WO2015029323A1 - インゴットの切断方法及びワイヤソー - Google Patents

インゴットの切断方法及びワイヤソー Download PDF

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佳一 上林
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Definitions

  • the present invention relates to a cutting method and a wire saw for cutting an ingot into a wafer shape with a wire saw.
  • a wire saw is exclusively used for cutting an ingot.
  • a wire saw is made by running a wire (high-strength steel wire) at a high speed and applying a slurry to the workpiece (for example, a silicon ingot. Hereinafter, it may be simply referred to as an ingot) to cut it.
  • This is an apparatus for cutting out a large number of wafers simultaneously (see Patent Document 1).
  • FIG. 4 shows an outline of an example of a conventional general wire saw.
  • the wire saw 101 is mainly cut by a wire 102 for cutting an ingot, a wire guide 103 around which the wire 102 is wound, a tension applying mechanism 104 for applying tension to the wire 102, and the like.
  • An ingot feeding means 105 for feeding out an ingot, and a nozzle 106 for supplying a slurry in which abrasive grains such as SiC fine powder are dispersed and mixed at the time of cutting are configured.
  • the wire 102 is fed out from one wire reel 107, and passes through a traverser 108 to a wire guide 103 through a tension applying mechanism 104 including a powder clutch (constant torque motor 109), a dancer roller (dead weight) (not shown), and the like.
  • the wire 102 is wound around the wire guide 103 about 300 to 400 times, and then wound around the wire reel 107 ′ through the other tension applying mechanism 104 ′.
  • the wire guide 103 is a roller in which polyurethane resin is press-fitted around a steel cylinder and grooves are cut at a constant pitch on the surface thereof.
  • the wound wire 102 is predetermined by a drive motor 110. It can be driven in a reciprocating direction with a period.
  • a nozzle 106 is provided in the vicinity of the wire guide 103 and the wound wire 102, and slurry can be supplied from the nozzle 106 to the wire guide 103 and the wire 102 at the time of cutting. And after cutting, it is discharged as waste slurry.
  • the new wire supply amount at the cutting start portion of the ingot and the new wire supply amount at the cutting end portion are smaller than the new wire supply amount at the time of cutting the central portion.
  • the ingot cutting start portion is a portion 15 mm from the portion where the wire first contacts the outer end of the ingot
  • the ingot central portion is a portion 150 mm from the outer end. Equivalent to.
  • the thickness of the wafer at the cutting start portion of the ingot becomes thinner than the central portion.
  • the cutting start portion is the thinnest.
  • thickness unevenness the difference between the thickness of the cutting start portion in the wafer surface and the thickness of the central portion.
  • the phenomenon that the thickness of the cutting start portion becomes thin is due to the large wire diameter of the wire used at the cutting start portion.
  • the wire may be worn.
  • a method for adjusting the wear amount of the wire a method of changing the supply amount of the new wire is mentioned. When the supply amount of the new wire is increased, the wear of the wire is reduced.
  • the thickness unevenness can be reduced by rewinding the wire before cutting the ingot and using the already worn and worn portion for cutting.
  • the thickness unevenness in the wafer surface is reduced, the thickness unevenness is 2 to 3 ⁇ m between the wafers cut from the first and second ingots after the wire replacement. There will be a difference in degree. In the wafer cut out from the first ingot cut after the exchange of the wire, the thickness of the cutting start portion becomes particularly thin, and the difference in thickness unevenness becomes remarkable. This is because the wire diameter of the first portion of the wire used for cutting the first ingot after replacing the wire is different from the wire diameter of the first portion of the wire used for cutting the second and subsequent ingots. .
  • the worn wire of the portion already used for cutting the ingot is used at the cutting start position, whereas 1 after replacing the wire.
  • the wire diameter of the wire when cutting the cutting start portion is basically constant. If the preliminary cutting to wear the wire is performed before cutting the first ingot after replacing the wire, the above-mentioned problem will be solved, but this will result in unnecessary cutting. This is a disadvantage in terms of device productivity and difficult to implement. For the reasons described above, there is a problem that there is a difference in thickness unevenness between the first ingot after exchanging the wire and the cutting of the second and subsequent ingots, and the variation in thickness unevenness becomes large. ing.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and an ingot cutting method that suppresses variation in thickness unevenness between wafers cut from the first and second and subsequent ingots after wire replacement, and An object is to provide a wire saw.
  • a wire row is formed by a wire that runs in the axial direction spirally wound between a plurality of wire guides, and is processed into a contact portion between the ingot and the wire.
  • An ingot cutting method for cutting the ingot into a wafer by pressing the ingot against the wire row while supplying a liquid, and when cutting the first ingot after replacing the wire The ratio of the new wire supply amount per unit time at the time of cutting of the cutting start portion with respect to the cutting of the central portion of the ingot is the ratio when cutting the second and subsequent ingots after replacing the wire.
  • a method for cutting an ingot which is controlled so that the ratio is 1 ⁇ 2 or less.
  • a wire row formed by an axially running wire wound spirally between a plurality of wire guides, and an ingot feed for pressing the ingot against the wire row while holding the ingot
  • a nozzle for supplying a processing liquid to a contact portion between the ingot and the wire, and supplying the processing liquid from the nozzle to the contact portion between the ingot and the wire
  • a wire saw that cuts into a wafer by pressing an ingot against the wire row, and a cutting start portion for cutting a central portion of the ingot when cutting the first ingot after replacing the wire
  • the ratio of the new wire supply amount per unit time at the time of cutting of the wire is before the second wire after the wire is replaced.
