WO2014136943A1 - レーザ装置 - Google Patents

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WO2014136943A1
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photonic crystal
layer
laser element
nonlinear optical
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明佳 渡邉
和義 廣瀬
黒坂　剛孝
貴浩 杉山
野田　進
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国立大学法人京都大学
浜松ホトニクス株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a laser device using a photonic crystal surface emitting laser element.
  • Patent Document 1 discloses a laser device that generates a laser beam by combining a nonlinear optical crystal and a semiconductor laser element that does not resonate within its own element, and resonates as a whole.
  • the present invention has been made in view of such a problem, and provides a laser apparatus that can remarkably improve the intensity of wavelength-converted light and can stably obtain a Gaussian distribution point-shaped beam pattern. For the purpose.
  • the laser element since the laser element itself oscillates alone, the injection current threshold leading to oscillation can be lowered and the oscillation efficiency can be increased as compared with the external resonator type laser. Further, since the photonic crystal structure provided in the element directly acts on the oscillation mode at the time of laser oscillation, the beam shape and polarization characteristics become stable and can be easily controlled. In this way, laser light with high light output efficiency, stable beam shape, and polarization characteristics is incident on the wavelength conversion element, so that wavelength converted light with excellent beam quality and high light intensity can be obtained. It is done. Further, in this apparatus, the laser element itself emits a Gaussian distribution point shaped beam.
  • a first laser device is a laser device including a nonlinear optical crystal having a periodically poled structure in which laser light emitted from a photonic crystal surface emitting laser element is incident,
  • a photonic crystal surface emitting laser element includes an active layer, upper and lower cladding layers sandwiching the active layer, and a photonic crystal layer provided between the upper or lower cladding layer and the active layer.
  • the photonic crystal layer includes a basic layer made of a first refractive index medium and a plurality of different refractive indexes existing in the basic layer made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium.
  • a plurality of the different refractive index regions are arranged at lattice point positions in a square lattice set on the main surface of the photonic crystal layer, and each of the different refractive index regions
  • the surface shape is set to a substantially right-angled isosceles triangle, and the two sides constituting the right angle of the roughly right-angled isosceles triangle extend along the vertical and horizontal lattice lines constituting the square lattice.
  • the direction parallel to or perpendicular to the hypotenuse of the approximately right-angled isosceles triangle and the direction of polarization in the periodic polarization reversal structure are the same.
  • the planar shape of the different refractive index region that is defined does not become a shape that is strictly defined mathematically, and corners are rounded and each side is slightly distorted.
  • “Outline” means that the prescribed shape includes a state where the shape is slightly deformed during manufacturing.
  • the first laser device when laser light emitted from a photonic crystal surface emitting laser element is incident on a nonlinear optical crystal having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal, and the laser light is emitted from the nonlinear optical crystal. Is done.
  • the wavelength converted light emitted from the nonlinear optical crystal is a Gaussian distribution point shaped beam. With a pattern, the light intensity is significantly improved.
  • a second laser device is a laser device including a nonlinear optical crystal having a periodically poled structure into which laser light emitted from a photonic crystal surface emitting laser element is incident, wherein the photonic crystal surface emitting laser element is An active layer, upper and lower cladding layers sandwiching the active layer, and a photonic crystal layer provided between the upper or lower cladding layer and the active layer, the photonic crystal layer comprising: A basic layer made of a first refractive index medium, and a plurality of different refractive index regions made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium and existing in the basic layer.
  • the different refractive index regions are arranged at lattice point positions in a square lattice set on the main surface of the photonic crystal layer, and the planar shape of each of the different refractive index regions is a substantially equilateral triangle.
  • a perpendicular line extending from one vertex of the general equilateral triangle to the base extends along a vertical lattice line constituting the square lattice, and the direction of the base of the general equilateral triangle, It is characterized in that the direction of polarization in the periodically poled structure coincides.
  • the second laser device when the laser light emitted from the photonic crystal surface emitting laser element enters the nonlinear optical crystal having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal, and the laser light is emitted from the nonlinear optical crystal. Is done.
  • the wavelength converted light emitted from the nonlinear optical crystal is a Gaussian distribution point shaped beam. With a pattern, the light intensity is significantly improved.
  • a third laser device is a laser device including a nonlinear optical crystal having a periodically poled structure into which laser light emitted from a photonic crystal surface emitting laser element is incident, wherein the photonic crystal surface emitting laser element is An active layer, upper and lower cladding layers sandwiching the active layer, and a photonic crystal layer provided between the upper or lower cladding layer and the active layer, the photonic crystal layer comprising: A basic layer made of a first refractive index medium, and a plurality of different refractive index regions made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium and existing in the basic layer.
  • the different refractive index regions are arranged at lattice point positions in a square lattice set on the main surface of the photonic crystal layer, and the planar shape of each of the different refractive index regions is a substantially right trapezoid.
  • the two sides constituting one right angle in the substantially right trapezoid extend along the vertical lattice line and the horizontal lattice line constituting the square lattice.
  • the direction or the direction that forms 45 ° with the lower base and the direction of polarization in the periodically poled structure are the same.
  • the third laser device when laser light emitted from a photonic crystal surface emitting laser element enters a nonlinear optical crystal having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal, and the laser light is emitted from the nonlinear optical crystal. Is done.
  • the wavelength converted light emitted from the nonlinear optical crystal is a Gaussian distribution point shaped beam. With a pattern, the light intensity is significantly improved.
  • a fourth laser device is a laser device including a nonlinear optical crystal having a periodically poled structure into which laser light emitted from a photonic crystal surface emitting laser element is incident, wherein the photonic crystal surface emitting laser element is An active layer, upper and lower cladding layers sandwiching the active layer, and a photonic crystal layer provided between the upper or lower cladding layer and the active layer, the photonic crystal layer comprising: A basic layer made of a first refractive index medium, and a plurality of different refractive index regions made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium and existing in the basic layer.
  • the different refractive index regions are arranged at lattice point positions in a triangular lattice set on the main surface of the photonic crystal layer, and the planar shape of each of the different refractive index regions is approximately an isosceles right angle. Is set to square, the polarization direction of the laser device, characterized in that the polarization direction of the periodically poled match.
  • the fourth laser device when the laser light emitted from the photonic crystal surface emitting laser element is incident on the nonlinear optical crystal having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal, and the light is emitted from the nonlinear optical crystal. Is done.
  • the wavelength converted light emitted from the nonlinear optical crystal is a Gaussian point beam. With a pattern, the light intensity is significantly improved.
  • a fifth laser device is a laser device including a nonlinear optical crystal having a periodically poled structure into which laser light emitted from a photonic crystal surface emitting laser element is incident, wherein the photonic crystal surface emitting laser element is An active layer, upper and lower cladding layers sandwiching the active layer, and a photonic crystal layer provided between the upper or lower cladding layer and the active layer, the photonic crystal layer comprising: A basic layer made of a first refractive index medium, and a plurality of different refractive index regions made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium and existing in the basic layer.
  • the different refractive index regions are arranged at lattice point positions in a triangular lattice set on the main surface of the photonic crystal layer, and the planar shape of each of the different refractive index regions is set to be approximately square.
  • the polarization direction of the laser device characterized in that the polarization direction of the periodically poled match.
  • the laser light emitted from the photonic crystal surface emitting laser element is incident on the nonlinear optical crystal having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal, and the laser light is emitted from the nonlinear optical crystal. Is done.
  • the wavelength converted light emitted from the nonlinear optical crystal is a Gaussian point beam. With a pattern, the light intensity is significantly improved.
  • a sixth laser device is a laser device including a nonlinear optical crystal having a periodically poled structure into which laser light emitted from a photonic crystal surface emitting laser element is incident, wherein the photonic crystal surface emitting laser element is An active layer, upper and lower cladding layers sandwiching the active layer, and a photonic crystal layer provided between the upper or lower cladding layer and the active layer, the photonic crystal layer comprising: A basic layer made of a first refractive index medium, and a plurality of different refractive index regions made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium and existing in the basic layer.
  • the different refractive index regions are arranged at lattice point positions in a triangular lattice set on the main surface of the photonic crystal layer, and the planar shape of each of the different refractive index regions has a flatness of 0 or less. Is set to a large outline oval, the polarization direction of the laser device, characterized in that the polarization direction of the periodically poled match.
  • the sixth laser apparatus when the laser light emitted from the photonic crystal surface emitting laser element is incident on the nonlinear optical crystal having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal, and the laser light is emitted from the nonlinear optical crystal. Is done.
  • the wavelength converted light emitted from the nonlinear optical crystal is a Gaussian point beam. With a pattern, the light intensity is significantly improved.
  • a seventh laser apparatus is a laser apparatus including a nonlinear optical crystal having a periodically poled structure into which laser light emitted from a photonic crystal surface emitting laser element is incident, wherein the photonic crystal surface emitting laser element is An active layer, upper and lower cladding layers sandwiching the active layer, and a photonic crystal layer provided between the upper or lower cladding layer and the active layer, the photonic crystal layer comprising: A basic layer made of a first refractive index medium, and a plurality of different refractive index regions made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium and existing in the basic layer.
  • the different refractive index regions are arranged at lattice point positions in a triangular lattice set on the main surface of the photonic crystal layer, and the planar shape of each of the different refractive index regions is a substantially right trapezoid.
  • the polarization direction of the laser device characterized in that the polarization direction of the periodically poled match.
  • the seventh laser apparatus when the laser light emitted from the photonic crystal surface emitting laser element is incident on the nonlinear optical crystal having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal, and the laser light is emitted from the nonlinear optical crystal. Is done.
  • the wavelength converted light emitted from the nonlinear optical crystal is a Gaussian point beam. With a pattern, the light intensity is significantly improved.
  • the wavelength-converted laser light becomes a Gaussian distribution point shape beam pattern, and the light intensity can be remarkably improved.
  • FIG. 1 is a diagram showing a vertical cross-sectional configuration of a laser device.
  • FIG. 2 is a perspective view of the internal structure of the laser device.
  • FIG. 3 is a view showing a nonlinear optical crystal in the laser device.
  • FIG. 4 is a diagram showing a longitudinal sectional configuration of a laser element in the laser device.
  • FIG. 5 is a chart showing the material, conductivity type, and thickness of the components in the laser element.
  • FIG. 6 is a plan view (A) of the photonic crystal layer (first example) in the laser element, and a diagram (B) showing the direction of polarization in the nonlinear optical crystal.
  • FIG. 1 is a diagram showing a vertical cross-sectional configuration of a laser device.
  • FIG. 2 is a perspective view of the internal structure of the laser device.
  • FIG. 3 is a view showing a nonlinear optical crystal in the laser device.
  • FIG. 4 is a diagram showing a longitudinal sectional configuration of a laser element in the
  • FIG. 7 is a plan view (A) of the photonic crystal layer (first example) in the laser element, and a diagram (B) showing the polarization direction of another state in the nonlinear optical crystal.
  • FIG. 8A is a diagram showing the electromagnetic field distribution in the two-dimensional plane of the photonic crystal layer in the laser element
  • FIG. 8B is a diagram showing the polarization direction in the two-dimensional plane of the photonic crystal layer.
  • FIG. 9 is a diagram (A) showing the electromagnetic field distribution in the two-dimensional plane of the photonic crystal layer in the laser element, and a diagram (B) showing the polarization direction in the two-dimensional plane of the photonic crystal layer.
  • FIG. 10 is a plan view (A) of the photonic crystal layer (second example) in the laser element, and a diagram (B) showing the direction of polarization in the nonlinear optical crystal.
  • FIG. 11 is a plan view (A) of the photonic crystal layer (third example) in the laser element, and a diagram (B) showing the direction of polarization in the nonlinear optical crystal.
  • FIG. 12 is a plan view (A) of the photonic crystal layer (third example) in the laser element, and a diagram (B) showing the polarization direction of another state in the nonlinear optical crystal.
  • FIG. 13 is a plan view of a photonic crystal layer (fourth example) in the laser element.
  • FIG. 14 is a plan view of a photonic crystal layer (fifth example) in the laser element.
  • FIG. 15 is a plan view of a photonic crystal layer (sixth example) in the laser element.
  • FIG. 16 is a plan view of a photonic crystal layer (seventh example) in the laser element.
