WO2015068493A1 - 誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法 - Google Patents

Abstract

　本発明は、誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法に関する。誘電体ブロック（１２）の対向する一対の端面（１４ａ）及び（１４ｂ）間を貫通して、内面に内導体（１６）が形成された第１共振器孔（１８ａ）及び第２共振器孔（１８ｂ）を有する第１誘電体フィルタ（１０Ａ）において、誘電体ブロック（１２）のうち、第１共振器孔（１８ａ）及び第２共振器孔（１８ｂ）間に、第１共振器孔（１８ａ）及び第２共振器孔（１８ｂ）に対してねじれの位置に１つの貫通孔（２８）が形成されている。

Description

誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法

　本発明は、例えばデュプレクサ等で使用される誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法に関する。

　従来、誘電体ブロックの対向する一対の端面間を貫通して、内面に内導体が形成された複数の共振器孔を平行に形成し、誘電体ブロックの外面に外導体を形成し、誘電体ブロックの一方の端面を短絡端面とした誘電体フィルタが知られている（特開２０００－１６５１０６号公報参照）。

　特に、この特開２０００－１６５１０６号公報に記載の誘電体フィルタは、短絡端面側の共振器孔の間に、各共振器孔の配列方向に延びる溝とこの溝に垂直方向に延びる溝とからなる十字状溝を形成している。これにより、共振器孔間の結合を容易に設定、調整することができる、とされている。

　しかしながら、従来の誘電体フィルタにおいては、溝の深さと幅しか変えることができず、所望の位置に減衰極を得ることが困難であり、設計上の自由度が低いという問題があった。

　本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法を提供することを目的とする。

［１］　第１の本発明に係る誘電体フィルタは、誘電体ブロックの対向する一対の端面間を貫通して、内面に内導体が形成された複数の共振器孔を有する誘電体フィルタにおいて、前記誘電体ブロックのうち、前記複数の共振器孔間に、前記複数の共振器孔に対してねじれの位置に１以上の貫通孔が形成されていることを特徴とする。

　これにより、貫通孔の形成位置、貫通孔のサイズによって、減衰極の位置の調整、減衰量の調整を行うことができる。すなわち、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる。

［２］　第１の本発明において、前記複数の共振器孔が平行に形成されていてもよい。

［３］　第１の本発明において、前記共振器孔の軸方向に沿って延び、且つ、前記共振器孔を二分する第１仮想面に前記貫通孔を投影した際の前記共振器孔と前記貫通孔とのなす角は、６０°～１２０°であってもよい。

［４］　この場合、前記第１仮想面に前記貫通孔を投影した際の前記貫通孔と前記共振器孔とのなす角は、９０°であってもよい。

［５］　第１の本発明において、２つの前記共振器孔を有し、前記誘電体フィルタの前記端面と平行な第２仮想面に、２つの前記共振器孔の各中心軸を結ぶ線分を前記第２仮想面に投影させた線分と、該線分の中点で直交する仮想線とを設定したとき、前記貫通孔を前記第２仮想面に投影した際の前記貫通孔と前記仮想線とのなす角は、－２０°～＋２０°であってもよい。

［６］　この場合、前記貫通孔を前記第２仮想面に投影した際の前記貫通孔と前記仮想線とのなす角は、０°であってもよい。

［７］　第１の本発明において、２つの前記貫通孔を有し、２つの前記貫通孔が平行に形成されていてもよい。

　これにより、２つの貫通孔の形成位置、２つの貫通孔の相対位置関係、２つの貫通孔のサイズによって、減衰極の位置の調整、減衰量の調整を行うことができる。すなわち、１つの貫通孔を設けた場合よりも、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、さらに、設計上の自由度を向上させることができる。

［８］　第１の本発明において、前記誘電体ブロックの前記一対の端面が共に開放端面であり、前記共振器孔が１／２波長共振器を構成してもよい。

［９］　第１の本発明において、前記誘電体ブロックの前記一対の端面のうち、一方の端面が開放端面で、他方の端面が短絡端面であり、前記共振器孔が１／４波長共振器を構成してもよい。

［１０］　第１の本発明において、前記誘電体ブロックのうち、前記開放端面であって、且つ、前記複数の共振器孔間に溝を有してもよい。この場合、貫通孔による減衰極の位置の調整、減衰量の調整ができるほか、溝の幅や深さによっても、減衰極の位置の調整、減衰量の調整ができ、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができる。

［１１］　第１の本発明において、当業者であれば、周知の構成ではあるが、前記誘電体ブロックの前記一対の端面を除く複数の側面に第１導体が形成されていてもよい。１つの側面のみに第１導体が形成されてもよいし、側面の一部に第１導体が形成されてもよい。

［１２］　もちろん、前記複数の側面全面に前記第１導体が形成されていてもよい。

［１３］　また、もちろん、前記貫通孔の内壁全面又は内壁の一部に、前記第１導体と導通する第２導体が形成されていてもよい。

［１４］　前記一対の端面のうち、少なくとも１つの端面に、前記共振器孔の前記内導体と導通し、且つ、前記第１導体との間で容量を形成する電極が形成されていてもよい。

［１５］　あるいは、前記一対の端面のうち、少なくとも１つの端面に、前記第１導体と導通し、且つ、前記共振器孔との間で容量を形成する電極が形成されていてもよい。

［１６］　また、前記一対の端面のうち、少なくとも１つの端面に、隣接する共振器孔間に少なくとも容量を形成する第３導体が形成されていてもよい。

［１７］　前記一対の端面のうち、少なくとも１つの端面に、隣接する共振器孔間に少なくともインダクタンスを形成する第３導体が形成されていてもよい。

［１８］　前記一対の端面のうち、少なくとも１つの端面に、隣接する共振器孔間に並列に容量とインダクタンスとを形成する第３導体が形成されていてもよい。

［１９］　前記一対の端面のうち、少なくとも１つの端面に、前記共振器孔と容量、又はインダクタンス、又は容量及びインダクタンスで結合する端子電極が形成されていてもよい。

［２０］　第２の本発明に係る誘電体フィルタの減衰特性調整方法は、誘電体ブロックに複数の共振器孔を有する誘電体フィルタの減衰特性調整方法において、前記誘電体ブロックのうち、前記複数の共振器孔間に、前記複数の共振器孔に対してねじれの位置に１以上の貫通孔を形成することを特徴とする。

［２１］　第２の本発明において、前記貫通孔を形成することによって、中心周波数より低域側の減衰量を大きくしてもよい。

［２２］　第２の本発明において、前記貫通孔の形成位置を調整することで、減衰極の位置を調整してもよい。

［２３］　第２の本発明において、前記貫通孔の寸法を調整することで、減衰極の位置を調整してもよい。

　以上説明したように、本発明に係る誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法によれば、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる。

