WO2016199480A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave device in which an acoustic wave element is sealed with a sealing resin layer.
  • Patent Document 1 discloses an acoustic wave device having a hollow structure.
  • an acoustic wave element is mounted on a mounting substrate using bumps.
  • the IDT electrode of the acoustic wave element faces the mounting substrate.
  • a hollow space is provided between the IDT electrode and the mounting substrate.
  • a sealing resin layer is provided so as to cover the periphery of the acoustic wave element.
  • a configuration in which a mark is printed on the upper surface of the sealing resin layer using a laser or the like is shown.
  • the printed portion becomes a recess. Since the concave portion is formed, there is a possibility that the acoustic wave device may be broken even when heat stress is applied.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device that is less likely to break when heat stress is applied.
  • the acoustic wave device includes a mounting substrate, an electrode land provided on the mounting substrate, a piezoelectric substrate having first and second main surfaces facing each other, and the first of the piezoelectric substrate.
  • a recess is provided on the surface of the sealing resin layer opposite to the mounting substrate, and the depth of the recess is greater than the second main surface of the piezoelectric substrate. 1/3 or more of the distance to the surface of the stop resin layer opposite to the mounting substrate A.
  • the concave portion is located between the bumps when viewed in plan from the surface of the sealing resin layer opposite to the mounting substrate. In this case, breakage when thermal stress is applied can be further suppressed.
  • the concave portion is located between all the bumps. In this case, breakage due to thermal stress is less likely to occur.
  • the bottom of the recess is on the side of the surface opposite to the mounting substrate of the sealing resin layer from the second main surface of the piezoelectric substrate.
  • the sealing resin layer portion exists between the bottom of the recess and the second main surface of the piezoelectric substrate. In this case, the acoustic wave device is more unlikely to be broken due to thermal stress.
  • the hollow portion where the IDT electrode faces is formed in the concave portion. Located outside. In this case, the strength is not easily lowered due to the formation of the recess.
  • the concave portion does not overlap the IDT electrode when viewed in plan from the surface of the sealing resin layer opposite to the mounting substrate. In this case, the mechanical strength is not easily lowered due to the formation of the recess.
  • the concave portion constitutes a letter or a number.
  • information on the acoustic wave device, production lot information, and the like can be displayed using the recess.
  • FIG. 1A and FIG. 1B are a plan view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention and a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 1A.
  • FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the ratio D / H and the stress applied to the end portion in the longitudinal direction of the acoustic wave device when placed at a temperature of 85 ° C.
  • FIG. 3 is a front sectional view of an acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing a relationship between longitudinal positions of the piezoelectric substrate and the sealing resin layer in the elastic wave device according to the second embodiment and stress applied at high temperature.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating the relationship between the longitudinal positions of the piezoelectric substrate and the sealing resin layer in the elastic wave device according to the third embodiment and the stress applied at a high temperature.
  • FIG. 7 is a plan view of an acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view of an acoustic wave device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A and FIG. 1B are a plan view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention and a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 1A.
  • the acoustic wave device 1 has a mounting substrate 2.
  • the mounting substrate 2 is made of insulating ceramics such as alumina or semiconductor ceramics. Further, the mounting substrate 2 may be formed of a material other than ceramics.
  • a plurality of electrode lands 3 and 4 are provided on the upper surface of the mounting substrate 2.
  • the electrode lands 3 and 4 are made of an appropriate metal such as Al, Cu, Ag, or an alloy thereof.
  • the acoustic wave element 5 is mounted on the mounting substrate 2.
  • the acoustic wave element 5 has a piezoelectric substrate 6.
  • the piezoelectric substrate 6 is made of a piezoelectric single crystal such as lithium tantalate or lithium niobate. However, the piezoelectric substrate 6 may be made of piezoelectric ceramics.
  • the piezoelectric substrate 6 has a first main surface 6a and a second main surface 6b facing each other.
  • An IDT electrode 7 is provided on the first main surface 6a.
  • a hollow portion A where the IDT electrode 7 faces is provided between the first main surface 6 a and the mounting substrate 2.
  • the electrode lands 8 and 9 electrically connected to the IDT electrode 7 are provided on the first main surface 6a.
