WO2015107575A1 - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2015107575A1
WO2015107575A1 PCT/JP2014/004805 JP2014004805W WO2015107575A1 WO 2015107575 A1 WO2015107575 A1 WO 2015107575A1 JP 2014004805 W JP2014004805 W JP 2014004805W WO 2015107575 A1 WO2015107575 A1 WO 2015107575A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
cluster
pixel
analog
digital
converter
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/004805
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
天一 余
寿一 人見
Original Assignee
パナソニックIpマネジメント株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニックIpマネジメント株式会社 filed Critical パナソニックIpマネジメント株式会社
Priority to JP2015557585A priority Critical patent/JPWO2015107575A1/ja
Publication of WO2015107575A1 publication Critical patent/WO2015107575A1/ja
Priority to US14/877,804 priority patent/US20160028978A1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/63Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • H04N25/671Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
    • H04N25/677Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/767Horizontal readout lines, multiplexers or registers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/772Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M3/00Conversion of analogue values to or from differential modulation
    • H03M3/30Delta-sigma modulation
    • H03M3/39Structural details of delta-sigma modulators, e.g. incremental delta-sigma modulators
    • H03M3/436Structural details of delta-sigma modulators, e.g. incremental delta-sigma modulators characterised by the order of the loop filter, e.g. error feedback type
    • H03M3/438Structural details of delta-sigma modulators, e.g. incremental delta-sigma modulators characterised by the order of the loop filter, e.g. error feedback type the modulator having a higher order loop filter in the feedforward path
    • H03M3/454Structural details of delta-sigma modulators, e.g. incremental delta-sigma modulators characterised by the order of the loop filter, e.g. error feedback type the modulator having a higher order loop filter in the feedforward path with distributed feedback, i.e. with feedback paths from the quantiser output to more than one filter stage

