WO2016047134A1 - 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法 - Google Patents

発光モジュール及び発光モジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2016047134A1
WO2016047134A1 PCT/JP2015/004816 JP2015004816W WO2016047134A1 WO 2016047134 A1 WO2016047134 A1 WO 2016047134A1 JP 2015004816 W JP2015004816 W JP 2015004816W WO 2016047134 A1 WO2016047134 A1 WO 2016047134A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
resin sheet
temperature
emitting module
emitting element
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/004816
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
圭一 巻
Original Assignee
東芝ホクト電子株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東芝ホクト電子株式会社 filed Critical 東芝ホクト電子株式会社
Priority to CN201911343360.0A priority Critical patent/CN111081854B/zh
Priority to EP15845234.2A priority patent/EP3200250B1/en
Priority to JP2016549955A priority patent/JP6401285B2/ja
Priority to CN201580043739.3A priority patent/CN106575695B/zh
Publication of WO2016047134A1 publication Critical patent/WO2016047134A1/ja
Priority to US15/465,899 priority patent/US10319891B2/en
Priority to US16/391,744 priority patent/US10777720B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Definitions

  • Embodiments of the present invention relate to a light emitting module and a method for manufacturing the light emitting module.
  • Light-emitting modules using light-emitting elements such as light-emitting diodes (LEDs) are used in indoor, outdoor, stationary, and mobile display devices, display lamps, various switches, signal devices, general lighting, and other optical devices. Widely used.
  • LEDs light-emitting diodes
  • a plurality of LEDs are arranged between two transparent substrates as devices suitable for display devices and display lamps for displaying various character strings, geometrical figures and patterns, etc.
  • a transparent light emitting module is known.
  • the transparent substrate By using a flexible substrate made of transparent resin as the transparent substrate, restrictions on the mounting surface of the light emitting module as a display device, a display lamp, etc. are reduced, so the convenience and availability of the transparent light emitting module are improved. To do.
  • the transparent light emitting module has, for example, a structure in which a plurality of LED chips are arranged between a pair of transparent insulating substrates having conductive circuit layers. Each of the plurality of LED chips has a pair of electrodes, and these electrodes are electrically connected to a conductive circuit layer formed on the transparent insulating substrate. A transparent resin having flexibility is filled between the pair of transparent insulating substrates. The LED chip is held by the transparent resin in a state where the electrode is in contact with the conductive circuit layer.
  • the light emitting module described above is required to improve the connection reliability between the electrode of the LED chip and the conductive circuit layer.
  • An object of the present invention is to improve the connection reliability between an electrode of a light emitting element and a conductive circuit layer.
  • the light emitting module includes a first translucent insulator, a conductive circuit layer provided on a surface of the first translucent insulator, and a second electrode disposed opposite to the conductive circuit layer.
  • a third light-transmitting insulator having thermosetting properties disposed between the light-transmitting insulator and the second light-transmitting insulator.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a light emitting module 1 according to the embodiment.
  • the light emitting module 1 includes a pair of transparent films 4 and 6, a resin layer 13 formed between the transparent films 4 and 6, and a plurality of light emitting elements arranged inside the resin layer 13. 22.
  • the transparent films 4 and 6 are rectangular films whose longitudinal direction is the horizontal direction of the drawing.
  • the transparent films 4 and 6 have a thickness of about 50 to 300 ⁇ m and are transparent to visible light.
  • the total light transmittance of the transparent films 4 and 6 is preferably 90% or more, and more preferably 95% or more.
  • the total light transmittance means the total light transmittance measured in accordance with Japanese Industrial Standard JISK7375: 2008.
  • the transparent films 4 and 6 are flexible, and the flexural modulus is about 0 to 320 kgf / mm 2 (excluding zero).
  • the flexural modulus is a value measured by a method based on, for example, ISO 178 (JIS K7171: 2008).
  • the transparent films 4 and 6 When the thickness of the transparent films 4 and 6 exceeds 300 ⁇ m, the flexibility of the transparent films 4 and 6 is lowered and the total light transmittance is also lowered. Moreover, when the thickness of the transparent films 4 and 6 is less than 5 ⁇ m, there is a concern that the transparent films 4 and 6 are significantly deformed when the transparent films 4 and 6 and the light emitting element 22 are integrated. Therefore, the transparent films 4 and 6 preferably have a thickness of about 50 to 300 ⁇ m.
  • a plurality of conductor patterns 5 having a thickness of about 0.05 ⁇ m to 2 ⁇ m are formed on the lower surface of the transparent film 4.
  • a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), fluorine-doped tin oxide (FTO), zinc oxide, indium zinc oxide (IZO), or the like is used.
  • the conductor pattern 5 can be formed, for example, by patterning a thin film formed on the transparent film 4 by sputtering or electron beam evaporation using laser processing or etching.
  • the conductor pattern 5 can also be formed, for example, by screen-printing a mixture of transparent conductive material fine particles having an average particle diameter of 10 to 300 nm and a transparent resin binder on the transparent film 4. Moreover, it can also form by forming the thin film which consists of the said mixture in the transparent film 4, and patterning this thin film by laser processing or photolithography.
  • the conductive pattern 5 is not limited to a transparent conductive material, but may be a transparent film 4 in which fine particles of an opaque conductive material such as gold, silver, or copper are attached in a mesh shape.
  • a transparent film 4 may be coated with a photosensitive compound of an opaque conductive material such as silver halide to form a thin film, and the thin film may be exposed and developed to form a mesh-like conductor pattern 5.
  • the conductive pattern 5 may be formed by applying a slurry containing opaque conductive material fine particles in a mesh shape by screen printing or the like.
  • the conductor pattern 5 preferably has a light-transmitting property such that the total light transmittance (for example, JISK7105) of the light emitting module 1 as a whole is 1% or more. If the total light transmittance of the entire light emitting module 1 is less than 1%, the light emitting point is not recognized as a bright point.
  • the translucency of the conductor pattern 5 itself varies depending on its configuration, but the total light transmittance is preferably in the range of 10 to 85%.
  • the resin layer 13 is an insulator formed between the transparent film 4 and the transparent film 6.
  • the resin layer 13 is made of a thermosetting resin and has transparency to visible light.
  • the resin layer 13 has a minimum melt viscosity before curing, a temperature at the minimum melt viscosity before curing, a rate of change in melt viscosity until reaching the temperature at the minimum melt viscosity before curing, the Vicat softening temperature after curing, and the tension after curing. Properties such as storage elastic modulus and glass transition temperature after curing satisfy a predetermined condition.
  • the resin layer 13 according to the present embodiment is made of, for example, an epoxy resin as a thermosetting resin.
  • the thermosetting resin constituting the resin layer 13 preferably has a minimum melt viscosity VC1 before curing, for example, in the range of 80 to 160 ° C. and in the range of 10 to 10,000 Pa ⁇ s.
  • melt viscosity change rate VR until it reaches temperature T1 (maximum softening temperature) in minimum melt viscosity VC1 before hardening is 1/1000 or less (1 / 1,000 or less).
  • the resin layer 13 has a Vicat softening temperature T2 in the range of 80 to 160 ° C.
  • the storage elastic modulus EM is preferably in the range of 0.01 to 1000 GPa.
  • the resin layer 13 preferably has a glass transition temperature T3 of 100 to 160 ° C.
  • thermosetting resin Preferred physical property values of the thermosetting resin are, for example, as follows.
  • Minimum melt viscosity VC1 10 to 10,000 Pa ⁇ s
  • Temperature T1 minimum softening temperature
  • Change rate of melt viscosity until reaching temperature T1 VR 1/1000 or less Vicat softening temperature
  • Tensile storage modulus EM 0.01 to 1000 GPa between 0 and 100 ° C.
  • Glass transition temperature T3 100 to 160 ° C
  • the melt viscosity measurement is a value obtained by changing the temperature of the measurement object from 50 ° C. to 180 ° C. according to the method described in JIS K 7233.
  • the Vicat softening temperature is a value determined under conditions of a test load of 10 N and a temperature increase rate of 50 ° C./hour in accordance with A50 described in JIS K7206 (ISO 306: 2004).
  • the glass transition temperature and the melting temperature are values obtained by differential scanning calorimetry according to a method based on JIS K7121 (ISO 3146).
  • the tensile storage elastic modulus is a value determined according to a method based on JlS K7244-1 (ISO 6721).
  • the resin layer 13 is filled around the electrodes 28 and 29 without a gap. As shown in FIG. 1, the areas of the electrodes 28 and 29 provided on the upper surface of the light emitting element 22 are smaller than the area of the upper surface (for example, the light emitting surface) of the light emitting element 22. The electrodes 28 and 29 protrude from the upper surface of the light emitting element 22 toward the conductor pattern 5. In such a case, a minute space is generated between the upper surface of the light emitting element 22 and the conductor pattern 5.
  • the resin layer 13 is preferably filled in this minute space.
  • the thickness T2 of the resin layer 13 is smaller than the height T1 of the light emitting element 22 so that the conductor pattern 5 and the electrodes 28 and 29 are in good contact.
  • the transparent film 4 in close contact with the resin layer 13 has a curved shape such that a portion where the light emitting element 22 is arranged protrudes outward and a portion between the light emitting elements 22 is depressed. As the transparent film 4 is curved in this way, the conductive pattern 5 is pressed against the electrodes 28 and 29 by the transparent film 4. Therefore, it is possible to improve electrical connectivity and reliability between the conductor pattern 5 and the electrodes 28 and 29.
  • the resin layer 13 consists of a material which has thermosetting resin as a main component, it may contain the other resin component etc. as needed.
  • resins having thermosetting properties epoxy resins, acrylic resins, styrene resins, ester resins, urethane resins, melamine resins, phenol resins, unsaturated polyester resins, diallyl phthalate resins, and the like are known.
  • the epoxy resin is excellent in fluidity at the time of softening, adhesiveness after curing, weather resistance, etc. in addition to translucency, electrical insulation, flexibility and the like. Suitable as a material.
  • the resin layer 13 may be made of a resin other than the epoxy resin.
  • FIG. 2 is a perspective view of the light emitting element 22.
  • the light emitting element 22 is a square LED chip having a side of 0.3 mm to 3 mm. As shown in FIG. 2, the light emitting element 22 is an LED chip including a base substrate 23, an N-type semiconductor layer 24, an active layer 25, and a P-type semiconductor layer 26. The rated voltage of the light emitting element 22 is about 2.5V.
  • the base substrate 23 is a sapphire substrate or a semiconductor substrate. By using an optically transparent substrate as the base substrate 23, light is emitted from both the upper and lower surfaces of the light emitting element 22.
  • An N-type semiconductor layer 24 having the same shape as the base substrate 23 is formed on the upper surface of the base substrate 23.
  • the N-type semiconductor layer 24 is made of, for example, n-GaN.
  • the active layer 25 and a P-type semiconductor layer 26 are sequentially stacked on the upper surface of the N-type semiconductor layer 24.
  • the active layer 25 is made of, for example, InGaN.
  • the P-type semiconductor layer is made of, for example, p-GaN.
  • the light emitting element 22 may have a double hetero (DH) structure or a multiple quantum well (MQW) structure.
  • Notches are formed in corner portions of the active layer 25 and the P-type semiconductor layer 26 stacked on the N-type semiconductor layer 24, and the surface of the N-type semiconductor layer 24 is exposed from the notches.
  • An electrode 29 (electrode pad) that is electrically connected to the N-type semiconductor layer 24 is formed on a portion of the N-type semiconductor layer 24 that is exposed from the active layer 25 and the P-type semiconductor layer 26.
  • an electrode 28 (electrode pad) that is electrically connected to the P-type semiconductor layer 26 is formed at a corner portion of the P-type semiconductor layer 26.
  • the electrodes 28 and 29 are made of copper (Cu) or gold (Au), and are pad electrodes in which conductive bumps 30 are formed on the upper surface.
  • the bump 30 is a metal bump made of a metal such as gold (Au) or a gold alloy. As the bumps 30, solder bumps may be used instead of metal bumps.
  • the thickness of the light emitting element 22 not including the bump is about 100 ⁇ m, and the height of the bump 30 is about 60 ⁇ m.
  • the light emitting elements 22 are arranged at equal intervals so that the distance between adjacent light emitting elements 22 is d.
  • the distance d is 1500 ⁇ m or less.
  • the number of the light emitting elements 22 included in the light emitting module 1 can be appropriately determined according to the specifications of the light emitting module 1, for example, the external dimensions and the light emitting area.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a part of the light emitting module 1. As shown in FIG. 3, the electrodes 28 and 29 of the light emitting element 22 are electrically connected to the conductor pattern 5 via the bumps 30.
  • the bump 30 is made of gold, AuSn alloy, silver, copper, nickel, an alloy with other metals, a mixture, a eutectic, an amorphous material, or the like.
  • the bump 30 may be composed of solder, eutectic solder, a mixture of metal fine particles and resin, an anisotropic conductive film, or the like.
  • the bumps 30 can be formed as wire bumps using, for example, a wire bonder.
  • the bump 30 can also be formed, for example, by subjecting the electrodes 28 and 29 to electrolytic plating and electroless plating.
  • the bumps 30 can also be formed by ink-jet printing the ink containing metal fine particles on the electrodes 28 and 29 and baking.
  • the bumps 30 may be formed by printing or applying a paste containing metal fine particles to the electrodes 28 and 29, and the electrodes 28 and 29 may be formed using techniques such as ball mounting, pellet mounting, and vapor deposition sputtering. Bumps 30 may be formed.
  • the melting point of the bump 30 is preferably 180 ° C. or higher.
  • the melting point of the bump 30 is more preferably 200 ° C. or higher.
  • An upper limit is 1100 degrees C or less as a practical range. If the melting point of the bump 30 is less than 180 ° C., the bump 30 is greatly deformed in the vacuum hot pressing process in the manufacturing process of the light emitting module 1, and a sufficient thickness cannot be maintained. It is also conceivable that the bump 30 protrudes from the electrodes 28 and 29. In this case, the light from the light emitting element 22 is hindered by the bumps 30 protruding from the electrodes 28 and 29.
  • the melting point of the bump 30 can be measured using, for example, a DSC-60 differential scanning calorimeter manufactured by Shimadzu Corporation.
  • the melting point is measured, for example, while raising the temperature of about 10 mg of sample at 5 ° C. per minute.
  • the value of the solidus temperature is set as the melting point of the bump 30.
  • the dynamic hardness DHV of the bump 30 is 3 or more and 150 or less, preferably 5 or more and 100 or less. More preferably, it is 5 or more and 50 or less.
  • the dynamic hardness DHV of the bump 30 is less than 3, the bump 30 is greatly deformed in the vacuum hot pressing process in the manufacturing process of the light emitting module, and a sufficient thickness cannot be maintained. It is also conceivable that the bump 30 protrudes from the electrodes 28 and 29. In this case, the light from the light emitting element 22 is hindered by the bumps 30 protruding from the electrodes 28 and 29.
  • the dynamic hardness DHV of the bump 30 exceeds 150, it is conceivable that the bump 30 deforms the transparent film 4 in a vacuum hot press process in the manufacturing process of the light emitting module. In this case, poor appearance of the light emitting module 1 and poor connection between the light emitting element 22 and the conductor pattern 5 occur.
  • the dynamic hardness DHV of the bump 30 can be obtained, for example, by a test using a Shimadzu dynamic ultrafine hardness meter DUH-W201S manufactured by Shimadzu Corporation.
