WO2015000577A1 - An eine indirekte kühlvorrichtung angepasstes target mit kühlplatte - Google Patents

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WO2015000577A1
WO2015000577A1 PCT/EP2014/001782 EP2014001782W WO2015000577A1 WO 2015000577 A1 WO2015000577 A1 WO 2015000577A1 EP 2014001782 W EP2014001782 W EP 2014001782W WO 2015000577 A1 WO2015000577 A1 WO 2015000577A1
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cooling
self
thermally conductive
conductive plate
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PCT/EP2014/001782
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Denis Kurapov
Siegfried Krassnitzer
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Oerlikon Trading Ag, Trübbach
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    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)

Definitions

  • the present invention relates to a target whose surface serves as a material source in the context of PVD processes, in particular under vacuum conditions.
  • the invention relates in particular to those targets which are used for sputtering (hereinafter the term “sputtering” is used synonymously with the PVD method "sputtering").
  • sputtering is used synonymously with the PVD method "sputtering”
  • Such a target is usually supported in the application of a source holder, are provided in the means of cooling of the.
  • the invention relates to a coating source comprising such a target.
  • the surface of a target is bombarded with ions under vacuum conditions. Due to the bombardment, material is knocked out of the target surface, which can deposit on substrates provided in the field of view of the target surface.
  • the ions required for this purpose are provided by a plasma built up over the target surface. Applying a negative voltage to the target accelerates the ions towards it. The more ions flow per unit time, the higher the coating rate becomes. The higher the voltage applied to the target, the higher the impact velocity of the ions on the target surface, and the higher the energy expelled from the target atomized material. A high power input is therefore desirable.
  • dependencies between the degree of ionization of the sputtered material and the power density are known. These effects are used in the HIPIMS process.
  • the average power density applied to such a sputtering target is typically in the range of 5 W / cm 2 to 30 W / cm 2 .
  • the target 201 is secured with its back 203 to a source support 205 (e.g., screwed or clamped) with a self-contained cooling plate 207 integrated into the source support 205.
  • the cooling plate 207 comprises, for example, a cooling channel 209 through which coolant flows, through whose moving liquid the heat is dissipated.
  • the cooling liquid channel is limited by a solid fixed cover.
  • the target is for the purpose of cooling and electrical contact with this cover, for example with screws on the circumference or if necessary attached in the middle of the target.
  • this method has two problems:
  • the heat transfer is formed by the surface of the Tarruckückseite and the surface of the cooling plate. Without special measures, these two surfaces form an interface that deviates greatly from an ideal smooth contact pairing. Such a situation is shown in FIG.
  • the heat transfer is greatly reduced in this case and proves to be pressure-dependent.
  • contact pressure can only be introduced via the fastening screws, i. the heat transfer can only be improved locally.
  • This situation can be improved by providing a contact foil between the two surfaces.
  • This can e.g. made of indium, tin, or graphite. Due to their ductility, these films can compensate for unevenness between the target back surface and the surface of the cooling plate. In addition, the contact pressure can be applied more uniformly over the surface.
  • a disadvantage of this method is that the mounting of a contact foil, especially for vertically mounted targets, is difficult and cumbersome. This is especially relevant if there is too frequent change of the target material.
  • graphite foils although the lateral thermal conductivity is good, the transverse thermal conductivity is poor. Graphite foils must therefore be thin on the one hand so that their poor transverse thermal conductivity does not prevent the cooling process. On the other hand, a certain film thickness is necessary to prevent damage to the film during assembly. Therefore graphite foils with a thickness not less than 0.5mm are used.
  • the invention is based on a further development of the above-sketched indirect cooling device.
  • the object is achieved in that at the Rear side of the target body is attached a self-adhesive carbon film in fixed association with the target body. If the target body is not mounted, the film can be adhesively bonded to the back of the target body uniformly and without gaps. A very good thermal contact between the back of the target body and the carbon foil is thus ensured.
  • the target body can then be mounted in a simple manner on the source holder.
  • the carbon foil fixed to the target now has the effect of a contact foil between the surface of the cooling plate and the rear side of the target body.
  • the use of such a self-adhesive carbon film is not common in the field of vacuum technology. Since the adhesive used for the production of the self-adhesive carbon foil strongly outgas under vacuum conditions and thus have a negative influence on the vacuum and the corresponding volatile constituents lead to the contamination of the substrates to be treated under vacuum, such substances are not used.
  • Figure 1 shows a conventional coating source with direct cooling.
  • Figure 2 shows a conventional coating source with indirect cooling.
  • FIG. 3 shows the limited thermal contact in the case of a coating source with cooling according to FIG. 2.