  • Wire saw characterized by comprising control means for controlling such that half or less of the ratio of the time of cutting the ingot is provided.
  • the thickness variation peculiar to the wafer cut from the first ingot after wire replacement can be made the same level as the thickness variation of the wafer cut from the second and subsequent ingots.
  • the processing conditions in the lapping process etc. which are post processes can be arranged, and productivity can be improved.
  • the present invention is not limited to this.
  • the difference in thickness unevenness between the wafer cut from the first ingot after the wire replacement and the wafer cut from the second and subsequent ingots particularly due to the difference in the wire diameter at the cutting start portion. Becomes larger. If there is unevenness in thickness unevenness between cutting lots (the first cut and the second and subsequent cuts), the required stock allowance in the subsequent process such as lapping necessary to remove the thickness unevenness is also determined for each lot. However, there was a demerit in that the processing conditions could not be aligned.
  • the present inventor cuts the wire in the cutting start portion of the first ingot after exchanging the wire by reducing the supply amount of the new wire and making the wire wear more during cutting to reduce the wire diameter.
  • the present invention was completed by conceiving that variation in thickness unevenness between lots can be suppressed.
  • the wire saw 1 of the present invention mainly includes a wire 2 for cutting an ingot W, a wire guide 3, a wire tension applying mechanism 4, 4 ′ for applying tension to the wire 2, and an ingot.
  • the ingot feeding means 5 that pushes W relatively down while holding W, and the nozzle 6 for supplying the machining fluid to the wire 2 at the time of cutting are configured.
  • the wire 2 is fed out from one of the wire reels 7, and passes through a traverser 14 through a wire tension applying mechanism 4 including a powder clutch (constant torque motor 15), a dancer roller (dead weight) (not shown) and the like, and then the wire guide 3. In.
  • the wire 2 is wound around the plurality of wire guides 3 about 300 to 400 times to form the wire row 17.
  • the wire 2 is wound around a wire reel 7 'through another wire tension applying mechanism 4'.
  • As this wire for example, a high tensile steel wire or the like can be used.
  • the wire reels 7 and 7 ' are rotationally driven by wire reel drive motors 16 and 16'. Further, the tension applied to the wire 2 is precisely adjusted by the tension applying mechanisms 4 and 4 ′.
  • the nozzle 6 supplies a working fluid to the contact portion between the ingot W and the wire 2.
  • the nozzle 6 is not particularly limited, but can be disposed above the wire 2 wound around the wire guide 3.
  • the nozzle 6 is connected to a slurry tank (not shown), and the supplied slurry can be supplied from the nozzle 6 to the wire 2 by controlling the supply temperature by a slurry chiller (not shown). it can.
  • the kind of the working fluid used during the cutting of the ingot W is not particularly limited, and the same one as the conventional one can be used.
  • silicon carbide abrasive grains or diamond abrasive grains are dispersed in the coolant. be able to.
  • a water-soluble or oil-based coolant can be used as the coolant.
  • the ingot feeding means 5 includes an ingot feeding table 10 for feeding out an ingot, an LM guide 11, an ingot clamp 12 for gripping the ingot, a slicing plate 13, etc., and the ingot feeding along the LM guide 11 by computer control. By driving the table 10, it is possible to feed out an ingot fixed to the tip at a pre-programmed feed speed.
  • the wire guide 3 is a roller in which a polyurethane resin is press-fitted around a steel cylinder and grooves are cut at a predetermined pitch on the surface thereof, so that the wire 2 can be prevented from being damaged and wire breakage can be suppressed. Further, the wire guide 3 is configured such that the wound wire 2 can reciprocate in the axial direction by a driving motor 8. When the wire 2 is reciprocated, the traveling distance in both directions of the wire 2 is not made the same, but the traveling distance in one direction is made longer. In this way, a new line is supplied in the direction of a long travel distance by reciprocating the wire.
  • the wire saw of the present invention includes a control means 9 for controlling the supply amount of the new wire when the ingot W is cut as described below.
  • This control means 9 is a new wire per unit time at the time of cutting the cutting start portion with respect to the cutting of the central portion of the ingot W when cutting the first ingot W after replacing the wire 2 with a new one.
  • the ratio of the supply amount (the supply amount of new wire at the time of cutting the cutting start portion / the supply amount of new wire at the time of cutting the central portion) is determined when cutting the second and subsequent ingots W after the wire 2 is replaced. Control is performed so that the ratio becomes 1/2 or less of the above ratio.
  • the control means 9 is not particularly limited, for example, the drive speed of the wire guide 3 can be controlled by connecting it to the drive motor 8, and the new wire supply amount can be changed according to the cutting position of the ingot.
  • the ratio when cutting the cutting start portion of the first ingot W is 1 ⁇ 2 or less compared to when cutting the cutting start portion of the second and subsequent ingots W.
  • the wire supply amount per unit time can be appropriately reduced, and the wire diameter can be reduced by advancing the wear of the wire 2 with the wire diameter being large in an unused state.
  • the ingot cutting method of the present invention will be described.
