WO2017006949A1 - 駆動装置 - Google Patents

駆動装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2017006949A1
WO2017006949A1 PCT/JP2016/069958 JP2016069958W WO2017006949A1 WO 2017006949 A1 WO2017006949 A1 WO 2017006949A1 JP 2016069958 W JP2016069958 W JP 2016069958W WO 2017006949 A1 WO2017006949 A1 WO 2017006949A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
circuit
signal
drive
voltage
detection circuit
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/069958
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
遼一 稲田
広津 鉄平
坂本 英之
光一 八幡
門田 圭司
Original Assignee
日立オートモティブシステムズ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立オートモティブシステムズ株式会社 filed Critical 日立オートモティブシステムズ株式会社
Priority to US15/743,121 priority Critical patent/US10804891B2/en
Priority to CN201680038006.5A priority patent/CN107820664B/zh
Priority to DE112016003102.5T priority patent/DE112016003102T5/de
Publication of WO2017006949A1 publication Critical patent/WO2017006949A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/327Testing of circuit interrupters, switches or circuit-breakers
    • G01R31/3277Testing of circuit interrupters, switches or circuit-breakers of low voltage devices, e.g. domestic or industrial devices, such as motor protections, relays, rotation switches
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R35/00Testing or calibrating of apparatus covered by the other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0828Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/40Testing power supplies
    • G01R31/42AC power supplies
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/10Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers
    • H02H7/12Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers
    • H02H7/122Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers for inverters, i.e. dc/ac converters
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/084Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters using a control circuit common to several phases of a multi-phase system
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • H02M1/322Means for rapidly discharging a capacitor of the converter for protecting electrical components or for preventing electrical shock
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • H02M1/327Means for protecting converters other than automatic disconnection against abnormal temperatures
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K2017/0806Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage against excessive temperature
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0081Power supply means, e.g. to the switch driver

