WO2017069205A1 - セパレータ - Google Patents

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WO2017069205A1
WO2017069205A1 PCT/JP2016/081121 JP2016081121W WO2017069205A1 WO 2017069205 A1 WO2017069205 A1 WO 2017069205A1 JP 2016081121 W JP2016081121 W JP 2016081121W WO 2017069205 A1 WO2017069205 A1 WO 2017069205A1
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WO
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separator
semiconductor wafer
buffer function
function piece
range
Prior art date
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PCT/JP2016/081121
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English (en)
French (fr)
Inventor
正敬 西島
廣瀬　賢一
Original Assignee
アキレス株式会社
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Publication date
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Priority to EP16857518.1A priority patent/EP3367427B1/en
Priority to KR1020187013708A priority patent/KR102111868B1/ko
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D85/00—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials
    • B65D85/30—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for articles particularly sensitive to damage by shock or pressure
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    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67353—Closed carriers specially adapted for a single substrate

Definitions

  • the present invention is a separator capable of avoiding damage to a semiconductor wafer due to vibration or impact during transportation without using a cushion material or the like when the semiconductor wafer is stacked and accommodated vertically in a semiconductor wafer transport container and transported. About.
  • a coin stack type (horizontal) transport container which is a conventional transport form
  • cushion materials are provided at the uppermost and lowermost stages in the container, and a semiconductor wafer and interlayer paper (synthetic resin sheet or dust-free paper) are provided between the cushions.
  • Etc. are alternately interposed to suppress damage to the semiconductor wafer due to vibration and impact during transportation (see, for example, Patent Document 1).
  • a cushion material or the like is used as described above, there is a concern about the generation of dust or outgas from the cushion material or the like.
  • a non-contact type separator has been proposed that can avoid the risk of wafer contamination / damage due to contact between the wafer surface and interlayer paper (see, for example, Patent Document 2). Also, in the vertical container, the circuit formation surface of the semiconductor wafer can ensure a non-contact state, but in the thin wafer state after back grinding, when the container lid is closed, a load on the semiconductor wafer is generated, There is a problem that the risk of damage to the semiconductor wafer due to vibration of the container increases.
  • Patent Document 2 can avoid the risk of wafer contamination / damage due to contact between the wafer surface and interlayer paper, etc., it does not damage the semiconductor wafer due to vibration / impact during transportation. In order to suppress it, it is still necessary to provide cushioning materials and the like at the uppermost and lowermost stages in the container, and thus the problem of generation of dust, outgas, etc. from the cushioning materials has not been solved.
  • the present invention is a separator that can solve the above-described problem, that is, when a semiconductor wafer is stacked and accommodated in a semiconductor wafer transfer container in the upper and lower directions, the vibration and impact during transfer can be performed without using a cushioning material or the like. It is an object of the present invention to provide a separator that can avoid damage to a semiconductor wafer due to the above.
  • the present inventors have formed a flat annular body when transporting the semiconductor wafers stacked in the semiconductor wafer transport container in the vertical direction, and the outer periphery thereof.
  • An annular convex portion having a wafer supporting surface that contacts the outer peripheral edge of the semiconductor wafer is formed over the portion, and a notch is formed at an appropriate number of locations of the annular convex portion. Adjacent, when the separator provided with buffer function pieces extending obliquely upward or obliquely downward from the separator reference surface is installed between the semiconductor wafers and above and below the semiconductor wafers stacked and stored, without using a cushioning material, etc.
  • the present inventors have found that the semiconductor wafer can be prevented from being damaged due to vibration and impact during transportation.
  • the present invention [1] In a semiconductor wafer transfer container for stacking and storing semiconductor wafers vertically, the stacked semiconductor wafers are not in contact with each other, and the semiconductor wafer and the inner top surface or the inner bottom surface of the semiconductor wafer transfer container are A separator interposed between two semiconductor wafers adjacent to each other so as not to contact, and between the semiconductor wafer and the inner top surface or the inner bottom surface of the container,
  • the separator is formed of a flat toroid, and has an annular protrusion having a wafer support surface in contact with the outer peripheral edge of the semiconductor wafer over the outer peripheral edge, and the annular convex is an appropriate
  • a separator characterized in that, in several places, a notch is formed, and a buffer function piece extending obliquely upward or obliquely downward from the separator reference surface is provided adjacent to the notch, [2]
  • the separator according to [1], wherein the portion including the annular convex portion has a substantially T-shaped or substantially L
  • the present invention when semiconductor wafers are stacked and accommodated in a semiconductor wafer transfer container and transported, a separator capable of avoiding damage to the semiconductor wafer due to vibration or impact during transport without using a cushion material or the like.
  • the flat toric surface of the separator of the present invention can serve as a suction surface of the suction pad, thereby achieving the effect of facilitating the storage and removal of the separator by an automated transfer device.
  • the notch formed in the separator of the present invention can also function as a vent to the space formed between the semiconductor wafers, thereby sealing the space formed between the semiconductor wafers.
  • the separator of the present invention in which the portion including the annular convex portion has a substantially T-shaped cross-section can ensure a non-contact state of the circuit even when a semiconductor wafer having a circuit formed on both sides is transported.
  • the semiconductor wafer has an excellent effect of avoiding contamination and damage of the semiconductor wafer.
  • FIG. 2 is a diagram showing an embodiment 1 which is one embodiment of the separator of the present invention, in which (A) shows a top view, (B) shows a cross-sectional shape (cut portion aa), and (C) shows a side view. (D1) thru
  • FIGS. 10A and 10B are views showing an embodiment 10 which is one embodiment of the separator of the present invention, in which FIG. 9A shows a top view, FIG. 10B shows a cross-sectional shape (cut portion a′-a ′), and FIG.
  • FIG. 11 is a diagram showing an embodiment 11 which is one embodiment of the separator of the present invention, where (A) shows a partial view of the upper surface, (C) shows a cross-sectional shape (cut location a ′′ -a ′′), B1) and (B2) show enlarged views of one part (buffer function piece) of the side view.
  • FIG. 14 is a diagram showing an aspect 12 which is one aspect of the separator of the present invention, in which (A) shows a partial view of the upper surface, and (C) shows a cross-sectional shape (cutting location a ′′ ′′ ⁇ a ′′ ′′).
  • (B1) and (B2) are enlarged views of one part (buffer function piece) of the side view.
  • (A) shows the partial figure of an upper surface
  • (C) is a cross-sectional shape (cutting location a "" "-a” ")
  • (B1) and (B2) are enlarged views of one part (buffer function piece) of the side view.
  • the present invention relates to a semiconductor wafer transfer container for storing semiconductor wafers stacked one above the other so that the stacked semiconductor wafers do not contact each other, and the inner top surface or inner bottom surface of the semiconductor wafer and the semiconductor wafer transfer container Is a separator interposed between two semiconductor wafers that are vertically adjacent to each other, and between the semiconductor wafer and the inner top surface or the inner bottom surface of the container,
  • the separator is formed of a flat toroid, and has an annular protrusion having a wafer support surface in contact with the outer peripheral edge of the semiconductor wafer over the outer peripheral edge, and the annular convex is an appropriate
  • the present invention relates to a separator characterized in that, at several places, a notch is formed, and a buffer function piece extending obliquely upward or obliquely downward from the separator reference surface is provided adjacent to the notch.
  • the separator of the present invention can be produced by forming a synthetic resin by injection molding, vacuum molding, pressure molding, or the like.
  • the synthetic resin include polypropylene resin, polystyrene resin, ABS resin, polycarbonate resin, polyacetal resin, polyphenylene ether resin, polyether nitrile resin, polyphenylene sulfide resin, polyphthalamide resin, poly Examples include arylate resins, polysulfone resins, polyether sulfone resins, polyetherimide resins, liquid crystal polymer resins, and polyether ether ketone resins, and polypropylene resins and polycarbonate resins are preferable.
  • the surface resistance value of the separator can be made 10 1 to 10 12 ⁇ .
  • the conductive filler include carbon black, graphite carbon, graphite, carbon fiber, metal powder, metal fiber, metal oxide powder, metal-coated inorganic fine powder, organic fine powder, and fiber.
  • the conductive treatment include forming a conductive film by directly polymerizing a conductive polymer on the molded separator surface, or coating the separator surface with a coating containing a conductive polymer and a binder resin. Can be mentioned.
