WO2016010216A1 - 유기전자소자 봉지용 유연 봉지재, 상기 봉지재에 의해 봉지된 유기전자소자 및 상기 유기전자소자의 봉지방법 - Google Patents

유기전자소자 봉지용 유연 봉지재, 상기 봉지재에 의해 봉지된 유기전자소자 및 상기 유기전자소자의 봉지방법 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a flexible encapsulation material for encapsulation of an organic electronic device, an organic electronic device encapsulated by the flexible encapsulation material, and a method of encapsulating the organic electronic device.
  • an organic electronic device having flexibility has a problem in that it can be easily degraded by reacting with moisture or oxygen molecules in an atmospheric condition.
  • an encapsulation process of the organic electronic device is required. It is done.
  • a method of encapsulating an organic electronic device includes encapsulation using a glass lead, thin film encapsulation by atomic layer deposition (ALD), laminated barrier coating lead, and encapsulation by a perfluorinated polymer.
  • ALD atomic layer deposition
  • laminated barrier coating lead encapsulation by a perfluorinated polymer.
  • perfluorinated polymer encapsulation by a perfluorinated polymer.
  • an appropriate encapsulation technology in order to mass-produce a flexible organic electronic device by a roll-to-roll process, an appropriate encapsulation technology must be accompanied, but so far, an encapsulation technology of an organic electronic device suitable for a roll-to-roll process is insignificant.
  • One aspect of the present invention while using a roll-to-roll (Roll-to-Roll) process suitable for mass production of organic electronic devices, a flexible encapsulation material that can effectively improve the life of the organic electronic device, the flexible encapsulation
  • An object of the present invention is to provide an organic electronic device encapsulated by ash and a method of encapsulating the organic electronic device.
  • An aspect of the present invention is an encapsulation material for encapsulating an organic electronic device positioned on a substrate, the encapsulation material comprising a polymer layer in which nanostructures are dispersed on one surface of a metal thin film, and the metal thin film is the organic electronic material.
  • the polymer layer Comprising a receiving portion for accommodating the device and the bonding portion for sealing facing the substrate, the polymer layer provides a flexible sealing material for encapsulating organic electronic elements formed in the receiving portion.
  • a flexible encapsulation material comprising a polymer layer in which nanostructures are dispersed on one surface of a metal thin film consisting of a receiving portion for receiving an organic electronic device and a bonding portion for sealing the substrate facing; Applying an adhesive to the junction of the metal thin film; And encapsulating the organic electronic device after the organic electronic device positioned on the substrate and the polymer layer are covered with the encapsulant and curing the organic electronic device.
  • the substrate An organic electronic device disposed on the substrate; And a flexible encapsulation material for encapsulating the organic electronic device, wherein the organic electronic device provides an organic electronic device in which a polymer layer in which a nanostructure formed on one surface of a metal thin film of the flexible encapsulation material is dispersed in contact with an organic electronic device is encapsulated.
  • the organic electronic device encapsulated using the flexible encapsulation material according to the present invention can not only use a roll-to-roll process suitable for low-cost mass production by using a flexible metal thin film, but also directly contact the organic electronic device.
  • the nanostructures dispersed in the polymer layer can effectively release the heat generated from the device to the outside, thereby improving the life of the device.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the flexible encapsulant according to an aspect of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an organic electronic device encapsulated using a flexible encapsulation material according to an aspect of the present invention.
  • FIG. 3 is a flowchart of a process of manufacturing a flexible encapsulant according to an aspect of the present invention.
  • Figure 4 shows an image of the polymer layer of the flexible encapsulation material according to an aspect of the present invention observed with an optical microscope.
  • Figure 5 is a flexible encapsulation material according to an aspect of the present invention prepared by Figure 3, shows a flexible encapsulation material prepared according to the content of the nanostructure contained in the polymer layer.
  • FIG 6 shows an example of the structure of an organic light emitting device as an example of an organic electronic device.
  • FIG. 7 is a graph showing the result of measuring the change in the external emission temperature of the device (bottom emitting light (a) and the encapsulant (top) (b)) at room temperature (25 ⁇ 26 °C).
  • FIG. 8 is a graph illustrating a result of calculating a difference between heat generated temperatures of a bottom emitting surface and an encapsulant top using the result of FIG. 7.
  • the present inventors have studied in depth the encapsulation method which can improve the efficiency while mass-producing organic electronic devices by a roll-to-roll process, and thus maintain flexibility by using a metal thin film having a certain thickness as an encapsulant.
  • the polymer layer having a thermally conductive screw structure is dispersed to suppress deterioration due to heat generation of the device, and the polymer layer is encapsulated to be in contact with the organic electronic device, the life of the device can be improved.
  • the present invention has been completed.
  • the flexible encapsulation material is an encapsulation material for encapsulating an organic electronic device positioned on a substrate, and the encapsulation material preferably includes a polymer layer having nanostructures dispersed on one surface of a metal thin film. .
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the flexible encapsulant 10 according to an aspect of the present invention, whereby the flexible encapsulant 10 of the present invention for encapsulating an organic electronic device is a metal thin film having a predetermined thickness ( 11) preferably comprises a polymer layer 12 coated on.
  • the metal thin film 11 may be formed of an accommodating part accommodating the organic electronic device and a junction part sealingly facing the substrate, and the polymer layer 12 may be formed in the accommodating part.
  • the metal thin film 11 may be embossed, engraved or flat in shape, and is not limited in any form. Meanwhile, an adhesive material may be applied to the junction part in the metal thin film.
  • the metal thin film 11 includes a non-ferrous metal foil or Fe made of at least one metal selected from the group consisting of Ni, Cu, Al, Zn, Pb, Mg, Au, Ag, Pt, W, Si, and Ta.
  • the steel (steel) may be, but is not limited thereto.
  • Fe or Fe alloy can be used, as well as ensuring the heat dissipation, using a relatively inexpensive metal, it is advantageous in terms of economics.
  • the thickness of the metal thin film is not particularly limited as long as the thickness of the metal thin film is flexible. However, if the thickness is too thin, it may not be able to maintain a flat state. Since there is a problem to be prevented, in consideration of this, it is preferable to use the metal thin film having a thickness of 30 ⁇ 300 ⁇ m.