  • a diamond regular quadrangular pyramid indenter (Vickers indenter) having a face angle of 136 ° is pushed into the bump 30 at a load speed of 0.0948 mN / sec in an environment where the temperature is 20 ° C.
  • the test force (P / mN) when the indentation depth (D / ⁇ m) of the Vickers indenter reaches 0.5 ⁇ m is substituted into the following equation.
  • the height of the bump 30 is preferably 5 ⁇ m or more and 80 ⁇ m or less.
  • the height of the bump 30 is more preferably 10 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less. If the height of the bump 30 is less than 5 ⁇ m, the effect of preventing a short circuit between the conductor pattern 5 and the P-type semiconductor layer 26 of the light emitting element 22 or between the conductor pattern 5 and the N-type semiconductor layer 24 is weakened. On the other hand, if it exceeds 80 ⁇ m, it is conceivable that the bump 30 deforms the transparent film 4 in the vacuum hot pressing process in the manufacturing process of the light emitting module. In this case, poor appearance of the light emitting module 1 and poor connection between the light emitting element 22 and the conductor pattern 5 occur.
  • the contact area of the electrodes 28, 29 and the bump 30 of the light emitting element 22 is preferably 100 [mu] m 2 or more 15,000 2 or less. Further, the contact area of the electrodes 28 and 29 and the bumps 30 of the light emitting element 22 is more preferably 400 [mu] m 2 or more 8,000Myuemu 2 or less. Each of these dimensions is a value measured in a stable environment where the room temperature and the temperature of the object to be measured are 20 ° C. ⁇ 2 ° C.
  • FIG. 4 shows an example of connection between the conductor pattern 5 and the light emitting element 22.
  • the electrodes 28 and 29 of the light emitting element 22 are connected to the conductor patterns 5 adjacent to each other.
  • the contact angle between the upper surfaces of the electrodes 28 and 29 and the bumps 30 is, for example, 135 degrees or less.
  • the light emitting element 22 is lit by a DC voltage applied via the electrodes 28 and 29.
  • the conductor pattern 5 of the light emitting module 1 constitutes a 7 series 2 parallel circuit.
  • the flowing current is the same in all the light emitting elements 22.
  • the light emitting element 22 of the light emitting module 1 configured as described above has bumps 30. For this reason, even if the flexible light-emitting module 1 in which the light-emitting element 22 is embedded is bent so that the electrodes 28 and 29 are convex, the bump 30 can ensure a sufficient height. Can be prevented from being short-circuited.
  • a light-emitting element 22 on which an electrode 28 and an electrode 29 (an anode electrode and a cathode electrode or a cathode electrode and an anode electrode) are formed is prepared.
  • bumps 30 are formed on both the electrodes 28 and 29 of the light emitting element 22. Thereby, the light emitting element 22 in which the bumps 30 are formed on the electrodes 28 and 29 shown in FIG. 2 is completed.
  • a method for forming the bumps 30 a method of making gold or gold alloy bumps from Au wires or Au alloy wires using a wire bump processing machine can be employed.
  • the wire diameter used is preferably 15 ⁇ m or more and 75 ⁇ m or less.
  • a wire bonding apparatus is used. After the wire is melted to form a ball by discharging the wire tip, the ball and the electrodes 28 and 29 are connected by ultrasonic waves. Then, in a state where the ball is connected to the electrodes 28 and 29, the wire is cut off from the ball. As a result, as shown in FIG. 5, bumps 30 are formed on the upper surfaces of the electrodes 28 and 29 so that protrusions remain on the upper end portions.
  • a protrusion generated when the wire is cut remains on the upper portion of the bump 30.
  • This protrusion is called a tail.
  • FIG. 6A to 6C are diagrams for explaining the rounding process using the press plate 500.
  • FIG. 6A After the bump 30 is formed, the light emitting element 22 is disposed in a bump bonding apparatus (not shown). Then, as shown in FIG. 6A, the press plate 500 provided in the bump bonding apparatus is positioned above the bumps 30 with the lower surface thereof being parallel to the electrodes 28 and 29.
  • the press plate 500 is lowered and pressed onto the bump 30 as shown in FIG. 6B.
  • the press plate 500 is lowered until the bump height reaches a desired height B.
  • the tail of the bump 30 is crushed by the press plate 500.
  • a continuous surface without protrusions is formed on the upper portion of the bump 30. This continuous surface becomes flat at the upper end of the bump 30.
  • the bumps 30 may be pressed through a resin sheet.
  • a resin sheet 501 made of, for example, PET, fluororesin, TPX, olefin, or the like is attached to the lower surface of the press plate 500.
  • the press plate 500 on which the resin sheet 501 is arranged is positioned above the bump 30 with the lower surface thereof being parallel to the electrodes 28 and 29.
  • the press plate 500 is lowered, and the resin sheet 501 is pressed onto the bump 30 as shown in FIG. 7B.
  • the press plate 500 is lowered until the bump height reaches a desired height B.
  • the tail of the bump 30 is crushed by the resin sheet 501.
  • FIG. 7C a continuous surface without protrusions is formed on the upper portion of the bump 30.
  • the continuous surface formed on the bump 30 by the rounding process using the resin sheet 501 becomes a curved surface that is convex upward even at the upper end portion of the bump 30.
  • a press plate 500 on which the resin sheet 501 is mounted is disposed above the light emitting element 22, and a resin is disposed below the light emitting element 22.
  • a press plate 502 on which a sheet 503 is mounted is disposed.
  • the resin sheets 501 and 503 those having a thickness larger than the value obtained by adding the thickness of the light emitting element 22 and the height B of the bump 30 are used.
  • the press plate 500 is lowered, the press plate 502 is raised, and the light emitting element 22 is sandwiched and pressed. Thereby, as illustrated in FIG. 8B, the light emitting element 22 is embedded in the resin sheets 501 and 503. At this time, the bump 30 of the light emitting element 22 is rounded and the tail is crushed.
  • the amount of movement of the press plates 500 and 502 during pressing is determined according to the target height of the bump 30.
  • the pressing of the light emitting element 22 is finished, and the resin sheets 501 and 503 are removed from the light emitting element 22.
  • the light emitting element 22 having the bumps 30 on which the continuous surface composed of continuous curved surfaces is formed is obtained. Note that the light emitting element 22 may be directly placed on the press plate 502 and pressed without using the resin sheet 503.
  • Bumps 30 are formed on the upper surface of the light emitting element 22 as described above.
  • the bump 30 can be formed by performing electrolytic plating or electroless plating on the electrodes 28 and 29 in addition to forming the bump 30 as a wire bump using a wire bonder.
  • the bumps 30 can also be formed by ink-jet printing the ink containing metal fine particles on the electrodes 28 and 29 and baking.
  • the bumps 30 may be formed by printing or applying a paste containing metal fine particles to the electrodes 28 and 29, and the electrodes 28 and 29 may be formed using techniques such as ball mounting, pellet mounting, and vapor deposition sputtering.
  • Bumps 30 may be formed.
  • the bump 30 may be made of metal such as gold, silver, copper, or nickel, an alloy such as a gold-tin alloy, eutectic, amorphous, or solder.
  • the transparent film 4 having the conductor pattern 5 formed on the upper surface is prepared. Then, as illustrated in FIG. 9A, a translucent resin sheet 130 is disposed on the upper surface of the transparent film 4.
  • the resin sheet 130 may be temporarily attached to the transparent film 4 with an adhesive.
  • the resin sheet 130 is mainly composed of a resin having thermosetting property and transparency to visible light.
  • a resin sheet 130 for example, a sheet made of an epoxy resin is used. This resin sheet 130 is shaped into substantially the same shape as that of the transparent film 4.
  • the resin sheet 130 has a minimum melt viscosity before curing in a range of 10 to 10,000 Pa ⁇ s, and a temperature Mp when the viscosity of the resin sheet 130 reaches a minimum melt viscosity may be in a range of 80 to 160 ° C. preferable.
  • the rate of change in the melt viscosity of the resin sheet 130 is preferably 1/1000 or less.
  • the resin sheet 130 preferably has a Vicat softening temperature in the range of 80 to 160 ° C. after being cured by reaching the minimum melt viscosity by heating.
  • the resin sheet 130 preferably has a tensile storage elastic modulus in the range of 0.01 to 1000 GPa when the temperature is in the range of 0 ° C. to 100 ° C.
  • the resin sheet 130 preferably has a glass transition temperature of 100 to 160 ° C.
  • the resin sheet 130 only needs to have a thickness that can sufficiently fill the space between the transparent films 4 and 6 generated by disposing the light emitting element 22.
  • the thickness (T) of the resin sheet 130 is made thinner than the height (H) of the light emitting element 22, the thickness of the resin sheet 130 may be determined based on the difference (HT).
  • the light emitting element 22 is disposed on the upper surface of the resin sheet 130.
  • the light emitting element 22 is disposed so that the surface on which the electrodes 28 and 29 are formed faces the transparent film 4. Further, the light emitting element 22 is positioned so that the electrodes 28 and 29 are positioned above the corresponding conductor pattern 5.
  • the transparent film 6 is disposed above the light emitting element 22.
  • the laminate composed of the transparent films 4 and 6, the resin sheet 130, and the light emitting element 22 is pressed while being heated in a vacuum atmosphere.
  • the heating / pressing step (vacuum thermocompression bonding step) of the laminate in a vacuum atmosphere is preferably performed in two steps.
  • the resin sheet 130 is pressurized while being heated to a temperature T1 (° C.).
  • the temperature T1 is a temperature that satisfies the following conditional expression (1), where Mp (° C.) is the temperature at which the viscosity of the resin sheet 130 becomes the minimum melt viscosity (maximum softening temperature).
  • the temperature T1 preferably satisfies the conditional expression (2).
  • the resin sheet 130 is pressurized while being heated to a temperature T2 (° C.).
  • the temperature T2 is a temperature that satisfies the following conditional expression (3).
  • the temperature T2 preferably satisfies the conditional expression (4).
  • the resin layer 13 can be formed by filling the softened resin sheet 130.
  • the resin sheet 130 is insufficiently softened. As a result, the adhesiveness of the resin sheet 130 to the light emitting element 22 is lowered, and there is a possibility that the connection between the conductor pattern 5 and the electrodes 28 and 29 of the light emitting element 22 becomes insufficient.
  • the resin sheet 130 is cured. As a result, the adhesiveness of the resin sheet 130 to the light emitting element 22 is lowered, and there is a possibility that the connection between the conductor pattern 5 and the electrodes 28 and 29 of the light emitting element 22 becomes insufficient.
  • the resin sheet 130 is not sufficiently cured. As a result, the adhesion of the resin sheet 130 to the light emitting element 22 may be reduced.
  • the transparent films 4 and 6 may be softened and the entire laminate may be deformed.
  • thermocompression bonding step of the laminate in a vacuum atmosphere is preferably performed as follows.
  • the above-mentioned laminate is pre-pressurized to bring the constituent members into close contact with each other.
  • the working space in which the pre-pressurized laminate is arranged is evacuated until the degree of vacuum becomes 5 kPa, and then the laminate is pressurized while being heated to the temperature as described above.
  • the pre-pressurized laminate is subjected to thermocompression bonding in a vacuum atmosphere so that the softened resin sheet 130 is spaced into the space between the transparent film 4 and the transparent film 6. It can be filled without.
  • the vacuum atmosphere during thermocompression bonding is preferably 5 kPa or less. Although it is possible to omit a pre-pressurizing step for pre-pressurizing the laminated body, in this case, misalignment or the like is likely to occur in the laminated body. For this reason, it is preferable to implement a pre-pressurization process.
  • thermocompression bonding step of the laminate When the thermocompression bonding step of the laminate is performed in an air atmosphere or under a low vacuum, bubbles are likely to remain in the light emitting module 1 after thermocompression bonding, particularly around the light emitting element 22.
  • the air inside the bubbles remaining in the light emitting module 1 is pressurized. For this reason, it causes the swelling of the light emitting module 1 after thermocompression bonding and the peeling between the light emitting element 22 and the transparent films 4 and 6.
  • bubbles or blisters exist in the light emitting module 1, particularly in the vicinity of the light emitting element 22, light is scattered unevenly, which causes a problem in the appearance of the light emitting module 1.
  • the vacuum thermocompression bonding step is performed in a state where the resin sheet 130 is interposed between the conductor pattern 5 and the electrodes 28 and 29 of the light emitting element 22, thereby performing the electrodes 28 and 29 and the conductor pattern 5.
  • the resin layer 13 can be formed around the light emitting element 22 while being electrically connected to each other. Furthermore, a part of the resin layer 13 can be satisfactorily filled into the space between the upper surface of the light emitting element 22 and the conductor pattern 5.
  • the light emitting module 1 shown in FIG. 1 is completed by performing the thermocompression bonding process on the laminate. According to the manufacturing method according to the present embodiment, it is possible to manufacture the light emitting module 1 with improved reproducibility by improving the electrical connectivity and reliability between the conductor pattern 5 and the electrodes 28 and 29 of the light emitting element 22. In FIGS. 9A to 9D, the light emitting element 22 is assembled downward, but the manufacturing process may be performed upward.
  • the resin layer 13 may be composed of a plurality of (for example, two) resin layers.
  • thermosetting resin sheet 131 is disposed on the upper surface of the transparent film 4 so as to cover the conductor pattern 5.
  • the resin sheet 131 is made of the same material as the resin sheet 130. Further, the thickness of the resin sheet 131 is a size obtained by adding the height of the bump 30 of the light emitting element 22 and the height of the electrodes 28 and 29.
  • a plurality of light emitting elements 22 are arranged on the upper surface of the resin sheet 131.
  • the light emitting element 22 is disposed so that the electrodes 28 and 29 face the resin sheet 131.
  • thermosetting resin sheet 132 and the transparent film 6 are disposed on the light emitting element 22.
  • the resin sheet 132 is also made of the same material as the resin sheet 130.
  • the light emitting module 1 can be manufactured by the above process.
  • the resin layer 13 is formed by the first resin layer made of the resin sheet 131 and the second resin layer made of the resin sheet 132.
  • the transparent film 6 is used as a temporary base, and the whole is pressed to electrically connect the electrodes 28 and 29 of the light emitting element 22 and the conductor pattern 5, and then the transparent film 6 and the resin sheet 132 are peeled off.
  • the light emitting module 1 may be manufactured by pasting a resin sheet having the same thickness as that peeled off again and a final transparent film.
  • the transparent film 6 and the resin sheet 132 are removed from the laminated body including the transparent films 4 and 6 integrated, the resin sheets 131 and 132, and the light emitting element 22. To do. Then, the removed transparent film 6 and the resin sheet 132 may be pasted on the surface of the resin sheet 131 again.
  • thermoplastic resin As the resin sheet constituting the resin layer 13, a thermoplastic resin may be used.
  • a thermoplastic elastomer can be used as the thermoplastic resin.
  • the elastomer is an elastic body of a polymer material.
  • Known elastomers include acrylic elastomers, olefin elastomers, styrene elastomers, ester elastomers, ester elastomers, urethane elastomers, and the like.
  • the thermoplastic resin preferably has a Vicat softening temperature in the range of 80 to 160 ° C. and a tensile storage modulus between 0 ° C. and 100 ° C. in the range of 0.01 to 10 GPa. It is preferable that the thermoplastic resin is not melted at the Vicat softening temperature and the tensile storage modulus at the Vicat softening temperature is 0.1 MPa or more.