  • Figure 4 shows in cross section an embodiment of the inventive target with attached self-adhesive carbon film.
  • FIG. 5 shows the inventive target integrated into a coating source with indirect cooling in a first embodiment.
  • FIG. 6 shows the inventive target integrated into a coating source in a second embodiment.
  • FIG. 4 a shows a target 401, on the rear side of the target 403 of which a one-sidedly self-adhesive carbon foil 407 with a thickness of between 0.1 mm and less than 0.5 mm is applied.
  • the preferred thickness of the carbon foil selected in the example is 0.125 mm.
  • a contact film from Kunze with the product identification number KU-CB1205-AV was used.
  • the carbon film comprises an adhesive film 409 which makes the carbon film the self-adhesive film, as well as a carbon film 411.
  • the target according to FIG. 4 can be integrated well into a coating source with indirect cooling, as shown in FIG. 5:
  • the target 501 with self-adhesive carbon foil 507 is fixed with the screws 513 to the front side of a source holder 505, wherein a cooling plate with cooling channel into the source holder 509 is integrated and the carbon foil 507 is pressed onto the back 503 of the cooling plate, whereby a good thermal contact with the cooling plates is formed. Due to the inventive fact that the carbon foil is adhered to the Tar Wegückseite a target change is very easy, even if the target is mounted vertically in a coating chamber.
  • An improved variant of the indirect cooling is indirect cooling by means of a movable membrane, as shown in FIG.
  • the structure is similar to the outlined in Figure 5 with target 601 with self-adhesive carbon film 607, source holder 605,dekanai 609, although that wall of the Cooling plate, which separates the cooling channel 609 of the carbon film 607, is formed in this preferred embodiment as a flexible membrane 603.
  • the coolant may be, for example, water. When changing the target, no release of a water seal is necessary.
  • the membrane 603 is uniformly pressed against the target rear side and thus against the self-adhesive carbon foil 607 and due to the hydrostatic pressure prevailing in the cooling channel 609 very good, flat heat contact.
  • a target without inventive self-adhesive carbon foil as in measurement no. 1 of Table 1 can be safely operated for mechanical reasons only up to a sputtering power of 2.5 kW.
  • the performance compatibility is more than doubled.
  • target materials ie for other AITi or AlCr ratios and also for pure aluminum, titanium and / or chromium targets, there is a qualitative indication similar picture.
  • the present invention shows a particularly good effect when target thicknesses between 6 mm and 18 mm are used.
  • the target thickness is between 6 mm and 12 mm.
  • the target 701 is designed as a target with self-adhesive carbon foil 705 on the back of the target 703 and bayonet profiling 707 according to FIG.
  • a preferred coating source according to this embodiment has the indirect cooling with membrane described in connection with FIG. 6 and the counterparts necessary for the bayonet fixing. This allows a high and homogeneous contact pressure.
  • This preferred embodiment is particularly advantageous in connection with powder metallurgy targets because they are mechanically weakened from a temperature of 150 ° C. and the thermal expansion increases. Due to the reduction of the target temperature and the mechanical clearance given by the bayonet fixation, this thermal stress is considerably reduced. For chrome targets, for example, power densities up to 100 W / cm 2 are possible.
  • a target has been disclosed, which is designed as a material source for a gas phase deposition method with a front side and a rear side, which is characterized in that a self-adhesive carbon foil is glued to the rear side.
  • the target may be formed as a material source for a sputtering process and / or for a spark evaporation process.
  • the thickness of the self-adhesive carbon film may be, for example, between 0.25 mm and 0.5 mm and preferably have a thickness of 0.125 mm.
  • a coating source comprising a target as described above, which is arranged on a source holder, in which an indirect cooling with cooling channel is integrated, has been disclosed.
  • That wall which separates the cooling channel from the self-adhesive carbon foil is preferably formed as a flexible membrane, whereby the self-adhesive carbon foil makes surface contact with the membrane forms.
  • the circumference of the target of the coating source is preferably designed to cooperate with the source holder in the form of a bayonet closure, whereby a high and homogeneous contact pressure is realized.
  • a further plate with high thermal conductivity is provided between the target and the component which comprises a cooling channel for removing the heat.
  • This may be for example a molybdenum plate or a copper plate.
  • the further plate may be in detachable contact with the component comprising the cooling channel. Again, it is important that there is a very good thermal contact over a large area.
  • a self-adhesive carbon foil may be provided on that side of the further plate. In this case, it is favorable if a self-adhesive carbon foil is also provided on the rear of the tar as described above.
  • a self-adhesive carbon film is provided on both sides of the further plate.
