WO2014136709A1 - 半導体レーザモジュール及びその製造方法 - Google Patents

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WO2014136709A1
WO2014136709A1 PCT/JP2014/055239 JP2014055239W WO2014136709A1 WO 2014136709 A1 WO2014136709 A1 WO 2014136709A1 JP 2014055239 W JP2014055239 W JP 2014055239W WO 2014136709 A1 WO2014136709 A1 WO 2014136709A1
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semiconductor laser
block
fixing
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木村　直樹
晋 中谷
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株式会社フジクラ
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    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
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    • H—ELECTRICITY
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    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/095—Refractive optical elements
    • G02B27/0955—Lenses

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor laser module and a manufacturing method thereof, and more particularly to a semiconductor laser module including a semiconductor laser element and a collimating lens for collimating a laser beam emitted from the semiconductor laser element, and a manufacturing method thereof.
  • the direction perpendicular to the pn junction of the semiconductor laser element is called the first axis
  • the direction parallel to the pn junction is called the slow axis
  • the numerical aperture in the first axis direction of the semiconductor laser element is the numerical aperture in the slow axis direction.
  • the laser light emitted from the semiconductor laser element has a large spread in the first axis direction. Therefore, it is necessary to arrange a collimating lens for collimating the component in the first axis direction of the laser light emitted from the semiconductor laser element in the vicinity of the emission surface of the semiconductor laser element (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).
  • the collimating lens is fixed to the semiconductor laser element with high accuracy in the direction along the optical axis and the direction along the first axis, and the semiconductor laser It is necessary to suppress fluctuations in the positional relationship between the element and the collimating lens. Specifically, the positional relationship between the semiconductor laser element and the collimating lens needs to be fixed and maintained on the order of microns.
  • the collimating lens (optical fiber lens 26) is mounted so as to be slidable along the axis, but the optical fiber lens 26 is slid.
  • it is necessary to form a certain gap between the cylindrical clamp 52 and the optical fiber lens 26. Therefore, it is impossible to suppress the fluctuation of the position of the optical fiber lens 26 in the micron order in both the optical axis direction and the fast axis direction of the laser light emitted from the semiconductor laser element bar 10.
  • the optical fiber lens 26 of Patent Document 1 is fixed to the mounting member 40 by the epoxy resin 50.
  • the epoxy resin 50 is cured and contracted, the optical fiber lens 26 is displaced in the optical axis direction of the laser light.
  • the optical fiber lens 26 is directly fixed to the mounting member 40 by the epoxy resin 50, at least the alignment resin more than the alignment alignment amount is required to align the optical fiber lens 26 with the mounting member 40. It is necessary to provide between the fiber lens 26.
  • the optical fiber lens 26 is also displaced in the fast axis direction due to the shrinkage and expansion due to the temperature and humidity of the epoxy resin 50.
  • Patent Document 2 the semiconductor laser element 1 and the collimating lens 6 are fixed to one auxiliary object 4 by brazing layers 5 and 8, respectively.
  • a semiconductor laser module is disclosed in which the fluctuation of the positional relationship between the two is suppressed by interlocking with the deflection of 6.
  • it is necessary to position the semiconductor laser element 1 at a high temperature of about 400 ° C. for brazing the brazing layers 5 and 8, for example.
  • the collimating lens 6 is aligned while emitting the laser beam from the semiconductor laser element 1 (so-called active alignment). There is a problem that can not be.
  • the present invention has been made in view of such problems of the prior art, and reduces the influence of shrinkage and expansion of the resin that fixes the collimating lens, and keeps the collimating lens in a highly accurately aligned state. It is a first object to provide a semiconductor laser module that can be used.
  • a second object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor laser module that can fix the collimating lens to the semiconductor laser element with high accuracy while performing active alignment of the collimating lens. .
  • a semiconductor laser module capable of reducing the influence of shrinkage and expansion of a resin for fixing a collimating lens and maintaining the collimating lens in a highly accurate alignment state.
  • the semiconductor laser module includes a substrate, an element mounting portion provided on the substrate, and a semiconductor laser element mounted on the element mounting portion.
  • the semiconductor laser element emits a laser beam having an optical axis along the first direction.
  • the semiconductor laser module includes: a collimating lens that collimates a component in a second direction perpendicular to the first direction out of the components of the laser light emitted from the semiconductor laser element; the first direction; and the second direction.
  • a lens fixing block having a lens mounting surface perpendicular to a third direction perpendicular to the direction of the lens and a block fixing surface perpendicular to the third direction. At least one of the end portions of the collimating lens in the third direction is fixed to the lens mounting surface of the lens fixing block with a lens fixing resin.
  • the block fixing surface of the lens fixing block is fixed to a side surface of the element mounting portion in the third direction with a block fixing resin.
  • the lens fixing resin for fixing the collimating lens is between the end portion in the third direction of the collimating lens and the lens mounting surface perpendicular to the third direction. Therefore, the change in the position of the collimating lens due to the shrinkage and expansion of the lens fixing resin due to temperature or humidity is mainly in the third direction. Further, since the collimating lens does not need to be adjusted in the third direction and may be optically positioned, it is possible to reduce the thickness of the lens fixing resin between the collimating lens and the lens mounting surface. This is possible, and the amount of change itself due to the shrinkage or expansion of the lens fixing resin can be reduced. For this reason, the position of the collimating lens hardly changes in the first direction and the second direction. Therefore, the influence of shrinkage and expansion of the lens fixing resin for fixing the collimating lens can be reduced, and the collimating lens can be held in a highly accurate state.
  • the block fixing resin for fixing the lens fixing block is provided between the block fixing surface perpendicular to the third direction of the lens fixing block and the side surface in the third direction of the element mounting portion, the block The change in the position of the lens fixing block due to the contraction and expansion of the fixing resin is mainly only in the third direction. Further, since the collimating lens does not need to be adjusted in position in the third direction and may be in any optical position, the block fixing resin between the lens fixing block and the side surface in the third direction of the element mounting portion. It is also possible to reduce the thickness of the block, and the amount of change itself due to the shrinkage or expansion of the block fixing resin can be reduced.
  • the position of the lens fixing block hardly changes in the Y direction and the Z direction, and the position of the collimating lens fixed to the lens fixing block hardly changes in the Y direction and the Z direction. Therefore, the collimating lens can be held in a state of being accurately aligned.
  • the second direction can be the direction of the first axis of the laser beam emitted from the semiconductor laser element.
  • a UV curable resin or a thermosetting resin can be used as the lens fixing resin.
  • a UV curable resin or a thermosetting resin can be used as the block fixing resin.
  • the element mounting portion includes a mounting substrate on which the semiconductor laser element is mounted and a spacer having a predetermined thickness, and a block fixing surface of the lens fixing block is the third spacer of the spacer of the element mounting portion. It may be fixed to the side surface in the direction by the block fixing resin.
  • the amounts of the lens fixing resins existing on both sides in the first direction with the collimating lens interposed therebetween are equal to each other. By doing so, the shrinkage or expansion of the lens fixing resin existing on both sides in the first direction across the collimating lens becomes equal and cancel each other. Therefore, collimation due to contraction and expansion of the lens fixing resin. The influence on the first direction of the lens can be substantially eliminated.
  • the amounts of the lens fixing resins existing on both sides in the second direction with the collimator lens interposed therebetween are equal to each other. By doing so, the contraction amount or expansion amount of the lens fixing resin existing on both sides in the second direction across the collimating lens becomes equal and cancel each other. Therefore, collimation due to contraction or expansion of the lens fixing resin The influence on the second direction of the lens can be substantially eliminated.
  • the position of the lens mounting surface of the lens fixing block may be further away from the element mounting portion in the third direction than the position of the block fixing surface of the lens fixing block.
  • a groove for preventing the lens fixing resin from contacting the element mounting portion may be formed between the lens mounting surface and the block fixing surface of the lens fixing block.
  • a method for manufacturing a semiconductor laser module capable of fixing the collimating lens to the semiconductor laser element with high accuracy while performing active alignment of the collimating lens.
  • a semiconductor laser element that emits laser light having an optical axis along the first direction, and a second component perpendicular to the first direction among the components of the laser light emitted from the semiconductor laser element.
  • a semiconductor laser module having a collimating lens for collimating the component in the direction of is manufactured.
  • the semiconductor laser element is mounted on an element mounting portion, and the element mounting portion is fixed to a substrate.
  • a lens fixing resin is applied to the lens mounting surface formed on the lens fixing block, and the lens mounting surface is perpendicular to the third direction perpendicular to the first direction and the second direction.
  • the end of the collimating lens in the third direction is inserted into the lens fixing resin applied to the lens mounting surface, and the lens fixing resin is cured to fix the collimating lens to the lens fixing block.
  • a block fixing resin is applied to the side surface of the element mounting portion in the third direction, the lens fixing block is brought into contact with the block fixing resin, and the collimator is emitted while emitting laser light from the semiconductor laser element.
  • the lens is positioned at a desired position, and the block fixing resin is cured in a state where the collimating lens is positioned, and the lens fixing block and the collimating lens are fixed to the element mounting portion.