  • the electrode lands 8 and 9 are joined to the electrode lands 3 and 4 by bumps 10 and 11.
  • the electrode lands 8 and 9 are made of an appropriate metal or alloy.
  • the bumps 10 and 11 are also made of an appropriate metal such as solder or Au.
  • the acoustic wave device 1 is arranged so that the first main surface 6 a of the piezoelectric substrate 6 faces the mounting substrate 2. Thereby, the hollow part A mentioned above is formed.
  • a sealing resin layer 12 is provided so as to cover the periphery of the acoustic wave element 5.
  • the sealing resin layer 12 is made of an appropriate synthetic resin such as an epoxy resin.
  • the sealing resin layer 12 is provided so as to cover the acoustic wave element 5 except for the hollow portion A.
  • a recess 13a having an X-direction dimension of 10% with respect to the X-direction dimension of the surface 12a is provided on the surface 12a opposite to the mounting substrate 2 of the sealing resin layer 12.
  • a plurality of recesses 13a to 13d are provided on the positions of the bumps 10, 11, 10A, 11A provided below the sealing resin layer 12 are indicated by broken-line circles. That is, the bumps 10 and 11 described above are located on both sides of the recess 13a. Bumps 10A and 11A are also located on both sides of the recess 13b.
  • the sealing resin layer 12 and the piezoelectric substrate 6 have a rectangular planar shape having a long side and a short side.
  • the bumps 10 and 11 are located on one end side and the other end side of one long side of the piezoelectric substrate 6.
  • the recess 13a is located in the center on this long side.
  • the bump 10A is located on one end side and the bump 11A is located on the other end side.
  • the recess 13b is located in the center on this long side.
  • a recess 13c is located at the center of the short side where the bumps 10 and 10A are located.
  • a recess 13d is located at the center between the bumps 11 and 11A.
  • the recesses 13a to 13d are located between a pair of adjacent bumps.
  • Depth D is the depth of the recesses 13a to 13d, that is, the dimension from the surface 12a of the sealing resin layer 12 opposite to the mounting substrate 2 to the bottom surface of the recesses 13a to 13d.
  • the distance between the surface 12a of the sealing resin layer 12 opposite to the mounting substrate 2 and the second main surface 6b of the piezoelectric substrate 6 is H.
  • the ratio D / H of the depth D to the distance H is 1/3 or more.
  • FIG. 2 shows an acoustic wave device at a high temperature of 85 ° C. when the ratio D / H between the depth D of the recesses 13a to 13d and the distance H is changed in the acoustic wave device 1 of the embodiment. It is a figure which shows the relationship with the stress added to the longitudinal direction edge part of 5.
  • FIG. The stress at the end portion in the longitudinal direction is a value obtained by obtaining the stress at the end portion C in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate 6 in a state where the acoustic wave device 1 has reached a steady state at a temperature of 85 ° C. .
  • the depth D of the recesses 13a to 13d is provided so that the ratio D / H is 1/3 or more.
  • the upper limit of the ratio D / H is not particularly limited in order to relieve the stress applied to the end portion.
  • the distance between the surface 12a and the second main surface 6b of the piezoelectric substrate 6 is the upper limit of D. Therefore, the value of the ratio D / H is 1 or less.
  • the value of the ratio D / H is less than 1. In that case, a sealing resin layer portion exists between the bottoms of the recesses 13 a to 13 d and the second main surface 6 b of the piezoelectric substrate 6. Thereby, it is possible to more effectively suppress the decrease in mechanical strength.
  • the depths of all the recesses 13a to 13d are the same.
  • FIG. 3 is a front sectional view of an elastic wave device 21 according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a front sectional view of an elastic wave device 31 according to the third embodiment of the present invention.
  • 3 and 4 are drawings corresponding to FIG. 1B shown in the first embodiment. The difference is that three concave portions 13a1 to 13a3 are provided on the surface 12a of the sealing resin layer 12 along the longitudinal direction of the piezoelectric substrate 6. Although not shown in FIGS. 3 and 4, three concave portions are similarly provided in the long side portion on the side where the concave portion 13 b shown in FIG. 1A is provided.
  • the depths D of all the concave portions 13a1 to 13a3 are made equal.