  • a separator formed of a synthetic resin having a surface resistance value of 10 1 to 10 12 ⁇ is preferable.
  • the separator of this invention consists of a flat annular body, and the cyclic
  • the portion including the annular convex portion may have a substantially T-shaped or substantially L-shaped cross section.
  • having a substantially T-shaped cross-section means that annular convex portions having a wafer support surface are formed on the upper and lower surfaces of the separator, and as a result, the cross-sectional shape is substantially T-shaped.
  • Having an L-shaped cross section means that an annular convex portion having a wafer support surface is formed only on the upper surface of the separator, and as a result, the cross-sectional shape is substantially L-shaped.
  • a separator having a substantially T-shaped cross section In transporting a semiconductor wafer having circuits formed on both sides, it is preferable to use a separator having a substantially T-shaped cross section since the non-contact state of the circuits on both sides can be maintained.
  • the diameter of the separator of the present invention having a substantially T-shaped or substantially L-shaped cross section is substantially the same as the diameter of the semiconductor wafer, and therefore, the annular convex provided on the outer peripheral edge of the separator of the present invention.
  • the wafer support surface of the part contacts only the peripheral part of the semiconductor wafer.
  • the separator of this invention can also include the aspect which has a cross-sectional part different from said substantially T shape or substantially L shape.
  • the annular convex portion having the wafer supporting surface that contacts the outer peripheral edge of the semiconductor wafer in the separator is the outer peripheral edge of the separator. If the annular protrusions are formed on both the upper and lower surfaces of the separator as a result, the cross-sectional shape of the separator is substantially a cross shape, and the annular protrusion is only on the upper surface of the separator.
  • the cross-sectional shape of the separator is substantially bowl-shaped, but such an embodiment is also included in the separator of the present invention.
  • the separator has a diameter that is smaller in the range of 1 to 5 mm than the diameter of the semiconductor wafer.
  • the separator of this invention WHEREIN: The separator from which the part containing the said annular convex part becomes a substantially T-shaped or a substantially L-shaped cross-section part is preferable.
  • the annular convex portion is formed with a notch portion at an appropriate number of locations, and a buffer function piece extending obliquely upward or obliquely downward from the separator reference surface is provided adjacent to the notch portion.
  • the separator reference plane is a plane formed by a flat torus, and specifically means a plane formed when the flat torus is cut in half in the horizontal direction. .
  • the shape of the notch and the shape of the buffer function piece are not particularly limited, but the buffer function piece has a tip that extends obliquely upward or obliquely downward from the separator reference surface so that it exceeds the height of the annular protrusion, that is, It is set so that it protrudes from the wafer support surface formed on the annular convex part, and the notch part is a part that becomes unnecessary for the tip of the buffer function piece to maintain the shape exceeding the height of the annular convex part. It is formed by removing. As described above, the buffer function piece has a tip that exceeds the height of the annular convex portion, that is, protrudes from the wafer support surface formed on the annular convex portion.
  • the shape of the buffer function piece is not particularly limited as long as it can exhibit a buffer function as described above, and specific examples include a plate shape and a bar shape. Further, the tip of the buffer function piece exceeds the height of the annular convex portion in the range of 0.2 mm to 1.0 mm, that is, 0.2 mm to 1.0 mm protrudes from the wafer support surface formed on the annular convex portion. It is preferable.
  • the separator having a substantially T-shaped or substantially cruciform cross-sectional shape i.e., annular protrusions having wafer support surfaces formed on the upper and lower surfaces of the separator is obliquely upward from the separator reference surface.
  • the tip of the extended buffer function piece exceeds the height of the annular convex portion formed on the upper surface of the separator in the range of 0.2 mm to 1.0 mm, and the tip of the buffer function piece extended obliquely downward from the separator reference surface is
  • the height of the annular projection formed on the lower surface of the separator is preferably in the range of 0.2 mm to 1.0 mm.
  • the separator having a substantially L-shaped or substantially saddle-shaped cross-sectional shape among the separators that is, in the separator in which the annular convex portion having the wafer supporting surface is formed only on the upper surface of the separator, it is inclined upward from the separator reference surface.
  • the tip of the extended buffer function piece exceeds the height of the annular convex portion formed on the upper surface of the separator in the range of 0.2 mm to 1.0 mm, and the tip of the buffer function piece extended obliquely downward from the separator reference surface is It is preferable that the separator protrudes downward from the lower surface of the flat torus in the range of 0.2 mm to 1.0 mm.
  • the buffer function piece provided on the annular convex portion is formed at four or more locations, preferably 6 to 12 locations, and more preferably 6 to 10 locations.
  • one buffer function piece can be provided in the said formation location, two or more can also be provided.
  • the buffer function pieces are formed at equal intervals on the annular convex portion, and the buffer function pieces extending obliquely upward and the buffer function pieces extending obliquely downward from the separator reference surface are alternately arranged. It is preferable to arrange.
  • a notch part is formed adjacent to a buffer function piece, the number of the formation location becomes the same as the number of the formation locations of a buffer function piece.
  • FIG. 1 is a diagram showing an embodiment 1 which is an embodiment of the separator of the present invention.
  • Aspect 1 includes a flat toroid 2 as shown in a top view (A) and a cross-sectional shape (B) which is a cut portion aa, and the outer peripheral edge 3 of the semiconductor wafer
  • An annular convex portion 6 having a wafer support surface 7 to be contacted is formed on both upper and lower surfaces of the separator, the cross-sectional shape is substantially T-shaped, and the annular convex portion 6 is cut into an L shape at eight positions at equal intervals.
  • a notch portion 4 is formed, and a bar-shaped buffer function piece 5 extending obliquely upward or obliquely downward from the separator reference surface 9 is provided adjacent to the notch portion.
  • the mode 1 is a buffer function piece extending obliquely upward from the separator reference surface 9. And buffer function pieces extending diagonally downward are arranged alternately.
  • the vertical distance b between the wafer support surface 7 of the annular convex portion 6 formed on the upper surface of the separator and the wafer support surface 7 of the annular convex portion 6 formed on the lower surface of the separator is 1.5 mm to 3.5 mm.
  • the range is preferably 2.0 mm to 3.0 mm.
  • the heights c and d of the annular projections are equal and are in the range of 0.2 mm to 1 mm, preferably in the range of 0.3 mm to 0.9 mm.
  • the width e of the wafer support surface 7 is in the range of 1 mm to 3 mm, and preferably in the range of 1.5 mm to 2.5 mm.
  • the width f of the flat torus 2 is in the range of 7 mm to 11 mm, and preferably in the range of 8 mm to 10 mm.
  • the thickness g of the flat torus 2 is smaller than the thickness of the outer peripheral edge, is in the range of 0.8 mm to 2 mm, and is preferably in the range of 1 mm to 1.5 mm.
  • the figure which looked at the part shown by (D2) of FIG. 1 from diagonally upward was shown in FIG.
  • an L-shaped cutout portion 4 is formed, and a bar-shaped buffer function piece 5 extending obliquely upward from the separator reference surface 9 is provided adjacent to the cutout portion.
  • the length of the bar-shaped buffer function piece 5 is in the range of 5 mm to 15 mm, and preferably in the range of 7 mm to 13 mm.
  • the width i of the bar-shaped buffer function piece 5 is equal to the width e of the wafer support surface 7, and the height j of the bar-shaped buffer function piece 5 is equal to the vertical distance b between the upper and lower wafer support surfaces 7.
  • the distance h at which the tip of the buffer function piece 5 exceeds the height of the annular convex portion is in the range of 0.2 mm to 1.0 mm, and preferably in the range of 0.2 mm to 0.5 mm.
  • the L-shaped width (corresponding to the thickness of the L-shape) formed by the notch 4 is in the range of 0.7 mm to 1.3 mm, and preferably in the range of 0.8 to 1.2 mm. It is.
  • FIG. 3 shows an embodiment 10 which is another embodiment of the separator of the present invention.
  • the aspect 10 is composed of a flat torus 2 as shown in a top view (A) and a cross-sectional shape (B) which is a cut portion a′-a ′, and the outer periphery 3 of the semiconductor wafer extends outside the semiconductor wafer.