  • the collimating lens since the collimating lens is fixed to the lens fixing block using the lens fixing resin, it is not necessary to maintain a high temperature unlike the solder joint of Patent Document 2. . Therefore, the collimating lens can be positioned (actively aligned) while emitting laser light from the semiconductor laser element. Moreover, since the lens fixing resin is provided between the end portion of the collimating lens in the third direction and the lens mounting surface parallel to the optical axis (first direction) of the laser beam, the lens fixing resin Changes in the position of the collimating lens due to shrinkage and expansion of the lens fixing resin due to curing shrinkage and temperature or humidity are mainly only in the third direction.
  • the collimating lens does not need to be adjusted in the third direction and may be optically positioned, it is possible to reduce the thickness of the lens fixing resin between the collimating lens and the lens mounting surface. This is possible, and the amount of change itself due to the shrinkage or expansion of the lens fixing resin can be reduced. For this reason, the position of the collimating lens hardly changes in the first direction and the second direction, and the collimating lens can be fixed to the semiconductor laser element with high accuracy.
  • the block fixing resin for fixing the lens fixing block is provided between the block fixing surface perpendicular to the third direction of the lens fixing block and the side surface in the third direction of the element mounting portion, the block The change in the position of the lens fixing block due to the contraction and expansion of the fixing resin is mainly only in the third direction. Further, since the collimating lens does not need to be adjusted in position in the third direction and may be in any optical position, the block fixing resin between the lens fixing block and the side surface in the third direction of the element mounting portion. It is also possible to reduce the thickness of the block, and the amount of change itself due to the shrinkage or expansion of the block fixing resin can be reduced.
  • the position of the lens fixing block hardly changes in the Y direction and the Z direction, and the position of the collimating lens fixed to the lens fixing block hardly changes in the Y direction and the Z direction. Therefore, the collimating lens can be held in a state of being accurately aligned.
  • the second direction can be the direction of the first axis of the laser beam emitted from the semiconductor laser element.
  • a UV curable resin or a thermosetting resin can be used as the lens fixing resin.
  • a UV curable resin or a thermosetting resin can be used as the block fixing resin.
  • the element mounting portion is constituted by a mounting substrate and a spacer having a predetermined thickness, the semiconductor laser element is mounted on the mounting substrate, the mounting substrate is fixed to the spacer, and the third of the spacers
  • the block fixing resin may be applied to the side surface in the direction.
  • the amounts of the lens fixing resin existing on both sides in the first direction with the collimating lens interposed therebetween are equal to each other.
  • the shrinkage or expansion of the lens fixing resin existing on both sides in the first direction across the collimating lens becomes equal and cancel each other. Therefore, collimation due to contraction and expansion of the lens fixing resin.
  • the influence on the first direction of the lens can be substantially eliminated.
  • the amounts of the lens fixing resins existing on both sides in the second direction with the collimator lens interposed therebetween are equal to each other.
  • the present invention it is possible to provide a semiconductor laser module that can reduce the influence of shrinkage and expansion of the resin that fixes the collimating lens, and can keep the collimating lens in a precisely aligned state. Further, according to the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing a semiconductor laser module that can fix the collimating lens to the semiconductor laser element with high accuracy while performing active alignment of the collimating lens.
  • FIG. 8 is a side view of the semiconductor laser module of FIG. 7. It is a top view which shows the semiconductor laser module in the 3rd Embodiment of this invention.
  • FIG. 17 is a front view of the semiconductor laser module of FIG. 16.
  • FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor laser module 1 according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a front view
  • FIG. 3 is a side view.
  • the semiconductor laser module 1 according to the present embodiment includes a first substrate 10, a second substrate (element mounting portion) 20 fixed on the first substrate 10,
  • the semiconductor laser device (laser diode) 30 mounted on the second substrate 20 and a collimating lens 40 for collimating the laser light emitted from the semiconductor laser device 30 are provided.
  • a semiconductor laser element 30 emits a laser beam L along the Z direction.
  • the Y direction shown in FIG. 2 is the first axis direction of the laser light L.
  • the collimating lens 40 collimates the component in the first axis direction (Y direction) among the components of the laser light L emitted from the semiconductor laser element 30 to generate parallel light.
  • the cross-section of the collimating lens 40 in the YZ plane is such that the side on which the laser light L is incident is parallel to the Y axis, and the side on which the laser light is emitted is convex.
  • the collimating lens 40 has such a cross-sectional shape and extends in the slow axis direction (X direction) of the laser light L.
  • the length of the collimating lens 40 in the X direction is about 2 mm.
  • the collimating lens 40 is aligned to generate desired parallel light and is positioned with high accuracy in the Y direction and the Z direction.
  • the semiconductor laser module 1 in the present embodiment includes a substantially rectangular parallelepiped lens fixing block 50 made of, for example, glass.
  • the lens fixing block 50 has a lens mounting surface 50A and a block fixing surface 50B parallel to the optical axis of the laser light L.
  • the lens mounting surface 50A and the block fixing surface 50B are on the same plane.
  • the lens mounting surface 50A and the block fixing surface 50B are configured to be parallel to the first axis (Y direction) of the laser light L, that is, perpendicular to the X direction.
  • the block fixing surface 50B of the lens fixing block 50 is fixed to the side surface 20A in the X direction of the second substrate 20 by a block fixing resin 52.
  • the lens fixing block 50 is not in contact with the first substrate 10 and is fixed to the second substrate 20 in a cantilever shape.
  • the block fixing resin 52 for example, a UV curable resin or a thermosetting resin can be used.
  • the end portion 40A in the X direction of the collimating lens 40 is fixed to the lens mounting surface 50A of the lens fixing block 50 by a lens fixing resin 42.
  • the collimating lens 40 is not in contact with the first substrate 10 and is fixed to the lens fixing block 50 in a cantilever shape.
  • the lens fixing resin 42 for example, a UV curable resin or a thermosetting resin can be used.
  • the lens fixing resin 42 fixes the end 40A of the collimating lens 40 from the X direction, the Y direction, and the Z direction.
  • the amount of the lens fixing resin 42 present on both sides in the Z direction with the collimating lens 40 interposed therebetween is equal to each other, and the lens fixing resin 42 present on both sides in the Y direction with the collimating lens 40 interposed therebetween.
  • the lens fixing resin 42 present on both sides in the Y direction with the collimating lens 40 interposed therebetween are preferably equal to each other.
  • the lens fixing resin 42 for fixing the collimating lens 40 is provided between the end portion 40A in the X direction of the collimating lens 40 and the lens mounting surface 50A perpendicular to the X direction, the lens fixing resin.
  • the change in the position of the collimating lens 40 due to the shrinkage and expansion of the lens fixing resin 42 due to curing shrinkage of 42 and temperature or humidity is mainly only in the X direction, that is, the slow axis direction.
  • the thickness of the lens fixing resin 42 between the collimating lens 40 and the lens mounting surface 50A is reduced, the amount of change itself due to the contraction or expansion of the lens fixing resin 42 can be reduced. Therefore, the position of the collimating lens 40 hardly changes in the Y direction and the Z direction, and the collimating lens 40 can be held in a highly accurately aligned state.
  • the entire end surface in the X direction of the end portion 40 ⁇ / b> A of the collimating lens 40 is fixed to the lens mounting surface 50 ⁇ / b> A by the lens fixing resin 42, but the end portion 40 ⁇ / b> A of the collimating lens 40. It is sufficient that at least a part of the end surface in the X direction is fixed to the lens mounting surface 50A by the lens fixing resin 42.
  • the amounts of the lens fixing resin 42 existing on both sides in the Z direction across the collimating lens 40 are equal. Therefore, the influence of the collimating lens 40 in the Z direction due to the contraction and expansion of the lens fixing resin 42 can be substantially eliminated. Further, by making the amounts of the lens fixing resin 42 present on both sides in the Y direction across the collimating lens 40 equal, the contraction amount or expansion amount of the lens fixing resin 42 existing on both sides of the collimating lens 40 is equal. Therefore, the influence of the collimating lens 40 in the Y direction due to contraction and expansion of the lens fixing resin 42 can be substantially eliminated.
  • a block fixing resin 52 for fixing the lens fixing block 50 is provided between the block fixing surface 50B perpendicular to the X direction of the lens fixing block 50 and the side surface 20A of the second substrate 20 in the X direction. Therefore, the change in the position of the lens fixing block 50 due to the contraction or expansion of the block fixing resin 52 is mainly only in the X direction. Furthermore, if the thickness of the block fixing resin 52 between the block fixing surface 50B of the lens fixing block 50 and the side surface 20A of the second substrate 20 is reduced, the amount of change itself due to the contraction or expansion of the lens fixing resin 42 is reduced. Can be reduced. Therefore, the position of the lens fixing block 50 hardly changes in the Y direction and the Z direction. For this reason, the position of the collimating lens 40 fixed to the lens fixing block 50 also hardly changes in the Y direction and the Z direction. Therefore, the collimating lens 40 can be held in a highly accurate alignment state.
  • the semiconductor laser element 30 is mounted on the second substrate 20 which is an element mounting portion, and the second substrate 20 on which the semiconductor laser element 30 is mounted is the first substrate. 10 is fixed (FIG. 4).