  • FIG. 17 is a diagram showing a longitudinal sectional configuration of a laser element in the laser device.
  • FIG. 18 is a view showing a longitudinal sectional configuration of the laser device.
  • FIG. 19 is a graph showing the relationship between wavelength and intensity.
  • FIG. 20 is a diagram showing the relationship between the injection current J (mA), the total light output It (mW), and the wavelength conversion output Ic (au).
  • FIG. 21 is a view showing a photograph showing the polarization state of laser light.
  • FIG. 1 is a diagram showing a vertical cross-sectional configuration of a laser device.
  • the mount substrate 102 is fixed on the first region of the support substrate 101, and the support member 103 of the laser element LD is fixed on the mount substrate 102.
  • the laser element LD is a photonic crystal surface emitting laser element, and emits a laser beam LB in the Z-axis direction.
  • the laser element LD is fixed to the side surface of the support member 103 via a conductive adhesive 104.
  • the adhesive 104 is made of solder, gold, or the like, and connects the lower surface of the laser element LD to a fixed potential.
  • Positive and negative electrodes (not shown) for applying a bias voltage to the laser element are patterned on the surface of the support member 103, and one electrode is electrically connected to the lower surface of the laser element LD by an adhesive 104.
  • the other electrode is electrically connected to the upper surface of the laser element LD using wire bonding or the like (not shown).
  • the temperature control device CL is fixed on the second region of the support substrate 101, and the heat sink 105 made of copper or the like is fixed on the temperature control device CL.
  • the temperature control device CL is composed of a Peltier element.
  • a non-linear optical crystal NL is fixed on the heat sink 105 via an adhesive 106.
  • the adhesive 106 can be a conductive adhesive such as solder or gold having high thermal conductivity, but an insulating adhesive such as a resin may be used.
  • the surface of the heat sink 105 is formed with a V-groove GR, and two adjacent side surfaces of the quadrangular prism-shaped nonlinear optical crystal NL are fixed to the inner surface of the V-groove GR with an adhesive 106.
  • the nonlinear optical crystal NL has a periodically poled structure having a quasi phase matching (QPM) structure.
  • the support substrate 101 is provided with a drive circuit 107 for supplying power to the temperature control device CL.
  • the drive circuit 107 may be built in the support substrate 101, but may be attached to the surface of the support substrate 101, or may be disposed at a position separated from the support substrate 101.
  • a recess may be formed on the lower surface of the support substrate 101, and the drive circuit 107 may be disposed in the recess.
  • a sensor S for directly or indirectly measuring the temperature of the nonlinear optical crystal NL is attached to the heat sink 105.
  • the sensor S is preferably a temperature sensor that measures the temperature of the heat sink 105.
  • the output of the sensor S is input to the drive circuit 107, and the drive circuit 107 is based on the data input from the sensor S.
  • Feedback control is performed on the magnitude of the drive power supplied to the CL. That is, when the output from the sensor S is larger than the set value, the driving power is decreased, and when the output is smaller, the driving power is increased.
  • the sensor S may be directly attached to the nonlinear optical crystal NL.
  • the sensor S can be composed of a thermocouple, but it can also be a radiation thermometer. In the case of a radiation thermometer, for example, infrared light or visible light emitted from the nonlinear optical crystal NL is measured.
  • the radiation thermometer can also be a photodiode provided with a filter that blocks the laser light wavelength.
  • the sensor S may be configured as a laser monitor LB intensity monitor by a look-up table system that reads the temperature of the nonlinear optical crystal NL corresponding to the measured intensity from the table. That is, if the correlation data between the intensity and / or wavelength of the laser beam LB output from the laser device and the temperature of the nonlinear optical crystal NL is acquired in advance and stored in a table in the storage device, the lookup is performed. Temperature measurement can be performed by a table method.
  • a cover 108 that accommodates the above-described elements is attached to the support substrate 101.
  • An emission window 109 for emitting the laser beam LB is attached to the side surface of the cover 108.
  • the cover 108 seals the internal space together with the support substrate 101, and external influences such as external temperature / humidity and dust. Suppressed.
  • the laser light emitted from the laser element LD travels along the positive direction of the Z axis, undergoes wavelength conversion through the nonlinear optical crystal NL, and the wavelength-converted laser light LB is output to the outside through the emission window 109. Is done.
  • the drive circuit 107 of the temperature control device CL which is a cooling device, may include a drive circuit of the laser element LD.
  • the support substrate 101 can be a heat sink made of copper or the like, and in this case, the mount substrate 102, the support member 103, and the laser element LD are also cooled.
  • the support substrate 101 may cool the laser element LD via the wiring or the like. it can.
  • FIG. 2 is a perspective view of the internal structure of the laser device.
  • Laser beam LB emitted from the light emitting surface S LD of the laser element LD travels in the Z-axis direction, and is incident on the nonlinear optical crystal NL having a vertical light incidence plane in the Z-axis.
  • the nonlinear optical crystal NL has a quasi phase matching (QPM) periodic polarization inversion structure, and is formed by alternately laminating positive polarization regions NLP and negative polarization regions NLN along the Z-axis direction.
  • the polarization inversion period is set so that the length of each polarization region in the light propagation direction (Z-axis direction) is a coherent length (a length in which the phase of the propagating laser beam LB is shifted by ⁇ ).
  • Direction D P of polarization of the polarized regions as shown, switched in alternately inverted along the traveling direction of the laser beam LB.
  • the main surface of the support substrate 101 (the surface on which the element is mounted) is the ac plane
  • the axis perpendicular to both the a axis and the c axis is the b axis
  • an abc orthogonal coordinate system is set.
  • the Z axis coincides with the c axis
  • a coordinate system obtained by rotating the abc orthogonal coordinate system around the c axis is defined as an XYZ orthogonal coordinate system.
  • a rotation angle around the c-axis from the b-axis to the Y-axis is defined as ⁇ .
  • the nonlinear optical crystal NL is a cuboid whose longitudinal direction is the Z-axis direction, and the light incident surface of the laser beam LB is an XY plane, and the four surfaces surrounding the light incident surface are configured by either the XZ plane or the YZ plane. It has the shape to be.
  • Light emission surface S LD of the laser element LD of the cuboid is ab plane (XY plane) perpendicular side to the light emitting surface is ac plane. That is, the XYZ orthogonal coordinate system is a coordinate system set according to the direction of the nonlinear optical crystal NL, and the abc orthogonal coordinate system is a coordinate system set according to the laser element LD.
  • FIG. 3 is a diagram showing a nonlinear optical crystal in the laser device.
  • the length along the Z axis of the pair of positive polarization regions NLP and negative polarization regions NLN is L3.
  • the refractive index n ⁇ for the fundamental wave, the refractive index n 2 ⁇ for the second harmonic wave emitted from the nonlinear optical crystal NL, and the order with respect to the wavelength ⁇ of the fundamental wave of the laser beam LB emitted from the laser element. Is set to m (normally 1), and the polarization inversion period L3 m ⁇ / (2 (n 2 ⁇ ⁇ n ⁇ )).
  • a periodic polarization inversion structure can be formed using LiNbO 3 containing an appropriate additive such as Mg, LiTaO 3 containing an appropriate additive such as Mg, or the like as a ferroelectric crystal constituting each polarization region.
  • the diameter (Y-axis direction length) of the laser beam LB on the emission surface SLD of the laser element is W1
  • the Y-axis direction length of the nonlinear optical crystal NL is W2
  • the diameter (Y of the laser beam LB on the light emission surface of the nonlinear optical crystal NL) Axial length) is W3.
  • the spread angle of the laser beam LB emitted from the light emitting surface SLD is 2 ⁇ ⁇ .
  • ⁇ is an angle formed between the normal to the light exit surface of the nonlinear optical crystal NL and the outermost light beam of the laser beam LB.
  • W3 W1 + (2 ⁇ ⁇ ⁇ (LR + L1) by paraxial approximation calculation. ).
  • the laser device described above is a laser device including the nonlinear optical crystal NL having a periodically poled structure in which the laser beam LB emitted from the photonic crystal surface emitting laser element LD is incident.
  • the detailed structure of the photonic crystal surface emitting laser element LD will be described.
  • FIG. 4 is a diagram showing a longitudinal cross-sectional configuration of the laser element in the laser device
  • FIG. 5 is a chart showing the material, conductivity type, and thickness of the components in the laser element.
  • the laser element LD is provided between the active layer 4, the upper and lower cladding layers 7 and 2 sandwiching the active layer 4, and between the upper cladding layer 7 (or the lower cladding layer 2: FIG. 17) and the active layer 4. And a photonic crystal layer 6 (refractive index modulation layer).
  • a light guide layer is interposed between the cladding layer and the active layer 4, and a contact layer 8 is formed on the upper cladding layer 7.
  • the laser element LD includes a semiconductor substrate 1, a lower cladding layer 2, a lower light guide layer 3, an active layer 4, an upper light guide layer 5, a photonic crystal layer 6, and an upper cladding layer 7.
  • the contact layer 8 is sequentially laminated, and the first electrode is provided on the back surface of the semiconductor substrate 1 and the second electrode E2 is provided on the upper surface of the contact layer 8 in contact therewith.
  • a forward bias voltage is applied between the first electrode E1 and the second electrode E2
  • light is emitted in the active layer 4 located between the clad layers and modulated by the photonic crystal layer 6.
  • the laser beam LB is emitted in a direction (c axis, Z axis) perpendicular to the substrate surface.
  • the material of each element is as shown in FIG. 5.
  • the semiconductor substrate 1 is made of GaAs
  • the lower cladding layer 2 is made of AlGaAs
  • the lower light guide layer 3 is made of AlGaAs
  • the active layer 4 is a multi-quantum well structure MQW.
  • the upper light guide layer 5 is made of lower layer AlGaAs / upper layer GaAs
  • the photonic crystal layer 6 has a basic layer 6A formed of GaAs and a different layer embedded in the basic layer 6A.
  • the refractive index region (buried layer) 6B is made of AlGaAs
  • the upper cladding layer 7 is made of AlGaAs
  • the contact layer is made of GaAs.
  • the first conductivity type (N type) impurity or the second conductivity type (P type) impurity is added to each layer (impurity concentration is 1 ⁇ 10 17 to 1).
  • ⁇ 10 21 / cm 3 a region where no impurity is intentionally added is intrinsic (type I).
  • the I-type impurity concentration is 1 ⁇ 10 15 / cm 3 or less.
  • the energy band gap of the cladding layer is larger than the energy band gap of the light guide layer, and the energy band gap of the light guide layer is set larger than the energy band gap of the well layer of the active layer 4.
  • the energy band gap and the refractive index can be easily changed by changing the Al composition ratio.
  • Al X Ga 1-X As when the composition ratio X of Al having a relatively small atomic radius is decreased (increased), the energy band gap that is positively correlated with this decreases (increases), and GaAs has an atomic radius. When large In is mixed to make InGaAs, the energy band gap becomes small.
  • the Al composition ratio of the cladding layer is larger than the Al composition ratio of the light guide layer, and the Al composition ratio of the light guide layer is higher than the Al composition of the barrier layer (AlGaAs) of the active layer.
  • the Al composition ratio of the cladding layer is set to 0.2 to 0.5, and is 0.4 in this example.
  • the Al composition ratio of the barrier layer in the light guide layer and the active layer is set to 0.1 to 0.15, and is 0.1 in this example.
  • each layer is as shown in FIG. 5, the numerical range in the figure shows a suitable value, and the numerical value in parentheses shows the optimum value after trial manufacture.
  • FIG. 21 is a far-field image photograph showing the polarization state of a typical pattern beam obtained from a laser element.
  • (A) is a far-field image directly obtained from the laser element, and it can be seen that a far-field image having a Gaussian distribution point shape is obtained.
  • (B) and (C) show far-field images taken through a polarizing filter.
  • the relative angle between the polarization angle of the laser element and the polarization direction of the polarization filter was 0 ° (B)
  • a Gaussian point beam pattern similar to that in the case (A) without the polarization filter was observed.
  • the relative angle to the polarization azimuth is 90 ° (C)
  • the beam pattern becomes a streak, and the transmitted light intensity is a fraction of that of (B) when the relative angle is 0 °. Diminished.