  • both the target side is taken care of over a large area for a good thermal contact and it is provided for a good thermal contact with the cooling channel comprehensive component.
  • the thus formed further plate is thus covered on both sides with self-adhesive carbon film.
  • This additional plate can easily be chosen so thick that it has sufficient stability so that the handling when changing target no problem.
  • This embodiment also has the advantage that no expensive components such as the cooling channel component or the target must be covered with foil. At least if copper is used as a further plate, this is a very cost-effective variant. If one of the two self-adhesive carbon foils is damaged, it will only cost a small amount to replace this additional plate.
  • Figure 8 shows schematically the corresponding structure of this embodiment. Shown is the component 805 with the cooling channel 807 through which the heat is ultimately dissipated. On the other, thermally conductive plate 803 is located on one side of a first self-adhesive carbon film 811 and on the other side a second self-adhesive carbon film 809 is glued. On this turn, the target 801 is arranged.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Kühlung eines Targets mit einer Komponente welche einen Kühlkanal umfasst und einer weiteren wärmeleitfähigen Platte welche lösbar mit der Kühlseite der Komponente verbunden ist, wobei die Kühlseite diejenige ist auf der der Kühlkanal seine Wirkung entfaltet, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der weiteren wärmeleitfähigen Platte und der Kühlseite der Komponente eine erste selbstklebende Karbonfolie vorgesehen ist, welche grossflächig selbstklebend auf die eine Seite der weiteren wärmeleitfähige Platte geklebt ist, die der Kühlseite zugewandt ist.

Description

An eine indirekte Kühlvorrichtung angepasstes Target mit Kühlplatte
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Target, dessen Oberfläche als Materialquelle im Rahmen von PVD Verfahren, insbesondere unter Vakuumbedingungen dient. Die Erfindung betrifft insbesondere solche Targets welche für das Sputtering (im Folgenden wird der Begriff „Sputtering" gleichbedeutend mit dem PVD Verfahren „Zerstäuben" verwendet). Ein solches Target wird in der Anwendung meist von einer Quellenhalterung gehaltert, in der Mittel zur Kühlung des vorgesehen sind. Die Erfindung betrifft insbesondere eine Beschichtungsquelle welche ein solches Target umfasst.
Beim Sputtering wird unter Vakuumbedingungen die Oberfläche eines Targets mit Ionen bombardiert. Durch das Bombardement wird Material aus der Targetoberfläche herausgeschlagen, welches sich auf dafür vorgesehene, im Sichtfeld der Targetoberfläche platzierte Substrate ablegen kann. Die dafür benötigten Ionen werden durch ein über der Targetoberfläche aufgebautes Plasma bereitgestellt. Durch Anlegen einer negativen Spannung an das Target werden die Ionen zu diesem hin beschleunigt. Je mehr Ionen pro Zeiteinheit fliessen, umso höher wird die Beschichtungsrate. Je höher die an das Target angelegte Spannung ist, umso höher ist die Auftreffgeschwindigkeit der Ionen auf der Targetoberfläche und umso höherenergetisch ist das aus dem Target herausgeschlagene zerstäubte Material. Ein hoher Leistungseintrag ist daher wünschenswert. Ausserdem sind Abhängigkeiten zwischen lonisationsgrad des zerstäubten Materials und der Leistungsdichte bekannt. Diese Effekte werden im HIPIMS Verfahren genutzt.
Die mittlere Leistungsdichte, die an ein solches Sputtertarget angelegt wird, liegt in der Regel im Bereich von 5 W/cm2 bis 30 W/cm2.
Sputtering ist allerdings eine PVD Beschichtungsmethode mit geringer Energie- Effizenz. Dies bedeutet, dass ein grosser Teil der bereitgestellten Energie im Target in Wärme umgesetzt wird und das Target sich erhitzt. Diese Wärme muss über eine Kühlung abgeführt werden. Hierfür gibt es gemäss Stand der Technik unterschiedliche Ansätze die im Folgenden kurz skizziert werden sollen.