Definitions

  • the present invention relates to a drive device.
  • Hybrid vehicles and electric vehicles are equipped with drive devices such as inverter devices to drive the motor.
  • the inverter device converts the direct current supplied from the battery into an alternating current by switching the power semiconductor, and drives the motor.
  • a drive device such as an inverter device is equipped with an abnormality detection circuit that detects an abnormality when an abnormality occurs in an internal circuit. For example, an overcurrent detection circuit that detects that a large current has passed through the power semiconductor or an overheat detection circuit that detects that the power semiconductor has abnormally heated.
  • abnormality detection circuits fail, it may not be possible to detect that an abnormality has occurred in the drive device, and the load such as the motor may not be normally controlled. For this reason, it is necessary to perform failure diagnosis on the abnormality detection circuit.
  • Patent Document 1 states that “a motor control device has a first inspection voltage Vt1 lower than a reference voltage Vref for overcurrent determination when the synchronous motor 11 is not rotating, and a second inspection voltage Vt2 that is equal to or higher than the reference voltage Vref. Is transmitted to the overcurrent detection unit 18, and the first inspection voltage Vt1 from the overcurrent detection unit 19 is determined to be overcurrent from the comparison result of the overcurrent detection unit 18. Or when the second inspection voltage Vt2 from the overcurrent inspection unit 19 is determined as no overcurrent from the comparison result of the overcurrent detection unit 18, it is determined that an abnormality has occurred in the overcurrent detection unit 18. It is described.
  • an overcurrent inspection unit that sends an inspection voltage to an overcurrent detection unit applies the inspection voltage to the overcurrent detection unit based on a control signal from a control circuit.
  • the control circuit and the overcurrent inspection unit may be electrically insulated, and when transmitting a signal from the control circuit to the overcurrent detection unit, for example, an insulation such as a photocoupler or a transformer. It is necessary to transmit a signal through the element.
  • Such an insulating element has a problem that the unit price is higher than that of a general electric circuit component, such as a resistor, a capacitor, or a transistor, so that the overcurrent inspection unit is expensive.
  • An object of the present invention is to diagnose an abnormality detection circuit that detects an abnormality such as an overcurrent of a power semiconductor while suppressing an increase in additionally provided insulating elements.
  • a drive device provides a drive circuit that outputs a gate signal to a power semiconductor, an abnormality detection circuit that detects an abnormality of the power semiconductor, and an abnormality detection circuit.
  • a diagnostic signal applying circuit for applying a diagnostic signal wherein the diagnostic signal applying circuit applies the diagnostic signal based on the gate signal output from the drive circuit.
  • the diagnostic signal application circuit applies the diagnostic signal based on the gate signal
  • the abnormality detection circuit can be diagnosed without providing a new insulating element to input a control signal to the diagnostic voltage application circuit. It can be carried out.
  • symbol is described about the same element and the overlapping description is abbreviate
  • the signal is 1 when the voltage value of a certain signal line is greater than or equal to the threshold value. Further, it is described that the signal is 0 when the voltage value of a certain signal line is less than the threshold value. Note that the threshold voltage for determining a signal as 1 and the threshold voltage for determining a signal as 0 are not necessarily equal.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating the configuration of the driving device 3 and its peripheral circuits in the first embodiment.
  • the driving device 3 drives the load 2 by converting the electric power input from the external power source 1 and outputting it to the load 2.
  • a battery or the like corresponds to the external power source 1.
  • the load 2 is a target load that is driven by the driving device 3, and examples thereof include a motor, a solenoid, and a transformer for voltage transformation. In the present embodiment, an example in which a three-phase AC motor is used as the load 2 is described.
  • the driving device 3 includes a control circuit 4, current sensors 5a to 5c, power semiconductors 6a to 6f, and driving circuits 7a to 7f.
  • the driving device 3 since a three-phase motor is used as the load 2, the driving device 3 has six power semiconductors and six driving circuits. However, the required power depends on the type of load and the circuit configuration. The number of semiconductors and drive circuits varies.
  • the control circuit 4 includes a CPU (not shown), a RAM (not shown), a ROM (not shown), and a communication circuit (not shown).
  • This ROM may be an electrically rewritable EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) or a flash ROM.
  • the control circuit 4 communicates with an electronic control device (not shown) outside the drive device 3 and receives a drive command for the load 2 from another electronic control device. Then, the drive control of the load 2 is performed based on the drive command and the current value obtained from the current sensors 5a, 5b, and 5c. Further, when the control circuit 4 determines that a failure has occurred in the drive device 3, the control circuit 4 outputs a failure detection signal to the failure notification device 8.
  • Current sensors 5a, 5b and 5c are sensors for measuring the current flowing through the load 2. Three current sensors may be provided corresponding to three three-phase output lines, or the number of current sensors may be less.
  • the power semiconductors 6a to 6f are semiconductor elements that perform a switching operation based on signals from the drive circuits 7a to 7f. .
  • the power semiconductors 6a to 6f have sense terminals. From this sense terminal, a constant ratio of the current flowing between the drain and source of the power semiconductor, for example, 1/1000 current is output.
  • the drive circuits 7a to 7f receive the drive signal 22 output from the control circuit 4 and switch the power semiconductors 6a to 6f on and off.
  • an abnormality detection circuit for detecting abnormality of the power semiconductors 6a to 6f is provided inside. The detailed configuration of the drive circuit will be described later with reference to FIG.
  • the failure notification device 8 receives a failure detection signal from the control circuit 4 and notifies the passenger of the occurrence of the failure.
  • Examples of the failure notification method include a method of lighting a lamp, generating a warning sound, and notifying by voice.
  • FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the power semiconductor 6 and the drive circuit 7 in the present embodiment.
  • the driving device 3 has six power semiconductors and six driving circuits, since the circuit configuration per one is the same, any one of the power semiconductors 6a to 6f is shown in FIG. Only a combination of one power semiconductor 6 and a drive circuit 7 corresponding to the power semiconductor 6 is shown.
  • the drive circuit 7 of this embodiment includes a drive power supply circuit 10, a drive circuit 11, an overcurrent detection circuit 12, an overheat detection circuit 13, a diagnostic signal application circuit 14, a resistor 15, a temperature sensing element 16,
  • the drive power supply circuit 10, the drive circuit 11, the overcurrent detection circuit 12, and the overheat detection circuit 13 are electrically insulated internally.
  • the drive power supply circuit 10 is in the drive circuit 7, but may be outside the drive circuit 7.
  • the drive power supply circuit 10 may be shared by a plurality of drive circuits 7.
  • the drive circuit 11, the overcurrent detection circuit 12, and the overheat detection circuit 13 are separated into separate circuits, but these may be combined into one circuit.
  • the drive circuit 11, the overcurrent detection circuit 12, the overheat detection circuit 13, and the diagnostic signal application circuit 14 may be combined as one circuit.
  • the drive power supply circuit 10 is a circuit that supplies a drive power supply voltage 18 to the drive circuit 11, the diagnostic signal application circuit 14, and the temperature sensing element 16. Further, the drive power supply circuit 10 has a function of switching the voltage value of the drive power supply voltage 18 between the normal value and the high voltage value by the voltage switching signal 21 output from the control circuit 4. The internal configuration of the drive power supply circuit 10 will be described later with reference to FIG.
  • the drive circuit 11 is a circuit that receives the drive signal 22 output from the control circuit 4 and outputs a gate signal 19 for switching the power semiconductor 6. Further, when the gate cutoff signals 25 and 26 are output from the overcurrent detection circuit 12 and the overheat detection circuit 13, the gate signal 19 is also cut off.
  • the drive circuit 11 when the drive signal 22 is 1, the drive circuit 11 increases the voltage value of the gate signal 19 to the drive power supply voltage 18. When the drive signal 22 is 0, the drive circuit 11 lowers the voltage value of the gate signal 19 to the source voltage 17. Further, the interruption of the gate signal refers to reducing the voltage value of the gate signal 19 to the source voltage 17.
  • the overcurrent detection circuit 12 determines that it is an overcurrent and outputs an overcurrent detection signal 23 to the control circuit 4 when a certain current or more flows through the power semiconductor 6. At the time of overcurrent detection, a gate cutoff signal 25 is output to the drive circuit 11 in order to turn off the power semiconductor 6. Note that once the overcurrent is detected, the overcurrent detection circuit 12 holds the outputs of the overcurrent detection signal 23 and the gate cutoff signal 25 for a certain period of time.
  • This overcurrent detection is performed when the overcurrent detection terminal voltage 20 is larger than a certain level with respect to the source voltage 17. This is because a part of the current flowing through the power semiconductor 6 flows from the sense terminal to the resistor 15, so that the potential difference between the overcurrent detection terminal voltage 20 and the source voltage 17 increases as the current value flowing through the power semiconductor 6 increases. Because.
  • the current output from the sense terminal of the power semiconductor 6 is converted into a voltage by the resistor 15, and the overcurrent detection circuit 12 detects the overcurrent state based on this voltage.
  • An overcurrent may be detected using a circuit configuration.
  • a shunt resistor may be provided on the source side of the power semiconductor 6 and it may be determined whether or not the overcurrent detection circuit 12 is in an overcurrent state based on a potential difference between both ends of the shunt resistor. Further, based on the potential difference between the collector and the source of the power semiconductor 6, it may be determined whether or not the overcurrent detection circuit 12 is in an overcurrent state.
  • the overheat detection circuit 13 outputs an overheat detection signal 24 to the control circuit 4 when the power semiconductor 6 reaches a certain temperature or higher.
  • a gate cutoff signal 26 is output to the drive circuit 11 in order to turn off the power semiconductor 6. Note that once the overheat detection circuit 13 detects an overheat state, the overheat detection circuit 13 holds the output of the overheat detection signal 24 and the output of the gate cutoff signal 26 for a certain period of time.
  • This overheating detection is performed when the voltage across the temperature sensing element 16 is measured and the potential difference across the temperature sensing element 16 is below a certain value.
  • the temperature sensing element 16 include a diode and a thermistor.
  • the overheat detection circuit 13 in this embodiment determines that the temperature is overheated when the potential difference between both ends of the temperature sensing element 16 is equal to or less than a certain value, the potential difference between both ends of the temperature sensing element 16 is equal to or greater than a certain value. In this case, it may be determined that the heat is overheated.
  • the diagnostic signal application circuit 14 includes a Zener diode 140, a resistor 141, a resistor 142, and a transistor 143 therein.