  • An annular convex portion 6 having a wafer supporting surface 7 in contact with the peripheral edge is formed only on the upper surface of the separator, the cross-sectional shape is substantially L-shaped, and the annular convex portion 6 is L-shaped at eight positions at equal intervals.
  • a notch portion 4 is formed, and a bar-shaped buffer function piece 5 extending obliquely upward or obliquely downward from the separator reference surface 9 is provided adjacent to the notch portion.
  • the mode 10 is a buffer function piece extending obliquely upward from the separator reference surface 9. And buffer function pieces extending diagonally downward are arranged alternately.
  • the vertical distance b between the wafer support surface 7 of the annular projection 6 formed on the upper surface of the separator and the lower surface of the flat annular body 2 of the separator is in the range of 1.0 mm to 3.0 mm. A range of 5 mm to 2.5 mm is preferable.
  • the height c of the annular convex portion is in the range of 0.2 mm to 1 mm, and preferably in the range of 0.3 mm to 0.9 mm.
  • the width e of the wafer support surface 7 is in the range of 1 mm to 3 mm, and preferably in the range of 1.5 mm to 2.5 mm.
  • the width f of the flat torus 2 is in the range of 7 mm to 11 mm, and preferably in the range of 8 mm to 10 mm.
  • the thickness g of the flat torus 2 is smaller than the thickness of the outer peripheral edge, is in the range of 0.8 mm to 2 mm, and is preferably in the range of 1 mm to 1.5 mm.
  • the length of the bar-shaped buffer function piece 5 is in the range of 5 mm to 15 mm, and preferably in the range of 7 mm to 13 mm.
  • the width of the bar-like buffering function piece 5 is equal to the width e of the wafer support surface 7, and the height of the bar-like buffering function piece 5 is between the wafer support surface 7 and the lower surface of the flat annular body 2 of the separator. It is equal to the vertical distance b between.
  • the distance at which the tip of the buffer function piece 5 exceeds the height of the annular convex portion is in the range of 0.2 mm to 1.0 mm, and preferably in the range of 0.2 mm to 0.5 mm.
  • the L-shaped width (corresponding to the thickness of the L-shape) formed by the notch 4 is in the range of 0.7 mm to 1.3 mm, and preferably in the range of 0.8 to 1.2 mm. It is.
  • FIG. 4 shows an embodiment 11 which is another embodiment of the separator of the present invention.
  • the aspect 11 is composed of a flat toroid 2 as shown in a partial top view (A) and a cross-sectional shape (C) which is a cut portion a ′′ -a ′′, and extends over the outer peripheral edge 3 thereof.
  • the annular protrusions 6 having the wafer support surfaces 7 that come into contact with the outer peripheral edge of the semiconductor wafer are formed on the upper and lower surfaces of the separator, and the cross-sectional shape is substantially T-shaped.
  • a T-shaped cutout portion 4 is formed, and a bar-shaped buffer function piece 5 extending obliquely upward or obliquely downward from the separator reference surface 9 is provided adjacent to the cutout portion.
  • (B1) and (B2) which are enlarged views of the location where the buffer function piece is formed, in the aspect 11, two bar-like buffer function pieces 5 are formed per location where the buffer function piece is formed,
  • the two bar-shaped cushioning functional pieces 5 both extend obliquely upward from the separator reference surface 9 as indicated by (B1), or both extend obliquely downward as indicated by (B2).
  • the configuration of (B1) and the configuration of (B2) are arranged alternately.
  • the vertical distance b between the wafer support surface 7 of the annular projection 6 formed on the upper surface of the separator and the wafer support surface 7 of the annular projection 6 formed on the lower surface of the separator, the heights c and d of the annular projections are the same as those in the first embodiment.
  • the T-shaped cutout portion 4 is formed, and two bar-shaped buffer function pieces 5 extending obliquely upward from the separator reference surface 9 are provided adjacent to the cutout portion, or the separator reference Two bar-shaped buffer function pieces 5 extending obliquely downward from the surface 9 are provided.
  • the length of the bar-shaped buffer function piece 5 is in the range of 5 mm to 15 mm, and preferably in the range of 7 mm to 13 mm.
  • the width of the bar-shaped buffer function piece 5 is equal to the width e of the wafer support surface 7, and the height of the bar-shaped buffer function piece 5 is equal to the vertical distance b between the upper and lower wafer support surfaces 7.
  • the distance at which the tip of the buffer function piece 5 exceeds the height of the annular convex portion is in the range of 0.2 mm to 1.0 mm, and preferably in the range of 0.2 mm to 0.5 mm.
  • the width of the T-shape formed by the notch 4 (corresponding to the thickness of the T-shape) is in the range of 0.7 mm to 1.3 mm, preferably in the range of 0.8 to 1.2 mm. It is.
  • FIG. 5 shows an embodiment 12, which is another embodiment of the separator of the present invention.
  • the aspect 12 is composed of a flat toroid 2 as shown by a partial top view (A) and a cross-sectional shape (C) which is a cut portion a ′′ ′′-a ′′ ′′, and an outer peripheral edge portion thereof.
  • annular protrusions 6 having wafer support surfaces 7 that are in contact with the outer peripheral edge of the semiconductor wafer are formed on the upper and lower surfaces of the separator, the cross-sectional shape is substantially T-shaped, and the annular protrusions 6 are equally spaced.
  • a T-shaped cutout portion 4 is formed, and adjacent to the cutout portion, a bar-shaped buffer function piece 5 extending obliquely upward or obliquely downward from the separator reference surface 9 is provided.
  • (B1) and (B2) which are enlarged views of the location where the buffer function piece is formed, in the aspect 12, two bar-like buffer function pieces 5 are formed per location where the buffer function piece is formed, As shown in (B1), one of the two bar-shaped buffer function pieces 5 extends obliquely downward from the separator reference surface 9 and the other extends obliquely upward, or as indicated by (B2). Contrary to (B1), one extends obliquely upward from the separator reference surface 9 and the other extends obliquely downward, and the configuration of (B1) and the configuration of (B2) are alternately arranged. Has been placed.
  • the vertical distance b between the wafer support surface 7 of the annular projection 6 formed on the upper surface of the separator and the wafer support surface 7 of the annular projection 6 formed on the lower surface of the separator, the heights c and d of the annular projections The range e and the preferred range of the width e of the wafer support surface 7, the width f of the flat torus 2, and the thickness g of the flat torus 2 are the same as those in the first embodiment.
  • the T-shaped notch 4 is formed, and adjacent to the notch, two bar-shaped cushions, one of which extends obliquely downward from the separator reference surface 9 and the other of the other, obliquely upward.
  • the functional piece 5 is provided or, conversely, two bar-like buffering functional pieces 5 are provided, one extending obliquely upward from the separator reference surface 9 and the other extending obliquely downward.
  • the length of the bar-shaped buffer function piece 5 is in the range of 0.5 mm to 1.5 mm, and preferably in the range of 0.7 mm to 1.3 mm.
  • the width of the bar-shaped buffer function piece 5 is equal to the width e of the wafer support surface 7, and the height of the bar-shaped buffer function piece 5 is equal to the vertical distance b between the upper and lower wafer support surfaces 7.
  • the distance at which the tip of the buffer function piece 5 exceeds the height of the annular convex portion is in the range of 0.2 mm to 1.0 mm, and preferably in the range of 0.2 mm to 0.5 mm.
  • the width of the T-shape formed by the notch 4 (corresponding to the thickness of the T-shape) is in the range of 0.7 mm to 1.3 mm, preferably in the range of 0.8 to 1.2 mm. It is.
  • FIG. 6 shows an embodiment 13 which is another embodiment of the separator of the present invention.
  • Aspect 13 consists of a flat torus 2 as shown by a partial top view (A) and a cross-sectional shape (C) which is a cut portion a ′ ′′ ′′-a ′′ ′′ ′.
  • annular convex portion 6 having a wafer supporting surface 7 in contact with the outer peripheral edge of the semiconductor wafer is formed on the upper and lower surfaces of the separator over the peripheral edge portion 3, the sectional shape is substantially T-shaped, and the annular convex portion 6 is
  • Two linear cutout portions 4 are formed at eight positions at intervals, and a plate-shaped buffer function piece 5 extending obliquely upward or obliquely downward from the separator reference surface 9 is provided adjacent to the cutout portions. It becomes.