  • Such a metal thin film is advantageous as an encapsulant in terms of flexibility, but when directly contacted with a device, short circuits may occur within the circuit, and may cause fatal defects due to physical impact. Therefore, it is necessary to prevent this, for this purpose it is preferable to include a polymer layer on one surface of the metal thin film.
  • the polymer layer 12 formed on one surface of the metal thin film 11 is to impart a role of a buffer layer to minimize physical damage such as to relieve pressure between the metal thin film and the organic electronic device, and as a curable elastic polymer. It is preferable to make.
  • the curable elastic polymer may be formed using a silicone-based polymer, polyisoprene, natural rubber, polybutadiene, polyurethane, and derivatives thereof, and these may be used alone or in combination.
  • a silicone-based polymer may be used, and more preferably poly (dimethylsiloxane) (PDMS) may be used.
  • PDMS poly (dimethylsiloxane)
  • the thickness of the said polymer layer formed from the said curable elastic polymer is not specifically limited, It can form in thickness of 5-50 micrometers.
  • nanostructure 13 having thermal conductivity in the polymer layer 12 for the purpose of further improving the heat dissipation effect of the metal thin film 11.
  • the nanostructure 13 is preferably included uniformly dispersed in the polymer layer 12, an example thereof is nanoparticles (Ag nanoparticle), carbon nanotube (carbon nanotube), carbon dot (carbon) -dot) and one or more of reduced graphene oxide (RGO). More preferably, the nanostructures may be carbon nanotubes.
  • the shape of the nanostructure is not particularly limited, but the diameter in the case of the 0-dimensional form, the length in the case of the one-dimensional form, the diameter in the case of the two-dimensional form, and the height and the perimeter in the case of the three-dimensional form are greater than the thickness of the polymer layer. It is preferable that it is small, more preferably less than 50 ⁇ m.
  • Such nanostructures are preferably contained in an amount of 0.02 to 10% by weight relative to the curable elastic polymer.
  • content of the nanostructure is less than 0.02% by weight, it is difficult to sufficiently improve the heat dissipation effect by the nanostructure, whereas when the content exceeds 10% by weight, there is a problem that the buffering effect by the polymer layer is relatively lowered. , Leakage current and short problem due to the large amount of nanostructures dispersed in the polymer layer.
  • FIG. 4 is an optical microscope observation of the polymer layer of the flexible encapsulant according to the present invention, it can be seen that the nanostructure is uniformly dispersed in the polymer.
  • Figure 5 shows a flexible encapsulation material produced by varying the content of the nanostructure contained in the polymer layer.
  • a flexible encapsulation material in which a polymer layer including a nanostructure is formed on one surface of a metal thin film may be used to encapsulate an organic electronic device on a substrate.
  • the organic encapsulation material may be formed using the flexible encapsulation material of the present invention. A method of encapsulating the electronic device will be described in detail.
  • the organic electronic device formed on the electrode stacked on the substrate may be encapsulated by accommodating the accommodating portion of the flexible encapsulant and joining the junction between the substrate or the electrode on the substrate and the flexible encapsulant.
  • the flexible encapsulant is to form a polymer layer in which nanostructures are dispersed on one surface of a metal thin film, which is preferably manufactured through the following process.
  • a polymer layer 12 by coating a polymer in which the nanostructure 13 is dispersed in a film-shaped base plate; Placing the formed polymer layer 12 so as to be bonded to an accommodating part accommodating the organic electronic device of the metal thin film 11 and then performing heat treatment; And removing the mother plate to obtain the metal thin film 11 having the polymer layer 12 uniformly patterned.
  • the heat treatment may be performed at 60 to 100 ° C. for 2 to 8 hours, preferably at 80 ° C. for 3 hours, but is not limited thereto.
  • PVC polyvinyl chloride
  • the polymer in which the nanostructure is dispersed may be prepared by dispersing and mixing the curable elastic polymer of one example and the nanostructure of one example in a solvent, and then removing the solvent, wherein the nanostructure is curable elastic It is preferable to mix in an amount of 0.02 to 10% by weight relative to the polymer.
  • each of the solvents is preferably a solvent capable of swelling a polymer chain in order to dissolve the curable elastic polymer, and a solvent capable of improving dispersibility of the nanostructure. It is preferred that each of these solvents have a high miscibility upon mixing. Organic compounds such as methanol, ethyl acetate, chloroform, dichlorobenzene, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, dimethyl formamide Solvents may be used.
  • the solvent for dispersing the nanostructure is preferably used to add a surfactant (surfactant) less than 1% by weight.
  • An example of the surfactant may be triton X-100, but is not limited thereto.
  • the polymer in which the nanostructures prepared by the dispersion are dispersed may be formed as a coating layer using a conventional solution coating method. For example, spin coating, dipping or gravure roll coating may be used. It is available.
  • the remaining regions excluding the region including the polymer layer of the metal thin film It is preferable to apply an adhesive substance to the bonding portion for sealing the substrate and facing it.
  • the bonding portion is a portion other than the portion where the organic electronic device is located and is bonded to the substrate, and there is no residue other than the adhesive, so that the bonding between the substrate and the metal thin film can be easily performed.
  • a photocurable UV epoxy resin or a thermosetting thermal resin can be used as said epoxy resin.
  • the organic electronic device positioned on the substrate and the polymer layer of the organic encapsulant are contacted with the encapsulant, and then cured.
  • the curing may further include applying heat and pressure, or applying heat and pressure before or after the curing, and is not particularly limited.
  • the laminated structure composed of the metal thin film, the polymer layer, the organic electronic device, and the substrate is further in close contact, and thus the sealing process can be completed.
  • the process of applying heat and the process of applying pressure may be performed simultaneously or separately.
  • the organic electronic device covered with the flexible encapsulant of the present invention may be passed through a roll while applying heat and pressure, but is not limited thereto.
  • the process of passing the roll may be performed at the same time as the curing process, or may be performed before and after the process of passing the roll, and may be applied in combination.
  • the present invention is an encapsulation method using a flexible encapsulation material in which a polymer layer including nanostructures is formed on one surface of a metal thin film, and thus has flexibility, so that encapsulation can be performed through a roll-to-roll process. There is an advantage.