  • the lens fixing resin 42 is applied to the lens mounting surface 50A of the lens fixing block 50, and the end portion 40A of the collimating lens 40 is inserted into the lens fixing resin 42 from a direction perpendicular to the lens mounting surface 50A (FIG. 5). . Then, the lens fixing resin 42 is cured to fix the collimating lens 40 to the lens fixing block 50. At this time, it is preferable that the lens fixing resin 42 between the collimating lens 40 and the lens mounting surface 50A is as thin as possible.
  • a block fixing resin 52 is applied on the side surface 20A of the second substrate 20. Then, the lens fixing block 50 to which the collimating lens 40 is fixed is brought into contact with the portion where the block fixing resin 52 of the second substrate 20 is applied (FIG. 6). At this time, the lens mounting surface 50A of the lens fixing block 50 is perpendicular to the X direction.
  • the lens fixing block 50 is moved to position the collimating lens 40 (active alignment). At this time, it is preferable that the thickness of the block fixing resin 52 between the block fixing surface 50B of the lens fixing block 50 and the side surface 20A of the second substrate 20 be as thin as possible. With the collimating lens 40 positioned with high accuracy, the lens fixing block 50 is fixed to the second substrate 20 by curing the block fixing resin 52. In this way, the semiconductor laser module 1 is completed (FIG. 1).
  • the collimating lens 40 is fixed to the lens fixing block 50 using the lens fixing resin 42. So there is no need to keep it at high temperature. Accordingly, the collimating lens 40 can be positioned (actively aligned) while emitting laser light from the semiconductor laser element 30.
  • the lens fixing resin 42 is used for lens fixing due to curing shrinkage or temperature or humidity. Fluctuation of the position of the collimating lens 40 due to the contraction and expansion of the resin 42 hardly occurs in the Y direction and the Z direction. Further, if the thickness of the lens fixing resin 42 between the collimating lens 40 and the lens mounting surface 50A is reduced, the amount of change itself due to the contraction or expansion of the lens fixing resin 42 can be reduced. Therefore, the collimating lens 40 can be held in a highly accurate alignment state.
  • the block fixing surface 50B of the lens fixing block 50 perpendicular to the X direction is fixed to the side surface 20A in the X direction of the second substrate 20, the block fixing due to the curing shrinkage of the block fixing resin 52 and temperature or humidity. Fluctuation of the position of the lens fixing block 50 due to the shrinkage or expansion of the resin 52 for use hardly occurs in the Y direction and the Z direction. Further, if the thickness of the block fixing resin 52 between the block fixing surface 50B of the lens fixing block 50 and the side surface 20A of the second substrate 20 is reduced, the change amount itself due to the contraction or expansion of the block fixing resin 52 is itself. Can be reduced. Therefore, the position of the collimating lens 40 fixed to the lens fixing block 50 is hardly changed in the Y direction and the Z direction, and the collimating lens 40 can be held in a highly accurate state.
  • FIG. 7 is a plan view showing a semiconductor laser module 101 according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 8 is a front view
  • FIG. 9 is a side view.
  • the semiconductor laser module 101 according to the present embodiment includes a second substrate 20 as a mounting substrate on which the semiconductor laser element 30 is mounted as an element mounting portion on which the semiconductor laser element 30 is mounted. And a third substrate 120 as a spacer. With such a spacer 120, the semiconductor laser element 30 can be installed at a desired height.
  • the semiconductor laser module 101 in the present embodiment includes a substantially rectangular parallelepiped lens fixing block 150 made of, for example, glass.
  • the lens fixing block 150 has a lens mounting surface 150A and a block fixing surface 150B which are perpendicular to the X direction and on the same plane.
  • An end portion 40A in the X direction of the collimating lens 40 is fixed to the lens mounting surface 150A by a lens fixing resin 42.
  • the block fixing surface 150B of the lens fixing block 150 is fixed to the side surface 120A in the X direction of the third substrate 120 by the block fixing resin 52. As shown in FIG. The lens fixing block 150 does not contact the first substrate 10 and is fixed to the third substrate 120 in a cantilever shape.
  • the substrate on which the semiconductor laser element 30 is mounted often has a thickness in the first axis direction (Y direction) thinner than 0.5 mm. Therefore, in the configuration of the first embodiment described above, the width in the Y direction of the block fixing surface 50B of the lens fixing block 50 becomes very narrow.
  • a spacer 120 having an appropriate thickness is provided between the first substrate 10 and the second substrate 20, and the lens fixing block 150 is fixed to the spacer 120. A sufficient area can be secured.
  • the thickness of the spacer 120 in the Y direction is preferably 0.3 mm or more.
  • FIG. 10 is a plan view showing a semiconductor laser module 201 according to the third embodiment of the present invention
  • FIG. 11 is a front view.
  • the semiconductor laser module 201 in the present embodiment includes a substantially rectangular parallelepiped lens fixing block 250 made of, for example, glass.
  • the lens fixing block 250 has a lens mounting surface 250A and a block fixing surface 250B perpendicular to the X direction.
  • a step 250C is formed by the lens mounting surface 250A and the block fixing surface 250B.
  • the end 40A of the collimating lens 40 in the X direction is fixed to the lens mounting surface 250A of the lens fixing block 250 by the lens fixing resin 42.
  • the block fixing surface 250 ⁇ / b> B of the lens fixing block 250 is fixed to the side surface 20 ⁇ / b> A in the X direction of the second substrate 20 with a block fixing resin 52.
  • the lens fixing block 250 does not come into contact with the first substrate 10 and is fixed to the second substrate 20 in a cantilever shape.
  • the lens fixing resin 42 that fixes the collimating lens 40 may come into contact with the second substrate 20.
  • the lens fixing resin 42 comes into contact with the second substrate 20
  • the collimating lens 40 is also fixed to the end surface in the Z direction of the second substrate 20 via the lens fixing resin 42, and the lens fixing resin 42. The influence of the contraction and expansion of the lens appears as a change in the position of the collimating lens 40 in the Z direction.
  • the lens fixing block 250 is formed on the semiconductor laser element 30 by forming the step 250C by separating the lens mounting surface 250A of the lens fixing block 250 from the second substrate 20 in the X direction with respect to the block fixing surface 250B.
  • the lens fixing resin 42 is prevented from coming into contact with the second substrate 20 when approaching.
  • FIG. 12 is a plan view showing a semiconductor laser module 301 according to the fourth embodiment of the present invention
  • FIG. 13 is a front view.
  • the fourth embodiment is a combination of the second embodiment and the third embodiment described above. That is, as shown in FIGS. 12 and 13, the semiconductor laser module 301 in the present embodiment is a second mounting board as a mounting substrate on which the semiconductor laser element 30 is mounted as an element mounting portion on which the semiconductor laser element 30 is mounted.
  • a substrate 20 and a third substrate 120 as a spacer are provided. With such a spacer 120, the semiconductor laser element 30 can be installed at a desired height.
  • the semiconductor laser module 101 in the present embodiment includes a substantially rectangular parallelepiped lens fixing block 350 made of, for example, glass.
  • the lens fixing block 350 has a lens mounting surface 350A and a block fixing surface 350B perpendicular to the X direction.
  • a step 350C is formed by separating the mounting surface 350A in the X direction from the third substrate 120 more than the block fixing surface 350B.
  • the end 40A of the collimating lens 40 in the X direction is fixed to the lens mounting surface 350A of the lens fixing block 350 by the lens fixing resin 42.
  • the block fixing surface 350B of the lens fixing block 350 is fixed to the side surface 120A in the X direction of the third substrate 120 by the block fixing resin 52.
  • the lens fixing block 350 is not in contact with the first substrate 10 and is fixed to the third substrate 120 in a cantilever shape.
  • FIG. 14 is a plan view showing a semiconductor laser module 401 according to the fifth embodiment of the present invention
  • FIG. 15 is a front view.
  • the semiconductor laser module 401 in this embodiment includes a substantially rectangular parallelepiped lens fixing block 450 made of, for example, glass.
  • the lens fixing block 450 has a lens mounting surface 450A and a block fixing surface 450B that are perpendicular to the X direction and are in the same plane.
  • a groove 450C extending in the Y direction is formed between the lens mounting surface 450A of the block 450 and the block fixing surface 450B.
  • the end 40A in the X direction of the collimating lens 40 is fixed to the lens mounting surface 450A of the lens fixing block 450 by the lens fixing resin 42.
  • the block fixing surface 450B of the lens fixing block 450 is fixed to the side surface 20A in the X direction of the second substrate 20 by a block fixing resin 52.
  • the lens fixing block 450 is not in contact with the first substrate 10 and is fixed to the second substrate 20 in a cantilever shape.
  • the lens fixing resin 42 when a certain amount or more of the lens fixing resin 42 is applied to the lens mounting surface 450A of the lens fixing block 450, the excess lens fixing resin 42 is disposed between the lens mounting surface 450A and the block fixing surface 450B. Accordingly, the lens fixing resin 42 can be prevented from coming into contact with the second substrate 20 when the lens fixing block 450 is brought close to the semiconductor laser element 30.
  • FIG. 16 is a plan view showing a semiconductor laser module 501 in the sixth embodiment of the present invention
  • FIG. 17 is a front view.
  • the sixth embodiment is a combination of the second embodiment and the fifth embodiment described above. That is, as shown in FIGS. 16 and 17, the semiconductor laser module 501 in the present embodiment is a second mounting substrate as a mounting substrate on which the semiconductor laser element 30 is mounted as an element mounting portion on which the semiconductor laser element 30 is mounted.