  • the wire saw 1 of the present invention as shown in FIG. 1 is used will be described.
  • the wire is replaced with a new wire 2 that is not used for cutting.
  • an ingot W to be cut first is prepared.
  • the ingot W is held by the ingot feeding means 5.
  • the wire 2 is reciprocated in the axial direction by the driving motor 8 while applying tension to the wire 2 by the tension applying mechanisms 4 and 4 ′.
  • the ingot feeding means 5 relatively pushes down the ingot W, presses the ingot W against the wire row 17, and starts cutting the first ingot W.
  • the cutting is advanced while supplying the working fluid from the nozzle 6 to the contact portion between the ingot W and the wire 2.
  • the ratio of the new wire supply amount per unit time at the time of cutting of the cutting start portion to the cutting of the central portion of the first ingot W is equal to the above ratio when cutting the second and subsequent ingots W. Control to be 1 ⁇ 2 or less.
  • the supply amount of each new wire (for example, the supply amount of the new wire at the time of cutting the first or second ingot after cutting or the central portion) is appropriately set according to cutting conditions (for example, the material and diameter of the ingot to be cut). Can be set.
  • the ingot is further pushed down to proceed with cutting, and after cutting is completed, the cutting direction of the ingot W is reversed to pull out the cut ingot W from the wire row 17 and cut it out. Recover the wafer. And the ingot W cut
  • the ratio when cutting the cutting start portion of the first ingot W is set to 1 ⁇ 2 or less compared to cutting the cutting start portion of the second and subsequent ingots W.
  • the wire supply amount per unit time can be appropriately reduced, and the wire diameter can be reduced by advancing the wear of the wire 2 having a large wire diameter in an unused state.
  • Example 1 In the wire saw of the present invention as shown in FIG. 1, after replacing the wire with a new wire, the plurality of ingots were repeatedly cut according to the cutting method of the present invention. The thickness unevenness of the wafer cut out from each ingot was measured, and the average of the thickness unevenness for each wafer cut out from each ingot was calculated. As described above, the thickness unevenness is a difference between the thickness of the cutting start portion and the thickness of the central portion in the wafer surface. In Example 1, when cutting the first ingot after replacing the wire, the ratio of the supply amount of the new wire per unit time at the time of cutting the cutting start portion to the cutting time of the central portion of the ingot is 10% It was.
  • the ratio of the new wire supply amount per unit time at the time of cutting the cutting start portion to the cutting time of the central portion of the ingot when cutting the second and subsequent ingots was set to 26%. That is, the ratio when cutting the first ingot was controlled to be 10/26 of the ratio when cutting the second and subsequent ingots.
  • the results are shown in FIG.
  • the vertical axis of the graph of FIG. 3 represents the thickness unevenness
  • the horizontal axis represents the ratio of the new wire supply amount per unit time at the time of cutting the cutting start portion to the cutting time of the central portion of the ingot.
  • Table 1 the average thickness unevenness of the wafer cut out from the first ingot was 0.8 ⁇ m.
  • the average thickness unevenness of the wafers cut from the second and subsequent ingots was 0.5 ⁇ m. Therefore, the difference in thickness unevenness was 0.3 ⁇ m, and it was confirmed that the variation in thickness unevenness was very small as compared with the comparative example described later.
  • Example 2 Under the same conditions as in Example 1, except that the ratio when cutting the first ingot after replacing the wire was 33%, and the ratio when cutting the second and subsequent ingots was 66%, The ingot was cut repeatedly. That is, the ratio when cutting the first ingot was 1 ⁇ 2 of the ratio when cutting the second and subsequent ingots. After the ingot was cut, the thickness unevenness was measured in the same manner as in Example 1 and the average was calculated. As a result, as shown in FIG. 3 and Table 1, the average thickness unevenness of the wafer cut out from the first ingot was 4.0 ⁇ m. The average thickness unevenness of the wafers cut from the second and subsequent ingots was 4.5 ⁇ m. Therefore, the difference in thickness unevenness was 0.5 ⁇ m, and it was confirmed that the variation in thickness unevenness was very small as in Example 1.
  • Example 2 The ingot was repeatedly cut under the same conditions as in Example 2 except that the above ratios when cutting the first ingot after exchanging the wires and when cutting the second and subsequent ingots were set to the same value. It was. First, the above ratio when cutting the first ingot after exchanging the wires and when cutting the second and subsequent ingots was set to 66%. After the ingot was cut, the thickness unevenness was measured in the same manner as in Example 1 and the average was calculated. As a result, as shown in FIG. 3 and Table 1, the difference in thickness unevenness of the wafers cut from the first ingot and the second and subsequent ingots is 2.6 ⁇ m. It was confirmed that the variation in unevenness became large.
  • Table 1 summarizes the results of the examples and comparative examples.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.