  • the nonlinear optical crystal converts the wavelength of only the fundamental wave polarized in the period reversal polarization direction, it plays the same role as the polarizing filter. Therefore, when the polarization direction of the laser light is aligned with the periodically inverted polarization direction of the nonlinear optical crystal, the wavelength converted light obtained from the nonlinear optical crystal has a Gaussian distribution in which the polarization direction of the laser element and the phase angle of the polarization filter correspond to 0 °. It becomes a point-shaped beam pattern.
  • the photonic crystal layer 6 includes a basic layer 6A made of a first refractive index medium and a plurality of different layers existing in the basic layer 6A made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium. And a refractive index region 6B.
  • the lattice spacing of the photonic crystal is provided so that the lattice spacing in the case of a square lattice matches the effective laser wavelength obtained by dividing the laser oscillation wavelength by the effective refractive index inside the device. .
  • the lattice spacing is set to be a value obtained by dividing the laser oscillation wavelength by the effective refractive index inside the device (2 / ⁇ 3). The details will be described below.
  • FIG. 6 is a plan view (A) of the photonic crystal layer (first example) in the laser element, and a diagram (B) showing the direction of polarization in the nonlinear optical crystal.
  • FIG. 6 the case where the electromagnetic field distribution in the photonic crystal becomes Mode A (FIG. 8) will be described.
  • the plurality of different refractive index regions 6B are arranged at lattice point positions in a square lattice (indicated by dotted lines) set on the main surface of the photonic crystal layer 6, and the planar shape of each of the different refractive index regions 6B is The two sides constituting the right angle of the roughly right isosceles triangle extend along the vertical lattice line LV and the horizontal lattice line LH constituting the square lattice.
  • the planar shape of the different refractive index region 6B that is defined does not become a shape that is strictly defined mathematically, and the corners may be rounded and the sides may be slightly distorted.
  • “Outline” means that the prescribed shape includes a state where the shape is slightly deformed during manufacturing.
  • the laser device of the first example when laser light emitted from the photonic crystal surface emitting laser element is incident on the nonlinear optical crystal NL having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal NL, and nonlinear optics It is emitted from the crystal NL.
  • the different refractive index region 6B in the photonic crystal layer 6 is arranged at a lattice point position of a square lattice and the shape and orientation satisfy the above conditions, the wavelength converted light obtained from the nonlinear optical crystal is a Gaussian distribution point. With a shaped beam pattern, the light intensity is significantly improved. This polarization orientation that occur in the modified refractive index areas. 6B, in MODEA, because they match the polarization direction D P.
  • FIG. 7 is a plan view (A) of the photonic crystal layer (first example) in the laser element, and a diagram (B) showing the polarization direction in another state in the nonlinear optical crystal.
  • FIG. 6 describes the case where the electromagnetic field distribution in the photonic crystal is Mode A (FIG. 8), but FIG. 7 illustrates the case where it is Mode B (FIG. 9).
  • the plurality of different refractive index regions 6 ⁇ / b> B are arranged at lattice point positions in a square lattice (shown by dotted lines) set on the main surface of the photonic crystal layer 6, and each of the different refractive indexes.
  • the planar shape of the region 6B is set to a substantially right-angled isosceles triangle, and the two sides constituting the right angle of the substantially right-angled isosceles triangle are the vertical lattice line LV and the horizontal lattice line LH constituting the square lattice. Extending along.
  • the laser apparatus of the first example when the laser light emitted from the photonic crystal surface emitting laser element is incident on the nonlinear optical crystal NL having the periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal NL. It is emitted from the nonlinear optical crystal NL.
  • the wavelength converted light obtained from the nonlinear optical crystal is a Gaussian distribution point. With a shaped beam pattern, the light intensity is significantly improved. This polarization orientation that occur in the modified refractive index areas. 6B, in MODEB, in order to match the polarization direction D P.
  • Mode A and Mode B can be switched by changing the photonic crystal shape of the laser element, the gain wavelength of the semiconductor quantum well layer, and the like.
  • FIG. 8 shows a non-patent document Opt. Exp. Vol. 19 (24) A diagram showing the electromagnetic field distribution in the two-dimensional plane of the photonic crystal layer in the laser element in Mode A shown in p24672 (A), and a diagram showing the polarization direction in the two-dimensional plane of the photonic crystal layer (B).
  • the arrows arranged along the circumferential direction of the circle in FIG. 8A indicate the direction and strength of the electric field. Since the electric field generated in the different refractive index region 6B having a small refractive index in the photonic crystal layer contributes to the polarization direction of the element, the polarization in the direction parallel to the hypotenuse of the triangle increases.
  • FIG. 8B shows the direction of polarization (indicated by a large arrow).
  • Rx, Ry, Sx, and Sy in the coordinate system indicate the traveling axis directions of the four basic standing waves generated in the photonic crystal plane, and each vector indicates the polarization direction generated in each standing wave. And its strength.
  • the standing wave contributes to the vertical plane oscillation, a polarization direction as shown in the figure is generated.
  • FIG. 9 shows non-patent literature Opt. Exp. Vol. 19 (24) A diagram showing the electromagnetic field distribution in the two-dimensional plane of the photonic crystal layer in the laser element in Mode B shown in p24672 (A), a diagram showing the polarization direction in the two-dimensional plane of the photonic crystal layer (B).
  • the arrows arranged along the circumferential direction of the circle in FIG. 9A indicate the direction and strength of the electric field. Since the electric field generated in the different refractive index region 6B having a small refractive index in the photonic crystal layer contributes to the polarization direction of the element, the polarization in the direction perpendicular to the hypotenuse of the triangle increases.
  • FIG. 9B shows the direction of polarization (indicated by a large arrow).
  • Rx, Ry, Sx, and Sy in the coordinate system indicate the traveling axis directions of the four basic standing waves generated in the photonic crystal plane, and each vector indicates the polarization direction generated in each standing wave. And its strength.
  • the standing wave contributes to the vertical plane oscillation, a polarization direction as shown in the figure is generated.
  • FIG. 10 is a plan view (A) of the photonic crystal layer (second example) in the laser element, and a diagram (B) showing the direction of polarization in the nonlinear optical crystal.
  • the photonic crystal layer 6 includes a basic layer 6A made of a first refractive index medium, and a plurality of different refractive index regions existing in the basic layer 6A made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium. 6B, and the plurality of different refractive index regions 6B are arranged at lattice point positions in a square lattice (indicated by dotted lines) set on the main surface of the photonic crystal layer.
  • each of the different refractive index regions 6B is set to be a substantially equilateral triangle, and a perpendicular line extending from one vertex of the roughly equilateral triangle to the base is along a vertical lattice line LV constituting the square lattice.
  • the laser device of the second example when the laser light emitted from the photonic crystal surface emitting laser element is incident on the nonlinear optical crystal having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal, and the nonlinear optical crystal Emitted.
  • the wavelength converted light obtained from the nonlinear optical crystal is Gaussian. With a distributed point beam pattern, the light intensity is significantly improved. This is because the polarization direction generated in the modified refractive index region 6B is coincident to the direction of polarization D P.
  • FIG. 11 is a plan view (A) of the photonic crystal layer (third example) in the laser element, and a diagram (B) showing the direction of polarization in the nonlinear optical crystal.
  • the photonic crystal layer 6 includes a basic layer 6A made of a first refractive index medium, and a plurality of different refractive index regions existing in the basic layer 6A made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium. 6B, and the plurality of different refractive index regions 6B are arranged at lattice point positions in a square lattice (indicated by dotted lines) set on the main surface of the photonic crystal layer.
  • the laser device of the third example when the laser light emitted from the photonic crystal surface emitting laser element is incident on the nonlinear optical crystal having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal, and the nonlinear optical crystal Emitted.
  • the wavelength converted light obtained from the nonlinear optical crystal is Gaussian. With a distributed point beam pattern, the light intensity is significantly improved. This is because the polarization direction generated in the modified refractive index region 6B is coincident to the direction of polarization D P.
  • FIG. 12 is a plan view (A) of the photonic crystal layer (third example) in the laser element, and a diagram (B) showing the polarization direction in another state in the nonlinear optical crystal.
  • the photonic crystal layer 6 includes a basic layer 6A made of a first refractive index medium, and a plurality of different refractive index regions existing in the basic layer 6A made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium. 6B, and the plurality of different refractive index regions 6B are arranged at lattice point positions in a square lattice (indicated by dotted lines) set on the main surface of the photonic crystal layer.
  • each of the different refractive index regions 6B is set to be a substantially right trapezoid, and two sides constituting one right angle in the substantially right trapezoid are a vertical lattice line LV and a horizontal lattice constituting a square lattice.
  • the wavelength-converted light obtained from the nonlinear optical crystal has a Gaussian distribution point-shaped beam pattern, and the light intensity is remarkably improved.
  • 11 and 12 can be switched by changing the photonic crystal shape of the laser element, the gain wavelength of the semiconductor quantum well layer, and the like.
  • FIG. 13 is a plan view (XY plane) of the photonic crystal layer (fourth example) in the laser element.
  • the photonic crystal layer 6 includes a basic layer 6A made of a first refractive index medium, and a plurality of different refractive index regions existing in the basic layer 6A made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium. 6B, and the plurality of different refractive index regions 6B are arranged at lattice point positions in a triangular lattice (shown by dotted lines) set on the main surface of the photonic crystal layer.
  • each of the different refractive index regions 6B is set to be a substantially right-angled isosceles triangle, and one side constituting the right angle of the substantially right-angled isosceles triangle forms one lattice line LH constituting the triangular lattice.
  • the grid lines extending along the line and extending from the upper right to the lower left are shown as LV1, and the grid lines extending from the upper left to the lower right are shown as LV2, and each grid forms an equilateral triangle.
  • the laser device of the fourth example when the laser light emitted from the photonic crystal surface emitting laser element is incident on the nonlinear optical crystal having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal, and the nonlinear optical crystal Emitted.
  • the wavelength converted light has a Gaussian distribution. With a point-shaped beam pattern, the light intensity is significantly improved.
  • FIG. 14 is a plan view (XY plane) of the photonic crystal layer (fifth example) in the laser element.
  • the photonic crystal layer 6 includes a basic layer 6A made of a first refractive index medium, and a plurality of different refractive index regions existing in the basic layer 6A made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium. 6B, and the plurality of different refractive index regions 6B are arranged at lattice point positions in a triangular lattice (shown by dotted lines) set on the main surface of the photonic crystal layer.
  • each of the different refractive index regions 6B is set to a substantially square, and one side of the approximately square extends along a horizontal lattice line LH that constitutes a triangular lattice.
  • the extending lattice lines are indicated as LV1, and the extending lattice lines from the upper left to the lower right are indicated as LV2, and each lattice forms an equilateral triangle.
  • the laser device of the fifth example when the laser light emitted from the photonic crystal surface emitting laser element is incident on the nonlinear optical crystal having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal, and the nonlinear optical crystal Emitted.
  • the wavelength converted light has a Gaussian distribution. With a point-shaped beam pattern, the light intensity is significantly improved.
  • FIG. 15 is a plan view (XY plane) of the photonic crystal layer (sixth example) in the laser element.
  • the photonic crystal layer 6 includes a basic layer 6A made of a first refractive index medium, and a plurality of different refractive index regions existing in the basic layer 6A made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium. 6B, and the plurality of different refractive index regions 6B are arranged at lattice point positions in a triangular lattice (shown by dotted lines) set on the main surface of the photonic crystal layer.
  • each of the different refractive index regions 6B is set to a substantially elliptical shape (not a perfect circle) having a flatness ratio larger than 0, and the major axis of this substantially elliptical shape is a horizontal shape constituting the triangular lattice.
  • a grid line extending along the grid line LH and extending from the upper right to the lower left is indicated as LV1
  • a grid line extending from the upper left to the lower right is indicated as LV2
  • each grid forms an equilateral triangle.
  • the laser device of the sixth example when the laser light emitted from the photonic crystal surface emitting laser element is incident on the nonlinear optical crystal having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal, and the nonlinear optical crystal Emitted.
  • the wavelength converted light is With a Gaussian point-shaped beam pattern, the light intensity is significantly improved.
  • FIG. 16 is a plan view (XY plane) of the photonic crystal layer (seventh example) in the laser element.