  • the depth of the concave portion 13a2 located at the center in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate 6 is relatively deep, and is located on one end side and the other end side in the longitudinal direction.
  • the depths of the recessed portions 13a1 and 13a3 are relatively shallow.
  • the depth of the recess 13a1 is equal to the depth of the recess 13a3.
  • 5 and 6 show the relationship between the longitudinal direction (X direction) position and the stress-Mises equivalent stress in the cross section shown in FIGS. 3 and 4 of the elastic wave devices 21 and 31 of the second and third embodiments. It is a figure which shows a relationship. 5 and 6, the solid line represents the stress applied to the piezoelectric substrate 6 on the second main surface 6 b of the piezoelectric substrate 6, and the broken line represents the sealing resin layer on the plane 12 c including the second main surface 6 b of the piezoelectric substrate 6. It is a figure which shows the applied stress.
  • the piezoelectric substrate 6 located 0.1 mm away from the end portion of the sealing resin indicated by 0 on the horizontal axis due to thermal stress under high temperature. It turns out that a big stress is added to a longitudinal direction edge part. Even in the plane 12c including the sealing resin layer 12 and the second main surface 6b of the piezoelectric substrate 6, the stress is about 65 at the longitudinal position of 0.1 mm in the horizontal axis corresponding to the longitudinal end of the piezoelectric substrate 6. It can be seen that it is ⁇ 75 MPa, which is larger than the stress at other longitudinal positions.
  • the stresses at both ends in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate 6 are about 70 MPa and about 65 MPa, which are reduced compared to the case of FIG. 5. I understand that.
  • the stress at the center in the longitudinal direction in FIG. 6 is larger than that in FIG. 5, and is about 40 to 45 MPa.
  • the stress difference between the stress at both end positions of the second main surface 6b of the piezoelectric substrate 6 and the stress at the center position is smaller than the stress difference in the case of FIG.
  • the elastic wave device 31 of the third embodiment can reduce the stress at the end portion in the large longitudinal direction and can achieve uniform stress corresponding to the entire longitudinal direction of the piezoelectric substrate 6.
  • the central concave portion 13a2 can be made relatively deep. desirable. Even in this case, the depth D of all the recesses 13a1 to 13a3 needs to have a ratio D / H of 1/3 or more.
  • the stress distribution state shown in FIG. 5 and FIG. 6 is the E-direction shown in FIG. 1 (a) passing through the short side direction of the piezoelectric substrate 6, specifically, the bumps 10 and 10A and the recess 13c of FIG. It has been confirmed that similar results can be obtained in the E section.
  • FIG. 7 is a plan view of an elastic wave device 41 according to the fourth embodiment.
  • recesses 13 a and 13 b are provided in the center of the long side of the piezoelectric substrate 6 in the longitudinal direction and in the vicinity of the center of the other long side.
  • the formation position and number of the recesses in the present invention are not particularly limited.
  • the concave portion provided on the upper surface of the sealing resin layer 12 is provided at a position that does not overlap with the hollow portion A located below when viewed in plan from the surface 12a side. More preferably, it is further desirable that it is provided so as not to overlap with the IDT electrode 7. Thereby, the mechanical strength of the acoustic wave device can be increased more effectively.
  • the concave portions 13a to 13d, 13a1 to 13a3, and the like having a circular planar shape are shown, but the planar shape of the concave portions is not particularly limited and may be an arbitrary shape. it can.
  • recesses 13e, 13f, 13g, and 13h that constitute letters and numbers may be provided as in the elastic wave device 51 of the fifth embodiment shown in FIG. In this case, since the recesses 13e to 13h can represent characters, numbers, and the like, markings indicating product information, product lot numbers, and the like can be formed.