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Abstract

本発明は、複数のワイヤガイド間に螺旋状に巻回された軸方向に走行するワイヤでワイヤ列を形成し、インゴットとワイヤとの接触部に加工液を供給しながら、ワイヤ列にインゴットを押し当てることで、インゴットをウェーハ状に切断するインゴットの切断方法であって、ワイヤを交換した後の１本目のインゴットを切断する際の、インゴットの中央部分の切断時に対する切断開始部分の切断時の単位時間当たりのワイヤ新線供給量の比率が、ワイヤを交換した後の２本目以降のインゴットを切断する際の前記比率の１／２以下となるように制御することを特徴とするインゴットの切断方法である。これにより、ワイヤを交換した後の１本目と２本目以降のインゴットから切り出されるウェーハの間の厚さムラのバラツキを抑制するインゴットの切断方法及びワイヤソーが提供される。

Description

インゴットの切断方法及びワイヤソー
　本発明は、ワイヤソーによってインゴットをウェーハ状に切断する切断方法及びワイヤソーに関する。
　近年、ウェーハの大型化が望まれており、この大型化に伴い、インゴットの切断には専らワイヤソーが使用されている。
　ワイヤソーは、ワイヤ（高張力鋼線）を高速走行させて、ここにスラリを掛けながら、ワーク（例えばシリコンインゴットが挙げられる。以下、単にインゴットと言うこともある。）を押し当てて切断し、多数のウェーハを同時に切り出す装置である（特許文献１参照）。
　ここで、図４に、従来の一般的なワイヤソーの一例の概要を示す。
　図４に示すように、ワイヤソー１０１は、主に、インゴットを切断するためのワイヤ１０２、ワイヤ１０２を巻回したワイヤガイド１０３、ワイヤ１０２に張力を付与するための張力付与機構１０４、切断されるインゴットを送り出すインゴット送り手段１０５、切断時に、ＳｉＣ微粉等の砥粒をクーラントに分散して混合したスラリを供給するためのノズル１０６等で構成されている。
　ワイヤ１０２は、一方のワイヤリール１０７から繰り出され、トラバーサ１０８を介してパウダクラッチ（定トルクモータ１０９）やダンサローラ（デッドウェイト）（不図示）等からなる張力付与機構１０４を経て、ワイヤガイド１０３に入っている。ワイヤ１０２はこのワイヤガイド１０３に３００～４００回程度巻回された後、もう一方の張力付与機構１０４’を経てワイヤリール１０７’に巻き取られている。
　また、ワイヤガイド１０３は鉄鋼製円筒の周囲にポリウレタン樹脂を圧入し、その表面に一定のピッチで溝を切ったローラであり、巻回されたワイヤ１０２が、駆動用モータ１１０によって予め定められた周期で往復方向に駆動できるようになっている。
　そして、ワイヤガイド１０３、巻回されたワイヤ１０２の近傍には、ノズル１０６が設けられており、切断時にはこのノズル１０６から、ワイヤガイド１０３、ワイヤ１０２にスラリを供給できるようになっている。そして、切断後には廃スラリとして排出される。
　このようなワイヤソー１０１を用い、ワイヤ１０２に張力付与機構１０４を用いて適当な張力をかけて、駆動用モータ１１０により、ワイヤ１０２を往復方向に走行させ、スラリを供給しつつインゴットをスライスすることにより、所望のスライスウェーハを得ている。
　上記のワイヤソーを用いて複数のインゴットを繰り返し切断する際、一般的なインゴットの切断方法では、全てのインゴットの切断において、ワイヤ新線供給量は同じ条件で切断を行っている。
　一般的に、インゴットの切断開始部分でのワイヤ新線供給量と切断終了部分でのワイヤ新線供給量は、中央部分切断時でのワイヤ新線供給量よりも小さい値になっている。なお、例えば直径３００ｍｍのインゴットの場合、インゴットの切断開始部分とは、インゴットの外周端にワイヤが最初に接触する部分から１５ｍｍの部分とし、またインゴット中央部分とは、外周端から１５０ｍｍの部分に相当する。
　また、インゴットから切り出されたウェーハの厚さの分布を確認すると、インゴットの切断開始部分におけるウェーハの厚さが、中央部分に対して薄くなる。このように、ワイヤソーによるインゴットの切断では切断開始部分が最も薄くなる。以下では、ウェーハ面内の切断開始部分の厚さと中央部分の厚さの差を厚さムラと呼ぶ。
　切断開始部分の厚さが薄くなる現象は、切断開始部分で使われるワイヤの線径が大きいことに起因する。ワイヤの線径を小さくするにはワイヤを摩耗させればよい。ワイヤの摩耗量を調節する方法としては、ワイヤ新線供給量を変える方法が挙げられる。ワイヤ新線供給量を大きくするとワイヤの摩耗は小さく、ワイヤ新線供給量を小さくするとワイヤの摩耗が大きくなる。
　従って、切断開始部分の厚さが薄くなる問題を解消する方法として、切断開始部分を切断している時のワイヤ新線供給量を小さくする方法があり、厚さムラを小さくすることができる。また、インゴットの切断をする前にワイヤを巻き戻して既に使用されて摩耗した部分を切断に使うことで、厚さムラを小さくすることができる。
特開平１０－８６１４０号公報
　しかし、ウェーハ面内の厚さムラを小さくしても、ワイヤを交換した後の１本目と２本目以降に切断されるインゴットから切り出されるウェーハの間では、厚さムラの大きさが２～３μｍ程度の差がでてしまう。ワイヤを交換した後の１本目に切断されるインゴットから切り出されるウェーハは、特に切断開始部分の厚さがより薄くなり、厚さムラの差が顕著に出てしまう。
　これはワイヤを交換した後の１本目のインゴットの切断で最初に使われる部分のワイヤの線径と、インゴット２本目以降の切断で最初に使われる部分のワイヤの線径が異なることに起因する。
　これは、２本目以降では切断開始前にワイヤを巻き戻すことにより、既にインゴットの切断に使用された部分の摩耗したワイヤが切断開始位置で使われるのに対して、ワイヤを交換した後の１本目のインゴットの切断では、全く摩耗していない新品の状態のワイヤが切断開始位置で使われるためである。尚、２本目以降のインゴットの切断については、基本的に切断開始部分を切断する際のワイヤの線径は一定となっている。