  • a substrate 20 and a third substrate 120 as a spacer are provided. With such a spacer 120, the semiconductor laser element 30 can be installed at a desired height.
  • the semiconductor laser module 501 in the present embodiment is provided with a substantially rectangular parallelepiped lens fixing block 550 made of, for example, glass.
  • the lens fixing block 550 has a lens mounting surface 550A and a block fixing surface 550B that are perpendicular to the X direction and are in the same plane.
  • a groove 550C extending in the Y direction is formed between the lens mounting surface 550A of the block 550 and the block fixing surface 550B.
  • the end 40A of the collimating lens 40 in the X direction is fixed to the lens mounting surface 550A of the lens fixing block 550 by the lens fixing resin 42.
  • the block fixing surface 550 ⁇ / b> B of the lens fixing block 550 is fixed to the side surface 120 ⁇ / b> A in the X direction of the third substrate 120 by the block fixing resin 52.
  • the lens fixing block 550 is not in contact with the first substrate 10 and is fixed to the third substrate 120 in a cantilever shape.
  • the collimating lens 40 in the above-described embodiment collimates the component in the fast axis direction (Y direction) among the components of the laser light L
  • the collimating lens 40 in the slow axis direction (X direction) among the components of the laser light L can also be applied to the case of using a lens that collimates the component (1).
  • the lens mounting surface and the block fixing surface of the lens fixing block may be arranged parallel to the XZ plane, and the end of the collimating lens in the Y direction may be fixed to the lens mounting surface.
  • the present invention is suitably used for a semiconductor laser module including a semiconductor laser element and a collimating lens for collimating laser light emitted from the semiconductor laser element.
  • L laser beam 1 semiconductor laser module 10 first substrate 20 second substrate (mounting substrate) 20A Side 30 Semiconductor laser element 40 Collimating lens 40A End 42 Lens fixing resin 50 Lens fixing block 50A Lens mounting surface 50B Block fixing surface 52 Block fixing resin 101 Semiconductor laser module 120 Third substrate (spacer) 120A Side 150A Lens mounting surface 150B Block fixing surface 201 Semiconductor laser module 250A Lens mounting surface 250B Block fixing surface 250C Step 301 Semiconductor laser module 350A Lens mounting surface 350B Block fixing surface 350C Step 401 Semiconductor laser module 450A Lens mounting surface 450B Block fixing surface 450C groove 501 semiconductor laser module 550A lens mounting surface 550B block fixing surface 550C groove

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Abstract

　半導体レーザモジュール１は、第１の基板１０と、第１の基板１０上に設けられた第２の基板２０と、Ｚ方向に沿った光軸を有するレーザ光Ｌを出射する半導体レーザ素子３０と、レーザ光Ｌの成分のうちファースト軸方向（Ｙ方向）の成分をコリメートするコリメートレンズ４０と、Ｘ方向に垂直なレンズ取付面５０Ａ及びブロック固定面５０Ｂを有するレンズ固定ブロック５０とを備えている。コリメートレンズ４０のＸ方向における端部４０Ａが、レンズ固定ブロック５０のレンズ取付面５０Ａにレンズ固定用樹脂４２により固定される。レンズ固定ブロック５０のブロック固定面５０Ｂが第２の基板２０のＸ方向における側面２０Ａにブロック固定用樹脂５２により固定される。

Description

半導体レーザモジュール及びその製造方法
　本発明は、半導体レーザモジュール及びその製造方法に係り、特に半導体レーザ素子と半導体レーザ素子から出射されたレーザ光をコリメートするコリメートレンズとを含む半導体レーザモジュール及びその製造方法に関するものである。
　一般に、半導体レーザ素子のｐｎ接合に垂直な方向はファースト軸と呼ばれ、ｐｎ接合に平行な方向はスロー軸と呼ばれるが、半導体レーザ素子のファースト軸方向の開口数はスロー軸方向の開口数に比べてはるかに大きい。このため、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光は、ファースト軸方向に大きな広がりを有することとなる。したがって、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光のファースト軸方向の成分をコリメートするコリメートレンズを半導体レーザ素子の出射面の近傍に配置する必要がある（例えば特許文献１及び特許文献２参照）。
　このようなコリメートレンズを用いて所望の光学系を構成するためには、光軸に沿った方向及びファースト軸に沿った方向においてコリメートレンズを半導体レーザ素子に対して高い精度で固定し、半導体レーザ素子とコリメートレンズとの間の位置関係の変動を抑える必要がある。具体的には、半導体レーザ素子とコリメートレンズとの間の位置関係はミクロンオーダで固定及び維持する必要がある。
　例えば、特許文献１の第４図に開示された光ファイバ取付装置では、コリメートレンズ（光ファイバレンズ２６）がその軸線に沿って摺動可能に取り付けられているが、光ファイバレンズ２６を摺動可能とするためには円筒形クランプ５２と光ファイバレンズ２６との間に一定の隙間を形成する必要がある。したがって、半導体レーザ素子バー１０から出射されるレーザ光の光軸方向及びファースト軸方向の両方において光ファイバレンズ２６の位置の変動をミクロンオーダで抑えることは不可能である。
　また、特許文献１の光ファイバレンズ２６はエポキシ樹脂５０により取付部材４０に固定されているが、このエポキシ樹脂５０の硬化収縮に伴い、光ファイバレンズ２６がレーザ光の光軸方向にずれてしまう。さらに、この光ファイバレンズ２６はエポキシ樹脂５０により直接取付部材４０に固定されているので、光ファイバレンズ２６の調心を行うために少なくとも調心アライメント分以上のエポキシ樹脂５０を取付部材４０と光ファイバレンズ２６との間に設ける必要がある。このエポキシ樹脂５０の温度や湿度による収縮や膨張によって光ファイバレンズ２６はファースト軸方向にもずれてしまう。
　また、特許文献２には、半導体レーザ素子１とコリメーティングレンズ６とをそれぞれロウ付け層５，８により１つの補助物体４に固定することにより、半導体レーザ素子１のたわみとコリメーティングレンズ６のたわみとを連動させて両者間の位置関係の変動を抑制する半導体レーザモジュールが開示されている。半導体レーザ素子１の位置を調整する際には、ロウ付け層５，８のロウ付けのために例えば約４００℃の高温下で半導体レーザ素子１の位置決めを行う必要がある。しかしながら、そのような温度下では半導体レーザ素子１からレーザ光を出射させることができないため、半導体レーザ素子１からレーザ光を出射させながらコリメーティングレンズ６を調心すること（いわゆるアクティブ調心）ができないという問題がある。
