WO2014203839A1 - 光源装置および発光装置 - Google Patents

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phosphor
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light emitting
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宏彰 大沼
智一 名田
優太 本間
幡　俊雄
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Sharp Corp
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    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations

Definitions

  • the present invention relates to a light source device and a light emitting device using LEDs (Light Emitting Diode).
  • LEDs Light Emitting Diode
  • an LED illumination module configured to emit white light.
  • a method of generating white light using an LED a method of generating three types of LEDs, a red LED, a blue LED, and a green LED, by combining three primary colors of light, or a blue LED as a light source of a yellow phosphor And a method of generating by mixing blue light and yellow light.
  • Patent Document 1 discloses an illumination light source that emits white light by exciting a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor using two types of blue LEDs having different peak wavelengths.
  • a plurality of different LED packages are arranged to form a lighting device.
  • Patent Document 2 discloses a blue light emitting LED element sealed with a translucent resin containing a phosphor and a red light emitting LED element sealed with a translucent resin not containing a phosphor. A light-emitting device that emits white light by use is disclosed.
  • Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-258356 (released on October 23, 2008) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-192703 (released on September 29, 2011)
  • the light having a wavelength of 415 to 460 nm has a large influence (degree of injury) on the retina of the human eye.
  • the wavelength 440 nm is set to 1 (maximum degree of injury). In this case, 0.80 at 415 nm, 0.95 at 425 nm, 0.94 at 450 nm, 0.80 at 460 nm, and 0.62 at 470 nm. It can be said that the smaller this value is, the easier it is to the eyes.
  • the conventional light sources and light-emitting devices using LEDs are all intended to improve the luminous efficiency, and are not particularly considered for the effect on the retina of the human eye.
  • a blue component in the vicinity of 450 nm having a large photodamage function value is included in white light.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a light source device that emits white light that is friendly to human eyes and light emission by using blue light having a small blue light injury function value. To provide an apparatus.
  • a light source device is a light source device that emits white light using a light emitting diode, and has an integrated emission intensity of 415 nm to 460 nm in the emission spectrum of the white light. Is characterized in that the integrated emission intensity from 460 nm to 500 nm is large.
  • the main blue component of white light is light having a wavelength of 460 nm to 500 nm, so that it is possible to provide a light source device that emits white light that is gentle to human eyes. Play.
  • (A) is a top view which shows the structural example of the light emission surface of the light source device which concerns on Embodiment 1 of this invention, (b) is AA arrow sectional drawing shown to (a).
  • (A) is a top view which shows the structural example of the light emission surface of the light source device which concerns on Embodiment 2 of this invention, (b) is BB arrow sectional drawing shown to (a).
  • (A) is a top view which shows the structural example of the light emission surface of the light source device which concerns on Embodiment 3 of this invention, (b) is CC line arrow directional cross-sectional view shown to (a).
  • FIG. 4 It is a top view which shows the formation position of the sealing resin on a board
  • substrate shown in FIG. 4 is shown, (a) is a top view, (b) is DD sectional view taken on the line of (a). 4 shows another light source device in which a sealing resin is formed on the substrate shown in FIG. 4, (a) is a plan view, and (b) is a cross-sectional view taken along line EE of (a). It is a top view which shows the structural example of the light emission surface of the light source device which concerns on Embodiment 5 of this invention.
  • Embodiment 1 An embodiment of the present invention will be described as follows.
  • FIG. 1A is a plan view showing a configuration example of the light source device 10 according to the present embodiment
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • the light source device 10 includes a substrate 101, a first LED chip 102 (first light emitting diode), a phosphor-containing resin layer (phosphor-containing sealing resin) 104, and a dam ring 105 (resin). Sex frame).
  • the substrate 101 is a substrate made of ceramic.
  • the substrate 101 has a rectangular shape in plan view.
  • the first LED chip 102 (first light emitting diode), the phosphor-containing resin layer 104, and the dam ring 105 (resinous frame) described above are provided on one surface (hereinafter, referred to as an upper surface) of the substrate 101.
  • electrode lands 106 and 107 for external connection are formed.
  • the electrode land 106 functions as an anode electrode
  • the electrode land 107 functions as a cathode electrode.
  • the electrode lands 106 and 107 are arranged on the upper surface of the substrate 101 outside the region surrounded by the dam ring 105 and in the vicinity of two corners on the upper surface. The surfaces of the electrode lands 106 and 107 are exposed and can be connected to external terminals.
  • the first LED chip 102 is made of a blue light emitting diode, and is electrically connected to a wiring (not shown).
  • the wiring is connected to the electrode lands 106 and 107.
  • the electrode lands 106 and 107 are connected via the first LED chip 102 so that the first LED chip 102 can emit light. Details of the first LED chip 102 will be described later.
  • the phosphor-containing resin layer 104 includes a green phosphor 104a (a divalent europium-activated ⁇ -type SiAlON) and a red phosphor 104b (Sr x Ca 1-x AlSiN 3 : Eu 2+ ) is a sealing resin layer made of a resin.
  • the phosphor-containing resin layer 104 is formed so as to fill the region surrounded by the dam ring 105 and bury the first LED chip 102 disposed in the region. That is, the phosphor-containing resin layer 104 collectively seals the first LED chip 102.
  • the green phosphor 104a and the red phosphor 104b are not limited to the above-described phosphors, and may be the following phosphors, which are optimum conditions in view of the excitation characteristics of the phosphors. Thus, it is preferable to select a combination of an LED chip and a phosphor used in the light source device. In addition, one of the green phosphor and the red phosphor may not be used, or a plurality of each phosphor may be used simultaneously.
  • Green phosphor 104a (1) A divalent europium-activated oxynitride phosphor that is ⁇ -type SiAlON substantially represented by Eu a Si b Al c O d N e . (2) Expressed as MI 3-x Ce x MII 5 O 12 , MI is at least one element selected from Lu, Y, La and Gd, and MII is selected from Al and Ga A garnet-type trivalent cerium-activated oxide phosphor that is at least one element. (3) A divalent europium activated silicate phosphor represented by MIII 2-x Eu x SiO 4 , wherein MIII is at least one element selected from Mg, Ca, Sr, and Ba.
  • MIII 3-x Ce x MIV 2 Si 3 O 12 is substantially represented, MIII is at least one element selected from Mg, Ca, Sr, and Ba, and MIV is Trivalent cerium activated silicate which is at least one element selected from Li, Na, K, Cs, Rb, Mg, Ca, Ba, Al, Ga, In, Sc, Y, La, Gd, and Lu Phosphor.
  • a trivalent cerium-activated nitride phosphor represented by MI 3-x Ce x Si 6 N 11 and having at least one element selected from Lu, Y, La, and Gd.
  • MIII 1-x Eu x MVSiN 3 represented by MIII is at least one element selected from Mg, Ca, Sr, and Ba, and MV is Al, Ga, In, Sc Bivalent europium activated nitride phosphor which is at least one element selected from Y, La, Gd and Lu.
  • Eu f MVI g Si h Al i O j N k is substantially represented, and MVI is Li, Na, K, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, and Gd.
  • a divalent europium activated oxynitride phosphor which is ⁇ -type SiAlON which is at least one element selected from (4) MVII 2 (MVIII 1-x Mn x ) F 6 , where MVII is at least one element selected from Li, Na, K, Rb, and Cs, and MVIII is Ge, Si, Sn, Ti, And a tetravalent manganese-activated metal fluoride metal salt phosphor that is at least one element selected from Zr.
  • the dam ring 105 is a member that defines the phosphor-containing resin layer 104 described above. That is, the dam ring 105 functions as a dam (blocking member) for preventing resin leakage when the phosphor-containing resin layer 104 is formed.
  • the first LED chip 102 is a blue light emitting diode (470 nm chip) having a peak wavelength in the range of 460 nm to 500 nm.
  • a blue light emitting diode (450 nm chip) having a peak wavelength in the range of 415 nm to 460 nm is not used.
  • the first LED chip 102 has a peak wavelength in the range of 460 nm to 500 nm. And the blue light obtained by light emission of this 1st LED chip 102 is used for formation of white light. That is, the blue light obtained by the first LED chip 102 emitting light becomes the blue component of the white light emitted from the light source device 10.
  • the blue light obtained by the light emission of the first LED chip 102 excites the green phosphor 104a and the red phosphor 104b included in the phosphor-containing resin layer 104 to become green light and red light, respectively. That is, the blue light obtained by emitting light from the first LED chip 102 also becomes a red component and a green component of white light emitted from the light source device 10 due to excitation and emission of the phosphor.
  • the lower limit (critical value) of the peak wavelength range of the first LED chip 102 has a damage degree of 80% with respect to the wavelength 440 nm which is the maximum damage degree. If the degree of injury is greater than 80%, there is a high possibility that the retina of the human eye will be adversely affected. Therefore, the lower limit of the peak wavelength range of the first LED chip 102 is preferably 460 nm.
  • 500 nm which is the upper limit of the peak wavelength range of the first LED chip 102 is the upper limit as a blue component of white light.
  • the first LED chips 102 are arranged at regular intervals in the dam ring 105 as shown in FIG. As a result, the color mixture due to the light emission of each first LED chip 102 is easily made uniform, and it is possible to reduce luminance unevenness.
  • the arrangement of the first LED chip 102 is not limited to the arrangement as shown in FIG.
  • the light source device 10 As described above, according to the light source device 10 according to the present embodiment, white light emitted without using a blue light emitting diode having a high degree of injury to human eyes and having a peak wavelength in the range of 415 nm to 460 nm.
  • the blue component is realized by the first LED chip 102 having a low degree of injury and a peak wavelength range (460 nm to 500 nm) that is gentle to the human eye, and can therefore emit white light that is gentle to the human eye.
  • each color component is obtained by light emission of LED chips of each color (three colors) regardless of phosphor excitation.
  • FIG. 2A is a plan view showing a configuration example of the light source device 20 according to the present embodiment
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
  • a dam ring 105, an electrode land 106, and an electrode land 107 are formed on a substrate 101.
  • the first LED chip 102 and the second LED chip 103 of the first embodiment are used.
  • a blue chip 131, a red chip (red light emitting diode) 132, and a green chip (green light emitting diode) 133 are provided.
  • a translucent sealing resin layer is provided.
  • 134 is formed. That is, the green chip 133 is a green light emitting diode that emits green light used when white light is emitted, and the red chip 132 is a red light emitting diode that emits red light used when white light is emitted.
  • the transparent sealing resin layer 134 is filled in a region surrounded by the dam ring 105 on the substrate 101, and the blue chip 131 and the red chip 132 disposed in the region.
  • the green chip 133 is embedded.
  • a light emitting diode having the same peak wavelength as that of the first LED chip 102 of 460 nm to 500 nm is used.
  • red chip 132 a light emitting diode having a peak wavelength of 580 nm to 680 nm is used.
  • a light emitting diode having a peak wavelength of 500 nm to 580 nm is used.
  • the blue light emitting diode having a peak wavelength of 415 nm to 460 nm that adversely affects the retina of the human eye is not used. There is no wavelength component with a high degree of damage.
  • the light source device can be easily manufactured.
  • the blue light emitting diode (470 nm chip) having a peak wavelength in the range of 460 nm to 500 nm is considered in consideration of increasing the white light emission efficiency.
  • An example of a light source device to which a blue light emitting diode (450 nm chip) having a peak wavelength in the range of 415 nm to 460 nm is added will be described.
  • a 470 nm chip and a 450 nm chip are used, and both of them have an integral emission intensity of 460 nm to 500 nm rather than an integrated emission intensity of 415 to 460 nm in the emission spectrum of white light emitted from the light source device.
  • a 470 nm chip and a 450 nm chip are used so as to increase the emission intensity. In this way, it is possible to minimize the adverse effects of the 450 nm chip on the human eye.
  • the integrated emission intensity of 460 nm to 500 nm is larger than the integrated emission intensity of 415 to 460 nm in the emission spectrum of white light emitted from the light source device.