  • the thermoplastic resin preferably has a melting temperature of 180 ° C. or higher, or a melting temperature that is 40 ° C. higher than the Vicat softening temperature.
  • the resin layer 13 preferably has a glass transition temperature of ⁇ 20 ° C. or lower.
  • the resin layer 13 is composed of a thermosetting resin sheet and a thermoplastic resin sheet
  • the light emitting element 22 is sandwiched between the thermosetting resin sheet and the thermoplastic resin sheet.
  • the laminated body as shown by FIG. 10D is formed on both sides of the thermosetting resin sheet, the thermoplastic resin sheet, and the light emitting element 22 with the transparent films 4 and 6. And this laminated body is pressurized and heated. Thereby, electrical connection between the conductor pattern 5 and the light emitting element 22, thermosetting of the thermosetting resin sheet, and filling of the space between the upper surface of the light emitting element 22 and the transparent film 4 with the thermoplastic resin sheet is performed. I can do it.
  • the electrical connection between the conductor pattern 5 and the light emitting element 22, the thermosetting of the thermosetting resin sheet, and the filling of the thermoplastic resin sheet may be performed by a unique pressurizing / heating process. At that time, one of the electrical connection between the conductor pattern 5 and the light emitting element 22 and the thermosetting of the thermosetting resin sheet can be combined with the thermal process of filling the unevenness of the thermoplastic resin.
  • thermoplastic resin is obtained.
  • thermoplastic resin can also be filled into the unevenness
  • thermoplastic resin for example, Mp ⁇ 10 (° C.) ⁇ T ⁇ with respect to the Vicat softening temperature Mp (° C.) of the thermoplastic resin.
  • Mp Vicat softening temperature
  • Mp Vicat softening temperature
  • you may make it pressurize a laminated body in the state which heated the thermoplastic resin so that it might become the temperature T of the range of Mp + 30 (degreeC). Further, the temperature T may be in a range of Mp ⁇ 10 (° C.) ⁇ T ⁇ Mp + 10 (° C.).
  • the electrical connection between the conductor pattern 5 and the light emitting element 22 by the thermosetting resin, one of the thermosetting of the thermosetting resin and the heating of the thermosetting resin may be performed simultaneously or separately. It is as follows.
  • This embodiment also includes the following forms. 1) [When the resin sheet having thermosetting properties is a single layer] A light emitting module in which the starting material is transparent film 4 / conductor pattern 5 / resin sheet 130 / light emitting element 22 / transparent film 6 made of thermosetting resin, and is formed by the following steps. A first pressurizing / heating process is performed on the laminate composed of the transparent film 4, the conductor pattern 5, the resin sheet 130, and the light emitting element 22, so that the light emitting element 22 is embedded in the resin sheet 130, and the light emitting element 22 and the conductor are embedded. Connect to pattern 5. Next, a second pressurizing / heating step is performed on the laminate, and the resin sheet 130 is thermally cured.
  • thermosetting resin sheet has two layers
  • the laminated body composed of the transparent film 4, the conductor pattern 5, the resin sheet 131, and the light emitting element 22 is subjected to a first pressurizing / heating step, and the bump 30 that penetrates the resin sheet 131 causes the light emitting element 22 and the conductor pattern to be formed. 5 is electrically connected.
  • a second pressurizing / heating step is performed on the laminated body to thermally cure the resin sheet 131.
  • the resin sheet 132 made of a thermosetting resin and the transparent film 6 are sequentially laminated on the laminate.
  • the laminated body is subjected to a third pressurizing / heating step, and the resin sheet 132 made of a thermosetting resin is filled into the base unevenness.
  • the resin sheet 132 is cured by performing a fourth pressurizing / heating process on the laminate.
  • thermosetting resin sheet and a thermoplastic resin sheet (laminated film)
  • a light emitting module in which the starting material is a resin sheet 131 / light emitting element 22 made of transparent film 4 / conductor pattern 5 / thermosetting resin and formed by the following steps.
  • the laminated body composed of the transparent film 4, the conductor pattern 5, the resin sheet 131, and the light emitting element 22 is subjected to a first pressurizing / heating step, and the bump 30 that penetrates the resin sheet 131 causes the light emitting element 22 and the conductor pattern to be formed. 5 is electrically connected.
  • a second pressurizing / heating step is performed on the laminated body to thermally cure the resin sheet 131.
  • the resin sheet 132 made of a thermoplastic resin and the transparent film 6 are sequentially laminated on the laminate.
  • the laminated body is subjected to a third pressurizing / heating step, and the resin sheet 132 made of a thermoplastic resin is filled into the underlying unevenness.
  • the starting material is a resin sheet 131 / light emitting element 22 made of transparent film 4 / conductor pattern 5 / thermoplastic resin, and is formed by the following steps.
  • a first pressure and heating process is performed on the laminate composed of the transparent film 4, the conductor pattern 5, the thermoplastic resin sheet 131, and the light emitting element 22, and the light emitting element is formed by the bumps 30 penetrating the thermoplastic resin sheet 131. 22 and the conductor pattern 5 are electrically connected.
  • the resin sheet 132 made of a thermosetting resin and the transparent film 6 are sequentially laminated on the laminate.
  • the laminated body is subjected to a second pressurizing / heating step, and the resin sheet 132 made of a thermosetting resin is filled into the base unevenness. If desired, the laminate is subjected to a third pressurizing / heating step to thermally cure the resin sheet 132 made of a thermosetting resin.
  • the light emitting element 22 having two electrodes on one side as shown in FIG. 2 is used.
  • a light emitting element double-sided electrode light emitting element
  • the light emitting module 1 may include both a light emitting element 22 having two electrodes on one side and a double-sided electrode light emitting element.
  • a conductive pattern is provided on both the transparent films 4 and 6.
  • the bump is provided on the electrode on the light emitting surface side of the light emitting device.
  • the thicknesses of the electrodes 28 and 29 (pad electrodes) of the light emitting element 22 having two electrodes on one side are different has been described.
  • the surface height of the bump 30 can be made uniform by changing the diameter of the bump 30 between the electrodes 28 and 29 having the same thickness.
  • the top of the bump 30 of the electrode 29 is lower than the top of the bump 30 of the electrode 28.
  • the light emitting element 22 is pushed in until the lower bump 30 reaches the conductor pattern 5 by compression during pressurization and heating, the bump 30 and the conductor pattern 5 can be connected. it can.
  • the treatment can be performed both when the bump 30 and the conductor pattern 5 are connected by the thermosetting resin sheet and when the bump 30 and the conductor pattern 5 are connected by using the thermoplastic resin sheet. is there.
  • the light-emitting element 22 is integrally pressed by pressing a laminated body including the transparent films 4 and 6, the resin sheets 130, 131 and 132, and the light-emitting element 22.
  • the case where the bump 30 and the conductive pattern 5 of the transparent film 4 are electrically connected has been described.
  • the manufacturing process of the light emitting module 1 can be variously changed.
  • FIG. 11 shows the dynamic viscosity ( ⁇ *) of the resin sheet before thermosetting.
  • the viscoelastic curve of the thermosetting resin sheet before thermosetting is indicated by L, and the temperature at the lowest melt viscosity of the thermosetting resin sheet, that is, the softest temperature (curing temperature) is indicated by Mp.
  • the possible value of the softening temperature Mp is 80 to 160 ° C. or 80 to 150 ° C.
  • the upper limit is due to, for example, the maximum softening temperature of the PET film being 180 ° C.
  • a more preferable range of the softening temperature Mp is 100 to 130 ° C., because it is easy to adjust resin characteristics (minimum melt viscosity, adhesion, etc.).
  • T1 is a heating / pressurizing temperature when a single-sided, two-electrode LED chip is mounted on a transparent film on which a conductor pattern is formed via a thermosetting resin sheet and hot-pressed.
  • T2 is a thermosetting temperature when the thermosetting resin is thermoset by increasing the temperature after the light emitting element 22 and the conductive pattern are conducted.
  • points A to E indicate the following.
  • a and B are located on the room temperature Tr, that is, the room temperature (25 ° C.), and C and D are located on the softest temperature Mp. Further, the point E is located on a hot press temperature T1 that penetrates the resin to achieve conduction between the LED bumps and the conductor pattern.
  • C and D constitute a gate in the process based on the knowledge of the present inventor. That is, when heat-curing at temperature T2 after heat-pressing at temperature T1, there are various cases, such as when no pressurization is performed at the softest temperature Mp, when pressurization is continued, when pressurization is continued by lowering the pressurization level, etc. There is a way. Therefore, as a process design, it is necessary that the resin does not flow at the point D even under pressure.
  • the resin when the temperature T1 is shifted to T2, the resin is required to be soft to some extent even at the softest temperature Mp. Therefore, the viscoelastic properties of the resin need to be within the range of C to D at the softest temperature.
  • the viscoelastic properties of the resin are required to be within the range of A to B at room temperature Tr, and are required to be E or less at the hot press temperature T1. That is, the viscoelastic characteristic curve of the resin is a region where ABCD or ABCDE is connected by a straight line (that is, ABCDA or ABCDACA) in process design. It is preferable to fit in. In addition, what is necessary is just to perform the hot press for conduction
  • the dynamic viscosity at each point is A: 1,000,000 poise ... (V1) C: 10,000poise (V2) D: 500poise (V3) E: 50,000 poise ... (V4) B: 500 poise It is.
  • the range of C to D is 500 to 10,000 poise, but the range of C to D is more preferably 2,000 to 10,000. 5,000 poise is good.
  • the gate at the softening temperature of the thermosetting resin is A to F depending on the F point on the softening temperature Mp, which has the same viscosity as the E point, and ABFD or ABEFD An area is defined.
  • FIG. 12A to FIG. 12D show an example of a manufacturing process of the light emitting module 1 used for the measurement.
  • the LED is hot-pressed by sandwiching the LED between two thermosetting resin sheets, the LED is embedded in a thick thermosetting resin sheet, or the thermosetting resin sheet below the thickness of the LED. And the rest are common to the various embodiments described so far, such as those embedded with a thermoplastic resin sheet.
  • the manufacturing process of FIGS. 12A to 12D will be described as an example.
  • the light emitting element 22 is arranged on the upper surface of a resin sheet 131 (thermosetting resin sheet) having a thickness of about 60 ⁇ m, which is stacked on the transparent film 4.
  • the light emitting element 22 is vacuum thermocompression-bonded (hot pressed) to the conductor pattern 5 at a vacuum degree of 5 kPa, for example.
  • the bump 30 of the light emitting element 22 penetrates the resin sheet 131 and reaches the conductor pattern 5, and the bump 30 is electrically connected to the conductor pattern 5.
  • the resin sheet when the minimum melt viscosity of the resin sheet is 3000 poise and the temperature Mp at which the resin sheet is cured is 130 ° C., in the thermocompression bonding, the resin sheet is heated to about 100 ° C. and a pressure of 0.2 Mpa is applied. It is made to act on the light emitting element 22 (LED).
  • LED light emitting element 22
  • a resin sheet 132 having a thermosetting property and a thickness of about 60 ⁇ m and the transparent film 6 are disposed on the light emitting element 22.
  • the laminate including the transparent films 4 and 6, the resin sheets 131 and 132, and the light emitting element 22 is pressed while being heated in a vacuum atmosphere.
  • the laminated body is heated to about 140 ° C., and 0.2 Mpa is added to the laminated body. Apply pressure.
  • the light emitting module 1 can be manufactured through the above steps.
  • FIG. 13 is a diagram showing the initial state of the thermosetting resin sheets 130 to 132, that is, the dynamic viscosity before thermosetting.
  • the horizontal axis of the graph in FIG. 13 indicates temperature (° C.), and the vertical axis indicates dynamic viscosity (poise).
  • Each of the curves L1 to L5 in FIG. 13 shows the viscoelastic characteristics of the resin sheet before thermosetting.
  • the dynamic viscosity is obtained by dynamic viscoelasticity measurement.
  • the dynamic viscoelasticity measurement indicates the stress of the resin sheet when a constant periodic sine wave distortion is applied to the resin sheet. In general, the higher the dynamic viscosity, the harder and the smaller the dynamic viscosity, the softer.
  • the resin sheet is preferably somewhat soft even when the light emitting element 22 is placed, for example, as shown in FIG. 12A.
  • the resin sheet is preferably soft enough that the bumps 30 of the light emitting element 22 are slightly recessed into the resin sheet. .
  • the resin sheet is flexible to some extent, the light-emitting element 22 mounted by the mounter is temporarily fixed to the resin sheet. Accordingly, even when the transparent film 4 on which the light emitting element 22 is mounted is moved or the transparent film 6 is stacked on the transparent film 4, the light emitting element 22 is not displaced from the resin sheet, and the light emitting element 22 is accurate. Well positioned.
  • mounting of the light emitting element 22 by a mounter or the like is performed at room temperature.
  • the dynamic viscosity of the resin sheet is 1.0E ⁇ 06 poise below the broken line passing through the point A. The following is preferable.
  • Thermocompression bonding of a laminate comprising a transparent film, a resin sheet, a light emitting element, etc. is performed at a temperature lower than the temperature at which the resin sheet has the lowest melt viscosity, that is, lower than the temperature Mp when the resin sheet begins to cure. . And the laminated body in which thermocompression bonding was made is maintained in a pressurized state until it reaches a temperature Mp when the resin sheet is cured, if desired. For this reason, when the dynamic viscosity becomes too small, the resin sheet may flow from between the transparent films, or the position of the light emitting element 22 may be shifted with the flow of the transparent film. Therefore, the dynamic viscosity of the resin sheet is preferably 500 poise or higher above the broken line passing through the point D when the temperature is Mp. That is, the minimum dynamic viscosity of the resin sheet is preferably 500 poise or more.
  • the temperature Mp is preferably lower than the softening temperature of PET. Since the softening temperature of PET is about 180 ° C., the temperature Mp is, for example, 80 to 160 ° C. The temperature Mp is more preferably 80 to 150 ° C., and approximately 100 to 130 ° C. For this reason, when it is 130 degreeC, it is good that dynamic viscosity is 500 poise or more.
  • the resin sheet is caused to wrap around the light emitting element 22 without a gap as shown in FIGS. 9D, 10D, and 12D, for example.
  • the resin sheet must be softened to some extent at the temperature Mp. Therefore, the dynamic viscosity of the resin sheet is preferably 1.0E ⁇ 04 poise or less below the broken line passing through the point C at the temperature Mp. For this reason, at 130 ° C., the dynamic viscosity is preferably 1.0E ⁇ 04 poise or less.
  • the bump 30 of the light emitting element 22 penetrates the resin sheet and reaches the conductor pattern of the transparent film by thermocompression bonding of the laminate. For this reason, when the laminated body is thermocompression bonded, it is necessary that the resin sheet is softened to some extent. After the thermocompression bonding is started, the laminate is heated to approximately 100 to 110 ° C. until a desired pressure is applied to the laminate. Therefore, the dynamic viscosity of the resin sheet is preferably 50000 poise or less below the broken line passing through the point E when the temperature is about 110 ° C.
  • the resin layer 13 of the light emitting module 1 is preferably configured using a resin sheet having dynamic viscoelastic properties.
  • the resin layer 13 of the light emitting module 1 may be configured using a resin sheet having dynamic viscoelastic characteristics indicated by the curves L3 and L4. Moreover, it is good also as using the resin sheet which has the dynamic viscoelastic property shown by the curve L2. This is because the resin sheet having the dynamic viscoelasticity characteristic indicated by the curve L2 satisfies the dynamic viscosity conditions necessary for forming the resin layer at points A to E.