　ワイヤを交換した後の１本目のインゴットを切断する前に、ワイヤを摩耗させるための予備切断を行えば、上記の問題は解消されることになるが、それでは、無駄な切断を行うことになり、装置生産性の観点でデメリットとなり実施が難しい。以上のような理由により、ワイヤを交換した後の１本目のインゴットと２本目以降のインゴットの切断とで、厚さムラに差が出て、厚さムラのばらつきが大きくなることが問題となっている。
　本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、ワイヤを交換した後の１本目と２本目以降のインゴットから切り出されるウェーハの間の厚さムラのバラツキを抑制するインゴットの切断方法及びワイヤソーを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明によれば、複数のワイヤガイド間に螺旋状に巻回された軸方向に走行するワイヤでワイヤ列を形成し、インゴットと前記ワイヤとの接触部に加工液を供給しながら、前記ワイヤ列に前記インゴットを押し当てることで、前記インゴットをウェーハ状に切断するインゴットの切断方法であって、前記ワイヤを交換した後の１本目の前記インゴットを切断する際の、前記インゴットの中央部分の切断時に対する切断開始部分の切断時の単位時間当たりのワイヤ新線供給量の比率が、前記ワイヤを交換した後の２本目以降の前記インゴットを切断する際の前記比率の１／２以下となるように制御することを特徴とするインゴットの切断方法を提供する。
　このようにすれば、ワイヤを交換した後の１本目と２本目以降のインゴットから切り出されるウェーハの間の厚さムラのバラツキを抑制することができる。
　また本発明によれば、複数のワイヤガイド間に螺旋状に巻回された軸方向に走行するワイヤによって形成されるワイヤ列と、インゴットを保持しながら前記ワイヤ列に前記インゴットを押し当てるインゴット送り手段と、前記インゴットと前記ワイヤとの接触部に加工液を供給するノズルを具備し、前記ノズルから前記インゴットと前記ワイヤとの接触部に前記加工液を供給しながら、前記インゴット送り手段により前記インゴットを前記ワイヤ列に押し当てることでウェーハ状に切断するワイヤソーであって、前記ワイヤを交換した後の１本目の前記インゴットを切断する際の、前記インゴットの中央部分の切断時に対する切断開始部分の切断時の単位時間当たりのワイヤ新線供給量の比率が、前記ワイヤを交換した後の２本目以降の前記インゴットを切断する際の前記比率の１／２以下となるように制御する制御手段を具備することを特徴とするワイヤソーが提供される。
　このようなものであれば、ワイヤを交換した後の１本目と２本目以降のインゴットから切り出されるウェーハの間の厚さムラのバラツキを抑制することができるものとなる。
　本発明の切断方法及びワイヤソーであれば、ワイヤ交換１本目のインゴットから切断したウェーハ特有の厚さムラを、２本目以降のインゴットから切断したウェーハの厚さムラと同水準にすることができる。これにより、後工程であるラップ工程等における加工条件を揃えることができ、生産性を向上させることができる。
本発明のワイヤソーの一例を示した概略図である。 インゴット送り手段の一例を示す概略図である。 実施例１、２、比較例における厚さムラと単位時間当たりのワイヤ新線供給量の比率の関係を示す図である。 従来の切断方法に使用されるワイヤソーの一例を示す概略図である。
　以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
　上述したように、ワイヤ交換後１本目のインゴットから切り出されたウェーハと２本目以降のインゴットから切り出されたウェーハの間で、特に切断開始部分でのワイヤの線径の違いから厚さムラの差が大きくなる。切断ロット間（１本目の切断と、２本目以降の切断）で、厚さムラのバラツキがあると、厚さムラを取り除くのに必要なラップ工程等の後工程での必要取り代もロット毎に異なり、加工条件を揃えられない点でデメリットがあった。そこで、本発明者は、ワイヤを交換した後の１本目のインゴットの切断開始部分において、ワイヤ新線供給量を小さくし、切断中にワイヤをより摩耗させて線径を細くすることで、切断ロット間の厚さムラのバラツキを抑制できることに想到し、本発明を完成させた。
　まず、本発明のワイヤソーについて図１、図２を参照しながら説明する。
　図１に示すように、本発明のワイヤソー１は、主に、インゴットＷを切断するためのワイヤ２、ワイヤガイド３、ワイヤ２に張力を付与するためのワイヤ張力付与機構４、４’、インゴットＷを保持しつつ相対的に押し下げるインゴット送り手段５、切断時にワイヤ２に加工液を供給するためのノズル６等で構成されている。
　ワイヤ２は、一方のワイヤリール７から繰り出され、トラバーサ１４を介してパウダクラッチ（定トルクモータ１５）やダンサローラ（デッドウェイト）（不図示）等からなるワイヤ張力付与機構４を経て、ワイヤガイド３に入っている。ワイヤ２が複数のワイヤガイド３に３００～４００回程度巻回されることによってワイヤ列１７が形成される。ワイヤ２はもう一方のワイヤ張力付与機構４’を経てワイヤリール７’に巻き取られている。このワイヤとしては、例えば高張力鋼線等を用いることができる。ワイヤリール７、７’はワイヤリール用駆動モータ１６、１６’によって回転駆動される。更に、張力付与機構４、４’によって、ワイヤ２にかかる張力は精密に調整される。
　ノズル６はインゴットＷとワイヤ２との接触部に加工液を供給する。このノズル６は、特に限定されないがワイヤガイド３に巻回されたワイヤ２の上方に配置することができる。ノズル６はスラリタンク（不図示）に接続されており、供給されるスラリはスラリチラー（不図示）により供給温度が制御されてノズル６からワイヤ２に供給できるようになっているものとすることができる。
　ここで、インゴットＷの切断中に使用する加工液の種類は特に限定されず、従来と同様のものを用いることができ、例えば炭化珪素砥粒やダイヤモンド砥粒をクーラントに分散させたものとすることができる。クーラントとしては、例えば水溶性又は油性のクーラントを用いることができる。
