WO2015045712A1 - 金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びｘ線センサ - Google Patents

金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びｘ線センサ Download PDF

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oxide film
metal
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真宏 高田
田中　淳
鈴木　真之
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富士フイルム株式会社
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    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a metal oxide film, a metal oxide film, a thin film transistor, a display device, an image sensor, and an X-ray sensor.
  • a metal oxide semiconductor film has been put into practical use in the production by a vacuum film forming method and is currently attracting attention.
  • research and development have been actively conducted on the production of metal oxide films by a liquid phase process for the purpose of easily forming metal oxide films having high semiconductor properties at low temperatures and atmospheric pressure. ing.
  • International Publication No. 2009/081862 discloses a method of forming a metal oxide semiconductor layer by applying a solution containing a metal salt such as nitrate.
  • Japanese Patent Laid-Open No. 2000-247608 discloses a metal oxide precursor sol obtained by using a metal alkoxide or a metal salt as a main raw material on the surface of the object to be coated, and a metal oxide gel formed on the surface of the object to be coated. Production of a metal oxide film in which the step of forming a thin film and the step of crystallizing the metal oxide gel by irradiating the metal oxide gel thin film with ultraviolet light having a wavelength of 360 nm or less are repeated several times. A method is disclosed. Japanese Patent Laid-Open No.
  • 2012-228859 discloses a method in which a metal oxide precursor film is prepared and a crystalline metal oxide film is formed by irradiation with vacuum ultraviolet light having a dominant wavelength of 130 to 180 nm in an oxygen atmosphere. Is disclosed. Nature, 489 (2012) 128. Discloses a method of manufacturing a thin film transistor (TFT) having a high transport property at a low temperature of 150 ° C. or lower by applying a solution on a substrate and using ultraviolet rays. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-112659 discloses a step of forming a precursor layer containing a metal salt selected from metal nitrate, sulfate, etc. on at least one surface of a substrate, A method for producing a gas barrier film is disclosed, including a step of converting to a gas barrier layer such as a metal oxide by at least one of heating.
  • a gas barrier layer such as a metal oxide by at least one of heating.
  • the present invention relates to a method for producing a metal oxide film, a metal oxide film, a thin film transistor having high mobility, and a display device capable of producing a dense metal oxide film at a relatively low temperature and under atmospheric pressure.
  • An object is to provide an image sensor and an X-ray sensor.
  • the metal oxide precursor film is converted into a metal oxide film by irradiating the metal oxide precursor film with ultraviolet rays containing two or more peak components having an illuminance of 10 mW / cm 2 or more in a wavelength region of 300 nm or less.
  • the ultraviolet ray irradiated to the metal oxide precursor film includes one or more peak components having an illuminance of 10 mW / cm 2 or more in a wavelength region of 250 nm or more and 300 nm or less, and an illuminance of 10 mW / in a wavelength region of less than 250 nm.
  • the ultraviolet ray irradiated to the metal oxide precursor film includes one or more peak components having an illuminance of 10 mW / cm 2 or more in a wavelength region of 250 nm or more and 300 nm or less, and the illuminance is in a wavelength region of 200 nm or more and less than 250 nm.
  • ⁇ 6> The method for producing a metal oxide film according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5>, wherein the solution containing the metal nitrate contains at least indium nitrate.
  • ⁇ 7> The method for producing a metal oxide film according to ⁇ 6>, wherein the solution containing indium nitrate further contains a compound containing at least one metal atom selected from zinc, tin, gallium, and aluminum.
  • a solution containing a metal nitrate is applied by at least one coating method selected from an inkjet method, a dispenser method, a relief printing method, and an intaglio printing method ⁇
  • the metal oxide film according to ⁇ 10> which is a metal oxide semiconductor film.
  • a display device comprising the thin film transistor according to ⁇ 12>.
  • An image sensor comprising the thin film transistor according to ⁇ 12>.
  • An X-ray sensor comprising the thin film transistor according to ⁇ 12>.
  • FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of an example (bottom gate-bottom contact type) thin film transistor manufactured according to the present invention.
  • FIG. It is a schematic sectional drawing which shows a part of liquid crystal display device of embodiment. It is a schematic block diagram of the electrical wiring of the liquid crystal display device of FIG. It is a schematic sectional drawing which shows a part of organic EL display apparatus of embodiment.
  • FIG. 1 It is a schematic block diagram of the electrical wiring of the organic electroluminescent display apparatus of FIG. It is a schematic sectional drawing which shows a part of X-ray sensor array of embodiment. It is a schematic block diagram of the electrical wiring of the X-ray sensor array of FIG. It is a diagram showing, V g -I d characteristics of the simplified TFT fabricated in Examples and Comparative Examples.
  • a metal oxide film of the present invention a manufacturing method thereof, a thin film transistor having a metal oxide film manufactured by the present invention, a display device, an X-ray sensor, and the like will be specifically described.
  • members (components) having the same or corresponding functions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted as appropriate.
  • the numerical range when a numerical range is indicated by the symbol “to”, the numerical range includes both the left and right numerical values of the symbol “to”.
  • the conductivity of the metal oxide film according to the present invention is not limited, and the present invention can be applied to the manufacture of an oxide semiconductor film, an oxide conductive film, or an oxide insulating film.
  • a method for manufacturing a metal oxide semiconductor film that can be applied to an active layer (semiconductor layer) of a TFT will be mainly described.
  • the reason why a dense metal oxide film can be formed by the present invention is not clear, but is presumed as follows.
  • the metal oxide precursor film containing a metal nitrate has absorption with respect to ultraviolet rays of 300 nm or less, and some structure in the metal oxide precursor film is changed by the ultraviolet rays, and the original metal oxide precursor film and Will have absorption at different wavelengths.
  • the film after the structural change is decomposed by irradiating ultraviolet light having a different wavelength suitable for the metal oxide precursor film after the structural change.
  • the oxide formation can be performed efficiently, and as a result, the metal oxide film is considered to be dense.
  • the method for producing a metal oxide film of the present invention includes a step of applying a solution containing a metal nitrate on a substrate and drying the applied film to form a metal oxide precursor film, Irradiating ultraviolet rays containing two or more peak components having an illuminance of 10 mW / cm 2 or more in a wavelength region of 300 nm or less to convert the metal oxide precursor film into a metal oxide film.
  • Metal oxide precursor film forming step First, prepare a solution containing a metal nitrate for forming a metal oxide film and a substrate for forming a metal oxide film, apply a solution containing the metal nitrate on the substrate, and dry the applied film. A metal oxide precursor film is formed.
  • the structure of the substrate may be a single layer structure or a laminated structure.
  • the material constituting the substrate is not particularly limited, and includes an inorganic substrate formed of an inorganic material such as glass, YSZ (Ytria-Stabilized Zirconia), a resin substrate formed of a resin, an inorganic material, and a resin.
  • a composite substrate formed of at least two selected types can be used. Among these, a resin substrate and a composite substrate formed of a resin and an inorganic material are preferable in terms of light weight and flexibility.
  • the resin substrate is preferably excellent in heat resistance, dimensional stability, solvent resistance, electrical insulation, workability, low air permeability, low moisture absorption, and the like.
  • the resin substrate may include a gas barrier layer for preventing permeation of moisture and oxygen, an undercoat layer for improving the flatness of the resin substrate and adhesion with the lower electrode, and the like.
  • the thickness of the substrate used in the present invention is not particularly limited, but is preferably 50 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • the thickness of the substrate is 50 ⁇ m or more, the flatness of the substrate itself is further improved.
  • the thickness of the substrate is 500 ⁇ m or less, the flexibility of the substrate itself is further improved, and the use as a substrate for a flexible device becomes easier.
  • a solution containing a metal nitrate is obtained by weighing a solute such as a metal nitrate so that the solution has a desired concentration and stirring and dissolving in a solvent.
  • the stirring time is not particularly limited as long as the solute is sufficiently dissolved.
  • the metal nitrate contained in the solution may be selected according to the metal oxide film to be formed.
  • Examples include lanthanum nitrate, cerium nitrate, praseodymium nitrate, neodymium nitrate, samarium nitrate, europium nitrate, gadolinium nitrate, terbium nitrate, dysprosium nitrate, holmium nitrate, erbium nitrate, thulium nitrate, ytter
  • the metal molar concentration of the solution can be arbitrarily selected according to the viscosity and the desired film thickness. From the viewpoint of film flatness and productivity, it is preferably 0.01 mol / L or more and 0.5 mol / L or less.
  • the metal molar concentration in the present invention means the total amount of molar concentrations (mol / L) of each metal.
  • the solution containing a metal nitrate may contain a metal atom-containing compound other than the metal nitrate.
  • the metal atom-containing compound include metal salts, metal halides, and organometallic compounds.
  • metal salts other than metal nitrates include sulfates, phosphates, carbonates, acetates, and oxalates.
  • metal halides include chlorides, iodides, bromides, and the like. Examples thereof include metal alkoxides, organic acid salts, and metal ⁇ -diketonates.
  • the solution containing metal nitrate preferably contains at least indium nitrate.
  • an indium-containing oxide film can be easily formed by using indium nitrate, and high electrical conductivity can be obtained.
  • the precursor film in the step of irradiating the metal oxide precursor film with ultraviolet light to convert it into a metal oxide film, the precursor film can efficiently absorb ultraviolet light, and an indium-containing oxide film can be easily formed. Can do.
  • the solution containing a metal nitrate contains a compound containing any one or more metal atoms selected from zinc, tin, gallium, and aluminum as a metal element other than indium.
  • the threshold voltage of the obtained oxide semiconductor film can be controlled to a desired value, and the electrical stability of the film is also improved.
  • an oxide semiconductor and an oxide conductor containing indium and a metal element In—Ga—Zn—O (IGZO), In—Zn—O (IZO), In—Ga—O (IGO), In—Sn are used. —O (ITO), In—Sn—Zn—O (ITZO), and the like can be given.
  • the solvent used in the solution containing the metal nitrate is not particularly limited as long as the metal atom-containing compound containing the metal nitrate to be used is dissolved.
  • Water, alcohol solvents methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol, etc.
  • amide solvents N, N-dimethylformamide, etc.
  • ketone solvents acetone, N-methylpyrrolidone, sulfolane, N, N-dimethylimidazolidinone, etc.
  • Ether solvents tetrahydrofuran, methoxyethanol, etc.
  • nitrile solvents acetonitrile, etc.
