JP2020038894A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2020038894A
JP2020038894A JP2018164946A JP2018164946A JP2020038894A JP 2020038894 A JP2020038894 A JP 2020038894A JP 2018164946 A JP2018164946 A JP 2018164946A JP 2018164946 A JP2018164946 A JP 2018164946A JP 2020038894 A JP2020038894 A JP 2020038894A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
substrate
resin
light
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018164946A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7256939B2 (ja
Inventor
直樹 田古嶋
Naoki Takojima
直樹 田古嶋
洋次郎 鑓水
Yojiro Yarimizu
洋次郎 鑓水
阿部　剛
Takeshi Abe
剛 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Hokuto Electronics Corp
Original Assignee
Toshiba Hokuto Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Hokuto Electronics Corp filed Critical Toshiba Hokuto Electronics Corp
Priority to JP2018164946A priority Critical patent/JP7256939B2/ja
Priority to US16/546,695 priority patent/US11094859B2/en
Priority to CN201910787904.6A priority patent/CN110875293B/zh
Publication of JP2020038894A publication Critical patent/JP2020038894A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7256939B2 publication Critical patent/JP7256939B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/02—Layer formed of wires, e.g. mesh
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B32B15/082—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising vinyl resins; comprising acrylic resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B32B15/09—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/308—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B32B27/365—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters comprising polycarbonates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form
    • B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
    • B32B3/08—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by added members at particular parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form
    • B32B3/10—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by a discontinuous layer, i.e. formed of separate pieces of material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form
    • B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/28—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar form; Layered products having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer comprising a deformed thin sheet, i.e. the layer having its entire thickness deformed out of the plane, e.g. corrugated, crumpled
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B2038/0052—Other operations not otherwise provided for
    • B32B2038/0076—Curing, vulcanising, cross-linking
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/44—Number of layers variable across the laminate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/10—Coating on the layer surface on synthetic resin layer or on natural or synthetic rubber layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/20—Inorganic coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/26—Polymeric coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/202—Conductive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/206—Insulating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/51—Elastic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/546—Flexural strength; Flexion stiffness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/712—Weather resistant
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

【課題】信頼性の高い発光装置を提供する。【解決手段】本実施形態に係る発光装置は、光透過性及び可撓性を有し、導電層が形成された第１基板と、光透過性及び可撓性を有し、前記第１基板に対向して配置される第２基板と、前記導電層に接続される電極を有し、前記第１基板と前記第２基板の間に配置される複数の発光素子と、光透過性及び可撓性を有し、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置され、複数の前記発光素子を保持する樹脂層と、を備え、前記樹脂層は、動的粘弾性における機械的な損失正接ｔａｎδが最大になるときの温度が１１７℃以上である。【選択図】 図1