BESTÄTIGUNGSKOPIE a) direkt gekühltes Target
Bei einem direkt gekühlten Target 1 wie in Figur 1 schematisch dargestellt wird die an der Targetoberfläche 3 in Wärme umgesetzte Leistung durch Wärmeleitung im Targetmaterial 5 zur Targetrückseite 7 geleitet. Die in einem Wasserkanal 9 fliessende Kühlflüssigkeit 11 kann den Wärmefluss entsprechend deren Wärmekapazität und den Strömumgsverhältnissen abführen. Es besteht ein sehr guter direkter Wärmekontakt zwischen Targetrückseite 7 und der Kühlflüssigkeit 11. In diesem Fall ist es allerdings notwendig, das Target z.B. über Schrauben 13 an den Grundkörper 15 anzubinden. Ausserdem muss eine Dichtung 17 vorgesehen werden, welche das Vakuum gegenüber der Kühlflüssigkeit 11 , beispielsweise Wasser, abdichtet. In Figur 1 sind ausserdem elektrische Zuleitungen 6 skizziert. Ansonsten ist die Zeichnung lediglich eine schematische Zeichnung. Weitere Komponenten beispielsweise zur Vakuumerzeugung, Isolation, Zuführung und Abführung der Kühlflüssigkeit sind dem Experten bekannt und auf ihre Darstellung wurde hier verzichtet.
Dieses direkt gekühlte Target besticht zwar durch eine sehr gute Kühlleistung, hat aber wegen der Kühlmittel-Vakuum Dichtung und dem notwendigen Lösen des Wasser-Target Verbundes bei Targetwechsel entscheidende Nachteile. So besteht zum Beispiel die Gefahr, Kühlflüssigkeitslecks zu generieren. Diese Gefahr ist dann besonders gross, wenn ein häufiger Wechsel des Targetmaterials benötigt wird. b) indirekt gekühltes Target
Bei einem indirekt gekühltem Target, wie in Figur 2 dargestellt, wird das Target 201 mit seiner Rückseite 203 an einer Quellenhalterung 205 befestigt (z.B. geschraubt oder geklemmt) wobei in die Quellenhalterung 205 eine in sich geschlossene Kühlplatte 207 integriert ist. Die Kühlplatte 207 umfasst beispielsweise einen mit Kühlmittel durchflossenen Kühlkanal 209 über dessen bewegte Flüssigkeit die Wärme abgeführt wird.
In diesem Fall wird der Kühlflüssigkeitskanal durch eine massive fixe Abdeckung begrenzt. Das Target wird zum Zweck der Kühlung und der elektrischen Kontaktierung an diese Abdeckung zum Beispiel mit Schrauben am Umfang oder gegebenenfalls in der Mitte des Targets befestigt. Diese Methode führt unter anderem zu zwei Problemen:
Der Wärmeübergang wird durch die Oberfläche der Targetrückseite und die Oberfläche der Kühlplatte gebildet. Ohne besondere Massnahmen bilden diese beiden Oberflächen eine Grenzfläche, die stark von einer idealen glatten Kontaktpaarung abweicht. Eine solche Situation ist in Figur 3 dargestellt. Der Wärmeübergang ist in diesem Fall stark reduziert und erweist sich als druckabhängig. Anpressdruck kann aber beispielsweise nur über die Befestigungsschrauben eingeleitet werden, d.h. der Wärmeübergang kann nur lokal verbessert werden.
Diese Situation kann durch Vorsehen einer Kontaktfolie zwischen den beiden Oberflächen verbessert werden. Diese kann z.B. aus Indium, Zinn, oder Graphit bestehen. Diese Folien können durch ihre Duktilität Unebenheiten zwischen der Targetrückseite und der Oberfläche der Kühlplatte ausgleichen. Ausserdem kann der Anpressdruck gleichmässiger über die Fläche aufgebracht werden.
Ein Nachteil dieser Methode ist, dass die Montage einer Kontaktfolie, insbesondere bei senkrecht montierten Targets, schwierig und umständlich ist. Dies ist besonders dann relevant, wenn es zu häufigen Wechsel des Targetmaterials kommt. Im Falle von Graphitfolien ist die laterale Wärmeleitfähigkeit zwar gut, die transversale Wärmeleitfähigkeit ist jedoch schlecht. Graphitfolien müssen daher einerseits dünn sein, damit deren schlechte transversale Wärmeleitfähigkeit den Kühlprozess nicht verhindern. Andererseits ist eine gewisse Foliendicke notwendig, um eine Beschädigung der Folie bei der Montage zu vermeiden. Es werden daher Graphitfolien mit einer Dicke nicht unter 0.5mm verwendet.
Es besteht daher ein Bedürfnis nach einer verbesserten Kühlvorrichtung für Targets, die insbesondere das Wechseln des Targetmaterials gegenüber den aus dem Stand der Technik bekannten Vorrichtungen verbessert.