  • heteroatom-containing solvents other than the above, and the like it is preferable to use methanol, methoxyethanol or the like.
  • a method for applying a solution containing metal nitrate (metal oxide film forming coating solution) onto the substrate is not particularly limited. Spray coating method, spin coating method, blade coating method, dip coating method, cast method, roll coating method, bar coating method, die coating method, mist method, ink jet method, dispenser method, screen printing method, letterpress printing method, and intaglio printing method Law.
  • the thickness of the film is not particularly limited, but is preferably 1 nm or more and 50 nm or less from the viewpoint of flatness and productivity.
  • the coating film is dried to obtain a metal oxide precursor film.
  • the drying temperature is preferably 35 ° C. or higher and 100 ° C. or lower. If it is the said temperature range, a more dense metal oxide film will be easy to be finally obtained.
  • the method of heat treatment for drying is not particularly limited, and can be selected from hot plate heating, electric furnace heating, infrared heating, microwave heating, and the like. Drying is preferably started within 5 minutes after coating from the viewpoint of keeping the flatness of the film uniform.
  • the drying time is not particularly limited, but is preferably 15 seconds or longer and 10 minutes or shorter from the viewpoint of film uniformity and productivity. Moreover, there is no restriction
  • the metal oxide precursor film obtained by drying is irradiated with UV (ultraviolet) containing two or more peak components having an illuminance of 10 mW / cm 2 or more in a wavelength region of 300 nm or less.
  • the two or more peak components may be obtained from one ultraviolet light source or may be obtained using two or more ultraviolet light sources.
  • the ultraviolet light source include a UV lamp and a laser, and a UV lamp is preferable from the viewpoint of performing ultraviolet irradiation with a cheap facility uniformly over a large area.
  • the UV lamp examples include an excimer lamp, a deuterium lamp, a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a helium lamp, a carbon arc lamp, a cadmium lamp, and an electrodeless discharge lamp. It is preferable to use at least one UV lamp selected from a low-pressure mercury lamp and an excimer lamp. In particular, when a low-pressure mercury lamp and an excimer lamp are used in combination, the metal oxide precursor film can be easily changed to a metal oxide film. Is preferable because it can be converted.
  • the atmosphere in the conversion step there is no limitation on the atmosphere in the conversion step, and it may be under atmospheric pressure or under vacuum, and may be in the air or in any gas, but it is easy to convert.
  • the maximum temperature reached by the substrate in the conversion step is preferably 200 ° C. or lower, and more preferably 120 ° C. or higher. If it is 200 degrees C or less, application to a resin substrate with low heat resistance will become easy, and if it is 120 degrees C or more, a dense metal oxide film will be easy to be obtained. Note that the maximum temperature reached by the substrate in the conversion step can be measured by a thermo label.
  • the substrate temperature during the ultraviolet treatment may be radiant heat from a light source such as an ultraviolet lamp to be used, or the substrate temperature may be controlled by a heater or the like. When radiant heat from an ultraviolet lamp is used, it can be controlled by adjusting the lamp-substrate distance and the lamp output.
  • 300 nm following illuminance in the wavelength region above 250nm is a 10 mW / cm 2 or more peak components include one or more, and illumination in a wavelength range of less than 250nm is 10 mW / cm 2 It is preferable to include one or more of the above peak components.
  • 300nm following illuminance in the wavelength region above 250nm is higher one 10 mW / cm 2 or more peak component, and that the illumination in a wavelength range of less than 200nm or 250nm contains one or more 10 mW / cm 2 or more peak component More preferred.
  • the film quality of viewpoints is 100 mW / cm 2 or less, more preferably 60 mW / cm 2 or less.
  • the illuminance of ultraviolet rays applied to the metal oxide precursor film can be measured using, for example, an ultraviolet light meter (manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd., UV-M10, photoreceiver UV-25).
  • the ultraviolet irradiation time depends on the illuminance of the ultraviolet rays, it is preferably 5 seconds or longer and 120 minutes or shorter from the viewpoint of productivity.
  • the formation of the metal oxide precursor film and the conversion to the metal oxide film by coating and drying may be alternately repeated a plurality of times.
  • the metal oxide film preferably contains at least indium as a metal component. Indium is preferably included. By containing indium, high electrical conductivity can be obtained when a metal oxide semiconductor film or a metal oxide conductor film is formed.
  • the indium content of the metal oxide film is preferably 50 atom% or more of the total metal elements contained in the metal oxide film. If the indium content is 50 atom% or more, high electrical conductivity can be easily obtained at low temperatures.
  • the metal oxide film preferably contains at least one metal component selected from zinc, tin, gallium, and aluminum as a metal element other than indium. By including an appropriate amount of the metal element, it is possible to improve electrical conductivity, control threshold voltage when producing a metal oxide semiconductor film, and improve electrical stability.
  • In—Ga—Zn—O In—Zn—O
  • IZO In—Zn—O
  • IGO In— Ga—O
  • ITO In— Sn-O
  • ITZO In-Sn-Zn-O
  • a dense metal oxide film can be obtained by a low-temperature process at 200 ° C. or lower under atmospheric pressure, and can be applied to the production of various devices. it can.
  • the device manufacturing cost can be greatly reduced because it is not necessary to use a large vacuum device, an inexpensive resin substrate having low heat resistance can be used, and the raw material is inexpensive.
  • a flexible electronic device such as a flexible display can be manufactured at low cost.
  • a film having extremely high electron transfer characteristics can be obtained.
  • the metal oxide semiconductor film manufactured according to the embodiment of the present invention exhibits high semiconductor characteristics, it can be suitably used for an active layer (oxide semiconductor layer) of a thin film transistor (TFT).
  • TFT thin film transistor
  • an embodiment in which a metal oxide film produced by the production method of the present invention is used as an active layer of a thin film transistor will be described. Note that although a top-gate thin film transistor is described as an embodiment, the thin-film transistor using the metal oxide semiconductor film of the present invention is not limited to the top-gate thin film transistor, and may be a bottom-gate thin film transistor.
  • the element structure of the TFT according to the present invention is not particularly limited, and is either a so-called reverse stagger structure (also referred to as a bottom gate type) or a stagger structure (also referred to as a top gate type) based on the position of the gate electrode. Also good. Further, based on the contact portion between the active layer and the source and drain electrodes (referred to as “source / drain electrodes” as appropriate), either a so-called top contact type or bottom contact type may be used.
  • the top gate type is a form in which a gate electrode is disposed on the upper side of the gate insulating film and an active layer is formed on the lower side of the gate insulating film when the substrate on which the TFT is formed is the lowermost layer. .
  • the bottom gate type is a form in which a gate electrode is disposed below the gate insulating film and an active layer is formed above the gate insulating film.
  • the bottom contact type is a mode in which the source / drain electrodes are formed before the active layer and the lower surface of the active layer is in contact with the source / drain electrodes.
  • the active layer is formed before the source / drain electrodes, and the upper surface of the active layer is in contact with the source / drain electrodes.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a top contact type TFT according to the present invention having a top gate structure.
  • the above-described metal oxide semiconductor film is stacked as an active layer 14 on one main surface of the substrate 12.
  • a source electrode 16 and a drain electrode 18 are disposed on the active layer 14 so as to be separated from each other, and a gate insulating film 20 and a gate electrode 22 are sequentially stacked thereon.
  • FIG. 2 is a schematic view showing an example of a bottom contact type TFT according to the present invention having a top gate structure.
  • the source electrode 16 and the drain electrode 18 are disposed on one main surface of the substrate 12 so as to be separated from each other. Then, the above-described metal oxide semiconductor film, the gate insulating film 20, and the gate electrode 22 are sequentially stacked as the active layer 14.
  • FIG. 3 is a schematic view showing an example of a TFT according to the present invention having a bottom gate structure and a top contact type.
  • the gate electrode 22, the gate insulating film 20, and the above-described metal oxide semiconductor film as the active layer 14 are sequentially stacked on one main surface of the substrate 12.
  • a source electrode 16 and a drain electrode 18 are disposed on the surface of the active layer 14 so as to be separated from each other.
  • FIG. 4 is a schematic view showing an example of a bottom contact type TFT according to the present invention having a bottom gate structure.
  • the gate electrode 22 and the gate insulating film 20 are sequentially stacked on one main surface of the substrate 12.
  • the source electrode 16 and the drain electrode 18 are provided on the surface of the gate insulating film 20 so as to be spaced apart from each other, and the above-described metal oxide semiconductor film is stacked as the active layer 14 thereon.
  • the top gate type thin film transistor 10 shown in FIG. 1 will be mainly described.
  • the thin film transistor of the present invention is not limited to the top gate type and may be a bottom gate type thin film transistor.
  • the patterning of the metal oxide film may be performed by the above-described inkjet method, dispenser method, relief printing method, or intaglio printing method, and may be patterned by photolithography and etching after the formation of the metal oxide film.
  • inkjet method dispenser method
  • relief printing method or intaglio printing method
  • photolithography and etching after forming a metal oxide semiconductor film, after forming a resist pattern by photolithography on a portion to be left as the active layer 14, hydrochloric acid, nitric acid, dilute sulfuric acid, or phosphoric acid,
  • the pattern of the active layer 14 is formed by etching with an acid solution such as a mixed solution of nitric acid and acetic acid.
  • the thickness of the metal oxide semiconductor film is preferably 5 nm or more and 50 nm or less from the viewpoint of film flatness and time required for film formation.
  • the indium content in the active layer 14 is preferably 50 atom% or more of the total metal elements contained in the active layer 14, and more preferably 80 atom% or more.
  • a protective layer (not shown) for protecting the active layer 14 is preferably formed on the active layer 14 when the source / drain electrodes 16 and 18 are etched.
  • the protective layer may be formed after the metal oxide semiconductor film is formed and before the patterning, or after the metal oxide film is patterned.
  • the protective layer may be a metal oxide layer or an organic material such as a resin. The protective layer may be removed after the source electrode 15 and the drain electrode 18 (referred to as “source / drain electrodes” as appropriate) are formed.
  • Source / drain electrodes 16 and 18 are formed on the active layer 14 formed of a metal oxide semiconductor film.
  • the source / drain electrodes 16 and 18 have high conductivity so as to function as electrodes, respectively, and metals such as Al, Mo, Cr, Ta, Ti, Au, Au, Al—Nd, Ag alloy, tin oxide
  • metals such as Al, Mo, Cr, Ta, Ti, Au, Au, Al—Nd, Ag alloy, tin oxide
  • a metal oxide conductive film such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or In—Ga—Zn—O can be used.
