DE3603646C2 - Haltevorrichtung für Targets für Kathodenzerstäubung - Google Patents
Haltevorrichtung für Targets für KathodenzerstäubungInfo
- Publication number
- DE3603646C2 DE3603646C2 DE19863603646 DE3603646A DE3603646C2 DE 3603646 C2 DE3603646 C2 DE 3603646C2 DE 19863603646 DE19863603646 DE 19863603646 DE 3603646 A DE3603646 A DE 3603646A DE 3603646 C2 DE3603646 C2 DE 3603646C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cooling
- target
- terminals
- plate
- holding device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3497—Temperature of target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Haltevorrichtung für Targets
für Kathodenzerstäubung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Sie findet insbesondere bei Magnetron- und anderen Hoch
geschwindigkeits-Zerstäubungsquellen Anwendung.
Magnetron- und andere Hochgeschwindigkeits-Zerstäubungsquellen erfor
dern wegen der hohen Betriebsleistung eine besonders intensive Kühlung
der zu zerstäubenden Targetmaterialien. Hohe Zerstäubungsgeschwindig
keiten sind für die Prozeßqualität sowie für die Wirtschaftlichkeit
solcher Einrichtungen äußerst wichtig. Beispielsweise sind bei der
Beschichtung von Silizium-Scheiben mit Aluminium in der Halbleiterindu
strie hohe Dampfdichten bzw. hohe Zerstäubungsraten notwendig, um ein
optimales Verhältnis zwischen Dampfteilchendichte und Restgasteilchen
dichte in der Beschichtungskammer einstellen zu können. Eine Kontami
nation bzw. Verunreinigung durch unerwünschte Komponenten, wie z. B. O₂,
kann mit hohen Zerstäubungsgeschwindigkeiten verringert werden. Außer
dem läßt eine hohe Schichtaufwachsgeschwindigkeit bei Zerstäubungsan
lagen größere Durchsätze der zu beschichtenden Substrate zu, was zu
einer Erhöhung der Wirtschaftlichkeit wesentlich beitragen kann.
Um sehr hohe Zerstäubungsgeschwindigkeiten erreichen zu können, müssen
entsprechend hohe elektrische Leistungen angewendet werden, was bei der
Kühlung der Targets bisher vielfach zu Problemen führte.
Eine gängige Lösung des Kühlproblems stellt die direkte Wasserkühlung
dar. Bei dieser Methode wird das Kühlmedium Wasser direkt an die Rück
seite des häufig als Platte ausgebildeten Targets geführt. Der Wärme
kontakt zwischen Target und Kühlmedium ist dabei besonders gut und führt
auch zu sehr guten Kühlleistungen. Ein schwerwiegender Nachteil ist aber
die notwendige Dichtung, um das Kühlmedium vom Vakuum der Zerstäubungs
kammer zu trennen. Dies führt in der Praxis zu Betriebsunsicherheiten
wegen Leckgefahr und wegen der notwendigen großen Anzahl von Verschrau
bungen zu einem größeren Arbeitsaufwand bei der Targetmontage bzw.
Demontage.
Eine andere bekannte Lösung verwendet ein besonderes Kontaktmittel zwi
schen einer Kühlplatte mit geschlossenen Wasserkanälen und dem Target.
Sehr verbreitet ist auch die Methode, das Target mit einer speziellen
Weichlotlegierung auf eine gekühlte Unterlage aufzulöten. Diese Methode
ist jedoch teuer und umständlich. Auch ist eine großflächige saubere
Lötung nicht einfach zu beherrschen. Ab und zu werden als Kontaktmittel
Kleber oder Pasten eingesetzt. In den meisten Fällen ist dies aber vakuum
technisch - wegen Gasabgabe - nicht akzeptabel.
Eine weitere bekannte und oft verwendete Lösung - sie ist in Fig. 1 dar
gestellt - ist das Aufklemmen eines Targets auf eine gekühlte Unterlage
(siehe Balzers Fachbericht "Planar Magnetron Zerstäubungsquellen", 1981).