　この場合において、ロウ付け層５，８に代えて樹脂などを用いて半導体レーザ素子１及びコリメーティングレンズ６を固定すればアクティブ調心が可能になるが、その場合であっても、樹脂の収縮や膨張によって半導体レーザ素子１に対して補助物体４及びコリメーティングレンズ６の位置が大きく変動してしまうため、コリメーティングレンズ６が調心位置からずれてしまうという問題がある。
特開２００４－２００６３４号公報 特許第３４２３７２３号公報
　本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、コリメートレンズを固定する樹脂の収縮や膨張による影響を低減し、コリメートレンズを高精度に調心された状態に保持することができる半導体レーザモジュールを提供することを第１の目的とする。
　また、本発明は、コリメートレンズのアクティブ調心を行いつつ、コリメートレンズを半導体レーザ素子に対して高い精度で固定することができる半導体レーザモジュールの製造方法を提供することを第２の目的とする。
　本発明の第１の態様によれば、コリメートレンズを固定する樹脂の収縮や膨張による影響を低減し、コリメートレンズを高精度に調心された状態に保持することができる半導体レーザモジュールが提供される。この半導体レーザモジュールは、基板と、上記基板上に設けられた素子実装部と、上記素子実装部に実装された半導体レーザ素子とを備えている。上記半導体レーザ素子は、第１の方向に沿った光軸を有するレーザ光を出射する。上記半導体レーザモジュールは、上記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の成分のうち上記第１の方向に垂直な第２の方向の成分をコリメートするコリメートレンズと、上記第１の方向及び上記第２の方向に垂直な第３の方向に対して垂直なレンズ取付面と上記第３の方向に垂直なブロック固定面とを有するレンズ固定ブロックとを備えている。上記コリメートレンズの上記第３の方向における端部の少なくとも一方が、上記レンズ固定ブロックのレンズ取付面にレンズ固定用樹脂により固定される。上記レンズ固定ブロックの上記ブロック固定面が上記素子実装部の上記第３の方向における側面にブロック固定用樹脂により固定される。
　このように、本発明の第１の態様によれば、コリメートレンズを固定するレンズ固定用樹脂が、コリメートレンズの第３の方向における端部と第３の方向に垂直なレンズ取付面との間に設けられているため、レンズ固定用樹脂の硬化収縮や温度又は湿度によるレンズ固定用樹脂の収縮や膨張によるコリメートレンズの位置の変化が主として第３の方向のみとなる。さらに、コリメートレンズは第３の方向には位置を調整する必要がなく光学的にはどの位置でもよいため、コリメートレンズとレンズ取付面との間のレンズ固定用樹脂の厚さを薄くすることも可能であり、レンズ固定用樹脂の収縮又は膨張による変化量自体を小さくすることができる。このため、コリメートレンズの位置が第１の方向及び第２の方向にはほとんど変化することがない。したがって、コリメートレンズを固定するレンズ固定用樹脂の収縮や膨張による影響を低減しコリメートレンズを高精度に調心された状態に保持することができる。
　しかも、レンズ固定ブロックを固定するブロック固定用樹脂が、レンズ固定ブロックの第３の方向に垂直なブロック固定面と素子実装部の第３の方向における側面との間に設けられているため、ブロック固定用樹脂の収縮や膨張によるレンズ固定ブロックの位置の変化が主として第３の方向のみとなる。さらに、コリメートレンズは第３の方向には位置を調整する必要がなく光学的にはどの位置でもよいため、レンズ固定ブロックと素子実装部の第３の方向における側面との間のブロック固定用樹脂の厚さを薄くすることも可能であり、ブロック固定用樹脂の収縮又は膨張による変化量自体を小さくすることができる。このため、レンズ固定ブロックの位置がＹ方向及びＺ方向にほとんど変化することがなく、また、レンズ固定ブロックに固定されたコリメートレンズの位置もＹ方向及びＺ方向にほとんど変化することがない。したがって、コリメートレンズを高精度に調心された状態に保持することができる。
　ここで、上記第２の方向を、上記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光のファースト軸の方向とすることができる。また、上記レンズ固定用樹脂として、ＵＶ硬化樹脂又は熱硬化樹脂を用いることができる。さらに、上記ブロック固定用樹脂として、ＵＶ硬化樹脂又は熱硬化樹脂を用いることができる。また、上記素子実装部が、上記半導体レーザ素子が実装される実装基板と所定の厚さのスペーサとを含み、上記レンズ固定ブロックのブロック固定面が、上記素子実装部のスペーサの上記第３の方向における側面に上記ブロック固定用樹脂により固定されていてもよい。
　また、上記コリメートレンズを挟んで上記第１の方向の両側に存在するレンズ固定用樹脂の量を互いに等しくすることが好ましい。このようにすることで、コリメートレンズを挟んで第１の方向の両側に存在するレンズ固定用樹脂の収縮量又は膨張量が等しくなり互いに相殺し合うため、レンズ固定用樹脂の収縮や膨張によるコリメートレンズの第１の方向への影響を実質的になくすことができる。同様に、上記コリメートレンズを挟んで上記第２の方向の両側に存在するレンズ固定用樹脂の量を互いに等しくすることが好ましい。このようにすることで、コリメートレンズを挟んで第２の方向の両側に存在するレンズ固定用樹脂の収縮量又は膨張量が等しくなり互いに相殺し合うため、レンズ固定用樹脂の収縮や膨張によるコリメートレンズの第２の方向への影響を実質的になくすことができる。
　上記レンズ固定ブロックのレンズ取付面の位置を、上記レンズ固定ブロックのブロック固定面の位置よりも上記素子実装部から上記第３の方向に離してもよい。あるいは、上記レンズ固定ブロックのレンズ取付面とブロック固定面との間に、上記レンズ固定用樹脂が上記素子実装部に接触することを防止する溝を形成してもよい。このような構成により、レンズ固定ブロックを素子実装部に近づけた場合にレンズ固定用樹脂が素子実装部に接触することを防止することができる。
　本発明の第２の態様によれば、コリメートレンズのアクティブ調心を行いつつ、コリメートレンズを半導体レーザ素子に対して高い精度で固定することができる半導体レーザモジュールの製造方法が提供される。この製造方法により、第１の方向に沿った光軸を有するレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の成分のうち上記第１の方向に垂直な第２の方向の成分をコリメートするコリメートレンズとを備えた半導体レーザモジュールを製造する。この製造方法では、上記半導体レーザ素子を素子実装部に実装し、上記素子実装部を基板に固定する。レンズ固定ブロックに形成されたレンズ取付面にレンズ固定用樹脂を塗布し、上記第１の方向及び上記第２の方向に垂直な第３の方向に対して上記レンズ取付面が垂直となる状態で、上記コリメートレンズの上記第３の方向における端部を上記レンズ取付面に塗布されたレンズ固定用樹脂に挿入し、上記レンズ固定用樹脂を硬化させて上記コリメートレンズを上記レンズ固定ブロックに固定する。また、上記素子実装部の上記第３の方向における側面にブロック固定用樹脂を塗布し、上記レンズ固定ブロックを上記ブロック固定用樹脂に接触させ、上記半導体レーザ素子からレーザ光を出射しつつ上記コリメートレンズを所望の位置に位置決めし、上記コリメートレンズが位置決めされた状態で上記ブロック固定用樹脂を硬化させて上記レンズ固定ブロック及び上記コリメートレンズを上記素子実装部に対して固定する。
　このように、本発明の第２の態様によれば、レンズ固定用樹脂を用いてコリメートレンズをレンズ固定ブロックに固定しているので、特許文献２のはんだ接合のように高温に保つ必要がない。したがって、半導体レーザ素子からレーザ光を出射させながらコリメートレンズの位置決め（アクティブ調心）をすることができる。しかも、レンズ固定用樹脂が、コリメートレンズの第３の方向の端部とレーザ光の光軸（第１の方向）に平行なレンズ取付面との間に設けられているため、レンズ固定用樹脂の硬化収縮や温度又は湿度によるレンズ固定用樹脂の収縮や膨張によるコリメートレンズの位置の変化が主として第３の方向のみとなる。さらに、コリメートレンズは第３の方向には位置を調整する必要がなく光学的にはどの位置でもよいため、コリメートレンズとレンズ取付面との間のレンズ固定用樹脂の厚さを薄くすることも可能であり、レンズ固定用樹脂の収縮又は膨張による変化量自体を小さくすることができる。このため、コリメートレンズの位置が第１の方向及び第２の方向にはほとんど変化することがなく、コリメートレンズを半導体レーザ素子に対して高い精度で固定することができる。
　さらに、レンズ固定ブロックを固定するブロック固定用樹脂が、レンズ固定ブロックの第３の方向に垂直なブロック固定面と素子実装部の第３の方向における側面との間に設けられているため、ブロック固定用樹脂の収縮や膨張によるレンズ固定ブロックの位置の変化が主として第３の方向のみとなる。さらに、コリメートレンズは第３の方向には位置を調整する必要がなく光学的にはどの位置でもよいため、レンズ固定ブロックと素子実装部の第３の方向における側面との間のブロック固定用樹脂の厚さを薄くすることも可能であり、ブロック固定用樹脂の収縮又は膨張による変化量自体を小さくすることができる。このため、レンズ固定ブロックの位置がＹ方向及びＺ方向にほとんど変化することがなく、また、レンズ固定ブロックに固定されたコリメートレンズの位置もＹ方向及びＺ方向にほとんど変化することがない。したがって、コリメートレンズを高精度に調心された状態に保持することができる。
　ここで、上記第２の方向を、上記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光のファースト軸の方向とすることができる。また、上記レンズ固定用樹脂として、ＵＶ硬化樹脂又は熱硬化樹脂を用いることができる。さらに、上記ブロック固定用樹脂として、ＵＶ硬化樹脂又は熱硬化樹脂を用いることができる。また、上記素子実装部を実装基板と所定の厚さのスペーサとにより構成し、上記半導体レーザ素子を上記実装基板に実装し、上記実装基板を上記スペーサに固定し、上記スペーサの上記第３の方向における側面に上記ブロック固定用樹脂を塗布してもよい。
　また、上記コリメートレンズの端部を上記レンズ固定用樹脂に挿入する際に、上記コリメートレンズを挟んで上記第１の方向の両側に存在するレンズ固定用樹脂の量を互いに等しくすることが好ましい。このようにすることで、コリメートレンズを挟んで第１の方向の両側に存在するレンズ固定用樹脂の収縮量又は膨張量が等しくなり互いに相殺し合うため、レンズ固定用樹脂の収縮や膨張によるコリメートレンズの第１の方向への影響を実質的になくすことができる。同様に、上記コリメートレンズを挟んで上記第２の方向の両側に存在するレンズ固定用樹脂の量を互いに等しくすることが好ましい。このようにすることで、コリメートレンズを挟んで第２の方向の両側に存在するレンズ固定用樹脂の収縮量又は膨張量が等しくなり互いに相殺し合うため、レンズ固定用樹脂の収縮や膨張によるコリメートレンズの第２の方向への影響を実質的になくすことができる。
　本発明によれば、コリメートレンズを固定する樹脂の収縮や膨張による影響を低減し、コリメートレンズを高精度に調心された状態に保持することができる半導体レーザモジュールを提供することができる。また、本発明によれば、コリメートレンズのアクティブ調心を行いつつ、コリメートレンズを半導体レーザ素子に対して高い精度で固定することができる半導体レーザモジュールの製造方法を提供することができる。
本発明の第１の実施形態における半導体レーザモジュールを示す平面図である。 図１の半導体レーザモジュールの正面図である。 図１の半導体レーザモジュールの側面図である。 図１の半導体レーザモジュールの製造方法を説明する図である。 図１の半導体レーザモジュールの製造方法を説明する図である。 図１の半導体レーザモジュールの製造方法を説明する図である。 本発明の第２の実施形態における半導体レーザモジュールを示す平面図である。 図７の半導体レーザモジュールの正面図である。 図７の半導体レーザモジュールの側面図である。 本発明の第３の実施形態における半導体レーザモジュールを示す平面図である。 図１０の半導体レーザモジュールの正面図である。 本発明の第４の実施形態における半導体レーザモジュールを示す平面図である。 図１２の半導体レーザモジュールの正面図である。 本発明の第５の実施形態における半導体レーザモジュールを示す平面図である。 図１４の半導体レーザモジュールの正面図である。 本発明の第６の実施形態における半導体レーザモジュールを示す平面図である。 図１６の半導体レーザモジュールの正面図である。
　以下、本発明に係る半導体レーザモジュールの実施形態について図１から図８を参照して詳細に説明する。なお、図１から図８において、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
　図１は本発明の第１の実施形態における半導体レーザモジュール１を示す平面図、図２は正面図、図３は側面図である。図１から図３に示すように、本実施形態における半導体レーザモジュール１は、第１の基板１０と、第１の基板１０上に固定された第２の基板（素子実装部）２０と、第２の基板２０上に実装された半導体レーザ素子（レーザダイオード）３０と、半導体レーザ素子３０から出射されたレーザ光をコリメートするコリメートレンズ４０とを備えている。図１において、半導体レーザ素子３０はＺ方向に沿ってレーザ光Ｌを出射する。なお、以下では、図２に示すＹ方向がレーザ光Ｌのファースト軸方向であるものとして説明する。
　コリメートレンズ４０は、半導体レーザ素子３０から出射されるレーザ光Ｌの成分のうちファースト軸方向（Ｙ方向）の成分をコリメートして平行光を生成するものである。本実施形態では、図２に示すように、ＹＺ平面におけるコリメートレンズ４０の断面は、レーザ光Ｌが入射する側がＹ軸に平行になっており、レーザ光が出射する側が凸面状になっている。コリメートレンズ４０は、このような断面形状を有してレーザ光Ｌのスロー軸方向（Ｘ方向）に延びている。例えば、コリメートレンズ４０のＸ方向の長さは２ｍｍ程度である。コリメートレンズ４０は、所望の平行光を生成するために調心され、Ｙ方向及びＺ方向に関して高精度に位置決めされる。
　図１から図３に示すように、本実施形態における半導体レーザモジュール１は、例えばガラスなどからなる略直方体状のレンズ固定ブロック５０を備えている。このレンズ固定ブロック５０は、レーザ光Ｌの光軸に平行なレンズ取付面５０Ａ及びブロック固定面５０Ｂを有している。本実施形態におけるレンズ取付面５０Ａ及びブロック固定面５０Ｂは同一平面上にある。レンズ取付面５０Ａ及びブロック固定面５０Ｂは、レーザ光Ｌのファースト軸（Ｙ方向）にも平行になるように、すなわちＸ方向に垂直に構成されている。
　図１及び図３に示すように、レンズ固定ブロック５０のブロック固定面５０Ｂは、第２の基板２０のＸ方向における側面２０Ａにブロック固定用樹脂５２により固定されている。レンズ固定ブロック５０は、第１の基板１０に接触しないようになっており、第２の基板２０に片持ち梁状に固定されている。このブロック固定用樹脂５２としては例えばＵＶ硬化樹脂又は熱硬化樹脂を用いることができる。ここで、レンズ固定ブロック５０のブロック固定面５０Ｂと第２の基板２０の側面２０Ａとの間のブロック固定用樹脂５２の厚さを薄くすることが好ましい。
　コリメートレンズ４０のＸ方向の端部４０Ａは、レンズ固定ブロック５０のレンズ取付面５０Ａにレンズ固定用樹脂４２により固定されている。コリメートレンズ４０は、第１の基板１０に接触しないようになっており、レンズ固定ブロック５０に片持ち梁状に固定されている。このレンズ固定用樹脂４２としては例えばＵＶ硬化樹脂又は熱硬化樹脂を用いることができる。レンズ固定用樹脂４２は、コリメートレンズ４０の端部４０ＡをＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向から固定している。ここで、コリメートレンズ４０を挟んでＺ方向の両側に存在するレンズ固定用樹脂４２の量が互いに等しいことが好ましく、また、コリメートレンズ４０を挟んでＹ方向の両側に存在するレンズ固定用樹脂４２の量が互いに等しいことが好ましい。さらに、コリメートレンズ４０とレンズ取付面５０Ａとの間のレンズ固定用樹脂４２の厚さを薄くすることが好ましい。
　ここで、コリメートレンズ４０を固定するレンズ固定用樹脂４２が、コリメートレンズ４０のＸ方向の端部４０ＡとＸ方向に垂直なレンズ取付面５０Ａとの間に設けられているため、レンズ固定用樹脂４２の硬化収縮や温度又は湿度によるレンズ固定用樹脂４２の収縮や膨張によるコリメートレンズ４０の位置の変化は主としてＸ方向、すなわちスロー軸方向のみとなる。さらに、コリメートレンズ４０とレンズ取付面５０Ａとの間のレンズ固定用樹脂４２の厚さを薄くすれば、レンズ固定用樹脂４２の収縮又は膨張による変化量自体を小さくすることができる。したがって、コリメートレンズ４０の位置がＹ方向及びＺ方向にはほとんど変化することがなく、コリメートレンズ４０を高精度に調心された状態に保持することができる。
　なお、図１から図３に示す例では、コリメートレンズ４０の端部４０ＡのＸ方向の端面全体がレンズ固定用樹脂４２によりレンズ取付面５０Ａに固定されているが、コリメートレンズ４０の端部４０ＡのＸ方向の端面の少なくとも一部がレンズ固定用樹脂４２によりレンズ取付面５０Ａに固定されていればよい。
　また、コリメートレンズ４０を挟んでＺ方向の両側に存在するレンズ固定用樹脂４２の量を互いに等しくすることにより、コリメートレンズ４０の両側に存在するレンズ固定用樹脂４２の収縮量又は膨張量が等しくなり互いに相殺し合うため、レンズ固定用樹脂４２の収縮や膨張によるコリメートレンズ４０のＺ方向への影響を実質的になくすことができる。また、コリメートレンズ４０を挟んでＹ方向の両側に存在するレンズ固定用樹脂４２の量を互いに等しくすることにより、コリメートレンズ４０の両側に存在するレンズ固定用樹脂４２の収縮量又は膨張量が等しくなり互いに相殺し合うため、レンズ固定用樹脂４２の収縮や膨張によるコリメートレンズ４０のＹ方向への影響を実質的になくすことができる。
　さらに、レンズ固定ブロック５０を固定するブロック固定用樹脂５２が、レンズ固定ブロック５０のＸ方向に垂直なブロック固定面５０Ｂと第２の基板２０のＸ方向における側面２０Ａとの間に設けられているため、ブロック固定用樹脂５２の収縮や膨張によるレンズ固定ブロック５０の位置の変化が主としてＸ方向のみとなる。さらに、レンズ固定ブロック５０のブロック固定面５０Ｂと第２の基板２０の側面２０Ａとの間のブロック固定用樹脂５２の厚さを薄くすれば、レンズ固定用樹脂４２の収縮又は膨張による変化量自体を小さくすることができる。したがって、レンズ固定ブロック５０の位置がＹ方向及びＺ方向にほとんど変化することがない。このため、レンズ固定ブロック５０に固定されたコリメートレンズ４０の位置もＹ方向及びＺ方向にほとんど変化することがない。したがって、コリメートレンズ４０を高精度に調心された状態に保持することができる。
　次に、本実施形態における半導体レーザモジュール１を製造する方法について説明する。半導体レーザモジュール１を製造する際には、まず、半導体レーザ素子３０を素子実装部である第２の基板２０に実装し、半導体レーザ素子３０が実装された第２の基板２０を第１の基板１０上に固定する（図４）。
　また、レンズ固定ブロック５０のレンズ取付面５０Ａにレンズ固定用樹脂４２を塗布し、コリメートレンズ４０の端部４０Ａをレンズ取付面５０Ａに垂直な方向からレンズ固定用樹脂４２に挿入する（図５）。そして、レンズ固定用樹脂４２を硬化させてコリメートレンズ４０をレンズ固定ブロック５０に固定する。このとき、コリメートレンズ４０とレンズ取付面５０Ａとの間のレンズ固定用樹脂４２の厚さがなるべく薄くなるようにすることが好ましい。