  • the aspect 13 includes a plate-like buffer function piece extending obliquely upward from the separator reference surface 9 shown in (B1).
  • the plate-shaped buffer function pieces extending obliquely downward indicated by (B2) are arranged so as to be alternately arranged.
  • the vertical distance b between the wafer support surface 7 of the annular projection 6 formed on the upper surface of the separator and the wafer support surface 7 of the annular projection 6 formed on the lower surface of the separator, the heights c and d of the annular projections The range e and the preferred range of the width e of the wafer support surface 7, the width f of the flat torus 2, and the thickness g of the flat torus 2 are the same as those in the first embodiment.
  • two linear cutout portions 4 are formed, and adjacent to the cutout portions, the plate-like buffer function piece 5 extends obliquely upward or obliquely downward from the separator reference surface 9. Is provided.
  • the width of the plate-like buffer function piece 5 is in the range of 5 mm to 15 mm, preferably 7 mm to 13 mm, and the length of the plate-like buffer function piece 5 is in the range of 2 mm to 10 mm, 3 mm to 8 mm. The range of is preferable.
  • the thickness of the plate-like buffer function piece 5 is equal to the thickness g of the flat torus 2.
  • the distance at which the tip of the buffer function piece 5 exceeds the height of the annular convex portion is in the range of 0.2 mm to 1.0 mm, and preferably in the range of 0.2 mm to 0.5 mm.
  • the length of the two linear cutouts 4 is equal to the length of the plate-like buffer function piece 5 and the width (corresponding to the thickness of the straight line) is in the range of 0.7 mm to 1.3 mm. Preferably, it is the range of 0.8 to 1.2 mm.
  • stacking alternately the separator of the aspect 1 which is one aspect of the separator of this invention, and the semiconductor wafer 8 was shown in FIG.
  • the buffer function piece 5 of aspect 1 has a tip that exceeds the height of the annular protrusion, that is, protrudes from the wafer support surface formed on the annular protrusion, when the semiconductor wafer 8 is accommodated (D )
  • the tip of the buffer function piece 5 first comes into contact with the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 8 and is elastically deformed by the weight of the semiconductor wafer 8 as shown in (E).
  • the restoring force causes the state (D) to
  • the contact is maintained and the semiconductor wafer 8 sinks due to a downward force applied, it is elastically deformed and absorbs the shock to enter the state (E), thereby exhibiting a buffer function.
  • the present invention also relates to a semiconductor wafer storage container including a main body of a semiconductor wafer transfer container and the separator described above.
  • a semiconductor wafer storage container of the present invention includes, for example, a semiconductor wafer 8 between a semiconductor wafer transfer container (lid) 14 and a semiconductor wafer transfer container (main body) 15. 8 and the separator 16 interposed between the upper and lower layers.
  • the separator 16 may be the separator according to the above-described aspect 1, aspect 10, aspect 11, aspect 12, and aspect 13.
  • Example 1 Using a polycarbonate resin (Panlite L-1225L manufactured by Teijin Limited), a separator having the shape shown in the embodiment 1 of FIG. 1 and having the following dimensions was manufactured by integral molding.
  • a polycarbonate resin Panlite L-1225L manufactured by Teijin Limited
  • Diameter 300mm (same as the diameter of semiconductor wafer) Vertical distance b between upper and lower wafer support surfaces: 2.43 mm Wafer support surface width e: 2 mm Flat toroid width f: 9 mm Flat toroid thickness g: 1.23 mm
  • L-shaped width formed by the cutout 4 L-shaped thickness
  • an L-shaped notch 4 is formed, and a bar-shaped buffer function piece 5 is provided adjacent to the notch, and the buffer