Dabei wird das Target 1 mittels eines Klemmflansches 2 durch Schrauben 3
kräftig gegen die Kühlplatte 5 mit den Kühlkanälen 6 angedrückt. Diese
Methode hat den Vorteil, daß das Target auf diese Weise leicht zu mon
tieren und kostengünstig herzustellen ist, indem auf ein Festkleben oder
Anlöten an eine gekühlte Unterlage verzichtet werden kann, und weil
keine Dichtung zwischen Kühlwasser und Vakuum am Target nötig ist. Sie
hat aber den grundlegenden Nachteil, daß durch den naturgemäß schlechten
Wärmeübergang zwischen Target und Kühlplatte die abführbare Wärmemenge
stark begrenzt ist. Dieser schlechte Wärmeübergang rührt davon her, daß
auch bei einem festen Zusammenpressen von zwei Flächen nur punktuelle
Kontaktstellen zustandekommen. Bei der Ausführung nach Fig. 1 sind diese
Kontaktstellen auf die Verschraubungszonen im Randbereich zwischen Target
und Kühlplatte beschränkt. Die Wärme, welche an der Targetoberfläche ent
steht, muß also in der Targetplatte erst zu diesen Verschraubungszonen
hin abfließen, um abgeführt werden zu können. Man hat versucht, die Kon
taktflächen zu vergrößern, indem wie in Fig. 1 gezeichnet, Folien 4
aus geeigneten, weichen und leitenden Materialien, wie Zinn, zwischen
Target und Kühlplatte gelegt wurden. Dies bringt zwar eine merkbare Ver
besserung der Kühlleistung, das Einlegen der Folien ist aber kritisch
und muß mit großer Sorgfalt vorgenommen werden; trotzdem ist die Größe
der Wärmeabfuhr starken Schwankungen unterworfen und nicht sicher repro
duzierbar.
Eine Targethalterung der eingangs genannten Art ist aus US
38 78 085 bekannt, wobei das Target mittels wärmeisolierter
Klemmen in Anlage an einer Kühlplatte bzw. einem Kühlblock
gehalten wird. Auch hier kann das Problem der ungenügenden
und ungleichmäßigen Wärmeableitung an der Targetrückseite
auftreten.
In L.I. Maissel, R. Glang: "Handbook of Thin Film Techno
logyly", Mc Graw-Mill Book Company New York (1970), S. 4-36
ist schematisch eine Targethalterung dargestellt, bei der
die Targetrückseite an einer wassergekühlten Kühlplatte
durch nicht näher dargestellte Mittel in Anlage gehalten
ist. Auch hier hängt die Kühlwirkung ausschließlich vom
Wärmeübergang zwischen Targetrückseite und Kühlplatte ab.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Haltevor
richtung der eingangs genannten Art so auszubilden, daß
eine stärkere und gleichmäßigere Wärmeabführung vom Target
erreicht und dadurch eine größere Zerstäubungsleistung er
möglicht wird.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einer Haltevorrichtung der eingangs genannten Art
durch die kennzeichnenden
Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Besonders einfach läßt sich die Erfindung anwenden bei Anordnungen, bei
denen die Klemmen am Rande eines Targets angreifen, indem diese Klemmen
direkt mit Kühleinrichtungen verbunden werden. Solche Klemmen werden
vorzugsweise mit zwei ringförmigen Anpreßflanschen ausgebildet, die an
die Ober- und Unterseite der Platte angepreßt werden können. Die Flansche
können selbst einen Hohlraum zum Durchleiten eines Kühlmittels aufweisen
und an besonderen, vor allem am Umfang eines Targets angebrachten Kühl
fahnen oder Kühllippen angreifen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen näher
beschrieben
Fig. 1 zeigt, wie erwähnt, eine bekannte Targetplattenhalterung;
Fig. 2 ein erstes einfaches Ausführungsbeispiel der Erfindung, mit Kühlung
einer Targetplatte mit an deren Umfang angeformter
Schulter mittels eines an diese angepreßten, aktiv gekühlten Halte
flansches;
Fig. 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, wobei das Target mit einer
am Umfang durch zwei Schultern gebildeten Kühllippe ausgebildet
ist, an welche beidseitig Kühlflansche angepreßt werden.
Fig. 4 zeigt eine Haltevorrichtung für Targetplatten mit zwei Kühllippen
am Umfang;
Fig. 5 eine Halterung ebenfalls für ein Target mit einer Kühllippe am Um
fang, sowie mit einer weiteren Kühlmöglichkeit mittels zusätzlicher
gekühlter Ringklemmen an der Unterseite.