　次に、第２の基板２０の側面２０Ａ上にブロック固定用樹脂５２を塗布する。そして、コリメートレンズ４０が固定されたレンズ固定ブロック５０を、第２の基板２０のブロック固定用樹脂５２を塗布した箇所に接触させる（図６）。このとき、レンズ固定ブロック５０のレンズ取付面５０ＡはＸ方向に垂直になっている。
　そして、半導体レーザ素子３０からレーザ光を出射させ、その状態でレンズ固定ブロック５０を移動させてコリメートレンズ４０の位置決めを行う（アクティブ調心）。このとき、レンズ固定ブロック５０のブロック固定面５０Ｂと第２の基板２０の側面２０Ａとの間のブロック固定用樹脂５２の厚さがなるべく薄くなるようにすることが好ましい。コリメートレンズ４０が高精度に位置決めされた状態で、ブロック固定用樹脂５２を硬化させることによりレンズ固定ブロック５０を第２の基板２０に固定する。このようにして、半導体レーザモジュール１が完成する（図１）。
　上述したように、本実施形態における半導体レーザモジュール１の製造方法によれば、レンズ固定用樹脂４２を用いてコリメートレンズ４０をレンズ固定ブロック５０に固定しているため、特許文献２のはんだ接合のように高温に保つ必要がない。したがって、半導体レーザ素子３０からレーザ光を出射させながらコリメートレンズ４０の位置決め（アクティブ調心）をすることができる。
　また、コリメートレンズ４０のＸ方向の端部４０ＡをＸ方向に垂直なレンズ固定ブロック５０のレンズ取付面５０Ａに固定しているので、レンズ固定用樹脂４２の硬化収縮や温度又は湿度によるレンズ固定用樹脂４２の収縮や膨張によるコリメートレンズ４０の位置の変動がＹ方向及びＺ方向にはほとんど生じることがない。また、コリメートレンズ４０とレンズ取付面５０Ａとの間のレンズ固定用樹脂４２の厚さを薄くすれば、レンズ固定用樹脂４２の収縮又は膨張による変化量自体を小さくすることができる。したがって、コリメートレンズ４０を高精度に調心された状態に保持することができる。
　また、Ｘ方向に垂直なレンズ固定ブロック５０のブロック固定面５０Ｂを第２の基板２０のＸ方向における側面２０Ａに固定しているので、ブロック固定用樹脂５２の硬化収縮や温度又は湿度によるブロック固定用樹脂５２の収縮や膨張によるレンズ固定ブロック５０の位置の変動がＹ方向及びＺ方向にはほとんど生じることがない。また、レンズ固定ブロック５０のブロック固定面５０Ｂと第２の基板２０の側面２０Ａとの間のブロック固定用樹脂５２の厚さを薄くすれば、ブロック固定用樹脂５２の収縮又は膨張による変化量自体を小さくすることができる。したがって、レンズ固定ブロック５０に固定されたコリメートレンズ４０の位置の変動もＹ方向及びＺ方向にはほとんど生じることがなく、コリメートレンズ４０を高精度に調心された状態に保持することができる。
　図７は本発明の第２の実施形態における半導体レーザモジュール１０１を示す平面図、図８は正面図、図９は側面図である。図７から図９に示すように、本実施形態における半導体レーザモジュール１０１は、半導体レーザ素子３０が実装される素子実装部として、半導体レーザ素子３０が実装される実装基板としての第２の基板２０と、スペーサとしての第３の基板１２０とを備えている。このようなスペーサ１２０により半導体レーザ素子３０を所望の高さに設置することができる。
　また、本実施形態における半導体レーザモジュール１０１は、例えばガラスなどからなる略直方体状のレンズ固定ブロック１５０を備えている。このレンズ固定ブロック１５０は、Ｘ方向に垂直で同一平面上にあるレンズ取付面１５０Ａ及びブロック固定面１５０Ｂを有している。レンズ取付面１５０Ａにはコリメートレンズ４０のＸ方向の端部４０Ａがレンズ固定用樹脂４２により固定される。
　図７及び図９に示すように、レンズ固定ブロック１５０のブロック固定面１５０Ｂは、第３の基板１２０のＸ方向における側面１２０Ａにブロック固定用樹脂５２により固定されている。レンズ固定ブロック１５０は、第１の基板１０に接触しないようになっており、第３の基板１２０に片持ち梁状に固定されている。
　一般に、半導体レーザ素子３０を実装する基板はファースト軸方向（Ｙ方向）の厚さが０．５ｍｍよりも薄いことが多い。したがって、上述した第１の実施形態の構成では、レンズ固定ブロック５０のブロック固定面５０ＢのＹ方向の幅が非常に狭くなってしまう。本実施形態では、第１の基板１０と第２の基板２０との間に適切な厚さのスペーサ１２０を設け、このスペーサ１２０にレンズ固定ブロック１５０を固定しているため、ブロック固定面１５０Ｂの面積を十分に確保することができる。このようなスペーサ１２０のＹ方向の厚さは０．３ｍｍ以上であることが好ましい。
　図１０は本発明の第３の実施形態における半導体レーザモジュール２０１を示す平面図、図１１は正面図である。図１０及び図１１に示すように、本実施形態における半導体レーザモジュール２０１は、例えばガラスなどからなる略直方体状のレンズ固定ブロック２５０を備えている。このレンズ固定ブロック２５０は、第１の実施形態と同様に、Ｘ方向に垂直なレンズ取付面２５０Ａ及びブロック固定面２５０Ｂを有しているが、図１０に示すように、レンズ固定ブロック２５０のレンズ取付面２５０Ａの位置とブロック固定面２５０Ｂの位置がＸ方向にずれている。したがって、これらレンズ取付面２５０Ａとブロック固定面２５０Ｂとにより段差２５０Ｃが形成されている。
　レンズ固定ブロック２５０のレンズ取付面２５０Ａにはコリメートレンズ４０のＸ方向の端部４０Ａがレンズ固定用樹脂４２により固定される。レンズ固定ブロック２５０のブロック固定面２５０Ｂは、第２の基板２０のＸ方向における側面２０Ａにブロック固定用樹脂５２により固定されている。レンズ固定ブロック２５０は、第１の基板１０に接触しないようになっており、第２の基板２０に片持ち梁状に固定されている。
　上述したように、半導体レーザ素子３０から出射されるレーザ光Ｌはファースト軸方向に広がりを有しているので、コリメートレンズ４０を半導体レーザ素子３０の出射面に近づけることが好ましいが、上述した第１の実施形態においてコリメートレンズ４０を半導体レーザ素子３０の出射面に近づけすぎると、コリメートレンズ４０を固定しているレンズ固定用樹脂４２が第２の基板２０に接触するおそれがある。レンズ固定用樹脂４２が第２の基板２０に接触すると、コリメートレンズ４０がレンズ固定用樹脂４２を介して第２の基板２０のＺ方向の端面にも固定されることとなり、レンズ固定用樹脂４２の収縮や膨張の影響がコリメートレンズ４０のＺ方向の位置の変化としてあらわれる。本実施形態では、レンズ固定ブロック２５０のレンズ取付面２５０Ａをブロック固定面２５０Ｂよりも第２の基板２０からＸ方向に離して段差２５０Ｃを形成することにより、レンズ固定ブロック２５０を半導体レーザ素子３０に近づけた場合にレンズ固定用樹脂４２が第２の基板２０に接触することを防止している。
　図１２は本発明の第４の実施形態における半導体レーザモジュール３０１を示す平面図、図１３は正面図である。第４の実施形態は、上述した第２の実施形態と第３の実施形態を組み合わせたものである。すなわち、図１２及び図１３に示すように、本実施形態における半導体レーザモジュール３０１は、半導体レーザ素子３０が実装される素子実装部として、半導体レーザ素子３０が実装される実装基板としての第２の基板２０と、スペーサとしての第３の基板１２０とを備えている。このようなスペーサ１２０により半導体レーザ素子３０を所望の高さに設置することができる。
　また、本実施形態における半導体レーザモジュール１０１は、例えばガラスなどからなる略直方体状のレンズ固定ブロック３５０を備えている。このレンズ固定ブロック３５０は、第２の実施形態と同様に、Ｘ方向に垂直なレンズ取付面３５０Ａ及びブロック固定面３５０Ｂを有しているが、図１２に示すように、レンズ固定ブロック３５０のレンズ取付面３５０Ａをブロック固定面３５０Ｂよりも第３の基板１２０からＸ方向に離して段差３５０Ｃを形成している。このような構成により、レンズ固定ブロック３５０を半導体レーザ素子３０に近づけた場合にレンズ固定用樹脂４２が第３の基板１２０に接触することを防止している。
　レンズ固定ブロック３５０のレンズ取付面３５０Ａにはコリメートレンズ４０のＸ方向の端部４０Ａがレンズ固定用樹脂４２により固定される。レンズ固定ブロック３５０のブロック固定面３５０Ｂは、第３の基板１２０のＸ方向における側面１２０Ａにブロック固定用樹脂５２により固定されている。レンズ固定ブロック３５０は、第１の基板１０に接触しないようになっており、第３の基板１２０に片持ち梁状に固定されている。
　図１４は本発明の第５の実施形態における半導体レーザモジュール４０１を示す平面図、図１５は正面図である。図１４及び図１５に示すように、本実施形態における半導体レーザモジュール４０１は、例えばガラスなどからなる略直方体状のレンズ固定ブロック４５０を備えている。このレンズ固定ブロック４５０は、第１の実施形態と同様に、Ｘ方向に垂直で同一平面にあるレンズ取付面４５０Ａ及びブロック固定面４５０Ｂを有しているが、図１４に示すように、レンズ固定ブロック４５０のレンズ取付面４５０Ａとブロック固定面４５０Ｂとの間にＹ方向に延びる溝４５０Ｃが形成されている。
　レンズ固定ブロック４５０のレンズ取付面４５０Ａにはコリメートレンズ４０のＸ方向における端部４０Ａがレンズ固定用樹脂４２により固定される。レンズ固定ブロック４５０のブロック固定面４５０Ｂは、第２の基板２０のＸ方向における側面２０Ａにブロック固定用樹脂５２により固定されている。レンズ固定ブロック４５０は、第１の基板１０に接触しないようになっており、第２の基板２０に片持ち梁状に固定されている。
　本実施形態においては、レンズ固定ブロック４５０のレンズ取付面４５０Ａにある程度以上のレンズ固定用樹脂４２が塗布されると、余分なレンズ固定用樹脂４２がレンズ取付面４５０Ａとブロック固定面４５０Ｂとの間の溝４５０Ｃに流れ込むので、レンズ固定ブロック４５０を半導体レーザ素子３０に近づけた場合にレンズ固定用樹脂４２が第２の基板２０に接触することを防止することができる。