  • an organic electronic device encapsulated with an encapsulant is provided, and the encapsulant is preferably a flexible encapsulant according to the present invention.
  • the organic electronic device encapsulated by the encapsulation method according to the present invention comprises a substrate; An organic electronic device disposed on the substrate; And a flexible encapsulation material for encapsulating the organic electronic device, wherein the flexible encapsulation material is preferably encapsulated so that a polymer layer having nanostructures formed on one surface thereof is in contact with the organic electronic device.
  • the substrate is not particularly limited, but may be used without limitation as long as it is generally used in organic electronic devices.
  • glass, a polymer film, a plastic, or the like can be used.
  • An organic electronic device may be stacked on the substrate.
  • an example of the organic electronic device may be an organic light emitting device, but is not limited thereto.
  • all of them may be applied to organic electronic devices such as OPV and OTFT.
  • the organic light emitting device 20 is described as an example, and a cross-sectional schematic diagram of the organic light emitting device sealed with the flexible encapsulation material according to the present invention is shown in FIG. 2.
  • an organic layer and an electron related layer are sequentially formed between the first electrode 22, the second electrode 28, and the first electrode 22 and the second electrode 28.
  • the organic layer may include a hole injection layer 23, a hole transport layer 24, a light emitting layer 25, and the electron-related layer may include an electron transport layer 26 and an electron injection layer 27. ) May be included.
  • the organic electronic device encapsulated using the flexible encapsulation material according to the present invention can use a roll-to-roll process suitable for low-cost mass production by using a flexible metal thin film, and the organic electronic device Nanostructures dispersed in the polymer layer directly in contact with the heat transfer to the metal thin film to the heat generated from the device can increase the heat release effect to the outside, thereby improving the life of the device.
  • a polymer in which the nanostructure is dispersed was prepared by the following method.
  • a multi-walled carbon nanotube (nanostructure) as a nanostructure After preparing a multi-walled carbon nanotube (nanostructure) as a nanostructure, it was dispersed in DMF (dimethylformamide) solution containing 1% by weight of Triton X-100. Then, after preparing PDMS (polydimethylsiloxane) as a polymer, it was mixed with THF (tetrahydrofuran) solution and swelled. Next, the nanostructure dispersion solution and the polymer swelling solution were mixed, followed by precipitation of PDMS in which carbon nanotubes (CNT) were dispersed using methanol to obtain a PDMS-CNT composite, which was then dried.
  • DMF dimethylformamide
  • THF tetrahydrofuran
  • the CNT-dispersed PDMS was mixed with a curing agent (curing agent) in a ratio of 10: 1, and then bubbles were removed for 30 minutes in a vacuum desiccator.
  • the content of CNT was 0.02% by weight, 0.1% by weight, 0.2% by weight, 0.5% by weight compared to PDMS.
  • Each prepared CNT-dispersed PDMS was coated on a PVA (Polyvinyl Alcohol) film by spin coating at 1000 rpm for 300 seconds. At this time, the polymer layer was formed to a thickness of 10 ⁇ 25 ⁇ m according to the CNT concentration.
  • the PVA film coated with the polymer layer was bonded to the center of the prepared metal thin film (Fe-Ni alloy), and then heat-treated at 100 ° C. for 6 hours using a hot plate. After the heat treatment, the PVA film was removed to prepare a flexible encapsulation material in which the polymer layer in which the nanostructures were dispersed as shown in FIG.
  • an organic electronic device was encapsulated.
  • the organic light emitting diode device was fabricated by thermal deposition in a chamber maintaining a vacuum degree of 5 ⁇ 10 -7 Torr as the organic electronic device. It was.
  • the organic light emitting diode device manufactured in (2) was encapsulated using a lamination process.
  • the UV epoxy resin is bonded to contact the substrate of the organic light emitting diode device, and then UV is exposed to light to cure the resin.
  • the polymer layer of the flexible encapsulant is present in contact with the organic light emitting diode device.
  • the positive and negative currents are flowed into the ITO anode and the Al cathode of the organic electronic device encapsulated in (3), so that the organic electronic device emits light and emits heat.
  • the degree of heat generated from the device to the outside was determined through the difference from the heat generated toward the encapsulant.
  • FIG. 7 is a graph showing a result of measuring a change in the external emission temperature of the device at room temperature (25 ° C. to 26 ° C.), and shows heat generation to the light emitting bottom (a) and the encapsulant top (b). It is shown by measuring with a thermocouple.
  • FIG. 8 is a graph illustrating a result of calculating a difference between the exothermic temperatures of the light emitting bottom and the encapsulant top measured in FIG. 7.
  • the positive temperature difference means that the heat dissipation temperature to the light emitting bottom is higher.
  • heat is retained only while the heat remains inside. It can be confirmed that it is released.
  • the heat release to the encapsulant (top) is well occurring, the heat release degree is different depending on the concentration of the nanostructure contained in the polymer. have.
  • the present invention is to control the heat release effect of the organic electronic device by controlling the content of the nanostructures.
  • the encapsulation process is easy and productivity is, of course, And, it is possible to improve the heat dissipation characteristics of the device has an effect that can effectively increase the life of the device.

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Abstract

본 발명은 유기전자소자의 봉지를 위한 유연 봉지재, 상기 유연 봉지재에 의해 봉지된 유기전자소자 및 상기 유기전자소자의 봉지방법에 관한 것이다. 본 발명에 의할 경우, 유기전자소자의 대량생산에 적합한 롤-투-롤(Roll-to-Roll) 공정을 이용하면서, 유기전자소자의 수명을 효율적으로 향상시킬 수 있는 유연 봉지재를 제공할 수 있다.

Description

유기전자소자 봉지용 유연 봉지재, 상기 봉지재에 의해 봉지된 유기전자소자 및 상기 유기전자소자의 봉지방법
본 발명은 유기전자소자의 봉지를 위한 유연 봉지재, 상기 유연 봉지재에 의해 봉지된 유기전자소자 및 상기 유기전자소자의 봉지방법에 관한 것이다.