図１Ａは第１の実施の形態に係る誘電体フィルタ（第１誘電体フィルタ）を示す透視斜視図であり、図１Ｂは第１誘電体フィルタを示す縦断面図である。 図２Ａは貫通孔の誘電体ブロックに対する垂直方向の傾き具合を示す説明図であり、図２Ｂは貫通孔の誘電体ブロックに対する横方向の傾き具合を示す説明図である。 入力端子及び出力端子の他の接続形態を示す縦断面図である。 図４Ａは第２の実施の形態に係る誘電体フィルタ（第２誘電体フィルタ）を示す透視斜視図であり、図４Ｂは第２誘電体フィルタを示す縦断面図である。 図５Ａは第１貫通孔及び第２貫通孔の誘電体ブロックに対する垂直方向の傾き具合を示す説明図であり、図５Ｂは第１貫通孔の誘電体ブロックに対する横方向の傾き具合を示す説明図であり、図５Ｃは第２貫通孔の誘電体ブロックに対する横方向の傾き具合を示す説明図である。 第３の実施の形態に係る誘電体フィルタ（第３誘電体フィルタ）を示す縦断面図である。 図７Ａは第４の実施の形態に係る誘電体フィルタ（第４誘電体フィルタ）を示す透視斜視図であり、図７Ｂは第４誘電体フィルタを示す縦断面図である。 図８Ａは第５の実施の形態に係る誘電体フィルタ（第５誘電体フィルタ）を示す透視斜視図であり、図８Ｂは第５誘電体フィルタを示す縦断面図である。 図９Ａは第６の実施の形態に係る誘電体フィルタ（第６誘電体フィルタ）を示す透視斜視図であり、図９Ｂは第６誘電体フィルタを示す縦断面図である。 図１０Ａ～図１０Ｃは第７～第９の実施の形態に係る誘電体フィルタ（第７誘電体フィルタ～第９誘電体フィルタ）を示す縦断面図である。 図１１Ａは第１０の実施の形態に係る誘電体フィルタ（第１０誘電体フィルタ）を示す透視斜視図であり、図１１Ｂは第１０誘電体フィルタを示す縦断面図である。 図１２Ａは第１１の実施の形態に係る誘電体フィルタ（第１１誘電体フィルタ）を示す透視斜視図であり、図１２Ｂは第１１誘電体フィルタを示す縦断面図である。 図１３Ａは第１１誘電体フィルタの変形例を示す縦断面図であり、図１３Ｂは図１３ＡにおけるＸＩＩＩＢ－ＸＩＩＩＢ線上の断面図である。 図１４Ａは第１１誘電体フィルタの他の変形例を示す縦断面図であり、図１４Ｂは図１４ＡにおけるＸＩＶＢ－ＸＩＶＢ線上の断面図である。 図１５Ａは第１２の実施の形態に係る誘電体フィルタ（第１２誘電体フィルタ）を上面から見て示す平面図であり、図１５Ｂは図１５ＡにおけるＸＶＢ－ＸＶＢ線上の断面図である。 図１６Ａは第１２誘電体フィルタの変形例を示す透視斜視図であり、図１６Ｂはその縦断面図である。 図１７Ａは第１３の実施の形態に係る誘電体フィルタ（第１３誘電体フィルタ）を上面から見て示す平面図であり、図１７Ｂは図１７ＡにおけるＸＶＩＩＢ－ＸＶＩＩＢ線上の断面図である。 図１８Ａは第１４の実施の形態に係る誘電体フィルタ（第１４誘電体フィルタ）を上面から見て示す平面図であり、図１８Ｂは第１４誘電体フィルタの変形例を示す平面図であり、図１８Ｃは第１４誘電体フィルタの他の変形例を示す平面図である。 図１９Ａは第１５の実施の形態に係る誘電体フィルタ（第１５誘電体フィルタ）を上面から見て示す平面図であり、図１９Ｂは第１５誘電体フィルタの変形例を示す平面図であり、図１９Ｃは第１５誘電体フィルタの他の変形例を示す平面図である。 図２０Ａは２つの第１４誘電体フィルタを直列に接続した例を示す平面図であり、図２０Ｂは２つの第１５誘電体フィルタを直列に接続した例を示す平面図である。 比較例１に係る誘電体フィルタを示す透視斜視図である。 図２２Ａは参考例１に係る誘電体フィルタを示す透視斜視図であり、図２２Ｂは参考例１に係る誘電体フィルタを示す縦断面図である。 比較例１、参考例１、実施例１及び実施例２に係る誘電体フィルタを示す等価回路図である。 図２４Ａは比較例１の減衰特性を示すグラフであり、図２４Ｂは参考例１の減衰特性を示すグラフである。 図２５Ａは実施例１の減衰特性を示すグラフであり、図２５Ｂは実施例２の減衰特性を示すグラフである。 参考例１において、第１溝及び第２溝の深さを変えた場合の減衰特性を示すグラフである。 実施例２において、第１貫通孔及び第２貫通孔の位置を変更した場合の減衰特性を示すグラフである。 実施例２において、第１貫通孔及び第２貫通孔のサイズを変更した場合の減衰特性を示すグラフである。

　以下、本発明に係る誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法の実施の形態例を図１Ａ～図２８を参照しながら説明する。なお、本明細書において数値範囲を示す「～」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味として使用される。

　先ず、第１の実施の形態に係る誘電体フィルタ（以下、第１誘電体フィルタ１０Ａと記す）は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、直方体状の誘電体ブロック１２と、該誘電体ブロック１２の対向する一対の端面１４ａ及び１４ｂ間を貫通して、内面に内導体１６が形成された２つの共振器孔（第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂ）と、誘電体ブロック１２の側面のうち、第１共振器孔１８ａに近接する第１側面２０ａに形成された入力端子２２と、第２共振器孔１８ｂに近接する第２側面２０ｂに形成された出力端子２４とを有する。第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂは、各中心軸２６ａ及び２６ｂが平行である。第１共振器孔１８ａと第２共振器孔１８ｂの断面形状は円形でもよいし、三角形、矩形、五角形、六角形等の多角形でもよい。本実施の形態では円形とした。

　そして、この第１誘電体フィルタ１０Ａは、誘電体ブロック１２のうち、第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂ間に、第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂに対して、ねじれの位置に１つの貫通孔２８が形成されている。

　また、第１誘電体フィルタ１０Ａの一対の端面１４ａ及び１４ｂは、共に開放端面３０ａ及び３０ｂとなっており、第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂは、共に１／２波長共振器を構成する。

　貫通孔２８は誘電体ブロック１２に対して水平方向に形成されていてもよいし、垂直方向に傾いて形成されてもよい。また、貫通孔２８の一方の先端が入力側寄りあるいは出力側寄りに形成されてもよい。

　具体的には、図２Ａに示すように、例えば第１共振器孔１８ａの中心軸２６ａに沿って延び、且つ、第１共振器孔１８ａを二分する第１仮想面３２ａに、貫通孔２８を投影することを考える。この場合、第１共振器孔１８ａの中心軸２６ａと貫通孔２８（投影画像）の軸線３４とのなす角θ１として６０°～１２０°が選択可能である。本実施の形態では、なす角θ１を９０°とした。

　また、図２Ｂに示すように、例えば誘電体ブロック１２の一方の開放端面３０ａと平行な第２仮想面３２ｂに、貫通孔２８を投影することを考える。この場合、第１共振器孔１８ａの中心軸２６ａと第２共振器孔１８ｂの中心軸２６ｂとを結ぶ線分を第２仮想面３２ｂに投影させた線分３６と、該線分３６の中点で直交する仮想線３８とを設定する。このとき、貫通孔２８（投影画像）の軸線３４と仮想線３８とのなす角θａとして、－２０°～＋２０°が選択可能である。本実施の形態では、なす角θａを０°とした。

　貫通孔２８の断面形状は、第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂと同様に、円形でもよいし、その他、三角形、矩形、五角形、六角形等の多角形でもよい。本実施の形態では矩形とした。

　この第１誘電体フィルタ１０Ａにおいては、誘電体ブロック１２のうち、第１共振器孔１８ａと第２共振器孔１８ｂ間に１つの貫通孔２８を設けたので、貫通孔２８の形成位置、貫通孔２８のサイズによって、減衰極の位置の調整、減衰量の調整を行うことができる。ちなみに、後述する参考例１に係る誘電体フィルタ１０２では、図２２Ａ及び図２２Ｂに示すように、一方の端面１４ａに形成した第１溝４０ａと、他方の端面１４ｂに形成した第２溝４０ｂによって、減衰極の位置の調整、減衰量の調整を行うことが考えられるが、調整できる部分は、第１溝４０ａ及び第２溝４０ｂのサイズ（幅と深さ）だけであり、形成位置はほぼ固定とされる。これに対して、第１誘電体フィルタ１０Ａにおいては、貫通孔２８のサイズに加えて、貫通孔２８の位置も調整項目として挙げることができることから、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる。

　また、貫通孔２８を形成した構造は、溝を形成した構造と比較して機械強度を高く設計できるため、周囲温度の変化に対する寸法歪が小さい。従って、温度変化に対する特性の変化量を小さくすることができる。しかも、熱衝撃等の信頼性試験に対するクラックリスクを小さくすることができる。

　上述の例では、入力端子２２を誘電体ブロック１２の第１側面２０ａに形成して、入力端子２２と第１共振器孔１８ａとを容量を介して電気的に接続し、出力端子２４を第２側面２０ｂに形成して、出力端子２４と第２共振器孔１８ｂと容量を介して電気的に接続している。その他、図３に示すように、入力端子２２及び出力端子２４を例えば一方の開放端面３０ａに形成して、入力端子２２と第１共振器孔１８ａとを直接接続し、出力端子２４と第２共振器孔１８ｂとを直接接続してもよい。これは、以後に説明する誘電体フィルタについても同様である。

　次に、第２の実施の形態に係る誘電体フィルタ（以下、第２誘電体フィルタ１０Ｂと記す）について図４Ａ～図５Ｃを参照しながら説明する。

　第２誘電体フィルタ１０Ｂは、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、上述した第１誘電体フィルタ１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、２つの貫通孔（第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂ）を設けた点で異なる。

　すなわち、この第２誘電体フィルタ１０Ｂは、誘電体ブロック１２のうち、第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂ間に、第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂに対して、ねじれの位置に第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂが形成されている。

　第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂは誘電体ブロック１２に対して水平方向に形成されていてもよいし、垂直方向に傾いて形成されてもよい。また、第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂの一方の各先端が入力側寄りあるいは出力側寄りに形成されてもよい。

　具体的には、図５Ａに示すように、例えば第１共振器孔１８ａの中心軸２６ａに沿って延び、且つ、第１共振器孔１８ａを二分する第１仮想面３２ａに、第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂを投影することを考える。この場合、第１共振器孔１８ａの中心軸２６ａと第１貫通孔２８ａ（投影画像）の軸線３４ａとのなす角θ１として、６０°～１２０°が選択可能である。同様に、第１共振器孔１８ａの中心軸２６ａと第２貫通孔２８ｂ（投影画像）の軸線３４ｂとのなす角θ２として、６０°～１２０°が選択可能である。なす角θ１及びθ２は同じでもよいし、異なっていてもよい。本実施の形態では、なす角θ１及びθ２を共に９０°とした。

　また、図５Ｂ及び図５Ｃに示すように、例えば誘電体ブロック１２の一方の開放端面３０ａと平行な第２仮想面３２ｂに、第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂを投影することを考える。この場合、図２Ｂと同様に、第１共振器孔１８ａの中心軸２６ａと第２共振器孔１８ｂの中心軸２６ｂとを結ぶ線分を第２仮想面３２ｂに投影させた線分３６と、該線分３６の中点で直交する仮想線３８とを設定する。このとき、図５Ａに示すように、第１貫通孔２８ａ（投影画像）の軸線３４ａと仮想線３８とのなす角θａとして、－２０°～＋２０°が選択可能であり、図５Ｂに示すように、第２貫通孔２８ｂ（投影画像）の軸線３４ｂと仮想線３８とのなす角θｂとして、－２０°～＋２０°が選択可能である。なす角θａ及びθｂは同じでもよいし、異なっていてもよい。本実施の形態では、なす角θａ及びθｂを共に０°とした。

　なお、第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂの断面形状は、第１誘電体フィルタ１０Ａと同様に、円形でもよいし、その他、三角形、矩形、五角形、六角形等の多角形でもよい。本実施の形態では矩形とした。

　この第２誘電体フィルタ１０Ｂにおいては、誘電体ブロック１２のうち、第１共振器孔１８ａと第２共振器孔１８ｂ間に２つの貫通孔（第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂ）を設けたので、第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂの形成位置、第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂの相対位置関係、第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂのサイズによって、減衰極の位置の調整、減衰量の調整を行うことができる。すなわち、第１誘電体フィルタ１０Ａよりも減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、さらに、設計上の自由度を向上させることができる。

　次に、第３の実施の形態に係る誘電体フィルタ（以下、第３誘電体フィルタ１０Ｃと記す）について図６を参照しながら説明する。

　第３誘電体フィルタ１０Ｃは、図６に示すように、上述した第１誘電体フィルタ１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、１つの貫通孔２８と、２つの溝（第１溝４０ａ及び第２溝４０ｂ）を設けた点で異なる。

　この場合、１つの貫通孔２８による減衰極の位置の調整、減衰量の調整ができるほか、第１溝４０ａ及び第２溝４０ｂの幅や深さによっても、減衰極の位置の調整、減衰量の調整ができ、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができる。

　上述の例では、２つの共振器孔（第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂ）を有する実施の形態例を主体に説明したが、その他、次のような実施の形態例も好ましく採用することができる。

　すなわち、第４の実施の形態に係る誘電体フィルタ（以下、第４誘電体フィルタ１０Ｄと記す）は、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、上述した第１誘電体フィルタ１０Ａ（図１Ａ及び図１Ｂ参照）とほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。

　すなわち、誘電体ブロック１２に４つの共振器孔（第１共振器孔１８ａ～第４共振器孔１８ｄ）を有する。また、誘電体ブロック１２のうち、第１共振器孔１８ａと第２共振器孔１８ｂ間、第２共振器孔１８ｂと第３共振器孔１８ｃ間、第３共振器孔１８ｃと第４共振器孔１８ｄ間にそれぞれ貫通孔２８を有する。

　次に、第５の実施の形態に係る誘電体フィルタ（以下、第５誘電体フィルタ１０Ｅと記す）は、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、上述した第１誘電体フィルタ１０Ａ（図１Ａ及び図１Ｂ参照）とほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。

　すなわち、誘電体ブロック１２の入力側に２つの共振器孔（第１入力共振器孔１８ａ１及び第２入力共振器孔１８ａ２）を有し、誘電体ブロック１２の出力側に２つの共振器孔（第１出力共振器孔１８ｂ１及び第２出力共振器孔１８ｂ２）を有する。また、誘電体ブロック１２のうち、第１入力共振器孔１８ａ１と第１出力共振器孔１８ｂ１間を貫通し、第２入力共振器孔１８ａ２と第２出力共振器孔１８ｂ２間を貫通する貫通孔２８が形成されている。

　次に、第６の実施の形態に係る誘電体フィルタ（以下、第６誘電体フィルタ１０Ｆと記す）は、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、上述した第５誘電体フィルタ１０Ｅ（図８Ａ及び図８Ｂ参照）とほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。

　すなわち、誘電体ブロック１２のうち、第１入力共振器孔１８ａ１と第１出力共振器孔１８ｂ１間を貫通し、第２入力共振器孔１８ａ２と第２出力共振器孔１８ｂ２間を貫通する第１貫通孔２８ａが形成されている。さらに、誘電体ブロック１２のうち、第１入力共振器孔１８ａ１と第２入力共振器孔１８ａ２間を貫通し、第１出力共振器孔１８ｂ１と第２出力共振器孔１８ｂ２間を貫通する第２貫通孔２８ｂが形成されている。すなわち、第１貫通孔２８ａと第２貫通孔２８ｂとが互いにねじれの位置となるように形成されている。

　これら第４誘電体フィルタ１０Ｄ～第６誘電体フィルタ１０Ｆにおいても、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる。

　次に、第７～第９の実施の形態に係る誘電体フィルタ（以下、第７誘電体フィルタ１０Ｇ～第９誘電体フィルタ１０Ｉと記す）について図１０Ａ～図１０Ｃを参照しながら説明する。

　第７誘電体フィルタ１０Ｇ～第９誘電体フィルタ１０Ｉでは、第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂをそれぞれ１／４波長共振器に適用した点で、上述した第１誘電体フィルタ１０Ａ～第６誘電体フィルタ１０Ｆと異なる。

　すなわち、第７誘電体フィルタ１０Ｇ～第９誘電体フィルタ１０Ｉは、図１０Ａ～図１０Ｃに示すように、誘電体ブロック１２の外面に外導体４２が形成され、誘電体ブロック１２の例えば一方の端面１４ａが開放端面３０とされ、他方の端面１４ｂが短絡端面４４とされる。

　そして、第７誘電体フィルタ１０Ｇは、図１０Ａに示すように、誘電体ブロック１２のうち、第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂ間であって、短絡端面４４に近い位置に、第１誘電体フィルタ１０Ａと同様の１つの貫通孔２８を有する。

　第８誘電体フィルタ１０Ｈは、図１０Ｂに示すように、誘電体ブロック１２のうち、第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂ間に、第２誘電体フィルタ１０Ｂと同様の２つの貫通孔（第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂ）を有する。例えば開放端面３０に近い位置に第１貫通孔２８ａが形成され、短絡端面４４に近い位置に第２貫通孔２８ｂが形成される。

　第９誘電体フィルタ１０Ｉは、図１０Ｃに示すように、誘電体ブロック１２のうち、第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂ間に、第３誘電体フィルタ１０Ｃと同様の１つの貫通孔２８と１つの溝４０とを有する。例えば開放端面３０に溝４０が形成され、短絡端面４４に近い位置に貫通孔２８が形成される。

　これら第７誘電体フィルタ１０Ｇ～第９誘電体フィルタ１０Ｉにおいても、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる。

　次に、第１０の実施の形態に係る誘電体フィルタ（以下、第１０誘電体フィルタ１０Ｊと記す）について図１１Ａ及び図１１Ｂを参照しながら説明する。

　第１０誘電体フィルタ１０Ｊは、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、上述した第１誘電体フィルタ１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、誘電体ブロックの一対の端面（一方の開放端面及び他方の開放端面）を除く４つの側面（第１側面２０ａ～第４側面２０ｄ）に第１導体５２が形成されている点で異なる。特に、図１１Ａ及び図１１Ｂの例では、第１側面２０ａ～第４側面２０ｄの全面にかけて第１導体５２を形成した例を示す。

　例えば第１誘電体フィルタ１０Ａにおいて、シールド構造をとる場合、外部シールド、例えば金属製の筐体を別途準備し、この筐体内に第１誘電体フィルタ１０Ａを収容することが挙げられる。しかし、このようなシールド構造では、サイズが大型化するという問題がある。

　一方、この第１０誘電体フィルタ１０Ｊでは、４つの側面２０ａ～２０ｄに形成された第１導体５２に一定の電位（例えば接地電位）を印加することで、シールド構造をとることができるため、第１０誘電体フィルタ１０Ｊを金属製の筐体内に収容する必要がなくなる。すなわち、外部シールド等を別途準備する必要がなくなる。これは、誘電体フィルタのサイズの小型化やコストの低廉化等において有利になる。

　次に、第１１の実施の形態に係る誘電体フィルタ（以下、第１１誘電体フィルタ１０Ｋと記す）について図１２Ａ～図１４Ｂを参照しながら説明する。

　第１１誘電体フィルタ１０Ｋは、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、上述した第１０誘電体フィルタ１０Ｊとほぼ同様の構成を有するが、貫通孔２８の内壁全面（図１２Ｂ参照）又は内壁の一部（図１３Ａ～図１４Ｂ参照）に、第１導体５２と導通する第２導体５４が形成されている点で異なる。この場合、貫通孔２８の形成位置、貫通孔２８のサイズに加えて、第２導体５４の形成位置や形成範囲（形成量）等によって、減衰極の位置の調整、減衰量の調整を行うことができる。すなわち、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる。また、共振器間の結合の調整量が広がり、より急峻な減衰特性を有する誘電体フィルタを得ることができる。

　貫通孔２８の内壁の一部に第２導体５４を形成する例としては、例えば図１３Ａ及び図１３Ｂに示す誘電体フィルタ１０Ｋａのように、貫通孔２８の内壁のうち、共振器孔１８ａ及び１８ｂの軸線方向に関して対向する内壁については全面に第２導体５４を形成し、共振器孔１８ａ及び１８ｂの配列方向に関して対向する内壁については第２導体５４を一部だけ形成する形態が挙げられる。

　その他の例としては、図１４Ａ及び図１４Ｂに示す誘電体フィルタ１０Ｋｂのように、貫通孔２８の内壁のうち、共振器孔１８ａ及び１８ｂの軸線方向に関して対向する内壁については第２導体５４を形成せず、共振器孔１８ａ及び１８ｂの配列方向に関して対向する内壁については全面に第２導体５４を形成する形態が挙げられる。もちろん、その他、種々の形態が挙げられる。

　次に、第１２の実施の形態に係る誘電体フィルタ（以下、第１２誘電体フィルタ１０Ｌと記す）について図１５Ａ及び図１５Ｂを参照しながら説明する。

　第１２誘電体フィルタ１０Ｌは、図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、上述した第１０誘電体フィルタ１０Ｊとほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。

　すなわち、誘電体ブロック１２の一対の端面１４ａ及び１４ｂ（一対の開放端面３０ａ及び３０ｂ）のうち、少なくとも１つの開放端面、例えば一方の開放端面３０ａに、第１共振器孔１８ａの内導体１６と導通する第１電極５６ａと、第２共振器孔１８ｂの内導体１６と導通する第２電極５６ｂとが形成されている。第１電極５６ａ及び第２電極５６ｂは共に、第１導体５２との間で容量を形成する。もちろん、他方の開放端面３０ｂにも第１電極５６ａ及び第２電極５６ｂを形成してもよい。

　この場合、後述する図２３の等価回路において、共振器４８ａを構成する容量Ｃ１と並列に容量が付加され、共振器４８ｂを構成する容量Ｃ２と並列に容量が付加されることから、各共振器４８ａ及び４８ｂの共振周波数が低くなる。その結果、各共振器４８ａ及び４８ｂの共振器長を短くすることができ、第１２誘電体フィルタ１０Ｌの小型化を図ることができる。しかも、誘電体ブロック１２に第１電極５６ａ及び第２電極５６ｂを形成した後に、第１電極５６ａ及び第２電極５６ｂの寸法を調整することで、各共振器４８ａ及び４８ｂの共振周波数を調整することが可能となる。また、第１電極５６ａ及び第２電極５６ｂを通じて外部回路との電気的接続も容易になる。

　第１電極５６ａ及び第２電極５６ｂとしては、図１６Ａ及び図１６Ｂに示す誘電体フィルタ１０Ｌａのように、第１電極５６ａの一方の端面を誘電体ブロック１２の第１側面２０ａまで延在させ、第２電極５６ｂの一方の端面を誘電体ブロック１２の第２側面２０ｂまで延在させてもよい。この場合、第１側面２０ａ及び第２側面２０ｂに形成された第１導体５２にそれぞれ切欠き５８ａ及び５８ｂを設けて、第１電極５６ａ及び第２電極５６ｂと接触しないようにする。切欠き５８ａ及び５８ｂの形成範囲は、第１電極５６ａと第１導体５２との間に容量が形成され、第２電極５６ｂと第１導体５２との間に容量が形成される程度の範囲が好ましい。

　次に、第１３の実施の形態に係る誘電体フィルタ（以下、第１３誘電体フィルタ１０Ｍと記す）について図１７Ａ及び図１７Ｂを参照しながら説明する。

　第１３誘電体フィルタ１０Ｍは、図１７Ａ及び図１７Ｂに示すように、上述した第１０誘電体フィルタ１０Ｊとほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。

　すなわち、誘電体ブロック１２の一対の端面１４ａ及び１４ｂ（一対の開放端面３０ａ及び３０ｂ）のうち、少なくとも１つの開放端面、例えば一方の開放端面３０ａに、第１導体５２と導通し、且つ、第１共振器孔１８ａの内導体１６との間で容量を形成し、さらに、第１共振器孔１８ａの内導体１６との間で容量を形成する電極６０が形成されている点で異なる。

　この場合も、上述した第１２誘電体フィルタ１０Ｌと同様に、各共振器４８ａ及び４８ｂの共振器長を短くすることができ、第１２誘電体フィルタ１０Ｌの小型化を図ることができる。しかも、誘電体ブロック１２に電極を形成した後に、電極の寸法を調整することで、各共振器４８ａ及び４８ｂの共振周波数を調整することが可能となる。

　次に、第１４の実施の形態に係る誘電体フィルタ（以下、第１４誘電体フィルタ１０Ｎと記す）について図１８Ａ～図１８Ｃを参照しながら説明する。

　第１４誘電体フィルタ１０Ｎは、図１８Ａに示すように、上述した第１２誘電体フィルタ１０Ｌ（図１５Ａ参照）とほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。

　すなわち、誘電体ブロック１２の一対の端面１４ａ及び１４ｂ（一対の開放端面３０ａ及び３０ｂ）のうち、少なくとも１つの開放端面、例えば一方の開放端面３０ａに、隣接する第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂ間に容量を形成する第３導体６２が形成されている。具体的には、第１電極５６ａのうち、第２電極５６ｂと対向する側面に一方の第３導体６２ａが形成され、第２電極５６ｂのうち、第１電極５６ａと対向する側面に他方の第３導体６２ｂが形成され、これら一方の第３導体６２ａと他方の第３導体６２ｂとが対向することで、隣接する第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂ間に容量が形成される。

　この場合、各第３導体６２の寸法を調整することで、共振器４８ａ及び４８ｂ間の結合度を調整することが可能となる。

　もちろん、図１８Ｂに示す誘電体フィルタ１０Ｎａのように、隣接する第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂ間にインダクタンスを形成する第３導体６２を形成してもよい。この場合、インダクタンスを形成する第３導体６２の寸法を調整することで、共振器４８ａ及び４８ｂ間の結合度を調整することが可能となる。

　また、図１８Ｃに示す誘電体フィルタ１０Ｎｂのように、隣接する第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂ間に容量を形成する第３導体６２と、インダクタンスを形成する第３導体６２を形成してもよい。この場合、容量を形成する第３導体６２と、インダクタンスを形成する第３導体６２の寸法を調整することで、共振器４８ａ及び４８ｂ間の結合度を調整することが可能となる。

　次に、第１５の実施の形態に係る誘電体フィルタ（以下、第１５誘電体フィルタ１０Ｐと記す）について図１９Ａ～図２０Ｂを参照しながら説明する。

　第１５誘電体フィルタ１０Ｐは、図１９Ａに示すように、上述した第１４誘電体フィルタ１０Ｎ（図１８Ａ参照）とほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。

　すなわち、誘電体ブロック１２の一対の端面１４ａ及び１４ｂ（一対の開放端面３０ａ及び３０ｂ）のうち、少なくとも１つの開放端面、例えば一方の開放端面３０ａに、第１共振器孔１８ａ側の第１電極５６ａと誘電体ブロック１２の第１側面２０ａとの間に第１端子電極６４ａが形成され、第２共振器孔１８ｂ側の第２電極５６ｂと誘電体ブロック１２の第２側面２０ｂとの間に第２端子電極６４ｂが形成されている。

　第１電極５６ａと第１端子電極６４ａとの間には容量が形成され、同様に、第２電極５６ｂと第２端子電極６４ｂとの間には容量が形成される。

　ここで、例えば複数の誘電体フィルタを直列に接続する場合を想定する。図２０Ａに示すように、２つの第１４誘電体フィルタ１０Ｎを直列に接続する場合、一方の第１４誘電体フィルタ１０Ｎの第２電極５６ｂと、他方の第１４誘電体フィルタ１０Ｎの第１電極５６ａとを配線６６を介して電気的に接続することが挙げられる。このような場合、２つの第１４誘電体フィルタ１０Ｎ間の電気的結合定数を調整するために、専用の整合回路６８が実装された図示しない外部基板を用意する必要があり、小型化には限界が生じる。

　一方、図２０Ｂに示すように、第１５誘電体フィルタ１０Ｐでは、第１共振器孔１８ａと容量で結合する第１端子電極６４ａと、第２共振器孔１８ｂと容量で結合する第２端子電極６４ｂとを有することから、専用の整合回路６８がなくても、第１５誘電体フィルタ１０Ｐ間の電気的結合定数を調整することができる。その結果、一方の第１５誘電体フィルタ１０Ｐにおける第２端子電極６４ｂと、他方の第１５誘電体フィルタ１０Ｐにおける第１端子電極６４ａとを配線６６で直接接続するだけで済み、専用の整合回路６８が実装された外部基板を用意する必要がない。これにより、複数の誘電体フィルタを設置した各種機器の小型化を図ることができる。

　もちろん、図１９Ｂに示す誘電体フィルタ１０Ｐａのように、第１電極５６ａと第１端子電極６４ａとの間、並びに第２電極５６ｂと第２端子電極６４ｂとの間にそれぞれインダクタンスを形成する第４導体７０を形成してもよい。この場合も、専用の整合回路６８がなくても、第１５誘電体フィルタ１０Ｐ間の電気的結合定数を調整することができる。

　また、図１９Ｃに示す誘電体フィルタ１０Ｐｂのように、第１電極５６ａと第１端子電極６４ａとの間、並びに第２電極５６ｂと第２端子電極６４ｂとの間にそれぞれ容量を形成する第４導体７０と、インダクタンスを形成する第４導体７０を形成してもよい。この場合も、専用の整合回路６８がなくても、第１５誘電体フィルタ１０Ｐ間の電気的結合定数を調整することができる。

［第１実施例］
　比較例、参考例、実施例１及び実施例２についてそれぞれ減衰特性を確認した。例えば図２１に示すように、誘電体ブロック１２の縦Ｄａ、横Ｄｂ及び高さＨの寸法は、１２ｍｍ、２４ｍｍ及び１９ｍｍである。第１共振器孔１８ａの中心軸２６ａと第２共振器孔１８ｂの中心軸２６ｂとの離間距離Ｄｃは１２ｍｍである。

（比較例１）
　比較例に係る誘電体フィルタ１００は、図２１に示すように、第１誘電体フィルタ１０Ａと同様に、誘電体ブロック１２と、第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂと、入力端子２２と、出力端子２４とを有するが、貫通孔２８は設けられていない。

（参考例１）
　参考例１に係る誘電体フィルタ１０２は、図２２Ａ及び図２２Ｂに示すように、第１誘電体フィルタ１０Ａと同様に、誘電体ブロック１２と、第１共振器孔１８ａ及び第２共振器孔１８ｂと、入力端子２２と、出力端子２４とを有するが、以下の点で異なる。すなわち、各開放端面３０ａ、３０ｂのうち、それぞれ第１共振器孔１８ａと第２共振器孔１８ｂの間に第１溝４０ａ及び第２溝４０ｂが形成されている。貫通孔２８は設けられていない。参考例１の第１溝４０ａ及び第２溝４０ｂの寸法は、幅ｗが３ｍｍ、深さｈが４ｍｍである。

（実施例１）
　実施例１は、図１Ａ及び図１Ｂに示す第１誘電体フィルタ１０Ａと同様の構成を有する。実施例１の貫通孔２８の断面形状は、誘電体ブロック１２の高さ方向を一方の辺４６ａ、誘電体ブロック１２の横方向を他方の辺４６ｂとする長方形である。一方の辺４６ａの長さｄａは４ｍｍ、他方の辺４６ｂの長さｄｂは３ｍｍである。

（実施例２）
　実施例２は、図４Ａ及び図４Ｂに示す第２誘電体フィルタ１０Ｂと同様の構成を有する。実施例２の第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂの各断面形状は、実施例１と同様に、誘電体ブロック１２の高さ方向を一方の辺４６ａ、誘電体ブロック１２の横方向を他方の辺４６ｂとする矩形である。一方の辺４６ａの長さｄａは４ｍｍ、他方の辺４６ｂの長さｄｂは３ｍｍである。第１貫通孔２８ａの軸線３４ａの位置は、一方の開放端面３０ａから３ｍｍ（＝ｄｃ）の地点であり、第２貫通孔２８ｂの軸線３４ｂの位置は、他方の開放端面３０ｂから３ｍｍ（＝ｄｃ）の地点である。

（等価回路）
　比較例１、参考例１、実施例１及び実施例２の等価回路は、図２３に示すように、第１共振器孔１８ａによる入力側共振器４８ａと、第２共振器孔１８ｂによる出力側共振器４８ｂと、入力端子２２と入力側共振器４８ａ間に挿入接続された入力側容量Ｃａと、出力端子２４と出力側共振器４８ｂ間に挿入接続された出力側容量Ｃｂとを有する。さらに、入力側共振器４８ａと出力側共振器４８ｂとの間に、第１共振器孔１８ａと第２共振器孔１８ｂ間の電界結合及び磁界結合による共振器５０が接続される。入力側共振器４８ａ及び出力側共振器４８ｂは共に、容量Ｃ１とインダクタンスＬ１による並列共振回路にて構成され、共振器５０は容量Ｃ２とインダクタンスＬ２による並列共振回路にて構成される。

（減衰特性）
　比較例１、参考例１、実施例１及び実施例２の減衰特性を図２４Ａ、図２４Ｂ、図２５Ａ及び図２５Ｂに示す。図２４Ａ～図２５Ｂにおいて、Ｐは、減衰極を示す。

　参考例１は、図２４Ｂに示すように、比較例１の特性（図２４Ａ参照）と比較すると、中心周波数ｆｃより低域側に減衰極Ｐが現れている。これは、溝４０ａ及び４０ｂ（図２２Ａ及び図２２Ｂ参照）の形成によって、入力側共振器４８ａ及び出力側共振器４８ｂ間の容量結合が弱まり、比較例１に示す低域側の減衰極Ｐ（図２４Ａ参照）が中心周波数ｆｃの近傍に移動したからだと考えられる。しかし、中心周波数ｆｃより低域側の減衰量は比較例１とほとんど同じであり、減衰量の低減は実現できていない。また、高域側にも、減衰極Ｐが中心周波数ｆｃの近傍に現れているが、高域側の減衰量は比較例１と比して小さくなっている。

　一方、実施例１は、図２５Ａに示すように、比較例１とほぼ同様の減衰特性を有する。しかし、比較例１では、減衰極Ｐの位置の調整や、低域側の減衰量の調整のために、外部回路が必要となるが、実施例１では、貫通孔２８の位置、サイズ（一方の辺４６ａの長さｄａ、他方の辺４６ｂの長さｄｂ）を適宜調整することで、減衰極Ｐの位置の調整や、低域側の減衰量の調整を行うことができる。

　実施例２は、図２５Ｂに示すように、中心周波数ｆｃより低域側であって、中心周波数ｆｃの近傍に減衰極Ｐが現れ、中心周波数ｆｃより高域側にも中心周波数ｆｃの近傍に減衰極Ｐが現れている。しかも、中心周波数ｆｃより低域側の減衰量が比較例１、参考例１及び実施例１よりも大きい。これは、第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂの形成によって、入力側共振器４８ａと出力側共振器４８ｂ間の電界結合と磁界結合を共に調整できたからだと考えられる。しかも、実施例２では、第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂの形成位置、第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂの相対位置関係、第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂのサイズによって、減衰極Ｐの位置の調整、減衰量の調整を行うことができる。

［第２実施例］
　上述した参考例１と実施例２について、減衰極の位置の調整範囲を確認した。

（参考例１）
　上述した参考例１における第１溝４０ａ及び第２溝４０ｂの深さｈを２ｍｍ、４ｍｍ及び６ｍｍとしたときの減衰特性を確認した。この減衰特性を図２６に示す。この図２６において、曲線Ｉａ（破線で示す）が深さ２ｍｍの特性を示し、曲線Ｉｂ（実線で示す）が深さ４ｍｍの特性を示し、曲線Ｉｃ（一点鎖線で示す）が深さ６ｍｍの特性を示す。

（実施例２）
　上述した実施例２における第１貫通孔２８ａの軸線３４ａ及び第２貫通孔２８ｂの軸線３４ｂの位置を変更した場合の減衰特性と、第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂの各一方の辺４６ａの長さｄａを変更した場合の減衰特性、並びに第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂの各他方の辺４６ｂの長さｄｂを変更した場合の減衰特性を確認した。これらの減衰特性を図２７及び図２８に示す。

　図２７において、曲線Ｊａ、Ｊｂ、Ｊｃ、Ｊｄ及びＪｅは、以下の減衰特性を示す。

　　曲線Ｊａ（実線で示す）：第１貫通孔２８ａの軸線３４ａ及び第２貫通孔２８ｂの軸線３４ｂの位置が一方の開放端面３０ａ及び他方の開放端面３０ｂから３ｍｍの地点（特定地点という）にある。
　　曲線Ｊｂ（破線で示す）：第１貫通孔２８ａの軸線３４ａ及び第２貫通孔２８ｂの軸線３４ｂの位置が、特定地点よりも０．５ｍｍだけ深い位置にある。
　　曲線Ｊｃ（一点鎖線で示す）：第１貫通孔２８ａの軸線３４ａ及び第２貫通孔２８ｂの軸線３４ｂの位置が、特定地点よりも１．０ｍｍだけ深い位置にある。
　　曲線Ｊｄ（二点鎖線で示す）：第１貫通孔２８ａの軸線３４ａ及び第２貫通孔２８ｂの軸線３４ｂの位置が、特定地点よりも０．５ｍｍだけ浅い位置にある。
　　曲線Ｊｅ（点線で示す）：第１貫通孔２８ａの軸線３４ａ及び第２貫通孔２８ｂの軸線３４ｂの位置が、特定地点よりも１．０ｍｍだけ浅い位置にある。

　図２８において、曲線Ｋａ、Ｋｂ及びＫｃは、以下の減衰特性を示す。

　　曲線Ｋａ（実線で示す）：第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂの各一方の辺４６ａの長さｄａが４ｍｍ、各他方の辺４６ｂの長さｄｂが３ｍｍである。
　　曲線Ｋｂ（破線で示す）：第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂの各一方の辺４６ａの長さｄａが３ｍｍ、各他方の辺４６ｂの長さｄｂが３ｍｍである。
　　曲線Ｋｃ（一点鎖線で示す）：第１貫通孔２８ａ及び第２貫通孔２８ｂの各一方の辺４６ａの長さｄａが４ｍｍ、各他方の辺４６ｂの長さｄｂが３．５ｍｍである。

（結果）
　参考例１は、図２６に示すように、中心周波数ｆｃより低域側の減衰極の位置の変化は、１００ＭＨｚの範囲であり、中心周波数ｆｃより高域側の減衰極の位置の変化は、５０ＭＨｚの範囲であった。

　これに対して、実施例２は、図２７及び図２８に示すように、中心周波数ｆｃより低域側の減衰極の位置の変化は、１５０ＭＨｚの範囲であり、中心周波数ｆｃより高域側の減衰極の位置の変化は、３００ＭＨｚの範囲であった。

　このように、実施例２は、参考例１よりも減衰極の位置の調整を広範囲に行うことができることがわかる。

　なお、本発明に係る誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

Claims (23)

1. 　誘電体ブロック（１２）の対向する一対の端面（１４ａ、１４ｂ）間を貫通して、内面に内導体（１６）が形成された複数の共振器孔（１８ａ，１８ｂ）を有する誘電体フィルタにおいて、
   　前記誘電体ブロック（１２）のうち、前記複数の共振器孔（１８ａ，１８ｂ）間に、前記複数の共振器孔（１８ａ，１８ｂ）に対してねじれの位置に１以上の貫通孔（２８）が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
2. 　請求項１記載の誘電体フィルタにおいて、
   　前記複数の共振器孔（１８ａ，１８ｂ）が平行に形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
3. 　請求項１又は２記載の誘電体フィルタにおいて、
   　前記共振器孔（１８ａ）の軸方向に沿って延び、且つ、前記共振器孔（１８ａ）を二分する第１仮想面（３２ａ）に前記貫通孔（２８）を投影した際の前記共振器孔（１８ａ）と前記貫通孔（２８）とのなす角（θ１）は、６０°～１２０°であることを特徴とする誘電体フィルタ。
4. 　請求項３記載の誘電体フィルタにおいて、
   　前記第１仮想面（３２ａ）に前記貫通孔（２８）を投影した際の前記共振器孔（１８ａ）と前記貫通孔（２８）とのなす角（θ１）は、９０°であることを特徴とする誘電体フィルタ。
5. 　請求項１～４のいずれか１項に記載の誘電体フィルタにおいて、
   　２つの前記共振器孔（１８ａ，１８ｂ）を有し、
   　前記誘電体フィルタの前記端面（３０ａ）と平行な第２仮想面（３２ｂ）に、２つの前記共振器孔（１８ａ，１８ｂ）の各中心軸（２６ａ，２６ｂ）を結ぶ線分を前記第２仮想面（３２ｂ）に投影させた線分（３６）と、該線分（３６）の中点で直交する仮想線（３８）とを設定したとき、前記貫通孔（２８）を前記第２仮想面（３２ｂ）に投影した際の前記貫通孔（２８）と前記仮想線（３８）とのなす角（θａ）は、－２０°～＋２０°であることを特徴とする誘電体フィルタ。
6. 　請求項５記載の誘電体フィルタにおいて、
   　前記貫通孔（２８）を前記第２仮想面（３２ｂ）に投影した際の前記貫通孔（２８）と前記仮想線（３８）とのなす角（θａ）は、０°であることを特徴とする誘電体フィルタ。
7. 　請求項１～６のいずれか１項に記載の誘電体フィルタにおいて、
   　２つの前記貫通孔（２８ａ，２８ｂ）を有し、
   　２つの前記貫通孔（２８ａ，２８ｂ）が平行に形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載の誘電体フィルタにおいて、
   　前記誘電体ブロック（１２）の前記一対の端面（１４ａ，１４ｂ）が共に開放端面（３０ａ，３０ｂ）であり、
   　前記共振器孔（１８ａ，１８ｂ）が１／２波長共振器を構成することを特徴とする誘電体フィルタ。
9. 　請求項１～６のいずれか１項に記載の誘電体フィルタにおいて、
   　前記誘電体ブロック（１２）の前記一対の端面（１４ａ，１４ｂ）のうち、一方の端面（１４ａ）が開放端面（３０ａ）で、他方の端面（１４ｂ）が短絡端面（４４）であり、
   　前記共振器孔（１８ａ，１８ｂ）が１／４波長共振器を構成することを特徴とする誘電体フィルタ。
10. 　請求項１～９のいずれか１項に記載の誘電体フィルタにおいて、
    　前記誘電体ブロック（１２）のうち、前記端面であって、且つ、前記複数の共振器孔（１８ａ，１８ｂ）間に溝を有することを特徴とする誘電体フィルタ。
11. 　請求項１～１０のいずれか１項に記載の誘電体フィルタにおいて、
    　前記誘電体ブロック（１２）の前記一対の端面（１４ａ，１４ｂ）を除く複数の側面に第１導体（５２）が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
12. 　請求項１１記載の誘電体フィルタにおいて、
    　前記複数の側面全面に前記第１導体（５２）が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
13. 　請求項１１又は１２記載の誘電体フィルタにおいて、
    　前記貫通孔（２８）の内壁全面又は内壁の一部に、前記第１導体（５２）と導通する第２導体（５４）が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
14. 　請求項１１～１３のいずれか１項に記載の誘電体フィルタにおいて、
    　前記一対の端面（１４ａ，１４ｂ）のうち、少なくとも１つの端面（１４ａ）に、前記共振器孔（１８ａ，１８ｂ）の内導体と導通し、且つ、前記第１導体（５２）との間で容量を形成する電極（５６ａ，５６ｂ）が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
15. 　請求項１１～１３のいずれか１項に記載の誘電体フィルタにおいて、
    　前記一対の端面（１４ａ，１４ｂ）のうち、少なくとも１つの端面（１４ａ）に、前記第１導体（５２）と導通し、且つ、前記共振器孔（１８ａ，１８ｂ）との間で容量を形成する電極（６０）が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
16. 　請求項１４記載の誘電体フィルタにおいて、
    　前記一対の端面（１４ａ，１４ｂ）のうち、少なくとも１つの端面（１４ａ）に、隣接する共振器孔（１８ａ，１８ｂ）間に少なくとも容量を形成する第３導体（６２）が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
17. 　請求項１４記載の誘電体フィルタにおいて、
    　前記一対の端面（１４ａ，１４ｂ）のうち、少なくとも１つの端面（１４ａ）に、隣接する共振器孔（１８ａ，１８ｂ）間に少なくともインダクタンスを形成する第３導体（６２）が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
18. 　請求項１４記載の誘電体フィルタにおいて、
    　前記一対の端面（１４ａ，１４ｂ）のうち、少なくとも１つの端面（１４ａ）に、隣接する共振器孔（１８ａ，１８ｂ）間に並列に容量とインダクタンスとを形成する第３導体（６２）が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
19. 　請求項１６～１８のいずれか１項に記載の誘電体フィルタにおいて、
    　前記一対の端面（１４ａ，１４ｂ）のうち、少なくとも１つの端面（１４ａ）に、前記共振器孔（１８ａ，１８ｂ）と容量、又はインダクタンス、又は容量及びインダクタンスで結合する端子電極（６４ａ，６４ｂ）が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
20. 　誘電体ブロック（１２）に複数の共振器孔（１８ａ，１８ｂ）を有する誘電体フィルタの減衰特性調整方法において、
    　前記誘電体ブロック（１２）のうち、前記複数の共振器孔（１８ａ，１８ｂ）間に、前記複数の共振器孔（１８ａ，１８ｂ）に対してねじれの位置に１以上の貫通孔（２８）を形成することを特徴とする誘電体フィルタの減衰特性調整方法。
21. 　請求項２０記載の誘電体フィルタの減衰特性調整方法において、
    　前記貫通孔（２８）を形成することによって、中心周波数より低域側の減衰量を大きくすることを特徴とする誘電体フィルタの減衰特性調整方法。
22. 　請求項２０又は２１記載の誘電体フィルタの減衰特性調整方法において、
    　前記貫通孔（２８）の形成位置を調整することで、減衰極の位置を調整することを特徴とする誘電体フィルタの減衰特性調整方法。
23. 　請求項２０～２２のいずれか１項に記載の誘電体フィルタの減衰特性調整方法において、
    　前記貫通孔（２８）の寸法を調整することで、減衰極の位置を調整することを特徴とする誘電体フィルタの減衰特性調整方法。

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