  • a wet method such as a printing method and a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method, a chemical method such as a CVD method and a plasma CVD method, etc.
  • the film may be formed according to a method appropriately selected in consideration of suitability with the material to be used.
  • the film thickness of the source / drain electrodes 16 and 18 is preferably 10 nm or more and 1000 nm or less, preferably 50 nm or more and 100 nm or less in consideration of film forming properties, patterning properties by etching or lift-off methods, conductivity, and the like. More preferred.
  • the source / drain electrodes 16 and 18 may be formed by patterning into a predetermined shape by, for example, etching or a lift-off method after forming a conductive film, or may be directly formed by an inkjet method or the like. At this time, it is preferable to pattern the source / drain electrodes 16 and 18 and wiring (not shown) connected to these electrodes simultaneously.
  • the gate insulating film 20 preferably has a high insulating property.
  • an insulating film such as SiO 2 , SiN x , SiON, Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , Ta 2 O 5 , HfO 2 , or a compound thereof is used.
  • An insulating film including two or more kinds may be used.
  • the gate insulating film 20 is a material used from a wet method such as a printing method or a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method or an ion plating method, or a chemical method such as CVD or plasma CVD method.
  • the film may be formed according to a method appropriately selected in consideration of the suitability of
  • the gate insulating film 20 needs to have a thickness for reducing leakage current and improving voltage resistance. On the other hand, if the gate insulating film 20 is too thick, the driving voltage is increased.
  • the thickness of the gate insulating film 20 is preferably 10 nm to 10 ⁇ m, more preferably 50 nm to 1000 nm, and particularly preferably 100 nm to 400 nm.
  • the gate electrode 22 is made of highly conductive metal such as Al, Mo, Cr, Ta, Ti, Au, Au, Al—Nd, Ag alloy, tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide ( It can be formed using a metal oxide conductive film such as ITO), zinc indium oxide (IZO), or IGZO. As the gate electrode 22, these conductive films can be used as a single layer structure or a stacked structure of two or more layers.
  • the gate electrode 22 is made of a material used from a wet method such as a printing method or a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method or an ion plating method, or a chemical method such as a CVD or plasma CVD method.
  • the film is formed according to a method appropriately selected in consideration of the suitability of the above.
  • the film thickness of the metal film for forming the gate electrode 22 is preferably 10 nm or more and 1000 nm or less, preferably 50 nm or more and 200 nm or less in consideration of film forming properties, patterning properties by etching or lift-off methods, conductivity, and the like. More preferably.
  • the gate electrode 22 may be formed by patterning into a predetermined shape by an etching or lift-off method, or the pattern may be directly formed by an inkjet method or the like. At this time, it is preferable to pattern the gate electrode 22 and the gate wiring (not shown) at the same time.
  • the use of the thin film transistor 10 of the present embodiment described above is not particularly limited, but exhibits high transport characteristics, for example, an electro-optical device. Specifically, it is suitable for manufacturing a flexible display using a driving element in a display device such as a liquid crystal display device, an organic EL (Electro Luminescence) display device, and an inorganic EL display device, and a resin substrate having low heat resistance. Further, the thin film transistor manufactured according to the present invention is suitably used as a driving element (driving circuit) in various electronic devices such as various sensors such as an X-ray sensor and an image sensor, and a micro electro mechanical system (MEMS).
  • driving element driving circuit
  • various electronic devices such as various sensors such as an X-ray sensor and an image sensor, and a micro electro mechanical system (MEMS).
  • MEMS micro electro mechanical system
  • FIG. 5 shows a schematic sectional view of a part of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 6 shows a schematic configuration diagram of electrical wiring.
  • the liquid crystal display device 100 includes a top contact type TFT 10 having the top gate structure shown in FIG. 1 and a pixel lower electrode on the gate electrode 22 protected by the passivation layer 102 of the TFT 10. 104 and a liquid crystal layer 108 sandwiched between the counter upper electrode 106 and an R (red) G (green) B (blue) color filter 110 for developing different colors corresponding to each pixel.
  • the polarizing plate 112a and 112b are provided on the substrate 12 side and the RGB color filter 110, respectively.
  • the liquid crystal display device 100 of the present embodiment includes a plurality of gate wirings 112 parallel to each other and data wirings 114 intersecting with the gate wirings 112 and parallel to each other.
  • the gate wiring 112 and the data wiring 114 are electrically insulated.
  • the TFT 10 is provided in the vicinity of the intersection between the gate wiring 112 and the data wiring 114.
  • the gate electrode 22 of the TFT 10 is connected to the gate wiring 112, and the source electrode 16 of the TFT 10 is connected to the data wiring 114.
  • the drain electrode 18 of the TFT 10 is connected to the pixel lower electrode 104 through a contact hole 116 provided in the gate insulating film 20 (a conductor is embedded in the contact hole 116).
  • the pixel lower electrode 104 forms a capacitor 118 together with the grounded counter upper electrode 106.
  • FIG. 7 shows a schematic sectional view of a part of an active matrix organic EL display device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 8 shows a schematic configuration diagram of electrical wiring.
  • the active matrix organic EL display device 200 of the present embodiment includes the TFT 10 having the top gate structure shown in FIG. 1 as a driving TFT 10a and a switching TFT 10b on a substrate 12 having a passivation layer 202.
  • 10b is provided with an organic EL light emitting element 214 composed of an organic light emitting layer 212 sandwiched between a lower electrode 208 and an upper electrode 210, and the upper surface is also protected by a passivation layer 216.
  • the organic EL display device 200 includes a plurality of gate wirings 220 that are parallel to each other, and a data wiring 222 and a driving wiring 224 that are parallel to each other and intersect the gate wiring 220.
  • the gate wiring 220, the data wiring 222, and the drive wiring 224 are electrically insulated.
  • the gate electrode 22 of the switching TFT 10 b is connected to the gate wiring 220, and the source electrode 16 of the switching TFT 10 b is connected to the data wiring 222.
  • the drain electrode 18 of the switching TFT 10b is connected to the gate electrode 22 of the driving TFT 10a, and the driving TFT 10a is kept on by using the capacitor 226.
  • the source electrode 16 of the driving TFT 10 a is connected to the driving wiring 224, and the drain electrode 18 is connected to the organic EL light emitting element 214.
  • the upper electrode 210 may be a top emission type using a transparent electrode, or the bottom electrode 208 and each TFT electrode may be a transparent electrode.
  • FIG. 9 shows a schematic sectional view of a part of an X-ray sensor according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 10 shows a schematic configuration diagram of its electrical wiring.
  • the X-ray sensor 300 of this embodiment includes the TFT 10 and the capacitor 310 formed on the substrate 12, the charge collection electrode 302 formed on the capacitor 310, the X-ray conversion layer 304, and the upper electrode 306. Composed.
  • a passivation film 308 is provided on the TFT 10.
  • the capacitor 310 has a structure in which an insulating film 316 is sandwiched between a capacitor lower electrode 312 and a capacitor upper electrode 314.
  • the capacitor upper electrode 314 is connected to one of the source electrode 16 and the drain electrode 18 (the drain electrode 18 in FIG. 9) of the TFT 10 through a contact hole 318 provided in the insulating film 316.
  • the charge collection electrode 302 is provided on the capacitor upper electrode 314 in the capacitor 310 and is in contact with the capacitor upper electrode 314.
  • the X-ray conversion layer 304 is a layer made of amorphous selenium, and is provided so as to cover the TFT 10 and the capacitor 310.
  • the upper electrode 306 is provided on the X-ray conversion layer 304 and is in contact with the X-ray conversion layer 304.
  • the X-ray sensor 300 of this embodiment includes a plurality of gate wirings 320 that are parallel to each other and a plurality of data wirings 322 that intersect with the gate wirings 320 and are parallel to each other.
  • the gate wiring 320 and the data wiring 322 are electrically insulated.
  • the TFT 10 is provided in the vicinity of the intersection between the gate wiring 320 and the data wiring 322.
  • the gate electrode 22 of the TFT 10 is connected to the gate wiring 320, and the source electrode 16 of the TFT 10 is connected to the data wiring 322.
  • the drain electrode 18 of the TFT 10 is connected to the charge collecting electrode 302, and the charge collecting electrode 302 is connected to the capacitor 310.
  • X-rays enter from the upper electrode 306 side in FIG. 9 and generate electron-hole pairs in the X-ray conversion layer 304.
  • the generated charge is accumulated in the capacitor 310 and read out by sequentially scanning the TFT 10.
  • a TFT having a top gate structure is provided in the liquid crystal display device 100, the organic EL display device 200, and the X-ray sensor 300 of the above embodiment.
  • the TFT is not limited to this, and FIGS. A TFT having the structure shown in FIG.
  • Example 1 The following evaluation devices were produced and evaluated. Indium nitrate (In (NO 3 ) 3 ⁇ H 2 O, 4N, manufactured by High Purity Chemical Laboratory Co., Ltd.) is dissolved in 2-methoxyethanol (special grade reagent, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and 0.1 mol / L An indium nitrate solution having a concentration of 5 was prepared.
  • In (NO 3 ) 3 ⁇ H 2 O, 4N manufactured by High Purity Chemical Laboratory Co., Ltd.
  • 2-methoxyethanol special grade reagent, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
  • the prepared solution was spin-coated on a p-type Si 1 inch ⁇ 1 inch substrate with a thermal oxide film at a rotational speed of 1500 rpm for 30 seconds, and then dried on a hot plate heated to 60 ° C. for 1 minute.
  • a metal oxide semiconductor precursor film was obtained.
  • the obtained metal oxide semiconductor precursor film was converted into a metal oxide semiconductor film by performing ultraviolet irradiation treatment under the following conditions.
  • a low pressure mercury lamp and an excimer lamp using krypton chloride as a discharge gas were provided in one processing chamber.
  • the sample was set on a glass plate having a thickness of 40 mm, and the distance between the lamp and the sample was 15 mm.
  • the ultraviolet illuminance at the sample position with a wavelength of 254 nm was measured using an ultraviolet light meter (Oak Manufacturing Co., Ltd., UV-M10, photoreceiver UV-25) with only the low-pressure mercury lamp turned on.
  • the illuminance was 10 mW / cm 2 , as measured using a UV integrating light meter (C9536, sensor head H95535-222, manufactured by Hamamatsu Photonics) with only the excimer lamp lit.