Description

本発明の実施形態は、発光装置に関する。
近年、エネルギー消費量の削減を目的とする取り組みが重要視されている。このような背景から、消費電力が比較的少ないＬＥＤ（Light Emitting Diode）が次世代の光源として注目されている。ＬＥＤは、小型で発熱量が少なく、応答性もよい。このため、種々の光学装置に幅広く利用されている。
例えば、近年では、可撓性及び透光性を有する基板に配置されたＬＥＤを光源とする発光装置が提案されている。この種の発光装置を屋外や自動車などに使用する場合には、高温で多湿となる場所での使用に耐え得るような基板や樹脂を用いて発光装置を構成する必要がある。
特に、基板に対して発光素子を保持する樹脂は、温度や湿度が変化すると粘弾性などの特性が顕著に変化する。樹脂の粘弾性の大きな変化は、基板の導体層とＬＥＤの電極の間で生じる接触不良の要因となる。
特開２０１２−０８４８５５号公報
本発明は、上述の事情の下になされたもので、信頼性の高い発光装置を提供することを課題とする。
上述の課題を達成するために、本実施形態に係る発光装置は、光透過性及び可撓性を有し、導電層が形成された第１基板と、光透過性及び可撓性を有し、前記第１基板に対向して配置される第２基板と、前記導電層に接続される電極を有し、前記第１基板と前記第２基板の間に配置される複数の発光素子と、光透過性及び可撓性を有し、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置され、複数の前記発光素子を保持する樹脂層と、を備え、前記樹脂層は、動的粘弾性における機械的な損失正接ｔａｎδが最大になるときの温度が１１７℃以上である。
発光装置の斜視図である。 発光装置の展開斜視図である。 発光パネルの側面図である。 発光装置の平面図である。 導体層に接続される発光素子を示す図である。 発光素子の斜視図である。 フレキシブルケーブルの側面図である。 発光パネルとフレキシブルケーブルの接続要領を説明するための図である。 発光パネルの製造要領を説明するための図である。 発光パネルの製造要領を説明するための図である。 発光パネルの製造要領を説明するための図である。 ジャンクション温度と良品数との関係を示す図である。 樹脂Ａ〜Ｃの温度と貯蔵弾性率との関係を示す図である。 樹脂Ａ〜Ｃの温度と損失弾性率との関係を示す図である。 樹脂Ａ〜Ｃの温度と損失正接ｔａｎδとの関係を示す図である。 発光装置を１０００時間駆動したときの良品数を表す表を示す図である。 樹脂Ａの湿度と貯蔵弾性率との関係を示す図である。 樹脂Ａの湿度と損失正接ｔａｎδとの関係を示す図である。 樹脂Ｂの湿度と貯蔵弾性率との関係を示す図である。 樹脂Ｂの湿度と損失正接ｔａｎδとの関係を示す図である。 樹脂Ａ，Ｂの湿度と膨張率との関係を示す図である。 ジャンクション温度Ｔｊと環境温度との差ΔＴｊと、樹脂層の損失正接ｔａｎδが最大となるときのピーク温度ｔａｎδｍａｘとの関係を示す図である。 樹脂Ａ〜Ｃの曲げ応力の測定結果を表す表を示す図である。 発光パネルの変形例を示す図である。 発光パネルの変形例を示す図である。
以下、本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。説明には、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸からなるＸＹＺ座標系を用いる。
図１は本実施形態に係る発光装置１０の斜視図である。また、図２は発光装置１０の展開斜視図である。図１及び図２を参照するとわかるように、発光装置１０は、長手方向をＸ軸方向とする発光パネル２０と、発光パネル２０に接続されるフレキシブルケーブル４０と、フレキシブルケーブル４０に設けられるにコネクタ５０及び補強板６０を有している。
図３は、発光パネル２０の側面図である。図３に示されるように、発光パネル２０は、１組の基板２１，２２、基板２１，２２の間に形成された樹脂層２４、樹脂層２４の内部に配置された８個の発光素子３０１〜３０８を有している。
基板２１，２２は、長手方向をＸ軸方向とするフィルム状の部材である。基板２１，２２は、厚さが５０〜３００μｍ程度であり、可視光に対して透過性を有する。基板２１、２２の全光線透過率は、５〜９５％程度であることが好ましい。なお、全光線透過率とは、日本工業規格ＪＩＳＫ７３７５：２００８に準拠して測定された全光透過率をいう。
基板２１，２２は、可撓性を有し、その曲げ弾性率は、０〜３２０ｋｇｆ／ｍｍ２程度（ゼロを除く）である。なお、曲げ弾性率とは、ＩＳＯ１７８（ＪＩＳ Ｋ７１７１：２００８）に準拠する方法で測定された値である。
基板２１，２２の素材としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンサクシネート（ＰＥＳ）、アートン（ＡＲＴＯＮ）、アクリル樹脂などを用いることが考えられる。
上記１組の基板２１，２２のうち、基板２１の下面（図３における−Ｚ側の面）には、厚さが０．０５μｍ〜１０μｍ程度の導体層２３が形成されている。導体層２３は、例えば、蒸着膜や、スパッタ膜である。また、導体層２３は、金属膜を接着剤で貼り付けたものであってもよい。導体層２３が、蒸着膜やスパッタ膜である場合は、導体層２３の厚さは０．０５〜２μｍ程度である。導体層２３が、接着された金属膜である場合は、導体層２３の厚さは２〜１０μｍ、或いは２〜７μｍ程度である。導体層２３は、銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）などの金属材料からなる金属層である。
図４は、発光装置１０の平面図である。図４を参照するとわかるように、導体層２３は、基板２１の＋Ｙ側の外縁に沿って形成されるＬ字状の導体パターン２３ａと、基板２１の−Ｙ側の外縁に沿って配列される長方形の導体パターン２３ｂ〜２３ｉからなる。発光装置１０では、導体パターン２３ａ〜２３ｉ同士の距離Ｄは、約１００μｍ以下である。
図５は、導体パターン２３ａ，２３ｂの一部を拡大して示す図である。図５に示されるように、導体パターン２３ａ〜２３ｉは、線幅が約５μｍのラインパターンからなるメッシュパターンである。Ｘ軸に平行なラインパターンは、Ｙ軸に沿って約１５０μｍ間隔で形成されている。また、Ｙ軸に平行なラインパターンは、Ｘ軸に沿って約１５０μｍ間隔で形成されている。各導体パターン２３ａ〜２３ｉには、発光素子３０１〜３０８の電極が接続されるパッド２３Ｐが形成されている。
発光装置１０では、基板２２の方が、基板２１よりもＸ軸方向の長さが短い。このため、図３及び図４を参照するとわかるように、導体層２３を構成する導体パターン２３ａと導体パターン２３ｉの＋Ｘ側端が露出した状態になっている。
図３に示されるように、樹脂層２４は、基板２１と基板２２の間に形成された絶縁体である。樹脂層２４は、例えば、透光性を有するエポキシ系の熱硬化性樹脂からなる。樹脂層２４は、例えば、硬化前の最低溶融粘度ＶＣ１が８０〜１６０℃の範囲で１０〜１００００Ｐａ・ｓであることが好ましい。また、硬化前の最低溶融粘度ＶＣ１における温度Ｔ１（最軟化温度）に到達するまでの溶融粘度変化率ＶＲが１／１０００以下（１０００分の１以下）であることが好ましい。さらに、樹脂層２４は、加熱されることにより最低溶融粘度に到達した後、すなわち、硬化した後のビカット軟化温度Ｔ２が８０〜１６０℃の範囲であり、０℃から１００℃の範囲での引張貯蔵弾性率ＥＭが０．０１〜１０００ＧＰａであることが好ましい。また、樹脂層２４は、１００〜１６０℃のガラス転移温度Ｔ３を有することが好ましい。
溶融粘度は、ＪＩＳ Ｋ７２３３に記載の方法に従って、測定対象物の温度を５０℃〜１８０℃まで変化させて求められる値である。ビカット軟化温度は、ＪＩＳ Ｋ７２０６（ＩＳＯ ３０６：２００４）に記載のＡ５０に従って、試験荷重１０Ｎ、昇温速度５０℃／時間の条件で求められる値である。ガラス転移温度と融解温度は、ＪＩＳ Ｋ７１２１（ＩＳＯ ３１４６）に準拠した方法に従って、示差走査熱量測定により求められる値である。引張貯蔵弾性率は、ＪｌＳ Ｋ７２４４−１（ＩＳＯ ６７２１）に準拠した方法に従って求められる値である。具体的には、−１００℃から２００℃まで１分間に１℃ずつ等速昇温される測定対象物を、動的粘弾性自動測定器を用いて周波数１０Ｈｚでサンプリングすることにより得られる値である。
樹脂層２４の厚さＴ２は、導体層２３とバンプ３７，３８とが良好に接触するように、発光素子３０１〜３０８の高さＴ１より小さくなっている。樹脂層２４と密着している基板２１，２２は、発光素子３０１〜３０８が配置されている部分が外側に突出し、発光素子３０１〜３０８同士の間の部分が窪むように湾曲した形状を有している。このように基板２１，２２が湾曲することで、基板２１，２２によって、導体層２３がバンプ３７，３８に押し付けられた状態になっている。したがって、導体層２３とバンプ３７，３８との電気的な接続性やその信頼性を高めることが可能になる。