Fig. 6 schließlich zeigt die Möglichkeit, auch ein mit einer Unterlage ver
lötetes sogenanntes "gebondetes" Target so zu gestalten, daß eine
Haltevorrichtung nach der Erfindung mit Vorteil angewendet werden
kann.
Die Halterung nach dem Ausführungsbeispiel der Fig. 2 besteht, wie ersicht
lich, aus einer Kühlplatte 5, auf welche ein plattenförmiges Target 1, deren
eine (in der Zeichnung obere) Seite zerstäubt werden soll, aufgelegt werden
kann. Die Targetplatte weist eine Schulter auf, so daß entlang ihres Umfan
ges eine Kühllippe 12 entsteht, die durch einen ringförmigen Kühlflansch 2
mittels Schrauben 3 gegen die Unterlage gedrückt wird. Dabei ergibt sich ein
sehr gut wärmeleitender Kontakt zwischen dem Kühlflansch 2 und der Oberseite
der Kühllippe. Die Fig. 2 zeigt ferner, daß die Kühlplatte 5 und der Kühl
flansch 2 mit Kühlmittelkanälen 6 versehen sind, und daß in der Mitte der
Platte eine weitere kühlbare Befestigung durch eine zusätzliche Ringklemme 13,
die als Klemme im Sinne der vorliegenden Erfindungsbeschreibung anzusprechen
ist, vorgesehen werden kann. Zwischen der Targetplatte 1 und der Kühlunter
lage 5 können außerdem in an sich bekannter Weise wärmeleitende Folien 4 oder
andere Kontaktmittel eingelegt werden, um die Kühlung zu verstärken.
Das Beispiel der Fig. 3 zeigt die Möglichkeit der Halterung einer Target
platte mittels einer erfindungsgemäßen Haltevorrichtung ohne eine gekühlte
Unterlage, wie sie in Fig. 2 verwendet wurde. Die Bezugsziffern haben die
selbe Bedeutung wie in Fig. 2. In Fig. 3 ist die Targetplatte an ihrer
Ober- und Unterseite mit je einer Schulter entlang des Umfanges ausgebildet,
wodurch wiederum eine die Platte umfangende Kühllippe 12 gebildet wird, an
die nun von oben und von unten je ein aktiv gekühlter Doppelflansch 2 der
Haltevorrichtung mittels der Schrauben 3 angepreßt wird. Ähnlich wie in
Fig. 2 sind auch in diesem Falle in der Plattenmitte beidseitig weitere
Kühlklemmen 13 angebracht, mit der die Targetplatte 1 in gut wärmeleitendem
Kontakt steht.
In Fig. 4 weist die Targetplatte im Vergleich zur Fig. 3 an ihrem Umfang
zwei Kühllippen 12 auf, so daß insgesamt vier Kühlflächen vorhanden sind,
gegen welche die vier Gegenflächen des Kühlflansches 2 mittels der Schrau
ben 3 angepreßt werden.
Bei der Ausführungsform der Fig. 5 besitzt die Targetplatte in ihrem äuße
ren Umfang wieder nur eine Kühllippe, der eine Haltevorrichtung ähnlich der
jenigen, die in Fig. 3 dargestellt ist, zugeordnet werden kann. Zusätzlich
sind weitere gekühlte Klemmringe 14 von kleinerem Durchmesser vorgesehen,
deren Kühlflächen an einer Kühlrippe 15 an der Unterseite des in diesem
Bereich thermisch am stärksten belasteten Targets anliegen, also dort, wo
eine größere Wärmeabfuhr erwünscht ist.
Die Fig. 6 schließlich zeigt, wie schon erwähnt, den Fall eines soge
nannten gebondeten Targets, d. h. eines Targets 1, das mit einer Unterlage
16 mit einer Kühllippe 17 durch Verschweißen oder Verlöten fest verbun
den ist.