  • the functional pieces 5 were arranged at eight positions at equal intervals so that the one extending obliquely upward and the one extending obliquely downward from the separator reference surface 9 were alternately arranged.
  • Test Example 1 Vibration Test A semiconductor wafer having a diameter of 300 mm and a thickness of 0.75 mm and a separator manufactured in Example 1 were stored in a wafer having a container storage height of 86.5 mm under the conditions described in Conditions 1 to 3 below.
  • a vibration test apparatus F-1000AM08M manufactured by Emic Co., Ltd .: the excitation direction is vertical, the frequency is 3 Hz, and the acceleration is ⁇ 1.2 G
  • the sound was heard and evaluated.
  • the same evaluation as described above was performed using a separator (Comparative Example 1) having the same dimensions as the separator of Example 1 except that the buffer function piece and the notch were not formed.

Abstract

【課題】セパレータを提供する。 【解決手段】半導体ウェハを上下に積層して収納する半導体ウェハ搬送容器において、積層された半導体ウェハ同士が接触しないように、また、該半導体ウェハと半導体ウェハ搬送容器の内側天面もしくは内側底面とが接触しないように、上下に隣り合う二つの半導体ウェハの間に、また、半導体ウェハと該容器の内側天面もしくは内側底面との間に介装されるセパレータであって、 該セパレータは、平坦な円環体からなり、その外周縁部にわたって、半導体ウェハの外周縁と接触するウェハ支持面を有する環状凸部を形成してなり、そして、該環状凸部は、その適当数の箇所において、切り欠き部を形成するとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面より斜め上向き又は斜め下向きに延びる緩衝機能片を設けてなることを特徴とする、セパレータ。

Description

セパレータ
　本発明は、半導体ウェハ搬送容器の中に半導体ウェハを上下に積層収納して搬送する際、クッション材等を用いなくても、搬送中の振動・衝撃等による半導体ウェハの損傷を回避し得るセパレータに関する。
　半導体ウェハの搬送には、コインスタック式（横置き）搬送容器と縦置き容器の２種類が一般的に使用されている。
　これまでの搬送形態であるコインスタック式（横置き）搬送容器では、容器内の最上段と最下段にクッション材等を設け、そのクッション間に半導体ウェハと層間紙（合成樹脂製シートまたは無塵紙等）とを交互に介在させ、輸送中の振動・衝撃等による半導体ウェハの損傷を抑制していた（例えば、特許文献１参照。）。
　しかし、上記の様に、クッション材等を用いると、該クッション材等からの塵やアウトガス等の発生が懸念される。
　また、イメージセンサー表面のカバーガラスや3DS-IC 構造を持つウェハを上記の搬送容器で搬送する場合、これらのウェハは、その表面にマイクロバンプ(微小な金属突起)が形成されていたり、TSV 端子が露出したりして非常に繊細な構造を有していることから、上記ウェハの表面と層間紙等との接触により、ウェハが汚染したり損傷したりするリスクが付き纏うという問題もある。
　上記のウェハの表面と層間紙等との接触によるウェハの汚染・損傷等のリスクを回避し得る、非接触式のセパレータが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。また、縦置き容器においては、半導体ウェハの回路形成面は非接触状態を確保出来るものの、バックグラインド後の薄ウェハの状態では、容器フタを閉めた時、半導体ウェハに掛かる負荷が発生すると同時に、容器の振動等により半導体ウェハが破損する危険性が高まってしまうという問題が生じる。
特開平０９－１２９７１９号公報 中国実用新案公告第２０１０２３８１３号明細書
　特許文献２に記載のセパレータは、ウェハの表面と層間紙等との接触によるウェハの汚染・損傷等のリスクを回避し得るものではあるものの、輸送中の振動・衝撃等による半導体ウェハの損傷を抑制するために、依然として、容器内の最上段と最下段にクッション材等を設ける必要があり、そのため、該クッション材等からの塵やアウトガス等の発生の問題が依然として解消できなかった。
　本発明は、上記の問題を解決し得るセパレータ、即ち、半導体ウェハ搬送容器の中に半導体ウェハを上下に積層収納して搬送する際、クッション材等を用いなくても、搬送中の振動・衝撃等による半導体ウェハの損傷を回避し得るセパレータの提供を課題とする。
　本発明者等は、上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、半導体ウェハ搬送容器の中に半導体ウェハを上下に積層収納して搬送する際、平坦な円環体からなり、その外周縁部にわたって、半導体ウェハの外周縁と接触するウェハ支持面を有する環状凸部が形成され、そして、該環状凸部の適当数の箇所において、切り欠き部が形成されるとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面より斜め上向き又は斜め下向きに延びる緩衝機能片が設けられたセパレータを、半導体ウェハ間及び積層収納された半導体ウェハの上下に設置すると、クッション材等を用いなくても、搬送中の振動・衝撃等による半導体ウェハの損傷を回避し得ることを見出し、本発明を完成させた。
　従って、本発明は、
［１］半導体ウェハを上下に積層して収納する半導体ウェハ搬送容器において、積層された半導体ウェハ同士が接触しないように、また、該半導体ウェハと半導体ウェハ搬送容器の内側天面もしくは内側底面とが接触しないように、上下に隣り合う二つの半導体ウェハの間に、また、半導体ウェハと該容器の内側天面もしくは内側底面との間に介装されるセパレータであって、
該セパレータは、平坦な円環体からなり、その外周縁部にわたって、半導体ウェハの外周縁と接触するウェハ支持面を有する環状凸部を形成してなり、そして、該環状凸部は、その適当数の箇所において、切り欠き部を形成するとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面より斜め上向き又は斜め下向きに延びる緩衝機能片を設けてなることを特徴とする、セパレータ、
［２］前記環状凸部を含む部分が、略Ｔ字形又は略Ｌ字形の断面部を有する前記［１］記載のセパレータ、
［３］半導体ウェハ搬送容器の本体と、前記［１］又は［２］記載のセパレータとを含む、半導体ウェハの収納容器
に関する。
　本発明により、半導体ウェハ搬送容器の中に半導体ウェハを上下に積層収納して搬送する際、クッション材等を用いなくても、搬送中の振動・衝撃等による半導体ウェハの損傷を回避し得るセパレータが提供される。
　また、本発明のセパレータにおける平坦な円環体の面は、吸着パッドの吸着面となり得、それにより、自動化移載装置によるセパレータの収納・取出しを容易にするという効果が奏される。
　また、本発明のセパレータに形成される切り欠き部は、半導体ウェハ間に形成される空間への通気口としても機能することができ、これにより、半導体ウェハ間に形成される空間が密閉されて貼りつき、それにより、自動化移載装置を用いるセパレータのみ、或いは半導体ウェハのみの取出しが困難となる場合を回避するという効果が奏される。
　また、環状凸部を含む部分が、略Ｔ字形の断面部を有する本発明のセパレータは、両面に回路が形成された半導体ウェハを搬送する場合においても回路の非接触状態を確保でき、それにより、半導体ウェハの汚染や損傷等を回避することができるという優れた効果を奏する。