Die Erfindung beruht auf einer Weiterentwicklung der oben skizzierten indirekten Kühlvorrichtung. Erfindungsgemäss wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass an der Rückseite des Targetkörpers eine selbstklebende Karbonfolie in fixem Verbund mit dem Targetkörper angebracht wird. Die Folie kann bei nicht montiertem Targetkörper mit der Rückseite des Targetkörpers gleichmässig und ohne Zwischenräume verklebt werden. Ein sehr guter Wärmekontakt zwischen der Rückseite des Targetkörpers und der Karbonfolie ist somit gewährleistet. Der Targetkörper kann dann in einfacher Art und Weise an der Quellenhalterung montiert werden. Die am Target fixierte Karbonfolie hat nun zwischen der Oberfläche der Kühlplatte und der Rückseite des Targetkörpers die Wirkung einer Kontaktfolie. Der Einsatz einer solchen selbstklebenden Karbonfolie ist im Bereich der Vakuumtechnologie nicht üblich. Da die für die Herstellung der selbstklebenden Karbonfolie verwendeten Kleber unter Vakuumbedingungen stark ausgasen und damit einen negativen Einfluss auf das Vakuum haben und die entsprechenden flüchtigen Bestandteile zur Kontamination der unter Vakuum zu behandelnden Substrate führt, kommen solche Substanzen nicht zum Einsatz.
Demgegenüber haben die Erfinder zu ihrem Erstaunen festgestellt, dass die selbstklebenden Folien, wie oben beschrieben eingesetzt, nicht merkbar die skizzierten nachteiligen Effekte haben. Eine diesbezügliche Erklärung könnte darin liegen, dass aufgrund des engen Kontaktes zur Rückseite der Targetoberfläche und aufgrund des Kontaktes der Karbonfolie zur Membran ein Ausgasen des Klebstoffs extrem verlangsamt und somit nicht relevant ist.
Die Erfindung wird nun im Detail mit Hilfe der Figuren und anhand verschiedener Ausführungsbeispiele erläutert.
Figur 1 zeigt eine herkömmliche Beschichtungsquelle mit direkter Kühlung.
Figur 2 zeigt eine herkömmliche Beschichtungsquelle mit indirekter Kühlung.
Figur 3 zeigt den begrenzten Wärmekontakt bei ein Beschichtungsquelle mit Kühlung gemäss Figur 2. Figur 4 zeigt im Querschnitt eine Ausführungsform des erfinderischen Targets mit angebrachter selbstklebender Karbonfolie.
Figur 5 zeigt das erfinderische Target integriert in eine Beschichtungsquelle mit indirekter Kühlung in einer ersten Ausführungsform.
Figur 6 zeigt das erfinderische Target integriert in eine Beschichtungsquelle in einer zweiten Ausführungsform. Dementsprechend zeigt Figur 4a ein Target 401 , an dessen Targetrückseite 403 eine einseitig selbstklebende Karbon Folie 407 mit einer Dicke von zwischen 0.1 mm und weniger als 0.5 mm angebracht ist. Die bevorzugte und im Beispie) gewählte Dicke der Karbonfolie beträgt 0.125 mm. Im Beispiel wurde eine Kontaktfolie der Firma Kunze mit der Produktidentifikationnummer KU-CB1205-AV eingesetzt.
In Figur 4 ebenfalls gezeigt ist ein genauerer Ausschnitt der Grenzfläche Targetrückseite und selbstklebende Karbonfolie. Die Karbonfolie umfasst dabei einen Klebefilm 409 welcher die Karbonfolie zur selbstklebenden Folie mach, sowie einen Karbonfilm 411.
Das Target gemäss Figur 4 lässt sich gut in eine Beschichtungsquelle mit indirekter Kühlung integrieren, wie in Figur 5 gezeigt: Das Target 501 mit selbstklebender Karbonfolie 507 wird mit den Schrauben 513 an die Vorderseite einer Quellenhalterung 505 fixiert, wobei in die Quellenhalterung ein Kühlplatte mit Kühlkanal 509 integriert ist und die Karbonfolie 507 auf die Rückseite 503 der Kühlplatte gepresst wird, wodurch ein guter Wärmekontakt zur Kühlplatten entsteht. Aufgrund der erfindungsgemässen Tatsache, dass die Karbonfolie auf die Targetrückseite aufgeklebt ist wird ein Targetwechsel sehr einfach, selbst wenn das Target in einer Beschichtungskammer vertikal montiert ist.