Der Fortschritt, der durch die Erfindung erreicht wurde, kann z. B. aus
einem Vergleich der Betriebsdaten der bekannten Haltevorrichtung nach
Fig. 1 mit einer erfindungsgemäßen Vorrichtung nach Fig. 2 ersehen
werden. Eine Haltevorrichtung nach der Fig. 1 konnte mit einem Al-Si-
Target vom 200 mm Durchmesser und 12 mm Dicke mit einer Leistung von
6 KW betrieben werden. Dabei erreichte das Target eine Temperatur - auf
der Unterseite gemessen - von 200°C. Wenn dagegen das gleiche Target
in eine Haltevorrichtung gemäß Fig. 2 eingespannt wurde, ließ sich
eine Betriebsleistung von 11 KW anwenden, wodurch eine wesentliche Erhöhung
der Zerstäubungsgeschwindigkeit erzielt wurde; trotzdem stieg dabei die Tem
peratur auch nicht höher als 200°. Die Kühlung war also drastisch ver
bessert worden.
Unter Zerstäubungsgeschwindigkeit im Sinne dieser Beschreibung ist die Men
ge des pro Zeiteinheit von einer Zerstäubungsquelle abgestäubten Targetma
terials zu verstehen; oft wird diese Größe in der Fachliteratur auch
"Zerstäubungsrate" genannt.
Ferner wird unter "Target" jener Körper verstanden, von dessen Oberfläche
(oder einem Teil der Oberfläche) durch den Zerstäubungsvorgang Material
abgetragen wird, meistens zu dem Zweck, um auf anderen Körpern, den soge
nannten Substraten deponiert zu werden.
Claims (6)
1. Haltevorrichtung für Targets für Kathodenzerstäubung,
mit einer an der Rückseite des Targets (1) anliegenden
Kühlplatte (5), einer Kühleinrichtung zum Kühlen der Kühl
platte (5) mittels eines Kühlmittels, und am Target angrei
fenden Klemmen (2, 13), durch die das Target (1) gegen die
Kühlplatte (5) angepreßt ist,
dadurch gekennzeichnet, daß die Klemmen (2,
13) mit Kühleinrichtung zum Kühlen der Klemmen mittels ei
nes Kühlmittels verbunden sind, wobei die Kühlleistung so
bemessen ist, daß die gekühlten Klemmen mindestens 10% der
beim Zerstäubungsbetrieb am Target erzeugten Wärmemenge ab
führen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die gekühlten Klemmen (2) am Rand des
Targets (1) angreifen.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Klemmen (2) je zwei ring
förmige Anpreßflansche aufweisen, die an der Ober- und Un
terseite des Targets (1) angepreßt werden.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Klemmen (2, 13) Kanäle
(6) für das Durchleiten eines Kühlmittels aufweisen.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Klemmen (2) für die
Aufnahme von Targets mit mehreren Kühlfahnen ausgebildet
sind.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Klemmen (2) so ausge
bildet sind, daß sie eine oder mehrere am Rand des Targets
(1) ausgebildete Kühllippen (12) umgreifen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH144685A CH664303A5 (de) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | Haltevorrichtung fuer targets fuer kathodenzerstaeubung. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3603646A1 DE3603646A1 (de) | 1986-10-16 |
DE3603646C2 true DE3603646C2 (de) | 1996-08-22 |
Family
ID=4210652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863603646 Expired - Fee Related DE3603646C2 (de) | 1985-04-03 | 1986-02-06 | Haltevorrichtung für Targets für Kathodenzerstäubung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61231171A (de) |
CH (1) | CH664303A5 (de) |
DE (1) | DE3603646C2 (de) |
FR (1) | FR2579910B1 (de) |
GB (1) | GB2173217B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19648390A1 (de) * | 1995-09-27 | 1998-05-28 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage |
DE19746988A1 (de) * | 1997-10-24 | 1999-05-06 | Leybold Ag | Zerstäuberkathode |
DE10018858A1 (de) * | 2000-04-14 | 2001-10-25 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Magnetronanordnung |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3613018A1 (de) * | 1986-04-17 | 1987-10-22 | Santos Pereira Ribeiro Car Dos | Magnetron-zerstaeubungskathode |