차세대 디스플레이로써 유연성(flexibility)을 갖는 유기전자소자는 대기 조건에서 수분이나 산소 분자와 반응하여 쉽게 열화될 수 있다는 문제점이 있으며, 이를 방지하기 위한 방안으로서 상기 유기전자소자를 봉지(encapsulation)하는 공정이 행해지고 있다.
일반적으로, 유기전자소자를 봉지하는 방법으로는, 유리 리드를 사용하는 봉지, 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)에 의한 박막 봉지, 적층 베리어 코팅 리드 및 과불소화된(perfluorinated) 고분자에 의한 봉지 등 다양한 형태의 봉지법이 사용되고 있다.
한편, 최근들어 유연한 유기전자소자를 낮은 가격으로 대량생산할 수 있는 기술이 요구되고 있으며, 이를 만족하기 위하여 유기전자소자를 롤-투-롤(Roll-to-Roll) 공정에 의해 구현하는 것이 필요하게 되었다.
그러나, 상술한 봉지법들은 복잡한 공정으로 이루어져 있고, 진공 조건이 필요하며, 다층 증착으로 인해 유기전자소자의 봉지에 장시간이 소요되는 단점이 있다.
이와 같이, 유연한 유기전자소자를 롤-투-롤 공정에 의해 대량생산하기 위해서는 이에 적합한 봉지기술이 수반되어야 하나, 현재까지 롤-투-롤 공정에 적합한 유기전자소자의 봉지기술이 미미한 상태이다.
본 발명의 일 측면은, 유기전자소자의 대량생산에 적합한 롤-투-롤(Roll-to-Roll) 공정을 이용하면서, 유기전자소자의 수명을 효과적으로 향상시킬 수 있는 유연 봉지재, 상기 유연 봉지재에 의해 봉지된 유기전자소자 및 상기 유기전자소자의 봉지방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 일 측면은, 기판상에 위치하는 유기전자소자를 봉지하는 봉지재로서, 상기 봉지재는 금속 박막의 일면에 나노구조체가 분산된 고분자층을 포함하여 이루어지고, 상기 금속 박막은 상기 유기전자소자를 수용하는 수용부 및 상기 기판과 대면하여 밀봉하는 접합부로 이루어지고, 상기 고분자층은 상기 수용부에 형성되어 있는 유기전자소자 봉지용 유연 봉지재를 제공한다.
본 발명의 다른 일 측면은, 유기전자소자를 수용하는 수용부 및 기판과 대면하여 밀봉하는 접합부로 이루어진 금속 박막의 일면에 나노구조체가 분산된 고분자층을 형성한 유연 봉지재를 준비하는 단계; 상기 금속 박막의 접합부에 접착제를 도포하는 단계; 및 상기 기판 위에 위치한 유기전자소자와 상기 고분자층이 접하도록 하여 상기 봉지재로 덮은 후 상기 유기전자소자를 경화하는 단계를 포함하는 유기전자소자의 봉지방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 측면은, 기판; 상기 기판상에 배치된 유기전자소자; 및 상기 유기전자소자를 봉지하는 유연 봉지재를 포함하며, 상기 유기전자소자는 상기 유연 봉지재의 금속 박막 일면에 형성된 나노구조체가 분산된 고분자층이 유기전자소자와 접하여 봉지된 유기전자소자를 제공한다.
본 발명에 따른 유연 봉지재를 이용하여 봉지한 유기전자소자는 유연한 금속 박막을 사용함에 따라 저비용 대량생산에 적합한 롤-투-롤 공정을 이용할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 유기전자소자와 직접적으로 접하고 있는 고분자층에 분산된 나노구조체에 의해 소자에서 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출시킬 수 있으므로 소자의 수명 향상을 얻을 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 유연 봉지재의 단면을 모식화하여 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 측면에 따른 유연 봉지재를 이용하여 봉지된 유기전자소자의 단면을 모식화하여 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일 측면에 따른 유연 봉지재를 제조하는 과정의 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 일 측면에 따른 유연 봉지재의 고분자층을 광학 현미경으로 관찰한 이미지를 나타낸 것이다.
도 5는 상기 도 3에 의해 제조된 본 발명의 일 측면에 따른 유연 봉지재로서, 고분자층에 함유된 나노구조체의 함유량에 따라 제조한 유연 봉지재를 나타낸 것이다.
도 6은 유기전자소자의 일 예로 유기발광소자의 구조를 모식화하여 나타낸 것이다.
도 7은 상온(25~26℃)에서 소자(발광하는 면(bottom)(a) 및 봉지재 쪽(top)(b))의 외부 방출 온도 변화를 측정한 결과를 그래프로 나타낸 것이다.
도 8은 상기 도 7의 결과를 이용하여 발광하는 면(bottom)과 봉지재 쪽(top)의 발열 온도의 차이를 계산한 결과를 그래프로 나타낸 것이다.
[부호의 설명]
10...유연 봉지재 20...유기발광소자
11...금속 박막 21...유리기판
12...고분자층 22...제 1 전극
13...나노구조체 23...정공주입층
14...접착 물질 24...정공수송층
15...유기전자소자 25...발광층
16...애노드 26...전자수송층
17...기판 27...전자주입층
28...제2 전극
본 발명자들은 유기전자소자를 롤-투-롤 공정에 의해 대량생산하면서, 그 효율을 향상시킬 수 있는 봉지방법에 대하여 깊이 연구한 결과, 봉지재로서 일정 두께를 가지는 금속 박막을 이용하여 유연성을 유지하면서, 소자의 발열에 의한 열화현상을 억제할 수 있도록 열 전도성을 갖는 나조구조체가 분산된 고분자층을 구비하고, 이 고분자층이 상기 유기전자소자와 접하도록 봉지하는 경우, 소자의 수명 향상을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 롤-투-롤 공정에 의해 대면적 대량생산이 가능한 유기전자소자를 제공할 수 있음을 확인하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
이하, 도 1 내지 도 8을 참조하여, 본 발명의 유연 봉지재, 유기전자소자의 봉지방법 및 유기전자소자에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, 본 발명의 일 측면에 따른 유연 봉지재는, 기판상에 위치하는 유기전자소자를 봉지하는 봉지재로서, 상기 봉지재는 금속 박막의 일면에 나노구조체가 분산된 고분자층을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 유연 봉지재(10)의 단면을 모식화하여 나타낸 것으로서, 이에 따르면 유기전자소자를 봉지하기 위한 본 발명의 유연 봉지재(10)는 일정 두께의 금속 박막(11) 상에 코팅된 고분자층(12)을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 금속 박막(11)은 상기 유기전자소자를 수용하는 수용부 및 상기 기판과 대면하여 밀봉하는 접합부로 이루어지고, 상기 고분자층(12)은 상기 수용부에 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 금속 박막(11)은 그 표면이 양각 또는 음각을 가지거나 편평한 형태일 수 있으며, 어떠한 형태든지 구애받지 않는다. 한편, 상기 금속 박막 내 접합부에는 접착 물질이 도포될 수 있다.