　インゴットＷの切断時には、図２に示すようなインゴット送り手段５によって、インゴットＷはワイヤガイド３に巻回されたワイヤ２に送り出される。このインゴット送り手段５は、インゴットを送り出すためのインゴット送りテーブル１０、ＬＭガイド１１、インゴットを把持するインゴットクランプ１２、スライスあて板１３等からなっており、コンピュータ制御でＬＭガイド１１に沿ってインゴット送りテーブル１０を駆動させることにより、予めプログラムされた送り速度で先端に固定されたインゴットを送り出すことが可能である。
　ワイヤガイド３は鉄鋼製円筒の周囲にポリウレタン樹脂を圧入し、その表面に所定のピッチで溝を切ったローラであり、ワイヤ２の損傷を防いでワイヤ断線などを抑制できるようになっている。更に、ワイヤガイド３は駆動用モータ８によって、巻回されたワイヤ２が軸方向に往復走行できるようになっている。ワイヤ２を往復走行させる際、ワイヤ２の両方向への走行距離を同じにするのではなく、片方向への走行距離の方が長くなるようにする。このようにして、ワイヤの往復走行を行うことで長い走行距離の方向に新線が供給される。
　更に、本発明のワイヤソーでは、インゴットＷの切断時におけるワイヤ新線供給量を以下に説明するように制御するための制御手段９を具備している。この制御手段９は、ワイヤ２を新しいものに交換した後の１本目のインゴットＷを切断する際の、インゴットＷの中央部分の切断時に対する切断開始部分の切断時の単位時間当たりのワイヤ新線供給量の比率（切断開始部分の切断時におけるワイヤ新線供給量／中央部分の切断時におけるワイヤ新線供給量）が、ワイヤ２を交換した後の２本目以降のインゴットＷを切断する際の上記比率の１／２以下となるように制御をする。この制御手段９を、特に限定されないが例えば駆動用モータ８に接続することによりワイヤガイド３の駆動速度を制御して、インゴットの切断位置に応じてワイヤ新線供給量を変化させることができる。
　このような本発明のワイヤソー１であれば、１本目のインゴットＷの切断開始部分を切断する際の上記比率を２本目以降のインゴットＷの切断開始部分を切断する際に比べて１／２以下とすることで、単位時間当たりのワイヤ供給量を適切に少なくし、未使用の状態で線径が大きいままのワイヤ２の摩耗を進めて線径を小さくすることができる。その結果、ワイヤ２の交換後、１本目のインゴットＷから切り出されるウェーハの厚さムラと、２本目以降のインゴットＷから切り出されるウェーハの厚さムラの差が大きくなることを抑制できるものとなる。各々のウェーハの厚さムラのバラツキが小さければ、ラップ工程等での加工条件を揃えることができ、後工程での生産性を向上させることができる。
　次に本発明のインゴットの切断方法について説明する。ここでは、図１に示すような本発明ワイヤソー１を用いた場合について述べる。
　まず初めに、ワイヤソー１において、切断に使用していない新品の状態のワイヤ２にワイヤを交換する。そして、ワイヤ２を交換した後に１本目に切断するインゴットＷを準備する。次に、インゴット送り手段５によりインゴットＷを保持する。そして、ワイヤ２に張力付与機構４、４’によって張力を付与しながら、駆動用モータ８によって軸方向へ往復走行させる。
　次に、インゴット送り手段５によりインゴットＷを相対的に押し下げて、インゴットＷをワイヤ列１７に押し当て、１本目のインゴットＷの切断を開始する。インゴットＷを切断する際には、加工液をノズル６からインゴットＷとワイヤ２との接触部に供給しながら切断を進める。
　このとき、この１本目のインゴットＷの中央部分の切断時に対する切断開始部分の切断時の単位時間当たりのワイヤ新線供給量の比率が、２本目以降のインゴットＷを切断する際の上記比率の１／２以下となるように制御する。それぞれのワイヤ新線供給量（例えば１本目又は２本目以降のインゴットの切断開始部分又は中央部分の切断時におけるワイヤ新線供給量）は、適宜切断条件（例えば切断するインゴットの材質や直径等）によって設定することができる。
　上記のように制御をしながら、更にインゴットを下方に押し下げ切断を進め、切断を完了させた後、インゴットＷを送り出す方向を逆転させることにより、ワイヤ列１７から切断済みのインゴットＷを引き抜き、切り出したウェーハを回収する。そして、２本目以降に切断するインゴットＷを準備し上記と同様の手順で切断を行う。このとき、２本目以降の切断は、上記比率が１本目に対し２倍以上となるようにする。
　上記のように、新品に交換した後のワイヤ２で複数のインゴットＷを順番に、繰り返しウェーハ状に切断していく。
　このような、切断方法であれば、１本目のインゴットＷの切断開始部分を切断する際の上記比率を２本目以降のインゴットＷの切断開始部分を切断する際に比べて１／２以下とすることで、単位時間当たりのワイヤ供給量を適切に少なくし、未使用の状態で線径が大きいままのワイヤ２の摩耗を進めて線径を小さくすることができる。その結果、ワイヤ２の交換後、１本目のインゴットＷから切り出されるウェーハの厚さムラと、２本目以降のインゴットＷから切り出されるウェーハの厚さムラの差が大きくなることを抑制できる。各々のウェーハの厚さムラのバラツキが小さければ、ラップ工程等での加工条件を揃えることができ、後工程での生産性を向上させることができる。
　以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
　図１に示すような、本発明のワイヤソーにおいて、ワイヤを新品の状態のワイヤに交換してから、複数のインゴットの切断を本発明の切断方法に従って繰り返し行った。
　各インゴットから切り出されたウェーハの厚さムラを測定し、各インゴットから切り出されたウェーハ毎の厚さムラの平均を算出した。尚、厚さムラとは前述したようにウェーハ面内の切断開始部分の厚さと中央部分の厚さの差である。
　実施例１では、ワイヤを交換した後の１本目のインゴットを切断する際の、インゴットの中央部分の切断時に対する切断開始部分の切断時の単位時間当たりのワイヤ新線供給量の比率は１０％とした。そして、２本目以降のインゴットを切断する際の、インゴットの中央部分の切断時に対する切断開始部分の切断時の単位時間当たりのワイヤ新線供給量の比率は２６％とした。つまり、１本目のインゴットを切断する際の上記比率は、２本目以降のインゴットを切断する際の上記比率の１０／２６となるように制御した。