なお、樹脂層２４は、透過率が少なくとも５％以上で、熱硬化性を有する樹脂を主成分とする材料からなることが好ましいが、必要に応じて他の樹脂成分等を含んでいてもよい。熱硬化性を有する樹脂としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エステル系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂等が知られている。一方、熱可塑性樹脂としては、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、アクリル樹脂、テフロン(登録商標)樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリロニトルブダジエンスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂等が知られている。これらのうち、エポキシ系樹脂は、透光性、電気絶縁性、可撓性等に加えて、軟化時の流動性、硬化後の接着性、耐候性等に優れることから、樹脂層２４の構成材料として好適である。もちろん、樹脂層２４は、エポキシ系樹脂以外の他の樹脂から構成されていてもよい。
発光素子３０１は、正方形のＬＥＤチップである。図６に示されるように、発光素子３０１は、ベース基板３１、Ｎ型半導体層３２、活性層３３、Ｐ型半導体層３４からなる４層構造のＬＥＤチップである。発光素子３０１の定格電流は約５０ｍＡである。
ベース基板３１は、ＧａＡｓやＳｉやＧａＰ等からなる正方形板状の半導体基板である。ベース基板３１の上面には、当該ベース基板３１と同形状のＮ型半導体層３２が形成されている。そして、Ｎ型半導体層３２の上面には、順に、活性層３３、Ｐ型半導体層３４が積層されている。Ｎ型半導体層３２に積層される活性層３３、及びＰ型半導体層３４は、−Ｙ側かつ−Ｘ側のコーナー部分に切欠きが形成され、Ｎ型半導体層の表面が露出している。
Ｎ型半導体層３２の、活性層３３とＰ型半導体層３４から露出する部分には、Ｎ型半導体層３２と電気的に接続されるパッド３６が形成されている。また、Ｐ型半導体層３４の＋Ｘ側かつ＋Ｙ側のコーナー部分には、Ｐ型半導体層３４と電気的に接続されるパッド３５が形成されている。パッド３５，３６は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）からなり、上面には、バンプ３７，３８が形成されている。バンプ３７，３８は、半田からなり、半球状に整形されている。半田バンプのかわりに金（Ａｕ）や金合金などの金属バンプを用いてもよい。発光素子３０１では、バンプ３７が、カソード電極として機能し、バンプ３８が、アノード電極として機能する。
上述のように構成される発光素子３０１は、図５に示されるように、導体パターン２３ａ，２３ｂの間に配置され、バンプ３７が導体パターン２３ａのパッド２３Ｐに接続され、バンプ３８が導体パターン２３ｂのパッド２３Ｐに接続される。
他の発光素子３０２〜３０８も、発光素子３０１と同等の構成を有している。そして、発光素子３０２が、導体パターン２３ｂ，２３ｃの間に配置され、バンプ３７，３８が導体パターン２３ｂ，２３ｃにそれぞれ接続される。以下同様に、発光素子３０３は、導体パターン２３ｃ，２３ｄにわたって配置される。発光素子３０４は、導体パターン２３ｄ，２３ｅにわたって配置される。発光素子３０５は、導体パターン２３ｅ，２３ｆにわたって配置される。発光素子３０６は、導体パターン２３ｆ，２３ｇにわたって配置される。発光素子３０７は、導体パターン２３ｇ，２３ｈにわたって配置される。発光素子３０８は、導体パターン２３ｈ，２３ｉにわたって配置される。これにより、導体パターン２３ａ〜２３ｉ、及び発光素子３０１〜３０８が直列に接続される。発光パネル２０では、発光素子３０１〜３０８が、約１０ｍｍ間隔で配置される。
図７は、フレキシブルケーブル４０の側面図である。図７に示されるように、フレキシブルケーブル４０は、基材４１、導体層４３、カバーレイ４２から構成されている。
基材４１は、長手方向をＸ軸方向とする長方形の部材である。この基材４１は、例えばポリイミドからなり、上面に導体層４３が形成されている。導体層４３は、ポリイミドの上面に張り付けられた銅箔をパターニングすることにより形成される。本実施形態では、導体層４３は、図４に示されるように、２つの導体パターン４３ａ，４３ｂからなる。
図７に戻り、基材４１の上面に形成された導体層４３は、真空熱圧着されたカバーレイ４２によって被覆されている。このカバーレイ４２は、基材４１よりもＸ軸方向の長さが短い。このため、導体層４３を構成する導体パターン４３ａ，４３ｂの−Ｘ側端部は、露出した状態になっている。また、カバーレイ４２には、開口部４２ａが設けられ、この開口部４２ａからは、導体パターン４３ａ，４３ｂの＋Ｘ側端部が露出している。
図４及び図８を参照するとわかるように、上述のように構成されたフレキシブルケーブル４０は、カバーレイ４２から露出する導体パターン４３ａ，４３ｂが、発光パネル２０の導体パターン２３ａ，２３ｉの＋Ｘ側端部に接触した状態で、発光パネル２０に接着される。
図２に示されるように、コネクタ５０は、直方体状の部品で、直流電源から引き回されるケーブルが接続される。コネクタ５０は、フレキシブルケーブル４０の＋Ｘ側端部上面に実装される。コネクタ５０がフレキシブルケーブル４０に実装されると、図８に示されるように、コネクタ５０の一対の端子５０ａそれぞれが、カバーレイ４２に設けられた開口部４２ａを介して、フレキシブルケーブル４０の導体層４３を構成する導体パターン４３ａ，４３ｂに接続される。
図２に示されるように、補強板６０は、長手方向をＸ軸方向とする長方形板状の部材である。補強板６０は、例えばエポキシ樹脂やアクリルからなる。この補強板６０は、図８に示されるように、フレキシブルケーブル４０の下面に張り付けられる。このため、フレキシブルケーブル４０は、補強板６０の−Ｘ側端と発光パネル２０の＋Ｘ側端の間で屈曲させることができる。
次に、上述した発光装置１０を構成する発光パネル２０の製造方法について説明する。まず、図９に示されるように、ＰＥＴからなる基板２１を用意する。そして、基板２１の表面に、導体パターン２３ａ〜２３ｉからなる導体層２３を形成する。導体パターン２３ａ〜２３ｉの形成方法としては、例えばサブトラクト法又はアディティブ法等を用いることができる。
次に、図１０に示されるように、導体パターン２３ａ〜２３ｉが形成された基板２１の表面に熱硬化性を有する樹脂シート２４１を設ける。この樹脂シート２４１の厚みは、発光素子３０のバンプ３７，３８の高さとほぼ同等である。樹脂シート２４１の素材としては、例えば、エポキシ系樹脂が用いられる。樹脂シート２４１は、例えば熱硬化性を有するエラストマーである。樹脂シート２４１は、硬化温度まで昇温されることにより重合して、以後、熱可塑性を有するようになる。
次に、発光素子３０１〜３０８を、樹脂シート２４１の上に配置する。このとき発光素子３０のバンプ３７，３８の直下に、導体パターン２３ａ〜２３ｉのパッド２３Ｐが位置するように、発光素子３０１〜３０８が位置決めされる。
次に、図１１に示されるように、下面に熱硬化性を有する樹脂シート２４２が張り付けられた基板２２を、基板２１の上面側に配置する。樹脂シート２４２は、樹脂シート２４１と同等の性質を有する。
次に、基板２１，２２それぞれを、真空雰囲気下で加熱し圧着させる。これにより、まず、発光素子３０に形成されたバンプ３７，３８が、樹脂シート２４１を突き抜けて、導体層２３に達し、各導体パターン２３ａ〜２３ｉに電気的に接続される。また、加熱されることで柔らかくなった樹脂シート２４１，２４２が、発光素子３０の周囲に隙間なく充填される。
その後、樹脂シート２４１，２４２が硬化する。これにより、樹脂シート２４１及び樹脂シート２４２は、図３に示されるように、基板２１，２２の間で発光素子３０１〜３０８を保持する樹脂層２４となる。これにより、発光パネル２０が完成する。
上述のように構成された発光パネル２０に、図８に示されるように、補強板６０が張り付けられたフレキシブルケーブル４０を接続し、このフレキシブルケーブル４０に、コネクタ５０を実装することで、図１に示される発光装置１０が完成する。
発光装置１０では、コネクタ５０を介して、図４に示される導体パターン４３ａ，４３ｂに直流電圧が印加されると、発光パネル２０を構成する発光素子３０１〜３０８が発光する。
