。（７）半導体イメージセンサユニット間の固定用のスペ
ーサを放熱板や外部フレームへの取り付け板と兼用のも
のにすることにより、部品点数が少なく抑えられる。

【０００８】

【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
説明する。図１、図２、図３、図４は本発明にかかる半
導体イメージセンサ装置の第１の実施例の基本的な構成
を示した図で、図１は斜視図、図２は分解図、図３は正
面図、図４は上面図である。

【０００９】半導体イメージセンサチップ１が４個正確
な位置関係で並んで、お互いの間をシリコンやガラス等
に配線が施された接続チップ４を用いて機械的に固定す
るとともに電気的に接続し、さらに、これら４個の半導
体イメージセンサチップ１の両脇に、これらの４個のセ
ンサチップの制御や情報の取り出しを行うための半導体
駆動チップ２がフェイスダウン実装された駆動基板３が
２枚レイアウトさており、これも接続チップ４で半導体
イメージセンサチップ１と機械的に固定するとともに電
気的に接続されている。このような構成のものを半導体
イメージセンサユニットと称する。上側半導体イメージ
センサユニット８と下側半導体イメージセンサユニット
９の二つのユニットが、半導体イメージセンサチップ１
の部分を４個所と駆動基板３の部分２個所を、それぞれ
スペーサＡ６とスペーサＢ７と接着剤を用いて、正確な
位置関係で固定されている。

【００１０】半導体イメージセンサユニットの主要構成
要素である半導体イメージセンサチップ１は、左右方向
の両端接続部の表裏両面に接続用電極（図示されていな
い）を持ち、接続部以外は両面ともイメージセンサとな
っている。センスラインの方向は各面で異なっており、
多層配線により長手方向端まで信号線が導かれている。
これにより、外部からの入射線（光線、放射線、荷電粒
子等）のチップ内での平面位置座標とその大きさを知る
ことが出来る。また、半導体イメージセンサチップ１を
複数枚つなげて使用することによりより広い範囲の測定
が可能となる。本実施例では一つの半導体イメージセン
サユニットに４個の半導体イメージセンサチップ１が使
われているが、用途に応じて４個以外の個数の半導体イ
メージセンサチップが使用される場合もある。

【００１１】実際の半導体イメージセンサチップ１は長
手方向が４〜８ｃｍ、その直角方向は２〜４ｃｍのサイ
ズで一般的な半導体よりはかなり大きく、その中に数百
本のセンスライン５が（図１ではセンスライン５は８本
しか描いてないが）、数十ミクロン位のピッチで整然と
並んでいるような構造のものである。したがって、図１
に描いた半導体イメージセンサ装置全体では、長さおよ
そ数十ｃｍ、幅２〜４ｃｍ程度で、上側半導体イメージ
センサユニット８と下側半導体イメージセンサユニット
９の間隔は数百ミクロン〜数ｍｍ程度のサイズのもので
ある。

【００１２】ここで仮に一方の上側半導体イメージセン
サユニット８の受光面領域の一部または全体が不良とな
った場合でも、他方の下側半導体イメージセンサユニッ
ト９が活きていれば、二つの半導体イメージセンサユニ
ットはほぼおなじ受光面領域を有しているので、不感エ
リアの発生は、無もしくは最小限に抑えられる。

【００１３】半導体イメージセンサユニット内で正確で
あるはずの各半導体イメージセンサチップ１相互間の位
置関係や、感度にバラツキ誤差がある場合でも、二つの
半導体イメージセンサユニットで、全く同一の誤差とな
る確率は低いと考えられるので、各半導体イメージセン
サユニットから得られる出力データ（入射座標、入射
量）を平均化する等の統計処理を行い、相互補正（校
正）することにより、単体ユニットでの測定より精度の
高い出力情報が得られる。また、単体ユニットと同程度
の精度であれば、各半導体イメージセンサチップ１の位
置、感度の許容範囲が大きくなる。

【００１４】スペーサＡ６は各半導体イメージセンサユ
ニット間の半導体イメージセンサチップ１同士の固定用
で、ユニット間の間隔を正確に保ち装置の剛性を確保す
る。半導体イメージセンサチップ部のスペーサは質量が
小さく、測定したい入射線への影響（吸収、反射等）が
少なく、剛性の高いものが望ましい。例えば発泡材料で
あるロハセル（商品名）や、プラスチック、ガラス、ベ
リリウムやＣＦＲＰ等が用いられる。

【００１５】スペーサＢ７は駆動基板３同士の固定用
で、間隔を保ち、剛性を確保すること以外にも、装置外
部のフレームに取り付けるための取り付け穴を有し、ま
た半導体駆動チップ２から発生した熱を吸収し、外部フ
レームに放熱する放熱板の役割もはたしている。