  • a blue LED chip having emission wavelengths at 450 nm and 470 nm is shown, but the wavelength of the chip is not limited to this.
  • Lu 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ is shown as a green phosphor and Sr x Ca 1-x AlSiN 3 : Eu 2+ is shown as a red phosphor, but the phosphor is also limited to these. It is not something.
  • FIG. 3A is a plan view showing a configuration example of the light source device 30 according to the present embodiment
  • FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the CC line in FIG.
  • the light source device 30 includes a substrate 101, a first LED chip 102 (first light emitting diode), a second LED chip 103 (second light emitting diode), a phosphor-containing resin layer 104, a dam ring. 105 (resinous frame).
  • the substrate 101 is a substrate made of ceramic.
  • the substrate 101 has a rectangular shape in plan view.
  • the first LED chip 102 first light emitting diode
  • the second LED chip 103 second light emitting diode
  • the phosphor-containing resin layer 104 described above.
  • electrode lands 106 and 107 for external connection are formed.
  • the electrode land 106 functions as an anode electrode
  • the electrode land 107 functions as a cathode electrode.
  • the electrode lands 106 and 107 are arranged on the upper surface of the substrate 101 outside the region surrounded by the dam ring 105 and in the vicinity of two corners on the upper surface. The surfaces of the electrode lands 106 and 107 are exposed and can be connected to external terminals.
  • the first LED chip 102 and the second LED chip 103 are each made of a blue light emitting diode, and are electrically connected to a wiring (not shown), and the wiring is connected to the electrode lands 106 and 107. Thereby, the electrode lands 106 and 107 are connected via the first LED chip 102 and the second LED chip 103 so that the first LED chip 102 and the second LED chip 103 can emit light. Details of the first LED chip 102 and the second LED chip 103 will be described later.
  • the phosphor-containing resin layer 104 includes a green phosphor 104a (Lu 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ ) and a red phosphor 104b (Sr x Ca 1-x AlSiN 3 : Eu. 2+ ) is a sealing resin layer made of a resin.
  • the phosphor-containing resin layer 104 is formed so as to fill a region surrounded by the dam ring 105 and bury the first LED chip 102 and the second LED chip 103 disposed in the region. That is, the phosphor-containing resin layer 104 collectively seals the first LED chip 102 and the second LED chip 103.
  • the green phosphor 104a and the red phosphor 104b are not limited to the above-described phosphors, and may be the following phosphors, which are optimum conditions in view of the excitation characteristics of the phosphors. Thus, it is preferable to select a combination of an LED chip and a phosphor used in the light source device. In addition, one of the green phosphor and the red phosphor may not be used, or a plurality of each phosphor may be used simultaneously.
  • Green phosphor 104a (1) A divalent europium-activated oxynitride phosphor that is ⁇ -type SiAlON substantially represented by Eu a Si b Al c O d N e . (2) Expressed as MI 3-x Ce x MII 5 O 12 , MI is at least one element selected from Lu, Y, La and Gd, and MII is selected from Al and Ga A garnet-type trivalent cerium-activated oxide phosphor that is at least one element. (3) A divalent europium activated silicate phosphor represented by MIII 2-x Eu x SiO 4 , wherein MIII is at least one element selected from Mg, Ca, Sr, and Ba.
  • MIII 3-x Ce x MIV 2 Si 3 O 12 is substantially represented, MIII is at least one element selected from Mg, Ca, Sr, and Ba, and MIV is Trivalent cerium activated silicate which is at least one element selected from Li, Na, K, Cs, Rb, Mg, Ca, Ba, Al, Ga, In, Sc, Y, La, Gd, and Lu Phosphor.
  • a trivalent cerium-activated nitride phosphor represented by MI 3-x Ce x Si 6 N 11 and having at least one element selected from Lu, Y, La, and Gd.
  • MIII 1-x Eu x MVSiN 3 is substantially represented, and MIII is at least one element selected from Mg, Ca, Sr, and Ba, and MV is Al, Ga, A divalent europium activated nitride phosphor that is at least one element selected from In, Sc, Y, La, Gd, and Lu.
  • Eu f MVI g Si h Al i O j N k is substantially represented, and MVI is Li, Na, K, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, and Gd.
  • a divalent europium activated oxynitride phosphor which is ⁇ -type SiAlON which is at least one element selected from (4) MVII 2 (MVIII 1-x Mn x ) F 6 , where MVII is at least one alkali metal element selected from Li, Na, K, Rb, and Cs, and MVIII is Ge, Si
  • a tetravalent manganese-activated metal fluoride metal salt phosphor that is at least one element selected from Sn, Ti, and Zr.
  • the dam ring 105 is a member that defines the phosphor-containing resin layer 104. That is, the dam ring 105 functions as a dam (blocking member) for preventing resin leakage when the phosphor-containing resin layer 104 is formed.
  • the first LED chip 102 and the second LED chip 103 are both blue light emitting diodes, but their peak wavelengths are different and the emitted blue light is used differently.
  • the first LED chip 102 is a blue light emitting diode (470 nm chip) having a peak wavelength in the range of 460 nm to 500 nm. And the blue light obtained by light emission of this 1st LED chip 102 is used for formation of white light. That is, the blue light obtained by emitting light from the first LED chip 102 becomes a blue component of white light emitted from the light source device 30.
  • the second LED chip 103 is a blue light emitting diode (450 nm chip) having a peak wavelength in the range of 415 nm to 460 nm. Then, the blue light obtained by emitting light from the second LED chip 103 excites a green phosphor 104a and a red phosphor 104b included in a phosphor-containing resin layer 104, which will be described later, to become green light and red light, respectively. . That is, the blue light obtained by the light emitted from the second LED chip 103 becomes the red component and the green component of the white light emitted from the light source device 10.
  • a part of blue light obtained by the first LED chip 102 emitting light is used as excitation light for exciting the green phosphor 104a and the red phosphor 104b.
  • the lower limit (critical value) of the peak wavelength range of the first LED chip 102 has a damage degree of 80% with respect to the wavelength 440 nm which is the maximum damage degree. If the degree of injury is greater than 80%, there is a high possibility that the retina of the human eye will be adversely affected. Therefore, the lower limit of the peak wavelength range of the first LED chip 102 is preferably 460 nm.
  • 500 nm which is the upper limit of the peak wavelength range of the first LED chip 102 is the upper limit as a blue component of white light.
  • the range of the peak wavelength of the second LED chip 103 is set according to the type of phosphor to be excited.
  • the first LED chips 102 and the second LED chips 103 are alternately arranged in a row.
  • the arrangement positions of the first LED chip 102 and the second LED chip 103 are not particularly limited as long as they are inside the dam ring 105 formed on the substrate 101.
  • the first LED chip 102 and the second LED chip 103 are not particularly limited as described above, but at least the integrated emission intensity of 460 nm to 500 nm is larger than the integrated emission intensity of 415 nm to 460 nm in the emission spectrum of the light source device 30. It is necessary to arrange so that it becomes.
  • the blue component of the emitted white light is realized by the first LED chip 102 having a low degree of injury and a peak wavelength range that is kind to human eyes. Therefore, it is possible to emit white light that is kind to human eyes.
  • the second LED chip 103 having a peak wavelength range in which the excitation efficiency of the phosphor is good is used, a red component and a green component other than the blue component forming white light can be efficiently obtained. Light can be emitted with high efficiency.
  • the first LED chip 102 and the second LED chip 103 are collectively sealed with a phosphor-containing resin obtained by kneading a red phosphor and a green phosphor. That is, the first LED chip 102 and the second LED chip 103 are sealed with the same resin.
  • the first LED chip 102 and the second LED chip 103 may be sealed with different types of resins.
  • Embodiment 4 below shows an example in which the first LED chip 102 and the second LED chip 103 are sealed with different types of resins.
  • the light source device according to the present embodiment has the same basic configuration as the light source device 30 of the third embodiment, and is different in that the type of resin for sealing each LED chip is different.
  • FIG. 4 is a plan view showing a state before resin sealing in the light source device according to the present embodiment.
  • the first LED chip 102, the second LED chip 103, the electrode land 106, and the electrode land 107 are provided on the substrate 101 before resin sealing.
  • a donut-shaped dam ring forming position 101a for forming the dam ring 105 and a first sealing resin forming position 101b around the first LED chip 102 are set.
  • a second sealing resin forming position 101c is set around the second LED chip 103 in a region other than the region where the first sealing resin forming position 101b is set.
  • the first LED chip 102 as shown in the light source device 40 shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b) and the light source device 50 shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b).
  • the second LED chip 103 is sealed with a different type of resin.
  • the first sealing resin layer 111 is formed using a transparent high thixotropic resin as the resin for sealing the first LED chip 102, and the second LED chip 103.
  • the second sealing resin device 112 is formed by using a resin in which a red phosphor and a green phosphor are kneaded as a resin for sealing.
  • the first sealing resin layer 111 made of a highly thixotropic resin is formed so as to cover the first LED chip, and then the second sealing resin layer 112 is attached to the second LED chip 103. Form to cover.
  • the upper portion of the first LED chip 102 is covered with the transparent first sealing resin layer 111, and the green phosphor 112 a and the red portion are directly above the second LED chip 103.
  • the second sealing resin layer 112 including the phosphor 112b is covered.
  • the resin that does not include the phosphor is used as the resin that seals the first LED chip 102.
  • the resin is not limited to this, and the phosphor that seals the first LED chip 102 is not limited thereto. You may use resin containing.
  • the first sealing resin layer 121 is formed using a highly thixotropic resin kneaded with a red phosphor as a resin for sealing the first LED chip 102.
  • the second sealing resin device 122 is formed using a resin in which a green phosphor is kneaded as a resin for sealing the second LED chip 103.
  • the top of the first LED chip 102 is covered with a first sealing resin layer 121 including a red phosphor 121a, and the green phosphor 122a is directly over the second LED chip 103. It is covered with a second sealing resin layer 122 containing
  • the red phosphor 112b, 121a are all Sr x Ca 1-x AlSiN 3 : is Eu 2+, green phosphor 112a, 122a are, Lu 3 Al 5 O 12: the Ce 3+
  • the phosphor materials are not particularly limited, and the phosphor materials are determined so that the excitation efficiency is higher depending on the peak wavelength ranges of the first LED chip 102 and the second LED chip 103. That's fine.
  • the green phosphor Lu 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ has lower excitation efficiency at 470 nm than 450 nm
  • the red phosphor Sr x Ca 1-x AlSiN 3 : Eu 2+ has excitation efficiency at 450 nm or 470 nm.
  • the phosphor and resin for sealing the first LED chip 102 and the phosphor and resin for sealing the second LED chip 103 are determined. In other words, whether the green phosphor and the red phosphor are sealed with 111, 112, or 121, 122 is determined by the wavelength of the LED chip used in the light source device and the excitation characteristics of the phosphor.
  • the green phosphor is MI.
  • sealing is preferably performed as shown in this example.
  • the green phosphors 112a and 122a and the red phosphors 112b and 121a are not limited to the above-described phosphors, and may be the following phosphors in view of excitation characteristics of the phosphors. It is preferable to select a combination of an LED chip and a phosphor used in the light source device so as to obtain the optimum conditions. In addition, one of the green phosphor and the red phosphor may not be used, or a plurality of each phosphor may be used simultaneously.
  • Green phosphor 112a, 122a A divalent europium-activated oxynitride phosphor that is ⁇ -type SiAlON substantially represented by Eu a Si b Al c O d N e .
  • MI 3-x Ce x MII 5 O 12 MI is at least one element selected from Lu, Y, La and Gd, and MII is selected from Al and Ga
  • MIII 2-x Eu x SiO 4 A divalent europium activated silicate phosphor represented by MIII 2-x Eu x SiO 4 , wherein MIII is at least one element selected from Mg, Ca, Sr, and Ba.