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Abstract

熱による応力が加わった際の破壊が生じ難い、弾性波装置を提供する。　実装基板２上に、弾性波素子５が実装されており、弾性波素子５が封止樹脂層１２で封止されている、弾性波装置１。弾性波素子５は、バンプ１０，１１を用いて実装基板２の電極ランド３，４に接合されている。封止樹脂層１２の実装基板２とは反対側の面１２ａに、凹部１３ａ～１３ｄが設けられている。凹部１３ａ～１３ｄの深さＤと、面１２ａから圧電基板６の第２の主面６ｂまでの封止樹脂層部分の距離Ｈとの比Ｄ／Ｈが１／３以上である。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波素子が封止樹脂層により封止されている、弾性波装置に関する。
　近年、電子部品の薄型化及び小型化が強く求められている。下記の特許文献１には、中空構造を有する弾性波装置が開示されている。特許文献１では、実装基板上に、弾性波素子がバンプを用いて実装されている。弾性波素子のＩＤＴ電極が、実装基板に対向している。ＩＤＴ電極と実装基板との間には中空空間が設けられている。弾性波素子の周囲を覆うように封止樹脂層が設けられている。封止樹脂層の上面に、レーザーなどを用いてマークを印字した構成が示されている。
特開２０１４－１１２６０７号公報
　封止樹脂層の上面にレーザーなどを用いてマークを印字する方法では、印字された部分が凹部となる。凹部が形成されているため、熱による応力が加わった場合においても、弾性波装置の破壊が生じるおそれがあった。
　本発明の目的は、熱による応力が加わった場合において破壊が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、実装基板と、前記実装基板上に設けられた電極ランドと、対向し合う第１及び第２の主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の前記第１の主面上に設けられたＩＤＴ電極とを有し、前記第１の主面が前記実装基板の前記電極ランドと隙間を隔てて対向するように前記実装基板に搭載された弾性波素子と、前記弾性波素子を前記電極ランドに接合している複数のバンプと、前記実装基板に搭載されている前記弾性波素子を覆うように設けられており、前記隙間の部分を中空部としている封止樹脂層とを備え、前記封止樹脂層の前記実装基板とは反対側の面に、凹部が設けられており、前記凹部の深さが、前記圧電基板の前記第２の主面から、前記封止樹脂層の前記実装基板とは反対側の面までの距離の１／３以上である。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記封止樹脂層の前記実装基板とは反対側の面から平面視した場合に、前記凹部がバンプ間に位置している。この場合には、熱応力が加わった際の破壊をより一層抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記複数のバンプにおいて、全てのバンプ間に前記凹部が位置している。この場合には、熱応力による破壊がさらに生じ難い。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記凹部の底が、前記圧電基板の前記第２の主面よりも前記封止樹脂層の前記実装基板とは反対側の面の側に位置しており、前記凹部の底と前記圧電基板の前記第２の主面との間に封止樹脂層部分が存在している。この場合には、熱応力による弾性波装置の破壊がより一層生じ難い。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記封止樹脂層の前記実装基板とは反対側の面から平面視した場合、前記凹部が、前記ＩＤＴ電極が臨んでいる前記中空部外に位置している。この場合には、凹部の形成による強度の低下が生じ難い。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記封止樹脂層の前記実装基板とは反対側の面から平面視した場合に、前記凹部が、前記ＩＤＴ電極と重なり合っていない。この場合には、凹部の形成による機械的強度の低下がさらに生じ難い。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記凹部が、文字または数字を構成している。この場合には、凹部を利用して、弾性波装置に関する情報や製造ロット情報等を表示することができる。