  • FIG. 14 is a diagram showing the tensile storage modulus after the above-described resin sheets 130 and 131 are cured.
  • the resin sheet having dynamic viscoelasticity shown in L2 to L3 in FIG. 13 has a constant tensile storage elastic modulus from a temperature below room temperature to 100 ° C. after being cured. Shows stable characteristics. Also, even when heated above the softening temperature, the viscosity once decreases steeply, but thereafter, the tensile storage elastic modulus becomes constant and stable characteristics are obtained. For this reason, the highly reliable light emitting module 1 can be provided by using the above-described resin sheets 130 and 131 and the like.
  • the tensile storage modulus of the resin sheet after thermosetting is in the range of 1 to 10 GPa at ⁇ 50 to 100 ° C., and the change of the tensile storage modulus is within one digit (10 times).
  • thermosetting resin sheets in addition to epoxy resins, acrylic resins, styrene resins, ester resins, urethane resins, melamine resins, phenol resins, unsaturated polyester resins, diallyl phthalate resins, and the like are also used. They can be used and are interchangeable.
  • the measurement of dynamic viscoelasticity in FIG. 13 uses a sample having a length of 20 mm, a width of 7 mm, and a thickness of 0.06 mm as a measurement sample, a tensile mode, a temperature rising rate of 2.5 ° C./min, and a measurement interval of 2. The test was performed under the conditions of 5 s, frequency 1 Hz, and temperature range 60 to 180 ° C. The measurement of the tensile storage elastic modulus in FIG.
  • the tensile storage elastic modulus in FIG. 14 is a value obtained by a method based on the above-described JIS K7244-1 (ISO6721).
  • the light emitting module of the present invention is suitable for display devices and display lamps.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

　発光モジュールは、第１の透光性絶縁体と、第１の透光性絶縁体の表面に設けられた導電回路層と、導電回路層と対向して配置される第２の透光性絶縁体と、第１の透光性絶縁体と第２の透光性絶縁体との間に配置され、導電回路層に接続される発光素子と、第１の透光性絶縁体と、第２の透光性絶縁体との間に配置される熱硬化性を有する第３の透光性絶縁体と、を備える。

Description

発光モジュール及び発光モジュールの製造方法 関連出願の引用
　本出願は、２０１４年９月２６日に出願された、日本国特許出願２０１４－１９６３８７号による優先権の利益に基礎をおき、かつ、その利益を求めており、その内容全体が引用によりここに包含される。
　本発明の実施形態は、発光モジュール及び発光モジュールの製造方法に関する。
　発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子を用いた発光モジュールは、屋内用、屋外用、定置用、移動用等の表示装置、表示用ランプ、各種スイッチ類、信号装置、一般照明等の光学装置に幅広く利用されている。ＬＥＤを用いた発光モジュールのうち、各種の文字列、幾何学的な図形や模様等を表示する表示装置や表示用ランプ等に好適な装置として、２枚の透明基板間に複数のＬＥＤを配置した透明発光モジュールが知られている。
　透明基板として透明樹脂製のフレキシブル基板等を使用することによって、表示装置や表示用ランプ等としての発光モジュールの取り付け面に対する制約が軽減されるため、透明発光モジュールの利便性や利用可能性が向上する。
　透明発光モジュールは、例えば、導電回路層を有する１対の透明絶縁基板の間に、複数のＬＥＤチップが配置された構造を有している。複数のＬＥＤチップそれぞれは一対の電極を有し、これら電極は透明絶縁基板に形成された導電回路層と電気的に接続される。１対の透明絶縁基板の間には、屈曲性を有する透明樹脂が充填されている。ＬＥＤチップは、透明樹脂によって、導電回路層に電極が接触した状態で保持される。
　上述した発光モジュールでは、ＬＥＤチップの電極と導電回路層との接続信頼性の向上が求められている。
特開２０１２－０８４８５５号公報
　本発明は、発光素子の電極と導電回路層の接続信頼性を向上することを課題とする。
　実施形態に係る発光モジュールは、第１の透光性絶縁体と、第１の透光性絶縁体の表面に設けられた導電回路層と、導電回路層と対向して配置される第２の透光性絶縁体と、第１の透光性絶縁体と第２の透光性絶縁体との間に配置され、導電回路層に接続される発光素子と、第１の透光性絶縁体と、第２の透光性絶縁体との間に配置される熱硬化性を有する第３の透光性絶縁体と、を備える。
実施形態に係る発光モジュールの概略構成を示す模式断面図である。 発光素子の斜視図である。 発光モジュールの一部を拡大して示す断面図である。 導体パターンと発光素子との接続例を示す図である。 丸め処理前のバンプを模式的に示す図である。 治具を使用した丸め処理を説明するための図である。 治具を使用した丸め処理を説明するための図である。 治具を使用した丸め処理を説明するための図である。 治具と樹脂シートを使用した丸め処理を説明する図である。 治具と樹脂シートを使用した丸め処理を説明する図である。 治具と樹脂シートを使用した丸め処理を説明する図である。 治具と樹脂シートを使用した丸め処理を説明する図である。 治具と樹脂シートを使用した丸め処理を説明する図である。 本実施形態に係る発光モジュールの製造方法を説明する図である。 本実施形態に係る発光モジュールの製造方法を説明する図である。 本実施形態に係る発光モジュールの製造方法を説明する図である。 本実施形態に係る発光モジュールの製造方法を説明する図である。 変形例に係る発光モジュールの製造方法を説明する図である。 変形例に係る発光モジュールの製造方法を説明する図である。 変形例に係る発光モジュールの製造方法を説明する図である。 変形例に係る発光モジュールの製造方法を説明する図である。 熱硬化工程前の樹脂シートの動的粘度を示す図である。 変形例に係る発光モジュールの製造方法を説明する図である。 変形例に係る発光モジュールの製造方法を説明する図である。 変形例に係る発光モジュールの製造方法を説明する図である。 変形例に係る発光モジュールの製造方法を説明する図である。 熱硬化工程前の樹脂シートの動的粘度を示す図である。 熱硬化工程後の樹脂シートの弾性率を示す図である。
　本発明の第１の実施形態に係る発光モジュールについて、図面を参照して説明する。図１は、実施形態に係る発光モジュール１の概略構成を示す模式断面図である。
　図１に示されるように、発光モジュール１は、１組の透明フィルム４，６、透明フィルム４，６の間に形成された樹脂層１３、樹脂層１３の内部に配置された複数の発光素子２２を有している。
　透明フィルム４，６は、紙面横方向を長手方向とする長方形のフィルムである。透明フィルム４，６は、厚さが５０～３００μｍ程度であり、可視光に対して透過性を有する。透明フィルム４，６の全光線透過率は、９０％以上であることが好ましく、さらには９５％以上であることがより好ましい。なお、全光線透過率とは、日本工業規格ＪＩＳＫ７３７５：２００８に準拠して測定された全光線透過率をいう。また、透明フィルム４，６は、可撓性を有し、その曲げ弾性率は、０～３２０ｋｇｆ／ｍｍ２程度（ゼロを含まず）である。なお、曲げ弾性率とは、例えばＩＳＯ１７８（ＪＩＳ　Ｋ７１７１：２００８）に準拠する方法で測定された値である。
　透明フィルム４，６の厚さが３００μｍを上回ると、透明フィルム４，６の可撓性が低下するとともに全光線透過率も低下する。また、透明フィルム４，６の厚さが５μｍを下回ると、透明フィルム４，６及び発光素子２２を一体化させたときに、透明フィルム４，６が著しく変形することが懸念される。そのため、透明フィルム４，６は、厚さが５０～３００μｍ程度であることが好ましい。
　透明フィルム４，６の素材としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンサクシネート（ＰＥＳ）、環状オレフィン樹脂（例えばＪＳＲ社製のアートン（商品名））、アクリル樹脂などを用いることが考えられる。
　上記１組の透明フィルム４，６のうち、透明フィルム４の下面には、厚さが０．０５μｍ～２μｍ程度の複数の導体パターン５が形成されている。
　導体パターン５には、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の透明導電材料が用いられる。導体パターン５は、例えば、スパッタ法や電子ビーム蒸着法等によって透明フィルム４に形成された薄膜を、レーザ加工やエッチング処理を用いてパターニングすることにより形成することができる。
　導体パターン５は、例えば平均粒子径が１０～３００ｎｍの透明導電材料の微粒子と透明樹脂バインダとの混合物を、透明フィルム４にスクリーン印刷することによっても形成することができる。また、透明フィルム４に、上記混合物からなる薄膜を形成し、この薄膜をレーザ加工やフォトリソグラフィにより、パターニングすることによっても形成することができる。
　導体パターン５は、透明導電材料からなるものに限らず、金や銀、銅等の不透明導電材料の微粒子を、透明フィルム４に、メッシュ状に付着させたものであってもよい。例えば、透明フィルム４に、ハロゲン化銀のような不透明導電材料の感光性化合物を塗布して薄膜を形成し、この薄膜に露光・現像処理を施してメッシュ状の導体パターン５を形成してもよい。また、不透明導電材料微粒子を含むスラリーをスクリーン印刷等でメッシュ状に塗布することによって導体パターン５を形成してもよい。
　導体パターン５は、発光モジュール１全体としての全光線透過率（例えばＪＩＳＫ７１０５）が１％以上となるような透光性を有していることが好ましい。発光モジュール１全体としての全光線透過率が１％未満であると、発光点が輝点として認識されなくなる。導体パターン５自体の透光性は、その構成によっても異なるが、全光線透過率が１０～８５％の範囲であることが好ましい。
　樹脂層１３は、透明フィルム４と透明フィルム６の間に形成された絶縁体である。樹脂層１３は、熱硬化性樹脂からなり、可視光に対する透過性を有する。樹脂層１３は、硬化前の最低溶融粘度、硬化前の最低溶融粘度における温度、硬化前の最低溶融粘度における温度に到達するまでの溶融粘度変化率、硬化後のビカット軟化温度、硬化後の引張貯蔵弾性率、硬化後のガラス転移温度などの特性が所定の条件を満足する樹脂から構成される。
　本実施形態に係る樹脂層１３は、例えば、熱硬化性樹脂としてのエポキシ系樹脂からなる。樹脂層１３を構成する熱硬化性樹脂は、例えば、硬化前の最低溶融粘度ＶＣ１が８０～１６０℃の範囲で１０～１００００Ｐａ・ｓの範囲であることが好ましい。また、硬化前の最低溶融粘度ＶＣ１における温度Ｔ１（最軟化温度）に到達するまでの溶融粘度変化率ＶＲが１／１０００以下（千分の一以下）であることが好ましい。さらに、樹脂層１３は、加熱されることにより最低溶融粘度に到達した後、すなわち、硬化した後のビカット軟化温度Ｔ２が８０～１６０℃の範囲であり、０℃から１００℃の範囲での引張貯蔵弾性率ＥＭが０．０１～１０００ＧＰａの範囲であることが好ましい。また、付記すれば、樹脂層１３は、１００～１６０℃のガラス転移温度Ｔ３を有することが好ましい。
　熱硬化性樹脂の好ましい物性値は、例えば、以下のとおりである。
最低溶融粘度ＶＣ１：１０～１００００Ｐａ・ｓ
最低溶融粘度ＶＣ１における温度Ｔ１（最軟化温度）：８０～１６０℃
温度Ｔ１に到達するまでの溶融粘度変化率ＶＲ：１／１０００以下
ビカット軟化温度Ｔ２：８０～１６０℃
引張貯蔵弾性率ＥＭ：０～１００℃の間で０．０１～１０００ＧＰａ
ガラス転移温度Ｔ３：１００～１６０℃
　なお、溶融粘度測定はＪＩＳ Ｋ７２３３に記載の方法に従って、測定対象物の温度を５０℃～１８０℃まで変化させて求めた値である。ビカット軟化温度は、ＪＩＳ Ｋ７２０６（ＩＳＯ ３０６：２００４）に記載のＡ５０に従って、試験荷重１０Ｎ、昇温速度５０℃／時間の条件で求めた値である。ガラス転移温度と融解温度は、ＪＩＳ　Ｋ７１２１（ＩＳＯ　３１４６）に準拠した方法に従って、示差走査熱量測定により求めた値である。引張貯蔵弾性率は、ＪｌＳ Ｋ７２４４－１（ＩＳＯ ６７２１）に準拠した方法に従って求めた値である。具体的には、－１００℃から２００℃まで１分間に１℃ずつ等速昇温する測定対象物を、動的粘弾性自動測定器用いて周波数１０Ｈｚでサンプリングすることにより得られた値である。
　樹脂層１３は、電極２８、２９の周囲に隙間なく充填されている。図１に示されるように、発光素子２２の上面に設けられた電極２８、２９それぞれの面積は、発光素子２２の上面（例えば発光面）の面積より小さい。また、電極２８、２９は、発光素子２２の上面から導体パターン５に向かって突出している。このような場合には、発光素子２２の上面と導体パターン５との間に微小空間が生じる。樹脂層１３は、この微小空間にも充填されることが好ましい。
　樹脂層１３の厚さＴ２は、導体パターン５と電極２８、２９とが良好に接触するように、発光素子２２の高さＴ１より小さくなっている。樹脂層１３と密着している透明フィルム４は、発光素子２２が配置されている部分が外側に突出し、発光素子２２同士の間の部分が窪むように湾曲した形状を有している。このように透明フィルム４が湾曲することで、透明フィルム４によって、導体パターン５が電極２８、２９に押し付けられた状態になっている。したがって、導体パターン５と電極２８、２９との電気的な接続性やその信頼性を高めることが可能になる。
　なお、樹脂層１３は、熱硬化性を有する樹脂を主成分とする材料からなることが好ましいが、必要に応じて他の樹脂成分等を含んでいてもよい。熱硬化性を有する樹脂としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エステル系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂等が知られている。これらのうち、エポキシ系樹脂は、透光性、電気絶縁性、可撓性等に加えて、軟化時の流動性、硬化後の接着性、耐候性等に優れることから、樹脂層１３の構成材料として好適である。もちろん、樹脂層１３は、エポキシ系樹脂以外の他の樹脂から構成されていてもよい。
　図２は、発光素子２２の斜視図である。発光素子２２は、一辺が０．３ｍｍ乃至３ｍｍの正方形のＬＥＤチップである。図２に示されるように、発光素子２２は、ベース基板２３、Ｎ型半導体層２４、活性層２５、Ｐ型半導体層２６からなるＬＥＤチップである。発光素子２２の定格電圧は約２．５Ｖである。
　ベース基板２３は、サファイア基板又は半導体基板である。ベース基板２３として光学的に透過性を有するものを用いることにより、光は発光素子２２の上下両面から放射される。ベース基板２３の上面には、当該ベース基板２３と同形状のＮ型半導体層２４が形成されている。Ｎ型半導体層２４は、例えばｎ－ＧａＮからなる。
　Ｎ型半導体層２４の上面には、順に、活性層２５、Ｐ型半導体層２６が積層されている。活性層２５は、例えばＩｎＧａＮからなる。また、Ｐ型半導体層は、例えばｐ－ＧａＮからなる。なお、発光素子２２は、ダブルヘテロ（ＤＨ）構造、あるいは多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有するものであってもよい。