  • the diagnostic signal application circuit 14 is a circuit that applies a diagnostic signal to the overcurrent detection circuit 12 when the voltage value of the gate signal 19 exceeds a certain value. Specifically, when the voltage value of the gate signal 19 is equal to the high voltage value of the drive power supply voltage 18, a current flows through the Zener diode 140 and the resistor 141, and the base voltage 144 rises. When the transistor 143 is turned on by the rise of the base voltage 144, the overcurrent detection terminal voltage 20 becomes a value obtained by dividing the drive power supply voltage 18 by the resistor 142 and the resistor 15. Thereby, an overcurrent state is created in a pseudo manner, and the overcurrent detection circuit 12 is operated. In the present embodiment, the application of a voltage to the overcurrent detection terminal voltage 20 by the diagnostic signal application circuit 14 is described as the application of a diagnostic signal.
  • the diagnostic signal application circuit 14 does not apply a diagnostic signal.
  • Zener diode 140 having a Zener voltage larger than the normal value of the drive power supply voltage 18 and smaller than the high voltage value of the drive power supply voltage 18 is used as the Zener diode 140. It is necessary to use it.
  • FIG. 3 is a diagram showing a detailed internal configuration of the drive power supply circuit 10.
  • the drive power supply circuit 10 is a circuit that generates a drive power supply voltage 18 from the DC power supply 100, and includes a voltage control circuit 101, transformers 102a to 102c, a switching transistor 103, rectifying diodes 104 and 109, and smoothing capacitors 105 and 110.
  • the voltage dividing resistors 106a and 106b, the voltage changing resistor 107, and the voltage changing transistor 108 are provided.
  • the DC power supply 100 may be directly supplied with power from the external power supply 1, or a power supply obtained by boosting or stepping down the external power supply 1 with another power supply circuit (not shown) is generated and supplied with the power supply. May be.
  • the voltage control circuit 101 is a circuit that controls the potential difference between the drive power supply voltage 18 and the source voltage 17 to be a constant value based on the feedback voltage 112.
  • the voltage control circuit 101 increases the duty ratio of the PWM (Pulse Width Modulation) signal 111 so that the feedback voltage becomes the reference value, and increases the drive power supply voltage 18 and the feedback voltage 112.
  • the voltage control circuit 101 decreases the duty ratio of the PWM signal 111 so that the feedback voltage 112 becomes the reference value, and decreases the drive power supply voltage 18 and the feedback voltage 112.
  • the transformers 102a, 102b and 102c are transformers for voltage transformation, the transformer 102a is a primary transformer, the transformer 102b is a secondary transformer for generating the drive power supply voltage 18, and the transformer 102c is a secondary transformer for generating the feedback voltage 112. is there.
  • the switching transistor 103 is a transistor for controlling the current flowing through the transformer 102a, and is switched ON / OFF by the PWM signal 111 output from the voltage control circuit 101.
  • the rectifying diode 104 is a diode for rectifying a current generated in the transformer 102c.
  • the rectifying diode 109 is a diode for rectifying a current generated in the transformer 102b.
  • the smoothing capacitor 105 is a capacitor for stabilizing the voltage generated in the transformer 102c.
  • the smoothing capacitor 110 is a capacitor for stabilizing the voltage generated in the transformer 102b.
  • the voltage dividing resistors 106a and 106b are resistors for dividing the voltage generated in the transformer 102c to generate the feedback voltage 112.
  • the voltage change resistor 107 and the voltage change transistor 108 are elements for changing the drive power supply voltage 18.
  • the voltage change transistor 108 is switched ON / OFF by a voltage switching signal 21 input from the control circuit 4. In the present embodiment, it is defined that when the voltage switching signal 21 is 1, the voltage change transistor 102 is turned on, and when the voltage switching signal 21 is 0, the voltage change transistor 102 is turned off. Further, the drive power supply voltage 18 when the voltage change transistor 102 is in the OFF state is a normal value, and the drive power supply voltage 18 when the voltage change transistor 102 is in the ON state is a high voltage value.
  • the feedback voltage 112 is generated according to the voltage dividing ratio of the voltage dividing resistors 106a and 106b.
  • the voltage change transistor 108 is turned on, the voltage change resistor 107 is in parallel with the voltage dividing resistor 106b. Therefore, the voltage dividing ratio is reduced and the feedback voltage 112 is also reduced as compared with the case where the voltage change transistor 108 is OFF. .
  • the voltage control circuit 101 increases the duty ratio of the PWM signal 111 in order to keep the feedback voltage 112 constant. Therefore, when the voltage change transistor 108 is ON, the drive power supply voltage 18 rises compared to when it is OFF.
  • FIG. 4 is a flowchart showing the diagnosis process of the overcurrent detection circuit in the present embodiment.
  • This diagnosis process is performed by the control circuit 4 at an arbitrary timing when the load 2 is not driven, that is, when no current flows through the load 2. For example, it may be performed after the drive device 3 is activated until the load 2 is driven, or may be performed every time a fixed time elapses when the load 2 is not driven.
  • step S100 the control circuit 4 sets the drive signals 22 for all the drive circuits 7 to zero.
  • the power semiconductor 6 connected to the overcurrent detection circuit 12 is turned on. If the power semiconductor 6 that is not connected to the overcurrent detection circuit 12 to be diagnosed is also ON, there is a possibility that current flows through the load 2 during the diagnosis and is driven. Further, there is a possibility that a large current flows because both the upper and lower power semiconductors 6 are turned on.
  • the upper and lower pairs are combinations of the power semiconductor 6a and the power semiconductor 6d, the power semiconductor 6b and the power semiconductor 6e, and the power semiconductor 6c and the power semiconductor 6f. In order to prevent the occurrence of such a problem, the diagnosis is performed after all the drive signals 22 are set to 0 and all the power semiconductors 6 are turned off.
  • step S101 the control circuit 4 selects the overcurrent detection circuit 12 that performs diagnosis and the drive circuit 7 having the same.
  • the control circuit 4 changes the voltage switching signal 21 for the drive circuit 7 selected in step S101 from 0 to 1. As a result, the drive power supply voltage 18 inside the target drive circuit 7 becomes a high voltage value.
  • step S103 the control circuit 4 changes the drive signal 22 for the target drive circuit 7 from 0 to 1.
  • the drive circuit 11 in the target drive circuit 7 raises the gate signal 19 to the drive power supply voltage 18.
  • the diagnostic signal application circuit 14 increases the overcurrent detection terminal voltage 20. Thereby, the overcurrent detection circuit 12 operates.
  • step S104 the control circuit 4 determines whether or not the overcurrent detection signal 23 is output from the target drive circuit 7. When the overcurrent detection signal 23 is output, the control circuit 4 determines that the overcurrent detection circuit 12 to be diagnosed is operating normally, and proceeds to the process of step S106. If the overcurrent detection signal 23 is not output, the control circuit 4 determines that the overcurrent detection circuit 12 to be diagnosed has failed, and proceeds to the process of step S105.
  • step S105 the control circuit 4 outputs a failure detection signal to the failure notification device 8.
  • the failure notification device 8 operates to notify the passenger of the failure.
  • step S106 the control circuit 4 changes the drive signal 22 for the target drive circuit 7 from 1 to 0.
  • the drive circuit 11 inside the target drive circuit 7 reduces the gate signal 19 to the source voltage 17.
  • step S107 the control circuit 4 changes the voltage switching signal 21 for the target drive circuit 7 from 1 to 0. As a result, the drive power supply voltage 18 inside the target drive circuit 7 becomes a normal value.
  • step S108 the control circuit 4 determines whether or not the diagnosis of all the overcurrent detection circuits 12 has been completed. If there is an overcurrent detection circuit 12 that has not been diagnosed, the process returns to step S101, and the overcurrent detection circuit 12 that has not yet been diagnosed is diagnosed. If the diagnosis of all overcurrent detection circuits 12 has been completed, the control circuit 4 ends the diagnosis process.
  • the control circuit 4 raises the voltage of the gate signal 19 using the voltage switching signal 21 and the drive signal 22 when diagnosing the overcurrent detection circuit 12, thereby The diagnostic voltage application circuit 14 is operated.
  • the diagnostic voltage application circuit 14 determines whether or not to apply a diagnostic signal to the overcurrent detection circuit 12 according to the voltage value of the gate signal 19.
  • the diagnosis signal application circuit 14 applies the diagnosis signal while the control circuit 4 drives the load 2. This prevents the drive of the load 2 from being hindered.
  • FIG. 5 is a diagram showing a flowchart of the diagnosis process of the overcurrent detection circuit in the present embodiment. Similar to the first embodiment, this failure diagnosis process is performed by the control circuit 4 at an arbitrary timing when the load 2 is not driven.
  • step S109 is added after the process of step S104.
  • step S109 the control circuit 4 determines whether or not the overcurrent detection signal 23 is not output after the lapse of the time of the threshold 1 after the overcurrent detection signal 23 starts to be output in step S104. If the overcurrent detection signal 23 is not output after the time of the threshold value 1 has elapsed, the control circuit 4 proceeds to the process of step S106. If the overcurrent detection signal 23 continues to be output while the threshold value 1 has elapsed, the control circuit 4 proceeds to the process of step S105. The time of the threshold value 1 is longer than the time during which the overcurrent detection circuit 12 holds the output of the overcurrent detection signal 23.
  • the diagnostic signal application circuit 14 applies a diagnostic signal to the overcurrent detection circuit 12 if the overcurrent detection signal 12 and the drive circuit 11 operate normally, the gate signal 19 is cut off, and the voltage value of the gate signal 19 is Decreases to the source voltage 17. Then, since the diagnostic signal application circuit 14 stops applying the diagnostic signal to the overcurrent detection circuit 12, the overcurrent detection circuit 12 does not detect the overcurrent state. Therefore, the overcurrent detection circuit 12 stops the output of the overcurrent detection signal 23 after holding the overcurrent detection signal 23 in the output state for a certain period of time.
  • the diagnostic signal application circuit 14 continues to apply the diagnostic signal to the overcurrent detection circuit 12. Accordingly, since the pseudo overcurrent state is continuously maintained, the overcurrent detection circuit 12 continues to output the overcurrent detection signal 23 for the original output holding time or longer. Therefore, whether or not the gate signal 19 is normally cut off can be determined by whether or not the overcurrent detection circuit 12 outputs the overcurrent detection signal 23 for the original output holding time or longer.
  • FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the driving device and peripheral circuits in the present embodiment.
  • the drive device 30 includes drive circuits 31a to 31f that are different from the drive circuits 7a to 7f included in the drive device 3 in the first embodiment. Further, the voltage switching signal 21 is not connected between the control circuit 4 and the drive circuits 31a to 31f in the drive device 30. Since the other configuration is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.
  • FIG. 7 is a diagram showing the configuration of the power semiconductor 6 and the drive circuit 31 in the present embodiment.
  • the drive circuit 31 represents any one of the drive circuits 31a to 31f in FIG.
  • the drive circuit 31 includes a drive power supply circuit 32 that is different from the drive power supply circuit 10 included in the drive circuit 7 in the first embodiment.