上述した発光装置１０の発光パネル２０は、ＰＥＴからなる基板２１，２２が、樹脂層２４によって接着される構造になっている。発光装置１０を、屋外や高温多湿になるような過酷な環境下で使用すると、温度や湿度の影響で経年劣化が比較的早く進行する。そのため、高温で多湿な環境に耐性を有する樹脂を用いて樹脂層２４を構成する必要がある。また、温度や湿度の変化が激しい場所などでは、温度の変化に応じて樹脂層２４の粘弾性も変化する。このため、樹脂層２４に保持される発光素子３０１〜３０８のバンプ３７，３８と、導体パターン２３ａ〜２３ｉのパッド２３Ｐとの間で、数十μｍ以下オーダーの電気的接合が得られている微小領域周囲を樹脂で固められた箇所において、パッド２３Ｐとバンプ３７，３８が離間して電気的接触が失われる事により、場合によっては、発光素子３０１〜３０８が消灯してしまうことがある。そこで、樹脂層２４に最適な樹脂の選定を行った。
選定にあたっては、発光装置１０を屋外で使用することを想定し、温度が８５℃で湿度が８５％の環境下で例えば１０個の発光装置１０を１０００時間点灯させた。そして、異常なく点灯を継続した発光装置１０の数を比較した。
なお、ここで使用した発光装置１０の基板２１，２２の厚さは１００μｍである。導体層２３は、銅からなり厚さは２μｍである。導体パターン２３ａ〜２３ｉは、線幅５μｍで配列ピッチが３００μｍのラインパターンからなるメッシュパターンである。樹脂層２４の厚さは１２０μｍであり、厚さが６０μの樹脂シート２４１，２４２から形成されたものである。
樹脂層２４を構成する樹脂が、それぞれ樹脂Ａ，樹脂Ｂ，樹脂Ｃからなる３種類の発光装置１０を、それぞれ１０個ずつ準備した。そして、上述した環境下で１０００時間点灯させた。
図１２は、発光装置１０を１０００時間駆動したときのジャンクション温度Ｔｊと良品数との関係を示す図である。曲線ａ１は、樹脂層２４として樹脂Ａが用いられた発光装置１０における良品数とジャンクション温度との関係を示す。曲線ｂ１は、樹脂層２４として樹脂Ｂが用いられた発光装置１０における良品数とジャンクション温度との関係を示す。曲線ｃ１は、樹脂層２４として樹脂Ｃが用いられた発光装置１０における良品数とジャンクション温度との関係を示す。
以下、便宜上、樹脂層２４が樹脂Ａからなる発光装置を発光装置１０Ａ、樹脂層２４が樹脂Ｂからなる発光装置を発光装置１０Ｂ、樹脂層２４が樹脂Ｃからなる発光装置を発光装置１０Ｃと表示する。また、温度８５℃かつ湿度８５％の環境を、ここでは試験環境と定義する。そして、この試験環境下では、ジャンクション温度Ｔｊは１０５℃であるものとする。
図１２に示されるように、試験環境下で、発光装置１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを故障なく１０００時間駆動しようとすると、発光装置１０Ａでは、発光素子の温度を１００℃以下にする必要がある。また、発光装置１０Ｂ，１０Ｃでは、発光素子の温度を１１０℃以下、１２０℃以下にする必要がある。
しかしながら、発光装置１０では、発光素子３０１〜３０８に実用的な値の電流を供給した場合には、発光素子３０１〜３０８の温度が概ね１１０℃となる。そのため、発光装置１０の樹脂層２４に用いる樹脂として樹脂Ａは不適格であるといえる。樹脂層２４の樹脂としては樹脂Ｂ及び樹脂Ｃを用いる必要がある。
図１３は、樹脂Ａ〜Ｃの温度と貯蔵弾性率（Ｐａ）との関係を示す図である。曲線ａ２は、樹脂Ａの貯蔵弾性率の温度依存性を示す。曲線ｂ２は、樹脂Ｂの貯蔵弾性率の温度依存性を示す。曲線ｃ２は、樹脂Ｃの貯蔵弾性率の温度依存性を示す。
図１３に示されるように、樹脂Ｂ，Ｃの貯蔵弾性率は−１００℃から１００℃までほぼ一定であるのに対して、樹脂Ａの貯蔵弾性率は−５０℃から１００℃にかけて低下する。そして、１００℃を超えると更に低下する度合いが高くなる。
−５０℃のときの貯蔵弾性率に対する１００℃のときの貯蔵弾性率は、樹脂Ａでは−９９．７％であった。樹脂Ｂ，樹脂Ｃでは、それぞれ−２６．１％、−２４．５％であった。したがって、図１２の結果となる高温中の試験環境下で、故障なく発光装置１０を１０００時間駆動しようとすると、樹脂層２４の−５０℃における貯蔵弾性率に対する１００℃の貯蔵弾性率が、―９９％より大きいことがよく、−５０％以上であればなおよく、−２６％以上であるのが最適である。
図１４は、樹脂Ａ〜Ｃの温度と損失弾性率（Ｐａ）との関係を示す図である。曲線ａ３は、樹脂Ａの損失弾性率の温度依存性を示す。曲線ｂ４は、樹脂Ｂの損失弾性率の温度依存性を示す。曲線ｃ３は、樹脂Ｃの損失弾性率の温度依存性を示す。図１４に示されるように、樹脂Ｂ、樹脂Ｃの損失弾性率は−５０℃から１００℃付近まではほぼ一定である。樹脂Ｂ，樹脂Ｃの損失弾性率は、１２０℃から１４０℃の間でピークとなる。
一方、樹脂Ａの損失弾性率は−５０〜４０℃まで上昇し、約４０℃付近でピークとなる。樹脂Ａの損失弾性率は、樹脂Ａが４０℃以上になると徐々に低下する。したがって、図１２の結果となる高温中の試験環境下で、発光装置１０を故障なく１０００時間駆動しようとすると、４０℃以上の温度のときに樹脂層の損失弾性率のピークがあればよい。また、１１０℃以上の温度のときに樹脂層の損失弾性率のピークがあればなおよく、１３０℃以上のときに樹脂層の損失弾性率のピークがあるのが最適である。
図１５は、樹脂Ａ〜Ｃの温度と損失正接ｔａｎδとの関係を示す図である。曲線ａ４は、樹脂Ａの損失正接ｔａｎδの温度依存性を示す。曲線ｂ４は、樹脂Ｂの損失正接ｔａｎδの温度依存性を示す。曲線ｃ４は、樹脂Ｃの損失正接ｔａｎδの温度依存性を示す。曲線ａ４に示されるように、樹脂Ａの損失正接ｔａｎδが最大になるときの温度は１１７℃である。また、樹脂Ｂの損失正接ｔａｎδが最大になるときの温度は１３５℃であり、樹脂Ｃの損失正接ｔａｎδが最大になるときの温度は１５０℃である。
樹脂Ａ〜Ｃの損失正接ｔａｎδがピークになるときの温度は、それぞれ１１７℃，１３５℃，１５０℃である。そのため、発光装置１０では、樹脂層２４を構成する樹脂の損失正接ｔａｎδが最大になるときの温度が高い程、試験環境下での不良品の発生が少ないといえる。
図１６の表は、温度が８５℃で、湿度が２５％，６０％，８５％の３つの条件１，条件２，条件３の下で、ジャンクション温度Ｔｊを１０５℃とし、それぞれ１０個の発光装置１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを１０００時間駆動したときの良品数を示す。湿度が２５％のときには、発光装置１０Ａの良品数が８個で、発光装置１０Ｂ，１０Ｃの良品数が１０であった。湿度が６０％のときには、発光装置１０Ａの良品数が６個で、発光装置１０Ｂ，１０Ｃの良品数が１０であった。湿度が８５％のときには、発光装置１０Ａの良品数が５個で、発光装置１０Ｂ，１０Ｃの良品数が１０であった。
なお、樹脂Ａ〜Ｃの温度を２５℃及び６０℃として、同様に、発光装置１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを１０００時間駆動したときには、発光装置の故障は発生しなかった。
図１６に示されるように、樹脂層２４が樹脂Ｂからなる発光装置１０は、試験環境下で１０００時間駆動したときにも、不良品の発生がない。したがって、樹脂層２４に用いる樹脂は、損失正接ｔａｎδが最大となるときの温度が１１７℃より高いことが好ましく、１３０℃以上であるときがさらに好ましく、１３５℃以上であることが最も好ましいといえる。
更に、ｔａｎδのピーク強度は、一般的に粘弾性特性の粘性の寄与度を示していることが知られている。これは弾性が弾性限界を超えた塑性変形領域における靭性が高いため、弾性限界以上でも粘弾性変化に伴う樹脂の変形量が低いことを表している。これは、樹脂の弾性が弾性限界以上になったときの温度でも、接着した樹脂が壊れにくいことを示し、図１２に示される結果となる高温高湿環境下の試験で、導体層と発光素子の電気的接続部を保持している樹脂が安定し、デバイスが故障し難いことを示す。
図１２に示される試験結果においては、ｔａｎδのピーク強度は、樹脂Ａが０．６４、樹脂Ｂ，樹脂Ｃはそれぞれ１．０１，１．０８である（図１５参照）。ｔａｎδのピーク強度が０．６４である樹脂Ａよりも、ｔａｎδのピーク強度が１以上である樹脂Ｂ、Ｃの方が故障の発生が少ない。したがって、ｔａｎδのピーク強度は０．６４以上であるのがよく、ｔａｎδのピーク強度が０．８以上であればなおよく、ｔａｎδのピーク強度が１．０１以上であることが最適である。
実施例においては、可撓性及び光透過性のある発光装置１０を発明の本旨としており、損失正接ｔａｎδが最大になるときの温度が１８０℃より大きくなると、本発明の特徴である可撓性及び光透過性を有する発光装置という特徴がやや失われることも見出した。