  • UV integrating light meter C9536, sensor head H95535-222, manufactured by Hamamatsu Photonics
  • the substrate temperature at the time of ultraviolet irradiation treatment was monitored with a thermolabel, it showed 150 ° C.
  • ⁇ Comparative Example 1> In the same manner as in Example 1, a metal oxide semiconductor precursor film was formed on a p-type Si 1 inch ⁇ 1 inch substrate with a thermal oxide film. The obtained metal oxide semiconductor precursor film was converted into a metal oxide semiconductor film in the same manner as in Example 1 except that ultraviolet irradiation treatment was performed using only a low-pressure mercury lamp. The ultraviolet illuminance with a wavelength of 254 nm at the sample position was 10 mW / cm 2 .
  • ⁇ Comparative example 2> In the same manner as in Example 1, a metal oxide semiconductor precursor film was formed on a p-type Si 1 inch ⁇ 1 inch substrate with a thermal oxide film. The obtained metal oxide semiconductor precursor film was converted into a metal oxide semiconductor film in the same manner as in Example 1 except that an ultraviolet irradiation treatment was performed using only an excimer lamp. The ultraviolet illuminance with a wavelength of 222 nm at the sample position was 10 mW / cm 2 .
  • a simple TFT was prepared as follows.
  • An indium nitrate solution is spin-coated for 30 seconds at a rotational speed of 5000 rpm on a p-type Si 1 inch ⁇ 1 inch substrate with a thermal oxide film, and then dried on a hot plate heated to 60 ° C. for 1 minute.
  • An oxide semiconductor precursor film was obtained.
  • the obtained metal oxide semiconductor precursor film was converted into a metal oxide semiconductor film by performing ultraviolet irradiation treatment under the following conditions.
  • As the ultraviolet irradiation device a low pressure mercury lamp and an excimer lamp using krypton chloride as a discharge gas were provided in one processing chamber.
  • the sample was set on a glass plate having a thickness of 40 mm, and the distance between the lamp and the sample was 15 mm.
  • a metal grid was placed between the lamp and the sample, and the ultraviolet illuminance at wavelengths of 254 nm and 222 nm at the sample position was measured, and both were 8 mW / cm 2 .
  • ultraviolet irradiation was performed for 90 minutes using a low-pressure mercury lamp and an excimer lamp. During UV irradiation, nitrogen was always flowed at 6 L / min.
  • the substrate temperature at the time of ultraviolet irradiation treatment was monitored with a thermolabel, it showed 150 ° C.
  • source / drain electrodes were formed on the metal oxide semiconductor film by vapor deposition.
  • the source / drain electrodes were formed by pattern formation using a metal mask, and a Ti electrode was formed to a thickness of 50 nm.
  • the source / drain electrode size was 1 mm ⁇ 1 mm, respectively, and the distance between the electrodes was 0.2 mm.
  • V g -I d characteristics For simplified TFT obtained above, using a semiconductor parameter analyzer 4156C (manufactured by Agilent Technologies), it was measured transistor characteristics (V g -I d characteristics). The measurement of the V g -I d characteristic is performed by fixing the drain voltage (V d ) to +1 V, changing the gate voltage (V g ) within a range of ⁇ 15 V to +15 V, and drain current (I d ) at each gate voltage. It was performed by measuring. However, the transistor operation of the TFT of Comparative Example 4 was not confirmed.
  • Table 1 shows the film densities of the metal oxide semiconductor films formed in Example 1 and Comparative Examples 1 to 4.
  • Example 1 and Comparative Example 1 The metal oxide semiconductor film obtained in Example 1 and Comparative Example 1 was patterned to 3 ⁇ 4 mm by photolithography, and then source / drain electrodes were formed on the metal oxide semiconductor film by vapor deposition.
  • the source / drain electrodes were formed by pattern deposition using a metal mask, and a Ti electrode was deposited to a thickness of 50 nm.
  • the source / drain electrode size was 1 mm ⁇ 1 mm, respectively, and the distance between the electrodes was 0.2 mm.
  • V g -I d characteristics transistor characteristics (V g -I d characteristics).
  • the measurement of the V g -I d characteristic is performed by fixing the drain voltage (V d ) to +1 V, changing the gate voltage (V g ) within a range of ⁇ 15 V to +15 V, and drain current (I d ) at each gate voltage. It was performed by measuring.
  • Figure 11 shows a, V g -I d characteristics of the Example 1 and Comparative Example 1. Also shows the linear mobility was estimated from, V g -I d characteristics of the Example 1 and Comparative Example 1 in Table 2. In Comparative Example 2 and Comparative Example 3, transistor operation was not confirmed.

Abstract

　本発明は、金属硝酸塩を含む溶液を基板上に塗布し、塗布膜を乾燥させて金属酸化物前駆体膜を形成する工程と、金属酸化物前駆体膜に対し、３００ｎｍ以下の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を２つ以上含む紫外線を照射することにより、金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程と、を含む金属酸化物膜の製造方法及びそれにより製造された金属酸化物膜並びにそれを備えたデバイス、を提供する。

Description

金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びＸ線センサ
　本発明は、金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びＸ線センサに関する。
　金属酸化物半導体膜は真空成膜法による製造において実用化がなされ、現在注目を集めている。
　一方で、簡便に、低温で、かつ大気圧下で高い半導体特性を有する金属酸化物膜を形成することを目的とした、液相プロセスによる金属酸化物膜の作製に関して研究開発が盛んに行われている。
　例えば、国際公開第２００９／０８１８６２号には、硝酸塩等の金属塩を含む溶液を塗布し、金属酸化物半導体層を形成する手法が開示されている。
　また、特開２０００－２４７６０８号公報には、金属アルコキシド又は金属塩を主原料として得られる金属酸化物の前駆体ゾルを被塗布物の表面に塗布して被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成する工程と、金属酸化物ゲルの薄膜に対して波長が３６０ｎｍ以下である紫外光を照射して金属酸化物ゲルを結晶化させる工程とを複数回繰り返して行う金属酸化物膜の製造方法が開示されている。
　また、特開２０１２－２２８８５９号公報には、金属酸化物前駆体皮膜を用意し、酸素雰囲気中で主波長１３０～１８０ｎｍの真空紫外光を照射して結晶性の金属酸化物膜を形成させる方法が開示されている。