  • the drive circuit 31 has a diagnostic signal application circuit 33 that is different from the diagnostic signal application circuit 14 included in the drive circuit 7 in the first embodiment.
  • Diagnostic signal application circuit 33 has diodes 145 and 147, resistors 146 and 148, and capacitor 149 instead of Zener diode 140 and resistor 141 in FIG.
  • the diagnostic signal application circuit 33 charges the capacitor 149 through the diode 147 and the resistor 148 and increases the base voltage 144.
  • the capacitor 149 is discharged through the diode 145 and the resistor 146, and the base voltage 144 is lowered.
  • the base voltage 144 exceeds a certain voltage value (ON threshold value of the transistor 143)
  • the transistor 143 is turned on, and a diagnostic signal is applied to the overcurrent detection circuit 12 as in the first embodiment.
  • the charging speed of the capacitor 149 depends on the resistance value of the resistor 148. The larger the resistance value, the slower the charging speed. Further, the discharge rate of the capacitor 149 depends on the resistance value of the resistor 146, and the discharge rate decreases as the resistance value increases.
  • the capacitor 149 also repeats charging and discharging according to the voltage value of the gate signal 19.
  • the diagnostic signal application circuit 33 performs the diagnostic signal application operation while the load 2 is being driven, the control operation is hindered. Therefore, the time during which the voltage value of the gate signal 19 is equal to the drive power supply voltage 18 during the control and the control so that the diagnostic voltage application circuit 33 does not apply the diagnostic signal during the drive control of the load 2 and the control. From the time during which the voltage value of the gate signal 19 is equal to the source voltage 17, it is necessary to determine the resistance values of the resistor 146 and the resistor 148.
  • FIG. 8 is a diagram showing the internal configuration of the drive power supply circuit in the present embodiment. Unlike the drive power supply circuit 10, the drive power supply circuit 31 illustrated in FIG. 8 does not include the voltage change resistor 101 and the voltage change transistor 102.
  • FIG. 9 is a flowchart of the diagnosis process of the overcurrent detection circuit in the present embodiment.
  • the control circuit 4 performs the process of step S110.
  • step S110 it is confirmed whether or not the overcurrent detection signal 23 is output from the drive circuit 30 when the time of the threshold value 2 has elapsed since the control circuit 4 changed the drive signal 22 to 1 in step S103. If the overcurrent detection circuit 23 is output, the control circuit 4 determines that the overcurrent detection circuit 12 is operating normally, and proceeds to the process of step S106. When the overcurrent detection circuit 23 is not output, the control circuit 4 determines that the overcurrent detection circuit 12 has failed, and performs the process of step S105.
  • step S109 The reason for waiting until the time of the threshold value 2 elapses in step S109 is that the diagnostic signal application circuit 33 does not apply the diagnostic signal unless the capacitor 149 is sufficiently charged. Therefore, the time of the threshold value 2 needs to be set longer than the time from when the drive signal 22 becomes 1 to when the capacitor 149 is charged and the transistor 143 is turned on.
  • the control circuit 4 when diagnosing the overcurrent detection circuit 12, the control circuit 4 operates the diagnostic voltage application circuit 33 by setting the drive signal 22 to 1 for the charging time of the capacitor 149 or longer. .
  • the diagnostic voltage application circuit 33 outputs a diagnostic signal to the overcurrent detection circuit 12 depending on whether or not the capacitor 149 is charged, that is, whether or not the voltage value of the gate signal 19 is maintained equal to the drive power supply voltage 18 for a certain period of time. Decide whether to apply.
  • the diagnostic signal application circuit 33 in the present embodiment is configured to apply a diagnostic signal when the capacitor 149 is charged to a certain threshold value or more.
  • the diagnosis signal application circuit 33 is operated by maintaining the drive signal 22 as 1 for a predetermined time or more.
  • the diagnostic signal application circuit 33 can be configured to apply a diagnostic signal when the capacitor 149 is discharged to a certain threshold value or less.
  • the diagnostic processing of the overcurrent detection circuit 12 can be changed in accordance with the configuration change of the diagnostic signal application circuit 33.
  • FIG. 10 is a diagram showing a flowchart of the diagnosis process of the overcurrent detection circuit in the present embodiment.
  • Each process in the flowchart in FIG. 10 is the same as the process shown in FIG. 9 except that step S109 in FIG. 6 is added after step S110 in the flowchart in FIG. A description of the contents is omitted.
  • the present embodiment it is possible to diagnose that the gate signal 19 is normally cut off as described in the second embodiment even in the configuration of the third embodiment.
  • the diagnosis signal application circuit 12 diagnoses as soon as the interruption of the gate signal 19 is released. The signal is applied again. Therefore, it is difficult to detect the output stop of the overcurrent detection signal 23 in step S109, and even if the gate signal 19 is normally cut off, it is possible to determine that the overcurrent detection circuit 12 or the drive circuit 11 is out of order. There is sex.
  • the diagnostic signal application circuit 33 in the present embodiment does not apply a diagnostic signal unless the capacitor 149 is charged to an ON threshold value of the transistor 143 or more, and therefore, until the charging time elapses after the gate signal 19 is released from being blocked. During this time, the output of the overcurrent detection signal 23 is stopped. Therefore, compared to the case of the second embodiment, it is easier to detect the output stop of the overcurrent detection signal 23 in step S109, and the erroneous determination of failure as described above can be prevented.
  • the diagnostic signal application circuit 33 can be configured to apply the diagnostic signal when the capacitor 149 is discharged below the threshold, but the gate signal 19 is normal.
  • the application of the diagnostic signal must be stopped when the state in which the gate signal 19 is equal to the source voltage 17 continues for a predetermined time or longer. Therefore, when the diagnostic signal application circuit 33 is configured to apply a diagnostic signal when the capacitor 149 is discharged below the threshold, it is determined that the gate signal 19 is normally cut off by this diagnostic method. I can't.
  • FIG. 11 is a diagram showing the configuration of the driving device and the peripheral circuit in the present embodiment.
  • the drive device 40 includes drive circuits 41a to 41f different from the drive circuits 31a to 31f included in the drive device 30 in the third embodiment.
  • the drive circuits 41a to 41f interconnect the gate signals connected to the power semiconductors 6a to 6f as wirings 50 between the drive circuits.
  • FIG. 12 is a diagram showing the configuration of the power semiconductor and the drive circuit in the present embodiment.
  • the drive circuit 41 represents any one of the drive circuits 41a to 41f in FIG.
  • the drive circuit 41 has a diagnostic signal application circuit 42 that is different from the diagnostic signal application circuit 33 of the drive circuit 31 in the third embodiment.
  • a gate signal 51 from another drive circuit is input to the drive circuit 41, and a gate signal 19 is output to the other drive circuit.
  • the diagnostic signal application circuit 42 has a logic gate 150 instead of the Zener diode 140 and the resistor 141 in FIG.
  • the diagnostic signal application circuit 42 turns on the transistor 143 when the gate signal 19 and the gate signal 51 of another driving circuit are in a specific combination, and applies a diagnostic signal to the overcurrent detection circuit 12.
  • the logic gate 150 turns on the transistor 143 when the voltage value of the gate signal 19 is equal to or higher than the threshold voltage and the voltage values of all the gate signals 51 are less than the threshold voltage.
  • This threshold voltage is determined by the configuration of the source voltage 17 and the logic gate 150.
  • the specific combination of the gate signal 19 and the gate signal 51 includes a combination that cannot occur in normal control so that the diagnostic signal application circuit 44 does not apply the diagnostic signal. It is desirable to choose. Normally, the power semiconductors that are paired up and down are in an OFF state when one is ON. Therefore, when the gate signal 19 of the power semiconductor 6 connected to the overcurrent detection circuit 12 to be diagnosed turns on the power semiconductor, and the other gate signal 51 turns off the power semiconductor, the specific combination described above may occur. It can be considered as one. Other than that, it is conceivable that the gate signal 19 and the gate signal 51 have the above specific combination when all the power semiconductors are turned off.
  • the logic gate 150 is composed of a NOR gate and an AND gate, but this may be composed of other logic gates according to the specific combination described above.
  • the logic gate 150 may be configured by a diode, a transistor, or the like, or may be one or a plurality of integrated circuits.
  • FIG. 13 is a diagram showing a flowchart of the diagnosis process of the overcurrent detection circuit in the present embodiment. Since the diagnosis flowchart in the present embodiment is obtained by removing steps S102 and S107 from the diagnosis flowchart in the first embodiment, description of individual processing is omitted.
  • the diagnostic signal application circuit 42 determines whether or not to apply a diagnostic signal to the overcurrent detection circuit 12 depending on whether or not each gate signal of the drive circuits 6a to 6f has a specific combination. . Thereby, it is not necessary to transmit a diagnostic signal from the control circuit 4 to the diagnostic signal applying circuit 42, and it is not necessary to add an insulating element for signal transmission. Therefore, the diagnosis of the overcurrent detection circuit 12 can be realized at a low cost.
  • the gate signals are connected to each other between the drive circuits 41a to 41f.
  • the gate signals are connected to each other only between the upper drive circuits (41a, 41b, 41c). Also good.
  • the gate signals may be connected to each other only between the lower drive circuits (41d, 41e, 41f).
  • FIG. 14 is a diagram showing a flowchart of the diagnosis process of the overcurrent detection circuit in the present embodiment. Since the diagnosis flowchart in the present embodiment is obtained by removing steps S102 and S107 from the diagnosis flowchart of the second embodiment, description of individual processing is omitted.
  • a combination of gate signals that turns off all the power semiconductors 6a to 6f is taken as an example. Stated. However, in order to confirm the interruption of the gate signal, at least the gate signal 19 of the power semiconductor 6 connected to the overcurrent detection circuit 12 to be diagnosed is equal to the drive power supply voltage 18, that is, the power semiconductor 6 is turned on. Must.
  • the present embodiment it is possible to diagnose that the gate signal 19 is normally cut off as described in the second embodiment even in the configuration of the fifth embodiment.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and includes various modifications.
  • the above-described embodiment has been described in detail for easy understanding of the present invention, and is not necessarily limited to one having all the configurations described.
  • a part of the configuration of an embodiment can be replaced with the configuration of another embodiment, and the configuration of another embodiment can be added to the configuration of an embodiment.
  • Each of the above-described configurations, functions, processing units, processing means, and the like may be realized by hardware by designing a part or all of them with, for example, an integrated circuit.
  • Each of the above-described configurations, functions, and the like may be realized by software by interpreting and executing a program that realizes each function by the processor.
  • Information such as programs, tables, and files for realizing each function can be stored in a memory, a hard disk, a recording device such as an SSD (Solid State Drive), or a recording medium such as an IC card, an SD card, or a DVD.
  • SSD Solid State Drive