  • the photonic crystal layer 6 includes a basic layer 6A made of a first refractive index medium, and a plurality of different refractive index regions existing in the basic layer 6A made of a second refractive index medium having a refractive index different from that of the first refractive index medium. 6B, and the plurality of different refractive index regions 6B are arranged at lattice point positions in a triangular lattice (shown by dotted lines) set on the main surface of the photonic crystal layer.
  • each of the different refractive index regions 6B is set to be a substantially right trapezoid, and one side that defines the height of the substantially right trapezoid extends along a horizontal lattice line LH constituting a triangular lattice.
  • the grid lines extending from the upper right to the lower left are indicated as LV1, and the grid lines extending from the upper left to the lower right are indicated as LV2, and each grid constitutes an equilateral triangle.
  • the laser device of the seventh example when the laser light emitted from the photonic crystal surface emitting laser element is incident on the nonlinear optical crystal having a periodically poled structure, wavelength conversion is performed in the nonlinear optical crystal, and the nonlinear optical crystal Emitted.
  • the wavelength converted light has a Gaussian distribution. With a point-shaped beam pattern, the light intensity is significantly improved.
  • FIG. 17 is a diagram showing a longitudinal sectional configuration of a laser element in the laser device.
  • the laser element LD includes a semiconductor substrate 1, a lower clad layer 2, a lower light guide layer 3, a photonic crystal layer 6, an active layer 4, an upper light guide layer 5, an upper clad layer 7, and a contact.
  • the layers 8 are sequentially stacked, and a first electrode is provided on the back surface of the semiconductor substrate 1 and a second electrode E2 is provided on the upper surface of the contact layer 8 in contact therewith. Only the position of the photonic crystal layer 6 is different from that shown in FIG. 4, and the material, structure, and function are the same as those shown in FIG.
  • the laser beam LB is emitted in a direction (c axis, Z axis) perpendicular to the substrate surface.
  • FIG. 18 is a diagram showing a vertical cross-sectional configuration of the laser device.
  • the heat sink 105 does not have a V-groove, and the support member 103 rotatably supports the rotation shaft 110 in the Z-axis direction as compared with that shown in FIG.
  • a ball bearing B is interposed between 110 and the support member 103, a sub-support member 111 is fixed to the tip of the rotating shaft 110, and a laser element LD is fixed on the sub-support member 111 via an adhesive 104.
  • the support member 103 is provided with a rotation-preventing pin mechanism 112. When the pin mechanism 112 is inserted, the support member 103 contacts the back surface of the sub-support member 111, and the rotational position of the laser element LD is fixed.
  • Other configurations are the same as those shown in FIG.
  • the relative rotation angle ⁇ between the laser element LD and the nonlinear optical crystal NL can be adjusted.
  • FIG. 19 is a graph showing the relationship between wavelength and intensity in this laser apparatus.
  • the laser beam emitted from the laser element LD has a center wavelength of 1068 nm (FIG. 19A).
  • the center wavelength of the laser light emitted from the nonlinear optical crystal NL has a wavelength of 534 nm (FIG. 19B). Harmonics whose frequency is doubled (1/2 wavelength) are obtained.
  • FIG. 20 is a diagram showing the relationship between the injection current J (mA) to the laser element, the total light output It (mW) after passing through the nonlinear optical crystal NL, and the wavelength converted light output Ic (au).
  • the wavelength converted light output Ic output from the nonlinear optical crystal was nonlinearly increased with respect to the injection current J. This corresponds to the fact that the wavelength conversion efficiency of the nonlinear optical crystal NL is proportional to the square of the optical density of the incident fundamental laser beam.
  • a condensing or collimating lens may be provided between the laser element and the nonlinear optical crystal.
  • the photonic crystal part 6B of the laser element may be completely embedded with a semiconductor material or may be a gap.
  • the non-linear optical crystal showed only those having the poled structure, KTiOPO 4 having no polarization reversal structure (KTP), ⁇ -Ba 2 B 2 O 3 (BBO), or LiB 2 O 5 (LBO)
  • KTP polarization reversal structure
  • BBO ⁇ -Ba 2 B 2 O 3
  • LBO LiB 2 O 5
  • the polarization direction of the laser element may be aligned with the crystal surface of the nonlinear optical crystal having the highest wavelength conversion efficiency.
  • the above-described laser element oscillates alone and emits laser light without a nonlinear optical crystal.
  • each compound semiconductor layer uses a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. Although crystal growth is performed on the (001) plane of the semiconductor substrate 1, it is not limited to this. Further, in the manufacture of the above-described laser device using AlGaAs, the growth temperature of AlGaAs is 500 ° C. to 850 ° C., and 550 to 700 ° C. is employed in the experiment, and TMA (trimethylaluminum) is used as the Al raw material during growth.
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • TMG trimethylgallium
  • TEG triethylgallium
  • AsH 3 arsine
  • Si 2 H 6 diisilane
  • DEZn raw materials for P-type impurities (Diethyl zinc)
  • TMG and arsine are used, but TMA is not used.
  • InGaAs is manufactured using TMG, TMI (trimethylindium), and arsine.
  • the insulating film covering the substrate surface may be formed using a PCVD (plasma CVD) method as necessary.
  • the above-described laser element first includes an N-type cladding layer (AlGaAs) 2, a guide layer (AlGaAs) 3, a multiple quantum well structure (InGaAs / AlGaAs) 4, on an N-type semiconductor substrate (GaAs) 1.
  • An optical guide layer (GaAs / AaGaAs) 5 and a basic layer (GaAs) 6A serving as a photonic crystal layer are sequentially epitaxially grown using MOCVD (metal organic chemical vapor deposition).
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • an SiN layer is formed on the basic layer 6A by PCVD (plasma CVD), and a resist is formed on the SiN layer.
  • a two-dimensional fine pattern is drawn on the resist by an electron beam drawing apparatus and developed to form a two-dimensional fine pattern on the resist.
  • a two-dimensional fine pattern having a depth of about 100 to 300 nm is transferred onto the basic layer 6A by dry etching to form holes (holes), and the resist and the SiN layer are removed.
  • an upper cladding layer (AlGaAs) 7 and a contact layer (GaAs) 8 are sequentially formed by MOCVD, and an appropriate electrode material is formed on the upper and lower surfaces of the substrate by vapor deposition to form first and second electrodes.
  • insulating films can be formed on the upper and lower surfaces of the substrate by a PCVD (plasma CVD) method or the like.
  • the photonic crystal layer When the photonic crystal layer is provided below the active layer, the photonic crystal layer may be formed on the lower cladding layer before forming the active layer and the lower light guide layer.
  • Mode A Mode A
  • Mode B Mode B