　また、Ｎａｔｕｒｅ，　４８９　（２０１２）　１２８．には、溶液を基板上に塗布し、紫外線を用いることで１５０℃以下の低温で高い輸送特性を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を製造する手法が報告されている。
　さらに、特開２００７－１１２６５９号公報には、基板の少なくとも一方の面に、金属の硝酸塩、硫酸塩等から選ばれる金属塩を含む前駆体層を形成する工程と、前駆体層を紫外線照射及び加熱の少なくとも一方によって、金属酸化物等のガスバリア性層に変換する工程と、を含む、ガスバリア性フィルムの製造方法が開示されている。
　本発明は、緻密な金属酸化物膜を比較的低温で、かつ大気圧下で製造することができる金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、並びに、高い移動度を有する薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びＸ線センサを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するため、以下の発明が提供される。
＜１＞　金属硝酸塩を含む溶液を基板上に塗布して塗布膜を形成し、塗布膜を乾燥させて金属酸化物前駆体膜を形成する工程と、
　金属酸化物前駆体膜に対し、３００ｎｍ以下の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を２つ以上含む紫外線を照射することにより、金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程と、
　を含む金属酸化物膜の製造方法。
＜２＞　金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程における基板の最高到達温度が２００℃以下である＜１＞に記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜３＞　金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程における基板の最高到達温度が１２０℃以上である＜１＞又は＜２＞に記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜４＞　金属酸化物前駆体膜に照射する紫外線が、２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を１つ以上含み、且つ２５０ｎｍ未満の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を１つ以上含む＜１＞～＜３＞のいずれか一つに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜５＞　金属酸化物前駆体膜に照射する紫外線が、２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を１つ以上含み、且つ２００ｎｍ以上２５０ｎｍ未満の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を１つ以上含む＜１＞～＜４＞のいずれか一つに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜６＞　金属硝酸塩を含む溶液が、少なくとも硝酸インジウムを含む＜１＞～＜５＞のいずれか一つに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜７＞　硝酸インジウムを含む溶液が、亜鉛、錫、ガリウム及びアルミニウムから選ばれる少なくとも１つの金属原子を含む化合物をさらに含有する＜６＞に記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜８＞　金属酸化物前駆体膜に紫外線を照射する際に用いる光源が、低圧水銀ランプ及びエキシマランプから選ばれる少なくとも１種である＜１＞～＜７＞のいずれか一つに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜９＞　金属酸化物前駆体膜を形成する工程において、金属硝酸塩を含む溶液を、インクジェット法、ディスペンサー法、凸版印刷法、及び凹版印刷法から選択される少なくとも１種の塗布法により塗布する＜１＞～＜８＞のいずれか一つに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜１０＞　＜１＞～＜９＞のいずれか一つに記載の金属酸化物膜の製造方法を用いて作製された金属酸化物膜。
＜１１＞　金属酸化物半導体膜である＜１０＞に記載の金属酸化物膜。
＜１２＞　＜１１＞に記載の金属酸化物膜を含む活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタ。
＜１３＞　＜１２＞に記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置。
＜１４＞　＜１２＞に記載の薄膜トランジスタを備えたイメージセンサ。
＜１５＞　＜１２＞に記載の薄膜トランジスタを備えたＸ線センサ。
　本発明によれば、緻密な金属酸化物膜を比較的低温で、かつ大気圧下で製造することができる金属酸化物膜の製造方法及び金属酸化物膜、並びに、高い移動度を有する薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びＸ線センサが提供される。
本発明により製造される薄膜トランジスタの一例（トップゲート－トップコンタクト型）の構成を示す概略図である。 本発明により製造される薄膜トランジスタの一例（トップゲート－ボトムコンタクト型）の構成を示す概略図である。 本発明により製造される薄膜トランジスタの一例（ボトムゲート－トップコンタクト型）の構成を示す概略図である。 本発明により製造される薄膜トランジスタの一例（ボトムゲート－ボトムコンタクト型）の構成を示す概略図である。 実施形態の液晶表示装置の一部分を示す概略断面図である。 図５の液晶表示装置の電気配線の概略構成図である。 実施形態の有機ＥＬ表示装置の一部分を示す概略断面図である。 図７の有機ＥＬ表示装置の電気配線の概略構成図である。 実施形態のＸ線センサアレイの一部分を示す概略断面図である。 図９のＸ線センサアレイの電気配線の概略構成図である。 実施例及び比較例で作製した簡易型ＴＦＴのＶｇ－Ｉｄ特性を示す図である。
　以下、添付の図面を参照しながら、本発明の金属酸化物膜及びその製造方法、並びに本発明により製造される金属酸化物膜を有する薄膜トランジスタ、表示装置、Ｘ線センサ等について具体的に説明する。
　なお、図中、同一又は対応する機能を有する部材（構成要素）には同じ符号を付して適宜説明を省略する。また、本明細書において「～」の記号により数値範囲を示す場合、数値範囲には、「～」の記号の左右両数値が含まれる。
　また、本発明に係る金属酸化物膜の導電性は限定されず、本発明は、酸化物半導体膜、酸化物導電膜、又は酸化物絶縁膜の製造に適用することができるが、代表例として、ＴＦＴの活性層（半導体層）に適用することができる金属酸化物半導体膜の製造方法について主に説明する。
　本発明によって緻密な金属酸化物膜を形成することができる理由は定かでないが、以下のように推測される。
　金属硝酸塩を含む金属酸化物前駆体膜は、３００ｎｍ以下の紫外線に対して吸収を持っており、紫外線によって金属酸化物前駆体膜中のなんらかの構造が変化し、元の金属酸化物前駆体膜とは異なる波長での吸収を持つようになる。元の金属酸化物前駆体膜の構造変化をもたらす紫外線とは別に、構造変化後の金属酸化物前駆体膜に適した別の波長を有する紫外線を照射することにより、構造変化後の膜の分解及び酸化物形成を効率よく行うことが可能となり結果として金属酸化物膜の緻密化が実現していると考えられる。
＜金属酸化物膜の製造方法＞
　本発明の金属酸化体膜の製造方法は、金属硝酸塩を含む溶液を基板上に塗布し、塗布膜を乾燥させて金属酸化物前駆体膜を形成する工程と、金属酸化物前駆体膜に対し、３００ｎｍ以下の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を２つ以上含む紫外線を照射することにより、金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程と、を含む。
［金属酸化物前駆体膜の形成工程］
　まず、金属酸化物膜を形成するための金属硝酸塩を含む溶液と、金属酸化物膜を形成するための基板を用意し、金属硝酸塩を含む溶液を基板上に塗布し、塗布膜を乾燥させて金属酸化物前駆体膜を形成する。
（基板）
　基板の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。基板の構造は単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
　基板を構成する材料としては特に限定はなく、ガラス、ＹＳＺ（Ｙｔｔｒｉａ－Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ　Ｚｉｒｃｏｎｉａ；イットリウム安定化ジルコニウム）等の無機材料で形成された無機基板、樹脂で形成された樹脂基板、無機材料及び樹脂から選ばれた少なくとも二種で形成された複合基板等を用いることができる。中でも軽量である点、可撓性を有する点から樹脂基板、及び樹脂及び無機材料で形成された複合基板が好ましい。
　具体的には、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンズアゾール、ポリフェニレンサルファイド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等のフッ素樹脂、液晶ポリマー、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アイオノマー樹脂、シアネート樹脂、架橋フマル酸ジエステル、環状ポリオレフィン、芳香族エーテル、マレイミド・オレフィン、セルロース、エピスルフィド化合物等の合成樹脂基板、酸化珪素粒子との複合プラスチック材料、金属ナノ粒子、無機酸化物ナノ粒子、無機窒化物ナノ粒子等との複合プラスチック材料、カーボン繊維、カーボンナノチューブとの複合プラスチック材料、ガラスフェレーク、ガラスファイバー、ガラスビーズとの複合プラスチック材料、粘土鉱物や雲母派生結晶構造を有する粒子との複合プラスチック材料、薄いガラスと上記単独有機材料との間に少なくとも１回の接合界面を有する積層プラスチック材料、無機層と有機層を交互に積層することで、少なくとも１回以上の接合界面を有するバリア性能を有する複合材料、ステンレス基板或いはステンレスと異種金属を積層した金属多層基板、アルミニウム基板或いは表面に酸化処理（例えば陽極酸化処理）を施すことで表面の絶縁性を向上させた酸化皮膜付きのアルミニウム基板等を用いることができる。また、樹脂基板は耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れていることが好ましい。樹脂基板は、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層や、樹脂基板の平坦性や下部電極との密着性を向上するためのアンダーコート層等を備えていてもよい。
　本発明で用いる基板の厚みに特に制限はないが、５０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。基板の厚みが５０μｍ以上であると、基板自体の平坦性がより向上する。また、基板の厚みが５００μｍ以下であると、基板自体の可撓性がより向上し、フレキシブルデバイス用基板としての使用がより容易となる。
（金属硝酸塩を含む溶液）
　金属硝酸塩を含む溶液は、金属硝酸塩等の溶質を、溶液が所望の濃度となるように秤量し、溶媒中で攪拌して溶解させて得られる。攪拌を行う時間は溶質が十分に溶解されれば特に制限はない。
　溶液に含まれる金属硝酸塩としては、形成する金属酸化物膜に応じて選択すればよい。例えば、硝酸インジウム、硝酸マグネシウム、硝酸アルミニウム、硝酸カルシウム、硝酸スカンジウム、硝酸クロム、硝酸マンガン、硝酸鉄、硝酸コバルト、硝酸ニッケル、硝酸銅、硝酸亜鉛、硝酸ガリウム、硝酸ストロンチウム、硝酸イットリウム、硝酸バリウム、硝酸ランタン、硝酸セリウム、硝酸プラセオジウム、硝酸ネオジウム、硝酸サマリウム、硝酸ユーロピウム、硝酸ガドリニウム、硝酸テルビウム、硝酸ジスプロシウム、硝酸ホルミウム、硝酸エルビウム、硝酸ツリウム、硝酸イッテルビウム、硝酸ルテチウム、硝酸ビスマスが挙げられる。金属硝酸塩は水和物であってもよい。
　溶液の金属モル濃度は、粘度や得たい膜厚に応じて任意に選択することができる。膜の平坦性及び生産性の観点から０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上０．５ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。