  • MIII 3-x Ce x MIV 2 Si 3 O 12 is substantially represented, MIII is at least one element selected from Mg, Ca, Sr, and Ba, and MIV is Trivalent cerium activated silicate which is at least one element selected from Li, Na, K, Cs, Rb, Mg, Ca, Ba, Al, Ga, In, Sc, Y, La, Gd, and Lu Phosphor.
  • a trivalent cerium-activated nitride phosphor represented by MI 3-x Ce x Si 6 N 11 and having at least one element selected from Lu, Y, La, and Gd.
  • MIII 1-x Eu x MVSiN 3 is substantially represented, and MIII is at least one element selected from Mg, Ca, Sr, and Ba, and MV is Al, Ga, A divalent europium activated nitride phosphor that is at least one element selected from In, Sc, Y, La, Gd, and Lu.
  • Eu f MVI g Si h Al i O j N k is substantially represented, and MVI is Li, Na, K, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, and Gd.
  • a divalent europium activated oxynitride phosphor which is ⁇ -type SiAlON which is at least one element selected from (4) MVII 2 (MVIII 1-x Mn x ) F 6 , where MVII is at least one alkali metal element selected from Li, Na, K, Rb, and Cs, and MVIII is Ge, Si
  • a tetravalent manganese-activated metal fluoride metal salt phosphor that is at least one element selected from Sn, Ti, and Zr.
  • the light source devices 40 and 50 according to the present embodiment each include the first LED chip 102 (with a peak wavelength range of 460 nm to 500 nm), as in the first to third embodiments, the white light is gentle to human eyes. Can emit light.
  • the resin for sealing the first LED chip 102 since a high thixotropic resin is used as the resin for sealing the first LED chip 102, the following effects can be obtained. In other words, if one LED chip (either the first LED chip 102 or the second LED chip 103) is sealed with a high thixotropic resin, the other LED chip is sealed by drawing using an air dispenser or the like. It is possible to stop. As described above, after sealing and pre-curing only a specific portion with the high thixotropic resin (the high thixotropic resin functions as a new dam ring at the time of sealing the second LED chip 103), the thixo kneaded with the phosphor The inside of the ring of the dam ring may be sealed with a resin having low properties.
  • the high thixotropic resin is used only for the resin that seals the first LED chip 102.
  • the present invention is not limited to this, and the high thixotropic resin is used for the resin that seals the second LED chip 103. May be used.
  • a high thixotropic resin is used only for the resin that seals the second LED chip 103, and a resin that is less thixotropic than the resin that seals the second LED chip 103 is used as the resin that seals the first LED chip 102. Also good.
  • all LED chips formed on the substrate 101 are driven using one system of inputs, that is, the electrode land 106 that functions as an anode electrode and the electrode land 107 that functions as a cathode electrode.
  • the present invention is not limited to this and may be driven by two systems of inputs. An example of two-system input is shown in the fifth embodiment below.
  • FIG. 7 is a plan view showing a configuration example of the light source device 60 according to the present embodiment.
  • the light source device 60 has substantially the same configuration as the light source device 40 shown in FIG. 5A of the third embodiment, and further includes an electrode land 108 that functions as an anode electrode and an electrode land 109 that functions as a cathode electrode. It has been. Thereby, the light source device 50 is configured to realize two systems of input.
  • the configuration of the light source device 60 other than the electrode lands 108 and 109 is the same as that of the light source device 40 shown in FIG. 5A of the second embodiment, detailed description thereof is omitted.
  • the input signal can be adjusted according to the characteristics of the diodes, so that the performance of each diode is maximized. This can improve the life and efficiency.
  • the 415 to 460 nm component is smaller in the case of (2) than in the case of (1) even at the same color temperature. That is, in the case of (2), since there are few 415 to 460 nm components that adversely affect the eyes, it can be said that it is gentler to human eyes.
  • the light source devices 10 and 20 of Embodiments 1 and 2 do not use the second LED chip 103 having a peak wavelength of 415 nm to 460 nm, and are therefore friendly to human eyes.
  • the graph of FIG. 9 shows the emission spectrum of LEDs (450 nm or 470 nm LED chips) having different peak wavelengths in which the resin is kneaded with the same blending ratio at almost the same amount for each color temperature.
  • both devices were produced with a phosphor sealing amount of 3000K or 5000K in white using an LED using a 450 nm LED chip.
  • Sr x Ca 1-x AlSiN 3 : Eu 2+ is used as the red phosphor kneaded in the resin
  • Lu 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ is used as the green phosphor.
  • the four types of devices created in this way are shown as a 470 nm chip (1), a 450 nm chip (1), a 470 nm chip (2), and a 450 nm chip (2) in the graph shown in FIG.
  • the 470 nm chip (1) is obtained by encapsulating a 470 nm chip with a phosphor sealing amount of 5000 K white in an LED using a 450 nm LED chip.
  • the 450 nm chip (1) is obtained by encapsulating a 450 nm chip with a phosphor encapsulating amount of 5000 K white in an LED using a 450 nm LED chip.
  • the 470 nm chip (2) is obtained by encapsulating a 470 nm chip with an LED using a 450 nm LED chip with a phosphor sealing amount of 3000 K white.
  • the 450 nm chip (2) is obtained by sealing a 450 nm chip with a phosphor sealing amount of 3000 K white in an LED using a 450 nm LED chip.
  • the green component 500 to 580 nm, especially around 530 to 560 nm
  • the excitation efficiency of Lu 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ is poor. Therefore, in Embodiments 3 to 5 described above, in order to compensate for the excitation efficiency of Lu 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ , the excitation efficiency of Lu 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ is 460 nm to 500 nm, which is the peak wavelength where the excitation efficiency is poor.
  • the combinations are not limited to those shown here.
  • One of the green phosphor and the red phosphor may not be used, or a plurality of each phosphor may be used simultaneously.
  • the manufacturing process of the light source device is roughly divided into three steps, that is, a light emitting element mounting step, a second light reflecting resin layer (dam ring) forming step, and a sealing resin forming step.
  • Light emitting elements (first LED chip 102, second LED chip 103, blue chip 131, green chip 133, red chip 132, etc.) are mounted on a substrate (substrate 101). Specifically, first, the light emitting element is die-bonded using an adhesive resin such as a silicone resin. In this description, 20 light emitting elements are arranged in a region surrounded by conductor wiring.
  • the light emitting element is an LED chip having a rectangular outer shape when viewed from above, and has a thickness of 100 to 180 ⁇ m, for example.
  • two tip electrodes (electrode lands 106 and 107) for anode and cathode are provided so as to face each other in the longitudinal direction.
  • the light emitting elements are arranged substantially in a row, and four light emitting elements are arranged in five rows per row.
  • wire bonding is performed using a wire.
  • wire bonding is performed between the conductor wiring and the chip electrode for the light emitting element disposed adjacent to the conductor wiring.
  • Adjacent light emitting elements that do not sandwich the conductor wiring directly connect both chip electrodes by wire bonding. Thereby, between the anode electrode and the cathode electrode, five series circuit portions in which four light emitting elements are connected in series are connected in parallel.
  • ⁇ Second light reflecting resin layer forming step Dam ring forming step>
  • a light reflecting resin frame is formed so as to cover the conductor wiring. Specifically, for example, using a resin discharge device, a liquid alumina filler-containing silicone resin is drawn at a predetermined position while being discharged from a nozzle having a round opening. And the light reflection resin frame (dam ring 105) is formed by performing a heat curing process on the conditions of curing temperature: 120 degreeC and curing time: 1 hour.
  • the curing temperature and the curing time are examples, and are not limited thereto.
  • the light reflecting resin frame has a width of 0.9 mm, for example.
  • the height of the uppermost portion of the light reflecting resin frame is set to be higher than the height of the upper surface of the light emitting elements and higher than the wire (wire loop) connecting the light emitting elements.
  • the sealing resin can be formed so as not to expose the light emitting element and the wire, and these can be protected.
  • At least a part of the wire connected to the conductor wiring is covered with the light reflecting resin frame. Therefore, it is possible to reduce wire peeling and to prevent wire peeling.
  • a nozzle having a round opening is used for the resin discharge device.
  • the present invention is not limited to this.
  • a nozzle having an opening that matches the drawing shape of the light reflecting resin frame here, an annular shape
  • the resin is discharged from the opening at a time, so that an annular light-reflecting resin frame without a joint can be produced in a short time. That is, it is possible to form a light-reflecting resin frame capable of suppressing the swelling of the joint portion and reducing the leakage of the sealing resin.
  • a sealing resin (phosphor-containing resin or translucent resin not containing a phosphor) is formed on the substrate. Specifically, a phosphor-containing resin obtained by dispersing a phosphor in a liquid translucent resin is injected so as to fill the region surrounded by the light reflecting resin frame. After injecting the phosphor-containing resin, it is cured at a predetermined temperature and time. Thereby, the light emitting element and the wire are covered and protected by the sealing resin.
  • a translucent resin that does not contain a phosphor is also formed in the same process as the phosphor-containing resin, and only the presence or absence of the phosphor in the resin is different.
  • the light source devices 10 to 60 of the first to fifth embodiments are manufactured by the above-described steps. However, since each light source device has a slightly different configuration, differences in the manufacturing process will be described below.
  • the first LED chips 102 are mounted in a row on the substrate 101 as shown in FIG.
  • the first LED chip 102 is sealed with a phosphor-containing resin.
  • the first LED chip 102 and the second LED chip 103 are mounted on the substrate 101 in a row as shown in FIG.
  • the first LED chip 102 and the second LED chip 103 are sealed with the same type of phosphor-containing resin.
  • the first LED chip 102 and the second LED chip 103 are mounted on the substrate 101 in a row as shown in FIGS.
  • the first LED chip 102 is sealed with a highly thixotropic resin in which the phosphor is not kneaded in the same drawing as the dam ring 105, and temporarily cured at 100 ° C. for 10 minutes.
  • the second LED chip 103 is sealed with a resin in which a green phosphor and a red phosphor are kneaded (potting each region divided by the second LED chip 103). Thereafter, the sealing resin is cured under the original conditions.
  • the first LED chip 102 and the second LED chip 103 are mounted in a row on the substrate 101, and the first LED chip 102 and the second LED chip 103 are Connect to a different input system.
  • the first LED chip 102 is sealed with a highly thixotropic resin in which the phosphor is not kneaded in the same drawing as the dam ring 105, and temporarily cured at 100 ° C. for 10 minutes.
  • the second LED chip 103 is sealed with a resin in which a green phosphor and a red phosphor are kneaded (potting each region divided by a 470 nm chip). Thereafter, the sealing resin is cured under the original conditions.
  • the temporary curing temperature and the temporary curing time are examples, and are not limited thereto.
  • any of the light source devices 10 to 60 of the first to fifth embodiments can be suitably used as a light source of a light emitting device, for example, a lighting device.
  • the light source device of each embodiment according to the present invention is an LED package having a configuration in which LEDs of different wavelengths are mounted on one substrate, white light is emitted by arranging a plurality of LED packages in terms of color mixing. There is an advantage over the device to do.
  • a light source device (10, 20, 30, 40, 50, 60) according to aspect 1 of the present invention is a light source device that emits white light using a light emitting diode, and has a wavelength of 415 to 460 nm in the emission spectrum of the white light.
  • the integrated light emission intensity of 460 nm to 500 nm is larger than the integrated light emission intensity.
  • the main blue component of the white light is light of 460 nm to 500 nm because the integrated light emission intensity of 460 nm to 500 nm is larger than the integrated light emission intensity of 415 to 460 nm in the light emission spectrum of the light source device. It becomes.
  • the main blue component of the white light emitted by the light source device does not include a component having a wavelength (415 nm to 460 nm) that has a large influence (degree of injury) on the retina of the human eye.
  • the white light emitted from the light becomes white light that is kind to human eyes.