  • the shape obtained by Fourier transforming the in-plane electromagnetic field distribution (in-plane phase distribution of the point light source) of the standing wave in the photonic crystal layer (phase modulation layer) described above is a Gaussian distribution point shape (spot). It is.
  • the refractive index of the basic layer 6A is preferably 3.0 to 3.5, and the refractive index of the different refractive index region 6B is preferably 1.0 to 3.4.
  • the polarization direction of the laser light tends to be along the horizontal or vertical direction of the longitudinal direction of the hole shape in plan view.
  • 6A Basic layer
  • 6B Different refractive index region
  • NL Nonlinear optical crystal

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Abstract

　レーザ装置において、フォトニック結晶層の異屈折率領域６Ｂは正方格子の格子点位置に配置されており、それぞれの異屈折率領域６Ｂの平面形状が概略直角二等辺三角形の場合、この直角を構成する２辺が正方格子の縦及び横の格子線に沿っており、当該三角形の斜辺に平行又は垂直な向きと、非線形光学結晶ＮＬの周期分極反転構造における分極の向きとが一致している。

Description

レーザ装置
　本発明は、フォトニック結晶面発光レーザ素子を用いたレーザ装置に関する。
　従来、非線形光学結晶に、レーザ光が入射すると、非線形光学効果により、波長が変換されたレーザ光が出射される。非線形光学結晶による位相変換によって、基準位置で発生したレーザ光の位相と、基準位置からコヒーレント長だけ離間した位置において発生したレーザ光の位相の差がπとなった場合には、レーザ光が打ち消しあい、その強度が低下する。レーザ光強度の低下を抑制するため、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を用いた擬似位相整合（ＱＰＭ）技術が知られている。この技術では、正又は負の分極領域の光伝播方向の長さが、コヒーレント長（位相がπずれる長さ）となるように、分極反転周期が設定される。
　特許文献１には、非線形光学結晶と、自身の素子内では共振しない半導体レーザ素子とを組み合わせて、全体として共振を行い、レーザ光を発生するレーザ装置が開示されている。
特開２０１０－２１９３０７号公報
　しかしながら、特許文献１の図７に記載のレーザ装置においては、発光部の量子井戸層から発生した自然放出光がフォトニック結晶の回折によって垂直方向に進み、外部ミラーに至る割合は非常に少ないと考えられる。このため外部発振に至るには非常に大きな電流注入が必要であり、効率も低くなるため、波長変換光の出力は十分ではないものと考えられる。また、安定した発振を得るためには、外部ミラーから戻ったレーザ光のフォトニック結晶への入射位相は、出射位相と揃っている必要があるが、発光部と外部ミラーとの距離はレーザ波長に比較して非常に長いため、空間発振モード、偏光モードは乱れやすく、得られる波長変換光のビーム形状も不安定となる。
　本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、波長変換光の強度を、際立って向上させ、さらにガウス分布点形状ビームパターンを安定して得ることが可能なレーザ装置を提供することを目的とする。
　本レーザ装置においては、レーザ素子自身が単独で発振するため、外部共振器型レーザと比較して、発振に至る注入電流閾値も低く、発振効率も高くすることができる。また、素子内に設けられたフォトニック結晶構造が、レーザ発振時の発振モードに直接作用するため、ビーム形状、偏光特性は安定となり、容易に制御することが可能となる。このように、高い光出力効率、安定したビーム形状、偏光特性を持つレーザ光を、波長変換素子に入射することによって、優れたビーム品質を持ち、光強度の高い波長変換光が得られると考えられる。また、本装置ではレーザ素子自身がガウス分布点形状ビームを出射している。
　上述の課題を解決するため、第１のレーザ装置は、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、活性層と、前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、前記フォトニック結晶層は、第１屈折率媒質からなる基本層と、前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された正方格子における格子点位置に配置されており、それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、概略直角二等辺三角形に設定されており、この概略直角二等辺三角形の直角を構成する２辺が、前記正方格子を構成する縦の格子線及び横の格子線に沿って延びており、この概略直角二等辺三角形の斜辺に平行又は垂直な向きと、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とする。
　なお、規定される異屈折率領域の平面形状は、実際の製造においては、数学的に厳密に規定される形状とはならず、角部が丸みを帯び、各辺が若干歪む場合が生じる。「概略」とは、このように、規定の形状が製造時に若干変形する状態を含むことを意味する。
　第１のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶に入射すると、非線形光学結晶において波長変換が行われ、非線形光学結晶から出射される。ここで、フォトニック結晶層における異屈折率領域が正方格子の格子点位置に配置され、更に上記の条件を満たした場合には、非線形光学結晶から出射される波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。
　第２のレーザ装置は、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、活性層と、前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、前記フォトニック結晶層は、第１屈折率媒質からなる基本層と、前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された正方格子における格子点位置に配置されており、それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、概略正三角形に設定されており、この概略正三角形の１つの頂点から底辺に下した垂線が、前記正方格子を構成する縦の格子線に沿って延びており、この概略正三角形の前記底辺の向きと、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とする。
　第２のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶に入射すると、非線形光学結晶において波長変換が行われ、非線形光学結晶から出射される。ここで、フォトニック結晶層における異屈折率領域が正方格子の格子点位置に配置され、更に上記の条件を満たした場合には、非線形光学結晶から出射される波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。
　第３のレーザ装置は、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、活性層と、前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、前記フォトニック結晶層は、第１屈折率媒質からなる基本層と、前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された正方格子における格子点位置に配置されており、それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、概略直角台形に設定されており、この概略直角台形における１つの直角を構成する２辺が、前記正方格子を構成する縦の格子線及び横の格子線に沿って延びており、この概略直角台形の下底の向き又は前記下底と４５°を成す向きと、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とする。
　第３のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶に入射すると、非線形光学結晶において波長変換が行われ、非線形光学結晶から出射される。ここで、フォトニック結晶層における異屈折率領域が正方格子の格子点位置に配置され、更に上記の条件を満たした場合には、非線形光学結晶から出射される波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。
　第４のレーザ装置は、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、活性層と、前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、前記フォトニック結晶層は、第１屈折率媒質からなる基本層と、前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された三角格子における格子点位置に配置されており、それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、概略直角二等辺三角形に設定されており、本レーザ素子の偏光方向と、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とする。
　第４のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶に入射すると、非線形光学結晶において波長変換が行われ、非線形光学結晶から出射される。ここで、フォトニック結晶層における異屈折率領域が三角格子の格子点位置に配置され、更に上記の条件を満たした場合には、非線形光学結晶から出射される波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。
　第５のレーザ装置は、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、活性層と、前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、前記フォトニック結晶層は、第１屈折率媒質からなる基本層と、前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された三角格子における格子点位置に配置されており、それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、概略正方形に設定されており、本レーザ素子の偏光方向と、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とする。
　第５のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶に入射すると、非線形光学結晶において波長変換が行われ、非線形光学結晶から出射される。ここで、フォトニック結晶層における異屈折率領域が三角格子の格子点位置に配置され、更に上記の条件を満たした場合には、非線形光学結晶から出射される波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。
　第６のレーザ装置は、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、活性層と、前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、前記フォトニック結晶層は、第１屈折率媒質からなる基本層と、前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された三角格子における格子点位置に配置されており、それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、扁平率が０よりも大きな概略楕円形に設定されており、本レーザ素子の偏光方向と、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とする。
　第６のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶に入射すると、非線形光学結晶において波長変換が行われ、非線形光学結晶から出射される。ここで、フォトニック結晶層における異屈折率領域が三角格子の格子点位置に配置され、更に上記の条件を満たした場合には、非線形光学結晶から出射される波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。
　第７のレーザ装置は、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、活性層と、前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、前記フォトニック結晶層は、第１屈折率媒質からなる基本層と、前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された三角格子における格子点位置に配置されており、それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、概略直角台形に設定されており、本レーザ素子の偏光方向と、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とする。
　第７のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶に入射すると、非線形光学結晶において波長変換が行われ、非線形光学結晶から出射される。ここで、フォトニック結晶層における異屈折率領域が三角格子の格子点位置に配置され、更に上記の条件を満たした場合には、非線形光学結晶から出射される波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。
　このレーザ装置によれば、波長変換されたレーザ光はガウス分布点形状ビームパターンとなり光強度を、際立って向上させることができる。
図１はレーザ装置の縦断面構成を示す図である。 図２はレーザ装置の内部構造の斜視図である。 図３はレーザ装置における非線形光学結晶を示す図である。 図４はレーザ装置におけるレーザ素子の縦断面構成を示す図である。 図５はレーザ素子における構成要素の材料、導電型、厚みについて示す図表である。 図６はレーザ素子におけるフォトニック結晶層（第１例）の平面図（Ａ）、非線形光学結晶における分極の向きを示す図（Ｂ）である。 図７はレーザ素子におけるフォトニック結晶層（第１例）の平面図（Ａ）、非線形光学結晶における別の状態の分極の向きを示す図（Ｂ）である。 図８はレーザ素子におけるフォトニック結晶層の二次元平面の電磁界分布を示す図（Ａ）、フォトニック結晶層の二次元平面内の偏光方向を示す図（Ｂ）である。 図９はレーザ素子におけるフォトニック結晶層の二次元平面の電磁界分布を示す図（Ａ）、フォトニック結晶層の二次元平面内の偏光方向を示す図（Ｂ）である。 図１０はレーザ素子におけるフォトニック結晶層（第２例）の平面図（Ａ）、非線形光学結晶における分極の向きを示す図（Ｂ）である。 図１１はレーザ素子におけるフォトニック結晶層（第３例）の平面図（Ａ）、非線形光学結晶における分極の向きを示す図（Ｂ）である。 図１２はレーザ素子におけるフォトニック結晶層（第３例）の平面図（Ａ）、非線形光学結晶における別の状態の分極の向きを示す図（Ｂ）である。 図１３はレーザ素子におけるフォトニック結晶層（第４例）の平面図である。 図１４はレーザ素子におけるフォトニック結晶層（第５例）の平面図である。 図１５はレーザ素子におけるフォトニック結晶層（第６例）の平面図である。 図１６はレーザ素子におけるフォトニック結晶層（第７例）の平面図である。 図１７はレーザ装置におけるレーザ素子の縦断面構成を示す図である。 図１８はレーザ装置の縦断面構成を示す図である。 図１９は波長と強度の関係を示すグラフである。 図２０は注入電流Ｊ（ｍＡ）と、全体光出力Ｉｔ（ｍＷ）及び波長変換出力Ｉｃ（ａ．ｕ．）の関係を示す図である。 図２１はレーザ光の偏光状態を示す写真を示す図である。
　以下、実施の形態に係るレーザ装置について説明する。なお、同一要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
　図１は、レーザ装置の縦断面構成を示す図である。
　支持基板１０１の第１領域上に、マウント基板１０２が固定されており、マウント基板１０２上にはレーザ素子ＬＤの支持部材１０３が固定されている。レーザ素子ＬＤは、フォトニック結晶面発光レーザ素子であり、Ｚ軸方向にレーザ光ＬＢを出射する。支持部材１０３の側面には、レーザ素子ＬＤが導電性の接着剤１０４を介して固定されている。接着剤１０４は、半田又は金などからなり、レーザ素子ＬＤの下面を固定電位に接続している。支持部材１０３の表面には、レーザ素子にバイアス電圧を印加するための正負の電極（図示せず）がパターニングされており、一方の電極が接着剤１０４によりレーザ素子ＬＤの下面に電気的に接続され、他方の電極がレーザ素子ＬＤの上面にワイヤーボンディング等（図示せず）を用いて電気的に接続されている。
　支持基板１０１の第２領域上に、温度制御装置ＣＬが固定され、温度制御装置ＣＬ上に、銅などから構成されるヒートシンク１０５が固定されている。温度制御装置ＣＬは、ペルチェ素子から構成される。ヒートシンク１０５上には接着剤１０６を介して、非線形光学結晶ＮＬが固定されている。接着剤１０６は、熱伝導性の高い半田や金などの導電性の接着剤とすることもできるが、樹脂などの絶縁性接着剤を用いることとしてもよい。ヒートシンク１０５の表面は、Ｖ溝ＧＲが形成されており、四角柱形状の非線形光学結晶ＮＬの隣接する２側面は、Ｖ溝ＧＲの内面に接着剤１０６を介して固定されている。なお、非線形光学結晶ＮＬは、擬似位相整合（ＱＰＭ）構造を有する周期分極反転構造を有している。
　支持基板１０１には、温度制御装置ＣＬに電力を供給するための駆動回路１０７が設けられている。駆動回路１０７は、支持基板１０１に内蔵されていてもよいが、支持基板１０１表面に取り付けてもよく、また、支持基板１０１から離間した位置に配置されてもよい。支持基板１０１に内蔵する場合には、例えば、支持基板１０１の下面に凹部を形成し、当該凹部内に駆動回路１０７を配置すればよい。ヒートシンク１０５には、非線形光学結晶ＮＬの温度を直接的又は間接的に計測するためのセンサＳが取り付けられている。このセンサＳは、好適にはヒートシンク１０５の温度を計測する温度センサであり、センサＳの出力は駆動回路１０７に入力され、駆動回路１０７はセンサＳから入力されたデータに基づいて、温度制御装置ＣＬに供給する駆動電力の大きさを帰還制御する。すなわち、センサＳからの出力が設定値よりも大きい場合には、駆動電力を小さくし、小さい場合には駆動電力を大きくする。
　センサＳは、非線形光学結晶ＮＬの温度を直接的又は間接的に計測するものであるから、センサＳは非線形光学結晶ＮＬに直接取り付けることとしてもよい。センサＳは、熱電対から構成することができるが、放射温度計とすることもできる。放射温度計の場合には、例えば非線形光学結晶ＮＬから出射される赤外線又は可視光を測定する。放射温度計は、レーザ光波長を遮断するフィルタを備えたフォトダイオードとすることも可能である。
　センサＳは、レーザ光ＬＢの強度モニタとして、測定された強度に対応する非線形光学結晶ＮＬの温度をテーブルから読み出すルックアップテーブル方式で構成してもよい。すなわち、レーザ装置から出力されるレーザ光ＬＢの強度及び／又は波長と、非線形光学結晶ＮＬの温度との相関データを予め取得し、これを記憶装置内のテーブルに格納しておけば、ルックアップテーブル方式で温度計測を行うことができる。
　支持基板１０１には、上述の要素を収容するカバー１０８が取り付けられている。カバー１０８の側面にはレーザ光ＬＢを出射するための出射窓１０９が取り付けられており、カバー１０８は支持基板１０１と共に、内部空間を密閉し、外部温度・湿度や粉塵などの外部からの影響を抑制している。レーザ素子ＬＤから出射されたレーザ光は、Ｚ軸の正方向に沿って進行し、非線形光学結晶ＮＬを通って波長変換され、波長変換後のレーザ光ＬＢは出射窓１０９を介して外部に出力される。なお、冷却装置である温度制御装置ＣＬの駆動回路１０７は、レーザ素子ＬＤの駆動回路を含んでいてもよい。
　また、支持基板１０１は銅などからなるヒートシンクとすることも可能であり、この場合には、マウント基板１０２、支持部材１０３、及びレーザ素子ＬＤも冷却される。また、配線等の導電体を介して、レーザ素子ＬＤの下面が支持基板１０１に電気的に接続される場合には、当該配線等を介して、支持基板１０１がレーザ素子ＬＤを冷却することができる。
　図２は、レーザ装置の内部構造の斜視図である。
　レーザ素子ＬＤの光出射面ＳＬＤから出射されたレーザ光ＬＢは、Ｚ軸方向に進行し、Ｚ軸に垂直な光入射面を有する非線形光学結晶ＮＬに入射する。非線形光学結晶ＮＬは、擬似位相整合（ＱＰＭ）構造の周期分極反転構造を有しており、正の分極領域ＮＬＰ、負の分極領域ＮＬＮをＺ軸方向に沿って交互に積層してなる。各分極領域の光伝播方向（Ｚ軸方向）の長さは、コヒーレント長（伝播するレーザ光ＬＢの位相がπずれる長さ）となるように、分極反転周期が設定されている。各分極領域の分極の方向ＤＰは、図示の如く、レーザ光ＬＢの進行方向に沿って交互に反転して切り替わる。
　なお、説明の明確化のため、支持基板１０１の主表面（要素をマウントする面）をａｃ面とし、ａ軸及びｃ軸の双方に垂直な軸をｂ軸とし、ａｂｃ直交座標系を設定する。また、Ｚ軸は、ｃ軸と一致しており、ａｂｃ直交座標系をｃ軸の周りに回転させた座標系をＸＹＺ直行座標系とする。ｂ軸からＹ軸までのｃ軸周りの回転角度をθとする。
　非線形光学結晶ＮＬは、Ｚ軸方向を長手方向とする直方体であり、レーザ光ＬＢの光入射面をＸＹ平面とし、光入射面を囲む４つの面が、ＸＺ面及びＹＺ面のいずれかから構成される形状を有している。直方体のレーザ素子ＬＤの光出射面ＳＬＤは、ａｂ面（ＸＹ面）であり、光出射面に垂直な側面がａｃ面となる。すなわち、ＸＹＺ直交座標系は、非線形光学結晶ＮＬの向きに合わせて設定された座標系であり、ａｂｃ直交座標系はレーザ素子ＬＤに合わせて設定された座標系である。
　図３は、レーザ装置における非線形光学結晶を示す図である。
　レーザ光ＬＢの出射面ＳＬＤから非線形光学結晶ＮＬの光入射面までの距離をＬ１，非線形光学結晶ＮＬの光入射面から光出射面までの距離をＬ２，全体の距離をＬＲとする。また、一対の正の分極領域ＮＬＰと負の分極領域ＮＬＮのＺ軸に沿った長さをＬ３とする。ＱＰＭ構造では、レーザ素子から出射されるレーザ光ＬＢの基本波の波長λに対して、基本波に対する屈折率ｎω、非線形光学結晶ＮＬから出射される第２高調波に対する屈折率ｎ２ω、次数をｍ（通常１）として、分極反転周期Ｌ３＝ｍλ/（２（ｎ２ω－ｎω））に設定される。
　各分極領域を構成する強誘電体結晶として、Ｍｇなどの適当な添加物を含むＬｉＮｂＯ３、Ｍｇなどの適当な添加物を含むＬｉＴａＯ３等を用いて周期分極反転構造を形成することができる。
　レーザ素子の出射面ＳＬＤにおけるレーザ光ＬＢの直径（Ｙ軸方向長）をＷ１、非線形光学結晶ＮＬのＹ軸方向長をＷ２、非線形光学結晶ＮＬの光出射面におけるレーザ光ＬＢの直径（Ｙ軸方向長）をＷ３とする。光出射面ＳＬＤから出射されるレーザ光ＬＢの広がり角を２×βとする。βは、非線形光学結晶ＮＬの光出射面に対する法線とレーザ光ＬＢの最も外側の光線の成す角度である。βは次の関係（２β＝２ａｒｃｔａｎ｛（Ｗ３―Ｗ１）／２ＬＲ｝）を有している。
　また、レーザ素子は回折限界の光出射時２β＝１．２２×λ／Ｗ１（ｒａｄ）を満たし、βが小さい場合には、近軸近似計算により、Ｗ３＝Ｗ１＋（２×β×（ＬＲ＋Ｌ１））である。レーザ光が非線形光学結晶ＮＬ内に収まるには、Ｗ３＜Ｗ２を満たす必要がある。例えば、Ｗ３＝２００μｍ、λ＝１μｍの場合、β＝３．０５×１０－３ｒａｄ、Ｗ３＝０．２＋６．１×１０－３×（ＬＲ＋Ｌ１）（ｍｍ）となる。試作では、（ＬＲ＋Ｌ１）＝４０ｍｍとしたため、Ｗ３＝０．０．４４４ｍｍとなる。非線形光学結晶ＮＬのサイズＷ２＝０．５ｍｍとしたため、本光学系ではＷ３＜Ｗ２を満たしている。
　以上のように、上述のレーザ装置は、フォトニック結晶面発光レーザ素子ＬＤから出射されたレーザ光ＬＢが入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶ＮＬを備えたレーザ装置である。次に、フォトニック結晶面発光レーザ素子ＬＤの詳細構造について説明する。
　図４は、レーザ装置におけるレーザ素子の縦断面構成を示す図であり、図５は、レーザ素子における構成要素の材料、導電型、厚みについて示す図表である。
　レーザ素子ＬＤは、活性層４と、活性層４を挟む上部クラッド層７及び下部クラッド層２と、上部クラッド層７（又は下部クラッド層２：図１７）と活性層４との間に設けられたフォトニック結晶層６（屈折率変調層）とを備えている。クラッド層と活性層４との間には、光ガイド層が介在し、上部クラッド層７上にはコンタクト層８が形成されている。
　すなわち、このレーザ素子ＬＤは、半導体基板１と、下部クラッド層２と、下部光ガイド層３と、活性層４と、上部光ガイド層５と、フォトニック結晶層６と、上部クラッド層７と、コンタクト層８を順次積層してなり、半導体基板１の裏面には第１電極、コンタクト層８の上面には第２電極Ｅ２が接触して設けられている。第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に順方向バイアス電圧を印加すると、クラッド層間に位置する活性層４内において発光が生じ、フォトニック結晶層６によって変調されて。基板面に垂直な方向（ｃ軸、Ｚ軸）にレーザ光ＬＢが出射する。
　各要素の材料は、図５に示す通りであり、半導体基板１はＧａＡｓからなり、下部クラッド層２はＡｌＧａＡｓからなり、下部光ガイド層３はＡｌＧａＡｓからなり、活性層４は多重量子井戸構造ＭＱＷ（障壁層：ＡｌＧａＡｓ／井戸層：ＩｎＧａＡｓ）からなり、上部光ガイド層５は、下層ＡｌＧａＡｓ／上層ＧａＡｓからなり、フォトニック結晶層６は基本層６ＡがＧａＡｓ、基本層６Ａ内に埋め込まれた異屈折率領域（埋込層）６ＢがＡｌＧａＡｓからなり、上部クラッド層７がＡｌＧａＡｓからなり、コンタクト層がＧａＡｓからなる。なお、各層には、図５に示すように、第１導電型（Ｎ型）の不純物又は、第２導電型（Ｐ型）の不純物が添加されており（不純物濃度は１×１０１７～１×１０２１／ｃｍ３）、意図的にはいずれの不純物も添加されていない領域は真性（Ｉ型）となっている。Ｉ型の不純物濃度は１×１０１５／ｃｍ３以下である。
　また、クラッド層のエネルギーバンドギャップは、光ガイド層のエネルギーバンドギャップよりも大きく、光ガイド層のエネルギーバンドギャップは活性層４の井戸層のエネルギーバンドギャップよりも大きく設定されている。ＡｌＧａＡｓにおいては、Ａｌの組成比を変更することで、容易にエネルギーバンドギャップと屈折率を変えることができる。ＡｌＸＧａ１－ＸＡｓにおいて、相対的に原子半径の小さなＡｌの組成比Ｘを減少（増加）させると、これと正の相関にあるエネルギーバンドギャップは小さく（大きく）なり、ＧａＡｓに原子半径の大きなＩｎを混入させてＩｎＧａＡｓとすると、エネルギーバンドギャップは小さくなる。すなわち、クラッド層のＡｌ組成比は、光ガイド層のＡｌ組成比よりも大きく、光ガイド層のＡｌ組成比は、活性層の障壁層（ＡｌＧａＡｓ）よりもＡｌ組成以上である。クラッド層のＡｌ組成比は０．２～０．５に設定され、本例では０．４とする。光ガイド層及び活性層における障壁層のＡｌ組成比は０．１～０．１５に設定され、本例では０．１とする。
　また、各層の厚みは、図５に示す通りであり、同図内の数値範囲は好適値を示し、括弧内の数値は試作を行った最適値を示している。
　なお、図２１は、レーザ素子から得られる典型的なパターンビームの偏光状態を示す遠視野像写真である。
　（Ａ）はレーザ素子から直接得られている遠視野象であり、ガウス分布点形状の遠視野像が得られていることが分かる。（Ｂ）、（Ｃ）には偏光フィルタを透過させて撮影した遠視野像写真を示している。レーザ素子の偏光角度と偏光フィルタの偏光方位との相対角度が０°の場合（Ｂ）には、偏光フィルタがない場合（Ａ）と同様なガウス分布点形状ビームパターンが観察された。一方、偏光方位との相対角度が９０°の場合（Ｃ）には、ビームパターンは筋状となり、さらに透過光強度は、相対角度０°の場合（Ｂ）と比較して数分の１に減少した。非線形光学結晶は周期反転分極方向に偏光した基本波のみを波長変換するため、上記偏光フィルタと同様な役割を果たす。したがって、レーザ光の偏光方向を非線形光学結晶は周期反転分極方向に合わせると、非線形光学結晶から得られる波長変換光はレーザ素子の偏光方向と偏光フィルタの位相角度が０°に対応した、ガウス分布点形状ビームパターンとなる。
　ここで、フォトニック結晶層６は、第１屈折率媒質からなる基本層６Ａと、第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり基本層６Ａ内に存在する複数の異屈折率領域６Ｂとを備えている。また、本レーザ素子においてはフォトニック結晶の格子間隔は、正方格子の場合には格子間隔が、レーザ発振波長を素子内部の実効屈折率で割った実効的なレーザ波長に一致する様に設けられる。三角格子の場合には格子間隔が、レーザ発振波長を素子内部の実効屈折率で割り（２/√３）倍した値となる様に設けられる。以下、詳説する。
　図６は、レーザ素子におけるフォトニック結晶層（第１例）の平面図（Ａ）、非線形光学結晶における分極の向きを示す図（Ｂ）である。
　図６においては、フォトニック結晶内の電磁界分布がＭｏｄｅＡ（図８）となった場合について説明する。複数の異屈折率領域６Ｂは、フォトニック結晶層６の主表面上に設定された正方格子（点線で示す）における格子点位置に配置されており、それぞれの異屈折率領域６Ｂの平面形状は、概略直角二等辺三角形に設定されており、この概略直角二等辺三角形の直角を構成する２辺が、正方格子を構成する縦の格子線ＬＶ及び横の格子線ＬＨに沿って延びている。
　ここで、この概略直角二等辺三角形の斜辺に平行な向き（Ｙ軸：ｂ軸をθだけ回転した軸：θ＝４５°）と、非線形光学結晶ＮＬの周期分極反転構造における分極の向きＤＰ（Ｙ軸）とが一致している。
　なお、規定される異屈折率領域６Ｂの平面形状は、実際の製造においては、数学的に厳密に規定される形状とはならず、角部が丸みを帯び、各辺が若干歪む場合が生じる。「概略」とは、このように、規定の形状が製造時に若干変形する状態を含むことを意味する。
　第１例のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶ＮＬに入射すると、非線形光学結晶ＮＬにおいて波長変換が行われ、非線形光学結晶ＮＬから出射される。フォトニック結晶層６における異屈折率領域６Ｂが正方格子の格子点位置に配置され、更に形状及び向きが上記の条件を満たした場合には、非線形光学結晶から得られる波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。これは異屈折率領域６Ｂにおいて発生する偏光方位が、ＭｏｄｅＡにおいて、分極の向きＤＰに一致しているためである。
　図７は、レーザ素子におけるフォトニック結晶層（第１例）の平面図（Ａ）、非線形光学結晶における別の状態の分極の向きを示す図（Ｂ）である。
　図６においては、フォトニック結晶内の電磁界分布がＭｏｄｅ Ａ（図８）となった場合について説明したが、図７においてはＭｏｄｅＢ（図９）となった場合について説明する。
　図６と同様に、複数の異屈折率領域６Ｂは、フォトニック結晶層６の主表面上に設定された正方格子（点線で示す）における格子点位置に配置されており、それぞれの異屈折率領域６Ｂの平面形状は、概略直角二等辺三角形に設定されており、この概略直角二等辺三角形の直角を構成する２辺が、正方格子を構成する縦の格子線ＬＶ及び横の格子線ＬＨに沿って延びている。
　ここで、この概略直角二等辺三角形の斜辺に垂直な向き（Ｙ軸：ｂ軸を－θだけ回転した軸：θ＝４５°）と、非線形光学結晶ＮＬの周期分極反転構造における分極の向きＤＰ（Ｙ軸）とが一致している。
　この場合も、第１例のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶ＮＬに入射すると、非線形光学結晶ＮＬにおいて波長変換が行われ、非線形光学結晶ＮＬから出射される。フォトニック結晶層６における異屈折率領域６Ｂが正方格子の格子点位置に配置され、更に形状及び向きが上記の条件を満たした場合には、非線形光学結晶から得られる波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。これは異屈折率領域６Ｂにおいて発生する偏光方位が、ＭｏｄｅＢにおいて、分極の向きＤＰに一致しているためである。
　ＭｏｄｅＡとＭｏｄｅＢは、レーザ素子のフォトニック結晶形状、半導体量子井戸層のゲイン波長等を変更することにより、切り替えることができる。
　図８は、非特許文献Ｏｐｔ．Ｅｘｐ．Ｖｏｌ．１９（２４）ｐ２４６７２に示されているＭｏｄｅＡにおける、レーザ素子におけるフォトニック結晶層の二次元平面の電磁界分布を示す図（Ａ）、フォトニック結晶層の二次元平面内の偏光方向を示す図（Ｂ）である。
　ここで、図８（Ａ）の円の周方向に沿って並ぶ矢印は、電界の向きと強さを示している。フォトニック結晶層における屈折率の小さい異屈折率領域６Ｂに生じる電界が素子の偏光方向に寄与するため、三角形の斜辺に平行な方向の偏光が、大きくなる。