Definitions

  • the present disclosure relates to an imaging device used for a digital camera, a digital video camera, and the like.
  • Patent Document 1 discloses a solid-state imaging device that reduces vertical stripe noise.
  • the technique disclosed in Patent Document 1 is a technique for reducing vertical stripe noise in a solid-state imaging device including a column type AD converter corresponding to a column pixel, and is located in an optical black portion outside an effective image area. The pixel signal in the effective image area is corrected using the black level signal of the pixel column in the direction.
  • the present disclosure provides an imaging apparatus that improves variations in the output of a column type AD converter.
  • the present invention provides an imaging apparatus that improves vertical stripes due to this variation.
  • An imaging apparatus is connected to a plurality of pixels arranged in two dimensions that output a photoelectrically converted pixel signal, and an output of a pixel in a first pixel column included in the plurality of pixels, and the output A first analog-to-digital converter that converts a signal into a digital signal; and an additional analog-to-digital converter to which the outputs of the pixels of the first pixel column are connected.
  • the imaging device is effective in suppressing variations in the output of the column type AD converter. In particular, it is effective in improving vertical stripes due to variations in the output of the column type AD converter.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an image sensor in the first embodiment.
  • FIG. 2 is a block diagram illustrating the overall configuration of the imaging apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a pixel circuit diagram of the imaging device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration of the AD converter of the imaging apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a block diagram illustrating an overall configuration of an imaging apparatus in which the imaging apparatus according to Embodiment 1 is used.
  • FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of an image sensor according to a modification of the first embodiment.
  • FIG. 7 is a block diagram illustrating a configuration of the image sensor according to the second embodiment.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an image sensor in the first embodiment.
  • FIG. 2 is a block diagram illustrating the overall configuration of the imaging apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a pixel circuit diagram of the imaging device according to the
  • FIG. 8 is a block diagram illustrating the configuration of the image sensor according to the third embodiment.
  • FIG. 9 is a circuit diagram illustrating a pixel circuit diagram of the image sensor according to the third embodiment.
  • FIG. 10 is a block diagram showing the configuration of the cluster and the correction processing circuit in the fourth embodiment.
  • FIG. 11 is a block diagram showing the configuration of the cluster and the correction processing circuit in the fifth embodiment.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of the image sensor 100 according to Embodiment 1 of the present technology.
  • a column type AD converter corresponding to a column pixel is used as the AD converter.
  • the image sensor 100 includes a plurality of pixels 112 arranged in a matrix, and a corresponding column analog-digital converter 113 (hereinafter referred to as “column analog-digital converter 113”) is provided for each column of the matrix of pixels 112. Simply referred to as an AD converter or ADC).
  • An arbitrary column of the matrix formed by the pixels 112 is a pixel column 111.
  • the plurality of pixels 112 and the plurality of ADCs 113 are divided into a first cluster 110 and a second cluster 120.
  • the cluster is defined as a group of pixels of a plurality of columns and a plurality of AD converters corresponding to the plurality of columns.
  • pixels or AD converters in one cluster have, for example, common features such as close arrangement on the layout, common power supply (V_ADC in FIG. 1), common GND, and the like.
  • V_ADC in FIG. 1 common power supply
  • GND common GND
  • the clock used for the AD converters in the cluster may be common.
  • “common” means that power, GND, or clock is distributed to each cluster from one supply source, and power, GND, or clock distributed to the cluster is connected in common. ing.
  • the number of the plurality of columns constituting the cluster is determined by restrictions such as a circuit surface and a layout surface. For example, a case of 64 to 256 columns is assumed, but the number of columns is not necessarily limited to a power of 2. In the case where the whole is divided into upper and lower parts, it is assumed that a large value such as 960 or 1920 is taken.
  • the first cluster 110 and the second cluster 120 show an example in which the entire rectangular area is divided into right and left to form two rectangular areas.
  • the power supply and GND are distributed and supplied to each cluster, and the power supply and GND are common to the supply destination cluster.
  • first cluster 110 and the second cluster 120 are divided into two clusters.
  • first cluster 110 and the second cluster 120 are divided into three or more clusters, There can also be a configuration arranged side by side in parallel.
  • the first cluster 110 includes a plurality of pixel columns including the first pixel column 111 and a plurality of AD converters including the first AD converter 113.
  • the pixel column 111 has a plurality of pixels including the first pixel 112.
  • the second cluster 120 includes a plurality of AD converters including a plurality of pixel columns and an additional AD converter 121.
  • the pixels of the plurality of pixel columns including the pixel column 111 are connected to the plurality of AD converters including the AD converter 113, respectively.
  • the pixels in the plurality of pixel columns are connected to a plurality of AD converters other than the additional AD converter 121, respectively.
  • the output of the pixel in the first pixel column 111 is connected to the AD converter 113 and the additional AD converter 121.
  • the AD converter 113 and the additional AD converter 121 are electrically connected in parallel when viewed from the pixel output of the first pixel column 111.
  • FIG. 2 shows an overall configuration diagram of an imaging apparatus 200 (here, a CMOS image sensor is used) using the imaging device 100 of FIG.
  • the pixel unit 210 and the AD conversion unit 230 in FIG. 2 correspond to the image sensor in FIG.
  • the imaging element 100 is formed as a semiconductor element
  • the imaging device 200 including the imaging element 100 is formed as a semiconductor device.
  • This semiconductor device may be composed of a single semiconductor chip or a plurality of semiconductor chips.
  • the imaging apparatus 200 includes a pixel unit 210, a vertical selection circuit 220, an AD conversion unit 230, a signal processing circuit 240, a horizontal shift register 250, and a control circuit 260.
  • the pixel unit 210 includes a plurality of pixels 112 arranged two-dimensionally in a horizontal direction and a vertical direction.
  • the output of the vertical selection circuit 220 is input to the pixel unit 210 to select the vertical position of the pixel.
  • the selected pixel output of one horizontal line is input to the AD conversion unit 230 every horizontal period.
  • data for one horizontal line is input to a signal processing circuit 240 that performs digital signal processing for each horizontal period.
  • One horizontal line data output from the signal processing circuit 240 is input to the horizontal shift register 250 every horizontal period.
  • the horizontal shift register 250 once receives and holds data for one horizontal line, and then outputs it as an output of the imaging device 200 for each pixel or for each of a plurality of pixels.
  • the control circuit 260 performs control so that the pixel data is output via the AD conversion unit 230, the signal processing circuit 240, and the horizontal shift register 250 for each horizontal line.
  • the pixel circuit 300 illustrated in FIG. 3 is an example of the pixel circuit of the pixel 112 in FIG.
  • the pixel circuit 300 includes a photodiode 301, an FD (Floating Diffusion) 302, a vertical selection transistor 303, a reset transistor 304, a source follower transistor 305, and a horizontal selection transistor 306.
  • the photodiode 301 is a photoelectric conversion element that converts light from a subject into signal charges. The signal charge is converted into a signal voltage by the FD 302. This signal voltage is input to the source follower transistor 305 in accordance with the vertical selection signal input to the vertical selection transistor 303.
  • the reset transistor 304 is a transistor that performs initialization in accordance with a reset signal input from the vertical selection circuit.
  • the source follower transistor 305 is a transistor for outputting the signal voltage converted into a voltage by the FD 302 to the vertical signal line, and is output according to the horizontal selection signal input to the horizontal selection transistor 306.
  • the AD converter 400 converts the analog voltage output from the pixel into a digital signal.
  • the AD converter 400 includes adders 401 and 403, integration circuits 402 and 404, a quantizer 405, and a DA converter 406.
  • An analog signal output from the pixel is input to the AD converter 400.
  • This input signal is output as a digital signal via an adder 401, an integration circuit 402, an adder 403, an integration circuit 404, a quantizer 405, and a decimation filter (decimation filter) 407.
  • the output of the quantizer 405 is converted into an analog signal by the DA converter 406, the sign is inverted, and the result is fed back to the adders 401 and 403 for addition.
  • FIG. 5 is a block diagram illustrating an overall configuration of an imaging apparatus using the imaging apparatus 200 of FIG.
  • the imaging apparatus 500 includes an optical system including a lens 510, an imaging element 520, a signal processing circuit 530, a controller unit 540, and the like.
  • the lens 510 forms image light from the subject on the imaging surface of the image sensor 520.
  • the image sensor 520 outputs an image signal obtained by converting the image light imaged on the imaging surface by the lens 510 into an electric signal for each pixel.
  • the signal processing circuit 530 performs various types of image processing on the output image data of the image sensor 520. For example, white balance adjustment processing, gamma processing compression processing, YC conversion processing, electronic zoom processing, compression processing, and the like are performed on the output data of the image sensor 520. However, the signal processing circuit 530 may perform all these image processing. Some of these may be performed.
  • the controller unit 540 controls the image sensor 520 and the signal processing circuit 530 in accordance with a computer program written in software or firmware.
  • the cluster is a group of pixels of a plurality of columns and a plurality of AD converters corresponding to the plurality of columns, and the pixels or AD converters in the cluster are arranged close to each other on the layout, for example.
  • the pixel column pixels and AD converters in the cluster each have little variation.
  • the variation between the pixels of the pixel column and the AD converter is negligible in the cluster, and the characteristics are the same.
  • the pixel column pixels and AD converters with different clusters have large variations between each other. For this reason, the pixels in the pixel column and the AD converters having different clusters are required to suppress variations between each other. Therefore, here, a method of detecting the variation between AD converters having different clusters will be described.
  • both the AD converter 113 and the additional AD converter 121 are electrically connected in parallel to the pixel output of the common pixel column 111.
  • the pixels in the pixel column 111 are sequentially selected from the upper pixels according to the output timing of the vertical selection circuit 220.
  • the pixel 112 at the top of the pixel column 111 is selected, and the output of the pixel 112 is output to the vertical signal line connecting the pixel of the pixel column 111 and the AD converter 113.
  • the output of the pixels sequentially selected for each horizontal period is output to the vertical signal line connecting the pixel of the pixel column 111 and the AD converter 113.
  • the output signal of the same pixel column 111 is input to the AD converter 113 and the additional AD converter 121.
  • the AD converter 113 and the additional AD converter 121 have the same input analog value, if the output digital values are different, it can be considered that the AD converter 113 and the additional AD converter 121 are caused by characteristic variations. Since the AD converters in the cluster can be regarded as having the same characteristics, the AD converter 113 represents the characteristics of the AD converters in the first cluster 110. Similarly, the additional AD converter 121 represents the characteristics of the AD converter in the second cluster 120.
  • the AD converter 113 and the additional AD converter 121 receive pixel outputs sequentially selected from the upper side, and output a characteristic difference detection result accordingly.
  • the above processing is performed at the same timing as the normal pixel output timing. Thereby, for example, there is no need to set a test period at an arbitrary timing within a frame for each frame. Therefore, even when the frame rate increases as the number of pixels increases, the characteristic difference can be detected in real time without inserting the test period, which is useful.
  • accurate correction is performed even if error data changes due to subsequent changes in time or conditions such as temperature.
  • the detection output of the characteristic difference between the AD converters is a value detected as a result of actual signal input. Thereby, whether the input signal level is low or high, the characteristic difference between AD converters is detected accordingly.
  • an error is detected at the black level, and correction is performed based on the error.
  • the error differs under conditions away from the black level, so that an accurate correction cannot be performed. Hateful.
  • ⁇ It can be considered as an error in characteristics between AD converters separately from an offset error and a gain error. For example, in a case where an error is detected at the black level, it can be considered that an offset error is detected. When the gain error is zero, the error is constant regardless of the level and can be dealt with by correcting the error with only the offset. However, in the case where there is a gain error, the error changes according to the level, and thus correction is not sufficient only by correcting the offset error. In the first embodiment, the error can be detected with respect to the actual signal level by the two AD converters. As a result, an error that combines the offset error and the gain error is detected according to the signal level. Become.
  • the characteristic error between the AD converters can be accurately detected according to the input signal level. By using this detection result, the vertical streak caused by the characteristic variation of the AD converter is improved. Can do.
  • the modification of the first embodiment is an example in which a configuration for improving the characteristic deterioration due to the addition of the additional AD converter in the first embodiment is added.
  • FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of the image sensor 600 that further includes the configuration of the load 601. Since other configurations are the same as those in FIG. 1 and the first embodiment, illustration and description are omitted.