Eine verbesserte Variante der indirekten Kühlung ist die indirekte Kühlung mittels beweglicher Membrane, wie in Figur 6 gezeigt. Der Aufbau ist ähnlich dem in der Figur 5 skizzierten mit Target 601 mit selbstklebender Karbonfolie 607, Quellenhalterung 605, Kühlkanai 609, wobei allerdings diejenige Wand der Kühlplatte, welche den Kühlkanal 609 von der Karbonfolie 607 trennt, in dieser bevorzugten Ausführungsform als flexible Membrane 603 ausgebildet ist. Das Kühlmittel kann beispielsweise Wasser sein. Beim Targetwechsel ist kein Lösen einer Wasserdichtung notwendig. Wird das Target 601 auf der Quellenhalterung 605 durch geeignete Massnahmen fixiert (z.B. mittels Klammern 613 oder Schrauben) so wird aufgrund des im Kühlkanal 609 herrschenden hydrostatischen Drucks die Membrane 603 gleichförmig an die Targetrückseite und damit an die selbstklebende Karbonfolie 607 angedrückt und es kommt zu einem sehr guten, flächigen Wärmekontakt.
Dass dabei die selbstklebende Karbonfolie eine wesentliche Rolle spielt dokumentiert die folgende Tabelle 1 in eindrucksvoller Weise, bei der die Targettemperatur mit und ohne selbstklebende Karbonfolie für unterschiedliche Sputterleistungen und zwei verschiedene Materialzusammensetzungen verglichen wird:
Tabelle 1
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Ein Target ohne erfinderischer selbstklebender Karbonfolie wie in Messung Nr. 1 der Tabelle 1 kann aus mechanischen Gründen nur bis zu einer Sputterleistung von 2.5 kW sicher betrieben werden. Durch Verwendung eines erfindungsgemässen Targets mit selbstklebender Karbonfolie wird die Leistungsverträglichkeit mehr als verdoppelt. Bei anderen Targetmaterialien, d.h. bei anderen AITi bzw. AlCr Verhältnissen und auch bei reinen Aluminium, Titan und/oder Chromtargets zeigt sich qualitativ ein ähnliches Bild. Die vorliegende Erfindung zeigt eine besonders gute Wirkung wenn Targetdicken zwischen 6 mm und 18 mm verwendet werden. Bevorzugt liegt die Targetdicke zwischen 6 mm und 12 mm. Gemäss einer besonders bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das Target 701 als Target mit selbstklebender Karbonfolie 705 auf der Targetrückseite 703 und Bajonett Profilierung 707 entsprechend Figur 7 ausgeführt. Eine bevorzugte Beschichtungsquelle gemäss dieser Ausführungsform weisst die wie in Rahmen der Figur 6 beschriebene indirekte Kühlung mit Membrane und die für die Bajonett-Fixierung notwendigen Gegenstücke auf. Dadurch wird ein hoher und homogener Anpressdruck ermöglicht. Diese bevorzugte Ausführungsform ist speziell im Zusammenhang mit pulvermetallurgischen Targets von besonderem Vorteil, weil diese ab einer Temperatur von 150°C mechanisch geschwächt werden und die thermische Ausdehnung steigt. Aufgrund der Reduktion der Targettemperatur und den durch die Bajonett-Fixierung gegebenen mechanischen Spielraum reduziert sich dieser thermische Stress erheblich. Für Chrom-Targets werden zum Beispiel Leistungsdichten bis lOOW/cm2 möglich.
Es wurde ein Target offenbart, welches als Materialquelle für ein Abscheideverfahren aus der Gasphase ausgebildet ist mit einer Vorderseite und einer Rückseite, das dadurch gekennzeichnet ist, dass an der Rückseite eine selbstklebende Karbonfolie aufgeklebt ist.
Das Target kann als Materialquelle für ein Sputtering-Verfahren und/oder für ein Funkenverdampfungs-verfahren ausgebildet sein. Die Dicke der selbstklebenden Karbonfolie kann beispielsweise zwischen 0. 25mm und 0.5mm betragen und bevorzugt eine Dicke von 0.125mm aufweisen.
Es wurde eine Beschichtungsquelle umfassend ein wie oben beschriebenes Target offenbart, welches an einer Quellenhalterung angeordnet ist, in die eine indirekte Kühlung mit Kühlkanal integriert ist.
Bei der Beschichtungsquelle ist bevorzugt diejenige Wand, welche den Kühlkanal von der selbstklebenden Karbonfolie trennt, als flexible Membrane ausgebildet wodurch die selbstklebende Karbonfolie einen flächigen Kontakt mit der Membrane bildet.
Der Umfang des Targets der Beschichtungsquelle ist vorzugsweise so ausgebildet, dass er mit der Quellenhalterung in Form eines Bajonettverschlusses zusammenwirkt, wodurch ein hoher und homogener Anpressdruck verwirklicht ist.
Bei einer indirekt gekühlten Beschichtungsquelle wäre es auch möglich, die selbstklebende Karbonfolie an diejenige Wand zu kleben, welche den Kühlkanal von der Rückseite eines Targets trennt. Die gilt auch dann, wenn diese Wand als Membrane ausgebildet ist. Dies hätte allerdings den Nachteil, dass bei Beschädigung der Folie, diese von der Quellenhalterung umständlich entfernt und erneuert werden müsste. Ist die selbstklebende Karbonfolie dünn genug, so ist es auch möglich diese sowohl an der Targetrückseite als auch and derjenigen Wand anzubringen, welche den Kühlkanal von der Rückseite des Targets trennt.
Gemäss einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist zwischen Target und derjenigen Komponente die einen Kühlkanal zum Abtransport der Wärme umfasst eine weitere Platte mit hoher Wärmeleitfähigkeit vorgesehen. Dies kann beispielsweise eine Molybdänplatte oder auch eine Kupferplatte sein. Die weitere Platte kann mit der den Kühlkanal umfassenden Komponente in lösbarem Kontakt sein. Wichtig ist wiederum, dass grossflächig ein sehr guter Wärmekontakt vorhanden ist. Erfindungsgemäss kann auf derjenigen Seite der weiteren Platte eine selbstklebende Karbonfolie vorgesehen sein. In diesem Fall ist es günstig, wenn auf der Targetrückseite wie oben beschrieben ebenfalls eine selbstklebende Karbonfolie vorgesehen ist. Vorzugsweise ist auf beiden Seiten der weiteren Platte eine selbstklebende Karbonfolie vorgesehen. Auf diese Weise wird grossflächig für einen guten Wärmekontakt sowohl targetseitig gesorgt und es wird für einen guten Wärmekontakt zur den Kühlkanal umfassenden Komponente gesorgt. Die so ausgebildete weitere Platte ist somit auf beiden Seiten mit selbstklebender Karbonfolie bedeckt. Diese weitere Platte kann ohne weiteres so dick gewählt werden, dass sie genügend Stabilität aufweist so dass das Handling beim Targetwechsel keinerlei Probleme bereitet. Diese Ausführungsform hat zudem den Vorteil dass keine teuren Bauteile wie zum Beispiel die Kühlkanalkomponente oder das Target mit Folie beklebt werden müssen. Zumindest wenn als weitere Platte Kupfer eingesetzt wird ist dies eine sehr kostengünstige Variante. Bei Beschädigung einer der beiden selbstklebenden Karbonfolien verursacht es nur geringe Kosten diese weitere Platte auszutauschen.
Figur 8 zeigt schematisch den entsprechende Aufbau dieser Ausführungsform. Gezeigt ist die Komponente 805 mit dem Kühlkanal 807 durch den die Wärme letztlich abgeführt wird. Auf ihr liegt die weitere, wärmeleitende Platte 803 auf deren eine Seite eine erste selbstklebende Karbonfolie 811 und auf deren anderen Seite eine zweite selbstklebende Karbonfolie 809 aufgeklebt ist. Auf dieser ist wiederum das Target 801 angeordnet.

Claims

Ansprüche
1. Vorrichtung zur Kühlung eines Targets mit einer Komponente welche einen Kühlkanal umfasst und einer weiteren wärmeleitfähigen Platte welche lösbar mit der Kühlseite der Komponente verbunden ist, wobei die Kühlseite diejenige ist auf der der Kühlkanal seine Wirkung entfaltet, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der weiteren wärmeleitfähigen Platte und der Kühlseite der Komponente eine erste selbstklebende Karbonfolie vorgesehen ist, welche grossflächig selbstklebend auf die eine Seite der weiteren wärmeleitfähige Platte geklebt ist, die der Kühlseite zugewandt ist.
2. Vorrichtung zur Kühlung eines Targets nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass auf der anderen Seite der weiteren wärmeleitfähigen Platte eine zweite selbstklebende Karbonfolie vorgesehen ist, welche grossflächig selbstklebend aufgeklebt ist.
3. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die weitere wärmeleitfähige Platte Kupfer und/oder Molybdän umfasst.
4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die weitere wärmeleitfähige Platte so dick gewählt ist, dass sie der oder den selbstklebenden Karbonfolien Stabilität für ein einfaches Handling verleiht.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die weitere wärmeleitfähige Platte mindestens 3 Millimeter, vorzugweise mindestens 5 Millimeter und besonders bevorzugt mindestens 1 Zentimeter dick ist.
6. Target mit Kühlvorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Target als Materialquelle für ein Sputtering-Verfahren und/oder für ein Funkenverdampfungsverfahren ausgebildet ist.
7. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der selbstklebenden Karbonfolie zwischen 0.125mm und weniger als 0.5mm beträgt und bevorzugt eine Dicke von 0.125mm aufweist.
8. Beschichtungsquelle umfassend ein Target mit einer Vorrichtung gemäss einer der vorangehenden Ansprüche.
9. Beschichtungsquelle nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Umfang des Targets mit der Quellenhalterung in Form eines Bajonettverschlusses zusammenwirkt, wodurch ein hoher und homogener Anpressdruck verwirklicht ist.
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BR112015032156-9A BR112015032156B1 (pt) 2013-07-03 2014-06-30 dispositivo para o resfriamento de um alvo, alvo com um dispositivo de resfriamento e fonte de revestimento
CA2916770A CA2916770C (en) 2013-07-03 2014-06-30 Target, adapted to an indirect cooling device, having a cooling plate
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019131010A1 (ja) * 2017-12-27 2020-12-17 株式会社アルバック スパッタリング方法及びスパッタリング装置
CN108130516A (zh) * 2018-01-03 2018-06-08 梧州三和新材料科技有限公司 一种使用泡沫金属增强冷却的真空镀阴极靶
CN112599446A (zh) * 2020-12-15 2021-04-02 华能新能源股份有限公司 一种真空蒸镀用基片辅助降温装置
CN113667947B (zh) * 2021-07-23 2023-04-21 镇江市德利克真空设备科技有限公司 一种应用于阴极平台的智能温控装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0512456A1 (de) * 1991-05-08 1992-11-11 Balzers Aktiengesellschaft Verfahren zur Montage bzw. Demontage einer Targetplatte in einem Vakuumprozessraum, Montageanordnung hierfür sowie Targetplatte bzw. Vakuumkammer
WO1998007565A1 (en) * 1996-08-23 1998-02-26 Tosoh Smd, Inc. Bonding with a conductive adhesive sheet material
JP2001164361A (ja) * 1999-12-09 2001-06-19 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd スパッタリングターゲット冷却構造

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0106623B1 (de) * 1982-10-05 1990-05-23 Fujitsu Limited Zerstäubungsvorrichtung
US5082595A (en) * 1990-01-31 1992-01-21 Adhesives Research, Inc. Method of making an electrically conductive pressure sensitive adhesive
DE4015388C2 (de) * 1990-05-14 1997-07-17 Leybold Ag Kathodenzerstäubungsvorrichtung
US5985115A (en) * 1997-04-11 1999-11-16 Novellus Systems, Inc. Internally cooled target assembly for magnetron sputtering
EP0951049A1 (de) * 1998-04-16 1999-10-20 Balzers Aktiengesellschaft Haltering sowie Target und Verfahren zu seiner Herstellung
KR100291330B1 (ko) * 1998-07-02 2001-07-12 윤종용 반도체장치제조용스퍼터링설비및이를이용한스퍼터링방법
JP2005537391A (ja) * 2002-09-03 2005-12-08 ユミコア・マテリアルズ・アクチェンゲゼルシャフト スパッタ陰極、製造方法およびこれに関する陰極
DE102004058280A1 (de) * 2004-12-02 2006-06-08 Tesa Ag Doppelseitige Haftklebebänder zur Herstellung bzw. Verklebung von LC-Displays mit lichtabsorbierenden Eigenschaften
PT1752556E (pt) * 2005-08-02 2008-01-22 Applied Materials Gmbh & Co Kg Cátodo tubular para aplicação em processo de pulverização catódica
JP5236400B2 (ja) * 2008-09-04 2013-07-17 太陽ホールディングス株式会社 導電ペーストおよびそれを用いた電極
DE102008060113A1 (de) * 2008-12-03 2010-07-29 Tesa Se Verfahren zur Kapselung einer elektronischen Anordnung
CN201778106U (zh) 2010-07-27 2011-03-30 上海北玻镀膜技术工业有限公司 真空镀膜设备中的矩形平面磁控阴极结构

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0512456A1 (de) * 1991-05-08 1992-11-11 Balzers Aktiengesellschaft Verfahren zur Montage bzw. Demontage einer Targetplatte in einem Vakuumprozessraum, Montageanordnung hierfür sowie Targetplatte bzw. Vakuumkammer
WO1998007565A1 (en) * 1996-08-23 1998-02-26 Tosoh Smd, Inc. Bonding with a conductive adhesive sheet material
JP2001164361A (ja) * 1999-12-09 2001-06-19 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd スパッタリングターゲット冷却構造

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Hochwärmeleitende Karbonfolien Serie KU-CB1200", INTERNET CITATION, 30 November 2010 (2010-11-30), pages 1, XP002697228, Retrieved from the Internet <URL:http://www.heatmanagement.com/local/media/hmproducts/ku-cb1200-50/ku-cb1200_datenblatt.pdf> [retrieved on 20130516] *

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