　なお、金属硝酸塩を含む溶液が複数種の金属を含む場合は、本発明における金属モル濃度は、各金属のモル濃度（ｍｏｌ／Ｌ）の合計量を意味する。
　金属硝酸塩を含む溶液は、金属硝酸塩以外の他の金属原子含有化合物を含んでいてもよい。金属原子含有化合物としては金属塩、金属ハロゲン化物、有機金属化合物を挙げることができる。
　金属硝酸塩以外の金属塩としては、硫酸塩、燐酸塩、炭酸塩、酢酸塩、蓚酸塩等が挙げられ、金属ハロゲン化物としては、塩化物、ヨウ化物、臭化物等が挙げられ、有機金属化合物としては、金属アルコキシド、有機酸塩、金属βジケトネート等が挙げられる。
　金属硝酸塩を含む溶液は少なくとも硝酸インジウムを含むことが好ましい。特に酸化物半導体膜又は酸化物導体膜を形成する場合、硝酸インジウムを用いることで、容易にインジウム含有酸化物膜を形成することができ、高い電気伝導性が得られる。
　また、金属酸化物前駆体膜に紫外線を照射して金属酸化物膜に転化する工程において、前駆体膜が紫外光を効率よく吸収することができ、インジウム含有酸化物膜を容易に形成することができる。
　また、金属硝酸塩を含む溶液にインジウム以外の金属元素として、亜鉛、錫、ガリウム、及びアルミニウムから選ばれるいずれか１つ以上の金属原子を含む化合物を含有することが好ましい。金属元素を適量含むことにより、得られる酸化物半導体膜の閾値電圧を所望の値に制御することができ、且つ膜の電気的安定性も向上する。
　なお、インジウムと金属元素を含む酸化物半導体及び酸化物導電体として、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ（ＩＧＺＯ）、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ（ＩＺＯ）、Ｉｎ－Ｇａ－Ｏ（ＩＧＯ）、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｏ（ＩＴＯ）、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ（ＩＴＺＯ）等が挙げられる。
　金属硝酸塩を含む溶液に用いる溶媒は、用いる金属硝酸塩を含む金属原子含有化合物が溶解するものであれば特に制限されない。水、アルコール溶媒（メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール等）、アミド溶媒（Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等）、ケトン溶媒（アセトン、Ｎ－メチルピロリドン、スルホラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルイミダゾリジノン等）、エーテル溶媒（テトラヒドロフラン、メトキシエタノール等）、ニトリル溶媒（アセトニトリル等）、上記以外のヘテロ原子含有溶媒等が挙げられる。特に溶解性、塗れ性の観点からメタノール、メトキシエタノール等を用いることが好ましい。
（塗布）
　金属硝酸塩を含む溶液（金属酸化物膜形成用塗布液）を基板上に塗布する方法は特に限定されない。スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法、ミスト法、インクジェット法、ディスペンサー法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、及び凹版印刷法等が挙げられる。特に、微細パターンを容易に形成する観点から、インクジェット法、ディスペンサー法、凸版印刷法、及び凹版印刷法から選択される少なくとも一種の塗布法を用いることが好ましい。
　金属硝酸塩を含む溶液を塗布して金属酸化物前駆体膜を形成する工程と、金属酸化物前駆体膜を紫外線照射によって金属酸化物膜に転化する工程を各々１回行って得られる金属酸化物膜の厚みは特に限定されないが、平坦性及び生産性の観点から１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
（乾燥）
　金属酸化物膜形成用塗布液を基板上に塗布した後、塗布膜を乾燥させ、金属酸化物前駆体膜を得る。乾燥によって、塗布膜の流動性を低減させ、最終的に得られる酸化物膜の平坦性を向上させることができる。乾燥温度（基板の温度）は、３５℃以上１００℃以下が好ましい。上記温度範囲であれば、最終的により緻密な金属酸化物膜が得られ易い。乾燥のための加熱処理の方法は特に限定されず、ホットプレート加熱、電気炉加熱、赤外線加熱、マイクロ波加熱等から選択することができる。
　乾燥は膜の平坦性を均一に保つ観点から、塗布後、５分以内に開始することが好ましい。
　乾燥を行う時間は特に制限はないが、膜の均一性、生産性の観点から１５秒以上１０分以下であることが好ましい。
　また、乾燥における雰囲気に特に制限はないが、製造コスト等の観点から大気圧下、大気中で行うことが好ましい。
［金属酸化物膜への転化工程］
　乾燥させて得た金属酸化物前駆体膜に対し、３００ｎｍ以下の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を２つ以上含む紫外線（ＵＶ：Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）を照射する。
　上記２つ以上のピーク成分は一つの紫外線光源から得てもよく、二つ以上の紫外線光源を用いて得てもよい。紫外線の光源としては、ＵＶランプ、レーザーが挙げられるが、大面積に均一に、安価な設備で紫外線照射を行う観点からＵＶランプが好ましい。
　ＵＶランプとしては、エキシマランプ、重水素ランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ヘリウムランプ、カーボンアークランプ、カドミウムランプ、無電極放電ランプ等が挙げられる。低圧水銀ランプ及びエキシマランプから選ばれる少なくとも１つのＵＶランプを使用することが好ましく、特に低圧水銀ランプとエキシマランプとを併用する場合には、容易に金属酸化物前駆体膜から金属酸化物膜への転化が行えることから好ましい。
　転化工程における雰囲気に制限はなく、大気圧下であっても真空下であってもよく、また、大気中であっても、任意のガス中であってもよいが、簡便に転化を行う観点から大気圧下で行うことが好ましい。
　転化工程における基板の最高到達温度は２００℃以下が好ましく、１２０℃以上がより好ましい。２００℃以下であれば耐熱性の低い樹脂基板への適用が容易となり、１２０℃以上であれば緻密な金属酸化物膜が得られやすい。なお、転化工程における基板の最高到達温度はサーモラベルによって測定することができる。
　紫外線処理時の基板温度は、用いる紫外線ランプ等の光源からの輻射熱を用いてもよく、ヒーター等によって基板温度を制御してもよい。紫外線ランプからの輻射熱を用いる際には、ランプ－基板間距離やランプ出力を調整することで制御することができる。
　金属酸化物前駆体膜に照射される紫外線は、２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を１つ以上含み、且つ２５０ｎｍ未満の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を１つ以上含むことが好ましい。２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を１つ以上含み、且つ２００ｎｍ以上２５０ｎｍ未満の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を１つ以上含むことがより好ましい。上記波長範囲に上記照度のピーク成分を含むことで、緻密な金属酸化物膜が得られやすい。
　３００ｎｍ以下の波長域の上記ピーク成分の照度は、製造コスト、膜質の観点から１００ｍＷ／ｃｍ２以下であることが好ましく、６０ｍＷ／ｃｍ２以下であることがより好ましい。
　なお、金属酸化物前駆体膜に照射する紫外線の照度は、例えば、紫外線光量計（オーク製作所社製、ＵＶ－Ｍ１０、受光器ＵＶ－２５）を用いて測定することができる。
　紫外線照射時間は紫外線の照度にもよるが、生産性の観点から、５秒以上１２０分以下であることが好ましい。
　尚、上記塗布、乾燥による金属酸化物前駆体膜の形成及び金属酸化物膜への転化を交互に複数回繰り返してもよい。
　金属酸化物膜は金属成分として少なくともインジウムを含むことが好ましい。インジウムを含むことが好ましい。インジウムを含むことで金属酸化物半導体膜や金属酸化物導電体膜とした際に高い電気伝導性が得られる。
　金属酸化物膜のインジウムの含有量が、金属酸化物膜に含まれる全金属元素の５０ａｔｏｍ％以上であることが好ましい。インジウム含有量が５０ａｔｏｍ％以上であれば低温で容易に高い電気伝導性が得られる。
　金属酸化物膜は、インジウム以外の金属元素として、亜鉛，錫，ガリウム及びアルミニウムから選ばれる少なくとも１種の金属成分を含むことが好ましい。金属元素を適量含むことにより、電気伝導性の向上や、金属酸化物半導体膜を作製した際の閾値電圧制御や電気的安定性の向上効果が得られる。インジウムとインジウム以外の金属元素を含む酸化物半導体及び酸化物導電体として、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ（ＩＧＺＯ）、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ（ＩＺＯ）、Ｉｎ－Ｇａ－Ｏ（ＩＧＯ）、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｏ（ＩＴＯ）、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ（ＩＴＺＯ）等が挙げられる。
　本発明の金属酸化物膜の製造方法を用いることで、例えば、大気圧下、２００℃以下の低温プロセスで緻密な金属酸化物膜を得ることができ、種々のデバイスの作製に適用することができる。本発明では、大掛かりな真空装置を用いる必要がない点、耐熱性の低い安価な樹脂基板を用いることができる点、原料が安価である点等からデバイス作製コストを大幅に低減可能となる。
　また、耐熱性の低い樹脂基板に適用できることからフレキシブルディスプレイ等のフレキシブル電子デバイスを安価に作製することが可能となる。特に金属酸化物半導体膜や金属酸化物導電膜に用いた際に極めて電子伝達特性が高い膜を得ることができる。
＜薄膜トランジスタ＞
　本発明の実施形態により作製された金属酸化物半導体膜は高い半導体特性を示すことから、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活性層（酸化物半導体層）に好適に用いることができる。以下、本発明の製造方法により作製された金属酸化物膜を薄膜トランジスタの活性層として用いる実施形態について説明する。
　尚、実施形態としてはトップゲート型の薄膜トランジスタについて記述するが、本発明の金属酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタはトップゲート型に限定されることなく、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであってもよい。
　本発明に係るＴＦＴの素子構造は特に限定されず、ゲート電極の位置に基づいた、いわゆる逆スタガ構造（ボトムゲート型とも呼ばれる）及びスタガ構造（トップゲート型とも呼ばれる）のいずれの態様であってもよい。また、活性層とソース電極及びドレイン電極（適宜、「ソース・ドレイン電極」という。）との接触部分に基づき、いわゆるトップコンタクト型、ボトムコンタクト型のいずれの態様であってもよい。
　トップゲート型とは、ＴＦＴが形成されている基板を最下層としたとき場合に、ゲート絶縁膜の上側にゲート電極が配置され、ゲート絶縁膜の下側に活性層が形成された形態である。ボトムゲート型とは、ゲート絶縁膜の下側にゲート電極が配置され、ゲート絶縁膜の上側に活性層が形成された形態である。また、ボトムコンタクト型とは、ソース・ドレイン電極が活性層よりも先に形成されて活性層の下面がソース・ドレイン電極に接触する形態である。トップコンタクト型とは、活性層がソース・ドレイン電極よりも先に形成されて活性層の上面がソース・ドレイン電極に接触する形態である。
　図１は、トップゲート構造でトップコンタクト型の本発明に係るＴＦＴの一例を示す模式図である。図１に示すＴＦＴ１０では、基板１２の一方の主面上に活性層１４として上述の金属酸化物半導体膜が積層されている。そして、活性層１４上にソース電極１６及びドレイン電極１８が互いに離間して設置され、更にこれらの上にゲート絶縁膜２０と、ゲート電極２２とが順に積層されている。