　Ｎ型半導体層２４に積層される活性層２５、及びＰ型半導体層２６のコーナー部分には切欠きが形成され、この切欠きからＮ型半導体層２４の表面が露出している。Ｎ型半導体層２４の、活性層２５とＰ型半導体層２６から露出する部分には、Ｎ型半導体層２４と電気的に接続される電極２９（電極パッド）が形成されている。また、Ｐ型半導体層２６のコーナー部分には、Ｐ型半導体層２６と電気的に接続される電極２８（電極パッド）が形成されている。
　電極２８，２９は、銅（Ｃｕ）、或いは金（Ａｕ）からなり、上面に導電性のバンプ３０が形成されたパッド電極である。バンプ３０は、金（Ａｕ）や金合金などの金属からなる金属バンプである。バンプ３０として、金属バンプのかわりに、半田バンプを用いてもよい。
　バンプを含まない発光素子２２の厚さは、約１００μｍであり、バンプ３０の高さは、約６０μｍである。
　発光素子２２は、隣接する発光素子２２相互間の距離がｄとなるように等間隔に配置されている。距離ｄは、１５００μｍ以下である。発光モジュール１が備える発光素子２２の数は、発光モジュール１の仕様、例えば、外形寸法、発光面積などに応じて、適宜、決定することができる。
　図３は、発光モジュール１の一部を拡大して示す断面図である。図３に示されるように、発光素子２２の電極２８，２９は、バンプ３０を介して、導体パターン５と電気的に接続されている。
　バンプ３０は、金、ＡｕＳｎ合金、銀、銅、ニッケル、またそれ以外の金属との合金、混合物、共晶、アモルファス材料などからなる。バンプ３０は、ハンダや共晶ハンダ、金属微粒子と樹脂の混合物、異方性導電膜などから構成されていてもよい。バンプ３０は、例えばワイヤボンダを用いてワイヤバンプとして形成することができる。また、バンプ３０は、例えば、電極２８，２９に電解メッキ、無電解メッキを施すことにより形成することもできる。また、金属微粒子を含むインクを、電極２８，２９へインクジェット印刷して焼成することによってもバンプ３０を形成することができる。更には、金属微粒子を含むペーストを、電極２８，２９に印刷や塗布することによりバンプ３０を形成してもよく、ボールマウント、ペレットマウント、蒸着スパッタなどの技術を用いて、電極２８，２９にバンプ３０を形成してもよい。
　バンプ３０の融点は、１８０℃以上であることが好ましい。また、バンプ３０の融点は、２００℃以上であることがより好ましい。上限は、実用的な範囲として１１００℃以下である。バンプ３０の融点が１８０℃未満であると、発光モジュール１の製造工程における真空熱プレス工程で、バンプ３０が大きく変形して充分な厚さを維持出来なくなる。また、バンプ３０が、電極２８，２９からはみ出してしまうことも考えられる。この場合には、電極２８，２９からはみ出したバンプ３０によって、発光素子２２からの光が妨げられてしまう。
　バンプ３０の融点は、例えば、島津製作所製ＤＳＣ－６０示差走査熱量計を用いて計測することができる。融点の計測は、例えば約１０ｍｇの試料を毎分５℃ずつ昇温させながら行う。固相線温度と液相線温度が異なる場合は固相線温度の値をバンプ３０の融点とすることが考えられる。
　バンプ３０のダイナミック硬さＤＨＶは３以上１５０以下であり、好ましくは５以上１００以下である。また、より好ましくは５以上５０以下である。バンプ３０のダイナミック硬さＤＨＶが３未満であると、発光モジュールの製造工程における真空熱プレス工程で、バンプ３０が大きく変形して充分な厚さを維持できなくなる。また、バンプ３０が、電極２８，２９からはみ出してしまうことも考えられる。この場合には、電極２８，２９からはみ出したバンプ３０によって、発光素子２２からの光が妨げられてしまう。一方、バンプ３０のダイナミック硬さＤＨＶが１５０を超えると、発光モジュールの製造工程における真空熱プレス工程で、バンプ３０が透明フィルム４を変形させてしまうことが考えられる。この場合には、発光モジュール１の外観不良や、発光素子２２と導体パターン５との間で接続不良が生じる。
　バンプ３０のダイナミック硬さＤＨＶは、例えば、島津製作所製の島津ダイナミック超微硬度計ＤＵＨ－Ｗ２０１Ｓを用いた試験により求めることができる。この試験では、気温２０℃の環境下で、対面角１３６°のダイヤモンド正四角錐圧子（ビッカース圧子）を負荷速度０．０９４８ｍＮ／秒でバンプ３０へ押し込む。そして、ビッカース圧子の押し込み深さ（Ｄ／μｍ）が０．５μｍに達した時の試験力（Ｐ／ｍＮ）を次式へ代入する。
　ＤＨＶ＝３．８５８４Ｐ／Ｄ２＝１５．４３３６Ｐ
　バンプ３０の高さは、５μｍ以上８０μｍ以下であることが好ましい。また、バンプ３０の高さは、１０μｍ以上６０μｍ以下であることがより好ましい。バンプ３０の高さが５μｍ未満だと、導体パターン５と発光素子２２のＰ型半導体層２６もしくは導体パターン５とＮ型半導体層２４との短絡を防ぐ効果が弱くなる。一方、８０μｍを超えてしまうと、発光モジュールの製造工程における真空熱プレス工程で、バンプ３０が透明フィルム４を変形させてしまうことが考えられる。この場合には、発光モジュール１の外観不良や、発光素子２２と導体パターン５との間で接続不良が生じる。
　発光素子２２の電極２８，２９とバンプ３０の接触面積は、１００μｍ２以上１５，０００μｍ２以下であることが好ましい。また、発光素子２２の電極２８，２９とバンプ３０の接触面積は、４００μｍ２以上８，０００μｍ２以下であることがより好ましい。これらの各寸法は、室温と被測定物の温度が２０℃±２℃となる安定した環境下で計測した値である。
　図４は、導体パターン５と発光素子２２との接続例を示している。発光素子２２の電極２８，２９が、相互に隣接する導体パターン５にそれぞれ接続される。
　１組の透明フィルム４，６、樹脂層１３、複数の発光素子２２は、真空熱プレスにより一体化される。このため、バンプ３０の少なくとも一部は融解していない状態で発光素子２２の電極２８，２９に電気的に接続される。したがって、電極２８，２９の上面とバンプ３０の接触角は、例えば、１３５度以下となる。
　発光素子２２は、電極２８、２９を介して印加される直流電圧により点灯する。例えば、発光モジュール１が７個の発光素子２２を２列に並べて構成される場合、発光モジュール１の導体パターン５は、７直列２並列回路を構成する。直列接続された発光素子２２では、流れる電流は全ての発光素子２２で同じ大きさになる。
　上述のように構成される発光モジュール１の発光素子２２は、バンプ３０を有している。このため、発光素子２２を埋設したフレキシブルな発光モジュール１が、電極２８、２９側が凸になるように屈曲されても、バンプ３０によって十分な高さが確保できるので、導体パターン５と発光素子２２との間の短絡を防止することができる。
＜製造方法＞
　次に、実施形態に係る発光モジュール１の製造方法について説明する。
　まず、電極２８と電極２９（アノード電極とカソード電極もしくはカソード電極とアノード電極）を形成した発光素子２２を用意する。
　次に、発光素子２２の電極２８，２９の双方にバンプ３０を形成する。これにより、図２に示される電極２８，２９にバンプ３０が形成された発光素子２２が完成する。バンプ３０の形成方法は、ワイヤバンプ加工機を使ってＡｕワイヤもしくはＡｕ合金ワイヤから金もしくは金合金バンプを作る方法を採用することができる。用いるワイヤ径は、１５μｍ以上で７５μｍ以下であることが好ましい。
　本実施形態では、ワイヤボンディング装置を用いる。ワイヤ先端の放電によって、ワイヤを溶融させてボールを形成した後、超音波によりボールと電極２８，２９とを接続する。そして、電極２８，２９にボールが接続された状態で、ボールからワイヤを切り離す。これにより、図５に示されるように、電極２８，２９の上面に、上端部に突起が残るバンプ３０が形成される。
＜丸め処理＞
　バンプ３０の上端部に残った微小な突起はそのまま残してもよいが、所望によりバンプ３０の上面を押圧してバンプ３０の丸め処理を行ってもよい。
　一例として図５に示されるように、バンプ３０の上部には、ワイヤを切り取るときに生じた突起部が残っている。この突起部は、テールと称される。バンプ３０の形状は、電極２８，２９に接している面の直径をＡ、バンプ３０の高さをＢとした場合、Ｂ／Ａ＝０．２～０．７を満たしていることが望ましい。そこで、バンプ３０の形状が、係る数値範囲からはずれるような場合には、丸め処理を施す。
　図６Ａ乃至図６Ｃは、プレス板５００を使用した丸め処理を説明するための図である。バンプ３０を形成した後、バンプボンディング装置（不図示）に発光素子２２を配置する。そして、図６Ａに示されるように、バンプボンディング装置に設けられたプレス板５００を、その下面が電極２８，２９と平行になった状態で、バンプ３０の上方に位置決めする。
　次に、プレス板５００を下降させて、図６Ｂに示されるように、バンプ３０の上部へ押し付ける。このとき、プレス板５００は、バンプの高さが所望の高さＢになるまで下降させる。バンプ３０のテールは、プレス板５００によって押しつぶされる。これにより、図６Ｃに示されるように、バンプ３０の上部に突起のない連続面が形成される。この連続面は、バンプ３０の上端部で平坦になる。
　上記丸め処理は、樹脂シートを介してバンプ３０をプレスしてもよい。その場合には、プレス板５００の下面に、例えば、ＰＥＴ、フッ素樹脂、ＴＰＸ、オレフィン等を素材とする樹脂シート５０１を装着する。そして、図７Ａに示されるように、樹脂シート５０１が配置されたプレス板５００を、その下面が電極２８，２９と平行になった状態で、バンプ３０の上方に位置決めする。
　次に、プレス板５００を下降させて、図７Ｂに示されるように、樹脂シート５０１をバンプ３０の上部へ押し付ける。このとき、プレス板５００は、バンプの高さが所望の高さＢになるまで下降させる。バンプ３０のテールは、樹脂シート５０１によって押しつぶされる。これにより、図７Ｃに示されるように、バンプ３０の上部に突起のない連続面が形成される。樹脂シート５０１を用いた丸め処理によってバンプ３０に形成された連続面は、バンプ３０の上端部でも上に凸の曲面となる。
　樹脂シート５０１を用いた丸め処理では、例えば、図８Ａに示されるように、発光素子２２の上方に、樹脂シート５０１が装着されたプレス板５００を配置するとともに、発光素子２２の下方に、樹脂シート５０３が装着されたプレス板５０２を配置する。これらの樹脂シート５０１，５０３としては、その厚さが、発光素子２２の厚さと、バンプ３０の高さＢを加えた値より大きいものを用いる。
　そして、プレス板５００を下降させるとともに、プレス板５０２を上昇させて、発光素子２２を挟み込んでプレスする。これにより、図８Ｂに示されるように、発光素子２２は、樹脂シート５０１，５０３の内部に埋め込まれた状態になる。このとき、発光素子２２のバンプ３０は、丸め処理が施され、テールが押しつぶされた状態になっている。プレス時のプレス板５００，５０２の移動量は、目標とするバンプ３０の高さに応じて決定する。
　次に、発光素子２２のプレスを終了し、樹脂シート５０１，５０３を発光素子２２から除去する。これにより、連続した曲面からなる連続面が形成されたバンプ３０をもつ発光素子２２が得られる。なお、樹脂シート５０３を使用することなく、発光素子２２を直接プレス板５０２に載置して、プレスを行ってもよい。
　上述のように発光素子２２の上面にバンプ３０が形成される。これに限らず、バンプ３０は、ワイヤボンダを用いてワイヤバンプとして形成する他に、例えば、電極２８，２９に電解メッキ、無電解メッキを施すことにより形成することもできる。また、金属微粒子を含むインクを、電極２８，２９へインクジェット印刷して焼成することによってもバンプ３０を形成することができる。更には、金属微粒子を含むペーストを、電極２８，２９に印刷や塗布することによりバンプ３０を形成してもよく、ボールマウント、ペレットマウント、蒸着スパッタなどの技術を用いて、電極２８，２９にバンプ３０を形成してもよい。また、バンプ３０には、金や銀や銅やニッケルなどの金属、金スズ合金などの合金や共晶やアモルファス、ハンダなどを用いることができる。
　発光素子２２にバンプ３０を形成したら、上面に導体パターン５が形成された透明フィルム４を用意する。そして、図９Ａに示されるように、透明フィルム４の上面に、透光性を有する樹脂シート１３０を配置する。樹脂シート１３０は、透明フィルム４に、接着剤によって仮付されてもよい。
　樹脂シート１３０は、熱硬化性及び可視光に対する透過性を有する樹脂を主成分とする。樹脂シート１３０としては、例えばエポキシ系樹脂からなるシートが用いられる。この樹脂シート１３０は、透明フィルム４の形状とほぼ同じ形状に整形されている。
　樹脂シート１３０は、硬化する前の最低溶融粘度が１０～１００００Ｐａ・ｓの範囲にあり、樹脂シート１３０の粘度が最低溶融粘度になるときの温度Ｍｐが、８０～１６０℃の範囲にあることが好ましい。樹脂シート１３０が室温から温度Ｍｐに至るまで昇温されたときに、樹脂シート１３０の溶融粘度変化率が１／１０００以下であることが好ましい。樹脂シート１３０は、加熱されることにより最低溶融粘度に到達して硬化した後のビカット軟化温度が８０～１６０℃の範囲であることが好ましい。樹脂シート１３０は、温度が０℃～１００℃の範囲での引張貯蔵弾性率が０．０１～１０００ＧＰａの範囲であることが好ましい。樹脂シート１３０は、ガラス転移温度が１００～１６０℃であることが好ましい。
　樹脂シート１３０は、発光素子２２を配置することにより生じる透明フィルム４，６の間の空間を十分に埋めることが可能な厚さを有していればよい。樹脂シート１３０の厚さ（Ｔ）を発光素子２２の高さ（Ｈ）より薄くする場合には、これらの差（Ｈ－Ｔ）に基づいて樹脂シート１３０の厚さを決めればよい。
　次に、図９Ｂに示されるように、樹脂シート１３０の上面に発光素子２２を配置する。発光素子２２は、電極２８，２９が形成された面が、透明フィルム４に対向するように配置される。また、発光素子２２は、電極２８，２９が、対応する導体パターン５の上方に位置するように位置決めされる。
　次に、図９Ｃに示されるように、発光素子２２の上方に透明フィルム６を配置する。
　次に、透明フィルム４，６、樹脂シート１３０、発光素子２２からなる積層体を、真空雰囲気中で加熱しながら加圧する。
　真空雰囲気中における積層体の加熱・加圧工程（真空熱圧着工程）は、２段階の工程で行うのがよい。
　第１の工程では、樹脂シート１３０を温度Ｔ１（℃）になるまで加熱しながら加圧する。温度Ｔ１は、樹脂シート１３０の粘度が最低溶融粘度になるときの温度（最軟化温度）をＭｐ（℃）とすると、以下の、条件式（１）を満たす温度である。なお、温度Ｔ１は、条件式（２）を満たすことが好ましい。
Ｍｐ－５０℃≦Ｔ１＜Ｍｐ…（１）
Ｍｐ－３０℃≦Ｔ１＜Ｍｐ…（２）
また、Ｍｐ－１０℃≦Ｔ１＜Ｍｐとしてもよい。
　第２の工程では、樹脂シート１３０を温度Ｔ２（℃）になるまで加熱しながら加圧する。温度Ｔ２は、以下の、条件式（３）を満たす温度である。なお、温度Ｔ２は、条件式（４）を満たすことが好ましい。
Ｍｐ≦Ｔ２＜Ｍｐ＋５０℃…（３）
Ｍｐ＋１０℃≦Ｔ２＜Ｍｐ＋３０℃…（４）
　このような加熱条件を適用することによって、樹脂シート１３０を適度に軟化させた状態で積層体を加圧することができる。また、樹脂シート１３０を介して、導体パターン５上に配置された発光素子２２の電極２８、２９を、導体パターン５の所定の位置に接続しつつ、透明フィルム４と透明フィルム６の間に、軟化した樹脂シート１３０を充填して樹脂層１３を形成することができる。
　第１の工程での温度Ｔ１が、条件式（１）に示される下限値Ｍｐ－５０℃未満であると、樹脂シート１３０の軟化が不十分となる。その結果、発光素子２２に対する樹脂シート１３０の密着性が低下し、導体パターン５と、発光素子２２の電極２８、２９との接続が不十分となるおそれがある。
　一方、第１の工程での温度Ｔ１が、条件式（１）の上限値Ｍｐ以上であると、樹脂シート１３０が硬化してしまう。その結果、発光素子２２に対する樹脂シート１３０の密着性が低下し、導体パターン５と、発光素子２２の電極２８、２９との接続が不十分となるおそれがある。
　第２の工程での温度Ｔ２が、条件式（３）に示される下限値Ｍｐ未満であると、樹脂シート１３０の硬化が不十分となる。その結果、発光素子２２に対する樹脂シート１３０の密着性が低下するおそれがある。
　一方、第２の工程での温度Ｔ２が、条件式（３）に示される上限値Ｍｐ＋５０以上であると、透明フィルム４，６が軟化し、積層体全体が変形するおそれがある。
＜熱圧着工程＞
　積層体の真空雰囲気中での熱圧着工程は、以下のようにして実施することが好ましい。上述した積層体を予備加圧して各構成部材間を密着させる。次いで、予備加圧された積層体が配置された作業空間を、真空度が５ｋＰａになるまで真空引きした後、積層体を上述したような温度に加熱しながら加圧する。このように、予備加圧された積層体を真空雰囲気中で熱圧着することによって、図９Ｄに示されるように、透明フィルム４と透明フィルム６との間の空間に軟化した樹脂シート１３０を隙間なく充填することができる。
　熱圧着時の真空雰囲気は５ｋＰａ以下とすることが好ましい。積層体を予備加圧するための予備加圧工程を省くことも可能であるが、この場合には積層体に位置ずれ等が生じやすくなる。このため、予備加圧工程を実施することが好ましい。