본 발명의 유연 봉지재를 제공함에 있어서, 금속 박막을 사용함으로써 유기전자소자의 유연성을 그대로 유지할 수 있으며, 열 분산성이 우수한 금속의 성질로 인하여 소자의 수명을 향상시킬 수 있다. 또한, 대면적 생산을 위해 필수로 요구되는 롤-투-롤 공정을 이용할 수 있으므로, 생산성 측면에서 유리한 장점이 있다.
이러한 금속 박막(11)으로는 Ni, Cu, Al, Zn, Pb, Mg, Au, Ag, Pt, W, Si 및 Ta로 구성되는 그룹에서 선택된 1종 이상의 금속으로 이루어지는 비철 금속 호일 또는 Fe를 포함하는 스틸(steel) 호일일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 Fe 또는 Fe 합금을 사용할 수 있으며, 이를 이용할 경우 열 분산성의 확보는 물론이고, 상대적으로 저가의 금속을 이용하는 것인 바, 경제적인 측면에서 유리하다. 상기 Fe 합금을 금속 박막으로 이용할 경우, Fe-Ni 합금을 사용하는 것이 바람직하다.
상기한 금속 박막의 두께는 유연성을 갖는 정도의 두께라면 특별히 한정하지 아니하나, 그 두께가 너무 얇으면 편평한 상태를 유지하지 못할 수 있어 작업이 어려워지는 문제점이 있으며, 반면 너무 두꺼우면 유연성을 확보하지 못하게 되는 문제가 있으므로, 이를 고려하여 본 발명에서 상기 금속 박막은 30~300㎛의 두께를 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 금속 박막은 유연성 측면에서 봉지재로서 유리하나, 소자와 직접 접할 경우 회로 내부의 쇼트가 발생할 우려가 있으며, 물리적인 충격으로 인해 치명적인 결함을 유발할 수 있다. 따라서, 이를 방지할 필요가 있으며, 이를 위해 상기 금속 박막의 일면에 고분자층을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 금속 박막(11) 일면에 형성되는 고분자층(12)은 상기 금속 박막과 유기전자소자 간의 압력을 완화하는 등의 물리적 손상을 최소화하는 완충층의 역할을 부여하기 위한 것으로서, 경화성 탄성고분자로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 경화성 탄성고분자로는 실리콘계 고분자, 폴리이소프렌, 천연고무, 폴리부타디엔, 폴리우레탄 및 이들의 유도체를 사용하여 형성할 수 있으며, 이들은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 실리콘계 고분자를 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 폴리(디메틸실록산)(PDMS)을 사용할 수 있다.
상기 경화성 탄성고분자로부터 형성되는 상기 고분자층의 두께는 특별히 한정하는 것은 아니지만, 5~50㎛의 두께로 형성할 수 있다.
이에 더하여, 상기 금속 박막(11)의 열 분산 효과를 더욱 향상시키기 위한 목적에서 상기 고분자층(12) 내에 열 전도성을 갖는 나노구조체(13)를 포함하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 나노구조체(13)는 상기 고분자층(12) 내에 균일하게 분산되어 포함되는 것이 바람직하며, 그것의 일 예로는 나노파티클(Ag nanoparticle), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 카본닷(carbon-dot) 및 RGO(reduced graphene oxide) 중 1종 이상일 수 있다. 보다 바람직하게 상기 나노구조체는 탄소나노튜브일 수 있다.
상기한 나노구조체의 형태에 대해서 특별히 한정하는 것은 아니나, 0차원 형태의 경우 지름, 1차원 형태의 경우 길이, 2차원 형태의 경우 직경, 3차원 형태의 경우 높이와 둘레가 상기 고분자층의 두께보다 작은 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 50㎛ 미만인 것이 바람직하다.
이러한 나노구조체는 상기 경화성 탄성고분자 대비 0.02~10중량%로 함유되는 것이 바람직하다. 상기 나노구조체의 함량이 0.02중량% 미만이면 상기 나노구조체에 의한 열 방출 효과를 충분히 향상시키기 어려우며, 반면 그 함량이 10중량%를 초과하게 되면 고분자층에 의한 완충 효과가 상대적으로 저하되는 문제가 있으며, 고분자층에 분산된 다량의 나노구조체에 의한 누설 전류 및 쇼트 문제가 있다.
도 4는 본 발명에 따른 유연 봉지재의 고분자층을 광학 현미경으로 관찰한 것으로서, 고분자 내에 나노구조체가 균일하게 분산되어 있는 것을 확인할 수 있다. 또한, 도 5에는 고분자층에 함유된 나노구조체의 함유량을 달리하여 제조한 유연 봉지재를 나타낸 것이다.
상술한 바와 같이, 금속 박막의 일면에 나노구조체를 포함하는 고분자층을 형성한 유연 봉지재를 사용하여 기판 상의 유기전자소자를 봉지하는데 사용할 수 있으며, 이하에서는 본 발명의 유연 봉지재를 이용하여 유기전자소자를 봉지하는 방법에 대하여 상세히 설명한다.
간략히 설명하면, 기판 상에 적층된 전극 상부에 형성되는 유기전자소자를 상기 유연 봉지재의 수용부에 수용하고, 상기 기판 또는 상기 기판 상의 전극과 상기 유연 봉지재의 접합부를 접합함으로써 봉지할 수 있다.
구체적으로, 먼저 본 발명의 일 측면에 따른 유연 봉지재를 준비하는 것이 바람직하다.