EP0276962A1 (de) * | 1987-01-27 | 1988-08-03 | Machine Technology Inc. | Kühlvorrichtung für Sputter-Target und -Quelle |
EP0393344A1 (de) * | 1989-04-20 | 1990-10-24 | Balzers Aktiengesellschaft | Haltevorrichtung für Targets von Zerstäubungsquellen und Verfahren zum Festhalten eines Targets in einer Halterung |
US5032246A (en) * | 1990-05-17 | 1991-07-16 | Tosoh Smd, Inc. | Sputtering target wrench and sputtering target design |
JPH074359Y2 (ja) * | 1990-07-10 | 1995-02-01 | 三ツ星ベルト株式会社 | 歯付ベルト |
DE9014857U1 (de) * | 1990-10-26 | 1992-02-20 | Multi-Arc Oberflächentechnik GmbH, 5060 Bergisch Gladbach | Großflächige Kathodenanordnung mit gleichmäßigem Abbrandverhalten |
US6689254B1 (en) | 1990-10-31 | 2004-02-10 | Tokyo Electron Limited | Sputtering apparatus with isolated coolant and sputtering target therefor |
DE4133564C2 (de) * | 1991-10-10 | 1999-11-18 | Leybold Ag | Vorrichtung zur lösbaren Befestigung eines Targets oder Targetgrundkörpers auf der Kathodenhalterung |
US5271817A (en) * | 1992-03-19 | 1993-12-21 | Vlsi Technology, Inc. | Design for sputter targets to reduce defects in refractory metal films |
US5286361A (en) * | 1992-10-19 | 1994-02-15 | Regents Of The University Of California | Magnetically attached sputter targets |
EP0824760A1 (de) * | 1995-05-11 | 1998-02-25 | Materials Research Corporation | Zerstäubungsgerät mit isolierter kühlung und zerstäubungstarget hierfür |
DE29510381U1 (de) * | 1995-06-27 | 1995-09-07 | Leybold Ag, 63450 Hanau | Vorrichtung zum Beschichten eines scheibenförmigen Substrats |
DE19535894A1 (de) * | 1995-09-27 | 1997-04-03 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE19627533A1 (de) * | 1996-07-09 | 1998-01-15 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
US6068742A (en) * | 1996-07-22 | 2000-05-30 | Balzers Aktiengesellschaft | Target arrangement with a circular plate, magnetron for mounting the target arrangement, and process for coating a series of circular disc-shaped workpieces by means of said magnetron source |
WO1998037568A1 (en) * | 1997-02-24 | 1998-08-27 | Novellus Systems, Inc. | Internally cooled target assembly for magnetron sputtering |
US5985115A (en) | 1997-04-11 | 1999-11-16 | Novellus Systems, Inc. | Internally cooled target assembly for magnetron sputtering |
DE29801666U1 (de) * | 1998-02-02 | 1998-04-02 | Leybold Materials Gmbh, 63450 Hanau | Vorrichtung für die Herstellung von Targets für Zerstäubungskathoden |
DE19910786A1 (de) * | 1999-03-11 | 2000-09-14 | Leybold Systems Gmbh | Magnetronkathoden |
US6551470B1 (en) * | 1999-06-15 | 2003-04-22 | Academy Precision Materials | Clamp and target assembly |
US6123775A (en) * | 1999-06-30 | 2000-09-26 | Lam Research Corporation | Reaction chamber component having improved temperature uniformity |
US6413381B1 (en) | 2000-04-12 | 2002-07-02 | Steag Hamatech Ag | Horizontal sputtering system |
US6264804B1 (en) | 2000-04-12 | 2001-07-24 | Ske Technology Corp. | System and method for handling and masking a substrate in a sputter deposition system |
DE102012006717A1 (de) * | 2012-04-04 | 2013-10-10 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | An eine indirekte Kühlvorrichtung angepasstes Target |
CN103286403A (zh) * | 2013-05-06 | 2013-09-11 | 郑凯 | 一种平板焊接炉 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2054161A1 (de) * | 1969-11-12 | 1971-05-19 | Varian Associates | Zerstaubungs Beschichtungsvor richtung |
US3878085A (en) * | 1973-07-05 | 1975-04-15 | Sloan Technology Corp | Cathode sputtering apparatus |
US4166018A (en) * | 1974-01-31 | 1979-08-28 | Airco, Inc. | Sputtering process and apparatus |
GB2058143B (en) * | 1979-07-31 | 1983-11-02 | Nordiko Ltd | Sputtering electrodes |
GB2110719B (en) * | 1981-11-30 | 1985-10-30 | Anelva Corp | Sputtering apparatus |
DE3148354A1 (de) * | 1981-12-07 | 1983-06-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur kathodenzerstaeubung eines metalles |
JPS59200761A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Toshiba Corp | スパツタリングタ−ゲツト支持装置 |