  • the pixel output of the pixel column 111 is connected to the two AD converters of the AD converter 113 and the additional AD converter 121, so that the pixel column 111 is loaded more than the other pixel columns. Capacity is increasing.
  • the imaging device 100 in FIG. 1 has a configuration in which a load is added to the connection wiring of the pixels in the pixel columns other than the pixel column 111 and the AD converter. Thereby, it is possible to make the load capacity for the output of the pixels of the pixel column 111 equal to the load capacity for the outputs of the pixels of the other columns. Thereby, it is possible to avoid the occurrence of an error at the input of the AD converter.
  • FIGS. 2 to 5 are the same as the contents described in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
  • FIG. 7 is a block diagram illustrating an image sensor 700 according to the second embodiment of the present technology.
  • the pixels and the AD converter are divided into a first cluster 710 and a second cluster 720.
  • the cluster 710 and the cluster 720 are arranged so as to divide a pixel portion including a plurality of pixels 112 into a comb shape from above and below with respect to the entire rectangular region.
  • the AD converters are arranged above and below the pixel portion.
  • the pixel portion is arranged in a rectangular region as a whole, but is configured to be alternately connected to the upper and lower AD converters for each column.
  • the power supply and GND are distributed and supplied to each cluster, and the power supply and GND are common in the supply destination cluster.
  • the upper and lower sides of the pixel portion refer to the upper and lower sides in the column direction of the matrix formed by the plurality of pixels 112.
  • the cluster 710 and the cluster 720 are divided into two clusters that are divided in a comb shape above and below the cluster 720.
  • Relationship between a cluster 710, a plurality of pixel columns including a pixel column 111, a plurality of AD converters including an AD converter 113, a plurality of AD converters including a cluster 720, a plurality of pixel columns, and a first additional AD converter 121 Is the same as in the first embodiment.
  • the configuration of the pixel 112 in FIG. 7 is the same as that shown in FIG.
  • the configuration of the AD converter 113 in FIG. 7 is the same as that shown in FIG.
  • a block diagram showing the overall configuration of the imaging apparatus is the same as that shown in FIG.
  • FIG. 8 is a block diagram illustrating an image sensor 800 according to Embodiment 3 of the present technology.
  • the pixels and the AD converter are divided into two upper and lower clusters, that is, a cluster 810 and a cluster 820.
  • the cluster 810 and the cluster 820 are rectangular regions that are divided into upper and lower parts with respect to the entire rectangular region.
  • the AD converters are arranged at the top and bottom.
  • the pixels are arranged in a rectangular region as a whole, and are divided into two vertically, the upper pixel is connected to the uppermost AD converter, and the lower pixel is connected to the lowermost AD converter.
  • the power supply and GND are distributed and supplied to each cluster, and the power supply and GND are common in the supply destination cluster.
  • “upper and lower” refers to the upper and lower in the column direction of the matrix formed by the plurality of pixels 112.
  • the cluster 810 and the cluster 820 are vertically divided into two is shown.
  • the cluster 810 and the cluster 820 are divided into four clusters.
  • a configuration is also possible in which regions similar to the regions are continuously arranged side by side.
  • the cluster 810 includes a plurality of upper pixels including specific pixels 814 and a plurality of upper AD converters including AD converters 813.
  • the cluster 820 includes a plurality of lower-stage AD converters including a plurality of lower-stage pixels and an AD converter 821.
  • the pixel column 811 includes a plurality of pixels in the upper stage including the pixel 812, a specific pixel 814, and a plurality of pixels in the lower stage.
  • a plurality of upper pixels including the specific pixel 814 in the pixel column 811 are connected to the AD converter 813.
  • the specific pixel 814 in the pixel column 811 and the plurality of pixels in the lower stage are connected to the AD converter 821.
  • the plurality of upper pixels are connected to the corresponding upper AD converters, and the specific pixels and the plurality of lower pixels are connected to the corresponding lower AD converters.
  • the AD converter 813 and the AD converter 821 are electrically connected in parallel.
  • the specific pixel may be an arbitrary pixel, but in the example illustrated in FIG. 8, the specific pixel is a pixel on the line in contact with the boundary with the cluster 820 at the bottom of the pixel of the cluster 810.
  • the specific pixel is connected to the upper AD converter and the lower AD converter of the column. For this reason, the specific pixel has a larger output load capacity than a normal pixel.
  • a configuration example of the specific pixel 814 is shown in a pixel circuit 900 of FIG.
  • the pixel circuit 900 has a vertical selection transistor 901 added to the pixel circuit 300 and outputs two systems of output 1 and output 2.
  • Output 1 is connected to the upper AD converter 813, and output 2 is connected to the lower AD converter 821. Thereby, it is possible to make load capacity seen from the output 1 and the output 2 substantially equal.
  • the output may be connected to the upper and lower AD converters, equivalent to a normal pixel. Absent.
  • Normal pixels including the pixel 812 have the configuration shown in FIG.
  • a normal pixel refers to a pixel other than a specific pixel.
  • the image sensor 800 in Embodiment 3 corresponds to the pixel unit 210 and the AD conversion unit 230 in FIG. Although the AD converter is divided into upper and lower parts in FIG. 8, the AD conversion unit 230 corresponds to the combination of the upper and lower AD converters, and the outputs of all the AD converters are input to the signal processing circuit 240. . Others are the same as those described in the first embodiment.
  • the pixels are vertically divided into two, the power source and the GND are distributed and supplied to the respective clusters, and the power source and the GND are common in the supply destination cluster.
  • the pixels or AD converters in the cluster have the common features that they are arranged close to each other in the layout, the power supply is common, and the GND is common. For this reason, the pixel column pixels and the AD converters in the cluster each have little variation.
  • the variation between the pixels of the pixel column and the AD converter in the cluster is negligible, and the characteristics are the same.
  • the pixel column pixels and AD converters with different clusters have large variations between each other. For this reason, the pixels in the pixel column and the AD converters having different clusters are required to suppress variations between each other. Therefore, here, a method for detecting the variation between the upper and lower AD converters having different clusters will be described.
  • both the AD converter 813 and the AD converter 821 are connected to the output of the common pixel 814.
  • the pixels are basically selected sequentially from the upper pixel according to the output timing of the vertical selection circuit 220.
  • the cluster is divided vertically. In parallel with each cluster, the pixels are sequentially selected from the upper pixel of each cluster, output to the vertical signal line, and input to the AD converter 813 and AD converter 821.
  • the reading timing of the specific pixel 814 is not limited to the reading timing of the normal pixel, but here, the reading is performed after the reading of the normal pixel is completed. For example, a case where one column has 1080 pixels will be described. Since the pixel is divided into upper and lower parts, the pixel column 811 includes 540 pixels including a specific pixel on the upper side and 540 pixels on the lower side. The 540 pixels in the upper and lower clusters are sequentially read from the upper side in each cluster. After normal reading of 540 pixels is completed by the upper and lower AD converters at the first to 540th timing of the upper cluster and the lower cluster, the specific pixel 814 is simultaneously scanned by the upper and lower AD converters at the 541th timing. read out. Thereafter, the difference between the output digital values of the AD converter 813 and the AD converter 821 obtained by AD converting the specific pixel 814 is detected.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating configurations of clusters and correction processing circuits in the image sensor 1000 according to Embodiment 4 of the present technology.
  • the cluster is divided into a first cluster 110 and a second cluster 120.
  • the outputs of the AD converter 113 and the plurality of AD converters in the first cluster 110 and the outputs of the additional AD converter 121 and the plurality of AD converters in the second cluster 120 are input to the correction processing circuit 1010.
  • the correction processing circuit 1010 includes a subtractor 1111 and a correction processing unit 1112. Outputs of the AD converter 113 and the additional AD converter 121 are input to the subtractor 1111. Outputs of the AD converter 113 and the plurality of AD converters in the first cluster 110 are input to the correction processing unit 1112.
  • the output of the subtractor 1111 is input to the correction processing unit 1112 and the correction processing unit 1122.
  • the correction processing circuit 1010 corrects an AD converter error between the first cluster 110 and the second cluster 120.
  • the subtractor 1111 outputs a difference value obtained by subtracting the output of the AD converter 113 from the output of the additional AD converter 121.
  • the output of the subtractor 1111 is regarded as an AD converter error between the first cluster 110 and the second cluster 120.
  • 1/2 of the difference value is added, and for the AD converters in the second cluster 120, 1/2 of the difference value is subtracted. Thereby, the level
  • the number of AD converters in the first cluster 110 and the second cluster 120 is N except for the additional AD converters.
  • D1 ′ (n) and D2 ′ (n) are equal.
  • the AD converter error between the two clusters can be corrected, and vertical stripes can be eliminated.
  • the case where the inputs of all the AD converters are constant values has been described. However, even when the inputs of all the AD converters are not constant values, the error of the AD converter between clusters is corrected. Is possible.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration of the cluster and the correction processing circuit of the image sensor 1100 according to the fifth embodiment of the present technology.
  • An imaging element 1100 according to Embodiment 5 includes a first cluster 110, a second cluster 120, a third cluster 130, and a correction processing circuit 1010.
  • the cluster shows three examples of the first cluster 110, the second cluster 120, and the third cluster 130, and the first cluster 110, the third cluster as the left and right clusters around the second cluster 120.
  • the cluster 130 is arranged as an example. In the figure of the third cluster 130, only an additional AD converter necessary for explanation is shown, but the configuration is the same as that of the second cluster 120.
  • the pixels in the cluster are omitted from the illustration as in FIG. 10, but are the same as in FIG.
  • the correction processing circuit 1010 includes a subtractor 1111, a correction processing unit 1112, a subtractor 1121, and a correction processing unit 1122.
  • the outputs of the AD converter 113 and the additional AD converter 121 are input to the subtractor 1111.
  • Outputs of the AD converter 113 and the plurality of AD converters in the first cluster 110 are input to the correction processing unit 1112.
  • the output of the subtractor 1111 is input to the correction processing unit 1112 and the correction processing unit 1122.
  • the outputs of the AD converter 123 and the additional AD converter 131 are input to the subtractor 1121.
  • the output of the subtractor 1121 is input to the correction processing unit 1122.
  • the correction processing circuit 1010 corrects an AD converter error among the first cluster 110, the second cluster 120, and the third cluster 130.
  • the subtractor 1111 outputs a difference value obtained by subtracting the output of the AD converter 113 from the output of the additional AD converter 121.
  • the subtractor 1121 outputs a difference value obtained by subtracting the output of the AD converter 123 from the output of the additional AD converter 131.
  • the output of the subtractor 1111 is regarded as an AD converter error between the first cluster 110 and the second cluster 120, and the output of the subtractor 1121 is regarded as an AD converter error between the second cluster 120 and the third cluster 130. It is.
  • the number of AD converters in each cluster is N except for the additional AD converters.
  • the output values of the additional AD converters in the second cluster 120 and the third cluster 130 are D2a and D3a, respectively.
  • Dd12 D2a ⁇ D1b Formula (5-1)
  • Dd23 D3a-D2b Formula (5-2) It becomes.
  • a plurality of configurations equivalent to the second cluster 120 in FIG. 11 are continuously arranged on the right side of the second cluster 120.
  • correction of the second cluster 120 at the center of the three clusters has been described.
  • the cluster at the center is sequentially shifted to the right and is aligned with the left and right clusters. It is assumed that the same processing is performed with the three clusters.
  • the number of left and right clusters to be used does not necessarily have to be the same.
  • AD converter errors between clusters can be corrected, and vertical stripes can be eliminated.
  • the case where the inputs of all the AD converters are constant values has been described. However, even when the inputs of all the AD converters are not constant values, the error of the AD converter between clusters is corrected. Is possible.
  • Embodiments 1 to 5 have been described as examples of the technology disclosed in the present application.
  • the technology in the present disclosure is not limited to this, and can also be applied to embodiments that have been changed, replaced, added, omitted, and the like.
  • CMOS image sensor that is a solid-state imaging device has been described as an example of an imaging unit (image sensor).
  • the imaging means only needs to have a column type AD converter, and is not limited to a CMOS image sensor or a solid-state imaging device.
  • the present disclosure is applicable to an imaging apparatus. Specifically, the present disclosure is applicable as an imaging device used for studio cameras, business cameras, digital still cameras, movies, mobile phones with camera functions, smartphones, and the like.
  • Imaging device 200 100, 520, 600, 700, 800, 1000, 1100 Imaging device 200, 500 Imaging device 110, 120, 130, 710, 720, 810, 820 Cluster 111, 811 Pixel column 112, 812 Pixel 113, 123, 400, 813 , 821 AD converters 121 and 131 Additional AD converter 210 Pixel unit 220 Vertical selection circuit 230 AD conversion unit 240 Signal processing circuit 250 Horizontal shift register 260 Control circuit 300, 900 Pixel circuit 301 Photodiode 302 FD 306 Horizontal selection transistor 304 Reset transistor 305 Source follower transistors 303 and 901 Vertical selection transistors 401 and 403 Adders 402 and 404 Integration circuit 405 Quantizer 406 DA converter 407 Decimation filter 500 Imaging device 510 Lens 530 Signal processing circuit 540 Controller unit 601 Load 814 Specific pixel 1111, 1121 Subtractor 1112, 1122 Correction processing unit 1010 Correction processing circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