상기 유연 봉지재는 금속 박막의 일면에 나노구조체가 분산된 고분자층을 형성한 것으로서, 이는 다음과 같은 과정을 통해 제조하는 것이 바람직하다.
보다 구체적으로, 도 3에 나타낸 바와 같이 필름형태의 모판에 나노구조체(13)가 분산된 고분자를 코팅하여 고분자층(12)을 형성하는 단계; 상기 형성된 고분자층(12)이 금속 박막(11)의 유기전자소자를 수용하는 수용부와 접합되도록 위치시킨 후 열처리하는 단계; 및 상기 모판을 제거하여 고분자층(12)이 균일하게 패터닝된 금속 박막(11)을 얻는 단계로부터 제조할 수 있다.
상기 열처리는 60~100℃에서 2~8시간 동안 실시할 수 있으며, 바람직하게는 80℃에서 3시간 실시할 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
이때, 상기 필름형태의 모판으로는 상대적으로 금속 박막에 비해 고분자와의 결합력이 약한 물질을 사용하는 것이 바람직하며, 예컨대 폴리염화비닐(polyvinyl chloride, PVC)을 사용하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 나노구조체가 분산된 고분자는 앞서 언급한 일 예의 경화성 탄성고분자와 일 예의 나노구조체를 각각 용매에 분산시켜 혼합한 후, 상기 용매를 제거함으로써 제조할 수 있으며, 이때 상기 나노구조체는 경화성 탄성고분자 대비 0.02~10중량%의 함량으로 혼합하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 각각의 용매로는 상기 경화성 탄성고분자를 용해시키기 위하여 고분자 체인(chain)을 팽윤(swelling)시킬 수 있는 용매인 것이 바람직하며, 또한 상기 나노구조체의 분산성을 향상시킬 수 있는 용매인 것이 바람직하며, 이들 각각의 용매는 혼합시 높은 혼화성을 갖는 것이 바람직하다. 예컨대, 메탄올(methanol), 에틸 아세테이트(ethyl acetate), 클로로포름(chloroform), 디클로로벤젠(dichlorobenzene), 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran), 디메틸 설폭사이드(dumethyl sulfoxide), 디메틸 포름아마이드(dimethyl formamide)와 같은 유기 용매를 사용할 수 있다. 한편, 상기 나노구조체를 분산시키기 위한 용매에는 계면활성제(surfactant)를 1중량% 미만으로 첨가하여 사용하는 것이 바람직하다. 상기 계면활성제의 일 예로는 트리톤 X-100(triton X-100)을 사용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기에 의해 제조된 나노구조체가 분산된 고분자는 통상의 용액 코팅방법을 이용하여 코팅층으로 형성할 수 있으며, 예컨대 스핀 코팅(spin coating), 디핑(dipping) 또는 그라비아 롤 코팅(gravure roll coating) 방법을 이용할 수 있다.
상기한 바에 따라 준비된 금속 박막의 일면에 나노구조체가 분산된 고분자층을 형성한 유연 봉지재를 이용하여 유기전자소자를 봉지하기에 앞서, 상기 금속 박막의 고분자층을 포함하는 영역을 제외한 나머지 영역 즉, 기판과 대면하여 밀봉하기 위한 접합부에 접착 물질을 도포하는 것이 바람직하다.
상기 접합부는 상기 유기전자소자가 위치한 부분을 제외한 나머지 부분이면서 기판과 접합하는 부분으로서, 상기 접착제 이외의 어떠한 잔류물도 없으므로 기판과 금속 박막 간의 결합이 용이하게 이루어질 수 있다.
상기 접착 물질로는 특별히 한정하는 것은 아니나, 에폭시 레진을 사용하는 것이 바람직하며, 상기 에폭시 레진으로는 광 경화성 UV 에폭시 레진 또는 열 경화성 thermal 레진을 사용할 수 있다.
이후, 기판 위에 위치한 유기전자소자와 상기 유기 봉지재의 고분자층이 접하도록 하여 상기 봉지재로 덮은 다음, 이를 경화하는 것이 바람직하다.
상기 경화하는 단계는 열 및 압력을 가하거나, 상기 경화하는 단계 이전 또는 이후에 열 및 압력을 가하는 공정을 더 포함할 수 있으며, 특별히 한정하지 않는다.
상기와 같은 경화처리로서 열 및 압력을 가하게 되면 금속 박막, 고분자층, 유기전자소자, 기판으로 이루어진 적층 구조가 더욱 밀착하게 되어, 봉지공정을 마무리 할 수 있다. 여기서, 열을 가하는 공정과 압력을 가하는 공정은 동시에 수행할 수도 있고, 분리해서 수행할 수도 있다.
상기한 바와 같이 열 및 압력을 가하면서 본 발명의 유연 봉지재로 덮은 유기전자소자를 롤(roll)을 지나도록 할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 롤을 지나가는 공정은 경화공정과 동시에 수행되거나, 롤을 지나가는 공정의 전후에 경화공정을 수행할 수 있으며, 이를 복합적으로 적용할 수도 있다.
본 발명은 금속 박막의 일면에 나노구조체를 포함하는 고분자층이 형성된 유연 봉지재를 이용한 봉지 방법으로서, 유연성이 있으므로 롤-투-롤(Roll-to-Roll) 공정을 통해 봉지과정을 수행할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 다른 일 측면으로서, 봉지재로 봉지된 유기전자소자를 제공하며, 상기 봉지재는 본 발명에 따른 유연 봉지재인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 봉지방법에 의해 봉지된 유기전자소자는 기판; 상기 기판상에 배치된 유기전자소자; 및 상기 유기전자소자를 봉지하는 유연 봉지재를 포함하며, 상기 유연 봉지재는 일면에 형성된 나노구조체가 분산된 고분자층이 유기전자소자와 접하도록 봉지된 것이 바람직하다.
상기 기판은 특별히 한정하는 것은 아니나, 유기전자소자에 있어서 일반적으로 사용되는 것이라면 제한없이 사용될 수 있다. 예컨대, 유리, 고분자 필름, 플라스틱 등을 사용할 수 있다.
상기한 기판 위에는 유기전자소자가 적층될 수 있다. 이때, 유기전자소자의 일 예로는 유기발광소자를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 일 예로서 OPV, OTFT 등의 유기전자소자 등에도 모두 적용 가능하다.
본 발명에서는 유기발광소자(20)를 예를들어 설명하며, 상기 유기발광소자를 본 발명에 따른 유연 봉지재로 봉지한 단면 모식도를 도 2에 나타내었다.
상기 유기전자소자는 도 6에 나타낸 바와 같이, 제1 전극(22), 제2 전극(28) 및 상기 제1 전극(22)과 상기 제2 전극(28) 사이에 유기층과 전자관련층이 차례로 구비될 수 있으며, 이때 상기 유기층으로는 정공주입층(23), 정공수송층(24), 발광층(25)을 포함할 수 있으며, 상기 전자관련층으로는 전자수송층(26) 및 전자주입층(27)을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유연 봉지재를 이용하여 봉지한 유기전자소자는 유연한 금속 박막을 사용함에 따라 저비용 대량생산에 적합한 롤-투-롤 공정을 이용할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 유기전자소자와 직접적으로 접하고 있는 고분자층에 분산된 나노구조체가 소자에서 발생하는 열을 금속 박막쪽으로 전달하여 외부로의 열 방출 효과를 높일 수 있으므로 소자의 수명 향상을 얻을 수 있는 효과가 있다.
이하, 실시예를 참조하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지는 않는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
(실시예)
(1) 유연 봉지재 제조
본 발명에 따른 유연 봉지재를 제조하기 위하여, 먼저 나노구조체가 분산된 고분자를 다음과 같은 방법으로 제조하였다.
나노구조체로서 다중벽 탄소나노튜브(multi walled carbon nanotube)를 준비한 후, 이를 트리톤 X-100이 1중량% 첨가된 DMF(dimethylformamide) 용액에 분산시켰다. 그리고, 고분자로서 PDMS(polydimethylsiloxane)를 준비한 후, 이를 THF(tetrahydrofuran) 용액과 혼합하여 팽윤시켰다. 다음으로, 상기 나노구조체 분산 용액과 고분자 팽윤 용액을 혼합한 후, 메탄올을 이용하여 탄소나노튜브(CNT)가 분산된 PDMS를 침전시켜 PDMS-CNT 합성물을 얻은 후 이를 건조시켰다. 그 후, 상기 CNT가 분산된 PDMS를 경화제(curing agent)와 10:1의 비율로 혼합한 뒤, 진공 데시케이터(decicator) 내에서 30분간 기포를 제거하였다. 이때, CNT의 함량은 PDMS 대비 0.02중량%, 0.1중량%, 0.2중량%, 0.5중량%가 되도록 하였다.
상기 제조된 각각의 CNT가 분산된 PDMS를 PVA(Polyvinyl Alcohol) 필름 위에 1000rpm으로 300초간 스핀코팅법으로 코팅하였다. 이때, CNT 농도에 따라 10~25㎛의 두께로 고분자층이 형성되었다. 상기 고분자층이 코팅된 PVA 필름을 준비된 금속 박막(Fe-Ni 합금)의 중앙에 접합한 다음, 핫 플레이트(hot plate)를 이용하여 100℃에서 6시간 동안 열처리를 행하였다. 상기 열처리 후, PVA 필름을 제거하여 도 3의 (e)와 같이 나노구조체가 분산된 고분자층이 패터닝된 유연 봉지재를 제조하였다.
(2) 유기전자소자의 제작
상기에서 제조한 유연 봉지재의 특성을 확인하기 위하여, 유기전자소자를 봉지하고자 하였으며, 이때 유기전자소자로서 유기발광다이오드 소자를 5×10-7Torr의 진공도를 유지하는 챔버 내에서 열증착 방법으로 제작하였다.
먼저, ITO가 코팅된 유리 기판을 준비한 후, 그 위에 AI4083을 50nm 두께로 스핀코팅하여 박막을 형성한 후, 이를 150℃에서 30분간 열처리한 후 미리 준비된 진공 챔버에 넣어주었다. 이어서, TAPC(15nm), TcTa:3%Ir(ppy)2(acac)(5nm), CBP:4%Ir(ppy)2(acac)(5nm), TPBI(55nm), LiF(1nm) 및 Al(100nm)를 순차적으로 열증착하여 유기발광다이오드 소자를 제작하였다.
(3) 유기전자소자의 봉지
상기 (1)에서 제조한 각각의 유연 봉지재를 이용하여 상기 (2)에서 제작한 유기발광다이오드 소자를 라미네이션(lamination) 공정을 이용하여 봉지하였다.
먼저, 상기 유연 봉지재의 접합부에 UV 에폭시 레진을 도포한 후, 상기 UV 에폭시 레진이 유기발광다이오드 소자의 기판과 접하도록 접합한 후, 압력이 가해진 상태에서 UV를 노광하여 상기 레진을 경화시켰다. 이때, 상기 유연 봉지재의 고분자층은 상기 유기발광다이오드 소자와 접한 상태로 존재한다.
(4) 봉지된 유기전자소자의 열 방출 특성 확인
상기 (3)에서 봉지된 유기전자소자의 ITO 애노드에 (+), Al 캐소드에 (-) 전류를 흘려줌으로써, 상기 유기전자소자가 발광하는 동시에 열을 방출하도록 하였다. 이때, 봉지된 소자에서 발광하는 면으로의 발열은 동일한 조건을 가지므로, 봉지재쪽으로의 발열과의 차이를 통해 소자에서 외부로의 발열 정도를 확인하였다.
비교를 위해, 상기 동일한 유기전자소자를 유리로 봉지한 경우와, 나노구조체를 포함하지 않고 PDMS만으로 금속 박막 상에 고분자층을 형성한 봉지재로 봉지한 경우를 함께 확인하였다.
도 7은 상온(25~26℃)에서 소자의 외부 방출 온도 변화를 측정한 결과를 그래프로 나타낸 것으로서, 발광하는 면(bottom)(a)과 봉지재 쪽(top)(b)으로의 발열을 열전대(thermocouple)로 측정하여 나타내었다.
도 8은 상기 도 7에서 측정한 발광하는 면(bottom)과 봉지재 쪽(top)의 발열 온도의 차이를 계산한 결과를 그래프로 나타낸 것이다.
도 8에서 온도 차이가 (+)를 보이는 것은 발광하는 면(bottom)으로의 열 방출 온도가 더 높은 것을 의미하는데, 유리를 이용하여 봉지한 경우 내부에 열이 머물러 있으면서 주로 발광하는 쪽으로만 열이 방출된다는 것을 확인할 수 있다.
반면, 본 발명에 따른 유연 봉지재를 이용하는 경우에는 봉지재 쪽(top)으로의 열 방출이 잘 일어나는 것을 확인할 수 있으며, 이때 고분자 내에 함유되는 나노구조체의 농도에 따라 열 방출 정도가 다른 것을 확인할 수 있다.
특히, 나노구조체로서 CNT를 0.1중량%로 함유하는 경우 가장 효과적인 발열 특성을 나타낸 것을 확인할 수 있다. 다만, CNT의 함량만이 발열 특성에 영향을 미쳤다기 보다는 CNT의 분산도, 나노구조체의 종류에 따라 얻을 수 있는 발열 효과가 다를 수 있음은 통상의 기술자라면 누구라도 알 수 있을 것이다.
이를 통해 볼 때, 본 발명은 상기 나노구조체의 함량을 조절함으로써 유기전자소자의 열 방출 효과를 조절할 수 있는 효과가 있는 것이다.
한편, CNT의 농도에 따른 봉지된 유기전자소자의 수명을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
표 1
CNT 농도(중량%) 0% 0.02% 0.1% 0.2% 0.5%
수명 (hour)(half life time) 110h 112h 114h 120h 130h
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 나노구조체의 농도가 증가할수록 유기전자소자의 수명이 점차적으로 증가하는 것을 확인할 수 있다.
이러한 결과로 볼 때, 본 발명의 봉지재 즉, 금속 박막의 일면에 나노구조체를 포함하는 고분자층이 코팅된 유연 봉지재를 이용하여 유기전자소자를 봉지하는 경우, 봉지과정이 용이하여 생산성은 물론이고, 소자의 열 방출 특성을 향상시킬 수 있어 소자의 수명을 효과적으로 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (11)

  1. 기판상에 위치하는 유기전자소자를 봉지하는 봉지재로서,
    상기 봉지재는 금속 박막의 일면에 나노구조체가 분산된 고분자층을 포함하여 이루어지고,
    상기 금속 박막은 상기 유기전자소자를 수용하는 수용부 및 상기 기판과 대면하여 밀봉하는 접합부로 이루어지고, 상기 고분자층은 상기 수용부에 형성되어 있는 유기전자소자 봉지용 유연 봉지재.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 박막은 Ni, Cu, Al, Zn, Pb, Mg, Au, Ag, Pt, W, Si 및 Ta로 구성되는 그룹에서 선택된 1종 이상의 금속으로 이루어지는 비철 금속 호일 또는 Fe를 포함하는 스틸(steel) 호일로 이루어지고, 30~300㎛의 두께를 갖는 것인, 유기전자소자 봉지용 유연 봉지재.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 고분자층은 실리콘계 고분자, 폴리이소프렌, 천연고무, 폴리부타디엔, 폴리우레탄 및 이들의 유도체 중에서 선택된 1종 이상의 경화성 탄성고분자로 이루어지고, 5~50㎛의 두께를 갖는 것인, 유기전자소자 봉지용 유연 봉지재.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 나노구조체는 나노파티클(Ag nanoparticle), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 카본닷(carbon-dot) 및 RGO(reduced graphene oxide) 중 1종 이상인 것인, 유기전자소자 봉지용 유연 봉지재.
  5. 유기전자소자를 수용하는 수용부 및 기판과 대면하여 밀봉하는 접합부로 이루어진 금속 박막의 일면에 나노구조체가 분산된 고분자층을 형성한 유연 봉지재를 준비하는 단계;
    상기 금속 박막의 접합부에 접착제를 도포하는 단계; 및
    상기 기판 위에 위치한 유기전자소자와 상기 고분자층이 접하도록 하여 상기 봉지재로 덮은 후 상기 유기전자소자를 경화하는 단계를 포함하는 유기전자소자의 봉지방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 금속 박막의 일면에 나노구조체가 분산된 고분자층을 형성한 봉지재는,
    필름형태의 모판에 나노구조체가 분산된 고분자를 코팅하여 고분자층을 형성하는 단계; 상기 형성된 고분자층이 상기 금속 박막의 유기전자소자를 수용하는 수용부와 접합되도록 위치시킨 후 열처리하는 단계; 및 상기 모판을 제거하여 고분자층이 균일하게 패터닝된 금속 박막을 얻는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 유기전자소자의 봉지방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 나노구조체가 분산된 고분자는 경화성 탄성고분자와 나노구조체를 각각 용매에 분산시켜 혼합한 후 상기 용매를 제거함으로써 얻는 것인, 유기전자소자의 봉지방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 나노구조체는 상기 경화성 탄성고분자 대비 0.02~10중량%로 포함하는 것인, 유기전자소자의 봉지방법.
  9. 제 5항에 있어서,
    상기 경화하는 단계는 열 및 압력을 가하거나, 상기 경화하는 단계 이전 또는 이후에 열 및 압력을 가하는 공정을 더 포함하는 것인, 유기전자소자의 봉지방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 열 및 압력을 가하면서 유연 봉지재로 덮은 유기전자소자를 롤(roll)을 지나도록 하는 것인, 유기전자소자의 봉지방법.
  11. 기판; 상기 기판상에 배치된 유기전자소자; 및 상기 유기전자소자를 봉지하는 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 유연 봉지재를 포함하며,
    상기 유기전자소자는 상기 유연 봉지재의 금속 박막 일면에 형성된 나노구조체가 분산된 고분자층이 유기전자소자와 접하여 봉지된 유기전자소자.
PCT/KR2015/000380 2014-07-15 2015-01-14 유기전자소자 봉지용 유연 봉지재, 상기 봉지재에 의해 봉지된 유기전자소자 및 상기 유기전자소자의 봉지방법 Ceased WO2016010216A1 (ko)

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