　積層体の熱圧着工程を大気雰囲気下や低真空下で実施すると、熱圧着後の発光モジュール１内、とりわけ発光素子２２の周囲に気泡が残存しやすい。発光モジュール１内に残留する気泡内部の空気は加圧されている。このため、熱圧着後の発光モジュール１の膨れや、発光素子２２と透明フィルム４，６との剥離の発生原因となる。さらに、発光モジュール１の内部、とりわけ発光素子２２の近傍に気泡や膨れが存在していると、光が不均一に散乱し、発光モジュール１の外観上の問題となる。
　以上のようにして、導体パターン５と発光素子２２の電極２８，２９との間に樹脂シート１３０を介在させた状態で、真空熱圧着工程を実施することによって、電極２８，２９と導体パターン５とを電気的に接続しつつ、発光素子２２の周囲に樹脂層１３を形成することができる。さらに、発光素子２２の上面と導体パターン５との間の空間に、樹脂層１３の一部を良好に充填することができる。
　積層体に上記熱圧着工程を施すことにより、図１に示される発光モジュール１が完成する。本実施形態に係る製造方法によれば、導体パターン５と発光素子２２の電極２８，２９との電気的な接続性やその信頼性を高めた発光モジュール１を再現性よく製造することができる。なお、図９Ａ～図９Ｄでは発光素子２２を下向きにして組み立てているが、上向きにして製造工程を進めても良い。
　本実施形態では、１枚の樹脂シート１３０を用いて樹脂層１３を形成する場合について説明したが、樹脂層１３を複数（例えば２つ）の樹脂層から構成してもよい。
　具体的には、図１０Ａに示されるように、透明フィルム４の上面に、導体パターン５を覆うように、熱硬化性を有する樹脂シート１３１を配置する。この樹脂シート１３１は、樹脂シート１３０と同等の素材からなる。また、樹脂シート１３１の厚さは、発光素子２２のバンプ３０の高さと、電極２８，２９の高さを加えた程度の大きさである。
　次に、図１０Ｂに示されるように、樹脂シート１３１の上面に複数の発光素子２２を配置する。発光素子２２は、電極２８，２９が樹脂シート１３１に対向するように配置される。
　次に、図１０Ｃに示されるように、発光素子２２上に、熱硬化性を有する樹脂シート１３２と、透明フィルム６を配置する。この樹脂シート１３２も、樹脂シート１３０と同等の素材からなる。
　次に、図１０Ｄに示されるように、透明フィルム４，６と、樹脂シート１３１，１３２と、発光素子２２とからなる積層体を、真空雰囲気中で加熱しながら加圧する。以上の工程により発光モジュール１を製造することができる。この発光モジュール１では、樹脂シート１３１からなる第１の樹脂層と、樹脂シート１３２からなる第２の樹脂層によって、樹脂層１３が形成される。
　また、その際、透明フィルム６を仮の基体とし、全体を加圧して発光素子２２の電極２８，２９と導体パターン５とを電気的に接続した後、透明フィルム６及び樹脂シート１３２を剥し、あらためて剥したのと同じ厚みを持つ樹脂シートと最終的な透明フィルムを張り付けて発光モジュール１を製造してもよい。
　具体的には、図１０Ｄに示されるように一体化された透明フィルム４，６と、樹脂シート１３１，１３２と、発光素子２２と、からなる積層体から、透明フィルム６と樹脂シート１３２を除去する。そして、あらためて、除去した透明フィルム６と樹脂シート１３２を、樹脂シート１３１の表面に貼り付けることとしてもよい。
　樹脂層１３を構成する前記樹脂シートとしては、熱可塑性樹脂を用いることもできる。熱可塑性樹脂としては、例えば熱可塑性エラストマーを用いることができる。エラストマーは、高分子材料の弾性体である。エラストマーとしては、アクリル系エラストマー、オレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、エステル系エラストマー、エステル系エラストマー、ウレタン系エラストマー等が知られている。
　上記熱可塑性樹脂は、例えば、ビカット軟化温度が８０～１６０℃の範囲で、且つ０℃から１００℃の間の引張貯蔵弾性率が０．０１～１０ＧＰａの範囲であることが好ましい。熱可塑性樹脂は、ビカット軟化温度で溶融しておらず、ビカット軟化温度における引張貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ以上であることが好ましい。熱可塑性樹脂は、１８０℃以上の融解温度、もしくはビカット軟化温度より４０℃以上高い融解温度を有することが好ましい。熱可塑性樹脂は、樹脂層１３は－２０℃以下のガラス転移温度を有することが好ましい。
　熱硬化性樹脂シートと熱可塑性樹脂シートで樹脂層１３を構成する場合には、まず、熱硬化性樹脂シートと熱可塑性樹脂シートで発光素子２２を挟む。そして、透明フィルム４，６で、熱硬化性樹脂シート，熱可塑性樹脂シート及び発光素子２２を挟んで、図１０Ｄに示されるような積層体を形成する。そして、この積層体を、加圧及び加熱する。これにより、導体パターン５と発光素子２２との電気的接続、熱硬化性樹脂シートの熱硬化、発光素子２２の上面と透明フィルム４との間の空間への熱可塑性樹脂シートの充填を行うことが出来る。
　導体パターン５と発光素子２２との電気的接続、熱硬化性樹脂シートの熱硬化、熱可塑性樹脂シートの充填は、それぞれに固有の加圧・加熱工程により行ってもよい。その際、導体パターン５と発光素子２２との電気的接続、熱硬化性樹脂シートの熱硬化の一方と、熱可塑性樹脂の凹凸への充填の熱工程とを兼ねることもできる。
　あるいは、加圧・加熱工程によって、熱硬化性樹脂による導体パターン５と発光素子２２との電気的接続と、熱硬化性樹脂の熱硬化とをそれぞれの最適な温度で行った後、熱可塑性樹脂を重ねる。そして、その熱可塑性樹脂を加圧・加熱して、熱硬化性樹脂と発光素子２２からなる凹凸に、熱可塑性樹脂を充填することもできる。
　真空雰囲気中における加熱・加圧工程（真空熱圧着工程）を熱可塑性樹脂に対して行う場合、例えば、熱可塑性樹脂のビカット軟化温度Ｍｐ（℃）に対し、Ｍｐ－１０（℃）≦Ｔ≦Ｍｐ＋３０（℃）の範囲の温度Ｔになるように熱可塑性樹脂を加熱した状態で、積層体を加圧するようにしてもよい。また、温度Ｔは、Ｍｐ－１０（℃）≦Ｔ≦Ｍｐ＋１０（℃）の範囲であっても構わない。熱硬化性樹脂による導体パターン５と発光素子２２との電気的接続、熱硬化性樹脂の熱硬化の一方と、熱硬化性樹脂の加熱と同時行っても、個別に行ってもよいことは上述の通りである。
　本実施形態は、次の形態も含んでいる。
１）［熱硬化性を有する樹脂シートが単層である場合］
　出発材料が、透明フィルム４／導体パターン５／熱硬化性樹脂からなる樹脂シート１３０／発光素子２２／透明フィルム６であり、以下の工程により形成される発光モジュール。透明フィルム４，導体パターン５，樹脂シート１３０，発光素子２２からなる積層体に、第１の加圧・加熱工程を行って、発光素子２２を樹脂シート１３０への埋め込むとともに、発光素子２２と導体パターン５との接続を行う。次に、積層体に第２の加圧・加熱工程を行って、樹脂シート１３０の熱硬化を行う。
２）［熱硬化性を有する樹脂シートが２層の場合］
　出発材料が、透明フィルム４／導体パターン５／熱硬化性樹脂からなる樹脂シート１３１／発光素子２２であり、以下の工程により形成される発光モジュール。透明フィルム４，導体パターン５，樹脂シート１３１，発光素子２２からなる積層体に、第１の加圧・加熱工程を行って、樹脂シート１３１を貫通させたバンプ３０により、発光素子２２と導体パターン５とを電気的に接続する。次に、積層体に、第２の加圧・加熱工程を行って、樹脂シート１３１の熱硬化を行う。次に、積層体に、熱硬化性樹脂からなる樹脂シート１３２、透明フィルム６を順次積層する。次に、積層体に、第３の加圧・加熱工程を行って、熱硬化性樹脂からなる樹脂シート１３２を下地凹凸へ充填する。次に、積層体に、第４の加圧・加熱工程を行って樹脂シート１３２を硬化させる。
３）［熱硬化性樹脂シートと熱可塑性樹脂シートとを用いる場合（積層膜）］
　出発材料が、透明フィルム４／導体パターン５／熱硬化性樹脂からなる樹脂シート１３１／発光素子２２であり、以下の工程により形成される発光モジュール。透明フィルム４，導体パターン５，樹脂シート１３１，発光素子２２からなる積層体に、第１の加圧・加熱工程を行って、樹脂シート１３１を貫通させたバンプ３０により、発光素子２２と導体パターン５とを電気的に接続する。次に、積層体に、第２の加圧・加熱工程を行って、樹脂シート１３１の熱硬化を行う。次に、積層体に、熱可塑性樹脂からなる樹脂シート１３２、透明フィルム６を順次積層する。次に、積層体に、第３の加圧・加熱工程を行って、熱可塑性樹脂からなる樹脂シート１３２を下地凹凸へ充填する。
　また所望により、次の構成を取ることもできる。
　例えば、出発材料が、透明フィルム４／導体パターン５／熱可塑性樹脂からなる樹脂シート１３１／発光素子２２であり、以下の工程により形成される発光モジュール。透明フィルム４，導体パターン５，熱可塑性樹脂シート１３１，発光素子２２からなる積層体に、第１の加圧・加熱工程を行って、熱可塑性樹脂シート１３１を貫通させたバンプ３０により、発光素子２２と導体パターン５とを電気的に接続する。次に、積層体に、熱硬化性樹脂からなる樹脂シート１３２、透明フィルム６を順次積層する。次に、積層体に、第２の加圧・加熱工程を行って、熱硬化性樹脂からなる樹脂シート１３２を下地凹凸へ充填する。所望により、積層体に、第３の加圧・加熱工程を行って、熱硬化性樹脂からなる樹脂シート１３２の熱硬化を行う。
　なお、上述した実施形態では、発光素子２２として、図２に示されるように片面に２つの電極を有するものを用いた。しかしながら、所望により、発光素子の上面と下面に１つずつ電極を有する発光素子（両面電極発光素子）を用いることができる。また、発光モジュール１は、片面に２つの電極を有する発光素子２２と両面電極発光素子の双方を含んでいてもよい。両面電極発光素子を用いる場合には、透明フィルム４，６の双方に導電パターンが設けられる。両面電極発光素子では、バンプは発光素子の発光面側の電極に設けられる。
　上述した実施形態では、図２に示されるように、片面に２つの電極を有する発光素子２２の電極２８，２９（パッド電極）の厚みが異なる場合について説明した。これに限らず、例えば、電極２８，２９の厚みを同じにして、両者間でバンプ３０の径を変えることによりバンプ３０の表面高さを揃えることもできる。
　電極２８，２９それぞれの厚み、及びバンプ３０の径が等しい場合には、電極２９のバンプ３０の頂上の方が、電極２８のバンプ３０の頂上よりも低くなる。この場合には、加圧・加熱時の圧縮によって、低い側のバンプ３０が導体パターン５に到達するまで発光素子２２を押し込むようにすれば、バンプ３０と導体パターン５との接続を図ることができる。当該処理は、熱硬化性樹脂シートによりバンプ３０と導体パターン５との接続を図る場合、熱可塑性樹脂シートを用いてバンプ３０と導体パターン５との接続を行う場合の双方で行うことが可能である。
　上記実施形態では、例えば図９Ｃ又は図１０Ｃに示されるように、透明フィルム４，６、樹脂シート１３０，１３１，１３２、発光素子２２からなる積層体を一体的に加圧することにより、発光素子２２のバンプ３０と透明フィルム４の導体パターン５とが電気的に接続される場合について説明した。発光モジュール１の製造工程は、種々の変更が可能である。
　図１１は熱硬化前の樹脂シートの動的粘度（η＊）を示している。熱硬化前の熱硬化性樹脂シートの粘弾性曲線をＬ、熱硬化性樹脂シートの最低溶融粘度における温度、即ち最軟化温度（硬化温度）をＭｐで示す。
　最軟化温度Ｍｐの取り得る値は、８０～１６０℃或いは８０～１５０℃である。上限は、例えばＰＥＴフィルムの軟化温度が最大１８０℃であることによる。最軟化温度Ｍｐのより好ましい範囲は１００～１３０℃であり、樹脂特性（最低溶融粘度、密着性等）を調整しやすいことによる。図１１において、Ｔ１は、導体パターンが形成された透明フィルム上に、熱硬化性樹脂シートを介して片面２電極のＬＥＤチップを搭載して熱プレスする際の加熱・加圧温度である。Ｔ２は、発光素子２２と導体パターンの導通後、昇温して熱硬化性樹脂を熱硬化させる際の熱硬化処理温度である。
　図１１において、Ａ～Ｅの各点は以下を示している。
　［Ａ点］：ＬＥＤの配置ができる上限点（仮止め粘度、又は仮止め（ｔａｃｋ）上限粘度）・・ＬＥＤを規定の位置（導体パターンの接続パッドの位置）へ配置（マウント）したのち、その後の工程に移る際、樹脂の粘性が高すぎ（即ち、樹脂が固すぎて）タック性が低いため、配置した発光素子（ＬＥＤ）が、外れる、又は、ずれてしまわない上限点。即ち、チップマウント上限粘度である。
　［Ｃ点］：ＬＥＤを埋め込むことができる上限点（封止粘度、又は封止上限粘度）・・ＬＥＤを埋め込む真空熱圧着プロセスにおいて、十分にＬＥＤ周辺に樹脂が充填される上限点。即ち、充填制御上限粘度である。
　［Ｄ点］：フローコントロールのできる下限点（流動化阻止粘度、又は流動化阻止下限粘度）・・ＬＥＤを埋め込む真空熱圧着プロセスにおいて、樹脂の粘度が低いと、硬化温度まで上昇させる際、圧力によりフローが発生し、樹脂が流動化して発光素子（ＬＥＤ）の位置がずれてしまったり、極端な場合は、液状化してフィルム外形端より必要な樹脂が流れ出してしまう（デバイス構造で必要な樹脂厚さを確保できない）。即ち、フロー制御の下限粘度である。
　［Ｅ点］：ＬＥＤの導通ができる上限点（加圧接続上限粘度）・・熱プレス時に、ＬＥＤのバンプが導体パターンに到達し、ＬＥＤと導体パターンとの導通の取れる上限粘度。一般には、熱プレス接続上限粘度である。
　［Ｂ点］：上記Ａ、Ｃ、Ｄ、Ｅの限定をカバーする下限粘度。・・即ち、Ｄ点と同じ粘度。
　図１１において、Ａ、Ｂは室温Ｔｒ、即ち常温（２５℃）上に位置し、Ｃ、Ｄは最軟化温度Ｍｐ上に位置する。また、Ｅ点は、樹脂を貫通してＬＥＤのバンプと導体パターンの導通を図る熱プレス温度Ｔ１上に位置する。
　図１１において、本発明者の知見によりＣとＤはプロセス上のゲートを構成している。即ち、温度Ｔ１で熱プレスした後、温度Ｔ２で熱硬化する際、最軟化温度Ｍｐでは加圧をしない場合、加圧を続ける場合、加圧レベルを下げて加圧を続ける場合、など種々の方法がある。従って、プロセス設計としては、加圧下でもＤ点で樹脂が流動化しないことが必要である。
　また、温度Ｔ１からＴ２に移行する際、最軟化温度Ｍｐでも樹脂がある程度柔らかいことが要求される。従って、樹脂の粘弾性特性としては、最軟化温度において、Ｃ～Ｄの範囲に収まっている必要がある。
　また、樹脂の粘弾性特性としては、室温Ｔｒにおいて、Ａ～Ｂの範囲に収まっていることが要求され、熱プレス温度Ｔ１においては、Ｅ以下であることが要求される。即ち、樹脂の粘弾性特性曲線は、プロセス設計上、ＡＢＣＤ又は、ＡＢＣＤＥを直線で結んだ領域（即ち、Ａ－Ｂ－Ｄ－Ｃ－Ａ又は、Ａ－Ｂ－Ｄ－Ｃ－Ｅ－Ａ）に収まることが好ましい。なお、ＬＥＤの導通のための熱プレスは、原理的に、温度Ｔ１において、Ｅ以下、Ｂ、Ｄ以上の粘度で行えばよい。
　実際の値としては、各点の動的粘度は、
Ａ：１，０００，０００ｐｏｉｓｅ・・（Ｖ１）
Ｃ：１０，０００ｐｏｉｓｅ・・（Ｖ２）
Ｄ：５００ｐｏｉｓｅ・・（Ｖ３）
Ｅ：５０，０００ｐｏｉｓｅ・・（Ｖ４）
Ｂ：５００ｐｏｉｓｅ
である。
　また、上記により、Ｃ～Ｄの範囲は、５００～１０，０００ｐｏｉｓｅとなるが、Ｃ～Ｄの範囲は、より好ましくは、よりフローコントロールがしやすく、低圧力により埋め込みができる、２，０００～５，０００ｐｏｉｓｅが良い。
　なお、封止粘度が要求されない場合は、熱硬化性樹脂の最軟化温度におけるゲートは、Ｅ点と同じ粘度を持つ、最軟化温度Ｍｐ上のＦ点によってＡ～Ｆとなり、ＡＢＦＤ又は、ＡＢＥＦＤによって領域が規定される。
　図１２Ａ乃至図１２Ｄに、測定に用いた発光モジュール１の製造工程の一例を示す。しかしながら、以下の測定は、ＬＥＤを２枚の熱硬化樹脂シートに挟んで熱プレスするものや、厚い熱硬化樹脂シートにＬＥＤを埋め込むもの、また、ＬＥＤの厚さ以下の熱硬化樹脂シートでＬＥＤを導通させ、残りは熱可塑性樹脂シートで埋め込むもの等、ここまで述べてきた種々の実施形態に共通するものである。以下、図１２Ａ乃至図１２Ｄの製造工程を例に説明する。
　まず、図１２Ａに示されるように、透明フィルム４に重ねられた、厚さ約６０μｍの樹脂シート１３１（熱硬化性樹脂シート）の上面に、発光素子２２を配置する。次に、発光素子２２の上に透明フィルムを配置する前に、まず、発光素子２２を、導体パターン５に対して、例えば真空度５ｋＰａで、真空熱圧着（熱プレス）する。これにより、図１２Ｂに示されるように、発光素子２２のバンプ３０が樹脂シート１３１を貫通して導体パターン５に到達し、バンプ３０が導体パターン５に電気的に接続される。
　例えば樹脂シートの最低溶融粘度が３０００ｐｏｉｓｅであり、樹脂シートが硬化する温度Ｍｐが１３０℃である場合には、上記熱圧着では、樹脂シートを約１００℃に加熱するとともに、０．２Ｍｐａの圧力を発光素子２２（ＬＥＤ）に作用させる。
　次に、図１２Ｃに示されるように、発光素子２２の上に、熱硬化性を有し、厚さ約６０μｍの樹脂シート１３２と、透明フィルム６を配置する。そして、図１２Ｄに示されるように、透明フィルム４，６と、樹脂シート１３１，１３２と、発光素子２２とからなる積層体を、真空雰囲気中で加熱しながら加圧する。
　例えば樹脂シートの最低溶融粘度が３０００ｐｏｉｓｅであり、樹脂シートが硬化する温度Ｍｐが１３０℃である場合には、上記熱圧着では、積層体を約１４０℃に加熱するとともに、積層体に０．２Ｍｐａの圧力を作用させる。
　以上の工程により、発光モジュール１を製造することができる。