  • the light source device (10, 20, 30, 40, 50, 60) according to aspect 2 of the present invention is the first light emitting diode (first LED chip 102) that emits blue light necessary for forming white light in the above aspect 1. , Blue chip 131), and the peak wavelength of the first light emitting diode is in the range of 460 nm to 500 nm.
  • the blue light injury function (JIS T7330) is about 0.1 because the peak wavelength of the first light emitting diode that emits the blue light necessary for the formation of white light is in the range of 460 nm to 500 nm. It can be as small as 62.
  • the blue component of the white light does not include a component having a wavelength (415 nm to 460 nm) having a large influence (degree of injury) on the retina of the human eye, the white light emitted from the light source device having the above configuration is It becomes white light that is kind to human eyes.
  • the light source device (30, 40, 50, 60) according to Aspect 3 of the present invention is lower than the peak wavelength of the first light-emitting diode in Aspect 2, and has phosphors (green phosphor 112a (122a), red fluorescence).
  • the second light emitting diode (second LED chip 103) for exciting the body 112b (121a)) is further included.
  • the excitation efficiency is obtained when the peak wavelength is in the range of 460 nm to 500 nm.
  • the peak wavelength of the second light emitting diode is in the range of 415 nm to 460 nm. It is a feature.
  • the excitation efficiency of the green phosphor having poor excitation efficiency when the peak wavelength is in the range of 460 nm to 500 nm by the second LED chip. can be improved.
  • the light emission efficiency as the whole light source device can be improved.
  • the first light emitting diode (first LED chip 102) and the second light emitting diode (second LED chip 103) are The second light emitting diode is sealed with a phosphor-containing sealing resin (phosphor sealing resin layer 104) containing a phosphor excited by light emitted.
  • the first light-emitting diode and the second light-emitting diode can be collectively sealed, so that the manufacturing process can be simplified.
  • the first light emitting diode (first LED chip 102) and the second light emitting diode (second LED chip 103) are respectively It is characterized by being sealed with different types of sealing resins (first sealing resin layers 111 and 121, second sealing resin layers 112 and 122).
  • the sealing resin can be changed in accordance with the light emitting diode having high phosphor excitation efficiency, a light source device having higher phosphor excitation efficiency can be realized.
  • the light source device (20) includes a green light emitting diode (green chip 133) that emits green light that is used when white light is emitted and red light that is used when white light is emitted. Further, a red light emitting diode (red chip 132) that emits light is further included.
  • green chip 133 green light emitting diode
  • red chip 132 red light emitting diode
  • the sealing resin since all the colors (blue, red, green) used when emitting white light are performed by the light emitting diodes, the sealing resin does not need to contain a phosphor. This eliminates the need to use a blue light emitting diode having a peak wavelength of 415 nm to 460 nm, which is used to excite the green phosphor, and can emit white light that is friendly to human eyes.
  • the light source device (60) according to aspect 8 of the present invention is the light source device (60) according to any one of aspects 2 to 7, wherein a signal input system to the first light emitting diode (first LED chip 102) is another light emitting diode (first light emitting diode). 2LED chip 103) is different from the signal input system.
  • the input signal can be adjusted according to the characteristics of the diodes, so that the performance of each diode is maximized. This can improve the life and efficiency.
  • a light-emitting device is characterized by including the light source device according to any one of Aspects 1 to 8 as a light source.
  • the present invention can be suitably used as various light sources, particularly illumination light sources and backlight light sources for displays that require light that is gentle on the human eye.

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Abstract

　本発明の発光装置（１０）は、白色光の発光スペクトルのうち４１５ｎｍ～４６０ｎｍの積分発光強度よりも４６０ｎｍ～５００ｎｍの積分発光強度が大である。これにより、人の眼に優しい白色光を発光する発光装置を提供できる。

Description

光源装置および発光装置
　本発明は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode:発光ダイオード）を用いた光源装置および発光装置に関する。
　近年、地球温暖化への環境対策として、一般照明用光源やディスプレイ用バックライト光源のＬＥＤ化が急速に進められている。このような光源には、白色発光を行うように構成されたＬＥＤ照明モジュールが用いられている。ＬＥＤを用いて白色光を生成する方法としては、赤色ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、および緑色ＬＥＤの３種類のＬＥＤを用いて、光の三原色の組合せにより生成する方法や、青色ＬＥＤを黄色蛍光体の光源に用いて、青色光と黄色光との混色により生成する方法などがある。
　例えば特許文献１には、ピーク波長の異なる２種類の青色ＬＥＤを用いて、黄色蛍光体、緑色蛍光体、赤色蛍光体を励起させることで白色発光させる照明光源が開示されている。加えて、特許文献１においては、異なるＬＥＤパッケージを複数の並べて照明装置としている。
　また、特許文献２には、蛍光体を含有した透光性の樹脂に封止された青色発光ＬＥＤ素子と、蛍光体を含まない透光性の樹脂に封止された赤色発光ＬＥＤ素子とを用いて白色発光させる発光装置が開示されている。
日本国公開特開２００８－２５８３５６号公報（２００８年１０月２３日公開） 日本国公開特開２０１１－１９２７０３号公報（２０１１年０９月２９日公開）
　ところで、ＬＥＤを光源した白色光に含まれる青色成分のうち、波長が４１５～４６０ｎｍの光は、人の眼の網膜に対する影響（傷害度）が大きい。例えば、青色発光ダイオードが発光する青色光が、人の眼の網膜に悪影響を及ぼしていることの指標として用いられる青色光傷害関数（ＪＩＳ　Ｔ７３３０）では、波長４４０ｎｍを１（傷害度最大）とした場合、４１５ｎｍで０．８０、４２５ｎｍで０．９５、４５０ｎｍで０．９４、４６０ｎｍで０．８０、４７０ｎｍで０．６２となる。この数値が小さいほど、眼に優しいといえる。
　しかしながら、ＬＥＤを利用した従来の光源、発光装置においては、何れも発光効率を向上させることを目的としたものであり、人の眼の網膜に対する影響について特に考慮していないため、何れも、青色光傷害関数の値が大きい４５０ｎｍ近傍の青色成分が白色光に含まれている。
　本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、青色光傷害関数の値が小さい青色光を用いることで、人の眼に優しい白色光を発光する光源装置および発光装置を提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る光源装置は、発光ダイオードを用いて白色光を発光する光源装置において、上記白色光の発光スペクトルのうち４１５ｎｍ～４６０ｎｍの積分発光強度よりも４６０ｎｍ～５００ｎｍの積分発光強度が大であることを特徴とする。
　本発明の一態様によれば、白色光の主たる青色成分が、４６０ｎｍ～５００ｎｍの光であることで、人の眼に優しい白色光を発光する光源装置を提供することができるという顕著な効果を奏する。