　本発明によれば、熱による応力が加わった際の破壊が生じ難い弾性波装置を提供することができる。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図及び図１（ａ）中のＢ－Ｂ線に沿う断面図である。 図２は、比Ｄ／Ｈと、８５℃の温度におかれた場合の弾性波素子の長手方向端部に加わる応力との関係を示す図である。 図３は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図４は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図５は、第２の実施形態の弾性波装置における圧電基板及び封止樹脂層の長手方向位置と、高温下において加わる応力との関係を示す図である。 図６は、第３の実施形態の弾性波装置における圧電基板及び封止樹脂層の長手方向位置と、高温下において加わる応力との関係を示す図である。 図７は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 図８は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図及び図１（ａ）中のＢ－Ｂ線に沿う断面図である。
　弾性波装置１は、実装基板２を有する。実装基板２は、アルミナなどの絶縁性セラミックス、あるいは半導体セラミックスなどからなる。また、実装基板２は、セラミックス以外の材料で形成されていてもよい。
　実装基板２の上面には、複数の電極ランド３，４が設けられている。電極ランド３，４は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、またはこれらの合金などの適宜の金属からなる。
　実装基板２上に、弾性波素子５が実装されている。弾性波素子５は、圧電基板６を有する。圧電基板６は、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムなどの圧電単結晶からなる。もっとも、圧電基板６は、圧電セラミックスからなっていてもよい。圧電基板６は、対向し合う第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂを有する。第１の主面６ａ上に、ＩＤＴ電極７が設けられている。ＩＤＴ電極７が臨む中空部Ａが、第１の主面６ａと実装基板２との間に設けられている。
　ＩＤＴ電極７に電気的に接続される電極ランド８，９が第１の主面６ａ上に設けられている。電極ランド８，９は、バンプ１０，１１により電極ランド３，４に接合されている。電極ランド８，９は、適宜の金属もしくは合金からなる。バンプ１０，１１についても、はんだやＡｕなどの適宜の金属からなる。
　弾性波装置１は、圧電基板６の第１の主面６ａが、実装基板２と対向するように配置されている。それによって、前述した中空部Ａが形成されている。
　他方、弾性波素子５を封止するために、弾性波素子５の周囲を覆うように、封止樹脂層１２が設けられている。
　封止樹脂層１２は、エポキシ樹脂などの適宜の合成樹脂からなる。
　上記封止樹脂層１２は、中空部Ａを除いて、弾性波素子５を覆うように設けられている。
　他方、封止樹脂層１２の実装基板２とは反対側の面１２ａ上には、面１２ａのＸ方向寸法に対して、Ｘ方向寸法が１０％である凹部１３ａが設けられている。図１（ａ）に示すように、本実施形態では、複数の凹部１３ａ～１３ｄが設けられている。図１（ａ）においては、封止樹脂層１２の下方に設けられているバンプ１０，１１，１０Ａ，１１Ａの位置を破線の円で示すこととする。すなわち、凹部１３ａの両側に、前述したバンプ１０，１１が位置している。また、凹部１３ｂの両側にも、バンプ１０Ａ，１１Ａが位置している。本実施形態では、封止樹脂層１２及び圧電基板６が長辺と短辺とを有する矩形の平面形状を有する。上記バンプ１０，１１は、圧電基板６の１つの長辺の一端側及び他端側に位置している。凹部１３ａは、この長辺において、中央に位置している。他方の長辺側において、バンプ１０Ａが一端側に、他端側にバンプ１１Ａが位置している。凹部１３ｂは、この長辺において中央に位置している。また、バンプ１０，１０Ａが位置している短辺側中央には、凹部１３ｃが位置している。同様に、他方の短辺側において、バンプ１１，１１Ａ間の中央部分に、凹部１３ｄが位置している。
　言い換えれば、凹部１３ａ～１３ｄは、隣り合う一対のバンプ間に位置している。
　凹部１３ａ～１３ｄの深さ、すなわち封止樹脂層１２の実装基板２とは反対側の面１２ａから凹部１３ａ～１３ｄの底面までの寸法を深さＤとする。他方、上記封止樹脂層１２の実装基板２とは反対側の面１２ａと、圧電基板６の第２の主面６ｂとの間の距離をＨとする。深さＤの距離Ｈに対する比Ｄ／Ｈは１／３以上とされている。それによって、弾性波装置１では、凹部１３ａ～１３ｄによって、熱応力が加わった際の弾性波素子５の長手方向端部Ｃに加わる応力を小さくすることができる。よって、圧電基板６を含む弾性波素子５の破壊を抑制することができる。これを、具体的な実験例につき説明する。
　図２は、上記実施形態の弾性波装置１において、上記凹部１３ａ～１３ｄの深さＤと、上記距離Ｈとの比Ｄ／Ｈを変化させた場合の、８５℃の高温下における弾性波素子５の長手方向端部に加わる応力との関係を示す図である。なお、この長手方向端部における応力は、弾性波装置１を８５℃の温度で定常状態に達した状態における、圧電基板６の長手方向端部Ｃにおける応力を有限要素法により求めた値である。
　図２から明らかなように、比Ｄ／Ｈが１／３以上である場合、上記端部に加わる応力を効果的に小さくし得ることがわかる。
　従って、凹部１３ａ～１３ｄの深さＤは、比Ｄ／Ｈが１／３以上となるように設けられていることが必要である。なお、上記比Ｄ／Ｈの上限は、上記端部に加わる応力を緩和する上では特に限定されない。もっとも、面１２ａと圧電基板６の第２の主面６ｂとの間の距離が、Ｄの上限となる。従って、比Ｄ／Ｈの値は１以下である。好ましくは、比Ｄ／Ｈの値は１未満であることが望ましい。その場合には、凹部１３ａ～１３ｄの底部と、圧電基板６の第２の主面６ｂとの間に封止樹脂層部分が存在することとなる。それによって、機械的強度の低下をより一層効果的に抑制することができる。
　第１の実施形態の弾性波装置１では、全ての凹部１３ａ～１３ｄの深さは同一とされていた。好ましくは、複数の凹部を設ける場合、凹部の深さを異ならせることが望ましい。これを、図３及び図４を参照して説明する。
　図３は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置２１の正面断面図であり、図４は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置３１の正面断面図である。図３及び図４は、第１の実施形態について示した図１（ｂ）に相当する図面である。異なるところは、封止樹脂層１２の面１２ａに、圧電基板６の長手方向に沿って３つの凹部１３ａ１～１３ａ３が設けられていることにある。なお、図３及び図４では図示されていないが、図１（ａ）に示した凹部１３ｂが設けられている側の長辺側部分においても、同様に３つの凹部が設けられている。
　そして、第２の実施形態では、第１の実施形態と同様に、全ての凹部１３ａ１～１３ａ３の深さＤが等しくされている。これに対して、第３の実施形態の弾性波装置３１では、圧電基板６の長手方向中央に位置している凹部１３ａ２の深さが相対的に深く、長手方向一端側及び他端側に位置している凹部１３ａ１，１３ａ３の深さが相対的に浅くされている。凹部１３ａ１の深さと凹部１３ａ３の深さは等しくされている。
　第２及び第３の実施形態の弾性波装置２１，３１は、その他の構成は第１の実施形態の弾性波装置１と同様である。従って、第１の実施形態の弾性波装置１と同様に、高温下における、圧電基板６の長手方向端部Ｃに加わる応力を小さくすることができる。
　図５及び図６は、第２及び第３の実施形態の弾性波装置２１，３１の図３及び図４に示されている断面における長手方向（Ｘ方向）位置と応力－ミーゼス相当応力との関係を示す図である。図５及び図６において、実線が圧電基板６の第２の主面６ｂにおける圧電基板６に加わる応力を、破線が圧電基板６の第２の主面６ｂを含む平面１２ｃにおける封止樹脂層に加わる応力を示す図である。
　なお、ミーゼスの相当応力σｍｉｓｅｓは、下記の式で求められる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　図５及び図６から明らかなように、いずれの場合においても、高温下の熱応力によって、横軸が０で示される封止樹脂の端部から０．１ｍｍ離れた位置にある圧電基板６の長手方向端部に大きな応力が加わることがわかる。封止樹脂層１２と圧電基板６の第２の主面６ｂを含む平面１２ｃにおいても、上記圧電基板６の長手方向端部に相当する横軸０．１ｍｍの長手方向位置において、応力が約６５～７５ＭＰａであり、他の長手方向の位置における応力と比べて大きくなることがわかる。
　もっとも、図５と図６とを対比すれば明らかなように、図６では、圧電基板６の長手方向両端における応力が約７０ＭＰａと約６５ＭＰａであり、図５の場合に比べて減少していることがわかる。図６における長手方向中央での応力は、図５の場合に比べ大きくなっており、約４０～４５ＭＰａである。図６における、圧電基板６の第２の主面６ｂの両端位置における応力と中央位置における応力との応力差は、図５の場合の応力差よりも小さい。