　図１３は、熱硬化性を有する樹脂シート１３０～１３２の初期状態、即ち熱硬化前の動的粘度を示す図である。図１３のグラフの横軸は温度（℃）を示し、縦軸は動的粘度（ｐｏｉｓｅ）を示す。図１３の各曲線Ｌ１～Ｌ５は、樹脂シートの熱硬化前の粘弾性特性を示す。動的粘度は、動的粘弾性測定により得られるものである。動的粘弾性測定とは、樹脂シートに対して一定の周期的な正弦波歪を与えたときの、当該樹脂シートの応力を示すものである。一般に、動的粘度が大きくなるほど固く、動的粘度が小さくなるほど柔軟になる。
　樹脂シートは、例えば図１２Ａに示されるように、発光素子２２が載置されるときにもある程度柔らかいものが好ましい。具体的には、例えばマウンタなどの装置を用いて、発光素子２２を樹脂シートに載置した際に、発光素子２２のバンプ３０が樹脂シートに若干めり込む程度に、当該樹脂シートが柔らかいことが好ましい。樹脂シートがある程度柔軟であると、マウンタによって搭載された発光素子２２が、樹脂シートに仮止めされた状態になる。これにより、発光素子２２が搭載された透明フィルム４を移動させたり、透明フィルム４に透明フィルム６を重ねる際にも、発光素子２２が樹脂シートに対してずれることがなく、発光素子２２が精度よく位置決めされた状態になる。
　一般に、マウンタなどによる発光素子２２の実装は室内温度の下に行われるので、例えば樹脂シートが２５℃のときには、樹脂シートの動的粘度が、点Ａを通る破線より下の１．０Ｅ×０６ｐｏｉｓｅ以下であることが好ましい。
　透明フィルム、樹脂シート、発光素子などからなる積層体の熱圧着は、樹脂シートが最低溶融粘度になる温度より低い温度、すなわち、樹脂シートが硬化を始めるときの温度Ｍｐよりも低い温度で行われる。そして、熱圧着がなされた積層体は、所望により、樹脂シートが硬化するときの温度Ｍｐになるまで加圧された状態が維持される。このため、動的粘度が小さくなりすぎると、樹脂シートが透明フィルムの間からフローしたり、透明フィルムのフローとともに発光素子２２の位置がずれてしまうことが考えられる。したがって、樹脂シートの動的粘度は、温度Ｍｐのときには、点Ｄを通る破線よりも上の５００ｐｏｉｓｅ以上であることが好ましい。すなわち、樹脂シートの最小動的粘度は、５００ｐｏｉｓｅ以上であるとよい。
　透明フィルム４，６が、例えば、厚さ１００μｍのＰＥＴからなる場合には、温度Ｍｐは、ＰＥＴの軟化温度よりも低いことが好ましい。ＰＥＴの軟化温度は約１８０℃であるため、温度Ｍｐは、例えば８０～１６０℃である。温度Ｍｐはより好ましくは８０～１５０℃、おおよそ１００℃～１３０℃である。このため、１３０℃のときに、動的粘度が５００ｐｏｉｓｅ以上であるとよい。
　透明フィルム、樹脂シート、発光素子などからなる積層体が熱圧着されている間に、例えば図９Ｄ，図１０Ｄ，図１２Ｄに示されるように、発光素子２２の周囲に隙間なく樹脂シートを回り込ませる必要がある。このため、樹脂シートは、温度Ｍｐの時にある程度軟化していなければならない。したがって、樹脂シートの動的粘度は、温度Ｍｐのときに、点Ｃを通る破線より下の１．０Ｅ×０４ｐｏｉｓｅ以下であることが好ましい。このため、１３０℃のときに、動的粘度が１．０Ｅ×０４ｐｏｉｓｅ以下であるとよい。
　本実施形態では、積層体を熱圧着することにより、発光素子２２のバンプ３０が樹脂シートを貫通し、透明フィルムの導体パターンに到達する。このため、積層体を熱圧着する際には、樹脂シートがある程度軟化していることが必要になる。熱圧着が開始された後、積層体に所望の圧力が加わるまでに、当該積層体はおおよそ１００～１１０℃にまで加熱される。そのため、樹脂シートの動的粘度は、温度約１１０℃のときに、点Ｅを通る破線より下の５００００ｐｏｉｓｅ以下であることが好ましい。
　上記条件を考慮すると、約２５℃から約１３０℃までの動的粘度の推移が、図１３において点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅを結ぶ直線で規定された領域に含まれる曲線によって示される動的粘弾性特性を有する樹脂シートを用いて、発光モジュール１の樹脂層１３を構成するのが好ましい。
　例えば、図１３に示される例では、曲線Ｌ３，Ｌ４で示される動的粘弾性特性を有する樹脂シートを用いて、発光モジュール１の樹脂層１３を構成するのがよい。また、曲線Ｌ２で示される動的粘弾性特性を有する樹脂シートを用いることとしてもよい。動的粘弾性特性が曲線Ｌ２で示される樹脂シートは、点Ａ～点Ｅのところで、樹脂層の形成にあたって必要な動的粘度の条件を満たすからである。
　図１４は、上述した樹脂シート１３０，１３１等が硬化した後の引張貯蔵弾性率を示す図である。図１４に示されるように、例えば図１３のＬ２～Ｌ３に示される動的粘弾性を有する樹脂シートは、硬化した後、常温以下の温度から１００℃になるまでは、引張貯蔵弾性率が一定になり安定した特性を示す。また、軟化温度を超えて加熱された場合にも、一旦は急峻に粘度が低下するが、その後は引張貯蔵弾性率が一定になり安定な特性となる。このため、上述の樹脂シート１３０，１３１等を用いることで、信頼性の高い発光モジュール１を提供することができる。
　熱硬化後の樹脂シートの引張貯蔵弾性率は、－５０～１００℃において、１～１０ＧＰａの範囲にあり、引張貯蔵弾性率の変化は１桁（１０倍）以内である。
　なお、熱硬化性樹脂シートとしては、エポキシ系樹脂のほか、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エステル系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂等も同様に用いることが出来、相互に置換可能である。
　なお、図１３の動的粘弾性の測定は、測定試料として長さ２０ｍｍ、幅７ｍｍ、厚さ０．０６ｍｍの試料を用い、引張モード、昇温速度２．５℃／ｍｉｎ、測定間隔２．５ｓ、周波数１Ｈｚ、温度範囲６０～１８０℃の条件で行った。図１４の引張貯蔵弾性率の測定は、測定試料として長さ２０ｍｍ、幅７ｍｍ、厚さ０．０６ｍｍの試料を用い、引張モード、昇温速度２℃／ｍｉｎ、測定間隔３ｓ、周波数２Ｈｚ、温度範囲－６０～２８０℃の条件で行った。また、図１４の引張貯蔵弾性率は、先述したＪＩＳ　Ｋ７２４４－１（ＩＳＯ６７２１）に準拠した方法に従って求めた値である。
　なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
　本発明の発光モジュールは、表示装置や表示用ランプに適している
　１　発光モジュール
　４，６　透明フィルム
　５　導体パターン
　１３　樹脂層
　２２　発光素子
　２３　ベース基板
　２４　Ｎ型半導体層
　２５　活性層
　２６　Ｐ型半導体層
　２８，２９　電極
　３０　バンプ
　１３０～１３２　樹脂シート

Claims (19)

  1. 　第１の透光性絶縁体と、
    　前記第１の透光性絶縁体の表面に設けられた導電回路層と、
    　前記導電回路層と対向して配置される第２の透光性絶縁体と、
    　前記第１の透光性絶縁体と前記第２の透光性絶縁体との間に配置され、前記導電回路層に接続される発光素子と、
    　前記第１の透光性絶縁体と、前記第２の透光性絶縁体との間に配置される熱硬化性を有する第３の透光性絶縁体と、
    　を備える発光モジュール。
  2. 　前記第３の透光性絶縁体は、
    　熱硬化性を有し、前記導電回路層に積層される第１の樹脂層と、
    　熱硬化性又は熱可塑性を有し、前記第１の樹脂層に積層される第２の樹脂層と、
    　を有する請求項１に記載の発光モジュール。
  3. 　前記発光素子は、パッド電極と、パッド電極上に形成された導電性バンプを有する請求項１又は２に記載の発光モジュール。
  4. 　第１の透光性絶縁体と第２の透光性絶縁体の間に、発光素子を有する発光モジュールの製造方法であって、
    　前記第１の透光性絶縁体の表面に導電回路層を形成する工程と、
    　熱硬化性を有する透光性絶縁樹脂シートを配置する工程と、
    　発光素子を配置する工程と、
    　前記第１の透光性絶縁体、前記透光性絶縁樹脂シート、前記発光素子を、加熱及び加圧する工程と、
    　を含む発光モジュールの製造方法。
  5. 　前記発光素子上に、熱硬化性又は熱可塑性を有する第２の透光性絶縁樹脂シートを形成する工程を有する請求項４に記載の発光モジュールの製造方法。
  6. 　前記熱硬化性を有する前記透光性絶縁樹脂シートを、前記第１の透光性絶縁体と前記発光素子との間、又は前記発光素子と前記第２の透光性絶縁体との間に設ける請求項４又は５記載の発光モジュールの製造方法。
  7. 　熱硬化性を有する前記透光性絶縁樹脂シートを、最軟化温度より低い第１温度で加熱、加圧する第１の工程と、
    　熱硬化性を有する前記透光性絶縁樹脂シートを、最軟化温度以上の第２温度で加熱する第２の工程と、
    　を含む請求項４乃至６のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
  8. 　前記第１温度をＴ１とし、前記透光性絶縁樹脂シートが最軟化温度をＭｐとしたときに、前記第１温度Ｔ１は、条件式Ｍｐ－５０℃≦Ｔ１＜Ｍｐを満たす請求項７に記載の発光モジュールの製造方法。
  9. 　前記第２温度をＴ２としたときに、前記第２温度Ｔ２は、条件式Ｍｐ≦Ｔ２＜Ｍｐ＋５０を満たす請求項７又は８のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
  10. 　熱硬化性を有する前記透光性絶縁樹脂シートは、最軟化温度において、封止粘度［Ｃ］と流動化阻止粘度［Ｄ］の間の値（Ｃ、Ｄを含む）を有する請求項４乃至９のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
  11. 　熱硬化性を有する前記透光性絶縁樹脂シートは、常温において、仮止め粘度［Ａ］と流動化阻止粘度［Ｂ］との間の値（Ａ、Ｂを含む）を有する請求項４乃至１０のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
  12. 　熱硬化性を有する前記透光性絶縁樹脂シートは、［Ａ］～［Ｄ］に特性曲線が囲まれる請求項１１に記載の発光モジュールの製造方法。
  13. 　熱硬化性を有する前記透光性絶縁樹脂シートは、加圧、加熱温度Ｔ１において、加圧接続粘度［Ｅ］を有し、［Ａ］～［Ｅ］に特性曲線が囲まれる請求項１２に記載の発光モジュールの製造方法。
  14. 　熱硬化性を有する前記透光性絶縁樹脂シートは、８０～１６０℃の最軟化温度を有する請求項４乃至１３のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
  15. 　熱硬化性を有する前記透光性絶縁樹脂シートは、最軟化温度において、５００～１０，０００ｐｏｉｓｅの粘性を有する請求項４乃至１４のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
  16. 　熱硬化性を有する前記透光性絶縁樹脂シートは、常温において、５００～１，０００，０００ｐｏｉｓｅの粘性を有する請求項４乃至１５のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
  17. 　熱硬化性を有する前記透光性絶縁樹脂シートは、［Ａ］１，０００，０００ｐｏｉｓｅ／常温、［Ｂ］５００ｐｏｉｓｅ／常温、［Ｃ］１０，０００ｐｏｉｓｅ／最軟化温度、［Ｄ］５００ｐｏｉｓｅ／最軟化温度、の［Ａ］～［Ｄ］点で特性曲線が囲まれる請求項４乃至１６のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
  18. 　熱硬化性を有する前記透光性絶縁樹脂シートは、［Ａ］１，０００，０００ｐｏｉｓｅ／常温、［Ｂ］５００ｐｏｉｓｅ／常温、［Ｃ］１０，０００ｐｏｉｓｅ／最軟化温度、［Ｄ］５００ｐｏｉｓｅ／最軟化温度、［Ｅ］５０，０００ｐｏｉｓｅ／プレス温度、の［Ａ］～［Ｅ］点で特性曲線が囲まれる請求項４乃至１７のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
  19. 　熱硬化性を有する前記透光性絶縁樹脂シートの熱硬化後の弾性率の０～１００℃における変化が１０倍以内である請求項４乃至１８のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
PCT/JP2015/004816 2014-09-26 2015-09-18 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法 WO2016047134A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911343360.0A CN111081854B (zh) 2014-09-26 2015-09-18 发光组件
EP15845234.2A EP3200250B1 (en) 2014-09-26 2015-09-18 Production method for light-emission module
JP2016549955A JP6401285B2 (ja) 2014-09-26 2015-09-18 発光モジュールの製造方法
CN201580043739.3A CN106575695B (zh) 2014-09-26 2015-09-18 发光组件及发光组件的制造方法
US15/465,899 US10319891B2 (en) 2014-09-26 2017-03-22 Light emitting module and light emitting module manufacturing method
US16/391,744 US10777720B2 (en) 2014-09-26 2019-04-23 Light emitting module and light emitting module manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014196387 2014-09-26
JP2014-196387 2014-09-26

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/465,899 Continuation US10319891B2 (en) 2014-09-26 2017-03-22 Light emitting module and light emitting module manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016047134A1 true WO2016047134A1 (ja) 2016-03-31

Family

ID=55580681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/004816 WO2016047134A1 (ja) 2014-09-26 2015-09-18 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10319891B2 (ja)
EP (1) EP3200250B1 (ja)
JP (3) JP6401285B2 (ja)
CN (2) CN106575695B (ja)
WO (1) WO2016047134A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019179913A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 大日本印刷株式会社 自発光型表示体用の封止材シート及びそれを用いた自発光型表示体
JP2019179825A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール
JP2020038894A (ja) * 2018-09-03 2020-03-12 東芝ホクト電子株式会社 発光装置
EP3544386A4 (en) * 2016-11-17 2020-05-13 LG Electronics Inc. -1- DISPLAY DEVICE WITH LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
US11029003B2 (en) 2018-09-03 2021-06-08 Toshiba Hokuto Electronics Corporation Decoration device, method for using light emitting device, and vehicle
JP2022103204A (ja) * 2018-05-24 2022-07-07 大日本印刷株式会社 自発光型表示体
JP2023017600A (ja) * 2021-07-26 2023-02-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI648871B (zh) * 2017-09-22 2019-01-21 台灣愛司帝科技股份有限公司 發光模組的製作方法
CN111341743B (zh) * 2018-12-19 2024-04-16 株式会社村田制作所 电子部件
CN109952641B (zh) * 2019-01-15 2023-01-10 泉州三安半导体科技有限公司 发光二极管封装器件及发光装置