図１６の表に示されるように、樹脂Ａに着目すると、湿度が高くなるにつれて、１０００時間の駆動により点灯しなくなる発光装置が増加して、良品と判断される発光装置が減少していくことがわかる。
図１７は、樹脂Ａの湿度と貯蔵弾性率（Ｐａ）との関係を示す図である。曲線ａ２５は、温度が２５℃の樹脂Ａの貯蔵弾性率の湿度依存性を示す。曲線ａ６０は、温度が６０℃の樹脂Ａの貯蔵弾性率の湿度依存性を示す。曲線ａ８５は、温度が８５℃の樹脂Ａの貯蔵弾性率の湿度依存性を示す。
また、図１８は、樹脂Ａの湿度と損失正接ｔａｎδとの関係を示す図である。曲線ａｔ２５は、温度が２５℃の樹脂Ａの損失正接ｔａｎδの湿度依存性を示す。曲線ａｔ６０は、温度が６０℃の樹脂Ａの損失正接ｔａｎδの湿度依存性を示す。曲線ａｔ８５は、温度が８５℃の樹脂Ａの損失正接ｔａｎδの湿度依存性を示す。
樹脂Ａの貯蔵弾性率の湿度依存性を示す曲線ａ２５，ａ６０，ａ８５は、ほぼ一定の値となるが、樹脂Ａの損失正接ｔａｎδの温度依存性を示す曲線ａｔ２５，ａｔ６０，ａｔ８５は、樹脂Ａの温度が高い程右上がりの勾配が大きくなる。特に、曲線ａｔ８５は、右上がりの勾配が大きい。
図１６の表に示されるように、樹脂Ａの温度が８５℃と高温である場合には、湿度の増加にともなって良品の数が減ることを考えると、良品の数の減少と曲線ａｔ８５の勾配の増加には相関関係があると考えられる。そのため、高温で用いられる発光装置１０の樹脂層２４は、損失正接ｔａｎδの湿度依存性を示す曲線の勾配が小さいものを選択する必要がある。
曲線ａｔ８５では、湿度が２０％から８５％の範囲での変化量が５．５５Ｅ−０２である。また、湿度が５０％から８５％の範囲での変化量が４．２７Ｅ−０２である。曲線ａｔ８５の特性を示す樹脂Ａでは、図１６の表に示されるように、条件３の下では、１０個の発光装置１０Ａのうち５個の発光装置が良品と判断された。このため、発光装置１０の樹脂層２４を構成する樹脂においては、湿度が２０％から８５％の範囲での変化量と、湿度が５０％から８５％の範囲での変化量が、それぞれ５．５５Ｅ−０２、４．２７Ｅ−０２を下回れば、過半数の発光装置が条件３の下で良品と判断されると考えられる。
次に、樹脂Ｂに着目すると、図１６の表に示されるように、条件３の下で良品の数は１０であり、すべての発光装置１０Ｂが良品であると判断された。
図１９は、樹脂Ｂの湿度と貯蔵弾性率（Ｐａ）との関係を示す図である。曲線ｂ２５は、温度が２５℃の樹脂Ｂの貯蔵弾性率の湿度依存性を示す。曲線ｂ６０は、温度が６０℃の樹脂Ｂの貯蔵弾性率の湿度依存性を示す。曲線ｂ８５は、温度が８５℃の樹脂Ｂの貯蔵弾性率の湿度依存性を示す。
また、図２０は、樹脂Ｂの湿度と損失正接ｔａｎδとの関係を示す図である。曲線ｂｔ２５は、温度が２５℃の樹脂Ｂの損失正接ｔａｎδの湿度依存性を示す。曲線ｂｔ６０は、温度が６０℃の樹脂Ｂの損失正接ｔａｎδの湿度依存性を示す。曲線ｂｔ８５は、温度が８５℃の樹脂Ｂの貯蔵弾性率の湿度依存性を示す。
更に、湿度によって発光装置１０の良品数に差が生じることがないようにするためには、湿度の変化に対する影響が小さい、即ち湿度が変化したときの貯蔵弾性率の変化が少ない樹脂を選択する必要がある。
図１７に示される曲線ａ２５，ａ６０，ａ８５を比較すると、樹脂Ａの貯蔵弾性率は、２５℃のときよりも８５℃のときの方が小さいことがわかる。同様に、図１９に示される曲線ｂ２５，ｂ６０，ｂ８５を比較すると、樹脂Ｂの貯蔵弾性率は、２５℃のときよりも８５℃のときの方が小さいことがわかる。
湿度が２５％〜８５％の範囲では、２５℃の樹脂Ａの貯蔵弾性率の平均値から８５℃の樹脂Ａの貯蔵弾性率の平均値への低下率は、６９．１％である。また、２５℃の樹脂
Ｂの貯蔵弾性率の平均値から８５℃の樹脂Ｂの貯蔵弾性率の平均値への低下率は、３０．６％である。樹脂Ｂにおける平均値の低下率（３０．６％）は、樹脂Ａにおける平均値の低下率（６９.１％）の半分であることがわかる。
したがって、湿度が２５％〜８５％の範囲において、樹脂層２４を構成する樹脂は、２５℃のときの貯蔵弾性率の平均値から８５℃のときの貯蔵弾性率の平均値への低下率が、６９％以下であることがよく、３０．６％以下であることが最適である。
樹脂Ａの場合と同様に、樹脂Ｂの貯蔵弾性率の湿度依存性を示す曲線ｂ２５，ｂ６０，ｂ８５に示されるように、樹脂Ｂの貯蔵弾性率は、ほぼ一定の値となる。しかし、樹脂Ｂの損失正接ｔａｎδの温度依存性を示す曲線ｂｔ２５，ｂｔ６０，ｂｔ８５は、樹脂Ｂの温度が高い程右上がりの勾配がやや大きくなる。そして、曲線ｂｔ８５においては、湿度が２０％から８５％の範囲での変化量が１．３５Ｅ−０２で、湿度が５０％から８５％の範囲での変化量が９．０５Ｅ−０３である。
樹脂Ａでは温度が６０℃のときに、湿度３０％、５０％、８５％では全て良品であったことから、図１８のａｔ６０のｔａｎδの湿度が２０％から８５の範囲の変化量が２．９７Ｅ−０２以下で、湿度が５０％から８５％の範囲の変化量が１．６３Ｅ−０２以下であればなおよい。
したがって、湿度が２０％から８５％の範囲での変化量が５．５５Ｅ−０２以下で、湿度が５０％から８５％の範囲での変化量が４．２７Ｅ−０２以下の樹脂であることがよく、湿度が２０％から８５％の範囲での変化量が２．９７Ｅ−０２以下で、湿度が５０％から８５％の範囲での変化量が１．６３Ｅ−０２以下であればなおよい。更に湿度が２０％から８５％の範囲での変化量が１．３５Ｅ−０２、湿度が５０％から８５％の範囲での変化量が９．０５Ｅ−０３である樹脂を発光装置１０の樹脂層として用いることで、条件１乃至３における良品数をサンプル数の過半数以上とすることができると考えられる。
発光装置１０を構成する樹脂層２４が湿度の影響を受けて吸湿して膨張すると、樹脂層２４に保持される発光素子３０１〜３０８のバンプ３７，３８と、導体パターン２３ａ〜２３ｉのパッド２３Ｐとの間で、数十μｍ以下オーダーの電気的接合が得られている微小領域周囲を樹脂で固められた箇所において、パッド２３Ｐとバンプ３７，３８が離間して電気的接触が失われる。その結果として、導体層２３とバンプ３７，３８の接触不良が生じる。そのため、発光装置１０の信頼性を向上するためには、樹脂層２４の膨張率を所定の値以下とする必要がある。
なお、樹脂の膨張率は、ＪＩＳ Ｋ ７１９７に準拠し、［ＮＥＴＺＳＣＨ 日本製］の湿度制御型熱機械分析装置ＴＭＡによって計測された値である。
図２１は、樹脂Ａ，Ｂの湿度と膨張率との関係を示す図である。曲線ａ４は、８５℃の温度の樹脂Ａの膨張率と湿度依存性を示す。曲線ｂ４は、８５℃の温度の樹脂Ｂの膨張率と湿度依存性を示す。図１６の表に示されるように、樹脂Ａを用いた発光装置１０Ａでは、湿度が高くなるにつれて、１０００時間の駆動により点灯しなくなる発光装置が増加して、良品と判断される発光装置が減少していくことがわかる。したがって、良品の数の減少と曲線ａ４の勾配の増加には相関関係があると考えられる。
樹脂Ａの膨張率と湿度依存性を示す曲線ａ４に示されるように、湿度８５％のときには、樹脂Ａの膨張率は２１．３％となる。図１６に示されるように、膨張率が２１．３％のとき、すなわち湿度が８５％のときには、良品の数は５となる。このため、発光装置１０の樹脂層２４を構成する樹脂の膨張率を２１．３％未満とすれば、過半数のサンプルが良品と判断されると考えられる。このため、樹脂層２４の樹脂の膨張率は２１．３％未満であることが良い。
図１６より、樹脂Ａの湿度３０％における良品数は、湿度８５％における良品数より多い。このため、図２１で、湿度が４０％以下の部分をグラフに外挿すると、湿度が３０％のときの樹脂Ａの膨張率は約２．０％であることがわかる。このため、樹脂の膨張率は２．０％以下であることがなお良い。
また、樹脂Ｂの膨張率と湿度依存性を示す曲線ｂ４に示されるように、湿度８５％のときには、樹脂Ｂの膨張率は０．４５％となる。図１６に示されるように、樹脂Ｂでは、湿度８５％のときに、すべてのサンプルが良品と判断された。このため、樹脂層２４の樹脂の膨張率は０．４５％以下であることが最も好ましいと考えられる。
また、発光装置１０を使用する際には、発光装置１０の使用環境に応じた特性を有する樹脂を樹脂層２４として用いることができる。例えば、８５℃の環境下で発光装置１０を用いる場合には、発光素子のジャンクション温度Ｔｊと環境温度との差ΔＴｊ、及び、樹脂層２４の損失正接ｔａｎδが最大となるときのピーク温度ｔａｎδｍａｘの関係が、以下の式（１），（２）で示される条件を満たせばよい。なお、αは、樹脂層２４の厚さの製造バラツキ因子を示す係数である。本実施形態で開示される製造方法では、０．９２〜１．０８である。ＴＭは、環境温度（℃）である。