 撮像装置において、画素部とAD変換部は、第1クラスタ、第2クラスタに分割され、第1クラスタは、第一の画素カラムを含む複数の画素カラムと、各々の画素カラムに対応した複数のAD変換器とを有し、第2クラスタは、複数の画素カラムと、各々の画素カラムに対応した複数のAD変換器と、増設AD変換器とを有し、第一の画素カラムの画素がAD変換器と増設AD変換器に接続される。

Description

撮像装置
 本開示は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどに使用される撮像装置に関する。
 特許文献1は、縦筋雑音を低減する固体撮像装置を開示する。特許文献1が開示する技術は、カラム画素に対応したカラム型AD変換器を備えた固体撮像装置における、縦筋雑音を低減する技術であって、有効画像領域外のオプティカルブラック部に位置する横方向の画素列の黒レベル信号を用いて、有効画像領域内の画素信号を補正する。
特開2012-15587号公報
 しかしながら、特許文献1の固体撮像装置では、オプティカルブラック部から読み出された信号を使用した補正手段のみ開示されている。そのため、信号レベルが黒から離れたレベル、すなわち信号レベルが大きい場合は、信号レベルに応じた誤差で補正されないという課題があった。
 そこで本開示は、カラム型AD変換器の出力のばらつきを改善する撮像装置を提供する。特に、このばらつきによるによる縦筋を改善する撮像装置を提供する。
 本開示における撮像装置は、光電変換された画素信号を出力する、二次元に配置された複数の画素と、前記複数の画素に含まれる第1画素カラムの画素の出力と接続され、前記出力の信号をデジタル信号に変換する第1アナログデジタル変換器と、前記第1画素カラムの画素の前記出力が接続された増設アナログデジタル変換器と、を有する。
 本開示における撮像装置は、カラム型AD変換器の出力のばらつきを抑制するのに有効である。特に、カラム型AD変換器の出力のばらつきによる縦筋を改善するのに有効である。
図1は、実施の形態1における撮像素子の構成を示すブロック図である。 図2は、実施の形態1における撮像装置の全体構成を示すブロック図である。 図3は、実施の形態1における撮像装置の画素回路図である。 図4は、実施の形態1における撮像装置のAD変換器の構成を示すブロック図である。 図5は、実施の形態1における撮像装置が用いられる撮像装置の全体構成を示すブロック図である。 図6は、実施の形態1の変形例における撮像素子の構成を示すブロック図である。 図7は、実施の形態2における撮像素子の構成を示すブロック図である。 図8は、実施の形態3における撮像素子の構成を示すブロック図である。 図9は、実施の形態3における撮像素子の画素回路図を示す回路図である。 図10は、実施の形態4におけるクラスタと補正処理回路の構成を示すブロック図である。 図11は、実施の形態5におけるクラスタと補正処理回路の構成を示すブロック図である。
 以下、図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
 なお、添付図面および以下の説明は、当業者が本開示を十分に理解するために、提供されるのであって、これらにより特許請求の範囲に記載の主題を限定することは意図されていない。
 (実施の形態1)
 以下、図1~5を用いて、実施の形態1を説明する。
 [1-1.構成]
 図1は、本技術の実施の形態1における撮像素子100の構成を示すブロック図である。本実施の形態ではAD変換器としてカラム画素に対応したカラム型AD変換器を用いる。
 図1に示すように、実施の形態1おける撮像素子100は、行列状に配列された複数の画素112を備え、画素112の行列の列毎に、対応したカラムアナログデジタル変換器113(以後、単に、AD変換器又はADCという)を含む。画素112が成す行列のうち任意の一列は、画素カラム111である。
 複数の画素112と複数のADC113は、第1クラスタ110、第2クラスタ120に分割される。ここで、クラスタとは複数のカラムの画素とこれら複数のカラムに対応した複数のAD変換器からなるまとまりと定義される。具体例として、1つのクラスタ内の画素またはAD変換器は、例えばレイアウト上で近接した配置である、電源(図1におけるV_ADC)が共通である、GNDが共通である、等の共通な特徴を有している。また、クラスタ内のAD変換器に使用されるクロックが共通であってもよい。ここで共通であるというのは、電源、GND、またはクロックが1つの供給元からクラスタ毎に分配され、クラスタに分配された電源、GND、またはクロックが共通に接続されていることなどを意味している。クラスタを構成する複数のカラムの数は、回路面、レイアウト面などの制約で決定される。例えばカラム数が64~256のケースが想定されるが、必ずしも2のべき乗に制約されるわけではない。また、全体を上下2分割するようなケースでは、960、1920等の大きな値をとることも想定される。
 図1において、第1クラスタ110、第2クラスタ120は、全体の長方形の領域が左右に分割され、2つの長方形の領域となっている例を示している。電源、GNDは、それぞれのクラスタに分配、供給され、供給先のクラスタで電源、GNDは共通とした例を示している。
 本実施の形態では、第1クラスタ110、第2クラスタ120の2つのクラスタに分割された例を説明するが、3つ以上のクラスタに分割され、第1クラスタ110、第2クラスタ120に引き続き、横に並列に配置された構成もあり得る。
 第1クラスタ110は、第1画素カラム111を含む複数の画素カラム、第1AD変換器113を含む複数のAD変換器を有する。画素カラム111は第1画素112を含む複数の画素を有する。第2クラスタ120は、複数の画素カラムと増設AD変換器121を含む複数のAD変換器を有する。
 第1クラスタ110内では、画素カラム111を含む複数の画素カラムの画素はAD変換器113を含む複数のAD変換器にそれぞれ接続される。第2クラスタ120では複数の画素カラムの画素は増設AD変換器121を除く複数のAD変換器にそれぞれ接続される。さらに、第1画素カラム111の画素の出力は、AD変換器113と増設AD変換器121に接続される。このとき、第1画素カラム111の画素の出力からみて、AD変換器113と増設AD変換器121は電気的に並列に接続されている。
 図2は、図1の撮像素子100を用いた撮像装置200(ここでは、CMOSイメージセンサを用いる)の全体構成図を示す。図2における画素部210及びAD変換部230が図1における撮像素子に対応する。ここで、撮像素子100は半導体素子として、撮像素子100を備える撮像装置200は半導体装置として形成される。この半導体装置は、1つの半導体チップにより構成しても、複数の半導体チップを用いて構成してもよい。
 撮像装置200は、画素部210、垂直選択回路220、AD変換部230、信号処理回路240、水平シフトレジスタ250、制御回路260からなる。画素部210は、図1を使って説明した通り、水平方向と垂直方向からなる二次元に配列された複数の画素112からなる。
 垂直選択回路220の出力は画素部210に入力され、画素の垂直位置を選択する。選択された水平1ラインの画素出力は水平期間ごとにAD変換部230に入力される。AD変換部230の出力として水平1ラインのデータが水平期間ごとにデジタル信号処理を行う信号処理回路240に入力される。信号処理回路240出力の水平1ラインデータが水平期間ごとに水平シフトレジスタ250に入力される。水平シフトレジスタ250は、一旦、水平1ラインのデータが入力され、保持された後、1画素毎もしくは複数の画素毎に、撮像装置200の出力として出力される。
 制御回路260は、画素データが、水平1ライン毎に、AD変換部230、信号処理回路240、水平シフトレジスタ250を経由し出力されるように制御を行う。
 次に、図3に示す画素回路300は、図1における画素112の画素回路の一例である。画素回路300は、フォトダイオード301、FD(Floating Diffusion)302、垂直選択トランジスタ303、リセットトランジスタ304、ソースフォロアトランジスタ305、水平選択トランジスタ306からなる。フォトダイオード301は被写体からの光を信号電荷に変換する光電変換素子である。信号電荷はFD302により信号電圧に変換される。この信号電圧は垂直選択トランジスタ303に入力された垂直選択信号に応じソースフォロアトランジスタ305に入力される。リセットトランジスタ304は垂直選択回路から入力されたリセット信号に応じ初期化を行うトランジスタである。ソースフォロアトランジスタ305はFD302によって電圧に変換された信号電圧を垂直信号線に出力するためのトランジスタであり、水平選択トランジスタ306に入力された水平選択信号に応じ出力される。
 図4のAD変換器400は、本実施の形態におけるAD変換器の構成の一例である。本実施の形態においては、一例として、2次デルタシグマ型のAD変換器を用いた。AD変換器400は、画素からの出力されたアナログ電圧をデジタル信号に変換する。AD変換器400は、加算器401、403、積分回路402、404、量子化器405、DA変換器406、からなる。画素から出力されたアナログ信号はAD変換器400に入力される。この入力信号は、加算器401、積分回路402、加算器403、積分回路404、量子化器405、デシメーションフィルタ(decimation filter)407を経由してデジタル信号として出力される。量子化器405の出力はDA変換器406によりアナログ信号に変換され、符号を反転され加算器401、403にフィードバックされ加算される。
 図5は、図2の撮像装置200を用いた撮像装置の全体構成を示すブロック図である。撮像装置500は、レンズ510を含む光学系、撮像素子520、信号処理回路530、コントローラ部540等によって構成される。
 レンズ510は、被写体からの像光を撮像素子520の撮像面に結像する。撮像素子520は、レンズ510によって撮像面に結像された像光を画素単位で電気信号に変換して得られる画像信号を出力する。
 信号処理回路530は、撮像素子520の出力画像データに対して各種の画像処理を施す。例えば、撮像素子520の出力データに対して、ホワイトバランス調整処理やガンマ処理圧縮処理、YC変換処理、電子ズーム処理、圧縮処理などを行う。但し、信号処理回路530は、これらの全ての画像処理を行うものであってもよいし。これらの中の一部を行うものであってもよい。
 コントローラ部540は、ソフトウェアまたはファームウェアで記載されたコンピュータプログラムにしたがって、撮像素子520、信号処理回路530を制御する。
 [1-2.動作]
 以上のように構成された図1の撮像素子100と、図2の撮像装置200についてその動作を以下説明する。
 クラスタは、前述のように複数のカラムの画素と前記複数のカラムに対応した複数のAD変換器からなるまとまりであり、クラスタ内の画素またはAD変換器は、例えばレイアウト上で近接した配置となっている、電源が共通である、GNDが共通である等の共通な特徴を有している。
 このため、クラスタ内の、画素カラムの画素、AD変換器は、それぞれ相互間のばらつきが小さい。以下、説明上、クラスタ内では、画素カラムの画素、AD変換器のそれぞれ相互間のばらつきは無視できるレベルであり、特性は同等とする。
 それに対してクラスタが異なる、画素カラムの画素、AD変換器は、それぞれ相互間のばらつきが大きい。そのため、クラスタが異なる、画素カラムの画素、AD変換器は、それぞれ相互間のばらつきを抑制することが必要である。そのため、ここでは、クラスタが異なるAD変換器の相互間のばらつきを検出する方法を示す。
 前述のように、AD変換器113と増設AD変換器121は、いずれも共通の画素カラム111の画素の出力に、電気的に並列に接続される。画素カラム111の画素は、垂直選択回路220の出力タイミングにより上側の画素から順次選択される。まず、画素カラム111の最上部にある画素112が選択され、画素112の出力が画素カラム111の画素とAD変換器113とを接続する垂直信号線に出力される。以下同様に、水平期間ごとに順次選択された画素の出力が、画素カラム111の画素とAD変換器113とを接続する垂直信号線に出力される。
 以上のように、実施の形態1において、AD変換器113と増設AD変換器121には同一の画素カラム111の出力信号が入力される。このときAD変換器113と増設AD変換器121は入力アナログ値が同一であるため、出力デジタル値が異なる場合、AD変換器113と増設AD変換器121の特性ばらつきによるものとみなすことができる。クラスタ内のAD変換器の特性は同等と見なせるため、AD変換器113は第1クラスタ110内のAD変換器の特性を代表している。同様に、増設AD変換器121は第2クラスタ120内のAD変換器の特性を代表している。
 以上より、AD変換器113と増設AD変換器121の出力デジタル値の差を検出することにより、第1クラスタ110内と第2クラスタ120内におけるAD変換器の特性のばらつきを検出することができる。
 また、隣接する2つのクラスタ間のAD変換器間の特性差を検出し、この特性差を減少するような補正処理を行うことにより、AD変換器の特性のばらつきを減少することが可能となる。
 [1-3.効果等]
 AD変換器113と増設AD変換器121は上側から順次選択された画素出力が入力され、それに応じ特性差の検出結果が出力される。以上の処理は通常の画素を出力するタイミングと同タイミングで行われる。これにより、例えば1フレーム毎にフレーム内の任意のタイミングでテスト期間を設定するというような必要はない。そのため、画素数の増大に伴いフレームレートが増大した場合も、テスト期間を入れ込むことなくリアルタイムでの特性差検出ができるため、有用である。また、検査工程等の特定の時点に誤差を検出し補正するような方式においては、その後の経時変化や温度等の条件の変化により誤差データに変化が生じても、正確な補正が行われる。
 また、このAD変換器間の特性差の検出出力は、実際に信号が入力された結果、検出された値である。これにより、入力の信号レベルが低い場合も高い場合もそれに応じたAD変換器間の特性差検出が行われる。これにより、従来技術のように、黒レベルで誤差を検出し、その結果で補正を行うことにより、黒レベルから離れた条件では誤差が異なるために正確な補正が行われない、という問題は生じにくい。
 AD変換器間の特性の誤差として、オフセット誤差、ゲイン誤差と分けて考えることが可能である。例えば黒レベルで誤差を検出するようなケースでは、オフセット誤差を検出しているとみなせる。ゲイン誤差がゼロの場合については、誤差がレベルにかかわらず一定のためオフセットのみの誤差の補正により対応可能である。しかし、ゲインの誤差があるケースにおいては誤差がレベルに応じて変化するため、オフセットの誤差を補正するだけでは補正が不十分となる。実施の形態1においては実際の信号レベルに対して2つのAD変換器により誤差を検出可能なため、結果として、信号レベルに応じてオフセット誤差とゲイン誤差を合わせた誤差を検出していることとなる。
 以上によりAD変換器間の特性の誤差を入力される信号レベルに応じて精度良く検出することができ、この検出結果を用いることによりAD変換器の特性のばらつきに起因する縦筋を改善することができる。
 (実施の形態1の変形例)
 実施の形態1の変形例は、実施の形態1において増設AD変換器の追加に伴う特性劣化を改善する構成を追加した一例である。
 図6は、さらに負荷601の構成を含む撮像素子600の構成を示すブロック図である。その他の構成については図1及び実施の形態1と同様であるため、図示及び説明を省略する。実施の形態1において、画素カラム111の画素の出力は、AD変換器113と増設AD変換器121の2つのAD変換器に接続されているため画素カラム111は他の画素カラムに比較して負荷容量が増加している。実施の形態1の変形例においては、図1における撮像素子100において、画素カラム111以外の画素カラムの画素とAD変換器を接続配線に対し、負荷を追加した構成となっている。これにより、画素カラム111の画素の出力に対する負荷容量と、それ以外のカラムの画素の出力に対する負荷容量を等しくすることが可能である。これにより、AD変換器の入力で誤差が発生することを回避できる。
 (実施の形態2)
 以下、図7および図2~5を用いて、実施の形態2を説明する。但し、図2~5についての内容は、実施の形態1において説明した内容と同様のため説明を省略する。
 [2-1.構成]
 図7は、本技術の実施の形態2における撮像素子700を示すブロック図である。撮像素子700は、画素とAD変換器は、第1のクラスタ710、第2のクラスタ720に分割される。
 実施の形態2における撮像素子700では、クラスタ710、クラスタ720は、全体の長方形の領域に対し、複数の画素112を備えた画素部を上下から櫛形に分割するように配置されている。AD変換器は画素部の上下に配置されている。画素部は全体としては長方形の領域に配置されているが、カラム毎に上下のAD変換器に交互に接続される構成となっている。電源、GNDは、それぞれのクラスタに分配、供給され、供給先のクラスタでは電源、GNDは共通である。なお、ここで画素部の上下とは、複数の画素112がなす行列のカラム方向の上下を指す。
 撮像素子700における画素とAD変換器の構成では、クラスタ710、クラスタ720上下に櫛形に分割されている2つのクラスタに分割された例を示しているが、4つのクラスタに分割され、クラスタ710、クラスタ720と合わせた長方形の領域と同様な領域が、引き続き横に並列に配置された構成もあり得る。
 クラスタ710、画素カラム111を含む複数の画素カラム、AD変換器113を含む複数のAD変換器との関係、クラスタ720、複数の画素カラム、第1増設AD変換器121を含む複数のAD変換器との関係は実施の形態1と同様である。
 図7に示した画素とAD変換器の構成(撮像素子700)は、図2の画素部210、AD変換部230に対応する。
 図7の画素112の構成は図3に示したものと同様である。図7のAD変換器113の構成は図4に示したものと同様である。撮像装置の全体構成を示すブロック図は図5に示したものと同様である。
 [2-2.動作]
 実施の形態1とクラスタ構成が異なるが、実施の形態1と基本的な動作は同様である。
 [2-3.効果等]
 実施の形態1と同様に、クラスタが異なるAD変換器間の特性の誤差を精度良く検出することができる。この検出結果を用いることによりクラスタが異なるAD変換器の特性のばらつきに起因する弊害を減少することができる。実施の形態2ではクラスタが異なるAD変換器の特性のばらつきに起因する弊害は、クラスタ上下に櫛形に分割されているため1カラムおきの縦筋となり、この縦筋を改善することができる。
 (実施の形態3)
 以下、図8および図2~5を用いて、実施の形態2を説明する。但し、図2~5の個々の図の内容は、実施の形態1において説明した内容と同様のため説明を省略する。
 [3-1.構成]
 図8は、本技術の実施の形態3における撮像素子800を示すブロック図である。実施の形態3における撮像素子800において、画素とAD変換器は、上下のクラスタ、すなわち、クラスタ810及びクラスタ820に2分割される。
 実施の形態3における撮像素子800では、クラスタ810、クラスタ820は、全体の長方形の領域に対し、上下に2分割された長方形の領域である。AD変換器は最上部、最下部に配置されている。画素は全体としては長方形の領域に配置され、上下に2分割され、上側の画素は最上部のAD変換器に接続され、下側の画素は最下部のAD変換器に接続される。電源、GNDは、それぞれのクラスタに分配、供給され、供給先のクラスタでは電源、GNDは共通である。なお、ここで上下とは、複数の画素112がなす行列のカラム方向の上下を指す。
 撮像素子800における画素とAD変換器の構成では、クラスタ810、クラスタ820が上下に2分割された例を示しているが、例えば4つのクラスタに分割され、クラスタ810、クラスタ820と合わせた長方形の領域と同様な領域が、引き続き横に並列に配置された構成も考えられる。
 クラスタ810は、特定画素814を含む上段の複数の画素、AD変換器813を含む上段の複数のAD変換器を有する。クラスタ820は、下段の複数の画素、AD変換器821を含む下段の複数のAD変換器を有する。
 画素カラム811は、画素812を含む上段にある複数の画素、特定画素814、下段にある複数の画素を有する。画素カラム811の特定画素814を含む上段の複数の画素はAD変換器813に接続される。画素カラム811の特定画素814および下段の複数の画素はAD変換器821に接続される。画素カラム811以外のカラムについても同様に、上段の複数の画素は対応する上段のAD変換器に接続され、特定画素、下段にある複数の画素は対応する下段AD変換器に接続される。このとき、特定画素814の出力からみて、AD変換器813とAD変換器821は電気的に並列に接続されている。
 ここで特定画素とは、任意の画素であってよいが、図8に示す例では、クラスタ810の画素の最下段にあり、クラスタ820との境界に接しているラインにある画素を示す。特定画素は、カラムの上段AD変換器と下段AD変換器上記に接続される。このため特定画素は、通常の画素に比較して出力の負荷容量が増える。
 特定画素814の構成例を図9の画素回路900に示す。画素回路900は画素回路300に対し、垂直選択トランジスタ901が追加され、出力が出力1と出力2の2系統としている。出力1は上段のAD変換器813に接続され、出力2は下段のAD変換器821に接続される。これにより、出力1と出力2から見た負荷容量をほぼ同等にすることが可能である。
 但し、負荷容量が増えることの影響が問題ない場合、もしくは画素の構成を均一にすることを優先する場合には、通常の画素と同等とし、出力を上下のAD変換器に接続してもかまわない。
 画素812を含む、通常の画素は図3に示した構成である。通常の画素とは、特定画素以外の画素を指す。
 実施の形態3における撮像素子800は、図2の画素部210、AD変換部230に相当する。図8ではAD変換器が上下に分割されているが、AD変換部230は、上下のAD変換器を合わせたものと対応し、すべてのAD変換器の出力が信号処理回路240に入力される。その他は実施の形態1で説明した内容と同様である。
 [3-2.動作]
 以上のように構成された図8に示す実施の形態3における撮像素子800と、図2に示す撮像装置200についてその動作を以下説明する。
 前述のように、クラスタ810、クラスタ820は、画素は上下に2分割され、電源、GNDは、それぞれのクラスタに分配、供給され、供給先のクラスタでは電源、GNDは共通である。クラスタ810、クラスタ820においてクラスタ内の画素またはAD変換器は、レイアウト上で近接した配置である、電源が共通である、GNDが共通である、という共通な特徴を有している。このため、クラスタ内の、画素カラムの画素、AD変換器は、それぞれ相互間のばらつきが小さい。以下、説明上、クラスタ内の、画素カラムの画素、AD変換器のそれぞれ相互間のばらつきは無視できるレベルであり、特性は同等とする。
 それに対してクラスタが異なる、画素カラムの画素、AD変換器は、それぞれ相互間のばらつきが大きい。そのため、クラスタが異なる、画素カラムの画素、AD変換器は、それぞれ相互間のばらつきを抑制することが必要である。そのため、ここでは、クラスタが異なる上下のAD変換器の相互間のばらつきを検出する方法を示す。
 まず、画素カラム811の動作について説明を行う。
 前述のように、AD変換器813とAD変換器821は、いずれも共通の特定画素814の画素の出力に接続される。画素は、垂直選択回路220の出力タイミングにより基本的に上側の画素から順次選択される。図8に示す画素とAD変換器の構成(撮像素子800)においては、クラスタが上下に分割されている。それぞれのクラスタで並行してそれぞれのクラスタの上側の画素から順次選択され、垂直信号線に出力され、AD変換器813、AD変換器821に入力される。
 特定画素814の読み出しタイミングは通常の画素の読み出しタイミングに対して制約はないが、ここでは、通常の画素の読み出しが終了した後に読み出すこととする。例えば1カラムが1080画素の場合について説明を行う。画素は上下2分割されるため、画素カラム811は、上側は特定画素を含む540画素、下側も540画素の画素より構成される。上側、下側のクラスタ内の540画素は、それぞれのクラスタで上側から順次読み出される。上側クラスタ、下側クラスタの1番目、から540番目のタイミングで上下のAD変換器でそれぞれ540画素の通常の読み出しが終了した後、541番目のタイミングで特定画素814を上下のAD変換器で同時に読み出す。その後、特定画素814をAD変換したAD変換器813とAD変換器821の出力デジタル値の差分を検出する。
 以上、画素カラム811の動作について説明を行ったが他のすべてのカラムに対しても同様の処理を行う。
 [3-3.効果等]
 以上により、クラスタが異なるAD変換器間の特性の誤差を精度良く検出することができる。クラスタ810、クラスタ820間のAD変換器の誤差を検出することができ、この誤差に基づき補正を行うことにより、クラスタ810、クラスタ820間のAD変換器の誤差に伴う弊害を低減することができる。実施の形態3のクラスタ構成においては、クラスタが上下に分割されているため、クラスタ810、クラスタ820間のAD変換器の誤差に伴う弊害は、クラスタ境界である特定画素の水平ラインと次の水平ラインとの間の段差による横筋であり、この横筋を改善することができる。
 (実施の形態4)
 [4-1.構成]
 図10は、本技術の実施の形態4における撮像素子1000においてクラスタと補正処理回路の構成を示した図である。実施の形態4において、クラスタは、第1クラスタ110、第2クラスタ120に2分割された場合の例を示している。
 図10では、第1クラスタ110、第2クラスタ120の内部の画素について省略し記載しているが、図1と同様である。
 第1クラスタ110内にあるAD変換器113および複数のAD変換器の出力、第2クラスタ120内にある増設AD変換器121および複数のAD変換器の出力は補正処理回路1010に入力される。補正処理回路1010は減算器1111、補正処理部1112を有する。AD変換器113および増設AD変換器121の出力は減算器1111に入力される。第1クラスタ110内にあるAD変換器113および複数のAD変換器の出力は補正処理部1112に入力される。減算器1111の出力は、補正処理部1112、補正処理部1122に入力される。
 [4-2.動作]
 補正処理回路1010は、第1クラスタ110、第2クラスタ120間のAD変換器の誤差の補正を行う。減算器1111は増設AD変換器121の出力からAD変換器113の出力を減算した差分値を出力する。減算器1111の出力は第1クラスタ110、第2クラスタ120間のAD変換器の誤差と見なされる。第1クラスタ110内の複数のAD変換器に対しては上記差分値の1/2を加算し、第2クラスタ120内のAD変換器に対しては上記差分値の1/2を減算する。これによりクラスタ間のAD変換器の誤差による段差を改善することができる。
 第1クラスタ110内および第2クラスタ120内のAD変換器の個数を、増設AD変換器を除きN個とする。第1クラスタ110内のAD変換器の出力値をD1(n)(n=0~N-1)、第2クラスタ120内のAD変換器の出力値をD2(n)(n=0~N-1)、第2クラスタ120内の増設AD変換器の出力値をD2aとする。減算器1111の出力値をDd12とすると、
 Dd12=D2a-D1(N-1)      ・・・式(4-1)
となる。
 第1クラスタ110内のAD変換器の出力値をD1’(n)(n=0~N-1)、補正処理部の出力値をD2’(n)(n=0~N-1)とすると、
 D1’(n)=D1(n)+Dd12×(1/2)    ・・・式(4-2),
 D2’(n)=D2(n)-Dd12×(1/2)   ・・・式(4-3)
とすれば良い。
 [4-3.効果等]
 すべてのAD変換器の入力は一定値である場合について考える。例えば、AD変換器は10bit出力であり、0から1023の値を取るものとする。D1(n)(n=0~N-1)はすべて同一の値500という値をとり、D2aおよびD2(n)(n=0~N-1)もすべて同一の値508をとった場合については、式(4-1)より
 Dd12=508-500=8
となる。この値8がクラスタ間のAD変換器の誤差と見なされる。
 式(4-2)、式(4-3)より
 D1’(n)=500+8/2=504
 D2’(n)=508-8/2=504
となり、D1’(n)とD2’(n)とは等しくなる。
 以上のように2つのクラスタ間のAD変換器の誤差を補正でき、縦筋をなくすることができる。上記においては、すべてのAD変換器の入力が一定値である場合について説明したが、すべてのAD変換器の入力が一定値でない場合であってもクラスタ間のAD変換器の誤差を補正することは可能である。
 (実施の形態5)
 [5-1.構成]
 図11は、本技術の実施の形態5における撮像素子1100の、クラスタと補正処理回路の構成を示した図である。実施の形態5における撮像素子1100は、第1クラスタ110、第2クラスタ120、第3クラスタ130、補正処理回路1010を有する。
 図11において、クラスタは、第1クラスタ110、第2クラスタ120、第3クラスタ130の3個の例を示しており、第2クラスタ120を中心に、左右のクラスタとして第1クラスタ110、第3クラスタ130を一例として配置している。第3クラスタ130の図では説明上必要な増設AD変換器のみ記載しているが、第2クラスタ120と同等な構成である。図11では、図10同様にクラスタ内部の画素について省略し記載しているが、図1と同様である。
 第1クラスタ110内にあるAD変換器113を含む複数のAD変換器の出力、第2クラスタ120内にある増設AD変換器121および複数のAD変換器の出力、第3クラスタ130内にある増設AD変換器131および複数のAD変換器の出力は、補正処理回路1010に入力される。補正処理回路1010は、減算器1111、補正処理部1112、減算器1121、補正処理部1122を有する。
 AD変換器113および増設AD変換器121の出力は減算器1111に入力される。第1クラスタ110内にあるAD変換器113および複数のAD変換器の出力は補正処理部1112に入力される。減算器1111の出力は、補正処理部1112、補正処理部1122に入力される。
 AD変換器123および増設AD変換器131の出力は減算器1121に入力される。減算器1121の出力は、補正処理部1122に入力される。
 [5-2.動作]
 補正処理回路1010は、第1クラスタ110、第2クラスタ120、第3クラスタ130間のAD変換器の誤差の補正を行う。減算器1111は、増設AD変換器121の出力からAD変換器113の出力を減算した差分値を出力する。減算器1121は増設AD変換器131の出力からAD変換器123の出力を減算した差分値を出力する。
 減算器1111の出力は第1クラスタ110、第2クラスタ120間のAD変換器の誤差と見なされ、減算器1121の出力は第2クラスタ120、第3クラスタ130間のAD変換器の誤差と見なされる。
 減算器1111および減算器1121の出力により、第1クラスタ110、第2クラスタ120、第3クラスタ130間のAD変換器の誤差による変化を把握することができる。この変化がなだらかになるようLPF処理を行ったのと同様な処理を行うことによりクラスタ間のAD変換器の誤差による段差を改善することができる。
 各クラスタ内のAD変換器の個数を、増設AD変換器を除きN個とする。第1クラスタ110、第2クラスタ120、第3クラスタ130のAD変換器の出力値をそれぞれ、
 D1(n)(n=0~N-1),
 D2(n)(n=0~N-1),
 D3(n)(n=0~N-1)
とする。
 第2クラスタ120、第3クラスタ130の増設AD変換器の出力値をそれぞれ、D2a、D3a、とする。
 ここでは、すべてのAD変換器の入力は一定値である場合について考える。クラスタ毎に同一の誤差が発生した場合、D1(n)、D2(n)、D3(n)は、いずれのnに対しても同じ値となり、この値をD1b、D2b、D3bとすると、
 D1(n)=D1b(n=0~N-1),
 D2(n)=D2b(n=0~N-1),
 D3(n)=D3b(n=0~N-1)
となる。また、
 D2a=D2b,
 D3a=D3b
と表すことができる。
 減算器1111、減算器1121の出力値をそれぞれDd12、Dd23とすると、
 Dd12=D2a-D1b      ・・・式(5-1),
 Dd23=D3a-D2b      ・・・式(5-2)
となる。
 以上より、D1(n)、D3(n)を、D2(n)を使用して表すと、
 D1(n)=D2(n)-Dd12 (n=0~N-1),
 D3(n)=D2(n)+Dd23 (n=0~N-1)
となる。
 補正後のD2(n’)は、D1(n)、D2(n)、D3(n)に対して1/4、2/4、1/4の係数を乗算し加算したとすると、
 D2(n’)=D2(n)-(1/4)×Dd12+(1/4)×Dd23 (n=0~N-1)  ・・・式(5-3)
となる。
 一般には、クラスタは上記3個に加え、図11における第2クラスタ120と同等な構成が、第2クラスタ120の右側に複数個連続し配置される。下記では、主に3個のクラスタの中心にある第2クラスタ120の補正について説明を行ったが、クラスタが4個以上の場合は順次中心となるクラスタが右側にシフトし、左右のクラスタと合わせた3個のクラスタで同様な処理を行うものとする。
 さらに、上記では、左右のクラスタと合わせた3個のクラスタでの処理について説明を行ったが、クラスタ数が多い場合、使用する左右のクラスタを増し、例えば左右をそれぞれ2個のクラスタ使用し、全部で5個のクラスタのデータを使用してもかまわない。
 また、使用する左右のクラスタの個数は必ずしも同一でなくともよい。
 [5-3.効果等]
 すべてのAD変換器の入力は一定値である場合について考える。例えば、AD変換器は10bit出力であり、0から1023の値を取るものとする。具体的にD1(n)(n=0~N-1)はすべて同一の値500という値をとり、D2aおよびD2(n)(n=0~N-1)もすべて同一の値508という値をとり、D3aおよびD3(n)(n=0~N-1)もすべて同一の値504という値をとった場合について説明する。この場合、式(5-3)より
 D2(n’)=505 (n=0~N-1)
となり、元のD2(n)が左右の値に対して突出が改善される。
 以上のように、クラスタ間のAD変換器の誤差を補正でき、縦筋をなくすることができる。上記においては、すべてのAD変換器の入力が一定値である場合について説明したが、すべてのAD変換器の入力が一定値でない場合であってもクラスタ間のAD変換器の誤差を補正することは可能である。
 以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施の形態1~5を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施の形態1~5で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。
 また、実施の形態1~5では、撮像手段(イメージセンサ)の一例として固体撮像素子であるCMOSイメージセンサを説明した。しかし、撮像手段はカラム型AD変換器を有するものであればよく、CMOSイメージセンサや固体撮像素子に限定されない。
 また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
 本開示は、撮像装置に適用可能である。具体的には、スタジオ用カメラ、業務用カメラ、デジタルスチルカメラ、ムービー、カメラ機能付き携帯電話機、スマートフォンなどに使用される撮像装置として、本開示は適用可能である。
100,520,600,700,800,1000,1100  撮像素子
200,500  撮像装置
110,120,130,710,720,810,820  クラスタ
111,811  画素カラム
112,812  画素
113,123,400,813,821  AD変換器
121,131  増設AD変換器
210  画素部
220  垂直選択回路
230  AD変換部
240  信号処理回路
250  水平シフトレジスタ
260  制御回路
300,900  画素回路
301  フォトダイオード
302  FD
306  水平選択トランジスタ
304  リセットトランジスタ
305  ソースフォロアトランジスタ
303,901  垂直選択トランジスタ
401,403  加算器
402,404  積分回路
405  量子化器
406  DA変換器
407  デシメーションフィルタ
500  撮像装置
510  レンズ
530  信号処理回路
540  コントローラ部
601  負荷
814  特定画素
1111,1121  減算器
1112,1122  補正処理部
1010  補正処理回路

Claims (11)

  1.  光電変換された画素信号を出力する二次元に配置された複数の画素と、
     前記複数の画素に含まれる第1画素カラムの画素の出力と接続され、前記出力の信号をデジタル信号に変換する第1アナログデジタル変換器と、
     前記第1画素カラムの画素の前記出力が接続された増設アナログデジタル変換器と、を有する、
     撮像装置。
  2.  前記第1画素カラムを含む複数の画素カラムを有する第1クラスタと、
     前記第1アナログデジタル変換器を含む、第1クラスタの複数のアナログデジタル変換器と、
     第2画素カラムを含む複数の画素カラムを有する第2クラスタと、
     前記第2画素カラムの画素の出力信号をデジタル信号に変換する第2アナログデジタル変換器を含む、第2クラスタの複数のアナログデジタル変換器と、を有し、
     前記増設アナログデジタル変換器は前記第2クラスタに含まれ、
     前記第1クラスタに含まれる複数の画素カラムの出力が接続された前記第1クラスタの複数のアナログデジタル変換器と、
     前記第2クラスタに含まれる複数の画素カラムの出力が接続された前記第2クラスタの複数のアナログデジタル変換器とは、二次元に配置された複数の画素に対して同一側に位置する、
     請求項1記載の撮像装置。
  3.  前記第1クラスタと前記第2クラスタは隣接している、
     請求項2記載の撮像装置。
  4.  前記第1画素カラムを含む複数の画素カラムを有する第1クラスタと、
     前記第1アナログデジタル変換器を含む複数のアナログデジタル変換器と、
     前記第2画素カラムを含む複数の画素カラムを有する第2クラスタと、前記第2アナログデジタル変換器を含む複数のアナログデジタル変換器と、を有し、
     前記第1クラスタの複数の画素カラムと前記第2クラスタの複数の画素カラムはそれぞれ交互に位置し、
     第1クラスタに属する複数のアナログデジタル変換器と第2のクラスタに属する複数のアナログデジタル変換器が、二次元に配置された複数の画素に対して異なる側に位置する、
     請求項1記載の撮像装置。
  5.  さらに負荷を有し、前記負荷は、前記増設アナログデジタル変換器が接続されていない画素カラムの画素と、アナログデジタル変換器とを接続する配線に接続されている、
     請求項2記載の撮像装置。
  6.  前記第1クラスタに含まれる複数の画素カラムと、
     前記第2クラスタに含まれる複数の画素カラムとは、電源線が異なる、又は、グランド線が異なる、
     請求項2から請求項5のいずれか一項に記載の撮像装置。
  7.  前記第1クラスタに含まれる複数の画素カラムは電源線又はグランド線が共有され、
    前記第2クラスタに含まれる複数の画素カラムは電源線又はグランド線が共有されている、
    請求項2から請求項5のいずれか一項に記載の撮像装置。
  8.  さらにデジタル処理回路を有し、
     前記増設アナログデジタル変換器のデジタル出力に基づき、第1クラスタの複数のアナログデジタル変換器のデジタル出力を補正する、
    請求項2から請求項5のいずれか一項に記載の撮像装置。
  9.  前記デジタル処理回路は、
     前記第1アナログデジタル変換器のデジタル出力と前記増設アナログデジタル変換器のデジタル出力を用い前記第1クラスタと前記第2クラスタ間の誤差を検出し、
     検出された前記誤差に基づき、前記第1クラスタの複数のアナログデジタル変換器のデジタル出力を補正する、
     請求項8記載の撮像装置。
  10.  前記デジタル処理回路は、さらに第3クラスタを有し、
     前記第2アナログデジタル変換器のデジタル出力と第3クラスタの増設アナログデジタル変換器のデジタル出力を用い前記第2クラスタと前記第3クラスタ間の誤差を検出し、
     検出された前記誤差に基づき、前記第2クラスタの複数のアナログデジタル変換器のデジタル出力を補正する、
     請求項9記載の撮像装置。
  11.  行列上に配置された複数の画素が上クラスタと下クラスタに分類されており、
     第1画素カラムに含まれる複数の画素は、上クラスタに含まれる第1グループの画素と下クラスタに含まれる第2グループの画素を含み、
     前記第1グループの画素は上部のアナログデジタル変換器に接続され、
     前記第2グループの画素は下部のアナログデジタル変換器に接続されており、
     第1グループの画素のうち少なくとも1つの画素は前記下部のアナログデジタル変換器にも接続されている、
     撮像装置。
PCT/JP2014/004805 2014-01-15 2014-09-18 撮像装置 WO2015107575A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015557585A JPWO2015107575A1 (ja) 2014-01-15 2014-09-18 撮像装置
US14/877,804 US20160028978A1 (en) 2014-01-15 2015-10-07 Imaging apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-004744 2014-01-15
JP2014004744 2014-01-15

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/877,804 Continuation US20160028978A1 (en) 2014-01-15 2015-10-07 Imaging apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015107575A1 true WO2015107575A1 (ja) 2015-07-23

Family

ID=53542504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/004805 WO2015107575A1 (ja) 2014-01-15 2014-09-18 撮像装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20160028978A1 (ja)
JP (1) JPWO2015107575A1 (ja)
WO (1) WO2015107575A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017216626A (ja) * 2016-06-01 2017-12-07 キヤノン株式会社 撮像素子及びその制御方法、撮像装置及びその制御方法
WO2018135125A1 (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 アナログ-デジタル変換器、固体撮像素子、及び、電子機器
JP2020065175A (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体
US11671729B2 (en) 2021-03-18 2023-06-06 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, electronic equipment, and substrate with multiple delta-sigma A/D converters

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017060071A (ja) * 2015-09-18 2017-03-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US10965301B2 (en) * 2017-03-08 2021-03-30 Sony Semiconductor Solutions Corporation Analog-digital converter, solid-state imaging element, and electronic equipment

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006033452A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Sony Corp データ処理方法およびデータ処理装置並びに物理量分布検知の半導体装置および電子機器
JP2008124548A (ja) * 2006-11-08 2008-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ
JP2011040807A (ja) * 2009-08-06 2011-02-24 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2012015587A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Toshiba Corp 固体撮像装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7304674B2 (en) * 2002-11-15 2007-12-04 Avago Technologies General Ip Pte Ltd Sampling image signals generated by pixel circuits of an active pixel sensor (APS) image sensor in a sub-sampling mode
US7538304B2 (en) * 2006-03-30 2009-05-26 Aptina Imaging Corporation Reducing noise in an imager by sampling signals with a plurality of capacitances connected to an output line
JP4847202B2 (ja) * 2006-04-27 2011-12-28 キヤノン株式会社 撮像装置及び放射線撮像システム
US8462240B2 (en) * 2010-09-15 2013-06-11 Aptina Imaging Corporation Imaging systems with column randomizing circuits
US8599284B2 (en) * 2011-10-11 2013-12-03 Omnivision Technologies, Inc. High dynamic range sub-sampling architecture
JP2013240002A (ja) * 2012-05-17 2013-11-28 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器
KR101999341B1 (ko) * 2012-11-27 2019-10-01 삼성전자주식회사 이미지 센서, 및 이를 포함하는 시스템
JP6112960B2 (ja) * 2013-05-08 2017-04-12 キヤノン株式会社 光電変換装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006033452A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Sony Corp データ処理方法およびデータ処理装置並びに物理量分布検知の半導体装置および電子機器
JP2008124548A (ja) * 2006-11-08 2008-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ
JP2011040807A (ja) * 2009-08-06 2011-02-24 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2012015587A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Toshiba Corp 固体撮像装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017216626A (ja) * 2016-06-01 2017-12-07 キヤノン株式会社 撮像素子及びその制御方法、撮像装置及びその制御方法
WO2018135125A1 (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 アナログ-デジタル変換器、固体撮像素子、及び、電子機器
CN110168937A (zh) * 2017-01-17 2019-08-23 索尼半导体解决方案公司 模拟数字转换器、固态图像传感装置和电子系统
KR20190104145A (ko) * 2017-01-17 2019-09-06 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 아날로그-디지털 변환기, 고체 촬상 소자, 및, 전자기기
JPWO2018135125A1 (ja) * 2017-01-17 2019-12-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 アナログ−デジタル変換器、固体撮像素子、及び、電子機器
US10917107B2 (en) 2017-01-17 2021-02-09 Sony Corporation Analog-digital converter, solid-state image sensing device, and electronic system
KR102458186B1 (ko) * 2017-01-17 2022-10-25 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 아날로그-디지털 변환기, 고체 촬상 소자, 및, 전자기기
CN110168937B (zh) * 2017-01-17 2023-07-18 索尼半导体解决方案公司 模拟数字转换器、固态图像传感装置和电子系统
JP2020065175A (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体
JP7175703B2 (ja) 2018-10-17 2022-11-21 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体
US11671729B2 (en) 2021-03-18 2023-06-06 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, electronic equipment, and substrate with multiple delta-sigma A/D converters

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2015107575A1 (ja) 2017-03-23
US20160028978A1 (en) 2016-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9979916B2 (en) Imaging apparatus and imaging system
WO2015107575A1 (ja) 撮像装置
US9584745B2 (en) Image sensors with N-row parallel readout capability
US7746400B2 (en) Method, apparatus, and system providing multi-column shared readout for imagers
JP6619631B2 (ja) 固体撮像装置および撮像システム
JP5106092B2 (ja) 固体撮像装置およびカメラ
US8264580B2 (en) Solid state imaging device, signal processing method of solid-state imaging device and imaging apparatus capable of removing vertical smears
US20190067359A1 (en) Image Sensor and Image-Capturing Apparatus
US8780236B2 (en) Imaging apparatus for correcting noise when a quantity of pixels in an invalid pixel area is small
US8780238B2 (en) Systems and methods for binning pixels
US9998715B2 (en) Solid-state imaging device, imaging system, and signal processing method correcting a read-out signal
JP5988744B2 (ja) 撮像装置、その制御方法、および制御プログラム
JP5526840B2 (ja) 画像信号処理装置、撮像装置、画像信号処理方法、およびプログラム
CN110944126B (zh) 成像系统和对图像传感器进行黑阶校正的方法
US9571771B2 (en) Data transfer circuit, imaging device and imaging apparatus
US9270914B2 (en) Solid-state imaging apparatus and imaging system
US9749571B2 (en) Imaging apparatus and imaging system
US8411180B2 (en) Solid-state imaging device, camera system, solid-state imaging device reading method and program
JP5260979B2 (ja) 撮像システム、信号処理回路、及び信号処理方法
JP7322552B2 (ja) 光電変換装置、ラインセンサ、画像読取装置、及び画像形成装置
JP2016111378A (ja) 固体撮像装置
US20220303486A1 (en) Photoelectric conversion device, electronic device, and substrate
US20230179890A1 (en) Photoelectric conversion apparatus and equipment
JP2015177256A (ja) 固体撮像装置
JP2012060496A (ja) 画像処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14879095

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015557585

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14879095

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1