JP2020141102A (ja) * 2019-03-01 2020-09-03 東芝ホクト電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
WO2022044708A1 (ja) * 2020-08-27 2022-03-03 京セラ株式会社 表示装置
CN112397491A (zh) * 2020-11-16 2021-02-23 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示元件及其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07122787A (ja) * 1993-09-06 1995-05-12 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄの構造及びその製造方法
JP2008034473A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Toyoda Gosei Co Ltd 面状光源
JP2010123802A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Nitto Denko Corp 光半導体封止用シート
JP2011228463A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄ光源装置及びその製造方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08132672A (ja) * 1994-11-09 1996-05-28 Kyocera Corp 画像装置
EP1959506A2 (en) 1997-01-31 2008-08-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor light-emitting device
JP3685633B2 (ja) 1999-01-22 2005-08-24 三洋電機株式会社 チップ型発光素子およびその製造方法
JP2004237447A (ja) * 2000-02-08 2004-08-26 Ajinomoto Co Inc 接着フィルム及びこれを用いた多層プリント配線板の製造法
KR20030014374A (ko) * 2000-06-15 2003-02-17 아지노모토 가부시키가이샤 접착 필름 및 이를 사용하는 다층 프린트 배선판의 제조방법
JP3708490B2 (ja) 2001-09-12 2005-10-19 株式会社東芝 光半導体装置及びその製造方法
JP3884354B2 (ja) 2002-09-13 2007-02-21 株式会社日立製作所 コネクタと電子部品の一体モールド構造を有する電気・電子モジュール
JP2004237499A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Nippon Steel Corp 加工部耐食性に優れたプレコート金属板およびこれを用いた金属部品
JP4181897B2 (ja) * 2003-02-26 2008-11-19 三菱樹脂株式会社 半導体装置内蔵多層配線基板及びその製造方法
JP2004335916A (ja) * 2003-05-12 2004-11-25 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
WO2007013396A1 (ja) * 2005-07-27 2007-02-01 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha エピスルフィド基置換ケイ素化合物及びそれを含有する熱硬化性樹脂組成物
FR2892594B1 (fr) * 2005-10-21 2007-12-07 Saint Gobain Structure lumineuse comportant au moins une diode electroluminescente, sa fabrication et ses applications
CN101507004B (zh) * 2006-12-28 2011-04-20 日亚化学工业株式会社 发光装置、封装体、发光装置的制造方法、封装体的制造方法以及封装体制造用模具
JP2009010942A (ja) * 2007-05-29 2009-01-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電部品及びその製造方法
US7829389B2 (en) * 2007-10-05 2010-11-09 Texas Instruments Incorporated Roll-on encapsulation method for semiconductor packages
JP5346166B2 (ja) 2007-12-26 2013-11-20 積水化学工業株式会社 電子部品用接着剤
JP5107886B2 (ja) 2008-12-24 2012-12-26 日東電工株式会社 光半導体装置の製造方法
CN102640564B (zh) * 2009-09-04 2016-01-20 三键精密化学有限公司 有机el元件密封部件
JP2011089094A (ja) 2009-10-26 2011-05-06 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびその硬化体、ならびにそれを用いた光半導体装置
JP2011096901A (ja) 2009-10-30 2011-05-12 Kitagawa Ind Co Ltd フレキシブルｌｅｄモジュール及び単体ｌｅｄモジュール
JP5670051B2 (ja) * 2009-12-25 2015-02-18 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP5402804B2 (ja) * 2010-04-12 2014-01-29 デクセリアルズ株式会社 発光装置の製造方法
JP5226047B2 (ja) * 2010-08-26 2013-07-03 シャープ株式会社 半導体発光素子の実装方法
JP6166863B2 (ja) * 2010-09-13 2017-07-19 東芝ホクト電子株式会社 発光装置
CN201910421U (zh) 2010-12-01 2011-07-27 宝创科技股份有限公司 发光二极管装置的平面结构
EP2506301A2 (en) * 2011-03-31 2012-10-03 Yamaichi Electronics Co., Ltd. Luminous-body flexible board and luminous device
JP6029262B2 (ja) * 2011-04-26 2016-11-24 日本メクトロン株式会社 フレキシブル回路体
JP2012241147A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 難燃性接着剤組成物、それを用いた接着シート及びカバーレイフィルム
JPWO2013069232A1 (ja) * 2011-11-07 2015-04-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 配線板とそれを用いた発光装置及びそれらの製造方法
EP2787543B1 (en) * 2011-11-29 2017-03-22 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method for light-emitting device
JP2013120804A (ja) 2011-12-06 2013-06-17 Daicel Corp シート状カバリング剤、カバリング方法又は電子デバイスの製造方法
JP6123277B2 (ja) * 2011-12-28 2017-05-10 日立化成株式会社 樹脂組成物、樹脂組成物シート及び樹脂組成物シートの製造方法、金属箔付樹脂組成物シート、ｂステージシート、半硬化の金属箔付樹脂組成物シート、メタルベース配線板材料、メタルベース配線板、ｌｅｄ光源部材、並びにパワー半導体装置
JP6033557B2 (ja) 2012-03-06 2016-11-30 日東電工株式会社 封止シート、および、それを用いた発光ダイオード装置の製造方法
TWI499031B (zh) * 2012-03-22 2015-09-01 Kun Hsin Technology Inc 發光裝置
JP2013258209A (ja) 2012-06-11 2013-12-26 Nitto Denko Corp 封止シート、発光ダイオード装置およびその製造方法
US20150249069A1 (en) * 2012-09-25 2015-09-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
JP2014107397A (ja) 2012-11-27 2014-06-09 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法
JP2014125566A (ja) 2012-12-26 2014-07-07 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd エポキシシリコーン樹脂組成物
US8928014B2 (en) 2013-03-15 2015-01-06 Cooledge Lighting Inc. Stress relief for array-based electronic devices
KR101476687B1 (ko) * 2013-10-24 2014-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07122787A (ja) * 1993-09-06 1995-05-12 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄの構造及びその製造方法
JP2008034473A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Toyoda Gosei Co Ltd 面状光源
JP2010123802A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Nitto Denko Corp 光半導体封止用シート
JP2011228463A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄ光源装置及びその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3200250A4 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11799063B2 (en) 2016-11-17 2023-10-24 Lg Electronics Inc. Display apparatus comprising light emitting devices coupled to a wiring board with conductive adhesive
EP3544386A4 (en) * 2016-11-17 2020-05-13 LG Electronics Inc. -1- DISPLAY DEVICE WITH LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
US11189767B2 (en) 2016-11-17 2021-11-30 Lg Electronics Inc. Display apparatus comprising light emitting devices coupled to a wiring board with conductive adhesive
JP7117681B2 (ja) 2018-03-30 2022-08-15 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール
JP2019179825A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール
JP7338953B2 (ja) 2018-03-30 2023-09-05 大日本印刷株式会社 自発光型表示体用の封止材シート及びそれを用いた自発光型表示体
JP2019179913A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 大日本印刷株式会社 自発光型表示体用の封止材シート及びそれを用いた自発光型表示体
JP2022103204A (ja) * 2018-05-24 2022-07-07 大日本印刷株式会社 自発光型表示体
JP7243897B2 (ja) 2018-05-24 2023-03-22 大日本印刷株式会社 自発光型表示体
JP7256939B2 (ja) 2018-09-03 2023-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11029003B2 (en) 2018-09-03 2021-06-08 Toshiba Hokuto Electronics Corporation Decoration device, method for using light emitting device, and vehicle
JP2020038894A (ja) * 2018-09-03 2020-03-12 東芝ホクト電子株式会社 発光装置
JP2023017600A (ja) * 2021-07-26 2023-02-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7368749B2 (ja) 2021-07-26 2023-10-25 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2016047134A1 (ja) 2017-04-27
EP3200250B1 (en) 2020-09-02
CN111081854B (zh) 2023-11-17
JP6704965B2 (ja) 2020-06-03
CN106575695B (zh) 2020-01-21
CN106575695A (zh) 2017-04-19
EP3200250A4 (en) 2018-03-28
EP3200250A1 (en) 2017-08-02
JP6401285B2 (ja) 2018-10-10
US10777720B2 (en) 2020-09-15
JP7085724B2 (ja) 2022-06-17
US10319891B2 (en) 2019-06-11
CN111081854A (zh) 2020-04-28
US20170250330A1 (en) 2017-08-31
JP2020127050A (ja) 2020-08-20
JP2019033264A (ja) 2019-02-28
US20190252588A1 (en) 2019-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6704965B2 (ja) 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法
US10910539B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP6732057B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP5670051B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
CN107683534B (zh) 发光模块
CN108369980B (zh) 发光模块
US10879442B2 (en) Flexible and light-transmissible light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device
US11094859B2 (en) Light emitting apparatus
US20200279986A1 (en) Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15845234

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016549955

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2015845234

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2015845234

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE