JPWO2020184497A1 - インプリント用の下層膜形成用組成物、下層膜形成用組成物の製造方法、キット、パターン製造方法、および半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
<1>
重合性基を有する高分子化合物と、キレート剤と、溶剤を含有する、インプリント用の下層膜形成用組成物。
<2>
キレート剤が酸基を有する、
<1>に記載の下層膜形成用組成物。
<3>
酸基が、カルボキシ基を含む、
<2>に記載の下層膜形成用組成物。
<4>
キレート剤が環構造を有する、
<1>〜<3>のいずれか1つに記載の下層膜形成用組成物。
<5>
キレート剤の分子量が100〜500である、
<1>〜<4>のいずれか1つに記載の下層膜形成用組成物。
<6>
キレート剤が、下記式(CL1)で表される化合物を含む、
<1>〜<5>のいずれか1つに記載の下層膜形成用組成物;
式(CL1)
<7>
キレート剤の含有量が、組成物中の固形分に対して10〜10000質量ppmである、
<1>〜<6>のいずれか1つに記載の下層膜形成用組成物。
<8>
溶剤の含有量が、組成物に対して99.0質量%以上である、
<1>〜<7>のいずれか1つに記載の下層膜形成用組成物。
<9>
さらに、キレート剤以外のpKa6以下の酸性化合物を含有する、
<1>〜<8>のいずれか1つに記載の下層膜形成用組成物。
<10>
キレート剤以外の酸性化合物が芳香族スルホン酸である、
<9>に記載の下層膜形成用組成物。
<11>
高分子化合物が、キレート剤の残基に相当する部分構造を有する、
<1>〜<10>のいずれか1つに記載の下層膜形成用組成物。
<12>
高分子化合物が極性基を有する、
<1>〜<11>のいずれか1つに記載の下層膜形成用組成物。
<13>
重合性基を有する高分子化合物と、キレート剤と、溶剤を含む組成物をフィルタで濾過することを含む、インプリント用の下層膜形成用組成物の製造方法。
<14>
<1>〜<12>のいずれか1つに記載の下層膜形成用組成物と、硬化性組成物を含む、インプリント用キット。
<15>
<1>〜<12>のいずれか1つに記載の下層膜形成用組成物を用いて、下層膜を基板上に形成し、
硬化性組成物を下層膜上に適用し、
モールドを接触させた状態で、硬化性組成物を硬化させ、
硬化性組成物からモールドを剥離することを含む、パターン製造方法。
<16>
下層膜の形成の際に、下層膜形成用組成物をスピンコート法により基板上に塗布することを含む、
<15>に記載のパターン製造方法。
<17>
下層膜形成用組成物を、基板上への適用の前に、10〜40℃で保存することを含む、
<15>または<16>に記載のパターン製造方法。
<18>
硬化性組成物の下層膜上への適用を、インクジェット法により行う、
<15>〜<17>のいずれか1つに記載のパターン製造方法。
<19>
<15>〜<18>のいずれか1つに記載の製造方法により得られたパターンを利用して、半導体素子を製造する、半導体素子の製造方法。
本発明のインプリント用の下層膜形成用組成物は、重合性基を有する高分子化合物と、キレート剤と、溶剤を含有する。
本発明の下層膜形成用組成物において、重合性基を有する高分子化合物は、通常、下層膜中で最も含有量が多い成分であり、高分子化合物としての種類は、特段制限されず、公知の高分子化合物を広く用いることができる。
キレート剤は、配位座によって金属成分に配位結合可能な化合物であれば、特に制限されず、公知のキレート剤を広く使用することが可能である。キレート剤は、下層膜形成用組成物中のターゲットとする金属成分に応じて、適宜選択することができる。下層膜形成用組成物に混入しやすい金属成分としては、鉄、銅、チタン、アルミニウム、鉛、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、マンガン、リチウム、クロム、ニッケル、錫、亜鉛、ヒ素、銀、金、カドミウム、コバルト、バナジウムおよびタングステンなどが挙げられ、特に、鉄、銅、チタン、アルミニウムおよび鉛が、外部環境から混入しやすいため、モールドの損傷に寄与しやすい。したがって、キレート剤の選択においては、これらの金属、特に、鉄、銅、チタン、アルミニウムおよび鉛をターゲットとすることが好ましい。
下層膜形成用組成物は、溶剤(以下、「下層膜用溶剤」ということがある)を含む。溶剤は例えば、23℃で液体であって沸点が250℃以下の化合物が好ましい。通常、固形分が最終的に下層膜を形成する。下層膜形成用組成物は、下層膜用溶剤を99.0質量%以上含むことが好ましく、99.5質量%以上含むことがより好ましく、99.6質量%以上であってもよい。溶剤の比率を上記の範囲とすることで、膜形成時の膜厚を薄く保ち、エッチング加工時のパターン形成性向上につながる。
本発明において、下層膜形成用組成物は、pKa6以下の酸性化合物を含有することが好ましい。これにより、酸性化合物が組成物中の金属成分を微小化あるいはイオン化し、キレート錯体形成が促進される。
下層膜形成用組成物は、上記の他、アルキレングリコール化合物、重合開始剤、重合禁止剤、酸化防止剤、レベリング剤、増粘剤、界面活性剤等を1種または2種以上含んでいてもよい。
下層膜形成用組成物は、アルキレングリコール化合物を含んでいてもよい。アルキレングリコール化合物は、アルキレングリコール構成単位を3〜1000個有していることが好ましく、4〜500個有していることがより好ましく、5〜100個有していることがさらに好ましく、5〜50個有していることが一層好ましい。アルキレングリコール化合物の重量平均分子量(Mw)は150〜10000が好ましく、200〜5000がより好ましく、300〜3000がさらに好ましく、300〜1000が一層好ましい。
下層膜形成用組成物は、重合開始剤を含んでいてもよく、熱重合開始剤および光重合開始剤の少なくとも1種を含むことが好ましい。重合開始剤を含むことにより、下層膜形成用組成物に含まれる重合性基の反応が促進し、密着性が向上する傾向にある。インプリント用硬化性組成物との架橋反応性を向上させる観点から光重合開始剤が好ましい。光重合開始剤としては、ラジカル重合開始剤、カチオン重合開始剤が好ましく、ラジカル重合開始剤がより好ましい。また、本発明において、光重合開始剤は複数種を併用してもよい。
本発明の下層膜形成用組成物は、原料を所定の割合となるように配合して調製される。原料とは、下層膜形成用組成物に積極的に配合される成分をいい、不純物等の意図せずに含まれる成分は除く趣旨である。具体的には、硬化性成分や溶剤が例示される。ここで、原料は市販品であっても、合成品であってもよい。いずれの原料も、金属粒子などの不純物を含むことがある。
本発明の下層膜形成用組成物から形成されたインプリント用下層膜の表面自由エネルギーが30mN/m以上であることが好ましく、40mN/m以上であることがより好ましく、50mN/m以上であることがさらに好ましい。上限としては、200mN/m以上であることが好ましく、150mN/m以上であることがより好ましく、100mN/m以上であることがさらに好ましい。
表面自由エネルギーの測定は、協和界面科学(株)製、表面張力計 SURFACE TENS−IOMETER CBVP−A3を用い、ガラスプレートを用いて23℃で行うことができる。
本発明の下層膜形成用組成物は、通常、インプリント用硬化性組成物用の下層膜を形成するための組成物として用いられる。インプリント用硬化性組成物の組成等は、特に定めるものではないが、重合性化合物を含むことが好ましい。
インプリント用硬化性組成物は重合性化合物を含むことが好ましく、この重合性化合物が最大量成分を構成することがより好ましい。重合性化合物は、一分子中に重合性基を1つ有していても、2つ以上有していてもよい。インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物の少なくとも1種は、重合性基を一分子中に2〜5つ含むことが好ましく、2〜4つ含むことがより好ましく、2または3つ含むことがさらに好ましく、3つ含むことが一層好ましい。
R21およびR22はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基を表す。
L21およびL22はそれぞれ独立に単結合または上記連結基Lを表す。L20とL21またはL22は連結基Lを介してまたは介さずに結合して環を形成していてもよい。L20、L21およびL22は上記置換基Tを有していてもよい。置換基Tは複数が結合して環を形成してもよい。置換基Tが複数あるとき互いに同じでも異なっていてもよい。
q2は0〜5の整数であり、0〜3の整数が好ましく、0〜2の整数がより好ましく、0または1がさらに好ましい。
硬化性組成物は、重合性化合物以外の添加剤を含有してもよい。他の添加剤として、重合開始剤、溶剤、界面活性剤、増感剤、離型剤、酸化防止剤、重合禁止剤等を含んでいてもよい。
本発明で用いることができる硬化性組成物の具体例としては、特開2013−036027号公報、特開2014−090133号公報、特開2013−189537号公報に記載の組成物が例示され、これらの内容は本明細書に組み込まれる。また、硬化性組成物の調製、パターンの製造方法についても、上記公報の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
硬化性組成物の粘度は、20.0mPa・s以下であることが好ましく、15.0mPa・s以下であることがより好ましく、11.0mPa・s以下であることがさらに好ましく、9.0mPa・s以下であることが一層好ましい。上記粘度の下限値としては、特に限定されるものではないが、例えば、5.0mPa・s以上とすることができる。粘度は、下記の方法に従って測定される。
硬化性組成物の表面張力は、上記アルキレングリコール化合物における測定方法と同じ方法に従って測定される。
大西パラメータは硬化性組成物の固形分について、それぞれ、全構成成分の炭素原子、水素原子および酸素原子の数を下記式に代入して求めることができる。
大西パラメータ=炭素原子、水素原子および酸素原子の数の和/(炭素原子の数−酸素原子の数)
本発明で用いる下層膜形成用組成物および硬化性組成物の収容容器としては従来公知の収容容器を用いることができる。また、収容容器としては、原材料や組成物中への不純物混入を抑制することを目的に、容器内壁を6種6層の樹脂で構成された多層ボトルや、6種の樹脂を7層構造にしたボトルを使用することも好ましい。このような容器としては例えば特開2015−123351号公報に記載の容器が挙げられる。
本発明のキットは、インプリント用のパターン(パターン転写された硬化膜)を形成するための上記硬化性組成物と、インプリント用の下層膜を形成するための下層膜形成用組成物とを含む。本発明のキットを使用することにより、モールドの損傷を抑制できるインプリントを実施することが可能となる。
本発明の好ましい実施形態にかかるパターン(パターン転写された硬化膜)の製造方法は、基板表面に、本発明の下層膜形成用組成物を用いて下層膜を形成する工程(下層膜形成工程)、上記下層膜上(好ましくは、下層膜の表面)に硬化性組成物を適用して硬化性組成物層を形成する工程(硬化性組成物層形成工程)、上記硬化性組成物層にモールドを接触させる工程、上記モールドを接触させた状態で上記硬化性組成物層を露光する工程、および上記モールドを、上記露光した硬化性組成物層から剥離する工程を含む。
下層膜形成工程では、図1(1)(2)に示す様に、基板1の表面に、下層膜2を形成する。下層膜は、下層膜形成用組成物を基板上に層状に適用して形成することが好ましい。基板1は、単層からなる場合の他、下塗り層や密着層を有していてもよい。
基板の有機層としてはCVD(Chemical Vapor Deposition)で形成されるアモルファスカーボン膜や、高炭素材料を有機溶剤に溶解させ、スピンコートで形成されるスピンオンカーボン膜が挙げられる。スピンオンカーボン膜としては、ノルトリシクレン共重合体、水素添加ナフトールノボラック樹脂、ナフトールジシクロペンタジエン共重合体、フェノールジシクロペンタジエン共重合体、特開2005−128509号公報に記載されるフルオレンビスフェノールノボラック、特開2005−250434号公報に記載のアセナフチレン共重合、インデン共重合体、特開2006−227391号公報に記載のフェノール基を有するフラーレン、ビスフェノール化合物およびこのノボラック樹脂、ジビスフェノール化合物およびこのノボラック樹脂、アダマンタンフェノール化合物のノボラック樹脂、ヒドロキシビニルナフタレン共重合体、特開2007−199653号公報に記載のビスナフトール化合物およびこのノボラック樹脂、ROMP、トリシクロペンタジエン共重合物に示される樹脂化合物が挙げられる。
SOCの例としては特開2011−164345号公報の段落0126の記載を参照することができ、その内容は本明細書に組み込まれる。
この工程では、例えば、図1(3)に示すように、上記下層膜2の表面に、硬化性組成物3を適用する。
モールド接触工程では、例えば、図1(4)に示すように、上記硬化性組成物3とパターン形状を転写するためのパターンを有するモールド4とを接触させる。このような工程を経ることにより、所望のパターン(インプリントパターン)が得られる。
また、硬化性組成物とモールドとの接触を、ヘリウムガスまたは凝縮性ガス、あるいはヘリウムガスと凝縮性ガスの両方を含む雰囲気下で行うことも好ましい。
光照射工程では、上記硬化性組成物に光を照射して硬化物を形成する。光照射工程における光照射の照射量は、硬化に必要な最小限の照射量よりも十分大きければよい。硬化に必要な照射量は、硬化性組成物の不飽和結合の消費量などを調べて適宜決定される。照射する光の種類は特に定めるものではないが、紫外光が例示される。
離型工程では、上記硬化物と上記モールドとを引き離す(図1(5))。得られたパターンは後述する通り各種用途に利用できる。すなわち、本発明では、上記下層膜の表面に、さらに、硬化性組成物から形成されるパターンを有する、積層体が開示される。また、本発明で用いる硬化性組成物からなるパターン形成層の膜厚は、使用する用途によって異なるが、0.01μm〜30μm程度である。さらに、後述するとおり、エッチング等を行うこともできる。
上記パターンの製造方法によって形成されたパターンは、液晶表示装置(LCD)などに用いられる永久膜や、半導体素子製造用のエッチングレジスト(リソグラフィ用マスク)として使用することができる。特に、本明細書では、本発明の好ましい実施形態に係るパターンの製造方法によりパターンを得る工程を含む、半導体デバイス(回路基板)の製造方法を開示する。さらに、本発明の好ましい実施形態に係る半導体デバイスの製造方法では、上記パターンの製造方法により得られたパターンをマスクとして基板にエッチングまたはイオン注入を行う工程と、電子部材を形成する工程と、を有していてもよい。上記半導体デバイスは、半導体素子であることが好ましい。すなわち、本明細書では、上記パターン製造方法を含む半導体デバイスの製造方法を開示する。さらに、本明細書では、上記半導体デバイスの製造方法により半導体デバイスを得る工程と、上記半導体デバイスと上記半導体デバイスを制御する制御機構とを接続する工程と、を有する電子機器の製造方法を開示する。
下記表1〜3に示した配合比(質量%)となるように各材料を配合し、混合した。混合後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させ、0.3質量%の溶液を作製した。これを孔径0.02μmのナイロンフィルタおよび孔径0.001μmの超高分子量ポリエチレン(UPE)フィルタで濾過して、実施例および比較例に示す下層膜形成用組成物を調製した。なお、キレート剤および酸性化合物の含有量はそれぞれ、組成物中の全固形分に対する含有量(質量ppm)で表示している。
<下層膜形成用組成物の原料>
<<高分子化合物>>
A−1:下記構造を有する化合物(NKオリゴEA−7440、新中村化学工業社製。Mw=4000。)
B−1〜B−11:それぞれ上記で説明したB−1〜B−11である。
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
GBL:γ−ブチロラクトン
フラスコに、溶剤として100gのPGMEAを入れ、窒素雰囲気下でPGMEAを90℃に昇温した。その溶剤に、GMA(メタクリル酸グリシジル、28.4g、0.2モル)、アゾ系重合開始剤(V−601、富士フイルム和光純薬社製、2.8g、12ミリモル)およびPGMEA(50g)の混合液を、2時間かけて滴下した。滴下終了後、上記混合液を90℃で4時間撹拌した。その後、上記容器に、アクリル酸(19.0g、0.26モル、GMAに対して1.1当量、富士フイルム和光純薬社製)、テトラブチルアンモニウムブロミド(TBAB、2.1g)、および、4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−オキシル(4−HO−TEMPO、50mg)を順に加え、90℃で8時間撹拌しながら反応させた。グリシジル基が反応で消失したことはH−NMR測定により確認した。以上の手順により、高分子化合物A−4のPGMEA溶液を得た。得られた高分子化合物A−4について、Mw=20000、分散度(Mw/Mn)=1.9であった。
上記で得られた高分子化合物A−4のPGMEA溶液にトリエチルアミン(21.3g、0.21モル)を加え、その後、無水トリメリット酸クロライド(43.0g、0.21モル)を加え、40℃で4時間撹拌した。次いで、得られた溶液に塩酸(100g、濃度1モル/L)を加えて30℃で2時間撹拌して、高分子化合物A−5のPGMEA溶液を得た。得られた高分子化合物A−5について、Mw=20000、分散度(Mw/Mn)=2.0であった。
11gのEPON Resin 164と、100mLのジメチルエーテル(DME)とを室温で混合して第1の溶液を調製し、−20℃まで冷却した。次に、50mmolのエチルマグネシウムブロマイド(EtMgBr)を50mLのDMEに溶解して第2の溶液を調製し、第2の溶液を第1の溶液に添加した後、6時間撹拌した。その後、5mLの水を第1の溶液に添加することによって反応を停止させた。そして、第1の温度を室温に戻し、水を除去した後、アクリル酸クロライド(450mg、5mmol)及びトリメチルアミン(10mmol)を第1の溶液に添加し、反応混合物を2時間撹拌した。固形物を濾過により取り除いた後、濾液を真空乾燥した。生成物を200mlのジエチルエーテルに再溶解させ、炭酸カリウム固体(10g)をこの溶液に添加して、4時間撹拌しながら、残る酸を吸収させた。その後、固形物を濾過により取り除き、濾液を真空乾燥することによって、化合物A−6が得られた。
下記表に示した配合比(質量部)となるように各材料を配合し、さらに重合禁止剤として4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−オキシルフリーラジカル(東京化成社製)を重合性化合物の合計量に対して200質量ppm(0.02質量%)となるように加えて調製した。これを孔径0.02μmのナイロンフィルタおよび孔径0.001μmのUPEフィルタで濾過して、硬化性組成物V1およびV2を調製した。表中、k+m+n=10である。
水との接触角が50°以上であるシリコンウェハ上に、各実施例および比較例の下層膜形成用組成物をスピンコートし、上記表1〜3に記載の温度条件でホットプレートを用いて加熱し、シリコンウェハ上に下層膜を形成した。下層膜の膜厚はエリプソメータおよび原子間力顕微鏡により測定した。
上記で得た実施例および比較例の各下層膜形成用組成物について、下記項目の評価を行った。
<モールド耐久性の評価>
モールドとして、線幅20nm、深さ55nmの1:1ラインアンドスペースパターンを有する石英モールドを使用した。マスク欠陥レビューSEM(Scanning Electron Microscope)装置E5610(アドバンテスト社製)を用いて、上記モールドの欠陥(マスク欠陥)が1μm四方に存在しない500箇所の座標をあらかじめ把握した。上記で作製した下層膜上に、FUJIFILM Dimatix社製インクジェットプリンター DMP−2831を用いて、インプリント用の硬化性組成物をインクジェット法により適用し、その後、ヘリウム雰囲気下で、上記シリコンウェハと上記モールドで硬化性組成物を挟んだ。次いで、モールド側から高圧水銀ランプを用いて、100mJ/cm2の条件で露光し、その後、石英モールドを離型することでパターンを得た。
そして、上記インプリントプロセスを100回繰り返した後に、モールドを回収し、上記500箇所でのモールドの欠陥の発生有無を確認し、下記の基準で評価行った。
A:モールドの欠陥の発生は確認されなかった。
B:モールドの欠陥が確認された箇所が5箇所未満であった。
C:モールドの欠陥が確認された箇所が5箇所以上25箇所未満であった。
D:モールドの欠陥が確認された場所が25箇所以上であった。
上記で得られた下層膜表面に、25℃に温度調整したインプリント用硬化性組成物V1またはV2を、富士フイルムダイマティックス製インクジェットプリンターDMP−2831を用いて、ノズルあたり6plの液滴量で吐出して、下層膜上に液滴が約100μm間隔の正方配列となるように塗布し、パターン形成層とした。次に、パターン形成層に、特開2014−024322号公報の実施例6に示す密着層形成用組成物をスピンコートした石英ウェハをHe雰囲気下(置換率90%以上)で押し当て、硬化性組成物を押印した。押印後10秒が経過した時点で、石英ウェハ側から高圧水銀ランプを用い、150mJ/cm2の条件で露光した。露光後のサンプルを剥離する際に必要な力を測定し、下層膜の密着力Fとした。そして、このFの値を下記の基準で評価した。
A:F≧30N
B:25N≦F<30N
C:20N≦F<25N
D:F<20N
直径300mmのシリコンウェハを準備し、ウェハ表面上欠陥検出装置(KLA Tencor社製SP−5)で上記ウェハ上に存在する直径50nm以上のパーティクルを検出した。これを初期値とする。次に、上記シリコンウェハ上に各実施例および比較例の下層膜形成用組成物をスピンコートし、上記表1〜3に記載の温度条件でホットプレートを用いて加熱し、シリコンウェハ上に下層膜を形成した。次に、同様の方法で欠陥数を計測した。これを計測値とする。そして、初期値と計測値の差(計測値−初期値)を計算した。得られた結果は、下記の基準に基づいて評価し、結果を上記表1〜3に示した。
A:欠陥数の初期値と計測値の差が20個以下だった。
B:欠陥数の初期値と計測値の差が21〜100個だった。
C:欠陥数の初期値と計測値の差が101〜500個だった。
D:欠陥数の初期値と計測値の差が501個以上だった。
上記で得られた下層膜を、原子間力顕微鏡(AFM、ブルカー・エイエックスエス製Dimension Icon)を用いて、10μm四方の領域において1024x1024ピッチで表面凹凸データを測定し、算術平均表面粗さ(Ra)を算出した。そして、この表面粗さ(Ra)について、下記基準に従い、下層膜の塗布面状を評価した。
A:0nm≦Ra<0.8nm
B:0.8nm≦Ra<1.6nm
C:1.6nm≦Ra<5.0nm
D:5.0nm≦Ra
上記で得られた下層膜表面に、25℃に温度調整した硬化性組成物V−1またはV−2を、富士フイルムダイマティックス製インクジェットプリンターDMP−2831を用いて、ノズルあたり6plの液滴量で吐出して、下層膜上に液滴が約100μm間隔の正方配列となるように塗布し、パターン形成層とした。次に、パターン形成層に、石英モールド(線幅28nm、深さ60nmのラインパターン)をHe雰囲気下(置換率90%以上)で押し当て、硬化性組成物をモールドに充填した。押印後10秒が経過した時点で、モールド側から高圧水銀ランプを用い、150mJ/cm2の条件で露光した後、モールドを剥離することでパターン形成層にパターンを転写させた。転写したパターンの剥れ有無を光学顕微鏡観察(マクロ観察)および走査型電子顕微鏡観察(ミクロ観察)にて確認し、下記の基準に基づき評価した。
A:パターン剥れが確認されなかった。
B:マクロ観察ではパターンの剥れは確認されなかったが、ミクロ観察にてパターンの剥れが確認された。
C:マクロ観察にて一部領域(離型終端部)に剥れが確認された。
D:上記A〜Cのいずれにも該当しなかった。
各実施例および比較例の評価結果を表1〜3に示す。この結果から、キレート剤を含有する本発明の下層膜形成用組成物を用いることにより、使用中のモールドの損傷を抑制することができることがわかった。さらに、本発明によれば、下層膜形成用組成物の塗布後のパーティクルの低減および塗布面状の向上に寄与することも分かった。
2 下層膜
3 インプリント用硬化性組成物
4 モールド
Claims (19)
- 重合性基を有する高分子化合物と、キレート剤と、溶剤を含有する、インプリント用の下層膜形成用組成物。
- 前記キレート剤が酸基を有する、
請求項1に記載の下層膜形成用組成物。 - 前記酸基が、カルボキシ基を含む、
請求項2に記載の下層膜形成用組成物。 - 前記キレート剤が環構造を有する、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の下層膜形成用組成物。 - 前記キレート剤の分子量が100〜500である、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の下層膜形成用組成物。 - 前記キレート剤の含有量が、組成物中の固形分に対して10〜10000質量ppmである、
請求項1〜6のいずれか1項に記載の下層膜形成用組成物。 - 前記溶剤の含有量が、組成物に対して99.0質量%以上である、
請求項1〜7のいずれか1項に記載の下層膜形成用組成物。 - さらに、キレート剤以外のpKa6以下の酸性化合物を含有する、
請求項1〜8のいずれか1項に記載の下層膜形成用組成物。 - キレート剤以外の前記酸性化合物が芳香族スルホン酸である、
請求項9に記載の下層膜形成用組成物。 - 前記高分子化合物が、前記キレート剤の残基に相当する部分構造を有する、
請求項1〜10のいずれか1項に記載の下層膜形成用組成物。 - 前記高分子化合物が極性基を有する、
請求項1〜11のいずれか1項に記載の下層膜形成用組成物。 - 重合性基を有する高分子化合物と、キレート剤と、溶剤を含む組成物をフィルタで濾過することを含む、インプリント用の下層膜形成用組成物の製造方法。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載の下層膜形成用組成物と、硬化性組成物を含む、インプリント用キット。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載の下層膜形成用組成物を用いて、下層膜を基板上に形成し、
硬化性組成物を前記下層膜上に適用し、
モールドを接触させた状態で、前記硬化性組成物を硬化させ、
前記硬化性組成物から前記モールドを剥離することを含む、パターン製造方法。 - 前記下層膜の形成の際に、前記下層膜形成用組成物をスピンコート法により前記基板上に塗布することを含む、
請求項15に記載のパターン製造方法。 - 前記下層膜形成用組成物を、前記基板上への適用の前に、10〜40℃で保存することを含む、
請求項15または16に記載のパターン製造方法。 - 前記硬化性組成物の前記下層膜上への適用を、インクジェット法により行う、
請求項15〜17のいずれか1項に記載のパターン製造方法。 - 請求項15〜18のいずれか1項に記載の製造方法により得られたパターンを利用して、半導体素子を製造する、半導体素子の製造方法。
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