（ａ）は、本発明の実施形態１に係る光源装置の発光面の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すＡＡ線矢視断面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態２に係る光源装置の発光面の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すＢＢ線矢視断面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態３に係る光源装置の発光面の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すＣＣ線矢視断面図である。 本発明の実施形態４に係る光源装置の発光面における基板上の封止樹脂の形成位置を示す平面図である。 図４に示した基板上に封止樹脂が形成された光源装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤＤ線矢視断面図である。 図４に示した基板上に封止樹脂が形成された他の光源装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥＥ線矢視断面図である。 本発明の実施形態５に係る光源装置の発光面の構成例を示す平面図である。 図７に示す光源装置と、従来の光源装置とにおける波長と規格化強度との関係を示すグラフである。 チップの波長の違いによる、波長と規格化強度との関係を示したグラフである。
　〔実施形態１〕
　本発明の一実施の形態について説明すれば、以下の通りである。
　（光源装置の基本構成）
　図１の（ａ）は、本実施形態に係る光源装置１０の一構成例を示す平面図であり、図１の（ｂ）は、図１の（ａ）のＡＡ線矢視断面である。
　図１の（ａ）に示すように、光源装置１０は、基板１０１、第１ＬＥＤチップ１０２（第１発光ダイオード）、蛍光体含有樹脂層（蛍光体含有封止樹脂）１０４、ダムリング１０５（樹脂性枠）を備えている。
　基板１０１は、セラミックからなる基板である。基板１０１は、平面視長方形の形状を有している。基板１０１の一方の面（以下、上面と定義する。）には、上述した、第１ＬＥＤチップ１０２（第１発光ダイオード）、蛍光体含有樹脂層１０４、ダムリング１０５（樹脂性枠）が設けられている他、外部接続用の電極ランド１０６、１０７が形成されている。
　電極ランド１０６は、アノード電極として機能し、電極ランド１０７はカソード電極として機能する。電極ランド１０６，１０７は、基板１０１の上面の、ダムリング１０５で囲まれた領域の外側であって上面における２隅付近にそれぞれ配置されている。電極ランド１０６，１０７の表面は露出しており、外部端子と接続可能となっている。
　第１ＬＥＤチップ１０２は、それぞれ青色発光ダイオードからなり、図示しない配線に電気的に接続され、当該配線は電極ランド１０６，１０７に接続されている。これにより、電極ランド１０６，１０７は、第１ＬＥＤチップ１０２を介して、当該第１ＬＥＤチップ１０２が発光可能に、接続されている。第１ＬＥＤチップ１０２の詳細については後述する。
　蛍光体含有樹脂層１０４は、図１の（ｂ）に示すように、緑色蛍光体１０４ａ（２価のユーロピウム賦活のβ型ＳｉＡｌＯＮ）および赤色蛍光体１０４ｂ（ＳｒｘＣａ１－ｘＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋）を含有する樹脂からなる封止樹脂層である。蛍光体含有樹脂層１０４は、ダムリング１０５により囲まれた領域に充填されて、当該領域に配置された第１ＬＥＤチップ１０２を埋め込むように形成されている。つまり、蛍光体含有樹脂層１０４は、第１ＬＥＤチップ１０２を一括封止している。
　ところで，緑色蛍光体１０４ａ、赤色蛍光体１０４ｂとしては、上述した蛍光体に限定されるものではなく、以下に示す蛍光体であってもよく、蛍光体の励起特性を鑑みて最適な条件となるように光源装置に用いるＬＥＤチップと蛍光体との組み合わせを選択するのが好ましい。加えて、緑色蛍光体もしくは赤色蛍光体のうち片方を利用しなくてもよいし、あるいは、それぞれの蛍光体を複数同時に利用してもよい。
　（緑色蛍光体１０４ａ）
（１）ＥｕａＳｉｂＡｌｃＯｄＮｅで実質的に表されるβ型ＳｉＡｌＯＮである２価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体。
（２）ＭＩ３―ｘＣｅｘＭII５Ｏ１２で表され、ＭＩはＬｕ、Ｙ、Ｌａ、およびＧｄの中から選択される少なくとも１種の元素、ＭIIはＡｌ、Ｇａの中から選択される少なくとも１種の元素であるガーネット型の３価のセリウム賦活酸化物蛍光体。
（３）ＭIII２―ｘＥｕｘＳｉＯ４で表され、ＭIIIはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素である２価のユーロピウム賦活珪酸塩蛍光体。
（４）ＭIII３－ｘＣｅｘＭIＶ２Ｓｉ３Ｏ１２で実質的に表され、ＭIIIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａの中から選択される少なくとも１種の元素であり、ＭIＶは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、およびＬｕから選択される少なくとも１種の元素である３価のセリウム賦活珪酸塩蛍光体。（５）ＭＩ３－ｘＣｅｘＳｉ６Ｎ１１で表され、Ｌｕ、Ｙ、Ｌａ、およびＧｄの中から選択される少なくとも１種の元素ある３価のセリウム賦活窒化物蛍光体。
　（赤色蛍光体１０４ｂ）
（１）ＭIII１－ｘＥｕｘＭＶＳｉＮ３で表され、ＭIIIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａの中から選択される少なくとも１種の元素であり、ＭＶは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕから選択される少なくとも１種の元素である２価のユーロピウム賦活窒化物蛍光体。
（２）ＭIII２－ｘＥｕｘＳｉ５Ｎ８で表され、ＭIIIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａの中から選択される少なくとも１種の元素である２価のユーロピウム賦活窒化物蛍光体。
（３）ＥｕｆＭＶIｇＳｉｈＡｌｉＯｊＮｋで実質的に表され、ＭＶIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、およびＧｄから選択される少なくとも１種の元素であるα型ＳｉＡｌＯＮである２価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体。
（４）ＭＶII２（ＭＶIII１－ｘＭｎｘ）Ｆ６で表され、ＭＶIIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、およびＣｓから選ばれる少なくとも１種の元素、ＭＶIIIはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、およびＺｒから選ばれる少なくとも１種の元素である４価のマンガン賦活フッ化金属塩蛍光体。
　ダムリング１０５は、上述した蛍光体含有樹脂層１０４を規定する部材である。すなわち、ダムリング１０５は、蛍光体含有樹脂層１０４の形成時の樹脂漏れを防ぐためのダム（塞き止め部材）として機能する。
　（ＬＥＤチップの構成）
　第１ＬＥＤチップ１０２は、ピーク波長が４６０ｎｍ～５００ｎｍの範囲の青色発光ダイオード（４７０ｎｍチップ）である。本実施形態では、ピーク波長が４１５ｎｍ～４６０ｎｍの範囲の青色発光ダイオード（４５０ｎｍチップ）は使用しない。
　すなわち、第１ＬＥＤチップ１０２は、ピーク波長が４６０ｎｍ～５００ｎｍの範囲である。そして、この第１ＬＥＤチップ１０２が発光して得られる青色光は、白色光の形成に用いられる。つまり、第１ＬＥＤチップ１０２が発光して得られる青色光は、光源装置１０から出射される白色光の青色成分となる。
　一方、第１ＬＥＤチップ１０２が発光して得られる青色光は、上述した蛍光体含有樹脂層１０４に含まれる緑色蛍光体１０４ａ、赤色蛍光体１０４ｂをそれぞれ励起させて、緑色光、赤色光となる。つまり、第１ＬＥＤチップ１０２が発光して得られる青色光は、蛍光体の励起および発光によって、光源装置１０から出射される白色光の赤色成分、緑色成分にもなる。
　ここで、第１ＬＥＤチップ１０２のピーク波長の範囲の下限値（臨界値）である４６０ｎｍは、傷害度最大である波長４４０ｎｍに対して、傷害度が８０％である。この傷害度が８０％よりも大きければ、人の眼の網膜に悪影響を及ぼす可能性が高いため、第１ＬＥＤチップ１０２のピーク波長の範囲の下限値を４６０ｎｍとするのが好ましい。
　一方、第１ＬＥＤチップ１０２のピーク波長の範囲の上限値である５００ｎｍは、白色光の青色成分としての上限である。
　（ＬＥＤチップの配置）
　第１ＬＥＤチップ１０２は、図１の（ａ）に示すように、ダムリング１０５内で、等間隔で配置されている。これにより、各第１ＬＥＤチップ１０２の発光による色の混ざり具合が均一化されやすくなり、輝度ムラを低減することが可能となる。ただし、第１ＬＥＤチップ１０２の配置は、図１の（ａ）のような配置に限定されるものではない。
　（実施形態１の効果）
　以上のように、本実施形態に係る光源装置１０によれば、人の眼に対して傷害度の高い、ピーク波長が４１５ｎｍ～４６０ｎｍの範囲の青色発光ダイオードを使用せず、発光される白色光の青色成分が、傷害度の低い、人の眼に優しいピーク波長の範囲（４６０ｎｍ～５００ｎｍ）を有する第１ＬＥＤチップ１０２によって実現されるので、人の眼に優しい白色光を発光することができる。
　下記の実施形態２では、各色成分を、蛍光体の励起によらず、各色（３色）のＬＥＤチップの発光により得る例について説明する。
　〔実施形態２〕
　本発明の他の実施の形態について説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態では、前記実施形態１と機能が同じ部材には、同一番号を付記し、その詳細な説明は省略する。
　（光源装置の基本構成）
　図２の（ａ）は、本実施形態に係る光源装置２０の一構成例を示す平面図であり、図２の（ｂ）は、図２の（ａ）のＢＢ線矢視断面である。
　図２の（ａ）に示すように、光源装置２０は、基板１０１上に、ダムリング１０５、電極ランド１０６、電極ランド１０７が形成され、前記実施形態１の第１ＬＥＤチップ１０２と第２ＬＥＤチップ１０３の代わりに、青色チップ１３１、赤色チップ（赤色発光ダイオード）１３２、緑色チップ（緑色発光ダイオード）１３３を備え、前記実施形態１の蛍光体含有樹脂層１０４の代わりに、透光性封止樹脂層１３４が形成されている。すなわち、緑色チップ１３３は、白色光の発光時に用いられる緑色光を出射する緑色発光ダイオードであり、赤色チップ１３２は、白色光の発光時に用いられる赤色光を出射する赤色発光ダイオードである。
　透過性封止樹脂層１３４は、図２の（ｂ）に示すように、基板１０１上のダムリング１０５により囲まれた領域に充填されて、当該領域に配置された青色チップ１３１、赤色チップ１３２、緑色チップ１３３を埋め込むように形成されている。
　上記青色チップ１３１として、第１ＬＥＤチップ１０２と同じピーク波長が４６０ｎｍ～５００ｎｍの発光ダイオードを用いる。
　上記赤色チップ１３２として、ピーク波長が５８０ｎｍ～６８０ｎｍの発光ダイオードを用いる。
　上記緑色チップ１３３として、ピーク波長が５００ｎｍ～５８０ｎｍの発光ダイオードを用いる。
　（実施形態２の効果）
　以上のように、本実施形態では、前記実施形態１と同様に、人の眼の網膜に悪影響を及ぼすピーク波長４１５ｎｍ～４６０ｎｍの青色発光ダイオードが用いられていないため、発光する白色光には、傷害度の高い波長成分が存在しないことになる。
　しかも、蛍光体を使用する必要がないため、蛍光体を樹脂に混錬させるという手間がなくなり、光源装置の製造を容易にするという効果を奏する。
　前記実施形態１，２は、いずれも、人の眼の網膜に悪影響を及ぼすピーク波長４１５ｎｍ～４６０ｎｍの青色発光ダイオードが用いられていない例について説明したが、下記の実施形態３～５では、簡単な構成で、人の眼の網膜への悪影響を小さくすることに加えて、白色光の発光効率を高めることを考慮して、ピーク波長が４６０ｎｍ～５００ｎｍの範囲の青色発光ダイオード（４７０ｎｍチップ）に、ピーク波長４１５ｎｍ～４６０ｎｍの範囲の青色発光ダイオード（４５０ｎｍチップ）を加えた光源装置の例について説明する。
　ただし、下記実施形態３～５では、４７０ｎｍチップと４５０ｎｍチップを用いているが、いずれも、光源装置が発光する白色光の発光スペクトルのうち４１５～４６０ｎｍの積分発光強度よりも４６０ｎｍ～５００ｎｍの積分発光強度が大となるように、４７０ｎｍチップと、４５０ｎｍチップとを用いる。このようにすれば、４５０ｎｍチップによる人の眼に対する悪影響を最小限にすることが可能となる。当然、４５０ｎｍチップを用いない、実施形態１，２においても、光源装置が発光する白色光の発光スペクトルのうち４１５～４６０ｎｍの積分発光強度よりも４６０ｎｍ～５００ｎｍの積分発光強度が大である。また、実施例として、４５０ｎｍおよび４７０ｎｍに発光波長をもつ青色ＬＥＤチップを示しているが、チップの波長についてこれに限定されるものではない。加えて、実施例として、緑色蛍光体としてＬｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋を、赤色蛍光体としてＳｒｘＣａ１－ｘＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋を示しているが、蛍光体もこれらに限定されるものではない。
　〔実施形態３〕
　本発明のさらに他の実施の形態について説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態では、前記実施形態１と機能が同じ部材には、同一番号を付記し、その詳細な説明は省略する。
　（光源装置の基本構成）
　図３の（ａ）は、本実施形態に係る光源装置３０の一構成例を示す平面図であり、図３の（ｂ）は、図３の（ａ）のＣＣ線矢視断面である。
　図３の（ａ）に示すように、光源装置３０は、基板１０１、第１ＬＥＤチップ１０２（第１発光ダイオード）、第２ＬＥＤチップ１０３（第２発光ダイオード）、蛍光体含有樹脂層１０４、ダムリング１０５（樹脂性枠）を備えている。
　基板１０１は、セラミックからなる基板である。基板１０１は、平面視長方形の形状を有している。基板１０１の一方の面（以下、上面と定義する。）には、上述した、第１ＬＥＤチップ１０２（第１発光ダイオード）、第２ＬＥＤチップ１０３（第２発光ダイオード）、蛍光体含有樹脂層１０４、ダムリング１０５（樹脂性枠）が設けられている他、外部接続用の電極ランド１０６、１０７が形成されている。
　電極ランド１０６は、アノード電極として機能し、電極ランド１０７はカソード電極として機能する。電極ランド１０６，１０７は、基板１０１の上面の、ダムリング１０５で囲まれた領域の外側であって上面における２隅付近にそれぞれ配置されている。電極ランド１０６，１０７の表面は露出しており、外部端子と接続可能となっている。
　第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３は、それぞれ青色発光ダイオードからなり、図示しない配線に電気的に接続され、当該配線は電極ランド１０６，１０７に接続されている。これにより、電極ランド１０６，１０７は、第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３を介して、当該第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３が発光可能に、接続されている。第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３の詳細については後述する。
　蛍光体含有樹脂層１０４は、図３の（ｂ）に示すように、緑色蛍光体１０４ａ（Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋）及び赤色蛍光体１０４ｂ（ＳｒｘＣａ１－ｘＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋）を含有する樹脂からなる封止樹脂層である。蛍光体含有樹脂層１０４は、ダムリング１０５により囲まれた領域に充填されて、当該領域に配置された第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３を埋め込むように形成されている。つまり、蛍光体含有樹脂層１０４は、第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３を一括封止している。
　ところで，緑色蛍光体１０４ａ、赤色蛍光体１０４ｂとしては、上述した蛍光体に限定されるものではなく、以下に示す蛍光体であってもよく、蛍光体の励起特性を鑑みて最適な条件となるように光源装置に用いるＬＥＤチップと蛍光体との組み合わせを選択するのが好ましい。加えて、緑色蛍光体もしくは赤色蛍光体のうち片方を利用しなくてもよいし、あるいは、それぞれの蛍光体を複数同時に利用してもよい。
　（緑色蛍光体１０４ａ）
（１）ＥｕａＳｉｂＡｌｃＯｄＮｅで実質的に表されるβ型ＳｉＡｌＯＮである２価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体。
（２）ＭＩ３―ｘＣｅｘＭII５Ｏ１２で表され、ＭＩはＬｕ、Ｙ、Ｌａ、およびＧｄの中から選択される少なくとも１種の元素、ＭIIはＡｌ、Ｇａの中から選択される少なくとも１種の元素であるガーネット型の３価のセリウム賦活酸化物蛍光体。
（３）ＭIII２―ｘＥｕｘＳｉＯ４で表され、ＭIIIはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素である２価のユーロピウム賦活珪酸塩蛍光体。
（４）ＭIII３－ｘＣｅｘＭIＶ２Ｓｉ３Ｏ１２で実質的に表され、ＭIIIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａの中から選択される少なくとも１種の元素であり、ＭIＶは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、およびＬｕから選択される少なくとも１種の元素である３価のセリウム賦活珪酸塩蛍光体。
（５）ＭＩ３－ｘＣｅｘＳｉ６Ｎ１１で表され、Ｌｕ、Ｙ、Ｌａ、およびＧｄの中から選択される少なくとも１種の元素ある３価のセリウム賦活窒化物蛍光体。
　（赤色蛍光体１０４ｂ）
（１）ＭIII１－ｘＥｕｘＭＶＳｉＮ３で実質的に表され、ＭIIIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａの中から選択される少なくとも１種の元素であり、ＭＶは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕから選択される少なくとも１種の元素である２価のユーロピウム賦活窒化物蛍光体。
（２）ＭIII２－ｘＥｕｘＳｉ５Ｎ８で実質的に表され、ＭIIIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａの中から選択される少なくとも１種の元素である２価のユーロピウム賦活窒化物蛍光体。
（３）ＥｕｆＭＶIｇＳｉｈＡｌｉＯｊＮｋで実質的に表され、ＭＶIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、およびＧｄから選択される少なくとも１種の元素であるα型ＳｉＡｌＯＮである２価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体。
（４）ＭＶII２（ＭＶIII１－ｘＭｎｘ）Ｆ６で実質的に表され、ＭＶIIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、およびＣｓから選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属元素、ＭＶIIIはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、およびＺｒから選ばれる少なくとも１種の元素である４価のマンガン賦活フッ化金属塩蛍光体。
　ダムリング１０５は、蛍光体含有樹脂層１０４を規定する部材である。すなわち、ダムリング１０５は、蛍光体含有樹脂層１０４の形成時の樹脂漏れを防ぐためのダム（塞き止め部材）として機能する。
　（ＬＥＤチップの構成）
　第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３は、何れも青色発光ダイオードであるが、それぞれのピーク波長は異なり、出射される青色光の用いられ方も異なる。
　すなわち、第１ＬＥＤチップ１０２は、ピーク波長が４６０ｎｍ～５００ｎｍの範囲の青色発光ダイオード（４７０ｎｍチップ）である。そして、この第１ＬＥＤチップ１０２が発光して得られる青色光は、白色光の形成に用いられる。つまり、第１ＬＥＤチップ１０２が発光して得られる青色光は、光源装置３０から出射される白色光の青色成分となる。
　一方、第２ＬＥＤチップ１０３は、ピーク波長が４１５ｎｍ～４６０ｎｍの範囲の青色発光ダイオード（４５０ｎｍチップ）である。そして、この第２ＬＥＤチップ１０３が発光して得られる青色光は、後述する蛍光体含有樹脂層１０４に含まれる緑色蛍光体１０４ａ、赤色蛍光体１０４ｂをそれぞれ励起させて、緑色光、赤色光となる。つまり、第２ＬＥＤチップ１０３が発光して得られる青色光は、光源装置１０から出射される白色光の赤色成分、緑色成分となる。
　なお、上記第１ＬＥＤチップ１０２が発光して得られる一部の青色光は、上記緑色蛍光体１０４ａや赤色蛍光体１０４ｂを励起させる励起光として用いられる。
　ここで、第１ＬＥＤチップ１０２のピーク波長の範囲の下限値（臨界値）である４６０ｎｍは、傷害度最大である波長４４０ｎｍに対して、傷害度が８０％である。この傷害度が８０％よりも大きければ、人の眼の網膜に悪影響を及ぼす可能性が高いため、第１ＬＥＤチップ１０２のピーク波長の範囲の下限値を４６０ｎｍとするのが好ましい。
　一方、第１ＬＥＤチップ１０２のピーク波長の範囲の上限値である５００ｎｍは、白色光の青色成分としての上限である。
　また、第２ＬＥＤチップ１０３のピーク波長の範囲は、励起させる蛍光体の種類によって設定される。
　（ＬＥＤチップの配置）
　第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３は、図３の（ａ）に示すように、列で交互に配置されている。しかしながら、第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３は、基板１０１上に形成されたダムリング１０５の内側であれば、配置位置について特に限定しない。しかしながら、色の混ざり具合から、第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３は、なるべく交互かつ均等な間隔で配置されることが望ましく、また、第１ＬＥＤチップ１０２および１０３の配置（数および配列）は、図３の（ａ）で示したものに限定されるものではない。
　ただし、上記第１ＬＥＤチップ１０２と第２ＬＥＤチップ１０３は、上述の特に限定しないが、少なくとも、光源装置３０の発光スペクトルのうち４１５ｎｍ～４６０ｎｍの積分発光強度よりも４６０ｎｍ～５００ｎｍの積分発光強度が大となるように配置される必要がある。
　（実施形態３の効果）
　以上のように、本実施形態に係る光源装置３０によれば、発光される白色光の青色成分が、傷害度の低い、人の眼に優しいピーク波長の範囲を有する第１ＬＥＤチップ１０２によって実現されるので、人の眼に優しい白色光を発光することができる。しかも、蛍光体の励起効率がよいピーク波長の範囲を有する第２ＬＥＤチップ１０３が用いられているので、白色光を形成する青色成分以外の赤色成分、緑色成分を効率よく得ることができるため、白色光を高効率で発光させることができる。
　ところで、本実施形態では、第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３は、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を混練した蛍光体含有樹脂で一括して封止されている。つまり、第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３は、同じ樹脂で封止されている。
　なお、第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３は、それぞれ異なる種類の樹脂で封止されていてもよい。以下の実施形態４では、第１ＬＥＤチップ１０２及び第２ＬＥＤチップ１０３を異なる種類の樹脂で封止した例を示している。
　〔実施形態４〕
　本発明のさらに他の実施の形態について説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態に係る光源装置は、前記実施形態３の光源装置３０と基本的な構成は同じで、各ＬＥＤチップを封止する樹脂の種類が異なる点で異なる。
　（樹脂封止前の光源装置の基本構成）
　図４は、本実施形態に係る光源装置における樹脂封止前の状態を示す平面図である。
　図４に示すように、樹脂封止前の基板１０１上には、第１ＬＥＤチップ１０２、第２ＬＥＤチップ１０３、電極ランド１０６、電極ランド１０７が設けられている。この基板１０１上には、ダムリング１０５を形成するためのドーナツ状のダムリング形成位置１０１ａ、第１ＬＥＤチップ１０２の周囲に第１封止樹脂形成位置１０１ｂが設定され、ダムリング形成位置１０１ａ内の第１封止樹脂形成位置１０１ｂが設定された領域以外の領域に、第２ＬＥＤチップ１０３の周囲に第２封止樹脂形成位置１０１ｃが設定されている。
　上記各樹脂形成位置にそれぞれ樹脂を形成した結果、図５の（ａ）（ｂ）に示す光源装置４０、図６の（ａ）（ｂ）に示す光源装置５０のように、第１ＬＥＤチップ１０２と、第２ＬＥＤチップ１０３とが異なる種類の樹脂で封止されている。
　（封止樹脂）
　図５の（ａ）に示す光源装置４０では、第１ＬＥＤチップ１０２を封止する樹脂として、透明な高チクソ性の樹脂を用いて、第１封止樹脂層１１１が形成され、第２ＬＥＤチップ１０３を封止する樹脂として、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を混錬した樹脂を用いて、第２封止樹脂装置１１２が形成されている。
　ここでは、最初に、高いチクソ性の樹脂を材料とする第１封止樹脂層１１１を、第１ＬＥＤチップを覆うように形成し、その後、第２封止樹脂層１１２を、第２ＬＥＤチップ１０３を覆うように形成する。これにより、図５の（ｂ）に示すように、第１ＬＥＤチップ１０２の直上は、透明な第１封止樹脂層１１１で覆われ、第２ＬＥＤチップ１０３の直上には、緑色蛍光体１１２ａ，赤色蛍光体１１２ｂを含んだ第２封止樹脂層１１２で覆われている。
　図５の例では、第１ＬＥＤチップ１０２を封止する樹脂として、蛍光体を含まない樹脂を用いたが、これに限定されるものではなく、第１ＬＥＤチップ１０２を封止する樹脂として、蛍光体を含んだ樹脂を用いてもよい。
　図６の（ａ）に示す光源装置５０では、第１ＬＥＤチップ１０２を封止する樹脂として、赤色蛍光体を混錬した高チクソ性の樹脂を用いて、第１封止樹脂層１２１が形成され、第２ＬＥＤチップ１０３を封止する樹脂として、緑色蛍光体を混錬した樹脂を用いて、第２封止樹脂装置１２２が形成されている。
　図６の（ｂ）に示すように、第１ＬＥＤチップ１０２の直上は、赤色蛍光体１２１ａを含んだ第１封止樹脂層１２１で覆われ、第２ＬＥＤチップ１０３の直上には、緑色蛍光体１２２ａを含んだ第２封止樹脂層１２２で覆われている。
　また、本実施例においては、赤色蛍光体１１２ｂ、１２１ａは、いずれもＳｒｘＣａ１－ｘＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋であり、緑色蛍光体１１２ａ、１２２ａは、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋を用いているが、これら蛍光体の材料は特に限定されるものではなく、第１ＬＥＤチップ１０２や第２ＬＥＤチップ１０３のピーク波長の範囲によって、より励起効率が高くなるように蛍光体の材料を決定すればよい。本実施例では、緑色蛍光体Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋は４５０ｎｍに比べ４７０ｎｍでの励起効率が悪く、赤色蛍光体ＳｒｘＣａ１－ｘＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋は４５０ｎｍでも４７０ｎｍでも励起効率は大きく変わらない点を考慮して、第１ＬＥＤチップ１０２を封止する蛍光体および樹脂と、第２ＬＥＤチップ１０３を封止する蛍光体および樹脂とを決めている。つまり、緑色蛍光体および赤色蛍光体が１１１、１１２、あるいは１２１、１２２の封止樹脂層のいずれに封止封止されるかは、光源装置に用いるＬＥＤチップの波長と蛍光体の励起特性を鑑みて蛍光体材料の選択および蛍光体の封止位置を決定されるのが好ましく、本実施例のようにＬＥＤチップ波長として４５０ｎｍのものおよび４７０ｎｍのものを用いる場合には、緑色蛍光体としてＭＩ３―ｘＣｅｘＭII５Ｏ１２、赤色蛍光体としてＭIII１－ｘＥｕｘＭIＶＳｉＮ３を用いる場合には、本実施例で示したように封止されるのが好ましい。
　ところで，緑色蛍光体１１２ａ、１２２ａ、赤色蛍光体１１２ｂ、１２１ａ、としては、上述した蛍光体に限定されるものではなく、以下に示す蛍光体であってもよく、蛍光体の励起特性を鑑みて最適な条件となるように光源装置に用いるＬＥＤチップと蛍光体との組み合わせを選択するのが好ましい。加えて、緑色蛍光体もしくは赤色蛍光体のうち片方を利用しなくてもよいし、あるいは、それぞれの蛍光体を複数同時に利用してもよい。
　（緑色蛍光体１１２ａ、１２２ａ）
（１）ＥｕａＳｉｂＡｌｃＯｄＮｅで実質的に表されるβ型ＳｉＡｌＯＮである２価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体。
（２）ＭＩ３―ｘＣｅｘＭII５Ｏ１２で表され、ＭＩはＬｕ、Ｙ、Ｌａ、およびＧｄの中から選択される少なくとも１種の元素、ＭIIはＡｌ、Ｇａの中から選択される少なくとも１種の元素であるガーネット型の３価のセリウム賦活酸化物蛍光体。
（３）ＭIII２―ｘＥｕｘＳｉＯ４で表され、ＭIIIはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素である２価のユーロピウム賦活珪酸塩蛍光体。
（４）ＭIII３－ｘＣｅｘＭIＶ２Ｓｉ３Ｏ１２で実質的に表され、ＭIIIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａの中から選択される少なくとも１種の元素であり、ＭIＶは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、およびＬｕから選択される少なくとも１種の元素である３価のセリウム賦活珪酸塩蛍光体。
（５）ＭＩ３－ｘＣｅｘＳｉ６Ｎ１１で表され、Ｌｕ、Ｙ、Ｌａ、およびＧｄの中から選択される少なくとも１種の元素ある３価のセリウム賦活窒化物蛍光体。
　（赤色蛍光体１１２ｂ、１２１ａ）
（１）ＭIII１－ｘＥｕｘＭＶＳｉＮ３で実質的に表され、ＭIIIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａの中から選択される少なくとも１種の元素であり、ＭＶは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕから選択される少なくとも１種の元素である２価のユーロピウム賦活窒化物蛍光体。
（２）ＭIII２－ｘＥｕｘＳｉ５Ｎ８で実質的に表され、ＭIIIは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａの中から選択される少なくとも１種の元素である２価のユーロピウム賦活窒化物蛍光体。
（３）ＥｕｆＭＶIｇＳｉｈＡｌｉＯｊＮｋで実質的に表され、ＭＶIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、およびＧｄから選択される少なくとも１種の元素であるα型ＳｉＡｌＯＮである２価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体。
（４）ＭＶII２（ＭＶIII１－ｘＭｎｘ）Ｆ６で実質的に表され、ＭＶIIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、およびＣｓから選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属元素、ＭＶIIIはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、およびＺｒから選ばれる少なくとも１種の元素である４価のマンガン賦活フッ化金属塩蛍光体。
　（実施形態４の効果）
　本実施形態に係る光源装置４０，５０は、前記実施形態１～３と同様に、いずれも第１ＬＥＤチップ１０２（ピーク波長の範囲が４６０ｎｍ～５００ｎｍ）を備えているため、人の眼に優しい白色光を発光することができる。
　なお、本実施形態では、第１ＬＥＤチップ１０２を封止する樹脂として、高チクソ性樹脂を用いているため、以下のような効果を奏する。つまり、一方のＬＥＤチップ（第１ＬＥＤチップ１０２、第２ＬＥＤチップ１０３のいずれか）を高チクソ性樹脂を用いて封止すれば、エアーディスペンサなどを用いて描画することで、他方のＬＥＤチップを封止することが可能となる。このように、高チクソ性樹脂にて特定箇所のみを封止・仮硬化した後（高チクソ性樹脂が第２ＬＥＤチップ１０３の封止時における新しいダムリングとして機能する）、蛍光体を混練したチクソ性の低い樹脂でダムリングの円環内を封止すればよいことになる。
　なお、本実施形態では、第１ＬＥＤチップ１０２を封止する樹脂のみに高チクソ性樹脂を用いたが、これに限定されるものではなく、第２ＬＥＤチップ１０３を封止する樹脂に高チクソ性樹脂を用いてもよい。あるいは、第２ＬＥＤチップ１０３を封止する樹脂のみに高チクソ性樹脂を用い、第１ＬＥＤチップ１０２を封止する樹脂として、第２ＬＥＤチップ１０３を封止する樹脂よりもチクソ性の低い樹脂を用いてもよい。
　上記の各実施形態では、基板１０１上に形成された全てのＬＥＤチップは１系統の入力、すなわちアノード電極として機能する電極ランド１０６と、カソード電極として機能する電極ランド１０７とを用いて駆動していたが、これに限定されるものではなく、２系統の入力によって駆動してもよい。２系統入力の例を、以下の実施形態５に示す。
　〔実施形態５〕
　本発明のさらに他の実施形態について説明すれば、以下の通りである。
　図７は、本実施形態に係る光源装置６０の一構成例を示す平面図である。
　光源装置６０は、前記実施形態３の図５の（ａ）に示す光源装置４０とほぼ同じ構成であり、アノード電極として機能する電極ランド１０８と、カソード電極として機能する電極ランド１０９とがさらに設けられている。これにより、光源装置５０は、２系統の入力を実現する構成となっている。
　上記光源装置６０の電極ランド１０８，１０９以外の構成は、前記実施形態２の図５の（ａ）に示す光源装置４０の構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。
　（入力系統）
　本実施形態では、二系統入力の一系統（電極ランド１０６，１０７）を第１ＬＥＤチップ１０２に割り当て、もう一系統（電極ランド１０８，１０９）を第２ＬＥＤチップ１０３に割り当てる。このように、信号の入力系統（信号入力系統）を分けることで、チップ特性が異なる場合に柔軟に対応することができる。
　上記構成によれば、第１発光ダイオードと、他の発光ダイオードとの入力系統が異なることで、ダイオードの特性に応じて入力信号を調整することができるため、それぞれのダイオードの性能を最大限引き出すことで寿命や効率を向上させることができる。
　〔効果〕
　上記の各実施形態の光源装置１０～６０による効果の一つである、人の眼に優しい点について、図８のグラフを参照しながら以下に説明する。
　図８のグラフでは、色温度５０００Ｋにおいて、（１）ピーク波長が４５０ｎｍの発光ダイオードのみを使用した場合と、（２）ピーク波長が４５０ｎｍの発光ダイオード（第２ＬＥＤチップ１０３）とピーク波長が４７０ｎｍの発光ダイオード（第１ＬＥＤチップ１０２）とを組み合わせた場合（前記実施形態３～５）とを示している。
　図８のグラフから、同じ色温度であっても、（１）の場合よりも、（２）の場合のほうが、４１５～４６０ｎｍ成分が少ないことがわかる。すなわち、（２）の場合のほうが、眼に悪影響を及ぼす４１５～４６０ｎｍ成分が少ないため、人の眼に優しいといえる。
　このことから、特に、前記実施形態１，２の光源装置１０，２０では、ピーク波長が４１５ｎｍ～４６０ｎｍの第２ＬＥＤチップ１０３を用いないため、人の眼に優しいといえる。
　また、本発明の効果の一つである、高効率発光について、図９のグラフを参照しながら以下に説明する。
　図９のグラフでは、色温度毎に、蛍光体を同じ配合比率で混練した樹脂をほぼ同量で封止したピーク波長が異なるＬＥＤ（４５０ｎｍあるいは４７０ｎｍのＬＥＤチップ）の発光スペクトルを示している。このとき、４５０ｎｍのＬＥＤチップを使用したＬＥＤにて３０００Ｋあるいは５０００Ｋの白色となる蛍光体封止量にて両デバイスを作成した。ここで、樹脂に混練した赤色蛍光体として、ＳｒｘＣａ１－ｘＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、緑色蛍光体として、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋を用いる。このように作成した４種類のデバイスを、図９に示すグラフでは、４７０ｎｍチップ（１）、４５０ｎｍチップ（１）、４７０ｎｍチップ（２）、４５０ｎｍチップ（２）として記している。
　ここで、４７０ｎｍチップ（１）は、４５０ｎｍのＬＥＤチップを使用したＬＥＤにて５０００Ｋの白色となる蛍光体封止量で４７０ｎｍチップを封止したものである。４５０ｎｍチップ（１）は、４５０ｎｍのＬＥＤチップを使用したＬＥＤにて５０００Ｋの白色となる蛍光体封止量で４５０ｎｍチップを封止したものである。４７０ｎｍチップ（２）は、４５０ｎｍのＬＥＤチップを使用したＬＥＤにて３０００Ｋの白色となる蛍光体封止量で４７０ｎｍチップを封止したものである。４５０ｎｍチップ（２）は、４５０ｎｍのＬＥＤチップを使用したＬＥＤにて３０００Ｋの白色となる蛍光体封止量で４５０ｎｍチップを封止したものである。
　図９のグラフから、同じ色温度であれば、４７０ｎｍのＬＥＤチップ（４７０ｎｍチップ（１）（２））では、緑色成分（５００～５８０ｎｍ，特に５３０～５６０ｎｍ付近）が４５０ｎｍＬＥＤチップ（４５０ｎｍチップ（１）（２））よりも少なく、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋の励起効率が悪いことが分かる。したがって、前記の実施形態３～５では、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋の励起効率を補うために、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋の励起効率が悪いピーク波長である４６０ｎｍ～５００ｎｍの第１ＬＥＤチップ１０２に、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋の励起効率が良いピーク波長である４１５ｎｍ～４６０ｎｍの第２ＬＥＤチップ１０３を加えている。このように、光源装置に用いるＬＥＤチップ波長と蛍光体の励起特性とを鑑みて最適な条件となるようにＬＥＤチップ波長および蛍光体の組み合わせを選択するのが好ましく、ＬＥＤチップと蛍光体との組み合わせはここで示したものに限られるのではない。また、緑色蛍光体もしくは赤色蛍光体のうち片方を利用しなくてもよいし、あるいは、それぞれの蛍光体を複数同時に利用してもよい。
　これにより、前記実施形態３～５に係る発明では、人の眼に優しく、かつ、高効率発光が可能な光源装置を実現できる。
　〔光源装置の製造〕
　前記実施形態１～５の光源装置の製造方法について以下に説明する。
　光源装置の製造工程は、大きく分けて、３つの工程、すなわち発光素子搭載工程、第２光反射樹脂層(ダムリング)形成工程、封止樹脂形成工程を含んでいる。
　以下の製造工程の説明では、２０個の発光素子（ＬＥＤチップ）、４直列５並列にて接続した場合について説明する。
　＜発光素子搭載工程＞
　発光素子（第１ＬＥＤチップ１０２、第２ＬＥＤチップ１０３、青色チップ１３１、緑色チップ１３３、赤色チップ１３２等）を基板（基板１０１）に実装する。具体的には、まず、発光素子を、例えばシリコーン樹脂などの接着樹脂を用いてダイボンディングする。本説明では、発光素子は、導電体配線で囲まれる領域に２０個配置される。