本発明のセパレータの１態様である態様１を示す図であって、（Ａ）は上面図を示し、（Ｂ）は断面形状（切断箇所ａ－ａ）を示し、（Ｃ）は側面図を示し、（Ｄ１）ないし（Ｄ３）は、側面図の１部分（緩衝機能片）の拡大図を示す。 図１の（Ｄ２）で示される部分を斜め上から見た図を示す。 本発明のセパレータの１態様である態様１０を示す図であって、（Ａ）は上面図を示し、（Ｂ）は断面形状（切断箇所ａ´－ａ´）を示し、（Ｃ）は側面図を示し、（Ｄ１）ないし（Ｄ３）は、側面図の１部分（緩衝機能片）の拡大図を示す。 本発明のセパレータの１態様である態様１１を示す図であって、（Ａ）は上面の部分図を示し、（Ｃ）は断面形状（切断箇所ａ´´－ａ´´）を示し、（Ｂ１）及び（Ｂ２）は、側面図の１部分（緩衝機能片）の拡大図を示す。 本発明のセパレータの１態様である態様１２を示す図であって、（Ａ）は上面の部分図を示し、（Ｃ）は断面形状（切断箇所ａ´´´－ａ´´´）を示し、（Ｂ１）及び（Ｂ２）は、側面図の１部分（緩衝機能片）の拡大図を示す。 本発明のセパレータの１態様である態様１３を示す図であって、（Ａ）は上面の部分図を示し、（Ｃ）は断面形状（切断箇所ａ´´´´－ａ´´´´）を示し、（Ｂ１）及び（Ｂ２）は、側面図の１部分（緩衝機能片）の拡大図を示す。 本発明のセパレータと半導体ウェハを交互に積層した際の緩衝機能を説明する概念図である。 半導体ウェハ搬送容器の中に半導体ウェハと本発明のセパレータを積層して収納する際の概念図である。
　本発明は、半導体ウェハを上下に積層して収納する半導体ウェハ搬送容器において、積層された半導体ウェハ同士が接触しないように、また、該半導体ウェハと半導体ウェハ搬送容器の内側天面もしくは内側底面とが接触しないように、上下に隣り合う二つの半導体ウェハの間に、また、半導体ウェハと該容器の内側天面もしくは内側底面との間に介装されるセパレータであって、
該セパレータは、平坦な円環体からなり、その外周縁部にわたって、半導体ウェハの外周縁と接触するウェハ支持面を有する環状凸部を形成してなり、そして、該環状凸部は、その適当数の箇所において、切り欠き部を形成するとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面より斜め上向き又は斜め下向きに延びる緩衝機能片を設けてなることを特徴とする、セパレータに関する。
　本発明のセパレータは、合成樹脂を射出成形・真空成形・圧空成形などで形成することにより製造することができる。
　上記の合成樹脂としては、ポリプロピレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ABS 系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ポリエーテルニトリル系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂、ポリフタルアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリサルフォン系樹脂、ポリエーテルサルフォン系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、液晶ポリマー系樹脂及びポリエーテルエーテルケトン系樹脂等が挙げられ、ポリプロピレン系樹脂及びポリカーボネート系樹脂等が好ましい。
　また、上記の合成樹脂に、導電性フィラーを含有させたり、或いは成形後のセパレータ表面に導電処理を施すことにより、該セパレータの表面抵抗値を１０1乃至１０12Ωとすることもできる。
　上記の導電性フィラーとしては、カーボンブラック、グラファイトカーボン、グラファイト、炭素繊維、金属粉末、金属繊維、金属酸化物の粉末、金属コートした無機質微粉末、有機質微粉末及び繊維等が挙げられる。
　上記の導電処理としては、成形後のセパレータ表面で直接導電性ポリマーを重合させて導電性の膜を形成したり、或いは導電性ポリマーとバインダー樹脂を含んだ塗料をセパレータ表面にコーティングすること等が挙げられる。
　表面抵抗値が１０1乃至１０12Ωとなる合成樹脂から形成されたセパレータが好ましい。
　本発明のセパレータは、平坦な円環体からなり、その外周縁部にわたって、半導体ウェハの外周縁と接触するウェハ支持面を有する環状凸部が形成される。
　上記環状凸部を含む部分は、略Ｔ字形又は略Ｌ字形の断面部を有し得る。
　ここで、略Ｔ字形の断面部を有するとは、ウェハ支持面を有する環状凸部が、セパレータの上下両面に形成され、結果として、断面形状が、略Ｔ字形となることを意味し、略Ｌ字形の断面部を有するとは、ウェハ支持面を有する環状凸部が、セパレータの上面のみに形成され、結果として、断面形状が、略Ｌ字形となることを意味する。
　両面に回路が形成された半導体ウェハの搬送においては、両面の回路の非接触状態を維持できることから、略Ｔ字形の断面部を有するセパレータを使用するのが好ましい。
　ここで、略Ｔ字形又は略Ｌ字形の断面部を有する本発明のセパレータの直径は、実質的に半導体ウェハの直径と同一であり、そのため、本発明のセパレータの外周縁部に設けられる環状凸部のウェハ支持面は、半導体ウェハの周縁部とのみ接触する。
　また、本発明のセパレータは、上記の略Ｔ字形又は略Ｌ字形とは異なる断面部を有する態様も含み得る。
　例えば、セパレータとして、半導体ウェハの直径よりも僅かに大きな直径を有するものを採用すると、該セパレータにおける、半導体ウェハの外周縁と接触するウェハ支持面を有する環状凸部は、該セパレータの外周縁部より僅かに内側に形成されることになり、結果として、環状凸部がセパレータの上下両面に形成される場合は、該セパレータの断面形状は略十字形となり、環状凸部がセパレータの上面のみに形成される場合は、該セパレータの断面形状は略⊥型となるが、このような態様も本発明のセパレータに含まれる。
　上記の場合、セパレータの直径は、具体的には、半導体ウェハの直径よりも１乃至５ｍｍの範囲で小さくなるものが挙げられる。
　本発明のセパレータにおいて、上記環状凸部を含む部分が、略Ｔ字形又は略Ｌ字形の断面部となるセパレータが好ましい。
　また、環状凸部は、その適当数の箇所において、切り欠き部を形成するとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面より斜め上向き又は斜め下向きに延びる緩衝機能片が設けられるが、ここで、セパレータ基準面とは、平坦な円環体のなす面であって、具体的には、平坦な円環体を水平方向で二等分に輪切りした際に形成される面を意味する。
　切り欠き部の形状及び緩衝機能片の形状は特に限定されないが、緩衝機能片は、そのセパレータ基準面より斜め上向き又は斜め下向きに延びた先端が、環状凸部の高さを超えるよう、即ち、環状凸部に形成されたウェハ支持面からはみ出すように設定され、そして、切り欠き部は、緩衝機能片の先端が、環状凸部の高さを超える形状を維持するために不要となる部分を除去することにより形成される。
　緩衝機能片は、上記の様に、その先端が、環状凸部の高さを超え、即ち、環状凸部に形成されたウェハ支持面からはみ出し、それにより半導体ウェハを収納した際、該半導体ウェハの外周縁部に最初に接触し、そして、半導体ウェハの重さにより弾性変形して、ウェハ支持面とほぼ同じ高さとなるものの、振動・衝撃等により上向きの力がかかって半導体ウェハが浮き上がった際は、その復元力により、半導体ウェハとの接触を維持し、下向きの力がかかって半導体ウェハが沈み込んだ際は、弾性変形して衝撃を吸収し、それにより、緩衝機能を示すものである。
　緩衝機能片の形状は、上記のように緩衝機能を示し得るものであれば特に限定されないが、具体的には、例えば、板状、棒状となる形状が挙げられる。
　また、緩衝機能片の先端は、環状凸部の高さを０．２ｍｍないし１．０ｍｍの範囲で超える、即ち、環状凸部に形成されたウェハ支持面から０．２ｍｍないし１．０ｍｍはみ出ているのが好ましい。
　尚、セパレータのうち、略Ｔ字形や略十字形の断面形状を有する、即ち、ウェハ支持面を有する環状凸部が、セパレータの上下両面に形成されているセパレータでは、セパレータ基準面より斜め上向きに延びた緩衝機能片の先端は、セパレータの上面に形成された環状凸部の高さを０．２ｍｍないし１．０ｍｍの範囲で超え、セパレータ基準面より斜め下向きに延びた緩衝機能片の先端は、セパレータの下面に形成された環状凸部の高さを０．２ｍｍないし１．０ｍｍの範囲で超えるのが好ましい。
　一方、セパレータのうち、略Ｌ字形や略⊥型の断面形状を有する、即ち、ウェハ支持面を有する環状凸部が、セパレータの上面のみに形成されているセパレータでは、セパレータ基準面より斜め上向きに延びた緩衝機能片の先端は、セパレータの上面に形成された環状凸部の高さを０．２ｍｍないし１．０ｍｍの範囲で超え、セパレータ基準面より斜め下向きに延びた緩衝機能片の先端は、セパレータにおける平坦な円環体の下面から０．２ｍｍないし１．０ｍｍの範囲で下方にはみ出しているのが好ましい。
　環状凸部に設けられる緩衝機能片の形成箇所は、４箇所以上であり、好ましくは、６箇所乃至１２箇所、より好ましくは、６箇所乃至１０箇所である。
　尚、緩衝機能片は、上記形成箇所に１つ設けることができるが、２つ以上設けることもできる。
　上記の緩衝機能片の形成箇所は、環状凸部において等間隔で形成するのが好ましく、また、セパレータ基準面より斜め上向きに延びる緩衝機能片と斜め下向きに延びる緩衝機能片が交互に並ぶように配置するのが好ましい。
　尚、切り欠き部は、緩衝機能片に隣接して形成されるものであるため、その形成箇所の数は、緩衝機能片の形成箇所の数と同じになる。
　本発明のセパレータの実施の態様を、図面を用いて説明する。
　図１は、本発明のセパレータの１態様である態様１を示す図である。
　態様１は、上面図（Ａ）及び切断箇所ａ－ａである断面形状（Ｂ）で示されるように、平坦な円環体２からなり、その外周縁部３にわたって、半導体ウェハの外周縁と接触するウェハ支持面７を有する環状凸部６をセパレータの上下両面に形成し、断面形状を、略Ｔ字形とし、そして、該環状凸部６は、等間隔で８箇所において、Ｌ字形の切り欠き部４を形成するとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面９より斜め上向き又は斜め下向きに延びる棒状の緩衝機能片５を設けてなる。
　側面図（Ｃ）及び側面図の１部分（緩衝機能片）の拡大図である（Ｄ１）ないし（Ｄ３）で示されるように、態様１は、セパレータ基準面９より斜め上向きに延びる緩衝機能片と斜め下向きに延びる緩衝機能片が交互に並ぶように配置されている。
　セパレータの上面に形成された環状凸部６のウェハ支持面７とセパレータの下面に形成された環状凸部６のウェハ支持面７との間の垂直距離ｂは、１．５ｍｍ乃至３．５ｍｍの範囲であり、２．０ｍｍ乃至３．０ｍｍの範囲が好ましい。
　環状凸部の高さｃ及びｄは、等しく、０．２ｍｍ乃至１ｍｍの範囲であり、０．３ｍｍ乃至０．９ｍｍの範囲が好ましい。
　ウェハ支持面７の幅ｅは、１ｍｍ乃至３ｍｍの範囲であり、１．５ｍｍ乃至２．５ｍｍの範囲が好ましい。
　平坦な円環体２の幅ｆは、７ｍｍ乃至１１ｍｍの範囲であり、８ｍｍ乃至１０ｍｍの範囲が好ましい。
　平坦な円環体２の厚さｇは、外周縁部の厚さよりも薄く、０．８ｍｍ乃至２ｍｍの範囲であり、１ｍｍ乃至１．５ｍｍの範囲が好ましい。
　図１の（Ｄ２）で示される部分を斜め上から見た図を図２に示した。
　ここで、Ｌ字形の切り欠き部４が形成されるとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面９より斜め上向きに延びる棒状の緩衝機能片５が設けられている。棒状の緩衝機能片５の長さは、５ｍｍ乃至１５ｍｍの範囲であり、７ｍｍ乃至１３ｍｍの範囲が好ましい。
　尚、棒状の緩衝機能片５の幅ｉは、ウェハ支持面７の幅ｅに等しく、棒状の緩衝機能片５の高さｊは、上下のウェハ支持面７間の垂直距離ｂに等しい。
　緩衝機能片５の先端が環状凸部の高さを超える距離ｈは、０．２ｍｍないし１．０ｍｍの範囲であり、好ましくは、０．２ｍｍないし０．５ｍｍの範囲である。
　また、切り欠き部４が形成するＬ字形の幅（Ｌ字の字の太さに相当）は、０．７ｍｍないし１．３ｍｍの範囲であり、好ましくは、０．８ないし１．２ｍｍの範囲である。
　図３に、本発明のセパレータの別の態様である態様１０を示した。
　態様１０は、上面図（Ａ）及び切断箇所ａ´－ａ´である断面形状（Ｂ）で示されるように、平坦な円環体２からなり、その外周縁部３にわたって、半導体ウェハの外周縁と接触するウェハ支持面７を有する環状凸部６をセパレータの上面のみに形成し、断面形状を略Ｌ字形とし、そして、該環状凸部６は、等間隔で８箇所において、Ｌ字形の切り欠き部４を形成するとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面９より斜め上向き又は斜め下向きに延びる棒状の緩衝機能片５を設けてなる。
　側面図（Ｃ）及び側面図の１部分（緩衝機能片）の拡大図である（Ｄ１）ないし（Ｄ３）で示されるように、態様１０は、セパレータ基準面９より斜め上向きに延びる緩衝機能片と斜め下向きに延びる緩衝機能片が交互に並ぶように配置されている。
　セパレータの上面に形成された環状凸部６のウェハ支持面７とセパレータの平坦な円環体２の下面との間の垂直距離ｂは、１．０ｍｍ乃至３．０ｍｍの範囲であり、１．５ｍｍ乃至２．５ｍｍの範囲が好ましい。
　環状凸部の高さｃは、０．２ｍｍ乃至１ｍｍの範囲であり、０．３ｍｍ乃至０．９ｍｍの範囲が好ましい。
　ウェハ支持面７の幅ｅは、１ｍｍ乃至３ｍｍの範囲であり、１．５ｍｍ乃至２．５ｍｍの範囲が好ましい。
　平坦な円環体２の幅ｆは、７ｍｍ乃至１１ｍｍの範囲であり、８ｍｍ乃至１０ｍｍの範囲が好ましい。
　平坦な円環体２の厚さｇは、外周縁部の厚さよりも薄く、０．８ｍｍ乃至２ｍｍの範囲であり、１ｍｍ乃至１．５ｍｍの範囲が好ましい。
　棒状の緩衝機能片５の長さは、５ｍｍ乃至１５ｍｍの範囲であり、７ｍｍ乃至１３ｍｍの範囲が好ましい。
　尚、棒状の緩衝機能片５の幅は、ウェハ支持面７の幅ｅに等しく、棒状の緩衝機能片５の高さは、ウェハ支持面７とセパレータの平坦な円環体２の下面との間の垂直距離ｂに等しい。
　緩衝機能片５の先端が環状凸部の高さを超える距離は、０．２ｍｍないし１．０ｍｍの範囲であり、好ましくは、０．２ｍｍないし０．５ｍｍの範囲である。
　また、切り欠き部４が形成するＬ字形の幅（Ｌ字の字の太さに相当）は、０．７ｍｍないし１．３ｍｍの範囲であり、好ましくは、０．８ないし１．２ｍｍの範囲である。
　図４に、本発明のセパレータの別の態様である態様１１を示した。
　態様１１は、部分的な上面図（Ａ）及び切断箇所ａ´´－ａ´´である断面形状（Ｃ）で示されるように、平坦な円環体２からなり、その外周縁部３にわたって、半導体ウェハの外周縁と接触するウェハ支持面７を有する環状凸部６をセパレータの上下両面に形成し、断面形状を略Ｔ字形とし、そして、該環状凸部６は、等間隔で８箇所において、Ｔ字形の切り欠き部４を形成するとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面９より斜め上向き又は斜め下向きに延びる棒状の緩衝機能片５を設けてなる。
　緩衝機能片の形成箇所の拡大図である（Ｂ１）及び（Ｂ２）で示されるように、態様１１は、緩衝機能片の形成箇所の１箇所当たり２つの棒状の緩衝機能片５が形成され、該２つの棒状の緩衝機能片５は、（Ｂ１）で示されるように、両方ともセパレータ基準面９より斜め上向きに延びているか又は（Ｂ２）で示されるように両方とも斜め下向きに延びており、そして、（Ｂ１）の構成と（Ｂ２）の構成が交互に並ぶように配置されている。
　セパレータの上面に形成された環状凸部６のウェハ支持面７とセパレータの下面に形成された環状凸部６のウェハ支持面７との間の垂直距離ｂ、環状凸部の高さｃ及びｄ、ウェハ支持面７の幅ｅ、平坦な円環体２の幅ｆ、平坦な円環体２の厚さｇの範囲及び好ましい範囲は、態様１と同様である。
　態様１１は、Ｔ字形の切り欠き部４が形成されるとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面９より斜め上向きに延びる２つの棒状の緩衝機能片５が設けられるか又はセパレータ基準面９より斜め下向きに延びる２つの棒状の緩衝機能片５が設けられる。棒状の緩衝機能片５の長さは、５ｍｍ乃至１５ｍｍの範囲であり、７ｍｍ乃至１３ｍｍの範囲が好ましい。
　尚、棒状の緩衝機能片５の幅は、ウェハ支持面７の幅ｅに等しく、棒状の緩衝機能片５の高さは、上下のウェハ支持面７間の垂直距離ｂに等しい。
　緩衝機能片５の先端が環状凸部の高さを超える距離は、０．２ｍｍないし１．０ｍｍの範囲であり、好ましくは、０．２ｍｍないし０．５ｍｍの範囲である。
　また、切り欠き部４が形成するＴ字形の幅（Ｔ字の字の太さに相当）は、０．７ｍｍないし１．３ｍｍの範囲であり、好ましくは、０．８ないし１．２ｍｍの範囲である。
　図５に、本発明のセパレータの別の態様である態様１２を示した。
　態様１２は、部分的な上面図（Ａ）及び切断箇所ａ´´´－ａ´´´である断面形状（Ｃ）で示されるように、平坦な円環体２からなり、その外周縁部３にわたって、半導体ウェハの外周縁と接触するウェハ支持面７を有する環状凸部６をセパレータの上下両面に形成し、断面形状を略Ｔ字形とし、そして、該環状凸部６は、等間隔で８箇所において、Ｔ字形の切り欠き部４を形成するとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面９より斜め上向き又は斜め下向きに延びる棒状の緩衝機能片５を設けてなる。
　緩衝機能片の形成箇所の拡大図である（Ｂ１）及び（Ｂ２）で示されるように、態様１２は、緩衝機能片の形成箇所の１箇所当たり２つの棒状の緩衝機能片５が形成され、該２つの棒状の緩衝機能片５は、（Ｂ１）で示されるように、一方がセパレータ基準面９より斜め下向きに延び且つもう一方が斜め上向きに延びているか又は（Ｂ２）で示されるように、（Ｂ１）とは逆に、一方がセパレータ基準面９より斜め上向きに延び且つもう一方が斜め下向きに延びており、そして、（Ｂ１）の構成と（Ｂ２）の構成が交互に並ぶように配置されている。
　セパレータの上面に形成された環状凸部６のウェハ支持面７とセパレータの下面に形成された環状凸部６のウェハ支持面７との間の垂直距離ｂ、環状凸部の高さｃ及びｄ、ウェハ支持面７の幅ｅ、平坦な円環体２の幅ｆ、平坦な円環体２の厚さｇの範囲及び好ましい範囲は、態様１と同様である。