US4428816A (en) * | 1983-05-25 | 1984-01-31 | Materials Research Corporation | Focusing magnetron sputtering apparatus |
US4448659A (en) * | 1983-09-12 | 1984-05-15 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for evaporation arc stabilization including initial target cleaning |
US4581540A (en) * | 1984-03-16 | 1986-04-08 | Teledyne Industries, Inc. | Current overload protected solid state relay |
CH665057A5 (de) * | 1984-07-20 | 1988-04-15 | Balzers Hochvakuum | Targetplatte fuer kathodenzerstaeubung. |
-
1985
- 1985-04-03 CH CH144685A patent/CH664303A5/de not_active IP Right Cessation
-
1986
- 1986-02-06 DE DE19863603646 patent/DE3603646C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-03-14 GB GB8606354A patent/GB2173217B/en not_active Expired
- 1986-03-27 FR FR8604430A patent/FR2579910B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1986-04-01 JP JP7263686A patent/JPS61231171A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19648390A1 (de) * | 1995-09-27 | 1998-05-28 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage |
DE19746988A1 (de) * | 1997-10-24 | 1999-05-06 | Leybold Ag | Zerstäuberkathode |
DE10018858A1 (de) * | 2000-04-14 | 2001-10-25 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Magnetronanordnung |
DE10018858B4 (de) * | 2000-04-14 | 2005-08-18 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Magnetronanordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8606354D0 (en) | 1986-04-23 |
FR2579910A1 (de) | 1986-10-10 |
GB2173217B (en) | 1989-04-19 |
JPS61231171A (ja) | 1986-10-15 |
GB2173217A (en) | 1986-10-08 |
CH664303A5 (de) | 1988-02-29 |
DE3603646A1 (de) | 1986-10-16 |
FR2579910B1 (de) | 1990-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3603646C2 (de) | Haltevorrichtung für Targets für Kathodenzerstäubung | |
DE60318170T2 (de) | Vakuumverdampfer | |
DE69637232T2 (de) | Sputtern von lithium | |
DE2102352C3 (de) | Hochfrequenzbetriebene Sprühvorrichtung | |
DE3301288C2 (de) | ||
DE3912381A1 (de) | Auffaengereinheit | |
DE2111732C3 (de) | Vorrichtung zum Gravieren von Gegenständen durch Kathodenzerstäubung mit Ionenaufprall | |
DE2431832B2 (de) | Kathodenzerstäubungsgerät | |
EP0242826A2 (de) | Magnetron-Zerstäubungskathode | |
DE3506227A1 (de) | Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung | |
DE3339482A1 (de) | Magnetisches zerstaeubungstarget | |
DE3149910A1 (de) | Vorrichtung zur kathodenzerstaeubung von mindestens zwei verschiedenen materialien | |
EP0482541B1 (de) | Grossflächige Kathodenanordnung mit gleichmässigem Abbrandverhalten | |
DE3303241A1 (de) | Rechteckige targetplatte fuer kathodenzerstaeubungsanlagen | |
EP0081176A1 (de) | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung eines Metalles | |
EP0452647B1 (de) | Vorrichtung zur Halterung und Kühlung nebeneinander angeordneter Werkstücke and Träger für mehrere Vorrichtungen | |
DE102012006717A1 (de) | An eine indirekte Kühlvorrichtung angepasstes Target | |
DE102007060807B4 (de) | Gasentladungsquelle, insbesondere für EUV-Strahlung | |
DE102013011074A1 (de) | An eine indirekte Kühlvorrichtung angepasstes Target mit Kühlplatte | |
DE3244691A1 (de) | Zerstaeuber- bzw. aufspruehvorrichtung | |
DE3810175A1 (de) | Kathodenzerstaeubungsvorrichtung | |
CH669242A5 (de) | Targetplatte fuer kathodenzerstaeubung. | |
DE112013006746T5 (de) | Sputtergerät | |
EP1520290B1 (de) | Vorrichtung zur beschichtung von substraten mittels physikalischer dampfabscheidung über den hohlkathodeneffekt | |
AT367569B (de) | Verfahren zur herstelliung von drehanoden fuer roentgenroehren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H05H 1/46 |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: BALZERS AG, BALZERS, LI |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: GLAWE, DELFS, MOLL & PARTNER, PATENTANWAELTE, 8053 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |