WO2014157228A1 - 組成物、硬化物、積層体、下層膜の製造方法、パターン形成方法、パターンおよび半導体レジストの製造方法 - Google Patents

組成物、硬化物、積層体、下層膜の製造方法、パターン形成方法、パターンおよび半導体レジストの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2014157228A1
WO2014157228A1 PCT/JP2014/058326 JP2014058326W WO2014157228A1 WO 2014157228 A1 WO2014157228 A1 WO 2014157228A1 JP 2014058326 W JP2014058326 W JP 2014058326W WO 2014157228 A1 WO2014157228 A1 WO 2014157228A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
composition
solvent
group
acrylate
meth
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/058326
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
雄一郎 榎本
北川　浩隆
大松　禎
雄一郎 後藤
Original Assignee
富士フイルム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士フイルム株式会社 filed Critical 富士フイルム株式会社
Priority to KR1020157026529A priority Critical patent/KR101739397B1/ko
Publication of WO2014157228A1 publication Critical patent/WO2014157228A1/ja
Priority to US14/865,949 priority patent/US20160009945A1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09D133/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F290/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
    • C08F290/02—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated end groups
    • C08F290/06—Polymers provided for in subclass C08G
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F299/00—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers
    • C08F299/02—Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09D133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09D133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02345—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10—Esters
    • C08F222/1006—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • C08F222/106—Esters of polycondensation macromers
    • C08F222/1067—Esters of polycondensation macromers of alcohol terminated epoxy functional polymers, e.g. epoxy(meth)acrylates

Definitions

  • the present invention relates to a composition, a cured product obtained by curing the composition, and a laminate. Moreover, it is related with the pattern formed by the manufacturing method of a lower layer film, the pattern formation method, and this pattern formation method using the said composition. Furthermore, it is related with the manufacturing method of the semiconductor resist using the said pattern formation method.
  • the embossing technology which is well known for optical disc production, has been developed, and a die master (generally called a mold, stamper, or template) on which a concavo-convex pattern has been formed is pressed against a resist to mechanically.
  • a die master generally called a mold, stamper, or template
  • This is a technology that precisely transforms a fine pattern by deforming the film.
  • thermoplastic resin as a material to be processed
  • imprint method using a curable composition for example, see Non-Patent Document 2
  • the mold is pressed onto a polymer resin heated above the glass transition temperature, then cooled to below the glass transition temperature, and then the mold is released to transfer the microstructure to the resin on the substrate. It is.
  • This method is extremely simple and can be applied to various resin materials and glass materials.
  • the imprint method light is irradiated through a light-transmitting mold or light-transmitting substrate to light-cur the curable composition, and then the mold is peeled to transfer the fine pattern to the light-cured material.
  • this method enables imprinting at room temperature, it can be applied to the field of precision processing of ultrafine patterns such as the fabrication of semiconductor integrated circuits.
  • new developments such as a nanocasting method combining the advantages of both and a reversal imprint method for producing a three-dimensional laminated structure have been reported.
  • a molded shape itself has a function, and is used as a nanotechnology element part or a structural member. Examples include various micro / nano optical elements, high-density recording media, optical films, and structural members in flat panel displays.
  • the second application is to build a laminated structure by simultaneous micro- and nano-structural simultaneous molding and simple interlayer alignment, and use this for micro-total analysis system ( ⁇ -TAS) and biochip fabrication.
  • ⁇ -TAS micro-total analysis system
  • the formed pattern is used as a mask and used for processing the substrate by a method such as etching.
  • the adhesion between the substrate and the curable composition for imprinting has come to be regarded as a problem. That is, in the imprint method, the curable composition for imprint is applied to the surface of the substrate, and the mold is irradiated with light in a state where the mold is in contact with the surface, and then the curable composition for imprint is cured. In the process of peeling the mold, the imprint layer) may peel from the substrate and adhere to the mold. This is presumably because the adhesion between the substrate and the imprint layer is lower than the adhesion between the mold and the imprint layer. In order to solve such a problem, an underprint film forming composition for imprinting that improves the adhesion between the substrate and the imprint layer has been studied (Patent Documents 1 and 2).
  • Patent No. 5084728 Japanese Patent Publication No. 2009-503139
  • Patent Documents 1 and 2 When the inventors of the present application have studied the above Patent Documents 1 and 2, when the techniques described in these documents are adopted, the adhesion between the substrate and the imprint layer is improved, but the film thickness in the plane of the lower layer film is reduced. It has been found that the defect density of the underlayer film may be large in some cases. When such a non-uniformity and a defect are many in a lower layer film, the imprint layer provided on it becomes non-uniform
  • the present invention solves such a problem, and provides a composition capable of providing an underlayer film having excellent adhesion between a substrate and an imprint layer, excellent in-plane uniformity of film thickness, and low defect density. The purpose is to provide.
  • the inventors of the present invention have conducted intensive studies. As a result, two kinds of solvents were blended into the composition, and one of them was a solvent having a high boiling point.
  • a method of performing so-called two-stage heating includes a first heating that partially cures the composition and a second heating that further cures the composition.
  • the solvent having a high boiling point remains in the layered composition, so that the mobility of the curable functional group of the polymerizable compound in the solid content is increased.
  • the curing reaction proceeds slowly, but by increasing the mobility of the polymerizable compound in the layered composition, the collision frequency between the polymerizable compounds is improved, and curing in the layered composition is performed.
  • the reaction can proceed quickly. For this reason, surface roughness of the film due to film shrinkage and resin aggregation can be suppressed. As a result, it was found that the in-plane uniformity and defect density of the thickness of the resulting lower layer film were improved, and the present invention was completed.
  • ⁇ 1> A composition comprising a polymerizable compound, a first solvent, and a second solvent, wherein the first solvent has a boiling point at 1 atm of 160 ° C. or higher and the second solvent at 1 atm.
  • the composition whose boiling point is less than 160 degreeC and whose content of a polymeric compound in the said composition is less than 1 mass%.
  • ⁇ 2> The composition according to ⁇ 1>, wherein the total amount of solids in the composition is less than 1% by mass.
  • the content of the first solvent is 1 to 50 mass% of the composition, and the content of the second solvent is 50 to 99 mass% of the composition, ⁇ 1> or ⁇ 2>.
  • ⁇ 4> The difference between the boiling point at 1 atm of the first solvent and the boiling point at 1 atm of the second solvent is 20 to 60 ° C., according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3> Composition.
  • ⁇ 5> The composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein the polymerizable compound is a (meth) acrylate compound.
  • a composition comprising a polymerizable compound, a first solvent, and a second solvent, wherein the composition is applied on a substrate and then heated to form a film.
  • the second solvent has a boiling point at 1 atm of less than the heating temperature.
  • composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8> which is a composition for forming an underlayer film for imprinting.
  • ⁇ 10> A cured product obtained by curing the composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 9>.
  • ⁇ 11> A laminate comprising a lower layer film obtained by curing the composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 9>, and a substrate.
  • ⁇ 12> a step of applying the composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 9> on the substrate; Curing a part of the composition by first heating;
  • the manufacturing method of a lower layer film including the process of performing the 2nd heating at a temperature higher than the boiling point in 1 atmosphere of said 1st solvent after said 1st heating process.
  • ⁇ 13> a step of applying the composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 9> on the substrate; Curing the composition by heating; Performing the second heating at a temperature higher than the boiling point of the first solvent at 1 atm after the curing; Applying the curable composition for imprints to the surface of the lower layer film after the second heating, Irradiating light in a state where the curable composition for imprints is sandwiched between a substrate on which the lower layer film is formed and a mold having a fine pattern, and curing the curable composition for imprints, And a step of peeling the mold.
  • ⁇ 14> A pattern formed by the pattern forming method according to any one of ⁇ 13>.
  • ⁇ 15> A method for producing a semiconductor resist, comprising the pattern forming method according to ⁇ 13>.
  • composition capable of providing a lower layer film having excellent adhesion between the substrate and the imprint layer, excellent in-plane uniformity of film thickness, and low defect density.
  • “to” is used to mean that the numerical values described before and after it are included as a lower limit value and an upper limit value.
  • “(meth) acrylate” represents acrylate and methacrylate
  • “(meth) acryl” represents acryl and methacryl
  • “(meth) acryloyl” represents acryloyl and methacryloyl.
  • “functional group” refers to a group involved in a polymerization reaction.
  • imprint preferably refers to pattern transfer having a size of 1 nm to 10 mm, and more preferably refers to pattern transfer having a size (nanoimprint) of approximately 10 nm to 100 ⁇ m.
  • the composition of the present invention is a composition comprising a polymerizable compound, a first solvent, and a second solvent, wherein the boiling point at 1 atm of the first solvent is 160 ° C. or higher, and the second solvent The boiling point at 1 atm is less than 160 ° C., and the content of the polymerizable compound in the composition is less than 1% by mass.
  • the composition of the present invention is a composition comprising a polymerizable compound, a first solvent, and a second solvent, and the film is formed by heating after the composition is applied on a substrate.
  • the boiling point at 1 atm of the first solvent is equal to or higher than the heating temperature, and the amount of the first solvent in the solvent contained in the composition is 1 to 50% by mass. It is characterized by being.
  • the composition of the present invention is particularly preferably used when a film is formed by applying the composition of the present invention on a substrate and partially curing it by first heating and then further curing it by second heating.
  • the composition of the present invention can be cured and used as a cured product.
  • cure the composition of this invention is used preferably as an etching resist board
  • the heating temperature for the first heating is usually a temperature of less than 160 ° C. Since the boiling point at 1 atm of the first solvent contained in the composition of the present invention is usually equal to or higher than the heating temperature in the first heating, the first solvent is not contained in the layer composed of the composition even after the first heating. Solvent is present.
  • the composition of the present invention is a composition for forming an underlayer film by heating after coating on a substrate, and is a composition for forming an underlayer film for imprint (hereinafter simply referred to as “the composition of the present invention”). It is sometimes referred to as a “product”).
  • the composition of the present invention it is not excluded to use for applications other than the composition for forming a lower layer film for imprint.
  • it can be widely used as an underlayer film forming composition for improving the adhesion between a layer made of a curable composition other than imprint and a substrate.
  • each component contained in the composition of this invention is demonstrated.
  • the composition of the present invention contains a polymerizable compound, and the content of the polymerizable compound is usually included in a proportion of less than 1% by mass of the composition of the present invention.
  • the kind of the polymerizable compound used in the present invention is not particularly defined unless departing from the gist of the present invention, and widely known compounds can be employed.
  • the polymerizable compound is a monomer, oligomer and / or polymer having a polymerizable group in the molecule, preferably a polymer.
  • Examples of the polymerizable compound that can be used in the present invention include a compound having an ethylenically unsaturated bond-containing group, a compound having an epoxy group, and a compound having a vinyl ether group.
  • the compound having an ethylenically unsaturated bond-containing group include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, N-vinylpyrrolidinone, 2-acryloyloxyethyl phthalate, 2- Acryloyloxy 2-hydroxyethyl phthalate, 2-acryloyloxyethyl hexahydrophthalate, 2-acryloyloxypropyl phthalate, 2-ethyl-2-butylpropanediol acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl carbitol ( (Meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, Crylic acid dimer, benzyl (meth
  • neopentyl glycol diacrylate Modified neopentyl glycol diacrylate, caprolactone modified hydroxypivalate ester neopentyl glycol, stearic acid modified pentaerythritol di (meth) acrylate, ECH modified phthalic acid di (meth) acrylate, poly (ethylene glycol-tetramethylene glycol) di ( (Meth) acrylate, poly (propylene glycol-tetramethylene glycol) di (meth) acrylate, polyester (di) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, ECH-modified propylene glycol di (meth) acrylate , Silicone di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) a Relate, dimethylol tricyclodecane di (meth) acrylate
  • Examples of the compound having an epoxy group include bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol F diglycidyl ether, bisphenol S diglycidyl ether, brominated bisphenol A diglycidyl ether, brominated bisphenol F diglycidyl ether, and brominated bisphenol S diglycidyl.
  • Examples of the compound having a vinyl ether group include 2-ethylhexyl vinyl ether, butanediol-1,4-divinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, ethylene glycol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether, 1,2-propanediol.
  • a preferred example is a poly (meth) acrylate compound having an ethylenically unsaturated group (P) and a hydrophilic group (Q).
  • the ethylenically unsaturated group (P) include a (meth) acryloyloxy group, a (meth) acryloylamino group, a maleimide group, an allyl group, and a vinyl group.
  • the hydrophilic group (Q) include alcoholic hydroxyl group, carboxyl group, phenolic hydroxyl group, ether group (preferably polyoxyalkylene group), amino group, amide group, imide group, ureido group, urethane group, cyano group, sulfone.
  • hydrophilic group is a urethane group
  • the group adjacent to the urethane group is preferably present in the resin as an oxygen atom, for example, —O—C ( ⁇ O) —NH—.
  • the poly (meth) acrylate compound (acrylic resin) preferably contains 20 to 100 mol% of repeating units containing an ethylenically unsaturated group (P).
  • the acrylic resin preferably contains 20 to 100 mol% of repeating units containing a hydrophilic group (Q).
  • the ethylenically unsaturated group (P) and the hydrophilic group (Q) may be contained in the same repeating unit or may be contained in separate repeating units.
  • the poly (meth) acrylate compound (acrylic resin) may contain other repeating units that do not contain both the ethylenically unsaturated group (P) and the hydrophilic group (Q).
  • the ratio of other repeating units in the acrylic resin is preferably 50 mol% or less.
  • the poly (meth) acrylate compound (acrylic resin) preferably contains a repeating unit represented by the following general formula (I) and / or a repeating unit represented by the general formula (II).
  • R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, a methyl group, or a hydroxymethyl group
  • L 1 represents a trivalent linking group
  • L 2a represents Represents a single bond or a divalent linking group
  • L 2b represents a single bond, a divalent linking group or a trivalent linking group
  • P represents an ethylenically unsaturated group
  • Q represents a hydrophilic group.
  • n is 1 or 2.
  • R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxymethyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group, more preferably a methyl group.
  • L 1 represents a trivalent linking group, and is an aliphatic group, an alicyclic group, an aromatic group, or a trivalent group obtained by combining these, and includes an ester bond, an ether bond, a sulfide bond, and a nitrogen atom. It may be included.
  • the trivalent linking group preferably has 1 to 9 carbon atoms.
  • L 2a represents a single bond or a divalent linking group.
  • the divalent linking group is an alkylene group, a cycloalkylene group, an arylene group, or a divalent group obtained by combining these, and may include an ester bond, an ether bond, and a sulfide bond.
  • the divalent linking group preferably has 1 to 8 carbon atoms.
  • L 2b represents a single bond, a divalent linking group, or a trivalent linking group.
  • the divalent linking group represented by L 2b has the same meaning as the divalent linking group represented by L 2a , and the preferred range is also the same.
  • the trivalent linking group represented by L 2b has the same meaning as the trivalent linking group represented by L 1 , and the preferred range is also the same.
  • P represents an ethylenically unsaturated group and is synonymous with the ethylenically unsaturated group exemplified above, and the same applies to preferred ethylenically unsaturated groups.
  • Q represents a hydrophilic group, and is synonymous with the above-exemplified hydrophilic groups, and the preferred hydrophilic groups are also the same.
  • N is 1 or 2, and 1 is preferable.
  • L 1 , L 2a and L 2b do not contain an ethylenically unsaturated group or a hydrophilic group.
  • the poly (meth) acrylate compound (acrylic resin) may further have a repeating unit represented by the following general formula (III) and / or general formula (IV).
  • R 3 and R 4 each represent a hydrogen atom, a methyl group, or a hydroxymethyl group
  • L 3 and L 4 each represent a single bond or a divalent group.
  • Q represents a hydrophilic group
  • R 5 represents an aliphatic group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic group having 3 to 12 carbon atoms, or an aromatic group having 6 to 12 carbon atoms. .
  • R 3 and R 4 each represent a hydrogen atom, a methyl group, or a hydroxymethyl group, preferably a hydrogen atom or a methyl group, and more preferably a methyl group.
  • L 3 and L 4 each represent a single bond or a divalent linking group.
  • Examples of the divalent linking group has the same meaning as the divalent linking group represented by L 2a in formula (I), and preferred ranges are also the same.
  • Q represents a hydrophilic group, and is synonymous with the above-exemplified hydrophilic groups, and preferred hydrophilic groups are also the same.
  • R 5 represents an aliphatic group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic group, or an aromatic group.
  • the aliphatic group having 1 to 12 carbon atoms include an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group).
  • Examples of the alicyclic group having 3 to 12 carbon atoms include a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms (for example, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, an isobornyl group, an adamantyl group, and a tricyclodecanyl group).
  • Examples of the aromatic group having 6 to 12 carbon atoms include a phenyl group, a naphthyl group, and a biphenyl group. Of these, a phenyl group and a naphthyl group are preferable.
  • the aliphatic group, alicyclic group and aromatic group may have a substituent.
  • x represents 0 to 50 mol%
  • y represents 0 to 50 mol%
  • z represents 20 to 100 mol%.
  • polymerizable compound used in the present invention one having a main chain containing an aromatic ring can also be used.
  • the polymerizable compound include those having a structure in which the main chain is composed of an aromatic ring and an alkylene group, and the main chain is a structure in which a benzene ring and a methylene group are alternately bonded.
  • Such a polymerizable compound also preferably has a reactive group in the side chain, more preferably has a (meth) acryloyl group in the side chain, and more preferably has an acryloyl group in the side chain.
  • the polymerizable compound containing an aromatic ring in the main chain is preferably a polymer mainly composed of a structural unit represented by the following general formula (A), and the structural unit represented by the following general formula (A) is 90 mol% or more. More preferably, the polymer occupies Formula (A) (In the general formula (A), R is an alkyl group, L 1 and L 2 are each a divalent linking group, P is a polymerizable group, and n is an integer of 0 to 3. ) R is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably a methyl group.
  • L 1 is preferably an alkylene group, more preferably an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, and more preferably —CH 2 —.
  • L 2 is preferably a divalent linking group consisting of —CH 2 —, —O—, —CHR (R is a substituent) —, and combinations of two or more thereof.
  • R is preferably an OH group.
  • P is preferably a (meth) acryloyl group, more preferably an acryloyl group.
  • n is preferably an integer of 0 to 2, and more preferably 0 or 1.
  • Another example of the polymerizable compound used in the present invention is an epoxy poly (meth) acrylate compound.
  • polymerizable compound examples include those described in paragraph Nos. 0040 to 0056 of JP-T-2009-503139, the contents of which are incorporated herein.
  • those having a functional group having high adsorptivity to the substrate are preferable.
  • a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a silane coupling group, or the like is preferable, and a hydroxyl group or a carboxyl group is particularly preferable.
  • the molecular weight of the polymerizable compound is usually 1000 or more and may be a low molecular compound or a polymer, but a polymer is preferred. More preferably, the molecular weight of the polymerizable compound is 3000 or more, and more preferably 7500 or more.
  • the upper limit of the molecular weight of the polymerizable compound is preferably 200000 or less, more preferably 100000 or less, and still more preferably 50000 or less. By setting it as such molecular weight, volatilization of a polymeric compound can be suppressed.
  • Content of the polymeric compound used by this invention is less than 1 mass% in all the components of a composition, less than 0.5 mass% is preferable, and less than 0.2 mass% is more preferable. Although there is no restriction
  • the polymerizable compound used in the present invention may be used alone or in combination of two or more.
  • the first solvent used in the present invention has a boiling point at 1 atm of 160 ° C. or higher and / or a boiling point at 1 atm of the first heating temperature or higher.
  • the boiling point of the first solvent at 1 atm is 160 ° C. or higher, preferably 165 ° C. or higher, and more preferably 170 ° C. or higher.
  • any solvent can be used as long as it has a boiling point at 1 atm of 160 ° C. or more and can dissolve the composition of the present invention.
  • 3-ethoxypropionic acid is used.
  • Ethyl (boiling point 170 ° C.), diethylene glycol methyl ethyl ether (boiling point 176 ° C.), propylene glycol monomethyl ether propionate (boiling point 160 ° C.), dipropylene glycol methyl ether acetate (boiling point 213 ° C.), 3-methoxybutyl ether acetate (boiling point 171 ° C), diethylene glycol diethyl ether (boiling point 189 ° C), diethylene glycol dimethyl ether (boiling point 162 ° C), propylene glycol diacetate (boiling point 190 ° C), diethylene glycol monoethyl ether acetate (boiling point 170 °
  • the content of the first solvent in the present invention is 1 to 50% by mass, preferably 2 to 40% by mass, more preferably 3 to 30% by mass with respect to the composition of the present invention. Preferably, the content is 5 to 20% by mass.
  • the content of the first solvent is 50% by mass or less, the film thickness of the central portion with respect to the peripheral edge of the substrate is reduced due to less solvent volatilization during spin coating of the composition of the present invention (radial direction). The film thickness is not uniform).
  • the second solvent used in the present invention is a solvent having a boiling point of less than 160 ° C. at 1 atmosphere and / or less than the heating temperature in the first heating. That is, it is lower than the boiling point of the first solvent at 1 atmosphere.
  • the boiling point at 1 atm of the second solvent is usually less than 160 ° C., preferably 155 ° C. or less, and more preferably 150 ° C. or less.
  • the difference between the boiling point at 1 atm of the first solvent and the boiling point at 1 atm of the second solvent is preferably 20 to 60 ° C, more preferably 25 to 55 ° C, and more preferably 30 to 50 ° C. More preferably, the temperature is C.
  • the difference in boiling point is 20 ° C. or more, the first solvent remaining amount after the first heating becomes sufficient, the in-plane uniformity of the film thickness and the defect density are more effectively improved, and 60 ° C. or less.
  • the film thickness reduction (the film thickness is not uniform in the radial direction) at the peripheral edge of the substrate due to less solvent volatilization during spin coating of the composition of the present invention is more effectively suppressed. be able to.
  • any solvent that can dissolve the composition of the present invention can be used, and preferably propylene glycol monomethyl ether acetate (boiling point 146 ° C.), propylene glycol monoethyl ether acetate (boiling point). 158 ° C), propylene glycol methyl-n-butyl ether (boiling point 155 ° C), propylene glycol methyl-n-propyl ether (boiling point 131 ° C), propylene glycol monomethyl ether (boiling point 120 ° C), anisole (boiling point 154 ° C), etc. It is done. Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monomethyl ether are preferable. Only one kind of the second solvent may be used, or two or more kinds of solvents may be mixed and used.
  • the content of the second solvent in the present invention is 50 to 99% by mass, preferably 60 to 98% by mass, more preferably 70 to 97% by mass with respect to the composition of the present invention. It is preferably 80 to 95% by mass.
  • the content ratio of the first solvent and the second solvent is preferably 1 to 50:99 to 50, more preferably 2 to 40:98 to 60 in terms of mass ratio (first solvent: second solvent), 2 to 40:98 to 60 is more preferable, and 5 to 20:95 to 80 is even more preferable.
  • the composition of the present invention may contain a crosslinking agent, an acid or acid generator, a polymerization inhibitor, and a surfactant as other components.
  • the blending amount of these components is preferably 50% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, and more preferably 10% by mass or less with respect to all components except the solvent (first solvent and second solvent) of the composition. More preferably, it is particularly preferable that it is not substantially contained.
  • the term “substantially free” refers to, for example, additives such as reactants, catalysts, polymerization inhibitors and the like, impurities derived from reaction by-products in the synthesis of the polymerizable compound, and It means not actively adding. Specifically, it can be 5 mass% or less.
  • a low molecular component other than the solvent for example, a component having a molecular weight of less than 1000
  • a low molecular component other than the solvent for example, a component having a molecular weight of less than 1000
  • the sublimation of the low molecular component concerning a baking can be suppressed, and the effect of this invention is exhibited more effectively.
  • Crosslinking agent cationically polymerizable compounds such as epoxy compounds, oxetane compounds, methylol compounds, methylol ether compounds, vinyl ether compounds are preferable.
  • epoxy compounds include Epolite manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., Denacor EX manufactured by Nagase ChemteX Corporation, EOCN manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., EPPN, NC, BREN, GAN, GOT, AK, RE and other series, Japan Epoxy Examples include series such as Resin Corporation Epicoat, DIC Corporation Epicron, and Nissan Chemical Industries Tepic. Two or more of these may be used in combination.
  • Examples of the oxetane compound include Etanacol OXBP, OXTP, OXIPA manufactured by Ube Industries, Ltd., and Aron Oxetane OXT-121, OXT-221 manufactured by Toagosei Co., Ltd.
  • Examples of vinyl ether compounds include VEctomer series manufactured by AlliedSignal.
  • methylol compounds and methylol ether compounds include urea resins, glycouril resins, melamine resins, guanamine resins, and phenol resins. Specific examples include Nicalak MX-270, MX-280, MX-290, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd. Examples include MW-390, BX-4000, and Cymel 301, 303ULF, 350, 1123 manufactured by Cytec Industries.
  • an acid, heat or photoacid generator is preferably used.
  • the acid that can be used in the composition of the present invention include p-toluenesulfonic acid and perfluorobutanesulfonic acid.
  • the thermal acid generator include isopropyl-p-toluene sulfonate, cyclohexyl-p-toluene sulfonate, and Sanshin Chemical's Sun Aid SI series, which are aromatic sulfonium salt compounds.
  • a sulfonium salt compound, an iodonium salt compound, an oxime sulfonate compound, and the like are preferable.
  • PI2074 manufactured by Rhodea IRGACURE250 manufactured by BASF, IRGACURE PAG103, 108, 121, 203 manufactured by BASF, etc. Can be mentioned.
  • polymerization inhibitor It is preferable from the viewpoint of storage stability that a polymerization inhibitor is contained in the composition of the present invention.
  • the polymerization inhibitor that can be used in the present invention include hydroquinone, p-methoxyphenol, di-tert-butyl-p-cresol, pyrogallol, tert-butylcatechol, benzoquinone, 4,4′-thiobis (3-methyl- 6-tert-butylphenol), 2,2′-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), N-nitrosophenylhydroxyamine cerium salt, phenothiazine, phenoxazine, 4-methoxynaphthol, 2,2, 6,6-tetramethylpiperidine-1-oxyl free radical, 2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxyl free radical, nitrobenzene, Examples thereof include dimethylaniline.
  • phenothiazine, 4-methoxynaphthol, 2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxyl free radical, 2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-hydroxy-2,2, 6,6-Tetramethylpiperidine-1-oxyl free radical is preferable in that the effect is exhibited even in the absence of oxygen.
  • the polymerization inhibitor used in the present invention may be used alone or in combination of two or more.
  • a surfactant may be included in the composition of the present invention.
  • the surfactant is preferably a nonionic surfactant, and is preferably fluorine-based, Si-based, or fluorine / Si-based.
  • fluorine / Si-based refers to those having both fluorine-based and Si-based requirements.
  • Nonionic surfactants that can be used in the present invention are trade names such as Florard (Sumitomo 3M), Megafuc (DIC), Surflon (AGC Seimi Chemical), Unidyne (Daikin Industries), Footagen (Neos), Ftop (Mitsubishi). Examples include materials electronic chemical), polyflow (Kyoeisha Chemical), KP (Shin-Etsu Chemical), Troisol (Troy Chemical), PolyFox (OMNOVA), Capstone (DuPont) and the like.
  • the surfactant used in the present invention may be used alone or in combination of two or more.
  • the composition of the present invention can be prepared by mixing the above-described components.
  • the components are mixed and then filtered, for example, through a filter having a pore diameter of 0.003 ⁇ m to 5.0 ⁇ m. Filtration may be performed in multiple stages or repeated multiple times.
  • the material of the filter used for filtration can be polyethylene resin, polypropylene resin, fluorine resin, nylon resin or the like, but is not particularly limited.
  • the total amount of solids in the composition is preferably less than 1% by mass, more preferably 0.01% by mass and less than 1% by mass, and 0.1% by mass or more. More preferably, it is less than 1% by mass. The effect of this invention is more effectively exhibited by making the total amount of solid content less than 1 mass%.
  • the curable composition for imprints used together with the composition of the present invention usually contains a polymerizable compound and a polymerization initiator.
  • the type of the polymerizable compound used in the curable composition for imprints used in the present invention is not particularly defined as long as it does not depart from the gist of the present invention. For example, it has 1 to 6 ethylenically unsaturated bond-containing groups. Polymerizable unsaturated monomer; epoxy compound, oxetane compound; vinyl ether compound; styrene derivative; propenyl ether or butenyl ether.
  • the curable composition for imprints preferably has a polymerizable group polymerizable with the polymerizable group of the composition of the present invention. Among these, (meth) acrylate is preferable. Specific examples thereof include those described in JP-A-2011-231308, paragraph numbers 0020 to 0098, the contents of which are incorporated herein.
  • the polymerizable compound preferably contains a polymerizable compound having an alicyclic hydrocarbon group and / or an aromatic group, and further includes a polymerizable compound having an alicyclic hydrocarbon group and / or an aromatic group; It preferably contains a polymerizable compound containing a silicon atom and / or fluorine. Further, among all the polymerizable components contained in the curable composition for imprints in the present invention, the total of the polymerizable compounds having an alicyclic hydrocarbon group and / or an aromatic group is 30 to 30% of the total polymerizable compound. The content is preferably 100% by mass, more preferably 50 to 100% by mass, and still more preferably 70 to 100% by mass.
  • the (meth) acrylate polymerizable compound containing an aromatic group as the polymerizable compound is preferably 50 to 100% by mass, more preferably 70 to 100% by mass of the total polymerizable component. 90 to 100% by mass is particularly preferable.
  • the following polymerizable compound (1) is 0 to 80% by mass (more preferably 20 to 70% by mass) of the total polymerizable component, and the following polymerizable compound (2) is all polymerized. 20 to 100% by mass of the polymerizable component (more preferably 50 to 100% by mass), and the following polymerizable compound (3) is 0 to 10% by mass of the total polymerizable component (more preferably, 0.1% by mass). 1 to 6% by mass).
  • a polymerizable compound having one aromatic group preferably phenyl group, naphthyl group, more preferably naphthyl group
  • Aromatic group preferably phenyl group, naphthyl group, Polymerizable compound containing preferably (phenyl) group and having two (meth) acrylate groups
  • the content of the polymerizable compound having a viscosity of less than 5 mPa ⁇ s at 25 ° C. is preferably 50% by mass or less, and is 30% by mass or less with respect to the total polymerizable compound. More preferably, it is more preferably 10% by mass or less.
  • the curable composition for imprints used in the present invention contains a photopolymerization initiator.
  • a photopolymerization initiator used in the present invention any compound can be used as long as it is a compound that generates an active species that polymerizes the above-described polymerizable compound by light irradiation.
  • a radical polymerization initiator and a cationic polymerization initiator are preferable, and a radical polymerization initiator is more preferable.
  • a plurality of photopolymerization initiators may be used in combination.
  • radical photopolymerization initiator used in the present invention for example, a commercially available initiator can be used. As these examples, for example, those described in paragraph No. 0091 of JP-A-2008-105414 can be preferably used. Among these, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, and oxime ester compounds are preferred from the viewpoints of curing sensitivity and absorption characteristics.
  • “light” includes not only light having a wavelength in the ultraviolet, near-ultraviolet, far-ultraviolet, visible, infrared, etc., and electromagnetic waves but also radiation.
  • the radiation include microwaves, electron beams, EUV, and X-rays.
  • Laser light such as a 248 nm excimer laser, a 193 nm excimer laser, and a 172 nm excimer laser can also be used.
  • the light may be monochromatic light (single wavelength light) that has passed through an optical filter, or may be light having a plurality of different wavelengths (composite light).
  • the content of the photopolymerization initiator used in the present invention is, for example, 0.01 to 15% by mass, preferably 0.1 to 12% by mass, and more preferably 0% in the entire composition excluding the solvent. 2 to 7% by mass.
  • the total amount becomes the said range.
  • the content of the photopolymerization initiator is 0.01% by mass or more, the sensitivity (fast curability), resolution, line edge roughness, and coating strength tend to be improved, which is preferable.
  • the content of the photopolymerization initiator is 15% by mass or less, light transmittance, colorability, handleability and the like tend to be improved, which is preferable.
  • the curable composition for imprints used in the present invention preferably contains a surfactant.
  • the surfactant used in the present invention include the same surfactants as those described above as the composition of the present invention.
  • the content of the surfactant used in the present invention is, for example, 0.001 to 5% by mass, preferably 0.002 to 4% by mass, and more preferably 0.005 to 4% by mass in the entire composition. 3% by mass.
  • the total amount becomes the said range.
  • the surfactant is in the range of 0.001 to 5% by mass in the composition, the effect of coating uniformity is good, and mold transfer characteristics are hardly deteriorated due to excessive surfactant.
  • the surfactant is preferably a nonionic surfactant, and preferably contains at least one of a fluorine-based surfactant, a Si-based surfactant, and a fluorine / Si-based surfactant. It is more preferable to include both a Si-based surfactant or a fluorine / Si-based surfactant, and most preferable to include a fluorine / Si-based surfactant.
  • the fluorine-based surfactant and the Si-based surfactant are preferably nonionic surfactants.
  • the “fluorine / Si-based surfactant” refers to one having both the requirements of both a fluorine-based surfactant and a Si-based surfactant.
  • a silicon wafer for manufacturing a semiconductor element a glass square substrate for manufacturing a liquid crystal element, a chromium film, a molybdenum film, a molybdenum alloy film, a tantalum film, a tantalum alloy film, a silicon nitride film, Striations and scale-like patterns (unevenness of drying of resist film) that occur when coated on a substrate on which various films such as an amorphous silicon film, tin oxide-doped indium oxide (ITO) film, and tin oxide film are formed. ) And the like can be solved.
  • the composition of the present invention can greatly improve the coating uniformity by adding the surfactant, and has good coating suitability regardless of the substrate size in coating using a spin coater or slit scan coater. can get.
  • the surfactant that can be used in the present invention
  • the description in paragraph No. 0097 of JP-A-2008-105414 can be referred to, and the contents thereof are incorporated in the present specification.
  • Commercially available products can also be used, for example, PF-636 (Omnova).
  • Non-polymerizable compound has a polyalkylene glycol structure having at least one hydroxyl group at the terminal or an etherified hydroxyl group, and is substantially non-polymerized containing no fluorine atom and no silicon atom May contain a sexual compound.
  • the content of the non-polymerizable compound is preferably from 0.1 to 20% by mass, more preferably from 0.2 to 10% by mass, still more preferably from 0.5 to 5% by mass, based on the total composition excluding the solvent. More preferably, it is 3% by mass.
  • the curable composition for imprints used in the present invention preferably contains a known antioxidant.
  • the content of the antioxidant used in the present invention is, for example, 0.01 to 10% by mass, preferably 0.2 to 5% by mass, based on the polymerizable compound. When two or more kinds of antioxidants are used, the total amount is within the above range.
  • the antioxidant suppresses fading caused by heat or light irradiation and fading caused by various oxidizing gases such as ozone, active oxygen, NO x , SO x (X is an integer).
  • by adding an antioxidant there is an advantage that coloring of a cured film can be prevented and a reduction in film thickness due to decomposition can be reduced.
  • antioxidants examples include hydrazides, hindered amine antioxidants, nitrogen-containing heterocyclic mercapto compounds, thioether antioxidants, hindered phenol antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, thiocyanates, Examples include thiourea derivatives, sugars, nitrites, sulfites, thiosulfates, hydroxylamine derivatives, and the like.
  • hindered phenol antioxidants and thioether antioxidants are particularly preferable from the viewpoint of coloring the cured film and reducing the film thickness.
  • antioxidants Commercially available products of the antioxidant include trade names Irganox 1010, 1035, 1076, and 1222 (above, manufactured by Ciba Geigy Co., Ltd.), trade names Antigene P, 3C, FR, Sumilyzer S, and Sumilyzer GA80 (Sumitomo Chemical Industries, Ltd.) Product name) ADK STAB AO70, AO80, AO503 (manufactured by ADEKA Corporation) and the like. These may be used alone or in combination.
  • the curable composition for imprints used in the present invention contains a polymerization inhibitor.
  • a polymerization inhibitor By including a polymerization inhibitor, it tends to be possible to suppress changes in viscosity, generation of foreign matter, and deterioration of pattern formation over time.
  • the content of the polymerization inhibitor is 0.001 to 1% by mass, more preferably 0.005 to 0.5% by mass, and still more preferably 0.008 to 0.05% by mass with respect to the total polymerizable compound. %, A change in viscosity over time can be suppressed while maintaining high curing sensitivity.
  • the polymerization inhibitor may be contained in advance in the polymerizable compound to be used, or may be further added to the curable composition for imprints.
  • the description in paragraph No. 0125 of JP2012-094821A can be referred to, and the contents thereof are incorporated in the present specification.
  • a solvent can be used according to various needs.
  • a preferable solvent is a solvent having a boiling point of 80 to 200 ° C. at normal pressure. Any solvent can be used as long as it can dissolve the composition, but a solvent having any one or more of an ester structure, a ketone structure, a hydroxyl group, and an ether structure is preferable.
  • preferred solvents are propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone, 2-heptanone, ⁇ -butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate alone or mixed solvents, and solvents containing propylene glycol monomethyl ether acetate Is most preferable from the viewpoint of coating uniformity.
  • the content of the solvent in the curable composition for imprints used in the present invention is optimally adjusted according to the viscosity of the component excluding the solvent, the coating property, and the target film thickness, but from the viewpoint of improving the coating property, It can add in 99 mass% or less in the whole composition.
  • the solvent is not substantially contained (for example, 3% by mass or less).
  • a pattern having a film thickness of 500 nm or less is formed by a method such as spin coating, it may be included in the range of 20 to 99% by mass, preferably 40 to 99% by mass, particularly preferably 70 to 98% by mass. .
  • a polyfunctional oligomer having a molecular weight higher than that of the other polyfunctional polymerizable compound is within the scope of achieving the object of the present invention. It can also be blended.
  • the polyfunctional oligomer having photoradical polymerizability include various acrylate oligomers such as polyester acrylate, urethane acrylate, polyether acrylate, and epoxy acrylate.
  • the addition amount of the oligomer component is preferably 0 to 30% by mass, more preferably 0 to 20% by mass, still more preferably 0 to 10% by mass, and most preferably 0 to 5% by mass with respect to the component excluding the solvent of the composition. %.
  • the curable composition for imprints used in the present invention may further contain a polymer component from the viewpoint of improving dry etching resistance, imprint suitability, curability and the like.
  • the polymer component is preferably a polymer having a polymerizable functional group in the side chain.
  • the weight average molecular weight of the polymer component is preferably from 2,000 to 100,000, more preferably from 5,000 to 50,000, from the viewpoint of compatibility with the polymerizable compound.
  • the addition amount of the polymer component is preferably 0 to 30% by mass, more preferably 0 to 20% by mass, further preferably 0 to 10% by mass, and most preferably 2% by mass or less, relative to the component excluding the solvent of the composition. It is.
  • the components excluding the solvent in the curable composition for imprints used in the present invention if the content of the compound having a molecular weight of 2000 or more is 30% by mass or less, the pattern forming property is improved. It is preferable that the resin component is not substantially contained except for the surfactant and a small amount of additive.
  • the curable composition for imprints used in the present invention may include a release agent, a silane coupling agent, an ultraviolet absorber, a light stabilizer, an anti-aging agent, a plasticizer, an adhesion promoter, You may add a thermal-polymerization initiator, a coloring agent, an elastomer particle, a photo-acid multiplication agent, a photobase generator, a basic compound, a flow regulator, an antifoamer, a dispersing agent, etc.
  • the curable composition for imprints used in the present invention can be prepared by mixing the above-described components. Mixing and dissolution of the curable composition is usually performed in the range of 0 ° C to 100 ° C. In addition, it is preferable that the components are mixed and then filtered, for example, through a filter having a pore diameter of 0.003 ⁇ m to 5.0 ⁇ m. Filtration may be performed in multiple stages or repeated many times. Moreover, the filtered liquid can be refiltered.
  • the material of the filter used for filtration may be polyethylene resin, polypropylene resin, fluorine resin, nylon resin or the like, but is not particularly limited.
  • the viscosity of the mixed liquid of all components excluding the solvent is preferably 100 mPa ⁇ s or less, more preferably 1 to 70 mPa ⁇ s, still more preferably 2 to 50 mPa ⁇ s. Most preferably, it is 3 to 30 mPa ⁇ s.
  • the curable composition for imprints used in the present invention is bottled in a container such as a gallon bottle or a coated bottle after production, and is transported and stored. In this case, the inside of the container is inert for the purpose of preventing deterioration. It may be replaced with nitrogen or argon.
  • the room temperature may be used, but the temperature may be controlled in the range of ⁇ 20 ° C. to 0 ° C. in order to prevent deterioration. Of course, it is preferable to shield from light so that the reaction does not proceed.
  • the concentration of the ionic impurities of the metal or organic substance in the curable composition for imprints of the present invention is preferably 1 ppm or less, preferably 100 ppb or less, more preferably 10 ppb or less.
  • the method for producing an underlayer film of the present invention includes a step of applying the composition of the present invention on a substrate, a step of curing the composition by heating, and a temperature higher than the boiling point at 1 atm of the first solvent after the curing.
  • Performing the second heating, applying the curable composition for imprints to the surface of the lower layer after the second heating, the substrate having the lower layer formed thereon, and the mold having a fine pattern It is characterized by including a step of irradiating light in a state of sandwiching the curable composition for imprints, curing the curable composition for imprints, and a step of peeling the mold.
  • the composition of the present invention is applied onto a substrate to form an underlayer film.
  • Examples of the method applied to the substrate include a dip coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, a wire bar coating method, a gravure coating method, an extrusion coating method, a spin coating method, a slit scanning method, and an ink jet method.
  • a coating film or droplets can be applied on the substrate.
  • Application is preferable from the viewpoint of film thickness uniformity, and spin coating is more preferable.
  • a part of the composition is cured by heating (first heating).
  • a preferable heating temperature is a temperature not higher than the boiling point of the first solvent at 1 atm, and is preferably 5 ° C. or more lower than the boiling point of the first solvent at 1 atm. Specifically, heating at 80 to 180 ° C. is preferable.
  • the second solvent is cured by heating at a temperature higher than the boiling point of the first solvent at 1 atm to volatilize the first solvent.
  • the temperature of the second heating at the time of curing is preferably 10 ° C. or more higher than the boiling point of the first solvent at 1 atm.
  • heat curing is performed at a temperature of 200 ° C. to 250 ° C. (preferably 200 ° C. to 230 ° C.).
  • the second heating has the effects of removing the first solvent and sufficiently advancing the thermosetting reaction when curing by the first heating is insufficient.
  • the first heating remaining in the film can be removed by performing the second heating at a higher temperature after the first heating (multistage baking), and the subsequent process (curable composition for imprinting)
  • the mixing of the first solvent into the curable composition can be suppressed, which is preferable.
  • the substrate (base material or support) on which the composition of the present invention is applied can be selected depending on various applications, for example, quartz, glass, optical film, ceramic material, deposited film, magnetic film, reflective film, Metal substrate such as Ni, Cu, Cr, Fe, paper, SOC (Spin On Carbon), SOG (Spin On Glass), polyester film, polycarbonate film, polymer film such as polyimide film, TFT array substrate, PDP electrode plate, There are no particular restrictions on glass, transparent plastic substrates, conductive substrates such as ITO and metals, insulating substrates, semiconductor fabrication substrates such as silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, and amorphous silicon.
  • an appropriate lower layer film can be formed even when a substrate having a low surface energy (for example, about 40 to 60 mJ / m 2 ) is used.
  • a substrate having a low surface energy for example, about 40 to 60 mJ / m 2
  • a semiconductor fabrication substrate is preferable as described later.
  • substrate of this invention, lower layer film, and the curable composition for imprints can be used as an etching resist.
  • the substrate in this case include a substrate (silicon wafer) on which a thin film such as SOC (Spin On Carbon), SOG (Spin On Glass), SiO 2, or silicon nitride is formed. A plurality of substrate etchings may be performed simultaneously.
  • substrate of this invention, the lower layer film, and the curable composition for imprints is a device or a structure as a permanent film with the remaining film of a recessed part, or the state which removed the lower layer film as it is. Even when it is used, film peeling does not easily occur even when an environmental change or stress is applied, which is useful.
  • a substrate having a polar group on the surface can be preferably employed.
  • the adhesion to the composition tends to be further improved.
  • the polar group include a hydroxyl group, a carboxyl group, and a silanol group.
  • Particularly preferred are a silicon substrate and a quartz substrate.
  • the shape of the substrate is not particularly limited, and may be a plate shape or a roll shape. Further, as described later, as the substrate, a light-transmitting or non-light-transmitting substrate can be selected according to the combination with the mold or the like.
  • the pattern forming method of the present invention includes a step of applying the composition of the present invention on a substrate, a step of curing the composition by heating (first heating), and a curable composition for imprints on the surface of the underlayer film.
  • the step of curing the lower layer film composition may be only one-time curing (first heating).
  • the step of curing the composition by the heating and the step of curing the composition on the surface of the lower layer film are performed. It is preferable to include a step of performing the second heating at a temperature higher than the boiling point of the first solvent at 1 atm between the step of applying the curable composition for printing. That is, it is preferable that a part of the lower layer film forming composition is cured by the first heating, and further the curing of the lower layer film forming composition is advanced by the second heating.
  • the steps up to the formation of the lower layer film are the same as those of the above-described invention of the method for producing the lower layer film, and the preferred range is also the same.
  • the thickness of the composition of the present invention is preferably 1 to 10 nm, more preferably 2 to 7 nm at the time of application (for example, coating thickness).
  • the film thickness after curing is preferably 1 to 10 nm, and more preferably 2 to 7 nm.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a manufacturing process for etching a substrate using a curable composition for imprints, wherein 1 is a substrate, 2 is a lower layer film, and 3 is a curable composition for imprints.
  • the reference numeral 4 denotes a mold.
  • the composition is applied to the surface of the substrate 1 (2), the curable composition for imprint 3 is applied to the surface (3), and the mold is applied to the surface (4). And after irradiating light, a mold is peeled (5). Then, etching is performed along the pattern formed by the curable composition for imprint (6), and the curable composition for imprint 3 and the lower layer film 2 are peeled to form a substrate having the required pattern. (7).
  • the adhesion between the substrate 1 and the curable composition 3 for imprinting is poor, an accurate pattern of the mold 4 is not reflected, and thus the adhesion is important.
  • the pattern formation method in the present invention includes a step of applying a composition of the present invention on a substrate to form a lower layer film and a step of applying a curable composition for imprints to the surface of the lower layer film, Furthermore, after applying the composition of the present invention on the substrate, a part of the composition is cured by heat or light irradiation (first heating), and the curable composition for imprint is applied to the surface thereof. Including that.
  • the process of curing the curable composition for imprint by irradiating light with the curable composition for imprint and the lower layer film sandwiched between the substrate and the mold having a fine pattern, and peeling the mold The process of carrying out. Details of these will be described below.
  • composition of the present invention and the curable composition for imprints to the substrate or the lower layer film respectively, generally well-known application methods can be adopted.
  • application method of the present invention for example, dip coating method, air knife coating method, curtain coating method, wire bar coating method, gravure coating method, extrusion coating method, spin coating method, slit scanning method, ink jet method, etc.
  • a coating film or droplets can be applied on the substrate or the lower layer film.
  • it is exemplified as a preferable example to be applied with an inkjet hoe.
  • the film thickness of the pattern forming layer made of the curable composition for imprints used in the present invention is about 0.03 to 30 ⁇ m, although it varies depending on the intended use. Moreover, you may apply
  • the amount of the droplets is preferably about 1 pl to 20 pl, and the droplets are preferably arranged on the lower layer film at intervals.
  • a mold is pressed against the surface of the pattern forming layer in order to transfer the pattern to the pattern forming layer.
  • the fine pattern previously formed on the pressing surface of the mold can be transferred to the pattern forming layer.
  • the curable composition for imprints may be applied to a mold having a pattern, and the lower layer film may be pressed.
  • the molding material that can be used in the present invention will be described.
  • a light transmissive material is selected for at least one of a molding material and / or a substrate.
  • a curable composition for imprint is applied on a substrate to form a pattern forming layer, a light-transmitting mold is pressed against this surface, and light is transmitted from the back surface of the mold.
  • the curable composition for imprint can be apply
  • the light irradiation may be performed with the mold attached or after the mold is peeled off. In the present invention, the light irradiation is preferably performed with the mold in close contact.
  • a mold having a pattern to be transferred is used as the mold that can be used in the present invention.
  • the pattern on the mold can be formed according to the desired processing accuracy by, for example, photolithography, electron beam drawing, or the like, but the mold pattern forming method is not particularly limited in the present invention.
  • the pattern formed by the pattern formation method of this invention can also be used as a mold.
  • the light-transmitting mold material used in the present invention is not particularly limited as long as it has predetermined strength and durability. Specifically, a light transparent resin such as glass, quartz, PMMA, and polycarbonate resin, a transparent metal vapor-deposited film, a flexible film such as polydimethylsiloxane, a photocured film, and a metal film are exemplified.
  • the non-light-transmitting mold material used when a light-transmitting substrate is used is not particularly limited as long as it has a predetermined strength.
  • Specific examples include ceramic materials, vapor deposition films, magnetic films, reflective films, metal substrates such as Ni, Cu, Cr, and Fe, and substrates such as SiC, silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, and amorphous silicon.
  • the shape of the mold is not particularly limited, and may be either a plate mold or a roll mold. The roll mold is applied particularly when continuous transfer productivity is required.
  • the mold used in the pattern forming method of the present invention may be a mold that has been subjected to a release treatment in order to improve the peelability between the curable composition for imprints and the mold surface.
  • examples of such molds include those that have been treated with a silane coupling agent such as silicon or fluorine, such as OPTOOL DSX manufactured by Daikin Industries, Ltd., Novec EGC-1720 manufactured by Sumitomo 3M Limited, and the like. Commercially available release agents can also be suitably used.
  • the mold pressure it is usually preferable to perform the mold pressure at 10 atm or less in the pattern forming method of the present invention.
  • the mold pressure it is preferable to select a region in which the uniformity of mold transfer can be ensured within a range in which the residual film of the curable composition for imprints on the mold convex portion is reduced.
  • the irradiation amount of the light irradiation in the step of irradiating the pattern forming layer may be sufficiently larger than the irradiation amount necessary for curing.
  • the irradiation amount necessary for curing is appropriately determined by examining the consumption of unsaturated bonds of the curable composition for imprints and the tackiness of the cured film.
  • the substrate temperature during light irradiation is usually room temperature, but light irradiation may be performed while heating to increase the reactivity.
  • the preferable degree of vacuum at the time of light irradiation is in the range of 10 ⁇ 1 Pa to normal pressure.
  • the light used for curing the curable composition for imprints of the present invention is not particularly limited.
  • light or radiation having a wavelength in the region of high energy ionizing radiation near ultraviolet, far ultraviolet, visible, infrared, or the like.
  • an electron beam accelerated by an accelerator such as a cockcroft accelerator, a handagraaf accelerator, a linear accelerator, a betatron, or a cyclotron is industrially most conveniently and economically used.
  • an accelerator such as a cockcroft accelerator, a handagraaf accelerator, a linear accelerator, a betatron, or a cyclotron
  • radiation such as ⁇ rays, X rays, ⁇ rays, neutron rays, proton rays emitted from radioisotopes or nuclear reactors can also be used.
  • the ultraviolet ray source examples include an ultraviolet fluorescent lamp, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a xenon lamp, a carbon arc lamp, and a solar lamp.
  • the radiation includes, for example, microwaves and EUV.
  • laser light used in semiconductor microfabrication such as LED, semiconductor laser light, or 248 nm KrF excimer laser light or 193 nm ArF excimer laser can be suitably used in the present invention. These lights may be monochromatic lights, or may be lights having different wavelengths (mixed lights).
  • the exposure illuminance is preferably in the range of 1 mW / cm 2 to 50 mW / cm 2 .
  • the exposure dose is preferably in the range of 5 mJ / cm 2 to 1000 mJ / cm 2 . If it is less than 5 mJ / cm 2 , the exposure margin becomes narrow, photocuring becomes insufficient, and problems such as adhesion of unreacted substances to the mold tend to occur.
  • the permanent film may be deteriorated due to decomposition of the composition.
  • an inert gas such as nitrogen or argon may be flowed to control the oxygen concentration to less than 100 mg / L.
  • the pattern forming method of the present invention after the pattern forming layer (a layer made of the curable composition for imprints) is cured by light irradiation, heat is applied to the cured pattern as necessary to further cure. May be included.
  • the heat for heat-curing the composition of the present invention after light irradiation is preferably 150 to 280 ° C, more preferably 200 to 250 ° C.
  • the time for applying heat is preferably 5 to 60 minutes, more preferably 15 to 45 minutes.
  • each of the polymerizable compounds shown below was diluted with the first solvent and the second solvent shown in the following table, and an additive was further added.
  • the polymerizable compound had a solid content of 0.1% by mass. It was prepared as follows. This was filtered through a 0.1 ⁇ m PTFE filter to obtain a composition.
  • the composition was spin-coated on an SOG (Spin On Glass) film (surface energy 55 mJ / m 2 ) formed on an 8-inch silicon wafer, and heated on a hot plate for 1 minute at the temperature shown in the following table. Furthermore, the composition was cured by heating on a hot plate at a temperature described in the following table for 5 minutes to form a lower layer film.
  • the thickness of the lower layer film after curing was 3 nm.
  • First solvent S4 propylene glycol monomethyl ether propionate, boiling point 160 ° C.
  • S5 ethylene glycol mononormal butyl ether, boiling point 170 ° C.
  • S6 Butyl lactate, boiling point 185 ° C
  • S7 Diethylene glycol monomethyl ether, boiling point 194 ° C.
  • S8 ⁇ -butyrolactone, boiling point 204 ° C.
  • S9 Propylene carbonate, boiling point 240 ° C
  • Second solvent S1 propylene glycol monomethyl ether, boiling point 120 ° C.
  • S2 propylene glycol monomethyl ether acetate, boiling point 146 ° C.
  • S3 anisole, boiling point 154 ° C.
  • Additive C1 Nikalac MW-100LM (crosslinking agent) manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.
  • the liquid droplets were discharged and applied on the lower layer film so that the droplets were arranged in a square array at intervals of about 100 ⁇ m.
  • the quartz wafer was mounted from above so that the lower layer film side was in contact with the pattern forming layer (curable composition layer for imprinting), and exposed from the quartz wafer side using a high-pressure mercury lamp at 300 mJ / cm 2 . After the exposure, the quartz wafer was released, and the release force at that time was measured.
  • This release force corresponds to the adhesive force F (unit: N) between the substrate and the curable composition for imprints.
  • the release force was measured according to the method described in the comparative example described in paragraph numbers 0102 to 0107 of JP2011-209777A. That is, it was performed according to the peeling steps 1 to 6 and 16 to 18 in FIG. A: F ⁇ 45 B: 45> F ⁇ 40 C: 40> F ⁇ 30 D: 30> F ⁇ 20 E: 20> F
  • Example 1 The underlayer film composition of Example 1 was spin-coated on an 8-inch silicon wafer and heated on a hot plate for 1 minute at the temperature shown in the following table. Furthermore, the composition was cured by heating on a hot plate at a temperature described in the following table for 5 minutes to form a lower layer film. The thickness of the lower layer film after curing was 3 nm. On the surface of the lower layer film provided on the silicon wafer, the curable composition for imprint V1 whose temperature is adjusted to 25 ° C. is applied to a droplet amount of 1 pl per nozzle using a Fujifilm Dimatics inkjet printer DMP-2831.
  • the droplets were applied on the lower layer film so that the droplets were arranged in a square array at intervals of about 100 ⁇ m. Mold release treatment using a silane coupling agent (Daikin Co., Ltd., OPTOOL HD1100) having a 40 nm line / space 1/1, a groove depth of 80 nm, and a surface having a perfluoropolyether structure.
  • the mold was placed and cured with a mercury lamp light containing 365 nm light while pressing the mold against the composition at a pressure of 1 MPa under a nitrogen stream at an exposure illuminance of 10 mW / cm 2 and an exposure dose of 200 mJ / cm 2. Then, the mold was slowly peeled off. When the obtained pattern was observed with a scanning microscope, it was confirmed to have a rectangular pattern shape.

Abstract

基板とインプリント層の密着性に優れ、かつ、膜厚の面内均一性に優れ、かつ、欠陥密度の小さい下層膜を提供できる組成物の提供。重合性化合物、第一の溶剤、および第二の溶剤を含む組成物であって、第一の溶剤の１気圧における沸点が、１６０℃以上であり、第二の溶剤の１気圧における沸点が、１６０℃未満であり、前記組成物における、重合性化合物の含有量が１質量％未満である組成物。

Description

組成物、硬化物、積層体、下層膜の製造方法、パターン形成方法、パターンおよび半導体レジストの製造方法
　本発明は、組成物、組成物を硬化してなる硬化物および積層体に関する。また、前記組成物を用いた、下層膜の製造方法、パターン形成方法および該パターン形成方法によって形成されるパターンに関する。さらに、前記パターン形成方法を用いた半導体レジストの製造方法に関する。
　インプリント法は、光ディスク製作ではよく知られているエンボス技術を発展させ、凹凸のパターンを形成した金型原器（一般的にモールド、スタンパ、テンプレートと呼ばれる）を、レジストにプレスして力学的に変形させて微細パターンを精密に転写する技術である。モールドを一度作製すれば、ナノ構造等の微細構造が簡単に繰り返して成型できるため経済的であるとともに、有害な廃棄・排出物が少ないナノ加工技術であるため、近年、さまざまな分野への応用が期待されている。
　インプリント法として、被加工材料として熱可塑性樹脂を用いる熱インプリント法（例えば、非特許文献１参照）と、硬化性組成物を用いるインプリント法（例えば、非特許文献２参照）が提案されている。熱インプリント法は、ガラス転移温度以上に加熱した高分子樹脂にモールドをプレスした後、ガラス転移温度以下に冷却してからモールドを離型することで微細構造を基板上の樹脂に転写するものである。この方法は、極めて簡便であり、多様な樹脂材料やガラス材料にも応用可能である。
　一方、インプリント法は、光透過性モールドや光透過性基板を通して光照射して硬化性組成物を光硬化させた後、モールドを剥離することで微細パターンを光硬化物に転写するものである。この方法は、室温でのインプリントが可能になるため、半導体集積回路の作製などの超微細パターンの精密加工分野に応用できる。最近では、この両者の長所を組み合わせたナノキャスティング法や３次元積層構造を作製するリバーサルインプリント法などの新しい展開も報告されている。
　このようなインプリント法においては、以下のような応用が提案されている。
　第一の応用は、成型した形状（パターン）そのものが機能を持ち、ナノテクノロジーの要素部品、または構造部材として利用するものである。例としては、各種のマイクロ・ナノ光学要素や高密度の記録媒体、光学フィルム、フラットパネルディスプレイにおける構造部材などが挙げられる。
　第二の応用は、マイクロ構造とナノ構造との同時一体成型や、簡単な層間位置合わせにより積層構造を構築し、これをμ－ＴＡＳ（Micro - Total Analysis System）やバイオチップの作製に利用するものである。
　第三の応用は、形成されたパターンをマスクとし、エッチング等の方法により基板を加工する用途に利用するものである。かかる技術では高精度な位置合わせと高集積化とにより、従来のリソグラフィ技術に代わって高密度半導体集積回路の作製や、液晶ディスプレイのトランジスタへの作製、パターンドメディアと呼ばれる次世代ハードディスクの磁性体加工等に利用できる。これらの応用に関するインプリント法の実用化への取り組みが近年活発化している。
　ここで、インプリント法の活発化に伴い、基板とインプリント用硬化性組成物の間の密着性が問題視されるようになってきた。すなわち、インプリント法は、基板の表面にインプリント用硬化性組成物を塗布し、その表面にモールドを接触させた状態で光照射してインプリント用硬化性組成物を硬化させた後、モールドを剥離するが、このモールドを剥離する工程で、インプリント層）が基板から剥れてモールドに付着してしまう場合がある。これは、基板とインプリント層との密着性が、モールドとインプリント層との密着性よりも低いことが原因と考えられる。かかる問題を解決するための、基板とインプリント層との密着性を向上させるインプリント用下層膜形成組成物が検討されている（特許文献１、特許文献２）。
特許第５０８４７２８号（特表２００９－５０３１３９号公報） 特表２０１１－５０８６８０号公報
S.Chou et al.:Appl.Phys.Lett.Vol.67,3114(1995) M.Colbun et al,:Proc.SPIE,Vol. 3676,379 (1999)
　上記特許文献１および２について、本願発明者が検討したところ、これらの文献に記載の技術を採用すると、基板とインプリント層の密着性は改善されるが、下層膜の面内における膜厚が不均一であったり、下層膜の欠陥密度が大きい場合があることが分かった。このような不均一性や欠陥が下層膜に多いと、その上に設けるインプリント層が均一でなくなり、パターンに欠陥が生じやすくなる。
　本願発明はかかる課題を解決するものであって、基板とインプリント層の密着性に優れ、かつ、膜厚の面内均一性に優れ、かつ、欠陥密度の小さい下層膜を提供できる組成物を提供することを目的とする。
　上記課題のもと、本願発明者が鋭意検討を行った結果、組成物に、２種類の溶剤を配合し、そのうち１種類は沸点の高い溶剤を用いることとした。重合性化合物を含む組成物を硬化して膜を形成する場合、いわゆる２段階加熱（２段階ベーク）を行う方法が知られている。かかる方法では、組成物を一部硬化させる第一の加熱、および、組成物をさらに硬化させる第二の加熱を含む。ここで、第一の加熱の際に、沸点の高い溶剤が層状の組成物に残存することで固形分中の重合性化合物の硬化性官能基の運動性が高まる。すなわち、一般的に、硬化反応はゆっくり進行するが、層状の組成物中における重合性化合物の運動性を高めることによって、重合性化合物同士の衝突頻度が向上し、層状の組成物中での硬化反応を早く進行させることができる。このため、膜シュリンクや樹脂の凝集による膜の表面荒れを抑制できる。結果として、得られる下層膜の膜厚の面内均一性および欠陥密度が改善されることを見出し、本願発明を完成させるに至った。
　具体的には、以下の手段＜１＞により、好ましくは、＜２＞～＜１８＞により上記課題は解決された。
＜１＞重合性化合物、第一の溶剤、および第二の溶剤を含む組成物であって、第一の溶剤の１気圧における沸点が、１６０℃以上であり、第二の溶剤の１気圧における沸点が、１６０℃未満であり、前記組成物における、重合性化合物の含有量が１質量％未満である組成物。
＜２＞前記組成物中の固形分の合計量が１質量％未満である、＜１＞に記載の組成物。
＜３＞前記第一の溶剤の含有量が前記組成物の１～５０質量％であり、前記第二の溶剤の含有量が前記組成物の５０～９９質量％である、＜１＞または＜２＞に記載の組成物。
＜４＞前記第一の溶剤の１気圧における沸点と、前記第二の溶剤の１気圧における沸点との差が、２０～６０℃である、＜１＞～＜３＞のいずれかに記載の組成物。
＜５＞前記重合性化合物が、（メタ）アクリレート化合物である、＜１＞～＜４＞のいずれかに記載の組成物。
＜６＞重合性化合物、第一の溶剤、および第二の溶剤を含む組成物であって、前記組成物が、基板上に適用した後に加熱を行なうことで膜を形成するための組成物であり、前記第一の溶剤の１気圧における沸点が前記加熱温度以上であり、前記組成物に含まれる溶剤中の、前記第一の溶剤の量が１～５０質量％である、組成物。
＜７＞前記第二の溶剤の１気圧における沸点が、前記加熱温度未満である、＜７＞に記載の組成物。
＜８＞前記組成物が、前記請求項１～６のいずれか１項に記載の組成物である、＜６＞または＜７＞に記載の組成物。
＜９＞インプリント用下層膜形成組成物である、＜１＞～＜８＞のいずれかに記載の組成物。
＜１０＞＜１＞～＜９＞のいずれかに記載の組成物を硬化してなる硬化物。
＜１１＞＜１＞～＜９＞のいずれかに記載の組成物を硬化してなる下層膜と、基板とを有することを特徴とする積層体。
＜１２＞基板上に＜１＞～＜９＞のいずれかに記載の組成物を適用する工程、
第一の加熱により前記組成物の一部を硬化する工程、
前記第一の加熱工程の後に、前記組成物を、前記第一の溶剤の１気圧における沸点より高い温度で第二の加熱を行う工程を含む、下層膜の製造方法。
＜１３＞基板上に＜１＞～＜９＞のいずれかに記載の組成物を適用する工程、
加熱により前記組成物を硬化する工程、
前記硬化後に前記第一の溶剤の１気圧における沸点より高い温度で第二の加熱を行う工程、
前記第二の加熱後に前記下層膜表面にインプリント用硬化性組成物を適用する工程、
前記下層膜を形成した基板と、微細パターンを有するモールドとの間に前記インプリント用硬化性組成物を挟んだ状態で光照射し、前記インプリント用硬化性組成物を硬化する工程、
およびモールドを剥離する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
＜１４＞＜１３＞のいずれかに記載のパターン形成方法により形成されたパターン。
＜１５＞＜１３＞に記載のパターン形成方法を含む半導体レジストの製造方法。
　本発明によれば、基板とインプリント層の密着性に優れ、かつ、膜厚の面内均一性に優れ、かつ、欠陥密度の小さい下層膜を提供できる組成物を提供可能になった。
インプリント用硬化性組成物をエッチングによる基板の加工に用いる場合の製造プロセスの一例を示す。
　以下において、本発明の内容について詳細に説明する。なお、本願明細書において「～」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
　本明細書中において、“（メタ）アクリレート"はアクリレートおよびメタクリレートを表し、“（メタ）アクリル"はアクリルおよびメタクリルを表し、“（メタ）アクリロイル"はアクリロイルおよびメタクリロイルを表す。本明細書中において、“官能基"は重合反応に関与する基をいう。
　また、本発明でいう“インプリント"は、好ましくは、１ｎｍ～１０ｍｍのサイズのパターン転写をいい、より好ましくは、およそ１０ｎｍ～１００μｍのサイズ（ナノインプリント）のパターン転写をいう。
＜組成物＞
　本発明の組成物は、重合性化合物、第一の溶剤、および第二の溶剤を含む組成物であって、第一の溶剤の１気圧における沸点が、１６０℃以上であり、第二の溶剤の１気圧における沸点が、１６０℃未満であり、前記組成物における、重合性化合物の含有量が１質量％未満であることを特徴とする。
　また、本発明の組成物は、重合性化合物、第一の溶剤、および第二の溶剤を含む組成物であって、前記組成物が、基板上に適用した後に加熱を行なうことで膜を形成するための組成物であり、前記第一の溶剤の１気圧における沸点が前記加熱温度以上であり、前記組成物に含まれる溶剤中の、前記第一の溶剤の量が１～５０質量％であることを特徴とする。
　本発明の組成物を基板上に適用し、第一の加熱により一部硬化させた後、第二の加熱を行ってさらに硬化させて膜を形成する場合に特に好ましく用いられる。また、本発明の組成物は、硬化して硬化物として用いることができる。また、本発明の組成物を硬化してなる下層膜と基板を有する積層体は、エッチングレジスト基板として好ましく用いられる。
　前記第一の加熱の加熱温度は、通常、１６０℃未満の温度で行われる。本発明の組成物中に含まれる第一の溶剤の１気圧における沸点は、通常、第一の加熱における加熱温度以上であるため、第一の加熱後も組成物からなる層内に第一の溶剤が存在する。このため、層内における重合性化合物の硬化性官能基の運動性が高まり、層内での硬化反応を迅速に進行させることができ、層の厚さの面内均一性が確保され、欠陥密度を低下させることができる。従って、本発明の組成物は、基板上に塗布した後に加熱を行うことで下層膜を形成するための組成物であり、インプリント用下層膜形成組成物（以下、単に、「本発明の組成物」ということがある）として好ましく利用できる。もちろん、インプリント用下層膜形成組成物以外の用途に用いることを排除するものではない。例えば、インプリント以外の硬化性組成物からなる層と基板の密着性を向上させるための下層膜形成組成物としても広く用いることができる。
　以下、本発明の組成物中に含まれる各成分について説明する。
＜＜重合性化合物＞＞
　本発明の組成物は、重合性化合物を含み、重合性化合物の含有量は、通常、本発明の組成物の１質量％未満の割合で含まれる。本発明で用いる重合性化合物の種類は本発明の趣旨を逸脱しない限り特に定めるものではなく、広く公知の化合物を採用できる。
　重合性化合物とは、分子内に重合性基を有するモノマー、オリゴマーおよび／またはポリマーであり、好ましくはポリマーである。
　本発明で用いることができる重合性化合物としては、エチレン性不飽和結合含有基を有する化合物、エポキシ基を有する化合物、ビニルエーテル基を有する化合物等を挙げることができる。
　前記エチレン性不飽和結合含有基を有する化合物としては具体的に、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、Ｎ－ビニルピロリジノン、２－アクリロイロキシエチルフタレート、２－アクリロイロキシ２－ヒドロキシエチルフタレート、２－アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタレート、２－アクリロイロキシプロピルフタレート、２－エチル－２－ブチルプロパンジオールアクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシルカルビトール（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、アクリル酸ダイマー、ベンジル（メタ）アクリレート、１－または２－ナフチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性（以下「ＥＯ」という。）クレゾール（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシ化フェニル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イソミリスチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、メトキシジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシトリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールベンゾエート(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、パラクミルフェノキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、エピクロロヒドリン（以下「ECH」という）変性フェノキシアクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェノキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシヘキサエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、ＥＯ変性コハク酸(メタ)アクリレート、トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、ＥＯ変性トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、トリドデシル(メタ)アクリレート、ｐ－イソプロペニルフェノール、Ｎ－ビニルピロリドン、Ｎ－ビニルカプロラクタム、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（メタ）アクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ（メタ）アクリレート、ジ（メタ）アクリル化イソシアヌレート、１，３－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、アリロキシポリエチレングリコールアクリレート、１，９－ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性ヘキサヒドロフタル酸ジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレンオキシド（以後「ＰＯ」という。）変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコール、ステアリン酸変性ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性フタル酸ジ（メタ）アクリレート、ポリ（エチレングリコール－テトラメチレングリコール）ジ（メタ）アクリレート、ポリ（プロピレングリコール－テトラメチレングリコール）ジ（メタ）アクリレート、ポリエステル（ジ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、シリコーンジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリグリセロールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジビニルエチレン尿素、ジビニルプロピレン尿素、ｏ－，ｍ－，ｐ－キシリレンジ（メタ）アクリレート、１，３－アダマンタンジアクリレート、ノルボルナンジメタノールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ＥＯ変性リン酸トリアクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　前記エポキシ基を有する化合物としては、例えばビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、１,４－ブタンジオールジグリシジルエーテル、１,６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル類、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンなどの脂肪族多価アルコールに１種または２種以上のアルキレンオキサイドを付加することにより得られるポリエーテルポリオールのポリグリシジルエーテル類、脂肪族長鎖二塩基酸のジグリシジルエステル類、脂肪族高級アルコールのモノグリシジルエーテル類、フェノール、クレゾール、ブチルフェノールまたはこれらにアルキレンオキサイドを付加して得られるポリエーテルアルコールのモノグリシジルエーテル類、高級脂肪酸のグリシジルエステル類などを例示することができる。
　前記ビニルエーテル基を有する化合物としては、例えば２－エチルヘキシルビニルエーテル、ブタンジオール－１，４－ジビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、１，２－プロパンジオールジビニルエーテル、１，３－プロパンジオールジビニルエーテル、１，３－ブタンジオールジビニルエーテル、１，４－ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエーテル、エチレングリコールジエチレンビニルエーテル、トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテル、エチレングリコールジプロピレンビニルエーテル、トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテル、トリメチロールプロパントリエチレンビニルエーテル、トリメチロールプロパンジエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールジエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラエチレンビニルエーテル、１，１，１－トリス〔４－（２－ビニロキシエトキシ）フェニル〕エタン、ビスフェノールＡジビニロキシエチルエーテル等が挙げられる。
　好ましい一例は、エチレン性不飽和基（Ｐ）と親水性基（Ｑ）を有するポリ（メタ）アクリレート化合物である。
　エチレン性不飽和基（Ｐ）としては、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、マレイミド基、アリル基、ビニル基が挙げられる。
　親水性基（Ｑ）としては、アルコール性水酸基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、エーテル基（好ましくはポリオキシアルキレン基）、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレイド基、ウレタン基、シアノ基、スルホンアミド基、ラクトン基、シクロカーボネート基などが挙げられる。親水性基がウレタン基である場合、ウレタン基に隣接する基が酸素原子、例えば、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－として樹脂中に存在することが好ましい。
　ポリ（メタ）アクリレート化合物（アクリル樹脂）は、エチレン性不飽和基（Ｐ）を含む繰り返し単位を２０～１００モル％の割合で含むことが好ましい。アクリル樹脂は、親水性基（Ｑ）を含む繰り返し単位を２０～１００モル％の割合で含むことが好ましい。
　エチレン性不飽和基（Ｐ）と親水性基（Ｑ）は、同一の繰り返し単位に含まれていてもよいし、別々の繰り返し単位に含まれていてもよい。
　さらに、ポリ（メタ）アクリレート化合物（アクリル樹脂）は、エチレン性不飽和基（Ｐ）および親水性基（Ｑ）の両方を含まない、他の繰り返し単位を含んでいてもよい。アクリル樹脂中における他の繰り返し単位の割合は、５０モル％以下であることが好ましい。
　ポリ（メタ）アクリレート化合物（アクリル樹脂）は、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位および／または一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 （一般式（Ｉ）および（ＩＩ）において、Ｒ1およびＲ2は、それぞれ、水素原子、メチル基、または、ヒドロキシメチル基を表し、Ｌ1は、３価の連結基を表し、Ｌ2aは、単結合または２価の連結基を表し、Ｌ2bは、単結合、２価の連結基、または３価の連結基を表し、Ｐは、エチレン性不飽和基を表し、Ｑは親水性基を表し、ｎは１または２である。）
　Ｒ1およびＲ2は、各々独立に、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基を表し、水素原子、メチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
　Ｌ1は、３価の連結基を表し、脂肪族基、脂環族基、芳香族基、またはこれらを組み合わせた３価の基であり、エステル結合、エーテル結合、スルフィド結合、および窒素原子を含んでいても良い。３価の連結基の炭素数は１～９が好ましい。
　Ｌ2aは、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、またはこれらを組み合わせた２価の基であり、エステル結合、エーテル結合、およびスルフィド結合を含んでいてもよい。２価の連結基の炭素数は１～８が好ましい。
　Ｌ2bは、単結合、２価の連結基、または３価の連結基を表す。Ｌ2bが表す２価の連結基としては、Ｌ2aが表す２価の連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。Ｌ2bが表す３価の連結基としては、Ｌ1が表す３価の連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
　Ｐは、エチレン性不飽和基を表し、上記例示したエチレン性不飽和基と同義であり、好ましいエチレン性不飽和基も同様である。
　Ｑは、親水性基を表し、上記例示した親水性基と同義であり、好ましい親水性基も同様である。
　ｎは１または２であり、１が好ましい。
　尚、Ｌ1、Ｌ2aおよびＬ2bは、エチレン性不飽和基、親水性基を含まない。
　ポリ（メタ）アクリレート化合物（アクリル樹脂）は、さらに、下記一般式（ＩＩＩ）および／または一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位を有していてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 （一般式（ＩＩＩ）および（ＩＶ）において、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ、水素原子、メチル基、または、ヒドロキシメチル基を表し、Ｌ3およびＬ4は、それぞれ、単結合または２価の連結基を表し、Ｑは親水性基を表し、Ｒ5は、炭素数１～１２の脂肪族基、炭素数３～１２の脂環族基、または炭素数６～１２の芳香族基を表す。）
　Ｒ3およびＲ4は、それぞれ、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基を表し、水素原子、メチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
　Ｌ3およびＬ4は、それぞれ、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、式（Ｉ）中のＬ2aが表す２価の連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
　Ｑは親水性基を表し、上記例示した親水性基と同義であり、好ましい親水性基も同様である。
　Ｒ5は、炭素数１～１２の脂肪族基、脂環族基、芳香族基を表す。
　炭素数１～１２の脂肪族基としては、例えば、炭素数１～１２のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、へプチル基、オクチル基、２－エチルへキシル基、３，３，５－トリメチルヘキシル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基などが挙げられる。
　炭素数３～１２の脂環族基としては、炭素数３～１２のシクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデカニル基）などが挙げられる。
　炭素数６～１２の芳香族基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などが挙げられる。中でも、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
　脂肪族基、脂環族基および芳香族基は、置換基を有していてもよい。
　以下、本発明で用いられるアクリル樹脂の具体例を以下に示す。なお、下記具体例中、ｘは０～５０ｍｏｌ％を表し、ｙは、０～５０ｍｏｌ％を表し、ｚは２０～１００ｍｏｌ％を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　また、本発明で用いる重合性化合物の他の一例としては、主鎖が芳香環を含むものを用いることもできる。かかる重合性化合物としては、主鎖が芳香環とアルキレン基からなり、主鎖がベンゼン環とメチレン基が交互に結合した構造であるものを例示できる。かかる重合性化合物においても、側鎖に反応性基を有することが好ましく、側鎖に（メタ）アクリロイル基を有することがより好ましく、側鎖にアクリロイル基を有することがより好ましい。
　主鎖が芳香環を含む重合性化合物は、下記一般式（Ａ）で表される構成単位を主成分とするポリマーが好ましく、下記一般式（Ａ）で表される構成単位が９０モル％以上を占めるポリマーであることがより好ましい。
一般式（Ａ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （一般式（Ａ）において、Ｒはアルキル基であり、Ｌ1およびＬ2は、それぞれ、２価の連結基であり、Ｐは重合性基である。ｎは０～３の整数である。）
　Ｒは炭素数１～５のアルキル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。
　Ｌ1は、アルキレン基であることが好ましく、炭素数１～３のアルキレン基であることがより好ましく、－ＣＨ2－であることがより好ましい。
　Ｌ2は、－ＣＨ2－、－Ｏ－、－ＣＨＲ（Ｒは置換基）－、およびこれらの２以上の組み合わせからなる２価の連結基であることが好ましい。ＲはＯＨ基が好ましい。
　Ｐは、（メタ）アクリロイル基が好ましく、アクリロイル基がより好ましい。
　ｎは０～２の整数であることが好ましく、０または１であることがより好ましい。
　本発明で用いる重合性化合物の他の一例としては、エポキシポリ（メタ）アクリレート化合物が挙げられる。
　その他、重合性化合物としては、例えば、特表２００９－５０３１３９号公報の段落番号００４０～００５６に記載のものが挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれる。
　上述した重合性化合物の中でも、基板との吸着性が高い官能基を有するものが好ましい。基板との吸着性が高い官能基としては、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シランカップリング基などが好ましく、水酸基またはカルボキシル基が特に好ましい。
　重合性化合物の分子量は、通常１０００以上であり、低分子化合物でもポリマーでもよいが、ポリマーが好ましい。より好ましくは、重合性化合物の分子量は、３０００以上であり、さらに好ましくは７５００以上である。重合性化合物の分子量の上限は、好ましくは２０００００以下であり、より好ましくは１０００００以下であり、さらに好ましくは５００００以下である。このような分子量とすることにより、重合性化合物の揮発を抑制することができる。
　本発明で用いる重合性化合物の含有量は、組成物の全成分中１質量％未満であり、０．５質量％未満が好ましく、０．２質量％未満がより好ましい。下限値については特に制限はないが、０．０１質量％以上である。
　本発明で用いる重合性化合物は１種ないし２種以上を混合して用いてもよい。
＜＜第一の溶剤＞＞
　本発明で用いる第一の溶剤は、１気圧における沸点が１６０℃以上であることおよび／または１気圧における沸点が前記第一の加熱温度以上であることを特徴とする。第一の溶剤の１気圧における沸点は、１６０℃以上であり、１６５℃以上であることが好ましく、１７０℃以上であることがより好ましい。上限については特に制限はないが、２５０℃以下である。
　第一の溶剤の種類としては、１気圧における沸点が、１６０℃以上であり、且つ本発明の組成物を溶解可能な溶剤であればいずれも用いることができ、好ましくは、３－エトキシプロピオン酸エチル（沸点１７０℃）、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル（沸点１７６℃）、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート（沸点１６０℃）、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（沸点２１３℃）、３－メトキシブチルエーテルアセテート（沸点１７１℃）、ジエチレングリコールジエチエルエーテル（沸点１８９℃）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（沸点１６２℃）、プロピレングリコールジアセテート（沸点１９０℃）、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（沸点２２０℃）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル（沸点１７５℃）、１，３－ブチレングリコールジアセテート（沸点２３２℃）、乳酸ブチル（沸点１８５℃）などが挙げられる。これらの中でも、エチレングリコールモノノルマルブチルエーテル、乳酸ブチルが好ましい。
　第一の溶剤は、１種類のみ用いてもよいし、２種以上の溶剤を混合して使用してもよい。
　本発明における第一の溶剤の含有量としては、本発明の組成物に対し、１～５０質量％であり、２～４０質量％であることが好ましく、３～３０質量％であることがより好ましく、５～２０質量％であることがさらに好ましい。
　第一の溶剤の含有量を１質量％以上とすることで、第一の加熱後の第一の溶剤残存量が十分となり、膜厚の面内均一性および欠陥密度がより効果的に改善される。一方、第一の溶剤の含有量を５０質量％以下とすることで、本発明の組成物の回転塗布時の溶剤揮発が生じにくくなることによる基板周縁部に対する中央部の膜厚減少（半径方向に膜厚が一様でない）をより効果的に抑制することができる。
＜＜第二の溶剤＞＞
　本発明で用いる第二の溶剤は、１気圧における沸点が１６０℃未満の溶剤であることおよび／または前記第一の加熱における加熱温度未満であることを特徴とする。すなわち、第一の溶剤の１気圧における沸点よりも低い。第二の溶剤の１気圧における沸点は、通常、１６０℃未満であり、１５５℃以下であることが好ましく、１５０℃以下であることがより好ましい。下限については特に制限はないが、通常、８０℃以上である。
　第一の溶剤の１気圧における沸点と、第二の溶剤の１気圧における沸点との差としては、２０～６０℃であることが好ましく、２５～５５℃であることがより好ましく、３０～５０℃であることがさらに好ましい。沸点の差を２０℃以上とすることで、第一の加熱後の第一の溶剤残存量が十分となり、膜厚の面内均一性および欠陥密度がより効果的に改善され、６０℃以下とすることで、本発明の組成物の回転塗布時の溶剤揮発が生じにくくなることによる基板周縁部に中央部の膜厚減少（半径方向に膜厚が一様でない）をより効果的に抑制することができる。
　第二の溶剤の種類としては、本発明の組成物を溶解可能な溶剤であればいずれも用いることができ、好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（沸点１４６℃）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート(沸点１５８℃)、プロピレングリコールメチル－ｎ－ブチルエーテル（沸点１５５℃）、プロピレングリコールメチル－ｎ－プロピルエーテル（沸点１３１℃）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１２０℃）、アニソール（沸点１５４℃）などが挙げられる。これらの中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。
　第二の溶剤は、１種類のみ用いてもよいし、２種以上の溶剤を混合して使用してもよい。
　本発明における第二の溶剤の含有量としては、本発明の組成物に対し、５０～９９質量％であり、６０～９８質量％であることが好ましく、７０～９７質量％であることがより好ましく、８０～９５質量％であることがさらに好ましい。
　第一の溶剤と第二の溶剤の含有比率としては、質量比（第一の溶剤：第二の溶剤）で１～５０：９９～５０が好ましく、２～４０：９８～６０がより好ましく、２～４０：９８～６０がさらに好ましく、５～２０：９５～８０がよりさらに好ましい。
　質量比を上記範囲内とすることで膜厚の面内均一性および欠陥密度が改善される。
＜＜その他の成分＞＞
　本発明の組成物は、他の成分として、架橋剤、酸または酸発生剤、重合禁止剤、界面活性剤を含有していても良い。これらの成分の配合量は、組成物の溶剤（第一の溶剤および第二の溶剤）を除く全成分に対し、５０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましく、実質的に含まないことが特に好ましい。ここで実質的に含まないとは、例えば、重合性化合物の合成の際の反応剤、触媒、重合禁止剤等の添加剤、反応副生成分に由来する不純物等のみであり、組成物に対して積極的に添加しないことをいう。具体的には、５質量％以下とすることができる。
　特に、本発明では溶剤以外の低分子成分（例えば、分子量が１０００未満の成分）を実質的に含まない方が好ましい。このような構成とすることにより、ベーク時にかかる低分子成分の昇華を抑制でき、本発明の効果がより効果的に発揮される。
（架橋剤）
　架橋剤としては、エポキシ化合物、オキセタン化合物、メチロール化合物、メチロールエーテル化合物、ビニルエーテル化合物などのカチオン重合性化合物が好ましい。
　エポキシ化合物としては、共栄社化学（株）製エポライト、ナガセケムテックス（株）製デナコールＥＸ、日本化薬（株）製ＥＯＣＮ、 ＥＰＰＮ、ＮＣ、ＢＲＥＮ、ＧＡＮ、ＧＯＴ、ＡＫ、ＲＥ等シリーズ、ジャパンエポキシレジン（株）製エピコート、ＤＩＣ（株）製エピクロン、日産化学工業（株）製テピックなどのシリーズが挙げられる。これらのうち２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
　オキセタン化合物としては、宇部興産（株）製エタナコールＯＸＢＰ、ＯＸＴＰ、ＯＸＩＰＡ、東亞合成（株）製アロンオキセタンＯＸＴ－１２１、ＯＸＴ－２２１が挙げられる。
　ビニルエーテル化合物としては、ＡｌｌｉｅｄＳｉｇｎａｌ社製ＶＥｃｔｏｍｅｒシリーズが挙げられる
　メチロール化合物、メチロールエーテル化合物としては、ウレア樹脂、グリコウリル樹脂、メラミン樹脂、グアナミン樹脂、フェノール樹脂が挙げられ、具体的には、三和ケミカル社製ニカラックＭＸ－２７０、ＭＸ－２８０、ＭＸ－２９０、ＭＷ－３９０、ＢＸ－４０００、サイテックインダストリーズ社製サイメル３０１、３０３ＵＬＦ、３５０、１１２３などが挙げられる。
（酸または酸発生剤）
　前記架橋剤を含有する場合は、酸、熱または光酸発生剤が好ましく用いられる。本発明の組成物に用いることができる酸としては、ｐ－トルエンスルホン酸、パーフルオロブタンスルホン酸などが挙げられる。熱酸発生剤としては、イソプロピル－ｐ－トルエンスルホネート、シクロヘキシル－ｐ－トルエンスルホネート、芳香族スルホニウム塩化合物である三新化学工業製サンエイドＳＩシリーズなどが挙げられる。
　本発明で使用される光酸発生剤としては、スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、オキシムスルホネート化合物などが好ましく、ローデア製 ＰＩ２０７４、ＢＡＳＦ社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ２５０、ＢＡＳＦ社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＰＡＧ１０３、１０８、１２１、２０３などが挙げられる。
（重合禁止剤）
　重合禁止剤を本発明の組成物に含有させることが、保存安定性の観点で好ましい。本発明に用いることができる重合禁止剤としては、ハイドロキノン、ｐ－メトキシフェノール、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－クレゾール、ピロガロール、ｔｅｒｔ－ブチルカテコール、ベンゾキノン、４，４'－チオビス（３－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、２，２'－メチレンビス（４－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、Ｎ－ニトロソフェニルヒドロキシアミン第一セリウム塩、フェノチアジン、フェノキサジン、４－メトキシナフトール、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシルフリーラジカル、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン、４－ヒドロキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシルフリーラジカル、ニトロベンゼン、ジメチルアニリン等が挙げられる。これらのなかでも、フェノチアジン、４－メトキシナフトール、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシルフリーラジカル、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン、４－ヒドロキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシルフリーラジカルが、無酸素下でも効果を発現する点で好ましい。
　本発明で用いる重合禁止剤は１種ないし２種以上を混合して用いてもよい。
（界面活性剤）
　界面活性剤を本発明の組成物に含有させてもよい。前記界面活性剤は、ノニオン性界面活性剤が好ましく、フッ素系、Ｓｉ系、またはフッ素・Ｓｉ系であることが好ましい。ここで、“フッ素・Ｓｉ系"とは、フッ素系およびＳｉ系の両方の要件を併せ持つものをいう。このような界面活性剤を用いることによって、塗布均一性を改善でき、スピンコーターやスリットスキャンコーターを用いた塗布において、良好な塗膜が得られる。
　本発明で用いることのできるノニオン性界面活性剤は、商品名フロラード（住友スリーエム）、メガフアック（ＤＩＣ）、サーフロン （ＡＧＣセイミケミカル）、ユニダイン（ダイキン工業）、フタージェント（ネオス）、エフトップ（三菱マテリアル電子化成）、ポリフロー（共栄社化学）、ＫＰ（信越化学工業）、トロイゾル（トロイケミカル）、ＰｏｌｙＦｏｘ （ＯＭＮＯＶＡ）、Ｃａｐｓｔｏｎｅ（ＤｕＰｏｎｔ）等の各シリーズが挙げられる。
　本発明で用いる界面活性剤は１種ないし２種以上を混合して用いてもよい。
　本発明の組成物は、上述の各成分を混合して調製することができる。また、前記各成分を混合した後、例えば、孔径０．００３μｍ～５．０μｍのフィルターで濾過することが好ましい。濾過は、多段階で行ってもよいし、複数回繰り返してもよい。濾過に使用するフィルターの材質は、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、フッソ樹脂、ナイロン樹脂などが使用できるが特に限定されるものではない。
　本発明の組成物は、組成物中の固形分の合計量が、１質量％未満であることが好ましく、０．０１質量％１質量％未満であることがより好ましく、０．１質量％以上１質量％未満であることがより好ましい。
　固形分の合計量を１質量％未満とすることで本発明の効果がより効果的に発揮される。
＜インプリント用硬化性組成物＞
　本発明の組成物と一緒に用いられるインプリント用硬化性組成物は、通常、重合性化合物および重合開始剤を含有する。
＜＜重合性化合物＞＞
　本発明に用いるインプリント用硬化性組成物に用いられる重合性化合物の種類は本発明の趣旨を逸脱しない限り特に定めるものではないが、例えば、エチレン性不飽和結合含有基を１～６個有する重合性不飽和単量体；エポキシ化合物、オキセタン化合物；ビニルエーテル化合物；スチレン誘導体；プロペニルエーテルまたはブテニルエーテル等を挙げることができる。インプリント用硬化性組成物は本発明の組成物が有する重合性基と重合可能な重合性基を有していることが好ましい。これらの中でも、（メタ）アクリレートが好ましい。これらの具体例としては、特開２０１１－２３１３０８号公報の段落番号００２０～００９８に記載のものが挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
　重合性化合物としては、脂環炭化水素基および／または芳香族基を有する重合性化合物を含有していることが好ましく、さらに、脂環炭化水素基および／または芳香族基を有する重合性化合物とシリコン原子および／またはフッ素を含有する重合性化合物とを含むことが好ましい。さらに、本発明におけるインプリント用硬化性組成物に含まれる全重合性成分のうち、脂環炭化水素基および／または芳香族基を有する重合性化合物の合計が、全重合性化合物の、３０～１００質量％であることが好ましく、より好ましくは５０～１００質量％、さらに好ましくは７０～１００質量％である。
　さらに好ましい様態として重合性化合物として芳香族基を含有する（メタ）アクリレート重合性化合物が、全重合性成分の５０～１００質量％であることが好ましく、７０～１００質量％であることがより好ましく、９０～１００質量％であることが特に好ましい。
　特に好ましい様態としては、下記重合性化合物（１）が、全重合性成分の０～８０質量％であり（より好ましくは、２０～７０質量％）、下記重合性化合物（２）が、全重合性成分の２０～１００質量％であり（より好ましくは、５０～１００質量％）、下記重合性化合物（３）が、全重合性成分の０～１０質量％であり（より好ましくは、０．１～６質量％）である場合である。
（１）芳香族基（好ましくはフェニル基、ナフチル基、さらに好ましくはナフチル基）と（メタ）アクリレート基を１つ有する重合性化合物
（２）芳香族基（好ましくはフェニル基、ナフチル基、さらに好ましくはフェニル基）を含有し、（メタ）アクリレート基を２つ有する重合性化合物
（３）フッ素原子とシリコン原子のうち少なくとも一方と（メタ）アクリレート基を有する重合性化合物
　さらに、インプリント用硬化性組成物において２５℃における粘度が５ｍＰａ・ｓ未満の重合性化合物の含有量が全重合性化合物に対して５０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。上記範囲に設定することでインクジェット吐出時の安定性が向上し、インプリント転写において欠陥が低減できる。
＜＜重合開始剤＞＞
　本発明で用いるインプリント用硬化性組成物には、光重合開始剤が含まれる。本発明に用いられる光重合開始剤は、光照射により上述の重合性化合物を重合する活性種を発生する化合物であればいずれのものでも用いることができる。光重合開始剤としては、ラジカル重合開始剤、カチオン重合開始剤が好ましく、ラジカル重合開始剤がより好ましい。また、本発明において、光重合開始剤は複数種を併用してもよい。
　本発明で使用されるラジカル光重合開始剤としては、例えば、市販されている開始剤を用いることができる。これらの例としては、例えば、特開２００８－１０５４１４号公報の段落番号００９１に記載のものを好ましく採用することができる。この中でもアセトフェノン系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物、オキシムエステル系化合物が硬化感度、吸収特性の観点から好ましい。
　なお、本発明において「光」には、紫外、近紫外、遠紫外、可視、赤外等の領域の波長の光や、電磁波だけでなく、放射線も含まれる。前記放射線には、例えばマイクロ波、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線が含まれる。また２４８ｎｍエキシマレーザー、１９３ｎｍエキシマレーザー、１７２ｎｍエキシマレーザーなどのレーザー光も用いることができる。これらの光は、光学フィルターを通したモノクロ光（単一波長光）を用いてもよいし、複数の波長の異なる光(複合光)でもよい。
　本発明に用いられる光重合開始剤の含有量は、溶剤を除く全組成物中、例えば、０．０１～１５質量％であり、好ましくは０．１～１２質量％であり、さらに好ましくは０．２～７質量％である。２種類以上の光重合開始剤を用いる場合は、その合計量が前記範囲となる。
　光重合開始剤の含有量が０．０１質量％以上であると、感度(速硬化性)、解像性、ラインエッジラフネス性、塗膜強度が向上する傾向にあり好ましい。一方、光重合開始剤の含有量を１５質量％以下とすると、光透過性、着色性、取り扱い性などが向上する傾向にあり、好ましい。
＜＜界面活性剤＞＞
　本発明で用いるインプリント用硬化性組成物には、界面活性剤を含有することが好ましい。本発明に用いられる界面活性剤としては、前掲の本発明の組成物として記載した界面活性剤と同様のものが挙げられる。本発明に用いられる界面活性剤の含有量は、全組成物中、例えば、０．００１～５質量％であり、好ましくは０．００２～４質量％であり、さらに好ましくは、０．００５～３質量％である。二種類以上の界面活性剤を用いる場合は、その合計量が前記範囲となる。界面活性剤が組成物中０．００１～５質量％の範囲にあると、塗布の均一性の効果が良好であり、界面活性剤の過多によるモールド転写特性の悪化を招きにくい。
　前記界面活性剤としては、非イオン性界面活性剤が好ましく、フッ素系界面活性剤、Ｓｉ系界面活性剤およびフッ素・Ｓｉ系界面活性剤の少なくとも一種を含むことが好ましく、フッ素系界面活性剤とＳｉ系界面活性剤との両方または、フッ素・Ｓｉ系界面活性剤を含むことがより好ましく、フッ素・Ｓｉ系界面活性剤を含むことが最も好ましい。尚、前記フッ素系界面活性剤およびＳｉ系界面活性剤としては、非イオン性の界面活性剤が好ましい。
　ここで、“フッ素・Ｓｉ系界面活性剤"とは、フッ素系界面活性剤およびＳｉ系界面活性剤の両方の要件を併せ持つものをいう。
　このような界面活性剤を用いることによって、半導体素子製造用のシリコンウエハや、液晶素子製造用のガラス角基板、クロム膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜、タンタル膜、タンタル合金膜、窒化珪素膜、アモルファスシリコン膜、酸化錫をドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）膜や酸化錫膜などの、各種の膜が形成される基板上に塗布したときに起こるストリエーションや、鱗状の模様（レジスト膜の乾燥むら）などの塗布不良の問題を解決するが可能となる。特に、本発明の組成物は、前記界面活性剤を添加することにより、塗布均一性を大幅に改良でき、スピンコーターやスリットスキャンコーターを用いた塗布において、基板サイズに依らず良好な塗布適性が得られる。
　本発明で用いることのできる界面活性剤の例としては、特開２００８－１０５４１４号公報の段落番号００９７の記載を参酌でき、かかる内容は本願明細書に組み込まれる。市販品も利用でき、例えば、ＰＦ－６３６（オムノバ製）が例示される。
＜＜非重合性化合物＞＞
　本発明で用いるインプリント用硬化性組成物は、末端に少なくとも１つ水酸基を有するかまたは水酸基がエーテル化されたポリアルキレングリコール構造を有し、フッ素原子およびシリコン原子を実質的に含有しない非重合性化合物を含んでいてもよい。
　非重合性化合物の含有量は溶剤を除く全組成物中０．１～２０質量％が好ましく、０．２～１０質量％がより好ましく、０．５～５質量％がさらに好ましく、０．５～３質量％がさらに好ましい。
＜＜酸化防止剤＞＞
　さらに、本発明で用いるインプリント用硬化性組成物には、公知の酸化防止剤を含有することが好ましい。本発明に用いられる酸化防止剤の含有量は、重合性化合物に対し、例えば、０．０１～１０質量％であり、好ましくは０．２～５質量％である。二種類以上の酸化防止剤を用いる場合は、その合計量が前記範囲となる。
　前記酸化防止剤は、熱や光照射による退色およびオゾン、活性酸素、ＮＯx、ＳＯx（Ｘは整数）などの各種の酸化性ガスによる退色を抑制するものである。特に本発明では、酸化防止剤を添加することにより、硬化膜の着色を防止や、分解による膜厚減少を低減できるという利点がある。このような酸化防止剤としては、ヒドラジド類、ヒンダードアミン系酸化防止剤、含窒素複素環メルカプト系化合物、チオエーテル系酸化防止剤、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、アスコルビン酸類、硫酸亜鉛、チオシアン酸塩類、チオ尿素誘導体、糖類、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、ヒドロキシルアミン誘導体などを挙げることができる。この中でも、特にヒンダードフェノール系酸化防止剤、チオエーテル系酸化防止剤が硬化膜の着色、膜厚減少の観点で好ましい。
　前記酸化防止剤の市販品としては、商品名Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、１０３５、１０７６、１２２２（以上、チバガイギー（株）製）、商品名 Ａｎｔｉｇｅｎｅ　Ｐ、３Ｃ、ＦＲ、スミライザーＳ、スミライザーＧＡ８０（住友化学工業（株）製）、商品名アデカスタブＡＯ７０、ＡＯ８０、ＡＯ５０３（（株）ＡＤＥＫＡ製）等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。
＜＜重合禁止剤＞＞
　さらに、本発明で用いるインプリント用硬化性組成物には、重合禁止剤を含有することが好ましい。重合禁止剤を含めることにより、経時での粘度変化、異物発生およびパターン形成性劣化を抑制できる傾向にある。重合禁止剤の含有量としては、全重合性化合物に対し、０．００１～１質量％であり、より好ましくは０．００５～０．５質量％、さらに好ましくは０．００８～０．０５質量％である、重合禁止剤を適切な量配合することで高い硬化感度を維持しつつ経時による粘度変化が抑制できる。重合禁止剤は用いる重合性化合物にあらかじめ含まれていても良いし、インプリント用硬化性組成物にさらに追加してもよい。
　本発明に用いうる好ましい重合禁止剤としては、特開２０１２－０９４８２１号公報の段落番号０１２５の記載を参酌でき、かかる内容は本願明細書に組み込まれる。
＜＜溶剤＞＞
　本発明で用いるインプリント用硬化性組成物には、種々の必要に応じて、溶剤を用いることができる。好ましい溶剤としては常圧における沸点が８０～２００℃の溶剤である。溶剤の種類としては組成物を溶解可能な溶剤であればいずれも用いることができるが、好ましくはエステル構造、ケトン構造、水酸基、エーテル構造のいずれか１つ以上を有する溶剤である。具体的に、好ましい溶剤としてはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、２－ヘプタノン、γ－ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルから選ばれる単独あるいは混合溶剤であり、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する溶剤が塗布均一性の観点で最も好ましい。
　本発明で用いるインプリント用硬化性組成物中における前記溶剤の含有量は、溶剤を除く成分の粘度、塗布性、目的とする膜厚によって最適に調整されるが、塗布性改善の観点から、全組成物中９９質量％以下の範囲で添加することができる。本発明で用いるインプリント用硬化性組成物をインクジェット法で基板上に適用する場合、溶剤は、実質的に含まない（例えば、３質量％以下）ことが好ましい。一方、膜厚５００ｎｍ以下のパターンをスピン塗布などの方法で形成する際には、２０～９９質量％の範囲で含めてもよく、４０～９９質量％が好ましく、７０～９８質量％が特に好ましい。
＜＜ポリマー成分＞＞
　本発明で用いるインプリント用硬化性組成物では、架橋密度をさらに高める目的で、前記多官能の他の重合性化合物よりもさらに分子量の大きい多官能オリゴマーを、本発明の目的を達成する範囲で配合することもできる。光ラジカル重合性を有する多官能オリゴマーとしてはポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエーテルアクリレート、エポキシアクリレート等の各種アクリレートオリゴマーが挙げられる。オリゴマー成分の添加量としては組成物の溶剤を除く成分に対し、０～３０質量％が好ましく、より好ましくは０～２０質量％、さらに好ましくは０～１０質量％、最も好ましくは０～５質量％である。
　本発明で用いるインプリント用硬化性組成物はドライエッチング耐性、インプリント適性、硬化性等の改良を観点からも、さらにポリマー成分を含有していてもよい。前記ポリマー成分としては側鎖に重合性官能基を有するポリマーが好ましい。前記ポリマー成分の重量平均分子量としては、重合性化合物との相溶性の観点から、２０００～１０００００が好ましく、５０００～５００００がさらに好ましい。ポリマー成分の添加量としては組成物の溶剤を除く成分に対し、０～３０質量％が好ましく、より好ましくは０～２０質量％、さらに好ましくは０～１０質量％、最も好ましくは２質量％以下である。本発明で用いるインプリント用硬化性組成物において溶剤を除く成分中、分子量２０００以上の化合物の含有量が３０質量％以下であると、パターン形成性が向上することからは、該成分は、少ない方が好ましく、界面活性剤や微量の添加剤を除き、樹脂成分を実質的に含まないことが好ましい。
　本発明で用いるインプリント用硬化性組成物には前記成分の他に必要に応じて離型剤、シランカップリング剤、紫外線吸収剤、光安定剤、老化防止剤、可塑剤、接着促進剤、熱重合開始剤、着色剤、エラストマー粒子、光酸増殖剤、光塩基発生剤、塩基性化合物、流動調整剤、消泡剤、分散剤等を添加してもよい。
　本発明で用いるインプリント用硬化性組成物は、上述の各成分を混合して調整することができる。硬化性組成物の混合・溶解は、通常、０℃～１００℃の範囲で行われる。また、前記各成分を混合した後、例えば、孔径０．００３μｍ～５．０μｍのフィルターで濾過することが好ましい。濾過は、多段階で行ってもよいし、多数回繰り返してもよい。また、濾過した液を再濾過することもできる。濾過に使用するフィルターの材質は、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、フッソ樹脂、ナイロン樹脂などのものが使用できるが特に限定されるものではない。
　本発明で用いるインプリント用硬化性組成物は溶剤を除く全成分の混合液の粘度が１００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、より好ましくは１～７０ｍＰａ・ｓ、さらに好ましくは２～５０ｍＰａ・ｓ、最も好ましくは３～３０ｍＰａ・ｓである。
　本発明で用いるインプリント用硬化性組成物は、製造後にガロン瓶やコート瓶などの容器にボトリングし、輸送、保管されるが、この場合に、劣化を防ぐ目的で、容器内を不活性なチッソ、またはアルゴンなどで置換しておいてもよい。また、輸送、保管に際しては、常温でもよいが、変質を防ぐため、－２０℃から０℃の範囲に温度制御してもよい。勿論、反応が進行しないレベルで遮光することが好ましい。
　液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などに用いられる永久膜（構造部材用のレジスト）や電子材料の基板加工に用いられるレジストにおいては、製品の動作を阻害しないようにするため、レジスト中の金属あるいは有機物のイオン性不純物の混入を極力避けることが望ましい。このため、本発明のインプリント用硬化性組成物中における金属または有機物のイオン性不純物の濃度としては、１ｐｐｍ以下、好ましくは１００ｐｐｂ以下、さらに好ましくは１０ｐｐｂ以下にすることが好ましい。
＜製膜方法＞
　本発明の下層膜の製造方法は、基板上に本発明の組成物を適用する工程、加熱により前記組成物を硬化する工程、前記硬化後に前記第一の溶剤の１気圧における沸点より高い温度で第二の加熱を行う工程、前記第二の加熱後に前記下層膜表面にインプリント用硬化性組成物を適用する工程、前記下層膜を形成した基板と、微細パターンを有するモールドとの間に前記インプリント用硬化性組成物を挟んだ状態で光照射し、前記インプリント用硬化性組成物を硬化する工程、およびモールドを剥離する工程を含むことを特徴とする。
　本発明の組成物は基板上に適用して下層膜を形成する。基板上に適用する方法としては、例えば、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート方法、スリットスキャン法、あるいはインクジェット法などにより基板上に塗膜あるいは液滴を適用することができる。膜厚均一性の観点から塗布が好ましく、より好ましくはスピンコート法である。その後、加熱により組成物の一部を硬化する（第一の加熱）。好ましい加熱温度は第一の溶剤の１気圧における沸点以下の温度であり、第一の溶剤の１気圧における沸点よりも５℃以上低いことが好ましい。具体的には８０～１８０℃で加熱することが好ましい。第一の加熱後、第一の溶剤の１気圧における沸点より高い温度で第二の加熱を行って硬化し、第一の溶剤を揮発させる。硬化する際の第二の加熱の温度は、第一の溶剤の１気圧における沸点よりも１０℃以上高いことが好ましい。具体的には、２００℃～２５０℃（好ましくは２００℃～２３０℃）の温度で加熱硬化を行う。第二の加熱は、第一の溶剤を除去するとともに、第一の加熱での硬化が不充分であった場合に熱硬化反応を充分に進行させる効果がある。このように、第一の加熱後に更に高温で第二の加熱を行う（多段ベーク）ことで膜中に残存する第一の溶剤を除去することができ、後の工程（インプリント用硬化性組成物塗布液の下層膜上への適用）の際、硬化性組成物への前記第一の溶剤の混入を抑制できるため好ましい。
＜基板＞
　本発明の組成物を塗布するための基板（基材または支持体）は、種々の用途によって選択可能であり、例えば、石英、ガラス、光学フィルム、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属基板、紙、ＳＯＣ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｃａｒｂｏｎ）、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）、ポリエステルフイルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム等のポリマー基板、ＴＦＴアレイ基板、ＰＤＰの電極板、ガラスや透明プラスチック基板、ＩＴＯや金属などの導電性基板、絶縁性基板、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどの半導体作製基板など特に制約されない。本発明では、特に、表面エネルギーの小さい（例えば、４０～６０ｍＪ／ｍ2程度）の基板を用いたときにも、適切な下層膜を形成できる。しかしながら、エッチング用途に用いる場合、後述するとおり、半導体作製基板が好ましい。
　本発明の基板、下層膜およびインプリント用硬化性組成物によって形成されたパターンからなる積層体は、エッチングレジストとして使用することができる。この場合の基板として、ＳＯＣ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｃａｒｂｏｎ）、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）、ＳｉＯ2や窒化シリコン等の薄膜が形成された基板（シリコンウエハ）が例示される。
　基板エッチングは、複数を同時に行っても良い。また、本発明の基板、下層膜およびインプリント用硬化性組成物によって形成されたパターンからなる積層体は、そのままあるいは凹部の残膜、下層膜を除去した状態で永久膜としてデバイスや構造体として利用した際にも、環境変化や応力を加えても膜剥がれが発生しにくく、有用である。
　本発明では特に、表面に極性基を有する基板を好ましく採用できる。表面に極性基を有する基板を用いることにより、組成物との密着性がより向上する傾向にある。極性基としては、水酸基、カルボキシル基、シラノール基などが例示される。特に好ましくは、シリコン基板および石英基板である。
　基板の形状も特に限定されるものではなく、板状でもよいし、ロール状でもよい。また、後述のように前記基板としては、モールドとの組み合わせ等に応じて、光透過性、または、非光透過性のものを選択することができる。
＜パターン形成方法＞
　本発明のパターン形成方法は、基板上に本発明の組成物を適用する工程、加熱（第一の加熱）により前記組成物を硬化する工程、前記下層膜表面にインプリント用硬化性組成物を適用する工程、
前記下層膜を形成した基板と、微細パターンを有するモールドとの間に前記インプリント用硬化性組成物を挟んだ状態で光照射し、前記インプリント用硬化性組成物を硬化する工程、およびモールドを剥離する工程、を含むことを特徴とする。ここで、前記下層膜組成物を硬化する工程は、一度の硬化（第一の加熱）のみでもよいが、本発明では、前記加熱により前記組成物を硬化する工程と、前記下層膜表面にインプリント用硬化性組成物を適用する工程との間に、前記第一の溶剤の１気圧における沸点より高い温度で第二の加熱を行う工程を含むことが好ましい。すなわち、第一の加熱で下層膜形成組成物の一部が硬化され、第二の加熱でさらに下層膜形成組成物の硬化を進行させることが好ましい。下層膜の形成までの工程は、上述した下層膜の製造方法の発明と同様であり、好ましい範囲も同様である。
　本発明の組成物の厚さは、適用時（例えば、塗布膜厚）で１～１０ｎｍであることが好ましく、２～７ｎｍであることがより好ましい。硬化後の膜厚としては、１～１０ｎｍであることが好ましく、２～７ｎｍであることがより好ましい。
　図１は、インプリント用硬化性組成物を用いて、基板をエッチングする製造プロセスの一例を示す概略図であって、１は基板を、２は下層膜を、３はインプリント用硬化性組成物を、４はモールドをそれぞれ示している。図１では、基板１の表面に、組成物を適用し（２）、表面にインプリント用硬化性組成物３を適用し（３）、その表面にモールドを適用している（４）。そして、光を照射した後、モールドを剥離する（５）。そして、インプリント用硬化性組成物によって形成されたパターンにそって、エッチングを行い（６）、インプリント用硬化性組成物３および下層膜２を剥離し、要求されるパターンを有する基板を形成する（７）。ここで、基板１とインプリント用硬化性組成物３の密着性が悪いと正確なモールド４のパターンが反映されないため、密着性は重要である。
　具体的には、本発明におけるパターン形成方法は、基板上に本発明の組成物を適用して下層膜を形成する工程および下層膜表面にインプリント用硬化性組成物を適用する工程を含み、さらに、基板上に本発明の組成物を適用した後、熱または光照射によって、該組成物の一部を硬化し（第一の加熱）、その表面にインプリント用硬化性組成物を適用することを含む。通常は、インプリント用硬化性組成物と下層膜を、基板と微細パターンを有するモールドの間に挟んだ状態で光照射し、インプリント用硬化性組成物を硬化する工程、および、モールドを剥離する工程を含む。以下、これらの詳細について述べる。
　本発明の組成物およびインプリント用硬化性組成物を、それぞれ、基板上または下層膜上に適用する方法としては、一般によく知られた適用方法を採用できる。
　本発明の適用方法としては、例えば、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート方法、スリットスキャン法、あるいはインクジェット法などにより基板上または下層膜上に塗膜あるいは液滴を適用することができる。本発明では、インクジェットホウで適用することが好ましい一例として例示される。また、本発明で用いるインプリント用硬化性組成物からなるパターン形成層の膜厚は、使用する用途によって異なるが、０．０３μｍ～３０μｍ程度である。また、インプリント用硬化性組成物を、多重塗布により塗布してもよい。インクジェット法などにより下層膜上に液滴を設置する方法において、液滴の量は１ｐｌ～２０ｐｌ程度が好ましく、液滴を間隔をあけて下層膜上に配置することが好ましい。
　次いで、本発明のパターン形成方法においては、パターン形成層にパターンを転写するために、パターン形成層表面にモールドを押接する。これにより、モールドの押圧表面にあらかじめ形成された微細なパターンをパターン形成層に転写することができる。
　また、パターンを有するモールドにインプリント用硬化性組成物を塗布し、下層膜を押接してもよい。
　本発明で用いることのできるモールド材について説明する。インプリント用硬化性組成物を用いた光ナノインプリントリソグラフィは、モールド材および／または基板の少なくとも一方に、光透過性の材料を選択する。本発明に適用されるインプリントリソグラフィでは、基板の上にインプリント用硬化性組成物を塗布してパターン形成層を形成し、この表面に光透過性のモールドを押接し、モールドの裏面から光を照射し、前記パターン形成層を硬化させる。また、光透過性基板上にインプリント用硬化性組成物を塗布し、モールドを押し当て、基板の裏面から光を照射し、インプリント用硬化性組成物を硬化させることもできる。
　前記光照射は、モールドを付着させた状態で行ってもよいし、モールド剥離後に行ってもよいが、本発明では、モールドを密着させた状態で行うのが好ましい。
　本発明で用いることのできるモールドは、転写されるべきパターンを有するモールドが使われる。前記モールド上のパターンは、例えば、フォトリソグラフィや電子線描画法等によって、所望する加工精度に応じてパターンが形成できるが、本発明では、モールドパターン形成方法は特に制限されない。また、本発明のパターン形成方法によって形成したパターンをモールドとして用いることもできる。
　本発明において用いられる光透過性モールド材は、特に限定されないが、所定の強度、耐久性を有するものであればよい。具体的には、ガラス、石英、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート樹脂などの光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサンなどの柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が例示される。
　本発明において光透過性の基板を用いた場合に使われる非光透過型モールド材としては、特に限定されないが、所定の強度を有するものであればよい。具体的には、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属基板、ＳｉＣ、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどの基板などが例示され、特に制約されない。また、モールドの形状も特に制約されるものではなく、板状モールド、ロール状モールドのどちらでもよい。ロール状モールドは、特に転写の連続生産性が必要な場合に適用される。
　本発明のパターン形成方法で用いられるモールドは、インプリント用硬化性組成物とモールド表面との剥離性を向上させるために離型処理を行ったものを用いてもよい。このようなモールドとしては、シリコン系やフッソ系などのシランカップリング剤による処理を行ったもの、例えば、ダイキン工業（株）製のオプツールＤＳＸや、住友スリーエム（株）製のＮｏｖｅｃ　ＥＧＣ－１７２０等、市販の離型剤も好適に用いることができる。
　インプリント用硬化性組成物を用いてインプリントリソグラフィを行う場合、本発明のパターン形成方法では、通常、モールド圧力を１０気圧以下で行うのが好ましい。モールド圧力を１０気圧以下とすることにより、モールドや基板が変形しにくくパターン精度が向上する傾向にある。また、加圧が低いため装置を縮小できる傾向にある点からも好ましい。モールド圧力は、モールド凸部のインプリント用硬化性組成物の残膜が少なくなる範囲で、モールド転写の均一性が確保できる領域を選択することが好ましい。
　本発明のパターン形成方法中、前記パターン形成層に光を照射する工程における光照射の照射量は、硬化に必要な照射量よりも十分大きければよい。硬化に必要な照射量は、インプリント用硬化性組成物の不飽和結合の消費量や硬化膜のタッキネスを調べて適宜決定される。
　また、本発明に適用されるインプリントリソグラフィにおいては、光照射の際の基板温度は、通常、室温で行われるが、反応性を高めるために加熱をしながら光照射してもよい。光照射の前段階として、真空状態にしておくと、気泡混入防止、酸素混入による反応性低下の抑制、モールドとインプリント用硬化性組成物との密着性向上に効果があるため、真空状態で光照射してもよい。また、本発明のパターン形成方法中、光照射時における好ましい真空度は、１０-1Ｐａから常圧の範囲である。
　本発明のインプリント用硬化性組成物を硬化させるために用いられる光は特に限定されず、例えば、高エネルギー電離放射線、近紫外、遠紫外、可視、赤外等の領域の波長の光または放射線が挙げられる。高エネルギー電離放射線源としては、例えば、コッククロフト型加速器、ハンデグラーフ型加速器、リニヤーアクセレーター、ベータトロン、サイクロトロン等の加速器によって加速された電子線が工業的に最も便利且つ経済的に使用されるが、その他に放射性同位元素や原子炉等から放射されるγ線、Ｘ線、α線、中性子線、陽子線等の放射線も使用できる。紫外線源としては、例えば、紫外線螢光灯、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノン灯、炭素アーク灯、太陽灯等が挙げられる。放射線には、例えばマイクロ波、ＥＵＶが含まれる。また、ＬＥＤ、半導体レーザー光、あるいは２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光や１９３ｎｍＡｒＦエキシマレーザーなどの半導体の微細加工で用いられているレーザー光も本発明に好適に用いることができる。これらの光は、モノクロ光を用いてもよいし、複数の波長の異なる光(ミックス光)でもよい。
　露光に際しては、露光照度を１ｍＷ／ｃｍ2～５０ｍＷ／ｃｍ2の範囲にすることが望ましい。１ｍＷ／ｃｍ2以上とすることにより、露光時間を短縮することができるため生産性が向上し、５０ｍＷ／ｃｍ2以下とすることにより、副反応が生じることによる永久膜の特性の劣化を抑止できる傾向にあり好ましい。露光量は５ｍＪ／ｃｍ2～１０００ｍＪ／ｃｍ2の範囲にすることが望ましい。５ｍＪ／ｃｍ2未満では、露光マージンが狭くなり、光硬化が不十分となりモールドへの未反応物の付着などの問題が発生しやすくなる。一方、１０００ｍＪ／ｃｍ2を超えると組成物の分解による永久膜の劣化の恐れが生じる。
　さらに、露光に際しては、酸素によるラジカル重合の阻害を防ぐため、チッソやアルゴンなどの不活性ガスを流して、酸素濃度を１００ｍｇ／Ｌ未満に制御してもよい。
　本発明のパターン形成方法においては、光照射によりパターン形成層（インプリント用硬化性組成物からなる層）を硬化させた後、必要に応じて硬化させたパターンに熱を加えてさらに硬化させる工程を含んでいてもよい。光照射後に本発明の組成物を加熱硬化させる熱としては、１５０～２８０℃が好ましく、２００～２５０℃がより好ましい。また、熱を付与する時間としては、５～６０分間が好ましく、１５～４５分間がさらに好ましい。
　以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。
＜下層膜の形成＞
　下記に示した重合性化合物を、それぞれ、下記表に示した第一の溶剤および第二の溶剤で希釈して、さらに添加剤を添加し、重合性化合物の固形分が０．１質量％となるように調製した。これを０．１μｍのＰＴＦＥフィルターでろ過して組成物を得た。
　８インチシリコンウェハ上に製膜したＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）膜（表面エネルギー５５ｍＪ／ｍ2）上に、組成物をスピンコートし、下記表に記載の温度でホットプレート上で１分間加熱した。さらに、下記表に記載の温度でホットプレート上で５分間加熱することで、組成物を硬化させて下層膜を形成した。硬化後の下層膜の膜厚は３ｎｍであった。
　表中の略号は、以下のとおりである。
重合性化合物
Ａ１：新中村化学工業社製ＮＫオリゴＥＡ－７４４０／ＰＧＭＡｃ（カルボン酸無水物変性エポキシアクリレート）
Ａ２：新中村化学工業社製ＮＫオリゴＥＡ－７１２０／ＰＧＭＡｃ（クレゾールノボラック型エポキシアクリレート）
Ａ４：新中村化学工業社製ＮＫエステルＣＢＸ－１Ｎ（多官能アクリレートモノマー）
第一の溶剤
Ｓ４：プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、沸点１６０℃
Ｓ５：エチレングリコールモノノルマルブチルエーテル、沸点１７０℃
Ｓ６：乳酸ブチル、沸点１８５℃
Ｓ７：ジエチレングリコールモノメチルエーテル、沸点１９４℃
Ｓ８：γ－ブチロラクトン、沸点２０４℃
Ｓ９：プロピレンカーボネート、沸点２４０℃
第二の溶剤
Ｓ１：プロピレングリコールモノメチルエーテル、沸点１２０℃
Ｓ２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、沸点１４６℃
Ｓ３：アニソール、沸点１５４℃
添加剤
Ｃ１：三和ケミカル社製ニカラックＭＷ－１００ＬＭ（架橋剤）
Ｃ２：ＯＭＮＯＶＡ社製ＰＦ－６３２０（界面活性剤）
Ｃ３：和光純薬製Ｖ－６０１（重合開始剤）
＜＜重合性化合物Ａ３の合成＞＞
　東京化成工業製グリシジルメタクリレートをＰＧＭＥＡに溶解し、固形分濃度１５質量％の溶液４５０ｇを調製した。この溶液に和光純薬製重合開始剤Ｖ－６０１を１ｍｏｌ％加え、これを窒素雰囲気下、６時間かけて、１００℃に加熱したＰＧＭＥＡ５０ｇに滴下した。滴下終了後、反応液を２時間撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、メタノール５Ｌに晶析、析出した白色粉体を濾取し、目的物である化合物Ａ３を回収した。
　ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は７２００であり、分散度は１．５であった。
＜インプリント用硬化性組成物の調製＞
　下記表に示す重合性化合物、光重合開始剤および添加剤を混合し、さらに重合禁止剤として４－ヒドロキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシルフリーラジカル（東京化成社製）を単量体に対して２００ｐｐｍ（０．０２質量％）となるように加えて調製した。これを０．１μｍのＰＴＦＥ製フィルターでろ過し、インプリント用硬化性組成物Ｖ１を調製した。なお、表は、重量比で示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
＜中心－周縁膜厚差（面内均一性）＞
　各例において得られた下層膜のウエハ中心部とウエハ周縁部（中心部からの距離＝８ｃｍ）の膜厚を観察し、中心部と周縁部との膜厚差の絶対値を比較した。
　Ａ：０．１ｎｍ未満
　Ｂ：０．１ｎｍ以上０．２ｎｍ未満
　Ｃ：０．２ｎｍ以上０．３ｎｍ未満
　Ｄ：０．３ｎｍ以上０．４ｎｍ未満
　Ｅ：０．４ｎｍ以上
＜欠陥評価＞
　各例において得られた下層膜を、走査型電子顕微鏡（日立ハイテク社製Ｓ－４８００） を用いて１０万倍の倍率で１ミクロン四方を観察し、表面荒れがみられる領域の総数をカウントした。
　Ａ：１ミクロン角当たり０個
　Ｂ：１ミクロン角当たり１～２個
　Ｃ：１ミクロン角当たり３～５個
　Ｄ：１ミクロン角当たり５～１０個
　Ｅ：１ミクロン角当たり１０個以上
＜接着力評価＞
　８インチシリコンウエハ上に製膜したＳＯＧ表面、および、６インチ石英ウエハ表面に、それぞれ、上記組成物をスピンコートし、下記表に記載の温度でホットプレート上で１分間加熱した。さらに、下記表に記載の温度でホットプレート上で５分間加熱することで、組成物を硬化させて下層膜を形成した。硬化後の下層膜の膜厚は３ｎｍであった。
　基板上に設けた下層膜の表面に、２５℃に温度調整したインプリント用硬化性組成物Ｖ１を、富士フイルムダイマティックス製インクジェットプリンターＤＭＰ－２８３１を用いて、ノズルあたり１ｐｌの液滴量で吐出して、前記下層膜上に液滴が約１００μｍ間隔の正方配列となるように塗布した。上から石英ウエハを下層膜側がパターン形成層（インプリント用硬化性組成物層）と接するように載せ、石英ウエハ側から高圧水銀ランプを用い３００ｍＪ／ｃｍ2の条件で露光した。露光後、石英ウエハを離し、そのときの離型力を測定した。
　この離型力が基板とインプリント用硬化性組成の接着力Ｆ（単位：Ｎ）に相当する。離型力は特開２０１１－２０６９７７号公報の段落番号０１０２～０１０７に記載の比較例に記載の方法に準じて測定を行った。すなわち、該公報の図５の剥離ステップ１～６および１６～１８に従って行った。
　Ａ：Ｆ≧４５
　Ｂ：４５＞Ｆ≧４０
　Ｃ：４０＞Ｆ≧３０
　Ｄ：３０＞Ｆ≧２０
　Ｅ：２０＞Ｆ
＜パターン形成＞
　８インチシリコンウエハに上記実施例１の下層膜組成物をスピンコートし、下記表に記載の温度でホットプレート上で１分間加熱した。さらに、下記表に記載の温度でホットプレート上で５分間加熱することで、組成物を硬化させて下層膜を形成した。硬化後の下層膜の膜厚は３ｎｍであった。
　シリコンウエハ上に設けた下層膜の表面に、２５℃に温度調整したインプリント用硬化性組成物Ｖ１を、富士フイルムダイマティックス製インクジェットプリンターＤＭＰ－２８３１を用いて、ノズルあたり１ｐｌの液滴量で吐出して、前記下層膜上に液滴が約１００μｍ間隔の正方配列となるように塗布した。これに４０ｎｍのライン／スペース１／１を有し、溝深さが８０ｎｍのパターンを有し、表面がパーフロロポリエーテル構造を有するシランカップリング剤（ダイキン社製、オプツールＨＤ１１００）で離型処理されたモールドを乗せ、窒素気流下１ＭＰａの圧力でモールドを組成物に押し付けながら３６５ｎｍの光を含有する水銀ランプ光にて、露光照度１０ｍＷ／ｃｍ2、露光量２００ｍＪ／ｃｍ2で硬化させ、硬化後、ゆっくりモールドを剥がした。得られたパターンを走査型顕微鏡にて観察したところ、矩形のパターン形状となっていることが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　上記表から、本発明の組成物を用いることにより、密着性、面内均一性に優れ、欠陥密度が低い下層膜を提供でき、インプリント法によるパターン形成性を改善できる。これに対し、比較例の下層膜形成組成物を用いたときは、各種性能が低下した。
　また、各実施例において、硬化性組成物を硬化させる光源を高圧水銀ランプから、ＬＥＤ、メタルハライドランプ、エキシマランプに変更しても上記と同様の結果が得られた。
　各実施例において、接着力測定時に使用する基板をスピンオンガラス（ＳＯＧ）塗布シリコンウエハから、シリコンウエハ、石英ウエハに変更しても上記と同様の傾向が確認された。
１　　基板
２　　下層膜
３　　インプリント用硬化性組成物
４　　モールド

Claims (15)

  1. 重合性化合物、第一の溶剤、および第二の溶剤を含む組成物であって、第一の溶剤の１気圧における沸点が、１６０℃以上であり、第二の溶剤の１気圧における沸点が、１６０℃未満であり、前記組成物における、重合性化合物の含有量が１質量％未満である組成物。
  2. 前記組成物中の固形分の合計量が１質量％未満である、請求項１に記載の組成物。
  3. 前記第一の溶剤の含有量が前記組成物の１～５０質量％であり、前記第二の溶剤の含有量が前記組成物の５０～９９質量％である、請求項１または２に記載の組成物。
  4. 前記第一の溶剤の１気圧における沸点と、前記第二の溶剤の１気圧における沸点との差が、２０～６０℃である、請求項１～３のいずれか１項に記載の組成物。
  5. 前記重合性化合物が、（メタ）アクリレート化合物である、請求項１～４のいずれか１項に記載の組成物。
  6. 重合性化合物、第一の溶剤、および第二の溶剤を含む組成物であって、前記組成物が、基板上に適用した後に加熱を行なうことで膜を形成するための組成物であり、前記第一の溶剤の１気圧における沸点が前記加熱温度以上であり、前記組成物に含まれる溶剤中の、前記第一の溶剤の量が１～５０質量％である、組成物。
  7. 前記第二の溶剤の１気圧における沸点が、前記加熱温度未満である、請求項６に記載の組成物。
  8. 前記組成物が、前記請求項１～６のいずれか１項に記載の組成物である、請求項６または７に記載の組成物。
  9. インプリント用下層膜形成組成物である、請求項１～８のいずれか１項に記載の組成物。
  10. 請求項１～９のいずれか１項に記載の組成物を硬化してなる硬化物。
  11. 請求項１～９のいずれか１項に記載の組成物を硬化してなる下層膜と、基板とを有することを特徴とする積層体。
  12. 基板上に請求項１～９のいずれか１項に記載の組成物を適用する工程、
    第一の加熱により前記組成物の一部を硬化する工程、
    前記第一の加熱工程の後に、前記組成物を、前記第一の溶剤の１気圧における沸点より高い温度で第二の加熱を行う工程を含む、下層膜の製造方法。
  13. 基板上に請求項１～９のいずれか１項に記載の組成物を適用する工程、
    加熱により前記組成物を硬化する工程、
    前記硬化後に前記第一の溶剤の１気圧における沸点より高い温度で第二の加熱を行う工程、
    前記第二の加熱後に前記下層膜表面にインプリント用硬化性組成物を適用する工程、
    前記下層膜を形成した基板と、微細パターンを有するモールドとの間に前記インプリント用硬化性組成物を挟んだ状態で光照射し、前記インプリント用硬化性組成物を硬化する工程、
    およびモールドを剥離する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
  14. 請求項１３に記載のパターン形成方法により形成されたパターン。
  15. 請求項１３に記載のパターン形成方法を含む半導体レジストの製造方法。
PCT/JP2014/058326 2013-03-27 2014-03-25 組成物、硬化物、積層体、下層膜の製造方法、パターン形成方法、パターンおよび半導体レジストの製造方法 WO2014157228A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020157026529A KR101739397B1 (ko) 2013-03-27 2014-03-25 조성물, 경화물, 적층체, 하층막의 제조방법, 패턴형성방법, 패턴 및 반도체 레지스트의 제조방법
US14/865,949 US20160009945A1 (en) 2013-03-27 2015-09-25 Composition, cured article, laminate, method for manufacturing underlying film, method for forming pattern, pattern and method for manufacturing a resist for semiconductor process

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-065612 2013-03-27
JP2013065612A JP6047049B2 (ja) 2013-03-27 2013-03-27 組成物、硬化物、積層体、下層膜の製造方法、パターン形成方法、パターンおよび半導体レジストの製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/865,949 Continuation US20160009945A1 (en) 2013-03-27 2015-09-25 Composition, cured article, laminate, method for manufacturing underlying film, method for forming pattern, pattern and method for manufacturing a resist for semiconductor process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014157228A1 true WO2014157228A1 (ja) 2014-10-02

Family

ID=51624197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/058326 WO2014157228A1 (ja) 2013-03-27 2014-03-25 組成物、硬化物、積層体、下層膜の製造方法、パターン形成方法、パターンおよび半導体レジストの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20160009945A1 (ja)
JP (1) JP6047049B2 (ja)
KR (1) KR101739397B1 (ja)
TW (1) TW201439181A (ja)
WO (1) WO2014157228A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170094371A (ko) * 2014-12-19 2017-08-17 캐논 가부시끼가이샤 임프린트용 광경화성 조성물, 경화막의 제조 방법, 광학 부품의 제조 방법, 회로 기판의 제조 방법, 및 전자 부품의 제조 방법
US20180046081A1 (en) * 2016-08-10 2018-02-15 Jsr Corporation Resist underlayer film-forming composition, resist underlayer film, resist underlayer film-forming process, and production method of patterned substrate
CN108351593A (zh) * 2015-11-17 2018-07-31 日产化学工业株式会社 抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂及包含该添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
WO2020184497A1 (ja) * 2019-03-14 2020-09-17 富士フイルム株式会社 インプリント用の下層膜形成用組成物、下層膜形成用組成物の製造方法、キット、パターン製造方法、および半導体素子の製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6638186B2 (ja) * 2014-12-02 2020-01-29 セイコーエプソン株式会社 成膜用インクおよび成膜方法
KR20170079671A (ko) * 2015-12-30 2017-07-10 코오롱인더스트리 주식회사 와이어 그리드 편광판 및 이를 포함한 액정표시장치
JP6542141B2 (ja) * 2016-03-08 2019-07-10 東芝メモリ株式会社 パターン形成方法
US10829644B2 (en) 2016-03-31 2020-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10754243B2 (en) 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10883006B2 (en) 2016-03-31 2021-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10578965B2 (en) * 2016-03-31 2020-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method
US10845700B2 (en) 2016-03-31 2020-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
KR102344647B1 (ko) 2016-04-08 2021-12-30 캐논 가부시끼가이샤 경화물 패턴의 형성 방법과, 가공 기판, 광학 부품, 회로 기판, 전자 부품 및 임프린트 몰드의 제조 방법과, 임프린트 전처리 코팅용 재료
US11520226B2 (en) 2017-05-12 2022-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Imprint method, imprint apparatus, imprint system, and method of manufacturing article
JP7112220B2 (ja) * 2017-05-12 2022-08-03 キヤノン株式会社 方法、装置、システム、および物品の製造方法
TWI758490B (zh) * 2017-06-14 2022-03-21 日商富士軟片股份有限公司 套組、積層體、積層體的製造方法、硬化物圖案的製造方法及電路基板的製造方法
TWI797243B (zh) * 2018-02-09 2023-04-01 日商富士軟片股份有限公司 試劑盒、壓印用下層膜形成組成物、積層體、使用該等之製造方法
TWI783115B (zh) * 2018-02-14 2022-11-11 日商富士軟片股份有限公司 試劑盒、壓印用下層膜形成組成物、圖案形成方法、半導體器件的製造方法
WO2020131185A2 (en) 2018-09-26 2020-06-25 Dvorchak Enterprises Llc One component uv curable compositions and methods for making same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009503139A (ja) * 2005-07-22 2009-01-29 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 材料を相互に接着するための方法及び組成物
JP2009223293A (ja) * 2008-02-19 2009-10-01 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズならびにそれらの形成方法
JP2012163735A (ja) * 2011-02-07 2012-08-30 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 感光性樹脂組成物、それを用いた保護膜およびタッチパネル用絶縁膜
WO2012133148A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 東レ株式会社 黒色樹脂組成物、樹脂ブラックマトリックス基板およびタッチパネル

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69733880T2 (de) * 1996-10-30 2006-05-24 Seiko Epson Corp. Herstellungsverfahren für farbfilter
KR20070074080A (ko) * 2006-01-06 2007-07-12 삼성전자주식회사 잉크 조성물, 상기 잉크 조성물을 포함하는 표시판 및 그제조 방법
US8313571B2 (en) * 2007-09-21 2012-11-20 Microchem Corp. Compositions and processes for manufacturing printed electronics

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009503139A (ja) * 2005-07-22 2009-01-29 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 材料を相互に接着するための方法及び組成物
JP2009223293A (ja) * 2008-02-19 2009-10-01 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズならびにそれらの形成方法
JP2012163735A (ja) * 2011-02-07 2012-08-30 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 感光性樹脂組成物、それを用いた保護膜およびタッチパネル用絶縁膜
WO2012133148A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 東レ株式会社 黒色樹脂組成物、樹脂ブラックマトリックス基板およびタッチパネル

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170094371A (ko) * 2014-12-19 2017-08-17 캐논 가부시끼가이샤 임프린트용 광경화성 조성물, 경화막의 제조 방법, 광학 부품의 제조 방법, 회로 기판의 제조 방법, 및 전자 부품의 제조 방법
KR101947300B1 (ko) * 2014-12-19 2019-02-12 캐논 가부시끼가이샤 임프린트용 광경화성 조성물, 경화막의 제조 방법, 광학 부품의 제조 방법, 회로 기판의 제조 방법, 및 전자 부품의 제조 방법
US10571802B2 (en) 2014-12-19 2020-02-25 Canon Kabushiki Kaisha Photocurable composition for imprint, method of producing cured film, method of producing optical component, method of producing circuit board, and method of producing electronic component
CN108351593A (zh) * 2015-11-17 2018-07-31 日产化学工业株式会社 抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂及包含该添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
US20180046081A1 (en) * 2016-08-10 2018-02-15 Jsr Corporation Resist underlayer film-forming composition, resist underlayer film, resist underlayer film-forming process, and production method of patterned substrate
US10520814B2 (en) * 2016-08-10 2019-12-31 Jsr Corporation Resist underlayer film-forming composition, resist underlayer film, resist underlayer film-forming process, and production method of patterned substrate
WO2020184497A1 (ja) * 2019-03-14 2020-09-17 富士フイルム株式会社 インプリント用の下層膜形成用組成物、下層膜形成用組成物の製造方法、キット、パターン製造方法、および半導体素子の製造方法
JPWO2020184497A1 (ja) * 2019-03-14 2021-12-09 富士フイルム株式会社 インプリント用の下層膜形成用組成物、下層膜形成用組成物の製造方法、キット、パターン製造方法、および半導体素子の製造方法
JP7199510B2 (ja) 2019-03-14 2023-01-05 富士フイルム株式会社 インプリント用の下層膜形成用組成物、下層膜形成用組成物の製造方法、キット、パターン製造方法、および半導体素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160009945A1 (en) 2016-01-14
TW201439181A (zh) 2014-10-16
JP2014189616A (ja) 2014-10-06
JP6047049B2 (ja) 2016-12-21
KR101739397B1 (ko) 2017-05-24
KR20150126630A (ko) 2015-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6047049B2 (ja) 組成物、硬化物、積層体、下層膜の製造方法、パターン形成方法、パターンおよび半導体レジストの製造方法
US10344177B2 (en) Under layer film-forming composition for imprints and method for forming pattern
JP5767615B2 (ja) インプリント用下層膜組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP5899145B2 (ja) インプリント用下層膜形成組成物およびパターン形成方法
US9868846B2 (en) Curable composition for imprints, patterning method and pattern
JP6283115B2 (ja) 下層膜形成用樹脂組成物、積層体、パターン形成方法、インプリント形成用キットおよびデバイスの製造方法
US20150228498A1 (en) Method for manufacturing adhesive film for imprints and method for forming patterns
JP6029558B2 (ja) 光インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法、微細パターン、および半導体デバイスの製造方法
JP5564383B2 (ja) インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
US20110183127A1 (en) Composition for imprints, pattern and patterning method
JP6283114B2 (ja) 下層膜形成用樹脂組成物、積層体、パターン形成方法、インプリント形成用キットおよびデバイスの製造方法
JP2012041521A (ja) 光硬化性組成物およびそれを用いた硬化物の製造方法
KR101862578B1 (ko) 하층막 형성용 수지 조성물, 적층체, 패턴 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법
JP2012216700A (ja) パターン形成方法およびパターン

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14776010

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157026529

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14776010

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1