Abstract

本発明の目的は、追加で設ける絶縁素子の増加を抑制しつつ、パワー半導体の過電流などの異常を検知する異常検知回路の診断を行うことである。 パワー半導体6に対してゲート信号を出力するドライブ回路11と、パワー半導体6の異常を検知する異常検知回路12と、異常検知回路12に対して診断用信号を印加する診断信号印加回路14と、を備え、診断信号印加回路14はドライブ回路11が出力するゲート信号に基づいて、診断用信号を印加する。

Description

駆動装置
 本発明は駆動装置に関する。
 ハイブリッド自動車や電気自動車には、モータを駆動させるためにインバータ装置などの駆動装置が搭載されている。インバータ装置は、パワー半導体をスイッチングさせることで、バッテリから供給される直流電流を交流電流に変換し、モータを駆動させている。インバータ装置をはじめとする駆動装置には、内部回路に異常が発生した際に、その異常を検知する異常検知回路が搭載されている。例えば、パワー半導体に大電流が流れたことを検知する過電流検知回路やパワー半導体が異常発熱したことを検知する過熱検知回路である。
 しかし、これらの異常検知回路が故障した場合、駆動装置に異常が発生したことを検知できず、モータなどの負荷を正常に制御できなくなる虞がある。そのため、異常検知回路に対しても故障診断を実施する必要がある。
 過電流検出手段の異常を診断できるようにすることで該異常を原因として生じ得る諸問題を未然に回避できるモータ制御装置を提供することを課題とする技術としては、特許文献1が存在する。特許文献1には、「モータ制御装置は、同期モータ11が回転していないときに過電流判断用の基準電圧Vrefよりも低い第1検査電圧Vt1と該基準電圧Vref以上の第2検査電圧Vt2とを過電流検知部18に送出するための過電流検査部19を有し、該過電流検査部19からの第1検査電圧Vt1が過電流検知部18の比較結果から過電流有りと判断されたとき、または、過電流検査部19からの第2検査電圧Vt2が過電流検知部18の比較結果から過電流無しと判断されたときに、過電流検知部18に異常が生じていると判断する」と記載されている。
特開2010-279125号公報
 特許文献1においては、過電流検知部に検査電圧を送出する過電流検査部は、制御回路からの制御信号に基づき、検査電圧を過電流検知部に印加する。しかし、制御回路と過電流検査部は電気的に絶縁されていることが必要となる場合があり、制御回路から過電流検知部に信号を伝達する際に、例えばフォトカプラやトランスのような絶縁素子を介して信号を伝達する必要がある。このような絶縁素子は、一般的な電気回路部品、例えば抵抗やコンデンサ、トランジスタなどに比べて単価が高いため、過電流検査部が高コストになるという問題がある。
 本発明の目的は、追加で設ける絶縁素子の増加を抑制しつつ、パワー半導体の過電流などの異常を検知する異常検知回路の診断を行うことである。
 上記課題を解決するために、本願発明における駆動装置は、例えば、パワー半導体に対してゲート信号を出力するドライブ回路と、前記パワー半導体の異常を検知する異常検知回路と、前記異常検知回路に対して診断用信号を印加する診断信号印加回路と、を備え、前記診断信号印加回路は前記ドライブ回路が出力する前記ゲート信号に基づいて、前記診断用信号を印加することを特徴とする。
 本発明によれば、診断信号印加回路はゲート信号に基づいて診断信号を印加するため、診断電圧印加回路に制御信号を入力するために新たに絶縁素子を設けることなく、異常検知回路の診断を行うことができる。
第1の実施形態における駆動装置および周辺回路の構成を表した図である。 第1の実施形態におけるパワー半導体と駆動回路の構成を表した図である。 第1の実施形態におけるドライブ電源回路の内部構成を表した図である。 第1の実施形態における過電流検知回路の診断処理のフローチャートを表した図である。 第2の実施形態における過電流検知回路の診断処理のフローチャートを表した図である。 第3の実施形態における駆動装置および周辺回路の構成を表した図である。 第3の実施形態におけるパワー半導体と駆動回路の構成を表した図である。 第3の実施形態におけるドライブ電源回路の内部構成を表した図である。 第3の実施形態における過電流検知回路の診断処理のフローチャートを表した図である。 第4の実施形態における過電流検知回路の診断処理のフローチャートを表した図である。 第5の実施形態における駆動装置および周辺回路の構成を表した図である。 第5の実施形態におけるパワー半導体と駆動回路の構成を表した図である。 第5の実施形態における過電流検知回路の診断処理のフローチャートを表した図である。 第6の実施形態における過電流検知回路の診断処理のフローチャートを表した図である。
 以下、図面を参照して、本発明に係る駆動装置の実施の形態について説明する。なお、各図において同一要素については同一の符号を記し、重複する説明は省略する。なお、以下の説明では、ある信号線の電圧値が閾値以上であることをその信号が1であると記述している。また、ある信号線の電圧値が閾値未満であることをその信号が0であると記述している。なお、信号を1と判定する際の閾値電圧と、信号を0と判定する際の閾値電圧は必ずしも等しい必要は無い。
 (第1の実施形態)
 図1は、第1の実施形態における駆動装置3およびその周辺回路の構成を表した図である。駆動装置3は、外部電源1から入力された電力を変換し、負荷2に対して出力することで負荷2を駆動する。外部電源1としては、例えばバッテリなどが該当する。負荷2は、駆動装置3が駆動させる対象負荷であり、例えばモータやソレノイド、変圧用トランスなどが挙げられる。本実施形態では、負荷2として、3相交流モータを用いた場合の例を記載している。
 駆動装置3は、制御回路4、電流センサ5a~5c、パワー半導体6a~6f、駆動回路7a~7fを有する。なお、本実施形態では負荷2として3相モータを用いているため、駆動装置3は6つのパワー半導体と6つの駆動回路を有しているが、負荷の種類や回路構成によって、必要となるパワー半導体と駆動回路の個数は変化する。
 制御回路4は内部にCPU(図示せず)、RAM(図示せず)、ROM(図示せず)、通信回路(図示せず)を有している。このROMは、電気的に書き換え可能なEEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)やフラッシュROMでも良い。
 制御回路4は、駆動装置3外部の電子制御装置(図示せず)と通信を行い、他の電子制御装置から負荷2の駆動命令を受け取る。そして、この駆動命令と電流センサ5a、5b、5cから得られる電流値に基づいて、負荷2の駆動制御を行う。また、制御回路4は、駆動装置3内部に故障が発生したと判断した場合、故障通知装置8に対して故障検知信号を出力する。
 電流センサ5a、5b、5cは負荷2に流れる電流を測定するためのセンサである。電流センサは、3相の出力線3本に対応して3個設けてもよいし、それ以下の個数としてもよい。
 パワー半導体6a~6fは、駆動回路7a~7fからの信号に基づいてスイッチング動作を行う半導体素子であり、例えばパワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)やIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などが該当する。また、パワー半導体6aから6fはセンス端子を有している。このセンス端子からは、パワー半導体のドレイン-ソース間を流れる電流の一定割合、例えば1000分の1の電流が出力される。
 駆動回路7a~7fは、制御回路4から出力される駆動信号22を受けて、パワー半導体6a~6fのON/OFFを切り替える。また、内部にパワー半導体6a~6fの異常を検知する異常検知回路を有している。駆動回路の詳細な構成については、図2を用いて後述する。
 故障通知装置8は、制御回路4からの故障検出信号を受け付け、搭乗者に対して故障の発生を通知する。故障の通知方法としては、例えば、ランプを点灯させる、警告音を発生させる、音声で通知するなどの方法が挙げられる。
 図2は、本実施形態におけるパワー半導体6と駆動回路7の構成を表した図である。なお、駆動装置3は6つのパワー半導体と6つの駆動回路を有しているが、1つあたりの回路構成はどれも同じであるため、図2では、パワー半導体6a~6fのうちのいずれか1つのパワー半導体6と、パワー半導体6と対応する駆動回路7の組み合わせのみ示している。
 本実施形態の駆動回路7は、ドライブ電源回路10と、ドライブ回路11と、過電流検知回路12と、過熱検知回路13と、診断信号印加回路14と、抵抗15と、温度センス素子16と、を有する。ドライブ電源回路10と、ドライブ回路11と、過電流検知回路12と、過熱検知回路13とは、内部で電気的に絶縁が行われている。
 なお、本実施形態において、ドライブ電源回路10は駆動回路7内にあるが、駆動回路7の外部にあってもよい。また、複数の駆動回路7でドライブ電源回路10を共有しても良い。本実施形態において、ドライブ回路11、過電流検知回路12、過熱検知回路13は別の回路に分かれているが、これらを1つの回路にまとめてもよい。また、ドライブ回路11、過電流検知回路12、過熱検知回路13、診断信号印加回路14を1つの回路としてまとめてもよい。
 ドライブ電源回路10は、ドライブ回路11、診断信号印加回路14、温度センス素子16に対してドライブ電源電圧18を供給する回路である。また、ドライブ電源回路10は、制御回路4から出力される電圧切り替え信号21によって、ドライブ電源電圧18の電圧値を通常値と高電圧値の2種類に切り替える機能を持つ。このドライブ電源回路10の内部構成については、図3を用いて後述する。
 ドライブ回路11は、制御回路4から出力された駆動信号22を受け付け、パワー半導体6をスイッチングさせるためのゲート信号19を出力する回路である。また、過電流検知回路12や過熱検知回路13からゲート遮断信号25および26が出力された場合には、ゲート信号19の遮断も実施する。
 本実施形態においては、駆動信号22が1のとき、ドライブ回路11はゲート信号19の電圧値をドライブ電源電圧18まで上昇させるものとする。また、駆動信号22が0のとき、ドライブ回路11はゲート信号19の電圧値をソース電圧17まで低下させるものとする。また、ゲート信号の遮断とは、ゲート信号19の電圧値をソース電圧17まで低下させることを指す。
 過電流検知回路12は、パワー半導体6に一定以上の電流が流れた場合、過電流と判断して制御回路4に対して過電流検知信号23を出力する。また、過電流検知時には、パワー半導体6をOFF状態にするために、ドライブ回路11に対してゲート遮断信号25を出力する。なお、過電流検知回路12は、一度過電流を検知すると、過電流検知信号23とゲート遮断信号25の出力を一定時間保持する。
 この過電流検知は、過電流検知端子電圧20がソース電圧17に対して一定以上大きい場合に行われる。これは、パワー半導体6を流れる電流の一部がセンス端子から抵抗15に流れ込むため、パワー半導体6を流れる電流値が大きいほど、過電流検知端子電圧20とソース電圧17の間の電位差が大きくなるためである。
 なお、本実施形態では、パワー半導体6のセンス端子から出力される電流を抵抗15で電圧に変換し、この電圧に基づいて過電流検知回路12が過電流状態を検知しているが、別の回路構成を用いて過電流を検知しても良い。例えば、パワー半導体6のソース側にシャント抵抗を設け、このシャント抵抗の両端の電位差に基づいて、過電流検知回路12が過電流状態か否かを判定しても良い。また、パワー半導体6のコレクタ-ソース間の電位差に基づいて、過電流検知回路12が過電流状態か否かを判定しても良い。
 過熱検知回路13は、パワー半導体6が一定以上の温度になった場合に、過熱検知信号24を制御回路4に対して出力する。また、過熱検知時には、パワー半導体6をOFF状態にするために、ドライブ回路11に対してゲート遮断信号26を出力する。なお、過熱検知回路13は、一度過熱状態を検知すると、過熱検知信号24の出力とゲート遮断信号26の出力を一定時間保持する。
 この過熱検知は、温度センス素子16の両端の電圧を測定し、その両端の電位差が一定値以下の場合に行われる。この温度センス素子16には、例えばダイオードやサーミスタがある。なお、本実施形態での過熱検知回路13は、温度センス素子16の両端の電位差が一定値以下の場合に過熱であると判定しているが、温度センス素子16の両端の電位差が一定値以上の場合に過熱であると判定しても良い。
 診断信号印加回路14は、内部にツェナーダイオード140、抵抗141、抵抗142、トランジスタ143を有している。この診断信号印加回路14は、ゲート信号19の電圧値が一定値以上になったとき、過電流検知回路12に対して診断信号を印加する回路である。具体的には、ゲート信号19の電圧値がドライブ電源電圧18の高電圧値と等しい場合には、ツェナーダイオード140および抵抗141に電流が流れて、ベース電圧144が上昇する。ベース電圧144の上昇によってトランジスタ143がON状態になると、過電流検知端子電圧20はドライブ電源電圧18を抵抗142と抵抗15で分圧した値になる。これにより、擬似的に過電流状態を作り出し、過電流検知回路12を動作させる。なお、本実施形態では、診断信号印加回路14が過電流検知端子電圧20に電圧を印加することを、診断信号を印加すると記述する。