　従って、図６から明らかなように、第３の実施形態の弾性波装置３１では、大きな長手方向端部における応力を小さくでき、かつ圧電基板６の長手方向全体にわたって応じる応力の均一化を果たし得ることがわかる。よって、第３の実施形態の弾性波装置３１のように、複数の凹部１３ａ１～１３ａ３が圧電基板６の長手方向に沿って配置されている場合、中央の凹部１３ａ２を相対的に深くすることが望ましい。この場合においても、全ての凹部１３ａ１～１３ａ３は、その深さＤは、比Ｄ／Ｈが１／３以上であることが必要である。なお、図５及び図６に示した応力分布状態は、圧電基板６の短手方向、具体的には、図１のバンプ１０、１０Ａ、及び凹部１３ｃを通る図１（ａ）に示すＥ－Ｅ断面においても、同様の結果が得られることを確認している。
　図７は、第４の実施形態に係る弾性波装置４１の平面図である。ここでは、圧電基板６の長手方向の長辺中央及び他方の長辺中央近傍に、凹部１３ａ，１３ｂが設けられている。このように、本発明における凹部の形成位置及び数は特に限定されるものではない。もっとも、好ましくは、第１の実施形態のように、隣り合うバンプ１０，１１，１０Ａ，１１Ａ間の全てに凹部を設けることが望ましく、それによって、弾性波装置１の機械的強度をより一層効果的に高めることができる。
　また、上記の封止樹脂層１２の上面に設けられている凹部は、面１２ａ側から平面視した場合、下方に位置している中空部Ａと重ならない位置に設けられることが好ましい。より好ましくは、ＩＤＴ電極７と重なり合わないように設けられていることがさらに望ましい。それによって、弾性波装置の機械的強度をより一層効果的に高めることができる。
　また、弾性波装置１，２１，３１，４１では、平面形状が円形の凹部１３ａ～１３ｄ，１３ａ１～１３ａ３等を示したが、凹部の平面形状は特に限定されず、任意の形状とすることができる。好ましくは、図８に示す第５の実施形態の弾性波装置５１のように、文字や数字を構成する凹部１３ｅ，１３ｆ，１３ｇ，１３ｈを設けてもよい。この場合には、凹部１３ｅ～１３ｈにより、文字や数字などを表すことができるので、製品情報や製品のロット番号などを示すマーキングを形成することができる。
１…弾性波装置
２…実装基板
３，４…電極ランド
５…弾性波素子
６…圧電基板
６ａ，６ｂ…第１，第２の主面
７…ＩＤＴ電極
８，９…電極ランド
１０，１０Ａ，１１，１１Ａ…バンプ
１２…封止樹脂層
１２ａ…面
１２ｃ…平面
１３ａ～１３ｈ，１３ａ１～１３ａ３…凹部
２１，３１，４１，５１…弾性波装置

Claims (7)

  1. 　実装基板と、
    　前記実装基板上に設けられた電極ランドと、
    　対向し合う第１及び第２の主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の前記第１の主面上に設けられたＩＤＴ電極とを有し、前記第１の主面が前記実装基板の前記電極ランドと隙間を隔てて対向するように前記実装基板に搭載された弾性波素子と、
    　前記弾性波素子を前記電極ランドに接合している複数のバンプと、
    　前記実装基板に搭載されている前記弾性波素子を覆うように設けられており、前記隙間の部分を中空部としている封止樹脂層とを備え、
    　前記封止樹脂層の前記実装基板とは反対側の面に、凹部が設けられており、前記凹部の深さが、前記圧電基板の前記第２の主面から、前記封止樹脂層の前記実装基板とは反対側の面までの距離の１／３以上である、弾性波装置。
  2. 　前記封止樹脂層の前記実装基板とは反対側の面から平面視した場合に、前記凹部がバンプ間に位置している、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記複数のバンプにおいて、全てのバンプ間に前記凹部が位置している、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記凹部の底が、前記圧電基板の前記第２の主面よりも前記封止樹脂層の前記実装基板とは反対側の面の側に位置しており、前記凹部の底と前記圧電基板の前記第２の主面との間に封止樹脂層部分が存在している、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記封止樹脂層の前記実装基板とは反対側の面から平面視した場合、前記凹部が、前記ＩＤＴ電極が臨んでいる前記中空部外に位置している、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記封止樹脂層の前記実装基板とは反対側の面から平面視した場合に、前記凹部が、前記ＩＤＴ電極と重なり合っていない、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記凹部が、文字または数字を構成している、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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