　態様１２は、Ｔ字形の切り欠き部４が形成されるとともに、該切り欠き部に隣接して、一方がセパレータ基準面９より斜め下向きに延び且つもう一方が斜め上向きに延びる２つの棒状の緩衝機能片５が設けられるか又は、これとは逆に、一方がセパレータ基準面９より斜め上向きに延び且つもう一方が斜め下向きに延びる２つの棒状の緩衝機能片５が設けられる。棒状の緩衝機能片５の長さは、０．５ｍｍ乃至１．５ｍｍの範囲であり、０．７ｍｍ乃至１．３ｍｍの範囲が好ましい。
　尚、棒状の緩衝機能片５の幅は、ウェハ支持面７の幅ｅに等しく、棒状の緩衝機能片５の高さは、上下のウェハ支持面７間の垂直距離ｂに等しい。
　緩衝機能片５の先端が環状凸部の高さを超える距離は、０．２ｍｍないし１．０ｍｍの範囲であり、好ましくは、０．２ｍｍないし０．５ｍｍの範囲である。
　また、切り欠き部４が形成するＴ字形の幅（Ｔ字の字の太さに相当）は、０．７ｍｍないし１．３ｍｍの範囲であり、好ましくは、０．８ないし１．２ｍｍの範囲である。
　図６に、本発明のセパレータの別の態様である態様１３を示した。
　態様１３は、部分的な上面図（Ａ）及び切断箇所ａ´´´´－ａ´´´´である断面形状（Ｃ）で示されるように、平坦な円環体２からなり、その外周縁部３にわたって、半導体ウェハの外周縁と接触するウェハ支持面７を有する環状凸部６をセパレータの上下両面に形成し、断面形状を略Ｔ字形とし、そして、該環状凸部６は、等間隔で８箇所において、２つの直線状の切り欠き部４を形成するとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面９より斜め上向き又は斜め下向きに延びる板状の緩衝機能片５を設けてなる。
　緩衝機能片の形成箇所の拡大図である（Ｂ１）及び（Ｂ２）で示されるように、態様１３は、（Ｂ１）で示されるセパレータ基準面９より斜め上向きに延びる板状の緩衝機能片と（Ｂ２）で示される斜め下向きに延びる板状の緩衝機能片が交互に並ぶように配置されている。
　セパレータの上面に形成された環状凸部６のウェハ支持面７とセパレータの下面に形成された環状凸部６のウェハ支持面７との間の垂直距離ｂ、環状凸部の高さｃ及びｄ、ウェハ支持面７の幅ｅ、平坦な円環体２の幅ｆ、平坦な円環体２の厚さｇの範囲及び好ましい範囲は、態様１と同様である。
　態様１３は、２つの直線状の切り欠き部４が形成されるとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面９より斜め上向きに延びるか又は斜め下向きに延びる板状の緩衝機能片５が設けられる。板状の緩衝機能片５の幅は、５ｍｍ乃至１５ｍｍの範囲であり、７ｍｍ乃至１３ｍｍの範囲が好ましく、板状の緩衝機能片５の長さは、２ｍｍ乃至１０ｍｍの範囲であり、３ｍｍ乃至８ｍｍの範囲が好ましい。
　尚、板状の緩衝機能片５の厚さは、平坦な円環体２の厚さｇに等しい。
　緩衝機能片５の先端が環状凸部の高さを超える距離は、０．２ｍｍないし１．０ｍｍの範囲であり、好ましくは、０．２ｍｍないし０．５ｍｍの範囲である。
　また、２つの直線状の切り欠き部４の長さは、板状の緩衝機能片５の長さに等しく、その幅（直線の太さに相当）は、０．７ｍｍないし１．３ｍｍの範囲であり、好ましくは、０．８ないし１．２ｍｍの範囲である。
　本発明のセパレータの１態様である態様１のセパレータと半導体ウェハ８を交互に積層した際の緩衝機能を説明する概念図を図７に示した。
　態様１の緩衝機能片５は、その先端が、環状凸部の高さを超え、即ち、環状凸部に形成されたウェハ支持面からはみ出しているため、半導体ウェハ８を収納した際、（Ｄ）で示されるように、緩衝機能片５の先端は、半導体ウェハ８の外周縁部に最初に接触し、そして、（Ｅ）で示されるように、半導体ウェハ８の重さにより弾性変形して、ウェハ支持面とほぼ同じ高さとなるものの、振動・衝撃等により上向きの力がかかって半導体ウェハ８が浮き上がった際は、その復元力により、（Ｄ）の状態となって半導体ウェハ８との接触を維持し、そして、下向きの力がかかって半導体ウェハ８が沈み込んだ際は、弾性変形して衝撃を吸収して（Ｅ）の状態となり、それにより、緩衝機能が示されることになる。
　本発明はまた、半導体ウェハ搬送容器の本体と、上述のセパレータとを含む、半導体ウェハの収納容器にも関する。
　本発明の半導体ウェハの収納容器の１態様を図８に示した。
　図８に示されるように、本発明の半導体ウェハの収納容器は、例えば、半導体ウェハ搬送容器（蓋）１４及び半導体ウェハ搬送容器（本体）１５との間に、半導体ウェハ８が、該半導体ウェハ８の間に介装されたセパレータ１６と共に上下に積層される。
　上記セパレータ１６は、具体的には、上記態様１、態様１０、態様１１、態様１２及び態様１３のセパレータであり得る。
　次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
実施例１
　ポリカーボネート樹脂（帝人（株）製パンライトL-1225L)を用いて、図１の態様１で示される形状を有し且つ以下の寸法を有するセパレータを一体成形により製造した。
直径：３００ｍｍ（半導体ウェハの直径と同一）
上下のウェハ支持面間の垂直距離ｂ：２．４３ｍｍ
ウェハ支持面の幅ｅ：２ｍｍ
平坦な円環体の幅ｆ：９ｍｍ
平坦な円環体の厚さｇ：１．２３ｍｍ
環状凸部の高さｃ、ｄ：０．６ｍｍ
棒状の緩衝機能片５の長さ：１０ｍｍ
棒状の緩衝機能片５の幅ｉ：２ｍｍ
棒状の緩衝機能片５の高さｊ：２．４３ｍｍ
緩衝機能片５の先端が環状凸部の高さを超える距離ｈ：０．３ｍｍ
切り欠き部４が形成するＬ字形の幅（Ｌ字の太さ）：１．０ｍｍ
　尚、実施例１のセパレータは、図１で示されるように、Ｌ字形の切り欠き部４が形成されるとともに、該切り欠き部に隣接して棒状の緩衝機能片５が設けられ、該緩衝機能片５は、セパレータ基準面９より斜め上向きに延びるものと斜め下向きに延びるものが交互に並ぶように等間隔で８箇所配置された。
試験例１：振動試験
　直径３００ｍｍ、厚さ０．７５ｍｍの半導体ウェハと実施例１で製造したセパレータを、以下の条件１ないし３に記載の条件で、容器内収納高さ８６．５ｍｍのウェハ収納容器に収納し、該収納容器を振動試験装置(エミック(株)製のＦ－１０００ＡＭ０８Ｍ：加振方向は垂直、周波数は３Ｈｚ、加速度は±１．２Ｇ)を用いて上下に振動させた際の音を耳聞して評価を行った。
　尚、比較として、緩衝機能片及び切り欠き部を形成しなかった以外は、実施例１のセパレータと同様の寸法を有するセパレータ（比較例１）を用いて上記と同様の評価を行った。
［条件1］　ウェハ数量：８枚、セパレータ数量：３３枚（使用したセパレータのうち９枚はウェハとの接触用、残り２４枚は隙間埋め用として使用）
［条件２］　ウェハ数量：２１枚、セパレータ数量：２８枚（使用したセパレータのうち２２枚はウェハとの接触用、残り６枚は隙間埋め用として使用）
［条件３］　ウェハ数量：２５枚、セパレータ数量：２７枚（使用したセパレータのうち２６枚はウェハとの接触用、残り1枚は隙間埋め用として使用）
　結果を表１に纏めた。尚、評価基準は以下の通りとした。
　　○：異音がなかった。
　　×：異音があった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　※なお、条件１から条件３に記載の各条件下で、実施例１のセパレータを収納容器内に収納した場合、該容器内における収納された最上段のセパレータと半導体ウェハ搬送容器の内側天面(半導体ウェハ搬送容器における蓋の内側天面)との間には隙間は発生しなかった。
　一方で、条件１から条件３に記載の各条件下で、比較例１のセパレータを収納容器内に収納した場合、該容器内における収納された最上段のセパレータと半導体ウェハ搬送容器の内側天面(半導体ウェハ搬送容器における蓋の内側天面)との間には隙間が発生した。
１：セパレータ（態様１）
２：平坦な円環体
３：外周縁部
４：切り欠き部
５：緩衝機能片
６：環状凸部
７：ウェハ支持面
８：半導体ウェハ
９：セパレータ基準面
１０：セパレータ（態様１０）
１１：セパレータ（態様１１）
１２：セパレータ（態様１２）
１３：セパレータ（態様１３）
１４：半導体ウェハ搬送容器（蓋）
１５：半導体ウェハ搬送容器（本体）
１６：セパレータ

Claims (3)

  1. 半導体ウェハを上下に積層して収納する半導体ウェハ搬送容器において、積層された半導体ウェハ同士が接触しないように、また、該半導体ウェハと半導体ウェハ搬送容器の内側天面もしくは内側底面とが接触しないように、上下に隣り合う二つの半導体ウェハの間に、また、半導体ウェハと該容器の内側天面もしくは内側底面との間に介装されるセパレータであって、
    該セパレータは、平坦な円環体からなり、その外周縁部にわたって、半導体ウェハの外周縁と接触するウェハ支持面を有する環状凸部を形成してなり、そして、該環状凸部は、その適当数の箇所において、切り欠き部を形成するとともに、該切り欠き部に隣接して、セパレータ基準面より斜め上向き又は斜め下向きに延びる緩衝機能片を設けてなることを特徴とする、セパレータ。
  2. 前記環状凸部を含む部分が、略Ｔ字形又は略Ｌ字形の断面部を有する請求項１記載のセパレータ。
  3. 半導体ウェハ搬送容器の本体と、請求項１又は２記載のセパレータとを含む、半導体ウェハの収納容器。
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