 ゲート信号19の電圧値がドライブ電源電圧18の通常値と等しい場合やソース電圧17と等しい場合には、ツェナーダイオード140にはほとんど電流が流れず、トランジスタ143はOFF状態となる。そのため、診断信号印加回路14は診断信号の印加を行わない。
 なお、診断信号印加回路14が上記の動作を行うために、ツェナーダイオード140には、ツェナー電圧がドライブ電源電圧18の通常値よりも大きく、かつドライブ電源電圧18の高電圧値より小さいツェナーダイオードを用いる必要がある。
 図3は、ドライブ電源回路10の詳細な内部構成を表した図である。
 ドライブ電源回路10は、直流電源100からドライブ用電源電圧18を生成する回路であり、電圧制御回路101、トランス102aから102c、スイッチング用トランジスタ103、整流用ダイオード104および109、平滑用コンデンサ105および110、分圧抵抗106aおよび106b、電圧変化用抵抗107、電圧変化用トランジスタ108を有している。なお、直流電源100には、外部電源1から直接電源を供給しても良いし、他の電源回路(図示せず)で外部電源1を昇圧もしくは降圧した電源を作成し、その電源を供給しても良い。
 電圧制御回路101は、フィードバック電圧112を元にドライブ電源電圧18とソース電圧17の間の電位差が一定値となるように制御する回路である。フィードバック電圧112が低下した場合、電圧制御回路101はフィードバック電圧が基準値になるようにPWM(Pulse Width Modulation)信号111のデューティ比を大きくし、ドライブ電源電圧18およびフィードバック電圧112を上昇させる。フィードバック電圧112が上昇した場合は、電圧制御回路101はフィードバック電圧112が基準値になるようにPWM信号111のデューティ比を小さくし、ドライブ電源電圧18およびフィードバック電圧112を低下させる。
 トランス102a、102b、102cは変圧用のトランスであり、トランス102aは一次側トランス、トランス102bはドライブ電源電圧18生成用の二次側トランス、トランス102cはフィードバック電圧112生成用の二次側トランスである。
 スイッチング用トランジスタ103は、トランス102aに流れる電流を制御するためのトランジスタであり、電圧制御回路101から出力されるPWM信号111によってON/OFFが切り替えられる。整流用ダイオード104は、トランス102cに発生した電流を整流するためのダイオードである。同様に、整流用ダイオード109は、トランス102bに発生した電流を整流するためのダイオードである。
 平滑コンデンサ105は、トランス102cに発生した電圧を安定化させるためのコンデンサである。同様に、平滑コンデンサ110は、トランス102bに発生した電圧を安定化させるためのコンデンサである。
 分圧抵抗106aおよび106bは、トランス102cに発生した電圧を分圧してフィードバック電圧112を生成するための抵抗である。
 電圧変化用抵抗107および電圧変化用トランジスタ108は、ドライブ電源電圧18を変化させるための素子である。電圧変化用トランジスタ108は、制御回路4から入力される電圧切り替え信号21によってON/OFFが切り替えられる。本実施形態においては、電圧切り替え信号21が1であるとき、電圧変化用トランジスタ102がON状態となり、電圧切り替え信号21が0であるとき、電圧変化用トランジスタ102がOFF状態になると定義する。また、電圧変化用トランジスタ102がOFF状態の場合のドライブ電源電圧18が通常値であり、電圧変化用トランジスタ102がON状態の場合のドライブ電源電圧18が高電圧値である。
 電圧変化用トランジスタ108がOFFの場合、フィードバック電圧112は分圧抵抗106aと106bの分圧比に従って生成される。電圧変化用トランジスタ108がONになると、電圧変化用抵抗107が分圧抵抗106bと並列になるため、電圧変化用トランジスタ108がOFFの場合と比べて分圧比が小さくなり、フィードバック電圧112も小さくなる。フィードバック電圧112が小さくなると、電圧制御回路101はフィードバック電圧112を一定に保つために、PWM信号111のデューティ比を大きくする。そのため、電圧変化用トランジスタ108がONの場合は、OFFの場合と比べてドライブ電源電圧18が上昇する。
 図4は、本実施形態における過電流検知回路の診断処理を表したフローチャートである。この診断処理は、負荷2が駆動していない、つまり負荷2に対して電流が流れていない状態のときに、制御回路4が任意のタイミングで実施する。例えば、駆動装置3が起動してから負荷2の駆動を行うまでの間に実施しても良いし、負荷2が駆動していない場合に一定時間が経過するごとに実施しても良い。
 ステップS100において、制御回路4は、全ての駆動回路7に対する駆動信号22を0にする。過電流検知回路12の診断中には、その過電流検知回路12と接続されているパワー半導体6がONになる。もし、診断対象の過電流検知回路12と接続されていないパワー半導体6もONになっていると、診断中に負荷2に電流が流れて駆動してしまう可能性がある。また、上下対のパワー半導体6が両方ONになり、大電流が流れる可能性もある。上下対とは、パワー半導体6aとパワー半導体6d、パワー半導体6bとパワー半導体6e、パワー半導体6cとパワー半導体6fのそれぞれの組み合わせのことである。このような問題の発生を防止するため、駆動信号22をすべて0にし、すべてのパワー半導体6をOFFにしてから診断を実施する。
 ステップS101において、制御回路4は、診断を実施する過電流検知回路12とそれを有する駆動回路7を選択する。ステップS102において、制御回路4は、ステップS101で選択した駆動回路7に対する電圧切り替え信号21を0から1に変更する。これにより、対象の駆動回路7内部のドライブ電源電圧18が高電圧値になる。
 ステップS103において、制御回路4は、対象の駆動回路7に対する駆動信号22を0から1に変更する。これにより、対象の駆動回路7内部のドライブ回路11は、ゲート信号19をドライブ電源電圧18まで上昇させる。ゲート信号19の電圧がドライブ電源電圧18の高電圧値になったため、診断信号印加回路14は過電流検知端子電圧20を上昇させる。これにより、過電流検知回路12が動作する。
 ステップS104において、制御回路4は、対象の駆動回路7から過電流検知信号23が出力されたかどうかを判定する。過電流検知信号23が出力された場合には、制御回路4は、診断対象の過電流検知回路12が正常に動作していると判断し、ステップS106の処理に移る。過電流検知信号23が出力されなかった場合には、制御回路4は診断対象の過電流検知回路12が故障していると判断し、ステップS105の処理に移る。
 ステップS105において、制御回路4は故障通知装置8に対して故障検知信号を出力する。これを受けて、故障通知装置8が動作し、搭乗者に故障を通知する。
 ステップS106において、制御回路4は、対象の駆動回路7に対する駆動信号22を1から0に変更する。これにより、対象の駆動回路7内部のドライブ回路11は、ゲート信号19をソース電圧17まで低下させる。
 ステップS107において、制御回路4は、対象の駆動回路7に対する電圧切り替え信号21を1から0に変更する。これにより、対象の駆動回路7内部のドライブ電源電圧18が通常値になる。
 ステップS108において、制御回路4は、すべての過電流検知回路12の診断を完了したかどうか判定する。診断を実施していない過電流検知回路12がある場合には、ステップS101に戻り、まだ診断を実施していない過電流検知回路12に対して診断を行う。すべての過電流検知回路12の診断を完了している場合には、制御回路4は診断処理を終了する。
 以上のように本実施形態によれば、制御回路4は、過電流検知回路12の診断を行う際に、電圧切り替え信号21および駆動信号22を用いてゲート信号19の電圧を上昇させ、それによって診断電圧印加回路14を動作させる。診断電圧印加回路14は、ゲート信号19の電圧値によって過電流検知回路12に対して診断信号を印加するか否かを決める。これにより、制御回路4から診断信号印加回路14に対して診断のための信号を伝達する必要が無く、信号伝達のために絶縁素子を追加する必要も無い。そのため、過電流検知回路12の診断を低コストで実現することができる。
 また、過電流検知回路12の診断時と負荷2の駆動時でドライブ電源電圧18を変化させることで、制御回路4が負荷2を駆動させている間に診断信号印加回路14が診断信号を印加し、それによって負荷2の駆動が阻害されることを防止している。
 (第2の実施形態)
 本実施形態では、異常検知回路が異常検知信号を正常に出力できることに加えて、ゲート信号を正常に遮断できることを診断できる駆動装置の例を示す。本実施形態における駆動装置およびその周辺回路の構成は、第1の実施形態と同じであるため、説明は省略する。同様に、本実施形態におけるパワー半導体および駆動回路の構成、ドライブ電源回路の内部構成も第1の実施形態と同じであるため、説明は省略する。
 図5は、本実施形態における過電流検知回路の診断処理のフローチャートを表した図である。この故障診断処理も第1の実施形態と同様に、負荷2が駆動していない状態のとき、制御回路4が任意のタイミングで実施する。
 図5におけるステップS100からステップS108の処理は、第1の実施形態と同様であるため説明を省略する。図5では、ステップS104の処理のあとにステップS109の処理が追加されている。
 ステップS109において、制御回路4は、ステップS104において過電流検知信号23が出力され始めてから、閾値1の時間経過後に過電流検知信号23が出力されなくなるかを判定する。閾値1の時間経過に過電流検知信号23が出力されなくなった場合には、制御回路4はステップS106の処理に移る。閾値1の時間経過に過電流検知信号23が出力され続けている場合には、制御回路4はステップS105の処理に移る。なお、この閾値1の時間は、過電流検知回路12が過電流検知信号23の出力を保持する時間よりも長い時間である。
 診断信号印加回路14が過電流検知回路12に対して診断信号を印加した際、過電流検知信号12およびドライブ回路11が正常に動作すれば、ゲート信号19は遮断され、ゲート信号19の電圧値はソース電圧17まで低下する。すると、診断信号印加回路14は、過電流検知回路12に対する診断信号の印加をやめるため、過電流検知回路12は過電流状態を検知しなくなる。そのため、過電流検知回路12は、過電流検知信号23を出力状態で一定時間保持した後、過電流検知信号23の出力を停止する。
 もし、過電流検知信号12もしくはドライブ回路11が故障し、ゲート信号19が正常に遮断されない場合、診断信号印加回路14は過電流検知回路12に対して診断信号を印加し続ける。それにより、擬似的な過電流状態が維持され続けるため、過電流検知回路12は過電流検知信号23を本来の出力保持時間以上の間、出力し続けることになる。そのため、過電流検知回路12が本来の出力保持時間以上の間、過電流検知信号23を出力するか否かによって、ゲート信号19が正常に遮断されているかどうかを判定することができる。
 (第3の実施形態)
 本実施形態では、第1の実施形態とは別の回路構成において、異常検知回路が異常検知信号を正常に出力できることを低コストで診断できる駆動装置の例を示す。
 図6は、本実施形態における駆動装置および周辺回路の構成を表した図である。駆動装置30は、第1の実施形態における駆動装置3が有している駆動回路7aから7fとは異なる駆動回路31aから31fを有している。また、駆動装置30における制御回路4と駆動回路31aから31fの間には、電圧切り替え信号21が接続されていない。それ以外の構成は、第1の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
 図7は、本実施形態におけるパワー半導体6と駆動回路31の構成を表した図である。駆動回路31は、図6における駆動回路31aから31fのいずれか1つを表したものである。この駆動回路31は、第1の実施形態における駆動回路7が有するドライブ電源回路10とは異なるドライブ電源回路32を有している。また、駆動回路31は、第1の実施形態における駆動回路7が有する診断信号印加回路14とは異なる診断信号印加回路33を有している。
 診断信号印加回路33は、図2におけるツェナーダイオード140、抵抗141の代わりに、ダイオード145および147、抵抗146および148、コンデンサ149を有している。
 この診断信号印加回路33は、ゲート信号19の電圧値がドライブ電源電圧18と等しい場合に、ダイオード147および抵抗148を介してコンデンサ149を充電させ、ベース電圧144を上昇させる。また、ゲート信号19の電圧値がソース電圧17と等しい場合に、ダイオード145および抵抗146を介してコンデンサ149を放電させ、ベース電圧144を低下させる動作をする。ベース電圧144が一定の電圧値(トランジスタ143のON閾値)を超えると、トランジスタ143がONとなり、第1の実施形態と同様に過電流検知回路12に対して診断信号の印加が行われる。
 コンデンサ149の充電速度は抵抗148の抵抗値に依存し、抵抗値が大きいほど充電速度が遅くなる。また、コンデンサ149の放電速度は抵抗146の抵抗値に依存し、抵抗値が大きいほど放電速度が遅くなる。制御回路4が負荷2を駆動しているときは、コンデンサ149もゲート信号19の電圧値にあわせて、充電と放電を繰り返す。しかし、負荷2の駆動中に診断信号印加回路33が診断信号の印加動作を行うと、制御動作を阻害してしまう。そのため、負荷2の駆動制御中には診断電圧印加回路33が診断信号の印加動作を行わないように、制御中にゲート信号19の電圧値がドライブ電源電圧18と等しくなっている時間、および制御中にゲート信号19の電圧値がソース電圧17と等しくなっている時間から、抵抗146および抵抗148の抵抗値を定める必要がある。
 図8は、本実施形態におけるドライブ電源回路の内部構成を表した図である。図8に表したドライブ電源回路31は、ドライブ電源回路10とは異なり、電圧変化用抵抗101および電圧変化用トランジスタ102を有していない。
 図9は、本実施形態における過電流検知回路の診断処理のフローチャートである。図9の処理では、ステップS103の処理の後、制御回路4はステップS110の処理を行う。ステップS110では、制御回路4がステップS103で駆動信号22を1に変更してから閾値2の時間が経過したときに、駆動回路30から過電流検知信号23が出力されているかどうかを確認する。過電流検知回路23が出力されている場合、制御回路4は過電流検知回路12が正常に動作していると判定し、ステップS106の処理に移る。過電流検知回路23が出力されていない場合、制御回路4は過電流検知回路12が故障していると判定し、ステップS105の処理を行う。
 なお、ステップS109において、閾値2の時間が経過するまで待つ理由は、診断信号印加回路33はコンデンサ149が十分に充電されないと診断信号を印加しないためである。そのため、この閾値2の時間は、駆動信号22が1の状態になってから、コンデンサ149が充電されてトランジスタ143がON状態になるまでの時間よりも長く設定する必要がある。
 本実施形態によれば、制御回路4は、過電流検知回路12の診断を行う際に、コンデンサ149の充電時間以上の間、駆動信号22を1にすることで診断電圧印加回路33を動作させる。診断電圧印加回路33は、コンデンサ149の充電状態、つまりゲート信号19の電圧値が一定時間以上ドライブ電源電圧18と等しい状態を維持したか否かによって、過電流検知回路12に対して診断信号を印加するか否かを決める。これにより、制御回路4から診断信号印加回路33に対して診断のための信号を伝達する必要が無く、信号伝達のために絶縁素子を追加する必要も無い。そのため、過電流検知回路12の診断を低コストで実現することができる。
 なお、本実施形態における診断信号印加回路33では、コンデンサ149がある閾値以上まで充電されたときに、診断信号を印加する構成になっている。また、過電流検知回路12の診断処理においても、駆動信号22を1のまま一定時間以上維持することで、診断信号印加回路33を動作させている。しかし、これはあくまでも一例であり、コンデンサ149がある閾値以下まで放電されたときに、診断信号を印加するように診断信号印加回路33を構成することも可能である。また、診断信号印加回路33の構成変更に合わせて、過電流検知回路12の診断処理を変更することも可能である。
 (第4の実施形態)
 本実施形態では、第3の実施形態の構成において、異常検知回路が異常検知信号を正常に出力できることに加えて、ゲート信号を正常に遮断できることを診断できる駆動装置の例を示す。本実施形態における駆動装置およびその周辺回路の構成は、第3の実施形態と同じであるため、説明は省略する。同様に、本実施形態におけるパワー半導体および駆動回路の構成、ドライブ電源回路の内部構成も第3の実施形態と同じであるため、説明は省略する。
 図10は、本実施形態における過電流検知回路の診断処理のフローチャートを表した図である。図10のフローチャートにおける各処理は、図9のフローチャートのステップS110処理のあとに、図6のステップS109処理を追加している他は、図9で示した処理と同様であるため、個々の処理内容については説明を省略する。
 本実施形態によれば、第3の実施形態の構成においても第2の実施形態で説明したように、ゲート信号19が正常に遮断されることを診断することができる。
 また、第2の実施形態の構成の場合、過電流検知回路12の診断中は駆動信号22を1にしているため、ゲート信号19の遮断が解除されるとすぐに診断信号印加回路12が診断信号を再度印加してしまう。そのため、ステップS109における過電流検知信号23の出力停止が検知しにくく、ゲート信号19が正常に遮断されていたとしても過電流検知回路12やドライブ回路11が故障していると判定してしまう可能性がある。
 本実施形態における診断信号印加回路33は、コンデンサ149がトランジスタ143のON閾値以上まで充電されなければ診断信号を印加しないため、ゲート信号19の遮断が解除されてからこの充電時間が経過するまでの間は、過電流検知信号23の出力が停止する。そのため、第2の実施形態の場合に比べて、ステップS109における過電流検知信号23の出力停止を検知しやすく、上記のような故障の誤判定を防止することができる。
 また、第3の実施形態では、コンデンサ149が閾値以下に放電された場合に診断信号を印加するように診断信号印加回路33を構成することも可能であると述べたが、ゲート信号19が正常に遮断されること判定するためには、ゲート信号19がソース電圧17と等しい状態が一定時間以上継続した場合に、診断信号の印加をやめなければならない。そのため、コンデンサ149が閾値以下に放電された場合に診断信号を印加するように診断信号印加回路33を構成した場合には、この診断方法によってゲート信号19が正常に遮断されていること判定することはできない。
 (第5の実施形態)
 本実施形態では、第1の実施形態および第3の実施形態とは別の回路構成において、異常検知回路が異常検知信号を正常に出力できることを低コストで診断できる駆動装置の例を示す。
 図11は、本実施形態における駆動装置および周辺回路の構成を表した図である。駆動装置40は、第3の実施形態における駆動装置30が有している駆動回路31aから31fとは異なる駆動回路41aから41fを有している。この駆動回路41aから41fは、パワー半導体6aから6fに対して接続しているゲート信号を駆動回路間で配線50として相互に接続している。
 図12は、本実施形態におけるパワー半導体と駆動回路の構成を表した図である。駆動回路41は、図11における駆動回路41aから41fのいずれか1つを表したものである。この駆動回路41は、第3の実施形態における駆動回路31が有する診断信号印加回路33とは異なる診断信号印加回路42を有している。また、他の駆動回路からのゲート信号51が駆動回路41に対して入力され、他の駆動回路に対してゲート信号19を出力している。
 診断信号印加回路42は、図2におけるツェナーダイオード140、抵抗141の代わりに、論理ゲート150を有している。この診断信号印加回路42はゲート信号19と他の駆動回路のゲート信号51が特定の組み合わせの場合にトランジスタ143をON状態にし、過電流検知回路12に対して診断信号の印加を行う。本実施形態では、ゲート信号19の電圧値が閾値電圧以上であり、すべてのゲート信号51の電圧値が閾値電圧未満のとき、論理ゲート150はトランジスタ143をON状態にする。この閾値電圧は、ソース電圧17と論理ゲート150の構成によって決まる。
 なお、制御回路4が負荷2を駆動中には、診断信号印加回路44が診断信号を印加しないように、ゲート信号19およびゲート信号51の特定の組み合わせには、通常制御で起こりえない組み合わせを選択することが望ましい。通常、上下対になっているパワー半導体は片方がON状態のときにもう片方はOFF状態になっている。そのため、診断対象の過電流検知回路12と接続されたパワー半導体6のゲート信号19はパワー半導体をON状態にし、それ以外のゲート信号51はパワー半導体OFF状態にする場合が、上記特定の組み合わせの1つとして考えられる。それ以外には、ゲート信号19およびゲート信号51が全てのパワー半導体をOFF状態にする場合も上記の特定の組み合わせにすることが考えられる。
 なお、本実施形態では論理ゲート150はNORゲートとANDゲートで構成されているが、これは上記の特定の組み合わせに応じて、その他の論理ゲートで構成されていてもよい。また、論理ゲート150はダイオードやトランジスタなどから構成されていてもよく、1つあるいは複数の集積回路であってもよい。
 図13は、本実施形態における過電流検知回路の診断処理のフローチャートを表した図である。本実施形態における診断フローチャートは、第1の実施形態の診断フローチャートからステップS102およびステップS107を取り除いたものであるため、個別の処理に対する説明は省略する。
 本実施形態では、診断信号印加回路42は、駆動回路6aから6fの各ゲート信号が特定の組み合わせになったか否かによって、過電流検知回路12に対して診断信号を印加するか否かを決める。これにより、制御回路4から診断信号印加回路42に対して診断のための信号を伝達する必要が無く、信号伝達のために絶縁素子を追加する必要も無い。そのため、過電流検知回路12の診断を低コストで実現することができる。
 なお、本実施形態では、駆動回路41aから41fの間でゲート信号を相互に接続させていたが、例えば上側の駆動回路(41a、41b、41c)の間のみで相互にゲート信号を接続させてもよい。また、下側の駆動回路(41d、41e、41f)の間のみで相互にゲート信号を接続させてもよい。
 (第6の実施形態)
 本実施形態では、第5の実施形態の構成において、異常検知回路が異常検知信号を正常に出力できることに加えて、ゲート信号を正常に遮断できることを診断できる駆動装置の例を示す。本実施形態における駆動装置およびその周辺回路の構成は、第5の実施形態と同じであるため、説明は省略する。同様に、本実施形態におけるパワー半導体および駆動回路の構成、ドライブ電源回路の内部構成も第5の実施形態と同じであるため、説明は省略する。
 図14は、本実施形態における過電流検知回路の診断処理のフローチャートを表した図である。本実施形態における診断フローチャートは、第2の実施形態の診断フローチャートからステップS102およびステップS107を取り除いたものであるため、個別の処理に対する説明は省略する。
 なお、第5の実施形態においては、診断信号印加回路42が診断信号を印加する際のゲート信号の特定の組み合わせについて、パワー半導体6aから6fがすべてOFFになるようなゲート信号の組み合わせを例として述べた。しかし、ゲート信号の遮断を確認するためには、少なくとも診断対象の過電流検知回路12と接続されたパワー半導体6のゲート信号19はドライブ電源電圧18と等しい状態、つまりパワー半導体6をONさせる状態でなければならない。
 本実施形態によれば、第5の実施形態の構成においても第2の実施形態で説明したように、ゲート信号19が正常に遮断されることを診断することができる。
 なお、上記の第1~第6の実施形態では、異常検知回路として過電流検知回路12を対象とした場合の例を示したが、同様の診断方法を過熱検知回路13に適用することも可能である。
 また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。また、上記の各構成、機能、処理部、処理手段等は、それらの一部又は全部を、例えば集積回路で設計する等によりハードウェアで実現しても良い。また、上記の各構成、機能等は、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈し、実行することによりソフトウェアで実現しても良い。各機能を実現するプログラム、テーブル、ファイル等の情報は、メモリや、ハードディスク、SSD(Solid State Drive)等の記録装置、または、ICカード、SDカード、DVD等の記録媒体に置くことができる。 
1:外部電源(バッテリ)、2:負荷(3相交流モータ)、3:駆動装置、4:制御回路、5:電流センサ、6:パワー半導体、7:駆動回路、8:故障通知装置、10:ドライブ電源回路、11:ドライブ回路、12:過電流検知回路、13:過熱検知回路、14:診断信号印加回路、15:抵抗、16:温度センス素子、17:ソース電圧、18:ドライブ電源電圧、19:ゲート信号、20:過電流検知端子電圧、21:電圧切り替え信号、22:駆動信号、23:過電流検知信号、24:過熱検知信号、30:駆動装置、31:駆動回路、32:ドライブ電源回路、33:診断信号印加回路、40:駆動装置、41:駆動回路、42:診断信号印加回路、50:配線、51:ゲート信号、100:直流電源、101:電圧制御回路、102:トランス、103:スイッチング用トランジスタ、104:整流用ダイオード、105:平滑用コンデンサ、106:分圧抵抗、107:電圧変用抵抗、108:電圧変化用トランジスタ、109:整流用ダイオード、110:平滑用コンデンサ、111:PWM信号、112:フィードバック電圧、140:ツェナーダイオード、141:抵抗、142:抵抗、143:抵抗、145:ダイオード、146:抵抗、147:ダイオード、148:抵抗、149:コンデンサ、150:論理ゲート

Claims (10)

  1.  パワー半導体に対してゲート信号を出力するドライブ回路と、前記パワー半導体の異常を検知する異常検知回路と、前記異常検知回路に対して診断用信号を印加する診断信号印加回路と、を備え、
     前記診断信号印加回路は前記ドライブ回路が出力する前記ゲート信号に基づいて、前記診断用信号を印加する駆動装置。
  2.  請求項1に記載の駆動装置において、
     前記診断信号印加回路は、前記ドライブ回路が出力する前記ゲート信号の電圧値が所定の閾値を超えたときに、前記診断用信号を印加する駆動装置。
  3.  請求項1に記載の駆動装置において、
     前記診断信号印加回路は、前記ドライブ回路が出力する前記ゲート信号の電圧値が所定時間以上の期間内で変化しないときに、前記診断用信号を印加する駆動装置。
  4.  請求項1に記載の駆動装置において、
     前記ドライブ回路は、複数のパワー半導体のそれぞれに対応して複数設けられ、
     前記診断信号印加回路は、複数の前記ドライブ回路が出力する複数の前記ゲート信号が所定の組み合わせであるときに、前記診断用信号を印加する駆動装置。
  5.  請求項1乃至4のいずれかに記載の駆動装置において、
     前記異常検知回路は、前記パワー半導体の異常を検知したとき、前記制御回路に対して異常検知信号を出力する機能を有し、
     前記診断信号印加回路が前記異常検知回路に対して前記診断用信号を印加したとき、前記異常検知回路が前記異常検知信号を出力しなかった場合、前記制御回路は前記異常検知回路が故障していると判定する駆動装置。
  6.  請求項1乃至4のいずれかに記載の駆動装置において、
     前記異常検知回路は、前記パワー半導体の異常を検知したとき、前記制御回路に対して異常検知信号を出力するとともに、前記ドライブ回路に対してゲート遮断信号を出力する機能を有し、
     前記ドライブ回路は、前記異常検知回路が出力する前記ゲート遮断信号に基づいて前記ゲート信号の出力を中止する駆動装置。
  7.  請求項6に記載の駆動装置において、
     前記制御回路が前記駆動信号を駆動状態のまま維持したとき、前記異常検知回路が前記異常検知信号を所定時間以上の期間出力し続けている場合、前記制御回路は前記ドライブ回路もしくは前記異常検知回路のいずれかが故障していると判定する駆動装置。
  8.  請求項1乃至7のいずれかに記載の駆動装置であって、 
     前記異常検知回路は、所定の電圧値を超える電位差を検知したときに、前記パワー半導体の異常を検知し、 
     前記診断信号印加回路は、前記ドライブ回路が出力する前記ゲート信号に基づいて、診断用電圧を出力する駆動装置。 
  9.  請求項1乃至8のいずれかに記載の駆動装置であって、 
     前記異常検知回路は、前記パワー半導体に所定の電流値以上の電流が流れたことを検知する過電流検知回路である駆動装置。 
  10.  請求項1乃至8のいずれかに記載の駆動装置であって、 
     前記異常検知回路は、前記パワー半導体の温度が所定温度以上となったことを検知する過熱検知回路である駆動装置。
PCT/JP2016/069958 2015-07-09 2016-07-06 駆動装置 WO2017006949A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/743,121 US10804891B2 (en) 2015-07-09 2016-07-06 Driving device
CN201680038006.5A CN107820664B (zh) 2015-07-09 2016-07-06 驱动装置
DE112016003102.5T DE112016003102T5 (de) 2015-07-09 2016-07-06 Ansteuervorrichtung

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015137387A JP6506644B2 (ja) 2015-07-09 2015-07-09 駆動装置
JP2015-137387 2015-07-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017006949A1 true WO2017006949A1 (ja) 2017-01-12

Family

ID=57685695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/069958 WO2017006949A1 (ja) 2015-07-09 2016-07-06 駆動装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10804891B2 (ja)
JP (1) JP6506644B2 (ja)
CN (1) CN107820664B (ja)
DE (1) DE112016003102T5 (ja)
WO (1) WO2017006949A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018128077A1 (ja) * 2017-01-09 2018-07-12 株式会社オートネットワーク技術研究所 車載用電源装置の故障検出装置及び車載用電源装置
WO2019049698A1 (ja) * 2017-09-08 2019-03-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 電力変換回路および電力変換装置
WO2019167104A1 (ja) * 2018-02-27 2019-09-06 三菱電機株式会社 半導体装置
JP7460508B2 (ja) 2020-11-16 2024-04-02 日立Astemo株式会社 電力変換装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6488948B2 (ja) * 2015-08-24 2019-03-27 株式会社デンソー 負荷制御装置
JP7052297B2 (ja) * 2017-11-06 2022-04-12 株式会社デンソー Pwm信号出力装置及びpwm信号出力方法
JP7103209B2 (ja) * 2018-12-27 2022-07-20 トヨタ自動車株式会社 異常検出システム及びそれを備える車両、並びに異常検出方法
CN112444720B (zh) 2019-08-30 2022-06-03 宁德时代新能源科技股份有限公司 一种电控制器件的检测电路及检测方法
US11349470B2 (en) * 2019-11-07 2022-05-31 GM Global Technology Operations LLC Gate driver and protection system for a solid-state switch
CN113125931B (zh) * 2019-12-30 2024-03-26 日立安斯泰莫汽车系统(苏州)有限公司 电路异常诊断装置、电路异常诊断方法及计算机可读取介质
CN112542941B (zh) * 2020-11-27 2022-05-06 重庆长安新能源汽车科技有限公司 一种电机控制器及其电流调节方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04104067A (ja) * 1990-08-24 1992-04-06 Fujitsu Ltd 電源回路
JPH0829470A (ja) * 1994-07-14 1996-02-02 Yaskawa Electric Corp 電流検出器の故障検出方法
JP2007104488A (ja) * 2005-10-06 2007-04-19 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 電力供給制御装置
JP2010279125A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Sanden Corp モータ制御装置
JP2015002659A (ja) * 2013-06-18 2015-01-05 カルソニックカンセイ株式会社 インバータ装置の検査方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3291390B2 (ja) * 1994-02-07 2002-06-10 三菱電機株式会社 インバータの故障検出方式
JPH0894695A (ja) * 1994-09-27 1996-04-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体パワースイッチシステム
JPH0923501A (ja) * 1995-07-03 1997-01-21 Hitachi Ltd 電気車制御装置
JP4643419B2 (ja) * 2005-11-08 2011-03-02 矢崎総業株式会社 自己診断機能を備えた負荷駆動装置
JP2009230232A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Nec Electronics Corp 半導体集積回路装置
JP5007754B2 (ja) * 2010-05-14 2012-08-22 株式会社デンソー 電力変換システムの放電制御装置
JP2012242330A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Omron Automotive Electronics Co Ltd 漏電検知装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04104067A (ja) * 1990-08-24 1992-04-06 Fujitsu Ltd 電源回路
JPH0829470A (ja) * 1994-07-14 1996-02-02 Yaskawa Electric Corp 電流検出器の故障検出方法
JP2007104488A (ja) * 2005-10-06 2007-04-19 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 電力供給制御装置
JP2010279125A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Sanden Corp モータ制御装置
JP2015002659A (ja) * 2013-06-18 2015-01-05 カルソニックカンセイ株式会社 インバータ装置の検査方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018128077A1 (ja) * 2017-01-09 2018-07-12 株式会社オートネットワーク技術研究所 車載用電源装置の故障検出装置及び車載用電源装置
WO2019049698A1 (ja) * 2017-09-08 2019-03-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 電力変換回路および電力変換装置
WO2019167104A1 (ja) * 2018-02-27 2019-09-06 三菱電機株式会社 半導体装置
JP7460508B2 (ja) 2020-11-16 2024-04-02 日立Astemo株式会社 電力変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017022836A (ja) 2017-01-26
US10804891B2 (en) 2020-10-13
CN107820664A (zh) 2018-03-20
US20190103863A1 (en) 2019-04-04
CN107820664B (zh) 2020-03-20
DE112016003102T5 (de) 2018-04-12
JP6506644B2 (ja) 2019-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017006949A1 (ja) 駆動装置
JP6279192B1 (ja) インバータ装置およびインバータ装置の異常検出方法
US20140092653A1 (en) Electronic circuit operating based on isolated switching power source
CN106953503B (zh) 半导体集成电路器件和电子器件
US9640978B2 (en) Protection circuit for an inverter as well as inverter system
US8937451B2 (en) Motor control apparatus which discharges stored charge of DC voltage smoothing capacitor when operation becomes halted
JP2013106464A (ja) 半導体装置
WO2018042939A1 (ja) 半導体素子の駆動装置
JP2011010480A (ja) 電力変換装置
JP6477923B2 (ja) 制御回路
US11217986B2 (en) Intelligent power module including semiconductor elements of a plurality of phases drive circuits of a plurality of phases and a plurality of temperature detection elements
JP4556918B2 (ja) 回生エネルギー消費回路を備える電源装置
JP6459519B2 (ja) 電力変換装置の保護装置
WO2020071079A1 (ja) 高電圧機器の制御装置
JP6540468B2 (ja) 電力変換装置
JP2015027127A (ja) 電力変換器
JP2010093996A (ja) 電力変換装置
JP2015100158A (ja) Dc−dcコンバータ
JP6797233B2 (ja) 電力変換装置
JP6778324B2 (ja) 電力変換装置、故障検知回路、駆動回路
JP6536812B2 (ja) 電力変換装置
JP2008136296A (ja) 電源装置
KR101364993B1 (ko) 직류 모터의 안전제어 회로
JP2023082336A (ja) 電源装置
JP2009177883A (ja) 電力変換装置の信号伝達装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16821418

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112016003102

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16821418

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1