　図２は、トップゲート構造でボトムコンタクト型の本発明に係るＴＦＴの一例を示す模式図である。図２に示すＴＦＴ３０では、基板１２の一方の主面上にソース電極１６及びドレイン電極１８が互いに離間して設置されている。そして、活性層１４として上述の金属酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜２０と、ゲート電極２２と、が順に積層されている。
　図３は、ボトムゲート構造でトップコンタクト型の本発明に係るＴＦＴの一例を示す模式図である。図３に示すＴＦＴ４０では、基板１２の一方の主面上にゲート電極２２と、ゲート絶縁膜２０と、活性層１４として上述の金属酸化物半導体膜と、が順に積層されている。そして、活性層１４の表面上にソース電極１６及びドレイン電極１８が互いに離間して設置されている。
　図４は、ボトムゲート構造でボトムコンタクト型の本発明に係るＴＦＴの一例を示す模式図である。図４に示すＴＦＴ５０では、基板１２の一方の主面上にゲート電極２２と、ゲート絶縁膜２０と、が順に積層されている。そして、ゲート絶縁膜２０の表面上にソース電極１６及びドレイン電極１８が互いに離間して設置され、更にこれらの上に、活性層１４として上述の金属酸化物半導体膜が積層されている。
　以下の実施形態としては図１に示すトップゲート型の薄膜トランジスタ１０ついて主に説明するが、本発明の薄膜トランジスタはトップゲート型に限定されることなく、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであってもよい。
（活性層）
　本実施形態の薄膜トランジスタ１０を製造する場合、まず、金属硝酸塩を含む溶液を準備し、溶液を基板１２上に塗布して乾燥させることで金属酸化物前駆体膜を形成し、次いで、金属酸化物前駆体膜に対し、３００ｎｍ以下の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を２つ以上含む紫外線を照射することにより、金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する。
　金属酸化物膜のパターンニングは前述したインクジェット法、ディスペンサー法、凸版印刷法、又は凹版印刷法によって行ってもよく、金属酸化物膜の形成後にフォトリソグラフィー及びエッチングによりパターニングを行ってもよい。
　フォトリソグラフィー及びエッチングによりパターン形成を行うには、金属酸化物半導体膜を形成した後、活性層１４として残存させる部分にフォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成した後、塩酸、硝酸、希硫酸、又は燐酸、硝酸及び酢酸の混合液等の酸溶液によりエッチングすることにより活性層１４のパターンを形成する。
　金属酸化物半導体膜の膜厚は膜の平坦性及び膜形成に要する時間の観点から５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
　また、高い移動度を得る観点から、活性層１４におけるインジウムの含有量は、活性層１４に含まれる全金属元素の５０ａｔｏｍ％以上であることが好ましく、８０ａｔｏｍ％以上であることがより好ましい。
（保護層）
　活性層１４上にはソース・ドレイン電極１６，１８のエッチング時に活性層１４を保護するための保護層（不図示）を形成することが好ましい。保護層の成膜方法に特に限定はなく、金属酸化物半導体膜を形成した後、パターニングする前に形成してもよいし、金属酸化物膜のパターニング後に形成してもよい。
　また、保護層としては金属酸化物層であってもよく、樹脂のような有機材料であってもよい。なお、保護層はソース電極１５及びドレイン電極１８（適宜「ソース・ドレイン電極」と記す）の形成後に除去しても構わない。
（ソース・ドレイン電極）
　金属酸化物半導体膜で形成される活性層１４上にソース・ドレイン電極１６，１８を形成する。ソース・ドレイン電極１６，１８はそれぞれ電極として機能するように高い導電性を有するものを用い、Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ａｕ，Ａｕ等の金属、Ａｌ－Ｎｄ、Ａｇ合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ等の金属酸化物導電膜等を用いて形成することができる。
　ソース・ドレイン電極１６，１８を形成する場合、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式等の中から使用する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って成膜すればよい。
　ソース・ドレイン電極１６，１８の膜厚は、成膜性、エッチング又はリフトオフ法によるパターンニング性、導電性等を考慮すると、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることがより好ましい。
　ソース・ドレイン電極１６，１８は、導電膜を形成した後、例えば、エッチング又はリフトオフ法により所定の形状にパターンニングして形成してもよく、インクジェット法等により直接パターン形成してもよい。この際、ソース・ドレイン電極１６，１８及びこれらの電極に接続する配線（不図示）を同時にパターンニングすることが好ましい。
（ゲート絶縁膜）
　ソース・ドレイン電極１６，１８及び配線（不図示）を形成した後、ゲート絶縁膜２０を形成する。ゲート絶縁膜２０は高い絶縁性を有するものが好ましく、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２等の絶縁膜、又はこれらの化合物を２種以上含む絶縁膜としてもよい。
　ゲート絶縁膜２０は、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式等の中から使用する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って成膜すればよい。
　尚、ゲート絶縁膜２０はリーク電流の低下及び電圧耐性の向上のための厚みを有する必要がある一方、ゲート絶縁膜２０の厚みが大きすぎると駆動電圧の上昇を招いてしまう。ゲート絶縁膜２０は材質にもよるが、ゲート絶縁膜２０の厚みは１０ｎｍ以上１０μｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下が特に好ましい。
（ゲート電極）
　ゲート絶縁膜２０を形成した後、ゲート電極２２を形成する。ゲート電極２２は高い導電性を有するものを用い、Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ａｕ，Ａｕ等の金属、Ａｌ－Ｎｄ、Ａｇ合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、ＩＧＺＯ等の金属酸化物導電膜等を用いて形成することができる。ゲート電極２２としてはこれらの導電膜を単層構造又は２層以上の積層構造として用いることができる。
　ゲート電極２２は、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式等の中から使用する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って成膜する。
　ゲート電極２２を形成するための金属膜の膜厚は、成膜性、エッチングやリフトオフ法によるパターンニング性、導電性等を考慮すると、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることがより好ましい。
　成膜後、エッチング又はリフトオフ法により所定の形状にパターンニングすることにより、ゲート電極２２を形成してもよく、インクジェット法等により直接パターン形成してもよい。この際、ゲート電極２２及びゲート配線（不図示）を同時にパターンニングすることが好ましい。
　以上で説明した本実施形態の薄膜トランジスタ１０の用途には特に限定はないが、高い輸送特性を示すことから、例えば電気光学装置。具体的には、液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置、無機ＥＬ表示装置等の表示装置における駆動素子、耐熱性の低い樹脂基板を用いたフレキシブルディスプレイの作製に好適である。
　更に本発明により製造される薄膜トランジスタは、Ｘ線センサ、イメージセンサ等の各種センサ、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ）等、種々の電子デバイスにおける駆動素子（駆動回路）として好適に用いられる。
＜液晶表示装置＞
　本発明の一実施形態である液晶表示装置について、図５にその一部分の概略断面図を示し、図６に電気配線の概略構成図を示す。
　図５に示すように、本実施形態の液晶表示装置１００は、図１に示したトップゲート構造でトップコンタクト型のＴＦＴ１０と、ＴＦＴ１０のパッシベーション層１０２で保護されたゲート電極２２上に画素下部電極１０４およびその対向上部電極１０６で挟まれた液晶層１０８と、各画素に対応させて異なる色を発色させるためのＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）のカラーフィルタ１１０とを備え、ＴＦＴ１０の基板１２側およびＲＧＢカラーフィルタ１１０上にそれぞれ偏光板１１２ａ、１１２ｂを備えた構成である。
　また、図６に示すように、本実施形態の液晶表示装置１００は、互いに平行な複数のゲート配線１１２と、該ゲート配線１１２と交差する、互いに平行なデータ配線１１４とを備えている。ここでゲート配線１１２とデータ配線１１４は電気的に絶縁されている。ゲート配線１１２とデータ配線１１４との交差部付近に、ＴＦＴ１０が備えられている。
　ＴＦＴ１０のゲート電極２２は、ゲート配線１１２に接続されており、ＴＦＴ１０のソース電極１６はデータ配線１１４に接続されている。また、ＴＦＴ１０のドレイン電極１８はゲート絶縁膜２０に設けられたコンタクトホール１１６を介して（コンタクトホール１１６に導電体が埋め込まれて）画素下部電極１０４に接続されている。この画素下部電極１０４は、接地された対向上部電極１０６とともにキャパシタ１１８を構成している。
＜有機ＥＬ表示装置＞
　本発明の一実施形態に係るアクティブマトリックス方式の有機ＥＬ表示装置について、図７に一部分の概略断面図を示し、図８に電気配線の概略構成図を示す。
　本実施形態のアクティブマトリックス方式の有機ＥＬ表示装置２００は、図１に示したトップゲート構造のＴＦＴ１０が、パッシベーション層２０２を備えた基板１２上に、駆動用ＴＦＴ１０ａおよびスイッチング用ＴＦＴ１０ｂとして備えられ、ＴＦＴ１０ａ，１０ｂ上に下部電極２０８および上部電極２１０に挟まれた有機発光層２１２からなる有機ＥＬ発光素子２１４を備え、上面もパッシベーション層２１６により保護された構成となっている。
　また、図８に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置２００は、互いに平行な複数のゲート配線２２０と、該ゲート配線２２０と交差する、互いに平行なデータ配線２２２および駆動配線２２４とを備えている。ここで、ゲート配線２２０とデータ配線２２２、駆動配線２２４とは電気的に絶縁されている。スイッチング用ＴＦＴ１０ｂのゲート電極２２は、ゲート配線２２０に接続されており、スイッチング用ＴＦＴ１０ｂのソース電極１６はデータ配線２２２に接続されている。また、スイッチング用ＴＦＴ１０ｂのドレイン電極１８は駆動用ＴＦＴ１０ａのゲート電極２２に接続されるとともに、キャパシタ２２６を用いることで駆動用ＴＦＴ１０ａをオン状態に保つ。駆動用ＴＦＴ１０ａのソース電極１６は駆動配線２２４に接続され、ドレイン電極１８は有機ＥＬ発光素子２１４に接続される。
　なお、図７に示した有機ＥＬ表示装置において、上部電極２１０を透明電極としてトップエミッション型としてもよいし、下部電極２０８およびＴＦＴの各電極を透明電極とすることによりボトムエミッション型としてもよい。
＜Ｘ線センサ＞
　本発明の一実施形態であるＸ線センサについて、図９にその一部分の概略断面図を示し、図１０にその電気配線の概略構成図を示す。
　本実施形態のＸ線センサ３００は基板１２上に形成されたＴＦＴ１０およびキャパシタ３１０と、キャパシタ３１０上に形成された電荷収集用電極３０２と、Ｘ線変換層３０４と、上部電極３０６とを備えて構成される。ＴＦＴ１０上にはパッシベーション膜３０８が設けられている。
　キャパシタ３１０は、キャパシタ用下部電極３１２とキャパシタ用上部電極３１４とで絶縁膜３１６を挟んだ構造となっている。キャパシタ用上部電極３１４は絶縁膜３１６に設けられたコンタクトホール３１８を介し、ＴＦＴ１０のソース電極１６およびドレイン電極１８のいずれか一方（図９においてはドレイン電極１８）と接続されている。
　電荷収集用電極３０２は、キャパシタ３１０におけるキャパシタ用上部電極３１４上に設けられており、キャパシタ用上部電極３１４に接している。
　Ｘ線変換層３０４はアモルファスセレンからなる層であり、ＴＦＴ１０およびキャパシタ３１０を覆うように設けられている。
　上部電極３０６はＸ線変換層３０４上に設けられており、Ｘ線変換層３０４に接している。
　図１０に示すように、本実施形態のＸ線センサ３００は、互いに平行な複数のゲート配線３２０と、ゲート配線３２０と交差する、互いに平行な複数のデータ配線３２２とを備えている。ここでゲート配線３２０とデータ配線３２２は電気的に絶縁されている。ゲート配線３２０とデータ配線３２２との交差部付近に、ＴＦＴ１０が備えられている。
　ＴＦＴ１０のゲート電極２２は、ゲート配線３２０に接続されており、ＴＦＴ１０のソース電極１６はデータ配線３２２に接続されている。また、ＴＦＴ１０のドレイン電極１８は電荷収集用電極３０２に接続されており、さらに電荷収集用電極３０２は、キャパシタ３１０に接続されている。
　本実施形態のＸ線センサ３００において、Ｘ線は図９中、上部電極３０６側から入射してＸ線変換層３０４で電子－正孔対を生成する。Ｘ線変換層３０４に上部電極３０６によって高電界を印加しておくことにより、生成した電荷はキャパシタ３１０に蓄積され、ＴＦＴ１０を順次走査することによって読み出される。
　なお、上記実施形態の液晶表示装置１００、有機ＥＬ表示装置２００、及びＸ線センサ３００においては、トップゲート構造のＴＦＴを備えるものとしたが、ＴＦＴはこれに限定されず、図２～図４に示す構造のＴＦＴであってもよい。
　以下に実施例を説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。
＜実施例１＞
　以下のような評価用デバイスを作製し、評価を行った。
　硝酸インジウム（Ｉｎ（ＮＯ３）３・ｘＨ２Ｏ、４Ｎ、高純度化学研究所社製）を２－メトキシエタノール（試薬特級、和光純薬工業社製）中に溶解させ、０．１ｍｏｌ／Ｌの濃度の硝酸インジウム溶液を作製した。
　基板として熱酸化膜（膜厚１００ｎｍ）付ｐ型Ｓｉ基板を用い、熱酸化膜をゲート絶縁膜として用いる簡易型のＴＦＴを作製した。
　この熱酸化膜付ｐ型Ｓｉ　１インチ×１インチの基板上に、作製した溶液を１５００ｒｐｍの回転速度で３０秒スピンコートした後、６０℃に加熱されたホットプレート上で１分間乾燥を行い、金属酸化物半導体前駆体膜を得た。
　得られた金属酸化物半導体前駆体膜を、下記条件で紫外線照射処理を行うことで金属酸化物半導体膜への転化を行った。
　紫外線照射装置としては、低圧水銀ランプと塩化クリプトンを放電ガスに用いたエキシマランプを一つの処理室内に備えたものを用いた。試料は厚さ４０ｍｍのガラス板上にセットし、ランプ－試料間距離を１５ｍｍとした。試料位置での波長２５４ｎｍの紫外照度は、低圧水銀ランプのみを点灯させた状態で紫外線光量計（オーク製作所社製、ＵＶ－Ｍ１０、受光器ＵＶ－２５）を用いて測定し、波長２２２ｎｍの紫外照度は、エキシマランプのみを点灯させた状態で紫外線積算光量計（浜松ホトニクス製、Ｃ９５３６、センサヘッドＨ９５３５－２２２）を用いて測定し、ともに１０ｍＷ／ｃｍ２であった。
　紫外線照射処理室内に窒素を６Ｌ／ｍｉｎで１０分間フローさせた後、９０分間、低圧水銀ランプ及びエキシマランプを用いて紫外線照射を行った。
　紫外線照射中は常に６Ｌ／ｍｉｎで窒素をフローさせた。紫外線照射処理時の基板温度をサーモラベルでモニターしたところ、１５０℃を示した。
＜比較例１＞
　実施例１と同様にして熱酸化膜付ｐ型Ｓｉ　１インチ×１インチの基板上に金属酸化物半導体前駆体膜を作製した。
　得られた金属酸化物半導体前駆体膜を、低圧水銀ランプのみを用いて紫外線照射処理を行ったこと以外は実施例１と同様にして金属酸化物半導体膜への転化を行った。試料位置での波長２５４ｎｍの紫外照度は、１０ｍＷ／ｃｍ２であった。
＜比較例２＞
　実施例１と同様にして熱酸化膜付ｐ型Ｓｉ　１インチ×１インチの基板上に金属酸化物半導体前駆体膜を作製した。
　得られた金属酸化物半導体前駆体膜を、エキシマランプのみを用いて紫外線照射処理を行ったこと以外は実施例１と同様にして金属酸化物半導体膜への転化を行った。試料位置での波長２２２ｎｍの紫外照度は、１０ｍＷ／ｃｍ２であった。
＜比較例３＞
　実施例１と同様にして熱酸化膜付ｐ型Ｓｉ　１インチ×１インチの基板上に金属酸化物半導体前駆体膜を作製した。
　得られた金属酸化物半導体前駆体膜に対し、紫外線照射を行わずに基板を１５０℃で９０分間加熱して金属酸化物半導体膜への転化を行った。
＜比較例４＞
　実施例１と同様に作製した溶液及び基板を用い、以下のように簡易型のＴＦＴを作製した。
　熱酸化膜付ｐ型Ｓｉ　１インチ×１インチの基板上に、硝酸インジウム溶液を５０００ｒｐｍの回転速度で３０秒スピンコートした後、６０℃に加熱されたホットプレート上で１分間乾燥を行い、金属酸化物半導体前駆体膜を得た。
　得られた金属酸化物半導体前駆体膜を、下記条件で紫外線照射処理を行うことで金属酸化物半導体膜への転化を行った。
　紫外線照射装置としては、低圧水銀ランプと塩化クリプトンを放電ガスに用いたエキシマランプを一つの処理室内に備えたものを用いた。試料は厚さ４０ｍｍのガラス板上にセットし、ランプ－試料間距離を１５ｍｍとした。ランプ－試料間に金属グリッドを配置し、試料位置での波長２５４ｎｍ及び２２２ｎｍの紫外照度を測定したところ、ともに８ｍＷ／ｃｍ２であった。
　紫外線照射処理室内に窒素を６Ｌ／ｍｉｎで１０分間フローさせた後、９０分間、低圧水銀ランプ及びエキシマランプを用いて紫外線照射を行った。紫外線照射中は常に６Ｌ／ｍｉｎで窒素をフローさせた。紫外線照射処理時の基板温度をサーモラベルでモニターしたところ、１５０℃を示した。
　上記得られた金属酸化物半導体膜をフォトリソグラフィーにて３×４ｍｍにパターンニングした後、金属酸化物半導体膜上にソース・ドレイン電極を蒸着により成膜した。ソース・ドレイン電極成膜はメタルマスクを用いたパターン成膜にて作製し、Ｔｉ電極を５０ｎｍの厚さに成膜した。ソース・ドレイン電極サイズは各々１ｍｍ×１ｍｍとし、電極間距離は０．２ｍｍとした。
　上記で得られた簡易型ＴＦＴについて、半導体パラメータ・アナライザー４１５６Ｃ（アジレントテクノロジー社製）を用い、トランジスタ特性（Ｖｇ－Ｉｄ特性）の測定を行った。
　Ｖｇ－Ｉｄ特性の測定は、ドレイン電圧（Ｖｄ）を＋１Ｖに固定し、ゲート電圧（Ｖｇ）を－１５Ｖ～＋１５Ｖの範囲内で変化させ、各ゲート電圧におけるドレイン電流（Ｉｄ）を測定することにより行った。しかし、比較例４のＴＦＴはトランジスタ動作が確認されなかった。
［評価］
（膜密度）
　上記実施例及び比較例で得られた金属酸化物半導体膜について、Ｘ線反射率測定（Ｘ－ｒａｙ　ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ：ＸＲＲ）により膜密度を測定した。
　膜密度の算出はＸＲＲ測定によって得られるＸＲＲスペクトルから、膜厚、膜密度、表面ラフネスをパラメータとしてフィッティングを行うことによって行われる。実測スペクトルとシミュレーション結果が良い一致を示すか否かは信頼性因子（Ｒ値）で見積もることが出来、Ｒ値が０．０１５以下になるように各パラメータを決定する。尚、金属酸化物半導体膜を１層としたモデルによってＲ値が０．０１５以下とならない場合においては、金属酸化物半導体膜を２層以上としてフィッティングを行い、その際の膜密度は各層の膜密度を膜厚で乗じた値を加算した後に、金属酸化物半導体膜の全膜厚で除した値、即ち平均膜密度を膜密度として扱う。
　実施例１及び比較例１～４で形成した金属酸化物半導体膜の膜密度を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 
（移動度）
　上記実施例１及び比較例１で得られた金属酸化物半導体膜をフォトリソグラフィーにて３×４ｍｍにパターンニングした後、金属酸化物半導体膜上にソース・ドレイン電極を蒸着により成膜した。ソース・ドレイン電極はメタルマスクを用いたパターン成膜にて作製し、Ｔｉ電極を５０ｎｍの厚さに成膜した。ソース・ドレイン電極サイズは各々１ｍｍ×１ｍｍとし、電極間距離は０．２ｍｍとした。
　上記で得られた簡易型ＴＦＴについて、半導体パラメータ・アナライザー４１５６Ｃ（アジレントテクノロジー社製）を用い、トランジスタ特性（Ｖｇ－Ｉｄ特性）の測定を行った。
　Ｖｇ－Ｉｄ特性の測定は、ドレイン電圧（Ｖｄ）を＋１Ｖに固定し、ゲート電圧（Ｖｇ）を－１５Ｖ～＋１５Ｖの範囲内で変化させ、各ゲート電圧におけるドレイン電流（Ｉｄ）を測定することにより行った。
　図１１に実施例１及び比較例１のＶｇ－Ｉｄ特性を示す。また、実施例１及び比較例１のＶｇ－Ｉｄ特性から見積もった線形移動度を表２に示す。
　尚、比較例２及び比較例３はトランジスタ動作が確認されなかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　金属硝酸塩を含む溶液を塗布、乾燥し、得られた金属酸化物半導体前駆体膜に、低圧水銀ランプとエキシマランプを同時に照射することにより、移動度の向上効果が確認された。
　２０１３年９月３０日に出願された日本国特許出願２０１３－２０５３１５号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

Claims (15)

  1. 　金属硝酸塩を含む溶液を基板上に塗布して塗布膜を形成し、前記塗布膜を乾燥させて金属酸化物前駆体膜を形成する工程と、
    　前記金属酸化物前駆体膜に対し、３００ｎｍ以下の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を２つ以上含む紫外線を照射することにより、前記金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程と、
    　を含む金属酸化物膜の製造方法。
  2. 　前記金属酸化物前駆体膜を前記金属酸化物膜に転化する工程における前記基板の最高到達温度が２００℃以下である請求項１に記載の金属酸化物膜の製造方法。
  3. 　前記金属酸化物前駆体膜を前記金属酸化物膜に転化する工程における前記基板の最高到達温度が１２０℃以上である請求項１又は請求項２に記載の金属酸化物膜の製造方法。
  4. 　前記金属酸化物前駆体膜に照射する紫外線が、２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を１つ以上含み、且つ２５０ｎｍ未満の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を１つ以上含む請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
  5. 　前記金属酸化物前駆体膜に照射する紫外線が、２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を１つ以上含み、且つ２００ｎｍ以上２５０ｎｍ未満の波長域に照度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上のピーク成分を１つ以上含む請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
  6. 　前記金属硝酸塩を含む溶液が、少なくとも硝酸インジウムを含む請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
  7. 　前記硝酸インジウムを含む溶液が、亜鉛、錫、ガリウム及びアルミニウムから選ばれる少なくとも１つの金属原子を含む化合物をさらに含有する請求項６に記載の金属酸化物膜の製造方法。
  8. 　前記金属酸化物前駆体膜に前記紫外線を照射する際に用いる光源が、低圧水銀ランプ及びエキシマランプから選ばれる少なくとも１種である請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
  9. 　前記金属酸化物前駆体膜を形成する工程において、前記金属硝酸塩を含む溶液を、インクジェット法、ディスペンサー法、凸版印刷法、及び凹版印刷法から選択される少なくとも１種の塗布法により塗布する請求項１～請求項８のいずれか１項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
  10. 　請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の金属酸化物膜の製造方法を用いて作製された金属酸化物膜。
  11. 　金属酸化物半導体膜である請求項１０に記載の金属酸化物膜。
  12. 　請求項１１に記載の金属酸化物膜を含む活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタ。
  13. 　請求項１２に記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置。
  14. 　請求項１２に記載の薄膜トランジスタを備えたイメージセンサ。
  15. 　請求項１２に記載の薄膜トランジスタを備えたＸ線センサ。
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