　図８（Ｂ）は、上記偏光の方向（大矢印で示す）を示すものである。座標系のＲｘ、Ｒｙ，Ｓｘ，Ｓｙは、フォトニック結晶面内に生じている４方向の基本定在波の進行軸方向を示し、また、各ベクトルは、それぞれの定在波に生じる偏光方向とその強さを示している。上記定在波が垂直面方向発振に寄与する際には、図の如くの偏光方向が生じることになる。
　図９は、非特許文献Ｏｐｔ．Ｅｘｐ．Ｖｏｌ．１９（２４）ｐ２４６７２に示されているＭｏｄｅＢにおける、レーザ素子におけるフォトニック結晶層の二次元平面の電磁界分布を示す図（Ａ）、フォトニック結晶層の二次元平面内の偏光方向を示す図（Ｂ）である。
　ここで、図９（Ａ）の円の周方向に沿って並ぶ矢印は、電界の向きと強さを示している。フォトニック結晶層における屈折率の小さい異屈折率領域６Ｂに生じる電界が素子の偏光方向に寄与するため、三角形の斜辺に垂直な方向の偏光が、大きくなる。
　図９（Ｂ）は、上記偏光の方向（大矢印で示す）を示すものである。座標系のＲｘ、Ｒｙ，Ｓｘ，Ｓｙは、フォトニック結晶面内に生じている４方向の基本定在波の進行軸方向を示し、また、各ベクトルは、それぞれの定在波に生じる偏光方向とその強さを示している。上記定在波が垂直面方向発振に寄与する際には、図の如くの偏光方向が生じることになる。
　図１０は、レーザ素子におけるフォトニック結晶層（第２例）の平面図（Ａ）、非線形光学結晶における分極の向きを示す図（Ｂ）である。
　フォトニック結晶層６は、第１屈折率媒質からなる基本層６Ａと、第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり基本層６Ａ内に存在する複数の異屈折率領域６Ｂとを備え、複数の異屈折率領域６Ｂは、フォトニック結晶層の主表面上に設定された正方格子（点線で示す）における格子点位置に配置されている。それぞれの異屈折率領域６Ｂの平面形状は、概略正三角形に設定されており、この概略正三角形の１つの頂点から底辺に下した垂線が、前記正方格子を構成する縦の格子線ＬＶに沿って延びており、この概略正三角形の底辺の向き（Ｙ軸＝ｃ軸：θ＝０°）と、周期分極反転構造における分極の向きＤＰ（Ｙ軸）とが一致している。
　第２例のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶に入射すると、非線形光学結晶において波長変換が行われ、非線形光学結晶から出射される。ここで、フォトニック結晶層における異屈折率領域６Ｂが正方格子の格子点位置に配置され、更に形状及び向きが上記の条件を満たした場合には、非線形光学結晶から得られる波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。これは異屈折率領域６Ｂにおいて発生する偏光方位が、分極の向きＤＰに一致しているためである。
　図１１は、レーザ素子におけるフォトニック結晶層（第３例）の平面図（Ａ）、非線形光学結晶における分極の向きを示す図（Ｂ）である。
　フォトニック結晶層６は、第１屈折率媒質からなる基本層６Ａと、第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり基本層６Ａ内に存在する複数の異屈折率領域６Ｂとを備え、複数の異屈折率領域６Ｂは、フォトニック結晶層の主表面上に設定された正方格子（点線で示す）における格子点位置に配置されている
　それぞれの異屈折率領域６Ｂの平面形状は、概略直角台形に設定されており、この概略直角台形における１つの直角を構成する２辺が、正方格子を構成する縦の格子線ＬＶ及び横の格子線ＬＨに沿って延びており、この概略直角台形の下底（長い辺を下底：短い辺を上底とする）の向き（Ｙ軸＝ｃ軸：θ＝０°）と、周期分極反転構造における分極の向きＤＰ（Ｙ軸）とが一致している。
　第３例のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶に入射すると、非線形光学結晶において波長変換が行われ、非線形光学結晶から出射される。ここで、フォトニック結晶層における異屈折率領域６Ｂが正方格子の格子点位置に配置され、更に形状及び向きが上記の条件を満たした場合には、非線形光学結晶から得られる波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。これは異屈折率領域６Ｂにおいて発生する偏光方位が、分極の向きＤＰに一致しているためである。
　図１２は、レーザ素子におけるフォトニック結晶層（第３例）の平面図（Ａ）、非線形光学結晶における別の状態の分極の向きを示す図（Ｂ）である。
　フォトニック結晶層６は、第１屈折率媒質からなる基本層６Ａと、第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり基本層６Ａ内に存在する複数の異屈折率領域６Ｂとを備え、複数の異屈折率領域６Ｂは、フォトニック結晶層の主表面上に設定された正方格子（点線で示す）における格子点位置に配置されている
　それぞれの異屈折率領域６Ｂの平面形状は、概略直角台形に設定されており、この概略直角台形における１つの直角を構成する２辺が、正方格子を構成する縦の格子線ＬＶ及び横の格子線ＬＨに沿って延びており、この概略直角台形の下底と４５°を成す向き（Ｙ軸＝ｃ軸：θ＝４５°）と、周期分極反転構造における分極の向きＤＰ（Ｙ軸）とが一致しており、上記と同様の理由から、非線形光学結晶から得られる波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。
　なお、図１１及び図１２のモードは、レーザ素子のフォトニック結晶形状、半導体量子井戸層のゲイン波長等を変更すると切り替えることができる。
　図１３は、レーザ素子におけるフォトニック結晶層（第４例）の平面図(ＸＹ平面)である。
　フォトニック結晶層６は、第１屈折率媒質からなる基本層６Ａと、第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり基本層６Ａ内に存在する複数の異屈折率領域６Ｂとを備え、複数の異屈折率領域６Ｂは、フォトニック結晶層の主表面上に設定された三角格子（点線で示す）における格子点位置に配置されている。
　それぞれの異屈折率領域６Ｂの平面形状は、概略直角二等辺三角形に設定されており、この概略直角二等辺三角形の直角を構成する１辺が、三角格子を構成する１本の格子線ＬＨに沿って延びており、右上から左下に延びる格子線をＬＶ１，左上から右下に延びる格子線をＬＶ２として示しており、各格子は正三角形を構成している。
　第４例のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶に入射すると、非線形光学結晶において波長変換が行われ、非線形光学結晶から出射される。ここで、フォトニック結晶層における異屈折率領域が三角格子の格子点位置に配置され、レーザ素子の偏光方向が非線形光学結晶の周期分極反転方向と一致した場合には、波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。
　図１４は、レーザ素子におけるフォトニック結晶層（第５例）の平面図(ＸＹ平面)である。
　フォトニック結晶層６は、第１屈折率媒質からなる基本層６Ａと、第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり基本層６Ａ内に存在する複数の異屈折率領域６Ｂとを備え、複数の異屈折率領域６Ｂは、フォトニック結晶層の主表面上に設定された三角格子（点線で示す）における格子点位置に配置されている。
　それぞれの異屈折率領域６Ｂの平面形状は、概略正方形に設定されており、この概略正方形の１つの辺が、三角格子を構成する横の格子線ＬＨに沿って延びており、右上から左下に延びる格子線をＬＶ１，左上から右下に延びる格子線をＬＶ２として示しており、各格子は正三角形を構成している。
　第５例のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶に入射すると、非線形光学結晶において波長変換が行われ、非線形光学結晶から出射される。ここで、フォトニック結晶層における異屈折率領域が三角格子の格子点位置に配置され、レーザ素子の偏光方向が非線形光学結晶の周期分極反転方向と一致した場合には、波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。
　図１５は、レーザ素子におけるフォトニック結晶層（第６例）の平面図(ＸＹ平面)である。
　フォトニック結晶層６は、第１屈折率媒質からなる基本層６Ａと、第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり基本層６Ａ内に存在する複数の異屈折率領域６Ｂとを備え、複数の異屈折率領域６Ｂは、フォトニック結晶層の主表面上に設定された三角格子（点線で示す）における格子点位置に配置されている。
　それぞれの異屈折率領域６Ｂの平面形状は、扁平率が０よりも大きな概略楕円形（真円ではない）に設定されており、この概略楕円形の長軸が、三角格子を構成する横の格子線ＬＨに沿って延びており、右上から左下に延びる格子線をＬＶ１，左上から右下に延びる格子線をＬＶ２として示しており、各格子は正三角形を構成している。
　第６例のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶に入射すると、非線形光学結晶において波長変換が行われ、非線形光学結晶から出射される。ここで、フォトニック結晶層６における異屈折率領域６Ｂが三角格子の格子点位置に配置され、レーザ素子の偏光方向が非線形光学結晶の周期分極反転方向と一致した場合には、波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。
　図１６は、レーザ素子におけるフォトニック結晶層（第７例）の平面図(ＸＹ平面)である。
　フォトニック結晶層６は、第１屈折率媒質からなる基本層６Ａと、第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり基本層６Ａ内に存在する複数の異屈折率領域６Ｂとを備え、複数の異屈折率領域６Ｂは、フォトニック結晶層の主表面上に設定された三角格子（点線で示す）における格子点位置に配置されている。
　それぞれの異屈折率領域６Ｂの平面形状は、概略直角台形に設定されており、この概略直角台形における高さを規定する１辺が、三角格子を構成する横の格子線ＬＨに沿って延びており、右上から左下に延びる格子線をＬＶ１，左上から右下に延びる格子線をＬＶ２として示しており、各格子は正三角形を構成している。
　第７例のレーザ装置において、フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が、周期分極反転構造を有する非線形光学結晶に入射すると、非線形光学結晶において波長変換が行われ、非線形光学結晶から出射される。ここで、フォトニック結晶層における異屈折率領域が三角格子の格子点位置に配置され、レーザ素子の偏光方向が非線形光学結晶の周期分極反転方向と一致した場合には、波長変換光はガウス分布点形状ビームパターンを持ち、光強度が、際立って向上する。
　図１７は、レーザ装置におけるレーザ素子の縦断面構成を示す図である。
　このレーザ素子ＬＤは、半導体基板１と、下部クラッド層２と、下部光ガイド層３と、フォトニック結晶層６と、活性層４と、上部光ガイド層５と、上部クラッド層７と、コンタクト層８を順次積層してなり、半導体基板１の裏面には第１電極、コンタクト層８の上面には第２電極Ｅ２が接触して設けられている。図４に示したものと、フォトニック結晶層６の位置のみが異なり、材料、構造及び機能は、図４のものと同一である。このレーザ素子においても、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に順方向バイアス電圧を印加すると、クラッド層間に位置する活性層４内において発光が生じ、フォトニック結晶層６によって変調されて。基板面に垂直な方向（ｃ軸、Ｚ軸）にレーザ光ＬＢが出射する。
　図１８は、レーザ装置の縦断面構成を示す図である。
　このレーザ装置は、図１に示したものと比較して、ヒートシンク１０５がＶ溝を備えておらず、支持部材１０３が、Ｚ軸方向の回転軸１１０を回転可能に支持しており、回転軸１１０と支持部材１０３との間にはボールベアリングＢが介在し、回転軸１１０の先端に副支持部材１１１が固定され、副支持部材１１１上にレーザ素子ＬＤが接着剤１０４を介して固定されている点が異なる。なお、支持部材１０３には回転止めのピン機構１１２が設けられており、ピン機構１１２を挿入すると副支持部材１１１の裏面に当接し、レーザ素子ＬＤの回転位置が固定される。その他の構成は、図１に示したものと同一である。
　このような構成によっても、レーザ素子ＬＤと非線形光学結晶ＮＬとの相対回転角θを調整することができる。
　図１９は、本レーザ装置における波長と強度の関係を示すグラフである。
　レーザ素子ＬＤから出射されたレーザ光は中心波長として１０６８ｎｍを有している（図１９（Ａ））。この場合において、非線形光学結晶ＮＬから出射されるレーザ光の中心波長は５３４ｎｍの波長を有する（図１９（Ｂ））。周波数が２倍（波長は１／２）となる高調波が得られている。
　図２０は、レーザ素子への注入電流Ｊ（ｍＡ）と、非線形光学結晶ＮＬ通過後の全体光出力Ｉｔ（ｍＷ）及び波長変換光出力Ｉｃ（ａ．ｕ．）の関係を示す図である。
　注入電流Ｊを増加させると、全体光出力Ｉｔはレーザ素子の光出力を反映して高い線形性を維持して増加する。一方、非線形光学結晶から出力される波長変換光出力Ｉｃは、注入電流Ｊに対して非線形な上昇が確認された。これは非線形光学結晶ＮＬの波長変換効率が入射基本波レーザ光の光密度の二乗に比例することに対応している。
　なお、上述の実験における寸法は以下の通りである。非線形光学結晶：MgOドープLiNbO3（PPLN）Ｌ２＝３５ｍｍＬ３＝７μｍＷ２＝０．５ｍｍ異屈折率領域を構成する直角二等辺三角形の寸法：２４０ｎｍ（二等辺の長さ）正方格子の格子線の間隔：３２０ｎｍ
　なお、本発明では、レーザ素子と非線形光学結晶との間に集光又はコリメータレンズを備えてもよい。また、レーザ素子のフォトニック結晶部６Ｂは、半導体材料により完全に埋め込まれていても良いし、空隙となっていても良い。また、非線形光学結晶は分極反転構造を持つ物のみを示したが、分極反転構造を持たないＫＴｉＯＰＯ４（ＫＴＰ）、β―Ｂａ２Ｂ２Ｏ３（ＢＢＯ）、またはＬｉＢ２Ｏ５（ＬＢＯ）等の非線形光学結晶を用いても良い。この時は非線形光学結晶の最も波長変換効率の高い結晶面に対して、レーザ素子の偏光方向を合わせれば良い。なお、上述のレーザ素子は、非線形光学結晶なくして単独で発振してレーザ光を出射するものである。
　なお、上述の構造において、活性層４およびフォトニック結晶層６を含む構成であれば、材料系、膜厚、層の構成には自由度を持つ。レーザ素子の製造においては、各化合物半導体層は、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いる。半導体基板１の（００１）面上に結晶成長を行うが、これに限られるものではない。また、上述のＡｌＧａＡｓを用いたレーザ素子の製造においては、ＡｌＧａＡｓの成長温度は５００℃～８５０℃であって、実験では５５０～７００℃を採用し、成長時におけるＡｌ原料としてＴＭＡ（トリメチルアルミニム）、ガリウム原料としてＴＭＧ（トリメチルガリウム）およびＴＥＧ（トリエチルガリウム）、Ａｓ原料としてはＡｓＨ3（アルシン）、Ｎ型不純物用の原料としてＳｉ2Ｈ6（ジシラン）、Ｐ型不純物用の原料としてＤＥＺｎ（ジエチル亜鉛）を用いる。ＧａＡｓの成長においては、ＴＭＧとアルシンを用いるが、ＴＭＡを用いない。ＩｎＧａＡｓは、ＴＭＧとＴＭＩ（トリメチルインジウム）とアルシンを用いて製造する。必要に応じて基板表面を被覆する絶縁膜の形成は、ＰＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）法を用いて形成すればよい。
　すなわち、上述のレーザ素子は、まず、Ｎ型の半導体基板（ＧａＡｓ）１上に、Ｎ型のクラッド層（ＡｌＧａＡｓ）２、ガイド層（ＡｌＧａＡｓ）３、多重量子井戸構造（ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ）４、光ガイド層（ＧａＡｓ／ＡａＧａＡｓ）５、フォトニック結晶層となる基本層（ＧａＡｓ）６Ａを、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法を用いて順次、エピタキシャル成長させる。次に、ＰＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）法により、ＳｉＮ層を基本層６Ａ上に形成し、レジストを、ＳｉＮ層上に形成する。
　次に、レジスト上に電子ビーム描画装置で２次元微細パターンを描画し、現像することでレジスト上に２次元微細パターンを形成する。その後、レジストをマスクとして、ドライエッチングにより１００～３００ｎｍ程度の深さを持つ２次元微細パターンを基本層６Ａ上に転写し、孔（穴）を形成し、レジストとＳｉＮ層を除去する。次に、上部クラッド層（ＡｌＧａＡｓ）７、コンタクト層（ＧａＡｓ）８を順次ＭＯＣＶＤで形成し、適当な電極材料を蒸着法で基板の上下面に形成して第１及び第２電極を形成する。また、必要に応じて、基板の上下面に絶縁膜をＰＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）法等で形成することができる。