ｔａｎδｍａｘ≧１．６５ΔＴｊ＋α×Ｄ …（１）
α×Ｄ＝１．６５×ＴＭ−４７．５・・・（２）
図２２は、環境温度が８５℃のときの上記式（１）で示される範囲を示す。また、上記式の右辺は、図１２における良品の数が１０となるときの各樹脂の最大ジャンクション温度に対応する損失正接ｔａｎδのピーク温度を示す。したがって、上記式（１）によって示される条件を満たすように、発光装置１０の樹脂層２４の樹脂を選定することで、試験環境下で不良と判断される発光装置をほぼ零にすることができる。
以上説明したように、本実施形態に係る発光装置では、前記樹脂層の動的粘弾性における損失正接ｔａｎδが最大となるときのピーク温度ｔａｎδｍａｘと、前記発光素子のジャンクション温度と環境温度の差ΔＴとの関係が式（１）で示される樹脂を樹脂層として用いることで、信頼性の高い発光装置を提供することが可能となる。
本実施形態に係る発光装置では、動的粘弾性における損失正接ｔａｎδが最大になるときの温度が１１５℃以上である樹脂を樹脂層として用いることで、信頼性の高い発光装置を提供することが可能となる。
本実施形態に係る発光装置では、動的粘弾性における損失正接ｔａｎδの変化量が、湿度が２０％以上で８５％の以下の範囲で、５．５５Ｅ−０２以下である樹脂を樹脂層として用いることで、信頼性の高い発光装置を提供することが可能となる。
本実施形態に係る発光装置では、動的粘弾性における損失正接ｔａｎδの変化量が、湿度が５０％以上で８５％の以下の範囲で、４．２７Ｅ−０２以下である樹脂を樹脂層として用いることで、信頼性の高い発光装置を提供することが可能となる。
本実施形態に係る発光装置では、温度が８５℃で、湿度が４０％以上で８５％以下の範囲における膨張率が２１．３％未満である樹脂を樹脂層として用いることで、信頼性の高い発光装置を提供することが可能となる。
また、樹脂層２４は、発光素子３０１〜３０８の厚みが９０〜３００μｍである場合には、厚さが９０〜３５０μｍであることが好ましい。線膨張率は４０〜８０ｐｐｍ／℃の範囲であることが好ましい。ヤング率は、ポリエチレンやポリスチレンを素材とするときは、０．３〜１０ＧＰａであり、エポキシを素材とするときは２．４ＧＰａ程度であることが好ましい。弾性率は、１９００〜４９００ＭＰａであることが好ましい。ヘイズは１０％以下であることが好ましい。また、ｂ＊は、０．５〜５であることが好ましい。光線透過率は、３０％以上であることが好ましい。
発光装置１０の高温（８５℃）における使用を想定した場合、発光装置を曲げるような、外部からの応力が与えられた場合、樹脂層の曲げ応力値が高い方が発光素子を保持するための接続安定性が担保される。一方、過剰な応力に対しては、樹脂層が塑性変形して安定性が失われる。曲げ応力値が低い場合には、樹脂層が外部応力によりすぐに塑性変形してしまい、接続安定性が失われる。
高温時の曲げ応力値だけでだけでなく、夏の室内から屋外への持ち出しなど、サーマルショックが加わるような発光装置の使用では、低温から高温へ移行したときの曲げ応力の変化率の絶対値が大きいと、接続安定性が低くなる。逆に、曲げ応力の変化率が小さいと接続安定性が高くなる。
図２３は、２３℃と８５℃における、樹脂Ａ、ＢおよびＣの曲げ応力の測定結果を示す表である。測定は、厚さ１２０μｍの発光パネル２０を、間隔３ｍｍの両持ち冶具の上に置き、所定温度雰囲気中で挿入圧子を基板へ押圧したときのひずみ率と荷重を測定することにより行った。なお、図２３の表に示される曲げ応力の値は、ひずみ量が５％になったときのものである。測定には、Ｉｎｓｔｒｏｎ社製 デジタル材料試験機を使用した。
表に示されるように、樹脂Ａ，Ｂ，Ｃの２３℃における曲げ応力は、それぞれ５．９５ＭＰａ，９４．９２ＭＰａ，１２３．６７ＭＰａであった。樹脂Ｂの曲げ応力の値は、樹脂Ａの曲げ応力の値の１桁高い値となる。また、樹脂Ｃの曲げ応力の値は、樹脂Ａの曲げ応力の値の２桁高い値となる。
また、樹脂Ａ，Ｂ，Ｃの２３℃のときの曲げ応力から、８５℃のときの曲げ応力までの変化率は、それぞれ−７５．２％、−３０．８％、−１９．８％であった。すべての樹脂で変化率はマイナスの値となるが、樹脂Ａの変化率だけが突出して低下している。
したがって、樹脂層２４は、ひずみ量が５％のときの曲げ応力が、８５℃のときに１．４８ＭＰａより大きいことがよく、６５．７１ＭＰａ以上であればなおよく、９９．２ＭＰ以上であることが最適である。また、室温と同程度の温度２３℃と８５℃の間の温度範囲では、曲げ応力の変化率が−７５．２％より大きいことがよく、−３０．８％以上であればなおよく、−１９．８％以上であることが最適である。
基板２１，２２の厚さについては、基板２１，２２が薄いと発光素子３０１〜３０８のバンプが貫通してしまうことがある。そのため、以下の条件を満たすことが好ましい。基板２１，２２の厚さは、３０〜３００μｍであることが好ましい。耐熱温度は１００℃以上であることが好ましい。線膨張係数は４〜９（１／℃）であることが好ましい。弾性率は、２０００〜４１００ＭＰａであることが好ましい。光線透過率は、９０％以上であることが好ましい。熱伝導率は０．１〜０．４Ｗ／ｍ・ｋであることが好ましい。ヘイズは２％以下であることが好ましい。また、ｂ＊は、２以下であることが好ましい。
発光素子３０１〜３０８としては、厚みが３０〜１０００μｍであり、一辺の長さが３０〜３０００μｍであることが好ましい。
発光素子３０１〜３０８のバンプ３７，３８については、発光装置１０の製造過程において、熱圧着前では、高さが３０〜１００μｍである。熱圧着後では、高さが２０〜９０μｍである。バンプ３７，３８は、高さ及び幅が３０〜１００μｍの範囲であることが好ましい。
導体層２３は、厚すぎると発光装置１０の湾曲時にクラックが生じることがある。また、薄すぎると電気抵抗が高くなる。また、導体層２３を構成するメッシュパターンは、線幅が広いと透過性が失われる。また、線幅が狭いと電気抵抗が高くなったり、断線しやすくなる。導体層２３については、厚みが１０μｍ以下であることが好ましい。また、導体層２３を構成するメッシュパターンは、線幅が２０μｍ以下であることが好ましい。導体層２３のシート抵抗値は３００Ω／□以下であることが好ましい。光線透過率は、５０％以上であることが好ましい。熱伝導率は０．２〜０．３３Ｗ／ｍ・ｋであることが好ましい。ヘイズは５％以下であることが好ましい。また、ｂ＊は、２以下であることが好ましい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態によって限定されるものではない。例えば、上記各実施形態では、８個の発光素子３０を備える発光装置１０について説明した。これに限らず、発光装置１０は、９個以上或いは７個以下の発光素子を備えていてもよい。
上記実施形態では、導体層２３が金属からなる場合について説明した。これに限らず、導体層２３は、ＩＴＯなどの透明導電材料から構成されていてもよい。
上記実施形態では、樹脂層２４を２つの樹脂シート２４１，２４２から形成する場合について説明した。これに限らず、樹脂層２４は、１つの樹脂シートから形成されていてもよい。
上記実施形態では、基板２１，２２の間に隙間なく樹脂層２４が形成されている場合について説明した。これに限らず、樹脂層２４は、基板２１，２２の間に部分的に形成されていてもよい。例えば、発光素子の周囲にのみ形成されていてもよい。また、例えば図２４に示されるように、樹脂層２４は、発光素子３０を包囲するスペーサを構成するように形成されていてもよい。
上記実施形態では、発光装置１０の発光パネル２０が、基板２１，２２と、樹脂層２４を備えている場合について説明した。これに限らず、図２５に示されるように、発光パネル２０は、基板２１と発光素子３０を保持する樹脂層２４のみから構成されていてもよい。
また、発光素子のバンプ３７，３８が、導体層２３と接続されていれば、樹脂層２４は、図１１に示される樹脂シート２４１のみから構成されていてもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施しうるものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０ 発光装置
２０ 発光パネル
２１，２２ 基板
２３ 導体層
２３Ｐ パッド
２３ａ〜２３ｉ 導体パターン
２４ 樹脂層
３０ 発光素子
３１ ベース基板
３２ Ｎ型半導体層
３３ 活性層
３４ Ｐ型半導体層
３５，３６ パッド
３７，３８ バンプ
４０ フレキシブルケーブル
４１ 基材
４２ カバーレイ
４２ａ 開口部
４３ 導体層
４３ａ，４３ｂ 導体パターン
５０ コネクタ
５０ａ 端子
６０ 補強板
２４１，２４２ 樹脂シート