　図１６は本発明の第６の実施形態における半導体レーザモジュール５０１を示す平面図、図１７は正面図である。第６の実施形態は、上述した第２の実施形態と第５の実施形態を組み合わせたものである。すなわち、図１６及び図１７に示すように、本実施形態における半導体レーザモジュール５０１は、半導体レーザ素子３０が実装される素子実装部として、半導体レーザ素子３０が実装される実装基板としての第２の基板２０と、スペーサとしての第３の基板１２０とを備えている。このようなスペーサ１２０により半導体レーザ素子３０を所望の高さに設置することができる。
　また、本実施形態における半導体レーザモジュール５０１は、例えばガラスなどからなる略直方体状のレンズ固定ブロック５５０を備えている。このレンズ固定ブロック５５０は、第１の実施形態と同様に、Ｘ方向に垂直で同一平面にあるレンズ取付面５５０Ａ及びブロック固定面５５０Ｂを有しているが、図１６に示すように、レンズ固定ブロック５５０のレンズ取付面５５０Ａとブロック固定面５５０Ｂとの間にＹ方向に延びる溝５５０Ｃが形成されている。このような構成により、レンズ固定ブロック５５０を半導体レーザ素子３０に近づけた場合にレンズ固定用樹脂４２が第３の基板１２０に接触することを防止している。
　レンズ固定ブロック５５０のレンズ取付面５５０Ａにはコリメートレンズ４０のＸ方向の端部４０Ａがレンズ固定用樹脂４２により固定される。レンズ固定ブロック５５０のブロック固定面５５０Ｂは、第３の基板１２０のＸ方向における側面１２０Ａにブロック固定用樹脂５２により固定されている。レンズ固定ブロック５５０は、第１の基板１０に接触しないようになっており、第３の基板１２０に片持ち梁状に固定されている。
　なお、上述した各実施形態では、コリメートレンズ４０のＸ方向の端部の一方のみを固定する構成を説明したが、他方の端部に対しても同様のレンズ固定ブロックを設け、コリメートレンズ４０のＸ方向の両端部を固定するようにしてもよい。
　さらに、上述した実施形態におけるコリメートレンズ４０は、レーザ光Ｌの成分のうちファースト軸方向（Ｙ方向）の成分をコリメートするものであったが、レーザ光Ｌの成分のうちスロー軸方向（Ｘ方向）の成分をコリメートするレンズを用いる場合にも本発明を適用することができる。その場合には、レンズ固定ブロックのレンズ取付面及びブロック固定面をＸＺ平面に平行に配置し、レンズ取付面にコリメートレンズのＹ方向の端部を固定すればよい。
　これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
　本発明は、半導体レーザ素子と半導体レーザ素子から出射されたレーザ光をコリメートするコリメートレンズとを含む半導体レーザモジュールに好適に用いられる。
　　Ｌ　　レーザ光
　　１　　半導体レーザモジュール
　１０　　第１の基板
　２０　　第２の基板（実装基板）
　２０Ａ　側面
　３０　　半導体レーザ素子
　４０　　コリメートレンズ
　４０Ａ　端部
　４２　　レンズ固定用樹脂
　５０　　レンズ固定ブロック
　５０Ａ　レンズ取付面
　５０Ｂ　ブロック固定面
　５２　　ブロック固定用樹脂
１０１　　半導体レーザモジュール
１２０　　第３の基板（スペーサ）
１２０Ａ　側面
１５０Ａ　レンズ取付面
１５０Ｂ　ブロック固定面
２０１　　半導体レーザモジュール
２５０Ａ　レンズ取付面
２５０Ｂ　ブロック固定面
２５０Ｃ　段差
３０１　　半導体レーザモジュール
３５０Ａ　レンズ取付面
３５０Ｂ　ブロック固定面
３５０Ｃ　段差
４０１　　半導体レーザモジュール
４５０Ａ　レンズ取付面
４５０Ｂ　ブロック固定面
４５０Ｃ　溝
５０１　　半導体レーザモジュール
５５０Ａ　レンズ取付面
５５０Ｂ　ブロック固定面
５５０Ｃ　溝

Claims (12)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に設けられた素子実装部と、
    　前記素子実装部に実装され、第１の方向に沿った光軸を有するレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
    　前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の成分のうち前記第１の方向に垂直な第２の方向の成分をコリメートするコリメートレンズと、
    　前記第１の方向及び前記第２の方向に垂直な第３の方向に対して垂直なレンズ取付面と前記第３の方向に垂直なブロック固定面とを有するレンズ固定ブロックと、
    を備え、
    　前記コリメートレンズの前記第３の方向における端部の少なくとも一方が、前記レンズ固定ブロックのレンズ取付面にレンズ固定用樹脂により固定され、
    　前記レンズ固定ブロックの前記ブロック固定面が前記素子実装部の前記第３の方向における側面にブロック固定用樹脂により固定されている、
    ことを特徴とする半導体レーザモジュール。
  2. 　前記第２の方向は、前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光のファースト軸の方向であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
  3. 　前記レンズ固定ブロックのレンズ取付面の位置は、前記レンズ固定ブロックのブロック固定面の位置よりも前記素子実装部から前記第３の方向に離れていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザモジュール。
  4. 　前記レンズ固定ブロックのレンズ取付面とブロック固定面との間には、前記レンズ固定用樹脂が前記素子実装部に接触することを防止する溝が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザモジュール。
  5. 　前記素子実装部は、前記半導体レーザ素子が実装される実装基板と、所定の厚さのスペーサとを含み、
    　前記レンズ固定ブロックのブロック固定面は、前記素子実装部のスペーサの前記第３の方向における側面に前記ブロック固定用樹脂により固定される、
    ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
  6. 　前記レンズ固定用樹脂は、ＵＶ硬化樹脂又は熱硬化樹脂であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
  7. 　前記ブロック固定用樹脂は、ＵＶ硬化樹脂又は熱硬化樹脂であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
  8. 　前記コリメートレンズを挟んで前記第１の方向の両側に存在する前記レンズ固定用樹脂の量が互いに等しく、
    　前記コリメートレンズを挟んで前記第２の方向の両側に存在する前記レンズ固定用樹脂の量が互いに等しい、
    ことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
  9. 　第１の方向に沿った光軸を有するレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の成分のうち前記第１の方向に垂直な第２の方向の成分をコリメートするコリメートレンズとを備えた半導体レーザモジュールの製造方法であって、
    　前記半導体レーザ素子を素子実装部に実装し、
    　前記素子実装部を基板に固定し、
    　レンズ固定ブロックに形成されたレンズ取付面にレンズ固定用樹脂を塗布し、
    　前記第１の方向及び前記第２の方向に垂直な第３の方向に対して前記レンズ取付面が垂直となる状態で、前記コリメートレンズの前記第３の方向における端部を前記レンズ取付面に塗布されたレンズ固定用樹脂に挿入し、
    　前記レンズ固定用樹脂を硬化させて前記コリメートレンズを前記レンズ固定ブロックに固定し、
    　前記素子実装部の前記第３の方向における側面にブロック固定用樹脂を塗布し、
    　前記レンズ固定ブロックを前記ブロック固定用樹脂に接触させ、
    　前記半導体レーザ素子からレーザ光を出射しつつ前記コリメートレンズを所望の位置に位置決めし、
    　前記コリメートレンズが位置決めされた状態で前記ブロック固定用樹脂を硬化させて前記レンズ固定ブロック及び前記コリメートレンズを前記素子実装部に対して固定する、
    ことを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方法。
  10. 　前記第２の方向は、前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光のファースト軸の方向であることを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
  11. 　前記コリメートレンズの端部を前記レンズ固定用樹脂に挿入する際に、前記コリメートレンズを挟んで前記第１の方向の両側に存在する前記レンズ固定用樹脂の量を互いに等しくし、前記コリメートレンズを挟んで前記第２の方向の両側に存在する前記レンズ固定用樹脂の量を互いに等しくすることを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
  12. 　前記素子実装部を実装基板と所定の厚さのスペーサとにより構成し、
    　前記半導体レーザ素子を前記素子実装部に実装する際に、
    　　前記半導体レーザ素子を前記実装基板に実装し、
    　　前記実装基板を前記スペーサに固定し、
    　前記素子実装部の前記第３の方向における側面に前記ブロック固定用樹脂を塗布する際に、前記スペーサの前記第３の方向における側面に前記ブロック固定用樹脂を塗布する、
    ことを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
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