　その結果を図３、表１に示す。図３のグラフの縦軸は厚さムラ、横軸はインゴットの中央部分の切断時に対する切断開始部分の切断時の単位時間当たりのワイヤ新線供給量の比率を表している。表１に示すように、１本目のインゴットから切り出されたウェーハの厚さムラの平均は０．８μｍとなった。そして、２本目以降のインゴットから切り出されたウェーハの厚さムラの平均は０．５μｍとなった。従って、厚さムラの差は０．３μｍであり、後述する比較例と比べて非常に厚さムラのバラツキが小さくなることが確認された。
（実施例２）
　ワイヤを交換した後の１本目のインゴットを切断する際の上記比率を３３％、２本目以降のインゴットを切断する際の上記比率を６６％としたこと以外、実施例１と同様な条件で、インゴットの切断を繰り返し行った。すなわち、１本目のインゴットを切断する際の上記比率は、２本目以降のインゴットを切断する際の上記比率の１／２であった。
　インゴットの切断が終了した後、実施例１と同様な方法で厚さムラを測定し平均を算出した。
　その結果、図３、表１に示すように、１本目のインゴットから切り出されたウェーハの厚さムラの平均は４．０μｍとなった。そして、２本目以降のインゴットから切り出されたウェーハの厚さムラの平均は４．５μｍとなった。従って、厚さムラの差は０．５μｍとなり実施例１と同様に、非常に厚さムラのバラツキが小さくなることが確認された。
（比較例）
　ワイヤを交換した後の１本目のインゴットを切断する際と２本目以降のインゴットを切断する際の上記比率を同じ値としたこと以外、実施例２と同様な条件で、インゴットの切断を繰り返し行った。まず、ワイヤを交換した後の１本目のインゴットを切断する際と２本目以降のインゴットを切断する際の上記比率を６６％とした。
　インゴットの切断が終了した後、実施例１と同様な方法で厚さムラを測定し平均を算出した。
　その結果、図３、表１に示すように、１本目のインゴットと２本目以降のインゴットから切り出されたウェーハの厚さムラの差は２．６μｍとなり、実施例１、２に比べて厚さムラのバラツキが大きくなったことが確認された。
　また、上記比率を３３％、２６％、１０％として同様に切断を繰り返した結果、厚さムラの差はそれぞれ、２．４μｍ、２．２μｍ、３．２μｍとなり、実施例１、２に比べて厚さムラのバラツキが大きくなったことが確認された。
　表１に、実施例、比較例における実施結果をまとめたもの示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (2)

  1. 　複数のワイヤガイド間に螺旋状に巻回された軸方向に走行するワイヤでワイヤ列を形成し、インゴットと前記ワイヤとの接触部に加工液を供給しながら、前記ワイヤ列に前記インゴットを押し当てることで、前記インゴットをウェーハ状に切断するインゴットの切断方法であって、
    　前記ワイヤを交換した後の１本目の前記インゴットを切断する際の、前記インゴットの中央部分の切断時に対する切断開始部分の切断時の単位時間当たりのワイヤ新線供給量の比率が、前記ワイヤを交換した後の２本目以降の前記インゴットを切断する際の前記比率の１／２以下となるように制御することを特徴とするインゴットの切断方法。
  2. 　複数のワイヤガイド間に螺旋状に巻回された軸方向に走行するワイヤによって形成されるワイヤ列と、インゴットを保持しながら前記ワイヤ列に前記インゴットを押し当てるインゴット送り手段と、前記インゴットと前記ワイヤとの接触部に加工液を供給するノズルを具備し、前記ノズルから前記インゴットと前記ワイヤとの接触部に前記加工液を供給しながら、前記インゴット送り手段により前記インゴットを前記ワイヤ列に押し当てることでウェーハ状に切断するワイヤソーであって、
    　前記ワイヤを交換した後の１本目の前記インゴットを切断する際の、前記インゴットの中央部分の切断時に対する切断開始部分の切断時の単位時間当たりのワイヤ新線供給量の比率が、前記ワイヤを交換した後の２本目以降の前記インゴットを切断する際の前記比率の１／２以下となるように制御する制御手段を具備することを特徴とするワイヤソー。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI615894B (zh) * 2016-02-15 2018-02-21 Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 晶圓之製造方法
CN110900851A (zh) * 2019-12-07 2020-03-24 怀化学院 破条机主轴系统

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1332162B1 (en) 2000-11-10 2013-05-01 Bridgestone Corporation Functionalized high cis-1,4-polybutadiene prepared using novel functionalizing agents
US8314189B2 (en) 2007-10-12 2012-11-20 Bridgestone Corporation Polymers functionalized with heterocyclic nitrile compounds
EP2382241B1 (en) 2009-01-23 2016-11-23 Bridgestone Corporation Polymers functionalized with polycyano compounds
CN106956375B (zh) * 2017-04-12 2019-12-13 隆基乐叶光伏科技有限公司 一种多边结构尺寸硅片的切割方法及粘棒工装