Claims (13)

  1. 光透過性及び可撓性を有し、導電層が形成された第１基板と、
    光透過性及び可撓性を有し、前記第１基板に対向して配置される第２基板と、
    前記導電層に接続される電極を有し、前記第１基板と前記第２基板の間に配置される複数の発光素子と、
    光透過性及び可撓性を有し、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置され、複数の前記発光素子を保持する樹脂層と、
    を備え、
    環境温度をＴＭ、ジャンクション温度をＴｊ、定数をＤ、前記樹脂層の厚さの製造ばらつき因子をαとしたときに、
    信頼性試験を行なう際の不良が発生しない一般条件として、前記樹脂層の動的粘弾性における機械的損失正接ｔａｎδが最大となるときのピーク温度ｔａｎδｍａｘと、前記発光素子のＴｊと環境温度ＴＭの差ΔＴｊとの関係が、以下の関係式で示される発光装置。
    ｔａｎδｍａｘ≧１．６５ΔＴｊ＋α×Ｄ・・・（１）
    α×Ｄ＝１．６５×ＴＭ−４７．５・・・（２）
  2. 光透過性及び可撓性を有し、導電層が形成された第１基板と、
    光透過性及び可撓性を有し、前記第１基板に対向して配置される第２基板と、
    前記導電層に接続される電極を有し、前記第１基板と前記第２基板の間に配置される複数の発光素子と、
    光透過性及び可撓性を有し、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置され、複数の前記発光素子を保持する樹脂層と、
    を備え、
    環境温度をＴＭ、ジャンクション温度をＴｊ、定数をＤ、前記樹脂層の厚さの製造ばらつき因子をαとしたときに、
    前記樹脂層を構成する樹脂は、
    動的粘弾性における機械的損失正接ｔａｎδが最大となるときのピーク温度ｔａｎδｍａｘと、前記発光素子のＴｊと環境温度ＴＭの差ΔＴｊとの関係が、以下の関係式を満たすように選択される発光装置。
    ｔａｎδｍａｘ≧１．６５ΔＴｊ＋α×Ｄ・・・（１）
    α×Ｄ＝１．６５×ＴＭ−４７．５・・・（２）
  3. 光透過性及び可撓性を有し、導電層が形成された第１基板と、
    光透過性及び可撓性を有し、前記第１基板に対向して配置される第２基板と、
    前記導電層に接続される電極を有し、前記第１基板と前記第２基板の間に配置される複数の発光素子と、
    光透過性及び可撓性を有し、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置され、複数の前記発光素子を保持する樹脂層と、
    を備え、
    前記樹脂層は、動的粘弾性における機械的な損失正接ｔａｎδが最大になるときの温度が１１７℃以上である発光装置。
  4. 前記損失正接ｔａｎδが最大になるときの温度が１８０℃以下である請求項３に記載の発光装置。
  5. 前記損失正接ｔａｎδのピーク強度が０．６４以上である請求項３又は４に記載の発光装置。
  6. 前記樹脂層は、−５０℃における貯蔵弾性率に対する１００℃の貯蔵弾性率が、−９９％で以上である請求項３乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 前記樹脂層の損失弾性率は、４０℃以上でピークとなる請求項３乃至６のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 樹脂層を構成する樹脂は、湿度が２５％〜８５％の範囲において、２５℃のときの貯蔵弾性率の平均値から８５℃のときの貯蔵弾性率の平均値への低下率が、６９％以下である請求項３乃至７のいずれか一項に記載の発光装置。
  9. 光透過性及び可撓性を有し、導電層が形成された第１基板と、
    光透過性及び可撓性を有し、前記第１基板に対向して配置される第２基板と、
    前記導電層に接続される電極を有し、前記第１基板と前記第２基板の間にマトリクス状に配置され点光源を構成する複数の発光素子と、
    光透過性及び可撓性を有し、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置され、複数の前記発光素子を保持する樹脂層と、
    を備え、
    前記樹脂層の動的粘弾性における機械的損失正接ｔａｎδの変化量は、湿度が２０％以上で８５％の以下の範囲で、５．５５Ｅ−０２以下である発光装置。
  10. 前記樹脂層の動的粘弾性における機械的損失正接ｔａｎδの変化量は、湿度が５０％以上で８５％の以下の範囲で、４．２７Ｅ−０２以下である請求項９に記載の発光装置。
  11. 前記樹脂層は、温度が８５℃であって、湿度が４０％以上で８５％以下の範囲における膨張率が２１．３％未満である請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発光装置。
  12. 前期樹脂層は、温度が８５℃であって、ひずみ量が５．０％における曲げ応力が１．４８ＭＰａ以上である請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の発光装置。
  13. 前期樹脂層は、温度２５℃におけるひずみ量５．０％における曲げ応力から、温度８５℃におけるひずみ量５．０％における曲げ応力への変化率が−７５．２％以より大きい請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の発光装置。
JP2018164946A 2018-09-03 2018-09-03 発光装置 Active JP7256939B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018164946A JP7256939B2 (ja) 2018-09-03 2018-09-03 発光装置
US16/546,695 US11094859B2 (en) 2018-09-03 2019-08-21 Light emitting apparatus
CN201910787904.6A CN110875293B (zh) 2018-09-03 2019-08-26 发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018164946A JP7256939B2 (ja) 2018-09-03 2018-09-03 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020038894A true JP2020038894A (ja) 2020-03-12
JP7256939B2 JP7256939B2 (ja) 2023-04-13

Family

ID=69640172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018164946A Active JP7256939B2 (ja) 2018-09-03 2018-09-03 発光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11094859B2 (ja)
JP (1) JP7256939B2 (ja)
CN (1) CN110875293B (ja)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011111592A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Teijin Ltd 高絶縁性フィルム
JP2011164311A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Sony Corp 光学体およびその製造方法、窓材、建具、ならびに日射遮蔽装置
JP2012084855A (ja) * 2010-09-13 2012-04-26 Toshiba Hokuto Electronics Corp 発光装置
JP2013538906A (ja) * 2010-09-22 2013-10-17 ダウ コーニング コーポレーション オルガノシロキサンブロック共重合体
US20150116985A1 (en) * 2013-10-24 2015-04-30 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device
JP2016023249A (ja) * 2014-07-22 2016-02-08 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
WO2016047134A1 (ja) * 2014-09-26 2016-03-31 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法
JP2017095639A (ja) * 2015-11-26 2017-06-01 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
WO2017154660A1 (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 株式会社カネカ ラジカル硬化性組成物およびその硬化物

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4100529B2 (ja) * 1998-12-05 2008-06-11 大日本印刷株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP4338570B2 (ja) * 2004-03-31 2009-10-07 三洋電機株式会社 素子搭載基板およびそれを用いた半導体装置
CN102199276B (zh) * 2011-03-16 2013-10-16 大连理工大学 一种led封装用含硅环氧树脂组合物及其制备方法
JP2013057000A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Mitsubishi Chemicals Corp 熱硬化性樹脂組成物、半導体デバイス用部材、及びそれを用いた半導体発光デバイス
CN105518884B (zh) * 2013-12-02 2018-10-26 东芝北斗电子株式会社 发光装置及其制造方法
JP2017163105A (ja) * 2016-03-11 2017-09-14 日東電工株式会社 光半導体素子被覆シート、密着層−被覆層付光半導体素子およびその製造方法、密着層付光半導体素子の製造方法
JP7461229B2 (ja) * 2020-06-17 2024-04-03 日東電工株式会社 封止用樹脂シート

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011111592A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Teijin Ltd 高絶縁性フィルム
JP2011164311A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Sony Corp 光学体およびその製造方法、窓材、建具、ならびに日射遮蔽装置
JP2012084855A (ja) * 2010-09-13 2012-04-26 Toshiba Hokuto Electronics Corp 発光装置
JP2013538906A (ja) * 2010-09-22 2013-10-17 ダウ コーニング コーポレーション オルガノシロキサンブロック共重合体
US20150116985A1 (en) * 2013-10-24 2015-04-30 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device
JP2016023249A (ja) * 2014-07-22 2016-02-08 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
WO2016047134A1 (ja) * 2014-09-26 2016-03-31 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法
JP2017095639A (ja) * 2015-11-26 2017-06-01 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
WO2017154660A1 (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 株式会社カネカ ラジカル硬化性組成物およびその硬化物

Also Published As

Publication number Publication date
US11094859B2 (en) 2021-08-17
US20200075874A1 (en) 2020-03-05
JP7256939B2 (ja) 2023-04-13
CN110875293A (zh) 2020-03-10
CN110875293B (zh) 2023-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6732057B2 (ja) 発光装置の製造方法
US11784290B2 (en) Light-emitting device with improved flexural resistance and electrical connection between layers, production method therefor, and device using light-emitting device
JP7085724B2 (ja) 発光モジュール
US8860045B2 (en) LED light sheet
CN108369980B (zh) 发光模块
US20100163890A1 (en) Led lighting device
US20160245491A1 (en) Transparent light emitting apparatus
JP2012084855A (ja) 発光装置
US20200279983A1 (en) Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
JP7165857B2 (ja) 発光装置
CN110323319B (zh) 发光模块及发光模块的制造方法
CN110875293B (zh) 发光装置
US10879442B2 (en) Flexible and light-transmissible light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device
TWI693449B (zh) 電子裝置與其製造方法
KR20120021901A (ko) 금속 판넬을 가지는 조명장치
CN112447688A (zh) 发光装置以及发光装置的制造方法
US20200279986A1 (en) Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
US20150054402A1 (en) Light-emission device with an oled element
CN111091764B (zh) 电子装置与其制造方法
KR20150086662A (ko) 이중층 구조의 연성인쇄회로기판을 구비한 터치패널
KR20140123828A (ko) 일체형 금속 회로기판

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210901

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20211012

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20211012

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220624

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220725

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220921

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230201

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230301

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230314

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7256939

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151