　発光素子は、上面視長方形の外形形状を有するＬＥＤチップであり、例えば、厚みが１００～１８０μｍである。発光素子の長方形の上面には、アノード用およびカソード用の２つのチップ電極（電極ランド１０６，１０７）が、長手方向に対向するように設けられている。発光素子は、ほぼ列状に並べられており、１列につき４個の発光素子が５列配置されている。
　続いて、ワイヤを用いて、ワイヤボンディングを行う。このとき、導電体配線に隣接して配置された発光素子には、その導電体配線とチップ電極との間でワイヤボンディングを行う。導電体配線を挟んでいない、隣接する発光素子は、両者のチップ電極間をワイヤボンディングにより直接接続する。これにより、アノード電極とカソード電極との間において、４個の発光素子が直列に接続された直列回路部が、５個並列に接続される。
　＜第２光反射樹脂層形成工程：ダムリング形成工程＞
　光反射樹脂枠を、導電体配線を覆うように形成する。具体的には、例えば樹脂吐出装置を用いて、液状のアルミナフィラー含有シリコーン樹脂を、丸形状の開口部を持つノズルから吐出しながら、所定の位置に描画する。そして、硬化温度：１２０℃、硬化時間：１時間の条件で加熱硬化処理を施すことにより、光反射樹脂枠（ダムリング１０５）を形成する。なお、硬化温度および硬化時間は一例であり、これに限定されない。
　光反射樹脂枠は、例えば、幅が０．９ｍｍである。光反射樹脂枠の最上部の高さは、発光素子の上面の高さよりも高く、かつ、発光素子間を接続するワイヤ（ワイヤーループ）よりも高くなるように設定されている。これにより、発光素子とワイヤとを露出しないように封止樹脂を形成することが可能となり、これらを保護することが可能となる。
　また、導電体配線に接続されたワイヤは、光反射樹脂枠によって、少なくとも一部が覆われる。これにより、ワイヤ剥がれを低減すること、ワイヤ剥がれを防止することが可能となっている。
　樹脂吐出装置には、丸形状の開口部を持つノズルを用いたが、これに限らず、例えば、光反射樹脂枠の描画形状（ここでは、円環状）に合わせた開口部を持つノズルを用いてもよい。このようなノズルを用いる場合においては、開口部から一度に樹脂が吐き出されるので、継ぎ目の無い環状の光反射樹脂枠を短時間で作製することができる。つまりは、継ぎ目部の膨らみが抑えられ、封止樹脂の漏れを低減することが可能な光反射樹脂枠を形成することができる。
　＜封止樹脂形成工程＞
　続いて、封止樹脂（蛍光体含有樹脂または蛍光体を含有しない透光性樹脂）を基板上に形成する。具体的には、液状の透光性樹脂に蛍光体を分散させたものである蛍光体含有樹脂を、光反射樹脂枠により囲まれた領域を満たすよう注入する。蛍光体含有樹脂を注入した後は、所定の温度および時間で硬化させる。これによって、発光素子およびワイヤが封止樹脂によって覆われて保護される。蛍光体を含有しない透光性樹脂の場合も蛍光体含有樹脂と同じ工程にて形成され、樹脂中の蛍光体の有無のみが異なる。
　基本的に上記の工程により、前記実施形態１～５の光源装置１０～６０が製造されるが、各光源装置では構成が少しずつ違うため、以下に、製造工程上の相違点について説明する。
　（１）実施形態１の光源装置１０では、図１に示すように、第１ＬＥＤチップ１０２を基板１０１上に列状に搭載する。上記封止樹脂形成工程では、第１ＬＥＤチップ１０２を蛍光体含有樹脂で封止する。
　（２）実施形態２の光源装置２０では、図２に示すように、第１ＬＥＤチップ１０２と同じ青色チップ１３１、赤色チップ１３２、緑色チップ１３３を搭載する。上記封止樹脂形成工程では、蛍光体を混練していない樹脂にて封止する。
　（３）実施形態３の光源装置３０では、図３に示すように、第１ＬＥＤチップ１０２と第２ＬＥＤチップ１０３を基板１０１上に列状に搭載する。上記封止樹脂形成工程では、第１ＬＥＤチップ１０２と第２ＬＥＤチップ１０３とを同じ種類の蛍光体含有樹脂で封止する。
　（４）実施形態４の光源装置４０，５０では、図５、図６に示すように、第１ＬＥＤチップ１０２と第２ＬＥＤチップ１０３を基板１０１上に列状に搭載する。ここで、上記封止樹脂形成工程では、ダムリング１０５と同様の描画にて蛍光体を混練していない高チクソ性の樹脂で第１ＬＥＤチップ１０２を封止し、１００℃１０分間で仮硬化する。また、第２ＬＥＤチップ１０３は緑色蛍光体および赤色蛍光体を混練した樹脂にて封止する（第２ＬＥＤチップ１０３で分断された領域それぞれにポッティング）。その後、本来の条件にて封止樹脂を硬化させる。
　（５）実施形態５の光源装置６０では、図７に示すように、第１ＬＥＤチップ１０２と第２ＬＥＤチップ１０３を基板１０１上に列状に搭載し、第１ＬＥＤチップ１０２と第２ＬＥＤチップ１０３とで異なる入力系統となるように接続する。上記封止樹脂形成工程では、ダムリング１０５と同様の描画にて蛍光体を混練していない高チクソ性の樹脂で第１ＬＥＤチップ１０２を封止し、１００℃１０分間で仮硬化する。また、第２ＬＥＤチップ１０３は緑色蛍光体および赤色蛍光体を混練した樹脂にて封止する（４７０ｎｍチップで分断された領域それぞれにポッティング）。その後、本来の条件にて封止樹脂を硬化させる。なお、仮硬化温度および仮硬化時間は一例であり、これに限定されない。
　以上のように、前記実施形態１～５の光源装置１０～６０は、いずれも、発光装置、例えば照明装置の光源として好適に用いることができる。
　また、本発明に係る各実施形態の光源装置は、１つの基板に異なる波長のＬＥＤを搭載した構成のＬＥＤパッケージとなっているため、混色の点で、複数のＬＥＤパッケージを並べて白色光を発光する装置に比べて優位性がある。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係る光源装置（１０，２０，３０，４０，５０，６０）は、発光ダイオードを用いて白色光を発光する光源装置において、上記白色光の発光スペクトルのうち４１５～４６０ｎｍの積分発光強度よりも４６０ｎｍ～５００ｎｍの積分発光強度が大であることを特徴としている。
　上記の構成によれば、光源装置の発光スペクトルのうち４１５～４６０ｎｍの積分発光強度よりも４６０ｎｍ～５００ｎｍの積分発光強度が大であることで、白色光の主たる青色成分が、４６０ｎｍ～５００ｎｍの光となる。これにより、光源装置が発光する白色光の主たる青色成分に、人の眼の網膜に対する影響（傷害度）が大きい波長（４１５ｎｍ～４６０ｎｍ）の成分が含まれないことになり、上記構成の光源装置から発光される白色光は、人の眼に優しい白色光となる。
　本発明の態様２に係る光源装置（１０，２０，３０，４０，５０，６０）は、上記態様１において、白色光の形成に必要な青色光を出射する第１発光ダイオード（第１ＬＥＤチップ１０２，青色チップ１３１）を含み、上記第１発光ダイオードのピーク波長は、４６０ｎｍ～５００ｎｍの範囲であることを特徴とする。
　上記の構成によれば、白色光の形成に必要な青色光を出射する第１発光ダイオードのピーク波長が、４６０ｎｍ～５００ｎｍの範囲であることで、青色光傷害関数（ＪＩＳ　Ｔ７３３０）が約０．６２程度と小さくすることができる。これにより、白色光の青色成分に、人の眼の網膜に対する影響（傷害度）が大きい波長（４１５ｎｍ～４６０ｎｍ）の成分が含まれないため、上記構成の光源装置から発光される白色光は、人の眼に優しい白色光となる。
　本発明の態様３に係る光源装置（３０，４０，５０、６０）は、上記態様２において、上記第１発光ダイオードのピーク波長よりも低く、蛍光体（緑色蛍光体１１２ａ（１２２ａ），赤色蛍光体１１２ｂ（１２１ａ））を励起する第２発光ダイオード（第２ＬＥＤチップ１０３）をさらに含んでいることを特徴としている。
　上記構成によれば、第１発光ダイオードのピーク波長よりも短波長で、蛍光体を励起する第２発光ダイオードをさらに含んでいることで、ピーク波長は、４６０ｎｍ～５００ｎｍの範囲の場合に励起効率が悪い蛍光体の励起効率を向上させることができる。
　本発明の態様４に係る光源装置（３０，４０，５０，６０）は、上記態様３において、上記第２発光ダイオード（第２ＬＥＤチップ１０３）のピーク波長は、４１５ｎｍ～４６０ｎｍの範囲であることを特徴としている。
　上記構成によれば、第２発光ダイオードのピーク波長が４１５ｎｍ～４６０ｎｍの範囲であるので、当該第２ＬＥＤチップによって、ピーク波長が４６０ｎｍ～５００ｎｍの範囲の場合に励起効率が悪い緑色蛍光体の励起効率を向上させることができる。これにより、光源装置全体としての発光効率を向上させることができる。
　本発明の態様５に係る光源装置（３０、４０，５０，６０）は、上記態様３または４において、上記第１発光ダイオード（第１ＬＥＤチップ１０２）及び第２発光ダイオード（第２ＬＥＤチップ１０３）は、上記第２発光ダイオードが発光する光により励起する蛍光体を含有した蛍光体含有封止樹脂（蛍光体封止樹脂層１０４）により封止されていることを特徴としている。
　上記構成によれば、第１発光ダイオードと第２発光ダイオードとを一括して封止することができるため、製造工程の簡略化を図ることができる。
　本発明の態様６に係る光源装置（４０，５０，６０）は、上記態様３または４において、上記第１発光ダイオード（第１ＬＥＤチップ１０２）及び第２発光ダイオード（第２ＬＥＤチップ１０３）は、それぞれ異なる種類の封止樹脂（第１封止樹脂層１１１，１２１、第２封止樹脂層１１２、１２２）により封止されていることを特徴としている。
　上記構成によれば、蛍光体の励起効率の高い発光ダイオードに合わせて封止樹脂を変えることができるので、より蛍光体の励起効率の高い光源装置を実現することができる。
　本発明の態様７に係る光源装置（２０）は、上記態様２において、白色光の発光時に用いられる緑色光を出射する緑色発光ダイオード（緑色チップ１３３）と、白色光の発光時に用いられる赤色光を出射する赤色発光ダイオード（赤色チップ１３２）をさらに含んでいることを特徴としている。
　上記構成によれば、白色光の発光時に用いる色（青、赤、緑）をすべて発光ダイオードで行っているため、封止樹脂に蛍光体を含ませなくてもよい。これにより、特に緑色蛍光体を励起させるために用いられるピーク波長が４１５ｎｍ～４６０ｎｍの青色発光ダイオードを使用する必要がなくなるため、人の眼に優しい白色光を発光することができる。
　本発明の態様８に係る光源装置（６０）は、上記態様２～７の何れか１態様において、上記第１発光ダイオード（第１ＬＥＤチップ１０２）に対する信号の入力系統は、他の発光ダイオード（第２ＬＥＤチップ１０３）に対する信号入力系統と異なることを特徴としている。
　上記構成によれば、第１発光ダイオードと、他の発光ダイオードとの入力系統が異なることで、ダイオードの特性に応じて入力信号を調整することができるため、それぞれのダイオードの性能を最大限引き出すことで寿命や効率を向上させることができる。
　本発明の態様９に係る発光装置は、上記態様１～８の何れか１態様に記載の光源装置を光源として備えていることを特徴としている。
　上記構成によれば、人の眼に優しい白色光を発光する発光装置を実現することができる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　本発明は、各種光源、特に、人の眼に優しい光が必要とされる、照明光源およびディスプレイ用のバックライト光源として好適に利用することができる。
１０～６０　光源装置
１０１　基板
１０２　第１ＬＥＤチップ（第１発光ダイオード）
１０３　第２ＬＥＤチップ（第２発光ダイオード）
１０４　蛍光体含有樹脂層
１０５　ダムリング
１０６～１０９　電極ランド
１１１，１２１　第１封止樹脂層
１１２，１２２　第２封止樹脂層
１１２ａ、１２２ａ　緑色蛍光体
１１２ｂ、１２１ａ　赤色蛍光体
１３１　青色チップ（第１発光ダイオード）
１３２　赤色チップ（赤色発光ダイオード）
１３３　緑色チップ（緑色発光ダイオード）
１３４　透光性封止樹脂層
 
 

Claims (9)

  1. 　発光ダイオードを用いて白色光を発光する光源装置において、
    　上記白色光の発光スペクトルのうち４１５ｎｍ～４６０ｎｍの積分発光強度よりも４６０ｎｍ～５００ｎｍの積分発光強度が大であることを特徴とする光源装置。
  2. 　白色光の形成に必要な青色光を出射する第１発光ダイオードを含み、
    　上記第１発光ダイオードのピーク波長は、４６０ｎｍ～５００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
  3. 　上記第１発光ダイオードのピーク波長よりも短く、蛍光体を励起する第２発光ダイオードをさらに含んでいることを特徴とする請求項２に記載の光源装置。
  4. 　上記第２発光ダイオードのピーク波長は、４１５ｎｍ～４６０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項３に記載の光源装置。
  5. 　上記第１発光ダイオード及び第２発光ダイオードは、蛍光体含有封止樹脂により封止されていることを特徴とする請求項３または４に記載の光源装置。
  6. 　上記第１発光ダイオード及び第２発光ダイオードは、それぞれ異なる蛍光体含有封止樹脂により封止されていることを特徴とする請求項３または４に記載の光源装置。
  7. 　白色光の発光時に用いられる緑色光を出射する緑色発光ダイオードと、
    　白色光の発光時に用いられる赤色光を出射する赤色発光ダイオードをさらに含んでいることを特徴とする請求項２に記載の光源装置。
  8. 　上記第１発光ダイオードに対する信号の入力系統は、他の発光ダイオードに対する信号入力系統と異なることを特徴とする請求項２～７の何れか１項に記載の光源装置。
  9. 　請求項１～８の何れか１項に記載の光源装置を備えていることを特徴とする発光装置。
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