【００１６】駆動基板部のスペーサは固定部が受光面エ
リアではなく、駆動チップからの発熱を伴うので、入射
線への影響よりも、熱伝導が良く、軽量で剛性があるも
のが望ましい。例えばアルミ合金等が用いられる。スペ
ーサに導電性の材料を用いる場合で、スペーサの電位の
制御が必要な場合は、スペーサ間を電気的に接続して必
要な電位を与えるようにする。

【００１７】スペーサと半導体イメージセンサユニット
の固定には接着剤を用いている。接着剤は硬化時の熱膨
張率の違いや収縮、等による応力や変形が少なく、かつ
使用環境（放射線等）に対する耐性が高く、影響が少な
いものが望ましい。例えばエポキシ系常温硬化型接着剤
等が用いられる。また、駆動基板部に使用する接着剤は
熱伝導が良いものが望ましい。

【００１８】スペーサを固定する手段としては溶着や陽
極接合等、接着剤以外の方法で固定してもかまわない。
二つ以上の半導体イメージセンサユニットをお互いに固
定することにより、断面２次モーメントが大きくなり、
単体のときに比べ高い剛性が得られる。従って、余分な
補強手段が不要となり、補強材による受光面への悪影響
も少なくなる。

【００１９】半導体イメージセンサユニット同士をお互
いに固定する手段としてはスペーサ以外でも、それぞれ
のユニットを単体で補強して外部フレームに固定する
等、定められた位置関係で固定できる手段であればどん
な方法でも良い。半導体イメージセンサチップ１同士ま
たは半導体イメージセンサチップ１と駆動基板３とを電
気的・機械的に接続・固定する手段としては接続チップ
４による方法以外にも、ワイヤーボンディングと端面接
着の併用や、フレキシブルプリントケーブルと端面接着
の併用等、電気的・機械的に接続・固定する手段であれ
ばどんな方法であっても、また複数の方法を併用しても
構わない。ここで端面接着とは、隣接する半導体イメー
ジセンサチップ相互間あるいは半導体イメージセンサチ
ップと駆動基板の端面間を接着剤等を用いて機械的に一
体化することである。

【００２０】図５は本発明にかかる半導体イメージセン
サ装置の第１の実施例の入射部の拡大断面図である。入
射線１０は上側半導体イメージセンサユニット８の検出
部Ａ１１と下側半導体イメージセンサユニット９の検出
部Ｂ１２を通過している。このとき、検出部Ａ１１と検
出部Ｂ１２からの平面座標データをそれぞれ（ＸＡ，Ｙ
Ａ）、（ＸＢ，ＹＢ）とすると、予め定められているユ
ニット間の距離ｄと、（ＸＢ−ＸＡ）、（ＹＢ−ＹＡ）
から、入射角度を求めることが出来る。

【００２１】同様に検出部Ａ１１と検出部Ｂ１２からの
入射線量データの変化から、減衰率を求めることも可能
になる。本実施例では各半導体イメージセンサユニット
間の位置関係は、平行に定められた距離（ｄ）分、離れ
ているものであるが、用途・目的に応じてユニット間の
角度、距離は任意に設定出来る。距離が離れているとよ
り正確な入射線の角度が測定でき、剛性もより有利にな
るが、スペーサは大きなものが必要になる。一方、距離
が近ければ入射線に傾きがあっても各半導体イメージセ
ンサユニットでの検出位置は近くなるので、ユニット同
士の補完的・安全弁的役割が大きくなる。

【００２２】これから説明する本発明にかかる第２から
第８の実施例は第１の実施例のスペーサＡ６の部分の形
状が異なるものである。図６は本発明にかかる半導体イ
メージセンサ装置の第２の実施例のスペーサを示す上面
図である。半導体イメージセンサユニット外形（想像）
線１４が２点鎖線で示されている。上下のユニット間に
棒状のスペーサＣ１３が各半導体イメージセンサチップ
の長手方向に２個ずつ合計８個レイアウトされている。
第１の実施例のスペーサＡ６に比べスペーサＣ１３の体
積が小さいため、質量が小さくでき、受光面への影響を
小さくできる。

【００２３】図７は本発明にかかる半導体イメージセン
サ装置の第３の実施例のスペーサの上面図と側面図であ
る。棒状のスペーサＤ１５は半導体イメージセンサユニ
ットの半導体イメージセンサチップ部分の長手方向一杯
迄延びていて、合計２個使用されている。半導体イメー
ジセンサチップの接続部付近は接続チップを避けるため
の逃げ加工が施されている。本実施例の様に長手方向に
一体化されていて、剛性があるスペーサであれば、補強
の効果が高くなる。

【００２４】図８は本発明にかかる半導体イメージセン
サ装置の第４の実施例のスペーサを示す上面図である。
棒状のスペーサＥ１６を各半導体イメージセンサチップ
の長手方向と垂角な方向にに２個ずつ合計８個レイアウ
トしている。図９は本発明にかかる半導体イメージセン
サ装置の第５の実施例のスペーサを示す上面図である。
本実施例では比較的小さな棒状のスペーサＦ１７がユニ
ット中央を中心に同心円状にレイアウトされている。

【００２５】入射線の角度がスペーサと直角に近くなる
ようにレイアウトを行うと、入射線がスペーサの内部を
通過する長さが短くなり、入射線や、受光面への影響
（反射、吸収、発熱等）を少なくできる。半導体イメー
ジセンサユニットの長手方向からの入射線の測定には第
２、第３の実施例が、直角方向からの入射線の測定に
は、第４の実施例が、ユニット中央付近から放射状に発
散する入射線の測定には第５の実施例が、それぞれ適し
たレイアウトである。

【００２６】図１０は本発明にかかる半導体イメージセ
ンサ装置の第２、第３、第４、第５の実施例での種々
（ａ）〜（ｆ）のスペーサ断面例を示す上面図である。
棒状のスペーサの断面形状を工夫することにより、剛性
向上や、軽量化、各種材料への対応等が実現できる。
（ａ）はＨ型断面で第３の実施例の様な接続部の逃げ加
工部があっても、中央の横バーにより剛性低下を最小限
に出来る。（ｂ）は（ａ）を９０度回転した形状である
が、接着面積が稼げる点が有利である。（ｃ）の中空の
角柱は剛性・接着性とも優れているが、（ａ）（ｂ）に
比べ質量がやや大きく加工が難しくなる。（ｄ）や
（ｅ）のような形状はＣＦＲＰ等の薄板状の材料の折り
曲げ加工での作製がも可能であり、材料選択の幅が広げ
られる。（ｆ）の中実の角柱は質量的には不利である
が、加工は容易である。

【００２７】図１１は本発明にかかる半導体イメージセ
ンサ装置の第６の実施例のスペーサを示す上面図、図１
２は同スペーサの拡大斜視図である。スペーサＦ１８は
円柱の中をくり貫いたような形状をしている。棒状のス
ペーサ同様に、板状や中実のスペーサより体積が小さく
質量的に有利である。また、棒状のスペーサに比べ入射
線の方向による、スペーサ内通過長さの変化量は小さ
い。

【００２８】図１３は本発明にかかる半導体イメージセ
ンサ装置の第７の実施例のスペーサを示す上面図であ
る。スペーサＧ１９は格子状になっており、軽量で高強
度が得られる。格子は図１３のような方形以外にも、ハ
ニカム形状や三角形等、いろいろな種類が可能である。
また、薄板状の材料を折り曲げたり、組み合わせたりし
て作成することも可能である。

【００２９】図１４は本発明にかかる半導体イメージセ
ンサ装置の第８の実施例のスペーサを示す（ａ）上面図
及び（ｂ）正面図である。スペーサＨ２０は板状の一体
型で接続部には逃げ加工が施されている。質量的には上
述の実施例に比べ不利であるが、製造時の取り扱いが容
易になる。補強材としての機能を考えた場合、長手方向
に一体化した構造なので剛性確保に有利である。実施例
１と並んで発泡材料等の単位体積当たりの質量が小さい
材質でのスペーサに適した形状である。

【００３０】図１５は本発明にかかる半導体イメージセ
ンサ装置の第１の実施例でスペーサ厚さに違いがある場
合の拡大正面図である。スペーサＡ２２２は本来の厚さ
のスペーサＡ１２１に比べやや薄い。そこで上側半導体
イメージセンサユニット８と下側半導体イメージセンサ
ユニット９の固定時にスペーサＡ２２２とスペーサＡ１
２１の厚さの差分余計にの接着剤２３をスペーサＡ２２
２上に供給することにより、スペーサＡ１２１部とスペ
ーサＢ２２２部のユニット間の距離を一定に保つことが
できる。本実施例のようなスペーサ厚さのバラツキや、
半導体イメージセンサチップ、駆動基板、半導体イメー
ジセンサユニットの厚さバラツキ、凹凸、反り、うねり
等が存在する場合、あらかじめスペーサは狙いのユニッ
ト間距離よりも小さめのものを用いて、外部のジグ等で
ユニット同士の正確な位置合わせをした時に生じるユニ
ット・スペーサ間の隙間には接着剤等が充填されるよう
にすることにより、正確な位置関係を保っての固定が可
能になる。

【００３１】逆に、スペーサを正確な寸法に加工してス
ペーサに押しつけるようにして半導体イメージセンサユ
ニットを固定することにより、正確な位置関係での固定
を実現する方法もある。図１６は本発明にかかる半導体
イメージセンサ装置の第９の実施例を示す分解図であ
る。本実施例は第１の実施例のうち半導体イメージセン
サチップの受光面が片面で、上下ユニットでのセンスラ
インの方向が異なるものである。

【００３２】上側半導体イメージセンサユニット８に使
用されている片面半導体イメージセンサチップＡ２４は
ユニット長手方向と平行なセンスライン５を有してい
る。一方、下側半導体イメージセンサユニット９の片面
半導体イメージセンサチップＢ２５はユニット長手方向
と直角方向のセンスライン５を有している。（図１６で
は省略されているが実際は片側半導体イメージセンサチ
ップＢ２５にはセンスライン５からの信号を接続部まで
導く多層配線が形成されている。）入射線がこの半導体
イメージセンサ装置に入力された場合、上側半導体イメ
ージセンサユニット８からの位置情報と下側半導体イメ
ージセンサ装置の位置情報を合成することにより、入射
線の２次元の座標位置データを得ることができる。

【００３３】本実施例のように半導体イメージセンサチ
ップの片面のみが受光面領域である場合でも、上下の半
導体イメージセンサユニットで、センスラインの方向の
異なる半導体イメージセンサチップを使用することによ
り、各半導体イメージセンサユニットからの情報の合成
で平面座標情報を得ることが可能になる。

【００３４】図１７は本発明にかかる半導体イメージセ
ンサ装置の第１０の実施例を示す正面図である。本実施
例は第１の実施例と同様の半導体イメージセンサユニッ
トを３個重ねた状態で固定したものである。上側半導体
イメージセンサユニット８と中央半導体イメージセンサ
ユニット２７間及び、中央半導体イメージセンサユニッ
ト２７と下側半導体イメージセンサユニット９の半導体
イメージセンサチップ１の部分はそれぞれスペーサ６を
介して、両端の駆動基板３の部分はスペーサＪ２６によ
り、互いに定められた位置関係で固定されている。

【００３５】３層構造とすることにより一回の入射線は
３つの半導体イメージセンサユニットを通過し、同時に
３系統のデータが得られるようになる。これにより２層
構造より、相互補完、相互補正、強度の点で有利にな
り、かつ入射角度のみならず入射線の直進性の測定も可
能になる。

【００３６】図１８は本発明にかかる半導体イメージセ
ンサ装置の第１１の実施例を示す正面図である。本実施
例は第１０の実施例の上側半導体イメージセンサユニッ
トを小型のユニットにしたものである。上側に固定され
る小型半導体イメージセンサユニットは、半導体イメー
ジセンサチップが２枚のもので、中央半導体イメージセ
ンサユニット２７や、下側半導体イメージセンサユニッ
ト９の左半分部分とほぼ同様なもので、中央半導体イメ
ージセンサユニット２７の左側半分の上側に位置してい
る。各ユニットはスペーサＡ６、スペーサＢ７、スペー
サＪ２６を介して互いに定められた位置関係で固定され
ている。

【００３７】本実施例のような構成であると、半導体イ
メージセンサ装置の左半分に入射された信号は、右半分
に入射した場合よりもより正確で多くの情報が得られ
る。例えば、右半分への入射頻度や密度がより高い場合
等に適している構成である。第１０、第１１の実施例の
ように、用途に応じて３個以上の半導体イメージセンサ
ユニットを定められた位置関係に固定して使用しても構
わない。

【００３８】また半導体イメージセンサチップは異なる
仕様の半導体イメージセンサチップを組み合わせた半導
体イメージセンサユニットであってもよいし、組み合わ
せる半導体イメージセンサユニットが異なる仕様であっ
てもよい。部分的に入射線の密度、頻度が異なる場合、
詳細な情報が必要な部分のセンスラインが多いような半
導体イメージセンサユニットを用いたり、第１２の実施
例に様に、そこだけ他の部分より多い数の半導体イメー
ジセンサユニットを組み合わせる、等のことも可能であ
る。

【００３９】上述した本発明にかかる半導体イメージセ
ンサ装置のスペーサはいくつかの代表例であり、実際
は、用途・必要とされる強度・寸法、等々の半導体イメ
ージセンサ装置への要求仕様に適合した形状・材質・接
合方法であればどんなものであってもよい。

【００４０】

【発明の効果】この発明は以上説明したように、複数チ
ップ実装型半導体イメージセンサ装置ユニットを複数
個、互いに定められた位置関係でスペーサを用いて固定
することにより、精度が良く、信頼性が高く、多くの情
報が得られ、かつ剛性が高い複数チップ実装型半導体イ
メージセンサ装置が得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の第
１の実施例の斜視図である。

【図２】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の第
１の実施例の分解図である。

【図３】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の第
１の実施例の正面図である。

【図４】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の第
１の実施例の上面図である。

【図５】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の第
１の実施例の入射部の拡大断面図である。

【図６】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の第
２の実施例のスペーサを示す上面図である。

【図７】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の第
３の実施例のスペーサを示す（ａ）上面図及び（ｂ）正
面図である。

【図８】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の第
４の実施例のスペーサを示す上面図である。

【図９】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の第
５の実施例のスペーサを示す上面図である。

【図１０】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
第２、第３、第４、第５の実施例での種々（ａ）〜
（ｆ）のスペーサ断面を示す上面図である。

【図１１】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
第６の実施例のスペーサを示す上面図である。

【図１２】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
第６の実施例のスペーサを示す斜視図である。

【図１３】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
第７の実施例のスペーサを示す上面図である。

【図１４】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
第８の実施例のスペーサを示す（ａ）上面図および
（ｂ）正面図である。

【図１５】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
第１の実施例でスペーサ厚さに違いがある場合の拡大正
面図である。

【図１６】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
第９の実施例を示す分解図である。

【図１７】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
第１０の実施例を示す正面図である。

【図１８】本発明にかかる半導体イメージセンサ装置の
第１１の実施例を示す正面図である。

【図１９】従来の半導体イメージセンサ装置の例を示す
斜視図である。

【符号の説明】

１半導体イメージセンサチップ２半導体駆動チップ３駆動基板４接続チップ５センスライン６スペーサＡ７スペーサＢ８上側半導体イメージセンサユニット９下側半導体イメージセンサユニット１０入射線１１検出部Ａ１２検出部Ｂ１３スペーサＣ１４半導体イメージセンサユニット外形線１５スペーサＤ１６スペーサＥ１７スペーサＦ１８スペーサＧ１９スペーサＨ２０スペーサＩ２１スペーサＡ１２２スペーサＡ２２３接着剤２４片面半導体イメージセンサチップＡ２５片面半導体イメージセンサチップＢ２６スペーサＪ２７中央半導体イメージセンサユニット２８小型半導体イメージセンサユニット２９補強板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の半導体チップを機械的に一体な物
にする手段と、それらの間を電気的に接続する手段とを
有する半導体ユニットを主要構成要素とする電子装置に
おいて、複数個の半導体ユニットを互いに定められた位
置関係に固定する構成であることを特徴とする電子装
置。
【請求項２】前記半導体ユニット同士を定められた位
置関係で固定するための手段として、少なくとも一つ以
上のスペーサを有することを特徴とする請求項１記載の
電子装置。
【請求項３】前記半導体ユニットと前記スペーサの固
定は接着剤で行うことを特徴とする請求項２記載の電子
装置。
【請求項４】前記接着剤は常温硬化型接着剤であるこ
とを特徴とする請求項３記載の電子装置。
【請求項５】前記スペーサは補強部材を兼ねているこ
とを特徴とする請求項２または３記載の電子装置。
【請求項６】前記スペーサの一部または全体は前記半
導体チップの放熱板を兼ねていることを特徴とする請求
項２、３、５のいずれか一項記載の電子装置。
【請求項７】前記スペーサは前記電子装置を外部フレ
ームに取り付ける手段を有することを特徴とする請求項
２、３、５、６のいずれか一項記載の電子装置。
【請求項８】前記スペーサの全体または一部は規則性
を持って配列されていることを特徴とする請求項２、
３、５のいずれか一項記載の電子装置。
【請求項９】前記スペーサは前記半導体ユニットの長
手方向と平行な方向に配列されていることを特徴とする
請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】前記スペーサは前記半導体ユニットの
長手方向と直角方向に配列されていることを特徴とする
請求項８記載の半導体装置。
【請求項１１】前記スペーサは同心円状に配列されて
いることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１２】前記スペーサは前記半導体ユニット間
の隙間より厚みが小さいことを特徴とする請求項２、
３、５、６、７、８のいずれか一項記載の電子装置。
【請求項１３】前記スペーサと前記半導体ユニットの
隙間を前記接着剤あるいは樹脂で充填することを特徴と
する請求項１２記載の電子装置。