CN114043368B (zh) * 2021-11-01 2024-02-06 宁波市易特磁业有限公司 一种磁性材料切割装置及加工方法
JP2023095080A (ja) * 2021-12-24 2023-07-06 株式会社Sumco シリコンインゴットの切断方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000042896A (ja) * 1998-07-24 2000-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワイヤソーの切断方法
JP2000141201A (ja) * 1998-11-10 2000-05-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワイヤソーの切断方法
JP2008188721A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Hitachi Cable Ltd 基板の製造方法及びワイヤソー装置
JP2012106322A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 インゴットの切断方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5937844A (en) * 1996-03-26 1999-08-17 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for slicing cylindrical workpieces by varying slurry conditions and wire feed rate during slicing
JP3106416B2 (ja) 1996-09-20 2000-11-06 株式会社東京精密 ワイヤソーのワイヤ走行制御方法
DE19645013B4 (de) 1996-10-31 2004-07-22 Odevis Ag Steuerung von Drahtsägen
JP2007276048A (ja) * 2006-04-06 2007-10-25 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 ワイヤによるワークの切断方法
DE102006058823B4 (de) * 2006-12-13 2017-06-08 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Werkstück
JP4816511B2 (ja) 2007-03-06 2011-11-16 信越半導体株式会社 切断方法およびワイヤソー装置
JP5332914B2 (ja) 2009-05-29 2013-11-06 信越半導体株式会社 シリコンインゴットの切断方法
TW201213080A (en) 2010-09-17 2012-04-01 Yasunaga Kk Wire saw device and method for manufacturing wafer using the same
CN102172933A (zh) 2011-01-16 2011-09-07 刘金忠 一种秸秆人造板生产工艺
CN102172993B (zh) 2011-01-25 2014-12-03 张志伟 一种分线网切割硅棒的方法
KR101064266B1 (ko) 2011-04-05 2011-09-14 한국생산기술연구원 와이어소를 이용한 사파이어 잉곳의 절단방법
JP5494558B2 (ja) * 2011-04-20 2014-05-14 信越半導体株式会社 ワイヤソーの運転再開方法及びワイヤソー
JP2012250328A (ja) 2011-06-03 2012-12-20 Sharp Corp ワイヤソー装置およびワーク切断方法、ウエハの製造方法
CN202507408U (zh) 2012-04-05 2012-10-31 江西金葵能源科技有限公司 一种自动调节金刚石线切割硅片速度的智能装置
DE102012209974B4 (de) * 2012-06-14 2018-02-15 Siltronic Ag Verfahren zum gleichzeitigen Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem zylindrischen Werkstück

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000042896A (ja) * 1998-07-24 2000-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワイヤソーの切断方法
JP2000141201A (ja) * 1998-11-10 2000-05-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワイヤソーの切断方法
JP2008188721A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Hitachi Cable Ltd 基板の製造方法及びワイヤソー装置
JP2012106322A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 インゴットの切断方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI615894B (zh) * 2016-02-15 2018-02-21 Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 晶圓之製造方法
CN110900851A (zh) * 2019-12-07 2020-03-24 怀化学院 破条机主轴系统

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