　フォトニック結晶層を活性層の下部に備える場合には、活性層及び下部光ガイド層の形成前に、下部クラッド層上にフォトニック結晶層を形成すればよい。
　なお、格子間隔ａの正方格子の場合、直交座標の単位ベクトルをｘ、ｙとすると、基本並進ベクトルａ１＝ａｘ、ａ２＝ａｙであり、並進ベクトルａ１、ａ２に対する逆格子基本ベクトルｂ１＝（２π／ａ）ｙ、ｂ２＝（２π／ａ）ｘである。フォトニック結晶のエネルギーバンドギャップにおける波数ベクトルｋ＝ｎｂ１＋ｍｂ２（ｎ、ｍは任意の整数）の場合に、波数ｋがΓ点となり、格子間隔ａが波長λに等しい共振モード（ＸＹ平面内における定在波）が得られる。なお、モードＡ（Mode A）は、共振モードの中で最も周波数が低いものであり、モードＢ(Mode B)は、その次に周波数の低いものである。
　なお、上述のフォトニック結晶層（位相変調層）内の定在波の面内電磁界分布（点光源の面内位相分布）をフーリエ変換して得られる形状は、ガウス分布点形状（スポット）である。なお、基本層６Ａの屈折率は３．０～３．５、異屈折率領域６Ｂの屈折率は１．０～３．４であることが好ましい。なお、レーザ光の偏光方向は、平面視における孔形状の長手方向の水平あるいは垂直方向に沿う傾向がある。
　６Ａ…基本層、６Ｂ…異屈折率領域、ＮＬ…非線形光学結晶。

Claims (7)

  1. 　フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、
    　前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、
    　活性層と、
    　前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、
    　前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、
    　前記フォトニック結晶層は、
    　第１屈折率媒質からなる基本層と、
    　前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、
    　複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された正方格子における格子点位置に配置されており、
    　それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、概略直角二等辺三角形に設定されており、
    　この概略直角二等辺三角形の直角を構成する２辺が、前記正方格子を構成する縦の格子線及び横の格子線に沿って延びており、
    　この概略直角二等辺三角形の斜辺に平行又は垂直な向きと、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とするレーザ装置。
  2. 　フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、
    　前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、
    　活性層と、
    　前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、
    　前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、
    　前記フォトニック結晶層は、
    　第１屈折率媒質からなる基本層と、
    　前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、
    　複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された正方格子における格子点位置に配置されており、
    　それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、概略正三角形に設定されており、
    　この概略正三角形の１つの頂点から底辺に下した垂線が、前記正方格子を構成する縦の格子線に沿って延びており、
    　この概略正三角形の前記底辺の向きと、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とするレーザ装置。
  3. 　フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、
    　前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、
    　活性層と、
    　前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、
    　前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、
    　前記フォトニック結晶層は、
    　第１屈折率媒質からなる基本層と、
    　前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、
    　複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された正方格子における格子点位置に配置されており、
    　それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、概略直角台形に設定されており、
    　この概略直角台形における１つの直角を構成する２辺が、前記正方格子を構成する縦の格子線及び横の格子線に沿って延びており、
    　この概略直角台形の下底の向き又は前記下底と４５°を成す向きと、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とするレーザ装置。
  4. 　フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、
    　前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、
    　活性層と、
    　前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、
    　前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、
    　前記フォトニック結晶層は、
    　第１屈折率媒質からなる基本層と、
    　前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、
    　複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された三角格子における格子点位置に配置されており、
    　それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、概略直角二等辺三角形に設定されており、
    　前記フォトニック結晶面発光レーザ素子の偏光方向と、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とするレーザ装置。
  5. 　フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、
    　前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、
    　活性層と、
    　前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、
    　前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、
    　前記フォトニック結晶層は、
    　第１屈折率媒質からなる基本層と、
    　前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、
    　複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された三角格子における格子点位置に配置されており、
    　それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、概略正方形に設定されており、
    　前記フォトニック結晶面発光レーザ素子の偏光方向と、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とするレーザ装置。
  6. 　フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、
    　前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、
    　活性層と、
    　前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、
    　前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、
    　前記フォトニック結晶層は、
    　第１屈折率媒質からなる基本層と、
    　前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、
    　複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された三角格子における格子点位置に配置されており、
    　それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、扁平率が０よりも大きな概略楕円形に設定されており、
    　前記フォトニック結晶面発光レーザ素子の偏光方向と、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とするレーザ装置。
  7. 　フォトニック結晶面発光レーザ素子から出射されたレーザ光が入射する周期分極反転構造を有する非線形光学結晶を備えたレーザ装置であって、
    　前記フォトニック結晶面発光レーザ素子は、
    　活性層と、
    　前記活性層を挟む上部及び下部クラッド層と、
    　前記上部又は下部クラッド層と前記活性層との間に設けられたフォトニック結晶層と、を備え、
    　前記フォトニック結晶層は、
    　第１屈折率媒質からなる基本層と、
    　前記第１屈折率媒質とは屈折率の異なる第２屈折率媒質からなり前記基本層内に存在する複数の異屈折率領域と、を備え、
    　複数の前記異屈折率領域は、前記フォトニック結晶層の主表面上に設定された三角格子における格子点位置に配置されており、
    　それぞれの前記異屈折率領域の平面形状は、概略直角台形に設定されており、
    　前記フォトニック結晶面発光レーザ素子の偏光方向と、前記周期分極反転構造における分極の向きとが一致していることを特徴とするレーザ装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10389086B2 (en) 2015-08-28 2019-08-20 Kyoto University Two-dimensional photonic-crystal surface-emitting laser

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6788574B2 (ja) * 2015-03-13 2020-11-25 浜松ホトニクス株式会社 半導体発光素子
JP6743602B2 (ja) * 2016-09-09 2020-08-19 株式会社村田製作所 複合電子部品および抵抗素子
JP6513626B2 (ja) * 2016-12-01 2019-05-15 株式会社東芝 フォトニック結晶内蔵基板およびその製造方法、並びに面発光量子カスケードレーザ
US10490979B2 (en) 2017-12-27 2019-11-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate including photonic crystal and method for manufacturing the same, and surface emitting quantum cascade laser
WO2021113474A1 (en) * 2019-12-03 2021-06-10 California Institute Of Technology An entangled photon source that can replace a pulsed laser in non-ablative multiphoton and nonlinear processes
CN113411132B (zh) * 2021-06-17 2023-03-31 桂林电子科技大学 多功能光中继器系统
CN113411129B (zh) * 2021-06-17 2023-03-31 桂林电子科技大学 用于光通信的双工系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06347848A (ja) * 1993-06-08 1994-12-22 Hitachi Metals Ltd 第二高調波発生装置
JP2003273460A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Japan Science & Technology Corp ２次元フォトニック結晶面発光レーザアレイ及び２次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP2008060306A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Furukawa Electric Co Ltd:The 面発光レーザ
JP2010219307A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Seiko Epson Corp 光源装置、プロジェクター

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6859304B2 (en) * 2002-08-09 2005-02-22 Energy Conversion Devices, Inc. Photonic crystals and devices having tunability and switchability
CN102696114B (zh) * 2010-01-07 2015-02-11 夏普株式会社 光电转换元件
CN102201648B (zh) * 2011-04-14 2012-05-02 中国科学院半导体研究所 Fp腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06347848A (ja) * 1993-06-08 1994-12-22 Hitachi Metals Ltd 第二高調波発生装置
JP2003273460A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Japan Science & Technology Corp ２次元フォトニック結晶面発光レーザアレイ及び２次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP2008060306A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Furukawa Electric Co Ltd:The 面発光レーザ
JP2010219307A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Seiko Epson Corp 光源装置、プロジェクター

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Photonic crystal surface-emitting lasers as a pumping light source for second harmonic generation", PROC. OF SPIE, vol. 9002, 27 February 2014 (2014-02-27), pages 90020Z - 1 - 90020Z-6 *
"SHG Using PCSEL Device as Light Source", vol. 60 TH, 11 March 2013 (2013-03-11), pages 28P-CL-20 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10389086B2 (en) 2015-08-28 2019-08-20 Kyoto University Two-dimensional photonic-crystal surface-emitting laser

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